KR20230150112A - Semiconductor strip grinding method and apparatus - Google Patents

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KR20230150112A
KR20230150112A KR1020220049660A KR20220049660A KR20230150112A KR 20230150112 A KR20230150112 A KR 20230150112A KR 1020220049660 A KR1020220049660 A KR 1020220049660A KR 20220049660 A KR20220049660 A KR 20220049660A KR 20230150112 A KR20230150112 A KR 20230150112A
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송진규
황의두
정운태
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Abstract

반도체 스트립 연삭 방법 및 장치가 개시된다. 상기 반도체 스트립 연삭 방법은, 반도체 스트립을 척 테이블 상에 진공 흡착시키는 단계와, 연삭 숫돌들이 하부면에 장착된 연삭 휠을 회전시키는 단계와, 상기 반도체 스트립의 가장자리 부위로부터 중심 부위를 향하여 연삭이 진행되도록 상기 척 테이블을 수평 방향으로 이동시키되, 상기 연삭 휠의 가장자리 부위가 상기 척 테이블의 중심 부위의 상부에 위치될 때까지 상기 척 테이블을 이동시켜 상기 반도체 스트립의 표면 부위를 기 설정된 황삭 두께만큼 부분적으로 제거하는 단계와, 상기 척 테이블을 회전시켜 상기 반도체 스트립의 표면 부위를 상기 기 설정된 황삭 두께만큼 전체적으로 제거하는 단계를 포함한다.A semiconductor strip grinding method and apparatus are disclosed. The semiconductor strip grinding method includes the steps of vacuum adsorbing the semiconductor strip on a chuck table, rotating a grinding wheel on which grinding stones are mounted on the lower surface, and grinding progresses from the edge of the semiconductor strip toward the center. Move the chuck table in the horizontal direction as much as possible, and move the chuck table until the edge of the grinding wheel is located above the center of the chuck table to partially roughen the surface of the semiconductor strip by a preset roughing thickness. and removing the entire surface portion of the semiconductor strip by the preset roughing thickness by rotating the chuck table.

Description

반도체 스트립 연삭 방법 및 장치{SEMICONDUCTOR STRIP GRINDING METHOD AND APPARATUS}Semiconductor strip grinding method and apparatus {SEMICONDUCTOR STRIP GRINDING METHOD AND APPARATUS}

본 발명의 실시예들은 반도체 스트립 연삭 방법 및 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 다이 본딩 공정과 몰딩 공정에 의해 제조된 반도체 스트립의 보호 몰딩층을 연삭하여 상기 반도체 스트립의 두께를 감소시키는 반도체 스트립 연삭 방법 및 이를 수행하기 위한 장치에 관한 것이다.Embodiments of the present invention relate to a method and apparatus for grinding a semiconductor strip. More specifically, it relates to a semiconductor strip grinding method for reducing the thickness of a semiconductor strip by grinding the protective molding layer of the semiconductor strip manufactured by a die bonding process and a molding process, and an apparatus for performing the same.

반도체 스트립은 인쇄회로기판 또는 리드 프레임과 같은 기판 상에 반도체 다이를 본딩하는 다이 본딩 공정과 상기 반도체 다이를 에폭시 수지와 같은 몰딩 수지를 이용하여 패키징하는 몰딩 공정을 통해 제조될 수 있으며, 상기 반도체 스트립을 절단하여 개별화하고 양불 판정을 통해 분류하는 절단 및 분류 공정을 통해 반도체 패키지들이 제조될 수 있다.The semiconductor strip can be manufactured through a die bonding process of bonding a semiconductor die on a substrate such as a printed circuit board or lead frame and a molding process of packaging the semiconductor die using a molding resin such as an epoxy resin, and the semiconductor strip Semiconductor packages can be manufactured through a cutting and sorting process that cuts, individualizes, and sorts through pass/fail judgment.

반도체 스트립 연삭 장치는 상기와 같이 제조된 반도체 스트립의 두께를 기 설정된 두께로 감소시키기 위하여 상기 몰딩 수지로 이루어지는 보호 몰딩층의 표면 부위를 연삭하여 제거하는데 사용될 수 있다. 상기 반도체 스트립 연삭 장치는 상기 반도체 스트립을 지지하기 위한 척 테이블과 상기 반도체 스트립의 표면 부위를 연삭하여 제거하기 위한 연삭 모듈을 포함할 수 있다.The semiconductor strip grinding device may be used to grind and remove the surface portion of the protective molding layer made of the molding resin in order to reduce the thickness of the semiconductor strip manufactured as described above to a preset thickness. The semiconductor strip grinding device may include a chuck table for supporting the semiconductor strip and a grinding module for grinding and removing a surface portion of the semiconductor strip.

상기 반도체 스트립에 대한 연삭 공정은 상기 반도체 스트립의 표면 부위를 기 설정된 두께만큼 빠르게 거칠게 절삭하는 황삭 공정과 상기 황삭 공정을 수행한 후 상기 반도체 스트립을 목표 두께로 가공하기 위하여 상기 반도체 스트립의 표면 부위를 정밀하게 절삭하는 정삭 공정으로 구분될 수 있다. 그러나, 상기 정삭 공정 뿐만 아니라 상기 황삭 공정의 경우에도 주로 연삭 숫돌들의 하부면을 이용하여 연삭을 수행하므로 기 설정된 황삭 두께만큼 상기 반도체 스트립의 표면 부위를 절삭하기 위해서는 기 설정된 황삭 두께를 여러 차례로 나누어 황삭 공정을 여러 번 반복적으로 수행할 필요가 있으며, 이에 따라 상기 연삭 공정에 소요되는 전체 시간을 단축시키는데 한계가 있다. 또한, 황삭 단계를 여러 번 반복적으로 수행하는 경우 상기 연삭 숫돌들의 하부면 마모가 증가하고 아울러 상기 연삭 숫돌들의 하부면에 이물질이 누적되어 후속하는 정삭 공정에서 상기 반도체 스트립의 표면 품질이 저하될 수 있다.The grinding process for the semiconductor strip includes a roughing process in which the surface area of the semiconductor strip is quickly and roughly cut to a preset thickness, and after performing the roughing process, the surface area of the semiconductor strip is cut in order to process the semiconductor strip to a target thickness. It can be divided into a finishing process that involves precise cutting. However, in the case of the roughing process as well as the finishing process, grinding is mainly performed using the lower surfaces of grinding stones. Therefore, in order to cut the surface area of the semiconductor strip by the preset roughing thickness, the preset roughing thickness is divided into several times and roughing is performed. The process needs to be performed repeatedly several times, and accordingly, there is a limit to shortening the total time required for the grinding process. In addition, when the roughing step is repeatedly performed several times, wear of the lower surfaces of the grinding wheels increases and foreign matter accumulates on the lower surfaces of the grinding stones, which may deteriorate the surface quality of the semiconductor strip in the subsequent finishing process. .

대한민국 등록특허공보 제10-1675271호 (등록일자 2016년 11월 07일)Republic of Korea Patent Publication No. 10-1675271 (registration date: November 7, 2016) 대한민국 등록특허공보 제10-1851383호 (등록일자 2018년 04월 17일)Republic of Korea Patent Publication No. 10-1851383 (registration date April 17, 2018)

본 발명의 실시예들은 연삭 공정에 소요되는 시간을 단축시킬 수 있는 반도체 스트립 연삭 방법과 이를 수행하는데 적합한 반도체 스트립 연삭 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.The purpose of embodiments of the present invention is to provide a semiconductor strip grinding method that can shorten the time required for the grinding process and a semiconductor strip grinding device suitable for performing the same.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 반도체 스트립 연삭 방법은, 반도체 스트립을 척 테이블 상에 진공 흡착시키는 단계와, 연삭 숫돌들이 하부면에 장착된 연삭 휠을 회전시키는 단계와, 상기 반도체 스트립의 가장자리 부위로부터 중심 부위를 향하여 연삭이 진행되도록 상기 척 테이블을 수평 방향으로 이동시키되, 상기 연삭 휠의 가장자리 부위가 상기 척 테이블의 중심 부위의 상부에 위치될 때까지 상기 척 테이블을 이동시켜 상기 반도체 스트립의 표면 부위를 기 설정된 황삭 두께만큼 부분적으로 제거하는 단계와, 상기 척 테이블을 회전시켜 상기 반도체 스트립의 표면 부위를 상기 기 설정된 황삭 두께만큼 전체적으로 제거하는 단계를 포함할 수 있다.A semiconductor strip grinding method according to an aspect of the present invention for achieving the above object includes vacuum adsorbing a semiconductor strip on a chuck table, rotating a grinding wheel on which grinding stones are mounted on a lower surface, and grinding the semiconductor strip on a chuck table. Move the chuck table in a horizontal direction so that grinding progresses from the edge of the strip toward the center, and move the chuck table until the edge of the grinding wheel is located above the center of the chuck table. It may include partially removing the surface portion of the semiconductor strip by a preset roughing thickness, and rotating the chuck table to entirely remove the surface portion of the semiconductor strip by the preset roughing thickness.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 측면에 따른 반도체 스트립 연삭 방법은, 복수의 반도체 스트립들을 척 테이블 상에 진공 흡착시키는 단계와, 연삭 숫돌들이 하부면에 장착된 연삭 휠을 회전시키는 단계와, 상기 척 테이블의 가장자리 부위에 인접한 상기 반도체 스트립들 중 적어도 하나의 일측 부위로부터 상기 척 테이블의 중심 부위에 인접한 상기 반도체 스트립들 중 적어도 하나의 타측 부위를 향하여 연삭이 진행되도록 상기 척 테이블을 수평 방향으로 이동시키되, 상기 연삭 휠의 가장자리 부위가 상기 척 테이블의 중심 부위의 상부에 위치될 때까지 상기 척 테이블을 이동시켜 상기 반도체 스트립들 중 적어도 하나의 표면 부위를 기 설정된 황삭 두께만큼 부분적으로 제거하는 단계와, 상기 척 테이블을 회전시켜 상기 반도체 스트립들의 표면 부위를 상기 기 설정된 황삭 두께만큼 전체적으로 제거하는 단계를 포함할 수 있다.A semiconductor strip grinding method according to another aspect of the present invention for achieving the above object includes vacuum adsorbing a plurality of semiconductor strips on a chuck table, rotating a grinding wheel on which grinding stones are mounted on the lower surface, The chuck table is moved in a horizontal direction so that grinding progresses from one side of at least one of the semiconductor strips adjacent to the edge of the chuck table to the other side of at least one of the semiconductor strips adjacent to the center of the chuck table. Moving the chuck table until the edge of the grinding wheel is located above the center of the chuck table to partially remove the surface of at least one of the semiconductor strips by a preset roughing thickness. and rotating the chuck table to completely remove the surface portion of the semiconductor strips by the preset roughing thickness.

본 발명의 일부 실시예들에 따르면, 상기 척 테이블의 회전 방향을 기준으로 상기 연삭 휠의 전방 부위에서 연삭이 이루어지도록 상기 연삭 휠을 제1 수평 방향에 대하여 소정 각도 경사지도록 배치할 수 있다.According to some embodiments of the present invention, the grinding wheel may be arranged to be inclined at a predetermined angle with respect to the first horizontal direction so that grinding occurs in a front portion of the grinding wheel based on the rotation direction of the chuck table.

본 발명의 일부 실시예들에 따르면, 상기 척 테이블의 상부면 중심 부위를 상기 척 테이블의 가장자리 부위보다 높게 구성하고, 상기 연삭 휠이 상기 척 테이블의 상부면 일측 부위와 제2 수평 방향으로 평행하도록 상기 연삭 휠을 상기 제2 수평 방향에 대하여 소정 각도 경사지도록 배치할 수 있다.According to some embodiments of the present invention, the center portion of the upper surface of the chuck table is configured to be higher than the edge portion of the chuck table, and the grinding wheel is parallel to one portion of the upper surface of the chuck table in the second horizontal direction. The grinding wheel may be arranged to be inclined at a predetermined angle with respect to the second horizontal direction.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 또 다른 측면에 따른 반도체 스트립 연삭 장치는, 수평 방향 이동과 회전 및 반도체 스트립의 진공 흡착이 가능하도록 구성된 척 테이블과, 복수의 연삭 숫돌들이 하부면에 장착된 연삭 휠을 포함하며 상기 척 테이블 상에 진공 흡착된 상기 반도체 스트립의 표면 부위를 제거하기 위하여 상기 연삭 휠을 회전시키는 연삭 모듈과, 상기 척 테이블과 상기 연삭 모듈의 동작을 제어하는 제어부를 포함할 수 있다. 이때, 상기 제어부는, 상기 연삭 휠을 회전시키고, 상기 반도체 스트립의 가장자리 부위로부터 중심 부위를 향하여 연삭이 진행되도록 상기 척 테이블을 수평 방향으로 이동시키되, 상기 반도체 스트립의 표면 부위를 기 설정된 황삭 두께만큼 부분적으로 제거하기 위하여 상기 연삭 휠의 가장자리 부위가 상기 척 테이블의 중심 부위의 상부에 위치될 때까지 상기 척 테이블을 이동시키며, 상기 반도체 스트립의 표면 부위를 상기 기 설정된 황삭 두께만큼 전체적으로 제거하기 위하여 상기 척 테이블을 회전시킬 수 있다.A semiconductor strip grinding device according to another aspect of the present invention for achieving the above object includes a chuck table configured to enable horizontal movement and rotation and vacuum adsorption of the semiconductor strip, and a grinding wheel equipped with a plurality of grinding stones on the lower surface. It may include a grinding module that includes a wheel and rotates the grinding wheel to remove the surface portion of the semiconductor strip vacuum adsorbed on the chuck table, and a control unit that controls operations of the chuck table and the grinding module. . At this time, the control unit rotates the grinding wheel and moves the chuck table in the horizontal direction so that grinding progresses from the edge portion of the semiconductor strip toward the center portion, while cutting the surface portion of the semiconductor strip by a preset roughing thickness. In order to partially remove, the chuck table is moved until the edge of the grinding wheel is located above the center of the chuck table, and in order to completely remove the surface area of the semiconductor strip by the preset roughing thickness, The chuck table can be rotated.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 또 다른 측면에 따른 반도체 스트립 연삭 장치는, 수평 방향 이동과 회전 및 복수의 반도체 스트립들에 대한 진공 흡착이 가능하도록 구성된 척 테이블과, 복수의 연삭 숫돌들이 하부면에 장착된 연삭 휠을 포함하며 상기 척 테이블 상에 진공 흡착된 상기 반도체 스트립의 표면 부위를 제거하기 위하여 상기 연삭 휠을 회전시키는 연삭 모듈과, 상기 척 테이블과 상기 연삭 모듈의 동작을 제어하는 제어부를 포함할 수 있다. 이때, 상기 제어부는, 상기 연삭 휠을 회전시키고, 상기 척 테이블의 가장자리 부위에 인접한 상기 반도체 스트립들 중 적어도 하나의 일측 부위로부터 상기 척 테이블의 중심 부위에 인접한 상기 반도체 스트립들 중 적어도 하나의 타측 부위를 향하여 연삭이 진행되도록 상기 척 테이블을 수평 방향으로 이동시키되, 상기 반도체 스트립들 중 적어도 하나의 표면 부위를 기 설정된 황삭 두께만큼 부분적으로 제거하기 위하여 상기 연삭 휠의 가장자리 부위가 상기 척 테이블의 중심 부위의 상부에 위치될 때까지 상기 척 테이블을 이동시키며, 상기 반도체 스트립들의 표면 부위를 상기 기 설정된 황삭 두께만큼 전체적으로 제거하기 위하여 상기 척 테이블을 회전시킬 수 있다.A semiconductor strip grinding device according to another aspect of the present invention for achieving the above object includes a chuck table configured to enable horizontal movement and rotation and vacuum adsorption of a plurality of semiconductor strips, and a plurality of grinding stones on the lower surface. a grinding module that includes a grinding wheel mounted on the chuck table and rotates the grinding wheel to remove the surface portion of the semiconductor strip vacuum-adsorbed on the chuck table; and a control unit that controls the operations of the chuck table and the grinding module. It can be included. At this time, the control unit rotates the grinding wheel, and moves from one side of at least one of the semiconductor strips adjacent to the edge of the chuck table to the other side of at least one of the semiconductor strips adjacent to the center of the chuck table. The chuck table is moved in the horizontal direction so that grinding progresses toward, and the edge of the grinding wheel is moved to the center of the chuck table in order to partially remove the surface of at least one of the semiconductor strips by a preset roughing thickness. The chuck table may be moved until it is located at the top of the , and the chuck table may be rotated to completely remove the surface portion of the semiconductor strips by the preset roughing thickness.

본 발명의 일부 실시예들에 따르면, 상기 척 테이블의 회전 방향을 기준으로 상기 연삭 휠의 전방 부위에서 연삭이 이루어지도록 상기 연삭 휠은 제1 수평 방향에 대하여 소정 각도 경사지도록 구성될 수 있다.According to some embodiments of the present invention, the grinding wheel may be configured to be inclined at a predetermined angle with respect to the first horizontal direction so that grinding occurs in a front portion of the grinding wheel based on the rotation direction of the chuck table.

본 발명의 일부 실시예들에 따르면, 상기 척 테이블의 상부면 중심 부위는 상기 척 테이블의 가장자리 부위보다 높게 구성되고, 상기 연삭 휠은 상기 척 테이블의 상부면 일측 부위와 제2 수평 방향으로 평행하도록 상기 제2 수평 방향에 대하여 소정 각도 경사지도록 구성될 수 있다.According to some embodiments of the present invention, the center portion of the upper surface of the chuck table is configured to be higher than the edge portion of the chuck table, and the grinding wheel is parallel to one side of the upper surface of the chuck table in the second horizontal direction. It may be configured to be inclined at a predetermined angle with respect to the second horizontal direction.

본 발명의 일부 실시예들에 따르면, 상기 연삭 숫돌들은 상기 연삭 휠의 하부면 자장자리를 따라 원주 방향으로 배치되고, 상기 제어부는 상기 연삭 숫돌들의 중심 부위가 상기 척 테이블의 중심 부위의 상부에 위치되도록 상기 척 테이블을 수평 이동시킬 수 있다.According to some embodiments of the present invention, the grinding stones are arranged in the circumferential direction along the edge of the lower surface of the grinding wheel, and the control unit positions the center portion of the grinding stones above the center portion of the chuck table. The chuck table can be moved horizontally as much as possible.

본 발명의 일부 실시예들에 따르면, 상기 반도체 스트립 연삭 장치는, 상기 반도체 스트립을 공급하고 상기 연삭 모듈에 의해 연삭 공정이 수행된 반도체 스트립을 회수하기 위한 스트립 공급 모듈과, 상기 척 테이블과 상기 스트립 공급 모듈 사이에 배치되며 상기 반도체 스트립을 픽업하기 위한 피커 및 상기 반도체 스트립을 상기 척 테이블과 상기 스트립 공급 모듈 사이에서 이송하기 위해 상기 피커를 회전시키는 로터리 유닛을 구비하는 로터리 이송 모듈과, 상기 척 테이블과 상기 피커 사이에서 수평 방향으로 이동 가능하게 구성되며 상기 척 테이블과 상기 피커 및 상기 반도체 스트립으로부터 이물질을 제거하기 위한 세정 모듈을 더 포함할 수 있다.According to some embodiments of the present invention, the semiconductor strip grinding device includes a strip supply module for supplying the semiconductor strip and recovering the semiconductor strip on which a grinding process has been performed by the grinding module, the chuck table, and the strip. A rotary transfer module disposed between supply modules and including a picker for picking up the semiconductor strip and a rotary unit for rotating the picker to transport the semiconductor strip between the chuck table and the strip supply module, the chuck table It is configured to be movable in the horizontal direction between the picker and the picker and may further include a cleaning module for removing foreign substances from the chuck table, the picker, and the semiconductor strip.

상술한 바와 같은 본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 척 테이블의 가장자리 부위로부터 상기 척 테이블의 중심 부위를 향하는 방향으로 상기 반도체 스트립의 연삭이 진행되도록 상기 척 테이블을 수평 방향으로 이동시키되, 상기 연삭 휠의 가장자리 부위가 척 테이블의 중심 부위의 상부에 위치될 때까지 척 테이블을 수평 방향으로 이동시켜 반도체 스트립의 표면 부위를 기 설정된 황삭 두께만큼 부분적으로 제거한 후 상기 척 테이블을 저속으로 회전시켜 상기 반도체 스트립의 표면 부위를 상기 기 설정된 황삭 두께만큼 전체적으로 제거할 수 있다.According to the embodiments of the present invention as described above, the chuck table is moved in the horizontal direction so that grinding of the semiconductor strip proceeds in a direction from the edge of the chuck table toward the center of the chuck table, and the grinding Move the chuck table in the horizontal direction until the edge of the wheel is located above the center of the chuck table to partially remove the surface area of the semiconductor strip by the preset roughing thickness, and then rotate the chuck table at low speed to remove the semiconductor strip. The surface area of the strip can be completely removed by the preset roughing thickness.

특히, 상기와 같은 단계들을 수행하는 동안 상기 반도체 스트립의 표면 부위 절삭은 연삭 숫돌들의 하부면 뿐만 아니라 측면에 의해 이루어질 수 있으므로, 종래 기술과 비교하여 한 번의 황삭 공정을 통해 상기 기 설정된 황삭 두께만큼 상기 반도체 스트립의 표면 부위를 제거할 수 있으므로, 상기 반도체 스트립의 연삭에 소요되는 전체적인 시간이 크게 단축될 수 있다. 또한, 상기 황삭 공정을 수행하는 동안 상기 연삭 숫돌들의 하부면 마모도가 감소되고 아울러 상기 연삭 숫돌들의 하부면에 이물질 누적이 감소되어 후속하는 정삭 공정에서 상기 반도체 스트립의 표면 품질이 향상될 수 있다.In particular, while performing the above steps, the surface area of the semiconductor strip can be cut not only by the lower surface of the grinding stones but also by the side surface, so compared to the prior art, the preset roughing thickness is cut through a single roughing process. Since the surface portion of the semiconductor strip can be removed, the overall time required for grinding the semiconductor strip can be greatly shortened. In addition, during the rough grinding process, wear on the lower surfaces of the grinding wheels is reduced and accumulation of foreign substances on the lower surfaces of the grinding stones is reduced, so that the surface quality of the semiconductor strip can be improved in the subsequent finishing process.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 스트립 연삭 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 2는 도 1에 도시된 반도체 스트립 연삭 방법을 수행하는데 적합한 반도체 스트립 연삭 장치를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
도 3은 도 2에 도시된 척 테이블과 연삭 모듈을 설명하기 위한 개략적인 측면도이다.
도 4 내지 도 7은 도 2에 도시된 척 테이블 상으로 공급될 수 있는 반도체 스트립의 종류를 설명하기 위한 개략적인 평면도들이다.
도 8 내지 도 11은 도 1에 도시된 반도체 스트립 연삭 방법을 설명하기 위한 개략적인 평면도들이다.
도 12는 도 1에 도시된 반도체 스트립 연삭 방법을 설명하기 위한 개략적인 측면도이다.
도 13은 도 1에 도시된 반도체 스트립 연삭 방법에 의해 연삭 처리된 반도체 스트립을 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
도 14는 도 3에 도시된 척 테이블과 연삭 휠을 설명하기 위한 개략적인 정면도이다.
도 15는 도 3에 도시된 척 테이블과 연삭 휠을 설명하기 위한 개략적인 측면도이다.
도 16 내지 도 18은 도 8 내지 도 13을 참조하여 기 설명된 반도체 스트립 연삭 방법의 다른 예를 설명하기 위한 개략적인 평면도들이다.
도 19는 도 8 내지 도 13을 참조하여 기 설명된 반도체 스트립 연삭 방법의 다른 예를 설명하기 위한 개략적인 측면도이다.
도 20 및 도 21은 도 2에 도시된 따른 세정 모듈을 설명하기 위한 개략적인 측면도들이다.
도 22는 도 2에 도시된 스트립 공급 모듈을 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
도 23은 도 22에 도시된 스트립 공급 모듈을 설명하기 위한 개략적인 측면도이다.
도 24는 도 22 및 도 23에 도시된 서포트 레일들과 클램프 부재들을 설명하기 위한 확대 측면도이다.
도 25는 도 22 및 도 23에 도시된 서포트 레일들과 클램프 부재들을 설명하기 위한 평면도이다.
도 26은 도 22 및 도 23에 도시된 서포트 레일들과 클램프 부재들을 설명하기 위한 저면도이다.
도 27 및 도 28은 도 24 내지 도 26에 도시된 클램프 부재들의 동작을 설명하기 위한 개략적인 평면도들이다.
도 29는 도 24 내지 도 26에 도시된 클램프 부재들을 설명하기 위한 개략적인 정면도이다.
도 30 내지 도 32는 도 22 및 도 23에 도시된 선형 이송 유닛과 제4 회전 구동부의 동작을 설명하기 위한 개략적인 평면도들이다.
도 33 및 도 34는 도 29에 도시된 스토퍼를 설명하기 위한 개략적인 확대 측면도들이다.
도 35는 도 33 및 도 34에 도시된 클램프 부재가 완전히 개방된 상태를 보여주는 확대 측면도이다.
도 36은 도 33 내지 도 35에 도시된 서포트 레일과 클램프 부재를 설명하기 위한 확대 평면도이다.
도 37은 도 23에 도시된 건조 유닛을 설명하기 위한 개략적인 측면도이다.
도 38은 도 22에 도시된 전달 테이블의 회전 각도가 조절된 상태를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
도 39는 도 37에 도시된 리프트 유닛을 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
도 40은 도 37에 도시된 리프트 유닛의 동작을 설명하기 위한 개략적인 측면도이다.
도 41은 도 26에 도시된 클램프 구동부의 다른 예를 설명하기 위한 개략적인 저면도이다.
도 42는 도 25에 도시된 전달 테이블의 다른 예를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
1 is a flowchart for explaining a semiconductor strip grinding method according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a schematic plan view illustrating a semiconductor strip grinding device suitable for performing the semiconductor strip grinding method shown in FIG. 1.
FIG. 3 is a schematic side view for explaining the chuck table and grinding module shown in FIG. 2.
FIGS. 4 to 7 are schematic plan views illustrating types of semiconductor strips that can be supplied onto the chuck table shown in FIG. 2.
8 to 11 are schematic plan views for explaining the semiconductor strip grinding method shown in FIG. 1.
FIG. 12 is a schematic side view for explaining the semiconductor strip grinding method shown in FIG. 1.
FIG. 13 is a schematic plan view illustrating a semiconductor strip ground by the semiconductor strip grinding method shown in FIG. 1.
FIG. 14 is a schematic front view illustrating the chuck table and grinding wheel shown in FIG. 3.
FIG. 15 is a schematic side view for explaining the chuck table and grinding wheel shown in FIG. 3.
FIGS. 16 to 18 are schematic plan views for explaining another example of the semiconductor strip grinding method previously described with reference to FIGS. 8 to 13 .
Figure 19 is a schematic side view for explaining another example of the semiconductor strip grinding method previously described with reference to Figures 8 to 13.
Figures 20 and 21 are schematic side views for explaining the cleaning module shown in Figure 2.
FIG. 22 is a schematic plan view for explaining the strip supply module shown in FIG. 2.
FIG. 23 is a schematic side view for explaining the strip supply module shown in FIG. 22.
FIG. 24 is an enlarged side view for explaining the support rails and clamp members shown in FIGS. 22 and 23.
Figure 25 is a plan view for explaining the support rails and clamp members shown in Figures 22 and 23.
FIG. 26 is a bottom view for explaining the support rails and clamp members shown in FIGS. 22 and 23.
FIGS. 27 and 28 are schematic plan views for explaining the operation of the clamp members shown in FIGS. 24 to 26.
Figure 29 is a schematic front view for explaining the clamp members shown in Figures 24 to 26.
FIGS. 30 to 32 are schematic plan views for explaining the operation of the linear transfer unit and the fourth rotation driver shown in FIGS. 22 and 23.
Figures 33 and 34 are schematic enlarged side views for explaining the stopper shown in Figure 29.
Figure 35 is an enlarged side view showing the clamp member shown in Figures 33 and 34 in a fully open state.
Figure 36 is an enlarged plan view for explaining the support rail and clamp member shown in Figures 33 to 35.
FIG. 37 is a schematic side view for explaining the drying unit shown in FIG. 23.
FIG. 38 is a schematic plan view illustrating a state in which the rotation angle of the transfer table shown in FIG. 22 is adjusted.
FIG. 39 is a schematic plan view for explaining the lift unit shown in FIG. 37.
FIG. 40 is a schematic side view for explaining the operation of the lift unit shown in FIG. 37.
FIG. 41 is a schematic bottom view for explaining another example of the clamp driving unit shown in FIG. 26.
FIG. 42 is a schematic plan view for explaining another example of the transfer table shown in FIG. 25.

이하, 본 발명의 실시예들은 첨부 도면들을 참조하여 상세하게 설명된다. 그러나, 본 발명은 하기에서 설명되는 실시예들에 한정된 바와 같이 구성되어야만 하는 것은 아니며 이와 다른 여러 가지 형태로 구체화될 수 있을 것이다. 하기의 실시예들은 본 발명이 온전히 완성될 수 있도록 하기 위하여 제공된다기보다는 본 발명의 기술 분야에서 숙련된 당업자들에게 본 발명의 범위를 충분히 전달하기 위하여 제공된다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention does not have to be configured as limited to the embodiments described below and may be embodied in various other forms. The following examples are not provided to fully complete the present invention, but rather are provided to fully convey the scope of the present invention to those skilled in the art.

본 발명의 실시예들에서 하나의 요소가 다른 하나의 요소 상에 배치되는 또는 연결되는 것으로 설명되는 경우 상기 요소는 상기 다른 하나의 요소 상에 직접 배치되거나 연결될 수도 있으며, 다른 요소들이 이들 사이에 개재될 수도 있다. 이와 다르게, 하나의 요소가 다른 하나의 요소 상에 직접 배치되거나 연결되는 것으로 설명되는 경우 그들 사이에는 또 다른 요소가 있을 수 없다. 다양한 요소들, 조성들, 영역들, 층들 및/또는 부분들과 같은 다양한 항목들을 설명하기 위하여 제1, 제2, 제3 등의 용어들이 사용될 수 있으나, 상기 항목들은 이들 용어들에 의하여 한정되지는 않을 것이다.In embodiments of the present invention, when one element is described as being disposed or connected to another element, the element may be directly disposed or connected to the other element, and other elements may be interposed between them. It could be. Alternatively, if one element is described as being placed directly on or connected to another element, there cannot be another element between them. The terms first, second, third, etc. may be used to describe various items such as various elements, compositions, regions, layers and/or parts, but the items are not limited by these terms. won't

본 발명의 실시예들에서 사용된 전문 용어는 단지 특정 실시예들을 설명하기 위한 목적으로 사용되는 것이며, 본 발명을 한정하기 위한 것은 아니다. 또한, 달리 한정되지 않는 이상, 기술 및 과학 용어들을 포함하는 모든 용어들은 본 발명의 기술 분야에서 통상적인 지식을 갖는 당업자에게 이해될 수 있는 동일한 의미를 갖는다. 통상적인 사전들에서 한정되는 것들과 같은 상기 용어들은 관련 기술과 본 발명의 설명의 문맥에서 그들의 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석될 것이며, 명확히 한정되지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 외형적인 직감으로 해석되지는 않을 것이다.Technical terms used in the embodiments of the present invention are merely used for the purpose of describing specific embodiments and are not intended to limit the present invention. Additionally, unless otherwise limited, all terms, including technical and scientific terms, have the same meaning that can be understood by a person skilled in the art. The above terms, as defined in common dictionaries, will be construed to have meanings consistent with their meanings in the context of the relevant art and description of the invention, and unless explicitly defined, ideally or excessively by superficial intuition. It will not be interpreted.

본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들의 개략적인 도해들을 참조하여 설명된다. 이에 따라, 상기 도해들의 형상들로부터의 변화들, 예를 들면, 제조 방법들 및/또는 허용 오차들의 변화는 충분히 예상될 수 있는 것들이다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도해로서 설명된 영역들의 특정 형상들에 한정된 바대로 설명되어지는 것은 아니라 형상들에서의 편차를 포함하는 것이며, 도면들에 설명된 요소들은 전적으로 개략적인 것이며 이들의 형상은 요소들의 정확한 형상을 설명하기 위한 것이 아니며 또한 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것도 아니다.Embodiments of the invention are described with reference to schematic illustrations of ideal embodiments of the invention. Accordingly, changes from the shapes of the illustrations, for example changes in manufacturing methods and/or tolerances, are fully to be expected. Accordingly, the embodiments of the present invention are not intended to be described as limited to the specific shapes of the regions illustrated but are intended to include deviations in the shapes, and the elements depicted in the drawings are entirely schematic and represent their shapes. is not intended to describe the exact shape of the elements nor is it intended to limit the scope of the present invention.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 스트립 연삭 방법을 설명하기 위한 순서도이며, 도 2는 도 1에 도시된 반도체 스트립 연삭 방법을 수행하는데 적합한 반도체 스트립 연삭 장치를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.FIG. 1 is a flowchart for explaining a semiconductor strip grinding method according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a schematic plan view for explaining a semiconductor strip grinding device suitable for performing the semiconductor strip grinding method shown in FIG. 1. .

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 스트립 연삭 방법은 반도체 스트립(10)의 표면 부위를 연삭하여 제거하기 위해 사용될 수 있다. 예를 들면, 상기 반도체 스트립(10)은 인쇄회로기판(10A; 도 4 참조) 또는 반도체 웨이퍼 상에 탑재된 반도체 소자들을 보호하기 위한 몰드부(10B; 도 4 참조)를 포함할 수 있으며, 상기 반도체 스트립 연삭 방법은 상기 몰드부(10B)가 기 설정된 두께가 되도록 상기 몰드부(10B)의 표면 부위를 제거하기 위해 사용될 수 있다.1 and 2, the semiconductor strip grinding method according to an embodiment of the present invention can be used to grind and remove the surface portion of the semiconductor strip 10. For example, the semiconductor strip 10 may include a mold portion 10B (see FIG. 4) for protecting semiconductor elements mounted on a printed circuit board 10A (see FIG. 4) or a semiconductor wafer. A semiconductor strip grinding method may be used to remove the surface portion of the mold portion 10B so that the mold portion 10B has a preset thickness.

상기 반도체 스트립 연삭 방법을 수행하기 위한 반도체 스트립 연삭 장치(100)는, 반도체 스트립(10)을 지지하고 진공 흡착하기 위한 척 테이블(110)과, 상기 척 테이블(110) 상에 로드된 상기 반도체 스트립(10)의 표면 부위를 연삭하여 제거하기 위한 연삭 모듈(120)과, 상기 반도체 스트립(10)을 공급하고 상기 연삭 모듈(120)에 의해 연삭 공정이 수행된 반도체 스트립(10)을 회수하기 위한 스트립 공급 모듈(170)과, 상기 척 테이블(110)과 상기 스트립 공급 모듈(170) 사이에서 상기 반도체 스트립(10)의 이송을 위한 로터리 이송 모듈(150)을 포함할 수 있다. 상기 로터리 이송 모듈(150)은 상기 척 테이블(110)과 상기 스트립 공급 모듈(170) 사이에 배치될 수 있으며, 상기 반도체 스트립(10)을 픽업하기 위한 피커(152)와 상기 반도체 스트립(10)을 상기 척 테이블(110)과 상기 스트립 공급 모듈(170) 사이에서 이송하기 위해 상기 피커(152)를 회전시키는 로터리 유닛(156)을 구비할 수 있다.The semiconductor strip grinding apparatus 100 for performing the semiconductor strip grinding method includes a chuck table 110 for supporting and vacuum adsorbing the semiconductor strip 10, and the semiconductor strip loaded on the chuck table 110. A grinding module 120 for grinding and removing the surface portion of (10), for supplying the semiconductor strip 10 and for recovering the semiconductor strip 10 on which the grinding process has been performed by the grinding module 120. It may include a strip supply module 170 and a rotary transfer module 150 for transporting the semiconductor strip 10 between the chuck table 110 and the strip supply module 170. The rotary transfer module 150 may be disposed between the chuck table 110 and the strip supply module 170, and includes a picker 152 for picking up the semiconductor strip 10 and the semiconductor strip 10. A rotary unit 156 that rotates the picker 152 may be provided to transfer the picker 152 between the chuck table 110 and the strip supply module 170.

예를 들면, 상기 반도체 스트립 연삭 장치(100)는, 복수의 척 테이블들(110)과, 상기 척 테이블들(110) 상에 로드된 반도체 스트립들(10)의 연삭을 위한 복수의 연삭 모듈들(120)과, 상기 반도체 스트립들(10)의 공급을 위한 복수의 스트립 공급 모듈들(170)을 포함할 수 있다. 특히, 상기 반도체 스트립 연삭 장치(100)는 도시된 바와 같이 X축 방향으로 배열된 한 쌍의 척 테이블들(110)과, 상기 척 테이블들(110)에 대응하도록 X축 방향으로 배열된 한 쌍의 연삭 모듈들(120)과, 상기 척 테이블들(110)로부터 Y축 방향으로 이격되며 X축 방향으로 배열된 한 쌍의 스트립 공급 모듈들(170)을 포함할 수 있다.For example, the semiconductor strip grinding apparatus 100 includes a plurality of chuck tables 110 and a plurality of grinding modules for grinding the semiconductor strips 10 loaded on the chuck tables 110. It may include 120 and a plurality of strip supply modules 170 for supplying the semiconductor strips 10. In particular, the semiconductor strip grinding apparatus 100 includes a pair of chuck tables 110 arranged in the X-axis direction as shown, and a pair of chuck tables 110 arranged in the X-axis direction to correspond to the chuck tables 110. It may include grinding modules 120 and a pair of strip supply modules 170 spaced apart from the chuck tables 110 in the Y-axis direction and arranged in the X-axis direction.

상기 로터리 이송 모듈(150)은 상기 척 테이블들(110)과 상기 스트립 공급 모듈들(170) 사이에 배치될 수 있으며, 복수의 피커들(152)과 상기 피커들(152)을 회전시키기 위한 로터리 유닛(156)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 도시된 바와 같이, 상기 로터리 이송 모듈(150)은 네 개의 피커들(152)을 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 피커들(152) 중 두 개의 피커들(152)과 상기 척 테이블들(110) 사이에서 상기 반도체 스트립들(10)의 전달이 수행되는 동안 상기 피커들(152) 중 나머지 두 개의 피커들(152)과 상기 스트립 공급 모듈들(170) 사이에서 상기 반도체 스트립들(10)의 전달이 수행될 수 있다.The rotary transfer module 150 may be disposed between the chuck tables 110 and the strip supply modules 170, and includes a plurality of pickers 152 and a rotary for rotating the pickers 152. It may include unit 156. For example, as shown, the rotary transfer module 150 may include four pickers 152. In this case, while the semiconductor strips 10 are transferred between two of the pickers 152 and the chuck tables 110, the remaining two of the pickers 152 Transfer of the semiconductor strips 10 may be performed between pickers 152 and the strip supply modules 170 .

예를 들면, 상기 두 개의 피커들(152)이 상기 스트립 공급 모듈들(170)로부터 반도체 스트립들(10)을 픽업한 후 상기 로터리 유닛(156)은 상기 두 개의 피커들(152)이 상기 척 테이블들(110)의 상부에 위치되도록 상기 피커들(152)을 회전시킬 수 있다. 이때, 상기 나머지 두 개의 피커들(152)은 상기 스트립 공급 모듈들(170)의 상부로 위치될 수 있으며, 상기 두 개의 피커들(152)에 의해 상기 반도체 스트립들(10)이 상기 척 테이블들(110) 상으로 로드되는 동안 상기 나머지 두 개의 피커들(152)은 상기 반도체 스트립 공급 모듈들(170)로부터 후속하는 반도체 스트립들(10)을 픽업할 수 있다. 결과적으로, 상기와 같이 네 개의 피커들(152)을 이용하여 반도체 스트립들(10)을 동시에 이송할 수 있으므로 상기 반도체 스트립들(10)의 이송에 소요되는 시간이 크게 단축될 수 있다.For example, after the two pickers 152 pick up semiconductor strips 10 from the strip supply modules 170, the rotary unit 156 moves the two pickers 152 to the chuck. The pickers 152 can be rotated so that they are positioned on top of the tables 110. At this time, the remaining two pickers 152 may be positioned above the strip supply modules 170, and the semiconductor strips 10 may be placed on the chuck tables by the two pickers 152. The remaining two pickers 152 may pick up subsequent semiconductor strips 10 from the semiconductor strip supply modules 170 while being loaded onto 110 . As a result, since the semiconductor strips 10 can be transported simultaneously using the four pickers 152 as described above, the time required to transport the semiconductor strips 10 can be greatly shortened.

한편, 상기와 같은 반도체 스트립들(10)의 이송 방법은 상기 연삭 모듈들(120)을 이용하는 연삭 공정이 동일한 경우에 적용될 수 있다. 즉, 상기 연삭 모듈들(120)이 모두 황삭 공정을 수행하거나 또는 모두 정삭 공정을 수행하는 경우 상기 연삭 모듈들(120)에 상기 반도체 스트립들(10)을 동시에 공급할 수 있다.Meanwhile, the method of transporting the semiconductor strips 10 as described above can be applied when the grinding process using the grinding modules 120 is the same. That is, when all of the grinding modules 120 perform a rough grinding process or all perform a finishing process, the semiconductor strips 10 can be supplied to the grinding modules 120 at the same time.

다른 예로서, 상기 연삭 모듈들(120) 중 하나는 황삭 공정을 수행하고, 나머지 하나는 정삭 공정을 수행하는 경우, 상기 로터리 이송 모듈(150)은 상기 연삭 모듈들(120)에 상기 반도체 스트립들(10)을 순차적으로 공급할 수 있다. 이 경우, 상기 스트립 공급 모듈들(170) 중 하나는 상기 반도체 스트립들(10)을 공급하기 위한 로더(loader)로서 기능하고, 나머지 하나는 상기 황삭 공정과 연삭 공정이 수행된 반도체 스트립들(10)을 회수하기 위한 언로더(unloader)로서 기능할 수 있다. 또한, 이 경우에도, 상기 황삭 공정과 상기 정삭 공정에 대한 반도체 스트립들(10)의 공급과 상기 로더로부터의 반도체 스트립(10) 공급 및 상기 언로더로의 반도체 스트립(10) 회수가 상기 로터리 이송 모듈(150)에 의해 동시에 수행될 수 있다.As another example, when one of the grinding modules 120 performs a roughing process and the other one performs a finishing process, the rotary transfer module 150 provides the semiconductor strips to the grinding modules 120. (10) can be supplied sequentially. In this case, one of the strip supply modules 170 functions as a loader for supplying the semiconductor strips 10, and the other functions as a loader for supplying the semiconductor strips 10 on which the roughing process and the grinding process have been performed. ) can function as an unloader to recover. Also, in this case, the supply of the semiconductor strips 10 for the roughing process and the finishing process, the supply of the semiconductor strip 10 from the loader, and the recovery of the semiconductor strip 10 to the unloader are carried out by the rotary transport. It can be performed simultaneously by the module 150.

또한, 상기 로터리 이송 모듈(150)은 상기 반도체 스트립들(10)에 대한 픽 앤 플레이스(pick and place) 동작을 위하여 상기 피커들(152)을 수직 방향으로 이동시키는 피커 구동부들(158)을 구비할 수 있다. 예를 들면, 상기 로터리 유닛(150)은 상기 피커들(152)과 상기 피커 구동부들(158)이 장착되는 복수의 로터리 암들(160)을 구비할 수 있으며, 이 경우 상기 피커들(152)은 상기 로터리 암들(160)의 단부 아래에 배치될 수 있고, 상기 피커 구동부들(158)은 상기 로터리 암들(160)의 단부 상에 배치될 수 있다. 일 예로서, 도시된 바와 같이 상기 로터리 암들(160)은 서로 수직 방향으로 직교하도록 배치될 수 있다.In addition, the rotary transfer module 150 is provided with picker drivers 158 that move the pickers 152 in the vertical direction for a pick and place operation for the semiconductor strips 10. can do. For example, the rotary unit 150 may be provided with a plurality of rotary arms 160 on which the pickers 152 and the picker driving units 158 are mounted. In this case, the pickers 152 It may be disposed below the ends of the rotary arms 160, and the picker driving units 158 may be disposed on the ends of the rotary arms 160. As an example, as shown, the rotary arms 160 may be arranged to be perpendicular to each other in the vertical direction.

도 3은 도 2에 도시된 척 테이블과 연삭 모듈을 설명하기 위한 개략적인 측면도이다.FIG. 3 is a schematic side view for explaining the chuck table and grinding module shown in FIG. 2.

도 3을 참조하면, 상기 연삭 모듈들(120) 각각은 상기 반도체 스트립(10)의 표면 부위를 연삭하기 위한 복수의 연삭 숫돌들(122)과, 상기 연삭 숫돌들(122)이 장착되는 연삭 휠(124)과, 상기 연삭 휠(124)을 회전시키기 위한 제1 회전 구동부(126)를 포함할 수 있다. 특히, 상기 연삭 숫돌들(122)은 상기 연삭 휠(124)의 하부면 가장자리 부위를 따라 원주 방향으로 배치될 수 있다.Referring to FIG. 3, each of the grinding modules 120 includes a plurality of grinding stones 122 for grinding the surface of the semiconductor strip 10, and a grinding wheel on which the grinding stones 122 are mounted. It may include (124) and a first rotation drive unit 126 for rotating the grinding wheel 124. In particular, the grinding stones 122 may be arranged in a circumferential direction along the edge of the lower surface of the grinding wheel 124.

상기 반도체 스트립 연삭 장치(100)는, 상기 연삭 모듈들(120)과 상기 로터리 이송 모듈(150) 사이에서 상기 척 테이블들(110)을 수평 방향, 예를 들면, Y축 방향으로 이동시키기 위한 제1 수평 구동부들(114)을 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 수평 구동부들(114)은 상기 피커들(152)의 회전 이동 경로 아래로 상기 척 테이블들(110)을 이동시킬 수 있으며, 상기 척 테이블들(110) 상에 상기 반도체 스트립들(10)이 로드된 후 상기 척 테이블들(110)을 상기 연삭 모듈들(120)의 아래로 이동시킬 수 있다. 아울러, 상기 제1 수평 구동부들(114)은 상기 연삭 모듈들(120)에 의해 상기 반도체 스트립들(10)에 대한 연삭 공정이 수행된 후 상기 척 테이블들(110)을 상기 피커들(152)의 회전 이동 경로 아래로 이동시킬 수 있다.The semiconductor strip grinding device 100 is a device for moving the chuck tables 110 in a horizontal direction, for example, in the Y-axis direction, between the grinding modules 120 and the rotary transfer module 150. 1 may include horizontal driving units 114. Specifically, the first horizontal driving units 114 can move the chuck tables 110 below the rotational movement path of the pickers 152, and place the semiconductor strip on the chuck tables 110. After the grinding modules 10 are loaded, the chuck tables 110 may be moved below the grinding modules 120. In addition, the first horizontal drivers 114 move the chuck tables 110 to the pickers 152 after a grinding process is performed on the semiconductor strips 10 by the grinding modules 120. It can be moved under the rotational movement path.

아울러, 상기 연삭 모듈들(120) 각각은 상기 연삭 숫돌들(122) 및 상기 연삭 휠(124)의 높이를 조절하기 위한 제1 수직 구동부(127)를 포함할 수 있다. 상기 제1 수직 구동부는 상기 연삭 휠(124)의 높이를 조절함으로써 상기 반도체 스트립들(10)의 연삭 두께를 조절할 수 있다. 그러나, 상기와 다르게, 상기 반도체 스트립들(10)의 높이를 조절하기 위하여 상기 척 테이블들(110)을 수직 방향으로 이동시키는 제2 수직 구동부들(미도시)이 마련될 수도 있다.In addition, each of the grinding modules 120 may include a first vertical driving unit 127 for adjusting the height of the grinding stones 122 and the grinding wheel 124. The first vertical driver may adjust the grinding thickness of the semiconductor strips 10 by adjusting the height of the grinding wheel 124. However, unlike the above, second vertical driving units (not shown) that move the chuck tables 110 in the vertical direction may be provided to adjust the height of the semiconductor strips 10.

상기 제1 수평 구동부들(114)은 상기 반도체 스트립들(10)에 대한 연삭 공정이 수행되는 동안 상기 척 테이블들(110)을 수평 방향, 예를 들면, Y축 방향으로 이동시킬 수 있다. 이때, 상기 연삭 모듈들(120)의 일측에는 상기 연삭 공정이 수행되는 동안 이물질 제거를 위해 상기 반도체 스트립들(10) 상으로 세정액을 분사하는 세정액 분사 노즐(128)이 배치될 수 있다. 일 예로서, 상기 세정액으로는 물이 사용될 수 있다.The first horizontal drivers 114 may move the chuck tables 110 in a horizontal direction, for example, the Y-axis direction, while a grinding process on the semiconductor strips 10 is performed. At this time, a cleaning liquid spray nozzle 128 may be disposed on one side of the grinding modules 120 to spray a cleaning liquid onto the semiconductor strips 10 to remove foreign substances while the grinding process is performed. As an example, water may be used as the cleaning liquid.

또한, 도시되지는 않았으나, 상기 연삭 모듈들(120)의 하부에는 상기 연삭 공정이 수행되는 동안 상기 연삭 숫돌들(122)로부터 이물질을 제거하기 위하여 상기 연삭 숫돌들(122)을 향해 세정액을 분사하는 세정액 분사 노즐(미도시)이 배치될 수 있다. 또한, 도시되지는 않았으나, 상기 연삭 모듈들(120)의 일측에는 상기 반도체 스트립들(10)의 연삭 공정이 수행되는 동안 그리고 상기 반도체 스트립들(10)의 연삭 공정이 수행된 후 상기 반도체 스트립들(10)의 두께를 측정하기 위한 센서 유닛들(미도시)이 배치될 수 있다.In addition, although not shown, a cleaning liquid is sprayed at the lower part of the grinding modules 120 toward the grinding stones 122 to remove foreign substances from the grinding stones 122 while the grinding process is performed. A cleaning liquid spray nozzle (not shown) may be disposed. In addition, although not shown, on one side of the grinding modules 120 are the semiconductor strips while the grinding process of the semiconductor strips 10 is performed and after the grinding process of the semiconductor strips 10 is performed. Sensor units (not shown) for measuring the thickness of (10) may be disposed.

다시 도 2를 참조하면, 상기 척 테이블들(110)의 상부에는 상기 반도체 스트립들(10)을 진공 흡착하여 고정시키기 위한 복수의 진공홀들(미도시)이 구비될 수 있다. 구체적으로, 상기 척 테이블들(110)의 상부에는 상기 진공홀들이 형성된 진공 흡착 영역들(112)이 구비될 수 있으며, 상기 진공 흡착 영역들(112)의 개수와 방향 등은 각각의 척 테이블들(110) 상에 놓여지는 반도체 스트립들(10)의 개수와 크기에 따라 다양하게 변경될 수 있다. 예를 들면, 도시된 바와 같이 각각의 척 테이블들(110) 상에는 두 개의 반도체 스트립들(10)을 진공 흡착하기 위해 두 개의 진공 흡착 영역들(112)이 구비될 수 있다.Referring again to FIG. 2 , a plurality of vacuum holes (not shown) may be provided on the upper portions of the chuck tables 110 to secure the semiconductor strips 10 by vacuum suction. Specifically, vacuum suction areas 112 in which the vacuum holes are formed may be provided on the upper part of the chuck tables 110, and the number and direction of the vacuum suction areas 112 are determined by each chuck table. (110) can be varied depending on the number and size of the semiconductor strips 10 placed on it. For example, as shown, two vacuum adsorption areas 112 may be provided on each chuck table 110 to vacuum adsorb two semiconductor strips 10.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 반도체 스트립 연삭 장치(100)는, 상기 척 테이블들(110)을 각각 회전시키기 위한 제2 회전 구동부들(116)을 포함할 수 있다. 상기 제2 회전 구동부들(116)은 상기 척 테이블들(110)이 상기 피커들(152)의 회전 이동 경로 아래, 즉 상기 척 테이블들(110)과 상기 피커들(152) 사이에서 상기 반도체 스트립들(10)의 전달이 이루어지는 영역에서, 상기 진공 흡착 영역들(112)이 상기 피커들(152)과 대응하도록 상기 척 테이블들(110)의 회전 각도를 조절할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the semiconductor strip grinding apparatus 100 may include second rotation driving units 116 for rotating each of the chuck tables 110. The second rotation drivers 116 allow the chuck tables 110 to move the semiconductor strip under the rotational movement path of the pickers 152, that is, between the chuck tables 110 and the pickers 152. In the area where the suction cups 10 are delivered, the rotation angle of the chuck tables 110 can be adjusted so that the vacuum suction areas 112 correspond to the pickers 152.

예를 들면, 상세히 도시되지는 않았으나, 상기 피커들(152) 각각에는 상기 반도체 스트립들(10)을 진공 흡착하여 픽업하기 위한 픽업 툴들(154)이 구비될 수 있으며, 상기 제2 회전 구동부들(116)은 상기 척 테이블들(110)의 진공 흡착 영역들(112)의 방향이 상기 피커들(152)의 픽업 툴들(154) 또는 상기 픽업 툴들(154)에 의해 픽업된 반도체 스트립들(10)의 방향과 일치하도록 상기 척 테이블들(110)의 회전 각도를 조절할 수 있다.For example, although not shown in detail, each of the pickers 152 may be provided with pickup tools 154 for picking up the semiconductor strips 10 by vacuum suction, and the second rotation driving units ( 116) indicates that the direction of the vacuum adsorption areas 112 of the chuck tables 110 is the pickup tools 154 of the pickers 152 or the semiconductor strips 10 picked up by the pickup tools 154. The rotation angle of the chuck tables 110 can be adjusted to match the direction of .

또한, 상기 반도체 스트립 연삭 장치(100)는, 상기 연삭 숫돌들(122)에 대한 드레싱 작업을 수행하기 위한 드레싱 모듈들(130)을 포함할 수 있다. 일 예로서, 상기 드레싱 모듈들(130)은 상기 척 테이블들(110)과 상기 피커들(152) 사이에서 상기 반도체 스트립들(10)의 전달이 수행되는 동안 상기 연삭 숫돌들(122)에 대한 드레싱 작업을 수행할 수 있다. 도 2를 참조하면, 각각의 드레싱 모듈들(130)은 상기 연삭 숫돌들(122)의 표면 상태를 개선하고 상기 연삭 숫돌들(122)로부터 이물질을 제거하기 위한 드레싱 휠(132)과, 상기 드레싱 휠(132)을 회전시키기 위한 제3 회전 구동부(134)와, 상기 드레싱 휠(132)이 상기 연삭 숫돌들(122) 아래에 위치되도록 상기 드레싱 휠(132)을 수평방향으로, 예를 들면, Y축 방향으로 이동시키는 제2 수평 구동부(136)를 포함할 수 있다.Additionally, the semiconductor strip grinding apparatus 100 may include dressing modules 130 for performing a dressing operation on the grinding stones 122 . As an example, the dressing modules 130 are connected to the grinding wheels 122 while transfer of the semiconductor strips 10 is performed between the chuck tables 110 and the pickers 152. Dressing work can be performed. Referring to FIG. 2, each dressing module 130 includes a dressing wheel 132 for improving the surface condition of the grinding stones 122 and removing foreign substances from the grinding stones 122, and the dressing A third rotation drive unit 134 for rotating the wheel 132, and a horizontal direction for the dressing wheel 132 such that the dressing wheel 132 is positioned below the grinding wheels 122, for example, It may include a second horizontal driving unit 136 that moves in the Y-axis direction.

도 4 내지 도 7은 도 2에 도시된 척 테이블 상으로 공급될 수 있는 반도체 스트립의 종류를 설명하기 위한 개략적인 평면도들이다.FIGS. 4 to 7 are schematic plan views illustrating types of semiconductor strips that can be supplied onto the chuck table shown in FIG. 2.

도 4 내지 도 7을 참조하면, 상기 척 테이블(110) 상에는 반도체 스트립(10)을 진공 흡착하기 위한 진공 흡착 영역(112)이 구비될 수 있다. 예를 들면, 도 4에 도시된 바와 같이 두 개의 반도체 스트립들(10)이 공급되는 경우 두 개의 진공 흡착 영역들(112)이 구비될 수 있으며, 도 5 및 도 6에서와 같이 대면적의 인쇄회로기판(12A, 14A) 상에 사각형 또는 원형의 몰드부(12B, 14B)가 형성된 반도체 스트립(12, 14)의 경우 하나의 진공 흡착 영역(112A)이 구비될 수 있다. 아울러, 도 7에 도시된 바와 같이, 반도체 웨이퍼(미도시) 상에 몰드부가 형성된 원형 반도체 스트립(16)의 경우 원형의 진공 흡착 영역(112B)이 구비될 수 있다. 또한, 상기에서는 하나 또는 두 개의 반도체 스트립들(10, 12, 14, 16)이 공급되는 경우를 설명하였으나, 상기와 다르게 3개 이상의 반도체 스트립들이 상기 척 테이블(110) 상으로 로드될 수도 있으며, 이 경우 상기 척 테이블(110) 상에는 로드되는 반도체 스트립들(10, 12, 14, 16)의 개수에 따라 복수의 진공 흡착 영역들이 구비될 수 있다.Referring to FIGS. 4 to 7 , a vacuum suction area 112 for vacuum suction of the semiconductor strip 10 may be provided on the chuck table 110 . For example, when two semiconductor strips 10 are supplied as shown in Figure 4, two vacuum adsorption areas 112 may be provided, and large-area printing as shown in Figures 5 and 6 In the case of the semiconductor strips 12 and 14 in which square or circular mold parts 12B and 14B are formed on the circuit boards 12A and 14A, one vacuum suction area 112A may be provided. In addition, as shown in FIG. 7, in the case of a circular semiconductor strip 16 in which a mold portion is formed on a semiconductor wafer (not shown), a circular vacuum suction area 112B may be provided. In addition, the above has described the case where one or two semiconductor strips 10, 12, 14, and 16 are supplied, but differently from the above, three or more semiconductor strips may be loaded onto the chuck table 110. In this case, a plurality of vacuum suction areas may be provided on the chuck table 110 depending on the number of semiconductor strips 10, 12, 14, and 16 to be loaded.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 스트립 연삭 방법을 설명한다. 참고로, 설명의 편의를 위하여 원형 반도체 스트립(16)을 일 예로서 설명한다.Hereinafter, a semiconductor strip grinding method according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the attached drawings. For reference, for convenience of explanation, the circular semiconductor strip 16 will be described as an example.

도 8 내지 도 11은 도 1에 도시된 반도체 스트립 연삭 방법을 설명하기 위한 개략적인 평면도들이고, 도 12는 도 1에 도시된 반도체 스트립 연삭 방법을 설명하기 위한 개략적인 측면도이다.8 to 11 are schematic plan views for explaining the semiconductor strip grinding method shown in FIG. 1, and FIG. 12 is a schematic side view for explaining the semiconductor strip grinding method shown in FIG. 1.

도 1 및 도 8을 참조하면, S100 단계에서, 상기 반도체 스트립(16)은 상기 척 테이블(110) 상에 로드된 후 상기 척 테이블(110) 상에 진공 흡착될 수 있다. 구체적으로, 상기 반도체 스트립(16)은 상기 로터리 이송 모듈(150)에 의해 상기 척 테이블(110) 상으로 이송될 수 있으며, 상기 척 테이블(110)은 상기 진공 흡착 영역(112B)을 이용하여 상기 반도체 스트립(16)을 진공 흡착할 수 있다. 이어서, 상기 척 테이블(110)은 상기 제1 수평 구동부(114)에 의해 상기 연삭 모듈 아래로 이송될 수 있다.Referring to FIGS. 1 and 8 , in step S100, the semiconductor strip 16 may be loaded onto the chuck table 110 and then vacuum-sucked onto the chuck table 110 . Specifically, the semiconductor strip 16 may be transferred onto the chuck table 110 by the rotary transfer module 150, and the chuck table 110 may use the vacuum suction area 112B to The semiconductor strip 16 may be vacuum adsorbed. Subsequently, the chuck table 110 may be transported below the grinding module by the first horizontal driving unit 114.

S110 단계에서, 상기 연삭 휠(124)은 상기 제1 회전 구동부(126)에 의해 회전될 수 있다. 이때, 상기 연삭 휠(124)의 높이는 상기 제1 수직 구동부(127)에 의해 조절될 수 있다.In step S110, the grinding wheel 124 may be rotated by the first rotation driving unit 126. At this time, the height of the grinding wheel 124 can be adjusted by the first vertical driving unit 127.

도 9 및 도 10을 참조하면, S120 단계에서, 상기 제1 수평 구동부(114)는 상기 연삭 휠(124)의 가장자리 부위가 상기 척 테이블(110)의 중심 부위의 상부에 위치될 때까지 상기 척 테이블(110)을 수평 방향, 예를 들면, Y축 방향으로 이동시킬 수 있으며, 이에 의해 상기 반도체 스트립(16)의 표면 부위가 부분적으로 제거될 수 있다. 특히, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 연삭 휠(124)의 높이는 상기 연삭 휠(124)의 가장자리 부위가 상기 척 테이블(110)의 중심 부위의 상부에 위치되는 경우 상기 반도체 스트립(10)의 표면 부위가 기 설정된 황삭 두께만큼 제거되도록 상기 제1 수직 구동부(127)에 의해 미리 조절될 수 있다. 이때, 도 12에 도시된 바와 같이, 상기 척 테이블(110)이 수평 방향으로 이동하는 동안 상기 반도체 스트립(16)의 가장자리 부위로부터 중심 부위를 향하여 연삭이 이루어질 수 있다.9 and 10, in step S120, the first horizontal driving unit 114 moves the chuck until the edge of the grinding wheel 124 is located above the center of the chuck table 110. The table 110 can be moved in the horizontal direction, for example, in the Y-axis direction, and thereby the surface portion of the semiconductor strip 16 can be partially removed. In particular, according to one embodiment of the present invention, the height of the grinding wheel 124 is the semiconductor strip 10 when the edge of the grinding wheel 124 is located above the center of the chuck table 110. It can be adjusted in advance by the first vertical driving unit 127 so that the surface area of can be removed by a preset roughing thickness. At this time, as shown in FIG. 12, grinding may be performed from the edge of the semiconductor strip 16 toward the center while the chuck table 110 moves in the horizontal direction.

도 11을 참조하면, 상기 척 테이블(110)의 수평 방향 이동이 완료된 후, S130 단계에서, 상기 제2 회전 구동부(116)는 상기 반도체 스트립(16)의 표면 부위가 상기 기 설정된 황삭 두께만큼 전체적으로 제거되도록 상기 척 테이블(110)을 저속으로 회전시킬 수 있다. 특히, 상기 S110 단계와 S120 단계가 수행되는 동안 상기 반도체 스트립(16)의 표면 부위는 상기 연삭 숫돌들(122)의 하부면 뿐만 아니라 측면 부위들에 의해 절삭될 수 있다. 아울러, 상기 반도체 스트립(16)의 표면 부위는 상기 척 테이블(110)이 한번 회전되는 동안 상기 기 설정된 황삭 두께만큼 제거될 수 있으며, 이에 의해 상기 반도체 스트립(16)의 연삭에 소요되는 전체 시간이 종래 기술에 비하여 크게 감소될 수 있다.Referring to FIG. 11, after the horizontal movement of the chuck table 110 is completed, in step S130, the second rotation driver 116 completely reduces the surface area of the semiconductor strip 16 by the preset roughing thickness. The chuck table 110 may be rotated at low speed to remove it. In particular, while steps S110 and S120 are performed, the surface portion of the semiconductor strip 16 may be cut by not only the lower surface but also the side portions of the grinding stones 122. In addition, the surface portion of the semiconductor strip 16 can be removed by the preset roughing thickness while the chuck table 110 is rotated once, thereby reducing the total time required for grinding the semiconductor strip 16. It can be greatly reduced compared to the prior art.

한편, 상기에서는 상기 원형 반도체 스트립(16)에 대한 연삭 방법을 설명하였으나, 사각 형태를 갖는 반도체 스트립(12 또는 14)이 공급되는 경우에도 상기 연삭 방법은 동일하게 적용될 수 있다. 아울러, 도시되지는 않았으나, 상기와 같은 황삭 공정이 수행된 후 상기 연삭 휠(124)의 높이를 미세 조절함으로써 상기 반도체 스트립(16)에 대한 정삭 공정이 수행될 수 있다.Meanwhile, although the grinding method for the circular semiconductor strip 16 has been described above, the grinding method can be equally applied even when the semiconductor strip 12 or 14 having a square shape is supplied. In addition, although not shown, a finishing process on the semiconductor strip 16 may be performed by finely adjusting the height of the grinding wheel 124 after the roughing process as described above is performed.

도 13은 도 1에 도시된 반도체 스트립 연삭 방법에 의해 연삭 처리된 반도체 스트립을 설명하기 위한 개략적인 평면도이고, 도 14는 도 3에 도시된 척 테이블과 연삭 휠을 설명하기 위한 개략적인 정면도이며, 도 15는 도 3에 도시된 척 테이블과 연삭 휠을 설명하기 위한 개략적인 측면도이다.FIG. 13 is a schematic plan view for explaining a semiconductor strip ground by the semiconductor strip grinding method shown in FIG. 1, and FIG. 14 is a schematic front view for explaining the chuck table and grinding wheel shown in FIG. 3. FIG. 15 is a schematic side view for explaining the chuck table and grinding wheel shown in FIG. 3.

도 13을 참조하면, 상기 반도체 스트립(16)의 표면 부위를 보다 정밀하고 균일하게 연삭하기 위하여 상기 척 테이블(110)이 회전하는 동안 상기 척 테이블(110)의 회전 방향을 기준으로 상기 연삭 휠(124)의 전방 부위(‘A’; 도 11 참조)에서 반도체 스트립(16)의 표면 부위 연삭이 이루어지고, 상기 연삭 휠(124)의 후방 부위(‘B’; 도 11 참조)에서는 상기 반도체 스트립(16)의 표면 부위가 연삭되지 않는 것이 바람직하다. 상기와 같이 연삭 휠(124)의 전방 부위(A)에서만 연삭이 이루어지는 경우, 연삭 공정이 완료된 후 상기 반도체 스트립(16)의 표면 부위에는 도 13에 도시된 바와 같은 바람개비 형태의 무늬가 형성될 수 있다.Referring to FIG. 13, in order to more precisely and uniformly grind the surface area of the semiconductor strip 16, while the chuck table 110 rotates, the grinding wheel ( Grinding of the surface of the semiconductor strip 16 is performed at the front part ('A'; see Figure 11) of the grinding wheel 124, and the semiconductor strip is ground at the rear part ('B'; see Figure 11) of the grinding wheel 124. It is desirable that the surface area of (16) is not ground. When grinding is performed only at the front portion (A) of the grinding wheel 124 as described above, a pinwheel-shaped pattern as shown in FIG. 13 may be formed on the surface portion of the semiconductor strip 16 after the grinding process is completed. there is.

도 14 및 도 15는 설명의 편의를 위하여 상기 척 테이블(110)과 상기 연삭 휠(124)이 매우 과장되게 도시되었으며, 이에 따라 상기 도시된 척 테이블(110)과 상기 연삭 휠(124)의 형상은 실제와는 큰 차이가 있을 수 있다.14 and 15 show the chuck table 110 and the grinding wheel 124 in exaggerated form for convenience of explanation, and accordingly, the shapes of the chuck table 110 and the grinding wheel 124 are shown in FIGS. may differ greatly from reality.

도 14를 참조하면, 상술한 바와 같이 상기 연삭 휠(124)의 전방 부위(A)에 의한 연삭만 수행될 수 있도록 상기 연삭 휠(124)을 제1 수평 방향, 예를 들면, X축 방향에 대하여 소정의 제1 각도만큼 경사지도록 배치할 수 있다.Referring to FIG. 14, as described above, the grinding wheel 124 is positioned in a first horizontal direction, for example, in the It can be arranged to be inclined by a predetermined first angle.

또한, 도 15를 참조하면, 상기 척 테이블(110)의 상부면 중심 부위를 상기 척 테이블(110)의 가장자리 부위보다 높게 구성하여 상기 척 테이블(110)의 상부면 부위가 원추 형태를 갖도록 할 수 있으며, 상기 연삭 휠(124)이 상기 척 테이블(110)의 상부면 일측 부위와 제2 수평 방향, 예를 들면, Y축 방향으로 평행하도록 상기 연삭 휠(124)을 상기 제2 수평 방향에 대하여 소정의 제2 각도만큼 경사지도록 배치할 수 있다.In addition, referring to FIG. 15, the center portion of the upper surface of the chuck table 110 may be configured to be higher than the edge portion of the chuck table 110 so that the upper surface portion of the chuck table 110 has a cone shape. The grinding wheel 124 is aligned with respect to the second horizontal direction so that the grinding wheel 124 is parallel to one side of the upper surface of the chuck table 110 and a second horizontal direction, for example, the Y-axis direction. It can be arranged to be inclined by a predetermined second angle.

일 예로서, 상기 척 테이블(110)의 중심 부위 높이는 상기 척 테이블(110)의 가장자리 부위보다 수 ㎛ 정도, 예를 들면, 5㎛ 정도 높게 구성될 수 있으며, 상기 반도체 스트립(16)은 상기 척 테이블(110)의 상부면에 진공 흡착될 수 있다. 아울러, 상기 연삭 휠(124)의 상기 제1 각도 및 제2 각도는 상기 척 테이블(110)의 상부면 경사도에 따라 적절하게 조절될 수 있다.As an example, the height of the center portion of the chuck table 110 may be configured to be higher by several μm, for example, about 5 μm, than the edge portion of the chuck table 110, and the semiconductor strip 16 may be configured to be higher than the edge portion of the chuck table 110. It may be vacuum adsorbed to the upper surface of the table 110. In addition, the first angle and the second angle of the grinding wheel 124 may be appropriately adjusted according to the inclination of the upper surface of the chuck table 110.

한편, 상기 연삭 숫돌들(122)은 상기 연삭 휠(124)의 하부면 가장자리 부위를 따라 원주 방향으로 배치될 수 있으며, 상기 제1 수평 구동부(114)는 상기 연삭 숫돌들(122)의 중심 부위가 상기 척 테이블(110)의 중심 부위의 상부에 위치되도록 상기 척 테이블(110)을 수평 이동시킬 수 있다. 즉, 상기 위치에서 상기 연삭 숫돌들(122)은 상기 척 테이블(110)의 중심 부위의 상부를 통과하도록 회전될 수 있다.Meanwhile, the grinding stones 122 may be arranged in the circumferential direction along the edge of the lower surface of the grinding wheel 124, and the first horizontal driving unit 114 is located at the center of the grinding stones 122. The chuck table 110 may be horizontally moved so that it is located above the center portion of the chuck table 110. That is, at this position, the grinding stones 122 may be rotated to pass through the upper part of the center portion of the chuck table 110.

또 한편으로, 상기 척 테이블(110) 및 상기 연삭 모듈(120)의 동작은 제어부(102; 도 2 참조)에 의해 제어될 수 있다. 즉, 상기 척 테이블(110)의 수평 이동을 위한 제1 수평 구동부(114)와, 상기 척 테이블(110)의 회전을 위한 제2 회전 구동부(116)와, 상기 연삭 휠(124)의 높이 조절을 위한 제1 수직 구동부(127)와, 상기 연삭 휠(124)의 회전을 위한 제1 회전 구동부(126)의 동작은 상기 제어부(102)에 의해 제어될 수 있다.On the other hand, the operations of the chuck table 110 and the grinding module 120 may be controlled by the control unit 102 (see FIG. 2). That is, the first horizontal drive unit 114 for horizontal movement of the chuck table 110, the second rotation drive unit 116 for rotation of the chuck table 110, and the height adjustment of the grinding wheel 124. The operations of the first vertical drive unit 127 for and the first rotation drive unit 126 for rotation of the grinding wheel 124 may be controlled by the control unit 102.

도 16 내지 도 18은 도 8 내지 도 13을 참조하여 기 설명된 반도체 스트립 연삭 방법의 다른 예를 설명하기 위한 개략적인 평면도들이고, 도 19는 도 8 내지 도 13을 참조하여 기 설명된 반도체 스트립 연삭 방법의 다른 예를 설명하기 위한 개략적인 측면도이다.16 to 18 are schematic plan views for explaining another example of the semiconductor strip grinding method previously described with reference to FIGS. 8 to 13, and FIG. 19 is a schematic plan view of the semiconductor strip grinding method previously described with reference to FIGS. 8 to 13. This is a schematic side view to explain another example of the method.

도 16을 참조하면, 상기 척 테이블(110) 상에는 복수의 반도체 스트립들(10), 예를 들면, 도시된 바와 같이, 두 개의 반도체 스트립들(10)이 로드될 수 있으며, 상기 반도체 스트립들(10)은 상기 척 테이블(110)에 구비된 진공 흡착 영역들(112)에 의해 진공 흡착될 수 있다. 이어서, 상기 연삭 휠(124)은 상기 제1 회전 구동부(126)에 의해 회전될 수 있으며, 상기 연삭 휠(124)의 높이는 상기 제1 수직 구동부(127)에 의해 조절될 수 있다.Referring to FIG. 16, a plurality of semiconductor strips 10, for example, two semiconductor strips 10 as shown, may be loaded on the chuck table 110, and the semiconductor strips ( 10) may be vacuum adsorbed by vacuum adsorption areas 112 provided on the chuck table 110. Subsequently, the grinding wheel 124 may be rotated by the first rotation driving unit 126, and the height of the grinding wheel 124 may be adjusted by the first vertical driving unit 127.

도 17을 참조하면, 상기 척 테이블(110)은 상기 제1 수평 구동부(114)에 의해 수평 방향, 예를 들면, Y축 방향으로 이동될 수 있으며, 이에 의해 상기 반도체 스트립들(10) 중 적어도 하나의 표면 부위가 상기 연삭 휠(124)에 의해 연삭될 수 있다. 특히, 상기 척 테이블(110)은 상기 연삭 휠(124)의 가장자리 부위가 상기 척 테이블(110)의 중심 부위의 상부에 위치될 때까지 수평 이동될 수 있으며, 이에 의해 상기 반도체 스트립들(10) 중 적어도 하나의 표면 부위가 기 설정된 황삭 두께만큼 부분적으로 제거될 수 있다. 이때, 도 19에 도시된 바와 같이, 상기 척 테이블(110)이 수평 방향으로 이동하는 동안 상기 척 테이블(110)의 가장자리 부위에 인접한 상기 반도체 스트립들(10) 중 적어도 하나의 일측 부위로부터 상기 척 테이블(110)의 중심 부위에 인접한 상기 반도체 스트립들(110) 중 적어도 하나의 타측 부위를 향하여 연삭이 이루어질 수 있다.Referring to FIG. 17, the chuck table 110 may be moved in the horizontal direction, for example, the Y-axis direction, by the first horizontal driving unit 114, thereby moving at least one of the semiconductor strips 10. One surface area can be ground by the grinding wheel 124. In particular, the chuck table 110 can be horizontally moved until the edge of the grinding wheel 124 is located above the center of the chuck table 110, thereby forming the semiconductor strips 10. At least one surface area may be partially removed by a preset roughing thickness. At this time, as shown in FIG. 19, while the chuck table 110 moves in the horizontal direction, the chuck moves from one side of at least one of the semiconductor strips 10 adjacent to the edge of the chuck table 110. Grinding may be performed toward the other side of at least one of the semiconductor strips 110 adjacent to the center of the table 110.

도 18을 참조하면, 상기 척 테이블(110)의 수평 방향 이동이 완료된 후, 상기 제2 회전 구동부(116)는 상기 부분적으로 연삭이 진행된 상기 반도체 스트립들(10) 중 하나의 나머지 표면 부위와 상기 반도체 스트립들(10) 중 나머지 하나의 표면 부위가 상기 기 설정된 황삭 두께만큼 전체적으로 제거되도록 상기 척 테이블(110)을 저속으로 회전시킬 수 있다. 특히, 상기 반도체 스트립들(10)의 표면 부위는 상기 척 테이블(110)이 한번 회전되는 동안 상기 기 설정된 황삭 두께만큼 전체적으로 제거될 수 있으며, 이에 의해 상기 반도체 스트립들(10)의 연삭에 소요되는 전체 시간이 종래 기술에 비하여 크게 감소될 수 있다.Referring to FIG. 18, after the horizontal movement of the chuck table 110 is completed, the second rotation driver 116 moves the remaining surface portion of one of the partially ground semiconductor strips 10 and the The chuck table 110 may be rotated at low speed so that the surface portion of the remaining one of the semiconductor strips 10 is completely removed by the preset roughing thickness. In particular, the surface portion of the semiconductor strips 10 can be completely removed by the preset roughing thickness while the chuck table 110 is rotated once, thereby reducing the amount required for grinding the semiconductor strips 10. The overall time can be greatly reduced compared to the prior art.

한편, 상기에서는 두 개의 반도체 스트립들(10)이 공급되는 경우에 대하여 설명되었으나, 3개 이상의 반도체 스트립들이 공급되는 경우에도 상기 연삭 방법은 동일하게 적용될 수 있다. 아울러, 도시되지는 않았으나, 상기와 같은 황삭 공정이 수행된 후 상기 연삭 휠(124)의 높이를 미세 조절함으로써 상기 반도체 스트립들(10)에 대한 정삭 공정이 수행될 수 있다.Meanwhile, although the case where two semiconductor strips 10 are supplied has been described above, the grinding method can be equally applied even when three or more semiconductor strips are supplied. In addition, although not shown, a finishing process on the semiconductor strips 10 may be performed by finely adjusting the height of the grinding wheel 124 after the roughing process is performed.

다시 도 2를 참조하면, 상기 반도체 스트립 연삭 장치(100)는, 상기 척 테이블들(110)과 상기 피커들(152) 사이에서 수평 방향, 예를 들면, Y축 방향으로 이동 가능하게 구성되며 상기 척 테이블들(110)과 상기 피커들(152) 및 상기 반도체 스트립들(10)로부터 이물질을 제거하기 위한 세정 모듈들(140)을 포함할 수 있다.Referring again to FIG. 2, the semiconductor strip grinding device 100 is configured to be movable in a horizontal direction, for example, in the Y-axis direction, between the chuck tables 110 and the pickers 152. It may include chuck tables 110, the pickers 152, and cleaning modules 140 for removing foreign substances from the semiconductor strips 10.

도 20 및 도 21은 도 2에 도시된 따른 세정 모듈을 설명하기 위한 개략적인 측면도들이다.Figures 20 and 21 are schematic side views for explaining the cleaning module shown in Figure 2.

도 20 및 도 21을 참조하면, 상기 세정 모듈들(140) 각각은, 상방 및 하방으로 각각 세정액을 분사하기 위한 세정액 분사 노즐들(142) 그리고 상방 및 하방으로 각각 공기를 분사하기 위한 공기 분사 노즐들(144)을 포함하는 노즐 조립체(146)와, 상기 노즐 조립체(146)를 수평 방향, 예를 들면, Y축 방향으로 이동시키기 위한 노즐 구동부(148)를 포함할 수 있다.20 and 21, each of the cleaning modules 140 includes cleaning liquid spray nozzles 142 for spraying cleaning liquid upward and downward, respectively, and air spray nozzles for spraying air upward and downward, respectively. It may include a nozzle assembly 146 including elements 144, and a nozzle driver 148 for moving the nozzle assembly 146 in a horizontal direction, for example, in the Y-axis direction.

예를 들면, 도 20에 도시된 바와 같이 상기 반도체 스트립들(10)을 상기 척 테이블(110) 상에 로드하기 위해 상기 피커(152)가 상기 척 테이블(110)의 상부에 위치된 후, 상기 노즐 구동부(148)는 상기 피커(152)에 의해 픽업된 반도체 스트립들(10)의 하부면 및 상기 척 테이블(110)의 상부면을 세정하기 위해 상기 노즐 조립체(146)를 상기 반도체 스트립들(10)과 상기 척 테이블(110) 사이에서 수평 방향으로 이동시킬 수 있다.For example, as shown in FIG. 20, after the picker 152 is positioned on the upper part of the chuck table 110 to load the semiconductor strips 10 onto the chuck table 110, the The nozzle driver 148 operates the nozzle assembly 146 to clean the lower surface of the semiconductor strips 10 picked up by the picker 152 and the upper surface of the chuck table 110. 10) and the chuck table 110 can be moved in the horizontal direction.

이어서, 도 21에 도시된 바와 같이 상기 반도체 스트립들(10)이 상기 척 테이블(110) 상에 놓여진 후, 상기 노즐 구동부(148)는 상기 척 테이블(110) 상에 놓여진 상기 반도체 스트립들(10)의 상부면 및 상기 피커(152)의 하부면을 세정하기 위해 상기 노즐 조립체(146)를 상기 반도체 스트립들(10)과 상기 피커(152) 사이에서 수평 방향으로 이동시킬 수 있다.Subsequently, as shown in FIG. 21, after the semiconductor strips 10 are placed on the chuck table 110, the nozzle driver 148 moves the semiconductor strips 10 placed on the chuck table 110. ), the nozzle assembly 146 can be moved in the horizontal direction between the semiconductor strips 10 and the picker 152 to clean the upper surface and the lower surface of the picker 152.

특히, 상기 노즐 구동부(148)는 상기 반도체 스트립들(10)과 상기 척 테이블(110) 및 상기 피커(152)를 세정하기 위하여 상기 노즐 조립체(146)를 상기 수평 방향으로 왕복 이동시킬 수 있으며, 상기 반도체 스트립들(10)에 대한 연삭 공정이 수행된 후에도 상기 도 21 및 도 20에 도시된 바와 같이 상기 반도체 스트립들(10)과 상기 척 테이블(110) 및 상기 피커(152)에 대한 세정 작업을 수행할 수 있다.In particular, the nozzle driver 148 can reciprocate the nozzle assembly 146 in the horizontal direction to clean the semiconductor strips 10, the chuck table 110, and the picker 152, Even after the grinding process is performed on the semiconductor strips 10, a cleaning operation is performed on the semiconductor strips 10, the chuck table 110, and the picker 152 as shown in FIGS. 21 and 20. can be performed.

상기와 같은 세정 모듈들(140)에 의한 반도체 스트립들(10)의 세정 작업이 완료된 후, 상기 로터리 이송 모듈(150)은 상기 연삭 공정이 완료된 반도체 스트립들(10)을 상기 스트립 공급 모듈들(170)로 이송할 수 있다.After the cleaning operation of the semiconductor strips 10 by the cleaning modules 140 is completed, the rotary transfer module 150 transfers the semiconductor strips 10 on which the grinding process has been completed to the strip supply modules ( 170).

도 22는 도 2에 도시된 스트립 공급 모듈을 설명하기 위한 개략적인 평면도이고, 도 23은 도 22에 도시된 스트립 공급 모듈을 설명하기 위한 개략적인 측면도이다.FIG. 22 is a schematic plan view for explaining the strip supply module shown in FIG. 2, and FIG. 23 is a schematic side view for explaining the strip supply module shown in FIG. 22.

도 2와 도 22 및 도 23을 참조하면, 상기 스트립 공급 모듈(170)은, 상기 복수의 반도체 스트립들(10)을 수납하기 위한 매거진(20)이 놓여지는 매거진 포트(172)와, 상기 피커들(152)의 회전 이동 경로 아래에 배치되며 상기 반도체 스트립들(10)이 놓여지는 전달 테이블(180)과, 상기 매거진(20)과 상기 전달 테이블(180) 사이에서 상기 반도체 스트립들(10)을 이송하기 위한 선형 이송 유닛(200)을 포함할 수 있다.2, 22, and 23, the strip supply module 170 includes a magazine port 172 where a magazine 20 for storing the plurality of semiconductor strips 10 is placed, and the picker. A transfer table 180 disposed below the rotational movement path of the fields 152 and on which the semiconductor strips 10 are placed, and the semiconductor strips 10 between the magazine 20 and the transfer table 180. It may include a linear transfer unit 200 for transferring.

상기 선형 이송 유닛(200)은, 상기 매거진(20)에 수납된 반도체 스트립들(10) 중 하나를 밀어서 상기 매거진(20)으로부터 돌출되도록 하는 푸셔(202)와, 상기 돌출된 반도체 스트립(10)을 파지하기 위한 그리퍼(204)와, 상기 그리퍼(104)를 수평 방향, 예를 들면, X축 방향으로 이동시키기 위한 그리퍼 구동부(206)와, 상기 반도체 스트립(10)을 상기 매거진(20)과 상기 전달 테이블(180) 사이에서 안내하기 위한 한 쌍의 이송 레일들(208)을 포함할 수 있다. 상기 이송 레일들(208)은 상기 반도체 스트립(10)의 양측 부위들을 지지하고 안내할 수 있도록 상기 수평 방향, 즉 X축 방향으로 서로 평행하게 배치될 수 있다. 또한, 도시되지는 않았으나, 상기 스트립 공급 모듈(170)은 상기 매거진(20)에 수납된 반도체 스트립들(10) 중에서 인출하고자 하는 반도체 스트립(10)이 상기 이송 레일들(208)과 대응하도록 상기 매거진(20)의 높이를 조절하는 엘리베이터(미도시)를 포함할 수 있다.The linear transfer unit 200 includes a pusher 202 that pushes one of the semiconductor strips 10 stored in the magazine 20 to protrude from the magazine 20, and the protruding semiconductor strip 10. a gripper 204 for gripping the gripper 104, a gripper driving unit 206 for moving the gripper 104 in a horizontal direction, for example, in the It may include a pair of transfer rails 208 for guiding between the transfer tables 180. The transfer rails 208 may be arranged parallel to each other in the horizontal direction, that is, the X-axis direction, to support and guide both sides of the semiconductor strip 10. In addition, although not shown, the strip supply module 170 is configured so that the semiconductor strip 10 to be withdrawn from among the semiconductor strips 10 stored in the magazine 20 corresponds to the transfer rails 208. It may include an elevator (not shown) that adjusts the height of the magazine 20.

상기 전달 테이블(180) 상에는 상기 반도체 스트립들(10) 각각의 양측 부위를 지지하기 위한 서포트 레일들(184)이 배치될 수 있다. 예를 들면, 상기 전달 테이블(180) 상에는 한 쌍의 반도체 스트립들(10)이 놓여질 수 있으며, 상기 전달 테이블(180) 상에는 상기 한 쌍의 반도체 스트립들(10)을 지지하기 위해 두 쌍의 서포트 레일들(184)이 서로 평행하게 배치될 수 있다. 아울러, 상기 스트립 공급 모듈(170)은, 상기 서포트 레일들(184) 상에 놓여진 반도체 스트립들(10)의 위치를 고정시키기 위한 클램프 부재들(186)을 포함할 수 있다.Support rails 184 may be disposed on the transfer table 180 to support both sides of each of the semiconductor strips 10. For example, a pair of semiconductor strips 10 may be placed on the transfer table 180, and two pairs of supports are provided to support the pair of semiconductor strips 10 on the transfer table 180. Rails 184 may be arranged parallel to each other. In addition, the strip supply module 170 may include clamp members 186 for fixing the positions of the semiconductor strips 10 placed on the support rails 184.

도 24는 도 22 및 도 23에 도시된 서포트 레일들과 클램프 부재들을 설명하기 위한 확대 측면도이고, 도 25는 도 22 및 도 23에 도시된 서포트 레일들과 클램프 부재들을 설명하기 위한 평면도이며, 도 26은 도 22 및 도 23에 도시된 서포트 레일들과 클램프 부재들을 설명하기 위한 저면도이다. 도 27 및 도 28은 도 24 내지 도 26에 도시된 클램프 부재들의 동작을 설명하기 위한 개략적인 평면도들이다.FIG. 24 is an enlarged side view for explaining the support rails and clamp members shown in FIGS. 22 and 23, and FIG. 25 is a plan view for explaining the support rails and clamp members shown in FIGS. 22 and 23. 26 is a bottom view for explaining the support rails and clamp members shown in FIGS. 22 and 23. FIGS. 27 and 28 are schematic plan views for explaining the operation of the clamp members shown in FIGS. 24 to 26.

도 24 내지 도 26을 참조하면, 상기 전달 테이블(180)은 대략 사각 형태를 가질 수 있으며, 상기 반도체 스트립들(10)의 하부면 부위를 노출시키기 위한 개구들(182)을 구비할 수 있다. 상기 서포트 레일들(184)은 서로 평행하게 연장할 수 있으며, 각 서포트 레일들(184)의 쌍은 상기 전달 테이블(180)의 가장자리 부위 상에 배치되고 상대적으로 길이가 짧은 제1 서포트 레일(184A)과, 상기 전달 테이블(180)의 중앙 부위 상에 배치되고 상대적으로 길이가 긴 제2 서포트 레일(184B)을 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 24 to 26 , the transfer table 180 may have a substantially square shape and may be provided with openings 182 to expose lower surfaces of the semiconductor strips 10 . The support rails 184 may extend parallel to each other, and each pair of support rails 184 is disposed on an edge of the transfer table 180 and has a relatively short first support rail 184A. ) and a second support rail 184B disposed on the central portion of the transfer table 180 and having a relatively long length.

또한, 상기 클램프 부재들(186)은 상기 각 서포트 레일들(184)에 대응하도록 두 쌍이 구비될 수 있다. 상기 클램프 부재들(186)은 상기 서포트 레일들(184)을 따라 평행하게 연장할 수 있으며, 각 클램프 부재들(186)의 쌍은 상기 제1 서포트 레일(184A)과 대응하며 상대적으로 길이가 짧은 제1 클램프 부재(186A)와, 상기 제2 서포트 레일(184B)과 대응하며 상대적으로 길이가 긴 제2 클램프 부재(186B)를 포함할 수 있다.Additionally, the clamp members 186 may be provided in two pairs to correspond to each of the support rails 184. The clamp members 186 may extend in parallel along the support rails 184, and each pair of clamp members 186 corresponds to the first support rail 184A and has a relatively short length. It may include a first clamp member 186A and a second clamp member 186B that corresponds to the second support rail 184B and is relatively long.

상기 클램프 부재들(186) 각각은 알파벳 ‘L’자 형태의 단면을 가질 수 있으며, 상기 클램프 부재들(186)의 수평 부위(186D; 도 16 참조)가 상기 반도체 스트립(10)의 측면 부위들을 커버하도록 상기 서포트 레일들(184)의 상부에 배치되고, 수직 부위가 상기 서포트 레일들(184)의 측면에 인접하게 배치될 수 있다. 특히, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 스트립 공급 모듈들(170) 각각은 상기 클램프 부재들(186)의 동작을 위한 클램프 구동부들(188)을 포함할 수 있다. 즉, 상기 클램프 구동부들(188)은 상기 반도체 스트립(10)의 이송 방향에 대하여 수직하는 방향으로 상기 클램프 부재들(186)을 이동시킬 수 있으며, 이를 통해 상기 서포트 레일들(184)의 상부를 개폐할 수 있다.Each of the clamp members 186 may have a cross-section in the shape of an alphabet 'L', and the horizontal portion 186D (see FIG. 16) of the clamp members 186 clamps the side portions of the semiconductor strip 10. It may be placed on the upper part of the support rails 184 to cover it, and a vertical portion may be placed adjacent to the side of the support rails 184. In particular, according to one embodiment of the present invention, each of the strip supply modules 170 may include clamp drivers 188 for operating the clamp members 186. That is, the clamp drivers 188 can move the clamp members 186 in a direction perpendicular to the transport direction of the semiconductor strip 10, and thereby move the upper part of the support rails 184. It can be opened and closed.

예를 들면, 상기 클램프 구동부들(188) 각각은, 상기 전달 테이블(180)의 양측에 배치되는 푸시 부재들(190)과, 상기 푸시 부재들(190)을 상기 전달 테이블(180)을 중심을 향하는 방향으로 밀어서 상기 클램프 부재들(186)을 개방하기 위한 공압 실린더들(192)과, 상기 푸시 부재들(190)과 상기 클램프 부재들(186)을 연결하는 구동축들(194)과, 상기 전달 테이블(180)의 하부에 장착되며 상기 구동축들(194)을 안내하기 위한 가이드 부재들(196)과, 상기 푸시 부재들(190)과 상기 가이드 부재들(196) 사이에 배치되며 상기 클램프 부재들(186)을 닫기 위하여 탄성 복원력을 제공하는 탄성 부재들(198)을 포함할 수 있다.For example, each of the clamp driving units 188 includes push members 190 disposed on both sides of the transfer table 180, and the push members 190 are centered around the transfer table 180. Pneumatic cylinders 192 for opening the clamp members 186 by pushing them in a direction, drive shafts 194 connecting the push members 190 and the clamp members 186, and the transmission Guide members 196 are mounted on the lower part of the table 180 to guide the drive shafts 194, and are disposed between the push members 190 and the guide members 196 and include the clamp members. It may include elastic members 198 that provide elastic restoring force to close (186).

구체적으로, 상기 전달 테이블(180)의 일측에 배치되는 제1 푸시 부재(190A)는 제1 구동축(194A)을 통해 인접하는 클램프 부재 쌍(186)의 제2 클램프 부재(186B) 및 이격된 클램프 부재 쌍(186)의 제1 클램프 부재(186A)와 연결될 수 있다. 또한, 상기 전달 테이블(180)의 타측에 배치되는 제2 푸시 부재(190B)의 경우에도 제2 구동축(194B)을 통해 인접하는 클램프 부재 쌍(186)의 제2 클램프 부재(186B) 및 이격된 클램프 부재 쌍(186)의 제1 클램프 부재(186A)와 연결될 수 있다.Specifically, the first push member 190A disposed on one side of the transfer table 180 is connected to the second clamp member 186B of the adjacent clamp member pair 186 and the spaced apart clamp through the first drive shaft 194A. It may be connected to the first clamp member 186A of the member pair 186. In addition, in the case of the second push member 190B disposed on the other side of the transmission table 180, it is spaced apart from the second clamp member 186B of the adjacent clamp member pair 186 through the second drive shaft 194B. It may be connected to the first clamp member 186A of the clamp member pair 186.

결과적으로, 도 27에 도시된 바와 같이, 제1 공압 실린더(192A)가 상기 제1 푸시 부재(190A)를 밀어주는 경우, 인접하는 클램프 부재 쌍(186)의 제2 클램프 부재(186B) 및 이격된 클램프 부재 쌍(186)의 제1 클램프 부재(186A)가 하방으로 개방될 수 있다. 또한, 도 28에 도시된 바와 같이, 제2 공압 실린더(192B)가 상기 제2 푸시 부재(190B)를 밀어주는 경우, 인접하는 클램프 부재 쌍(186)의 제2 클램프 부재(186B) 및 이격된 클램프 부재 쌍(186)의 제1 클램프 부재(186A)가 상방으로 개방될 수 있다.As a result, as shown in FIG. 27, when the first pneumatic cylinder 192A pushes the first push member 190A, the second clamp member 186B of the adjacent clamp member pair 186 is spaced apart. The first clamp member 186A of the clamp member pair 186 may be opened downward. In addition, as shown in FIG. 28, when the second pneumatic cylinder 192B pushes the second push member 190B, the second clamp member 186B of the adjacent clamp member pair 186 and the spaced apart The first clamp member 186A of the clamp member pair 186 may be opened upward.

다시, 도 26을 참조하면, 상기 전달 테이블(180)의 저면 양측 부위들에 장착된 가이드 부재들(196)과 상기 제1 및 제2 푸시 부재들(190A, 190B) 사이에는 상기 제1 및 제2 구동축들(194A, 194B)을 감싸도록 상기 탄성 부재들(198)로서 기능하는 코일 스프링들이 장착될 수 있으며, 도 27 및 도 28에서와 같이 개방된 클램프 부재들(186)은 상기 탄성 부재들(198)의 복원력에 의해 닫힐 수 있다. 즉, 상기 클램프 부재들(186)은 상기 제1 및 제2 공압 실린더들(192A, 192B)에 의해 개방될 수 있으며, 상기 제1 및 제2 공압 실린더들(192A, 192B)이 후퇴하는 경우 상기 탄성 부재들(198)에 의해 닫힐 수 있다.Referring again to FIG. 26, between the guide members 196 mounted on both sides of the bottom of the delivery table 180 and the first and second push members 190A and 190B, the first and second push members 190A, 190B 2 Coil springs that function as the elastic members 198 may be mounted to surround the drive shafts 194A and 194B, and open clamp members 186 as shown in FIGS. 27 and 28 are the elastic members. It can be closed by the restoring force of (198). That is, the clamp members 186 may be opened by the first and second pneumatic cylinders 192A and 192B, and when the first and second pneumatic cylinders 192A and 192B retract, the clamp members 186 may be opened by the first and second pneumatic cylinders 192A and 192B. It can be closed by elastic members 198.

도 29는 도 24 내지 도 26에 도시된 클램프 부재들을 설명하기 위한 개략적인 정면도이다.Figure 29 is a schematic front view for explaining the clamp members shown in Figures 24 to 26.

도 24 및 도 29를 참조하면, 상기 서포트 레일들(184)은 상기 반도체 스트립(10)을 안내하기 위한 단차부(184C)가 길이 방향으로 형성되어 있으며, 상기 서포트 레일들(184) 상에 놓여진 상기 반도체 스트립(10)의 폭 방향으로 상기 반도체 스트립(10)의 이탈이 상기 단차부(184C)에 의해 방지될 수 있다. 아울러, 상기 클램프 부재들(186)이 닫힌 상태에서 상방으로 상기 반도체 스트립(10)의 이탈은 상기 클램프 부재들(186)에 의해 방지될 수 있다.Referring to FIGS. 24 and 29, the support rails 184 have step portions 184C formed in the longitudinal direction to guide the semiconductor strip 10, and are placed on the support rails 184. Separation of the semiconductor strip 10 in the width direction of the semiconductor strip 10 may be prevented by the step portion 184C. In addition, the semiconductor strip 10 may be prevented from being separated upward when the clamp members 186 are closed.

특히, 도 29에 도시된 바와 같이, 상기 클램프 부재(186)의 수평 부위(186D)의 하면 양측에는 상기 반도체 스트립(10)의 길이 방향으로 상기 반도체 스트립(10)의 이탈을 방지하기 위한 스토퍼들(186C)이 구비될 수 있으며, 이에 대응하여 상기 서포트 레일들(184)에는 상기 스토퍼들(186C)의 이동을 위한 홈들(184D)이 구비될 수 있다. 특히, 상기 클램프 부재들(186)이 상기 클램프 구동부들(188)에 의해 개방되는 경우 이와 함께 상기 서포트 레일들(184) 상에서 상기 반도체 스트립(10)의 이송 경로가 상기 스토퍼들(186C)에 의해 개방될 수 있으며, 이와 반대로 상기 클램프 부재들(186)이 상기 클램프 구동부들(188)에 의해 닫히는 경우 이와 함께 상기 서포트 레일들(184) 상에서 상기 반도체 스트립(10)의 이송 경로가 상기 스토퍼들(186C)에 의해 차단될 수 있다.In particular, as shown in FIG. 29, stoppers are provided on both sides of the horizontal portion 186D of the clamp member 186 to prevent the semiconductor strip 10 from being separated in the longitudinal direction of the semiconductor strip 10. (186C) may be provided, and correspondingly, the support rails 184 may be provided with grooves 184D for movement of the stoppers 186C. In particular, when the clamp members 186 are opened by the clamp drivers 188, the transfer path of the semiconductor strip 10 on the support rails 184 is opened by the stoppers 186C. It can be open, and on the contrary, when the clamp members 186 are closed by the clamp drivers 188, the transfer path of the semiconductor strip 10 on the support rails 184 is connected to the stoppers ( 186C).

구체적으로, 상기 클램프 부재들(186)이 상기 제1 및 제2 공압 실린더들(192A, 192B)에 의해 개방된 상태에서 상기 반도체 스트립(10)이 상기 선형 이송 유닛(200)에 의해 상기 서포트 레일들(184)의 단차부(184C) 상에서 수평 방향으로 이송될 수 있으며, 이어서 상기 탄성 부재들(198)에 의해 상기 클램프 부재들(186)이 닫힌 상태가 되면, 상기 반도체 스트립(10)은 상기 클램프 부재들(186)의 상부 수평 부위(186D)와, 상기 서포트 레일들(184)의 단차부(184C)와, 상기 스토퍼들(186C)에 의해 X축 방향, Y축 방향 및 Z축 방향으로 그 위치가 고정될 수 있다.Specifically, in a state in which the clamp members 186 are opened by the first and second pneumatic cylinders 192A and 192B, the semiconductor strip 10 is moved to the support rail by the linear transfer unit 200. It can be transported in the horizontal direction on the step portion 184C of the strips 184, and then when the clamp members 186 are closed by the elastic members 198, the semiconductor strip 10 is In the The position can be fixed.

다시 도 22 및 도 23을 참조하면, 상기 스트립 공급 모듈(170)은 상기 전달 테이블(180)을 회전시키기 위한 제4 회전 구동부(210)를 포함할 수 있으며, 상기 선형 이송 유닛(200)의 이송 레일들(208)은 상기 두 쌍의 서포트 레일들(184) 중 한 쌍과 대응하도록 즉 그 단부들이 서로 인접하게 배치될 수 있다.Referring again to FIGS. 22 and 23, the strip supply module 170 may include a fourth rotation drive unit 210 for rotating the transfer table 180, and transfer of the linear transfer unit 200. The rails 208 may be arranged to correspond to one of the two pairs of support rails 184, that is, their ends may be arranged adjacent to each other.

도 30 내지 도 32는 도 22 및 도 23에 도시된 선형 이송 유닛과 제4 회전 구동부의 동작을 설명하기 위한 개략적인 평면도들이다.FIGS. 30 to 32 are schematic plan views for explaining the operation of the linear transfer unit and the fourth rotation driver shown in FIGS. 22 and 23.

도 30 내지 도 32를 참조하면, 상기 반도체 스트립(10)은 상기 선형 이송 유닛(200)에 의해 상기 서포트 레일 쌍들(184) 중 하나 상으로 이송될 수 있다. 이때, 상기 클램프 부재들(186)은 상기 제1 및 제2 공압 실린더들(192A, 192B)에 의해 개방될 수 있다.30 to 32, the semiconductor strip 10 may be transferred onto one of the support rail pairs 184 by the linear transfer unit 200. At this time, the clamp members 186 may be opened by the first and second pneumatic cylinders 192A and 192B.

이어서, 상기 클램프 부재들(186)이 닫힌 후 상기 전달 테이블(180)이 상기 제4 회전 구동부(210)에 의해 180° 회전될 수 있다. 계속해서, 상기 클램프 부재들(186)이 개방되고, 후속하는 반도체 스트립(10)이 상기 서포트 레일 쌍들(184) 중 나머지 하나 상으로 이송될 수 있다.Subsequently, after the clamp members 186 are closed, the transfer table 180 may be rotated 180° by the fourth rotation driver 210. Subsequently, the clamp members 186 are opened and the subsequent semiconductor strip 10 can be transferred onto the remaining one of the support rail pairs 184.

도 33 및 도 34는 도 29에 도시된 스토퍼를 설명하기 위한 개략적인 확대 측면도들이고, 도 35는 도 33 및 도 34에 도시된 클램프 부재가 완전히 개방된 상태를 보여주는 확대 측면도이다.Figures 33 and 34 are schematic enlarged side views for explaining the stopper shown in Figure 29, and Figure 35 is an enlarged side view showing the clamp member shown in Figures 33 and 34 in a fully open state.

도 33 및 도 34를 참조하면, 상기 클램프 부재(186)의 수평 부위(186D)의 하부면 양측에는 각각 반도체 스트립(10)의 이탈을 방지하기 위한 스토퍼(186C)가 구비될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 스토퍼(186C)는 상기 클램프 부재(186)의 폭보다 짧은 길이를 가질 수 있으며, 상기 스토퍼(186C)의 단부는 상기 클램프 부재(186)의 수평 부위(186D)의 측면보다 내측에 위치될 수 있다. 즉, 도시된 바와 같이, 상기 클램프 부재(186)의 수평 부위(186D)가 상기 스토퍼(186C)의 단부보다 상기 반도체 스트립(10) 방향으로 돌출될 수 있다.Referring to FIGS. 33 and 34 , stoppers 186C may be provided on both sides of the lower surface of the horizontal portion 186D of the clamp member 186 to prevent the semiconductor strip 10 from being separated. According to one embodiment of the present invention, the stopper 186C may have a length shorter than the width of the clamp member 186, and an end of the stopper 186C is connected to the horizontal portion 186D of the clamp member 186. ) can be located more medially than the side. That is, as shown, the horizontal portion 186D of the clamp member 186 may protrude in the direction of the semiconductor strip 10 beyond the end of the stopper 186C.

구체적으로, 상기 클램프 부재들(186)이 완전히 개방되는 경우, 특히, 도 35에 도시된 바와 같이, 상기 클램프 부재(186)가 완전히 개방되어 상기 클램프 부재(186)의 수평 부위(186D)가 상기 서포트 레일(184)의 단차부(184C; 도 29 참조) 상부에 존재하지 않게 되는 경우, 상기 반도체 스트립(10)이 상기 서포트 레일들(184) 상으로 이송되는 동안 상기 반도체 스트립(10)의 이탈이 발생될 수 있다. 특히, 상기 서포트 레일들(184) 상으로 이송되는 반도체 스트립(10)에 휨이 발생된 경우, 상기 반도체 스트립(10)의 이탈이 발생될 가능성이 높아지고, 또한 상기 반도체 스트립(10)이 상기 서포트 레일들(184) 상으로 이송되더라도 상기 반도체 스트립(184)의 일부 높이가 상기 클램프 부재들(186)보다 높아질 수 있으므로, 이후 상기 클램프 부재들(186)이 닫히지 않는 문제점이 발생될 수 있다.Specifically, when the clamp members 186 are completely opened, especially as shown in FIG. 35, the clamp member 186 is completely opened and the horizontal portion 186D of the clamp member 186 is When the step portion 184C of the support rail 184 (see FIG. 29) does not exist above the semiconductor strip 10, the semiconductor strip 10 is separated while being transferred onto the support rails 184. This may occur. In particular, when bending occurs in the semiconductor strip 10 transported on the support rails 184, the possibility of separation of the semiconductor strip 10 increases, and also the semiconductor strip 10 is moved from the support. Even if the semiconductor strip 184 is transported on the rails 184, a portion of the semiconductor strip 184 may be higher than the clamp members 186, which may cause the clamp members 186 to not close afterward.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 클램프 부재(186)는 상기 클램프 구동부(188)에 의해 상기 반도체 스트립(10)의 이송을 위하여 상기 스토퍼 부재(186C)가 상기 서포트 레일들(184)의 단차부(184C)로부터 충분히 제거되고 아울러 상기 클램프 부재(186)의 수평 부위(186D)가 상기 서포트 레일들(184)의 단차부(184C)의 상부에 부분적으로 잔류하도록 개방된 상태(이하 부분 개방 상태라 한다)로 될 수 있다. 결과적으로, 도 33에 도시된 바와 같이, 상기 반도체 스트립(10)의 양측 부위들이 상기 서포트 레일들(184)의 단차부(184C)와 상기 클램프 부재들(186)의 수평 부위(186D)에 의해 형성되는 채널들 내에 위치된 상기 부분 개방 상태에서 상기 서포트 레일들(184) 상으로 이송될 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the clamp member 186 is used to transport the semiconductor strip 10 by the clamp driver 188, and the stopper member 186C is used to meet the step of the support rails 184. A state that is sufficiently removed from the portion 184C and opened so that the horizontal portion 186D of the clamp member 186 partially remains on the upper part of the stepped portion 184C of the support rails 184 (hereinafter referred to as a partially open state) It can be said). As a result, as shown in FIG. 33, both sides of the semiconductor strip 10 are separated by the stepped portion 184C of the support rails 184 and the horizontal portion 186D of the clamp members 186. It can be transported on the support rails 184 in the partially open state located in the formed channels.

도 36은 도 33 내지 도 35에 도시된 서포트 레일과 클램프 부재를 설명하기 위한 확대 평면도이다.Figure 36 is an enlarged plan view for explaining the support rail and clamp member shown in Figures 33 to 35.

도 36을 참조하면, 상기 클램프 부재(186)의 수평 부위(186D)에는 상기 클램프 부재(186)의 개폐 상태를 확인하기 위한 관통홀(186E)이 상기 수평 부위(186D)를 관통하여 형성될 수 있다. 구체적으로, 상기 관통홀(186E)을 통해 상기 서포트 레일(184)의 측면 부위가 관측될 수 있으며, 상기 전달 테이블(180)의 상부에는 상기 관통홀(186E)을 통해 상기 서포트 레일(184)의 측면 부위를 검출하기 위한 카메라 유닛(250; 도 22 참조)이 배치될 수 있다.Referring to FIG. 36, a through hole 186E may be formed in the horizontal portion 186D of the clamp member 186 to penetrate the horizontal portion 186D for checking the open/closed state of the clamp member 186. there is. Specifically, the side portion of the support rail 184 can be observed through the through hole 186E, and the support rail 184 is visible on the upper part of the transfer table 180 through the through hole 186E. A camera unit 250 (see FIG. 22) may be disposed to detect the side area.

예를 들면, 상기 클램프 부재(186)의 양측 부위에 각각 관통홀들(186E)이 구비될 수 있으며, 상기 전달 테이블(180)의 상부에는 상기 카메라 유닛(250)이 수평 방향, 예를 들면, X축 방향으로 이동 가능하게 배치될 수 있다. 일 예로서, 상기 카메라 유닛(250)은 도 22에 도시된 바와 같이 상기 선형 이송 유닛(200)의 그리퍼 구동부(206)에 장착될 수 있다.For example, through holes 186E may be provided on both sides of the clamp member 186, and the camera unit 250 may be installed on the upper part of the transfer table 180 in a horizontal direction, for example, It can be arranged to be movable in the X-axis direction. As an example, the camera unit 250 may be mounted on the gripper driving unit 206 of the linear transfer unit 200 as shown in FIG. 22.

상기 카메라 유닛(250)은 상기 관통홀(186E)에 대한 이미지를 획득할 수 있으며, 상기 이미지는 제어부(미도시)에 의해 분석될 수 있다. 상기 제어부는 상기 이미지로부터 상기 관통홀(186E)을 통해 관측된 상기 서포트 레일(184)의 일부의 크기 또는 폭을 산출함으로써 상기 클램프 부재(184)의 개폐 상태를 확인할 수 있다. 아울러, 상기 이미지 분석을 용이하게 하기 위하여 상기 서포트 레일(184)은 상기 클램프 부재(186)와 다른 색상으로 구성될 수 있다.The camera unit 250 may acquire an image of the through hole 186E, and the image may be analyzed by a control unit (not shown). The control unit can check the open/closed state of the clamp member 184 by calculating the size or width of the portion of the support rail 184 observed through the through hole 186E from the image. Additionally, in order to facilitate image analysis, the support rail 184 may be configured in a different color from the clamp member 186.

다시 도 23을 참조하면, 상기 스트립 공급 모듈(170)은, 상기 전달 테이블(180) 상에 놓여진 반도체 스트립들(10)을 세정 및 건조하기 위한 건조 유닛(220)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 건조 유닛(220)은 상기 반도체 스트립들(10) 상으로 이물질 제거를 위한 세정액, 예를 들면, 물을 공급할 수 있으며, 상기 반도체 스트립들(10)의 건조를 위해 상기 반도체 스트립들(10) 상으로 공기를 공급할 수 있다. 이때, 상기 전달 테이블(180)은 상기 제4 회전 구동부(210)에 의해 고속으로 회전될 수 있으며, 상기 반도체 스트립들(10) 상으로 공급된 세정액은 상기 전달 테이블(180)의 회전에 의해 제거될 수 있다.Referring again to FIG. 23 , the strip supply module 170 may include a drying unit 220 for cleaning and drying the semiconductor strips 10 placed on the transfer table 180. For example, the drying unit 220 may supply a cleaning liquid, for example, water, to remove foreign substances onto the semiconductor strips 10 and dry the semiconductor strips 10. Air can be supplied onto the fields 10. At this time, the transfer table 180 can be rotated at high speed by the fourth rotation driver 210, and the cleaning liquid supplied to the semiconductor strips 10 is removed by rotation of the transfer table 180. It can be.

도 37은 도 23에 도시된 건조 유닛을 설명하기 위한 개략적인 측면도이다.FIG. 37 is a schematic side view for explaining the drying unit shown in FIG. 23.

도 37을 참조하면, 상기 스트립 공급 모듈(170)은 상기 전달 테이블(180)을 수직 방향으로 이동시키기 위한 제3 수직 구동부(212)를 포함할 수 있다. 상기 제3 수직 구동부(212)는 상기 선형 이송 유닛(200)과 상기 전달 테이블(180) 사이에서 상기 반도체 스트립들(10)의 전달이 수행되는 제1 높이와, 상기 전달 테이블(180)과 상기 피커들(152) 사이에서 상기 반도체 스트립들(10)의 전달이 수행되는 제2 높이와, 상기 반도체 스트립들(10)의 세정 및 건조가 수행되는 제3 높이로 상기 전달 테이블(180)의 높이를 조절할 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 높이는 상기 제1 높이보다 높게 설정될 수 있으며, 상기 제3 높이는 상기 제1 높이보다 낮게 설정될 수 있다. 즉, 상기 반도체 스트립들(10)의 세정 및 건조는 상기 선형 이송 유닛(200)에 의해 상기 반도체 스트립들(10)이 이송되는 높이보다 낮은 높이에서 수행될 수 있다.Referring to FIG. 37, the strip supply module 170 may include a third vertical driving unit 212 for moving the transfer table 180 in the vertical direction. The third vertical driving unit 212 has a first height at which transfer of the semiconductor strips 10 is performed between the linear transfer unit 200 and the transfer table 180, and the transfer table 180 and the transfer table 180. A height of the transfer table 180 with a second height at which transfer of the semiconductor strips 10 is performed between pickers 152 and a third height at which cleaning and drying of the semiconductor strips 10 are performed. can be adjusted. For example, the second height may be set higher than the first height, and the third height may be set lower than the first height. That is, cleaning and drying of the semiconductor strips 10 may be performed at a height lower than the height at which the semiconductor strips 10 are transferred by the linear transfer unit 200.

구체적으로, 상기 전달 테이블(180)은 회전과 수직 이동을 가능하게 하기 위하여 스플라인 축(214)과 스플라인 너트(216)를 이용하여 상기 제4 회전 구동부(210)와 제3 수직 구동부(212)에 연결될 수 있다. 아울러, 일 예로서, 상기 제4 회전 구동부(210)는 모터와 벨트 및 풀리 등을 이용하여 상기 스플라인 축(214)과 연결될 수 있으며, 상기 제3 수직 구동부(212)는 모터와 볼 스크루 및 볼 너트 등을 이용하여 상기 스플라인 축(214)과 연결될 수 있다.Specifically, the transfer table 180 is connected to the fourth rotation drive unit 210 and the third vertical drive unit 212 using a spline shaft 214 and a spline nut 216 to enable rotation and vertical movement. can be connected In addition, as an example, the fourth rotation drive unit 210 may be connected to the spline shaft 214 using a motor, a belt, a pulley, etc., and the third vertical drive unit 212 may be connected to a motor, a ball screw, and a ball. It can be connected to the spline shaft 214 using a nut or the like.

상기 연삭 공정이 수행된 반도체 스트립들(10)이 상기 로터리 이송 모듈(150)에 의해 상기 전달 테이블(180) 상으로 이송되는 경우, 상기 전달 테이블(180)은 상기 제3 수직 구동부(212)에 의해 상기 제2 높이로 상승될 수 있다. 이때, 상기 제4 회전 구동부(210)는 상기 서포트 레일들(184)의 방향이 상기 피커들(152)의 픽업 툴들(154)의 방향과 평행하게 되도록 상기 전달 테이블(180)의 회전 각도를 조절할 수 있다.When the semiconductor strips 10 on which the grinding process has been performed are transferred onto the transfer table 180 by the rotary transfer module 150, the transfer table 180 is connected to the third vertical driving unit 212. It can be raised to the second height. At this time, the fourth rotation driver 210 adjusts the rotation angle of the transfer table 180 so that the direction of the support rails 184 is parallel to the direction of the pickup tools 154 of the pickers 152. You can.

도 38은 도 22에 도시된 전달 테이블의 회전 각도가 조절된 상태를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.FIG. 38 is a schematic plan view illustrating a state in which the rotation angle of the transfer table shown in FIG. 22 is adjusted.

도 38을 참조하면, 상기 클램프 구동부(188)는 상기 제2 높이에서 상기 클램프 부재들(186)을 개방하기 위하여 제3 및 제4 공압 실린더들(192C, 192D)을 포함할 수 있으며, 상기 제4 회전 구동부(210)는 상기 푸시 부재들(190A, 190B)과 상기 제3 및 제4 공압 실린더들(192C, 192D)이 서로 마주하도록 상기 전달 테이블(180)을 회전시킬 수 있다. 이어서, 상기 제3 및 제4 공압 실린더들(192C, 192D)에 의해 상기 클램프 부재들(186)이 완전히 개방된 상태(도 35 참조)에서 상기 반도체 스트립들(10)이 상기 서포트 레일들(184) 상에 놓여질 수 있다. 이어서, 상기 탄성 부재들(198)에 의해 상기 클램프 부재들(186)이 닫힐 수 있으며, 상기 제3 수직 구동부(212)는 상기 전달 테이블(180)을 상기 제3 높이로 하강시킬 수 있다. 이때, 상기 제3 높이에는 상기 반도체 스트립들(10) 상으로 공급된 후 상기 전달 테이블(10)의 회전에 의해 비산되는 세정액을 차단하기 위해 상기 전달 테이블(180)을 감싸도록 구성된 커버(222)가 배치될 수 있다. 일 예로서, 상기 커버(222)는 원형 링 형태를 가질 수 있으며, 상기 비산된 세정액을 하방으로 유도하기 위하여 경사진 내측면을 가질 수 있다. 즉, 상기 커버(222)는 상기 하방으로 내경이 점차 증가되는 원형 링 형태를 가질 수 있다.Referring to FIG. 38, the clamp driving unit 188 may include third and fourth pneumatic cylinders 192C and 192D to open the clamp members 186 at the second height, and the first 4 The rotation driver 210 may rotate the transfer table 180 so that the push members 190A and 190B and the third and fourth pneumatic cylinders 192C and 192D face each other. Subsequently, in a state in which the clamp members 186 are completely opened by the third and fourth pneumatic cylinders 192C and 192D (see FIG. 35), the semiconductor strips 10 are connected to the support rails 184. ) can be placed on the table. Subsequently, the clamp members 186 may be closed by the elastic members 198, and the third vertical driving unit 212 may lower the transfer table 180 to the third height. At this time, at the third height, there is a cover 222 configured to surround the transfer table 180 to block the cleaning liquid supplied onto the semiconductor strips 10 and then sprayed by the rotation of the transfer table 10. can be placed. As an example, the cover 222 may have a circular ring shape and may have an inclined inner surface to guide the scattered cleaning liquid downward. That is, the cover 222 may have a circular ring shape whose inner diameter gradually increases downward.

한편, 상기 스트립 공급 모듈(170)은 상기 클램프 구동부(188)가 장착되는 상부 플레이트(174)와, 상기 스플라인 축(214)과 스플라인 너트(216)가 장착되는 하부 플레이트(176)와, 상기 상부 및 하부 플레이트(174, 176) 사이에 배치되며 상기 반도체 스트립들(10)의 세정 및 건조가 수행되는 공간을 제공하는 측벽(178)을 포함할 수 있다.Meanwhile, the strip supply module 170 includes an upper plate 174 on which the clamp driver 188 is mounted, a lower plate 176 on which the spline shaft 214 and the spline nut 216 are mounted, and the upper plate 176. and a side wall 178 disposed between the lower plates 174 and 176 and providing a space for cleaning and drying the semiconductor strips 10.

상기 건조 유닛(220)은 상기 반도체 스트립들(10)의 상부로 세정액을 분사하기 위한 상부 세정액 분사 노즐(224)과 상기 반도체 스트립(10)의 상부로 공기를 분사하기 위한 상부 공기 분사 노즐(226)이 장착된 노즐 암(228)을 포함할 수 있다. 상기 측벽(178)의 내측에는 상기 노즐 암(228)을 스윙 방식으로 수평 회전시키기 위한 암 구동부(230)가 장착될 수 있으며, 상기 암 구동부(230)는 상기 전달 테이블(180)의 수직 방향 이동시 간섭을 회피하기 위하여 상기 노즐 암(228)을 상기 측벽(178)의 내측면에 인접하도록 회전시키고, 상기 전달 테이블(180)이 상기 제3 높이로 하강된 후 상기 반도체 스트립들(10)의 세정 및 건조를 위하여 상기 노즐 암(228)을 상기 전달 테이블(180)의 상부로 회전시킬 수 있다.The drying unit 220 includes an upper cleaning liquid injection nozzle 224 for spraying cleaning liquid onto the upper portion of the semiconductor strips 10 and an upper air spraying nozzle 226 for spraying air toward the upper portion of the semiconductor strips 10. ) may include a nozzle arm 228 equipped with it. An arm driver 230 may be mounted on the inside of the side wall 178 to horizontally rotate the nozzle arm 228 in a swing manner, and the arm driver 230 may be used when the transfer table 180 moves in the vertical direction. To avoid interference, the nozzle arm 228 is rotated to be adjacent to the inner surface of the side wall 178, and the transfer table 180 is lowered to the third height and then the semiconductor strips 10 are cleaned. And for drying, the nozzle arm 228 can be rotated to the upper part of the transfer table 180.

또한, 상기 건조 유닛(220)은 상기 반도체 스트립들(10)의 하부로 세정액을 분사하기 위한 하부 세정액 분사 노즐(232)과 상기 반도체 스트립들(10)의 하부로 공기를 분사하기 위한 하부 공기 분사 노즐(234)을 포함할 수 있다. 상기 하부 세정액 및 공기 분사 노즐들(232, 234)에 의해 분사된 세정액과 공기는 상기 전달 테이블(180)의 개구들(182)을 통해 상기 반도체 스트립들(10)의 하부면으로 제공될 수 있다.In addition, the drying unit 220 includes a lower cleaning liquid injection nozzle 232 for spraying cleaning liquid into the lower portion of the semiconductor strips 10 and a lower air spraying nozzle 232 for spraying air into the lower portion of the semiconductor strips 10. It may include a nozzle 234. The cleaning liquid and air sprayed by the lower cleaning liquid and air spray nozzles 232 and 234 may be provided to the lower surface of the semiconductor strips 10 through the openings 182 of the delivery table 180. .

한편, 상기 반도체 스트립들(10)이 상기 피커들(152)로 전달되는 경우 상기 전달 테이블(180)은 상기 제3 수직 구동부(212)에 의해 상기 제2 높이로 상승될 수 있으며, 상기 제4 회전 구동부(210)에 의해 회전 각도가 조절될 수 있다. 이어서, 상기 제3 및 제4 공압 실린더들(192C, 192D)에 의해 상기 클램프 부재들(186)이 완전히 개방된 상태에서 상기 반도체 스트립들(10)이 상기 피커들(152)에 의해 픽업될 수 있다.Meanwhile, when the semiconductor strips 10 are delivered to the pickers 152, the transfer table 180 may be raised to the second height by the third vertical driving unit 212, and the fourth height may be raised to the second height by the third vertical driving unit 212. The rotation angle may be adjusted by the rotation driver 210. Subsequently, the semiconductor strips 10 can be picked up by the pickers 152 in a state in which the clamp members 186 are completely opened by the third and fourth pneumatic cylinders 192C and 192D. there is.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 스트립 공급 모듈(170)은, 상기 전달 테이블(180) 상에 놓여진 상기 반도체 스트립들(10)을 상기 피커들(152)의 하부면 즉 상기 픽업 툴들(154)의 하부면에 밀착시키기 위하여 상기 반도체 스트립들(10)을 밀어올리는 리프트 유닛(240)을 포함할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the strip supply module 170 supplies the semiconductor strips 10 placed on the transfer table 180 to the lower surface of the pickers 152, that is, the pick tools 154. ) may include a lift unit 240 that pushes up the semiconductor strips 10 to bring them into close contact with the lower surface.

도 39는 도 37에 도시된 리프트 유닛을 설명하기 위한 개략적인 평면도이고, 도 40은 도 37에 도시된 리프트 유닛의 동작을 설명하기 위한 개략적인 측면도이다.FIG. 39 is a schematic plan view for explaining the lift unit shown in FIG. 37, and FIG. 40 is a schematic side view for explaining the operation of the lift unit shown in FIG. 37.

도 37과 도 39 및 도 40을 참조하면, 상기 리프트 유닛(240)은, 상기 반도체 스트립들(10)을 상기 픽업 툴들(154)의 하부면에 밀착시키기 위한 한 쌍의 밀착 플레이트들(242)과, 상기 밀착 플레이트들(242)을 지지하는 서포트 플레이트(244)와, 상기 서포트 플레이트(244)를 수직 방향으로 이동시키기 위한 제4 수직 구동부(246)를 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 37, 39, and 40, the lift unit 240 includes a pair of contact plates 242 for attaching the semiconductor strips 10 to the lower surfaces of the pickup tools 154. It may include a support plate 244 supporting the contact plates 242, and a fourth vertical driving unit 246 for moving the support plate 244 in the vertical direction.

예를 들면, 상기 밀착 플레이트들(242)은 상기 전달 테이블(180)의 개구들(182)을 통과 가능하도록 구성될 수 있으며, 상기 제4 수직 구동부(246)는 상기 하부 플레이트(176)를 관통하여 수직 방향으로 연장하는 복수의 구동축들(248)과, 상기 구동축들(248)을 수직 방향으로 이동시키기 위한 모터와 볼 스크루 및 볼 너트 등을 포함할 수 있다.For example, the contact plates 242 may be configured to pass through the openings 182 of the transfer table 180, and the fourth vertical driving unit 246 may pass through the lower plate 176. Thus, it may include a plurality of drive shafts 248 extending in the vertical direction, a motor, a ball screw, a ball nut, etc. for moving the drive shafts 248 in the vertical direction.

특히, 도 40에 도시된 바와 같이 상기 반도체 스트립(10)에 휨 현상이 발생된 경우, 상기 리프트 유닛(240)은 상기 반도체 스트립(10)을 상기 피커(152)의 픽업 툴(154) 하부면에 상기 반도체 스트립(10)을 전체적으로 밀착시킬 수 있으며, 이에 의해 상기 반도체 스트립(10)이 상기 픽업 툴(154)에 안정적으로 진공 흡착될 수 있다. 따라서, 상기 반도체 스트립(10)에 휨이 발생된 경우에도 상기 반도체 스트립(10)의 픽업 불량이 충분히 방지될 수 있다.In particular, as shown in FIG. 40, when bending occurs in the semiconductor strip 10, the lift unit 240 lifts the semiconductor strip 10 to the lower surface of the pickup tool 154 of the picker 152. The semiconductor strip 10 can be brought into close contact as a whole, and as a result, the semiconductor strip 10 can be stably vacuum-sucked to the pickup tool 154. Therefore, even when the semiconductor strip 10 is bent, pickup defects in the semiconductor strip 10 can be sufficiently prevented.

한편, 상기 밀착 플레이트들(242)은 상기 반도체 스트립들(10)의 세정 및 건조가 수행되는 동안 상기 커버(222) 아래 즉 상기 제3 높이에 위치된 상기 전달 테이블(180)의 아래에 위치될 수 있으며, 상기 하부 세정액 분사 노즐(232)과 상기 하부 공기 분사 노즐(234)이 상기 서포트 플레이트(244) 상에 배치될 수 있다.Meanwhile, the contact plates 242 will be located under the cover 222, that is, under the transfer table 180 located at the third height while cleaning and drying of the semiconductor strips 10 are performed. The lower cleaning liquid injection nozzle 232 and the lower air injection nozzle 234 may be disposed on the support plate 244.

도 41은 도 26에 도시된 클램프 구동부의 다른 예를 설명하기 위한 개략적인 저면도이다.FIG. 41 is a schematic bottom view for explaining another example of the clamp driving unit shown in FIG. 26.

도 41을 참조하면, 상기 클램프 구동부(188)는, 상기 전달 테이블(180)의 양측에 배치되는 푸시 부재들(190A, 190B)과, 상기 푸시 부재들(190A, 190B)과 상기 클램프 부재들(186)을 연결하는 구동축들(194A, 194B)과, 상기 전달 테이블(180)의 하부에 장착되며 상기 구동축들(194A, 194B)을 안내하기 위한 가이드 부재들(196)과, 상기 구동축들(194A, 194B)에 장착되는 푸시 브래킷들(260A, 260B)과, 상기 전달 테이블(180)의 하부에 장착되며 상기 클램프 부재들(186)을 개방하기 위하여 상기 푸시 브래킷들(260A, 260B)을 밀어주는 공압 실린더들(262A, 262B)과, 상기 푸시 부재들(190A, 190B)과 상기 가이드 부재들(196) 사이에 배치되며 상기 클램프 부재들(186)을 닫기 위하여 탄성 복원력을 제공하는 탄성 부재들(198)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 41, the clamp driver 188 includes push members 190A and 190B disposed on both sides of the transfer table 180, the push members 190A and 190B, and the clamp members ( Drive shafts (194A, 194B) connecting the drive shafts (186), guide members (196) mounted on the lower part of the transfer table (180) and guiding the drive shafts (194A, 194B), and the drive shafts (194A) , 194B), and push brackets 260A and 260B mounted on the lower part of the transfer table 180 and pushing the push brackets 260A and 260B to open the clamp members 186. Pneumatic cylinders (262A, 262B), elastic members ( 198) may be included.

상기와 같이 공압 실린더들(262A, 262B)이 상기 전달 테이블(180)의 하부에 장착되는 경우, 도시되지는 않았으나, 상기 스플라인 축(214)에는 압축 공기의 제공을 위한 공압 유로(미도시)가 수직 방향으로 구비될 수 있으며, 상기 스플라인 축(214)의 상부 및 하부에는 상기 공압 유로와 연결되는 상부 및 하부 로터리 조인트들(미도시)이 각각 장착될 수 있다. 아울러, 상기 상부 로터리 조인트와 상기 공압 실린더들(262A, 262B) 사이 그리고 상기 하부 로터리 조인트와 상기 압축 공기의 제공을 위한 공기 제공부(미도시) 사이는 공압 배관들(미도시)을 통해 연결될 수 있다.When the pneumatic cylinders 262A and 262B are mounted on the lower part of the delivery table 180 as described above, although not shown, a pneumatic flow path (not shown) for providing compressed air is provided on the spline shaft 214. It may be provided in a vertical direction, and upper and lower rotary joints (not shown) connected to the pneumatic flow path may be mounted on the upper and lower portions of the spline shaft 214, respectively. In addition, between the upper rotary joint and the pneumatic cylinders 262A and 262B and between the lower rotary joint and an air supply unit (not shown) for providing the compressed air may be connected through pneumatic pipes (not shown). there is.

도 42는 도 25에 도시된 전달 테이블의 다른 예를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.FIG. 42 is a schematic plan view for explaining another example of the transfer table shown in FIG. 25.

도 42를 참조하면, 한 장의 대면적 반도체 스트립(12)이 전달 테이블(270) 상으로 이송되는 경우, 상기 전달 테이블(270) 상에는 상기 반도체 스트립(12)의 양측 부위들을 지지하기 위한 한 쌍의 서포트 레일들(272)과, 상기 반도체 스트립(12)의 이탈을 방지하기 위한 한 쌍의 클램프 부재들(274)이 배치될 수 있다. 한편, 상기 클램프 부재들(274)의 개폐를 위한 클램프 구동부는 기 설명된 바와 실질적으로 동일하므로 이에 대한 설명은 생략한다.Referring to FIG. 42, when a single large-area semiconductor strip 12 is transferred onto the transfer table 270, a pair of pieces for supporting both sides of the semiconductor strip 12 are provided on the transfer table 270. Support rails 272 and a pair of clamp members 274 to prevent the semiconductor strip 12 from being separated may be disposed. Meanwhile, since the clamp driving unit for opening and closing the clamp members 274 is substantially the same as previously described, its description will be omitted.

특히, 상기 전달 테이블(270) 상에는 상기 반도체 스트립(12)을 이송하는 동안 그리고 상기 반도체 스트립(12)이 상기 서포트 레일들(272) 상에 위치된 후 상기 반도체 스트립(12)의 처짐을 방지하기 위한 서포트 롤러들(276)이 배치될 수 있다. 일 예로서, 상기 서포트 롤러들(276)은 상기 반도체 스트립(12)의 이송 방향으로 연장하는 마운트 브래킷(278)에 장착될 수 있으며, 상기 반도체 스트립(12)을 이송하는 동안 그리고 상기 반도체 스트립(12)이 상기 서포트 레일들(272) 상의 기 설정된 위치에 위치된 후 상기 반도체 스트립(12)의 중앙 부위를 지지할 수 있다.In particular, to prevent sagging of the semiconductor strip 12 while transferring the semiconductor strip 12 on the transfer table 270 and after the semiconductor strip 12 is positioned on the support rails 272. Support rollers 276 may be disposed for. As an example, the support rollers 276 may be mounted on a mount bracket 278 extending in the transport direction of the semiconductor strip 12, while transporting the semiconductor strip 12 and the semiconductor strip ( 12) can support the central portion of the semiconductor strip 12 after being positioned at a preset position on the support rails 272.

한편, 도 7에 도시된 바와 같은 원형 반도체 스트립(16)이 공급되는 경우, 상기 선형 이송 유닛(200)은 상기 원형 반도체 스트립(16)의 하부면을 진공 흡착하여 픽업하기 위한 로봇 핸드(미도시)를 구비할 수 있다. 또한, 상기 전달 테이블(180) 상에는 상기 원형 반도체 스트립(16)의 양측 부위들을 지지하기 위한 원호(arc) 형태를 갖는 서포트 레일들(미도시)과 상기 원형 반도체 스트립(16)의 위치를 고정시키기 위한 원호 형태의 클램프 부재들(미도시)이 배치될 수 있다.Meanwhile, when the circular semiconductor strip 16 as shown in FIG. 7 is supplied, the linear transfer unit 200 uses a robot hand (not shown) to pick up the lower surface of the circular semiconductor strip 16 by vacuum suction. ) can be provided. In addition, on the transfer table 180, there are support rails (not shown) having an arc shape for supporting both sides of the circular semiconductor strip 16 and for fixing the position of the circular semiconductor strip 16. Clamp members (not shown) in the shape of an arc may be disposed.

상술한 바와 같은 본 발명의 실시예들에 따르면, 상술한 바와 같은 본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 척 테이블(110)의 가장자리 부위로부터 상기 척 테이블(110)의 중심 부위를 향하는 방향으로 상기 반도체 스트립(16)의 연삭이 진행되도록 상기 척 테이블(110)을 수평 방향으로 이동시키되, 상기 연삭 휠(124)의 가장자리 부위가 척 테이블(110)의 중심 부위의 상부에 위치될 때까지 척 테이블(110)을 수평 방향으로 이동시켜 반도체 스트립(16)의 표면 부위를 기 설정된 황삭 두께만큼 부분적으로 제거한 후 상기 척 테이블(110)을 저속으로 회전시켜 상기 반도체 스트립(16)의 표면 부위를 상기 기 설정된 황삭 두께만큼 전체적으로 제거할 수 있다.According to the embodiments of the present invention as described above, in the direction from the edge of the chuck table 110 toward the center of the chuck table 110, The chuck table 110 is moved in the horizontal direction so that grinding of the semiconductor strip 16 progresses, until the edge of the grinding wheel 124 is located on the upper part of the center of the chuck table 110. (110) is moved in the horizontal direction to partially remove the surface area of the semiconductor strip 16 by a preset roughing thickness, and then the chuck table 110 is rotated at low speed to remove the surface area of the semiconductor strip 16 according to the preset roughing thickness. The set roughing thickness can be completely removed.

특히, 상기와 같은 단계들을 수행하는 동안 상기 반도체 스트립(16)의 표면 부위 절삭은 연삭 숫돌들(122)의 하부면 뿐만 아니라 측면에 의해 이루어질 수 있으므로, 종래 기술과 비교하여 한 번의 황삭 공정을 통해 상기 기 설정된 황삭 두께만큼 상기 반도체 스트립(16)의 표면 부위를 제거할 수 있으므로, 상기 반도체 스트립(16)의 연삭에 소요되는 전체적인 시간이 크게 단축될 수 있다. 또한, 상기 황삭 공정을 수행하는 동안 상기 연삭 숫돌들(122)의 하부면 마모도가 감소되고 아울러 상기 연삭 숫돌들(122)의 하부면에 이물질 누적이 감소되어 후속하는 정삭 공정에서 상기 반도체 스트립(16)의 표면 품질이 향상될 수 있다.In particular, while performing the above steps, the surface area of the semiconductor strip 16 can be cut not only by the lower surface of the grinding stones 122 but also by the side surface, so that compared to the prior art, cutting can be achieved through a single roughing process. Since the surface portion of the semiconductor strip 16 can be removed by the preset roughing thickness, the overall time required for grinding the semiconductor strip 16 can be greatly shortened. In addition, during the rough grinding process, the degree of wear on the lower surfaces of the grinding stones 122 is reduced and the accumulation of foreign matter on the lower surfaces of the grinding stones 122 is reduced, thereby reducing the wear of the semiconductor strip 16 in the subsequent finishing process. ) surface quality can be improved.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the present invention has been described above with reference to preferred embodiments, those skilled in the art may make various modifications and changes to the present invention without departing from the spirit and scope of the present invention as set forth in the claims below. You will be able to understand that it exists.

10 : 반도체 스트립 20 : 매거진
100 : 반도체 스트립 연삭 장치 110 : 척 테이블
112 : 진공 흡착 영역 120 : 연삭 모듈
122 : 연삭 숫돌 124 : 연삭 휠
130 : 드레싱 모듈 140 : 세정 모듈
146 : 노즐 조립체 150 : 로터리 이송 모듈
152 : 피커 154 : 픽업 툴
156 : 로터리 유닛 160 : 로터리 암
170 : 스트립 공급 모듈 172 : 매거진 포트
174 : 상부 플레이트 176 : 하부 플레이트
178 : 측벽 180 : 전달 테이블
182 : 개구 184 : 서포트 레일
186 : 클램프 부재 188 : 클램프 구동부
190 : 푸시 부재 192 : 공압 실린더
194 : 구동축 196 : 가이드 부재
198 : 탄성 부재 200 : 선형 이송 유닛
202 : 푸셔 204 : 그리퍼
208 : 이송 레일 220 : 건조 유닛
228 : 노즐 암 230 : 암 구동부
240 : 리프트 유닛 242 : 밀착 플레이트
244 : 서포트 플레이트 250 : 카메라 유닛
10: semiconductor strip 20: magazine
100: Semiconductor strip grinding device 110: Chuck table
112: Vacuum adsorption area 120: Grinding module
122: grinding wheel 124: grinding wheel
130: dressing module 140: cleaning module
146: nozzle assembly 150: rotary transfer module
152: Picker 154: Pick tool
156: rotary unit 160: rotary arm
170: Strip supply module 172: Magazine port
174: upper plate 176: lower plate
178: side wall 180: delivery table
182: opening 184: support rail
186: Clamp member 188: Clamp driving unit
190: Push member 192: Pneumatic cylinder
194: Drive shaft 196: Guide member
198: elastic member 200: linear transport unit
202: Pusher 204: Gripper
208: transfer rail 220: drying unit
228: nozzle arm 230: arm driving unit
240: Lift unit 242: Adhesion plate
244: Support plate 250: Camera unit

Claims (10)

반도체 스트립을 척 테이블 상에 진공 흡착시키는 단계;
연삭 숫돌들이 하부면에 장착된 연삭 휠을 회전시키는 단계;
상기 반도체 스트립의 가장자리 부위로부터 중심 부위를 향하여 연삭이 진행되도록 상기 척 테이블을 수평 방향으로 이동시키되, 상기 연삭 휠의 가장자리 부위가 상기 척 테이블의 중심 부위의 상부에 위치될 때까지 상기 척 테이블을 이동시켜 상기 반도체 스트립의 표면 부위를 기 설정된 황삭 두께만큼 부분적으로 제거하는 단계; 및
상기 척 테이블을 회전시켜 상기 반도체 스트립의 표면 부위를 상기 기 설정된 황삭 두께만큼 전체적으로 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 스트립 연삭 방법.
vacuum adsorbing the semiconductor strip onto a chuck table;
rotating a grinding wheel on which grinding stones are mounted on the lower surface;
Move the chuck table in a horizontal direction so that grinding progresses from the edge of the semiconductor strip toward the center, and move the chuck table until the edge of the grinding wheel is located above the center of the chuck table. partially removing the surface area of the semiconductor strip by a preset roughing thickness; and
A semiconductor strip grinding method comprising rotating the chuck table to completely remove the surface portion of the semiconductor strip by the preset roughing thickness.
복수의 반도체 스트립들을 척 테이블 상에 진공 흡착시키는 단계;
연삭 숫돌들이 하부면에 장착된 연삭 휠을 회전시키는 단계;
상기 척 테이블의 가장자리 부위에 인접한 상기 반도체 스트립들 중 적어도 하나의 일측 부위로부터 상기 척 테이블의 중심 부위에 인접한 상기 반도체 스트립들 중 적어도 하나의 타측 부위를 향하여 연삭이 진행되도록 상기 척 테이블을 수평 방향으로 이동시키되, 상기 연삭 휠의 가장자리 부위가 상기 척 테이블의 중심 부위의 상부에 위치될 때까지 상기 척 테이블을 이동시켜 상기 반도체 스트립들 중 적어도 하나의 표면 부위를 기 설정된 황삭 두께만큼 부분적으로 제거하는 단계; 및
상기 척 테이블을 회전시켜 상기 반도체 스트립들의 표면 부위를 상기 기 설정된 황삭 두께만큼 전체적으로 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 스트립 연삭 방법.
vacuum adsorbing a plurality of semiconductor strips on a chuck table;
rotating a grinding wheel on which grinding stones are mounted on the lower surface;
The chuck table is moved in a horizontal direction so that grinding progresses from one side of at least one of the semiconductor strips adjacent to the edge of the chuck table to the other side of at least one of the semiconductor strips adjacent to the center of the chuck table. Moving the chuck table until the edge of the grinding wheel is located above the center of the chuck table to partially remove the surface of at least one of the semiconductor strips by a preset roughing thickness. ; and
A semiconductor strip grinding method comprising the step of rotating the chuck table to completely remove surface portions of the semiconductor strips by the preset roughing thickness.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 척 테이블의 회전 방향을 기준으로 상기 연삭 휠의 전방 부위에서 연삭이 이루어지도록 상기 연삭 휠을 제1 수평 방향에 대하여 소정 각도 경사지도록 배치하는 것을 특징으로 하는 반도체 스트립 연삭 방법.The method of claim 1 or 2, wherein the grinding wheel is disposed to be inclined at a predetermined angle with respect to the first horizontal direction so that grinding occurs in a front portion of the grinding wheel based on the rotation direction of the chuck table. Semiconductor strip grinding method. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 척 테이블의 상부면 중심 부위를 상기 척 테이블의 가장자리 부위보다 높게 구성하고,
상기 연삭 휠이 상기 척 테이블의 상부면 일측 부위와 제2 수평 방향으로 평행하도록 상기 연삭 휠을 상기 제2 수평 방향에 대하여 소정 각도 경사지도록 배치하는 것을 특징으로 하는 반도체 스트립 연삭 방법.
The method of claim 1 or 2, wherein the center portion of the upper surface of the chuck table is configured to be higher than the edge portion of the chuck table,
A semiconductor strip grinding method, characterized in that the grinding wheel is arranged to be inclined at a predetermined angle with respect to the second horizontal direction so that the grinding wheel is parallel to one side of the upper surface of the chuck table in a second horizontal direction.
수평 방향 이동과 회전 및 반도체 스트립의 진공 흡착이 가능하도록 구성된 척 테이블;
복수의 연삭 숫돌들이 하부면에 장착된 연삭 휠을 포함하며 상기 척 테이블 상에 진공 흡착된 상기 반도체 스트립의 표면 부위를 제거하기 위하여 상기 연삭 휠을 회전시키는 연삭 모듈; 및
상기 척 테이블과 상기 연삭 모듈의 동작을 제어하는 제어부를 포함하며,
상기 제어부는, 상기 연삭 휠을 회전시키고, 상기 반도체 스트립의 가장자리 부위로부터 중심 부위를 향하여 연삭이 진행되도록 상기 척 테이블을 수평 방향으로 이동시키되, 상기 반도체 스트립의 표면 부위를 기 설정된 황삭 두께만큼 부분적으로 제거하기 위하여 상기 연삭 휠의 가장자리 부위가 상기 척 테이블의 중심 부위의 상부에 위치될 때까지 상기 척 테이블을 이동시키며, 상기 반도체 스트립의 표면 부위를 상기 기 설정된 황삭 두께만큼 전체적으로 제거하기 위하여 상기 척 테이블을 회전시키는 것을 특징으로 하는 반도체 스트립 연삭 장치.
A chuck table configured to enable horizontal movement and rotation and vacuum adsorption of the semiconductor strip;
a grinding module including a grinding wheel with a plurality of grinding stones mounted on a lower surface and rotating the grinding wheel to remove a surface portion of the semiconductor strip vacuum-adsorbed on the chuck table; and
It includes a control unit that controls the operation of the chuck table and the grinding module,
The control unit rotates the grinding wheel and moves the chuck table in a horizontal direction so that grinding progresses from the edge portion of the semiconductor strip toward the center portion, while partially cutting the surface portion of the semiconductor strip by a preset roughing thickness. In order to remove the grinding wheel, the chuck table is moved until the edge of the grinding wheel is located above the center of the chuck table, and the chuck table is completely removed from the surface of the semiconductor strip by the preset roughing thickness. A semiconductor strip grinding device characterized by rotating.
수평 방향 이동과 회전 및 복수의 반도체 스트립들에 대한 진공 흡착이 가능하도록 구성된 척 테이블;
복수의 연삭 숫돌들이 하부면에 장착된 연삭 휠을 포함하며 상기 척 테이블 상에 진공 흡착된 상기 반도체 스트립들의 표면 부위를 제거하기 위하여 상기 연삭 휠을 회전시키는 연삭 모듈; 및
상기 척 테이블과 상기 연삭 모듈의 동작을 제어하는 제어부를 포함하며,
상기 제어부는, 상기 연삭 휠을 회전시키고, 상기 척 테이블의 가장자리 부위에 인접한 상기 반도체 스트립들 중 적어도 하나의 일측 부위로부터 상기 척 테이블의 중심 부위에 인접한 상기 반도체 스트립들 중 적어도 하나의 타측 부위를 향하여 연삭이 진행되도록 상기 척 테이블을 수평 방향으로 이동시키되, 상기 반도체 스트립들 중 적어도 하나의 표면 부위를 기 설정된 황삭 두께만큼 부분적으로 제거하기 위하여 상기 연삭 휠의 가장자리 부위가 상기 척 테이블의 중심 부위의 상부에 위치될 때까지 상기 척 테이블을 이동시키며, 상기 반도체 스트립들의 표면 부위를 상기 기 설정된 황삭 두께만큼 전체적으로 제거하기 위하여 상기 척 테이블을 회전시키는 것을 특징으로 하는 반도체 스트립 연삭 장치.
a chuck table configured to enable horizontal movement and rotation and vacuum adsorption of a plurality of semiconductor strips;
a grinding module including a grinding wheel with a plurality of grinding stones mounted on a lower surface and rotating the grinding wheel to remove surface portions of the semiconductor strips vacuum-adsorbed on the chuck table; and
It includes a control unit that controls the operation of the chuck table and the grinding module,
The control unit rotates the grinding wheel, and moves from one side of at least one of the semiconductor strips adjacent to an edge of the chuck table toward the other side of at least one of the semiconductor strips adjacent to the center of the chuck table. The chuck table is moved in the horizontal direction so that grinding progresses, and the edge of the grinding wheel is positioned above the center of the chuck table in order to partially remove the surface of at least one of the semiconductor strips by a preset roughing thickness. A semiconductor strip grinding device that moves the chuck table until it is positioned and rotates the chuck table to completely remove surface portions of the semiconductor strips by the preset roughing thickness.
제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 척 테이블의 회전 방향을 기준으로 상기 연삭 휠의 전방 부위에서 연삭이 이루어지도록 상기 연삭 휠은 제1 수평 방향에 대하여 소정 각도 경사지도록 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 스트립 연삭 장치.The method of claim 5 or 6, wherein the grinding wheel is configured to be inclined at a predetermined angle with respect to the first horizontal direction so that grinding occurs in a front portion of the grinding wheel based on the rotation direction of the chuck table. Semiconductor strip grinding device. 제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 척 테이블의 상부면 중심 부위는 상기 척 테이블의 가장자리 부위보다 높게 구성되고,
상기 연삭 휠은 상기 척 테이블의 상부면 일측 부위와 제2 수평 방향으로 평행하도록 상기 제2 수평 방향에 대하여 소정 각도 경사지도록 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 스트립 연삭 장치.
The method of claim 5 or 6, wherein the center portion of the upper surface of the chuck table is configured to be higher than the edge portion of the chuck table,
The grinding wheel is configured to be inclined at a predetermined angle with respect to the second horizontal direction so as to be parallel to one side of the upper surface of the chuck table in the second horizontal direction.
제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 연삭 숫돌들은 상기 연삭 휠의 하부면 자장자리를 따라 원주 방향으로 배치되고,
상기 제어부는 상기 연삭 숫돌들의 중심 부위가 상기 척 테이블의 중심 부위의 상부에 위치되도록 상기 척 테이블을 수평 이동시키는 것을 특징으로 하는 반도체 스트립 연삭 장치.
The method of claim 5 or 6, wherein the grinding stones are arranged in a circumferential direction along the edge of the lower surface of the grinding wheel,
The control unit horizontally moves the chuck table so that the center portion of the grinding stones is located above the center portion of the chuck table.
제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 반도체 스트립을 공급하고 상기 연삭 모듈에 의해 연삭 공정이 수행된 반도체 스트립을 회수하기 위한 스트립 공급 모듈과,
상기 척 테이블과 상기 스트립 공급 모듈 사이에 배치되며 상기 반도체 스트립을 픽업하기 위한 피커 및 상기 반도체 스트립을 상기 척 테이블과 상기 스트립 공급 모듈 사이에서 이송하기 위해 상기 피커를 회전시키는 로터리 유닛을 구비하는 로터리 이송 모듈과,
상기 척 테이블과 상기 피커 사이에서 수평 방향으로 이동 가능하게 구성되며 상기 척 테이블과 상기 피커 및 상기 반도체 스트립으로부터 이물질을 제거하기 위한 세정 모듈을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 스트립 연삭 장치.
The method of claim 5 or 6, further comprising: a strip supply module for supplying the semiconductor strip and recovering the semiconductor strip on which a grinding process has been performed by the grinding module;
A rotary transfer disposed between the chuck table and the strip supply module and including a picker for picking up the semiconductor strip and a rotary unit for rotating the picker to transport the semiconductor strip between the chuck table and the strip supply module. module,
A semiconductor strip grinding device configured to be horizontally movable between the chuck table and the picker and further comprising a cleaning module for removing foreign substances from the chuck table, the picker, and the semiconductor strip.
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