KR20230169913A - 플라즈마 프로세싱 챔버를 위한 전극 - Google Patents

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램 리써치 코포레이션
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Abstract

RF (radiofrequency) 전력을 플라즈마 프로세싱 영역으로 송신하기 위한 전극은 반도체 재료로 형성된 플레이트 및 플레이트의 상단 표면 상에 형성되고 플레이트와 통합된 고 전기 전도층을 포함한다. 고 전기 전도층은 플레이트의 반도전 재료보다 낮은 전기 저항을 갖는다. 전극은 쓰루홀들의 분포를 포함한다. 쓰루홀 각각이 고 전기 전도층의 상단 표면으로부터 플레이트의 하단 표면까지 전극의 전체 두께를 관통하여 연장한다. 일부 실시예들에서, 플레이트는 실리콘 재료로 형성될 수 있고 고 전기 전도층은 플레이트의 실리콘 재료로부터 형성된 실리사이드 재료일 수 있다.

Description

플라즈마 프로세싱 챔버를 위한 전극{ELECTRODE FOR PLASMA PROCESSING CHAMBER}
본 발명은 반도체 디바이스 제조에 관한 것이다.
다양한 반도체 제조 프로세스들에서, RF (radiofrequency) 전력이 플라즈마를 생성하도록 프로세싱 챔버 내의 프로세스 가스로 송신된다. 기판 상에서 목표된 효과를 생성하도록 플라즈마에 기판이 노출된다. 전극은 플라즈마 프로세싱 영역 내에서 프로세스 가스로 RF 전력의 송신을 제공하도록 프로세싱 챔버 내에 포지셔닝되고 사용될 수 있다. 또한, 전극은 플라즈마 프로세싱 영역으로 프로세스 가스를 분배하도록 구성될 수 있다. 전극은 또한 플라즈마의 생성이 바람직하지 않거나 대미지가 되는 영역으로 노출될 수도 있다. 이러한 맥락에서 본 발명이 발생한다.
일 예시적인 실시예에서, RF 전력을 플라즈마 프로세싱 영역으로 송신하기 위한 전극이 개시된다. 전극은 반도전 (semiconducting) 재료로 형성된 플레이트를 포함한다. 전극은 또한 플레이트의 상단 표면 상에 형성되고 플레이트와 통합된 고 전기 전도층을 포함한다. 고 전기 전도층은 플레이트의 반도전 재료보다 낮은 전기 저항을 갖는다. 전극은 쓰루홀들의 분포를 포함한다. 쓰루홀 각각이 고 전기 전도층의 상단 표면으로부터 플레이트의 하단 표면까지 전극의 전체 두께를 관통하여 연장한다.
일 예시적인 실시예에서, 플라즈마 프로세싱 시스템이 개시된다. 시스템은 플라즈마 프로세싱 영역을 포함하는 플라즈마 생성 챔버를 포함한다. 시스템은 또한 플라즈마 프로세싱 영역 아래의 위치에서 플라즈마 생성 챔버 내에 배치된 기판 지지부 구조체를 포함한다. 시스템은 또한 플라즈마 프로세싱 영역 위의 위치에서 플라즈마 생성 챔버 내에 배치된 전극을 포함한다. 시스템은 또한 전극 위에 형성된 프로세스 가스 플레넘을 포함한다. 전극은 반도전 재료로 형성된 플레이트를 포함한다. 전극은 또한 플레이트의 상단 표면 상에 형성되고 플레이트와 통합된 고 전기 전도층을 포함한다. 고 전기 전도층은 플레이트의 반도전 재료보다 낮은 전기 저항을 갖는다. 전극은 쓰루홀들의 분포를 포함한다. 쓰루홀 각각은 고 전기 전도층의 상단 표면으로부터 플레이트의 하단 표면으로의 전극의 전체 두께를 관통하여 연장한다. 전극은 플라즈마 프로세싱 영역으로부터 프로세스 가스 플레넘을 물리적으로 분리하고 프로세스 가스 플레넘으로부터 플라즈마 프로세싱 영역으로 쓰루홀들의 분포를 통한 프로세스 가스의 플로우를 제공하도록 구성된다.
일 예시적인 실시예에서, RF 전력을 플라즈마 프로세싱 영역으로 송신하기 위한 전극을 제조하기 위한 방법이 개시된다. 방법은 반도전 재료의 플레이트를 형성하는 단계를 포함한다. 방법은 또한 플레이트의 상단 표면 상에 플레이트와 통합하여 고 전기 전도층을 형성하는 단계를 포함한다. 고 전기 전도층은 플레이트의 반도전 재료보다 낮은 전기 저항을 갖는다. 방법은 또한 플레이트 내에 쓰루홀들의 분포를 형성하는 단계를 포함한다. 쓰루홀 각각은 고 전기 전도층의 상단 표면으로부터 플레이트의 하단 표면으로 연장하도록 형성된다.
본 발명의 다른 양태들 및 장점들은, 본 발명을 예로서 예시하는, 첨부된 도면들과 함께 취해진 이하의 상세한 기술로부터 보다 자명해질 것이다.
도 1은 본 발명의 일부 실시예들에 따른, 기판 플라즈마 프로세싱을 위한 플라즈마 프로세싱 시스템을 도시한다.
도 2a는 본 발명의 일부 실시예들에 따른, 전극의 수직 단면도를 도시한다.
도 2b는 본 발명의 일부 실시예들에 따른, 전극의 상면도를 도시한다.
도 3a는 도 2a에 도시된 바와 같이 전극에 포함된 고 전기 전도층과 같은, 고 전기 전도층을 포함하지 않는 예시적인 전극의 일부를 통한 수직 단면도를 도시한다.
도 3b는 쓰루홀 위치들에서 라운딩된/챔퍼링된 하부 표면을 갖는 도 3a의 전극을 도시한다.
도 3c는 전극의 하부 표면 상을 이동하는 RF 신호들이 프로세스 가스 플레넘 내로 반대로 확장하도록, RF 표피 효과에 대응하는 거리보다 작은 감소된 전체 두께를 갖는 도 3a의 전극을 도시한다.
도 4는 본 발명의 일부 실시예들에 따른, 도 2a의 전극의 일부를 통한 수직 단면도를 도시한다.
도 5는 본 발명의 일부 실시예들에 따른, 플라즈마 프로세싱 영역에 RF 전력을 송신하기 위한 도 2a의 전극을 제조하는 방법의 플로우차트를 도시한다.
이하의 기술에서, 본 발명의 완전한 이해를 제공하기 위해 다수의 구체적인 상세들이 언급된다. 그러나, 본 발명은 이들 구체적인 상세들 중 일부 또는 전부 없이 실시될 수도 있다는 것이 당업자에게 자명할 것이다. 다른 예들에서, 공지의 프로세스 동작들은 본 발명을 불필요하게 모호하게 하지 않도록 상세히 기술되지 않았다.
반도체 산업계에서, 반도체 기판들은 다양한 타입들의 플라즈마 프로세싱 챔버들에서 제조 동작들을 겪을 수 있다. 일부 플라즈마 프로세싱 챔버들에서, RF (radiofrequency) 신호들은 프로세스 가스를 기판에 노출되는 플라즈마로 변환하도록 프로세스 가스를 에너자이징하기 위해 사용된다. 플라즈마 내 반응성 종 및/또는 대전된 종이 기판의 상태를 개질하도록, 예컨대 예로서, 기판 상에 존재하는 재료를 개질함으로서, 또는 기판 상에 재료를 증착함으로써, 또는 기판으로부터 재료를 제거/에칭함으로써, 기판과 상호작용하도록 지향된다. 플라즈마 프로세싱 챔버들은 기판에 노출하여 플라즈마로 생성하도록 프로세스 가스로 RF 전력을 송신하기 위해 하나 이상의 전극들을 구비할 수 있다. 일부 실시예들에서, 프로세스 가스로 RF 전력을 송신하기 위한 전극(들)은 또한 플라즈마 프로세싱 챔버 내에서 서로로부터 상이한 볼륨들을 분리하고 플라즈마 프로세싱 챔버 내에서 상이한 볼륨들 간 프로세스 가스의 제어된 플로우를 제공하도록 구성될 수 있다.
일부 실시예들에서, 본 명세서에 지칭된 바와 같은 기판은 제조 절차를 겪는 반도체 웨이퍼이다. 그러나, 다양한 실시예들에서, 기판은 플라즈마-기반 제조 프로세스를 겪는 본질적으로 임의의 타입의 기판일 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 예를 들어, 일부 실시예들에서, 본 명세서에 지칭된 바와 같은 기판은 사파이어, GaN, GaAs 또는 SiC, 또는 다른 기판 재료들로 형성된 기판일 수 있고, 유리 패널들/기판들, 금속 포일들, 금속 시트들, 폴리머 재료들, 등을 포함할 수 있다. 또한, 다양한 실시예들에서, 본 명세서에 지칭된 바와 같은 기판은 형태, 형상, 및/또는 사이즈가 가변할 수도 있다. 예를 들어, 일부 실시예들에서, 본 명세서에 지칭된 바와 같은 기판은 200 ㎜ (millimeters) 반도체 웨이퍼, 300 ㎜ 반도체 웨이퍼, 또는 450 ㎜ 반도체 웨이퍼에 대응할 수도 있다. 또한, 일부 실시예들에서, 본 명세서에 지칭된 바와 같은 기판은 다른 형상들보다도, 플랫 패널 디스플레이를 위한 직사각형 기판, 등과 같은 비원형 기판에 대응할 수도 있다.
도 1은 본 발명의 일부 실시예들에 따른, 기판 플라즈마 프로세싱을 위한 플라즈마 프로세싱 시스템 (100) 을 도시한다. 플라즈마 프로세싱 시스템 (100) 은 주변 구조체 (101A), 상단 구조체 (101B), 및 하단 구조체 (101C) 로 형성된 플라즈마 생성 챔버 (101) 를 포함한다. 다양한 실시예들에서, 주변 구조체 (101A), 상단 구조체 (101B), 및 하단 구조체 (101C) 는, 플라즈마 생성 챔버 (101) 재료들이 플라즈마 프로세싱 동안 노출될 압력차 및 온도들을 구조적으로 견딜 수 있고, 플라즈마 프로세싱 분위기와 화학적으로 양립가능한 한, 예로서, 스테인리스 스틸 또는 알루미늄과 같은 다양한 재료들로 형성될 수 있다.
플라즈마 프로세싱 시스템 (100) 은 또한 플라즈마 생성 챔버 (101) 내에 배치된 기판 지지부 구조체 (103) 를 포함한다. 기판 지지부 구조체 (103) 는 기판 (102) 상의 플라즈마 프로세싱 동작의 퍼포먼스 동안 상부에 기판 (102) 을 홀딩하도록 형성된다. 도 1의 예시적인 실시예에서, 기판 지지부 구조체 (103) 는 플라즈마 생성 챔버 (101) 의 주변 구조체 (101A) 에 고정된 캔틸레버된 구조체 (105) 에 의해 홀딩된다. 그러나, 다른 실시예들에서, 기판 지지부 구조체 (103) 는 플라즈마 생성 챔버 (101) 의 하단 구조체 (101C) 에 또는 플라즈마 생성 챔버 (101) 내에 배치된 또 다른 구조체에 고정될 수 있다. 다양한 실시예들에서, 기판 지지부 구조체 (103) 는, 기판 지지부 구조체 (103) 재료가 플라즈마 프로세싱 동안 노출될 압력차 및 온도들을 구조적으로 견딜 수 있고, 플라즈마 프로세싱 분위기와 화학적으로 양립가능한 한, 예로서, 스테인리스 스틸, 알루미늄 또는 세라믹과 같은 다양한 재료들로 형성될 수 있다.
일부 실시예들에서, 기판 지지부 구조체 (103) 는 기판 지지부 구조체 (103) 를 향해, 따라서 기판 지지부 구조체 (103) 상에 홀딩된 기판 (102) 을 향해 플라즈마 (125) 의 대전된 구성성분들을 끌어당기도록 (attract) 전기장을 생성하기 위한 바이어스 전극 (107) 을 포함할 수 있다. 또한, 일부 실시예들에서, 기판 지지부 구조체 (103) 는 기판 (102) 의 온도 제어를 유지하기 위해 플라즈마 프로세싱 동작들 동안 냉각 유체가 흐를 수 있는 다수의 냉각 채널들 (109) 을 포함할 수 있다. 또한, 일부 실시예들에서, 기판 지지부 구조체 (103) 는 기판 지지부 구조체 (103) 에 대해 기판 (102) 을 리프팅 및 하강시키도록 규정된 다수의 리프팅 핀들 (111) 을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 도어 어셈블리 (113) 는 플라즈마 생성 챔버 (101) 내로/플라즈마 생성 챔버 (101) 로부터 기판 (102) 의 삽입 및 제거를 인에이블하도록 플라즈마 생성 챔버 (101) 의 주변 구조체 (101A) 내에 배치된다. 부가적으로, 일부 실시예들에서, 기판 지지부 구조체 (103) 는 플라즈마 프로세싱 동작들 동안 기판 지지부 구조체 (103) 상에 기판 (102) 을 단단히 홀딩하기 위한 정전기장을 생성하도록 구비된 정전척으로서 규정된다.
플라즈마 프로세싱 시스템 (100) 은 기판 지지부 구조체 (103) 상에 포지셔닝될 때 기판 (102) 상에 포지셔닝되도록 그리고 기판 (102) 으로부터 이격되도록, 기판 지지부 구조체 (103) 상에 그리고 기판 지지부 구조체 (103) 로부터 이격된 플라즈마 생성 챔버 (101) 내에 배치된 전극 (115) 을 더 포함한다. 플라즈마 프로세싱 영역 (117) 은 전극 (115) 과 기판 지지부 구조체 (103) 사이, 그리고 기판 지지부 구조체 (103) 의 수평 범위에 걸쳐 형성된다. 일부 실시예들에서, 전극 (115) 과 기판 지지부 구조체 (103) 사이에서 측정된, 수직 거리 (118), 즉, 프로세스 갭이 약 1 ㎝ (centimeter) 내지 약 10 ㎝로 연장하는 범위 내이다. 일부 실시예들에서, 수직 거리 (118) 는 약 5 ㎝이다. 일부 실시예들에서, 수직 거리 (118) 는 1 ㎝보다 작다. 일부 실시예들에서, 수직 거리 (118) 는 10 ㎝보다 크다. 또한, 일부 실시예들에서, 전극 (115) 에 대한 기판 지지부 구조체 (103) 의 수직 위치는 플라즈마 프로세싱 동작의 퍼포먼스 동안 또는 플라즈마 프로세싱 동작들 사이에서 조정가능하다. 그리고, 일부 실시예들에서, 기판 지지부 구조체 (103) 에 대한 전극 (115) 의 수직 위치는 플라즈마 프로세싱 동작의 퍼포먼스 동안 또는 플라즈마 프로세싱 동작들 사이에 조정가능하다.
플라즈마 프로세싱 시스템 (100) 은 프로세스 가스를 프로세스 가스 플레넘 (120) 으로 공급하도록 전극 (115) 위에 형성된 프로세스 가스 플레넘 (120) 과 유체로 연통하게 연결된 프로세스 가스 소스 (119) 를 더 포함한다. 전극 (115) 은 쓰루홀들 (121) 의 분포를 포함한다. 도 1을 불필요하게 모호하게 하지 않도록, 복수의 쓰루홀들 (121) 중 하나가 참조 번호 (121) 로 대표적으로 식별된다. 쓰루홀들 (121) 의 분포는 프로세스 가스 플레넘 (120) 으로부터 플라즈마 프로세싱 영역 (117) 으로 목표된 패턴으로 프로세스 가스를 분배하도록 구성된다. 쓰루홀들 (121) 의 분포는 쓰루홀들 (121) 의 수 및 전극 (115) 에 걸친 쓰루홀들 (121) 의 공간적 배열에 대해 실시예들 사이에서 가변할 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 쓰루홀 (121) 각각은 전극 (115) 의 전체 두께를 관통하여 연장한다. 이러한 방식에서, 전극 (115) 은 프로세스 가스 플레넘 (120) 을 플라즈마 프로세싱 영역 (117) 으로부터 물리적으로 분리하고 화살표들 (122) 로 나타낸 바와 같이, 쓰루홀들 (121) 의 분포를 통해 프로세스 가스 플레넘 (120) 으로부터 플라즈마 프로세싱 영역 (117) 으로 프로세스 가스의 플로우를 제공하도록 구성된다. 도 1을 불필요하게 모호하게 하지 않기 위해, 복수의 화살표들 (122) 중 하나는 참조 번호 (122) 로 대표적으로 식별된다.
도 1의 예에서, 프로세스 가스 플레넘 (120) 은 전극 (115) 위의 플라즈마 생성 챔버 (101) 내에 형성된다. 프로세스 가스 플레넘 (120) 은 프로세스 가스 소스 (119) 및 전극 (115) 내에 형성된 쓰루홀들 (121) 둘 다와 유체로 연통한다. 일부 실시예들에서, 프로세스 가스 플레넘 (120) 은 전극 (115) 내 쓰루홀들 (121) 각각으로 실질적으로 균일한 방식으로 프로세스 가스를 분배하도록 형성될 수 있다. 다른 실시예들에서, 프로세스 가스 플레넘 (120) 은 전극 (115) 내 쓰루홀들 (121) 로 공간적으로 가변하는 방식으로, 즉, 공간적으로 구획된 방식으로 프로세스 가스를 분배하도록 형성될 수 있다.
플라즈마 프로세싱 시스템 (100) 은 또한 전극 (115) 과 전기 통신하는 하나 이상의 RF 전력 소스들 (123-1 내지 123-N) 을 포함한다. 복수의 RF 전력 소스들 (123-1 내지 123-N) 각각은 RF 전력 주파수 및 진폭과 관련하여 독립적으로 제어될 수 있다. 또한, RF 전력은 전극 (115) 을 통한 플라즈마 (125) 부하로 효율적인 RF 전력 송신을 보장하도록 RF 전력 소스들 (123-1 내지 123-N) 각각으로부터 매칭 회로 (124) 를 통해 송신된다. 매칭 회로 (124) 는 RF 전력 소스들 (123-1 내지 123-N) 에서 본 임피던스가 RF 전력 소스들 (123-1 내지 123-N) 이 동작하도록 설계되어, RF 전력 소스들 (123-1 내지 123-N) 에 의해 생성되고 송신된 RF신호들이 효율적인 방식으로, 예를 들어, 용인가능하지 않은 반사 없이, 프로세싱 영역 (117) 내로 송신되게, 부하 임피던스와 충분히 가깝다는 것을 보장하도록 구성된 커패시터들 및 인덕터들의 배열을 포함한다.
플라즈마 프로세싱 시스템 (100) 의 동작 동안, 프로세스 가스 소스 (119) 에 의해 공급된 프로세스 가스는 프로세스 가스 플레넘 (120) 으로 들어가고 전극 (115) 내 쓰루홀들 (121) 을 통해 프로세스 가스가 전극 (115) 으로부터 방출되는 RF 전력에 의해 플라즈마 (125) 로 변환되는 플라즈마 프로세싱 영역 (117) 내로 흐른다. 이어서 사용된 프로세스 가스는 플라즈마 프로세싱 영역 (117) 으로부터 주변 벤트들 (127) 을 통해 흐르고, 배기 펌프 (131) 에 의해 배기 포트들 (129) 을 통해 펌핑아웃된다. 일부 실시예들에서, 플로우 쓰로틀링 디바이스 (133) 가 기판 프로세싱 영역 (117) 으로부터 사용된 프로세스 가스의 플로우 레이트를 제어하도록 제공된다. 일부 실시예들에서, 플로우 쓰로틀링 디바이스 (133) 는, 화살표들 (135) 로 나타낸 바와 같이, 주변 벤트들 (127) 을 향해 그리고 주변 벤트들 (127) 로부터 멀어지게 이동가능한 링 구조체로서 규정된다.
도 2a는 본 발명의 일부 실시예들에 따른, 전극 (115) 의 수직 단면도를 도시한다. 전극 (115) 은 반도전 재료로 형성된 플레이트 (201) 및 플레이트 (201) 의 상단 표면 상에 형성되고 플레이트 (201) 와 통합된 고 전기 전도층 (203) 을 포함한다. 고 전기 전도층 (203) 은 플레이트 (201) 의 반도전 재료보다 낮은 전기 저항을 갖는다. 쓰루홀 (121) 각각은 고 전기 전도층 (203) 의 상단 표면 (205) 으로부터 플레이트 (201) 의 하단 표면 (207) 으로의 전극 (115) 의 전체 두께를 관통하여 연장한다. 이전에 언급된 바와 같이, 전극 (115) 은 플라즈마 프로세싱 영역 (117) 으로부터 프로세스 가스 플레넘 (120) 을 물리적으로 분리하고 쓰루홀들 (121) 의 분포를 통해 프로세스 가스 플레넘 (120) 으로부터 플라즈마 프로세싱 영역 (117) 으로 프로세스 가스의 플로우를 제공하도록 구성된다.
도 2b는 본 발명의 일부 실시예들에 따른, 전극 (115) 의 상면도를 도시한다. 도 2b는 예시적인 쓰루홀들 (121) 의 분포를 도시한다. 전극 (115) 에 걸친 쓰루홀들 (121) 의 분포는 상이한 실시예들에 대한 상이한 방식들로 구성될 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 예를 들어, 전극 (115) 내 쓰루홀들 (121) 의 총 수 및/또는 전극 (115) 내 쓰루홀들 (121) 의 공간적 분포는 상이한 실시예들 사이에서 가변할 수 있다. 또한, 쓰루홀들 (121) 의 직경은 상이한 실시예들 사이에서 가변할 수 있다. 일반적으로, 플라즈마 프로세싱 영역 (117) 으로부터 쓰루홀들 (121) 내로 플라즈마 (125) 의 침입을 방지하기 충분히 작은 사이즈로 쓰루홀들 (121) 의 직경을 감소시키는 것에 관심이 있다. 일부 실시예들에서, 쓰루홀들 (121) 의 직경이 감소됨에 따라, 전극 (115) 내 쓰루홀들 (121) 의 총 수는 프로세스 가스 플레넘 (120) 으로부터 전극 (115) 을 통한 플라즈마 프로세싱 영역 (117) 내로의 프로세스 가스의 미리 규정된 전체 플로우레이트를 유지하도록 상승된다.
일부 실시예들에서, 반도전 재료의 플레이트 (201) 는 전극 (115) 의 방사상 연장부에 걸쳐 실질적으로 균일한 두께를 갖는다. 그러나, 다른 실시예들에서, 반도전 재료의 플레이트 (201) 는 전극 (115) 의 방사상 연장부에 걸친 두께의 하나 이상의 변동들을 갖는다. 이들 실시예들에서, 고 전기 전도층 (203) 은 전극 (115) 의 방사상 연장부에 걸친 두께의 하나 이상의 변동들에 대해 컨포멀한 (conformal) 방식으로 형성될 수 있다. 또한, 일부 실시예들에서, 고 전기 전도층 (203) 은 반도전 재료의 플레이트 (201) 의 상단 표면 전체에 대해 형성된다. 그러나, 일부 실시예들에서, 고 전기 전도층 (203) 은 반도전 재료의 플레이트 (201) 의 상단 표면 전체보다 작게 형성된다. 예를 들어, 일부 실시예들에서, 고 전기 전도층 (203) 은 프로세스 가스 플레넘 (120) 에 노출되는 반도전 재료의 플레이트 (201) 의 상단 표면의 적어도 일부 위에 형성된다. 또한, 일부 실시예들에서, 전극 (115) 은 복수의 컴포넌트 전극 어셈블리 내 컴포넌트일 수 있다. 예를 들어, 일부 실시예들에서, 전극 (115) 은 2-전극 어셈블리 내에서 분리된 외측 전극에 의해 한정되는 (circumscribed) 내측 전극일 수 있다.
전극 (115) 을 보다 잘 이해하기 위해, 일부 전극들은 본 명세서에 개시된 바와 같은 고 전기 전도층 (203) 을 포함하지 않는다는 것이 이해되어야 한다. 도 3a는 도 2a에 도시된 바와 같은 전극 (115) 내에 포함된 것과 같은, 고 전기 전도층 (203) 을 포함하지 않는 예시적인 전극 (301) 의 일부를 통한 수직 단면도를 도시한다. 전극 (115) 과 같이, 전극 (301) 은 플라즈마 프로세싱 영역 (117) 과 프로세스 가스 플레넘 (120) 사이에 배치될 수 있다. 전극 (301) 은 전체 수직 두께를 관통하여 균일한 재료 조성을 갖는다. 예를 들어, 전극 (301) 은 도핑된 실리콘으로 형성될 수도 있고 전체 수직 두께를 관통하여 실질적으로 균일한 재료 조성을 갖는다. 전극 (301) 은 0.005 Ω-㎝ 내지 0.020 Ω-㎝로 확장하는 범위의 저항률로 도핑된 실리콘 전극일 수 있다. 이들 저항률 값들에서, 보다 낮은 RF 주파수들에서 RF 표피 효과 (skin effect) 는 전극 (301) 의 두께를 거의 완전히 침투한다. RF 표피 효과는 RF 신호들이 이동하는, 전극 (301) 의 외측 표면을 통해 측정될 때, 전극 (301) 의 두께의 일부를 지칭한다. 보다 구체적으로, RF 신호들은 일반적으로 전기 도전성 재료들의 표면들을 따라, 이 표면으로부터 전기 도전성 재료로 RF 신호들의 일부 량이 침투하면서, 이동한다. 전극 (301) 에서, RF 신호들은 전극 (301) 아래의 기준 접지 전위를 향해 이동한다. 따라서, RF 신호들은 플라즈마 프로세싱 영역 (117) 과 대면하는 전극 (301) 의 하부 표면 (303) 을 따라 이동한다. 이 구성에서, RF 표피 효과는 전극 (301) 의 하부 표면 (303) 으로부터 전극 (301) 내로 측정된 거리 (305) 에 대응한다. 도 3a의 예에 도시된 바와 같이, 전극 (301) 의 전체 두께 (307) 는 RF 표피 효과가 전극 (301) 의 전체 두께를 관통하여 프로세스 가스 플레넘 (120) 내로 확장하지 않도록 충분히 크다.
그러나, 큰 전체 두께 (307) 의 전극들을 갖는 데 단점이 있다. 일 단점은 비용이다. 전극 (301) 이 일부 경우들에서 도핑된 실리콘 재료와 같이, 고가의 재료로 형성되기 때문에, 상승된 전체 두께 (307) 의 전극 (301) 은 상승된 비용에 대응한다. 또한, 실리콘 재료로 형성된 전극 (301) 의 주 실패 모드는 플라즈마 프로세싱 영역 (117) 내 플라즈마 (125) 에 대한 전극 (301) 의 하부 표면 (303) 의 증가된 노출과 함께, 전극 (301) 의 하부 표면 (303) 은 쓰루홀 (121) 위치들에서 라운링/챔퍼링될 것이라는 것이다. 도 3b는 쓰루홀 (121) 위치들에서 라운딩/챔퍼링된 하부 표면 (303) 을 갖는 전극 (301) 이 도시된다. 쓰루홀 (121) 위치들에서 하부 표면 (303) 의 이러한 라운딩/챔퍼링은 결국 기판의 플라즈마 프로세싱에서 변동/드리프트 (drift) 를 유발할 수 있는, 구체화된 치수 범위들을 벗어나는 쓰루홀들 (121) 의 기하구조를 유발한다. 이러한 일이 일어날 때, 전극 (301) 은 대체되어야 한다.
큰 전체 두께 (307) 의 전극들을 갖는 것의 또 다른 단점은 보다 작은 직경의 쓰루홀들 (121) 을 제조하는 것이 보다 어렵게 된다는 것이다. 플라즈마 (125) 가 플라즈마 프로세싱 영역 (117) 을 대면하는 전극 (301) 의 하부 표면 (303) 을 지나 쓰루홀들 (121) 내로 가는 것을 방지하는 것이 필요하다. 또한, 보다 작은 직경의 쓰루홀들 (121) 은 보다 높은 바이어스 전압들을 활용하는 플라즈마 프로세스들, 예컨대 최첨단 3-D 메모리 제조에 사용된 플라즈마 프로세스들 동안, 쓰루홀들 (121) 내 중공 캐소드 방전을 방지하기 위해 필요하다. 디바이스 노드들이 보다 작아짐에 따라, 에칭된 영역 종횡비 (즉, 에칭된 영역 폭에 대한 에칭된 영역 깊이의 비) 가 커질 수 있고, 이는 보다 깊이 에칭된 영역 내로 에칭 프론트를 인출하기 위해 보다 높은 바이어스 전압을 필요로 한다는 것이 이해되어야 한다. 그러나, 보다 높은 바이어스 전압의 사용은 플라즈마 (125) 가 전극 (301) 내 쓰루홀들 (121) 내로 올라갈 가능성을 상승시키고, 이는 입자들 및 다른 프로세스 문제들을 야기할 수 있다. 따라서, 쓰루홀들 내로 플라즈마 (125) 의 침범을 방지하기 위해 전극 (301) 내에서 상승된 수의 보다 작은 직경의 쓰루홀들 (121) 을 갖는 것이 바람직하다.
부가적으로, 쓰루홀들 (121) 의 직경의 감소는 전극 (301) 의 전체 두께 (307) 에의해 제한된다. 예를 들어, 쓰루홀들 (121) 의 직경이 전극 (301) 의 전체 두께 (307) 에 비해 매우 작아질 때, 쓰루홀들 (121) 은 전극 (301) 을 관통하여 드릴링함으로써 형성되고, 불가능하지 않다면, 드릴 비트를 파손하지 않고, 전극 (301) 을 완전히 관통하여 쓰루홀들 (121) 을 드릴링하는 것은 어렵게 된다. 또한, 드릴 비트가 파손될 때, 전극 (301) 에 손상이 발생할 확률이 높다. 따라서, 보다 큰 전체 두께 (307) 의 전극 (301) 을 사용하여, 전극 (301) 내에 보다 작은 직경의 쓰루홀들 (121) 을 형성하는 것은 보다 어렵다는 것이 이해되어야 한다. 그리고, 반대로, 보다 작은 전체 두께 (307) 의 전극 (301) 을 사용하여, 전극 (301) 내에 보다 작은 직경의 쓰루홀들 (121) 을 형성하는 것이 보다 쉽다.
전술한 바를 고려하면, 비용을 감소시키고 보다 작은 직경의 쓰루홀들 (121) 의 형성을 인에이블하는 것 둘다를 위해 전극 (301) 을 보다 박형으로 만드는 것이 바람직하다. 그러나, 전극 (301) 의 전체 두께 (307) 가 매우 많이 감소될 때, RF 표피 효과는 전극 (301) 의 전체 두께 (307) 를 초과할 것이다. 보다 구체적으로, 최대 60 ㎒의 RF 신호 주파수를 사용하여, RF 표피 효과는 전극 (301) 의 하부 표면 (303) 상을 이동하는 RF 신호들이 전극 (301) 위에 놓인 프로세스 가스 플레넘 (120) 내로 확장하도록 전극 (301) 의 전체 두께 (307) 보다 크게 될 수 있다. 도 3c는 전극 (301) 의 하부 표면 (303) 상을 이동하는 RF 신호들이 프로세스 가스 플레넘 (120) 내로 반대로 확장하도록 RF 표피 효과에 대응하는 거리 (305) 보다 작은 감소된 전체 두께 (307A) 를 갖는 전극 (301) 을 도시한다. 전극 (301) 위에 놓여 있는 프로세스 가스 플레넘 (120) 내에서 에너자이징 (energize) 될 프로세스 가스에 용인가능 하지 않기 때문에, RF가 전극 (301) 의 바디 내에 포함되어야 하는 것이 필수적이다. 따라서, 균일한 재료 조성의 전극 (301) 을 사용하여, 전극 (301) 의 전체 두께 (307) 는, 보다 작은 직경의 쓰루홀들 (121) 을 형성하고 그리고/또는 프로세스 가스 플레넘 (120) 내 프로세스 가스가 RF 표피 효과에 의해 전극 (301) 의 하부 표면 (303) 상을 이동하는 RF에 노출될 가능성을 용인가능하지 않게 상승시키지 않고 전극 (301) 비용을 감소시키기 위해 단순히 감소될 수 없다.
도 4는 본 발명의 일부 실시예들에 따른, 전극 (115) 의 일부를 통한 수직 단면도를 도시한다. 전극 (115) 의 고 전기 전도층 (203) 은 RF 표피 효과에 대한 장벽으로서 역할을 한다는 것이 이해되고 인식되어야 한다. 이러한 방식으로, RF 하부 표면 (207) 으로부터 전극 (115) 의 바디 내로 RF 하부 표면 (207) 으로부터 고 전기 전도층 (203) 까지 측정될 때 거리 (403) 로 제한된다. 따라서, 전극 (115) 의 전체 두께 (401) 가 RF 표피 효과에 대응하는 거리보다 작을 때, 고 전기 전도층 (203) 은 RF 신호들이 전극 (115) 위에 놓인 프로세스 가스 플레넘 (120) 내로 확장하는 것을 방지한다. 고 전기 전도층 (203) 을 사용하여, 전극 (115) 의 전체 두께 (401) 의 감소 정도는 전극 (115) 의 기계적 특성들에 의해 주로 제한되고 쓰루홀들 (121) 의 제작가능성에 의해 제한되지 않는다. 보다 구체적으로, 전극 (115) 의 전체 두께 (401) 는, 전극 (115) 이 스스로 기계적으로 지지할 수 있고 프로세스 가스 플레넘 (120) 과 플라즈마 프로세싱 영역 (117) 사이에서 발생할 수도 있는 압력차를 견딜 수 있는 한 감소될 수 있다. 또한, 전극 (115) 의 전체 두께 (401) 가 감소됨에 따라, 쓰루홀들 (121) 의 직경 (405) 이 쓰루홀들 (121) 의 제조가능성 및/또는 전극 (115) 의 무결성을 위태롭게 하지 않고 실질적으로 감소될 수 있다는 것이 이해되고 인식되어야 한다. 쓰루홀들 (121) 의 직경 (405) 을 감소시킴으로써, 쓰루홀들 (121) 내로 플라즈마 (125) 의 도입 방지가 개선되고, 쓰루홀들 (121) 내에서 중공 캐소드 발광 (light-up) 전위가 감소된다. 또한, 쓰루홀들 (121) 의 직경 (405) 이 감소됨에 따라, 전극 (115) 을 통해 프로세스 가스의 요구된 누적 플로우 레이트를 제공하기 위해 쓰루홀들 (121) 의 전체 수가 증가될 수 있다.
일부 실시예들에서, 전극 (115) 의 플레이트 (201) 는 실리콘 재료로 형성된다. 실리콘 재료는 전기 전도도를 변경하기 위해 전하 캐리어들로 도핑될 수 있다. 일부 실시예들에서, 전극 (115) 의 플레이트 (201) 는 플레이트 (201) 를 관통하여 형성된 쓰루홀들 (121) 을 갖고 단결정 실리콘으로 형성된다. 단결정 실리콘은 전기 전도도를 변경하도록 전하 캐리어들로 도핑될 수 있다. 일부 실시예들에서, 전극 (115) 의 플레이트 (201) 는 플레이트 (201) 를 관통하여 형성된 쓰루홀들 (121) 을 갖고 다결정 실리콘으로 형성된다. 다결정 실리콘은 전기 전도도를 변경하도록 전하 캐리어들로 도핑될 수 있다. 일부 실시예들에서, 전극 (115) 의 플레이트 (201) 는 플레이트 (201) 를 관통하여 형성된 쓰루홀들 (121) 을 갖고 다공성 실리콘 재료로 형성된다. 일부 실시예들에서, 전극 (115) 의 플레이트 (201) 는 플레이트 (201) 를 관통하여 형성된 쓰루홀들 (121) 을 갖지 않고 프로세스 가스 플레넘 (120) 으로부터 플라즈마 프로세싱 영역 (117) 으로 프로세스 가스의 플로우를 제공하는 다공성 실리콘 재료의 다공성을 갖는, 다공성 실리콘 재료로 형성된다. 다공성 실리콘 재료는 전기 전도도를 변경하기 위해 전하 캐리어들로 도핑될 수 있다.
일부 실시예들에서, 실리콘 재료로 형성된 전극 (115) 의 플레이트 (201) 를 사용하여, 고 전기 전도층 (203) 은 플레이트 (201) 의 실리콘 재료로부터 형성된 실리사이드 재료이다. 고 전기 전도층 (203) 의 실리사이드 재료는 플레이트 (201) 의 반도전 재료보다 낮은 전기 저항을 갖는다. 실리콘 재료인 플레이트 (201) 상에 실리사이드로서 고 전기 전도층 (203) 을 형성함으로써, 고 전기 전도층 (203) 의 전기 저항은 플레이트 (201) 의 전기 저항에 대해 1 내지 2 자릿수만큼 감소될 수 있고, 이는 전극 (115) 내로 RF 표피 효과를 완전히 한정하는 (confining) 동안 전극 (115) 의 전체 두께 (401) 의 감소를 제공한다. 일부 실시예들에서, 고 전기 전도층 (203) 의 실리사이드 재료는 불소-함유 프로세스 가스에 노출시 휘발성 에칭 부산물을 형성하지 않도록 규정된다. 일부 실시예들에서, 고 전기 전도층 (203) 의 실리사이드 재료는 티타늄 실리사이드, 몰리브덴 실리사이드, 텅스텐 실리사이드, 및 니켈 실리사이드 중 하나 이상이다. 그러나, 다른 실시예들에서, 실리콘 재료로 형성된 플레이트 (201) 를 사용하여, 고 전기 전도층 (203) 은 충분히 높은 전기 전도도를 제공하고 고 전기 전도층 (203) 이 노출되는 프로세스 가스 및 플라즈마 프로세싱 분위기와 화학적으로 양립가능한 본질적으로 임의의 타입의 실리사이드 재료일 수 있다는 것이 이해되어야 한다.
실리사이드 재료로서 형성된 고 전기 전도층 (203) 이 RF 신호들에 대한 정지층으로서 작용하고, 따라서 전극 (115) 내에 RF 표피 효과를 한정한다는 것이 이해되어야 한다. 실리사이드 재료로서 형성된 고 전기 전도층 (203) 을 사용하여, 실리사이드 재료의 두께는 실리사이드 재료가 RF 신호들에 대한 정지층으로서 작용한다는 것을 보장하도록 규정된다. 일부 실시예들에서, 실리사이드 재료로서 형성된 고 전기 전도층 (203) 의 두께는 약 1000 Å 내지 약 2000 Å로 연장하는 범위 내이다. 그러나, 일부 실시예들에서, 실리사이드 재료로서 형성된 고 전기 전도층 (203) 의 두께는 약 1000 Å보다 작거나 약 2000 Å보다 크다. 일부 실시예들에서, 고 전기 전도층 (203) 을 실리사이드 재료로서 형성하기 위해, 실리사이드 재료는 쓰루홀들 (121) 이 전극 (115) 을 관통하여 형성되기 전에 플레이트 (201) 상에 형성된다. 대안적으로, 일부 실시예들에서, 고 전기 전도층 (203) 을 실리사이드 재료로서 형성하도록, 실리사이드 재료는 쓰루홀들 (121) 이 플레이트 (201) 를 관통하여 형성된 후 플레이트 (201) 상에 형성된다. 또한, 실리사이드 재료로서 고 전기 전도층 (203) 의 형성은 다른 것들보다도 박스 코터 (box coater), 살리사이드 (salicide), 공-증착 (co-deposit) 및 반응성 스퍼터와 같은 본질적으로 임의의 가용 실리사이드 형성 프로세스를 사용하여 이루어질 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 실리사이드화 (silicidation) 는 실리콘 전극 (115) 제조와 잘 통합되는 공지의, 상대적으로 저비용 동작이다.
일부 실시예들에서, 전극 (115) 의 상단부 상에 형성된 고 전기 전도층 (203) 과 함께, 고 전기 전도층 (203) 의 상단 표면 (205) 으로부터 플레이트 (201) 의 하단 표면 (207) 까지 전극 (115) 의 전체 두께 (401) 은 약 0.1 인치 내지 약 0.75 인치로 연장하는 범위 내이거나, 약 0.1 인치 내지 약 0.5 인치로 연장하는 범위 내이거나, 약 0.25 인치 내지 약 0.75 인치로 연장하는 범위 내이거나, 약 0.5 인치 내지 약 0.75 인치로 연장하는 범위 내이거나, 약 0.25 인치, 또는 약 0.5 인치, 또는 약 0.6 인치이다. 다른 실시예들에서, 전극 (115) 의 상단부 상에 형성된 고 전기 전도층 (203) 과 함께, 고 전기 전도층 (203) 의 상단 표면 (205) 으로부터 플레이트 (201) 의 하단 표면 (207) 까지 전극 (115) 의 전체 두께 (401) 는 약 0.1 인치보다 작을 수 있거나, 약 0.75 인치보다 클 수 있다. 또한, 일부 실시예들에서, 전극 (115) 의 상단부 상에 형성된 고 전기 전도층 (203) 과 함께, 쓰루홀들 (121) 의 직경 (405) 은 약 0.005 인치 내지 약 0.02 인치로 연장하는 범위 내이거나, 약 0.005 인치 내지 약 0.009 인치로 연장하는 범위 내이거나, 약 0.005 인치 내지 약 0.007 인치로 연장하는 범위 내이거나, 약 0.017 인치, 또는 약 0.007 인치이다. 다른 실시예들에서, 전극 (115) 의 상단부 상에 형성된 고 전기 전도층 (203) 과 함께, 쓰루홀들 (121) 의 직경 (405) 은 약 0.005 인치보다 작을 수 있거나, 약 0.02 인치보다 클 수 있다.
도 5는 본 발명의 일부 실시예들에 따른, 플라즈마 프로세싱 영역 (117) 으로 RF 전력을 송신하기 위한 전극 (115) 을 제조하는 방법의 플로우차트를 도시한다. 방법은 반도전 재료의 플레이트 (201) 를 형성하기 위한 동작 501을 포함한다. 일부 실시예들에서, 플레이트 (201) 는 단결정 실리콘, 다결정 실리콘, 또는 다공성 실리콘과 같은 실리콘 재료로 형성된다. 일부 실시예들에서, 반도전 재료의 플레이트 (201) 는 플레이트 (201) 내에 미리 규정된 전기 전도도를 획득하기 위해 전하 캐리어들로 도핑될 수 있다. 방법은 또한 플레이트 (201) 의 상단 표면 상에 그리고 플레이트 (201) 와 통합하여 고 전기 전도층 (203) 을 형성하기 위한 동작 503을 포함한다. 고 전기 전도층 (203) 은 플레이트 (201) 의 반도전 재료보다 낮은 전기 저항을 갖는다. 일부 실시예들에서, 플레이트 (201) 는 실리콘 재료로 형성되고, 고 전기 전도층 (203) 은 플레이트 (201) 의 실리콘 재료로부터 형성된 실리사이드 재료이다. 방법은 또한 플레이트 (201) 를 관통하여 쓰루홀들 (121) 의 분포를 형성하기 위한 동작 505를 포함한다. 쓰루홀 (121) 각각은 고 전기 전도층 (203) 의 상단 표면 (205) 으로부터 플레이트 (201) 의 하단 표면 (207) 까지 연장하도록 형성된다. 일부 실시예들에서, 동작 505는 동작 503 후에 수행된다. 일부 실시예들에서, 동작 505는 동작 503 전에 수행된다.
(실리콘 재료로 형성된) 전극 (115) 의 상단부 상에 형성된 고 전기 전도층 (203) 으로서 실리사이드의 사용은 전극 (115) 의 상단부에서 전기 전도도를 상승시키도록 기능하여, 전극 (115) 의 전체 두께 (401) 의 감소를 인에이블한다는 것이 인식되어야 한다. 전극 (115) 의 전체 두께 (401) 의 이러한 감소는 쓰루홀 (121) "발광 (light up)" (중공 캐소드 방전) 을 감소/제거하기 위해 보다 작은 직경 (405) 의 쓰루홀들 (121) 의 제조 가능성을 개선하고, 또한 전극 (115) 을 형성하도록 사용된 실리콘 재료의 양을 감소시키고 이는 전극 (115) 비용의 감소에 대응한다. 또한, 최첨단 유전체 에칭 프로세스들에 대해, 실리콘 전극 (115) 비용의 감소는 상당히 중요하다. 또한, 고품질 실리콘 전극 (115) 용량/가용성은 소비가 상승함에 따라 상당히 중요해질 것이고, 따라서 산업계 요구를 만족시키기 위해 전극 (115) 생산 과제를 제시한다. 고 전기 전도층 (203) 에 의해 산출되는 전극 (115) 의 전체 두께 (401) 의 감소가 예측된 산업계 요구의 증가를 만족시키는 것을 돕기 위해 보다 고속의 전극 (115) 생산 레이트를 제공한다는 것이 인식되어야 한다.
전술한 발명은 이해의 명확성을 목적으로 다소 상세하게 기술되었지만, 첨부된 청구항들의 범위 내에서 특정한 변화들 및 수정들이 실시될 수 있다는 것이 자명할 것이다. 따라서, 제시된 실시예들은 예시적이고 비제한적인 것으로 간주되고, 본 발명은 본 명세서에 주어진 상세들로 제한되지 않고, 기술된 실시예들의 범위 및 등가물 내에서 수정될 수도 있다.

Claims (19)

  1. RF (radiofrequency) 전력을 플라즈마 프로세싱 영역으로 송신하기 위한 전극에 있어서,
    실리콘 재료로 형성된 플레이트로서, 상기 실리콘 재료는 전하 캐리어들로 도핑되는, 상기 플레이트; 및
    상기 플레이트의 상단 표면에 걸쳐 형성된 실리사이드 층을 포함하고, 상기 전극은 쓰루홀들의 분포를 포함하고, 그리고 쓰루홀 각각은 상기 플레이트 및 상기 실리사이드 층의 결합된 두께를 관통하여 연장하는, 전극.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 플레이트의 상기 실리콘 재료는 단결정 실리콘인, 전극.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 플레이트의 상기 실리콘 재료는 다결정 실리콘인, 전극.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 플레이트의 상기 실리콘 재료는 다공성인, 전극.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 실리사이드 층은 불소-함유 프로세스 가스에 노출시 휘발성 에칭 부산물을 형성하지 않도록 규정되는, 전극.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 실리사이드 층은 티타늄 실리사이드, 몰리브덴 실리사이드, 텅스텐 실리사이드, 및 니켈 실리사이드 중 하나 이상인, 전극.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 실리사이드 층은 1000 Å 내지 2000 Å 범위 내의 두께를 갖는, 전극.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 플레이트와 상기 실리사이드 층의 결합된 두께는 0.1 인치 내지 0.75 인치 범위 내인, 전극.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 쓰루홀 각각은 0.005 인치 내지 0.02 인치 범위 내의 직경을 갖는, 전극.
  10. 기판 지지부 구조체; 및
    상기 기판 지지부 구조체 위에 배치된 전극을 포함하고, 상기 전극의 상단 표면은 프로세스 가스 플레넘에 노출되고, 상기 전극의 하단 표면은 상기 기판 지지부 구조체와 상기 전극 사이에 존재하는 플라즈마 프로세싱 영역에 노출되고, 상기 전극은 전하 캐리어들로 도핑된 실리콘 재료로 형성된 플레이트를 포함하고, 상기 전극은 상기 플레이트의 상단 표면에 걸쳐 형성된 실리사이드 층을 포함하고, 상기 전극은 쓰루홀들의 분포를 포함하고, 그리고 상기 쓰루홀 각각은 상기 플레이트 및 상기 실리사이드 층의 결합된 두께를 관통하여 연장하는, 플라즈마 프로세싱 시스템.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 기판 지지부 구조체와 상기 전극 사이의 거리는 1 ㎝ 내지 10 ㎝의 범위 내인, 플라즈마 프로세싱 시스템.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 플레이트의 상기 실리콘 재료는 단결정 실리콘인, 플라즈마 프로세싱 시스템.
  13. 제 10 항에 있어서,
    상기 플레이트의 상기 실리콘 재료는 다결정 실리콘인, 플라즈마 프로세싱 시스템.
  14. 제 10 항에 있어서,
    상기 플레이트의 상기 실리콘 재료는 다공성인, 플라즈마 프로세싱 시스템.
  15. 제 10 항에 있어서,
    상기 실리사이드 층은 불소-함유 프로세스 가스에 대한 노출시 휘발성 에칭 부산물을 형성하지 않도록 규정되는, 플라즈마 프로세싱 시스템.
  16. 제 10 항에 있어서,
    상기 실리사이드 층은 티타늄 실리사이드, 몰리브덴 실리사이드, 텅스텐 실리사이드, 및 니켈 실리사이드 중 하나 이상인, 플라즈마 프로세싱 시스템.
  17. 제 10 항에 있어서,
    상기 실리사이드 층은 1000 Å 내지 2000 Å 범위 내의 두께를 갖는, 플라즈마 프로세싱 시스템.
  18. 제 10 항에 있어서,
    상기 플레이트 및 상기 실리사이드 층의 상기 결합된 두께는 0.1 인치 내지 0.75 인치 범위 내인, 플라즈마 프로세싱 시스템.
  19. 제 10 항에 있어서,
    상기 쓰루홀 각각은 0.005 인치 내지 0.02 인치 범위 내의 직경을 갖는, 플라즈마 프로세싱 시스템.
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