KR20240009689A - 감광성 수지 조성물, 경화막 및 이를 포함하는 표시장치 - Google Patents

감광성 수지 조성물, 경화막 및 이를 포함하는 표시장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20240009689A
KR20240009689A KR1020220086921A KR20220086921A KR20240009689A KR 20240009689 A KR20240009689 A KR 20240009689A KR 1020220086921 A KR1020220086921 A KR 1020220086921A KR 20220086921 A KR20220086921 A KR 20220086921A KR 20240009689 A KR20240009689 A KR 20240009689A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
general formula
photosensitive resin
resin composition
carbon atoms
Prior art date
Application number
KR1020220086921A
Other languages
English (en)
Inventor
윤혁민
여태훈
김동명
이선희
장근석
이석현
오누리
박아름
Original Assignee
주식회사 동진쎄미켐
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 동진쎄미켐 filed Critical 주식회사 동진쎄미켐
Priority to KR1020220086921A priority Critical patent/KR20240009689A/ko
Priority to PCT/KR2023/006798 priority patent/WO2024014689A1/ko
Priority to TW112119982A priority patent/TW202406985A/zh
Publication of KR20240009689A publication Critical patent/KR20240009689A/ko

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • G03F7/023Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • G03F7/0233Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L75/00Compositions of polyureas or polyurethanes; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L75/04Polyurethanes
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • G03F7/023Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)

Abstract

유연성 및 감도 성능이 동시에 개선되는 감광성 수지 조성물이 제공된다. 본 발명에 따른 일반식 1 및 2에서 R1 및 R2 중 적어도 어느 하나는, 상기 일반식 3으로 표시되는 분자구조를 포함한다.

Description

감광성 수지 조성물, 경화막 및 이를 포함하는 표시장치{PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, CURED FILM AND DISPLAY DEVICE COMPRISING THE SAME}
본 발명은 감광성 수지 조성물에 관한 것으로, 보다 구체적으로 감광성 수지 조성물, 경화막 및 이를 포함하는 표시장치에 관한 것이다.
감광성 수지 조성물은 각종 정밀 전자산업제품의 생산에 실용화된 대표적인 기능성 고분자 재료로서, 현재 첨단기술 산업, 특히 반도체 및 디스플레이의 생산에 중요하게 이용되고 있다. 일반적으로 감광성 수지 조성물은 광조사에 의하여 단시간 내에 분자 구조의 화학적 변화가 일어나 특정 용매에 대한 용해도, 착색, 경화 등의 물성의 변화가 생기는 조성물을 의미한다.
감광성 수지 조성물을 이용하면 미세정밀 가공이 가능하고, 열반응 공정에 비하여 에너지 및 원료를 크게 절감할 수 있으며, 작은 설치 공간에서 신속하고 정확하게 작업을 수행할 수 있어, 첨단 인쇄 분야, 반도체 생산, 디스플레이 생산, 광경화 표면 코팅 재료 등의 각종 정밀 전자산업 분야에서 다양하게 사용되고 있다. 이러한 감광성 수지 조성물은 크게 네거티브형 및 포지티브형으로 구분될 수 있는데, 네거티브형의 감광성 수지 조성물은 광조사된 부분이 현상액에 불용화되는 유형이고, 포지티브형의 감광성 수지 조성물은 광조사된 부분이 현상액에 가용화되는 유형이다. 최근 전자기기가 고집적화 및 미세패턴화 되면서, 불량률을 최소화할 수 있고 처리 효율과 해상도를 높일 수 있는 포지티브형 감광성 수지 조성물이 주로 사용되고 있다.
한편, 우수한 해상도로 유기발광 표시장치(organic light emitting display; 이하 'OLED'라 함)가 디스플레이 산업에서 주목받고 있다. OLED 소자가 플렉서블(flexible) 디스플레이에 적용되었을 때, 유연성이 우수하고 크랙이 발생하지 않는 소자에 관한 연구가 지속적으로 이루어지고 있다.
본 발명의 목적은 유연성(flexibility), 내화학성, 감도 성능 및 소자의 신뢰성이 모두 우수한 감광성 수지 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은, 상기 감광성 수지 조성물이 경화된 경화막을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 경화막을 포함하는 표시장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 목적들은 이상에서 언급한 목적으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 본 발명의 다른 목적 및 장점들은 하기의 설명에 의해서 이해될 수 있고, 본 발명의 실시예에 의해 보다 분명하게 이해될 것이다. 또한, 본 발명의 목적 및 장점들은 청구범위에 나타낸 수단 및 그 조합에 의해 실현될 수 있음을 쉽게 알 수 있을 것이다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예는, 하기 일반식 1 또는 2로 표시되는 반복단위를 포함하는 알칼리 가용성 수지; 감광제; 및 용매를 포함하고, 하기 일반식 1 및 2에서 R1 및 R2 중 적어도 어느 하나는, 하기 일반식 3으로 표시되는 분자구조를 포함하는, 감광성 수지 조성물을 제공한다.
[일반식 1]
[일반식 2]
[일반식 3]
(C1)o-(B)p-(A)-(B)q-(C2)r
상기 일반식 1 및 2에서, R1은 2개 이상의 탄소 원자를 갖는 2가 내지 8가 유기기이고, R2는 2개 이상의 탄소 원자를 갖는 2가 내지 6가 유기기이며, R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소원자 또는 탄소수 1 내지 20의 유기기이고, a 및 b는 각각 독립적으로 0 내지 4이고, c 및 d는 각각 독립적으로 0 내지 2 이며, a+b는 1 이상이고, m, n은 각각 일반식 1 및 2의 0 내지 100의 몰%를 나타내며, m+n=100몰%이고, 상기 일반식 3에서, A는 불소원자, 산소원자, 황원자 및 수산기 중 적어도 어느 하나 이상을 포함하는 방향족 유기기이며, B는 아마이드기(CONH)이고, C1 및 C2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소 수 6 내지 12의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소 수 5 내지 12의 헤테로아릴기;이며, C1 및 C2는 서로 분자구조가 동일하거나 상이하고, C1 및 C2가 서로 분자구조가 동일할 때 C1 및 C2는 헤테로원자를 포함하고, o는 0 내지 2의 정수이고, p는 0 또는 1이고, q는 0 또는 1이고, r은 0 내지 2의 정수이고, p+q는 1 이상의 정수이고, o+r은 1 이상의 정수이다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 치환된 탄소 수 6 내지 12의 아릴기는, 탄소 수 6 내지 12의 아릴기에 결합된 적어도 어느 하나의 수소원자가 알킬기, 할로겐원자, 또는 알콕시기로 대체된 구조를 포함하고, 상기 치환된 탄소 수 5 내지 12의 헤테로아릴기는, 탄소 수 5 내지 12의 헤테로아릴기에 결합된 적어도 어느 하나의 수소원자가 알킬기, 할로겐원자, 또는 알콕시기로 대체된 구조를 포함할 수 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 실시예는 상기 감광성 수지 조성물이 경화된 경화막을 제공할 수 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 또 다른 실시예는 상기 경화막을 포함하는 표시장치를 제공할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 분자 간 수소결합을 하고 원자들 사이의 자유공간에 해당하는 자유부피(free volume)를 증가시켜 소자의 유연성(flexibility)을 개선하고, 내화학성, 감도 성능, 접착력 및 소자의 신뢰성이 우수한 감광성 수지 조성물을 제공할 수 있다.
상술한 효과와 더불어 본 발명의 구체적인 효과는 이하 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용을 설명하면서 함께 기술한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 수직 단면도이다.
이하, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 각 구성을 보다 상세히 설명하나, 이는 하나의 예시에 불과할 뿐, 본 발명의 권리범위가 다음 내용에 의해 제한되지 아니한다.
본 명세서에서 '치환된'의 의미는 적어도 어느 하나의 수소원자가 할로겐원자, 알킬기, 알콕시기, 알킬사이올기, 에테르기, 아세탈기, 알케닐기, 시클로알킬기, 헤테로시클로알킬기, 알릴기, 벤질기, 아릴기, 헤테로아릴기, 이들의 유도체 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나로 대체된 것으로 정의된다.
본 발명의 일 실시예는 하기 일반식 1 또는 2로 표시되는 반복단위를 포함하는 알칼리 가용성 수지; 감광제; 및 용매를 포함하고, 하기 일반식 1 및 2에서 R1 및 R2 중 적어도 어느 하나는, 하기 일반식 3으로 표시되는 분자구조를 포함하는, 감광성 수지 조성물을 제공한다.
[일반식 1]
[일반식 2]
[일반식 3]
(C1)o-(B)p-(A)-(B)q-(C2)r
상기 일반식 1 및 2에서, R1은 2개 이상의 탄소 원자를 갖는 2가 내지 8가 유기기이고, R2는 2개 이상의 탄소 원자를 갖는 2가 내지 6가 유기기이며, R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소원자 또는 탄소수 1 내지 20의 유기기이고, a 및 b는 각각 독립적으로 0 내지 4이고, c 및 d는 각각 독립적으로 0 내지 2 이며, a+b는 1 이상이고, m, n은 각각 일반식 1 및 2의 0 내지 100의 몰%를 나타내며, m+n=100몰%이고, 상기 일반식 3에서, A는 불소원자, 산소원자, 황원자 및 수산기 중 적어도 어느 하나 이상을 포함하는 방향족 유기기이며, B는 아마이드기(CONH)이고, C1 및 C2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소 수 6 내지 12의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소 수 5 내지 12의 헤테로아릴기;이며, C1 및 C2는 서로 분자구조가 동일하거나 상이하고, C1 및 C2가 서로 분자구조가 동일할 때 C1 및 C2는 헤테로원자를 포함하고, o는 0 내지 2의 정수이고, p는 0 또는 1이고, q는 0 또는 1이고, r은 0 내지 2의 정수이고, p+q는 1 이상의 정수이고, o+r은 1 이상의 정수이다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, A가 불소원자, 산소원자, 황원자 및 수산기 중 적어도 어느 하나 이상을 포함하는 방향족 유기기임에 따라 내화학성 및 감도 성능이 더욱 향상될 수 있고 특히 수산기(-OH)는 감도 성능을 조절할 수 있다. B가 아마이드기(CONH)임에 따라 아민기(-NH2) 대비 유연성(flexibility)을 현저하게 향상시킬 수 있고, C1 및 C2가 서로 분자구조가 동일하거나 상이함에 따라 기존의 디아민 단량체로 인한 감도 성능이 저하되는 문제를 해결할 수 있고, 감도 성능과 유연성을 동시에 향상시킬 수 있다. 즉 본 발명의 일 실시예에 따르면 분자 간 수소결합을 하고 원자들 사이의 자유공간에 해당하는 자유부피(free volume)를 증가시켜 소자의 유연성(flexibility)을 개선하고, 내화학성, 감도 성능 접착력 및 소자의 신뢰성이 우수한 감광성 수지 조성물을 제공할 수 있다.
이하에서는, 본 발명의 구성을 보다 상세히 설명한다.
1. 감광성 수지 조성물
본 발명에 따른 감광성 수지 조성물은 하기 일반식 1 또는 2로 표시되는 반복단위를 포함하는 알칼리 가용성 수지를 포함한다.
[일반식 1]
[일반식 2]
상기 일반식 1 및 2에서, R1은 2개 이상의 탄소 원자를 갖는 2가 내지 8가 유기기이고, R2는 2개 이상의 탄소 원자를 갖는 2가 내지 6가 유기기이며, R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소원자 또는 탄소수 1 내지 20의 유기기이고, a 및 b는 각각 독립적으로 0 내지 4이고, c 및 d는 각각 독립적으로 0 내지 2 이며, a+b는 1 이상이고, m, n은 각각 일반식 1 및 2의 0 내지 100의 몰%를 나타내며, m+n=100몰%이다.
구체적으로, 상기 알칼리 가용성 수지는 상기 일반식 1로 표시되는 폴리아믹산(에스테르) 반복단위 또는 상기 일반식 2로 표시되는 폴리이미드 반복단위를 포함할 수 있다. 상기 폴리이미드 반복단위가 증가할수록 유연성, 감도 성능, 잔사 성능, 내화학성 및 소자의 신뢰성이 더욱 우수할 수 있다.
상기 알칼리 가용성 수지의 이미드화 지수는 50% 초과 100%일 수 있고, 구체적으로 60% 내지 100%일 수 있고, 더욱 구체적으로 70% 내지 100%일 수 있다. 상기 알칼리 가용성 수지의 이미드화 지수는 합성온도 및 합성시간을 달리함으로써 조절될 수 있다. 예를 들어, 상기 폴리이미드계 수지의 합성온도 및 합성시간은 100 내지 180℃에서 2 내지 6 시간일 수 있다. 상기 폴리이미드계 수지의 이미드화 지수가 상기 수치 범위 내를 만족할 때, 유연성, 감도 성능, 잔사 성능, 내화학성 및 소자의 신뢰성이 더욱 우수할 수 있다.
상기 일반식 1 및 2에서 R1 및 R2 중 적어도 어느 하나는, 하기 일반식 3으로 표시되는 분자구조를 포함한다.
[일반식 3]
(C1)o-(B)p-(A)-(B)q-(C2)r
상기 일반식 3에서, A는 불소원자, 산소원자, 황원자 및 수산기 중 적어도 어느 하나 이상을 포함하는 방향족 유기기일 수 있고, 구체적으로 상기 불소원자 및 수산기를 포함하는 방향족 유기기일 수 있다. 상기 일반식 3에서 A가 불소원자 및 수산기를 모두 포함하는 방향족 유기기임에 따라 내화학성 성능과 감도 성능을 동시에 개선할 수 있다. 특히 불소원자는 내화학성 성능에 기여하고 수산기는 감도 성능에 기여할 수 있다.
상기 일반식 3에서 B는 아마이드기(CONH)임에 따라 아민기(-NH2) 대비 소자의 유연성(flexibility)을 현저하게 향상시킬 수 있다.
상기 일반식 3에서 C1 및 C2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소 수 6 내지 12의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소 수 5 내지 12의 헤테로아릴기;이다. 예를 들어, 상기 헤테로아릴기는 5각 또는 6각 고리일 수 있고 구체적으로 피리딘일 수 있다. 또한 C1과 C2는 서로 분자구조가 동일하거나 상이할 수 있고 구체적으로 서로 상이할 수 있다. C1 및 C2가 서로 분자구조가 동일할 때 C1 및 C2는 헤테로원자를 포함하고, 예를 들어 헤테로아릴기를 포함할 수 있다. C1과 C2가 서로 분자구조가 상이할 때 유연성 및 감도 성능이 동시에 개선될 수 있다. 예를 들어, 상기 C1 및 C2에서 '치환된 탄소 수 6 내지 12의 아릴기'는, 탄소 수 6 내지 12의 아릴기에 결합된 적어도 어느 하나의 수소원자가 알킬기, 할로겐원자, 또는 알콕시기로 대체된 구조를 포함할 수 있다. 또 다른 예시로, 상기 '치환된 탄소 수 5 내지 12의 헤테로아릴기'는 탄소 수 5 내지 12의 헤테로아릴기에 결합된 적어도 어느 하나의 수소원자가 알킬기, 할로겐원자, 또는 알콕시기로 대체된 구조를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 알킬기는 탄소 수 1 내지 5의 알킬기일 수 있고, 상기 할로겐원자는 불소원자, 염소원자, 브롬원자 또는 요오드원자일 수 있고, 상기 알콕시기는 탄소 수 1 내지 5의 알콕시기일 수 있다. 이러한 치환기를 더 포함할 경우 수지 분자 간 가교가 가능하여 플렉서블리티의 추가 향상을 기대해볼 수 있다.
구체적으로, 하기 일반식 1 및 2에서 R2는, 상기 일반식 3으로 표시되는 분자구조를 포함할 수 있다. 상기 R2는 폴리이미드계 수지를 합성하는데 이용되는 디아민 단량체에서 유래된 분자구조의 일부일 수 있다.
상기 일반식 3에서 A는 하기 일반식 4로 표시되는 분자구조를 포함할 수 있다.
[일반식 4]
상기 일반식 4에서, R5는 산소원자, C(CF3)2, C(CH3)2, 및 SO2로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나일 수 있고, 구체적으로 C(CF3)2 일 수 있다. 상기 R5가 C(CF3)2 일 때, 불소원자를 포함함에 따라 내화학성 성능이 더 우수해질 수 있다.
상기 일반식 4에서 R6은 각각 독립적으로 수소원자, 티올기, 탄소 수 1 내지 4의 알킬기, 탄소 수 2 내지 4의 알케닐기, 탄소 수 3 내지 6의 사이클로알킬기, 탄소 수 3 내지 6의 사이클로알케닐기 및 탄소 수 6 내지 12의 아릴기로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나일 수 있다.
예를 들어, 상기 일반식 3으로 표시되는 분자구조는, 하기 화학식 1 내지 4로 표시되는 분자구조 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 또 다른 예시로, 상기 일반식 3으로 표시되는 분자구조는, 하기 화학식 1 내지 4로 표시되는 분자구조를 모체로 포함하되, 아릴기 또는 헤테로아릴기에 결합된 적어도 어느 하나의 수소원자가 알킬기, 할로겐원자, 알콕시기 중 어느 하나로 대체된 분자구조일 수 있다.
[화학식 1]
[화학식 2]
[화학식 3]
[화학식 4]
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 화학식 1 내지 4로 표시되는 분자구조 중 어느 하나를 모체 구조로 포함함에 따라 분자 간 수소결합을 하고 원자들 사이의 자유공간에 해당하는 자유부피(free volume)를 증가시킬 수 있는 디아민 단량체를 이용하여 소자의 유연성(flexibility)을 개선하고, 내화학성, 감도 성능, 접착력 및 소자의 신뢰성이 우수한 감광성 수지 조성물을 제공할 수 있다.
예를 들어, 상기 일반식 3에서 상기 헤테로아릴기는, 질소원자 또는 황원자를 포함할 수 있고 구체적으로 질소원자를 포함할 수 있다. 상기 일반식 3에서 헤테로아릴기는 고리 내 전기음성도가 큰 질소원자를 포함함으로써, 감도 및 고투명성 성능이 더욱 개선될 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 일반식 2에서 n은 50몰%를 초과할 수 있다. 상기 일반식 2에서 n은 폴리이미드 반복단위의 몰%로 50몰%를 초과함에 따라, 소자의 유연성과 감도 성능, 내화학성 성능 및 소자의 신뢰성이 현저하게 향상될 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 알칼리 가용성 수지의 전체 단량체를 기준으로, 상기 일반식 3으로 표시되는 분자구조는 5 내지 100몰%로 포함될 수 있고, 구체적으로 5 내지 90몰%로 포함될 수 있다. 상기 알칼리 가용성 수지의 전체 단량체는 디아민 단량체와 산무수물 단량체를 의미할 수 있다. 상기 일반식 3으로 표시되는 분자구조의 함량이 상기 수치 범위 내를 만족할 때, 소자의 유연성, 내화학성 및 감도 성능이 더욱 개선될 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 알칼리 가용성 수지의 디아민 단량체를 기준으로 상기 일반식 3으로 표시되는 분자구조는 30 내지 100몰%로 포함될 수 있고 구체적으로 30 내지 80몰%로 포함될 수 있다. 상기 디아민 단량체를 기준으로 상기 일반식 3으로 표시되는 분자구조의 함량이 상기 수치 범위 내를 만족할 때, 소자의 유연성, 내화학성 및 감도 성능이 더욱 개선될 수 있다.
본 발명에 따른 감광성 수지 조성물은 노광 후 노광부에 알칼리 현상성을 부여하는 감광제를 포함한다. 상기 감광제는 에스테르화된 퀴논디아지드계 화합물을 포함하고, 상기 에스테르화된 퀴논디아지드계 화합물은 모체(ballast)로 페놀 구조를 포함할 수 있다. 상기 모체는 예를 들어, 하기 화학식 a 내지 h로 표시되는 구조 중에서 선택된 어느 하나일 수 있다. 상기 모체에서의 적어도 어느 하나의 수산기는 카르복시기를 함유하는 산 화합물과 반응하여 에스테르화 반응이 진행될 수 있다.
[화학식 a]
[화학식 b]
[화학식 c]
[화학식 d]
[화학식 e]
[화학식 f]
[화학식 g]
[화학식 h]
상기 화학식 a 내지 h에서, R7, R8 및 R11 내지 R55는 각각 독립적으로 수소원자, 할로겐, 수산기, 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 탄소수 2 내지 4의 알케닐기이고, X3및 X4는 각각 독립적으로 수소원자, 할로겐 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이며, R9 및 R10은 각각 독립적으로 수소원자 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이다.
상기 감광제의 함량은 상기 알칼리 가용성 수지 100 중량부를 기준으로 5 내지 50 중량부일 수 있고, 구체적으로 10 내지 30 중량부일 수 있다. 상기 감광제의 함량이 상기 수치 범위 내를 만족할 때, 패턴 형상이 적절히 유지됨과 동시에 적절한 광감도 및 내열성이 확보될 수 있다.
본 발명에 따른 감광성 수지 조성물은 용매를 포함한다. 상기 용매는 예를 들어, 감마부티로락톤(gamma-Butyrolactone; GBL), N-메틸피롤리돈(N-methylpyrrolidone; NMP), 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(propylene glycol monomethyl ether acetate; PGMEA), 에틸락테이트(ethyl lactate; EL), 메틸-3-메톡시프로피오네이트(methyl 3-methoxypropionate; MMP), 프로필렌글리콜모노메틸에테르(propylene glycol monomethyl ether; PGME), 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르(diethylene glycol ethyl methyl ether; MEDG), 디에틸렌글리콜부틸메틸에테르(diethylene glycol butyl methyl ether; MBDG), 디에틸렌글리콜디메틸에테르(diethylene glycol dimethyl ether; DMDG), 디에틸렌글리콜디에틸에테르(diethylene glycol diethyl ether; DEDG) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나일 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 감광성 수지 조성물은 첨가제를 더 포함할 수 있다. 상기 첨가제는, 가교제, 열산 발생제, UV 흡수제 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나일 수 있다. 상기 가교제는 열 경화 공정에서 열에 의해 알칼리 가용성 수지와 가교 반응을 진행하여 패턴의 형상을 효과적으로 제어할 수 있다. 상기 가교제는 예를 들어, 알콕시메틸기를 갖는 가교제, 또는 에폭시기를 갖는 가교제일 수 있다. 상기 열산 발생제는 상기 가교반응의 촉매 역할을 하며 패턴의 흘러내림을 효과적으로 제어할 수 있다. 상기 열산 발생제와 상기 UV 흡수제는 특별히 제한되지 않고 해당 기술분야의 상용 제품일 수 있다.
2. 경화막 및 표시장치
본 발명의 또 다른 실시예는 상기 감광성 수지 조성물이 경화된 경화막 및 이를 포함하는 표시장치를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 수직 단면도이다.
도 1을 참고하면, 본 발명에 따른 경화막은 층간절연층일 수 있다. 상기 층간절연층은 ILD(Interlayer Dielectric)층 상이 배치될 수 있고, 서로 대향되는 제1 전극 및 제2 전극 사이에 배치될 수 있다. 또 다른 예로 상기 층간절연층은 전극의 일부를 덮을 수도 있다. 이외에도 본 발명에 따른 감광성 수지 조성물은 반도체 소자, 플렉시블 디스플레이용 소자, OLED(organic light emitting diode) 소자 등에 널리 적용될 수 있다.
이하, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예에 대하여 상세히 설명하나, 이는 하나의 예시에 불과할 뿐, 본 발명의 권리범위가 다음 내용에 의해 제한되지 아니한다.
[합성예: 알칼리 가용성 수지의 합성]
<합성예 1: 폴리아믹산의 합성>
건조 질소 기류 하에, 디아민인 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시페닐)-헥사플루오로프로판(2,2-Bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)-hexafluoropropane; bis-APAF; 70mol) 및 하기 화학식 1-1로 표시되는 화합물(30mol)을 감마-부티로락톤(γ-butyrolactone)에 60℃에서 용해시켰다. 상기 용해된 혼합물에 4,4'-옥시디프탈릭 안하이드라이드(4,4'-oxydiphthalic anhydride; ODPA; 68mol)를 넣고 용해시킨 후, 70℃에서 4시간 동안 교반하였다. 이후, 교반된 결과물에 프탈릭 안하이드라이드(phthalic anhydride; PA; 64mol)를 넣은 후, 70℃에서 2시간 교반하여 반응을 종결하여 폴리아믹산을 합성하였다.
[화학식 1-1]
<비교합성예 1: 폴리이미드의 합성>
합성예 1과 동일한 방법으로 폴리아믹산을 합성하되, 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물을 제외하고 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시페닐)-헥사플루오로프로판(2,2-Bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)-hexafluoropropane; bis-APAF; 100mol)을 사용하였다. 그 후 추가적으로 180℃에서 4시간 동안 교반하여 폴리이미드를 합성하였다.
<합성예 2 내지 11: 폴리이미드의 합성>
합성예 1과 동일한 방법으로 폴리아믹산을 각각 합성하되, 디아민의 함량을 하기 표 1에 따라 조절하였다. 그 후, 추가적으로 180℃에서 4시간 동안 교반하여 폴리이미드를 합성하였다.
<합성예 12 내지 21: 폴리이미드의 합성>
합성예 2 내지 11과 동일한 방법으로 각각 폴리이미드를 합성하되, 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물 대신, 하기 화학식 2-1로 표시되는 화합물을 사용하였고, 하기 표 1에 따라 디아민의 함량을 조절하였다.
[화학식 2-1]
<합성예 22 내지 31: 폴리이미드의 합성>
합성예 2 내지 11과 동일한 방법으로 각각 폴리이미드를 합성하되, 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물 대신, 하기 화학식 3-1로 표시되는 화합물을 사용하였고, 하기 표 1에 따라 디아민의 함량을 조절하였다.
[화학식 3-1]
<합성예 32 내지 41: 폴리이미드의 합성>
합성예 2 내지 11과 동일한 방법으로 각각 폴리이미드를 합성하되, 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물 대신, 하기 화학식 4-1로 표시되는 화합물을 사용하였고, 하기 표 1에 따라 디아민의 함량을 조절하였다.
[화학식 4-1]
No. Diamine(mol)  Dianhydride
(mol)
Anhydride
(mol)
비고
Bis-APAF 비대칭(P)1) 비대칭(M)2) 비대칭 헤테로3) 대칭 헤테로4) ODPA5) PA6)
합성예1 70 30       68 64 폴리이미드 전구체
비교합성예 1 100 0       68 64
합성예 2 90 10       68 64
합성예 3 80 20       68 64
합성예4 70 30       68 64
합성예5 60 40       68 64
합성예6 50 50       68 64
합성예7 40 60       68 64
합성예8 30 70       68 64
합성예9 20 80       68 64
합성예10 10 90       68 64
합성예11 0 100       68 64
합성예12 90   10     68 64
합성예13 80   20     68 64
합성예14 70   30     68 64
합성예15 60   40     68 64
합성예16 50   50     68 64
합성예17 40   60     68 64
합성예18 30   70     68 64
합성예19 20   80     68 64
합성예20 10   90     68 64
합성예21 0   100     68 64
합성예22 90     10   68 64
합성예23 80     20   68 64
합성예24 70     30   68 64
합성예25 60     40   68 64
합성예26 50     50   68 64
합성예27 40     60   68 64
합성예28 30     70   68 64
합성예29 20     80   68 64
합성예30 10     90   68 64
합성예31 0     100   68 64
합성예32 90       10 68 64
합성예33 80       20 68 64
합성예34 70       30 68 64
합성예35 60       40 68 64
합성예36 50       50 68 64
합성예37 40       60 68 64
합성예38 30       70 68 64
합성예39 20       80 68 64
합성예40 10       90 68 64
합성예41 0       100 68 64
1) 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물
2) 상기 화학식 2-1로 표시되는 화합물
3) 상기 화학식 3-1로 표시되는 화합물
4) 상기 화학식 4-1로 표시되는 화합물
5) 4,4'-oxydiphthalic anhydride
6) phthalic anhydride
상기 1) 내지 6)은 하기 표 2에서도 동일하다.
<합성예 42 내지 49: 폴리이미드의 합성>
합성예 42 및 43은 합성예 6과 동일한 방법으로 합성되었고, 합성예 44 및 45는 합성예 16과 동일한 방법으로 합성되었고, 합성예 46 및 47은 합성예 26과 동일한 방법으로 합성되었고, 합성예 48 및 49는 합성예 36과 동일한 방법으로 합성되었다.
No. Diamine(mol)  Dianhydride
(mol)
Anhydride
(mol)
Bis-APAF 비대칭(P) 비대칭(M) 비대칭 헤테로 대칭 헤테로 ODPA PA
합성예42 50 50       68 64
합성예43 50 50       68 64
합성예44 50   50     68 64
합성예45 50   50     68 64
합성예46 50     50   68 64
합성예47 50     50   68 64
합성예48 50       50 68 64
합성예49 50       50 68 64
<비교합성예 2 내지 15: 폴리이미드의 합성>
합성예 2 내지 11과 동일한 방법으로 폴리이미드를 각각 합성하되, 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물 대신, 하기 화학식 5-1로 표시되는 화합물, ODA, APB, BAPP, 또는 6FODA와 같은 대칭 구조의 디아민 화합물 중 어느 하나를 사용하였고, 하기 표 3에 따라 디아민의 함량을 조절하였다.
[화학식 5-1]
No. Diamine(mol) Dianhydride
(mol)
Anhydride
(mol)
Bis-APAF 대칭1) ODA2) APB3) BAPP4) 6FODA5) ODPA PA
비교합성예 2 90 10 68 64
비교합성예 3 80 20 68 64
비교합성예 4 70 30 68 64
비교합성예 5 60 40 68 64
비교합성예 6 50 50 68 64
비교합성예 7 40 60 68 64
비교합성예 8 30 70 68 64
비교합성예 9 20 80 68 64
비교합성예 10 10 90 68 64
비교합성예 11 0 100 68 64
비교합성예 12 50 50 68 64
비교합성예 13 50 50 68 64
비교합성예 14 50 50 68 64
비교합성예 15 50 50 68 64
1) 상기 화학식 5-1로 표시되는 화합물
2) 4,4'-Oxydianiline
3) 1,3-Bis(3-aminophenoxy)benzene
4) 2,2-Bis [4-(4-aminophenoxy)phenyl] propane
5) 2,2'-Bis(trifluoromethyl)-4,4'- diaminodiphenyl ether
[제조예: 감광성 수지 조성물의 제조]
<실시예 1 내지 41: PAC이 TPPA인 경우>
각각의 상기 합성예 1 내지 41에 따른 알칼리 가용성 수지 100 중량부; 5-나프토퀴논디아지드 술포닐기를 포함하는 화합물(TPPA) 25 중량부 및 알콕시메틸기를 함유하는 가교제(HMOM-TPHAP) 20 중량부를 포함하는 감광성 수지 조성물을 각각 제조하였다.
<실시예 42, 44, 46 및 48: PAC이 THPE인 경우>
각각의 상기 합성예 42, 44, 46 및 48에 따른 알칼리 가용성 수지 100 중량부; 5-나프토퀴논디아지드 술포닐기를 포함하는 화합물(THPE) 25 중량부 및 알콕시메틸기를 함유하는 가교제(HMOM-TPHAP) 20 중량부를 포함하는 감광성 수지 조성물을 각각 제조하였다.
<실시예 43, 45, 47 및 49: 가교제가 에폭시 구조를 포함하는 경우>
각각의 상기 합성예 43, 45, 47 및 49에 따른 알칼리 가용성 수지 100 중량부; 5-나프토퀴논디아지드 술포닐기를 포함하는 화합물(THPE) 25 중량부 및 에폭시기를 함유하는 가교제(에피클론 HP-820) 20 중량부를 포함하는 감광성 수지 조성물을 각각 제조하였다.
<비교예 1 내지 15: 비교합성예 1 내지 15와 대응>
각각의 상기 비교합성예 1 내지 15에 따른 알칼리 가용성 수지 100 중량부; 5-나프토퀴논디아지드 술포닐기를 포함하는 화합물(TPPA) 25 중량부 및 알콕시메틸기를 함유하는 가교제(HMOM-TPHAP) 20 중량부를 포함하는 감광성 수지 조성물을 각각 제조하였다.
[실험예: 물성 평가 및 이미드화 지수 측정]
1) 유연성(flexibility) 및 크랙 평가
100㎛의 폴리이미드 필름에 상기 제조예에 따른 감광성 수지 조성물을 3㎛의 두께로 코팅한 후, 곡률반경 1R size로 인폴딩 20만회를 진행하여 10만회 미만 반복시까지 3mm 이상의 크랙(Crack)이 관찰되는 경우 X, 10만회 반복시 Crack 이 관찰되는 경우 △, 15만회 반복시 크랙(Crack)이 관찰되는 경우 O, 20만회 반복시까지 Crack 이 관찰되지 않은 경우 ◎로 하기 표 4 및 5에 표시하였다. 이를 위해 육안 검사 및 현미경 100배 배율에서 관찰하였다.
2) 감도
글래스(glass) 기판 상에 슬릿코터(slit coater)를 이용하여 상기 제조예에 따른 감광성 수지 조성물을 도포한 뒤, 진공건조공정(vacuum dry process)에 따라 40Pa의 압력으로 진행한 후, 120℃에서 2분 동안 핫 플레이트 상에서 프리베이크(pre-bake)하여 두께가 3.0㎛인 예비경화막을 형성하였다. 상기 예비경화막에 소정의 패턴마스크(pattern mask)를 이용하여 강도가 20mW/cm2인 자외선(2.5㎛ 컨택트 홀(Contact Hole) 임계치수(critical dimension) 기준 Dose량)을 조사한 후, 테트라메틸암모늄히드록사이드 수용액(N(CH3)4 +OH-; 2.38중량%)으로 23℃에서 1분 동안 현상하고, 초순수로 1분 동안 세정하였다. 그 후, 세정된 결과물을 오븐 속에서 250℃로 60분 동안 경화시켜 두께가 2.0 ㎛인 경화막을 형성하였다. 상기 경화막에 대하여, 감도가 100 미만 mJ/cm2 일 경우는 'O', 100 내지 150 mJ/cm2일 경우 'Δ' 150 mJ/cm2 이상일 경우 'X'로 하기 표 4 및 5에 표시하였다.
3) 스컴(잔사)
상기 감도 평가 시 형성된 경화막의 내부를 SEM(scanning electron microscope)으로 관찰하여 Line&Space 및 Contact hole에 잔사가 존재하는 경우 'X', 존재하지 않는 경우는 'O'로 하기 표 4 및 5에 표시하였다.
4) 내화학성
상기 경화막을 평가용매에 25℃에서 120초 동안 침지하여 침지 전후 경화막의 두께 변화율을 측정하였다. 상기 평가용매는 프로필렌 글리콜메틸에테르와 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트가 7:3의 몰비로 혼합된 혼합물이다. 이 때, 상기 경화막의 두께 변화율이 200Å 이하일 경우 '◎' 200 초과 300Å 이하일 경우 'O'; 300 초과 500Å 이하일 경우 'Δ'; 500Å 초과일 경우 'X'로 하기 표 4 및 5에 표시하였다.
5) 접착력
상기 감도 평가 시 형성된 경화막에서 10㎛ 선폭 및 슬릿폭이 1:1인 경우를 기준으로 베이크 온도에 따른 접착력을 비교하였다. 이때, 프리베이크 90℃ 내지 120℃에서 접착력이 확보되는 경우를 O, 프리베이크 125 내지 130℃에서 접착력이 확보되는 경우를 △, 프리베이크 130℃이상에서 접착력이 확보되거나 확보되지 않는 경우를 X로 표시하였다.
6) OLED 신뢰성
ITO(indium tin oxide) 기판(애노드 전극) 위에 상기 감도 분석 방법과 마찬가지로 패턴막을 형성한 뒤, 유기발광층을 증착한다. 상부에 캐소드 전극으로 알루미늄 박막을 형성한 후, 봉지(encapsulation) 공정을 진행하여 OLED 소자를 제조하였다. 85℃, 85% R.H 기준, OLED의 소자가 On 상태에서 3%의 휘도가 낮아지는 시간(T97)을 평가하였다. 1000시간 이상 확보되는 경우 '◎', 500 시간 이상 1000 시간 미만 확보되는 경우 'O', 200 내지 500 시간 미만일 경우 'Δ', 200 시간 미만일 경우 'X'로 하기 표 4 및 5에 표시하였다.
7) 이미드화 지수(%)
상기 제조예에 따른 감광성 수지 조성물을 기판 상에 도포하였다. 이후 글래스(glass) 기판 상에 슬릿 코팅기를 사용하여 박막 도포 후, 120℃로 2분간 핫플레이트 상에서 건조 및 250℃및 350℃로 각각 1시간씩 경화(cure)하여 두께가 3.0 ㎛인 막을 형성한 후 해당 막에 대해 IR을 측정하였다. 이미드화 반응 진행 시 변화가 없는 벤젠의 C=C stretching peak 세기를 기준으로 이미드 반응에 따른 C-N-C peak 세기를 통해 이미드화 지수를 확인하였고(Peak of C-N-C / Peak of C=C @aromatic) 350℃ cure 시의 이미드율을 100%로 가정하고 250℃ cure시의 이미드율을 계산하였다. 평가 결과 이미드율 51% 미만의 경우 <, 51% 이상일 경우 ≥로 하기 4 및 5에 표시하였다.
시료 물성 이미드화
지수
Folding & Crack
(Flexibility)
감도 스컴 내화학성 접착력 OLED 신뢰성
실시예 1 O Δ O X O X <
비교예 1 Δ O O Δ O Δ
실시예 2 Δ O O Δ O Δ
실시예3 Δ O O Δ O Δ
실시예4 O O O O O O
실시예5 O O O O O O
실시예6 O O O O O O
실시예7 O O O O O O
실시예8 O O O O O O
실시예9 O O O O O O
실시예10 O Δ O O O O
실시예11 O Δ O O O O
실시예12 O O O Δ O Δ
실시예13 O O O Δ O Δ
실시예14 O O O O O
실시예15 O O O O O
실시예16 O O O O O
실시예17 O O O O O
실시예18 O O O O O
실시예19 O O O O O
실시예20 Δ O O O O
실시예21 Δ O O O O
실시예22 O O O O O O
실시예23 O O O O O O
실시예24 O O O
실시예25 O O O
실시예26 O O O
실시예27 O O O
실시예28 O O O
실시예29 O O O
실시예30 Δ O O
실시예31 Δ O O
실시예32 O O O O O O
실시예33 O O O O O O
실시예34 O O O
실시예35 O O O
실시예36 O O O
실시예37 O O O
실시예38 O O O
실시예39 O O O
실시예40 Δ O O
실시예41 Δ O O
실시예42 O O O O O O
실시예43 O O O O O O
실시예44 O O O O O
실시예45 O O O O O
실시예46 O O O
실시예47 O O O
실시예48 O O O
실시예49 O O O
시료 물성 이미드화
지수
Folding & Crack
(Flexibility)
감도 스컴 내화학성 접착력 OLED 신뢰성
비교예 2 O X O O O O
비교예3 O X O O O O
비교예4 X O O
비교예5 X O O
비교예6 X O O
비교예7 X O O
비교예8 X O O
비교예9 X O O
비교예10 X X O
비교예11 X X O
비교예12 Δ O O Δ O Δ
비교예13 Δ O O Δ O Δ
비교예14 Δ O O Δ O Δ
비교예15 Δ O O Δ O Δ
상기 표 4 및 5를 참고하면 실시예 2 내지 49는 비교예 대비, 감도 성능과 유연성, 또는 소자의 신뢰성이 동등한 수준 내지 개선된 것임을 확인할 수 있다. 또한, 실시예 1과 나머지 실시예들을 비교하면 이미드화 지수가 50%를 초과할 때 유연성, 감도, 내화학성, 소자의 신뢰성 성능이 전체적으로 개선됨을 확인할 수 있다. 상기 실험결과를 종합적으로 고려할 때, 본 발명의 다양한 실시예는 상기 일반식 3으로 표시되는 분자구조를 모체로 포함함으로써, 분자 간 수소결합을 하고 원자들 사이의 자유공간에 해당하는 자유부피(free volume)를 증가시킬 수 있음을 유추할 수 있다. 이에 따라 소자의 유연성(flexibility)을 개선하고, 내화학성, 감도 성능 접착력 및 소자의 신뢰성이 우수한 감광성 수지 조성물을 제공할 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리 범위에 속하는 것이다.

Claims (14)

  1. 하기 일반식 1 또는 2로 표시되는 반복단위를 포함하는 알칼리 가용성 수지;
    감광제; 및
    용매를 포함하고,
    하기 일반식 1 및 2에서 R1 및 R2 중 적어도 어느 하나는,
    하기 일반식 3으로 표시되는 분자구조를 포함하는,
    감광성 수지 조성물:
    [일반식 1]

    [일반식 2]

    [일반식 3]
    (C1)o-(B)p-(A)-(B)q-(C2)r
    상기 일반식 1 및 2에서,
    R1은 2개 이상의 탄소 원자를 갖는 2가 내지 8가 유기기이고, R2는 2개 이상의 탄소 원자를 갖는 2가 내지 6가 유기기이며, R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소원자 또는 탄소수 1 내지 20의 유기기이고, a 및 b는 각각 독립적으로 0 내지 4이고, c 및 d는 각각 독립적으로 0 내지 2 이며, a+b는 1 이상이고, m, n은 각각 일반식 1 및 2의 0 내지 100의 몰%를 나타내며, m+n=100몰%이고,
    상기 일반식 3에서,
    A는 불소원자, 산소원자, 황원자 및 수산기 중 적어도 어느 하나 이상을 포함하는 방향족 유기기이며, B는 아마이드기(CONH)이고, C1 및 C2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소 수 6 내지 12의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소 수 5 내지 12의 헤테로아릴기;이며, C1 및 C2는 서로 분자구조가 동일하거나 상이하고, C1 및 C2가 서로 분자구조가 동일할 때 C1 및 C2는 헤테로원자를 포함하고, o는 0 내지 2의 정수이고, p는 0 또는 1이고, q는 0 또는 1이고, r은 0 내지 2의 정수이고, p+q는 1 이상의 정수이고, o+r은 1 이상의 정수이다.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 일반식 3에서,
    A는 상기 불소원자 및 수산기를 포함하는 방향족 유기기인,
    감광성 수지 조성물.
  3. 제1항에 있어서,
    하기 일반식 1 및 2에서 R2는,
    상기 일반식 3으로 표시되는 분자구조를 포함하는
    감광성 수지 조성물.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 일반식 3에서 A는,
    하기 일반식 4로 표시되는 분자구조를 포함하는,
    감광성 수지 조성물:
    [일반식 4]

    상기 일반식 4에서,
    R5는 산소원자, C(CF3)2, C(CH3)2, 및 SO2로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나이고,
    R6은 각각 독립적으로 수소원자, 티올기, 탄소 수 1 내지 4의 알킬기, 탄소 수 2 내지 4의 알케닐기, 탄소 수 3 내지 6의 사이클로알킬기, 탄소 수 3 내지 6의 사이클로알케닐기 및 탄소 수 6 내지 12의 아릴기로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나이다.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 일반식 3으로 표시되는 분자구조는,
    하기 화학식 1 내지 4로 표시되는 분자구조 중 어느 하나를 포함하는
    감광성 수지 조성물.
    [화학식 1]

    [화학식 2]

    [화학식 3]

    [화학식 4]

  6. 제1항에 있어서,
    상기 일반식 3에서,
    상기 헤테로아릴기는, 질소원자 또는 황원자를 포함하는
    감광성 수지 조성물.
  7. 제1항에 있어서
    상기 일반식 2에서 n은 50 몰%를 초과하는
    감광성 수지 조성물.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 알칼리 가용성 수지의 전체 단량체를 기준으로, 상기 일반식 3으로 표시되는 분자구조는 5 내지 100몰%로 포함되는,
    감광성 수지 조성물.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 알칼리 가용성 수지의 디아민 단량체를 기준으로 상기 일반식 3으로 표시되는 분자구조는 30 내지 80몰%로 포함되는,
    감광성 수지 조성물.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 감광제는,
    에스테르화된 퀴논디아지드계 화합물을 포함하고,
    상기 에스테르화된 퀴논디아지드계 화합물은 모체(ballast)로 페놀 구조를 포함하는,
    감광성 수지 조성물.
  11. 제1항에 있어서,
    첨가제를 더 포함하고,
    상기 첨가제는,
    가교제, 열산 발생제, UV 흡수제 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인,
    감광성 수지 조성물.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 치환된 탄소 수 6 내지 12의 아릴기는,
    탄소 수 6 내지 12의 아릴기에 결합된 적어도 어느 하나의 수소원자가 알킬기, 할로겐원자, 또는 알콕시기로 대체된 구조를 포함하고,
    상기 치환된 탄소 수 5 내지 12의 헤테로아릴기는,
    탄소 수 5 내지 12의 헤테로아릴기에 결합된 적어도 어느 하나의 수소원자가 알킬기, 할로겐원자, 또는 알콕시기로 대체된 구조를 포함하는,
    감광성 수지 조성물.
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 따른 감광성 수지 조성물이 경화된 경화막.
  14. 제13항에 따른 경화막을 포함하는 표시장치.

KR1020220086921A 2022-07-14 2022-07-14 감광성 수지 조성물, 경화막 및 이를 포함하는 표시장치 KR20240009689A (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020220086921A KR20240009689A (ko) 2022-07-14 2022-07-14 감광성 수지 조성물, 경화막 및 이를 포함하는 표시장치
PCT/KR2023/006798 WO2024014689A1 (ko) 2022-07-14 2023-05-18 감광성 수지 조성물, 경화막 및 이를 포함하는 표시장치
TW112119982A TW202406985A (zh) 2022-07-14 2023-05-29 感光性樹脂組合物、固化膜以及包含其的顯示裝置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020220086921A KR20240009689A (ko) 2022-07-14 2022-07-14 감광성 수지 조성물, 경화막 및 이를 포함하는 표시장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20240009689A true KR20240009689A (ko) 2024-01-23

Family

ID=89536883

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020220086921A KR20240009689A (ko) 2022-07-14 2022-07-14 감광성 수지 조성물, 경화막 및 이를 포함하는 표시장치

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR20240009689A (ko)
TW (1) TW202406985A (ko)
WO (1) WO2024014689A1 (ko)

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI333127B (en) * 2003-04-07 2010-11-11 Toray Industries Positive-type photosensitive resin composition
CN110147031A (zh) * 2012-12-20 2019-08-20 东丽株式会社 感光性树脂组合物、耐热性树脂膜的制造方法及显示装置
JPWO2015137281A1 (ja) * 2014-03-14 2017-04-06 東レ株式会社 感光性樹脂組成物
WO2018029746A1 (ja) * 2016-08-08 2018-02-15 東レ株式会社 ジアミン化合物、それを用いた耐熱性樹脂または耐熱性樹脂前駆体
JP6903916B2 (ja) * 2017-01-12 2021-07-14 東レ株式会社 樹脂組成物

Also Published As

Publication number Publication date
WO2024014689A1 (ko) 2024-01-18
TW202406985A (zh) 2024-02-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101072953B1 (ko) 포지티브형 감광성 수지 조성물, 패턴형 수지막의 제조 방법, 반도체 장치, 표시소자, 및 반도체 장치 및 표시소자의 제조 방법
KR101596985B1 (ko) 수지 조성물 및 이것을 이용한 표시 장치
KR101588364B1 (ko) 폴리히드록시이미드의 제조방법 및 그 제조방법으로부터 얻어진 폴리히드록시이미드를 함유하는 포지티브형 감광성 수지 조성물
KR20090129403A (ko) 감광성 수지 조성물, 그 수지 조성물을 이용한 패턴 경화막의 제조방법 및 전자부품
KR101548701B1 (ko) 폴리이미드 공중합체 및 이를 포함하는 감광성 수지 조성물
CN111522201B (zh) 一种正型感光性树脂组合物及其制备的固化膜与电子元件
CN114230792B (zh) 一种正性光敏聚酰亚胺树脂、树脂组合物及其制备方法与应用
CN114874441B (zh) 一种化学增幅型正性光敏聚酰亚胺涂层胶及其制备方法与应用
KR20170137779A (ko) 내열성 수지 조성물, 내열성 수지막의 제조 방법, 층간 절연막 또는 표면 보호막의 제조 방법, 및 전자 부품 또는 반도체 부품의 제조 방법
WO2013146967A1 (ja) ポリアミド酸およびそれを含有する樹脂組成物
EP2902846B1 (en) Positive photosensitive resin composition
KR101486568B1 (ko) 포지티브형 감광성 수지 조성물
US20240061333A1 (en) Resin, positive photosensitive resin composition and use
JP5712658B2 (ja) ポジ型感光性樹脂組成物
KR101696963B1 (ko) 감광성 수지 조성물
KR20150060365A (ko) 포지티브형 감광성 수지 조성물, 감광성 수지막, 및 표시 소자
KR20240009689A (ko) 감광성 수지 조성물, 경화막 및 이를 포함하는 표시장치
EP4184246A1 (en) Positive photosensitive resin composition
TW202302752A (zh) 正型感光性樹脂組合物、絕緣膜以及包括所述絕緣膜的顯示裝置
CN117234033B (zh) 一种正型感光性树脂组合物及其制备方法和应用
KR20240015965A (ko) 경화막, 이를 형성하는 감광성 수지 조성물 및 표시장치
KR102319362B1 (ko) 감광성 조성물 및 이의 경화물을 포함하는 패턴
TW202321821A (zh) 正型感光性樹脂組合物以及包含所述正型感光性樹脂組合物的顯示裝置
TW202409149A (zh) 固化膜、形成所述固化膜的感光性樹脂組合物以及顯示裝置
KR20230028187A (ko) 감광성 수지 조성물 및 이를 포함하는 표시 장치