KR20230173229A - 반도체 산업에서 웨이퍼 기하학적 구조 측정을 위한 툴 아키텍처 - Google Patents

반도체 산업에서 웨이퍼 기하학적 구조 측정을 위한 툴 아키텍처 Download PDF

Info

Publication number
KR20230173229A
KR20230173229A KR1020237043145A KR20237043145A KR20230173229A KR 20230173229 A KR20230173229 A KR 20230173229A KR 1020237043145 A KR1020237043145 A KR 1020237043145A KR 20237043145 A KR20237043145 A KR 20237043145A KR 20230173229 A KR20230173229 A KR 20230173229A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
chuck
air bearing
vacuum
pressure
Prior art date
Application number
KR1020237043145A
Other languages
English (en)
Inventor
안 앤드류 젱
Original Assignee
난징 리안 세미컨덕터 리미티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 난징 리안 세미컨덕터 리미티드 filed Critical 난징 리안 세미컨덕터 리미티드
Publication of KR20230173229A publication Critical patent/KR20230173229A/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/24—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures
    • G01B11/2441—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures using interferometry
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25B—TOOLS OR BENCH DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR, FOR FASTENING, CONNECTING, DISENGAGING OR HOLDING
    • B25B11/00—Work holders not covered by any preceding group in the subclass, e.g. magnetic work holders, vacuum work holders
    • B25B11/005—Vacuum work holders
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
    • G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
    • G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
    • G01B11/0608—Height gauges
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/16—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring the deformation in a solid, e.g. optical strain gauge
    • G01B11/161—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring the deformation in a solid, e.g. optical strain gauge by interferometric means
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/16—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring the deformation in a solid, e.g. optical strain gauge
    • G01B11/165—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring the deformation in a solid, e.g. optical strain gauge by means of a grating deformed by the object
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/16—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring the deformation in a solid, e.g. optical strain gauge
    • G01B11/168—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring the deformation in a solid, e.g. optical strain gauge by means of polarisation
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/30—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/30—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces
    • G01B11/306—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces for measuring evenness
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B21/00—Measuring arrangements or details thereof, where the measuring technique is not covered by the other groups of this subclass, unspecified or not relevant
    • G01B21/02—Measuring arrangements or details thereof, where the measuring technique is not covered by the other groups of this subclass, unspecified or not relevant for measuring length, width, or thickness
    • G01B21/04—Measuring arrangements or details thereof, where the measuring technique is not covered by the other groups of this subclass, unspecified or not relevant for measuring length, width, or thickness by measuring coordinates of points
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B21/00—Measuring arrangements or details thereof, where the measuring technique is not covered by the other groups of this subclass, unspecified or not relevant
    • G01B21/02—Measuring arrangements or details thereof, where the measuring technique is not covered by the other groups of this subclass, unspecified or not relevant for measuring length, width, or thickness
    • G01B21/08—Measuring arrangements or details thereof, where the measuring technique is not covered by the other groups of this subclass, unspecified or not relevant for measuring length, width, or thickness for measuring thickness
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B5/00—Measuring arrangements characterised by the use of mechanical techniques
    • G01B5/0002—Arrangements for supporting, fixing or guiding the measuring instrument or the object to be measured
    • G01B5/0004—Supports
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B7/00—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques
    • G01B7/003—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring position, not involving coordinate determination
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B7/00—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques
    • G01B7/02—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring length, width or thickness
    • G01B7/06—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness
    • G01B7/08—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness using capacitive means
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B7/00—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques
    • G01B7/02—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring length, width or thickness
    • G01B7/06—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness
    • G01B7/08—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness using capacitive means
    • G01B7/082—Height gauges
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B7/00—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques
    • G01B7/28—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring contours or curvatures
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B7/00—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques
    • G01B7/34—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces
    • G01B7/345—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces for measuring evenness
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B9/00—Measuring instruments characterised by the use of optical techniques
    • G01B9/02—Interferometers
    • G01B9/02015—Interferometers characterised by the beam path configuration
    • G01B9/02029—Combination with non-interferometric systems, i.e. for measuring the object
    • G01B9/02031—With non-optical systems, e.g. tactile
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B9/00—Measuring instruments characterised by the use of optical techniques
    • G01B9/02—Interferometers
    • G01B9/02049—Interferometers characterised by particular mechanical design details
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70783—Handling stress or warp of chucks, masks or workpieces, e.g. to compensate for imaging errors or considerations related to warpage of masks or workpieces due to their own weight
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67288—Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B2210/00—Aspects not specifically covered by any group under G01B, e.g. of wheel alignment, caliper-like sensors
    • G01B2210/56—Measuring geometric parameters of semiconductor structures, e.g. profile, critical dimensions or trench depth
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B2210/00—Aspects not specifically covered by any group under G01B, e.g. of wheel alignment, caliper-like sensors
    • G01B2210/62—Support for workpiece air film or bearing with positive or negative pressure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions

Landscapes

  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Length Measuring Devices With Unspecified Measuring Means (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Other Investigation Or Analysis Of Materials By Electrical Means (AREA)
  • A Measuring Device Byusing Mechanical Method (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Magnetic Bearings And Hydrostatic Bearings (AREA)

Abstract

웨이퍼 형상 및 평탄도 측정을 위한 반도체 장비 아키텍처 WGT가 개시된다. 반도체 장비 아키텍처 WGT는 반사형 공기 베어링 척 및 하이브리드형 웨이퍼 두께 게이지를 포함한다. 또한 아키텍처, 공기 베어링 척, 및 하이브리드 웨이퍼 두께 게이지를 사용하여 웨이퍼 형상 및 평탄도를 측정하는 대응 방법이 개시된다.

Description

반도체 산업에서 웨이퍼 기하학적 구조 측정을 위한 툴 아키텍처{TOOL ARCHITECTURE FOR WAFER GEOMETRY MEASUREMENT IN SEMICONDUCTOR INDUSTRY}
본 발명은 일반적으로 반도체 산업에서 웨이퍼 기하학적 구조 측정을 위한 툴 아키텍처(tool architecture)에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 반사형 공기 베어링 척(chuck) 및 웨이퍼 형상(wafer shape) 및 평탄도(flatness) 측정을 위한 간섭계(예를 들어, 피조 간섭계(Fizeau interferometer), 격자-기반 전단(shearing) 간섭계, 또는 기타 유형의 간섭계)를 이용하는 반도체 장비 아키텍처 웨이퍼 기하학적 구조 툴에 관한 것이다.
본 발명의 배경이 되는 기술은 미국 특허등록공보 제7,369,251호(2008.05.06)에 개시되어 있다.
본 개시의 하나의 양태에서, 웨이퍼 형상 및 평탄도 측정을 위한 반사형 공기 베어링 척 및 단일 간섭계를 사용하는, 반도체 장비 아키텍처 웨이퍼 기하학적 구조 툴(WGT)이 개시된다. 본 개시의 다른 양태들에서, WGT 툴 아키텍처의 서브시스템들, 즉 반사형 공기 베어링 척 및 하이브리드 웨이퍼 두께 게이지가 개시된다. 또한, 본원에 개시된 아키텍처 및 서브시스템을 사용하여 웨이퍼 형상 및 평탄도를 측정하는 대응 방법이 개시된다.
도 1a는 웨이퍼 기하학적 구조 측정 및 패턴 웨이퍼 기하학적 구조 측정을 위해 300mm 팹(fab)에서 현재 사용되는 이중 피조 간섭계 아키텍처를 도시한다.
도 1b는 패턴 웨이퍼 기하학적 구조 측정에 사용된 또 다른 PWG 툴이다.
도 1c는 본 개시의 실시예에 따른, 단일 피조 간섭계의 웨이퍼 기하학적 구조 툴(WGT) 아키텍처를 도시한다.
도 1d는 본 개시의 실시예에 따른, 최적의 작동 각도에서 바이-셀(bi-cell) 위치 센서의 향상된 뷰를 제공한다.
도 1e는 본 개시의 실시예에 따른, 바이-셀 위치 센서의 교정을 예시한다.
도 1f는 본 개시의 실시예에 따른, 바이-셀 위치 센서의 교정에서의 단계를 수행하는 것으로부터의 데이터를 예시한다.
도 2a는 웨이퍼가 진공 척 상에서 진공이 감소될 때(vacuum down) 척 마크/아티팩트(artifact)의 예를 예시한다.
도 2b는 척 마크가 보이지 않는 공기 베어링 척 위로 플라잉(flying)하는 웨이퍼를 도시한다.
도 3a 내지 도 3c는 본 개시의 실시예에 따른, 실제 웨이퍼 표면 특징 및 척 마크/아티팩트를 구별하기 위한 방법을 예시한다.
도 4a 및 도 4b는 본 개시의 실시예에 따른, 공기 쿠션 상에 웨이퍼를 유지하기 위한 진공 및 압력 노즐을 갖는 예시적인 공기 베어링 척을 도시한다.
도 4c는 본 개시의 실시예에 따른, 공기 베어링 척의 압력 및 진공 노즐 연결 층을 예시한다.
도 4d는 본 개시의 일 실시예에 따른, 공기 베어링 척의 압력 및 진공 노즐 층 배열을 예시한다.
도 4e는 본 개시의 실시예에 따른, 공기 베어링 척의 다른 예시적인 적층 구조를 예시한다.
도 4f는 본 개시의 실시예에 따른, 도 4e의 적층 구조의 상부 플레이트의 예시적인 상부 표면을 도시한다.
도 4g는 본 개시의 실시예에 따른, 도 4e의 적층 구조의 상부 플레이트의 예시적인 바닥 표면을 도시한다.
도 4h는 본 개시의 실시예에 따른, 도 4e의 적층 구조의 예시적인 매니폴드 플레이트의 평면도를 제공한다.
도 4i는 본 개시의 실시예에 따른, 도 4e의 적층 구조의 예시적인 매니폴드 플레이트의 저면도를 제공한다.
도 4j는 본 개시의 실시예에 따른, 도 4e의 적층 구조의 후방 커버 플레이트의 평면도를 제공한다.
도 4k는 본 개시의 실시예에 따른, 도 4e의 적층 구조의 후방 커버 플레이트의 저면도를 제공한다.
도 5a 및 도 5b는 본 개시의 실시예에 따른, 도 1c의 WGT 툴 아키텍처를 사용하여 교정 및 보정 데이터로부터 TTV를 계산하는 방법을 도시한다.
도 6a 및 도 6b는 본 개시의 실시예에 따른, 도 1c의 WGT 툴 아키텍처를 사용하여 형상 측정을 위한 공동 교정 방법을 예시한다.
도 7은 웨이퍼를 기울일 때 수직 위치에 있는 웨이퍼가 형상 변화되기 쉬운것을 예시한다.
도 8은 본 개시의 실시예에 따른, 패턴화된 웨이퍼 틸트 스테이지를 위한 예시적인 측각 크레이들을 도시한다.
도 9a 및 도 9b는 본 개시의 실시예에 따른 예시적인 플레넘 매니폴드 설계를 도시한다.
바람직한 실시예에 대한 다음의 설명에서, 본 명세서의 일부를 형성하고 실시될 수 있는 특정 실시예가 예시로서 도시된 첨부 도면을 참조한다. 본 개시의 실시예의 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예가 사용될 수 있고 구조적 변경이 이루어질 수 있음을 이해해야 한다. 예를 들어, 단일 피조 간섭계가 본 출원의 도 1c에 예시되어 있지만, 전단 간섭계와 같은 다른 유형의 간섭계가 이 툴 아키텍처의 다양한 실시예에서 피조 간섭계 대신 사용될 수도 있다.
이 문서에서, "웨이퍼 기하학적 구조(wafer geometry)"는 웨이퍼 형상 뿐만 아니라 국부 평탄도 매개변수(예를 들어, 사이트 평탄도 SFQR 및 SBIR), 및 전역 평탄도(GBIR)를 나타낼 수 있다. 웨이퍼 평탄도(또는 총 두께 변화(TTV))는 SFQR, GBIR 및 기타 여러 관련 매개변수를 유도하는 데 사용될 수 있는 고밀도 원시 데이터(>= 4Mpixels/wafer)를 참조할 수 있다. 평탄도 데이터는 정상적으로 전방 및 후면 표면 정보와 연관된다. 웨이퍼 형상 매개변수는 단일 표면 높이 맵에서 파생될 수 있다. 웨이퍼의 전방 또는 후방 표면, 또는 두 표면의 중간일 수 있다(웨이퍼 형상의 SEMI 정의). 고급 300mm 웨이퍼의 경우, 전방 및 후면 형상 및 전방 표면 만 또는 후방 표면 만의 중간 값의 차이는 고급 300mm 웨이퍼에 대해 매우 작다. 이는 웨이퍼의 형상이 수 미크론에서 수백 미크론 정도인 반면, TTV나 GBIR은 수십 또느 수백 나노미터 정도이기 때문이다. 패턴 웨이퍼 기하학적 구조 툴에서, 웨이퍼 형상은 툴 공급업체에 따라 전방 표면 또는 후방 표면에서 계산될 수 있다. WaferSight PWGTM은 웨이퍼 후면에서 웨이퍼 형상을 계산하는 반면, SuperFast 툴(Ultratech에서 시작하여 Veeco가 인수하여 현재 KLA에 판매되는 웨이퍼 형상 측정 툴)은 웨이퍼의 전면을 측정하는 단일 전단 간섭계이다.
웨이퍼 기하학적 구조 툴("WGT")은 웨이퍼 평탄도, 나노-토포그래피, 및 형상(보우(bow) 및 뒤틀림(warp))을 특성화하기 위해 Si 웨이퍼 제조 팹(fab)에서 사용될 수 있는 계측 툴이다. 웨이퍼 기하학적 구조 툴은 유리 웨이퍼 팹에서도 사용될 수 있다. 일반적으로 각각의 웨이퍼는 고객에게 배송되기 전에 WGT 유형의 툴에 의해 인증되어야 한다. 이 목적을 수행하는 몇 가지 기존 툴이 있다. 예를 들어, ADE의 정전용량식 센서-기반 웨이퍼-기하학적 구조 툴은 200mm 웨이퍼 팹에서 널리 사용된다. KLA는 도 1a에 도시된 바와 같이, 이중 피조 간섭계 방법을 기반으로 하는 300mm 웨이퍼의 웨이퍼 기하학적 구조를 측정하기 위한 보다 더 고급 툴을 가지고 있다. 간섭계-기반 웨이퍼 기하학적 구조 툴은 정밀도와 처리량 모두에서 이점이 있다. 300mm 웨이퍼가 200mm 웨이퍼보다 진동하기 위한 사실에도 불구하고, 정밀도는 정전용량식 센서-기반 툴보다 약 1~2배 더 우수하다. 그러나, 시장에는 간섭계-기반 200mm 웨이퍼 기하학적 구조 툴이 없다. 정전 용량형 센서-기반 웨이퍼 기하학적 구조 툴은 250nm, 180nm, 및 130nm 노드 공정용으로 설계되었다. 정전 용량형 센서 툴은 90nm보다 작은 설계 노드에 대한 정밀도 및 처리량 요구 사항을 따라갈 수 없다.
도 1b는 패턴 웨이퍼 기하학적 구조 측정에 사용된 다른 PWG 툴을 도시한다(미국 특허: 7369251 B2 참조). 도 1b의 PWG 툴은 투과 격자-기반 전단 간섭계이다. PWG 툴은, 웨이퍼가 3개의 핀으로 지지되는 동안, 웨이퍼의 형상을 측정한다. 측정된 형상에는 중력에 따른 웨이퍼 변형이 포함되어 있으며 알고리즘을 통해 교정되어야 한다.
300mm 툴의 이중 피조 간섭계 아키텍처는 300mm 팹에서 사용되었다. 그러나, 200mm 웨이퍼가 단면 연마(polish)되기 때문에 200mm 웨이퍼와 같은 더 작은 팹에는 사용될 수 없다. 웨이퍼의 후면은 빛을 반사하지 않는다. 이러한 툴, 즉 200mm 웨이퍼 하우스를 위한 정확하고 비용 효율적인 툴 또는 메모리 및 논리 제조 플래닛(logic fabrication planets)("fabs") 에 대한 비용 효율적이고 처리량이 많은 패턴 웨이퍼 기하학적 구조 툴에 대한 시장 요구가 있음에도 불구하고 단일 간섭계가 있는 웨이퍼 기하학적 구조 툴("WGT")은 없었다. WGT가 존재하지 않은 데에는 최소한 몇 가지 이유가 있다. 첫째, 웨이퍼의 한 면에서 다른 면에 대한 정보 없이 웨이퍼의 평탄도 또는 총 두께 변화(TTV)를 측정하기 어렵다. TTV를 측정하는 한 가지 방법은 진공 척을 사용하는 것이며, 진공 척에서는 웨이퍼 후면의 진공이 감소되어 척 상에서 평탄화된다. 결과적으로, 웨이퍼의 TTV가 전면에 나타날 수 있으며, 이는 리소그래피 공정에서 디포커스 오류를 유발하고 수율 손실을 유발할 수 있다.
WGT 아키텍처(architecture)
하나의 양태에서, 본 개시는 200mm 웨이퍼와 같은 다양한 유형의 웨이퍼에 대한 웨이퍼 형상 및 평탄도 측정을 위한 반도체 장비 아키텍처 WGT에 관한 것이다. WGT는 캡 센서 또는 광학 센서-기반 스캐닝 툴보다 더 나은 정밀도와 처리량을 가질 수 있다. 본 명세서에 개시된 WGT의 실시예는 또한 300mm 및 450mm 웨이퍼 기하학적 구조 툴에 사용될 수 있다. 팹에서 현재 300mm 툴보다 300mm 웨이퍼에 WGT를 사용하는 것의 장점에는 웨이퍼 형상 측정을 위한 더 나은 정밀도와 정확성, 더 낮은 소유 비용("COO"), 처리량, 설치 공간(footprint), 및 서비스 및 제조 용이성을 포함한다. 웨이퍼 기하학적 구조 툴에 더하여, 개시된 아키텍처는 또한 웨이퍼 형상 측정을 하기 위한 패턴화된 웨이퍼 기하학적 구조(PWG) 툴에 사용될 수 있다. 공기 베어링 척은 웨이퍼 형상 측정 중에 공기 쿠션으로 웨이퍼를 지지한다. 척의 공기 베어링 필름이나 쿠션은 강성(stiff)이 매우 작다. 웨이퍼를 지지하기에 충분한 힘을 가하지만, 변형하지는 않는다. 이것은 웨이퍼 형상 측정에 이상적인 조건이다.
도 1c는 이중 피조 툴과 동일한 측정을 수행할 수 있지만 비용의 일부로 수행할 수 있는 예시적인 툴 WGT 아키텍처를 도시한다. 웨이퍼 형상 측정의 경우, 기존 이중 피조 툴에 비해 상당한 이점이 있다. 도 1c에 도시된 바와 같이, WGT(100)는 카메라(102), 릴레이 렌즈(104), PBSC(106), 광원(예를 들어, 조명 광)(108), 시준기(110), 및 테스트 플랫(test flat; TF)(112)(모두 도시된 바와 같이, 서로 광 통신함)을 포함하는 단일 피조 간섭계를 포함할 수 있다. 피조 간섭계의 작동은 잘 알려져 있으므로 여기에서 자세히 설명되지 않는다. 이러한 아키텍처에서, 단일 피조 간섭계는 웨이퍼(114)의 형상을 측정하기 위해 설정된다. 이 아키텍처는 피조 간섭계로 제한되지 않으며, 전단 간섭계와 같은 다른 간섭계 유형도 웨이퍼 형상 및 평탄도 측정을 위해 이 아키텍처로부터 이점을 얻을 수 있다.
도 1c에 도시된 바와 같이, 웨이퍼는 공기 베어링 척(116)의 상부 표면 상에 생성된 공기 쿠션 상에 수평으로 놓일 수 있다. 공기 베어링 척(116)은 공기 베어링 척(116)의 상부 표면에 공기 쿠션을 생성 및 유지하기 위한 다수의 교번하는 압력 및 진공 채널(130, 132)을 포함할 수 있다. 공기 베어링 척(116)은 또한 공기 베어링 척(116)을 젖히고(tip) 및/또는 기울일 수 있는(tilt) Z-팁-틸트 스테이지(Z-tip-tilt stage; 118)를 포함할 수 있다. 다중 리프트 핀(120)은 공기 베어링 척(116)의 표면으로부터 웨이퍼를 들어올리기 위해 제공될 수 있다. 공기 베어링 척의 구조는 도 4a 내지 도 4d를 참조하여 아래에서 더 상세히 논의된다.
다시 도 1c를 참조하면, 웨이퍼(114)의 상부 상의 레이저(124)와 함께 웨이퍼의 바닥에 있는 정전 용량형 센서(122)(공기 베어링 척(116)에 내장됨)와 하나 또는 그 초과의 광학 위치 센서(바이-셀 또는 위치 감지 검출기)(126)의 조합은 웨이퍼(114)의 두께를 측정하기 위해 WGT 아키텍처(100)에 통합될 수 있다. 바이-셀 판독은 공지된 두께를 갖는 웨이퍼를 사용하여 교정될 수 있다. 바이-셀 위치는 웨이퍼 상부 표면 높이와 관련될 수 있다. 정전용량형 센서(122)는 웨이퍼 바닥 표면 위치를 측정할 수 있다. 상부 및 바닥 표면 위치의 조합된 정보는 웨이퍼(114)의 두께를 정확하게 결정하기 위해 사용될 수 있다.
웨이퍼(114)의 상부에 있는 바이-셀 위치 센서의 추가적인 이점이 있다. 바이-셀 판독은 웨이퍼 두께와 직접적으로 상관될 수 있다. 바이-셀 판독은 또한 웨이퍼(114)와 TF(112) 사이의 상대적인 움직임/진동을 알려줄 수 있다. 웨이퍼 진동은 공기 베어링 척/플랜지/지지 메커니즘에 의해 도입될 수 있으며, 정전 용량형 센서(122)가 웨이퍼(114) 및 공기 베어링 척(116)을 포함하는 유닛과 함께 이동하기 때문에, 웨이퍼 진동은 정전 용량(122)에 의해 보여지지 않을 수 있다.
툴 간섭계는 캡 센서 및 바이-셀 또는 PSD를 교정하는데 사용될 수 있다. 이 아키텍처는 간섭계의 정확도와 다른 센서의 넓은 범위를 활용하는 가장 진보된 웨이퍼 두께 측정 툴을 가능하게 한다. 용량성 센서(122)와 광학(바이-셀 또는 PSD) 위치 센서(126) 모두 공기 베어링 안정성 문제를 볼 수 있지만 광학(바이-셀 또는 PSD) 센서만 척 어셈블리 진동을 볼 수 있다. 이는 진동 소스를 격리해야 할 때 유용할 수 있다.
전체 웨이퍼 형상 및 웨이퍼 두께 변화(일명 평탄도)를 포함하는 웨이퍼 기하학적 구조 측정을 위한 도 1c의 이러한 아키텍처는 피조 간섭계에 제한되지 않는다는 것이 이해되어야 한다. 전단 간섭계와 같은 다른 간섭계도 반사형 공기 베어링 척을 사용하는 개시된 아키텍처에서 사용될 수 있다.
일 실시예에서, 레이저 및/또는 바이-셀 위치 센서가 위치되는 최적의 각도를 결정하는 방법이 개시된다. 도 1d를 참조하면, 최상의 Z-축 해상도를 위해, 바이-셀 위치 센서(126)는 센서 크기가 허용하는 TF(112)로부터 최대 각도(β)에 위치하는 것이 바람직하다. △h가 Z 방향 해상도(또는 z-감도)인 경우, 베타 각도가 지배적이다.
△h=△L*Cosβ/(2Cos(alpha))
여기서 △L은 바이-셀 위치 센서(126)에 의해 검출 가능한 최소 변위이며, 이는 특정 상업적으로 이용 가능한 센서의 경우 ~0.75um일 수 있다.
△h=△L/M
여기서 M=[Cosβ/(2Cos(α))]^-1
지표각(grazing angle) 입사로 인해, Cos(α)는 ~1이고, α는 광원(예를 들어, 레이저(도 1d에 도시되지 않음)과 TF(112) 사이의 각도이며, 일반적으로 10 내지 15도로 설정된다. β가 증가하면, M도 위의 공식에 따라 증가하며, 이는 바이-셀 위치 센서(126)의 감도도 증가함을 의미한다. 그러나 β는 검출기의 스폿 크기(예: 스폿은 검출기가 검출할 수 있는 것보다 더 큰 크기를 가질 수 없다)에 대한 잠재적인 확대 효과에 의해 너무 크지 않을 수 있다. 바이-셀 센서가 장치에 얼마나 멀리 위치할 수 있는지에 대한 물리적 제한도 있을 수 있다. 예를 들어, 지표각에서, 센서 표면 상의 레이저 스폿 크기는 1/Sin(90-β)=1/Sin30 =2만큼 증가할 수 있다. Sitek PSD, 2x2mm와 같은 작은 센서 영역의 경우, 기울일 공간이 많지 않다. 쉬운 정렬을 위해, 250nm 해상도의 10x10mm 센서가 사용될 수 있다. 아래 표 1은 상이한 α 및 β 각도를 기반으로 하는 다양한 PSD 해상도(nm)를 나열한다.
α(도) 10.00 0.0175
β(도) 0.00 45.00 60.00 75.00
Mag(M) 1.97 2.79 3.94 7.61
PSD Res(nm) 250.000 126.93 89.75 63.46 32.85
도 1e에 도시된 바와 같이, 바이-셀 위치 센서(126)를 교정하기 위해, TF(112)는 다양한 위치에서 위아래로 조정될 수 있다. 이 예에서, 각각의 웨이퍼가 약간 상이할 수 있지만, 교정 웨이퍼 두께(T0)는 725um로 설정될 수 있다. 두께는 CMM 또는 기타 두께 툴로 측정될 수 있다. 위치(188)에서의 0의 플라잉 높이는 깨끗한 웨이퍼를 사용하여 공기 베어링 척 상의 웨이퍼의 진공을 감소시킴으로써 설정될 수 있고 CP에 대해 0으로 설정될 수 있는 용량성 센서 판독(CP0)을 판독할 수 있다. 그러면 바이-셀 위치 센서(126)로부터 판독된 위치 센서(V0(+-10V))가 판독될 수 있다. 그런 다음, CP1 - CP0 = 20um(또는 약 20um)의 용량성 센서 판독 값을 갖는 위치(190)에서 웨이퍼가 부동하도록 진공 및 압력이 조정될 수 있다. CP2-CP0의 위치 센서 판독 값(V1)이 기록될 수 있다.다음으로, 용량성 센서 판독 값(CP2-CP0)이 약 30um가 될 때까지 진공 및 압력이 다시 조정될 수 있다. 위치 센서 판독 값(V2)이 기록될 수 있다. 위의 단계는 각각 40um, 50um, 60um,...에서 정전 용량형 센서 판독 값(CP3, CP4, CP5,...)에 대해 반복될 수 있다. 다음으로, △(CPn - CP0), 예를 들어 CP1-CP0, CP2-CP0,...이 계산될 수 있다. 표 2는 계산으로부터 예시적인 결과를 보여준다.
캡 센서 판독 값 CPn (um) CP0= 500 CP1=520 CP2=530 CP3=540 CP4=550 CP5=560
△(CPn - CP0)= hx 0 20 30 40 50 60
PSD 위치 전압 v0 v1 v2 v3 v4 v5
위의 데이터로, hx 대 Vx가 플롯팅되고 선형 피팅되어 기울기, Sum/V를 얻을 수 있다(도 1f 참조). 그런 다음, 1) 기울기, S um/V; 2) 웨이퍼 두께 T0=725um, 3) 그라운드 레벨 PSD 판독 값; V0, 및 4) 그라운드 레벨 캡 센서 판독 값: CP0가 저장될 수 있고 다음 공식을 사용하여 교정 소프트웨어 구현을 수행할 수 있다:
T_wafer=T0 + (CP0-CP) + S*(V -V0),
여기서 CP는 웨이퍼 플라잉 높이의 캡 센서 판독 값이다.
CP0은 웨이퍼가 척에서 진공이 감소될 때의 정전용량식 센서 판독 값이다.
V는 볼트 단위의 바이-셀 위치 센서 판독 값이다.
캡 센서 판독 값(um)은 공장 교정 상수(C=△h/△V, um/volt)로부터 계산될 수 있다. 정전 용량식 센서 um 판독 값: CP=C*△Vcp. 캡 센서는 현장에서 교정될 수도 있다.
도 1c의 WGT 아키텍처(100)를 사용하여 웨이퍼 형상 및 두께를 측정하는 예시적인 방법의 세부사항은 도 5a, 도 5b, 도 6a, 및 도 6b를 참조하여 아래에 제공된다.
웨이퍼 기하학적 구조 측정을 위해 공기 베어링 척 및 단일 간섭계를 사용하는 이러한 방법은 많은 이점을 갖는다. 예를 들어, 공기 베어링 척은 척 상의 웨이퍼에 효과적인 공기-댐핑을 제공할 수 있다. 공기-댐핑 효과는 보다 정확한 간섭계 측정을 가능하게 할 뿐만 아니라 값비싼 능동 격리 시스템 및 견고한 음향 격리 장치를 필요로 하지 않기 때문에 비용을 절감할 수 있다. 단순화된 웨이퍼 로딩 공정, 예를 들어, 단일 간섭계 아래의 수평 웨이퍼 로딩으로 인해 툴 내부의 웨이퍼 이송 비용도 절감되고, 이중 피조 아키텍처에 비해, 단일 간섭계 아키텍처는 하나의 간섭계 및 관련 광학 장치를 제거하여 비용을 절감한다. 또한, 이중 피조 아키텍처에서 요구되는 수평에서 수직으로 웨이퍼를 90도 회전시키는 메커니즘도 필요하지 않다. 이 WGT 아키텍처 툴의 장점은 300mm 및 450mm 웨이퍼의 진동이 주요 노이즈 소스가 될 수 있는 300mm 또는 450mm 웨이퍼의 경우 훨씬 더 커서 평탄도 측정에서 높은 정밀도를 달성하기 어렵다. 300mm 및 450mm 툴의 경우, 광학 부품 시준기, 투과 플랫(transmission flat), 및 접이식 거울은 모두 크고 고가이다. 1개의 간섭계, 1개의 웨이퍼 수직 로딩 시스템, 음향 격리 상자, 및 1개의 데이터 수집 시스템 채널을 제거하면, 주문자 상표부착 생산(OEM)과 고객의 비용을 상당히 줄일 수 있다. 또한, 공기 베어링 척의 실시예는 진동 댐퍼의 역할을 할 수 있는 공기 쿠션을 제공할 수 있다. 아키텍처의 개시된 실시예의 이러한 진동 무감각 특성은 저급 및 고급 반도체 계측 툴 모두에 이점을 줄 수 있다.
TTV 측정 방법
웨이퍼의 두께 또는 TTV를 측정하는 예시적인 단계가 도 5a 및 5b에 도시되어 있다. 도 5a를 참조하면, 먼저, TF(502) 및 반사형 공기 베어링 척(504)에 의해 형성된 광학 공동(optical cavity)이 측정된다. 다시 말해서, TF(502)와 공기 베어링 척(504)의 대향 표면 사이의 거리 변화가 측정된다. TF(502)는 중력으로 인해 중간이 처질 수 있다. 공기 베어링 척(504)의 표면은, 도 5에 도시된 바와 같이, 완벽하게 평평하지 않을 수 있다. 이러한 불완전성은 웨이퍼의 정확한 평탄도 측정을 하기 위해 교정될 필요가 있다. 공동 교정은 공동 두께 변화를 측정하기 위한 것이다. 수학적으로 공동 교정은 투과 플랫 표면(STF)(x, y)과 척 표면(SCK)(x, y) 사이의 차이: △SCavity=STF-SCK 이다. 이 단계에서는, 척상에 웨이퍼가 없다.
도 5b를 참조하면, 교정 후, 웨이퍼(506)는 공기 베어링 척(504)의 표면에 배치된다. 웨이퍼(506)의 평탄도를 측정하기 위해, 웨이퍼는 공기 베어링 척(504)에 의해 생성된 작은 공기 갭(예를 들면, 5um 내지 30um)에서 공기 베어링 척(504)의 표면의 상부에서 웨이퍼가 플라잉하고 있다. 이러한 작은 갭에서, 공기 베어링 척은 웨이퍼의 후면을 평평하게 하거나 웨이퍼(508)의 후면을 척 표면(510)과 일치하도록 하기 위해 상당한 흡입력을 가지도록 설계된다. 이 경우, 웨이퍼(SWFR)(507) 표면의 상부는 단순히 척 표면(510) 및 웨이퍼 총 두께 변화, Swfr= SCK+TTV의 부가이다. 그러나, 웨이퍼(508)의 후면은 실제로 척 표면(510)과 완벽하게 일치하지 않는다. 상부 웨이퍼 표면(507)을 정확하게 결정하기 위해 비 일치 항(SN.C.)이 추가될 필요가 있다: Swfr=(SCK + TTV + SN.C.).
간섭계 측정은 웨이퍼(506)와 투과 플랫 사이의 거리를 측정할 수 있다: △SWFR=(STF-Swfr)=(STF-SCK-TTV-SN.C.)
다음으로, TTV는 공동과 웨이퍼 표면 측정 사이의 차이를 취함으로써 계산될 수 있다: (△SCavity-△SWFR). 총 두께 변화는 다음과 같이 계산될수 있다: TTVactual=(△SCavity-△SWFR-SN.C.), 여기서 △SCavity 및 △SWFR은 도 1c에 표시된 WGT 아키텍처의 피조 간섭계로 측정될 수 있다. SN.C.는 교정에서 얻을 수 있다. SN.C.는 +-25um 또는 25/775=3%로 변할 수 있는 웨이퍼 두께의 함수일 수 있다. 웨이퍼 두께를 측정하고 필요한 경우 부적합 오류의 추가 수정을 위해 웨이퍼 두께 정보를 사용할 수 있다. SN.C.은 공지된 TTV가 있는 웨이퍼(예: 양면 연마된 200mm 웨이퍼)를 사용하여 얻을 수 있다: SN.C.=(△SCavity-△SWFR-TTVknown).
SN.C.은 시간이 지남에 따라 표류할 수 있으며 때때로 교정이 필요하다. SN.C.는 웨이퍼 두께, 온도, FH, 및 척 평탄도의 함수이다. 이러한 모든 매개변수는 간섭계 데이터와 동시에 측정될 수 있다. 이러한 모든 매개변수는 2차 수정에 사용될 수 있다.
형상 측정 방법
도 6a 및 도 6b는 본 개시의 일 실시예에 따른, 도 1c에 예시된 WGT 아키텍처를 사용하는 형상 측정 방법의 예시적인 단계를 예시한다. 도 6a를 참조하면, 형상을 측정하기 위해, 먼저, 기준 TF(602)가 공기 베어링 척(604)의 표면에 배치되어 툴에서 TF(600)를 교정한다. Cal = STF-STF-ref. 기준 TF 평탄도(nm)는 웨이퍼 형상(um)보다 훨씬 더 나을 수 있다. 따라서 STF-ref 는 피스톤 항이며 삭제될 수 있다. TF 600이 두껍고 최소 TF 처짐이 있는 경우, 공동 교정 단계도 건너뛸 수 있다. 이 단계에서는, 척상에 웨이퍼가 없다. 이 교정은 공장에서 수행될 수 있다. TF 형상이 변하지 않는다는 가정 하에 측정 시 기울기 보정만 수행될 수 있다.
도 6b를 참조하면, 다음 단계에서, 웨이퍼(606)는 공기 베어링 척(604)의 상부 표면에 배치된다. 형상을 측정하기 위하여, 웨이퍼(606)는 큰 공기 갭(예를 들어, 60um 내지 300um)에서 플라잉하고 있다. 척은 압력이 중력과 균형을 이루도록 설계되고 작동되어 웨이퍼를 변형시키는 추가 힘이 남지 않는다. 결과적으로, 이러한 큰 공기 갭에서, 웨이퍼(606)는 공기 쿠션에 의해 지지되는 동안 자연적인 형상을 취한다.
SWFR=(STF-Swfr)
다음으로, Cal과 웨이퍼 표면 측정 사이의 차이를 구하여 웨이퍼 형상을 계산한다:
Shape=Cal-SWFR=(STF-STF-ref.)-(STF-Swfr)=Swfr-STF-ref.=Swfr
상기 단계에 의해 취해진 형상 측정은 정확하고 공기 갭이 적절하게 설정되는 한 보정이 필요하지 않다. 이것은 패턴화된 웨이퍼 기하학적 형상(PWG) 툴을 위한 이상적인 툴 아키텍처가 될 수 있다. 이중 피조 간섭계 아키텍처보다 더 나은 정밀도, 정합, 및 더 낮은 비용을 가질 수 있다. 격자 기반 전단 간섭계는 3개의 지지 핀을 공기 베어링 척으로 대체함으로써 이 툴 아키텍처의 이점을 크게 얻을 수 있어, 측정 정확도가 향상되고 웨이퍼가 기울어지도록 하여 뒤틀림(warp) 동적 범위가 증가할 것이다.
대형 뒤틀림 웨이퍼(warp wafer)의 경우, 2D 틸트 스테이션을 사용하여 도 1c에 예시된 WGT 아키텍처에서 간섭계의 동적 범위 제한을 극복할 수 있다. 수평 위치에서, 웨이퍼(706)의 형상은 동일한 웨이퍼(706')가 수직 위치에 있는 경우보다 기울어지는 동안 더 잘 유지될 수 있으며, 이 경우, 도 7에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(706')가 완전한 수직 위치에 있지 않으면, 중력에 의해 웨이퍼(706')의 형상이 변경될 수 있다.
구체적으로, 도 7은 수직 위치에 있는 웨이퍼(706')가 기울어질 때 형태가 변화되기 쉬운 것을 도시한다. 이는 수직으로 유지된 웨이퍼(706')가 기울어질 때 웨이퍼(706')에 토크가 가해지기 때문이다. 토크로 인해 웨이퍼 형상이 변경된다. 이는 기존의 이중 피조 간섭계 툴의 측정 정확도를 제한한다. 이에 비해, 여기에 개시된 WGT 아키텍처는 웨이퍼(706)가 도 7의 수평 방향 세팅으로 도시된 바와 같이 작은 틸트 각도(일반적으로 1도의 일 부분 미만)에 있는 경우에도 웨이퍼(706)의 자연스러운 형상을 유지하는데 도움이 되는 얇은 공기 쿠션 상에 웨이퍼(706)를 지지한다.
WGT는 웨이퍼가 너무 얇아서 수직 위치에 놓을 수 없거나 너무 얇아서 웨이퍼가 수직 위치에서 기울어져 있는 동안 모양이 변하지 않도록 유지할 수 없는, 얇은 웨이퍼의 휨을 측정하는 데 사용될 수 있다. 일부 얇은 웨이퍼의 경우, 웨이퍼 에지(edge)의 두 지점에서 지지하기에는 너무 얇을 수 있다. WGT에서, 웨이퍼는 수평 위치에 있으며 공기 쿠션에 의해 지지된다. 웨이퍼를 기울이는 동안 웨이퍼 위치를 유지하기 위해 웨이퍼에 매우 작은 반경 방향 힘이 가해진다. 적절한 플라잉 높이와 진공/압력 설정에서, 얇은 웨이퍼의 뒤틀림을 측정할 수 있다.
따라서, 상술한 방법을 사용하는 웨이퍼 기하학적 구조 툴 및 패턴 웨이퍼 기하학적 구조 툴은 높은 정밀도와 높은 처리량을 가질 수 있지만, 듀얼 피조 아키텍처에 비해 약 절반 가격이다. 200mm, 300mm, 및 450mm 웨이퍼와 같은 모든 크기의 웨이퍼를 위한 웨이퍼 평탄도, 나노 프토그래피, 및 형상 측정 툴을 위한 비용 효율적인 고 정밀 해법이다.
도 8은 본 개시의 일 실시예에 따른, 패턴화된 웨이퍼 틸트 스테이지를 위한 예시적인 측각 크레이들(800)을 도시한다. 예시된 설정은 웨이퍼 뒤틀림 동적 범위 및 처리량을 증가시키는 데 사용되는 2개의 적층 측각 크레이들(800)을 포함한다. 웨이퍼 틸트를 수행하는 동안 웨이퍼의 초점을 유지하는 것이 가능하다. X, Y 스테이지(802, 804)는 90도로 교차되지만 공통 회전 중심을 쉽게 설명하기 위해 하나의 평면에 그려짐에 유의하자.
실제 웨이퍼 표면 특징 및 척 마크/아티팩트를 구별하는 방법
도 1c에 도시된 WGT 아키텍처(100)의 실시예는 전체 두께 변화 측정 및 웨이퍼 형상 측정 모두를 위해 하나의 수직 장착 피조 간섭계를 사용한다. 그러나 실제로 이 방법에는 많은 문제가 있다. 공기 베어링 척 자체가 평평하지 않을 수 있으며 공기 베어링 척의 표면상에 입자와 같은 아티팩트가 있을 수 있다. 공기 베어링 척상에서 웨이퍼의 진공이 저하되면, 웨이퍼의 상부 표면에 아티팩트가 나타날 수 있다. 예를 들어, 큰 입자(202)는 도 2에 도시된 바와 같이, 공기 베어링 척(200)의 상방 측(204)에 돌출부로 나타날 수 있다. 이러한 유형의 아티팩트는 본 개시의 다른 실시예에 따라 여기에 개시된 방법을 사용하여 교정될 수 있다. 도 2b는 척 마크가 보이지 않는 공기 베어링 척 200' 위로 플라잉되는 웨이퍼 204'를 도시한다.
도 3a 내지 도 3c는 웨이퍼(310) 표면상의 실제 특징물(304)을 아티팩트(306)와 구별하는 방법을 예시한다. 도 3a는 간섭계 측정에서 실제 특징물(3l04)이 척 마크(306)와 혼합되는 S1 표면 측정을 예시한다. 도 3b는 S1 표면 측정을 위해 원래 위치에서 180도 회전된 척을 사용한 S2 표면 측정을 보여준다. 실제 특징물(304)은 척 마크(306)가 척(300)과 함께 180도 회전하는 동안 동일한 위치에 유지된다. (도 3b에 도시된 바와 같이), 웨이퍼(310)를 180° 회전시키고 (도 3a에 도시된 바와 같이) 0°에서 표면(302)과 표면(300)을 비교함으로써, 실제 웨이퍼 특징물(304)(회전 전후에 웨이퍼 좌표계에서 동일한 위치에 머무르는 것)이 식별될 수 있다. 대조적으로, 아티팩트(306)는 웨이퍼(310)가 180° 회전될 때 제 위치에서 180°만큼 떨어져 있을 것이다.
도 3c는 바이폴라 쌍(316, 320)으로서 척 아티팩트를 보여주는 S1 및 S2 차이 맵을 제공한다. 이러한 척 마크는 척 상에서 주위로 움직이지 않는다면 교정될 수 있다. 또한 척이 깨끗하고 척 마크가 분리된 경우 척 마크는 알고리즘으로 제거될 수 있는 특정 기능을 갖는다. 웨이퍼 또는 진공 척 회전 방법은 척 및/또는 웨이퍼 후면에 제한된 아티팩트가 있는 경우 작동할 수 있다. 척의 표면을 깨끗하게 유지하는 것은 매우 중요하다. 그렇지 않으면, 측정값이 아티팩트에 의해 오염될 수 있다.
공기 베어링 척
도 1c에 도시된 WGT 아키텍처(100)의 실시예는 아티팩트 없는 측정을 달성할 수 있다. 이 아키텍처(100)에서, 테스트 중인 웨이퍼(114)는 핸들러 엔드 이펙터로부터 직접 측정 챔버로 로딩될 수 있다. 본 개시의 다른 양태에서, 공기 베어링 척이 개시된다. 도 4a에 예시된 바와 같이, 공기 베어링 척(401)은 척 표면에 압력 및 진공 노즐의 어레이를 가지며, 여기서 교번하는 압력 노즐(402) 및 진공 노즐(404)은 각각 균등하게 이격된 동심 링에 배열된다.
진공 흡입력 및 압력 지지력은 웨이퍼(400)를 공기 베어링 척(401) 상의 수 미크론 내지 수백 미크론의 공기 쿠션 위에 떠있게 유지할 수 있다. 공기 쿠션이 얇을수록 공기 베어링은 더 강해진다. 진공 및 압력의 올바른 유량으로, 공기 베어링은 매우 뻣뻣할 수 있으며(> 1N/um, 20um 정도의 공기 갭에 대해) 상당한 웨이퍼 평탄력도 가질 것이다. 그러나, 100um 두께의 공기 베어링의 강성은 웨이퍼 모양을 왜곡하는 힘이 거의 없는 1N/um의 1/10만큼 낮을 수 있다.
웨이퍼의 전면으로부터 웨이퍼 평탄도 또는 TTV를 측정하기 위해, 웨이퍼(400)의 후면은 공기 베어링 척(404)에 의해 평탄화될 수 있고 척 표면과 일치하게 될 수 있다. 공기 베어링 갭이 적절한 높이(예: 15um 내지 20um)로 설정되면, 공기 베어링 척(401)에서 아티팩트가 감지되지 않는다. 웨이퍼의 형상을 측정하기 위해, 웨이퍼가 공기 베어링 척(401)의 표면에 ~60um 내지 300um으로 설정된 간격으로 띄우고, 여기서 웨이퍼(400)가 공기 베어링 척(401)에 의해 생성된 공기 쿠션에 의해 지지되고 큰 공기 갭에서 매우 작은 흡입력으로 인해 그 원형(original shape)을 유지한다.
웨이퍼 평탄도 및 형상 측정에 대한 WGT 요건을 충족하기 위해, 공기 베어링 척(404)은 도 4a에 예시된 바와 같이, 다음과 같은 특징을 가질 수 있다.
(1) 동심 링으로 배열된 축 대칭, 교번하는 압력 및 진공 노즐(402, 404).
(2) 웨이퍼 기준 플랫을 넘어서는 활성 노즐이 없다. 노즐은 반경이 대략 마지막 2 내지 5mm까지 웨이퍼(400)를 지지하기 위해 끝까지 연장된다. 200mm 척에 대해, 노즐은 마지막 노즐 세트의 중심이 198mm 또는 195mm 직경에 위치하도록 방사형으로 연장된다. 이 실시예에서, 공기 베어링 척(401)의 표면은 바람직하게는 웨이퍼(400)보다 커서 공기 베어링 척(401)의 에지를 넘어 웨이퍼 돌출부가 존재하지 않는다.
(3) 반경이 증가할 때 노즐 사이의 접선 간격을 일정하게 유지하기 위해, 바람직하게는 다음 식 N=m*n에 설명된 바와 같이, 링 당 짝수의 노즐이 증가한다. 여기서, m은 노즐 수 증가(m=4, 6, 8, 10...), n은 n번째 동심 링 수, N은 링당 노즐 수이며, n=0은 웨이퍼(400)의 중심에서 제 1 "링(ring)"이다. 숫자 "6"은 반경 방향과 접선 방향 모두에서 노즐 사이의 거의 동일한 변위를 달성하기 때문에 선호된다.
(4) WGT(200)의 척 평탄도는 1.5um인 것이 바람직하다. WGT300은 고급 웨이퍼 평탄도 응용 분야의 경우 바람직하게는 0.5um 이하이다.
(5) 척 표면은 ISO 표준에 따라 > N4인 경면 가공(mirror like finish)되는 것이 필요하다.
(6) 척(404)은 직경이 웨이퍼(400)보다 10mm 더 큰 것이 바람직하며, 웨이퍼보다 큰 척의 영역은 웨이퍼의 이 부분이 측정 동안 웨이퍼에 의해 차단되지 않기 때문에 웨이퍼 측정 동안 교정을 위해 사용될 수 있다.
(7) 3x 웨이퍼 그리퍼(408), 2개의 고정 그리퍼(90도 간격), 중앙 웨이퍼용 1개의 작동 그리퍼. 웨이퍼(400)에 가해지는 힘은 조정될 수 있다.
(8) 부드러운 방식으로 척(404)으로부터 웨이퍼(400)를 들어올릴 수 있는 4x 리프트 핀(410).
도 4b는 도면에 도시된 바와 같이 상이한 △R, △T에 배열된 진공 및 압력 노즐을 갖는 예시적인 공기 베어링 척(421)을 도시한다.
진공 노즐(404) 및 압력 노즐(402) 연결은 도 4c 및 도 4d에 도시되어 있다. 도 4c는 공기 베어링 척(431)의 적층된 층의 평면도를 제공한다. 적층된 층은 진공 매니폴드 층(432), 압력 매니폴드 층(433), 및 상부 척 층(434)을 포함한다. 진공 매니폴드 층(432)은 모든 진공 채널(35) 및 진공 공급 장치를 연결한다. 압력 매니폴드 층(433)은 모든 압력 채널(436) 및 압력 공급 장치를 연결한다. 상부 척 층(434)은 진공 매니폴드 층(432)의 진공 채널(435)을 상부 척 층(434)의 상부 표면 상의 진공 노즐에 연결하는 다수의 관통 구멍을 포함한다. 상부 척 층(434)은 또한 압력 매니폴드 층(433) 내의 압력 채널(436)을 상부 척 층(434)의 상부 표면 상의 압력 노즐로 연결하는 추가의 관통 구멍을 포함한다. 진공 및 압력용 관통 구멍은 도 4a 및 도 4b에 도시된 진공 및 압력 노즐 배열에 상응하는 교번 방식으로 배열된다.
도 4d는 상부 척 층(434'), 진공 매니폴드 층(432'), 및 압력 매니폴드 층(433')을 포함하는 공기 베어링 척(431')의 전술한 적층 구조의 측면도를 제공한다. 진공 채널(435') 및 압력 채널(436')을 각각 공기 베어링 척(431')의 상부 표면에 있는 진공 노즐 및 압력 노즐에 연결하는 교번하는 관통 구멍(440, 442)이 있다. 도 4d의 공기 베어링 척의 측면도에 도시된 바와 같이, 교대하는 진공 노즐과 압력 노즐 사이의 간격(△T)은 실질적으로 동일할 수 있다.
도 4e는 공기 베어링 척(461)의 적층 구조의 다른 실시예의 측면도를 제공한다. 이 실시예에서, 적층 구조는 상부 플레이트(490), 후방 커버 플레이트(492), 및 상부 플레이트(490) 및 후방 커버 플레이트(492) 사이에 끼워진 매니폴드 플레이트(494)를 포함할 수 있다. 상부 플레이트(490)는 10 내지 60mm 사이의 바람직한 두께를 갖는 알루미늄 또는 세라믹일 수 있다. 도 4d의 실시예와 유사하게, 웨이퍼(도 4d에 도시되지 않음)가 공기 쿠션 상에 떠있도록 유지하기 위해 각각 진공 흡입력 및 압력 지지력을 제공하기 위해 상부 플레이트(490)에 교번하는 관통 구멍(480, 482)이 있다. 관통 구멍(480, 482)은 1.25 내지 1.5mm 직경을 가질 수 있다.
매니폴드 플레이트(494)의 상부 및 바닥 표면은 각각 진공 및 압력 채널(496, 498)이 위치될 수 있는 하나 또는 그 초과의 홈을 가질 수 있다. 도 4e에 도시된 예에서, 매니폴드 플레이트(494)의 상부 표면 상의 홈은 관통 홀(480)을 통해 적층 구조의 상부 플레이트(490) 상의 진공 노즐을 적층 구조의 바닥 플레이트 상의 진공 출구(497)에 연결하는 내장된 진공 채널(496)을 가질 수 있다. 유사하게, 매니폴드 플레이트(494)의 바닥 표면 상의 홈은 관통 구멍(482)을 통해 적층 구조물의 상부 플레이트(490) 상의 압력 노즐을 적층 구조의 바닥 플레이트 상의 압력 출구에 연결하는 내장된 압력 채널(498)을 가질 수 있다. 매니폴드 플레이트의 상부 및 바닥 표면에 있는 홈은 모두 폭이 수 밀리미터이고 깊이가 수 밀리미터일 수 있다.
도 4f는 도 4e의 적층 구조의 상부 플레이트(490)의 예시적인 상부 표면(802)을 도시한다. 상부 표면은 예를 들어 5 내지 25mm 반경 방향 및 접선 간격을 갖는 균일하게 이격된(또는 균일하지 않게 이격된) 교번하는 진공 및 압력 노즐(또는 구멍)(804, 806)을 포함한다. 진공 구멍(804)은 직경이 수 밀리미터, 예를 들어 1.5mm일 수 있다. 압력 구멍(806)은 직경이 1.25mm일 수 있다.
도 4g는 동일한 패턴의 진공 및 압력 노즐(804' 806')을 보여주는 상부 플레이트의 예시적인 바닥 표면(810)을 도시한다. 바닥 표면(810)은 또한 적층 구조의 플레이트를 함께 체결하기 위한 M3.5 또는 M4 나사 구멍(812)을 포함할 수 있어 진공 및 압력 채널을 밀봉할 수 있다. 대안적으로, 접착제를 사용하여 플레이트와 함께 고정할 수 있으며, 이는 개선된 상부 표면 평탄도를 초래할 수 있다. 접착제를 사용하는 경우, 플레이트에 M3.5 또는 M4 또는 기타 나사 구멍을 갖는 것이 필요하지 않다.
도 4h는 도 4e의 적층 구조의 예시적인 매니폴드 플레이트(494)의 평면도를 제공한다. 상부 플레이트(도 4h에 도시되지 않음)로부터의 모든 진공 구멍은 매니폴드 플레이트(494)의 상부 표면(818)에 있는 홈에 있는 진공 채널(820) 중 하나에 연결된다. 대조적으로, 상부 플레이트로부터의 모든 압력 구멍(도 4h에는 도시되지 않음)은 매니폴드 플레이트(494)의 대응하는 압력 구멍(822)에 연결하여 상부 플레이트로부터 매니폴드 플레이트(494)를 통해 아래로 직선 구멍을 형성하여(도 4e에 도시된 바와 같음), 상부 플레이트의 압력 노즐을 매니폴드 플레이트(494)의 바닥에 있는 홈 내부에 내장된 압력 채널에 연결된다(도 4i에 도시된 바와 같음). 일 실시예에서, 매니폴드 플레이트(494)의 상부 표면 상의 진공 채널(820)은 도 4h에 도시된 패턴일 수 있다. 채널은 상부 플레이트의 진공 노즐과 정렬되고 매니폴드 플레이트(494)의 에지를 따라 외부 원형 채널(824)에 의해 연결된다. 도 4h는 또한 적층 구조의 플레이트를 함께 체결하기 위한 M3.5 또는 M4 나사 구멍(812')을 보여준다.
도 4i는 매니폴드 플레이트(494)의 저면도를 도시한다. 이 실시예에서, 압력 채널/홈(830)은 매니폴드 플레이트(494)를 관통하는 압력 구멍을 연결하는 내부 링형 패턴("압력 공급 링(pressure supply ring)")일 수 있다. 압력 공급 링은 단면적 증가로 인해 저항이 작을 수 있다. 도 4i의 저면도는 또한 도 4h의 평면도에서 볼 수 있는 M3.5 또는 M4 나사 구멍(812'')을 보여준다. 저면도는 중첩된 진공 채널(820')을 보여주지만, 이는 단지 예시를 위한 것이며 실제 진공 채널(820')은 도 4h에 도시된 바와 같이 매니폴드 플레이트(494)의 상부 표면에 있는 홈에 위치한다는 것이 이해되어야 한다.
도 4j는 도 4e의 적층 구조의 후방 커버 플레이트(492)의 평면도를 제공한다. 후방 커버 플레이트(492)의 상부 표면은 도 4i에 도시된 바와 같이 압력 홈이 내장된 매니폴드 바닥 표면을 밀봉하기 위해 연마될 수 있다. 이 실시예에서, 매니폴드 플레이트(492)의 바닥 표면으로부터 압력 피팅(도 4j에 도시되지 않음)으로 압력 채널을 연결하기 위한 3개의 개구(842)가 있다. 또한, 매니폴드 플레이트의 상부 표면에서 진공 피팅으로 진공 채널을 연결하기 위한 3개의 다른 개구(840)가 있다(도 4j에는 도시되지 않음). 동일한 압력 및 진공 개구(842', 840')가 도 4k의 후방 커버 플레이트(492)의 저면도에도 도시된다. 후방 커버 플레이트(492)의 도 4j의 평면도 및 도 4k의 저면도 모두 적층 구조에서 후방 커버 플레이트를 다른 플레이트와 체결하기 위한 M3.5 또는 M4 나사 구멍(812''')도 예시한다.
도 4e 내지 도 4k는 각각 매니폴드 층의 바닥 및 상부 표면의 홈에 위치한 압력 및 진공 채널을 갖는 공기 베어링 척의 적층 구조를 도시하지만, 이러한 채널도 다른 층의 홈 내에 내장될 수 있음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 진공 채널은 상부 플레이트의 바닥 층에 형성된 홈에 위치할 수 있고 압력 채널은 바닥 커버 플레이트의 상부 층에 형성된 홈에 위치할 수 있다. 또한, 진공 채널 및 압력 채널의 배치는 다른 실시예에서 바꾸어 질 수 있음이 이해되어야 한다. 다양한 실시예에서, 상이한 수의 진공 및/또는 압력 노즐이 포함될 수 있다. 진공 및 압력 채널의 경로는 노즐의 수와 위치에 따라 조정될 수 있다. 적층 구조의 바닥에 있는 진공 및 압력 피팅의 수도 각각 3개와 다를 수 있다.
전체 척에 걸쳐 균일한 압력 및 진공을 달성하기 위해, 도 9a 및 9b에 도시된 바와 같은 플레넘 매니폴드(900)는 모든 진공 노즐이 진공 매니폴드 플레넘(902)에 연결되는 압력 노즐로부터 진공 노즐을 분리하기 위해 사용될 수 있으며, 모든 압력 노즐이 진공 매니폴드 플레넘(902)을 통해 직선화되고 진공 플레넘 바로 아래에 있는 압력 매니폴드 플레넘(904)에 도달한다. CFD 시뮬레이션은 플레넘 접근 방식이 진공 및 압력 노즐의 균일성을 크게 향상시키는 것으로 나타났다. 플레넘 매니폴드는 균일하게 가압된 공기량을 제공하여 채널 크기 증가를 가능한 한 최대로 최적화할 수 있다. 또한 공동 높이를 조정하여 오리피스 흐름 변동을 최소화할 수 있다.
웨이퍼를 지지하는 공기 쿠션은 또한 지진 및 음향 진동을 효과적으로 격리하여 음향 격리 상자 및 능동 진동 격리 시스템의 요구 사항을 제거하거나 감소시키는 공기 감쇠 효과를 갖는다.
상기 실시예에 개시된 공기 베어링 척을 사용하는 추가적인 이점이 있다. 예를 들어, 웨이퍼에 적용된 마스크 층의 두께 측정 정확도를 향상시킬 수 있다. 3D NAND 공정에서는, 기존의 광학 방법이 불투명한 필름에서 잘 작동하지 않기 때문에 매우 불투명한 하드 마스크 필름 두께를 측정해야 하는 충족되지 않은 요구가 있다. WGT 웨이퍼 두께 측정 특징은 하드 마스크 막 두께 측정에 사용될 수 있다. 웨이퍼 두께의 두 가지 측정이 이루어졌으며, 예를 들면, 하나는 "사전 마스크(pre-mask)"(Tpre) 두께 측정, 하나는 "포스트 마스크(post-mask)"(Tpost) 두께 측정이며, 여기서
Tpre = T0 + E_RTE_pre
Tpost = T1 + E_RTE-post
T0 및 T1은 각각 사전 및 사후 마스크 막 증착의 두께 측정 값이다. E_RTE_pre 및 E_RTE-post는 웨이퍼 사전 및 사후-마스크의 각각의 광선 추적 오류(RTE)이다.
따라서, 마스크의 두께 △T=Tpost-Tpre=(T1-T0)+(E_RTE-post-E_RTE_pre)
마스크가 적용된 후 웨이퍼가 극적으로 뒤틀릴 수 있기 때문에, RTE(즉, E_RTE-post-E_RTE_pre)는 Tpre 및 Tpost 측정에 상당한 영향을 미칠 수 있고, 그 결과 △T 계산에 심각한 오류가 발생할 수 있다. 본 명세서에 개시된 실시예에 따르면, 공기 베어링 척에 의해 생성된 흡입력은 마스크가 웨이퍼의 표면에 적용된 후 웨이퍼를 실질적으로 평평하게 하여 웨이퍼 형상 사전 및 사후 마스크가 실질적으로 동일하도록 함으로써 RTE를 최소화하고(즉, E_RTE-post - E_RTE_pre ~ 0) 두께 측정의 정확도를 높인다.
공기 베어링 척은 심하게 뒤틀린 웨이퍼가 척 표면에 일치하도록 강제함으로써 간섭계의 광선 추적 오류를 감소 또는 취소하거나 포스트 필름 증착의 웨이퍼 뒤틀림을 감소시켜 포스트 필름 증착의 형상이 사전 필름 증착의 형상과 비슷하며, 이는 필름 두께의 차이가 사전 필름 증착의 두께로부터 사후 필름 증착 웨이퍼 두께를 차감하여 계산될 때 레이 트레이싱 오류가 제거된다. 이 방법은 심하게 뒤틀린 웨이퍼로 인한 광선 추적 오류가 크게 감소되는 불투명한 하드 마스크 층의 두께 측정에 적용된다.
본 개시의 하나의 양태에서, 웨이퍼 형상 및 평탄도 측정 장치가 개시된다. 상기 장치는 투과 플랫, 광원, PBSC, 시준기, 릴레이 렌즈, 및 카메라를 포함하는 단일 피조 간섭계; 공기 베어링 척으로서, 공기 베어링 척의 표면으로부터 미리 결정된 거리에서 웨이퍼를 유지하기 위한 공기 쿠션을 생성하도록 구성되고, 교번하는 진공 노즐 및 압력 노즐을 포함하는 공기 베어링 척을 포함한다.
일부 실시예에서, 교번하는 진공 노즐 및 압력 노즐은 직각(Cartesian) 좌표 또는 극(polar)좌표 중 하나로 배열된다.
일부 실시예에서, 교번하는 진공 노즐과 압력 노즐은 복수의 동심 링으로 배열되고 인접한 진공 노즐과 압력 노즐 사이의 거리는 각각의 동심 노즐 링에서 실질적으로 균일하다.
일부 실시예에서, 노즐은 웨이퍼의 에지 부근에서 약 2 내지 5mm까지 웨이퍼를 지지하도록 구성된다.
일부 실시예에서, 공기 베어링 척은 단일 간섭계를 사용하여 웨이퍼 평탄도 측정을 위해 웨이퍼를 지지하고 웨이퍼 후면을 평탄화하기 위해 5 내지 30um 플라잉 높이를 갖는다.
일부 실시예에서, 공기 베어링 척은 단일 간섭계를 사용하여 웨이퍼 형상 측정을 위해 웨이퍼의 원래 형상을 유지하면서 웨이퍼를 지지하기 위해 60 내지 350um 플라잉 높이를 갖는다.
일부 실시예에서, 공기 베어링 척은 알루미늄 또는 강성이고 경면 가공으로 연마될 수 있는 다른 재료로 제조된 반사 척이고; 여기서, 연마 표면은 간섭 무늬(interference fringe)를 나타내기에 충분히 평평하다.
일부 실시예에서, 공기 베어링 척 및 투과 플랫은 교정이 수행될 수 있게 하는 광학 공동을 형성한다.
일부 실시예에서, 교정은 투과 플랫 및 공기 베어링 척의 임의의 평탄도 결함을 제거하는 것을 포함한다.
일부 실시예에서, 공기 베어링 척의 직경은 웨이퍼의 직경보다 약간 더 크다.
일부 실시예에서, 웨이퍼의 직경은 200MM이고 척의 직경은 210 내지 2020MM이다.
일부 실시예에서, 웨이퍼의 직경은 300MM이고 척의 직경은 310 내지 330MM이다.
일부 실시예에서, 공기 쿠션은 약 5 내지 30um이다.
일부 실시예에서, 공기 베어링 척은 ISO 표준의 =>N4의 경면 가공된 표면을 갖는다.
일부 실시예에서, 공기 베어링 척은 하나 또는 그 초과의 척 표면상의 공동 데이터를 사용하여 교정된다.
일부 실시예에서, 기계적 위상 시프팅 또는 파장 위상 시프팅 또는 PL 위상 시프팅이 이용되고; 그리고, 선택적으로, 웨이퍼를 투과 플랫에 가깝게 하여 공통 경로가 최소화되지 않는다.
일부 실시예에서, 공기 베어링의 높은 강성을 달성하기 위해 높은 공기 흐름이 공기 베어링 척에 의해 제공된다.
일부 실시예에서, 공기 쿠션은 웨이퍼 평탄도 측정을 위한 5 내지 30um 플라잉 높이를 갖는다.
일부 실시예에서, 공기 쿠션은 웨이퍼 틸트 및 웨이퍼 열 팽창으로 인한 웨이퍼 형상 변화를 줄이기 위해 60 내지 300um의 공기 갭을 포함한다.
일부 실시예에서, 교번하는 진공 노즐 및 압력 노즐은 축 대칭인 패턴으로 배열되고; 그리고 교번하는 진공 노즐과 압력 노즐은 전체 척을 가로질러 균등하게 이격된다.
일부 실시예에서, 웨이퍼 형상 및 평탄도 측정 장치는 공기 갭 모니터링 및 부적합 오류의 수정을 위해 공기 베어링 척의 중간에 정전 용량형 센서를 더 포함할 수 있다.
일부 실시예에서, 정전용량형 센서는 SW가 리셋될 필요가 있을 때 또는 전력 손실 후에 웨이퍼 복구를 위한 웨이퍼 존재 센서로서 기능하도록 추가로 구성된다.
일부 실시예에서, 웨이퍼 형상 및 평탄도 측정 장치는 웨이퍼의 상부에 위치 센서 및 웨이퍼의 바닥에 정전용량형 센서를 더 포함할 수 있으며, 위치 센서 및 정전 용량형 센서는 하이브리드 두께 측정 게이지를 형성한다.
일부 실시예에서, 웨이퍼 형상 및 평탄도 측정 장치는 척 정렬 및 기계적 위상 시프팅을 위한 Z-팁-및-틸트 스테이지를 더 포함할 수 있다.
일부 실시예에서, Z-팁-및-틸트 스테이지는 패턴 웨이퍼 기하학적 구조 적용을 위해 높은 비틀림 웨이퍼를 측정하도록 추가로 구성된다.
일부 실시예에서, SN.C.는 공지된 TTV가 있는 웨이퍼를 사용하여 얻을 수 있고, SN.C.는 웨이퍼 두께, 온도, FH, 및 척 평탄도의 함수이고, 웨이퍼 두께, 온도, FH, 및 척 평탄도는 측정 중에 수집된 후 교정 보정에 사용된다.
일부 실시예에서, Z-팁-및-틸트 스테이지는 두께가 300um만큼 작은 두께를 갖는 고도로 비틀린 얇은 웨이퍼를 측정하기 위해 추가로 구성된다.
본 개시의 다른 양태에서, 공기 베어링 척 상의 웨이퍼 높이를 조정하고 높이 변화의 정밀 측정을 위한 툴 아키텍처의 피조 간섭계를 사용함으로써 캡 센서 및 PSD를 교정하는 것이 개시된다.
일부 실시예에서, 공기 베어링 척은 웨이퍼 두께 또는 필름 두께 측정에서 간섭계의 광선 추적 오류를 감소 또는 제거하기 위해 사용될 수 있다.
일부 실시예에서, 공기 베어링 압력 또는 진공을 조정함으로써 위상 변이를 생성하는 새로운 방법인 공기 베어링 위상 시프팅이 개시된다. 웨이퍼 플라잉 높이가 변경될 것이다. 적절한 진공, 압력, 및 송풍량에서, 선형 위상 시프팅이 가능하다. 거의 제로에 가까운 비용으로 기계적 위상 시프터를 대체할 가능성이 있다.
일부 실시예에서, 캡 센서 및 PSD 둘 모두가 원위치에서 교정되고, 이는 보다 정확한 웨이퍼 및 필름 두께 측정을 초래할 간섭계 보조 웨이퍼 두께 측정이 개시된다. 간섭계와 두께 게이지의 조합은 필름 측정 정밀도를 <10nm으로 향상시키는 데 도움이 된다.
일부 실시예에서, 웨이퍼 형상 측정은 진공 노즐이 필요하지 않은 공기압 노즐만을 갖는 척에서 수행될 수 있다. 압력 노즐은 공기 베어링 척에서 웨이퍼의 무게를 지지한다.
일부 실시예에서, 웨이퍼 후면 형상이 테스트 중인 웨이퍼를 뒤집음으로써 측정되는 웨이퍼 평탄도 측정을 위한 대안적인 방법이 개시된다. TTV 맵은 전방 및 후면 웨이퍼 중심 및 노치 위치를 정렬하여 함께 구성된다. 웨이퍼 중심 두께는 현장 두께 게이지에 의해 결정된다.
일부 실시예에서, WGT TTV 측정은 전통적인 방법보다 더 정확하다. WGT는 웨이퍼의 후면이 리소그래피 척에 의해 평평해지는 리소그래피 척의 웨이퍼의 실제 사용 사례와 더 유사하다. WGT에 의한 TTV 측정은 리소그래피 툴이 보는 것과 일치할 가능성이 더 크다.
일부 실시예에서, 패턴화된 웨이퍼 형상 측정을 위해, 2개의 적층된 측각 크레이들이 웨이퍼 뒤틀림 동적 범위 및 처리량을 증가시키기 위해 사용될 것이다. 웨이퍼 틸트를 수행하는 동안 웨이퍼의 초점을 유지하는 것이 가능하다.
일부 실시예에서, 진공 및 압력 노즐의 균일성을 크게 개선하기 위해 플레넘 진공(또는 압력) 매니폴드가 제안된다.
일부 실시예에서, 척의 공기 쿠션은 지진 및 음향 진동을 효과적으로 격리시키는 공기 감쇠를 제공한다.
본 개시의 실시예가 첨부된 도면을 참조하여 충분히 설명되었지만, 다양한 변경 및 수정이 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자에게 자명할 것이라는 점에 유의해야 한다. 이러한 변경 및 수정은 첨부된 청구범위에 의해 정의된 본 개시의 실시예의 범위 내에 포함되는 것으로 이해되어야 한다.

Claims (20)

  1. 압력 노즐의 어레이; 및
    진공 노즐의 어레이를 포함하고,
    상기 압력 노즐의 어레이 및 진공 노즐의 어레이가 축 대칭 및 교번하는 배열로 존재하고, 상기 배열이 복수의 동심원 링을 형성하는, 공기 베어링 척.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 공기 베어링 척은 200mm 척인, 공기 베어링 척.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 복수의 동심원 링 각각에 있는 압력 노즐과 진공 노즐 사이의 접선 간격이 일정하게 유지되는, 공기 베어링 척.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 복수의 동심원 링 각각에서 상기 공기 베어링 척의 에지(edge)를 향해 짝수 개의 노즐이 증가하는, 공기 베어링 척.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 짝수 개의 노즐의 개수는 6인, 공기 베어링 척.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 공기 베어링 척의 평탄도는 1.5um인, 공기 베어링 척.
  7. 제 1 항에 있어서, 경면 가공(mirror like finish)을 갖는 표면을 더 포함하는, 공기 베어링 척.
  8. 제 1 항에 있어서, 3개의 웨이퍼 그리퍼를 더 포함하며, 그 중 2개는 90도 간격으로 고정되는, 공기 베어링 척.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 동심원 링 각각에서 인접한 압력 노즐과 진공 노즐의 각 쌍 사이의 거리가 9.0mm이고;
    반경 방향에서 인접한 압력 노즐과 진공 노즐의 각 쌍 사이의 거리가 11mm인, 공기 베어링 척.
  10. 제 1 항에 있어서,
    진공 매니폴드 층;
    압력 매니폴드 층; 및
    상기 진공 매니폴드 층 및 상기 압력 매니폴드 층 모두의 상부의 상부 척 층으로서, 상기 진공 노즐의 어레이 및 상기 압력 노즐의 어레이를 포함하는 상부 척 층을 포함하는 적층된 층들을 더 포함하는, 공기 베어링 척.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 진공 매니폴드 층은 복수의 진공 채널을 포함하고;
    상기 상부 척 층은 상기 진공 채널을 상기 진공 노즐에 연결하는 복수의 진공 관통 구멍을 포함하는, 공기 베어링 척.
  12. 제 10 항에 있어서, 상기 압력 매니폴드 층은 복수의 압력 채널을 포함하고;
    상기 상부 척 층은 상기 압력 채널을 상기 압력 노즐에 연결하는 복수의 압력 관통 구멍을 포함하는, 공기 베어링 척.
  13. 제 10 항에 있어서, 상기 복수의 압력 채널을 하나 이상의 압력 피팅에 연결하기 위해 상기 공기 베어링 척의 바닥에 하나 이상의 개구를 더 포함하는, 공기 베어링 척.
  14. 제 10 항에 있어서, 상기 복수의 진공 관통 구멍이 진공 출구에 연결되는, 공기 베어링 척.
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 진공 출구가 상기 적층된 층들의 바닥에 있는, 공기 베어링 척.
  16. 제 10 항에 있어서, 상기 복수의 압력 관통 구멍이 압력 출구에 연결되는, 공기 베어링 척.
  17. 제 16 항에 있어서, 상기 압력 출구가 상기 적층된 층들의 바닥에 있는, 공기 베어링 척.
  18. 제 10 항에 있어서, 상기 적층된 층들의 바닥면은 상기 진공 매니폴드 층, 상기 압력 매니폴드 층 및 상기 상부 척 층을 함께 체결하기 위한 하나 이상의 나사 구멍을 포함하는, 공기 베어링 척.
  19. 제 10 항에 있어서, 상기 적층된 층들은 후방 커버 플레이트를 더 포함하는, 공기 베어링 척.
  20. 제 1 항에 있어서, 상기 교번하는 진공 노즐 및 압력 노즐이 반경 방향 및 접선 방향으로 5mm 내지 25mm 사이로 이격된, 공기 베어링 척.
KR1020237043145A 2019-12-26 2020-09-02 반도체 산업에서 웨이퍼 기하학적 구조 측정을 위한 툴 아키텍처 KR20230173229A (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201962953696P 2019-12-26 2019-12-26
US62/953,696 2019-12-26
PCT/US2020/049009 WO2021133436A1 (en) 2019-12-26 2020-09-02 Tool architecture for wafer geometry measurement in semiconductor industry
KR1020217024091A KR20210143725A (ko) 2019-12-26 2020-09-02 반도체 산업에서 웨이퍼 기하학적 구조 측정을 위한 툴 아키텍처

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020217024091A Division KR20210143725A (ko) 2019-12-26 2020-09-02 반도체 산업에서 웨이퍼 기하학적 구조 측정을 위한 툴 아키텍처

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20230173229A true KR20230173229A (ko) 2023-12-26

Family

ID=76576013

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020237043145A KR20230173229A (ko) 2019-12-26 2020-09-02 반도체 산업에서 웨이퍼 기하학적 구조 측정을 위한 툴 아키텍처
KR1020217024091A KR20210143725A (ko) 2019-12-26 2020-09-02 반도체 산업에서 웨이퍼 기하학적 구조 측정을 위한 툴 아키텍처

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020217024091A KR20210143725A (ko) 2019-12-26 2020-09-02 반도체 산업에서 웨이퍼 기하학적 구조 측정을 위한 툴 아키텍처

Country Status (7)

Country Link
US (2) US20210247178A1 (ko)
EP (2) EP4372791A3 (ko)
JP (2) JP7378481B2 (ko)
KR (2) KR20230173229A (ko)
CN (3) CN113155051A (ko)
TW (2) TWI797662B (ko)
WO (1) WO2021133436A1 (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20230184540A1 (en) * 2021-12-10 2023-06-15 Applied Materials, Inc. System for wafer dechucking and health monitoring
CN114199887A (zh) * 2021-12-13 2022-03-18 苏州华星光电技术有限公司 显示面板的曲面度外观检测设备
CN114608475A (zh) * 2022-02-28 2022-06-10 南京中安半导体设备有限责任公司 卡盘、相移式干涉仪及晶圆形貌干涉测量方法
CN115993371A (zh) * 2023-03-23 2023-04-21 季华实验室 一种Micro-LED-Wafe外观检测装置及方法

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000009661A (ja) * 1998-06-26 2000-01-14 Ntn Corp フラットパネル検査装置
EP1077393A2 (en) * 1999-08-19 2001-02-21 Canon Kabushiki Kaisha Substrate attracting and holding system for use in exposure apparatus
JP2001349715A (ja) * 2000-06-12 2001-12-21 Shin Etsu Chem Co Ltd ウェーハ平坦度測定装置及びウェーハ平坦度を測定する方法
US6722642B1 (en) * 2002-11-06 2004-04-20 Tokyo Electron Limited High pressure compatible vacuum chuck for semiconductor wafer including lift mechanism
TWI232357B (en) * 2002-11-12 2005-05-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7369251B2 (en) 2003-01-28 2008-05-06 Ultratech, Inc. Full-field optical measurements of surface properties of panels, substrates and wafers
JP4842348B2 (ja) * 2003-10-06 2011-12-21 住友重機械工業株式会社 搬送装置、塗布システム、塗布方法、検査システム及び保持機構
KR100753302B1 (ko) * 2004-03-25 2007-08-29 이비덴 가부시키가이샤 진공 척, 흡착판, 연마 장치 및 반도체 웨이퍼의 제조 방법
US20070247640A1 (en) * 2004-03-30 2007-10-25 Nikon Corporation Exposure Apparatus, Exposure Method and Device Manufacturing Method, and Surface Shape Detection Unit
WO2005099350A2 (en) * 2004-04-14 2005-10-27 Coreflow Scientific Solutions Ltd. Non-contact support platforms for distance adjustment
US7057702B2 (en) * 2004-06-23 2006-06-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4629007B2 (ja) * 2006-08-08 2011-02-09 株式会社日本設計工業 薄板状材料搬送用エアテーブル及び薄板状材料搬送装置
US7607647B2 (en) * 2007-03-20 2009-10-27 Kla-Tencor Technologies Corporation Stabilizing a substrate using a vacuum preload air bearing chuck
JP2009031199A (ja) * 2007-07-30 2009-02-12 Toyota Motor Corp 半導体ウエハの平坦度を測定する装置及び方法
JPWO2010101060A1 (ja) * 2009-03-03 2012-09-10 日立ビアメカニクス株式会社 ワークの薄膜加工方法及び薄膜加工装置
US9279774B2 (en) * 2011-07-12 2016-03-08 Kla-Tencor Corp. Wafer inspection
JP6018404B2 (ja) * 2012-04-25 2016-11-02 株式会社荏原製作所 基板処理装置
US9653338B2 (en) * 2013-12-23 2017-05-16 Kla-Tencor Corporation System and method for non-contact wafer chucking
US9278564B2 (en) * 2014-07-18 2016-03-08 Kateeva, Inc. Gas enclosure systems and methods utilizing multi-zone circulation and filtration
KR102204149B1 (ko) * 2016-07-01 2021-01-18 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 스테이지 시스템, 리소그래피 장치, 위치설정 방법 및 디바이스 제조 방법
JP6612985B2 (ja) * 2016-07-25 2019-11-27 京セラ株式会社 試料保持具
KR101968916B1 (ko) * 2017-03-21 2019-04-15 한국표준과학연구원 반사면 프로파일 측정 방법 및 장치
US10513011B2 (en) * 2017-11-08 2019-12-24 Core Flow Ltd. Layered noncontact support platform
US11081383B2 (en) * 2017-11-24 2021-08-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Substrate table with vacuum channels grid
WO2020023409A1 (en) * 2018-07-24 2020-01-30 Applied Materials, Inc. Optically transparent pedestal for fluidly supporting a substrate

Also Published As

Publication number Publication date
TW202328632A (zh) 2023-07-16
TWI797662B (zh) 2023-04-01
JP2022536569A (ja) 2022-08-18
CN214149172U (zh) 2021-09-07
JP2024016127A (ja) 2024-02-06
EP3918421A1 (en) 2021-12-08
US20220118587A1 (en) 2022-04-21
WO2021133436A1 (en) 2021-07-01
EP4372791A2 (en) 2024-05-22
TW202212766A (zh) 2022-04-01
CN113155051A (zh) 2021-07-23
KR20210143725A (ko) 2021-11-29
US20210247178A1 (en) 2021-08-12
JP7378481B2 (ja) 2023-11-13
EP3918421A4 (en) 2022-11-09
EP3918421B1 (en) 2024-05-15
EP4372791A3 (en) 2024-06-26
CN214279938U (zh) 2021-09-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11105753B2 (en) Wafer shape and flatness measurement apparatus and method
EP3918421B1 (en) Tool architecture for wafer geometry measurement in semiconductor industry
US12027383B2 (en) Device for alignment of two substrates
EP3317726B1 (en) A substrate holder, a lithographic apparatus and method of manufacturing devices
TWI604506B (zh) 特別是使用在遮罩對準器的夾頭
JP6171080B2 (ja) 明視野差分干渉コントラストを用いた強化検査及び計測技法及びシステム
US10871369B2 (en) Systems for and methods of measuring photomask flatness with reduced gravity-induced error
US20220120559A1 (en) Measuring apparatus and method of wafer geometry
US20090042481A1 (en) Method of calibrating or compensating sensor for measuring property of a target surface
CN214152867U (zh) 气浮卡盘
US20080100930A1 (en) Optical measuring system, and a projection objective
KR102566141B1 (ko) 웨이퍼 본딩 방법 및 웨이퍼 본딩 장치
US20230384694A1 (en) Vacuum sheet bond fixturing and flexible burl applications for substrate tables
Wang et al. Metrologies for characterization of flatness and thickness uniformity in temporarily bonded wafer stacks

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal