WO2023131854A1 - 表示装置 - Google Patents

Abstract

高精細且つ高効率な表示装置を提供する。 絶縁表面上に、隣り合う発光素子Ａと、発光素子Ｂと、を有し、前記発光素子Ａは、第１の電極Ａと、第２の電極Ａと、前記第１の電極Ａと前記第２の電極Ａとに挟まれた有機化合物を含む層Ａと、を有し、前記発光素子Ｂは、第１の電極Ｂと、第２の電極Ｂと、前記第１の電極Ｂと前記第２の電極Ｂとに挟まれた有機化合物を含む層Ｂと、を有し、前記有機化合物を含む層Ａは、第１の発光層Ａと、中間層Ａと、第２の発光層Ａと、を有し、前記中間層Ａは、前記第１の発光層Ａと、前記第２の発光層Ａとの間に位置し、前記中間層Ａは、電子輸送性を有する有機化合物とリチウムまたはリチウムを含む材料とが混合した混合層Ａを有し、前記第１の電極Ａと前記第１の電極Ｂとの向かい合う端部の間隔は、２μｍ以上５μｍ以下である表示装置を提供する。

Description

表示装置

本発明の一態様は、表示装置、表示モジュール、及び、電子機器に関する。

なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、電子機器、照明装置、入力装置（例えば、タッチセンサ）、入出力装置（例えば、タッチパネル）、それらの駆動方法、またはそれらの製造方法を一例として挙げることができる。

近年、表示装置は様々な用途への応用が期待されている。例えば、大型の表示装置の用途としては、家庭用のテレビジョン装置（テレビまたはテレビジョン受信機ともいう）、デジタルサイネージ（Ｄｉｇｉｔａｌ　Ｓｉｇｎａｇｅ：電子看板）、及び、ＰＩＤ（Ｐｕｂｌｉｃ　Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ　Ｄｉｓｐｌａｙ）等が挙げられる。また、携帯情報端末として、タッチパネルを備えるスマートフォン及びタブレット端末などの開発が進められている。

また、表示装置の高精細化が求められている。高精細な表示装置が要求される機器として、例えば、仮想現実（ＶＲ：Ｖｉｒｔｕａｌ　Ｒｅａｌｉｔｙ）、拡張現実（ＡＲ：Ａｕｇｍｅｎｔｅｄ　Ｒｅａｌｉｔｙ）、代替現実（ＳＲ：Ｓｕｂｓｔｉｔｕｔｉｏｎａｌ　Ｒｅａｌｉｔｙ）、及び、複合現実（ＭＲ：Ｍｉｘｅｄ　Ｒｅａｌｉｔｙ）向けの機器が、盛んに開発されている。

表示装置としては、例えば、発光素子（発光デバイスともいう）を有する発光装置が開発されている。エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ、以下ＥＬと記す）現象を利用した発光素子（ＥＬデバイス、ＥＬ素子ともいう）は、薄型軽量化が容易である、入力信号に対し高速に応答可能である、直流定電圧電源を用いて駆動可能である等の特徴を有し、表示装置に応用されている。

特許文献１には、有機ＥＬデバイス（有機ＥＬ素子ともいう）を用いた、ＶＲ向けの表示装置が開示されている。また、特許文献２には、遷移金属と非共有電子対を有する有機化合物の混合膜を電子注入層に用いた、駆動電圧が低く信頼が良好な発光素子が開示されている。

国際公開第２０１８／０８７６２５号 特開２０１８−２０１０１２号公報

本発明の一態様は、表示品位の高い表示装置を提供することを課題の一つとする。または、本発明の一態様は、高精細な表示装置を提供することを課題の一つとする。または、本発明の一態様は、高解像度の表示装置を提供することを課題の一つとする。または、本発明の一態様は、信頼性の高い表示装置を提供することを課題の一つとする。または、本発明の一態様は、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することを課題の一とする。または、本発明の一態様は、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な表示モジュールを提供することを課題の一とする。または、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な電子機器を提供することを課題の一とする。または、新規な表示装置、新規な表示モジュール、新規な電子機器または新規な半導体装置を提供することを課題の一とする。

なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は、必ずしも、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。明細書、図面、請求項の記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。

本発明の一態様は、絶縁表面上に、隣り合う発光素子Ａと、発光素子Ｂと、を有し、前記発光素子Ａは、第１の電極Ａと、第２の電極Ａと、前記第１の電極Ａと前記第２の電極Ａとに挟まれた有機化合物を含む層Ａと、を有し、前記発光素子Ｂは、第１の電極Ｂと、第２の電極Ｂと、前記第１の電極Ｂと前記第２の電極Ｂとに挟まれた有機化合物を含む層Ｂと、を有し、前記有機化合物を含む層Ａは、第１の発光層Ａと、中間層Ａと、第２の発光層Ａと、を有し、前記中間層Ａは、前記第１の発光層Ａと、前記第２の発光層Ａとの間に位置し、前記中間層Ａは、電子輸送性を有する有機化合物とリチウムまたはリチウムを含む材料とが混合した混合層Ａを有し、前記第１の電極Ａと前記第１の電極Ｂとの向かい合う端部の間隔は、２μｍ以上５μｍ以下である表示装置である。

または、本発明の他の一態様は、絶縁表面上に、隣り合う発光素子Ａと、発光素子Ｂと、を有し、前記発光素子Ａは、第１の電極Ａと、第２の電極Ａと、前記第１の電極Ａと前記第２の電極Ａとに挟まれた有機化合物を含む層Ａと、を有し、前記発光素子Ｂは、第１の電極Ｂと、第２の電極Ｂと、前記第１の電極Ｂと前記第２の電極Ｂとに挟まれた有機化合物を含む層Ｂと、を有し、前記有機化合物を含む層Ａは、第１の発光層Ａと、中間層Ａと、第２の発光層Ａと、を有し、前記中間層Ａは、前記第１の発光層Ａと、前記第２の発光層Ａとの間に位置し、前記中間層Ａは、電子輸送性を有する有機化合物とリチウムまたはリチウムを含む材料との混合層Ａを有し、前記混合層Ａの膜厚は１０ｎｍ以上であり、前記第１の電極Ａと前記第１の電極Ｂとの向かい合う端部の間隔は、２μｍ以上５μｍ以下である表示装置である。

または、本発明の他の一態様は、絶縁表面上に、隣り合う発光素子Ａと、発光素子Ｂと、を有し、前記発光素子Ａは、第１の電極Ａと、第２の電極Ａと、前記第１の電極Ａと前記第２の電極Ａとに挟まれた有機化合物を含む層Ａと、を有し、前記発光素子Ｂは、第１の電極Ｂと、第２の電極Ｂと、前記第１の電極Ｂと前記第２の電極Ｂとに挟まれた有機化合物を含む層Ｂと、を有し、前記有機化合物を含む層Ａは、第１の発光層Ａと、中間層Ａと、第２の発光層Ａと、を有し、前記有機化合物を含む層Ｂは、第１の発光層Ｂと、中間層Ｂと、第２の発光層Ｂと、を有し、前記中間層Ａは、前記第１の発光層Ａと、前記第２の発光層Ａとの間に位置し、前記中間層Ｂは、前記第１の発光層Ｂと、前記第２の発光層Ｂとの間に位置し、前記中間層Ａは、電子輸送性を有する有機化合物とリチウムまたはリチウムを含む材料とが混合した混合層Ａを有し、前記中間層Ｂは、電子輸送性を有する有機化合物とリチウムまたはリチウムを含む材料とが混合した混合層Ｂを有し、前記第１の電極Ａと前記第１の電極Ｂとの向かい合う端部の間隔は、２μｍ以上５μｍ以下である表示装置である。

または、本発明の他の一態様は、絶縁表面上に、隣り合う発光素子Ａと、発光素子Ｂと、を有し、前記発光素子Ａは、第１の電極Ａと、第２の電極Ａと、前記第１の電極Ａと前記第２の電極Ａとに挟まれた有機化合物を含む層Ａと、を有し、前記発光素子Ｂは、第１の電極Ｂと、第２の電極Ｂと、前記第１の電極Ｂと前記第２の電極Ｂとに挟まれた有機化合物を含む層Ｂと、を有し、前記有機化合物を含む層Ａは、第１の発光層Ａと、中間層Ａと、第２の発光層Ａと、を有し、前記有機化合物を含む層Ｂは、第１の発光層Ｂと、中間層Ｂと、第２の発光層Ｂと、を有し、前記中間層Ａは、前記第１の発光層Ａと、前記第２の発光層Ａとの間に位置し、前記中間層Ｂは、前記第１の発光層Ｂと、前記第２の発光層Ｂとの間に位置し、前記中間層Ａは、電子輸送性を有する有機化合物とリチウムまたはリチウムを含む材料との混合層Ａを有し、前記中間層Ｂは、電子輸送性を有する有機化合物とリチウムまたはリチウムを含む材料との混合層Ｂを有し、前記混合層Ａの膜厚は１０ｎｍ以上であり、前記第１の電極Ａと前記第１の電極Ｂとの向かい合う端部の間隔は、２μｍ以上５μｍ以下である表示装置である。

または、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記中間層Ｂが、正孔輸送性を有する有機化合物と、前記正孔輸送性を有する有機化合物にアクセプタ性を有する物質とを含むＰ型層Ｂをさらに有する表示装置である。

または、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記第１の電極Ｂおよび前記第２の電極Ｂの一方は陽極として機能し、他方は陰極として機能し、前記Ｐ型層Ｂは、前記混合層Ｂと前記陰極として機能する電極との間に位置する表示装置である。

または、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記中間層Ａは、さらに正孔輸送性を有する有機化合物と、前記正孔輸送性を有する有機化合物にアクセプタ性を有する物質とを含むＰ型層Ａを有する表示装置である。

または、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記第１の電極Ａおよび前記第２の電極Ａの一方は陽極として機能し、他方は陰極として機能し、前記Ｐ型層Ａは、前記混合層Ａと前記陰極として機能する電極との間に位置する表示装置である。

または、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記アクセプタ性を有する物質が有機化合物である表示装置である。

または、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記正孔輸送性を有する有機化合物がπ電子過剰型複素芳香環を有する有機化合物である表示装置である。

または、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記正孔輸送性を有する有機化合物が、カルバゾール骨格、ジベンゾフラン骨格、ジベンゾチオフェン骨格およびアントラセン骨格を有する有機化合物のいずれかである表示装置である。

または、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記正孔輸送性を有する有機化合物が、カルバゾール骨格を有する有機化合物である表示装置である。

または、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記中間層Ａと、前記中間層Ｂとが独立している表示装置である。

または、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記第１の発光層Ａ、第２の発光層Ａ、第１の発光層Ｂおよび第２の発光層Ｂはいずれも互いに独立している表示装置である。

または、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記電子輸送性を有する有機化合物が、π電子不足型複素芳香環を有する有機化合物である表示装置である。

または、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記電子輸送性を有する有機化合物が、ポリアゾール骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物、ピリジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物、ジアジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物およびトリアジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物のいずれかである表示装置である。

または、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記電子輸送性を有する有機化合物が、ピリジン骨格を有する有機化合物である表示装置である。

または、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記電子輸送性を有する有機化合物が、ビピリジン骨格を有する有機化合物である表示装置である。

または、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記電子輸送性を有する有機化合物が、フェナントロリン骨格を有する有機化合物である表示装置である。

または、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記電子輸送性を有する有機化合物が、フェナントロリン骨格を複数有する有機化合物である表示装置である。

または、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記リチウムまたはリチウムを含む材料が、リチウムである表示装置である。

または、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記第２の電極Ａと、前記第２の電極Ｂとが、連続した膜である表示装置である。

または、本発明の他の一態様は、前記第１の発光層Ａおよび前記第２の発光層Ａの前記発光素子Ｂ側の端面と、前記第１の発光層Ｂおよび前記第２の発光層Ｂの前記発光素子Ａ側の端面と、が向かい合っている表示装置である。

または、本発明の他の一態様は、上記の表示装置と、コネクタ及び集積回路のうち少なくとも一方と、を有する、表示モジュールである。

または、本発明の他の一態様は、上記の表示モジュールと、筐体、バッテリ、カメラ、スピーカ、及びマイクのうち少なくとも一つと、を有する、電子機器である。

本発明の一態様は、表示品位の高い表示装置を提供することができる。または、本発明の一態様は、高精細な表示装置を提供することができる。または、本発明の一態様は、高解像度の表示装置を提供することができる。または、本発明の一態様は、信頼性の高い表示装置を提供することができる。または、本発明の一態様は、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。または、本発明の一態様は、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な表示モジュールを提供することができる。または、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な電子機器を提供することができる。または、新規な表示装置、新規な表示モジュール、新規な電子機器または新規な半導体装置を提供することができる。

なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。明細書、図面、請求項の記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。

図１Ａ乃至図１Ｃは、発光素子について表す図である。
図２Ａおよび図２Ｂは、発光装置の上面図および断面図である。
図３Ａ乃至図３Ｄは、発光素子について表す図である。
図４Ａ乃至図４Ｅは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図５Ａ乃至図５Ｄは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図６Ａ乃至図６Ｄは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図７Ａ乃至図７Ｃは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図８Ａ乃至図８Ｃは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図９Ａ乃至図９Ｃは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図１０Ａ乃至図１０Ｇは、画素の構成例を示す上面図である。
図１１Ａ乃至図１１Ｉは、画素の構成例を示す上面図である。
図１２Ａ、及び図１２Ｂは、表示モジュールの構成例を示す斜視図である。
図１３Ａ、及び図１３Ｂは、表示装置の構成例を示す断面図である。
図１４は、表示装置の構成例を示す斜視図である。
図１５Ａは、表示装置の構成例を示す断面図である。図１５Ｂ、及び図１５Ｃは、トランジスタの構成例を示す断面図である。
図１６は、表示装置の構成例を示す断面図である。
図１７Ａ乃至図１７Ｄは、表示装置の構成例を示す断面図である。
図１８Ａ乃至図１８Ｄは、電子機器の一例を示す図である。
図１９Ａ乃至図１９Ｆは、電子機器の一例を示す図である。
図２０Ａ乃至図２０Ｇは、電子機器の一例を示す図である。
図２１は発光素子１および比較発光素子１乃至比較発光素子３の電流密度−電圧特性を表す図である。
図２２は発光素子１および比較発光素子１乃至比較発光素子３の輝度−電圧特性を表す図である。
図２３は発光素子１および比較発光素子１乃至比較発光素子３の電流効率−電流密度特性を表す図である。
図２４は発光素子１および比較発光素子１乃至比較発光素子３の電流効率−輝度特性を表す図である。
図２５は発光素子１および比較発光素子１乃至比較発光素子３の発光スペクトルを表す図である。

実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。

また、図面において示す各構成の、位置、大きさ、及び、範囲などは、理解の簡単のため、実際の位置、大きさ、及び、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、必ずしも、図面に開示された位置、大きさ、及び、範囲などに限定されない。

なお、「膜」という言葉と、「層」という言葉とは、場合によっては、または、状況に応じて、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜」という用語に変更することが可能である。または、例えば、「絶縁膜」という用語を、「絶縁層」という用語に変更することが可能である。

なお、本明細書等において、メタルマスク、またはＦＭＭ（ファインメタルマスク、高精細なメタルマスク）を用いて作製されるデバイスをＭＭ（メタルマスク）構造のデバイスと呼称する場合がある。また、本明細書等において、メタルマスク、またはＦＭＭを用いることなく作製されるデバイスをＭＭＬ（メタルマスクレス）構造のデバイスと呼称する場合がある。

本明細書等において、正孔または電子を、「キャリア」といって示す場合がある。具体的には、正孔注入層または電子注入層を「キャリア注入層」といい、正孔輸送層または電子輸送層を「キャリア輸送層」といい、正孔ブロック層または電子ブロック層を「キャリアブロック層」という場合がある。なお、上述のキャリア注入層、キャリア輸送層、及びキャリアブロック層は、それぞれ、断面形状、または特性などによって明確に区別できない場合がある。また、１つの層が、キャリア注入層、キャリア輸送層、及びキャリアブロック層のうち２つまたは３つの機能を兼ねる場合がある。

本明細書等において、発光素子は、一対の電極間にＥＬ層を有する。ＥＬ層は、少なくとも発光層を有する。本明細書等において、受光デバイス（受光素子ともいう）は、一対の電極間に少なくとも光電変換層として機能する活性層を有する。本明細書等では、一対の電極の一方を画素電極と記し、他方を共通電極と記すことがある。

なお、本明細書等において、テーパ形状とは、構造の側面の少なくとも一部が、基板面に対して傾斜して設けられている形状のことを指す。例えば、傾斜した側面と基板面とがなす角（以下、テーパ角）が９０°未満である領域を有すると好ましい。なお、構造の側面及び基板面は、必ずしも完全に平坦である必要はなく、微細な曲率を有する略平面状、または微細な凹凸を有する略平面状であってもよい。

（実施の形態１）
有機半導体膜を所定の形状に作製する方法の一つとして、メタルマスクを用いた真空蒸着法（マスク蒸着）が広く用いられている。しかし、高密度化、高精細化が進む昨今、マスク蒸着は、合わせ精度の問題、基板との配置間隔の問題に代表される種々の理由により、これ以上の高精細化は限界に近付いている。一方、フォトリソグラフィ法を用いて有機半導体膜の形状を加工することで、マスク蒸着より緻密なパターンを形成することができる。さらに、この方法は大面積化も容易であることから、フォトリソグラフィ法を用いた有機半導体膜の加工に関する研究も進められている。

有機ＥＬ素子は、電極間（第１の電極と第２の電極との間）に発光物質を含む有機化合物層（上記有機半導体膜に相当）を有しており、電極から当該有機化合物層に注入層されたキャリア（正孔および電子）を再結合させることによって生じたエネルギーによって、発光を得る構成を有している。

ここで、基本的に電気の流れにくい有機化合物層に電極から直接キャリアを注入するため、特に電子を注入するためには、エネルギー障壁が大きいことから高い電圧が必要である。そのため、現状、陰極に接する電子注入層には、リチウム（Ｌｉ）を筆頭とするアルカリ金属または当該アルカリ金属の化合物が用いられ、低電圧化が実現されている。

しかし、上述のフォトリソグラフィ法を用いて発光素子を作製する場合、上記アルカリ金属またはその化合物を含む層をフォトリソグラフィ法にて加工してしまうと、駆動電圧の大幅な上昇または、発光効率の著しい低下を引き起こしてしまうという問題があった。

この問題を解決する手段の一つとして、発光素子の有機化合物層を形成する途中で（アルカリ金属または当該アルカリ金属の化合物を含む層を形成する前に）フォトリソグラフィ工程を行う方法がある。すなわち、この方法では、電子注入層を形成する前の段階でリソグラフィを行って有機化合物層を加工し、その後に電子注入層を形成することにより特性の悪化を回避している。

しかし、タンデム型の発光素子では上述の回避方法を適用することができず、フォトリソグラフィ工程を行ったことに起因する大幅な特性の悪化が避けられなかった。

なぜならば、タンデム型の発光素子は、中間層を挟んで複数の発光層が直列に積層された構造を有しており、当該中間層には、陽極側に接する発光ユニットに電子を注入するために、電子注入層と同様にアルカリ金属または当該アルカリ金属の化合物の層が含まれるからである。中間層は発光層と発光層との間に存在することから、発光層をフォトリソグラフィ法によって加工しようとすれば、必ず中間層もフォトリソグラフィ工程に曝されることになる。

そのため、中間層におけるアルカリ金属または当該アルカリ金属の化合物の層がフォトリソグラフィ工程に曝されることによって、電子注入層をフォトリソグラフィ工程に曝した場合と同様に、駆動電圧の大幅な上昇、および発光効率の著しい低下が引き起こされてしまっていた。

ここで、本発明の一態様の発光素子は、フォトリソグラフィ法により有機化合物層を加工したタンデム構造を有する発光素子において、中間層が、電子輸送性を有する有機化合物とリチウムまたはリチウムを含む材料とが混合した層を含む発光素子である。

このような構成を有する発光素子では、フォトリソグラフィ法により有機化合物層を加工したタンデム構造を有する発光素子であっても、大幅な駆動電圧の上昇を抑制し、発光効率の低下を防止することが可能となる。結果として、良好な特性を有する発光素子を得ることができる。また、ＶＲ、ＡＲなどへの使用に耐えうる高精細な表示を行うことが可能であり、且つ特性の良好な発光素子を提供することができる。

図１Ａに、本発明の一態様の発光素子１３０を示した。本発明の一態様の発光素子は、陽極を含む第１の電極１０１と、陰極を含む第２の電極１０２との間に、第１の発光層１１３＿１を含む第１の発光ユニット５０１と、第２の発光層１１３＿２を含む第２の発光ユニット５０２と、中間層１１６とを有する有機化合物層１０３（ＥＬ層ともいう）を有している、タンデム型の発光素子である。なお、本実施の形態では、一つの中間層１１６と、二つの発光ユニットを有する発光素子を例に説明するが、ｎ（ｎは１以上の整数）層の中間層と、ｎ＋１層の発光ユニットを有する発光素子であってもよい。例えば、図１Ｂに示す発光素子１３０は、第１の発光ユニット５０１、第１の中間層１１６＿１、第２の発光ユニット５０２、第２の中間層１１６＿２および第３の発光ユニット５０３を有するｎが２のタンデム型の発光素子の例である。なお、各発光ユニットにおける発光層が呈する光の色域は、同じであっても異なっていてもよい。また、当該発光層は、単層であっても積層構造であってもよい。例えば、第１の発光ユニットおよび第３の発光ユニットにおいて青色領域の発光、第２の発光ユニットにおいて積層構造の発光層から赤色領域の発光および緑色領域の発光を呈するような構成により、白色発光を得ることができる。

また、本発明の一態様の発光素子は、フォトリソグラフィ法により作製された発光素子であり、少なくとも第２の発光層１１３＿２およびそれよりも第１の電極１０１側の有機化合物層は同時に加工されることからその端部は垂直方向に概略揃っている。

また、中間層１１６は少なくとも電子輸送性を有する有機化合物とリチウムまたはリチウムを含む材料とを有する層であるＮ型層１１９を有している。ここで、本発明の一態様における発光素子においては、当該Ｎ型層１１９は、単一の材料よりなる電子輸送層とリチウムまたはリチウムを含む材料との積層構造ではなく、電子輸送性を有する有機化合物とリチウムまたはリチウムを含む材料とが混合した混合層である。

中間層１１６におけるＮ型層１１９が混合層であることによって、フォトリソグラフィ法によって加工されたタンデム型の発光素子であっても、駆動電圧の大幅な上場および発光効率の低下が抑制された良好な特性を有する発光素子を得ることができる。

なお、中間層１１６は、Ｎ型層１１９よりも第２の電極１０２側に、Ｐ型層１１７を有する。また、Ｎ型層１１９とＰ型層１１７との間には、この２層間における電子の授受を円滑に行うための電子リレー層１１８が設けられていてもよい。

また、第１の発光ユニット５０１と第２の発光ユニット５０２には、発光層以外に他の機能層が含まれていてもよい。図１Ａでは、第１の発光ユニット５０１には、第１の発光層１１３＿１の他に、正孔注入層１１１、第１の正孔輸送層１１２＿１、および第１の電子輸送層１１４＿１が、第２の発光ユニット５０２には、第２の発光層１１３＿２の他に、第２の正孔輸送層１１２＿２、第２の電子輸送層１１４＿２および電子注入層１１５が設けられている構成を図示したが、本発明における有機化合物層１０３の構成は、これに限られず、いずれかの層が設けられていなくともよいし、他の層が設けられていてもよい。なお、他の層としては、代表的には、キャリアブロック層、励起子ブロック層などがある。

また、中間層１１６がＮ型層１１９を有していることから、当該Ｎ型層１１９が陽極側の発光ユニットにおける電子注入層の役割を担うため、陽極側の発光ユニット（図１Ａにおいては第１の発光ユニット５０１）に電子注入層は、あっても無くてもよい。また、同様に、中間層１１６がＰ型層１１７を有していることから、当該Ｐ型層１１７が陰極側の発光ユニットにおける正孔注入層の役割を担うため、陰極側の発光ユニット（図１Ａにおいては第２の発光ユニット５０２）に正孔注入層は、あっても無くてもよい。

ここで、Ｎ型層１１９は上述したように、電子輸送性を有する有機化合物とリチウムまたはリチウムを含む材料とが混合した混合層であるが、当該混合層は、電子輸送性を有する有機化合物とリチウムまたはリチウムを含む材料とが混合していることが好ましく、層内において当該２材料が均一に混合していることがより好ましい。

電子輸送性を有する有機化合物とリチウムまたはリチウムを含む材料とが混合している場合、当該Ｎ型層１１９を膜厚方向に分析した際に、電子輸送性を有する有機化合物の分布とリチウムの分布がおおむね同じ傾向を示す。すなわち、電子輸送性を有する有機化合物の分布が一定である場合には、リチウムの分布もおおむね一定である。電子輸送性を有する有機化合物とリチウムまたはリチウムを含む材料との積層構造である場合、リチウムがリチウムまたはリチウムを含む材料よりなる層からの拡散により当該層以外の領域にも検出される場合があるが、電子輸送性を有する有機化合物の分布と異なる分布を示すことから分析の結果を拡散と混合とで切り分けることができる。

また、当該Ｎ型層１１９を膜厚方向に分析した際に、リチウムが検出される領域が、１０ｎｍ以上存在する場合、好ましくは１５ｎｍ以上、より好ましくは２０ｎｍ以上存在する場合も、Ｎ型層１１９が電子輸送性を有する有機化合物とリチウムまたはリチウムを含む材料とが混合した混合層を有しているとみなすことができる。

Ｎ型層１１９に用いることが可能な電子輸送性を有する有機化合物としては、電界強度［Ｖ／ｃｍ］の平方根が６００における電子移動度が、１×１０^−７ｃｍ^２／Ｖｓ以上好ましくは１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質が好ましい。なお、正孔よりも電子の輸送性が高い物質であれば、これら以外のものを用いることもできる。

上記有機化合物としてはπ電子不足型複素芳香環を有する有機化合物が好ましい。π電子不足型複素芳香環を有する有機化合物としては、例えばポリアゾール骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物、ピリジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物、ジアジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物およびトリアジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物のいずれかまたは複数であることが好ましい。

Ｎ型層１１９に用いることが可能な電子輸送性を有する有機化合物としては、具体的には、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、９−［４−（５−フェニル−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣＯ１１）、２，２’，２’’−（１，３，５−ベンゼントリイル）トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）、２−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール（略称：ｍＤＢＴＢＩｍ−ＩＩ）、４，４’−ビス（５−メチルベンゾオキサゾール−２−イル）スチルベン（略称：ＢｚＯｓ）などのアゾール骨格を有する有機化合物、３，５−ビス［３−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ピリジン（略称：３５ＤＣｚＰＰｙ）、１，３，５−トリ［３−（３−ピリジル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴｍＰｙＰＢ）、バソフェナントロリン（略称：Ｂｐｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、２，９−ジ（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＮＢｐｈｅｎ）、２，２’−（１，３−フェニレン）ビス（９−フェニル−１，１０−フェナントロリン）（略称：ｍＰＰｈｅｎ２Ｐ）などのピリジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物、２−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）、２−［３−（３’−ジベンゾチオフェン−４−イル）ビフェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ）、２−［３’−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）ビフェニル−３−イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＣｚＢＰＤＢｑ）、２−［４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−３，１’−ビフェニル−１−イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍｐＰＣＢＰＤＢｑ）、２−［４−（３，６−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ＣｚＰＤＢｑ−ＩＩＩ）、７−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：７ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）、及び６−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：６ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）、９−［３’−（ジベンゾチオフェン−４−イル）ビフェニル−３−イル］ナフト［１’，２’：４，５］フロ［２，３−ｂ］ピラジン（略称：９ｍＤＢｔＢＰＮｆｐｒ）、９−［（３’−ジベンゾチオフェン−４−イル）ビフェニル−４−イル］ナフト［１’，２’：４，５］フロ［２，３−ｂ］ピラジン（略称：９ｐｍＤＢｔＢＰＮｆｐｒ）、４，６−ビス［３−（フェナントレン−９−イル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＰｎＰ２Ｐｍ）、４，６−ビス［３−（４−ジベンゾチエニル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＤＢＴＰ２Ｐｍ−ＩＩ）、４，６−ビス［３−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＣｚＰ２Ｐｍ）、９，９’−［ピリミジン−４，６−ジイルビス（ビフェニル−３，３’−ジイル）］ビス（９Ｈ−カルバゾール）（略称：４，６ｍＣｚＢＰ２Ｐｍ）、８−（１，１’−ビフェニル−４−イル）−４−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−［１］ベンゾフロ［３，２−ｄ］ピリミジン（略称：８ＢＰ−４ｍＤＢｔＰＢｆｐｍ）、３，８−ビス［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ベンゾフロ［２，３−ｂ］ピラジン（略称：３，８ｍＤＢｔＰ２Ｂｆｐｒ）、４，８−ビス［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−［１］ベンゾフロ［３，２−ｄ］ピリミジン（略称：４，８ｍＤＢｔＰ２Ｂｆｐｍ）、８−［３’−（ジベンゾチオフェン−４−イル）（１，１’−ビフェニル−３−イル）］ナフト［１’，２’：４，５］フロ［３，２−ｄ］ピリミジン（略称：８ｍＤＢｔＢＰＮｆｐｍ）、８−［（２，２’−ビナフタレン）−６−イル］−４−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−［１］ベンゾフロ［３，２−ｄ］ピリミジン（略称：８（βＮ２）−４ｍＤＢｔＰＢｆｐｍ）、２，２’−（ピリジン−２，６−ジイル）ビス（４−フェニルベンゾ［ｈ］キナゾリン）（略称：２，６（Ｐ−Ｂｑｎ）２Ｐｙ）、２，２’−（ピリジン−２，６−ジイル）ビス｛４−［４−（２−ナフチル）フェニル］−６−フェニルピリミジン｝（略称：２，６（ＮＰ−ＰＰｍ）２Ｐｙ）、６−（１，１’−ビフェニル−３−イル）−４−［３，５−ビス（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−２−フェニルピリミジン（略称：６ｍＢＰ−４Ｃｚ２ＰＰｍ）、２，６−ビス（４−ナフタレン−１−イルフェニル）−４−［４−（３−ピリジル）フェニル］ピリミジン（略称：２，４ＮＰ−６ＰｙＰＰｍ）、４−［３，５−ビス（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−２−フェニル−６−（１，１’−ビフェニル−４−イル）ピリミジン（略称：６ＢＰ−４Ｃｚ２ＰＰｍ）、７−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−２−イル）キナゾリン−２−イル］−７Ｈ−ジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール（略称：ＰＣ−ｃｇＤＢＣｚＱｚ）などのジアジン骨格を有する有機化合物、２−［（１，１’−ビフェニル）−４−イル］−４−フェニル−６−［９，９’−スピロビ（９Ｈ−フルオレン）−２−イル］−１，３，５−トリアジン（略称：ＢＰ−ＳＦＴｚｎ）、２−｛３−［３−（ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン−８−イル）フェニル］フェニル｝−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ｍＢｎｆＢＰＴｚｎ）、２−｛３−［３−（ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン−６−イル）フェニル］フェニル｝−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ｍＢｎｆＢＰＴｚｎ−０２）、２−｛４−［３−（Ｎ−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−９Ｈ−カルバゾール−９−イル］フェニル｝−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ＰＣＣｚＰＴｚｎ）、９−［３−（４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン−２−イル）フェニル］−９’−フェニル−２，３’−ビ−９Ｈ−カルバゾール（略称：ｍＰＣＣｚＰＴｚｎ−０２）、２−［３’−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−１，１’−ビフェニル−３−イル］−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ｍＦＢＰＴｚｎ）、５−［３−（４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン−２−イル）フェニル］−７，７−ジメチル−５Ｈ，７Ｈ−インデノ［２，１−ｂ］カルバゾール（略称：ｍＩＮｃ（ＩＩ）ＰＴｚｎ）、２−｛３−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］フェニル｝−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ｍＤＢｔＢＰＴｚｎ）、２，４，６−トリス（３’−（ピリジン−３−イル）ビフェニル−３−イル）−１，３，５−トリアジン（略称：ＴｍＰＰＰｙＴｚ）、２−［３−（２，６−ジメチル−３−ピリジニル）−５−（９−フェナントレニル）フェニル］−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ｍＰｎ−ｍＤＭｅＰｙＰＴｚｎ）、１１−（４−［１，１’−ビフェニル］−４−イル−６−フェニル−１，３，５−トリアジン−２−イル）−１１，１２−ジヒドロ−１２−フェニル−インドロ［２，３−ａ］カルバゾール（略称：ＢＰ−Ｉｃｚ（ＩＩ）Ｔｚｎ）、２−［３’−（トリフェニレン−２−イル）−１，１’−ビフェニル−３−イル］−４，６−ジフェニル’１，３，５−トリアジン（略称：ｍＴｐＢＰＴｚｎ）、３−［９−（４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン−２−イル）−２−ジベンゾフラニル］−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣＤＢｆＴｚｎ）、２−［１，１’−ビフェニル］−３−イル−４−フェニル−６−（８−［１，１’：４’，１’’−ターフェニル］−４−イル−１−ジベンゾフラニル）−１，３，５−トリアジン（略称：ｍＢＰ−ＴＰＤＢｆＴｚｎ）などのトリアジン骨格を有する有機化合物が挙げられる。特に、Ｂｐｈｅｎ、ＢＣＰ、ＮＢｐｈｅｎおよびｍＰＰｈｅｎ２Ｐなどのフェナントロリン骨格を有する有機化合物が好ましく、ｍＰＰｈｅｎ２Ｐなどのフェナントロリン二量体構造を有する有機化合物が安定性に優れ、より好ましい。

リチウムまたはリチウムを含む材料としては、リチウム、リチウム錯体、リチウムの化合物およびリチウム合金などを用いることができる。具体的には、リチウム、酸化リチウム、窒化リチウム、炭酸リチウム、フッ化リチウム、８−キノリノラト−リチウム（略称：Ｌｉｑ）、２−メチル−８−キノリノラト−リチウム（略称：Ｌｉ−ｍｑ）等のアルキル基を含むリチウム錯体などを挙げることができる。

また、電荷発生層であるＰ型層１１７は、アクセプタ性を有する材料と、正孔輸送性を有する有機化合物とを含む複合材料により形成することが好ましい。複合材料に用いる正孔輸送性を有する有機化合物としては、芳香族アミン化合物、複素芳香族化合物、芳香族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）など、種々の有機化合物を用いることができる。なお、複合材料に用いる正孔輸送性を有する有機化合物としては、１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する有機化合物であることが好ましい。複合材料に用いられる正孔輸送性を有する有機化合物は、縮合芳香族炭化水素環、または、π電子過剰型複素芳香環を有する化合物であることが好ましい。縮合芳香族炭化水素環としては、アントラセン環、ナフタレン環等が好ましい。また、π電子過剰型複素芳香環としては、ピロール骨格、フラン骨格、チオフェン骨格の少なくともいずれか一を環に含む縮合芳香環が好ましく、具体的にはカルバゾール環、ジベンゾチオフェン環あるいはそれらにさらに芳香環または複素芳香環が縮合した環が好ましい。

このような正孔輸送性を有する有機化合物としては、カルバゾール骨格、ジベンゾフラン骨格、ジベンゾチオフェン骨格およびアントラセン骨格のいずれかを有していることがより好ましい。特に、ジベンゾフラン環またはジベンゾチオフェン環を含む置換基を有する芳香族アミン、ナフタレン環を有する芳香族モノアミン、または９−フルオレニル基がアリーレン基を介してアミンの窒素に結合する芳香族モノアミンであっても良い。なお、これら正孔輸送性を有する有機化合物が、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ビフェニル）アミノ基を有する物質であると、寿命の良好な発光素子を作製することができるため好ましい。

以上のような正孔輸送性を有する有機化合物としては、具体的には、Ｎ−（４−ビフェニル）−６，Ｎ−ジフェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン−８−アミン（略称：ＢｎｆＡＢＰ）、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ビフェニル）−６−フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン−８−アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ）、４，４’−ビス（６−フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン−８−イル）−４’’−フェニルトリフェニルアミン（略称：ＢｎｆＢＢ１ＢＰ）、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ビフェニル）ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン−６−アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ（６））、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ビフェニル）ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン−８−アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ（８））、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ビフェニル）ベンゾ［ｂ］ナフト［２，３−ｄ］フラン−４−アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ（ＩＩ）（４））、Ｎ，Ｎ−ビス［４−（ジベンゾフラン−４−イル）フェニル］−４−アミノ−ｐ−ターフェニル（略称：ＤＢｆＢＢ１ＴＰ）、Ｎ−［４−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−Ｎ−フェニル−４−ビフェニルアミン（略称：ＴｈＢＡ１ＢＰ）、４−（２−ナフチル）−４’，４’’−ジフェニルトリフェニルアミン（略称：ＢＢＡβＮＢ）、４−［４−（２−ナフチル）フェニル］−４’，４’’−ジフェニルトリフェニルアミン（略称：ＢＢＡβＮＢｉ）、４，４’−ジフェニル−４’’−（６；１’−ビナフチル−２−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡαＮβＮＢ）、４，４’−ジフェニル−４’’−（７；１’−ビナフチル−２−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡαＮβＮＢ−０３）、４，４’−ジフェニル−４’’−（７−フェニル）ナフチル−２−イルトリフェニルアミン（略称：ＢＢＡＰβＮＢ−０３）、４，４’−ジフェニル−４’’−（６；２’−ビナフチル−２−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡ（βＮ２）Ｂ）、４，４’−ジフェニル−４’’−（７；２’−ビナフチル−２−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡ（βＮ２）Ｂ−０３）、４，４’−ジフェニル−４’’−（４；２’−ビナフチル−１−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡβＮαＮＢ）、４，４’−ジフェニル−４’’−（５；２’−ビナフチル−１−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡβＮαＮＢ−０２）、４−（４−ビフェニリル）−４’−（２−ナフチル）−４’’−フェニルトリフェニルアミン（略称：ＴＰＢｉＡβＮＢ）、４−（３−ビフェニリル）−４’−［４−（２−ナフチル）フェニル］−４’’−フェニルトリフェニルアミン（略称：ｍＴＰＢｉＡβＮＢｉ）、４−（４−ビフェニリル）−４’−［４−（２−ナフチル）フェニル］−４’’−フェニルトリフェニルアミン（略称：ＴＰＢｉＡβＮＢｉ）、４−フェニル−４’−（１−ナフチル）トリフェニルアミン（略称：αＮＢＡ１ＢＰ）、４，４’−ビス（１−ナフチル）トリフェニルアミン（略称：αＮＢＢ１ＢＰ）、４，４’−ジフェニル−４’’−［４’−（カルバゾール−９−イル）ビフェニル−４−イル］トリフェニルアミン（略称：ＹＧＴＢｉ１ＢＰ）、４’−［４−（３−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］トリス（１，１’−ビフェニル−４−イル）アミン（略称：ＹＧＴＢｉ１ＢＰ−０２）、４−［４’−（カルバゾール−９−イル）ビフェニル−４−イル］−４’−（２−ナフチル）−４’’−フェニルトリフェニルアミン（略称：ＹＧＴＢｉβＮＢ）、Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−Ｎ−［４−（１−ナフチル）フェニル］−９，９’−スピロビ［９Ｈ−フルオレン］−２−アミン（略称：ＰＣＢＮＢＳＦ）、Ｎ，Ｎ−ビス（［１，１’−ビフェニル］−４−イル）−９，９’−スピロビ［９Ｈ−フルオレン］−２−アミン（略称：ＢＢＡＳＦ）、Ｎ，Ｎ−ビス（［１，１’−ビフェニル］−４−イル）−９，９’−スピロビ［９Ｈ−フルオレン］−４−アミン（略称：ＢＢＡＳＦ（４））、Ｎ−（１，１’−ビフェニル−２−イル）−Ｎ−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−９，９’−スピロビ［９Ｈ−フルオレン］−４−アミン（略称：ｏＦＢｉＳＦ）、Ｎ−（４−ビフェニル）−Ｎ−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）ジベンゾフラン−４−アミン（略称：ＦｒＢｉＦ）、Ｎ−［４−（１−ナフチル）フェニル］−Ｎ−［３−（６−フェニルジベンゾフラン−４−イル）フェニル］−１−ナフチルアミン（略称：ｍＰＤＢｆＢＮＢＮ）、４−フェニル−４’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）、４−フェニル−３’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ｍＢＰＡＦＬＰ）、４−フェニル−４’−［４−（９−フェニルフルオレン−９−イル）フェニル］トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＢｉ）、４−フェニル−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）、４，４’−ジフェニル−４’’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＢｉ１ＢＰ）、４−（１−ナフチル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＮＢ）、４，４’−ジ（１−ナフチル）−４’’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＮＢＢ）、Ｎ−フェニル−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−９，９’−スピロビ［９Ｈ−フルオレン］−２−アミン（略称：ＰＣＢＡＳＦ）、Ｎ−（１，１’−ビフェニル−４−イル）−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＢｉＦ）、Ｎ，Ｎ−ビス（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−９，９’−スピロビ−９Ｈ−フルオレン−４−アミン、Ｎ，Ｎ−ビス（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−９，９’−スピロビ−９Ｈ−フルオレン−３−アミン、Ｎ，Ｎ−ビス（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−９，９’−スピロビ−９Ｈ−フルオレン−２−アミン、Ｎ，Ｎ−ビス（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−９，９’−スピロビ−９Ｈ−フルオレン−１−アミン等を挙げることができる。

また、正孔輸送性を有する材料としては、その他芳香族アミン化合物として、Ｎ，Ｎ’−ジ（ｐ−トリル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ｐ−フェニレンジアミン（略称：ＤＴＤＰＰＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、４，４’−ビス（Ｎ−｛４−［Ｎ’−（３−メチルフェニル）−Ｎ’−フェニルアミノ］フェニル｝−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）等を用いることもができる。

また、Ｐ型層１１７に含まれるアクセプタ性を有する物質としては、電子吸引基（ハロゲン基、シアノ基など）を有する有機化合物を用いることができ、７，７，８，８−テトラシアノ−２，３，５，６−テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ４−ＴＣＮＱ）、クロラニル、２，３，６，７，１０，１１−ヘキサシアノ−１，４，５，８，９，１２−ヘキサアザトリフェニレン（略称：ＨＡＴ−ＣＮ）、１，３，４，５，７，８−ヘキサフルオロテトラシアノ−ナフトキノジメタン（略称：Ｆ６−ＴＣＮＮＱ）、２−（７−ジシアノメチレン−１，３，４，５，６，８，９，１０−オクタフルオロ−７Ｈ−ピレン−２−イリデン）マロノニトリル等を挙げることができる。特に、ＨＡＴ−ＣＮのように複素原子を複数有する縮合芳香環に電子吸引基が結合している化合物が、熱的に安定であり好ましい。また、電子吸引基（特にフルオロ基のようなハロゲン基、シアノ基など）を有する［３］ラジアレン誘導体は、電子受容性が非常に高いため好ましく、具体的にはα，α’，α’’−１，２，３−シクロプロパントリイリデントリス［４−シアノ−２，３，５，６−テトラフルオロベンゼンアセトニトリル］、α，α’，α’’−１，２，３−シクロプロパントリイリデントリス［２，６−ジクロロ−３，５−ジフルオロ−４−（トリフルオロメチル）ベンゼンアセトニトリル］、α，α’，α’’−１，２，３−シクロプロパントリイリデントリス［２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンゼンアセトニトリル］などが挙げられる。アクセプタ性を有する物質としては以上で述べた有機化合物以外にも、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等の遷移金属酸化物を用いることができる。

電子リレー層１１８は、電子輸送性を有する物質を含み、Ｎ型層１１９とＰ型層１１７との相互作用を防いで電子をスムーズに受け渡す機能を有する。電子リレー層１１８に含まれる電子輸送性を有する物質のＬＵＭＯ準位は、Ｐ型層１１７におけるアクセプタ性物質のＬＵＭＯ準位と、第１の電極１０１側の発光ユニットにおける中間層１１６に接する層（図１Ａでは第１の発光ユニット５０１における第１の電子輸送層１１４＿１）に含まれる有機化合物のＬＵＭＯ準位との間であることが好ましい。電子リレー層１１８に用いられる電子輸送性を有する物質におけるＬＵＭＯ準位の具体的なエネルギー準位は−５．０ｅＶ以上、好ましくは−５．０ｅＶ以上−３．０ｅＶ以下とするとよい。なお、電子リレー層１１８に用いられる電子輸送性を有する物質としてはフタロシアニン系の材料又は金属−酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体を用いることが好ましい。

このような中間層１１６を有するタンデム型の発光素子は、有機化合物層１０３をフォトリソグラフィ法によって加工しても、大幅な駆動電圧の上昇および発光効率の著しい低下が起こらず、良好な特性を有する発光素子とすることができる。

続いて、上記発光素子１３０の中間層１１６以外の構成について説明する。

第１の電極１０１は、陽極を含む電極である。第１の電極１０１は、積層構造を有していてもよく、その場合、有機化合物層１０３に触れる層が陽極として機能する。陽極は、仕事関数の大きい（具体的には４．０ｅＶ以上）金属、合金、導電性化合物、およびこれらの混合物などを用いて形成することが好ましい。具体的には、例えば、酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）、ケイ素若しくは酸化ケイ素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム（ＩＷＺＯ）等が挙げられる。これらの導電性金属酸化物膜は、通常スパッタリング法により成膜されるが、ゾル−ゲル法などを応用して作製しても構わない。作製方法の例としては、酸化インジウム−酸化亜鉛は、酸化インジウムに対し１~２０ｗｔ％の酸化亜鉛を加えたターゲットを用いてスパッタリング法により形成する方法などがある。また、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム（ＩＷＺＯ）は、酸化インジウムに対し酸化タングステンを０．５~５ｗｔ％、酸化亜鉛を０．１~１ｗｔ％含有したターゲットを用いてスパッタリング法により形成することもできる。この他に、陽極に用いられる材料は、例えば、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、または金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等が挙げられる。又は、陽極に用いられる材料として、グラフェンも用いることができる。なお、上記中間層１１６におけるＰ型層１１７を構成する複合材料を陽極と接する層（代表的には正孔注入層）として用いることで、仕事関数に関わらず、電極材料を選択することができるようになる。

有機化合物層１０３は、積層構造を有している。図１Ａでは当該積層構造として、第１の発光層１１３＿１を含む第１の発光ユニット５０１、中間層１１６および第２の発光層１１３＿２を含む第２の発光ユニット５０２を有する構造を示した。なお、ここでは、中間層を挟んで二つの発光ユニットが積層された構成を示したが、３つ以上の発光ユニットが積層した構成であってもよい。この際も、発光ユニットと発光ユニットの間には中間層が設けられる。なお、各発光ユニットも積層構造を有している。発光ユニットは、図１Ａで示す構成に限らず、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、キャリアブロック層（正孔ブロック層、電子ブロック層）、励起子ブロック層など、様々な機能層を適宜用いて構成することができる。

正孔注入層１１１は、陽極に接して設けられ、正孔を有機化合物層１０３（第１の発光ユニット５０１）に注入しやすくする機能を有する。正孔注入層１１１は、フタロシアニン（略称：Ｈ_２Ｐｃ）、銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン系の錯体化合物、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、４，４’−ビス（Ｎ−｛４−［Ｎ’−（３−メチルフェニル）−Ｎ’−フェニルアミノ］フェニル｝−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）等の芳香族アミン化合物、またはポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／（ポリスチレンスルホン酸）（略称：ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等の高分子等によって形成することができる。

また、正孔注入層１１１は電子のアクセプタ性を有する物質により形成してもよい。アクセプタ性を有する物質としては、上記中間層１１６におけるＰ型層１１７を構成する複合材料に用いられるアクセプタ性物質として挙げた物質を同様に用いることができる。

また、正孔注入層１１１は上記中間層１１６におけるＰ型層１１７を構成する複合材料を同様に用いて形成してもよい。

なお、正孔注入層１１１においては、複合材料に用いられる正孔輸送性を有する有機化合物はそのＨＯＭＯ準位が−５．７ｅＶ以上−５．４ｅＶ以下の比較的深いＨＯＭＯ準位を有する物質であることがさらに好ましい。複合材料に用いられる正孔輸送性を有する有機化合物が比較的深いＨＯＭＯ準位を有することによって、正孔輸送層への正孔の注入が容易となり、また、寿命の良好な発光素子を得ることが容易となる。また、複合材料に用いられる正孔輸送性を有する有機化合物が比較的深いＨＯＭＯ準位を有する物質であることによって、正孔の誘起が適度に抑制されさらに寿命の良好な発光素子とすることができる。

正孔注入層１１１を形成することによって、正孔の注入性が良好となり、駆動電圧の小さい発光素子を得ることができる。

なお、アクセプタ性を有する物質の中でもアクセプタ性を有する有機化合物は蒸着が容易で成膜がしやすいため、用いやすい材料である。

また、中間層１１６におけるＰ型層１１７が正孔注入層の機能を担うため、第２の発光ユニット５０２には正孔注入層を設けていないが、第２の発光ユニットに正孔注入層を設けてもよい。

正孔輸送層（第１の正孔輸送層１１２＿１、第２の正孔輸送層１１２＿２）は、正孔輸送性を有する有機化合物を含んで形成される。正孔輸送性を有する有機化合物としては、１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有していることが好ましい。

上記正孔輸送性を有する材料としては、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−４，４’−ジアミノビフェニル（略称：ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（９，９’−スピロビ［９Ｈ−フルオレン］−２−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−４，４’−ジアミノビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）、４−フェニル−４’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）、４−フェニル−３’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ｍＢＰＡＦＬＰ）、４−フェニル−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）、４，４’−ジフェニル−４’’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＢｉ１ＢＰ）、４−（１−ナフチル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＮＢ）、４，４’−ジ（１−ナフチル）−４’’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＮＢＢ）、９，９−ジメチル−Ｎ−フェニル−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］フルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＡＦ）、Ｎ−フェニル−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−９，９’−スピロビ［９Ｈ−フルオレン］−２−アミン（略称：ＰＣＢＡＳＦ）などの芳香族アミン骨格を有する化合物、１，３−ビス（Ｎ−カルバゾリル）ベンゼン（略称：ｍＣＰ）、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、３，６−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）−９−フェニルカルバゾール（略称：ＣｚＴＰ）、３，３’−ビス（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール）（略称：ＰＣＣＰ）、９，９’−ビス（ビフェニル−４−イル）−３，３’−ビ−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＢｉｓＢＰＣｚ）、９，９’−ビス（１，１’−ビフェニル−３−イル）−３，３’−ビ−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＢｉｓｍＢＰＣｚ）、９−（１，１’−ビフェニル−３−イル）−９’−（１，１’−ビフェニル−４−イル）−９Ｈ，９’Ｈ−３，３’−ビカルバゾール（略称：ｍＢＰＣＣＢＰ）、９−（２−ナフチル）−９’−フェニル−９Ｈ，９’Ｈ−３，３’−ビカルバゾール（略称：βＮＣＣＰ）、９−（３−ビフェニル）−９’−（２−ナフチル）−３，３’−ビ−９Ｈ−カルバゾール（略称：βＮＣＣｍＢＰ）、９−（４−ビフェニル）−９’−（２−ナフチル）−３，３’−ビ−９Ｈ−カルバゾール（略称：βＮＣＣＢＰ）、９，９’−ジ−２−ナフチル−３，３’−９Ｈ，９’Ｈ−ビカルバゾール（略称：ＢｉｓβＮＣｚ）、９−（２−ナフチル）−９’−［１，１’：４’，１”−ターフェニル］−３−イル−３，３’−９Ｈ，９’Ｈ−ビカルバゾール、９−（２−ナフチル）−９’−［１，１’：３’，１”−ターフェニル］−３−イル−３，３’−９Ｈ，９’Ｈ−ビカルバゾール、９−（２−ナフチル）−９’−［１，１’：３’，１”−ターフェニル］−５’−イル−３，３’−９Ｈ，９’Ｈ−ビカルバゾール、９−（２−ナフチル）−９’−［１，１’：４’，１”−ターフェニル］−４−イル−３，３’−９Ｈ，９’Ｈ−ビカルバゾール、９−（２−ナフチル）−９’−［１，１’：３’，１”−ターフェニル］−４−イル−３，３’−９Ｈ，９’Ｈ−ビカルバゾール、９−（２−ナフチル）−９’−（トリフェニレン−２−イル）−３，３’−９Ｈ，９’Ｈ−ビカルバゾール、９−フェニル−９’−（トリフェニレン−２−イル）−３，３’−９Ｈ，９’Ｈ−ビカルバゾール（略称：ＰＣＣｚＴｐ）、９，９’−ビス（トリフェニレン−２−イル）−３，３’−９Ｈ，９’Ｈ−ビカルバゾール、９−（４−ビフェニル）−９’−（トリフェニレン−２−イル）−３，３’−９Ｈ，９’Ｈ−ビカルバゾール、９−（トリフェニレン−２−イル）−９’−［１，１’：３’，１”−ターフェニル］−４−イル−３，３’−９Ｈ，９’Ｈ−ビカルバゾール、などのカルバゾール骨格を有する化合物、４，４’，４’’−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）トリ（ジベンゾチオフェン）（略称：ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ）、２，８−ジフェニル−４−［４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］ジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ−ＩＩＩ）、４−［４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］−６−フェニルジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ−ＩＶ）などのチオフェン骨格を有する化合物、４，４’，４’’−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）トリ（ジベンゾフラン）（略称：ＤＢＦ３Ｐ−ＩＩ）、４−｛３−［３−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］フェニル｝ジベンゾフラン（略称：ｍｍＤＢＦＦＬＢｉ−ＩＩ）などのフラン骨格を有する化合物が挙げられる。上述した中でも、芳香族アミン骨格を有する化合物、カルバゾール骨格を有する化合物は、信頼性が良好であり、また、正孔輸送性が高く、駆動電圧低減にも寄与するため好ましい。なお、正孔注入層１１１の複合材料に用いられる正孔輸送性を有する材料として挙げた物質も正孔輸送層１１２を構成する材料として好適に用いることができる。

発光層（第１の発光層１１３＿１、第２の発光層１１３＿２）は発光物質とホスト材料を有していることが好ましい。なお、発光層は、その他の材料を同時に含んでいても構わない。また、組成の異なる２層の積層であってもよい。

発光物質は蛍光発光物質であっても、りん光発光物質であっても、熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）を示す物質であっても、その他の発光物質であっても構わない。

発光層において、蛍光発光物質として用いることが可能な材料としては、例えば以下のようなものが挙げられる。また、これ以外の蛍光発光物質も用いることができる。

５，６−ビス［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−２，２’−ビピリジン（略称：ＰＡＰ２ＢＰｙ）、５，６−ビス［４’−（１０−フェニル−９−アントリル）ビフェニル−４−イル］−２，２’−ビピリジン（略称：ＰＡＰＰ２ＢＰｙ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］ピレン−１，６−ジアミン（略称：１，６ＦＬＰＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス［３−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］ピレン−１，６−ジアミン（略称：１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）トリフェニルアミン（略称：２ＹＧＡＰＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ−ｔｅｒｔ−ブチルペリレン（略称：ＴＢＰ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）、Ｎ，Ｎ’’−（２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン−９，１０−ジイルジ−４，１−フェニレン）ビス［Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン］（略称：ＤＰＡＢＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＰＡ）、Ｎ−［４−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＰＡ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’，Ｎ’’’，Ｎ’’’−オクタフェニルジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン−２，７，１０，１５−テトラアミン（略称：ＤＢＣ１）、クマリン３０、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＢＰｈＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＢＰｈＡ）、９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−Ｎ−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ−フェニルアントラセン−２−アミン（略称：２ＹＧＡＢＰｈＡ）、Ｎ，Ｎ，９−トリフェニルアントラセン−９−アミン（略称：ＤＰｈＡＰｈＡ）、クマリン５４５Ｔ、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルキナクリドン（略称：ＤＰＱｄ）、ルブレン、５，１２−ビス（１，１’−ビフェニル−４−イル）−６，１１−ジフェニルテトラセン（略称：ＢＰＴ）、２−（２−｛２−［４−（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル｝−６−メチル−４Ｈ−ピラン−４−イリデン）プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ１）、２−｛２−メチル−６−［２−（２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ２）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）テトラセン−５，１１−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＴＤ）、７，１４−ジフェニル−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）アセナフト［１，２−ａ］フルオランテン−３，１０−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＡＦＤ）、２−｛２−イソプロピル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＪＴＩ）、２−｛２−ｔｅｒｔ−ブチル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＪＴＢ）、２−（２，６−ビス｛２−［４−（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル｝−４Ｈ−ピラン−４−イリデン）プロパンジニトリル（略称：ＢｉｓＤＣＭ）、２−｛２，６−ビス［２−（８−メトキシ−１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＢｉｓＤＣＪＴＭ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−（１，６−ピレン−ジイル）ビス［（６−フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン）−８−アミン］（略称：１，６ＢｎｆＡＰｒｎ−０３）、３，１０−ビス［Ｎ−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ナフト［２，３−ｂ；６，７−ｂ’］ビスベンゾフラン（略称：３，１０ＰＣＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）−０２）、３，１０−ビス［Ｎ−（ジベンゾフラン−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ナフト［２，３−ｂ；６，７−ｂ’］ビスベンゾフラン（略称：３，１０ＦｒＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）−０２）などが挙げられる。特に、１，６ＦＬＰＡＰｒｎおよび１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ、１，６ＢｎｆＡＰｒｎ−０３のようなピレンジアミン化合物に代表される縮合芳香族ジアミン化合物は、ホールトラップ性が高く、発光効率または信頼性に優れているため好ましい。

発光層において、発光物質としてりん光発光物質を用いる場合、用いることが可能な材料としては、例えば以下のようなものが挙げられる。

トリス｛２−［５−（２−メチルフェニル）−４−（２，６−ジメチルフェニル）−４Ｈ−１，２，４−トリアゾール−３−イル−κＮ２］フェニル−κＣ｝イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｔｚ−ｄｍｐ）_３］）、トリス（５−メチル−３，４−ジフェニル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｍｐｔｚ）_３］）、トリス［４−（３−ビフェニル）−５−イソプロピル−３−フェニル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｉＰｒｐｔｚ−３ｂ）_３］）のような４Ｈ−トリアゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体、トリス［３−メチル−１−（２−メチルフェニル）−５−フェニル−１Ｈ−１，２，４−トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｍｐｔｚ１−ｍｐ）_３］）、トリス（１−メチル−５−フェニル−３−プロピル−１Ｈ−１，２，４−トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｐｒｐｔｚ１−Ｍｅ）_３］）のような１Ｈ−トリアゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体、ｆａｃ−トリス［１−（２，６−ジイソプロピルフェニル）−２−フェニル−１Ｈ−イミダゾール］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｉＰｒｐｉｍ）_３］）、トリス［３−（２，６−ジメチルフェニル）−７−メチルイミダゾ［１，２−ｆ］フェナントリジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｐｉｍｐｔ−Ｍｅ）_３］）のようなイミダゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１−ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス｛２−［３’，５’−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’｝イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：［Ｉｒ（ＣＦ_３ｐｐｙ）_２（ｐｉｃ）］）、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒａｃａｃ）のような電子吸引基を有するフェニルピリジン誘導体を配位子とする有機金属イリジウム錯体が挙げられる。これらは青色のりん光発光を示す化合物であり、４５０ｎｍから５２０ｎｍまでの波長域において発光のピークを有する化合物である。

また、トリス（４−メチル−６−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｍ）_３］）、トリス（４−ｔ−ブチル−６−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）_３］）、（アセチルアセトナト）ビス（６−メチル−４−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［６−（２−ノルボルニル）−４−フェニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｎｂｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［５−メチル−６−（２−メチルフェニル）−４−フェニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（４，６−ジフェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）のようなピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、（アセチルアセトナト）ビス（３，５−ジメチル−２−フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｒ−Ｍｅ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（５−イソプロピル−３−メチル−２−フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｒ−ｉＰｒ）_２（ａｃａｃ）］）のようなピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、トリス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｐｙ）_３］）、ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐｐｙ）_２（ａｃａｃ）］）、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｂｚｑ）_２（ａｃａｃ）］）、トリス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｂｚｑ）_３］）、トリス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｑ）_３］）、ビス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐｑ）_２（ａｃａｃ）］）、［２−ｄ３−メチル−８−（２−ピリジニル−κＮ）ベンゾフロ［２，３−ｂ］ピリジン−κＣ］ビス［２−（５−ｄ３−メチル−２−ピリジニル−κＮ２）フェニル−κＣ］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（５ｍｐｐｙ−ｄ３）_２（ｍｂｆｐｙｐｙ−ｄ３））、［２−（メチル−ｄ３）−８−［４−（１−メチルエチル−１−ｄ）−２−ピリジニル−κＮ］ベンゾフロ［２，３−ｂ］ピリジン−７−イル−κＣ］ビス［５−（メチル−ｄ３）−２−［５−（メチル−ｄ３）−２−ピリジニル−κＮ］フェニル−κＣ］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（５ｍｔｐｙ−ｄ６）_２（ｍｂｆｐｙｐｙ−ｉＰｒ−ｄ４））、［２−ｄ３−メチル−（２−ピリジニル−κＮ）ベンゾフロ［２，３−ｂ］ピリジン−κＣ］ビス［２−（２−ピリジニル−κＮ）フェニル−κＣ］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）_２（ｍｂｆｐｙｐｙ−ｄ３））、［２−（４−メチル−５−フェニル−２−ピリジニル−κＮ）フェニル−κＣ］ビス［２−（２−ピリジニル−κＮ）フェニル−κＣ］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）_２（ｍｄｐｐｙ））のようなピリジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体の他、トリス（アセチルアセトナト）（モノフェナントロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｔｂ（ａｃａｃ）_３（Ｐｈｅｎ）］）のような希土類金属錯体が挙げられる。これらは主に緑色のりん光発光を示す化合物であり、５００ｎｍから６００ｎｍまでの波長域において発光のピークを有する。なお、ピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体は、信頼性または発光効率にも際だって優れるため、特に好ましい。

また、（ジイソブチリルメタナト）ビス［４，６−ビス（３−メチルフェニル）ピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）_２（ｄｉｂｍ）］）、ビス［４，６−ビス（３−メチルフェニル）ピリミジナト］（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）_２（ｄｐｍ）］）、ビス［４，６−ジ（ナフタレン−１−イル）ピリミジナト］（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄ１ｎｐｍ）_２（ｄｐｍ）］）のようなピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、（アセチルアセトナト）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔｐｐｒ）_２（ａｃａｃ）］）、ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔｐｐｒ）_２（ｄｐｍ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）_２（ａｃａｃ）］）のようなピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、トリス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｉｑ）_３］）、ビス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐｉｑ）_２（ａｃａｃ）］）のようなピリジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体の他、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）のような白金錯体、トリス（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｅｕ（ＤＢＭ）_３（Ｐｈｅｎ）］）、トリス［１−（２−テノイル）−３，３，３−トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｅｕ（ＴＴＡ）_３（Ｐｈｅｎ）］）のような希土類金属錯体が挙げられる。これらは、赤色のりん光発光を示す化合物であり、６００ｎｍから７００ｎｍまでの波長域において発光のピークを有する。また、ピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体は、色度の良い赤色発光が得られる。

また、以上で述べたりん光性化合物の他、公知のりん光性化合物を選択し、用いてもよい。

ＴＡＤＦ材料としてはフラーレン及びその誘導体、アクリジン及びその誘導体、エオシン誘導体等を用いることができる。またマグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、スズ（Ｓｎ）、白金（Ｐｔ）、インジウム（Ｉｎ）、もしくはパラジウム（Ｐｄ）等を含む金属含有ポルフィリンが挙げられる。該金属含有ポルフィリンとしては、例えば、以下の構造式に示されるプロトポルフィリン−フッ化スズ錯体（ＳｎＦ_２（Ｐｒｏｔｏ　ＩＸ））、メソポルフィリン−フッ化スズ錯体（ＳｎＦ_２（Ｍｅｓｏ　ＩＸ））、ヘマトポルフィリン−フッ化スズ錯体（ＳｎＦ_２（Ｈｅｍａｔｏ　ＩＸ））、コプロポルフィリンテトラメチルエステル−フッ化スズ錯体（ＳｎＦ_２（Ｃｏｐｒｏ　ＩＩＩ−４Ｍｅ））、オクタエチルポルフィリン−フッ化スズ錯体（ＳｎＦ_２（ＯＥＰ））、エチオポルフィリン−フッ化スズ錯体（ＳｎＦ_２（Ｅｔｉｏ　Ｉ））、オクタエチルポルフィリン−塩化白金錯体（ＰｔＣｌ_２ＯＥＰ）等も挙げられる。

また、以下の構造式に示される２−（ビフェニル−４−イル）−４，６−ビス（１２−フェニルインドロ［２，３−ａ］カルバゾール−１１−イル）−１，３，５−トリアジン（略称：ＰＩＣ−ＴＲＺ）、９−（４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン−２−イル）−９’−フェニル−９Ｈ，９’Ｈ−３，３’−ビカルバゾール（略称：ＰＣＣｚＴｚｎ）、２−｛４−［３−（Ｎ−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−９Ｈ−カルバゾール−９−イル］フェニル｝−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ＰＣＣｚＰＴｚｎ）、２−［４−（１０Ｈ−フェノキサジン−１０−イル）フェニル］−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ＰＸＺ−ＴＲＺ）、３−［４−（５−フェニル−５，１０−ジヒドロフェナジン−１０−イル）フェニル］−４，５−ジフェニル−１，２，４−トリアゾール（略称：ＰＰＺ−３ＴＰＴ）、３−（９，９−ジメチル−９Ｈ−アクリジン−１０−イル）−９Ｈ−キサンテン−９−オン（略称：ＡＣＲＸＴＮ）、ビス［４−（９，９−ジメチル−９，１０−ジヒドロアクリジン）フェニル］スルホン（略称：ＤＭＡＣ−ＤＰＳ）、１０−フェニル−１０Ｈ，１０’Ｈ−スピロ［アクリジン−９，９’−アントラセン］−１０’−オン（略称：ＡＣＲＳＡ）、等のπ電子過剰型複素芳香環とπ電子不足型複素芳香環の一方または両方を有する複素環化合物も用いることができる。該複素環化合物は、π電子過剰型複素芳香環及びπ電子不足型複素芳香環を有するため、電子輸送性及び正孔輸送性が共に高く、好ましい。中でも、π電子不足型複素芳香環を有する骨格のうち、ピリジン骨格、ジアジン骨格（ピリミジン骨格、ピラジン骨格、ピリダジン骨格）、およびトリアジン骨格は、安定で信頼性が良好なため好ましい。特に、ベンゾフロピリミジン骨格、ベンゾチエノピリミジン骨格、ベンゾフロピラジン骨格、ベンゾチエノピラジン骨格はアクセプタ性が高く、信頼性が良好なため好ましい。また、π電子過剰型複素芳香環を有する骨格の中でも、アクリジン骨格、フェノキサジン骨格、フェノチアジン骨格、フラン骨格、チオフェン骨格、及びピロール骨格は、安定で信頼性が良好なため、当該骨格の少なくとも一を有することが好ましい。なお、フラン骨格としてはジベンゾフラン骨格が、チオフェン骨格としてはジベンゾチオフェン骨格が、それぞれ好ましい。また、ピロール骨格としては、インドール骨格、カルバゾール骨格、インドロカルバゾール骨格、ビカルバゾール骨格、３−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−９Ｈ−カルバゾール骨格が特に好ましい。なお、π電子過剰型複素芳香環とπ電子不足型複素芳香環とが直接結合した物質は、π電子過剰型複素芳香環の電子供与性とπ電子不足型複素芳香環の電子受容性が共に強くなり、Ｓ１準位とＴ１準位のエネルギー差が小さくなるため、熱活性化遅延蛍光を効率よく得られることから特に好ましい。なお、π電子不足型複素芳香環の代わりに、シアノ基のような電子吸引基が結合した芳香環を用いても良い。また、π電子過剰型骨格として、芳香族アミン骨格、フェナジン骨格等を用いることができる。また、π電子不足型骨格として、キサンテン骨格、チオキサンテンジオキサイド骨格、オキサジアゾール骨格、トリアゾール骨格、イミダゾール骨格、アントラキノン骨格、フェニルボラン、ボラントレン等の含ホウ素骨格、ベンゾニトリルまたはシアノベンゼン等のニトリル基またはシアノ基を有する芳香環、複素芳香環、ベンゾフェノン等のカルボニル骨格、ホスフィンオキシド骨格、スルホン骨格等を用いることができる。このように、π電子不足型複素芳香環およびπ電子過剰型複素芳香環の少なくとも一方の代わりにπ電子不足型骨格およびπ電子過剰型骨格を用いることができる。

また、ＴＡＤＦ材料として、一重項励起状態と三重項励起状態間が熱平衡状態にあるＴＡＤＦ材料を用いてもよい。このようなＴＡＤＦ材料は発光寿命（励起寿命）が短くなるため、発光素子における高輝度領域での効率低下を抑制することができる。具体的には、下記に示す分子構造のような材料が挙げられる。

なお、ＴＡＤＦ材料とは、Ｓ１準位とＴ１準位との差が小さく、逆項間交差によって三重項励起エネルギーから一重項励起エネルギーへエネルギーを変換することができる機能を有する材料である。そのため、三重項励起エネルギーをわずかな熱エネルギーによって一重項励起エネルギーにアップコンバート（逆項間交差）が可能で、一重項励起状態を効率よく生成することができる。また、三重項励起エネルギーを発光に変換することができる。

また、２種類の物質で励起状態を形成する励起錯体（エキサイプレックス、エキシプレックスまたはＥｘｃｉｐｌｅｘともいう）は、Ｓ１準位とＴ１準位との差が極めて小さく、三重項励起エネルギーを一重項励起エネルギーに変換することが可能なＴＡＤＦ材料としての機能を有する。

なお、Ｔ１準位の指標としては、低温（例えば７７Ｋから１０Ｋ）で観測されるりん光スペクトルを用いればよい。ＴＡＤＦ材料としては、その蛍光スペクトルの短波長側の裾において接線を引き、その外挿線の波長のエネルギーをＳ１準位とし、りん光スペクトルの短波長側の裾において接線を引き、その外挿線の波長のエネルギーをＴ１準位とした際に、そのＳ１とＴ１の差が０．３ｅＶ以下であることが好ましく、０．２ｅＶ以下であることがさらに好ましい。

また、ＴＡＤＦ材料を発光物質として用いる場合、ホスト材料のＳ１準位はＴＡＤＦ材料のＳ１準位より高い方が好ましい。また、ホスト材料のＴ１準位はＴＡＤＦ材料のＴ１準位より高いことが好ましい。

発光層のホスト材料としては、電子輸送性を有する材料および／または正孔輸送性を有する材料、上記ＴＡＤＦ材料など様々なキャリア輸送材料を用いることができる。

正孔輸送性を有する材料としては、アミン骨格、π電子過剰型複素芳香環骨格などを有する有機化合物が好ましい。例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−４，４’−ジアミノビフェニル（略称：ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（９，９’−スピロビ［９Ｈ−フルオレン］−２−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−４，４’−ジアミノビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）、４−フェニル−４’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）、４−フェニル−３’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ｍＢＰＡＦＬＰ）、４−フェニル−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）、４，４’−ジフェニル−４’’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＢｉ１ＢＰ）、４−（１−ナフチル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＮＢ）、４，４’−ジ（１−ナフチル）−４’’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＮＢＢ）、９，９−ジメチル−Ｎ−フェニル−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］フルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＡＦ）、Ｎ−フェニル−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−９，９’−スピロビ［９Ｈ−フルオレン］−２−アミン（略称：ＰＣＢＡＳＦ）などの芳香族アミン骨格を有する化合物、１，３−ビス（Ｎ−カルバゾリル）ベンゼン（略称：ｍＣＰ）、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、３，６−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）−９−フェニルカルバゾール（略称：ＣｚＴＰ）、３，３’−ビス（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール）（略称：ＰＣＣＰ）などのカルバゾール骨格を有する化合物、４，４’，４’’−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）トリ（ジベンゾチオフェン）（略称：ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ）、２，８−ジフェニル−４−［４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］ジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ−ＩＩＩ）、４−［４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］−６−フェニルジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ−ＩＶ）などのチオフェン骨格を有する化合物、４，４’，４’’−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）トリ（ジベンゾフラン）（略称：ＤＢＦ３Ｐ−ＩＩ）、４−｛３−［３−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］フェニル｝ジベンゾフラン（略称：ｍｍＤＢＦＦＬＢｉ−ＩＩ）などのフラン骨格を有する化合物が挙げられる。上述した中でも、芳香族アミン骨格を有する化合物またはカルバゾール骨格を有する化合物は、信頼性が良好であり、また、正孔輸送性が高く、駆動電圧低減にも寄与するため好ましい。また、正孔輸送層における、正孔輸送性を有する材料の例として挙げた有機化合物も用いることができる。

電子輸送性を有する材料としては、例えば、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（ＩＩ）（略称：ＢｅＢｑ_２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８−キノリノラト）亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎｑ）、ビス［２−（２−ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＰＢＯ）、ビス［２−（２−ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＢＴＺ）などの金属錯体、π電子不足型複素芳香環を有する有機化合物が好ましい。π電子不足型複素芳香環を有する有機化合物としては、例えば、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、９−［４−（５−フェニル−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣＯ１１）、２，２’，２’’−（１，３，５−ベンゼントリイル）トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）、２−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール（略称：ｍＤＢＴＢＩｍ−ＩＩ）、４，４’−ビス（５−メチルベンゾオキサゾール−２−イル）スチルベン（略称：ＢｚＯｓ）などのアゾール骨格を有する有機化合物、３，５−ビス［３−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ピリジン（略称：３５ＤＣｚＰＰｙ）、１，３，５−トリ［３−（３−ピリジル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴｍＰｙＰＢ）、バソフェナントロリン（略称：Ｂｐｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、２，９−ジ（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＮＢｐｈｅｎ）、２，２’−（１，３−フェニレン）ビス（９−フェニル−１，１０−フェナントロリン）（略称：ｍＰＰｈｅｎ２Ｐ）などのピリジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物、２−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）、２−［３−（３´−ジベンゾチオフェン−４−イル）ビフェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ）、２−［３’−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）ビフェニル−３−イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＣｚＢＰＤＢｑ）、２−［４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−３，１’−ビフェニル−１−イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍｐＰＣＢＰＤＢｑ）、２−［４−（３，６−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ＣｚＰＤＢｑ−ＩＩＩ）、７−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：７ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）、及び６−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：６ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）、９−［３’−（ジベンゾチオフェン−４−イル）ビフェニル−３−イル］ナフト［１’，２’：４，５］フロ［２，３−ｂ］ピラジン（略称：９ｍＤＢｔＢＰＮｆｐｒ）、９−［（３’−ジベンゾチオフェン−４−イル）ビフェニル−４−イル］ナフト［１’，２’：４，５］フロ［２，３−ｂ］ピラジン（略称：９ｐｍＤＢｔＢＰＮｆｐｒ）、４，６−ビス［３−（フェナントレン−９−イル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＰｎＰ２Ｐｍ）、４，６−ビス［３−（４−ジベンゾチエニル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＤＢＴＰ２Ｐｍ−ＩＩ）、４，６−ビス［３−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＣｚＰ２Ｐｍ）、９，９’−［ピリミジン−４，６−ジイルビス（ビフェニル−３，３’−ジイル）］ビス（９Ｈ−カルバゾール）（略称：４，６ｍＣｚＢＰ２Ｐｍ）、８−（１，１’−ビフェニル−４−イル）−４−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−［１］ベンゾフロ［３，２−ｄ］ピリミジン（略称：８ＢＰ−４ｍＤＢｔＰＢｆｐｍ）、３，８−ビス［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ベンゾフロ［２，３−ｂ］ピラジン（略称：３，８ｍＤＢｔＰ２Ｂｆｐｒ）、４，８−ビス［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−［１］ベンゾフロ［３，２−ｄ］ピリミジン（略称：４，８ｍＤＢｔＰ２Ｂｆｐｍ）、８−［３’−（ジベンゾチオフェン−４−イル）（１，１’−ビフェニル−３−イル）］ナフト［１’，２’：４，５］フロ［３，２−ｄ］ピリミジン（略称：８ｍＤＢｔＢＰＮｆｐｍ）、８−［（２，２’−ビナフタレン）−６−イル］−４−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−［１］ベンゾフロ［３，２−ｄ］ピリミジン（略称：８（βＮ２）−４ｍＤＢｔＰＢｆｐｍ）、２，２’−（ピリジン−２，６−ジイル）ビス（４−フェニルベンゾ［ｈ］キナゾリン）（略称：２，６（Ｐ−Ｂｑｎ）２Ｐｙ）、２，２’−（ピリジン−２，６−ジイル）ビス｛４−［４−（２−ナフチル）フェニル］−６−フェニルピリミジン｝（略称：２，６（ＮＰ−ＰＰｍ）２Ｐｙ）、６−（１，１’−ビフェニル−３−イル）−４−［３，５−ビス（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−２−フェニルピリミジン（略称：６ｍＢＰ−４Ｃｚ２ＰＰｍ）、２，６−ビス（４−ナフタレン−１−イルフェニル）−４−［４−（３−ピリジル）フェニル］ピリミジン（略称：２，４ＮＰ−６ＰｙＰＰｍ）、４−［３，５−ビス（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−２−フェニル−６−（１，１’−ビフェニル−４−イル）ピリミジン（略称：６ＢＰ−４Ｃｚ２ＰＰｍ）、７−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−２−イル）キナゾリン−２−イル］−７Ｈ−ジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール（略称：ＰＣ−ｃｇＤＢＣｚＱｚ）などのジアジン骨格を有する有機化合物、２−［（１，１’−ビフェニル）−４−イル］−４−フェニル−６−［９，９’−スピロビ（９Ｈ−フルオレン）−２−イル］−１，３，５−トリアジン（略称：ＢＰ−ＳＦＴｚｎ）、２−｛３−［３−（ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン−８−イル）フェニル］フェニル｝−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ｍＢｎｆＢＰＴｚｎ）、２−｛３−［３−（ベンゾ［ｂ］］ナフト［１，２−ｄ］フラン−６−イル）フェニル］フェニル｝−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ｍＢｎｆＢＰＴｚｎ−０２）、２−｛４−［３−（Ｎ−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−９Ｈ−カルバゾール−９−イル］フェニル｝−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ＰＣＣｚＰＴｚｎ）、９−［３−（４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン−２−イル）フェニル］−９’−フェニル−２，３’−ビ−９Ｈ−カルバゾール（略称：ｍＰＣＣｚＰＴｚｎ−０２）、２−［３’−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−１，１’−ビフェニル−３−イル］−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ｍＦＢＰＴｚｎ）、５−［３−（４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン−２−イル）フェニル］−７，７−ジメチル−５Ｈ，７Ｈ−インデノ［２，１−ｂ］カルバゾール（略称：ｍＩＮｃ（ＩＩ）ＰＴｚｎ）、２−｛３−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］フェニル｝−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ｍＤＢｔＢＰＴｚｎ）、２，４，６−トリス（３’−（ピリジン−３−イル）ビフェニル−３−イル）−１，３，５−トリアジン（略称：ＴｍＰＰＰｙＴｚ）、２−［３−（２，６−ジメチル−３−ピリジニル）−５−（９−フェナントレニル）フェニル］−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ｍＰｎ−ｍＤＭｅＰｙＰＴｚｎ）、１１−（４−［１，１’−ビフェニル］−４−イル−６−フェニル−１，３，５−トリアジン−２−イル）−１１，１２−ジヒドロ−１２−フェニル−インドロ［２，３−ａ］カルバゾール（略称：ＢＰ−Ｉｃｚ（ＩＩ）Ｔｚｎ）、２−［３’−（トリフェニレン−２−イル）−１，１’−ビフェニル−３−イル］−４，６−ジフェニル’１，３，５−トリアジン（略称：ｍＴｐＢＰＴｚｎ）、３−［９−（４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン−２−イル）−２−ジベンゾフラニル］−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣＤＢｆＴｚｎ）、２−［１，１’−ビフェニル］−３−イル−４−フェニル−６−（８−［１，１’：４’，１’’−ターフェニル］−４−イル−１−ジベンゾフラニル）−１，３，５−トリアジン（略称：ｍＢＰ−ＴＰＤＢｆＴｚｎ）などのトリアジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物が挙げられる。上述した中でも、ジアジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物またはピリジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物、トリアジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物は、信頼性が良好であり好ましい。特に、ジアジン（ピリミジンまたはピラジン）骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物、トリアジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物は、電子輸送性が高く、駆動電圧低減にも寄与する。

ホスト材料として用いることが可能なＴＡＤＦ材料としては、先にＴＡＤＦ材料として挙げたものを同様に用いることができる。ＴＡＤＦ材料をホスト材料として用いると、ＴＡＤＦ材料で生成した三重項励起エネルギーが、逆項間交差によって一重項励起エネルギーに変換され、さらに発光物質へエネルギー移動することで、発光素子の発光効率を高めることができる。このとき、ＴＡＤＦ材料がエネルギードナーとして機能し、発光物質がエネルギーアクセプターとして機能する。

これは、上記発光物質が蛍光発光物質である場合に、非常に有効である。また、このとき、高い発光効率を得るためには、ＴＡＤＦ材料のＳ１準位は、蛍光発光物質のＳ１準位より高いことが好ましい。また、ＴＡＤＦ材料のＴ１準位は、蛍光発光物質のＳ１準位より高いことが好ましい。したがって、ＴＡＤＦ材料のＴ１準位は、蛍光発光物質のＴ１準位より高いことが好ましい。

また、蛍光発光物質の最も低エネルギー側の吸収帯の波長と重なるような発光を呈するＴＡＤＦ材料を用いることが好ましい。そうすることで、ＴＡＤＦ材料から蛍光発光物質への励起エネルギーの移動がスムーズとなり、効率よく発光が得られるため、好ましい。

また、効率良く三重項励起エネルギーから逆項間交差によって一重項励起エネルギーが生成されるためには、ＴＡＤＦ材料でキャリア再結合が生じることが好ましい。また、ＴＡＤＦ材料で生成した三重項励起エネルギーが蛍光発光物質の三重項励起エネルギーに移動しないことが好ましい。そのためには、蛍光発光物質は、蛍光発光物質が有する発光団（発光の原因となる骨格）の周囲に保護基を有すると好ましい。該保護基としては、π結合を有さない置換基が好ましく、飽和炭化水素が好ましく、具体的には炭素数３以上１０以下のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３以上１０以下のシクロアルキル基、炭素数３以上１０以下のトリアルキルシリル基が挙げられ、保護基が複数あるとさらに好ましい。π結合を有さない置換基は、キャリアを輸送する機能に乏しいため、キャリア輸送またはキャリア再結合に影響をほとんど与えずに、ＴＡＤＦ材料と蛍光発光物質の発光団との距離を遠ざけることができる。ここで、発光団とは、蛍光発光物質において発光の原因となる原子団（骨格）を指す。発光団は、π結合を有する骨格が好ましく、芳香環を含むことが好ましく、縮合芳香環または縮合複素芳香環を有すると好ましい。縮合芳香環または縮合複素芳香環としては、フェナントレン骨格、スチルベン骨格、アクリドン骨格、フェノキサジン骨格、フェノチアジン骨格等が挙げられる。特にナフタレン骨格、アントラセン骨格、フルオレン骨格、クリセン骨格、トリフェニレン骨格、テトラセン骨格、ピレン骨格、ペリレン骨格、クマリン骨格、キナクリドン骨格、ナフトビスベンゾフラン骨格を有する蛍光発光物質は蛍光量子収率が高いため好ましい。

蛍光発光物質を発光物質として用いる場合、ホスト材料としては、アントラセン骨格を有する材料が好適である。アントラセン骨格を有する物質を蛍光発光物質のホスト材料として用いると、発光効率、耐久性共に良好な発光層を実現することが可能である。ホスト材料として用いるアントラセン骨格を有する物質としては、ジフェニルアントラセン骨格、特に９，１０−ジフェニルアントラセン骨格を有する物質が化学的に安定であるため好ましい。また、ホスト材料がカルバゾール骨格を有する場合、正孔の注入・輸送性が高まるため好ましいが、カルバゾールにベンゼン環がさらに縮合したベンゾカルバゾール骨格を含む場合、カルバゾールよりもＨＯＭＯが０．１ｅＶ程度浅くなり、正孔が入りやすくなるためより好ましい。特に、ホスト材料がジベンゾカルバゾール骨格を含む場合、カルバゾールよりもＨＯＭＯが０．１ｅＶ程度浅くなり、正孔が入りやすくなる上に、正孔輸送性にも優れ、耐熱性も高くなるため好適である。したがって、さらにホスト材料として好ましいのは、９，１０−ジフェニルアントラセン骨格およびカルバゾール骨格（あるいはベンゾカルバゾール骨格またはジベンゾカルバゾール骨格）を同時に有する物質である。なお、上記の正孔注入・輸送性の観点から、カルバゾール骨格に換えて、ベンゾフルオレン骨格またはジベンゾフルオレン骨格を用いてもよい。このような物質の例としては、９−フェニル−３−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣｚＰＡ）、３−［４−（１−ナフチル）フェニル］−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣＰＮ）、９−［４−（１０−フェニル−９−アントラセニル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、７−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−７Ｈ−ジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール（略称：ｃｇＤＢＣｚＰＡ）、６−［３−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン（略称：２ｍＢｎｆＰＰＡ）、９−フェニル−１０−［４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）ビフェニル−４’−イル］アントラセン（略称：ＦＬＰＰＡ）、９−（１−ナフチル）−１０−［４−（２−ナフチル）フェニル］アントラセン（略称：αＮ−βＮＰＡｎｔｈ）、９−（１−ナフチル）−１０−（２−ナフチル）アントラセン（略称：α，βＡＤＮ）、２−（１０−フェニルアントラセン−９−イル）ジベンゾフラン、２−（１０−フェニル−９−アントラセニル）ベンゾ［ｂ］ナフト［２，３−ｄ］フラン（略称：Ｂｎｆ（ＩＩ）ＰｈＡ）、９−（２−ナフチル）−１０−［３−（２−ナフチル）フェニル］アントラセン（略称：βＮ−ｍβＮＰＡｎｔｈ）、１−［４−（１０−［１，１’−ビフェニル］−４−イル−９−アントラセニル）フェニル］−２−エチル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール（略称：ＥｔＢＩｍＰＢＰｈＡ）、等が挙げられる。特に、ＣｚＰＡ、ｃｇＤＢＣｚＰＡ２ｍＢｎｆＰＰＡ、ＰＣｚＰＡは非常に良好な特性を示すため、好ましい選択である。

なお、ホスト材料は複数種の物質を混合した材料であっても良く、混合したホスト材料を用いる場合は、電子輸送性を有する材料と、正孔輸送性を有する材料とを混合することが好ましい。電子輸送性を有する材料と、正孔輸送性を有する材料を混合することによって、発光層１１３の輸送性を容易に調整することができ、再結合領域の制御も簡便に行うことができる。正孔輸送性を有する材料と電子輸送性を有する材料の含有量の重量比は、正孔輸送性を有する材料：電子輸送性を有する材料＝１：１９~１９：１とすればよい。

なお、上記混合された材料の一部として、りん光発光物質を用いることができる。りん光発光物質は、発光物質として蛍光発光物質を用いる際に蛍光発光物質へ励起エネルギーを供与するエネルギードナーとして用いることができる。

また、これら混合された材料同士で励起錯体を形成しても良い。当該励起錯体は発光物質の最も低エネルギー側の吸収帯の波長と重なるような発光を呈する励起錯体を形成するような組み合わせを選択することで、エネルギー移動がスムーズとなり、効率よく発光が得られるため好ましい。また、当該構成を用いることで駆動電圧も低下するため好ましい。

なお、励起錯体を形成する材料の少なくとも一方は、りん光発光物質であってもよい。そうすることで、三重項励起エネルギーを逆項間交差によって効率よく一重項励起エネルギーへ変換することができる。

効率よく励起錯体を形成する材料の組み合わせとしては、正孔輸送性を有する材料のＨＯＭＯ準位が電子輸送性を有する材料のＨＯＭＯ準位以上であると好ましい。また、正孔輸送性を有する材料のＬＵＭＯ準位が電子輸送性を有する材料のＬＵＭＯ準位以上であると好ましい。なお、材料のＬＵＭＯ準位およびＨＯＭＯ準位は、サイクリックボルタンメトリ（ＣＶ）測定によって測定される材料の電気化学特性（還元電位および酸化電位）から導出することができる。

なお、励起錯体の形成は、例えば正孔輸送性を有する材料の発光スペクトル、電子輸送性を有する材料の発光スペクトル、およびこれら材料を混合した混合膜の発光スペクトルを比較し、混合膜の発光スペクトルが、各材料の発光スペクトルよりも長波長シフトする（あるいは長波長側に新たなピークを持つ）現象を観測することにより確認することができる。あるいは、正孔輸送性を有する材料の過渡フォトルミネッセンス（ＰＬ）、電子輸送性を有する材料の過渡ＰＬ、及びこれら材料を混合した混合膜の過渡ＰＬを比較し、混合膜の過渡ＰＬ寿命が、各材料の過渡ＰＬ寿命よりも長寿命成分を有する、あるいは遅延成分の割合が大きくなるなどの過渡応答の違いを観測することにより、確認することができる。また、上述の過渡ＰＬは過渡エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）と読み替えても構わない。すなわち、正孔輸送性を有する材料の過渡ＥＬ、電子輸送性を有する材料の過渡ＥＬ及びこれらの混合膜の過渡ＥＬを比較し、過渡応答の違いを観測することによっても、励起錯体の形成を確認することができる。

電子輸送層（第１の電子輸送層１１４＿１、第２の電子輸送層１１４＿２）は、電子輸送性を有する物質を含む層である。電子輸送性を有する材料としては、電界強度［Ｖ／ｃｍ］の平方根が６００における電子移動度が、１×１０^−７ｃｍ^２／Ｖｓ以上好ましくは１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質が好ましい。なお、正孔よりも電子の輸送性が高い物質であれば、これら以外のものを用いることができる。なお、上記有機化合物としてはπ電子不足型複素芳香環を有する有機化合物が好ましい。π電子不足型複素芳香環を有する有機化合物としては、例えばポリアゾール骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物、ピリジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物、ジアジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物およびトリアジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物のいずれかまたは複数であることが好ましい。

上記電子輸送層に用いることが可能な電子輸送性を有する有機化合物としては、上記中間層１１６におけるＮ型層の電子輸送性を有する有機化合物として用いることが可能な有機化合物を同様に用いることができる。中でも、ジアジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物またはピリジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物、トリアジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物は、信頼性が良好であり好ましい。特に、ジアジン（ピリミジンまたはピラジン）骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物、トリアジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物は、電子輸送性が高く、駆動電圧低減にも寄与する。

また、電子輸送層は電界強度［Ｖ／ｃｍ］の平方根が６００における電子移動度が１×１０^−７ｃｍ^２／Ｖｓ以上５×１０^−５ｃｍ^２／Ｖｓ以下であることが好ましい。電子輸送層１１４における電子の輸送性を落とすことにより発光層への電子の注入量を制御することができ、発光層が電子過多の状態になることを防ぐことができる。この構成は、特に正孔注入層を複合材料として形成し、当該複合材料における正孔輸送性を有する材料のＨＯＭＯ準位が−５．７ｅＶ以上−５．４ｅＶ以下の比較的深いＨＯＭＯ準位を有する物質である場合に、寿命が良好となるため特に好ましい。なお、この際、電子輸送性を有する材料は、そのＨＯＭＯ準位が−６．０ｅＶ以上であることが好ましい。

電子注入層１１５としては、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_２）、８−キノリノラト−リチウム（略称：Ｌｉｑ）、イッテルビウム（Ｙｂ）のようなアルカリ金属又はアルカリ土類金属又はそれらの化合物もしくは錯体を含む層を設けても良い。電子注入層１１５は、電子輸送性を有する物質からなる層中にアルカリ金属又はアルカリ土類金属又はそれらの化合物を含有させたものまたは、エレクトライドを用いてもよい。エレクトライドとしては、例えば、カルシウムとアルミニウムの混合酸化物に電子を高濃度添加した物質等が挙げられる。

なお、電子注入層１１５として、電子輸送性を有する物質（好ましくはビピリジン骨格を有する有機化合物）に上記アルカリ金属又はアルカリ土類金属のフッ化物を微結晶状態となる濃度以上（５０ｗｔ％以上）含ませた層を用いることも可能である。当該層は、屈折率の低い層であることから、より外部量子効率の良好な発光素子を提供することが可能となる。

第２の電極１０２は、陰極を含む電極である。第２の電極１０２は、積層構造を有していてもよく、その場合、有機化合物層１０３と接する層が陰極として機能する。陰極を形成する物質としては、仕事関数の小さい（具体的には３．８ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。このような陰極材料の具体例としては、リチウム（Ｌｉ）またはセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等の元素周期表の第１族または第２族に属する元素、およびこれらを含む合金（ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金等が挙げられる。しかしながら、第２の電極１０２と電子輸送層との間に、電子注入層を設けることにより、仕事関数の大小に関わらず、Ａｌ、Ａｇ、ＩＴＯ、ケイ素若しくは酸化ケイ素を含有した酸化インジウム−酸化スズ等様々な導電性材料を陰極として用いることができる。

なお、第２の電極１０２を可視光に対し透過性を有する材料で形成した場合、第２の電極１０２側から光を発する発光素子とすることができる。

これら導電性材料は、真空蒸着法またはスパッタリング法などの乾式法、インクジェット法、スピンコート法等を用いて成膜することが可能である。また、ゾル−ゲル法を用いて湿式法で形成しても良いし、金属材料のペーストを用いて湿式法で形成してもよい。

また、有機化合物層１０３の形成方法としては、乾式法、湿式法を問わず、種々の方法を用いることができる。例えば、真空蒸着法、グラビア印刷法、オフセット印刷法、スクリーン印刷法、インクジェット法またはスピンコート法など用いても構わない。

また上述した各電極または各層を異なる成膜方法を用いて形成しても構わない。

図１Ｃには、本発明の一態様の表示装置に含まれる、隣り合う二つの発光素子（発光素子１３０ａ、発光素子１３０ｂ）の図を示した。

発光素子１３０ａは、絶縁層１７５上に第１の電極１０１ａと第２の電極１０２との間に有機化合物層１０３ａを有している。有機化合物層１０３ａは第１の発光ユニット５０１ａと、第２の発光ユニット５０２ａとが、中間層１１６ａを挟んで積層した構成を有する。なお、図１Ｃでは２つの発光ユニットが積層する例を示したが、３つ以上の発光ユニットが積層する構成であってもよい。第１の発光ユニット５０１ａは、正孔注入層１１１ａ、第１の正孔輸送層１１２ａ＿１、第１の発光層１１３ａ＿１、第１の電子輸送層１１４ａ＿１を有する。中間層１１６ａは、Ｐ型層１１７ａ、電子リレー層１１８ａ、Ｎ型層１１９ａを有する。電子リレー層１１８ａはあっても無くても構わない。第２の発光ユニット５０２ａは、第２の正孔輸送層１１２ａ＿２、第２の発光層１１３ａ＿２、第２の電子輸送層１１４ａ＿２、電子注入層１１５を有する。

発光素子１３０ｂは、絶縁層１７５上に第１の電極１０１ｂと第２の電極１０２との間に有機化合物層１０３ｂを有している。有機化合物層１０３ｂは第１の発光ユニット５０１ｂと、第２の発光ユニット５０２ｂとが、中間層１１６ｂを挟んで積層した構成を有する。なお、図１Ｂでは２つの発光ユニットが積層する例を示したが、３つ以上の発光ユニットが積層する構成であってもよい。第１の発光ユニット５０１ｂは、正孔注入層１１１ｂ、第１の正孔輸送層１１２ｂ＿１、第１の発光層１１３ｂ＿１、第１の電子輸送層１１４ｂ＿１を有する。中間層１１６ｂは、Ｐ型層１１７ｂ、電子リレー層１１８ｂ、Ｎ型層１１９ｂを有する。電子リレー層１１８ｂはあっても無くても構わない。第２の発光ユニット５０２ｂは、第２の正孔輸送層１１２ｂ＿２、第２の発光層１１３ｂ＿２、第２の電子輸送層１１４ｂ＿２、電子注入層１１５を有する。

なお、電子注入層１１５および第２の電極１０２は発光素子１３０ａおよび発光素子１３０ｂで一続きの共有された層であることが好ましい。また、電子注入層１１５以外の有機化合物層１０３ａと有機化合物層１０３ｂは、第２の電子輸送層１１４ａ＿２が形成された後と、第２の電子輸送層１１４ｂ＿２が形成された後に各々フォトリソグラフィ法により加工されているため互いに独立している。また、電子注入層１１５以外の有機化合物層１０３ａの端部（輪郭）は、フォトリソグラフィ法により加工されているため基板に対して垂直方向に概略一致している。また、電子注入層１１５以外の有機化合物層１０３ｂの端部（輪郭）は、フォトリソグラフィ法により加工されているため基板に対して垂直方向に概略一致している。

また、第１の電極１０１ａと第１の電極１０１ｂとの間の距離ｄは、有機化合物層をフォトリソグラフィ法により加工することからマスク蒸着を行う際よりも小さくすることができ、２μｍ以上５μｍ以下とすることができる。

（実施の形態２）
発光素子１３０は図２Ａおよび図２Ｂに例示したように、絶縁層１７５上に複数形成され表示装置を構成する。本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について詳しく説明する。

表示装置１００は、複数の画素１７８がマトリクス状に配列された画素部１７７を有する。画素１７８は、副画素１１０Ｒ、副画素１１０Ｇ、及び副画素１１０Ｂを有する。

本明細書等において、例えば副画素１１０Ｒ、副画素１１０Ｇ、及び副画素１１０Ｂに共通する事項を説明する場合には、副画素１１０と呼称して説明する場合がある。アルファベットで区別する他の構成要素についても、これらに共通する事項を説明する場合には、アルファベットを省略した符号を用いて説明する場合がある。

副画素１１０Ｒは赤色の光を呈し、副画素１１０Ｇは緑色の光を呈し、副画素１１０Ｂは青色の光を呈する。これにより、画素部１７７に画像を表示することができる。なお、本実施の形態では、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３色の副画素を例に挙げて説明するが、その他の色の副画素の組み合わせを用いてもよい。また、副画素は３つに限られず、４つ以上としてもよい。４つの副画素としては、例えば、Ｒ、Ｇ、Ｂ、白色（Ｗ）の４色の副画素、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｙの４色の副画素、及び、Ｒ、Ｇ、Ｂ、赤外光（ＩＲ）の４つの副画素、等が挙げられる。

本明細書等において、行方向をＸ方向、列方向をＹ方向という場合がある。Ｘ方向とＹ方向は交差し、例えば垂直に交差する。

図２Ａでは、異なる色の副画素がＸ方向に並べて配置されており、同じ色の副画素が、Ｙ方向に並べて配置されている例を示す。なお、異なる色の副画素がＹ方向に並べて配置され、同じ色の副画素が、Ｘ方向に並べて配置されていてもよい。

画素部１７７の外側には、接続部１４０が設けられ、領域１４１が設けられていてもよい。領域１４１は画素部１７７と接続部１４０の間に設けられる。領域１４１には、有機化合物層１０３が設けられる。また、接続部１４０には、導電層１５１Ｃが設けられる。

図２では、領域１４１、及び接続部１４０が画素部１７７の右側に位置する例を示すが、領域１４１、及び接続部１４０の位置は特に限定されない。また、領域１４１、及び接続部１４０は、単数であっても複数であってもよい。

図２Ｂは、図２Ａにおける一点鎖線Ａ１−Ａ２間の断面図の例である。図２Ｂに示すように、表示装置１００は、絶縁層１７１と、絶縁層１７１上の導電層１７２と、絶縁層１７１上、及び導電層１７２上の絶縁層１７３と、絶縁層１７３上の絶縁層１７４と、絶縁層１７４上の絶縁層１７５と、を有する。絶縁層１７１は、基板（図示せず）上に設けられる。絶縁層１７５、絶縁層１７４、及び絶縁層１７３には、導電層１７２に達する開口が設けられ、当該開口を埋め込むようにプラグ１７６が設けられている。

画素部１７７において、絶縁層１７５及びプラグ１７６上に、発光素子１３０が設けられる。また、発光素子１３０を覆うように、保護層１３１が設けられている。保護層１３１上には、樹脂層１２２によって基板１２０が貼り合わされている。また、隣り合う発光素子１３０の間には、無機絶縁層１２５と、無機絶縁層１２５上の絶縁層１２７と、が設けられていることが好ましい。

図２Ｂでは、無機絶縁層１２５及び絶縁層１２７の断面が複数示されているが、表示装置１００を上面から見た場合、無機絶縁層１２５及び絶縁層１２７は、それぞれ１つに繋がっていることが好ましい。つまり、絶縁層１２７は、第１の電極上に開口部を有する絶縁層であることが好ましい。

図２Ｂでは、発光素子１３０として、発光素子１３０Ｒ、発光素子１３０Ｇ、及び発光素子１３０Ｂを示している。発光素子１３０Ｒ、発光素子１３０Ｇ、及び発光素子１３０Ｂは、互いに異なる色の光を発するものとする。例えば、発光素子１３０Ｒは赤色の光を発することができ、発光素子１３０Ｇは緑色の光を発することができ、発光素子１３０Ｂは青色の光を発することができる。また、発光素子１３０Ｒ、発光素子１３０Ｇ、又は発光素子１３０Ｂは、他の可視光又は赤外光を発してもよい。

本発明の一態様の表示装置は、例えば発光素子が形成されている基板とは反対方向に光を射出する上面射出型（トップエミッション型）とすることができる。なお、本発明の一態様の表示装置は、下面射出型（ボトムエミッション型）であってもよい。

発光素子１３０が有する発光物質としては、例えば、蛍光を発する物質（蛍光材料）、燐光を発する物質（燐光材料）、及び、熱活性化遅延蛍光を示す物質（熱活性化遅延蛍光（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ　ａｃｔｉｖａｔｅｄ　ｄｅｌａｙｅｄ　ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ：ＴＡＤＦ）材料）などの有機化合物または有機金属錯体が挙げられる。また、量子ドットなどの無機化合物であってもよい。

発光素子１３０Ｒは、実施の形態１に示したような構成を有する。導電層１５１Ｒと導電層１５２Ｒとからなる第１の電極（画素電極）と、第１の電極上の有機化合物層１０３Ｒと、有機化合物層１０３Ｒ上の共通層１０４と、共通層１０４上の第２の電極（共通電極）１０２と、を有する。なお、共通層１０４は、設けられていても設けられていなくても構わないが、設けられていることが加工時の有機化合物層１０３Ｒへのダメージを低減できることから好ましい。共通層１０４が設けられている場合、共通層１０４は、電子注入層であることが好ましい。また、共通層１０４が設けられている場合、有機化合物層１０３Ｒと共通層１０４との積層構造が、実施の形態１における有機化合物層１０３に相当する。

発光素子１３０Ｇは、実施の形態１に示したような構成を有する。導電層１５１Ｇと導電層１５２Ｇとからなる第１の電極（画素電極）と、第１の電極上の有機化合物層１０３Ｇと、有機化合物層１０３Ｇ上の共通層１０４と、共通層上の第２の電極（共通電極）１０２と、を有する。なお、共通層１０４は、設けられていても設けられていなくても構わないが、設けられていることが加工時の有機化合物層１０３Ｇへのダメージを低減できることから好ましい。共通層１０４が設けられている場合、共通層１０４は、電子注入層であることが好ましい。また、共通層１０４が設けられている場合、有機化合物層１０３Ｇと共通層１０４との積層構造が、実施の形態１における有機化合物層１０３に相当する。

発光素子１３０Ｂは、実施の形態１に示したような構成を有する。導電層１５１Ｂと導電層１５２Ｂとからなる第１の電極（画素電極）と、第１の電極上の有機化合物層１０３Ｂと、有機化合物層１０３Ｂ上の共通層１０４と、共通層上の第２の電極（共通電極）１０２と、を有する。なお、共通層１０４は、設けられていても設けられていなくても構わないが、設けられていることが加工時の有機化合物層１０３Ｂへのダメージを低減できることから好ましい。共通層１０４が設けられている場合、共通層１０４は、電子注入層であることが好ましい。また、共通層１０４が設けられている場合、有機化合物層１０３Ｂと共通層１０４との積層構造が、実施の形態１における有機化合物層１０３に相当する。

発光素子が有する画素電極と共通電極のうち、一方は陽極として機能し、他方は陰極として機能する。以下では、特に断りが無い場合は、画素電極が陽極として機能し、共通電極が陰極として機能するものとして説明する。

有機化合物層１０３Ｒ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｂは、各々または、発光色毎に島状に独立している。有機化合物層１０３を発光素子１３０ごとに島状に設けることで、高精細な表示装置においても隣接する発光素子１３０間のリーク電流を抑制できる。これにより、クロストークを防ぐことができ、コントラストの極めて高い表示装置を実現できる。特に、低輝度における電流効率の高い表示装置を実現できる。

島状の有機化合物層１０３は、ＥＬ膜を成膜し、当該ＥＬ膜を、フォトリソグラフィ法を用いて加工することにより形成する。

有機化合物層１０３は、発光素子１３０の第１の電極（画素電極）の上面及び側面を覆うように設けられることが好ましい。これにより、有機化合物層１０３の端部が画素電極の端部よりも内側に位置する構成に比べて、表示装置１００の開口率を高めることが容易となる。また、発光素子１３０の画素電極の側面を有機化合物層１０３で覆うことで、画素電極と第２の電極１０２とが接することを抑制できるため、発光素子１３０のショートを抑制できる。また、有機化合物層１０３の発光領域（すなわち、画素電極と重なる領域）と、有機化合物層１０３の端部との距離を大きくできる。有機化合物層１０３の端部は、加工によりダメージを受けている可能性があるため、有機化合物層１０３の端部から離れた領域を発光領域として用いることで、発光素子１３０の信頼性を高められる。

また、本発明の一態様の表示装置では、発光素子の第１の電極（画素電極）を、積層構成とすることが好ましい。例えば、図２Ｂに示す例では、発光素子１３０の第１の電極を、導電層１５１と、導電層１５２と、の積層構成としている。例えば、表示装置１００をトップエミッション型とし、発光素子１３０の画素電極が陽極として機能する場合、導電層１５１は可視光に対する反射率が高い層とし、導電層１５２は例えば可視光の透過性を有し、且つ仕事関数が大きい層とすることが好ましい。表示装置１００がトップエミッション型である場合、画素電極の可視光に対する反射率が高いほど、有機化合物層１０３が発する光の取り出し効率を高くすることができる。また、画素電極が陽極として機能する場合、画素電極の仕事関数が大きいほど、有機化合物層１０３への正孔の注入が容易となる。以上より、発光素子１３０の画素電極を、可視光に対する反射率が高い導電層１５１と、仕事関数が大きい導電層１５２と、の積層構成とすることにより、発光素子１３０を、光取り出し効率が高く、且つ駆動電圧の低い発光素子とすることができる。

導電層１５１を、可視光に対する反射率が高い層とする場合、導電層１５１の可視光に対する反射率は、例えば４０％以上１００％以下、好ましくは７０％以上１００％以下とすることが好ましい。また、導電層１５２は、可視光の透過性を有する電極とする場合、可視光に対する透過率を例えば４０％以上とすることが好ましい。

ここで、画素電極を複数の層からなる積層構成とする場合、例えば当該複数の層間の反応により、画素電極が変質してしまう場合がある。例えば、画素電極の形成後に形成した膜を、ウェットエッチング法により除去する場合、薬液が画素電極と接触することにより、ガルバニック腐食が発生することがある。

そこで、本実施の形態の表示装置１００では、導電層１５１の上面及び側面を覆うように、導電層１５２を形成する。これにより、例えば導電層１５１と、導電層１５２と、を有する画素電極の形成後に形成した膜を、ウェットエッチング法により除去する場合であっても、薬液が導電層１５１に接触することを抑制できる。よって、例えば画素電極へのガルバニック腐食の発生を抑制できる。よって、表示装置１００は、歩留まりが高い方法で作製できるため、低価格の表示装置とすることができる。また、表示装置１００に不良が発生することを抑制できるため、表示装置１００は信頼性が高い表示装置とすることができる。

導電層１５１として、例えば金属材料を用いることができる。具体的には、例えばアルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、イットリウム（Ｙ）、ネオジム（Ｎｄ）等の金属、及びこれらを適宜組み合わせて含む合金を用いることもできる。

導電層１５２として、インジウム、錫、亜鉛、ガリウム、チタン、アルミニウム、及びシリコンの中から選ばれるいずれか一又は複数を有する酸化物を用いることができる。例えば、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを含む酸化亜鉛、酸化チタン、ガリウムを含むインジウム亜鉛酸化物、アルミニウムを含むインジウム亜鉛酸化物、シリコンを含むインジウム錫酸化物、及びシリコンを含むインジウム亜鉛酸化物等のいずれか一又は複数を含む導電性酸化物を用いることが好ましい。特に、シリコンを含むインジウム錫酸化物は仕事関数が大きい、例えば仕事関数が４．０ｅＶ以上であるため、導電層１５２として好適に用いることができる。

導電層１５１は、異なる材料を有する複数の層の積層構成であってもよく、導電層１５２は、異なる材料を有する複数の層の積層構成であってもよい。この場合、導電層１５１が、導電性酸化物等の導電層１５２に用いることができる材料を用いた層を有してもよく、また、導電層１５２が、金属材料等の導電層１５１に用いることができる材料を用いた層を有してもよい。例えば、導電層１５１が２層以上の積層構成である場合は、導電層１５２と接する層は、導電層１５２に用いることができる材料を用いた層とすることができる。

なお、導電層１５１の側面は、テーパ形状を有することが好ましい。具体的には、導電層１５１の側面は、テーパ角９０°未満のテーパ形状を有することが好ましい。この場合、導電層１５１の側面に沿って設けられる導電層１５２もテーパ形状を有する。導電層１５２の側面をテーパ形状とすることで、導電層１５２の側面に沿って設けられる有機化合物層１０３の被覆性を高めることができる。

図３Ａにおいては、導電層１５１が異なる材料を含む複数の層の積層構造である場合の図を示している。図３Ａに示すように、導電層１５１は、導電層１５１ａと、導電層１５１ａ上の導電層１５１ｂと、導電層１５１ｂ上の導電層１５１ｃと、を有する構成である。つまり、図３Ａに示す導電層１５１は、３層積層構成である。このように、導電層１５１が複数の層の積層構成である場合は、導電層１５１を構成する層のうち少なくとも１つの層の可視光に対する反射率を、導電層１５２の可視光に対する反射率より高くすればよい。

図３Ａに示す例では、導電層１５１ｂが、導電層１５１ａと導電層１５１ｃにより挟まれる構成である。導電層１５１ａ、及び導電層１５１ｃには、導電層１５１ｂより変質しにくい材料を用いることが好ましい。例えば、導電層１５１ａには、絶縁層１７５と接することによるマイグレーションの発生が、導電層１５１ｂより起こりにくい材料を用いることができる。また、導電層１５１ｃには、導電層１５１ｂより酸化しにくく、さらに酸化物の電気抵抗率が、導電層１５１ｂに用いる材料の酸化物より低い材料を用いることができる。

以上より、導電層１５１ｂを、導電層１５１ａと導電層１５１ｃで挟む構成とすることで、導電層１５１ｂの材料選択の幅を広げることができる。これにより、例えば導電層１５１ｂを、導電層１５１ａ及び導電層１５１ｃのうち少なくとも一方より、可視光に対する反射率が高い層とすることができる。例えば、導電層１５１ｂとしてアルミニウムを用いることができる。なお、導電層１５１ｂには、アルミニウムを含む合金を用いてもよい。また、導電層１５１ａとして、可視光に対する反射率がアルミニウムと比較すると低いが、絶縁層１７５と接してもアルミニウムよりマイグレーションが発生しにくい材料であるチタンを用いることができる。さらに、導電層１５１ｃとして、可視光に対する反射率がアルミニウムと比較すると低いが、アルミニウムより酸化しにくく、また酸化物の電気抵抗率が酸化アルミニウムの電気抵抗率より低い材料であるチタンを用いることができる。

また、導電層１５１ｃとして、銀、又は銀を含む合金を用いてもよい。銀は、可視光に対する反射率がチタンより高いという特性を有する。さらに、銀は、アルミニウムより酸化しにくく、また酸化銀の電気抵抗率は酸化アルミニウムの電気抵抗率より低いという特性を有する。以上により、導電層１５１ｃとして銀、又は銀を含む合金を用いると、導電層１５１の可視光に対する反射率を好適に高くしつつ、導電層１５１ｂの酸化による画素電極の電気抵抗の上昇を抑制できる。ここで、銀を含む合金として、例えば銀とパラジウムと銅の合金（Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ、ＡＰＣとも記す）を適用できる。なお、導電層１５１ｃとして銀、又は銀を含む合金を用い、導電層１５１ｂとしてアルミニウムを用いると、導電層１５１ｃの可視光に対する反射率を、導電層１５１ｂの可視光に対する反射率より高くすることができる。ここで、導電層１５１ｂとして銀、又は銀を含む合金を用いてもよい。また、導電層１５１ａに銀、又は銀を含む合金を用いてもよい。

一方、チタンを用いた膜は、銀を用いた膜よりエッチングによる加工性に優れる。よって、導電層１５１ｃとしてチタンを用いることにより、導電層１５１ｃを容易に形成できる。なお、アルミニウムを用いた膜も、銀を用いた膜よりエッチングによる加工性に優れる。

以上のように、導電層１５１を複数の層の積層構造とすることにより、表示装置の特性を向上させることができる。例えば、表示装置１００を、光取り出し効率が高く、且つ信頼性が高い表示装置とすることができる。

ここで、発光素子１３０にマイクロキャビティ構造が適用されている場合は、導電層１５１ｃとして、可視光に対する反射率が高い材料である銀、又は銀を含む合金を用いると、表示装置１００の光取り出し効率を好適に高めることができる。

前述のように、導電層１５１の側面は、テーパ形状を有することが好ましい。具体的には、導電層１５１の側面は、テーパ角９０°未満のテーパ形状を有することが好ましい。例えば、図３Ａに示す構成の導電層１５１では、導電層１５１ａ、導電層１５１ｂ、及び導電層１５１ｃのうち少なくとも１つの側面がテーパ形状を有することが好ましい。

図３Ａに示す導電層１５１は、フォトリソグラフィ法を用いて形成できる。具体的には、まず、導電層１５１ａとなる導電膜と、導電層１５１ｂとなる導電膜と、導電層１５１ｃとなる導電膜と、を順に成膜する。次に、導電層１５１ｃとなる導電膜上にレジストマスクを形成する。その後、レジストマスクと重ならない領域の導電膜を、例えばエッチング法を用いて除去する。ここで、側面がテーパ形状を有さないように、つまり側面が垂直となるように導電層１５１を形成する場合と比較して、レジストマスクが後退（縮小）しやすい条件で導電膜を加工することにより、導電層１５１の側面をテーパ形状とすることができる。

ここで、レジストマスクが後退（縮小）しやすい条件で導電膜を加工すると、導電膜が水平方向に加工されやすくなる場合がある。つまり、側面が垂直となるように導電層１５１を形成する場合より、エッチングの等方性が高くなる場合がある。

また、導電層１５１を異なる材料からなる複数の層の積層構成とした場合、当該複数の層間で水平方向の加工のされやすさが異なる場合がある。例えば、導電層１５１ａと、導電層１５１ｂと、導電層１５１ｃと、の間で水平方向の加工のされやすさが異なることがある。

この場合、導電膜を加工後図３Ａに示すように、導電層１５１ｂの側面が、導電層１５１ａ、及び導電層１５１ｃの側面より内側に位置し、突出部を形成する場合がある。これにより、導電層１５２の導電層１５１に対する被覆性が低下し、導電層１５２の段切れが発生する恐れがある。

そこで、図３Ａのように絶縁層１５６を設けることが好ましい。図３Ａでは、導電層１５１ｂの側面と重なる領域を有するように、導電層１５１ａ上に絶縁層１５６が設けられる例を示している。これにより、突出部に起因した導電層１５２の段切れまたは薄膜化の発生を抑制できるため、接続不良または駆動電圧の上昇を抑制することができる。

なお、図３Ａにおいては、導電層１５１ｂの側面が絶縁層１５６に全て覆われる構造を図示したが、導電層１５１ｂの側面の一部が絶縁層１５６に覆われなくてもよい。以降に示す構成の画素電極においても、同様に導電層１５１ｂの側面の一部が絶縁層１５６に覆われなくてもよい。

導電層１５１が図３Ａに示す構成である場合、導電層１５２は、導電層１５１ａ、導電層１５１ｂ、導電層１５１ｃ、及び絶縁層１５６を覆い、且つ導電層１５１ａ、導電層１５１ｂ、及び導電層１５１ｃと電気的に接続されるように設けられる。これにより、例えば導電層１５２の形成後に成膜した膜をウェットエッチング法により除去する場合であっても、薬液が導電層１５１ａ、導電層１５１ｂ、及び導電層１５１ｃのいずれにも接触しないようにすることができる。よって、導電層１５１ａ、導電層１５１ｂ、及び導電層１５１ｃのいずれにおいても、腐食の発生を抑制できる。よって、表示装置１００は、歩留まりが高い方法で作製できる。また、不良の発生を抑制し、表示装置１００は信頼性が高い表示装置とすることができる。

ここで、図３Ａに示すように、絶縁層１５６は、湾曲面を有することが好ましい。これにより、例えば絶縁層１５６の側面が垂直（Ｚ方向に平行）である場合より、絶縁層１５６を覆う導電層１５２における段切れの発生を抑制できる。また、絶縁層１５６が、側面にテーパ形状、具体的にはテーパ角が９０°未満のテーパ形状を有する場合であっても、例えば絶縁層１５６の側面が垂直である場合より、絶縁層１５６を覆う導電層１５２における段切れの発生を抑制できる。以上より、表示装置１００を、歩留まりが高い方法で作製できる。また、不良の発生を抑制し、表示装置１００は信頼性が高い表示装置とすることができる。

なお、図３Ａでは、導電層１５１ｂの側面が、導電層１５１ａの側面、及び導電層１５１ｃの側面より内側に位置する構成を示しているが、本発明の一態様はこれに限らない。例えば、導電層１５１ｂの側面が、導電層１５１ａの側面より外側に位置してもよい。また、導電層１５１ｂの側面が、導電層１５１ｃの側面より外側に位置してもよい。

図３Ｂ乃至図３Ｄは第１の電極１０１のその他の構成を示している。図３Ｂは、図１の第１の電極１０１において、絶縁層１５６が導電層１５１ｂの側面だけでなく、導電層１５１ａ、導電層１５１ｂおよび導電層１５１ｃの側面を覆っている構成である。

図３Ｃは図１の第１の電極１０１において、絶縁層１５６が設けられていない構成である。

図３Ｄは図１の第１の電極１０１において、導電層１５１が積層構造を有しておらず、導電層１５２が積層構造を有している構成である。

導電層１５２ａは、導電層１５２ｂに対する密着性が、例えば絶縁層１７５より高い層とする。導電層１５２ａとして、例えばインジウム、スズ、亜鉛、ガリウム、チタン、アルミニウム、及びシリコンの中から選ばれるいずれか一又は複数を有する酸化物を用いることができる。例えば、酸化インジウム、インジウムスズ酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを含む酸化亜鉛、酸化チタン、インジウムチタン酸化物、チタン酸亜鉛、アルミニウム亜鉛酸化物、ガリウムを含むインジウム亜鉛酸化物、アルミニウムを含むインジウム亜鉛酸化物、シリコンを含むインジウムスズ酸化物、及びシリコンを含むインジウム亜鉛酸化物等のいずれか一又は複数を含む導電性酸化物を用いることが好ましい。以上により、導電層１５２ｂの膜剥がれを抑制することができる。また、導電層１５２ｂを絶縁層１７５と接しない構成とすることができる。

導電層１５２ｂは、可視光に対する反射率（例えば４００ｎｍ以上７５０ｎｍ未満の範囲内の所定の波長の光に対する反射率）が、導電層１５１、導電層１５２ａ、及び導電層１５２ｃより高い層とする。導電層１５２ｂの可視光に対する反射率は、例えば７０％以上１００％以下とすることができ、好ましくは８０％以上１００％以下であり、より好ましくは９０％以上１００％以下である。また、導電層１５２ｂとして、例えばアルミニウムより可視光に対する反射率が高い材料を用いることができる。具体的には、導電層１５２ｂとして、例えば銀、又は銀を含む合金を用いることができる。銀を含む合金として、例えば銀、パラジウム、及び銅の合金（ＡＰＣ）が挙げられる。以上により、表示装置１００を、光取り出し効率が高い表示装置とすることができる。なお、導電層１５２ｂとして、銀以外の金属を用いてもよい。

導電層１５２ｃは、導電層１５１及び導電層１５２を陽極として機能させる場合、仕事関数が大きい層とすることが好ましい。導電層１５２ｃは、例えば、導電層１５２ｂより仕事関数が大きい層とする。導電層１５２ｃとして、例えば導電層１５２ａに用いることができる材料と同様の材料を用いることができる。例えば、導電層１５２ａと導電層１５２ｃに同一種の材料を用いる構成とすることができる。例えば、導電層１５２ａにインジウムスズ酸化物を用いる場合は、導電層１５２ｃにもインジウムスズ酸化物を用いることができる。

なお、導電層１５１及び導電層１５２を陰極として機能させる場合、導電層１５２ｃは仕事関数が小さい層とすることが好ましい。導電層１５２ｃは、例えば、導電層１５２ｂより仕事関数が小さい層とする。

また、導電層１５２ｃは、可視光に対する透過率（例えば４００ｎｍ以上７５０ｎｍ未満の範囲内の所定の波長の光に対する透過率）が高い層とすることが好ましい。例えば、導電層１５２ｃの可視光に対する透過率は、導電層１５１、及び導電層１５２ｂの可視光に対する透過率より高いことが好ましい。例えば、導電層１５２ｃの可視光に対する透過率は、６０％以上１００％以下とすることができ、好ましくは７０％以上１００％以下であり、より好ましくは８０％以上１００％以下である。以上により、有機化合物層１０３が発する光のうち、導電層１５２ｃに吸収される光を少なくすることができる。また、前述のように、導電層１５２ｃ下の導電層１５２ｂは、可視光に対する反射率が高い層とすることができる。よって、表示装置１００を、光取り出し効率が高い表示装置とすることができる。

続いて図２に示す構成を有する表示装置１００の作製方法例を図４乃至図９を用いて説明する。

［作製方法例１］
表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、及び、導電膜等）は、スパッタリング法、化学気相堆積（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、真空蒸着法、パルスレーザー堆積（ＰＬＤ：Ｐｕｌｓｅｄ　Ｌａｓｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、又は原子層堆積（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ　Ｌａｙｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等を用いて形成できる。ＣＶＤ法としては、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ：Ｐｌａｓｍａ　Ｅｎｈａｎｃｅｄ　ＣＶＤ）法、及び、熱ＣＶＤ法等がある。また、熱ＣＶＤ法のひとつに、有機金属化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ　Ｏｒｇａｎｉｃ　ＣＶＤ）法がある。

また、表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、及び、導電膜等）は、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドクターナイフ法、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、又はナイフコート等の湿式の成膜方法により形成できる。

特に、発光素子の作製には、蒸着法等の真空プロセス、及び、スピンコート法、インクジェット法等の溶液プロセスを用いることができる。蒸着法としては、スパッタ法、イオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法、分子線蒸着法、真空蒸着法等の物理蒸着法（ＰＶＤ法）、及び、化学蒸着法（ＣＶＤ法）等が挙げられる。特に有機化合物層に含まれる機能層（正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、発光層、電子ブロック層、電子輸送層、及び電子注入層等）については、蒸着法（真空蒸着法等）、塗布法（ディップコート法、ダイコート法、バーコート法、スピンコート法、スプレーコート法等）、印刷法（インクジェット法、スクリーン（孔版印刷）法、オフセット（平版印刷）法、フレキソ（凸版印刷）法、グラビア法、又は、マイクロコンタクト法等）等の方法により形成できる。

また、表示装置を構成する薄膜を加工する際には、例えばフォトリソグラフィ法を用いて加工できる。又は、ナノインプリント法、サンドブラスト法、リフトオフ法等により薄膜を加工してもよい。また、メタルマスク等の遮蔽マスクを用いた成膜方法により、島状の薄膜を直接形成してもよい。

フォトリソグラフィ法としては、代表的には以下の２つの方法がある。１つは、加工したい薄膜上にレジストマスクを形成して、例えばエッチングにより当該薄膜を加工し、レジストマスクを除去する方法である。もう１つは、感光性を有する薄膜を成膜した後に、露光、現像を行って、当該薄膜を所望の形状に加工する方法である。

フォトリソグラフィ法において、露光に用いる光は、例えばｉ線（波長３６５ｎｍ）、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）、又はこれらを混合させた光を用いることができる。そのほか、紫外線、ＫｒＦレーザ光、又はＡｒＦレーザ光等を用いることもできる。また、液浸露光技術により露光を行ってもよい。また、露光に用いる光として、極端紫外（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ　Ｕｌｔｒａ−ｖｉｏｌｅｔ）光、又はＸ線を用いてもよい。また、露光に用いる光に換えて、電子ビームを用いることもできる。極端紫外光、Ｘ線又は電子ビームを用いると、極めて微細な加工が可能となるため好ましい。なお、電子ビーム等のビームを走査することにより露光を行う場合には、フォトマスクは不要である。

薄膜のエッチングには、ドライエッチング法、ウェットエッチング法、又はサンドブラスト法等を用いることができる。

まず、図４Ａに示すように、基板（図示せず）上に絶縁層１７１を形成する。続いて、絶縁層１７１上に導電層１７２、及び導電層１７９を形成し、導電層１７２、及び導電層１７９を覆うように絶縁層１７１上に絶縁層１７３を形成する。続いて、絶縁層１７３上に絶縁層１７４を形成し、絶縁層１７４上に絶縁層１７５を形成する。

基板としては、少なくとも後の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有する基板を用いることができる。基板として、絶縁性基板を用いる場合には、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、セラミック基板、又は有機樹脂基板等を用いることができる。また、シリコン又は炭化シリコン等を材料とした単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体基板、ＳＯＩ基板等の半導体基板を用いることができる。

続いて、図４Ａに示すように、絶縁層１７５、絶縁層１７４、及び絶縁層１７３に、導電層１７２に達する開口を形成する。続いて、当該開口を埋め込むように、プラグ１７６を形成する。

続いて、図４Ａに示すように、プラグ１７６上、及び絶縁層１７５上に、後に導電層１５１Ｒ、導電層１５１Ｇ、導電層１５１Ｂ、及び導電層１５１Ｃとなる導電膜１５１ｆを形成する。導電膜１５１ｆの形成には、例えば、スパッタリング法又は真空蒸着法を用いることができる。また、導電膜１５１ｆとして、例えば金属材料を用いることができる。

続いて、図４Ａに示すように、導電膜１５１ｆ上、具体的には例えば導電膜１５１ｆ上にレジストマスク１９１を形成する。レジストマスク１９１は、感光性材料（フォトレジスト）を塗布し、露光及び現像を行うことで形成できる。

続いて、図４Ｂに示すように、例えばレジストマスク１９１と重ならない領域の導電膜１５１ｆを、例えばエッチング法、具体的には例えばドライエッチング法を用いて除去する。なお、導電膜１５１ｆが、例えばインジウム錫酸化物等の導電性酸化物を用いた層を含む場合は、当該層はウェットエッチング法を用いて除去してもよい。これにより、導電層１５１が形成される。なお、例えば導電膜１５１ｆの一部をドライエッチング法により除去する場合、絶縁層１７５の導電層１５１と重ならない領域に凹部が形成される場合がある。

続いて、図４Ｃに示すように、レジストマスク１９１を除去する。レジストマスク１９１は、例えば、酸素プラズマを用いたアッシングにより除去できる。又は、酸素ガスと、ＣＦ_４、Ｃ_４Ｆ_８、ＳＦ_６、ＣＨＦ_３、Ｃｌ_２、Ｈ_２Ｏ、ＢＣｌ_３、又はＨｅ等の第１８族元素と、を用いてもよい。又は、ウェットエッチングにより、レジストマスク１９１を除去してもよい。

続いて、図４Ｄに示すように、導電層１５１Ｒ上、導電層１５１Ｇ上、導電層１５１Ｂ上、導電層１５１Ｃ上、及び絶縁層１７５上に、後に絶縁層１５６Ｒ、絶縁層１５６Ｇ、絶縁層１５６Ｂ、及び絶縁層１５６Ｃとなる絶縁膜１５６ｆを形成する。絶縁膜１５６ｆの形成には、例えばＣＶＤ法、ＡＬＤ法、スパッタリング法、又は真空蒸着法を用いることができる。

絶縁膜１５６ｆには、無機材料を用いることができる。絶縁膜１５６ｆには、例えば、酸化絶縁膜、窒化絶縁膜、酸化窒化絶縁膜、又は窒化酸化絶縁膜等の無機絶縁膜を用いることができる。例えば、絶縁膜１５６ｆとして、シリコンを含む酸化絶縁膜、窒化絶縁膜、酸化窒化絶縁膜、又は窒化酸化絶縁膜等を用いることができる。例えば、絶縁膜１５６ｆとして、酸化窒化シリコンを用いることができる。

続いて、図４Ｅに示すように、絶縁膜１５６ｆを加工することにより、絶縁層１５６Ｒ、絶縁層１５６Ｇ、絶縁層１５６Ｂ、及び絶縁層１５６Ｃを形成する。例えば、絶縁膜１５６ｆの上面に対し、略均一にエッチングを施すことにより、絶縁層１５６を形成できる。このように均一にエッチングして平坦化することをエッチバック処理ともいう。なお、絶縁層１５６を、フォトリソグラフィ法を用いて形成してもよい。

続いて、図５Ａに示すように、導電層１５１Ｒ上、導電層１５１Ｇ上、導電層１５１Ｂ上、導電層１５１Ｃ上、絶縁層１５６Ｒ上、絶縁層１５６Ｇ上、絶縁層１５６Ｂ上、絶縁層１５６Ｃ上、及び絶縁層１７５上に、後に導電層１５２Ｒ、導電層１５２Ｇ、導電層１５２Ｂ、及び導電層１５２Ｃとなる導電膜１５２ｆを形成する。具体的には、例えば導電層１５１Ｒ、導電層１５１Ｇ、導電層１５１Ｂ、導電層１５１Ｃ、絶縁層１５６Ｒ、絶縁層１５６Ｇ、絶縁層１５６Ｂ、及び絶縁層１５６Ｃを覆うように、導電膜１５２ｆを形成する。

導電膜１５２ｆの形成には、例えば、スパッタリング法又は真空蒸着法を用いることができる。また、導電膜１５２ｆとして、例えば導電性酸化物を用いることができる。又は、導電膜１５２ｆとして、金属材料を用いる膜と、当該膜上の導電性酸化物を用いる膜と、の積層構成を適用できる。例えば、導電膜１５２ｆとして、チタン、銀、又は銀を含む合金を用いる膜と、当該膜上の導電性酸化物を用いる膜と、の積層構成を適用できる。

また、導電膜１５２ｆの形成には、ＡＬＤ法を用いることができる。この場合、導電膜１５２ｆとして、インジウム、錫、亜鉛、ガリウム、チタン、アルミニウム、及びシリコンの中から選ばれるいずれか一又は複数を有する酸化物を用いることができる。この場合、プリカーサ（一般的には、前駆体、又は金属プリカーサ等と呼ばれる場合がある）の導入、当該プリカーサのパージ、酸化剤（一般的には、反応剤、リアクタント、又は非金属プリカーサ等と呼ばれる場合がある）の導入、及び当該酸化剤のパージを１サイクルとして、当該サイクルを繰り返し行うことにより導電膜１５２ｆを形成できる。ここで、インジウム錫酸化物等、複数種の金属が含まれる酸化物膜を導電膜１５２ｆとして形成する場合、プリカーサの種類ごとにサイクル数を異ならせることにより、金属の組成を制御できる。

例えば、導電膜１５２ｆとしてインジウム錫酸化物膜を成膜する場合、インジウムを含むプリカーサの導入後、当該プリカーサをパージし酸化剤を導入してＩｎ−Ｏ膜を形成し、次に錫を含むプリカーサの導入後、当該プリカーサをパージし酸化剤を導入してＳｎ−Ｏ膜を形成する。ここで、Ｉｎ−Ｏ膜形成のサイクル数を、Ｓｎ−Ｏ膜形成のサイクル数より多くすることにより、導電膜１５２ｆに含まれるＩｎの原子数を、Ｓｎの原子数より多くすることができる。

また、例えば導電膜１５２ｆとして酸化亜鉛膜を成膜する場合、Ｚｎ−Ｏ膜を上記の手順で形成する。また、例えば導電膜１５２ｆとしてアルミニウム亜鉛酸化物膜を成膜する場合、Ｚｎ−Ｏ膜、及びＡｌ−Ｏ膜をそれぞれ上記の手順で形成する。また、例えば導電膜１５２ｆとして酸化チタン膜を成膜する場合、Ｔｉ−Ｏ膜を上記の手順で形成する。また、例えば導電膜１５２ｆとしてシリコンを含むインジウム錫酸化物膜を成膜する場合、Ｉｎ−Ｏ膜、Ｓｎ−Ｏ膜、及びＳｉ−Ｏ膜を上記の手順で形成する。また、例えばガリウムを含む酸化亜鉛膜を成膜する場合、Ｇａ−Ｏ膜、及びＺｎ−Ｏ膜を上記の手順で形成する。

インジウムを含むプリカーサとして、例えばトリエチルインジウム、トリメチルインジウム、又は［１，１，１−トリメチル−Ｎ−（トリメチルシリル）アミド］−インジウムを用いることができる。錫を含むプリカーサとして、例えば塩化錫、又はテトラキス（ジメチルアミド）錫を用いることができる。亜鉛を含むプリカーサとして、例えばジエチル亜鉛、又はジメチル亜鉛を用いることができる。ガリウムを含むプリカーサとして、例えばトリエチルガリウムを用いることができる。チタンを含むプリカーサとして、例えば塩化チタン、テトラキス（ジメチルアミド）チタン、又はチタン酸テトライソプロピルを用いることができる。アルミニウムを含むプリカーサとして、例えば塩化アルミニウム、又はトリメチルアルミニウムを用いることができる。シリコンを含むプリカーサとして、トリシリルアミン、ビス（ジエチルアミノ）シラン、トリス（ジメチルアミノ）シラン、ビス（ｔｅｒｔ−ブチルアミノ）シラン、又はビス（エチルメチルアミノ）シランを用いることができる。また、酸化剤として、水蒸気、酸素プラズマ、又はオゾンガスを用いることができる。

続いて、図５Ｂに示すように、例えばフォトリソグラフィ法を用いて導電膜１５２ｆを加工し、導電層１５２Ｒ、導電層１５２Ｇ、導電層１５２Ｂ、及び導電層１５２Ｃを形成する。具体的には、例えばレジストマスクの形成後、エッチング法により導電膜１５２ｆの一部を除去する。導電膜１５２ｆは、例えばウェットエッチング法により除去できる。なお、導電膜１５２ｆを、ドライエッチング法により除去してもよい。以上により、導電層１５１と、導電層１５２と、を有する画素電極が形成される。

続いて、導電層１５２の疎水化処理を行うことが好ましい。疎水化処理では、処理対象となる表面を親水性から疎水性にすること、又は、処理対象となる表面の疎水性を高めることができる。導電層１５２の疎水化処理を行うことで、導電層１５２と、後の工程で形成される有機化合物層１０３と、の密着性を高め、膜剥がれを抑制できる。なお、疎水化処理は行わなくてもよい。

続いて、図５Ｃに示すように、後に有機化合物層１０３ＲとなるＥＬ膜１０３Ｒｆを、導電層１５２Ｒ上、導電層１５２Ｇ上、導電層１５２Ｂ上、及び絶縁層１７５上に形成する。

図５Ｃに示すように、導電層１５２Ｃ上には、ＥＬ膜１０３Ｒｆを形成していない。例えば、成膜エリアを規定するためのマスク（ファインメタルマスクと区別して、エリアマスク、又はラフメタルマスク等ともいう）を用いることで、ＥＬ膜１０３Ｒｆを所望の領域にのみ成膜できる。エリアマスクを用いた成膜工程と、レジストマスクを用いた加工工程と、を採用することで、比較的簡単なプロセスにて発光素子を作製できる。

ＥＬ膜１０３Ｒｆは、例えば、蒸着法、具体的には真空蒸着法により形成できる。また、ＥＬ膜１０３Ｒｆは、転写法、印刷法、インクジェット法、又は塗布法等の方法で形成してもよい。

続いて、図５Ｃに示すように、ＥＬ膜１０３Ｒｆ上、導電層１５２Ｃ上、及び絶縁層１７５上に、後に犠牲層１５８Ｒとなる犠牲膜１５８Ｒｆと、後にマスク層１５９Ｒとなるマスク膜１５９Ｒｆと、を順に形成する。

なお、本実施の形態では、犠牲膜１５８Ｒｆとマスク膜１５９Ｒｆの２層構造でマスク膜を形成する例を示すが、マスク膜は単層構造であってもよく、３層以上の積層構造であってもよい。

ＥＬ膜１０３Ｒｆ上に犠牲層を設けることで、表示装置の作製工程中にＥＬ膜１０３Ｒｆが受けるダメージを低減し、発光素子の信頼性を高めることができる。

犠牲膜１５８Ｒｆには、ＥＬ膜１０３Ｒｆの加工条件に対する耐性の高い膜、具体的には、ＥＬ膜１０３Ｒｆとのエッチングの選択比が大きい膜を用いる。マスク膜１５９Ｒｆには、犠牲膜１５８Ｒｆとのエッチングの選択比が大きい膜を用いる。

また、犠牲膜１５８Ｒｆ及びマスク膜１５９Ｒｆは、ＥＬ膜１０３Ｒｆの耐熱温度よりも低い温度で形成する。犠牲膜１５８Ｒｆ及びマスク膜１５９Ｒｆを形成する際の基板温度としては、それぞれ、代表的には、２００℃以下、好ましくは１５０℃以下、より好ましくは１２０℃以下、より好ましくは１００℃以下、さらに好ましくは８０℃以下である。

犠牲膜１５８Ｒｆ及びマスク膜１５９Ｒｆには、ウェットエッチング法により除去できる膜を用いることが好ましい。ウェットエッチング法を用いることで、ドライエッチング法を用いる場合に比べて、犠牲膜１５８Ｒｆ及びマスク膜１５９Ｒｆの加工時に、ＥＬ膜１０３Ｒｆに加わるダメージを低減できる。

犠牲膜１５８Ｒｆ及びマスク膜１５９Ｒｆの形成には、例えば、スパッタリング法、ＡＬＤ法（熱ＡＬＤ法、ＰＥＡＬＤ法）、ＣＶＤ法、真空蒸着法を用いることができる。また、前述の湿式の成膜方法を用いて形成してもよい。

なお、ＥＬ膜１０３Ｒｆ上に接して形成される犠牲膜１５８Ｒｆは、マスク膜１５９Ｒｆよりも、ＥＬ膜１０３Ｒｆへのダメージが少ない形成方法を用いて形成されることが好ましい。例えば、スパッタリング法よりも、ＡＬＤ法又は真空蒸着法を用いて、犠牲膜１５８Ｒｆを形成することが好ましい。

犠牲膜１５８Ｒｆ及びマスク膜１５９Ｒｆとしては、それぞれ、例えば、金属膜、合金膜、金属酸化物膜、半導体膜、有機絶縁膜、及び、無機絶縁膜等のうち一種又は複数種を用いることができる。

犠牲膜１５８Ｒｆ及びマスク膜１５９Ｒｆには、それぞれ、例えば、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、チタン、アルミニウム、イットリウム、ジルコニウム、及びタンタル等の金属材料、又は該金属材料を含む合金材料を用いることができる。特に、アルミニウム又は銀等の低融点材料を用いることが好ましい。犠牲膜１５８Ｒｆ及びマスク膜１５９Ｒｆの一方又は双方に紫外線を遮蔽することが可能な金属材料を用いることで、ＥＬ膜１０３Ｒｆに紫外線が照射されることを抑制でき、ＥＬ膜１０３Ｒｆの劣化を抑制できるため、好ましい。

また、犠牲膜１５８Ｒｆ及びマスク膜１５９Ｒｆには、それぞれ、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物、酸化インジウム、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ酸化物、インジウムチタン酸化物（Ｉｎ−Ｔｉ酸化物）、インジウムスズ亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ酸化物）、インジウムチタン亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｔｉ−Ｚｎ酸化物）、インジウムガリウムスズ亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｎ−Ｚｎ酸化物）、シリコンを含むインジウムスズ酸化物等の金属酸化物を用いることができる。

なお、上記ガリウムに代えて元素Ｍ（Ｍは、アルミニウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、又はマグネシウムから選ばれた一種又は複数種）を用いてもよい。

また、犠牲膜およびマスク膜として、光、特に紫外線に対して遮光性を有する材料を含む膜を用いることが好ましい。遮光性を有する材料としては、紫外線に対して遮光性のある金属、絶縁体、半導体、及び半金属等、様々な材料を用いることができるが、当該犠牲膜およびマスク膜の一部又は全部は、後の工程で除去するため、エッチングによる加工が可能である膜であることが好ましく、特に加工性が良好であることが好ましい。

犠牲膜およびマスク膜としては、例えば、シリコン又はゲルマニウム等の半導体材料は、半導体の製造プロセスと親和性が高いため好ましい。又は、上記半導体材料の酸化物又は窒化物を用いることができる。又は、炭素等の非金属材料、又はその化合物を用いることができる。又は、チタン、タンタル、タングステン、クロム、アルミニウム等の金属、又はこれらの一以上を含む合金を用いることができる。又は、酸化チタンもしくは酸化クロム等の上記金属を含む酸化物、又は窒化チタン、窒化クロム、もしくは窒化タンタル等の窒化物を用いることができる。

犠牲膜およびマスク膜に、紫外線に対して遮光性を有する材料を含む膜を用いることで、例えば露光工程で有機化合物層に紫外線が照射されることを抑制できる。有機化合物層が紫外線によってダメージを受けることを抑制することで、発光素子の信頼性を高めることができる。

なお、紫外線に対して遮光性を有する材料を含む膜は、後述する無機絶縁膜１２５ｆの材料として用いても、同様の効果を奏する。

また、犠牲膜１５８Ｒｆ及びマスク膜１５９Ｒｆとしては、それぞれ、各種無機絶縁膜を用いることができる。特に、酸化絶縁膜は、窒化絶縁膜に比べてＥＬ膜１０３Ｒｆとの密着性が高く好ましい。例えば、犠牲膜１５８Ｒｆ及びマスク膜１５９Ｒｆには、それぞれ、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化シリコン等の無機絶縁材料を用いることができる。犠牲膜１５８Ｒｆ及びマスク膜１５９Ｒｆとして、例えば、ＡＬＤ法を用いて、酸化アルミニウム膜を形成できる。ＡＬＤ法を用いることで、下地（特に有機化合物層）へのダメージを低減できるため好ましい。

例えば、犠牲膜１５８Ｒｆとして、ＡＬＤ法を用いて形成した無機絶縁膜（例えば、酸化アルミニウム膜）を用い、マスク膜１５９Ｒｆとして、スパッタリング法を用いて形成した無機膜（例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物膜、アルミニウム膜、又はタングステン膜）を用いることができる。

なお、犠牲膜１５８Ｒｆと、後に形成する無機絶縁層１２５との双方に、同じ無機絶縁膜を用いることができる。例えば、犠牲膜１５８Ｒｆと無機絶縁層１２５との双方に、ＡＬＤ法を用いて形成した酸化アルミニウム膜を用いることができる。ここで、犠牲膜１５８Ｒｆと、無機絶縁層１２５とで、同じ成膜条件を適用してもよく、互いに異なる成膜条件を適用してもよい。例えば、犠牲膜１５８Ｒｆを、無機絶縁層１２５と同様の条件で成膜することで、犠牲膜１５８Ｒｆを、水及び酸素の少なくとも一方に対するバリア性の高い絶縁層とすることができる。一方で、犠牲膜１５８Ｒｆは後の工程で大部分又は全部を除去する層であるため、加工が容易であることが好ましい。このため、犠牲膜１５８Ｒｆは、無機絶縁層１２５と比べて、成膜時の基板温度が低い条件で成膜することが好ましい。

犠牲膜１５８Ｒｆ及びマスク膜１５９Ｒｆの一方又は双方に、有機材料を用いてもよい。例えば、有機材料として、少なくともＥＬ膜１０３Ｒｆの最上部に位置する膜に対して、化学的に安定な溶媒に溶解しうる材料を用いてもよい。特に、水又はアルコールに溶解する材料を好適に用いることができる。このような材料の成膜の際には、水又はアルコール等の溶媒に溶解させた状態で、湿式の成膜方法で塗布した後に、溶媒を蒸発させるための加熱処理を行うことが好ましい。このとき、減圧雰囲気下での加熱処理を行うことで、低温且つ短時間で溶媒を除去できるため、ＥＬ膜１０３Ｒｆへの熱的なダメージを低減でき、好ましい。

犠牲膜１５８Ｒｆ及びマスク膜１５９Ｒｆには、それぞれ、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルブチラル、ポリビニルピロリドン、ポリエチレングリコール、ポリグリセリン、プルラン、水溶性のセルロース、アルコール可溶性のポリアミド樹脂、又は、パーフルオロポリマー等のフッ素樹脂等の有機樹脂を用いてもよい。

例えば、犠牲膜１５８Ｒｆとして、蒸着法又は上記湿式の成膜方法のいずれかを用いて形成した有機膜（例えば、ＰＶＡ膜）を用い、マスク膜１５９Ｒｆとして、スパッタリング法を用いて形成した無機膜（例えば、窒化シリコン膜）を用いることができる。

続いて、図５Ｃに示すように、マスク膜１５９Ｒｆ上にレジストマスク１９０Ｒを形成する。レジストマスク１９０Ｒは、感光性材料（フォトレジスト）を塗布し、露光及び現像を行うことで形成できる。

レジストマスク１９０Ｒは、ポジ型のレジスト材料及びネガ型のレジスト材料のどちらを用いて作製してもよい。

レジストマスク１９０Ｒは、導電層１５２Ｒと重なる位置に設ける。レジストマスク１９０Ｒは、導電層１５２Ｃと重なる位置にも設けることが好ましい。これにより、導電層１５２Ｃが表示装置の作製工程中にダメージを受けることを抑制できる。なお、導電層１５２Ｃ上にレジストマスク１９０Ｒを設けなくてもよい。また、レジストマスク１９０Ｒは、図５ＣのＢ１−Ｂ２間の断面図に示すように、ＥＬ膜１０３Ｒｆの端部から導電層１５２Ｃの端部（ＥＬ膜１０３Ｒｆ側の端部）までを覆うように設けることが好ましい。

続いて、図５Ｄに示すように、レジストマスク１９０Ｒを用いて、マスク膜１５９Ｒｆの一部を除去し、マスク層１５９Ｒを形成する。マスク層１５９Ｒは、導電層１５２Ｒ上と、導電層１５２Ｃ上と、に残存する。その後、レジストマスク１９０Ｒを除去する。続いて、マスク層１５９Ｒをマスク（ハードマスクともいう）に用いて、犠牲膜１５８Ｒｆの一部を除去し、犠牲層１５８Ｒを形成する。

犠牲膜１５８Ｒｆ及びマスク膜１５９Ｒｆは、それぞれ、ウェットエッチング法又はドライエッチング法により加工できる。犠牲膜１５８Ｒｆ及びマスク膜１５９Ｒｆの加工は、等方性エッチングにより行うことが好ましい。

ウェットエッチング法を用いることで、ドライエッチング法を用いる場合に比べて、犠牲膜１５８Ｒｆ及びマスク膜１５９Ｒｆの加工時に、ＥＬ膜１０３Ｒｆに加わるダメージを低減できる。ウェットエッチング法を用いる場合、例えば、現像液、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液（ＴＭＡＨ）、希フッ酸、シュウ酸、リン酸、酢酸、硝酸、又はこれらの混合液体を用いた薬液等を用いることが好ましい。

マスク膜１５９Ｒｆの加工においては、ＥＬ膜１０３Ｒｆが露出しないため、犠牲膜１５８Ｒｆの加工よりも、加工方法の選択の幅は広い。具体的には、マスク膜１５９Ｒｆの加工の際に、エッチングガスに酸素を含むガスを用いた場合でも、ＥＬ膜１０３Ｒｆの劣化をより抑制できる。

また、犠牲膜１５８Ｒｆの加工においてドライエッチング法を用いる場合は、エッチングガスに酸素を含むガスを用いないことで、ＥＬ膜１０３Ｒｆの劣化を抑制できる。ドライエッチング法を用いる場合、例えば、ＣＦ_４、Ｃ_４Ｆ_８、ＳＦ_６、ＣＨＦ_３、Ｃｌ_２、Ｈ_２Ｏ、ＢＣｌ_３、又はＨｅ等の第１８族元素を含むガスをエッチングガスに用いることが好ましい。

例えば、犠牲膜１５８Ｒｆとして、ＡＬＤ法を用いて形成した酸化アルミニウム膜を用いる場合、ＣＨＦ_３とＨｅ、又は、ＣＨＦ_３とＨｅとＣＨ_４を用いて、ドライエッチング法により犠牲膜１５８Ｒｆの一部を除去できる。また、マスク膜１５９Ｒｆとして、スパッタリング法を用いて形成したＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物膜を用いる場合、希釈リン酸を用いて、ウェットエッチング法によりマスク膜１５９Ｒｆの一部を除去できる。又は、ＣＨ_４とＡｒを用いて、ドライエッチング法によりマスク膜１５９Ｒｆの一部を除去してもよい。又は、希釈リン酸を用いて、ウェットエッチング法によりマスク膜１５９Ｒｆの一部を除去できる。また、マスク膜１５９Ｒｆとして、スパッタリング法を用いて形成したタングステン膜を用いる場合、ＳＦ_６、ＣＦ_４とＯ_２、又はＣＦ_４とＣｌ_２とＯ_２を用いて、ドライエッチング法によりマスク膜１５９Ｒｆの一部を除去できる。

レジストマスク１９０Ｒは、レジストマスク１９１と同様の方法で除去できる。例えば、酸素プラズマを用いたアッシングにより除去できる。又は、酸素ガスと、ＣＦ_４、Ｃ_４Ｆ_８、ＳＦ_６、ＣＨＦ_３、Ｃｌ_２、Ｈ_２Ｏ、ＢＣｌ_３、又はＨｅ等の第１８族元素と、を用いてもよい。又は、ウェットエッチングにより、レジストマスク１９０Ｒを除去してもよい。このとき、犠牲膜１５８Ｒｆが最表面に位置し、ＥＬ膜１０３Ｒｆは露出していないため、レジストマスク１９０Ｒの除去工程において、ＥＬ膜１０３Ｒｆにダメージが入ることを抑制できる。また、レジストマスク１９０Ｒの除去方法の選択の幅を広げることができる。

続いて、図５Ｄに示すように、ＥＬ膜１０３Ｒｆを加工して、有機化合物層１０３Ｒを形成する。例えば、マスク層１５９Ｒ及び犠牲層１５８Ｒをハードマスクに用いて、ＥＬ膜１０３Ｒｆの一部を除去し、有機化合物層１０３Ｒを形成する。

これにより、図５Ｄに示すように、導電層１５２Ｒ上に、有機化合物層１０３Ｒ、犠牲層１５８Ｒ、及び、マスク層１５９Ｒの積層構造が残存する。また、導電層１５２Ｇ及び導電層１５２Ｂは露出する。

図５Ｄでは、有機化合物層１０３Ｒの端部が、導電層１５２Ｒの端部よりも外側に位置する例を示す。このような構成とすることで、画素の開口率を高くすることができる。なお、図５Ｄでは図示していないが、上記エッチング処理によって、絶縁層１７５の有機化合物層１０３Ｒと重畳しない領域に凹部が形成される場合がある。

また、有機化合物層１０３Ｒが導電層１５２Ｒの上面及び側面を覆うことにより、導電層１５２Ｒを露出させずに、以降の工程を行うことができる。導電層１５２Ｒの端部が露出していると、例えばエッチング工程において腐食が生じる場合がある。導電層１５２Ｒの腐食により生じた生成物は不安定な場合があり、例えばウェットエッチングの場合には溶液中に溶解し、ドライエッチングの場合には、雰囲気中に飛散する懸念がある。生成物の溶液中への溶解、又は、雰囲気中への飛散により、例えば、被処理面、及び、有機化合物層１０３Ｒの側面等に生成物が付着し、発光素子の特性に悪影響を及ぼす、又は、複数の発光素子の間にリークパスを形成する可能性がある。また、導電層１５２Ｒの端部が露出している領域では、互いに接する層同士の密着性が低下し、有機化合物層１０３Ｒ又は導電層１５２Ｒの膜剥がれが生じやすくなる恐れがある。

よって、有機化合物層１０３Ｒが導電層１５２Ｒの上面及び側面を覆う構成とすることにより、例えば、発光素子の歩留まり及び特性を向上させることができる。

前述のように、レジストマスク１９０Ｒは、一点鎖線Ｂ１−Ｂ２間において、有機化合物層１０３Ｒの端部から導電層１５２Ｃの端部（有機化合物層１０３Ｒ側の端部）までを覆うように設けることが好ましい。これにより、図５Ｄに示すように、犠牲層１５８Ｒ、及びマスク層１５９Ｒが、一点鎖線Ｂ１−Ｂ２間において、有機化合物層１０３Ｒの端部から導電層１５２Ｃの端部（有機化合物層１０３Ｒ側の端部）までを覆うように設けられる。よって、例えば一点鎖線Ｂ１−Ｂ２間において、絶縁層１７５が露出することを抑制できる。これにより、絶縁層１７５、絶縁層１７４、及び絶縁層１７３の一部がエッチング等により除去され、導電層１７９が露出することを防ぐことができる。このため、導電層１７９が、意図せず、他の導電層と電気的に接続されることを抑制できる。例えば、導電層１７９と、後の工程で形成する共通電極１５５との間のショートを抑制できる。

ＥＬ膜１０３Ｒｆの加工は、異方性エッチングにより行うことが好ましい。特に、異方性のドライエッチングが好ましい。又は、ウェットエッチングを用いてもよい。

ドライエッチング法を用いる場合は、エッチングガスに酸素を含むガスを用いないことで、ＥＬ膜１０３Ｒｆの劣化を抑制できる。

また、エッチングガスに酸素を含むガスを用いてもよい。エッチングガスが酸素を含むことで、エッチングの速度を速めることができる。したがって、エッチング速度を十分な速さに維持しつつ、低パワーの条件でエッチングを行うことができる。このため、ＥＬ膜１０３Ｒｆに与えるダメージを抑制できる。さらに、エッチング時に生じる反応生成物の付着等の不具合を抑制できる。

ドライエッチング法を用いる場合、例えば、Ｈ_２、ＣＦ_４、Ｃ_４Ｆ_８、ＳＦ_６、ＣＨＦ_３、Ｃｌ_２、Ｈ_２Ｏ、ＢＣｌ_３、又はＨｅ、Ａｒ等の第１８族元素のうち、一種以上を含むガスをエッチングガスに用いることが好ましい。又は、これらの一種以上と、酸素を含むガスをエッチングガスに用いることが好ましい。又は、酸素ガスをエッチングガスに用いてもよい。具体的には、例えば、Ｈ_２とＡｒを含むガス、又は、ＣＦ_４とＨｅを含むガスをエッチングガスに用いることができる。また、例えば、ＣＦ_４、Ｈｅ、及び酸素を含むガスをエッチングガスに用いることができる。また、例えば、Ｈ_２とＡｒを含むガス、及び酸素を含むガスをエッチングガスに用いることができる。

以上のように、本発明の一態様では、マスク膜１５９Ｒｆ上にレジストマスク１９０Ｒを形成し、レジストマスク１９０Ｒを用いて、マスク膜１５９Ｒｆの一部を除去することにより、マスク層１５９Ｒを形成する。その後、マスク層１５９Ｒをハードマスクに用いて、ＥＬ膜１０３Ｒｆの一部を除去することにより、有機化合物層１０３Ｒを形成する。よって、フォトリソグラフィ法を用いてＥＬ膜１０３Ｒｆを加工することにより、有機化合物層１０３Ｒが形成されるということができる。なお、レジストマスク１９０Ｒを用いて、ＥＬ膜１０３Ｒｆの一部を除去してもよい。その後、レジストマスク１９０Ｒを除去してもよい。

次に、例えば導電層１５２Ｇの疎水化処理を行うことが好ましい。ＥＬ膜１０３Ｒｆの加工時に、例えば導電層１５２Ｇの表面状態が親水性に変化する場合がある。例えば導電層１５２Ｇの疎水化処理を行うことで、例えば導電層１５２Ｇと後の工程で形成される層（ここでは有機化合物層１０３Ｇ）との密着性を高め、膜剥がれを抑制できる。なお、疎水化処理は行わなくてもよい。

続いて、図６Ａに示すように、後に有機化合物層１０３ＧとなるＥＬ膜１０３Ｇｆを、導電層１５２Ｇ上、導電層１５２Ｂ上、マスク層１５９Ｒ上、及び絶縁層１７５上に形成する。

ＥＬ膜１０３Ｇｆは、ＥＬ膜１０３Ｒｆの形成に用いることができる方法と同様の方法で形成できる。また、ＥＬ膜１０３Ｇｆは、ＥＬ膜１０３Ｒｆと同様の構成とすることができる。

続いて、図６Ａに示すように、ＥＬ膜１０３Ｇｆ上、及びマスク層１５９Ｒ上に、後に犠牲層１５８Ｇとなる犠牲膜１５８Ｇｆと、後にマスク層１５９Ｇとなるマスク膜１５９Ｇｆと、を順に形成する。その後、レジストマスク１９０Ｇを形成する。犠牲膜１５８Ｇｆ及びマスク膜１５９Ｇｆの材料及び形成方法は、犠牲膜１５８Ｒｆ及びマスク膜１５９Ｒｆに適用できる条件と同様である。レジストマスク１９０Ｇの材料及び形成方法は、レジストマスク１９０Ｒに適用できる条件と同様である。

レジストマスク１９０Ｇは、導電層１５２Ｇと重なる位置に設ける。

続いて、図６Ｂに示すように、レジストマスク１９０Ｇを用いて、マスク膜１５９Ｇｆの一部を除去し、マスク層１５９Ｇを形成する。マスク層１５９Ｇは、導電層１５２Ｇ上に残存する。その後、レジストマスク１９０Ｇを除去する。続いて、マスク層１５９Ｇをマスクに用いて、犠牲膜１５８Ｇｆの一部を除去し、犠牲層１５８Ｇを形成する。続いて、ＥＬ膜１０３Ｇｆを加工して、有機化合物層１０３Ｇを形成する。例えば、マスク層１５９Ｇ及び犠牲層１５８Ｇをハードマスクに用いて、ＥＬ膜１０３Ｇｆの一部を除去し、有機化合物層１０３Ｇを形成する。

これにより、図６Ｂに示すように、導電層１５２Ｇ上に、有機化合物層１０３Ｇ、犠牲層１５８Ｇ、及び、マスク層１５９Ｇの積層構造が残存する。また、マスク層１５９Ｒ及び導電層１５２Ｂは露出する。

次に、例えば導電層１５２Ｂの疎水化処理を行うことが好ましい。ＥＬ膜１０３Ｇｆの加工時に、例えば導電層１５２Ｂの表面状態が親水性に変化する場合がある。例えば導電層１５２Ｂの疎水化処理を行うことで、例えば導電層１５２Ｂと後の工程で形成される層（ここでは有機化合物層１０３Ｂ）との密着性を高め、膜剥がれを抑制できる。なお、疎水化処理は行わなくてもよい。

続いて、図６Ｃに示すように、後に有機化合物層１０３ＢとなるＥＬ膜１０３Ｂｆを、導電層１５２Ｂ上、マスク層１５９Ｒ上、マスク層１５９Ｇ上、及び絶縁層１７５上に形成する。

ＥＬ膜１０３Ｂｆは、ＥＬ膜１０３Ｒｆの形成に用いることができる方法と同様の方法で形成できる。また、ＥＬ膜１０３Ｂｆは、ＥＬ膜１０３Ｒｆと同様の構成とすることができる。

続いて、図６Ｃに示すように、ＥＬ膜１０３Ｂｆ上、及びマスク層１５９Ｒ上に、後に犠牲層１５８Ｂとなる犠牲膜１５８Ｂｆと、後にマスク層１５９Ｂとなるマスク膜１５９Ｂｆと、を順に形成する。その後、レジストマスク１９０Ｂを形成する。犠牲膜１５８Ｂｆ及びマスク膜１５９Ｂｆの材料及び形成方法は、犠牲膜１５８Ｒｆ及びマスク膜１５９Ｒｆに適用できる条件と同様である。レジストマスク１９０Ｂの材料及び形成方法は、レジストマスク１９０Ｒに適用できる条件と同様である。

レジストマスク１９０Ｂは、導電層１５２Ｂと重なる位置に設ける。

続いて、図６Ｄに示すように、レジストマスク１９０Ｂを用いて、マスク膜１５９Ｂｆの一部を除去し、マスク層１５９Ｂを形成する。マスク層１５９Ｂは、導電層１５２Ｂ上に残存する。その後、レジストマスク１９０Ｂを除去する。続いて、マスク層１５９Ｂをマスクに用いて、犠牲膜１５８Ｂｆの一部を除去し、犠牲層１５８Ｂを形成する。続いて、ＥＬ膜１０３Ｂｆを加工して、有機化合物層１０３Ｂを形成する。例えば、マスク層１５９Ｂ及び犠牲層１５８Ｂをハードマスクに用いて、ＥＬ膜１０３Ｂｆの一部を除去し、有機化合物層１０３Ｂを形成する。

これにより、図６Ｄに示すように、導電層１５２Ｂ上に、有機化合物層１０３Ｂ、犠牲層１５８Ｂ、及び、マスク層１５９Ｂの積層構造が残存する。また、マスク層１５９Ｒ、及びマスク層１５９Ｇは露出する。

なお、有機化合物層１０３Ｒ、有機化合物層１０３Ｇ、有機化合物層１０３Ｂの側面は、それぞれ、被形成面に対して垂直又は概略垂直であることが好ましい。例えば、被形成面と、これらの側面との成す角度を、６０度以上９０度以下とすることが好ましい。

上記のように、フォトリソグラフィ法を用いて形成した有機化合物層１０３Ｒ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｂのうち隣接する２つの間の距離は、８μｍ以下、５μｍ以下、３μｍ以下、２μｍ以下、又は、１μｍ以下にまで狭めることができる。ここで、当該距離とは、例えば、有機化合物層１０３Ｒ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｂのうち、隣接する２つの対向する端部の間の距離で規定できる。このように、島状の有機化合物層の間の距離を狭めることで、高い精細度と、大きな開口率を有する表示装置を提供できる。また、隣り合う発光素子間における第１の電極同士の距離も、狭めることができ、例えば１０μｍ以下、８μｍ以下、５μｍ以下、３μｍ以下、２μｍ以下とすることができる。なお、隣り合う発光素子間における第１の電極同士の距離は２μｍ以上５μｍ以下であることが好ましい。

続いて、図７Ａに示すように、マスク層１５９Ｒ、マスク層１５９Ｇ、及びマスク層１５９Ｂを除去することが好ましい。後の工程によっては、犠牲層１５８Ｒ、犠牲層１５８Ｇ、犠牲層１５８Ｂ、マスク層１５９Ｒ、マスク層１５９Ｇ、及びマスク層１５９Ｂが表示装置に残存する場合がある。この段階でマスク層１５９Ｒ、マスク層１５９Ｇ、及びマスク層１５９Ｂを除去することで、マスク層１５９Ｒ、マスク層１５９Ｇ、及びマスク層１５９Ｂが表示装置に残存することを抑制できる。例えば、マスク層１５９Ｒ、マスク層１５９Ｇ、及びマスク層１５９Ｂに導電材料を用いる場合、マスク層１５９Ｒ、マスク層１５９Ｇ、及びマスク層１５９Ｂを事前に除去しておくことで、残存したマスク層１５９Ｒ、マスク層１５９Ｇ、及びマスク層１５９Ｂによるリーク電流の発生、及び、容量の形成等を抑制できる。

なお、本実施の形態では、マスク層１５９Ｒ、マスク層１５９Ｇ、及びマスク層１５９Ｂを除去する場合を例に挙げて説明するが、マスク層１５９Ｒ、マスク層１５９Ｇ、及びマスク層１５９Ｂは除去しなくてもよい。例えば、マスク層１５９Ｒ、マスク層１５９Ｇ、及びマスク層１５９Ｂが、前述の、紫外線に対して遮光性を有する材料を含む場合は、除去せずに次の工程に進むことで、有機化合物層を紫外線から保護でき、好ましい。

マスク層の除去工程には、マスク層の加工工程と同様の方法を用いることができる。特に、ウェットエッチング法を用いることで、ドライエッチング法を用いる場合に比べて、マスク層を除去する際に、有機化合物層１０３Ｒ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｂに加わるダメージを低減できる。

また、マスク層を、水又はアルコール等の溶媒に溶解させることで除去してもよい。アルコールとしては、エチルアルコール、メチルアルコール、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、又はグリセリン等が挙げられる。

マスク層を除去した後に、有機化合物層１０３Ｒ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｂに含まれる水、並びに有機化合物層１０３Ｒ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｂ表面に吸着する水を除去するため、乾燥処理を行ってもよい。例えば、不活性ガス雰囲気又は減圧雰囲気下における加熱処理を行うことができる。加熱処理は、基板温度として５０℃以上２００℃以下、好ましくは６０℃以上１５０℃以下、より好ましくは７０℃以上１２０℃以下の温度で行うことができる。減圧雰囲気とすることで、より低温で乾燥が可能であるため好ましい。

続いて、図７Ｂに示すように、有機化合物層１０３Ｒ、有機化合物層１０３Ｇ、有機化合物層１０３Ｂ、犠牲層１５８Ｒ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｂを覆うように、後に無機絶縁層１２５となる無機絶縁膜１２５ｆを形成する。

後述するように、無機絶縁膜１２５ｆの上面に接して、後に絶縁層１２７となる絶縁膜が形成される。このため、無機絶縁膜１２５ｆの上面は、当該絶縁膜に用いる材料（例えば、アクリル樹脂を含む感光性の樹脂組成物）に対して親和性が高いことが好ましい。当該親和性を向上させるため、表面処理を行って無機絶縁膜１２５ｆの上面を疎水化すること（又は疎水性を高めること）が好ましい。例えば、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）等のシリル化剤を用いて処理を行うことが好ましい。このように無機絶縁膜１２５ｆの上面を疎水化することにより、上記絶縁膜を密着性良く形成できる。なお、表面処理としては、前述の疎水化処理を行ってもよい。

続いて、図７Ｃに示すように、無機絶縁膜１２５ｆ上に、後に絶縁層１２７となる絶縁膜１２７ｆを形成する。

無機絶縁膜１２５ｆ及び絶縁膜１２７ｆは、有機化合物層１０３Ｒ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｂへのダメージが少ない形成方法で成膜されることが好ましい。特に、無機絶縁膜１２５ｆは、有機化合物層１０３Ｒ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｂの側面に接して形成されるため、絶縁膜１２７ｆよりも、有機化合物層１０３Ｒ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｂへのダメージが少ない形成方法で成膜されることが好ましい。

また、無機絶縁膜１２５ｆ及び絶縁膜１２７ｆは、それぞれ、有機化合物層１０３Ｒ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｂの耐熱温度よりも低い温度で形成する。また、無機絶縁膜１２５ｆは成膜する際の基板温度を高くすることで、膜厚が薄くても、不純物濃度が低く、水及び酸素の少なくとも一方に対するバリア性の高い膜とすることができる。

無機絶縁膜１２５ｆ及び絶縁膜１２７ｆを形成する際の基板温度としては、それぞれ、６０℃以上、８０℃以上、１００℃以上、又は、１２０℃以上、かつ、２００℃以下、１８０℃以下、１６０℃以下、１５０℃以下、又は１４０℃以下であることが好ましい。

無機絶縁膜１２５ｆとしては、上記の基板温度の範囲で、３ｎｍ以上、５ｎｍ以上、又は、１０ｎｍ以上、かつ、２００ｎｍ以下、１５０ｎｍ以下、１００ｎｍ以下、又は、５０ｎｍ以下の厚さの絶縁膜を形成することが好ましい。

無機絶縁膜１２５ｆは、例えば、ＡＬＤ法を用いて形成することが好ましい。ＡＬＤ法を用いることで、成膜ダメージを小さくすることができ、また、被覆性の高い膜を成膜可能なため好ましい。無機絶縁膜１２５ｆとしては、例えば、ＡＬＤ法を用いて、酸化アルミニウム膜を形成することが好ましい。

そのほか、無機絶縁膜１２５ｆは、ＡＬＤ法よりも成膜速度が速いスパッタリング法、ＣＶＤ法、又は、ＰＥＣＶＤ法を用いて形成してもよい。これにより、信頼性の高い表示装置を生産性高く作製できる。

絶縁膜１２７ｆは、前述の湿式の成膜方法を用いて形成することが好ましい。絶縁膜１２７ｆは、例えば、スピンコートにより、感光性材料を用いて形成することが好ましく、より具体的には、アクリル樹脂を含む感光性の樹脂組成物を用いて形成することが好ましい。

絶縁膜１２７ｆは、例えば、重合体、酸発生剤、及び溶媒を有する樹脂組成物を用いて形成することが好ましい。重合体は、１種又は複数種の単量体を用いて形成され、１種又は複数種の構造単位（構成単位ともいう）が規則的又は不規則に繰り返された構造を有する。酸発生剤としては、光の照射により酸を発生する化合物、及び、加熱により酸を発生する化合物の一方又は双方を用いることができる。樹脂組成物は、さらに、感光剤、増感剤、触媒、接着助剤、界面活性剤、酸化防止剤のうち一つ又は複数を有していてもよい。

また、絶縁膜１２７ｆの形成後に加熱処理（プリベークともいう）を行うことが好ましい。当該加熱処理は、有機化合物層１０３Ｒ、有機化合物層１０３Ｇ、及び、有機化合物層１０３Ｂの耐熱温度よりも低い温度で行う。加熱処理の際の基板温度としては、５０℃以上２００℃以下が好ましく、６０℃以上１５０℃以下がより好ましく、７０℃以上１２０℃以下がさらに好ましい。これにより、絶縁膜１２７ｆ中に含まれる溶媒を除去できる。

続いて、露光を行って、絶縁膜１２７ｆの一部に、可視光線又は紫外線を感光させる。ここで、絶縁膜１２７ｆにアクリル樹脂を含むポジ型の感光性の樹脂組成物を用いる場合、後の工程で絶縁層１２７を形成しない領域に可視光線又は紫外線を照射する。絶縁層１２７は、導電層１５２Ｒ、導電層１５２Ｇ、及び導電層１５２Ｂのいずれか２つに挟まれる領域、及び、導電層１５２Ｃの周囲に形成される。このため、導電層１５２Ｒ上、導電層１５２Ｇ上、導電層１５２Ｂ上、及び、導電層１５２Ｃ上に、可視光線又は紫外線を照射する。なお、絶縁膜１２７ｆにネガ型の感光性材料を用いる場合、絶縁層１２７が形成される領域に可視光線又は紫外線を照射する。

絶縁膜１２７ｆへの露光領域によって、後に形成する絶縁層１２７の幅を制御できる。本実施の形態では、絶縁層１２７が導電層１５１の上面と重なる部分を有するように加工する。

露光に用いる光は、ｉ線（波長３６５ｎｍ）を含むことが好ましい。また、露光用いる光は、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、及びｈ線（波長４０５ｎｍ）の少なくとも一方を含んでいてもよい。

ここで、犠牲層１５８（犠牲層１５８Ｒ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｂ）、及び無機絶縁膜１２５ｆの一方又は双方として、酸素に対するバリア絶縁層（例えば、酸化アルミニウム膜等）を設けることで、有機化合物層１０３Ｒ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｂに酸素が拡散することを低減できる。有機化合物層は、光（可視光線又は紫外線）が照射されると、当該有機化合物層に含まれる有機化合物が励起状態となり、雰囲気中に含まれる酸素との反応が促進される場合がある。より具体的には、酸素を有する雰囲気下において、光（可視光線又は紫外線）が有機化合物層に照射されると当該有機化合物層が有する有機化合物に酸素が結合する可能性がある。犠牲層１５８及び無機絶縁膜１２５ｆを島状の有機化合物層上に設けることによって、当該有機化合物層に含まれる有機化合物に雰囲気中の酸素が結合することを低減できる。

続いて、図８Ａに示すように、現像を行って、絶縁膜１２７ｆの露光させた領域を除去し、絶縁層１２７ａを形成する。絶縁層１２７ａは、導電層１５２Ｒ、導電層１５２Ｇ、及び導電層１５２Ｂのいずれか２つに挟まれる領域と、導電層１５２Ｃを囲う領域に形成される。ここで、絶縁膜１２７ｆにアクリル樹脂を用いる場合、現像液として、アルカリ性の溶液を用いることができ、例えば、ＴＭＡＨを用いることができる。

続いて、現像時の残渣（いわゆるスカム）を除去してもよい。例えば、酸素プラズマを用いたアッシングを行うことで、残渣を除去できる。

なお、絶縁層１２７ａの表面の高さを調整するために、エッチングを行ってもよい。絶縁層１２７ａは、例えば、酸素プラズマを用いたアッシングにより加工してもよい。また、絶縁膜１２７ｆとして非感光性の材料を用いる場合においても、例えば当該アッシングにより、絶縁膜１２７ｆの表面の高さを調整できる。

続いて、図８Ｂに示すように、絶縁層１２７ａをマスクとして、エッチング処理を行って、無機絶縁膜１２５ｆの一部を除去し、犠牲層１５８Ｒ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｂの一部の膜厚を薄くする。これにより、絶縁層１２７ａの下に、無機絶縁層１２５が形成される。また、犠牲層１５８Ｒ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｂの膜厚が薄い部分の表面が露出する。なお、以下では、絶縁層１２７ａをマスクに用いたエッチング処理を、第１のエッチング処理ということがある。

第１のエッチング処理は、ドライエッチング又はウェットエッチングによって行うことができる。なお、無機絶縁膜１２５ｆを、犠牲層１５８Ｒ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｂと同様の材料を用いて成膜していた場合、第１のエッチング処理を一括で行うことができるため、好ましい。

側面がテーパ形状である絶縁層１２７ａをマスクとしてエッチングを行うことで、無機絶縁層１２５の側面、及び犠牲層１５８Ｒ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｂの側面上端部を比較的容易にテーパ形状にすることができる。

ドライエッチングを行う場合、塩素系のガスを用いることが好ましい。塩素系ガスとしては、Ｃｌ_２、ＢＣｌ_３、ＳｉＣｌ_４、及びＣＣｌ_４等を、単独又は２以上のガスを混合して用いることができる。また、上記塩素系ガスに、酸素ガス、水素ガス、ヘリウムガス、及びアルゴンガス等を、単独又は２以上のガスを混合して、適宜添加できる。ドライエッチングを用いることにより、犠牲層１５８Ｒ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｂの膜厚が薄い領域を、良好な面内均一性で形成できる。

ドライエッチング装置としては、高密度プラズマ源を有するドライエッチング装置を用いることができる。高密度プラズマ源を有するドライエッチング装置は、例えば、誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ：Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｐｌａｓｍａ）エッチング装置を用いることができる。又は、平行平板型電極を有する容量結合型プラズマ（ＣＣＰ：Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｐｌａｓｍａ）エッチング装置を用いることができる。平行平板型電極を有する容量結合型プラズマエッチング装置は、平行平板型電極の一方の電極に高周波電圧を印加する構成でもよい。又は平行平板型電極の一方の電極に複数の異なった高周波電圧を印加する構成でもよい。又は平行平板型電極それぞれに同じ周波数の高周波電圧を印加する構成でもよい。又は平行平板型電極それぞれに周波数の異なる高周波電圧を印加する構成でもよい。

また、ドライエッチングを行う場合、ドライエッチングで生じた副生成物等が、絶縁層１２７ａの上面及び側面等に堆積する場合がある。このため、エッチングガスに含まれる成分、無機絶縁膜１２５ｆに含まれる成分、犠牲層１５８Ｒ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｂに含まれる成分等が、表示装置完成後の絶縁層１２７に含まれる場合がある。

また、第１のエッチング処理をウェットエッチングで行うことが好ましい。ウェットエッチング法を用いることで、ドライエッチング法を用いる場合に比べて、有機化合物層１０３Ｒ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｂに加わるダメージを低減できる。例えば、ウェットエッチングは、アルカリ溶液を用いて行うことができる。例えば、酸化アルミニウム膜のウェットエッチングには、アルカリ溶液であるＴＭＡＨを用いることができる。この場合、パドル方式でウェットエッチングを行うことができる。なお、無機絶縁膜１２５ｆを、犠牲層１５８Ｒ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｂと同様の材料を用いて成膜していた場合、上記エッチング処理を一括で行うことができるため、好ましい。

第１のエッチング処理では、犠牲層１５８Ｒ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｂを完全に除去せず、膜厚が薄くなった状態でエッチング処理を停止する。このように、有機化合物層１０３Ｒ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｂ上に、対応する犠牲層１５８Ｒ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｂを残存させておくことで、後の工程の処理で、有機化合物層１０３Ｒ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｂが損傷することを防ぐことができる。

続いて、基板全体に露光を行い、可視光線又は紫外線を絶縁層１２７ａに照射することが好ましい。当該露光のエネルギー密度は、０ｍＪ／ｃｍ^２より大きく、８００ｍＪ／ｃｍ^２以下とすることが好ましく、０ｍＪ／ｃｍ^２より大きく、５００ｍＪ／ｃｍ^２以下とすることがより好ましい。現像後にこのような露光を行うことで、絶縁層１２７ａの透明度を向上させることができる場合がある。また、後の工程における、絶縁層１２７ａをテーパ形状に変形させる加熱処理に必要とされる基板温度を低下させることができる場合がある。

ここで、犠牲層１５８Ｒ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｂとして、酸素に対するバリア絶縁層（例えば、酸化アルミニウム膜等）が存在することで、有機化合物層１０３Ｒ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｂに酸素が拡散することを低減できる。有機化合物層は、光（可視光線又は紫外線）が照射されると、当該有機化合物層に含まれる有機化合物が励起状態となり、雰囲気中に含まれる酸素との反応が促進される場合がある。より具体的には、酸素を有する雰囲気下において、光（可視光線又は紫外線）が有機化合物層に照射されると当該有機化合物層が有する有機化合物に酸素が結合する可能性がある。犠牲層１５８Ｒ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｂを島状の有機化合物層上に設けることによって、当該有機化合物層に含まれる有機化合物に雰囲気中の酸素が結合することを低減できる。

続いて、加熱処理（ポストベークともいう）を行う。加熱処理を行うことで、絶縁層１２７ａを、側面にテーパ形状を有する絶縁層１２７に変形させることができる（図８Ｃ）。当該加熱処理は、有機化合物層の耐熱温度よりも低い温度で行う。加熱処理は、基板温度として５０℃以上２００℃以下、好ましくは６０℃以上１５０℃以下、より好ましくは７０℃以上１３０℃以下の温度で行うことができる。加熱雰囲気は、大気雰囲気であってもよく、不活性ガス雰囲気であってもよい。また、加熱雰囲気は、大気圧雰囲気であってもよく、減圧雰囲気であってもよい。本工程の加熱処理は、絶縁膜１２７ｆの形成後の加熱処理（プリベーク）よりも、基板温度を高くすることが好ましい。これにより、絶縁層１２７と無機絶縁層１２５との密着性を向上させ、絶縁層１２７の耐食性も向上させることができる。

第１のエッチング処理にて、犠牲層１５８Ｒ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｂを完全に除去せず、膜厚が薄くなった状態の犠牲層１５８Ｒ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｂを残存させておくことで、当該加熱処理において、有機化合物層１０３Ｒ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｂがダメージを受けて劣化することを防ぐことができる。したがって、発光素子の信頼性を高めることができる。

なお、絶縁層１２７の材料、並びに、ポストベークの温度、時間、及び雰囲気によっては、絶縁層１２７の側面に凹曲面形状が形成される場合がある。例えば、ポストベークの条件で、温度が高い、又は、時間が長いほど、絶縁層１２７の形状が変化しやすく、凹曲面形状が形成される場合がある。

続いて、図９Ａに示すように、絶縁層１２７をマスクとして、エッチング処理を行って、犠牲層１５８Ｒ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｂの一部を除去する。なお、無機絶縁層１２５の一部も除去される場合がある。これにより、犠牲層１５８Ｒ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｂそれぞれに開口が形成され、有機化合物層１０３Ｒ、有機化合物層１０３Ｇ、有機化合物層１０３Ｂ、及び導電層１５２Ｃの上面が露出する。なお、以下では、絶縁層１２７をマスクに用いたエッチング処理を、第２のエッチング処理ということがある。

無機絶縁層１２５の端部は絶縁層１２７で覆われている。また、図９Ａでは、犠牲層１５８Ｇの端部の一部（具体的には、第１のエッチング処理により形成されたテーパ形状の部分）を絶縁層１２７が覆い、第２のエッチング処理により形成されたテーパ形状の部分は露出している例を示す。

第１のエッチング処理を行わず、ポストベーク後に、一括で無機絶縁層１２５と犠牲層１５８のエッチング処理を行うと、サイドエッチングにより、絶縁層１２７の端部の下の無機絶縁層１２５及び犠牲層１５８が消失し、空洞が形成される場合がある。当該空洞によって、共通電極１５５を形成する面に凹凸が生じ、共通電極１５５に段切れが生じやすくなる。第１のエッチング処理で無機絶縁層１２５及び犠牲層１５８がサイドエッチングされて空洞が生じても、その後にポストベークを行うことで、絶縁層１２７が当該空洞を埋めることができる。その後、第２のエッチング処理ではより厚さが薄くなった犠牲層１５８をエッチングするため、サイドエッチングされる量が少なく、空洞が形成されにくくなり、空洞が形成されるとしても極めて小さくできる。このため、共通電極１５５を形成する面をより平坦にできる。

なお、絶縁層１２７は、犠牲層１５８Ｇの端部全体を覆っていてもよい。例えば、絶縁層１２７の端部が垂れて、犠牲層１５８Ｇの端部を覆う場合がある。また、例えば、絶縁層１２７の端部が、有機化合物層１０３Ｒ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｂの少なくとも一つの上面に接する場合がある。前述の通り、現像後の絶縁層１２７ａに露光を行わない場合には、絶縁層１２７の形状が変化しやすいことがある。

第２のエッチング処理はウェットエッチングで行う。ウェットエッチング法を用いることで、ドライエッチング法を用いる場合に比べて、有機化合物層１０３Ｒ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｂに加わるダメージを低減できる。ウェットエッチングは、例えばＴＭＡＨ等のアルカリ溶液を用いて行うことができる。

一方、ウェットエッチング法を用いて第２のエッチング処理を行う場合、例えば有機化合物層１０３と他の層との密着性の問題により、有機化合物層１０３と犠牲層１５８の間、有機化合物層１０３と無機絶縁層１２５の間、及び有機化合物層１０３と絶縁層１７５の界面に隙間が空いていると、第２のエッチング処理で用いる薬液が当該隙間に侵入し、薬液が画素電極と接触する場合がある。ここで、導電層１５１と導電層１５２の両方に薬液が接触すると、導電層１５１と導電層１５２のうち、自然電位が低い導電層がガルバニック腐食により腐食する場合がある。例えば、導電層１５１としてアルミニウムを用い、導電層１５２としてインジウム錫酸化物を用いると、導電層１５２が腐食する場合がある。以上より、表示装置の歩留まりが低下する場合がある。また、表示装置の信頼性が低下する場合がある。

前述のように、導電層１５２を、導電層１５１の上面及び側面を覆うように形成すると、有機化合物層１０３と犠牲層１５８の間、有機化合物層１０３と無機絶縁層１２５の間、及び有機化合物層１０３と絶縁層１７５の界面に隙間が空いている場合であっても、第２のエッチング処理において薬液が導電層１５１に接触することを防ぐことができる。これにより、画素電極の腐食を防ぐことができ、例えば導電層１５２の腐食を防ぐことができる。

また、さらに、導電層１５１の側面と重なる領域を有するように絶縁層１５６を形成し、導電層１５１、及び絶縁層１５６を覆うように導電層１５２を形成することで、導電層１５２の段切れを防ぐことができるため、例えば第２のエッチング処理において薬液が導電層１５１に接触することを防ぐことができる。これにより、画素電極の腐食を防ぐことができ、例えば導電層１５２の腐食を防ぐことができる。

上記のように、絶縁層１２７、無機絶縁層１２５、犠牲層１５８Ｒ、犠牲層１５８Ｇ、及び、犠牲層１５８Ｂを設けることにより、各発光素子間において、共通電極１５５に、分断された箇所に起因する接続不良、及び局所的に膜厚が薄い箇所に起因する電気抵抗の上昇が発生することを抑制できる。これにより、本発明の一態様の表示装置は、表示品位を向上させることができる。

また、有機化合物層１０３Ｒ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｂの一部を露出した後、さらに加熱処理を行ってもよい。当該加熱処理により、有機化合物層に含まれる水、及び有機化合物層表面に吸着する水等を除去できる。また、当該加熱処理により、絶縁層１２７の形状が変化することがある。具体的には、絶縁層１２７が、無機絶縁層１２５の端部、犠牲層１５８Ｒ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｂの端部、及び、有機化合物層１０３Ｒ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｂの上面のうち、少なくとも一つを覆うように広がることがある。

続いて、図９Ｂに示すように、有機化合物層１０３Ｒ上、有機化合物層１０３Ｇ上、有機化合物層１０３Ｂ上、導電層１５２Ｃ上、及び絶縁層１２７上に共通電極１５５を形成する。共通電極１５５は、スパッタリング法、又は真空蒸着法等の方法で形成できる。又は、蒸着法で形成した膜と、スパッタリング法で形成した膜を積層させて、共通電極１５５を形成してもよい。

続いて、図９Ｃに示すように、共通電極１５５上に保護層１３１を形成する。保護層１３１は、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、又はＡＬＤ法等の方法で形成できる。

続いて、樹脂層１２２を用いて、保護層１３１上に、基板１２０を貼り合わせることで、表示装置を作製できる。前述のように、本発明の一態様の表示装置の作製方法では、導電層１５１の側面と重なる領域を有するように絶縁層１５６を設け、且つ導電層１５１及び絶縁層１５６を覆うように導電層１５２を形成する。これにより、表示装置の歩留まりを高め、また不良の発生を抑制できる。

以上のように、本発明の一態様の表示装置の作製方法では、島状の有機化合物層１０３Ｒ、島状の有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｂは、ファインメタルマスクを用いて形成されるのではなく、膜を一面に成膜した後に加工することで形成されるため、島状の層を均一の厚さで形成できる。そして、高精細な表示装置又は高開口率の表示装置を実現できる。また、精細度又は開口率が高く、副画素間の距離が極めて短くても、隣接する副画素において、有機化合物層１０３Ｒ、有機化合物層１０３Ｇ、及び、有機化合物層１０３Ｂが互いに接することを抑制できる。したがって、副画素間にリーク電流が発生することを抑制できる。これにより、クロストークを防ぐことができ、コントラストの極めて高い表示装置を実現できる。また、フォトリソグラフィ法を用いて作製されたタンデム型の発光素子を有する表示装置であっても、良好な特性の表示装置を提供することができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について図１０Ａ乃至図１０Ｇ、及び図１１Ａ乃至図１１Ｉを用いて説明する。

［画素のレイアウト］
本実施の形態では、主に、図２とは異なる画素レイアウトについて説明する。副画素の配列に特に限定はなく、様々な方法を適用できる。副画素の配列としては、例えば、ストライプ配列、Ｓストライプ配列、マトリクス配列、デルタ配列、ベイヤー配列、及びペンタイル配列が挙げられる。

本実施の形態で図に示す副画素の上面形状は、発光領域の上面形状に相当する。

なお、副画素の上面形状としては、例えば、三角形、四角形（長方形、正方形を含む）、五角形等の多角形、これら多角形の角が丸い形状、楕円形、又は円形等が挙げられる。

また、副画素を構成する回路レイアウトは、図に示す副画素の範囲に限定されず、その外側に配置されていてもよい。

図１０Ａに示す画素１７８には、Ｓストライプ配列が適用されている。図１０Ａに示す画素１７８は、副画素１１０Ｒ、副画素１１０Ｇ、及び副画素１１０Ｂの、３つの副画素から構成される。

図１０Ｂに示す画素１７８は、角が丸い略台形の上面形状を有する副画素１１０Ｒと、角が丸い略三角形の上面形状を有する副画素１１０Ｇと、角が丸い略四角形又は略六角形の上面形状を有する副画素１１０Ｂと、を有する。また、副画素１１０Ｒは、副画素１１０Ｇよりも発光面積が広い。このように、各副画素の形状及びサイズはそれぞれ独立に決定できる。例えば、信頼性の高い発光素子を有する副画素ほど、サイズを小さくすることができる。

図１０Ｃに示す画素１２４ａ、及び画素１２４ｂには、ペンタイル配列が適用されている。図１０Ｃでは、副画素１１０Ｒ及び副画素１１０Ｇを有する画素１２４ａと、副画素１１０Ｇ及び副画素１１０Ｂを有する画素１２４ｂと、が交互に配置されている例を示す。

図１０Ｄ乃至図１０Ｆに示す画素１２４ａ、及び画素１２４ｂは、デルタ配列が適用されている。画素１２４ａは上の行（１行目）に、２つの副画素（副画素１１０Ｒ、及び副画素１１０Ｇ）を有し、下の行（２行目）に、１つの副画素（副画素１１０Ｂ）を有する。画素１２４ｂは上の行（１行目）に、１つの副画素（副画素１１０Ｂ）を有し、下の行（２行目）に、２つの副画素（副画素１１０Ｒ、及び副画素１１０Ｇ）を有する。

図１０Ｄは、各副画素が、角が丸い略四角形の上面形状を有する例であり、図１０Ｅは、各副画素が、円形の上面形状を有する例であり、図１０Ｆは、各副画素が、角が丸い略六角形の上面形状を有する例である。

図１０Ｆでは、各副画素が、最密に配列した六角形の領域の内側に配置されている。各副画素は、その１つの副画素に着目したとき、６つの副画素に囲まれるように、配置されている。また、同じ色の光を呈する副画素が隣り合わないように設けられている。例えば、副画素１１０Ｒに着目したとき、これを囲むように３つの副画素１１０Ｇと３つの副画素１１０Ｂが、交互に配置されるように、それぞれの副画素が設けられている。

図１０Ｇは、各色の副画素がジグザグに配置されている例である。具体的には、上面視において、列方向に並ぶ２つの副画素（例えば、副画素１１０Ｒと副画素１１０Ｇ、又は、副画素１１０Ｇと副画素１１０Ｂ）の上辺の位置がずれている。

図１０Ａ乃至図１０Ｇに示す各画素において、例えば、副画素１１０Ｒを赤色の光を呈する副画素Ｒとし、副画素１１０Ｇを緑色の光を呈する副画素Ｇとし、副画素１１０Ｂを青色の光を呈する副画素Ｂとすることが好ましい。なお、副画素の構成はこれに限定されず、副画素が呈する色とその並び順は適宜決定できる。例えば、副画素１１０Ｇを赤色の光を呈する副画素Ｒとし、副画素１１０Ｒを緑色の光を呈する副画素Ｇとしてもよい。

フォトリソグラフィ法では、加工するパターンが微細になるほど、光の回折の影響を無視できなくなるため、露光によりフォトマスクのパターンを転写する際に忠実性が損なわれ、レジストマスクを所望の形状に加工することが困難になる。そのため、フォトマスクのパターンが矩形であっても、角が丸まったパターンが形成されやすい。したがって、副画素の上面形状が、多角形の角が丸い形状、楕円形、又は円形等になることがある。

さらに、本発明の一態様の表示装置の作製方法では、レジストマスクを用いて有機化合物層を島状に加工する。有機化合物層上に形成したレジスト膜は、有機化合物層の耐熱温度よりも低い温度で硬化する必要がある。そのため、有機化合物層の材料の耐熱温度及びレジスト材料の硬化温度によっては、レジスト膜の硬化が不十分になる場合がある。硬化が不十分なレジスト膜は、加工時に所望の形状から離れた形状をとることがある。その結果、有機化合物層の上面形状が、多角形の角が丸い形状、楕円形、又は円形等になることがある。例えば、上面形状が正方形のレジストマスクを形成しようとした場合に、円形の上面形状のレジストマスクが形成され、有機化合物層の上面形状が円形になることがある。

なお、有機化合物層の上面形状を所望の形状とするために、設計パターンと、転写パターンとが、一致するように、あらかじめマスクパターンを補正する技術（ＯＰＣ（Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ　Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ：光近接効果補正）技術）を用いてもよい。具体的には、ＯＰＣ技術では、例えばマスクパターン上の図形コーナー部に補正用のパターンを追加する。

図１１Ａ乃至図１１Ｉに示すように、画素は副画素を４種類有する構成とすることができる。

図１１Ａ乃至図１１Ｃに示す画素１７８は、ストライプ配列が適用されている。

図１１Ａは、各副画素が、長方形の上面形状を有する例であり、図１１Ｂは、各副画素が、２つの半円と長方形をつなげた上面形状を有する例であり、図１１Ｃは、各副画素が、楕円形の上面形状を有する例である。

図１１Ｄ乃至図１１Ｆに示す画素１７８は、マトリクス配列が適用されている。

図１１Ｄは、各副画素が、正方形の上面形状を有する例であり、図１１Ｅは、各副画素が、角が丸い略正方形の上面形状を有する例であり、図１１Ｆは、各副画素が、円形の上面形状を有する例である。

図１１Ｇ及び図１１Ｈでは、１つの画素１７８が、２行３列で構成されている例を示す。

図１１Ｇに示す画素１７８は、上の行（１行目）に、３つの副画素（副画素１１０Ｒ、副画素１１０Ｇ、及び副画素１１０Ｂ）を有し、下の行（２行目）に、１つの副画素（副画素１１０Ｗ）を有する。言い換えると、画素１７８は、左の列（１列目）に、副画素１１０Ｒを有し、中央の列（２列目）に副画素１１０Ｇを有し、右の列（３列目）に副画素１１０Ｂを有し、さらに、この３列にわたって、副画素１１０Ｗを有する。

図１１Ｈに示す画素１７８は、上の行（１行目）に、３つの副画素（副画素１１０Ｒ、副画素１１０Ｇ、及び副画素１１０Ｂ）を有し、下の行（２行目）に、３つの副画素１１０Ｗを有する。言い換えると、画素１７８は、左の列（１列目）に、副画素１１０Ｒ及び副画素１１０Ｗを有し、中央の列（２列目）に副画素１１０Ｇ及び副画素１１０Ｗを有し、右の列（３列目）に副画素１１０Ｂ及び副画素１１０Ｗを有する。図１１Ｈに示すように、上の行と下の行との副画素の配置を揃える構成とすることで、例えば製造プロセスで生じうるゴミを効率よく除去することが可能となる。したがって、表示品位の高い表示装置を提供できる。

図１１Ｇ及び図１１Ｈに示す画素１７８では、副画素１１０Ｒ、副画素１１０Ｇ、及び副画素１１０Ｂのレイアウトがストライプ配列となるため、表示品位を高めることができる。

図１１Ｉでは、１つの画素１７８が、３行２列で構成されている例を示す。

図１１Ｉに示す画素１７８は、上の行（１行目）に、副画素１１０Ｒを有し、中央の行（２行目）に、副画素１１０Ｇを有し、１行目から２行目にわたって副画素１１０Ｂを有し、下の行（３行目）に、１つの副画素（副画素１１０Ｗ）を有する。言い換えると、画素１７８は、左の列（１列目）に、副画素１１０Ｒ、及び副画素１１０Ｇを有し、右の列（２列目）に副画素１１０Ｂを有し、さらに、この２列にわたって、副画素１１０Ｗを有する。

図１１Ｉに示す画素１７８では、副画素１１０Ｒ、副画素１１０Ｇ、及び副画素１１０ＢのレイアウトがいわゆるＳストライプ配列となるため、表示品位を高めることができる。

図１１Ａ乃至図１１Ｉに示す画素１７８は、副画素１１０Ｒ、副画素１１０Ｇ、副画素１１０Ｂ、及び副画素１１０Ｗの、４つの副画素から構成される。例えば、副画素１１０Ｒを赤色の光を呈する副画素とし、副画素１１０Ｇを緑色の光を呈する副画素とし、副画素１１０Ｂを青色の光を呈する副画素とし、副画素１１０Ｗを白色の光を呈する副画素とすることができる。なお、副画素１１０Ｒ、副画素１１０Ｇ、副画素１１０Ｂ、及び副画素１１０Ｗのうち少なくとも１つを、シアンの光を呈する副画素、マゼンタの光を呈する副画素、黄色の光を呈する副画素、又は近赤外光を呈する副画素としてもよい。

以上のように、本発明の一態様の表示装置は、発光素子を有する副画素からなる構成の画素について、様々なレイアウトを適用できる。

本実施の形態は、他の実施の形態、又は実施例と適宜組み合わせることができる。また、本明細書において、１つの実施の形態の中に、複数の構成例が示される場合は、構成例を適宜組み合わせることが可能である。

（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について説明する。

本実施の形態の表示装置は、高精細な表示装置とすることができる。したがって、本実施の形態の表示装置は、例えば、腕時計型、及び、ブレスレット型等の情報端末機（ウェアラブル機器）の表示部、並びに、ヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）等のＶＲ向け機器、及び、メガネ型のＡＲ向け機器等の頭部に装着可能なウェアラブル機器の表示部に用いることができる。

また、本実施の形態の表示装置は、高解像度な表示装置又は大型な表示装置とすることができる。したがって、本実施の形態の表示装置は、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型もしくはノート型のパーソナルコンピュータ、コンピュータ用等のモニタ、デジタルサイネージ、及び、パチンコ機等の大型ゲーム機等の比較的大きな画面を備える電子機器の他、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、及び、音響再生装置の表示部に用いることができる。

［表示モジュール］
図１２Ａに、表示モジュール２８０の斜視図を示す。表示モジュール２８０は、表示装置１００Ａと、ＦＰＣ２９０と、を有する。なお、表示モジュール２８０が有する表示装置は表示装置１００Ａに限られず、後述する表示装置１００Ｂおよび表示装置１００Ｃのいずれかであってもよい。

表示モジュール２８０は、基板２９１及び基板２９２を有する。表示モジュール２８０は、表示部２８１を有する。表示部２８１は、表示モジュール２８０における画像を表示する領域であり、後述する画素部２８４に設けられる各画素からの光を視認できる領域である。

図１２Ｂに、基板２９１側の構成を模式的に示した斜視図を示している。基板２９１上には、回路部２８２と、回路部２８２上の画素回路部２８３と、画素回路部２８３上の画素部２８４と、が積層されている。また、基板２９１上の画素部２８４と重ならない部分に、ＦＰＣ２９０と接続するための端子部２８５が設けられている。端子部２８５と回路部２８２とは、複数の配線により構成される配線部２８６により電気的に接続されている。

画素部２８４は、周期的に配列した複数の画素２８４ａを有する。図１２Ｂの右側に、１つの画素２８４ａの拡大図を示している。画素２８４ａには、先の実施の形態で説明した各種構成を適用できる。図１２Ｂでは、画素２８４ａが図２に示す画素１７８と同様の構成を有する場合を例に示す。

画素回路部２８３は、周期的に配列した複数の画素回路２８３ａを有する。

１つの画素回路２８３ａは、１つの画素２８４ａが有する複数の素子の駆動を制御する回路である。１つの画素回路２８３ａは、１つの発光素子の発光を制御する回路が３つ設けられる構成とすることができる。例えば、画素回路２８３ａは、１つの発光素子につき、１つの選択トランジスタと、１つの電流制御用トランジスタ（駆動トランジスタ）と、容量と、を少なくとも有する構成とすることができる。このとき、選択トランジスタのゲートにはゲート信号が、ソース又はドレインにはビデオ信号が、それぞれ入力される。これにより、アクティブマトリクス型の表示装置が実現されている。

回路部２８２は、画素回路部２８３の各画素回路２８３ａを駆動する回路を有する。例えば、ゲート線駆動回路、及び、ソース線駆動回路の一方又は双方を有することが好ましい。このほか、演算回路、メモリ回路、及び電源回路等の少なくとも一つを有していてもよい。

ＦＰＣ２９０は、外部から回路部２８２にビデオ信号又は電源電位等を供給するための配線として機能する。また、ＦＰＣ２９０上にＩＣが実装されていてもよい。

表示モジュール２８０は、画素部２８４の下側に画素回路部２８３及び回路部２８２の一方又は双方が積層された構成とすることができるため、表示部２８１の開口率（有効表示面積比）を極めて高くすることができる。例えば表示部２８１の開口率は、４０％以上１００％未満、好ましくは５０％以上９５％以下、より好ましくは６０％以上９５％以下とすることができる。また、画素２８４ａを極めて高密度に配置することが可能で、表示部２８１の精細度を極めて高くすることができる。例えば、表示部２８１には、２０００ｐｐｉ以上、好ましくは３０００ｐｐｉ以上、より好ましくは５０００ｐｐｉ以上、さらに好ましくは６０００ｐｐｉ以上であって、２００００ｐｐｉ以下、又は３００００ｐｐｉ以下の精細度で、画素２８４ａが配置されることが好ましい。

このような表示モジュール２８０は、極めて高精細であることから、ＨＭＤ等のＶＲ向け機器又はメガネ型のＡＲ向け機器に好適に用いることができる。例えば、レンズを通して表示モジュール２８０の表示部を視認する構成の場合であっても、表示モジュール２８０は極めて高精細な表示部２８１を有するためにレンズで表示部を拡大しても画素が視認されず、没入感の高い表示を行うことができる。また、表示モジュール２８０はこれに限られず、比較的小型の表示部を有する電子機器に好適に用いることができる。例えば腕時計等の装着型の電子機器の表示部に好適に用いることができる。

［表示装置１００Ａ］
図１３Ａに示す表示装置１００Ａは、基板３０１、発光素子１３０Ｒ、発光素子１３０Ｇ、発光素子１３０Ｂ、容量２４０、及び、トランジスタ３１０を有する。

基板３０１は、図１２Ａ及び図１２Ｂにおける基板２９１に相当する。トランジスタ３１０は、基板３０１にチャネル形成領域を有するトランジスタである。基板３０１としては、例えば単結晶シリコン基板等の半導体基板を用いることができる。トランジスタ３１０は、基板３０１の一部、導電層３１１、低抵抗領域３１２、絶縁層３１３、及び、絶縁層３１４を有する。導電層３１１は、ゲート電極として機能する。絶縁層３１３は、基板３０１と導電層３１１の間に位置し、ゲート絶縁層として機能する。低抵抗領域３１２は、基板３０１に不純物がドープされた領域であり、ソース又はドレインとして機能する。絶縁層３１４は、導電層３１１の側面を覆って設けられる。

また、基板３０１に埋め込まれるように、隣接する２つのトランジスタ３１０の間に素子分離層３１５が設けられている。

また、トランジスタ３１０を覆って絶縁層２６１が設けられ、絶縁層２６１上に容量２４０が設けられている。

容量２４０は、導電層２４１と、導電層２４５と、これらの間に位置する絶縁層２４３を有する。導電層２４１は、容量２４０の一方の電極として機能し、導電層２４５は、容量２４０の他方の電極として機能し、絶縁層２４３は、容量２４０の誘電体として機能する。

導電層２４１は絶縁層２６１上に設けられ、絶縁層２５４に埋め込まれている。導電層２４１は、絶縁層２６１に埋め込まれたプラグ２７１によってトランジスタ３１０のソース又はドレインの一方と電気的に接続されている。絶縁層２４３は導電層２４１を覆って設けられる。導電層２４５は、絶縁層２４３を介して導電層２４１と重なる領域に設けられている。

容量２４０を覆って、絶縁層２５５が設けられ、絶縁層２５５上に絶縁層１７４が設けられ、絶縁層１７４上に絶縁層１７５が設けられている。絶縁層１７５上に発光素子１３０Ｒ、発光素子１３０Ｇ、及び、発光素子１３０Ｂが設けられている。図１３Ａでは、発光素子１３０Ｒ、発光素子１３０Ｇ、及び、発光素子１３０Ｂが図５Ａに示す積層構造を有する例を示す。隣り合う発光素子の間の領域には、絶縁物が設けられる。例えば図１３Ａでは、当該領域に無機絶縁層１２５と、無機絶縁層１２５上の絶縁層１２７と、が設けられている。

発光素子１３０Ｒが有する導電層１５１Ｒの側面と重なる領域を有するように絶縁層１５６Ｒが設けられ、発光素子１３０Ｇが有する導電層１５１Ｇの側面と重なる領域を有するように絶縁層１５６Ｇが設けられ、発光素子１３０Ｂが有する導電層１５１Ｂの側面と重なる領域を有するように絶縁層１５６Ｂが設けられる。また、導電層１５１Ｒ及び絶縁層１５６Ｒを覆うように導電層１５２Ｒが設けられ、導電層１５１Ｇ及び絶縁層１５６Ｇを覆うように導電層１５２Ｇが設けられ、導電層１５１Ｂ及び絶縁層１５６Ｂを覆うように導電層１５２Ｂが設けられる。さらに、発光素子１３０Ｒが有する有機化合物層１０３Ｒ上には、犠牲層１５８Ｒが位置し、発光素子１３０Ｇが有する有機化合物層１０３Ｇ上には、犠牲層１５８Ｇが位置し、発光素子１３０Ｂが有する有機化合物層１０３Ｂ上には、犠牲層１５８Ｂが位置する。

導電層１５１Ｒ、導電層１５１Ｇ、及び導電層１５１Ｂは、絶縁層２４３、絶縁層２５５、絶縁層１７４、及び絶縁層１７５に埋め込まれたプラグ２５６、絶縁層２５４に埋め込まれた導電層２４１、及び、絶縁層２６１に埋め込まれたプラグ２７１によってトランジスタ３１０のソース又はドレインの一方と電気的に接続されている。絶縁層１７５の上面の高さと、プラグ２５６の上面の高さは、一致又は概略一致している。プラグには各種導電材料を用いることができる。

また、発光素子１３０Ｒ、発光素子１３０Ｇ、及び、発光素子１３０Ｂ上には保護層１３１が設けられている。保護層１３１上には、樹脂層１２２によって基板１２０が貼り合わされている。発光素子１３０から基板１２０までの構成要素についての詳細は、実施の形態２を参照できる。基板１２０は、図１２Ａにおける基板２９２に相当する。

図１３Ｂは、図１３Ａに示す表示装置１００Ａの変形例である。図１３Ｂに示す表示装置は、着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、及び着色層１３２Ｂを有し、発光素子１３０が着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、及び着色層１３２Ｂのうち一つと重なる領域を有する。図１３Ｂに示す表示装置において、発光素子１３０は、例えば白色光を発することができる。また、例えば着色層１３２Ｒは赤色の光を透過し、着色層１３２Ｇは緑色の光を透過し、着色層１３２Ｂは青色の光を透過できる。

［表示装置１００Ｂ］
図１４に、表示装置１００Ｂの斜視図を示し、図１５Ａに、表示装置１００Ｂの断面図を示す。

表示装置１００Ｂは、基板３５２と基板３５１とが貼り合わされた構成を有する。図１４では、基板３５２を破線で明示している。

表示装置１００Ｂは、画素部１７７、接続部１４０、回路３５６、及び配線３５５等を有する。図１４では表示装置１００ＢにＩＣ３５４及びＦＰＣ３５３が実装されている例を示している。このため、図１４に示す構成は、表示装置１００Ｂと、ＩＣ（集積回路）と、ＦＰＣと、を有する表示モジュールということもできる。ここで、表示装置の基板に、ＦＰＣ等のコネクタが取り付けられたもの、又は当該基板にＩＣが実装されたものを、表示モジュールと呼ぶ。

接続部１４０は、画素部１７７の外側に設けられる。接続部１４０は、画素部１７７の一辺又は複数の辺に沿って設けることができる。接続部１４０は、単数であっても複数であってもよい。図１４では、表示部の四辺を囲むように接続部１４０が設けられている例を示す。接続部１４０では、発光素子の共通電極と、導電層とが電気的に接続されており、共通電極に電位を供給できる。

回路３５６としては、例えば走査線駆動回路を用いることができる。

配線３５５は、画素部１７７及び回路３５６に信号及び電力を供給する機能を有する。当該信号及び電力は、ＦＰＣ３５３を介して外部から、又はＩＣ３５４から配線３５５に入力される。

図１４では、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）方式又はＣＯＦ（Ｃｈｉｐ　ｏｎ　Ｆｉｌｍ）方式等により、基板３５１にＩＣ３５４が設けられている例を示す。ＩＣ３５４は、例えば走査線駆動回路又は信号線駆動回路等を有するＩＣを適用できる。なお、表示装置１００Ｂ及び表示モジュールは、ＩＣを設けない構成としてもよい。また、ＩＣを、例えばＣＯＦ方式により、ＦＰＣに実装してもよい。

図１５Ａに、表示装置１００Ｂの、ＦＰＣ３５３を含む領域の一部、回路３５６の一部、画素部１７７の一部、接続部１４０の一部、及び、端部を含む領域の一部をそれぞれ切断したときの断面の一例を示す。

図１５Ａに示す表示装置１００Ｂは、基板３５１と基板３５２の間に、トランジスタ２０１、トランジスタ２０５、赤色の光を発する発光素子１３０Ｒ、緑色の光を発する発光素子１３０Ｇ、及び、青色の光を発する発光素子１３０Ｂ等を有する。

発光素子１３０Ｒ、発光素子１３０Ｇ、及び発光素子１３０Ｂは、画素電極の構成が異なる点以外は、それぞれ、図５Ａに示す積層構造を有する。発光素子の詳細は実施の形態１および実施の形態２を参照できる。

発光素子１３０Ｒは、導電層２２４Ｒと、導電層２２４Ｒ上の導電層１５１Ｒと、導電層１５１Ｒ上の導電層１５２Ｒと、を有する。発光素子１３０Ｇは、導電層２２４Ｇと、導電層２２４Ｇ上の導電層１５１Ｇと、導電層１５１Ｇ上の導電層１５２Ｇと、を有する。発光素子１３０Ｂは、導電層２２４Ｂと、導電層２２４Ｂ上の導電層１５１Ｂと、導電層１５１Ｂ上の導電層１５２Ｂと、を有する。ここで、導電層２２４Ｒ、導電層１５１Ｒ、及び導電層１５２Ｒの全てをまとめて、発光素子１３０Ｒの画素電極と呼ぶこともでき、導電層２２４Ｒを除いた導電層１５１Ｒ及び導電層１５２Ｒを、発光素子１３０Ｒの画素電極と呼ぶこともできる。同様に、導電層２２４Ｇ、導電層１５１Ｇ、及び導電層１５２Ｇの全てをまとめて、発光素子１３０Ｇの画素電極と呼ぶこともでき、導電層２２４Ｇを除いた導電層１５１Ｇ及び導電層１５２Ｇを、発光素子１３０Ｇの画素電極と呼ぶこともできる。また、導電層２２４Ｂ、導電層１５１Ｂ、及び導電層１５２Ｂの全てをまとめて、発光素子１３０Ｂの画素電極と呼ぶこともでき、導電層２２４Ｂを除いた導電層１５１Ｂ及び導電層１５２Ｂを、発光素子１３０Ｂの画素電極と呼ぶこともできる。

導電層２２４Ｒは、絶縁層２１４に設けられた開口を介して、トランジスタ２０５が有する導電層２２２ｂと接続されている。導電層２２４Ｒの端部よりも外側に導電層１５１Ｒの端部が位置している。導電層１５１Ｒの側面と接する領域を有するように絶縁層１５６Ｒが設けられ、導電層１５１Ｒ及び絶縁層１５６Ｒを覆うように導電層１５２Ｒが設けられる。

発光素子１３０Ｇにおける導電層２２４Ｇ、導電層１５１Ｇ、導電層１５２Ｇ、絶縁層１５６Ｇ、及び発光素子１３０Ｂにおける導電層２２４Ｂ、導電層１５１Ｂ、導電層１５２Ｂ、絶縁層１５６Ｂについては、発光素子１３０Ｒにおける導電層２２４Ｒ、導電層１５１Ｒ、導電層１５２Ｒ、絶縁層１５６Ｒと同様であるため詳細な説明は省略する。

導電層２２４Ｒ、導電層２２４Ｇ、及び導電層２２４Ｂには、絶縁層２１４に設けられた開口を覆うように凹部が形成される。当該凹部には、層１２８が埋め込まれている。

層１２８は、導電層２２４Ｒ、導電層２２４Ｇ、及び導電層２２４Ｂの凹部を埋め、平坦化する機能を有する。導電層２２４Ｒ、導電層２２４Ｇ、及び導電層２２４Ｂ及び層１２８上には、導電層２２４Ｒ、導電層２２４Ｇ、及び導電層２２４Ｂと電気的に接続される導電層１５１Ｒ、導電層１５１Ｇ、及び導電層１５１Ｂが設けられている。したがって、導電層２２４Ｒ、導電層２２４Ｇ、及び導電層２２４Ｂの凹部と重なる領域も発光領域として使用でき、画素の開口率を高めることができる。

層１２８は、絶縁層であってもよく、導電層であってもよい。層１２８には、各種無機絶縁材料、有機絶縁材料、及び導電材料を適宜用いることができる。特に、層１２８は、絶縁材料を用いて形成されることが好ましく、有機絶縁材料を用いて形成されることが特に好ましい。層１２８には、例えば前述の絶縁層１２７に用いることができる有機絶縁材料を適用できる。

発光素子１３０Ｒ、発光素子１３０Ｇ、及び発光素子１３０Ｂ上には保護層１３１が設けられている。保護層１３１と基板３５２は接着層１４２を介して接着されている。基板３５２には、遮光層１５７が設けられている。発光素子１３０の封止には、固体封止構造又は中空封止構造等が適用できる。図１５Ａでは、基板３５２と基板３５１との間の空間が、接着層１４２で充填されており、固体封止構造が適用されている。又は、当該空間を不活性ガス（窒素又はアルゴン等）で充填し、中空封止構造を適用してもよい。このとき、接着層１４２は、発光素子と重ならないように設けられていてもよい。また、当該空間を、枠状に設けられた接着層１４２とは異なる樹脂で充填してもよい。

図１５Ａでは、接続部１４０が、導電層２２４Ｒ、導電層２２４Ｇ、及び導電層２２４Ｂと同一の導電膜を加工して得られた導電層２２４Ｃと、導電層１５１Ｒ、導電層１５１Ｇ、及び導電層１５１Ｂと同一の導電膜を加工して得られた導電層１５１Ｃと、導電層１５２Ｒ、導電層１５２Ｇ、及び導電層１５２Ｂと同一の導電膜を加工して得られた導電層１５２Ｃと、を有する例を示している。また、図１５Ａでは、導電層１５１Ｃの側面と重なる領域を有するように絶縁層１５６Ｃが設けられる例を示している。

表示装置１００Ｂは、トップエミッション型である。発光素子が発する光は、基板３５２側に射出される。基板３５２には、可視光に対する透過性が高い材料を用いることが好ましい。画素電極は可視光を反射する材料を含み、対向電極（共通電極１５５）は可視光を透過する材料を含む。

トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５は、いずれも基板３５１上に形成されている。これらのトランジスタは、同一の材料及び同一の工程により作製できる。

基板３５１上には、絶縁層２１１、絶縁層２１３、絶縁層２１５、及び絶縁層２１４がこの順で設けられている。絶縁層２１１は、その一部が各トランジスタのゲート絶縁層として機能する。絶縁層２１３は、その一部が各トランジスタのゲート絶縁層として機能する。絶縁層２１５は、トランジスタを覆って設けられる。絶縁層２１４は、トランジスタを覆って設けられ、平坦化層としての機能を有する。なお、ゲート絶縁層の数及びトランジスタを覆う絶縁層の数は限定されず、それぞれ単層であっても２層以上であってもよい。

トランジスタを覆う絶縁層の少なくとも一層に、水及び水素等の不純物が拡散しにくい材料を用いることが好ましい。これにより、絶縁層をバリア層として機能させることができる。このような構成とすることで、トランジスタに外部から不純物が拡散することを効果的に抑制でき、表示装置の信頼性を高めることができる。

絶縁層２１１、絶縁層２１３、及び絶縁層２１５としては、それぞれ、無機絶縁膜を用いることが好ましい。無機絶縁膜としては、例えば、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、又は窒化アルミニウム膜等を用いることができる。また、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム膜、及び酸化ネオジム膜等を用いてもよい。また、上述の絶縁膜を２以上積層して用いてもよい。

平坦化層として機能する絶縁層２１４には、有機絶縁層が好適である。有機絶縁層に用いることができる材料としては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれら樹脂の前駆体等が挙げられる。また、絶縁層２１４を、有機絶縁層と、無機絶縁層との積層構造にしてもよい。絶縁層２１４の最表層は、エッチング保護層としての機能を有することが好ましい。これにより、導電層２２４Ｒ、導電層１５１Ｒ、又は導電層１５２Ｒ等の加工時に、絶縁層２１４に凹部が形成されることを抑制できる。又は、絶縁層２１４には、導電層２２４Ｒ、導電層１５１Ｒ、又は導電層１５２Ｒ等の加工時に、凹部が設けられてもよい。

トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５は、ゲートとして機能する導電層２２１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１１、ソース及びドレインとして機能する導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂ、半導体層２３１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１３、並びに、ゲートとして機能する導電層２２３を有する。ここでは、同一の導電膜を加工して得られる複数の層に、同じハッチングパターンを付している。絶縁層２１１は、導電層２２１と半導体層２３１との間に位置する。絶縁層２１３は、導電層２２３と半導体層２３１との間に位置する。

本実施の形態の表示装置が有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、プレーナ型のトランジスタ、スタガ型のトランジスタ、又は逆スタガ型のトランジスタ等を用いることができる。また、トップゲート型又はボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。又は、チャネルが形成される半導体層の上下にゲートが設けられていてもよい。

トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５には、チャネルが形成される半導体層を２つのゲートで挟持する構成が適用されている。２つのゲートを接続し、これらに同一の信号を供給することによりトランジスタを駆動してもよい。又は、２つのゲートのうち、一方に閾値電圧を制御するための電位を与え、他方に駆動のための電位を与えることで、トランジスタの閾値電圧を制御してもよい。

トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、又は一部に結晶領域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。

トランジスタの半導体層は、金属酸化物を有することが好ましい。つまり、本実施の形態の表示装置は、金属酸化物をチャネル形成領域に用いたトランジスタ（以下、ＯＳトランジスタ）を用いることが好ましい。

結晶性を有する酸化物半導体としては、ＣＡＡＣ（ｃ−ａｘｉｓ−ａｌｉｇｎｅｄ　ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）−ＯＳ、又はｎｃ（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）−ＯＳ等が挙げられる。

又は、シリコンをチャネル形成領域に用いたトランジスタ（Ｓｉトランジスタ）を用いてもよい。シリコンとしては、単結晶シリコン、多結晶シリコン、又は非晶質シリコン等が挙げられる。特に、半導体層に低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ（Ｌｏｗ　Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｐｏｌｙ　Ｓｉｌｉｃｏｎ））を有するトランジスタ（以下、ＬＴＰＳトランジスタともいう）を用いることができる。ＬＴＰＳトランジスタは、電界効果移動度が高く、周波数特性が良好である。

ＬＴＰＳトランジスタ等のＳｉトランジスタを適用することで、高周波数で駆動する必要のある回路（例えばソースドライバ回路）を表示部と同一基板上に作り込むことができる。これにより、表示装置に実装される外部回路を簡略化でき、部品コスト及び実装コストを削減できる。

ＯＳトランジスタは、非晶質シリコンを用いたトランジスタと比較して電界効果移動度が極めて高い。また、ＯＳトランジスタは、オフ状態におけるソース−ドレイン間のリーク電流（以下、オフ電流ともいう）が著しく小さく、当該トランジスタと直列に接続された容量に蓄積した電荷を長期間に亘って保持することが可能である。また、ＯＳトランジスタを適用することで、表示装置の消費電力を低減できる。

また、画素回路に含まれる発光素子の発光輝度を高くする場合、発光素子に流す電流量を大きくする必要がある。このためには、画素回路に含まれている駆動トランジスタのソース−ドレイン間電圧を高くする必要がある。ＯＳトランジスタは、Ｓｉトランジスタと比較して、ソース−ドレイン間において耐圧が高いため、ＯＳトランジスタのソース−ドレイン間には高い電圧を印加できる。したがって、画素回路に含まれる駆動トランジスタをＯＳトランジスタとすることで、発光素子に流れる電流量を大きくし、発光素子の発光輝度を高くすることができる。

また、トランジスタが飽和領域で動作する場合において、ＯＳトランジスタは、Ｓｉトランジスタよりも、ゲート−ソース間電圧の変化に対して、ソース−ドレイン間電流の変化を小さくすることができる。このため、画素回路に含まれる駆動トランジスタとしてＯＳトランジスタを適用することによって、ゲート−ソース間電圧の変化によって、ソース−ドレイン間に流れる電流を細かく定めることができるため、発光素子に流れる電流量を制御できる。このため、画素回路における階調を大きくすることができる。

また、トランジスタが飽和領域で動作するときに流れる電流の飽和特性において、ＯＳトランジスタは、ソース−ドレイン間電圧が徐々に高くなった場合においても、Ｓｉトランジスタよりも安定した電流（飽和電流）を流すことができる。このため、ＯＳトランジスタを駆動トランジスタとして用いることで、例えば、発光素子の電流−電圧特性にばらつきが生じた場合においても、発光素子に安定した電流を流すことができる。つまり、ＯＳトランジスタは、飽和領域で動作する場合において、ソース−ドレイン間電圧を高くしても、ソース−ドレイン間電流がほぼ変化しないため、発光素子の発光輝度を安定させることができる。

上記のとおり、画素回路に含まれる駆動トランジスタにＯＳトランジスタを用いることで、「黒浮きの抑制」、「発光輝度の上昇」、「多階調化」、及び「発光素子のばらつきの抑制」等を図ることができる。

半導体層は、例えば、インジウムと、Ｍ（Ｍは、ガリウム、アルミニウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、スズ、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、及びマグネシウムから選ばれた一種又は複数種）と、亜鉛と、を有することが好ましい。特に、Ｍは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、及びスズから選ばれた一種又は複数種であることが好ましい。

特に、半導体層として、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物（ＩＧＺＯとも記す）を用いることが好ましい。又は、インジウム、スズ、及び亜鉛を含む酸化物を用いることが好ましい。又は、インジウム、ガリウム、スズ、及び亜鉛を含む酸化物を用いることが好ましい。又は、インジウム（Ｉｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物（ＩＡＺＯとも記す）を用いることが好ましい。又は、インジウム（Ｉｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物（ＩＡＧＺＯとも記す）を用いることが好ましい。

半導体層がＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の場合、当該Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物におけるＩｎの原子数比はＭの原子数比以上であることが好ましい。このようなＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の金属元素の原子数比として、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１．２又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝２：１：３又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝３：１：２又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：３又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：４．１又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：３又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：６又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：７又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：８又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝６：１：６又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：２：５又はその近傍の組成、等が挙げられる。なお、近傍の組成とは、所望の原子数比の±３０％の範囲を含む。

例えば、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：３又はその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎの原子数比を４としたとき、Ｇａの原子数比が１以上３以下であり、Ｚｎの原子数比が２以上４以下である場合を含む。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝５：１：６又はその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎの原子数比を５としたときに、Ｇａの原子数比が０．１より大きく２以下であり、Ｚｎの原子数比が５以上７以下である場合を含む。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１又はその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎの原子数比を１としたときに、Ｇａの原子数比が０．１より大きく２以下であり、Ｚｎの原子数比が０．１より大きく２以下である場合を含む。

回路３５６が有するトランジスタと、画素部１７７が有するトランジスタは、同じ構造であってもよく、異なる構造であってもよい。回路３５６が有する複数のトランジスタの構造は、全て同じであってもよく、２種類以上あってもよい。同様に、画素部１７７が有する複数のトランジスタの構造は、全て同じであってもよく、２種類以上あってもよい。

画素部１７７が有するトランジスタの全てをＯＳトランジスタとしてもよく、画素部１７７が有するトランジスタの全てをＳｉトランジスタとしてもよく、画素部１７７が有するトランジスタの一部をＯＳトランジスタとし、残りをＳｉトランジスタとしてもよい。

例えば、画素部１７７にＬＴＰＳトランジスタとＯＳトランジスタとの双方を用いることで、消費電力が低く、駆動能力の高い表示装置を実現できる。また、ＬＴＰＳトランジスタと、ＯＳトランジスタとを、組み合わせる構成をＬＴＰＯと呼称する場合がある。なお、例えば配線の導通、非導通を制御するためのスイッチとして機能するトランジスタにＯＳトランジスタを適用し、電流を制御するトランジスタにＬＴＰＳトランジスタを適用することが好ましい。

例えば、画素部１７７が有するトランジスタの一は、発光素子に流れる電流を制御するためのトランジスタとして機能し、駆動トランジスタと呼ぶことができる。駆動トランジスタのソース及びドレインの一方は、発光素子の画素電極と電気的に接続される。当該駆動トランジスタには、ＬＴＰＳトランジスタを用いることが好ましい。これにより、画素回路において発光素子に流れる電流を大きくできる。

一方、画素部１７７が有するトランジスタの他の一は、画素の選択、非選択を制御するためのスイッチとして機能し、選択トランジスタとも呼ぶことができる。選択トランジスタのゲートはゲート線と電気的に接続され、ソース及びドレインの一方は、ソース線（信号線）と電気的に接続される。選択トランジスタには、ＯＳトランジスタを適用することが好ましい。これにより、フレーム周波数を著しく小さく（例えば１ｆｐｓ以下）しても、画素の階調を維持できるため、静止画を表示する際にドライバを停止することで、消費電力を低減できる。

このように本発明の一態様の表示装置は、高い開口率と、高い精細度と、高い表示品位と、低い消費電力と、を兼ね備えることができる。

なお、本発明の一態様の表示装置は、ＯＳトランジスタを有し、且つＭＭＬ（メタルマスクレス）構造の発光素子を有する構成である。当該構成とすることで、トランジスタに流れうるリーク電流、及び隣接する発光素子間に流れうるリーク電流（横方向リーク電流、横リーク電流、又はラテラルリーク電流と呼称する場合がある）を、極めて低くすることができる。また、上記構成とすることで、表示装置に画像を表示した場合に、観察者が画像のきれ、画像のするどさ、高い彩度、及び高いコントラスト比のいずれか一又は複数を観測できる。なお、トランジスタに流れうるリーク電流、及び発光素子間の横リーク電流が極めて低い構成とすることで、黒表示時に生じうる光漏れ（いわゆる黒浮き）等が限りなく少ない表示とすることができる。

特に、ＭＭＬ構造の発光素子の中でも、先に示すＳＢＳ（Ｓｉｄｅ　Ｂｙ　Ｓｉｄｅ）構造を適用することで、発光素子の間に設けられる層（例えば、発光素子の間で共通して用いる有機層、共通層ともいう）が分断された構成となるため、リーク電流をなくす、又はリーク電流を極めて少なくすることができる。

図１５Ｂ及び図１５Ｃに、トランジスタの他の構成例を示す。

トランジスタ２０９及びトランジスタ２１０は、ゲートとして機能する導電層２２１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１１、チャネル形成領域２３１ｉ及び一対の低抵抗領域２３１ｎを有する半導体層２３１、一対の低抵抗領域２３１ｎの一方と接続する導電層２２２ａ、一対の低抵抗領域２３１ｎの他方と接続する導電層２２２ｂ、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２２５、ゲートとして機能する導電層２２３、並びに、導電層２２３を覆う絶縁層２１５を有する。絶縁層２１１は、導電層２２１とチャネル形成領域２３１ｉとの間に位置する。絶縁層２２５は、少なくとも導電層２２３とチャネル形成領域２３１ｉとの間に位置する。さらに、トランジスタを覆う絶縁層２１８を設けてもよい。

図１５Ｂに示すトランジスタ２０９では、絶縁層２２５が半導体層２３１の上面及び側面を覆う例を示す。導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂは、それぞれ、絶縁層２２５及び絶縁層２１５に設けられた開口を介して低抵抗領域２３１ｎと接続される。導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂのうち、一方はソースとして機能し、他方はドレインとして機能する。

一方、図１５Ｃに示すトランジスタ２１０では、絶縁層２２５は、半導体層２３１のチャネル形成領域２３１ｉと重なり、低抵抗領域２３１ｎとは重ならない。例えば、導電層２２３をマスクとして絶縁層２２５を加工することで、図１５Ｃに示す構造を作製できる。図１５Ｃでは、絶縁層２２５及び導電層２２３を覆って絶縁層２１５が設けられ、絶縁層２１５の開口を介して、導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂがそれぞれ低抵抗領域２３１ｎと接続されている。

基板３５１の、基板３５２が重ならない領域には、接続部２０４が設けられている。接続部２０４では、トランジスタ２０１のソース電極またはドレイン電極が導電層１６６及び接続層２４２を介してＦＰＣ３５３と電気的に接続されている。導電層１６６は、導電層２２４Ｒ、導電層２２４Ｇ、及び導電層２２４Ｂと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、導電層１５１Ｒ、導電層１５１Ｇ、及び導電層１５１Ｂと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、導電層１５２Ｒ、導電層１５２Ｇ、及び導電層１５２Ｂと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、の積層構造である例を示す。接続部２０４の上面では、導電層１６６が露出している。これにより、接続部２０４とＦＰＣ３５３とを接続層２４２を介して電気的に接続できる。

基板３５２の基板３５１側の面には、遮光層１５７を設けることが好ましい。遮光層１５７は、隣り合う発光素子の間、接続部１４０、及び、回路３５６等に設けることができる。また、基板３５２の外側には各種光学部材を配置できる。

基板３５１及び基板３５２としては、それぞれ、基板１２０に用いることができる材料を適用できる。

接着層１４２としては、樹脂層１２２に用いることができる材料を適用できる。

接続層２４２としては、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｆｉｌｍ）、又は異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｐａｓｔｅ）等を用いることができる。

［表示装置１００Ｃ］
図１６に示す表示装置１００Ｃは、ボトムエミッション型の表示装置である点で、図１５に示す表示装置１００Ｂと主に相違する。

発光素子が発する光は、基板３５１側に射出される。基板３５１には、可視光に対する透過性が高い材料を用いることが好ましい。一方、基板３５２に用いる材料の透光性は問わない。

基板３５１とトランジスタ２０１との間、基板３５１とトランジスタ２０５との間には、遮光層３５７を形成することが好ましい。図１６では、基板３５１上に遮光層３５７が設けられ、遮光層３５７上に絶縁層１５３が設けられ、絶縁層１５３上にトランジスタ２０１、２０５などが設けられている例を示す。

発光素子１３０Ｒは、導電層２２４Ｒと、導電層２２４Ｒ上の導電層１２６Ｒと、導電層１２６Ｒ上の導電層１２９Ｒと、を有する。

発光素子１３０Ｂは、導電層２２４Ｂと、導電層２２４Ｂ上の導電層１２６Ｂと、導電層１２６Ｂ上の導電層１２９Ｂと、を有する。

導電層２２４Ｒ、２２４Ｂ、１２６Ｒ、１２６Ｂ、１２９Ｒ、１２９Ｂには、それぞれ、可視光に対する透過性が高い材料を用いる。共通電極１５５には可視光を反射する材料を用いることが好ましい。

なお、図１６では、発光素子１３０Ｇを図示していないが、発光素子１３０Ｇも設けられている。

また、図１６などでは、層１２８の上面が平坦部を有する例を示すが、層１２８の形状は、特に限定されない。

［表示装置１００Ｄ］
図１７Ａに示す表示装置１００Ｄは、図１５Ａに示す表示装置１００Ｂの変形例であり、着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、及び着色層１３２Ｂを有する点で、表示装置１００Ｂと主に相違する。

表示装置１００Ｄにおいて、発光素子１３０は、着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、及び着色層１３２Ｂのうち一つと重なる領域を有する。着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、及び着色層１３２Ｂは、基板３５２の基板３５１側の面に設けることができる。着色層１３２Ｒの端部、着色層１３２Ｇの端部、及び着色層１３２Ｂの端部は、遮光層１５７と重ねることができる。

表示装置１００Ｄにおいて、発光素子１３０は、例えば白色光を発することができる。また、例えば着色層１３２Ｒは赤色の光を透過し、着色層１３２Ｇは緑色の光を透過し、着色層１３２Ｂは青色の光を透過できる。なお、表示装置１００Ｄは、保護層１３１と接着層１４２の間に着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、及び着色層１３２Ｂを設ける構成としてもよい。

図１５Ａ及び図１７Ａ等では、層１２８の上面が平坦部を有する例を示すが、層１２８の形状は、特に限定されない。図１７Ｂ乃至図１７Ｄに、層１２８の変形例を示す。

図１７Ｂ及び図１７Ｄに示すように、層１２８の上面は、断面視において、中央及びその近傍が窪んだ形状、つまり、凹曲面を有する形状を有する構成とすることができる。

また、図１７Ｃに示すように、層１２８の上面は、断面視において、中央及びその近傍が膨らんだ形状、つまり、凸曲面を有する形状を有する構成とすることができる。

また、層１２８の上面は、凸曲面及び凹曲面の一方又は双方を有していてもよい。また、層１２８の上面が有する凸曲面及び凹曲面の数はそれぞれ限定されず、一つ又は複数とすることができる。

また、層１２８の上面の高さと、導電層２２４Ｒの上面の高さと、は、一致又は概略一致していてもよく、互いに異なっていてもよい。例えば、層１２８の上面の高さは、導電層２２４Ｒの上面の高さより低くてもよく、高くてもよい。

また、図１７Ｂは、導電層２２４Ｒに形成された凹部の内部に層１２８が収まっている例ともいえる。一方、図１７Ｄのように、導電層２２４Ｒに形成された凹部の外側に層１２８が存在する、つまり、当該凹部よりも層１２８の上面の幅が広がって形成されていてもよい。

本実施の形態は、他の実施の形態、又は実施例と適宜組み合わせることができる。また、本明細書において、１つの実施の形態の中に、複数の構成例が示される場合は、構成例を適宜組み合わせることが可能である。

（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器について説明する。

本実施の形態の電子機器は、表示部に本発明の一態様の表示装置を有する。本発明の一態様の表示装置は信頼性が高く、また高精細化及び高解像度化が容易である。したがって、様々な電子機器の表示部に用いることができる。

電子機器としては、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型もしくはノート型のパーソナルコンピュータ、コンピュータ用等のモニタ、デジタルサイネージ、パチンコ機等の大型ゲーム機等の比較的大きな画面を備える電子機器の他、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、等が挙げられる。

特に、本発明の一態様の表示装置は、精細度を高めることが可能なため、比較的小さな表示部を有する電子機器に好適に用いることができる。このような電子機器としては、例えば、腕時計型及びブレスレット型の情報端末機（ウェアラブル機器）、並びに、ヘッドマウントディスプレイ等のＶＲ向け機器、メガネ型のＡＲ向け機器、及び、ＭＲ向け機器等、頭部に装着可能なウェアラブル機器等が挙げられる。

本発明の一態様の表示装置は、ＨＤ（画素数１２８０×７２０）、ＦＨＤ（画素数１９２０×１０８０）、ＷＱＨＤ（画素数２５６０×１４４０）、ＷＱＸＧＡ（画素数２５６０×１６００）、４Ｋ（画素数３８４０×２１６０）、８Ｋ（画素数７６８０×４３２０）といった極めて高い解像度を有していることが好ましい。特に４Ｋ、８Ｋ、又はそれ以上の解像度とすることが好ましい。また、本発明の一態様の表示装置における画素密度（精細度）は、１００ｐｐｉ以上が好ましく、３００ｐｐｉ以上が好ましく、５００ｐｐｉ以上がより好ましく、１０００ｐｐｉ以上がより好ましく、２０００ｐｐｉ以上がより好ましく、３０００ｐｐｉ以上がより好ましく、５０００ｐｐｉ以上がより好ましく、７０００ｐｐｉ以上がさらに好ましい。このように高い解像度及び高い精細度の一方又は双方を有する表示装置を用いることで、携帯型又は家庭用途等のパーソナルユースの電子機器において、臨場感及び奥行き感等をより高めることが可能となる。また、本発明の一態様の表示装置の画面比率（アスペクト比）については、特に限定はない。例えば、表示装置は、１：１（正方形）、４：３、１６：９、及び１６：１０等様々な画面比率に対応できる。

本実施の形態の電子機器は、センサ（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）を有していてもよい。

本実施の形態の電子機器は、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像等）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付又は時刻等を表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）を実行する機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出す機能等を有することができる。

図１８Ａ乃至図１８Ｄを用いて、頭部に装着可能なウェアラブル機器の一例を説明する。これらウェアラブル機器は、ＡＲのコンテンツを表示する機能、ＶＲのコンテンツを表示する機能、ＳＲのコンテンツを表示する機能、ＭＲのコンテンツを表示する機能のうち少なくとも一つを有する。電子機器が、ＡＲ、ＶＲ、ＳＲ、及びＭＲ等の少なくとも一つのコンテンツを表示する機能を有することで、使用者の没入感を高めることが可能となる。

図１８Ａに示す電子機器７００Ａ、及び、図１８Ｂに示す電子機器７００Ｂは、それぞれ、一対の表示パネル７５１と、一対の筐体７２１と、通信部（図示しない）と、一対の装着部７２３と、制御部（図示しない）と、撮像部（図示しない）と、一対の光学部材７５３と、フレーム７５７と、一対の鼻パッド７５８と、を有する。

表示パネル７５１には、本発明の一態様の表示装置を適用できる。したがって信頼性が高い電子機器とすることができる。

電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂは、それぞれ、光学部材７５３の表示領域７５６に、表示パネル７５１で表示した画像を投影できる。光学部材７５３は透光性を有するため、使用者は光学部材７５３を通して視認される透過像に重ねて、表示領域に表示された画像を見ることができる。したがって、電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂは、それぞれ、ＡＲ表示が可能な電子機器である。

電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂには、撮像部として、前方を撮像することのできるカメラが設けられていてもよい。また、電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂは、それぞれ、ジャイロセンサ等の加速度センサを備えることで、使用者の頭部の向きを検知して、その向きに応じた画像を表示領域７５６に表示することもできる。

通信部は無線通信機を有し、当該無線通信機により例えば映像信号を供給できる。なお、無線通信機に代えて、又は無線通信機に加えて、映像信号及び電源電位が供給されるケーブルを接続可能なコネクタを備えていてもよい。

また、電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂには、バッテリが設けられており、無線及び有線の一方又は双方によって充電できる。

筐体７２１には、タッチセンサモジュールが設けられていてもよい。タッチセンサモジュールは、筐体７２１の外側の面がタッチされることを検出する機能を有する。タッチセンサモジュールにより、使用者のタップ操作又はスライド操作等を検出し、様々な処理を実行できる。例えば、タップ操作によって動画の一時停止又は再開等の処理を実行することが可能となり、スライド操作により、早送り又は早戻しの処理を実行すること等が可能となる。また、２つの筐体７２１のそれぞれにタッチセンサモジュールを設けることで、操作の幅を広げることができる。

タッチセンサモジュールとしては、様々なタッチセンサを適用できる。例えば、静電容量方式、抵抗膜方式、赤外線方式、電磁誘導方式、表面弾性波方式、又は光学方式等、種々の方式を採用できる。特に、静電容量方式又は光学方式のセンサを、タッチセンサモジュールに適用することが好ましい。

光学方式のタッチセンサを用いる場合には、受光素子として、光電変換デバイス（光電変換素子ともいう）を用いることができる。光電変換デバイスの活性層には、無機半導体及び有機半導体の一方又は双方を用いることができる。

図１８Ｃに示す電子機器８００Ａ、及び、図１８Ｄに示す電子機器８００Ｂは、それぞれ、一対の表示部８２０と、筐体８２１と、通信部８２２と、一対の装着部８２３と、制御部８２４と、一対の撮像部８２５と、一対のレンズ８３２と、を有する。

表示部８２０には、本発明の一態様の表示装置を適用できる。したがって信頼性が高い電子機器とすることができる。

表示部８２０は、筐体８２１の内部の、レンズ８３２を通して視認できる位置に設けられる。また、一対の表示部８２０に異なる画像を表示させることで、視差を用いた３次元表示を行うこともできる。

電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂは、それぞれ、ＶＲ向けの電子機器ということができる。電子機器８００Ａ又は電子機器８００Ｂを装着した使用者は、レンズ８３２を通して、表示部８２０に表示される画像を視認できる。

電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂは、それぞれ、レンズ８３２及び表示部８２０が、使用者の目の位置に応じて最適な位置となるように、これらの左右の位置を調整可能な機構を有していることが好ましい。また、レンズ８３２と表示部８２０との距離を変えることで、ピントを調整する機構を有していることが好ましい。

装着部８２３により、使用者は電子機器８００Ａ又は電子機器８００Ｂを頭部に装着できる。なお、例えば図１８Ｃにおいては、メガネのつる（ジョイント、又はテンプル等ともいう）のような形状として例示しているがこれに限定されない。装着部８２３は、使用者が装着できればよく、例えば、ヘルメット型又はバンド型の形状としてもよい。

撮像部８２５は、外部の情報を取得する機能を有する。撮像部８２５が取得したデータは、表示部８２０に出力できる。撮像部８２５には、イメージセンサを用いることができる。また、望遠、及び広角等の複数の画角に対応可能なように複数のカメラを設けてもよい。

なお、ここでは撮像部８２５を有する例を示したが、対象物の距離を測定することのできる測距センサ（以下、検知部ともよぶ）を設ければよい。すなわち、撮像部８２５は、検知部の一態様である。検知部としては、例えばイメージセンサ、又は、ライダー（ＬＩＤＡＲ：Ｌｉｇｈｔ　Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ　ａｎｄ　Ｒａｎｇｉｎｇ）等の距離画像センサを用いることができる。カメラによって得られた画像と、距離画像センサによって得られた画像とを用いることにより、より多くの情報を取得し、より高精度なジェスチャー操作を可能とすることができる。

電子機器８００Ａは、骨伝導イヤフォンとして機能する振動機構を有していてもよい。例えば、表示部８２０、筐体８２１、及び装着部８２３のいずれか一又は複数に、当該振動機構を有する構成を適用できる。これにより、別途、ヘッドフォン、イヤフォン、又はスピーカ等の音響機器を必要とせず、電子機器８００Ａを装着しただけで映像と音声を楽しむことができる。

電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂは、それぞれ、入力端子を有していてもよい。入力端子には映像出力機器等からの映像信号、及び、電子機器内に設けられるバッテリを充電するための電力等を供給するケーブルを接続できる。

本発明の一態様の電子機器は、イヤフォン７５０と無線通信を行う機能を有していてもよい。イヤフォン７５０は、通信部（図示しない）を有し、無線通信機能を有する。イヤフォン７５０は、無線通信機能により、電子機器から情報（例えば音声データ）を受信できる。例えば、図１８Ａに示す電子機器７００Ａは、無線通信機能によって、イヤフォン７５０に情報を送信する機能を有する。また、例えば、図１８Ｃに示す電子機器８００Ａは、無線通信機能によって、イヤフォン７５０に情報を送信する機能を有する。

また、電子機器がイヤフォン部を有していてもよい。図１８Ｂに示す電子機器７００Ｂは、イヤフォン部７２７を有する。例えば、イヤフォン部７２７と制御部とは、互いに有線接続されている構成とすることができる。イヤフォン部７２７と制御部とをつなぐ配線の一部は、筐体７２１又は装着部７２３の内部に配置されていてもよい。

同様に、図１８Ｄに示す電子機器８００Ｂは、イヤフォン部８２７を有する。例えば、イヤフォン部８２７と制御部８２４とは、互いに有線接続されている構成とすることができる。イヤフォン部８２７と制御部８２４とをつなぐ配線の一部は、筐体８２１又は装着部８２３の内部に配置されていてもよい。また、イヤフォン部８２７と装着部８２３とがマグネットを有していてもよい。これにより、イヤフォン部８２７を装着部８２３に磁力によって固定でき、収納が容易となり好ましい。

なお、電子機器は、イヤフォン又はヘッドフォン等を接続できる音声出力端子を有していてもよい。また、電子機器は、音声入力端子及び音声入力機構の一方又は双方を有していてもよい。音声入力機構としては、例えば、マイク等の集音装置を用いることができる。電子機器が音声入力機構を有することで、電子機器に、いわゆるヘッドセットとしての機能を付与してもよい。

このように、本発明の一態様の電子機器としては、メガネ型（電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂ等）と、ゴーグル型（電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂ等）と、のどちらも好適である。

また、本発明の一態様の電子機器は、有線又は無線によって、イヤフォンに情報を送信できる。

図１９Ａに示す電子機器６５００は、スマートフォンとして用いることのできる携帯情報端末機である。

電子機器６５００は、筐体６５０１、表示部６５０２、電源ボタン６５０３、ボタン６５０４、スピーカ６５０５、マイク６５０６、カメラ６５０７、及び光源６５０８等を有する。表示部６５０２はタッチパネル機能を備える。

表示部６５０２に、本発明の一態様の表示装置を適用できる。したがって信頼性が高い電子機器とすることができる。

図１９Ｂは、筐体６５０１のマイク６５０６側の端部を含む断面概略図である。

筐体６５０１の表示面側には透光性を有する保護部材６５１０が設けられ、筐体６５０１と保護部材６５１０に囲まれた空間内に、表示パネル６５１１、光学部材６５１２、タッチセンサパネル６５１３、プリント基板６５１７、及びバッテリ６５１８等が配置されている。

保護部材６５１０には、表示パネル６５１１、光学部材６５１２、及びタッチセンサパネル６５１３が接着層（図示しない）により固定されている。

表示部６５０２よりも外側の領域において、表示パネル６５１１の一部が折り返されており、当該折り返された部分にＦＰＣ６５１５が接続されている。ＦＰＣ６５１５には、ＩＣ６５１６が実装されている。ＦＰＣ６５１５は、プリント基板６５１７に設けられた端子に接続されている。

表示パネル６５１１には本発明の一態様の表示装置を適用できる。このため、極めて軽量な電子機器を実現できる。また、表示パネル６５１１が極めて薄いため、電子機器の厚さを抑えつつ、大容量のバッテリ６５１８を搭載することもできる。また、表示パネル６５１１の一部を折り返して、画素部の裏側にＦＰＣ６５１５との接続部を配置することにより、狭額縁の電子機器を実現できる。

図１９Ｃにテレビジョン装置の一例を示す。テレビジョン装置７１００は、筐体７１７１に表示部７０００が組み込まれている。ここでは、スタンド７１７３により筐体７１７１を支持した構成を示している。

表示部７０００に、本発明の一態様の表示装置を適用できる。したがって信頼性が高い電子機器とすることができる。

図１９Ｃに示すテレビジョン装置７１００の操作は、筐体７１７１が備える操作スイッチ、及び、別体のリモコン操作機７１５１により行うことができる。又は、表示部７０００にタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部７０００に触れることでテレビジョン装置７１００を操作してもよい。リモコン操作機７１５１は、当該リモコン操作機７１５１から出力する情報を表示する表示部を有していてもよい。リモコン操作機７１５１が備える操作キー又はタッチパネルにより、チャンネル及び音量の操作を行うことができ、表示部７０００に表示される映像を操作できる。

なお、テレビジョン装置７１００は、受信機及びモデム等を備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができる。また、モデムを介して有線又は無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）又は双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者同士等）の情報通信を行うことも可能である。

図１９Ｄに、ノート型パーソナルコンピュータの一例を示す。ノート型パーソナルコンピュータ７２００は、筐体７２１１、キーボード７２１２、ポインティングデバイス７２１３、及び外部接続ポート７２１４等を有する。筐体７２１１に、表示部７０００が組み込まれている。

表示部７０００に、本発明の一態様の表示装置を適用できる。したがって信頼性が高い電子機器とすることができる。

図１９Ｅ及び図１９Ｆに、デジタルサイネージの一例を示す。

図１９Ｅに示すデジタルサイネージ７３００は、筐体７３０１、表示部７０００、及びスピーカ７３０３等を有する。さらに、ＬＥＤランプ、操作キー（電源スイッチ、又は操作スイッチを含む）、接続端子、各種センサ、マイクロフォン等を有することができる。

図１９Ｆは円柱状の柱７４０１に取り付けられたデジタルサイネージ７４００である。デジタルサイネージ７４００は、柱７４０１の曲面に沿って設けられた表示部７０００を有する。

図１９Ｅ及び図１９Ｆにおいて、表示部７０００に、本発明の一態様の表示装置を適用できる。したがって信頼性が高い電子機器とすることができる。

表示部７０００が広いほど、一度に提供できる情報量を増やすことができる。また、表示部７０００が広いほど、人の目につきやすく、例えば、広告の宣伝効果を高めることができる。

表示部７０００にタッチパネルを適用することで、表示部７０００に画像又は動画を表示するだけでなく、使用者が直感的に操作でき、好ましい。また、路線情報もしくは交通情報等の情報を提供するための用途に用いる場合には、直感的な操作によりユーザビリティを高めることができる。

また、図１９Ｅ及び図１９Ｆに示すように、デジタルサイネージ７３００又はデジタルサイネージ７４００は、使用者が所持するスマートフォン等の情報端末機７３１１又は情報端末機７４１１と無線通信により連携可能であることが好ましい。例えば、表示部７０００に表示される広告の情報を、情報端末機７３１１又は情報端末機７４１１の画面に表示させることができる。また、情報端末機７３１１又は情報端末機７４１１を操作することで、表示部７０００の表示を切り替えることができる。

また、デジタルサイネージ７３００又はデジタルサイネージ７４００に、情報端末機７３１１又は情報端末機７４１１の画面を操作手段（コントローラ）としたゲームを実行させることもできる。これにより、不特定多数の使用者が同時にゲームに参加し、楽しむことができる。

図２０Ａ乃至図２０Ｇに示す電子機器は、筐体９０００、表示部９００１、スピーカ９００３、操作キー９００５（電源スイッチ、又は操作スイッチを含む）、接続端子９００６、センサ９００７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン９００８、等を有する。

図２０Ａ乃至図２０Ｇに示す電子機器は、様々な機能を有する。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像等）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付又は時刻等を表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して処理する機能、等を有することができる。なお、電子機器の機能はこれらに限られず、様々な機能を有することができる。電子機器は、複数の表示部を有していてもよい。また、電子機器にカメラ等を設け、静止画又は動画を撮影し、記録媒体（外部又はカメラに内蔵）に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能、等を有していてもよい。

図２０Ａ乃至図２０Ｇに示す電子機器の詳細について、以下説明を行う。

図２０Ａは、携帯情報端末９１７１を示す斜視図である。携帯情報端末９１７１は、例えばスマートフォンとして用いることができる。なお、携帯情報端末９１７１は、スピーカ９００３、接続端子９００６、又はセンサ９００７等を設けてもよい。また、携帯情報端末９１７１は、文字及び画像情報をその複数の面に表示できる。図２０Ａでは３つのアイコン９０５０を表示した例を示している。また、破線の矩形で示す情報９０５１を表示部９００１の他の面に表示することもできる。情報９０５１の一例としては、電子メール、ＳＮＳ、電話等の着信の通知、電子メール又はＳＮＳ等の題名、送信者名、日時、時刻、バッテリの残量、電波強度等がある。又は、情報９０５１が表示されている位置にはアイコン９０５０等を表示してもよい。

図２０Ｂは、携帯情報端末９１７２を示す斜視図である。携帯情報端末９１７２は、表示部９００１の３面以上に情報を表示する機能を有する。ここでは、情報９０５２、情報９０５３、情報９０５４がそれぞれ異なる面に表示されている例を示す。例えば使用者は、洋服の胸ポケットに携帯情報端末９１７２を収納した状態で、携帯情報端末９１７２の上方から観察できる位置に表示された情報９０５３を確認することもできる。使用者は、携帯情報端末９１７２をポケットから取り出すことなく表示を確認し、例えば電話を受けるか否かを判断できる。

図２０Ｃは、タブレット端末９１７３を示す斜視図である。タブレット端末９１７３は、一例として、移動電話、電子メール、文章閲覧及び作成、音楽再生、インターネット通信、コンピュータゲーム等の種々のアプリケーションの実行が可能である。タブレット端末９１７３は、筐体９０００の正面に表示部９００１、カメラ９００２、マイクロフォン９００８、スピーカ９００３を有し、筐体９０００の左側面には操作用のボタンとしての操作キー９００５、底面には接続端子９００６を有する。

図２０Ｄは、腕時計型の携帯情報端末９２００を示す斜視図である。携帯情報端末９２００は、例えばスマートウォッチ（登録商標）として用いることができる。また、表示部９００１はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる。また、携帯情報端末９２００は、例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハンズフリーで通話することもできる。また、携帯情報端末９２００は、接続端子９００６により、他の情報端末と相互にデータ伝送を行うこと、及び、充電を行うこともできる。なお、充電動作は無線給電により行ってもよい。

図２０Ｅ乃至図２０Ｇは、折り畳み可能な携帯情報端末９２０１を示す斜視図である。また、図２０Ｅは携帯情報端末９２０１を展開した状態、図２０Ｇは折り畳んだ状態、図２０Ｆは図２０Ｅと図２０Ｇの一方から他方に変化する途中の状態の斜視図である。携帯情報端末９２０１は、折り畳んだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では継ぎ目のない広い表示領域により表示の一覧性に優れる。携帯情報端末９２０１が有する表示部９００１は、ヒンジ９０５５によって連結された３つの筐体９０００に支持されている。例えば、表示部９００１は、曲率半径０．１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下で曲げることができる。

本実施の形態は、他の実施の形態、又は実施例と適宜組み合わせることができる。また、本明細書において、１つの実施の形態の中に、複数の構成例が示される場合は、構成例を適宜組み合わせることが可能である。

本実施例では、本発明の一態様の表示装置に用いる発光素子１の特性について比較発光素子１乃至比較発光素子３の特性と対比しながら説明する。本実施例で用いた有機化合物の構造式を以下に示す。

（発光素子１の作製方法）
まず、ガラス基板上に、反射電極として、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、銅（Ｃｕ）を含む合金（略称：ＡＰＣ）をスパッタリング法により、１００ｎｍの膜厚で成膜した後、透明電極として酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）をスパッタリング法により、１００ｎｍの膜厚で成膜して第１の電極１０１を形成した。なお、その電極面積は４ｍｍ^２（２ｍｍ×２ｍｍ）とした。なお、透明電極は陽極として機能し、上記反射電極と合わせて第１の電極１０１とみなすことができる。

次に、基板上に発光素子を形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、２００℃で１時間焼成した後、ＵＶオゾン処理を３７０秒行った。

その後、１０^−４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において、１７０℃で３０分間の真空焼成を行った後、基板を３０分程度放冷した。

次に、第１の電極１０１が形成された面が下方となるように、基板を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定し、第１の電極１０１上に、蒸着法により上記構造式（ｉ）で表されるＮ−（１，１’−ビフェニル−４−イル）−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＢｉＦ）と分子量６７２でフッ素を含む電子アクセプタ材料（ＯＣＨＤ−００３）とを、重量比で１：０．０３（＝ＰＣＢＢｉＦ：ＯＣＨＤ−００３）となるように１０ｎｍ共蒸着して正孔注入層を形成した。

正孔注入層上に、ＰＣＢＢｉＦを７０ｎｍ蒸着し、第１の正孔輸送層を形成した。

続いて、第１の正孔輸送層上に、上記構造式（ｉｉ）で表される４，８−ビス［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−［１］ベンゾフロ［３，２−ｄ］ピリミジン（略称：４，８ｍＤＢｔＰ２Ｂｆｐｍ）と、上記構造式（ｉｉｉ）で表される９−（２−ナフチル）−９’−フェニル−９Ｈ，９’Ｈ−３，３’−ビカルバゾール（略称：βＮＣＣＰ）と、上記構造式（ｉｖ）で表される［２−ｄ３−メチル−（２−ピリジニル−κＮ）ベンゾフロ［２，３−ｂ］ピリジン−κＣ］ビス［２−（２−ピリジニル−κＮ）フェニル−κＣ］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）_２（ｍｂｆｐｙｐｙ−ｄ_３））とを、重量比で０．５：０．５：０．１（＝４，８ｍＤＢｔＰ２Ｂｆｐｍ：βＮＣＣＰ：Ｉｒ（ｐｐｙ）_２（ｍｂｆｐｙｐｙ−ｄ_３））となるように４０ｎｍ共蒸着して第１の発光層を形成した。

こののち、上記構造式（ｖ）で表される２−｛３−［３−（Ｎ−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−９Ｈ−カルバゾール−９−イル］フェニル｝ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＰＣＣｚＰＤＢｑ）を１０ｎｍとなるように蒸着して第１の電子輸送層を形成した。

第１の電子輸送層の形成後、上記構造式（ｖｉ）で表される２，２’−（１，３−フェニレン）ビス（９−フェニル−１，１０−フェナントロリン）（略称：ｍＰＰｈｅｎ２Ｐ）とリチウム（Ｌｉ）とを重量比で１：０．０１（＝ｍＰＰｈｅｎ２Ｐ：Ｌｉ）となるように共蒸着し、さらにＰＣＢＢｉＦとＯＣＨＤ−００３とを、重量比で１：０．１５（＝ＰＣＢＢｉＦ：ＯＣＨＤ−００３）となるように１０ｎｍ共蒸着して中間層を形成した。

中間層上に、ＰＣＢＢｉＦを４０ｎｍ蒸着し、第２の正孔輸送層を形成した。

第２の正孔輸送層上に、４，８ｍＤＢｔＰ２Ｂｆｐｍと、βＮＣＣＰと、Ｉｒ（ｐｐｙ）_２（ｍｂｆｐｙｐｙ−ｄ_３）とを、重量比で０．５：０．５：０．１（＝４，８ｍＤＢｔＰ２Ｂｆｐｍ：βＮＣＣＰ：Ｉｒ（ｐｐｙ）_２（ｍｂｆｐｙｐｙ−ｄ_３））となるように４０ｎｍ共蒸着して第２の発光層を形成した。

その後、２ｍＰＣＣｚＰＤＢｑを２０ｎｍとなるように蒸着し、さらにｍＰＰｈｅｎ２Ｐを２０ｎｍとなるように蒸着して第２の電子輸送層を形成した。

続いて、フォトリソグラフィ法による加工を行った。試料を真空蒸着装置から取り出し、大気に暴露したのちトリメチルアルミニウム（略称：ＴＭＡ）をプリカーサに用い、水蒸気を酸化剤に用いて、ＡＬＤ法により酸化アルミニウムを３０ｎｍとなるように成膜し、第１の犠牲層を形成した。

第１の犠牲層上にインジウム、ガリウム、亜鉛および酸素を含む複合酸化物（略称：ＩＧＺＯ）をスパッタリング法により５０ｎｍとなるように成膜して、第２の犠牲層を形成した。

第２の犠牲層上にフォトレジストを用いてレジストを形成し、リソグラフィ法を用いて第１の電極の端部から３．５μｍ離れた位置に３μｍの幅のスリットが形成されるように加工を行った。

具体的には、レジストをマスクとしてリン酸を含む薬液を用いて第２の犠牲層を加工し、その後、フルオロホルム（ＣＨＦ_３）とヘリウム（Ｈｅ）を、ＣＨＦ_３：Ｈｅ＝１：９（流量比）で含むエッチングガスを用いて第１の犠牲層を加工した。こののち、酸素（Ｏ_２）を含むエッチングガスを用いて第２の電子輸送層、第２の発光層、第２の正孔輸送層、中間層、第１の電子輸送層、第１の発光層、第１の正孔輸送層、正孔注入層を加工した。

加工後、薬液を用いて、第２の犠牲層および第１の犠牲層を除去し、第２の電子輸送層を露出させ、１０^−４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基材を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において、８０℃で１時間の真空焼成を行った。その後、基材を３０分程度放冷した。

放冷した後、真空蒸着装置内に試料を戻し、第２の電子輸送層上に、リチウム（Ｌｉ）とイッテルビウム（Ｙｂ）とを重量比で１：１（＝Ｌｉ：Ｙｂ）となるように共蒸着して電子注入層１１５を形成し、最後に、銀（Ａｇ）とマグネシウム（Ｍｇ）とを体積比１：０．１、膜厚１５ｎｍとなるように共蒸着することで第２の電極１０２を形成して発光素子１を作製した。

第２の電極１０２は光を反射する機能と光を透過する機能とを有する半透過・半反射電極であり、本実施例の発光素子は第２の電極１０２から光を取り出すトップエミッション型のタンデム素子である。また、第２の電極１０２上にはキャップ層として上記構造式（ｖｉｉ）で表される４，４’，４’’−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）トリ（ジベンゾチオフェン）（略称：ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ）を７０ｎｍ蒸着して、取出し効率を向上させている。

（比較発光素子１の作製方法）
比較発光素子１は、発光素子１の作製工程におけるフォトリソグラフィ工程を行わず、第２の電子輸送層形成後、そのまま電子注入層を形成し続けてキャップ層まで形成した素子である。

（比較発光素子２の作製方法）
比較発光素子２と発光素子１との主な違いは中間層におけるＮ型層の構成である。比較発光素子１では、Ｎ型層をｍＰＰｈｅｎ２ＰとＬｉの共蒸着膜を２０ｎｍ成膜することにより形成したが、比較発光素子２では、２０ｎｍの２，９−ジ（２−ナフチル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＮＢＰｈｅｎ）、上記構造式（ｉｉｉｖ））と、０．１ｎｍのＬｉとの積層により形成した。また、Ｎ型層とＰ型層との間に電子の授受をスムーズにするための電子リレー層（ＥＲ層）を上記構造式（ｉｘ）で表される銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）を２ｎｍ成膜することで形成している。すなわち、発光素子１および比較発光素子１は、中間層におけるＮ型層を電子輸送性を有する有機化合物とＬｉとの共蒸着膜で形成した発光素子であり、比較発光素子２は、Ｎ型層を電子輸送性を有する有機化合物とＬｉとの積層構造により形成した発光素子である。その他、発光素子１と比較発光素子２の違いは正孔注入層の混合比と層を形成する材料の膜厚にあるが、説明は下表に代える。

（比較発光素子３の作製方法）
比較発光素子３は、比較発光素子２におけるフォトリソグラフィ工程を行わず、第２の電子輸送層形成後、そのまま電子注入層を形成し続けてキャップ層まで形成した。

発光素子１および比較発光素子１乃至比較発光素子３の素子構造を以下の表にまとめた。

上記発光素子１および比較発光素子１乃至比較発光素子３を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されないようにガラス基板により封止する作業（ＵＶ硬化性のシール材を素子の周囲への塗布、発光素子には照射しないようにシール材のみにＵＶを照射する処理、大気圧下で８０℃にて１時間熱処理）を行った後、これら発光素子の初期特性について測定を行った。

発光素子１および比較発光素子１乃至比較発光素子３の電流密度−電圧特性を図２１に、輝度−電圧特性を図２２に、電流効率−電流密度特性を図２３に、電流効率−輝度特性を図２４に、発光スペクトルを図２５に示す。また、電流密度５０ｍＡ／ｃｍ^２における主な特性を表３に示す。なお、輝度、ＣＩＥ色度、及び発光スペクトルの測定には分光放射計（トプコン社製、ＳＲ−ＵＬ１Ｒ）を用い、常温で測定した。

図２１乃至図２５に示すように、フォトリソグラフィ工程を経ない真空一貫工程で作製された発光素子である比較発光素子１および比較発光素子３は、中間層の構成および各機能層の膜厚に関わらず良好な特性を示す発光素子であることがわかった。

一方で、フォトリソグラフィ工程を経た発光素子である発光素子１および比較発光素子２は、図２１および図２２より、どちらも駆動電圧が上昇してしまうことがわかる。これは、ＥＬ層の大気解放により水、酸素などの影響およびフォトリソグラフィ工程中における加熱が原因と推察される。なお、駆動電圧上昇の度合いは、中間層のＮ型層を積層構造として作製した比較発光素子２の方が大きいことも分かった。

また、図２３および図２４、および表３から、フォトリソグラフィ工程を経た発光素子である比較発光素子２は、電流効率が大幅に低下していることがわかった。しかし、本発明の一態様の発光装置に用いられる発光素子である発光素子１は、フォトリソグラフィ工程を経ても電流効率が良好な値を保っており、良好な特性を示す発光素子であることがわかった。

このように、中間層におけるＮ型層を、電子輸送性を有する有機化合物とリチウムまたはリチウムを含む材料との混合層として形成した本発明の一態様の発光素子１は、フォトリソグラフィ工程を用いて加工された場合においても、高い電流効率を示す発光素子であることがわかった。

一方で、Ｎ型層を、電子輸送性を有する有機化合物とリチウムまたはリチウムを含む材料との積層で形成した比較発光素子２は、フォトリソグラフィ工程による加工を経ることによって、駆動電圧は大幅に上昇し、且つ、効率も著しく低下してしまうことがわかった。

１００Ａ：表示装置、１００Ｂ：表示装置、１００Ｃ：表示装置、１００Ｄ：表示装置、１００：表示装置、１０１ａ：第１の電極、１０１ｂ：第１の電極、１０１：第１の電極、１０２：第２の電極、１０３ａ：有機化合物層、１０３Ｂ：有機化合物層、１０３ｂ：有機化合物層、１０３Ｂｆ：ＥＬ膜、１０３Ｇ：有機化合物層、１０３Ｇｆ：ＥＬ膜、１０３Ｒ：有機化合物層、１０３Ｒｆ：ＥＬ膜、１０３：有機化合物層、１０４：共通層、１１０Ｂ：副画素、１１０Ｇ：副画素、１１０Ｒ：副画素、１１０Ｗ：副画素、１１０：副画素、１１１ａ：正孔注入層、１１１ｂ：正孔注入層、１１１：正孔注入層、１１２＿１：第１の正孔輸送層、１１２＿２：第２の正孔輸送層、１１２ａ＿１：第１の正孔輸送層、１１２ａ＿２：第２の正孔輸送層、１１２ｂ＿１：第１の正孔輸送層、１１２ｂ＿２：第２の正孔輸送層、１１２：正孔輸送層、１１３＿１：第１の発光層、１１３＿２：第２の発光層、１１３ａ＿１：第１の発光層、１１３ａ＿２：第２の発光層、１１３ｂ＿１：第１の発光層、１１３ｂ＿２：第２の発光層、１１３：発光層、１１４＿１：第１の電子輸送層、１１４＿２：第２の電子輸送層、１１４ａ＿１：第１の電子輸送層、１１４ａ＿２：第２の電子輸送層、１１４ｂ＿１：第１の電子輸送層、１１４ｂ＿２：第２の電子輸送層、１１４：電子輸送層、１１５：電子注入層、１１６＿１：第１の中間層、１１６＿２：第２の中間層、１１６ａ：中間層、１１６ｂ：中間層、１１６：中間層、１１７ａ：Ｐ型層、１１７ｂ：Ｐ型層、１１７：Ｐ型層、１１８ａ：電子リレー層、１１８ｂ：電子リレー層、１１８：電子リレー層、１１９ａ：Ｎ型層、１１９ｂ：Ｎ型層、１１９：Ｎ型層、１２０：基板、１２１：突出部、１２２：樹脂層、１２４ａ：画素、１２４ｂ：画素、１２５ｆ：無機絶縁膜、１２５：無機絶縁層、１２６Ｒ：導電層、１２６Ｂ：導電層、１２７ａ：絶縁層、１２７ｆ：絶縁膜、１２７：絶縁層、１２８：層、１２９Ｒ：導電層、１２９Ｂ：導電層、１３０ａ：発光素子、１３０Ｂ：発光素子、１３０ｂ：発光素子、１３０Ｇ：発光素子、１３０Ｒ：発光素子、１３０：発光素子、１３１：保護層、１３２Ｂ：着色層、１３２Ｇ：着色層、１３２Ｒ：着色層、１４０：接続部、１４１：領域、１４２：接着層、１５１ａ：導電層、１５１Ｂ：導電層、１５１ｂ：導電層、１５１Ｃ：導電層、１５１ｃ：導電層、１５１ｆ：導電膜、１５１Ｇ：導電層、１５１Ｒ：導電層、１５１：導電層、１５２ａ：導電層、１５２Ｂ：導電層、１５２ｂ：導電層、１５２Ｃ：導電層、１５２ｃ：導電層、１５２ｆ：導電膜、１５２Ｇ：導電層、１５２Ｒ：導電層、１５２：導電層、１５３：絶縁層、１５５：共通電極、１５６Ｂ：絶縁層、１５６Ｃ：絶縁層、１５６ｆ：絶縁膜、１５６Ｇ：絶縁層、１５６Ｒ：絶縁層、１５６：絶縁層、１５７：遮光層、１５８Ｂ：犠牲層、１５８Ｂｆ：犠牲膜、１５８Ｇ：犠牲層、１５８Ｇｆ：犠牲膜、１５８Ｒ：犠牲層、１５８Ｒｆ：犠牲膜、１５８：犠牲層、１５９Ｂ：マスク層、１５９Ｂｆ：マスク膜、１５９Ｇ：マスク層、１５９Ｇｆ：マスク膜、１５９Ｒ：マスク層、１５９Ｒｆ：マスク膜、１６６：導電層、１７１：絶縁層、１７２：導電層、１７３：絶縁層、１７４：絶縁層、１７５：絶縁層、１７６：プラグ、１７７：画素部、１７８：画素、１７９：導電層、１９０Ｂ：レジストマスク、１９０Ｇ：レジストマスク、１９０Ｒ：レジストマスク、１９１：レジストマスク、２０１：トランジスタ、２０４：接続部、２０５：トランジスタ、２０９：トランジスタ、２１０：トランジスタ、２１１：絶縁層、２１３：絶縁層、２１４：絶縁層、２１５：絶縁層、２１８：絶縁層、２２１：導電層、２２２ａ：導電層、２２２ｂ：導電層、２２３：導電層、２２４Ｂ：導電層、２２４Ｃ：導電層、２２４Ｇ：導電層、２２４Ｒ：導電層、２２５：絶縁層、２３１ｉ：チャネル形成領域、２３１ｎ：低抵抗領域、２３１：半導体層、２４０：容量、２４１：導電層、２４２：接続層、２４３：絶縁層、２４５：導電層、２５４：絶縁層、２５５：絶縁層、２５６：プラグ、２６１：絶縁層、２７１：プラグ、２８０：表示モジュール、２８１：表示部、２８２：回路部、２８３ａ：画素回路、２８３：画素回路部、２８４ａ：画素、２８４：画素部、２８５：端子部、２８６：配線部、２９０：ＦＰＣ、２９１：基板、２９２：基板、３０１：基板、３１０：トランジスタ、３１１：導電層、３１２：低抵抗領域、３１３：絶縁層、３１４：絶縁層、３１５：素子分離層、３５１：基板、３５２：基板、３５３：ＦＰＣ、３５４：ＩＣ、３５５：配線、３５６：回路、３５７：遮光層、５０１ａ：第１の発光ユニット、５０１ｂ：第１の発光ユニット、５０１：第１の発光ユニット、５０２ａ：第２の発光ユニット、５０２ｂ：第２の発光ユニット、５０２：第２の発光ユニット、５０３：第３の発光ユニット、７００Ａ：電子機器、７００Ｂ：電子機器、７２１：筐体、７２３：装着部、７２７：イヤフォン部、７５０：イヤフォン、７５１：表示パネル、７５３：光学部材、７５６：表示領域、７５７：フレーム、７５８：鼻パッド、８００Ａ：電子機器、８００Ｂ：電子機器、８２０：表示部、８２１：筐体、８２２：通信部、８２３：装着部、８２４：制御部、８２５：撮像部、８２７：イヤフォン部、８３２：レンズ、６５００：電子機器、６５０１：筐体、６５０２：表示部、６５０３：電源ボタン、６５０４：ボタン、６５０５：スピーカ、６５０６：マイク、６５０７：カメラ、６５０８：光源、６５１０：保護部材、６５１１：表示パネル、６５１２：光学部材、６５１３：タッチセンサパネル、６５１５：ＦＰＣ、６５１６：ＩＣ、６５１７：プリント基板、６５１８：バッテリ、７０００：表示部、７１００：テレビジョン装置、７１５１：リモコン操作機、７１７１：筐体、７１７３：スタンド、７２００：ノート型パーソナルコンピュータ、７２１１：筐体、７２１２：キーボード、７２１３：ポインティングデバイス、７２１４：外部接続ポート、７３００：デジタルサイネージ、７３０１：筐体、７３０３：スピーカ、７３１１：情報端末機、７４００：デジタルサイネージ、７４０１：柱、７４１１：情報端末機、９０００：筐体、９００１：表示部、９００２：カメラ、９００３：スピーカ、９００５：操作キー、９００６：接続端子、９００７：センサ、９００８：マイクロフォン、９０５０：アイコン、９０５１：情報、９０５２：情報、９０５３：情報、９０５４：情報、９０５５：ヒンジ、９１７１：携帯情報端末、９１７２：携帯情報端末、９１７３：タブレット端末、９２００：携帯情報端末、９２０１：携帯情報端末

Claims (9)

1. 絶縁表面上に、隣り合う第１の発光素子と、第２の発光素子と、を有し、
   前記第１の発光素子は、第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極とに挟まれた第１の有機化合物を含む層と、を有し、
   前記第２の発光素子は、第３の電極と、第４の電極と、前記第３の電極と前記第４の電極とに挟まれた第２の有機化合物を含む層と、を有し、
   前記第１の有機化合物を含む層は、第１の発光層と、第１の中間層と、第２の発光層と、を有し、
   前記第１の中間層は、前記第１の発光層と、前記第２の発光層との間に位置し、
   前記第１の中間層は、電子輸送性を有する有機化合物とリチウムまたはリチウムを含む材料とが混合した混合層を有し、
   前記第１の電極と前記第３の電極との向かい合う端部の間隔は、２μｍ以上５μｍ以下である表示装置。
2. 絶縁表面上に、隣り合う第１の発光素子と、第２の発光素子と、を有し、
   前記第１の発光素子は、第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極とに挟まれた第１の有機化合物を含む層と、を有し、
   前記第２の発光素子は、第３の電極と、第４の電極と、前記第３の電極と前記第４の電極とに挟まれた第２の有機化合物を含む層と、を有し、
   前記第１の有機化合物を含む層は、第１の発光層と、第１の中間層と、第２の発光層と、を有し、
   前記第１の中間層は、前記第１の発光層と、前記第２の発光層との間に位置し、
   前記第１の中間層は、電子輸送性を有する有機化合物とリチウムまたはリチウムを含む材料との混合層を有し、
   前記混合層の膜厚は１０ｎｍ以上であり、
   前記第１の電極と前記第３の電極との向かい合う端部の間隔は、２μｍ以上５μｍ以下である表示装置。
3. 絶縁表面上に、隣り合う第１の発光素子と、第２の発光素子と、を有し、
   前記第１の発光素子は、第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極とに挟まれた第１の有機化合物を含む層と、を有し、
   前記第２の発光素子は、第３の電極と、第４の電極と、前記第３の電極と前記第４の電極とに挟まれた第２の有機化合物を含む層と、を有し、
   前記第１の有機化合物を含む層は、第１の発光層と、第１の中間層と、第２の発光層と、を有し、
   前記第２の有機化合物を含む層は、第３の発光層と、第２の中間層と、第４の発光層と、を有し、
   前記第１の中間層は、前記第１の発光層と、前記第２の発光層との間に位置し、
   前記第２の中間層は、前記第３の発光層と、前記第４の発光層との間に位置し、
   前記第１の中間層は、電子輸送性を有する有機化合物とリチウムまたはリチウムを含む材料とが混合した第１の混合層を有し
   前記第２の中間層は、電子輸送性を有する有機化合物とリチウムまたはリチウムを含む材料とが混合した第２の混合層を有し
   前記第１の電極と前記第３の電極との向かい合う端部の間隔は、２μｍ以上５μｍ以下である表示装置。
4. 絶縁表面上に、隣り合う第１の発光素子と、第２の発光素子と、を有し、
   前記第１の発光素子は、第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極とに挟まれた第１の有機化合物を含む層と、を有し、
   前記第２の発光素子は、第３の電極と、第４の電極と、前記第３の電極と前記第４の電極とに挟まれた第２の有機化合物を含む層と、を有し、
   前記第１の有機化合物を含む層は、第１の発光層と、第１の中間層と、第２の発光層と、を有し、
   前記第２の有機化合物を含む層は、第３の発光層と、第２の中間層と、第４の発光層と、を有し、
   前記第１の中間層は、前記第１の発光層と、前記第２の発光層との間に位置し、
   前記第２の中間層は、前記第３の発光層と、前記第４の発光層との間に位置し、
   前記第１の中間層は、電子輸送性を有する有機化合物とリチウムまたはリチウムを含む材料との第１の混合層を有し、
   前記第２の中間層は、電子輸送性を有する有機化合物とリチウムまたはリチウムを含む材料との第２の混合層を有し、
   前記混合層の膜厚は１０ｎｍ以上であり、
   前記第１の電極と前記第３の電極との向かい合う端部の間隔は、２μｍ以上５μｍ以下である表示装置。
5. 請求項３または請求項４において、
   前記第１の中間層と、前記第２の中間層とが独立している表示装置。
6. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
   前記第１の発光層、第２の発光層、第３の発光層および第４の発光層はいずれも互いに独立している表示装置。
7. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
   前記電子輸送性を有する有機化合物が、ポリアゾール骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物、ピリジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物、ジアジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物およびトリアジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物のいずれかである表示装置。
8. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
   前記電子輸送性を有する有機化合物が、ビピリジン骨格を有する有機化合物である表示装置。
9. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
   前記電子輸送性を有する有機化合物が、フェナントロリン骨格を有する有機化合物である表示装置。

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