KR20240003723A - 포토마스크의 제조 방법 및 포토마스크 - Google Patents
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Abstract
[과제] 포토마스크의 고정밀화 및 형성 가능한 패턴 형상의 다양화의 양쪽을 실현할 수 있는 포토마스크의 제조 방법 및 포토마스크를 제공한다.
[해결 수단] 포토마스크의 제조 방법은, 패터닝 공정에 있어서, 일부에 노광량이 상이한 영역을 가지는 제1차 레지스트 패턴을 형성하는 것을 요지로 하고, 하층막(3), 중간막(4) 및 상층막(5)의 적층부의 제1의 영역(10)과, 하층막(3) 및 중간막(4)의 적층부의 제2의 영역(12)과, 하층막(3)의 단층부의 제3의 영역(13)으로 구성되는 제1차 패턴(PA)을 형성하는 것이다. 제1차 패턴(PA)은, 추가 가공에 의해, 패턴 형상이 상이한 제2차 패턴(PB~PD)으로 변화할 수 있다.
[해결 수단] 포토마스크의 제조 방법은, 패터닝 공정에 있어서, 일부에 노광량이 상이한 영역을 가지는 제1차 레지스트 패턴을 형성하는 것을 요지로 하고, 하층막(3), 중간막(4) 및 상층막(5)의 적층부의 제1의 영역(10)과, 하층막(3) 및 중간막(4)의 적층부의 제2의 영역(12)과, 하층막(3)의 단층부의 제3의 영역(13)으로 구성되는 제1차 패턴(PA)을 형성하는 것이다. 제1차 패턴(PA)은, 추가 가공에 의해, 패턴 형상이 상이한 제2차 패턴(PB~PD)으로 변화할 수 있다.
Description
본 발명은, 포토마스크의 제조 방법 및 포토마스크에 관한 것이다.
포토리소그래피 기술로서, 위상(位相) 시프트 마스크나 하프톤 마스크가 알려져 있다. 위상 시프트 마스크는, 투명 기판의 일부에 위상 시프트막을 구비하고, 이 부분을 통과하는 광(光)의 위상이나 강도를 변경함으로써, 해상도를 향상시키는 기능이나 초점 심도(深度)(DOF)를 개선하는 기능을 가지는 포토마스크이다. 하프톤 마스크는, 투명 기판의 일부에 하프톤막을 구비하고, 이 부분을 통과하는 광의 강도를 변경함으로써, 3계조(階調) 이상의 다계조를 실현하는 기능을 가지는 포토마스크이다.
종래의 포토마스크의 제조 방법은, 차광부를 구성하는 패턴의 묘화 공정(노광 공정) 및 반투과부를 구성하는 패턴의 묘화 공정의 적어도 2회의 묘화 공정이 필요하게 된다. 그리고, 묘화 공정이 복수 회가 되면, 각 공정에서 형성되는 패턴의 위치 차이가 발생하기 쉬워진다.
이 대책으로서 얼라인먼트 마크의 이용이 있다. 2번째 이후의 묘화 공정에 있어서, 얼라인먼트 마크를 판독함으로써, 얼라인먼트(위치 맞춤)를 실시한다고 하는 것이다. 그러나, 얼라인먼트 마크를 이용해도, 패턴의 위치 차이(얼라인먼트 차이)를 완전하게 없애는 것은 불가능하고, 최대로 500nm의 얼라인먼트 차이가 발생해 버린다. 이 때문에, 포토마스크의 고정밀화가 곤란한 상황으로 되어 있다.
그래서, 묘화 공정을 1회로 마칠 수 있는 포토마스크의 제조 방법이 검토되고 있다. 예를 들면 특허문헌 1에 기재된 포토마스크의 제조 방법은, ⅰ) 투명 기판 위에 하층막 및 상층막이 적층된 포토마스크 블랭크스를 준비하는 공정, ⅱ) 포토마스크 블랭크스 위에 레지스트막을 형성하는 공정, ⅲ) 레지스트막에 소정의 레지스트 패턴을 묘화하고, 불필요한 레지스트막을 현상에 의해 제거하여, 소정의 레지스트 패턴을 형성하는 공정, ⅳ) 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 상층막의 노출 부분을 에칭에 의해 제거함과 함께, 상층막을 마스크로 하여, 하층막의 노출 부분을 에칭에 의해 제거하는 공정, ⅴ) 상층막 중, 단면(端面)으로부터 내측 방향에 있어서의 소정의 깊이 부분을 사이드 에칭에 의해 제거하는 공정, ⅵ) 잔존하는 레지스트막을 제거하는 공정을 구비하고, 하층막 및 상층막의 적층부의 영역과, 하층막의 단층부의 영역으로 구성되는 패턴을 형성하는 것이다.
그러나, 특허문헌 1에 기재된 포토마스크의 제조 방법은, 사이드 에칭을 요지로 하는 것이다. 이 때문에, ⅰ) 사이드 에칭량의 제어가 어렵다, ⅱ) 예를 들면 라인 앤드 스페이스 패턴과 같이, 스페이스부를 사이에 두고 양측에 상층막이 존재하는 패턴의 경우, 양측의 상층막이 동일 양만큼 사이드 에칭되어 버리기 때문에, 형성 가능한 패턴 형상이 한정된다, ⅲ) 상층막에 대해서는, 등방성 에칭의 경향이 큰 웨트 에칭에 적합한 막(膜)을 사용하는 것이 바람직하고, 드라이 에칭 프로세스는 채용하기 어렵다, 라고 하는 몇 가지의 문제가 있다.
그래서, 본 발명은, 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 포토마스크의 고정밀화 및 형성 가능한 패턴 형상의 다양화의 양쪽을 실현할 수 있는 포토마스크의 제조 방법 및 포토마스크를 제공하는 것을 과제로 한다.
본 발명에 관련되는 포토마스크의 제조 방법은,
투명 기판 위에, 서로 에칭 특성이 상이한 하층막, 중간막 및 상층막이 적층된 포토마스크 블랭크스를 준비하는 포토마스크 블랭크스 준비 공정과,
포토마스크 블랭크스 위에 레지스트막을 형성하는 레지스트막 형성 공정과,
일부에 노광량이 상이한 영역을 가지는 제1차 레지스트 패턴을 형성하는 제1차 레지스트 패턴 형성 공정과,
제1차 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 상층막의 노출 부분을 에칭에 의해 제거함과 함께, 상층막을 마스크로 하여, 중간막의 노출 부분을 에칭에 의해 제거하는 제1차 에칭 공정과,
레지스트 패턴의 일부의 영역을 제거하여 제2차 레지스트 패턴을 형성하는 제2차 레지스트 패턴 형성 공정과,
제2차 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 상층막의 노출 부분을 에칭에 의해 제거하는 제2차 에칭 공정과,
하층막의 노출 부분 중, 필요한 부분을 남기고 불필요한 부분을 제거하는 패터닝 공정을 구비하고,
하층막, 중간막 및 상층막의 적층부의 제1의 영역과, 하층막 및 중간막의 적층부의 제2의 영역과, 하층막의 단층부의 제3의 영역으로 구성되는 제1차 패턴을 형성하는
포토마스크의 제조 방법이다.
여기서, 본 발명에 관련되는 포토마스크의 제조 방법의 일 태양(態樣)으로서,
제1차 패턴의 제1 내지 제3의 영역 중 적어도 어느 하나에 대하여, 막 중 적어도 일부를 에칭에 의해 제거하는 추가 가공을 실시함으로써, 제1차 패턴으로부터 패턴 형상이 변화한 제2차 패턴을 형성하는 추가 가공 공정을 더 구비한다
라는 구성을 채용할 수 있다.
또한, 이 경우,
추가 가공은, 중간막을 마스크로 하여, 제1차 패턴의 제3의 영역의 하층막을 에칭에 의해 제거하는 것이다
라는 구성을 채용할 수 있다.
혹은,
추가 가공은, 상층막을 마스크로 하여, 제1차 패턴의 제2의 영역의 중간막을 에칭에 의해 제거하는 것이다
라는 구성을 채용할 수 있다.
혹은,
추가 가공은, 제1차 패턴의 제1의 영역의 상층막을 에칭에 의해 제거하는 것이다
라는 구성을 채용할 수 있다.
또한, 본 발명에 관련되는 포토마스크의 제조 방법의 다른 태양으로서,
제1차 패턴을 단위 패턴으로 하여 복수 형성한 상태에서, 추가 가공을 일부의 단위 패턴에 대하여 실시한다
라는 구성을 채용할 수 있다.
또한, 이 경우,
상이한 종류의 추가 가공을 각각의 단위 패턴에 대하여 실시한다
라는 구성을 채용할 수 있다.
또한, 본 발명에 관련되는 포토마스크의 제조 방법의 다른 태양으로서,
추가 가공은, 포토리소그래피에 의해 제조된 피전사(被轉寫) 기판의, 제1차 패턴에 기초하여 형성된 패턴의 측정 결과에 근거해서 작성되는 패턴 데이터를 사용하여, 제1차 패턴을 패터닝하는 것이다
라는 구성을 채용할 수 있다.
또한, 본 발명에 관련되는 포토마스크의 제조 방법의 또 다른 태양으로서,
하층막, 중간막 및 상층막으로서, 제1차 패턴의 제1의 영역이 차광부, 제2의 영역이 위상 시프트부, 제3의 영역이 하프톤부로서 기능하는 막을 사용한다
라는 구성을 채용할 수 있다.
또한, 이 경우,
하층막으로서, 위상 시프트막 또는 하프톤막의 어느 한쪽을 사용하고,
중간막으로서, 위상 시프트막 또는 하프톤막의 어느 다른 쪽을 사용하고,
상층막으로서, 차광막을 사용한다
라는 구성을 채용할 수 있다.
또한, 이 경우,
제1차 패턴의 제2의 영역은, 차광부의 림(rim)부로서 기능한다
라는 구성을 채용할 수 있다.
또한, 본 발명에 관련되는 포토마스크는,
서로 에칭 특성이 상이한 하층막, 중간막 및 상층막의 적층부의 제1의 영역과, 하층막 및 중간막의 적층부의 제2의 영역과, 하층막의 단층부의 제3의 영역으로 구성되는 패턴을 구비하는
포토마스크이다.
본 발명에 의하면, 패턴의 위치 정밀도가 요구되지 않는 묘화 공정을 제외하고, 묘화 공정은 1회로 끝난다. 이에 의해, 포토마스크의 제조 과정에 있어서, 얼라인먼트가 필요 없게 된다. 이 때문에, 본 발명에 의하면, 얼라인먼트 차이가 없으며, 포토마스크의 고정밀화를 실현할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 제1차 레지스트 패턴의 형상을 적절히 설정하는 것이나, 제1차 레지스트 패턴의 일부 영역의 형상을 적절히 설정함으로써, 제1차 패턴의 제1 내지 제3의 영역의 형상을 임의로 설정할 수 있다. 이 때문에, 본 발명에 의하면, 형성 가능한 패턴 형상의 다양화를 실현할 수 있다.
더구나, 본 발명에 의하면, 제1차 패턴은, 추가 가공에 의해, 패턴 형상이 상이한 제2차 패턴으로 변화할 수 있다. 이 때문에, 본 발명에 의하면, 형성 가능한 패턴 형상의 가일층의 다양화를 실현할 수 있다.
[도 1] 도 1(a)은, 본 실시 형태에 관련되는 제1차 포토마스크의 요부(要部) 확대 평면도이다. 도 1(b)은, 도 1(a)의 A-A선 단면도이다.
[도 2] 도 2(a)~(d)는, 본 실시 형태에 관련되는 제1차 포토마스크의 제조 방법의 설명도이다.
[도 3] 도 3(a)~(d)는, 도 2에 이어지는 설명도이다.
[도 4] 도 4(a)~(d)는, 도 3에 이어지는 설명도이다.
[도 5] 도 5(a), (b)는, 도 4에 이어지는 설명도이다.
[도 6] 도 6(a)은, 본 실시 형태에 관련되는 제1차 포토마스크의 단면도이다. 도 6(b)은, 실시 형태 1-1에 관련되는 제2차 포토마스크의 단면도이다. 도 6(c)은, 실시 형태 1-2에 관련되는 제2차 포토마스크의 단면도이다. 도 6(d)은, 실시 형태 1-3에 관련되는 제2차 포토마스크의 단면도이다.
[도 7] 도 7(a)~(d)는, 실시 형태 2-1에 관련되는 제2차 포토마스크의 제조 방법의 설명도이다.
[도 8] 도 8(a), (b)는, 도 7에 이어지는 설명도이다. 도 8(c)은, 실시 형태 2-2에 관련되는 제2차 포토마스크의 단면도이다. 도 8(d)은, 실시 형태 2-3에 관련되는 제2차 포토마스크의 단면도이다.
[도 9] 도 9(a)~(d)는, 실시 형태 3에 관련되는 제2차 포토마스크의 제조 방법의 설명도이다.
[도 10] 도 10(a)~(d)는, 도 9에 이어지는 설명도이다.
[도 2] 도 2(a)~(d)는, 본 실시 형태에 관련되는 제1차 포토마스크의 제조 방법의 설명도이다.
[도 3] 도 3(a)~(d)는, 도 2에 이어지는 설명도이다.
[도 4] 도 4(a)~(d)는, 도 3에 이어지는 설명도이다.
[도 5] 도 5(a), (b)는, 도 4에 이어지는 설명도이다.
[도 6] 도 6(a)은, 본 실시 형태에 관련되는 제1차 포토마스크의 단면도이다. 도 6(b)은, 실시 형태 1-1에 관련되는 제2차 포토마스크의 단면도이다. 도 6(c)은, 실시 형태 1-2에 관련되는 제2차 포토마스크의 단면도이다. 도 6(d)은, 실시 형태 1-3에 관련되는 제2차 포토마스크의 단면도이다.
[도 7] 도 7(a)~(d)는, 실시 형태 2-1에 관련되는 제2차 포토마스크의 제조 방법의 설명도이다.
[도 8] 도 8(a), (b)는, 도 7에 이어지는 설명도이다. 도 8(c)은, 실시 형태 2-2에 관련되는 제2차 포토마스크의 단면도이다. 도 8(d)은, 실시 형태 2-3에 관련되는 제2차 포토마스크의 단면도이다.
[도 9] 도 9(a)~(d)는, 실시 형태 3에 관련되는 제2차 포토마스크의 제조 방법의 설명도이다.
[도 10] 도 10(a)~(d)는, 도 9에 이어지는 설명도이다.
＜제1차 포토마스크의 구성＞
우선, 본 실시 형태에 관련되는 제1차 포토마스크의 구성에 대하여 설명한다. 제1차 포토마스크란, 추가 가공이 실시되어 제2차 포토마스크가 되기 전의 포토마스크를 말한다. 이하, 제1차 포토마스크를 단지 포토마스크라고 한다.
도 1에 나타내듯이, 포토마스크(1A)는, 차광부(검게 칠한 부분)(10)와, 반투과부(해칭 부분 및 망점(網點) 부분)(11)와, 투과부(흰색 부분)를 구비하는 3계조의 다계조 포토마스크이다. 차광부(10)는, 하층막으로서의 반투과막(3), 중간막으로서의 반투과막(4) 및 상층막으로서의 차광막(5)으로 구성된다. 반투과부(11)는, 반투과막(3) 및 반투과막(4)으로 구성된다. 투과부는, 투명 기판(2)으로 구성된다. 즉, 투명 기판(2) 위에 반투과막(3), 반투과막(4) 및 차광막(5)이 적층되는 부분이 차광부(10)가 되고, 투명 기판(2) 위에 반투과막(3)이 적층되는 부분과, 반투과막(3) 및 반투과막(4)이 적층되는 부분이 반투과부(11)가 되고, 반투과막(3), 반투과막(4) 및 차광막(5)이 적층되어 있지 않은 투명 기판(2)의 노출 부분이 투과부가 된다.
차광부(10) 및 반투과부(11)는, 제1차 패턴(PA)을 구성한다. 제1차 패턴(PA)은, 제1의 영역(10)과, 제2의 영역(12)과, 제3의 영역(13)으로 구성된다. 제1의 영역(10)은, 반투과막(3), 반투과막(4) 및 차광막(5)의 적층부이며, 차광부(10)로서 기능한다. 제2의 영역(12)은, 반투과막(3) 및 반투과막(4)의 적층부이며, 위상 시프트부로서 기능한다. 제3의 영역(13)은, 반투과막(3)의 단층부이며, 하프톤부로서 기능한다.
본 실시 형태에 있어서는, 스페이스부를 사이에 두고 양측에 한 쌍의 차광부(10, 10)가 라인 형상으로 배치되고, 스페이스부에 반투과부(11)가 배치되며, 제1차 패턴(PA)은, 라인 앤드 스페이스 패턴의 형태이다. 일례로서, 제1차 패턴(PA)은, 포토마스크(1A)를 사용하는 포토리소그래피에 의해 제조되는 피전사 기판에 있어서, 소스·드레인 전극을 형성하기 위한 패턴으로서 사용된다. 이 경우, 차광부(10)는, 전극부로서 기능하고, 반투과부(11)는, 채널부로서 기능하고, 제2의 영역(12)은, 차광부(10)의 림부로서 기능한다.
또한, 도 1 등에 있어서는, 반투과막(3) 및 반투과막(4)이 동일한 두께로 기재되고, 차광막(5)이 이들 막보다도 두껍게 기재되어 있다. 그러나, 이는 편의상이며, 반투과막(3), 반투과막(4) 및 차광막(5)의 각각의 두께는, 적절히 개별적으로 설정된다.
투명 기판(2)은, 합성 석영 유리 등의 기판이다. 투명 기판(2)은, 포토리소그래피의 노광 공정에서 사용되는 노광광에 포함되는 대표 파장(예를 들면, i선, h선 또는 g선)에 대하여 95% 이상의 투과율을 가진다. 또한, 노광광은, 예를 들면, i선, h선 또는 g선이어도 되고, 또는 이들의 적어도 2개의 광을 포함하는 혼합광이어도 된다. 혹은, 노광광은, 이들의 광에 대하여 파장 대역이 단파장 측 및/또는 장파장 측으로 시프트 또는 확장된 것이어도 된다. 일례로서, 노광광의 파장 대역은, 365nm~436nm의 브로드 밴드로부터 300nm~450nm으로 확장된 것이 적용 가능하다. 다만, 노광광은, 이들에 한정되는 것은 아니다.
반투과막(3)은, 노광광의 광학 특성을 조정하는 기능을 가지는 기능성막의 일종이며, 노광광의 투과율을 조정하는 기능을 가지는 기능성막, 즉, 하프톤막이다. 하프톤막은, 노광광에 포함되는 대표 파장에 대하여, 투명 기판(2)의 투과율보다도 낮고, 차광막(5)의 투과율보다도 높은 투과율을 가지고, 대표 파장에 대하여 10% 내지 70%의 투과율이 되도록 설정된다. 또한, 하프톤막은, 대표 파장에 대한 위상 시프트량이 20°미만, 보다 바람직하게는, 5°미만이 되도록 설정된다. 또한, 반투과막(3)은, 질소 함유량을 조정함으로써, 포토마스크(1A)의 면(面) 내에서의 투과율 분포를 개선한 반투과형 금속막이어도 된다. 또한, 반투과막(3)은, 다른 원소를 함유시킴으로써, 반투과부(11)에 있어서의 광학 농도(OD값)를 변경하는 것도 가능하다.
반투과막(3)은, Cr 또는 Cr계 화합물(Cr의 산화물, 질화물, 탄화물, 산화 질화물, 산화 질화 탄화물 등, 이하, 동일), Ni 또는 Ni계 화합물(Ni의 산화물, 질화물, 탄화물, 산화 질화물, 산화 질화 탄화물 등, 이하, 동일), Ti 또는 Ti계 화합물(Ti의 산화물, 질화물, 탄화물, 산화 질화물, 산화 질화 탄화물 등, 이하, 동일), Si계 화합물(Si의 산화물, 질화물, 탄화물, 산화 질화물, 산화 질화 탄화물 등, 이하, 동일), 금속 실리사이드 화합물(몰리브덴 실리사이드, 텅스텐 실리사이드, 탄탈 실리사이드 또는 이들의 질화물, 산화 질화물 등, 이하, 동일) 등의 공지의 재질 중, Cr계의 재질이 사용된다. 본 실시 형태에 있어서는, 반투과막(3)은, Cr계 화합물이 사용된다.
반투과막(4)은, 노광광의 광학 특성을 조정하는 기능을 가지는 기능성막의 일종이며, 노광광의 위상을 변경하는 기능을 가지는 기능성막, 즉, 위상 시프트막이다. 위상 시프트막은, 대표 파장에 대한 위상 시프트량이 대략 180°가 되도록 설정된다. 대략 180°란, 180°±20°의 범위 내의 값이라는 의미이며, 보다 바람직하게는, 180°±10°의 범위 내의 값이라는 의미이다. 또한, 위상 시프트막은, 노광광에 포함되는 대표 파장에 대하여, 투명 기판(2)의 투과율보다도 낮고, 차광막(5)의 투과율보다도 높은 투과율을 가지고, 대표 파장에 대하여 5% 내지 30%의 투과율이 되도록 설정된다.
반투과막(4)은, Cr 또는 Cr계 화합물, Ni 또는 Ni계 화합물, Ti 또는 Ti계 화합물, Si계 화합물, 금속 실리사이드 화합물 등의 공지의 재질 중, 금속 실리사이드계의 재질이 사용된다. 본 실시 형태에 있어서는, 반투과막(4)은, 몰리브덴 실리사이드 화합물이 사용된다.
차광막(5)은, 노광광의 광학 특성을 조정하는 기능을 가지는 기능성막의 일종이며, 노광광을 차광하는 기능을 가지는 기능성막이다. 차광막(5)은, 노광광에 포함되는 대표 파장에 대하여 1% 이하의 투과율을 가진다. 혹은, 차광부(10)에 있어서의 광학 농도(OD값)가 2.7 이상을 만족하면 된다. 일례로서, 차광막(5)은, 제1 성막층과 제2 성막층을 구비하는 적층 구조이다. 제1 성막층은, 금속막으로 구성되고, 차광성을 목적으로 한다. 제2 성막층은, 금속 산화물막으로 구성되고, 반사 억제를 목적으로 한다. 이 경우, 제1 성막층의 투과율이 1% 보다 높아도, 제1 성막층 및 제2 성막층의 적층 투과율이 1% 이하이면 된다.
차광막(5)은, Cr 또는 Cr계 화합물, Ni 또는 Ni계 화합물, Ti 또는 Ti계 화합물, Si계 화합물, 금속 실리사이드 화합물 등의 공지의 재질 중, Ni계의 재질이 사용된다. 본 실시 형태에 있어서는, 차광막(5)은, Ni계 화합물이 사용된다.
하프톤막(3), 위상 시프트막(4) 및 차광막(5)은, 각각 재질이 상이한 것에 의해, 에칭 특성이 상이하다. 즉, 하프톤막(3)은, 위상 시프트막(4) 및 차광막(5)에 대하여 에칭 선택성을 가지고, 위상 시프트막(4)은, 하프톤막(3) 및 차광막(5)에 대하여 에칭 선택성을 가지고, 차광막(5)은, 하프톤막(3) 및 위상 시프트막(4)에 대하여 에칭 선택성을 가진다.
＜제1차 포토마스크의 제조 방법＞
다음으로, 포토마스크(1A)의 제조 방법에 대하여 설명한다.
해당 제조 방법은,
ⅰ) 포토마스크 블랭크스 준비 공정(공정 1)
ⅱ) 레지스트막 형성 공정(공정 2)
ⅲ) 묘화 공정(공정 3)
ⅳ) 제1차 현상 공정(공정 4)
ⅴ) 제1차 상층막 에칭 공정(공정 5)
ⅵ) 중간막 에칭 공정(공정 6)
ⅶ) 제2차 현상 공정(공정 7)
ⅷ) 제2차 상층막 에칭 공정(공정 8)
ⅸ) 레지스트막 제거 공정(공정 9)
ⅹ) 레지스트막 형성 공정(공정 10)
ⅹⅰ) 묘화 공정(공정 11)
ⅹⅱ) 현상 공정(공정 12)
ⅹⅲ) 하층막 에칭 공정(공정 13)
ⅹⅳ) 레지스트막 제거 공정(공정 14)
을 구비한다.
또한, 레지스트막 형성 공정(공정 2)으로부터 레지스트막 제거 공정(공정 9)까지, 레지스트막 형성 공정(공정 10)으로부터 레지스트막 제거 공정(공정 14)까지를 각각 패터닝 공정이라고 한다. 전자의 패터닝 공정에서는, 포토마스크 블랭크스의 상층막(차광막)(5) 및 중간막(위상 시프트막)(4)이 패터닝되고, 후자의 패터닝 공정에서는, 포토마스크 블랭크스의 하층막(하프톤막)(3)이 패터닝 된다.
포토마스크 블랭크스 준비 공정(공정 1)에서는, 도 2(a)에 나타내듯이, 포토마스크 블랭크스가 준비된다. 포토마스크 블랭크스는, 투명 기판(2) 위에 하층막(3)이 형성되고, 하층막(3) 위에 중간막(4)이 형성되고, 중간막(4) 위에 상층막(5)이 형성되고, 이에 의해, 투명 기판(2) 위에, 서로 에칭 특성이 상이한 하층막(3), 중간막(4) 및 상층막(5)이 적층된 것이다. 하층막(3), 중간막(4) 및 상층막(5)은, 각각, 스패터법, 증착법 등에 의해 성막(成膜)된다.
1회째의 레지스트막 형성 공정(공정 2)에서는, 도 2(b)에 나타내듯이, 상층막(5) 위에 레지스트가 균일하게 도포되어, 레지스트막(6)이 형성된다. 레지스트는, 도포법, 스프레이법 등에 의해 도포된다. 레지스트는, 포지티브형이어도 네가티브형이어도 되지만, 본 예에서는 네가티브형으로 한다.
1회째의 묘화 공정(공정 3)에서는, 도 2(c)에 나타내듯이, 묘화 장치의 전자빔 또는 레이저를 사용하여 레지스트막(6)에 노광광이 조사되어, 소정의 레지스트 패턴이 묘화된다. 이때, 레지스트막(6)에는, 노광량이 상이한 3개의 영역이 형성된다. 제1의 영역(6a)은, 상대적으로 높은 노광량으로 노광된 영역(고(高)도스(dose) 영역)이다. 제2의 영역(6b)은, 상대적으로 낮은 노광량으로 노광된 영역(저(低)도스 영역)이다. 제3의 영역(6c)은, 미노광 영역이다. 또한, 포지티브형의 레지스트의 경우, 노광량의 관계가 네가티브형과 반대가 된다. 상세는, 본원 출원인이 먼저 출원한 일본특허출원 특원2020-79753(일본국 공개특허공보 특개2021-173944)에 기재한 바와 같다. 또한, 1회째의 묘화 공정(공정 3)에서는, 레지스트 패턴의 묘화에 더하여, 2번째의 묘화 공정(공정 11)에 있어서의 묘화의 위치를 맞추기 위한 마크(얼라인먼트 마크)가 묘화된다. 도시하지 않지만, 얼라인먼트 마크는, 예를 들면, 레지스트 패턴을 둘러싸는 외위(外圍) 영역의 적절한 3개소(箇所) 또는 4개소에 형성된다.
제1차 현상 공정(공정 4)에서는, 도 2(d)에 나타내듯이, 불필요한 레지스트막(6)(제3의 영역(6c))이 현상에 의해 제거되어, 제1차 레지스트 패턴이 형성된다. 현상은, 침지법, 스핀법, 패들법, 스프레이법 등에 의해 실행된다. 또한, 묘화 공정(공정 3) 및 제1차 현상 공정(공정 4)을 합쳐, 제1차 레지스트 패턴 형성 공정이라고 한다.
제1차 상층막 에칭 공정(공정 5)에서는, 도 3(a)에 나타내듯이, 제1차 레지스트 패턴을 에칭 처리용 마스크로 하여, 상층막(5)의 노출 부분이 에칭에 의해 제거된다. 에칭은, 드라이 에칭, 웨트 에칭의 어느 것이어도 상관없지만, 대형 사이즈의 포토마스크이면, 웨트 에칭이 바람직하다. 에천트는, 에칭액이나 에칭 가스가 사용된다. 어느 에천트여도, 상층막(5)에 대한 에칭 선택성을 가지는 에천트(중간막(4)을 에칭하지 않는 에천트)가 사용된다.
중간막 에칭 공정(공정 6)에서는, 도 3(b)에 나타내듯이, 상층막(5)을 에칭 처리용 마스크로 하여, 중간막(4)의 노출 부분이 에칭에 의해 제거된다. 에칭은, 드라이 에칭, 웨트 에칭의 어느 것이어도 상관없지만, 대형 사이즈의 포토마스크이면, 웨트 에칭이 바람직하다. 에천트는, 에칭액이나 에칭 가스가 사용된다. 어느 에천트여도, 중간막(4)에 대한 에칭 선택성을 가지는 에천트(상층막(5) 및 하층막(3)을 에칭하지 않는 에천트)가 사용된다. 또한, 제1차 상층막 에칭 공정(공정 5) 및 중간막 에칭 공정(공정 6)은, 청구항 1의 제1차 에칭 공정에 상당한다.
제2차 현상 공정(공정 7)에서는, 도 3(c)에 나타내듯이, 불필요한 레지스트막(6)(제2의 영역(6b))이 현상에 의해 제거되어, 제2차 레지스트 패턴이 형성된다. 방법 그 자체는, 제1차 현상 공정(공정 4)과 동일하다. 또한, 묘화 공정(공정 3), 제1차 현상 공정(공정 4) 및 제2차 현상 공정(공정 7)을 합쳐, 제2차 레지스트 패턴 형성 공정이라고 한다.
제2차 상층막 에칭 공정(공정 8)에서는, 도 3(d)에 나타내듯이, 제2차 레지스트 패턴을 에칭 처리용 마스크로 하여, 상층막(5)의 노출 부분이 에칭에 의해 제거된다. 방법 그 자체는, 제1차 상층막 에칭 공정(공정 5)과 동일하다. 또한, 제2차 상층막 에칭 공정(공정 8)은, 청구항 1의 제2차 에칭 공정에 상당한다.
1회째의 레지스트막 제거 공정(공정 9)에서는, 도 4(a)에 나타내듯이, 잔존하는 레지스트막(6)이 제거된다. 레지스트막(6)의 제거는, 애싱법, 침지법 등에 의해 실행된다.
2번째의 레지스트막 형성 공정(공정 10)에서는, 도 4(b)에 나타내듯이, 하층막(3), 중간막(4) 및 상층막(5) 위에 레지스트가 도포되어, 레지스트막(6)이 형성된다. 방법 그 자체는, 1회째의 레지스트막 형성 공정(공정 2)과 동일하다.
2번째의 묘화 공정(공정 11)에서는, 도 4(c)에 나타내듯이, 레지스트막(6)에 소정의 레지스트 패턴이 묘화된다. 방법 그 자체는, 1회째의 묘화 공정(공정 3)과 동일하고, 묘화 장치는, 1회째의 묘화 공정(공정 3)에서 사용된 묘화 장치와 동일한 장치이다. 2번째의 묘화 공정(공정 11)에 있어서, 묘화 장치는, 1회째의 묘화 공정(공정 3)에 있어서 형성된 얼라인먼트 마크를 검출하고, 투명 기판(2)의 위치 맞춤을 실시한다. 다만, 2번째의 묘화 공정(공정 11)의 레지스트 패턴은, 제1차 상층막 에칭 공정(공정 5), 중간막 에칭 공정(공정 6) 및 제2차 상층막 에칭 공정(공정 8)에서 제거된 영역을 덮어 보호하면 되는 것이고, 패턴의 위치 정밀도가 요구되는 것은 아니다. 이 때문에, 2번째의 묘화 공정(공정 11)에서는, 엄격한 얼라인먼트는 필요 없다.
2번째의 현상 공정(공정 12)에서는, 도 4(d)에 나타내듯이, 불필요한 레지스트막(6)(부분(6c))이 현상에 의해 제거되어, 레지스트 패턴이 형성된다. 방법 그 자체는, 1회째의 현상 공정(공정 4, 공정 7)과 동일하다.
하층막 에칭 공정(공정 13)에서는, 도 5(a)에 나타내듯이, 레지스트 패턴 및 중간막(4)을 에칭 처리용 마스크로 하여, 하층막(3)의 노출 부분이 에칭에 의해 제거된다. 에칭은, 드라이 에칭, 웨트 에칭의 어느 것이어도 상관없지만, 대형 사이즈의 포토마스크이면, 웨트 에칭이 바람직하다. 에천트는, 에칭액이나 에칭 가스가 사용된다. 어느 에천트여도, 하층막(3)에 대한 에칭 선택성을 가지는 에천트(상층막(5) 및 중간막(4)을 에칭하지 않는 에천트)가 사용된다.
2번째의 레지스트막 제거 공정(공정 14)에서는, 도 5(b)에 나타내듯이, 잔존하는 레지스트막(6)이 제거된다. 방법 그 자체는, 1회째의 레지스트막 제거 공정(공정 9)과 동일하다.
이상의 공정 1 내지 공정 14를 거쳐, 포토마스크(1A)가 완성된다.
이상과 같이, 본 실시 형태에 의하면, 패턴의 위치 정밀도가 요구되지 않는 묘화 공정(묘화 공정(공정 11))을 제외하고, 묘화 공정은 1회로 끝난다(묘화 공정(공정 3)). 이에 의해, 포토마스크(1A)의 제조 과정에 있어서, 얼라인먼트가 필요 없게 된다. 이 때문에, 본 실시 형태에 의하면, 얼라인먼트 차이가 없으며, 포토마스크(1A)의 고정밀화를 실현할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에 의하면, 제1차 레지스트 패턴의 형상을 적절히 설정하는 것이나, 제1차 레지스트 패턴의 일부의 영역의 형상을 적절히 설정함으로써, 제1차 패턴(PA)의 제1 내지 제3의 영역(10, 12, 13)의 형상을 임의로 설정할 수 있다. 이 때문에, 본 실시 형태에 의하면, 형성 가능한 패턴 형상의 다양화를 실현할 수 있다.
나아가, 본 실시 형태에 의하면, 제1차 패턴(PA)은, 추가 가공에 의해, 패턴 형상이 상이한 제2차 패턴으로 변화할 수 있다. 이 때문에, 본 실시 형태에 의하면, 형성 가능한 패턴 형상의 가일층의 다양화를 실현할 수 있다.
＜추가 가공예 1-1(제2차 포토마스크의 제조 방법 1-1)＞
추가 가공예 1-1에서는, 도 6(a)으로부터 도 6(b)에 나타내듯이, 중간막(4)을 에칭 처리용 마스크로 하여, 하층막(3)의 노출 부분, 즉, 제1차 패턴(PA)의 제3의 영역(하프톤부)(13)의 하층막(3)이 에칭에 의해 제거된다. 이에 의해, 제1차 패턴(PA)으로부터 패턴 형상이 변화한 제2차 패턴(PB)이 형성된다. 방법 그 자체는, 하층막 에칭 공정(공정 13)과 동일하다.
추가 가공예 1-1은, 하프톤부(13)의 계조가 필요 없게 되고, 통상의 위상 시프트 마스크(본 예에서는, 림형 위상 시프트 마스크)로서 사용하고 싶은 경우에 실시한다. 추가 가공예 1-1은, 추가의 묘화 공정을 필요로 하지 않고, 에칭 공정을 실시할 뿐이므로, 얼라인먼트 차이가 발생하는 일 없이, 마스크 특성이 변화한 제2차 포토마스크(1B)를 제조할 수 있다.
＜추가 가공예 1-2(제2차 포토마스크의 제조 방법 1-2)＞
추가 가공예 1-2에서는, 도 6(c)에 나타내듯이, 상층막(5)을 에칭 처리용 마스크로 하여, 중간막(4)의 노출 부분, 즉, 제1차 패턴(PA)의 제2의 영역(림부)(12)의 중간막(4)이 에칭에 의해 제거된다. 이에 의해, 제1차 패턴(PA)으로부터 패턴 형상이 변화한 제2차 패턴(PC)이 형성된다. 방법 그 자체는, 중간막 에칭 공정(공정 6)과 동일하다.
추가 가공예 1-2는, 림부(12)가 필요 없게 되고, 통상의 하프톤 마스크로서, 사용하고 싶은 경우에 실시한다. 추가 가공예 1-2는, 추가의 묘화 공정을 필요로 하지 않고, 에칭 공정을 실시할 뿐이므로, 얼라인먼트 차이가 발생하는 일 없이, 마스크 특성이 변화한 제2차 포토마스크(1C)를 제조할 수 있다.
＜추가 가공예 1-3(제2차 포토마스크의 제조 방법 1-3)＞
추가 가공예 1-3에서는, 도 6(d)에 나타내듯이, 제1차 패턴(PA)의 제1의 영역(차광부)(10)의 상층막(5)이 에칭에 의해 제거된다. 이에 의해, 제1차 패턴(PA)으로부터 패턴 형상이 변화한 제2차 패턴(PD)이 형성된다. 방법 그 자체는, 상층막 에칭 공정(공정 5, 공정 8)과 동일하다.
추가 가공예 1-3은, 림부(12)의 폭이 좁기 때문에 림의 효과가 나오지 않고, 통상의 위상 시프트 마스크로서 사용하고 싶은 경우에 실시한다. 추가 가공예 1-3은, 추가의 묘화 공정을 필요로 하지 않고, 에칭 공정을 실시할 뿐이므로, 얼라인먼트 차이가 발생하는 일 없이, 마스크 특성이 변화한 제2차 포토마스크(1D)를 제조할 수 있다.
＜추가 가공예 2-1(제2차 포토마스크의 제조 방법 2-1)＞
추가 가공예 2-1에서는, 도 7(a)에 나타내듯이, 제1차 패턴(PA)이 단위 패턴으로서 복수 형성된 상태로, 도 8(b)에 나타내듯이, 추가 가공예 1-1 내지 1-3 중 어느 하나(본 예에서는, 추가 가공 1-1)가 일부의 단위 패턴(PA)에 대하여 실행된다. 추가 가공의 방법은, 도 7(b)로부터 도 8(a)까지 나타내듯이, 일부의 단위 패턴(PA) 이외의 단위 패턴(PA)을 레지스트막(6)으로 덮어 보호한 상태로 한 다음, 일부의 단위 패턴(PA)의 막에 대하여 에칭 처리를 실시한다.
추가 가공예 2-1에 의하면, 패턴 형상이 상이한 2종류의 패턴(본 예에서는, 제1차 패턴(PA) 및 제2차 패턴 PB)이 존재하는 제2차 포토마스크(1E)를 제조할 수 있다. 이에 의해, 2종류의 패턴의 비교 검증을 실시할 수 있다.
＜추가 가공예 2-2(제2차 포토마스크의 제조 방법 2-2)＞
추가 가공예 2-2에서는, 도 8(c)에 나타내듯이, 상이한 종류의 추가 가공(본 예에서는, 추가 가공 1-2)이 제2차 포토마스크(1E) 외의 단위 패턴(PA)에 대하여 실행된다. 추가 가공의 방법은, 추가 가공 2-1의 방법과 동일하다.
추가 가공예 2-2에 의하면, 패턴 형상이 상이한 3종류의 패턴(본 예에서는, 제1차 패턴(PA) 및 제2차 패턴(PB, PC))이 존재하는 제2차 포토마스크(1F)를 제조할 수 있다. 이에 의해, 3종류의 패턴의 비교 검증을 실시할 수 있다.
＜추가 가공예 2-3(제2차 포토마스크의 제조 방법 2-3)＞
추가 가공예 2-3에서는, 도 8(d)에 나타내듯이, 또 다른 종류의 추가 가공(본 예에서는, 추가 가공 1-3)이 제2차 포토마스크(1F)의 또 다른 단위 패턴(PA)에 대하여 실행된다. 추가 가공의 방법은, 추가 가공 2-1의 방법과 동일하다.
추가 가공예 2-3에 의하면, 패턴 형상이 상이한 4종류의 패턴(본 예에서는, 제1차 패턴(PA) 및 제2차 패턴(PB~PD))이 존재하는 제2차 포토마스크(1G)를 제조할 수 있다. 이에 의해, 4종류의 패턴의 비교 검증을 실시할 수 있다.
＜추가 가공예 3(제2차 포토마스크의 제조 방법 3)＞
추가 가공예 3에서는, 제1차 포토마스크(1A)를 사용하는 포토리소그래피에 의해 제조된 피전사 기판의, 제1차 패턴(PA)에 기초하여 형성된 패턴의 측정 결과(예를 들면, 도 9(a)에 나타내는, 포지티브형 레지스트를 사용한 레지스트 잔막(殘膜)의 측정 결과이며, 통상은, 포토마스크 제조사로부터 제1차 포토마스크(1A)를 납품받은 패널 제조사가 측정을 실시한다. 단, 포토마스크 제조사가 측정을 실시해도 된다.)에 근거해서 작성되는 패턴 데이터를 이용하여 제1차 패턴(PA)이 패터닝된다. 도 9(b)로부터 도 10(c)에 나타내는 예는, 림부(12)의 폭이 설계값보다도 두껍다는 측정 결과에 근거하여, 림부(12)의 폭을 좁게 하는 추가 가공을 실시하는 예이다. 추가 가공의 방법(제2차 포토마스크(1H)의 제조 방법)은,
ⅰ) 제1차 포토마스크 준비 공정(공정 1)
ⅱ) 레지스트막 형성 공정(공정 2)
ⅲ) 묘화 공정(공정 3)
ⅳ) 현상 공정(공정 4)
ⅴ) 에칭 공정(공정 5)
ⅵ) 레지스트막 제거 공정(공정 6)
을 구비한다. 각 공정은, 상술한 각종의 공정과 동일하기 때문에, 설명을 생략한다.
이에 의해, 잔막의 경사 각도가 상이한(예를 들면, 급준(急峻)한 상태로부터 완만해지는) 마스크 특성으로 변화한 제2차 포토마스크(1H)를 제조할 수 있다(제2차 포토마스크(1H)의 제2차 패턴에 근거하여 형성된 패턴의 측정 결과를 도 10(d)에 나타낸다.).
또한, 패턴의 측정 결과에 근거하는 추가 가공의 종류로서는, 상기의 것 이외에, 예를 들면 다음과 같은 것이 있다.
a) 림부(12)의 폭을 두껍게 하는 추가 가공(에칭 공정에서 상층막(5)의 에지(edge)부를 에칭에 의해 제거함으로써, 중간막(4)의 노출 부분을 늘려 림부(12)의 폭을 두껍게 하는 추가 가공. 이에 의해, 잔막의 경사 각도가 상이한(예를 들면, 완만한 상태로부터 급준하게 되는) 마스크 특성으로 변화한 제2차 포토마스크를 제조할 수 있다.)
b) 림부(12)의 일부의 폭을 굵게 하고, 림부(12)의 다른 일부의 폭을 좁게 하는 추가 가공(림부(12)의 폭을 좁게 하는 추가 가공과, 림부(12)의 폭을 굵게 하는 추가 가공을 개별로 실시한다. 이에 의해, 면 내에 여러 가지 림폭을 가지는 패턴을 작성할 수 있다.)
또한, 림부(12)를 설치하는 것은, 패널 측의 프로세스 유도(裕度)를 향상시키기 위한 대응이다. 예를 들면, 소스·드레인 전극에 대응하는 잔막의 패턴 에지를 급준으로 하기 위해서, 림부(12)가 설치된다. 림부(12)의 폭은, 추가 가공의 전후를 포함하여 0.1μm 이상, 보다 바람직하게는, 0.5μm 이상, 3.0μm 이하의 범위인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명은, 상기 실시 형태에 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지의 변경이 가능하다.
상기 실시 형태에 있어서는, 하층막은 하프톤막, 중간막은 위상 시프트막, 상층막은 차광막이다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다. 일례로서, 다음과 같은 예를 채용할 수 있다.
a) 하층막은 위상 시프트막, 중간막은 하프톤막, 상층막은 차광막
b) 투과율이 하층막＜중간막＜상층막이 되는 막
c) 투과율이 상층막＞하층막, 중간막(하층막 및 중간막의 투과율의 대소(大小)는 불문한다)
또한, 상기 실시 형태에 있어서는, 하층막은 Cr계의 재질, 중간막은 금속 실리사이드계의 재질, 상층막은 Ni계의 재질이 사용된다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 하층막은 Ni계의 재질, 중간막은 Cr계의 재질, 상층막은 금속 실리사이드계의 재질이 사용되는 등, 요컨데, 하층막, 중간막 및 상층막은, 서로 에칭 특성이 상이한 것을 전제로 하여, 각각, Cr계의 재질, 금속 실리사이드계의 재질 또는 Ni계의 재질 중 어느 하나, 또는 또 다른 재질로부터 선택할 수 있다.
또한, 물리적으로 간섭하는 것이 아닌 한, 이상에 기재한 기술 요소를 다른 실시 형태 내지 예에 적용하는 것, 이상에 기재한 기술 요소를 다른 실시 형태 내지 예에 관련되는 기술 요소와 치환하는 것, 이상에 기재한 기술 요소끼리를 조합하는 것 등은, 당연히 가능하며, 이것은, 본 발명이 당연히 의도하는 것이다.
1A…제1차 포토마스크, 1B~1H…제2차 포토마스크, 10…제1의 영역(차광부), 11…반투과부, 12…제2의 영역(위상 시프트부, 림부), 13…제3의 영역(하프톤부), 2…투명 기판, 3…반투과막(하프톤막, 하층막), 4…반투과막(위상 시프트막, 중간막), 5…차광막(상층막), 6…레지스트막, 6a…제1의 영역, 6b…제2의 영역, 6c…제3의 영역, PA…제1차 패턴, PB~PD…제2차 패턴
Claims (12)
- 투명 기판 위에, 서로 에칭 특성이 상이한 하층막, 중간막 및 상층막이 적층된 포토마스크 블랭크스를 준비하는 포토마스크 블랭크스 준비 공정과,
포토마스크 블랭크스 위에 레지스트막을 형성하는 레지스트막 형성 공정과,
일부에 노광량이 상이한 영역을 가지는 제1차 레지스트 패턴을 형성하는 제1차 레지스트 패턴 형성 공정과,
제1차 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 상층막의 노출 부분을 에칭에 의해 제거함과 함께, 상층막을 마스크로 하여, 중간막의 노출 부분을 에칭에 의해 제거하는 제1차 에칭 공정과,
레지스트 패턴의 일부의 영역을 제거하여 제2차 레지스트 패턴을 형성하는 제2차 레지스트 패턴 형성 공정과,
제2차 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 상층막의 노출 부분을 에칭에 의해 제거하는 제2차 에칭 공정과,
하층막의 노출 부분 중, 필요한 부분을 남기고 불필요한 부분을 제거하는 패터닝 공정을 구비하고,
하층막, 중간막 및 상층막의 적층부의 제1의 영역과, 하층막 및 중간막의 적층부의 제2의 영역과, 하층막의 단층부의 제3의 영역으로 구성되는 제1차 패턴을 형성하는
포토마스크의 제조 방법. - 청구항 1에 있어서,
제1차 패턴의 제1 내지 제3의 영역 중 적어도 어느 하나에 대하여, 막(膜) 중 적어도 일부를 에칭에 의해 제거하는 추가 가공을 실시함으로써, 제1차 패턴으로부터 패턴 형상이 변화한 제2차 패턴을 형성하는 추가 가공 공정을 더 구비하는
포토마스크의 제조 방법. - 청구항 2에 있어서,
추가 가공은, 중간막을 마스크로 하여, 제1차 패턴의 제3의 영역의 하층막을 에칭에 의해 제거하는 것인
포토마스크의 제조 방법. - 청구항 2에 있어서,
추가 가공은, 상층막을 마스크로 하여, 제1차 패턴의 제2의 영역의 중간막을 에칭에 의해 제거하는 것인
포토마스크의 제조 방법. - 청구항 2에 있어서,
추가 가공은, 제1차 패턴의 제1의 영역의 상층막을 에칭에 의해 제거하는 것인
포토마스크의 제조 방법. - 청구항 2에 있어서,
제1차 패턴을 단위 패턴으로 하여 복수 형성한 상태에서, 추가 가공을 일부의 단위 패턴에 대하여 실시하는
포토마스크의 제조 방법. - 청구항 6에 있어서,
상이한 종류의 추가 가공을 각각의 단위 패턴에 대하여 실시하는
포토마스크의 제조 방법. - 청구항 2에 있어서,
추가 가공은, 포토리소그래피에 의해 제조된 피전사(被轉寫) 기판의, 제1차 패턴에 기초하여 형성된 패턴의 측정 결과에 근거해서 작성되는 패턴 데이터를 사용하여, 제1차 패턴을 패터닝하는 것인
포토마스크의 제조 방법. - 청구항 1에 있어서,
하층막, 중간막 및 상층막으로서, 제1차 패턴의 제1의 영역이 차광부, 제2의 영역이 위상 시프트부, 제3의 영역이 하프톤부로서 기능하는 막을 사용하는
포토마스크의 제조 방법. - 청구항 9에 있어서,
하층막으로서, 위상 시프트막 또는 하프톤막의 어느 한쪽을 사용하고,
중간막으로서, 위상 시프트막 또는 하프톤막의 어느 다른 쪽을 사용하고,
상층막으로서, 차광막을 사용하는
포토마스크의 제조 방법. - 청구항 9에 있어서,
제1차 패턴의 제2의 영역은, 차광부의 림(rim)부로서 기능하는
포토마스크의 제조 방법. - 서로 에칭 특성이 상이한 하층막, 중간막 및 상층막의 적층부의 제1의 영역과, 하층막 및 중간막의 적층부의 제2의 영역과, 하층막의 단층부의 제3의 영역으로 구성되는 패턴을 구비하는
포토마스크.
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