KR20230144918A - 기판 처리 장치 및 이를 포함하는 시스템 - Google Patents

기판 처리 장치 및 이를 포함하는 시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR20230144918A
KR20230144918A KR1020220087561A KR20220087561A KR20230144918A KR 20230144918 A KR20230144918 A KR 20230144918A KR 1020220087561 A KR1020220087561 A KR 1020220087561A KR 20220087561 A KR20220087561 A KR 20220087561A KR 20230144918 A KR20230144918 A KR 20230144918A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
processing
substrate
space
chamber
support chuck
Prior art date
Application number
KR1020220087561A
Other languages
English (en)
Inventor
김형철
정유선
김동민
Original Assignee
주식회사 케이씨텍
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 케이씨텍 filed Critical 주식회사 케이씨텍
Priority to US18/131,099 priority Critical patent/US20230402297A1/en
Publication of KR20230144918A publication Critical patent/KR20230144918A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/6875—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support

Abstract

기판 처리 장치를 개시한다. 일 실시 예에서, 기판 처리 장치는 기판의 처리가 수행되는 처리 공간이 내부에 형성되는 챔버, 상기 챔버에 연결되고, 상기 처리 공간으로부터 상기 챔버의 외부로 처리 유체를 배출하기 위한 하나 이상의 배기 라인, 상기 처리 공간 내에 배치되고, 상기 기판이 상부에 배치되도록 상기 기판을 하측에서 지지하고, 제1 처리 유체를 수용 가능한 내부 공간이 형성되는 지지 척, 및 상기 챔버의 외부로부터 상기 제1 처리 유체를 공급받아 상기 내부 공간으로 상기 제1 처리 유체를 전달하기 위한 하나 이상의 제1 공급 라인을 포함할 수 있다. 이 외에 다양한 실시 예들이 가능할 수 있다.

Description

기판 처리 장치 및 이를 포함하는 시스템{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SYSTEM COMPRISING THE SAME}
아래의 실시 예는 기판 처리 장치 및 이를 포함하는 시스템에 관한 것이다.
일반적으로 반도체는 리소그래피, 증착 및 에칭 등과 같은 일련의 공정들이 반복적으로 수행되어 제조된다. 이러한 반도체를 구성하는 기판의 표면에는 반복적인 공정에 의해 각종 파티클, 금속 불순물 또는 유기물 등과 같은 오염물질들이 잔존하게 된다. 기판 상에 잔존하는 오염물질은 제조되는 반도체의 신뢰성을 저하시키므로, 이를 개선하기 위해 반도체 제조공정 중 기판을 세정하는 공정이 요구된다.
최근에는 처리 유체를 이용하여 기판을 처리하는 공정이 채용되고 있다. 이러한 처리 유체를 이용한 기판 처리 공정은 초임계 조건을 만족시키기 위해 처리 공간 내부에 고압이 형성되어야 한다. 이에, 챔버 내부에 처리 유체를 공급하는 라인과 밸브 등이 필요하며, 챔버로부터 외부로 처리 유체를 배출하는 라인과 밸브 등이 필요하게 된다.
처리 유체의 특성상, 처리 유체를 챔버에 공급하는 과정에서 유속 및 유량에 의해 파티클이 발생할 수 있다. 또한, 공정 정료 후에 라인 내에 오염물이 잔존할 수 있다. 따라서, 파티클 발생을 완화하고, 잔존하는 오염물을 제거할 수 있는 처리 시스템이 요구된다.
예를 들어, 공개특허공보 제10-2008-0056855호는, "기판 처리 장치 및 방법"을 개시한다.
전술한 배경기술은 발명자가 본원의 개시 내용을 도출하는 과정에서 보유하거나 습득한 것으로서, 반드시 본 출원 전에 일반 공중에 공개된 공지기술이라고 할 수는 없다.
일 실시 예에 따른 목적은, 처리 유체를 수용할 수 있는 지지 척을 통해 처리 유체가 챔버 내부로 고르게 분사되는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
일 실시 예에 따른 목적은, 처리 유체의 공급 및 분사 방법을 다양하게 구성하여 공정의 효율을 증대시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
일 실시 예에 따른 목적은, 처리 유체의 공급 단계를 다양하게 구성하여 공정의 효율을 증대시킬 수 있는 기판 처리 방법을 제공하는 것이다.
일 실시 예에서, 기판 처리 장치는 기판의 처리가 수행되는 처리 공간이 내부에 형성되는 챔버, 상기 챔버에 연결되고, 상기 처리 공간으로부터 상기 챔버의 외부로 처리 유체를 배출하기 위한 하나 이상의 배기 라인, 상기 처리 공간 내에 배치되고, 상기 기판이 상부에 배치되도록 상기 기판을 하측에서 지지하고, 제1 처리 유체를 수용 가능한 내부 공간이 형성되는 지지 척, 및 상기 챔버의 외부로부터 상기 제1 처리 유체를 공급받아 상기 내부 공간으로 상기 제1 처리 유체를 전달하기 위한 하나 이상의 제1 공급 라인을 포함할 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 지지 척은 상기 내부 공간에 수용된 상기 제1 처리 유체를 상기 처리 공간으로 분사하기 위한 하나 이상의 배출홀을 포함할 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 지지 척에 형성된 배출홀은 상기 지지된 기판에 대해 반대되는 방향으로 개방 형성될 수 있다.
일 실시 예에서, 기판 처리 장치는 상기 챔버의 외부로부터 상기 처리 공간으로 제2 처리 유체를 직접 분사하기 위한 하나 이상의 제2 공급 라인을 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 처리 공간을 형성하는 상기 챔버의 내벽을 기준으로, 상기 제1 공급 라인은 상기 챔버의 제1 지점으로부터 연장되고, 상기 제2 공급 라인은 상기 제1지점과 상이한 상기 챔버의 제2 지점으로부터 연장될 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 제2 공급 라인은 상기 처리 공간의 상부면 및 하부면 중 어느 하나로부터 연장될 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 제1 공급 라인은 복수로 구비되고, 상기 복수의 제1 공급 라인은, 상기 지지 척의 서로 다른 지점에 각각 연결되어 상기 내부 공간으로 상기 제1 처리 유체를 공급할 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 지지 척에는 한 쌍의 제1 공급 라인이 각각 연결되고, 상기 지지 척에 대한 상기 한 쌍의 제1 공급 라인은 서로 대향되는 연결 지점에 각각 연결될 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 지지 척의 하부면에는 상기 배출홀이 복수개로 형성되고, 상기 복수의 배출홀은 상기 지지 척의 하부면 중심을 기준으로 원형을 이루도록 배치될 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 지지 척의 하부면에는 상기 배출홀이 복수개로 형성되고, 상기 복수의 배출홀은 격자 패턴을 형성하도록 배치될 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 지지 척의 하부면에는 상기 배출홀이 복수개로 형성되고, 상기 복수의 배출홀은 다각형(polygon) 형상을 이루도록 배치될 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 지지 척의 하부면에는 상기 배출홀이 복수개로 형성되고, 상기 복수의 배출홀은 직선 형태를 이루도록 배치될 수 있다.
일 실시 예에서, 상기 제1 처리 유체의 분사 방향에 나란한 단면을 기준으로, 상기 지지 척의 외면 부위에 위치한 상기 배출홀의 직경은, 상기 내부 공간에 위치한 상기 배출홀의 직경보다 클 수 있다.
일 실시 예에서, 기판 처리 장치는 상기 챔버에 연결되고, 상기 처리 공간의 상부면으로부터 상기 기판을 향해 제2 처리 유체를 직접 분사하기 위한 하나 이상의 제2 공급 라인을 더 포함하고, 기판의 처리 공정은, 상기 제1 공급 라인을 통해 상기 내부 공간으로 전달된 상기 제1 처리 유체를 상기 배출홀을 통해 상기 처리 공간으로 공급한 이후, 상기 제2 공급 라인을 통해 상기 처리 공간으로 상기 제2 처리 유체를 공급하는 제1 공정, 상기 제2 공급 라인을 통해 상기 처리 공간으로 상기 제2 처리 유체를 공급한 이후, 상기 제1 공급 라인을 통해 상기 내부 공간으로 전달된 상기 제1 처리 유체를 상기 배출홀을 통해 상기 처리 공간으로 공급하는 제2공정, 및 상기 제1 공급 라인을 통해 상기 내부 공간으로 전달된 상기 제1 처리 유체를 상기 배출홀을 통해 상기 처리 공간으로 공급하는 동작과, 상기 제2 공급 라인을 통해 상기 처리 공간으로 상기 제2 처리 유체를 공급하는 동작이 동시에 수행되는 제3공정 중, 어느 하나의 공정을 통해 수행될 수 있다.
일 실시 예에서, 기판 처리 시스템은 기판에 대한 처리 공정을 수행하는 기판 처리 장치, 및 상기 처리 공정을 수행하기 위해 상기 기판을 상기 기판 처리 장치 내부에 반입하고, 상기 처리 공정이 완료되면 상기 기판을 상기 기판 처리 장치로부터 반출하기 위한 이송부를 포함하고, 상기 기판 처리 장치는, 기판의 처리가 수행되는 처리 공간이 내부에 형성되는 챔버, 상기 챔버에 연결되고, 상기 처리 공간으로부터 상기 챔버의 외부로 처리 유체를 배출하기 위한 하나 이상의 배기 라인, 상기 처리 공간 내에 배치되고, 상기 기판이 상부에 배치되도록 상기 기판을 하측에서 지지하고, 제1 처리 유체를 수용 가능한 내부 공간이 형성되는 지지 척, 및 상기 챔버의 외부로부터 상기 제1 처리 유체를 공급받아 상기 내부 공간으로 상기 제1 처리 유체를 전달하기 위한 하나 이상의 제1 공급 라인을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 처리 유체를 고르게 분사할 수 있는 기판 처리 장치를 통해 기판 표면에서의 패턴 붕괴 현상을 방지할 수 있다.
일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 처리 유체를 공급하는 과정에서 기판에 손상이 가해지는 것을 방지할 수 있다.
일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 처리 유체를 수용할 수 있는 지지 척을 통해 처리 유체를 챔버 내부로 고르게 분사할 수 있다.
일 실시 예에 따른 기판 처리 방법은 처리 유체의 공급 및 분사 방법을 다양화하여 공정의 효율을 증대시킬 수 있다.
일 실시 예에 따른 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법의 효과는 이상에서 언급된 효과에 한정되지 않으며, 언급되지 아니한 다른 효과들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 일 실시 예에 따른 기판 처리 시스템의 개략도이다.
도 2a는 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 2b는 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 2c는 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 2d는 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 3a는 일 실시 예에 따른 지지 척의 하부면을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 3b는 일 실시 예에 따른 지지 척의 하부면을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 3c는 일 실시 예에 따른 지지 척의 하부면을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 3d는 일 실시 예에 따른 지지 척의 하부면을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 3e는 일 실시 예에 따른 지지 척의 하부면을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 3f는 일 실시 예에 따른 지지 척의 하부면을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 3g는 일 실시 예에 따른 지지 척의 하부면을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 4는 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 5는 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 6은 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법의 순서도이다.
본 특허출원은 2022년 04월 08일자 출원된 특허출원 제2022-0043954호를 기초로 우선권을 주장한 것이고, 해당 출원의 전체 내용이 본 특허출원에 참조로서 포함된다.
이하에서, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예들을 상세하게 설명한다. 그러나, 실시 예들에는 다양한 변경이 가해질 수 있어서 특허출원의 권리 범위가 이러한 실시 예들에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 실시 예들에 대한 모든 변경, 균등물 내지 대체물이 권리 범위에 포함되는 것으로 이해되어야 한다.
실시 예에서 사용한 용어는 단지 설명을 목적으로 사용된 것으로, 한정하려는 의도로 해석되어서는 안된다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 실시 예가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
또한, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 도면 부호에 관계없이 동일한 구성 요소는 동일한 참조부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 실시 예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 실시 예의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
또한, 실시 예의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 또 다른 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.
어느 하나의 실시 예에 포함된 구성요소와, 공통적인 기능을 포함하는 구성요소는, 다른 실시 예에서 동일한 명칭을 사용하여 설명하기로 한다. 반대되는 기재가 없는 이상, 어느 하나의 실시 예에 기재한 설명은 다른 실시 예에도 적용될 수 있으며, 중복되는 범위에서 구체적인 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 일 실시 예에 따른 기판 처리 시스템의 개략도이다.
도 1을 참조하면, 일 실시 예에 따른 기판 처리 시스템(1)은 기판(W)에 대한 처리 공정을 수행하는 시스템일 수 있다. 일 실시 예에 따른 기판 처리 시스템(1)은 챔버(110) 내부 공간에 고압을 형성하여 기판(W)을 처리하는 시스템일 수 있다. 예를 들어, 기판 처리 시스템(1)은 처리 유체로 기판을 처리하는 시스템일 수 있다. 기판 처리 공정은 기판(W)을 세정하는 공정 및/또는 기판(W)을 건조하는 공정을 포함할 수 있다. 예를 들어, 처리 유체는 초임계 이전 상태의 유체(예: 기체 또는 액체) 및/또는 초임계 상태의 유체를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 기판 처리 시스템(1)은 기판(W)에 대한 처리 공정을 수행하는 기판 처리 장치(11) 및 기판 처리 공정을 수행하기 위해 기판(W)을 기판 처리 장치(11) 내부에 반입하고, 기판 처리 공정이 완료되면 기판(W)을 기판 처리 장치(11)로부터 반출하기 위한 이송부(12)를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따른 기판 처리 시스템(1)은 기판 처리 공정이 수행되는 기판 처리 장치(11)로 기판(W)을 이송할 수 있다. 예를 들어, 이송부(12)는 챔버(110) 상에 형성되어 있는 개구부(111)를 통해 기판(W)을 기판 처리 장치(11) 내로 이송할 수 있다. 일 실시 예에 따른 기판 처리 시스템(1)은, 처리 유체를 공급받아 기판(W)이 수용되어 있는 곳으로 처리 유체를 분사하여 기판(W)의 표면에 잔존한 오염물질들을 제거할 수 있다.
도 2a 내지 도 2d는 다양한 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 2a 내지 도 2d에 따른 기판 처리 장치를 설명함에 있어서, 동일한 구성 요소는 동일한 참조부호를 부여하고 이에 대해 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 2a를 참조하면, 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치(11a)는 기판 처리 장치(11a) 내부에 제1 처리 유체(F1)를 분사할 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 처리 유체(F1)는 기판(W)을 건조시켜 오염 물질을 제거할 수 있다. 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치(11a)는, 이송부(예: 도 1의 이송부(12))로부터 기판(W)을 이송 받아, 챔버(110) 내부에 형성되는 처리 공간(1100)에 기판(W)을 수용할 수 있다. 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치(11a)는 챔버(110), 지지 척(120), 제1 공급 라인(130), 배기 라인(150) 및 배출홀(1201)을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따른 챔버(110)는 기판(W)의 처리가 수행되는 처리 공간(1100)을 제공할 수 있다. 일 실시 예에 따른 처리 공간(1100)은 챔버(110)의 내부에 형성될 수 있고, 기판(W)의 출입을 위한 개구부(111)가 챔버(110) 상에 형성될 수 있다. 예를 들어, 챔버(110)는 개구부(111)가 형성된 하우징, 개구부를 폐쇄하는 도어(미도시) 및 개구부 주변을 실링하는 실링 부재(미도시)를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따른 지지 척(120)은 기판(W)을 지지하고, 제1 처리 유체(F1)를 수용할 수 있다. 예를 들어, 지지 척(120)은 기판(W)이 상부에 배치되도록 기판(W)을 하측에서 지지할 수 있다. 일 실시 예에 따른 지지 척(120)은 챔버(110)의 처리 공간(1100) 내에 배치될 수 있다. 일 실시 예에 따른 지지 척(120)은 내부 공간(1200), 배출홀(1201) 및 지지 부재(1204)를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따른 지지 척(120)의 내부 공간(1200)은 지지 척(120)의 내부에 형성될 수 있다. 일 실시 예에 따른 내부 공간(1200)은 제1 처리 유체(F1)를 수용할 수 있다. 예를 들어, 제1 처리 유체(F1)는 후술할 제1 공급 라인(130)을 통해 기판 처리 장치(11a)의 챔버(110) 외부로부터 지지 척(120)의 내부 공간(1200)으로 전달될 수 있다.
일 실시 예에 따른 배출홀(1201)은 지지 척(120)의 내부 공간(1200)에 수용된 제1 처리 유체(F1)를 처리 공간(1100)으로 분사할 수 있다. 일 실시 예에 따른 배출홀(1201)은 지지 척(120) 상에 지지된 기판(W)에 대해 반대되는 방향으로 개방 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따른 지지 부재(1204)는 기판(W)의 하부면에 접촉되어 기판(W)을 지지할 수 있다. 일 실시 예에 따른 지지 부재(1204)의 개수는 하나 이상일 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 제1 공급 라인(130)은 기판 처리 장치(11a)의 챔버(110)와 지지 척(120)을 연결할 수 있다. 일 실시 예에 따른 제1 공급 라인(130)은 제1 처리 유체(F1)를 챔버(110)의 외부로부터 지지 척(120)의 내부 공간(1200)으로 전달할 수 있다.
일 실시 예에 따른 제1 공급 라인(130)은 챔버(110)의 내벽을 기준으로, 챔버(110)의 제1 지점(P1)에 연결될 수 있다. 예를 들어, 제1 공급 라인(130)은 챔버(110) 내부에 형성되는 처리 공간(1100)의 측면(1102)에 연결될 수 있다. 예를 들어, 제1 공급 라인(130)은 처리 공간(1100) 내의 제1 지점(P1)을 관통하여 지지 척(120)의 연결 지점(C1)에 연결되도록 연장될 수 있다. 일 실시 예에 의하면, 제1 지점(P1) 및 연결 지점(C1)은 지면에 대해 실질적으로 동일한 높이에 위치할 수 있다.
일 실시 예에 따른 배기 라인은 챔버(110)에 연결될 수 있다. 일 실시 예에 따른 배기 라인(150)은 챔버(110) 내의 처리 공간(1100)으로부터 챔버(110)의 외부로 처리 유체를 배출할 수 있다(도 2a의 F0 참조).
일 실시 예와 같은 구조에 의하면, 제1 처리 유체(F1)를 고르게 분사할 수 있다. 배출홀(1201)이 지지 척(120)의 하면(1203)에 형성되기 때문에, 제1 처리 유체(F1)가 기판(W)에 직접적으로 분사되지 않으므로, 제1 처리 유체(F1)를 공급하는 과정에서 기판(W)에 손상이 가해지는 것을 방지할 수 있다.
도 2b를 참조하면, 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치(11b)는 챔버(110)(예: 도 2a의 챔버(110)), 지지 척(120)(예: 도 2a의 지지 척(120)), 복수의 제1 공급 라인(130,130')(예: 도 2a의 제1 공급 라인(130)) 및 배기 라인(150)(예: 도 2a의 배기 라인(150))을 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치(11b)에서는, 공급 라인의 개수를 조절함으로써, 제1 처리 유체(F1)의 공급량을 조절하여, 기판 처리 공정의 효율을 증대시킬 수 있다.
일 실시 예에 따른 복수의 제1 공급 라인(130,130')은 챔버(110)의 처리 공간(1100) 내에서의 서로 다른 지점(P1,P1')으로부터 지지 척(120)의 서로 다른 지점(C1, C1')에 각각 연결되어 내부 공간(1200)으로 제1 처리 유체(F1)를 공급할 수 있다. 예를 들어, 지지 척(120)의 서로 다른 지점(C1, C1')은 지지 척(120)에 대해 서로 대향될 수 있다. 제1 처리 유체(F1)는 복수의 제1 공급 라인(130, 130')으로 동시에 공급되거나, 개별적으로 공급될 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 처리 유체(F1)는 챔버(110)에 연결된 배기 라인(150)을 통해 챔버(110)의 외부로 배출될 수 있다(도 2b의 F0 참조).
도 2c를 참조하면, 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치(11c)는 챔버(110)(예: 도 2a의 챔버(110)), 지지 척(120)(예: 도 2a의 지지 척(120)), 제1 공급 라인(130)(예: 도 2a의 제1 공급 라인(130)), 제2 공급 라인(140) 및 배기 라인(150) (예: 도 2a의 배기 라인(150))을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따른 제2 공급 라인(140)은 챔버(110)에 연결될 수 있다. 예를 들어, 제2 공급 라인(140)은 처리 공간(1100)을 형성하는 챔버(110)의 내벽을 기준으로 제1 공급 라인(130)이 연결되는 제1 지점(P1)과 상이한 제2 지점(P2)에 연결될 수 있다. 예를 들어, 제2 공급 라인(140)은 처리 공간(1100)의 상부면(예: 도 2a의 상부면(1104)) 및 하부면(예: 도 2a의 하부면(1105)) 중 어느 하나에 연결될 수 있다. 일 실시 예에 의하면, 제2 공급 라인(140)의 개수는 하나 이상일 수 있다. 제1 처리 유체(F1) 및 제2 처리 유체(F2)는 각각 제1 공급 라인(130) 및 제2 공급 라인(140)으로 동시에 공급되거나, 개별적으로 공급될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 제2 공급 라인(140)은 챔버(110)의 외부로부터 처리 공간(1100)으로 제2 처리 유체(F2)를 직접 분사할 수 있다. 예를 들어, 제2 공급 라인(140)은 처리 공간(1100)의 상부로부터 지지 척(120)에 반대되는 기판(W)의 상부면을 향해 제2 처리 유체(F2)를 직접 분사할 수 있다. 예를 들어, 제2 공급 라인(140)은 기판(W)의 중심을 향해 제2 처리 유체(F2)를 분사할 수 있다. 제2 처리 유체(F2)는 제1 처리 유체(F1)와 동일하거나, 상이할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 배기 라인(150)은 제1 공급 라인(130)을 통해 공급되는 제1 처리 유체(F1)와 제2 공급 라인(140)을 통해 공급되는 제2 처리 유체(F2)를 챔버(110)의 외부로 배출할 수 있다(도 2c의 F0 참조).
도 2d를 참조하면, 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치(11d)는 챔버(110)(예: 도 2a의 챔버(110)), 지지 척(120)(예: 도 2a의 지지 척(120)), 제1 공급 라인(130)(예: 도 2a의 지지 척(120)), 제2 공급 라인(140)(예: 도 2c의 제2 공급 라인(140)) 및 배기 라인(150)(예: 도 2a의 배기 라인(150))을 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따른 제2 공급 라인(140)은 챔버(110)의 하부면(예: 도 2a의 하부면(1105))에 연결될 수 있다.
도 2c 및 도 2d를 참조하면, 일 실시 예에 따른 기판 처리 공정은 제1 공급 라인(130)을 통해 지지 척(120)의 내부 공간(1200)으로 전달된 제1 처리 유체(F1)를 배출홀(1201)을 통해 챔버(110) 내의 처리 공간(1100)으로 공급한 이후, 제2 공급 라인(140)을 통해 챔버(110) 내의 처리 공간(1100)으로 제2 처리 유체(F2)를 공급하는 제1 공정일 수 있다.
일 실시 예에 따른 기판 처리 공정은 제2 공급 라인(140)을 통해 챔버(110) 내의 처리 공간(1100)으로 제2 처리 유체(F2)를 공급한 이후, 제1 공급 라인(130)을 통해 지지 척(120)의 내부 공간(1200)으로 전달된 제1 처리 유체(F1)를 배출홀(1201)을 통해 챔버(110) 내의 처리 공간(1100)으로 공급하는 제2 공정일 수 있다.
일 실시 예에 따른 기판 처리 공정은 제1 공급 라인(130)을 통해 지지 척(120)의 내부 공간(1200)으로 전달된 제1 처리 유체(F1)를 배출홀(1201)을 통해 챔버(110) 내의 처리 공간(1100)으로 공급하는 동작과, 제2 공급 라인(140)을 통해 챔버(110) 내의 처리 공간(1100)으로 제2 처리 유체(F2)를 공급하는 동작이 동시에 수행되는 제3 공정일 수 있다.
일 실시 예에 따른 기판 처리 장치(예: 도 1의 기판 처리 장치(11))는 제1 공정, 제2 공정 및 제3 공정 중 어느 하나에 따른 기판 처리 공정을 수행함으로써 기판 처리 효율을 조절할 수 있다.
도 3a 내지 도 3g는 다양한 실시 예에 따른 지지 척의 하부면을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 3a를 참조하면, 예를 들어, 배출홀(1201a)은 지지 척(예: 도 2a의 지지 척(120))의 하부면(예: 도 2a의 하부면(1203)) 중심(Cc)에 형성될 수 있다. 도 3b를 참조하면, 일 실시 예에 따른 배출홀(1201b)은 지지된 기판(W)의 면에 수직한 방향을 기준으로, 기판(W)의 중심(Cw)과 실질적으로 동일한 선 상에 위치할 수 있다.
도 3c 내지 도 3g를 참조하면, 일 실시 예에 따른 배출홀은 복수개로 형성될 수 있다. 예를 들어, 도 3c와 같이, 복수의 배출홀(1201c)은 지지 척(120)의 하부면 중심(Cc)을 기준으로 원형을 이루도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 도 3d와 같이, 복수의 배출홀(1201d)은 기판(W)의 중심(Cw)을 관통하는 축을 중심으로 원형을 이루도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 도3e와 같이, 복수의 배출홀(1201e)은 지지 척(120)의 하부면(1203)에서 격자 패턴을 형성하도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 도 3f와 같이, 복수의 배출홀(1201f)은 지지 척(120)의 하부면(1203)에서 다각형 형상을 이루도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 도 3g와 같이, 복수의 배출홀(1201g)은 지지 척(120)의 하부면(1203)에서 실질적으로 직선 형태를 이루도록 배치될 수 있다.
도 4는 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 4를 참조하면, 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치(41)는 챔버(110)(예: 도 2a의 챔버(110)), 지지 척(120)(예: 도 2a의 지지 척(120)), 제1 공급 라인(130)(예: 도 2a의 제1 공급 라인(130)) 및 배기 라인(150)(예: 도 2a의 배기 라인(150))을 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따른 지지 척(120)은 제1 공급 라인(130)으로부터 공급받은 제1 처리 유체(F1)를 챔버(110) 내의 처리 공간(1100)으로 배출하기 위해 배출홀(1201)을 포함할 수 있다.
일 실시예에 따른 배출홀(1201)에는 노즐(12010)이 연결될 수 있다. 일 실시 예에서, 노즐(12010)은 지지 척(120)의 내부 공간(예: 도 2a의 내부 공간(1200))의 처리 유체를 처리 공간(예: 도 2a의 처리 공간(1100))으로 분사하는 과정에서, 처리 유체를 분산시켜 배출할 수 있다. 예를 들어, 노즐(12010)을 통해 분사되는 처리 유체는 노즐(12010)의 직경보다 넓은 범위로 분사될 수 있다.
도 5는 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 5를 참조하면, 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치(51)는 챔버(110)(예: 도 2a의 챔버(110)), 지지 척(120)(예: 도 2a의 지지 척(120)), 제1 공급 라인(130)(예: 도 2a의 제1 공급 라인(130)) 및 배기 라인(150)(예: 도 2a의 배기 라인(150))을 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따른 지지 척(120)은 제1 공급 라인(130)으로부터 공급받은 제1 처리 유체(F1)를 챔버(110) 내의 처리 공간(1100)으로 배출하기 위해 배출홀(1201)을 포함할 수 있다.
일 실시 예에서, 제1 처리 유체(F1)의 분사 방향에 나란한 단면을 기준으로, 지지 척(120)의 외면 부위에 위치한 배출홀(1201)의 직경(D2)은 내부 공간(1200)에 위치한 배출홀(1201)의 직경(D1)보다 클 수 있다. 이에 의하면, 배출홀(1201)로부터 처리 공간(1100)으로의 제1 처리 유체(F1)의 유동 통로가 유동 경로를 따라 넓어지므로, 챔버(110) 내의 처리 공간(1100)으로 고르게 분사될 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로, 지지 척(120)의 외면 부위에 위치한 배출홀(1201)의 직경(D2)은 내부 공간(1200)에 위치한 배출홀(1201)의 직경(D1)보다 작을 수도 있다.
이하에서는, 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법에 대해 설명하도록 한다. 기판 처리 방법을 설명함에 있어서, 앞서 언급한 기재와 중복되는 기재는 생략하도록 한다. 또한, 특별한 언급이 없는 한 앞서 언급한 용어와 동일한 용어는 동일한 구성을 의미하는 것으로 이해할 수 있다.
도 6은 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법의 순서도이다.
도 6을 참조하면, 일 실시 예에서, 기판 처리 방법(60)은 처리 유체를 이용하여 기판(예: 도 2a의 기판(W))을 세정 및/또는 건조하는데 사용될 수 있다. 일 실시 예에서, 기판 처리 방법(60)은 기판 처리 장치(예: 도 2a의 기판 처리 장치(11a))에 의해 수행될 수 있다.
일 실시 예에 따른 기판 처리 방법(60)은 처리 대상 기판을 상기 처리 공간으로 반입하여, 지지 척의 상부에 상기 기판을 안착시키는 단계(601), 제1 공급 라인을 통해 지지 척의 내부에 형성된 내부 공간으로 제1 처리 유체를 공급하는 단계(602), 지지 척의 하부면에 형성된 배출홀을 통해 상기 내부 공간으로 공급된 제1 처리 유체를 처리 공간으로 배출하는 단계(603), 제2 공급 라인을 통해 처리 공간으로 제2 처리 유체를 공급하는 단계(604) 및 배기 라인을 통해 처리 공간으로부터 제1 처리 유체 및 제2 처리 유체를 배출하는 단계(605)를 포함할 수 있다.
단계 601 에서는, 이송부에 의해 기판이 챔버에 형성된 개구부를 통해 기판 처리 장치 내의 처리 공간으로 반입될 수 있다. 처리 공간으로 반입된 처리 대상 기판은 지지 척의 상부에 안착될 수 있다. 처리 대상 기판은 지지 척에 형성된 지지 부재를 통해 지지 척에 접촉될 수 있다.
단계 602 에서는, 챔버의 외부와 지지 척 내에 형성된 내부 공간을 관통하는 제1 공급 라인을 통해 제1 처리 유체가 지지 척 내의 내부 공간으로 공급될 수 있다. 일 실시 예에 의하면, 제1 공급 라인이 챔버와 연결되는 지점과 제1 공급 라인이 지지 척 내의 내부 공간과 연결되는 지점은 지면에 대해 실질적으로 동일한 높이에 위치할 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 공급 라인은 하나 이상일 수 있고, 복수의 제1 공급 라인은 지지 척에 대해 서로 대향되는 연결 지점에 각각 연결될 수 있다.
단계 603 에서는, 제1 공급 라인을 통해 챔버 외부로부터 지지 척 내의 내부 공간으로 공급된 제1 처리 유체가 지지 척의 하부면에 형성된 배출홀을 통해 챔버 내의 처리 공간으로 배출될 수 있다. 일 실시 예에서, 배출홀은 지지 척 하부면의 중심 또는 지지된 기판의 중심과 동일 선 상에 형성될 수 있다. 일 실시 예에서 배출홀은 지지 척 하부면의 중심 또는 기판의 중심을 관통하는 축을 중심으로 원형을 이루도록 배치될 수 있다. 일 실시 예에서, 배출홀은 격자 패턴, 다각형 형상 또는 실질적인 직선 형태를 이루도록 배치될 수 있다. 일 실시 예에서, 배출홀에는 노즐이 연결되어 제1 처리 유체의 분사를 고르게 할 수 있다.
단계 604 에서는, 챔버의 외부와 챔버 내에 형성된 처리 공간을 관통하는 제2 공급 라인을 통해 제2 처리 유체가 챔버 내의 처리 공간으로 공급될 수 있다. 일 실시 예에 의하면, 제2 공급 라인은 하나 이상일 수 있고, 처리 공간의 상부면 및 하부면 중 어느 하나에 연결될 수 있다.
단계 605에서는, 챔버 내의 처리 공간으로 공급된 제1 처리 유체 및 제2 처리 유체가 배기 라인을 통해 챔버의 외부로 배출될 수 있다.
일 실시 예에서, 단계 604는 단계 602 이후에 수행되거나 단계 602 이전에 수행될 수 있다. 일 실시 예에서, 단계 604는 단계 602와 동시에 수행될 수 있다.
이상과 같이 실시 예들이 비록 한정된 도면에 의해 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기를 기초로 다양한 기술적 수정 및 변형을 적용할 수 있다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 시스템, 구조, 장치, 회로 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다.
그러므로, 다른 구현들, 다른 실시 예들 및 청구범위와 균등한 것들도 후술하는 청구범위의 범위에 속한다.
1: 기판 처리 시스템
11: 기판 처리 장치
12: 이송부
110: 챔버
120: 지지 척
130: 제1 공급 라인
140: 제2 공급 라인
150: 배기 라인
1100: 처리 공간
1200: 내부 공간
1201: 배출홀
F1: 제1 처리 유체
F2: 제2 처리 유체
60: 기판 처리 방법

Claims (15)

  1. 기판 처리 장치에 있어서,
    기판의 처리가 수행되는 처리 공간이 내부에 형성되는 챔버;
    상기 챔버에 연결되고, 상기 처리 공간으로부터 상기 챔버의 외부로 처리 유체를 배출하기 위한 하나 이상의 배기 라인;
    상기 처리 공간 내에 배치되고, 상기 기판이 상부에 배치되도록 상기 기판을 하측에서 지지하고, 제1 처리 유체를 수용 가능한 내부 공간이 형성되는 지지 척; 및
    상기 챔버의 외부로부터 상기 제1 처리 유체를 공급받아 상기 내부 공간으로 상기 제1 처리 유체를 전달하기 위한 하나 이상의 제1 공급 라인을 포함하는, 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 지지 척은 상기 내부 공간에 수용된 상기 제1 처리 유체를 상기 처리 공간으로 분사하기 위한 하나 이상의 배출홀을 포함하는, 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 지지 척에 형성된 배출홀은 상기 지지된 기판에 대해 반대되는 방향으로 개방 형성되는, 기판 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 챔버의 외부로부터 상기 처리 공간으로 제2 처리 유체를 직접 분사하기 위한 하나 이상의 제2 공급 라인을 더 포함하는, 기판 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 처리 공간을 형성하는 상기 챔버의 내벽을 기준으로,
    상기 제1 공급 라인은 상기 챔버의 제1 지점으로부터 연장되고,
    상기 제2 공급 라인은 상기 제1 지점과 상이한 상기 챔버의 제2 지점으로부터 연장되는, 기판 처리 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제2 공급 라인은 상기 처리 공간의 상부면 및 하부면 중 어느 하나로부터 연장되는, 기판 처리 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1 공급 라인은 복수로 구비되고,
    상기 복수의 제1 공급 라인은, 상기 지지 척의 서로 다른 지점에 각각 연결되어 상기 내부 공간으로 상기 제1 처리 유체를 공급하는, 기판 처리 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 지지 척에는 한 쌍의 제1 공급 라인이 각각 연결되고,
    상기 지지 척에 대한 상기 한 쌍의 제1 공급 라인은 서로 대향되는 연결 지점에 각각 연결되는, 기판 처리 장치.
  9. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 지지 척의 하부면에는 상기 배출홀이 복수개로 형성되고,
    상기 복수의 배출홀은 상기 지지 척의 하부면 중심을 기준으로 원형을 이루도록 배치되는, 기판 처리 장치.
  10. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 지지 척의 하부면에는 상기 배출홀이 복수개로 형성되고,
    상기 복수의 배출홀은 격자 패턴을 형성하도록 배치되는, 기판 처리 장치.
  11. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 지지 척의 하부면에는 상기 배출홀이 복수개로 형성되고,
    상기 복수의 배출홀은 다각형(polygon) 형상을 이루도록 배치되는, 기판 처리 장치.
  12. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 지지 척의 하부면에는 상기 배출홀이 복수개로 형성되고,
    상기 복수의 배출홀은 직선 형태를 이루도록 배치되는, 기판 처리 장치.
  13. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 제1 처리 유체의 분사 방향에 나란한 단면을 기준으로,
    상기 지지 척의 외면 부위에 위치한 상기 배출홀의 직경은, 상기 내부 공간에 위치한 상기 배출홀의 직경보다 큰, 기판 처리 장치.
  14. 제2항에 있어서,
    상기 챔버에 연결되고, 상기 처리 공간의 상부면으로부터 상기 기판을 향해 제2 처리 유체를 직접 분사하기 위한 하나 이상의 제2 공급 라인을 더 포함하고,
    기판의 처리 공정은,
    상기 제1 공급 라인을 통해 상기 내부 공간으로 전달된 상기 제1 처리 유체를 상기 배출홀을 통해 상기 처리 공간으로 공급한 이후, 상기 제2 공급 라인을 통해 상기 처리 공간으로 상기 제2 처리 유체를 공급하는 제1 공정;
    상기 제2 공급 라인을 통해 상기 처리 공간으로 상기 제2 처리 유체를 공급한 이후, 상기 제1 공급 라인을 통해 상기 내부 공간으로 전달된 상기 제1 처리 유체를 상기 배출홀을 통해 상기 처리 공간으로 공급하는 제2공정; 및
    상기 제1 공급 라인을 통해 상기 내부 공간으로 전달된 상기 제1 처리 유체를 상기 배출홀을 통해 상기 처리 공간으로 공급하는 동작과, 상기 제2 공급 라인을 통해 상기 처리 공간으로 상기 제2 처리 유체를 공급하는 동작이 동시에 수행되는 제3공정 중, 어느 하나의 공정을 통해 수행되는, 기판 처리 장치.
  15. 기판 처리 시스템에 있어서,
    기판에 대한 처리 공정을 수행하는 기판 처리 장치; 및
    상기 처리 공정을 수행하기 위해 상기 기판을 상기 기판 처리 장치 내부에 반입하고, 상기 처리 공정이 완료되면 상기 기판을 상기 기판 처리 장치로부터 반출하기 위한 이송부를 포함하고,
    상기 기판 처리 장치는,
    기판의 처리가 수행되는 처리 공간이 내부에 형성되는 챔버;
    상기 챔버에 연결되고, 상기 처리 공간으로부터 상기 챔버의 외부로 처리 유체를 배출하기 위한 하나 이상의 배기 라인;
    상기 처리 공간 내에 배치되고, 상기 기판이 상부에 배치되도록 상기 기판을 하측에서 지지하고, 제1 처리 유체를 수용 가능한 내부 공간이 형성되는 지지 척; 및
    상기 챔버의 외부로부터 상기 제1 처리 유체를 공급받아 상기 내부 공간으로 상기 제1 처리 유체를 전달하기 위한 하나 이상의 제1 공급 라인을 포함하는, 기판 처리 시스템.
KR1020220087561A 2022-04-08 2022-07-15 기판 처리 장치 및 이를 포함하는 시스템 KR20230144918A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US18/131,099 US20230402297A1 (en) 2022-04-08 2023-04-05 Substrate processing apparatus and system including the same

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20220043954 2022-04-08
KR1020220043954 2022-04-08

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20230144918A true KR20230144918A (ko) 2023-10-17

Family

ID=88557610

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020220087561A KR20230144918A (ko) 2022-04-08 2022-07-15 기판 처리 장치 및 이를 포함하는 시스템
KR1020230041282A KR20230144945A (ko) 2022-04-08 2023-03-29 기판 처리 장치 및 이를 포함하는 시스템

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020230041282A KR20230144945A (ko) 2022-04-08 2023-03-29 기판 처리 장치 및 이를 포함하는 시스템

Country Status (1)

Country Link
KR (2) KR20230144918A (ko)

Also Published As

Publication number Publication date
KR20230144945A (ko) 2023-10-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101889145B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
CN108028192B (zh) 基板处理方法及基板处理装置
KR101656981B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101776019B1 (ko) 노즐 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
JP2009076918A (ja) 基板加工方法、スピンユニット、及びこれを有する基板加工装置
JP2010109087A (ja) 基板処理装置
US20070163627A1 (en) Nozzle for substrate treatment apparatus
US10854477B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2013201334A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR20230144918A (ko) 기판 처리 장치 및 이를 포함하는 시스템
KR102427398B1 (ko) 배관유닛 및 이를 구비하는 세정장치
US20230402297A1 (en) Substrate processing apparatus and system including the same
CN116895568A (zh) 基板处理装置及包括该基板处理装置的系统
KR20090070573A (ko) 탑 노즐 및 기판 처리 장치
TWI697948B (zh) 基板處理方法以及基板處理裝置
KR102232495B1 (ko) 기판 건조 챔버
US20140373881A1 (en) Substrate treating apparatus
TWI673115B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
KR20060018420A (ko) 세정액 공급 장치 및 방법
JP6713370B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR102405228B1 (ko) 약액받이컵 및 이를 포함하는 기판세정장치
KR102115173B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102391208B1 (ko) 기판 건조 챔버
KR101641948B1 (ko) 기판 처리 장치 및 처리액 노즐
KR100941073B1 (ko) 탑 노즐 및 기판 처리 장치