KR20230164138A - 광 반도체 장치 - Google Patents

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KR20230164138A
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마사키 나스
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미쓰비시덴키 가부시키가이샤
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Abstract

제1 금속 블록(3) 및 온도 제어 모듈(4)이 금속 스템(1)의 상면에 실장되어 있다. 제2 금속 블록(5)이 온도 제어 모듈(4) 위에 실장되어 있다. 제1 및 제2 유전체 기판(6, 7)이 각각 제1 및 제2 금속 블록(3, 5)의 측면에 실장되어 있다. 제1 및 제2 신호 선로(8, 10)가 각각 제1 및 제2 유전체 기판(6, 7)에 형성되어 있다. 반도체 광 변조 소자(13)가 제2 유전체 기판(7)에 실장되어 있다. 렌즈 캡(19)이, 금속 스템(1)의 상면에 접합되고, 금속 스템(1)에 전기적으로 접속되고, 반도체 광 변조 소자(13) 등을 기밀 밀봉한다. 제1 금속 블록(3)과 렌즈 캡(19)의 내벽과의 최소 거리가 0.37mm보다 작다. 제2 금속 블록(5)과 렌즈 캡(19)의 내벽과의 최소 거리가 1.36mm보다 작다.

Description

광 반도체 장치
본 개시는, 반도체 광 변조 소자 등을 렌즈 캡으로 기밀 밀봉한 광 반도체 장치에 관한 것이다.
이동 통신 시스템 등에 있어서, 휴대 통신 단말이 보급되고, 정보의 클라우드화 등에 의해 데이터 통신량이 급격하게 증가하고 있다. 이에 따라, 보다 대용량의 광 통신 시스템이 필요하고, 신호의 고속 대용량 전송이 가능한 광 통신 디바이스가 요구되고 있다. 고속 통신이 가능한 반도체 광 집적 소자로서, 전계 흡수형 반도체 광 변조기(EAM: Electro-absorption Modulator)와 분포 귀환형 반도체 레이저(DFB-LD: Distributed Feedback Laser Diode)를 집적한 EML(Electro-absorption Modulator integrated Laser)이 이용되고 있다.
금속 스템에 제1 금속 블록과 온도 제어 모듈을 실장하고, 온도 제어 모듈 위에 제2 금속 블록을 실장하고, 제1 및 제2 금속 블록의 측면에 각각 제1 및 제2 유전체 기판을 실장하고, 제2 유전체 기판에 반도체 광 변조 소자를 실장한 광 반도체 장치가 제안되어 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조).
[특허문헌 1] 일본특허공개 제2011－197360호 공보
특허문헌 1의 장치에 렌즈 캡을 실장하면 공진이 발생하고 대역이 제한되고, 양호한 광 파형을 얻을 수 없다고 하는 문제가 있었다. 해결책으로서 렌즈 캡의 외형을 크게 하고, 공진점을 고주파측으로 이동시키는 것이 고려된다. 그러나, CAN 패키지에서는 소형화가 요구되고 있기 때문에, 렌즈 캡의 외형을 크게 할 수는 없다.
본 개시는, 상술한 바와 같은 과제를 해결하기 위해서 이루어진 것으로, 그 목적은 렌즈 캡의 외형을 크게 하지 않고, 양호한 광 파형을 얻을 수 있는 광 반도체 장치를 얻는 것이다.
본 개시에 따른 광 반도체 장치는, 금속 스템과, 상기 금속 스템을 관통하는 리드핀과, 상기 금속 스템의 표면에 실장된 제1 금속 블록과, 상기 제1 금속 블록의 측면에 실장된 제1 유전체 기판과, 상기 제1 유전체 기판에 형성된 제1 신호 선로와, 상기 금속 스템의 상기 표면에 실장된 온도 제어 모듈과, 상기 온도 제어 모듈 위에 실장된 제2 금속 블록과, 상기 제2 금속 블록의 측면에 실장된 제2 유전체 기판과, 상기 제2 유전체 기판에 형성된 제2 신호 선로와, 상기 제2 유전체 기판에 실장된 반도체 광 변조 소자와, 상기 리드핀과 상기 제1 신호 선로의 일단을 접속하는 접속 부재와, 상기 제1 신호 선로의 타단과 상기 제2 신호 선로의 일단을 접속하는 제1 본딩 와이어와, 상기 제2 신호 선로의 타단과 상기 반도체 광 변조 소자를 접속하는 제2 본딩 와이어와, 상기 금속 스템의 상기 표면에 접합되고, 상기 금속 스템에 전기적으로 접속되고, 상기 제1 및 제2 금속 블록, 상기 제1 및 제2 유전체 기판, 상기 온도 제어 모듈, 상기 제1 및 제2 신호 선로, 상기 반도체 광 변조 소자, 및 상기 제1 내지 제2 본딩 와이어를 기밀 밀봉하는 렌즈 캡을 구비하고, 상기 제1 금속 블록과 상기 렌즈 캡의 내벽과의 최소 거리가 0.37mm보다 작고, 상기 제2 금속 블록과 상기 렌즈 캡의 상기 내벽과의 최소 거리가 1.36mm보다 작은 것을 특징으로 한다.
본 개시에서는, 제1 금속 블록과 렌즈 캡과의 내벽의 최소 거리를 0.37mm보다 작게 하고, 제2 금속 블록과 렌즈 캡의 내벽과의 최소 거리를 1.36mm보다 작게 한다. 이것에 의해, 제1 및 제2 금속 블록이, 그라운드로 되어 있는 렌즈 캡에 가까워져 그라운드가 강화된다. 이 때문에, 공진점이 감소하고, 주파수 응답 특성이 개선되고, 광대역화가 가능해진다. 따라서, 렌즈 캡의 외형을 크게 하지 않고, 양호한 광 파형을 얻을 수 있다.
도 1은, 실시의 형태 1에 따른 광 반도체 장치를 나타내는 정면측 사시도이다.
도 2는 실시의 형태 1에 따른 광 반도체 장치를 나타내는 배면측 사시도이다.
도 3은 실시의 형태 1에 따른 광 반도체 장치의 내부를 나타내는 상면도이다.
도 4는 실시의 형태 1에 따른 광 반도체 장치의 변형예 1을 나타내는 정면측 사시도이다.
도 5는 실시의 형태 1에 따른 광 반도체 장치의 변형예 1을 나타내는 배면측 사시도이다.
도 6은 실시의 형태 1에 따른 광 반도체 장치의 변형예 2를 나타내는 정면측 사시도이다.
도 7은 실시의 형태 1에 따른 광 반도체 장치의 변형예 2를 나타내는 배면측 사시도이다.
도 8은 제2 금속 블록과 렌즈 캡의 내벽의 최소 거리를 변화시킨 경우의 주파수 응답 특성의 시뮬레이션 결과를 나타내는 도면이다.
도 9는 제1 금속 블록과 렌즈 캡의 내벽의 최소 거리를 변화시킨 경우의 주파수 응답 특성의 시뮬레이션 결과를 나타내는 도면이다.
도 10은 비교예와 실시의 형태 1에 따른 광 반도체 장치의 주파수 응답 특성을 비교한 3차원 전자계 시뮬레이션 결과를 나타내는 도면이다.
도 11은 실시의 형태 2에 따른 광 반도체 장치를 나타내는 정면측 사시도이다.
도 12는 실시의 형태 2에 따른 광 반도체 장치를 나타내는 배면측 사시도이다.
도 13은 실시의 형태 2에 따른 광 반도체 장치의 내부를 나타내는 상면도이다.
도 14는 비교예와 실시의 형태 2에 따른 광 반도체 장치의 주파수 응답 특성을 비교한 3차원 전자계 시뮬레이션 결과를 나타내는 도면이다.
도 15는 실시의 형태 3에 따른 광 반도체 장치를 나타내는 정면측 사시도이다.
도 16은 실시의 형태 3에 따른 광 반도체 장치를 나타내는 배면측 사시도이다.
도 17은 실시의 형태 3에 따른 광 반도체 장치의 내부를 나타내는 상면도이다.
도 18은 비교예와 실시의 형태 3에 따른 광 반도체 장치의 주파수 응답 특성을 비교한 3차원 전자계 시뮬레이션 결과를 나타내는 도면이다.
도 19는 실시의 형태 4에 따른 광 반도체 장치를 나타내는 단면도이다.
실시의 형태에 따른 광 반도체 장치에 대해 도면을 참조하여 설명한다. 동일한 또는 대응하는 구성 요소에는 동일한 부호를 붙여, 설명의 반복을 생략하는 경우가 있다.
실시의 형태 1.
도 1은, 실시의 형태 1에 따른 광 반도체 장치를 나타내는 정면측 사시도이다. 도 2는, 실시의 형태 1에 따른 광 반도체 장치를 나타내는 배면측 사시도이다. 도 3은, 실시의 형태 1에 따른 광 반도체 장치의 내부를 나타내는 상면도이다.
금속 스템(1)은 원형의 판 형상이다. 신호 선로용의 리드핀(2)이 금속 스템(1)을 관통하고, 유리재를 거쳐 금속 스템(1)에 고정되어 있다. 금속 스템(1) 및 리드핀(2)은, 예를 들면 구리, 철, 알루미늄 또는 스텐레스 등의 금속으로 이루어지고, 금 도금이나 니켈 도금 등을 표면에 실시해도 좋다. 또한, 신호 선로용의 리드핀(2)뿐만 아니라, 온도 제어 모듈의 전력 공급용 리드핀, EAM－LD 실장시의 레이저 다이오드부로의 전력 공급용의 리드핀 등, 복수의 리드핀을 마련해도 좋다.
제1 금속 블록(3) 및 온도 제어 모듈(4)이 금속 스템(1)의 상면에 실장되어 있다. 제1 금속 블록(3)은 리드핀(2)의 근방에 배치되어 있다. 제2 금속 블록(5)이 온도 제어 모듈(4) 위에 실장되어 있다. 제1 금속 블록(3)은, 예를 들면 구리, 철, 알루미늄 또는 스텐레스 등의 금속으로 이루어진다. 다만, 제1 금속 블록(3)은, 세라믹 또는 수지 등의 절연체에 금속이 피복된 구조라도 좋다. 제2 금속 블록(5)은, 예를 들면 Cu 등의 열전도율의 높은 재료의 표면에 Au 도금 등이 실시된 금속 재료의 블록이다. 온도 제어 모듈(4)은, 방열면과 냉각면과의 사이에 끼워진 펠티어 소자(peltier device)를 갖는다. 방열면은 금속 스템(1)에 접합되고, 냉각면에는 제2 금속 블록(5)이 실장되어 있다. 제1 및 제2 유전체 기판(6, 7)이 각각 제1 및 제2 금속 블록(3, 5)의 측면에 실장되어 있다.
또한, 조립성의 관점으로부터 금속 블록을 제1 금속 블록(3)과 제2 금속 블록(5)으로 분리하고 있다. 또, 분리하는 것에 의해, 외부로부터 금속 스템(1)을 거쳐 제2 유전체 기판(7) 및 제2 금속 블록(5)에 유입하는 열량을 저감할 수 있다. 이 때문에, 온도 제어 모듈(4)의 소비 전력을 저감할 수 있다.
제1 신호 선로(8) 및 그라운드 도체(9)가 제1 유전체 기판(6)에 형성되어 있다. 제1 신호 선로(8) 및 그라운드 도체(9)는, 서로 일정한 간격을 두고 배치되고, 코플래너(coplaner) 선로를 구성하고 있다. 그라운드 도체(9)는, 제1 유전체 기판(6)에 형성된 비아(도시하지 않음)를 거쳐 제1 금속 블록(3)에 접속되어 있다.
제2 신호 선로(10), 그라운드 도체(11) 및 정합 저항(12)이 제2 유전체 기판(7)에 형성되어 있다. 제2 신호 선로(10) 및 그라운드 도체(11)는, 서로 일정한 간격을 두고 배치되고, 코플래너 선로를 구성하고 있다. 그라운드 도체(11)는 제2 유전체 기판(7)의 측면에도 형성되어 있다.
반도체 광 변조 소자(13)가 제2 유전체 기판(7)에 실장되어 있다. 반도체 광 변조 소자(13)는, 예를 들면, InGaAsP계 양자 우물 흡수층을 이용한 전계 흡수형 광 변조기와 분포 귀환형 레이저 다이오드를 모놀리식으로 집적한 변조기 집적형 레이저(EAM-LD), 또는 MZ(Mach-Zehnder) 반도체 광 변조기 등이다. 반도체 광 변조 소자(13)에 있어서 발생한 열은 제2 금속 블록(5) 및 금속 스템(1)을 거쳐 확산된다.
접속 부재(14)가 리드핀(2)과 제1 신호 선로(8)의 일단을 접속한다. 접속 부재(14)는, 예를 들면 땜납이지만, 본딩 와이어라도 좋다. 본딩 와이어(15)가 제1 신호 선로(8)의 타단과 제2 신호 선로(10)의 일단을 접속한다. 본딩 와이어(16)가 제2 신호 선로(10)의 타단과 반도체 광 변조 소자(13)를 접속한다. 본딩 와이어(17)가 반도체 광 변조 소자(13)와 정합 저항(12)의 일단을 접속한다. 본딩 와이어(18)가 정합 저항(12)의 타단과 제2 금속 블록(5)을 접속한다.
렌즈 캡(19)이, 금속 스템(1)의 상면에 접합되고, 금속 스템(1)에 전기적으로 접속되고, 제1 및 제2 금속 블록(3, 5), 제1 및 제2 유전체 기판(6, 7), 온도 제어 모듈(4), 제1 및 제2 신호 선로(8, 10), 반도체 광 변조 소자(13), 접속 부재(14) 및 본딩 와이어(15~18) 등을 기밀 밀봉한다. 렌즈 캡(19)은 예를 들면 구리, 철, 알루미늄 또는 스텐레스 등의 금속으로 이루어지고, 테이퍼형 또는 스트레이트형이다. 다만, 렌즈 캡(19)은 세라믹 또는 수지 등의 절연체에 금속이 피복된 구조라도 좋다.
제1 금속 블록(3)의 가로폭은 a, 깊이는 b, 높이는 c이다. 제1 금속 블록(3)의 배면은, 원통형의 렌즈 캡(19)의 내벽을 따른 곡면 형상으로 되어 있다. 제1 금속 블록(3)의 가로폭 a 또는 깊이 b를 종래보다 크게 하는 것으로 제1 금속 블록(3)의 배면과 렌즈 캡(19)의 내벽이 근접하고 있다. 이 결과, 제1 금속 블록(3)과 렌즈 캡(19)의 내벽과의 최소 거리 d1이 0.37mm보다 작고, 여기에서는 0.10mm로 되어 있다.
제2 금속 블록(5)의 가로폭은 d, 깊이는 e, 높이는 f이다. 제2 금속 블록(5)의 단면은 L자 형상이며, 측면의 일부는 렌즈 캡(19)의 내벽을 따른 곡면 형상으로 되어 있다. 제2 금속 블록(5)의 가로폭 d 또는 깊이 e를 종래보다 크게 하는 것으로 제2 금속 블록(5)의 측면과 렌즈 캡(19)의 내벽이 근접하고 있다. 이 결과, 제2 금속 블록(5)과 렌즈 캡(19)의 내벽과의 최소 거리 d2가 1.36mm보다 작고, 여기에서는 0.10mm로 되어 있다.
도 4는, 실시의 형태 1에 따른 광 반도체 장치의 변형예 1을 나타내는 정면측 사시도이다. 도 5는, 실시의 형태 1에 따른 광 반도체 장치의 변형예 1을 나타내는 배면측 사시도이다. 렌즈 캡(19)은 원통형이지만, 렌즈 캡(19)의 내벽의 일부가 제1 금속 블록(3)을 향해 돌출하고 있다. 이것에 의해 양자가 근접하여, 제1 금속 블록(3)과 렌즈 캡(19)의 내벽과의 최소 거리 d1이 0.37mm보다 작고, 제2 금속 블록(5)과 렌즈 캡(19)의 내벽과의 최소 거리 d2가 1.36mm보다 작아지고 있다.
도 6은, 실시의 형태 1에 따른 광 반도체 장치의 변형예 2를 나타내는 정면측 사시도이다. 도 7은, 실시의 형태 1에 따른 광 반도체 장치의 변형예 2를 나타내는 배면측 사시도이다. 렌즈 캡(19)의 내벽의 일부가 제1 금속 블록(3) 및 제2 금속 블록(5)을 향해 돌출하고 있다. 이것에 의해 양자가 근접하여, 최소 거리 d1이 0.37mm보다 작고, 최소 거리 d2가 1.36mm보다 작아지고 있다.
도 8은, 제2 금속 블록과 렌즈 캡의 내벽의 최소 거리를 변화시킨 경우의 주파수 응답 특성의 시뮬레이션 결과를 나타내는 도면이다. 주파수 응답 특성은 통과 특성 S21이다. 제2 금속 블록(5)과 렌즈 캡(19)의 내벽의 최소 거리 d2를 1.36mm, 0.5mm, 0mm로 했다. 제1 금속 블록(3)과 렌즈 캡(19)의 내벽의 거리는 모두 0.37mm로 했다. 최소 거리 d2가 1.36mm보다 작아지면, 특히 30GHz까지의 영역에 있어서 공진에 의한 하락이 감소하고, 개선되는 것을 알 수 있다.
도 9는, 제1 금속 블록과 렌즈 캡의 내벽의 최소 거리를 변화시킨 경우의 주파수 응답 특성의 시뮬레이션 결과를 나타내는 도면이다. 제1 금속 블록(3)과 렌즈 캡(19)의 내벽의 최소 거리 d1을 0.37mm, 0mm로 했다. 제2 금속 블록(5)과 렌즈 캡(19)의 내벽의 거리는 모두 1.36mm로 했다. 최소 거리 d1이 0.37mm보다 작아지면, 공진에 의한 하락이 감소하고, 개선되는 것을 알 수 있다.
도 10은, 비교예와 실시의 형태 1에 따른 광 반도체 장치의 주파수 응답 특성을 비교한 3차원 전자계 시뮬레이션 결과를 나타내는 도면이다. 비교예는, 최소 거리 d2가 1.36mm, 최소 거리 d1이 0.37mm인 경우이다. 실시의 형태 1에서는, 비교예에 비해 공진점이 감소하고, 주파수 응답 특성의 하락이 작아지고 있는 것을 알 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시의 형태에서는, 제1 및 제2 금속 블록(3, 5)의 형상을 비교예로부터 변경하여, 제1 금속 블록(3)과 렌즈 캡(19)과의 내벽의 최소 거리를 0.37mm보다 작게 하고, 제2 금속 블록(5)과 렌즈 캡(19)의 내벽과의 최소 거리를 1.36mm보다 작게 한다. 이에 따라, 제1 및 제2 금속 블록(3, 5)이, 그라운드로 되어 있는 렌즈 캡(19)에 가까워져 그라운드가 강화된다. 이 때문에, 공진점이 감소하고, 주파수 응답 특성이 개선되고, 광대역화가 가능해진다. 따라서, 렌즈 캡(19)의 외형을 크게 하지 않고, 양호한 광 파형을 얻을 수 있다.
실시의 형태 2.
도 11은, 실시의 형태 2에 따른 광 반도체 장치를 나타내는 정면측 사시도이다. 도 12는, 실시의 형태 2에 따른 광 반도체 장치를 나타내는 배면측 사시도이다. 도 13은, 실시의 형태 2에 따른 광 반도체 장치의 내부를 나타내는 상면도이다.
본 실시의 형태에서는, 제1 금속 블록(3)과 렌즈 캡(19)과의 내벽의 최소 거리 d1이 0mm, 제2 금속 블록(5)과 렌즈 캡(19)의 내벽의 최소 거리 d2가 0.30mm이다. 즉, 제1 금속 블록(3)이 렌즈 캡(19)의 내벽에 접하고 있다. 렌즈 캡(19)의 내벽의 일부가 돌출하여 제1 금속 블록(3)의 후면에 접하는 구조로 되어 있다. 이것에 한정하지 않고, 렌즈 캡(19)의 내벽이 제1 금속 블록(3)의 측면, 후면, 상면의 어느 하나 또는 복수의 면에 접하는 구조로 되어 있으면 된다.
또, 제1 금속 블록(3)과 렌즈 캡(19)을 땜납 또는 도전성 수지 등으로 접착하여 전기적으로 접속해도 좋다. 예를 들면, 제1 금속 블록(3)의 측면 또는 후면에 예비 땜납 또는 도전성 수지를 입히고, 렌즈 캡(19)을 실장 후에 가열하고, 제1 금속 블록(3)과 렌즈 캡(19)을 접착시킨다.
도 14는, 비교예와 실시의 형태 2에 따른 광 반도체 장치의 주파수 응답 특성을 비교한 3차원 전자계 시뮬레이션 결과를 나타내는 도면이다. 실시의 형태 2에서는, 비교예에 비해 공진점이 감소하고, 주파수 응답 특성의 하락이 작아지고 있는 것을 알 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시의 형태에서는, 렌즈 캡(19)과 제1 금속 블록(3)이 접하여, 실시의 형태 1보다 그라운드가 강화된다. 이 때문에, 공진점이 감소하고, 주파수 응답 특성이 개선되고, 광대역화가 가능해진다. 따라서, 렌즈 캡(19)의 외형을 크게 하지 않고, 양호한 광 파형을 얻을 수 있다.
실시의 형태 3.
도 15는, 실시의 형태 3에 따른 광 반도체 장치를 나타내는 정면측 사시도이다. 도 16은, 실시의 형태 3에 따른 광 반도체 장치를 나타내는 배면측 사시도이다. 도 17은, 실시의 형태 3에 따른 광 반도체 장치의 내부를 나타내는 상면도이다.
본 실시의 형태에서는, 제1 금속 블록(3)과 렌즈 캡(19)과의 내벽의 최소 거리 d1이 0mm, 제2 금속 블록(5)과 렌즈 캡(19)의 내벽의 최소 거리 d2도 0mm이다. 즉, 제1 금속 블록(3)뿐만 아니라, 제2 금속 블록(5)도 렌즈 캡(19)의 내벽에 접하고 있다.
렌즈 캡(19)의 내벽의 일부가 돌출하여 제1 금속 블록(3)의 측면과 후면, 제2 금속 블록(5)의 후면에 접하는 구조로 되어 있다. 이것에 한정하지 않고, 렌즈 캡(19)의 내벽이, 제1 금속 블록(3)의 측면, 후면, 상면의 어느 하나 또는 복수의 면, 및 제2 금속 블록(5)의 후면과 상면의 어느 하나 또는 복수의 면에 접하는 구조로 되어 있으면 좋다.
또, 제1 및 제2 금속 블록(3, 5)과 렌즈 캡(19)을 땜납 또는 도전성 수지 등으로 접착하여 전기적으로 접속해도 좋다. 예를 들면, 제1 금속 블록(3)의 측면 또는 후면과 제2 금속 블록(5)의 후면에 예비 땜납 또는 도전성 수지를 입히고, 렌즈 캡(19)을 실장 후에 가열하고 제1 및 제2 금속 블록(3, 5)과 렌즈 캡(19)을 접착시킨다.
도 18은, 비교예와 실시의 형태 3에 따른 광 반도체 장치의 주파수 응답 특성을 비교한 3차원 전자계 시뮬레이션 결과를 나타내는 도면이다. 실시의 형태 3에서는, 비교예에 비해 공진점이 감소하고, 주파수 응답 특성의 하락이 작아지고 있는 것을 알 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시의 형태에서는, 렌즈 캡(19)과 제1 및 제2 금속 블록(3, 5)이 접하여, 실시의 형태 2보다 그라운드가 강화된다. 이 때문에, 공진점이 감소하고, 주파수 응답 특성이 개선되고, 광대역화가 가능해진다. 따라서, 렌즈 캡(19)의 외형을 크게 하지 않고, 양호한 광 파형을 얻을 수 있다.
실시의 형태 4.
도 19는, 실시의 형태 4에 따른 광 반도체 장치를 나타내는 단면도이다. 렌즈 캡(19)의 렌즈가 평판 유리(20)이다. 이 때문에, 렌즈와 반도체 광 변조 소자(13)의 위치 관계가 어긋났다고 해도, 초점 거리 또는 결합 효율 등의 광학 특성에 영향이 없기 때문에, 렌즈 캡(19)의 구조 편차와 실장 정밀도를 완화할 수 있다. 그 외의 구성 및 효과는 실시의 형태 1과 마찬가지이다.
또, 실시의 형태 2, 3에 평판 유리(20)를 적용할 수도 있다. 이 경우, 제1 및 제2 금속 블록(3, 5) 중 적어도 한쪽과 렌즈 캡(19)이 접하고 있지만, 광축 차이의 영향을 무시할 수 있다. 또, 귀환 광 또는 에탈론 효과의 방지를 위해, 평판 유리(20)의 두께를 기울어지게 하거나 또는 두께에 각도를 부여하여 렌즈 캡(19)에 접합해도 좋다.
1 금속 스템, 2 리드핀, 3 제1 금속 블록, 4 온도 제어 모듈, 5 제2 금속 블록, 6 제1 유전체 기판, 7 제2 유전체 기판, 8 제1 신호 선로, 10 제2 신호 선로, 13 반도체 광 변조 소자, 14 접속 부재, 15 본딩 와이어, 16 본딩 와이어, 19 렌즈 캡, 20 평판 유리

Claims (6)

  1. 금속 스템과,
    상기 금속 스템을 관통하는 리드핀과,
    상기 금속 스템의 상면에 실장된 제1 금속 블록과,
    상기 제1 금속 블록의 측면에 실장된 제1 유전체 기판과,
    상기 제1 유전체 기판에 형성된 제1 신호 선로와,
    상기 금속 스템의 상기 상면에 실장된 온도 제어 모듈과,
    상기 온도 제어 모듈 위에 실장된 제2 금속 블록과,
    상기 제2 금속 블록의 측면에 실장된 제2 유전체 기판과,
    상기 제2 유전체 기판에 형성된 제2 신호 선로와,
    상기 제2 유전체 기판에 실장된 반도체 광 변조 소자와,
    상기 리드핀과 상기 제1 신호 선로의 일단을 접속하는 접속 부재와,
    상기 제1 신호 선로의 타단과 상기 제2 신호 선로의 일단을 접속하는 제1 본딩 와이어와,
    상기 제2 신호 선로의 타단과 상기 반도체 광 변조 소자를 접속하는 제2 본딩 와이어와,
    상기 금속 스템의 상기 상면에 접합되고, 상기 금속 스템에 전기적으로 접속되고, 상기 제1 및 제2 금속 블록, 상기 제1 및 제2 유전체 기판, 상기 온도 제어 모듈, 상기 제1 및 제2 신호 선로, 상기 반도체 광 변조 소자, 상기 접속 부재, 및 상기 제1 및 제2 본딩 와이어를 기밀 밀봉하는 렌즈 캡을 구비하고,
    상기 제1 금속 블록과 상기 렌즈 캡의 내벽과의 최소 거리가 0.37mm보다 작고,
    상기 제2 금속 블록과 상기 렌즈 캡의 상기 내벽과의 최소 거리가 1.36mm보다 작은 것을 특징으로 하는
    광 반도체 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 렌즈 캡의 상기 내벽의 일부가 상기 제1 금속 블록을 향해 돌출하고 있는 것을 특징으로 하는 광 반도체 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 렌즈 캡의 상기 내벽의 일부가 상기 제1 및 제2 금속 블록을 향해 돌출하고 있는 것을 특징으로 하는 광 반도체 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 금속 블록은 상기 렌즈 캡의 상기 내벽에 접하는 것을 특징으로 하는 광 반도체 장치.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 금속 블록은 상기 렌즈 캡의 상기 내벽에 접하는 것을 특징으로 하는 광 반도체 장치.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 렌즈 캡의 렌즈가 평판 유리인 것을 특징으로 하는 광 반도체 장치.
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