WO2024052786A1

WO2024052786A1 - 発光デバイスおよび表示装置

Info

Publication number: WO2024052786A1
Application number: PCT/IB2023/058716
Authority: WO
Inventors: 渡部剛吉; 山脇隼人; 大澤信晴; 瀬尾哲史
Original assignee: 株式会社半導体エネルギー研究所
Priority date: 2022-09-09
Filing date: 2023-09-04
Publication date: 2024-03-14

Abstract

高精細且つ信頼性が良好な有機半導体デバイスを提供する。絶縁層上に形成された複数の発光デバイスのうちの一つであって、第１の物質と発光物質とを含む発光層と同様の組成の膜に、大気雰囲気下で昼光色のＬＥＤの光を３００ルクスの照度で６０分照射した場合に、第１の物質の酸素付加体の濃度が１５ｐｐｍ以上であり、隣接する発光デバイス各々が有する第１の電極の間隔が、２μｍ以上５μｍ以下である発光デバイスを提供する。

Description

発光デバイスおよび表示装置

本発明の一態様は、発光デバイスに関する。

なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、電子機器、照明装置、入力装置（例えば、タッチセンサ）、入出力装置（例えば、タッチパネル）、それらの駆動方法、またはそれらの製造方法を一例として挙げることができる。

近年、表示装置は様々な用途への応用が期待されている。例えば、大型の表示装置の用途としては、家庭用のテレビジョン装置（テレビまたはテレビジョン受信機ともいう）、デジタルサイネージ（Ｄｉｇｉｔａｌ　Ｓｉｇｎａｇｅ：電子看板）、及び、ＰＩＤ（Ｐｕｂｌｉｃ　Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ　Ｄｉｓｐｌａｙ）等が挙げられる。また、携帯情報端末として、タッチパネルを備えるスマートフォン及びタブレット端末などの開発が進められている。

また、同時に、表示装置の高精細化も求められている。高精細な表示装置が要求される機器として、例えば、仮想現実（ＶＲ：Ｖｉｒｔｕａｌ　Ｒｅａｌｉｔｙ）、拡張現実（ＡＲ：Ａｕｇｍｅｎｔｅｄ　Ｒｅａｌｉｔｙ）、代替現実（ＳＲ：Ｓｕｂｓｔｉｔｕｔｉｏｎａｌ　Ｒｅａｌｉｔｙ）、及び、複合現実（ＭＲ：Ｍｉｘｅｄ　Ｒｅａｌｉｔｙ）向けの機器が、盛んに開発されている。

表示装置としては、有機化合物を用いた発光デバイス（発光素子ともいう）を有する発光装置が開発されている。エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ、以下ＥＬと記す）現象を利用した発光デバイス（有機ＥＬデバイス、有機ＥＬ素子ともいう）は、薄型軽量化が容易である、入力信号に対し高速に応答可能である、直流定電圧電源を用いて駆動可能である等の特徴を有し、表示装置に応用されている。

発光デバイスを用い、より高精細な発光装置を得るために、メタルマスクを用いた蒸着法に代わって、フォトレジストなどを用いたフォトリソグラフィ法による有機層のパターニングが研究されている。フォトリソグラフィ法を用いることによって、ＥＬ層の間隔が数μｍという高精細な表示装置を得ることができる（例えば特許文献１参照）。

特表２０１８−５２１４５９号公報

発光デバイスは、信頼性を確保するため、異なる層の蒸着の間にも大気解放せず高真空状態を保ったまま（真空一貫で）形成されることが多い。しかし、上述のようにフォトリソグラフィ法により加工を行う工程においては、高真空状態を保つことは困難である。そのため、フォトリソグラフィ法を経て作製された発光デバイスの信頼性は、真空一貫形成の発光デバイスよりも低くなってしまうことが多かった。

そこで本発明の一態様は、有機化合物を用い、フォトリソグラフィ法を経て形成された発光デバイスにおいて、信頼性の良好な発光デバイスを提供することを目的と一つとする。または、本発明の他の一態様は、高精細且つ信頼性の良好な発光装置を提供可能な発光デバイスを提供することを目的の一つとする。

または、本発明の一態様は、高密度に配置することが可能であり且つ信頼性の良好な発光デバイスを提供することを目的の一つとする。または、本発明の一態様は、高精細な表示装置を提供することが可能であり且つ信頼性の良好な発光デバイスを提供することを目的の一つとする。

または、本発明の一態様は、表示性能の高い表示装置を提供することを目的の一つとする。または、本発明の一態様は、高解像度であり且つ表示性能が良好な表示装置を提供することを目的の一つとする。または、本発明の一態様は、表示品質が良好であり且つ表示性能の良好な表示装置を提供することを目的の一つとする。

または、新規な表示装置、新規な表示モジュール、新規な電子機器を提供することを目的の一つとする。

なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は、必ずしも、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。明細書、図面、請求項の記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。

そこで本発明の一態様では、フォトリソグラフィ法による加工を経て作製された発光デバイスにおいて、大気雰囲気下でホスト材料と発光中心物質を含む膜に４７５ｎｍ以下の波長に最大ピークの強度の１０％以上の強度を有する光を照射した際に、酸素付加体が生成されない発光デバイスを提供する。

または、フォトリソグラフィ法による加工を経て作製された発光デバイスにおいて、大気雰囲気下でホスト材料と発光中心物質を含む膜に昼光色のＬＥＤの光を３００ルクスの照度で６０分照射された薄膜状態の試料におけるホスト材料の酸素付加体の濃度が１５ｐｐｍ以上である発光デバイスを提供する。

すなわち、本発明の一態様は、同一の絶縁表面上に形成された第１の電極群と、当該第１の電極群に対向する第２の電極と、当該第１の電極群と当該第２の電極との間に位置する第１の層群と、からなる発光デバイス群に含まれる複数の発光デバイスのうちの一つの発光デバイスであって、当該第１の電極群のうちの一つである第１の電極と、当該第２の電極と、当該第１の層群のうちの一つである第１の層を有し、当該第１の電極群は、当該複数の発光デバイス各々において独立している複数の第１の電極からなり、当該第１の層群は、当該複数の発光デバイス各々において独立している複数の第１の層からなり、当該第２の電極は、当該複数の発光デバイスが共有する連続した導電層であり、当該第２の電極及び当該第１の層は、当該第１の電極と重なり、当該第１の層は、発光中心物質と、第１の物質とを含む発光層を有し、当該第１の物質は、大気雰囲気下で当該発光層と同様の組成を有する膜へ、４７５ｎｍ以下の波長に最大ピークの強度の１０％以上の強度を有する光を照射した際、当該膜における当該第１の物質の酸素付加体が生成する物質であり、当該発光デバイスが有する当該第１の層と、当該発光デバイスに隣接する他の発光デバイスが有する第１の層との間隔が、２μｍ以上５μｍ以下である発光デバイスである。

または、本発明の他の一態様は、同一の絶縁表面上に形成された第１の電極群と、当該第１の電極群に対向する第２の電極と、当該第１の電極群と当該第２の電極との間に位置する第１の層群と、からなる発光デバイス群に含まれる複数の発光デバイスのうちの一つの発光デバイスであって、当該第１の電極群のうちの一つである第１の電極と、当該第２の電極と、当該第１の層群のうちの一つである第１の層を有し、当該第１の電極群は、当該複数の発光デバイス各々において独立している複数の第１の電極からなり、当該第１の層群は、当該複数の発光デバイス各々において独立している複数の第１の層からなり、当該第２の電極は、当該複数の発光デバイスが共有する連続した導電層であり、当該第２の電極及び当該第１の層は、当該第１の電極と重なり、当該第１の層は、発光中心物質と、第１の物質とを含む発光層を有し、当該第１の物質は、大気雰囲気下で当該発光層と同様の組成を有する膜に昼光色のＬＥＤの光を３００ルクスの照度で６０分照射した際に、当該膜における当該第１の物質の酸素付加体の濃度が１５ｐｐｍ以上となる物質であり、当該発光デバイスが有する当該第１の層と、当該発光デバイスに隣接する他の発光デバイスが有する第１の層との間隔が、２μｍ以上５μｍ以下である発光デバイスである。

または、本発明の他の一態様は、同一の絶縁表面上に形成された第１の電極群と、当該第１の電極群に対向する第２の電極と、当該第１の電極群と当該第２の電極との間に位置する第１の層群および共通層と、からなる発光デバイス群に含まれる複数の発光デバイスのうちの一つの発光デバイスであって、当該第１の電極群のうちの一つである第１の電極と、当該第２の電極と、当該第１の層群のうちの一つである第１の層と、共通層と、を有し、当該第１の電極群は、当該複数の発光デバイス各々において独立している複数の第１の電極からなり、当該第１の層群は、当該複数の発光デバイス各々において独立している複数の第１の層からなり、当該第２の電極は、当該複数の発光デバイスが共有する連続した導電層であり、当該共通層は、当該複数の発光デバイスが共有する連続した層であり、当該第２の電極、当該第１の層および当該共通層は、当該第１の電極と重なり、当該第１の層は、発光中心物質と、第１の物質とを含む発光層を有し、当該第１の物質は、大気雰囲気下で当該発光層と同様の組成を有する膜に昼光色のＬＥＤの光を３００ルクスの照度で６０分照射した際に、当該膜における当該第１の物質の酸素付加体の濃度が１５ｐｐｍ以上となる物質であり、当該発光デバイスが有する当該第１の層と、当該発光デバイスに隣接する他の発光デバイスが有する第１の層との間隔が、２μｍ以上５μｍ以下である発光デバイスである。

または、本発明の他の一態様は、上記構成において、当該第１の物質がアセン骨格を有する有機化合物である発光デバイスである。

または、本発明の他の一態様は、上記構成において、当該第１の物質がアントラセン骨格を有する有機化合物である発光デバイスである。

または、本発明の他の一態様は、上記構成において、当該発光中心物質が青色蛍光を発する有機化合物である発光デバイスである。

または、本発明の他の一態様は、上記構成において、当該隣接する他の発光デバイスが有する第１の層が、燐光発光物質を有する発光層を有する発光デバイスである。

または、本発明の他の一態様は、上記構成において、当該燐光発光物質が緑色または赤色の燐光を発する発光デバイスである。

または、本発明の他の一態様は、上記構成において当該発光中心物質が青色蛍光を発する有機化合物である発光デバイスである。

または、本発明の他の一態様は、第１の発光デバイスと、第２の発光デバイスと、を有し、当該第１の発光デバイスは、第１の電極と、第２の電極と、当該第１の電極と当該第２の電極との間に位置する第１の層を有し、当該第２の発光デバイスは、第３の電極と、第４の電極と、当該第３の電極と当該第４の電極との間に位置する第２の層を有し、当該第１の層は、発光中心物質と、第１の物質とを含む発光層を有し、当該第１の物質は、大気雰囲気下で当該発光層と同様の組成を有する膜に昼光色のＬＥＤの光を３００ルクスの照度で６０分照射した際に、当該膜における当該第１の物質の酸素付加体の濃度が１５ｐｐｍ以上となる物質であり、当該第１の層と、当該第２の層との間隔が、２μｍ以上５μｍ以下である表示装置である。

または、本発明の他の一態様は、第１の発光デバイスと、第２の発光デバイスと、を有し、当該第１の発光デバイスは、第１の電極と、第２の電極と、当該第１の電極と当該第２の電極との間に位置する第１の層と、当該第１の層と当該第２の電極との間に位置する第１の共通層と、を有し、当該第２の発光デバイスは、第３の電極と、第４の電極と、当該第３の電極と当該第４の電極との間に位置する第２の層と、当該第２の層と当該第４の電極との間に位置する第２の共通層と、を有し、当該第１の共通層と当該第２の共通層とは、同じ材料から構成され、当該第１の層は、発光中心物質と、第１の物質とを含む発光層を有し、当該第１の物質は、大気雰囲気下で当該発光層と同様の組成を有する膜に昼光色のＬＥＤの光を３００ルクスの照度で６０分照射した際に、当該膜における当該第１の物質の酸素付加体の濃度が１５ｐｐｍ以上となる物質であり、当該第１の層と、当該第２の層との間隔が、２μｍ以上５μｍ以下である表示装置である。

または、本発明の他の一態様は、上記構成において、当該第１の物質がアセン骨格を有する有機化合物である表示装置である。

または、本発明の他の一態様は、上記構成において、当該第１の物質がアントラセン骨格を有する有機化合物である表示装置である。

または、本発明の他の一態様は、上記構成において、当該発光中心物質が青色蛍光を発する有機化合物である表示装置である。

または、本発明の他の一態様は、同一の絶縁表面上に形成された第１の電極群と、当該第１の電極群に対向する第２の電極と、当該第１の電極群と当該第２の電極との間に位置する第１の層群と、からなる発光デバイス群に含まれる複数の発光デバイスのうちの一つであって、当該第１の電極群は、当該複数の発光デバイス各々において独立している複数の第１の電極からなり、当該第１の層群は、当該複数の発光デバイス各々において独立している複数の第１の層からなり、当該第２の電極は、当該複数の発光デバイスが共有する連続した導電層であり、当該第１の電極群のうちの一つである第１の電極と、当該第２の電極と、当該第１の層群のうちの一つである第１の層を有し、当該第２の電極及び当該第１の層は、当該第１の電極と重なり、当該第１の層は、発光中心物質と、第１の物質とを含む発光層を有し、当該第１の物質は、当該第１の物質の薄膜に、大気雰囲気下で４７５ｎｍ以下の波長に最大ピークの強度の１０％以上の強度を有する光を照射した際、当該第１の物質の酸素付加体が生成する物質であり、当該発光デバイスが有する当該第１の層と、当該発光デバイスに隣接する他の発光デバイスが有する第１の層との間隔が、２μｍ以上５μｍ以下である発光デバイスである。

または、本発明の他の一態様は、同一の絶縁表面上に形成された第１の電極群と、当該第１の電極群に対向する第２の電極と、当該第１の電極群と当該第２の電極との間に位置する第１の層群と、からなる発光デバイス群に含まれる複数の発光デバイスのうちの一つであって、当該第１の電極群は、当該複数の発光デバイス各々において独立している複数の第１の電極からなり、当該第１の層群は、当該複数の発光デバイス各々において独立している複数の第１の層からなり、当該第２の電極は、当該複数の発光デバイスが共有する連続した導電層であり、当該第１の電極群のうちの一つである第１の電極と、当該第２の電極と、当該第１の層群のうちの一つである第１の層を有し、当該第２の電極及び当該第１の層は、当該第１の電極と重なり、当該第１の層は、発光中心物質と、第１の物質とを含む発光層を有し、当該第１の物質の薄膜に、大気雰囲気下で昼光色のＬＥＤを３００ルクスの照度で６０分照射した試料における当該第１の物質の酸素付加体の濃度は１２ｐｐｍ以上であり、当該発光デバイスが有する当該第１の層と、当該発光デバイスに隣接する他の発光デバイスが有する第１の層との間隔が、２μｍ以上５μｍ以下である発光デバイスである。

または、本発明の他の一態様は、同一の絶縁表面上に形成された第１の電極群と、当該第１の電極群に対向する第２の電極と、当該第１の電極群と当該第２の電極との間に位置する第１の層群および第２の層と、からなる発光デバイス群に含まれる複数の発光デバイスのうちの一つであって、当該第１の電極群は、当該複数の発光デバイス各々において独立している複数の第１の電極からなり、当該第１の層群は、当該複数の発光デバイス各々において独立している複数の第１の層からなり、当該第２の電極は、当該複数の発光デバイスが共有する連続した導電層であり、当該第２の層は、当該複数の発光デバイスが共有する連続した層であり、当該第１の電極群のうちの一つである第１の電極と、当該第２の電極と、当該第１の層群のうちの一つである第１の層と、第２の層と、を有し、当該第２の電極、当該第１の層および当該第２の層は、当該第１の電極と重なり、当該第１の層は、発光中心物質と、第１の物質とを含む発光層を有し、当該第１の物質の薄膜に、大気雰囲気下で昼光色のＬＥＤの光を３００ルクスの照度で６０分照射した試料における当該第１の物質の酸素付加体の濃度は１２ｐｐｍ以上であり、当該発光デバイスが有する当該第１の層と、当該発光デバイスに隣接する他の発光デバイスが有する第１の層との間隔が、２μｍ以上５μｍ以下である発光デバイスである。

または、本発明の他の一態様は、上記構成において、第１の発光デバイスと、第２の発光デバイスと、を有し、当該第１の発光デバイスは、第１の電極と、第２の電極と、当該第１の電極と当該第２の電極との間に位置する第１の層を有し、当該第２の発光デバイスは、第３の電極と、第４の電極と、当該第３の電極と当該第４の電極との間に位置する第２の層を有し、当該第１の層は、発光中心物質と、第１の物質とを含む発光層を有し、当該第１の物質の薄膜に、大気雰囲気下で昼光色のＬＥＤの光を３００ルクスの照度で６０分照射した試料における当該第１の物質の酸素付加体の濃度は１２ｐｐｍ以上であり、当該第１の層と、当該第２の層との間隔が、２μｍ以上５μｍ以下である表示装置である。

または、本発明の他の一態様は、上記構成において、第１の発光デバイスと、第２の発光デバイスと、を有し、当該第１の発光デバイスは、第１の電極と、第２の電極と、当該第１の電極と当該第２の電極との間に位置する第１の層と、当該第１の層と当該第２の電極との間に位置する第１の共通層と、を有し、当該第２の発光デバイスは、第３の電極と、第４の電極と、当該第３の電極と当該第４の電極との間に位置する第２の層と、当該第２の層と当該第４の電極との間に位置する第２の共通層と、を有し、当該第１の共通層と当該第２の共通層とは、同じ材料から構成され、当該第１の層は、発光中心物質と、第１の物質とを含む発光層を有し、当該第１の物質の薄膜に、大気雰囲気下で昼光色のＬＥＤの光を３００ルクスの照度で６０分照射した試料における当該第１の物質の酸素付加体の濃度は１２ｐｐｍ以上であり、当該第１の層と、当該第２の層との間隔が、２μｍ以上５μｍ以下である表示装置である。

または、本発明の他の一態様は、上記の表示装置と、コネクタ及び集積回路のうち少なくとも一方と、を有する、表示モジュールである。

または、本発明の他の一態様は、上記の表示モジュールと、筐体、バッテリ、カメラ、スピーカ、及びマイクのうち少なくとも一つと、を有する、電子機器である。

本発明の一態様では、有機化合物を用い、フォトリソグラフィ法を経て形成された発光デバイスにおいて、信頼性の良好な発光デバイスを提供することができる。また、本発明の他の一態様では、高精細且つ信頼性の良好な発光装置を提供可能な発光デバイスを提供することができる。

また、本発明の一態様では、高密度に配置することが可能であり且つ信頼性の良好な発光デバイスを提供することができる。また、本発明の一態様では、高精細な表示装置を提供することが可能であり且つ信頼性の良好な発光デバイスを提供することができる。

また、本発明の一態様では、信頼性の高い表示装置を提供することができる。また、本発明の一態様では、高解像度であり且つ表示性能の良好な表示装置を提供することができる。また、本発明の一態様では、表示品質が良好であり且つ表示性能の良好な表示装置を提供することができる。

また、本発明の一態様では、新規な表示装置、新規な表示モジュール、新規な電子機器を提供することができる。

なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。明細書、図面、請求項の記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。

図１Ａ乃至図１Ｃは、発光デバイスについて表す図である。
図２は、発光デバイスについて表す図である。
図３Ａおよび図３Ｂは、発光装置の上面図および断面図である。
図４Ａ乃至図４Ｅは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図５Ａ乃至図５Ｄは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図６Ａ乃至図６Ｄは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図７Ａ乃至図７Ｃは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図８Ａ乃至図８Ｃは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図９Ａ乃至図９Ｃは、表示装置の作製方法の一例を示す断面図である。
図１０Ａ、及び図１０Ｂは、表示モジュールの構成例を示す斜視図である。
図１１Ａ、及び図１１Ｂは、表示装置の構成例を示す断面図である。
図１２は、表示装置の構成例を示す斜視図である。
図１３は、表示装置の構成例を示す断面図である。
図１４は、表示装置の構成例を示す断面図である。
図１５は、表示装置の構成例を示す断面図である。
図１６Ａ乃至図１６Ｄは、電子機器の一例を示す図である。
図１７Ａ乃至図１７Ｆは、電子機器の一例を示す図である。
図１８Ａ乃至図１８Ｇは、電子機器の一例を示す図である。
図１９は昼光色ＬＥＤの発光スペクトルおよび波長カットフィルターを用いた昼光色ＬＥＤの発光スペクトルを表す図である。
図２０は昼光色ＬＥＤの照射時間が異なる発光デバイスの輝度−電流密度特性を表す図である。
図２１は昼光色ＬＥＤの照射時間が異なる発光デバイスの電流効率−輝度特性を表す図である。
図２２は昼光色ＬＥＤの照射時間が異なる発光デバイスの輝度−電圧特性を表す図である。
図２３は昼光色ＬＥＤの照射時間が異なる発光デバイスの電流密度−電圧特性を表す図である。
図２４は昼光色ＬＥＤの照射時間が異なる発光デバイスのブルーインデックス−輝度特性を表す図である。
図２５は昼光色ＬＥＤの照射時間が異なる発光デバイスの発光スペクトルを表す図である。
図２６は昼光色ＬＥＤの照射時間が異なる発光デバイスの規格化輝度−時間変化特性を表す図である。
図２７は異なる波長カットフィルターを用いて昼光色ＬＥＤの光を照射した発光デバイスの輝度−電流密度特性を表す図である。
図２８は異なる波長カットフィルターを用いて昼光色ＬＥＤの光を照射した発光デバイスの電流効率−輝度特性を表す図である。
図２９は異なる波長カットフィルターを用いて昼光色ＬＥＤの光を照射した発光デバイスの輝度−電圧特性を表す図である。
図３０は異なる波長カットフィルターを用いて昼光色ＬＥＤの光を照射した発光デバイスの電流密度−電圧特性を表す図である。
図３１は異なる波長カットフィルターを用いて昼光色ＬＥＤの光を照射した発光デバイスのブルーインデックス−輝度特性を表す図である。
図３２は異なる波長カットフィルターを用いて昼光色ＬＥＤの光を照射した発光デバイスの発光スペクトルを表す図である。
図３３は異なる波長カットフィルターを用いて昼光色ＬＥＤの光を照射した発光デバイスの規格化輝度−時間変化特性を表す図である。
図３４は波長カットフィルターを用いた昼光色ＬＥＤの光の発光スペクトルと、２αＮ−αＮＰｈＡと３，１０ＰＣＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）−０２の吸収スペクトルを表す図である。
図３５はオレンジライトの発光スペクトルを表す図である。
図３６Ａおよび図３６Ｂは、光の照射条件が異なる２αＮ−αＮＰｈＡと３，１０ＰＣＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）−０２との共蒸着膜のＰＤＡ検出器におけるクロマトグラムである。
図３７Ａおよび図３７Ｂは、光の照射条件が異なる２αＮ−αＮＰｈＡの膜のＰＤＡ検出器におけるクロマトグラムである。

実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

なお、本明細書等において、メタルマスク、またはＦＭＭ（ファインメタルマスク、高精細なメタルマスク）を用いて作製されるデバイスをＭＭ（メタルマスク）構造のデバイスと呼称する場合がある。また、本明細書等において、メタルマスク、またはＦＭＭを用いることなく作製されるデバイスをＭＭＬ（メタルマスクレス）構造のデバイスと呼称する場合がある。

（実施の形態１）
有機半導体膜を所定の形状に作製する方法の一つとして、メタルマスクを用いた真空蒸着法（マスク蒸着）が広く用いられている。しかし、高密度化、高精細化が進む昨今、マスク蒸着は、合わせ精度の問題、基板との配置間隔の問題に代表される種々の理由により、これ以上の高精細化は限界に近付いている。

一方、フォトリソグラフィ法を用いて有機半導体膜の形状を加工することで、より緻密なパターンを有する有機半導体デバイスの実現が期待されている。さらに、マスク蒸着に比べて大面積化も容易であることから、フォトリソグラフィ法を用いた有機半導体膜の加工に関する研究が進められている。

しかし、フォトリソグラフィ法を用いて有機半導体膜の形状を加工するためには、多くの問題を乗り越える必要がある。これらの問題としては、例えば、有機半導体膜の大気暴露の影響、感光性樹脂を露光する際の光照射の影響、露光した感光性樹脂を現像する際に曝される現像液および水などの影響を挙げることができる。これらの影響により、フォトリソグラフィ法を経て作製された発光デバイスの特性は、真空一貫形成の発光デバイスよりも低くなってしまうことが多かった。

これらの不具合が起こる原因の一つに、大気雰囲気下において光照射がされることを原因とした、発光デバイスを構成する材料の劣化による不純物（劣化物）の生成がある。

当該不純物は、材料の分解物または酸素付加体などが該当し、実際に検出も可能である。このような不純物が生成し、発光デバイス内に存在することで、初期特性および信頼性に大きな影響が引き起こされてしまうのである。そのため、このような不純物が生成するような材料を用いた発光デバイスは、フォトリソグラフィ工程を用いて加工を行うことが困難であった。

図３６Ａおよび図３６Ｂは、ホスト材料のアントラセン誘導体と青色蛍光を呈する発光中心物質との共蒸着膜に、大気雰囲気下で、オレンジライトの光を照度１９５ルクスで１時間照射した試料、昼光色ＬＥＤの光を照度３００ルクスで０．５時間照射した試料、１時間照射した試料、および、光を照射していない試料の高速液体クロマトグラフィにおけるＰＤＡ検出器を用いたクロマトグラムである。なお、図３６Ｂは図３６Ａを拡大して示したグラフである。

図３６Ａより、リテンションタイム７分台後半にアントラセン誘導体のピークが見られた。また、図３６Ｂでは、３分から４分の間に２つのピークが見られた。このうち３．７分付近のピークは、アントラセン誘導体へ二つの酸素原子が付加した物質（以下単に酸素付加体と言う場合がある）が不純物として生成していると考えられる。

リテンションタイム３．７分付近の酸素付加体のピークは、オレンジライトの光を照度１９５ルクスで１時間照射した試料、および遮光された試料では検出されず、昼光色ＬＥＤの光を照度３００ルクスで０．５時間照射した試料および１時間照射した試料で検出された。また検出されたピークを、それぞれ酸素付加体の濃度に換算すると２０６ｐｐｍ、３８４ｐｐｍであった。このように、昼光色ＬＥＤ光の照射時間が長くなるに伴って、試料中の不純物の濃度が増加していることがわかる。

ここで、アントラセン誘導体への酸素の付加は、芳香環の対角に位置する炭素をつなぐように、二つの酸素原子が結合すると想定される。この際、結合は全て単結合であり、Ｃ−Ｏ−Ｏ−Ｃの様な結合を有すると想定される。これに伴い、芳香環の二重結合が一つ減り、芳香性は失われる。芳香性が失われることから、必然的に、材料のバンドギャップは広がり、正孔輸送に関わるＨＯＭＯ（Ｈｉｇｈｅｓｔ　Ｏｃｃｕｐｉｅｄ　Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｏｒｂｉｔａｌ）準位は深くなり、電子輸送に関わるＬＵＭＯ（Ｌｏｗｅｓｔ　Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ　Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｏｒｂｉｔａｌ）準位は浅くなると想定される。このような物質は、元となる物質よりバンドギャップが広いため、発光をクエンチする可能性が低い、ＨＯＭＯ準位が深くＬＵＭＯ準位が浅いためにキャリアの輸送には関わり辛い、などの理由から、通常、発光デバイス特性へは大きな影響を与えないと考えられる。

しかしながら、酸素と酸素の単結合は非常に壊れやすい結合である。酸素と酸素の単結合のエネルギーは１４２ｋＪ／ｍｏｌ程度であり、炭素と炭素の単結合のエネルギー３４６ｋＪ／ｍｏｌおよび炭素と酸素の単結合のエネルギー３５８ｋＪ／ｍｏｌ等と比べても非常に小さい。そのため、このような酸素付加体が存在する状況で、発光デバイスを駆動すると、酸素と酸素の単結合が切断され、それに伴う副反応で、デバイス特性、特に信頼性が悪化してしまう場合がある。

したがって、酸素付加体が生じやすい材料を、大気雰囲気下でプロセスを実施する必要があるデバイスに用いた場合、当該デバイスにおいて優れた信頼性を得る事は困難である。

図２６は、電子輸送層形成後に大気雰囲気下、昼光色のＬＥＤ光を照度３００ルクスで既定の時間照射した発光デバイスの規格化輝度−時間変化特性を表すグラフである。図２６に特性を示した発光デバイスでは、発光層としてアントラセン誘導体であるホスト材料と青色蛍光発光を呈する発光中心物質との共蒸着膜を有している。なお、凡例には、その発光デバイスに照射した昼光色ＬＥＤの光の照射時間を示している。また、凡例にてＲｅｆ．で表される発光デバイスは、真空一貫で作製した発光デバイスである。

図２６より、アントラセン誘導体であるホスト材料と青色蛍光発光を呈する発光中心物質との共蒸着膜を発光層に用いた発光デバイスでは、５秒以上の昼光色ＬＥＤの光の照射で影響が現れ、１分以上光の照射を行うことで影響が顕著であり、５分以上の照射を行うことで発光デバイスの寿命が著しく低下することがわかった。

ホスト材料に対して不純物が十分少ない場合、酸素付加体の生成は要因となる光の照射時間に比例すると仮定すると、図３６の結果より、昼光色のＬＥＤ光を３００ルクスの照度で５秒照射した際の酸素付加体の濃度は約０．５ｐｐｍである。このことから信頼性への影響は０．５ｐｐｍ程度の酸素付加体が生成されると現れると言うことができる。また、フォトリソグラフィ工程における大気雰囲気中の光照射は少なくとも６０秒程度はあると考えると、３００ルクスにおいて６０秒の昼光色ＬＥＤ光の照射で０．５ｐｐｍ以上の酸素付加体が生成する膜を発光層に用いた場合に信頼性への影響が現れるということができる。逆に言うと、３００ルクスにおいて６０秒の昼光色ＬＥＤ光の照射で０．５ｐｐｍ以上の酸素付加体が生成する発光層（ホスト材料と発光中心物質の共蒸着膜）はフォトリソグラフィ工程を経て作製される発光デバイスに用いることは通常困難である。なお、０．５ｐｐｍで影響が現れることから、フォトリソグラフィ工程を経て作製される発光デバイスに用いる発光層（ホスト材料と発光中心物質の共蒸着膜）に含まれる酸素付加体の濃度は０．２５ｐｐｍ以下、好ましくは０．０５ｐｐｍ以下であることが好ましい。

また、図３７に、ホスト材料であるアントラセン誘導体単独の蒸着膜に、上記共蒸着膜と同様に大気雰囲気下で、オレンジライトの光を１９５ルクスの照度で１時間照射した試料、昼光色ＬＥＤ光を３００ルクスの照度で０．５時間照射した試料、１時間照射した試料、および、光を照射していない試料の高速液体クロマトグラフィのＰＤＡ検出器におけるクロマトグラムを示した。図３７Ｂは図３７Ａを拡大して示したグラフである。図３７より、アントラセン誘導体の単独の膜であっても、大気雰囲気下で昼光色ＬＥＤ光を照射した場合に不純物（酸素付加体）が生成することがわかった。本アントラセン誘導体の単膜では、昼光色ＬＥＤ光を３００ルクスの照度で０．５時間照射した試料で１４９ｐｐｍ、１時間照射した試料で２５８ｐｐｍの酸素付加体の生成が確認された。

共蒸着膜と同様に、ホストに対して不純物が十分少ない場合、酸素付加体の生成は生成要因となる光の照射時間に比例すると仮定すると、信頼性への影響は照度３００ルクスにおける６０秒の昼光色ＬＥＤ光照射で０．４ｐｐｍ以上の酸素付加体が生成する有機化合物を用いた場合に現れるということができる。逆に言うと、照度３００ルクスにおける６０秒の昼光色ＬＥＤ光照射で０．４ｐｐｍ以上の酸素付加体が生成する有機化合物を、フォトリソグラフィ工程を経て作製される発光デバイスに用いることは通常困難である。なお、０．４ｐｐｍで影響が現れることから、フォトリソグラフィ工程を経て作製される発光デバイスに用いる材料に含まれる酸素付加体の濃度は０．２ｐｐｍ以下、好ましくは０．０４ｐｐｍ以下であることが好ましい。

なお、不純物の定量に関しては、どのような方法を用いても構わないが、高速液体クロマトグラフィなどを用いる場合においては、このような微量の不純物の検出は困難であるため、光の照射時間に比例して酸素付加体が形成するとした上記仮定から、光の照射時間を検出可能な量の不純物が生成するまで伸ばした試料で測定をおこなえばよい。これによると、例えば、大気雰囲気下において昼光色のＬＥＤ光を３００ルクスの照度で１時間照射した際に３０ｐｐｍ以上の酸素付加体を有する発光層（ホスト材料と発光中心物質の共蒸着膜）で確実に影響が現れ、１５ｐｐｍ以上さらには３ｐｐｍ以上の酸素付加体を有する発光層でもフォトリソグラフィ工程を経た発光デバイスには使用しづらいと言える。すなわち、逆に言うと本発明の一態様を適用することで、大気雰囲気下において昼光色のＬＥＤ光を３００ルクスの照度で１時間照射した際に３ｐｐｍ以上または１５ｐｐｍ以上さらには３０ｐｐｍ以上の酸素付加体を有する発光層を用いても、フォトリソグラフィ工程を経た特性の良好な発光デバイスを得ることができる。なお、発光層がこのような膜であるかどうかは、発光層と同様の組成を有する膜を用いて検証すればよい。発光層と同様の組成を有する膜とは、例えば、発光デバイスにおける発光層とみなされる層を分析し、その結果から組成を推定し、その推定の組成となるように作製した膜であるものとする。

また、同様に大気雰囲気下において昼光色のＬＥＤ光を３００ルクスの照度で１時間照射した際に２４ｐｐｍ以上の酸素付加体が生成する有機化合物を用いると明確に悪影響が現れ、１２ｐｐｍ以上または２．４ｐｐｍ以上の酸素付加体を有する有機化合物でもフォトリソグラフィ工程を経た発光デバイスには使用しづらいと言える。すなわち、逆に言うと本発明の一態様を適用することで、大気雰囲気下において昼光色ＬＥＤの光を１時間照射した際に２．４ｐｐｍ以上または１２ｐｐｍ以上の酸素付加体を有する有機化合物、さらには２４ｐｐｍ以上の酸素付加体を有する有機化合物を用いても、フォトリソグラフィ工程を経た特性の良好な発光デバイスを得ることができる。

続いて、図３３に、図２６に特性を示した発光デバイスと同じ構造を有し、且つ電子輸送層形成後に各々短波長側の発光端が異なる光を照射した複数発光デバイスの、規格化輝度−時間変化特性を示した。短波長側の発光端が異なる光の照射は、昼光色のＬＥＤ光を透過限界波長（透過率が５％のときの波長と、７２％のときの波長の中点に位置する波長）の異なる波長カットフィルターを介して照射することで行った。

なお、各波長カットフィルターは、透過限界波長が４２０ｎｍ、４４０ｎｍ、４５５ｎｍ、４７５ｎｍ、４８０ｎｍ、５００ｎｍ、および８５０ｎｍのものを用い、光源は、図１９にフィルター無しとして示したようなスペクトルを有する昼光色のＬＥＤ光である。また、照度は、どの条件においてもフィルター無しの昼光色のＬＥＤ光が、照射面において照度が３００ルクスとなる条件で照射しており、カットする光の波長帯が多いフィルターを通した条件程、実際に照射される照度は低くなっている。

なお、図および表における凡例に記載の波長は、光照射の際に用いた波長カットフィルターの透過限界波長を示している。また、凡例にてＲｅｆ．で表される発光デバイスは、真空一貫で作製した発光デバイスである。

図３３より、透過限界波長が４５５ｎｍ以下のフィルターを用いたことで、または、フィルターを介さないことで波長の短い光が照射された発光デバイスが、有意に発光効率の低下を起こしていることがわかった。

図２６および図３３の結果より、波長の短い光が一定量照射されることで、不純物が生成し、発光デバイスの特性に悪影響を及ぼしていることがわかる。

また、図３４に、波長カットフィルターを介した昼光色ＬＥＤの光のスペクトルと、ホスト材料であるアントラセン誘導体と、発光中心物質の吸収スペクトルを重ねた図を示した。図より、ホスト材料であるアントラセン誘導体の吸収端は透過限界波長４２０ｎｍのフィルターを用いた光のスペクトルおよびフィルターが介さない光のスペクトルと重なりを有しており、おおよそ４２０ｎｍ以下の波長の光によって励起され、それ以上の光では励起されないことがわかる。

一方、発光中心物質の吸収スペクトルは透過限界波長が４５５ｎｍよりも短い波長のフィルターを用いた光のスペクトルおよびフィルターを介さない光のスペクトルと大きな重なりを有している。

この結果を図３３の結果と併せて考えると、特性への悪影響、すなわち酸素付加体の生成は、ホスト材料が励起されることだけではなく、発光中心物質が励起されることも原因であることが示唆される。なお、発光中心物質の吸収スペクトルは、透過限界波長が４７５ｎｍのフィルターを用いた光と重なってはいるが、その重なりはわずかであるため、透過限界波長が４７５ｎｍのフィルターを用いた光は特性に大きな影響は及ぼされていないと考えられる。また、当該悪影響は、４７５ｎｍ以下の波長範囲にある程度の強度を有する光（具体的には４７５ｎｍ以下の波長に最大ピークの強度の１０％以上の強度を有する光、代表的には昼白色のＬＥＤ光）が照射された場合に起こり、４７５ｎｍ以下の波長に強度をほとんど有さないオレンジライトの照射では起こらないことがわかる。

なお、図３７で示したクロマトグラムにおいて、３０．７分に発光中心物質を検出したが、発光中心物質の劣化物は検出されなかった。このことから、大気雰囲気下における光の吸収によって発光中心物質自体が劣化するのではなく、大気雰囲気下において発光中心物質が励起することによってホスト材料であるアントラセン誘導体の劣化が促進されていることが示唆される。また、大気雰囲気下における光の吸収によって、劣化物が生成する材料と、生成しない材料があることもわかる。

また、大気雰囲気下において、昼光色ＬＥＤ光を照射した際に生じるホスト由来の不純物の濃度が、ホスト材料であるアントラセン誘導体単独の蒸着膜よりも、発光層として採用しているホスト材料（アントラセン誘導体）と発光中心物質との共蒸着膜の方が高いのは、昼光色ＬＥＤの最も強度の強い４５０ｎｍ付近の可視光を、発光中心物質である発光中心物質が効果的に吸収するためである。この結果からも、大気雰囲気下において発光中心物質が励起することによってホスト材料の劣化が促進されていることがわかる。劣化が生じるホスト材料の吸収波長よりも波長の長い、発光中心物質の吸収波長でも劣化が生じることから、発光デバイスを作製する際には、劣化する材料の吸収波長だけでなく、発光中心物質の吸収波長を遮断する必要がある。また、ディスプレイ向け発光デバイスに採用する発光材料は、可視領域に吸収を有する事から、可視光を遮断することが有効である。

以上の結果より、４７５ｎｍ以下の波長範囲にある程度の強度を有する光の大気雰囲気下での照射で不純物が生成することから、フォトリソグラフィ工程を経た発光デバイスでは、特性の低い発光デバイスしか作製できなかった膜（具体的には昼光色のＬＥＤの光を３００ルクスの照度で６０分照射した薄膜状態の試料における酸素付加体の濃度が１５ｐｐｍ以上の膜）を発光層として有する発光デバイスであっても、波長の短い光の照射が遮断された環境を整えることで特性の良好な発光デバイスを得ることができることがわかる。

これにより、大気雰囲気下での光照射によって不純物が生成し、真空一貫工程において作製された発光デバイスで良好な特性を示していても、フォトリソグラフィ工程を経た作製工程にて作製された発光デバイスでは良好な特性が得られなかった材料を、フォトリソグラフィ工程を経る発光デバイスにも特性が劣化することなく用いることが容易となり、高精細且つ発光効率または信頼性の高い特性の良好な発光デバイスを提供することができるようになる。

すなわち、本発明の一態様は、フォトリソグラフィ法を経て加工された発光デバイスであって、４７５ｎｍ以下の波長範囲にある程度の強度を有する光（具体的には４７５ｎｍ以下の波長に最大ピークの強度の１０％以上の強度を有する光、代表的には昼白色のＬＥＤ光）を照射した際に、不純物（酸素付加体）が生成しない膜を発光層として含む発光デバイスである。

または、本発明の一態様は、昼光色ＬＥＤの光を３００ルクスの照度で６０分照射された際に、酸素付加体の濃度が１５ｐｐｍ以上である膜（ホスト材料と発光中心物質との共蒸着膜）を発光層として含む発光デバイスである。

なお、青色蛍光発光物質を発光中心物質として有する発光デバイスは、ホスト材料が、アセン骨格を有する有機化合物、特にアントラセン骨格を有する有機化合物であることが、発光効率、耐久性共に良好な発光層を実現することが可能であるため好ましい。しかし、アセン骨格を有する有機化合物、特にアントラセン骨格を有する有機化合物は、酸素付加体を形成しやすく、すなわちアントラセン骨格を有する有機化合物（ホスト材料）と発光中心物質の共蒸着膜に昼光色ＬＥＤの光を３００ルクスの照度で６０分照射した試料における酸素付加体の濃度が１５ｐｐｍ以上となる材料である。このため、アントラセン骨格を有する有機化合物をホスト材料として用い、フォトリソグラフィ法を用いて加工を行った発光デバイスでは良好な特性が得にくかった。しかし、大気解放時（酸素を含む雰囲気の際）に、発光中心物質が吸収する波長以下の光を照射しない、例えば、光を照射しない（暗状態を保つ）、波長４７５ｎｍ以下の波長成分を有する光を照射しない、または視界確保の光源としてオレンジライトを用いる、ことによって酸素付加体の生成を抑制できることから、これらの材料を用いた特性の良好な発光デバイスを得ることができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の有機半導体デバイス、特に発光デバイスについて詳しく説明する。

図１は、本発明の一態様の発光デバイスの模式図である。発光デバイスは絶縁体１００上に、第１の電極１０１が設けられており、第１の電極１０１と、第２の電極１０２との間に有機化合物層１０３を有している。有機化合物層１０３は少なくとも発光層１１３を有しており、発光層１１３は、発光中心物質と第１の物質とを含んでいる。また、発光中心物質は、第１の電極１０１と第２の電極１０２との間に電圧をかけることによって発光する。また、有機化合物層１０３は、発光素子毎に独立した第１の層である場合と、発光デバイス毎に独立した第１の層と複数の発光デバイスで共有された共有層との積層構造である場合との両方のパターンが存在する。

第１の物質は、実施の形態１に示したような、第１の物質と発光中心物質との共蒸着膜に、４７５ｎｍ以下の波長範囲にある程度の強度を有する光源（具体的には４７５ｎｍ以下の波長に最大ピークの強度の１０％以上の強度を有する光、代表的には昼光色の光）を照射した際に、劣化物（酸素付加体）が生成する有機化合物である。具体的には１０Ｗの昼光色ＬＥＤの光を３００ルクスの照度で６０分照射した際に、共蒸着膜における酸素付加体の濃度が１５ｐｐｍ以上となる性質を有する有機化合物である。

なお、発光中心物質が青色蛍光材料である場合、第１の物質（ホスト材料）は、アセン骨格を有する有機化合物、特にアントラセン骨格を有する有機化合物であることが、発光効率、耐久性共に良好な発光層を実現することが可能であるため好ましい。しかし、アセン骨格を有する有機化合物、特にアントラセン骨格を有する有機化合物は、酸素付加体を形成しやすく、すなわちアントラセン骨格を有する有機化合物（ホスト材料）と発光中心物質の共蒸着膜に昼光色ＬＥＤの光を３００ルクスの照度で６０分照射した試料における酸素付加体の濃度が１５ｐｐｍ以上となる材料である。このため、アントラセン骨格を有する有機化合物をホスト材料として用い、フォトリソグラフィ法を用いて加工を行った発光デバイスでは良好な特性が得にくかった。しかし、大気解放時（酸素を含む雰囲気において）に、発光中心物質が吸収する波長の光を照射しない、例えば、光を照射しない（暗状態を保つ）、波長４７５ｎｍ以下の波長成分を有する光を照射しない、または視界確保の光源としてオレンジライトを用いる、ことによって酸素付加体の生成を抑制できることから、これらの材料を用いた特性の良好な発光デバイスを得ることができる。

第１の物質は、発光層１１３において５０％以上、さらに好ましくは８０％以上含まれると好ましい。この場合、含有量は溶液として高速液体クロマトグラフ（ＨＰＬＣ）での吸収強度比、屈折率強度比などで見積もることができる。

有機化合物層１０３は発光層１１３の他に、図１Ａに示したように、正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、電子輸送層１１４および電子注入層１１５などの機能層を有していることが好ましい。なお、有機化合物層１０３には、正孔ブロック層、電子ブロック層、励起子ブロック層、電荷発生層など、上述した機能層以外の機能層が含まれていてもよい。また、逆に、上述した層のいずれかの層が設けられていなくてもよい。

なお、本実施の形態においては、第１の電極１０１は陽極を含む電極、第２の電極１０２は陰極を含む電極であるものとして記載しているが、これは逆でも構わない。また、第１の電極１０１および第２の電極１０２は、単層構造または積層構造として形成され、積層構造を有する場合、有機化合物層１０３に触れる層が陽極または陰極として機能する。電極が積層構造である場合、有機化合物層１０３に触れる層以外の層に仕事関数に関する制約はなく、抵抗値、加工利便性、反射率、透光性および安定性など要求される特性に応じて材料を選択すればよい。

陽極は、仕事関数の大きい（具体的には４．０ｅＶ以上）金属、合金、導電性化合物、およびこれらの混合物などを用いて形成することが好ましい。具体的には、例えば、酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）、ケイ素若しくは酸化ケイ素を含有した酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＳＯ：Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｓｉｌｉｃｏｎ　Ｏｘｉｄｅ）、酸化インジウム−酸化亜鉛、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム（ＩＷＺＯ）等が挙げられる。これらの導電性金属酸化物膜は、通常スパッタリング法により成膜されるが、ゾル−ゲル法などを応用して作製しても構わない。作製方法の例としては、酸化インジウム−酸化亜鉛は、酸化インジウムに対し１~２０ｗｔ％の酸化亜鉛を加えたターゲットを用いてスパッタリング法により形成する方法などがある。また、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム（ＩＷＺＯ）は、酸化インジウムに対し酸化タングステンを０．５~５ｗｔ％、酸化亜鉛を０．１~１ｗｔ％含有したターゲットを用いてスパッタリング法により形成することもできる。この他に、陽極に用いられる材料は、例えば、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、チタン（Ｔｉ）、アルミ（Ａｌ）または金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等が挙げられる。またこれらを積層した層を陽極としても良い。例えば、Ｔｉ上にＡｌ、Ｔｉ、ＩＴＳＯの順に積層した膜は、反射率が良好なため高効率で、数千ｐｐｉの高精細化が可能なため、好ましい。又は、陽極に用いられる材料として、グラフェンも用いることができる。なお、後述する正孔注入層１１１を構成することが可能な複合材料を陽極と接する層（代表的には正孔注入層）として用いることで、仕事関数に関わらず、電極材料を選択することができるようになる。

正孔注入層１１１は、陽極に接して設けられ、正孔を有機化合物層１０３に注入しやすくする機能を有する。正孔注入層１１１は、フタロシアニン（略称：Ｈ_２Ｐｃ）、銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン化合物またはフタロシアニン系の錯体化合物、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、４，４’−ビス（Ｎ−｛４−［Ｎ’−（３−メチルフェニル）−Ｎ’−フェニルアミノ］フェニル｝−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）等の芳香族アミン化合物、またはポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／（ポリスチレンスルホン酸）（略称：ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等の高分子等によって形成することができる。

また、正孔注入層１１１は電子のアクセプタ性を有する物質により形成してもよい。アクセプタ性を有する物質としては、電子吸引基（ハロゲン基、シアノ基など）を有する有機化合物を用いることができ、７，７，８，８−テトラシアノ−２，３，５，６−テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ４−ＴＣＮＱ）、クロラニル、２，３，６，７，１０，１１−ヘキサシアノ−１，４，５，８，９，１２−ヘキサアザトリフェニレン（略称：ＨＡＴ−ＣＮ）、１，３，４，５，７，８−ヘキサフルオロテトラシアノ−ナフトキノジメタン（略称：Ｆ６−ＴＣＮＮＱ）、２−（７−ジシアノメチレン−１，３，４，５，６，８，９，１０−オクタフルオロ−７Ｈ−ピレン−２−イリデン）マロノニトリル等を挙げることができる。特に、ＨＡＴ−ＣＮのように複素原子を複数有する縮合芳香環に電子吸引基が結合している化合物が、熱的に安定であり好ましい。また、電子吸引基（特にフルオロ基のようなハロゲン基、シアノ基など）を有する［３］ラジアレン誘導体は、電子受容性が非常に高いため好ましく、具体的にはα，α’，α’’−１，２，３−シクロプロパントリイリデントリス［４−シアノ−２，３，５，６−テトラフルオロベンゼンアセトニトリル］、α，α’，α’’−１，２，３−シクロプロパントリイリデントリス［２，６−ジクロロ−３，５−ジフルオロ−４−（トリフルオロメチル）ベンゼンアセトニトリル］、α，α’，α’’−１，２，３−シクロプロパントリイリデントリス［２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンゼンアセトニトリル］などが挙げられる。アクセプタ性を有する物質としては以上で述べた有機化合物以外にも、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等の遷移金属酸化物を用いることができる。

また、正孔注入層１１１は、上記アクセプタ性を有する材料と、正孔輸送性を有する有機化合物とを含む複合材料により形成することが好ましい。

複合材料に用いる正孔輸送性を有する有機化合物としては、芳香族アミン化合物、複素芳香族化合物、芳香族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）など、種々の有機化合物を用いることができる。なお、複合材料に用いる正孔輸送性を有する有機化合物としては、１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する有機化合物であることが好ましい。複合材料に用いられる正孔輸送性を有する有機化合物は、縮合芳香族炭化水素環、または、π電子過剰型複素芳香環を有する化合物であることが好ましい。縮合芳香族炭化水素環としては、アントラセン環、ナフタレン環等が好ましい。また、π電子過剰型複素芳香環としては、ピロール骨格、フラン骨格、チオフェン骨格の少なくともいずれか１を環に含む縮合芳香環が好ましく、具体的にはカルバゾール環、ジベンゾチオフェン環あるいはそれらにさらに芳香環または複素芳香環が縮合した環が好ましい。

このような正孔輸送性を有する有機化合物としては、カルバゾール骨格、ジベンゾフラン骨格、ジベンゾチオフェン骨格およびアントラセン骨格のいずれかを有していることがより好ましい。特に、ジベンゾフラン環またはジベンゾチオフェン環を含む置換基を有する芳香族アミン、ナフタレン環を有する芳香族モノアミン、または９−フルオレニル基がアリーレン基を介してアミンの窒素に結合する芳香族モノアミンであっても良い。なお、これら正孔輸送性を有する有機化合物が、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ビフェニル）アミノ基を有する物質であると、寿命の良好な発光デバイスを作製することができるため好ましい。

以上のような正孔輸送性を有する有機化合物としては、具体的には、Ｎ−（４−ビフェニル）−６，Ｎ−ジフェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン−８−アミン（略称：ＢｎｆＡＢＰ）、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ビフェニル）−６−フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン−８−アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ）、４，４’−ビス（６−フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン−８−イル）−４’’−フェニルトリフェニルアミン（略称：ＢｎｆＢＢ１ＢＰ）、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ビフェニル）ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン−６−アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ（６））、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ビフェニル）ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン−８−アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ（８））、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ビフェニル）ベンゾ［ｂ］ナフト［２，３−ｄ］フラン−４−アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ（ＩＩ）（４））、Ｎ，Ｎ−ビス［４−（ジベンゾフラン−４−イル）フェニル］−４−アミノ−ｐ−ターフェニル（略称：ＤＢｆＢＢ１ＴＰ）、Ｎ−［４−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−Ｎ−フェニル−４−ビフェニルアミン（略称：ＴｈＢＡ１ＢＰ）、４−（２−ナフチル）−４’，４’’−ジフェニルトリフェニルアミン（略称：ＢＢＡβＮＢ）、４−［４−（２−ナフチル）フェニル］−４’，４’’−ジフェニルトリフェニルアミン（略称：ＢＢＡβＮＢｉ）、４，４’−ジフェニル−４’’−（６；１’−ビナフチル−２−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡαＮβＮＢ）、４，４’−ジフェニル−４’’−（７；１’−ビナフチル−２−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡαＮβＮＢ−０３）、４，４’−ジフェニル−４’’−（７−フェニル）ナフチル−２−イルトリフェニルアミン（略称：ＢＢＡＰβＮＢ−０３）、４，４’−ジフェニル−４’’−（６；２’−ビナフチル−２−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡ（βＮ２）Ｂ）、４，４’−ジフェニル−４’’−（７；２’−ビナフチル−２−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡ（βＮ２）Ｂ−０３）、４，４’−ジフェニル−４’’−（４；２’−ビナフチル−１−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡβＮαＮＢ）、４，４’−ジフェニル−４’’−（５；２’−ビナフチル−１−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡβＮαＮＢ−０２）、４−（４−ビフェニリル）−４’−（２−ナフチル）−４’’−フェニルトリフェニルアミン（略称：ＴＰＢｉＡβＮＢ）、４−（３−ビフェニリル）−４’−［４−（２−ナフチル）フェニル］−４’’−フェニルトリフェニルアミン（略称：ｍＴＰＢｉＡβＮＢｉ）、４−（４−ビフェニリル）−４’−［４−（２−ナフチル）フェニル］−４’’−フェニルトリフェニルアミン（略称：ＴＰＢｉＡβＮＢｉ）、４−フェニル−４’−（１−ナフチル）トリフェニルアミン（略称：αＮＢＡ１ＢＰ）、４，４’−ビス（１−ナフチル）トリフェニルアミン（略称：αＮＢＢ１ＢＰ）、４，４’−ジフェニル−４’’−［４’−（カルバゾール−９−イル）ビフェニル−４−イル］トリフェニルアミン（略称：ＹＧＴＢｉ１ＢＰ）、４’−［４−（３−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］トリス（ビフェニル−４−イル）アミン（略称：ＹＧＴＢｉ１ＢＰ−０２）、４−［４’−（カルバゾール−９−イル）ビフェニル−４−イル］−４’−（２−ナフチル）−４’’−フェニルトリフェニルアミン（略称：ＹＧＴＢｉβＮＢ）、Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−Ｎ−［４−（１−ナフチル）フェニル］−９，９’−スピロビ［９Ｈ−フルオレン］−２−アミン（略称：ＰＣＢＮＢＳＦ）、Ｎ，Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）−９，９’−スピロビ［９Ｈ−フルオレン］−２−アミン（略称：ＢＢＡＳＦ）、Ｎ，Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）−９，９’−スピロビ［９Ｈ−フルオレン］−４−アミン（略称：ＢＢＡＳＦ（４））、Ｎ−（ビフェニル−２−イル）−Ｎ−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−９，９’−スピロビ［９Ｈ−フルオレン］−４−アミン（略称：ｏＦＢｉＳＦ）、Ｎ−（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）ジベンゾフラン−４−アミン（略称：ＦｒＢｉＦ）、Ｎ−［４−（１−ナフチル）フェニル］−Ｎ−［３−（６−フェニルジベンゾフラン−４−イル）フェニル］−１−ナフチルアミン（略称：ｍＰＤＢｆＢＮＢＮ）、４−フェニル−４’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）、４−フェニル−３’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ｍＢＰＡＦＬＰ）、４−フェニル−４’−［４−（９−フェニルフルオレン−９−イル）フェニル］トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＢｉ）、４−フェニル−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）、４，４’−ジフェニル−４’’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＢｉ１ＢＰ）、４−（１−ナフチル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＮＢ）、４，４’−ジ（１−ナフチル）−４’’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＮＢＢ）、Ｎ−フェニル−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−９，９’−スピロビ［９Ｈ−フルオレン］−２−アミン（略称：ＰＣＢＡＳＦ）、Ｎ−（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＢｉＦ）、Ｎ，Ｎ−ビス（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−９，９’−スピロビ−９Ｈ−フルオレン−４−アミン、Ｎ，Ｎ−ビス（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−９，９’−スピロビ−９Ｈ−フルオレン−３−アミン、Ｎ，Ｎ−ビス（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−９，９’−スピロビ−９Ｈ−フルオレン−２−アミン、Ｎ，Ｎ−ビス（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−９，９’−スピロビ−９Ｈ−フルオレン−１−アミン等を挙げることができる。

また、正孔輸送性を有する材料としては、その他芳香族アミン化合物として、Ｎ，Ｎ’−ジ（ｐ−トリル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ｐ−フェニレンジアミン（略称：ＤＴＤＰＰＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、４，４’−ビス（Ｎ−｛４−［Ｎ’−（３−メチルフェニル）−Ｎ’−フェニルアミノ］フェニル｝−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）等を用いることもができる。

正孔注入層１１１を形成することによって、正孔の注入性が良好となり、駆動電圧の小さい発光デバイスを得ることができる。

なお、アクセプタ性を有する物質の中でもアクセプタ性を有する有機化合物は蒸着が容易で成膜がしやすいため、用いやすい材料である。

なお、正孔注入層１１１に用いられる材料が第１の化合物であってもよい。

正孔輸送層１１２は、正孔輸送性を有する有機化合物を含んで形成される。正孔輸送性を有する有機化合物としては、１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有していることが好ましい。

上記正孔輸送性を有する材料としては、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−４，４’−ジアミノビフェニル（略称：ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（９，９’−スピロビ［９Ｈ−フルオレン］−２−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−４，４’−ジアミノビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）、４−フェニル−４’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）、４−フェニル−３’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ｍＢＰＡＦＬＰ）、４−フェニル−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）、４，４’−ジフェニル−４’’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＢｉ１ＢＰ）、４−（１−ナフチル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＮＢ）、４，４’−ジ（１−ナフチル）−４’’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＮＢＢ）、９，９−ジメチル−Ｎ−フェニル−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］フルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＡＦ）、Ｎ−フェニル−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−９，９’−スピロビ［９Ｈ−フルオレン］−２−アミン（略称：ＰＣＢＡＳＦ）などの芳香族アミン骨格を有する化合物、１，３−ビス（Ｎ−カルバゾリル）ベンゼン（略称：ｍＣＰ）、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、３，６−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）−９−フェニルカルバゾール（略称：ＣｚＴＰ）、３，３’−ビス（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール）（略称：ＰＣＣＰ）、９，９’−ビス（ビフェニル−４−イル）−３，３’−ビ−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＢｉｓＢＰＣｚ）、９，９’−ビス（ビフェニル−３−イル）−３，３’−ビ−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＢｉｓｍＢＰＣｚ）、９−（ビフェニル−３−イル）−９’−（ビフェニル−４−イル）−９Ｈ，９’Ｈ−３，３’−ビカルバゾール（略称：ｍＢＰＣＣＢＰ）、９−（２−ナフチル）−９’−フェニル−９Ｈ，９’Ｈ−３，３’−ビカルバゾール（略称：βＮＣＣＰ）、９−（３−ビフェニル）−９’−（２−ナフチル）−３，３’−ビ−９Ｈ−カルバゾール（略称：βＮＣＣｍＢＰ）、９−（４−ビフェニル）−９’−（２−ナフチル）−３，３’−ビ−９Ｈ−カルバゾール（略称：βＮＣＣＢＰ）、９，９’−ジ−２−ナフチル−３，３’−９Ｈ，９’Ｈ−ビカルバゾール（略称：ＢｉｓβＮＣｚ）、９−（２−ナフチル）−９’−［１，１’：４’，１”−ターフェニル］−３−イル−３，３’−９Ｈ，９’Ｈ−ビカルバゾール、９−（２−ナフチル）−９’−［１，１’：３’，１”−ターフェニル］−３−イル−３，３’−９Ｈ，９’Ｈ−ビカルバゾール、９−（２−ナフチル）−９’−［１，１’：３’，１”−ターフェニル］−５’−イル−３，３’−９Ｈ，９’Ｈ−ビカルバゾール、９−（２−ナフチル）−９’−［１，１’：４’，１”−ターフェニル］−４−イル−３，３’−９Ｈ，９’Ｈ−ビカルバゾール、９−（２−ナフチル）−９’−［１，１’：３’，１”−ターフェニル］−４−イル−３，３’−９Ｈ，９’Ｈ−ビカルバゾール、９−（２−ナフチル）−９’−（トリフェニレン−２−イル）−３，３’−９Ｈ，９’Ｈ−ビカルバゾール、９−フェニル−９’−（トリフェニレン−２−イル）−３，３’−９Ｈ，９’Ｈ−ビカルバゾール（略称：ＰＣＣｚＴｐ）、９，９’−ビス（トリフェニレン−２−イル）−３，３’−９Ｈ，９’Ｈ−ビカルバゾール、９−（４−ビフェニル）−９’−（トリフェニレン−２−イル）−３，３’−９Ｈ，９’Ｈ−ビカルバゾール、９−（トリフェニレン−２−イル）−９’−［１，１’：３’，１”−ターフェニル］−４−イル−３，３’−９Ｈ，９’Ｈ−ビカルバゾール、などのカルバゾール骨格を有する化合物、４，４’，４’’−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）トリ（ジベンゾチオフェン）（略称：ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ）、２，８−ジフェニル−４−［４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］ジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ−ＩＩＩ）、４−［４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］−６−フェニルジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ−ＩＶ）などのチオフェン骨格を有する化合物、４，４’，４’’−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）トリ（ジベンゾフラン）（略称：ＤＢＦ３Ｐ−ＩＩ）、４−｛３−［３−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］フェニル｝ジベンゾフラン（略称：ｍｍＤＢＦＦＬＢｉ−ＩＩ）などのフラン骨格を有する化合物が挙げられる。上述した中でも、芳香族アミン骨格を有する化合物、カルバゾール骨格を有する化合物は、信頼性が良好であり、また、正孔輸送性が高く、駆動電圧低減にも寄与するため好ましい。なお、正孔注入層１１１の複合材料に用いられる正孔輸送性を有する材料として挙げた物質も正孔輸送層１１２を構成する材料として好適に用いることができる。

発光中心物質は蛍光発光物質であっても、燐光発光物質であっても、熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）を示す物質であっても、その他の発光物質であっても構わない。

発光層において、蛍光発光物質として用いることが可能な材料としては、例えば以下のようなものが挙げられる。また、これ以外の蛍光発光物質も用いることができる。

５，６−ビス［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−２，２’−ビピリジン（略称：ＰＡＰ２ＢＰｙ）、５，６−ビス［４’−（１０−フェニル−９−アントリル）ビフェニル−４−イル］−２，２’−ビピリジン（略称：ＰＡＰＰ２ＢＰｙ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］ピレン−１，６−ジアミン（略称：１，６ＦＬＰＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス［３−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］ピレン−１，６−ジアミン（略称：１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）トリフェニルアミン（略称：２ＹＧＡＰＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ−ｔｅｒｔ−ブチルペリレン（略称：ＴＢＰ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）、Ｎ，Ｎ’’−（２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン−９，１０−ジイルジ−４，１−フェニレン）ビス（Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン）（略称：ＤＰＡＢＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＰＡ）、Ｎ−［４−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＰＡ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’，Ｎ’’’，Ｎ’’’−オクタフェニルジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン−２，７，１０，１５−テトラアミン（略称：ＤＢＣ１）、クマリン３０、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＢＰｈＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＢＰｈＡ）、９，１０−ビス（ビフェニル−２−イル）−Ｎ−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ−フェニルアントラセン−２−アミン（略称：２ＹＧＡＢＰｈＡ）、Ｎ，Ｎ，９−トリフェニルアントラセン−９−アミン（略称：ＤＰｈＡＰｈＡ）、クマリン５４５Ｔ、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルキナクリドン（略称：ＤＰＱｄ）、ルブレン、５，１２−ビス（ビフェニル−４−イル）−６，１１−ジフェニルテトラセン（略称：ＢＰＴ）、２−（２−｛２−［４−（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル｝−６−メチル−４Ｈ−ピラン−４−イリデン）プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ１）、２−｛２−メチル−６−［２−（２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ２）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）テトラセン−５，１１−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＴＤ）、７，１４−ジフェニル−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）アセナフト［１，２−ａ］フルオランテン−３，１０−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＡＦＤ）、２−｛２−イソプロピル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＪＴＩ）、２−｛２−ｔｅｒｔ−ブチル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＪＴＢ）、２−（２，６−ビス｛２−［４−（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル｝−４Ｈ−ピラン−４−イリデン）プロパンジニトリル（略称：ＢｉｓＤＣＭ）、２−｛２，６−ビス［２−（８−メトキシ−１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＢｉｓＤＣＪＴＭ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−（１，６−ピレン−ジイル）ビス［（６−フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン）−８−アミン］（略称：１，６ＢｎｆＡＰｒｎ−０３）、３，１０−ビス［Ｎ−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ナフト［２，３−ｂ；６，７−ｂ’］ビスベンゾフラン（略称：３，１０ＰＣＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）−０２）、３，１０−ビス［Ｎ−（ジベンゾフラン−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ナフト［２，３−ｂ；６，７−ｂ’］ビスベンゾフラン（略称：３，１０ＦｒＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）−０２）などが挙げられる。特に、１，６ＦＬＰＡＰｒｎおよび１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ、１，６ＢｎｆＡＰｒｎ−０３のようなピレンジアミン化合物に代表される縮合芳香族ジアミン化合物は、ホールトラップ性が高く、発光効率または信頼性に優れているため好ましい。

発光層において、発光物質として燐光発光物質を用いる場合、燐光発光物質としては例えば以下のような材料が挙げられる。

トリス｛２−［５−（２−メチルフェニル）−４−（２，６−ジメチルフェニル）−４Ｈ−１，２，４−トリアゾール−３−イル−κＮ２］フェニル−κＣ｝イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｔｚ−ｄｍｐ）_３］）、トリス（５−メチル−３，４−ジフェニル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｍｐｔｚ）_３］）、のような４Ｈ−トリアゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体、トリス［３−メチル−１−（２−メチルフェニル）−５−フェニル−１Ｈ−１，２，４−トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｍｐｔｚ１−ｍｐ）_３］）、トリス（１−メチル−５−フェニル−３−プロピル−１Ｈ−１，２，４−トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｐｒｐｔｚ１−Ｍｅ）_３］）のような１Ｈ−トリアゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体、ｆａｃ−トリス［１−（２，６−ジイソプロピルフェニル）−２−フェニル−１Ｈ−イミダゾール］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｉＰｒｐｉｍ）_３］）、トリス［３−（２，６−ジメチルフェニル）−７−メチルイミダゾ［１，２−ｆ］フェナントリジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｐｉｍｐｔ−Ｍｅ）_３］）、トリス（２−［１−｛２，６−ビス（１−メチルエチル）フェニル｝−１Ｈ−イミダゾール−２−イル−κＮ３］−４−シアノフェニル−κＣ）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：ＣＮＩｍＩｒ）のようなイミダゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体、トリス［（６−ｔｅｒｔ−ブチル−３−フェニル−２Ｈ−イミダゾ［４，５−ｂ］ピラジン−１−イル−κＣ２）フェニル−κＣ］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｃｂ）_３］）のようなベンズイミダゾリデン骨格を有する有機金属錯体、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１−ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス｛２−［３’，５’−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’｝イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：［Ｉｒ（ＣＦ_３ｐｐｙ）_２（ｐｉｃ）］）、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒａｃａｃ）のような電子吸引基を有するフェニルピリジン誘導体を配位子とする有機金属イリジウム錯体が挙げられる。これらは青色の燐光発光を示す化合物であり、４５０ｎｍから５２０ｎｍまでの波長域において発光のピークを有する化合物である。

また、トリス（４−メチル−６−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｍ）_３］）、トリス（４−ｔ−ブチル−６−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）_３］）、（アセチルアセトナト）ビス（６−メチル−４−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［６−（２−ノルボルニル）−４−フェニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｎｂｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［５−メチル−６−（２−メチルフェニル）−４−フェニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（４，６−ジフェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）のようなピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、（アセチルアセトナト）ビス（３，５−ジメチル−２−フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｒ−Ｍｅ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（５−イソプロピル−３−メチル−２−フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｒ−ｉＰｒ）_２（ａｃａｃ）］）のようなピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、トリス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｐｙ）_３］）、ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐｐｙ）_２（ａｃａｃ）］）、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｂｚｑ）_２（ａｃａｃ）］）、トリス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｂｚｑ）_３］）、トリス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｑ）_３］）、ビス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐｑ）_２（ａｃａｃ）］）、［２−ｄ_３−メチル−８−（２−ピリジニル−κＮ）ベンゾフロ［２，３−ｂ］ピリジン−κＣ］ビス［２−（５−ｄ_３−メチル−２−ピリジニル−κＮ２）フェニル−κＣ］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（５ｍｐｐｙ−ｄ_３）_２（ｍｂｆｐｙｐｙ−ｄ_３））、［２−（メチル−ｄ_３）−８−［４−（１−メチルエチル−１−ｄ）−２−ピリジニル−κＮ］ベンゾフロ［２，３−ｂ］ピリジン−７−イル−κＣ］ビス｛５−（メチル−ｄ_３）−２−［５−（メチル−ｄ_３）−２−ピリジニル−κＮ］フェニル−κＣ｝イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（５ｍｔｐｙ−ｄ_６）_２（ｍｂｆｐｙｐｙ−ｉＰｒ−ｄ_４））、［２−ｄ_３−メチル−（２−ピリジニル−κＮ）ベンゾフロ［２，３−ｂ］ピリジン−κＣ］ビス［２−（２−ピリジニル−κＮ）フェニル−κＣ］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）_２（ｍｂｆｐｙｐｙ−ｄ_３））、［２−（４−メチル−５−フェニル−２−ピリジニル−κＮ）フェニル−κＣ］ビス［２−（２−ピリジニル−κＮ）フェニル−κＣ］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）_２（ｍｄｐｐｙ））、［２−（４−ｄ_３−メチル−５−フェニル−２−ピリジニル−κＮ２）フェニル−κＣ］ビス［２−（５−ｄ_３−メチル−２−ピリジニル−κＮ２）フェニル−κＣ］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（５ｍｐｐｙ−ｄ_３）２（ｍｄｐｐｙ−ｄ_３）］）、［２−メチル−（２−ピリジニル−κＮ）ベンゾフロ［２，３−ｂ］ピリジン−κＣ］ビス［２−（２−ピリジニル−κＮ）フェニル−κＣ］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ｍｂｆｐｙｐｙ）］）、［２−（４−メチル−５−フェニル−２−ピリジニル−κＮ）フェニル−κＣ］ビス［２−（２−ピリジニル−κＮ）フェニル−κＣ］イリジウム（略称：［Ｉｒ（ｐｐｙ）_２（ｍｄｐｐｙ）］）のようなピリジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体の他、トリス（アセチルアセトナト）（モノフェナントロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｔｂ（ａｃａｃ）_３（Ｐｈｅｎ）］）のような希土類金属錯体が挙げられる。これらは主に緑色の燐光発光を示す化合物であり、５００ｎｍから６００ｎｍまでの波長域において発光のピークを有する。なお、ピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体は、信頼性または発光効率にも際だって優れるため、特に好ましい。

また、（ジイソブチリルメタナト）ビス［４，６−ビス（３−メチルフェニル）ピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）_２（ｄｉｂｍ）］）、ビス［４，６−ビス（３−メチルフェニル）ピリミジナト］（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）_２（ｄｐｍ）］）、ビス［４，６−ジ（ナフタレン−１−イル）ピリミジナト］（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄ１ｎｐｍ）_２（ｄｐｍ）］）のようなピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、（アセチルアセトナト）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔｐｐｒ）_２（ａｃａｃ）］）、ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔｐｐｒ）_２（ｄｐｍ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）_２（ａｃａｃ）］）のようなピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、トリス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｉｑ）_３］）、ビス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐｉｑ）_２（ａｃａｃ）］）、（３，７−ジエチル−４，６−ノナンジオナト−κＯ４，κＯ６）ビス［２，４−ジメチル−６−［７−（１−メチルエチル）−１−イソキノリニル−κＮ］フェニル−κＣ］イリジウム（ＩＩＩ）、（３，７−ジエチル−４，６−ノナンジオナト−κＯ４，κＯ６）ビス［２，４−ジメチル−６−［５−（１−メチルエチル）−２−キノリニル−κＮ］フェニル−κＣ］イリジウム（ＩＩＩ）のようなピリジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体の他、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）のような白金錯体、トリス（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｅｕ（ＤＢＭ）_３（Ｐｈｅｎ）］）、トリス［１−（２−テノイル）−３，３，３−トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｅｕ（ＴＴＡ）_３（Ｐｈｅｎ）］）のような希土類金属錯体が挙げられる。これらは、赤色の燐光発光を示す化合物であり、６００ｎｍから７００ｎｍまでの波長域において発光のピークを有する。また、ピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体は、色度の良い赤色発光が得られる。

また、以上で述べた燐光性化合物の他、公知の燐光性化合物を選択し、用いてもよい。

ＴＡＤＦ材料としてはフラーレン及びその誘導体、アクリジン及びその誘導体、エオシン誘導体等を用いることができる。またマグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、スズ（Ｓｎ）、白金（Ｐｔ）、インジウム（Ｉｎ）、もしくはパラジウム（Ｐｄ）等を含む金属含有ポルフィリンが挙げられる。該金属含有ポルフィリンとしては、例えば、以下の構造式に示されるプロトポルフィリン−フッ化スズ錯体（ＳｎＦ_２（Ｐｒｏｔｏ　ＩＸ））、メソポルフィリン−フッ化スズ錯体（ＳｎＦ_２（Ｍｅｓｏ　ＩＸ））、ヘマトポルフィリン−フッ化スズ錯体（ＳｎＦ_２（Ｈｅｍａｔｏ　ＩＸ））、コプロポルフィリンテトラメチルエステル−フッ化スズ錯体（ＳｎＦ_２（Ｃｏｐｒｏ　ＩＩＩ−４Ｍｅ））、オクタエチルポルフィリン−フッ化スズ錯体（ＳｎＦ_２（ＯＥＰ））、エチオポルフィリン−フッ化スズ錯体（ＳｎＦ_２（Ｅｔｉｏ　Ｉ））、オクタエチルポルフィリン−塩化白金錯体（ＰｔＣｌ_２ＯＥＰ）等も挙げられる。

また、以下の構造式に示される２−（ビフェニル−４−イル）−４，６−ビス（１２−フェニルインドロ［２，３−ａ］カルバゾール−１１−イル）−１，３，５−トリアジン（略称：ＰＩＣ−ＴＲＺ）、９−（４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン−２−イル）−９’−フェニル−９Ｈ，９’Ｈ−３，３’−ビカルバゾール（略称：ＰＣＣｚＴｚｎ）、２−｛４−［３−（Ｎ−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−９Ｈ−カルバゾール−９−イル］フェニル｝−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ＰＣＣｚＰＴｚｎ）、２−［４−（１０Ｈ−フェノキサジン−１０−イル）フェニル］−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ＰＸＺ−ＴＲＺ）、３−［４−（５−フェニル−５，１０−ジヒドロフェナジン−１０−イル）フェニル］−４，５−ジフェニル−１，２，４−トリアゾール（略称：ＰＰＺ−３ＴＰＴ）、３−（９，９−ジメチル−９Ｈ−アクリジン−１０−イル）−９Ｈ−キサンテン−９−オン（略称：ＡＣＲＸＴＮ）、ビス［４−（９，９−ジメチル−９，１０−ジヒドロアクリジン）フェニル］スルホン（略称：ＤＭＡＣ−ＤＰＳ）、１０−フェニル−１０Ｈ，１０’Ｈ−スピロ［アクリジン−９，９’−アントラセン］−１０’−オン（略称：ＡＣＲＳＡ）、等のπ電子過剰型複素芳香環とπ電子不足型複素芳香環の一方または両方を有する複素環化合物も用いることができる。該複素環化合物は、π電子過剰型複素芳香環及びπ電子不足型複素芳香環を有するため、電子輸送性及び正孔輸送性が共に高く、好ましい。中でも、π電子不足型複素芳香環を有する骨格のうち、ピリジン骨格、ジアジン骨格（ピリミジン骨格、ピラジン骨格、ピリダジン骨格）、およびトリアジン骨格は、安定で信頼性が良好なため好ましい。特に、ベンゾフロピリミジン骨格、ベンゾチエノピリミジン骨格、ベンゾフロピラジン骨格、ベンゾチエノピラジン骨格はアクセプタ性が高く、信頼性が良好なため好ましい。また、π電子過剰型複素芳香環を有する骨格の中でも、アクリジン骨格、フェノキサジン骨格、フェノチアジン骨格、フラン骨格、チオフェン骨格、及びピロール骨格は、安定で信頼性が良好なため、当該骨格の少なくとも一を有することが好ましい。なお、フラン骨格としてはジベンゾフラン骨格が、チオフェン骨格としてはジベンゾチオフェン骨格が、それぞれ好ましい。また、ピロール骨格としては、インドール骨格、カルバゾール骨格、インドロカルバゾール骨格、ビカルバゾール骨格、３−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−９Ｈ−カルバゾール骨格が特に好ましい。なお、π電子過剰型複素芳香環とπ電子不足型複素芳香環とが直接結合した物質は、π電子過剰型複素芳香環の電子供与性とπ電子不足型複素芳香環の電子受容性が共に強くなり、Ｓ_１準位とＴ_１準位のエネルギー差が小さくなるため、熱活性化遅延蛍光を効率よく得られることから特に好ましい。なお、π電子不足型複素芳香環の代わりに、シアノ基のような電子吸引基が結合した芳香環を用いても良い。また、π電子過剰型骨格として、芳香族アミン骨格、フェナジン骨格等を用いることができる。また、π電子不足型骨格として、キサンテン骨格、チオキサンテンジオキサイド骨格、オキサジアゾール骨格、トリアゾール骨格、イミダゾール骨格、アントラキノン骨格、フェニルボラン、ボラントレン等の含ホウ素骨格、ベンゾニトリルまたはシアノベンゼン等のニトリル基またはシアノ基を有する芳香環、複素芳香環、ベンゾフェノン等のカルボニル骨格、ホスフィンオキシド骨格、スルホン骨格等を用いることができる。このように、π電子不足型複素芳香環およびπ電子過剰型複素芳香環の少なくとも一方の代わりにπ電子不足型骨格およびπ電子過剰型骨格を用いることができる。

なお、ＴＡＤＦ材料とは、Ｓ_１準位とＴ_１準位との差が小さく、逆項間交差によって三重項励起エネルギーから一重項励起エネルギーへエネルギーを変換することができる機能を有する材料である。そのため、三重項励起エネルギーをわずかな熱エネルギーによって一重項励起エネルギーにアップコンバート（逆項間交差）が可能で、一重項励起状態を効率よく生成することができる。また、三重項励起エネルギーを発光に変換することができる。

また、２種類の物質で励起状態を形成する励起錯体（エキサイプレックス、エキシプレックスまたはＥｘｃｉｐｌｅｘともいう）は、Ｓ_１準位とＴ_１準位との差が極めて小さく、三重項励起エネルギーを一重項励起エネルギーに変換することが可能なＴＡＤＦ材料としての機能を有する。

なお、Ｔ_１準位の指標としては、低温（例えば７７Ｋから１０Ｋ）で観測される燐光スペクトルを用いればよい。ＴＡＤＦ材料としては、その蛍光スペクトルの短波長側の裾において接線を引き、その外挿線の波長のエネルギーをＳ_１準位とし、燐光スペクトルの短波長側の裾において接線を引き、その外挿線の波長のエネルギーをＴ_１準位とした際に、そのＳ_１とＴ_１の差が０．３ｅＶ以下であることが好ましく、０．２ｅＶ以下であることがさらに好ましい。

また、ＴＡＤＦ材料を発光物質として用いる場合、ホスト材料のＳ_１準位はＴＡＤＦ材料のＳ_１準位より高い方が好ましい。また、ホスト材料のＴ_１準位はＴＡＤＦ材料のＴ_１準位より高いことが好ましい。

発光層のホスト材料としては、電子輸送性を有する材料および／または正孔輸送性を有する材料、上記ＴＡＤＦ材料など様々なキャリア輸送材料を用いることができる。

正孔輸送性を有する材料としては、アミン骨格、π電子過剰型複素芳香環骨格を有する有機化合物などが好ましい。π電子過剰型複素芳香環としては、アクリジン骨格、フェノキサジン骨格、フェノチアジン骨格、フラン骨格、チオフェン骨格、及びピロール骨格の少なくともいずれか１を環に含む縮合芳香環が好ましく、具体的にはカルバゾール環、ジベンゾチオフェン環あるいはそれらにさらに芳香環または複素芳香環が縮合した環が好ましい。

このような有機化合物としては、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−４，４’−ジアミノビフェニル（略称：ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（９，９’−スピロビ［９Ｈ−フルオレン］−２−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−４，４’−ジアミノビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）、４−フェニル−４’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）、４−フェニル−３’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ｍＢＰＡＦＬＰ）、４−フェニル−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）、４，４’−ジフェニル−４’’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＢｉ１ＢＰ）、４−（１−ナフチル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＮＢ）、４，４’−ジ（１−ナフチル）−４’’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＮＢＢ）、９，９−ジメチル−Ｎ−フェニル−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］フルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＡＦ）、Ｎ−フェニル−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−９，９’−スピロビ［９Ｈ−フルオレン］−２−アミン（略称：ＰＣＢＡＳＦ）などの芳香族アミン骨格を有する化合物、１，３−ビス（Ｎ−カルバゾリル）ベンゼン（略称：ｍＣＰ）、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、３，６−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）−９−フェニルカルバゾール（略称：ＣｚＴＰ）、３，３’−ビス（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール）（略称：ＰＣＣＰ）などのカルバゾール骨格を有する化合物、４，４’，４’’−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）トリ（ジベンゾチオフェン）（略称：ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ）、２，８−ジフェニル−４−［４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］ジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ−ＩＩＩ）、４−［４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］−６−フェニルジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ−ＩＶ）などのチオフェン骨格を有する化合物、４，４’，４’’−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）トリ（ジベンゾフラン）（略称：ＤＢＦ３Ｐ−ＩＩ）、４−｛３−［３−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］フェニル｝ジベンゾフラン（略称：ｍｍＤＢＦＦＬＢｉ−ＩＩ）などのフラン骨格を有する化合物が挙げられる。上述した中でも、芳香族アミン骨格を有する化合物またはカルバゾール骨格を有する化合物は、信頼性が良好であり、また、正孔輸送性が高く、駆動電圧低減にも寄与するため好ましい。また、正孔輸送層における、正孔輸送性を有する材料の例として挙げた有機化合物も用いることができる。

電子輸送性を有する材料としては、電界強度［Ｖ／ｃｍ］の平方根が６００における電子移動度が、１×１０^−７ｃｍ^２／Ｖｓ以上好ましくは１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質が好ましい。なお、正孔よりも電子の輸送性が高い物質であれば、これら以外のものを用いることができる。

電子輸送性を有する材料としては例えば、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（ＩＩ）（略称：ＢｅＢｑ_２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８−キノリノラト）亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎｑ）、ビス［２−（２−ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＰＢＯ）、ビス［２−（２−ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＢＴＺ）などの金属錯体、π電子不足型複素芳香環を有する有機化合物が好ましい。π電子不足型複素芳香環骨格を有する有機化合物としては、例えばポリアゾール骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物、ピリジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物、ジアジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物およびトリアジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物を挙げることができる。

中でも、ジアジン骨格（ピリミジン骨格、ピラジン骨格、ピリダジン骨格）を有する複素芳香環を含む有機化合物またはピリジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物、トリアジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物は、信頼性が良好であり好ましい。特に、ジアジン（ピリミジンまたはピラジン）骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物、トリアジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物は、電子輸送性が高く、駆動電圧低減にも寄与する。また、ベンゾフロピリミジン骨格、ベンゾチエノピリミジン骨格、ベンゾフロピラジン骨格、ベンゾチエノピラジン骨格はアクセプター性が高く、信頼性が良好なため好ましい。

π電子不足型複素芳香環骨格を有する有機化合物としては、例えば、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、９−［４−（５−フェニル−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣＯ１１）、２，２’，２’’−（１，３，５−ベンゼントリイル）トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）、２−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール（略称：ｍＤＢＴＢＩｍ−ＩＩ）、４，４’−ビス（５−メチルベンゾオキサゾール−２−イル）スチルベン（略称：ＢｚＯｓ）などのアゾール骨格を有する有機化合物、３，５−ビス［３−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ピリジン（略称：３５ＤＣｚＰＰｙ）、１，３，５−トリ［３−（３−ピリジル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴｍＰｙＰＢ）、バソフェナントロリン（略称：Ｂｐｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、２，９−ジ（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＮＢｐｈｅｎ）、２，２’−（１，３−フェニレン）ビス（９−フェニル−１，１０−フェナントロリン）（略称：ｍＰＰｈｅｎ２Ｐ）、２−［３−（２−トリフェニレニル）フェニル］−１，１０−フェナントロリン（略称：ｍＴｐＰＰｈｅｎ）、２−フェニル−９−（２−トリフェニレニル）−１，１０−フェナントロリン（略称：Ｐｈ−ＴｐＰｈｅｎ）、２−［４−（９−フェナントレニル）−１−ナフタレニル］−１，１０−フェナントロリン（略称：ＰｎＮＰｈｅｎ）、２−［４−（２−トリフェニレニル）フェニル］−１，１０−フェナントロリン（略称：ｐＴｐＰＰｈｅｎ）などのピリジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物、２−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）、２−［３−（３’−ジベンゾチオフェン−４−イル）ビフェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ）、２−［３’−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）ビフェニル−３−イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＣｚＢＰＤＢｑ）、２−［４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−３，１’−ビフェニル−１−イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍｐＰＣＢＰＤＢｑ）、２−［４−（３，６−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ＣｚＰＤＢｑ−ＩＩＩ）、７−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：７ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）、及び６−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：６ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）、９−［３’−（ジベンゾチオフェン−４−イル）ビフェニル−３−イル］ナフト［１’，２’：４，５］フロ［２，３−ｂ］ピラジン（略称：９ｍＤＢｔＢＰＮｆｐｒ）、９−［（３’−ジベンゾチオフェン−４−イル）ビフェニル−４−イル］ナフト［１’，２’：４，５］フロ［２，３−ｂ］ピラジン（略称：９ｐｍＤＢｔＢＰＮｆｐｒ）、４，６−ビス［３−（フェナントレン−９−イル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＰｎＰ２Ｐｍ）、４，６−ビス［３−（４−ジベンゾチエニル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＤＢＴＰ２Ｐｍ−ＩＩ）、４，６−ビス［３−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＣｚＰ２Ｐｍ）、９，９’−［ピリミジン−４，６−ジイルビス（ビフェニル−３，３’−ジイル）］ビス（９Ｈ−カルバゾール）（略称：４，６ｍＣｚＢＰ２Ｐｍ）、８−（ビフェニル−４−イル）−４−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−［１］ベンゾフロ［３，２−ｄ］ピリミジン（略称：８ＢＰ−４ｍＤＢｔＰＢｆｐｍ）、３，８−ビス［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ベンゾフロ［２，３−ｂ］ピラジン（略称：３，８ｍＤＢｔＰ２Ｂｆｐｒ）、４，８−ビス［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−［１］ベンゾフロ［３，２−ｄ］ピリミジン（略称：４，８ｍＤＢｔＰ２Ｂｆｐｍ）、８−［３’−（ジベンゾチオフェン−４−イル）（ビフェニル−３−イル）］ナフト［１’，２’：４，５］フロ［３，２−ｄ］ピリミジン（略称：８ｍＤＢｔＢＰＮｆｐｍ）、８−［（２，２’−ビナフタレン）−６−イル］−４−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−［１］ベンゾフロ［３，２−ｄ］ピリミジン（略称：８（βＮ２）−４ｍＤＢｔＰＢｆｐｍ）、２，２’−（ピリジン−２，６−ジイル）ビス（４−フェニルベンゾ［ｈ］キナゾリン）（略称：２，６（Ｐ−Ｂｑｎ）２Ｐｙ）、２，２’−（ピリジン−２，６−ジイル）ビス｛４−［４−（２−ナフチル）フェニル］−６−フェニルピリミジン｝（略称：２，６（ＮＰ−ＰＰｍ）２Ｐｙ）、６−（ビフェニル−３−イル）−４−［３，５−ビス（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−２−フェニルピリミジン（略称：６ｍＢＰ−４Ｃｚ２ＰＰｍ）、２，６−ビス（４−ナフタレン−１−イルフェニル）−４−［４−（３−ピリジル）フェニル］ピリミジン（略称：２，４ＮＰ−６ＰｙＰＰｍ）、４−［３，５−ビス（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−２−フェニル−６−（ビフェニル−４−イル）ピリミジン（略称：６ＢＰ−４Ｃｚ２ＰＰｍ）、７−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−２−イル）キナゾリン−２−イル］−７Ｈ−ジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール（略称：ＰＣ−ｃｇＤＢＣｚＱｚ）などのジアジン骨格を有する有機化合物、２−（ビフェニル−４−イル）−４−フェニル−６−（９，９’−スピロビ［９Ｈ−フルオレン］−２−イル）−１，３，５−トリアジン（略称：ＢＰ−ＳＦＴｚｎ）、２−｛３−［３−（ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン−８−イル）フェニル］フェニル｝−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ｍＢｎｆＢＰＴｚｎ）、２−｛３−［３−（ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン−６−イル）フェニル］フェニル｝−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ｍＢｎｆＢＰＴｚｎ−０２）、２−｛４−［３−（Ｎ−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−９Ｈ−カルバゾール−９−イル］フェニル｝−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ＰＣＣｚＰＴｚｎ）、９−［３−（４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン−２−イル）フェニル］−９’−フェニル−２，３’−ビ−９Ｈ−カルバゾール（略称：ｍＰＣＣｚＰＴｚｎ−０２）、２−［３’−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−ビフェニル−３−イル］−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ｍＦＢＰＴｚｎ）、５−［３−（４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン−２−イル）フェニル］−７，７−ジメチル−５Ｈ，７Ｈ−インデノ［２，１−ｂ］カルバゾール（略称：ｍＩＮｃ（ＩＩ）ＰＴｚｎ）、２−｛３−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］フェニル｝−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ｍＤＢｔＢＰＴｚｎ）、２，４，６−トリス［３’−（ピリジン−３−イル）ビフェニル−３−イル］−１，３，５−トリアジン（略称：ＴｍＰＰＰｙＴｚ）、２−［３−（２，６−ジメチル−３−ピリジニル）−５−（９−フェナントレニル）フェニル］−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ｍＰｎ−ｍＤＭｅＰｙＰＴｚｎ）、１１−［４−（ビフェニル−４−イル）−６−フェニル−１，３，５−トリアジン−２−イル］−１１，１２−ジヒドロ−１２−フェニル−インドロ［２，３−ａ］カルバゾール（略称：ＢＰ−Ｉｃｚ（ＩＩ）Ｔｚｎ）、２−［３’−（トリフェニレン−２−イル）ビフェニル−３−イル］−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ｍＴｐＢＰＴｚｎ）、３−［９−（４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン−２−イル）−２−ジベンゾフラニル］−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣＤＢｆＴｚｎ）、２−（ビフェニル−３−イル）−４−フェニル−６−（８−［１，１’：４’，１’’−ターフェニル］−４−イル−１−ジベンゾフラニル）−１，３，５−トリアジン（略称：ｍＢＰ−ＴＰＤＢｆＴｚｎ）などのトリアジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物が挙げられる。また、ジアジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物またはピリジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物、トリアジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物は、信頼性が良好であり好ましい。特に、ジアジン（ピリミジンまたはピラジン）骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物、トリアジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物は、電子輸送性が高く、駆動電圧低減にも寄与する。

ホスト材料として用いることが可能なＴＡＤＦ材料としては、先にＴＡＤＦ材料として挙げたものを同様に用いることができる。ＴＡＤＦ材料をホスト材料として用いると、ＴＡＤＦ材料で生成した三重項励起エネルギーが、逆項間交差によって一重項励起エネルギーに変換され、さらに発光物質へエネルギー移動することで、発光デバイスの発光効率を高めることができる。このとき、ＴＡＤＦ材料がエネルギードナーとして機能し、発光物質がエネルギーアクセプターとして機能する。

これは、上記発光物質が蛍光発光物質である場合に、非常に有効である。また、このとき、高い発光効率を得るためには、ＴＡＤＦ材料のＳ_１準位は、蛍光発光物質のＳ_１準位より高いことが好ましい。また、ＴＡＤＦ材料のＴ_１準位は、蛍光発光物質のＳ_１準位より高いことが好ましい。したがって、ＴＡＤＦ材料のＴ_１準位は、蛍光発光物質のＴ_１準位より高いことが好ましい。

また、蛍光発光物質の最も低エネルギー側の吸収帯の波長と重なるような発光を呈するＴＡＤＦ材料を用いることが好ましい。そうすることで、ＴＡＤＦ材料から蛍光発光物質への励起エネルギーの移動がスムーズとなり、効率よく発光が得られるため、好ましい。

また、効率良く三重項励起エネルギーから逆項間交差によって一重項励起エネルギーが生成されるためには、ＴＡＤＦ材料でキャリア再結合が生じることが好ましい。また、ＴＡＤＦ材料で生成した三重項励起エネルギーが蛍光発光物質の三重項励起エネルギーに移動しないことが好ましい。そのためには、蛍光発光物質は、蛍光発光物質が有する発光団（発光の原因となる骨格）の周囲に保護基を有すると好ましい。該保護基としては、π結合を有さない置換基が好ましく、飽和炭化水素が好ましく、具体的には炭素数３以上１０以下のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３以上１０以下のシクロアルキル基、炭素数３以上１０以下のトリアルキルシリル基が挙げられ、保護基が複数あるとさらに好ましい。π結合を有さない置換基は、キャリアを輸送する機能に乏しいため、キャリア輸送またはキャリア再結合に影響をほとんど与えずに、ＴＡＤＦ材料と蛍光発光物質の発光団との距離を遠ざけることができる。ここで、発光団とは、蛍光発光物質において発光の原因となる原子団（骨格）を指す。発光団は、π結合を有する骨格が好ましく、芳香環を含むことが好ましく、縮合芳香環または縮合複素芳香環を有すると好ましい。縮合芳香環または縮合複素芳香環としては、フェナントレン骨格、スチルベン骨格、アクリドン骨格、フェノキサジン骨格、フェノチアジン骨格等が挙げられる。特にナフタレン骨格、アントラセン骨格、フルオレン骨格、クリセン骨格、トリフェニレン骨格、テトラセン骨格、ピレン骨格、ペリレン骨格、クマリン骨格、キナクリドン骨格、ナフトビスベンゾフラン骨格を有する蛍光発光物質は蛍光量子収率が高いため好ましい。

蛍光発光物質を発光物質として用いる場合、ホスト材料としては、アセン骨格、特にアントラセン骨格を有する材料が好適である。アントラセン骨格を有する物質を蛍光発光物質のホスト材料として用いると、発光効率、耐久性共に良好な発光層を実現することが可能である。ホスト材料として用いるアントラセン骨格を有する物質としては、ジフェニルアントラセン骨格、特に９，１０−ジフェニルアントラセン骨格を有する物質が化学的に安定であるため好ましい。また、ホスト材料がカルバゾール骨格を有する場合、正孔の注入・輸送性が高まるため好ましいが、カルバゾールにベンゼン環がさらに縮合したベンゾカルバゾール骨格を含む場合、カルバゾールよりもＨＯＭＯが０．１ｅＶ程度浅くなり、正孔が入りやすくなるためより好ましい。特に、ホスト材料がジベンゾカルバゾール骨格を含む場合、カルバゾールよりもＨＯＭＯが０．１ｅＶ程度浅くなり、正孔が入りやすくなる上に、正孔輸送性にも優れ、耐熱性も高くなるため好適である。したがって、さらにホスト材料として好ましいのは、９，１０−ジフェニルアントラセン骨格およびカルバゾール骨格（あるいはベンゾカルバゾール骨格またはジベンゾカルバゾール骨格）を同時に有する物質である。なお、上記の正孔注入・輸送性の観点から、カルバゾール骨格に換えて、ベンゾフルオレン骨格またはジベンゾフルオレン骨格を用いてもよい。

このような物質の例としては、９−フェニル−３−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣｚＰＡ）、３−［４−（１−ナフチル）フェニル］−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣＰＮ）、９−［４−（１０−フェニル−９−アントラセニル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、７−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−７Ｈ−ジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール（略称：ｃｇＤＢＣｚＰＡ）、６−［３−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン（略称：２ｍＢｎｆＰＰＡ）、９−フェニル−１０−［４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）ビフェニル−４’−イル］アントラセン（略称：ＦＬＰＰＡ）、９−（１−ナフチル）−１０−［４−（２−ナフチル）フェニル］アントラセン（略称：αＮ−βＮＰＡｎｔｈ）、９−（１−ナフチル）−１０−（２−ナフチル）アントラセン（略称：α，βＡＤＮ）、２−（１０−フェニルアントラセン−９−イル）ジベンゾフラン、２−（１０−フェニル−９−アントラセニル）ベンゾ［ｂ］ナフト［２，３−ｄ］フラン（略称：Ｂｎｆ（ＩＩ）ＰｈＡ）、９−（２−ナフチル）−１０−［３−（２−ナフチル）フェニル］アントラセン（略称：βＮ−ｍβＮＰＡｎｔｈ）、１−｛４−［１０−（ビフェニル−４−イル）−９−アントラセニル］フェニル｝−２−エチル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール（略称：ＥｔＢＩｍＰＢＰｈＡ）、等が挙げられる。特に、ＣｚＰＡ、ｃｇＤＢＣｚＰＡ２ｍＢｎｆＰＰＡ、ＰＣｚＰＡは非常に良好な特性を示すため、好ましい選択である。

しかし、アセン骨格を有する有機化合物、特にアントラセン骨格を有する有機化合物は、酸素付加体を形成しやすく、すなわちアントラセン骨格を有する有機化合物（ホスト材料）と発光中心物質の共蒸着膜に昼光色ＬＥＤの光を３００ルクスの照度で６０分照射した試料における酸素付加体の濃度が１５ｐｐｍ以上となる材料である。このため、アントラセン骨格を有する有機化合物をホスト材料として用い、フォトリソグラフィ法を用いて加工を行った発光デバイスでは良好な特性が得にくかった。しかし、大気解放時（酸素を含む雰囲気の際）に、発光中心物質が吸収する波長の光を照射しない、例えば、光を照射しない（暗状態を保つ）、波長４７５ｎｍ以下の波長成分を有する光を照射しない、または視界確保の光源としてオレンジライトを用いる、ことによって酸素付加体の生成を抑制できることから、これらの材料を用いた特性の良好な発光デバイスを得ることができる。

なお、ホスト材料は複数種の物質を混合した材料であっても良く、混合したホスト材料を用いる場合は、電子輸送性を有する材料と、正孔輸送性を有する材料とを混合することが好ましい。電子輸送性を有する材料と、正孔輸送性を有する材料を混合することによって、発光層１１３の輸送性を容易に調整することができ、再結合領域の制御も簡便に行うことができる。正孔輸送性を有する材料と電子輸送性を有する材料の含有量の重量比は、正孔輸送性を有する材料：電子輸送性を有する材料＝１：１９~１９：１とすればよい。

なお、上記混合された材料の一部として、燐光発光物質を用いることができる。燐光発光物質は、発光物質として蛍光発光物質を用いる際に蛍光発光物質へ励起エネルギーを供与するエネルギードナーとして用いることができる。

また、これら混合された材料同士で励起錯体を形成しても良い。当該励起錯体は発光物質の最も低エネルギー側の吸収帯の波長と重なるような発光を呈する励起錯体を形成するような組み合わせを選択することで、エネルギー移動がスムーズとなり、効率よく発光が得られるため好ましい。また、当該構成を用いることで駆動電圧も低下するため好ましい。

なお、励起錯体を形成する材料の少なくとも一方は、燐光発光物質であってもよい。そうすることで、三重項励起エネルギーを逆項間交差によって効率よく一重項励起エネルギーへ変換することができる。

効率よく励起錯体を形成する材料の組み合わせとしては、正孔輸送性を有する材料のＨＯＭＯ準位が電子輸送性を有する材料のＨＯＭＯ準位以上であると好ましい。また、正孔輸送性を有する材料のＬＵＭＯ準位が電子輸送性を有する材料のＬＵＭＯ準位以上であると好ましい。なお、材料のＬＵＭＯ準位およびＨＯＭＯ準位は、サイクリックボルタンメトリ（ＣＶ）測定によって測定される材料の電気化学特性（還元電位および酸化電位）から導出することができる。

なお、励起錯体の形成は、例えば正孔輸送性を有する材料の発光スペクトル、電子輸送性を有する材料の発光スペクトル、およびこれら材料を混合した混合膜の発光スペクトルを比較し、混合膜の発光スペクトルが、各材料の発光スペクトルよりも長波長シフトする（あるいは長波長側に新たなピークを持つ）現象を観測することにより確認することができる。あるいは、正孔輸送性を有する材料の過渡フォトルミネッセンス（ＰＬ）、電子輸送性を有する材料の過渡ＰＬ、及びこれら材料を混合した混合膜の過渡ＰＬを比較し、混合膜の過渡ＰＬ寿命が、各材料の過渡ＰＬ寿命よりも長寿命成分を有する、あるいは遅延成分の割合が大きくなるなどの過渡応答の違いを観測することにより、確認することができる。また、上述の過渡ＰＬは過渡エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）と読み替えても構わない。すなわち、正孔輸送性を有する材料の過渡ＥＬ、電子輸送性を有する材料の過渡ＥＬ及びこれらの混合膜の過渡ＥＬを比較し、過渡応答の違いを観測することによっても、励起錯体の形成を確認することができる。

電子輸送層１１４は、電子輸送性を有する物質を含む層である。電子輸送性を有する材料としては、電界強度［Ｖ／ｃｍ］の平方根が６００における電子移動度が、１×１０^−７ｃｍ^２／Ｖｓ以上好ましくは１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質が好ましい。なお、正孔よりも電子の輸送性が高い物質であれば、これら以外のものを用いることができる。なお、上記有機化合物としてはπ電子不足型複素芳香環を有する有機化合物が好ましい。π電子不足型複素芳香環を有する有機化合物としては、例えばポリアゾール骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物、ピリジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物、ジアジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物およびトリアジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物のいずれかまたは複数であることが好ましい。

上記電子輸送層１１４に用いることが可能な電子輸送性を有する有機化合物としては、上記発光層１１３における電子輸送性を有する有機化合物として用いることが可能な有機化合物を同様に用いることができる。中でも、ジアジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物またはピリジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物、トリアジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物は、信頼性が良好であり好ましい。特に、ジアジン（ピリミジンまたはピラジン）骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物、トリアジン骨格を有する複素芳香環を含む有機化合物は、電子輸送性が高く、駆動電圧低減にも寄与する。特に、ｍＴｐＰＰｈｅｎ、ＰｎＮＰｈｅｎおよびｍＰＰｈｅｎ２Ｐなどのフェナントロリン骨格を有する有機化合物が好ましく、ｍＰＰｈｅｎ２Ｐなどのフェナントロリン二量体構造を有する有機化合物が安定性に優れより好ましい。

なお、電子輸送層１１４は積層構造を有していてもよい。また、積層構造を有する電子輸送層１１４における発光層１１３に接する層は、正孔ブロック層として機能してもよい。発光層に接する電子輸送層を正孔ブロック層として機能させる場合には、そのＨＯＭＯ準位が、発光層１１３に含まれる材料のＨＯＭＯ準位よりも０．５ｅＶ以上深い材料を用いることが好ましい。

電子注入層１１５としては、８−ヒドロキシキノリナト−リチウム（略称：Ｌｉｑ）のようなアルカリ金属又はアルカリ土類金属の化合物もしくは錯体、または１，１’−ピリジン−２，６−ジイル−ビス（１，３，４，６，７，８−ヘキサヒドロ−２Ｈ−ピリミド［１，２−ａ］ピリミジン）（略称：ｈｐｐ２Ｐｙ）などを含む層を設けても良い。電子注入層１１５は、電子輸送性を有する物質からなる層中にアルカリ金属又はアルカリ土類金属又はそれらの化合物を含有させたものを用いてもよい。

また、電子注入層１１５の代わりに電荷発生層１１６を設けても良い（図１Ｂ）。電荷発生層１１６は、電位をかけることによって当該層の陰極側に接する層に正孔を、陽極側に接する層に電子を注入することができる層のことである。電荷発生層１１６には、少なくともＰ型層１１７が含まれる。Ｐ型層１１７は、上述の正孔注入層１１１を構成することができる材料として挙げた複合材料を用いて形成することが好ましい。またＰ型層１１７は、複合材料を構成する材料として上述したアクセプタ材料を含む膜と正孔輸送材料を含む膜とを積層して構成しても良い。Ｐ型層１１７に電位をかけることによって、電子輸送層１１４に電子が、陰極に正孔が注入され、有機ＥＬ素子が動作する。また、本発明の一態様の有機化合物は屈折率が低い有機化合物であることから、Ｐ型層１１７に用いることによって、外部量子効率の良好な有機ＥＬ素子を得ることができる。

なお、電荷発生層１１６はＰ型層１１７の他に電子リレー層１１８及び電子注入バッファ層１１９のいずれか一又は両方がもうけられていることが好ましい。

電子リレー層１１８は少なくとも電子輸送性を有する物質を含み、電子注入バッファ層１１９とＰ型層１１７との相互作用を防いで電子をスムーズに受け渡す機能を有する。電子リレー層１１８に含まれる電子輸送性を有する物質のＬＵＭＯ準位は、Ｐ型層１１７におけるアクセプタ性物質のＬＵＭＯ準位と、電子輸送層１１４における電荷発生層１１６に接する層に含まれる物質のＬＵＭＯ準位との間であることが好ましい。電子リレー層１１８に用いられる電子輸送性を有する物質におけるＬＵＭＯ準位の具体的なエネルギー準位は−５．０ｅＶ以上、好ましくは−５．０ｅＶ以上−３．０ｅＶ以下とするとよい。なお、電子リレー層１１８に用いられる電子輸送性を有する物質としてはフタロシアニン系の材料又は金属−酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体を用いることが好ましい。

電子注入バッファ層１１９には、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、およびこれらの化合物（アルカリ金属化合物（酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウム、炭酸セシウム等の炭酸塩を含む）、アルカリ土類金属化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む）、または希土類金属の化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む））等の電子注入性の高い物質を用いることが可能である。

また、電子注入バッファ層１１９が、電子輸送性を有する物質とドナー性物質を含んで形成される場合には、ドナー性物質として、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、およびこれらの化合物（アルカリ金属化合物（酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウム、炭酸セシウム等の炭酸塩を含む）、アルカリ土類金属化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む）、または希土類金属の化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む））の他、テトラチアナフタセン（略称：ＴＴＮ）、ニッケロセン、デカメチルニッケロセン等の有機化合物を用いることもできる。なお、電子輸送性を有する物質としては、先に説明した電子輸送層１１４を構成する材料と同様の材料を用いて形成することができる。

第２の電極１０２は、陰極を含む電極である。第２の電極１０２は、積層構造を有していてもよく、その場合、有機化合物層１０３と接する層が陰極として機能する。陰極を形成する物質としては、仕事関数の小さい（具体的には３．８ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。このような陰極材料の具体例としては、リチウム（Ｌｉ）またはセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等の元素周期表の第１族または第２族に属する元素、およびこれらを含む合金（ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、化合物（フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_２）など）、ユウロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金等が挙げられる。しかしながら、第２の電極１０２と電子輸送層との間に、電子注入層１１５または上述仕事関数の小さい材料の薄膜を設けることにより、仕事関数の大小に関わらず、Ａｌ、Ａｇ、ＩＴＯ、ケイ素若しくは酸化ケイ素を含有した酸化インジウム−酸化スズ等様々な導電性材料を陰極として用いることができる。

なお、第２の電極１０２を可視光に対し透過性を有する材料で形成した場合、第２の電極１０２側から光を発する発光デバイスとすることができる。

これら導電性材料は、真空蒸着法またはスパッタリング法などの乾式法、インクジェット法、スピンコート法等を用いて成膜することが可能である。また、ゾル−ゲル法を用いて湿式法で形成しても良いし、金属材料のペーストを用いて湿式法で形成してもよい。

また、有機化合物層１０３の形成方法としては、乾式法、湿式法を問わず、種々の方法を用いることができる。例えば、真空蒸着法、グラビア印刷法、オフセット印刷法、スクリーン印刷法、インクジェット法またはスピンコート法など用いても構わない。

また上述した各電極または各層を異なる成膜方法を用いて形成しても構わない。

続いて、複数の発光ユニットを積層した構成の発光デバイス（積層型素子、タンデム型素子ともいう）の態様について、図１Ｃを参照して説明する。この有機ＥＬ素子は、陽極と陰極との間に、複数の発光ユニットを有する有機ＥＬ素子である。一つの発光ユニットは、図１Ａで示した有機化合物層１０３とほぼ同様な構成を有する。つまり、図１Ｃで示す有機ＥＬ素子は複数の発光ユニットを有する有機ＥＬ素子であり、図１Ａ又は図１Ｂで示した有機ＥＬ素子は、１つの発光ユニットを有する有機ＥＬ素子であるということができる。

図１Ｃにおいて、第１の電極５０１と第２の電極５０２との間には、第１の発光ユニット５１１と第２の発光ユニット５１２が積層されており、第１の発光ユニット５１１と第２の発光ユニット５１２との間には電荷発生層５１３が設けられている。第１の電極５０１と第２の電極５０２はそれぞれ図１Ａにおける第１の電極１０１と第２の電極１０２に相当し、図１Ａの説明で述べたものと同じものを適用することができる。また、第１の発光ユニット５１１と第２の発光ユニット５１２は同じ構成であっても異なる構成であってもよい。

電荷発生層５１３は、第１の電極５０１と第２の電極５０２に電圧を印加したときに、一方の発光ユニットに電子を注入し、他方の発光ユニットに正孔を注入する機能を有する。すなわち、図１Ｃにおいて、陽極の電位の方が陰極の電位よりも高くなるように電圧を印加した場合、電荷発生層５１３は、第１の発光ユニット５１１に電子を注入し、第２の発光ユニット５１２に正孔を注入するものであればよい。

電荷発生層５１３は、図１Ｂにて説明した電荷発生層１１６と同様の構成で形成することが好ましい。有機化合物と金属酸化物の複合材料は、キャリア注入性、キャリア輸送性に優れているため、低電圧駆動、低電流駆動を実現することができる。なお、発光ユニットの陽極側の面が電荷発生層５１３に接している場合は、電荷発生層５１３が発光ユニットの正孔注入層の役割も担うことができるため、発光ユニットは正孔注入層を設けなくとも良い。

また、電荷発生層５１３に電子注入バッファ層１１９を設ける場合、当該電子注入バッファ層１１９が陽極側の発光ユニットにおける電子注入層の役割を担うため、陽極側の発光ユニットには必ずしも電子注入層を形成する必要はない。

図１Ｃでは、２つの発光ユニットを有する有機ＥＬ素子について説明したが、３つ以上の発光ユニットを積層した有機ＥＬ素子についても、同様に適用することが可能である。本実施の形態に係る有機ＥＬ素子のように、一対の電極間に複数の発光ユニットを電荷発生層５１３で仕切って配置することで、電流密度を低く保ったまま、高輝度発光を可能とし、さらに長寿命な素子を実現できる。また、低電圧駆動が可能で消費電力が低い発光装置を実現することができる。

また、それぞれの発光ユニットの発光色を異なるものにすることで、有機ＥＬ素子全体として、所望の色の発光を得ることができる。例えば、２つの発光ユニットを有する有機ＥＬ素子において、第１の発光ユニットで赤と緑の発光色、第２の発光ユニットで青の発光色を得ることで、有機ＥＬ素子全体として白色発光する有機ＥＬ素子を得ることも可能である。

また、上述の有機化合物層１０３、第１の発光ユニット５１１、第２の発光ユニット５１２及び電荷発生層などの各層および電極は、例えば、蒸着法（真空蒸着法を含む）、液滴吐出法（インクジェット法ともいう）、塗布法、グラビア印刷法等の方法を用いて形成することができる。また、それらは低分子材料、中分子材料（オリゴマー、デンドリマーを含む）、または高分子材料を含んでも良い。

図２には、本発明の一態様の表示装置に含まれる、複数の発光デバイス１３０からなる発光デバイス群のうち、隣り合う二つの発光デバイス（発光デバイス１３０ａ、発光デバイス１３０ｂ）の図を示した。

発光デバイス１３０ａは、絶縁層１７５上の第１の電極１０１ａと、対向する第２の電極１０２との間に有機化合物層１０３ａを有している。有機化合物層１０３ａは、正孔注入層１１１ａ、正孔輸送層１１２ａ、発光層１１３ａ、電子輸送層１１４ａ、電子注入層１１５を有する構成を示したが、異なる積層構造を有する層であってもよい。有機化合物層１０３ａは、発光デバイス毎に独立した第１の層１３５ａを有しており、さらに複数の発光デバイスで共有された共通層１３６を有していてもよい。図２においては、正孔注入層１１１ａ、正孔輸送層１１２ａ、発光層１１３ａ、電子輸送層１１４ａが第１の層に相当し、電子注入層１１５が共通層に相当する。なお、電子注入層１１５を発光デバイス毎に独立した構成とし、有機化合物層１０３ａすべてを第１の層１３５ａとしてもよい。

発光デバイス１３０ｂは、絶縁層１７５上の第１の電極１０１ｂと、対向する第２の電極１０２との間に有機化合物層１０３ｂを有している。有機化合物層１０３ｂは、正孔注入層１１１ｂ、正孔輸送層１１２ｂ、発光層１１３ｂ、電子輸送層１１４ｂ、電子注入層１１５を有する構成を示したが、異なる積層構造を有する層であってもよい。図２においては、正孔注入層１１１ｂ、正孔輸送層１１２ｂ、発光層１１３ｂ、電子輸送層１１４ｂが第１の層１３５ｂに相当し、電子注入層１１５が共通層１３６に相当する。なお、電子注入層１１５を発光デバイス毎に独立した構成とし、有機化合物層１０３ｂすべてを第１の層１３５ｂとしてもよい。

なお、電子注入層１１５および第２の電極１０２は発光デバイス１３０ａおよび発光デバイス１３０ｂで一続きの共有された層（共通層）であることが好ましい。また、電子注入層１１５以外の有機化合物層１０３ａ有機化合物層１０３ｂは、すなわち第１の層は、電子輸送層１１４ａが形成された後と、電子輸送層１１４ｂが形成された後に各々フォトリソグラフィ法により加工されているため互いに独立している。また、電子注入層１１５以外の有機化合物層１０３ａの端部（輪郭）は、フォトリソグラフィ法により加工されているため基板に対して垂直方向に概略一致している。また、電子注入層１１５以外の有機化合物層１０３ｂの端部（輪郭）は、フォトリソグラフィ法により加工されているため基板に対して垂直方向に概略一致している。この際、フォトリソグラフィ工程に伴う加熱工程は、電子輸送層１１４ａおよび電子輸送層１１４ｂが形成された後に行われる。

また、第１の電極１０１ａと第１の電極１０１ｂとの間の距離ｄは、有機化合物層をフォトリソグラフィ法により加工することからマスク蒸着を行う際よりも小さくすることができ、２μｍ以上５μｍ以下とすることができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の有機半導体デバイスが、表示装置の表示素子として用いることが可能な発光デバイスである形態について説明する。

発光デバイス１３０は図３Ａおよび図３Ｂに例示したように、絶縁層１７５上に複数形成され表示装置を構成する。

表示装置は、複数の画素１７８がマトリクス状に配列された画素部１７７を有する。画素１７８は、副画素１１０Ｒ、副画素１１０Ｇ、及び副画素１１０Ｂを有する。

本明細書等において、例えば副画素１１０Ｒ、副画素１１０Ｇ、及び副画素１１０Ｂに共通する事項を説明する場合には、副画素１１０と呼称して説明する場合がある。アルファベットで区別する他の構成要素についても、これらに共通する事項を説明する場合には、アルファベットを省略した符号を用いて説明する場合がある。

副画素１１０Ｒは赤色の光を呈し、副画素１１０Ｇは緑色の光を呈し、副画素１１０Ｂは青色の光を呈する。これにより、画素部１７７に画像を表示することができる。なお、本実施の形態では、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３色の副画素を例に挙げて説明するが、その他の色の副画素の組み合わせを用いてもよい。また、副画素は３つに限られず、４つ以上としてもよい。４つの副画素としては、例えば、Ｒ、Ｇ、Ｂ、白色（Ｗ）の４色の副画素、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｙの４色の副画素、及び、Ｒ、Ｇ、Ｂ、赤外光（ＩＲ）の４つの副画素、等が挙げられる。

本明細書等において、行方向をＸ方向、列方向をＹ方向という場合がある。Ｘ方向とＹ方向は交差し、例えば垂直に交差する。

図３Ａでは、異なる色の副画素がＸ方向に並べて配置されており、同じ色の副画素が、Ｙ方向に並べて配置されている例を示す。なお、異なる色の副画素がＹ方向に並べて配置され、同じ色の副画素が、Ｘ方向に並べて配置されていてもよい。

画素部１７７の外側には、接続部１４０が設けられ、領域１４１が設けられていてもよい。領域１４１は画素部１７７と接続部１４０の間に設けられる。領域１４１には、有機化合物層１０３が設けられる。また、接続部１４０には、導電層１５１Ｃが設けられる。

図３では、領域１４１、及び接続部１４０が画素部１７７の右側に位置する例を示すが、領域１４１、及び接続部１４０の位置は特に限定されない。また、領域１４１、及び接続部１４０は、単数であっても複数であってもよい。

図３Ｂは、図３Ａにおける一点鎖線Ａ１−Ａ２間の断面図の例である。図３Ａに示すように、表示装置は、絶縁層１７１と、絶縁層１７１上の導電層１７２と、絶縁層１７１上、及び導電層１７２上の絶縁層１７３と、絶縁層１７３上の絶縁層１７４と、絶縁層１７４上の絶縁層１７５と、を有する。絶縁層１７１は、基板（図示せず）上に設けられる。絶縁層１７５、絶縁層１７４、及び絶縁層１７３には、導電層１７２に達する開口が設けられ、当該開口を埋め込むようにプラグ１７６が設けられている。

画素部１７７において、絶縁層１７５及びプラグ１７６上に、発光デバイス１３０が設けられる。また、発光デバイス１３０を覆うように、保護層１３１が設けられている。保護層１３１上には、樹脂層１２２によって基板１２０が貼り合わされている。また、隣り合う発光デバイス１３０の間には、無機絶縁層１２５と、無機絶縁層１２５上の絶縁層１２７と、が設けられていることが好ましい。

図３Ｂでは、無機絶縁層１２５及び絶縁層１２７の断面が複数示されているが、表示装置を上面から見た場合、無機絶縁層１２５及び絶縁層１２７は、それぞれ１つに繋がっていることが好ましい。つまり、絶縁層１２７は、第１の電極上に開口部を有する絶縁層であることが好ましい。

図３Ｂでは、発光デバイス１３０として、発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び発光デバイス１３０Ｂを示している。発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び発光デバイス１３０Ｂは、互いに異なる色の光を発するものとする。例えば、発光デバイス１３０Ｒは赤色の光を発することができ、発光デバイス１３０Ｇは緑色の光を発することができ、発光デバイス１３０Ｂは青色の光を発することができる。また、発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、又は発光デバイス１３０Ｂは、他の可視光又は赤外光を発してもよい。なお、図３Ｂにおいて、発光デバイス１３０Ｒと発光デバイス１３０Ｇ、発光デバイスＧと発光デバイスＢは各々隣り合う発光デバイスということができる。

本発明の一態様の表示装置は、例えば発光デバイスが形成されている基板とは反対方向に光を射出する上面射出型（トップエミッション型）とすることができる。なお、本発明の一態様の表示装置は、下面射出型（ボトムエミッション型）であってもよい。

発光デバイス１３０Ｒは、赤色発光（燐光が好ましい）を呈する発光デバイスであり、実施の形態１または実施の形態２に示したような構成を有することが好ましい。導電層１５１Ｒと導電層１５２Ｒとからなる第１の電極１０１Ｒ（画素電極）と、第１の電極上の第１の層１３５Ｒと、第１の層１３５Ｒ上の共通層１３６と、共通層１３６上の第２の電極（共通電極）１０２と、を有する。共通層１３６は、電子注入層であることが好ましい。

発光デバイス１３０Ｇは、緑色発光（燐光が好ましい）を呈する発光デバイスであり、実施の形態１または実施の形態２に示したような構成を有していてもよい。導電層１５１Ｇと導電層１５２Ｇとからなる第１の電極１０１Ｇ（画素電極）と、第１の電極上の第１の層１３５Ｇと、第１の層１３５Ｇ上の共通層１３６と、共通層１３６上の第２の電極（共通電極）１０２と、を有する。共通層１３６は、電子注入層であることが好ましい。

発光デバイス１３０Ｂは、青色発光（蛍光が好ましい）を呈する発光デバイスであり、実施の形態１または実施の形態２に示したような構成を有することが好ましい。導電層１５１Ｂと導電層１５２Ｂとからなる第１の電極１０１Ｂ（画素電極）と、第１の電極上の第１の層１３５Ｂと、第１の層１３５Ｂ上の共通層１３６と、共通層１３６上の第２の電極（共通電極）１０２と、を有する。共通層１３６は、電子注入層であることが好ましい。

発光デバイスが有する画素電極（第１の電極）と共通電極（第２の電極）のうち、一方は陽極として機能し、他方は陰極として機能する。本実施の形態では、特に断りが無い場合は、画素電極が陽極として機能し、共通電極が陰極として機能するものとして説明する。

第１の層１３５Ｒ、第１の層１３５Ｇ、及び第１の層１３５Ｂは、各々または、発光色毎に島状に独立している。また、第１の層１３５Ｒ、第１の層１３５Ｇ、及び第１の層１３５Ｂは、互いに重なりを有さないことが好ましい。なお、第１の層１３５Ｒ、第１の層１３５Ｇ、及び第１の層１３５Ｂなど、発光装置に形成される複数の発光デバイス１３０が有する第１の層を合わせて第１の層群１３５Ａと称する場合がある。第１の層群１３５Ａを発光デバイス１３０ごとに島状に設けることで、高精細な表示装置においても隣接する発光デバイス１３０間のリーク電流を抑制できる。これにより、クロストークを防ぐことができ、コントラストの極めて高い表示装置を実現できる。特に、低輝度における電流効率の高い表示装置を実現できる。

島状の第１の層群１３５Ａは、発光色毎にＥＬ膜を成膜し、当該ＥＬ膜をフォトリソグラフィ法を用いて加工することにより形成する。

第１の層１３５は、発光デバイス１３０の第１の電極１０１（画素電極）の上面及び側面を覆うように設けられることが好ましい。これにより、第１の層１３５の端部が画素電極の端部よりも内側に位置する構成に比べて、表示装置の開口率を高めることが容易となる。また、発光デバイス１３０の画素電極の側面を第１の層１３５で覆うことで、第１の電極１０１と第２の電極１０２とが接することを抑制できるため、発光デバイス１３０のショートを抑制できる。

また、本発明の一態様の表示装置では、発光デバイスの第１の電極１０１（画素電極）を、積層構成とすることが好ましい。例えば、図３Ｂに示す例では、発光デバイス１３０の第１の電極１０１を、基板１７１側に設けられた導電層１５１と、有機化合物層側に設けられた導電層１５２と、の積層構成としている。

導電層１５１として、例えば金属材料を用いることができる。具体的には、例えばアルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、イットリウム（Ｙ）、ネオジム（Ｎｄ）等の金属、及びこれらを適宜組み合わせて含む合金を用いることもできる。

導電層１５２として、インジウム、錫、亜鉛、ガリウム、チタン、アルミニウム、及びシリコンの中から選ばれるいずれか一又は複数を有する酸化物を用いることができる。例えば、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを含む酸化亜鉛、酸化チタン、ガリウムを含むインジウム亜鉛酸化物、アルミニウムを含むインジウム亜鉛酸化物、シリコンを含むインジウム錫酸化物、及びシリコンを含むインジウム亜鉛酸化物等のいずれか一又は複数を含む導電性酸化物を用いることが好ましい。特に、シリコンを含むインジウム錫酸化物は仕事関数が大きい、例えば仕事関数が４．０ｅＶ以上であるため、導電層１５２として好適に用いることができる。

導電層１５１は、異なる材料を有する複数の層の積層構成であってもよく、導電層１５２は、異なる材料を有する複数の層の積層構成であってもよい。この場合、導電層１５１が、導電性酸化物等の導電層１５２に用いることができる材料を用いた層を有してもよく、また、導電層１５２が、金属材料等の導電層１５１に用いることができる材料を用いた層を有してもよい。例えば、導電層１５１が２層以上の積層構成である場合は、導電層１５２と接する層は、導電層１５２に用いることができる材料を用いた層とすることができる。

なお、導電層１５１の端部は、テーパ形状を有することが好ましい。具体的には、導電層１５１の端部は、テーパ角９０°未満のテーパ形状を有することが好ましい。この場合、導電層１５１の側面に沿って設けられる導電層１５２もテーパ形状を有する。導電層１５２の側面をテーパ形状とすることで、導電層１５２の側面に沿って設けられる第１の層１３５の被覆性を高めることができる。

続いて図３Ａに示す構成を有する表示装置の作製方法例を図４乃至図９を用いて説明する。

［作製方法例１］
表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、及び、導電膜等）は、スパッタリング法、化学気相堆積（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、真空蒸着法、パルスレーザー堆積（ＰＬＤ：Ｐｕｌｓｅｄ　Ｌａｓｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、又はＡＬＤ法等を用いて形成できる。

また、表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、及び、導電膜等）は、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドクターナイフ法、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、又はナイフコート等の湿式の成膜方法により形成できる。

また、表示装置を構成する薄膜を加工する際には、例えばフォトリソグラフィ法を用いて加工できる。

フォトリソグラフィ法において、露光に用いる光は、例えばｉ線（波長３６５ｎｍ）、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）、又はこれらを混合させた光を用いることができる。そのほか、紫外線、ＫｒＦレーザ光、又はＡｒＦレーザ光等を用いることもできる。また、液浸露光技術により露光を行ってもよい。また、露光に用いる光として、極端紫外（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ　Ｕｌｔｒａ−ｖｉｏｌｅｔ）光、又はＸ線を用いてもよい。また、露光に用いる光に換えて、電子ビームを用いることもできる。

薄膜のエッチングには、ドライエッチング法、ウェットエッチング法、又はサンドブラスト法等を用いることができる。

まず、図４Ａに示すように、基板（図示せず）上に絶縁層１７１を形成する。続いて、絶縁層１７１上に導電層１７２、及び導電層１７９を形成し、導電層１７２、及び導電層１７９を覆うように絶縁層１７１上に絶縁層１７３を形成する。続いて、絶縁層１７３上に絶縁層１７４を形成し、絶縁層１７４上に絶縁層１７５を形成する。

基板としては、少なくとも後の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有する基板を用いることができる。例えばガラス基板、石英基板、サファイア基板、セラミック基板、又は有機樹脂基板、シリコン又は炭化シリコン等を材料とした単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体基板、ＳＯＩ基板等の半導体基板を用いることができる。

続いて、図４Ａに示すように、絶縁層１７５、絶縁層１７４、及び絶縁層１７３に、導電層１７２に達する開口を形成する。続いて、当該開口を埋め込むように、プラグ１７６を形成する。

続いて、図４Ａに示すように、プラグ１７６上、及び絶縁層１７５上に、後に導電層１５１Ｒ、導電層１５１Ｇ、導電層１５１Ｂ、及び導電層１５１Ｃとなる導電膜１５１ｆを形成する。導電膜１５１ｆとして、例えば金属材料を用いることができる。

続いて、図４Ａに示すように、導電膜１５１ｆ上にレジストマスク１９１を形成する。レジストマスク１９１は、感光性材料（フォトレジスト）を塗布し、露光及び現像を行うことで形成できる。

続いて、図４Ｂに示すように、例えばレジストマスク１９１と重ならない領域の導電膜１５１ｆを除去する。これにより、導電層１５１が形成される。

続いて、図４Ｃに示すように、レジストマスク１９１を除去する。レジストマスク１９１は、例えば、酸素プラズマを用いたアッシングにより除去できる。

続いて、図４Ｄに示すように、導電層１５１Ｒ上、導電層１５１Ｇ上、導電層１５１Ｂ上、導電層１５１Ｃ上、及び絶縁層１７５上に、後に絶縁層１５６Ｒ、絶縁層１５６Ｇ、絶縁層１５６Ｂ、及び絶縁層１５６Ｃとなる絶縁膜１５６ｆを形成する。

絶縁膜１５６ｆには、酸化絶縁膜、窒化絶縁膜、酸化窒化絶縁膜、又は窒化酸化絶縁膜等の無機絶縁膜、例えば、酸化窒化シリコンを用いることができる。

続いて、図４Ｅに示すように、絶縁膜１５６ｆを加工することにより、絶縁層１５６Ｒ、絶縁層１５６Ｇ、絶縁層１５６Ｂ、及び絶縁層１５６Ｃを形成する。

続いて、図５Ａに示すように、導電層１５１Ｒ上、導電層１５１Ｇ上、導電層１５１Ｂ上、導電層１５１Ｃ上、絶縁層１５６Ｒ上、絶縁層１５６Ｇ上、絶縁層１５６Ｂ上、絶縁層１５６Ｃ上、及び絶縁層１７５上に、導電膜１５２ｆを形成する。

導電膜１５２ｆとして、例えば導電性酸化物を用いることができる。導電膜１５２ｆは積層であってもよい。

続いて、図５Ｂに示すように、導電膜１５２ｆを加工し、導電層１５２Ｒ、導電層１５２Ｇ、導電層１５２Ｂ、及び導電層１５２Ｃを形成する。

続いて、図５Ｃに示すように、有機化合物膜１０３Ｒｆを、導電層１５２Ｒ上、導電層１５２Ｇ上、導電層１５２Ｂ上、及び絶縁層１７５上に形成する。なお、図５Ｃに示すように、導電層１５２Ｃ上には、有機化合物膜１０３Ｒｆを形成していない。

続いて、図５Ｃに示すように、犠牲膜１５８Ｒｆ、マスク膜１５９Ｒｆを形成する。

有機化合物膜１０３Ｒｆ上に犠牲膜１５８Ｒｆを設けることで、表示装置の作製工程中に有機化合物膜１０３Ｒｆが受けるダメージを低減し、発光デバイスの信頼性を高めることができる。

犠牲膜１５８Ｒｆには、有機化合物膜１０３Ｒｆの加工条件に対する耐性の高い膜、具体的には、有機化合物膜１０３Ｒｆとのエッチングの選択比が大きい膜を用いる。マスク膜１５９Ｒｆには、犠牲膜１５８Ｒｆとのエッチングの選択比が大きい膜を用いる。

また、犠牲膜１５８Ｒｆ及びマスク膜１５９Ｒｆは、有機化合物膜１０３Ｒｆの耐熱温度よりも低い温度で形成する。犠牲膜１５８Ｒｆ及びマスク膜１５９Ｒｆを形成する際の基板温度としては、それぞれ、代表的には、１００℃以上２００℃以下、好ましくは１００℃以上１５０℃以下、より好ましくは１００℃以上１２０℃以下である。本発明の一態様の発光デバイスは、第１の化合物を含むことから、より高い温度での加熱工程を経ても表示品質の良好な表示装置を提供することができる。

犠牲膜１５８Ｒｆ及びマスク膜１５９Ｒｆには、ウェットエッチング法またはドライエッチング法により除去できる膜を用いることが好ましい。

なお、有機化合物膜１０３Ｒｆ上に接して形成される犠牲膜１５８Ｒｆは、マスク膜１５９Ｒｆよりも、有機化合物膜１０３Ｒｆへのダメージが少ない形成方法を用いて形成されることが好ましい。例えば、スパッタリング法よりも、ＡＬＤ法（Ａｔｏｍｉｃ　Ｌａｙｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ法）又は真空蒸着法が好ましい。

犠牲膜１５８Ｒｆ及びマスク膜１５９Ｒｆとしては、それぞれ、例えば、金属膜、合金膜、金属酸化物膜、半導体膜、有機絶縁膜、及び、無機絶縁膜等のうち一種又は複数種を用いることができる。

犠牲膜１５８Ｒｆ及びマスク膜１５９Ｒｆには、それぞれ、例えば、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、チタン、アルミニウム、イットリウム、ジルコニウム、及びタンタル等の金属材料、又は該金属材料を含む合金材料を用いることができる。特に、アルミニウム又は銀等の低融点材料を用いることが好ましい。犠牲膜１５８Ｒｆ及びマスク膜１５９Ｒｆの一方又は双方に紫外線を遮蔽することが可能な金属材料を用いることで、有機化合物膜１０３Ｒｆにパターン露光時の紫外線が照射されることを抑制でき、有機化合物膜１０３Ｒｆの劣化を抑制できるため、好ましい。

また、犠牲膜１５８Ｒｆ及びマスク膜１５９Ｒｆには、それぞれ、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物、酸化インジウム、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ酸化物、インジウムチタン酸化物（Ｉｎ−Ｔｉ酸化物）、インジウムスズ亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ酸化物）、インジウムチタン亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｔｉ−Ｚｎ酸化物）、インジウムガリウムスズ亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｎ−Ｚｎ酸化物）、シリコンを含むインジウムスズ酸化物等の金属酸化物を用いることができる。

なお、上記金属酸化物においてガリウムに代えて元素Ｍ（Ｍは、アルミニウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、又はマグネシウムから選ばれた一種又は複数種）を用いてもよい。

犠牲膜１５８Ｒｆ及びマスク膜１５９Ｒｆとしては、例えば、シリコン又はゲルマニウム等の半導体材料を用いることが、半導体の製造プロセスと親和性が高いため好ましい。又は、上記半導体材料を含む化合物を用いることができる。

また、犠牲膜１５８Ｒｆ及びマスク膜１５９Ｒｆとしては、それぞれ、各種無機絶縁膜を用いることができる。特に、酸化絶縁膜は、窒化絶縁膜に比べて有機化合物膜１０３Ｒｆとの密着性が高く好ましい。

続いて、図５Ｃに示すように、レジストマスク１９０Ｒを形成する。レジストマスク１９０Ｒは、感光性材料（フォトレジスト）を塗布し、露光及び現像を行うことで形成できる。

レジストマスク１９０Ｒは、導電層１５２Ｒと重なる位置に設ける。レジストマスク１９０Ｒは、導電層１５２Ｃと重なる位置にも設けることが好ましい。これにより、導電層１５２Ｃが表示装置の作製工程中にダメージを受けることを抑制できる。

続いて、図５Ｄに示すように、レジストマスク１９０Ｒを用いて、マスク膜１５９Ｒｆの一部を除去し、マスク層１５９Ｒを形成する。マスク層１５９Ｒは、導電層１５２Ｒ上と、導電層１５２Ｃ上と、に残存する。その後、レジストマスク１９０Ｒを除去する。続いて、マスク層１５９Ｒをマスク（ハードマスクともいう）に用いて、犠牲膜１５８Ｒｆの一部を除去し、犠牲層１５８Ｒを形成する。

ウェットエッチング法を用いることで、ドライエッチング法を用いる場合に比べて、犠牲膜１５８Ｒｆ及びマスク膜１５９Ｒｆの加工時に、有機化合物膜１０３Ｒｆに加わるダメージを低減できる。ウェットエッチング法を用いる場合、例えば、現像液、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液（ＴＭＡＨ）などのアルカリ水溶液、希フッ酸、シュウ酸、リン酸、酢酸、硝酸、又はこれらの混合液体を用いた薬液等の酸水溶液を用いることが好ましい。

また、犠牲膜１５８Ｒｆの加工においてドライエッチング法を用いる場合は、エッチングガスに酸素を含むガスを用いないことで、有機化合物膜１０３Ｒｆの劣化を抑制できる。

レジストマスク１９０Ｒは、レジストマスク１９１と同様の方法で除去できる。

続いて、図５Ｄに示すように、有機化合物膜１０３Ｒｆを加工して、第１の層１３５Ｒを形成する。例えば、マスク層１５９Ｒ及び犠牲層１５８Ｒをハードマスクに用いて、有機化合物膜１０３Ｒｆの一部を除去し、第１の層１３５Ｒを形成する。

これにより、図５Ｄに示すように、導電層１５２Ｒ上に、第１の層１３５Ｒ、犠牲層１５８Ｒ、及び、マスク層１５９Ｒの積層構造が残存する。また、導電層１５２Ｇ及び導電層１５２Ｂは露出する。

有機化合物膜１０３Ｒｆの加工は、異方性エッチングにより行うことが好ましい。特に、異方性のドライエッチングが好ましい。又は、ウェットエッチングを用いてもよい。

ドライエッチング法を用いる場合は、エッチングガスに酸素を含むガスを用いないことで、有機化合物膜１０３Ｒｆの劣化を抑制できる。

また、エッチングガスに酸素を含むガスを用いてもよい。エッチングガスが酸素を含むことで、エッチングの速度を速めることができる。したがって、エッチング速度を十分な速さに維持しつつ、低パワーの条件でエッチングを行うことができる。このため、有機化合物膜１０３Ｒｆに与えるダメージを抑制できる。さらに、エッチング時に生じる反応生成物の付着等の不具合を抑制できる。

ドライエッチング法を用いる場合、例えば、Ｈ_２、ＣＦ_４、Ｃ_４Ｆ_８、ＳＦ_６、ＣＨＦ_３、Ｃｌ_２、Ｈ_２Ｏ、ＢＣｌ_３、又はＨｅ、Ａｒ等の第１８族元素のうち、一種以上を含むガスをエッチングガスに用いることが好ましい。又は、これらの一種以上と、酸素を含むガスをエッチングガスに用いることが好ましい。又は、酸素ガスをエッチングガスに用いてもよい。

続いて、図６Ａに示すように、後に第１の層１３５Ｇとなる有機化合物膜１０３Ｇｆを形成する。

有機化合物膜１０３Ｇｆは、有機化合物膜１０３Ｒｆの形成に用いることができる方法と同様の方法で形成できる。また、有機化合物膜１０３Ｇｆは、有機化合物膜１０３Ｒｆと同様の構成とすることができる。

続いて、図６Ａに示すように犠牲膜１５８Ｇｆとマスク膜１５９Ｇｆとを順に形成する。その後、レジストマスク１９０Ｇを形成する。犠牲膜１５８Ｇｆ及びマスク膜１５９Ｇｆの材料及び形成方法は、犠牲膜１５８Ｒｆ及びマスク膜１５９Ｒｆに適用できる条件と同様である。レジストマスク１９０Ｇの材料及び形成方法は、レジストマスク１９０Ｒに適用できる条件と同様である。

レジストマスク１９０Ｇは、導電層１５２Ｇと重なる位置に設ける。

続いて、図６Ｂに示すように、レジストマスク１９０Ｇを用いて、マスク膜１５９Ｇｆの一部を除去し、マスク層１５９Ｇを形成する。マスク層１５９Ｇは、導電層１５２Ｇ上に残存する。その後、レジストマスク１９０Ｇを除去する。続いて、マスク層１５９Ｇをマスクに用いて、犠牲膜１５８Ｇｆの一部を除去し、犠牲層１５８Ｇを形成する。続いて、有機化合物膜１０３Ｇｆを加工して、第１の層１３５Ｇを形成する。

続いて、図６Ｃに示すように、有機化合物膜１０３Ｂｆを形成する。

有機化合物膜１０３Ｂｆは、有機化合物膜１０３Ｒｆの形成に用いることができる方法と同様の方法で形成できる。また、有機化合物膜１０３Ｂｆは、有機化合物膜１０３Ｒｆと同様の構成とすることができる。

続いて、図６Ｃに示すように、犠牲膜１５８Ｂｆとマスク膜１５９Ｂｆとを順に形成する。その後、レジストマスク１９０Ｂを形成する。犠牲膜１５８Ｂｆ及びマスク膜１５９Ｂｆの材料及び形成方法は、犠牲膜１５８Ｒｆ及びマスク膜１５９Ｒｆに適用できる条件と同様である。レジストマスク１９０Ｂの材料及び形成方法は、レジストマスク１９０Ｒに適用できる条件と同様である。

レジストマスク１９０Ｂは、導電層１５２Ｂと重なる位置に設ける。

続いて、図６Ｄに示すように、レジストマスク１９０Ｂを用いて、マスク膜１５９Ｂｆの一部を除去し、マスク層１５９Ｂを形成する。マスク層１５９Ｂは、導電層１５２Ｂ上に残存する。その後、レジストマスク１９０Ｂを除去する。続いて、マスク層１５９Ｂをマスクに用いて、犠牲膜１５８Ｂｆの一部を除去し、犠牲層１５８Ｂを形成する。続いて、有機化合物膜１０３Ｂｆを加工して、第１の層１３５Ｂを形成する。例えば、マスク層１５９Ｂ及び犠牲層１５８Ｂをハードマスクに用いて、有機化合物膜１０３Ｂｆの一部を除去し、第１の層１３５Ｂを形成する。

これにより、図６Ｄに示すように、導電層１５２Ｂ上に、第１の層１３５Ｂ、犠牲層１５８Ｂ、及び、マスク層１５９Ｂの積層構造が残存する。また、マスク層１５９Ｒ、及びマスク層１５９Ｇは露出する。

なお、第１の層１３５Ｒ、第１の層１３５Ｇ、第１の層１３５Ｂの側面は、それぞれ、被形成面に対して垂直又は概略垂直であることが好ましい。例えば、被形成面と、これらの側面との成す角度を、６０度以上９０度以下とすることが好ましい。

上記のように、フォトリソグラフィ法を用いて形成した第１の層１３５Ｒ、第１の層１３５Ｇ、及び第１の層１３５Ｂのうち隣接する２つの間の距離は、８μｍ以下、５μｍ以下、３μｍ以下、２μｍ以下、又は、１μｍ以下にまで狭めることができる。ここで、当該距離とは、例えば、第１の層１３５Ｒ、第１の層１３５Ｇ、及び第１の層１３５Ｂのうち、隣接する２つの対向する端部の間の距離で規定できる。このように、島状の有機化合物層の間の距離を狭めることで、高い精細度と、大きな開口率を有する表示装置を提供できる。また、隣り合う発光デバイス間における第１の電極同士の距離も、狭めることができ、例えば１０μｍ以下、８μｍ以下、５μｍ以下、３μｍ以下、２μｍ以下とすることができる。なお、隣り合う発光デバイス間における第１の電極同士の距離は２μｍ以上５μｍ以下であることが好ましい。

続いて、図７Ａに示すように、マスク層１５９Ｒ、マスク層１５９Ｇ、及びマスク層１５９Ｂを除去することが好ましい。

マスク層の除去工程には、マスク層の加工工程と同様の方法を用いることができる。特に、ウェットエッチング法を用いることで、ドライエッチング法を用いる場合に比べて、マスク層を除去する際に、第１の層１３５に加わるダメージを低減できる。

また、マスク層を、水又はアルコール等の極性溶媒に溶解させることで除去してもよい。アルコールとしては、エチルアルコール、メチルアルコール、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、又はグリセリン等が挙げられる。

マスク層を除去した後に、表面に吸着する水を除去するため、乾燥処理を行ってもよい。例えば、不活性ガス雰囲気又は減圧雰囲気下における加熱処理を行うことができる。加熱処理は、基板温度として５０℃以上２００℃以下、好ましくは６０℃以上１５０℃以下、より好ましくは７０℃以上１２０℃以下の温度で行うことができる。減圧雰囲気とすることで、より低温で乾燥が可能であるため好ましい。

続いて、図７Ｂに示すように、無機絶縁膜１２５ｆを形成する。

続いて、図７Ｃに示すように、無機絶縁膜１２５ｆ上に、後に絶縁層１２７となる絶縁膜１２７ｆを形成する。

無機絶縁膜１２５ｆ及び絶縁膜１２７ｆを形成する際の基板温度としては、それぞれ、６０℃以上、８０℃以上、１００℃以上、又は、１２０℃以上、かつ、２００℃以下、１８０℃以下、１６０℃以下、１５０℃以下、又は１４０℃以下であることが好ましい。

無機絶縁膜１２５ｆとしては、上記の基板温度の範囲で、３ｎｍ以上、５ｎｍ以上、又は、１０ｎｍ以上、かつ、２００ｎｍ以下、１５０ｎｍ以下、１００ｎｍ以下、又は、５０ｎｍ以下の厚さの絶縁膜を形成することが好ましい。

無機絶縁膜１２５ｆは、例えば、ＡＬＤ法を用いて形成することが好ましい。ＡＬＤ法を用いることで、成膜ダメージを小さくすることができ、また、被覆性の高い膜を成膜可能なため好ましい。無機絶縁膜１２５ｆとしては、例えば、ＡＬＤ法を用いて、酸化アルミニウム膜を形成することが好ましい。

絶縁膜１２７ｆは、前述の湿式の成膜方法を用いて形成することが好ましい。絶縁膜１２７ｆは、例えば、スピンコートにより、感光性材料を用いて形成することが好ましく、より具体的には、アクリル樹脂を含む感光性の樹脂組成物を用いて形成することが好ましい。

続いて、露光を行って、絶縁膜１２７ｆの一部に、可視光線又は紫外線を感光させる。絶縁層１２７は、導電層１５２Ｒ、導電層１５２Ｇ、及び導電層１５２Ｂのいずれか２つに挟まれる領域、及び、導電層１５２Ｃの周囲に形成される。

絶縁膜１２７ｆへの露光領域によって、後に形成する絶縁層１２７の幅を制御できる。本実施の形態では、絶縁層１２７が導電層１５１の上面と重なる部分を有するように加工する。

露光に用いる光は、ｉ線（波長３６５ｎｍ）を含むことが好ましい。また、露光用いる光は、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、及びｈ線（波長４０５ｎｍ）の少なくとも一方を含んでいてもよい。

続いて、図８Ａに示すように、現像を行って、絶縁膜１２７ｆの露光させた領域を除去し、絶縁層１２７ａを形成する。

続いて、図８Ｂに示すように、絶縁層１２７ａをマスクとして、エッチング処理を行って、無機絶縁膜１２５ｆの一部を除去し、犠牲層１５８Ｒ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｂの一部の膜厚を薄くする。これにより、絶縁層１２７ａの下に、無機絶縁層１２５が形成される。また、犠牲層１５８Ｒ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｂの膜厚が薄い部分の表面が露出する。なお、以下では、絶縁層１２７ａをマスクに用いたエッチング処理を、第１のエッチング処理ということがある。

第１のエッチング処理は、ドライエッチング又はウェットエッチングによって行うことができる。なお、無機絶縁膜１２５ｆを、犠牲層１５８Ｒ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｂと同様の材料を用いて成膜していた場合、第１のエッチング処理を一括で行うことができるため、好ましい。

ドライエッチングを行う場合、塩素系のガスを用いることが好ましい。塩素系ガスとしては、Ｃｌ_２、ＢＣｌ_３、ＳｉＣｌ_４、及びＣＣｌ_４等を、単独又は２以上のガスを混合して用いることができる。また、上記塩素系ガスに、酸素ガス、水素ガス、ヘリウムガス、及びアルゴンガス等を、単独又は２以上のガスを混合して、適宜添加できる。ドライエッチングを用いることにより、犠牲層１５８Ｒ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｂの膜厚が薄い領域を、良好な面内均一性で形成できる。

ドライエッチング装置としては、高密度プラズマ源を有するドライエッチング装置を用いることができる。高密度プラズマ源を有するドライエッチング装置は、例えば、誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ：Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｐｌａｓｍａ）エッチング装置を用いることができる。又は、平行平板型電極を有する容量結合型プラズマ（ＣＣＰ：Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｐｌａｓｍａ）エッチング装置を用いることができる。

また、第１のエッチング処理をウェットエッチングで行うことが好ましい。ウェットエッチング法を用いることで、ドライエッチング法を用いる場合に比べて、第１の層１３５Ｒ、第１の層１３５Ｇ、及び第１の層１３５Ｂに加わるダメージを低減できる。例えば、ウェットエッチングは、アルカリ溶液を用いて行うことができる。例えば、酸化アルミニウム膜のウェットエッチングには、アルカリ溶液であるＴＭＡＨを用いることができる。また、フッ化物を含む酸溶液を用いることもできる。この場合、パドル方式でウェットエッチングを行うことができる。なお、無機絶縁膜１２５ｆを、犠牲層１５８Ｒ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｂと同様の材料を用いて成膜していた場合、上記エッチング処理を一括で行うことができるため、好ましい。

第１のエッチング処理では、犠牲層１５８Ｒ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｂを完全に除去せず、膜厚が薄くなった状態でエッチング処理を停止する。このように、第１の層１３５Ｒ、第１の層１３５Ｇ、及び第１の層１３５Ｂ上に、対応する犠牲層１５８Ｒ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｂを残存させておくことで、後の工程の処理で、第１の層１３５Ｒ、第１の層１３５Ｇ、及び第１の層１３５Ｂが損傷することを防ぐことができる。

続いて、基板全体に露光を行い、可視光線又は紫外線を絶縁層１２７ａに照射することが好ましい。当該露光のエネルギー密度は、０ｍＪ／ｃｍ^２より大きく、８００ｍＪ／ｃｍ^２以下とすることが好ましく、０ｍＪ／ｃｍ^２より大きく、５００ｍＪ／ｃｍ^２以下とすることがより好ましい。現像後にこのような露光を行うことで、絶縁層１２７ａの透明度を向上させることができる場合がある。また、後の工程における、絶縁層１２７ａをテーパ形状に変形させる加熱処理に必要とされる基板温度を低下させることができる場合がある。

ここで、犠牲層１５８Ｒ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｂとして、酸素に対するバリア絶縁層（例えば、酸化アルミニウム膜等）が存在することで、第１の層１３５Ｒ、第１の層１３５Ｇ、及び第１の層１３５Ｂに酸素が拡散することを低減できる。

続いて、加熱処理（ポストベークともいう）を行う。加熱処理を行うことで、絶縁層１２７ａを、側面にテーパ形状を有する絶縁層１２７に変形させることができる（図８Ｃ）。当該加熱処理は、有機化合物層の耐熱温度よりも低い温度で行う。加熱処理は、基板温度として５０℃以上２００℃以下、好ましくは６０℃以上１５０℃以下、より好ましくは７０℃以上１３０℃以下の温度で行うことができる。加熱雰囲気は、大気雰囲気であってもよく、不活性ガス雰囲気であってもよい。また、加熱雰囲気は、大気圧雰囲気であってもよく、減圧雰囲気であってもよい。これにより、絶縁層１２７と無機絶縁層１２５との密着性を向上させ、絶縁層１２７の耐食性も向上させることができる。

第１のエッチング処理にて、犠牲層１５８Ｒ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｂを完全に除去せず、膜厚が薄くなった状態の犠牲層１５８Ｒ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｂを残存させておくことで、当該加熱処理において、第１の層１３５Ｒ、第１の層１３５Ｇ、及び第１の層１３５Ｂがダメージを受けて劣化することを防ぐことができる。したがって、発光デバイスの信頼性を高めることができる。

続いて、図９Ａに示すように、絶縁層１２７をマスクとして、エッチング処理を行って、犠牲層１５８Ｒ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｂの一部を除去する。これにより、犠牲層１５８Ｒ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｂそれぞれに開口が形成され、第１の層１３５Ｒ、第１の層１３５Ｇ、第１の層１３５Ｂ、及び導電層１５２Ｃの上面が露出する。なお、以下では、このエッチング処理を、第２のエッチング処理ということがある。

無機絶縁層１２５の端部は絶縁層１２７で覆われている。また、図９Ａでは、犠牲層１５８Ｇの端部の一部（具体的には、第１のエッチング処理により形成されたテーパ形状の部分）を絶縁層１２７が覆い、第２のエッチング処理により形成されたテーパ形状の部分は露出している例を示す。

第２のエッチング処理はウェットエッチングで行う。ウェットエッチング法を用いることで、ドライエッチング法を用いる場合に比べて、第１の層１３５Ｒ、第１の層１３５Ｇ、及び第１の層１３５Ｂに加わるダメージを低減できる。ウェットエッチングは、例えばアルカリ溶液または酸性溶液を用いて行うことができる。第１の層１３５が溶けないように、水溶液であることが好ましい。

続いて、図９Ｂに示すように、第１の層１３５Ｒ上、第１の層１３５Ｇ上、第１の層１３５Ｂ上、導電層１５２Ｃ上、及び絶縁層１２７上に第２の電極１０２を形成する。第２の電極１０２は、スパッタリング法、又は真空蒸着法等の方法で形成できる。このとき、図３で示した様に、第１の層１３５を第１の層１３５と共通層１３６の積層構造として形成し、その上に第２の電極１０２を形成しても良い。

続いて、図９Ｃに示すように、第２の電極１０２上に保護層１３１を形成する。保護層１３１は、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、又はＡＬＤ法等の方法で形成できる。

続いて、樹脂層１２２を用いて、保護層１３１上に、基板１２０を貼り合わせることで、表示装置を作製できる。前述のように、本発明の一態様の表示装置の作製方法では、導電層１５１の側面と重なる領域を有するように絶縁層１５６を設け、且つ導電層１５１及び絶縁層１５６を覆うように導電層１５２を形成する。これにより、表示装置の歩留まりを高め、また不良の発生を抑制できる。

以上のように、本発明の一態様の表示装置の作製方法では、島状の第１の層１３５Ｒ、島状の第１の層１３５Ｇ、及び島状の第１の層１３５Ｂは、ファインメタルマスクを用いて形成されるのではなく、膜を一面に成膜した後に加工することで形成されるため、島状の層を均一の厚さで形成できる。そして、高精細な表示装置又は高開口率の表示装置を実現できる。また、精細度又は開口率が高く、副画素間の距離が極めて短くても、隣接する副画素において、第１の層１３５Ｒ、第１の層１３５Ｇ、及び、第１の層１３５Ｂが互いに接することを抑制できる。したがって、副画素間にリーク電流が発生することを抑制できる。これにより、クロストークを防ぐことができ、コントラストの極めて高い表示装置を実現できる。また、フォトリソグラフィ法を用いて作製されたタンデム型の発光デバイスを有する表示装置であっても、良好な特性の表示装置を提供することができる。

（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について説明する。

本実施の形態の表示装置は、高精細な表示装置とすることができる。したがって、本実施の形態の表示装置は、例えば、腕時計型、及び、ブレスレット型等の情報端末機（ウェアラブル機器）の表示部、並びに、ヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）等のＶＲ向け機器、及び、メガネ型のＡＲ向け機器等の頭部に装着可能なウェアラブル機器の表示部に用いることができる。

また、本実施の形態の表示装置は、高解像度な表示装置又は大型な表示装置とすることができる。したがって、本実施の形態の表示装置は、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型もしくはノート型のパーソナルコンピュータ、コンピュータ用等のモニタ、デジタルサイネージ、及び、パチンコ機等の大型ゲーム機等の比較的大きな画面を備える電子機器の他、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、及び、音響再生装置の表示部に用いることができる。

［表示モジュール］
図１０Ａに、表示モジュール２８０の斜視図を示す。表示モジュール２８０は、表示装置１００Ａと、ＦＰＣ２９０と、を有する。なお、表示モジュール２８０が有する表示装置は表示装置１００Ａに限られず、後述する表示装置１００Ｂおよび表示装置１００Ｅのいずれかであってもよい。

表示モジュール２８０は、基板２９１及び基板２９２を有する。表示モジュール２８０は、表示部２８１を有する。表示部２８１は、表示モジュール２８０における画像を表示する領域であり、後述する画素部２８４に設けられる各画素からの光を視認できる領域である。

図１０Ｂに、基板２９１側の構成を模式的に示した斜視図を示している。基板２９１上には、回路部２８２と、回路部２８２上の画素回路部２８３と、画素回路部２８３上の画素部２８４と、が積層されている。また、基板２９１上の画素部２８４と重ならない部分に、ＦＰＣ２９０と接続するための端子部２８５が設けられている。端子部２８５と回路部２８２とは、複数の配線により構成される配線部２８６により電気的に接続されている。

画素部２８４は、周期的に配列した複数の画素２８４ａを有する。図１０Ｂの右側に、１つの画素２８４ａの拡大図を示している。画素２８４ａには、先の実施の形態で説明した各種構成を適用できる。図１０Ｂでは、画素２８４ａが図３に示す画素１７８と同様の構成を有する場合を例に示す。

画素回路部２８３は、周期的に配列した複数の画素回路２８３ａを有する。

１つの画素回路２８３ａは、１つの画素２８４ａが有する複数の素子の駆動を制御する回路である。

回路部２８２は、画素回路部２８３の各画素回路２８３ａを駆動する回路を有する。例えば、ゲート線駆動回路、及び、ソース線駆動回路の一方又は双方を有することが好ましい。このほか、演算回路、メモリ回路、及び電源回路等の少なくとも一つを有していてもよい。

ＦＰＣ２９０は、外部から回路部２８２にビデオ信号又は電源電位等を供給するための配線として機能する。また、ＦＰＣ２９０上にＩＣが実装されていてもよい。

表示モジュール２８０は、画素部２８４の下側に画素回路部２８３及び回路部２８２の一方又は双方が積層された構成とすることができるため、表示部２８１の開口率（有効表示面積比）を極めて高くすることができる。

このような表示モジュール２８０は、極めて高精細であることから、ＨＭＤ等のＶＲ向け機器又はメガネ型のＡＲ向け機器に好適に用いることができる。例えば、レンズを通して表示モジュール２８０の表示部を視認する構成の場合であっても、表示モジュール２８０は極めて高精細な表示部２８１を有するためにレンズで表示部を拡大しても画素が視認されず、没入感の高い表示を行うことができる。また、表示モジュール２８０はこれに限られず、比較的小型の表示部を有する電子機器に好適に用いることができる。

［表示装置１００Ａ］
図１１Ａに示す表示装置１００Ａは、基板３０１、発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、発光デバイス１３０Ｂ、容量２４０、及び、トランジスタ３１０を有する。

基板３０１は、図１０Ａ及び図１０Ｂにおける基板２９１に相当する。トランジスタ３１０は、基板３０１にチャネル形成領域を有するトランジスタである。基板３０１としては、例えば単結晶シリコン基板等の半導体基板を用いることができる。トランジスタ３１０は、基板３０１の一部、導電層３１１、低抵抗領域３１２、絶縁層３１３、及び、絶縁層３１４を有する。導電層３１１は、ゲート電極として機能する。絶縁層３１３は、基板３０１と導電層３１１の間に位置し、ゲート絶縁層として機能する。低抵抗領域３１２は、基板３０１に不純物がドープされた領域であり、ソース又はドレインとして機能する。絶縁層３１４は、導電層３１１の側面を覆って設けられる。

また、基板３０１に埋め込まれるように、隣接する２つのトランジスタ３１０の間に素子分離層３１５が設けられている。

また、トランジスタ３１０を覆って絶縁層２６１が設けられ、絶縁層２６１上に容量２４０が設けられている。

容量２４０は、導電層２４１と、導電層２４５と、これらの間に位置する絶縁層２４３を有する。導電層２４１は、容量２４０の一方の電極として機能し、導電層２４５は、容量２４０の他方の電極として機能し、絶縁層２４３は、容量２４０の誘電体として機能する。

導電層２４１は絶縁層２６１上に設けられ、絶縁層２５４に埋め込まれている。導電層２４１は、絶縁層２６１に埋め込まれたプラグ２７１によってトランジスタ３１０のソース又はドレインの一方と電気的に接続されている。絶縁層２４３は導電層２４１を覆って設けられる。導電層２４５は、絶縁層２４３を介して導電層２４１と重なる領域に設けられている。

容量２４０を覆って、絶縁層２５５が設けられ、絶縁層２５５上に絶縁層１７４が設けられ、絶縁層１７４上に絶縁層１７５が設けられている。絶縁層１７５上に発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び、発光デバイス１３０Ｂが設けられている。隣り合う発光デバイスの間の領域には、絶縁物が設けられる。

導電層１５１Ｒの側面と重なる領域を有するように絶縁層１５６Ｒが設けられ、導電層１５１Ｇの側面と重なる領域を有するように絶縁層１５６Ｇが設けられ、導電層１５１Ｂの側面と重なる領域を有するように絶縁層１５６Ｂが設けられる。また、導電層１５１Ｒ及び絶縁層１５６Ｒを覆うように導電層１５２Ｒが設けられ、導電層１５１Ｇ及び絶縁層１５６Ｇを覆うように導電層１５２Ｇが設けられ、導電層１５１Ｂ及び絶縁層１５６Ｂを覆うように導電層１５２Ｂが設けられる。第１の層１３５Ｒ上には、犠牲層１５８Ｒが位置し、第１の層１３５Ｇ上には、犠牲層１５８Ｇが位置し、第１の層１３５Ｂ上には、犠牲層１５８Ｂが位置する。

導電層１５１Ｒ、導電層１５１Ｇ、及び導電層１５１Ｂは、絶縁層２４３、絶縁層２５５、絶縁層１７４、及び絶縁層１７５に埋め込まれたプラグ２５６、絶縁層２５４に埋め込まれた導電層２４１、及び、絶縁層２６１に埋め込まれたプラグ２７１によってトランジスタ３１０のソース又はドレインの一方と電気的に接続されている。プラグには各種導電材料を用いることができる。

また、発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び、発光デバイス１３０Ｂ上には保護層１３１が設けられている。保護層１３１上には、樹脂層１２２によって基板１２０が貼り合わされている。発光デバイス１３０から基板１２０までの構成要素についての詳細は、実施の形態３を参照できる。基板１２０は、図１０Ａにおける基板２９２に相当する。

図１１Ｂは、図１１Ａに示す表示装置１００Ａの変形例である。図１１Ｂに示す表示装置は、着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、及び着色層１３２Ｂを有し、発光デバイス１３０が着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、及び着色層１３２Ｂのうち一つと重なる領域を有する。図１１Ｂに示す表示装置において、発光デバイス１３０は、例えば白色光を発することができる。また、例えば着色層１３２Ｒは赤色の光を透過し、着色層１３２Ｇは緑色の光を透過し、着色層１３２Ｂは青色の光を透過できる。

［表示装置１００Ｂ］
図１２に、表示装置１００Ｂの斜視図を示し、図１３に、表示装置１００Ｂの断面図を示す。

表示装置１００Ｂは、基板３５２と基板３５１とが貼り合わされた構成を有する。図１２では、基板３５２を破線で示している。

表示装置１００Ｂは、画素部１７７、接続部１４０、回路３５６、及び配線３５５等を有する。図１２では表示装置１００ＢにＩＣ３５４及びＦＰＣ３５３が実装されている例を示している。このため、図１２に示す構成は、表示装置１００Ｂと、ＩＣ（集積回路）と、ＦＰＣと、を有する表示モジュールということもできる。ここで、表示装置の基板に、ＦＰＣ等のコネクタが取り付けられたもの、又は当該基板にＩＣが実装されたものを、表示モジュールと呼ぶ。

接続部１４０は、画素部１７７の外側に設けられる。接続部１４０は、単数であっても複数であってもよい。接続部１４０は、発光デバイスの共通電極と、導電層とが電気的に接続されており、共通電極に電位を供給できる。

回路３５６としては、例えば走査線駆動回路を用いることができる。

配線３５５は、画素部１７７及び回路３５６に信号及び電力を供給する機能を有する。当該信号及び電力は、ＦＰＣ３５３を介して外部から、又はＩＣ３５４から配線３５５に入力される。

図１２では、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）方式又はＣＯＦ（Ｃｈｉｐ　ｏｎ　Ｆｉｌｍ）方式等により、基板３５１にＩＣ３５４が設けられている例を示す。ＩＣ３５４は、例えば走査線駆動回路又は信号線駆動回路等を有するＩＣを適用できる。なお、表示装置１００Ｂ及び表示モジュールは、ＩＣを設けない構成としてもよい。また、ＩＣを、例えばＣＯＦ方式により、ＦＰＣに実装してもよい。

図１３に、表示装置１００Ｂの、ＦＰＣ３５３を含む領域の一部、回路３５６の一部、画素部１７７の一部、接続部１４０の一部、及び、端部を含む領域の一部をそれぞれ切断したときの断面の一例を示す。

［表示装置１００Ｃ］
図１３に示す表示装置１００Ｃは、基板３５１と基板３５２の間に、トランジスタ２０１、トランジスタ２０５、赤色の光を発する発光デバイス１３０Ｒ、緑色の光を発する発光デバイス１３０Ｇ、及び、発光デバイス１３０Ｂ等を有する。

発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び発光デバイス１３０Ｂの詳細は実施の形態１を参照できる。

発光デバイス１３０Ｒは、導電層２２４Ｒと、導電層２２４Ｒ上の導電層１５１Ｒと、導電層１５１Ｒ上の導電層１５２Ｒと、を有する。発光デバイス１３０Ｇは、導電層２２４Ｇと、導電層２２４Ｇ上の導電層１５１Ｇと、導電層１５１Ｇ上の導電層１５２Ｇと、を有する。発光デバイス１３０Ｂは、導電層２２４Ｂと、導電層２２４Ｂ上の導電層１５１Ｂと、導電層１５１Ｂ上の導電層１５２Ｂと、を有する。

導電層２２４Ｒは、絶縁層２１４に設けられた開口を介して、トランジスタ２０５が有する導電層２２２ｂと接続されている。導電層２２４Ｒの端部よりも外側に導電層１５１Ｒの端部が位置している。導電層１５１Ｒの側面と接する領域を有するように絶縁層１５６Ｒが設けられ、導電層１５１Ｒ及び絶縁層１５６Ｒを覆うように導電層１５２Ｒが設けられる。

発光デバイス１３０Ｇにおける導電層２２４Ｇ、導電層１５１Ｇ、導電層１５２Ｇ、絶縁層１５６Ｇ、及び発光デバイス１３０Ｂにおける導電層２２４Ｂ、導電層１５１Ｂ、導電層１５２Ｂ、絶縁層１５６Ｂについては、発光デバイス１３０Ｒにおける導電層２２４Ｒ、導電層１５１Ｒ、導電層１５２Ｒ、絶縁層１５６Ｒと同様であるため詳細な説明は省略する。

導電層２２４Ｒ、導電層２２４Ｇ、及び導電層２２４Ｂには、絶縁層２１４に設けられた開口を覆うように凹部が形成される。当該凹部には、層１２８が埋め込まれている。

層１２８は、導電層２２４Ｒ、導電層２２４Ｇ、及び導電層２２４Ｂの凹部を平坦化する機能を有する。導電層２２４Ｒ、導電層２２４Ｇ、及び導電層２２４Ｂ及び層１２８上には、導電層２２４Ｒ、導電層２２４Ｇ、及び導電層２２４Ｂと電気的に接続される導電層１５１Ｒ、導電層１５１Ｇ、及び導電層１５１Ｂが設けられている。したがって、導電層２２４Ｒ、導電層２２４Ｇ、及び導電層２２４Ｂの凹部と重なる領域も発光領域として使用でき、画素の開口率を高めることができる。

層１２８は、絶縁層であってもよく、導電層であってもよい。層１２８には、各種無機絶縁材料、有機絶縁材料、及び導電材料を適宜用いることができる。特に、層１２８は、絶縁材料を用いて形成されることが好ましく、有機絶縁材料を用いて形成されることが特に好ましい。層１２８には、例えば前述の絶縁層１２７に用いることができる有機絶縁材料を適用できる。

発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び発光デバイス１３０Ｂ上には保護層１３１が設けられている。保護層１３１と基板３５２は接着層１４２を介して接着されている。基板３５２には、遮光層１５７が設けられている。発光デバイス１３０の封止には、固体封止構造又は中空封止構造等が適用できる。図１３では、基板３５２と基板３５１との間の空間が、接着層１４２で充填されており、固体封止構造が適用されている。又は、当該空間を不活性ガス（窒素又はアルゴン等）で充填し、中空封止構造を適用してもよい。このとき、接着層１４２は、発光デバイスと重ならないように設けられていてもよい。また、当該空間を、枠状に設けられた接着層１４２とは異なる樹脂で充填してもよい。

図１３では、接続部１４０が、導電層２２４Ｒ、導電層２２４Ｇ、及び導電層２２４Ｂと同一の導電膜を加工して得られた導電層２２４Ｃと、導電層１５１Ｒ、導電層１５１Ｇ、及び導電層１５１Ｂと同一の導電膜を加工して得られた導電層１５１Ｃと、導電層１５２Ｒ、導電層１５２Ｇ、及び導電層１５２Ｂと同一の導電膜を加工して得られた導電層１５２Ｃと、を有する例を示している。また、図１３では、導電層１５１Ｃの側面と重なる領域を有するように絶縁層１５６Ｃが設けられる例を示している。

表示装置１００Ｂは、トップエミッション型である。発光デバイスが発する光は、基板３５２側に射出される。基板３５２には、可視光に対する透過性が高い材料を用いることが好ましい。発光素子が赤外または近赤外の発光する場合は、それらに対する透過性が高い材料を用いることが好ましい。第１の電極（画素電極）は可視光を反射する材料を含み、対向電極（第２の電極１０２）は可視光を透過する材料を含む。

基板３５１上には、絶縁層２１１、絶縁層２１３、絶縁層２１５、及び絶縁層２１４がこの順で設けられている。絶縁層２１１は、その一部が各トランジスタのゲート絶縁層として機能する。絶縁層２１３は、その一部が各トランジスタのゲート絶縁層として機能する。絶縁層２１５は、トランジスタを覆って設けられる。絶縁層２１４は、トランジスタを覆って設けられ、平坦化層としての機能を有する。なお、ゲート絶縁層の数及びトランジスタを覆う絶縁層の数は限定されず、それぞれ単層であっても２層以上であってもよい。

絶縁層２１１、絶縁層２１３、及び絶縁層２１５としては、それぞれ、無機絶縁膜を用いることが好ましい。

平坦化層として機能する絶縁層２１４には、有機絶縁層が好適である。

トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５は、ゲートとして機能する導電層２２１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１１、ソース及びドレインとして機能する導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂ、半導体層２３１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１３、並びに、ゲートとして機能する導電層２２３を有する。

基板３５１の、基板３５２が重ならない領域には、接続部２０４が設けられている。接続部２０４では、配線３５５が導電層１６６及び接続層２４２を介してＦＰＣ３５３と電気的に接続されている。導電層１６６は、導電層２２４Ｒ、導電層２２４Ｇ、及び導電層２２４Ｂと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、導電層１５１Ｒ、導電層１５１Ｇ、及び導電層１５１Ｂと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、導電層１５２Ｒ、導電層１５２Ｇ、及び導電層１５２Ｂと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、の積層構造である例を示す。接続部２０４の上面では、導電層１６６が露出している。これにより、接続部２０４とＦＰＣ３５３とを接続層２４２を介して電気的に接続できる。

基板３５２の基板３５１側の面には、遮光層１５７を設けることが好ましい。遮光層１５７は、隣り合う発光デバイスの間、接続部１４０、及び、回路３５６等に設けることができる。また、基板３５２の外側には各種光学部材を配置できる。

基板３５１及び基板３５２としては、それぞれ、基板１２０に用いることができる材料を適用できる。

接着層１４２としては、樹脂層１２２に用いることができる材料を適用できる。

接続層２４２としては、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｆｉｌｍ）、又は異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｐａｓｔｅ）等を用いることができる。

［表示装置１００Ｄ］
図１４に示す表示装置１００Ｄは、ボトムエミッション型の表示装置である点で、図１３に示す表示装置１００Ａと主に相違する。

発光デバイスが発する光は、基板３５１側に射出される。基板３５１には、可視光に対する透過性が高い材料を用いることが好ましい。一方、基板３５２に用いる材料の透光性は問わない。

基板３５１とトランジスタ２０１との間、基板３５１とトランジスタ２０５との間には、遮光層１１７を形成することが好ましい。図１４では、基板３５１上に遮光層１１７が設けられ、遮光層１１７上に絶縁層１５３が設けられ、絶縁層１５３上にトランジスタ２０１、２０５などが設けられている例を示す。

発光デバイス１３０Ｒは、導電層１１２Ｒと、導電層１１２Ｒ上の導電層１２６Ｒと、導電層１２６Ｒ上の導電層１２９Ｒと、を有する。

発光デバイス１３０Ｂは、導電層１１２Ｂと、導電層１１２Ｂ上の導電層１２６Ｂと、導電層１２６Ｂ上の導電層１２９Ｂと、を有する。

導電層１１２Ｒ、１１２Ｂ、１２６Ｒ、１２６Ｂ、１２９Ｒ、１２９Ｂには、それぞれ、可視光に対する透過性が高い材料を用いる。第２の電極１０２には可視光を反射する材料を用いることが好ましい。

なお、図１４では、発光デバイス１３０Ｇを図示していないが、発光デバイス１３０Ｇも設けられている。

また、図１４などでは、層１２８の上面が平坦部を有する例を示すが、層１２８の形状は、特に限定されない。

［表示装置１００Ｅ］
図１５に示す表示装置１００Ｅは、図１３に示す表示装置１００Ｂの変形例であり、着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、及び着色層１３２Ｂを有する点で、表示装置１００Ｂと主に相違する。

表示装置１００Ｅにおいて、発光デバイス１３０は、着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、及び着色層１３２Ｂのうち一つと重なる領域を有する。着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、及び着色層１３２Ｂは、基板３５２の基板３５１側の面に設けることができる。着色層１３２Ｒの端部、着色層１３２Ｇの端部、及び着色層１３２Ｂの端部は、遮光層１５７と重ねることができる。

表示装置１００Ｅにおいて、発光デバイス１３０は、例えば白色光を発することができる。また、例えば着色層１３２Ｒは赤色の光を透過し、着色層１３２Ｇは緑色の光を透過し、着色層１３２Ｂは青色の光を透過できる。なお、表示装置１００Ｅは、保護層１３１と接着層１４２の間に着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、及び着色層１３２Ｂを設ける構成としてもよい。

図１３及び図１５等では、層１２８の上面が平坦部を有する例を示すが、層１２８の形状は、特に限定されない。

本実施の形態は、他の実施の形態、又は実施例と適宜組み合わせることができる。また、本明細書において、１つの実施の形態の中に、複数の構成例が示される場合は、構成例を適宜組み合わせることが可能である。

（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器について説明する。

本実施の形態の電子機器は、表示部に本発明の一態様の表示装置を有する。本発明の一態様の表示装置は表示性能が高く、また高精細化及び高解像度化が容易である。したがって、様々な電子機器の表示部に用いることができる。

電子機器としては、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型もしくはノート型のパーソナルコンピュータ、コンピュータ用等のモニタ、デジタルサイネージ、パチンコ機等の大型ゲーム機等の比較的大きな画面を備える電子機器の他、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、等が挙げられる。

特に、本発明の一態様の表示装置は、精細度を高めることが可能なため、比較的小さな表示部を有する電子機器に好適に用いることができる。このような電子機器としては、例えば、腕時計型及びブレスレット型の情報端末機（ウェアラブル機器）、並びに、ヘッドマウントディスプレイ等のＶＲ向け機器、メガネ型のＡＲ向け機器、及び、ＭＲ向け機器等、頭部に装着可能なウェアラブル機器等が挙げられる。

本実施の形態の電子機器は、センサ（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）を有していてもよい。

図１６Ａ乃至図１６Ｄを用いて、頭部に装着可能なウェアラブル機器の一例を説明する。

図１６Ａに示す電子機器７００Ａ、及び、図１６Ｂに示す電子機器７００Ｂは、それぞれ、一対の表示パネル７５１と、一対の筐体７２１と、通信部（図示しない）と、一対の装着部７２３と、制御部（図示しない）と、撮像部（図示しない）と、一対の光学部材７５３と、フレーム７５７と、一対の鼻パッド７５８と、を有する。

表示パネル７５１には、本発明の一態様の表示装置を適用できる。したがって信頼性が高い電子機器とすることができる。

電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂは、それぞれ、光学部材７５３の表示領域７５６に、表示パネル７５１で表示した画像を投影できる。光学部材７５３は透光性を有するため、使用者は光学部材７５３を通して視認される透過像に重ねて、表示領域に表示された画像を見ることができる。

電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂには、撮像部として、前方を撮像することのできるカメラが設けられていてもよい。また、電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂは、それぞれ、ジャイロセンサ等の加速度センサを備えることで、使用者の頭部の向きを検知して、その向きに応じた画像を表示領域７５６に表示することもできる。

通信部は無線通信機を有し、当該無線通信機により例えば映像信号を供給できる。なお、無線通信機に代えて、又は無線通信機に加えて、映像信号及び電源電位が供給されるケーブルを接続可能なコネクタを備えていてもよい。

また、電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂには、バッテリが設けられており、無線及び有線の一方又は双方によって充電できる。

筐体７２１には、タッチセンサモジュールが設けられていてもよい。

タッチセンサモジュールとしては、様々なタッチセンサを適用できる。例えば、静電容量方式、抵抗膜方式、赤外線方式、電磁誘導方式、表面弾性波方式、又は光学方式等、種々の方式を採用できる。特に、静電容量方式又は光学方式のセンサを、タッチセンサモジュールに適用することが好ましい。

図１６Ｃに示す電子機器８００Ａ、及び、図１６Ｄに示す電子機器８００Ｂは、それぞれ、一対の表示部８２０と、筐体８２１と、通信部８２２と、一対の装着部８２３と、制御部８２４と、一対の撮像部８２５と、一対のレンズ８３２と、を有する。

表示部８２０には、本発明の一態様の表示装置を適用できる。したがって信頼性が高い電子機器とすることができる。

表示部８２０は、筐体８２１の内部の、レンズ８３２を通して視認できる位置に設けられる。また、一対の表示部８２０に異なる画像を表示させることで、視差を用いた３次元表示を行うこともできる。

電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂは、それぞれ、レンズ８３２及び表示部８２０が、使用者の目の位置に応じて最適な位置となるように、これらの左右の位置を調整可能な機構を有していることが好ましい。

装着部８２３により、使用者は電子機器８００Ａ又は電子機器８００Ｂを頭部に装着できる。

撮像部８２５は、外部の情報を取得する機能を有する。撮像部８２５が取得したデータは、表示部８２０に出力できる。撮像部８２５には、イメージセンサを用いることができる。また、望遠、及び広角等の複数の画角に対応可能なように複数のカメラを設けてもよい。

電子機器８００Ａは、骨伝導イヤフォンとして機能する振動機構を有していてもよい。

電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂは、それぞれ、入力端子を有していてもよい。入力端子には映像出力機器等からの映像信号、及び、電子機器内に設けられるバッテリを充電するための電力等を供給するケーブルを接続できる。

本発明の一態様の電子機器は、イヤフォン７５０と無線通信を行う機能を有していてもよい。

また、電子機器がイヤフォン部を有していてもよい。図１６Ｂに示す電子機器７００Ｂは、イヤフォン部７２７を有する。イヤフォン部７２７と制御部とをつなぐ配線の一部は、筐体７２１又は装着部７２３の内部に配置されていてもよい。

同様に、図１６Ｄに示す電子機器８００Ｂは、イヤフォン部８２７を有する。例えば、イヤフォン部８２７と制御部８２４とは、互いに有線接続されている構成とすることができる。

このように、本発明の一態様の電子機器としては、メガネ型（電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂ等）と、ゴーグル型（電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂ等）と、のどちらも好適である。

図１７Ａに示す電子機器６５００は、スマートフォンとして用いることのできる携帯情報端末機である。

電子機器６５００は、筐体６５０１、表示部６５０２、電源ボタン６５０３、ボタン６５０４、スピーカ６５０５、マイク６５０６、カメラ６５０７、及び光源６５０８等を有する。表示部６５０２はタッチパネル機能を備える。

表示部６５０２に、本発明の一態様の表示装置を適用できる。したがって信頼性が高い電子機器とすることができる。

図１７Ｂは、筐体６５０１のマイク６５０６側の端部を含む断面概略図である。

筐体６５０１の表示面側には透光性を有する保護部材６５１０が設けられ、筐体６５０１と保護部材６５１０に囲まれた空間内に、表示パネル６５１１、光学部材６５１２、タッチセンサパネル６５１３、プリント基板６５１７、及びバッテリ６５１８等が配置されている。

保護部材６５１０には、表示パネル６５１１、光学部材６５１２、及びタッチセンサパネル６５１３が接着層（図示しない）により固定されている。

表示部６５０２よりも外側の領域において、表示パネル６５１１の一部が折り返されており、当該折り返された部分にＦＰＣ６５１５が接続されている。ＦＰＣ６５１５には、ＩＣ６５１６が実装されている。ＦＰＣ６５１５は、プリント基板６５１７に設けられた端子に接続されている。

表示パネル６５１１には本発明の一態様のフレキシブルディスプレイを適用できる。このため、極めて軽量な電子機器を実現できる。また、表示パネル６５１１が極めて薄いため、電子機器の厚さを抑えつつ、大容量のバッテリ６５１８を搭載することもできる。また、表示パネル６５１１の一部を折り返して、画素部の裏側にＦＰＣ６５１５との接続部を配置することにより、狭額縁の電子機器を実現できる。

図１７Ｃにテレビジョン装置の一例を示す。テレビジョン装置７１００は、筐体７１７１に表示部７０００が組み込まれている。ここでは、スタンド７１７３により筐体７１７１を支持した構成を示している。

表示部７０００に、本発明の一態様の表示装置を適用できる。したがって信頼性が高い電子機器とすることができる。

図１７Ｃに示すテレビジョン装置７１００の操作は、筐体７１７１が備える操作スイッチ、及び、別体のリモコン操作機７１５１により行うことができる。

図１７Ｄに、ノート型パーソナルコンピュータの一例を示す。ノート型パーソナルコンピュータ７２００は、筐体７２１１、キーボード７２１２、ポインティングデバイス７２１３、及び外部接続ポート７２１４等を有する。筐体７２１１に、表示部７０００が組み込まれている。

図１７Ｅ及び図１７Ｆに、デジタルサイネージの一例を示す。

図１７Ｅに示すデジタルサイネージ７３００は、筐体７３０１、表示部７０００、及びスピーカ７３０３等を有する。さらに、ＬＥＤランプ、操作キー（電源スイッチ、又は操作スイッチを含む）、接続端子、各種センサ、マイクロフォン等を有することができる。

図１７Ｆは円柱状の柱７４０１に取り付けられたデジタルサイネージ７４００である。デジタルサイネージ７４００は、柱７４０１の曲面に沿って設けられた表示部７０００を有する。

図１７Ｅ及び図１７Ｆにおいて、表示部７０００に、本発明の一態様の表示装置を適用できる。したがって信頼性が高い電子機器とすることができる。

表示部７０００が広いほど、一度に提供できる情報量を増やすことができる。また、表示部７０００が広いほど、人の目につきやすく、例えば、広告の宣伝効果を高めることができる。

また、図１７Ｅ及び図１７Ｆに示すように、デジタルサイネージ７３００又はデジタルサイネージ７４００は、使用者が所持するスマートフォン等の情報端末機７３１１又は情報端末機７４１１と無線通信により連携可能であることが好ましい。

図１８Ａ乃至図１８Ｇに示す電子機器は、筐体９０００、表示部９００１、スピーカ９００３、操作キー９００５（電源スイッチ、又は操作スイッチを含む）、接続端子９００６、センサ９００７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン９００８、等を有する。

図１８Ａ乃至図１８Ｇに示す電子機器は、様々な機能を有する。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像等）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付又は時刻等を表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して処理する機能、等を有することができる。

図１８Ａ乃至図１８Ｇに示す電子機器の詳細について、以下説明を行う。

図１８Ａは、携帯情報端末９１７１を示す斜視図である。携帯情報端末９１７１は、例えばスマートフォンとして用いることができる。なお、携帯情報端末９１７１は、スピーカ９００３、接続端子９００６、又はセンサ９００７等を設けてもよい。また、携帯情報端末９１７１は、文字及び画像情報をその複数の面に表示できる。図１８Ａでは３つのアイコン９０５０を表示した例を示している。また、破線の矩形で示す情報９０５１を表示部９００１の他の面に表示することもできる。情報９０５１の一例としては、電子メール、ＳＮＳ、電話等の着信の通知、電子メール又はＳＮＳ等の題名、送信者名、日時、時刻、バッテリの残量、電波強度等がある。又は、情報９０５１が表示されている位置にはアイコン９０５０等を表示してもよい。

図１８Ｂは、携帯情報端末９１７２を示す斜視図である。携帯情報端末９１７２は、表示部９００１の３面以上に情報を表示する機能を有する。ここでは、情報９０５２、情報９０５３、情報９０５４がそれぞれ異なる面に表示されている例を示す。例えば使用者は、洋服の胸ポケットに携帯情報端末９１７２を収納した状態で、携帯情報端末９１７２の上方から観察できる位置に表示された情報９０５３を確認することもできる。

図１８Ｃは、タブレット端末９１７３を示す斜視図である。タブレット端末９１７３は、一例として、移動電話、電子メール、文章閲覧及び作成、音楽再生、インターネット通信、コンピュータゲーム等の種々のアプリケーションの実行が可能である。タブレット端末９１７３は、筐体９０００の正面に表示部９００１、カメラ９００２、マイクロフォン９００８、スピーカ９００３を有し、筐体９０００の左側面には操作用のボタンとしての操作キー９００５、底面には接続端子９００６を有する。

図１８Ｄは、腕時計型の携帯情報端末９２００を示す斜視図である。携帯情報端末９２００は、例えばスマートウォッチ（登録商標）として用いることができる。また、表示部９００１はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる。また、携帯情報端末９２００は、例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハンズフリーで通話することもできる。また、携帯情報端末９２００は、接続端子９００６により、他の情報端末と相互にデータ伝送を行うこと、及び、充電を行うこともできる。なお、充電動作は無線給電により行ってもよい。

図１８Ｅ乃至図１８Ｇは、折り畳み可能な携帯情報端末９２０１を示す斜視図である。また、図１８Ｅは携帯情報端末９２０１を展開した状態、図１８Ｇは折り畳んだ状態、図１８Ｆは図１８Ｅと図１８Ｇの一方から他方に変化する途中の状態の斜視図である。携帯情報端末９２０１は、折り畳んだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では継ぎ目のない広い表示領域により表示の一覧性に優れる。携帯情報端末９２０１が有する表示部９００１は、ヒンジ９０５５によって連結された３つの筐体９０００に支持されている。例えば、表示部９００１は、曲率半径０．１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下で曲げることができる。

本実施例では、電子輸送層１１４を形成した後に大気雰囲気下で発光デバイスに照射した光が、発光デバイスの特性に与える影響を調査した結果を示す。本実施例において用いた主な化合物の構造式を以下に示す。

（発光デバイスの作製方法）
まず、ガラス基板上に、基板側から反射電極として銀（Ａｇ）を１００ｎｍ、続いて透明電極として酸化ケイ素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）を８５ｎｍ、スパッタリング法により順次積層し、２ｍｍ×２ｍｍの大きさで第１の電極１０１を形成した。なお、ＩＴＳＯは陽極として機能し、Ａｇの積層構造と共に第１の電極１０１とみなされる。

次に、基板上に発光デバイスを形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄した。

その後、約１０^−４Ｐａまで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において、１７０℃で６０分間の真空焼成を行った後、基板を約３０分放冷した。

次に、第１の電極１０１が形成された面が下方となるように、基板を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定し、無機絶縁膜および第１の電極１０１上に、蒸着法により上記構造式（ｉ）で表されるＮ−（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＢｉＦ）と分子量６７２でフッ素を含む電子アクセプタ材料（ＯＣＨＤ−００３）とを、重量比で１：０．０３（＝ＰＣＢＢｉＦ：ＯＣＨＤ−００３）となるように１０ｎｍ共蒸着して正孔注入層１１１を形成した。

正孔注入層１１１上に、ＰＣＢＢｉＦを２５ｎｍ、続いて上記構造式（ｉｉ）で表されるＮ，Ｎ−ビス［４−（ジベンゾフラン−４−イル）フェニル］−４−アミノ−ｐ−ターフェニル（略称：ＤＢｆＢＢ１ＴＰ）を１０ｎｍ蒸着し正孔輸送層１１２を形成した。

続いて、正孔輸送層１１２上に、上記構造式（ｉｉｉ）で表される２，９−ジ（１−ナフチル）−１０−フェニルアントラセン（略称：２αＮ−αＮＰｈＡ）と、上記構造式（ｉｖ）で表される３，１０−ビス［Ｎ−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ナフト［２，３−ｂ；６，７−ｂ’］ビスベンゾフラン（略称：３，１０ＰＣＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）−０２）とを、重量比で１：０．０１５（＝２αＮ−αＮＰｈＡ：３，１０ＰＣＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）−０２）となるように２０ｎｍ共蒸着して発光層１１３を形成した。

こののち、上記構造式（ｖ）で表される２−｛３−［３−（Ｎ−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−９Ｈ−カルバゾール−９−イル］フェニル｝ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＰＣＣｚＰＤＢｑ）を２０ｎｍとなるように蒸着して第１の電子輸送層を形成し、上記構造式（ｖｉ）で表される２，２’−（１，３−フェニレン）ビス（９−フェニル−１，１０−フェナントロリン）（略称：ｍＰＰｈｅｎ２Ｐ）を１５ｎｍとなるように蒸着して第２の電子輸送層を形成し、電子輸送層１１４を形成した。なお、第１の電子輸送層は正孔ブロック層としても機能する。

この後、大気雰囲気下、図１９にフィルター無しとして示したようなスペクトルを有する光（１０Ｗの昼光色ＬＥＤ（ハタヤリミテッド製、充電式ＬＥＤジョーハンドランプ　ＬＷ−１０Ｎ）の光）を３００ルクスの照度で照射し、続いて約１０^−４Ｐａ以下の雰囲気において１１０℃で１時間加熱処理を行った。

加熱処理後、フッ化リチウム（ＬｉＦ）とイッテルビウム（Ｙｂ）と体積比で１：０．５（＝ＬｉＦ：Ｙｂ）となるように１．５ｎｍ共蒸着して電子注入層１１５を形成し、その後、銀（Ａｇ）マグネシウム（Ｍｇ）とを体積比１：０．１、膜厚１５ｎｍとなるように共蒸着して、第２の電極１０２を形成した。また、第２の電極１０２上には上記構造式（ｖｉｉ）で表される４，４’，４’’−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）トリ（ジベンゾチオフェン）（略称：ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ）をキャップ層として７０ｎｍ成膜して、光の取り出し効率を向上させている。

続いて窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光デバイスが大気に曝されないようにガラス基板により封止する作業（ＵＶ硬化性のシール材を素子の周囲への塗布、発光デバイスには照射しないようにシール材のみにＵＶを照射する処理、および大気圧下で８０℃にて１時間熱処理）を行い、下記表に示したようなデバイス構成を有する発光デバイスを複数作成した。

ここで、昼光色ＬＥＤの光の照射時間が与える影響を調査するため、上記構造を有する複数の発光デバイスのうち、８個の発光デバイスを光の照射時間が異なる発光デバイスとして作製し、測定を行った。照射時間はそれぞれ０ｓｅｃ（大気解放のみ）、５ｓｅｃ、３０ｓｅｃ、１ｍｉｎ、５ｍｉｎ、３０ｍｉｎ、６０ｍｉｎとした。また、１個を、リファレンスとして光照射および大気解放も行わない真空一貫で作製した。

これら発光デバイスの輝度−電流密度特性を図２０に、電流効率−輝度特性を図２１に、輝度−電圧特性を図２２に、電流密度−電圧特性を図２３、ブルーインデックス−輝度特性を図２４に、発光スペクトルを図２５に示した。また、１０００ｃｄ／ｃｍ^２付近における主要な電圧、電流、電流密度、ＣＩＥ色度、電流効率の値を以下に示した。なお、輝度、ＣＩＥ色度、及び発光スペクトルの測定には分光放射計（トプコン社製、ＳＲ−ＵＬ１Ｒ）を用い、常温で測定した。なお、凡例には、その発光デバイスに照射した昼光色ＬＥＤの光の照射時間を示している。また、凡例にてＲｅｆ．で表される発光デバイスは、真空一貫で作製した発光デバイスである。

なお、ブルーインデックス（ＢＩ）とは、電流効率（ｃｄ／Ａ）をさらにＣＩＥ１９３１表色系で算出したｙ色度で割った値であり、青色発光の発光特性を表す指標の一つである。青色発光は、ｙ色度が小さいほど色純度の高い発光となる傾向にある。色純度の高い青色発光は、輝度成分が小さくても所望の色を表現することが可能であり、また、色純度の高い青色発光を用いることで、青色の必要輝度が低下することから消費電力の低減効果が得られる。そのため、青色純度の指標の一つとなるｙ色度を考慮したＢＩが青色発光の効率を表す手段として用いられる場合があり、ＢＩが高いほどディスプレイにおける青色発光としての効率が良好であるということができる。

図２０乃至図２５より、昼光色ＬＥＤの光を大気雰囲気下にて５分以上照射した発光デバイスは、電流効率およびブルーインデックスの発光効率が大きく低下していることがわかる。

また、電流密度５０ｍＡ／ｃｍ^２における定電流駆動時の駆動時間に対する輝度の変化を測定した結果を図２６に示す。図２６より、昼光色ＬＥＤの光の照射時間が長いほど輝度の低下が大きいことがわかった。また、特に、５分以上昼光色ＬＥＤの光を照射した発光デバイスの輝度低下が著しかった。

続いて、照射光の波長が発光デバイスの特性に及ぼす影響を調査した。具体的には、電子輸送層形成後に、透過限界波長（透過率が５％のときの波長と、７２％のときの波長の中点に位置する波長）の異なる波長カットフィルターを用いてＬＥＤ照射を行った７つの発光デバイスと、波長カットフィルターを用いずに光の照射を行った発光デバイスとを作製し、特性の評価を行った。なお、各波長カットフィルターは、透過限界波長が４２０ｎｍ、４４０ｎｍ、４５５ｎｍ、４７５ｎｍ、４８０ｎｍ、５００ｎｍ、および８５０ｎｍのものを用いた。実際に発光デバイスへ照射された光は、図１９に示したようなスペクトルを有する光となる。また、光の照射時間は６０ｍｉｎとした。また、照射面における照度は、どの条件においてもフィルター無しの昼光色のＬＥＤ光が、照射面において３００ルクスとなる条件で照射しており、カットする光の波長帯が多いフィルターを通した条件程、実際に照射される照度は低くなっている。

これら光の照射波長を変えた発光デバイスと、真空一貫で作製した発光デバイスの輝度−電流密度特性を図２７に、電流効率−輝度特性を図２８に、輝度−電圧特性を図２９に、電流密度−電圧特性を図３０、ブルーインデックス−輝度特性を図３１に、発光スペクトルを図３２に示した。また、１０００ｃｄ／ｃｍ^２付近における主要な電圧、電流、電流密度、ＣＩＥ色度、電流効率の値を以下に示した。なお、輝度、ＣＩＥ色度、及び発光スペクトルの測定には分光放射計（トプコン社製、ＳＲ−ＵＬ１Ｒ）を用い、常温で測定した。なお、図および表における凡例に記載の波長は、用いた波長カットフィルターの透過限界波長を示している。また、凡例にてＲｅｆ．で表される発光デバイスは、真空一貫で作製した発光デバイスである。

図２７乃至図３２より、透過限界波長が４５５ｎｍ以下のフィルターを介した光を照射した発光デバイスが有意に発光効率の低下を起こしていることがわかった。

続いて、電流密度５０ｍＡ／ｃｍ^２における定電流駆動時の駆動時間に対する輝度の変化を測定した結果を図３３に示す。図３３より、信頼性においても透過限界波長が４５５ｎｍ以下の波長の光を照射した発光デバイスが有意に特性の低下を起こしていることがわかった。

ここで、図３４に、波長カットフィルターを介した昼光色ＬＥＤ光のスペクトルと、ホスト材料である２αＮ−αＮＰｈＡと発光材料である３，１０ＰＣＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）−０２の吸収スペクトルを重ねた図を示した。

この図より、２αＮ−αＮＰｈＡの吸収スペクトルの吸収端は約４４０ｎｍ、３，１０ＰＣＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）−０２の吸収スペクトルの吸収端は約４８０ｎｍであり、３，１０ＰＣＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）−０２の吸収は、透過限界波長が４２０ｎｍから４５５ｎｍのフィルターを介した昼光色ＬＥＤ光のスペクトルおよびフィルターを用いない昼光色のＬＥＤ光のスペクトルと十分な重なりを備えていることがわかった。これは、図２７乃至図３３の結果と一致する結果である。すなわち、ドーパント材料である３，１０ＰＣＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）−０２の吸収と照射光が重なっていること、つまり、ドーパント材料が大気中で励起されることが特性劣化を引き起こす原因となっている蓋然性が高い。

続いて、２αＮ−αＮＰｈＡと３，１０ＰＣＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）−０２の共蒸着膜（２αＮ−αＮＰｈＡ：３，１０ＰＣＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）−０２＝１：０．０１５）、および２αＮ−αＮＰｈＡの蒸着膜に、オレンジライトの光を１９５ルクスの照度で１時間照射した試料、白色光を０．５時間照射した試料、および白色光を１時間照射した試料と、光を照射していない試料とをそれぞれ高速液体クロマトグラフィにより測定し、照射した光の種類および照射時間の影響を調査した。

測定には、Ｗａｔｅｒｓ製、Ｗａｔｅｒｓ　Ａｃｑｕｉｔｙ　ＵＰＬＣ（登録商標）　Ｓｙｓｔｅｍを用いた。検出器としては、フォトダイオードアレイ（ＰＤＡ）検出器を用い、検出器の波長は２５４ｎｍを用いて分析を行った。カラムにはＷａｔｅｒｓ社製ＡＣＱＵＩＴＹ　ＵＰＬＣ　ＣＳＨ　Ｃ１８　Ｃｏｌｕｍｎ（粒子径１．７μｍ、２．１×１００ｍｍ）を用いた。

試料は、ガラス基板上に１００ｎｍ蒸着した膜を、２．０ｃｍ×２．０ｃｍの大きさに切り出し、アセトニトリル：クロロホルム（８：２）１ｍｌと共に１０分超音波をかけて溶出させ、溶出させた溶液を０．２μｍのフィルターでろ過してから測定に用いた。

測定は、移動層をＡ：アセトニトリル、Ｂ：ぎ酸水溶液（０．１％）とし、流速０．５ｍＬ／ｍｉｎで、Ａを８５％で１０分間保持し、その後６秒後までにＡを９５％まで一定の割合で増やすグラジエント分析を行い、その後４０分までＡを９５％で保持をして分析を行った。サンプル溶液の注入量は５μＬとした。

図３６Ａおよび図３６Ｂに、２αＮ−αＮＰｈＡと３，１０ＰＣＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）−０２の共蒸着膜に、酸素を含む大気雰囲気下で、オレンジライト（株式会社ＭＧＭＴ製、ＬＳ１２００Ｄ−Ｕ２（４０形直管ＬＥＤライト　オレンジタイプ（グロー、ラピッド、インバータ、ＡＣ直結方式対応））の光を１９５ルクスの照度で１時間照射した試料、図１９にフィルター無しとして示したようなスペクトルを有する１０Ｗの昼光色（色温度６８５０ケルビン）ＬＥＤ（ハタヤリミテッド製、充電式ＬＥＤジョーハンドランプ　ＬＷ−１０Ｎ）の光を３００ルクスの照度で０．５時間照射した試料、および１時間照射した試料と、光を照射していない試料のＰＤＡ検出器におけるクロマトグラムを示した。図３６Ｂは図３６Ａを拡大して示したグラフである。

図３６Ａより、リテンションタイム７分台後半に２αＮ−αＮＰｈＡのピークが見られた。２αＮ−αＮＰｈＡは質量分析を実施するとｍ／ｚ＝５０７．２０のピークが得られ、この値は、２αＮ−αＮＰｈＡの質量数にプロトンの質量数である１を加えた値である。また、図３６Ｂより、３分から４分の間に２つのピークが見られた。このうち３．７分付近のピークの物質に関して質量分析を実施するとｍ／ｚ＝５３９．２０のピークが得られた。この値は、ホスト材料の２αＮ−αＮＰｈＡに、プロトンの質量数である１と、二つの酸素原子の物質量である３２が加わった値である。つまり、２αＮ−αＮＰｈＡとクロマトグラムの３．７分付近の物質の質量数の差は３２であり、これは酸素原子二個分に相当する。したがって、白色光を照射したサンプルでは、２αＮ−αＮＰｈＡへ二つの酸素原子が付加した物質（以下単に酸素付加体と言う場合がある）が不純物として生成していると考えられる。当該不純物は、大気雰囲気下で生じる劣化物である事から、大気中の酸素分子が２αＮ−αＮＰｈＡと結合する事で、生成していると考えられる。なお、酸素が原因となることから酸素を含む雰囲気下（２０％以上）でも同様である。

３．７分付近のピークは、オレンジライトの光を１９５ルクスの照度で１時間照射した試料および遮光された試料では検出されず、白色光を０．５時間照射した試料および１時間照射した試料で検出され、それぞれ酸素付加体の濃度に換算すると２０６ｐｐｍ、３８４ｐｐｍであった。このように、白色光の照射時間が長くなるに伴って、試料中の不純物の濃度が増加していることがわかる。

ここで、図２０から図２５より、初期特性への影響は、昼光色ＬＥＤ光の照射が１分あたりから影響が出始め、５分以上で顕著であることがわかっており、また、図２６より信頼性への影響は、５秒から影響が出始め、１分以上で顕著であることがわかっている。

酸素付加体の生成が、光の照射時間に比例すると仮定すると、図３６の結果より信頼性への影響は０．５ｐｐｍ程度の酸素付加体が生成されると現れ始めると言うことができる。また、フォトリソグラフィ工程における大気曝露および光照射は少なくとも６０秒程度はあると考えると、６０秒の昼光色ＬＥＤ光照射で０．５ｐｐｍ以上の酸素付加体が生成する膜を発光層に用いた場合に信頼性への影響が現れるということができる。逆に言うと、６０秒の昼光色ＬＥＤ光照射で０．５ｐｐｍ以上の酸素付加体が生成する発光層（ホスト材料と発光中心物質の共蒸着膜）はフォトリソグラフィ工程を経て作製される発光デバイスに用いることは通常困難である。

しかし、本発明の一態様では図２７から図３４で示したように、大気解放中に短波長領域の光を含む光を照射しないことによって、酸素付加体が形成されず、フォトリソグラフィ工程を経て作製された発光デバイスであっても特性の良好な発光デバイスを得ることができる。なお、短波長領域の光を含まない光を発するライトとしては、オレンジライトなどがあり、図３５に示すようなスペクトルを有している。

なお、０．５ｐｐｍで影響が現れることから、フォトリソグラフィ工程を経て作製される発光デバイスに用いる発光層（ホスト材料と発光中心物質の共蒸着膜）に含まれる酸素付加体の濃度は０．２５ｐｐｍ以下、好ましくは０．０５ｐｐｍ以下であることが好ましい。

また、図３７に、ホスト材料である２αＮ−αＮＰｈＡ単独の蒸着膜に、上記共蒸着膜と同様に酸素を含む大気雰囲気下で、オレンジライトの光を１９５ルクスの照度で１時間照射した試料、昼光色のＬＥＤ光を３００ルクスの照度で０．５時間照射した試料、１時間照射した試料、および、光を照射していない試料の高速液体クロマトグラフィのＰＤＡ検出器におけるクロマトグラムを示した。なお、図３７Ｂは図３７Ａを拡大して示したグラフである。図３７より、２αＮ−αＮＰｈＡの単独の膜であっても、大気中で昼光色のＬＥＤ光を照射した場合に不純物（酸素付加体）が生成することがわかった。２αＮ−αＮＰｈＡの単膜では、昼光色のＬＥＤ光を３００ルクスで０．５時間照射した試料で１４９ｐｐｍ、１時間照射した試料で２５８ｐｐｍの酸素付加体の生成が確認された。

共蒸着膜と同様に酸素付加体の生成が、光の照射時間に比例することを仮定すると、信頼性への影響は、３００ルクスにおいて６０秒の昼光色のＬＥＤ光照射で０．４ｐｐｍ以上の酸素付加体が生成する有機化合物を用いた場合に現れるということができる。逆に言うと、３００ルクスにおける６０秒の昼光色ＬＥＤ光照射で０．４ｐｐｍ以上の酸素付加体が生成する有機化合物を、フォトリソグラフィ工程を経て作製される発光デバイスに用いることは通常困難である。なお、０．４ｐｐｍで影響が現れることから、フォトリソグラフィ工程を経て作製される発光デバイスに用いる材料に含まれる酸素付加体の濃度は０．２ｐｐｍ以下、好ましくは０．０４ｐｐｍ以下であることが好ましい。

以上において、酸素付加体の測定は、どのような方法により行ってもよい。しかし、例えば、高速液体クロマトグラフィにおいては、このような微量の不純物の検出は困難である場合が多い。そのような場合は、光の照射時間に比例して酸素付加体が形成するとする上記仮定から、膜への光の照射時間を検出可能な量の不純物が生成するまで伸ばした試料で測定を行い、その結果から所定の時間における不純物濃度への換算を行えばよい。または、光の照度に比例して酸素付加体が形成すると仮定し、光の照度を検出可能な量の不純物が生成するまで強めた試料で測定を行い、その結果から所定の照度における不純物濃度への換算を行えばよい。

これによると、例えば、昼光色のＬＥＤ光を３００ルクスで１時間照射した際に３０ｐｐｍ以上の酸素付加体が検出される膜（ホスト材料と発光中心物質の共蒸着膜）を発光層に用いることで明確に影響が現れ、１５ｐｐｍ以上さらには３ｐｐｍ以上の酸素付加体が検出される膜でもフォトリソグラフィ工程を経た発光デバイスには使用しづらいと言える。すなわち、逆に言うと本発明の一態様を適用することで、大気中において昼光色のＬＥＤ光を１時間照射した膜において３ｐｐｍ以上または１５ｐｐｍ以上さらには３０ｐｐｍ以上の酸素付加体が検出される膜を発光層に用いても、フォトリソグラフィ工程を経た特性の良好な発光デバイスを得ることができる。

また、同様に昼光色のＬＥＤ光を３００ルクスで１時間照射した際に２４ｐｐｍ以上の酸素付加体が検出される有機化合物を用いると明確に悪影響が現れ、１２ｐｐｍ以上または２．４ｐｐｍ以上の酸素付加体が検出される有機化合物でもフォトリソグラフィ工程を経た発光デバイスには使用しづらいと言える。すなわち、逆に言うと本発明の一態様を適用することで、大気中において昼光色のＬＥＤ光を１時間照射した膜において２．４ｐｐｍ以上または１２ｐｐｍ以上さらには２４ｐｐｍ以上の酸素付加体が検出される膜を発光層に用いても、フォトリソグラフィ工程を経た特性の良好な発光デバイスを得ることができる。

１００Ａ：表示装置、１００Ｂ：表示装置、１００Ｃ：表示装置、１００Ｅ：表示装置、１００Ｄ：表示装置、１００：絶縁体、１０１Ａ：第１の電極群、１０１ａ：第１の電極、１０１ｂ：第１の電極、１０１：第１の電極、１０２：第２の電極、１０３ａ：有機化合物層、１０３ｂ：有機化合物層、１０３Ｂｆ：有機化合物膜、１０３Ｇｆ：有機化合物膜、１０３Ｒｆ：有機化合物膜、１０３：有機化合物層、１０５：共通層、１１０Ｂ：副画素、１１０Ｇ：副画素、１１０Ｒ：副画素、１１０：副画素、１１１ａ：正孔注入層、１１１ｂ：正孔注入層、１１１：正孔注入層、１１２：正孔輸送層、１１２ａ：正孔輸送層、１１２ｂ：正孔輸送層、１１２Ｂ：導電層、１１２Ｒ：導電層、１１３：発光層、１１３ａ：発光層、１１３ｂ：発光層、１１４：電子輸送層、１１４ａ：電子輸送層、１１４ｂ：電子輸送層、１１５：電子注入層、１１６：電荷発生層、１１７：Ｐ型層、１１８：電子リレー層、１１９：電子注入バッファ層、１２０：基板、１２２：樹脂層、１２５ｆ：無機絶縁膜、１２５：無機絶縁層、１２６Ｒ：導電層、１２６Ｂ：導電層、１２７ａ：絶縁層、１２７ｆ：絶縁膜、１２７：絶縁層、１２８：層、１２９Ｒ：導電層、１２９Ｂ：導電層、１３０ａ：発光デバイス、１３０Ｂ：発光デバイス、１３０ｂ：発光デバイス、１３０Ｇ：発光デバイス、１３０Ｒ：発光デバイス、１３０：発光デバイス、１３１：保護層、１３２Ｂ：着色層、１３２Ｇ：着色層、１３２Ｒ：着色層、１３５：第１の層、１３５Ａ：第１の層群、１３５ａ：第１の層、１３５ｂ：第１の層、１３５Ｒ：第１の層、１３５Ｇ：第１の層、１３５Ｂ：第１の層、１３６：共通層、１４０：接続部、１４１：領域、１４２：接着層、１５１Ｂ：導電層、１５１Ｃ：導電層、１５１ｆ：導電膜、１５１ｆ：導電膜、１５１Ｇ：導電層、１５１Ｒ：導電層、１５１：導電層、１５２Ｂ：導電層、１５２Ｃ：導電層、１５２ｆ：導電膜、１５２Ｇ：導電層、１５２Ｒ：導電層、１５２：導電層、１５３：絶縁層、１５６Ｂ：絶縁層、１５６Ｃ：絶縁層、１５６ｆ：絶縁膜、１５６Ｇ：絶縁層、１５６Ｒ：絶縁層、１５６：絶縁層、１５７：遮光層、１５８Ｂ：犠牲層、１５８Ｂｆ：犠牲膜、１５８Ｇ：犠牲層、１５８Ｇｆ：犠牲膜、１５８Ｒ：犠牲層、１５８Ｒｆ：犠牲膜、１５９Ｂ：マスク層、１５９Ｂｆ：マスク膜、１５９Ｇ：マスク層、１５９Ｇｆ：マスク膜、１５９Ｒ：マスク層、１５９Ｒｆ：マスク膜、１６６：導電層、１７１：絶縁層、１７２：導電層、１７３：絶縁層、１７４：絶縁層、１７５：絶縁層、１７６：プラグ、１７７：画素部、１７８：画素、１７９：導電層、１９０Ｂ：レジストマスク、１９０Ｇ：レジストマスク、１９０Ｒ：レジストマスク、１９１：レジストマスク、２０１：トランジスタ、２０４：接続部、２０５：トランジスタ、２１１：絶縁層、２１３：絶縁層、２１４：絶縁層、２１５：絶縁層、２２１：導電層、２２２ａ：導電層、２２２ｂ：導電層、２２３：導電層、２２４Ｂ：導電層、２２４Ｃ：導電層、２２４Ｇ：導電層、２２４Ｒ：導電層、２３１：半導体層、２４０：容量、２４１：導電層、２４２：接続層、２４３：絶縁層、２４５：導電層、２５４：絶縁層、２５５：絶縁層、２５６：プラグ、２６１：絶縁層、２７１：プラグ、２８０：表示モジュール、２８１：表示部、２８２：回路部、２８３ａ：画素回路、２８３：画素回路部、２８４ａ：画素、２８４：画素部、２８５：端子部、２８６：配線部、２９０：ＦＰＣ、２９１：基板、２９２：基板、３０１：基板、３１０：トランジスタ、３１１：導電層、３１２：低抵抗領域、３１３：絶縁層、３１４：絶縁層、３１５：素子分離層、３５１：基板、３５２：基板、３５３：ＦＰＣ、３５４：ＩＣ、３５５：配線、３５６：回路、５０１：第１の電極、５０２：第２の電極、５１３：電荷発生層、７００Ａ：電子機器、７００Ｂ：電子機器、７２１：筐体、７２３：装着部、７２７：イヤフォン部、７５０：イヤフォン、７５１：表示パネル、７５３：光学部材、７５６：表示領域、７５７：フレーム、７５８：鼻パッド、８００Ａ：電子機器、８００Ｂ：電子機器、８２０：表示部、８２１：筐体、８２２：通信部、８２３：装着部、８２４：制御部、８２５：撮像部、８２７：イヤフォン部、８３２：レンズ、１１７：遮光層、６５００：電子機器、６５０１：筐体、６５０２：表示部、６５０３：電源ボタン、６５０４：ボタン、６５０５：スピーカ、６５０６：マイク、６５０７：カメラ、６５０８：光源、６５１０：保護部材、６５１１：表示パネル、６５１２：光学部材、６５１３：タッチセンサパネル、６５１５：ＦＰＣ、６５１６：ＩＣ、６５１７：プリント基板、６５１８：バッテリ、７０００：表示部、７１００：テレビジョン装置、７１５１：リモコン操作機、７１７１：筐体、７１７３：スタンド、７２００：ノート型パーソナルコンピュータ、７２１１：筐体、７２１２：キーボード、７２１３：ポインティングデバイス、７２１４：外部接続ポート、７３００：デジタルサイネージ、７３０１：筐体、７３０３：スピーカ、７３１１：情報端末機、７４００：デジタルサイネージ、７４０１：柱、７４１１：情報端末機、９０００：筐体、９００１：表示部、９００２：カメラ、９００３：スピーカ、９００５：操作キー、９００６：接続端子、９００７：センサ、９００８：マイクロフォン、９０５０：アイコン、９０５１：情報、９０５２：情報、９０５３：情報、９０５４：情報、９０５５：ヒンジ、９１７１：携帯情報端末、９１７２：携帯情報端末、９１７３：タブレット端末、９２００：携帯情報端末、９２０１：携帯情報端末

Claims

　同一の絶縁表面上に形成された第１の電極群と、前記第１の電極群に対向する第２の電極と、前記第１の電極群と前記第２の電極との間に位置する第１の層群と、からなる発光デバイス群に含まれる複数の発光デバイスのうちの一つの発光デバイスであって、
　前記第１の電極群のうちの一つである第１の電極と、前記第２の電極と、前記第１の層群のうちの一つである第１の層を有し、
　前記第１の電極群は、前記複数の発光デバイス各々において独立している複数の第１の電極からなり、
　前記第１の層群は、前記複数の発光デバイス各々において独立している複数の第１の層からなり、
　前記第２の電極は、前記複数の発光デバイスが共有する連続した導電層であり、
　前記第２の電極及び前記第１の層は、前記第１の電極と重なり、
　前記第１の層は、発光中心物質と、第１の物質とを含む発光層を有し、
　前記第１の物質は、大気雰囲気下で前記発光層と同様の組成を有する膜へ、４７５ｎｍ以下の波長に最大ピークの強度の１０％以上の強度を有する光を照射した際、前記膜における前記第１の物質の酸素付加体が生成する物質であり、
　前記発光デバイスが有する前記第１の層と、前記発光デバイスに隣接する他の発光デバイスが有する第１の層との間隔が、２μｍ以上５μｍ以下である発光デバイス。
　同一の絶縁表面上に形成された第１の電極群と、前記第１の電極群に対向する第２の電極と、前記第１の電極群と前記第２の電極との間に位置する第１の層群と、からなる発光デバイス群に含まれる複数の発光デバイスのうちの一つの発光デバイスであって、
　前記第１の電極群のうちの一つである第１の電極と、前記第２の電極と、前記第１の層群のうちの一つである第１の層を有し、
　前記第１の電極群は、前記複数の発光デバイス各々において独立している複数の第１の電極からなり、
　前記第１の層群は、前記複数の発光デバイス各々において独立している複数の第１の層からなり、
　前記第２の電極は、前記複数の発光デバイスが共有する連続した導電層であり、
　前記第２の電極及び前記第１の層は、前記第１の電極と重なり、
　前記第１の層は、発光中心物質と、第１の物質とを含む発光層を有し、
　前記第１の物質は、大気雰囲気下で前記発光層と同様の組成を有する膜に昼光色のＬＥＤの光を３００ルクスの照度で６０分照射した際に、前記膜における前記第１の物質の酸素付加体の濃度が１５ｐｐｍ以上となる物質であり、
　前記発光デバイスが有する前記第１の層と、前記発光デバイスに隣接する他の発光デバイスが有する第１の層との間隔が、２μｍ以上５μｍ以下である発光デバイス。
　同一の絶縁表面上に形成された第１の電極群と、前記第１の電極群に対向する第２の電極と、前記第１の電極群と前記第２の電極との間に位置する第１の層群および共通層と、からなる発光デバイス群に含まれる複数の発光デバイスのうちの一つの発光デバイスであって、
　前記第１の電極群のうちの一つである第１の電極と、前記第２の電極と、前記第１の層群のうちの一つである第１の層と、共通層と、を有し、
　前記第１の電極群は、前記複数の発光デバイス各々において独立している複数の第１の電極からなり、
　前記第１の層群は、前記複数の発光デバイス各々において独立している複数の第１の層からなり、
　前記第２の電極は、前記複数の発光デバイスが共有する連続した導電層であり、
　前記共通層は、前記複数の発光デバイスが共有する連続した層であり、
　前記第２の電極、前記第１の層および前記共通層は、前記第１の電極と重なり、
　前記第１の層は、発光中心物質と、第１の物質とを含む発光層を有し、
　前記第１の物質は、大気雰囲気下で前記発光層と同様の組成を有する膜に昼光色のＬＥＤの光を３００ルクスの照度で６０分照射した際に、前記膜における前記第１の物質の酸素付加体の濃度が１５ｐｐｍ以上となる物質であり、
　前記発光デバイスが有する前記第１の層と、
　前記発光デバイスに隣接する他の発光デバイスが有する第１の層との間隔が、２μｍ以上５μｍ以下である発光デバイス。
　請求項２または請求項３において、
　前記第１の物質がアセン骨格を有する有機化合物である発光デバイス。
　請求項２または請求項３において、
　前記第１の物質がアントラセン骨格を有する有機化合物である発光デバイス。
　請求項５において、
　前記発光中心物質が青色蛍光を発する有機化合物である発光デバイス。
　請求項５において、
　前記隣接する他の発光デバイスが有する第１の層が、燐光発光物質を有する発光層を有する発光デバイス。
　請求項７において、
　前記燐光発光物質が緑色または赤色の燐光を発する発光デバイス。
　第１の発光デバイスと、第２の発光デバイスと、を有し、
　前記第１の発光デバイスは、第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に位置する第１の層を有し、
　前記第２の発光デバイスは、第３の電極と、第４の電極と、前記第３の電極と前記第４の電極との間に位置する第２の層を有し、
　前記第１の層は、発光中心物質と、第１の物質とを含む発光層を有し、
　前記第１の物質は、大気雰囲気下で前記発光層と同様の組成を有する膜に昼光色のＬＥＤの光を３００ルクスの照度で６０分照射した際に、前記膜における前記第１の物質の酸素付加体の濃度が１５ｐｐｍ以上となる物質であり、
　前記第１の層と、前記第２の層との間隔が、２μｍ以上５μｍ以下である表示装置。
　第１の発光デバイスと、第２の発光デバイスと、を有し、
　前記第１の発光デバイスは、第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に位置する第１の層と、前記第１の層と前記第２の電極との間に位置する第１の共通層と、を有し、
　前記第２の発光デバイスは、第３の電極と、第４の電極と、前記第３の電極と前記第４の電極との間に位置する第２の層と、前記第２の層と前記第４の電極との間に位置する第２の共通層と、を有し、
　前記第１の共通層と前記第２の共通層とは、同じ材料から構成され、
　前記第１の層は、発光中心物質と、第１の物質とを含む発光層を有し、
　前記第１の物質は、大気雰囲気下で前記発光層と同様の組成を有する膜に昼光色のＬＥＤの光を３００ルクスの照度で６０分照射した際に、前記膜における前記第１の物質の酸素付加体の濃度が１５ｐｐｍ以上となる物質であり、
　前記第１の層と、前記第２の層との間隔が、２μｍ以上５μｍ以下である表示装置。
　請求項９または請求項１０において、
　前記第１の物質がアセン骨格を有する有機化合物である表示装置。
　請求項９または請求項１０において、
　前記第１の物質がアントラセン骨格を有する有機化合物である表示装置。
　請求項１２において、
　前記発光中心物質が青色蛍光を発する有機化合物である表示装置。