KR20240014566A - 유기발광 표시장치, 그를 포함한 헤드 장착형 디스플레이, 및 그의 제조방법 - Google Patents

유기발광 표시장치, 그를 포함한 헤드 장착형 디스플레이, 및 그의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 애노드 전극이 캐소드 전극 또는 유기발광층의 전하 생성층과 단락되는 것을 방지할 수 있는 유기발광 표시장치, 그를 포함한 헤드 장착형 디스플레이, 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치는 절연막 상에 배치된 제1 전극들, 제1 전극들 사이에서 제1 전극들과 절연막 사이의 단차를 채우는 평탄화막, 제1 전극들과 평탄화막 상에 배치된 유기발광층, 및 유기발광층 상에 배치된 제2 전극을 구비한다.

Description

유기발광 표시장치, 그를 포함한 헤드 장착형 디스플레이, 및 그의 제조방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY, HEAD MOUNTED DISPLAY INCLUDING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 유기발광 표시장치, 그를 포함한 헤드 장착형 디스플레이, 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
정보화 사회가 발전함에 따라 영상을 표시하기 위한 표시장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있다. 이에 따라, 최근에는 액정표시장치(LCD: Liquid Crystal Display), 플라즈마표시장치(PDP: Plasma Display Panel), 유기발광 표시장치(OLED: Organic Light Emitting Display)와 같은 여러가지 표시장치가 활용되고 있다.
표시장치들 중에서 유기발광표시장치는 자체발광형으로서, 액정표시장치(LCD)에 비해 시야각, 대조비 등이 우수하며, 별도의 백라이트가 필요하지 않아 경량 박형이 가능하며, 소비전력이 유리한 장점이 있다. 또한, 유기발광 표시장치는 직류저전압 구동이 가능하고, 응답속도가 빠르며, 특히 제조비용이 저렴한 장점이 있다.
유기발광 표시장치는 애노드 전극들, 애노드 전극들을 구획하는 뱅크, 및 애노드 전극들 상에 형성되는 정공 수송층(hole transporting layer), 유기발광층(organic light emitting layer), 및 전자 수송층(electron transporting layer), 및 전자 수송층 상에 형성되는 캐소드 전극을 포함한다. 이 경우, 애노드 전극에 고전위 전압이 인가되고 캐소드 전극에 저전위 전압이 인가되면 정공과 전자가 각각 정공 수송층과 전자 수송층을 통해 유기발광층으로 이동되며, 유기발광층에서 서로 결합하여 발광하게 된다.
최근에는 유기발광 표시장치를 포함한 헤드 장착형 디스플레이(head mounted display)가 개발되고 있다. 헤드 장착형 디스플레이(Head Mounted Display, HMD)는 안경이나 헬멧 형태로 착용하여 사용자의 눈앞 가까운 거리에 초점이 형성되는 가상현실(Virtual Reality, VR) 또는 증강현실(Augmented Reality)의 안경형 모니터 장치이다. 헤드 장착형 디스플레이에는 고해상도의 소형 유기발광 표시장치가 적용된다. 고해상도의 소형 유기발광 표시장치는 웨이퍼 기반의 반도체 공정을 이용하여 형성된 OLEDoS(Organic Light Emitting Diode on Silicon)일 수 있다. 이 경우, 애노드 전극은 웨이퍼 상에 형성된 트랜지스터를 덮는 절연막 상에 형성되는데, 애노드 전극과 절연막 간의 단차로 인해 애노드 전극의 가장자리에서 유기발광층이 불균일하게 형성됨으로써 애노드 전극이 캐소드 전극 또는 유기발광층의 전하 생성층과 단락될 수 있다.
본 발명은 애노드 전극이 캐소드 전극 또는 유기발광층의 전하 생성층과 단락되는 것을 방지할 수 있는 유기발광 표시장치, 그를 포함한 헤드 장착형 디스플레이, 및 그의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치는 절연막 상에 배치된 제1 전극들, 제1 전극들 사이에서 제1 전극들과 절연막 사이의 단차를 채우는 평탄화막, 제1 전극들과 평탄화막 상에 배치된 유기발광층, 및 유기발광층 상에 배치된 제2 전극을 구비한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 헤드 장착형 디스플레이는 유기발광 표시장치, 유기발광 표시장치를 수납하는 디스플레이 수납 케이스, 수납 케이스의 일 측에 배치되고, 유기발광 표시장치의 영상이 제공되는 렌즈를 구비하며, 유기발광 표시장치는 절연막 상에 배치된 제1 전극들, 제1 전극들 사이에서 제1 전극들과 절연막 사이의 단차를 채우는 평탄화막, 제1 전극들과 평탄화막 상에 배치된 유기발광층, 및 유기발광층 상에 배치된 제2 전극을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 제조방법은 절연막 상에 제1 전극들을 형성하는 단계, 제1 전극들 사이에 제1 전극들과 절연막 사이의 단차를 채우는 평탄화막을 형성하는 단계, 제1 전극들과 평탄화막 상에 유기발광층을 형성하는 단계, 및 유기발광층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 실시예는 제1 전극들 사이에 절연막과 제1 전극 사이의 단차를 채우는 평탄화막을 형성함으로써 절연막과 제1 전극 사이의 단차 영역에서 제1 전극이 유기발광층의 전하 생성층 또는 제2 전극과 단락되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예는 평탄화막에 움푹하게 파인 트렌치를 형성함으로써 이웃하는 화소들 사이에서 유기발광층을 통한 전류 누설 패스의 길이를 트렌치가 없는 경우에 비해 길게 할 수 있다. 나아가, 본 발명의 실시예는 트렌치의 측벽에서의 유기발광층의 두께를 트렌치의 바닥에서의 유기발광층의 두께보다 얇게 형성할 수 있으므로, 유기발광층의 저항을 높일 수 있으므로, 유기발광층을 통한 누설 전류로 인해 인접 화소가 영향을 받는 것을 최소화할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치를 보여주는 분해 사시도이다.
도 2는 도 1의 I-I'의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 3a 및 도 3b는 도 2의 A 영역을 확대한 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 제조방법을 보여주는 흐름도이다.
도 5a 내지 도 5h는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 제조방법을 보여주는 단면도들이다.
도 6은 도 1의 I-I'의 또 다른 예를 보여주는 단면도이다.
도 7a 및 도 7b는 도 6의 B 영역을 확대한 도면이다.
도 8은 도 1의 I-I'의 또 다른 예를 보여주는 단면도이다.
도 9는 도 8의 C 영역을 확대한 도면이다.
도 10은 도 1의 I-I'의 또 다른 예를 보여주는 단면도이다.
도 11은 도 10의 D 영역을 확대한 도면이다.
도 12a 내지 도 12c는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 제조방법을 보여주는 단면도들이다.
도 13a 및 도 13b는 본 발명의 실시예에 따른 유기발광 표시장치가 적용된 헤드 장착형 디스플레이를 보여주는 예시도면들이다.
도 14는 도 13a 및 도 13b의 디스플레이 수납 케이스의 일 예를 보여주는 예시도면이다.
도 15는 도 13a 및 도 13b의 디스플레이 수납 케이스의 다른 예를 보여주는 예시도면이다.
명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 실질적으로 동일한 구성요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명의 핵심 구성과 관련이 없는 경우 및 본 발명의 기술분야에 공지된 구성과 기능에 대한 상세한 설명은 생략될 수 있다. 본 명세서에서 서술되는 용어의 의미는 다음과 같이 이해되어야 할 것이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다.
본 명세서에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.
시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.
제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.
"X축 방향", "Y축 방향" 및 "Z축 방향"은 서로 간의 관계가 수직으로 이루어진 기하학적인 관계만으로 해석되어서는 아니 되며, 본 발명의 구성이 기능적으로 작용할 수 있는 범위 내에서보다 넓은 방향성을 가지는 것을 의미할 수 있다.
"적어도 하나"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 적어도 하나"의 의미는 제 1 항목, 제 2 항목 또는 제 3 항목 각각 뿐만 아니라 제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미할 수 있다.
본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치를 보여주는 사시도이다. 도 1에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치가 반도체 공정을 이용하여 형성된 웨이퍼 기판 상에 유기발광소자를 형성한 OLEDoS(Organic Light Emitting Diode on Silicon)인 것을 중심으로 설명하였으나, 이에 한정되지 않음에 주의하여야 한다.
*26도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 유기발광 표시장치(100)는 웨이퍼 기판(110), 제1 전극(121)들, 유기발광층(130), 제2 전극(130), 및 봉지막(140)을 포함한다.
웨이퍼 기판(110)은 반도체 공정을 이용하여 형성된 실리콘 웨이퍼 기판일 수 있다. 웨이퍼 기판(110)은 게이트 라인들, 데이터 라인들, 및 트랜지스터들을 포함할 수 있다. 게이트 라인들과 데이터 라인들은 서로 교차하도록 배치될 수 있다. 게이트 라인들은 게이트 구동부에 연결되어 게이트 신호들을 공급받는다. 데이터 라인들은 데이터 구동부에 연결되어 데이터 전압들을 공급받는다.
제1 전극(121), 유기발광층(130), 및 제2 전극(130)이 순차적으로 적층된 영역은 소정의 광을 발광하는 화소(pixel)로 정의될 수 있다. 제1 전극(121)들은 웨이퍼 기판(110) 상에 소정의 간격으로 서로 떨어져 배치되므로, 화소는 제1 전극(121)에 의해 구분될 수 있다. 화소에는 N (N은 양의 정수) 개의 트랜지스터들이 배치될 수 있으며, N 개의 트랜지스터들은 게이트 라인으로부터 게이트 신호가 입력되는 경우 데이터 라인의 데이터 전압에 따라 제1 전극(121)에 소정의 전압을 공급한다.
유기발광층(130)은 웨이퍼 기판(110)과 제1 전극(121)들을 덮도록 형성될 수 있다. 유기발광층(130)은 화소들에 공통적으로 형성되는 공통층일 수 있다.
제2 전극(140)은 유기발광층(130)을 덮도록 형성될 수 있다. 제2 전극(140) 역시 화소들에 공통적으로 형성되는 공통층일 수 있다.
봉지막(150)은 제2 전극(140)을 덮도록 형성될 수 있다. 봉지막(150)은 유기발광층(130)과 제2 전극(140)에 산소 또는 수분이 침투되는 것을 방지하는 역할을 한다.
이하에서는, 도 2, 도 6, 도 8 및 도 10을 결부하여 본 발명의 실시예들에 따른 유기발광 표시장치를 상세히 설명한다.
도 2는 도 1의 I-I'의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 2를 참조하면, 웨이퍼 기판(110) 상에 트랜지스터(111)들이 형성된다. 트랜지스터(111)들 각각은 액티브층(111a), 게이트 전극(111b), 소스 전극(111c), 및 드레인 전극(111d)를 포함한다. 도 2에서 트랜지스터(111)들 각각은 게이트전극(111b)이 액티브층(111a)의 상부에 위치하는 상부 게이트(탑 게이트, top gate) 방식으로 형성된 것을 예시하였으나, 이에 한정되지 않음에 주의하여야 한다. 즉, 트랜지스터(111)들 각각은 게이트전극(111b)이 액티브층(111a)의 하부에 위치하는 하부 게이트(보텀 게이트, bottom gate) 방식 또는 게이트전극(111b)이 액티브층(111a)의 상부와 하부에 모두 위치하는 더블 게이트(double gate) 방식으로 형성될 수 있다.
웨이퍼 기판(110) 상에는 액티브층(111a)이 형성된다. 액티브층(111a)은 실리콘계 반도체 물질 또는 산화물계 반도체 물질로 형성될 수 있다. 액티브층(111a) 상에는 게이트 절연막(112)이 형성될 수 있다. 게이트 절연막(112)은 무기막, 예를 들어 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx), 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있다. 게이트 절연막(112) 상에는 게이트 전극(111b)이 형성될 수 있다.
소스 전극(111c)은 제1 트렌치(111e)를 통해 액티브층(111a)에 접속된다. 드레인 전극(111d)은 제2 트렌치(111f)를 통해 액티브층(111a)에 접속된다. 액티브층(111a), 게이트 전극(111b), 소스 전극(111c), 및 드레인 전극(111d)은 제1 절연막(113)에 의해 절연된다. 제1 절연막(113)은 무기막, 예를 들어 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx), 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있다.
제1 절연막(113) 상에는 M3 금속층(114a)와 M4 금속층(115a)가 배치된다. M3 금속층(114a)은 제3 트렌치(114b)를 통해 드레인 전극(111d)에 접속된다. M4 금속층(115a)은 제4 트렌치(115b)를 통해 M3 금속층(114a)에 접속된다. M3 금속층(114a)과 M4 금속층(115a)은 제2 절연막(117)에 의해 절연된다. 제2 절연막(117)은 무기막, 예를 들어 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx), 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있다. M3 금속층(114a), M4 금속층(115a), 및 제2 절연막(117)은 생략될 수 있다.
제2 절연막(117) 상에는 제1 전극(121)들이 배치된다. 제1 전극(121)들 각각은 제5 트렌치(115c)를 통해 M4 금속층(115a)에 접속된다. 제1 전극(121)들은 광을 투과시킬 수 있는 ITO, IZO와 같은 투명한 금속물질(TCO, Transparent Conductive Material)로 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 유기발광 표시장치는 유기발광층(130)으로부터 발광된 광이 상부 방향으로 발광하는 상부 발광(top emission) 방식으로 구현된 것을 예시하였다. 상부 발광 방식에서 하부로 진행하는 유기발광층(130)의 광을 반사시키기 위해 제1 전극(121)들 각각의 아래에는 반사 전극(122)이 배치될 수 있다. 반사 전극(122)은 은(Ag)과 같이 반사율이 높은 금속물질로 형성될 수 있다.
반사 전극(122)들 각각의 아래에는 버퍼 전극(123)이 배치될 수 있다. 버퍼 전극(123)은 티타늄(Ti)과 질화 티타늄(TiN)의 이중층 구조로 형성될 수 있다. 버퍼 전극(123)은 생략될 수 있다.
제1 전극(121)들, 반사 전극(122)들, 버퍼 전극(123)들은 수직 구조로 형성될 수 있다. 수직 구조는 제1 전극(121)들, 반사 전극(122)들, 버퍼 전극(123)들의 측면이 제2 절연막(117)과 이루는 각도(θ1)가 90도인 것을 나타낸다.
제1 전극(121)들, 반사 전극(122)들, 버퍼 전극(123)들로 인한 단차를 평탄화하기 위해 제1 전극(121)들 사이에는 평탄화막(150)이 배치될 수 있다. 평탄화막(150)에는 제6 트렌치(T)가 마련될 수 있다. 도 2에서는 제6 트렌치(T)가 평탄화막(150)을 관통하여 제2 절연막(117)의 일부가 움푹하게 파이도록 형성된 것을 예시하였으나, 이에 한정되지 않는다. 즉, 제6 트렌치(T)는 평탄화막(150)의 일부가 움푹하게 파이도록 형성되거나, 평탄화막(150)과 제2 절연막(130)을 모두 관통하고, 제1 절연막(113)의 일부가 움푹하게 파이도록 형성되거나, 평탄화막(150), 제2 절연막(130), 및 제1 절연막(113)을 모두 관통하도록 형성될 수 있다.
제1 전극(121)들과 평탄화막(150) 상에는 유기발광층(130)이 형성된다. 유기발광층(130)은 정공 수송층(hole transporting layer), 발광층(light emitting layer), 및 전자 수송층(electron transporting layer)을 포함할 수 있다. 이 경우, 제1 전극(121)과 제2 전극(140)에 전압이 인가되면 정공과 전자가 각각 정공 수송층과 전자 수송층을 통해 발광층으로 이동하게 되며, 발광층에서 서로 결합하여 발광하게 된다.
유기발광층(130)은 백색 광을 발광하는 백색 발광층일 수 있다. 이 경우, 유기발광층(130)은 화소(P)들에 공통적으로 형성되는 공통층일 수 있다.
유기발광층(130)이 백색 발광층인 경우, 2 스택(stack) 이상의 탠덤 구조로 형성될 수 있다. 스택들 각각은 정공 수송층(hole transporting layer), 적어도 하나의 발광층(light emitting layer), 및 전자 수송층(electron transporting layer)을 포함할 수 있다.
또한, 스택들 사이에는 전하 생성층이 형성될 수 있다. 전하 생성층은 하부 스택과 인접하게 위치하는 n형 전하 생성층과 n형 전하 생성층 상에 형성되어 상부 스택과 인접하게 위치하는 p형 전하 생성층을 포함할 수 있다. n형 전하 생성층은 하부 스택으로 전자(electron)를 주입해주고, p형 전하 생성층은 상부 스택으로 정공(hole)을 주입해준다. n형 전하 생성층은 Li, Na, K, 또는 Cs와 같은 알칼리 금속, 또는 Mg, Sr, Ba, 또는 Ra와 같은 알칼리 토금속으로 도핑된 유기층으로 이루어질 수 있다. p형 전하 생성층은 정공수송능력이 있는 유기물질에 도펀트가 도핑되어 이루어질 수 있다.
유기발광층(130)은 증착 공정 또는 용액 공정으로 형성될 수 있으며, 증착 공정으로 형성되는 경우 증발 증착법(evaporation)으로 형성될 수 있다. 증발 증착법으로 형성된 막은 스텝 커버리지(step coverage) 특성이 좋지 않다. 그러므로, 제1 전극(121)들 사이에 평탄화막(150)이 배치되지 않는다면, 유기발광층(130)은 제2 절연막(117)과 제1 전극(121) 사이의 단차 영역에서 얇게 형성될 수 있다. 이로 인해, 제2 절연막(117)과 제1 전극(121) 사이의 단차 영역에서 제1 전극(121)이 유기발광층(130)의 전하 생성층 또는 제2 전극(140)과 단락될 수 있다. 스텝 커버리지는 소정의 증착 방법에 의해 증착된 막이 단차 영역에서도 끊기지 않고 이어지도록 형성되는 것을 가리킨다.
본 발명의 실시예는 제1 전극(121)들 사이에 제2 절연막(117)과 제1 전극(121) 사이의 단차를 채우는 평탄화막(150)을 형성함으로써 제2 절연막(117)과 제1 전극(121) 사이의 단차 영역에서 제1 전극(121)이 유기발광층(130)의 전하 생성층 또는 제2 전극(140)과 단락되는 것을 방지할 수 있다. 특히, 제2 절연막(117)과 제1 전극(121) 사이의 단차 높이를 최소화하기 위해 평탄화막(150)의 가장자리의 높이(H1)는 제1 전극(121)의 높이 이하로 형성될 수 있다. 예를 들어, 평탄화막(150)의 가장자리의 높이(H1)는 도 3a과 같이 제1 전극(121) 사이에 위치할 수 있다. 또는, 평탄화막(150)의 가장자리의 높이(H2)는 도 3b와 같이 반사 전극(122)의 높이보다 낮을 수 있으며, 반사 전극(122) 사이에 위치할 수 있다.
또한, 유기발광층(130)은 스텝 커버리지(step coverage) 특성이 좋지 않기 때문에, 도 3a 및 도 3b와 같이 평탄화막(150)에 마련된 제6 트렌치(T)의 측벽에서의 유기발광층(130)의 두께(D2)는 제6 트렌치(T)의 바닥에서의 유기발광층(130)의 두께(D1)보다 얇게 형성될 수 있다.
즉, 본 발명의 실시예는 평탄화막(150)에 움푹하게 파인 제6 트렌치(T)를 형성함으로써 이웃하는 화소(P)들 사이에서 유기발광층(130)을 통한 전류 누설 패스의 길이를 제6 트렌치(T)가 없는 경우에 비해 길게 할 수 있다. 또한, 본 발명의 실시예는 제6 트렌치(T)의 측벽에서의 유기발광층(130)의 두께(D2)를 제6 트렌치(T)의 바닥에서의 유기발광층(130)의 두께(D1)보다 얇게 형성할 수 있으므로, 유기발광층(130)의 저항을 높일 수 있으므로, 유기발광층(130)을 통한 누설 전류로 인해 인접 화소가 영향을 받는 것을 최소화할 수 있다.
유기발광층(130) 상에는 제2 전극(140)이 배치된다. 제2 전극(140)은 화소(P)들에 공통적으로 형성되는 공통층일 수 있다. 제2 전극(140)은 광을 투과시킬 수 있는 ITO, IZO와 같은 투명한 금속물질(TCO, Transparent Conductive Material), 또는 마그네슘(Mg), 은(Ag), 또는 마그네슘(Mg)과 은(Ag)의 합금과 같은 반투과 금속물질(Semi-transmissive Conductive Material)로 형성될 수 있다. 제2 전극(140)이 반투과 금속물질로 형성되는 경우, 마이크로 캐비티(micro cavity) 효과가 얻어질 수 있다.
제2 전극(140)은 스퍼터링법(sputtering)과 같은 물리적 기상 증착법(physics vapor deposition)으로 형성될 수 있다. 스퍼터링법과 같은 물리적 기상 증착법으로 형성된 막은 스텝 커버리지(step coverage) 특성이 우수하다. 따라서, 제2 전극(140)은 제6 트렌치(T)에도 불구하고 유기발광층(130)에 비해 균일한 두께로 증착될 수 있다.
제2 전극(140) 상에는 봉지막(160)이 배치된다. 봉지막(160)은 유기발광층(130)과 제2 전극(140)에 산소 또는 수분이 침투되는 것을 방지하는 역할을 한다. 이를 위해, 봉지막(160)은 적어도 하나의 무기막과 적어도 하나의 유기막을 포함할 수 있다.
봉지막(160) 상에는 컬러필터들(171, 172)이 배치된다. 컬러필터들(171, 172) 각각은 화소(P)들 각각에 대응되게 배치된다. 예를 들어, 적색 컬러필터는 적색 화소에 대응되게 배치되며, 녹색 컬러필터는 녹색 화소에 대응되게 배치되고, 청색 컬러필터는 청색 화소에 대응되게 배치될 수 있다.
컬러필터들(171, 172)로 인한 단차를 평탄화하기 위한 오버코트층이 형성될 수 있다. 컬러필터들(171, 172) 상에는 봉지 필름(180)이 부착될 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 제조방법을 보여주는 흐름도이다. 도 5a 내지 도 5h는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 제조방법을 보여주는 단면도들이다.
첫 번째로, 도 5a와 같이 웨이퍼 기판(110) 상에 트랜지스터(111)들을 형성한다.
구체적으로, 웨이퍼 기판(110) 상에 트랜지스터(111)들 각각의 액티브층(111a)을 형성한다. 액티브층(111a)은 실리콘계 반도체 물질 또는 산화물계 반도체 물질로 형성될 수 있다.
그리고 나서, 액티브층(111a) 상에 게이트 절연막(112)을 형성한다. 게이트 절연막(210)은 무기막, 예를 들어 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx), 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있다.
그리고 나서, 게이트 절연막(112) 상에 게이트 전극(111b)을 형성한다.
그리고 나서, 액티브층(111a)과 게이트 전극(111b) 상에 제1 절연막(113)을 형성한다. 제1 절연막(113)은 무기막, 예를 들어 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx), 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있다.
그리고 나서, 제1 절연막(113)을 관통하여 액티브층(111a)에 접속되는 제1 및 제2 트렌치들(111e, 111f)을 형성한다. 제1 절연막(113) 상에 제1 트렌치(111e)를 통해 액티브층(111a)에 접속되는 소스 전극(111c), 및 제2 트렌치(111f)를 통해 액티브층(111a)과 접속되는 드레인 전극(111d)를 형성한다.
그리고 나서, 소스 전극(111c)과 드레인 전극(111d) 상에 제1 절연막(113)을 추가로 형성한다. 추가로 형성된 제1 절연막(113)을 관통하여 드레인 전극(111d)에 접속되는 제3 트렌치(114b)를 형성한다. 추가로 형성된 제1 절연막(113) 상에 제3 트렌치(114b)를 통해 드레인 전극(113e)에 접속되는 M3 금속층(114a)를 형성한다.
그리고 나서, M3 금속층(114a) 상에 제2 절연막(117)을 형성한다. 제2 절연막(117)은 무기막, 예를 들어 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx), 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있다.
그리고 나서, 제2 절연막(117)을 관통하여 M3 금속층(114a)에 접속되는 제4 트렌치(115b)를 형성한다. 제2 절연막(117) 상에 제4 트렌치(115b)를 통해 M3 금속층(114a)에 접속되는 M4 금속층(115a)를 형성한다.
그리고 나서, M4 금속층(115a) 상에 제2 절연막(117)을 추가로 형성한다. 추가로 형성된 제2 절연막(117)을 관통하여 M4 금속층(115a)에 접속되는 제5 트렌치(116)를 형성한다. (도 4의 S101)
두 번째로, 제2 절연막(117) 상에 제1 전극(121)들을 형성한다.
구체적으로, 도 5b와 같이 제2 절연막(117) 상에 버퍼 금속막(123a), 반사 금속막(122a), 및 제1 전극막(121a)을 형성한다. 버퍼 전극(123)들은 티타늄(Ti)과 질화 티타늄(TiN)의 이중층 구조로 형성될 수 있다. 반사 금속막(122a)은 은(Ag)과 같이 반사율이 높은 금속물질로 형성될 수 있다. 제1 전극막(121a)은 광을 투과시킬 수 있는 ITO, IZO와 같은 투명한 금속물질(TCO, Transparent Conductive Material)로 형성될 수 있다.
그리고 나서, 제1 전극막(121a), 반사 금속막(122a), 및 버퍼 금속막(123a) 상에 포토 레지스트 패턴을 형성한다. 포토 레지스트 패턴은 화소(P)들이 형성될 위치에 형성될 수 있다. 포토 레지스트 패턴에 의해 덮이지 않은 제1 전극막(121a), 반사 금속막(122a), 및 버퍼 금속막(123a)을 건식 식각하여 도 5c와 같이 제1 전극(121)들, 반사 전극(122)들, 및 버퍼 전극(123)들을 형성하고, 포토 레지스트 패턴을 제거한다. (도 4의 S102)
세 번째로, 제1 전극(121)들 사이에 평탄화막(150)을 형성한다.
구체적으로, 도 5d와 같이 제2 절연막(117)과 제1 전극(121)들 상에 충전물질(150a)을 형성한다. 충전물질(150a)은 유기물질, 예를 들어 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin) 또는 폴리이미드 수지(polyimide resin)일 수 있다.
그리고 나서, 도 5e와 같이 건식 식각(dry etch)하여 평탄화막(150)을 형성한다. 건식 식각 물질은 충전물질(150a)을 식각할 수 있으나, 제1 전극(121)들을 식각할 수 없는 물질로 선택되는 것이 바람직하다.
건식 식각 공정을 이용하여 평탄화막(150)을 형성하는 경우, 평탄화막(150)은 제1 전극(121)들 사이에 채워지도록 형성될 수 있다. 특히, 제1 전극(121)들 사이에 채워지는 평탄화막(150)은 건식 식각에 의해 움푹하게 형성될 수 있다. 즉, 제1 전극(121)들 사이에 채워지는 평탄화막(150)의 높이는 제1 전극(121)들 각각의 높이 이하로 형성될 수 있다. 예를 들어, 평탄화막(150)의 가장자리의 높이(H1)는 도 3a과 같이 제1 전극(121) 사이에 위치할 수 있다. 또는, 평탄화막(150)의 가장자리의 높이(H2)는 도 3b와 같이 반사 전극(122)의 높이보다 낮을 수 있으며, 반사 전극(122) 사이에 위치할 수 있다.
또한, 마스크 없이 건식 식각하여 평탄화막(150)을 형성하므로, 제조 비용을 절감할 수 있다. (도 4의 S103)
네 번째로, 도 5f와 같이 평탄화막(150)에 제6 트렌치(T)를 형성한다.
구체적으로, 제6 트렌치(T)가 형성될 영역을 제외한 나머지 영역에 포토 레지스트 패턴을 형성한다. 포토 레지스트 패턴에 의해 덮이지 않고 노출된 평탄화막(150)을 식각하여 제6 트렌치(T)를 형성하고, 포토 레지스트 패턴을 제거한다. (도 4의 S104)
다섯 번째로, 도 5g와 같이 유기발광층(130), 제2 전극(140), 및 봉지막(160)을 차례로 형성한다.
구체적으로, 제1 전극(121)들과 평탄화막(150) 상에 유기발광층(130)을 형성한다. 유기발광층(130)은 증착 공정 또는 용액 공정으로 형성될 수 있다. 유기발광층(130)이 증착 공정으로 형성되는 경우, 증발 증착법(Evaporation)을 이용하여 형성될 수 있다.
유기발광층(130)은 백색 광을 발광하는 백색 발광층일 수 있다. 이 경우, 유기발광층(130)은 화소(P)들에 공통적으로 형성되는 공통층일 수 있다.
유기발광층(130)이 백색 발광층인 경우, 2 스택(stack) 이상의 탠덤 구조로 형성될 수 있다. 스택들 각각은 정공 수송층(hole transporting layer), 적어도 하나의 발광층(light emitting layer), 및 전자 수송층(electron transporting layer)을 포함할 수 있다.
또한, 스택들 사이에는 전하 생성층이 형성될 수 있다. 전하 생성층은 하부 스택과 인접하게 위치하는 n형 전하 생성층과 n형 전하 생성층 상에 형성되어 상부 스택과 인접하게 위치하는 p형 전하 생성층을 포함할 수 있다. n형 전하 생성층은 하부 스택으로 전자(electron)를 주입해주고, p형 전하 생성층은 상부 스택으로 정공(hole)을 주입해준다. n형 전하 생성층은 Li, Na, K, 또는 Cs와 같은 알칼리 금속, 또는 Mg, Sr, Ba, 또는 Ra와 같은 알칼리 토금속으로 도핑된 유기층으로 이루어질 수 있다. p형 전하 생성층은 정공수송능력이 있는 유기물질에 도펀트가 도핑되어 이루어질 수 있다.
유기발광층(130)은 증발 증착법(Evaporation)으로 형성되기 때문에, 스텝 커버리지 특성이 좋지 않다. 그러므로, 제6 트렌치(T)의 측벽에서의 유기발광층(130)의 두께(D2)는 제6 트렌치(T)의 바닥에서의 유기발광층(130)의 두께(D1)보다 얇게 형성될 수 있다.
그리고 나서, 유기발광층(130) 상에 제2 전극(140)을 형성한다. 제2 전극(140)은 발광부(EA)들에 공통적으로 형성되는 공통층일 수 있다. 제2 전극(140)은 광을 투과시킬 수 있는 ITO, IZO와 같은 투명한 금속물질(TCO, Transparent Conductive Material), 또는 마그네슘(Mg), 은(Ag), 또는 마그네슘(Mg)과 은(Ag)의 합금과 같은 반투과 금속물질(Semi-transmissive Conductive Material)로 형성될 수 있다. 제2 전극(140)이 반투과 금속물질로 형성되는 경우, 마이크로 캐비티(micro cavity) 효과가 얻어질 수 있다.
제2 전극(140)은 스퍼터링법(sputtering)과 같은 물리적 기상 증착법(physics vapor deposition)으로 형성될 수 있다. 스퍼터링법과 같은 물리적 기상 증착법으로 형성된 막은 스텝 커버리지(step coverage) 특성이 우수하다. 따라서, 제2 전극(140)은 제6 트렌치(T)에도 불구하고 유기발광층(130)에 비해 균일한 두께로 증착될 수 있다.
그리고 나서, 제2 전극(140) 상에 봉지막(160)을 형성한다.봉지막(160)은 유기발광층(130)과 제2 전극(140)에 산소 또는 수분이 침투되는 것을 방지하는 역할을 한다. 이를 위해, 봉지막(160)은 적어도 하나의 무기막과 적어도 하나의 유기막을 포함할 수 있다. (도 4의 S105)
여섯 번째로, 봉지막(160) 상에 컬러필터들(171, 172)을 형성한다. 컬러필터들(171, 172) 각각은 화소(P)들 각각에 대응되게 배치된다. 예를 들어, 적색 컬러필터는 적색 화소에 대응되게 배치되며, 녹색 컬러필터는 녹색 화소에 대응되게 배치되고, 청색 컬러필터는 청색 화소에 대응되게 배치될 수 있다. 컬러필터들(171, 172)로 인한 단차를 평탄화하기 위한 오버코트층이 형성될 수 있다.
컬러필터들(171, 172) 상에는 도 2와 같이 봉지 필름(180)이 부착될 수 있다. (도 4의 S106)
도 6은 도 1의 I-I'의 또 다른 예를 보여주는 단면도이다.
도 6에서는 제1 전극(121)들, 반사 전극(122)들, 및 버퍼 전극(123)들이 정테이퍼 구조로 형성된 것을 제외하고는 도 2에서 설명한 바와 실질적으로 동일하다. 따라서, 도 6에 대한 자세한 설명은 생략한다. 정테이퍼 구조는 제1 전극(121)들, 반사 전극(122)들, 버퍼 전극(123)들의 측면이 제2 절연막(117)과 이루는 각도(θ2)가 0도 내지 90도 사이의 각도인 것을 나타낸다.
또한, 본 발명의 실시예는 제1 전극(121)들 사이에 제2 절연막(117)과 제1 전극(121) 사이의 단차를 채우는 평탄화막(150)을 형성함으로써 제2 절연막(117)과 제1 전극(121) 사이의 단차 영역에서 제1 전극(121)이 유기발광층(130)의 전하 생성층 또는 제2 전극(140)과 단락되는 것을 방지할 수 있다. 특히, 제2 절연막(117)과 제1 전극(121) 사이의 단차 높이를 최소화하기 위해 평탄화막(150)의 가장자리의 높이(H3)는 도 7a와 같이 제1 전극(121) 사이에 위치할 수 있다. 또는, 평탄화막(150)의 가장자리의 높이(H4)는 도 7b와 같이 반사 전극(122)의 높이보다 낮을 수 있으며, 반사 전극(122) 사이에 위치할 수 있다.
또한, 도 6에 도시된 유기발광 표시장치의 제조방법은 S102 단계에서 제1 전극(121)들, 반사 전극(122)들, 및 버퍼 전극(123)들을 정테이퍼 구조로 형성하는 것을 제외하고는 도 4에 도시된 유기발광 표시장치의 제조방법과 실질적으로 동일하다. 따라서, 도 6에 도시된 유기발광 표시장치의 제조방법에 대한 자세한 설명은 생략한다.
한편, 고주파 유도 결합 플라즈마 장비는 가스 공급 수단을 통해 가스를 챔버 내부로 분사하고, 상부에 배치된 전원 공급부에 제1 RF 전원을 인가하며, 기판 하부에 배치된 전원 공급부에 제2 RF 전원을 인가함으로써, 이온의 물리적 충격에 의해 제1 전극(121)들, 반사 전극(122)들, 및 버퍼 전극(123)들을 이방성 식각할 수 있다. 즉, 고주파 유도 결합 플라즈마 장비는 제1 전극(121)들, 반사 전극(122)들, 및 버퍼 전극(123)들에 인가되는 이온 에너지를 개별적으로 조절할 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예는 고주파 유도 결합 플라즈마 장비를 이용하여 이방성 식각함으로써 제1 전극(121)들, 반사 전극(122)들, 및 버퍼 전극(123)들을 수직 구조 또는 정테이퍼 구조로 형성할 수 있다.
도 8은 도 1의 I-I'의 또 다른 예를 보여주는 단면도이다.
도 8에서는 제1 전극(121)들, 반사 전극(122)들, 및 버퍼 전극(123)들이 역테이퍼 구조로 형성된 것을 제외하고는 도 2에서 설명한 바와 실질적으로 동일하다. 따라서, 도 6에 대한 자세한 설명은 생략한다. 역테이퍼 구조는 제1 전극(121)들, 반사 전극(122)들, 버퍼 전극(123)들의 측면이 제2 절연막(117)과 이루는 각도(θ3)가 90도 내지 180도 사이의 각도인 것을 나타낸다.
또한, 본 발명의 실시예는 제1 전극(121)들 사이에 제2 절연막(117)과 제1 전극(121) 사이의 단차를 채우는 평탄화막(150)을 형성함으로써 제2 절연막(117)과 제1 전극(121) 사이의 단차 영역에서 제1 전극(121)이 유기발광층(130)의 전하 생성층 또는 제2 전극(140)과 단락되는 것을 방지할 수 있다.
한편, 제1 전극(121)들, 반사 전극(122)들, 및 버퍼 전극(123)들이 역테이퍼 구조로 형성되기 때문에, 평탄화막(150)의 가장자리의 높이(H5)가 제1 전극(121)보다 낮은 경우 스텝 커버리지 특성이 좋지 않은 유기발광층(130)의 두께가 제1 전극(121)과 반사 전극(122)의 측면에서 얇게 형성될 수 있다. 이 경우, 제1 전극(121) 또는 반사 전극(122)이 유기발광층(130)의 전하 생성층 또는 제2 전극(140)과 단락될 수 있다. 따라서, 제2 절연막(117)과 제1 전극(121) 사이의 단차 높이를 최소화하기 위해 평탄화막(150)의 가장자리의 높이(H5)는 도 9와 같이 제1 전극(121) 사이에 위치할 수 있으며, 제1 전극(121)의 높이와 실질적으로 동일하게 위치하는 것이 바람직하다.
또한, 도 8에 도시된 유기발광 표시장치의 제조방법은 S102 단계에서 제1 전극(121)들, 반사 전극(122)들, 및 버퍼 전극(123)들을 습식 식각함으로써 역테이퍼 구조로 형성하는 것을 제외하고는 도 4에 도시된 유기발광 표시장치의 제조방법과 실질적으로 동일하다. 습식 식각은 액체 상태의 부식액(etchant)을 이용하기 때문에, 제1 전극(121)들, 반사 전극(122)들, 및 버퍼 전극(123)들이 역테이퍼 구조로 식각될 수 있다. 도 8에 도시된 유기발광 표시장치의 제조방법에 대한 자세한 설명은 생략한다.
도 10은 도 1의 I-I'의 또 다른 예를 보여주는 단면도이다.
도 10에서는 제1 전극(121)들이 수직 구조 또는 정테이퍼 구조로 형성되고, 반사 전극(122)들 및 버퍼 전극(123)들이 역테이퍼 구조로 형성된 것을 제외하고는 도 2에서 설명한 바와 실질적으로 동일하다. 따라서, 도 10에 대한 자세한 설명은 생략한다. 역테이퍼 구조는 반사 전극(122)들 및 버퍼 전극(123)들의 측면이 제2 절연막(117)과 이루는 각도(θ4)가 90도 내지 180도 사이의 각도인 것을 나타낸다. 수직 구조는 제1 전극(121)들의 측면이 반사 전극(122)과 이루는 각도(θ5)가 90도인 것을 나타내고, 정테이퍼 구조는 제1 전극(121)들의 측면이 반사 전극(122)과 이루는 각도(θ5)가 0도 내지 90도 사이의 각도인 것을 나타낸다.
또한, 본 발명의 실시예는 제1 전극(121)들 사이에 제2 절연막(117)과 제1 전극(121) 사이의 단차를 채우는 평탄화막(150)을 형성함으로써 제2 절연막(117)과 제1 전극(121) 사이의 단차 영역에서 제1 전극(121)이 유기발광층(130)의 전하 생성층 또는 제2 전극(140)과 단락되는 것을 방지할 수 있다.
한편, 반사 전극(122)들 및 버퍼 전극(123)들이 역테이퍼 구조로 형성되기 때문에, 평탄화막(150)의 가장자리의 높이(H6)가 제1 전극(121)보다 낮은 경우 스텝 커버리지 특성이 좋지 않은 유기발광층(130)의 두께가 반사 전극(122)의 측면에서 얇게 형성될 수 있다. 이 경우, 반사 전극(122)이 유기발광층(130)의 전하 생성층 또는 제2 전극(140)과 단락될 수 있다. 따라서, 제2 절연막(117)과 제1 전극(121) 사이의 단차 높이를 최소화하기 위해 평탄화막(150)의 가장자리의 높이(H6)는 도 10과 같이 제1 전극(121) 사이에 위치할 수 있다.
또한, 도 10에 도시된 유기발광 표시장치의 제조방법은 S102 단계를 제외하고는 도 4에 도시된 유기발광 표시장치의 제조방법과 실질적으로 동일하다. 따라서, 도 10에 도시된 유기발광 표시장치의 제조방법의 S101, S103 내지 S106 단계들에 대한 자세한 설명은 생략한다.
도 12a 내지 도 12c는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 제조방법을 보여주는 단면도들이다. 이하에서는 도 12a 내지 도 12c를 결부하여 도 10에 도시된 유기발광 표시장치의 제조방법은 S102 단계를 상세히 설명한다.
먼저, 버퍼 금속막(123a), 반사 금속막(122a), 및 제1 전극막(121a)을 차례로 형성한다. 버퍼 전극(123)들은 티타늄(Ti)과 질화 티타늄(TiN)의 이중층 구조로 형성될 수 있다. 반사 금속막(122a)은 은(Ag)과 같이 반사율이 높은 금속물질로 형성될 수 있다. 제1 전극막(121a)은 광을 투과시킬 수 있는 ITO, IZO와 같은 투명한 금속물질(TCO, Transparent Conductive Material)로 형성될 수 있다.
그리고 나서, 도 12a와 같이 제1 전극막(121a) 상에 포토 레지스트 패턴(PR)을 형성한다. 포토 레지스트 패턴은 화소(P)들이 형성될 위치에 형성될 수 있다.
그리고 나서, 도 12b와 같이 포토 레지스트 패턴에 의해 덮이지 않은 제1 전극막(121a)을 건식 식각하여 수직 구조 또는 정테이퍼 구조의 제1 전극(121)들을 형성한다.
그리고 나서, 도 12c와 같이 반사 금속막(122a) 및 버퍼 금속막(123a)을 습식 식각하여 역테이퍼 구조의 반사 전극(122) 및 버퍼 전극(123)을 형성하고, 포토 레지스트 패턴을 제거한다. 습식 식각은 액체 상태의 부식액(etchant)을 이용하기 때문에, 부식액이 포토 레지스트 패턴(PR)과 제1 전극(121) 아래로 침투하여 반사 전극(122) 및 버퍼 전극(123)을 식각할 수 있다. 그러므로, 도 12c와 같이 반사 전극(122) 및 버퍼 전극(123)은 역테이퍼 구조로 식각될 수 있다.
도 13a 및 도 13b는 본 발명의 실시예에 따른 유기발광 표시장치가 적용된 헤드 장착형 디스플레이를 보여주는 예시도면들이다.
도 13a 및 도 13b를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 유기발광 표시장치가 적용된 헤드 장착형 디스플레이(HMD)는 디스플레이 수납 케이스(10), 좌안 렌즈(20a)와 우안 렌즈(20b), 및 헤드 장착 밴드(30)를 포함한다.
디스플레이 수납 케이스(10)는 디스플레이 장치를 수납하며, 좌안 렌즈(20a)와 우안 렌즈(20b)에 디스플레이 장치의 영상을 제공한다. 디스플레이 장치는 본 발명의 실시예에 따른 유기발광 표시장치일 수 있다. 본 발명의 실시예에 따른 유기발광 표시장치는 도 1 내지 도 12를 결부하여 이미 앞에서 상세히 설명하였다.
디스플레이 수납 케이스(10)는 좌안 렌즈(20a)와 우안 렌즈(20b)에 동일한 영상을 제공하도록 설계될 수 있다. 또는, 디스플레이 수납 케이스(10)는 좌안 렌즈(20a)에 좌안 영상이 표시되고, 우안 렌즈(20b)에 우안 영상이 표시되도록 설계될 수 있다.
디스플레이 수납 케이스(10) 내에는 도 14와 같이 좌안 렌즈(20a) 앞에 배치되는 좌안용 유기발광 표시장치(11)와 우안 렌즈(20b) 앞에 배치되는 우안용 유기발광 표시장치(12)가 수납될 수 있다. 도 14의 구조는 가상 현실(Virtual Reality) 기기에 적용될 수 있다.
도 14에는 디스플레이 수납 케이스(10)를 위에서 바라봤을 때의 단면도가 나타나 있다. 좌안용 유기발광 표시장치(11)는 좌안 영상을 표시하고, 우안용 유기발광 표시장치(12)는 우안 영상을 표시할 수 있다. 이로 인해, 좌안용 유기발광 표시장치(11)에 표시되는 좌안 영상은 좌안 렌즈(20a)를 통해 사용자의 좌안(LE)에 보여지고, 우안용 유기발광 표시장치(11)에 표시되는 우안 영상은 우안 렌즈(20b)를 통해 사용자의 우안(RE)에 보여질 수 있다.
또한, 도 14에서 좌안 렌즈(20a)와 좌안용 유기발광 표시장치(11) 사이와 우안 렌즈(20b)와 우안용 유기발광 표시장치(12)의 사이에는 확대 렌즈가 추가로 배치될 수 있다. 이 경우, 확대 렌즈로 인하여 좌안용 유기발광 표시장치(11)와 우안용 유기발광 표시장치(12)에 표시되는 영상은 사용자에게 확대되어 보일 수 있다.
디스플레이 수납 케이스(10) 내에는 도 15와 같이 좌안 렌즈(20a)와 우안 렌즈(20b) 앞에 배치되는 하프 미러(13)과 하프 미러(13) 상에 배치되는 유기발광 표시장치(14)가 수납될 수 있다. 도 15의 구조는 증강 현실(Augmented Reality) 기기에 적용될 수 있다.
도 15에는 디스플레이 수납 케이스(10)를 옆에서 바라봤을 때의 단면도가 나타나 있다. 유기발광 표시장치(14)는 거울 반사판(13) 방향으로 영상을 표시하고, 거울 반사판(13)은 유기발광 표시장치(14)의 영상을 좌안 렌즈(20a)와 우안 렌즈(20b) 방향으로 전반사한다. 이로 인해, 유기발광 표시장치(14)에 표시되는 영상은 좌안 렌즈(20a)와 우안 렌즈(20b)에 제공될 수 있다. 도 15에서는 설명의 편의를 위해 좌안 렌즈(20a)와 사용자의 좌안(LE)만을 도시하였다. 도 15과 같이 하프 미러(13)을 이용하는 경우 디스플레이 수납 케이스(10)는 얇게 형성될 수 있다.
또한, 도 15에서 좌안 렌즈(20a)와 하프 미러(13) 사이와 우안 렌즈(20b)와 하프 미러(13) 사이에는 확대 렌즈가 추가로 배치될 수 있다. 이 경우, 확대 렌즈로 인하여 좌안용 유기발광 표시장치(11)와 우안용 유기발광 표시장치(12)에 표시되는 영상은 사용자에게 확대되어 보일 수 있다.
헤드 장착 밴드(30)는 디스플레이 수납 케이스(10)에 고정된다. 헤드 장착 밴드(30)는 사용자의 머리 상면과 양 측면들을 둘러쌀 수 있도록 형성된 것을 예시하였으나, 이에 한정되지 않는다. 헤드 장착 밴드(30)는 사용자의 머리에 헤드 장착형 디스플레이를 고정하기 위한 것으로, 안경테 형태 또는 헬멧 형태로 형성될 수도 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 청구 범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
110: 웨이퍼 기판 111: 트랜지스터
111a: 액티브층 111b: 게이트 전극
111c: 소스 전극 111d: 드레인 전극
111e: 제1 트렌치 111f: 제2 트렌치
112: 게이트 절연막 113: 제1 절연막
114a: M3 금속층 114b: 제3 트렌치
115a: M4 금속층 115b: 제4 트렌치
116: 제5 트렌치 117: 제2 절연막
121: 제1 전극 122: 반사 전극
123: 버퍼 전극 130: 유기발광층
140: 제2 전극 150: 평탄화막
160: 봉지막 171, 172: 컬러필터
180: 봉지 필름

Claims (10)

  1. 절연막;
    상기 절연막 상에 배치된 제1 전극들;
    상기 절연막과 상기 제1 전극들 사이에 배치된 반사 전극들;
    상기 제1 전극들 사이에 배치된 평탄화막;
    상기 제1 전극들 사이에 배치되며, 상기 절연막의 일부가 움푹하게 파이도록 하는 트렌치;
    상기 제1 전극들과 상기 평탄화막 상에 배치된 유기발광층; 및
    상기 유기발광층 상에 배치된 제2 전극을 포함하며,
    상기 반사 전극들과 상기 제1 전극들은 정테이퍼 구조를 갖는 유기발광 표시장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 절연막은 제1 절연막 및 상기 제1 절연막 상에 배치된 제2 절연막을 포함하고,
    상기 트렌치는 상기 평탄화막을 관통하고, 상기 제2 절연막의 일부가 움푹하게 파이도록 하는 유기발광 표시장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 절연막은 제1 절연막 및 상기 제1 절연막 상에 배치된 제2 절연막을 포함하고,
    상기 트렌치는 상기 평탄화막과 상기 제2 절연막을 관통하고, 상기 제1 절연막의 일부가 움푹하게 파이도록 하는 유기발광 표시장치.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 유기발광층은 상기 트렌치의 측벽 일부 및 바닥에 더 배치되며,
    상기 트렌치의 측벽 일부에서의 상기 유기발광층의 두께는 상기 트렌치의 바닥에서의 상기 유기발광층의 두께보다 얇은 유기발광 표시장치.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 평탄화막의 가장자리의 높이는 상기 제1 전극의 높이보다 낮은 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 평탄화막은 상기 제1 전극과 상기 절연막 사이의 단차를 채우는 유기발광 표시 장치.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 전극 상에 배치되는 봉지막과 컬러 필터들을 더 포함하는 유기발광 표시장치.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 컬러 필터들 상에 배치되는 봉지 필름을 더 포함하는 유기발광 표시장치.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 반사 전극들 각각의 아래에 배치되는 버퍼 전극들을 더 포함하고,
    상기 버퍼 전극들은 정테이퍼 구조를 갖는 유기발광 표시장치.
  10. 제1 항 내지 제9 항 중 어느 한 항에 따른 유기발광 표시장치;
    상기 유기발광 표시장치를 수납하는 디스플레이 수납 케이스; 및
    상기 수납 케이스의 일 측에 배치되고, 상기 유기발광 표시장치의 영상이 제공되는 렌즈를 구비하는 헤드 장착형 디스플레이.
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Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102325674B1 (ko) * 2017-08-16 2021-11-12 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치, 그를 포함한 헤드 장착형 디스플레이, 및 그의 제조방법
US10808778B2 (en) * 2017-08-25 2020-10-20 Akebono Brake Industry Co., Ltd Brake system
JP6957294B2 (ja) * 2017-09-28 2021-11-02 キヤノン株式会社 表示装置、電子機器、及び表示装置の製造方法
CN108400152B (zh) * 2018-03-30 2022-06-10 京东方科技集团股份有限公司 一种oled显示屏的制造方法及oled显示屏
KR102564169B1 (ko) * 2018-07-30 2023-08-04 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치와 그를 포함한 헤드 장착형 디스플레이, 및 그의 제조방법
KR102519547B1 (ko) * 2018-07-31 2023-04-06 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치와 그를 포함한 헤드 장착형 디스플레이, 및 이의 제조방법
US11367767B2 (en) 2018-11-01 2022-06-21 Boe Technology Group Co., Ltd. Light emitting diode and fabrication method thereof, array substrate and display panel
CN109742117B (zh) * 2019-01-08 2021-10-22 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制作方法、显示装置
KR20210034809A (ko) 2019-09-23 2021-03-31 엘지디스플레이 주식회사 표시장치 및 이의 제조방법
CN112542485A (zh) * 2019-09-23 2021-03-23 台湾积体电路制造股份有限公司 显示设备与其制作方法
KR102655936B1 (ko) * 2019-12-30 2024-04-08 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
KR20210111981A (ko) * 2020-03-04 2021-09-14 주식회사 디비하이텍 유기발광 표시장치 및 제조방법
US20220115468A1 (en) * 2020-03-27 2022-04-14 Boe Technology Group Co., Ltd. Display Panel and Manufacturing Method thereof, and Electronic Device
JP2021163577A (ja) * 2020-03-31 2021-10-11 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 表示装置および電子機器
WO2021212333A1 (zh) * 2020-04-21 2021-10-28 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、显示面板及其制造方法
US20240074240A1 (en) * 2021-01-28 2024-02-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing display device, display device, display module, and electronic device
CN117223392A (zh) * 2021-06-03 2023-12-12 夏普株式会社 显示装置及显示装置的制造方法
WO2023047249A1 (ja) * 2021-09-24 2023-03-30 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、表示モジュールおよび電子機器
WO2023052894A1 (ja) * 2021-09-30 2023-04-06 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、表示モジュール、電子機器、及び、表示装置の作製方法
WO2023073472A1 (ja) * 2021-10-27 2023-05-04 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、表示モジュール、電子機器、及び、表示装置の作製方法
WO2023073477A1 (ja) * 2021-10-27 2023-05-04 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、表示モジュール、電子機器、及び、表示装置の作製方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6847341B2 (en) * 2000-04-19 2005-01-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device and method of driving the same
JP2003215602A (ja) * 2002-01-24 2003-07-30 Sharp Corp 液晶表示装置
JP5545970B2 (ja) * 2009-03-26 2014-07-09 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法
EP2503851B1 (en) * 2009-11-17 2018-07-11 Unified Innovative Technology, LLC Organic el display
JP5287683B2 (ja) * 2009-11-26 2013-09-11 セイコーエプソン株式会社 ヘッドマウントディスプレイ
JP2012069876A (ja) * 2010-09-27 2012-04-05 Toppan Printing Co Ltd 有機ｅｌ素子及びその製造方法
US8963415B2 (en) 2010-11-15 2015-02-24 Panasonic Corporation Organic EL element, display panel, and display device
KR102004305B1 (ko) * 2011-02-11 2019-07-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 그 제작 방법, 그리고 조명 장치 및 표시 장치
KR101923172B1 (ko) * 2011-05-16 2018-11-29 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP2013134813A (ja) * 2011-12-26 2013-07-08 Canon Inc 表示装置
WO2014155691A1 (ja) * 2013-03-29 2014-10-02 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置とその製造方法
KR102153599B1 (ko) * 2013-11-18 2020-09-08 삼성전자주식회사 머리 착용형 디스플레이 장치 및 머리 착용형 디스플레이 장치의 광 투과율 변경 방법
KR102184676B1 (ko) * 2014-02-19 2020-12-01 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US10388705B2 (en) * 2014-05-27 2019-08-20 Lg Display Co., Ltd. Display panel and method for manufacturing thereof
CN104659070B (zh) * 2015-03-13 2018-11-16 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种显示面板、显示装置及显示面板的制造方法
KR102394427B1 (ko) * 2015-04-02 2022-05-04 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 이를 제조하는 방법
KR102405695B1 (ko) * 2015-08-31 2022-06-03 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102390441B1 (ko) * 2015-10-15 2022-04-26 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
JP6554403B2 (ja) * 2015-11-24 2019-07-31 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置

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