KR20230150115A - Semiconductor strip grinding method and apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명의 실시예들은 반도체 스트립 연삭 방법 및 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 다이 본딩 공정과 몰딩 공정에 의해 제조된 반도체 스트립의 보호 몰딩층을 연삭하여 상기 반도체 스트립의 두께를 감소시키는 반도체 스트립 연삭 방법 및 이를 수행하기 위한 장치에 관한 것이다.Embodiments of the present invention relate to a method and apparatus for grinding a semiconductor strip. More specifically, it relates to a semiconductor strip grinding method for reducing the thickness of a semiconductor strip by grinding the protective molding layer of the semiconductor strip manufactured by a die bonding process and a molding process, and an apparatus for performing the same.
반도체 스트립은 인쇄회로기판 또는 리드 프레임과 같은 기판 상에 반도체 다이를 본딩하는 다이 본딩 공정과 상기 반도체 다이를 에폭시 수지와 같은 몰딩 수지를 이용하여 패키징하는 몰딩 공정을 통해 제조될 수 있으며, 상기 반도체 스트립을 절단하여 개별화하고 양불 판정을 통해 분류하는 절단 및 분류 공정을 통해 반도체 패키지들이 제조될 수 있다.The semiconductor strip can be manufactured through a die bonding process of bonding a semiconductor die on a substrate such as a printed circuit board or lead frame and a molding process of packaging the semiconductor die using a molding resin such as an epoxy resin, and the semiconductor strip Semiconductor packages can be manufactured through a cutting and sorting process that cuts, individualizes, and sorts through pass/fail judgment.
반도체 스트립 연삭 장치는 상기와 같이 제조된 반도체 스트립의 두께를 기 설정된 두께로 감소시키기 위하여 상기 몰딩 수지로 이루어지는 보호 몰딩층의 표면 부위를 연삭하여 제거하는데 사용될 수 있다. 상기 반도체 스트립 연삭 장치는 상기 반도체 스트립을 지지하기 위한 척 테이블과 상기 반도체 스트립의 표면 부위를 연삭하여 제거하기 위한 연삭 모듈을 포함할 수 있다.The semiconductor strip grinding device may be used to grind and remove the surface portion of the protective molding layer made of the molding resin in order to reduce the thickness of the semiconductor strip manufactured as described above to a preset thickness. The semiconductor strip grinding device may include a chuck table for supporting the semiconductor strip and a grinding module for grinding and removing a surface portion of the semiconductor strip.
상기 반도체 스트립에 대한 연삭 공정은 상기 반도체 스트립의 표면 부위를 기 설정된 두께만큼 빠르게 거칠게 절삭하는 황삭 공정과 상기 황삭 공정을 수행한 후 상기 반도체 스트립을 목표 두께로 가공하기 위하여 상기 반도체 스트립의 표면 부위를 정밀하게 절삭하는 정삭 공정으로 구분될 수 있다. 그러나, 상기 정삭 공정 뿐만 아니라 상기 황삭 공정의 경우에도 주로 연삭 숫돌들의 하부면을 이용하여 연삭을 수행하므로 기 설정된 황삭 두께만큼 상기 반도체 스트립의 표면 부위를 절삭하기 위해서는 기 설정된 황삭 두께를 여러 차례로 나누어 황삭 공정을 여러 번 반복적으로 수행할 필요가 있으며, 이에 따라 상기 연삭 공정에 소요되는 전체 시간을 단축시키는데 한계가 있다. 또한, 황삭 단계를 여러 번 반복적으로 수행하는 경우 상기 연삭 숫돌들의 하부면 마모가 증가하고 아울러 상기 연삭 숫돌들의 하부면에 이물질이 누적되어 후속하는 정삭 공정에서 상기 반도체 스트립의 표면 품질이 저하될 수 있다.The grinding process for the semiconductor strip includes a roughing process in which the surface area of the semiconductor strip is quickly and roughly cut to a preset thickness, and after performing the roughing process, the surface area of the semiconductor strip is cut in order to process the semiconductor strip to a target thickness. It can be divided into a finishing process that involves precise cutting. However, in the case of the roughing process as well as the finishing process, grinding is mainly performed using the lower surfaces of grinding stones. Therefore, in order to cut the surface area of the semiconductor strip by the preset roughing thickness, the preset roughing thickness is divided into several times and roughing is performed. The process needs to be performed repeatedly several times, and accordingly, there is a limit to shortening the total time required for the grinding process. In addition, when the roughing step is repeatedly performed several times, wear of the lower surfaces of the grinding wheels increases and foreign matter accumulates on the lower surfaces of the grinding stones, which may deteriorate the surface quality of the semiconductor strip in the subsequent finishing process. .
본 발명의 실시예들은 연삭 공정에 소요되는 시간을 단축시킬 수 있는 반도체 스트립 연삭 방법과 이를 수행하는데 적합한 반도체 스트립 연삭 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.The purpose of embodiments of the present invention is to provide a semiconductor strip grinding method that can shorten the time required for the grinding process and a semiconductor strip grinding device suitable for performing the same.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 반도체 스트립 연삭 방법은, 반도체 스트립을 척 테이블 상에 진공 흡착시키는 단계와, 연삭 숫돌들이 하부면에 장착된 연삭 휠을 회전시키는 단계와, 상기 척 테이블을 회전시키면서 상기 연삭 휠의 가장자리 부위가 상기 척 테이블의 중심 부위의 상부에 위치될 때까지 상기 척 테이블을 수평 방향으로 이동시켜 상기 반도체 스트립의 표면 부위를 가장자리 부위로부터 중심 부위를 향하여 기 설정된 황삭 두께만큼 연삭하는 단계를 포함할 수 있다.A semiconductor strip grinding method according to an aspect of the present invention for achieving the above object includes the steps of vacuum adsorbing a semiconductor strip on a chuck table, rotating a grinding wheel on which grinding stones are mounted on the lower surface of the chuck, While rotating the table, the chuck table is moved in the horizontal direction until the edge of the grinding wheel is located above the center of the chuck table, and the surface of the semiconductor strip is subjected to a preset roughing process from the edge to the center. It may include the step of grinding to the thickness.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 측면에 따른 반도체 스트립 연삭 방법은, 복수의 반도체 스트립들을 척 테이블 상에 진공 흡착시키는 단계와, 연삭 숫돌들이 하부면에 장착된 연삭 휠을 회전시키는 단계와, 상기 척 테이블을 회전시키면서 상기 연삭 휠의 가장자리 부위가 상기 척 테이블의 중심 부위의 상부에 위치될 때까지 상기 척 테이블을 수평 방향으로 이동시켜 상기 반도체 스트립들의 표면 부위를 상기 척 테이블의 가장자리 부위에 인접한 일측 부위로부터 상기 척 테이블의 중심 부위에 인접한 타측 부위를 향하여 기 설정된 황삭 두께만큼 연삭하는 단계를 포함할 수 있다.A semiconductor strip grinding method according to another aspect of the present invention for achieving the above object includes vacuum adsorbing a plurality of semiconductor strips on a chuck table, rotating a grinding wheel on which grinding stones are mounted on the lower surface, While rotating the chuck table, the chuck table is moved in the horizontal direction until the edge of the grinding wheel is located above the center of the chuck table, so that the surface of the semiconductor strips is adjacent to the edge of the chuck table. It may include grinding a preset roughing thickness from one side toward the other side adjacent to the center of the chuck table.
본 발명의 일부 실시예들에 따르면, 상기 척 테이블의 회전 방향을 기준으로 상기 연삭 휠의 전방 부위에서 연삭이 이루어지도록 상기 연삭 휠을 제1 수평 방향에 대하여 소정 각도 경사지도록 배치할 수 있다.According to some embodiments of the present invention, the grinding wheel may be arranged to be inclined at a predetermined angle with respect to the first horizontal direction so that grinding occurs in a front portion of the grinding wheel based on the rotation direction of the chuck table.
본 발명의 일부 실시예들에 따르면, 상기 척 테이블의 상부면 중심 부위를 상기 척 테이블의 가장자리 부위보다 높게 구성하고, 상기 연삭 휠이 상기 척 테이블의 상부면 일측 부위와 제2 수평 방향으로 평행하도록 상기 연삭 휠을 상기 제2 수평 방향에 대하여 소정 각도 경사지도록 배치할 수 있다.According to some embodiments of the present invention, the center portion of the upper surface of the chuck table is configured to be higher than the edge portion of the chuck table, and the grinding wheel is parallel to one portion of the upper surface of the chuck table in the second horizontal direction. The grinding wheel may be arranged to be inclined at a predetermined angle with respect to the second horizontal direction.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 또 다른 측면에 따른 반도체 스트립 연삭 장치는, 수평 방향 이동과 회전 및 반도체 스트립의 진공 흡착이 가능하도록 구성된 척 테이블과, 복수의 연삭 숫돌들이 하부면에 장착된 연삭 휠을 포함하며 상기 척 테이블 상에 진공 흡착된 상기 반도체 스트립의 표면 부위를 제거하기 위하여 상기 연삭 휠을 회전시키는 연삭 모듈과, 상기 척 테이블과 상기 연삭 모듈의 동작을 제어하는 제어부를 포함할 수 있다. 이때, 상기 제어부는, 상기 연삭 휠을 회전시키고, 상기 반도체 스트립의 표면 부위를 가장자리 부위로부터 중심 부위를 향하여 기 설정된 황삭 두께만큼 연삭하기 위하여 상기 척 테이블을 회전시키면서 상기 연삭 휠의 가장자리 부위가 상기 척 테이블의 중심 부위의 상부에 위치될 때까지 상기 척 테이블을 수평 방향으로 이동시킬 수 있다.A semiconductor strip grinding device according to another aspect of the present invention for achieving the above object includes a chuck table configured to enable horizontal movement and rotation and vacuum adsorption of the semiconductor strip, and a grinding wheel equipped with a plurality of grinding stones on the lower surface. It may include a grinding module that includes a wheel and rotates the grinding wheel to remove the surface portion of the semiconductor strip vacuum adsorbed on the chuck table, and a control unit that controls operations of the chuck table and the grinding module. . At this time, the control unit rotates the grinding wheel and rotates the chuck table to grind the surface portion of the semiconductor strip from the edge portion toward the center portion to a preset roughing thickness while the edge portion of the grinding wheel is rotated by the chuck. The chuck table can be moved in the horizontal direction until it is located at the top of the center portion of the table.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 또 다른 측면에 따른 반도체 스트립 연삭 장치는, 수평 방향 이동과 회전 및 복수의 반도체 스트립들에 대한 진공 흡착이 가능하도록 구성된 척 테이블과, 복수의 연삭 숫돌들이 하부면에 장착된 연삭 휠을 포함하며 상기 척 테이블 상에 진공 흡착된 상기 반도체 스트립들의 표면 부위를 제거하기 위하여 상기 연삭 휠을 회전시키는 연삭 모듈과, 상기 척 테이블과 상기 연삭 모듈의 동작을 제어하는 제어부를 포함할 수 있다. 이때, 상기 제어부는, 상기 연삭 휠을 회전시키고, 상기 반도체 스트립들의 표면 부위를 상기 척 테이블의 가장자리 부위에 인접한 일측 부위로부터 상기 척 테이블의 중심 부위에 인접한 타측 부위를 향하여 기 설정된 황삭 두께만큼 연삭하기 위하여 상기 척 테이블을 회전시키면서 상기 연삭 휠의 가장자리 부위가 상기 척 테이블의 중심 부위의 상부에 위치될 때까지 상기 척 테이블을 수평 방향으로 이동시킬 수 있다.A semiconductor strip grinding device according to another aspect of the present invention for achieving the above object includes a chuck table configured to enable horizontal movement and rotation and vacuum adsorption of a plurality of semiconductor strips, and a plurality of grinding stones on the lower surface. a grinding module that includes a grinding wheel mounted on the chuck table and rotates the grinding wheel to remove surface portions of the semiconductor strips vacuum-adsorbed on the chuck table; and a control unit that controls operations of the chuck table and the grinding module. It can be included. At this time, the control unit rotates the grinding wheel and grinds the surface portion of the semiconductor strips to a preset roughing thickness from one side adjacent to the edge portion of the chuck table toward the other portion adjacent to the center portion of the chuck table. To this end, while rotating the chuck table, the chuck table can be moved in the horizontal direction until the edge of the grinding wheel is located above the center of the chuck table.
본 발명의 일부 실시예들에 따르면, 상기 척 테이블의 회전 방향을 기준으로 상기 연삭 휠의 전방 부위에서 연삭이 이루어지도록 상기 연삭 휠은 제1 수평 방향에 대하여 소정 각도 경사지도록 구성될 수 있다.According to some embodiments of the present invention, the grinding wheel may be configured to be inclined at a predetermined angle with respect to the first horizontal direction so that grinding occurs in a front portion of the grinding wheel based on the rotation direction of the chuck table.
본 발명의 일부 실시예들에 따르면, 상기 척 테이블의 상부면 중심 부위는 상기 척 테이블의 가장자리 부위보다 높게 구성되고, 상기 연삭 휠은 상기 척 테이블의 상부면 일측 부위와 제2 수평 방향으로 평행하도록 상기 제2 수평 방향에 대하여 소정 각도 경사지도록 구성될 수 있다.According to some embodiments of the present invention, the center portion of the upper surface of the chuck table is configured to be higher than the edge portion of the chuck table, and the grinding wheel is parallel to one side of the upper surface of the chuck table in the second horizontal direction. It may be configured to be inclined at a predetermined angle with respect to the second horizontal direction.
본 발명의 일부 실시예들에 따르면, 상기 연삭 숫돌들은 상기 연삭 휠의 하부면 자장자리를 따라 원주 방향으로 배치되고, 상기 제어부는 상기 연삭 숫돌들의 중심 부위가 상기 척 테이블의 중심 부위의 상부에 위치되도록 상기 척 테이블을 수평 이동시킬 수 있다.According to some embodiments of the present invention, the grinding stones are arranged in the circumferential direction along the edge of the lower surface of the grinding wheel, and the control unit positions the center portion of the grinding stones above the center portion of the chuck table. The chuck table can be moved horizontally as much as possible.
본 발명의 일부 실시예들에 따르면, 상기 반도체 스트립 연삭 장치는, 상기 반도체 스트립을 공급하고 상기 연삭 모듈에 의해 연삭 공정이 수행된 반도체 스트립을 회수하기 위한 스트립 공급 모듈과, 상기 척 테이블과 상기 스트립 공급 모듈 사이에 배치되며 상기 반도체 스트립을 픽업하기 위한 피커 및 상기 반도체 스트립을 상기 척 테이블과 상기 스트립 공급 모듈 사이에서 이송하기 위해 상기 피커를 회전시키는 로터리 유닛을 구비하는 로터리 이송 모듈과, 상기 척 테이블과 상기 피커 사이에서 수평 방향으로 이동 가능하게 구성되며 상기 척 테이블과 상기 피커 및 상기 반도체 스트립으로부터 이물질을 제거하기 위한 세정 모듈을 더 포함할 수 있다.According to some embodiments of the present invention, the semiconductor strip grinding device includes a strip supply module for supplying the semiconductor strip and recovering the semiconductor strip on which a grinding process has been performed by the grinding module, the chuck table, and the strip. A rotary transfer module disposed between supply modules and including a picker for picking up the semiconductor strip and a rotary unit for rotating the picker to transport the semiconductor strip between the chuck table and the strip supply module, the chuck table It is configured to be movable in the horizontal direction between the picker and the picker and may further include a cleaning module for removing foreign substances from the chuck table, the picker, and the semiconductor strip.
상술한 바와 같은 본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 연삭 휠을 회전시키고, 아울러 상기 척 테이블을 회전시키면서 수평 방향으로 이동시킴으로써 즉 상기 척 테이블의 회전과 수평 이동을 동시에 수행하여 상기 반도체 스트립의 표면 부위를 상기 기 설정된 황삭 두께만큼 한번에 제거할 수 있다. 특히, 상기와 같은 단계들을 수행하는 동안 상기 반도체 스트립의 표면 부위 절삭은 연삭 숫돌들의 하부면 뿐만 아니라 측면에 의해 이루어질 수 있으므로, 종래 기술과 비교하여 한 번의 황삭 공정을 통해 상기 기 설정된 황삭 두께만큼 상기 반도체 스트립의 표면 부위를 제거할 수 있으므로, 상기 반도체 스트립의 연삭에 소요되는 전체적인 시간이 크게 단축될 수 있다. 또한, 상기 황삭 공정을 수행하는 동안 상기 연삭 숫돌들의 하부면 마모도가 감소되고 아울러 상기 연삭 숫돌들의 하부면에 이물질 누적이 감소되어 후속하는 정삭 공정에서 상기 반도체 스트립의 표면 품질이 향상될 수 있다.According to the embodiments of the present invention as described above, the grinding wheel is rotated and the chuck table is rotated and moved in the horizontal direction, that is, the chuck table is rotated and horizontally moved simultaneously so that the surface of the semiconductor strip The area can be removed at once by the preset roughing thickness. In particular, while performing the above steps, the surface area of the semiconductor strip can be cut not only by the lower surface of the grinding stones but also by the side surface, so compared to the prior art, the preset roughing thickness is cut through a single roughing process. Since the surface portion of the semiconductor strip can be removed, the overall time required for grinding the semiconductor strip can be greatly shortened. In addition, during the rough grinding process, wear on the lower surfaces of the grinding wheels is reduced and accumulation of foreign substances on the lower surfaces of the grinding stones is reduced, so that the surface quality of the semiconductor strip can be improved in the subsequent finishing process.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 스트립 연삭 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 2는 도 1에 도시된 반도체 스트립 연삭 방법을 수행하는데 적합한 반도체 스트립 연삭 장치를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
도 3은 도 2에 도시된 척 테이블과 연삭 모듈을 설명하기 위한 개략적인 측면도이다.
도 4 내지 도 7은 도 2에 도시된 척 테이블 상으로 공급될 수 있는 반도체 스트립의 종류를 설명하기 위한 개략적인 평면도들이다.
도 8 내지 도 11은 도 1에 도시된 반도체 스트립 연삭 방법을 설명하기 위한 개략인 평면도들이다.
도 12는 도 1에 도시된 반도체 스트립 연삭 방법을 설명하기 위한 개략적인 측면도이다.
도 13은 도 1에 도시된 반도체 스트립 연삭 방법에 의해 연삭 처리된 반도체 스트립을 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
도 14는 도 3에 도시된 척 테이블과 연삭 휠을 설명하기 위한 개략적인 정면도이다.
도 15는 도 3에 도시된 척 테이블과 연삭 휠을 설명하기 위한 개략적인 측면도이다.
도 16 내지 도 18은 도 8 내지 도 13을 참조하여 기 설명된 반도체 스트립 연삭 방법의 다른 예를 설명하기 위한 개략적인 평면도들이다.
도 19는 도 8 내지 도 13을 참조하여 기 설명된 반도체 스트립 연삭 방법의 다른 예를 설명하기 위한 개략적인 측면도이다.
도 20 및 도 21은 도 2에 도시된 따른 세정 모듈을 설명하기 위한 개략적인 측면도들이다.
도 22는 도 2에 도시된 스트립 공급 모듈을 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
도 23은 도 22에 도시된 스트립 공급 모듈을 설명하기 위한 개략적인 측면도이다.
도 24는 도 22 및 도 23에 도시된 서포트 레일들과 클램프 부재들을 설명하기 위한 확대 측면도이다.
도 25는 도 22 및 도 23에 도시된 서포트 레일들과 클램프 부재들을 설명하기 위한 평면도이다.
도 26은 도 22 및 도 23에 도시된 서포트 레일들과 클램프 부재들을 설명하기 위한 저면도이다.
도 27 및 도 28은 도 24 내지 도 26에 도시된 클램프 부재들의 동작을 설명하기 위한 개략적인 평면도들이다.
도 29는 도 24 내지 도 26에 도시된 클램프 부재들을 설명하기 위한 개략적인 정면도이다.
도 30 내지 도 32는 도 22 및 도 23에 도시된 선형 이송 유닛과 제4 회전 구동부의 동작을 설명하기 위한 개략적인 평면도들이다.
도 33 및 도 34는 도 29에 도시된 스토퍼를 설명하기 위한 개략적인 확대 측면도들이다.
도 35는 도 33 및 도 34에 도시된 클램프 부재가 완전히 개방된 상태를 보여주는 확대 측면도이다.
도 36은 도 33 내지 도 35에 도시된 서포트 레일과 클램프 부재를 설명하기 위한 확대 평면도이다.
도 37은 도 23에 도시된 건조 유닛을 설명하기 위한 개략적인 측면도이다.
도 38은 도 22에 도시된 전달 테이블의 회전 각도가 조절된 상태를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
도 39는 도 37에 도시된 리프트 유닛을 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
도 40은 도 37에 도시된 리프트 유닛의 동작을 설명하기 위한 개략적인 측면도이다.
도 41은 도 26에 도시된 클램프 구동부의 다른 예를 설명하기 위한 개략적인 저면도이다.
도 42는 도 25에 도시된 전달 테이블의 다른 예를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.1 is a flowchart for explaining a semiconductor strip grinding method according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a schematic plan view illustrating a semiconductor strip grinding device suitable for performing the semiconductor strip grinding method shown in FIG. 1.
FIG. 3 is a schematic side view for explaining the chuck table and grinding module shown in FIG. 2.
FIGS. 4 to 7 are schematic plan views illustrating types of semiconductor strips that can be supplied onto the chuck table shown in FIG. 2.
8 to 11 are schematic plan views for explaining the semiconductor strip grinding method shown in FIG. 1.
FIG. 12 is a schematic side view for explaining the semiconductor strip grinding method shown in FIG. 1.
FIG. 13 is a schematic plan view illustrating a semiconductor strip ground by the semiconductor strip grinding method shown in FIG. 1.
FIG. 14 is a schematic front view illustrating the chuck table and grinding wheel shown in FIG. 3.
FIG. 15 is a schematic side view for explaining the chuck table and grinding wheel shown in FIG. 3.
16 to 18 are schematic plan views for explaining another example of the semiconductor strip grinding method previously described with reference to FIGS. 8 to 13.
Figure 19 is a schematic side view for explaining another example of the semiconductor strip grinding method previously described with reference to Figures 8 to 13.
Figures 20 and 21 are schematic side views for explaining the cleaning module shown in Figure 2.
FIG. 22 is a schematic plan view for explaining the strip supply module shown in FIG. 2.
FIG. 23 is a schematic side view for explaining the strip supply module shown in FIG. 22.
FIG. 24 is an enlarged side view for explaining the support rails and clamp members shown in FIGS. 22 and 23.
Figure 25 is a plan view for explaining the support rails and clamp members shown in Figures 22 and 23.
FIG. 26 is a bottom view for explaining the support rails and clamp members shown in FIGS. 22 and 23.
FIGS. 27 and 28 are schematic plan views for explaining the operation of the clamp members shown in FIGS. 24 to 26.
Figure 29 is a schematic front view for explaining the clamp members shown in Figures 24 to 26.
FIGS. 30 to 32 are schematic plan views for explaining the operation of the linear transfer unit and the fourth rotation driver shown in FIGS. 22 and 23.
Figures 33 and 34 are schematic enlarged side views for explaining the stopper shown in Figure 29.
Figure 35 is an enlarged side view showing the clamp member shown in Figures 33 and 34 in a fully open state.
Figure 36 is an enlarged plan view for explaining the support rail and clamp member shown in Figures 33 to 35.
FIG. 37 is a schematic side view for explaining the drying unit shown in FIG. 23.
FIG. 38 is a schematic plan view illustrating a state in which the rotation angle of the transfer table shown in FIG. 22 is adjusted.
FIG. 39 is a schematic plan view for explaining the lift unit shown in FIG. 37.
FIG. 40 is a schematic side view for explaining the operation of the lift unit shown in FIG. 37.
FIG. 41 is a schematic bottom view for explaining another example of the clamp driving unit shown in FIG. 26.
FIG. 42 is a schematic plan view for explaining another example of the transfer table shown in FIG. 25.
이하, 본 발명의 실시예들은 첨부 도면들을 참조하여 상세하게 설명된다. 그러나, 본 발명은 하기에서 설명되는 실시예들에 한정된 바와 같이 구성되어야만 하는 것은 아니며 이와 다른 여러 가지 형태로 구체화될 수 있을 것이다. 하기의 실시예들은 본 발명이 온전히 완성될 수 있도록 하기 위하여 제공된다기보다는 본 발명의 기술 분야에서 숙련된 당업자들에게 본 발명의 범위를 충분히 전달하기 위하여 제공된다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention does not have to be configured as limited to the embodiments described below and may be embodied in various other forms. The following examples are not provided to fully complete the present invention, but rather are provided to fully convey the scope of the present invention to those skilled in the art.
본 발명의 실시예들에서 하나의 요소가 다른 하나의 요소 상에 배치되는 또는 연결되는 것으로 설명되는 경우 상기 요소는 상기 다른 하나의 요소 상에 직접 배치되거나 연결될 수도 있으며, 다른 요소들이 이들 사이에 개재될 수도 있다. 이와 다르게, 하나의 요소가 다른 하나의 요소 상에 직접 배치되거나 연결되는 것으로 설명되는 경우 그들 사이에는 또 다른 요소가 있을 수 없다. 다양한 요소들, 조성들, 영역들, 층들 및/또는 부분들과 같은 다양한 항목들을 설명하기 위하여 제1, 제2, 제3 등의 용어들이 사용될 수 있으나, 상기 항목들은 이들 용어들에 의하여 한정되지는 않을 것이다.In embodiments of the present invention, when one element is described as being disposed or connected to another element, the element may be directly disposed or connected to the other element, and other elements may be interposed between them. It could be. Alternatively, if one element is described as being placed directly on or connected to another element, there cannot be another element between them. The terms first, second, third, etc. may be used to describe various items such as various elements, compositions, regions, layers and/or parts, but the items are not limited by these terms. won't
본 발명의 실시예들에서 사용된 전문 용어는 단지 특정 실시예들을 설명하기 위한 목적으로 사용되는 것이며, 본 발명을 한정하기 위한 것은 아니다. 또한, 달리 한정되지 않는 이상, 기술 및 과학 용어들을 포함하는 모든 용어들은 본 발명의 기술 분야에서 통상적인 지식을 갖는 당업자에게 이해될 수 있는 동일한 의미를 갖는다. 통상적인 사전들에서 한정되는 것들과 같은 상기 용어들은 관련 기술과 본 발명의 설명의 문맥에서 그들의 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석될 것이며, 명확히 한정되지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 외형적인 직감으로 해석되지는 않을 것이다.Technical terms used in the embodiments of the present invention are merely used for the purpose of describing specific embodiments and are not intended to limit the present invention. Additionally, unless otherwise limited, all terms, including technical and scientific terms, have the same meaning that can be understood by a person skilled in the art. The above terms, as defined in common dictionaries, will be construed to have meanings consistent with their meanings in the context of the relevant art and description of the invention, and unless explicitly defined, ideally or excessively by superficial intuition. It will not be interpreted.
본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들의 개략적인 도해들을 참조하여 설명된다. 이에 따라, 상기 도해들의 형상들로부터의 변화들, 예를 들면, 제조 방법들 및/또는 허용 오차들의 변화는 충분히 예상될 수 있는 것들이다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도해로서 설명된 영역들의 특정 형상들에 한정된 바대로 설명되어지는 것은 아니라 형상들에서의 편차를 포함하는 것이며, 도면들에 설명된 요소들은 전적으로 개략적인 것이며 이들의 형상은 요소들의 정확한 형상을 설명하기 위한 것이 아니며 또한 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것도 아니다.Embodiments of the invention are described with reference to schematic illustrations of ideal embodiments of the invention. Accordingly, changes from the shapes of the illustrations, for example changes in manufacturing methods and/or tolerances, are fully to be expected. Accordingly, the embodiments of the present invention are not intended to be described as limited to the specific shapes of the regions illustrated but are intended to include deviations in the shapes, and the elements depicted in the drawings are entirely schematic and represent their shapes. is not intended to describe the exact shape of the elements nor is it intended to limit the scope of the present invention.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 스트립 연삭 방법을 설명하기 위한 순서도이며, 도 2는 도 1에 도시된 반도체 스트립 연삭 방법을 수행하는데 적합한 반도체 스트립 연삭 장치를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.FIG. 1 is a flowchart for explaining a semiconductor strip grinding method according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a schematic plan view for explaining a semiconductor strip grinding device suitable for performing the semiconductor strip grinding method shown in FIG. 1. .
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 스트립 연삭 방법은 반도체 스트립(10)의 표면 부위를 연삭하여 제거하기 위해 사용될 수 있다. 예를 들면, 상기 반도체 스트립(10)은 인쇄회로기판(10A; 도 4 참조) 또는 반도체 웨이퍼 상에 탑재된 반도체 소자들을 보호하기 위한 몰드부(10B; 도 4 참조)를 포함할 수 있으며, 상기 반도체 스트립 연삭 방법은 상기 몰드부(10B)가 기 설정된 두께가 되도록 상기 몰드부(10B)의 표면 부위를 제거하기 위해 사용될 수 있다.1 and 2, the semiconductor strip grinding method according to an embodiment of the present invention can be used to grind and remove the surface portion of the
상기 반도체 스트립 연삭 방법을 수행하기 위한 반도체 스트립 연삭 장치(100)는, 반도체 스트립(10)을 지지하고 진공 흡착하기 위한 척 테이블(110)과, 상기 척 테이블(110) 상에 로드된 상기 반도체 스트립(10)의 표면 부위를 연삭하여 제거하기 위한 연삭 모듈(120)과, 상기 반도체 스트립(10)을 공급하고 상기 연삭 모듈(120)에 의해 연삭 공정이 수행된 반도체 스트립(10)을 회수하기 위한 스트립 공급 모듈(170)과, 상기 척 테이블(110)과 상기 스트립 공급 모듈(170) 사이에서 상기 반도체 스트립(10)의 이송을 위한 로터리 이송 모듈(150)을 포함할 수 있다. 상기 로터리 이송 모듈(150)은 상기 척 테이블(110)과 상기 스트립 공급 모듈(170) 사이에 배치될 수 있으며, 상기 반도체 스트립(10)을 픽업하기 위한 피커(152)와 상기 반도체 스트립(10)을 상기 척 테이블(110)과 상기 스트립 공급 모듈(170) 사이에서 이송하기 위해 상기 피커(152)를 회전시키는 로터리 유닛(156)을 구비할 수 있다.The semiconductor
예를 들면, 상기 반도체 스트립 연삭 장치(100)는, 복수의 척 테이블들(110)과, 상기 척 테이블들(110) 상에 로드된 반도체 스트립들(10)의 연삭을 위한 복수의 연삭 모듈들(120)과, 상기 반도체 스트립들(10)의 공급을 위한 복수의 스트립 공급 모듈들(170)을 포함할 수 있다. 특히, 상기 반도체 스트립 연삭 장치(100)는 도시된 바와 같이 X축 방향으로 배열된 한 쌍의 척 테이블들(110)과, 상기 척 테이블들(110)에 대응하도록 X축 방향으로 배열된 한 쌍의 연삭 모듈들(120)과, 상기 척 테이블들(110)로부터 Y축 방향으로 이격되며 X축 방향으로 배열된 한 쌍의 스트립 공급 모듈들(170)을 포함할 수 있다.For example, the semiconductor
상기 로터리 이송 모듈(150)은 상기 척 테이블들(110)과 상기 스트립 공급 모듈들(170) 사이에 배치될 수 있으며, 복수의 피커들(152)과 상기 피커들(152)을 회전시키기 위한 로터리 유닛(156)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 도시된 바와 같이, 상기 로터리 이송 모듈(150)은 네 개의 피커들(152)을 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 피커들(152) 중 두 개의 피커들(152)과 상기 척 테이블들(110) 사이에서 상기 반도체 스트립들(10)의 전달이 수행되는 동안 상기 피커들(152) 중 나머지 두 개의 피커들(152)과 상기 스트립 공급 모듈들(170) 사이에서 상기 반도체 스트립들(10)의 전달이 수행될 수 있다.The
예를 들면, 상기 두 개의 피커들(152)이 상기 스트립 공급 모듈들(170)로부터 반도체 스트립들(10)을 픽업한 후 상기 로터리 유닛(156)은 상기 두 개의 피커들(152)이 상기 척 테이블들(110)의 상부에 위치되도록 상기 피커들(152)을 회전시킬 수 있다. 이때, 상기 나머지 두 개의 피커들(152)은 상기 스트립 공급 모듈들(170)의 상부로 위치될 수 있으며, 상기 두 개의 피커들(152)에 의해 상기 반도체 스트립들(10)이 상기 척 테이블들(110) 상으로 로드되는 동안 상기 나머지 두 개의 피커들(152)은 상기 반도체 스트립 공급 모듈들(170)로부터 후속하는 반도체 스트립들(10)을 픽업할 수 있다. 결과적으로, 상기와 같이 네 개의 피커들(152)을 이용하여 반도체 스트립들(10)을 동시에 이송할 수 있으므로 상기 반도체 스트립들(10)의 이송에 소요되는 시간이 크게 단축될 수 있다.For example, after the two
한편, 상기와 같은 반도체 스트립들(10)의 이송 방법은 상기 연삭 모듈들(120)을 이용하는 연삭 공정이 동일한 경우에 적용될 수 있다. 즉, 상기 연삭 모듈들(120)이 모두 황삭 공정을 수행하거나 또는 모두 정삭 공정을 수행하는 경우 상기 연삭 모듈들(120)에 상기 반도체 스트립들(10)을 동시에 공급할 수 있다.Meanwhile, the method of transporting the semiconductor strips 10 as described above can be applied when the grinding process using the grinding
다른 예로서, 상기 연삭 모듈들(120) 중 하나는 황삭 공정을 수행하고, 나머지 하나는 정삭 공정을 수행하는 경우, 상기 로터리 이송 모듈(150)은 상기 연삭 모듈들(120)에 상기 반도체 스트립들(10)을 순차적으로 공급할 수 있다. 이 경우, 상기 스트립 공급 모듈들(170) 중 하나는 상기 반도체 스트립들(10)을 공급하기 위한 로더(loader)로서 기능하고, 나머지 하나는 상기 황삭 공정과 연삭 공정이 수행된 반도체 스트립들(10)을 회수하기 위한 언로더(unloader)로서 기능할 수 있다. 또한, 이 경우에도, 상기 황삭 공정과 상기 정삭 공정에 대한 반도체 스트립들(10)의 공급과 상기 로더로부터의 반도체 스트립(10) 공급 및 상기 언로더로의 반도체 스트립(10) 회수가 상기 로터리 이송 모듈(150)에 의해 동시에 수행될 수 있다.As another example, when one of the grinding
또한, 상기 로터리 이송 모듈(150)은 상기 반도체 스트립들(10)에 대한 픽 앤 플레이스(pick and place) 동작을 위하여 상기 피커들(152)을 수직 방향으로 이동시키는 피커 구동부들(158)을 구비할 수 있다. 예를 들면, 상기 로터리 유닛(150)은 상기 피커들(152)과 상기 피커 구동부들(158)이 장착되는 복수의 로터리 암들(160)을 구비할 수 있으며, 이 경우 상기 피커들(152)은 상기 로터리 암들(160)의 단부 아래에 배치될 수 있고, 상기 피커 구동부들(158)은 상기 로터리 암들(160)의 단부 상에 배치될 수 있다. 일 예로서, 도시된 바와 같이 상기 로터리 암들(160)은 서로 수직 방향으로 직교하도록 배치될 수 있다.In addition, the
도 3은 도 2에 도시된 척 테이블과 연삭 모듈을 설명하기 위한 개략적인 측면도이다.FIG. 3 is a schematic side view for explaining the chuck table and grinding module shown in FIG. 2.
도 3을 참조하면, 상기 연삭 모듈들(120) 각각은 상기 반도체 스트립(10)의 표면 부위를 연삭하기 위한 복수의 연삭 숫돌들(122)과, 상기 연삭 숫돌들(122)이 장착되는 연삭 휠(124)과, 상기 연삭 휠(124)을 회전시키기 위한 제1 회전 구동부(126)를 포함할 수 있다. 특히, 상기 연삭 숫돌들(122)은 상기 연삭 휠(124)의 하부면 가장자리 부위를 따라 원주 방향으로 배치될 수 있다.Referring to FIG. 3, each of the grinding
상기 반도체 스트립 연삭 장치(100)는, 상기 연삭 모듈들(120)과 상기 로터리 이송 모듈(150) 사이에서 상기 척 테이블들(110)을 수평 방향, 예를 들면, Y축 방향으로 이동시키기 위한 제1 수평 구동부들(114)을 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 수평 구동부들(114)은 상기 피커들(152)의 회전 이동 경로 아래로 상기 척 테이블들(110)을 이동시킬 수 있으며, 상기 척 테이블들(110) 상에 상기 반도체 스트립들(10)이 로드된 후 상기 척 테이블들(110)을 상기 연삭 모듈들(120)의 아래로 이동시킬 수 있다. 아울러, 상기 제1 수평 구동부들(114)은 상기 연삭 모듈들(120)에 의해 상기 반도체 스트립들(10)에 대한 연삭 공정이 수행된 후 상기 척 테이블들(110)을 상기 피커들(152)의 회전 이동 경로 아래로 이동시킬 수 있다.The semiconductor
아울러, 상기 연삭 모듈들(120) 각각은 상기 연삭 숫돌들(122) 및 상기 연삭 휠(124)의 높이를 조절하기 위한 제1 수직 구동부(127)를 포함할 수 있다. 상기 제1 수직 구동부는 상기 연삭 휠(124)의 높이를 조절함으로써 상기 반도체 스트립들(10)의 연삭 두께를 조절할 수 있다. 그러나, 상기와 다르게, 상기 반도체 스트립들(10)의 높이를 조절하기 위하여 상기 척 테이블들(110)을 수직 방향으로 이동시키는 제2 수직 구동부들(미도시)이 마련될 수도 있다.In addition, each of the grinding
상기 제1 수평 구동부들(114)은 상기 반도체 스트립들(10)에 대한 연삭 공정이 수행되는 동안 상기 척 테이블들(110)을 수평 방향, 예를 들면, Y축 방향으로 이동시킬 수 있다. 이때, 상기 연삭 모듈들(120)의 일측에는 상기 연삭 공정이 수행되는 동안 이물질 제거를 위해 상기 반도체 스트립들(10) 상으로 세정액을 분사하는 세정액 분사 노즐(128)이 배치될 수 있다. 일 예로서, 상기 세정액으로는 물이 사용될 수 있다.The first
또한, 도시되지는 않았으나, 상기 연삭 모듈들(120)의 하부에는 상기 연삭 공정이 수행되는 동안 상기 연삭 숫돌들(122)로부터 이물질을 제거하기 위하여 상기 연삭 숫돌들(122)을 향해 세정액을 분사하는 세정액 분사 노즐(미도시)이 배치될 수 있다. 또한, 도시되지는 않았으나, 상기 연삭 모듈들(120)의 일측에는 상기 반도체 스트립들(10)의 연삭 공정이 수행되는 동안 그리고 상기 반도체 스트립들(10)의 연삭 공정이 수행된 후 상기 반도체 스트립들(10)의 두께를 측정하기 위한 센서 유닛들(미도시)이 배치될 수 있다.In addition, although not shown, a cleaning liquid is sprayed at the lower part of the grinding
다시 도 2를 참조하면, 상기 척 테이블들(110)의 상부에는 상기 반도체 스트립들(10)을 진공 흡착하여 고정시키기 위한 복수의 진공홀들(미도시)이 구비될 수 있다. 구체적으로, 상기 척 테이블들(110)의 상부에는 상기 진공홀들이 형성된 진공 흡착 영역들(112)이 구비될 수 있으며, 상기 진공 흡착 영역들(112)의 개수와 방향 등은 각각의 척 테이블들(110) 상에 놓여지는 반도체 스트립들(10)의 개수와 크기에 따라 다양하게 변경될 수 있다. 예를 들면, 도시된 바와 같이 각각의 척 테이블들(110) 상에는 두 개의 반도체 스트립들(10)을 진공 흡착하기 위해 두 개의 진공 흡착 영역들(112)이 구비될 수 있다.Referring again to FIG. 2 , a plurality of vacuum holes (not shown) may be provided on the upper portions of the chuck tables 110 to secure the semiconductor strips 10 by vacuum suction. Specifically,
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 반도체 스트립 연삭 장치(100)는, 상기 척 테이블들(110)을 각각 회전시키기 위한 제2 회전 구동부들(116)을 포함할 수 있다. 상기 제2 회전 구동부들(116)은 상기 척 테이블들(110)이 상기 피커들(152)의 회전 이동 경로 아래, 즉 상기 척 테이블들(110)과 상기 피커들(152) 사이에서 상기 반도체 스트립들(10)의 전달이 이루어지는 영역에서, 상기 진공 흡착 영역들(112)이 상기 피커들(152)과 대응하도록 상기 척 테이블들(110)의 회전 각도를 조절할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the semiconductor
예를 들면, 상세히 도시되지는 않았으나, 상기 피커들(152) 각각에는 상기 반도체 스트립들(10)을 진공 흡착하여 픽업하기 위한 픽업 툴들(154)이 구비될 수 있으며, 상기 제2 회전 구동부들(116)은 상기 척 테이블들(110)의 진공 흡착 영역들(112)의 방향이 상기 피커들(152)의 픽업 툴들(154) 또는 상기 픽업 툴들(154)에 의해 픽업된 반도체 스트립들(10)의 방향과 일치하도록 상기 척 테이블들(110)의 회전 각도를 조절할 수 있다.For example, although not shown in detail, each of the
또한, 상기 반도체 스트립 연삭 장치(100)는, 상기 연삭 숫돌들(122)에 대한 드레싱 작업을 수행하기 위한 드레싱 모듈들(130)을 포함할 수 있다. 일 예로서, 상기 드레싱 모듈들(130)은 상기 척 테이블들(110)과 상기 피커들(152) 사이에서 상기 반도체 스트립들(10)의 전달이 수행되는 동안 상기 연삭 숫돌들(122)에 대한 드레싱 작업을 수행할 수 있다. 도 2를 참조하면, 각각의 드레싱 모듈들(130)은 상기 연삭 숫돌들(122)의 표면 상태를 개선하고 상기 연삭 숫돌들(122)로부터 이물질을 제거하기 위한 드레싱 휠(132)과, 상기 드레싱 휠(132)을 회전시키기 위한 제3 회전 구동부(134)와, 상기 드레싱 휠(132)이 상기 연삭 숫돌들(122) 아래에 위치되도록 상기 드레싱 휠(132)을 수평방향으로, 예를 들면, Y축 방향으로 이동시키는 제2 수평 구동부(136)를 포함할 수 있다.Additionally, the semiconductor
도 4 내지 도 7은 도 2에 도시된 척 테이블 상으로 공급될 수 있는 반도체 스트립의 종류를 설명하기 위한 개략적인 평면도들이다.FIGS. 4 to 7 are schematic plan views illustrating types of semiconductor strips that can be supplied onto the chuck table shown in FIG. 2.
도 4 내지 도 7을 참조하면, 상기 척 테이블(110) 상에는 반도체 스트립(10)을 진공 흡착하기 위한 진공 흡착 영역(112)이 구비될 수 있다. 예를 들면, 도 4에 도시된 바와 같이 두 개의 반도체 스트립들(10)이 공급되는 경우 두 개의 진공 흡착 영역들(112)이 구비될 수 있으며, 도 5 및 도 6에서와 같이 대면적의 인쇄회로기판(12A, 14A) 상에 사각형 또는 원형의 몰드부(12B, 14B)가 형성된 반도체 스트립(12, 14)의 경우 하나의 진공 흡착 영역(112A)이 구비될 수 있다. 아울러, 도 7에 도시된 바와 같이, 반도체 웨이퍼(미도시) 상에 몰드부가 형성된 원형 반도체 스트립(16)의 경우 원형의 진공 흡착 영역(112B)이 구비될 수 있다. 또한, 상기에서는 하나 또는 두 개의 반도체 스트립들(10, 12, 14, 16)이 공급되는 경우를 설명하였으나, 상기와 다르게 3개 이상의 반도체 스트립들이 상기 척 테이블(110) 상으로 로드될 수도 있으며, 이 경우 상기 척 테이블(110) 상에는 로드되는 반도체 스트립들(10, 12, 14, 16)의 개수에 따라 복수의 진공 흡착 영역들이 구비될 수 있다.Referring to FIGS. 4 to 7 , a
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 스트립 연삭 방법을 설명한다. 참고로, 설명의 편의를 위하여 원형 반도체 스트립(16)을 일 예로서 설명한다.Hereinafter, a semiconductor strip grinding method according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the attached drawings. For reference, for convenience of explanation, the
도 8 내지 도 11은 도 1에 도시된 반도체 스트립 연삭 방법을 설명하기 위한 개략인 평면도들이고, 도 12는 도 1에 도시된 반도체 스트립 연삭 방법을 설명하기 위한 개략적인 측면도이다.8 to 11 are schematic plan views for explaining the semiconductor strip grinding method shown in FIG. 1, and FIG. 12 is a schematic side view for explaining the semiconductor strip grinding method shown in FIG. 1.
도 1 및 도 8 내지 도 12를 참조하면, S100 단계에서, 상기 반도체 스트립(16)은 상기 척 테이블(110) 상에 로드된 후 상기 척 테이블(110) 상에 진공 흡착될 수 있다. 구체적으로, 상기 반도체 스트립(16)은 상기 로터리 이송 모듈(150)에 의해 상기 척 테이블(110) 상으로 이송될 수 있으며, 상기 척 테이블(110)은 상기 진공 흡착 영역(112B)을 이용하여 상기 반도체 스트립(16)을 진공 흡착할 수 있다. 이어서, 상기 척 테이블(110)은 상기 제1 수평 구동부(114)에 의해 상기 연삭 모듈 아래로 이송될 수 있다.Referring to FIGS. 1 and 8 to 12 , in step S100, the
S110 단계에서, 상기 연삭 휠(124)은 상기 제1 회전 구동부(126)에 의해 회전될 수 있다. 이때, 상기 연삭 휠(124)의 높이는 상기 제1 수직 구동부(127)에 의해 조절될 수 있다.In step S110, the
S120 단계에서, 상기 제2 회전 구동부(116)는 상기 척 테이블(110)을 회전시킬 수 있으며, 동시에 상기 제1 수평 구동부(114)는 상기 연삭 휠(124)의 가장자리 부위가 상기 척 테이블(110)의 중심 부위의 상부에 위치될 때까지 상기 척 테이블(110)을 수평 방향, 예를 들면, Y축 방향으로 저속으로 이동시킬 수 있다. 이에 따라, 도 12에 도시된 바와 같이, 상기 반도체 스트립(16)의 표면 부위가 외측으로부터 내측 방향으로 즉 상기 반도체 스트립(16)의 표면 부위가 가장자리 부위로부터 중심 부위를 향하여 연삭될 수 있다. 특히, 상기 연삭 휠(124)의 높이는 상기 연삭 휠(124)의 가장자리 부위가 상기 척 테이블(110)의 중심 부위의 상부에 위치되는 경우 상기 반도체 스트립(16)의 표면 부위가 기 설정된 황삭 두께만큼 제거되도록 상기 제1 수직 구동부(127)에 의해 미리 조절될 수 있다.In step S120, the
또한, 상기 S120 단계가 수행되는 동안 상기 반도체 스트립(16)의 표면 부위는 상기 연삭 숫돌들(122)의 하부면 뿐만 아니라 측면 부위들에 의해 절삭될 수 있다. 아울러, 상기 반도체 스트립(16)의 표면 부위는 상기 척 테이블(110)의 회전과 수평 이동에 의해 상기 기 설정된 황삭 두께만큼 한번에 제거될 수 있으며, 이에 의해 상기 반도체 스트립(16)의 연삭에 소요되는 전체 시간이 종래 기술에 비하여 크게 감소될 수 있다.Additionally, while step S120 is performed, the surface portion of the
한편, 상기에서는 상기 원형 반도체 스트립(16)에 대한 연삭 방법을 설명하였으나, 사각 형태를 갖는 반도체 스트립(12 또는 14)이 공급되는 경우에도 상기 연삭 방법은 동일하게 적용될 수 있다. 아울러, 도시되지는 않았으나, 상기와 같은 황삭 공정이 수행된 후 상기 연삭 휠(124)의 높이를 미세 조절함으로써 상기 반도체 스트립(16)에 대한 정삭 공정이 수행될 수 있다.Meanwhile, although the grinding method for the
도 13은 도 1에 도시된 반도체 스트립 연삭 방법에 의해 연삭 처리된 반도체 스트립을 설명하기 위한 개략적인 평면도이고, 도 14는 도 3에 도시된 척 테이블과 연삭 휠을 설명하기 위한 개략적인 정면도이며, 도 15는 도 3에 도시된 척 테이블과 연삭 휠을 설명하기 위한 개략적인 측면도이다.FIG. 13 is a schematic plan view for explaining a semiconductor strip ground by the semiconductor strip grinding method shown in FIG. 1, and FIG. 14 is a schematic front view for explaining the chuck table and grinding wheel shown in FIG. 3. FIG. 15 is a schematic side view for explaining the chuck table and grinding wheel shown in FIG. 3.
도 13을 참조하면, 상기 반도체 스트립(16)의 표면 부위를 보다 정밀하고 균일하게 연삭하기 위하여 상기 척 테이블(110)이 회전하는 동안 상기 척 테이블(110)의 회전 방향을 기준으로 상기 연삭 휠(124)의 전방 부위(‘A’; 도 11 참조)에서 반도체 스트립(16)의 표면 부위 연삭이 이루어지고, 상기 연삭 휠(124)의 후방 부위(‘B’; 도 11 참조)에서는 상기 반도체 스트립(16)의 표면 부위가 연삭되지 않는 것이 바람직하다. 상기와 같이 연삭 휠(124)의 전방 부위(A)에서만 연삭이 이루어지는 경우, 연삭 공정이 완료된 후 상기 반도체 스트립(16)의 표면 부위에는 도 13에 도시된 바와 같은 바람개비 형태의 무늬가 형성될 수 있다.Referring to FIG. 13, in order to more precisely and uniformly grind the surface area of the
도 14 및 도 15는 설명의 편의를 위하여 상기 척 테이블(110)과 상기 연삭 휠(124)이 매우 과장되게 도시되었으며, 이에 따라 상기 도시된 척 테이블(110)과 상기 연삭 휠(124)의 형상은 실제와는 큰 차이가 있을 수 있다.14 and 15 show the chuck table 110 and the
도 14를 참조하면, 상술한 바와 같이 상기 연삭 휠(124)의 전방 부위(A)에 의한 연삭만 수행될 수 있도록 상기 연삭 휠(124)을 제1 수평 방향, 예를 들면, X축 방향에 대하여 소정의 제1 각도만큼 경사지도록 배치할 수 있다.Referring to FIG. 14, as described above, the
또한, 도 15를 참조하면, 상기 척 테이블(110)의 상부면 중심 부위를 상기 척 테이블(110)의 가장자리 부위보다 높게 구성하여 상기 척 테이블(110)의 상부면 부위가 원추 형태를 갖도록 할 수 있으며, 상기 연삭 휠(124)이 상기 척 테이블(110)의 상부면 일측 부위와 제2 수평 방향, 예를 들면, Y축 방향으로 평행하도록 상기 연삭 휠(124)을 상기 제2 수평 방향에 대하여 소정의 제2 각도만큼 경사지도록 배치할 수 있다.In addition, referring to FIG. 15, the center portion of the upper surface of the chuck table 110 may be configured to be higher than the edge portion of the chuck table 110 so that the upper surface portion of the chuck table 110 has a cone shape. The
일 예로서, 상기 척 테이블(110)의 중심 부위 높이는 상기 척 테이블(110)의 가장자리 부위보다 수 ㎛ 정도, 예를 들면, 5㎛ 정도 높게 구성될 수 있으며, 상기 반도체 스트립(16)은 상기 척 테이블(110)의 상부면에 진공 흡착될 수 있다. 아울러, 상기 연삭 휠(124)의 상기 제1 각도 및 제2 각도는 상기 척 테이블(110)의 상부면 경사도에 따라 적절하게 조절될 수 있다.As an example, the height of the center portion of the chuck table 110 may be configured to be higher by several μm, for example, about 5 μm, than the edge portion of the chuck table 110, and the
한편, 상기 연삭 숫돌들(122)은 상기 연삭 휠(124)의 하부면 가장자리 부위를 따라 원주 방향으로 배치될 수 있으며, 상기 제1 수평 구동부(114)는 상기 연삭 숫돌들(122)의 중심 부위가 상기 척 테이블(110)의 중심 부위의 상부에 위치되도록 상기 척 테이블(110)을 수평 이동시킬 수 있다. 즉, 상기 위치에서 상기 연삭 숫돌들(122)은 상기 척 테이블(110)의 중심 부위의 상부를 통과하도록 회전될 수 있다.Meanwhile, the grinding
또 한편으로, 상기 척 테이블(110) 및 상기 연삭 모듈(120)의 동작은 제어부(102; 도 2 참조)에 의해 제어될 수 있다. 즉, 상기 척 테이블(110)의 수평 이동을 위한 제1 수평 구동부(114)와, 상기 척 테이블(110)의 회전을 위한 제2 회전 구동부(116)와, 상기 연삭 휠(124)의 높이 조절을 위한 제1 수직 구동부(127)와, 상기 연삭 휠(124)의 회전을 위한 제1 회전 구동부(126)의 동작은 상기 제어부(102)에 의해 제어될 수 있다.On the other hand, the operations of the chuck table 110 and the grinding
도 16 내지 도 18은 도 8 내지 도 13을 참조하여 기 설명된 반도체 스트립 연삭 방법의 다른 예를 설명하기 위한 개략적인 평면도들이고, 도 19는 도 8 내지 도 13을 참조하여 기 설명된 반도체 스트립 연삭 방법의 다른 예를 설명하기 위한 개략적인 측면도이다.16 to 18 are schematic plan views for explaining another example of the semiconductor strip grinding method previously described with reference to FIGS. 8 to 13, and FIG. 19 is a schematic plan view of the semiconductor strip grinding method previously described with reference to FIGS. 8 to 13. This is a schematic side view to explain another example of the method.
도 16을 참조하면, 상기 척 테이블(110) 상에는 복수의 반도체 스트립들(10), 예를 들면, 도시된 바와 같이, 두 개의 반도체 스트립들(10)이 로드될 수 있으며, 상기 반도체 스트립들(10)은 상기 척 테이블(110)에 구비된 진공 흡착 영역들(112)에 의해 진공 흡착될 수 있다. 이어서, 상기 연삭 휠(124)은 상기 제1 회전 구동부(126)에 의해 회전될 수 있으며, 상기 연삭 휠(124)의 높이는 상기 제1 수직 구동부(127)에 의해 조절될 수 있다.Referring to FIG. 16, a plurality of semiconductor strips 10, for example, two
도 17 및 도 18을 참조하면, 상기 제2 회전 구동부(116)는 상기 척 테이블(110)을 회전시킬 수 있으며, 동시에 상기 제1 수평 구동부(114)는 상기 연삭 휠(124)의 가장자리 부위가 상기 척 테이블(110)의 중심 부위의 상부에 위치될 때까지 상기 척 테이블(110)을 수평 방향, 예를 들면, Y축 방향으로 저속으로 이동시킬 수 있다. 이에 따라, 도 19에 도시된 바와 같이, 상기 반도체 스트립들(10)의 표면 부위가 상기 척 테이블(110)의 가장자리 부위에 인접한 일측 부위로부터 상기 척 테이블(110)의 중심 부위에 인접한 타측 부위를 향하여 연삭될 수 있다. 특히, 상기 연삭 휠(124)의 높이는 상기 연삭 휠(124)의 가장자리 부위가 상기 척 테이블(110)의 중심 부위의 상부에 위치되는 경우 상기 반도체 스트립들(10)의 표면 부위가 기 설정된 황삭 두께만큼 제거되도록 상기 제1 수직 구동부(127)에 의해 미리 조절될 수 있다.17 and 18, the
또한, 상기와 같은 연삭 단계들이 수행되는 동안 상기 반도체 스트립들(10)의 표면 부위는 상기 연삭 숫돌들(122)의 하부면 뿐만 아니라 측면 부위들에 의해 절삭될 수 있다. 아울러, 상기 반도체 스트립들(10)의 표면 부위는 상기 척 테이블(110)의 회전과 수평 이동에 의해 상기 기 설정된 황삭 두께만큼 한번에 제거될 수 있으며, 이에 의해 상기 반도체 스트립(10)의 연삭에 소요되는 전체 시간이 종래 기술에 비하여 크게 감소될 수 있다.Additionally, while the above grinding steps are performed, the surface portions of the semiconductor strips 10 may be cut by the side portions as well as the lower surfaces of the grinding
한편, 상기에서는 두 개의 반도체 스트립들(10)이 공급되는 경우에 대하여 설명되었으나, 3개 이상의 반도체 스트립들이 공급되는 경우에도 상기 연삭 방법은 동일하게 적용될 수 있다. 아울러, 도시되지는 않았으나, 상기와 같은 황삭 공정이 수행된 후 상기 연삭 휠(124)의 높이를 미세 조절함으로써 상기 반도체 스트립들(10)에 대한 정삭 공정이 수행될 수 있다.Meanwhile, although the case where two
다시 도 2를 참조하면, 상기 반도체 스트립 연삭 장치(100)는, 상기 척 테이블들(110)과 상기 피커들(152) 사이에서 수평 방향, 예를 들면, Y축 방향으로 이동 가능하게 구성되며 상기 척 테이블들(110)과 상기 피커들(152) 및 상기 반도체 스트립들(10)로부터 이물질을 제거하기 위한 세정 모듈들(140)을 포함할 수 있다.Referring again to FIG. 2, the semiconductor
도 20 및 도 21은 도 2에 도시된 따른 세정 모듈을 설명하기 위한 개략적인 측면도들이다.Figures 20 and 21 are schematic side views for explaining the cleaning module shown in Figure 2.
도 20 및 도 21을 참조하면, 상기 세정 모듈들(140) 각각은, 상방 및 하방으로 각각 세정액을 분사하기 위한 세정액 분사 노즐들(142) 그리고 상방 및 하방으로 각각 공기를 분사하기 위한 공기 분사 노즐들(144)을 포함하는 노즐 조립체(146)와, 상기 노즐 조립체(146)를 수평 방향, 예를 들면, Y축 방향으로 이동시키기 위한 노즐 구동부(148)를 포함할 수 있다.20 and 21, each of the cleaning
예를 들면, 도 20에 도시된 바와 같이 상기 반도체 스트립들(10)을 상기 척 테이블(110) 상에 로드하기 위해 상기 피커(152)가 상기 척 테이블(110)의 상부에 위치된 후, 상기 노즐 구동부(148)는 상기 피커(152)에 의해 픽업된 반도체 스트립들(10)의 하부면 및 상기 척 테이블(110)의 상부면을 세정하기 위해 상기 노즐 조립체(146)를 상기 반도체 스트립들(10)과 상기 척 테이블(110) 사이에서 수평 방향으로 이동시킬 수 있다.For example, as shown in FIG. 20, after the
이어서, 도 21에 도시된 바와 같이 상기 반도체 스트립들(10)이 상기 척 테이블(110) 상에 놓여진 후, 상기 노즐 구동부(148)는 상기 척 테이블(110) 상에 놓여진 상기 반도체 스트립들(10)의 상부면 및 상기 피커(152)의 하부면을 세정하기 위해 상기 노즐 조립체(146)를 상기 반도체 스트립들(10)과 상기 피커(152) 사이에서 수평 방향으로 이동시킬 수 있다.Subsequently, as shown in FIG. 21, after the semiconductor strips 10 are placed on the chuck table 110, the
특히, 상기 노즐 구동부(148)는 상기 반도체 스트립들(10)과 상기 척 테이블(110) 및 상기 피커(152)를 세정하기 위하여 상기 노즐 조립체(146)를 상기 수평 방향으로 왕복 이동시킬 수 있으며, 상기 반도체 스트립들(10)에 대한 연삭 공정이 수행된 후에도 상기 도 21 및 도 20에 도시된 바와 같이 상기 반도체 스트립들(10)과 상기 척 테이블(110) 및 상기 피커(152)에 대한 세정 작업을 수행할 수 있다.In particular, the
상기와 같은 세정 모듈들(140)에 의한 반도체 스트립들(10)의 세정 작업이 완료된 후, 상기 로터리 이송 모듈(150)은 상기 연삭 공정이 완료된 반도체 스트립들(10)을 상기 스트립 공급 모듈들(170)로 이송할 수 있다.After the cleaning operation of the semiconductor strips 10 by the cleaning
도 22는 도 2에 도시된 스트립 공급 모듈을 설명하기 위한 개략적인 평면도이고, 도 23은 도 22에 도시된 스트립 공급 모듈을 설명하기 위한 개략적인 측면도이다.FIG. 22 is a schematic plan view for explaining the strip supply module shown in FIG. 2, and FIG. 23 is a schematic side view for explaining the strip supply module shown in FIG. 22.
도 2와 도 22 및 도 23을 참조하면, 상기 스트립 공급 모듈(170)은, 상기 복수의 반도체 스트립들(10)을 수납하기 위한 매거진(20)이 놓여지는 매거진 포트(172)와, 상기 피커들(152)의 회전 이동 경로 아래에 배치되며 상기 반도체 스트립들(10)이 놓여지는 전달 테이블(180)과, 상기 매거진(20)과 상기 전달 테이블(180) 사이에서 상기 반도체 스트립들(10)을 이송하기 위한 선형 이송 유닛(200)을 포함할 수 있다.2, 22, and 23, the
상기 선형 이송 유닛(200)은, 상기 매거진(20)에 수납된 반도체 스트립들(10) 중 하나를 밀어서 상기 매거진(20)으로부터 돌출되도록 하는 푸셔(202)와, 상기 돌출된 반도체 스트립(10)을 파지하기 위한 그리퍼(204)와, 상기 그리퍼(104)를 수평 방향, 예를 들면, X축 방향으로 이동시키기 위한 그리퍼 구동부(206)와, 상기 반도체 스트립(10)을 상기 매거진(20)과 상기 전달 테이블(180) 사이에서 안내하기 위한 한 쌍의 이송 레일들(208)을 포함할 수 있다. 상기 이송 레일들(208)은 상기 반도체 스트립(10)의 양측 부위들을 지지하고 안내할 수 있도록 상기 수평 방향, 즉 X축 방향으로 서로 평행하게 배치될 수 있다. 또한, 도시되지는 않았으나, 상기 스트립 공급 모듈(170)은 상기 매거진(20)에 수납된 반도체 스트립들(10) 중에서 인출하고자 하는 반도체 스트립(10)이 상기 이송 레일들(208)과 대응하도록 상기 매거진(20)의 높이를 조절하는 엘리베이터(미도시)를 포함할 수 있다.The
상기 전달 테이블(180) 상에는 상기 반도체 스트립들(10) 각각의 양측 부위를 지지하기 위한 서포트 레일들(184)이 배치될 수 있다. 예를 들면, 상기 전달 테이블(180) 상에는 한 쌍의 반도체 스트립들(10)이 놓여질 수 있으며, 상기 전달 테이블(180) 상에는 상기 한 쌍의 반도체 스트립들(10)을 지지하기 위해 두 쌍의 서포트 레일들(184)이 서로 평행하게 배치될 수 있다. 아울러, 상기 스트립 공급 모듈(170)은, 상기 서포트 레일들(184) 상에 놓여진 반도체 스트립들(10)의 위치를 고정시키기 위한 클램프 부재들(186)을 포함할 수 있다.Support rails 184 may be disposed on the transfer table 180 to support both sides of each of the semiconductor strips 10. For example, a pair of semiconductor strips 10 may be placed on the transfer table 180, and two pairs of supports are provided to support the pair of semiconductor strips 10 on the transfer table 180.
도 24는 도 22 및 도 23에 도시된 서포트 레일들과 클램프 부재들을 설명하기 위한 확대 측면도이고, 도 25는 도 22 및 도 23에 도시된 서포트 레일들과 클램프 부재들을 설명하기 위한 평면도이며, 도 26은 도 22 및 도 23에 도시된 서포트 레일들과 클램프 부재들을 설명하기 위한 저면도이다. 도 27 및 도 28은 도 24 내지 도 26에 도시된 클램프 부재들의 동작을 설명하기 위한 개략적인 평면도들이다.FIG. 24 is an enlarged side view for explaining the support rails and clamp members shown in FIGS. 22 and 23, and FIG. 25 is a plan view for explaining the support rails and clamp members shown in FIGS. 22 and 23. 26 is a bottom view for explaining the support rails and clamp members shown in FIGS. 22 and 23. FIGS. 27 and 28 are schematic plan views for explaining the operation of the clamp members shown in FIGS. 24 to 26.
도 24 내지 도 26을 참조하면, 상기 전달 테이블(180)은 대략 사각 형태를 가질 수 있으며, 상기 반도체 스트립들(10)의 하부면 부위를 노출시키기 위한 개구들(182)을 구비할 수 있다. 상기 서포트 레일들(184)은 서로 평행하게 연장할 수 있으며, 각 서포트 레일들(184)의 쌍은 상기 전달 테이블(180)의 가장자리 부위 상에 배치되고 상대적으로 길이가 짧은 제1 서포트 레일(184A)과, 상기 전달 테이블(180)의 중앙 부위 상에 배치되고 상대적으로 길이가 긴 제2 서포트 레일(184B)을 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 24 to 26 , the transfer table 180 may have a substantially square shape and may be provided with
또한, 상기 클램프 부재들(186)은 상기 각 서포트 레일들(184)에 대응하도록 두 쌍이 구비될 수 있다. 상기 클램프 부재들(186)은 상기 서포트 레일들(184)을 따라 평행하게 연장할 수 있으며, 각 클램프 부재들(186)의 쌍은 상기 제1 서포트 레일(184A)과 대응하며 상대적으로 길이가 짧은 제1 클램프 부재(186A)와, 상기 제2 서포트 레일(184B)과 대응하며 상대적으로 길이가 긴 제2 클램프 부재(186B)를 포함할 수 있다.Additionally, the
상기 클램프 부재들(186) 각각은 알파벳 ‘L’자 형태의 단면을 가질 수 있으며, 상기 클램프 부재들(186)의 수평 부위(186D; 도 16 참조)가 상기 반도체 스트립(10)의 측면 부위들을 커버하도록 상기 서포트 레일들(184)의 상부에 배치되고, 수직 부위가 상기 서포트 레일들(184)의 측면에 인접하게 배치될 수 있다. 특히, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 스트립 공급 모듈들(170) 각각은 상기 클램프 부재들(186)의 동작을 위한 클램프 구동부들(188)을 포함할 수 있다. 즉, 상기 클램프 구동부들(188)은 상기 반도체 스트립(10)의 이송 방향에 대하여 수직하는 방향으로 상기 클램프 부재들(186)을 이동시킬 수 있으며, 이를 통해 상기 서포트 레일들(184)의 상부를 개폐할 수 있다.Each of the
예를 들면, 상기 클램프 구동부들(188) 각각은, 상기 전달 테이블(180)의 양측에 배치되는 푸시 부재들(190)과, 상기 푸시 부재들(190)을 상기 전달 테이블(180)을 중심을 향하는 방향으로 밀어서 상기 클램프 부재들(186)을 개방하기 위한 공압 실린더들(192)과, 상기 푸시 부재들(190)과 상기 클램프 부재들(186)을 연결하는 구동축들(194)과, 상기 전달 테이블(180)의 하부에 장착되며 상기 구동축들(194)을 안내하기 위한 가이드 부재들(196)과, 상기 푸시 부재들(190)과 상기 가이드 부재들(196) 사이에 배치되며 상기 클램프 부재들(186)을 닫기 위하여 탄성 복원력을 제공하는 탄성 부재들(198)을 포함할 수 있다.For example, each of the
구체적으로, 상기 전달 테이블(180)의 일측에 배치되는 제1 푸시 부재(190A)는 제1 구동축(194A)을 통해 인접하는 클램프 부재 쌍(186)의 제2 클램프 부재(186B) 및 이격된 클램프 부재 쌍(186)의 제1 클램프 부재(186A)와 연결될 수 있다. 또한, 상기 전달 테이블(180)의 타측에 배치되는 제2 푸시 부재(190B)의 경우에도 제2 구동축(194B)을 통해 인접하는 클램프 부재 쌍(186)의 제2 클램프 부재(186B) 및 이격된 클램프 부재 쌍(186)의 제1 클램프 부재(186A)와 연결될 수 있다.Specifically, the
결과적으로, 도 27에 도시된 바와 같이, 제1 공압 실린더(192A)가 상기 제1 푸시 부재(190A)를 밀어주는 경우, 인접하는 클램프 부재 쌍(186)의 제2 클램프 부재(186B) 및 이격된 클램프 부재 쌍(186)의 제1 클램프 부재(186A)가 하방으로 개방될 수 있다. 또한, 도 28에 도시된 바와 같이, 제2 공압 실린더(192B)가 상기 제2 푸시 부재(190B)를 밀어주는 경우, 인접하는 클램프 부재 쌍(186)의 제2 클램프 부재(186B) 및 이격된 클램프 부재 쌍(186)의 제1 클램프 부재(186A)가 상방으로 개방될 수 있다.As a result, as shown in FIG. 27, when the first
다시, 도 26을 참조하면, 상기 전달 테이블(180)의 저면 양측 부위들에 장착된 가이드 부재들(196)과 상기 제1 및 제2 푸시 부재들(190A, 190B) 사이에는 상기 제1 및 제2 구동축들(194A, 194B)을 감싸도록 상기 탄성 부재들(198)로서 기능하는 코일 스프링들이 장착될 수 있으며, 도 27 및 도 28에서와 같이 개방된 클램프 부재들(186)은 상기 탄성 부재들(198)의 복원력에 의해 닫힐 수 있다. 즉, 상기 클램프 부재들(186)은 상기 제1 및 제2 공압 실린더들(192A, 192B)에 의해 개방될 수 있으며, 상기 제1 및 제2 공압 실린더들(192A, 192B)이 후퇴하는 경우 상기 탄성 부재들(198)에 의해 닫힐 수 있다.Referring again to FIG. 26, between the
도 29는 도 24 내지 도 26에 도시된 클램프 부재들을 설명하기 위한 개략적인 정면도이다.Figure 29 is a schematic front view for explaining the clamp members shown in Figures 24 to 26.
도 24 및 도 29를 참조하면, 상기 서포트 레일들(184)은 상기 반도체 스트립(10)을 안내하기 위한 단차부(184C)가 길이 방향으로 형성되어 있으며, 상기 서포트 레일들(184) 상에 놓여진 상기 반도체 스트립(10)의 폭 방향으로 상기 반도체 스트립(10)의 이탈이 상기 단차부(184C)에 의해 방지될 수 있다. 아울러, 상기 클램프 부재들(186)이 닫힌 상태에서 상방으로 상기 반도체 스트립(10)의 이탈은 상기 클램프 부재들(186)에 의해 방지될 수 있다.Referring to FIGS. 24 and 29, the support rails 184 have
특히, 도 29에 도시된 바와 같이, 상기 클램프 부재(186)의 수평 부위(186D)의 하면 양측에는 상기 반도체 스트립(10)의 길이 방향으로 상기 반도체 스트립(10)의 이탈을 방지하기 위한 스토퍼들(186C)이 구비될 수 있으며, 이에 대응하여 상기 서포트 레일들(184)에는 상기 스토퍼들(186C)의 이동을 위한 홈들(184D)이 구비될 수 있다. 특히, 상기 클램프 부재들(186)이 상기 클램프 구동부들(188)에 의해 개방되는 경우 이와 함께 상기 서포트 레일들(184) 상에서 상기 반도체 스트립(10)의 이송 경로가 상기 스토퍼들(186C)에 의해 개방될 수 있으며, 이와 반대로 상기 클램프 부재들(186)이 상기 클램프 구동부들(188)에 의해 닫히는 경우 이와 함께 상기 서포트 레일들(184) 상에서 상기 반도체 스트립(10)의 이송 경로가 상기 스토퍼들(186C)에 의해 차단될 수 있다.In particular, as shown in FIG. 29, stoppers are provided on both sides of the
구체적으로, 상기 클램프 부재들(186)이 상기 제1 및 제2 공압 실린더들(192A, 192B)에 의해 개방된 상태에서 상기 반도체 스트립(10)이 상기 선형 이송 유닛(200)에 의해 상기 서포트 레일들(184)의 단차부(184C) 상에서 수평 방향으로 이송될 수 있으며, 이어서 상기 탄성 부재들(198)에 의해 상기 클램프 부재들(186)이 닫힌 상태가 되면, 상기 반도체 스트립(10)은 상기 클램프 부재들(186)의 상부 수평 부위(186D)와, 상기 서포트 레일들(184)의 단차부(184C)와, 상기 스토퍼들(186C)에 의해 X축 방향, Y축 방향 및 Z축 방향으로 그 위치가 고정될 수 있다.Specifically, in a state in which the
다시 도 22 및 도 23을 참조하면, 상기 스트립 공급 모듈(170)은 상기 전달 테이블(180)을 회전시키기 위한 제4 회전 구동부(210)를 포함할 수 있으며, 상기 선형 이송 유닛(200)의 이송 레일들(208)은 상기 두 쌍의 서포트 레일들(184) 중 한 쌍과 대응하도록 즉 그 단부들이 서로 인접하게 배치될 수 있다.Referring again to FIGS. 22 and 23, the
도 30 내지 도 32는 도 22 및 도 23에 도시된 선형 이송 유닛과 제4 회전 구동부의 동작을 설명하기 위한 개략적인 평면도들이다.FIGS. 30 to 32 are schematic plan views for explaining the operation of the linear transfer unit and the fourth rotation driver shown in FIGS. 22 and 23.
도 30 내지 도 32를 참조하면, 상기 반도체 스트립(10)은 상기 선형 이송 유닛(200)에 의해 상기 서포트 레일 쌍들(184) 중 하나 상으로 이송될 수 있다. 이때, 상기 클램프 부재들(186)은 상기 제1 및 제2 공압 실린더들(192A, 192B)에 의해 개방될 수 있다.30 to 32, the
이어서, 상기 클램프 부재들(186)이 닫힌 후 상기 전달 테이블(180)이 상기 제4 회전 구동부(210)에 의해 180° 회전될 수 있다. 계속해서, 상기 클램프 부재들(186)이 개방되고, 후속하는 반도체 스트립(10)이 상기 서포트 레일 쌍들(184) 중 나머지 하나 상으로 이송될 수 있다.Subsequently, after the
도 33 및 도 34는 도 29에 도시된 스토퍼를 설명하기 위한 개략적인 확대 측면도들이고, 도 35는 도 33 및 도 34에 도시된 클램프 부재가 완전히 개방된 상태를 보여주는 확대 측면도이다.Figures 33 and 34 are schematic enlarged side views for explaining the stopper shown in Figure 29, and Figure 35 is an enlarged side view showing the clamp member shown in Figures 33 and 34 in a fully open state.
도 33 및 도 34를 참조하면, 상기 클램프 부재(186)의 수평 부위(186D)의 하부면 양측에는 각각 반도체 스트립(10)의 이탈을 방지하기 위한 스토퍼(186C)가 구비될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 스토퍼(186C)는 상기 클램프 부재(186)의 폭보다 짧은 길이를 가질 수 있으며, 상기 스토퍼(186C)의 단부는 상기 클램프 부재(186)의 수평 부위(186D)의 측면보다 내측에 위치될 수 있다. 즉, 도시된 바와 같이, 상기 클램프 부재(186)의 수평 부위(186D)가 상기 스토퍼(186C)의 단부보다 상기 반도체 스트립(10) 방향으로 돌출될 수 있다.Referring to FIGS. 33 and 34 ,
구체적으로, 상기 클램프 부재들(186)이 완전히 개방되는 경우, 특히, 도 35에 도시된 바와 같이, 상기 클램프 부재(186)가 완전히 개방되어 상기 클램프 부재(186)의 수평 부위(186D)가 상기 서포트 레일(184)의 단차부(184C; 도 29 참조) 상부에 존재하지 않게 되는 경우, 상기 반도체 스트립(10)이 상기 서포트 레일들(184) 상으로 이송되는 동안 상기 반도체 스트립(10)의 이탈이 발생될 수 있다. 특히, 상기 서포트 레일들(184) 상으로 이송되는 반도체 스트립(10)에 휨이 발생된 경우, 상기 반도체 스트립(10)의 이탈이 발생될 가능성이 높아지고, 또한 상기 반도체 스트립(10)이 상기 서포트 레일들(184) 상으로 이송되더라도 상기 반도체 스트립(184)의 일부 높이가 상기 클램프 부재들(186)보다 높아질 수 있으므로, 이후 상기 클램프 부재들(186)이 닫히지 않는 문제점이 발생될 수 있다.Specifically, when the
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 클램프 부재(186)는 상기 클램프 구동부(188)에 의해 상기 반도체 스트립(10)의 이송을 위하여 상기 스토퍼 부재(186C)가 상기 서포트 레일들(184)의 단차부(184C)로부터 충분히 제거되고 아울러 상기 클램프 부재(186)의 수평 부위(186D)가 상기 서포트 레일들(184)의 단차부(184C)의 상부에 부분적으로 잔류하도록 개방된 상태(이하 부분 개방 상태라 한다)로 될 수 있다. 결과적으로, 도 33에 도시된 바와 같이, 상기 반도체 스트립(10)의 양측 부위들이 상기 서포트 레일들(184)의 단차부(184C)와 상기 클램프 부재들(186)의 수평 부위(186D)에 의해 형성되는 채널들 내에 위치된 상기 부분 개방 상태에서 상기 서포트 레일들(184) 상으로 이송될 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the
도 36은 도 33 내지 도 35에 도시된 서포트 레일과 클램프 부재를 설명하기 위한 확대 평면도이다.Figure 36 is an enlarged plan view for explaining the support rail and clamp member shown in Figures 33 to 35.
도 36을 참조하면, 상기 클램프 부재(186)의 수평 부위(186D)에는 상기 클램프 부재(186)의 개폐 상태를 확인하기 위한 관통홀(186E)이 상기 수평 부위(186D)를 관통하여 형성될 수 있다. 구체적으로, 상기 관통홀(186E)을 통해 상기 서포트 레일(184)의 측면 부위가 관측될 수 있으며, 상기 전달 테이블(180)의 상부에는 상기 관통홀(186E)을 통해 상기 서포트 레일(184)의 측면 부위를 검출하기 위한 카메라 유닛(250; 도 22 참조)이 배치될 수 있다.Referring to FIG. 36, a through
예를 들면, 상기 클램프 부재(186)의 양측 부위에 각각 관통홀들(186E)이 구비될 수 있으며, 상기 전달 테이블(180)의 상부에는 상기 카메라 유닛(250)이 수평 방향, 예를 들면, X축 방향으로 이동 가능하게 배치될 수 있다. 일 예로서, 상기 카메라 유닛(250)은 도 22에 도시된 바와 같이 상기 선형 이송 유닛(200)의 그리퍼 구동부(206)에 장착될 수 있다.For example, through
상기 카메라 유닛(250)은 상기 관통홀(186E)에 대한 이미지를 획득할 수 있으며, 상기 이미지는 제어부(미도시)에 의해 분석될 수 있다. 상기 제어부는 상기 이미지로부터 상기 관통홀(186E)을 통해 관측된 상기 서포트 레일(184)의 일부의 크기 또는 폭을 산출함으로써 상기 클램프 부재(184)의 개폐 상태를 확인할 수 있다. 아울러, 상기 이미지 분석을 용이하게 하기 위하여 상기 서포트 레일(184)은 상기 클램프 부재(186)와 다른 색상으로 구성될 수 있다.The
다시 도 23을 참조하면, 상기 스트립 공급 모듈(170)은, 상기 전달 테이블(180) 상에 놓여진 반도체 스트립들(10)을 세정 및 건조하기 위한 건조 유닛(220)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 건조 유닛(220)은 상기 반도체 스트립들(10) 상으로 이물질 제거를 위한 세정액, 예를 들면, 물을 공급할 수 있으며, 상기 반도체 스트립들(10)의 건조를 위해 상기 반도체 스트립들(10) 상으로 공기를 공급할 수 있다. 이때, 상기 전달 테이블(180)은 상기 제4 회전 구동부(210)에 의해 고속으로 회전될 수 있으며, 상기 반도체 스트립들(10) 상으로 공급된 세정액은 상기 전달 테이블(180)의 회전에 의해 제거될 수 있다.Referring again to FIG. 23 , the
도 37은 도 23에 도시된 건조 유닛을 설명하기 위한 개략적인 측면도이다.FIG. 37 is a schematic side view for explaining the drying unit shown in FIG. 23.
도 37을 참조하면, 상기 스트립 공급 모듈(170)은 상기 전달 테이블(180)을 수직 방향으로 이동시키기 위한 제3 수직 구동부(212)를 포함할 수 있다. 상기 제3 수직 구동부(212)는 상기 선형 이송 유닛(200)과 상기 전달 테이블(180) 사이에서 상기 반도체 스트립들(10)의 전달이 수행되는 제1 높이와, 상기 전달 테이블(180)과 상기 피커들(152) 사이에서 상기 반도체 스트립들(10)의 전달이 수행되는 제2 높이와, 상기 반도체 스트립들(10)의 세정 및 건조가 수행되는 제3 높이로 상기 전달 테이블(180)의 높이를 조절할 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 높이는 상기 제1 높이보다 높게 설정될 수 있으며, 상기 제3 높이는 상기 제1 높이보다 낮게 설정될 수 있다. 즉, 상기 반도체 스트립들(10)의 세정 및 건조는 상기 선형 이송 유닛(200)에 의해 상기 반도체 스트립들(10)이 이송되는 높이보다 낮은 높이에서 수행될 수 있다.Referring to FIG. 37, the
구체적으로, 상기 전달 테이블(180)은 회전과 수직 이동을 가능하게 하기 위하여 스플라인 축(214)과 스플라인 너트(216)를 이용하여 상기 제4 회전 구동부(210)와 제3 수직 구동부(212)에 연결될 수 있다. 아울러, 일 예로서, 상기 제4 회전 구동부(210)는 모터와 벨트 및 풀리 등을 이용하여 상기 스플라인 축(214)과 연결될 수 있으며, 상기 제3 수직 구동부(212)는 모터와 볼 스크루 및 볼 너트 등을 이용하여 상기 스플라인 축(214)과 연결될 수 있다.Specifically, the transfer table 180 is connected to the fourth
상기 연삭 공정이 수행된 반도체 스트립들(10)이 상기 로터리 이송 모듈(150)에 의해 상기 전달 테이블(180) 상으로 이송되는 경우, 상기 전달 테이블(180)은 상기 제3 수직 구동부(212)에 의해 상기 제2 높이로 상승될 수 있다. 이때, 상기 제4 회전 구동부(210)는 상기 서포트 레일들(184)의 방향이 상기 피커들(152)의 픽업 툴들(154)의 방향과 평행하게 되도록 상기 전달 테이블(180)의 회전 각도를 조절할 수 있다.When the semiconductor strips 10 on which the grinding process has been performed are transferred onto the transfer table 180 by the
도 38은 도 22에 도시된 전달 테이블의 회전 각도가 조절된 상태를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.FIG. 38 is a schematic plan view illustrating a state in which the rotation angle of the transfer table shown in FIG. 22 is adjusted.
도 38을 참조하면, 상기 클램프 구동부(188)는 상기 제2 높이에서 상기 클램프 부재들(186)을 개방하기 위하여 제3 및 제4 공압 실린더들(192C, 192D)을 포함할 수 있으며, 상기 제4 회전 구동부(210)는 상기 푸시 부재들(190A, 190B)과 상기 제3 및 제4 공압 실린더들(192C, 192D)이 서로 마주하도록 상기 전달 테이블(180)을 회전시킬 수 있다. 이어서, 상기 제3 및 제4 공압 실린더들(192C, 192D)에 의해 상기 클램프 부재들(186)이 완전히 개방된 상태(도 35 참조)에서 상기 반도체 스트립들(10)이 상기 서포트 레일들(184) 상에 놓여질 수 있다. 이어서, 상기 탄성 부재들(198)에 의해 상기 클램프 부재들(186)이 닫힐 수 있으며, 상기 제3 수직 구동부(212)는 상기 전달 테이블(180)을 상기 제3 높이로 하강시킬 수 있다. 이때, 상기 제3 높이에는 상기 반도체 스트립들(10) 상으로 공급된 후 상기 전달 테이블(10)의 회전에 의해 비산되는 세정액을 차단하기 위해 상기 전달 테이블(180)을 감싸도록 구성된 커버(222)가 배치될 수 있다. 일 예로서, 상기 커버(222)는 원형 링 형태를 가질 수 있으며, 상기 비산된 세정액을 하방으로 유도하기 위하여 경사진 내측면을 가질 수 있다. 즉, 상기 커버(222)는 상기 하방으로 내경이 점차 증가되는 원형 링 형태를 가질 수 있다.Referring to FIG. 38, the
한편, 상기 스트립 공급 모듈(170)은 상기 클램프 구동부(188)가 장착되는 상부 플레이트(174)와, 상기 스플라인 축(214)과 스플라인 너트(216)가 장착되는 하부 플레이트(176)와, 상기 상부 및 하부 플레이트(174, 176) 사이에 배치되며 상기 반도체 스트립들(10)의 세정 및 건조가 수행되는 공간을 제공하는 측벽(178)을 포함할 수 있다.Meanwhile, the
상기 건조 유닛(220)은 상기 반도체 스트립들(10)의 상부로 세정액을 분사하기 위한 상부 세정액 분사 노즐(224)과 상기 반도체 스트립(10)의 상부로 공기를 분사하기 위한 상부 공기 분사 노즐(226)이 장착된 노즐 암(228)을 포함할 수 있다. 상기 측벽(178)의 내측에는 상기 노즐 암(228)을 스윙 방식으로 수평 회전시키기 위한 암 구동부(230)가 장착될 수 있으며, 상기 암 구동부(230)는 상기 전달 테이블(180)의 수직 방향 이동시 간섭을 회피하기 위하여 상기 노즐 암(228)을 상기 측벽(178)의 내측면에 인접하도록 회전시키고, 상기 전달 테이블(180)이 상기 제3 높이로 하강된 후 상기 반도체 스트립들(10)의 세정 및 건조를 위하여 상기 노즐 암(228)을 상기 전달 테이블(180)의 상부로 회전시킬 수 있다.The drying
또한, 상기 건조 유닛(220)은 상기 반도체 스트립들(10)의 하부로 세정액을 분사하기 위한 하부 세정액 분사 노즐(232)과 상기 반도체 스트립들(10)의 하부로 공기를 분사하기 위한 하부 공기 분사 노즐(234)을 포함할 수 있다. 상기 하부 세정액 및 공기 분사 노즐들(232, 234)에 의해 분사된 세정액과 공기는 상기 전달 테이블(180)의 개구들(182)을 통해 상기 반도체 스트립들(10)의 하부면으로 제공될 수 있다.In addition, the drying
한편, 상기 반도체 스트립들(10)이 상기 피커들(152)로 전달되는 경우 상기 전달 테이블(180)은 상기 제3 수직 구동부(212)에 의해 상기 제2 높이로 상승될 수 있으며, 상기 제4 회전 구동부(210)에 의해 회전 각도가 조절될 수 있다. 이어서, 상기 제3 및 제4 공압 실린더들(192C, 192D)에 의해 상기 클램프 부재들(186)이 완전히 개방된 상태에서 상기 반도체 스트립들(10)이 상기 피커들(152)에 의해 픽업될 수 있다.Meanwhile, when the semiconductor strips 10 are delivered to the
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 스트립 공급 모듈(170)은, 상기 전달 테이블(180) 상에 놓여진 상기 반도체 스트립들(10)을 상기 피커들(152)의 하부면 즉 상기 픽업 툴들(154)의 하부면에 밀착시키기 위하여 상기 반도체 스트립들(10)을 밀어올리는 리프트 유닛(240)을 포함할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the
도 39는 도 37에 도시된 리프트 유닛을 설명하기 위한 개략적인 평면도이고, 도 40은 도 37에 도시된 리프트 유닛의 동작을 설명하기 위한 개략적인 측면도이다.FIG. 39 is a schematic plan view for explaining the lift unit shown in FIG. 37, and FIG. 40 is a schematic side view for explaining the operation of the lift unit shown in FIG. 37.
도 37과 도 39 및 도 40을 참조하면, 상기 리프트 유닛(240)은, 상기 반도체 스트립들(10)을 상기 픽업 툴들(154)의 하부면에 밀착시키기 위한 한 쌍의 밀착 플레이트들(242)과, 상기 밀착 플레이트들(242)을 지지하는 서포트 플레이트(244)와, 상기 서포트 플레이트(244)를 수직 방향으로 이동시키기 위한 제4 수직 구동부(246)를 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 37, 39, and 40, the
예를 들면, 상기 밀착 플레이트들(242)은 상기 전달 테이블(180)의 개구들(182)을 통과 가능하도록 구성될 수 있으며, 상기 제4 수직 구동부(246)는 상기 하부 플레이트(176)를 관통하여 수직 방향으로 연장하는 복수의 구동축들(248)과, 상기 구동축들(248)을 수직 방향으로 이동시키기 위한 모터와 볼 스크루 및 볼 너트 등을 포함할 수 있다.For example, the
특히, 도 40에 도시된 바와 같이 상기 반도체 스트립(10)에 휨 현상이 발생된 경우, 상기 리프트 유닛(240)은 상기 반도체 스트립(10)을 상기 피커(152)의 픽업 툴(154) 하부면에 상기 반도체 스트립(10)을 전체적으로 밀착시킬 수 있으며, 이에 의해 상기 반도체 스트립(10)이 상기 픽업 툴(154)에 안정적으로 진공 흡착될 수 있다. 따라서, 상기 반도체 스트립(10)에 휨이 발생된 경우에도 상기 반도체 스트립(10)의 픽업 불량이 충분히 방지될 수 있다.In particular, as shown in FIG. 40, when bending occurs in the
한편, 상기 밀착 플레이트들(242)은 상기 반도체 스트립들(10)의 세정 및 건조가 수행되는 동안 상기 커버(222) 아래 즉 상기 제3 높이에 위치된 상기 전달 테이블(180)의 아래에 위치될 수 있으며, 상기 하부 세정액 분사 노즐(232)과 상기 하부 공기 분사 노즐(234)이 상기 서포트 플레이트(244) 상에 배치될 수 있다.Meanwhile, the
도 41은 도 26에 도시된 클램프 구동부의 다른 예를 설명하기 위한 개략적인 저면도이다.FIG. 41 is a schematic bottom view for explaining another example of the clamp driving unit shown in FIG. 26.
도 41을 참조하면, 상기 클램프 구동부(188)는, 상기 전달 테이블(180)의 양측에 배치되는 푸시 부재들(190A, 190B)과, 상기 푸시 부재들(190A, 190B)과 상기 클램프 부재들(186)을 연결하는 구동축들(194A, 194B)과, 상기 전달 테이블(180)의 하부에 장착되며 상기 구동축들(194A, 194B)을 안내하기 위한 가이드 부재들(196)과, 상기 구동축들(194A, 194B)에 장착되는 푸시 브래킷들(260A, 260B)과, 상기 전달 테이블(180)의 하부에 장착되며 상기 클램프 부재들(186)을 개방하기 위하여 상기 푸시 브래킷들(260A, 260B)을 밀어주는 공압 실린더들(262A, 262B)과, 상기 푸시 부재들(190A, 190B)과 상기 가이드 부재들(196) 사이에 배치되며 상기 클램프 부재들(186)을 닫기 위하여 탄성 복원력을 제공하는 탄성 부재들(198)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 41, the
상기와 같이 공압 실린더들(262A, 262B)이 상기 전달 테이블(180)의 하부에 장착되는 경우, 도시되지는 않았으나, 상기 스플라인 축(214)에는 압축 공기의 제공을 위한 공압 유로(미도시)가 수직 방향으로 구비될 수 있으며, 상기 스플라인 축(214)의 상부 및 하부에는 상기 공압 유로와 연결되는 상부 및 하부 로터리 조인트들(미도시)이 각각 장착될 수 있다. 아울러, 상기 상부 로터리 조인트와 상기 공압 실린더들(262A, 262B) 사이 그리고 상기 하부 로터리 조인트와 상기 압축 공기의 제공을 위한 공기 제공부(미도시) 사이는 공압 배관들(미도시)을 통해 연결될 수 있다.When the
도 42는 도 25에 도시된 전달 테이블의 다른 예를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.FIG. 42 is a schematic plan view for explaining another example of the transfer table shown in FIG. 25.
도 42를 참조하면, 한 장의 대면적 반도체 스트립(12)이 전달 테이블(270) 상으로 이송되는 경우, 상기 전달 테이블(270) 상에는 상기 반도체 스트립(12)의 양측 부위들을 지지하기 위한 한 쌍의 서포트 레일들(272)과, 상기 반도체 스트립(12)의 이탈을 방지하기 위한 한 쌍의 클램프 부재들(274)이 배치될 수 있다. 한편, 상기 클램프 부재들(274)의 개폐를 위한 클램프 구동부는 기 설명된 바와 실질적으로 동일하므로 이에 대한 설명은 생략한다.Referring to FIG. 42, when a single large-
특히, 상기 전달 테이블(270) 상에는 상기 반도체 스트립(12)을 이송하는 동안 그리고 상기 반도체 스트립(12)이 상기 서포트 레일들(272) 상에 위치된 후 상기 반도체 스트립(12)의 처짐을 방지하기 위한 서포트 롤러들(276)이 배치될 수 있다. 일 예로서, 상기 서포트 롤러들(276)은 상기 반도체 스트립(12)의 이송 방향으로 연장하는 마운트 브래킷(278)에 장착될 수 있으며, 상기 반도체 스트립(12)을 이송하는 동안 그리고 상기 반도체 스트립(12)이 상기 서포트 레일들(272) 상의 기 설정된 위치에 위치된 후 상기 반도체 스트립(12)의 중앙 부위를 지지할 수 있다.In particular, to prevent sagging of the
한편, 도 7에 도시된 바와 같은 원형 반도체 스트립(16)이 공급되는 경우, 상기 선형 이송 유닛(200)은 상기 원형 반도체 스트립(16)의 하부면을 진공 흡착하여 픽업하기 위한 로봇 핸드(미도시)를 구비할 수 있다. 또한, 상기 전달 테이블(180) 상에는 상기 원형 반도체 스트립(16)의 양측 부위들을 지지하기 위한 원호(arc) 형태를 갖는 서포트 레일들(미도시)과 상기 원형 반도체 스트립(16)의 위치를 고정시키기 위한 원호 형태의 클램프 부재들(미도시)이 배치될 수 있다.Meanwhile, when the
상술한 바와 같은 본 발명의 실시예들에 따르면, 상술한 바와 같은 본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 연삭 휠(124)을 회전시키고, 아울러 상기 척 테이블(110)을 회전시키면서 수평 방향으로 이동시킴으로써 즉 상기 척 테이블(110)의 회전과 수평 이동을 동시에 수행하여 상기 반도체 스트립(16)의 표면 부위를 상기 기 설정된 황삭 두께만큼 한번에 제거할 수 있다. 특히, 상기와 같은 단계들을 수행하는 동안 상기 반도체 스트립(16)의 표면 부위 절삭은 연삭 숫돌들(122)의 하부면 뿐만 아니라 측면에 의해 이루어질 수 있으므로, 종래 기술과 비교하여 한 번의 황삭 공정을 통해 상기 기 설정된 황삭 두께만큼 상기 반도체 스트립(16)의 표면 부위를 제거할 수 있으므로, 상기 반도체 스트립(16)의 연삭에 소요되는 전체적인 시간이 크게 단축될 수 있다. 또한, 상기 황삭 공정을 수행하는 동안 상기 연삭 숫돌들(122)의 하부면 마모도가 감소되고 아울러 상기 연삭 숫돌들(122)의 하부면에 이물질 누적이 감소되어 후속하는 정삭 공정에서 상기 반도체 스트립(16)의 표면 품질이 향상될 수 있다.According to the embodiments of the present invention as described above, the
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the present invention has been described above with reference to preferred embodiments, those skilled in the art may make various modifications and changes to the present invention without departing from the spirit and scope of the present invention as set forth in the claims below. You will be able to understand that it exists.
10 : 반도체 스트립
20 : 매거진
100 : 반도체 스트립 연삭 장치
110 : 척 테이블
112 : 진공 흡착 영역
120 : 연삭 모듈
122 : 연삭 숫돌
124 : 연삭 휠
130 : 드레싱 모듈
140 : 세정 모듈
146 : 노즐 조립체
150 : 로터리 이송 모듈
152 : 피커
154 : 픽업 툴
156 : 로터리 유닛
160 : 로터리 암
170 : 스트립 공급 모듈
172 : 매거진 포트
174 : 상부 플레이트
176 : 하부 플레이트
178 : 측벽
180 : 전달 테이블
182 : 개구
184 : 서포트 레일
186 : 클램프 부재
188 : 클램프 구동부
190 : 푸시 부재
192 : 공압 실린더
194 : 구동축
196 : 가이드 부재
198 : 탄성 부재
200 : 선형 이송 유닛
202 : 푸셔
204 : 그리퍼
208 : 이송 레일
220 : 건조 유닛
228 : 노즐 암
230 : 암 구동부
240 : 리프트 유닛
242 : 밀착 플레이트
244 : 서포트 플레이트
250 : 카메라 유닛10: semiconductor strip 20: magazine
100: Semiconductor strip grinding device 110: Chuck table
112: Vacuum adsorption area 120: Grinding module
122: grinding wheel 124: grinding wheel
130: dressing module 140: cleaning module
146: nozzle assembly 150: rotary transfer module
152: Picker 154: Pick tool
156: rotary unit 160: rotary arm
170: Strip supply module 172: Magazine port
174: upper plate 176: lower plate
178: side wall 180: delivery table
182: opening 184: support rail
186: Clamp member 188: Clamp driving unit
190: Push member 192: Pneumatic cylinder
194: Drive shaft 196: Guide member
198: elastic member 200: linear transfer unit
202: Pusher 204: Gripper
208: transfer rail 220: drying unit
228: nozzle arm 230: arm driving unit
240: Lift unit 242: Adhesion plate
244: Support plate 250: Camera unit
Claims (10)
연삭 숫돌들이 하부면에 장착된 연삭 휠을 회전시키는 단계; 및
상기 척 테이블을 회전시키면서 상기 연삭 휠의 가장자리 부위가 상기 척 테이블의 중심 부위의 상부에 위치될 때까지 상기 척 테이블을 수평 방향으로 이동시켜 상기 반도체 스트립의 표면 부위를 가장자리 부위로부터 중심 부위를 향하여 기 설정된 황삭 두께만큼 연삭하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 스트립 연삭 방법.vacuum adsorbing the semiconductor strip onto a chuck table;
rotating a grinding wheel on which grinding stones are mounted on the lower surface; and
While rotating the chuck table, the chuck table is moved in the horizontal direction until the edge of the grinding wheel is located above the center of the chuck table, thereby tilting the surface of the semiconductor strip from the edge toward the center. A semiconductor strip grinding method comprising the step of grinding to a set roughing thickness.
연삭 숫돌들이 하부면에 장착된 연삭 휠을 회전시키는 단계; 및
상기 척 테이블을 회전시키면서 상기 연삭 휠의 가장자리 부위가 상기 척 테이블의 중심 부위의 상부에 위치될 때까지 상기 척 테이블을 수평 방향으로 이동시켜 상기 반도체 스트립들의 표면 부위를 상기 척 테이블의 가장자리 부위에 인접한 일측 부위로부터 상기 척 테이블의 중심 부위에 인접한 타측 부위를 향하여 기 설정된 황삭 두께만큼 연삭하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 스트립 연삭 방법.vacuum adsorbing a plurality of semiconductor strips on a chuck table;
rotating a grinding wheel on which grinding stones are mounted on the lower surface; and
While rotating the chuck table, the chuck table is moved in the horizontal direction until the edge of the grinding wheel is located above the center of the chuck table, so that the surface of the semiconductor strips is adjacent to the edge of the chuck table. A semiconductor strip grinding method comprising grinding a preset roughing thickness from one side toward the other side adjacent to the center of the chuck table.
상기 연삭 휠이 상기 척 테이블의 상부면 일측 부위와 제2 수평 방향으로 평행하도록 상기 연삭 휠을 상기 제2 수평 방향에 대하여 소정 각도 경사지도록 배치하는 것을 특징으로 하는 반도체 스트립 연삭 방법.The method of claim 1 or 2, wherein the center portion of the upper surface of the chuck table is configured to be higher than the edge portion of the chuck table,
A semiconductor strip grinding method, characterized in that the grinding wheel is arranged to be inclined at a predetermined angle with respect to the second horizontal direction so that the grinding wheel is parallel to one side of the upper surface of the chuck table in a second horizontal direction.
복수의 연삭 숫돌들이 하부면에 장착된 연삭 휠을 포함하며 상기 척 테이블 상에 진공 흡착된 상기 반도체 스트립의 표면 부위를 제거하기 위하여 상기 연삭 휠을 회전시키는 연삭 모듈; 및
상기 척 테이블과 상기 연삭 모듈의 동작을 제어하는 제어부를 포함하며,
상기 제어부는, 상기 연삭 휠을 회전시키고, 상기 반도체 스트립의 표면 부위를 가장자리 부위로부터 중심 부위를 향하여 기 설정된 황삭 두께만큼 연삭하기 위하여 상기 척 테이블을 회전시키면서 상기 연삭 휠의 가장자리 부위가 상기 척 테이블의 중심 부위의 상부에 위치될 때까지 상기 척 테이블을 수평 방향으로 이동시키는 것을 특징으로 하는 반도체 스트립 연삭 장치.A chuck table configured to enable horizontal movement and rotation and vacuum adsorption of the semiconductor strip;
a grinding module including a grinding wheel with a plurality of grinding stones mounted on a lower surface and rotating the grinding wheel to remove a surface portion of the semiconductor strip vacuum-adsorbed on the chuck table; and
It includes a control unit that controls the operation of the chuck table and the grinding module,
The control unit rotates the grinding wheel and rotates the chuck table to grind the surface portion of the semiconductor strip from the edge portion toward the center portion to a preset roughing thickness, so that the edge portion of the grinding wheel is of the chuck table. A semiconductor strip grinding device, characterized in that the chuck table is moved in a horizontal direction until it is located at the top of the center portion.
복수의 연삭 숫돌들이 하부면에 장착된 연삭 휠을 포함하며 상기 척 테이블 상에 진공 흡착된 상기 반도체 스트립들의 표면 부위를 제거하기 위하여 상기 연삭 휠을 회전시키는 연삭 모듈; 및
상기 척 테이블과 상기 연삭 모듈의 동작을 제어하는 제어부를 포함하며,
상기 제어부는, 상기 연삭 휠을 회전시키고, 상기 반도체 스트립들의 표면 부위를 상기 척 테이블의 가장자리 부위에 인접한 일측 부위로부터 상기 척 테이블의 중심 부위에 인접한 타측 부위를 향하여 기 설정된 황삭 두께만큼 연삭하기 위하여 상기 척 테이블을 회전시키면서 상기 연삭 휠의 가장자리 부위가 상기 척 테이블의 중심 부위의 상부에 위치될 때까지 상기 척 테이블을 수평 방향으로 이동시키는 것을 특징으로 하는 반도체 스트립 연삭 장치.a chuck table configured to enable horizontal movement and rotation and vacuum adsorption of a plurality of semiconductor strips;
a grinding module including a grinding wheel with a plurality of grinding stones mounted on a lower surface and rotating the grinding wheel to remove surface portions of the semiconductor strips vacuum-adsorbed on the chuck table; and
It includes a control unit that controls the operation of the chuck table and the grinding module,
The control unit rotates the grinding wheel and grinds the surface portion of the semiconductor strips to a preset roughing thickness from one side adjacent to the edge portion of the chuck table toward the other portion adjacent to the center portion of the chuck table. A semiconductor strip grinding device, characterized in that while rotating the chuck table, the chuck table is moved in the horizontal direction until the edge of the grinding wheel is located above the center of the chuck table.
상기 연삭 휠은 상기 척 테이블의 상부면 일측 부위와 제2 수평 방향으로 평행하도록 상기 제2 수평 방향에 대하여 소정 각도 경사지도록 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 스트립 연삭 장치.The method of claim 5 or 6, wherein the center portion of the upper surface of the chuck table is configured to be higher than the edge portion of the chuck table,
The grinding wheel is configured to be inclined at a predetermined angle with respect to the second horizontal direction so as to be parallel to one side of the upper surface of the chuck table in the second horizontal direction.
상기 제어부는 상기 연삭 숫돌들의 중심 부위가 상기 척 테이블의 중심 부위의 상부에 위치되도록 상기 척 테이블을 수평 이동시키는 것을 특징으로 하는 반도체 스트립 연삭 장치.The method of claim 5 or 6, wherein the grinding stones are arranged in a circumferential direction along the edge of the lower surface of the grinding wheel,
The control unit horizontally moves the chuck table so that the center portion of the grinding stones is located above the center portion of the chuck table.
상기 척 테이블과 상기 스트립 공급 모듈 사이에 배치되며 상기 반도체 스트립을 픽업하기 위한 피커 및 상기 반도체 스트립을 상기 척 테이블과 상기 스트립 공급 모듈 사이에서 이송하기 위해 상기 피커를 회전시키는 로터리 유닛을 구비하는 로터리 이송 모듈과,
상기 척 테이블과 상기 피커 사이에서 수평 방향으로 이동 가능하게 구성되며 상기 척 테이블과 상기 피커 및 상기 반도체 스트립으로부터 이물질을 제거하기 위한 세정 모듈을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 스트립 연삭 장치.The method of claim 5 or 6, further comprising: a strip supply module for supplying the semiconductor strip and recovering the semiconductor strip on which a grinding process has been performed by the grinding module;
A rotary transfer disposed between the chuck table and the strip supply module and including a picker for picking up the semiconductor strip and a rotary unit for rotating the picker to transport the semiconductor strip between the chuck table and the strip supply module. module,
A semiconductor strip grinding device configured to be horizontally movable between the chuck table and the picker and further comprising a cleaning module for removing foreign substances from the chuck table, the picker, and the semiconductor strip.
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