KR20230157866A - 세정제 조성물 및 세정 방법 - Google Patents

Abstract

[과제] 세정성이 우수하고 구리 산화막을 제거 할 수 있는 신규한 세정제 조성물을 제공하는 것.
[해결수단] 글리콜에테르(A1) 및 벤질알코올(A2)로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 비할로겐계 유기 용제(A), 3-아미노-4-옥탄올(B) 및 필요에 따라 물(C)을 포함하고, 각 성분의 함유 비율은 (A)성분이 70 ~ 99.9질량%, (B)성분이 0.1 ~ 25질량%, (C)성분이 0 ~ 15 질량%인 세정제 조성물.

Description

세정제 조성물 및 세정 방법{Cleaning composition and cleaning method}

본 발명은 세정제 조성물 및 세정 방법에 관한 것이다.

종래, 각종 전자 부품이나 합금제 부품 단체(單體)를 세정할 때에는 트리클로로에틸렌, 퍼클로로에틸렌, 염화메틸렌, 푸론 등의 할로겐화 탄화수소계 용제가 사용되어 왔다. 그러나, 이들 용제는 인체에 대한 독성, 대기 오염이나 토양 오염 등의 환경 문제의 이유로 현재는 그 사용이 제한되어 있기 때문에 그 대신에 비할로겐계 세정제로서 탄화수소계 세정제, 글리콜계 세정제, 및 벤질알코올계 세정제 등이 제안되어 있다(특허문헌 1, 2 참조).

글리콜계 세정제는 각종 글리콜계 화합물(글리콜, 글리콜에테르)을 주성분으로 하는 세정제이며, 플럭스, 이온 잔사, 금속에 부착된 오일 등의 제거성이 우수한 것으로 여겨진다. 또한, 이들은 일반적으로 인화점이 없거나, 매우 높고, 비위험물이기 때문에 방폭 설계된 세정 장치가 필요하지 않은 점에서도 우수하다.

[특허문헌 1] 일본 특허 공개 평10-046198호 공보 [특허문헌 2] 일본 특허 공개 제2009-190089호 공보

그러나, 본 발명자들이 검토한 바, 글리콜계 세정제를 사용하여 세정하면 세정성이 충분하지 않은 경우가 있었다.

또한, 회로 기판의 구리 전극면에 전자 부품을 납땜할 때, 열에 의해 구리 표면에 산화막(구리 산화막)이 형성되면, 납땜 및 세정의 후공정에 있어서, 와이어 본딩 접합 불량, 밀봉 수지의 밀착 불량의 원인이 되기 때문에 구리 산화막을 제거할 필요가 있지만, 공지된 세정제로는 이 구리 산화막을 충분히 제거하는 것이 곤란하였다.

본 발명은 세정성이 우수하고 구리 산화막을 제거할 수 있는 신규한 세정제 조성물을 제공하는 것을 과제로 한다.

본 발명자들은 상기 과제를 달성하기 위해 예의 검토를 거듭한 결과, 소정의 비할로겐계 유기 용제, 3-아미노-4-옥탄올, 및 필요에 따라 물을 특정의 질량비로 포함하는 세정제 조성물에 의해 상기 과제를 해결할 수 있다는 것을 발견하였다. 즉, 본 발명은 이하의 세정제 조성물 및 세정 방법에 관한 것이다.

1. 글리콜에테르(A1) 및 벤질알코올(A2)로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종인 비할로겐계 유기용제(A),

3-아미노-4-옥탄올(B) 및

필요에 따라 물(C)을 포함하며,

각 성분의 함유 비율은 (A)성분이 70 ~ 99.9질량%, (B)성분이 0.1 ~ 25질량%, (C)성분이 0 ~ 15질량%인

세정제 조성물.

2. (A1)성분이 하기 일반식 (1)로 표시되는 화합물인, 상기 항 1에 기재된 세정제 조성물.

[화학식 1]

(식 (1) 중, R¹은 탄소수 1 ~ 6의 알킬기, 페닐기, 벤질기를, R²는 메틸기 또는 수소 원자를, X¹은 탄소수 1 ~ 4의 알킬기 또는 수소 원자를, a는 1 ~ 4의 정수를 나타낸다.)

3. 계면 활성제를 더 포함하는, 상기 항 1 또는 2에 기재된 세정제 조성물.

4. 상기 계면활성제의 함유량이 세정제 조성물 100질량%에 대하여 0 ~ 15질량%인, 상기 항 3에 기재된 세정제 조성물.

5. 아민계 화합물(단, (B)성분은 포함하지 않음)을 더 포함하는, 상기 항 1 또는 2에 기재된 세정제 조성물.

6. 플럭스 잔사 제거용인, 상기 항 1 ~ 상기 항 5 중 어느 한 항에 기재된 세정제 조성물.

7. 세정 대상이 부착된 피세정물을, 상기 항 1 ~ 상기 항 5 중 어느 한 항에 기재된 세정제 조성물과 접촉시켜 세정 대상을 제거하는 공정을 포함하는 세정 방법.

본 발명의 세정제 조성물은 세정성이 우수한 것으로, 특히 플럭스, 이온 잔사, 금속에 부착된 오일 등의 각종 공업 오염에 대한 세정성이 우수하다. 또한, 상기 세정제 조성물은 회로 기판의 구리 전극면 등에 형성된 구리 산화막을 충분히 제거할 수 있다.

[세정제 조성물]

본 발명의 세정제 조성물은 소정의 비할로겐계 유기 용제(A)(이하, (A)성분이라고 함) 및 3-아미노-4-옥탄올(B)(이하, (B)성분이라고 함)를 특정 질량비로 포함하는 조성물이다.

<비할로겐계 유기 용제(A)>

(A)성분은 글리콜에테르(A1)(이하, (A1)성분이라고 함) 및 벤질알코올(A2)(이하, (A2)성분이라고 함)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종이면 특별히 한정되지 않고, 각종 공지의 것을 사용할 수 있다. (A)성분은 1종을 단독으로, 또는 2종 이상을 병용해도 된다.

(글리콜에테르(A1))

(A1)성분은 글리콜에테르이면 특별히 한정되지 않고, 각종 공지된 것을 사용할 수 있다. (A1)성분은 1종을 단독으로, 또는 2종 이상을 병용해도 된다.

(A1)성분은 예를 들면, 지방족 글리콜에테르, 방향족 글리콜에테르 등을 들 수 있다. 지방족 글리콜에테르, 방향족 글리콜에테르는 특별히 한정되지 않고, 각종 공지의 것을 사용할 수 있다.

(A1)성분은 세정제 조성물의 세정성이 우수한 점에서, 하기 일반식 (1)로 표시되는 화합물이 바람직하다.

(식 (1) 중, R¹은 탄소수 1 ~ 6의 알킬기, 페닐기, 벤질기를, R²는 메틸기 또는 수소 원자를, X¹은 탄소수 1 ~ 4의 알킬기 또는 수소 원자를, a는 1 ~ 4의 정수를 나타낸다.)

상기 일반식(1)로 표시되는 화합물로서는 예를 들어 에틸렌글리콜모노알킬에테르, 디에틸렌글리콜모노알킬에테르, 트리에틸렌글리콜모노알킬에테르, 프로필렌글리콜모노알킬에테르, 디프로필렌글리콜모노알킬에테르, 트리프로필렌글리콜모노알킬에테르, 에틸렌글리콜디알킬에테르, 디에틸렌글리콜디알킬에테르, 트리에틸렌글리콜디알킬에테르, 프로필렌글리콜디알킬에테르, 디프로필렌글리콜디알킬에테르, 트리프로필렌글리콜디알킬에테르, 에틸렌글리콜모노페닐에테르, 프로필렌글리콜모노페닐에테르, 에틸렌글리콜디페닐에테르, 디에틸렌글리콜모노페닐에테르, 에틸렌글리콜모노벤질에테르, 에틸렌글리콜디벤질에테르, 디에틸렌글리콜모노벤질에테르 등을 들 수 있다.

상기 에틸렌글리콜모노알킬에테르는 예를 들어, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노n-프로필에테르, 에틸렌글리콜모노이소프로필에테르, 에틸렌글리콜모노n-부틸에테르, 에틸렌글리콜모노이소부틸에테르, 에틸렌글리콜모노-t-부틸에테르, 에틸렌글리콜모노n-펜틸에테르, 에틸렌글리콜모노n-헥실에테르 등을 들 수 있다.

상기 디에틸렌글리콜모노알킬에테르는 예를 들면, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노n-프로필에테르, 디에틸렌글리콜모노이소프로필에테르, 디에틸렌글리콜모노n-부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노이소부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노-t-부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노 n-펜틸 에테르, 디에틸렌글리콜모노 n-헥실에테르 등을 들 수 있다.

상기 트리에틸렌글리콜모노알킬에테르는 예를 들면, 트리에틸렌글리콜모노메틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노에틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노n-프로필에테르, 트리에틸렌글리콜모노이소프로필에테르, 트리에틸렌글리콜모노n-부틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노이소부틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노-t-부틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노n-펜틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노n-헥실에테르 등을 들 수 있다.

상기 프로필렌글리콜모노알킬에테르는 예를 들면, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노n-프로필에테르, 프로필렌글리콜모노이소프로필에테르, 프로필렌글리콜모노n-부틸에테르, 프로필렌글리콜모노이소부틸에테르, 프로필렌글리콜모노-t-부틸에테르, 프로필렌글리콜모노n-펜틸에테르, 프로필렌글리콜모노n-헥실에테르 등을 들 수 있다.

상기 디프로필렌글리콜모노알킬에테르는 예를 들면, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노에틸에테르, 디프로필렌글리콜모노 n-프로필에테르, 디프로필렌글리콜모노이소프로필에테르, 디프로필렌글리콜모노 n-부틸에테르, 디프로필렌글리콜모노이소부틸에테르, 디프로필렌글리콜모노-t-부틸에테르, 디프로필렌글리콜모노 n-펜틸에테르, 디프로필렌글리콜모노 n-헥실에테르 등을 들 수 있다.

상기 트리프로필렌글리콜모노알킬에테르는 예를 들어, 트리프로필렌글리콜모노메틸에테르, 트리프로필렌글리콜모노에틸에테르, 트리프로필렌글리콜모노 n-프로필에테르, 트리프로필렌글리콜모노이소프로필에테르, 트리프로필렌글리콜모노 n-부틸에테르, 트리프로필렌글리콜모노이소부틸에테르, 트리프로필렌글리콜모노-t-부틸에테르, 트리프로필렌글리콜모노 n-펜틸에테르, 트리프로필렌글리콜모노 n-헥실에테르 등을 들 수 있다.

상기 에틸렌글리콜디알킬에테르는 예를 들어, 에틸렌글리콜디메틸에테르, 에틸렌글리콜디에틸에테르, 에틸렌글리콜디 n-부틸에테르, 에틸렌글리콜디이소부틸에테르, 에틸렌글리콜디 t-부틸에테르, 에틸렌글리콜에틸메틸에테르, 에틸렌글리콜메틸프로필에테르, 에틸렌글리콜메틸 n-프로필에테르, 에틸렌글리콜메틸이소프로필에테르, 에틸렌글리콜메틸부틸에테르, 에틸렌글리콜메틸이소부틸에테르, 에틸렌글리콜메틸t-부틸에테르, 에틸렌글리콜메틸 n-펜틸에테르, 에틸렌글리콜메틸 n-헥실에테르, 에틸렌글리콜에틸프로필에테르, 에틸렌글리콜에틸 n-프로필에테르, 에틸렌글리콜에틸이소프로필에테르 등을 들 수 있다.

상기 디에틸렌글리콜디알킬에테르는 예를 들어, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜디n-부틸에테르, 디에틸렌글리콜디이소부틸에테르, 디에틸렌글리콜디t-부틸에테르, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르, 디에틸렌글리콜메틸프로필에테르, 디에틸렌글리콜메틸n-프로필에테르, 디에틸렌글리콜메틸이소프로필에테르, 디에틸렌글리콜메틸부틸에테르, 디에틸렌글리콜메틸이소부틸에테르, 디에틸렌글리콜메틸t-부틸에테르, 디에틸렌글리콜에틸프로필에테르, 디에틸렌글리콜에틸n-프로필에테르, 디에틸렌글리콜에틸이소프로필에테르 등을 들 수 있다.

상기 트리에틸렌글리콜디알킬에테르는 예를 들면, 트리에틸렌글리콜디메틸에테르, 트리에틸렌글리콜디에틸에테르, 트리에틸렌글리콜디n-부틸에테르, 트리에틸렌글리콜디이소부틸에테르, 트리에틸렌글리콜디 t-부틸에테르, 트리에틸렌글리콜에틸메틸에테르, 트리에틸렌글리콜메틸프로필에테르, 트리에틸렌글리콜메틸 n-프로필에테르, 트리에틸렌글리콜메틸이소프로필에테르, 트리에틸렌글리콜메틸부틸에테르, 트리에틸렌글리콜메틸이소부틸에테르, 트리에틸렌글리콜메틸t-부틸에테르, 트리에틸렌글리콜메틸n-펜틸에테르, 트리에틸렌글리콜에틸프로필에테르, 트리에틸렌글리콜에틸n-프로필에테르, 트리에틸렌글리콜에틸이소프로필에테르, 트리에틸렌글리콜에틸부틸에테르, 트리에틸렌글리콜에틸이소부틸에테르, 트리에틸렌글리콜에틸t-부틸에테르, 트리에틸렌글리콜에틸n-펜틸에테르 등을 들 수 있다.

상기 프로필렌글리콜디알킬에테르는 예를 들면, 프로필렌글리콜디메틸에테르, 프로필렌글리콜디에틸에테르, 프로필렌글리콜디n-프로필에테르, 프로필렌글리콜디이소프로필에테르, 프로필렌글리콜디n-부틸에테르, 프로필렌글리콜디이소부틸에테르, 프로필렌글리콜디t-부틸에테르, 프로필렌글리콜에틸메틸에테르, 프로필렌글리콜메틸프로필에테르, 프로필렌글리콜메틸n-프로필에테르, 프로필렌글리콜메틸이소프로필에테르, 프로필렌글리콜메틸부틸에테르, 프로필렌글리콜메틸이소부틸에테르, 프로필렌글리콜메틸t-부틸에테르, 프로필렌글리콜에틸프로필에테르, 프로필렌글리콜에틸n-프로필에테르, 프로필렌글리콜에틸이소프로필에테르, 프로필렌글리콜에틸부틸에테르, 프로필렌글리콜에틸이소부틸에테르, 프로필렌글리콜에틸t-부틸에테르 등을 들 수 있다.

상기 디프로필렌글리콜디알킬에테르는 예를 들면, 디프로필렌글리콜디메틸에테르, 디프로필렌글리콜디에틸에테르, 디프로필렌글리콜디n-프로필에테르, 디프로필렌글리콜디이소프로필에테르, 디프로필렌글리콜디n-부틸에테르, 디프로필렌글리콜디이소부틸에테르, 디프로필렌글리콜디t-부틸에테르, 디프로필렌글리콜에틸메틸에테르, 디프로필렌글리콜메틸프로필에테르, 디프로필렌글리콜메틸n-프로필에테르, 디프로필렌글리콜메틸이소프로필에테르, 디프로필렌글리콜메틸부틸에테르, 디프로필렌글리콜메틸이소부틸에테르, 디프로필렌글리콜메틸t-부틸에테르, 디프로필렌글리콜에틸프로필에테르, 디프로필렌글리콜에틸n-프로필에테르, 디프로필렌글리콜에틸이소프로필에테르, 디프로필렌글리콜에틸부틸에테르, 디프로필렌글리콜에틸이소부틸에테르, 디프로필렌글리콜에틸t-부틸에테르 등을 들 수 있다.

상기 트리프로필렌글리콜디알킬에테르는 예를 들어, 트리프로필렌글리콜디메틸에테르, 트리프로필렌글리콜디에틸에테르, 트리프로필렌글리콜디n-프로필에테르, 트리프로필렌글리콜디이소프로필에테르, 트리프로필렌글리콜디n-부틸에테르, 트리프로필렌글리콜디이소부틸에테르, 트리프로필렌글리콜디t-부틸에테르, 트리프로필렌글리콜에틸메틸에테르, 트리프로필렌글리콜메틸프로필에테르, 트리프로필렌글리콜메틸n-프로필에테르, 트리프로필렌글리콜메틸이소프로필에테르, 트리프로필렌글리콜메틸부틸에테르, 트리프로필렌글리콜메틸이소부틸에테르 , 트리프로필렌글리콜메틸t-부틸에테르, 트리프로필렌글리콜에틸프로필에테르, 트리프로필렌글리콜에틸n-프로필에테르, 트리프로필렌글리콜에틸이소프로필에테르, 트리프로필렌글리콜에틸부틸에테르, 트리프로필렌글리콜에틸이소부틸에테르, 트리프로필렌글리콜에틸t-부틸에테르 등을 들 수 있다.

(A1)성분은 세정제 조성물에 있어서의 세정성이 특히 양호하다는 점에서, 에틸렌글리콜모노이소프로필에테르, 에틸렌글리콜모노t-부틸에테르, 에틸렌글리콜모노n-헥실에테르, 디에틸렌글리콜모노이소프로필에테르, 디에틸렌글리콜모노n-부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노이소부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노n-헥실에테르, 디에틸렌글리콜모노페닐에테르, 디에틸렌글리콜모노벤질에테르, 트리에틸렌글리콜모노n-부틸에테르, 프로필렌글리콜모노n-프로필에테르, 프로필렌글리콜모노n-부틸에테르, 디프로필렌글리콜모노n-프로필에테르, 디프로필렌글리콜모노n-부틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르 및 디프로필렌글리콜디메틸에테르로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종이 바람직하다.

(벤질알코올(A2))

(A2)성분은 벤질알코올이면 특별히 한정되지 않고, 각종 공지의 것을 사용할 수 있다.

(A)성분의 함유량은 세정제 조성물 100질량%에 대하여 70 ~ 99.9질량%이다. (A)성분의 함유량이 70 ~ 99.9질량%인 경우, 세정제 조성물은 우수한 세정성을 발휘한다.

(A)성분의 함유량이 세정제 조성물 100질량%에 대하여 70질량% 미만에서는 세정제 조성물에 있어서 충분한 세정성을 발휘할 수 없는 경향이 있다. (A)성분의 함유량은 세정제 조성물에 있어서의 세정성이 우수한 점에서 세정제 조성물 100질량%에 대하여 75 ~ 99.9질량% 정도인 것이 바람직하고, 80 ~ 99.9질량% 정도인 것이 보다 바람직하다.

(A)성분에 있어서 (A1)성분과 (A2)성분을 병용하는 경우, (A1)성분과 (A2)성분의 질량비는 특별히 한정되지 않지만, 세정성의 점에서 20 ~ 80 : 80 ~ 20 정도가 바람직하다.

<3-아미노-4-옥탄올(B)>

(B)성분은 3-아미노-4-옥탄올이면, 각종 공지된 것을 특별히 제한없이 사용할 수 있다. 종래 공지의 세정제에서는 회로 기판의 구리 전극면 등에 형성된 구리 산화막을 충분히 제거하는 것이 곤란했지만, 본 발명자들이 예의 검토한 결과, 세정제 조성물에 있어서 3-아미노-4-옥탄올을 사용함으로써 우수한 세정성을 나타내면서, 구리 산화막을 충분히 제거할 수 있는 것을 발견하였다.

(B)성분의 함유량은 세정제 조성물 100질량%에 대하여 0.1 ~ 25질량%이다. (B)성분의 함유량이 0.1 ~ 25질량%인 경우, 세정제 조성물은 우수한 세정성을 발휘하여 구리 산화막을 충분히 제거할 수 있다.

(B)성분의 함유량이 세정제 조성물 100질량%에 대하여 0.1질량% 미만에서는 세정제 조성물에 있어서 충분한 세정성을 발휘할 수 없고, 구리 산화막을 충분히 제거할 수 없는 경향이 있다. 또한, (B)성분의 함유량이 세정제 조성물 100질량%에 대하여 25질량%를 초과하면, 세정제 조성물에 있어서 충분한 세정성을 발휘할 수 없는 경향이 있다. (B)성분의 함유량은 세정제 조성물에 있어서의 세정성 및 구리 산화막의 제거성이 우수하다는 점에서 세정제 조성물 100질량%에 대하여 0.1 ~ 20질량% 정도인 것이 바람직하고, 0.1 ~ 10질량% 정도인 것이 보다 바람직하다.

(물(C))

상기 세정제 조성물은 임의 성분으로서 물(C)(이하, (C)성분이라고 함)을 포함해도 된다. 상기 세정제 조성물은 (C)성분을 포함함으로써 인화점을 갖지 않고 소방법의 비위험물로 분류되기 때문에 취급이 보다 용이해진다.

(C)성분은 물이면 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 초순수, 순수, 이온 교환수, 정제수 등을 들 수 있다.

(C)성분의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 세정제 조성물에 있어서의 취급성이 우수한 점에서 세정제 조성물 100질량%에 대하여 0 ~ 15질량%인 것이 바람직하고, 동일한 점으로부터 세정제 조성물 100질량%에 대하여 0 ~ 10질량% 정도인 것이 보다 바람직하다. (C)성분의 함유량이 세정제 조성물 100질량%에 대하여 15질량%를 초과하면 세정제 조성물에 있어서 충분한 세정성을 발휘할 수 없는 경향이 있다.

(기타 성분)

상기 세정제 조성물은 본 발명의 효과가 얻어지는 한에 있어서, (A) ~ (C)성분 이외의 성분(이하, 기타 성분이라고 함)을 포함할 수 있다. 기타 성분은 예를 들면, (A)성분 및 (B)성분 이외의 유기 용제, 첨가제 등을 들 수 있다.

상기 유기 용제의 구체예로서는 헥산, 헵탄, 옥탄 등의 탄화수소계 용제, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 3-메톡시디메틸-3-메틸-1-부탄올 등의 알코올계 용제, 아세톤, 메틸에틸케톤 등의 케톤계 용제, 디에틸에테르, 테트라히드로푸란 등의 에테르계 용제, 아세트산에틸, 아세트산메틸 등의 에스테르계 용제, 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논, 1,3-디에틸-2-이미다졸리디논, 1,3-디프로필-2-이미다졸리디논, N-메틸-2-피롤리돈 등의 질소 함유 화합물계 용제 등을 들 수 있다. 상기 유기 용제는 1종을 단독으로, 또는 2종 이상을 조합해도 된다.

상기 첨가제의 구체예로서는 방청제, 계면활성제, 소포제, 산화 방지제, 킬레이트제, 유기산, 아민계 화합물, 유기인계 화합물 등을 들 수 있다. 상기 첨가제는 1종을 단독으로, 또는 2종 이상을 조합해도 된다.

상기 계면활성제는 특별히 한정되지 않고, 각종 공지의 것을 사용할 수 있다. 상기 계면활성제로서는 예를 들면, 비이온성 계면활성제, 음이온성 계면활성제, 양이온성 계면활성제, 양쪽성 계면활성제 등을 들 수 있다. 상기 계면활성제는 1종을 단독으로, 또는 2종 이상을 조합해도 된다.

상기 비이온성 계면활성제는 예를 들면, 일반식 (3): R4-O-(CH2-CH2-O)e-H(식 중, R4는 탄소수 8 ~ 20의 알킬기를, e는 0 ~ 20의 정수를 나타낸다.)로 표시되는 화합물이나, 지방산 아미드의 에틸렌옥사이드 부가물, 소르비탄 지방산 에스테르, 자당 지방산 에스테르, 지방산 알칸올아미드, 이들의 대응하는 폴리옥시프로필렌계 계면활성제, 폴리옥시알킬렌아민계 계면활성제 등을 들 수 있다.

상기 음이온성 계면활성제는 예를 들면, 황산에스테르계 음이온성 계면활성제(고급 알코올의 황산에스테르염, 알킬황산에스테르염, 폴리옥시에틸렌알킬황산에스테르염 등), 술폰산염계 음이온성 계면활성제 (알킬술폰산염, 알킬벤젠술폰산염 등), 폴리옥시알킬렌인산에스테르계 계면활성제 등을 들 수 있다.

상기 양이온성 계면활성제는 예를 들면 알킬화암모늄염, 4급 암모늄염 등을 들 수 있다.

상기 양성 계면활성제는 예를 들면, 아미노산형, 베타인형 양성 계면활성제 등을 들 수 있다.

상기 계면활성제의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 세정제 조성물이 우수한 세정성을 발휘하고, 구리 산화막을 충분히 제거할 수 있다는 점에서 세정제 조성물 100질량%에 대하여 0 ~ 15질량%인 것이 바람직하고, 1 ~ 10질량%인 것이 보다 바람직하다.

상기 킬레이트제로서는 금속 이온에 배위하는 능력을 갖는 금속 킬레이트제이면 특별히 한정되지 않고, 각종 공지의 것을 사용할 수 있다. 상기 킬레이트제는 예를 들면, 카르복실산계 킬레이트제, 아미노산계 킬레이트제, 포스폰산계 킬레이트제, 인산계 킬레이트제, 아미노카르복실산계 킬레이트제, 히드록시카르복실산계 킬레이트제 등을 들 수 있다. 이들 킬레이트제는 나트륨염, 칼륨염, 암모늄염 등의 염이어도 되고, 가수분해 가능한 에스테르 유도체여도 된다. 상기 킬레이트제는 1종을 단독으로, 또는 2종 이상을 조합해도 된다.

상기 카르복실산계 킬레이트제는 예를 들면, 옥살산, 말론산, 숙신산, 글루타르산, 아디프산, 이타콘산, 아세틸살리실산, 프탈산, 트리멜리트산, 시클로펜탄 테트라카르복실산 등을 들 수 있다.

상기 아미노산계 킬레이트제로서는 예를 들면, 글리신, 알라닌, 라이신, 아르기닌, 아스파라긴, 티로신 등을 들 수 있다.

상기 포스폰산계 킬레이트제는 예를 들면, 히드록시에탄디포스폰산, 니트릴로트리스메틸렌포스폰산, N,N,N',N'-테트라키스(포스포노메틸)에틸렌디아민 등을 들 수 있다.

상기 인산계 킬레이트제로서는 예를 들면 오르토인산, 피로인산, 트리인산, 폴리인산 등을 들 수 있다.

상기 아미노카르복실산계 킬레이트제는 예를 들면, 에틸렌디아민테트라아세트산(EDTA), 시클로헥산디아민테트라아세트산(CDTA), 니트릴로3아세트산(NTA), 디에틸렌트리아민5아세트산(DTPA), 이미노디아세트산(IDA), N-(2-히드록시에틸)이미노2아세트산(HIMDA), 히드록시에틸에틸렌디아민3아세트산(HEDTA) 등을 들 수 있다.

상기 히드록시카르복실산계 킬레이트제로서는 예를 들면, 사과산, 시트르산, 이소시트르산, 글리콜산, 글루콘산, 살리실산, 타르타르산, 락트산 등을 들 수 있다.

상기 아민계 화합물로서는 특별히 한정되지 않고, 각종 공지의 것을 사용할 수 있다. 상기 아민계 화합물은 예를 들면, 지방족 아민, 알칸올아민 등을 들 수 있다. 이들 아민계 화합물은 염이어도 된다. 상기 아민계 화합물은 1종을 단독으로, 또는 2종 이상을 조합해도 된다. 또한, 상기 아민계 화합물에는 (B)성분은 포함되지 않는다.

상기 지방족 아민은 예를 들면, 옥틸아민, 데실아민, 도데실아민, 테트라데실아민, 헥사데실아민, 2-에틸헥실아민 등의 1급 지방족 아민, N,N,N',N'-테트라메틸펜타메틸렌디아민, N,N,N',N'-테트라에틸펜타메틸렌디아민, N,N,N',N'-테트라이소프로필펜타메틸렌디아민, N,N,N',N'-테트라-n-프로필펜타메틸렌디아민, N,N,N',N'-테트라메틸헥사메틸렌디아민, N,N,N',N'-테트라에틸헥사메틸렌디아민, N,N,N',N'-테트라이소프로필헥사메틸렌디아민, N,N,N',N'-테트라-n-프로필헥사메틸렌디아민 등의 제3급 디아민; 비스(2-디메틸아미노에틸)에테르, 비스(2-디에틸아미노에틸)에테르, 비스(2-디이소프로필아미노에틸)에테르, 비스(2-디-n-프로필아미노에틸)에테르 등의 디아미노알킬에테르; 1,1,7,7-테트라메틸디에틸렌트리아민, 1,1,7,7-테트라에틸디에틸렌트리아민, 1,1,7,7-테트라이소프로필디에틸렌트리아민, 1,1,7,7-테트라-n-프로필디에틸렌트리아민, N,N,N',N'',N''-펜타메틸디에틸렌트리아민, 4-메틸-1,1,7,7-테트라에틸디에틸렌트리아민, 4-메틸-1,1,7,7-테트라이소프로필디에틸렌트리아민, 4-메틸-1,1,7,7-테트라-n-프로필디에틸렌트리아민 등의 트리아민 등을 들 수 있다.

상기 알칸올아민은 예를 들면, N-메틸메탄올아민, N-에틸메탄올아민, N-n-프로필메탄올아민, N-n-부틸메탄올아민, N-메틸에탄올아민, N-에틸에탄올아민, N-n-프로필에탄올아민, N-이소프로필에탄올아민, N-n-부틸에탄올아민, N-메틸프로판올아민, N-에틸프로판올아민, N-n-프로필프로판올아민, N-이소프로필프로판올아민, N-n-부틸프로판올아민, N-메틸부탄올아민, N-에틸부탄올아민, N-n-프로필부탄올아민, N-이소프로필부탄올아민, N-n-부틸부탄올아민, N,N-디메틸에탄올아민, N,N-디에틸에탄올아민, N,N-디n-프로필에탄올아민, N,N-디n-부틸에탄올아민, N,N-디메틸프로판올아민, N,N-디메틸이소프로판올아민, N,N-디메틸부탄올아민, 디에탄올아민, N-메틸디에탄올아민, N-에틸디에탄올아민, N-n-부틸디에탄올아민, N-t-부틸디에탄올아민, N-시클로헥실디에탄올아민, 트리에탄올아민, 디이소프로판올아민, 트리이소프로판올아민, N-(β-아미노에틸)에탄올아민, N-(β-아미노에틸)이소프로판올아민, N,N-디부틸프로판올아민 등을 들 수 있다.

상기 유기 인계 화합물로서는 특별히 한정되지 않고, 각종 공지의 것을 사용할 수 있다. 상기 유기 인계 화합물은 예를 들면, 인산 에스테르, 아인산 에스테르, 포스폰산 등을 포함한다. 이들 유기 인계 화합물은 염이어도 된다. 상기 유기 인계 화합물은 1종을 단독으로, 또는 2종 이상을 조합해도 된다.

상기 인산 에스테르는 예를 들면, 인산 모노메틸, 인산 디메틸, 인산 트리메틸, 인산 모노에틸, 인산 디에틸, 인산 트리에틸, 인산 모노프로필, 인산 디프로필, 인산 트리프로필, 인산 모노부틸, 인산 디부틸, 인산 트리부틸, 인산 모노헥실, 인산 디헥실, 인산 트리헥실, 인산 모노옥틸, 인산 디옥틸, 인산 트리옥틸, 인산 모노데실, 인산 디데실, 인산 트리데실, 인산 모노운데실, 인산 디운데실, 인산 트리운데실, 인산 모노도데실, 인산 디도데실, 인산 트리도데실, 인산 모노트리데실, 인산 디트리데실, 인산 트리트리데실, 인산 모노스테아릴, 인산 디스테아릴, 인산 트리스테아릴, 인산 모노올레일, 인산디올레일, 인산트리올레일, 인산모노페닐, 인산디페닐, 인산트리페닐 등을 들 수 있다.

상기 아인산 에스테르는 예를 들면, 아인산 모노메틸, 아인산 디메틸, 아인산 트리메틸, 아인산 모노에틸, 아인산 디에틸, 아인산 트리에틸, 아인산 모노프로필, 아인산 디프로필, 아인산 트리프로필, 아인산 모노부틸, 아인산 디부틸, 아인산 트리부틸, 아인산 모노헥실, 아인산 디헥실, 아인산 트리헥실, 아인산 모노옥틸, 아인산 디옥틸, 아인산 트리옥틸, 아인산 모노데실, 아인산 디데실, 아인산 트리데실, 아인산 모노운데실, 아인산 디운데실, 아인산 트리운데실, 아인산 모노도데실, 아인산 디도데실, 아인산 트리도데실, 아인산 모노트리데실, 아인산 디트리데실, 아인산 트리트리데실, 아인산 모노스테아릴, 아인산 디스테아릴, 아인산 트리스테아릴, 아인산 모노올레일, 아인산 디올레일, 아인산 트리올레일, 아인산 모노페닐, 아인산 디페닐, 아인산 트리페닐 등을 들 수 있다.

상기 포스폰산은 예를 들면, 메틸포스폰산, 에틸포스폰산, 프로필포스폰산, 부틸포스폰산, 헥실포스폰산, 옥틸포스폰산, 데실포스폰산, 운데실포스폰산, 도데실포스폰산, 트리데실포스폰산, 스테아릴포스폰산, 올레일포스폰산, 페닐포스폰산 등을 들 수 있다.

상기 세정제 조성물에 있어서, (A) ~ (C)성분, 및 기타 성분의 배합 방법은 특별히 한정되지 않고, 일반적인 액체의 혼합 방법이 사용된다. 구체적인 배합 방법으로서는 교반법을 들 수 있다.

상기 세정제 조성물은 세정 대상별로 분류하면 예를 들면, 플럭스 잔사용 세정제, 납땜용 플럭스용 세정제, 솔더페이스트용 세정제, 공업유용 세정제 등을 들 수 있다. 또, 피세정물별로 분류하면, 예를 들면, 전자 재료용 세정제 등을 들 수 있다.

상기 전자 재료는 포토마스크, 광학 렌즈, 진공 방전관, 터치 패널, 표시 디바이스용 유리 등의 유리 가공품, 메탈 마스크, 팔레트, 프린트 회로 기판, 플렉시블 배선 기판, 세라믹 배선 기판, 반도체 소자, 반도체 패키지, 자기 미디어, 파워 모듈, 카메라 모듈, 리드 프레임, 자기 디스크, 히트 싱크 등의 금속 가공품, 유리 에폭시 기판, 폴리이미드 기판, 종이 페놀 기판, 플라스틱 몰드 부품 등의 수지 가공품, 실리콘(Si), 사파이어(Al₂O₃), 탄화규소(SiC), 다이아몬드(C), 질화갈륨(GaN), 인화 갈륨(GaP), 비화 갈륨(GaAs), 인화 인듐(InP) 등의 웨이퍼 및 이들의 절단(슬라이싱, 다이싱 등), 연삭(백그라인드, 블라스트 등), 모따기(베벨링, 배럴 등), 연마(랩핑, 폴리싱, 버프 등) 가공품, 또한 이들 물품을 가공, 실장, 용접, 세정, 반송할 때 에 사용되는 지그, 캐리어, 매거진 등이 예시된다.

[세정 대상]

본 발명의 세정제 조성물에 있어서의 세정 대상은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 납땜용 플럭스, 솔더페이스트, 플럭스 잔사, 공업유, 및 절분 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 납땜용 플럭스, 솔더페이스트 및 플럭스 잔사로 이루어지는 군으로부터 선택되는 일종은 상기 세정제 조성물에서의 세정 대상으로서 적합하다.

본 명세서에 있어서, 「납땜용 플럭스」는 납땜 및 모재(금속 전극 등) 표면의 산화 피막을 제거하고, 양자의 접합을 용이하게 하기 위해서 사용되는 조성물이다. 일반적으로는 베이스 수지, 활성제 및 유기 용제를 포함하고, 필요에 따라 틱소트로픽제, 산화 방지제, 기타 첨가제를 포함하고 있어도 된다. 또한, 납땜용 플럭스는 그 조성에 따라 솔더페이스트용 플럭스와, 실솔더(wire solder)용 플럭스, 포스트 플럭스 및 프리플럭스 등의 비솔더페이스트용 플럭스로 분류된다.

상기 베이스 수지는 예를 들면, 로진계 베이스 수지, 및 비로진계 베이스 수지 등을 들 수 있다. 상기 로진계 베이스 수지는 예를 들면, 천연 로진, 로진 유도체, 및 이들의 정제물 등을 들 수 있다. 천연 로진의 예는 검 로진, 톨유 로진 및 우드 로진 등을 포함한다. 로진 유도체는 예를 들어 천연 로진의 수소화물 및 불균질물; 중합 로진, 불포화 산 변성 로진, 로진 에스테르, 수소화 불포화 산 변성 로진 등을 들 수 있다. 상기 중합 로진, 상기 불포화 산 변성 로진 및 상기 로진 에스테르는 상기 천연 로진, 또는 상기 천연 로진의 수소화물 혹은 불균화물 등을 사용하여 제조할 수 있다. 상기 로진 에스테르를 구성하는 다가 알코올로서는 글리세린, 펜타에리트리톨 등이 예시된다. 상기 불포화산 변성 로진을 구성하는 불포화 산은 아크릴산, 푸마르산, 말레산 등이 예시된다. 비로진계 베이스 수지는 예를 들면, 에폭시 수지, 아크릴 수지, 폴리이미드 수지, 나일론 수지, 폴리아크릴로니트릴 수지, 염화비닐 수지, 아세트산비닐 수지, 폴리올레핀 수지, 불소계 수지, ABS 수지, 이소프렌 고무, 스티렌부타디엔 고무(SBR), 부타디엔 고무(BR), 클로로프렌 고무, 나일론 고무, 나일론계 엘라스토머, 폴리에스테르계 엘라스토머 등을 들 수 있다.

상기 활성제는 예를 들면, 숙신산, 아디프산, 아젤라산, 글루타르산, 세바스산, 도데칸2산, 다이머산, 푸마르산, 말레산, 이타콘산, trans-2,3-디브로모-1,4- 부텐디올, cis-2,3-디브로모-1,4-부텐디올, 3-브로모프로피온산, 2-브로모발레르산, 5-브로모-n-발레르산, 2-브로모이소발레르산, 에틸아민 브롬산염, 디에틸아민 브롬산염, 디에틸아민 염화수소산염, 메틸아민 브롬산 등을 들 수 있다.

상기 유기 용제는 예를 들면, 에탄올, n-프로판올, 이소프로판올, 이소부탄올, 부틸카르비톨, 헥실디글리콜, 헥실카르비톨, 아세트산이소프로필, 프로피온산에틸, 벤조산부틸, 아디프산디에틸, n-헥산, 도데칸, 테트라데센 등을 들 수 있다.

상기 틱소트로픽제는 예를 들어, 해바라기유, 경화 피마자유, 밀로우, 카르나바 왁스, 스테아르산아미드, 12-히드록시스테아르산에틸렌비스아미드 등을 들 수 있다.

상기 산화 방지제는 예를 들면, 펜타에리스리틸-테트라키스[3-(3,5-디-t-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트], 옥타데실-3-(3,5-디-t-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트, N,N'-헥사메틸렌비스(3,5-디-t-부틸-4-히드록시-히드로신남아미드), 1,3,5-트리메틸-2,4,6-트리스(3,5-디-t-부틸-4-하이드록시벤질)벤젠, 2,6-디-t-부틸-p-크레졸, 트리페닐포스파이트, 트리에틸포스파이트, 트리라우릴트리티오포스파이트, 트리스(트리데실)포스파이트 등을 들 수 있다.

상기 기타 첨가제는 예를 들면, 곰팡이방지제, 광택제거제, 증점 방지제, 계면활성제 등을 들 수 있다.

본 명세서에서 「솔더 페이스트」는 납땜용 플럭스 및 납땜 분말의 혼합물이다. 납땜 분말은 예를 들면, Sn-Ag계, Sn-Cu계, Sn-Sb계, Sn-Zn계의 무연 납땜 분말, 또한 납을 구성 성분으로 하는 납 함유 납땜 분말을 들 수 있다. 또한, 이들 솔더 금속은 Ag, Al, Au, Bi, Co, Cu, Fe, Ga, Ge, In, Ni, P, Pt, Sb, Zn의 1종 또는 2종 이상의 원소가 도핑된 것이어도 된다. 솔더페이스트는 스크린 인쇄에 의해 금속 마스크를 통해 전극 상에 공급되고, 그 위에 전자 부품이 탑재된 후에 가열 하에서 납땜이 행하여진다.

상기 납땜용 플럭스 또는 솔더 페이스트가 부착된 물품은 스크린 인쇄용의 메탈 마스크, 스퀴지, 디스펜스 방식용의 노즐, 주사기, 및 기판 고정용의 지그 등이 예시된다.

상기 플럭스 잔사는 솔더 페이스트, 실 납땜, 납땜용 플럭스, 프리플럭스, 포스트 플럭스 등을 이용하여 전자 부품 등을 전극에 접합한 후에 생기는 잔사이다. 플럭스 잔사는 납땜 금속 및 모재를 부식하거나 기판의 절연 저항을 저하시키기 때문에 세정에 의해 제거할 필요가 있다.

상기 플럭스 잔사가 부착된 물품은 예를 들면, 프린트 회로 기판, 세라믹 배선 기판, 반도체 소자 탑재 기판, 웨이퍼, TAB 테이프, 리드 프레임, 파워 모듈, 및 카메라 모듈 등을 들 수 있다. 또한, 대응하는 것에 대해서는 IC, 콘덴서, 저항기, 다이오드, 트랜지스터, 코일, 및 CSP 등의 전자 부품이 납땜되어 있거나, BGA, PGA, 및 LGA 등이 형성되어 있거나, 납땜 레벨링 등의 전처리가 실시되어 있어도 된다.

상기 공업유는 예를 들면, 가공유, 절삭유, 광물유, 기계유 그리스, 윤활유, 방청유, 왁스, 피치, 파라핀, 유지, 그리스 등을 들 수 있다. 이들은 기계가공, 금속가공 등의 분야에서 재료와 공구간의 마찰을 저감하여 눌러붙음을 방지하거나, 가공에 필요한 힘을 저감하여 형성하기 쉽게 하거나, 제품의 녹이나 부식을 방지하는 등을 위해 사용된다.

상기 공업유가 부착된 물품은 예를 들면, 볼트, 너트, 페룰, 및 와셔 등의 성형 부품을 비롯하여 엔진 피스톤 등의 자동차 부품, 기어, 샤프트, 스프로킷, 및 체인 등의 산업 기계 부품, HDD용 파트, 리드 프레임 등의 전자 부품 등을 들 수 있다.

그 밖의 세정 대상은 예를 들면, 프린트 회로 기판, 세라믹 배선 기판, 반도체 소자 탑재 기판, 커버 유리, 및 웨이퍼 등을 다이싱 가공했을 때에 생기는 절삭분 등을 들 수 있다.

[세정 방법]

상기 세정제 조성물을 사용하여 상기 세정 대상이 부착된 피세정물을 세정하는 방법은 특별히 한정되지 않고, 각종 공지의 방법을 적용할 수 있다. 구체적으로는 예를 들어 세정 공정, 물헹굼 공정 및 건조 공정을 포함하는 세정 방법을 들 수 있다.

상기 세정 공정이란 상기 세정제 조성물에 피세정물을 접촉시켜 세정 대상을 제거하는 공정이다. 상기 물헹굼 공정이란 피세정물을 헹굼수와 접촉시켜 피세정물에 부착된 세정제 조성물을 제거하는 공정이다. 상기 건조 공정이란 피세정물에 부착된 헹굼수를 제거하는 공정이다.

피세정물에 상기 세정제 조성물 및 헹굼수를 접촉시키는 수단은 특별히 한정되지 않고, 각종 공지의 방법을 채용할 수 있다. 예를 들면, 스프레이 장치를 사용하여 세정제 조성물이나 헹굼수를 피세정물에 스프레이로 분사하는 방법(일본 특허 공개 제2007-096127호 공보 참조), 세정제 조성물에 피세정물을 침지하여 초음파 세정하는 방법, 직통식 세정장치(등록상표 「다이렉트패스」, 아라카와화학공업(주) 제조, 일본 특허 제2621800호 등)를 사용하는 방법 등을 들 수 있다.

상기 물헹굼 공정은 복수회 반복하여 행해도 된다. 예를 들면, 상기 피세정물에 대하여 예비 헹굼 처리한 후, 추가로 마무리의 헹굼 처리를 행함으로써 피세정물 표면에 부착된 세정제 조성물을 효과적으로 제거할 수 있다.

예비 헹굼 처리는 순수 등을 이용한 종래의 예비 헹굼 처리의 방법 등으로 행할 수 있다. 마무리 헹굼 처리는 종래 공지의 방법에 따라 행할 수 있고, 예를 들면 예비 헹굼 처리물에 대하여 순수 등을 사용하여 처리하는 방법 등을 들 수 있다.

[실시예]

이하, 실시예를 들어 본 발명을 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 또한 실시예 중, 「%」 및 「부」는 특별히 언급하지 않는 한 「질량%」, 「질량부」를 의미한다.

[세정제 조성물의 조제]

실시예 1

디프로필렌글리콜모노부틸에테르 92부((A)성분), 3-아미노-4-옥탄올 3부((B)성분) 및 물 5부((C)성분)를 혼합하여 세정제 조성물을 조제했다.

실시예 2 ~ 35 및 비교예 1 ~ 12

실시예 1에 있어서, 세정제 조성물의 각 성분을 표 1 ~ 3에 나타내는 것으로 변경한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 조제하였다. 또한, 표 1 ~ 3 중의 값의 단위는 질량부이다.

표 1 ~ 3 중의 각 성분의 약칭은 표 4에 나타내는 바와 같다.

실시예 1 ~ 35 및 비교예 1 ~ 12에서 얻어진 세정제 조성물을 사용하여 세정성 및 구리 산화막 제거성의 평가를 행하였다. 결과를 표 1 ~ 3에 나타낸다.

<세정성의 평가>

(세정성 시험의 테스트피스의 제작)

유리 에폭시 구리부착 적층판(50×50×두께 1.0 mm)의 구리 패턴 위에, 메탈 마스크를 이용하여 시판의 무연 할로겐프리 솔더페이스트(상품명 「에코솔더페이스트 M705-S70G-HF Type4」, 센쥬금속공업(주) 제조)를 인쇄하고, 이하의 프로파일로 리플로우함으로써 플럭스가 부착된 시험 기판을 제작하였다.

(시험 기판의 리플로우 프로파일)

분위기: 공기

승온 속도: 1℃/초

피크 온도: 240℃, 10초

(세정성 시험)

상기 시험 기판을 사용하여 이하의 세정 및 물 헹굼의 조건으로 기중샤워법에 의한 세정성 시험을 행하였다. 액온이 60℃인 실시예 1 ~ 35 및 비교예 1 ~ 12에서 얻어진 세정제 조성물에 시험 기판을 접촉시켜 1분간 세정을 행했다. 이어서, 액온이 25℃인 헹굼수에 시험 기판을 접촉시켜 1분간 전 헹굼을 행하였다. 또한, 이온 교환수의 유수로 1분간 마무리 헹굼을 행하였다. 그 후, 시험 기판을 1분간 에어블로우하고, 수분을 제거하여 건조를 행하였다. 건조한 후의 시험 기판 표면을 이하의 판정 기준에 기초하여 육안 판정하고 세정성을 평가하였다.

○: 플럭스를 양호하게 제거할 수 있었다(플럭스 잔사의 표면적은 0%).

△: 약간 플럭스가 잔존하였다(플럭스 잔사의 표면적은 0%를 초과하고 10% 이하).

×: 상당한 플럭스가 잔존하였다(플럭스 잔사의 표면적은 10%를 초과함).

(기중샤워법에 의한 세정 및 물헹굼의 조건)

유량: 2.3L/분

압력: 0.1MPa

분사 노즐과 시험 기판의 거리: 50mm

<구리산화막 제거성의 평가>

(구리산화막 제거성 평가용의 시험 기판의 제작)

인탈산 구리판(C1220P, 50mm×50mm×두께 0.3mm)을 170℃의 순풍 건조기 내에서 10분간 가열함으로써 구리산화막이 형성된 시험 기판을 제작했다.

(구리 산화막 제거성 시험)

상기 시험 기판을 이용하여 침지 교반에 의한 구리 산화막 제거 시험을 행했다. 액온이 60℃인 실시예 1 ~ 35 및 비교예 1 ~ 12에서 얻어진 세정제 조성물에 구리산화막 제거성 평가용의 시험 기판을 10분간 접촉시켜 세정을 행했다. 이어서, 액온이 25℃인 이온 교환수에 시험 기판을 10분간 접촉시켜 전 헹굼을 행하였다. 또한, 이온 교환수의 유수로 1 분간 마무리 헹굼을 행하였다. 그 후, 시험 기판을 1분간 에어블로우하고, 수분을 제거하여 건조를 행하였다. 건조한 후의 시험 기판 표면을 이하의 판정 기준에 기초하여 육안 판정하고 구리 산화막 제거성을 평가하였다.

○: 구리 산화막을 제거할 수 있었다.

×: 구리 산화막이 잔존하였다.

Claims (7)

1. 글리콜에테르(A1) 및 벤질알코올(A2)로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종인 비할로겐계 유기용제(A),
   3-아미노-4-옥탄올(B), 및
   필요에 따라 물(C)을 포함하며,
   각 성분의 함유 비율은 (A)성분이 70 ~ 99.9질량%, (B)성분이 0.1 ~ 25질량%, (C)성분이 0 ~ 15질량%인
   세정제 조성물.
2. 청구항 1에 있어서, (A1)성분이 하기 일반식 (1)로 표시되는 화합물인 세정제 조성물.
   [화학식 1]
   
   (식 (1) 중, R¹은 탄소수 1 ~ 6의 알킬기, 페닐기, 벤질기를, R²는 메틸기 또는 수소 원자를, X¹은 탄소수 1 ~ 4의 알킬기 또는 수소 원자를, a는 1 ~ 4의 정수를 나타낸다.)
3. 청구항 1에 있어서, 계면 활성제를 더 포함하는 세정제 조성물.
4. 청구항 3에 있어서, 상기 계면활성제의 함유량이 세정제 조성물 100질량%에 대하여 0 ~ 15질량%인 세정제 조성물.
5. 청구항 1에 있어서, 아민계 화합물(단, (B)성분은 포함하지 않음)을 더 포함하는 세정제 조성물.
6. 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서, 플럭스 잔사 제거용인 세정제 조성물.
7. 세정 대상이 부착된 피세정물을, 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 기재된 세정제 조성물과 접촉시켜 세정 대상을 제거하는 공정을 포함하는 세정 방법.