JP2024007537A - 発光デバイスの作製方法 - Google Patents

発光デバイスの作製方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2024007537A
JP2024007537A JP2023109741A JP2023109741A JP2024007537A JP 2024007537 A JP2024007537 A JP 2024007537A JP 2023109741 A JP2023109741 A JP 2023109741A JP 2023109741 A JP2023109741 A JP 2023109741A JP 2024007537 A JP2024007537 A JP 2024007537A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
light
organic compound
abbreviation
light emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2023109741A
Other languages
English (en)
Inventor
剛吉 渡部
Gokichi Watabe
信晴 大澤
Nobuharu Osawa
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Original Assignee
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd filed Critical Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Publication of JP2024007537A publication Critical patent/JP2024007537A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H10K71/231—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers
    • H10K71/233—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers by photolithographic etching
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/811—Controlling the atmosphere during processing
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/10—Triplet emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/30—Highest occupied molecular orbital [HOMO], lowest unoccupied molecular orbital [LUMO] or Fermi energy values
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/40—Interrelation of parameters between multiple constituent active layers or sublayers, e.g. HOMO values in adjacent layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Heating, Cooling, Or Curing Plastics Or The Like In General (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

Figure 2024007537000001
【課題】設計自由度が高く、信頼性の良好な電子デバイスまたは発光デバイスを提供する。
【解決手段】第１の電極を有する基板上に第１の有機化合物と、第２の有機化合物と、を含む発光層を形成し、光源の発光スペクトルにおける発光端のうち最も短波長に位置する発光端が、第１の有機化合物の吸収スペクトルにおける吸収端のうち最も長波長に位置する吸収端よりも短波長、且つ第２の有機化合物の吸収スペクトルにおける吸収端のうち最も長波長に位置する吸収端よりも長波長の照明下で基板を保持し、発光層上に犠牲層を形成し、フォトリソグラフィ法により少なくとも発光層を島状の形状に加工し、発光層上に第２の電極を形成する。
【選択図】図２

Description

本発明の一態様は、発光デバイス、表示モジュール、電子機器、およびその作製方法に関する。
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、電子機器、照明装置、入力装置（例えば、タッチセンサ）、入出力装置（例えば、タッチパネル）、それらの駆動方法、またはそれらの製造方法を一例として挙げることができる。
有機化合物を用いたエレクトロルミネッセンス（ＥＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）を利用する発光デバイス（発光素子ともいう）の実用化が進んでいる。これら有機ＥＬデバイスの基本的な構成は、一対の電極間に発光材料を含む有機化合物層を挟んだものである。このデバイスに電圧を印加して、キャリアを注入し、当該キャリアの再結合エネルギーを利用することにより、発光材料からの発光を得ることができる。
例えば、発光デバイスを有する発光装置が開発されている。ＥＬ現象を利用した発光デバイス（ＥＬデバイス、ＥＬ素子ともいう）は、薄型軽量化が容易である、入力信号に対し高速に応答可能である、直流定電圧電源を用いて駆動可能である等の特徴を有し、発光装置に応用されている。
また、近年、発光装置は様々な用途への応用が期待されている。例えば、大型の発光装置の用途としては、家庭用のテレビジョン装置（テレビまたはテレビジョン受信機ともいう）、デジタルサイネージ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｓｉｇｎａｇｅ：電子看板）、及び、ＰＩＤ（Ｐｕｂｌｉｃ Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）等が挙げられる。また、携帯情報端末として、タッチパネルを備えるスマートフォン及びタブレット端末などの開発が進められている。
また、発光装置の高精細化が求められている。高精細な発光装置が要求される機器として、例えば、仮想現実（ＶＲ：Ｖｉｒｔｕａｌ Ｒｅａｌｉｔｙ）、拡張現実（ＡＲ：Ａｕｇｍｅｎｔｅｄ Ｒｅａｌｉｔｙ）、代替現実（ＳＲ：Ｓｕｂｓｔｉｔｕｔｉｏｎａｌ Ｒｅａｌｉｔｙ）、及び、複合現実（ＭＲ：Ｍｉｘｅｄ Ｒｅａｌｉｔｙ）向けの機器が、盛んに開発されている。
特許文献１には、有機ＥＬデバイス（有機ＥＬ素子ともいう）を用いた、ＶＲ向けの発光装置が開示されている。また、特許文献２には、遷移金属と非共有電子対を有する有機化合物の混合膜を電子注入層に用いた、駆動電圧が低く信頼性が良好な発光デバイスが開示されている。
国際公開第２０１８／０８７６２５号 特開２０１８－２０１０１２号公報
本発明の一態様は、設計自由度が高い発光装置を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、表示品位の高い発光装置を提供することを課題の一つとする。または、本発明の一態様は、高精細な発光装置を提供することを課題の一つとする。または、本発明の一態様は、高解像度の発光装置を提供することを課題の一つとする。または、本発明の一態様は、信頼性の高い発光装置を提供することを課題の一つとする。または、本発明の一態様は、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な発光装置を提供することを課題の一とする。または、本発明の一態様は、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な表示モジュールを提供することを課題の一とする。または、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な電子機器を提供することを課題の一とする。または、新規な発光装置、新規な表示モジュール、新規な電子機器または新規な半導体装置を提供することを課題の一とする。
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は、必ずしも、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。明細書、図面、請求項の記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
本発明の一態様は、第１の電極を有する基板上に第１の有機化合物と、第２の有機化合物と、を含む発光層を形成し、光源の発光スペクトルにおける発光端のうち最も短波長に位置する発光端が、第１の有機化合物の吸収スペクトルにおける吸収端のうち最も長波長に位置する吸収端よりも短波長、且つ第２の有機化合物の吸収スペクトルにおける吸収端のうち最も長波長に位置する吸収端よりも長波長の照明下で基板を保持し、発光層上に犠牲層を形成し、フォトリソグラフィ法により少なくとも発光層を島状の形状に加工し、発光層上に第２の電極を形成する発光デバイスの作製方法である。
本発明の一態様は、第１の電極を有する基板上に第１の有機化合物と、第２の有機化合物と、を含む発光層を形成し、発光層上に犠牲層を形成し、フォトリソグラフィ法により少なくとも発光層を島状の形状に加工し、発光層上の犠牲層の少なくとも一部を除去し、光源の発光スペクトルにおける発光端のうち最も短波長に位置する発光端が、第１の有機化合物の吸収スペクトルにおける吸収端のうち最も長波長に位置する吸収端よりも短波長、且つ第２の有機化合物の吸収スペクトルにおける吸収端のうち最も長波長に位置する吸収端よりも長波長の照明下で基板を保持し、発光層上に第２の電極を形成する発光デバイスの作製方法である。
上記一態様において、発光層上の犠牲層の少なくとも一部を除去し、照明下で基板を保持してもよい。
上記一態様において、第１の有機化合物は、燐光を発することが好ましい。
上記一態様において、第１の有機化合物は、金属錯体であることが好ましい。
上記一態様において、第１の有機化合物の最低三重項励起エネルギー準位は、第２の有機化合物の最低三重項励起エネルギー準位より低いことが好ましい。
上記一態様において、第２の有機化合物は、ＨＯＭＯ準位が－５．７ｅＶ以上であることが好ましい。
上記一態様において、光源の発光スペクトルにおける発光端のうち最も短波長に位置する発光端が４３０ｎｍ以上であることが好ましい。
上記一態様において、保持は、酸素を含む雰囲気下で行ってもよい。
本発明の一態様は、設計自由度が高い発光装置を提供することができる。本発明の一態様は、表示品位の高い発光装置を提供することができる。または、本発明の一態様は、高精細な発光装置を提供することができる。または、本発明の一態様は、高解像度の発光装置を提供することができる。または、本発明の一態様は、信頼性の高い発光装置を提供することができる。または、本発明の一態様は、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な発光装置を提供することができる。または、本発明の一態様は、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な表示モジュールを提供することができる。または、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な電子機器を提供することができる。または、新規な発光装置、新規な表示モジュール、新規な電子機器または新規な半導体装置を提供することができる。
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。明細書、図面、請求項の記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
図１（Ａ）乃至図１（Ｃ）は、実施の形態に係る発光デバイスの構成を説明する図である。 図２は、本発明の一態様を説明する図である。 図３は、実施の形態に係る発光デバイスの作製工程を説明するフローチャート図である。 図４（Ａ）および図４（Ｂ）は、発光装置の上面図および断面図である。 図５（Ａ）乃至図５（Ｄ）は、発光デバイスについて表す図である。 図６（Ａ）乃至６（Ｅ）は、発光装置の作製方法の一例を示す断面図である。 図７（Ａ）乃至図７（Ｅ）は、発光装置の作製方法の一例を示す断面図である。 図８（Ａ）乃至図８（Ｃ）は、発光装置の作製方法の一例を示す断面図である。 図９（Ａ）乃至図９（Ｃ）は、発光装置の作製方法の一例を示す断面図である。 図１０（Ａ）乃至図１０（Ｃ）は、発光装置の作製方法の一例を示す断面図である。 図１１（Ａ）乃至図１１（Ｃ）は、発光装置の作製方法の一例を示す断面図である。 図１２（Ａ）乃至図１２（Ｃ）は、発光装置の作製方法の一例を示す断面図である。 図１３（Ａ）乃至図１３（Ｅ）は、実施の形態に係る発光デバイスの構成を説明する図である。 図１４（Ａ）乃至図１４（Ｇ）は、画素の構成例を示す上面図である。 図１５（Ａ）乃至図１５（Ｉ）は、画素の構成例を示す上面図である。 図１６（Ａ）、及び図１６（Ｂ）は、表示モジュールの構成例を示す斜視図である。 図１７（Ａ）、及び図１７（Ｂ）は、発光装置の構成例を示す断面図である。 図１８は、発光装置の構成例を示す斜視図である。 図１９（Ａ）は、発光装置の構成例を示す断面図である。図１９（Ｂ）、及び図１９（Ｃ）は、トランジスタの構成例を示す断面図である。 図２０は、発光装置の構成例を示す断面図である。 図２１（Ａ）乃至図２１（Ｄ）は、発光装置の構成例を示す断面図である。 図２２（Ａ）乃至図２２（Ｄ）は、電子機器の一例を示す図である。 図２３（Ａ）乃至図２３（Ｆ）は、電子機器の一例を示す図である。 図２４（Ａ）乃至図２４（Ｇ）は、電子機器の一例を示す図である。 図２５は、実施例にかかる試料の構造を説明する図である。 図２６は、実施例にかかる試料の電流効率－輝度特性を表す図である。 図２７は、実施例にかかる試料の輝度－電圧特性を表す図である。 図２８は、実施例にかかる試料の電流効率－電流密度特性を表す図である。 図２９は、実施例にかかる試料の電流密度－電圧特性を表す図である。 図３０は、実施例にかかる試料の電界発光スペクトルを表す図である。 図３１は、実施例にかかる試料の規格化輝度－時間を表す図である。 図３２は、実施例にかかる試料の電圧変化－時間を表す図である。 図３３は、実施例にかかる試料の吸収スペクトルおよび発光スペクトルを表す図である。 図３４は、実施例にかかる試料の電流効率－輝度特性を表す図である。 図３５は、実施例にかかる試料の輝度－電圧特性を表す図である。 図３６は、実施例にかかる試料の電流効率－電流密度特性を表す図である。 図３７は、実施例にかかる試料の電流密度－電圧特性を表す図である。 図３８は、実施例にかかる試料の電界発光スペクトルを表す図である。 図３９は、実施例にかかる試料の規格化輝度－時間を表す図である。 図４０は、実施例にかかる試料の吸収スペクトルおよび発光スペクトルを表す図である。 図４１（Ａ）および図４１（Ｂ）は、実施例にかかる試料の構造を説明する図である。 図４２は、実施例にかかる試料の電流密度－電圧特性を表す図である。 図４３は、実施例にかかる試料の輝度－電流密度特性を表す図である。 図４４は、実施例にかかる試料の電流効率－電流密度特性を表す図である。 図４５は、実施例にかかる試料の電界発光スペクトルを表す図である。 図４６は、実施例にかかる試料の規格化輝度－時間を表す図である。 図４７は、実施例にかかる試料の電流効率－輝度特性を表す図である。 図４８は、実施例にかかる試料の輝度－電圧特性を表す図である。 図４９は、実施例にかかる試料の輝度－電流密度特性を表す図である。 図５０は、実施例にかかる試料の電流密度－電圧特性を表す図である。 図５１は、実施例にかかる試料のブルーインデックス（ＢＩ）－輝度特性を表す図である。 図５２は、実施例にかかる試料の電界発光スペクトルを表す図である。 図５３（Ａ）は、実施例にかかる試料の規格化輝度－時間を表す図である。図５３（Ｂ）は、実施例にかかる試料のＬＴ９０を表す図である。 図５４（Ａ）は、実施例にかかる試料の吸収スペクトルを表す図である。図５４（Ｂ）は、蛍光灯の発光スペクトルを表す図である。
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様である発光デバイスについて説明する。
図１（Ａ）に本発明の一態様である発光デバイス１００の構造を示す。図１（Ａ）に示すように、発光デバイス１００は、第１の電極１０１と、第２の電極１０２と、を有し、第１の電極１０１および第２の電極１０２の間に、正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、発光層１１３、電子輸送層１１４、および電子注入層１１５が順次積層された、有機化合物層１０３を有する構造を有する。また、発光層１１３は、少なくとも発光物質を有する。
ここで、図１（Ａ）に示す発光デバイス１００の具体的な構造の一例を図１（Ｂ）および図１（Ｃ）に示す。図１（Ｂ）は、第１の電極１０１上に正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、発光層１１３、電子輸送層１１４、および電子注入層１１５が順次積層された構造を有する。なお、図１（Ｂ）の断面図からわかるように、第１の電極１０１の端部（または、側面）よりも、正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、発光層１１３、電子輸送層１１４の端部（または、側面）が内側になる構造を有していてもよい。また、正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、発光層１１３、電子輸送層１１４の端部（または、側面）と、第１の電極１０１の上面の一部および端部（または、側面）と、絶縁層１０７が接する構造を有する。
電子注入層１１５は、有機化合物層１０３の一部だが、図１（Ｂ）に示すように、有機化合物層１０３の他の層（正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、発光層１１３、電子輸送層１１４）とは異なる形状を有する。但し、電子注入層１１５と、第２の電極１０２と、を同じ形状とすることができる。電子注入層１１５および第２の電極１０２を複数の発光デバイスに共通する層とすることができるため、発光デバイス１００の製造工程を簡略化し、スループットを向上させることが可能となる。
ここで、発光層１１３の塗り分け（例えば、ＲＧＢ）を行う場合、一般的にはメタルマスクなどの遮蔽マスクを用いた成膜方法が用いられる。しかしながら、メタルマスクを用いた作製方法では、微細化に限界がある。そこで、正孔注入層１１１となる膜、正孔輸送層１１２となる膜、発光層１１３となる膜、および電子輸送層１１４となる膜を、ハードマスクを用いて加工することで、より微細なパターンを形成することができる。
一方、正孔注入層１１１となる膜、正孔輸送層１１２となる膜、発光層１１３となる膜、および電子輸送層１１４となる膜は、有機化合物を用いることに対し、ハードマスクは無機物を用いるため、工程間に生じる基板を保持する時間（製造装置間の搬送工程、待機時間を含む）において、大気、および照明に曝される場合がある。
また、発光層１１３に用いられる有機化合物は、光を吸収して励起する機能を有する。励起した有機化合物は、大気中の酸素、または水と反応し、酸素付加体を生じる場合がある。つまり、反応性が高い分子、例えばＨＯＭＯ準位が比較的高い分子は、酸素がある状態で、有機化合物が吸収する波長の光を照射すると、有機化合物に劣化物が生成する場合がある。しかしながら、製造ライン全体で真空引きを行うには、大規模な投資が必要となる。また、デバイス作製過程でウェットプロセスを実施する際には、真空引きを実施する事がそもそも現実的ではない。
そこで、発光層１１３を含む有機層が積層された基板を、搬送または保持する場合、照明が適切に制御された環境で行うとよいことを発明者らは見出した。発光層１１３にあたる照明を適切に制御することで、酸素を含む雰囲気下においても、有機化合物からの劣化物の生成を抑制することができる。例えば、１０％以上、１５％以上、または２０％以上の酸素を含む雰囲気下においても有機化合物からの劣化物の生成を抑制することができる。
例えば、第１の有機化合物と、第１の有機化合物よりも酸素または水などの不純物との反応性が高い第２の有機化合物が、発光層中に含まれる場合において、光源の発光スペクトルにおける発光端のうち最も短波長に位置する発光端が、第１の有機化合物の吸収スペクトルにおける吸収端のうち最も長波長に位置する吸収端よりも短波長であり、かつ、第２の有機化合物の吸収スペクトルにおける吸収端のうち最も長波長に位置する吸収端よりも長波長である照明下で、大気中における基板の搬送または保持を行うとよい。
なお、吸収端は、吸収スペクトルで観測されるピークもしくはショルダーピークの長波長に位置する半値において接線を引き、その接線と横軸（波長）あるいはベースラインとの交点から算出できる。また、発光端は、光源の発光スペクトルで観測されるピークもしくはショルダーピークの短波長に位置する半値において接線を引き、その接線と横軸（波長）あるいはベースラインとの交点から算出できる。
また、本発明の一態様は、三重項励起状態から発光を呈する有機化合物を用いることが好ましく、りん光（燐光）を発する有機化合物を用いることがより好ましい。第１の有機化合物の最低三重項励起エネルギー準位が、第２の有機化合物の最低三重項励起エネルギー準位より低い場合、第１の有機化合物は第２の有機化合物よりも、反応性が低くなる蓋然性が高い。且つ、第１の有機化合物が燐光発光性材料である場合、三重項励起寿命が短いため、反応性が低くなる蓋然性が高い。
一例として、図２を用いて説明する。図２は、縦軸が吸光強度および発光強度を表し、横軸が波長を表す概念図である。図２には、可視光域の波長λ１から波長λ２の範囲（λ１＜λ２）において、第１の有機化合物の吸収スペクトルＳ１（実線）、第２の有機化合物の吸収スペクトルＳ２（一点鎖線）、および照明（光源）の発光スペクトル（破線）で示す。なお、各スペクトルの半値における接線を点線で示す。また、吸収スペクトルＳ１における吸収端のうち最も長波長に位置する吸収端を吸収端Ａ１、吸収スペクトルＳ２における吸収端のうち最も長波長に位置する吸収端を吸収端Ａ２、発光スペクトルにおける発光端のうち最も短波長に位置する発光端を発光端Ｌ１とする。
照明（光源）の発光スペクトルの発光端Ｌ１は、第２の有機化合物の吸収スペクトルＳ２における吸収端Ａ２の波長以上、第１の有機化合物の吸収スペクトルＳ１における吸収端Ａ１の波長以下である波長域λｄ内に位置することが好ましい。
つまり、少なくとも、照明が呈する発光スペクトルのうち最も短波長に位置する発光端Ｌ１が、発光層中に含まれる有機化合物のうち、大気中の酸素または水などの不純物と反応性が高い第２の有機化合物の吸収スペクトルにおいて最も長波長に位置する吸収端Ａ２よりも、長波長である照明下で、大気中における基板の搬送または保持を行うとよい。第２の有機化合物の吸収スペクトルが照明光の発光スペクトルと重畳しないため、発光層中の有機化合物が酸素を含む雰囲気下で光励起することなく、劣化物の生成を抑制することができる。
一方で、発光層中に含まれる有機化合物のうち、不純物と反応性が低い、または不純物と反応しない比較的安定な第１の有機化合物は、吸収スペクトルと重畳する発光スペクトルを呈する光が照射されたとしても、劣化しない。従って、作業効率が低下しない程度の照度または演色性を確保するためにも、第１の有機化合物の吸収スペクトルと重畳する発光スペクトルを呈する光を照明として用いてもよい。
具体的には、光源の発光スペクトルにおける発光端のうち最も短波長に位置する発光端が４３０ｎｍ以上の照明下で行うとよい。また、好ましくは、光源の発光スペクトルにおける発光端のうち最も短波長に位置する発光端が４８０ｎｍ以上、好ましくは５００ｎｍ以上、さらに好ましくは５３０ｎｍ以上であるとよい。
また、作業効率が低下しない程度の照度または演色性を確保するために、光源の発光スペクトルにおける発光端のうち最も短波長に位置する発光端が６００ｎｍ以下の照明下で行うとよい。また、好ましくは、光源の発光スペクトルにおける発光端のうち最も短波長に位置する発光端が５８０ｎｍ以下であるとよい。なお、光源の発光スペクトルにおける発光端のうち最も短波長に位置する発光端が位置する波長域は、上述したいずれかの上限値及び下限値を組み合わせた範囲内とする。
照明には、例えば、５００ｎｍよりも短波長の光を示さないイエローライト（蛍光灯または発光ダイオード（ＬＥＤ））を用いることが好ましい。また、５３０ｎｍよりも短波長の光を示さないオレンジライト（蛍光灯または発光ダイオード（ＬＥＤ））を用いることが好ましい。また、低圧ナトリウムランプを用いることができる。また、短波長に位置する光を遮光できる光学フィルターを用いた照明を用いることができ、例えば、白熱電球、蛍光灯、発光ダイオード（ＬＥＤ）、ハロゲンランプ、太陽光を用いることができる。短波長に位置する光を遮光できる光学フィルターとしては、例えば、バンドパスフィルター、ロングパスフィルター（短波長カットフィルター）を用いることができる。また、上記のような照明を用いることで、照明光の照度を低くすることができる。
上記照明が適切に制御された環境下で、基板を保持（搬送工程、および待機時間を含む）することで、比較的ＨＯＭＯ準位が高い有機化合物を用いることが可能になる。例えば、発光層１１３に、ＨＯＭＯ準位が、－５．３ｅＶ以上である有機化合物を用いることができる。または、ＨＯＭＯ準位が－５．４ｅＶ以上である有機化合物を用いることができる。または、ＨＯＭＯ準位が－５．５ｅＶ以上である有機化合物を用いることができる。または、ＨＯＭＯ準位が－５．７ｅＶ以上である有機化合物を用いることができる。ＨＯＭＯ準位が高い有機化合物を用いる場合においても、当該有機化合物が吸収する波長の光を照射しないことで、大気雰囲気に暴露したとしても、信頼性が高い発光デバイスを作成することが可能である。
以下に、図１（Ｂ）に示す発光デバイスの作製工程を図３に示すフローチャートを用いて、簡単に説明する。具体的には、実施の形態２を参照することができる。
発光デバイスを構成する各構造体は、成膜とハードマスクを用いた加工を繰り返すことにより、作製することができる。
まず、基板上に成膜装置を用いて、第１の電極１０１となる膜を成膜する（Ｓ１１）。続いて、第１の電極１０１となる膜を加工し、第１の電極１０１を形成する（Ｓ１２）。
次に、正孔注入層１１１となる膜、正孔輸送層１１２となる膜、発光層１１３となる膜、および電子輸送層１１４となる膜を順次成膜する（Ｓ１３、Ｓ１４、Ｓ１５、Ｓ１６）。
ここで、正孔注入層１１１となる膜、正孔輸送層１１２となる膜、発光層１１３となる膜、および電子輸送層１１４となる膜が形成された基板を大気暴露して搬送する場合、保持工程（Ｈ１１）における保持工程は、照明を制御した環境で行う。つまり、発光層１１３となる膜中に含まれる有機化合物が酸素付加体を生成しないような照明光を用いる。具体的には、照明の波長、または照度を制御するとよい。
次に、犠牲層となる膜を成膜する（Ｓ１７）。犠牲層となる膜を成膜したことで、発光層１１３となる膜は、犠牲層となる膜により完全に覆われるため、大気成分から遮蔽される。従って、犠牲層となる膜の成膜工程（Ｓ１７）と、犠牲層となる膜の加工工程（Ｓ１８）との工程間において、必ずしも照明を制御しなくともよい。なお、本明細書等において、犠牲層がマスクとして機能する場合、犠牲層をマスク層と呼称してもよい。
次に、犠牲層となる膜を加工した後、当該犠牲層をマスクとして用い、正孔注入層１１１となる膜、正孔輸送層１１２となる膜、発光層１１３となる膜、および電子輸送層１１４となる膜を加工する（Ｓ１９）。当該工程により、正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、発光層１１３、および電子輸送層１１４が形成され、側面が露出する。従って、後工程に大気暴露を伴う搬送などを行う場合、照明が制御された環境で基板を保持することが好ましい。
次に、絶縁層１０７となる膜を成膜する（Ｓ２０）。当該工程により、正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、発光層１１３、および電子輸送層１１４の側面は覆われるため、大気成分から遮蔽される。次の絶縁層１０７となる膜を加工する工程（Ｓ２１）との間に搬送などを行う場合、必ずしも照明は制御しなくともよい。
続いて、絶縁層１０７となる膜を加工し、絶縁層１０７を形成する。ここで、絶縁層１０７となる膜を絶縁層１０７に加工形成したことで、電子輸送層１１４の上面が露出され、発光層１１３を含む膜が大気暴露される。従って、Ｓ２１の工程後に、基板を搬送する場合、発光層１１３が大気暴露する蓋然性が高い。つまり、保持工程（Ｈ１２）は、照明を制御した環境で行う。
なお、絶縁層１０７を設けることにより、正孔注入層１１１の端部（または、側面）、正孔輸送層１１２の端部（または、側面）、発光層１１３の端部（または、側面）、および電子輸送層１１４の端部（または、側面）を保護することができる。これにより、工程による各層へのダメージを抑制することができると共に、異なる層と接触による電気的な接続を防止することが可能となる。
次に、正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、発光層１１３、および電子輸送層１１４と、絶縁層１０７とを覆うように電子注入層１１５、および第２の電極１０２を成膜する（Ｓ２２、Ｓ２３）。
また、図１（Ｃ）に示すような構造の発光デバイスとしても良い。第１の電極１０１上に第１の電極１０１を覆って正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、発光層１１３、電子輸送層１１４、および電子注入層１１５が順次積層され、正孔注入層１１１の端部、正孔輸送層１１２の端部、発光層１１３の端部、および電子輸送層１１４の端部が、図１（Ｃ）の断面視において、第１の電極１０１の端部（または、側面）よりも、外側になる構造を有する。また、正孔注入層１１１の端部、正孔輸送層１１２の端部、発光層１１３の端部、電子輸送層１１４の端部と、絶縁層１０７が接する構造を有する。
絶縁層１０７は、正孔注入層１１１の端部（または、側面）、正孔輸送層１１２の端部（または、側面）、発光層１１３の端部（または、側面）、および電子輸送層１１４の端部（または、側面）と、それぞれ接する。また、絶縁層１０７は、正孔注入層１１１の端部（または、側面）、正孔輸送層１１２の端部（または、側面）、発光層１１３の端部（または、側面）、および電子輸送層１１４の端部（または、側面）と、絶縁層１０８との間に位置する。また、絶縁層１０８と絶縁層１０７、および電子輸送層１１４上に、電子注入層１１５を有する。なお、絶縁層１０８には、有機化合物、または無機化合物を用いることができる。
絶縁層１０８に有機化合物を用いる場合は、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれら樹脂の前駆体等を用いることができる。また、感光性の樹脂を用いても良い。感光性の樹脂としては、ポジ型の材料、又はネガ型の材料を用いることができる。
絶縁層１０８として、感光性の樹脂を用いることにより、製造プロセスにおける露光及び現像の工程のみで絶縁層１０８を作製することができるため、ドライエッチング、あるいはウェットエッチング等による他の層への影響を低減することができる。また、ネガ型の感光性樹脂を用いることにより、別工程に用いるフォトマスク（露光マスク）を兼用できる場合があるため好ましい。
図１（Ｂ）および図１（Ｃ）に示すデバイス構造は、有機化合物層１０３の一部の層を所望の形状にするために製造工程途中でパターン形成する際、大気に晒されることがあるため、正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、発光層１１３、または電子輸送層１１４が有する有機化合物に酸素付加体が生成されるなどの問題が発生し、発光デバイスの信頼性および輝度が低下する場合がある。
これに対して、本実施の形態１で示す発光デバイス１００は、プロセス中に基板に照射する照明を適切に制御することで、発光層１１３が有する有機化合物に酸素付加体が生成するなどの問題を抑制することができる。なお、この場合、電子輸送層１１４の形成後に有機化合物層１０３の一部である電子注入層１１５が形成されるため、電子注入層１１５および第２の電極１０２の構造は、有機化合物層１０３の他の層（正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、発光層１１３、および電子輸送層１１４）とは、異なる構造を有する。
なお、図１（Ｂ）および図１（Ｃ）に示す形状を有する発光デバイス１００は、このような製造方法によるパターン形成が可能なデバイス構造の一例であるが、本発明の一態様の発光デバイスの形状は、これに限られない。なお、このような本発明の一態様であるデバイス構造を有することで、効率の低下、および信頼性の悪化を抑制した発光デバイスを提供することができる。
なお、図１（Ｂ）および図１（Ｃ）に示す絶縁層１０７は、不要であれば設けなくてもよい。例えば、電子注入層１１５と、正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２と、の間の導通が十分小さい場合、発光デバイス１００は絶縁層１０７を有していなくてもよい。
第１の電極１０１、第２の電極１０２、正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、発光層１１３、電子注入層１１５、絶縁層１０７として用いることのできる材料については、後の実施の形態にて説明する材料を適用することができるものとする。
本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用いることができる。
（実施の形態２）
図４（Ａ）および図４（Ｂ）に例示するように、発光デバイス１３０を、絶縁層１７５上に複数形成することで、発光装置を構成する。なお、発光デバイス１３０には、先の実施の形態で説明した発光デバイス１００の構成を用いることができる。本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置について詳しく説明する。
発光装置１０００は、複数の画素１７８がマトリクス状に配列された画素部１７７を有する。画素１７８は、副画素１１０Ｒ、副画素１１０Ｇ、及び副画素１１０Ｂを有する。
本明細書等において、例えば副画素１１０Ｒ、副画素１１０Ｇ、及び副画素１１０Ｂに共通する事項は、副画素１１０と呼称して説明する場合がある。また、アルファベットで区別する構成要素について、該当する構造に共通する事項は、アルファベットを省略した符号を用いて説明する場合がある。
副画素１１０Ｒは赤色の光を呈し、副画素１１０Ｇは緑色の光を呈し、副画素１１０Ｂは青色の光を呈する。これにより、画素部１７７に画像を表示することができる。なお、本実施の形態では、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３色の副画素を例に挙げて説明するが、本発明は当該構成に限らない。つまり、その他の色の副画素の組み合わせを用いてもよい。例えば、副画素は３つに限られず、４つ以上としてもよい。４つの副画素としては、例えば、Ｒ、Ｇ、Ｂ、白色（Ｗ）の４色の副画素、Ｒ、Ｇ、Ｂ、黄色（Ｙ）の４色の副画素、及び、Ｒ、Ｇ、Ｂ、赤外光（ＩＲ）の４つの副画素、等が挙げられる。
本明細書等において、行方向をＸ方向、列方向をＹ方向という場合がある。Ｘ方向とＹ方向は交差し、例えば垂直に交差する。
図４（Ａ）では、異なる色の副画素がＸ方向に並べて配置されており、同じ色の副画素が、Ｙ方向に並べて配置されている例を示す。なお、異なる色の副画素がＹ方向に並べて配置され、同じ色の副画素が、Ｘ方向に並べて配置されていてもよい。
画素部１７７の外側には、接続部１４０および領域１４１を設けてもよい。例えば、領域１４１は画素部１７７と接続部１４０の間に設けるとよい。領域１４１には、有機化合物層１０３を設ける。また、接続部１４０には、導電層１５１Ｃを設ける。
図４（Ａ）では、領域１４１、及び接続部１４０が画素部１７７の右側に位置する例を示すが、領域１４１、及び接続部１４０の位置は特に限定されない。また、領域１４１、及び接続部１４０は、単数であっても複数であってもよい。
図４（Ｂ）は、図４（Ａ）における一点鎖線Ａ１－Ａ２間の断面図の例である。図４（Ｂ）に示すように、発光装置１０００は、絶縁層１７１と、絶縁層１７１上の導電層１７２と、絶縁層１７１上、及び導電層１７２上の絶縁層１７３と、絶縁層１７３上の絶縁層１７４と、絶縁層１７４上の絶縁層１７５と、を有する。絶縁層１７１は、基板（図示せず）上に設けるとよい。絶縁層１７５、絶縁層１７４、及び絶縁層１７３には、導電層１７２に達する開口が設けられ、当該開口を埋め込むようにプラグ１７６を設ける。
画素部１７７において、絶縁層１７５及びプラグ１７６上に、発光デバイス１３０が設けられる。また、発光デバイス１３０を覆うように、保護層１３１が設けられている。保護層１３１上には、樹脂層１２２によって基板１２０が貼り合わされている。また、隣り合う発光デバイス１３０の間には、無機絶縁層１２５と、無機絶縁層１２５上の絶縁層１２７と、を設けてもよい。
図４（Ｂ）では、無機絶縁層１２５及び絶縁層１２７の断面が複数示されているが、発光装置１０００を上面から見た場合、無機絶縁層１２５及び絶縁層１２７は、それぞれ１つに繋がっていることが好ましい。つまり、無機絶縁層１２５及び絶縁層１２７は、第１の電極上に開口部を有する絶縁層とするとよい。
図４（Ｂ）では、発光デバイス１３０として、発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び発光デバイス１３０Ｂを示している。発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び発光デバイス１３０Ｂは、互いに異なる色の光を発するものとする。例えば、発光デバイス１３０Ｒは赤色の光を発することができ、発光デバイス１３０Ｇは緑色の光を発することができ、発光デバイス１３０Ｂは青色の光を発することができる。また、発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、又は発光デバイス１３０Ｂは、他の可視光又は赤外光を発してもよい。
なお、有機化合物層１０３は、少なくとも発光層を有し、その他の機能層（正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層、電子輸送層、及び電子注入層等）を有することができる。また、有機化合物層１０３と共通層１０４とを合わせて、発光を呈するＥＬ層が備える機能層（正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、発光層、電子ブロック層、電子輸送層、及び電子注入層等）を形成しても良い。
本発明の一態様の発光装置は、例えば発光デバイスが形成されている基板とは反対方向に光を射出する上面射出型（トップエミッション型）とすることができる。なお、本発明の一態様の発光装置は、下面射出型（ボトムエミッション型）であってもよい。
発光デバイス１３０Ｒは、実施の形態１に示したような構成を有する。導電層１５１Ｒと導電層１５２Ｒとからなる第１の電極（画素電極）と、第１の電極上の有機化合物層１０３Ｒと、有機化合物層１０３Ｒ上の共通層１０４と、共通層１０４上の第２の電極（共通電極）１０２と、を有する。
なお、共通層１０４は、必ずしも設けなくてもよい。共通層１０４を設けることで、後工程による有機化合物層１０３Ｒへのダメージを低減できる。また、共通層１０４が設けられている場合、共通層１０４は、電子注入層としての機能を有していてもよい。共通層１０４が電子注入層として機能する場合、有機化合物層１０３Ｒと共通層１０４との積層構造は、実施の形態１における有機化合物層１０３に相当する。
ここで、発光デバイス１３０は、実施の形態１に示したような構成を有する。導電層１５１と導電層１５２とからなる第１の電極（画素電極）と、第１の電極上の有機化合物層１０３と、有機化合物層１０３上の共通層１０４と、共通層１０４上の第２の電極（共通電極）１０２と、を有する。
発光デバイスが有する画素電極と共通電極のうち、一方は陽極として機能し、他方は陰極として機能する。以下では、特に断りが無い場合は、画素電極が陽極として機能し、共通電極が陰極として機能するものとして説明する。
有機化合物層１０３Ｒ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｂは、各々または、発光色毎に、島状に独立している。有機化合物層１０３を発光デバイス１３０毎に島状に設けることで、高精細な発光装置においても隣接する発光デバイス１３０間のリーク電流を抑制できる。これにより、クロストークを防ぐことができ、コントラストの極めて高い発光装置を実現できる。特に、低輝度における電流効率の高い発光装置を実現できる。
有機化合物層１０３は、発光デバイス１３０の第１の電極（画素電極）の上面及び側面を覆うように設けてもよい。これにより、有機化合物層１０３の端部が画素電極の端部よりも内側に位置する構成に比べて、発光装置１０００の開口率を高めることが容易となる。また、発光デバイス１３０の画素電極の側面を有機化合物層１０３で覆うことで、画素電極と第２の電極１０２とが接することを抑制できるため、発光デバイス１３０のショートを抑制できる。また、有機化合物層１０３の発光領域（すなわち、画素電極と重なる領域）と、有機化合物層１０３の端部との距離を大きくできる。さらに、有機化合物層１０３の端部は、加工によりダメージを受けている可能性があるため、有機化合物層１０３の端部から離れた領域を発光領域として用いることで、発光デバイス１３０の信頼性を高められる。
また、本発明の一態様の発光装置では、発光デバイスの第１の電極（画素電極）を、積層構成としてもよい。例えば、図４（Ｂ）に示す例では、発光デバイス１３０の第１の電極を、導電層１５１と、導電層１５２と、の積層構成としている。
例えば、発光装置１０００がトップエミッション型である場合、発光デバイス１３０の画素電極は、導電層１５１は可視光に対する反射率が高い層とし、導電層１５２は可視光の透過性を有し、かつ仕事関数が大きい層とすることが好ましい。画素電極の可視光に対する反射率が高いほど、有機化合物層１０３が発する光の取り出し効率を高くすることができる。また、画素電極が陽極として機能する場合、画素電極の仕事関数が大きいほど、有機化合物層１０３への正孔の注入が容易となる。従って、発光デバイス１３０の画素電極を、可視光に対する反射率が高い導電層１５１と、仕事関数が大きい導電層１５２と、の積層構成とすることにより、発光デバイス１３０を、光取り出し効率が高く、且つ駆動電圧の低い発光デバイスとすることができる。
具体的には、導電層１５１の可視光に対する反射率は、例えば４０％以上１００％以下とすることが好ましく、７０％以上１００％以下とすることがより好ましい。また、導電層１５２は、可視光の透過性を有する電極とする場合、可視光に対する透過率を例えば４０％以上とすることが好ましい。
また、積層構造を有する画素電極の形成後に成膜した膜を、ウェットエッチング法などにより除去するさいにエッチングに用いる薬液が画素電極を含む構造体に含浸する場合がある。含浸した薬液が画素電極に接触すると、画素電極を構成する複数の層間においてガルバニック腐食などが発生し、画素電極が変質することがある。
そこで、導電層１５１の上面及び側面を覆うように、導電層１５２を形成することが好ましい。導電層１５２で導電層１５１を覆うことで、含浸した薬液が導電層１５１に接触することなく、画素電極へのガルバニック腐食の発生を抑制できる。従って、発光装置１０００は、歩留まりが高い方法で作製できるため、低価格の発光装置とすることができる。また、発光装置１０００に不良が発生することを抑制できるため、発光装置１０００は信頼性が高い発光装置とすることができる。
導電層１５１として、例えば金属材料を用いることができる。具体的には、例えばアルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、イットリウム（Ｙ）、ネオジム（Ｎｄ）等の金属、及びこれらを適宜組み合わせて含む合金を用いることもできる。
導電層１５２として、インジウム、錫、亜鉛、ガリウム、チタン、アルミニウム、及びシリコンの中から選ばれるいずれか一又は複数を有する酸化物を用いることができる。例えば、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを含む酸化亜鉛、酸化チタン、ガリウムを含むインジウム亜鉛酸化物、アルミニウムを含むインジウム亜鉛酸化物、シリコンを含むインジウム錫酸化物、及びシリコンを含むインジウム亜鉛酸化物等のいずれか一又は複数を含む導電性酸化物を用いることが好ましい。特に、シリコンを含むインジウム錫酸化物は仕事関数が大きい、例えば仕事関数が４．０ｅＶ以上であるため、導電層１５２として好適に用いることができる。
また、導電層１５１、および導電層１５２は、異なる材料を有する複数の層の積層構成であってもよい。この場合、導電層１５１が、導電性酸化物等の導電層１５２に用いることができる材料を用いた層を有してもよく、また、導電層１５２が、金属材料等の導電層１５１に用いることができる材料を用いた層を有してもよい。例えば、導電層１５１が２層以上の積層構成である場合は、導電層１５２と接する層は、導電層１５２の導電層１５１と接する層に用いる材料と同じ材料を含む層とすることができる。
なお、導電層１５１の端部は、テーパ形状を有することが好ましい。具体的には、導電層１５１の端部は、テーパ角９０°未満のテーパ形状を有することが好ましい。この場合、導電層１５１の側面に沿って設けられる導電層１５２もテーパ形状を有する。導電層１５２の端部をテーパ形状とすることで、導電層１５２の側面に沿って設けられる有機化合物層１０３の被覆性を高めることができる。
また、導電層１５１、または導電層１５２が積層構造を有する場合、少なくとも１つの側面がテーパ形状を有していることが好ましい。また、各導電層を構成する積層構造において、層毎に異なるテーパ形状であってもよい。
図５（Ａ）においては、導電層１５１が異なる材料を含む複数の層の積層構造である場合の図を示している。図５（Ａ）に示すように、導電層１５１は、導電層１５１＿１と、導電層１５１＿１上の導電層１５１＿２と、導電層１５１＿２上の導電層１５１＿３と、を有する構成である。つまり、図５（Ａ）に示す導電層１５１は、３層積層構成である。このように、導電層１５１が複数の層の積層構成である場合は、導電層１５１を構成する層のうち少なくとも１つの層の可視光に対する反射率を、導電層１５２の可視光に対する反射率より高くすればよい。
図５（Ａ）に示す例では、導電層１５１＿２が、導電層１５１＿１と導電層１５１＿３により挟まれる構成である。導電層１５１＿１、及び導電層１５１＿３には、導電層１５１＿２より変質しにくい材料を用いることが好ましい。例えば、導電層１５１＿１には、絶縁層１７５と接することによるマイグレーションの発生が、導電層１５１＿２より起こりにくい材料を用いることができる。また、導電層１５１＿３には、導電層１５１＿２より酸化しにくく、さらに酸化物の電気抵抗率が、導電層１５１＿２に用いる材料の酸化物より低い材料を用いることができる。
以上より、導電層１５１＿２を、導電層１５１＿１と導電層１５１＿３で挟む構成とすることで、導電層１５１＿２の材料選択の幅を広げることができる。これにより、例えば導電層１５１＿２を、導電層１５１＿１及び導電層１５１＿３のうち少なくとも一方より、可視光に対する反射率が高い層とすることができる。例えば、導電層１５１＿２としてアルミニウムを用いることができる。なお、導電層１５１＿２には、アルミニウムを含む合金を用いてもよい。また、導電層１５１＿１として、可視光に対する反射率がアルミニウムと比較すると低いが、絶縁層１７５と接してもアルミニウムよりマイグレーションが発生しにくい材料であるチタンを用いることができる。さらに、導電層１５１＿３として、可視光に対する反射率がアルミニウムと比較すると低いが、アルミニウムより酸化しにくく、また酸化物の電気抵抗率が酸化アルミニウムの電気抵抗率より低い材料であるチタンを用いることができる。
また、導電層１５１＿３として、銀、又は銀を含む合金を用いてもよい。銀は、可視光に対する反射率がチタンより高いという特性を有する。さらに、銀は、アルミニウムより酸化しにくく、また酸化銀の電気抵抗率は酸化アルミニウムの電気抵抗率より低いという特性を有する。以上により、導電層１５１＿３として銀、又は銀を含む合金を用いると、導電層１５１の可視光に対する反射率を好適に高くしつつ、導電層１５１＿２の酸化による画素電極の電気抵抗の上昇を抑制できる。ここで、銀を含む合金として、例えば銀とパラジウムと銅の合金（Ａｇ－Ｐｄ－Ｃｕ、ＡＰＣとも記す）を適用できる。なお、導電層１５１＿３として銀、又は銀を含む合金を用い、導電層１５１＿２としてアルミニウムを用いると、導電層１５１＿３の可視光に対する反射率を、導電層１５１＿２の可視光に対する反射率より高くすることができる。ここで、導電層１５１＿２として銀、又は銀を含む合金を用いてもよい。また、導電層１５１＿１に銀、又は銀を含む合金を用いてもよい。
一方、チタンを用いた膜は、銀を用いた膜よりエッチングによる加工性に優れる。よって、導電層１５１＿３としてチタンを用いることにより、導電層１５１＿３を容易に形成できる。なお、アルミニウムを用いた膜も、銀を用いた膜よりエッチングによる加工性に優れる。
以上のように、導電層１５１を複数の層の積層構造とすることにより、発光装置の特性を向上させることができる。例えば、発光装置１０００を、光取り出し効率が高く、且つ信頼性が高い発光装置とすることができる。
ここで、発光デバイス１３０にマイクロキャビティ構造が適用されている場合は、導電層１５１＿３として、可視光に対する反射率が高い材料である銀、又は銀を含む合金を用いると、発光装置１０００の光取り出し効率を好適に高めることができる。
また、導電層１５１の材料選択、または加工方法により、図５（Ａ）に示すように、導電層１５１＿２の側面が、導電層１５１＿１、及び導電層１５１＿３の側面より内側に位置し、突出部を形成する場合がある。これにより、導電層１５２の導電層１５１に対する被覆性が低下し、導電層１５２の段切れが発生する恐れがある。
そこで、図５（Ａ）のように絶縁層１５６を設けることが好ましい。図５（Ａ）では、導電層１５１＿２の側面と重なる領域を有するように、導電層１５１＿１上に絶縁層１５６が設けられる例を示している。これにより、突出部に起因した導電層１５２の段切れまたは薄膜化の発生を抑制できるため、接続不良または駆動電圧の上昇を抑制することができる。
なお、図５（Ａ）においては、導電層１５１＿２の側面が絶縁層１５６に全て覆われる構造を図示したが、導電層１５１＿２の側面の一部が絶縁層１５６に覆われなくてもよい。以降に示す構成の画素電極においても、同様に導電層１５１＿２の側面の一部が絶縁層１５６に覆われなくてもよい。
また、図５（Ａ）に示すように、絶縁層１５６は、湾曲面を有することが好ましい。これにより、例えば絶縁層１５６の側面が垂直（Ｚ方向に平行）である場合より、絶縁層１５６を覆う導電層１５２における段切れの発生を抑制できる。また、絶縁層１５６が、側面にテーパ形状、具体的にはテーパ角が９０°未満のテーパ形状を有する場合であっても、例えば絶縁層１５６の側面が垂直である場合より、絶縁層１５６を覆う導電層１５２における段切れの発生を抑制できる。以上より、発光装置１０００を、歩留まりが高い方法で作製できる。また、不良の発生を抑制し、発光装置１０００は信頼性が高い発光装置とすることができる。
なお、本発明の一態様はこれに限らない。例えば、図５（Ｂ）乃至図５（Ｄ）に、第１の電極１０１のその他の構成を示す。
図５（Ｂ）は、図５（Ａ）の第１の電極１０１において、絶縁層１５６が導電層１５１＿２の側面だけでなく、導電層１５１＿１、導電層１５１＿２および導電層１５１＿３の側面を覆っている構成である。
図５（Ｃ）は図５（Ａ）の第１の電極１０１において、絶縁層１５６が設けられていない構成である。
図５（Ｄ）は図５（Ａ）の第１の電極１０１において、導電層１５１が積層構造を有しておらず、導電層１５２が積層構造を有している構成である。
導電層１５２＿１は、導電層１５２＿２に対する密着性が、例えば絶縁層１７５より高い層とする。導電層１５２＿１として、例えばインジウム、スズ、亜鉛、ガリウム、チタン、アルミニウム、及びシリコンの中から選ばれるいずれか一又は複数を有する酸化物を用いることができる。例えば、酸化インジウム、インジウムスズ酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを含む酸化亜鉛、酸化チタン、インジウムチタン酸化物、チタン酸亜鉛、アルミニウム亜鉛酸化物、ガリウムを含むインジウム亜鉛酸化物、アルミニウムを含むインジウム亜鉛酸化物、シリコンを含むインジウムスズ酸化物、及びシリコンを含むインジウム亜鉛酸化物等のいずれか一又は複数を含む導電性酸化物を用いることが好ましい。以上により、導電層１５２＿２の膜剥がれを抑制することができる。また、導電層１５２＿２を絶縁層１７５と接しない構成とすることができる。
導電層１５２＿２は、可視光に対する反射率（例えば４００ｎｍ以上７５０ｎｍ未満の範囲内の所定の波長の光に対する反射率）が、導電層１５１、導電層１５２＿１、及び導電層１５２＿３より高い層とする。導電層１５２＿２の可視光に対する反射率は、例えば７０％以上１００％以下とすることができ、好ましくは８０％以上１００％以下であり、より好ましくは９０％以上１００％以下である。また、導電層１５２＿２として、例えば銀、又は銀を含む合金を用いることができる。銀を含む合金として、例えば銀、パラジウム、及び銅の合金（ＡＰＣ）が挙げられる。以上により、発光装置１０００を、光取り出し効率が高い発光装置とすることができる。なお、導電層１５２＿２として、銀以外の金属を用いてもよい。
導電層１５１及び導電層１５２を陽極として機能させる場合、導電層１５２＿３は仕事関数が大きい層とすることが好ましい。導電層１５２＿３は、例えば、導電層１５２＿２より仕事関数が大きい層とする。導電層１５２＿３として、例えば導電層１５２＿１に用いることができる材料と同様の材料を用いることができる。例えば、導電層１５２＿１と導電層１５２＿３に同一種の材料を用いる構成とすることができる。
なお、導電層１５１及び導電層１５２を陰極として機能させる場合、導電層１５２＿３は仕事関数が小さい層とすることが好ましい。導電層１５２＿３は、例えば、導電層１５２＿２より仕事関数が小さい層とする。
また、導電層１５２＿３は、可視光に対する透過率（例えば４００ｎｍ以上７５０ｎｍ未満の範囲内の所定の波長の光に対する透過率）が高い層とすることが好ましい。例えば、導電層１５２＿３の可視光に対する透過率は、導電層１５１、及び導電層１５２＿２の可視光に対する透過率より高いことが好ましい。例えば、導電層１５２＿３の可視光に対する透過率は、６０％以上１００％以下とすることができ、好ましくは７０％以上１００％以下であり、より好ましくは８０％以上１００％以下である。以上により、有機化合物層１０３が発する光のうち、導電層１５２＿３に吸収される光を少なくすることができる。また、前述のように、導電層１５２＿３下の導電層１５２＿２は、可視光に対する反射率が高い層とすることができる。よって、発光装置１０００を、光取り出し効率が高い発光装置とすることができる。
続いて図４に示す構成を有する発光装置１０００の作製方法例を図６乃至図１２を用いて説明する。
［作製方法例１］
発光装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、及び、導電膜等）は、スパッタリング法、化学気相堆積（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、真空蒸着法、パルスレーザー堆積（ＰＬＤ：Ｐｕｌｓｅｄ Ｌａｓｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、又は原子層堆積（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等を用いて形成できる。ＣＶＤ法としては、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ：Ｐｌａｓｍａ Ｅｎｈａｎｃｅｄ ＣＶＤ）法、及び、熱ＣＶＤ法等がある。また、熱ＣＶＤ法のひとつに、有機金属化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ ＣＶＤ）法がある。
また、発光装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、及び、導電膜等）は、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドクターナイフ法、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、又はナイフコート等の湿式の成膜方法により形成できる。
特に、発光デバイスの作製には、蒸着法等の真空プロセス、及び、スピンコート法、インクジェット法等の溶液プロセスを用いることができる。蒸着法としては、スパッタリング法、イオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法、分子線蒸着法、真空蒸着法等の物理蒸着法（ＰＶＤ法）、及び、化学蒸着法（ＣＶＤ法）等が挙げられる。特に有機化合物層に含まれる機能層（正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、発光層、電子ブロック層、電子輸送層、及び電子注入層等）については、蒸着法（真空蒸着法等）、塗布法（ディップコート法、ダイコート法、バーコート法、スピンコート法、スプレーコート法等）、印刷法（インクジェット法、スクリーン（孔版印刷）法、オフセット（平版印刷）法、フレキソ（凸版印刷）法、グラビア法、又は、マイクロコンタクト法等）等の方法により形成できる。
また、発光装置を構成する薄膜を加工する際には、例えばフォトリソグラフィ法を用いて加工できる。又は、ナノインプリント法、サンドブラスト法、リフトオフ法等により薄膜を加工してもよい。また、メタルマスク等の遮蔽マスクを用いた成膜方法により、島状の薄膜を直接形成してもよい。
フォトリソグラフィ法としては、代表的には以下の２つの方法がある。１つは、加工したい薄膜上にレジストマスクを形成して、例えばエッチングにより当該薄膜を加工し、レジストマスクを除去する方法である。もう１つは、感光性を有する薄膜を成膜した後に、露光、現像を行って、当該薄膜を所望の形状に加工する方法である。
薄膜のエッチングには、ドライエッチング法、ウェットエッチング法、又はサンドブラスト法等を用いることができる。
まず、図６（Ａ）に示すように、基板（図示せず）上に絶縁層１７１を形成する。続いて、絶縁層１７１上に導電層１７２、及び導電層１７９を形成し、導電層１７２、及び導電層１７９を覆うように絶縁層１７１上に絶縁層１７３を形成する。続いて、絶縁層１７３上に絶縁層１７４を形成し、絶縁層１７４上に絶縁層１７５を形成する。
基板としては、少なくとも後の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有する基板を用いることができる。基板として、絶縁性基板を用いる場合には、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、セラミック基板、又は有機樹脂基板等を用いることができる。また、シリコン又は炭化シリコン等を材料とした単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体基板、ＳＯＩ基板等の半導体基板を用いることができる。
続いて、図６（Ａ）に示すように、絶縁層１７５、絶縁層１７４、及び絶縁層１７３に、導電層１７２に達する開口を形成する。続いて、当該開口を埋め込むように、プラグ１７６を形成する。
続いて、図６（Ａ）に示すように、プラグ１７６上、及び絶縁層１７５上に、後に導電層１５１Ｒ、導電層１５１Ｇ、導電層１５１Ｂ、及び導電層１５１Ｃとなる導電膜１５１ｆを形成する。導電膜１５１ｆの形成には、例えば、スパッタリング法又は真空蒸着法を用いることができる。また、導電膜１５１ｆとして、例えば金属材料を用いることができる。
続いて、図６（Ａ）に示すように、例えば導電膜１５１ｆ上にレジストマスク１９１を形成する。レジストマスク１９１は、感光性材料（フォトレジスト）を塗布し、露光及び現像を行うことで形成できる。
続いて、図６（Ｂ）に示すように、例えばレジストマスク１９１と重ならない領域の導電膜１５１ｆを、例えばエッチング法、具体的には例えばドライエッチング法を用いて除去する。なお、導電膜１５１ｆが、例えばインジウム錫酸化物等の導電性酸化物を用いた層を含む場合は、当該層はウェットエッチング法を用いて除去してもよい。これにより、導電層１５１が形成される。なお、例えば導電膜１５１ｆの一部をドライエッチング法により除去する場合、絶縁層１７５の導電層１５１と重ならない領域に凹部（ザグリともいう）が形成される場合がある。
続いて、図６（Ｃ）に示すように、レジストマスク１９１を除去する。レジストマスク１９１は、例えば、酸素プラズマを用いたアッシングにより除去できる。又は、酸素ガスと、ＣＦ４、Ｃ４Ｆ８、ＳＦ６、ＣＨＦ３、Ｃｌ２、Ｈ２Ｏ、ＢＣｌ３、又はＨｅ等の第１８族元素と、を用いてもよい。又は、ウェットエッチングにより、レジストマスク１９１を除去してもよい。
続いて、図６（Ｄ）に示すように、導電層１５１Ｒ上、導電層１５１Ｇ上、導電層１５１Ｂ上、導電層１５１Ｃ上、及び絶縁層１７５上に、後に絶縁層１５６Ｒ、絶縁層１５６Ｇ、絶縁層１５６Ｂ、及び絶縁層１５６Ｃとなる絶縁膜１５６ｆを形成する。絶縁膜１５６ｆの形成には、例えばＣＶＤ法、ＡＬＤ法、スパッタリング法、又は真空蒸着法を用いることができる。
絶縁膜１５６ｆには、無機材料を用いることができる。絶縁膜１５６ｆには、例えば、酸化絶縁膜、窒化絶縁膜、酸化窒化絶縁膜、又は窒化酸化絶縁膜等の無機絶縁膜を用いることができる。例えば、絶縁膜１５６ｆとして、シリコンを含む酸化絶縁膜、窒化絶縁膜、酸化窒化絶縁膜、又は窒化酸化絶縁膜等を用いることができる。例えば、絶縁膜１５６ｆとして、酸化窒化シリコンを用いることができる。
続いて、図６（Ｅ）に示すように、絶縁膜１５６ｆを加工することにより、絶縁層１５６Ｒ、絶縁層１５６Ｇ、絶縁層１５６Ｂ、及び絶縁層１５６Ｃを形成する。例えば、絶縁膜１５６ｆの上面に対し、略均一にエッチングを施すことにより、絶縁層１５６を形成できる。このように均一にエッチングして平坦化することをエッチバック処理ともいう。なお、絶縁層１５６を、フォトリソグラフィ法を用いて形成してもよい。
続いて、図７（Ａ）に示すように、導電層１５１Ｒ上、導電層１５１Ｇ上、導電層１５１Ｂ上、導電層１５１Ｃ上、絶縁層１５６Ｒ上、絶縁層１５６Ｇ上、絶縁層１５６Ｂ上、絶縁層１５６Ｃ上、及び絶縁層１７５上に、後に導電層１５２Ｒ、導電層１５２Ｇ、導電層１５２Ｂ、及び導電層１５２Ｃとなる導電膜１５２ｆを形成する。具体的には、例えば導電層１５１Ｒ、導電層１５１Ｇ、導電層１５１Ｂ、導電層１５１Ｃ、絶縁層１５６Ｒ、絶縁層１５６Ｇ、絶縁層１５６Ｂ、及び絶縁層１５６Ｃを覆うように、導電膜１５２ｆを形成する。
導電膜１５２ｆの形成には、例えば、スパッタリング法又は真空蒸着法を用いることができる。また、導電膜１５２ｆの形成には、ＡＬＤ法を用いることができる。また、導電膜１５２ｆとして、例えば導電性酸化物を用いることができる。又は、導電膜１５２ｆとして、金属材料を用いる膜と、当該膜上の導電性酸化物を用いる膜と、の積層構成を適用できる。例えば、導電膜１５２ｆとして、チタン、銀、又は銀を含む合金を用いる膜と、当該膜上の導電性酸化物を用いる膜と、の積層構成を適用できる。
続いて、図７（Ｂ）に示すように、例えばフォトリソグラフィ法を用いて導電膜１５２ｆを加工し、導電層１５２Ｒ、導電層１５２Ｇ、導電層１５２Ｂ、及び導電層１５２Ｃを形成する。具体的には、例えばレジストマスクの形成後、エッチング法により導電膜１５２ｆの一部を除去する。導電膜１５２ｆは、例えばウェットエッチング法により除去できる。なお、導電膜１５２ｆを、ドライエッチング法により除去してもよい。以上により、導電層１５１と、導電層１５２と、を有する画素電極が形成される。
続いて、導電層１５２の疎水化処理を行うことが好ましい。疎水化処理では、処理対象となる表面を親水性から疎水性にすること、又は、処理対象となる表面の疎水性を高めることができる。導電層１５２の疎水化処理を行うことで、導電層１５２と、後の工程で形成される有機化合物層１０３と、の密着性を高め、膜剥がれを抑制できる。なお、疎水化処理は行わなくてもよい。
続いて、図７（Ｃ）に示すように、後に有機化合物層１０３Ｂとなる有機化合物膜１０３Ｂｆを、導電層１５２Ｂ上、導電層１５２Ｇ上、導電層１５２Ｒ上、及び絶縁層１７５上に形成する。
なお、本発明において、有機化合物膜１０３Ｂｆは、複数の有機化合物層を有し、当該複数の有機化合物層の少なくとも一つは発光層である。具体的には、実施の形態１で説明した発光デバイス１００、または発光デバイス１３０の構造を参照することができる。また、有機化合物膜１０３Ｂｆが複数の発光層を有する場合、発光層と他の発光層は中間層を介して積層された構造を有してもよい。
図７（Ｃ）に示すように、導電層１５２Ｃ上には、有機化合物膜１０３Ｂｆを形成していない。例えば、成膜エリアを規定するためのマスク（ファインメタルマスクと区別して、エリアマスク、又はラフメタルマスク等ともいう）を用いることで、有機化合物膜１０３Ｂｆを所望の領域にのみ成膜できる。エリアマスクを用いた成膜工程と、レジストマスクを用いた加工工程と、を採用することで、比較的簡単なプロセスにて発光デバイスを作製できる。
有機化合物膜１０３Ｂｆは、例えば、蒸着法、具体的には真空蒸着法により形成できる。また、有機化合物膜１０３Ｂｆは、転写法、印刷法、インクジェット法、又は塗布法等の方法で形成してもよい。
以降の工程において、有機化合物膜１０３Ｂｆが露出している場合、保持工程（装置間の搬送、基板の保管を含む）は、照明を制御した環境で行う。つまり、有機化合物膜１０３Ｂｆが、酸素付加体等の劣化物を生成しないような照明光を用いる。具体的には、照明の波長、または照度を制御する。
例えば、発光層中に含まれる有機化合物のうち、大気中の酸素または水などの不純物と反応性が高い化合物における吸収スペクトルの吸収端のうち最も長波長に位置する吸収端よりもスペクトルが長波長の照明下で、基板の搬送または保持を行うとよい。不純物と反応性が高い化合物の吸収スペクトルが照明光のスペクトルと重畳しないため、発光層中の有機化合物が酸素を含む雰囲気下で光励起することなく、劣化物の生成を抑制することができる。
具体的には、光源の発光スペクトルにおけるピークのうち最も短波長に位置するピークが４８０ｎｍ以上の照明下で、基板の搬送または保持を行うとよい。また、好ましくは、光源の発光スペクトルにおけるピークのうち最も短波長に位置するピークが５５０ｎｍ以上、さらに好ましくは５８０ｎｍ以上であるとよい。
または、照明の照度を１２０ｌｘ（ルクス）以下にするとよい。好ましくは、照明の照度を１０ｌｘ以下とするとよい。
続いて、図７（Ｄ）に示すように、有機化合物膜１０３Ｂｆ上に、後に犠牲層１５８Ｂとなる犠牲膜１５８Ｂｆと、後にマスク層１５９Ｂとなるマスク膜１５９Ｂｆと、を順に形成する。
なお、犠牲膜１５８Ｂｆ及びマスク膜１５９Ｂｆを成膜したことで、有機化合物膜１０３Ｂｆが封止され、雰囲気を遮断した状態となるため、当該成膜工程から、犠牲膜１５８Ｂｆを加工する工程間において、必ずしも照明を制御しなくともよい。
犠牲膜１５８Ｂｆ及びマスク膜１５９Ｂｆの形成には、例えば、スパッタリング法、ＡＬＤ法（熱ＡＬＤ法、ＰＥＡＬＤ法）、ＣＶＤ法、真空蒸着法を用いることができる。また、前述の湿式の成膜方法を用いて形成してもよい。
また、犠牲膜１５８Ｂｆ及びマスク膜１５９Ｂｆは、有機化合物膜１０３Ｂｆの耐熱温度よりも低い温度で形成する。犠牲膜１５８Ｂｆ及びマスク膜１５９Ｂｆを形成する際の基板温度としては、それぞれ、代表的には、２００℃以下、好ましくは１５０℃以下、より好ましくは１２０℃以下、より好ましくは１００℃以下、さらに好ましくは８０℃以下である。
なお、本実施の形態では、犠牲膜１５８Ｂｆとマスク膜１５９Ｂｆの２層構造でマスク膜を形成する例を示すが、マスク膜は単層構造であってもよく、３層以上の積層構造であってもよい。
有機化合物膜１０３Ｂｆ上に犠牲層を設けることで、発光装置の作製工程中に有機化合物膜１０３Ｂｆが受けるダメージを低減し、発光デバイスの信頼性を高めることができる。
犠牲膜１５８Ｂｆには、有機化合物膜１０３Ｂｆの加工条件に対する耐性の高い膜、具体的には、有機化合物膜１０３Ｂｆとのエッチングの選択比が大きい膜を用いる。マスク膜１５９Ｂｆには、犠牲膜１５８Ｂｆとのエッチングの選択比が大きい膜を用いる。
犠牲膜１５８Ｂｆ及びマスク膜１５９Ｂｆには、ウェットエッチング法により除去できる膜を用いることが好ましい。ウェットエッチング法を用いることで、ドライエッチング法を用いる場合に比べて、犠牲膜１５８Ｂｆ及びマスク膜１５９Ｂｆの加工時に、有機化合物膜１０３Ｂｆに加わるダメージを低減できる。
ウェットエッチング法を用いる場合、特に酸性の薬液を用いることが好ましい。酸性の薬液としては、リン酸、フッ化水素酸、硝酸、酢酸、シュウ酸、および硫酸などのいずれか一を含む薬液、または、２種以上の酸の混合薬液（混酸ともいう）を用いるとよい。
犠牲膜１５８Ｂｆ及びマスク膜１５９Ｂｆとしては、それぞれ、例えば、金属膜、合金膜、金属酸化物膜、半導体膜、有機絶縁膜、及び、無機絶縁膜等のうち一種又は複数種を用いることができる。
また、犠牲膜およびマスク膜に、紫外線に対して遮光性を有する材料を含む膜を用いることで、例えば露光工程で有機化合物層に紫外線が照射されることを抑制できる。有機化合物層が紫外線によってダメージを受けることを抑制することで、発光デバイスの信頼性を高めることができる。
なお、紫外線に対して遮光性を有する材料を含む膜は、後述する無機絶縁膜１２５ｆの材料として用いても、同様の効果を奏する。
犠牲膜１５８Ｂｆ及びマスク膜１５９Ｂｆには、それぞれ、例えば、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、チタン、アルミニウム、イットリウム、ジルコニウム、及びタンタル等の金属材料、又は該金属材料を含む合金材料を用いることができる。特に、アルミニウム又は銀等の低融点材料を用いることが好ましい。
また、犠牲膜１５８Ｂｆ及びマスク膜１５９Ｂｆには、それぞれ、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物、酸化インジウム、Ｉｎ－Ｚｎ酸化物、Ｉｎ－Ｓｎ酸化物、インジウムチタン酸化物（Ｉｎ－Ｔｉ酸化物）、インジウムスズ亜鉛酸化物（Ｉｎ－Ｓｎ－Ｚｎ酸化物）、インジウムチタン亜鉛酸化物（Ｉｎ－Ｔｉ－Ｚｎ酸化物）、インジウムガリウムスズ亜鉛酸化物（Ｉｎ－Ｇａ－Ｓｎ－Ｚｎ酸化物）、シリコンを含むインジウムスズ酸化物等の金属酸化物を用いることができる。
なお、上記ガリウムに代えて元素Ｍ（Ｍは、アルミニウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、又はマグネシウムから選ばれた一種又は複数種）を用いてもよい。
また、犠牲膜１５８Ｂｆ及びマスク膜１５９Ｂｆとして、例えば、シリコン又はゲルマニウム等の半導体材料を用いることは、半導体の製造プロセスと親和性が高いため好ましい。又は、上記半導体材料の酸化物又は窒化物を用いることができる。又は、炭素等の非金属材料、又はその化合物を用いることができる。又は、チタン、タンタル、タングステン、クロム、アルミニウム等の金属、又はこれらの一以上を含む合金を用いることができる。又は、酸化チタンもしくは酸化クロム等の上記金属を含む酸化物、又は窒化チタン、窒化クロム、もしくは窒化タンタル等の窒化物を用いることができる。
また、犠牲膜１５８Ｂｆ及びマスク膜１５９Ｂｆとしては、それぞれ、各種無機絶縁膜を用いることができる。特に、酸化絶縁膜は、窒化絶縁膜に比べて有機化合物膜１０３Ｂｆとの密着性が高く好ましい。例えば、犠牲膜１５８Ｂｆ及びマスク膜１５９Ｂｆには、それぞれ、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化シリコン等の無機絶縁材料を用いることができる。犠牲膜１５８Ｂｆ及びマスク膜１５９Ｂｆとして、例えば、ＡＬＤ法を用いて、酸化アルミニウム膜を形成できる。ＡＬＤ法を用いることで、下地（特に有機化合物層）へのダメージを低減できるため好ましい。
また、犠牲膜１５８Ｂｆ及びマスク膜１５９Ｂｆの一方又は双方に、有機材料を用いてもよい。例えば、有機材料として、少なくとも有機化合物膜１０３Ｂｆの最上部に位置する膜に対して、化学的に安定な溶媒に溶解しうる材料を用いてもよい。特に、水又はアルコールに溶解する材料を好適に用いることができる。このような材料の成膜の際には、水又はアルコール等の溶媒に溶解させた状態で、湿式の成膜方法で塗布した後に、溶媒を蒸発させるための加熱処理を行うことが好ましい。このとき、減圧雰囲気下での加熱処理を行うことで、低温且つ短時間で溶媒を除去できるため、有機化合物膜１０３Ｂｆへの熱的なダメージを低減でき、好ましい。
犠牲膜１５８Ｂｆ及びマスク膜１５９Ｂｆには、それぞれ、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルブチラル、ポリビニルピロリドン、ポリエチレングリコール、ポリグリセリン、プルラン、水溶性のセルロース、アルコール可溶性のポリアミド樹脂、又は、パーフルオロポリマー等のフッ素樹脂等の有機樹脂を用いてもよい。
例えば、犠牲膜１５８Ｂｆとして、蒸着法又は上記湿式の成膜方法のいずれかを用いて形成した有機膜（例えば、ＰＶＡ膜）を用い、マスク膜１５９Ｂｆとして、スパッタリング法を用いて形成した無機膜（例えば、窒化シリコン膜）を用いることができる。
続いて、図７（Ｄ）に示すように、マスク膜１５９Ｂｆ上にレジストマスク１９０Ｂを形成する。レジストマスク１９０Ｂは、感光性材料（フォトレジスト）を塗布し、露光及び現像を行うことで形成できる。
レジストマスク１９０Ｂは、ポジ型のレジスト材料及びネガ型のレジスト材料のどちらを用いて作製してもよい。
レジストマスク１９０Ｂは、導電層１５２Ｂと重なる位置に設ける。レジストマスク１９０Ｂは、導電層１５２Ｃと重なる位置にも設けることが好ましい。これにより、導電層１５２Ｃが発光装置の作製工程中にダメージを受けることを抑制できる。なお、導電層１５２Ｃ上にレジストマスク１９０Ｂを設けなくてもよい。また、レジストマスク１９０Ｂは、図７（Ｃ）のＢ１－Ｂ２間の断面図に示すように、有機化合物膜１０３Ｂｆの端部から導電層１５２Ｃの端部（有機化合物膜１０３Ｂｆ側の端部）までを覆うように設けることが好ましい。
続いて、図７（Ｅ）に示すように、レジストマスク１９０Ｂを用いて、マスク膜１５９Ｂｆの一部を除去し、マスク層１５９Ｂを形成する。マスク層１５９Ｂは、導電層１５２Ｂ上と、導電層１５２Ｃ上と、に残存する。その後、レジストマスク１９０Ｂを除去する。続いて、マスク層１５９Ｂをマスク（ハードマスクともいう）に用いて、犠牲膜１５８Ｂｆの一部を除去し、犠牲層１５８Ｂを形成する。
犠牲膜１５８Ｂｆ及びマスク膜１５９Ｂｆは、それぞれ、ウェットエッチング法又はドライエッチング法により加工できる。犠牲膜１５８Ｂｆ及びマスク膜１５９Ｂｆの加工は、ウェットエッチングにより行うことが好ましい。
ウェットエッチング法を用いることで、ドライエッチング法を用いる場合に比べて、犠牲膜１５８Ｂｆ及びマスク膜１５９Ｂｆの加工時に、有機化合物膜１０３Ｂｆに加わるダメージを低減できる。ウェットエッチング法を用いる場合、例えば、現像液、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液（ＴＭＡＨ）、希フッ酸、シュウ酸、リン酸、酢酸、硝酸、又はこれらの混合液体を用いた薬液等を用いることが好ましい。
マスク膜１５９Ｂｆの加工においては、有機化合物膜１０３Ｂｆが露出しないため、犠牲膜１５８Ｂｆの加工よりも、加工方法の選択の幅は広い。具体的には、マスク膜１５９Ｂｆの加工の際に、エッチングガスに酸素を含むガスを用いた場合でも、有機化合物膜１０３Ｂｆの劣化を抑制できる。
ウェットエッチング法を用いる場合、特に酸性の薬液を用いることが好ましい。酸性の薬液としては、リン酸、フッ化水素酸、硝酸、酢酸、シュウ酸、および硫酸などのいずれか一を含む薬液、または、２種以上の酸の混合薬液（混酸ともいう）を用いるとよい。
また、犠牲膜１５８Ｂｆの加工においてドライエッチング法を用いる場合は、エッチングガスに酸素を含むガスを用いないことで、有機化合物膜１０３Ｂｆの劣化を抑制できる。ドライエッチング法を用いる場合、例えば、ＣＦ４、Ｃ４Ｆ８、ＳＦ６、ＣＨＦ３、Ｃｌ２、Ｈ２Ｏ、ＢＣｌ３、又はＨｅ等の第１８族元素を含むガスをエッチングガスに用いることが好ましい。
レジストマスク１９０Ｂは、レジストマスク１９１と同様の方法で除去できる。このとき、犠牲膜１５８Ｂｆが最表面に位置し、有機化合物膜１０３Ｂｆは露出していないため、レジストマスク１９０Ｂの除去工程において、有機化合物膜１０３Ｂｆにダメージが入ることを抑制できる。また、レジストマスク１９０Ｂの除去方法の選択の幅を広げることができる。
続いて、図７（Ｅ）に示すように、有機化合物膜１０３Ｂｆを加工して、有機化合物層１０３Ｂを形成する。例えば、マスク層１５９Ｂ及び犠牲層１５８Ｂをハードマスクに用いて、有機化合物膜１０３Ｂｆの一部を除去し、有機化合物層１０３Ｂを形成する。
本工程において、有機化合物層１０３Ｂの側面が露出する。従って、以降の保持工程（装置間の搬送、基板の保管を含む）は、照明を適切に制御した環境で行う。つまり、有機化合物層１０３Ｂが、酸素付加体等の劣化物を生成しないような照明光を用いる。具体的には、照明の波長、または照度を適切に制御する。
これにより、図７（Ｅ）に示すように、導電層１５２Ｂ上に、有機化合物層１０３Ｂ、犠牲層１５８Ｂ、及び、マスク層１５９Ｂの積層構造が残存する。また、導電層１５２Ｇ及び導電層１５２Ｒは露出する。
有機化合物膜１０３Ｂｆの加工は、ドライエッチング又は、ウェットエッチングを用いることができる。例えば、ドライエッチング法により加工する場合は、酸素を含むエッチングガスを用いることができる。エッチングガスが酸素を含むことで、エッチングの速度を速めることができる。したがって、エッチング速度を十分な速さに維持しつつ、低パワーの条件でエッチングを行うことができる。このため、有機化合物膜１０３Ｂｆに与えるダメージを抑制できる。さらに、エッチング時に生じる反応生成物の付着等の不具合を抑制できる。
また、酸素を含まないエッチングガスを用いてもよい。例えば、酸素を含まないエッチングガスを用いることで、有機化合物膜１０３Ｂｆの劣化を抑制できる。
以上のように、本発明の一態様では、マスク膜１５９Ｂｆ上にレジストマスク１９０Ｂを形成し、レジストマスク１９０Ｂを用いて、マスク膜１５９Ｂｆの一部を除去することにより、マスク層１５９Ｂを形成する。その後、マスク層１５９Ｂをハードマスクに用いて、有機化合物膜１０３Ｂｆの一部を除去することにより、有機化合物層１０３Ｂを形成する。よって、フォトリソグラフィ法を用いて有機化合物膜１０３Ｂｆを加工することにより、有機化合物層１０３Ｂが形成されるということができる。なお、レジストマスク１９０Ｂを用いて、有機化合物膜１０３Ｂｆの一部を除去してもよい。その後、レジストマスク１９０Ｂを除去してもよい。
ここで、導電層１５２Ｇの疎水化処理を必要に応じて行ってもよい。有機化合物膜１０３Ｂｆの加工時に、例えば導電層１５２Ｇの表面状態が親水性に変化する場合がある。例えば導電層１５２Ｇの疎水化処理を行うことで、例えば導電層１５２Ｇと後の工程で形成される層（ここでは有機化合物層１０３Ｇ）との密着性を高め、膜剥がれを抑制できる。
続いて、図８（Ａ）に示すように、後に有機化合物層１０３Ｇとなる有機化合物膜１０３Ｇｆを、導電層１５２Ｇ上、導電層１５２Ｒ上、マスク層１５９Ｂ上、及び絶縁層１７５上に形成する。
有機化合物膜１０３Ｇｆは、有機化合物膜１０３Ｂｆの形成に用いることができる方法と同様の方法で形成できる。また、有機化合物膜１０３Ｇｆは、有機化合物膜１０３Ｂｆと同様の構成とすることができる。
本工程以降において、有機化合物膜１０３Ｇｆが露出する。従って、以降の保持工程（装置間の搬送、基板の保管を含む）は、照明を適切に制御した環境で行う。つまり、有機化合物膜１０３Ｇｆが、酸素付加体等の劣化物を生成しないような照明光を用いる。具体的には、照明の波長、または照度を適切に制御する。
続いて、図８（Ｂ）に示すように、有機化合物膜１０３Ｇｆ上、及びマスク層１５９Ｂ上に、後に犠牲層１５８Ｇとなる犠牲膜１５８Ｇｆと、後にマスク層１５９Ｇとなるマスク膜１５９Ｇｆと、を順に形成する。その後、レジストマスク１９０Ｇを形成する。犠牲膜１５８Ｇｆ及びマスク膜１５９Ｇｆの材料及び形成方法は、犠牲膜１５８Ｂｆ及びマスク膜１５９Ｂｆに適用できる条件と同様である。レジストマスク１９０Ｇの材料及び形成方法は、レジストマスク１９０Ｂに適用できる条件と同様である。
なお、犠牲膜１５８Ｇｆ及びマスク膜１５９Ｇｆを成膜したことで、有機化合物膜１０３Ｇｆが封止され、雰囲気を遮断した状態となるため、当該成膜工程から、犠牲膜１５８Ｇｆを加工する工程間において、必ずしも照明を制御しなくともよい。
レジストマスク１９０Ｇは、導電層１５２Ｇと重なる位置に設ける。
続いて、図８（Ｃ）に示すように、レジストマスク１９０Ｇを用いて、マスク膜１５９Ｇｆの一部を除去し、マスク層１５９Ｇを形成する。マスク層１５９Ｇは、導電層１５２Ｇ上に残存する。その後、レジストマスク１９０Ｇを除去する。続いて、マスク層１５９Ｇをマスクに用いて、犠牲膜１５８Ｇｆの一部を除去し、犠牲層１５８Ｇを形成する。続いて、有機化合物膜１０３Ｇｆを加工して、有機化合物層１０３Ｇを形成する。例えば、マスク層１５９Ｇ及び犠牲層１５８Ｇをハードマスクに用いて、有機化合物膜１０３Ｇｆの一部を除去し、有機化合物層１０３Ｇを形成する。
本工程において、有機化合物層１０３Ｂおよび有機化合物層１０３Ｇの側面が露出する。従って、以降の保持工程（装置間の搬送、基板の保管を含む）は、照明を適切に制御した環境で行う。つまり、有機化合物層１０３Ｂおよび有機化合物層１０３Ｇが、酸素付加体等の劣化物を生成しないような照明光を用いる。具体的には、照明の波長、または照度を適切に制御する。
これにより、図８（Ｃ）に示すように、導電層１５２Ｇ上に、有機化合物層１０３Ｇ、犠牲層１５８Ｇ、及び、マスク層１５９Ｇの積層構造が残存する。また、マスク層１５９Ｂ及び導電層１５２Ｒは露出する。
また、例えば導電層１５２Ｒの疎水化処理を行ってもよい。
続いて、図９（Ａ）に示すように、後に有機化合物層１０３Ｒとなる有機化合物膜１０３Ｒｆを、導電層１５２Ｒ上、マスク層１５９Ｇ上、マスク層１５９Ｂ上、及び絶縁層１７５上に形成する。
有機化合物膜１０３Ｒｆは、有機化合物膜１０３Ｇｆの形成に用いることができる方法と同様の方法で形成できる。また、有機化合物膜１０３Ｒｆは、有機化合物膜１０３Ｇｆと同様の構成とすることができる。
本工程以降において、有機化合物膜１０３Ｒｆが露出する。従って、以降の保持工程（装置間の搬送、基板の保管を含む）は、照明を適切に制御した環境で行う。つまり、有機化合物膜１０３Ｒｆが、酸素付加体等の劣化物を生成しないような照明光を用いる。具体的には、照明の波長、または照度を適切に制御する。
続いて、図９（Ｂ）および図９（Ｃ）に示すように、レジストマスク１９０Ｒを用いて、犠牲膜１５８Ｒｆから犠牲層１５８Ｒ、マスク膜１５９Ｒｆからマスク層１５９Ｒ、及び有機化合物膜１０３Ｒｆから有機化合物層１０３Ｒを形成する。レジストマスク１９０Ｒ、犠牲層１５８Ｒ、マスク層１５９Ｒ、有機化合物層１０３Ｒの形成方法は、有機化合物層１０３Ｇの記載を参酌することができる。
なお、有機化合物層１０３Ｒを形成する工程においても、有機化合物膜１０３Ｒｆが露出している場合、保持工程（装置間の搬送、基板の保管を含む）は、照明を適切に制御した環境で行う。また、犠牲膜１５８Ｒｆなどで、有機化合物膜１０３Ｒｆが封止されている場合は、必ずしも照明を制御しなくともよい。
また、以降の工程において、有機化合物層１０３が露出している場合、保持工程（装置間の搬送、基板の保管を含む）は、照明を適切に制御した環境で行う。
なお、有機化合物層１０３Ｂ、有機化合物層１０３Ｇ、有機化合物層１０３Ｒの側面は、それぞれ、被形成面に対して垂直又は概略垂直であることが好ましい。例えば、被形成面と、これらの側面との成す角度を、６０度以上９０度以下とすることが好ましい。
上記のように、フォトリソグラフィ法を用いて形成した有機化合物層１０３Ｂ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｒのうち隣接する２つの間の距離は、８μｍ以下、５μｍ以下、３μｍ以下、２μｍ以下、又は、１μｍ以下にまで狭めることができる。ここで、当該距離とは、例えば、有機化合物層１０３Ｂ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｒのうち、隣接する２つの対向する端部の間の距離で規定できる。このように、島状の有機化合物層の間の距離を狭めることで、高い精細度と、大きな開口率を有する発光装置を提供できる。また、隣り合う発光デバイス間における第１の電極同士の距離も、狭めることができ、例えば１０μｍ以下、８μｍ以下、５μｍ以下、３μｍ以下、２μｍ以下とすることができる。なお、隣り合う発光デバイス間における第１の電極同士の距離は２μｍ以上５μｍ以下であることが好ましい。
次に、図１０（Ａ）に示すように、マスク層１５９Ｂ、マスク層１５９Ｇ、及びマスク層１５９Ｒを除去する。
なお、本実施の形態では、マスク層１５９Ｂ、マスク層１５９Ｇ、及びマスク層１５９Ｒを除去する場合を例に挙げて説明するが、マスク層１５９Ｂ、マスク層１５９Ｇ、及びマスク層１５９Ｒは除去しなくてもよい。例えば、マスク層１５９Ｂ、マスク層１５９Ｇ、及びマスク層１５９Ｒが、前述の、紫外線に対して遮光性を有する材料を含む場合は、除去せずに次の工程に進むことで、有機化合物層を光照射（照明光を含む）から保護できる。
マスク層の除去工程には、マスク層の加工工程と同様の方法を用いることができる。特に、ウェットエッチング法を用いることで、ドライエッチング法を用いる場合に比べて、マスク層を除去する際に、有機化合物層１０３Ｂ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｒに加わるダメージを低減できる。
また、マスク層を、水又はアルコール等の溶媒に溶解させることで除去してもよい。アルコールとしては、エチルアルコール、メチルアルコール、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、又はグリセリン等が挙げられる。
マスク層を除去した後に、有機化合物層１０３Ｂ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｒに含まれる水、並びに有機化合物層１０３Ｂ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｒ表面に吸着する水を除去するため、乾燥処理を行ってもよい。例えば、不活性雰囲気又は減圧雰囲気下における加熱処理を行うことができる。加熱処理は、基板温度として５０℃以上２００℃以下、好ましくは６０℃以上１５０℃以下、より好ましくは７０℃以上１２０℃以下の温度で行うことができる。減圧雰囲気とすることで、より低温で乾燥が可能であるため好ましい。
続いて、図１０（Ｂ）に示すように、有機化合物層１０３Ｂ、有機化合物層１０３Ｇ、有機化合物層１０３Ｒ、犠牲層１５８Ｂ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｒを覆うように、後に無機絶縁層１２５となる無機絶縁膜１２５ｆを形成する。
なお、無機絶縁膜１２５ｆを成膜したことで、有機化合物層１０３が封止され、雰囲気を遮断した状態となるため、当該成膜工程以降、必ずしも照明を制御しなくともよい。
後述するように、無機絶縁膜１２５ｆの上面に接して、後に絶縁層１２７となる絶縁膜が形成される。このため、無機絶縁膜１２５ｆの上面は、絶縁層１２７となる絶縁膜に用いる材料（例えば、アクリル樹脂を含む感光性の樹脂組成物）に対して親和性が高いことが好ましい。当該親和性を向上させるため、無機絶縁膜１２５ｆの上面に表面処理を行ってもよい。具体的には、無機絶縁膜１２５ｆの表面を疎水化すること（又は疎水性を高めること）が好ましい。例えば、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）等のシリル化剤を用いて処理を行うことが好ましい。このように無機絶縁膜１２５ｆの上面を疎水化することにより、絶縁膜１２７ｆを密着性良く形成できる。
続いて、図１０（Ｃ）に示すように、無機絶縁膜１２５ｆ上に、後に絶縁層１２７となる絶縁膜１２７ｆを形成する。
無機絶縁膜１２５ｆ及び絶縁膜１２７ｆは、有機化合物層１０３Ｂ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｒへのダメージが少ない形成方法で成膜することが好ましい。特に、無機絶縁膜１２５ｆは、有機化合物層１０３Ｂ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｒの側面に接して形成されるため、絶縁膜１２７ｆよりも、有機化合物層１０３Ｂ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｒへのダメージが少ない形成方法で成膜することが好ましい。
また、無機絶縁膜１２５ｆ及び絶縁膜１２７ｆは、それぞれ、有機化合物層１０３Ｂ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｒの耐熱温度よりも低い温度で形成する。また、無機絶縁膜１２５ｆは成膜する際の基板温度を高くすることで、膜厚が薄くても、不純物濃度が低く、水及び酸素の少なくとも一方に対するバリア性の高い膜とすることができる。
無機絶縁膜１２５ｆ及び絶縁膜１２７ｆを形成する際の基板温度としては、それぞれ、６０℃以上、８０℃以上、１００℃以上、又は、１２０℃以上、かつ、２００℃以下、１８０℃以下、１６０℃以下、１５０℃以下、又は１４０℃以下であることが好ましい。
無機絶縁膜１２５ｆとしては、上記の基板温度の範囲で、３ｎｍ以上、５ｎｍ以上、又は、１０ｎｍ以上、かつ、２００ｎｍ以下、１５０ｎｍ以下、１００ｎｍ以下、又は、５０ｎｍ以下の厚さの絶縁膜を形成することが好ましい。
無機絶縁膜１２５ｆは、例えば、ＡＬＤ法を用いて形成することが好ましい。ＡＬＤ法を用いることで、成膜ダメージを小さくすることができ、また、被覆性の高い膜を成膜可能なため好ましい。無機絶縁膜１２５ｆとしては、例えば、ＡＬＤ法を用いて、酸化アルミニウム膜を形成することが好ましい。
そのほか、無機絶縁膜１２５ｆは、ＡＬＤ法よりも成膜速度が速いスパッタリング法、ＣＶＤ法、又は、ＰＥＣＶＤ法を用いて形成してもよい。これにより、信頼性の高い発光装置を生産性高く作製できる。
絶縁膜１２７ｆは、前述の湿式の成膜方法を用いて形成することが好ましい。絶縁膜１２７ｆは、例えば、スピンコートにより、感光性材料を用いて形成することが好ましく、より具体的には、アクリル樹脂を含む感光性の樹脂組成物を用いて形成することが好ましい。
絶縁膜１２７ｆは、例えば、重合体、酸発生剤、及び溶媒を有する樹脂組成物を用いて形成することが好ましい。重合体は、１種又は複数種の単量体を用いて形成され、１種又は複数種の構造単位（構成単位ともいう）が規則的又は不規則に繰り返された構造を有する。酸発生剤としては、光の照射により酸を発生する化合物、及び、加熱により酸を発生する化合物の一方又は双方を用いることができる。樹脂組成物は、さらに、感光剤、増感剤、触媒、接着助剤、界面活性剤、酸化防止剤のうち一つ又は複数を有していてもよい。
また、絶縁膜１２７ｆの形成後に加熱処理（プリベークともいう）を行うことが好ましい。当該加熱処理は、有機化合物層１０３Ｂ、有機化合物層１０３Ｇ、及び、有機化合物層１０３Ｒの耐熱温度よりも低い温度で行う。加熱処理の際の基板温度としては、５０℃以上２００℃以下が好ましく、６０℃以上１５０℃以下がより好ましく、７０℃以上１２０℃以下がさらに好ましい。これにより、絶縁膜１２７ｆ中に含まれる溶媒を除去できる。
続いて、露光を行って、絶縁膜１２７ｆの一部に、可視光線又は紫外線を感光させる。ここで、絶縁膜１２７ｆにアクリル樹脂を含むポジ型の感光性の樹脂組成物を用いる場合、後の工程で絶縁層１２７を形成しない領域に可視光線又は紫外線を照射する。絶縁層１２７は、導電層１５２Ｂ、導電層１５２Ｇ、及び導電層１５２Ｒのいずれか２つに挟まれる領域、及び、導電層１５２Ｃの周囲に形成される。このため、導電層１５２Ｂ上、導電層１５２Ｇ上、導電層１５２Ｒ上、及び、導電層１５２Ｃ上に、可視光線又は紫外線を照射する。なお、絶縁膜１２７ｆにネガ型の感光性材料を用いる場合、絶縁層１２７が形成される領域に可視光線又は紫外線を照射する。
絶縁膜１２７ｆへの露光領域によって、後に形成する絶縁層１２７の幅を制御できる。本実施の形態では、絶縁層１２７が導電層１５１の上面と重なる部分を有するように加工する。
ここで、犠牲層１５８（犠牲層１５８Ｂ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｒ）、及び無機絶縁膜１２５ｆの一方又は双方として、酸素に対するバリア絶縁層（例えば、酸化アルミニウム膜等）を設けることで、有機化合物層１０３Ｂ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｒに酸素が拡散することを低減できる。有機化合物層は、光（可視光線又は紫外線）が照射されると、当該有機化合物層に含まれる有機化合物が励起状態となり、雰囲気中に含まれる酸素との反応が促進される場合がある。より具体的には、酸素を有する雰囲気下において、光（可視光線又は紫外線）が有機化合物層に照射されると当該有機化合物層が有する有機化合物に酸素が結合する可能性がある。犠牲層１５８及び無機絶縁膜１２５ｆを島状の有機化合物層上に設けることによって、当該有機化合物層に含まれる有機化合物に雰囲気中の酸素が結合することを低減できる。
続いて、図１１（Ａ）に示すように、現像を行って、絶縁膜１２７ｆの露光させた領域を除去し、絶縁層１２７ａを形成する。絶縁層１２７ａは、導電層１５２Ｂ、導電層１５２Ｇ、及び導電層１５２Ｒのいずれか２つに挟まれる領域と、導電層１５２Ｃを囲う領域に形成される。ここで、絶縁膜１２７ｆにアクリル樹脂を用いる場合、現像液として、アルカリ性の溶液を用いることができ、例えば、ＴＭＡＨを用いることができる。
続いて、図１１（Ｂ）に示すように、絶縁層１２７ａをマスクとして、エッチング処理を行って、無機絶縁膜１２５ｆの一部を除去し、犠牲層１５８Ｂ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｒの一部の膜厚を薄くする。これにより、絶縁層１２７ａの下に、無機絶縁層１２５が形成される。なお、以下では、絶縁層１２７ａをマスクに用いた無機絶縁膜１２５ｆを加工するエッチング処理を、第１のエッチング処理ということがある。
つまり、第１のエッチング処理では、犠牲層１５８Ｂ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｒを完全に除去せず、膜厚が薄くなった状態でエッチング処理を停止する。このように、有機化合物層１０３Ｂ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｒ上に、対応する犠牲層１５８Ｂ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｒを残存させておくことで、後の工程の処理で、有機化合物層１０３Ｂ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｒが損傷することを防ぐことができる。
第１のエッチング処理は、ドライエッチング又はウェットエッチングによって行うことができる。なお、無機絶縁膜１２５ｆを、犠牲層１５８Ｂ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｒと同様の材料を用いて成膜していた場合、無機絶縁膜１２５ｆの加工、および露出した犠牲層１５８の薄膜化を第１のエッチング処理で一括で行うことができるため、好ましい。
側面がテーパ形状である絶縁層１２７ａをマスクとしてエッチングを行うことで、無機絶縁層１２５の側面、及び犠牲層１５８Ｂ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｒの側面上端部を比較的容易にテーパ形状にすることができる。
例えば、第１のエッチング処理をドライエッチングで行う場合、塩素系のガスを用いることができる。塩素系ガスとしては、Ｃｌ２、ＢＣｌ３、ＳｉＣｌ４、及びＣＣｌ４等を、単独又は２以上のガスを混合して用いることができる。また、上記塩素系ガスに、酸素ガス、水素ガス、ヘリウムガス、及びアルゴンガス等を、単独又は２以上のガスを混合して、適宜添加できる。ドライエッチングを用いることにより、犠牲層１５８Ｂ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｒの膜厚が薄い領域を、良好な面内均一性で形成できる。
また、例えば、第１のエッチング処理をウェットエッチングで行うことができる。ウェットエッチング法を用いることで、ドライエッチング法を用いる場合に比べて、有機化合物層１０３Ｂ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｒに加わるダメージを低減できる。
ウェットエッチングは、酸性の薬液を用いることが好ましい。酸性の薬液としては、リン酸、フッ化水素酸、硝酸、酢酸、シュウ酸、および硫酸などのいずれか一を含む薬液、または、２種以上の酸の混合薬液（混酸ともいう）を用いるとよい。
また、アルカリ溶液を用いてウェットエッチングを行うことができる。例えば、酸化アルミニウム膜のウェットエッチングには、アルカリ溶液であるＴＭＡＨを用いることができる。この場合、パドル方式でウェットエッチングを行うことができる。
続いて、加熱処理（ポストベークともいう）を行う。加熱処理を行うことで、絶縁層１２７ａを、側面にテーパ形状を有する絶縁層１２７に変形させることができる（図１１（Ｃ））。当該加熱処理は、有機化合物層の耐熱温度よりも低い温度で行う。加熱処理は、基板温度として５０℃以上２００℃以下、好ましくは６０℃以上１５０℃以下、より好ましくは７０℃以上１３０℃以下の温度で行うことができる。加熱雰囲気は、大気雰囲気であってもよく、不活性雰囲気であってもよい。また、加熱雰囲気は、大気圧雰囲気であってもよく、減圧雰囲気であってもよい。本工程の加熱処理は、絶縁膜１２７ｆの形成後の加熱処理（プリベーク）よりも、基板温度を高くすることが好ましい。
加熱処理により、絶縁層１２７と無機絶縁層１２５との密着性を向上させ、絶縁層１２７の耐食性も向上させることができる。また、絶縁層１２７ａが変形することにより、無機絶縁層１２５の端部を絶縁層１２７で覆う形状にすることができる。
第１のエッチング処理にて、犠牲層１５８Ｂ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｒを完全に除去せず、膜厚が薄くなった状態の犠牲層１５８Ｂ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｒを残存させておくことで、当該加熱処理において、有機化合物層１０３Ｂ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｒがダメージを受けて劣化することを防ぐことができる。したがって、発光デバイスの信頼性を高めることができる。
続いて、図１２（Ａ）に示すように、絶縁層１２７をマスクとして、エッチング処理を行って、犠牲層１５８Ｂ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｒの一部を除去する。なお、この際に、無機絶縁層１２５の一部も除去される場合がある。当該エッチング処理により、犠牲層１５８Ｂ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｒに開口が形成され、当該開口から有機化合物層１０３Ｂ、有機化合物層１０３Ｇ、有機化合物層１０３Ｒ、及び導電層１５２Ｃの上面が露出する。なお、以下では、絶縁層１２７をマスクに用い、有機化合物層１０３Ｂ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｒを露出するエッチング処理を、第２のエッチング処理ということがある。
なお、有機化合物層１０３が露出しているため、以降の工程における保持工程（装置間の搬送、基板の保管を含む）は、照明を適切に制御した環境で行う。つまり、有機化合物層１０３が、酸素付加体を生成しないような照明光を用いる。具体的には、照明の波長、または照度を適切に制御する。
第２のエッチング処理はウェットエッチングで行う。ウェットエッチング法を用いることで、ドライエッチング法を用いる場合に比べて、有機化合物層１０３Ｂ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｒに加わるダメージを低減できる。ウェットエッチングは、第１のエッチング処理と同様に酸性の薬液、またはアルカリ溶液を用いて行うことができる。
また、有機化合物層１０３Ｂ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｒの一部を露出した後、さらに加熱処理を行ってもよい。当該加熱処理により、有機化合物層に含まれる水、及び有機化合物層表面に吸着する水等を除去できる。また、当該加熱処理により、絶縁層１２７の形状が変化することがある。具体的には、絶縁層１２７が、無機絶縁層１２５の端部、犠牲層１５８Ｂ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｒの端部、及び、有機化合物層１０３Ｂ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｒの上面のうち、少なくとも一つを覆うように広がることがある。
なお、図１２（Ａ）では、犠牲層１５８Ｇの端部の一部（具体的には、第１のエッチング処理により形成されたテーパ形状の部分）を絶縁層１２７が覆い、第２のエッチング処理により形成されたテーパ形状の部分は露出している例を示す（図５（Ａ）参照）。
また、絶縁層１２７は、犠牲層１５８Ｇの端部全体を覆っていてもよい。例えば、絶縁層１２７の端部が垂れて、犠牲層１５８Ｇの端部を覆う場合がある。また、例えば、絶縁層１２７の端部が、有機化合物層１０３Ｂ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｒの少なくとも一つの上面に接する場合がある。
続いて、図１２（Ｂ）に示すように、有機化合物層１０３Ｂ上、有機化合物層１０３Ｇ上、有機化合物層１０３Ｒ上、導電層１５２Ｃ上、及び絶縁層１２７上に共通電極１５５を形成する。共通電極１５５は、スパッタリング法、又は真空蒸着法等の方法で形成できる。又は、蒸着法で形成した膜と、スパッタリング法で形成した膜を積層させて、共通電極１５５を形成してもよい。
なお、共通電極１５５を成膜したことで、有機化合物を含む発光デバイスは封止され、雰囲気を遮断した状態となるため、以降の工程において、必ずしも照明を制御しなくともよい。
続いて、図１２（Ｃ）に示すように、共通電極１５５上に保護層１３１を形成する。保護層１３１は、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、又はＡＬＤ法等の方法で形成できる。
続いて、樹脂層１２２を用いて、保護層１３１上に、基板１２０を貼り合わせることで、発光装置を作製できる。前述のように、本発明の一態様の発光装置の作製方法では、導電層１５１の側面と重なる領域を有するように絶縁層１５６を設け、且つ導電層１５１及び絶縁層１５６を覆うように導電層１５２を形成する。これにより、発光装置の歩留まりを高め、また不良の発生を抑制できる。
以上のように、本発明の一態様の発光装置の作製方法では、島状の有機化合物層１０３Ｂ、島状の有機化合物層１０３Ｇ、及び島状の有機化合物層１０３Ｒは、ファインメタルマスクを用いて形成されるのではなく、膜を一面に成膜した後に加工することで形成されるため、島状の層を均一の厚さで形成できる。そして、高精細な発光装置又は高開口率の発光装置を実現できる。また、精細度又は開口率が高く、副画素間の距離が極めて短くても、隣接する副画素において、有機化合物層１０３Ｂ、有機化合物層１０３Ｇ、及び、有機化合物層１０３Ｒが互いに接することを抑制できる。したがって、副画素間にリーク電流が発生することを抑制できる。これにより、クロストークを防ぐことができ、コントラストの極めて高い発光装置を実現できる。また、フォトリソグラフィ法を用いて作製されたタンデム型の発光デバイスを有する発光装置であっても、良好な特性の発光装置を提供することができる。
（実施の形態３）
本実施の形態では、実施の形態１で示した発光デバイスの他の構成について、図１３（Ａ）乃至図１３（Ｅ）を用いて説明する。
≪発光デバイスの基本的な構造≫
発光デバイスの基本的な構造について説明する。図１３（Ａ）には、一対の電極間に発光層を含むＥＬ層を有する発光デバイスを示す。具体的には、第１の電極１０１と第２の電極１０２との間に有機化合物層１０３が挟まれた構造を有する。
また、図１３（Ｂ）には、一対の電極間に複数（図１３（Ｂ）では、２層）のＥＬ（有機化合物）層（１０３ａ、１０３ｂ）を有し、ＥＬ層の間に電荷発生層１０６を有する積層構造（タンデム構造）の発光デバイスを示す。タンデム構造の発光デバイスは、電流量を変えることなく高効率な発光装置を実現することができる。
電荷発生層１０６は、第１の電極１０１と第２の電極１０２の間に電位差を生じさせたときに、一方のＥＬ層（１０３ａまたは１０３ｂ）に電子を注入し、他方のＥＬ層（１０３ｂまたは１０３ａ）に正孔を注入する機能を有する。従って、図１３（Ｂ）において、第１の電極１０１に、第２の電極１０２よりも電位が高くなるように電圧を印加すると、電荷発生層１０６から有機化合物層１０３ａに電子が注入され、有機化合物層１０３ｂに正孔が注入されることとなる。
なお、電荷発生層１０６は、光の取り出し効率の点から、可視光に対して透過性を有する（具体的には、電荷発生層１０６に対する可視光の透過率が、４０％以上）ことが好ましい。また、電荷発生層１０６は、第１の電極１０１および第２の電極１０２よりも低い導電率であっても機能する。
また、図１３（Ｃ）には、本発明の一態様である発光デバイスの有機化合物層１０３の積層構造を示す。但し、この場合、第１の電極１０１は陽極として、第２の電極１０２は陰極として機能するものとする。有機化合物層１０３は、第１の電極１０１上に、正孔（ホール）注入層１１１、正孔（ホール）輸送層１１２、発光層１１３、電子輸送層１１４、電子注入層１１５が順次積層された構造を有する。なお、発光層１１３は、発光色の異なる発光層を複数積層した構成であっても良い。例えば、赤色を発光する発光物質を含む発光層と、緑色を発光する発光物質を含む発光層と、青色を発光する発光物質を含む発光層とが積層、またはキャリア輸送性材料を有する層を介して積層された構造であっても良い。または、黄色を発光する発光物質を含む発光層と、青色を発光する発光物質を含む発光層との組み合わせであっても良い。ただし、発光層１１３の積層構造は上記に限定されない。例えば、発光層１１３は、発光色の同じ発光層を複数積層した構成であっても良い。例えば、青色を発光する発光物質を含む第１の発光層と、青色を発光する発光物質を含む第２の発光層とが積層、またはキャリア輸送性材料を有する層を介して積層された構造であっても良い。発光色の同じ発光層を複数積層した構成の場合、単層の構成よりも信頼性を高めることができる場合がある。また、図１３（Ｂ）に示すタンデム構造のように複数のＥＬ層を有する場合であっても、各ＥＬ層が、陽極側から上記のように順次積層される構造とする。また、第１の電極１０１が陰極で、第２の電極１０２が陽極の場合は、有機化合物層１０３の積層順は逆になる。具体的には、陰極である第１の電極１０１上の１１１が、電子注入層、１１２が電子輸送層、１１３が発光層、１１４が正孔（ホール）輸送層、１１５が正孔（ホール）注入層、という構成を有する。
ＥＬ層（１０３、１０３ａ、１０３ｂ）に含まれる発光層１１３は、それぞれ発光物質、および複数の物質を適宜組み合わせて有しており、所望の発光色を呈する蛍光発光、または燐光発光が得られる構成とすることができる。また、発光層１１３を発光色の異なる積層構造としてもよい。なお、この場合、積層された各発光層に用いる発光物質およびその他の物質は、それぞれ異なる材料を用いればよい。また、図１３（Ｂ）に示す複数のＥＬ層（１０３ａ、１０３ｂ）から、それぞれ異なる発光色が得られる構成としても良い。この場合も各発光層に用いる発光物質およびその他の物質を異なる材料とすればよい。
また、本発明の一態様である発光デバイスにおいて、例えば、図１３（Ｃ）に示す第１の電極１０１を反射電極とし、第２の電極１０２を半透過・半反射電極とし、微小光共振器（マイクロキャビティ）構造とすることにより、有機化合物層１０３に含まれる発光層１１３から得られる発光を両電極間で共振させ、第２の電極１０２から射出される発光を強めることができる。
なお、発光デバイスの第１の電極１０１が、反射性を有する導電性材料と透光性を有する導電性材料（透明導電膜）との積層構造からなる反射電極である場合、透明導電膜の膜厚を制御することにより光学調整を行うことができる。具体的には、発光層１１３から得られる光の波長λに対して、第１の電極１０１と、第２の電極１０２との電極間の光学距離（膜厚と屈折率の積）がｍλ／２（ただし、ｍは１以上の整数）またはその近傍となるように調整することが好ましい。
また、発光層１１３から得られる所望の光（波長：λ）を増幅させるために、第１の電極１０１から発光層１１３の所望の光が得られる領域（発光領域）までの光学距離と、第２の電極１０２から発光層１１３の所望の光が得られる領域（発光領域）までの光学距離と、をそれぞれ（２ｍ’＋１）λ／４（ただし、ｍ’は０以上の整数）またはその近傍となるように調節するのが好ましい。なお、ここでいう発光領域とは、発光層１１３における正孔（ホール）と電子との再結合領域を示す。
このような光学調整を行うことにより、発光層１１３から得られる特定の単色光のスペクトルを狭線化させ、色純度の良い発光を得ることができる。
但し、上記の場合、第１の電極１０１と第２の電極１０２との光学距離は、厳密には第１の電極１０１における反射領域から第２の電極１０２における反射領域までの総厚ということができる。しかし、第１の電極１０１および第２の電極１０２における反射領域を厳密に決定することは困難であるため、第１の電極１０１と第２の電極１０２の任意の位置を反射領域と仮定することで充分に上述の効果を得ることができるものとする。また、第１の電極１０１と、所望の光が得られる発光層との光学距離は、厳密には第１の電極１０１における反射領域と、所望の光が得られる発光層における発光領域との光学距離であるということができる。しかし、第１の電極１０１における反射領域、および所望の光が得られる発光層における発光領域を厳密に決定することは困難であるため、第１の電極１０１の任意の位置を反射領域、所望の光が得られる発光層の任意の位置を発光領域と仮定することで充分に上述の効果を得ることができるものとする。
図１３（Ｄ）に示す発光デバイスは、タンデム構造を有する発光デバイスであり、マイクロキャビティ構造を有するため、各ＥＬ層（１０３ａ、１０３ｂ）からの異なる波長の光（単色光）を取り出すことができる。従って、異なる発光色を得るための塗り分け（例えば、ＲＧＢ）が不要となる。従って、高精細化を実現することが容易である。また、着色層（カラーフィルタ）との組み合わせも可能である。さらに、特定波長の正面方向の発光強度を強めることが可能となるため、低消費電力化を図ることができる。
図１３（Ｅ）に示す発光デバイスは、図１３（Ｂ）に示したタンデム構造の発光デバイスの一例であり、図に示すように、３つのＥＬ（有機化合物）層（１０３ａ、１０３ｂ、１０３ｃ）が電荷発生層（１０６ａ、１０６ｂ）を挟んで積層される構造を有する。なお、３つのＥＬ層（１０３ａ、１０３ｂ、１０３ｃ）は、それぞれに発光層（１１３ａ、１１３ｂ、１１３ｃ）を有しており、各発光層の発光色は、自由に組み合わせることができる。例えば、発光層１１３ａを青色、発光層１１３ｂを赤色、緑色、または黄色のいずれか、発光層１１３ｃを青色とすることができるが、発光層１１３ａを赤色、発光層１１３ｂを青色、緑色、または黄色のいずれか、発光層１１３ｃを赤色とすることもできる。
なお、上述した本発明の一態様である発光デバイスにおいて、第１の電極１０１と第２の電極１０２の少なくとも一方は、透光性を有する電極（透明電極、半透過・半反射電極など）とする。透光性を有する電極が透明電極の場合、透明電極の可視光の透過率は、４０％以上とする。また、半透過・半反射電極の場合、半透過・半反射電極の可視光の反射率は、２０％以上８０％以下、好ましくは４０％以上７０％以下とする。また、これらの電極は、抵抗率が１×１０－２Ωｃｍ以下とするのが好ましい。
また、上述した本発明の一態様である発光デバイスにおいて、第１の電極１０１と第２の電極１０２の一方が、反射性を有する電極（反射電極）である場合、反射性を有する電極の可視光の反射率は、４０％以上１００％以下、好ましくは７０％以上１００％以下とする。また、この電極は、抵抗率が１×１０－２Ωｃｍ以下とするのが好ましい。
≪発光デバイスの具体的な構造≫
次に、本発明の一態様である発光デバイスの具体的な構造について説明する。また、ここでは、タンデム構造を有する図１３（Ｄ）を用いて説明する。なお、図１３（Ａ）および図１３（Ｃ）に示すシングル構造の発光デバイスについてもＥＬ層の構成については同様とする。また、図１３（Ｄ）に示す発光デバイスがマイクロキャビティ構造を有する場合は、第１の電極１０１を反射電極として形成し、第２の電極１０２を半透過・半反射電極として形成する。従って、所望の電極材料を単数または複数用い、単層または積層して形成することができる。なお、第２の電極１０２は、有機化合物層１０３ｂを形成した後、適宜材料を選択して形成する。
＜第１の電極および第２の電極＞
第１の電極１０１および第２の電極１０２を形成する材料としては、上述した両電極の機能が満たせるのであれば、以下に示す材料を適宜組み合わせて用いることができる。例えば、金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを適宜用いることができる。具体的には、Ｉｎ－Ｓｎ酸化物（ＩＴＯともいう）、Ｉｎ－Ｓｉ－Ｓｎ酸化物（ＩＴＳＯともいう）、Ｉｎ－Ｚｎ酸化物、Ｉｎ－Ｗ－Ｚｎ酸化物が挙げられる。その他、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、イットリウム（Ｙ）、ネオジム（Ｎｄ）などの金属、およびこれらを適宜組み合わせて含む合金を用いることもできる。その他、上記例示のない元素周期表の第１族または第２族に属する元素（例えば、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ））、ユウロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）などの希土類金属およびこれらを適宜組み合わせて含む合金、その他グラフェン等を用いることができる。
図１３（Ｄ）に示す発光デバイスにおいて、第１の電極１０１が陽極である場合、第１の電極１０１上に有機化合物層１０３ａの正孔注入層１１１ａおよび正孔輸送層１１２ａが真空蒸着法により順次積層形成される。有機化合物層１０３ａおよび電荷発生層１０６が形成された後、電荷発生層１０６上に有機化合物層１０３ｂの正孔注入層１１１ｂおよび正孔輸送層１１２ｂが同様に順次積層形成される。
＜正孔注入層＞
正孔注入層（１１１、１１１ａ、１１１ｂ）は、陽極である第１の電極１０１および電荷発生層（１０６、１０６ａ、１０６ｂ）からＥＬ層（１０３、１０３ａ、１０３ｂ）に正孔（ホール）を注入する層であり、有機アクセプタ材料および正孔注入性の高い材料を含む層である。
有機アクセプタ材料は、そのＬＵＭＯ（最低空軌道：Ｌｏｗｅｓｔ Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｏｒｂｉｔａｌ）準位の値とＨＯＭＯ（最高被占有軌道：ｈｉｇｈｅｓｔ ｏｃｃｕｐｉｅｄ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｏｒｂｉｔａｌ）準位の値が近い他の有機化合物との間で電荷分離させることにより、当該有機化合物に正孔（ホール）を発生させることができる材料である。従って、有機アクセプタ材料としては、キノジメタン誘導体、クロラニル誘導体、およびヘキサアザトリフェニレン誘導体などの電子吸引基（ハロゲン基またはシアノ基）を有する化合物を用いることができる。例えば、７，７，８，８－テトラシアノ－２，３，５，６－テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ４－ＴＣＮＱ）、３，６－ジフルオロ－２，５，７，７，８，８－ヘキサシアノキノジメタン、クロラニル、２，３，６，７，１０，１１－ヘキサシアノ－１，４，５，８，９，１２－ヘキサアザトリフェニレン（略称：ＨＡＴ－ＣＮ）、１，３，４，５，７，８－ヘキサフルオロテトラシアノ－ナフトキノジメタン（略称：Ｆ６－ＴＣＮＮＱ）、２－（７－ジシアノメチレン－１，３，４，５，６，８，９，１０－オクタフルオロ－７Ｈ－ピレン－２－イリデン）マロノニトリル等を用いることができる。なお、有機アクセプタ材料の中でも特にＨＡＴ－ＣＮのように複素原子を複数有する縮合芳香環に電子吸引基が結合している化合物は、アクセプタ性が高く、熱に対して膜質が安定であるため好適である。その他にも、電子吸引基（特にフルオロ基のようなハロゲン基またはシアノ基）を有する［３］ラジアレン誘導体は、電子受容性が非常に高いため好ましく、具体的にはα，α’，α’’－１，２，３－シクロプロパントリイリデントリス［４－シアノ－２，３，５，６－テトラフルオロベンゼンアセトニトリル］、α，α’，α’’－１，２，３－シクロプロパントリイリデントリス［２，６－ジクロロ－３，５－ジフルオロ－４－（トリフルオロメチル）ベンゼンアセトニトリル］、α，α’，α’’－１，２，３－シクロプロパントリイリデントリス［２，３，４，５，６－ペンタフルオロベンゼンアセトニトリル］などを用いることができる。
また、正孔注入性の高い材料としては、元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物（モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等の遷移金属酸化物等）を用いることができる。具体的には、酸化モリブデン、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムが挙げられる。上記の中でも、酸化モリブデンは大気中で安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。この他、フタロシアニン（略称：Ｈ２Ｐｃ）または銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン系の化合物、等を用いることができる。
また、上記材料に加えて低分子化合物である、４，４’，４’’－トリス（Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’－トリス［Ｎ－（３－メチルフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’－ビス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、Ｎ，Ｎ’－ビス［４－ビス（３－メチルフェニル）アミノフェニル］－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－４，４’－ジアミノビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５－トリス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）、３－［Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６－ビス［Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３－［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）アミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等の芳香族アミン化合物、等を用いることができる。
また、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）である、ポリ（Ｎ－ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４－ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ－（４－｛Ｎ’－［４－（４－ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル－Ｎ’－フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’－ビス（４－ブチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ－ＴＰＤ）等を用いることができる。または、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸（略称：ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン／ポリスチレンスルホン酸（略称：ＰＡｎｉ／ＰＳＳ）等の酸を添加した高分子系化合物、等を用いることもできる。
また、正孔注入性の高い材料としては、正孔輸送性材料と、上述した有機アクセプタ材料（電子受容性材料）を含む混合材料を用いることもできる。この場合、有機アクセプタ材料により正孔輸送性材料から電子が引き抜かれて正孔注入層１１１で正孔が発生し、正孔輸送層１１２を介して発光層１１３に正孔が注入される。なお、正孔注入層１１１は、正孔輸送性材料と有機アクセプタ材料（電子受容性材料）を含む混合材料からなる単層で形成しても良いが、正孔輸送性材料と有機アクセプタ材料（電子受容性材料）とをそれぞれ別の層で積層して形成しても良い。
なお、正孔輸送性材料としては、電界強度［Ｖ／ｃｍ］の平方根が６００における正孔移動度が、１×１０－６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質が好ましい。なお、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いることができる。
また、正孔輸送性材料としては、π電子過剰型複素芳香環を有する化合物（例えばカルバゾール誘導体、フラン誘導体、またはチオフェン誘導体）、および芳香族アミン（芳香族アミン骨格を有する有機化合物）等の正孔輸送性の高い材料が好ましい。
なお、上記カルバゾール誘導体（カルバゾール環を有する有機化合物）としては、ビカルバゾール誘導体（例えば、３，３’－ビカルバゾール誘導体）、カルバゾリル基を有する芳香族アミン等が挙げられる。
また、上記ビカルバゾール誘導体（例えば、３，３’－ビカルバゾール誘導体）としては、具体的には、９，９’－ジフェニル－９Ｈ，９’Ｈ－３，３’－ビカルバゾール（略称：ＰＣＣＰ）、９，９’－ビス（ビフェニル－４－イル）－３，３’－ビ－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＢｉｓＢＰＣｚ）、９，９’－ビス（ビフェニル－３－イル）－３，３’－ビ－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＢｉｓｍＢＰＣｚ）、９－（ビフェニル－３－イル）－９’－（ビフェニル－４－イル）－９Ｈ，９’Ｈ－３，３’－ビカルバゾール（略称：ｍＢＰＣＣＢＰ）、９－（２－ナフチル）－９’－フェニル－９Ｈ，９’Ｈ－３，３’－ビカルバゾール（略称：βＮＣＣＰ）などが挙げられる。
また、上記カルバゾリル基を有する芳香族アミンとしては、具体的には、４－フェニル－４’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）、Ｎ－（４－ビフェニル）－Ｎ－（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン（略称：ＰＣＢｉＦ）、Ｎ－（ビフェニル－４－イル）－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－アミン（略称：ＰＣＢＢｉＦ）、Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］ビス（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）アミン（略称：ＰＣＢＦＦ）、Ｎ－（１，１’－ビフェニル－４－イル）－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－４－アミン、Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－４－アミン、Ｎ－（１，１’－ビフェニル－４－イル）－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－９，９－ジフェニル－９Ｈ－フルオレン－２－アミン、Ｎ－（１，１’－ビフェニル－４－イル）－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－９，９－ジフェニル－９Ｈ－フルオレン－４－アミン、Ｎ－（１，１’－ビフェニル－４－イル）－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－９，９’－スピロビ（９Ｈ－フルオレン）－２－アミン、Ｎ－（１，１’－ビフェニル－４－イル）－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－９，９’－スピロビ（９Ｈ－フルオレン）－４－アミン、Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－Ｎ－（１，１’：３’，１’’－ターフェニル－４－イル）－９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－アミン、Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－Ｎ－（１，１’：４’，１’’－ターフェニル－４－イル）－９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－アミン、Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－Ｎ－（１，１’：３’，１’’－ターフェニル－４－イル）－９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－４－アミン、Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－Ｎ－（１，１’：４’，１’’－ターフェニル－４－イル）－９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－４－アミン、４，４’－ジフェニル－４’’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＢｉ１ＢＰ）、４－（１－ナフチル）－４’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＮＢ）、４，４’－ジ（１－ナフチル）－４’’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＮＢＢ）、４－フェニルジフェニル－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）アミン（略称：ＰＣＡ１ＢＰ）、Ｎ，Ｎ’－ビス（９－フェニルカルバゾール－３－イル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニルベンゼン－１，３－ジアミン（略称：ＰＣＡ２Ｂ）、Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’－トリフェニル－Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’－トリス（９－フェニルカルバゾール－３－イル）ベンゼン－１，３，５－トリアミン（略称：ＰＣＡ３Ｂ）、９，９－ジメチル－Ｎ－フェニル－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］フルオレン－２－アミン（略称：ＰＣＢＡＦ）、Ｎ－フェニル－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－９，９’－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］－２－アミン（略称：ＰＣＢＡＳＦ）、３－［Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６－ビス［Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３－［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）アミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）、３－［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＤＰＡ１）、３，６－ビス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＤＰＡ２）、３，６－ビス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－（１－ナフチル）アミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＴＰＮ２）、２－［Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］スピロ－９，９’－ビフルオレン（略称：ＰＣＡＳＦ）、Ｎ－［４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］－Ｎ－（４－フェニル）フェニルアニリン（略称：ＹＧＡ１ＢＰ）、Ｎ，Ｎ’－ビス［４－（カルバゾール－９－イル）フェニル］－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－９，９－ジメチルフルオレン－２，７－ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｆ）、４，４’，４’’－トリス（カルバゾール－９－イル）トリフェニルアミン（略称：ＴＣＴＡ）、Ｎ－（９，９－ジフェニル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－Ｎ，９－ジフェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン（略称：ＰＣＡＦＬＰ（２））、Ｎ－（９，９－ジフェニル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－Ｎ，９－ジフェニル－９Ｈ－カルバゾール－２－アミン（略称：ＰＣＡＦＬＰ（２）－０２）などが挙げられる。
なお、カルバゾール誘導体としては、上記に加えて、９－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）－フェニル］フェナントレン（略称：ＰＣＰＰｎ）、３－［４－（１－ナフチル）フェニル］－９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＰＣＰＮ）、１，３－ビス（Ｎ－カルバゾリル）ベンゼン（略称：ｍＣＰ）、４，４’－ジ（Ｎ－カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、３，６－ビス（３，５－ジフェニルフェニル）－９－フェニルカルバゾール（略称：ＣｚＴＰ）、１，３，５－トリス［４－（Ｎ－カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、９－［４－（１０－フェニル－９－アントラセニル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）等が挙げられる。
また、上記フラン誘導体（フラン環を有する有機化合物）としては、具体的には、４，４’，４’’－（ベンゼン－１，３，５－トリイル）トリ（ジベンゾフラン）（略称：ＤＢＦ３Ｐ－ＩＩ）、４－｛３－［３－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）フェニル］フェニル｝ジベンゾフラン（略称：ｍｍＤＢＦＦＬＢｉ－ＩＩ）等が挙げられる。
また、上記チオフェン誘導体（チオフェン環を有する有機化合物）としては、具体的には、４，４’，４’’－（ベンゼン－１，３，５－トリイル）トリ（ジベンゾチオフェン）（略称：ＤＢＴ３Ｐ－ＩＩ）、２，８－ジフェニル－４－［４－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）フェニル］ジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ－ＩＩＩ）、４－［４－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）フェニル］－６－フェニルジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ－ＩＶ）などのチオフェン環を有する有機化合物等が挙げられる。
また、上記芳香族アミンとしては、具体的には、４，４’－ビス［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢまたはα－ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－４，４’－ジアミノビフェニル（略称：ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’－ビス（９，９’－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］－２－イル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－４，４’－ジアミノビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）、４－フェニル－４’－（９－フェニルフルオレン－９－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）、４－フェニル－３’－（９－フェニルフルオレン－９－イル）トリフェニルアミン（略称：ｍＢＰＡＦＬＰ）、Ｎ－（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－Ｎ－｛９，９－ジメチル－２－［Ｎ’－フェニル－Ｎ’－（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）アミノ］－９Ｈ－フルオレン－７－イル｝フェニルアミン（略称：ＤＦＬＡＤＦＬ）、Ｎ－（９，９－ジメチル－２－ジフェニルアミノ－９Ｈ－フルオレン－７－イル）ジフェニルアミン（略称：ＤＰＮＦ）、２－［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］スピロ－９，９’－ビフルオレン（略称：ＤＰＡＳＦ）、２，７－ビス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］スピロ－９，９’－ビフルオレン（略称：ＤＰＡ２ＳＦ）、４，４’，４’’－トリス［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：１’－ＴＮＡＴＡ）、４，４’，４’’－トリス（Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’－トリス［Ｎ－（３－メチルフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ｍ－ＭＴＤＡＴＡ）、Ｎ，Ｎ’－ジ（ｐ－トリル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－ｐ－フェニレンジアミン（略称：ＤＴＤＰＰＡ）、４，４’－ビス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、ＤＮＴＰＤ、１，３，５－トリス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）、Ｎ－（４－ビフェニル）－６，Ｎ－ジフェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン－８－アミン（略称：ＢｎｆＡＢＰ）、Ｎ，Ｎ－ビス（４－ビフェニル）－６－フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン－８－アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ）、４，４’－ビス（６－フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン－８－イル）－４’’－フェニルトリフェニルアミン（略称：ＢｎｆＢＢ１ＢＰ）、Ｎ，Ｎ－ビス（４－ビフェニル）ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン－６－アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ（６））、Ｎ，Ｎ－ビス（４－ビフェニル）ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン－８－アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ（８））、Ｎ，Ｎ－ビス（４－ビフェニル）ベンゾ［ｂ］ナフト［２，３－ｄ］フラン－４－アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ（ＩＩ）（４））、Ｎ，Ｎ－ビス［４－（ジベンゾフラン－４－イル）フェニル］－４－アミノ－ｐ－ターフェニル（略称：ＤＢｆＢＢ１ＴＰ）、Ｎ－［４－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］－Ｎ－フェニル－４－ビフェニルアミン（略称：ＴｈＢＡ１ＢＰ）、４－（２－ナフチル）－４’，４’’－ジフェニルトリフェニルアミン（略称：ＢＢＡβＮＢ）、４－［４－（２－ナフチル）フェニル］－４’，４’’－ジフェニルトリフェニルアミン（略称：ＢＢＡβＮＢｉ）、４，４’－ジフェニル－４’’－（６；１’－ビナフチル－２－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡαＮβＮＢ）、４，４’－ジフェニル－４’’－（７；１’－ビナフチル－２－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡαＮβＮＢ－０３）、４，４’－ジフェニル－４’’－（７－フェニル）ナフチル－２－イルトリフェニルアミン（略称：ＢＢＡＰβＮＢ－０３）、４，４’－ジフェニル－４’’－（６；２’－ビナフチル－２－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡ（βＮ２）Ｂ）、４，４’－ジフェニル－４’’－（７；２’－ビナフチル－２－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡ（βＮ２）Ｂ－０３）、４，４’－ジフェニル－４’’－（４；２’－ビナフチル－１－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡβＮαＮＢ）、４，４’－ジフェニル－４’’－（５；２’－ビナフチル－１－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡβＮαＮＢ－０２）、４－（４－ビフェニリル）－４’－（２－ナフチル）－４’’－フェニルトリフェニルアミン（略称：ＴＰＢｉＡβＮＢ）、４－（３－ビフェニリル）－４’－［４－（２－ナフチル）フェニル］－４’’－フェニルトリフェニルアミン（略称：ｍＴＰＢｉＡβＮＢｉ）、４－（４－ビフェニリル）－４’－［４－（２－ナフチル）フェニル］－４’’－フェニルトリフェニルアミン（略称：ＴＰＢｉＡβＮＢｉ）、４－フェニル－４’－（１－ナフチル）トリフェニルアミン（略称：αＮＢＡ１ＢＰ）、４，４’－ビス（１－ナフチル）トリフェニルアミン（略称：αＮＢＢ１ＢＰ）、４，４’－ジフェニル－４’’－［４’－（カルバゾール－９－イル）ビフェニル－４－イル］トリフェニルアミン（略称：ＹＧＴＢｉ１ＢＰ）、４’－［４－（３－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］トリス（ビフェニル－４－イル）アミン（略称：ＹＧＴＢｉ１ＢＰ－０２）、４－［４’－（カルバゾール－９－イル）ビフェニル－４－イル］－４’－（２－ナフチル）－４’’－フェニルトリフェニルアミン（略称：ＹＧＴＢｉβＮＢ）、Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－Ｎ－［４－（１－ナフチル）フェニル］－９，９’－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］－２－アミン（略称：ＰＣＢＮＢＳＦ）、Ｎ，Ｎ－ビス（ビフェニル－４－イル）－９，９’－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］－２－アミン（略称：ＢＢＡＳＦ）、Ｎ，Ｎ－ビス（ビフェニル－４－イル）－９，９’－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］－４－アミン（略称：ＢＢＡＳＦ（４））、Ｎ－（ビフェニル－２－イル）－Ｎ－（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－９，９’－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］－４－アミン（略称：ｏＦＢｉＳＦ）、Ｎ－（ビフェニル－４－イル）－Ｎ－（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）ジベンゾフラン－４－アミン（略称：ＦｒＢｉＦ）、Ｎ－［４－（１－ナフチル）フェニル］－Ｎ－［３－（６－フェニルジベンゾフラン－４－イル）フェニル］－１－ナフチルアミン（略称：ｍＰＤＢｆＢＮＢＮ）、４－フェニル－４’－［４－（９－フェニルフルオレン－９－イル）フェニル］トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＢｉ）、Ｎ，Ｎ－ビス（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－９，９’－スピロビ－９Ｈ－フルオレン－４－アミン、Ｎ，Ｎ－ビス（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－９，９’－スピロビ－９Ｈ－フルオレン－３－アミン、Ｎ，Ｎ－ビス（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－９，９’－スピロビ－９Ｈ－フルオレン－２－アミン、Ｎ，Ｎ－ビス（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－９，９’－スピロビ－９Ｈ－フルオレン－１－アミン、等が挙げられる。
その他にも、正孔輸送性材料として、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）である、ポリ（Ｎ－ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４－ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ－（４－｛Ｎ’－［４－（４－ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル－Ｎ’－フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’－ビス（４－ブチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ－ＴＰＤ）等を用いることができる。または、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸（略称：ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン／ポリスチレンスルホン酸（略称：ＰＡｎｉ／ＰＳＳ）等の酸を添加した高分子系化合物、等を用いることもできる。
但し、正孔輸送性材料は、上記に限られることなく公知の様々な材料を１種または複数種組み合わせて正孔輸送性材料として用いてもよい。
なお、正孔注入層（１１１、１１１ａ、１１１ｂ）は、公知の様々な成膜方法を用いて形成することができるが、例えば、真空蒸着法を用いて形成することができる。
＜正孔輸送層＞
正孔輸送層（１１２、１１２ａ、１１２ｂ）は、正孔注入層（１１１、１１１ａ、１１１ｂ）によって、第１の電極１０１から注入された正孔を発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ）に輸送する層である。なお、正孔輸送層（１１２、１１２ａ、１１２ｂ）は、正孔輸送性材料を含む層である。従って、正孔輸送層（１１２、１１２ａ、１１２ｂ）には、正孔注入層（１１１、１１１ａ、１１１ｂ）に用いることができる正孔輸送性材料を用いることができる。
なお、本発明の一態様である発光デバイスにおいて、正孔輸送層（１１２、１１２ａ、１１２ｂ）と同じ有機化合物を発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ）に用いることができる。正孔輸送層（１１２、１１２ａ、１１２ｂ）と発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ）に同じ有機化合物を用いると、正孔輸送層（１１２、１１２ａ、１１２ｂ）から発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ）への正孔の輸送が効率よく行えるため、より好ましい。
＜発光層＞
発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ）は、発光物質を含む層である。なお、発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ）に用いることができる発光物質としては、青色、紫色、青紫色、緑色、黄緑色、黄色、橙色、赤色などの発光色を呈する物質を適宜用いることができる。また、発光層を複数有する場合には、各発光層に異なる発光物質を用いることにより異なる発光色を呈する構成（例えば、補色の関係にある発光色を組み合わせて得られる白色発光）とすることができる。さらに、一つの発光層が異なる発光物質を有する積層構造としてもよい。
また、発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ）は、発光物質（ゲスト材料）に加えて、１種または複数種の有機化合物（ホスト材料等）を有していても良い。
なお、発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ）にホスト材料を複数用いる場合、新たに加える第２のホスト材料として、既存のゲスト材料および第１のホスト材料のエネルギーギャップよりも大きなエネルギーギャップを有する物質を用いるのが好ましい。また、第２のホスト材料の最低一重項励起エネルギー準位（Ｓ１準位）は、第１のホスト材料のＳ１準位よりも高く、第２のホスト材料の最低三重項励起エネルギー準位（Ｔ１準位）は、ゲスト材料のＴ１準位よりも高いことが好ましい。また、第２のホスト材料の最低三重項励起エネルギー準位（Ｔ１準位）は、第１のホスト材料のＴ１準位よりも高いことが好ましい。このような構成とすることにより、２種類のホスト材料による励起錯体を形成することができる。なお、効率よく励起錯体を形成するためには、正孔を受け取りやすい化合物（正孔輸送性材料）と、電子を受け取りやすい化合物（電子輸送性材料）とを組み合わせることが特に好ましい。また、この構成により、高効率、低電圧、長寿命を同時に実現することができる。
なお、上記のホスト材料（第１のホスト材料および第２のホスト材料を含む）として用いる有機化合物としては、発光層に用いるホスト材料としての条件を満たせば、前述の正孔輸送層（１１２、１１２ａ、１１２ｂ）に用いることができる正孔輸送性材料、または後述の電子輸送層（１１４、１１４ａ、１１４ｂ）に用いることができる電子輸送性材料、等の有機化合物が挙げられ、複数種の有機化合物（上記、第１のホスト材料および第２のホスト材料）からなる励起錯体であっても良い。なお、複数種の有機化合物で励起状態を形成する励起錯体（エキサイプレックス、エキシプレックスまたはＥｘｃｉｐｌｅｘともいう）は、Ｓ１準位とＴ１準位との差が極めて小さく、三重項励起エネルギーを一重項励起エネルギーに変換することが可能なＴＡＤＦ材料としての機能を有する。また、励起錯体を形成する複数種の有機化合物の組み合わせとしては、例えば一方がπ電子不足型複素芳香環を有し、他方がπ電子過剰型複素芳香環を有すると好ましい。なお、励起錯体を形成する組み合わせとして、一方にイリジウム、ロジウム、または白金系の有機金属錯体、あるいは金属錯体等の燐光発光物質を用いても良い。
発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ）に用いることができる発光物質として、特に限定は無く、一重項励起エネルギーを可視光領域の発光に変える発光物質、または三重項励起エネルギーを可視光領域の発光に変える発光物質を用いることができる。
≪一重項励起エネルギーを発光に変える発光物質≫
発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ）に用いることのできる、一重項励起エネルギーを発光に変える発光物質としては、以下に示す蛍光を発する物質（蛍光発光物質）が挙げられる。例えば、ピレン誘導体、アントラセン誘導体、トリフェニレン誘導体、フルオレン誘導体、カルバゾール誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、キノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、フェナントレン誘導体、ナフタレン誘導体などが挙げられる。特にピレン誘導体は発光量子収率が高いので好ましい。ピレン誘導体の具体例としては、Ｎ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス［３－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）フェニル］ピレン－１，６－ジアミン（略称：１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ビス［４－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）フェニル］ピレン－１，６－ジアミン（略称：１，６ＦＬＰＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’－ビス（ジベンゾフラン－２－イル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニルピレン－１，６－ジアミン（略称：１，６ＦｒＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’－ビス（ジベンゾチオフェン－２－イル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニルピレン－１，６－ジアミン（略称：１，６ＴｈＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’－（ピレン－１，６－ジイル）ビス［（Ｎ－フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン）－６－アミン］（略称：１，６ＢｎｆＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’－（ピレン－１，６－ジイル）ビス［（Ｎ－フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン）－８－アミン］（略称：１，６ＢｎｆＡＰｒｎ－０２）、Ｎ，Ｎ’－（ピレン－１，６－ジイル）ビス［（６，Ｎ－ジフェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン）－８－アミン］（略称：１，６ＢｎｆＡＰｒｎ－０３）などが挙げられる。
また、５，６－ビス［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－２，２’－ビピリジン（略称：ＰＡＰ２ＢＰｙ）、５，６－ビス［４’－（１０－フェニル－９－アントリル）ビフェニル－４－イル］－２，２’－ビピリジン（略称：ＰＡＰＰ２ＢＰｙ）、Ｎ，Ｎ’－ビス［４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］－Ｎ，Ｎ’－ジフェニルスチルベン－４，４’－ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）－４’－（１０－フェニル－９－アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）－４’－（９，１０－ジフェニル－２－アントリル）トリフェニルアミン（略称：２ＹＧＡＰＰＡ）、Ｎ，９－ジフェニル－Ｎ－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、４－（１０－フェニル－９－アントリル）－４’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）、４－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－４’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＢＡ）、ペリレン、２，５，８，１１－テトラ－ｔｅｒｔ－ブチルペリレン（略称：ＴＢＰ）、Ｎ，Ｎ’’－（２－ｔｅｒｔ－ブチルアントラセン－９，１０－ジイルジ－４，１－フェニレン）ビス（Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－トリフェニル－１，４－フェニレンジアミン）（略称：ＤＰＡＢＰＡ）、Ｎ，９－ジフェニル－Ｎ－［４－（９，１０－ジフェニル－２－アントリル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン（略称：２ＰＣＡＰＰＡ）、Ｎ－［４－（９，１０－ジフェニル－２－アントリル）フェニル］－Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－トリフェニル－１，４－フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＰＡ）等を用いることができる。
また、Ｎ－［９，１０－ビス（ビフェニル－２－イル）－２－アントリル］－Ｎ，９－ジフェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン（略称：２ＰＣＡＢＰｈＡ）、Ｎ－（９，１０－ジフェニル－２－アントリル）－Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－トリフェニル－１，４－フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＡ）、Ｎ－［９，１０－ビス（ビフェニル－２－イル）－２－アントリル］－Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－トリフェニル－１，４－フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＢＰｈＡ）、９，１０－ビス（ビフェニル－２－イル）－Ｎ－［４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］－Ｎ－フェニルアントラセン－２－アミン（略称：２ＹＧＡＢＰｈＡ）、Ｎ，Ｎ，９－トリフェニルアントラセン－９－アミン（略称：ＤＰｈＡＰｈＡ）、クマリン５４５Ｔ、Ｎ，Ｎ’－ジフェニルキナクリドン（略称：ＤＰＱｄ）、ルブレン、５，１２－ビス（ビフェニル－４－イル）－６，１１－ジフェニルテトラセン（略称：ＢＰＴ）、２－（２－｛２－［４－（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル｝－６－メチル－４Ｈ－ピラン－４－イリデン）プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ１）、２－｛２－メチル－６－［２－（２，３，６，７－テトラヒドロ－１Ｈ，５Ｈ－ベンゾ［ｉｊ］キノリジン－９－イル）エテニル］－４Ｈ－ピラン－４－イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ２）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラキス（４－メチルフェニル）テトラセン－５，１１－ジアミン（略称：ｐ－ｍＰｈＴＤ）、７，１４－ジフェニル－Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラキス（４－メチルフェニル）アセナフト［１，２－ａ］フルオランテン－３，１０－ジアミン（略称：ｐ－ｍＰｈＡＦＤ）、２－｛２－イソプロピル－６－［２－（１，１，７，７－テトラメチル－２，３，６，７－テトラヒドロ－１Ｈ，５Ｈ－ベンゾ［ｉｊ］キノリジン－９－イル）エテニル］－４Ｈ－ピラン－４－イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＪＴＩ）、２－｛２－ｔｅｒｔ－ブチル－６－［２－（１，１，７，７－テトラメチル－２，３，６，７－テトラヒドロ－１Ｈ，５Ｈ－ベンゾ［ｉｊ］キノリジン－９－イル）エテニル］－４Ｈ－ピラン－４－イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＪＴＢ）、２－（２，６－ビス｛２－［４－（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル｝－４Ｈ－ピラン－４－イリデン）プロパンジニトリル（略称：ＢｉｓＤＣＭ）、２－｛２，６－ビス［２－（８－メトキシ－１，１，７，７－テトラメチル－２，３，６，７－テトラヒドロ－１Ｈ，５Ｈ－ベンゾ［ｉｊ］キノリジン－９－イル）エテニル］－４Ｈ－ピラン－４－イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＢｉｓＤＣＪＴＭ）、１，６ＢｎｆＡＰｒｎ－０３、Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ビス（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－２－イル）ナフト［２，３－ｂ；６，７－ｂ’］ビスベンゾフラン－３，１０－ジアミン（略称：３，１０ＰＣＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）－０２）、３，１０－ビス［Ｎ－（ジベンゾフラン－３－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］ナフト［２，３－ｂ；６，７－ｂ’］ビスベンゾフラン（略称：３，１０ＦｒＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）－０２）などが挙げられる。特に、１，６ＦＬＰＡＰｒｎ、１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ、１，６ＢｎｆＡＰｒｎ－０３のようなピレンジアミン化合物、等を用いることができる。
≪三重項励起エネルギーを発光に変える発光物質≫
次に、発光層１１３に用いることのできる、三重項励起エネルギーを発光に変える発光物質としては、例えば、燐光を発する物質（燐光発光物質）、または熱活性化遅延蛍光を示す熱活性化遅延蛍光（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ ａｃｔｉｖａｔｅｄ ｄｅｌａｙｅｄ ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ：ＴＡＤＦ）材料が挙げられる。
燐光発光物質とは、低温（例えば７７Ｋ）以上室温以下の温度範囲（すなわち、７７Ｋ以上３１３Ｋ以下）のいずれかにおいて、燐光を呈し、且つ蛍光を呈さない化合物のことをいう。該燐光発光物質としては、スピン軌道相互作用の大きい金属元素を有すると好ましく、有機金属錯体、金属錯体（白金錯体）、希土類金属錯体等が挙げられる。具体的には遷移金属元素が好ましく、特に白金族元素（ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、または白金（Ｐｔ））を有することが好ましく、中でもイリジウムを有することで、一重項基底状態と三重項励起状態との間の直接遷移に係わる遷移確率を高めることができ好ましい。
≪燐光発光物質（４５０ｎｍ以上５７０ｎｍ以下：青色または緑色）≫
青色または緑色を呈し、発光スペクトルのピーク波長が４５０ｎｍ以上５７０ｎｍ以下である燐光発光物質としては、以下のような物質が挙げられる。
例えば、トリス｛２－［５－（２－メチルフェニル）－４－（２，６－ジメチルフェニル）－４Ｈ－１，２，４－トリアゾール－３－イル－κＮ２］フェニル－κＣ｝イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｔｚ－ｄｍｐ）３］）、トリス（５－メチル－３，４－ジフェニル－４Ｈ－１，２，４－トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｍｐｔｚ）３］）、トリス［４－（３－ビフェニル）－５－イソプロピル－３－フェニル－４Ｈ－１，２，４－トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｉＰｒｐｔｚ－３ｂ）３］）、トリス［３－（５－ビフェニル）－５－イソプロピル－４－フェニル－４Ｈ－１，２，４－トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｉＰｒ５ｂｔｚ）３］）、のような４Ｈ－トリアゾール環を有する有機金属錯体、トリス［３－メチル－１－（２－メチルフェニル）－５－フェニル－１Ｈ－１，２，４－トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｍｐｔｚ１－ｍｐ）３］）、トリス（１－メチル－５－フェニル－３－プロピル－１Ｈ－１，２，４－トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｐｒｐｔｚ１－Ｍｅ）３］）のような１Ｈ－トリアゾール環を有する有機金属錯体、ｆａｃ－トリス［１－（２，６－ジイソプロピルフェニル）－２－フェニル－１Ｈ－イミダゾール］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｉＰｒｐｉｍ）３］）、トリス［３－（２，６－ジメチルフェニル）－７－メチルイミダゾ［１，２－ｆ］フェナントリジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｐｉｍｐｔ－Ｍｅ）３］）のようなイミダゾール環を有する有機金属錯体、ビス［２－（４’，６’－ジフルオロフェニル）ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１－ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、ビス［２－（４’，６’－ジフルオロフェニル）ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス｛２－［３’，５’－ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’｝イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：［Ｉｒ（ＣＦ３ｐｐｙ）２（ｐｉｃ）］）、ビス［２－（４’，６’－ジフルオロフェニル）ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒ（ａｃａｃ））のように電子吸引基を有するフェニルピリジン誘導体を配位子とする有機金属錯体等が挙げられる。
≪燐光発光物質（４９５ｎｍ以上５９０ｎｍ以下：緑色または黄色）≫
緑色または黄色を呈し、発光スペクトルのピーク波長が４９５ｎｍ以上５９０ｎｍ以下である燐光発光物質としては、以下のような物質が挙げられる。
例えば、トリス（４－メチル－６－フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｍ）３］）、トリス（４－ｔ－ブチル－６－フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）３］）、（アセチルアセトナト）ビス（６－メチル－４－フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（６－ｔｅｒｔ－ブチル－４－フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［６－（２－ノルボルニル）－４－フェニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｎｂｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［５－メチル－６－（２－メチルフェニル）－４－フェニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス｛４，６－ジメチル－２－［６－（２，６－ジメチルフェニル）－４－ピリミジニル－κＮ３］フェニル－κＣ｝イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｐｐｍ－ｄｍｐ）２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（４，６－ジフェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］）のようなピリミジン環を有する有機金属イリジウム錯体、（アセチルアセトナト）ビス（３，５－ジメチル－２－フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｒ－Ｍｅ）２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（５－イソプロピル－３－メチル－２－フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｒ－ｉＰｒ）２（ａｃａｃ）］）のようなピラジン環を有する有機金属イリジウム錯体、トリス（２－フェニルピリジナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｐｙ）３］）、ビス（２－フェニルピリジナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ）］）、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｂｚｑ）２（ａｃａｃ）］）、トリス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｂｚｑ）３］）、トリス（２－フェニルキノリナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｑ）３］）、ビス（２－フェニルキノリナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐｑ）２（ａｃａｃ）］）、ビス［２－（２－ピリジニル－κＮ）フェニル－κＣ］［２－（４－フェニル－２－ピリジニル－κＮ）フェニル－κＣ］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｐｙ）２（４ｄｐｐｙ）］）、ビス［２－（２－ピリジニル－κＮ）フェニル－κＣ］［２－（４－メチル－５－フェニル－２－ピリジニル－κＮ）フェニル－κＣ］、［２－ｄ３－メチル－８－（２－ピリジニル－κＮ）ベンゾフロ［２，３－ｂ］ピリジン－κＣ］ビス［２－（５－ｄ３－メチル－２－ピリジニル－κＮ２）フェニル－κＣ］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（５ｍｐｐｙ－ｄ３）２（ｍｂｆｐｙｐｙ－ｄ３））、［２－（メチル－ｄ３）－８－［４－（１－メチルエチル－１－ｄ）－２－ピリジニル－κＮ］ベンゾフロ［２，３－ｂ］ピリジン－７－イル－κＣ］ビス［５－（メチル－ｄ３）－２－［５－（メチル－ｄ３）－２－ピリジニル－κＮ］フェニル－κＣ］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（５ｍｔｐｙ－ｄ６）２（ｍｂｆｐｙｐｙ－ｉＰｒ－ｄ４））、［２－ｄ３－メチル－（２－ピリジニル－κＮ）ベンゾフロ［２，３－ｂ］ピリジン－κＣ］ビス［２－（２－ピリジニル－κＮ）フェニル－κＣ］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ｍｂｆｐｙｐｙ－ｄ３））、［２－（４－メチル－５－フェニル－２－ピリジニル－κＮ）フェニル－κＣ］ビス［２－（２－ピリジニル－κＮ）フェニル－κＣ］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ｍｄｐｐｙ））のようなピリジン環を有する有機金属イリジウム錯体、ビス（２，４－ジフェニル－１，３－オキサゾラト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｄｐｏ）２（ａｃａｃ）］）、ビス｛２－［４’－（パーフルオロフェニル）フェニル］ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’｝イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐ－ＰＦ－ｐｈ）２（ａｃａｃ）］）、ビス（２－フェニルベンゾチアゾラト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｂｔ）２（ａｃａｃ）］）などの有機金属錯体の他、トリス（アセチルアセトナト）（モノフェナントロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｔｂ（ａｃａｃ）３（Ｐｈｅｎ）］）のような希土類金属錯体が挙げられる。
≪燐光発光物質（５７０ｎｍ以上７５０ｎｍ以下：黄色または赤色）≫
黄色または赤色を呈し、発光スペクトルのピーク波長が５７０ｎｍ以上７５０ｎｍ以下である燐光発光物質としては、以下のような物質が挙げられる。
例えば、（ジイソブチリルメタナト）ビス［４，６－ビス（３－メチルフェニル）ピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）２（ｄｉｂｍ）］）、ビス［４，６－ビス（３－メチルフェニル）ピリミジナト］（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）２（ｄｐｍ）］）、（ジピバロイルメタナト）ビス［４，６－ジ（ナフタレン－１－イル）ピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄ１ｎｐｍ）２（ｄｐｍ）］）のようなピリミジン環を有する有機金属錯体、（アセチルアセトナト）ビス（２，３，５－トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ａｃａｃ）］）、ビス（２，３，５－トリフェニルピラジナト）（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ｄｐｍ）］）、ビス｛４，６－ジメチル－２－［３－（３，５－ジメチルフェニル）－５－フェニル－２－ピラジニル－κＮ］フェニル－κＣ｝（２，６－ジメチル－３，５－ヘプタンジオナト－κ２Ｏ，Ｏ’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ－Ｐ）２（ｄｉｂｍ）］）、ビス｛４，６－ジメチル－２－［５－（４－シアノ－２，６－ジメチルフェニル）－３－（３，５－ジメチルフェニル）－２－ピラジニル－κＮ］フェニル－κＣ｝（２，２，６，６－テトラメチル－３，５－ヘプタンジオナト－κ２Ｏ，Ｏ’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ－ｄｍＣＰ）２（ｄｐｍ）］）、ビス｛２－［５－（２，６－ジメチルフェニル）－３－（３，５－ジメチルフェニル）－２－ピラジニル－κＮ］－４，６－ジメチルフェニル－κＣ｝（２，２’，６，６’－テトラメチル－３，５－ヘプタンジオナト－κ２Ｏ，Ｏ）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ－ｄｍｐ）２（ｄｐｍ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［２－メチル－３－フェニルキノキサリナト－Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｑ）２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（２，３－ジフェニルキノキサリナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｐｑ）２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［２，３－ビス（４－フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）２（ａｃａｃ）］）のようなピラジン環を有する有機金属錯体、トリス（１－フェニルイソキノリナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｉｑ）３］）、ビス（１－フェニルイソキノリナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐｉｑ）２（ａｃａｃ）］）、およびビス［４，６－ジメチル－２－（２－キノリニル－κＮ）フェニル－κＣ］（２，４－ペンタンジオナト－κ２Ｏ，Ｏ’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｐｑｎ）２（ａｃａｃ）］）のようなピリジン環を有する有機金属錯体、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８－オクタエチル－２１Ｈ，２３Ｈ－ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：［ＰｔＯＥＰ］）のような白金錯体、トリス（１，３－ジフェニル－１，３－プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｅｕ（ＤＢＭ）３（Ｐｈｅｎ）］）、およびトリス［１－（２－テノイル）－３，３，３－トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｅｕ（ＴＴＡ）３（Ｐｈｅｎ）］）のような希土類金属錯体が挙げられる。
≪ＴＡＤＦ材料≫
また、ＴＡＤＦ材料としては、以下に示す材料を用いることができる。ＴＡＤＦ材料とは、Ｓ１準位とＴ１準位との差が小さく（好ましくは、０．２ｅＶ以下）、三重項励起状態をわずかな熱エネルギーによって一重項励起状態にアップコンバート（逆項間交差）が可能で、一重項励起状態からの発光（蛍光）を効率よく呈する材料のことである。また、熱活性化遅延蛍光が効率良く得られる条件としては、三重項励起エネルギー準位と一重項励起エネルギー準位のエネルギー差が０ｅＶ以上０．２ｅＶ以下、好ましくは０ｅＶ以上０．１ｅＶ以下であることが挙げられる。また、ＴＡＤＦ材料における遅延蛍光とは、通常の蛍光と同様のスペクトルを持ちながら、寿命が著しく長い発光をいう。その寿命は、１×１０－６秒以上、好ましくは１×１０－３秒以上である。
ＴＡＤＦ材料としては、例えば、フラーレン、およびその誘導体、プロフラビン等のアクリジン誘導体、エオシン等が挙げられる。また、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、スズ（Ｓｎ）、白金（Ｐｔ）、インジウム（Ｉｎ）、もしくはパラジウム（Ｐｄ）等を含む金属含有ポルフィリンが挙げられる。金属含有ポルフィリンとしては、例えば、プロトポルフィリン－フッ化スズ錯体（略称：ＳｎＦ２（Ｐｒｏｔｏ ＩＸ））、メソポルフィリン－フッ化スズ錯体（略称：ＳｎＦ２（Ｍｅｓｏ ＩＸ））、ヘマトポルフィリン－フッ化スズ錯体（略称：ＳｎＦ２（Ｈｅｍａｔｏ ＩＸ））、コプロポルフィリンテトラメチルエステル－フッ化スズ錯体（略称：ＳｎＦ２（Ｃｏｐｒｏ ＩＩＩ－４Ｍｅ））、オクタエチルポルフィリン－フッ化スズ錯体（略称：ＳｎＦ２（ＯＥＰ））、エチオポルフィリン－フッ化スズ錯体（略称：ＳｎＦ２（Ｅｔｉｏ Ｉ））、オクタエチルポルフィリン－塩化白金錯体（略称：ＰｔＣｌ２ＯＥＰ）等が挙げられる。
その他にも、２－（ビフェニル－４－イル）－４，６－ビス（１２－フェニルインドロ［２，３－ａ］カルバゾール－１１－イル）－１，３，５－トリアジン（略称：ＰＩＣ－ＴＲＺ）、２－｛４－［３－（Ｎ－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）－９Ｈ－カルバゾール－９－イル］フェニル｝－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ＰＣＣｚＰＴｚｎ）、２－［４－（１０Ｈ－フェノキサジン－１０－イル）フェニル］－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ＰＸＺ－ＴＲＺ）、３－［４－（５－フェニル－５，１０－ジヒドロフェナジン－１０－イル）フェニル］－４，５－ジフェニル－１，２，４－トリアゾール（略称：ＰＰＺ－３ＴＰＴ）、３－（９，９－ジメチル－９Ｈ－アクリジン－１０－イル）－９Ｈ－キサンテン－９－オン（略称：ＡＣＲＸＴＮ）、ビス［４－（９，９－ジメチル－９，１０－ジヒドロアクリジン）フェニル］スルホン（略称：ＤＭＡＣ－ＤＰＳ）、１０－フェニル－１０Ｈ，１０’Ｈ－スピロ［アクリジン－９，９’－アントラセン］－１０’－オン（略称：ＡＣＲＳＡ）、４－（９’－フェニル－３，３’－ビ－９Ｈ－カルバゾール－９－イル）ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジン（略称：４ＰＣＣｚＢｆｐｍ）、４－［４－（９’－フェニル－３，３’－ビ－９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジン（略称：４ＰＣＣｚＰＢｆｐｍ）、９－［３－（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン－２－イル）フェニル］－９’－フェニル－２，３’－ビ－９Ｈ－カルバゾール（略称：ｍＰＣＣｚＰＴｚｎ－０２）等のπ電子過剰型複素芳香族化合物及びπ電子不足型複素芳香族化合物を有する複素芳香族化合物を用いてもよい。
なお、π電子過剰型複素芳香族化合物とπ電子不足型複素芳香族化合物とが直接結合した物質は、π電子過剰型複素芳香族化合物のドナー性とπ電子不足型複素芳香族化合物のアクセプタ性が共に強くなり、一重項励起状態と三重項励起状態のエネルギー差が小さくなるため、特に好ましい。また、ＴＡＤＦ材料として、一重項励起状態と三重項励起状態間が熱平衡状態にあるＴＡＤＦ材料（ＴＡＤＦ１００）を用いてもよい。このようなＴＡＤＦ材料は発光寿命（励起寿命）が短くなるため、発光デバイスにおける高輝度領域での効率低下を抑制することができる。
また、上記の他に、三重項励起エネルギーを発光に変換する機能を有する材料としては、ペロブスカイト構造を有する遷移金属化合物のナノ構造体が挙げられる。特に金属ハロゲンペロブスカイト類のナノ構造体がこのましい。該ナノ構造体としては、ナノ粒子、ナノロッドが好ましい。
発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ、１１３ｃ）において、上述した発光物質（ゲスト材料）と組み合わせて用いる有機化合物（ホスト材料等）としては、発光物質（ゲスト材料）のエネルギーギャップより大きなエネルギーギャップを有する物質を、一種もしくは複数種選択して用いればよい。
≪高分子系材料≫
また、発光層に高分子材料を用いてもよい。高分子系材料としては、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、および金属錯体系発光材料を高分子化したものなどを用いることができる。
例えば、青色に発光する材料としては、ジスチリルアリーレン誘導体、オキサジアゾール誘導体、およびそれらの重合体、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体などを用いることができる。
また、緑色に発光する材料としては、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体、およびそれらの重合体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体を用いることができる。
また、赤色に発光する材料としては、クマリン誘導体、チオフェン環化合物、およびそれらの重合体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリフルオレン誘導体などを用いることができる。
≪蛍光発光用ホスト材料≫
発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ、１１３ｃ）に用いる発光物質が蛍光発光物質である場合、組み合わせる有機化合物（ホスト材料）として、一重項励起状態のエネルギー準位が大きく、三重項励起状態のエネルギー準位が小さい有機化合物、または蛍光量子収率が高い有機化合物を用いるのが好ましい。したがって、このような条件を満たす有機化合物であれば、本実施の形態で示す、正孔輸送性材料（前述）および電子輸送性材料（後述）等を用いることができる。
一部上述した具体例と重複するが、発光物質（蛍光発光物質）との好ましい組み合わせという観点から、有機化合物（ホスト材料）としては、アントラセン誘導体、テトラセン誘導体、フェナントレン誘導体、ピレン誘導体、クリセン誘導体、ジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン誘導体等の縮合多環芳香族化合物が挙げられる。
なお、蛍光発光物質と組み合わせて用いることが好ましい有機化合物（ホスト材料）の具体例としては、９－フェニル－３－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＰＣｚＰＡ）、３，６－ジフェニル－９－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＤＰＣｚＰＡ）、３－［４－（１－ナフチル）フェニル］－９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＰＣＰＮ）、９，１０－ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、Ｎ，Ｎ－ジフェニル－９－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン（略称：ＣｚＡ１ＰＡ）、４－（１０－フェニル－９－アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＤＰｈＰＡ）、ＹＧＡＰＡ、ＰＣＡＰＡ、Ｎ，９－ジフェニル－Ｎ－｛４－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］フェニル｝－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン（略称：ＰＣＡＰＢＡ）、Ｎ－（９，１０－ジフェニル－２－アントリル）－Ｎ，９－ジフェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、６，１２－ジメトキシ－５，１１－ジフェニルクリセン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’，Ｎ’’’，Ｎ’’’－オクタフェニルジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン－２，７，１０，１５－テトラアミン（略称：ＤＢＣ１）、９－［４－（１０－フェニル－９－アントラセニル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、７－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－７Ｈ－ジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール（略称：ｃｇＤＢＣｚＰＡ）、６－［３－（９，１０－ジフェニル－２－アントリル）フェニル］ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン（略称：２ｍＢｎｆＰＰＡ）、９－フェニル－１０－［４’－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）ビフェニル－４－イル］アントラセン（略称：ＦＬＰＰＡ）、９，１０－ビス（３，５－ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、９，１０－ジ（２－ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、２－ｔｅｒｔ－ブチル－９，１０－ジ（２－ナフチル）アントラセン（略称：ｔ－ＢｕＤＮＡ）、９－（１－ナフチル）－１０－（２－ナフチル）アントラセン（略称：α，βＡＤＮ）、２－（１０－フェニルアントラセン－９－イル）ジベンゾフラン、２－（１０－フェニル－９－アントラセニル）ベンゾ［ｂ］ナフト［２，３－ｄ］フラン（略称：Ｂｎｆ（ＩＩ）ＰｈＡ）、９－（１－ナフチル）－１０－［４－（２－ナフチル）フェニル］アントラセン（略称：αＮ－βＮＰＡｎｔｈ）、２，９－ジ（１－ナフチル）－１０－フェニルアントラセン（略称：２αＮ－αＮＰｈＡ）、９－（１－ナフチル）－１０－［３－（１－ナフチル）フェニル］アントラセン（略称：αＮ－ｍαＮＰＡｎｔｈ）、９－（２－ナフチル）－１０－［３－（１－ナフチル）フェニル］アントラセン（略称：βＮ－ｍαＮＰＡｎｔｈ）、９－（１－ナフチル）－１０－［４－（１－ナフチル）フェニル］アントラセン（略称：αＮ－αＮＰＡｎｔｈ）、９－（２－ナフチル）－１０－［４－（２－ナフチル）フェニル］アントラセン（略称：βＮ－βＮＰＡｎｔｈ）、２－（１－ナフチル）－９－（２－ナフチル）－１０－フェニルアントラセン（略称：２αＮ－βＮＰｈＡ）、９－（２－ナフチル）－１０－［３－（２－ナフチル）フェニル］アントラセン（略称：βＮ－ｍβＮＰＡｎｔｈ）、１－｛４－［１０－（ビフェニル－４－イル）－９－アントラセニル］フェニル｝－２－エチル－１Ｈ－ベンゾイミダゾール（略称：ＥｔＢＩｍＰＢＰｈＡ）、９，９’－ビアントリル（略称：ＢＡＮＴ）、９，９’－（スチルベン－３，３’－ジイル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ）、９，９’－（スチルベン－４，４’－ジイル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ２）、１，３，５－トリ（１－ピレニル）ベンゼン（略称：ＴＰＢ３）、５，１２－ジフェニルテトラセン、５，１２－ビス（ビフェニル－２－イル）テトラセンなどが挙げられる。
≪燐光発光用ホスト材料≫
また、発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ、１１３ｃ）に用いる発光物質が燐光発光物質である場合、組み合わせる有機化合物（ホスト材料）として、発光物質の三重項励起エネルギー（基底状態と三重項励起状態とのエネルギー差）よりも三重項励起エネルギーの大きい有機化合物を選択すれば良い。なお、励起錯体を形成させるべく複数の有機化合物（例えば、第１のホスト材料、および第２のホスト材料（またはアシスト材料）等）を発光物質と組み合わせて用いる場合は、これらの複数の有機化合物を燐光発光物質と混合して用いることが好ましい。
このような構成とすることにより、励起錯体から発光物質へのエネルギー移動であるＥｘＴＥＴ（Ｅｘｃｉｐｌｅｘ－Ｔｒｉｐｌｅｔ Ｅｎｅｒｇｙ Ｔｒａｎｓｆｅｒ）を用いた発光を効率よく得ることができる。なお、複数の有機化合物の組み合わせとしては、励起錯体が形成しやすいものが良く、正孔を受け取りやすい化合物（正孔輸送性材料）と、電子を受け取りやすい化合物（電子輸送性材料）とを組み合わせることが特に好ましい。
なお、一部上述した具体例と重複するが、発光物質（燐光発光物質）との好ましい組み合わせという観点から、有機化合物（ホスト材料、アシスト材料）としては、芳香族アミン（芳香族アミン骨格を有する有機化合物）、カルバゾール誘導体（カルバゾール環を有する有機化合物）、ジベンゾチオフェン誘導体（ジベンゾチオフェン環を有する有機化合物）、ジベンゾフラン誘導体（ジベンゾフラン環を有する有機化合物）、オキサジアゾール誘導体（オキサジアゾール環を有する有機化合物）、トリアゾール誘導体（トリアゾール環を有する有機化合物）、ベンゾイミダゾール誘導体（ベンゾイミダゾール環を有する有機化合物）、キノキサリン誘導体（キノキサリン環を有する有機化合物）、ジベンゾキノキサリン誘導体（ジベンゾキノキサリン環を有する有機化合物）、ピリミジン誘導体（ピリミジン環を有する有機化合物）、トリアジン誘導体（トリアジン環を有する有機化合物）、ピリジン誘導体（ピリジン環を有する有機化合物）、ビピリジン誘導体（ビピリジン環を有する有機化合物）、フェナントロリン誘導体（フェナントロリン環を有する有機化合物）、フロジアジン誘導体（フロジアジン環を有する有機化合物）、亜鉛およびアルミニウム系の金属錯体、等が挙げられる。
なお、上記の有機化合物のうち、正孔輸送性の高い有機化合物である、芳香族アミン、およびカルバゾール誘導体の具体例としては、上述した正孔輸送性材料の具体例と同じものが挙げられ、これらはいずれもホスト材料として好ましい。
また、上記の有機化合物のうち、正孔輸送性の高い有機化合物である、ジベンゾチオフェン誘導体、およびジベンゾフラン誘導体の具体例としては、４－｛３－［３－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）フェニル］フェニル｝ジベンゾフラン（略称：ｍｍＤＢＦＦＬＢｉ－ＩＩ）、４，４’，４’’－（ベンゼン－１，３，５－トリイル）トリ（ジベンゾフラン）（略称：ＤＢＦ３Ｐ－ＩＩ）、ＤＢＴ３Ｐ－ＩＩ、２，８－ジフェニル－４－［４－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）フェニル］ジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ－ＩＩＩ）、４－［４－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）フェニル］－６－フェニルジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ－ＩＶ）、４－［３－（トリフェニレン－２－イル）フェニル］ジベンゾチオフェン（略称：ｍＤＢＴＰＴｐ－ＩＩ）等が挙げられ、これらはいずれもホスト材料として好ましい。
その他、ビス［２－（２－ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＰＢＯ）、ビス［２－（２－ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＢＴＺ）などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども好ましいホスト材料として挙げられる。
また、上記の有機化合物のうち、電子輸送性の高い有機化合物である、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、キノキサリン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、キナゾリン誘導体、フェナントロリン誘導体等の具体例としては、２－（４－ビフェニリル）－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３－ビス［５－（ｐ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール－２－イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ－７）、９－［４－（５－フェニル－１，３，４－オキサジアゾール－２－イル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＣＯ１１）、３－（４－ビフェニリル）－４－フェニル－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，２，４－トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、２，２’，２’’－（１，３，５－ベンゼントリイル）トリス（１－フェニル－１Ｈ－ベンゾイミダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）、２－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］－１－フェニル－１Ｈ－ベンゾイミダゾール（略称：ｍＤＢＴＢＩｍ－ＩＩ）、４，４’－ビス（５－メチルベンゾオキサゾール－２－イル）スチルベン（略称：ＢｚＯｓ）、などのポリアゾール環を有する複素芳香環を含む有機化合物、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、２，９－ジ（ナフタレン－２－イル）－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン（略称：ＮＢＰｈｅｎ）、２，２’－（１，３－フェニレン）ビス（９－フェニル－１，１０－フェナントロリン）（略称：ｍＰＰｈｅｎ２Ｐ）、２，２’－ビフェニル－４，４’－ジイルビス（９－フェニル－１，１０－フェナントロリン）（略称：ＰＰｈｅｎ２ＢＰ）などのピリジン環を有する複素芳香環を含む有機化合物、２－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩ）、２－［３’－（ジベンゾチオフェン－４－イル）ビフェニル－３－イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ－ＩＩ）、２－［３’－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）ビフェニル－３－イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＣｚＢＰＤＢｑ）、２－［４－（３，６－ジフェニル－９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ＣｚＰＤＢｑ－ＩＩＩ）、７－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：７ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩ）、及び６－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：６ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩ）、２－｛４－［９，１０－ジ（２－ナフチル）－２－アントリル］フェニル｝－１－フェニル－１Ｈ－ベンゾイミダゾール（略称：ＺＡＤＮ）、２－［４’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）－３，１’－ビフェニル－１－イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍｐＰＣＢＰＤＢｑ）、等が挙げられ、これらはいずれもホスト材料として好ましい。
また、上記の有機化合物のうち、電子輸送性の高い有機化合物である、ピリジン誘導体、ジアジン誘導体（ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリダジン誘導体を含む）、トリアジン誘導体、フロジアジン誘導体の具体例として、４，６－ビス［３－（フェナントレン－９－イル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＰｎＰ２Ｐｍ）、４，６－ビス［３－（４－ジベンゾチエニル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＤＢＴＰ２Ｐｍ－ＩＩ）、４，６－ビス［３－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＣｚＰ２Ｐｍ）、２－｛４－［３－（Ｎ－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）－９Ｈ－カルバゾール－９－イル］フェニル｝－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ＰＣＣｚＰＴｚｎ）、９－［３－（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン－２－イル）フェニル］－９’－フェニル－２，３’－ビ－９Ｈ－カルバゾール（略称：ｍＰＣＣｚＰＴｚｎ－０２）、３，５－ビス［３－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］ピリジン（略称：３５ＤＣｚＰＰｙ）、１，３，５－トリ［３－（３－ピリジル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴｍＰｙＰＢ）、９，９’－［ピリミジン－４，６－ジイルビス（ビフェニル－３，３’－ジイル）］ビス（９Ｈ－カルバゾール）（略称：４，６ｍＣｚＢＰ２Ｐｍ）、２－［３’－（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）ビフェニル－３－イル］－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ｍＦＢＰＴｚｎ）、８－（ビフェニル－４－イル）－４－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］－［１］ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジン（略称：８ＢＰ－４ｍＤＢｔＰＢｆｐｍ）、９－［３’－（ジベンゾチオフェン－４－イル）ビフェニル－３－イル］ナフト［１’，２’：４，５］フロ［２，３－ｂ］ピラジン（略称：９ｍＤＢｔＢＰＮｆｐｒ）、９－［３’－（ジベンゾチオフェン－４－イル）ビフェニル－４－イル］ナフト［１’，２’：４，５］フロ［２，３－ｂ］ピラジン（略称：９ｐｍＤＢｔＢＰＮｆｐｒ）、１１－［（３’－ジベンゾチオフェン－４－イル）ビフェニル－３－イル］フェナントロ［９’，１０’：４，５］フロ［２，３－ｂ］ピラジン（略称：１１ｍＤＢｔＢＰＰｎｆｐｒ）、１１－［（３’－ジベンゾチオフェン－４－イル）ビフェニル－４－イル］フェナントロ［９’，１０’：４，５］フロ［２，３－ｂ］ピラジン、１１－［３’－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）ビフェニル－３－イル］フェナントロ［９’，１０’：４，５］フロ［２，３－ｂ］ピラジン、１２－（９’－フェニル－３，３’－ビ－９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェナントロ［９’，１０’：４，５］フロ［２，３－ｂ］ピラジン（略称：１２ＰＣＣｚＰｎｆｐｒ）、９－［（３’－９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）ビフェニル－４－イル］ナフト［１’，２’：４，５］フロ［２，３－ｂ］ピラジン（略称：９ｐｍＰＣＢＰＮｆｐｒ）、９－（９’－フェニル－３，３’－ビ－９Ｈ－カルバゾール－９－イル）ナフト［１’，２’：４，５］フロ［２，３－ｂ］ピラジン（略称：９ＰＣＣｚＮｆｐｒ）、１０－（９’－フェニル－３，３’－ビ－９Ｈ－カルバゾール－９－イル）ナフト［１’，２’：４，５］フロ［２，３－ｂ］ピラジン（略称：１０ＰＣＣｚＮｆｐｒ）、９－［３’－（６－フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン－８－イル）ビフェニル－３－イル］ナフト［１’，２’：４，５］フロ［２，３－ｂ］ピラジン（略称：９ｍＢｎｆＢＰＮｆｐｒ）、９－｛３－［６－（９，９－ジメチルフルオレン－２－イル）ジベンゾチオフェン－４－イル］フェニル｝ナフト［１’，２’：４，５］フロ［２，３－ｂ］ピラジン（略称：９ｍＦＤＢｔＰＮｆｐｒ）、９－［３’－（６－フェニルジベンゾチオフェン－４－イル）ビフェニル－３－イル］ナフト［１’，２’：４，５］フロ［２，３－ｂ］ピラジン（略称：９ｍＤＢｔＢＰＮｆｐｒ－０２）、９－［３－（９’－フェニル－３，３’－ビ－９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］ナフト［１’，２’：４，５］フロ［２，３－ｂ］ピラジン（略称：９ｍＰＣＣｚＰＮｆｐｒ）、９－｛（３’－［２，８－ジフェニルジベンゾチオフェン－４－イル］ビフェニル－３－イル｝ナフト［１’，２’：４，５］フロ［２，３－ｂ］ピラジン、１１－｛（３’－［２，８－ジフェニルジベンゾチオフェン－４－イル］ビフェニル－３－イル｝フェナントロ［９’，１０’：４，５］フロ［２，３－ｂ］ピラジン、５－［３－（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン－２－イル）フェニル］－７，７－ジメチル－５Ｈ，７Ｈ－インデノ［２，１－ｂ］カルバゾール（略称：ｍＩＮｃ（ＩＩ）ＰＴｚｎ）、２－［３’－（トリフェニレン－２－イル）ビフェニル－３－イル］－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ｍＴｐＢＰＴｚｎ）、２－（ビフェニル－４－イル）－４－フェニル－６－（９，９’－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］－２－イル）－１，３，５－トリアジン（略称：ＢＰ－ＳＦＴｚｎ）、２，６－ビス（４－ナフタレン－１－イルフェニル）－４－［４－（３－ピリジル）フェニル］ピリミジン（略称：２，４ＮＰ－６ＰｙＰＰｍ）、３－［９－（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン－２－イル）－２－ジベンゾフラニル］－９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＰＣＤＢｆＴｚｎ）、２－（ビフェニル－３－イル）－４－フェニル－６－｛８－［（１，１’：４’，１’’－ターフェニル）－４－イル］－１－ジベンゾフラニル｝－１，３，５－トリアジン（略称：ｍＢＰ－ＴＰＤＢｆＴｚｎ）、６－（ビフェニル－３－イル）－４－［３，５－ビス（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］－２－フェニルピリミジン（略称：６ｍＢＰ－４Ｃｚ２ＰＰｍ）、４－［３，５－ビス（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］－２－フェニル－６－（ビフェニル－４－イル）ピリミジン（略称：６ＢＰ－４Ｃｚ２ＰＰｍ）、などのジアジン環を有する複素芳香環を含む有機化合物、などが挙げられ、これらはいずれもホスト材料として好ましい。
また、上記の有機化合物のうち、電子輸送性の高い有機化合物である、金属錯体の具体例としては、亜鉛系またはアルミニウム系の金属錯体である、トリス（８－キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ）、トリス（４－メチル－８－キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０－ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（ＩＩ）（略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２－メチル－８－キノリノラト）（４－フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８－キノリノラト）亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎｑ）の他、キノリン環またはベンゾキノリン環を有する金属錯体等が、挙げられ、これらはいずれもホスト材料として好ましい。
その他、ポリ（２，５－ピリジンジイル）（略称：ＰＰｙ）、ポリ［（９，９－ジヘキシルフルオレン－２，７－ジイル）－ｃｏ－（ピリジン－３，５－ジイル）］（略称：ＰＦ－Ｐｙ）、ポリ［（９，９－ジオクチルフルオレン－２，７－ジイル）－ｃｏ－（２，２’－ビピリジン－６，６’－ジイル）］（略称：ＰＦ－ＢＰｙ）のような高分子化合物などもホスト材料として好ましい。
さらに、正孔輸送性の高い有機化合物であり、かつ電子輸送性の高い有機化合物である、バイポーラ性の９－フェニル－９’－（４－フェニル－２－キナゾリニル）－３，３’－ビ－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＰＣＣｚＱｚ）、２－［４’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）－３，１’－ビフェニル－１－イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍｐＰＣＢＰＤＢｑ）、５－［３－（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン－２－イル）フェニル］－７，７－ジメチル－５Ｈ，７Ｈ－インデノ［２，１－ｂ］カルバゾール（略称：ｍＩＮｃ（ＩＩ）ＰＴｚｎ）、１１－［４－（ビフェニル－４－イル）－６－フェニル－１，３，５－トリアジン－２－イル］－１１，１２－ジヒドロ－１２－フェニルインドロ［２，３－ａ］カルバゾール（略称：ＢＰ－Ｉｃｚ（ＩＩ）Ｔｚｎ）、７－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－２－イル）キナゾリン－２－イル］－７Ｈ－ジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール（略称：ＰＣ－ｃｇＤＢＣｚＱｚ）などのジアジン環を有する有機化合物等をホスト材料として用いることもできる。
＜電子輸送層＞
電子輸送層（１１４、１１４ａ、１１４ｂ）は、後述する電子注入層（１１５、１１５ａ、１１５ｂ）によって第２の電極１０２および電荷発生層（１０６、１０６ａ、１０６ｂ）から注入された電子を発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ）に輸送する層である。なお、本発明の一態様である発光デバイスは、電子輸送層が積層構造を有することで耐熱性を向上させることができる。また、電子輸送層（１１４、１１４ａ、１１４ｂ）に用いる電子輸送性材料は、電界強度［Ｖ／ｃｍ］の平方根が６００における電子移動度が、１×１０－６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質が好ましい。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いることができる。また、電子輸送層（１１４、１１４ａ、１１４ｂ）は、単層でも機能するが、２層以上の積層構造としてもよい。なお、上記の混合材料は、耐熱性を有するため、これを用いた電子輸送層上でフォトリソ工程を行うことにより、熱工程によるデバイス特性への影響を抑制することができる。
≪電子輸送性材料≫
電子輸送層（１１４、１１４ａ、１１４ｂ）に用いることができる電子輸送性材料としては、電子輸送性の高い有機化合物を用いることができ、例えば複素芳香族化合物を用いることができる。なお、複素芳香族化合物とは、環の中に少なくとも２種類の異なる元素を含む環式化合物である。なお、環構造としては、３員環、４員環、５員環、６員環等が含まれるが、特に５員環、または、６員環が好ましく、含まれる元素としては、炭素の他に窒素、酸素、または硫黄などのいずれか一又は複数を含む複素芳香族化合物が好ましい。特に窒素を含む複素芳香族化合物（含窒素複素芳香族化合物）が好ましく、含窒素複素芳香族化合物、またはこれを含むπ電子不足型複素芳香族化合物等の電子輸送性の高い材料（電子輸送性材料）を用いることが好ましい。なお、この電子輸送材料は、発光層に用いた材料とは異なる材料を用いることが好ましい。発光層でキャリアの再結合により生成した励起子は全てが発光に寄与できるとは限らず、発光層に接する、あるいは近傍に存在する層に拡散してしまうことがある。この現象を回避するためには、発光層に接する、あるいは近傍に存在する層に用いられる材料のエネルギー準位（最低一重項励起準位または最低三重項励起準位）が、発光層に用いられる材料よりも高いことが好ましい。従って、電子輸送材料は、発光層に用いる材料とは異なることが効率の高いデバイスを得るために好ましい。
複素芳香族化合物は、少なくとも１つの複素芳香環を有する有機化合物である。
なお、複素芳香環は、ピリジン環、ジアジン環、トリアジン環、ポリアゾール環、オキサゾール環、またはチアゾール環等のいずれか一を有する。また、ジアジン環を有する複素芳香環には、ピリミジン環、ピラジン環、またはピリダジン環などを有する複素芳香環が含まれる。また、ポリアゾール環を有する複素芳香環には、イミダゾール環、トリアゾール環、オキサジアゾール環を有する複素芳香環が含まれる。
また、複素芳香環は、縮環構造を有する縮合複素芳香環を含む。なお、縮合複素芳香環としては、キノリン環、ベンゾキノリン環、キノキサリン環、ジベンゾキノキサリン環、キナゾリン環、ベンゾキナゾリン環、ジベンゾキナゾリン環、フェナントロリン環、フロジアジン環、ベンゾイミダゾール環、などが挙げられる。
なお、例えば、炭素の他に窒素、酸素、または硫黄などのいずれか一又は複数を含む複素芳香族化合物のうち、５員環構造を有する複素芳香族化合物としては、イミダゾール環を有する複素芳香族化合物、トリアゾール環を有する複素芳香族化合物、オキサゾール環を有する複素芳香族化合物、オキサジアゾール環を有する複素芳香族化合物、チアゾール環を有する複素芳香族化合物、ベンゾイミダゾール環を有する複素芳香族化合物などが挙げられる。
また、例えば、炭素の他に窒素、酸素、または硫黄などのいずれか一又は複数を含む複素芳香族化合物のうち、６員環構造を有する複素芳香族化合物としては、ピリジン環、ジアジン環（ピリミジン環、ピラジン環、ピリダジン環などを含む）、トリアジン環、ポリアゾール環などの複素芳香環を有する複素芳香族化合物などが挙げられる。なお、ピリジン環が連結した構造である複素芳香族化合物に含まれるが、ビピリジン構造を有する複素芳香族化合物、ターピリジン構造を有する複素芳香族化合物などが挙げられる。
さらに、上記６員環構造を一部に含む縮環構造を有する複素芳香族化合物としては、キノリン環、ベンゾキノリン環、キノキサリン環、ジベンゾキノキサリン環、フェナントロリン環、フロジアジン環（フロジアジン環のフラン環に芳香環が縮合した構造を含む）、ベンゾイミダゾール環などの縮合複素芳香環を有する複素芳香族化合物、などが挙げられる。
上記、５員環構造（ポリアゾール環（イミダゾール環、トリアゾール環、オキサジアゾール環を含む）、オキサゾール環、チアゾール環、ベンゾイミダゾール環など）を有する複素芳香族化合物の具体例としては、２－（４－ビフェニリル）－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３－ビス［５－（ｐ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール－２－イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ－７）、９－［４－（５－フェニル－１，３，４－オキサジアゾール－２－イル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＣＯ１１）、３－（４－ビフェニリル）－４－フェニル－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，２，４－トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、３－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－４－（４－エチルフェニル）－５－（４－ビフェニリル）－１，２，４－トリアゾール（略称：ｐ－ＥｔＴＡＺ）、２，２’，２’’－（１，３，５－ベンゼントリイル）トリス（１－フェニル－１Ｈ－ベンゾイミダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）、２－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］－１－フェニル－１Ｈ－ベンゾイミダゾール（略称：ｍＤＢＴＢＩｍ－ＩＩ）、４，４’－ビス（５－メチルベンゾオキサゾール－２－イル）スチルベン（略称：ＢｚＯＳ）などが挙げられる。
上記、６員環構造（ピリジン環、ジアジン環、トリアジン環などを有する複素芳香環を含む）を有する複素芳香族化合物の具体例としては、３，５－ビス［３－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］ピリジン（略称：３５ＤＣｚＰＰｙ）、１，３，５－トリ［３－（３－ピリジル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴｍＰｙＰＢ）、などのピリジン環を有する複素芳香環を含む複素芳香族化合物、２－｛４－［３－（Ｎ－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）－９Ｈ－カルバゾール－９－イル］フェニル｝－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ＰＣＣｚＰＴｚｎ）、９－［３－（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン－２－イル）フェニル］－９’－フェニル－２，３’－ビ－９Ｈ－カルバゾール（略称：ｍＰＣＣｚＰＴｚｎ－０２）、５－［３－（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン－２－イル）フェニル］－７，７－ジメチル－５Ｈ，７Ｈ－インデノ［２，１－ｂ］カルバゾール（略称：ｍＩＮｃ（ＩＩ）ＰＴｚｎ）、２－［３’－（トリフェニレン－２－イル）ビフェニル－３－イル］－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ｍＴｐＢＰＴｚｎ）、２－（ビフェニル－４－イル）－４－フェニル－６－（９，９’－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］－２－イル）－１，３，５－トリアジン（略称：ＢＰ－ＳＦＴｚｎ）、２，６－ビス（４－ナフタレン－１－イルフェニル）－４－［４－（３－ピリジル）フェニル］ピリミジン（略称：２，４ＮＰ－６ＰｙＰＰｍ）、３－［９－（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン－２－イル）－２－ジベンゾフラニル］－９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＰＣＤＢｆＴｚｎ）、２－（ビフェニル－３－イル）－４－フェニル－６－｛８－［（１，１’：４’，１’’－ターフェニル）－４－イル］－１－ジベンゾフラニル｝－１，３，５－トリアジン（略称：ｍＢＰ－ＴＰＤＢｆＴｚｎ）、２－｛３－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］フェニル｝－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ｍＤＢｔＢＰＴｚｎ）、ｍＦＢＰＴｚｎなどのトリアジン環を有する複素芳香環を含む複素芳香族化合物、４，６－ビス［３－（フェナントレン－９－イル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＰｎＰ２Ｐｍ）、４，６－ビス［３－（４－ジベンゾチエニル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＤＢＴＰ２Ｐｍ－ＩＩ）、４，６－ビス［３－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＣｚＰ２Ｐｍ）、４，６ｍＣｚＢＰ２Ｐｍ、６－（ビフェニル－３－イル）－４－［３，５－ビス（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］－２－フェニルピリミジン（略称：６ｍＢＰ－４Ｃｚ２ＰＰｍ）、４－［３，５－ビス（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］－２－フェニル－６－（ビフェニル－４－イル）ピリミジン（略称：６ＢＰ－４Ｃｚ２ＰＰｍ）、４－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］－８－（ナフタレン－２－イル）－［１］ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジン（略称：８βＮ－４ｍＤＢｔＰＢｆｐｍ）、８ＢＰ－４ｍＤＢｔＰＢｆｐｍ、９ｍＤＢｔＢＰＮｆｐｒ、９ｐｍＤＢｔＢＰＮｆｐｒ、３，８－ビス［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］ベンゾフロ［２，３－ｂ］ピラジン（略称：３，８ｍＤＢｔＰ２Ｂｆｐｒ）、４，８－ビス［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］－［１］ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジン（略称：４，８ｍＤＢｔＰ２Ｂｆｐｍ）、８－［３’－（ジベンゾチオフェン－４－イル）ビフェニル－３－イル］ナフト［１’，２’：４，５］フロ［３，２－ｄ］ピリミジン（略称：８ｍＤＢｔＢＰＮｆｐｍ）、８－［（２，２’－ビナフタレン）－６－イル］－４－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］－［１］ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジン（略称：８（βＮ２）－４ｍＤＢｔＰＢｆｐｍ）などのジアジン（ピリミジン）環を有する複素芳香環を含む複素芳香族化合物、などが挙げられる。なお、上記複素芳香環を含む芳香族化合物には、縮合複素芳香環を有する複素芳香族化合物を含む。
その他にも、２，２’－（ピリジン－２，６－ジイル）ビス（４－フェニルベンゾ［ｈ］キナゾリン）（略称：２，６（Ｐ－Ｂｑｎ）２Ｐｙ）、２，２’－（２，２’－ビピリジン－６，６’－ジイル）ビス（４－フェニルベンゾ［ｈ］キナゾリン）（略称：６，６’（Ｐ－Ｂｑｎ）２ＢＰｙ）、２，２’－（ピリジン－２，６－ジイル）ビス｛４－［４－（２－ナフチル）フェニル］－６－フェニルピリミジン｝（略称：２，６（ＮＰ－ＰＰｍ）２Ｐｙ）、６－（ビフェニル－３－イル）－４－［３，５－ビス（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］－２－フェニルピリミジン（略称：６ｍＢＰ－４Ｃｚ２ＰＰｍ）、などのジアジン（ピリミジン）環を有する複素芳香環を含む複素芳香族化合物、２，４，６－トリス［３’－（ピリジン－３－イル）ビフェニル－３－イル］－１，３，５－トリアジン（略称：ＴｍＰＰＰｙＴｚ）、２，４，６－トリス（２－ピリジル）－１，３，５－トリアジン（略称：２Ｐｙ３Ｔｚ）、２－［３－（２，６－ジメチル－３－ピリジニル）－５－（９－フェナントレニル）フェニル］－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ｍＰｎ－ｍＤＭｅＰｙＰＴｚｎ）、などのトリアジン環を有する複素芳香環を含む複素芳香族化合物、等が挙げられる。
上記、６員環構造を一部に含む縮環構造を有する複素芳香族化合物（縮環構造を有する複素芳香族化合物）の具体例としては、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、２，９－ジ（ナフタレン－２－イル）－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン（略称：ＮＢＰｈｅｎ）、２，２’－（１，３－フェニレン）ビス（９－フェニル－１，１０－フェナントロリン）（略称：ｍＰＰｈｅｎ２Ｐ）、２，２’－ビフェニル－４，４’－ジイルビス（９－フェニル－１，１０－フェナントロリン）（略称：ＰＰｈｅｎ２ＢＰ）、２，２’－（ピリジン－２，６－ジイル）ビス（４－フェニルベンゾ［ｈ］キナゾリン）（略称：２，６（Ｐ－Ｂｑｎ）２Ｐｙ）、２－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩ）、２－［３’－（ジベンゾチオフェン－４－イル）ビフェニル－３－イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ－ＩＩ）、２－［３’－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）ビフェニル－３－イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＣｚＢＰＤＢｑ）、２－［４－（３，６－ジフェニル－９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ＣｚＰＤＢｑ－ＩＩＩ）、７－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：７ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩ）、及び６－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：６ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩ）、２ｍｐＰＣＢＰＤＢｑ、などのキノキサリン環を有する複素芳香族化合物、等が挙げられる。
電子輸送層（１１４、１１４ａ、１１４ｂ）には、上記に示す複素芳香族化合物の他にも下記に示す金属錯体を用いることができる。トリス（８－キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ３）、Ａｌｍｑ３、８－キノリノラト－リチウム（略称：Ｌｉｑ）、ＢｅＢｑ２、ビス（２－メチル－８－キノリノラト）（４－フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８－キノリノラト）亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎｑ）等のキノリン環またはベンゾキノリン環を有する金属錯体、ビス［２－（２－ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＰＢＯ）、ビス［２－（２－ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＢＴＺ）等のオキサゾール環またはチアゾール環を有する金属錯体等が挙げられる。
また、ポリ（２，５－ピリジンジイル）（略称：ＰＰｙ）、ポリ［（９，９－ジヘキシルフルオレン－２，７－ジイル）－ｃｏ－（ピリジン－３，５－ジイル）］（略称：ＰＦ－Ｐｙ）、ポリ［（９，９－ジオクチルフルオレン－２，７－ジイル）－ｃｏ－（２，２’－ビピリジン－６，６’－ジイル）］（略称：ＰＦ－ＢＰｙ）のような高分子化合物を電子輸送性材料として用いることもできる。
また、電子輸送層（１１４、１１４ａ、１１４ｂ）は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が２層以上積層した構造であってもよい。
＜電子注入層＞
電子注入層（１１５、１１５ａ、１１５ｂ）は、電子注入性の高い物質を含む層である。また、電子注入層（１１５、１１５ａ、１１５ｂ）は、第２の電極１０２からの電子の注入効率を高めるための層であり、第２の電極１０２に用いる材料の仕事関数の値と、電子注入層（１１５、１１５ａ、１１５ｂ）に用いる材料のＬＵＭＯ準位の値とを比較した際、その差が小さい（０．５ｅＶ以下）材料を用いることが好ましい。従って、電子注入層１１５には、リチウム、セシウム、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、８－キノリノラト－リチウム（略称：Ｌｉｑ）、２－（２－ピリジル）フェノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰ）、２－（２－ピリジル）－３－ピリジノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰｙ）、４－フェニル－２－（２－ピリジル）フェノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰＰ）、リチウム酸化物（ＬｉＯｘ）、炭酸セシウム等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはこれらの化合物を用いることができる。また、フッ化エルビウム（ＥｒＦ３）、イッテルビウム（Ｙｂ）のような希土類金属または希土類金属化合物を用いることができる。なお、電子注入層（１１５、１１５ａ、１１５ｂ）には、上記の材料を複数種混合して形成しても良いし、上記の材料のうち複数種を積層させて形成しても良い。また、電子注入層（１１５、１１５ａ、１１５ｂ）にエレクトライドを用いてもよい。エレクトライドとしては、例えば、カルシウムとアルミニウムの混合酸化物に電子を高濃度添加した物質等が挙げられる。なお、上述した電子輸送層（１１４、１１４ａ、１１４ｂ）を構成する物質を用いることもできる。
また、電子注入層（１１５、１１５ａ、１１５ｂ）に、有機化合物と電子供与体（ドナー）とを混合してなる混合材料を用いてもよい。このような混合材料は、電子供与体によって有機化合物に電子が発生するため、電子注入性および電子輸送性に優れている。この場合、有機化合物としては、発生した電子の輸送に優れた材料であることが好ましく、具体的には、例えば上述した電子輸送層（１１４、１１４ａ、１１４ｂ）に用いる電子輸送性材料（金属錯体および複素芳香族化合物等）を用いることができる。電子供与体としては、有機化合物に対し電子供与性を示す物質であればよい。具体的には、アルカリ金属およびアルカリ土類金属および希土類金属が好ましく、リチウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、エルビウム、イッテルビウム等が挙げられる。また、アルカリ金属酸化物およびアルカリ土類金属酸化物が好ましく、リチウム酸化物、カルシウム酸化物、バリウム酸化物等が挙げられる。また、酸化マグネシウムのようなルイス塩基を用いることもできる。また、テトラチアフルバレン（略称：ＴＴＦ）等の有機化合物を用いることもできる。また、これらの材料を複数、積層して用いても良い。
その他にも、電子注入層（１１５、１１５ａ、１１５ｂ）に、有機化合物と金属とを混合してなる混合材料を用いても良い。なお、ここで用いる有機化合物としては、ＬＵＭＯ準位が－３．６ｅＶ以上－２．３ｅＶ以下であると好ましい。また、非共有電子対を有する材料が好ましい。
したがって、上記の混合材料に用いる有機化合物としては、電子輸送層に用いることができるとして上述した、複素芳香族化合物を金属と混合してなる混合材料を用いてもよい。複素芳香族化合物としては、５員環構造（イミダゾール環、トリアゾール環、オキサゾール環、オキサジアゾール環、チアゾール環、ベンゾイミダゾール環など）を有する複素芳香族化合物、６員環構造（ピリジン環、ジアジン環（ピリミジン環、ピラジン環、ピリダジン環などを含む）、トリアジン環、ビピリジン環、ターピリジン環など）を有する複素芳香族化合物、６員環構造を一部に含む縮環構造（キノリン環、ベンゾキノリン環、キノキサリン環、ジベンゾキノキサリン環、フェナントロリン環など）を有する複素芳香族化合物などの非共有電子対を有する材料が好ましい。具体的な材料については、上述したので、ここでの説明は省略する。
また、上記の混合材料に用いる金属としては、周期表における第５族、第７族、第９族または第１１族に属する遷移金属および第１３族に属する材料を用いることが好ましく、例えば、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、またはＩｎ等が挙げられる。また、この時、有機化合物は、遷移金属との間で半占有軌道（ＳＯＭＯ）を形成する。
なお、例えば、発光層１１３ｂから得られる光を増幅させる場合には、第２の電極１０２と、発光層１１３ｂとの光学距離が、発光層１１３ｂが呈する光の波長λの１／４未満となるように形成するのが好ましい。この場合、電子輸送層１１４ｂまたは電子注入層１１５ｂの膜厚を変えることにより、調整することができる。
また、図１３（Ｄ）に示す発光デバイスのように、２つのＥＬ層（１０３ａ、１０３ｂ）の間に電荷発生層１０６を設けることにより、複数のＥＬ層が一対の電極間に積層された構造（タンデム構造ともいう）とすることもできる。
＜電荷発生層＞
電荷発生層１０６は、第１の電極（陽極）１０１と第２の電極（陰極）１０２との間に電圧を印加したときに、有機化合物層１０３ａに電子を注入し、有機化合物層１０３ｂに正孔を注入する機能を有する。なお、電荷発生層１０６は、正孔輸送性材料に電子受容体（アクセプタ）が添加された構成であっても、電子輸送性材料に電子供与体（ドナー）が添加された構成であってもよい。また、これらの両方の構成が積層されていても良い。なお、上述した材料を用いて電荷発生層１０６を形成することにより、ＥＬ層が積層された場合における駆動電圧の上昇を抑制することができる。
電荷発生層１０６において、有機化合物である正孔輸送性材料に、電子受容体が添加された構成とする場合、正孔輸送性材料としては、本実施の形態で示した材料を用いることができる。また、電子受容体としては、７，７，８，８－テトラシアノ－２，３，５，６－テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ４－ＴＣＮＱ）、クロラニル等を挙げることができる。また元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムなどが挙げられる。
また、電荷発生層１０６において、電子輸送性材料に電子供与体が添加された構成とする場合、電子輸送性材料としては、本実施の形態で示した材料を用いることができる。また、電子供与体としては、アルカリ金属またはアルカリ土類金属または希土類金属または元素周期表における第２族、第１３族に属する金属およびその酸化物、炭酸塩を用いることができる。具体的には、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、インジウム（Ｉｎ）、酸化リチウム、炭酸セシウムなどを用いることが好ましい。また、テトラチアナフタセンのような有機化合物を電子供与体として用いてもよい。
なお、図１３（Ｄ）では、有機化合物層１０３が２層積層された構成を示したが、異なるＥＬ層の間に電荷発生層を設けることにより３層以上のＥＬ層の積層構造としてもよい。
＜基板＞
本実施の形態で示した発光デバイスは、様々な基板上に形成することができる。なお、基板の種類は、特定のものに限定されることはない。基板の一例としては、半導体基板（例えば単結晶基板又はシリコン基板）、ＳＯＩ基板、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板、金属基板、ステンレス・スチル基板、ステンレス・スチル・ホイルを有する基板、タングステン基板、タングステン・ホイルを有する基板、可撓性基板、貼り合わせフィルム、繊維状の材料を含む紙、又は基材フィルムなどが挙げられる。
なお、ガラス基板の一例としては、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、又はソーダライムガラスなどが挙げられる。また、可撓性基板、貼り合わせフィルム、基材フィルムなどの一例としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）に代表されるプラスチック、アクリル樹脂等の合成樹脂、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニル、又はポリ塩化ビニル、ポリアミド、ポリイミド、アラミド、エポキシ樹脂、無機蒸着フィルム、又は紙類などが挙げられる。
なお、本実施の形態で示す発光デバイスの作製には、蒸着法などの気相法、スピンコート法、およびインクジェット法などの液相法を用いることができる。蒸着法を用いる場合には、スパッタリング法、イオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法、分子線蒸着法、真空蒸着法などの物理蒸着法（ＰＶＤ法）、化学蒸着法（ＣＶＤ法）等を用いることができる。特に発光デバイスのＥＬ層に含まれる様々な機能を有する層（正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、発光層１１３、電子輸送層１１４、電子注入層１１５）については、蒸着法（真空蒸着法等）、塗布法（ディップコート法、ダイコート法、バーコート法、スピンコート法、スプレーコート法等）、印刷法（インクジェット法、スクリーン（孔版印刷）法、オフセット（平版印刷）法、フレキソ（凸版印刷）法、グラビア法、マイクロコンタクト法等）などの方法により形成することができる。
なお、上記塗布法、印刷法などの成膜方法を適用する場合において、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）、中分子化合物（低分子と高分子の中間領域の化合物：分子量４００以上４０００以下）、無機化合物（量子ドット材料等）等を用いることができる。なお、量子ドット材料としては、コロイド状量子ドット材料、合金型量子ドット材料、コア・シェル型量子ドット材料、コア型量子ドット材料などを用いることができる。
本実施の形態で示す発光デバイスの有機化合物層１０３を構成する各層（正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、発光層１１３、電子輸送層１１４、電子注入層１１５）は、本実施の形態において示した材料に限られることはなく、それ以外の材料であっても各層の機能を満たせるものであれば組み合わせて用いることができる。
なお、本明細書等において、「層」という用語と「膜」という用語は適宜入れ換えて用いることができる。
本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることができるものとする。
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置について図１４（Ａ）乃至図１４（Ｇ）、及び図１５（Ａ）乃至図１５（Ｉ）を用いて説明する。
［画素のレイアウト］
本実施の形態では、主に、図４とは異なる画素レイアウトについて説明する。副画素の配列に特に限定はなく、様々な方法を適用できる。副画素の配列としては、例えば、ストライプ配列、Ｓストライプ配列、マトリクス配列、デルタ配列、ベイヤー配列、及びペンタイル配列が挙げられる。
本実施の形態で図に示す副画素の上面形状は、発光領域の上面形状に相当する。
なお、副画素の上面形状としては、例えば、三角形、四角形（長方形、正方形を含む）、五角形等の多角形、これら多角形の角が丸い形状、楕円形、又は円形等が挙げられる。
また、副画素を構成する回路レイアウトは、図に示す副画素の範囲に限定されず、その外側に配置されていてもよい。
図１４（Ａ）に示す画素１７８には、Ｓストライプ配列が適用されている。図１４（Ａ）に示す画素１７８は、副画素１１０Ｒ、副画素１１０Ｇ、及び副画素１１０Ｂの、３つの副画素から構成される。
図１４（Ｂ）に示す画素１７８は、角が丸い略台形の上面形状を有する副画素１１０Ｒと、角が丸い略三角形の上面形状を有する副画素１１０Ｇと、角が丸い略四角形又は略六角形の上面形状を有する副画素１１０Ｂと、を有する。また、副画素１１０Ｒは、副画素１１０Ｇよりも発光面積が広い。このように、各副画素の形状及びサイズはそれぞれ独立に決定できる。例えば、信頼性の高い発光デバイスを有する副画素ほど、サイズを小さくすることができる。
図１４（Ｃ）に示す画素１２４ａ、及び画素１２４ｂには、ペンタイル配列が適用されている。図１４（Ｃ）では、副画素１１０Ｒ及び副画素１１０Ｇを有する画素１２４ａと、副画素１１０Ｇ及び副画素１１０Ｂを有する画素１２４ｂと、が交互に配置されている例を示す。
図１４（Ｄ）乃至図１４（Ｆ）に示す画素１２４ａ、及び画素１２４ｂは、デルタ配列が適用されている。画素１２４ａは上の行（１行目）に、２つの副画素（副画素１１０Ｒ、及び副画素１１０Ｇ）を有し、下の行（２行目）に、１つの副画素（副画素１１０Ｂ）を有する。画素１２４ｂは上の行（１行目）に、１つの副画素（副画素１１０Ｂ）を有し、下の行（２行目）に、２つの副画素（副画素１１０Ｒ、及び副画素１１０Ｇ）を有する。
図１４（Ｄ）は、各副画素が、角が丸い略四角形の上面形状を有する例であり、図１４（Ｅ）は、各副画素が、円形の上面形状を有する例であり、図１４（Ｆ）は、各副画素が、角が丸い略六角形の上面形状を有する例である。
図１４（Ｆ）では、各副画素が、最密に配列した六角形の領域の内側に配置されている。各副画素は、その１つの副画素に着目したとき、６つの副画素に囲まれるように、配置されている。また、同じ色の光を呈する副画素が隣り合わないように設けられている。例えば、副画素１１０Ｒに着目したとき、これを囲むように３つの副画素１１０Ｇと３つの副画素１１０Ｂが、交互に配置されるように、それぞれの副画素が設けられている。
図１４（Ｇ）は、各色の副画素がジグザグに配置されている例である。具体的には、上面視において、列方向に並ぶ２つの副画素（例えば、副画素１１０Ｒと副画素１１０Ｇ、又は、副画素１１０Ｇと副画素１１０Ｂ）の上辺の位置がずれている。
図１４（Ａ）乃至図１４（Ｇ）に示す各画素において、例えば、副画素１１０Ｒを赤色の光を呈する副画素Ｒとし、副画素１１０Ｇを緑色の光を呈する副画素Ｇとし、副画素１１０Ｂを青色の光を呈する副画素Ｂとすることが好ましい。なお、副画素の構成はこれに限定されず、副画素が呈する色とその並び順は適宜決定できる。例えば、副画素１１０Ｇを赤色の光を呈する副画素Ｒとし、副画素１１０Ｒを緑色の光を呈する副画素Ｇとしてもよい。
フォトリソグラフィ法では、加工するパターンが微細になるほど、光の回折の影響を無視できなくなるため、露光によりフォトマスクのパターンを転写する際に忠実性が損なわれ、レジストマスクを所望の形状に加工することが困難になる。そのため、フォトマスクのパターンが矩形であっても、角が丸まったパターンが形成されやすい。したがって、副画素の上面形状が、多角形の角が丸い形状、楕円形、又は円形等になることがある。
さらに、本発明の一態様の発光装置の作製方法では、レジストマスクを用いて有機化合物層を島状に加工する。有機化合物層上に形成したレジスト膜は、有機化合物層の耐熱温度よりも低い温度で硬化する必要がある。そのため、有機化合物層の材料の耐熱温度及びレジスト材料の硬化温度によっては、レジスト膜の硬化が不十分になる場合がある。硬化が不十分なレジスト膜は、加工時に所望の形状から離れた形状をとることがある。その結果、有機化合物層の上面形状が、多角形の角が丸い形状、楕円形、又は円形等になることがある。例えば、上面形状が正方形のレジストマスクを形成しようとした場合に、円形の上面形状のレジストマスクが形成され、有機化合物層の上面形状が円形になることがある。
なお、有機化合物層の上面形状を所望の形状とするために、設計パターンと、転写パターンとが、一致するように、あらかじめマスクパターンを補正する技術（ＯＰＣ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ：光近接効果補正）技術）を用いてもよい。具体的には、ＯＰＣ技術では、例えばマスクパターン上の図形コーナー部に補正用のパターンを追加する。
図１５（Ａ）乃至図１５（Ｉ）に示すように、画素は副画素を４種類有する構成とすることができる。
図１５（Ａ）乃至図１５（Ｃ）に示す画素１７８は、ストライプ配列が適用されている。
図１５（Ａ）は、各副画素が、長方形の上面形状を有する例であり、図１５（Ｂ）は、各副画素が、２つの半円と長方形をつなげた上面形状を有する例であり、図１５（Ｃ）は、各副画素が、楕円形の上面形状を有する例である。
図１５（Ｄ）乃至図１５（Ｆ）に示す画素１７８は、マトリクス配列が適用されている。
図１５（Ｄ）は、各副画素が、正方形の上面形状を有する例であり、図１５（Ｅ）は、各副画素が、角が丸い略正方形の上面形状を有する例であり、図１５（Ｆ）は、各副画素が、円形の上面形状を有する例である。
図１５（Ｇ）及び図１５（Ｈ）では、１つの画素１７８が、２行３列で構成されている例を示す。
図１５（Ｇ）に示す画素１７８は、上の行（１行目）に、３つの副画素（副画素１１０Ｒ、副画素１１０Ｇ、及び副画素１１０Ｂ）を有し、下の行（２行目）に、１つの副画素（副画素１１０Ｗ）を有する。言い換えると、画素１７８は、左の列（１列目）に、副画素１１０Ｒを有し、中央の列（２列目）に副画素１１０Ｇを有し、右の列（３列目）に副画素１１０Ｂを有し、さらに、この３列にわたって、副画素１１０Ｗを有する。
図１５（Ｈ）に示す画素１７８は、上の行（１行目）に、３つの副画素（副画素１１０Ｒ、副画素１１０Ｇ、及び副画素１１０Ｂ）を有し、下の行（２行目）に、３つの副画素１１０Ｗを有する。言い換えると、画素１７８は、左の列（１列目）に、副画素１１０Ｒ及び副画素１１０Ｗを有し、中央の列（２列目）に副画素１１０Ｇ及び副画素１１０Ｗを有し、右の列（３列目）に副画素１１０Ｂ及び副画素１１０Ｗを有する。図１５（Ｈ）に示すように、上の行と下の行との副画素の配置を揃える構成とすることで、例えば製造プロセスで生じうるゴミを効率よく除去することが可能となる。したがって、表示品位の高い発光装置を提供できる。
図１５（Ｇ）及び図１５（Ｈ）に示す画素１７８では、副画素１１０Ｒ、副画素１１０Ｇ、及び副画素１１０Ｂのレイアウトがストライプ配列となるため、表示品位を高めることができる。
図１５（Ｉ）では、１つの画素１７８が、３行２列で構成されている例を示す。
図１５（Ｉ）に示す画素１７８は、上の行（１行目）に、副画素１１０Ｒを有し、中央の行（２行目）に、副画素１１０Ｇを有し、１行目から２行目にわたって副画素１１０Ｂを有し、下の行（３行目）に、１つの副画素（副画素１１０Ｗ）を有する。言い換えると、画素１７８は、左の列（１列目）に、副画素１１０Ｒ、及び副画素１１０Ｇを有し、右の列（２列目）に副画素１１０Ｂを有し、さらに、この２列にわたって、副画素１１０Ｗを有する。
図１５（Ｉ）に示す画素１７８では、副画素１１０Ｒ、副画素１１０Ｇ、及び副画素１１０ＢのレイアウトがいわゆるＳストライプ配列となるため、表示品位を高めることができる。
図１５（Ａ）乃至図１５（Ｉ）に示す画素１７８は、副画素１１０Ｒ、副画素１１０Ｇ、副画素１１０Ｂ、及び副画素１１０Ｗの、４つの副画素から構成される。例えば、副画素１１０Ｒを赤色の光を呈する副画素とし、副画素１１０Ｇを緑色の光を呈する副画素とし、副画素１１０Ｂを青色の光を呈する副画素とし、副画素１１０Ｗを白色の光を呈する副画素とすることができる。なお、副画素１１０Ｒ、副画素１１０Ｇ、副画素１１０Ｂ、及び副画素１１０Ｗのうち少なくとも１つを、シアンの光を呈する副画素、マゼンタの光を呈する副画素、黄色の光を呈する副画素、又は近赤外光を呈する副画素としてもよい。
以上のように、本発明の一態様の発光装置は、発光デバイスを有する副画素からなる構成の画素について、様々なレイアウトを適用できる。
本実施の形態は、他の実施の形態、又は実施例と適宜組み合わせることができる。また、本明細書において、１つの実施の形態の中に、複数の構成例が示される場合は、構成例を適宜組み合わせることが可能である。
（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置について説明する。
本実施の形態の発光装置は、高精細な発光装置とすることができる。したがって、本実施の形態の発光装置は、例えば、腕時計型、及び、ブレスレット型等の情報端末機（ウェアラブル機器）の表示部、並びに、ヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）等のＶＲ向け機器、及び、メガネ型のＡＲ向け機器等の頭部に装着可能なウェアラブル機器の表示部に用いることができる。
また、本実施の形態の発光装置は、高解像度な発光装置又は大型な発光装置とすることができる。したがって、本実施の形態の発光装置は、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型もしくはノート型のパーソナルコンピュータ、コンピュータ用等のモニタ、デジタルサイネージ、及び、パチンコ機等の大型ゲーム機等の比較的大きな画面を備える電子機器の他、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、及び、音響再生装置の表示部に用いることができる。
［表示モジュール］
図１６（Ａ）に、表示モジュール２８０の斜視図を示す。表示モジュール２８０は、発光装置１００Ａと、ＦＰＣ２９０と、を有する。なお、表示モジュール２８０が有する発光装置は発光装置１００Ａに限られず、後述する発光装置１００Ｂおよび発光装置１００Ｃのいずれかであってもよい。
表示モジュール２８０は、基板２９１及び基板２９２を有する。表示モジュール２８０は、表示部２８１を有する。表示部２８１は、表示モジュール２８０における画像を表示する領域であり、後述する画素部２８４に設けられる各画素からの光を視認できる領域である。
図１６（Ｂ）に、基板２９１側の構成を模式的に示した斜視図を示している。基板２９１上には、回路部２８２と、回路部２８２上の画素回路部２８３と、画素回路部２８３上の画素部２８４と、が積層されている。また、基板２９１上の画素部２８４と重ならない部分に、ＦＰＣ２９０と接続するための端子部２８５が設けられている。端子部２８５と回路部２８２とは、複数の配線により構成される配線部２８６により電気的に接続されている。
画素部２８４は、周期的に配列した複数の画素２８４ａを有する。図１６（Ｂ）の右側に、１つの画素２８４ａの拡大図を示している。画素２８４ａには、先の実施の形態で説明した各種構成を適用できる。図１６（Ｂ）では、画素２８４ａが図４に示す画素１７８と同様の構成を有する場合を例に示す。
画素回路部２８３は、周期的に配列した複数の画素回路２８３ａを有する。
１つの画素回路２８３ａは、１つの画素２８４ａが有する複数の素子の駆動を制御する回路である。１つの画素回路２８３ａは、１つの発光デバイスの発光を制御する回路が３つ設けられる構成とすることができる。例えば、画素回路２８３ａは、１つの発光デバイスにつき、１つの選択トランジスタと、１つの電流制御用トランジスタ（駆動トランジスタ）と、容量と、を少なくとも有する構成とすることができる。このとき、選択トランジスタのゲートにはゲート信号が、ソース又はドレインにはビデオ信号が、それぞれ入力される。これにより、アクティブマトリクス型の発光装置が実現されている。
回路部２８２は、画素回路部２８３の各画素回路２８３ａを駆動する回路を有する。例えば、ゲート線駆動回路、及び、ソース線駆動回路の一方又は双方を有することが好ましい。このほか、演算回路、メモリ回路、及び電源回路等の少なくとも一つを有していてもよい。
ＦＰＣ２９０は、外部から回路部２８２にビデオ信号又は電源電位等を供給するための配線として機能する。また、ＦＰＣ２９０上にＩＣが実装されていてもよい。
表示モジュール２８０は、画素部２８４の下側に画素回路部２８３及び回路部２８２の一方又は双方が積層された構成とすることができるため、表示部２８１の開口率（有効表示面積比）を極めて高くすることができる。例えば表示部２８１の開口率は、４０％以上１００％未満、好ましくは５０％以上９５％以下、より好ましくは６０％以上９５％以下とすることができる。また、画素２８４ａを極めて高密度に配置することが可能で、表示部２８１の精細度を極めて高くすることができる。例えば、表示部２８１には、２０００ｐｐｉ以上、好ましくは３０００ｐｐｉ以上、より好ましくは５０００ｐｐｉ以上、さらに好ましくは６０００ｐｐｉ以上であって、２００００ｐｐｉ以下、又は３００００ｐｐｉ以下の精細度で、画素２８４ａが配置されることが好ましい。
このような表示モジュール２８０は、極めて高精細であることから、ＨＭＤ等のＶＲ向け機器又はメガネ型のＡＲ向け機器に好適に用いることができる。例えば、レンズを通して表示モジュール２８０の表示部を視認する構成の場合であっても、表示モジュール２８０は極めて高精細な表示部２８１を有するためにレンズで表示部を拡大しても画素が視認されず、没入感の高い表示を行うことができる。また、表示モジュール２８０はこれに限られず、比較的小型の表示部を有する電子機器に好適に用いることができる。例えば腕時計等の装着型の電子機器の表示部に好適に用いることができる。
［発光装置１００Ａ］
図１７（Ａ）に示す発光装置１００Ａは、基板３０１、発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、発光デバイス１３０Ｂ、容量２４０、及び、トランジスタ３１０を有する。
基板３０１は、図１６（Ａ）及び図１６（Ｂ）における基板２９１に相当する。トランジスタ３１０は、基板３０１にチャネル形成領域を有するトランジスタである。基板３０１としては、例えば単結晶シリコン基板等の半導体基板を用いることができる。トランジスタ３１０は、基板３０１の一部、導電層３１１、低抵抗領域３１２、絶縁層３１３、及び、絶縁層３１４を有する。導電層３１１は、ゲート電極として機能する。絶縁層３１３は、基板３０１と導電層３１１の間に位置し、ゲート絶縁層として機能する。低抵抗領域３１２は、基板３０１に不純物がドープされた領域であり、ソース又はドレインとして機能する。絶縁層３１４は、導電層３１１の側面を覆って設けられる。
また、基板３０１に埋め込まれるように、隣接する２つのトランジスタ３１０の間に素子分離層３１５が設けられている。
また、トランジスタ３１０を覆って絶縁層２６１が設けられ、絶縁層２６１上に容量２４０が設けられている。
容量２４０は、導電層２４１と、導電層２４５と、これらの間に位置する絶縁層２４３を有する。導電層２４１は、容量２４０の一方の電極として機能し、導電層２４５は、容量２４０の他方の電極として機能し、絶縁層２４３は、容量２４０の誘電体として機能する。
導電層２４１は絶縁層２６１上に設けられ、絶縁層２５４に埋め込まれている。導電層２４１は、絶縁層２６１に埋め込まれたプラグ２７１によってトランジスタ３１０のソース又はドレインの一方と電気的に接続されている。絶縁層２４３は導電層２４１を覆って設けられる。導電層２４５は、絶縁層２４３を介して導電層２４１と重なる領域に設けられている。
容量２４０を覆って、絶縁層２５５が設けられ、絶縁層２５５上に絶縁層１７４が設けられ、絶縁層１７４上に絶縁層１７５が設けられている。絶縁層１７５上に発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び、発光デバイス１３０Ｂが設けられている。図１７（Ａ）では、発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び、発光デバイス１３０Ｂが図７（Ａ）に示す積層構造を有する例を示す。隣り合う発光デバイスの間の領域には、絶縁物が設けられる。例えば図１７（Ａ）では、当該領域に無機絶縁層１２５と、無機絶縁層１２５上の絶縁層１２７と、が設けられている。
発光デバイス１３０Ｒが有する導電層１５１Ｒの側面と重なる領域を有するように絶縁層１５６Ｒが設けられ、発光デバイス１３０Ｇが有する導電層１５１Ｇの側面と重なる領域を有するように絶縁層１５６Ｇが設けられ、発光デバイス１３０Ｂが有する導電層１５１Ｂの側面と重なる領域を有するように絶縁層１５６Ｂが設けられる。また、導電層１５１Ｒ及び絶縁層１５６Ｒを覆うように導電層１５２Ｒが設けられ、導電層１５１Ｇ及び絶縁層１５６Ｇを覆うように導電層１５２Ｇが設けられ、導電層１５１Ｂ及び絶縁層１５６Ｂを覆うように導電層１５２Ｂが設けられる。さらに、発光デバイス１３０Ｒが有する有機化合物層１０３Ｒ上には、犠牲層１５８Ｒが位置し、発光デバイス１３０Ｇが有する有機化合物層１０３Ｇ上には、犠牲層１５８Ｇが位置し、発光デバイス１３０Ｂが有する有機化合物層１０３Ｂ上には、犠牲層１５８Ｂが位置する。
導電層１５１Ｒ、導電層１５１Ｇ、及び導電層１５１Ｂは、絶縁層２４３、絶縁層２５５、絶縁層１７４、及び絶縁層１７５に埋め込まれたプラグ２５６、絶縁層２５４に埋め込まれた導電層２４１、及び、絶縁層２６１に埋め込まれたプラグ２７１によってトランジスタ３１０のソース又はドレインの一方と電気的に接続されている。絶縁層１７５の上面の高さと、プラグ２５６の上面の高さは、一致又は概略一致している。プラグには各種導電材料を用いることができる。
また、発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び、発光デバイス１３０Ｂ上には保護層１３１が設けられている。保護層１３１上には、樹脂層１２２によって基板１２０が貼り合わされている。発光デバイス１３０から基板１２０までの構成要素についての詳細は、実施の形態２を参照できる。基板１２０は、図１６（Ａ）における基板２９２に相当する。
図１７（Ｂ）は、図１７（Ａ）に示す発光装置１００Ａの変形例である。図１７（Ｂ）に示す発光装置は、着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、及び着色層１３２Ｂを有し、発光デバイス１３０が着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、及び着色層１３２Ｂのうち一つと重なる領域を有する。図１７（Ｂ）に示す発光装置において、発光デバイス１３０は、例えば白色光を発することができる。また、例えば着色層１３２Ｒは赤色の光を透過し、着色層１３２Ｇは緑色の光を透過し、着色層１３２Ｂは青色の光を透過できる。
［発光装置１００Ｂ］
図１８に、発光装置１００Ｂの斜視図を示し、図１９（Ａ）に、発光装置１００Ｂの断面図を示す。
発光装置１００Ｂは、基板３５２と基板３５１とが貼り合わされた構成を有する。図１８では、基板３５２を破線で明示している。
発光装置１００Ｂは、画素部１７７、接続部１４０、回路３５６、及び配線３５５等を有する。図１８では発光装置１００ＢにＩＣ３５４及びＦＰＣ３５３が実装されている例を示している。このため、図１８に示す構成は、発光装置１００Ｂと、ＩＣ（集積回路）と、ＦＰＣと、を有する表示モジュールということもできる。ここで、発光装置の基板に、ＦＰＣ等のコネクタが取り付けられたもの、又は当該基板にＩＣが実装されたものを、表示モジュールと呼ぶ。
接続部１４０は、画素部１７７の外側に設けられる。接続部１４０は、画素部１７７の一辺又は複数の辺に沿って設けることができる。接続部１４０は、単数であっても複数であってもよい。図１８では、画素部１７７の四辺を囲むように接続部１４０が設けられている例を示す。接続部１４０では、発光デバイスの共通電極と、導電層とが電気的に接続されており、共通電極に電位を供給できる。
回路３５６としては、例えば走査線駆動回路を用いることができる。
配線３５５は、画素部１７７及び回路３５６に信号及び電力を供給する機能を有する。当該信号及び電力は、ＦＰＣ３５３を介して外部から、又はＩＣ３５４から配線３５５に入力される。
図１８では、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式又はＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）方式等により、基板３５１にＩＣ３５４が設けられている例を示す。ＩＣ３５４は、例えば走査線駆動回路又は信号線駆動回路等を有するＩＣを適用できる。なお、発光装置１００Ｂ及び表示モジュールは、ＩＣを設けない構成としてもよい。また、ＩＣを、例えばＣＯＦ方式により、ＦＰＣに実装してもよい。
図１９（Ａ）に、発光装置１００Ｂの、ＦＰＣ３５３を含む領域の一部、回路３５６の一部、画素部１７７の一部、接続部１４０の一部、及び、端部を含む領域の一部をそれぞれ切断したときの断面の一例を示す。
図１９（Ａ）に示す発光装置１００Ｂは、基板３５１と基板３５２の間に、トランジスタ２０１、トランジスタ２０５、赤色の光を発する発光デバイス１３０Ｒ、緑色の光を発する発光デバイス１３０Ｇ、及び、青色の光を発する発光デバイス１３０Ｂ等を有する。
発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び発光デバイス１３０Ｂは、画素電極の構成が異なる点以外は、それぞれ、図７（Ａ）に示す積層構造を有する。発光デバイスの詳細は実施の形態１および実施の形態２を参照できる。
発光デバイス１３０Ｒは、導電層２２４Ｒと、導電層２２４Ｒ上の導電層１５１Ｒと、導電層１５１Ｒ上の導電層１５２Ｒと、を有する。発光デバイス１３０Ｇは、導電層２２４Ｇと、導電層２２４Ｇ上の導電層１５１Ｇと、導電層１５１Ｇ上の導電層１５２Ｇと、を有する。発光デバイス１３０Ｂは、導電層２２４Ｂと、導電層２２４Ｂ上の導電層１５１Ｂと、導電層１５１Ｂ上の導電層１５２Ｂと、を有する。ここで、導電層２２４Ｒ、導電層１５１Ｒ、及び導電層１５２Ｒの全てをまとめて、発光デバイス１３０Ｒの画素電極と呼ぶこともでき、導電層２２４Ｒを除いた導電層１５１Ｒ及び導電層１５２Ｒを、発光デバイス１３０Ｒの画素電極と呼ぶこともできる。同様に、導電層２２４Ｇ、導電層１５１Ｇ、及び導電層１５２Ｇの全てをまとめて、発光デバイス１３０Ｇの画素電極と呼ぶこともでき、導電層２２４Ｇを除いた導電層１５１Ｇ及び導電層１５２Ｇを、発光デバイス１３０Ｇの画素電極と呼ぶこともできる。また、導電層２２４Ｂ、導電層１５１Ｂ、及び導電層１５２Ｂの全てをまとめて、発光デバイス１３０Ｂの画素電極と呼ぶこともでき、導電層２２４Ｂを除いた導電層１５１Ｂ及び導電層１５２Ｂを、発光デバイス１３０Ｂの画素電極と呼ぶこともできる。
導電層２２４Ｒは、絶縁層２１４に設けられた開口を介して、トランジスタ２０５が有する導電層２２２ｂと接続されている。導電層２２４Ｒの端部よりも外側に導電層１５１Ｒの端部が位置している。導電層１５１Ｒの側面と接する領域を有するように絶縁層１５６Ｒが設けられ、導電層１５１Ｒ及び絶縁層１５６Ｒを覆うように導電層１５２Ｒが設けられる。
発光デバイス１３０Ｇにおける導電層２２４Ｇ、導電層１５１Ｇ、導電層１５２Ｇ、絶縁層１５６Ｇ、及び発光デバイス１３０Ｂにおける導電層２２４Ｂ、導電層１５１Ｂ、導電層１５２Ｂ、絶縁層１５６Ｂについては、発光デバイス１３０Ｒにおける導電層２２４Ｒ、導電層１５１Ｒ、導電層１５２Ｒ、絶縁層１５６Ｒと同様であるため詳細な説明は省略する。
導電層２２４Ｒ、導電層２２４Ｇ、及び導電層２２４Ｂには、絶縁層２１４に設けられた開口を覆うように凹部が形成される。当該凹部には、層１２８が埋め込まれている。
層１２８は、導電層２２４Ｒ、導電層２２４Ｇ、及び導電層２２４Ｂの凹部を平坦化する機能を有する。導電層２２４Ｒ、導電層２２４Ｇ、導電層２２４Ｂ及び層１２８上には、導電層２２４Ｒ、導電層２２４Ｇ、及び導電層２２４Ｂと電気的に接続される導電層１５１Ｒ、導電層１５１Ｇ、及び導電層１５１Ｂが設けられている。したがって、導電層２２４Ｒ、導電層２２４Ｇ、及び導電層２２４Ｂの凹部と重なる領域も発光領域として使用でき、画素の開口率を高めることができる。
層１２８は、絶縁層であってもよく、導電層であってもよい。層１２８には、各種無機絶縁材料、有機絶縁材料、及び導電材料を適宜用いることができる。特に、層１２８は、絶縁材料を用いて形成されることが好ましく、有機絶縁材料を用いて形成されることが特に好ましい。層１２８には、例えば前述の絶縁層１２７に用いることができる有機絶縁材料を適用できる。
発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び発光デバイス１３０Ｂ上には保護層１３１が設けられている。保護層１３１と基板３５２は接着層１４２を介して接着されている。基板３５２には、遮光層１５７が設けられている。発光デバイス１３０の封止には、固体封止構造又は中空封止構造等が適用できる。図１９（Ａ）では、基板３５２と基板３５１との間の空間が、接着層１４２で充填されており、固体封止構造が適用されている。又は、当該空間を不活性ガス（窒素又はアルゴン等）で充填し、中空封止構造を適用してもよい。このとき、接着層１４２は、発光デバイスと重ならないように設けられていてもよい。また、当該空間を、枠状に設けられた接着層１４２とは異なる樹脂で充填してもよい。
図１９（Ａ）では、接続部１４０が、導電層２２４Ｒ、導電層２２４Ｇ、及び導電層２２４Ｂと同一の導電膜を加工して得られた導電層２２４Ｃと、導電層１５１Ｒ、導電層１５１Ｇ、及び導電層１５１Ｂと同一の導電膜を加工して得られた導電層１５１Ｃと、導電層１５２Ｒ、導電層１５２Ｇ、及び導電層１５２Ｂと同一の導電膜を加工して得られた導電層１５２Ｃと、を有する例を示している。また、図１９（Ａ）では、導電層１５１Ｃの側面と重なる領域を有するように絶縁層１５６Ｃが設けられる例を示している。
発光装置１００Ｂは、トップエミッション型である。発光デバイスが発する光は、基板３５２側に射出される。基板３５２には、可視光に対する透過性が高い材料を用いることが好ましい。画素電極は可視光を反射する材料を含み、対向電極（共通電極１５５）は可視光を透過する材料を含む。
トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５は、いずれも基板３５１上に形成されている。これらのトランジスタは、同一の材料及び同一の工程により作製できる。
基板３５１上には、絶縁層２１１、絶縁層２１３、絶縁層２１５、及び絶縁層２１４がこの順で設けられている。絶縁層２１１は、その一部が各トランジスタのゲート絶縁層として機能する。絶縁層２１３は、その一部が各トランジスタのゲート絶縁層として機能する。絶縁層２１５は、トランジスタを覆って設けられる。絶縁層２１４は、トランジスタを覆って設けられ、平坦化層としての機能を有する。なお、ゲート絶縁層の数及びトランジスタを覆う絶縁層の数は限定されず、それぞれ単層であっても２層以上であってもよい。
トランジスタを覆う絶縁層の少なくとも一層に、水及び水素等の不純物が拡散しにくい材料を用いることが好ましい。これにより、絶縁層をバリア層として機能させることができる。このような構成とすることで、トランジスタに外部から不純物が拡散することを効果的に抑制でき、発光装置の信頼性を高めることができる。
絶縁層２１１、絶縁層２１３、及び絶縁層２１５としては、それぞれ、無機絶縁膜を用いることが好ましい。無機絶縁膜としては、例えば、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、又は窒化アルミニウム膜等を用いることができる。また、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム膜、及び酸化ネオジム膜等を用いてもよい。また、上述の絶縁膜を２以上積層して用いてもよい。
平坦化層として機能する絶縁層２１４には、有機絶縁層が好適である。有機絶縁層に用いることができる材料としては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれら樹脂の前駆体等が挙げられる。また、絶縁層２１４を、有機絶縁層と、無機絶縁層との積層構造にしてもよい。絶縁層２１４の最表層は、エッチング保護層としての機能を有することが好ましい。これにより、導電層２２４Ｒ、導電層１５１Ｒ、又は導電層１５２Ｒ等の加工時に、絶縁層２１４に凹部が形成されることを抑制できる。又は、絶縁層２１４には、導電層２２４Ｒ、導電層１５１Ｒ、又は導電層１５２Ｒ等の加工時に、凹部が設けられてもよい。
トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５は、ゲートとして機能する導電層２２１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１１、ソース及びドレインとして機能する導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂ、半導体層２３１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１３、並びに、ゲートとして機能する導電層２２３を有する。ここでは、同一の導電膜を加工して得られる複数の層に、同じハッチングパターンを付している。絶縁層２１１は、導電層２２１と半導体層２３１との間に位置する。絶縁層２１３は、導電層２２３と半導体層２３１との間に位置する。
本実施の形態の発光装置が有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、プレーナ型のトランジスタ、スタガ型のトランジスタ、又は逆スタガ型のトランジスタ等を用いることができる。また、トップゲート型又はボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。又は、チャネルが形成される半導体層の上下にゲートが設けられていてもよい。
トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５には、チャネルが形成される半導体層を２つのゲートで挟持する構成が適用されている。２つのゲートを接続し、これらに同一の信号を供給することによりトランジスタを駆動してもよい。又は、２つのゲートのうち、一方に閾値電圧を制御するための電位を与え、他方に駆動のための電位を与えることで、トランジスタの閾値電圧を制御してもよい。
トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、又は一部に結晶領域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。
トランジスタの半導体層は、金属酸化物を有することが好ましい。つまり、本実施の形態の発光装置は、金属酸化物をチャネル形成領域に用いたトランジスタ（以下、ＯＳトランジスタ）を用いることが好ましい。
結晶性を有する酸化物半導体としては、ＣＡＡＣ（ｃ－ａｘｉｓ－ａｌｉｇｎｅｄ ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）－ＯＳ、又はｎｃ（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）－ＯＳ等が挙げられる。
又は、シリコンをチャネル形成領域に用いたトランジスタ（Ｓｉトランジスタ）を用いてもよい。シリコンとしては、単結晶シリコン、多結晶シリコン、又は非晶質シリコン等が挙げられる。特に、半導体層に低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｐｏｌｙ Ｓｉｌｉｃｏｎ））を有するトランジスタ（以下、ＬＴＰＳトランジスタともいう）を用いることができる。ＬＴＰＳトランジスタは、電界効果移動度が高く、周波数特性が良好である。
ＬＴＰＳトランジスタ等のＳｉトランジスタを適用することで、高周波数で駆動する必要のある回路（例えばソースドライバ回路）を表示部と同一基板上に作り込むことができる。これにより、発光装置に実装される外部回路を簡略化でき、部品コスト及び実装コストを削減できる。
ＯＳトランジスタは、非晶質シリコンを用いたトランジスタと比較して電界効果移動度が極めて高い。また、ＯＳトランジスタは、オフ状態におけるソース－ドレイン間のリーク電流（以下、オフ電流ともいう）が著しく小さく、当該トランジスタと直列に接続された容量に蓄積した電荷を長期間に亘って保持することが可能である。また、ＯＳトランジスタを適用することで、発光装置の消費電力を低減できる。
また、画素回路に含まれる発光デバイスの発光輝度を高くする場合、発光デバイスに流す電流量を大きくする必要がある。このためには、画素回路に含まれている駆動トランジスタのソース－ドレイン間電圧を高くする必要がある。ＯＳトランジスタは、Ｓｉトランジスタと比較して、ソース－ドレイン間において耐圧が高いため、ＯＳトランジスタのソース－ドレイン間には高い電圧を印加できる。したがって、画素回路に含まれる駆動トランジスタをＯＳトランジスタとすることで、発光デバイスに流れる電流量を大きくし、発光デバイスの発光輝度を高くすることができる。
また、トランジスタが飽和領域で動作する場合において、ＯＳトランジスタは、Ｓｉトランジスタよりも、ゲート－ソース間電圧の変化に対して、ソース－ドレイン間電流の変化を小さくすることができる。このため、画素回路に含まれる駆動トランジスタとしてＯＳトランジスタを適用することによって、ゲート－ソース間電圧の変化によって、ソース－ドレイン間に流れる電流を細かく定めることができるため、発光デバイスに流れる電流量を制御できる。このため、画素回路における階調を大きくすることができる。
また、トランジスタが飽和領域で動作するときに流れる電流の飽和特性において、ＯＳトランジスタは、ソース－ドレイン間電圧が徐々に高くなった場合においても、Ｓｉトランジスタよりも安定した電流（飽和電流）を流すことができる。このため、ＯＳトランジスタを駆動トランジスタとして用いることで、例えば、発光デバイスの電流－電圧特性にばらつきが生じた場合においても、発光デバイスに安定した電流を流すことができる。つまり、ＯＳトランジスタは、飽和領域で動作する場合において、ソース－ドレイン間電圧を高くしても、ソース－ドレイン間電流がほぼ変化しないため、発光デバイスの発光輝度を安定させることができる。
上記のとおり、画素回路に含まれる駆動トランジスタにＯＳトランジスタを用いることで、「黒浮きの抑制」、「発光輝度の上昇」、「多階調化」、及び「発光デバイスのばらつきの抑制」等を図ることができる。
半導体層は、例えば、インジウムと、Ｍ（Ｍは、ガリウム、アルミニウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、スズ、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、及びマグネシウムから選ばれた一種又は複数種）と、亜鉛と、を有することが好ましい。特に、Ｍは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、及びスズから選ばれた一種又は複数種であることが好ましい。
特に、半導体層として、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物（ＩＧＺＯとも記す）を用いることが好ましい。又は、インジウム、スズ、及び亜鉛を含む酸化物を用いることが好ましい。又は、インジウム、ガリウム、スズ、及び亜鉛を含む酸化物を用いることが好ましい。又は、インジウム（Ｉｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物（ＩＡＺＯとも記す）を用いることが好ましい。又は、インジウム（Ｉｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物（ＩＡＧＺＯとも記す）を用いることが好ましい。
半導体層がＩｎ－Ｍ－Ｚｎ酸化物の場合、当該Ｉｎ－Ｍ－Ｚｎ酸化物におけるＩｎの原子数比はＭの原子数比以上であることが好ましい。このようなＩｎ－Ｍ－Ｚｎ酸化物の金属元素の原子数比として、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１．２又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝２：１：３又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝３：１：２又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：３又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：４．１又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：３又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：６又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：７又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：８又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝６：１：６又はその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：２：５又はその近傍の組成、等が挙げられる。なお、近傍の組成とは、所望の原子数比の±３０％の範囲を含む。
例えば、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：３又はその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎの原子数比を４としたとき、Ｇａの原子数比が１以上３以下であり、Ｚｎの原子数比が２以上４以下である場合を含む。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝５：１：６又はその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎの原子数比を５としたときに、Ｇａの原子数比が０．１より大きく２以下であり、Ｚｎの原子数比が５以上７以下である場合を含む。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１又はその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎの原子数比を１としたときに、Ｇａの原子数比が０．１より大きく２以下であり、Ｚｎの原子数比が０．１より大きく２以下である場合を含む。
回路３５６が有するトランジスタと、画素部１７７が有するトランジスタは、同じ構造であってもよく、異なる構造であってもよい。回路３５６が有する複数のトランジスタの構造は、全て同じであってもよく、２種類以上あってもよい。同様に、画素部１７７が有する複数のトランジスタの構造は、全て同じであってもよく、２種類以上あってもよい。
画素部１７７が有するトランジスタの全てをＯＳトランジスタとしてもよく、画素部１７７が有するトランジスタの全てをＳｉトランジスタとしてもよく、画素部１７７が有するトランジスタの一部をＯＳトランジスタとし、残りをＳｉトランジスタとしてもよい。
例えば、画素部１７７にＬＴＰＳトランジスタとＯＳトランジスタとの双方を用いることで、消費電力が低く、駆動能力の高い発光装置を実現できる。また、ＬＴＰＳトランジスタと、ＯＳトランジスタとを、組み合わせる構成をＬＴＰＯと呼称する場合がある。なお、例えば配線の導通、非導通を制御するためのスイッチとして機能するトランジスタにＯＳトランジスタを適用し、電流を制御するトランジスタにＬＴＰＳトランジスタを適用することが好ましい。
例えば、画素部１７７が有するトランジスタの一は、発光デバイスに流れる電流を制御するためのトランジスタとして機能し、駆動トランジスタと呼ぶことができる。駆動トランジスタのソース及びドレインの一方は、発光デバイスの画素電極と電気的に接続される。当該駆動トランジスタには、ＬＴＰＳトランジスタを用いることが好ましい。これにより、画素回路において発光デバイスに流れる電流を大きくできる。
一方、画素部１７７が有するトランジスタの他の一は、画素の選択、非選択を制御するためのスイッチとして機能し、選択トランジスタとも呼ぶことができる。選択トランジスタのゲートはゲート線と電気的に接続され、ソース及びドレインの一方は、ソース線（信号線）と電気的に接続される。選択トランジスタには、ＯＳトランジスタを適用することが好ましい。これにより、フレーム周波数を著しく小さく（例えば１ｆｐｓ以下）しても、画素の階調を維持できるため、静止画を表示する際にドライバを停止することで、消費電力を低減できる。
このように本発明の一態様の発光装置は、高い開口率と、高い精細度と、高い表示品位と、低い消費電力と、を兼ね備えることができる。
なお、本発明の一態様の発光装置は、ＯＳトランジスタを有し、且つＭＭＬ（メタルマスクレス）構造の発光デバイスを有する構成である。当該構成とすることで、トランジスタに流れうるリーク電流、及び隣接する発光デバイス間に流れうるリーク電流（横方向リーク電流、横リーク電流、又はラテラルリーク電流と呼称する場合がある）を、極めて低くすることができる。また、上記構成とすることで、発光装置に画像を表示した場合に、観察者が画像のきれ、画像のするどさ、高い彩度、及び高いコントラスト比のいずれか一又は複数を観測できる。なお、トランジスタに流れうるリーク電流、及び発光デバイス間の横リーク電流が極めて低い構成とすることで、黒表示時に生じうる光漏れ（いわゆる黒浮き）等が限りなく少ない表示とすることができる。
特に、ＭＭＬ構造の発光デバイスの中でも、先に示すＳＢＳ（Ｓｉｄｅ Ｂｙ Ｓｉｄｅ）構造を適用することで、発光デバイスの間に設けられる層（例えば、発光デバイスの間で共通して用いる有機層、共通層ともいう）が分断された構成となるため、サイドリークをなくす、又はサイドリークを極めて少なくすることができる。
図１９（Ｂ）及び図１９（Ｃ）に、トランジスタの他の構成例を示す。
トランジスタ２０９及びトランジスタ２１０は、ゲートとして機能する導電層２２１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１１、チャネル形成領域２３１ｉ及び一対の低抵抗領域２３１ｎを有する半導体層２３１、一対の低抵抗領域２３１ｎの一方と接続する導電層２２２ａ、一対の低抵抗領域２３１ｎの他方と接続する導電層２２２ｂ、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２２５、ゲートとして機能する導電層２２３、並びに、導電層２２３を覆う絶縁層２１５を有する。絶縁層２１１は、導電層２２１とチャネル形成領域２３１ｉとの間に位置する。絶縁層２２５は、少なくとも導電層２２３とチャネル形成領域２３１ｉとの間に位置する。さらに、トランジスタを覆う絶縁層２１８を設けてもよい。
図１９（Ｂ）に示すトランジスタ２０９では、絶縁層２２５が半導体層２３１の上面及び側面を覆う例を示す。導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂは、それぞれ、絶縁層２２５及び絶縁層２１５に設けられた開口を介して低抵抗領域２３１ｎと接続される。導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂのうち、一方はソースとして機能し、他方はドレインとして機能する。
一方、図１９（Ｃ）に示すトランジスタ２１０では、絶縁層２２５は、半導体層２３１のチャネル形成領域２３１ｉと重なり、低抵抗領域２３１ｎとは重ならない。例えば、導電層２２３をマスクとして絶縁層２２５を加工することで、図１９（Ｃ）に示す構造を作製できる。図１９（Ｃ）では、絶縁層２２５及び導電層２２３を覆って絶縁層２１５が設けられ、絶縁層２１５の開口を介して、導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂがそれぞれ低抵抗領域２３１ｎと接続されている。
基板３５１の、基板３５２が重ならない領域には、接続部２０４が設けられている。接続部２０４では、配線３５５が導電層１６６及び接続層２４２を介してＦＰＣ３５３と電気的に接続されている。導電層１６６は、導電層２２４Ｒ、導電層２２４Ｇ、及び導電層２２４Ｂと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、導電層１５１Ｒ、導電層１５１Ｇ、及び導電層１５１Ｂと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、導電層１５２Ｒ、導電層１５２Ｇ、及び導電層１５２Ｂと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、の積層構造である例を示す。接続部２０４の上面では、導電層１６６が露出している。これにより、接続部２０４とＦＰＣ３５３とを接続層２４２を介して電気的に接続できる。
基板３５２の基板３５１側の面には、遮光層１５７を設けることが好ましい。遮光層１５７は、隣り合う発光デバイスの間、接続部１４０、及び、回路３５６等に設けることができる。また、基板３５２の外側には各種光学部材を配置できる。
基板３５１及び基板３５２としては、それぞれ、基板１２０に用いることができる材料を適用できる。
接着層１４２としては、樹脂層１２２に用いることができる材料を適用できる。
接続層２４２としては、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）、又は異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）等を用いることができる。
［発光装置１００Ｈ］
図２０に示す発光装置１００Ｈは、ボトムエミッション型の発光装置である点で、図１９（Ａ）に示す発光装置１００Ｂと主に相違する。
発光デバイスが発する光は、基板３５１側に射出される。基板３５１には、可視光に対する透過性が高い材料を用いることが好ましい。一方、基板３５２に用いる材料の透光性は問わない。
基板３５１とトランジスタ２０１との間、基板３５１とトランジスタ２０５との間には、遮光層１５７を形成することが好ましい。図２０では、基板３５１上に遮光層１５７が設けられ、遮光層１５７上に絶縁層１５３が設けられ、絶縁層１５３上にトランジスタ２０１、２０５などが設けられている例を示す。
発光デバイス１３０Ｒは、導電層１１２Ｒと、導電層１１２Ｒ上の導電層１２６Ｒと、導電層１２６Ｒ上の導電層１２９Ｒと、を有する。
発光デバイス１３０Ｂは、導電層１１２Ｂと、導電層１１２Ｂ上の導電層１２６Ｂと、導電層１２６Ｂ上の導電層１２９Ｂと、を有する。
導電層１１２Ｒ、１１２Ｂ、１２６Ｒ、１２６Ｂ、１２９Ｒ、１２９Ｂには、それぞれ、可視光に対する透過性が高い材料を用いる。共通電極１５５には可視光を反射する材料を用いることが好ましい。また、共通電極１５５上に、保護層１３１を設けるとよい。
なお、図２０では、発光デバイス１３０Ｇを図示していないが、発光デバイス１３０Ｇも設けられている。
また、図２０などでは、層１２８の上面が平坦部を有する例を示すが、層１２８の形状は、特に限定されない。
［発光装置１００Ｃ］
図２１（Ａ）に示す発光装置１００Ｃは、図１９（Ａ）に示す発光装置１００Ｂの変形例であり、着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、及び着色層１３２Ｂを有する点で、発光装置１００Ｂと主に相違する。
発光装置１００Ｃにおいて、発光デバイス１３０は、着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、及び着色層１３２Ｂのうち一つと重なる領域を有する。着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、及び着色層１３２Ｂは、基板３５２の基板３５１側の面に設けることができる。着色層１３２Ｒの端部、着色層１３２Ｇの端部、及び着色層１３２Ｂの端部は、遮光層１５７と重ねることができる。
発光装置１００Ｃにおいて、発光デバイス１３０は、例えば白色光を発することができる。また、例えば着色層１３２Ｒは赤色の光を透過し、着色層１３２Ｇは緑色の光を透過し、着色層１３２Ｂは青色の光を透過できる。なお、発光装置１００Ｃは、保護層１３１と接着層１４２の間に着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、及び着色層１３２Ｂを設ける構成としてもよい。
図１９（Ａ）及び図２１（Ａ）等では、層１２８の上面が平坦部を有する例を示すが、層１２８の形状は、特に限定されない。図２１（Ｂ）乃至図２１（Ｄ）に、層１２８の変形例を示す。
図２１（Ｂ）及び図２１（Ｄ）に示すように、層１２８の上面は、断面視において、中央及びその近傍が窪んだ形状、つまり、凹曲面を有する形状を有する構成とすることができる。
また、図２１（Ｃ）に示すように、層１２８の上面は、断面視において、中央及びその近傍が膨らんだ形状、つまり、凸曲面を有する形状を有する構成とすることができる。
また、層１２８の上面は、凸曲面及び凹曲面の一方又は双方を有していてもよい。また、層１２８の上面が有する凸曲面及び凹曲面の数はそれぞれ限定されず、一つ又は複数とすることができる。
また、層１２８の上面の高さと、導電層２２４Ｒの上面の高さと、は、一致又は概略一致していてもよく、互いに異なっていてもよい。例えば、層１２８の上面の高さは、導電層２２４Ｒの上面の高さより低くてもよく、高くてもよい。
また、図２１（Ｂ）は、導電層２２４Ｒに形成された凹部の内部に層１２８が収まっている例ともいえる。一方、図２１（Ｄ）のように、導電層２２４Ｒに形成された凹部の外側に層１２８が存在する、つまり、当該凹部よりも層１２８の上面の幅が広がって形成されていてもよい。
本実施の形態は、他の実施の形態、又は実施例と適宜組み合わせることができる。また、本明細書において、１つの実施の形態の中に、複数の構成例が示される場合は、構成例を適宜組み合わせることが可能である。
（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器について説明する。
本実施の形態の電子機器は、表示部に本発明の一態様の発光装置を有する。本発明の一態様の発光装置は信頼性が高く、また高精細化及び高解像度化が容易である。したがって、様々な電子機器の表示部に用いることができる。
電子機器としては、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型もしくはノート型のパーソナルコンピュータ、コンピュータ用等のモニタ、デジタルサイネージ、パチンコ機等の大型ゲーム機等の比較的大きな画面を備える電子機器の他、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、等が挙げられる。
特に、本発明の一態様の発光装置は、精細度を高めることが可能なため、比較的小さな表示部を有する電子機器に好適に用いることができる。このような電子機器としては、例えば、腕時計型及びブレスレット型の情報端末機（ウェアラブル機器）、並びに、ヘッドマウントディスプレイ等のＶＲ向け機器、メガネ型のＡＲ向け機器、及び、ＭＲ向け機器等、頭部に装着可能なウェアラブル機器等が挙げられる。
本発明の一態様の発光装置は、ＨＤ（画素数１２８０×７２０）、ＦＨＤ（画素数１９２０×１０８０）、ＷＱＨＤ（画素数２５６０×１４４０）、ＷＱＸＧＡ（画素数２５６０×１６００）、４Ｋ（画素数３８４０×２１６０）、８Ｋ（画素数７６８０×４３２０）といった極めて高い解像度を有していることが好ましい。特に４Ｋ、８Ｋ、又はそれ以上の解像度とすることが好ましい。また、本発明の一態様の発光装置における画素密度（精細度）は、１００ｐｐｉ以上が好ましく、３００ｐｐｉ以上が好ましく、５００ｐｐｉ以上がより好ましく、１０００ｐｐｉ以上がより好ましく、２０００ｐｐｉ以上がより好ましく、３０００ｐｐｉ以上がより好ましく、５０００ｐｐｉ以上がより好ましく、７０００ｐｐｉ以上がさらに好ましい。このように高い解像度及び高い精細度の一方又は双方を有する発光装置を用いることで、携帯型又は家庭用途等のパーソナルユースの電子機器において、臨場感及び奥行き感等をより高めることが可能となる。また、本発明の一態様の発光装置の画面比率（アスペクト比）については、特に限定はない。例えば、発光装置は、１：１（正方形）、４：３、１６：９、及び１６：１０等様々な画面比率に対応できる。
本実施の形態の電子機器は、センサ（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）を有していてもよい。
本実施の形態の電子機器は、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像等）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付又は時刻等を表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）を実行する機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出す機能等を有することができる。
図２２（Ａ）乃至図２２（Ｄ）を用いて、頭部に装着可能なウェアラブル機器の一例を説明する。これらウェアラブル機器は、ＡＲのコンテンツを表示する機能、ＶＲのコンテンツを表示する機能、ＳＲのコンテンツを表示する機能、ＭＲのコンテンツを表示する機能のうち少なくとも一つを有する。電子機器が、ＡＲ、ＶＲ、ＳＲ、及びＭＲ等の少なくとも一つのコンテンツを表示する機能を有することで、使用者の没入感を高めることが可能となる。
図２２（Ａ）に示す電子機器７００Ａ、及び、図２２（Ｂ）に示す電子機器７００Ｂは、それぞれ、一対の表示パネル７５１と、一対の筐体７２１と、通信部（図示しない）と、一対の装着部７２３と、制御部（図示しない）と、撮像部（図示しない）と、一対の光学部材７５３と、フレーム７５７と、一対の鼻パッド７５８と、を有する。
表示パネル７５１には、本発明の一態様の発光装置を適用できる。したがって信頼性が高い電子機器とすることができる。
電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂは、それぞれ、光学部材７５３の表示領域７５６に、表示パネル７５１で表示した画像を投影できる。光学部材７５３は透光性を有するため、使用者は光学部材７５３を通して視認される透過像に重ねて、表示領域に表示された画像を見ることができる。したがって、電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂは、それぞれ、ＡＲ表示が可能な電子機器である。
電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂには、撮像部として、前方を撮像することのできるカメラが設けられていてもよい。また、電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂは、それぞれ、ジャイロセンサ等の加速度センサを備えることで、使用者の頭部の向きを検知して、その向きに応じた画像を表示領域７５６に表示することもできる。
通信部は無線通信機を有し、当該無線通信機により例えば映像信号を供給できる。なお、無線通信機に代えて、又は無線通信機に加えて、映像信号及び電源電位が供給されるケーブルを接続可能なコネクタを備えていてもよい。
また、電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂには、バッテリが設けられており、無線及び有線の一方又は双方によって充電できる。
筐体７２１には、タッチセンサモジュールが設けられていてもよい。タッチセンサモジュールは、筐体７２１の外側の面がタッチされることを検出する機能を有する。タッチセンサモジュールにより、使用者のタップ操作又はスライド操作等を検出し、様々な処理を実行できる。例えば、タップ操作によって動画の一時停止又は再開等の処理を実行することが可能となり、スライド操作により、早送り又は早戻しの処理を実行すること等が可能となる。また、２つの筐体７２１のそれぞれにタッチセンサモジュールを設けることで、操作の幅を広げることができる。
タッチセンサモジュールとしては、様々なタッチセンサを適用できる。例えば、静電容量方式、抵抗膜方式、赤外線方式、電磁誘導方式、表面弾性波方式、又は光学方式等、種々の方式を採用できる。特に、静電容量方式又は光学方式のセンサを、タッチセンサモジュールに適用することが好ましい。
光学方式のタッチセンサを用いる場合には、受光素子として、光電変換デバイス（光電変換素子ともいう）を用いることができる。光電変換デバイスの活性層には、無機半導体及び有機半導体の一方又は双方を用いることができる。
図２２（Ｃ）に示す電子機器８００Ａ、及び、図２２（Ｄ）に示す電子機器８００Ｂは、それぞれ、一対の表示部８２０と、筐体８２１と、通信部８２２と、一対の装着部８２３と、制御部８２４と、一対の撮像部８２５と、一対のレンズ８３２と、を有する。
表示部８２０には、本発明の一態様の発光装置を適用できる。したがって信頼性が高い電子機器とすることができる。
表示部８２０は、筐体８２１の内部の、レンズ８３２を通して視認できる位置に設けられる。また、一対の表示部８２０に異なる画像を表示させることで、視差を用いた３次元表示を行うこともできる。
電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂは、それぞれ、ＶＲ向けの電子機器ということができる。電子機器８００Ａ又は電子機器８００Ｂを装着した使用者は、レンズ８３２を通して、表示部８２０に表示される画像を視認できる。
電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂは、それぞれ、レンズ８３２及び表示部８２０が、使用者の目の位置に応じて最適な位置となるように、これらの左右の位置を調整可能な機構を有していることが好ましい。また、レンズ８３２と表示部８２０との距離を変えることで、ピントを調整する機構を有していることが好ましい。
装着部８２３により、使用者は電子機器８００Ａ又は電子機器８００Ｂを頭部に装着できる。なお、例えば図２２（Ｃ）においては、メガネのつる（ジョイント、又はテンプル等ともいう）のような形状として例示しているがこれに限定されない。装着部８２３は、使用者が装着できればよく、例えば、ヘルメット型又はバンド型の形状としてもよい。
撮像部８２５は、外部の情報を取得する機能を有する。撮像部８２５が取得したデータは、表示部８２０に出力できる。撮像部８２５には、イメージセンサを用いることができる。また、望遠、及び広角等の複数の画角に対応可能なように複数のカメラを設けてもよい。
なお、ここでは撮像部８２５を有する例を示したが、対象物の距離を測定することのできる測距センサ（以下、検知部ともよぶ）を設ければよい。すなわち、撮像部８２５は、検知部の一態様である。検知部としては、例えばイメージセンサ、又は、ライダー（ＬＩＤＡＲ：Ｌｉｇｈｔ Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ ａｎｄ Ｒａｎｇｉｎｇ）等の距離画像センサを用いることができる。カメラによって得られた画像と、距離画像センサによって得られた画像とを用いることにより、より多くの情報を取得し、より高精度なジェスチャー操作を可能とすることができる。
電子機器８００Ａは、骨伝導イヤフォンとして機能する振動機構を有していてもよい。例えば、表示部８２０、筐体８２１、及び装着部８２３のいずれか一又は複数に、当該振動機構を有する構成を適用できる。これにより、別途、ヘッドフォン、イヤフォン、又はスピーカ等の音響機器を必要とせず、電子機器８００Ａを装着しただけで映像と音声を楽しむことができる。
電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂは、それぞれ、入力端子を有していてもよい。入力端子には映像出力機器等からの映像信号、及び、電子機器内に設けられるバッテリを充電するための電力等を供給するケーブルを接続できる。
本発明の一態様の電子機器は、イヤフォン７５０と無線通信を行う機能を有していてもよい。イヤフォン７５０は、通信部（図示しない）を有し、無線通信機能を有する。イヤフォン７５０は、無線通信機能により、電子機器から情報（例えば音声データ）を受信できる。例えば、図２２（Ａ）に示す電子機器７００Ａは、無線通信機能によって、イヤフォン７５０に情報を送信する機能を有する。また、例えば、図２２（Ｃ）に示す電子機器８００Ａは、無線通信機能によって、イヤフォン７５０に情報を送信する機能を有する。
また、電子機器がイヤフォン部を有していてもよい。図２２（Ｂ）に示す電子機器７００Ｂは、イヤフォン部７２７を有する。例えば、イヤフォン部７２７と制御部とは、互いに有線接続されている構成とすることができる。イヤフォン部７２７と制御部とをつなぐ配線の一部は、筐体７２１又は装着部７２３の内部に配置されていてもよい。
同様に、図２２（Ｄ）に示す電子機器８００Ｂは、イヤフォン部８２７を有する。例えば、イヤフォン部８２７と制御部８２４とは、互いに有線接続されている構成とすることができる。イヤフォン部８２７と制御部８２４とをつなぐ配線の一部は、筐体８２１又は装着部８２３の内部に配置されていてもよい。また、イヤフォン部８２７と装着部８２３とがマグネットを有していてもよい。これにより、イヤフォン部８２７を装着部８２３に磁力によって固定でき、収納が容易となり好ましい。
なお、電子機器は、イヤフォン又はヘッドフォン等を接続できる音声出力端子を有していてもよい。また、電子機器は、音声入力端子及び音声入力機構の一方又は双方を有していてもよい。音声入力機構としては、例えば、マイク等の集音装置を用いることができる。電子機器が音声入力機構を有することで、電子機器に、いわゆるヘッドセットとしての機能を付与してもよい。
このように、本発明の一態様の電子機器としては、メガネ型（電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂ等）と、ゴーグル型（電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂ等）と、のどちらも好適である。
また、本発明の一態様の電子機器は、有線又は無線によって、イヤフォンに情報を送信できる。
図２３（Ａ）に示す電子機器６５００は、スマートフォンとして用いることのできる携帯情報端末機である。
電子機器６５００は、筐体６５０１、表示部６５０２、電源ボタン６５０３、ボタン６５０４、スピーカ６５０５、マイク６５０６、カメラ６５０７、及び光源６５０８等を有する。表示部６５０２はタッチパネル機能を備える。
表示部６５０２に、本発明の一態様の発光装置を適用できる。したがって信頼性が高い電子機器とすることができる。
図２３（Ｂ）は、筐体６５０１のマイク６５０６側の端部を含む断面概略図である。
筐体６５０１の表示面側には透光性を有する保護部材６５１０が設けられ、筐体６５０１と保護部材６５１０に囲まれた空間内に、表示パネル６５１１、光学部材６５１２、タッチセンサパネル６５１３、プリント基板６５１７、及びバッテリ６５１８等が配置されている。
保護部材６５１０には、表示パネル６５１１、光学部材６５１２、及びタッチセンサパネル６５１３が接着層（図示しない）により固定されている。
表示部６５０２よりも外側の領域において、表示パネル６５１１の一部が折り返されており、当該折り返された部分にＦＰＣ６５１５が接続されている。ＦＰＣ６５１５には、ＩＣ６５１６が実装されている。ＦＰＣ６５１５は、プリント基板６５１７に設けられた端子に接続されている。
表示パネル６５１１には本発明の一態様の発光装置を適用できる。このため、極めて軽量な電子機器を実現できる。また、表示パネル６５１１が極めて薄いため、電子機器の厚さを抑えつつ、大容量のバッテリ６５１８を搭載することもできる。また、表示パネル６５１１の一部を折り返して、画素部の裏側にＦＰＣ６５１５との接続部を配置することにより、狭額縁の電子機器を実現できる。
図２３（Ｃ）にテレビジョン装置の一例を示す。テレビジョン装置７１００は、筐体７１７１に表示部７０００が組み込まれている。ここでは、スタンド７１７３により筐体７１７１を支持した構成を示している。
表示部７０００に、本発明の一態様の発光装置を適用できる。したがって信頼性が高い電子機器とすることができる。
図２３（Ｃ）に示すテレビジョン装置７１００の操作は、筐体７１７１が備える操作スイッチ、及び、別体のリモコン操作機７１５１により行うことができる。又は、表示部７０００にタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部７０００に触れることでテレビジョン装置７１００を操作してもよい。リモコン操作機７１５１は、当該リモコン操作機７１５１から出力する情報を表示する表示部を有していてもよい。リモコン操作機７１５１が備える操作キー又はタッチパネルにより、チャンネル及び音量の操作を行うことができ、表示部７０００に表示される映像を操作できる。
なお、テレビジョン装置７１００は、受信機及びモデム等を備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができる。また、モデムを介して有線又は無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）又は双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間等）の情報通信を行うことも可能である。
図２３（Ｄ）に、ノート型パーソナルコンピュータの一例を示す。ノート型パーソナルコンピュータ７２００は、筐体７２１１、キーボード７２１２、ポインティングデバイス７２１３、及び外部接続ポート７２１４等を有する。筐体７２１１に、表示部７０００が組み込まれている。
表示部７０００に、本発明の一態様の発光装置を適用できる。したがって信頼性が高い電子機器とすることができる。
図２３（Ｅ）及び図２３（Ｆ）に、デジタルサイネージの一例を示す。
図２３（Ｅ）に示すデジタルサイネージ７３００は、筐体７３０１、表示部７０００、及びスピーカ７３０３等を有する。さらに、ＬＥＤランプ、操作キー（電源スイッチ、又は操作スイッチを含む）、接続端子、各種センサ、マイクロフォン等を有することができる。
図２３（Ｆ）は円柱状の柱７４０１に取り付けられたデジタルサイネージ７４００である。デジタルサイネージ７４００は、柱７４０１の曲面に沿って設けられた表示部７０００を有する。
図２３（Ｅ）及び図２３（Ｆ）において、表示部７０００に、本発明の一態様の発光装置を適用できる。したがって信頼性が高い電子機器とすることができる。
表示部７０００が広いほど、一度に提供できる情報量を増やすことができる。また、表示部７０００が広いほど、人の目につきやすく、例えば、広告の宣伝効果を高めることができる。
表示部７０００にタッチパネルを適用することで、表示部７０００に画像又は動画を表示するだけでなく、使用者が直感的に操作でき、好ましい。また、路線情報もしくは交通情報等の情報を提供するための用途に用いる場合には、直感的な操作によりユーザビリティを高めることができる。
また、図２３（Ｅ）及び図２３（Ｆ）に示すように、デジタルサイネージ７３００又はデジタルサイネージ７４００は、使用者が所持するスマートフォン等の情報端末機７３１１又は情報端末機７４１１と無線通信により連携可能であることが好ましい。例えば、表示部７０００に表示される広告の情報を、情報端末機７３１１又は情報端末機７４１１の画面に表示させることができる。また、情報端末機７３１１又は情報端末機７４１１を操作することで、表示部７０００の表示を切り替えることができる。
また、デジタルサイネージ７３００又はデジタルサイネージ７４００に、情報端末機７３１１又は情報端末機７４１１の画面を操作手段（コントローラ）としたゲームを実行させることもできる。これにより、不特定多数の使用者が同時にゲームに参加し、楽しむことができる。
図２４（Ａ）乃至図２４（Ｇ）に示す電子機器は、筐体９０００、表示部９００１、スピーカ９００３、操作キー９００５（電源スイッチ、又は操作スイッチを含む）、接続端子９００６、センサ９００７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン９００８、等を有する。
図２４（Ａ）乃至図２４（Ｇ）に示す電子機器は、様々な機能を有する。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像等）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付又は時刻等を表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して処理する機能、等を有することができる。なお、電子機器の機能はこれらに限られず、様々な機能を有することができる。電子機器は、複数の表示部を有していてもよい。また、電子機器にカメラ等を設け、静止画又は動画を撮影し、記録媒体（外部又はカメラに内蔵）に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能、等を有していてもよい。
図２４（Ａ）乃至図２４（Ｇ）に示す電子機器の詳細について、以下説明を行う。
図２４（Ａ）は、携帯情報端末９１７１を示す斜視図である。携帯情報端末９１７１は、例えばスマートフォンとして用いることができる。なお、携帯情報端末９１７１は、スピーカ９００３、接続端子９００６、又はセンサ９００７等を設けてもよい。また、携帯情報端末９１７１は、文字及び画像情報をその複数の面に表示できる。図２４（Ａ）では３つのアイコン９０５０を表示した例を示している。また、破線の矩形で示す情報９０５１を表示部９００１の他の面に表示することもできる。情報９０５１の一例としては、電子メール、ＳＮＳ、電話等の着信の通知、電子メール又はＳＮＳ等の題名、送信者名、日時、時刻、バッテリの残量、電波強度等がある。又は、情報９０５１が表示されている位置にはアイコン９０５０等を表示してもよい。
図２４（Ｂ）は、携帯情報端末９１７２を示す斜視図である。携帯情報端末９１７２は、表示部９００１の３面以上に情報を表示する機能を有する。ここでは、情報９０５２、情報９０５３、情報９０５４がそれぞれ異なる面に表示されている例を示す。例えば使用者は、洋服の胸ポケットに携帯情報端末９１７２を収納した状態で、携帯情報端末９１７２の上方から観察できる位置に表示された情報９０５３を確認することもできる。使用者は、携帯情報端末９１７２をポケットから取り出すことなく表示を確認し、例えば電話を受けるか否かを判断できる。
図２４（Ｃ）は、タブレット端末９１７３を示す斜視図である。タブレット端末９１７３は、一例として、移動電話、電子メール、文章閲覧及び作成、音楽再生、インターネット通信、コンピュータゲーム等の種々のアプリケーションの実行が可能である。タブレット端末９１７３は、筐体９０００の正面に表示部９００１、カメラ９００２、マイクロフォン９００８、スピーカ９００３を有し、筐体９０００の左側面には操作用のボタンとしての操作キー９００５、底面には接続端子９００６を有する。
図２４（Ｄ）は、腕時計型の携帯情報端末９２００を示す斜視図である。携帯情報端末９２００は、例えばスマートウォッチ（登録商標）として用いることができる。また、表示部９００１はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる。また、携帯情報端末９２００は、例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハンズフリーで通話することもできる。また、携帯情報端末９２００は、接続端子９００６により、他の情報端末と相互にデータ伝送を行うこと、及び、充電を行うこともできる。なお、充電動作は無線給電により行ってもよい。
図２４（Ｅ）乃至図２４（Ｇ）は、折り畳み可能な携帯情報端末９２０１を示す斜視図である。また、図２４（Ｅ）は携帯情報端末９２０１を展開した状態、図２４（Ｇ）は折り畳んだ状態、図２４（Ｆ）は図２４（Ｅ）と図２４（Ｇ）の一方から他方に変化する途中の状態の斜視図である。携帯情報端末９２０１は、折り畳んだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では継ぎ目のない広い表示領域により表示の一覧性に優れる。携帯情報端末９２０１が有する表示部９００１は、ヒンジ９０５５によって連結された３つの筐体９０００に支持されている。例えば、表示部９００１は、曲率半径０．１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下で曲げることができる。
本実施の形態は、他の実施の形態、又は実施例と適宜組み合わせることができる。また、本明細書において、１つの実施の形態の中に、複数の構成例が示される場合は、構成例を適宜組み合わせることが可能である。
本実施例では、実施の形態で説明した本発明の一態様の赤色に発光するデバイス１Ａ、および比較デバイス１Ｂ乃至比較デバイス１Ｄを作製し、その特性を評価した結果について説明する。
デバイス１Ａ、および比較デバイス１Ｂ乃至比較デバイス１Ｄに用いた有機化合物の構造式を以下に示す。
また、デバイス１Ａ、および比較デバイス１Ｂ乃至比較デバイス１Ｄの素子構造を下表に示す。
＜デバイスの作製方法＞
デバイス１Ａ、および比較デバイス１Ｂ乃至比較デバイス１Ｄは、図２５に示すように、ガラス基板９００上に形成された第１の電極９０１上に、正孔注入層９１１、正孔輸送層９１２、発光層９１３、電子輸送層９１４および電子注入層９１５が順次積層され、電子注入層９１５上に第２の電極９０２が積層された構造を有する。
まず、ガラス基板９００上に、銀（Ａｇ）をスパッタリング法により成膜した後、ケイ素若しくは酸化ケイ素を含有した酸化インジウム－酸化スズ（略称：ＩＴＳＯ）をスパッタリング法により成膜し、第１の電極９０１を形成した。なお、Ａｇの膜厚は１００ｎｍ、ＩＴＳＯの膜厚は８５ｎｍとし、電極面積は４ｍｍ２（２ｍｍ×２ｍｍ）とした。
次に、基板上にデバイス１Ａ、および比較デバイス１Ｂ乃至比較デバイス１Ｄを形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、２００℃で１時間焼成した。その後、１×１０－４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において、１７０℃で３０分間の真空焼成を行った。その後、３０分程度自然冷却させた。
次に、第１の電極９０１が形成された面が下方となるように、第１の電極９０１が形成された基板を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、第１の電極９０１上に、抵抗加熱を用いた蒸着法によりＮ－（ビフェニル－４－イル）－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－アミン（略称：ＰＣＢＢｉＦ）と、分子量６７２でフッ素を含む電子アクセプタ材料（略称：ＯＣＨＤ－００３）と、をＰＣＢＢｉＦ：ＯＣＨＤ－００３＝１：０．０４（重量比）となるように１０ｎｍ共蒸着し、正孔注入層９１１を形成した。
次に、正孔注入層９１１上に、ＰＣＢＢｉＦを膜厚９５ｎｍとなるように蒸着し、正孔輸送層９１２を形成した。
次に、正孔輸送層９１２上に発光層９１３を形成した。抵抗加熱を用いた蒸着法により１１－［（３’－ジベンゾチオフェン－４－イル）ビフェニル－３－イル］フェナントロ［９’，１０’：４，５］フロ［２，３－ｂ］ピラジン（略称：１１ｍＤＢｔＢＰＰｎｆｐｒ）と、ＰＣＢＢｉＦと、燐光ドーパント（ＯＣＰＧ－００６）を１１ｍＤＢｔＢＰＰｎｆｐｒ：ＰＣＢＢｉＦ：ＯＣＰＧ－００６＝０．７：０．３：０．０５（重量比）となるように、４０ｎｍ共蒸着し、発光層９１３を形成した。
次に、発光層９１３上に、２－｛３－［３－（Ｎ－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）－９Ｈ－カルバゾール－９－イル］フェニル｝ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＰＣＣｚＰＤＢｑ）を膜厚２０ｎｍとなるように蒸着した後、２，９－ジ（ナフタレン－２－イル）－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン（略称：ＮＢＰｈｅｎ）を膜厚１５ｎｍとなるように蒸着し、電子輸送層９１４を形成した。
ここで、デバイス１Ａ、比較デバイス１Ｂ、および比較デバイス１Ｃに対し、１時間の大気暴露を行った。また、大気暴露を行う際に、デバイス１Ａは、オレンジライトの照射下にて大気暴露を行った。一方、比較デバイス１Ｂは、蛍光灯の照射下にて大気暴露を行った。照射した光の条件を下表に示す。また、比較デバイス１Ｃは、遮光性を有するブラックボックスを使用することで光が照射されないようにした。また、比較デバイス１Ｄは、リファレンスとして、大気暴露なし、光の照射なし（いわゆる真空一貫プロセス）とした。
次に、デバイス１Ａ、比較デバイス１Ｂ、および比較デバイス１Ｃを、１×１０－４Ｐａ程度まで減圧した環境下で、８０℃で６０分間の真空焼成を行った。その後、自然冷却させた。なお、比較デバイス１Ｄは、当該真空焼成は行わなかった。
次に、電子輸送層９１４上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）とイッテルビウム（Ｙｂ）とを体積比で１：１（＝ＬｉＦ：Ｙｂ）となるように、２ｎｍ共蒸着して、電子注入層９１５を形成した。
次に、電子注入層９１５上に、Ａｇと、Ｍｇと、をＡｇ：Ｍｇ＝１：０．１（体積比）となるように、２０ｎｍ共蒸着し、第２の電極９０２を形成した。なお、第２の電極９０２は光を反射する機能と光を透過する機能とを有する半透過・半反射電極である。
その後、キャップ層として、４，４’，４’’－（ベンゼン－１，３，５－トリイル）トリ（ジベンゾチオフェン）（略称：ＤＢＴ３Ｐ－ＩＩ）を７０ｎｍの厚さで蒸着した。
以上によりデバイス１Ａ、および比較デバイス１Ｂ乃至比較デバイス１Ｄを作製した。
＜各デバイス特性＞
上記オレンジライトを照射したデバイス１Ａ、および比較デバイス１Ｂ乃至比較デバイス１Ｄを、真空チャンバーから窒素雰囲気のグローブボックスへ移動させ、当該窒素雰囲気のグローブボックス内において、各デバイス（デバイス１Ａ、および比較デバイス１Ｂ乃至比較デバイス１Ｄ）が大気に曝されないようにガラス基板により封止する作業（シール材を素子の周囲に塗布し、封止時にＵＶ処理、８０℃にて１時間熱処理）を行った後、各デバイスについて測定を行った。
各デバイスにおける電流効率－輝度特性を図２６に、輝度－電圧特性を図２７に、電流効率－電流密度特性を図２８に、電流密度－電圧特性を図２９に、電界発光スペクトルを図３０に示す。なお、輝度、ＣＩＥ色度、電界発光スペクトルの測定には分光放射計（トプコン社製、ＳＲ－ＵＬ１Ｒ）を用いた。
図２６乃至図３０より、デバイス１Ａと比較デバイス１Ｃは、真空一貫プロセスを経て作製された比較デバイスと同等以上の電流効率を示すことが分かった。一方、比較デバイス１Ｂは、真空一貫プロセスを経て作製した比較デバイスと比べて電流効率が低いことが分かった。
＜信頼性試験結果＞
さらに、デバイス１Ａ、および比較デバイス１Ｂ乃至比較デバイス１Ｄについて、信頼性試験を行った。図３１では、発光開始した時点での輝度を１００％として、定電流密度（５０［ｍＡ／ｃｍ２］）で駆動させた場合の輝度（％）の経時変化を示す。また、図３２では、定電流密度（５０［ｍＡ／ｃｍ２］）で駆動させた場合の電圧（Ｖ）の経時変化を示す。
図３１および図３２より、大気中で蛍光灯の光を照射したデバイス１Ｂは、輝度の低下が大きく、劣化しやすい不安定なデバイスであることが分かった。一方で、大気中でオレンジライトの光を照射したデバイス１Ａと、遮光して大気暴露した比較デバイス１Ｃは、いずれもデバイス作製過程で大気暴露したにも関わらず、真空一貫プロセスで作製した比較デバイス１Ｄと同等の信頼性を得ることができた。
また、下表に、１００時間駆動した時の規格化した輝度（％）と、１００時間駆動した後の電圧変化量（Ｖ）を示す。
図３１および図３２より、大気中で蛍光灯の光を照射すると、駆動電圧が上昇しやすく劣化しやすいデバイスとなることが分かった。一方で、光を照射しない場合、またはオレンジライトの光のみを照射した場合、大気暴露したとしても信頼性の劣化は見られず、真空一貫プロセスで作製した比較デバイス１Ｄと同等の特性を得ることができた。
上記結果より、酸素を含む大気雰囲気下において、一定以上の光エネルギーを与えることで、劣化していると推測できる。従って、酸素を含む大気雰囲気下においても、照射される光エネルギーが制御されている環境、または酸素がない不活性雰囲気下では、デバイスの劣化を抑制できることが分かった。
ここで、図３３に、発光層９１３に用いた有機化合物の吸収スペクトル、および照射した光（蛍光灯、およびオレンジライト）のスペクトルを示す。なお、ＯＣＰＧ－００６の吸収スペクトルは、ＯＣＰＧ－００６を溶解させたジクロロメタン溶液を作製し室温で測定した。他の有機化合物の吸収スペクトルは、石英基板上に各有機化合物の薄膜を膜厚５０ｎｍになるよう成膜し、室温で測定した。
図３３より、発光層中に含まれる有機化合物のうち最も長波長に吸収端を有する化合物はＯＣＰＧ－００６であり、その吸収端は６２２ｎｍであった。また、オレンジライトのスペクトルのうち最も短波長に位置する発光端は５４２ｎｍであり、蛍光灯のスペクトルのうち最も短波長に位置する発光端は３８０ｎｍであった。ＯＣＰＧ－００６の吸収スペクトルは、オレンジライトおよび蛍光灯の発光スペクトルと重畳していた。また、ＯＣＰＧ－００６の最も長波長に位置する吸収端は、オレンジライトおよび蛍光灯の最も短波長に位置する発光端より長波長であった。なお、吸収端は、吸収スペクトルで観測されるピーク（またはショルダーピーク）の長波長に位置する半値において接線を引き、その接線と横軸（波長）あるいはベースラインとの交点から算出した。また、発光端は、発光スペクトルで観測されるピーク（またはショルダーピーク）の短波長に位置する半値において接線を引き、その接線と横軸（波長）あるいはベースラインとの交点から算出した。
一方、図３３より、１１ｍＤＢｔＢＰＰｎｆｐｒの最も長波長に位置する吸収端は４２１ｎｍであり、また、ＰＣＢＢｉＦの最も長波長に位置する吸収端は３９９ｎｍであった。１１ｍＤＢｔＢＰＰｎｆｐｒおよびＰＣＢＢｉＦの吸収スペクトルは、蛍光灯の発光スペクトルとは重畳しているが、オレンジライトの発光スペクトルとは重畳していなかった。また、１１ｍＤＢｔＢＰＰｎｆｐｒの最も長波長に位置する吸収端は、オレンジライトの最も短波長に位置する発光端より短波長であるが、蛍光灯の最も短波長に位置する発光端より長波長であった。また、ＰＣＢＢｉＦの最も長波長に位置する吸収端は、オレンジライトの最も短波長に位置する発光端より短波長であるが、蛍光灯の最も短波長に位置する発光端より長波長であった。
つまり、１１ｍＤＢｔＢＰＰｎｆｐｒまたはＰＣＢＢｉＦの最も長波長に位置する吸収端より、照明光のスペクトルが短波長に発光端があるとデバイスに劣化が生じることが分かった。
以上のことから、本実施例において、デバイスの劣化には、１１ｍＤＢｔＢＰＰｎｆｐｒまたはＰＣＢＢｉＦが寄与していると言える。一方、ＯＣＰＧ－００６が吸収する光を照射したとしても、発光デバイスは劣化しないことが分かった。
ここで、１１ｍＤＢｔＢＰＰｎｆｐｒ、及びＰＣＢＢｉＦの最低三重項励起エネルギー準位を算出した。石英基板上に１１ｍＤＢｔＢＰＰｎｆｐｒ、及びＰＣＢＢｉＦをそれぞれ５０ｎｍ成膜した薄膜を用い、測定温度１０Ｋにて発光スペクトル（燐光スペクトル）を測定した。測定は、顕微ＰＬ装置 ＬａｂＲＡＭ ＨＲ－ＰＬ （（株）堀場製作所）を用い、励起光としてＨｅ－Ｃｄレーザ（３２５ｎｍ）を用いた。また、メカニカルチョッパーを用いて、時間分解測定を実施する事で、蛍光スペクトルと燐光スペクトルとに分離した。その結果、１１ｍＤＢｔＢＰＰｎｆｐｒの発光スペクトル（燐光スペクトル）の最も短波長に位置するピークは、５８１ｎｍ（２．１３ｅＶ）であり、最も短波長に位置する発光端は、５６３ｎｍ（２．２０ｅＶ）であった。また、ＰＣＢＢｉＦの発光スペクトル（燐光スペクトル）の最も短波長に位置するピークは、５０９ｎｍ（２．４４ｅＶ）であり、最も短波長に位置する発光端は、４９８ｎｍ（２．４９ｅＶ）であった。
また、ＯＣＰＧ－００６の最低三重項励起エネルギー準位を算出するために、吸収スペクトル及び発光スペクトル（燐光スペクトル）を測定した。ＯＣＰＧ－００６を溶解させたジクロロメタン溶液を作製し、室温（２３℃に保たれた雰囲気）にて、吸収スペクトル及び発光スペクトル（燐光スペクトル）を測定した。その結果、ＯＣＰＧ－００６の吸収スペクトルの最も長波長に位置する吸収端は、６２２ｎｍ（１．９９ｅＶ）であり、発光スペクトル（燐光スペクトル）の最も短波長に位置する発光端は、５９０ｎｍ（２．１０ｅＶ）であった。
１１ｍＤＢｔＢＰＰｎｆｐｒ、ＰＣＢＢｉＦ、及びＯＣＰＧ－００６の最低三重項励起エネルギー準位を発光端で算出した値で比較すると、ＯＣＰＧ－００６の最低三重項励起エネルギーが最も低い。すなわち、ホストである１１ｍＤＢｔＢＰＰｎｆｐｒ、及びＰＣＢＢｉＦより最低三重項励起エネルギー準位が低い燐光ドーパントであるＯＣＰＧ－００６が吸収する光を照射したとしても、発光デバイスは劣化しない結果である。燐光ドーパントであるＯＣＰＧ－００６が光を吸収し、励起状態を形成しても、そのエネルギーがホストに移動することなく、燐光ドーパントで消光されるため劣化が生じない結果である。
従って、デバイスを作製する環境において、大気雰囲気下での光照射により劣化が生じる有機化合物が吸収する波長の光照射を低減することで、大気雰囲気に暴露したとしても、信頼性が高いデバイスを作製することが可能であることが分かった。
また、ＰＣＢＢｉＦのＨＯＭＯ準位をサイクリックボルタンメトリ（ＣＶ）測定で算出した。測定には電気化学アナライザー（ビー・エー・エス（株）製、型番：ＡＬＳモデル６００Ａまたは６００Ｃ）を用いた。その結果、ＰＣＢＢｉＦのＨＯＭＯ準位は、－５．３６ｅＶであった。ＰＣＢＢｉＦのように、ＨＯＭＯ準位が高い有機化合物を用いる場合においても、当該有機化合物が吸収する波長の光照射を低減することで、大気雰囲気に暴露したとしても、信頼性が高いデバイスを作製することが可能であることが分かった。
本実施例では、実施の形態で説明した本発明の一態様の緑色に発光するデバイス２Ａ、比較デバイス２Ｂ、および比較デバイス２Ｃを作製し、その特性を評価した結果について説明する。
デバイス２Ａ、比較デバイス２Ｂ、および比較デバイス２Ｃに用いた有機化合物の構造式を以下に示す。
また、デバイス２Ａ、比較デバイス２Ｂ、および比較デバイス２Ｃの素子構造を下表に示す。
＜デバイスの作製方法＞
デバイス２Ａ、比較デバイス２Ｂ、および比較デバイス２Ｃは、図２５に示すように、ガラス基板９００上に形成された第１の電極９０１上に、正孔注入層９１１、正孔輸送層９１２、発光層９１３、電子輸送層９１４および電子注入層９１５が順次積層され、電子注入層９１５上に第２の電極９０２が積層された構造を有する。
まず、ガラス基板９００上に、銀（Ａｇ）をスパッタリング法により成膜した後、ケイ素若しくは酸化ケイ素を含有した酸化インジウム－酸化スズ（略称：ＩＴＳＯ）をスパッタリング法により成膜し、第１の電極９０１を形成した。なお、Ａｇの膜厚は１００ｎｍ、ＩＴＳＯの膜厚は８５ｎｍとし、電極面積は４ｍｍ２（２ｍｍ×２ｍｍ）とした。
次に、基板上にデバイス２Ａ、比較デバイス２Ｂ、および比較デバイス２Ｃを形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、２００℃で１時間焼成した。その後、１×１０－４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において、１７０℃で３０分間の真空焼成を行った。その後、３０分程度自然冷却させた。
次に、第１の電極９０１が形成された面が下方となるように、第１の電極９０１が形成された基板を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、第１の電極９０１上に、抵抗加熱を用いた蒸着法によりＮ－（ビフェニル－４－イル）－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－アミン（略称：ＰＣＢＢｉＦ）と、分子量６７２でフッ素を含む電子アクセプタ材料（略称：ＯＣＨＤ－００３）と、をＰＣＢＢｉＦ：ＯＣＨＤ－００３＝１：０．０４（重量比）となるように１０ｎｍ共蒸着し、正孔注入層９１１を形成した。
次に、正孔注入層９１１上に、ＰＣＢＢｉＦを膜厚７０ｎｍとなるように蒸着し、正孔輸送層９１２を形成した。
次に、正孔輸送層９１２上に発光層９１３を形成した。抵抗加熱を用いた蒸着法により４，８－ビス［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］－［１］ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジン（略称：４，８ｍＤＢｔＰ２Ｂｆｐｍ）と、９－（２－ナフチル）－９’－フェニル－９Ｈ，９’Ｈ－３，３’－ビカルバゾール（略称：βＮＣＣＰ）と、［２－ｄ３－メチル－（２－ピリジニル－κＮ）ベンゾフロ［２，３－ｂ］ピリジン－κＣ］ビス［２－（２－ピリジニル－κＮ）フェニル－κＣ］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ｍｂｆｐｙｐｙ－ｄ３））を４，８ｍＤＢｔＰ２Ｂｆｐｍ：βＮＣＣＰ：Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ｍｂｆｐｙｐｙ－ｄ３）＝０．６：０．４：０．１（重量比）となるように、４０ｎｍ共蒸着し、発光層９１３を形成した。
次に、発光層９１３上に、２－｛３－［３－（Ｎ－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）－９Ｈ－カルバゾール－９－イル］フェニル｝ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＰＣＣｚＰＤＢｑ）を膜厚２０ｎｍとなるように蒸着した後、２，９－ジ（ナフタレン－２－イル）－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン（略称：ＮＢＰｈｅｎ）を膜厚１５ｎｍとなるように蒸着し、電子輸送層９１４を形成した。
ここで、デバイス２Ａ、および比較デバイス２Ｂに対し、１時間の大気暴露を行った。また、大気暴露を行う際に、デバイス２Ａは、遮光性を有するブラックボックスを使用することで光が照射されないようにした。一方、比較デバイス２Ｂは、蛍光灯の照射下にて大気暴露を行った。照射した光の条件を下表に示す。また、比較デバイス２Ｃはリファレンスとして、大気暴露なし、蛍光灯の照射なし（いわゆる真空一貫プロセス）とした。
次に、デバイス２Ａ、および比較デバイス２Ｂを、１×１０－４Ｐａ程度まで減圧した環境下で、８０℃で６０分間の真空焼成を行った。その後、自然冷却させた。なお、比較デバイス２Ｃは、当該真空焼成は行わなかった。
次に、電子輸送層９１４上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）とイッテルビウム（Ｙｂ）とを体積比で１：１（＝ＬｉＦ：Ｙｂ）となるように、２ｎｍ共蒸着して、電子注入層９１５を形成した。
次に、電子注入層９１５上に、Ａｇと、Ｍｇと、をＡｇ：Ｍｇ＝１：０．１（体積比）となるように、２０ｎｍ共蒸着し、第２の電極９０２を形成した。なお、第２の電極９０２は光を反射する機能と光を透過する機能とを有する半透過・半反射電極である。
その後、キャップ層として、４，４’，４’’－（ベンゼン－１，３，５－トリイル）トリ（ジベンゾチオフェン）（略称：ＤＢＴ３Ｐ－ＩＩ）を７０ｎｍの厚さで蒸着した。
以上により、デバイス２Ａ、比較デバイス２Ｂ、および比較デバイス２Ｃを作製した。
＜各デバイス特性＞
上記蛍光灯を照射したデバイス２Ａ、比較デバイス２Ｂ、および比較デバイス２Ｃを、真空チャンバーから窒素雰囲気のグローブボックスへ移動させ、当該窒素雰囲気のグローブボックス内において、各デバイス（デバイス２Ａ、比較デバイス２Ｂ、および比較デバイス２Ｃ）が大気に曝されないようにガラス基板により封止する作業（シール材を素子の周囲に塗布し、封止時にＵＶ処理、８０℃にて１時間熱処理）を行った後、デバイス２Ａ、比較デバイス２Ｂ、および比較デバイス２Ｃについて測定を行った。
デバイス２Ａ、比較デバイス２Ｂ、および比較デバイス２Ｃにおける電流効率－輝度特性を図３４に、輝度－電圧特性を図３５に、電流効率－電流密度特性を図３６に、電流密度－電圧特性を図３７に、電界発光スペクトルを図３８に示す。なお、輝度、ＣＩＥ色度、電界発光スペクトルの測定には分光放射計（トプコン社製、ＳＲ－ＵＬ１Ｒ）を用いた。
図３４乃至図３８より、デバイス２Ａおよび比較デバイス２Ｂは、真空一貫プロセスを経て作製された比較デバイス２Ｃの特性と同等であることが分かった。
＜信頼性試験結果＞
さらに、デバイス２Ａ、比較デバイス２Ｂ、および比較デバイス２Ｃについて、信頼性試験を行った。図３９では、発光開始した時点での輝度を１００％として、定電流密度（５０［ｍＡ／ｃｍ２］）で駆動させた場合の輝度（％）の経時変化を示す。
図３９より、デバイス２Ａおよび比較デバイス２Ｂは、真空一貫プロセスを経て作製された比較デバイス２Ｃの特性と同等の特性であることが分かった。
また、下表に、１００時間駆動した時の規格化した輝度（％）と、１００時間駆動した後の電圧変化量（Ｖ）を示す。
図３９より、デバイス２Ａは、大気雰囲気下において、蛍光灯を照射したとしても信頼性の劣化は見られず、蛍光灯を照射しなかった比較デバイス２Ｂおよび、真空一貫プロセスで作製した比較デバイス２Ｃと同等の特性を得ることができた。
つまり、デバイス２Ａは、酸素を含む大気雰囲気下において、光エネルギーを与えたとしても劣化しないことが分かった。
ここで、図４０に、発光層９１３に用いた有機化合物の吸収スペクトル、および照射した蛍光灯の発光スペクトルを示す。なお、Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ｍｂｆｐｙｐｙ－ｄ３）の吸収スペクトルは、Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ｍｂｆｐｙｐｙ－ｄ３）を溶解させたジクロロメタン溶液を作製し測定した。他の有機化合物の吸収スペクトルは、石英基板上に各有機化合物の薄膜を膜厚５０ｎｍになるよう成膜し、測定した。
図４０より、発光層中に含まれる有機化合物のうち最も長波長に吸収端を有する化合物はＩｒ（ｐｐｙ）２（ｍｂｆｐｙｐｙ－ｄ３）であり、さらに、その最も長波長に位置する吸収端は５２２ｎｍであった。また、蛍光灯のスペクトルのうち最も短波長に位置する発光端は３８０ｎｍであった。Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ｍｂｆｐｙｐｙ－ｄ３）の吸収スペクトルは、蛍光灯の発光スペクトルと重畳していた。また、Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ｍｂｆｐｙｐｙ－ｄ３）の最も長波長に位置する吸収端は、蛍光灯の最も短波長に位置する発光端より長波長であった。なお、吸収端は、吸収スペクトルで観測されるピーク（またはショルダーピーク）の長波長に位置する半値において接線を引き、その接線と横軸（波長）あるいはベースラインとの交点から算出した。また、発光端は、発光スペクトルで観測されるピーク（またはショルダーピーク）の短波長に位置する半値において接線を引き、その接線と横軸（波長）あるいはベースラインとの交点から算出した。
一方、図４０より、βＮＣＣＰの最も長波長に位置する吸収端は３７２ｎｍであり、また、４，８ｍＤＢｔＰ２Ｂｆｐｍの最も長波長に位置する吸収端は３６５ｎｍであった。βＮＣＣＰおよび４，８ｍＤＢｔＰ２Ｂｆｐｍの吸収スペクトルともに、蛍光灯の発光スペクトルと重畳していなかった。また、βＮＣＣＰの最も長波長に位置する吸収端は、蛍光灯の最も短波長に位置する発光端より短波長であった。また、４，８ｍＤＢｔＰ２Ｂｆｐｍの最も長波長に位置する吸収端は、蛍光灯の最も短波長に位置する発光端より短波長であった。
以上のことから、βＮＣＣＰおよび４，８ｍＤＢｔＰ２Ｂｆｐｍの最も長波長に位置する吸収端の波長より、蛍光灯の発光スペクトルの最も短波長に位置する発光端は、長波長であるため、デバイス２Ａは劣化が生じなかったと言える。一方、Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ｍｂｆｐｙｐｙ－ｄ３）が吸収する光を照射したとしても、発光デバイスは劣化しない結果である。
ここで、４，８ｍＤＢｔＰ２Ｂｆｐｍ、及びβＮＣＣＰの最低三重項励起エネルギー準位を算出した。石英基板上に４，８ｍＤＢｔＰ２Ｂｆｐｍ、及びβＮＣＣＰをそれぞれ５０ｎｍ成膜した薄膜を用い、測定温度１０Ｋにて発光スペクトル（燐光スペクトル）を測定した。測定は、顕微ＰＬ装置 ＬａｂＲＡＭ ＨＲ－ＰＬ （（株）堀場製作所）を用い、励起光としてＨｅ－Ｃｄレーザ（３２５ｎｍ）を用いた。また、メカニカルチョッパーを用いて、時間分解測定を実施する事で、蛍光スペクトルと燐光スペクトルとに分離した。その結果、４，８ｍＤＢｔＰ２Ｂｆｐｍの発光スペクトル（燐光スペクトル）の最も短波長に位置するピークは、４７５ｎｍ（２．６１ｅＶ）であり、最も短波長に位置する発光端は、４５９ｎｍ（２．７０ｅＶ）であった。また、βＮＣＣＰの発光スペクトル（燐光スペクトル）の最も短波長に位置するピークは、４９１ｎｍ（２．５３ｅＶ）であり、最も短波長に位置する発光端は、４８６ｎｍ（２．５５ｅＶ）であった。
また、Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ｍｂｆｐｙｐｙ－ｄ３）の最低三重項励起エネルギー準位を算出するために、吸収スペクトル及び発光スペクトル（燐光スペクトル）を測定した。Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ｍｂｆｐｙｐｙ－ｄ３）を溶解させたジクロロメタン溶液を作製し、室温（２３℃に保たれた雰囲気）にて、吸収スペクトル及び発光スペクトル（燐光スペクトル）を測定した。その結果、Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ｍｂｆｐｙｐｙ－ｄ３）の吸収スペクトルの最も長波長に位置する吸収端は、５２２ｎｍ（２．３８ｅＶ）であり、発光スペクトル（燐光スペクトル）の最も短波長に位置する発光端は、５０１ｎｍ（２．４８ｅＶ）であった。
４，８ｍＤＢｔＰ２Ｂｆｐｍ、βＮＣＣＰ、及びＩｒ（ｐｐｙ）２（ｍｂｆｐｙｐｙ－ｄ３）の最低三重項励起エネルギー準位を発光端で算出した値で比較すると、Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ｍｂｆｐｙｐｙ－ｄ３）の最低三重項励起エネルギーが最も低い。すなわち、ホストである４，８ｍＤＢｔＰ２Ｂｆｐｍ、及びβＮＣＣＰより最低三重項励起エネルギー準位が低い燐光ドーパントであるＩｒ（ｐｐｙ）２（ｍｂｆｐｙｐｙ－ｄ３）が吸収する光を照射したとしても、発光デバイスは劣化しない結果である。燐光ドーパントであるＩｒ（ｐｐｙ）２（ｍｂｆｐｙｐｙ－ｄ３）が光を吸収し、励起状態を形成しても、そのエネルギーがホストに移動することなく、燐光ドーパントで消光されるため劣化が生じない結果である。
従って、デバイスを作製する環境下において、大気雰囲気下での光照射により劣化が生じない有機化合物を用いることで、大気雰囲気に暴露したとしても、信頼性が高いデバイスを作製することが可能であることが分かった。
また、βＮＣＣＰのＨＯＭＯ準位をサイクリックボルタンメトリ（ＣＶ）測定で算出した。測定には電気化学アナライザー（ビー・エー・エス（株）製、型番：ＡＬＳモデル６００Ａまたは６００Ｃ）を用いた。その結果、βＮＣＣＰのＨＯＭＯ準位は、－５．６２ｅＶであった。βＮＣＣＰのように、ＨＯＭＯ準位が高い有機化合物を用いる場合においても、大気雰囲気下で光を吸収しない照明と有機化合物の組み合わせを用いることで、大気雰囲気に暴露したとしても、信頼性が高いデバイスを作製することが可能である。
本実施例では、実施の形態２で説明した本発明の一態様の発光装置をＭＭＬプロセスにて作製した。
＜発光装置＞
発光装置３Ａは、図４１（Ａ）に示すように、基板上に形成された画素１１１２を有する。画素１１１２は、副画素１１１０Ｒ、副画素１１１０Ｇ、および副画素１１１０Ｂを有する。また、副画素１１１０（副画素１１１０Ｒ、副画素１１１０Ｇ、および副画素１１１０Ｂ）は、それぞれ発光デバイス１１０３（発光デバイス１１０３Ｒ、発光デバイス１１０３Ｇ、および発光デバイス１１０３Ｂ）を有する。
なお、発光装置３Ａは、副画素１１１０Ｒ、副画素１１１０Ｇ、および副画素１１１０Ｂの大きさがそれぞれ、３．２μｍ×３．０μｍ、３．２μｍ×２．９μｍ、２．８μｍ×７．０μｍであり、３０．４１ｍｍ×２２．８１ｍｍの表示領域に画素１１１２が３８４０個×２８８０個ある、画素密度が３２０７ｐｐｉの発光装置である。
また、各発光デバイスは、図４１（Ｂ）に示すように、第１の電極９０１上に、正孔注入層９１１、正孔輸送層９１２、発光層９１３、電子輸送層９１４および電子注入層９１５が順次積層され、電子注入層９１５上に第２の電極９０２が積層された構造を有する。
また、隣り合う発光デバイスの間には、絶縁層１１２０（絶縁層１１２０Ｒ、絶縁層１１２０Ｇ、および絶縁層１１２０Ｂ）を有する。また、隣り合う発光デバイスの間の領域には、絶縁層１１２２を含む構造体を有する。
＜発光装置３Ａの作製方法＞
発光装置３Ａは、工程中に大気暴露を行った。また、発光装置３Ａは、大気暴露中に、オレンジライトを照射し、さらに搬送キャリアは遮光性があるものを用いた。
シリコン基板上に、膜厚が５０ｎｍになるようチタン（Ｔｉ）をスパッタリング法にて成膜後、膜厚が７０ｎｍになるようアルミニウム（Ａｌ）をスパッタリング法にて成膜し、さらに膜厚が６ｎｍになるようチタン（Ｔｉ）をスパッタリング法にて成膜し、導電体を形成した。その後、大気中で３００℃で１時間の焼成を行い、Ｔｉを酸化させた。その後、膜厚が１０ｎｍになるようケイ素若しくは酸化ケイ素を含有した酸化インジウム－酸化スズ（略称：ＩＴＳＯ）をスパッタリング法により成膜し、第１の電極９０１を形成した。
次に、蒸着法により、第１の正孔注入層９１１、第１の正孔輸送層９１２、第１の発光層９１３、および第１の電子輸送層９１４を形成した。なお、第１の発光層９１３は、青色に発光する蛍光材料を有する。
続いて、酸素を含む雰囲気下に取り出し大気暴露した。このときオレンジライトを照射した。その後、犠牲層として、膜厚３０ｎｍの酸化アルミニウム（略称：ＡｌＯｘ）膜を、ＡＬＤ法を用いて成膜した後、膜厚５４ｎｍのタングステン（略称：Ｗ）膜を、スパッタリング法を用いて成膜した。この後、ポジ型フォトレジストを膜厚７００ｎｍになるよう塗布し、露光、現像を行い、フォトマスクを形成した。次に、形成したフォトマスクをマスクとして、ドライエッチング法にてタングステン膜を除去した後、フォトマスクを除去した。その後、タングステン膜をマスクとして、酸化アルミニウム膜をドライエッチング法にて除去した後、タングステン膜および該酸化アルミニウム膜をマスクとして、第１の正孔注入層９１１、第１の正孔輸送層９１２、第１の発光層９１３、および第１の電子輸送層９１４をドライエッチング法にてパターニングし、副画素１１１０Ｂの領域内で島状に加工した。
次に、蒸着法により、第２の正孔注入層９１１、第２の正孔輸送層９１２、第２の発光層９１３、および第２の電子輸送層９１４を形成した。なお、第２の発光層９１３は、緑色に発光する燐光材料を有する。
続いて、酸素を含む雰囲気下に取り出し大気暴露した。このときオレンジライト光を照射した。その後、犠牲層として、膜厚３０ｎｍの酸化アルミニウム（略称：ＡｌＯｘ）膜を、ＡＬＤ法を用いて成膜した後、膜厚５４ｎｍのタングステン（略称：Ｗ）膜を、スパッタリング法を用いて成膜した。この後、ポジ型フォトレジストを膜厚７００ｎｍになるよう塗布し、露光、現像を行い、フォトマスクを形成した。次に、形成したフォトマスクをマスクとして、ドライエッチング法にてタングステン膜を除去した後、フォトマスクを除去した。その後、タングステン膜をマスクとして、酸化アルミニウム膜をドライエッチング法にて除去した後、タングステン膜および当該酸化アルミニウム膜をマスクとして、第２の正孔注入層９１１、第２の正孔輸送層９１２、第２の発光層９１３、および第２の電子輸送層９１４をドライエッチング法にてパターニングし、副画素１１１０Ｇの領域内で島状に加工した。
次に、蒸着法により、第３の正孔注入層９１１、第３の正孔輸送層９１２、第３の発光層９１３、および第３の電子輸送層９１４を形成した。なお、第３の発光層９１３は、赤色に発光する燐光材料であるＯＣＰＧ－００６を有する。また、１１－［（３’－ジベンゾチオフェン－４－イル）ビフェニル－３－イル］フェナントロ［９’，１０’：４，５］フロ［２，３－ｂ］ピラジン（略称：１１ｍＤＢｔＢＰＰｎｆｐｒ）、及びＮ－（ビフェニル－４－イル）－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－アミン（略称：ＰＣＢＢｉＦ）を有する。
続いて、酸素を含む雰囲気下に取り出し大気暴露した。このときオレンジライトを照射した。その後、犠牲層として、膜厚３０ｎｍの酸化アルミニウム（略称：ＡｌＯｘ）膜を、ＡＬＤ法を用いて成膜した後、膜厚５４ｎｍのタングステン（略称：Ｗ）膜を、スパッタリング法を用いて成膜した。この後、ポジ型フォトレジストを膜厚７００ｎｍになるよう塗布し、露光、現像を行い、フォトマスクを形成した。次に、形成したフォトマスクをマスクとして、ドライエッチング法にてタングステン膜を除去した後、フォトマスクを除去した。その後、タングステン膜をマスクとして、酸化アルミニウム膜をドライエッチング法にて除去した後、タングステン膜および当該酸化アルミニウム膜をマスクとして、第３の正孔注入層９１１、第３の正孔輸送層９１２、第３の発光層９１３、および第３の電子輸送層９１４をドライエッチング法にてパターニングし、副画素１１１０Ｒの領域内で島状に加工した。
次に、酸素を含む雰囲気下に取り出し大気暴露した後、タングステン膜をドライエッチング法にて除去し、露出した酸化アルミニウム膜の上面および側面、画素１１１２全面を覆うように、膜厚１５ｎｍの酸化アルミニウム膜を、ＡＬＤ法を用いて成膜した。
次に、膜厚４００ｎｍとなるよう感光性有機樹脂を塗布し、露光、現像を行い、各発光デバイスとなる領域（副画素１１１０Ｒ、副画素１１１０Ｇ、および副画素１１１０Ｂ）と重なる開口部を有する絶縁層を形成した。Ｏ２アッシングの後、１００℃で１０分の焼成の後、開口部から露出し各発光デバイスとなる領域（副画素１１１０Ｒ、副画素１１１０Ｇ、および副画素１１１０Ｂ）の酸化アルミニウム膜（膜厚４５ｎｍ）を除去した。当該酸化アルミニウム膜は、酸性の薬液を用いたウェットエッチングにより、除去した。
次に、酸素を含む雰囲気下に取り出し大気暴露した。このときオレンジライトを照射した。次に、１×１０－４Ｐａ程度まで減圧した環境下で、７０℃で９０分間の真空焼成を行った。その後、各発光デバイスの領域において露出した第１乃至第３の電子輸送層９１４上に、蒸着法により電子注入層９１５を形成した。次に、電子注入層９１５上に、抵抗加熱法およびスパッタリング法を用いて、第２の電極９０２を形成し、発光装置を作製した。
以上により、発光装置３Ａを作製した。
＜発光装置３Ａにおける赤色を示すデバイスにおける特性＞
上記発光装置３Ａをグローブボックス内において、各発光デバイスが大気に曝されないようにガラス基板により封止する作業（シール材を素子の周囲に塗布し、封止時にＵＶ処理、８０℃にて１時間熱処理）を行った後、発光装置３Ａが有する少なくとも３回以上の大気暴露プロセスを経た副画素１１１０Ｒの発光特性について測定を行った。
発光装置３Ａ、及び比較用発光装置の副画素１１１０Ｒにおける電流密度－電圧特性を図４２に、輝度－電流密度特性を図４３に、電流効率－電流密度特性を図４４に、電界発光スペクトルを図４５に示す。また、１０ｍＡ／ｃｍ２の特性を表７に示す。なお、輝度、ＣＩＥ色度、電界発光スペクトルの測定には分光放射計（トプコン社製、ＳＲ－ＵＬ１Ｒ）を用いた。
なお、比較用発光装置は、第１の電極９０１上に、発光装置３Ａと同じ材料を用いて、第１の正孔注入層９１１、第１の正孔輸送層９１２、第１の発光層９１３、および第１の電子輸送層９１４を成膜し、大気暴露せずに続けて、第１の電子輸送層９１４上に、電子注入層９１５、及び第２の電極９０２を形成し作製した。比較用発光装置における副画素１１１０Ｒの大きさは、２ｍｍ×２ｍｍとした。
図４２乃至図４５、及び表７より、発光装置３Ａの副画素１１１０Ｒは、真空一貫プロセスを経て作製された比較用発光装置の特性と同等であることが分かった。
＜発光装置における赤色を示すデバイスにおける信頼性結果＞
上記発光装置３Ａについて、少なくとも３回以上の大気暴露プロセスを経た副画素１１１０Ｒについて、信頼性試験を行った。その結果を図４６に示す。
図４６より、発光装置３Ａ、及び比較用発光装置を定電流密度（５０［ｍＡ／ｃｍ２］）駆動し、発光開始した時点での輝度を１００％としたとき、４００時間経過時の発光装置３Ａの副画素１１１０Ｒの規格化輝度は９７．３（％）、比較用発光装置の副画素１１１０Ｒの規格化輝度は９５．４（％）であった。これより、発光装置３Ａは、真空一貫プロセスで作製した比較用発光装置と同等以上の信頼性を有することが分かった。
また、図３３にオレンジライトのスペクトル、第３の発光層９１３に用いた有機化合物の吸収スペクトルを示す。オレンジライトの最も短波長に位置するピークは５８８ｎｍであり、オレンジライトのスペクトルのうち最も短波長に位置する発光端は５４２ｎｍであり、オレンジライトは５３０ｎｍ以下の波長にスペクトルを有さない光源である。また、オレンジライトの照度は１１１ルクスであった。また、第３の発光層９１３が有する有機化合物であるＯＣＰＧ－００６の最も長波長に位置する吸収端は６２２ｎｍであり、１１ｍＤＢｔＢＰＰｎｆｐｒの最も長波長に位置する吸収端は４２１ｎｍであり、ＰＣＢＢｉＦの最も長波長に位置する吸収端は３９９ｎｍであった。
したがって、ＯＣＰＧ－００６の最も長波長に位置する吸収端は、オレンジライトの最も短波長に位置する発光端より長波長であった。また、１１ｍＤＢｔＢＰＰｎｆｐｒ及びＰＣＢＢｉＦの最も長波長に位置する吸収端は、オレンジライトの最も短波長に位置する発光端より短波長であった。ＯＣＰＧ－００６の最も長波長に位置する吸収端の波長より短波長に発光端を有する照明を、発光装置を作製するときの大気暴露中に照射しても、当該照明が１１ｍＤＢｔＢＰＰｎｆｐｒ及びＰＣＢＢｉＦの最も長波長に位置する吸収端より長波長に発光端を有する照明であれば、発光装置の特性に劣化が生じないことが分かった。
上記より、大気暴露中における照射する光が含む波長と使用する有機化合物を適切に組み合わせることで、良好な特性を有する発光装置の作製できることが分かった。
従って、本発明の一態様である作製プロセスを用いることは、発光デバイスの信頼性を向上させる上で有用であるといえる。
以上のことから、本発明の一態様を用いることで良好な発光装置を提供できることが分かった。
本実施例では、実施の形態で説明した本発明の一態様のデバイス４Ａ、および比較デバイス４Ｂを作製し、その特性を評価した結果について説明する。
デバイス４Ａ、および比較デバイス４Ｂに用いた有機化合物の構造式を以下に示す。
また、デバイス４Ａ、および比較デバイス４Ｂの素子構造を下表に示す。
＜デバイスの作製方法＞
デバイス４Ａ、および比較デバイス４Ｂは、図２５に示すように、ガラス基板９００上に形成された第１の電極９０１上に、正孔注入層９１１、正孔輸送層９１２、発光層９１３、電子輸送層９１４および電子注入層９１５が順次積層され、電子注入層９１５上に第２の電極９０２が積層された構造を有する。
まず、ガラス基板９００上に、銀（Ａｇ）をスパッタリング法により成膜した後、ケイ素若しくは酸化ケイ素を含有した酸化インジウム－酸化スズ（略称：ＩＴＳＯ）をスパッタリング法により成膜し、第１の電極９０１を形成した。なお、Ａｇの膜厚は１００ｎｍ、ＩＴＳＯの膜厚は８５ｎｍとし、電極面積は４ｍｍ２（２ｍｍ×２ｍｍ）とした。
次に、基板上にデバイス４Ａ、および比較デバイス４Ｂを形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、２００℃で１時間焼成した。その後、１×１０－４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において、１７０℃で３０分間の真空焼成を行った。その後、３０分程度自然冷却させた。
次に、第１の電極９０１が形成された面が下方となるように、第１の電極９０１が形成された基板を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、第１の電極９０１上に、抵抗加熱を用いた蒸着法によりＮ，Ｎ－ビス（４－ビフェニル）－６－フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン－８－アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ）と、分子量６７２でフッ素を含む電子アクセプタ材料（略称：ＯＣＨＤ－００３）と、をＢＢＡＢｎｆ：ＯＣＨＤ－００３＝１：０．１０（重量比）となるように１０ｎｍ共蒸着し、正孔注入層９１１を形成した。
次に、正孔注入層９１１上に、ＢＢＡＢｎｆを膜厚４０ｎｍとなるように蒸着した後、９，９’－ジフェニル－９Ｈ，９’Ｈ－３，３’－ビカルバゾール（略称：ＰＣＣＰ）を膜厚２０ｎｍとなるように蒸着し、正孔輸送層９１２を形成した。
次に、正孔輸送層９１２上に発光層９１３を形成した。抵抗加熱を用いた蒸着法により４，６－ビス［３－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＣｚＰ２Ｐｍ）と、９，９’－ジフェニル－９Ｈ，９’Ｈ－３，３’－ビカルバゾール（略称：ＰＣＣＰ）と、トリス｛２－［４－（４－シアノ－２，６－ジイソブチルフェニル）－５－（２－メチルフェニル）－４Ｈ－１，２，４－トリアゾール－３－イル－κＮ２］フェニル－κＣ｝イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｔｚ－ｄｉＢｕＣＮｐ）３）を４，６ｍＣｚＰ２Ｐｍ：ＰＣＣＰ：Ｉｒ（ｍｐｐｔｚ－ｄｉＢｕＣＮｐ）３＝０．５：０．５：０．０６（重量比）となるように、３０ｎｍ共蒸着した後、さらに４，６ｍＣｚＰ２Ｐｍと、ＰＣＣＰと、Ｉｒ（ｍｐｐｔｚ－ｄｉＢｕＣＮｐ）３を４，６ｍＣｚＰ２Ｐｍ：ＰＣＣＰ：Ｉｒ（ｍｐｐｔｚ－ｄｉＢｕＣＮｐ）３＝０．８：０．２：０．０６（重量比）となるように、１０ｎｍ共蒸着して発光層９１３を形成した。
次に、発光層９１３上に、２－｛３－［３－（Ｎ－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）－９Ｈ－カルバゾール－９－イル］フェニル｝ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＰＣＣｚＰＤＢｑ）を膜厚１０ｎｍとなるように蒸着した後、２，２’－（１，３－フェニレン）ビス（９－フェニル－１，１０－フェナントロリン）（略称：ｍＰＰｈｅｎ２Ｐ）を膜厚１５ｎｍとなるように蒸着し、電子輸送層９１４を形成した。
ここで、デバイス４Ａに対し、蛍光灯の照射下にて１時間の大気暴露を行った後、１×１０－４Ｐａ程度まで減圧した環境下で、１１０℃で６０分間の真空焼成を行った。その後、自然冷却させた。一方、比較デバイス４Ｂはリファレンスとして、大気暴露なし、光の照射なし、真空焼成なし（いわゆる真空一貫プロセス）とした。
次に、電子輸送層９１４上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）とイッテルビウム（Ｙｂ）とを体積比で２：１（＝ＬｉＦ：Ｙｂ）となるように、１．５ｎｍ共蒸着して、電子注入層９１５を形成した。
次に、電子注入層９１５上に、Ａｇと、Ｍｇと、をＡｇ：Ｍｇ＝１：０．１（体積比）となるように、１５ｎｍ共蒸着し、第２の電極９０２を形成した。なお、第２の電極９０２は光を反射する機能と光を透過する機能とを有する半透過・半反射電極である。
その後、キャップ層として、４，４’，４’’－（ベンゼン－１，３，５－トリイル）トリ（ジベンゾチオフェン）（略称：ＤＢＴ３Ｐ－ＩＩ）を７０ｎｍの厚さで蒸着した。
以上により、デバイス４Ａ、および比較デバイス４Ｂを作製した。
＜各デバイス特性＞
上記蛍光灯を照射したデバイス４Ａ、および比較デバイス４Ｂを、窒素雰囲気のグローブボックス内において、各デバイスが大気に曝されないようにガラス基板により封止する作業（シール材を素子の周囲に塗布し、封止時にＵＶ処理、８０℃にて１時間熱処理）を行った後、発光デバイス４Ａ、および比較デバイス４Ｂの発光特性について測定を行った。
デバイス４Ａ、および比較デバイス４Ｂの電流効率－輝度特性を図４７に、輝度－電圧特性を図４８に、輝度－電流密度特性を図４９に、電流密度－電圧特性を図５０に、ブルーインデックス（ＢＩ）－輝度特性を図５１に、電界発光スペクトルを図５２に示す。
なお、ブルーインデックス（ＢＩ）とは、電流効率（ｃｄ／Ａ）をさらにｙ色度で割った値であり、青色発光の発光特性を表す指標の一つである。青色発光は、ｙ色度が小さいほど色純度の高い発光となる傾向にある。色純度の高い青色発光は、輝度成分が小さくても所望の色を表現することが可能であり、また、色純度の高い青色発光を用いることで、青色の必要輝度が低下することから消費電力の低減効果が得られる。そのため、青色純度の指標の一つとなるｙ色度を考慮したＢＩが青色発光の効率を表す手段として用いられる場合があり、ＢＩが高いほどディスプレイにおける青色発光としての効率が良好であるということができる。
また、デバイス４Ａ、および比較デバイス４Ｂの電流密度が５０ｍＡ／ｃｍ２における主要な特性を下表に示す。なお、輝度、ＣＩＥ色度、電界発光スペクトルの測定には分光放射計（トプコン社製、ＳＲ－ＵＬ１Ｒ）を用いた。
図４７乃至図５２、および上記表より、デバイス４Ａは、真空一貫プロセスを経て作製された比較デバイス４Ｂの特性と同等であることが分かった。
また、デバイス４Ａは、発光層にπ電子不足型複素芳香環を有し電子輸送性が高い有機化合物である４，６ｍＣｚＰ２Ｐｍと、π電子過剰型複素芳香環を有し正孔輸送性が高い有機化合物であるＰＣＣＰを含み、これらが励起錯体を形成する組み合わせであるため、低い電圧で駆動し、高い電流効率で発光することがわかった。また、デバイス４Ａは、発光層において４，６ｍＣｚＰ２ＰｍとＰＣＣＰの濃度比が異なる領域を有し、発光層における正孔輸送層と接する領域でＰＣＣＰの濃度比が４，６ｍＣｚＰ２Ｐｍの同等以上であり、電子輸送層と接する領域で４，６ｍＣｚＰ２Ｐｍの濃度比がＰＣＣＰより高い。当該構成により、発光層でキャリア再結合しやすくなるため、デバイス４Ａは高い電流効率で発光することがわかった。
＜信頼性試験結果＞
さらに、デバイス４Ａ、および比較デバイス４Ｂについて、信頼性試験を行った。図５３（Ａ）では、発光開始した時点での輝度を１００％として、一定電流密度（１０［ｍＡ／ｃｍ２］）で駆動させた場合の輝度（％）の経時変化を示す。
図５３（Ａ）より、デバイス４Ａは、真空一貫プロセスを経て作製された比較デバイス４Ｂと同等以上の高い信頼性を示した。また、図５３（Ｂ）に、測定輝度が初期輝度の９０％に低下するまでの経過時間であるＬＴ９０（ｈ）の値を示す。図５３（Ｂ）より、デバイス４Ａは２２時間であった。また、比較デバイス４Ｂは、ＬＴ９０が１８時間であった。
従って、デバイス４Ａは、大気雰囲気下において、蛍光灯を照射したとしても信頼性の劣化は見られず、真空一貫プロセスで作製した比較デバイス４Ｂと同等の特性を得ることができた。
ここで、図５４（Ａ）に発光層９１３に用いた有機化合物（４，６ｍＣｚＰ２Ｐｍ、ＰＣＣＰ、およびＩｒ（ｍｐｐｔｚ－ｄｉＢｕＣＮｐ）３）の各吸収スペクトルを、図５４（Ｂ）に照射した蛍光灯の発光スペクトルを示す。なお、Ｉｒ（ｍｐｐｔｚ－ｄｉＢｕＣＮｐ）３の吸収スペクトルは、Ｉｒ（ｍｐｐｔｚ－ｄｉＢｕＣＮｐ）３を溶解させたジクロロメタン溶液を作製し測定した。他の有機化合物の吸収スペクトルは、石英基板上に各有機化合物の薄膜を膜厚５０ｎｍになるよう成膜し、測定した。
図５４（Ａ）より、発光層中に含まれる有機化合物のうち最も長波長に吸収端を有する化合物はＩｒ（ｍｐｐｔｚ－ｄｉＢｕＣＮｐ）３であり、その最も長波長に位置する吸収端は４７８ｎｍであった。また、４，６ｍＣｚＰ２Ｐｍ、およびＰＣＣＰの最も長波長に位置する吸収端は３５７ｎｍおよび３７０ｎｍであった。一方、図５４（Ｂ）に示す蛍光灯のスペクトルは、最も短波長に位置するピークは３８８ｎｍである。
なお、吸収端は、吸収スペクトルの最も長波長で観測されるピーク（またはショルダーピーク）の長波長に位置する半値において接線を引き、その接線と横軸（波長）あるいはベースラインとの交点から算出した。
図５４より、４，６ｍＣｚＰ２Ｐｍ、およびＰＣＣＰの最も長波長に位置する吸収端は、蛍光灯の最も短波長に位置するピークより短波長であり、４，６ｍＣｚＰ２Ｐｍ、およびＰＣＣＰの吸収スペクトルは、蛍光灯の発光スペクトルと重畳していなかった。一方、Ｉｒ（ｍｐｐｔｚ－ｄｉＢｕＣＮｐ）３の最も長波長に位置する吸収端は、蛍光灯の最も短波長に位置するピークより長波長であり、Ｉｒ（ｍｐｐｔｚ－ｄｉＢｕＣＮｐ）３における吸収スペクトルは、蛍光灯の発光スペクトルと重畳していた。
以上のことから、４，６ｍＣｚＰ２Ｐｍ、およびＰＣＣＰの最も長波長に位置する吸収端の波長より、蛍光灯の発光スペクトルの最も短波長に位置するピークは長波長であり、４，６ｍＣｚＰ２Ｐｍ、およびＰＣＣＰの吸収スペクトルと蛍光灯の発光スペクトルは、重畳していないため、デバイス４Ａの劣化を抑制することができた。一方、燐光ドーパントであるＩｒ（ｍｐｐｔｚ－ｄｉＢｕＣＮｐ）３の吸収スペクトルと蛍光灯の発光スペクトルは重畳しているが、Ｉｒ（ｍｐｐｔｚ－ｄｉＢｕＣＮｐ）３が光を吸収し、励起状態を形成しても、そのエネルギーがホストに移動することなく、燐光ドーパントで消光されるため劣化が生じない結果である。従って、デバイスを作製する環境下において、発光層に用いる有機化合物が吸収する波長の光照射を低減することで、大気雰囲気に暴露したとしても、信頼性が高いデバイスを作製することが可能であることが分かった。
１００Ａ 発光装置
１００Ｂ 発光装置
１００Ｃ 発光装置
１００Ｈ 発光装置
１００ 発光デバイス
１０１ 第１の電極
１０２ 第２の電極
１０３ａ 有機化合物層
１０３Ｂ 有機化合物層
１０３ｂ 有機化合物層
１０３Ｂｆ 有機化合物膜
１０３Ｇ 有機化合物層
１０３Ｇｆ 有機化合物膜
１０３Ｒ 有機化合物層
１０３Ｒｆ 有機化合物膜
１０３ 有機化合物層
１０４ 共通層
１０６ａ 電荷発生層
１０６ｂ 電荷発生層
１０６ 電荷発生層
１０７ 絶縁層
１０８ 絶縁層
１１０Ｂ 副画素
１１０Ｇ 副画素
１１０Ｒ 副画素
１１０Ｗ 副画素
１１０ 副画素
１１１ａ 正孔注入層
１１１ｂ 正孔注入層
１１１ 正孔注入層
１１２ａ 正孔輸送層
１１２Ｂ 導電層
１１２ｂ 正孔輸送層
１１２Ｒ 導電層
１１２ 正孔輸送層
１１３ａ 発光層
１１３ｂ 発光層
１１３ｃ 発光層
１１３ 発光層
１１４ｂ 電子輸送層
１１４ 電子輸送層
１１５ｂ 電子注入層
１１５ 電子注入層
１２０ 基板
１２２ 樹脂層
１２４ａ 画素
１２４ｂ 画素
１２５ｆ 無機絶縁膜
１２５ 無機絶縁層
１２６Ｂ 導電層
１２６Ｒ 導電層
１２７ａ 絶縁層
１２７ｆ 絶縁膜
１２７ 絶縁層
１２８ 層
１２９Ｂ 導電層
１２９Ｒ 導電層
１３０Ｂ 発光デバイス
１３０Ｇ 発光デバイス
１３０Ｒ 発光デバイス
１３０ 発光デバイス
１３１ 保護層
１３２Ｂ 着色層
１３２Ｇ 着色層
１３２Ｒ 着色層
１４０ 接続部
１４１ 領域
１４２ 接着層
１５１＿１ 導電層
１５１＿２ 導電層
１５１＿３ 導電層
１５１Ｂ 導電層
１５１Ｃ 導電層
１５１ｆ 導電膜
１５１Ｇ 導電層
１５１Ｒ 導電層
１５１ 導電層
１５２＿１ 導電層
１５２＿２ 導電層
１５２＿３ 導電層
１５２Ｂ 導電層
１５２Ｃ 導電層
１５２ｆ 導電膜
１５２Ｇ 導電層
１５２Ｒ 導電層
１５２ 導電層
１５３ 絶縁層
１５５ 共通電極
１５６Ｂ 絶縁層
１５６Ｃ 絶縁層
１５６ｆ 絶縁膜
１５６Ｇ 絶縁層
１５６Ｒ 絶縁層
１５６ 絶縁層
１５７ 遮光層
１５８Ｂ 犠牲層
１５８Ｂｆ 犠牲膜
１５８Ｇ 犠牲層
１５８Ｇｆ 犠牲膜
１５８Ｒ 犠牲層
１５８Ｒｆ 犠牲膜
１５８ 犠牲層
１５９Ｂ マスク層
１５９Ｂｆ マスク膜
１５９Ｇ マスク層
１５９Ｇｆ マスク膜
１５９Ｒ マスク層
１５９Ｒｆ マスク膜
１６６ 導電層
１７１ 絶縁層
１７２ 導電層
１７３ 絶縁層
１７４ 絶縁層
１７５ 絶縁層
１７６ プラグ
１７７ 画素部
１７８ 画素
１７９ 導電層
１９０Ｂ レジストマスク
１９０Ｇ レジストマスク
１９０Ｒ レジストマスク
１９１ レジストマスク
２０１ トランジスタ
２０４ 接続部
２０５ トランジスタ
２０９ トランジスタ
２１０ トランジスタ
２１１ 絶縁層
２１３ 絶縁層
２１４ 絶縁層
２１５ 絶縁層
２１８ 絶縁層
２２１ 導電層
２２２ａ 導電層
２２２ｂ 導電層
２２３ 導電層
２２４Ｂ 導電層
２２４Ｃ 導電層
２２４Ｇ 導電層
２２４Ｒ 導電層
２２５ 絶縁層
２３１ｉ チャネル形成領域
２３１ｎ 低抵抗領域
２３１ 半導体層
２４０ 容量
２４１ 導電層
２４２ 接続層
２４３ 絶縁層
２４５ 導電層
２５４ 絶縁層
２５５ 絶縁層
２５６ プラグ
２６１ 絶縁層
２７１ プラグ
２８０ 表示モジュール
２８１ 表示部
２８２ 回路部
２８３ａ 画素回路
２８３ 画素回路部
２８４ａ 画素
２８４ 画素部
２８５ 端子部
２８６ 配線部
２９０ ＦＰＣ
２９１ 基板
２９２ 基板
３０１ 基板
３１０ トランジスタ
３１１ 導電層
３１２ 低抵抗領域
３１３ 絶縁層
３１４ 絶縁層
３１５ 素子分離層
３５１ 基板
３５２ 基板
３５３ ＦＰＣ
３５４ ＩＣ
３５５ 配線
３５６ 回路
７００Ａ 電子機器
７００Ｂ 電子機器
７２１ 筐体
７２３ 装着部
７２７ イヤフォン部
７５０ イヤフォン
７５１ 表示パネル
７５３ 光学部材
７５６ 表示領域
７５７ フレーム
７５８ 鼻パッド
８００Ａ 電子機器
８００Ｂ 電子機器
８２０ 表示部
８２１ 筐体
８２２ 通信部
８２３ 装着部
８２４ 制御部
８２５ 撮像部
８２７ イヤフォン部
８３２ レンズ
９００ ガラス基板
９０１ 第１の電極
９０２ 第２の電極
９１１ 正孔注入層
９１２ 正孔輸送層
９１３ 発光層
９１４ 電子輸送層
９１５ 電子注入層
１０００ 発光装置
１１０３Ｂ 発光デバイス
１１０３Ｇ 発光デバイス
１１０３Ｒ 発光デバイス
１１０３ 発光デバイス
１１１０Ｂ 副画素
１１１０Ｇ 副画素
１１１０Ｒ 副画素
１１１２ 画素
１１２０Ｂ 絶縁層
１１２０Ｇ 絶縁層
１１２０Ｒ 絶縁層
１１２０ 絶縁層
１１２２ 絶縁層
６５００ 電子機器
６５０１ 筐体
６５０２ 表示部
６５０３ 電源ボタン
６５０４ ボタン
６５０５ スピーカ
６５０６ マイク
６５０７ カメラ
６５０８ 光源
６５１０ 保護部材
６５１１ 表示パネル
６５１２ 光学部材
６５１３ タッチセンサパネル
６５１５ ＦＰＣ
６５１６ ＩＣ
６５１７ プリント基板
６５１８ バッテリ
７０００ 表示部
７１００ テレビジョン装置
７１５１ リモコン操作機
７１７１ 筐体
７１７３ スタンド
７２００ ノート型パーソナルコンピュータ
７２１１ 筐体
７２１２ キーボード
７２１３ ポインティングデバイス
７２１４ 外部接続ポート
７３００ デジタルサイネージ
７３０１ 筐体
７３０３ スピーカ
７３１１ 情報端末機
７４００ デジタルサイネージ
７４０１ 柱
７４１１ 情報端末機
９０００ 筐体
９００１ 表示部
９００２ カメラ
９００３ スピーカ
９００５ 操作キー
９００６ 接続端子
９００７ センサ
９００８ マイクロフォン
９０５０ アイコン
９０５１ 情報
９０５２ 情報
９０５３ 情報
９０５４ 情報
９０５５ ヒンジ
９１７１ 携帯情報端末
９１７２ 携帯情報端末
９１７３ タブレット端末
９２００ 携帯情報端末
９２０１ 携帯情報端末

Claims (9)

  1. 第１の電極を有する基板上に第１の有機化合物と、第２の有機化合物と、を含む発光層を形成し、
    光源の発光スペクトルにおける発光端のうち最も短波長に位置する発光端が、前記第１の有機化合物の吸収スペクトルにおける吸収端のうち最も長波長に位置する吸収端よりも短波長、且つ前記第２の有機化合物の吸収スペクトルにおける吸収端のうち最も長波長に位置する吸収端よりも長波長の照明下で前記基板を保持し、
    前記発光層上に犠牲層を形成し、
    フォトリソグラフィ法により少なくとも前記発光層を島状の形状に加工し、
    前記発光層上に第２の電極を形成する発光デバイスの作製方法。
  2. 第１の電極を有する基板上に第１の有機化合物と、第２の有機化合物と、を含む発光層を形成し、
    前記発光層上に犠牲層を形成し、
    フォトリソグラフィ法により少なくとも前記発光層を島状の形状に加工し、
    前記発光層上の前記犠牲層の少なくとも一部を除去し、
    光源の発光スペクトルにおける発光端のうち最も短波長に位置する発光端が、前記第１の有機化合物の吸収スペクトルにおける吸収端のうち最も長波長に位置する吸収端よりも短波長、且つ前記第２の有機化合物の吸収スペクトルにおける吸収端のうち最も長波長に位置する吸収端よりも長波長の照明下で前記基板を保持し、
    前記発光層上に第２の電極を形成する発光デバイスの作製方法。
  3. 請求項１において、
    前記発光層上の前記犠牲層の少なくとも一部を除去し、
    前記照明下で前記基板を保持する発光デバイスの作製方法。
  4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
    前記第１の有機化合物は、燐光を発する発光デバイスの作製方法。
  5. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
    前記第１の有機化合物は、金属錯体である発光デバイスの作製方法。
  6. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
    前記第１の有機化合物の最低三重項励起エネルギー準位は、前記第２の有機化合物の最低三重項励起エネルギー準位より低い、発光デバイスの作製方法。
  7. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
    前記第２の有機化合物は、ＨＯＭＯ準位が－５．７ｅＶ以上である発光デバイスの作製方法。
  8. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
    前記光源の発光スペクトルにおける発光端のうち最も短波長に位置する発光端が４３０ｎｍ以上である、発光デバイスの作製方法。
  9. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
    前記保持は、酸素を含む雰囲気下である発光デバイスの作製方法。
JP2023109741A 2022-07-04 2023-07-04 発光デバイスの作製方法 Pending JP2024007537A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022107651 2022-07-04
JP2022107651 2022-07-04

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2024007537A true JP2024007537A (ja) 2024-01-18

Family

ID=89363894

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2023109741A Pending JP2024007537A (ja) 2022-07-04 2023-07-04 発光デバイスの作製方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20240008352A1 (ja)
JP (1) JP2024007537A (ja)
KR (1) KR20240004107A (ja)
CN (1) CN117355197A (ja)

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE112017005659T5 (de) 2016-11-10 2019-08-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Anzeigevorrichtung und Betriebsverfahren der Anzeigevorrichtung
WO2018185642A1 (en) 2017-04-07 2018-10-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device

Also Published As

Publication number Publication date
US20240008352A1 (en) 2024-01-04
KR20240004107A (ko) 2024-01-11
CN117355197A (zh) 2024-01-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2024007537A (ja) 発光デバイスの作製方法
WO2024141864A1 (ja) 発光デバイス
WO2024116032A1 (ja) 発光デバイス
WO2023131854A1 (ja) 表示装置
WO2024141881A1 (ja) 発光デバイスおよび発光デバイスの作製方法
JP2023157871A (ja) 発光デバイス、およびその作製方法
WO2023187545A1 (ja) 発光デバイスの作製方法
WO2023047249A1 (ja) 表示装置、表示モジュールおよび電子機器
WO2023209492A1 (ja) 発光デバイスおよび発光装置の作製方法
WO2023094944A1 (ja) 表示装置、表示モジュールおよび電子機器
WO2023139444A1 (ja) 発光デバイス
WO2022229780A1 (ja) 発光装置および電子機器
WO2024052786A1 (ja) 発光デバイスおよび表示装置
WO2024116031A1 (ja) 発光デバイス
WO2024141886A1 (ja) 発光デバイス
WO2022172129A1 (ja) 発光装置および電子機器
US20230200198A1 (en) Light-emitting element, display device, and method for manufacturing the light-emitting element
US20230200104A1 (en) Light-emitting element, display device, and method for manufacturing the light-emitting element
JP2024024619A (ja) 発光デバイス
JP2023181133A (ja) 有機化合物、発光デバイス、および受光デバイス
WO2024141880A1 (ja) 発光デバイス
JP2023164316A (ja) 有機化合物、発光デバイス、発光装置
JP2024079628A (ja) 発光デバイス
CN116916717A (zh) 发光器件及其制造方法
KR20240104052A (ko) 발광 디바이스