KR20230148209A

KR20230148209A - 도장 금속판

Info

Publication number: KR20230148209A
Application number: KR1020237031983A
Authority: KR
Inventors: 후미오 시바오; 게이토시 하루타; 미츠루 니시하타; 다카오 가나이
Original assignee: 닛폰세이테츠 가부시키가이샤
Priority date: 2021-06-25
Filing date: 2022-06-06
Publication date: 2023-10-24
Also published as: TW202304705A; CN117255744A; WO2022270283A1; JPWO2022270283A1

Abstract

[과제] 비용을 억제하면서, 광촉매 효과를 보다 향상시키는 것. [해결 수단] 본 발명에 관한 도장 금속판은, 금속판의 적어도 한쪽의 면에 피막층을 갖는 것이며, 상기 금속판의 적어도 한쪽의 면에 있어서의 상기 피막층의 최표면에 위치하고, 광촉매 활성을 갖는 화합물을 적어도 함유하는 제1 피막층을 갖고 있고, 상기 제1 피막층의 평균 두께는, 0.05 내지 5.00㎛이며, 상기 금속판의 표면으로부터 상기 피막층의 최표면까지의 합계 두께는, 15.00㎛ 이하이며, 상기 도장 금속판에 대하여, JIS Z8741:1997에서 규정되는 60° 경면 광택도가, 80％ 이상이다.

Description

도장 금속판

본 발명은, 도장 금속판에 관한 것이다.

수년래의 신형 코로나 바이러스(COVID-19)의 영향에 의해, 각종 물품에 대한 항바이러스 특성의 부여에 대한 요구가 높아지고 있는 현 상황에 있어, 항바이러스 효과를 갖는 약제를 각종 물품의 표면에 도포하는 사업이 성황을 이루고 있다. 항바이러스 효과를 갖는 약제의 도포는, 기존의 건조물에 대한 적용이 가능하게 되지만, 도포에 요하는 인적 비용이 높고, 또한, 약제의 내구성이 충분하지 않기 때문에 정기적인 시공이 필요로 되어, 러닝 코스트도 높다고 하는 문제가 있다.

한편, 예를 들어 이하의 특허문헌 1과 같이, 종래, 강재에 대하여 미리 항바이러스 기능을 부여하는 기술이 알려져 있다. 이러한 기술은, 도장 강재를 베이스로 하여, 이러한 도장 강재의 상층에, 보호층 및 광촉매층을 순서대로 형성하는 기술이다.

일본 특허 공개 제2009-131960호 공보

그러나, 본 발명자에 의한 검토의 결과, 상기 특허문헌 1에 개시되어 있는 바와 같은 광촉매를 사용한 기술에 있어서, 광촉매층에 의해 실현되는 광촉매 효과에는, 한층 더한 개량의 여지가 있음이 판명되었다.

이러한 지견에 기초하여, 본 발명의 목적으로 하는 바는, 비용을 억제하면서, 광촉매 효과를 보다 향상시키는 것이 가능한, 도장 금속판을 제공하는 것에 있다.

상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명자가 예의 검토를 행한 결과, 특허문헌 1에 개시되어 있는 바와 같은 종래의 기술에 있어서, 강재의 표면에 입사한 광 중, 광촉매 효과의 발현에 기여하고 있는 것은, 강재로의 입사광만인 것을 알아냈다. 이러한 지견에 기초하여, 한층 더한 검토를 행한 결과, 금속판의 표면에 있어서 입사광을 보다 고효율로 반사시켜, 반사광에 대해서도 광촉매 효과의 발현에 기여시키는 것이 가능하게 되면, 광촉매 효과를 보다 향상시키는 것이 가능한 것에 상도하여, 본 발명을 완성시키기에 이르렀다.

이러한 지견에 기초하여 완성된 본 발명의 요지는, 이하와 같다.

(1) 금속판의 적어도 한쪽의 면에 피막층을 갖는 도장 금속판이며, 상기 피막층으로서, 상기 금속판의 적어도 한쪽의 면에 있어서 상기 피막층의 최표면에 위치하고, 광촉매 활성을 갖는 화합물을 적어도 함유하는 제1 피막층을 갖고 있고, 상기 제1 피막층의 평균 두께는, 0.05 내지 5.00㎛이며, 상기 금속판의 표면으로부터 상기 피막층의 최표면까지의 합계 두께는, 15.00㎛ 이하이며, 상기 도장 금속판에 대하여, JIS Z8741:1997에서 규정되는 60° 경면 광택도가, 80％ 이상인, 도장 금속판.

(2) 상기 제1 피막층은, 또한, Si 또는 Zr 중 적어도 어느 1종의 원소를 함유하고, 상기 원소의 합계 농도는, Si에 대해서는 실리카 환산, Zr에 대해서는 지르코니아 환산으로, 5 내지 50질량％인, (1)에 기재된 도장 금속판.

(3) 상기 피막층으로서, 상기 제1 피막층의 하층에 위치하고, Si 또는 Zr 중 적어도 어느 1종 이상의 원소를 갖는 무기계 성분으로 이루어지는 제2 피막층을 더 갖고 있고, 상기 제2 피막층의 평균 두께는, 0.10 내지 5.00㎛인, (1) 또는 (2)에 기재된 도장 금속판.

(4) 상기 제2 피막층은, 또한, P 또는 V 중 적어도 어느 1종의 원소를 갖는 무기계 성분을 함유하는, (3)에 기재된 도장 금속판.

(5) 상기 제1 피막층의 평균 두께에 대한, 상기 제2 피막층의 평균 두께의 비율은, 0.3 내지 12.0인, (3) 또는 (4)에 기재된 도장 금속판.

(6) 상기 피막층으로서, 상기 제1 피막층의 하층에 위치하는, 유기계 성분을 포함하는 제3 피막층과, 상기 제1 피막층과 상기 제3 피막층 사이에 위치하는 제4 피막층을 더 갖고 있고, 상기 제3 피막층의 평균 두께는, 0.10 내지 5.00㎛이며, 상기 제4 피막층의 평균 두께는, 0.05 내지 5.00㎛인, (1) 또는 (2)에 기재된 도장 금속판.

(7) 상기 제1 피막층의 평균 두께에 대한, 상기 제3 피막층의 평균 두께의 비율은, 0.5 내지 20.0이며, 상기 제1 피막층의 평균 두께에 대한, 상기 제4 피막층의 평균 두께의 비율은, 0.3 내지 20.0인, (6)에 기재된 도장 금속판.

(8) 상기 금속판의 표면으로부터 상기 제1 피막층의 최표면까지의 합계 두께는, 10.00㎛ 이하인, (1) 내지 (7) 중 어느 하나에 기재된 도장 금속판.

(9) 상기 광촉매 활성을 갖는 화합물은, 아나타아제형 산화티타늄인, (1) 내지 (8) 중 어느 하나에 기재된 도장 금속판.

(10) 상기 아나타아제형 산화티타늄은, Cu 또는 Fe 중 적어도 어느 한쪽의 금속에 담지된, 금속 담지형 산화티타늄인, (9)에 기재된 도장 금속판.

(11) 상기 제1 피막층에 있어서의 상기 아나타아제형 산화티타늄의 농도는, 티타니아 환산으로, 50 내지 95질량％인, (9) 또는 (10)에 기재된 도장 금속판.

(12) 상기 아나타아제형 산화티타늄의 평균 입경은, 5 내지 200㎚인, (9) 내지 (11) 중 어느 하나에 기재된 도장 금속판.

(13) 상기 금속판은, 아연 도금 강판, 아연-알루미늄 합금 도금 강판, 아연-알루미늄-마그네슘 합금 도금 강판, 알루미늄 도금 강판, 아연-니켈 합금 도금 강판, 아연-철 합금 도금 강판, 알루미늄판, 또는, 스테인리스판인, (1) 내지 (12) 중 어느 하나에 기재된 도장 금속판.

(14) 상기 금속판의 표면에는, 당해 금속판의 압연 방향을 따른 헤어라인이 존재하는, (1) 내지 (13) 중 어느 하나에 기재된 도장 금속판.

(15) 상기 금속판의 표면에는, 스팽글 모양이 존재하는, (1) 내지 (13) 중 어느 하나에 기재된 도장 금속판.

이상 설명한 바와 같이 본 발명에 따르면, 비용을 억제하면서, 광촉매 효과를 보다 향상시키는 것이 가능하게 된다.

도 1a는 본 발명의 실시 형태에 관한 도장 금속판의 구조의 일 예를 모식적으로 도시한 설명도이다.
도 1b는 동 실시 형태에 관한 도장 금속판의 구조의 다른 일 예를 모식적으로 도시한 설명도이다.
도 1c는 동 실시 형태에 관한 도장 금속판의 구조의 다른 일 예를 모식적으로 도시한 설명도이다.
도 2a는 동 실시 형태에 관한 도장 금속판의 구조의 다른 일 예를 모식적으로 도시한 설명도이다.
도 2b는 동 실시 형태에 관한 도장 금속판의 구조의 다른 일 예를 모식적으로 도시한 설명도이다.
도 3은 동 실시 형태에 관한 도장 금속판에 대하여 설명하기 위한 설명도이다.

이하에 첨부 도면을 참조하면서, 본 발명의 적합한 실시 형태에 대하여 상세하게 설명한다. 또한, 본 명세서 및 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 기능 구성을 갖는 구성 요소에 대해서는, 동일한 번호를 붙임으로써 중복 설명을 생략한다.

(도장 금속판에 대하여)

<도장 금속판의 구조>

이하에서는, 먼저, 도 1a 내지 도 2b를 참조하면서, 본 발명의 실시 형태에 관한 도장 금속판의 구조에 대하여 설명한다. 도 1a는 본 실시 형태에 관한 도장 금속판의 구조의 일 예를 모식적으로 도시한 설명도이다. 도 1b 내지 도 2b는 본 실시 형태에 관한 도장 금속판의 구조의 다른 일 예를 모식적으로 도시한 설명도이다.

도 1a에 모식적으로 도시한 바와 같이, 본 발명의 실시 형태에 관한 도장 금속판(1)은, 금속판의 적어도 한쪽의 면에 피막층을 갖고 있고, 모재인 금속판(10)과, 피막층으로서, 제1 피막층의 일 예로서의 광촉매층(20)을 적어도 갖고 있다. 또한, 기재로서 금속판이 아니라, 멜라민 수지 등과 같은 경질의 수지 기재를 사용하는 것도 일견 생각할 수 있다. 그러나, 기재로서, 각종 가공을 실시하는 것이 가능한 것을 사용하는 것이 중요하고, 본 실시 형태에서는, 금속판이 기재로서 사용된다.

[금속판(10)에 대하여]

본 실시 형태에 관한 도장 금속판(1)에 있어서, 모재인 금속판(10)으로서는, 각종 금속판을 사용하는 것이 가능하다. 이와 같은 금속판으로서, 예를 들어 아연 도금 강판, 아연-알루미늄 합금 도금 강판, 아연-알루미늄-마그네슘 합금 도금 강판, 알루미늄 도금 강판, 아연-니켈 합금 도금 강판, 아연-철 합금 도금 강판, 알루미늄판, 스테인리스판 등을 들 수 있다.

상기와 같은 금속판을 사용함으로써, 도장 금속판(1)에 입사한 광(특히, 자외 내지 가시광 대역의 광)을, 금속판(10)의 표면에서 효율적으로 반사시키는 것이 가능하게 된다. 이에 의해, 본 실시 형태에 관한 도장 금속판(1)에서는, 후술하는 바와 같이, 금속판(10)의 표면에서 반사된 반사광을, 광촉매 반응에 이용하는 것이 가능하게 된다. 상기 금속판 중에서는, 아연-알루미늄-마그네슘 합금 도금 강판, 스테인리스판, 알루미늄 도금 강판, 아연 도금 강판, 아연-알루미늄 합금 도금 강판 등이, 입사한 광을 효율적으로 반사할 수 있기 때문에, 특히 적합하다. 또한, 도금 표면에 헤어라인이나 스팽글 모양 등의 의장을 갖는 것은, 외장 부품으로서도 사용할 수 있기 때문에, 적합하다.

여기서, 상기와 같은 금속판(10)의 두께에 대해서는, 특별히 한정되는 것은 아니고, 본 실시 형태에 관한 도장 금속판(1)에 요구되는 기계적인 강도(예를 들어, 인장 강도 등)나 가공성 등에 따라서, 적절히 설정하면 된다.

또한, 이러한 금속판(10)의 표면(금속판(10)으로서, 각종 도금이 실시된 금속판을 사용하는 경우에는, 도금의 표면)에는, 이러한 금속판의 압연 방향을 따른 헤어라인 모양이나, 스팽글 모양 등의 각종 모양이 존재하고 있어도 된다. 이와 같은 모양이 마련되어 있음으로써, 도장 금속판(1)의 의장성을 보다 향상시키는 것이 가능하게 된다. 또한, 금속판(10)의 표면에 대한 이와 같은 모양을 마련하기 위한 의장 가공 자체가, 이하에서 설명하는 바와 같은 60° 경면 광택도의 한층 더한 향상에도 기여하게 된다.

예를 들어, 도금이 실시된 금속판(10)에 주목한다. 일반적으로, 금속 기재의 표면에 도금을 실시하는 경우, 전기 도금법이나 용융 도금법을 채용할 수 있다. 채용하는 도금법에 따라서는, 도금 표면에 미세 입자가 생성되는 결과, 도금이 실시된 금속판(10)의 표면의 광택도(즉, 도금 표면의 광택도)가 저하되는 경우가 있다. 그러나, 이와 같은 도금의 표면에 헤어라인 가공을 실시함으로써 도금 표면이 깎여지는 결과, 도금 표면에서의 광의 반사율이 향상되어, 표면의 광택도를 향상시키는 것이 가능하게 된다. 또한, 스팽글 모양을 형성시키도록 도금을 행하는 결과, 광이 보다 반사되기 쉬운 도금의 결정 방위가 표면에 나타나게 되어, 도금 표면에서의 광의 반사율이 향상되어, 표면의 광택도를 향상시키는 것이 가능하게 된다.

이하에서 상세하게 설명하는 바와 같이, 도장 금속판(1)에 있어서는, 제1 피막층으로서의 광촉매층(20)의 두께, 및, 도장 금속판(1)에 있어서의 금속판(10)의 표면으로부터 제1 피막층으로서의 광촉매층(20)의 최표면까지의 합계 두께가 특정의 상태가 되도록 제어된다. 게다가, 또한 상기와 같은 헤어라인 모양이나 스팽글 모양을 비롯한 의장 가공이 실시됨으로써, 이러한 의장 가공이, 이하에서 설명하는 바와 같은 60° 경면 광택도의 한층 더한 향상에도 작용한다. 이와 같은 모양을 형성하기 위한 방법에 대해서는, 공지의 각종 가공법을 적절히 이용하는 것이 가능하다.

[광촉매층(20)에 대하여]

본 실시 형태에 관한 도장 금속판(1)에 있어서, 제1 피막층의 일 예로서의 광촉매층(20)은, 도 1a에 모식적으로 도시한 바와 같이, 금속판(10)의 적어도 한쪽의 면에 있어서, 피막층의 최표면에 위치하고 있는 층이며, 광촉매 활성을 갖는 화합물(이하, 「광촉매 화합물」로 약기하는 경우가 있음)을 적어도 함유한다. 광촉매층(20)이 광촉매 활성을 갖는 화합물을 함유함으로써, 이러한 광촉매 활성을 갖는 화합물은, 광촉매층(20)에 입사한 광(특히, 자외 내지 가시광 대역의 광)에 의해, 광촉매 반응을 발생시킨다. 그 결과, 본 실시 형태에 관한 광촉매층(20)에 있어서, 항바이러스 효과나 살균 효과를 비롯한, 각종 광촉매 효과가 발현된다. 이에 의해, 본 실시 형태에 관한 도장 금속판(1)은, 항바이러스 효과나 살균 효과를 비롯한 각종 특성을 실현할 수 있다.

이와 같은 광촉매 활성을 갖는 화합물에는, 주로 자외광 대역의 광과 반응하여(보다 상세하게는, 자외광 대역의 광에 의해 여기되어), 광촉매 활성을 발현하는 화합물과, 주로 가시광 대역의 광과 반응하여(보다 상세하게는, 가시광 대역의 광에 의해 여기되어), 광촉매 활성을 발현하는 화합물이 존재한다.

자외광 대역의 광과 반응하여 광촉매 활성을 발현시키는 화합물로서는, 예를 들어 산화티타늄(보다 상세하게는, 아나타아제형 산화티타늄), 산화아연, 산화세륨, 산화주석, 산화비스무트, 산화지르코늄, 산화텅스텐, 산화크롬, 산화몰리브덴, 산화철, 산화니켈, 산화루테늄, 산화코발트, 산화구리, 산화망간, 산화게르마늄, 산화납, 산화카드뮴, 산화바나듐, 산화니오븀, 산화탄탈, 산화로듐, 산화레늄 등의 금속 산화물이나, 황화카드뮴, 황화아연 등의 금속 황화물이나, 티타늄산스트론튬, 티타늄산바륨 등의 티타늄 화합물을 들 수 있다. 그 중에서도, 자외광 대역의 광과 반응하여 광촉매 활성을 발현시키는 화합물로서, 아나타아제형 산화티타늄, 산화아연, 산화주석, 산화지르코늄, 산화텅스텐, 산화철, 산화니오븀, 티타늄산스트론튬 등은, 특히 적합하게 사용되고, 아나타아제형 산화티타늄은, 더욱 적합하게 사용된다.

또한, 가시광 대역의 광과 반응하여 광촉매 활성을 발현하는 화합물로서는, 예를 들어 Cu 또는 Fe 중 적어도 어느 한쪽의 금속에 담지된 금속 담지형 산화티타늄(보다 상세하게는, 아나타아제형 산화티타늄), Cr, V, Mn, Ni, Pt에 담지된 아나타아제형 산화티타늄, 질소나 황 등의 음이온이 도핑된 아나타아제형 산화티타늄, AgNbO₃와 SrTiO₃의 고용체 등을 들 수 있다. 그 중에서도, Cu 또는 Fe 중 적어도 어느 한쪽의 금속에 담지된 아나타아제형 산화티타늄은, 특히 적합하게 사용된다.

이러한 광촉매 화합물 중, 아나타아제형 산화티타늄(금속 담지된 상태의 것도 포함함)의 평균 입경(1차 입자경)은, 5㎚ 이상인 것이 바람직하다. 아나타아제형 산화티타늄의 평균 입경(1차 입자경)이 5㎚ 이상이 됨으로써, 광촉매층(20) 중에 보다 균일하게 아나타아제형 산화티타늄을 분산시키는 것이 가능하게 된다. 아나타아제형 산화티타늄의 평균 입경(1차 입자경)은, 보다 바람직하게는 20㎚ 이상이다. 또한, 아나타아제형 산화티타늄(금속 담지된 상태의 것도 포함함)의 평균 입경(1차 입자경)은, 200㎚ 이하인 것이 바람직하다. 아나타아제형 산화티타늄의 평균 입경(1차 입자경)이 200㎚ 이하가 됨으로써, 광촉매층(20) 중에 있어서의 아나타아제형 산화티타늄의 과도한 응집을 억제하면서, 광촉매층(20) 중에 보다 균일하게 아나타아제형 산화티타늄을 분산시키는 것이 가능하게 된다. 아나타아제형 산화티타늄의 평균 입경(1차 입자경)은, 보다 바람직하게는 100㎚ 이하이다.

여기서, 상기 아나타아제형 산화티타늄의 평균 입경은, 예를 들어 레이저광을 사용한 동적 광산란법에 의해 측정하는 것이 가능하다. 이러한 방법은, 정밀도가 높은 측정값을 간편하게 얻는 것이 가능하다. 단, 아나타아제형 산화티타늄의 입자가 어느 정도 응집되어 있는 경우에는, 응집체의 크기(응집 입자경)를 측정할 가능성이 있기 때문에, 아울러 투과형 전자 현미경(TEM)에 의해, 직접, 1차 입자경을 확인하는 것이 바람직하다. TEM 관찰의 결과, 응집 입자의 존재가 확인된 경우에는, 분산 조건을 바꾸어, 동적 광산란법에 의해 다시 측정을 행하는 것이 바람직하다. 또한, 완전히 1차 입자의 레벨까지 분산시키는 것이 곤란한 경우에는, TEM으로 관찰·측정한 1차 입자의 크기를, 1차 입자경으로 하는 것도 가능하다. 이 경우, 본 발명자의 경험에서는, 임의로 선택한 대략 100개 이상의 입자를 측정 대상으로 함으로써, 입자의 전체를 대표하는 값이 얻어지는 것을 알고 있다.

또한, 이미 광촉매층(20)이 형성되어 있는 도장 금속판(1)에 대하여, 광촉매층(20)에 포함되는 아나타아제형 산화티타늄의 평균 입경을 사후적으로 측정할 때는, 이하와 같이 하면 된다. 즉, 광촉매층(20)을 두께 방향을 따라서 절단하였을 때의 단면을, 투과형 전자 현미경(TEM)을 사용하여 관찰 또는 분석할 수 있다. TEM을 사용함으로써 광촉매 화합물의 1차 입자경을 측정할 수 있다. 또한, TEM과 아울러 EDS 분석을 행함으로써, 광촉매 화합물에 포함되는 원소를 측정할 수 있다. 나아가, 전자선 회절에 의해, 광촉매 화합물의 결정 구조(예를 들어, 산화티타늄의 경우 아나타아제형인지 루틸형인지)를 알 수 있다. 본 발명자의 경험에서는, 임의로 선택한 대략 100개 이상의 입자를 측정 대상으로 함으로써, 입자의 전체를 대표하는 값이 얻어지는 것을 알고 있다.

여기서, 광촉매층(20)에 있어서의 아나타아제형 산화티타늄(금속 담지된 상태의 것도 포함함)의 농도는, 티타니아 환산으로, 50질량％ 이상인 것이 바람직하다. 광촉매층(20)에 있어서의 아나타아제형 산화티타늄의 농도가 50질량％ 이상이 됨으로써, 항바이러스 효과 등을 비롯한 각종 광촉매 효과를 확실하게 발현시키는 것이 가능하게 된다. 광촉매층(20)에 있어서의 아나타아제형 산화티타늄의 농도는, 보다 바람직하게는, 티타니아 환산으로, 60질량％ 이상이다. 또한, 광촉매층(20)에 있어서의 아나타아제형 산화티타늄(금속 담지된 상태의 것도 포함함)의 농도는, 티타니아 환산으로, 95질량％ 이하인 것이 바람직하다. 광촉매층(20)에 있어서의 아나타아제형 산화티타늄의 농도가 95질량％ 이하가 됨으로써, 제조 비용의 증가를 억제하면서, 항바이러스 효과 등을 비롯한 각종 광촉매 효과를 발현시키는 것이 가능하게 된다. 광촉매층(20)에 있어서의 아나타아제형 산화티타늄의 농도는, 보다 바람직하게는, 티타니아 환산으로, 80질량％ 이하이다.

또한, 아나타아제형 산화티타늄 이외의 광촉매 화합물에 대해서도, 상기와 마찬가지로, 5 내지 200㎚의 평균 입경을 갖고 있는 것이 바람직하고, 그 농도는, 50 내지 95질량％인 것이 바람직하다.

또한, 상기와 같은 아나타아제형 산화티타늄 등으로 대표되는 광촉매 화합물은, 입자 상태의 물질은 물론, 입자상이라고는 할 수 없는 졸상 물질, 금속 착체를 가열하여 생성한 물질 등도, 필요에 따라서 사용하는 것이 가능하다.

또한, 광촉매층(20)은, 또한, Si 또는 Zr 중 적어도 어느 1종의 원소를 함유하고, 이러한 원소의 합계 농도는, Si에 대해서는 실리카 환산, Zr에 대해서는 지르코니아 환산으로, 5질량％ 이상인 것이 바람직하다. 환언하면, 광촉매층(20)은, Si 또는 Zr 중 적어도 어느 1종의 원소를 포함하는 삼차원 메시 구조상의 무기계 성분의 골격과, 경우에 따라서는 불순물을 갖는 무기계 피막이며, Si 또는 Zr 중 적어도 어느 1종의 원소의 합계 농도가, Si에 대해서는 실리카 환산, Zr에 대해서는 지르코니아 환산으로, 5질량％ 이상인 것이 바람직하다. Si 또는 Zr 중 적어도 어느 1종의 원소를 상기 농도로 함유함으로써, 보다 내식성이 우수한 광촉매층(20)을 실현하는 것이 가능하게 된다. Si 또는 Zr 중 적어도 어느 1종의 원소의 합계 함유량은, 보다 바람직하게는 10질량％ 이상이다. 또한, 광촉매층(20)은, 또한, Si 또는 Zr 중 적어도 어느 1종의 원소를 함유하고, 이러한 원소의 합계 농도는, Si에 대해서는 실리카 환산, Zr에 대해서는 지르코니아 환산으로, 50질량％ 이하인 것이 바람직하다. Si 또는 Zr 중 적어도 어느 1종의 원소를 상기 농도로 함유함으로써, 보다 내식성이 우수한 광촉매층(20)을 실현하는 것이 가능하게 된다. Si 또는 Zr 중 적어도 어느 1종의 원소의 합계 함유량은, 보다 바람직하게는 40질량％ 이하이다. 여기서, 함유하는 Si 또는 Zr은, 광투과성이 우수한 것이 바람직하고, 또한, 광촉매에 의한 분해 등의 영향을 받기 어려운 무기계 성분인 것이 바람직하다. 이와 같은 Si, Zr을 함유하는 무기계 성분으로서는, 예를 들어 실리카, 지르코니아를 들 수 있다.

또한, 상기 광촉매 화합물을 함유하는 광촉매층(20)은, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위 내에서, 필요에 따라서, 항균제나, 활성탄 또는 제올라이트 등의 흡착재를 함유하고 있어도 된다.

이러한 광촉매층(20)의 평균 두께 d₁(도 1a에 도시한 층 구성의 경우, 금속판(10)의 표면으로부터 광촉매층(20)의 최표면까지(피막층의 최표면이라고도 파악할 수 있음)의 합계 두께 d_T이기도 함)은, 0.05㎛ 이상이다. 광촉매층(20)의 평균 두께 d₁이 0.05㎛ 미만인 경우에는, 상기와 같은 광촉매층(20)을 균일하게 성막하는 것이 곤란해져, 얻어지는 광촉매 효과에 불균일이 발생해 버리기 때문에, 바람직하지 않다. 평균 두께 d₁을 0.05㎛ 이상으로 함으로써, 원하는 광촉매 효과를, 광촉매층(20)의 전체에 걸쳐 균일하게 발현시키는 것이 가능하게 된다. 한편, 이러한 광촉매층(20)의 평균 두께 d₁(도 1a에 도시한 층 구성의 경우, 금속판(10)의 표면으로부터 광촉매층(20)의 최표면까지의 합계 두께 d_T이기도 함)은, 5.00㎛ 이하이다. 광촉매층(20)의 평균 두께 d₁이 5.00㎛를 초과하는 경우에는, 얻어지는 광촉매 효과가 포화되는 한편, 제조 비용이 증가하기 때문에, 바람직하지 않다. 또한, 광촉매층은 무기계 피막이기 때문에, 가공성이 저하된다. 평균 두께 d₁을 5.00㎛ 이하로 함으로써, 제조 비용의 증가 및 가공성의 저하를 억제하면서, 원하는 광촉매 효과를, 광촉매층(20)의 전체에 걸쳐 균일하게 발현시키는 것이 가능하게 된다.

통상, 광촉매층(20)을, 광촉매 화합물에 닿지 않고 통과하는 광이, 일정한 확률로 발생한다. 이와 같은, 광촉매 화합물과 작용하지 않은 광은, 종래에는, 광촉매 효과가 얻어지지 않는 광이 되어 버린다. 본 실시 형태에서는, 이와 같은 광을 금속판(10)의 표면에서 반사시킴으로써, 광촉매층(20)에 입사한 광이 광촉매 화합물에 충돌할 확률을 증가시키는 것이 가능하게 된다. 이에 의해, 본 실시 형태에서는, 광촉매 효과를 더욱 향상시킬 수 있다. 도 1a에 도시한 층 구성의 경우, 금속판(10)의 표면으로부터 광촉매층(20)의 최표면까지의 합계 두께 d_T가 당연히 15.00㎛ 이하로 되어 있는 결과, 입사한 광이 금속판(10)의 표면(환언하면, 금속판(10)과 광촉매층(20)의 계면)에서 반사된 반사광을, 광촉매 화합물에 의한 광촉매 반응에 이용하는 것이 가능해지기 때문에, 비용을 억제하면서, 광촉매 효과를 보다 향상시킬 수 있다.

이러한 광촉매층(20)의 평균 두께 d₁은, 바람직하게는 0.10㎛ 이상이며, 보다 바람직하게는 0.15㎛ 이상이다. 또한, 이러한 광촉매층(20)의 평균 두께 d₁은, 바람직하게는 2.00㎛ 이하이며, 보다 바람직하게는 1.00㎛ 이하이다.

[60° 경면 광택도]

도 1a에 도시한 바와 같은 층 구성을 갖는 도장 금속판(1)에서는, 금속판(10)에 의한 광의 반사와, 상기와 같은 평균 두께 d₁을 갖는 광촉매층(20)에 의해, 도장 금속판(1)을 광촉매층(20)이 마련된 측으로부터 측정한 JIS Z8741:1997에서 규정되는 60° 경면 광택도가, 80％ 이상이 된다. 환언하면, 본 실시 형태에 관한 도장 금속판(1)은, 상기와 같이 60° 경면 광택도가 80％ 이상이 됨으로써, 금속판(10)과 광촉매층(20)의 계면에서 발생하는 반사광을 효과적으로 이용하는 것이 가능해져, 우수한 항바이러스 성능을 발현한다. 또한, 광촉매와 충돌한 광은 반사광으로서 검출되지 않지만, 본 발명의 피막 구성에 있어서는, 이와 같은 광은 전체의 극히 일부이다. 그 때문에, 광촉매에 의한 감소를 고려해도, 본 발명에서 규정하는 60° 경면 광택도가 80％ 이상이다는 취지를 만족시킴으로써, 우수한 항바이러스성을 갖는다고 판단할 수 있다. 본 실시 형태에 관한 도장 금속판(1)에 있어서, 60° 경면 광택도는, 바람직하게는 90％ 이상이며, 보다 바람직하게는 130％ 이상이다. 또한, 이러한 60° 경면 광택도의 상한값은, 특별히 규정하는 것은 아니지만, 200％를 초과하는 것은 어렵고, 이러한 값이 실질적인 상한으로 생각된다. 또한, 이러한 60° 경면 광택도는, 상기 JIS 규격에 의거한 광택도계를 사용하여 측정하는 것이 가능하다.

<변형예>

도 1a에 도시한 바와 같은 층 구성을 갖는 본 실시 형태에 관한 도장 금속판(1)은, 금속판(10)과 광촉매층(20) 사이에, 화성 처리 피막층으로서 기능하는 또 다른 피막층을 갖고 있어도 된다. 금속판(10)과 광촉매층(20) 사이에 화성 처리 피막층을 형성함으로써, 금속판(10)과 광촉매층(20) 사이의 밀착성을 더욱 향상시키는 것이 가능하게 된다. 또한, 본 실시 형태에 관한 도장 금속판(1)의 내식성 등을 더욱 향상시키는 것도 가능하게 된다.

본 실시 형태에 관한 도장 금속판(1)에 있어서, 화성 처리 피막층을 더 마련하는 경우에는, 화성 처리 피막층을 구성하는 화합물 성분의 종류에 따라서, 이하에 나타내는 바와 같은 2종류의 층 구성을 실현하는 것이 바람직하다. 이하, 도 1b 내지 도 3을 참조하면서, 화성 처리 피막층을 갖는 경우의 도장 금속판의 층 구성에 대하여, 상세하게 설명한다.

도 1b 내지 도 2는 본 실시 형태에 관한 도장 금속판의 구조의 다른 일 예를 모식적으로 도시한 설명도이다. 도 3은 본 실시 형태에 관한 도장 금속판에 대하여 설명하기 위한 설명도이다.

[무기계 화성 처리 피막층을 마련하는 경우]

도 1b 및 도 1c는 화성 처리 피막층으로서 무기계 성분으로 이루어지는 무기계 화성 처리 피막층을 마련하는 경우의, 도장 금속판(1)의 층 구성을 모식적으로 도시한 모식도이다.

이러한 경우, 본 실시 형태에 관한 도장 금속판(1)은, 상기와 같은 금속판(10)과 광촉매층(20) 사이에, 제2 피막층의 일 예로서의 무기계 화성 처리 피막층(30)을 갖는다.

아나타아제형 산화티타늄으로 대표되는 광촉매 화합물은, 매우 우수한 산화성을 갖기 때문에, 광촉매 화합물이 존재하는 층보다도 하층측에 피막층을 마련하는 경우에는, 이러한 피막층을 보호하기 위한 보호층을 형성하는 경우가 많다. 그러나, 이하에서 설명하는 바와 같이, 화성 처리 피막층을 무기계 성분으로 구성함으로써, 보호층을 형성하지 않고 화성 처리 피막층을 배치하는 것이 가능하게 된다.

이러한 무기계 화성 처리 피막층(30)은, 금속판(10)의 표면에 부착된 유분 등의 불순물 및 표면 산화물을, 공지의 탈지 공정 및 세정 공정에서 제거한 후, 화성 처리에 의해 형성된다. 이 무기계 화성 처리 피막층(30)은, Si 또는 Zr 중 적어도 어느 1종 이상의 원소를 갖는 무기계 성분으로 이루어지는 것이 바람직하다. 또한, 이러한 무기계 화성 처리 피막층(30)은, 또한, P 또는 V 중 적어도 어느 1종의 원소를 갖는 무기계 성분을 함유하고 있어도 된다.

무기계 화성 처리 피막층(30)이, 상기와 같은 원소를 갖는 무기계 성분을 함유함으로써, 화성 처리액 도포 후의 성막성, 수분이나 부식성 이온 등의 부식 인자에 대한 피막의 배리어성(치밀성), 금속판 표면에 대한 피막 밀착성 등이 향상되어, 피막의 내식성의 향상에 기여한다.

여기서, Si를 함유하는 무기계 성분으로서는, 예를 들어, 예를 들어, γ-(2-아미노에틸)아미노프로필트리메톡시실란, γ-(2-아미노에틸)아미노프로필메틸디메톡시실란, γ-(2-아미노에틸)아미노프로필트리에톡시실란 등을 들 수 있다. 또한, Zr을 함유하는 무기계 성분으로서는, 예를 들어 탄산지르코늄, 탄산지르코늄암모늄, 탄산지르코늄칼륨, 탄산지르코늄나트륨, 탄산지르코늄암모늄 등을 들 수 있다.

또한, P를 함유하는 무기계 성분으로서는, 예를 들어 인산, 오르토인산, 메타인산, 피로인산, 삼인산, 사인산 등의 인산류 및 그것들의 염, 인산이수소암모늄 등을 들 수 있다. V를 함유하는 무기계 성분으로서는, 예를 들어 메타바나듐산암모늄(V), 메타바나듐산칼륨(V), 메타바나듐산소다(V), 황산바나딜(IV) 등을 들 수 있다.

본 실시 형태에 관한 무기계 화성 처리 피막층(30)에서는, 상기와 같은 각종 무기계 성분을, 단독으로, 또는, 조합하여 이용하는 것이 가능하다. 또한, 상기와 같은 각종 무기계 성분의 함유량에 대해서도, 적절히 조정하면 된다.

이러한 무기계 화성 처리 피막층(30)의 평균 두께 d₂는, 0.10㎛ 이상인 것이 바람직하고, 0.20㎛ 이상인 것이 보다 바람직하다. 이에 의해, 무기계 화성 처리 피막층(30)을 금속판(10)의 표면에 균일하게 형성하면서, 상기와 같은 화성 처리 피막층을 마련하는 것에 의한 각종 효과를, 안정적으로 발현시키는 것이 가능하게 된다. 또한, 무기계 화성 처리 피막층(30)의 평균 두께 d₂는, 5.00㎛ 이하인 것이 바람직하고, 1.00㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다. 이에 의해, 무기계 화성 처리 피막층(30)을 금속판(10)의 표면에 균일하게 형성하면서, 상기와 같은 화성 처리 피막층을 마련하는 것에 의한 각종 효과를, 안정적으로 발현시키는 것이 가능하게 된다.

또한, 광촉매층(20)의 평균 두께 d₁에 대한, 무기계 화성 처리 피막층(30)의 평균 두께 d₂의 비율(d₂/d₁)은, 0.3 이상인 것이 바람직하고, 0.5 이상인 것이 보다 바람직하다. 이에 의해, 가공 밀착성을 더욱 향상시키는 것이 가능하게 된다. 또한, 광촉매층(20)의 평균 두께 d₁에 대한, 무기계 화성 처리 피막층(30)의 평균 두께 d₂의 비율(d₂/d₁)은, 12.0 이하인 것이 바람직하고, 5.0 이하인 것이 보다 바람직하다. 이에 의해, 가공 밀착성을 더욱 향상시키는 것이 가능하게 된다.

또한, 본 실시 형태에 관한 도장 금속판(1)은, 도 1c에 모식적으로 도시한 바와 같이, 광촉매층(20)과, 무기계 화성 처리 피막층(30) 사이에, 예를 들어 각종 착색 안료를 포함하는 착색층 등을 비롯한, 공지의 각종 층을 더 갖고 있어도 된다.

여기서, 도 1b 및 도 1c에 도시한 바와 같은 경우에 있어서도, 금속판(10)의 표면으로부터 피막층의 최표면(광촉매층(20)의 최표면이기도 함)까지의 합계 두께 d_T(=d₁+d₂+α)는, 15.00㎛ 이하로 한다. 이에 의해, 도 3에 모식적으로 도시한 바와 같이, 입사한 광이 금속판(10)의 표면(환언하면, 금속판(10)과 광촉매층(20) 계면)에서 반사된 반사광을, 광촉매 화합물에 의한 광촉매 반응에 이용하는 것이 가능하게 되기 때문에, 비용의 증가를 억제하면서, 광촉매 효과를 보다 향상시킬 수 있다. 금속판(10)의 표면으로부터 피막층의 최표면까지의 합계 두께 d_T(=d₁+d₂+α)는, 바람직하게는 10.00㎛ 이하이며, 보다 바람직하게는 7.00㎛ 이하이다.

또한, 도 1b 및 도 1c에 도시한 바와 같은 경우에 있어서도, 도장 금속판(1)을 광촉매층(20)이 마련된 측으로부터 측정한 JIS Z8741:1997에서 규정되는 60° 경면 광택도는, 80％ 이상이 된다. 여기서, 합계 두께 d_T가 15.00㎛ 이하이며, 또한, 60° 경면 광택도가 80％ 이상이면, 입사한 광이 금속판(10)의 표면에서 반사된 반사광을, 광촉매 화합물에 의한 광촉매 반응에 이용하고 있다고 간주할 수 있다.

[유기계 화성 처리 피막층을 마련하는 경우]

도 2a 및 도 2b는 화성 처리 피막층으로서 유기계 성분을 포함하는 유기계 화성 처리 피막층을 마련하는 경우의, 도장 금속판(1)의 층 구성을 모식적으로 도시한 모식도이다.

이러한 경우, 본 실시 형태에 관한 도장 금속판(1)은, 상기와 같은 금속판(10)과 광촉매층(20) 사이에, 제3 피막층의 일 예로서의 유기계 화성 처리 피막층(40)과, 제4 피막층의 일 예로서의 보호층(50)을 갖는다.

≪유기계 화성 처리 피막층(40)≫

유기계 화성 처리 피막층(40)은, 광촉매층(20)의 하층(보다 상세하게는, 금속판(10)의 표면)에 위치하는 층이며, 금속판(10)의 표면에 부착된 유분 등의 불순물 및 표면 산화물을, 공지의 탈지 공정 및 세정 공정에서 제거한 후, 화성 처리에 의해 형성된다.

본 실시 형태에 관한 유기계 화성 처리 피막층(40)에는, 예를 들어 수지, 실란 커플링제, 지르코늄 화합물, 실리카, 인산 및 그의 염, 불화물, 바나듐 화합물, 그리고, 탄닌 또는 탄닌산으로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나 이상을 함유시켜도 된다. 이들 물질을 함유함으로써, 또한, 화성 처리액 도포 후의 성막성, 수분이나 부식성 이온 등의 부식 인자에 대한 피막의 배리어성(치밀성), 및, 금속판의 표면에 대한 피막 밀착성 등이 향상되어, 피막의 내식성의 향상에 기여한다.

특히, 유기계 화성 처리 피막층(40)이, 실란 커플링제, 또는, 지르코늄 화합물 중 어느 하나 이상을 함유하면, 유기계 화성 처리 피막층(40) 내에 가교 구조를 형성하여, 금속판 표면과의 결합에 대해서도 강화되기 때문에, 피막의 밀착성이나 배리어성을 더욱 향상시키는 것이 가능하게 된다.

또한, 유기계 화성 처리 피막층(40)이, 실리카, 인산 및 그의 염, 불화물, 또는, 바나듐 화합물 중 어느 하나 이상을 함유하면, 인히비터로서 기능하여, 금속판 표면에 침전 피막이나 부동태 피막을 형성함으로써, 내식성을 더욱 향상시키는 것이 가능하게 된다.

이하에서는, 상기와 같은 유기계 화성 처리 피막층(40)이 포함할 수 있는 각 구성 성분의 상세에 대하여, 예를 들면서 설명한다.

[수지]

수지로서는, 예를 들어 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 에폭시 수지, 페놀 수지, 아크릴 수지, 폴리올레핀 수지 등과 같은, 공지의 유기 수지를 사용할 수 있다. 금속판과의 밀착성을 더욱 높이기 위해서는, 분자쇄 중에 강제 부위나 극성 관능기를 갖는 수지(폴리에스테르 수지, 우레탄 수지, 에폭시 수지, 아크릴 수지 등) 중 적어도 하나를 사용하는 것이 바람직하다. 수지는, 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.

유기계 화성 처리 피막층(40)에 있어서의 수지의 함유량은, 예를 들어 피막 고형분에 대하여 0질량％ 이상인 것이 바람직하고, 1질량％ 이상인 것이 보다 바람직하다. 이에 의해, 내식성을 향상시킬 수 있다. 또한, 유기계 화성 처리 피막층(40)에 있어서의 수지의 함유량은, 예를 들어 피막 고형분에 대하여, 85질량％ 이하인 것이 바람직하고, 60질량％ 이하인 것이 보다 바람직하고, 40질량％ 이하인 것이 더욱 바람직하다. 수지의 함유량을 85질량％ 이하로 함으로써, 내식성 이외의 피막으로서 요구되는 성능을 담보하면서, 피막의 내식성을 향상시킬 수 있다.

[실란 커플링제]

실란 커플링제로서는, 예를 들어 γ-(2-아미노에틸)아미노프로필트리메톡시실란, γ-(2-아미노에틸)아미노프로필메틸디메톡시실란, γ-(2-아미노에틸)아미노프로필트리에톡시실란, γ-(2-아미노에틸)아미노프로필메틸디에톡시실란, γ-(2-아미노에틸)아미노프로필메틸디메톡시실란, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, γ-메타크릴옥시프로필메틸디메톡시실란, γ-메타크릴옥시프로필트리에톡시실란, γ-메타크릴옥시프로필메틸디에톡시실란, N-β-(N-비닐벤질아미노에틸)-γ-아미노프로필트리메톡시실란, N-β-(N-비닐벤질아미노에틸)-γ-아미노프로필메틸디메톡시실란, N-β-(N-비닐벤질아미노에틸)-γ-아미노프로필트리에톡시실란, N-β-(N-비닐벤질아미노에틸)-γ-아미노프로필메틸디에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디에톡시실란, γ-머캅토프로필트리메톡시실란, γ-머캅토프로필메틸디메톡시실란, γ-머캅토프로필트리에톡시실란, γ-머캅토프로필메틸디에톡시실란, 메틸트리메톡시실란, 디메틸디메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 디메틸디에톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, γ-클로로프로필트리메톡시실란, γ-클로로프로필메틸디메톡시실란, γ-클로로프로필트리에톡시실란, γ-클로로프로필메틸디에톡시실란, 헥사메틸디실라잔, γ-아닐리노프로필트리메톡시실란, γ-아닐리노프로필메틸디메톡시실란, γ-아닐리노프로필트리에톡시실란, γ-아닐리노프로필메틸디에톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐메틸디메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 비닐메틸디에톡시실란, 옥타데실디메틸[3-(트리메톡시실릴)프로필]암모늄클로라이드, 옥타데실디메틸[3-(메틸디메톡시실릴)프로필]암모늄클로라이드, 옥타데실디메틸[3-(트리에톡시실릴)프로필]암모늄클로라이드, 옥타데실디메틸[3-(메틸디에톡시실릴)프로필]암모늄클로라이드, γ-클로로프로필메틸디메톡시실란, γ-머캅토프로필메틸디메톡시실란, 메틸트리클로로실란, 디메틸디클로로실란, 트리메틸클로로실란 등을 들 수 있다. 유기계 화성 처리 피막층(40)을 형성하기 위한 화성 처리제 중의 실란 커플링제의 첨가량은, 예를 들어 2 내지 80g/L로 할 수 있다. 실란 커플링제의 첨가량을 2g/L 이상으로 함으로써, 금속판 표면과의 밀착성을 향상시켜, 도막의 가공 밀착성을 향상시키는 것이 가능하게 된다. 또한, 실란 커플링제의 첨가량을 80g/L 이하로 함으로써, 화성 처리 피막의 응집력을 유지시켜, 도막의 가공 밀착성을 향상시키는 것이 가능하게 된다. 상기에 예시한 바와 같은 실란 커플링제는, 1종으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.

[지르코늄 화합물]

지르코늄 화합물로서는, 예를 들어 지르코늄노르말프로필레이트, 지르코늄노르말부틸레이트, 지르코늄테트라아세틸아세토네이트, 지르코늄모노아세틸아세토네이트, 지르코늄비스아세틸아세토네이트, 지르코늄모노에틸아세토아세테이트, 지르코늄아세틸아세토네이트비스에틸아세토아세테이트, 지르코늄아세테이트, 지르코늄모노스테아레이트, 탄산지르코늄, 탄산지르코늄암모늄, 탄산지르코늄칼륨, 탄산지르코늄나트륨 등을 들 수 있다. 유기계 화성 처리 피막층(40)을 형성하기 위한 화성 처리제 중의 지르코늄 화합물의 첨가량은, 예를 들어 2 내지 80g/L로 할 수 있다. 지르코늄 화합물의 첨가량을 2g/L 이상으로 함으로써, 금속판 표면과의 밀착성을 향상시켜, 도막의 가공 밀착성을 향상시키는 것이 가능하게 된다. 또한, 지르코늄 화합물의 첨가량을 80g/L 이하로 함으로써, 화성 처리 피막의 응집력을 유지시켜, 도막의 가공 밀착성을 향상시키는 것이 가능하게 된다. 이러한 지르코늄 화합물은, 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.

[실리카]

실리카로서는, 예를 들어 닛산 가가쿠 가부시키가이샤제의 「스노우텍스 N」, 「스노우텍스 C」, 「스노우텍스 UP」, 「스노우텍스 PS」, 가부시키가이샤ADEKA제의 「아데라이트 AT-20Q」 등의 시판되는 실리카겔, 또는, 닛본 에어로실 가부시키가이샤제의 에어로실 #300 등의 분말 실리카를 사용할 수 있다. 실리카는, 필요로 되는 도장 금속판의 성능에 따라, 적절히 선택할 수 있다. 유기계 화성 처리 피막층(40)을 형성하기 위한 화성 처리제 중의 실리카의 첨가량은, 1 내지 40g/L로 하는 것이 바람직하다. 실리카의 첨가량을 1g/L 이상으로 함으로써, 도막의 가공 밀착성을 향상시키는 것이 가능하게 된다. 또한, 실리카의 첨가량을 40g/L 이하로 함으로써, 비용의 증가를 억제하면서, 가공 밀착성 및 내식성의 효과의 양립을 도모하는 것이 가능하게 된다.

[인산 및 그의 염]

인산 및 그의 염으로서는, 예를 들어 오르토인산, 메타인산, 피로인산, 삼인산, 사인산 등의 인산류 및 그것들의 염, 인산삼암모늄, 인산수소이암모늄 등의 암모늄염, 아미노트리(메틸렌포스폰산), 1-히드록시에틸리덴-1,1-디포스폰산, 에틸렌디아민테트라(메틸렌포스폰산), 디에틸렌트리아민펜타(메틸렌포스폰산) 등의 포스폰산류 및 그것들의 염, 피트산 등의 유기 인산류 및 그것들의 염 등을 들 수 있다. 또한, 인산의 염으로서, 암모늄염 이외의 염으로서는, Na, Mg, Al, K, Ca, Mn, Ni, Zn, Fe 등과의 금속염을 들 수 있다. 인산 및 그의 염은, 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.

또한, 인산 및 그의 염의 함유량은, 피막 고형분에 대하여, 0질량％ 이상인 것이 바람직하고, 1질량％ 이상인 것이 보다 바람직하다. 또한, 인산 및 그의 염의 함유량은, 피막 고형분에 대하여, 20질량％ 이하인 것이 바람직하고, 10질량％ 이하인 것이 보다 바람직하다. 인산 및 그의 염의 함유량이 20질량％ 이하가 됨으로써, 피막의 취화를 방지할 수 있어, 도장 금속판을 성형 가공할 때의 피막의 가공 밀착성의 저하를 방지하는 것이 가능하게 된다.

[불화물]

불화물로서는, 예를 들어 지르콘불화암모늄, 규불화암모늄, 티타늄불화암모늄, 불화나트륨, 불화칼륨, 불화칼슘, 불화리튬, 티타늄불화수소산, 지르콘불화수소산 등을 들 수 있다. 이러한 불화물은, 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.

또한, 불화물의 함유량은, 피막 고형분에 대하여, 0질량％ 이상인 것이 바람직하고, 1질량％ 이상인 것이 보다 바람직하다. 또한, 불화물의 함유량은, 피막 고형분에 대하여, 20질량％ 이하인 것이 바람직하고, 10질량％ 이하인 것이 보다 바람직하다. 불화물의 함유량이 20질량％ 이하가 됨으로써, 피막의 취화를 방지할 수 있어, 도장 금속판을 성형 가공할 때의 피막의 가공 밀착성의 저하를 방지하는 것이 가능하게 된다.

[바나듐 화합물]

바나듐 화합물로서는, 예를 들어 오산화바나듐, 메타바나듐산, 메타바나듐산암모늄, 메타바나듐산나트륨, 옥시삼염화바나듐 등의 5가의 바나듐 화합물을 환원제로 2 내지 4가로 환원한 바나듐 화합물, 삼산화바나듐, 이산화바나듐, 옥시황산바나듐, 옥시옥살산바나듐, 바나듐옥시아세틸아세토네이트, 바나듐아세틸아세토네이트, 삼염화바나듐, 인바나도몰리브덴산, 황산바나듐, 이염화바나듐, 산화바나듐 등의 산화수 4 내지 2가의 바나듐 화합물 등을 들 수 있다. 이러한 바나듐 화합물은, 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.

또한, 바나듐 화합물의 함유량은, 피막 고형분에 대하여, 0질량％ 이상인 것이 바람직하고, 1질량％ 이상인 것이 보다 바람직하다. 또한, 바나듐 화합물의 함유량은, 피막 고형분에 대하여, 20질량％ 이하인 것이 바람직하고, 10질량％ 이하인 것이 보다 바람직하다. 바나듐 화합물의 함유량이 20질량％ 이하가 됨으로써, 피막의 취화를 방지할 수 있어, 도장 금속판을 성형 가공할 때의 피막의 가공 밀착성의 저하를 방지하는 것이 가능하게 된다.

[탄닌 또는 탄닌산]

탄닌 또는 탄닌산은, 가수 분해할 수 있는 탄닌, 축합 탄닌 모두 사용할 수 있다. 탄닌 및 탄닌산의 예로서는, 하마메타탄닌, 오배자 탄닌, 몰식자 탄닌, 미로발란의 탄닌, 디비디비의 탄닌, 알가로빌라의 탄닌, 발로니아의 탄닌, 카테킨 등을 들 수 있다. 유기계 화성 처리 피막층(40)을 형성하기 위한 화성 처리제 중의 탄닌 또는 탄닌산의 첨가량은, 2 내지 80g/L로 할 수 있다. 탄닌 또는 탄닌산의 첨가량을 2g/L 이상으로 함으로써, 금속판 표면과의 밀착성을 향상시켜, 도막의 가공 밀착성을 향상시킬 수 있다. 또한, 탄닌 또는 탄닌산의 첨가량의 첨가량을 80g/L 이하로 함으로써, 화성 처리 피막의 응집력을 유지시켜, 도막의 가공 밀착성을 향상시킬 수 있다.

또한, 유기계 화성 처리 피막층(40)을 형성하기 위한 화성 처리제 중에는, 성능이 손상되지 않는 범위 내에서, pH 조정을 위해 산, 알칼리 등을 첨가해도 된다.

이러한 유기계 화성 처리 피막층(40)의 평균 두께 d₃은, 0.10㎛ 이상인 것이 바람직하고, 0.20㎛ 이상인 것이 보다 바람직하고, 0.30㎛ 이상인 것이 더욱 바람직하다. 이에 의해, 유기계 화성 처리 피막층(40)을 금속판(10)의 표면에 균일하게 형성하면서, 상기와 같은 화성 처리 피막층을 마련하는 것에 의한 각종 효과를, 안정적으로 발현시키는 것이 가능하게 된다. 또한, 유기계 화성 처리 피막층(40)의 평균 두께 d₃은, 5.00㎛ 이하인 것이 바람직하고, 4.00㎛ 이하인 것이 보다 바람직하고, 3.00㎛ 이하인 것이 더욱 바람직하다. 이에 의해, 유기계 화성 처리 피막층(40)을 금속판(10)의 표면에 균일하게 형성하면서, 상기와 같은 화성 처리 피막층을 마련하는 것에 의한 각종 효과를, 안정적으로 발현시키는 것이 가능하게 된다.

또한, 광촉매층(20)의 평균 두께 d₁에 대한, 유기계 화성 처리 피막층(40)의 평균 두께 d₃의 비율(d₃/d₁)은, 0.5 이상인 것이 바람직하고, 2.0 이상인 것이 보다 바람직하다. 이에 의해, 가공부 밀착성을 더욱 향상시키는 것이 가능하게 된다. 또한, 광촉매층(20)의 평균 두께 d₁에 대한, 유기계 화성 처리 피막층(40)의 평균 두께 d₃의 비율(d₃/d₁)은, 20.0 이하인 것이 바람직하고, 10.0 이하인 것이 보다 바람직하다. 이에 의해, 가공부 밀착성을 더욱 향상시키는 것이 가능하게 된다.

≪보호층(50)≫

보호층(50)은, 광촉매층(20)과 유기계 화성 처리 피막층(40) 사이(보다 바람직하게는, 광촉매층(20)의 바로 아래)에 마련되는 층이며, 광촉매층(20)에 함유되는 광촉매 화합물의 산화력으로부터, 광촉매층(20)보다도 하방에 위치하는 층을 보호하기 위해 마련된다.

여기서, 보호층(50)의 구체적인 성분에 대해서는, 공지의 각종 성분을 함유하는 것이 가능하다. 이와 같은 성분으로서, 예를 들어 실리카, 지르코니아 등의 무기계 산화물을 들 수 있다. 또한, 이러한 성분의 구체적인 함유량에 대해서도, 적절히 조정하면 된다.

또한, 보호층(50)에 대해서도, 광촉매층(20)과 마찬가지로, 광투과성이 우수한 것인 것이 바람직하다. 광투과성이 우수한 보호층(50)을 실현하기 위해, 예를 들어 광촉매층(20)에 있어서의 광촉매 화합물 이외의 성분과 동일한 성분을 사용하는 것이 가능하다.

이러한 보호층(50)의 평균 두께 d₄는, 0.05㎛ 이상인 것이 바람직하고, 0.20㎛ 이상인 것이 보다 바람직하다. 이에 의해, 가공성의 저하를 억제하면서, 광촉매 화합물의 산화력으로부터, 보호층(50)보다도 하방에 위치하는 층을 확실하게 보호하는 것이 가능하게 된다. 또한, 보호층(50)의 평균 두께 d₄는, 5.00㎛ 이하인 것이 바람직하고, 0.60㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다. 이에 의해, 가공성의 저하를 억제하면서, 광촉매 화합물의 산화력으로부터, 보호층(50)보다도 하방에 위치하는 층을 확실하게 보호하는 것이 가능하게 된다.

또한, 광촉매층(20)의 평균 두께 d₁에 대한, 보호층(50)의 평균 두께 d₄의 비율(d₄/d₁)은, 0.3 이상인 것이 바람직하고, 1.0 이상인 것이 보다 바람직하다. 이에 의해, 광촉매층(20)에 의한 유기계 화성 처리 피막층(40)의 분해를 확실하게 억제하는 것이 가능하게 된다. 또한, 광촉매층(20)의 평균 두께 d₁에 대한, 보호층(50)의 평균 두께 d₄의 비율(d₄/d₁)은, 20.0 이하인 것이 바람직하고, 3.0 이하인 것이 보다 바람직하다. 이에 의해, 광촉매층(20)에 의한 유기계 화성 처리 피막층(40)의 분해를 확실하게 억제하는 것이 가능하게 된다.

또한, 본 실시 형태에 관한 도장 금속판(1)은, 도 2b에 모식적으로 도시한 바와 같이, 광촉매층(20) 및 보호층(50)과, 유기계 화성 처리 피막층(40) 사이에, 예를 들어 각종 착색 안료를 포함하는 착색층 등을 비롯한, 공지의 각종 층을 더 갖고 있어도 된다.

여기서, 도 2a 및 도 2b에 도시한 바와 같은 경우에 있어서도, 금속판(10)의 표면으로부터 피막층의 최표면(광촉매층(20)의 최표면이기도 함)까지의 합계 두께 d_T(=d₁+d₃+d₄+α)는, 15.00㎛ 이하로 한다. 이에 의해, 도 3에 모식적으로 도시한 바와 같이, 입사한 광이 금속판(10)의 표면(환언하면, 금속판(10)과 광촉매층(20)의 계면)에서 반사된 반사광을, 광촉매 화합물에 의한 광촉매 반응에 이용하는 것이 가능해지기 때문에, 비용을 억제하면서, 광촉매 효과를 보다 향상시킬 수 있다. 금속판(10)의 표면으로부터 피막층의 최표면까지의 합계 두께 d_T(=d₁+d₃+d₄+α)는, 바람직하게는 10.00㎛ 이하이며, 보다 바람직하게는 7.00㎛ 이하이다.

또한, 도 2a 및 도 2b에 도시한 바와 같은 경우에 있어서도, 광촉매층(20)이 마련된 측으로부터 측정한 JIS Z8741:1997에서 규정되는 60° 경면 광택도는, 80％ 이상이 된다. 여기서, 합계 두께 d_T가 15.00㎛ 이하이며, 또한, 60° 경면 광택도가 80％ 이상이면, 입사한 광이 금속판(10)의 표면에서 반사된 반사광을, 광촉매 화합물에 의한 광촉매 반응에 이용하고 있다고 간주할 수 있다.

또한, 도 1a 내지 도 3에서는, 금속판(10)의 편측의 면 상에, 광촉매층(20)을 비롯한 각 층을 마련하는 경우에 대하여 도시하고 있지만, 광촉매층(20)을 비롯한 각 층은, 금속판(10)의 양면에 마련해도 된다. 이 경우, 금속판(10)의 표면으로부터 광촉매층(20)의 표면까지의 합계 두께 d_T는, 도장 금속판(1)의 각 면에서, 15.00㎛ 이하가 되도록 한다. 또한, 60° 경면 광택도에 대해서도, 도장 금속판(1)의 각 면에서, 80％ 이상이 된다. 또한, 앞서 설명한 무기계 화성 처리 피막층(30)을 마련하였을 때, 상기와 같은 보호층(50)을 형성해도 된다.

이상, 도 1a 내지 도 3을 참조하면서, 본 실시 형태에 관한 도장 금속판에 대하여, 상세하게 설명하였다.

<각 층의 평균 두께의 측정 방법에 대하여>

여기서, 광촉매층을 비롯한 각 층의 평균 두께는, 주목하는 층을 단면 방향으로부터 현미경으로 관찰함으로써 측정하는 것이 가능하다. 단면 방향으로부터 관찰하는 시료의 제작 방법으로서는, 예를 들어, 수지에 매립하여, 관찰면을 연마하는 방법, FIB 가공하는 방법, 마이크로톰법 등 공지의 방법을 사용할 수 있다. 또한, 현미경의 종류로서는, SEM, TEM 등의 공지의 장치를 사용할 수 있다.

(도장 금속판의 제조 방법에 대하여)

이상 설명한 바와 같은 본 실시 형태에 관한 도장 금속판은, 모재가 되는 금속판의 표면에 대하여, 필요에 따라 세정 등의 각종 전처리를 실시한 후에, 광촉매층을 형성하기 위한 광촉매 처리제나, 화성 처리 피막층을 형성하기 위한 화성 처리제나, 보호층을 형성하기 위한 보호 처리제를, 원하는 층 구성이 되도록 도포한 후, 건조·베이킹함으로써 제조할 수 있다.

여기서, 각종 도료의 도포는, 일반적으로 공지의 도포 방법, 예를 들어 롤 코트, 커튼 플로 코트, 에어 스프레이, 에어리스 스프레이, 침지, 바 코트, 브러시 도포 등으로 행할 수 있다. 특히 본 제품의 특징인 박막에서 안정적으로 도장 가능한 롤 코트가 바람직하다.

또한, 건조·베이킹의 조건에 대해서는, 특별히 한정되는 것은 아니고, 사용하는 도료 등에 따라서 적절히 설정하면 된다.

실시예

이하에서는, 실시예 및 비교예를 나타내면서, 본 발명에 관한 도장 금속판에 대하여 구체적으로 설명한다. 또한, 이하에 나타내는 실시예는, 본 발명에 관한 도장 금속판의 일 예에 지나지 않고, 본 발명에 관한 도장 금속판이 하기의 예에 한정되는 것은 아니다.

모재가 되는 금속판으로서, 이하의 표 1에 나타낸 8종류의 금속판을 준비하였다. 또한, 표 1에 있어서, SD, ZL, GI, GL, AL, GA로 나타낸 6종류의 금속판은, 강판을 기재로 하는 각종 도금 강판이다. 각 금속판의 판 두께, 그리고, 각 도금 강판의 도금 조성 및 부착량/규격은, 이하의 표 1과 같다.

[표 1]

광촉매 활성을 갖는 화합물(광촉매 화합물)로서, 이하의 표 2에 나타낸 7종류의 화합물을 준비하였다. 어느 광촉매 화합물도, 시판되고 있는 것을 사용하였다. 담지 금속 및 평균 입경에 대해서도, 표 2에 병기하였다.

[표 2]

<무기계/유기계 화성 처리제>

사용한 무기계 화성 처리 피막, 유기계 화성 처리 피막을 형성하기 위한 수계 도료(화성 처리제)의 원료, 및, 건조 피막 중의 농도를, 이하의 표 3에 나타냈다. 각 성분 농도가 건조 피막 중에서 소정의 농도가 되도록, 첨가량을 조정하였다. 처리제의 고형분 농도는, 무기계 화성 처리 피막에서는 10질량％가 되고, 유기계 화성 처리 피막에서는 20질량％가 되도록, 이온 교환수를 첨가하여 조정하였다. 각 처리제를, 이하의 표 4-1, 표 4-2에 나타내는 건조 막 두께가 되도록, 도포하였다. 그 후, 금속판 도달 온도가 150℃가 되도록 유도 가열로에서 건조시키고, 그 후, 스프레이로 수랭 처리하였다.

[표 3]

<광촉매 처리제, 보호 처리제>

사용한 광촉매 처리제, 및, 보호 처리제의 제작 방법에 대하여 설명한다.

보호 처리제는, 저장 안정성을 고려하여, 고형분 농도가 8질량％가 되도록 조정하였다. 농도는, n-부탄올로 희석함으로써, 조정하였다. 광촉매 처리제는, 표 2에 나타낸 화합물을, 이하의 보호 처리제에 소정량 첨가함으로써, 제작하였다. 광촉매 화합물의 고형분 농도는, 이하의 표 4-1, 표 4-2에 나타낸 대로이다.

(1) 보호 피막용 처리제(Si계): 테트라에톡시실란(22.5질량부)과, 메타크릴 옥시프로필트리메톡시실란(2.8질량부)과, n-부탄올(26질량부)을 혼합하여, 60℃에서 2시간 교반하였다. 이 혼합물을 교반한 상태에서, 26질량％의 염산(3질량부)과 n-부탄올의 혼합액(26질량부)을 1방울/초씩 적하하였다. 그 후, 교반한 채로 60℃에서 2시간 유지하여, 처리제를 얻었다. 일련의 조작은, 질소 분위기 중에서 실시하였다.

(2) 보호 피막용 처리제(Zr계): 지르코늄n-부톡시드(34.5질량부)와, n-부탄올(11.6질량부)과, 1,5-디아미노펜탄(0.5질량부)과, 질산이트륨(2.8질량부)을 혼합하여, 1시간 교반하였다. 그 후, 빙초산(4.8질량부)을 첨가하여, 40시간 교반하였다. 그 후, 농질산(0.6질량부)을 1방울/초씩 적하하고, 2시간 교반하여 처리제를 얻었다. 일련의 조작은, 질소 분위기 중에서 실시하였다.

이상 나타낸 바와 같은 금속판 및 광촉매 화합물을 사용하여, 이하의 표 4-1, 표 4-2에 나타낸 바와 같은 구성을 갖는 도장 금속판을, 롤 코트에 의해 제조하였다. 또한, 각 층은, 금속판의 편면에 형성하였다. 또한, 일부의 도장 금속판에 대해서는, 금속판의 표면에 의장성 가공을 실시하여, 헤어라인 모양을 형성하였다. 또한, 일부의 도장 금속판에 대해서는, Sb를 0.1질량％, 또한, Al을 0.2질량％ 함유한 용융 아연 도금욕을 사용하여, 용융 아연 도금의 응고 속도를 조절함으로써, 스팽글 모양을 형성한 도금 강판을 기재에 사용하였다.

또한, 상기와 같은 도장 금속판에 있어서의 각 층의 평균 막 두께는, 얻어진 도장 금속판을 수지에 매립하여, 단면을 연마함으로써 얻어진 관찰면을, 현미경에 의해 관찰함으로써 측정하였다. 또한, 60° 경면 광택도는, JIS Z8741:1997 준거한 광택도계(스가 시켄키사제 UGV-6P)에 의해 측정하였다.

얻어진 도장 금속판에 대하여, 항바이러스성, 가공 밀착성, 및, 내식성의 관점에서 평가를 행하였다. 상세한 평가 방법은, 이하와 같다.

<항바이러스성>

항바이러스성에 대해서는, 항균 제품 기술 협의회가 규정하는 항바이러스 기준에 준하여, 이하와 같은 항바이러스 시험에 의해, 바이러스 감염가를 측정함으로써 검증하였다. 보다 상세하게는, 각 도장 금속판의 평가면을 위로 하여 샬레에 적재하고, A형 인플루엔자 바이러스를 포함하는 바이러스 현탁액을, 평가면 상에 적하하였다. 그 후, 도장 금속판 상에 필름을 씌워 바이러스 현탁액을 평가면 전체면에 밀착시킨 후, 샬레의 덮개를 씌웠다. 이러한 샬레를, 일반적인 사무소의 실내를 모의하여, 1000럭스의 조도를 갖는 25℃의 실내에서, 24시간 정치하였다. 그 후, 필름 표면과, 평가면 표면의 바이러스를 세정하고, 얻어진 세정액 내의 바이러스 감염가(단위: PFU/㎠, PFU: Plaque Forming Units)를, 플라크 측정법에 의해 측정하였다.

도장 금속판과는 별개로, 광촉매층을 마련하지 않은 각 금속판에 대해서도, 마찬가지로 항바이러스 시험을 행하고, 광촉매층을 마련하지 않은 금속판의 바이러스 감염가와 비교하여, 도장 금속판의 바이러스 감염가가 어느 정도 감소하였는지를, 활성값으로서 평가하였다. 바이러스가 10² 이상 감소하였으면(환언하면, 활성 값이 1×10² 이상이면), 항균 제품 기술 협의회가 규정하는 인정 시일의 사용이 허가되는 것을 감안하여, 얻어진 활성값이 1×10² 이상이었던 것을, 합격으로 판단하였다. 또한, 이하의 표 5에서는, 얻어진 활성값을 대수로 나타낸 값을 나타내고 있다.

<가공 밀착성>

공시재에 0T 굽힘(180° 절곡) 가공을 실시하여, 절곡부 외측의 피막을 점착 테이프(니치반사제 셀로판테이프(등록 상표) 테이프 폭 15㎜)로 박리한 후, 테이프측으로의 피막을 부착 도착 상황을 관찰하였다. 그리고, 가공 밀착성을 하기의 평가 기준으로 평가하였다. 이러한 밀착성 시험에 있어서, 합격 레벨은 3 이상으로 하였다. 구체적으로는, 평점이 4 이상인 경우, 밀착성이 우수하고, 3 이상은 허용할 수 있다고(합격 레벨이라고) 판단하였다.

(평가 기준)

5: 테이프측에 피막 부착 없음

4: 테이프측에 수점의 피막 박리가 있는 상태에서, 강판측의 박리 길이가, 공시재의 편면의 가공부의 총 길이에 대하여 5％ 미만

3: 테이프측에 수점의 피막 박리가 있는 상태에서, 강판측의 박리 길이가, 공시재의 편면의 가공부의 총 길이에 대하여 5％ 이상, 10％ 미만

2: 테이프측에 피막 박리가 있고, 강판측의 박리 길이가, 공시재의 편면의 가공부의 총 길이에 대하여 10％ 이상, 20％ 미만

1: 테이프측에 피막 박리가 있고, 강판측의 박리 길이가, 공시재의 편면의 가공부의 총 길이에 대하여 20％ 이상

<내식성>

공시재의 단부면을 테이프 시일하여 JIS Z 2371에 준거한 염수 분무 시험(SST)을 72시간 행하였다. 그리고, 평면 부분의 녹 발생 상황을 시험 종료 후에 관찰하여, 하기의 평가 기준으로 내식성을 평가하였다. 합격 레벨은 3 이상으로 하였다.

(평가 기준)

5: 백청 발생 면적이 공시재의 편면의 총 면적에 대하여 1％ 미만

4: 백청 발생 면적이 공시재의 편면의 총 면적에 대하여 1％ 이상, 5％ 미만

3: 백청 발생 면적이 공시재의 편면의 총 면적에 대하여 5％ 이상, 10％ 미만

2: 백청 발생 면적이 공시재의 편면의 총 면적에 대하여 10％ 이상, 30％ 미만

1: 백청 발생 면적이 공시재의 편면의 총 면적에 대하여 30％ 이상

[표 4-1]

[표 4-2]

얻어진 결과를, 이하의 표 5에 통합하여 나타냈다.

이하의 표 5로부터 명백한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 해당하는 도장 금속판은, 우수한 항바이러스성, 가공 밀착성 및 내식성을 나타내는 한편, 본 발명의 비교예에 해당하는 도장 금속판은, 항바이러스성 또는 가공 밀착성의 평가 결과가 불합격이 되었다.

[표 5]

이상, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명의 적합한 실시 형태에 대하여 상세하게 설명하였지만, 본 발명은 이러한 예에 한정되지는 않는다. 본 발명이 속하는 기술분야에 있어서의 통상의 지식을 가진 자라면, 특허 청구 범위에 기재된 기술적 사상의 범주 내에서, 각종 변경예 또는 수정예에 상도할 수 있음을 명백하고, 이들에 대해서도, 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것으로 이해된다.

1: 도장 금속판
10: 금속판
20: 광촉매층(제1 피막층)
30: 무기계 화성 처리 피막층(제2 피막층)
40: 유기계 화성 처리 피막층(제3 피막층)
50: 보호층(제4 피막층)

Claims

금속판의 적어도 한쪽의 면에 피막층을 갖는 도장 금속판이며,
상기 피막층으로서, 상기 금속판의 적어도 한쪽의 면에 있어서 상기 피막층의 최표면에 위치하고, 광촉매 활성을 갖는 화합물을 적어도 함유하는 제1 피막층을 갖고 있고,
상기 제1 피막층의 평균 두께는, 0.05 내지 5.00㎛이며,
상기 금속판의 표면으로부터 상기 피막층의 최표면까지의 합계 두께는, 15.00㎛ 이하이며,
상기 도장 금속판에 대하여, JIS Z8741:1997에서 규정되는 60° 경면 광택도가, 80％ 이상인, 도장 금속판.
제1항에 있어서,
상기 제1 피막층은, 또한, Si 또는 Zr 중 적어도 어느 1종의 원소를 함유하고,
상기 원소의 합계 농도는, Si에 대해서는 실리카 환산, Zr에 대해서는 지르코니아 환산으로, 5 내지 50질량％인, 도장 금속판.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 피막층으로서, 상기 제1 피막층의 하층에 위치하고, Si 또는 Zr 중 적어도 어느 1종 이상의 원소를 갖는 무기계 성분으로 이루어지는 제2 피막층을 더 갖고 있고,
상기 제2 피막층의 평균 두께는, 0.10 내지 5.00㎛인, 도장 금속판.
제3항에 있어서,
상기 제2 피막층은, 또한, P 또는 V 중 적어도 어느 1종의 원소를 갖는 무기계 성분을 함유하는, 도장 금속판.
제3항 또는 제4항에 있어서,
상기 제1 피막층의 평균 두께에 대한, 상기 제2 피막층의 평균 두께의 비율은, 0.3 내지 12.0인, 도장 금속판.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 피막층으로서,
상기 제1 피막층의 하층에 위치하는, 유기계 성분을 포함하는 제3 피막층과,
상기 제1 피막층과 상기 제3 피막층 사이에 위치하는 제4 피막층을
더 갖고 있고,
상기 제3 피막층의 평균 두께는, 0.10 내지 5.00㎛이며,
상기 제4 피막층의 평균 두께는, 0.05 내지 5.00㎛인, 도장 금속판.
제6항에 있어서,
상기 제1 피막층의 평균 두께에 대한, 상기 제3 피막층의 평균 두께의 비율은, 0.5 내지 20.0이며,
상기 제1 피막층의 평균 두께에 대한, 상기 제4 피막층의 평균 두께의 비율은, 0.3 내지 20.0인, 도장 금속판.
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 금속판의 표면으로부터 상기 제1 피막층의 최표면까지의 합계 두께는, 10.00㎛ 이하인, 도장 금속판.
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 광촉매 활성을 갖는 화합물은, 아나타아제형 산화티타늄인, 도장 금속판.
제9항에 있어서,
상기 아나타아제형 산화티타늄은, Cu 또는 Fe 중 적어도 어느 한쪽의 금속에 담지된, 금속 담지형 산화티타늄인, 도장 금속판.
제9항 또는 제10항에 있어서,
상기 제1 피막층에 있어서의 상기 아나타아제형 산화티타늄의 농도는, 티타니아 환산으로, 50 내지 95질량％인, 도장 금속판.
제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 아나타아제형 산화티타늄의 평균 입경은, 5 내지 200㎚인, 도장 금속판.
제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 금속판은, 아연 도금 강판, 아연-알루미늄 합금 도금 강판, 아연-알루미늄-마그네슘 합금 도금 강판, 알루미늄 도금 강판, 아연-니켈 합금 도금 강판, 아연-철 합금 도금 강판, 알루미늄판, 또는, 스테인리스판인, 도장 금속판.
제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 금속판의 표면에는, 당해 금속판의 압연 방향을 따른 헤어라인이 존재하는, 도장 금속판.
제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 금속판의 표면에는, 스팽글 모양이 존재하는, 도장 금속판.