KR20230168263A - 관리 방법, 노광 장치, 노광 시스템 및 물품 제조 방법 - Google Patents

Abstract

카피된 작업을 재이용하는 경우에 있어서의 파라미터의 조정에 대하여 공정수의 점에서 유리한 기술을 제공한다.
기판을 노광하는 노광 장치에 있어서의 노광 작업을 관리하는 관리 방법은, 다른 노광 장치로부터, 해당 다른 노광 장치의 장치 특성에 의존하는 제1 파라미터와, 해당 장치 특성에 의존하지 않고 프로세스에 의존하는 제2 파라미터를 포함하는 노광 작업을 수신하는 공정과, 미리 얻어진 상기 노광 장치에 의한 노광 가능한 영역의 전역의 디스토션 데이터에 기초하여 상기 노광 장치의 장치 특성에 의존하는 제3 파라미터를 산출하는 공정과, 상기 수신한 노광 작업에 있어서의 상기 제1 파라미터를 상기 제3 파라미터로 치환함으로써, 상기 노광 장치에서 사용하는 노광 작업을 얻는 공정을 갖는다.

Description

관리 방법, 노광 장치, 노광 시스템 및 물품 제조 방법{MANAGEMENT METHOD, EXPOSURE APPARATUS, EXPOSURE SYSTEM, AND ARTICLE MANUFACTURING METHOD}

본 발명은 관리 방법, 노광 장치, 노광 시스템 및 물품 제조 방법에 관한 것이다.

반도체 디바이스나 플랫 패널 디스플레이 등의 제조 공정인 리소그래피 공정에 있어서, 원판의 패턴을 기판에 전사하는 노광 장치가 사용된다. 하나의 제품을 생산할 때에 노광 장치는, 복수의 원판의 패턴을 다층으로 겹쳐서 노광한다. 원판에는 패턴을 겹쳐서 노광할 때에 사용하는 얼라인먼트 마크가 배치되어 있고, 노광 전에 얼라인먼트 마크를 계측하여 중첩의 어긋남양을 계측하고, 위치를 맞춰서 노광이 행해진다. 노광을 행할 때에는, 노광에 필요한 다수의 파라미터를 포함하는 데이터인 작업에 따라 리소그래피 공정이 실시된다. 노광 장치를 사용할 때에는, 제조하는 디바이스나 레이어마다의 중첩 노광에서 사용되는 오버레이 관련의 파라미터가 조정된다. 파라미터의 조정에서는, 노광된 마스크 패턴에 형성되어 있는 얼라인먼트 마크의 어긋남양을 측장기로 계측하고, 그 결과에 기초하여 시프트, 배율, 회전 등의 보정량을 산출하고, 그것을 작업의 파라미터에 반영시킨다.

하나의 노광 장치를 위해서 작성된 작업은, 카피되어서 다른 노광 장치에 있어서도 사용될 수 있다. 그러나, 장치 특성의 차이에 따라 조정 오프셋이 다르게 되어 있기 때문에, 상기와 같이 조정된 작업이어도, 다른 노광 장치에 있어서는, 다시 오버레이 관련의 파라미터를 조정할 필요가 있어, 생산을 개시할 때까지의 수고가 들고 있었다.

특허문헌 1에서는, 미리 장치간의 공통 파라미터의 오프셋을 취득해 두고, 카피한 작업을 실행하는 다른 노광 장치에서 사전에 취득한 오프셋을 사용하여 공통 파라미터를 보정함으로써 재조정을 요하지 않게 하는 방법이 개시되어 있다.

일본 특허 공개 제2016-157877호 공보

그러나, 특허문헌 1에 개시된 방법에서는, 제조하는 디바이스의 종류가 증가할 때마다 모든 노광 장치에 관한 오프셋을 취득할 필요가 있고, 디바이스의 종류나 노광 장치의 대수가 증가하면 그것에 맞춰서 오프셋을 취득하는 수고가 증가해버린다.

본 발명은 카피된 작업을 재이용하는 경우에 있어서의 파라미터의 조정에 대하여 공정수의 점에서 유리한 기술을 제공한다.

본 발명의 제1 측면에 따르면, 기판을 노광하는 노광 장치에 있어서의 노광 작업을 관리하는 관리 방법이며, 다른 노광 장치로부터, 해당 다른 노광 장치의 장치 특성에 의존하는 제1 파라미터와, 해당 장치 특성에 의존하지 않고 프로세스에 의존하는 제2 파라미터를 포함하는 노광 작업을 수신하는 공정과, 미리 얻어진 상기 노광 장치에 의한 노광 가능한 영역의 전역의 디스토션 데이터에 기초하여 상기 노광 장치의 장치 특성에 의존하는 제3 파라미터를 산출하는 공정과, 상기 수신한 노광 작업에 있어서의 상기 제1 파라미터를 상기 제3 파라미터로 치환함으로써, 상기 노광 장치에서 사용하는 노광 작업을 얻는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 관리 방법이 제공된다.

본 발명의 제2 측면에 따르면, 제1 노광 장치와 제2 노광 장치를 포함하는 노광 시스템에 있어서의 노광 작업을 관리하는 관리 방법이며, 상기 제1 노광 장치에 있어서, 미리 얻어진 상기 제1 노광 장치에 의한 노광 가능한 영역의 전역의 디스토션 데이터에 기초하여 상기 제1 노광 장치의 장치 특성에 의존하는 제1 파라미터를 산출하는 공정과, 상기 제1 파라미터를 포함하는 노광 작업을 생성하는 공정과, 상기 생성된 노광 작업에 따라 기판을 노광하는 공정과, 상기 노광의 결과에 기초하여 상기 장치 특성에 의존하지 않고 프로세스에 의존하는 제2 파라미터를 산출하고, 해당 제2 파라미터를 상기 노광 작업에 포함시키는 공정과, 상기 노광 작업을 상기 제2 노광 장치에 전송하는 공정과, 상기 제2 노광 장치에 있어서, 미리 얻어진 상기 제2 노광 장치에 의한 노광 가능한 영역의 전역의 디스토션 데이터에 기초하여 상기 제2 노광 장치의 장치 특성에 의존하는 제3 파라미터를 산출하는 공정과, 상기 제1 노광 장치로부터 수신한 상기 노광 작업에 있어서의 상기 제1 파라미터를 상기 제3 파라미터로 치환함으로써, 상기 제2 노광 장치에서 사용하는 노광 작업을 얻는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 관리 방법이 제공된다.

본 발명의 제3 측면에 따르면, 기판을 노광하는 노광 장치이며, 다른 노광 장치로부터, 해당 다른 노광 장치의 장치 특성에 의존하는 제1 파라미터와, 해당 장치 특성에 의존하지 않고 프로세스에 의존하는 제2 파라미터를 포함하는 노광 작업을 수신하고, 미리 얻어진 상기 노광 장치에 의한 노광 가능한 영역의 전역의 디스토션 데이터에 기초하여 상기 노광 장치의 장치 특성에 의존하는 제3 파라미터를 산출하고, 상기 수신한 노광 작업에 있어서의 상기 제1 파라미터를 상기 제3 파라미터로 치환함으로써, 상기 노광 장치에서 사용하는 노광 작업을 얻는 것을 특징으로 하는 노광 장치가 제공된다.

본 발명의 제4 측면에 따르면, 제1 노광 장치와 제2 노광 장치를 포함하는 노광 시스템이며, 상기 제1 노광 장치가, 미리 얻어진 상기 제1 노광 장치에 의한 노광 가능한 영역의 전역의 디스토션 데이터에 기초하여 상기 제1 노광 장치의 장치 특성에 의존하는 제1 파라미터를 산출하고, 상기 제1 파라미터를 포함하는 노광 작업을 생성하고, 상기 생성된 노광 작업에 따라 기판을 노광하고, 상기 노광의 결과에 기초하여 상기 장치 특성에 의존하지 않고 프로세스에 의존하는 제2 파라미터를 산출하고, 해당 제2 파라미터를 상기 노광 작업에 포함시키고, 상기 노광 작업을 상기 제2 노광 장치에 전송하고, 상기 제2 노광 장치가, 미리 얻어진 상기 제2 노광 장치에 의한 노광 가능한 영역의 전역의 디스토션 데이터에 기초하여 상기 제2 노광 장치의 장치 특성에 의존하는 제3 파라미터를 산출하고, 상기 제1 노광 장치로부터 수신한 상기 노광 작업에 있어서의 상기 제1 파라미터를 상기 제3 파라미터로 치환함으로써, 상기 제2 노광 장치에서 사용하는 노광 작업을 얻는 것을 특징으로 하는 노광 시스템이 제공된다.

본 발명의 제5 측면에 따르면, 상기 제1 측면 또는 상기 제2 측면에 따른 관리 방법에 의해 얻어진 노광 작업에 따라 기판을 노광하는 공정과, 상기 노광된 기판을 현상하는 공정을 포함하고, 상기 현상된 기판으로부터 물품을 제조하는 것을 특징으로 하는 물품 제조 방법이 제공된다.

본 발명에 따르면, 카피된 작업을 재이용하는 경우에 있어서의 파라미터의 조정에 대하여 공정수의 점에서 유리한 기술을 제공할 수 있다.

도 1은 노광 장치의 구성을 나타내는 도면.
도 2는 노광 시스템의 구성을 나타내는 도면.
도 3은 작업을 구성하는 파라미터의 구조예를 나타내는 도면.
도 4는 관리 처리의 수순을 나타내는 흐름도.
도 5는 디스토션 데이터를 취득하는 처리를 설명하는 도면.
도 6은 디스토션 데이터의 구조예를 나타내는 도면.
도 7은 노광 영역에 있어서의 얼라인먼트 계측 마크 및 디스토션 계측 마크를 예시하는 도면.

이하, 첨부 도면을 참조하여 실시 형태를 상세하게 설명한다. 또한, 이하의 실시 형태는 특허 청구 범위에 관한 발명을 한정하는 것은 아니다. 실시 형태에는 복수의 특징이 기재되어 있지만, 이러한 복수의 특징의 모두가 발명에 필수적인 것이라고는 할 수 없으며, 또한 복수의 특징은 임의로 조합되어도 된다. 또한, 첨부 도면에 있어서는, 동일 또는 마찬가지의 구성에 동일한 참조 번호를 부여하고, 중복된 설명은 생략한다.

<제1 실시 형태>

본 실시 형태에 있어서의 노광 장치의 구성에 대하여 설명한다. 본 실시 형태에 있어서의 노광 장치는, 반도체 디바이스나 플랫 패널 디스플레이 등의 디바이스의 제조 공정인 포토리소그래피 공정에 사용되는 리소그래피 장치이다. 본 실시 형태에 있어서의 노광 장치는, 원판에 형성된 패턴을 투영 광학계를 통하여 기판에 투영하고, 해당 패턴을 기판에 전사하는 노광 처리를 행한다.

도 1은, 본 실시 형태에 있어서의 노광 장치(100)의 개략도이다. 본 명세서 및 도면에 있어서는, 수평면을 XY 평면으로 하는 XYZ 좌표계에 있어서 방향이 나타내어진다. 후술하는 기판 스테이지(5)는 기판(6)의 표면이 수평면(XY 평면)과 평행해지도록 기판(6)을 보유 지지한다. 따라서, 이하에서는, 기판 스테이지(5)의 기판 지지면을 따르는 평면 내에서 서로 직교하는 방향을 X축 및 Y축이라고 하고, X축 및 Y축에 수직인 방향을 Z축이라고 하자. 또한, 이하에서는, XYZ 좌표계에 있어서의 X축, Y축, Z축에 각각 평행한 방향을 X 방향, Y 방향, Z 방향이라고 하자. 노광 시의 원판(3) 및 기판(6)의 주사 방향은 Y 방향으로 하고, 비주사 방향을 X 방향으로 한다. 또한, X축 둘레의 회전, Y축 둘레의 회전, Z축 둘레의 회전을 각각, θX, θY, θZ라고 표현한다.

노광 장치(100)는 조명 광학계(1), 원판 스테이지(2), 투영 광학계(4), 기판 스테이지(5), 얼라인먼트 검출계(7), 포커스 검출계(8), 제어부(10), X 차광판(14), Y 차광판(15), 조작부(16)를 갖는다. 원판 스테이지(2)는 원판(3)을 보유 지지하고, X 방향, Y 방향, θZ 방향으로 구동 가능하다. 기판 스테이지(5)는 기판(6)을 보유 지지하고, X 방향, Y 방향, Z 방향, θX 방향, θY 방향, θZ 방향으로 구동 가능하다.

투영 광학계(4)는 조명 광학계(1)에 의해, 원판 스테이지(2)에 의해 보유 지지된 원판(3)의 패턴을 기판 스테이지(5)에 의해 보유 지지된 기판(6) 상에 투영한다. 원판(3)은 투영 광학계(4)의 물체면의 위치에 배치되고, 기판(6)은 투영 광학계(4)의 결상면의 위치에 배치된다. 투영되는 원판(3)의 패턴은, X 차광판(14) 및 Y 차광판(15)에 의해 형성된 광 통과 영역을 거쳐 기판(6)에 투영된다. 조명 광학계(1)에 의해 조명되는 원판(3)의 패턴은, 투영 광학계(4)의 평면 거울(11), 오목 거울(12), 볼록 거울(13), 오목 거울(12), 평면 거울(11)의 순으로 반사하면서 기판(6)에 결상된다. 본 실시 형태에 있어서의 투영 광학계(4)는 원판(3)의 패턴을 기판(6)에 등배로 투영하는 등배 투영 광학계이어도 되고, 확대 투영 광학계나 축소 투영 광학계이어도 된다.

얼라인먼트 검출계(7)는 위치 정렬에 사용하기 위한 마크를 계측하는 현미경이며, 원판(3) 상의 얼라인먼트 마크(3a)와 기판(6) 상의 얼라인먼트 마크(6a)의 XY 평면 내의 위치 정보를 검출한다. 또한, 원판(3)에 묘화되는 패턴에 의해 얼라인먼트 마크의 배치 관계는 다르기 때문에, 얼라인먼트 검출계(7)는 투영 광학계(4)의 노광광 조사 영역의 범위 내를 X 방향, Y 방향으로 구동될 수 있다.

포커스 검출계(8)는 투영 광학계(4)에 대한 기판(6)의 면의 투영 광학계(4)의 광축 방향의 위치를 검출한다. 포커스 검출계(8)는 광속을 기판(6)에 대하여 방사하여 반사광을 검출함으로써 기판의 Z 방향의 위치를 계측한다.

제어부(10)는 도시하지 않은 CPU나 메모리 및 기억부를 포함하고, 노광 장치(100) 전체의 제어나 보정 파라미터 등의 연산 처리를 행한다. 조작부(16)는 작업자의 지시를 접수하는 유저 인터페이스를 갖고, 입력 디바이스 등을 통하여 지시를 접수하고, 노광 장치에서 사용되는 파라미터의 설정이나 장치 오퍼레이션을 실시한다. 파라미터의 설정에서는, 복수의 파라미터가 보존된 작업의 신규 작성, 카피 및 편집이나, 장치 특성에 의존한 파라미터, 노광 장치의 동작을 규정하는 파라미터 등의 설정 조작을 행한다.

도 2에는, 반도체 디바이스나 플랫 패널 디스플레이의 생산 공장에 있어서 구축되는 노광 시스템의 예가 나타내어져 있다. 노광 시스템은, 복수의 노광 장치 EX1, EX2, EX3, EX4를 포함할 수 있다. 각각의 노광 장치에서 다른 원판을 탑재하여 다른 제품을 생산하는 경우도 있고, 동일한 원판을 사용하여 동일한 제품을 생산하는 경우도 있다. 노광 장치 사이는 LAN(20)을 통하여 통신 가능하게 접속되어 있어, 장치 사이에서의 작업의 카피 등 데이터의 송수신을 행하는 것이 가능하다. 또한, LAN(20) 경유로 노광 장치의 정보 수집이나 장치 상태 감시, 작업의 투입 등의 조작을 행하는, 도시하지 않은 호스트 서버가 구성되어 있어도 된다.

노광 처리는, 노광 작업(이하, 단순히 「잡」이라고 함)에 따라 실행될 수 있다. 작업은, 노광의 실행 지령이며, 또한 여러 가지 파라미터를 포함할 수 있다. 각 노광 장치에서 공통적으로 작업을 취급할 수 있도록, 작업의 데이터 포맷은 미리 정해져 있는 것으로 한다. 도 3의 (a)에는, 노광 작업을 구성하는 파라미터의 구조예가 나타내어져 있다. 노광 작업을 구성하는 파라미터는, 노광 장치의 장치 특성에 의존하는 제1 파라미터와, 생산하는 디바이스의 정보나 노광 조건 또는 프로세스에 의존한 조정 오프셋 등, 장치 특성에 의존하지 않는 제2 파라미터를 포함할 수 있다. 예를 들어, 투영 광학계(4)에 의해 발생하는 디스토션은, 장치마다 발생하는 만곡 형상이 다르기 때문에 장치에 의존한 것이다. 디스토션을 보정하기 위하여 디스토션 데이터를 사용하여 산출되는 얼라인먼트 점에 있어서의 계측값 오프셋, 또한 기판 스테이지(5)나 광학 부품의 구동 파라미터 등은, 장치 특성에 의존하는 파라미터로서 제1 파라미터에 포함된다. 한편, 노광 영역의 정보, 얼라인먼트 계측 위치의 정보, 노광량 등의 노광 조건, 노광한 결과로부터 산출되는 오버레이를 조정하기 위한 오프셋은, 장치 특성에 의존하지 않고 프로세스에 의존하는 파라미터가 되기 때문에 제2 파라미터에 포함된다.

이어서, 도 4의 흐름도를 참조하여, 본 실시 형태에 있어서의 노광 처리에 관한 작업을 관리하는 관리 방법에 대하여 설명한다. 여기에서는, 도 2의 노광 장치 EX1(제1 노광 장치)과 노광 장치 EX2(제2 노광 장치) 사이에서 작업을 카피하여 사용하는 경우를 예로 들어 설명한다.

S400에서는, 노광 장치 EX1, EX2 각각에 있어서, 제어부(10)는 주사 노광으로 노광 가능한 노광 영역 전역에서의 디스토션 데이터를 취득한다. 도 5의 (a)에 나타내는 바와 같이, 원판(3) 상에는 디스토션 계측 마크 M1-1 내지 M5-7이 일정한 간격으로 배치되어 있다. 이 원판(3)의 패턴을 기판(6)에 투영하고, 마크 M1-1 내지 M5-7 각각의 어긋남양을 측장기 등의 광학 현미경을 사용하여 계측함으로써, 디스토션 데이터가 얻어진다. 하나의 구체예로서, 마크 M1-1의 계측에 대하여 도 5의 (b)를 참조하여 설명한다. 도 5의 (b)에 있어서, 파선의 프레임은 마크 M1-1의 설계 위치를 나타내고 있다. 디스토션에 의한 어긋남이 발생하지 않는 경우에는, 이상적으로는 파선의 위치에 마크 M1-1이 노광되지만, 실제로는 실선의 위치에 노광되어서 어긋남이 발생한다. 이때, 파선의 XY 위치를 (X, Y), 실선의 XY 위치를 (X', Y')라고 하면, 마크 M1-1의 어긋남양 Dx, Dy는, 다음 식으로 나타내어진다.

Dx=X-X'

Dy=Y-Y'… 식 (1)

노광된 디스토션 계측용의 마크 M1-1 내지 M5-7의 각각을 측장기로 계측함으로써, 각 마크의 어긋남양 Dx, Dy가 계측된다. 도 6에는, 측장기로 계측한 각 마크의 계측 결과를 정리한 디스토션 데이터의 구조예가 나타내어져 있다. 디스토션 데이터는, 마크 M1-1 내지 M5-7의 각각에 대하여, 설계상의 위치 X300, 위치 Y301, 어긋남양의 X 성분 Dx302, Y 성분 Dy303의 값을 포함한다.

S400에서는, 디스토션의 계측을 노광 장치 EX1, 노광 장치 EX2 각각에서 실시하여 디스토션 데이터를 작성하고, 각 노광 장치의 기억부에 보존한다.

S401에서는, 노광 장치 EX1의 제어부(10)는 신규로 작업을 생성한다. 제어부(10)는 생산하는 디바이스 정보에 맞춰서 원판(3)의 노광 영역 정보, 얼라인먼트 계측 위치 정보, 노광 조건 등의 파라미터의 설정을 행하고, 그러한 정보가 작업에 포함될 수 있다.

S402에서는, 노광 장치 EX1의 제어부(10)는 S400에서 취득한 노광 장치 EX1의 디스토션 데이터에 기초하여 장치 특성에 의존하는 제1 파라미터를 산출한다. 디스토션에 의한 노광상의 영향은, 작업에서 사용하는 원판(3)의 노광 영역에 따라 바뀌기 때문에, 제1 파라미터는, 작업에 설정된 노광 영역을 고려하여 S400에서 취득한 디스토션 데이터에 기초하여 산출된다.

도 7의 (a)는 작업에 설정된, 원판(3)의 노광 영역 EA와 얼라인먼트 계측 마크의 배치 정보의 관계를 나타내는 도면이다. 원판(3) 상의 노광 영역 EA는, 구동 가능한 X 차광판(14)과 Y 차광판(15)을 노광 영역에 배치하여 노광되지 않은 영역을 차광함으로써 형성되는 노광 영역이다. 노광 영역 EA는, 원판(3)의 중심을 기준으로 하여, X 방향의 영역에 대해서는, 좌측의 영역 폭을 L, 우측의 영역 폭을 R로 하여 정의된다. 또한, Y 방향의 영역에 대해서는, 프론트측의 영역 폭을 F, 백측의 영역 폭을 B로 하여 정의된다. 이것들로 정의된 영역이 X 차광판(14) 및 Y 차광판(15)에 의해 차광되어 노광이 행해진다. 또한, 얼라인먼트 계측 마크의 위치 P1L/P1R, P2L/P2R, P3L/P3R도 정의되어 있다.

도 7의 (b)는 도 7의 (a)의 노광 영역 EA에 포함되는 디스토션 계측 마크를 나타낸 도면이다. 노광 영역 EA에는, 디스토션 계측 마크 M2-3 내지 M4-7이 포함되어 있다. 제어부(10)는 디스토션 계측 마크의 어긋남양 Dx, Dy를, 도 6에서 나타낸 디스토션 데이터로부터 취득하고, 노광 장치 EX1에 있어서의 장치 의존의 제1 파라미터를 산출한다.

일례에 있어서, 노광 장치에 탑재되는 기판 스테이지(5)나 광학 부품 등의 디스토션 보정에 사용하는 유닛의 보정 특성에 기초하여 노광 영역 EA에 포함되는 디스토션 계측 마크 M2-3 내지 M4-7의 보정 잔차를 최소화하는 목적 함수가 정의된다. 제어부(10)는 이 목적 함수를 사용하여 제1 파라미터를 산출할 수 있다. 기판 스테이지(5)의 보정 성분은, 주사 구동 중의 X 시프트 변화, Y 시프트 변화, 회전 변화 등을 포함한다. 광학 부품의 보정 성분은, 주사 구동 중의 X 배율 변화, Y 배율 변화 등을 포함한다. 목적 함수에 의한 최적화에 의해 산출된 각 보정 성분은, 얼라인먼트 점마다의 계측 오프셋 또는, 얼라인먼트 점으로 구획한 주사 영역마다의 구동 파라미터로 변환되어 생성한 작업의 제1 파라미터로서 저장된다.

S403에서는, 노광 장치 EX1의 제어부(10)는 생성된 작업에 따라 노광 처리를 실시한다. 그 노광 결과를 측장기로 계측하고, 제어부(10)는 해당 계측 결과에 기초하여 어긋남양 Dx, Dy를 구한다. 제어부(10)는 구한 어긋남양 Dx, Dy를 사용하여, S402와 마찬가지로, 보정 후의 잔차를 최소화하는 목적 함수를 정의한다. 제어부(10)는 이 목적 함수의 최적화를 거쳐 산출한 각 보정 성분으로부터, 오버레이를 조정하기 위한 오프셋을 산출한다. 이 오프셋은, 프로세스 의존 성분으로 분류되기 때문에, 생성된 작업의 제2 파라미터로서 저장된다.

S404에서는, 노광 장치 EX1의 제어부(10)는 LAN(20)을 통하여 도 3의 (a), (b)에 나타내는 바와 같이, S401 내지 S403에서 생성된 노광 장치 EX1의 작업의 카피를 노광 장치 EX2에 전송한다. 또한, 노광 장치 EX1과 노광 장치 EX2가 LAN(20)에 의해 통신 가능하게 접속되어 있지 않는 환경이라면, 기록 미디어나 메모리 매체를 사용하여 작업의 카피를 전달해도 된다.

S405에서는, 노광 장치 EX2의 제어부(10)는 S400에서 취득한 노광 장치 EX2의 디스토션 데이터로부터, 장치 특성에 의존하는 제3 파라미터를 산출한다. 노광 장치 EX2의 제어부(10)는 S402와 마찬가지로, 작업에 설정되어 있는 노광 영역 EA의 정보에 기초하여 디스토션 계측 마크를 결정한다. 예를 들어, 노광 장치 EX2의 제어부(10)는 노광 장치 EX1(다른 노광 장치)로부터 수신한 작업에 설정되어 있는 노광 영역의 정보에 기초하여 복수의 디스토션 계측 마크 중 주목하는 디스토션 계측 마크를 결정한다. 노광 장치 EX2의 제어부(10)는 디스토션 데이터로부터 얻어지는, 상기 결정한 디스토션 계측 마크에 대한 어긋남양에 기초하여 제3 파라미터를 산출한다. 그 후, 노광 장치 EX2의 제어부(10)는 결정한 각 디스토션 계측 마크에 대한 어긋남양 Dx, Dy를 사용하여 보정 잔차를 최소화하는 각 보정 성분을 구하고, 노광 장치 EX2에 있어서의 장치 의존의 제3 파라미터를 산출한다.

S406에서, 노광 장치 EX2의 제어부(10)는 도 3의 (b), (c)에 나타내는 바와 같이, S404에서 수신한 작업의 카피에 포함되어 있는 제1 파라미터를, 산출된 제3 파라미터로 치환한다. 따라서, 이 시점에서, 작업은, 노광 장치 EX2의 디스토션 데이터에 기초하여 계산된 장치 특성에 의존하는 제3 파라미터와, 오버레이를 조정하기 위한 오프셋을 포함하는 제2 파라미터를 포함한다(도 3의 (c) 참조). 또한, 제3 파라미터를 산출하는 공정 S405는, 작업의 수신, 작업의 설정 변경의 지시, 작업에 따른 노광 처리의 실행 지시 중 어느 것에 응답하여 실행될 수 있다.

S407에서는, 노광 장치 EX2의 제어부(10)는 S406에서 조정(재기입)된 작업에 따라 노광 처리를 실시한다. 상기한 바와 같이, S404에서 노광 장치 EX1로부터 수취한 작업은, S405에서 계산된 노광 장치 EX2의 장치 특성에 의존하는 제3 파라미터와, 장치 특성에 의존하지 않고 프로세스에 의존하는 제2 파라미터를 포함하도록 조정된 것이다. 따라서, S407의 노광 처리에서는, S405에서 산출된, 노광 장치 EX2의 장치 특성에 의존하는 제3 파라미터가 사용된다. 한편, 노광 장치 EX1에서 조정된 오프셋을 포함하는 제2 파라미터는 노광 장치 EX2에 있어서도 그대로 사용될 수 있다. 그 때문에, 노광 장치 EX2에서는 오버레이용의 오프셋의 재조정을 실시하지 않고 노광하는 것이 가능하다.

본 실시 형태에 따르면, S400에 있어서 취득한 디스토션 데이터로부터, 장치 개별로 장치 특성에 의존하는 오프셋의 산출을 행하기 때문에, 제조하는 디바이스의 종류나 노광 장치의 대수가 증가했을 경우에 있어서도, 장치간의 오프셋을 취득할 필요가 없다.

또한, 이상에서는 디스토션에 대하여 설명했지만, 디스토션 이외에도, 포커스나 노광량 조건 등에 대해서도 마찬가지로 파라미터의 조정을 행하는 것이 가능하다.

<물품의 제조 방법의 실시 형태>

본 발명의 실시 형태에 따른 물품의 제조 방법은, 예를 들어 플랫 패널 디스플레이(FPD)를 제조하기에 적합하다. 본 실시 형태의 물품의 제조 방법은, 기판 상에 도포된 감광제에 상기의 노광 장치를 사용하여 잠상 패턴을 형성하는 공정(기판을 노광하는 공정)과, 이러한 공정에서 잠상 패턴이 형성된 기판을 현상하는 공정을 포함한다. 또한, 이러한 제조 방법은, 다른 주지의 공정(산화, 성막, 증착, 도핑, 평탄화, 에칭, 레지스트 박리, 다이싱, 본딩, 패키징 등)을 포함한다. 본 실시 형태의 물품의 제조 방법은, 종래의 방법에 비하여, 물품의 성능·품질·생산성·생산 비용 중 적어도 하나에 있어서 유리하다.

발명은 상기 실시 형태로 제한되는 것은 아니고, 발명의 정신 및 범위로부터 이탈하지 않고, 여러 가지 변경 및 변형이 가능하다. 따라서, 발명의 범위를 밝히기 위하여 청구항을 첨부한다.

1: 조명 광학계
2: 원판 스테이지
3: 원판
4: 투영 광학계
5: 기판 스테이지
6: 기판
7: 얼라인먼트 검출계
8: 포커스 검출계
10: 제어부
100: 노광 장치

Claims (11)

1. 기판을 노광하는 노광 장치에 있어서의 노광 작업을 관리하는 관리 방법이며,
   다른 노광 장치로부터, 해당 다른 노광 장치의 장치 특성에 의존하는 제1 파라미터와, 해당 장치 특성에 의존하지 않고 프로세스에 의존하는 제2 파라미터를 포함하는 노광 작업을 수신하는 공정과,
   미리 얻어진 상기 노광 장치에 의한 노광 가능한 영역의 전역의 디스토션 데이터에 기초하여 상기 노광 장치의 장치 특성에 의존하는 제3 파라미터를 산출하는 공정과,
   상기 수신한 노광 작업에 있어서의 상기 제1 파라미터를 상기 제3 파라미터로 치환함으로써, 상기 노광 장치에서 사용하는 노광 작업을 얻는 공정
   을 갖는 것을 특징으로 하는 관리 방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 노광 장치에 의한 노광 가능한 영역의 전역에 있어서의 디스토션을 계측하여 상기 디스토션 데이터를 취득하는 공정을 더 갖는 것을 특징으로 하는 관리 방법.
3. 제2항에 있어서, 상기 디스토션을 계측하는 공정은,
   복수의 디스토션 계측 마크가 노광 가능한 영역의 전역에 걸쳐 배치된 원판의 패턴을 투영 광학계를 통하여 기판에 투영하고, 상기 복수의 디스토션 계측 마크 각각이 상기 기판에 투영된 위치를 계측하는 공정과,
   상기 복수의 디스토션 계측 마크의 각각에 대하여 상기 계측된 위치의 설계 위치로부터의 어긋남양의 정보를 상기 디스토션 데이터에 포함시키는 공정
   을 포함하는 것을 특징으로 하는 관리 방법.
4. 제3항에 있어서, 상기 제3 파라미터를 산출하는 공정은,
   상기 수신한 노광 작업에 설정되어 있는 노광 영역의 정보에 기초하여 상기 복수의 디스토션 계측 마크 중 주목하는 디스토션 계측 마크를 결정하는 공정과,
   상기 디스토션 데이터로부터 얻어지는, 상기 결정한 디스토션 계측 마크에 대한 어긋남양에 기초하여 상기 제3 파라미터를 산출하는 공정
   을 포함하는 것을 특징으로 하는 관리 방법.
5. 제1항에 있어서, 상기 장치 특성에 의존하는 상기 제1 파라미터 및 상기 제3 파라미터는, 상기 디스토션 데이터를 사용하여 산출되는 계측값 오프셋, 기판 스테이지의 구동 파라미터, 투영 광학계를 구성하는 광학 부품의 구동 파라미터 중 적어도 어느 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 관리 방법.
6. 제1항에 있어서, 상기 프로세스에 의존하는 상기 제2 파라미터는, 노광 영역의 정보, 얼라인먼트 계측 위치의 정보, 노광 조건, 오버레이를 조정하기 위한 오프셋 중 적어도 어느 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 관리 방법.
7. 제1항에 있어서, 상기 제3 파라미터를 산출하는 공정은, 상기 노광 작업의 수신, 상기 노광 작업의 설정 변경의 지시, 상기 노광 작업에 따른 노광 처리의 실행 지시 중 어느 것에 응답하여 실행되는 것을 특징으로 하는 관리 방법.
8. 제1 노광 장치와 제2 노광 장치를 포함하는 노광 시스템에 있어서의 노광 작업을 관리하는 관리 방법이며,
   상기 제1 노광 장치에 있어서,
   미리 얻어진 상기 제1 노광 장치에 의한 노광 가능한 영역의 전역의 디스토션 데이터에 기초하여 상기 제1 노광 장치의 장치 특성에 의존하는 제1 파라미터를 산출하는 공정과,
   상기 제1 파라미터를 포함하는 노광 작업을 생성하는 공정과,
   상기 생성된 노광 작업에 따라 기판을 노광하는 공정과,
   상기 노광의 결과에 기초하여 상기 장치 특성에 의존하지 않고 프로세스에 의존하는 제2 파라미터를 산출하고, 해당 제2 파라미터를 상기 노광 작업에 포함시키는 공정과,
   상기 노광 작업을 상기 제2 노광 장치에 전송하는 공정과,
   상기 제2 노광 장치에 있어서,
   미리 얻어진 상기 제2 노광 장치에 의한 노광 가능한 영역의 전역의 디스토션 데이터에 기초하여 상기 제2 노광 장치의 장치 특성에 의존하는 제3 파라미터를 산출하는 공정과,
   상기 제1 노광 장치로부터 수신한 상기 노광 작업에 있어서의 상기 제1 파라미터를 상기 제3 파라미터로 치환함으로써, 상기 제2 노광 장치에서 사용하는 노광 작업을 얻는 공정
   을 갖는 것을 특징으로 하는 관리 방법.
9. 기판을 노광하는 노광 장치이며,
   다른 노광 장치로부터, 해당 다른 노광 장치의 장치 특성에 의존하는 제1 파라미터와, 해당 장치 특성에 의존하지 않고 프로세스에 의존하는 제2 파라미터를 포함하는 노광 작업을 수신하고,
   미리 얻어진 상기 노광 장치에 의한 노광 가능한 영역의 전역의 디스토션 데이터에 기초하여 상기 노광 장치의 장치 특성에 의존하는 제3 파라미터를 산출하고,
   상기 수신한 노광 작업에 있어서의 상기 제1 파라미터를 상기 제3 파라미터로 치환함으로써, 상기 노광 장치에서 사용하는 노광 작업을 얻는
   것을 특징으로 하는 노광 장치.
10. 제1 노광 장치와 제2 노광 장치를 포함하는 노광 시스템이며,
    상기 제1 노광 장치가,
    미리 얻어진 상기 제1 노광 장치에 의한 노광 가능한 영역의 전역의 디스토션 데이터에 기초하여 상기 제1 노광 장치의 장치 특성에 의존하는 제1 파라미터를 산출하고,
    상기 제1 파라미터를 포함하는 노광 작업을 생성하고,
    상기 생성된 노광 작업에 따라 기판을 노광하고,
    상기 노광의 결과에 기초하여 상기 장치 특성에 의존하지 않고 프로세스에 의존하는 제2 파라미터를 산출하고, 해당 제2 파라미터를 상기 노광 작업에 포함시키고,
    상기 노광 작업을 상기 제2 노광 장치에 전송하고,
    상기 제2 노광 장치가,
    미리 얻어진 상기 제2 노광 장치에 의한 노광 가능한 영역의 전역의 디스토션 데이터에 기초하여 상기 제2 노광 장치의 장치 특성에 의존하는 제3 파라미터를 산출하고,
    상기 제1 노광 장치로부터 수신한 상기 노광 작업에 있어서의 상기 제1 파라미터를 상기 제3 파라미터로 치환함으로써, 상기 제2 노광 장치에서 사용하는 노광 작업을 얻는
    것을 특징으로 하는 노광 시스템.
11. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 기재된 관리 방법에 의해 얻어진 노광 작업에 따라 기판을 노광하는 공정과,
    상기 노광된 기판을 현상하는 공정
    을 포함하고, 상기 현상된 기판으로부터 물품을 제조하는 것을 특징으로 하는 물품 제조 방법.
    
    

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