WO2023047249A1 - 表示装置、表示モジュールおよび電子機器 - Google Patents

Abstract

利便性、有用性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供する。 第１の発光デバイスと、第２の発光デバイスと、第１の絶縁層と、第２の絶縁層と、を有する表示装置であって、第１の発光デバイスは、第１の画素電極、共通電極および第１の中間層を有し、第１の中間層は、第１の無機化合物および第１の有機化合物を含み、第１の有機化合物は非共有電子対を備え、第１の有機化合物は、第１の無機化合物と相互に作用し、半占有軌道を形成する。第２の発光デバイスは、第２の画素電極、共通電極および第２の中間層を有し、第２の中間層は、第１の無機化合物および第１の有機化合物を含む。第１の絶縁層は第１の中間層の上面の一部及び側面、並びに、第２の中間層の上面の一部及び側面を覆い、第２の絶縁層は、第１の絶縁層を介して、第１の中間層の上面の一部及び側面、並びに、第２の中間層の上面の一部及び側面と重なる。

Description

表示装置、表示モジュールおよび電子機器

本発明の一態様は、表示装置、表示モジュール、及び、電子機器に関する。

なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、電子機器、照明装置、入力装置（例えば、タッチセンサ）、入出力装置（例えば、タッチパネル）、それらの駆動方法、またはそれらの製造方法を一例として挙げることができる。

近年、表示装置は様々な用途への応用が期待されている。例えば、大型の表示装置の用途としては、家庭用のテレビジョン装置（テレビまたはテレビジョン受信機ともいう）、デジタルサイネージ（Ｄｉｇｉｔａｌ　Ｓｉｇｎａｇｅ：電子看板）、及び、ＰＩＤ（Ｐｕｂｌｉｃ　Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ　Ｄｉｓｐｌａｙ）等が挙げられる。また、携帯情報端末として、タッチパネルを備えるスマートフォン及びタブレット端末などの開発が進められている。

また、表示装置の高精細化が求められている。高精細な表示装置が要求される機器として、例えば、仮想現実（ＶＲ：Ｖｉｒｔｕａｌ　Ｒｅａｌｉｔｙ）、拡張現実（ＡＲ：Ａｕｇｍｅｎｔｅｄ　Ｒｅａｌｉｔｙ）、代替現実（ＳＲ：Ｓｕｂｓｔｉｔｕｔｉｏｎａｌ　Ｒｅａｌｉｔｙ）、及び、複合現実（ＭＲ：Ｍｉｘｅｄ　Ｒｅａｌｉｔｙ）向けの機器が、盛んに開発されている。

表示装置としては、例えば、発光デバイス（発光素子ともいう）を有する発光装置が開発されている。エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ、以下ＥＬと記す）現象を利用した発光デバイス（ＥＬデバイス、ＥＬ素子ともいう）は、薄型軽量化が容易である、入力信号に対し高速に応答可能である、直流定電圧電源を用いて駆動可能である等の特徴を有し、表示装置に応用されている。

特許文献１には、有機ＥＬデバイス（有機ＥＬ素子ともいう）を用いた、ＶＲ向けの表示装置が開示されている。また、特許文献２には、遷移金属と非共有電子対を有する有機化合物の混合膜を電子注入層に用いた、駆動電圧が低く信頼が良好な発光デバイスが開示されている。

国際公開第２０１８／０８７６２５号 特開２０１８−２０１０１２号公報

本発明の一態様は、表示品位の高い表示装置を提供することを課題の一つとする。または、本発明の一態様は、高精細な表示装置を提供することを課題の一つとする。または、本発明の一態様は、高解像度の表示装置を提供することを課題の一つとする。または、本発明の一態様は、信頼性の高い表示装置を提供することを課題の一つとする。または、本発明の一態様は、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することを課題の一とする。または、本発明の一態様は、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な表示モジュールを提供することを課題の一とする。または、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な電子機器を提供することを課題の一とする。または、新規な表示装置、新規な表示モジュール、新規な電子機器または新規な半導体装置を提供することを課題の一とする。

なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は、必ずしも、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。明細書、図面、請求項の記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。

（１）本発明の一態様は、第１の発光デバイスと、第２の発光デバイスと、第１の絶縁層と、第２の絶縁層と、を有する表示装置である。

第１の発光デバイスは、第１の画素電極、共通電極および第１の中間層を有する。第１の中間層は、共通電極および第１の画素電極の間に挟まれる。第１の中間層は、第１の層および第２の層を有し、第２の層は、第１の層および第１の画素電極の間に挟まれる。

第２の層は、第１の無機化合物および第１の有機化合物を含み、第１の有機化合物は非共有電子対を備え、第１の有機化合物は第１の無機化合物と相互に作用し、半占有軌道を形成する。

第２の発光デバイスは、第２の画素電極、共通電極および第２の中間層を有する。第２の中間層は、共通電極および第２の画素電極の間に挟まれる。第２の中間層は、第３の層および第４の層を有し、第４の層は第３の層および第２の画素電極の間に挟まれる。

第４の層は、第１の無機化合物および第１の有機化合物を含む。

第１の絶縁層は第１の中間層の上面の一部及び側面、並びに、第２の中間層の上面の一部及び側面を覆う。

第２の絶縁層は、第１の絶縁層を介して、第１の中間層の上面の一部及び側面、並びに、第２の中間層の上面の一部及び側面と重なる。また、第２の絶縁層の上面は、共通電極に覆われる。

断面視において、第２の絶縁層の端部は、テーパ角９０°未満のテーパ形状を有し、第２の絶縁層は、第１の絶縁層の側面の少なくとも一部を覆う。

（２）また、本発明の一態様は、第１の発光デバイスと、第２の発光デバイスと、第１の絶縁層と、第２の絶縁層と、を有する表示装置である。

第１の発光デバイスは、第１の画素電極、共通電極、第１のユニット、第２のユニットおよび第１の中間層を有する。第１のユニットは、共通電極および第１の画素電極の間に挟まれ、第２のユニットは、共通電極および第１のユニットの間に挟まれ、第１の中間層は、第１のユニットおよび第２のユニットの間に挟まれる。第１の中間層は、第１の層および第２の層を有し、第２の層は、第１の層および第１のユニットの間に挟まれる。

第２の層は、第１の無機化合物および第１の有機化合物を含み、第１の有機化合物は非共有電子対を備え、第１の有機化合物は第１の無機化合物と相互に作用し、半占有軌道を形成する。

第２の発光デバイスは、第２の画素電極、共通電極、第３のユニット、第４のユニットおよび第２の中間層を有する。第３のユニットは、共通電極および第２の画素電極の間に挟まれ、第４のユニットは、共通電極および第３のユニットの間に挟まれ、第２の中間層は、第４のユニットおよび第３のユニットの間に挟まれる。第２の中間層は、第３の層および第４の層を有し、第４の層は、第３の層および第３のユニットの間に挟まれる。

第４の層は、第１の無機化合物および第１の有機化合物を含む。また、第１のユニット、第２のユニット、第３のユニット及び第４のユニットは、それぞれ、発光性の材料を含む。

第１の絶縁層は、第２のユニットの上面の一部及び側面、並びに、第４のユニットの上面の一部及び側面を覆い、第２の絶縁層は、第１の絶縁層を介して、第２のユニットの上面の一部及び側面、並びに、第４のユニットの上面の一部及び側面と重なる。また、第２の絶縁層の上面は、共通電極に覆われる。

断面視において、第２の絶縁層の端部は、テーパ角９０°未満のテーパ形状を有し、第２の絶縁層は、第１の絶縁層の側面の少なくとも一部を覆う。

これにより、第１の中間層および第２の中間層の間に間隙が形成される。また、当該間隙に沿って第１の絶縁層が形成される。また、第１の絶縁層および第２の絶縁層は、第１の中間層および第２の中間層の間に流れる電流を抑制することができる。また、第１の発光デバイスおよび第２の発光デバイスの間のクロストーク現象の発生を抑制することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。

（３）また、本発明の一態様は、上記の第２の層が不対電子を含み、不対電子は、電子スピン共鳴装置（ＥＳＲ）を用いて、１×１０^１６ｓｐｉｎｓ／ｃｍ^３以上１×１０^１８ｓｐｉｎｓ／ｃｍ^３以下のスピン密度で観測することができる表示装置である。

（４）また、本発明の一態様は、上記の不対電子が、２．００３以上２．００４以下の範囲にｇ値を備える、表示装置である。

（５）また、本発明の一態様は、上記の第１の有機化合物が、電子不足型複素芳香環を有する、表示装置である。

これにより、第２の層を形成したのちに適用可能な加工手段の選択の幅を広げることができる。また、第１の層を第２の層の上に形成したのちに、例えば、フォトリソグラフィ法を用いて、第１の層および第２の層を、所定の形状に加工することができる。また、第２のユニットを形成したのちに、例えば、フォトリソグラフィ法を用いて、第２のユニットおよび第２の層を、所定の形状に加工することができる。また、例えば、精細なメタルマスクを用いることなく、第１の発光デバイスから分離して、隣接する位置に、第２の発光デバイスを形成することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。

（６）また、本発明の一態様は、上記の第１の有機化合物が、−３．６ｅＶ以上−２．３ｅＶ以下の範囲に、最低空軌道（ＬＵＭＯ）準位を備える、表示装置である。

（７）また、本発明の一態様は、上記の第１の無機化合物が、金属元素および酸素を含む、表示装置である。

（８）また、本発明の一態様は、上記の第１の無機化合物が、リチウムおよび酸素を含む、表示装置である。

これにより、第１の発光デバイスの駆動電圧を抑制することができる。また、表示装置の消費電力を抑制することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。

（９）また、本発明の一態様は、上記の第１の層が、電子受容性を有する材料を含む、表示装置である。

（１０）また、本発明の一態様は、第１の発光デバイスと、第２の発光デバイスと、第１の絶縁層と、第２の絶縁層と、を有する表示装置である。

第１の発光デバイスは、第１の画素電極、共通電極および第１の中間層を有する。第１の中間層は、共通電極および第１の画素電極の間に挟まれる。第１の中間層は、第１の層および第２の層を有し、第１の層は、共通電極および第２の層の間に挟まれる。

第１の層は電子受容性を有する材料を含み、第１の層は、１×１０^２［Ω・ｃｍ］以上１×１０^８［Ω・ｃｍ］以下の電気抵抗率を備える。

第２の発光デバイスは、第２の画素電極、共通電極および第２の中間層を有する。第２の中間層は、共通電極および第２の画素電極の間に挟まれる。第２の中間層は、第３の層および第４の層を有し、第３の層は、共通電極および第４の層の間に挟まれる。

第３の層は、電子受容性を有する材料を含む。

第１の絶縁層は第１の中間層の上面の一部及び側面、並びに、第２の中間層の上面の一部及び側面を覆う。

第２の絶縁層は、第１の絶縁層を介して、第１の中間層の上面の一部及び側面、並びに、第２の中間層の上面の一部及び側面と重なる。また、第２の絶縁層の上面は、共通電極に覆われる。

断面視において、第２の絶縁層の端部は、テーパ角９０°未満のテーパ形状を有し、第２の絶縁層は、第１の絶縁層の側面の少なくとも一部を覆う。

（１１）また、本発明の一態様は、上記の第２の絶縁層の端部が、第１の絶縁層の端部よりも外側に位置する、表示装置である。

（１２）また、本発明の一態様は、上記の第２の絶縁層が、上面に凸曲面形状を有する、表示装置である。

（１３）また、本発明の一態様は、断面視において、上記の第１の絶縁層の端部が、テーパ角９０°未満のテーパ形状を有する、表示装置である。

（１４）また、本発明の一態様は、上記の第２の絶縁層が、側面に凹曲面形状を有する、表示装置である。

（１５）また、本発明の一態様は、第３の絶縁層及び第４の絶縁層を有する上記の表示装置である。

第３の絶縁層は、第１の中間層の上面と、第１の絶縁層との間に位置し、第４の絶縁層は、第２の中間層の上面と、第１の絶縁層との間に位置する。

第３の絶縁層の端部及び第４の絶縁層の端部は、それぞれ、第１の絶縁層の端部よりも外側に位置する。

（１６）また、本発明の一態様は、上記の第２の絶縁層が、第３の絶縁層の側面の少なくとも一部と、第４の絶縁層の側面の少なくとも一部と、を覆う表示装置である。

（１７）また、本発明の一態様は、断面視において、上記の第３の絶縁層の端部及び第４の絶縁層の端部が、それぞれ、テーパ角９０°未満のテーパ形状を有する、表示装置である。

（１８）また、本発明の一態様は、上記の第１の絶縁層及び第２の絶縁層が、それぞれ、第１の画素電極の上面と重なる部分と、第２の画素電極の上面と重なる部分と、を有する表示装置である。

（１９）また、本発明の一態様は、上記の第１の中間層が第１の画素電極の側面を覆い、第２の中間層が第２の画素電極の側面を覆う、表示装置である。

（２０）また、本発明の一態様は、断面視において、上記の第１の画素電極の端部及び第２の画素電極の端部は、それぞれ、テーパ角９０°未満のテーパ形状を有する、表示装置である。

（２１）また、本発明の一態様は、上記の第１の絶縁層が無機絶縁層であり、第２の絶縁層が有機絶縁層である、表示装置である。

（２２）また、本発明の一態様は、上記の第１の絶縁層が、酸化アルミニウムを有する表示装置である。

（２３）また、本発明の一態様は、上記の第２の絶縁層が、アクリル樹脂を有する表示装置である。

（２４）また、本発明の一態様は、上記の第１の発光デバイスが、第１の中間層と共通電極との間に第５の層を有し、第２の発光デバイスが、第２の中間層と共通電極との間に第５の層を有する表示装置である。また、第５の層は、第２の絶縁層と共通電極との間に位置する。

（２５）また、本発明の一態様は、上記の表示装置と、コネクタ及び集積回路のうち少なくとも一方と、を有する、表示モジュールである。

（２６）また、本発明の一態様は、上記の表示モジュールと、筐体、バッテリ、カメラ、スピーカ、及びマイクのうち少なくとも一つと、を有する、電子機器である。

本発明の一態様は、表示品位の高い表示装置を提供することができる。または、本発明の一態様は、高精細な表示装置を提供することができる。または、本発明の一態様は、高解像度の表示装置を提供することができる。または、本発明の一態様は、信頼性の高い表示装置を提供することができる。または、本発明の一態様は、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。または、本発明の一態様は、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な表示モジュールを提供することができる。または、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な電子機器を提供することができる。または、新規な表示装置、新規な表示モジュール、新規な電子機器または新規な半導体装置を提供することができる。

なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。明細書、図面、請求項の記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。

図１は、表示装置の一例を示す断面図である。
図２は、表示装置の一例を示す断面図である。
図３Ａは、表示装置の一例を示す上面図である。図３Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。
図４Ａ及び図４Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。
図５Ａ及び図５Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。
図６Ａ及び図６Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。
図７Ａ及び図７Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。
図８Ａ及び図８Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。
図９Ａ及び図９Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。
図１０Ａは、表示装置の一例を示す上面図である。図１０Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。
図１１Ａ乃至図１１Ｃは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図１２Ａ乃至図１２Ｃは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図１３Ａ乃至図１３Ｃは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図１４Ａ及び図１４Ｂは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図１５Ａ及び図１５Ｂは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図１６Ａ乃至図１６Ｄは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図１７Ａ乃至図１７Ｆは、画素の一例を示す図である。
図１８Ａ乃至図１８Ｋは、画素の一例を示す図である。
図１９Ａ及び図１９Ｂは、表示装置の一例を示す斜視図である。
図２０Ａ及び図２０Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。
図２１は、表示装置の一例を示す断面図である。
図２２は、表示装置の一例を示す断面図である。
図２３は、表示装置の一例を示す断面図である。
図２４は、表示装置の一例を示す断面図である。
図２５は、表示装置の一例を示す断面図である。
図２６は、表示装置の一例を示す斜視図である。
図２７Ａは、表示装置の一例を示す断面図である。図２７Ｂ及び図２７Ｃは、トランジスタの一例を示す断面図である。
図２８Ａ乃至図２８Ｄは、表示装置の一例を示す断面図である。
図２９は、表示装置の一例を示す断面図である。
図３０Ａ乃至図３０Ｆは、発光デバイスの構成例を示す図である。
図３１Ａ及び図３１Ｂは、受光デバイスの構成例を示す図である。図３１Ｃ乃至図３１Ｅは、表示装置の構成例を示す図である。
図３２Ａ乃至図３２Ｄは、電子機器の一例を示す図である。
図３３Ａ乃至図３３Ｆは、電子機器の一例を示す図である。
図３４Ａ乃至図３４Ｇは、電子機器の一例を示す図である。
図３５Ａ乃至図３５Ｃは、実施例に係る表示装置の構成を説明する図である。
図３６Ａおよび図３６Ｂは、実施例に係る発光デバイスの構成を説明する図である。
図３７は、実施例に係る発光デバイスの電流密度−輝度特性を説明する図である。
図３８は、実施例に係る発光デバイスの輝度−電流効率特性を説明する図である。
図３９は、実施例に係る発光デバイスの電圧−輝度特性を説明する図である。
図４０は、実施例に係る発光デバイスの電圧−電流特性を説明する図である。
図４１は、実施例に係る発光デバイスの発光スペクトルを説明する図である。

実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。

また、図面において示す各構成の、位置、大きさ、及び、範囲などは、理解の簡単のため、実際の位置、大きさ、及び、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、必ずしも、図面に開示された位置、大きさ、及び、範囲などに限定されない。

なお、「膜」という言葉と、「層」という言葉とは、場合によっては、または、状況に応じて、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜」という用語に変更することが可能である。または、例えば、「絶縁膜」という用語を、「絶縁層」という用語に変更することが可能である。

本明細書等において、メタルマスク、またはＦＭＭ（ファインメタルマスク、高精細なメタルマスク）を用いて作製されるデバイスをＭＭ（メタルマスク）構造のデバイスと呼称する場合がある。また、本明細書等において、メタルマスク、またはＦＭＭを用いることなく作製されるデバイスをＭＭＬ（メタルマスクレス）構造のデバイスと呼称する場合がある。

本明細書等において、正孔または電子を、「キャリア」といって示す場合がある。具体的には、正孔注入層または電子注入層を「キャリア注入層」といい、正孔輸送層または電子輸送層を「キャリア輸送層」といい、正孔ブロック層または電子ブロック層を「キャリアブロック層」という場合がある。なお、上述のキャリア注入層、キャリア輸送層、及びキャリアブロック層は、それぞれ、断面形状、または特性などによって明確に区別できない場合がある。また、１つの層が、キャリア注入層、キャリア輸送層、及びキャリアブロック層のうち２つまたは３つの機能を兼ねる場合がある。

本明細書等において、発光デバイス（発光素子）は、一対の電極間にＥＬ層を有する。ＥＬ層は、少なくとも発光層を有する。本明細書等において、受光デバイス（受光素子ともいう）は、一対の電極間に少なくとも光電変換層として機能する活性層を有する。本明細書等では、一対の電極の一方を画素電極と記し、他方を共通電極と記すことがある。

なお、本明細書等において、テーパ形状とは、構造の側面の少なくとも一部が、基板面に対して傾斜して設けられている形状のことを指す。例えば、傾斜した側面と基板面とがなす角（テーパ角ともいう）が９０°未満である領域を有すると好ましい。なお、構造の側面及び基板面は、必ずしも完全に平坦である必要はなく、微細な曲率を有する略平面状、または微細な凹凸を有する略平面状であってもよい。

第１の発光デバイスと、第２の発光デバイスと、第１の絶縁層と、第２の絶縁層と、を有する表示装置である。第１の発光デバイスは、第１の画素電極、共通電極および第１の中間層を有し、第１の中間層は共通電極および第１の画素電極の間に挟まれ、第１の中間層は、第１の層および第２の層を有し、第２の層は第１の層および第１の画素電極の間に挟まれ、第２の層は第１の無機化合物および第１の有機化合物を含み、第１の有機化合物は非共有電子対を備え、第１の有機化合物は、第１の無機化合物と相互に作用し、半占有軌道を形成する。また、第２の発光デバイスは、第２の画素電極、共通電極および第２の中間層を有し、第２の中間層は共通電極および第２の画素電極の間に挟まれ、第２の中間層は、第３の層および第４の層を有し、第４の層は第３の層および第２の画素電極の間に挟まれ、第４の層は第１の無機化合物および第１の有機化合物を含む。また、第１の絶縁層は第１の中間層の上面の一部及び側面、並びに、第２の中間層の上面の一部及び側面を覆い、第２の絶縁層は、第１の絶縁層を介して、第１の中間層の上面の一部及び側面、並びに、第２の中間層の上面の一部及び側面と重なり、第２の絶縁層の上面は共通電極に覆われ、断面視において、第２の絶縁層の端部は、テーパ角９０°未満のテーパ形状を有し、第２の絶縁層は、第１の絶縁層の側面の少なくとも一部を覆う。

これにより、第１の中間層および第２の中間層の間に流れる電流を抑制することができる。また、第１の発光デバイスおよび第２の発光デバイスの間のクロストーク現象の発生を抑制することができる。また、発光デバイスの駆動電圧を抑制することができる。また、消費電力を抑制することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の構成について、図１乃至図３を参照しながら説明する。

図１は、本発明の一態様の表示装置の構成を説明する断面図である。

図２は、本発明の一態様の表示装置に用いることができる発光デバイスの構成を説明する断面図である。

図３Ａは、本発明の一態様の表示装置の一例を示す上面図である。図３Ｂは、表示装置の一例を示す断面図である。

＜表示装置の構成例＞
本実施の形態で説明する表示装置は、発光デバイス１３０ａと、発光デバイス１３０ｂと、絶縁層１２５と、絶縁層１２７と、を有する（図３Ｂ参照）。

《発光デバイス１３０ａの構成例》
発光デバイス１３０ａは、画素電極１１１ａ、共通電極１１５、ユニット７０３ａ、ユニット７０３ａ２および中間層７０６ａを有する（図１参照）。また、発光デバイス１３０ａは、層７０４ａおよび共通層１１４を有する。なお、発光デバイス１３０ａは、画素電極１１１ａおよび共通電極１１５の間に第１の層１１３ａを有する（図１および図３Ｂ参照）。第１の層１１３ａは、ユニット７０３ａ、ユニット７０３ａ２、中間層７０６ａ、層７０４ａおよび共通層１１４を有する。

ユニット７０３ａは、共通電極１１５および画素電極１１１ａの間に挟まれ、ユニット７０３ａ２は、共通電極１１５およびユニット７０３ａの間に挟まれる。

中間層７０６ａは、ユニット７０３ａ２およびユニット７０３ａの間に挟まれ、中間層７０６ａは、層７０６ａ１および層７０６ａ２を有する。層７０６ａ２は、層７０６ａ１およびユニット７０３ａの間に挟まれる。

層７０６ａ２は、第１の無機化合物および第１の有機化合物を含む。第１の有機化合物は、非共有電子対を備え、第１の有機化合物は第１の無機化合物と相互に作用し、半占有軌道を形成する。

《発光デバイス１３０ｂの構成例》
発光デバイス１３０ｂは、画素電極１１１ｂ、共通電極１１５、ユニット７０３ｂ、ユニット７０３ｂ２および中間層７０６ｂを有する（図１参照）。また、発光デバイス１３０ｂは、層７０４ｂおよび共通層１１４を有する。なお、発光デバイス１３０ｂは、画素電極１１１ｂおよび共通電極１１５の間に第２の層１１３ｂを有する（図１および図３Ｂ参照）。第２の層１１３ｂは、ユニット７０３ｂ、ユニット７０３ｂ２、中間層７０６ｂ、層７０４ｂおよび共通層１１４を有する。

ユニット７０３ｂは、共通電極１１５および画素電極１１１ｂの間に挟まれ、ユニット７０３ｂ２は、共通電極１１５およびユニット７０３ｂの間に挟まれる。

中間層７０６ｂは、ユニット７０３ｂ２およびユニット７０３ｂの間に挟まれ、中間層７０６ｂは、層７０６ｂ１および層７０６ｂ２を有する。層７０６ｂ２は、層７０６ｂ１およびユニット７０３ｂの間に挟まれる。

層７０６ｂ２は、第１の無機化合物および第１の有機化合物を含む。

ユニット７０３ａ、ユニット７０３ａ２、ユニット７０３ｂ及びユニット７０３ｂ２は、それぞれ、発光性の材料を含む。

《絶縁層１２５の構成例》
絶縁層１２５は、ユニット７０３ａ２の上面の一部及び側面、並びに、ユニット７０３ｂ２の上面の一部及び側面を覆う。

《絶縁層１２７の構成例》
絶縁層１２７は、絶縁層１２５を介して、ユニット７０３ａ２の上面の一部及び側面、並びに、ユニット７０３ｂ２の上面の一部及び側面と重なる。

断面視において、絶縁層１２７の端部は、テーパ角９０°未満のテーパ形状を有し、絶縁層１２７は、絶縁層１２５の側面の少なくとも一部を覆う。また、絶縁層１２７の上面は、共通電極１１５に覆われる。なお、絶縁層１２５の構成および絶縁層１２７の構成の詳細については実施の形態２で説明する。

これにより、中間層７０６ａおよび中間層７０６ｂの間に間隙が形成される。また、当該間隙に沿って絶縁層１２５が形成される。また、絶縁層１２５および絶縁層１２７は、中間層７０６ａおよび中間層７０６ｂの間に流れる電流を抑制することができる。また、発光デバイス１３０ａおよび発光デバイス１３０ｂの間のクロストーク現象の発生を抑制することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。

＜発光デバイス１３０Ｘの構成例１＞
本実施の形態で説明する表示装置に用いることができる発光デバイスの構成について、図２を参照しながら説明する。

発光デバイス１３０Ｘは、本発明の一態様の表示装置に用いることができる。なお、発光デバイス１３０Ｘの構成についての説明は、発光デバイス１３０ａに適用することができる。具体的には、発光デバイス１３０Ｘの構成に用いる符号の「Ｘ」を「ａ」に読み替えて、発光デバイス１３０ａの説明に援用することができる。また、同様に読み替えて、発光デバイス１３０Ｘの構成を、発光デバイス１３０ｂまたは発光デバイス１３０ｃに適用することができる。また同様に、発光デバイス１３０Ｘの構成を、発光デバイス１３０Ｂ、発光デバイス１３０Ｇまたは発光デバイス１３０Ｒに適用することができる。

発光デバイス１３０Ｘは、電極１１１Ｘと、電極１１５Ｘと、ユニット７０３Ｘと、ユニット７０３Ｘ２と、中間層７０６Ｘと、を有する（図２参照）。

電極１１５Ｘは、電極１１１Ｘと重なる。また、ユニット７０３Ｘは電極１１５Ｘおよび電極１１１Ｘの間に挟まれ、ユニット７０３Ｘ２は電極１１５Ｘおよびユニット７０３Ｘの間に挟まれ、中間層７０６Ｘはユニット７０３Ｘ２およびユニット７０３Ｘの間に挟まれる領域を備える。

なお、ユニット７０３Ｘは、光ＥＬＸを射出する機能を備え、ユニット７０３Ｘ２は、光ＥＬＸ２を射出する機能を備える。

言い換えると、発光デバイス１３０Ｘは、積層された複数のユニットを、電極１１１Ｘおよび電極１１５Ｘの間に有する。また、積層された複数のユニットの数は２に限られず、３以上のユニットを積層することができる。なお、電極１１１Ｘおよび電極１１５Ｘの間に挟まれた積層された複数のユニットと、複数のユニットの間に挟まれた中間層７０６Ｘと、を備える構成を、積層型の発光デバイスまたはタンデム型の発光デバイスという場合がある。これにより、電流密度を低く保ったまま、高輝度の発光を得ることができる。または、信頼性を向上することができる。または、同一の輝度で比較して駆動電圧を低減することができる。または、消費電力を抑制することができる。

《ユニット７０３Ｘの構成例》
ユニット７０３Ｘは単層構造または積層構造を備える。例えば、ユニット７０３Ｘは、層７１１Ｘ、層７１２Ｘおよび層７１３Ｘを備える（図２参照）。ユニット７０３Ｘは光ＥＬＸを射出する機能を備える。

層７１１Ｘは層７１２Ｘおよび層７１３Ｘの間に挟まれる領域を備え、層７１２Ｘは電極１１１Ｘおよび層７１１Ｘの間に挟まれる領域を備え、層７１３Ｘは電極１１５Ｘおよび層７１１Ｘの間に挟まれる領域を備える。

例えば、発光層、正孔輸送層、電子輸送層、キャリアブロック層、などの機能層から選択した層を、ユニット７０３Ｘに用いることができる。また、正孔注入層、電子注入層、励起子ブロック層および電荷発生層などの機能層から選択した層を、ユニット７０３Ｘに用いることができる。

《層７１２Ｘの構成例》
例えば、正孔輸送性を有する材料を、層７１２Ｘに用いることができる。また、層７１２Ｘを正孔輸送層ということができる。なお、層７１１Ｘに含まれる発光性の材料より大きいバンドギャップを備える材料を、層７１２Ｘに用いる構成が好ましい。これにより、層７１１Ｘにおいて生じる励起子から層７１２Ｘへのエネルギー移動を、抑制することができる。

［正孔輸送性を有する材料］
正孔移動度が、１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上である材料を、正孔輸送性を有する材料に好適に用いることができる。

例えば、アミン化合物またはπ電子過剰型複素芳香環骨格を有する有機化合物を、正孔輸送性を有する材料に用いることができる。具体的には、芳香族アミン骨格を有する化合物、カルバゾール骨格を有する化合物、チオフェン骨格を有する化合物、フラン骨格を有する化合物等を用いることができる。特に、芳香族アミン骨格を有する化合物またはカルバゾール骨格を有する化合物は、信頼性が良好であり、また、正孔輸送性が高く、駆動電圧低減にも寄与するため好ましい。

芳香族アミン骨格を有する化合物としては、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）、４−フェニル−４’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）、４−フェニル−３’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ｍＢＰＡＦＬＰ）、４−フェニル−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）、４，４’−ジフェニル−４’’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＢｉ１ＢＰ）、４−（１−ナフチル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＮＢ）、４，４’−ジ（１−ナフチル）−４’’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＮＢＢ）、９，９−ジメチル−Ｎ−フェニル−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］フルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＡＦ）、Ｎ−フェニル−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＡＳＦ）、等を用いることができる。

カルバゾール骨格を有する化合物としては、例えば、１，３−ビス（Ｎ−カルバゾリル）ベンゼン（略称：ｍＣＰ）、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、３，６−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）−９−フェニルカルバゾール（略称：ＣｚＴＰ）、３，３’−ビス（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール）（略称：ＰＣＣＰ）、等を用いることができる。

チオフェン骨格を有する化合物としては、例えば、４，４’，４’’−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）トリ（ジベンゾチオフェン）（略称：ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ）、２，８−ジフェニル−４−［４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］ジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ−ＩＩＩ）、４−［４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］−６−フェニルジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ−ＩＶ）、等を用いることができる。

フラン骨格を有する化合物としては、例えば、４，４’，４’’−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）トリ（ジベンゾフラン）（略称：ＤＢＦ３Ｐ−ＩＩ）、４−｛３−［３−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］フェニル｝ジベンゾフラン（略称：ｍｍＤＢＦＦＬＢｉ−ＩＩ）、等を用いることができる。

《層７１３Ｘの構成例》
例えば、電子輸送性を有する材料、アントラセン骨格を有する材料および混合材料等を、層７１３Ｘに用いることができる。また、層７１３Ｘを電子輸送層ということができる。なお、層７１１Ｘに含まれる発光性の材料より大きいバンドギャップを有する材料を、層７１３Ｘに用いる構成が好ましい。これにより、層７１１Ｘにおいて生じる励起子から層７１３Ｘへのエネルギー移動を、抑制することができる。

［電子輸送性を有する材料］
例えば、金属錯体またはπ電子不足型複素芳香環骨格を有する有機化合物を、電子輸送性を有する材料に用いることができる。

電界強度［Ｖ／ｃｍ］の平方根が６００である条件において、電子移動度が１×１０^−７ｃｍ^２／Ｖｓ以上、５×１０^−５ｃｍ^２／Ｖｓ以下である材料を、電子輸送性を有する材料に好適に用いることができる。これにより、電子輸送層における電子の輸送性を抑制することができる。または、発光層への電子の注入量を制御することができる。または、発光層が電子過多の状態になることを防ぐことができる。

金属錯体としては、例えば、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（ＩＩ）（略称：ＢｅＢｑ_２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８−キノリノラト）亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎｑ）、ビス［２−（２−ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＰＢＯ）、ビス［２−（２−ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＢＴＺ）、等を用いることができる。

π電子不足型複素芳香環骨格を有する有機化合物としては、例えば、ポリアゾール骨格を有する複素環化合物、ジアジン骨格を有する複素環化合物、ピリジン骨格を有する複素環化合物、トリアジン骨格を有する複素環化合物等を用いることができる。特に、ジアジン骨格を有する複素環化合物またはピリジン骨格を有する複素環化合物は、信頼性が良好であり好ましい。また、ジアジン（ピリミジンまたはピラジン）骨格を有する複素環化合物は、電子輸送性が高く、駆動電圧を低減することができる。

ポリアゾール骨格を有する複素環化合物としては、例えば、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、９−［４−（５−フェニル−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣＯ１１）、２，２’，２’’−（１，３，５−ベンゼントリイル）トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）、２−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール（略称：ｍＤＢＴＢＩｍ−ＩＩ）、等を用いることができる。

ジアジン骨格を有する複素環化合物としては、例えば、２−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）、２−［３’−（ジベンゾチオフェン−４−イル）ビフェニル−３−イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ）、２−［３’−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）ビフェニル−３−イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＣｚＢＰＤＢｑ）、４，６−ビス［３−（フェナントレン−９−イル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＰｎＰ２Ｐｍ）、４，６−ビス［３−（４−ジベンゾチエニル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＤＢＴＰ２Ｐｍ−ＩＩ）、４，８−ビス［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ベンゾ［ｈ］キナゾリン（略称：４，８ｍＤＢｔＰ２Ｂｑｎ）、等を用いることができる。

ピリジン骨格を有する複素環化合物としては、例えば、３，５−ビス［３−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ピリジン（略称：３５ＤＣｚＰＰｙ）、１，３，５−トリ［３−（３−ピリジル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴｍＰｙＰＢ）、等を用いることができる。

トリアジン骨格を有する複素環化合物としては、例えば、２−［３’−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）ビフェニル−３−イル］−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ｍＦＢＰＴｚｎ）、２−［（１，１’−ビフェニル）−４−イル］−４−フェニル−６−［９，９’−スピロビ（９Ｈ−フルオレン）−２−イル］−１，３，５−トリアジン（略称：ＢＰ−ＳＦＴｚｎ）、２−｛３−［３−（ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン−８−イル）フェニル］フェニル｝−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ｍＢｎｆＢＰＴｚｎ）、２−｛３−［３−（ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン−６−イル）フェニル］フェニル｝−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ｍＢｎｆＢＰＴｚｎ−０２）、等を用いることができる。

［アントラセン骨格を有する材料］
アントラセン骨格を有する有機化合物を、層７１３Ｘに用いることができる。特に、アントラセン骨格と複素環骨格の両方を含む有機化合物を好適に用いることができる。

例えば、アントラセン骨格と含窒素５員環骨格の両方を含む有機化合物を用いることができる。または、２つの複素原子を環に含む含窒素５員環骨格とアントラセン骨格の両方を含む有機化合物を用いることができる。具体的には、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、等を当該複素環骨格に好適に用いることができる。

例えば、アントラセン骨格と含窒素６員環骨格の両方を含む有機化合物を用いることができる。または、２つの複素原子を環に含む含窒素６員環骨格とアントラセン骨格の両方を含む有機化合物を用いることができる。具体的には、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環等を当該複素環骨格に好適に用いることができる。

［混合材料の構成例］
また、複数種の物質を混合した材料を、層７１３Ｘに用いることができる。具体的には、アルカリ金属、アルカリ金属化合物またはアルカリ金属錯体と、電子輸送性を有する物質とを含む混合材料を、層７１３Ｘに用いることができる。なお、本明細書等において、上記の発光デバイスをＲｅｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎ−Ｓｉｔｅ　Ｔａｉｌｏｒｉｎｇ　Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ構造（ＲｅＳＴＩ構造）と呼称する場合がある。

なお、電子輸送性を有する材料のＨＯＭＯ準位が−６．０ｅＶ以上であるとより好ましい。また、アルカリ金属、アルカリ金属化合物またはアルカリ金属錯体が、層７１３Ｘの厚さ方向において濃度差をもって存在する構成が好ましい。

例えば、８−ヒドロキシキノリナト構造を含む金属錯体を用いることができる。また、８−ヒドロキシキノリナト構造を含む金属錯体のメチル置換体（例えば２−メチル置換体または５−メチル置換体）等を用いることもできる。

８−ヒドロキシキノリナト構造を含む金属錯体としては、８−ヒドロキシキノリナト−リチウム（略称：Ｌｉｑ）、８−ヒドロキシキノリナト−ナトリウム（略称：Ｎａｑ）等を用いることができる。特に、一価の金属イオンの錯体、中でもリチウムの錯体が好ましく、Ｌｉｑがより好ましい。

《層７１１Ｘの構成例１》
例えば、発光性の材料、または発光性の材料およびホスト材料を、層７１１Ｘに用いることができる。また、層７１１Ｘを発光層ということができる。なお、正孔と電子が再結合する領域に層７１１Ｘを配置する構成が好ましい。これにより、キャリアの再結合により生じるエネルギーを、効率よく光にして射出することができる。

また、電極等に用いる金属から遠ざけて層７１１Ｘを配置する構成が好ましい。これにより、電極等に用いる金属による消光現象を抑制することができる。

また、反射性を備える電極等から層７１１Ｘまでの距離を調節し、発光波長に応じた適切な位置に、層７１１Ｘを配置する構成が好ましい。これにより、電極等が反射する光と、層７１１Ｘが射出する光との干渉現象を利用して、振幅を強め合うことができる。また、所定の波長の光を強めて、光のスペクトルを狭線化することができる。また、鮮やかな発光色を強い強度で得ることができる。換言すれば、電極等の間の適切な位置に層７１１Ｘを配置して、微小共振器構造（マイクロキャビティ）を構成することができる。

例えば、蛍光発光物質、りん光発光物質または熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ：Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ　Ａｃｔｉｖａｔｅｄ　Ｄｅｌａｙｅｄ　Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ）を示す物質（ＴＡＤＦ材料ともいう）を、発光性の材料に用いることができる。これにより、キャリアの再結合により生じたエネルギーを、発光性の材料から光ＥＬＸとして放出することができる（図２参照）。

［蛍光発光物質］
蛍光発光物質を層７１１Ｘに用いることができる。例えば、以下に例示する蛍光発光物質を層７１１Ｘに用いることができる。なお、これに限定されず、さまざまな公知の蛍光性発光物質を層７１１Ｘに用いることができる。

具体的には、５，６−ビス［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−２，２’−ビピリジン（略称：ＰＡＰ２ＢＰｙ）、５，６−ビス［４’−（１０−フェニル−９−アントリル）ビフェニル−４−イル］−２，２’−ビピリジン（略称：ＰＡＰＰ２ＢＰｙ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］ピレン−１，６−ジアミン（略称：１，６ＦＬＰＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス［３−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］ピレン−１，６−ジアミン（略称：１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）トリフェニルアミン（略称：２ＹＧＡＰＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ（ｔｅｒｔ−ブチル）ペリレン（略称：ＴＢＰ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）、Ｎ，Ｎ’’−（２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン−９，１０−ジイルジ−４，１−フェニレン）ビス［Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン］（略称：ＤＰＡＢＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＰＡ）、Ｎ，Ｎ’−（ピレン−１，６−ジイル）ビス［（６，Ｎ−ジフェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン）−８−アミン］（略称：１，６ＢｎｆＡＰｒｎ−０３）、３，１０−ビス［Ｎ−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ナフト［２，３−ｂ；６，７−ｂ’］ビスベンゾフラン（略称：３，１０ＰＣＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）−０２）、３，１０−ビス［Ｎ−（ジベンゾフラン−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ナフト［２，３−ｂ；６，７−ｂ’］ビスベンゾフラン（略称：３，１０ＦｒＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）−０２）、等を用いることができる。

特に、１，６ＦＬＰＡＰｒｎまたは１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ、１，６ＢｎｆＡＰｒｎ−０３のようなピレンジアミン化合物に代表される縮合芳香族ジアミン化合物は、ホールトラップ性が高く、発光効率または信頼性に優れているため好ましい。

また、Ｎ−［４−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＰＡ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’，Ｎ’’’，Ｎ’’’−オクタフェニルジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン−２，７，１０，１５−テトラアミン（略称：ＤＢＣ１）、クマリン３０、９，１０−ジフェニル−２−［Ｎ−フェニル−Ｎ−（９−フェニル−カルバゾール−３−イル）−アミノ］−アントラセン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＢＰｈＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＢＰｈＡ）、９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−Ｎ−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ−フェニルアントラセン−２−アミン（略称：２ＹＧＡＢＰｈＡ）、Ｎ，Ｎ，９−トリフェニルアントラセン−９−アミン（略称：ＤＰｈＡＰｈＡ）、クマリン５４５Ｔ、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルキナクリドン、（略称：ＤＰＱｄ）、ルブレン、５，１２−ビス（１，１’−ビフェニル−４−イル）−６，１１−ジフェニルテトラセン（略称：ＢＰＴ）、等を用いることができる。

また、２−（２−｛２−［４−（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル｝−６−メチル−４Ｈ−ピラン−４−イリデン）プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ１）、２−｛２−メチル−６−［２−（２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ２）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）テトラセン−５，１１−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＴＤ）、７，１４−ジフェニル−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）アセナフト［１，２−ａ］フルオランテン−３，１０−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＡＦＤ）、２−｛２−イソプロピル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＪＴＩ）、２−｛２−ｔｅｒｔ−ブチル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＪＴＢ）、２−（２，６−ビス｛２−［４−（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル｝−４Ｈ−ピラン−４−イリデン）プロパンジニトリル（略称：ＢｉｓＤＣＭ）、２−｛２，６−ビス［２−（８−メトキシ−１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＢｉｓＤＣＪＴＭ）、等を用いることができる。

［りん光発光物質］
りん光発光物質を層７１１Ｘに用いることができる。例えば、以下に例示するりん光発光物質を層７１１Ｘに用いることができる。なお、これに限定されず、さまざまな公知のりん光性発光物質を層７１１Ｘに用いることができる。

例えば、４Ｈ−トリアゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体、１Ｈ−トリアゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体、イミダゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体、電子吸引基を有するフェニルピリジン誘導体を配位子とする有機金属イリジウム錯体、ピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、ピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、ピリジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、希土類金属錯体、白金錯体、等を層７１１Ｘに用いることができる。

［りん光発光物質（青色）］
４Ｈ−トリアゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体等としては、トリス｛２−［５−（２−メチルフェニル）−４−（２，６−ジメチルフェニル）−４Ｈ−１，２，４−トリアゾール−３−イル−κＮ２］フェニル−κＣ｝イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｔｚ−ｄｍｐ）_３］）、トリス（５−メチル−３，４−ジフェニル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｍｐｔｚ）_３］）、トリス［４−（３−ビフェニル）−５−イソプロピル−３−フェニル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｉＰｒｐｔｚ−３ｂ）_３］）、等を用いることができる。

１Ｈ−トリアゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体等としては、トリス［３−メチル−１−（２−メチルフェニル）−５−フェニル−１Ｈ−１，２，４−トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｍｐｔｚ１−ｍｐ）_３］）、トリス（１−メチル−５−フェニル−３−プロピル−１Ｈ−１，２，４−トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｐｒｐｔｚ１−Ｍｅ）_３］）、等を用いることができる。

イミダゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体等としては、ｆａｃ−トリス［１−（２，６−ジイソプロピルフェニル）−２−フェニル−１Ｈ−イミダゾール］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｉＰｒｐｍｉ）_３］）、トリス［３−（２，６−ジメチルフェニル）−７−メチルイミダゾ［１，２−ｆ］フェナントリジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｐｉｍｐｔ−Ｍｅ）_３］）、等を用いることができる。

電子吸引基を有するフェニルピリジン誘導体を配位子とする有機金属イリジウム錯体等としては、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１−ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス｛２−［３’，５’−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’｝イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：［Ｉｒ（ＣＦ_３ｐｐｙ）_２（ｐｉｃ）］）、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒａｃａｃ）、等を用いることができる。

なお、これらは青色のりん光発光を示す化合物であり、４４０ｎｍから５２０ｎｍに発光波長のピークを有する化合物である。

［りん光発光物質（緑色）］
ピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体等としては、トリス（４−メチル−６−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｍ）_３］）、トリス（４−ｔ−ブチル−６−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）_３］）、（アセチルアセトナト）ビス（６−メチル−４−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［６−（２−ノルボルニル）−４−フェニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｎｂｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［５−メチル−６−（２−メチルフェニル）−４−フェニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（４，６−ジフェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）、等を用いることができる。

ピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体等としては、（アセチルアセトナト）ビス（３，５−ジメチル−２−フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｒ−Ｍｅ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（５−イソプロピル−３−メチル−２−フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｒ−ｉＰｒ）_２（ａｃａｃ）］）、等を用いることができる。

ピリジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体等としては、トリス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｐｙ）_３］）、ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐｐｙ）_２（ａｃａｃ）］）、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｂｚｑ）_２（ａｃａｃ）］）、トリス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｂｚｑ）_３］）、トリス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｑ）_３］）、ビス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐｑ）_２（ａｃａｃ）］）、［２−ｄ３−メチル−８−（２−ピリジニル−κＮ）ベンゾフロ［２，３−ｂ］ピリジン−κＣ］ビス［２−（５−ｄ３−メチル−２−ピリジニル−κＮ２）フェニル−κＣ］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（５ｍｐｐｙ−ｄ３）_２（ｍｂｆｐｙｐｙ−ｄ３）］）、［２−ｄ３−メチル−（２−ピリジニル−κＮ）ベンゾフロ［２，３−ｂ］ピリジン−κＣ］ビス［２−（２−ピリジニル−κＮ）フェニル−κＣ］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｐｙ）_２（ｍｂｆｐｙｐｙ−ｄ３）］）、等を用いることができる。

希土類金属錯体としては、トリス（アセチルアセトナト）（モノフェナントロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｔｂ（ａｃａｃ）_３（Ｐｈｅｎ）］）、などが挙げられる。

なお、これらは主に緑色のりん光発光を示す化合物であり、５００ｎｍから６００ｎｍに発光波長のピークを有する。また、ピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体は、信頼性または発光効率において、際だって優れる。

［りん光発光物質（赤色）］
ピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体等としては、（ジイソブチリルメタナト）ビス［４，６−ビス（３−メチルフェニル）ピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）_２（ｄｉｂｍ）］）、ビス［４，６−ビス（３−メチルフェニル）ピリミジナト］（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）_２（ｄｐｍ）］）、ビス［４，６−ジ（ナフタレン−１−イル）ピリミジナト］（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄ１ｎｐｍ）_２（ｄｐｍ）］）、等を用いることができる。

ピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体等としては、（アセチルアセトナト）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔｐｐｒ）_２（ａｃａｃ）］）、ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔｐｐｒ）_２（ｄｐｍ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）_２（ａｃａｃ）］）、等を用いることができる。

ピリジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体等としては、トリス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｉｑ）_３］）、ビス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐｉｑ）_２（ａｃａｃ）］）、等を用いることができる。

希土類金属錯体等としては、トリス（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｅｕ（ＤＢＭ）_３（Ｐｈｅｎ）］）、トリス［１−（２−テノイル）−３，３，３−トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｅｕ（ＴＴＡ）_３（Ｐｈｅｎ）］）、等を用いることができる。

白金錯体等としては、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）、等を用いることができる。

なお、これらは、赤色のりん光発光を示す化合物であり、６００ｎｍから７００ｎｍに発光のピークを有する。また、ピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体は、表示装置に良好に用いることができる色度の赤色発光が得られる。

［熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）を示す物質］
ＴＡＤＦ材料を層７１１Ｘに用いることができる。例えば、以下に例示するＴＡＤＦ材料を発光性の材料に用いることができる。なお、これに限定されず、さまざまな公知のＴＡＤＦ材料を、発光性の材料に用いることができる。

ＴＡＤＦ材料は、Ｓ１準位とＴ１準位との差が小さく、わずかな熱エネルギーによって三重項励起状態から一重項励起状態に逆項間交差（アップコンバート）できる。これにより、三重項励起状態から一重項励起状態を効率よく生成することができる。また、三重項励起エネルギーを発光に変換することができる。

また、２種類の物質で励起状態を形成する励起錯体（エキサイプレックス、エキシプレックスまたはＥｘｃｉｐｌｅｘともいう）は、Ｓ１準位とＴ１準位との差が極めて小さく、三重項励起エネルギーを一重項励起エネルギーに変換することが可能なＴＡＤＦ材料としての機能を有する。

なお、Ｔ１準位の指標としては、低温（例えば７７Ｋから１０Ｋ）で観測されるりん光スペクトルを用いればよい。ＴＡＤＦ材料としては、その蛍光スペクトルの短波長側の裾において接線を引き、その外挿線の波長のエネルギーをＳ１準位とし、りん光スペクトルの短波長側の裾において接線を引き、その外挿線の波長のエネルギーをＴ１準位とした際に、そのＳ１とＴ１の差が０．３ｅＶ以下であることが好ましく、０．２ｅＶ以下であることがさらに好ましい。

また、ＴＡＤＦ材料を発光物質として用いる場合、ホスト材料のＳ１準位はＴＡＤＦ材料のＳ１準位より高い方が好ましい。また、ホスト材料のＴ１準位はＴＡＤＦ材料のＴ１準位より高いことが好ましい。

例えば、フラーレン及びその誘導体、アクリジン及びその誘導体、エオシン誘導体等をＴＡＤＦ材料に用いることができる。また、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、スズ（Ｓｎ）、白金（Ｐｔ）、インジウム（Ｉｎ）、もしくはパラジウム（Ｐｄ）等を含む金属含有ポルフィリンをＴＡＤＦ材料に用いることができる。

具体的には、構造式を以下に示す、プロトポルフィリン−フッ化スズ錯体（ＳｎＦ_２（Ｐｒｏｔｏ　ＩＸ））、メソポルフィリン−フッ化スズ錯体（ＳｎＦ_２（Ｍｅｓｏ　ＩＸ））、ヘマトポルフィリン−フッ化スズ錯体（ＳｎＦ_２（Ｈｅｍａｔｏ　ＩＸ））、コプロポルフィリンテトラメチルエステル−フッ化スズ錯体（ＳｎＦ_２（Ｃｏｐｒｏ　ＩＩＩ−４Ｍｅ））、オクタエチルポルフィリン−フッ化スズ錯体（ＳｎＦ_２（ＯＥＰ））、エチオポルフィリン−フッ化スズ錯体（ＳｎＦ_２（Ｅｔｉｏ　Ｉ））、オクタエチルポルフィリン−塩化白金錯体（ＰｔＣｌ_２ＯＥＰ）、等を用いることができる。

また、例えば、π電子過剰型複素芳香環とπ電子不足型複素芳香環の一方または両方を有する複素環化合物をＴＡＤＦ材料に用いることができる。

具体的には、構造式を以下に示す、２−（ビフェニル−４−イル）−４，６−ビス（１２−フェニルインドロ［２，３−ａ］カルバゾール−１１−イル）−１，３，５−トリアジン（略称：ＰＩＣ−ＴＲＺ）、９−（４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン−２−イル）−９’−フェニル−９Ｈ，９’Ｈ−３，３’−ビカルバゾール（略称：ＰＣＣｚＴｚｎ）、２−｛４−［３−（Ｎ−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−９Ｈ−カルバゾール−９−イル］フェニル｝−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ＰＣＣｚＰＴｚｎ）、２−［４−（１０Ｈ−フェノキサジン−１０−イル）フェニル］−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ＰＸＺ−ＴＲＺ）、３−［４−（５−フェニル−５，１０−ジヒドロフェナジン−１０−イル）フェニル］−４，５−ジフェニル−１，２，４−トリアゾール（略称：ＰＰＺ−３ＴＰＴ）、３−（９，９−ジメチル−９Ｈ−アクリジン−１０−イル）−９Ｈ−キサンテン−９−オン（略称：ＡＣＲＸＴＮ）、ビス［４−（９，９−ジメチル−９，１０−ジヒドロアクリジン）フェニル］スルホン（略称：ＤＭＡＣ−ＤＰＳ）、１０−フェニル−１０Ｈ，１０’Ｈ−スピロ［アクリジン−９，９’−アントラセン］−１０’−オン（略称：ＡＣＲＳＡ）、等を用いることができる。

該複素環化合物は、π電子過剰型複素芳香環及びπ電子不足型複素芳香環を有するため、電子輸送性及び正孔輸送性が共に高く、好ましい。特に、π電子不足型複素芳香環を有する骨格のうち、ピリジン骨格、ジアジン骨格（ピリミジン骨格、ピラジン骨格、ピリダジン骨格）、およびトリアジン骨格は、安定で信頼性が良好なため好ましい。特に、ベンゾフロピリミジン骨格、ベンゾチエノピリミジン骨格、ベンゾフロピラジン骨格、ベンゾチエノピラジン骨格はアクセプタ性が高く、信頼性が良好なため好ましい。

また、π電子過剰型複素芳香環を有する骨格の中でも、アクリジン骨格、フェノキサジン骨格、フェノチアジン骨格、フラン骨格、チオフェン骨格、及びピロール骨格は、安定で信頼性が良好なため、当該骨格の少なくとも一を有することが好ましい。なお、フラン骨格としてはジベンゾフラン骨格が、チオフェン骨格としてはジベンゾチオフェン骨格が、それぞれ好ましい。また、ピロール骨格としては、インドール骨格、カルバゾール骨格、インドロカルバゾール骨格、ビカルバゾール骨格、３−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−９Ｈ−カルバゾール骨格が特に好ましい。

なお、π電子過剰型複素芳香環とπ電子不足型複素芳香環とが直接結合した物質は、π電子過剰型複素芳香環の電子供与性とπ電子不足型複素芳香環の電子受容性が共に強くなり、Ｓ１準位とＴ１準位のエネルギー差が小さくなるため、熱活性化遅延蛍光を効率よく得られることから特に好ましい。なお、π電子不足型複素芳香環の代わりに、シアノ基のような電子吸引基が結合した芳香環を用いても良い。また、π電子過剰型骨格として、芳香族アミン骨格、フェナジン骨格等を用いることができる。

また、π電子不足型骨格として、キサンテン骨格、チオキサンテンジオキサイド骨格、オキサジアゾール骨格、トリアゾール骨格、イミダゾール骨格、アントラキノン骨格、フェニルボランまたはボラントレン等の含ホウ素骨格、ベンゾニトリルまたはシアノベンゼン等のニトリル基またはシアノ基を有する芳香環または複素芳香環、ベンゾフェノン等のカルボニル骨格、ホスフィンオキシド骨格、スルホン骨格等を用いることができる。

このように、π電子不足型複素芳香環およびπ電子過剰型複素芳香環の少なくとも一方の代わりにπ電子不足型骨格およびπ電子過剰型骨格を用いることができる。

《層７１１Ｘの構成例２》
キャリア輸送性を備える材料をホスト材料に用いることができる。例えば、正孔輸送性を有する材料、電子輸送性を有する材料、熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）を示す物質、アントラセン骨格を有する材料および混合材料等をホスト材料に用いることができる。なお、層７１１Ｘに含まれる発光性の材料より大きいバンドギャップを備える材料を、ホスト材料に用いる構成が好ましい。これにより、層７１１Ｘにおいて生じる励起子からホスト材料へのエネルギー移動を、抑制することができる。

［正孔輸送性を有する材料］
正孔移動度が、１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上である材料を、正孔輸送性を有する材料に好適に用いることができる。

例えば、層７１２Ｘに用いることができる正孔輸送性を有する材料を、層７１１Ｘに用いることができる。具体的には、正孔輸送層に用いることができる正孔輸送性を有する材料を、層７１１Ｘに用いることができる。

［電子輸送性を有する材料］
例えば、金属錯体またはπ電子不足型複素芳香環骨格を有する有機化合物を、電子輸送性を有する材料に用いることができる。

例えば、層７１３Ｘに用いることができる電子輸送性を有する材料を、層７１１Ｘに用いることができる。具体的には、電子輸送層に用いることができる電子輸送性を有する材料を、層７１１Ｘに用いることができる。

［アントラセン骨格を有する材料］
アントラセン骨格を有する有機化合物を、ホスト材料に用いることができる。特に、発光物質に蛍光発光物質を用いる場合において、アントラセン骨格を有する有機化合物は好適である。これにより、発光効率および耐久性が良好な発光デバイスを実現することができる。

アントラセン骨格を有する有機化合物としては、ジフェニルアントラセン骨格、特に９，１０−ジフェニルアントラセン骨格を有する有機化合物が化学的に安定であるため好ましい。また、ホスト材料がカルバゾール骨格を有する場合、正孔の注入・輸送性が高まるため好ましい。特に、ホスト材料がジベンゾカルバゾール骨格を含む場合、カルバゾールよりもＨＯＭＯ準位が０．１ｅＶ程度浅くなり、正孔が入りやすくなる上に、正孔輸送性にも優れ、耐熱性も高くなるため好適である。なお、正孔注入・輸送性の観点から、カルバゾール骨格に換えて、ベンゾフルオレン骨格またはジベンゾフルオレン骨格を用いてもよい。

したがって、９，１０−ジフェニルアントラセン骨格およびカルバゾール骨格を共に有する物質、９，１０−ジフェニルアントラセン骨格およびベンゾカルバゾール骨格を共に有する物質、９，１０−ジフェニルアントラセン骨格およびジベンゾカルバゾール骨格を共に有する物質は、ホスト材料として好ましい。

例えば、６−［３−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン（略称：２ｍＢｎｆＰＰＡ）、９−フェニル−１０−｛４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）ビフェニル−４’−イル｝アントラセン（略称：ＦＬＰＰＡ）、９−（１−ナフチル）−１０−［４−（２−ナフチル）フェニル］アントラセン（略称：αＮ−βＮＰＡｎｔｈ）、９−フェニル−３−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣｚＰＡ）、９−［４−（１０−フェニル−９−アントラセニル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、７−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−７Ｈ−ジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール（略称：ｃｇＤＢＣｚＰＡ）、３−［４−（１−ナフチル）−フェニル］−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣＰＮ）、等を用いることができる。

特に、ＣｚＰＡ、ｃｇＤＢＣｚＰＡ、２ｍＢｎｆＰＰＡ、ＰＣｚＰＡは非常に良好な特性を示す。

［熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）を示す物質］
ＴＡＤＦ材料をホスト材料に用いることができる。ＴＡＤＦ材料は、三重項励起エネルギーを、逆項間交差によって一重項励起エネルギーに変換することができる。また、ＴＡＤＦ材料において、キャリアが再結合する構成が好ましい。これにより、キャリアの再結合により生じた三重項励起エネルギーを一重項励起エネルギーに、逆項間交差により効率よく変換することができる。また、励起エネルギーを発光物質に移動することができる。換言すれば、ＴＡＤＦ材料はエネルギードナーとして機能し、発光物質はエネルギーアクセプターとして機能する。これにより、発光デバイスの発光効率を高めることができる。

エネルギーアクセプターとしては、蛍光発光物質を好適に用いることができる。特に、蛍光発光物質のＳ１準位と比較して、ＴＡＤＦ材料のＳ１準位が高い場合、高い発光効率を得ることができる。また、蛍光発光物質のＳ１準位と比較して、ＴＡＤＦ材料のＴ１準位が高いとより好ましい。また、蛍光発光物質のＴ１準位と比較して、ＴＡＤＦ材料のＴ１準位が高いとより好ましい。

また、蛍光発光物質の最も低エネルギー側の吸収帯の波長と重なるような発光を呈するＴＡＤＦ材料を用いることが好ましい。これにより、ＴＡＤＦ材料から蛍光発光物質への励起エネルギーの移動を容易にし、効率よく発光を得ることができる。

また、エネルギーアクセプターとして用いる蛍光発光物質は、発光団（発光の原因となる骨格）と、当該発光団の周囲に保護基を有するものが好ましい。また、複数の保護基があるとさらに好ましい。これにより、ＴＡＤＦ材料で生成した三重項励起エネルギーが、蛍光発光物質の三重項励起エネルギーに移動する現象を抑制することができる。

ここで、発光団とは、蛍光発光物質において発光の原因となる原子団（骨格）を指す。発光団は、π結合を有する骨格が好ましく、芳香環を含むことが好ましく、縮合芳香環または縮合複素芳香環を有すると好ましい。

縮合芳香環または縮合複素芳香環としては、フェナントレン骨格、スチルベン骨格、アクリドン骨格、フェノキサジン骨格、フェノチアジン骨格等が挙げられる。特に、ナフタレン骨格、アントラセン骨格、フルオレン骨格、クリセン骨格、トリフェニレン骨格、テトラセン骨格、ピレン骨格、ペリレン骨格、クマリン骨格、キナクリドン骨格、ナフトビスベンゾフラン骨格を有する蛍光発光物質は蛍光量子収率が高いため好ましい。

また、発光団の周囲に配する保護基としては、π結合を有さない置換基が好ましい。例えば、飽和炭化水素が好ましく、具体的には、メチル基、炭素数３以上１０以下の分岐を有するアルキル基、環を形成する炭素数が３以上１０以下の置換もしくは無置換のシクロアルキル基、炭素数３以上１０以下のトリアルキルシリル基を、保護基に用いることができる。π結合を有さない置換基はキャリアを輸送する機能に乏しい。これにより、キャリア輸送またはキャリア再結合に影響をほとんど与えることなく、ＴＡＤＦ材料から蛍光発光物質の発光団を遠ざけ、ＴＡＤＦ材料と蛍光発光物質の発光団の間の距離を適切にすることができる。また、デクスター機構によるエネルギー移動を抑制することができ、フェルスター機構によるエネルギー移動を促進することができる。

例えば、発光性の材料に用いることができるＴＡＤＦ材料を、ホスト材料に用いることができる。

［混合材料の構成例１］
また、複数種の物質を混合した材料を、ホスト材料に用いることができる。例えば、電子輸送性を有する材料と正孔輸送性を有する材料を、混合材料に用いることができる。混合材料に含まれる正孔輸送性を有する材料と電子輸送性を有する材料の重量比の値は、（正孔輸送性を有する材料／電子輸送性を有する材料）＝（１／１９）以上（１９／１）以下とすればよい。これにより、層７１１Ｘのキャリア輸送性を容易に調整することができる。また、再結合領域の制御も簡便に行うことができる。

［混合材料の構成例２］
りん光発光物質を混合した材料を、ホスト材料に用いることができる。りん光発光物質は、発光物質として蛍光発光物質を用いる際に蛍光発光物質へ励起エネルギーを供与するエネルギードナーとして用いることができる。

りん光発光物質を混合した材料をホスト材料に用いる場合、りん光発光物質は保護基を有するものが好ましい。また、複数の保護基があるとさらに好ましい。

また、保護基としては、π結合を有さない置換基が好ましい。例えば、飽和炭化水素が好ましく、具体的には、炭素数３以上１０以下の分岐を有するアルキル基、環を形成する炭素数が３以上１０以下の置換もしくは無置換のシクロアルキル基、炭素数３以上１０以下のトリアルキルシリル基を、保護基に用いることができる。π結合を有さない置換基はキャリアを輸送する機能に乏しい。これにより、キャリア輸送またはキャリア再結合に影響をほとんど与えることなく、りん光発光物質から蛍光発光物質の発光団を遠ざけ、りん光発光物質と蛍光発光物質の発光団の距離を適切にすることができる。また、デクスター機構によるエネルギー移動を抑制することができ、フェルスター機構によるエネルギー移動を促進することができる。

また、同様の理由から、りん光発光物質を混合した材料をホスト材料に用いる場合、蛍光発光物質は、発光団（発光の原因となる骨格）と、当該発光団の周囲に保護基を有するものが好ましい。また、複数の保護基があるとさらに好ましい。

［混合材料の構成例３］
励起錯体を形成する材料を含む混合材料を、ホスト材料に用いることができる。例えば、形成される励起錯体の発光スペクトルが、発光物質の最も低エネルギー側の吸収帯の波長と重なる材料を、ホスト材料に用いることができる。これにより、エネルギー移動がスムーズとなり、発光効率を向上することができる。または、駆動電圧を抑制することができる。このような構成とすることにより、励起錯体から発光物質（りん光材料）へのエネルギー移動であるＥｘＴＥＴ（Ｅｘｃｉｐｌｅｘ−Ｔｒｉｐｌｅｔ　Ｅｎｅｒｇｙ　Ｔｒａｎｓｆｅｒ）を用いた発光を効率よく得ることができる。

励起錯体を形成する材料の少なくとも一方に、りん光発光物質を用いることができる。これにより、逆項間交差を利用することができる。または、三重項励起エネルギーを効率よく一重項励起エネルギーへ変換することができる。

励起錯体を形成する材料の組み合わせとしては、正孔輸送性を有する材料のＨＯＭＯ準位が電子輸送性を有する材料のＨＯＭＯ準位以上であると好ましい。または、正孔輸送性を有する材料のＬＵＭＯ準位が電子輸送性を有する材料のＬＵＭＯ準位以上であると好ましい。これにより、効率よく励起錯体を形成することができる。なお、材料のＬＵＭＯ準位およびＨＯＭＯ準位は、電気化学特性（還元電位および酸化電位）から導出することができる。具体的には、サイクリックボルタンメトリ（ＣＶ）測定法を用いて、還元電位および酸化電位を測定することができる。

なお、励起錯体の形成は、例えば正孔輸送性を有する材料の発光スペクトル、電子輸送性を有する材料の発光スペクトル、およびこれら材料を混合した混合膜の発光スペクトルを比較し、混合膜の発光スペクトルが、各材料の発光スペクトルよりも長波長シフトする（あるいは長波長側に新たなピークを持つ）現象を観測することにより確認することができる。あるいは、正孔輸送性を有する材料の過渡フォトルミネッセンス（ＰＬ）、電子輸送性を有する材料の過渡ＰＬ、及びこれら材料を混合した混合膜の過渡ＰＬを比較し、混合膜の過渡ＰＬ寿命が、各材料の過渡ＰＬ寿命よりも長寿命成分を有する、あるいは遅延成分の割合が大きくなるなどの過渡応答の違いを観測することにより、確認することができる。また、上述の過渡ＰＬは過渡エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）と読み替えても構わない。すなわち、正孔輸送性を有する材料の過渡ＥＬ、電子輸送性を有する材料の過渡ＥＬ及びこれらの混合膜の過渡ＥＬを比較し、過渡応答の違いを観測することによっても、励起錯体の形成を確認することができる。

《中間層７０６Ｘの構成例》
中間層７０６Ｘは、ユニット７０３Ｘまたはユニット７０３Ｘ２の一方に電子を供給し、他方に正孔を供給する機能を備える。

単層または複数の層が積層された層を中間層７０６Ｘに用いることができる。例えば、中間層７０６Ｘは、層７０６Ｘ１、層７０６Ｘ２および層７０６Ｘ３を備える。層７０６Ｘ２は層７０６Ｘ１およびユニット７０３Ｘの間に挟まれ、層７０６Ｘ３は、層７０６Ｘ１および層７０６Ｘ２の間に挟まれる。

《層７０６Ｘ１の構成例》
例えば、電圧を加えることにより、陽極側に電子を供給し、陰極側に正孔を供給する材料を、層７０６Ｘ１に用いることができる。具体的には、陽極側に配置されるユニット７０３Ｘに電子を供給することができ、陰極側に配置されるユニット７０３Ｘ２に正孔を供給することができる。また、層７０６Ｘ１を電荷発生層ということができる。

アクセプタ性を有する物質を、層７０６Ｘ１に用いることができる。または、複数種の物質を含む複合材料を、層７０６Ｘ１に用いることができる。なお、当該複合材料を含む層７０６Ｘ１は、好ましくは、１×１０^２［Ω・ｃｍ］以上１×１０^８［Ω・ｃｍ］以下の電気抵抗率を備える。

［アクセプタ性を有する物質］
有機化合物および無機化合物を、アクセプタ性を有する物質に用いることができる。アクセプタ性を有する物質は、電界の印加により、隣接する正孔輸送層あるいは正孔輸送性を有する材料から電子を引き抜くことができる。

例えば、電子吸引基（ハロゲン基またはシアノ基）を有する化合物を、アクセプタ性を有する物質に用いることができる。なお、アクセプタ性を有する有機化合物は蒸着が容易で成膜がしやすい。これにより、発光デバイスの生産性を高めることができる。

具体的には、７，７，８，８−テトラシアノ−２，３，５，６−テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ_４−ＴＣＮＱ）、クロラニル、２，３，６，７，１０，１１−ヘキサシアノ−１，４，５，８，９，１２−ヘキサアザトリフェニレン（略称：ＨＡＴ−ＣＮ）、１，３，４，５，７，８−ヘキサフルオロテトラシアノ−ナフトキノジメタン（略称：Ｆ６−ＴＣＮＮＱ）、２−（７−ジシアノメチレン−１，３，４，５，６，８，９，１０−オクタフルオロ−７Ｈ−ピレン−２−イリデン）マロノニトリル、等を用いることができる。

特に、ＨＡＴ−ＣＮのように複素原子を複数有する縮合芳香環に電子吸引基が結合している化合物が、熱的に安定であり好ましい。

また、電子吸引基（特にフルオロ基のようなハロゲン基またはシアノ基）を有する［３］ラジアレン誘導体は、電子受容性が非常に高いため好ましい。

具体的には、α，α’，α’’−１，２，３−シクロプロパントリイリデントリス［４−シアノ−２，３，５，６−テトラフルオロベンゼンアセトニトリル］、α，α’，α’’−１，２，３−シクロプロパントリイリデントリス［２，６−ジクロロ−３，５−ジフルオロ−４−（トリフルオロメチル）ベンゼンアセトニトリル］、α，α’，α’’−１，２，３−シクロプロパントリイリデントリス［２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンゼンアセトニトリル］、等を用いることができる。

また、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を、アクセプタ性を有する物質に用いることができる。

また、フタロシアニン（略称：Ｈ_２Ｐｃ）、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン系の錯体化合物、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、Ｎ，Ｎ’−ビス｛４−［ビス（３−メチルフェニル）アミノ］フェニル｝−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（略称：ＤＮＴＰＤ）等の芳香族アミン骨格を有する化合物を用いることができる。

また、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等の高分子等を用いることができる。

［複合材料の構成例１］
また、例えば、アクセプタ性を有する物質と正孔輸送性を有する材料を含む複合材料を、層７０６Ｘ１に用いることができる。

例えば、芳香族アミン骨格を有する化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、ビニル基を有している芳香族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）などを、複合材料の正孔輸送性を有する材料に用いることができる。また、正孔移動度が、１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上である材料を、複合材料の正孔輸送性を有する材料に好適に用いることができる。

また、比較的深いＨＯＭＯ準位を有する物質を、複合材料の正孔輸送性を有する材料に好適に用いることができる。具体的には、ＨＯＭＯ準位が−５．７ｅＶ以上−５．３ｅＶ以下であると好ましい。これにより、ユニット７０３Ｘ２への正孔の注入を容易にすることができる。または、層７１２Ｘ２への正孔の注入を容易にすることができる。または、発光デバイスの信頼性を向上することができる。

芳香族アミン骨格を有する化合物としては、例えば、Ｎ，Ｎ’−ジ（ｐ−トリル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ｐ−フェニレンジアミン（略称：ＤＴＤＰＰＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、Ｎ，Ｎ’−ビス｛４−［ビス（３−メチルフェニル）アミノ］フェニル｝−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）、等を用いることができる。

カルバゾール誘導体としては、例えば、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、１，３，５−トリス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、９−［４−（１０−フェニル−９−アントラセニル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、１，４−ビス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］−２，３，５，６−テトラフェニルベンゼン、等を用いることができる。

芳香族炭化水素としては、例えば、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、９，１０−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ビス（４−フェニルフェニル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＢＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ−ＢｕＡｎｔｈ）、９，１０−ビス（４−メチル−１−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＭＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］アントラセン、９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］アントラセン、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン、９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ジフェニル−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス（２−フェニルフェニル）−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス［（２，３，４，５，６−ペンタフェニル）フェニル］−９，９’−ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ（ｔｅｒｔ−ブチル）ペリレン、ペンタセン、コロネン、等を用いることができる。

ビニル基を有している芳香族炭化水素としては、例えば、４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル（略称：ＤＰＶＢｉ）、９，１０−ビス［４−（２，２−ジフェニルビニル）フェニル］アントラセン（略称：ＤＰＶＰＡ）、等を用いることができる。

高分子化合物としては、例えば、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）、等を用いることができる。

また、例えば、カルバゾール骨格、ジベンゾフラン骨格、ジベンゾチオフェン骨格およびアントラセン骨格のいずれかを備える物質を、複合材料の正孔輸送性を有する材料に好適に用いることができる。また、ジベンゾフラン環またはジベンゾチオフェン環を含む置換基を有する芳香族アミン、ナフタレン環を有する芳香族モノアミン、または９−フルオレニル基がアリーレン基を介してアミンの窒素に結合する芳香族モノアミンを備える物質を、複合材料の正孔輸送性を有する材料に用いることができる。なお、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ビフェニル）アミノ基を有する物質を用いると、発光デバイスの信頼性を向上することができる。

これらの材料としては、例えば、Ｎ−（４−ビフェニル）−６，Ｎ−ジフェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン−８−アミン（略称：ＢｎｆＡＢＰ）、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ビフェニル）−６−フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン−８−アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ）、４，４’−ビス（６−フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン−８−イル）−４’’−フェニルトリフェニルアミン（略称：ＢｎｆＢＢ１ＢＰ）、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ビフェニル）ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン−６−アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ（６））、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ビフェニル）ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン−８−アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ（８））、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ビフェニル）ベンゾ［ｂ］ナフト［２，３−ｄ］フラン−４−アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ（ＩＩ）（４））、Ｎ，Ｎ−ビス［４−（ジベンゾフラン−４−イル）フェニル］−４−アミノ−ｐ−ターフェニル（略称：ＤＢｆＢＢ１ＴＰ）、Ｎ−［４−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−Ｎ−フェニル−４−ビフェニルアミン（略称：ＴｈＢＡ１ＢＰ）、４−（２−ナフチル）−４’，４’’−ジフェニルトリフェニルアミン（略称：ＢＢＡβＮＢ）、４−［４−（２−ナフチル）フェニル］−４’，４’’−ジフェニルトリフェニルアミン（略称：ＢＢＡβＮＢｉ）、４，４’−ジフェニル−４’’−（６；１’−ビナフチル−２−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡαＮβＮＢ）、４，４’−ジフェニル−４’’−（７；１’−ビナフチル−２−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡαＮβＮＢ−０３）、４，４’−ジフェニル−４’’−（７−フェニル）ナフチル−２−イルトリフェニルアミン（略称：ＢＢＡＰβＮＢ−０３）、４，４’−ジフェニル−４’’−（６；２’−ビナフチル−２−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡ（βＮ２）Ｂ）、４，４’−ジフェニル−４’’−（７；２’−ビナフチル−２−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡ（βＮ２）Ｂ−０３）、４，４’−ジフェニル−４’’−（４；２’−ビナフチル−１−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡβＮαＮＢ）、４，４’−ジフェニル−４’’−（５；２’−ビナフチル−１−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡβＮαＮＢ−０２）、４−（４−ビフェニリル）−４’−（２−ナフチル）−４’’−フェニルトリフェニルアミン（略称：ＴＰＢｉＡβＮＢ）、４−（３−ビフェニリル）−４’−［４−（２−ナフチル）フェニル］−４’’−フェニルトリフェニルアミン（略称：ｍＴＰＢｉＡβＮＢｉ）、４−（４−ビフェニリル）−４’−［４−（２−ナフチル）フェニル］−４’’−フェニルトリフェニルアミン（略称：ＴＰＢｉＡβＮＢｉ）、４−フェニル−４’−（１−ナフチル）トリフェニルアミン（略称：αＮＢＡ１ＢＰ）、４，４’−ビス（１−ナフチル）トリフェニルアミン（略称：αＮＢＢ１ＢＰ）、４，４’−ジフェニル−４’’−［４’−（カルバゾール−９−イル）ビフェニル−４−イル］トリフェニルアミン（略称：ＹＧＴＢｉ１ＢＰ）、４’−［４−（３−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］トリス（１，１’−ビフェニル−４−イル）アミン（略称：ＹＧＴＢｉ１ＢＰ−０２）、４−［４’−（カルバゾール−９−イル）ビフェニル−４−イル］−４’−（２−ナフチル）−４’’−フェニルトリフェニルアミン（略称：ＹＧＴＢｉβＮＢ）、Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−Ｎ−［４−（１−ナフチル）フェニル］−９，９’−スピロビ［９Ｈ−フルオレン］−２−アミン（略称：ＰＣＢＮＢＳＦ）、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ビフェニリル）−９，９’−スピロビ［９Ｈ−フルオレン］−２−アミン（略称：ＢＢＡＳＦ）、Ｎ，Ｎ−ビス（１，１’−ビフェニル−４−イル）−９，９’−スピロビ［９Ｈ−フルオレン］−４−アミン（略称：ＢＢＡＳＦ（４））、Ｎ−（１，１’−ビフェニル−２−イル）−Ｎ−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−９，９’−スピロビ［９Ｈ−フルオレン］−４−アミン（略称：ｏＦＢｉＳＦ）、Ｎ−（４−ビフェニル）−Ｎ−（ジベンゾフラン−４−イル）−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（略称：ＦｒＢｉＦ）、Ｎ−［４−（１−ナフチル）フェニル］−Ｎ−［３−（６−フェニルジベンゾフラン−４−イル）フェニル］−１−ナフチルアミン（略称：ｍＰＤＢｆＢＮＢＮ）、４−フェニル−４’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）、４−フェニル−３’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ｍＢＰＡＦＬＰ）、４−フェニル−４’−［４−（９−フェニルフルオレン−９−イル）フェニル］トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＢｉ）、４−フェニル−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）、４，４’−ジフェニル−４’’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＢｉ１ＢＰ）、４−（１−ナフチル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＮＢ）、４，４’−ジ（１−ナフチル）−４’’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＮＢＢ）、Ｎ−フェニル−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＡＳＦ）、Ｎ−（１，１’−ビフェニル−４−イル）−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＢｉＦ）、Ｎ，Ｎ−ビス（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−９，９’−スピロビ−９Ｈ−フルオレン−４−アミン、Ｎ，Ｎ−ビス（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−９，９’−スピロビ−９Ｈ−フルオレン−３−アミン、Ｎ，Ｎ−ビス（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−９，９’−スピロビ−９Ｈ−フルオレン−２−アミン、Ｎ，Ｎ−ビス（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−９，９’−スピロビ−９Ｈ−フルオレン−１−アミン、等を用いることができる。

《層７０６Ｘ２の構成例》
例えば、電子注入性を有する材料を、層７０６Ｘ２に用いることができる。また、層７０６Ｘ２を電子注入層ということができる。

また、層７０６Ｘ２は不対電子を含み、当該不対電子は、電子スピン共鳴装置（ＥＳＲ）を用いて、１×１０^１６ｓｐｉｎｓ／ｃｍ^３以上１×１０^１８ｓｐｉｎｓ／ｃｍ^３以下のスピン密度で観測することができる。なお、当該不対電子は、２．００３以上２．００４以下の範囲にｇ値を備える。

また、当該不対電子は、電子スピン共鳴装置（ＥＳＲ）を用いて、大気中において、２４時間経過後に、初期の５０％以上のスピン密度で観測することができる。なお、例えば、製造された発光デバイスの封止構造を破壊してからの時間を、経過時間とすることができる。

これにより、また、中間層７０６Ｘからユニット７０３Ｘに電子を注入する場合に、両者の間にある障壁を低減することができる。また、層７０６Ｘ２を形成したのちに適用可能な加工工程の自由度を高めることができる。また、例えば、熱処理工程に対する耐性を高めることができる。また、例えば、薬液処理工程に対する耐性を高めることができる。また、例えば、層７０６Ｘ１を層７０６Ｘ２の上に形成したのちに、フォトリソグラフィ法を用いて、層７０６Ｘ１および層７０６Ｘ２を、所定の形状に加工することができる。また、例えば、ユニット７０３Ｘ２を形成したのちに、フォトリソグラフィ法を用いて、ユニット７０３Ｘ２、中間層７０６Ｘおよびユニット７０３Ｘを、所定の形状に加工することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。

例えば、電子輸送性を有する有機化合物および電子供与性を有する無機化合物を含む混合材料を、層７０６Ｘ２に用いることができる。

［電子輸送性を有する有機化合物の構成例１］
非共有電子対を備える有機化合物を、電子輸送性を有する有機化合物に用いることができる。当該有機化合物は、電子供与性を有する無機化合物と相互に作用し、半占有軌道を形成する。

例えば、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、２，９−ジ（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＮＢＰｈｅｎ）、ジキノキサリノ［２，３−ａ：２’，３’−ｃ］フェナジン（略称：ＨＡＴＮＡ）、２，４，６−トリス［３’−（ピリジン−３−イル）ビフェニル−３−イル］−１，３，５−トリアジン（略称：ＴｍＰＰＰｙＴｚ）等を、非共有電子対を備える有機化合物に用いることができる。なお、ＮＢＰｈｅｎはＢＰｈｅｎと比較して、高いガラス転移温度（Ｔｇ）を備え、耐熱性に優れる。

［電子輸送性を有する有機化合物の構成例２］
また、電子不足型複素芳香環を有する有機化合物を、層７０６Ｘ２に用いることができる。具体的には、ピリジン環、ジアジン環（ピリミジン環、ピラジン環、ピリダジン環）、トリアジン環の少なくとも一つを有する化合物を用いることができる。

また、最低空軌道（ＬＵＭＯ）準位を、−３．６ｅＶ以上−２．３ｅＶ以下の範囲に備える有機化合物を、層７０６Ｘ２に用いることができる。なお、一般にサイクリックボルタンメトリ（ＣＶ）、光電子分光法、光吸収分光法、逆光電子分光法等により、有機化合物のＨＯＭＯ準位及びＬＵＭＯ準位を見積もることができる。

［無機化合物の構成例１］
金属元素および酸素を含む無機化合物を、電子供与性を有する無機化合物に用いることができる。例えば、アルカリ金属（Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、ＣｓおよびＦｒ）および酸素を含む無機化合物を用いることができる。また、アルカリ土類金属および酸素を含む無機化合物を用いることができる。特に、Ｌｉおよび酸素を含む無機化合物を好適に用いることができる。なお、層７０６Ｘ２には、有機金属錯体を用いることもできる。例えば、アルカリ金属を含む有機金属錯体を用いることもできる。具体的には、８−ヒドロキシキノリナト−リチウム（略称：Ｌｉｑ）、８−ヒドロキシキノリナト−ナトリウム（略称：Ｎａｑ）、８−ヒドロキシキノリナト−カリウム（略称：Ｋｑ）等を用いることができる。なお、上記金属錯体を用いる場合には、例えば、上記アルカリ金属、上記アルカリ土類金属、またはＡｌなどと組み合わせて用いるのが好ましい。

これにより、発光デバイスの駆動電圧を抑制することができる。また、表示装置の消費電力を抑制することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。

《層７０６Ｘ３の構成例》
例えば、電子輸送性を有する材料を層７０６Ｘ３に用いることができる。また、層７０６Ｘ３を電子リレー層ということができる。層７０６Ｘ３を用いると、層７０６Ｘ３の陽極側に接する層を、層７０６Ｘ３の陰極側に接する層から遠ざけることができる。層７０６Ｘ３の陽極側に接する層と、層７０６Ｘ３の陰極側に接する層の間の相互作用を軽減することができる。また、層７０６Ｘ３の陽極側に接する層に電子をスムーズに供給することができる。

層７０６Ｘ３の陰極側に接する層に含まれるアクセプタ性を有する物質のＬＵＭＯ準位と、層７０６Ｘ３の陽極側に接する層に含まれる物質のＬＵＭＯ準位の間に、ＬＵＭＯ準位を備える物質を、層７０６Ｘ３に好適に用いることができる。

例えば、−５．０ｅＶ以上、好ましくは−５．０ｅＶ以上−３．０ｅＶ以下、より好ましくは−４．０ｅＶ以上−３．３ｅＶ以下の範囲にＬＵＭＯ準位を備える材料を、層７０６Ｘ３に用いることができる。

また、不対電子を有する材料を用いることができる。具体的には、フタロシアニン系の材料を層７０６Ｘ３に用いることができる。または、金属−酸素結合および芳香族配位子を有する金属錯体を層７０６Ｘ３に用いることができる。

《ユニット７０３Ｘ２の構成例１》
ユニット７０３Ｘ２は単層構造または積層構造を備える。例えば、ユニット７０３Ｘ２は、層７１１Ｘ２、層７１２Ｘ２および層７１３Ｘ２を備える（図２参照）。ユニット７０３Ｘ２は光ＥＬＸ２を射出する機能を備える。

層７１１Ｘ２は層７１２Ｘ２および層７１３Ｘ２の間に挟まれる領域を備え、層７１２Ｘ２は中間層７０６Ｘおよび層７１１Ｘ２の間に挟まれる領域を備え、層７１３Ｘ２は電極１１５Ｘおよび層７１１Ｘ２の間に挟まれる領域を備える。

例えば、発光層、正孔輸送層、電子輸送層、キャリアブロック層、などの機能層から選択した層を、ユニット７０３Ｘ２に用いることができる。また、正孔注入層、電子注入層、励起子ブロック層および電荷発生層などの機能層から選択した層を、ユニット７０３Ｘ２に用いることができる。

なお、ユニット７０３Ｘに用いることができる構成を、ユニット７０３Ｘ２に用いることができる。

例えば、ユニット７０３Ｘに採用する構成と同一の構成を、ユニット７０３Ｘ２に用いることができる。また、ユニット７０３Ｘの一部の厚さを変えた構成を、ユニット７０３Ｘ２に用いることができる。これにより、反射性を備える電極等から層７１１Ｘ２までの距離を調節することができる。また、電極等が反射する光と、層７１１Ｘ２が射出する光との干渉現象を利用して、振幅を強め合うことができる。また、微小共振器構造（マイクロキャビティ）を構成することができる。

《ユニット７０３Ｘ２の構成例２》
例えば、ユニット７０３Ｘに採用する構成とは異なるが、ユニット７０３Ｘが射出する光ＥＬＸと同じ色相の光を射出する構成を、ユニット７０３Ｘ２に用いることができる。

具体的には、層７１１Ｘに採用する構成とは異なる構成を、層７１１Ｘ２に用いることができる。例えば、一方に蛍光発光物質を用い、他方にりん光発光物質を用いることができる。

また、具体的には、層７１２Ｘに採用する構成とは異なる構成を、層７１２Ｘ２に用いることができる。

また、具体的には、層７１３Ｘに採用する構成とは異なる構成を、層７１３Ｘ２に用いることができる。

《ユニット７０３Ｘ２の構成例３》
例えば、ユニット７０３Ｘが射出する光ＥＬＸとは異なる色相の光を射出する構成を、ユニット７０３Ｘ２に用いることができる。

具体的には、黄色の光を射出するユニット７０３Ｘと、青色の光を射出するユニット７０３Ｘ２を用いることができる。または、赤色の光および緑色の光を射出するユニット７０３Ｘと、青色の光を射出するユニット７０３Ｘ２を用いることができる。これにより、所望の色の光を射出する発光デバイスを提供することができる。例えば、白色の光を射出する発光デバイスを提供することができる。

＜発光デバイス１３０Ｘの構成例２＞
発光デバイス１３０Ｘは、電極１１１Ｘと、電極１１５Ｘと、ユニット７０３Ｘと、層７０４Ｘと、を有する。

層７０４Ｘは、電極１１１Ｘおよびユニット７０３Ｘの間に挟まれる領域を備える。

《電極１１１Ｘの構成例》
例えば、導電性材料を電極１１１Ｘに用いることができる。具体的には、金属、合金または導電性化合物を含む膜を、単層または積層で電極１１１Ｘに用いることができる。

例えば、効率よく光を反射する膜を電極１１１Ｘに用いることができる。具体的には、銀および銅等を含む合金、銀およびパラジウム等を含む合金またはアルミニウム等の金属膜を電極１１１Ｘに用いることができる。

また、例えば、光の一部を透過し、光の他の一部を反射する金属膜を電極１１１Ｘに用いることができる。これにより、微小共振器構造（マイクロキャビティ）を発光デバイス１３０Ｘに設けることができる。または、所定の波長の光を他の光より効率よく取り出すことができる。または、スペクトルの半値幅が狭い光を取り出すことができる。または、鮮やかな色の光を取り出すことができる。

また、例えば、可視光について透光性を有する膜を、電極１１１Ｘに用いることができる。具体的には、光が透過する程度に薄い金属の膜、合金の膜または導電性酸化物の膜などを、単層または積層で、電極１１１Ｘに用いることができる。

特に、４．０ｅＶ以上の仕事関数を備える材料を電極１１１Ｘに好適に用いることができる。

例えば、インジウムを含む導電性酸化物を用いることができる。具体的には、酸化インジウム、酸化インジウム−酸化スズ（略称：ＩＴＯ）、ケイ素若しくは酸化ケイ素を含有した酸化インジウム−酸化スズ（略称：ＩＴＳＯ）、酸化インジウム−酸化亜鉛、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム（略称：ＩＷＺＯ）等を用いることができる。

また、例えば、亜鉛を含む導電性酸化物を用いることができる。具体的には、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛、アルミニウムを添加した酸化亜鉛などを用いることができる。

また、例えば、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、または金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等を用いることができる。または、グラフェンを用いることができる。

《層７０４Ｘの構成例》
例えば、正孔注入性を有する材料を、層７０４Ｘに用いることができる。また、層７０４Ｘを正孔注入層ということができる。

具体的には、アクセプタ性を有する物質を、層７０４Ｘに用いることができる。または、複数種の物質を含む複合材料を、層７０４Ｘに用いることができる。これにより、正孔を、例えば、電極１１１Ｘから注入しやすくすることができる。または、発光デバイスの駆動電圧を小さくすることができる。

［アクセプタ性を有する物質］
例えば、層７０６Ｘ１に用いることができるアクセプタ性を有する物質を、層７０４Ｘに用いることができる。

［複合材料の構成例１］
また、例えば、アクセプタ性を有する物質と正孔輸送性を有する材料を含む複合材料を、層７０４Ｘに用いることができる。具体的には、層７０６Ｘ１に用いることができる複合材料を、層７０４Ｘに用いることができる。なお、当該複合材料を含む層７０４Ｘは、好ましくは、１×１０^２［Ω・ｃｍ］以上１×１０^８［Ω・ｃｍ］以下の電気抵抗率を備える。

これにより、ユニット７０３Ｘへの正孔の注入を容易にすることができる。または、層７１２Ｘへの正孔の注入を容易にすることができる。または、発光デバイスの信頼性を向上することができる。

なお、アルカリ金属、アルカリ金属化合物またはアルカリ金属錯体と、電子輸送性を有する物質とを含む混合材料を、層７１３Ｘに用いる場合、当該複合材料を層７０４Ｘに好適に用いることができる。特に、−５．７ｅＶ以上−５．４ｅＶ以下の比較的深いＨＯＭＯ準位ＨＭ１を備える正孔輸送性を有する材料と、アクセプタ性を有する物質との複合材料を、層７０４Ｘに用いることができる。これにより、発光デバイスの信頼性を向上することができる。

また、当該混合材料を層７１３Ｘに用い、当該複合材料を層７０４Ｘに用い、さらに、上記比較的深いＨＯＭＯ準位ＨＭ１に対して、−０．２ｅＶ以上０ｅＶ以下の範囲にＨＯＭＯ準位ＨＭ２を有する物質を、層７１２Ｘに用いることができる。これにより、発光デバイスの信頼性をさらに向上することができる場合がある。

［複合材料の構成例２］
例えば、アクセプタ性を有する物質と、正孔輸送性を有する材料と、アルカリ金属のフッ化物またはアルカリ土類金属のフッ化物とを、含む複合材料を、正孔注入性を有する材料に用いることができる。特に、原子比率において、フッ素原子が２０％以上である複合材料を好適に用いることができる。これにより、層７０４Ｘの屈折率を低下することができる。または、発光デバイスの内部に屈折率の低い層を形成することができる。または、発光デバイスの外部量子効率を向上することができる。

＜発光デバイス１３０Ｘの構成例３＞
また、発光デバイス１３０Ｘは、電極１１１Ｘと、電極１１５Ｘと、ユニット７０３Ｘ２と、層１１４Ｘと、を有する。

電極１１５Ｘは電極１１１Ｘと重なる領域を備え、ユニット７０３Ｘ２は、電極１１５Ｘおよび電極１１１Ｘの間に挟まれる領域を備える。また、層１１４Ｘは、電極１１５Ｘおよびユニット７０３Ｘ２の間に挟まれる領域を備える。

《電極１１５Ｘの構成例》
例えば、導電性材料を電極１１５Ｘに用いることができる。具体的には、金属、合金または導電性化合物を含む膜を、単層または積層で電極１１５Ｘに用いることができる。なお、導電性材料を他の発光デバイスと共用することができる。例えば、共通電極１１５の一部を電極１１５Ｘに用いることができる。

例えば、電極１１１Ｘに用いることができる材料を、電極１１５Ｘに用いることができる。特に、電極１１１Ｘより仕事関数が小さい材料を電極１１５Ｘに好適に用いることができる。具体的には、仕事関数が３．８ｅＶ以下である材料が好ましい。

例えば、元素周期表の第１族に属する元素、元素周期表の第２族に属する元素、希土類金属およびこれらを含む合金を、電極１１５Ｘに用いることができる。

具体的には、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）等、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等、ユウロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等およびこれらを含む合金（ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）を、電極１１５Ｘに用いることができる。

《層１１４Ｘの構成例》
例えば、電子注入性を有する材料を、層１１４Ｘに用いることができる。また、層１１４Ｘを電子注入層ということができる。なお、電子注入性を有する材料を他の発光デバイスと共用することができる。例えば、共通層１１４の一部を層１１４Ｘに用いることができる。

具体的には、電子供与性を有する物質を、層１１４Ｘに用いることができる。または、電子供与性を有する物質と電子輸送性を有する材料を複合した材料を、層１１４Ｘに用いることができる。または、エレクトライドを、層１１４Ｘに用いることができる。これにより、電子を、例えば、電極１１５Ｘから注入しやすくすることができる。または、仕事関数が小さい材料だけでなく、仕事関数の大きい材料を電極１１５Ｘに用いることができる。または、仕事関数に依らず、広い範囲の材料から、電極１１５Ｘに用いる材料を選ぶことができる。具体的には、Ａｌ、Ａｇ、ＩＴＯ、ケイ素または酸化ケイ素を含有した酸化インジウム−酸化スズなどを、電極１１５Ｘに用いることができる。または、発光デバイスの駆動電圧を小さくすることができる。

［電子供与性を有する物質］
例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属またはこれらの化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩等）を、電子供与性を有する物質に用いることができる。または、テトラチアナフタセン（略称：ＴＴＮ）、ニッケロセン、デカメチルニッケロセン等の有機化合物を、電子供与性を有する物質に用いることもできる。

アルカリ金属化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む）としては、酸化リチウム（Ｌｉ_２Ｏ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、炭酸リチウム、炭酸セシウム、８−ヒドロキシキノリナト−リチウム（略称：Ｌｉｑ）、等を用いることができる。

アルカリ土類金属化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む）としては、フッ化カルシウム（ＣａＦ_２）、等を用いることができる。

［複合材料の構成例１］
また、複数種の物質を複合した材料を、電子注入性を有する材料に用いることができる。例えば、電子供与性を有する物質と電子輸送性を有する材料を、複合材料に用いることができる。

［電子輸送性を有する材料］
例えば、金属錯体またはπ電子不足型複素芳香環骨格を有する有機化合物を、電子輸送性を有する材料に用いることができる。

具体的には、ユニット７０３Ｘに用いることができる電子輸送性を有する材料を、複合材料に用いることができる。

［複合材料の構成例２］
また、微結晶状態のアルカリ金属のフッ化物と電子輸送性を有する材料を、複合材料に用いることができる。または、微結晶状態のアルカリ土類金属のフッ化物と電子輸送性を有する材料を、複合材料に用いることができる。特に、アルカリ金属のフッ化物またはアルカリ土類金属のフッ化物を５０ｗｔ％以上含む複合材料を好適に用いることができる。または、ビピリジン骨格を有する有機化合物を含む複合材料を好適に用いることができる。これにより、層１１４Ｘの屈折率を低下することができる。または、発光デバイスの外部量子効率を向上することができる。

［複合材料の構成例３］
例えば、非共有電子対を備える第１の有機化合物および第１の金属を含む複合材料を、層１１４Ｘに用いることができる。また、第１の有機化合物の電子数と第１の金属の電子数の合計が奇数であると好ましい。また、第１の有機化合物１モルに対する第１の金属のモル比率は、好ましくは０．１以上１０以下、より好ましくは０．２以上２以下、さらに好ましくは０．２以上０．８以下である。

これにより、非共有電子対を備える第１の有機化合物は、第１の金属と相互に作用し、半占有軌道（ＳＯＭＯ：Ｓｉｎｇｌｙ　Ｏｃｃｕｐｉｅｄ　Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｏｒｂｉｔａｌ）を形成することができる。また、電極１１５Ｘから層１１４Ｘに電子を注入する場合に、両者の間にある障壁を低減することができる。また、第１の金属は水または酸素との反応性が乏しいため、発光デバイスの耐湿性を向上することができる。

また、電子スピン共鳴法（ＥＳＲ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　ｓｐｉｎ　ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）を用いて測定したスピン密度が、好ましくは１×１０^１６ｓｐｉｎｓ／ｃｍ^３以上、より好ましくは５×１０^１６ｓｐｉｎｓ／ｃｍ^３以上、さらに好ましくは１×１０^１７ｓｐｉｎｓ／ｃｍ^３以上である複合材料を、層１１４Ｘに用いることができる。

［非共有電子対を備える有機化合物］
例えば、電子輸送性を有する材料を、非共有電子対を備える有機化合物に用いることができる。例えば、電子不足型複素芳香環を有する化合物を用いることができる。具体的には、ピリジン環、ジアジン環（ピリミジン環、ピラジン環、ピリダジン環）、トリアジン環の少なくとも一つを有する化合物を用いることができる。これにより、発光デバイスの駆動電圧を低減することができる。

なお、非共有電子対を備える有機化合物の最低空軌道（ＬＵＭＯ：Ｌｏｗｅｓｔ　Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ　Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｏｒｂｉｔａｌ）準位が、−３．６ｅＶ以上−２．３ｅＶ以下であると好ましい。また、一般にサイクリックボルタンメトリ（ＣＶ）、光電子分光法、光吸収分光法、逆光電子分光法等により、有機化合物のＨＯＭＯ準位及びＬＵＭＯ準位を見積もることができる。

例えば、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、２，９−ジ（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＮＢＰｈｅｎ）、ジキノキサリノ［２，３−ａ：２’，３’−ｃ］フェナジン（略称：ＨＡＴＮＡ）、２，４，６−トリス［３’−（ピリジン−３−イル）ビフェニル−３−イル］−１，３，５−トリアジン（略称：ＴｍＰＰＰｙＴｚ）等を、非共有電子対を備える有機化合物に用いることができる。なお、ＮＢＰｈｅｎはＢＰｈｅｎと比較して、高いガラス転移温度（Ｔｇ）を備え、耐熱性に優れる。

また、例えば、銅フタロシアニンを、非共有電子対を備える有機化合物に用いることができる。なお、銅フタロシアニンの電子数は奇数である。

［第１の金属］
例えば、非共有電子対を備える第１の有機化合物の電子数が偶数である場合、周期表における奇数の族である金属および第１の有機化合物の複合材料を、層１１４Ｘに用いることができる。

例えば、第７族の金属であるマンガン（Ｍｎ）、第９族の金属であるコバルト（Ｃｏ）、第１１族の金属である銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、第１３族の金属であるアルミニウム（Ａｌ）、インジウム（Ｉｎ）は、周期表において奇数の族である。なお、第１１族の元素は、第７族または第９族元素と比べて融点が低く、真空蒸着に好適である。特に、Ａｇは融点が低く好ましい。

なお、電極１１５Ｘおよび層１１４ＸにＡｇを用いることにより、層１１４Ｘおよび電極１１５Ｘの密着性を高めることができる。

また、非共有電子対を備える第１の有機化合物の電子数が奇数である場合、周期表における偶数の族である第１の金属および第１の有機化合物の複合材料を、層１１４Ｘに用いることができる。例えば、第８族の金属である鉄（Ｆｅ）は、周期表において偶数の族である。

［エレクトライド］
例えば、カルシウムとアルミニウムの混合酸化物に電子を高濃度添加した物質等を、電子注入性を有する材料に用いることができる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について図３乃至図１０を用いて説明する。

本発明の一態様の表示装置は、発光色ごとに作り分けられた発光デバイスを有し、フルカラー表示が可能である。

各色の発光デバイス（例えば、青（Ｂ）、緑（Ｇ）、及び赤（Ｒ））で、発光層を作り分ける、または発光層を塗り分ける構造をＳＢＳ（Ｓｉｄｅ　Ｂｙ　Ｓｉｄｅ）構造と呼ぶ場合がある。ＳＢＳ構造は、発光デバイスごとに材料及び構成を最適化することができるため、材料及び構成の選択の自由度が高まり、輝度の向上及び信頼性の向上を図ることが容易となる。

発光色がそれぞれ異なる複数の発光デバイスを有する表示装置を作製する場合、発光色が異なる発光層をそれぞれ島状に形成する必要がある。

なお、本明細書等において、島状とは、同一工程で形成された同一材料を用いた２以上の層が、物理的に分離されている状態であることを示す。例えば、島状の発光層とは、当該発光層と、隣接する発光層とが、物理的に分離されている状態であることを示す。

例えば、メタルマスクを用いた真空蒸着法により、島状の発光層を成膜することができる。しかし、この方法では、メタルマスクの精度、メタルマスクと基板との位置ずれ、メタルマスクのたわみ、及び、蒸気の散乱などによる成膜される膜の輪郭の広がりなど、様々な影響により、島状の発光層の形状及び位置に設計からのずれが生じるため、表示装置の高精細化、及び高開口率化が困難である。また、蒸着の際に、層の輪郭がぼやけて、端部の厚さが薄くなることがある。つまり、島状の発光層は場所によって厚さにばらつきが生じることがある。また、大型、高解像度、または高精細な表示装置を作製する場合、メタルマスクの寸法精度の低さ、及び、熱等による変形により、製造歩留まりが低くなる懸念がある。

そこで、本発明の一態様の表示装置を作製する際には、発光層をメタルマスクなどのシャドーマスクを用いることなく、フォトリソグラフィ法により、微細なパターンに加工する。具体的には、副画素ごとに画素電極を形成した後、複数の画素電極にわたって発光層を成膜する。その後、当該発光層を、フォトリソグラフィ法を用いて加工し、１つの画素電極に対して１つの島状の発光層を形成する。これにより、発光層が副画素ごとに分割され、副画素ごとに島状の発光層を形成することができる。

なお、上記発光層を島状に加工する場合、発光層の直上でフォトリソグラフィ法を用いて加工する構造が考えられる。当該構造の場合、発光層にダメージ（加工によるダメージなど）が入り、信頼性が著しく損なわれる場合がある。そこで、本発明の一態様の表示装置を作製する際には、発光層よりも上方に位置する層（例えば、キャリア輸送層、またはキャリア注入層、より具体的には電子輸送層、または電子注入層など）の上に、マスク層（犠牲層、保護層などともいう）などを形成し、発光層を島状に加工する方法を用いることが好ましい。当該方法を適用することで、信頼性の高い表示装置を提供することができる。発光層とマスク層との間に他の層を有することで、表示装置の作製工程中に発光層が最表面に露出することを抑制し、発光層が受けるダメージを低減することができる。

なお、本明細書等において、マスク膜及びマスク層とは、それぞれ、少なくとも発光層（より具体的には、ＥＬ層を構成する層のうち、島状に加工される層）の上方に位置し、製造工程中において、当該発光層を保護する機能を有する。

それぞれ異なる色の光を発する発光デバイスにおいて、ＥＬ層を構成する全ての層を作り分ける必要はなく、一部の層は同一工程で成膜することができる。ここで、ＥＬ層が有する層（機能層ともいう）としては、発光層、キャリア注入層（正孔注入層及び電子注入層）、キャリア輸送層（正孔輸送層及び電子輸送層）、及び、キャリアブロック層（正孔ブロック層及び電子ブロック層）などが挙げられる。本発明の一態様の表示装置の作製方法では、ＥＬ層を構成する一部の層を色ごとに島状に形成した後、マスク層の少なくとも一部を除去し、ＥＬ層を構成する残りの層（共通層と呼ぶ場合がある）と、共通電極（上部電極ともいえる）と、を各色の発光デバイスに共通して（一つの膜として）形成する。例えば、キャリア注入層と、共通電極と、を各色の発光デバイスに共通して形成することができる。

一方で、キャリア注入層は、ＥＬ層の中では、比較的導電性が高い層であることが多い。そのため、キャリア注入層が、島状に形成されたＥＬ層の一部の層の側面、または、画素電極の側面に接することで、発光デバイスがショートする恐れがある。なお、キャリア注入層を島状に設け、共通電極を各色の発光デバイスに共通して形成する場合についても、共通電極と、ＥＬ層の側面、または、画素電極の側面とが接することで、発光デバイスがショートする恐れがある。

そこで、本発明の一態様の表示装置は、少なくとも島状の発光層の側面を覆う絶縁層を有する。また、当該絶縁層は、島状の発光層の上面の一部を覆うことが好ましい。

これにより、島状に形成されたＥＬ層の少なくとも一部の層、及び、画素電極が、キャリア注入層または共通電極と接することを抑制することができる。したがって、発光デバイスのショートを抑制し、発光デバイスの信頼性を高めることができる。

断面視において、当該絶縁層の端部は、テーパ角９０°未満のテーパ形状を有することが好ましい。これにより、絶縁層上に設けられる共通層及び共通電極の段切れを防止することができる。したがって、段切れによる接続不良を抑制することができる。また、段差によって共通電極が局所的に薄膜化して電気抵抗が上昇することを抑制することができる。

なお、本明細書等において、段切れとは、層、膜、または電極が、被形成面の形状（例えば段差など）に起因して分断されてしまう現象を示す。

このように、本発明の一態様の表示装置の作製方法で作製される島状の発光層は、ファインメタルマスクを用いて形成されるのではなく、発光層を一面に成膜した後に加工することで形成される。したがって、これまで実現が困難であった高精細な表示装置または高開口率の表示装置を実現することができる。さらに、発光層を各色で作り分けることができるため、極めて鮮やかでコントラストが高く、表示品位の高い表示装置を実現できる。また、発光層上にマスク層を設けることで、表示装置の作製工程中に発光層が受けるダメージを低減し、発光デバイスの信頼性を高めることができる。

また、隣り合う発光デバイスの間隔について、例えばファインメタルマスクを用いた形成方法では１０μｍ未満にすることは困難であるが、本発明の一態様のフォトリソグラフィ法を用いた方法によれば、ガラス基板上のプロセスにおいて、例えば、隣り合う発光デバイスの間隔、隣り合うＥＬ層の間隔、または隣り合う画素電極間の間隔を、１０μｍ未満、５μｍ以下、３μｍ以下、２μｍ以下、１．５μｍ以下、１μｍ以下、または、０．５μｍ以下にまで狭めることができる。また、例えばＬＳＩ向けの露光装置を用いることで、Ｓｉ　Ｗａｆｅｒ上のプロセスにおいて、隣り合う発光デバイスの間隔、隣り合うＥＬ層の間隔、または隣り合う画素電極間の間隔を、例えば、５００ｎｍ以下、２００ｎｍ以下、１００ｎｍ以下、さらには５０ｎｍ以下にまで狭めることもできる。これにより、２つの発光デバイス間に存在しうる非発光領域の面積を大幅に縮小することができ、開口率を１００％に近づけることが可能となる。例えば、本発明の一態様の表示装置においては、開口率を、４０％以上、５０％以上、６０％以上、７０％以上、８０％以上、さらには９０％以上であって、１００％未満を実現することもできる。

なお、表示装置の開口率を高くすることで、表示装置の信頼性を向上させることができる。より具体的には、有機ＥＬデバイスを用い、開口率が１０％の表示装置の寿命を基準にした場合、開口率が２０％（すなわち、基準に対して開口率が２倍）の表示装置の寿命は約３．２５倍となり、開口率が４０％（すなわち、基準に対して開口率が４倍）の表示装置の寿命は約１０．６倍となる。このように、開口率の向上に伴い、有機ＥＬデバイスに流れる電流密度を低くすることができるため、表示装置の寿命を向上させることが可能となる。本発明の一態様の表示装置においては、開口率を向上させることが可能であるため表示装置の表示品位を向上させることが可能となる。さらに、表示装置の開口率の向上に伴い、表示装置の信頼性（特に寿命）を格段に向上させるといった、優れた効果を奏する。

また、発光層自体のパターン（加工サイズともいえる）についても、ファインメタルマスクを用いた場合に比べて極めて小さくすることができる。また、例えば発光層の作り分けにメタルマスクを用いた場合では、発光層の中央と端で厚さのばらつきが生じるため、発光層の面積に対して、発光領域として使用できる有効な面積は小さくなる。一方、上記作製方法では、均一な厚さに成膜した膜を加工するため、島状の発光層を均一の厚さで形成することができる。したがって、微細なパターンであっても、そのほぼ全域を発光領域として用いることができる。そのため、高い精細度と高い開口率を兼ね備えた表示装置を作製することができる。また、表示装置の小型化及び軽量化を実現することができる。

具体的には、本発明の一態様の表示装置の精細度は、例えば、２０００ｐｐｉ以上、好ましくは３０００ｐｐｉ以上、より好ましくは５０００ｐｐｉ以上、さらに好ましくは６０００ｐｐｉ以上であって、２００００ｐｐｉ以下、または３００００ｐｐｉ以下とすることができる。

本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の断面構造について主に説明し、本発明の一態様の表示装置の作製方法については、実施の形態３で詳述する。

図３Ａに、表示装置１００の上面図を示す。表示装置１００は、複数の画素１１０が配置された表示部と、表示部の外側の接続部１４０と、を有する。表示部には、複数の副画素がマトリクス状に配置されている。図３Ａでは、２行６列分の副画素を示しており、これらによって２行２列の画素が構成される。接続部１４０は、カソードコンタクト部と呼ぶこともできる。

図３Ａに示す副画素の上面形状は、発光領域の上面形状に相当する。なお、本明細書等において、上面形状とは、平面視における形状、つまり、上から見た形状のことをいう。

なお、副画素の上面形状としては、例えば、三角形、四角形（長方形、正方形を含む）、五角形などの多角形、これら多角形の角が丸い形状、楕円形、または円形などが挙げられる。

また、副画素を構成する回路レイアウトは、図３Ａに示す副画素の範囲に限定されず、その外側に配置されたものでもよい。例えば、副画素１１０ａが有するトランジスタは、図３Ａに示す副画素１１０ｂの範囲内に位置してもよく、一部または全てが副画素１１０ａの範囲外に位置してもよい。

図３Ａでは、副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃの開口率（サイズ、発光領域のサイズともいえる）を等しくまたは概略等しく示すが、本発明の一態様はこれに限定されない。副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃの開口率は、それぞれ適宜決定することができる。副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃの開口率は、それぞれ、異なっていてもよく、２つ以上が等しいまたは概略等しくてもよい。

図３Ａに示す画素１１０には、ストライプ配列が適用されている。図３Ａに示す画素１１０は、副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃの、３つの副画素から構成される。副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃは、それぞれ異なる色の光を発する発光デバイスを有する。副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃとしては、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３色の副画素、黄色（Ｙ）、シアン（Ｃ）、及びマゼンタ（Ｍ）の３色の副画素などが挙げられる。また、副画素の種類は３つに限られず、４つ以上としてもよい。４つの副画素としては、Ｒ、Ｇ、Ｂ、白色（Ｗ）の４色の副画素、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｙの４色の副画素、及び、Ｒ、Ｇ、Ｂ、赤外光（ＩＲ）の４つの副画素、などが挙げられる。

本明細書等において、行方向をＸ方向、列方向をＹ方向という場合がある。Ｘ方向とＹ方向は交差し、例えば垂直に交差する（図３Ａ参照）。図３Ａでは、異なる色の副画素がＸ方向に並べて配置されており、同じ色の副画素が、Ｙ方向に並べて配置されている例を示す。

図３Ａでは、上面視で、接続部１４０が表示部の下側に位置する例を示すが、接続部１４０の位置は、特に限定されない。接続部１４０は、上面視で、表示部の上側、右側、左側、下側の少なくとも一箇所に設けられていればよく、表示部の四辺を囲むように設けられていてもよい。接続部１４０の上面形状としては、帯状、Ｌ字状、Ｕ字状、または枠状等とすることができる。また、接続部１４０は、単数であっても複数であってもよい。

図３Ｂに、図３Ａにおける一点鎖線Ｘ１−Ｘ２間の断面図を示す。図４Ａ及び図４Ｂに、図３Ｂに示す断面図の一部の拡大図を示す。図５乃至図８には、図４の変形例を示す。図９Ａ及び図９Ｂに、図３Ａにおける一点鎖線Ｙ１−Ｙ２間の断面図を示す。

図３Ｂに示すように、表示装置１００には、トランジスタを含む層１０１上に、絶縁層が設けられ、絶縁層上に発光デバイス１３０ａ、１３０ｂ、１３０ｃが設けられ、これらの発光デバイスを覆うように保護層１３１が設けられている。保護層１３１上には、樹脂層１２２によって基板１２０が貼り合わされている。また、隣り合う発光デバイスの間の領域には、絶縁層１２５と、絶縁層１２５上の絶縁層１２７と、が設けられている。

図３Ｂでは、絶縁層１２５及び絶縁層１２７の断面が複数示されているが、表示装置１００を上面から見た場合、絶縁層１２５及び絶縁層１２７は、それぞれ１つに繋がっている。つまり、表示装置１００は、例えば絶縁層１２５及び絶縁層１２７を１つずつ有する構成とすることができる。なお、表示装置１００は、互いに分離された複数の絶縁層１２５を有してもよく、また互いに分離された複数の絶縁層１２７を有してもよい。

本発明の一態様の表示装置は、発光デバイスが形成されている基板とは反対方向に光を射出する上面射出型（トップエミッション型）、発光デバイスが形成されている基板側に光を射出する下面射出型（ボトムエミッション型）、両面に光を射出する両面射出型（デュアルエミッション型）のいずれであってもよい。

トランジスタを含む層１０１には、例えば、基板に複数のトランジスタが設けられ、これらのトランジスタを覆うように絶縁層が設けられた積層構造を適用することができる。トランジスタ上の絶縁層は、単層構造であってもよく、積層構造であってもよい。図３Ｂでは、トランジスタ上の絶縁層のうち、絶縁層２５５ａ、絶縁層２５５ａ上の絶縁層２５５ｂ、及び、絶縁層２５５ｂ上の絶縁層２５５ｃを示している。これらの絶縁層は、隣接する発光デバイスの間に凹部を有していてもよい。図３Ｂ等では、絶縁層２５５ｃに凹部が設けられている例を示す。なお、トランジスタ上の絶縁層（絶縁層２５５ａ乃至絶縁層２５５ｃ）も、トランジスタを含む層１０１の一部とみなしてもよい。

絶縁層２５５ａ、絶縁層２５５ｂ、及び絶縁層２５５ｃとしては、それぞれ、酸化絶縁膜、窒化絶縁膜、酸化窒化絶縁膜、及び窒化酸化絶縁膜などの各種無機絶縁膜を好適に用いることができる。絶縁層２５５ａ及び絶縁層２５５ｃとしては、それぞれ、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜などの酸化絶縁膜または酸化窒化絶縁膜を用いることが好ましい。絶縁層２５５ｂとしては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜などの窒化絶縁膜または窒化酸化絶縁膜を用いることが好ましい。より具体的には、絶縁層２５５ａ及び絶縁層２５５ｃとして酸化シリコン膜を用い、絶縁層２５５ｂとして窒化シリコン膜を用いることが好ましい。絶縁層２５５ｂは、エッチング保護膜としての機能を有することが好ましい。

なお、本明細書等において、酸化窒化物とは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多い材料を指し、窒化酸化物とは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い材料を指す。例えば、酸化窒化シリコンと記載した場合は、その組成として窒素よりも酸素の含有量が多い材料を指し、窒化酸化シリコンと記載した場合は、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い材料を示す。

トランジスタを含む層１０１の構成例は、実施の形態５で後述する。

発光デバイス１３０ａ、１３０ｂ、１３０ｃは、それぞれ、異なる色の光を発する。発光デバイス１３０ａ、１３０ｂ、１３０ｃは、例えば、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３色の光を発する組み合わせであることが好ましい。

発光デバイスとしては、例えば、ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）、またはＱＬＥＤ（Ｑｕａｎｔｕｍ−ｄｏｔ　Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）を用いることが好ましい。発光デバイスが有する発光物質としては、例えば、蛍光を発する物質（蛍光材料）、りん光を発する物質（りん光材料）、無機化合物（量子ドット材料等）、及び、熱活性化遅延蛍光を示す物質（ＴＡＤＦ材料）が挙げられる。また、発光デバイスとして、マイクロＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）などのＬＥＤを用いることもできる。

発光デバイスの発光色は、赤外、赤、緑、青、シアン、マゼンタ、黄、または白などとすることができる。また、発光デバイスにマイクロキャビティ構造を付与することにより色純度を高めることができる。

発光デバイスの構成及び材料については、実施の形態６を参照することができる。

発光デバイスが有する一対の電極のうち、一方の電極は陽極として機能し、他方の電極は陰極として機能する。以下では、画素電極が陽極として機能し、共通電極が陰極として機能する場合を例に挙げて説明する場合がある。

発光デバイス１３０ａは、絶縁層２５５ｃ上の画素電極１１１ａと、画素電極１１１ａ上の島状の第１の層１１３ａと、島状の第１の層１１３ａ上の共通層１１４と、共通層１１４上の共通電極１１５と、を有する。発光デバイス１３０ａにおいて、第１の層１１３ａ、及び、共通層１１４をまとめてＥＬ層と呼ぶことができる。

発光デバイス１３０ｂは、絶縁層２５５ｃ上の画素電極１１１ｂと、画素電極１１１ｂ上の島状の第２の層１１３ｂと、島状の第２の層１１３ｂ上の共通層１１４と、共通層１１４上の共通電極１１５と、を有する。発光デバイス１３０ｂにおいて、第２の層１１３ｂ、及び、共通層１１４をまとめてＥＬ層と呼ぶことができる。

発光デバイス１３０ｃは、絶縁層２５５ｃ上の画素電極１１１ｃと、画素電極１１１ｃ上の島状の第３の層１１３ｃと、島状の第３の層１１３ｃ上の共通層１１４と、共通層１１４上の共通電極１１５と、を有する。発光デバイス１３０ｃにおいて、第３の層１１３ｃ、及び、共通層１１４をまとめてＥＬ層と呼ぶことができる。

本明細書等では、発光デバイスが有するＥＬ層のうち、発光デバイスごとに島状に設けられた層を第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、または第３の層１１３ｃと示し、複数の発光デバイスが共有して有する層を共通層１１４と示す。なお、本明細書等において、共通層１１４を含めず、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃを指して、島状のＥＬ層、島状に形成されたＥＬ層などと呼ぶ場合もある。

第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び、第３の層１１３ｃは、互いに離隔されている。ＥＬ層を発光デバイスごとに島状に設けることで、隣接する発光デバイス間のリーク電流を抑制することができる。これにより、意図しない発光に起因したクロストークを防ぐことができ、コントラストの極めて高い表示装置を実現できる。特に、低輝度における電流効率の高い表示装置を実現できる。

画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、及び画素電極１１１ｃのそれぞれの端部はテーパ形状を有することが好ましい。具体的には、画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、及び画素電極１１１ｃのそれぞれの端部はテーパ角９０°未満のテーパ形状を有することが好ましい。これらの画素電極の端部がテーパ形状を有する場合、画素電極の側面に沿って設けられる第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃも、テーパ形状を有する（後述する傾斜部に対応する）。画素電極の側面をテーパ形状とすることで、画素電極の側面に沿って設けられるＥＬ層の被覆性を高めることができる。また、画素電極の側面をテーパ形状とすることで、作製工程中の異物（例えば、ゴミ、またはパーティクルなどともいう）を、洗浄などの処理により除去することが容易となり好ましい。

図３Ｂにおいて、画素電極１１１ａと第１の層１１３ａとの間には、画素電極１１１ａの上面端部を覆う絶縁層が設けられていない。また、画素電極１１１ｂと第２の層１１３ｂとの間には、画素電極１１１ｂの上面端部を覆う絶縁層が設けられていない。そのため、隣り合う発光デバイスの間隔を極めて狭くすることができる。したがって、高精細、または、高解像度の表示装置とすることができる。また、当該絶縁層を形成するためのマスクも不要となり、表示装置の製造コストを削減することができる。

また、画素電極とＥＬ層との間に、画素電極の端部を覆う絶縁層を設けない構成、別言すると、画素電極とＥＬ層との間に絶縁層が設けられない構成とすることで、ＥＬ層からの発光を効率よく取り出すことができる。したがって、本発明の一態様の表示装置は、視野角依存性を極めて小さくすることができる。視野角依存性を小さくすることで、表示装置における画像の視認性を高めることができる。例えば、本発明の一態様の表示装置においては、視野角（斜め方向から画面を見たときの、一定のコントラスト比が維持される最大の角度）を１００°以上１８０°未満、好ましくは１５０°以上１７０°以下の範囲とすることができる。なお、上記の視野角については、上下、及び左右のそれぞれに適用することができる。

本実施の形態の発光デバイスには、シングル構造（発光ユニットを１つだけ有する構造）を適用してもよく、タンデム構造（発光ユニットを複数有する構造）を適用してもよい。発光ユニットは、少なくとも１層の発光層を有する。

第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃは、少なくとも発光層を有する。例えば、第１の層１１３ａが、赤色の光を発する発光層を有し、第２の層１１３ｂが緑色の光を発する発光層を有し、第３の層１１３ｃが、青色の光を発する発光層を有する構成であると好ましい。

また、タンデム構造の発光デバイスを用いる場合、第１の層１１３ａは、赤色の光を発する発光ユニットを複数有する構造であり、第２の層１１３ｂは、緑色の光を発する発光ユニットを複数有する構造であり、第３の層１１３ｃは、青色の光を発する発光ユニットを複数有する構造であると好ましい。各発光ユニットの間には、電荷発生層を設けることが好ましい。

また、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃは、それぞれ、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、電荷発生層、電子ブロック層、電子輸送層、及び電子注入層のうち１つ以上を有してもよい。

例えば、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃは、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、及び、電子輸送層をこの順で有していてもよい。また、正孔輸送層と発光層との間に電子ブロック層を有していてもよい。また、電子輸送層上に電子注入層を有していてもよい。

また、例えば、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃは、電子注入層、電子輸送層、発光層、及び、正孔輸送層をこの順で有していてもよい。また、電子輸送層と発光層との間に正孔ブロック層を有していてもよい。また、正孔輸送層上に正孔注入層を有していてもよい。

第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃは、発光層と、発光層上のキャリア輸送層（電子輸送層または正孔輸送層）と、を有することが好ましい。第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃの表面は、表示装置の作製工程中に露出するため、キャリア輸送層を発光層上に設けることで、発光層が最表面に露出することを抑制し、発光層が受けるダメージを低減することができる。これにより、発光デバイスの信頼性を高めることができる。

また、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃは、例えば、画素電極上に、第１の発光ユニット、電荷発生層、及び第２の発光ユニットをこの順で積層して有する。

第２の発光ユニットは、発光層と、発光層上のキャリア輸送層（電子輸送層または正孔輸送層）と、を有することが好ましい。第２の発光ユニットの表面は、表示装置の作製工程中に露出するため、キャリア輸送層を発光層上に設けることで、発光層が最表面に露出することを抑制し、発光層が受けるダメージを低減することができる。これにより、発光デバイスの信頼性を高めることができる。なお、発光ユニットを３つ以上有する場合は、最も上層に設けられる発光ユニットにおいて、発光層と、発光層上のキャリア輸送層（電子輸送層または正孔輸送層）と、を有することが好ましい。

共通層１１４は、例えば電子注入層、または正孔注入層を有する。または、共通層１１４は、電子輸送層と電子注入層とを積層して有していてもよく、正孔輸送層と正孔注入層とを積層して有していてもよい。共通層１１４は、発光デバイス１３０ａ、１３０ｂ、１３０ｃで共有されている。

図３Ｂでは、画素電極１１１ａの端部よりも第１の層１１３ａの端部が外側に位置する例を示す。なお、画素電極１１１ａと第１の層１１３ａを例に挙げて説明するが、画素電極１１１ｂと第２の層１１３ｂ、及び、画素電極１１１ｃと第３の層１１３ｃにおいても同様のことがいえる。

図３Ｂにおいて、第１の層１１３ａは、画素電極１１１ａの端部を覆うように形成されている。このような構成とすることで、画素電極の上面全体を発光領域とすることも可能となり、島状のＥＬ層の端部が画素電極の端部よりも内側に位置する構成に比べて、開口率を高めることが容易となる。

また、画素電極の側面をＥＬ層で覆うことで、画素電極と共通電極１１５とが接することを抑制できるため、発光デバイスのショートを抑制することができる。また、ＥＬ層の発光領域（すなわち、画素電極と重なる領域）と、ＥＬ層の端部との距離を大きくできる。ＥＬ層の端部は、加工によりダメージを受けている可能性があるため、ＥＬ層の端部から離れた領域を発光領域として用いることで、発光デバイスの信頼性を高められる場合がある。

また、共通電極１１５は、発光デバイス１３０ａ、１３０ｂ、１３０ｃで共有されている。複数の発光デバイスが共通して有する共通電極１１５は、接続部１４０に設けられた導電層１２３と電気的に接続される（図９Ａ及び図９Ｂ参照）。導電層１２３には、画素電極１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃと同じ材料及び同じ工程で形成された導電層を用いることが好ましい。

なお、図９Ａでは、導電層１２３上に共通層１１４が設けられ、共通層１１４を介して、導電層１２３と共通電極１１５とが電気的に接続されている例を示す。接続部１４０には共通層１１４を設けなくてもよい。図９Ｂでは、導電層１２３と共通電極１１５とが直接、接続されている。例えば、成膜エリアを規定するためのマスク（ファインメタルマスクと区別して、エリアマスク、またはラフメタルマスクなどともいう）を用いることで、共通層１１４と、共通電極１１５とで成膜される領域を変えることができる。

また、図３Ｂでは、発光デバイス１３０ａが有する第１の層１１３ａ上には、マスク層１１８ａが位置し、発光デバイス１３０ｂが有する第２の層１１３ｂ上には、マスク層１１８ｂが位置し、発光デバイス１３０ｃが有する第３の層１１３ｃ上には、マスク層１１８ｃが位置する。マスク層１１８ａは、第１の層１１３ａを加工する際に第１の層１１３ａの上面に接して設けたマスク層の一部が残存しているものである。同様に、マスク層１１８ｂは、第２の層１１３ｂの形成時、マスク層１１８ｃは、第３の層１１３ｃの形成時に、それぞれ設けたマスク層の一部が残存しているものである。このように、本発明の一態様の表示装置は、その作製時にＥＬ層を保護するために用いるマスク層が一部残存していてもよい。マスク層１１８ａ乃至マスク層１１８ｃのいずれか２つ、または全てに同じ材料を用いてもよく、互いに異なる材料を用いてもよい。なお、以下において、マスク層１１８ａ、マスク層１１８ｂ、及びマスク層１１８ｃをまとめて、マスク層１１８と呼ぶ場合がある。

図３Ｂにおいて、マスク層１１８ａの一方の端部は、第１の層１１３ａの端部と揃っている、または概略揃っており、マスク層１１８ａの他方の端部は、第１の層１１３ａ上に位置する。ここで、マスク層１１８ａの他方の端部は、第１の層１１３ａ及び画素電極１１１ａと重なることが好ましい。この場合、マスク層１１８ａの他方の端部が第１の層１１３ａの平坦または概略平坦な面に形成されやすくなる。なお、マスク層１１８ｂ及びマスク層１１８ｃについても同様である。また、マスク層１１８は、例えば、島状に加工されたＥＬ層（第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、または第３の層１１３ｃ）の上面と、絶縁層１２５との間に残存する。マスク層については、実施の形態３で詳述する。

なお、端部が揃っている、または概略揃っている場合、及び、上面形状が一致または概略一致している場合、上面視において、積層した層と層との間で少なくとも輪郭の一部が重なっているといえる。例えば、上層と下層とが、同一のマスクパターン、または一部が同一のマスクパターンにより加工された場合を含む。ただし、厳密には輪郭が重なり合わず、上層が下層の内側に位置すること、または、上層が下層の外側に位置することもあり、この場合も端部が概略揃っている、または、上面形状が概略一致している、という。

第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃのそれぞれの側面は、絶縁層１２５によって覆われている。絶縁層１２７は、絶縁層１２５を介して、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃのそれぞれの側面と重なる（側面を覆っているともいえる）。

また、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃのそれぞれの上面の一部は、マスク層１１８によって覆われている。絶縁層１２５及び絶縁層１２７は、マスク層１１８を介して、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃのそれぞれの上面の一部と重なる。なお、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃのそれぞれの上面としては、画素電極の上面と重なる平坦部の上面のみに限られず、画素電極の上面の外側に位置する傾斜部及び平坦部（図８Ａの領域１０３参照）の上面を含むことができる。

第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃの上面の一部及び側面が、絶縁層１２５、絶縁層１２７、及びマスク層１１８の少なくとも一つによって覆われていることで、共通層１１４（または共通電極１１５）が、画素電極１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃの側面と接することを抑制し、発光デバイスのショートを抑制することができる。これにより、発光デバイスの信頼性を高めることができる。

なお、図３Ｂでは、第１の層１１３ａ乃至第３の層１１３ｃの膜厚を全て同じ厚さで示すが、本発明はこれに限られるものではない。第１の層１１３ａ乃至第３の層１１３ｃのそれぞれの膜厚は異なっていてもよい。例えば、第１の層１１３ａ乃至第３の層１１３ｃそれぞれの発する光を強める光路長に対応して膜厚を設定することが好ましい。これにより、マイクロキャビティ構造を実現し、それぞれの発光デバイスにおける色純度を高めることができる。

絶縁層１２５は、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃのそれぞれの側面と接することが好ましい（図４Ａに示す第１の層１１３ａ及び第２の層１１３ｂの端部とその近傍における破線で囲った部分参照）。絶縁層１２５が第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃと接する構成とすることで、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃの膜剥がれを防止することができる。絶縁層１２５と第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、または第３の層１１３ｃとが密着することで、隣り合う第１の層１１３ａなどが、絶縁層１２５によって固定される、または、接着される効果を奏する。これにより、発光デバイスの信頼性を高めることができる。また、発光デバイスの作製歩留まりを高めることができる。

また、図３Ｂに示すように、絶縁層１２５及び絶縁層１２７が、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃの上面の一部及び側面の双方を覆うことで、ＥＬ層の膜剥がれをより防ぐことができ、発光デバイスの信頼性を高めることができる。また、発光デバイスの作製歩留まりをより高めることができる。

図３Ｂでは、画素電極１１１ａの端部上に、第１の層１１３ａ、マスク層１１８ａ、絶縁層１２５、及び、絶縁層１２７の積層構造が位置する例を示す。同様に、画素電極１１１ｂの端部上に、第２の層１１３ｂ、マスク層１１８ｂ、絶縁層１２５、及び、絶縁層１２７の積層構造が位置し、画素電極１１１ｃの端部上に、第３の層１１３ｃ、マスク層１１８ｃ、絶縁層１２５、及び、絶縁層１２７の積層構造が位置する。

図３Ｂでは、画素電極１１１ａの端部を第１の層１１３ａが覆っており、絶縁層１２５が第１の層１１３ａの側面と接する構成を示す。同様に、画素電極１１１ｂの端部は第２の層１１３ｂで覆われており、画素電極１１１ｃの端部は第３の層１１３ｃで覆われており、絶縁層１２５が第２の層１１３ｂの側面及び第３の層１１３ｃの側面と接している。

絶縁層１２７は、絶縁層１２５の凹部を充填するように、絶縁層１２５上に設けられる。絶縁層１２７は、絶縁層１２５を介して、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃのそれぞれの上面の一部及び側面と重なる構成とすることができる。絶縁層１２７は、絶縁層１２５の側面の少なくとも一部を覆うことが好ましい。

絶縁層１２５及び絶縁層１２７を設けることで、隣り合う島状の層の間の空間を埋めることができるため、島状の層上に設ける層（例えばキャリア注入層、及び共通電極など）の被形成面の高低差の大きな凹凸を低減し、より平坦にすることができる。したがって、キャリア注入層及び共通電極などの被覆性を高めることができる。

共通層１１４及び共通電極１１５は、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、第３の層１１３ｃ、マスク層１１８、絶縁層１２５、及び絶縁層１２７上に設けられる。絶縁層１２５及び絶縁層１２７を設ける前の段階では、画素電極及び島状のＥＬ層が設けられる領域と、画素電極及び島状のＥＬ層が設けられない領域（発光デバイス間の領域）と、に起因する段差が生じている。本発明の一態様の表示装置は、絶縁層１２５及び絶縁層１２７を有することで当該段差を平坦化させることができ、共通層１１４及び共通電極１１５の被覆性を向上させることができる。したがって、段切れによる接続不良を抑制することができる。また、段差によって共通電極１１５が局所的に薄膜化して電気抵抗が上昇することを抑制することができる。

絶縁層１２７の上面はより平坦性の高い形状を有することが好ましいが、凸部、凸曲面、凹曲面、または凹部を有していてもよい。例えば、絶縁層１２７の上面は、平坦性の高い、滑らかな凸曲面形状を有することが好ましい。

次に、絶縁層１２５及び絶縁層１２７の材料の例について説明する。

絶縁層１２５は、無機材料を有する絶縁層とすることができる。絶縁層１２５には、例えば、酸化絶縁膜、窒化絶縁膜、酸化窒化絶縁膜、及び窒化酸化絶縁膜等の無機絶縁膜を用いることができる。絶縁層１２５は単層構造であってもよく積層構造であってもよい。酸化絶縁膜としては、酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化マグネシウム膜、インジウムガリウム亜鉛酸化物膜、酸化ガリウム膜、酸化ゲルマニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ランタン膜、酸化ネオジム膜、酸化ハフニウム膜、及び酸化タンタル膜等が挙げられる。窒化絶縁膜としては、窒化シリコン膜及び窒化アルミニウム膜等が挙げられる。酸化窒化絶縁膜としては、酸化窒化シリコン膜、及び酸化窒化アルミニウム膜等が挙げられる。窒化酸化絶縁膜としては、窒化酸化シリコン膜、及び窒化酸化アルミニウム膜等が挙げられる。特に、酸化アルミニウムは、エッチングにおいて、ＥＬ層との選択比が高く、後述する絶縁層１２７の形成において、ＥＬ層を保護する機能を有するため、好ましい。特に原子層堆積（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ　Ｌａｙｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により形成した酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、または酸化シリコン膜等の無機絶縁膜を絶縁層１２５に適用することで、ピンホールが少なく、ＥＬ層を保護する機能に優れた絶縁層１２５を形成することができる。また、絶縁層１２５は、ＡＬＤ法により形成した膜と、スパッタリング法により形成した膜と、の積層構造としてもよい。絶縁層１２５は、例えば、ＡＬＤ法によって形成された酸化アルミニウム膜と、スパッタリング法によって形成された窒化シリコン膜と、の積層構造であってもよい。

絶縁層１２５は、水及び酸素の少なくとも一方に対するバリア絶縁層としての機能を有することが好ましい。また、絶縁層１２５は、水及び酸素の少なくとも一方の拡散を抑制する機能を有することが好ましい。また、絶縁層１２５は、水及び酸素の少なくとも一方を捕獲、または固着する（ゲッタリングともいう）機能を有することが好ましい。

なお、本明細書等において、バリア絶縁層とは、バリア性を有する絶縁層のことを示す。また、本明細書等において、バリア性とは、対応する物質の拡散を抑制する機能（透過性が低いともいう）とする。または、対応する物質を、捕獲、または固着する（ゲッタリング）機能とする。

絶縁層１２５が、バリア絶縁層としての機能、またはゲッタリング機能を有することで、外部から各発光デバイスに拡散しうる不純物（代表的には、水及び酸素の少なくとも一方）の侵入を抑制することが可能な構成となる。当該構成とすることで、信頼性の高い発光デバイス、さらには、信頼性の高い表示装置を提供することができる。

また、絶縁層１２５は、不純物濃度が低いことが好ましい。これにより、絶縁層１２５からＥＬ層に不純物が混入し、ＥＬ層が劣化することを抑制することができる。また、絶縁層１２５において、不純物濃度を低くすることで、水及び酸素の少なくとも一方に対するバリア性を高めることができる。例えば、絶縁層１２５は、水素濃度及び炭素濃度の一方、好ましくは双方が十分に低いことが望ましい。

なお、絶縁層１２５とマスク層１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃには同じ材料を用いることができる。この場合、マスク層１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃのいずれかと、絶縁層１２５との境界が不明瞭となり区別できない場合がある。よって、マスク層１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃのいずれかと、絶縁層１２５とが、１つの層として確認される場合がある。つまり、１つの層が、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃのそれぞれの上面の一部及び側面に接して設けられ、絶縁層１２７が、当該１つの層の側面の少なくとも一部を覆っているように観察される場合がある。

絶縁層１２５上に設けられる絶縁層１２７は、隣接する発光デバイス間に形成された絶縁層１２５の高低差の大きな凹凸を平坦化する機能を有する。換言すると、絶縁層１２７を有することで共通電極１１５を形成する面の平坦性を向上させる効果を奏する。

絶縁層１２７としては、有機材料を有する絶縁層を好適に用いることができる。有機材料としては、感光性の有機樹脂を用いることが好ましく、例えば、感光性のアクリル樹脂を用いることが好ましい。なお、本明細書などにおいて、アクリル樹脂とは、ポリメタクリル酸エステル、またはメタクリル樹脂だけを指すものではなく、広義のアクリル系ポリマー全体を指す場合がある。

また、絶縁層１２７として、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、イミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シリコーン樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれら樹脂の前駆体等を用いてもよい。また、絶縁層１２７として、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルブチラル、ポリビニルピロリドン、ポリエチレングリコール、ポリグリセリン、プルラン、水溶性のセルロース、またはアルコール可溶性のポリアミド樹脂等の有機材料を用いてもよい。また、感光性の樹脂としてはフォトレジストを用いてもよい。感光性の有機樹脂として、ポジ型の材料及びネガ型の材料のどちらを用いてもよい。

絶縁層１２７には可視光を吸収する材料を用いてもよい。絶縁層１２７が発光デバイスからの発光を吸収することで、発光デバイスから絶縁層１２７を介して隣接する発光デバイスに光が漏れること（迷光）を抑制することができる。これにより、表示装置の表示品位を高めることができる。また、表示装置に偏光板を用いなくても、表示品位を高めることができるため、表示装置の軽量化及び薄型化を図ることができる。

可視光を吸収する材料としては、黒色などの顔料を含む材料、染料を含む材料、光吸収性を有する樹脂材料（例えばポリイミドなど）、及び、カラーフィルタに用いることのできる樹脂材料（カラーフィルタ材料）が挙げられる。特に、２色、または３色以上のカラーフィルタ材料を積層または混合した樹脂材料を用いると、可視光の遮蔽効果を高めることができるため好ましい。特に３色以上のカラーフィルタ材料を混合させることで、黒色または黒色近傍の樹脂層とすることが可能となる。

また、絶縁層１２７に用いる材料は体積収縮率が低いことが好ましい。これにより、絶縁層１２７を所望の形状で形成することが容易となる。また、絶縁層１２７は硬化後の体積収縮率が低いことが好ましい。これにより、絶縁層１２７を形成した後の各種工程にて絶縁層１２７の形状を保ちやすくなる。具体的には、熱硬化後、光硬化後、または、光硬化及び熱硬化後の絶縁層１２７の体積収縮率は、それぞれ、１０％以下が好ましく、５％以下がより好ましく、１％以下がさらに好ましい。ここで、体積収縮率としては、光照射による体積収縮率及び加熱による体積収縮率の一方の値、または、双方の和を用いることができる。

次に、図４Ａ及び図４Ｂを用いて、絶縁層１２７とその近傍の構造について説明する。図４Ａは、発光デバイス１３０ａと発光デバイス１３０ｂの間の絶縁層１２７とその周辺を含む領域の断面拡大図である。以下では、発光デバイス１３０ａと発光デバイス１３０ｂの間の絶縁層１２７を例に挙げて説明するが、発光デバイス１３０ｂと発光デバイス１３０ｃの間の絶縁層１２７、及び発光デバイス１３０ｃと発光デバイス１３０ａの間の絶縁層１２７などについても同様のことがいえる。また、図４Ｂは、図４Ａに示す、第２の層１１３ｂ上の絶縁層１２７の端部とその近傍の拡大図である。以下では、第２の層１１３ｂ上の絶縁層１２７の端部を例に挙げて説明する場合があるが、第１の層１１３ａ上の絶縁層１２７の端部、及び第３の層１１３ｃ上の絶縁層１２７の端部などについても同様のことがいえる。

図４Ａに示すように、画素電極１１１ａを覆って第１の層１１３ａが設けられ、画素電極１１１ｂを覆って第２の層１１３ｂが設けられる。第１の層１１３ａの上面の一部に接してマスク層１１８ａが設けられ、第２の層１１３ｂの上面の一部に接してマスク層１１８ｂが設けられる。マスク層１１８ａの上面及び側面、第１の層１１３ａの側面、絶縁層２５５ｃの上面、マスク層１１８ｂの上面及び側面、並びに第２の層１１３ｂの側面に接して、絶縁層１２５が設けられる。また、絶縁層１２５は、第１の層１１３ａの上面の一部及び第２の層１１３ｂの上面の一部を覆う。絶縁層１２５の上面に接して絶縁層１２７が設けられる。また、絶縁層１２７は、絶縁層１２５を介して、第１の層１１３ａの上面の一部及び側面、並びに、第２の層１１３ｂの上面の一部及び側面と重なり、絶縁層１２５の側面の少なくとも一部に接する。第１の層１１３ａ、マスク層１１８ａ、第２の層１１３ｂ、マスク層１１８ｂ、絶縁層１２５、及び絶縁層１２７を覆って共通層１１４が設けられ、共通層１１４の上に共通電極１１５が設けられる。

絶縁層１２７は、図４Ｂに示すように、表示装置の断面視において、端部にテーパ角θ１のテーパ形状を有することが好ましい。テーパ角θ１は、絶縁層１２７の側面と基板面のなす角である。ただし、基板面に限らず、第２の層１１３ｂの平坦部の上面、または画素電極１１１ｂの平坦部の上面と、絶縁層１２７の側面がなす角としてもよい。

絶縁層１２７のテーパ角θ１は、９０°未満であり、６０°以下が好ましく、４５°以下がより好ましく、２０°以下がさらに好ましい。絶縁層１２７の端部をこのような順テーパ形状にすることで、絶縁層１２７上に設けられる共通層１１４及び共通電極１１５を被覆性良く成膜でき、段切れ、または局所的な薄膜化などが生じることを抑制できる。これにより、共通層１１４及び共通電極１１５の面内均一性を向上させることができ、表示装置の表示品位を向上させることができる。

また、図４Ａに示すように、表示装置の断面視において、絶縁層１２７の上面は凸曲面形状を有することが好ましい。絶縁層１２７の上面の凸曲面形状は、中心に向かってなだらかに膨らんだ形状であることが好ましい。また、絶縁層１２７上面の中心部の凸曲面部が、端部のテーパ部に連続的に接続される形状であることが好ましい。絶縁層１２７をこのような形状にすることで、絶縁層１２７上の上面全体に、共通層１１４及び共通電極１１５を被覆性良く成膜することができる。

図４Ｂに示すように、絶縁層１２７の端部は、絶縁層１２５の端部よりも外側に位置することが好ましい。これにより、共通層１１４及び共通電極１１５を形成する面の凹凸を低減し、共通層１１４及び共通電極１１５の被覆性を高めることができる。

絶縁層１２５は、図４Ｂに示すように、表示装置の断面視において、端部にテーパ角θ２のテーパ形状を有することが好ましい。テーパ角θ２は、絶縁層１２５の側面と基板面のなす角である。ただし、基板面に限らず、第２の層１１３ｂの平坦部の上面、または画素電極１１１ｂの平坦部の上面と、絶縁層１２５の側面がなす角としてもよい。

絶縁層１２５のテーパ角θ２は、９０°未満であり、６０°以下が好ましく、４５°以下がより好ましく、２０°以下がさらに好ましい。

マスク層１１８ｂは、図４Ｂに示すように、表示装置の断面視において、端部にテーパ角θ３のテーパ形状を有することが好ましい。テーパ角θ３は、マスク層１１８ｂの側面と基板面のなす角である。ただし、基板面に限らず、第２の層１１３ｂの平坦部の上面、または画素電極１１１ｂの平坦部の上面と、絶縁層１２７の側面がなす角としてもよい。

マスク層１１８ｂのテーパ角θ３は、９０°未満であり、６０°以下が好ましく、４５°以下がより好ましく、２０°以下がさらに好ましい。マスク層１１８ｂをこのような順テーパ形状にすることで、マスク層１１８ｂ上に設けられる、共通層１１４及び共通電極１１５を被覆性良く成膜することができる。

マスク層１１８ａの端部及びマスク層１１８ｂの端部は、それぞれ、絶縁層１２５の端部よりも外側に位置することが好ましい。これにより、共通層１１４及び共通電極１１５を形成する面の凹凸を低減し、共通層１１４及び共通電極１１５の被覆性を高めることができる。

実施の形態３で詳述するが、絶縁層１２５とマスク層１１８のエッチング処理を一度に行うと、サイドエッチングにより、絶縁層１２７の端部の下の絶縁層１２５及びマスク層が消失し、空洞が形成される場合がある。当該空洞によって、共通層１１４及び共通電極１１５を形成する面に凹凸が生じ、共通層１１４及び共通電極１１５に段切れが生じやすくなる。そのため、エッチング処理を２回に分けて行い、２回のエッチングの間に加熱処理を行うことで、１回目のエッチング処理で空洞が形成されても、当該加熱処理によって絶縁層１２７が変形し、当該空洞を埋めることができる。また、２回目のエッチング処理では厚さが薄い膜をエッチングすることになるため、サイドエッチングされる量が少なくなり、空洞が形成されにくく、空洞が形成されるとしても極めて小さくできる。そのため、共通層１１４及び共通電極１１５を形成する面に凹凸が生じることを抑制でき、また、共通層１１４及び共通電極１１５が段切れすることを抑制できる。このようにエッチング処理を２回行うことから、テーパ角θ２とテーパ角θ３はそれぞれ異なる角度となる場合がある。また、テーパ角θ２とテーパ角θ３は同じ角度であってもよい。また、テーパ角θ２とテーパ角θ３はそれぞれテーパ角θ１よりも小さい角度となる場合がある。

絶縁層１２７は、マスク層１１８ａの側面の少なくとも一部、及び、マスク層１１８ｂの側面の少なくとも一部を覆うことがある。例えば、図４Ｂでは、絶縁層１２７が、１回目のエッチング処理によって形成されたマスク層１１８ｂの端部に位置する傾斜面を接して覆い、２回目のエッチング処理によって形成されたマスク層１１８ｂの端部に位置する傾斜面は露出している例を示す。この２つの傾斜面はテーパ角が異なることから区別できることがある。また、２回のエッチング処理で形成される側面のテーパ角にほとんど差がなく、区別できないこともある。

また、図５Ａ及び図５Ｂには、絶縁層１２７が、マスク層１１８ａの側面全体、及び、マスク層１１８ｂの側面全体を覆う例を示す。具体的には、図５Ｂにおいて、絶縁層１２７は、上記の２つの傾斜面の双方に接して覆っている。これにより、共通層１１４及び共通電極１１５を形成する面の凹凸をより低減することができ好ましい。図５Ｂでは、絶縁層１２７の端部が、マスク層１１８ｂの端部よりも外側に位置する例を示す。絶縁層１２７の端部は、図４Ｂに示すように、マスク層１１８ｂの端部の内側に位置していてもよく、マスク層１１８ｂの端部と揃っている、または概略揃っていてもよい。また、図５Ｂに示すように、絶縁層１２７は、第２の層１１３ｂと接することがある。

なお、端部が揃っている、または概略揃っている場合、及び、上面形状が一致または概略一致している場合、上面視において、積層した層と層との間で少なくとも輪郭の一部が重なっているといえる。例えば、上層と下層とが、同一のマスクパターン、または一部が同一のマスクパターンにより加工された場合を含む。ただし、厳密には輪郭が重なり合わず、上層が下層の内側に位置すること、または、上層が下層の外側に位置することもあり、この場合も端部が概略揃っている、または、上面形状が概略一致している、という。

また、図６Ａ、図６Ｂ、図７Ａ、及び、図７Ｂには、絶縁層１２７が側面に凹曲面形状（くびれた部分、凹部、へこみ、くぼみなどともいう）を有する例を示す。絶縁層１２７の材料及び形成条件（加熱温度、加熱時間、及び加熱雰囲気など）によっては、絶縁層１２７の側面に凹曲面形状が形成される場合がある。

図６Ａ及び図６Ｂは、絶縁層１２７がマスク層１１８ｂの側面の一部を覆い、マスク層１１８ｂの側面の残りの部分が露出している例を示す。図７Ａ及び図７Ｂは、絶縁層１２７が、マスク層１１８ａの側面全体、及び、マスク層１１８ｂの側面全体に接して覆っている例である。

図５乃至図７においても、テーパ角θ１乃至テーパ角θ３はそれぞれ、上記の範囲であると好ましい。

また、図４乃至図７に示すように、絶縁層１２７の一方の端部が画素電極１１１ａの上面と重なり、絶縁層１２７の他方の端部が画素電極１１１ｂの上面と重なることが好ましい。このような構造にすることで、絶縁層１２７の端部を第１の層１１３ａ及び第２の層１１３ｂの概略平坦な領域の上に形成することができる。よって、絶縁層１２７、絶縁層１２５、及びマスク層１１８のテーパ形状を形成することがそれぞれ比較的容易になる。また、画素電極１１１ａ、１１１ｂ、第１の層１１３ａ、及び第２の層１１３ｂの膜剥がれを抑制することができる。一方で、画素電極の上面と絶縁層１２７とが重なる部分が小さいほど発光デバイスの発光領域が広くなり、開口率を高めることができ、好ましい。

なお、絶縁層１２７は、画素電極の上面と重ならなくてもよい。図８Ａに示すように、絶縁層１２７は、画素電極の上面と重ならず、絶縁層１２７の一方の端部が画素電極１１１ａの側面と重なり、絶縁層１２７の他方の端部が画素電極１１１ｂの側面と重なっていてもよい。また、図８Ｂに示すように、絶縁層１２７は、画素電極と重ならず、画素電極１１１ａと画素電極１１１ｂとに挟まれた領域に、設けられていてもよい。図８Ａ及び図８Ｂでは、第１の層１１３ａ及び第２の層１１３ｂの上面のうち、画素電極の上面の外側に位置する傾斜部及び平坦部（領域１０３）の上面の一部または全部が、マスク層１１８、絶縁層１２５、及び絶縁層１２７によって覆われている。このような構成であっても、マスク層１１８、絶縁層１２５、及び絶縁層１２７を設けない構成に比べて、共通層１１４及び共通電極１１５を形成する面の凹凸を低減し、共通層１１４及び共通電極１１５の被覆性を高めることができる。

上記のように、図４乃至図８に示す各構成では、絶縁層１２７、絶縁層１２５、マスク層１１８ａ、及びマスク層１１８ｂを設けることにより、第１の層１１３ａの概略平坦な領域から第２の層１１３ｂの概略平坦な領域まで、共通層１１４及び共通電極１１５を被覆性高く形成することができる。そして、共通層１１４及び共通電極１１５に分断された箇所、及び局所的に膜厚が薄い箇所が形成されることを防ぐことができる。よって、各発光デバイス間において、共通層１１４及び共通電極１１５に、分断された箇所に起因する接続不良、及び局所的に膜厚が薄い箇所に起因する電気抵抗の上昇が発生することを抑制できる。これにより、本発明の一態様に係る表示装置は、表示品位を向上させることができる。

発光デバイス１３０ａ、１３０ｂ、１３０ｃ上に保護層１３１を有することが好ましい。保護層１３１を設けることで、発光デバイスの信頼性を高めることができる。保護層１３１は単層構造でもよく、２層以上の積層構造であってもよい。

保護層１３１の導電性は問わない。保護層１３１としては、絶縁膜、半導体膜、及び、導電膜の少なくとも一種を用いることができる。

保護層１３１が無機膜を有することで、共通電極１１５の酸化を防止する、発光デバイスに不純物（水分及び酸素等）が入り込むことを抑制する、等、発光デバイスの劣化を抑制し、表示装置の信頼性を高めることができる。

保護層１３１には、例えば、酸化絶縁膜、窒化絶縁膜、酸化窒化絶縁膜、及び窒化酸化絶縁膜等の無機絶縁膜を用いることができる。これらの無機絶縁膜の具体例は、絶縁層１２５の説明で挙げた通りである。特に、保護層１３１は、窒化絶縁膜または窒化酸化絶縁膜を有することが好ましく、窒化絶縁膜を有することがより好ましい。

また、保護層１３１には、Ｉｎ−Ｓｎ酸化物（ＩＴＯともいう）、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、Ｇａ−Ｚｎ酸化物、Ａｌ−Ｚｎ酸化物、またはインジウムガリウム亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物、ＩＧＺＯともいう）等を含む無機膜を用いることもできる。当該無機膜は、高抵抗であることが好ましく、具体的には、共通電極１１５よりも高抵抗であることが好ましい。当該無機膜は、さらに窒素を含んでいてもよい。

発光デバイスの発光を、保護層１３１を介して取り出す場合、保護層１３１は、可視光に対する透過性が高いことが好ましい。例えば、ＩＴＯ、ＩＧＺＯ、及び、酸化アルミニウムは、それぞれ、可視光に対する透過性が高い無機材料であるため、好ましい。

保護層１３１としては、例えば、酸化アルミニウム膜と、酸化アルミニウム膜上の窒化シリコン膜と、の積層構造、または、酸化アルミニウム膜と、酸化アルミニウム膜上のＩＧＺＯ膜と、の積層構造等を用いることができる。当該積層構造を用いることで、不純物（水及び酸素等）がＥＬ層側に入り込むことを抑制することができる。

さらに、保護層１３１は、有機膜を有していてもよい。例えば、保護層１３１は、有機膜と無機膜の双方を有していてもよい。保護層１３１に用いることができる有機材料としては、例えば、絶縁層１２７に用いることができる有機絶縁材料などが挙げられる。

保護層１３１は、異なる成膜方法を用いて形成された２層構造であってもよい。具体的には、ＡＬＤ法を用いて保護層１３１の第１層目を形成し、スパッタリング法を用いて保護層１３１の第２層目を形成してもよい。

基板１２０の樹脂層１２２側の面には、遮光層を設けてもよい。また、基板１２０の外側には各種光学部材を配置することができる。光学部材としては、偏光板、位相差板、光拡散層（拡散フィルムなど）、反射防止層、及び集光フィルム等が挙げられる。また、基板１２０の外側には、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくする撥水性の膜、使用に伴う傷の発生を抑制するハードコート膜、衝撃吸収層等の表面保護層を配置してもよい。例えば、表面保護層として、ガラス層またはシリカ層（ＳｉＯ_ｘ層）を設けることで、表面汚染及び傷の発生を抑制することができ、好ましい。また、表面保護層としては、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）、酸化アルミニウム（ＡｌＯ_ｘ）、ポリエステル系材料、またはポリカーボネート系材料などを用いてもよい。なお、表面保護層には、可視光に対する透過率が高い材料を用いることが好ましい。また、表面保護層には、硬度が高い材料を用いることが好ましい。

基板１２０には、ガラス、石英、セラミックス、サファイア、樹脂、金属、合金、半導体などを用いることができる。発光デバイスからの光を取り出す側の基板には、該光を透過する材料を用いる。基板１２０に可撓性を有する材料を用いると、表示装置の可撓性を高め、フレキシブルディスプレイを実現することができる。また、基板１２０として偏光板を用いてもよい。

基板１２０としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂（ナイロン、アラミド等）、ポリシロキサン樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂、ＡＢＳ樹脂、セルロースナノファイバー等を用いることができる。基板１２０に、可撓性を有する程度の厚さのガラスを用いてもよい。

なお、表示装置に円偏光板を重ねる場合、表示装置が有する基板には、光学等方性の高い基板を用いることが好ましい。光学等方性が高い基板は、複屈折が小さい（複屈折量が小さい、ともいえる）。

光学等方性が高い基板のリタデーション（位相差）値の絶対値は、３０ｎｍ以下が好ましく、２０ｎｍ以下がより好ましく、１０ｎｍ以下がさらに好ましい。

光学等方性が高いフィルムとしては、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ、セルローストリアセテートともいう）フィルム、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）フィルム、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）フィルム、及びアクリル樹脂フィルム等が挙げられる。

また、基板としてフィルムを用いる場合、フィルムが吸水することで、表示装置にしわが発生するなどの形状変化が生じる恐れがある。そのため、基板には、吸水率の低いフィルムを用いることが好ましい。例えば、吸水率が１％以下のフィルムを用いることが好ましく、０．１％以下のフィルムを用いることがより好ましく、０．０１％以下のフィルムを用いることがさらに好ましい。

樹脂層１２２としては、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤としてはエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シート等を用いてもよい。

トランジスタのゲート、ソース及びドレインのほか、表示装置を構成する各種配線及び電極などの導電層に用いることのできる材料としては、例えば、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、及びタングステンなどの金属、並びに、当該金属を主成分とする合金が挙げられる。これらの材料を含む膜を単層で、または積層構造として用いることができる。

また、透光性を有する導電材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを含む酸化亜鉛などの導電性酸化物またはグラフェンを用いることができる。または、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、及びチタンなどの金属材料、または、該金属材料を含む合金材料を用いることができる。または、該金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）などを用いてもよい。なお、金属材料、または、合金材料（またはそれらの窒化物）を用いる場合には、透光性を有する程度に薄くすることが好ましい。また、上記材料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金とインジウムスズ酸化物の積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。これらは、表示装置を構成する各種配線及び電極などの導電層、及び、発光デバイスが有する導電層（画素電極または対向電極として機能する導電層）にも用いることができる。

各絶縁層に用いることのできる絶縁材料としては、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂などの樹脂、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機絶縁材料が挙げられる。

図１０Ａに、図３Ａとは異なる表示装置１００の上面図を示す。図１０Ａに示す画素１１０は、副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄの、４種類の副画素から構成される。

副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄは、それぞれ異なる色の光を発する発光デバイスを有する構成とすることができる。例えば、副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄとしては、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｗの４色の副画素、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｙの４色の副画素、及び、Ｒ、Ｇ、Ｂ、ＩＲの４つの副画素などが挙げられる。

また、本発明の一態様の表示装置は、画素に、受光デバイスを有していてもよい。

図１０Ａに示す画素１１０が有する４つの副画素のうち、３つを、発光デバイスを有する構成とし、残りの１つを、受光デバイスを有する構成としてもよい。

受光デバイスとしては、例えば、ｐｎ型またはｐｉｎ型のフォトダイオードを用いることができる。受光デバイスは、受光デバイスに入射する光を検出し電荷を発生させる光電変換デバイス（光電変換素子ともいう）として機能する。受光デバイスに入射する光量に基づき、受光デバイスから発生する電荷量が決まる。

受光デバイスは、可視光及び赤外光の一方または双方を検出することができる。可視光を検出する場合、例えば、青色、紫色、青紫色、緑色、黄緑色、黄色、橙色、赤色などの光のうち一つまたは複数を検出することができる。赤外光を検出する場合、暗い場所でも対象物の検出が可能となり、好ましい。

特に、受光デバイスとして、有機化合物を含む層を有する有機フォトダイオードを用いることが好ましい。有機フォトダイオードは、薄型化、軽量化、及び大面積化が容易であり、また、形状及びデザインの自由度が高いため、様々な表示装置に適用できる。

本発明の一態様では、発光デバイスとして有機ＥＬデバイスを用い、受光デバイスとして有機フォトダイオードを用いる。有機ＥＬデバイス及び有機フォトダイオードは、同一基板上に形成することができる。したがって、有機ＥＬデバイスを用いた表示装置に有機フォトダイオードを内蔵することができる。

受光デバイスは、画素電極と共通電極との間に逆バイアスをかけて駆動することで、受光デバイスに入射する光を検出し、電荷を発生させ、電流として取り出すことができる。

受光デバイスについても、発光デバイスと同様の作製方法を適用することができる。受光デバイスが有する島状の活性層（光電変換層ともいう）は、ファインメタルマスクを用いて形成されるのではなく、活性層となる膜を一面に成膜した後に加工することで形成されるため、島状の活性層を均一の厚さで形成することができる。また、活性層上にマスク層を設けることで、表示装置の作製工程中に活性層が受けるダメージを低減し、受光デバイスの信頼性を高めることができる。

受光デバイスの構成及び材料については、実施の形態７を参照することができる。

図１０Ｂに、図１０Ａにおける一点鎖線Ｘ３−Ｘ４間の断面図を示す。なお、図１０Ａにおける一点鎖線Ｘ１−Ｘ２間の断面図は、図３Ｂを参照でき、一点鎖線Ｙ１−Ｙ２間の断面図は、図９Ａまたは図９Ｂを参照できる。

図１０Ｂに示すように、表示装置１００は、トランジスタを含む層１０１上に、絶縁層が設けられ、絶縁層上に発光デバイス１３０ａ及び受光デバイス１５０が設けられ、発光デバイス及び受光デバイスを覆うように保護層１３１が設けられ、樹脂層１２２によって基板１２０が貼り合わされている。また、隣り合う発光デバイスと受光デバイスの間の領域には、絶縁層１２５と、絶縁層１２５上の絶縁層１２７と、が設けられている。

図１０Ｂでは、発光デバイス１３０ａが、基板１２０側に発する光（光Ｌｅｍ）、受光デバイス１５０に、基板１２０側から入射する光（光Ｌｉｎ）の例を示す。

発光デバイス１３０ａの構成は、前述の通りである。

受光デバイス１５０は、絶縁層２５５ｃ上の画素電極１１１ｄと、画素電極１１１ｄ上の第４の層１１３ｄと、第４の層１１３ｄ上の共通層１１４と、共通層１１４上の共通電極１１５と、を有する。第４の層１１３ｄは少なくとも活性層を含む。

第４の層１１３ｄは、受光デバイス１５０に設けられ、発光デバイスには設けられない層である。一方、共通層１１４は、発光デバイスと受光デバイスが共有する一続きの層である。

ここで、受光デバイスと発光デバイスが共通で有する層は、発光デバイスにおける機能と受光デバイスにおける機能とが異なる場合がある。本明細書中では、発光デバイスにおける機能に基づいて構成要素を呼称することがある。例えば、正孔注入層は、発光デバイスにおいて正孔注入層として機能し、受光デバイスにおいて正孔輸送層として機能する。同様に、電子注入層は、発光デバイスにおいて電子注入層として機能し、受光デバイスにおいて電子輸送層として機能する。また、受光デバイスと発光デバイスが共通で有する層は、発光デバイスにおける機能と受光デバイスにおける機能とが同一である場合もある。正孔輸送層は、発光デバイス及び受光デバイスのいずれにおいても、正孔輸送層として機能し、電子輸送層は、発光デバイス及び受光デバイスのいずれにおいても、電子輸送層として機能する。

第１の層１１３ａと絶縁層１２５との間にはマスク層１１８ａが位置し、第４の層１１３ｄと絶縁層１２５との間にはマスク層１１８ｄが位置する。マスク層１１８ａは、第１の層１１３ａを加工する際に第１の層１１３ａ上に設けたマスク層の一部が残存しているものである。また、マスク層１１８ｄは、活性層を含む層である第４の層１１３ｄを加工する際に第４の層１１３ｄの上面に接して設けたマスク層の一部が残存しているものである。マスク層１１８ａとマスク層１１８ｄは同じ材料を有していてもよく、異なる材料を有していてもよい。

図１０Ａでは、副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃに比べて副画素１１０ｄの開口率（サイズ、発光領域または受光領域のサイズともいえる）が大きい例を示すが、本発明の一態様はこれに限定されない。副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄの開口率は、それぞれ適宜決定することができる。副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄの開口率は、それぞれ、異なっていてもよく、２つ以上が等しいまたは概略等しくてもよい。

副画素１１０ｄは、副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃの少なくとも一つよりも開口率が高くてもよい。副画素１１０ｄの受光面積が広いことで、対象物の検出をより容易にできる場合がある。例えば、表示装置の精細度、及び、副画素の回路構成等によっては、副画素１１０ｄの開口率が、他の副画素の開口率に比べて高くなる場合がある。

また、副画素１１０ｄは、副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃの少なくとも一つよりも開口率が低くてもよい。副画素１１０ｄの受光面積が狭いと、撮像範囲が狭くなり、撮像結果のボケの抑制、及び、解像度の向上が可能となる。そのため、高精細または高解像度の撮像を行うことができ、好ましい。

このように、副画素１１０ｄは、用途に合った検出波長、精細度、及び、開口率とすることができる。

本発明の一態様の表示装置は、発光デバイスごとにＥＬ層が島状に設けられていることで、副画素間にリーク電流が発生することを抑制することができる。これにより、意図しない発光に起因したクロストークを防ぐことができ、コントラストの極めて高い表示装置を実現できる。また、隣り合う島状のＥＬ層の間に、端部にテーパ形状を有する絶縁層を設けることで、共通電極の形成時に段切れが生じることを抑制し、また、共通電極に局所的に膜厚が薄い箇所が形成されることを防ぐことができる。これにより、共通層及び共通電極において、分断された箇所に起因する接続不良、及び局所的に膜厚が薄い箇所に起因する電気抵抗の上昇が発生することを抑制できる。これにより、本発明の一態様の表示装置は、高精細化と高い表示品位の両立が可能となる。

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。また、本明細書において、１つの実施の形態の中に、複数の構成例が示される場合は、構成例を適宜組み合わせることが可能である。

（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の作製方法について図１１乃至図１６を用いて説明する。なお、各要素の材料及び形成方法について、先に実施の形態１で説明した部分と同様の部分については説明を省略することがある。

図１１乃至図１５には、図３Ａに示す一点鎖線Ｘ１−Ｘ２間の断面図と、一点鎖線Ｙ１−Ｙ２間の断面図と、を並べて示す。図１６には、絶縁層１２７の端部とその近傍の拡大図を示す。

表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、及び、導電膜等）は、スパッタリング法、化学気相堆積（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、真空蒸着法、パルスレーザー堆積（ＰＬＤ：Ｐｕｌｓｅｄ　Ｌａｓｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、原子層堆積（ＡＬＤ）法等を用いて形成することができる。ＣＶＤ法としては、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ：Ｐｌａｓｍａ　Ｅｎｈａｎｃｅｄ　ＣＶＤ）法、及び、熱ＣＶＤ法などがある。また、熱ＣＶＤ法のひとつに、有機金属化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ　Ｏｒｇａｎｉｃ　ＣＶＤ）法がある。

また、表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、及び、導電膜等）は、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドクターナイフ法、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、またはナイフコート等の湿式の成膜方法により形成することができる。

特に、発光デバイスの作製には、蒸着法などの真空プロセス、及び、スピンコート法、インクジェット法などの溶液プロセスを用いることができる。蒸着法としては、スパッタリング法、イオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法、分子線蒸着法、真空蒸着法などの物理蒸着法（ＰＶＤ法）、及び、化学蒸着法（ＣＶＤ法）等が挙げられる。特にＥＬ層に含まれる機能層（正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、発光層、電子ブロック層、電子輸送層、電子注入層、電荷発生層など）については、蒸着法（真空蒸着法等）、塗布法（ディップコート法、ダイコート法、バーコート法、スピンコート法、スプレーコート法等）、印刷法（インクジェット法、スクリーン（孔版印刷）法、オフセット（平版印刷）法、フレキソ（凸版印刷）法、グラビア法、または、マイクロコンタクト法等）などの方法により形成することができる。

また、表示装置を構成する薄膜を加工する際には、フォトリソグラフィ法等を用いることができる。または、ナノインプリント法、サンドブラスト法、リフトオフ法などにより薄膜を加工してもよい。また、メタルマスクなどの遮蔽マスクを用いた成膜方法により、島状の薄膜を直接形成してもよい。

フォトリソグラフィ法としては、代表的には以下の２つの方法がある。１つは、加工したい薄膜上にレジストマスクを形成して、エッチング等により当該薄膜を加工し、レジストマスクを除去する方法である。もう１つは、感光性を有する薄膜を成膜した後に、露光、現像を行って、当該薄膜を所望の形状に加工する方法である。

フォトリソグラフィ法において、露光に用いる光は、例えばｉ線（波長３６５ｎｍ）、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）、またはこれらを混合させた光を用いることができる。そのほか、紫外線（紫外光ともいう）、ＫｒＦレーザ光、またはＡｒＦレーザ光等を用いることもできる。また、液浸露光技術により露光を行ってもよい。また、露光に用いる光として、極端紫外（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ　Ｕｌｔｒａ−ｖｉｏｌｅｔ）光、またはＸ線を用いてもよい。また、露光に用いる光に換えて、電子ビームを用いることもできる。極端紫外光、Ｘ線または電子ビームを用いると、極めて微細な加工が可能となるため好ましい。なお、電子ビームなどのビームを走査することにより露光を行う場合には、フォトマスクは不要である。

薄膜のエッチングには、ドライエッチング法、ウェットエッチング法、サンドブラスト法などを用いることができる。

まず、トランジスタを含む層１０１上に、絶縁層２５５ａ、絶縁層２５５ｂ、及び絶縁層２５５ｃをこの順で形成する。続いて、絶縁層２５５ｃ上に、画素電極１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ及び導電層１２３を形成する。（図１１Ａ）。画素電極の形成には、例えば、スパッタリング法または真空蒸着法を用いることができる。

続いて、画素電極の疎水化処理を行うことが好ましい。画素電極の疎水化処理を行うことで、画素電極と、後の工程で形成される膜（ここでは膜１１３Ａ）と、の密着性を高め、膜剥がれを抑制することができる。なお、疎水化処理は行わなくてもよい。

疎水化処理は、例えば画素電極へのフッ素修飾により行うことができる。フッ素修飾は例えば、フッ素を含むガスによる処理または加熱処理、フッ素を含むガス雰囲気中におけるプラズマ処理等により行うことができる。フッ素を含むガスとして、例えばフッ素ガスを用いることができ、例えばフルオロカーボンガスを用いることができる。フルオロカーボンガスとして、例えば四フッ化炭素（ＣＦ_４）ガス、Ｃ_４Ｆ_６ガス、Ｃ_２Ｆ_６ガス、Ｃ_４Ｆ_８ガス、Ｃ_５Ｆ_８ガス等の低級フッ化炭素ガスを用いることができる。また、フッ素を含むガスとして、例えばＳＦ_６ガス、ＮＦ_３ガス、ＣＨＦ_３ガス等を用いることができる。また、これらのガスに、ヘリウムガス、アルゴンガス、または水素ガス等を適宜添加することができる。

また、画素電極の表面に対して、アルゴン等の第１８族元素を含むガス雰囲気中におけるプラズマ処理を行った後、シリル化剤を用いた処理を行うことで、画素電極の表面を疎水化することができる。シリル化剤として、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、トリメチルシリルイミダゾール（ＴＭＳＩ）等を用いることができる。さらに、画素電極の表面に対して、アルゴン等の第１８族元素を含むガス雰囲気中におけるプラズマ処理を行った後、シランカップリング剤を用いた処理を行うことでも、画素電極の表面を疎水化することができる。

画素電極の表面に対して、アルゴン等の第１８族元素を含むガス雰囲気中におけるプラズマ処理を行うことにより、画素電極の表面に対してダメージを与えることができる。これにより、ＨＭＤＳ等のシリル化剤に含まれるメチル基が、画素電極の表面に結合しやすくなる。また、シランカップリング剤によるシランカップリングが発生しやすくなる。以上により、画素電極の表面に対して、アルゴン等の第１８族元素を含むガス雰囲気中におけるプラズマ処理を行った後、シリル化剤、またはシランカップリング剤を用いた処理を行うことで、画素電極の表面を疎水化することができる。

シリル化剤、またはシランカップリング剤等を用いた処理は、例えばスピンコート法、またはディップ法等を用いてシリル化剤、またはシランカップリング剤等を塗布することにより行うことができる。また、シリル化剤、またはシランカップリング剤等を用いた処理は、例えば気相法を用いて、画素電極上等にシリル化剤を有する膜、またはシランカップリング剤を有する膜等を形成することにより行うことができる。気相法では、まず、シリル化剤を有する材料、またはシランカップリング剤を有する材料等を揮発させることにより、シリル化剤、またはシランカップリング剤等を雰囲気中に含ませる。続いて、当該雰囲気中に、画素電極等が形成されている基板をおく。これにより、画素電極上に、シリル化剤、またはシランカップリング剤等を有する膜を形成することができ、画素電極の表面を疎水化することができる。

続いて、後に第１の層１１３ａとなる膜１１３Ａを、画素電極上に形成する（図１１Ａ）。

図１１Ａに示すように、一点鎖線Ｙ１−Ｙ２間の断面図において、導電層１２３上には、膜１１３Ａを形成していない。例えば、成膜エリアを規定するためのマスク（ファインメタルマスクと区別して、エリアマスク、またはラフメタルマスクなどともいう）を用いることで、膜１１３Ａを所望の領域にのみ成膜することができる。エリアマスクを用いた成膜工程と、レジストマスクを用いた加工工程と、を採用することで、比較的簡単なプロセスにて発光デバイスを作製することができる。

膜１１３Ａは、例えば、蒸着法、具体的には真空蒸着法により形成することができる。また、膜１１３Ａは、転写法、印刷法、インクジェット法、または塗布法等の方法で形成してもよい。

続いて、膜１１３Ａ上、及び導電層１２３上に、後にマスク層１１８ａとなるマスク膜１１８Ａと、後にマスク層１１９ａとなるマスク膜１１９Ａと、を順に形成する（図１１Ａ）。

なお、本実施の形態では、マスク膜１１８Ａとマスク膜１１９Ａの２層構造でマスク膜を形成する例を示すが、マスク膜は単層構造であってもよく、３層以上の積層構造であってもよい。

膜１１３Ａ上にマスク層を設けることで、表示装置の作製工程中に膜１１３Ａが受けるダメージを低減し、発光デバイスの信頼性を高めることができる。

マスク膜１１８Ａには、膜１１３Ａの加工条件に対する耐性の高い膜、具体的には、膜１１３Ａとのエッチングの選択比が大きい膜を用いる。マスク膜１１９Ａには、マスク膜１１８Ａとのエッチングの選択比が大きい膜を用いる。

また、マスク膜１１８Ａ及びマスク膜１１９Ａは、膜１１３Ａの耐熱温度よりも低い温度で形成する。マスク膜１１８Ａ及びマスク膜１１９Ａを形成する際の基板温度としては、それぞれ、代表的には、２００℃以下、好ましくは１５０℃以下、より好ましくは１２０℃以下、より好ましくは１００℃以下、さらに好ましくは８０℃以下である。

耐熱温度の指標としては、例えば、ガラス転移点、軟化点、融点、熱分解温度、及び、５％重量減少温度等が挙げられる。膜１１３Ａ乃至膜１１３Ｃ（つまり第１の層１１３ａ乃至第３の層１１３ｃ）の耐熱温度としては、これらのいずれかの温度、好ましくはこれらのうち最も低い温度とすることができる。

マスク膜１１８Ａ及びマスク膜１１９Ａには、ウェットエッチング法により除去できる膜を用いることが好ましい。ウェットエッチング法を用いることで、ドライエッチング法を用いる場合に比べて、マスク膜１１８Ａ及びマスク膜１１９Ａの加工時に、膜１１３Ａに加わるダメージを低減することができる。

マスク膜１１８Ａ及びマスク膜１１９Ａの形成には、例えば、スパッタリング法、ＡＬＤ法（熱ＡＬＤ法、ＰＥＡＬＤ法を含む）、ＣＶＤ法、真空蒸着法を用いることができる。また、前述の湿式の成膜方法を用いて形成してもよい。

なお、膜１１３Ａ上に接して形成されるマスク膜１１８Ａは、マスク膜１１９Ａよりも、膜１１３Ａへのダメージが少ない形成方法を用いて形成されることが好ましい。例えば、スパッタリング法よりも、ＡＬＤ法または真空蒸着法を用いて、マスク膜１１８Ａを形成することが好ましい。

マスク膜１１８Ａ及びマスク膜１１９Ａとしては、それぞれ、例えば、金属膜、合金膜、金属酸化物膜、半導体膜、有機絶縁膜、及び、無機絶縁膜等のうち一種または複数種を用いることができる。

マスク膜１１８Ａ及びマスク膜１１９Ａには、それぞれ、例えば、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、チタン、アルミニウム、イットリウム、ジルコニウム、及びタンタル等の金属材料、または該金属材料を含む合金材料を用いることができる。特に、アルミニウムまたは銀等の低融点材料を用いることが好ましい。マスク膜１１８Ａ及びマスク膜１１９Ａの一方または双方に紫外光を遮蔽することが可能な金属材料を用いることで、膜１１３Ａに紫外光が照射されることを抑制でき、膜１１３Ａの劣化を抑制できるため、好ましい。

また、マスク膜１１８Ａ及びマスク膜１１９Ａには、それぞれ、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物、酸化インジウム、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ酸化物、インジウムチタン酸化物（Ｉｎ−Ｔｉ酸化物）、インジウムスズ亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ酸化物）、インジウムチタン亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｔｉ−Ｚｎ酸化物）、インジウムガリウムスズ亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｎ−Ｚｎ酸化物）、シリコンを含むインジウムスズ酸化物等の金属酸化物を用いることができる。

なお、上記ガリウムに代えて元素Ｍ（Ｍは、アルミニウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムから選ばれた一種または複数種）を用いてもよい。

また、マスク膜として、光、特に紫外光に対して遮光性を有する材料を含む膜を用いることができる。例えば、紫外光に対して反射性を有する膜、または紫外光を吸収する膜を用いることができる。遮光性を有する材料としては、紫外光に対して遮光性のある金属、絶縁体、半導体、及び半金属など、様々な材料を用いることができるが、当該マスク膜の一部または全部は、後の工程で除去するため、エッチングによる加工が可能である膜であることが好ましく、特に加工性が良好であることが好ましい。

例えば、半導体の製造プロセスと親和性の高い材料として、シリコンまたはゲルマニウムなどの半導体材料を用いることができる。または、上記半導体材料の酸化物または窒化物を用いることができる。または、炭素などの非金属材料、半金属材料、またはその化合物を用いることができる。または、チタン、タンタル、タングステン、クロム、アルミニウムなどの金属、またはこれらの一以上を含む合金が挙げられる。または、酸化チタンもしくは酸化クロムなどの上記金属を含む酸化物、または窒化チタン、窒化クロム、もしくは窒化タンタルなどの窒化物を用いることができる。

マスク膜に、紫外光に対して遮光性を有する材料を含む膜を用いることで、露光工程などでＥＬ層に紫外光が照射されることを抑制できる。ＥＬ層が紫外光によってダメージを受けることを抑制することで、発光デバイスの信頼性を高めることができる。

なお、紫外光に対して遮光性を有する材料を含む膜は、後述する絶縁膜１２５Ａの材料として用いても、同様の効果を奏する。

また、マスク膜１１８Ａ及びマスク膜１１９Ａとしては、それぞれ、保護層１３１に用いることができる各種無機絶縁膜を用いることができる。特に、酸化絶縁膜は、窒化絶縁膜に比べて膜１１３Ａとの密着性が高く好ましい。例えば、マスク膜１１８Ａ及びマスク膜１１９Ａには、それぞれ、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化シリコン等の無機絶縁材料を用いることができる。マスク膜１１８Ａ及びマスク膜１１９Ａとして、例えば、ＡＬＤ法を用いて、酸化アルミニウム膜を形成することができる。ＡＬＤ法を用いることで、下地（特にＥＬ層）へのダメージを低減できるため好ましい。

例えば、マスク膜１１８Ａとして、ＡＬＤ法を用いて形成した無機絶縁膜（例えば、酸化アルミニウム膜）を用い、マスク膜１１９Ａとして、スパッタリング法を用いて形成した無機膜（例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物膜、アルミニウム膜、またはタングステン膜）を用いることができる。

なお、マスク膜１１８Ａと、後に形成する絶縁層１２５との双方に、同じ無機絶縁膜を用いることができる。例えば、マスク膜１１８Ａと絶縁層１２５との双方に、ＡＬＤ法を用いて形成した酸化アルミニウム膜を用いることができる。ここで、マスク膜１１８Ａと、絶縁層１２５とで、同じ成膜条件を適用してもよく、互いに異なる成膜条件を適用してもよい。例えば、マスク膜１１８Ａを、絶縁層１２５と同様の条件で成膜することで、マスク膜１１８Ａを、水及び酸素の少なくとも一方に対するバリア性の高い絶縁層とすることができる。一方で、マスク膜１１８Ａは後の工程で大部分または全部を除去する層であるため、加工が容易であることが好ましい。そのため、マスク膜１１８Ａは、絶縁層１２５と比べて、成膜時の基板温度が低い条件で成膜することが好ましい。

マスク膜１１８Ａ及びマスク膜１１９Ａの一方または双方に、有機材料を用いてもよい。例えば、有機材料として、少なくとも膜１１３Ａの最上部に位置する膜に対して、化学的に安定な溶媒に溶解しうる材料を用いてもよい。特に、水またはアルコールに溶解する材料を好適に用いることができる。このような材料の成膜の際には、水またはアルコール等の溶媒に溶解させた状態で、湿式の成膜方法で塗布した後に、溶媒を蒸発させるための加熱処理を行うことが好ましい。このとき、減圧雰囲気下での加熱処理を行うことで、低温且つ短時間で溶媒を除去できるため、膜１１３Ａへの熱的なダメージを低減することができ、好ましい。

マスク膜１１８Ａ及びマスク膜１１９Ａには、それぞれ、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルブチラル、ポリビニルピロリドン、ポリエチレングリコール、ポリグリセリン、プルラン、水溶性のセルロース、アルコール可溶性のポリアミド樹脂、または、パーフルオロポリマーなどのフッ素樹脂等の有機樹脂を用いてもよい。

例えば、マスク膜１１８Ａとして、蒸着法または上記湿式の成膜方法のいずれかを用いて形成した有機膜（例えば、ＰＶＡ膜）を用い、マスク膜１１９Ａとして、スパッタリング法を用いて形成した無機膜（例えば、窒化シリコン膜）を用いることができる。

なお、実施の形態１で説明した通り、本発明の一態様の表示装置には、マスク膜の一部がマスク層として残存する場合がある。

続いて、マスク膜１１９Ａ上にレジストマスク１９０ａを形成する（図１１Ａ）。レジストマスク１９０ａは、感光性の樹脂（フォトレジスト）を塗布し、露光及び現像を行うことで形成することができる。

レジストマスク１９０ａは、ポジ型のレジスト材料及びネガ型のレジスト材料のどちらを用いて作製してもよい。

レジストマスク１９０ａは、画素電極１１１ａと重なる位置に設ける。レジストマスク１９０ａは、導電層１２３と重なる位置にも設けることが好ましい。これにより、導電層１２３が表示装置の作製工程中にダメージを受けることを抑制できる。なお、導電層１２３上にレジストマスク１９０ａを設けなくてもよい。

また、レジストマスク１９０ａは、図１１ＡのＹ１−Ｙ２間の断面図に示すように、第１の層１１３ａの端部から導電層１２３の端部（第１の層１１３ａ側の端部）までを覆うように設けることが好ましい。これにより、マスク膜１１８Ａ及びマスク膜１１９Ａを加工した後でも、マスク層１１８ａ、１１９ａの端部と第１の層１１３ａの端部とが重なる。また、マスク層１１８ａ、１１９ａが、第１の層１１３ａの端部から導電層１２３の端部（第１の層１１３ａ側の端部）までを覆うように設けられるため、絶縁層２５５ｃが露出することを抑制することができる（図１１ＣのＹ１−Ｙ２間の断面図参照）。これにより、絶縁層２５５ａ乃至２５５ｃ、及び、トランジスタを含む層１０１に含まれる絶縁層の一部がエッチング等により除去され、トランジスタを含む層１０１に含まれる導電層が露出することを防ぐことができる。そのため、当該導電層が、意図せず、他の導電層と電気的に接続されることを抑制できる。例えば、当該導電層と共通電極１１５との間のショートを抑制できる。

続いて、レジストマスク１９０ａを用いて、マスク膜１１９Ａの一部を除去し、マスク層１１９ａを形成する（図１１Ｂ）。マスク層１１９ａは、画素電極１１１ａ上と、導電層１２３上と、に残存する。その後、レジストマスク１９０ａを除去する。続いて、マスク層１１９ａをマスク（ハードマスクともいう）に用いて、マスク膜１１８Ａの一部を除去し、マスク層１１８ａを形成する（図１１Ｃ）。

マスク膜１１８Ａ及びマスク膜１１９Ａは、それぞれ、ウェットエッチング法またはドライエッチング法により加工することができる。マスク膜１１８Ａ及びマスク膜１１９Ａの加工は、異方性エッチングにより行うことが好ましい。

ウェットエッチング法を用いることで、ドライエッチング法を用いる場合に比べて、マスク膜１１８Ａ及びマスク膜１１９Ａの加工時に、膜１１３Ａに加わるダメージを低減することができる。ウェットエッチング法を用いる場合、例えば、現像液、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）水溶液、希フッ酸、シュウ酸、リン酸、酢酸、硝酸、またはこれらの混合液体を用いた薬液等を用いることが好ましい。

マスク膜１１９Ａの加工においては、膜１１３Ａが露出しないため、マスク膜１１８Ａの加工よりも、加工方法の選択の幅は広い。具体的には、マスク膜１１９Ａの加工の際に、エッチングガスに酸素を含むガスを用いた場合でも、膜１１３Ａの劣化をより抑制することができる。

また、マスク膜１１８Ａの加工においてドライエッチング法を用いる場合は、エッチングガスに酸素を含むガスを用いないことで、膜１１３Ａの劣化を抑制することができる。ドライエッチング法を用いる場合、例えば、ＣＦ_４、Ｃ_４Ｆ_８、ＳＦ_６、ＣＨＦ_３、Ｃｌ_２、Ｈ_２Ｏ、ＢＣｌ_３、またはＨｅ等の貴ガス（希ガスともいう）を含むガスをエッチングガスに用いることが好ましい。

例えば、マスク膜１１８Ａとして、ＡＬＤ法を用いて形成した酸化アルミニウム膜を用いる場合、ＣＨＦ_３とＨｅ、または、ＣＨＦ_３とＨｅとＣＨ_４を用いて、ドライエッチング法によりマスク膜１１８Ａを加工することができる。また、マスク膜１１９Ａとして、スパッタリング法を用いて形成したＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物膜を用いる場合、希釈リン酸を用いて、ウェットエッチング法によりマスク膜１１９Ａを加工することができる。または、ＣＨ_４とＡｒを用いて、ドライエッチング法により加工してもよい。または、希釈リン酸を用いて、ウェットエッチング法によりマスク膜１１９Ａを加工することができる。また、マスク膜１１９Ａとして、スパッタリング法を用いて形成したタングステン膜を用いる場合、ＳＦ_６、ＣＦ_４とＯ_２、またはＣＦ_４とＣｌ_２とＯ_２を用いて、ドライエッチング法によりマスク膜１１９Ａを加工することができる。

レジストマスク１９０ａは、例えば、酸素プラズマを用いたアッシング等により除去することができる。または、酸素ガスと、ＣＦ_４、Ｃ_４Ｆ_８、ＳＦ_６、ＣＨＦ_３、Ｃｌ_２、Ｈ_２Ｏ、ＢＣｌ_３、またはＨｅ等の貴ガスと、を用いてもよい。または、ウェットエッチングにより、レジストマスク１９０ａを除去してもよい。このとき、マスク膜１１８Ａが最表面に位置し、膜１１３Ａは露出していないため、レジストマスク１９０ａの除去工程において、膜１１３Ａにダメージが入ることを抑制することができる。また、レジストマスク１９０ａの除去方法の選択の幅を広げることができる。

続いて、膜１１３Ａを加工して、第１の層１１３ａを形成する。例えば、マスク層１１９ａ及びマスク層１１８ａをハードマスクに用いて、膜１１３Ａの一部を除去し、第１の層１１３ａを形成する（図１１Ｃ）。

これにより、図１１Ｃに示すように、画素電極１１１ａ上に、第１の層１１３ａ、マスク層１１８ａ、及び、マスク層１１９ａの積層構造が残存する。また、画素電極１１１ｂ及び画素電極１１１ｃは露出する。

図１１Ｃでは、第１の層１１３ａの端部が、画素電極１１１ａの端部よりも外側に位置する例を示す。このような構成とすることで、画素の開口率を高くすることができる。なお、図１１Ｃでは図示していないが、上記エッチング処理によって、絶縁層２５５ｃの第１の層１１３ａと重畳しない領域に凹部が形成される場合がある。

また、第１の層１１３ａが画素電極１１１ａの上面及び側面を覆うことにより、画素電極１１１ａを露出させずに、以降の工程を行うことができる。画素電極１１１ａの端部が露出していると、エッチング工程などにおいて腐食が生じる場合がある。画素電極１１１ａの腐食により生じた生成物は不安定な場合があり、例えばウェットエッチングの場合には溶液中に溶解し、ドライエッチングの場合には、雰囲気中に飛散する懸念がある。生成物の溶液中への溶解、または、雰囲気中への飛散により、例えば、被処理面、及び、第１の層１１３ａの側面などに生成物が付着し、発光デバイスの特性に悪影響を及ぼす、または、複数の発光デバイスの間にリークパスを形成する可能性がある。また、画素電極１１１ａの端部が露出している領域では、互いに接する層同士の密着性が低下し、第１の層１１３ａまたは画素電極１１１ａの膜剥がれが生じやすくなる恐れがある。

よって、第１の層１１３ａが画素電極１１１ａの上面及び側面を覆う構成とすることにより、例えば、発光デバイスの歩留まり及び特性を向上させることができる。

また、接続部１４０に相当する領域では、導電層１２３上にマスク層１１８ａとマスク層１１９ａとの積層構造が残存する。

なお、前述の通り、図１１ＣのＹ１−Ｙ２間の断面図において、マスク層１１８ａ、１１９ａは、第１の層１１３ａの端部と導電層１２３の端部を覆うように設けられ、絶縁層２５５ｃが露出していない。したがって、絶縁層２５５ａ乃至２５５ｃ、及び、トランジスタを含む層１０１に含まれる絶縁層の一部がエッチング等により除去され、トランジスタを含む層１０１に含まれる導電層が露出することを防ぐことができる。そのため、当該導電層が、意図せず、他の導電層と電気的に接続されることを抑制できる。

膜１１３Ａの加工は、異方性エッチングにより行うことが好ましい。特に、異方性のドライエッチングが好ましい。または、ウェットエッチングを用いてもよい。

ドライエッチング法を用いる場合は、エッチングガスに酸素を含むガスを用いないことで、膜１１３Ａの劣化を抑制することができる。

また、エッチングガスに酸素を含むガスを用いてもよい。エッチングガスが酸素を含むことで、エッチングの速度を速めることができる。したがって、エッチング速度を十分な速さに維持しつつ、低パワーの条件でエッチングを行うことができる。そのため、膜１１３Ａに与えるダメージを抑制することができる。さらに、エッチング時に生じる反応生成物の付着等の不具合を抑制することができる。

ドライエッチング法を用いる場合、例えば、Ｈ_２、ＣＦ_４、Ｃ_４Ｆ_８、ＳＦ_６、ＣＨＦ_３、Ｃｌ_２、Ｈ_２Ｏ、ＢＣｌ_３、またはＨｅ、Ａｒ等の貴ガスのうち、一種以上を含むガスをエッチングガスに用いることが好ましい。または、これらの一種以上と、酸素を含むガスをエッチングガスに用いることが好ましい。または、酸素ガスをエッチングガスに用いてもよい。具体的には、例えば、Ｈ_２とＡｒを含むガス、または、ＣＦ_４とＨｅを含むガスをエッチングガスに用いることができる。また、例えば、ＣＦ_４、Ｈｅ、及び酸素を含むガスをエッチングガスに用いることができる。また、例えば、Ｈ_２とＡｒを含むガス、及び酸素を含むガスをエッチングガスに用いることができる。

以上のように、本発明の一態様では、マスク膜１１９Ａ上にレジストマスク１９０ａを形成し、レジストマスク１９０ａを用いて、マスク膜１１９Ａの一部を除去することにより、マスク層１１９ａを形成する。その後、マスク層１１９ａをハードマスクに用いて、膜１１３Ａの一部を除去することにより、第１の層１１３ａを形成する。よって、フォトリソグラフィ法を用いて膜１１３Ａを加工することにより、第１の層１１３ａが形成されるということができる。なお、レジストマスク１９０ａを用いて、膜１１３Ａの一部を除去してもよい。その後、レジストマスク１９０ａを除去してもよい。

次に、画素電極の疎水化処理を行うことが好ましい。膜１１３Ａの加工時に、画素電極の表面状態が親水性に変化する場合がある。画素電極の疎水化処理を行うことで、画素電極と後の工程で形成される膜（ここでは膜１１３Ｂ）との密着性を高め、膜剥がれを抑制することができる。なお、疎水化処理は行わなくてもよい。

続いて、後に第２の層１１３ｂとなる膜１１３Ｂを、画素電極１１１ｂ、１１１ｃ上、マスク層１１９ａ上に形成する（図１２Ａ）。

膜１１３Ｂは、膜１１３Ａの形成に用いることができる方法と同様の方法で形成することができる。

続いて、膜１１３Ｂ上に、後にマスク層１１８ｂとなるマスク膜１１８Ｂと、後にマスク層１１９ｂとなるマスク膜１１９Ｂと、を順に形成し、その後、レジストマスク１９０ｂを形成する（図１２Ａ）。マスク膜１１８Ｂ及びマスク膜１１９Ｂの材料及び形成方法は、マスク膜１１８Ａ及びマスク膜１１９Ａに適用できる条件と同様である。レジストマスク１９０ｂの材料及び形成方法は、レジストマスク１９０ａに適用できる条件と同様である。

レジストマスク１９０ｂは、画素電極１１１ｂと重なる位置に設ける。

続いて、レジストマスク１９０ｂを用いて、マスク膜１１９Ｂの一部を除去し、マスク層１１９ｂを形成する。マスク層１１９ｂは、画素電極１１１ｂ上に残存する。その後、レジストマスク１９０ｂを除去する。続いて、マスク層１１９ｂをマスクに用いて、マスク膜１１８Ｂの一部を除去し、マスク層１１８ｂを形成する。続いて、膜１１３Ｂを加工して、第２の層１１３ｂを形成する。例えば、マスク層１１９ｂ及びマスク層１１８ｂをハードマスクに用いて、膜１１３Ｂの一部を除去し、第２の層１１３ｂを形成する（図１２Ｂ）。

これにより、図１２Ｂに示すように、画素電極１１１ｂ上に、第２の層１１３ｂ、マスク層１１８ｂ、及び、マスク層１１９ｂの積層構造が残存する。また、マスク層１１９ａ及び画素電極１１１ｃは露出する。

次に、画素電極の疎水化処理を行うことが好ましい。膜１１３Ｂの加工時に、画素電極の表面状態が親水性に変化する場合がある。画素電極の疎水化処理を行うことで、画素電極と後の工程で形成される膜（ここでは膜１１３Ｃ）との密着性を高め、膜剥がれを抑制することができる。なお、疎水化処理は行わなくてもよい。

続いて、後に第３の層１１３ｃとなる膜１１３Ｃを、画素電極１１１ｃ上、マスク層１１９ａ、１１９ｂ上に形成する（図１２Ｂ）。

膜１１３Ｃは、膜１１３Ａの形成に用いることができる方法と同様の方法で形成することができる。

続いて、膜１１３Ｃ上に、後にマスク層１１８ｃとなるマスク膜１１８Ｃと、後にマスク層１１９ｃとなるマスク膜１１９Ｃと、を順に形成し、その後、レジストマスク１９０ｃを形成する（図１２Ｂ）。マスク膜１１８Ｃ及びマスク膜１１９Ｃの材料及び形成方法は、マスク膜１１８Ａ及びマスク膜１１９Ａに適用できる条件と同様である。レジストマスク１９０ｃの材料及び形成方法は、レジストマスク１９０ａに適用できる条件と同様である。

レジストマスク１９０ｃは、画素電極１１１ｃと重なる位置に設ける。

続いて、レジストマスク１９０ｃを用いて、マスク膜１１９Ｃの一部を除去し、マスク層１１９ｃを形成する。マスク層１１９ｃは、画素電極１１１ｃ上に残存する。その後、レジストマスク１９０ｃを除去する。続いて、マスク層１１９ｃをマスクに用いて、マスク膜１１８Ｃの一部を除去し、マスク層１１８ｃを形成する。続いて、膜１１３Ｃを加工して、第３の層１１３ｃを形成する。例えば、マスク層１１９ｃ及びマスク層１１８ｃをハードマスクに用いて、膜１１３Ｃの一部を除去し、第３の層１１３ｃを形成する（図１２Ｃ）。

これにより、図１２Ｃに示すように、画素電極１１１ｃ上に、第３の層１１３ｃ、マスク層１１８ｃ、及び、マスク層１１９ｃの積層構造が残存する。また、マスク層１１９ａ、１１９ｂは露出する。

なお、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、第３の層１１３ｃの側面は、それぞれ、被形成面に対して垂直または概略垂直であることが好ましい。例えば、被形成面と、これらの側面との成す角度を、６０°以上９０°以下とすることが好ましい。

上記のように、フォトリソグラフィ法を用いて形成した第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃのうち隣接する２つの間の距離は、８μｍ以下、５μｍ以下、３μｍ以下、２μｍ以下、または、１μｍ以下にまで狭めることができる。ここで、当該距離とは、例えば、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃのうち、隣接する２つの対向する端部の間の距離で規定することができる。このように、島状のＥＬ層の間の距離を狭めることで、高い精細度と、大きな開口率を有する表示装置を提供することができる。

なお、図１０Ａ、図１０Ｂに示すように、発光デバイス及び受光デバイスの双方を有する表示装置を作製する場合には、受光デバイスが有する第４の層１１３ｄを、第１の層１１３ａ乃至第３の層１１３ｃと同様に形成する。第１の層１１３ａ乃至第４の層１１３ｄの形成順は特に限定されない。例えば、画素電極との密着性が高い層を先に形成することで、工程中の膜剥がれを抑制できる。例えば、第１の層１１３ａ乃至第３の層１１３ｃの方が、第４の層１１３ｄに比べて画素電極との密着性が高い場合は、第１の層１１３ａ乃至第３の層１１３ｃを先に形成することが好ましい。また、先に形成する層の厚さは、その後の層の形成工程において基板と成膜エリアを規定するためのマスクとの間隔に影響を与える場合がある。厚さが薄い方を先に形成することで、シャドーイング（陰部分に層が形成されること）を抑制することができる。例えば、タンデム構造の発光デバイスを形成する場合、第１の層１１３ａ乃至第３の層１１３ｃは第４の層１１３ｄよりも厚くなることが多いため、第４の層１１３ｄを先に形成することが好ましい。また、高分子材料を用いて湿式法により膜を形成する場合は、当該膜を先に形成することが好ましい。例えば、活性層に高分子材料を用いるときは、第４の層１１３ｄを先に形成することが好ましい。以上のように、材料及び成膜方法等に応じて、形成順序を決定することで、表示装置の作製における歩留まりを高めることができる。

続いて、マスク層１１９ａ、１１９ｂ、１１９ｃを除去することが好ましい（図１３Ａ）。後の工程によっては、マスク層１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃ、１１９ａ、１１９ｂ、１１９ｃが表示装置に残存する場合がある。この段階でマスク層１１９ａ、１１９ｂ、１１９ｃを除去することで、マスク層１１９ａ、１１９ｂ、１１９ｃが表示装置に残存することを抑制できる。例えば、マスク層１１９ａ、１１９ｂ、１１９ｃに導電材料を用いる場合、マスク層１１９ａ、１１９ｂ、１１９ｃを事前に除去しておくことで、残存したマスク層１１９ａ、１１９ｂ、１１９ｃによるリーク電流の発生、及び、容量の形成などを抑制できる。

なお、本実施の形態では、マスク層１１９ａ、１１９ｂ、１１９ｃを除去する場合を例に挙げて説明するが、マスク層１１９ａ、１１９ｂ、１１９ｃは除去しなくてもよい。例えば、マスク層１１９ａ、１１９ｂ、１１９ｃが、前述の、紫外光に対して遮光性を有する材料を含む場合は、除去せずに次の工程に進むことで、ＥＬ層を紫外光から保護することができ、好ましい。

マスク層の除去工程には、マスク層の加工工程と同様の方法を用いることができる。特に、ウェットエッチング法を用いることで、ドライエッチング法を用いる場合に比べて、マスク層を除去する際に、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃに加わるダメージを低減することができる。

また、マスク層を、水またはアルコールなどの溶媒に溶解させることで除去してもよい。アルコールとしては、エチルアルコール、メチルアルコール、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、またはグリセリンなどが挙げられる。

マスク層を除去した後に、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃに含まれる水、及び第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃ表面に吸着する水を除去するため、乾燥処理を行ってもよい。例えば、不活性ガス雰囲気または減圧雰囲気下における加熱処理を行うことができる。加熱処理は、基板温度として５０℃以上２００℃以下、好ましくは６０℃以上１５０℃以下、より好ましくは７０℃以上１２０℃以下の温度で行うことができる。減圧雰囲気とすることで、より低温で乾燥が可能であるため好ましい。

続いて、画素電極、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、第３の層１１３ｃ、マスク層１１８ａ、マスク層１１８ｂ、及びマスク層１１８ｃを覆うように、後に絶縁層１２５となる絶縁膜１２５Ａを形成する（図１３Ａ）。続いて、絶縁膜１２５Ａ上に絶縁膜１２７ａを形成する（図１３Ｂ）。

絶縁膜１２５Ａ及び絶縁膜１２７ａは、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃへのダメージが少ない形成方法で成膜されることが好ましい。特に、絶縁膜１２５Ａは、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃの側面に接して形成されるため、絶縁膜１２７ａよりも、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃへのダメージが少ない形成方法で成膜されることが好ましい。

また、絶縁膜１２５Ａ及び絶縁膜１２７ａは、それぞれ、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃの耐熱温度よりも低い温度で形成する。また、絶縁膜１２５Ａは成膜する際の基板温度を高くすることで、膜厚が薄くても、不純物濃度が低く、水及び酸素の少なくとも一方に対するバリア性の高い膜とすることができる。

絶縁膜１２５Ａ及び絶縁膜１２７ａを形成する際の基板温度としては、それぞれ、６０℃以上、８０℃以上、１００℃以上、または、１２０℃以上、かつ、２００℃以下、１８０℃以下、１６０℃以下、１５０℃以下、または１４０℃以下であることが好ましい。

絶縁膜１２５Ａとしては、上記の基板温度の範囲で、３ｎｍ以上、５ｎｍ以上、または、１０ｎｍ以上、かつ、２００ｎｍ以下、１５０ｎｍ以下、１００ｎｍ以下、または、５０ｎｍ以下の厚さの絶縁膜を形成することが好ましい。

絶縁膜１２５Ａは、例えば、ＡＬＤ法を用いて形成することが好ましい。ＡＬＤ法を用いることで、成膜ダメージを小さくすることができ、また、被覆性の高い膜を成膜可能なため好ましい。絶縁膜１２５Ａとしては、例えば、ＡＬＤ法を用いて、酸化アルミニウム膜を形成することが好ましい。

そのほか、絶縁膜１２５Ａは、ＡＬＤ法よりも成膜速度が速いスパッタリング法、ＣＶＤ法、または、ＰＥＣＶＤ法を用いて形成してもよい。これにより、信頼性の高い表示装置を生産性高く作製することができる。

絶縁膜１２７ａは、前述の湿式の成膜方法を用いて形成することが好ましい。絶縁膜１２７ａは、例えば、スピンコートにより、感光性の樹脂を用いて形成することが好ましく、より具体的には、感光性のアクリル樹脂を用いて形成することが好ましい。

また、絶縁膜１２７ａの形成後に加熱処理（プリベークともいう）を行うことが好ましい。当該加熱処理は、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び、第３の層１１３ｃの耐熱温度よりも低い温度で行う。加熱処理の際の基板温度としては、５０℃以上２００℃以下が好ましく、６０℃以上１５０℃以下がより好ましく、７０℃以上１２０℃以下がさらに好ましい。これにより、絶縁膜１２７ａ中に含まれる溶媒を除去することができる。

続いて、図１３Ｃに示すように、露光を行って、絶縁膜１２７ａの一部に、可視光線または紫外線を感光させる。ここで、絶縁膜１２７ａにポジ型のアクリル樹脂を用いる場合、後の工程で絶縁層１２７を形成しない領域に、マスクを用いて可視光線または紫外線を照射する。絶縁層１２７は、画素電極１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃのいずれか２つに挟まれる領域、及び、導電層１２３の周囲に形成される。そのため、図１３Ｃに示すように、画素電極１１１ａ上、画素電極１１１ｂ上、画素電極１１１ｃ上、及び、導電層１２３上に、マスクを用いて可視光線または紫外線を照射する。

なお、ここで感光させる領域によって、後に形成する絶縁層１２７の幅を制御することができる。本実施の形態では、絶縁層１２７が画素電極の上面と重なる部分を有するように加工する（図４Ａ及び図４Ｂ）。図８Ａまたは図８Ｂに示すように、絶縁層１２７は、画素電極の上面と重なる部分を有していなくてもよい。

露光に用いる光は、ｉ線（波長３６５ｎｍ）を含むことが好ましい。また、露光用いる光は、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、及びｈ線（波長４０５ｎｍ）の少なくとも一方を含んでいてもよい。

なお、図１３Ｃにおいては、絶縁膜１２７ａにポジ型の感光性の樹脂を用い、絶縁層１２７が形成されない領域に、可視光線または紫外線を照射する例を示したが、本発明はこれに限られるものではない。例えば、絶縁膜１２７ａにネガ型の感光性の樹脂を用いる構成にしてもよい。この場合、絶縁層１２７が形成される領域に可視光線または紫外線を照射する。

続いて、図１４Ａ及び図１６Ａに示すように、現像を行って、絶縁膜１２７ａの露光させた領域を除去し、絶縁層１２７ｂを形成する。なお、図１６Ａは、図１４Ａに示す第２の層１１３ｂと、絶縁層１２７ｂの端部とその近傍の拡大図である。絶縁層１２７ｂは、画素電極１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃのいずれか２つに挟まれる領域と、導電層１２３の周囲に形成される。ここで、絶縁膜１２７ａにアクリル樹脂を用いる場合、現像液として、アルカリ性の溶液を用いることが好ましく、例えば、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）水溶液を用いることができる。

続いて、現像時の残渣（いわゆるスカム）を除去してもよい。例えば、酸素プラズマを用いたアッシングを行うことで、残渣を除去することができる。

なお、絶縁層１２７ｂの表面の高さを調整するために、エッチングを行ってもよい。絶縁層１２７ｂは、例えば、酸素プラズマを用いたアッシングにより加工してもよい。また、絶縁膜１２７ａとして非感光性の材料を用いる場合においても、当該アッシング等により、絶縁膜１２７ａの表面の高さを調整することができる。

続いて、基板全体に露光を行い、可視光線または紫外光線を絶縁層１２７ｂに照射してもよい。当該露光のエネルギー密度は、０ｍＪ／ｃｍ^２より大きく、８００ｍＪ／ｃｍ^２以下とすることが好ましく、０ｍＪ／ｃｍ^２より大きく、５００ｍＪ／ｃｍ^２以下とすることがより好ましい。現像後にこのような露光を行うことで、絶縁層１２７ｂの透明度を向上させることができる場合がある。また、後の工程における、絶縁層１２７ｂをテーパ形状に変形させる加熱処理に必要とされる基板温度を低下させることができる場合がある。

一方、後述するように、絶縁層１２７ｂに対する露光を行わないことで、後の工程において、絶縁層１２７ｂの形状を変化させること、または、絶縁層１２７をテーパ形状に変形させることが容易となる場合がある。したがって、現像後に絶縁層１２７ｂまたは１２７に対して露光を行わないことが好ましい場合がある。

例えば、絶縁層１２７ｂの材料として光硬化性の樹脂を用いる場合、絶縁層１２７ｂに対する露光を行うことで、重合が開始され、絶縁層１２７ｂを硬化させることができる。なお、この段階では絶縁層１２７ｂに対して露光をせず、絶縁層１２７ｂが比較的形状変化しやすい状態を保ったまま、後述する第１のエッチング処理、ポストベーク、及び第２のエッチング処理の少なくとも一つを行ってもよい。これにより、共通層１１４及び共通電極１１５を形成する面に凹凸が生じることを抑制でき、また、共通層１１４及び共通電極１１５が段切れすることを抑制できる。なお、後述する第１のエッチング処理、ポストベーク、及び第２のエッチング処理のうちいずれかの後に、絶縁層１２７ｂ（または絶縁層１２７）に対する露光を行ってもよい。

続いて、図１４Ｂ及び図１６Ｂに示すように、絶縁層１２７ｂをマスクとして、エッチング処理を行って、絶縁膜１２５Ａの一部を除去し、マスク層１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃの一部の膜厚を薄くする。これにより、絶縁層１２７ｂの下に、絶縁層１２５が形成される。また、マスク層１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃの膜厚が薄い部分の表面が露出する。なお、図１６Ｂは、図１４Ｂに示す第２の層１１３ｂと、絶縁層１２７ｂの端部とその近傍の拡大図である。なお、以下では、絶縁層１２７ｂをマスクに用いたエッチング処理を、第１のエッチング処理ということがある。

第１のエッチング処理は、ドライエッチングまたはウェットエッチングによって行うことができる。なお、絶縁膜１２５Ａを、マスク層１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃと同様の材料を用いて成膜していた場合、第１のエッチング処理を一括で行うことができるため、好ましい。

図１６Ｂに示すように、側面がテーパ形状である絶縁層１２７ｂをマスクとしてエッチングを行うことで、絶縁層１２５の側面、及びマスク層１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃの側面上端部を比較的容易にテーパ形状にすることができる。

ドライエッチングを行う場合、塩素系のガスを用いることが好ましい。塩素系ガスとしては、Ｃｌ_２、ＢＣｌ_３、ＳｉＣｌ_４、及びＣＣｌ_４などを、単独または２以上のガスを混合して用いることができる。また、上記塩素系ガスに、酸素ガス、水素ガス、ヘリウムガス、及びアルゴンガスの１種以上を、適宜混合することができる。ドライエッチングを用いることにより、マスク層１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃの膜厚が薄い領域を、良好な面内均一性で形成することができる。

ドライエッチング装置としては、高密度プラズマ源を有するドライエッチング装置を用いることができる。高密度プラズマ源を有するドライエッチング装置は、例えば、誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ：Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｐｌａｓｍａ）エッチング装置などを用いることができる。または、平行平板型電極を有する容量結合型プラズマ（ＣＣＰ：Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｐｌａｓｍａ）エッチング装置を用いることができる。平行平板型電極を有する容量結合型プラズマエッチング装置は、平行平板型電極の一方の電極に高周波電圧を印加する構成でもよい。または平行平板型電極の一方の電極に複数の異なった高周波電圧を印加する構成でもよい。または平行平板型電極それぞれに同じ周波数の高周波電圧を印加する構成でもよい。または平行平板型電極それぞれに周波数の異なる高周波電圧を印加する構成でもよい。

また、ドライエッチングを行う場合、ドライエッチングで生じた副生成物などが、絶縁層１２７ｂの上面及び側面などに堆積する場合がある。このため、エッチングガスに含まれる成分、絶縁膜１２５Ａに含まれる成分、マスク層１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃに含まれる成分などが、表示装置完成後の絶縁層１２７に含まれる場合がある。

また、第１のエッチング処理をウェットエッチングで行うことが好ましい。ウェットエッチング法を用いることで、ドライエッチング法を用いる場合に比べて、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃに加わるダメージを低減することができる。例えば、ウェットエッチングは、アルカリ溶液などを用いて行うことができる。例えば、酸化アルミニウム膜のウェットエッチングには、アルカリ溶液である水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）水溶液を用いることが好ましい。この場合、パドル方式でウェットエッチングを行うことができる。なお、絶縁膜１２５Ａを、マスク層１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃと同様の材料を用いて成膜していた場合、上記エッチング処理を一括で行うことができるため、好ましい。

図１４Ｂ及び図１６Ｂに示すように、第１のエッチング処理では、マスク層１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃを完全に除去せず、膜厚が薄くなった状態でエッチング処理を停止する。このように、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃ上に、対応するマスク層１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃを残存させておくことで、後の工程の処理で、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃがダメージを受けることを防ぐことができる。

なお、図１４Ｂ及び図１６Ｂでは、マスク層１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃの膜厚が薄くなる構成にしたが、本発明はこれに限られるものではない。例えば、絶縁膜１２５Ａの膜厚及びマスク層１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃの膜厚によっては、絶縁膜１２５Ａが絶縁層１２５に加工される前に第１のエッチング処理を停止する場合もある。具体的には、絶縁膜１２５Ａの一部の膜厚を薄くするのみで第１のエッチング処理を停止する場合もある。また、絶縁膜１２５Ａを、マスク層１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃと同様の材料で成膜した場合、絶縁膜１２５Ａと、マスク層１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃとの境界が不明瞭になり、絶縁層１２５が形成されたか判別できない場合、及び、マスク層１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃの膜厚が薄くなったか判別できない場合がある。

また、図１４Ｂ及び図１６Ｂでは、絶縁層１２７ｂの形状が、図１４Ａ及び図１６Ａと変化していない例を示すが、本発明はこれに限られるものではない。例えば、絶縁層１２７ｂの端部が垂れて、絶縁層１２５の端部を覆う場合がある。また、例えば、絶縁層１２７ｂの端部が、マスク層１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃの上面に接する場合がある。前述の通り、現像後の絶縁層１２７ｂに露光を行わない場合には、絶縁層１２７ｂの形状が変化しやすいことがある。

続いて、加熱処理（ポストベークともいう）を行う。図１５Ａ及び図１６Ｃに示すように、加熱処理を行うことで、絶縁層１２７ｂを、側面にテーパ形状を有する絶縁層１２７に変形させることができる。なお、前述の通り、第１のエッチング処理が終了した時点で、既に絶縁層１２７ｂの形状が変化し、側面にテーパ形状を有することがある。当該加熱処理は、ＥＬ層の耐熱温度よりも低い温度とする。加熱処理は、基板温度として５０℃以上２００℃以下、好ましくは６０℃以上１５０℃以下、より好ましくは７０℃以上１３０℃以下の温度で行うことができる。加熱雰囲気は、大気雰囲気であってもよく、不活性ガス雰囲気であってもよい。また、加熱雰囲気は、大気圧雰囲気であってもよく、減圧雰囲気であってもよい。減圧雰囲気とすることで、より低温で乾燥が可能であるため好ましい。本工程の加熱処理は、絶縁膜１２７ａの形成後の加熱処理（プリベーク）よりも、基板温度を高くすることが好ましい。これにより、絶縁層１２７と絶縁層１２５との密着性を向上させ、絶縁層１２７の耐食性も向上させることができる。なお、図１６Ｃは、図１５Ａに示す第２の層１１３ｂと、絶縁層１２７の端部とその近傍の拡大図である。

第１のエッチング処理にて、マスク層１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃを完全に除去せず、膜厚が薄くなった状態のマスク層１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃを残存させておくことで、当該加熱処理において、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃがダメージを受けて劣化することを防ぐことができる。したがって、発光デバイスの信頼性を高めることができる。

なお、絶縁層１２７の材料、並びに、ポストベークの温度、時間、及び雰囲気によっては、図６Ａ及び図６Ｂに示すように、絶縁層１２７の側面に凹曲面形状が形成される場合がある。例えば、ポストベークの条件で、温度が高い、または、時間が長いほど、絶縁層１２７の形状が変化しやすく、凹曲面形状が形成される場合がある。また、前述の通り、現像後の絶縁層１２７ｂに露光を行わない場合には、ポストベーク時に、絶縁層１２７の形状が変化しやすいことがある。

続いて、図１５Ｂ及び図１６Ｄに示すように、絶縁層１２７をマスクとして、エッチング処理を行って、マスク層１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃの一部を除去する。なお、絶縁層１２５の一部も除去される場合がある。これにより、マスク層１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃそれぞれに開口が形成され、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、第３の層１１３ｃ、及び導電層１２３の上面が露出する。なお、図１６Ｄは、図１５Ｂに示す第２の層１１３ｂと、絶縁層１２７の端部とその近傍の拡大図である。なお、以下では、絶縁層１２７をマスクに用いたエッチング処理を、第２のエッチング処理ということがある。

絶縁層１２５の端部は絶縁層１２７で覆われている。また、図１５Ｂ及び図１６Ｄでは、マスク層１１８ｂの端部の一部（具体的には、第１のエッチング処理により形成されたテーパ形状の部分）を絶縁層１２７が覆い、第２のエッチング処理により形成されたテーパ形状の部分は露出している例を示す。つまり、図４Ａ及び図４Ｂに示す構造に相当する。

第１のエッチング処理を行わず、ポストベーク後に、一括で絶縁層１２５とマスク層のエッチング処理を行うと、サイドエッチングにより、絶縁層１２７の端部の下の絶縁層１２５及びマスク層が消失し、空洞が形成される場合がある。当該空洞によって、共通層１１４及び共通電極１１５を形成する面に凹凸が生じ、共通層１１４及び共通電極１１５に段切れが生じやすくなる。第１のエッチング処理で絶縁層１２５及びマスク層がサイドエッチングされて空洞が生じても、その後にポストベークを行うことで、絶縁層１２７が当該空洞を埋めることができる。その後、第２のエッチング処理ではより厚さが薄くなったマスク層をエッチングするため、サイドエッチングされる量が少なく、空洞が形成されにくくなり、空洞が形成されるとしても極めて小さくできる。そのため、共通層１１４及び共通電極１１５を形成する面をより平坦にできる。

なお、図５Ａ、図５Ｂ及び図７Ａ、図７Ｂに示すように、絶縁層１２７は、マスク層１１８ｂの端部全体を覆っていてもよい。例えば、絶縁層１２７の端部が垂れて、マスク層１１８ｂの端部を覆う場合がある。また、例えば、絶縁層１２７の端部が、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃの少なくとも一つの上面に接する場合がある。前述の通り、現像後の絶縁層１２７ｂに露光を行わない場合には、絶縁層１２７の形状が変化しやすいことがある。

第２のエッチング処理はウェットエッチングで行うことが好ましい。ウェットエッチング法を用いることで、ドライエッチング法を用いる場合に比べて、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃに加わるダメージを低減することができる。ウェットエッチングは、アルカリ溶液などを用いて行うことができる。

上記のように、絶縁層１２７、絶縁層１２５、マスク層１１８ａ、マスク層１１８ｂ、及び、マスク層１１８ｃを設けることにより、各発光デバイス間において、共通層１１４及び共通電極１１５に、分断された箇所に起因する接続不良、及び局所的に膜厚が薄い箇所に起因する電気抵抗の上昇が発生することを抑制できる。これにより、本発明の一態様の表示装置は、表示品位を向上させることができる。

また、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃの一部を露出した後、さらに加熱処理を行ってもよい。当該加熱処理により、ＥＬ層に含まれる水、及びＥＬ層表面に吸着する水などを除去することができる。また、当該加熱処理により、絶縁層１２７の形状が変化することがある。具体的には、絶縁層１２７が、絶縁層１２５の端部、マスク層１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃの端部、及び、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃの上面のうち、少なくとも一つを覆うように広がることがある。例えば、絶縁層１２７が、図５Ａ及び図５Ｂに示す形状となる場合がある。例えば、不活性ガス雰囲気または減圧雰囲気下における加熱処理を行うことができる。加熱処理は、基板温度として５０℃以上２００℃以下、好ましくは６０℃以上１５０℃以下、さらに好ましくは７０℃以上１２０℃以下の温度で行うことができる。減圧雰囲気とすることで、より低温で脱水が可能であるため好ましい。ただし、上記の加熱処理は、ＥＬ層の耐熱温度も考慮して温度範囲を適宜設定することが好ましい。なお、ＥＬ層の耐熱温度を考慮した場合、上記温度範囲のなかでも特に７０℃以上１２０℃以下の温度が好適である。

続いて、絶縁層１２７、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び、第３の層１１３ｃ上に、共通層１１４、共通電極１１５、及び保護層１３１をこの順で形成する。さらに、樹脂層１２２を用いて、保護層１３１上に、基板１２０を貼り合わせることで、表示装置を作製することができる（図３Ｂ）。

共通層１１４は、蒸着法（真空蒸着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。

共通電極１１５の形成には、例えば、スパッタリング法または真空蒸着法を用いることができる。または、蒸着法で形成した膜と、スパッタリング法で形成した膜を積層させてもよい。

保護層１３１の成膜方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、及び、ＡＬＤ法等が挙げられる。

以上のように、本実施の形態の表示装置の作製方法では、島状の第１の層１１３ａ、島状の第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃは、ファインメタルマスクを用いて形成されるのではなく、膜を一面に成膜した後に加工することで形成されるため、島状の層を均一の厚さで形成することができる。そして、高精細な表示装置または高開口率の表示装置を実現することができる。また、精細度または開口率が高く、副画素間の距離が極めて短くても、隣接する副画素において、第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び、第３の層１１３ｃが互いに接することを抑制できる。したがって、副画素間にリーク電流が発生することを抑制することができる。これにより、意図しない発光に起因したクロストークを防ぐことができ、コントラストの極めて高い表示装置を実現できる。

また、隣り合う島状のＥＬ層の間に、端部にテーパ形状を有する絶縁層１２７を設けることで、共通電極１１５の形成時に段切れが生じることを抑制し、また、共通電極１１５に局所的に膜厚が薄い箇所が形成されることを防ぐことができる。これにより、共通層１１４及び共通電極１１５において、分断された箇所に起因する接続不良、及び局所的に膜厚が薄い箇所に起因する電気抵抗の上昇が発生することを抑制できる。したがって、本発明の一態様の表示装置は、高精細化と高い表示品位の両立が可能となる。

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について図１７及び図１８を用いて説明する。

［画素のレイアウト］
本実施の形態では、主に、図３Ａとは異なる画素レイアウトについて説明する。副画素の配列に特に限定はなく、様々な方法を適用することができる。副画素の配列としては、例えば、ストライプ配列、Ｓストライプ配列、マトリクス配列、デルタ配列、ベイヤー配列、ペンタイル配列などが挙げられる。

本実施の形態で図に示す副画素の上面形状は、発光領域（または受光領域）の上面形状に相当する。

なお、副画素の上面形状としては、例えば、三角形、四角形（長方形、正方形を含む）、五角形などの多角形、これら多角形の角が丸い形状、楕円形、または円形などが挙げられる。

また、副画素を構成する回路レイアウトは、図に示す副画素の範囲に限定されず、その外側に配置されたものでもよい。回路の配列と発光デバイスの配列とは必ずしも同じ必要はなく、異なる配列方法とすることもできる。例えば、回路の配列をストライプ配列とし、発光デバイスの配列をＳストライプ配列とすることもできる。

図１７Ａに示す画素１１０には、Ｓストライプ配列が適用されている。図１７Ａに示す画素１１０は、副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃの、３つの副画素から構成される。

図１７Ｂに示す画素１１０は、角が丸い略三角形または略台形の上面形状を有する副画素１１０ａと、角が丸い略三角形または略台形の上面形状を有する副画素１１０ｂと、角が丸い略四角形または略六角形の上面形状を有する副画素１１０ｃと、を有する。また、副画素１１０ｂは、副画素１１０ａよりも発光面積が広い。このように、各副画素の形状及びサイズはそれぞれ独立に決定することができる。例えば、信頼性の高い発光デバイスを有する副画素ほど、サイズを小さくすることができる。

図１７Ｃに示す画素１２４ａ、１２４ｂには、ペンタイル配列が適用されている。図１７Ｃでは、副画素１１０ａ及び副画素１１０ｂを有する画素１２４ａと、副画素１１０ｂ及び副画素１１０ｃを有する画素１２４ｂと、が交互に配置されている例を示す。

図１７Ｄ及び図１７Ｅに示す画素１２４ａ、１２４ｂは、デルタ配列が適用されている。画素１２４ａは上の行（１行目）に、２つの副画素（副画素１１０ａ、１１０ｂ）を有し、下の行（２行目）に、１つの副画素（副画素１１０ｃ）を有する。画素１２４ｂは上の行（１行目）に、１つの副画素（副画素１１０ｃ）を有し、下の行（２行目）に、２つの副画素（副画素１１０ａ、１１０ｂ）を有する。

図１７Ｄは、各副画素が、角が丸い略四角形の上面形状を有する例であり、図１７Ｅは、各副画素が、円形の上面形状を有する例である。

図１７Ｆは、各色の副画素がジグザグに配置されている例である。具体的には、上面視において、列方向に並ぶ２つの副画素（例えば、副画素１１０ａと副画素１１０ｂ、または、副画素１１０ｂと副画素１１０ｃ）の上辺の位置がずれている。

図１７Ａ乃至図１７Ｆに示す各画素において、例えば、副画素１１０ａを赤色の光を呈する副画素Ｒとし、副画素１１０ｂを緑色の光を呈する副画素Ｇとし、副画素１１０ｃを青色の光を呈する副画素Ｂとすることが好ましい。なお、副画素の構成はこれに限定されず、副画素が呈する色とその並び順は適宜決定することができる。例えば、副画素１１０ｂを赤色の光を呈する副画素Ｒとし、副画素１１０ａを緑色の光を呈する副画素Ｇとしてもよい。

フォトリソグラフィ法では、加工するパターンが微細になるほど、光の回折の影響を無視できなくなるため、露光によりフォトマスクのパターンを転写する際に忠実性が損なわれ、レジストマスクを所望の形状に加工することが困難になる。そのため、フォトマスクのパターンが矩形であっても、角が丸まったパターンが形成されやすい。したがって、副画素の上面形状が、多角形の角が丸い形状、楕円形、または円形などになることがある。

さらに、本発明の一態様の表示装置の作製方法では、レジストマスクを用いてＥＬ層を島状に加工する。ＥＬ層上に形成したレジスト膜は、ＥＬ層の耐熱温度よりも低い温度で硬化する必要がある。そのため、ＥＬ層の材料の耐熱温度及びレジスト材料の硬化温度によっては、レジスト膜の硬化が不十分になる場合がある。硬化が不十分なレジスト膜は、加工時に所望の形状から離れた形状をとることがある。その結果、ＥＬ層の上面形状が、多角形の角が丸い形状、楕円形、または円形などになることがある。例えば、上面形状が正方形のレジストマスクを形成しようとした場合に、円形の上面形状のレジストマスクが形成され、ＥＬ層の上面形状が円形になることがある。

なお、ＥＬ層の上面形状を所望の形状とするために、設計パターンと、転写パターンとが、一致するように、あらかじめマスクパターンを補正する技術（ＯＰＣ（Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ　Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ：光近接効果補正）技術）を用いてもよい。具体的には、ＯＰＣ技術では、マスクパターン上の図形コーナー部などに補正用のパターンを追加する。

図１８Ａ乃至図１８Ｉに示すように、画素は副画素を４種類有する構成とすることができる。

図１８Ａ乃至図１８Ｃに示す画素１１０は、ストライプ配列が適用されている。

図１８Ａは、各副画素が、長方形の上面形状を有する例であり、図１８Ｂは、各副画素が、２つの半円と長方形をつなげた上面形状を有する例であり、図１８Ｃは、各副画素が、楕円形の上面形状を有する例である。

図１８Ｄ乃至図１８Ｆに示す画素１１０は、マトリクス配列が適用されている。

図１８Ｄは、各副画素が、正方形の上面形状を有する例であり、図１８Ｅは、各副画素が、角が丸い略正方形の上面形状を有する例であり、図１８Ｆは、各副画素が、円形の上面形状を有する例である。

図１８Ｇ及び図１８Ｈでは、１つの画素１１０が、２行３列で構成されている例を示す。

図１８Ｇに示す画素１１０は、上の行（１行目）に、３つの副画素（副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ）を有し、下の行（２行目）に、１つの副画素（副画素１１０ｄ）を有する。言い換えると、画素１１０は、左の列（１列目）に、副画素１１０ａを有し、中央の列（２列目）に副画素１１０ｂを有し、右の列（３列目）に副画素１１０ｃを有し、さらに、この３列にわたって、副画素１１０ｄを有する。

図１８Ｈに示す画素１１０は、上の行（１行目）に、３つの副画素（副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ）を有し、下の行（２行目）に、３つの副画素１１０ｄを有する。言い換えると、画素１１０は、左の列（１列目）に、副画素１１０ａ及び副画素１１０ｄを有し、中央の列（２列目）に副画素１１０ｂ及び副画素１１０ｄを有し、右の列（３列目）に副画素１１０ｃ及び副画素１１０ｄを有する。図１８Ｈに示すように、上の行と下の行との副画素の配置を揃える構成とすることで、製造プロセスで生じうるゴミなどを効率よく除去することが可能となる。したがって、表示品位の高い表示装置を提供することができる。

図１８Ｉでは、１つの画素１１０が、３行２列で構成されている例を示す。

図１８Ｉに示す画素１１０は、上の行（１行目）に、副画素１１０ａを有し、中央の行（２行目）に、副画素１１０ｂを有し、１行目から２行目にわたって副画素１１０ｃを有し、下の行（３行目）に、１つの副画素（副画素１１０ｄ）を有する。言い換えると、画素１１０は、左の列（１列目）に、副画素１１０ａ、１１０ｂを有し、右の列（２列目）に副画素１１０ｃを有し、さらに、この２列にわたって、副画素１１０ｄを有する。

図１８Ａ乃至図１８Ｉに示す画素１１０は、副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄの、４つの副画素から構成される。

副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄは、それぞれ異なる色の光を発する発光デバイスを有する構成とすることができる。副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄとしては、Ｒ、Ｇ、Ｂ、白色（Ｗ）の４色の副画素、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｙの４色の副画素、または、Ｒ、Ｇ、Ｂ、赤外光（ＩＲ）の副画素などが挙げられる。

図１８Ａ乃至図１８Ｉに示す各画素１１０において、例えば、副画素１１０ａを赤色の光を呈する副画素Ｒとし、副画素１１０ｂを緑色の光を呈する副画素Ｇとし、副画素１１０ｃを青色の光を呈する副画素Ｂとし、副画素１１０ｄを白色の光を呈する副画素Ｗ、黄色の光を呈する副画素Ｙ、または近赤外光を呈する副画素ＩＲのいずれかとすることが好ましい。このような構成とする場合、図１８Ｇ及び図１８Ｈに示す画素１１０では、Ｒ、Ｇ、Ｂのレイアウトがストライプ配列となるため、表示品位を高めることができる。また、図１８Ｉに示す画素１１０では、Ｒ、Ｇ、ＢのレイアウトがいわゆるＳストライプ配列となるため、表示品位を高めることができる。

また、画素１１０は、受光デバイスを有する副画素を有していてもよい。

図１８Ａ乃至図１８Ｉに示す各画素１１０において、副画素１１０ａ乃至副画素１１０ｄのいずれか一つを、受光デバイスを有する副画素としてもよい。

図１８Ａ乃至図１８Ｉに示す各画素１１０において、例えば、副画素１１０ａを赤色の光を呈する副画素Ｒとし、副画素１１０ｂを緑色の光を呈する副画素Ｇとし、副画素１１０ｃを青色の光を呈する副画素Ｂとし、副画素１１０ｄを、受光デバイスを有する副画素Ｓとすることが好ましい。このような構成とする場合、図１８Ｇ及び図１８Ｈに示す画素１１０では、Ｒ、Ｇ、Ｂのレイアウトがストライプ配列となるため、表示品位を高めることができる。また、図１８Ｉに示す画素１１０では、Ｒ、Ｇ、ＢのレイアウトがいわゆるＳストライプ配列となるため、表示品位を高めることができる。

受光デバイスを有する副画素Ｓが検出する光の波長は特に限定されない。副画素Ｓは、可視光及び赤外光の一方または双方を検出する構成とすることができる。

図１８Ｊ及び図１８Ｋに示すように、画素は副画素を５種類有する構成とすることができる。

図１８Ｊでは、１つの画素１１０が、２行３列で構成されている例を示す。

図１８Ｊに示す画素１１０は、上の行（１行目）に、３つの副画素（副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ）を有し、下の行（２行目）に、２つの副画素（副画素１１０ｄ、１１０ｅ）を有する。言い換えると、画素１１０は、左の列（１列目）に、副画素１１０ａ、１１０ｄを有し、中央の列（２列目）に副画素１１０ｂを有し、右の列（３列目）に副画素１１０ｃを有し、さらに、２列目から３列目にわたって、副画素１１０ｅを有する。

図１８Ｋでは、１つの画素１１０が、３行２列で構成されている例を示す。

図１８Ｋに示す画素１１０は、上の行（１行目）に、副画素１１０ａを有し、中央の行（２行目）に、副画素１１０ｂを有し、１行目から２行目にわたって副画素１１０ｃを有し、下の行（３行目）に、２つの副画素（副画素１１０ｄ、１１０ｅ）を有する。言い換えると、画素１１０は、左の列（１列目）に、副画素１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｄを有し、右の列（２列目）に副画素１１０ｃ、１１０ｅを有する。

図１８Ｊ及び図１８Ｋに示す各画素１１０において、例えば、副画素１１０ａを赤色の光を呈する副画素Ｒとし、副画素１１０ｂを緑色の光を呈する副画素Ｇとし、副画素１１０ｃを青色の光を呈する副画素Ｂとすることが好ましい。このような構成とする場合、図１８Ｊに示す画素１１０では、Ｒ、Ｇ、Ｂのレイアウトがストライプ配列となるため、表示品位を高めることができる。また、図１８Ｋに示す画素１１０では、Ｒ、Ｇ、ＢのレイアウトがいわゆるＳストライプ配列となるため、表示品位を高めることができる。

また、図１８Ｊ及び図１８Ｋに示す各画素１１０において、例えば、副画素１１０ｄと副画素１１０ｅのうち、少なくとも一方に、受光デバイスを有する副画素Ｓを適用することが好ましい。副画素１１０ｄと副画素１１０ｅの両方に受光デバイスを用いる場合、受光デバイスの構成が互いに異なっていてもよい。例えば、互いに検出する光の波長域が少なくとも一部が異なっていてもよい。具体的には、副画素１１０ｄと副画素１１０ｅのうち、一方は主に可視光を検出する受光デバイスを有し、他方は主に赤外光を検出する受光デバイスを有していてもよい。

また、図１８Ｊ及び図１８Ｋに示す各画素１１０において、例えば、副画素１１０ｄと副画素１１０ｅのうち、一方に、受光デバイスを有する副画素Ｓを適用し、他方に、光源として用いることが可能な発光デバイスを有する副画素を適用することが好ましい。例えば、副画素１１０ｄと副画素１１０ｅのうち、一方は赤外光を呈する副画素ＩＲとし、他方は赤外光を検出する受光デバイスを有する副画素Ｓとすることが好ましい。

副画素Ｒ、Ｇ、Ｂ、ＩＲ、Ｓを有する画素では、副画素Ｒ、Ｇ、Ｂを用いて画像を表示しながら、副画素ＩＲを光源として用いて、副画素Ｓにて副画素ＩＲが発する赤外光の反射光を検出することができる。

以上のように、本発明の一態様の表示装置は、発光デバイスを有する副画素からなる構成の画素について、様々なレイアウトを適用することができる。また、本発明の一態様の表示装置は、画素に発光デバイスと受光デバイスとの双方を有する構成を適用することができる。この場合においても、様々なレイアウトを適用することができる。

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について図１９乃至図２９を用いて説明する。

本実施の形態の表示装置は、高精細な表示装置とすることができる。したがって、本実施の形態の表示装置は、例えば、腕時計型、及び、ブレスレット型などの情報端末機（ウェアラブル機器）の表示部、並びに、ヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）などのＶＲ向け機器、及び、メガネ型のＡＲ向け機器などの頭部に装着可能なウェアラブル機器の表示部に用いることができる。

また、本実施の形態の表示装置は、高解像度な表示装置または大型な表示装置とすることができる。したがって、本実施の形態の表示装置は、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型もしくはノート型のパーソナルコンピュータ、コンピュータ用などのモニタ、デジタルサイネージ、及び、パチンコ機などの大型ゲーム機などの比較的大きな画面を備える電子機器の他、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、及び、音響再生装置の表示部に用いることができる。

［表示モジュール］
図１９Ａに、表示モジュール２８０の斜視図を示す。表示モジュール２８０は、表示装置１００Ａと、ＦＰＣ２９０と、を有する。なお、表示モジュール２８０が有する表示装置は表示装置１００Ａに限られず、後述する表示装置１００Ｂ乃至表示装置１００Ｆのいずれかであってもよい。

表示モジュール２８０は、基板２９１及び基板２９２を有する。表示モジュール２８０は、表示部２８１を有する。表示部２８１は、表示モジュール２８０における画像を表示する領域であり、後述する画素部２８４に設けられる各画素からの光を視認できる領域である。

図１９Ｂに、基板２９１側の構成を模式的に示した斜視図を示している。基板２９１上には、回路部２８２と、回路部２８２上の画素回路部２８３と、画素回路部２８３上の画素部２８４と、が積層されている。また、基板２９１上の画素部２８４と重ならない部分に、ＦＰＣ２９０と接続するための端子部２８５が設けられている。端子部２８５と回路部２８２とは、複数の配線により構成される配線部２８６により電気的に接続されている。

画素部２８４は、周期的に配列した複数の画素２８４ａを有する。図１９Ｂの右側に、１つの画素２８４ａの拡大図を示している。画素２８４ａには、先の実施の形態で説明した各種構成を適用することができる。図１９Ｂでは、図３Ａに示す画素１１０と同様の構成を有する場合を例に示す。

画素回路部２８３は、周期的に配列した複数の画素回路２８３ａを有する。

１つの画素回路２８３ａは、１つの画素２８４ａが有する複数の素子の駆動を制御する回路である。１つの画素回路２８３ａは、１つの発光デバイスの発光を制御する回路が３つ設けられる構成とすることができる。例えば、画素回路２８３ａは、１つの発光デバイスにつき、１つの選択トランジスタと、１つの電流制御用トランジスタ（駆動トランジスタ）と、容量と、を少なくとも有する構成とすることができる。このとき、選択トランジスタのゲートにはゲート信号が、ソースにはソース信号が、それぞれ入力される。これにより、アクティブマトリクス型の表示装置が実現されている。

回路部２８２は、画素回路部２８３の各画素回路２８３ａを駆動する回路を有する。例えば、ゲート線駆動回路、及び、ソース線駆動回路の一方または双方を有することが好ましい。このほか、演算回路、メモリ回路、及び電源回路等の少なくとも一つを有していてもよい。

ＦＰＣ２９０は、外部から回路部２８２にビデオ信号または電源電位等を供給するための配線として機能する。また、ＦＰＣ２９０上にＩＣが実装されていてもよい。

表示モジュール２８０は、画素部２８４の下側に画素回路部２８３及び回路部２８２の一方または双方が重ねて設けられた構成とすることができるため、表示部２８１の開口率（有効表示面積比）を極めて高くすることができる。例えば表示部２８１の開口率は、４０％以上１００％未満、好ましくは５０％以上９５％以下、より好ましくは６０％以上９５％以下とすることができる。また、画素２８４ａを極めて高密度に配置することが可能で、表示部２８１の精細度を極めて高くすることができる。例えば、表示部２８１には、２０００ｐｐｉ以上、好ましくは３０００ｐｐｉ以上、より好ましくは５０００ｐｐｉ以上、さらに好ましくは６０００ｐｐｉ以上であって、２００００ｐｐｉ以下、または３００００ｐｐｉ以下の精細度で、画素２８４ａが配置されることが好ましい。

このような表示モジュール２８０は、極めて高精細であることから、ＨＭＤなどのＶＲ向け機器またはメガネ型のＡＲ向け機器に好適に用いることができる。例えば、レンズを通して表示モジュール２８０の表示部を視認する構成の場合であっても、表示モジュール２８０は極めて高精細な表示部２８１を有するためにレンズで表示部を拡大しても画素が視認されず、没入感の高い表示を行うことができる。また、表示モジュール２８０はこれに限られず、比較的小型の表示部を有する電子機器に好適に用いることができる。例えば腕時計などの装着型の電子機器の表示部に好適に用いることができる。

［表示装置１００Ａ］
図２０Ａに示す表示装置１００Ａは、基板３０１、発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、発光デバイス１３０Ｂ、容量２４０、及び、トランジスタ３１０を有する。

基板３０１は、図１９Ａ及び図１９Ｂにおける基板２９１に相当する。基板３０１から絶縁層２５５ｃまでの積層構造が、実施の形態１におけるトランジスタを含む層１０１に相当する。

トランジスタ３１０は、基板３０１にチャネル形成領域を有するトランジスタである。基板３０１としては、例えば単結晶シリコン基板などの半導体基板を用いることができる。トランジスタ３１０は、基板３０１の一部、導電層３１１、低抵抗領域３１２、絶縁層３１３、及び、絶縁層３１４を有する。導電層３１１は、ゲート電極として機能する。絶縁層３１３は、基板３０１と導電層３１１の間に位置し、ゲート絶縁層として機能する。低抵抗領域３１２は、基板３０１に不純物がドープされた領域であり、ソースまたはドレインの一方として機能する。絶縁層３１４は、導電層３１１の側面を覆って設けられる。

また、基板３０１に埋め込まれるように、隣接する２つのトランジスタ３１０の間に素子分離層３１５が設けられている。

また、トランジスタ３１０を覆って絶縁層２６１が設けられ、絶縁層２６１上に容量２４０が設けられている。

容量２４０は、導電層２４１と、導電層２４５と、これらの間に位置する絶縁層２４３を有する。導電層２４１は、容量２４０の一方の電極として機能し、導電層２４５は、容量２４０の他方の電極として機能し、絶縁層２４３は、容量２４０の誘電体として機能する。

導電層２４１は絶縁層２６１上に設けられ、絶縁層２５４に埋め込まれている。導電層２４１は、絶縁層２６１に埋め込まれたプラグ２７１によってトランジスタ３１０のソースまたはドレインの一方と電気的に接続されている。絶縁層２４３は導電層２４１を覆って設けられる。導電層２４５は、絶縁層２４３を介して導電層２４１と重なる領域に設けられている。

容量２４０を覆って、絶縁層２５５ａが設けられ、絶縁層２５５ａ上に絶縁層２５５ｂが設けられ、絶縁層２５５ｂ上に絶縁層２５５ｃが設けられている。絶縁層２５５ｃ上に発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び、発光デバイス１３０Ｂが設けられている。図２０Ａでは、発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び、発光デバイス１３０Ｂが図３Ｂに示す積層構造と同様の構造を有する例を示す。隣り合う発光デバイスの間の領域には、絶縁物が設けられる。図２０Ａなどでは、当該領域に絶縁層１２５と、絶縁層１２５上の絶縁層１２７と、が設けられている。

発光デバイス１３０Ｒが有する第１の層１１３ａ上には、マスク層１１８ａが位置し、発光デバイス１３０Ｇが有する第２の層１１３ｂ上には、マスク層１１８ｂが位置し、発光デバイス１３０Ｂが有する第３の層１１３ｃ上には、マスク層１１８ｃが位置する。

画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、及び画素電極１１１ｃは、絶縁層２４３、絶縁層２５５ａ、絶縁層２５５ｂ、及び絶縁層２５５ｃに埋め込まれたプラグ２５６、絶縁層２５４に埋め込まれた導電層２４１、及び、絶縁層２６１に埋め込まれたプラグ２７１によってトランジスタ３１０のソースまたはドレインの一方と電気的に接続されている。絶縁層２５５ｃの上面の高さと、プラグ２５６の上面の高さは、一致または概略一致している。プラグには各種導電材料を用いることができる。図２０Ａ等では、画素電極が反射電極と、反射電極上の透明電極と、の２層構造である例を示す。

また、発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び、発光デバイス１３０Ｂ上には保護層１３１が設けられている。保護層１３１上には、樹脂層１２２によって基板１２０が貼り合わされている。発光デバイスから基板１２０までの構成要素についての詳細は、実施の形態１を参照することができる。基板１２０は、図１９Ａにおける基板２９２に相当する。

図２０Ｂに示す表示装置は、発光デバイス１３０Ｒ、１３０Ｇ、及び、受光デバイス１５０を有する例である。受光デバイス１５０は、画素電極１１１ｄと、第４の層１１３ｄと、共通層１１４と、共通電極１１５とを積層して有する。受光デバイスを有する表示装置の詳細については、実施の形態２及び実施の形態７を参照することができる。

［表示装置１００Ｂ］
図２１に示す表示装置１００Ｂは、それぞれ半導体基板にチャネルが形成されるトランジスタ３１０Ａと、トランジスタ３１０Ｂとが積層された構成を有する。なお、以降の表示装置の説明では、先に説明した表示装置と同様の部分については説明を省略することがある。

表示装置１００Ｂは、トランジスタ３１０Ｂ、容量２４０、発光デバイスが設けられた基板３０１Ｂと、トランジスタ３１０Ａが設けられた基板３０１Ａとが、貼り合された構成を有する。

ここで、基板３０１Ｂの下面に絶縁層３４５を設けることが好ましい。また、基板３０１Ａ上に設けられた絶縁層２６１の上に絶縁層３４６を設けることが好ましい。絶縁層３４５、３４６は、保護層として機能する絶縁層であり、基板３０１Ｂ及び基板３０１Ａに不純物が拡散することを抑制できる。絶縁層３４５、３４６としては、保護層１３１または後述する絶縁層３３２に用いることができる無機絶縁膜を用いることができる。

基板３０１Ｂには、基板３０１Ｂ及び絶縁層３４５を貫通するプラグ３４３が設けられる。ここで、プラグ３４３の側面を覆って絶縁層３４４を設けることが好ましい。絶縁層３４４は、保護層として機能する絶縁層であり、基板３０１Ｂに不純物が拡散することを抑制できる。絶縁層３４４としては、保護層１３１に用いることができる無機絶縁膜を用いることができる。

また、基板３０１Ｂの裏面（基板１２０側とは反対側の表面）側、絶縁層３４５の下に、導電層３４２が設けられる。導電層３４２は、絶縁層３３５に埋め込まれるように設けられることが好ましい。また、導電層３４２と絶縁層３３５の下面は平坦化されていることが好ましい。ここで、導電層３４２はプラグ３４３と電気的に接続されている。

一方、基板３０１Ａには、絶縁層３４６上に導電層３４１が設けられている。導電層３４１は、絶縁層３３６に埋め込まれるように設けられることが好ましい。また、導電層３４１と絶縁層３３６の上面は平坦化されていることが好ましい。

導電層３４１と、導電層３４２とが接合されることで、基板３０１Ａと基板３０１Ｂとが電気的に接続される。ここで、導電層３４２と絶縁層３３５で形成される面と、導電層３４１と絶縁層３３６で形成される面の平坦性を向上させておくことで、導電層３４１と導電層３４２の貼り合わせを良好にすることができる。

導電層３４１及び導電層３４２としては、同じ導電材料を用いることが好ましい。例えば、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素を含む金属膜、又は上述した元素を成分とする金属窒化物膜（窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜）等を用いることができる。特に、導電層３４１及び導電層３４２に、銅を用いることが好ましい。これにより、Ｃｕ−Ｃｕ（カッパー・カッパー）直接接合技術（Ｃｕ（銅）のパッド同士を接続することで電気的導通を図る技術）を適用することができる。

［表示装置１００Ｃ］
図２２に示す表示装置１００Ｃは、導電層３４１と導電層３４２を、バンプ３４７を介して接合する構成を有する。

図２２に示すように、導電層３４１と導電層３４２の間にバンプ３４７を設けることで、導電層３４１と導電層３４２を電気的に接続することができる。バンプ３４７は、例えば、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）などを含む導電材料を用いて形成することができる。また例えば、バンプ３４７として半田を用いる場合がある。また、絶縁層３４５と絶縁層３４６の間に、接着層３４８を設けてもよい。また、バンプ３４７を設ける場合、絶縁層３３５及び絶縁層３３６を設けない構成にしてもよい。

［表示装置１００Ｄ］
図２３に示す表示装置１００Ｄは、トランジスタの構成が異なる点で、表示装置１００Ａと主に相違する。

トランジスタ３２０は、チャネルが形成される半導体層に、金属酸化物（酸化物半導体ともいう）が適用されたトランジスタ（ＯＳトランジスタ）である。

トランジスタ３２０は、半導体層３２１、絶縁層３２３、導電層３２４、一対の導電層３２５、絶縁層３２６、及び、導電層３２７を有する。

基板３３１は、図１９Ａ及び図１９Ｂにおける基板２９１に相当する。基板３３１から絶縁層２５５ｃまでの積層構造が、実施の形態１におけるトランジスタを含む層１０１に相当する。基板３３１としては、絶縁性基板または半導体基板を用いることができる。

基板３３１上に、絶縁層３３２が設けられている。絶縁層３３２は、基板３３１から水または水素などの不純物がトランジスタ３２０に拡散すること、及び半導体層３２１から絶縁層３３２側に酸素が脱離することを防ぐバリア層として機能する。絶縁層３３２としては、例えば酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、窒化シリコン膜などの、酸化シリコン膜よりも水素または酸素が拡散しにくい膜を用いることができる。

絶縁層３３２上に導電層３２７が設けられ、導電層３２７を覆って絶縁層３２６が設けられている。導電層３２７は、トランジスタ３２０の第１のゲート電極として機能し、絶縁層３２６の一部は、第１のゲート絶縁層として機能する。絶縁層３２６の少なくとも半導体層３２１と接する部分には、酸化シリコン膜等の酸化物絶縁膜を用いることが好ましい。絶縁層３２６の上面は、平坦化されていることが好ましい。

半導体層３２１は、絶縁層３２６上に設けられる。半導体層３２１は、半導体特性を有する金属酸化物（酸化物半導体ともいう）膜を有することが好ましい。一対の導電層３２５は、半導体層３２１上に接して設けられ、ソース電極及びドレイン電極として機能する。

一対の導電層３２５の上面及び側面、並びに半導体層３２１の側面等を覆って絶縁層３２８が設けられ、絶縁層３２８上に絶縁層２６４が設けられている。絶縁層３２８は、半導体層３２１に絶縁層２６４等から水または水素などの不純物が拡散すること、及び半導体層３２１から酸素が脱離することを防ぐバリア層として機能する。絶縁層３２８としては、上記絶縁層３３２と同様の絶縁膜を用いることができる。

絶縁層３２８及び絶縁層２６４に、半導体層３２１に達する開口が設けられている。当該開口の内部において、絶縁層２６４、絶縁層３２８、及び導電層３２５の側面、並びに半導体層３２１の上面に接する絶縁層３２３と、導電層３２４とが埋め込まれている。導電層３２４は、第２のゲート電極として機能し、絶縁層３２３は第２のゲート絶縁層として機能する。

導電層３２４の上面、絶縁層３２３の上面、及び絶縁層２６４の上面は、それぞれ高さが一致または概略一致するように平坦化処理され、これらを覆って絶縁層３２９及び絶縁層２６５が設けられている。

絶縁層２６４及び絶縁層２６５は、層間絶縁層として機能する。絶縁層３２９は、トランジスタ３２０に絶縁層２６５等から水または水素などの不純物が拡散することを防ぐバリア層として機能する。絶縁層３２９としては、上記絶縁層３２８及び絶縁層３３２と同様の絶縁膜を用いることができる。

一対の導電層３２５の一方と電気的に接続するプラグ２７４は、絶縁層２６５、絶縁層３２９、及び絶縁層２６４に埋め込まれるように設けられている。ここで、プラグ２７４は、絶縁層２６５、絶縁層３２９、絶縁層２６４、及び絶縁層３２８のそれぞれの開口の側面、及び導電層３２５の上面の一部を覆う導電層２７４ａと、導電層２７４ａの上面に接する導電層２７４ｂとを有することが好ましい。このとき、導電層２７４ａとして、水素及び酸素が拡散しにくい導電材料を用いることが好ましい。

［表示装置１００Ｅ］
図２４に示す表示装置１００Ｅは、それぞれチャネルが形成される半導体に酸化物半導体を有するトランジスタ３２０Ａと、トランジスタ３２０Ｂとが積層された構成を有する。

トランジスタ３２０Ａ、トランジスタ３２０Ｂ、及びその周辺の構成については、上記表示装置１００Ｄを参照することができる。

なお、ここでは、酸化物半導体を有するトランジスタを２つ積層する構成としたが、これに限られない。例えば３つ以上のトランジスタを積層する構成としてもよい。

［表示装置１００Ｆ］
図２５に示す表示装置１００Ｆは、基板３０１にチャネルが形成されるトランジスタ３１０と、チャネルが形成される半導体層に金属酸化物を含むトランジスタ３２０とが積層された構成を有する。

トランジスタ３１０を覆って絶縁層２６１が設けられ、絶縁層２６１上に導電層２５１が設けられている。また導電層２５１を覆って絶縁層２６２が設けられ、絶縁層２６２上に導電層２５２が設けられている。導電層２５１及び導電層２５２は、それぞれ配線として機能する。また、導電層２５２を覆って絶縁層２６３及び絶縁層３３２が設けられ、絶縁層３３２上にトランジスタ３２０が設けられている。また、トランジスタ３２０を覆って絶縁層２６５が設けられ、絶縁層２６５上に容量２４０が設けられている。容量２４０とトランジスタ３２０とは、プラグ２７４により電気的に接続されている。

トランジスタ３２０は、画素回路を構成するトランジスタとして用いることができる。また、トランジスタ３１０は、画素回路を構成するトランジスタ、または当該画素回路を駆動するための駆動回路（ゲート線駆動回路、ソース線駆動回路）を構成するトランジスタとして用いることができる。また、トランジスタ３１０及びトランジスタ３２０は、演算回路または記憶回路などの各種回路を構成するトランジスタとして用いることができる。

このような構成とすることで、発光デバイスの直下に画素回路だけでなく駆動回路等を形成することができるため、表示領域の周辺に駆動回路を設ける場合に比べて、表示装置を小型化することが可能となる。

［表示装置１００Ｇ］
図２６に、表示装置１００Ｇの斜視図を示し、図２７Ａに、表示装置１００Ｇの断面図を示す。

表示装置１００Ｇは、基板１５２と基板１５１とが貼り合わされた構成を有する。図２６では、基板１５２を破線で示している。

表示装置１００Ｇは、表示部１６２、接続部１４０、回路１６４、配線１６５等を有する。図２６では表示装置１００ＧにＩＣ１７３及びＦＰＣ１７２が実装されている例を示している。そのため、図２６に示す構成は、表示装置１００Ｇと、ＩＣ（集積回路）と、ＦＰＣと、を有する表示モジュールということもできる。

接続部１４０は、表示部１６２の外側に設けられる。接続部１４０は、表示部１６２の一辺または複数の辺に沿って設けることができる。接続部１４０は、単数であっても複数であってもよい。図２６では、表示部の四辺を囲むように接続部１４０が設けられている例を示す。接続部１４０では、発光デバイスの共通電極と、導電層とが電気的に接続されており、共通電極に電位を供給することができる。

回路１６４としては、例えば走査線駆動回路を用いることができる。

配線１６５は、表示部１６２及び回路１６４に信号及び電力を供給する機能を有する。当該信号及び電力は、外部からＦＰＣ１７２を介して配線１６５に入力されるか、またはＩＣ１７３から配線１６５に入力される。

図２６では、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）方式またはＣＯＦ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｆｉｌｍ）方式等により、基板１５１にＩＣ１７３が設けられている例を示す。ＩＣ１７３は、例えば走査線駆動回路または信号線駆動回路などを有するＩＣを適用できる。なお、表示装置１００Ｇ及び表示モジュールは、ＩＣを設けない構成としてもよい。また、ＩＣを、ＣＯＦ方式等により、ＦＰＣに実装してもよい。

図２７Ａに、表示装置１００Ｇの、ＦＰＣ１７２を含む領域の一部、回路１６４の一部、表示部１６２の一部、接続部１４０の一部、及び、端部を含む領域の一部をそれぞれ切断したときの断面の一例を示す。

図２７Ａに示す表示装置１００Ｇは、基板１５１と基板１５２の間に、トランジスタ２０１、トランジスタ２０５、赤色の光を発する発光デバイス１３０Ｒ、緑色の光を発する発光デバイス１３０Ｇ、及び、発光デバイス１３０Ｂ等を有する。

発光デバイス１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂは、画素電極の構成が異なる点以外は、それぞれ、図３Ｂに示す積層構造を有する。発光デバイスの詳細は実施の形態１を参照できる。

発光デバイス１３０Ｒは、導電層１１２ａと、導電層１１２ａ上の導電層１２６ａと、導電層１２６ａ上の導電層１２９ａと、を有する。導電層１１２ａ、１２６ａ、１２９ａの全てを画素電極と呼ぶこともでき、一部を画素電極と呼ぶこともできる。

発光デバイス１３０Ｇは、導電層１１２ｂと、導電層１１２ｂ上の導電層１２６ｂと、導電層１２６ｂ上の導電層１２９ｂと、を有する。

発光デバイス１３０Ｂは、導電層１１２ｃと、導電層１１２ｃ上の導電層１２６ｃと、導電層１２６ｃ上の導電層１２９ｃと、を有する。

導電層１１２ａは、絶縁層２１４に設けられた開口を介して、トランジスタ２０５が有する導電層２２２ｂと接続されている。導電層１１２ａの端部よりも外側に導電層１２６ａの端部が位置している。導電層１２６ａの端部と導電層１２９ａの端部は、揃っている、または概略揃っている。例えば、導電層１１２ａ及び導電層１２６ａに反射電極として機能する導電層を用い、導電層１２９ａに、透明電極として機能する導電層を用いることができる。

発光デバイス１３０Ｇにおける導電層１１２ｂ、１２６ｂ、１２９ｂ、及び、発光デバイス１３０Ｂにおける導電層１１２ｃ、１２６ｃ、１２９ｃについては、発光デバイス１３０Ｒにおける導電層１１２ａ、１２６ａ、１２９ａと同様であるため詳細な説明は省略する。

導電層１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃは、絶縁層２１４に設けられた開口を覆うように凹部が形成される。導電層１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃの凹部には、層１２８が埋め込まれている。

層１２８は、導電層１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃの凹部を平坦化する機能を有する。導電層１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ及び層１２８上には、導電層１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃと電気的に接続される導電層１２６ａ、１２６ｂ、１２６ｃが設けられている。したがって、導電層１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃの凹部と重なる領域も発光領域として使用でき、画素の開口率を高めることができる。

層１２８は、絶縁層であってもよく、導電層であってもよい。層１２８には、各種無機絶縁材料、有機絶縁材料、及び導電材料を適宜用いることができる。特に、層１２８は、絶縁材料を用いて形成されることが好ましく、有機絶縁材料を用いて形成されることが特に好ましい。層１２８には、例えば前述の絶縁層１２７に用いることができる有機絶縁材料を適用することができる。

導電層１２６ａ、１２９ａの上面及び側面は、第１の層１１３ａによって覆われている。同様に、導電層１２６ｂ、１２９ｂの上面及び側面は、第２の層１１３ｂによって覆われており、導電層１２６ｃ、１２９ｃの上面及び側面は、第３の層１１３ｃによって覆われている。したがって、導電層１２６ａ、１２６ｂ、１２６ｃが設けられている領域全体を、発光デバイス１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂの発光領域として用いることができるため、画素の開口率を高めることができる。

第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、及び第３の層１１３ｃそれぞれの上面の一部及び側面は、絶縁層１２５、１２７によって覆われている。第１の層１１３ａと絶縁層１２５との間にはマスク層１１８ａが位置する。また、第２の層１１３ｂと絶縁層１２５との間にはマスク層１１８ｂが位置し、第３の層１１３ｃと絶縁層１２５との間にはマスク層１１８ｃが位置する。第１の層１１３ａ、第２の層１１３ｂ、第３の層１１３ｃ、及び、絶縁層１２５、１２７上に、共通層１１４が設けられ、共通層１１４上に共通電極１１５が設けられている。共通層１１４及び共通電極１１５は、それぞれ、複数の発光デバイスに共通して設けられるひと続きの膜である。

また、発光デバイス１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂ上には保護層１３１が設けられている。保護層１３１と基板１５２は接着層１４２を介して接着されている。基板１５２には、遮光層１１７が設けられている。発光デバイスの封止には、固体封止構造または中空封止構造などが適用できる。図２７Ａでは、基板１５２と基板１５１との間の空間が、接着層１４２で充填されており、固体封止構造が適用されている。または、当該空間を不活性ガス（窒素またはアルゴンなど）で充填し、中空封止構造を適用してもよい。このとき、接着層１４２は、発光デバイスと重ならないように設けられていてもよい。また、当該空間を、枠状に設けられた接着層１４２とは異なる樹脂で充填してもよい。

接続部１４０においては、絶縁層２１４上に導電層１２３が設けられている。導電層１２３は、導電層１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、導電層１２６ａ、１２６ｂ、１２６ｃと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、導電層１２９ａ、１２９ｂ、１２９ｃと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、の積層構造である例を示す。導電層１２３の端部は、マスク層１１８ａ、絶縁層１２５、及び、絶縁層１２７によって覆われている。また、導電層１２３上には共通層１１４が設けられ、共通層１１４上には共通電極１１５が設けられている。導電層１２３と共通電極１１５は共通層１１４を介して電気的に接続される。なお、接続部１４０には、共通層１１４が形成されていなくてもよい。この場合、導電層１２３と共通電極１１５とが直接接して電気的に接続される。

表示装置１００Ｇは、トップエミッション型である。発光デバイスが発する光は、基板１５２側に射出される。基板１５２には、可視光に対する透過性が高い材料を用いることが好ましい。画素電極は可視光を反射する材料を含み、対向電極（共通電極１１５）は可視光を透過する材料を含む。

基板１５１から絶縁層２１４までの積層構造が、実施の形態１におけるトランジスタを含む層１０１に相当する。

トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５は、いずれも基板１５１上に形成されている。これらのトランジスタは、同一の材料及び同一の工程により作製することができる。

基板１５１上には、絶縁層２１１、絶縁層２１３、絶縁層２１５、及び絶縁層２１４がこの順で設けられている。絶縁層２１１は、その一部が各トランジスタのゲート絶縁層として機能する。絶縁層２１３は、その一部が各トランジスタのゲート絶縁層として機能する。絶縁層２１５は、トランジスタを覆って設けられる。絶縁層２１４は、トランジスタを覆って設けられ、平坦化層としての機能を有する。なお、ゲート絶縁層の数及びトランジスタを覆う絶縁層の数は限定されず、それぞれ単層であっても２層以上であってもよい。

トランジスタを覆う絶縁層の少なくとも一層に、水及び水素などの不純物が拡散しにくい材料を用いることが好ましい。これにより、絶縁層をバリア層として機能させることができる。このような構成とすることで、トランジスタに外部から不純物が拡散することを効果的に抑制でき、表示装置の信頼性を高めることができる。

絶縁層２１１、絶縁層２１３、及び絶縁層２１５としては、それぞれ、無機絶縁膜を用いることが好ましい。無機絶縁膜としては、例えば、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜などを用いることができる。また、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム膜、及び酸化ネオジム膜等を用いてもよい。また、上述の絶縁膜を２以上積層して用いてもよい。

平坦化層として機能する絶縁層２１４には、有機絶縁層が好適である。有機絶縁層に用いることができる材料としては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれら樹脂の前駆体等が挙げられる。また、絶縁層２１４を、有機絶縁層と、無機絶縁層との積層構造にしてもよい。絶縁層２１４の最表層は、エッチング保護層としての機能を有することが好ましい。これにより、導電層１１２ａ、導電層１２６ａ、または導電層１２９ａなどの加工時に、絶縁層２１４に凹部が形成されることを抑制することができる。または、絶縁層２１４には、導電層１１２ａ、導電層１２６ａ、または導電層１２９ａなどの加工時に、凹部が設けられてもよい。

トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５は、ゲートとして機能する導電層２２１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１１、ソース及びドレインとして機能する導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂ、半導体層２３１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１３、並びに、ゲートとして機能する導電層２２３を有する。ここでは、同一の導電膜を加工して得られる複数の層に、同じハッチングパターンを付している。絶縁層２１１は、導電層２２１と半導体層２３１との間に位置する。絶縁層２１３は、導電層２２３と半導体層２３１との間に位置する。

本実施の形態の表示装置が有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、プレーナ型のトランジスタ、スタガ型のトランジスタ、逆スタガ型のトランジスタ等を用いることができる。また、トップゲート型またはボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。または、チャネルが形成される半導体層の上下にゲートが設けられていてもよい。

トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５には、チャネルが形成される半導体層を２つのゲートで挟持する構成が適用されている。２つのゲートを接続し、これらに同一の信号を供給することによりトランジスタを駆動してもよい。または、２つのゲートのうち、一方に閾値電圧を制御するための電位を与え、他方に駆動のための電位を与えることで、トランジスタの閾値電圧を制御してもよい。

トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、単結晶半導体、または単結晶以外の結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、または一部に結晶領域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。単結晶半導体または結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。

トランジスタの半導体層は、金属酸化物（酸化物半導体ともいう）を有することが好ましい。つまり、本実施の形態の表示装置は、金属酸化物をチャネル形成領域に用いたトランジスタ（ＯＳトランジスタ）を用いることが好ましい。

結晶性を有する酸化物半導体としては、ＣＡＡＣ（ｃ−ａｘｉｓ−ａｌｉｇｎｅｄ　ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）−ＯＳ、ｎｃ（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）−ＯＳ等が挙げられる。

または、シリコンをチャネル形成領域に用いたトランジスタ（Ｓｉトランジスタ）を用いてもよい。シリコンとしては、単結晶シリコン、多結晶シリコン、非晶質シリコン等が挙げられる。特に、半導体層に低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ（Ｌｏｗ　Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｐｏｌｙ　Ｓｉｌｉｃｏｎ））を有するトランジスタ（以下、ＬＴＰＳトランジスタともいう）を用いることができる。ＬＴＰＳトランジスタは、電界効果移動度が高く、周波数特性が良好である。

ＬＴＰＳトランジスタ等のＳｉトランジスタを適用することで、高周波数で駆動する必要のある回路（例えばソースドライバ回路）を表示部と同一基板上に作り込むことができる。これにより、表示装置に実装される外部回路を簡略化でき、部品コスト及び実装コストを削減することができる。

ＯＳトランジスタは、非晶質シリコンを用いたトランジスタと比較して電界効果移動度が極めて高い。また、ＯＳトランジスタは、オフ状態におけるソース−ドレイン間のリーク電流（オフ電流ともいう）が著しく小さく、当該トランジスタと直列に接続された容量に蓄積した電荷を長期間に亘って保持することが可能である。また、ＯＳトランジスタを適用することで、表示装置の消費電力を低減することができる。

また、画素回路に含まれる発光デバイスの発光輝度を高くする場合、発光デバイスに流す電流量を大きくする必要がある。そのためには、画素回路に含まれている駆動トランジスタのソース−ドレイン間電圧を高くする必要がある。ＯＳトランジスタは、Ｓｉトランジスタと比較して、ソース−ドレイン間において耐圧が高いため、ＯＳトランジスタのソース−ドレイン間には高い電圧を印加することができる。したがって、画素回路に含まれる駆動トランジスタをＯＳトランジスタとすることで、発光デバイスに流れる電流量を大きくし、発光デバイスの発光輝度を高くすることができる。

また、トランジスタが飽和領域で動作する場合において、ＯＳトランジスタは、Ｓｉトランジスタよりも、ゲート−ソース間電圧の変化に対して、ソース−ドレイン間電流の変化を小さくすることができる。このため、画素回路に含まれる駆動トランジスタとしてＯＳトランジスタを適用することによって、ゲート−ソース間電圧の変化によって、ソース−ドレイン間に流れる電流を細かく定めることができるため、発光デバイスに流れる電流量を制御することができる。このため、画素回路における階調数を多くすることができる。

また、トランジスタが飽和領域で動作するときに流れる電流の飽和特性において、ＯＳトランジスタは、ソース−ドレイン間電圧が徐々に高くなった場合においても、Ｓｉトランジスタよりも安定した電流（飽和電流）を流すことができる。そのため、ＯＳトランジスタを駆動トランジスタとして用いることで、例えば、ＥＬデバイスの電流−電圧特性にばらつきが生じた場合においても、発光デバイスに安定した電流を流すことができる。つまり、ＯＳトランジスタは、飽和領域で動作する場合において、ソース−ドレイン間電圧を高くしても、ソース−ドレイン間電流がほぼ変化しないため、発光デバイスの発光輝度を安定させることができる。

上記のとおり、画素回路に含まれる駆動トランジスタにＯＳトランジスタを用いることで、「黒浮きの抑制」、「発光輝度の上昇」、「多階調化」、「発光デバイスのばらつきの抑制」などを図ることができる。

半導体層に用いる酸化物半導体は、例えば、インジウムと、Ｍ（Ｍは、ガリウム、アルミニウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、スズ、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、及びマグネシウムから選ばれた一種または複数種）と、亜鉛と、を有することが好ましい。特に、Ｍは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、及びスズから選ばれた一種または複数種であることが好ましい。

特に、半導体層として、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物（ＩＧＺＯとも記す）を用いることが好ましい。または、インジウム、スズ、及び亜鉛を含む酸化物を用いることが好ましい。または、インジウム、ガリウム、スズ、及び亜鉛を含む酸化物を用いることが好ましい。または、インジウム（Ｉｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物（ＩＡＺＯとも記す）を用いることが好ましい。または、インジウム（Ｉｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物（ＩＡＧＺＯとも記す）を用いることが好ましい。

半導体層がＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の場合、当該Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物におけるＩｎの原子数比はＭの原子数比以上であることが好ましい。このようなＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の金属元素の原子数比として、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１．２またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：２またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：４またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝２：１：３またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝３：１：２またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：３またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：４．１またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：３またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：６またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：７またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：８またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝６：１：６またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：２：５またはその近傍の組成、等が挙げられる。なお、近傍の組成とは、所望の原子数比の±３０％の範囲を含む。

例えば、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：３またはその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎを４としたとき、Ｇａが１以上３以下であり、Ｚｎが２以上４以下である場合を含む。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝５：１：６またはその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎを５としたときに、Ｇａが０．１より大きく２以下であり、Ｚｎが５以上７以下である場合を含む。

回路１６４が有するトランジスタと、表示部１６２が有するトランジスタは、同じ構造であってもよく、異なる構造であってもよい。回路１６４が有する複数のトランジスタの構造は、全て同じであってもよく、２種類以上あってもよい。同様に、表示部１６２が有する複数のトランジスタの構造は、全て同じであってもよく、２種類以上あってもよい。

表示部１６２が有するトランジスタの全てをＯＳトランジスタとしてもよく、表示部１６２が有するトランジスタの全てをＳｉトランジスタとしてもよく、表示部１６２が有するトランジスタの一部をＯＳトランジスタとし、残りをＳｉトランジスタとしてもよい。

例えば、表示部１６２にＬＴＰＳトランジスタとＯＳトランジスタとの双方を用いることで、消費電力が低く、駆動能力の高い表示装置を実現することができる。また、ＬＴＰＳトランジスタと、ＯＳトランジスタとを、組み合わせる構成をＬＴＰＯと呼称する場合がある。なお、より好適な例としては、配線間の導通、非導通を制御するためのスイッチとして機能するトランジスタ等にＯＳトランジスタを適用し、電流を制御するトランジスタ等にＬＴＰＳトランジスタを適用する構成が挙げられる。

例えば、表示部１６２が有するトランジスタの一は、発光デバイスに流れる電流を制御するためのトランジスタとして機能し、駆動トランジスタと呼ぶことができる。駆動トランジスタのソース及びドレインの一方は、発光デバイスの画素電極と電気的に接続される。当該駆動トランジスタには、ＬＴＰＳトランジスタを用いることが好ましい。これにより、画素回路において発光デバイスに流れる電流を大きくできる。

一方、表示部１６２が有するトランジスタの他の一は、画素の選択、非選択を制御するためのスイッチとして機能し、選択トランジスタとも呼ぶことができる。選択トランジスタのゲートはゲート線と電気的に接続され、ソース及びドレインの一方は、ソース線（信号線）と電気的に接続される。選択トランジスタには、ＯＳトランジスタを適用することが好ましい。これにより、フレーム周波数を著しく小さく（例えば１ｆｐｓ以下）しても、画素の階調を維持することができるため、静止画を表示する際にドライバを停止することで、消費電力を低減することができる。

このように本発明の一態様の表示装置は、高い開口率と、高い精細度と、高い表示品位と、低い消費電力と、を兼ね備えることができる。

なお、本発明の一態様の表示装置は、ＯＳトランジスタを有し、且つＭＭＬ（メタルマスクレス）構造の発光デバイスを有する構成である。当該構成とすることで、トランジスタに流れうるリーク電流、及び隣接する発光デバイス間に流れうるリーク電流（横リーク電流、サイドリーク電流などともいう）を、極めて低くすることができる。また、上記構成とすることで、表示装置に画像を表示した場合に、観察者が画像のきれ、画像のするどさ、高い彩度、及び高いコントラスト比のいずれか一または複数を観測できる。なお、トランジスタに流れうるリーク電流、及び発光デバイス間の横リーク電流が極めて低い構成とすることで、黒表示時に生じうる光漏れ（いわゆる黒浮き）などが限りなく少ない表示とすることができる。

特に、ＭＭＬ構造の発光デバイスの中でも、先に示すＳＢＳ構造を適用することで、発光デバイスの間に設けられる層（例えば、発光デバイスの間で共通して用いる有機層、共通層ともいう）が分断された構成となるため、サイドリークをなくす、またはサイドリークを極めて少なくすることができる。

図２７Ｂ及び図２７Ｃに、トランジスタの他の構成例を示す。

トランジスタ２０９及びトランジスタ２１０は、ゲートとして機能する導電層２２１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１１、チャネル形成領域２３１ｉ及び一対の低抵抗領域２３１ｎを有する半導体層２３１、一対の低抵抗領域２３１ｎの一方と接続する導電層２２２ａ、一対の低抵抗領域２３１ｎの他方と接続する導電層２２２ｂ、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２２５、ゲートとして機能する導電層２２３、並びに、導電層２２３を覆う絶縁層２１５を有する。絶縁層２１１は、導電層２２１とチャネル形成領域２３１ｉとの間に位置する。絶縁層２２５は、少なくとも導電層２２３とチャネル形成領域２３１ｉとの間に位置する。さらに、トランジスタを覆う絶縁層２１８を設けてもよい。

図２７Ｂに示すトランジスタ２０９では、絶縁層２２５が半導体層２３１の上面及び側面を覆う例を示す。導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂは、それぞれ、絶縁層２２５及び絶縁層２１５に設けられた開口を介して低抵抗領域２３１ｎと接続される。導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂのうち、一方はソースとして機能し、他方はドレインとして機能する。

一方、図２７Ｃに示すトランジスタ２１０では、絶縁層２２５は、半導体層２３１のチャネル形成領域２３１ｉと重なり、低抵抗領域２３１ｎとは重ならない。例えば、導電層２２３をマスクとして絶縁層２２５を加工することで、図２７Ｃに示す構造を作製できる。図２７Ｃでは、絶縁層２２５及び導電層２２３を覆って絶縁層２１５が設けられ、絶縁層２１５の開口を介して、導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂがそれぞれ低抵抗領域２３１ｎと接続されている。

基板１５１の、基板１５２が重ならない領域には、接続部２０４が設けられている。接続部２０４では、配線１６５が導電層１６６及び接続層２４２を介してＦＰＣ１７２と電気的に接続されている。導電層１６６は、導電層１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、導電層１２６ａ、１２６ｂ、１２６ｃと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、導電層１２９ａ、１２９ｂ、１２９ｃと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、の積層構造である例を示す。接続部２０４の上面では、導電層１６６が露出している。これにより、接続部２０４とＦＰＣ１７２とを接続層２４２を介して電気的に接続することができる。

基板１５２の基板１５１側の面には、遮光層１１７を設けることが好ましい。遮光層１１７は、隣り合う発光デバイスの間、接続部１４０、及び、回路１６４などに設けることができる。また、基板１５２の外側には各種光学部材を配置することができる。

基板１５１及び基板１５２としては、それぞれ、基板１２０に用いることができる材料を適用することができる。

接着層１４２としては、樹脂層１２２に用いることができる材料を適用することができる。

接続層２４２としては、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｆｉｌｍ）、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｐａｓｔｅ）などを用いることができる。

［表示装置１００Ｈ］
図２８Ａに示す表示装置１００Ｈは、ボトムエミッション型の表示装置である点で、表示装置１００Ｇと主に相違する。

発光デバイスが発する光は、基板１５１側に射出される。基板１５１には、可視光に対する透過性が高い材料を用いることが好ましい。一方、基板１５２に用いる材料の透光性は問わない。

基板１５１とトランジスタ２０１との間、基板１５１とトランジスタ２０５との間には、遮光層１１７を形成することが好ましい。図２８Ａでは、基板１５１上に遮光層１１７が設けられ、遮光層１１７上に絶縁層１５３が設けられ、絶縁層１５３上にトランジスタ２０１、２０５などが設けられている例を示す。

発光デバイス１３０Ｒは、導電層１１２ａと、導電層１１２ａ上の導電層１２６ａと、導電層１２６ａ上の導電層１２９ａと、を有する。

発光デバイス１３０Ｇは、導電層１１２ｂと、導電層１１２ｂ上の導電層１２６ｂと、導電層１２６ｂ上の導電層１２９ｂと、を有する。

導電層１１２ａ、１１２ｂ、１２６ａ、１２６ｂ、１２９ａ、１２９ｂには、それぞれ、可視光に対する透過性が高い材料を用いる。共通電極１１５には可視光を反射する材料を用いることが好ましい。

また、図２７Ａ及び図２８Ａなどでは、層１２８が上面に平坦部を有する例を示すが、層１２８の形状は、特に限定されない。図２８Ｂ乃至図２８Ｄに、層１２８の変形例を示す。

図２８Ｂ及び図２８Ｄに示すように、層１２８の上面は、断面視において、中央及びその近傍が窪んだ形状、つまり、凹曲面を有する形状を有する構成とすることができる。

また、図２８Ｃに示すように、層１２８の上面は、断面視において、中央及びその近傍が膨らんだ形状、つまり、凸曲面を有する形状を有する構成とすることができる。

また、層１２８の上面は、凸曲面及び凹曲面の一方または双方を有していてもよい。また、層１２８の上面が有する凸曲面及び凹曲面の数はそれぞれ限定されず、一つまたは複数とすることができる。

また、層１２８の上面の高さと、導電層１１２ａの上面の高さと、は、一致または概略一致していてもよく、互いに異なっていてもよい。例えば、層１２８の上面の高さは、導電層１１２ａの上面の高さより低くてもよく、高くてもよい。

また、図２８Ｂは、導電層１１２ａの凹部の内部に層１２８が収まっている例ともいえる。一方、図２８Ｄのように、導電層１１２ａの凹部の外側に層１２８が存在する、つまり、当該凹部よりも層１２８の上面の幅が広がって形成されていてもよい。

［表示装置１００Ｊ］
図２８Ａに示す表示装置１００Ｊは、受光デバイス１５０を有する点で、表示装置１００Ｇと主に相違する。

受光デバイス１５０は、導電層１１２ｄと、導電層１１２ｄ上の導電層１２６ｄと、導電層１２６ｄ上の導電層１２９ｄと、を有する。

導電層１１２ｄは、絶縁層２１４に設けられた開口を介して、トランジスタ２０５が有する導電層２２２ｂと接続されている。

導電層１２６ｄの上面及び側面と導電層１２９ｄの上面及び側面は、第４の層１１３ｄによって覆われている。第４の層１１３ｄは、少なくとも活性層を有する。

第４の層１１３ｄの上面の一部及び側面は、絶縁層１２５、１２７によって覆われている。第４の層１１３ｄと絶縁層１２５との間にはマスク層１１８ｄが位置する。第４の層１１３ｄ、及び、絶縁層１２５、１２７上に、共通層１１４が設けられ、共通層１１４上に共通電極１１５が設けられている。共通層１１４は、受光デバイスと発光デバイスに共通して設けられるひと続きの膜である。

表示装置１００Ｊは、例えば、実施の形態４で説明した、図１８Ａ乃至図１８Ｋに示す画素レイアウトを適用することができる。また、受光デバイスを有する表示装置の詳細については、実施の形態２及び実施の形態７を参照することができる。

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置に用いることができる発光デバイスについて説明する。

本明細書等では、発光デバイスごとに、発光色（例えば、青（Ｂ）、緑（Ｇ）、及び赤（Ｒ））を作り分ける構造をＳＢＳ（Ｓｉｄｅ　Ｂｙ　Ｓｉｄｅ）構造と呼ぶ場合がある。

発光デバイスの発光色は、赤、緑、青、シアン、マゼンタ、黄、または白などとすることができる。また、発光デバイスにマイクロキャビティ構造を付与することにより色純度を高めることができる。

［発光デバイス］
図３０Ａに示すように、発光デバイスは、一対の電極（下部電極７６１及び上部電極７６２）の間に、ＥＬ層７６３を有する。ＥＬ層７６３は、層７８０、発光層７７１、及び、層７９０などの複数の層で構成することができる。

発光層７７１は、少なくとも発光物質（発光材料ともいう）を有する。

下部電極７６１が陽極であり、上部電極７６２が陰極である場合、層７８０は、正孔注入性の高い物質を含む層（正孔注入層）、正孔輸送性の高い物質を含む層（正孔輸送層）、及び、電子ブロック性の高い物質を含む層（電子ブロック層）のうち一つまたは複数を有する。また、層７９０は、電子注入性の高い物質を含む層（電子注入層）、電子輸送性の高い物質を含む層（電子輸送層）、及び、正孔ブロック性の高い物質を含む層（正孔ブロック層）のうち一つまたは複数を有する。下部電極７６１が陰極であり、上部電極７６２が陽極である場合、層７８０と層７９０は互いに上記と逆の構成になる。

一対の電極間に設けられた層７８０、発光層７７１、及び層７９０を有する構成は単一の発光ユニットとして機能することができ、本明細書では図３０Ａの構成をシングル構造と呼ぶ。

また、図３０Ｂは、図３０Ａに示す発光デバイスが有するＥＬ層７６３の変形例である。具体的には、図３０Ｂに示す発光デバイスは、下部電極７６１上の層７８１と、層７８１上の層７８２と、層７８２上の発光層７７１と、発光層７７１上の層７９１と、層７９１上の層７９２と、層７９２上の上部電極７６２と、を有する。

下部電極７６１が陽極であり、上部電極７６２が陰極である場合、例えば、層７８１を正孔注入層、層７８２を正孔輸送層、層７９１を電子輸送層、層７９２を電子注入層とすることができる。また、下部電極７６１が陰極であり、上部電極７６２が陽極である場合、層７８１を電子注入層、層７８２を電子輸送層、層７９１を正孔輸送層、層７９２を正孔注入層とすることができる。このような層構造とすることで、発光層７７１に効率よくキャリアを注入し、発光層７７１内におけるキャリアの再結合の効率を高めることができる。

なお、図３０Ｃ及び図３０Ｄに示すように、層７８０と層７９０との間に複数の発光層（発光層７７１、７７２、７７３）が設けられる構成もシングル構造のバリエーションである。

また、図３０Ｅ及び図３０Ｆに示すように、複数の発光ユニット（ＥＬ層７６３ａ及びＥＬ層７６３ｂ）が中間層７８５を介して直列に接続された構成を本明細書ではタンデム構造と呼ぶ。なお、タンデム構造をスタック構造と呼んでもよい。なお、タンデム構造とすることで、高輝度発光が可能な発光デバイスとすることができる。

図３０Ｃ及び図３０Ｄにおいて、発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３に、同じ色の光を発する発光物質、さらには、同じ発光物質を用いてもよい。例えば、発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３に、青色の光を発する発光物質を用いてもよい。図３０Ｄに示す層７６４として、色変換層を設けてもよい。

また、発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３に、それぞれ異なる色の光を発する発光物質を用いてもよい。発光層７７１、発光層７７２、及び発光層７７３がそれぞれ発する光が補色の関係である場合、白色発光が得られる。図３０Ｄに示す層７６４として、カラーフィルタ（着色層ともいう）を設けてもよい。白色光がカラーフィルタを透過することで、所望の色の光を得ることができる。

白色の光を発する発光デバイスは、２種類以上の発光物質を含むことが好ましい。白色発光を得るには、２以上の発光物質の各々の発光が補色の関係となるような発光物質を選択すればよい。例えば、第１の発光層の発光色と第２の発光層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光デバイス全体として白色発光する発光デバイスを得ることができる。また、発光層を３つ以上有する発光デバイスの場合も同様である。

また、図３０Ｅ及び図３０Ｆにおいて、発光層７７１と、発光層７７２とに、同じ色の光を発する発光物質、さらには、同じ発光物質を用いてもよい。または、発光層７７１と、発光層７７２とに、異なる色の光を発する発光物質を用いてもよい。発光層７７１が発する光と、発光層７７２が発する光が補色の関係である場合、白色発光が得られる。図３０Ｆには、さらに層７６４を設ける例を示している。層７６４としては、色変換層及びカラーフィルタ（着色層）の一方または双方を用いることができる。図３０Ｄ及び図３０Ｆでは、上部電極７６２側に光を取り出すため、上部電極７６２には、可視光を透過する導電膜を用いる。

なお、図３０Ｃ、図３０Ｄ、図３０Ｅ、及び図３０Ｆにおいても、図３０Ｂに示すように、層７８０と、層７９０とを、それぞれ独立に、２層以上の層からなる積層構造としてもよい。

次に、発光デバイスに用いることができる材料について説明する。

下部電極７６１と上部電極７６２のうち、光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用いる。また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好ましい。また、表示装置が赤外光を発する発光デバイスを有する場合には、光を取り出す側の電極には、可視光及び赤外光を透過する導電膜を用い、光を取り出さない側の電極には、可視光及び赤外光を反射する導電膜を用いることが好ましい。

また、光を取り出さない側の電極にも可視光を透過する導電膜を用いてもよい。この場合、反射層と、ＥＬ層７６３との間に当該電極を配置することが好ましい。つまり、ＥＬ層７６３の発光は、当該反射層によって反射されて、表示装置から取り出されてもよい。

発光デバイスの一対の電極を形成する材料としては、金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物などを適宜用いることができる。具体的には、Ｉｎ−Ｓｎ酸化物（インジウムスズ酸化物、ＩＴＯ）、Ｉｎ−Ｓｉ−Ｓｎ酸化物（ＩＴＳＯ）、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物（インジウム亜鉛酸化物）、Ｉｎ−Ｗ−Ｚｎ酸化物、アルミニウム、ニッケル、及びランタンの合金（Ａｌ−Ｎｉ−Ｌａ）等のアルミニウムを含む合金（アルミニウム合金）、並びに、銀とマグネシウムの合金、及び、銀とパラジウムと銅の合金（Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ、ＡＰＣとも記す）等の銀を含む合金が挙げられる。その他、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、イットリウム（Ｙ）、ネオジム（Ｎｄ）などの金属、及びこれらを適宜組み合わせて含む合金を用いることもできる。その他、上記例示のない元素周期表の第１族または第２族に属する元素（例えば、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ））、ユウロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）などの希土類金属及びこれらを適宜組み合わせて含む合金、グラフェン等を用いることができる。

発光デバイスには、微小光共振器（マイクロキャビティ）構造が適用されていることが好ましい。したがって、発光デバイスが有する一対の電極の一方は、可視光に対する透過性及び反射性を有する電極（半透過・半反射電極）を有することが好ましく、他方は、可視光に対する反射性を有する電極（反射電極）を有することが好ましい。発光デバイスがマイクロキャビティ構造を有することで、発光層から得られる発光を両電極間で共振させ、発光デバイスから射出される光を強めることができる。

なお、半透過・半反射電極は、反射電極と可視光に対する透過性を有する電極（透明電極ともいう）との積層構造とすることができる。

透明電極の光の透過率は、４０％以上とする。例えば、発光デバイスには、可視光（波長４００ｎｍ以上７５０ｎｍ未満の光）の透過率が４０％以上である電極を用いることが好ましい。半透過・半反射電極の可視光の反射率は、１０％以上９５％以下、好ましくは３０％以上８０％以下とする。反射電極の可視光の反射率は、４０％以上１００％以下、好ましくは７０％以上１００％以下とする。また、これらの電極の抵抗率は、１×１０^−２Ωｃｍ以下が好ましい。

発光デバイスには低分子化合物及び高分子化合物のいずれを用いることもでき、無機化合物を含んでいてもよい。発光デバイスを構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。

発光層は、１種または複数種の発光物質を有することができる。発光物質としては、青色、紫色、青紫色、緑色、黄緑色、黄色、橙色、または赤色などの発光色を呈する物質を適宜用いる。また、発光物質として、近赤外光を発する物質を用いることもできる。

発光物質としては、蛍光材料、りん光材料、ＴＡＤＦ材料、及び量子ドット材料などが挙げられる。

蛍光材料としては、例えば、ピレン誘導体、アントラセン誘導体、トリフェニレン誘導体、フルオレン誘導体、カルバゾール誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、キノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、フェナントレン誘導体、及びナフタレン誘導体などが挙げられる。

りん光材料としては、例えば、４Ｈ−トリアゾール骨格、１Ｈ−トリアゾール骨格、イミダゾール骨格、ピリミジン骨格、ピラジン骨格、またはピリジン骨格を有する有機金属錯体（特にイリジウム錯体）、電子吸引基を有するフェニルピリジン誘導体を配位子とする有機金属錯体（特にイリジウム錯体）、白金錯体、及び希土類金属錯体等が挙げられる。

発光層は、発光物質（ゲスト材料）に加えて、１種または複数種の有機化合物（ホスト材料、アシスト材料等）を有していてもよい。１種または複数種の有機化合物としては、正孔輸送性の高い物質（正孔輸送性材料）及び電子輸送性の高い物質（電子輸送性材料）の一方または双方を用いることができる。また、１種または複数種の有機化合物として、バイポーラ性材料、またはＴＡＤＦ材料を用いてもよい。

発光層は、例えば、りん光材料と、励起錯体を形成しやすい組み合わせである正孔輸送性材料及び電子輸送性材料と、を有することが好ましい。このような構成とすることにより、励起錯体から発光物質（りん光材料）へのエネルギー移動であるＥｘＴＥＴ（Ｅｘｃｉｐｌｅｘ−Ｔｒｉｐｌｅｔ　Ｅｎｅｒｇｙ　Ｔｒａｎｓｆｅｒ）を用いた発光を効率よく得ることができる。発光物質の最も低エネルギー側の吸収帯の波長と重なるような発光を呈する励起錯体を形成するような組み合わせを選択することで、エネルギー移動がスムーズとなり、効率よく発光を得ることができる。この構成により、発光デバイスの高効率、低電圧駆動、長寿命を同時に実現できる。

ＥＬ層７６３は、発光層以外の層として、正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、電子ブロック材料、またはバイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質）等を含む層をさらに有していてもよい。

正孔注入層は、陽極から正孔輸送層に正孔を注入する層であり、正孔注入性の高い物質を含む層である。正孔注入性の高い物質としては、芳香族アミン化合物、及び、正孔輸送性材料とアクセプター性材料（電子受容性材料）とを含む複合材料などが挙げられる。

正孔輸送層は、正孔注入層によって、陽極から注入された正孔を発光層に輸送する層である。正孔輸送層は、正孔輸送性材料を含む層である。正孔輸送性材料としては、１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質が好ましい。なお、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものも用いることができる。正孔輸送性材料としては、π電子過剰型複素芳香族化合物（例えばカルバゾール誘導体、チオフェン誘導体、フラン誘導体など）、芳香族アミン（芳香族アミン骨格を有する化合物）等の正孔輸送性の高い物質が好ましい。

電子輸送層は、電子注入層によって、陰極から注入された電子を発光層に輸送する層である。電子輸送層は、電子輸送性材料を含む層である。電子輸送性材料としては、１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質が好ましい。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものも用いることができる。電子輸送性材料としては、キノリン骨格を有する金属錯体、ベンゾキノリン骨格を有する金属錯体、オキサゾール骨格を有する金属錯体、チアゾール骨格を有する金属錯体等の他、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、キノリン配位子を有するキノリン誘導体、ベンゾキノリン誘導体、キノキサリン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、その他含窒素複素芳香族化合物を含むπ電子不足型複素芳香族化合物等の電子輸送性の高い物質を用いることができる。

電子注入層は、陰極から電子輸送層に電子を注入する層であり、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入性の高い物質としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用いることができる。電子注入性の高い物質としては、電子輸送性材料とドナー性材料（電子供与性材料）とを含む複合材料を用いることもできる。

また、電子注入性の高い物質のＬＵＭＯ準位は、陰極に用いる材料の仕事関数の値との差が小さい（具体的には０．５ｅＶ以下）ことが好ましい。

電子注入層には、例えば、リチウム、セシウム、イッテルビウム、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_ｘ、Ｘは任意数）、８−（キノリノラト）リチウム（略称：Ｌｉｑ）、２−（２−ピリジル）フェノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰ）、２−（２−ピリジル）−３−ピリジノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰｙ）、４−フェニル−２−（２−ピリジル）フェノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰＰ）、リチウム酸化物（ＬｉＯ_ｘ）、炭酸セシウム等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはこれらの化合物を用いることができる。また、電子注入層は、２以上の積層構造としてもよい。当該積層構造としては、例えば、１層目にフッ化リチウムを用い、２層目にイッテルビウムを設ける構成が挙げられる。

電子注入層は、電子輸送性材料を有していてもよい。例えば、非共有電子対を備え、電子不足型複素芳香環を有する化合物を、電子輸送性材料に用いることができる。具体的には、ピリジン環、ジアジン環（ピリミジン環、ピラジン環、ピリダジン環）、トリアジン環の少なくとも１つを有する化合物を用いることができる。

なお、非共有電子対を備える有機化合物の最低空軌道（ＬＵＭＯ：Ｌｏｗｅｓｔ　Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ　Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｏｒｂｉｔａｌ）準位は、−３．６ｅＶ以上−２．３ｅＶ以下であると好ましい。また、一般にＣＶ（サイクリックボルタンメトリ）、光電子分光法、光吸収分光法、逆光電子分光法等により、有機化合物の最高被占有軌道（ＨＯＭＯ：Ｈｉｇｈｅｓｔ　Ｏｃｃｕｐｉｅｄ　Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｏｒｂｉｔａｌ）準位及びＬＵＭＯ準位を見積もることができる。

例えば、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、２，９−ジ（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＮＢＰｈｅｎ）、ジキノキサリノ［２，３−ａ：２’，３’−ｃ］フェナジン（略称：ＨＡＴＮＡ）、２，４，６−トリス［３’−（ピリジン−３−イル）ビフェニル−３−イル］−１，３，５−トリアジン（略称：ＴｍＰＰＰｙＴｚ）等を、非共有電子対を備える有機化合物に用いることができる。なお、ＮＢＰｈｅｎはＢＰｈｅｎと比較して、高いガラス転移温度（Ｔｇ）を備え、耐熱性に優れる。

また、タンデム構造の発光デバイスを作製する場合、２つの発光ユニットの間に、中間層（電荷発生層ともいう）を設ける。中間層は、一対の電極間に電圧を印加したときに、２つの発光ユニットの一方に電子を注入し、他方に正孔を注入する機能を有する。

中間層としては、例えば、正孔注入層に適用可能な材料を好適に用いることができる。また、中間層には、正孔輸送性材料とアクセプタ性材料（電子受容性材料）とを含む層を用いることができる。また、中間層としては、電子注入層に適用可能な材料を好適に用いることができる。また、中間層には、電子輸送性材料とドナー性材料とを含む層を用いることができる。このような電荷発生層を形成することにより、発光ユニットが積層された場合における駆動電圧の上昇を抑制することができる。

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態７）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置に用いることができる受光デバイスと、受発光機能を有する表示装置と、について説明する。

受光デバイスとしては、例えば、ｐｎ型またはｐｉｎ型のフォトダイオードを用いることができる。受光デバイスは、受光デバイスに入射する光を検出し電荷を発生させる光電変換デバイス（光電変換素子）として機能する。受光デバイスに入射する光量に基づき、受光デバイスから発生する電荷量が決まる。

特に、受光デバイスとして、有機化合物を含む層を有する有機フォトダイオードを用いることが好ましい。有機フォトダイオードは、薄型化、軽量化、及び大面積化が容易であり、また、形状及びデザインの自由度が高いため、様々な表示装置に適用できる。

［受光デバイス］
図３１Ａに示すように、受光デバイスは、一対の電極（下部電極７６１及び上部電極７６２）の間に層７６５を有する。層７６５は、少なくとも１層の活性層を有し、さらに他の層を有していてもよい。

また、図３１Ｂは、図３１Ａに示す受光デバイスが有する層７６５の変形例である。具体的には、図３１Ｂに示す受光デバイスは、下部電極７６１上の層７６６と、層７６６上の活性層７６７と、活性層７６７上の層７６８と、層７６８上の上部電極７６２と、を有する。

活性層７６７は、光電変換層として機能する。

下部電極７６１が陽極であり、上部電極７６２が陰極である場合、層７６６は、正孔輸送層、及び、電子ブロック層のうち一方または双方を有する。また、層７６８は、電子輸送層、及び、正孔ブロック層のうち一方または双方を有する。下部電極７６１が陰極であり、上部電極７６２が陽極である場合、層７６６と層７６８は互いに上記と逆の構成になる。

ここで、本発明の一態様の表示装置では、受光デバイスと発光デバイスとが共通で有する層（受光デバイスと発光デバイスとが共有する一続きの層、ともいえる）が存在する場合がある。このような層は、発光デバイスにおける機能と受光デバイスにおける機能とが異なる場合がある。本明細書中では、発光デバイスにおける機能に基づいて構成要素を呼称することがある。例えば、正孔注入層は、発光デバイスにおいて正孔注入層として機能し、受光デバイスにおいて正孔輸送層として機能する。同様に、電子注入層は、発光デバイスにおいて電子注入層として機能し、受光デバイスにおいて電子輸送層として機能する。また、受光デバイスと発光デバイスが共通で有する層は、発光デバイスにおける機能と受光デバイスにおける機能とが同一である場合もある。正孔輸送層は、発光デバイス及び受光デバイスのいずれにおいても、正孔輸送層として機能し、電子輸送層は、発光デバイス及び受光デバイスのいずれにおいても、電子輸送層として機能する。

次に、受光デバイスに用いることができる材料について説明する。

受光デバイスには低分子化合物及び高分子化合物のいずれを用いることもでき、無機化合物を含んでいてもよい。受光デバイスを構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。

受光デバイスが有する活性層は、半導体を含む。当該半導体としては、シリコンなどの無機半導体、及び、有機化合物を含む有機半導体が挙げられる。本実施の形態では、活性層が有する半導体として、有機半導体を用いる例を示す。有機半導体を用いることで、発光層と、活性層と、を同じ方法（例えば、真空蒸着法）で形成することができ、製造装置を共通化できるため好ましい。

活性層が有するｎ型半導体の材料としては、フラーレン（例えばＣ_６０フラーレン、Ｃ_７０フラーレン等）、フラーレン誘導体等の電子受容性の有機半導体材料が挙げられる。フラーレン誘導体としては、例えば、［６，６］−フェニル−Ｃ_７１−酪酸メチルエステル（略称：ＰＣ７１ＢＭ）、［６，６］−フェニル−Ｃ_６１−酪酸メチルエステル（略称：ＰＣ６１ＢＭ）、１’，１’’，４’，４’’−テトラヒドロ−ジ［１，４］メタノナフタレノ［１，２：２’，３’，５６，６０：２’’，３’’］［５，６］フラーレン−Ｃ_６０（略称：ＩＣＢＡ）などが挙げられる。

また、ｎ型半導体の材料としては、例えば、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸ジイミド（略称：Ｍｅ−ＰＴＣＤＩ）などのペリレンテトラカルボン酸誘導体、及び、２，２’−（５，５’−（チエノ［３，２−ｂ］チオフェン−２，５−ジイル）ビス（チオフェン−５，２−ジイル））ビス（メタン−１−イル−１−イリデン）ジマロノニトリル（略称：ＦＴ２ＴＤＭＮ）が挙げられる。

また、ｎ型半導体の材料としては、キノリン骨格を有する金属錯体、ベンゾキノリン骨格を有する金属錯体、オキサゾール骨格を有する金属錯体、チアゾール骨格を有する金属錯体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、キノリン誘導体、ベンゾキノリン誘導体、キノキサリン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、クマリン誘導体、ローダミン誘導体、トリアジン誘導体、及び、キノン誘導体等が挙げられる。

活性層が有するｐ型半導体の材料としては、銅（ＩＩ）フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）、テトラフェニルジベンゾペリフランテン（略称：ＤＢＰ）、亜鉛フタロシアニン（略称：ＺｎＰｃ）、スズ（ＩＩ）フタロシアニン（略称：ＳｎＰｃ）、キナクリドン、及び、ルブレン等の電子供与性の有機半導体材料が挙げられる。

また、ｐ型半導体の材料としては、カルバゾール誘導体、チオフェン誘導体、フラン誘導体、芳香族アミン骨格を有する化合物等が挙げられる。さらに、ｐ型半導体の材料としては、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ピレン誘導体、トリフェニレン誘導体、フルオレン誘導体、ピロール誘導体、ベンゾフラン誘導体、ベンゾチオフェン誘導体、インドール誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、インドロカルバゾール誘導体、ポルフィリン誘導体、フタロシアニン誘導体、ナフタロシアニン誘導体、キナクリドン誘導体、ルブレン誘導体、テトラセン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、及び、ポリチオフェン誘導体等が挙げられる。

電子供与性の有機半導体材料のＨＯＭＯ準位は、電子受容性の有機半導体材料のＨＯＭＯ準位よりも浅い（高い）ことが好ましい。電子供与性の有機半導体材料のＬＵＭＯ準位は、電子受容性の有機半導体材料のＬＵＭＯ準位よりも浅い（高い）ことが好ましい。

電子受容性の有機半導体材料として、球状のフラーレンを用い、電子供与性の有機半導体材料として、平面に近い形状の有機半導体材料を用いることが好ましい。似た形状の分子同士は集まりやすい傾向にあり、同種の分子が凝集すると、分子軌道のエネルギー準位が近いため、キャリア輸送性を高めることができる。

また、活性層に、ドナーとして機能するＰｏｌｙ［［４，８−ｂｉｓ［５−（２−ｅｔｈｙｌｈｅｘｙｌ）−２−ｔｈｉｅｎｙｌ］ｂｅｎｚｏ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ｄｉｔｈｉｏｐｈｅｎｅ−２，６−ｄｉｙｌ］−２，５−ｔｈｉｏｐｈｅｎｅｄｉｙｌ［５，７−ｂｉｓ（２−ｅｔｈｙｌｈｅｘｙｌ）−４，８−ｄｉｏｘｏ−４Ｈ，８Ｈ−ｂｅｎｚｏ［１，２−ｃ：４，５−ｃ’］ｄｉｔｈｉｏｐｈｅｎｅ−１，３−ｄｉｙｌ］］ｐｏｌｙｍｅｒ（略称：ＰＢＤＢ−Ｔ）、または、ＰＢＤＢ−Ｔ誘導体などの高分子化合物を用いることができる。例えば、ＰＢＤＢ−ＴまたはＰＢＤＢ−Ｔ誘導体にアクセプター材料を分散させる方法などが使用できる。

例えば、活性層は、ｎ型半導体とｐ型半導体とを共蒸着して形成することが好ましい。または、活性層は、ｎ型半導体とｐ型半導体とを積層して形成してもよい。

また、活性層には３種類以上の材料を用いてもよい。例えば、吸収波長域を拡大する目的で、ｎ型半導体の材料と、ｐ型半導体の材料と、に加えて、第３の材料を混合してもよい。このとき、第３の材料は、低分子化合物でも高分子化合物でもよい。

受光デバイスは、活性層以外の層として、正孔輸送性の高い物質、電子輸送性の高い物質、またはバイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質）等を含む層をさらに有していてもよい。また、上記に限られず、正孔注入性の高い物質、正孔ブロック材料、電子注入性の高い物質、または電子ブロック材料などを含む層をさらに有していてもよい。受光デバイスが有する活性層以外の層には、例えば、上述の発光デバイスに用いることができる材料を用いることができる。

例えば、正孔輸送性材料または電子ブロック材料として、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）などの高分子化合物、及び、モリブデン酸化物、ヨウ化銅（ＣｕＩ）などの無機化合物を用いることができる。また、電子輸送性材料または正孔ブロック材料として、酸化亜鉛（ＺｎＯ）などの無機化合物、ポリエチレンイミンエトキシレート（ＰＥＩＥ）などの有機化合物を用いることができる。受光デバイスは、例えば、ＰＥＩＥとＺｎＯとの混合膜を有していてもよい。

［光検出機能を有する表示装置］
本発明の一態様の表示装置は、表示部に、発光デバイスがマトリクス状に配置されており、当該表示部で画像を表示することができる。また、当該表示部には、受光デバイスがマトリクス状に配置されており、表示部は、画像表示機能に加えて、撮像機能及びセンシング機能の一方または双方を有する。表示部は、イメージセンサまたはタッチセンサに用いることができる。つまり、表示部で光を検出することで、画像を撮像すること、または、対象物（指、手、またはペンなど）の近接もしくは接触を検出することができる。

さらに、本発明の一態様の表示装置は、発光デバイスをセンサの光源として利用することができる。本発明の一態様の表示装置では、表示部が有する発光デバイスが発した光を対象物が反射（または散乱）した際、受光デバイスがその反射光（または散乱光）を検出できるため、暗い場所でも、撮像またはタッチ検出が可能である。

したがって、表示装置と別に受光部及び光源を設けなくてもよく、電子機器の部品点数を削減することができる。例えば、電子機器に設けられる生体認証装置、またはスクロールなどを行うための静電容量方式のタッチパネルなどを別途設ける必要がない。したがって、本発明の一態様の表示装置を用いることで、製造コストが低減された電子機器を提供することができる。

具体的には、本発明の一態様の表示装置は、画素に、発光デバイスと受光デバイスを有する。本発明の一態様の表示装置では、発光デバイスとして有機ＥＬデバイスを用い、受光デバイスとして有機フォトダイオードを用いる。有機ＥＬデバイス及び有機フォトダイオードは、同一基板上に形成することができる。したがって、有機ＥＬデバイスを用いた表示装置に有機フォトダイオードを内蔵することができる。

画素に、発光デバイス及び受光デバイスを有する表示装置では、画素が受光機能を有するため、画像を表示しながら、対象物の接触または近接を検出することができる。例えば、表示装置が有する副画素全てで画像を表示するだけでなく、一部の副画素は、光源としての光を呈し、他の一部の副画素は光検出を行い、残りの副画素で画像を表示することもできる。

受光デバイスをイメージセンサに用いる場合、表示装置は、受光デバイスを用いて、画像を撮像することができる。例えば、本実施の形態の表示装置は、スキャナとして用いることができる。

例えば、イメージセンサを用いて、指紋、掌紋、虹彩、脈形状（静脈形状、動脈形状を含む）、または顔などを用いた個人認証のための撮像を行うことができる。

例えば、イメージセンサを用いて、ウェアラブル機器の使用者の、目の周辺、目の表面、または目の内部（眼底など）の撮像を行うことができる。したがって、ウェアラブル機器は、使用者の瞬き、黒目の動き、及び瞼の動きの中から選ばれるいずれか一または複数を検出する機能を備えることができる。

また、受光デバイスは、タッチセンサ（ダイレクトタッチセンサともいう）またはニアタッチセンサ（ホバーセンサ、ホバータッチセンサ、非接触センサ、タッチレスセンサともいう）などに用いることができる。

ここで、タッチセンサまたはニアタッチセンサは、対象物（指、手、またはペンなど）の近接もしくは接触を検出することができる。

タッチセンサは、表示装置と、対象物とが、直接接することで、対象物を検出できる。また、ニアタッチセンサは、対象物が表示装置に接触しなくても、当該対象物を検出することができる。例えば、表示装置と、対象物との間の距離が０．１ｍｍ以上３００ｍｍ以下、好ましくは３ｍｍ以上５０ｍｍ以下の範囲で表示装置が当該対象物を検出できる構成であると好ましい。当該構成とすることで、表示装置に対象物が直接触れずに操作することが可能となる、別言すると非接触（タッチレス）で表示装置を操作することが可能となる。上記構成とすることで、表示装置に汚れ、または傷がつくリスクを低減することができる、または対象物が表示装置に付着した汚れ（例えば、ゴミ、またはウィルスなど）に直接触れずに、表示装置を操作することが可能となる。

また、本発明の一態様の表示装置は、リフレッシュレートを可変にすることができる。例えば、表示装置に表示されるコンテンツに応じてリフレッシュレートを調整（例えば、１Ｈｚ以上２４０Ｈｚ以下の範囲で調整）して消費電力を低減させることができる。また、当該リフレッシュレートに応じて、タッチセンサ、またはニアタッチセンサの駆動周波数を変化させてもよい。例えば、表示装置のリフレッシュレートが１２０Ｈｚの場合、タッチセンサ、またはニアタッチセンサの駆動周波数を１２０Ｈｚよりも高い周波数（代表的には２４０Ｈｚ）とする構成とすることができる。当該構成とすることで、低消費電力が実現でき、かつタッチセンサ、またはニアタッチセンサの応答速度を高めることが可能となる。

図３１Ｃ乃至図３１Ｅに示す表示装置１００は、基板３５１と基板３５９との間に、受光デバイスを有する層３５３、機能層３５５、及び、発光デバイスを有する層３５７を有する。

機能層３５５は、受光デバイスを駆動する回路、及び、発光デバイスを駆動する回路を有する。機能層３５５には、スイッチ、トランジスタ、容量、抵抗、配線、及び端子などのうち一つまたは複数を設けることができる。なお、発光デバイス及び受光デバイスをパッシブマトリクス方式で駆動させる場合には、スイッチ及びトランジスタを設けない構成としてもよい。

例えば、図３１Ｃに示すように、発光デバイスを有する層３５７において発光デバイスが発した光を、表示装置１００に接触した指３５２が反射することで、受光デバイスを有する層３５３における受光デバイスがその反射光を検出する。これにより、表示装置１００に指３５２が接触したことを検出することができる。

また、図３１Ｄ及び図３１Ｅに示すように、表示装置に近接している（つまり、接触していない）対象物を検出または撮像する機能を有していてもよい。図３１Ｄでは、人の指を検出する例を示し、図３１Ｅでは人の目の周辺、表面、または内部の情報（瞬きの回数、眼球の動き、瞼の動きなど）を検出する例を示す。

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態８）
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器について、図３２乃至図３４を用いて説明する。

本実施の形態の電子機器は、表示部に本発明の一態様の表示装置を有する。本発明の一態様の表示装置は、高精細化及び高解像度化が容易である。したがって、様々な電子機器の表示部に用いることができる。

電子機器としては、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型もしくはノート型のパーソナルコンピュータ、コンピュータ用などのモニタ、デジタルサイネージ、パチンコ機などの大型ゲーム機などの比較的大きな画面を備える電子機器の他、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、などが挙げられる。

特に、本発明の一態様の表示装置は、精細度を高めることが可能なため、比較的小さな表示部を有する電子機器に好適に用いることができる。このような電子機器としては、例えば、腕時計型及びブレスレット型の情報端末機（ウェアラブル機器）、並びに、ヘッドマウントディスプレイなどのＶＲ向け機器、メガネ型のＡＲ向け機器、及び、ＭＲ向け機器など、頭部に装着可能なウェアラブル機器等が挙げられる。

本発明の一態様の表示装置は、ＨＤ（画素数１２８０×７２０）、ＦＨＤ（画素数１９２０×１０８０）、ＷＱＨＤ（画素数２５６０×１４４０）、ＷＱＸＧＡ（画素数２５６０×１６００）、４Ｋ（画素数３８４０×２１６０）、８Ｋ（画素数７６８０×４３２０）といった極めて高い解像度を有していることが好ましい。特に４Ｋ、８Ｋ、またはそれ以上の解像度とすることが好ましい。また、本発明の一態様の表示装置における画素密度（精細度）は、１００ｐｐｉ以上が好ましく、３００ｐｐｉ以上が好ましく、５００ｐｐｉ以上がより好ましく、１０００ｐｐｉ以上がより好ましく、２０００ｐｐｉ以上がより好ましく、３０００ｐｐｉ以上がより好ましく、５０００ｐｐｉ以上がより好ましく、７０００ｐｐｉ以上がさらに好ましい。このように高い解像度及び高い精細度の一方または双方を有する表示装置を用いることで、携帯型または家庭用途などのパーソナルユースの電子機器において、臨場感及び奥行き感などをより高めることが可能となる。また、本発明の一態様の表示装置の画面比率（アスペクト比）については、特に限定はない。例えば、表示装置は、１：１（正方形）、４：３、１６：９、１６：１０など様々な画面比率に対応することができる。

本実施の形態の電子機器は、センサ（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、においまたは赤外線を測定する機能を含むもの）を有していてもよい。

本実施の形態の電子機器は、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）を実行する機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出す機能等を有することができる。

図３２Ａ乃至図３２Ｄを用いて、頭部に装着可能なウェアラブル機器の一例を説明する。これらウェアラブル機器は、ＡＲのコンテンツを表示する機能、ＶＲのコンテンツを表示する機能、ＳＲのコンテンツを表示する機能、ＭＲのコンテンツを表示する機能のうち少なくとも一つを有する。電子機器が、ＡＲ、ＶＲ、ＳＲ、及びＭＲなどの少なくとも一つのコンテンツを表示する機能を有することで、使用者の没入感を高めることが可能となる。

図３２Ａに示す電子機器７００Ａ、及び、図３２Ｂに示す電子機器７００Ｂは、それぞれ、一対の表示パネル７５１と、一対の筐体７２１と、通信部（図示しない）と、一対の装着部７２３と、制御部（図示しない）と、撮像部（図示しない）と、一対の光学部材７５３と、フレーム７５７と、一対の鼻パッド７５８と、を有する。

表示パネル７５１には、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。したがって極めて精細度の高い表示が可能な電子機器とすることができる。

電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂは、それぞれ、光学部材７５３の表示領域７５６に、表示パネル７５１で表示した画像を投影することができる。光学部材７５３は透光性を有するため、使用者は光学部材７５３を通して視認される透過像に重ねて、表示領域に表示された画像を見ることができる。したがって、電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂは、それぞれ、ＡＲ表示が可能な電子機器である。

電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂには、撮像部として、前方を撮像することのできるカメラが設けられていてもよい。また、電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂは、それぞれ、ジャイロセンサなどの加速度センサを備えることで、使用者の頭部の向きを検知して、その向きに応じた画像を表示領域７５６に表示することもできる。

通信部は無線通信機を有し、当該無線通信機により映像信号等を供給することができる。なお、無線通信機に代えて、または無線通信機に加えて、映像信号及び電源電位が供給されるケーブルを接続可能なコネクタを備えていてもよい。

また、電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂには、バッテリが設けられており、無線及び有線の一方または双方によって充電することができる。

筐体７２１には、タッチセンサモジュールが設けられていてもよい。タッチセンサモジュールは、筐体７２１の外側の面がタッチされることを検出する機能を有する。タッチセンサモジュールにより、使用者のタップ操作またはスライド操作などを検出し、様々な処理を実行することができる。例えば、タップ操作によって動画の一時停止または再開などの処理を実行することが可能となり、スライド操作により、早送りまたは早戻しの処理を実行することなどが可能となる。また、２つの筐体７２１のそれぞれにタッチセンサモジュールを設けることで、操作の幅を広げることができる。

タッチセンサモジュールとしては、様々なタッチセンサを適用することができる。例えば、静電容量方式、抵抗膜方式、赤外線方式、電磁誘導方式、表面弾性波方式、光学方式等、種々の方式を採用することができる。特に、静電容量方式または光学方式のセンサを、タッチセンサモジュールに適用することが好ましい。

光学方式のタッチセンサを用いる場合には、受光デバイスとして、光電変換デバイス（光電変換素子）を用いることができる。光電変換デバイスの活性層には、無機半導体及び有機半導体の一方または双方を用いることができる。

図３２Ｃに示す電子機器８００Ａ、及び、図３２Ｄに示す電子機器８００Ｂは、それぞれ、一対の表示部８２０と、筐体８２１と、通信部８２２と、一対の装着部８２３と、制御部８２４と、一対の撮像部８２５と、一対のレンズ８３２と、を有する。

表示部８２０には、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。したがって極めて精細度の高い表示が可能な電子機器とすることができる。これにより、使用者に高い没入感を感じさせることができる。

表示部８２０は、筐体８２１の内部の、レンズ８３２を通して視認できる位置に設けられる。また、一対の表示部８２０に異なる画像を表示させることで、視差を用いた３次元表示を行うこともできる。

電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂは、それぞれ、ＶＲ向けの電子機器ということができる。電子機器８００Ａまたは電子機器８００Ｂを装着した使用者は、レンズ８３２を通して、表示部８２０に表示される画像を視認することができる。

電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂは、それぞれ、レンズ８３２及び表示部８２０が、使用者の目の位置に応じて最適な位置となるように、これらの左右の位置を調整可能な機構を有していることが好ましい。また、レンズ８３２と表示部８２０との距離を変えることで、ピントを調整する機構を有していることが好ましい。

装着部８２３により、使用者は電子機器８００Ａまたは電子機器８００Ｂを頭部に装着することができる。なお、図３２Ｃなどにおいては、メガネのつる（テンプルなどともいう）のような形状として例示しているがこれに限定されない。装着部８２３は、使用者が装着できればよく、例えば、ヘルメット型またはバンド型の形状としてもよい。

撮像部８２５は、外部の情報を取得する機能を有する。撮像部８２５が取得したデータは、表示部８２０に出力することができる。撮像部８２５には、イメージセンサを用いることができる。また、望遠、広角などの複数の画角に対応可能なように複数のカメラを設けてもよい。

なお、ここでは撮像部８２５を有する例を示したが、対象物の距離を測定することのできる測距センサ（以下、検知部ともよぶ）を設ければよい。すなわち、撮像部８２５は、検知部の一態様である。検知部としては、例えばイメージセンサ、または、ライダー（ＬＩＤＡＲ：Ｌｉｇｈｔ　Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ　ａｎｄ　Ｒａｎｇｉｎｇ）などの距離画像センサを用いることができる。カメラによって得られた画像と、距離画像センサによって得られた画像とを用いることにより、より多くの情報を取得し、より高精度なジェスチャー操作を可能とすることができる。

電子機器８００Ａは、骨伝導イヤフォンとして機能する振動機構を有していてもよい。例えば、表示部８２０、筐体８２１、及び装着部８２３のいずれか一または複数に、当該振動機構を有する構成を適用することができる。これにより、別途、ヘッドフォン、イヤフォン、またはスピーカなどの音響機器を必要とせず、電子機器８００Ａを装着しただけで映像と音声を楽しむことができる。

電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂは、それぞれ、入力端子を有していてもよい。入力端子には映像出力機器等からの映像信号、及び、電子機器内に設けられるバッテリを充電するための電力等を供給するケーブルを接続することができる。

本発明の一態様の電子機器は、イヤフォン７５０と無線通信を行う機能を有していてもよい。イヤフォン７５０は、通信部（図示しない）を有し、無線通信機能を有する。イヤフォン７５０は、無線通信機能により、電子機器から情報（例えば音声データ）を受信することができる。例えば、図３２Ａに示す電子機器７００Ａは、無線通信機能によって、イヤフォン７５０に情報を送信する機能を有する。また、例えば、図３２Ｃに示す電子機器８００Ａは、無線通信機能によって、イヤフォン７５０に情報を送信する機能を有する。

また、電子機器がイヤフォン部を有していてもよい。図３２Ｂに示す電子機器７００Ｂは、イヤフォン部７２７を有する。例えば、イヤフォン部７２７と制御部とは、互いに有線接続されている構成とすることができる。イヤフォン部７２７と制御部とをつなぐ配線の一部は、筐体７２１または装着部７２３の内部に配置されていてもよい。

同様に、図３２Ｄに示す電子機器８００Ｂは、イヤフォン部８２７を有する。例えば、イヤフォン部８２７と制御部８２４とは、互いに有線接続されている構成とすることができる。イヤフォン部８２７と制御部８２４とをつなぐ配線の一部は、筐体８２１または装着部８２３の内部に配置されていてもよい。また、イヤフォン部８２７と装着部８２３とがマグネットを有していてもよい。これにより、イヤフォン部８２７を装着部８２３に磁力によって固定することができ、収納が容易となり好ましい。

なお、電子機器は、イヤフォンまたはヘッドフォンなどを接続することができる音声出力端子を有していてもよい。また、電子機器は、音声入力端子及び音声入力機構の一方または双方を有していてもよい。音声入力機構としては、例えば、マイクなどの集音装置を用いることができる。電子機器が音声入力機構を有することで、電子機器に、いわゆるヘッドセットとしての機能を付与してもよい。

このように、本発明の一態様の電子機器としては、メガネ型（電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂなど）と、ゴーグル型（電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂなど）と、のどちらも好適である。

また、本発明の一態様の電子機器は、有線または無線によって、イヤフォンに情報を送信することができる。

図３３Ａに示す電子機器６５００は、スマートフォンとして用いることのできる携帯情報端末機である。

電子機器６５００は、筐体６５０１、表示部６５０２、電源ボタン６５０３、ボタン６５０４、スピーカ６５０５、マイク６５０６、カメラ６５０７、及び光源６５０８等を有する。表示部６５０２はタッチパネル機能を備える。

表示部６５０２に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。

図３３Ｂは、筐体６５０１のマイク６５０６側の端部を含む断面概略図である。

筐体６５０１の表示面側には透光性を有する保護部材６５１０が設けられ、筐体６５０１と保護部材６５１０に囲まれた空間内に、表示パネル６５１１、光学部材６５１２、タッチセンサパネル６５１３、プリント基板６５１７、バッテリ６５１８等が配置されている。

保護部材６５１０には、表示パネル６５１１、光学部材６５１２、及びタッチセンサパネル６５１３が接着層（図示しない）により固定されている。

表示部６５０２よりも外側の領域において、表示パネル６５１１の一部が折り返されており、当該折り返された部分にＦＰＣ６５１５が接続されている。ＦＰＣ６５１５には、ＩＣ６５１６が実装されている。ＦＰＣ６５１５は、プリント基板６５１７に設けられた端子に接続されている。

表示パネル６５１１には本発明の一態様のフレキシブルディスプレイを適用することができる。そのため、極めて軽量な電子機器を実現できる。また、表示パネル６５１１が極めて薄いため、電子機器の厚さを抑えつつ、大容量のバッテリ６５１８を搭載することもできる。また、表示パネル６５１１の一部を折り返して、画素部の裏側にＦＰＣ６５１５との接続部を配置することにより、狭額縁の電子機器を実現できる。

図３３Ｃにテレビジョン装置の一例を示す。テレビジョン装置７１００は、筐体７１０１に表示部７０００が組み込まれている。ここでは、スタンド７１０３により筐体７１０１を支持した構成を示している。

表示部７０００に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。

図３３Ｃに示すテレビジョン装置７１００の操作は、筐体７１０１が備える操作スイッチ、及び、別体のリモコン操作機７１１１により行うことができる。または、表示部７０００にタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部７０００に触れることでテレビジョン装置７１００を操作してもよい。リモコン操作機７１１１は、当該リモコン操作機７１１１から出力する情報を表示する表示部を有していてもよい。リモコン操作機７１１１が備える操作キーまたはタッチパネルにより、チャンネル及び音量の操作を行うことができ、表示部７０００に表示される映像を操作することができる。

なお、テレビジョン装置７１００は、受信機及びモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができる。また、モデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）または双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。

図３３Ｄに、ノート型パーソナルコンピュータの一例を示す。ノート型パーソナルコンピュータ７２００は、筐体７２１１、キーボード７２１２、ポインティングデバイス７２１３、外部接続ポート７２１４等を有する。筐体７２１１に、表示部７０００が組み込まれている。

表示部７０００に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。

図３３Ｅ及び図３３Ｆに、デジタルサイネージの一例を示す。

図３３Ｅに示すデジタルサイネージ７３００は、筐体７３０１、表示部７０００、及びスピーカ７３０３等を有する。さらに、ＬＥＤランプ、操作キー（電源スイッチ、または操作スイッチを含む）、接続端子、各種センサ、マイクロフォン等を有することができる。

図３３Ｆは円柱状の柱７４０１に取り付けられたデジタルサイネージ７４００である。デジタルサイネージ７４００は、柱７４０１の曲面に沿って設けられた表示部７０００を有する。

図３３Ｅ及び図３３Ｆにおいて、表示部７０００に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。

表示部７０００が広いほど、一度に提供できる情報量を増やすことができる。また、表示部７０００が広いほど、人の目につきやすく、例えば、広告の宣伝効果を高めることができる。

表示部７０００にタッチパネルを適用することで、表示部７０００に画像または動画を表示するだけでなく、使用者が直感的に操作することができ、好ましい。また、路線情報もしくは交通情報などの情報を提供するための用途に用いる場合には、直感的な操作によりユーザビリティを高めることができる。

また、図３３Ｅ及び図３３Ｆに示すように、デジタルサイネージ７３００またはデジタルサイネージ７４００は、使用者が所持するスマートフォン等の情報端末機７３１１または情報端末機７４１１と無線通信により連携可能であることが好ましい。例えば、表示部７０００に表示される広告の情報を、情報端末機７３１１または情報端末機７４１１の画面に表示させることができる。また、情報端末機７３１１または情報端末機７４１１を操作することで、表示部７０００の表示を切り替えることができる。

また、デジタルサイネージ７３００またはデジタルサイネージ７４００に、情報端末機７３１１または情報端末機７４１１の画面を操作手段（コントローラ）としたゲームを実行させることもできる。これにより、不特定多数の使用者が同時にゲームに参加し、楽しむことができる。

図３４Ａ乃至図３４Ｇに示す電子機器は、筐体９０００、表示部９００１、スピーカ９００３、操作キー９００５（電源スイッチ、または操作スイッチを含む）、接続端子９００６、センサ９００７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、においまたは赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン９００８、等を有する。

図３４Ａ乃至図３４Ｇにおいて、表示部９００１に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。

図３４Ａ乃至図３４Ｇに示す電子機器は、様々な機能を有する。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出して処理する機能、等を有することができる。なお、電子機器の機能はこれらに限られず、様々な機能を有することができる。電子機器は、複数の表示部を有していてもよい。また、電子機器にカメラ等を設け、静止画または動画を撮影し、記録媒体（外部またはカメラに内蔵）に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能、等を有していてもよい。

図３４Ａ乃至図３４Ｇに示す電子機器の詳細について、以下説明を行う。

図３４Ａは、携帯情報端末９１０１を示す斜視図である。携帯情報端末９１０１は、例えばスマートフォンとして用いることができる。なお、携帯情報端末９１０１は、スピーカ９００３、接続端子９００６、センサ９００７等を設けてもよい。また、携帯情報端末９１０１は、文字及び画像情報をその複数の面に表示することができる。図３４Ａでは３つのアイコン９０５０を表示した例を示している。また、破線の矩形で示す情報９０５１を表示部９００１の他の面に表示することもできる。情報９０５１の一例としては、電子メール、ＳＮＳ、電話などの着信の通知、電子メールまたはＳＮＳなどの題名、送信者名、日時、時刻、バッテリの残量、電波強度などがある。または、情報９０５１が表示されている位置にはアイコン９０５０などを表示してもよい。

図３４Ｂは、携帯情報端末９１０２を示す斜視図である。携帯情報端末９１０２は、表示部９００１の３面以上に情報を表示する機能を有する。ここでは、情報９０５２、情報９０５３、情報９０５４がそれぞれ異なる面に表示されている例を示す。例えば使用者は、洋服の胸ポケットに携帯情報端末９１０２を収納した状態で、携帯情報端末９１０２の上方から観察できる位置に表示された情報９０５３を確認することもできる。使用者は、携帯情報端末９１０２をポケットから取り出すことなく表示を確認し、例えば電話を受けるか否かを判断できる。

図３４Ｃは、タブレット端末９１０３を示す斜視図である。タブレット端末９１０３は、一例として、移動電話、電子メール、文章閲覧及び作成、音楽再生、インターネット通信、コンピュータゲーム等の種々のアプリケーションの実行が可能である。タブレット端末９１０３は、筐体９０００の正面に表示部９００１、カメラ９００２、マイクロフォン９００８、スピーカ９００３を有し、筐体９０００の左側面には操作用のボタンとしての操作キー９００５、底面には接続端子９００６を有する。

図３４Ｄは、腕時計型の携帯情報端末９２００を示す斜視図である。携帯情報端末９２００は、例えばスマートウォッチ（登録商標）として用いることができる。また、表示部９００１はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる。また、携帯情報端末９２００は、例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハンズフリーで通話することもできる。また、携帯情報端末９２００は、接続端子９００６により、他の情報端末と相互にデータ伝送を行うこと、及び、充電を行うこともできる。なお、充電動作は無線給電により行ってもよい。

図３４Ｅ乃至図３４Ｇは、折り畳み可能な携帯情報端末９２０１を示す斜視図である。また、図３４Ｅは携帯情報端末９２０１を展開した状態、図３４Ｇは折り畳んだ状態、図３４Ｆは図３４Ｅと図３４Ｇの一方から他方に変化する途中の状態の斜視図である。携帯情報端末９２０１は、折り畳んだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では継ぎ目のない広い表示領域により表示の一覧性に優れる。携帯情報端末９２０１が有する表示部９００１は、ヒンジ９０５５によって連結された３つの筐体９０００に支持されている。例えば、表示部９００１は、曲率半径０．１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下で曲げることができる。

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

本実施例では、本発明の一態様の表示装置について、図３５乃至図４１を参照しながら説明する。

図３５Ａは表示装置７００の構成を説明する図であり、図３５Ｂは表示装置の一部を説明する上面図であり、図３５Ｃは図３５Ｂに示す切断線Ｐ−Ｑにおける発光デバイスの構成を説明する断面図である。

図３６Ａは、本発明の一態様の表示装置に用いることができる発光デバイス５５０Ｘの構成を説明する図であり、図３６Ｂは図３６Ａとは異なる構成を説明する図である。

図３７は、発光デバイスＡ、発光デバイスＢ、発光デバイスＣの電流密度−輝度特性を説明する図である。

図３８は、発光デバイスＡ、発光デバイスＢ、発光デバイスＣの輝度−電流効率特性を説明する図である。

図３９は、発光デバイスＡ、発光デバイスＢ、発光デバイスＣの電圧−輝度特性を説明する図である。

図４０は、発光デバイスＡ、発光デバイスＢ、発光デバイスＣの電圧−電流特性を説明する図である。

図４１は、発光デバイスＡ、発光デバイスＢ、発光デバイスＣを１０００ｃｄ／ｍ^２の輝度で発光させた際の発光スペクトルを説明する図である。

＜表示装置７００＞
本実施例で説明する作製した表示装置７００は、基板５１０、機能層５２０および一組の画素１１０を有する（図３５Ａ参照）。なお、表示装置７００は、複数の一組の画素１１０を３２０７ｐｐｉの精細度で有し、複数の一組の画素１１０は、縦方向に７．９２μｍピッチ、横方向に７．９２μｍピッチで配置される。

一組の画素１１０は、発光デバイスＡ、発光デバイスＢおよび発光デバイスＣを備える（図３５Ｂおよび図３５Ｃ参照）。

機能層５２０は、基板５１０および発光デバイスＡの間に挟まれる。機能層５２０は絶縁層５２１を備え、発光デバイスＡ、発光デバイスＢおよび発光デバイスＣは、絶縁層５２１上に形成される。

また、表示装置７００は、層１０５、導電膜５５２、層５２９＿１、層５２９＿２および層５２９＿３を有する（図３５Ｃ参照）。

導電膜５５２は絶縁層５２１と重なり、導電膜５５２は電極５５２Ａ、電極５５２Ｂおよび電極５５２Ｃを含む。層１０５は導電膜５５２および絶縁層５２１の間に挟まれ、層１０５は層１０５Ａ、層１０５Ｂおよび層１０５Ｃを含む。

層５２９＿１は複数の開口部を備え、一の開口部は電極５５１Ａと重なり、一の開口部は電極５５１Ｂと重なり、一の開口部は電極５５１Ｃと重なる。なお、電極５５１Ｂは、電極５５１Ａとの間に間隙５５１ＡＢを備える。電極５５１Ｃは、電極５５１Ａとの間に間隙５５１ＢＣを備える。また、層５２９＿１は間隙５５１ＡＢと重なる開口部および間隙５５１ＢＣと重なる開口部を備える。

層５２９＿２は開口部を備え、一の開口部は電極５５１Ａと重なり、一の開口部は電極５５１Ｂと重なり、一の開口部は電極５５１Ｃと重なる。また、層５２９＿２は間隙５５１ＡＢおよび間隙５５１ＢＣと重なる。

層５２９＿２は、層７０４Ａ、層７０４Ｂおよび層７０４Ｃと接する領域を備える。層５２９＿２は、ユニット７０３Ａ、ユニット７０３Ｂおよびユニット７０３Ｃと接する領域を備える。層５２９＿２は、中間層７０６Ａ、中間層７０６Ｂおよび中間層７０６Ｃと接する領域を備える。層５２９＿２は、ユニット７０３Ａ２、ユニット７０３Ｂ２およびユニット７０３Ｃ２と接する領域を備える。また、層５２９＿２は、絶縁層５２１と接する領域を備える。

層５２９＿３は、導電膜５５２および絶縁層５２１の間に挟まれる。層５２９＿３は間隙５５１ＡＢと重なり、層５２９＿３は間隙５５１ＢＣと重なる。

層５２９＿３は、開口部５２９＿３Ａ、開口部５２９＿３Ｂおよび開口部５２９＿３Ｃを備える。開口部５２９＿３Ａは電極５５１Ａと重なり、開口部５２９＿３Ｂは電極５５１Ｂと重なり、開口部５２９＿３Ｃは電極５５１Ｃと重なる。

《発光デバイスＡの構成》
発光デバイスＡは、反射膜ＲＥＦＡ、電極５５１Ａ、電極５５２Ａ、ユニット７０３Ａ、ユニット７０３Ａ２、中間層７０６Ａ、層７０４Ａ、層１０５Ａおよび層ＣＡＰを備える（図３５Ｃ参照）。なお、発光デバイスＡは、縦６．９２μｍ、横２．７３μｍの長方形の形状を備える（図３５Ｂ参照）。

また、発光デバイスＡは発光デバイス５５０Ｘと同様の構成を備える（図３６Ａ参照）。なお、発光デバイス５５０Ｘの構成についての説明は、発光デバイスＡに援用することができる。具体的には、発光デバイス５５０Ｘの構成に用いる符号の「Ｘ」を「Ａ」に読み替えて、発光デバイスＡの説明に援用することができる。

発光デバイス５５０Ｘは、反射膜ＲＥＦ、ユニット７０３Ｘ、ユニット７０３Ｘ２、中間層７０６Ｘ、層７０４Ｘ、層１０５Ｘおよび層ＣＡＰを備える。反射膜ＲＥＦは、層ＲＥＦ１、層ＲＥＦ２および層ＲＥＦ３を備える。ユニット７０３Ｘは層７１２Ｘ１１、層７１２Ｘ１２、層７１３Ｘおよび層７１１Ｘを備える。ユニット７０３Ｘ２は層７１２Ｘ２１、層７１２Ｘ２２、層７１３Ｘ２１、層７１３Ｘ２２および層７１１Ｘ２を備える。中間層７０６Ｘは、層７０６Ｘ１、層７０６Ｘ２および層７０６Ｘ３を備える。

本実施例で説明する作製した発光デバイスＡの詳細な構成を表１に示す。また、本実施例で説明する発光デバイスに用いた材料の構造式を以下に示す。なお、本実施例の表中において、下付き文字および上付き文字は、便宜上、標準の大きさで記載される。例えば、略称に用いる下付き文字および単位に用いる上付き文字は、表中において、標準の大きさで記載される。表中のこれらの記載は、明細書の記載を参酌して読み替えることができる。

《発光デバイスＡの動作特性》
電力を供給すると発光デバイスＡは光ＥＬＡおよび光ＥＬＡ２を射出した（図３５Ｃ参照）。発光デバイスＡの動作特性を、室温にて測定した（図３７乃至図４１参照）。なお、輝度、ＣＩＥ色度および発光スペクトルの測定には、分光放射計（トプコン社製、ＳＲ−ＵＬ１Ｒ）を用いた。なお、発光デバイスＡは、３２０７ｐｐｉ（縦方向７．９２μｍピッチ、横方向７．９２μｍピッチ）の精細度で配置されている。なお、発光デバイスＡは２９．７％の開口率を有する。

作製した発光デバイスを輝度１０００ｃｄ／ｍ^２程度で発光させた場合の主な初期特性を表２に示す。また、構成を後述する他の発光デバイスの特性も表２に記載する。

発光デバイスＡは、良好な特性を示すことがわかった。例えば、発光デバイスＡは、青色の発光を示すタンデム型の発光デバイスとして機能し、高い電流効率を示した。また、色度に現れた通り、発光色は深い青色を呈した。また、本発明の一態様の構成を備えるタンデム型の発光デバイスは、作製工程中に晒される大気成分および薬液に対して高い耐性を備えることがわかった。

《発光デバイスＢの構成》
発光デバイスＢは、反射膜ＲＥＦＢ、電極５５１Ｂ、電極５５２Ｂ、ユニット７０３Ｂ、ユニット７０３Ｂ２、中間層７０６Ｂ、層７０４Ｂ、層１０５Ｂおよび層ＣＡＰを備える（図３５Ｃ参照）。なお、発光デバイスＢは、縦２．９６μｍ、横３．１９μｍの長方形の形状を備える（図３５Ｂ参照）。

また、発光デバイスＢは発光デバイス５５０Ｘと同様の構成を備える（図３６Ｂ参照）。なお、発光デバイス５５０Ｘの構成についての説明は、発光デバイスＢに援用することができる。具体的には、発光デバイス５５０Ｘの構成に用いる符号の「Ｘ」を「Ｂ」に読み替えて、発光デバイスＢの説明に援用することができる。

発光デバイス５５０Ｘは、反射膜ＲＥＦ、ユニット７０３Ｘ、ユニット７０３Ｘ２、中間層７０６Ｘ、層７０４Ｘ、層１０５Ｘおよび層ＣＡＰを備える。反射膜ＲＥＦは、層ＲＥＦ１、層ＲＥＦ２および層ＲＥＦ３を備える。ユニット７０３Ｘは層７１２Ｘ１１、層７１３Ｘおよび層７１１Ｘを備える。ユニット７０３Ｘ２は層７１２Ｘ２１、層７１３Ｘ２１、層７１３Ｘ２２および層７１１Ｘ２を備える。中間層７０６Ｘは、層７０６Ｘ１、層７０６Ｘ２および層７０６Ｘ３を備える。

本実施例で説明する作製した発光デバイスＢの詳細な構成を表３に示す。また、本実施例で説明する発光デバイスに用いた材料の構造式を以下に示す。発光デバイスＢの構成は、層７１２Ｘ１２並びに層７１２Ｘ２２を備えていない点、および、層７１２Ｘ１１、層７１２Ｘ２１、層７１１Ｘ、層７１１Ｘ２並びに層７０６Ｘ２において発光デバイスＡとは異なる。

《発光デバイスＢの動作特性》
電力を供給すると発光デバイスＢは光ＥＬＢおよび光ＥＬＢ２を射出した（図３５Ｃ参照）。発光デバイスＢの動作特性を、室温にて測定した（図３７乃至図４１参照）。なお、発光デバイスＢは、３２０７ｐｐｉ（縦方向７．９２μｍピッチ、横方向７．９２μｍピッチ）の精細度で配置されている。なお、発光デバイスＢは１５．５％の開口率を有する。

発光デバイスＢは、良好な特性を示すことがわかった。例えば、発光デバイスＢは、緑色の発光を示すタンデム型の発光デバイスとして機能し、高い電流効率を示した。また、本発明の一態様の構成を備えるタンデム型の発光デバイスは、作製工程中に晒される大気成分および薬液に対して高い耐性を備えることがわかった。

《発光デバイスＣの構成》
発光デバイスＣは、反射膜ＲＥＦＣ、電極５５１Ｃ、電極５５２Ｃ、ユニット７０３Ｃ、ユニット７０３Ｃ２、中間層７０６Ｃ、層７０４Ｃ、層１０５Ｃおよび層ＣＡＰを備える（図３５Ｃ参照）。なお、発光デバイスＢは、縦２．９６μｍ、横３．１９μｍの長方形の形状を備える（図３５Ｂ参照）。

また、発光デバイスＣは発光デバイス５５０Ｘと同様の構成を備える（図３６Ｂ参照）。なお、発光デバイス５５０Ｘの構成についての説明は、発光デバイスＣに援用することができる。具体的には、発光デバイス５５０Ｘの構成に用いる符号の「Ｘ」を「Ｃ」に読み替えて、発光デバイスＣの説明に援用することができる。

発光デバイス５５０Ｘは、反射膜ＲＥＦ、ユニット７０３Ｘ、ユニット７０３Ｘ２、中間層７０６Ｘ、層７０４Ｘ、層１０５Ｘおよび層ＣＡＰを備える。反射膜ＲＥＦは、層ＲＥＦ１、層ＲＥＦ２および層ＲＥＦ３を備える。ユニット７０３Ｘは層７１２Ｘ１１、層７１３Ｘおよび層７１１Ｘを備える。ユニット７０３Ｘ２は層７１２Ｘ２１、層７１３Ｘ２１、層７１３Ｘ２２および層７１１Ｘ２を備える。中間層７０６Ｘは、層７０６Ｘ１、層７０６Ｘ２および層７０６Ｘ３を備える。

本実施例で説明する作製した発光デバイスＣの詳細な構成を表４に示す。また、本実施例で説明する発光デバイスに用いた材料の構造式を以下に示す。発光デバイスＣの構成は、層７１２Ｘ１２並びに層７１２Ｘ２２を備えていない点、および、層７１２Ｘ１１、層７１２Ｘ２１、層７１１Ｘ、層７１１Ｘ２、層７１３Ｘ、層７１３Ｘ２１並びに層７１３Ｘ２２において発光デバイスＡとは異なる。

《発光デバイスＣの動作特性》
電力を供給すると発光デバイスＣは光ＥＬＣおよび光ＥＬＣ２を射出した（図３５Ｃ参照）。発光デバイスＣの動作特性を、室温にて測定した（図３７乃至図４１参照）。なお、発光デバイスＣは、３２０７ｐｐｉ（縦方向７．９２μｍピッチ、横方向７．９２μｍピッチ）の精細度で配置されている。なお、発光デバイスＣは１５．２％の開口率を有する。

発光デバイスＣは、良好な特性を示すことがわかった。例えば、発光デバイスＣは、赤色の発光を示すタンデム型の発光デバイスとして機能し、高い電流効率を示した。また、本発明の一態様の構成を備えるタンデム型の発光デバイスは、作製工程中に晒される大気成分および薬液に対して高い耐性を備えることがわかった。

《発光デバイスＡ、発光デバイスＢおよび発光デバイスＣの作製方法》
下記のステップを有する方法を用いて、本実施例で説明する発光デバイスＡ、発光デバイスＢおよび発光デバイスＣを作製した（図３６Ａおよび図３６Ｂ参照）。

［第１のステップ］
第１のステップにおいて、反射膜ＲＥＦ１を形成した。具体的には、ターゲットにチタン（Ｔｉ）を用いて、スパッタリング法により形成した。なお、反射膜ＲＥＦ１はＴｉを含み、５０ｎｍの厚さを備える。

［第２のステップ］
第２のステップにおいて、反射膜ＲＥＦ１上に反射膜ＲＥＦ２を形成した。具体的には、ターゲットにアルミニウム（Ａｌ）を用いて、スパッタリング法により形成した。なお、反射膜ＲＥＦ２はＡｌを含み、７０ｎｍの厚さを備える。

［第３のステップ］
第３のステップにおいて、反射膜ＲＥＦ２上に反射膜ＲＥＦ３を形成した。具体的には、ターゲットにＴｉを用いて、スパッタリング法により形成し、大気中で３００℃かつ１時間のベーク処理を行った。なお、反射膜ＲＥＦ３はＴｉを含み、６ｎｍの厚さを備える。

［第４のステップ］
第４のステップにおいて、反射膜ＲＥＦ３上に電極５５１Ｘを形成した。具体的には、ターゲットにシリコンもしくは酸化シリコンを含有した酸化インジウム−酸化スズ（略称：ＩＴＳＯ）を用いて、スパッタリング法により形成した。なお、電極５５１ＸはＩＴＳＯを含み、１０ｎｍの厚さを備える。なお、第１のステップ乃至第４のステップにおいて複数の電極５５１Ｘが一のワークピース上に形成される。

次いで、複数の電極が形成されたワークピースを水で洗浄し、１０^−４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に導入し、真空蒸着装置内の加熱室において、１７０℃で３０分間の真空焼成を行った。その後、３０分程度放冷した。

［第５のステップ］
第５のステップにおいて、電極５５１Ｘ上に層７０４Ｘを形成した。具体的には、抵抗加熱法を用いて材料を共蒸着した。なお、層７０４ＸはＮ−（１，１‘−ビフェニル−４−イル）−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＢｉＦ）および電子受容性材料（ＯＣＨＤ−００３）を、ＰＣＢＢｉＦ：ＯＣＨＤ−００３＝１：０．０３（重量比）で含み、１０ｎｍの厚さを備える。なお、ＯＣＨＤ−００３はフッ素を含み、その分子量は６７２である。

［第６のステップ］
第６のステップにおいて、層７０４Ｘ上に層７１２Ｘ１１を形成した。具体的には、抵抗加熱法を用いて材料を蒸着した。なお、層７１２Ｘ１１はＰＣＢＢｉＦを含み、１２．５ｎｍの厚さを備える。

［第７のステップ］
第７のステップにおいて、層７１２Ｘ１１上に層７１２Ｘ１２を形成した。具体的には、抵抗加熱法を用いて材料を蒸着した。なお、層７１２Ｘ１２はＮ，Ｎ−ビス［４−（ジベンゾフラン−４−イル）フェニル］−４−アミノ−ｐ−ターフェニル（略称：ＤＢｆＢＢ１ＴＰ）を含み、１０ｎｍの厚さを備える。

［第８のステップ］
第８のステップにおいて、層７１２Ｘ１２上に層７１１Ｘを形成した。具体的には、抵抗加熱法を用いて材料を共蒸着した。なお、層７１１Ｘは９−（１−ナフチル）−１０−［４−（２−ナフチル）フェニル］アントラセン（略称：αＮ−βＮＰＡｎｔｈ）および３，１０−ビス［Ｎ−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ナフト［２，３−ｂ；６，７−ｂ’］ビスベンゾフラン（略称：３，１０ＰＣＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）−０２）を、αＮ−βＮＰＡｎｔｈ：３，１０ＰＣＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）−０２＝１：０．０１５（重量比）で含み、２５ｎｍの厚さを備える。また、３，１０ＰＣＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）−０２は、青色の発光を示す蛍光材料である。

［第９のステップ］
第９のステップにおいて、層７１１Ｘ上に層７１３Ｘを形成した。具体的には、抵抗加熱法を用いて材料を蒸着した。なお、層７１３Ｘは２−｛３−［３−（Ｎ−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−９Ｈ−カルバゾール−９−イル］フェニル｝ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＰＣＣｚＰＤＢｑ）を含み、１０ｎｍの厚さを備える。

［第１０のステップ］
第１０のステップにおいて、層７１３Ｘ上に層７０６Ｘ２を形成した。具体的には、抵抗加熱法を用いて、２，２’−（１，３−フェニレン）ビス［９−フェニル−１，１０−フェナントロリン］（略称：ｍＰＰｈｅｎ２Ｐ）を１５ｎｍの厚さで蒸着した。続いて、抵抗加熱法を用いて、酸化リチウム（略称：ＬＩＯＸ）を０．０５ｎｍの厚さで蒸着した。

［第１１のステップ］
第１１のステップにおいて、層７０６Ｘ２上に層７０６Ｘ３を形成した。具体的には、抵抗加熱法を用いて材料を蒸着した。なお、層７０６Ｘ３は銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）を含み、２ｎｍの厚さを備える。

［第１２のステップ］
第１２のステップにおいて、層７０６Ｘ３上に層７０６Ｘ１を形成した。具体的には、抵抗加熱法を用いて材料を共蒸着した。なお、層７０６Ｘ１はＰＣＢＢｉＦおよびＯＣＨＤ−００３を、ＰＣＢＢｉＦ：ＯＣＨＤ−００３＝１：０．１５（重量比）で含み、１０ｎｍの厚さを備える。

［第１３のステップ］
第１３のステップにおいて、層７０６Ｘ１上に層７１２Ｘ２１を形成した。具体的には、抵抗加熱法を用いて材料を蒸着した。なお、層７１２Ｘ２１はＰＣＢＢｉＦを含み、２０ｎｍの厚さを備える。

［第１４のステップ］
第１４のステップにおいて、層７１２Ｘ２１上に層７１２Ｘ２２を形成した。具体的には、抵抗加熱法を用いて材料を蒸着した。なお、層７１２Ｘ２２はＤＢｆＢＢ１ＴＰを含み、１０ｎｍの厚さを備える。

［第１５のステップ］
第１５のステップにおいて、層７１２Ｘ２２上に層７１１Ｘ２を形成した。具体的には、抵抗加熱法を用いて材料を共蒸着した。なお、層７１１Ｘ２はαＮ−βＮＰＡｎｔｈおよび３，１０ＰＣＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）−０２を、αＮ−βＮＰＡｎｔｈ：３，１０ＰＣＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）−０２＝１：０．０１５（重量比）で含み、２５ｎｍの厚さを備える。

［第１６のステップ］
第１６のステップにおいて、層７１１Ｘ２上に層７１３Ｘ２１を形成した。具体的には、抵抗加熱法を用いて材料を蒸着した。なお、層７１３Ｘ２１は２ｍＰＣＣｚＰＤＢｑを含み、１０ｎｍの厚さを備える。

［第１７のステップ］
第１７のステップにおいて、層７１３Ｘ２１上に層７１３Ｘ２２を形成した。具体的には、抵抗加熱法を用いて材料を蒸着した。なお、層７１３Ｘ２２はｍＰＰｈｅｎ２Ｐを含み、１５ｎｍの厚さを備える。

［第１８−１のステップ］
第１８−１のステップにおいて、層７１３Ｘ２２上に後に層５２９＿１になる絶縁膜を形成した。具体的には、層７１３Ｘ２２まで形成したワークピースを真空蒸着装置から取り出して、ＡＬＤ成膜装置に導入し、ＡＬＤ法を用いて材料を成膜した。なお、当該絶縁膜は酸化アルミニウム（略称：ＡＬＯＸ）を含み、３０ｎｍの厚さを備える。

［第１８−２のステップ］
第１８−２のステップにおいて、後に層５２９＿１になる絶縁膜上に、犠牲層になる膜を形成した。具体的には、後に層５２９＿１になる絶縁膜を形成した基板をＡＬＤ成膜装置から取り出して、スパッタリング装置に導入し、スパッタリング法を用いて材料を成膜した。なお、犠牲層になる膜はタングステンを含み、５０ｎｍの厚さを備える。

［第１８−３のステップ］
第１８−３のステップにおいて、犠牲層になる膜を所定の形状に加工して、犠牲層を形成した。具体的には、犠牲層になる膜を形成した基板をスパッタリング装置から取り出した後、犠牲層になる膜上にレジストを形成した。次いで、当該レジストを用いて、電極５５１Ｘと重なる部分を残し、不要な部分をエッチング加工した。また、同じレジストを用いて、後に層５２９＿１になる絶縁膜も所定の形状に加工した。

［第１８−４のステップ］
第１８−４のステップにおいて、ユニット７０３Ｘ２、中間層７０６Ｘ、ユニット７０３Ｘおよび層７０４Ｘを所定の形状に加工した。具体的には、所定の電極５５１Ｘと重なる部分を残し、不要な部分をエッチング加工した。なお、犠牲層および後に層５２９＿１になる絶縁膜はいずれもレジストとして機能する。

第１８−１のステップ乃至第１８−４のステップを終えると、ワークピースには、発光デバイスの電極５５１Ｘから層７１３Ｘ２２までの構成が形成され、当該層７１３Ｘ２２上には犠牲層が形成される。また、例えば、所定の複数の電極５５１Ｘを露出した状態にすることもできる。なお、発光デバイスの電極５５１Ｘから層７１３Ｘ２２までの構成が形成されたワークピースを仕掛品ということができる。

仕掛品を用いて、電極５５１Ｘから層７１３Ｘ２２までの構成が形成された発光デバイスの作製を継続する場合、第１８−４のステップを終えた後、第１９−１のステップに進む。

また、仕掛品に露出した状態の電極５５１Ｘがある場合、当該電極５５１Ｘ上に他の発光デバイスを作製することができる。この場合、第１８−４のステップを終えた後、ワークピースを１０^−４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に導入し、第５のステップに進む。

［第１９−１のステップ］
第１９−１のステップにおいて、犠牲層を取り除いた。具体的には、ドライエッチング法を用いて、エッチング加工した。

［第１９−２のステップ］
第１９−２のステップにおいて、後に層５２９＿２になる絶縁膜を形成した。具体的には、後に層５２９＿１になる絶縁膜の上面およびユニット７０３Ｘ２、中間層７０６Ｘ、ユニット７０３Ｘ並びに層７０４Ｘの側面を覆うように、ＡＬＤ法を用いて後に層５２９＿２になる絶縁膜を形成した。なお、当該絶縁膜はＡＬＯＸを含み、１０ｎｍの厚さを備える。

［第１９−３のステップ］
第１９−３のステップにおいて、層５２９＿３を所定の形状に形成した。具体的には、感光性樹脂を用いた。また、電極５５１Ｘに隣接する他の電極と電極５５１Ｘとの間を残し、電極５５１Ｘと重なる部分を除去して、開口部を形成した。

［第１９−４のステップ］
第１９−４のステップにおいて、第１８−１のステップにおいて形成した絶縁膜および第１９−２のステップにおいて形成した絶縁膜を所定の形状に加工して、層５２９＿１および層５２９＿２を形成した。具体的には、層５２９＿３をレジストに用いて、電極５５１Ｘに隣接する他の電極および電極５５１Ｘの間を残し、電極５５１Ｘに重なる部分を除去して、当該絶縁膜に開口部を形成した。例えば、ウェットエッチング法を用いることができる。これにより開口部において、層７１３Ｘ２２が露出する。

次いで、ワークピースを１０^−４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に導入し、真空蒸着装置内の加熱室において、７０℃で９０分間の真空焼成を行った。

［第２０のステップ］
第２０のステップにおいて、層７１３Ｘ２２上に層１０５Ｘを形成した。具体的には、抵抗加熱法を用いて材料を共蒸着した。なお、層１０５Ｘはフッ化リチウム（ＬｉＦ）およびイッテルビウム（Ｙｂ）を、ＬｉＦ：Ｙｂ＝１：０．５（体積比）で含み、１．５ｎｍの厚さを備える。

［第２１のステップ］
第２１のステップにおいて、層１０５Ｘ上に電極５５２Ｘを形成した。具体的には、抵抗加熱法を用いて材料を共蒸着した。なお、電極５５２Ｘは銀（Ａｇ）およびマグネシウム（Ｍｇ）を、Ａｇ：Ｍｇ＝１：０．１（体積比）で含み、２５ｎｍの厚さを備える。

［第２２のステップ］
第２２のステップにおいて、電極５５２Ｘ上に層ＣＡＰを形成した。具体的には、ターゲットに酸化インジウム−酸化スズ（略称：ＩＴＯ）を用いて、スパッタリング法により形成した。なお、層ＣＡＰはＩＴＯを含み、７０ｎｍの厚さを備える。

《発光デバイスＢの作製方法》
下記のステップを有する方法を用いて、本実施例で説明する発光デバイスＢを作製した（図３６Ｂ参照）。なお、第２の発光デバイスの反射膜ＲＥＦ１、反射膜ＲＥＦ２、反射膜ＲＥＦ３および電極５５１Ｘは、第１の発光デバイスの作製方法の第１のステップ乃至第４のステップにおいて形成される。

また、発光デバイスＢの作製方法は、第５のステップにおいて、発光デバイスＡの仕掛品をワークピースに用いる点が、発光デバイスＡの作製方法とは異なる。具体的には、当該ワークピースは、層７１３Ｘ２２上に犠牲層が形成された発光デバイスＡを備える。また、第６のステップにおいて、層７１２Ｘ１１の厚さを４０ｎｍに変えた点、第７のステップを割愛した点、第８のステップにおいて、層７１１Ｘの材料並びに厚さを変えた点、第１０のステップにおいて、層７０６Ｘ２のｍＰＰｈｅｎ２Ｐの厚さを２０ｎｍに変えた点、第１３のステップにおいて、層７１２Ｘ２１の厚さを４０ｎｍに変えた点、第１４のステップを割愛した点および第１５のステップにおいて、層７１１Ｘ２の材料並びに厚さを変えた点が、発光デバイスＡの作製方法とは異なる。ここでは、異なる部分について詳細に説明し、同様の方法を用いた部分については、上記の説明を援用する。

［第６のステップ］
第６のステップにおいて、層７０４Ｘ上に層７１２Ｘ１１を形成した。具体的には、抵抗加熱法を用いて材料を蒸着した。なお、層７１２Ｘ１１はＰＣＢＢｉＦを含み、４０ｎｍの厚さを備える。

［第８のステップ］
第６のステップに続いて、第７のステップを割愛し、第８のステップにおいて、層７１２Ｘ１１上に層７１１Ｘを形成した。具体的には、抵抗加熱法を用いて材料を共蒸着した。なお、層７１１Ｘは電子輸送性を有する材料（ＨＯＳＴ１）、正孔輸送性を有する材料（ＨＯＳＴ２）および［２−ｄ３−メチル−８−（２−ピリジニル−κＮ）ベンゾフロ［２，３−ｂ］ピリジン−κＣ］ビス［２−（５−ｄ３−メチル−２−ピリジニル−κＮ２）フェニル−κＣ］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（５ｍｐｐｙ−ｄ３）２（ｍｂｆｐｙｐｙ−ｄ３））を、ＨＯＳＴ１：ＨＯＳＴ２：Ｉｒ（５ｍｐｐｙ−ｄ３）２（ｍｂｆｐｙｐｙ−ｄ３）＝０．６：０．４：０．１（重量比）で含み、４０ｎｍの厚さを備える。なお、Ｉｒ（５ｍｐｐｙ−ｄ３）２（ｍｂｆｐｙｐｙ−ｄ３）は緑色の発光を示すりん光材料である。

［第１０のステップ］
第１０のステップにおいて、層７１３Ｘ１１上に層７０６Ｘ２を形成した。具体的には、抵抗加熱法を用いてｍＰＰｈｅｎ２Ｐを２０ｎｍの厚さで蒸着した。続いて、抵抗加熱法を用いて、ＬＩＯＸを０．０５ｎｍの厚さで蒸着した。

［第１３のステップ］
第１３のステップにおいて、層７０６Ｘ１上に層７１２Ｘ２１を形成した。具体的には、抵抗加熱法を用いて材料を蒸着した。なお、層７１２Ｘ２１はＰＣＢＢｉＦを含み、４０ｎｍの厚さを備える。

［第１５のステップ］
第１３のステップに続いて、第１４のステップを割愛し、第１５のステップにおいて、層７１２Ｘ２１上に層７１１Ｘ２を形成した。具体的には、抵抗加熱法を用いて材料を共蒸着した。なお、層７１１Ｘ２はＨＯＳＴ１、ＨＯＳＴ２およびＩｒ（５ｍｐｐｙ−ｄ３）２（ｍｂｆｐｙｐｙ−ｄ３）を、ＨＯＳＴ１：ＨＯＳＴ２：Ｉｒ（５ｍｐｐｙ−ｄ３）２（ｍｂｆｐｙｐｙ−ｄ３）＝０．６：０．４：０．１（重量比）で含み、４０ｎｍの厚さを備える。

《発光デバイスＣの作製方法》
下記のステップを有する方法を用いて、本実施例で説明する発光デバイスＣを作製した（図３６Ｂ参照）。なお、第３の発光デバイスの反射膜ＲＥＦ１、反射膜ＲＥＦ２、反射膜ＲＥＦ３および電極５５１Ｘは、第１の発光デバイスの作製方法の第１のステップ乃至第４のステップにおいて形成される。

また、発光デバイスＣの作製方法は、第５のステップにおいて、発光デバイスＡおよびデバイスＢの仕掛品をワークピースに用いる点が、発光デバイスＡの作製方法とは異なる。具体的には、当該ワークピースは、層７１３Ｘ２２上に犠牲層が形成された発光デバイスＡと、層７１３Ｘ２２上に犠牲層が形成された発光デバイスＢとを備える。また、第６のステップにおいて、層７１２Ｘ１１の厚さを５９ｎｍに変えた点、第７のステップを割愛した点、第８のステップにおいて、層７１１Ｘの材料並びに厚さを変えた点、第９のステップにおいて、層７１３Ｘ１１の厚さを１５ｎｍに変えた点、第１０のステップにおいて、層７０６Ｘ２のｍＰＰｈｅｎ２Ｐの厚さを２０ｎｍに変えた点、第１３のステップにおいて、層７１２Ｘ２１の厚さを４０ｎｍに変えた点、第１４のステップを割愛した点および第１５のステップにおいて、層７１１Ｘ２の材料並びに厚さを変えた点、第１６のステップにおいて、層７１３Ｘ２１の厚さを２０ｎｍに変えた点、第１７のステップにおいて、層７１３Ｘ２２の厚さを２５ｎｍに変えた点が、発光デバイスＡの作製方法とは異なる。ここでは、異なる部分について詳細に説明し、同様の方法を用いた部分については、上記の説明を援用する。

［第６のステップ］
第６のステップにおいて、層７０４Ｘ上に層７１２Ｘ１１を形成した。具体的には、抵抗加熱法を用いて材料を蒸着した。なお、層７１２Ｘ１１はＰＣＢＢｉＦを含み、５９ｎｍの厚さを備える。

［第８のステップ］
第６のステップに続いて、第７のステップを割愛し、第８のステップにおいて、層７１２Ｘ１１上に層７１１Ｘを形成した。具体的には、抵抗加熱法を用いて材料を共蒸着した。なお、層７１１Ｘは１１−［（３’−ジベンゾチオフェン−４−イル）ビフェニル−３−イル］フェナントロ［９’，１０’：４，５］フロ［２，３−ｂ］ピラジン（略称：１１ｍＤＢｔＢＰＰｎｆｐｒ）、ＰＣＢＢｉＦおよびりん光材料（ＯＣＰＧ−００６）を、１１ｍＤＢｔＢＰＰｎｆｐｒ：ＰＣＢＢｉＦ：ＯＣＰＧ−００６＝０．７：０．３：０．０５（重量比）で含み、４０ｎｍの厚さを備える。なお、ＯＣＰＧ−００６は、赤色の発光を示すりん光材料である。

［第９のステップ］
第９のステップにおいて、層７１１Ｘ上に層７１３Ｘ１１を形成した。具体的には、抵抗加熱法を用いて材料を蒸着した。なお、層７１３Ｘ１１は２ｍＰＣＣｚＰＤＢｑを含み、１５ｎｍの厚さを備える。

［第１０のステップ］
第１０のステップにおいて、層７１３Ｘ１１上に層７０６Ｘ２を形成した。具体的には、抵抗加熱法を用いてｍＰＰｈｅｎ２Ｐを２０ｎｍの厚さで蒸着した。続いて、抵抗加熱法を用いて、ＬＩＯＸを０．０５ｎｍの厚さで蒸着した。

［第１３のステップ］
第１３のステップにおいて、層７０６Ｘ１上に層７１２Ｘ２１を形成した。具体的には、抵抗加熱法を用いて材料を蒸着した。なお、層７１２Ｘ２１はＰＣＢＢｉＦを含み、４０ｎｍの厚さを備える。

［第１５のステップ］
第１３のステップに続いて、第１４のステップを割愛し、第１５のステップにおいて、層７１２Ｘ２１上に層７１１Ｘ２を形成した。具体的には、抵抗加熱法を用いて材料を共蒸着した。なお、層７１１Ｘ２は１１ｍＤＢｔＢＰＰｎｆｐｒ、ＰＣＢＢｉＦおよびＯＣＰＧ−００６を、１１ｍＤＢｔＢＰＰｎｆｐｒ：ＰＣＢＢｉＦ：ＯＣＰＧ−００６＝０．７：０．３：０．０５（重量比）で含み、４０ｎｍの厚さを備える。

［第１６のステップ］
第１６のステップにおいて、層７１１Ｘ２上に層７１３Ｘ２１を形成した。具体的には、抵抗加熱法を用いて材料を蒸着した。なお、層７１３Ｘ２１は２ｍＰＣＣｚＰＤＢｑを含み、２０ｎｍの厚さを備える。

［第１７のステップ］
第１７のステップにおいて、層７１３Ｘ２１上に層７１３Ｘ２２を形成した。具体的には、抵抗加熱法を用いて材料を蒸着した。なお、層７１３Ｘ２２はｍＰＰｈｅｎ２Ｐを含み、２５ｎｍの厚さを備える。

本実施例では、本発明の一態様の発光デバイスに用いることができる中間層について、説明する。

＜測定試料＞
本実施例で説明する作製した測定試料について、以下に示す。なお、抵抗加熱法を用いて薄膜を形成した。

測定試料１は、石英基板上に、２，９−ジ（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＮＢＰｈｅｎ）と酸化リチウム（略称：ＬＩＯＸ）を厚さ３０ｎｍと０．１ｎｍで備える。また、ＮＢＰｈｅｎ及びＬＩＯＸ上にＰＣＢＢｉＦを３０ｎｍで備える。なお、ＮＢＰｈｅｎはフェナントロリンを有し、非共有電子対を備える。

測定試料２は、石英基板上に、２，２’−（１，３−フェニレン）ビス［９−フェニル−１，１０−フェナントロリン］（略称：ｍＰＰｈｅｎ２Ｐ）と酸化リチウム（略称：ＬＩＯＸ）をｍＰＰｈｅｎ２Ｐ：ＬＩＯＸ＝１：０．０２で含み、厚さ５０ｎｍを備える。なお、ｍＰＰｈｅｎ２Ｐはフェナントロリンを有し、非共有電子対を備える。

比較測定試料３は、石英基板上に、ＮＢＰｈｅｎとリチウム（略称：ＬＩ）を厚さ３０ｎｍと０．１ｎｍで備える。また、ＮＢＰｈｅｎ及びＬＩ上にＰＣＢＢｉＦを３０ｎｍで備える。

比較測定試料４は、石英基板上に、ｍＰＰｈｅｎ２Ｐを厚さ５０ｎｍで備える。

《測定試料の特性》
測定試料の電子スピン共鳴スペクトルを室温にて測定した。具体的には、大気に曝した直後と、大気中で１日間経過した後で、測定した。

測定試料１において、シグナルが観測され、ｇ値は２．００４であった。これにより、当該測定試料１において、ＮＢＰｈｅｎ及びＬＩＯＸが相互作用し、半占有軌道を形成していると言える。また、大気に曝した直後の測定において、スピン密度は２．２×１０^１７ｓｐｉｎｓ／ｃｍ^３であった。また、大気中で１日経過した後のスピン密度は１．４×１０^１７ｓｐｉｎｓ／ｃｍ^３であった。このことにより、ＮＢＰｈｅｎ及びＬＩＯＸを用いることで、大気中で安定な中間層を形成することができる。

測定試料２において、シグナルが観測され、ｇ値は２．００４であった。これにより、当該測定試料２において、ｍＰＰｈｅｎ２Ｐ及びＬＩＯＸが相互作用し、半占有軌道を形成していると言える。また、大気に曝した直後の測定において、スピン密度は４．８×１０^１７ｓｐｉｎｓ／ｃｍ^３であった。また、大気中で１日経過した後のスピン密度は４．８×１０^１７ｓｐｉｎｓ／ｃｍ^３であった。このことにより、ｍＰＰｈｅｎ２Ｐ及びＬＩＯＸを用いることで、大気中で安定な中間層を形成することができる。

《比較試料の特性》
比較測定試料３において、シグナルが観測され、ｇ値は２．００４であった。これにより、当該比較測定試料３において、ＮＢＰｈｅｎ及びＬＩが相互作用し、半占有軌道を形成していると言える。また、大気に曝した直後の測定において、スピン密度は１．１×１０^１７ｓｐｉｎｓ／ｃｍ^３であった。また、大気中で１日経過した後は、シグナルが消失していた。

比較測定試料４においては、シグナルが観測されなかった。

なお、ＮＢＰｈｅｎのＬＵＭＯ準位は−２．８３ｅＶであり、ｍＰＰｈｅｎ２ＰのＬＵＭＯ準位は−２．７１ｅＶであった。なお、ＬＵＭＯ準位は、サイクリックボルタンメトリ（ＣＶ）にて測定した。

１００Ａ：表示装置、１００Ｂ：表示装置、１００Ｃ：表示装置、１００Ｄ：表示装置、１００Ｅ：表示装置、１００Ｆ：表示装置、１００Ｇ：表示装置、１００Ｈ：表示装置、１００Ｊ：表示装置、１００：表示装置、１０１：トランジスタを含む層、１０３：領域、１１０ａ：副画素、１１０ｂ：副画素、１１０ｃ：副画素、１１０ｄ：副画素、１１０ｅ：副画素、１１０：画素、１１１ａ：画素電極、１１１ｂ：画素電極、１１１ｃ：画素電極、１１１ｄ：画素電極、１１１Ｘ：電極、１１２ａ：導電層、１１２ｂ：導電層、１１２ｃ：導電層、１１２ｄ：導電層、１１３ａ：第１の層、１１３Ａ：膜、１１３ｂ：第２の層、１１３Ｂ：膜、１１３ｃ：第３の層、１１３Ｃ：膜、１１３ｄ：第４の層、１１４：共通層、１１４Ｘ：層、１１５：共通電極、１１５Ｘ：電極、１１７：遮光層、１１８ａ：マスク層、１１８Ａ：マスク膜、１１８ｂ：マスク層、１１８Ｂ：マスク膜、１１８ｃ：マスク層、１１８Ｃ：マスク膜、１１８ｄ：マスク層、１１８：マスク層、１１９ａ：マスク層、１１９Ａ：マスク膜、１１９ｂ：マスク層、１１９Ｂ：マスク膜、１１９ｃ：マスク層、１１９Ｃ：マスク膜、１２０：基板、１２２：樹脂層、１２３：導電層、１２４ａ：画素、１２４ｂ：画素、１２５Ａ：絶縁膜、１２５：絶縁層、１２６ａ：導電層、１２６ｂ：導電層、１２６ｃ：導電層、１２６ｄ：導電層、１２７ａ：絶縁膜、１２７ｂ：絶縁層、１２７：絶縁層、１２８：層、１２９ａ：導電層、１２９ｂ：導電層、１２９ｃ：導電層、１２９ｄ：導電層、１３０ａ：発光デバイス、１３０Ｂ：発光デバイス、１３０ｂ：発光デバイス、１３０ｃ：発光デバイス、１３０Ｇ：発光デバイス、１３０Ｒ：発光デバイス、１３０Ｘ：発光デバイス、１３１：保護層、１４０：接続部、１４２：接着層、１５０：受光デバイス、１５１：基板、１５２：基板、１５３：絶縁層、１６２：表示部、１６４：回路、１６５：配線、１６６：導電層、１７２：ＦＰＣ、１７３：ＩＣ、１９０ａ：レジストマスク、１９０ｂ：レジストマスク、１９０ｃ：レジストマスク、２０１：トランジスタ、２０４：接続部、２０５：トランジスタ、２０９：トランジスタ、２１０：トランジスタ、２１１：絶縁層、２１３：絶縁層、２１４：絶縁層、２１５：絶縁層、２１８：絶縁層、２２１：導電層、２２２ａ：導電層、２２２ｂ：導電層、２２３：導電層、２２５：絶縁層、２３１ｉ：チャネル形成領域、２３１ｎ：低抵抗領域、２３１：半導体層、２４０：容量、２４１：導電層、２４２：接続層、２４３：絶縁層、２４５：導電層、２５１：導電層、２５２：導電層、２５４：絶縁層、２５５ａ：絶縁層、２５５ｂ：絶縁層、２５５ｃ：絶縁層、２５６：プラグ、２６１：絶縁層、２６２：絶縁層、２６３：絶縁層、２６４：絶縁層、２６５：絶縁層、２７１：プラグ、２７４ａ：導電層、２７４ｂ：導電層、２７４：プラグ、２８０：表示モジュール、２８１：表示部、２８２：回路部、２８３ａ：画素回路、２８３：画素回路部、２８４ａ：画素、２８４：画素部、２８５：端子部、２８６：配線部、２９０：ＦＰＣ、２９１：基板、２９２：基板、３０１Ａ：基板、３０１Ｂ：基板、３０１：基板、３１０Ａ：トランジスタ、３１０Ｂ：トランジスタ、３１０：トランジスタ、３１１：導電層、３１２：低抵抗領域、３１３：絶縁層、３１４：絶縁層、３１５：素子分離層、３２０Ａ：トランジスタ、３２０Ｂ：トランジスタ、３２０：トランジスタ、３２１：半導体層、３２３：絶縁層、３２４：導電層、３２５：導電層、３２６：絶縁層、３２７：導電層、３２８：絶縁層、３２９：絶縁層、３３１：基板、３３２：絶縁層、３３５：絶縁層、３３６：絶縁層、３４１：導電層、３４２：導電層、３４３：プラグ、３４４：絶縁層、３４５：絶縁層、３４６：絶縁層、３４７：バンプ、３４８：接着層、３５１：基板、３５２：指、３５３：層、３５５：機能層、３５７：層、３５９：基板、７００Ａ：電子機器、７００Ｂ：電子機器、７０３ａ：ユニット、７０３ａ２：ユニット、７０３ｂ：ユニット、７０３ｂ２：ユニット、７０３Ｘ：ユニット、７０３Ｘ２：ユニット、７０４ａ：層、７０４ｂ：層、７０４Ｘ：層、７０６ａ：中間層、７０６ａ１：層、７０６ａ２：層、７０６ｂ：中間層、７０６ｂ１：層、７０６ｂ２：層、７０６Ｘ：中間層、７０６Ｘ１：層、７０６Ｘ２：層、７０６Ｘ３：層、７１１Ｘ：層、７１１Ｘ２：層、７１２Ｘ：層、７１２Ｘ２：層、７１３Ｘ：層、７１３Ｘ２：層、７２１：筐体、７２３：装着部、７２７：イヤフォン部、７５０：イヤフォン、７５１：表示パネル、７５３：光学部材、７５６：表示領域、７５７：フレーム、７５８：鼻パッド、７６１：下部電極、７６２：上部電極、７６３ａ：ＥＬ層、７６３ｂ：ＥＬ層、７６３：ＥＬ層、７６４：層、７６５：層、７６６：層、７６７：活性層、７６８：層、７７１：発光層、７７２：発光層、７７３：発光層、７８０：層、７８１：層、７８２：層、７８５：中間層、７９０：層、７９１：層、７９２：層、８００Ａ：電子機器、８００Ｂ：電子機器、８２０：表示部、８２１：筐体、８２２：通信部、８２３：装着部、８２４：制御部、８２５：撮像部、８２７：イヤフォン部、８３２：レンズ、６５００：電子機器、６５０１：筐体、６５０２：表示部、６５０３：電源ボタン、６５０４：ボタン、６５０５：スピーカ、６５０６：マイク、６５０７：カメラ、６５０８：光源、６５１０：保護部材、６５１１：表示パネル、６５１２：光学部材、６５１３：タッチセンサパネル、６５１５：ＦＰＣ、６５１６：ＩＣ、６５１７：プリント基板、６５１８：バッテリ、７０００：表示部、７１００：テレビジョン装置、７１０１：筐体、７１０３：スタンド、７１１１：リモコン操作機、７２００：ノート型パーソナルコンピュータ、７２１１：筐体、７２１２：キーボード、７２１３：ポインティングデバイス、７２１４：外部接続ポート、７３００：デジタルサイネージ、７３０１：筐体、７３０３：スピーカ、７３１１：情報端末機、７４００：デジタルサイネージ、７４０１：柱、７４１１：情報端末機、９０００：筐体、９００１：表示部、９００２：カメラ、９００３：スピーカ、９００５：操作キー、９００６：接続端子、９００７：センサ、９００８：マイクロフォン、９０５０：アイコン、９０５１：情報、９０５２：情報、９０５３：情報、９０５４：情報、９０５５：ヒンジ、９１０１：携帯情報端末、９１０２：携帯情報端末、９１０３：タブレット端末、９２００：携帯情報端末、９２０１：携帯情報端末、

Claims (26)

1. 　第１の発光デバイスと、
   　第２の発光デバイスと、
   　第１の絶縁層と、
   　第２の絶縁層と、を有し、
   　前記第１の発光デバイスは、第１の画素電極、共通電極および第１の中間層を有し、
   　前記第１の中間層は、前記共通電極および前記第１の画素電極の間に挟まれ、
   　前記第１の中間層は、第１の層および第２の層を有し、
   　前記第２の層は、前記第１の層および前記第１の画素電極の間に挟まれ、
   　前記第２の層は、第１の無機化合物および第１の有機化合物を含み、
   　前記第１の有機化合物は、非共有電子対を備え、
   　前記第１の有機化合物は、前記第１の無機化合物と相互に作用し、半占有軌道を形成し、
   　前記第２の発光デバイスは、第２の画素電極、前記共通電極および第２の中間層を有し、
   　前記第２の中間層は、前記共通電極および前記第２の画素電極の間に挟まれ、
   　前記第２の中間層は、第３の層および第４の層を有し、
   　前記第４の層は、前記第３の層および前記第２の画素電極の間に挟まれ、
   　前記第４の層は、前記第１の無機化合物および前記第１の有機化合物を含み、
   　前記第１の絶縁層は、前記第１の中間層の上面の一部及び側面、並びに、前記第２の中間層の上面の一部及び側面を覆い、
   　前記第２の絶縁層は、前記第１の絶縁層を介して、前記第１の中間層の上面の一部及び側面、並びに、前記第２の中間層の上面の一部及び側面と重なり、
   　前記第２の絶縁層の上面は、前記共通電極に覆われ、
   　断面視において、前記第２の絶縁層の端部は、テーパ角９０°未満のテーパ形状を有し、
   　前記第２の絶縁層は、前記第１の絶縁層の側面の少なくとも一部を覆う、表示装置。
2. 　第１の発光デバイスと、
   　第２の発光デバイスと、
   　第１の絶縁層と、
   　第２の絶縁層と、を有し、
   　前記第１の発光デバイスは、第１の画素電極、共通電極、第１のユニット、第２のユニットおよび第１の中間層を有し、
   　前記第１のユニットは、前記共通電極および前記第１の画素電極の間に挟まれ、
   　前記第２のユニットは、前記共通電極および前記第１のユニットの間に挟まれ、
   　前記第１の中間層は、前記第１のユニットおよび前記第２のユニットの間に挟まれ、
   　前記第１の中間層は、第１の層および第２の層を有し、
   　前記第２の層は、前記第１の層および前記第１のユニットの間に挟まれ、
   　前記第２の層は、第１の無機化合物および第１の有機化合物を含み、
   　前記第１の有機化合物は、非共有電子対を備え、
   　前記第１の有機化合物は、前記第１の無機化合物と相互に作用し、半占有軌道を形成し、
   　前記第２の発光デバイスは、第２の画素電極、前記共通電極、第３のユニット、第４のユニットおよび第２の中間層を有し、
   　前記第３のユニットは、前記共通電極および前記第２の画素電極の間に挟まれ、
   　前記第４のユニットは、前記共通電極および前記第３のユニットの間に挟まれ、
   　前記第２の中間層は、前記第４のユニットおよび前記第３のユニットの間に挟まれ、
   　前記第２の中間層は、第３の層および第４の層を有し、
   　前記第４の層は、前記第３の層および前記第３のユニットの間に挟まれ、
   　前記第４の層は、前記第１の無機化合物および前記第１の有機化合物を含み、
   　前記第１のユニット、前記第２のユニット、前記第３のユニット及び前記第４のユニットは、それぞれ、発光性の材料を含み、
   　前記第１の絶縁層は、前記第２のユニットの上面の一部及び側面、並びに、前記第４のユニットの上面の一部及び側面を覆い、
   　前記第２の絶縁層は、前記第１の絶縁層を介して、前記第２のユニットの上面の一部及び側面、並びに、前記第４のユニットの上面の一部及び側面と重なり、
   　前記第２の絶縁層の上面は、前記共通電極に覆われ、
   　断面視において、前記第２の絶縁層の端部は、テーパ角９０°未満のテーパ形状を有し、
   　前記第２の絶縁層は、前記第１の絶縁層の側面の少なくとも一部を覆う、表示装置。
3. 　前記第２の層は、不対電子を含み、
   　前記不対電子は、電子スピン共鳴装置（ＥＳＲ）を用いて、１×１０^１６ｓｐｉｎｓ／ｃｍ^３以上１×１０^１８ｓｐｉｎｓ／ｃｍ^３以下のスピン密度で観測することができる、請求項１または請求項２に記載の表示装置。
4. 　前記不対電子は、２．００３以上２．００４以下の範囲にｇ値を備える、請求項３に記載の表示装置。
5. 　前記第１の有機化合物は、電子不足型複素芳香環を有する、請求項１または請求項２に記載の表示装置。
6. 　前記第１の有機化合物は、−３．６ｅＶ以上−２．３ｅＶ以下の範囲に、最低空軌道（ＬＵＭＯ）準位を備える、請求項１または請求項２に記載の表示装置。
7. 　前記第１の無機化合物は、金属元素および酸素を含む、請求項１または請求項２に記載の表示装置。
8. 　前記第１の無機化合物は、リチウムおよび酸素を含む、請求項１または請求項２に記載の表示装置。
9. 　前記第１の層は、電子受容性を有する材料を含む、請求項１または請求項２に記載の表示装置。
10. 　第１の発光デバイスと、
    　第２の発光デバイスと、
    　第１の絶縁層と、
    　第２の絶縁層と、を有し、
    　前記第１の発光デバイスは、第１の画素電極、共通電極および第１の中間層を有し、
    　前記第１の中間層は、前記共通電極および前記第１の画素電極の間に挟まれ、
    　前記第１の中間層は、第１の層および第２の層を有し、
    　前記第１の層は、前記共通電極および前記第２の層の間に挟まれ、
    　前記第１の層は、電子受容性を有する材料を含み、
    　前記第１の層は、１×１０^２［Ω・ｃｍ］以上１×１０^８［Ω・ｃｍ］以下の電気抵抗率を備え、
    　前記第２の発光デバイスは、第２の画素電極、前記共通電極および第２の中間層を有し、
    　前記第２の中間層は、前記共通電極および前記第２の画素電極の間に挟まれ、
    　前記第２の中間層は、第３の層および第４の層を有し、
    　前記第３の層は、前記共通電極および前記第４の層の間に挟まれ、
    　前記第３の層は、前記電子受容性を有する材料を含み、
    　前記第１の絶縁層は、前記第１の中間層の上面の一部及び側面、並びに、前記第２の中間層の上面の一部及び側面を覆い、
    　前記第２の絶縁層は、前記第１の絶縁層を介して、前記第１の中間層の上面の一部及び側面、並びに、前記第２の中間層の上面の一部及び側面と重なり、
    　前記第２の絶縁層の上面は、前記共通電極に覆われ、
    　断面視において、前記第２の絶縁層の端部は、テーパ角９０°未満のテーパ形状を有し、
    　前記第２の絶縁層は、前記第１の絶縁層の側面の少なくとも一部を覆う、表示装置。
11. 　前記第２の絶縁層の端部は、前記第１の絶縁層の端部よりも外側に位置する、請求項１または請求項２に記載の表示装置。
12. 　前記第２の絶縁層は、上面に凸曲面形状を有する、請求項１または請求項２に記載の表示装置。
13. 　断面視において、前記第１の絶縁層の端部は、テーパ角９０°未満のテーパ形状を有する、請求項１または請求項２に記載の表示装置。
14. 　前記第２の絶縁層は、側面に凹曲面形状を有する、請求項１または請求項２に記載の表示装置。
15. 　第３の絶縁層及び第４の絶縁層を有し、
    　前記第３の絶縁層は、前記第１の中間層の上面と、前記第１の絶縁層との間に位置し、
    　前記第４の絶縁層は、前記第２の中間層の上面と、前記第１の絶縁層との間に位置し、
    　前記第３の絶縁層の端部及び前記第４の絶縁層の端部は、それぞれ、前記第１の絶縁層の端部よりも外側に位置する、請求項１または請求項２に記載の表示装置。
16. 　前記第２の絶縁層は、前記第３の絶縁層の側面の少なくとも一部と、前記第４の絶縁層の側面の少なくとも一部と、を覆う、請求項１５に記載の表示装置。
17. 　断面視において、前記第３の絶縁層の端部及び前記第４の絶縁層の端部は、それぞれ、テーパ角９０°未満のテーパ形状を有する、請求項１５に記載の表示装置。
18. 　前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層は、それぞれ、前記第１の画素電極の上面と重なる部分と、前記第２の画素電極の上面と重なる部分と、を有する、請求項１または請求項２に記載の表示装置。
19. 　前記第１の中間層は、前記第１の画素電極の側面を覆い、
    　前記第２の中間層は、前記第２の画素電極の側面を覆う、請求項１または請求項２に記載の表示装置。
20. 　断面視において、前記第１の画素電極の端部及び前記第２の画素電極の端部は、それぞれ、テーパ角９０°未満のテーパ形状を有する、請求項１または請求項２に記載の表示装置。
21. 　前記第１の絶縁層は、無機絶縁層であり、
    　前記第２の絶縁層は、有機絶縁層である、請求項１または請求項２に記載の表示装置。
22. 　前記第１の絶縁層は、酸化アルミニウムを有する、請求項１または請求項２に記載の表示装置。
23. 　前記第２の絶縁層は、アクリル樹脂を有する、請求項１または請求項２に記載の表示装置。
24. 　前記第１の発光デバイスは、前記第１の中間層と前記共通電極との間に第５の層を有し、
    　前記第２の発光デバイスは、前記第２の中間層と前記共通電極との間に前記第５の層を有し、
    　前記第５の層は、前記第２の絶縁層と前記共通電極との間に位置する、請求項１または請求項２に記載の表示装置。
25. 　請求項１または請求項２に記載の表示装置と、
    　コネクタ及び集積回路のうち少なくとも一方と、を有する、表示モジュール。
26. 　請求項２５に記載の表示モジュールと、
    　筐体、バッテリ、カメラ、スピーカ、及びマイクのうち少なくとも一つと、を有する、電子機器。

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