KR20060018420A - 세정액 공급 장치 및 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 세정액을 공급하는 장치 및 방법에 관한 것이다. 상기 장치는 노즐과 플라즈마 발생기를 가진다. 상기 노즐은 몸체부와 이로부터 연장되는 분사부를 가지며, 상기 몸체부에는 탈이온수를 공급하는 유체공급부와 첨가 가스 및 질소 가스를 공급하는 가스공급부가 연결되고, 상기 탈이온수는 상기 가스들에 의해 상기 분사부 내에서 분무화된다. 상기 플라즈마 발생기는 상기 분사부 내의 유체를 플라즈마 상태로 여기하는 에너지를 인가한다.
세정, 플라즈마, 분무, 노즐

Description

세정액 공급 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR SUPPLYING CLEANING LIQUID}
도 1은 일반적인 세정액 공급 장치를 개략적으로 도시한 도면;
도 2는 본 발명의 바람직한 세정액 공급 장치가 개략적으로 도시된 도면
도 3은 도 2의 노즐의 단면도;
도 4는 도 3의 노즐 내에서 유체의 흐름을 개략적으로 도시한 도면; 그리고
도 5는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 세정액 공급 방법을 순차적으로 보여주는 플로우 차트이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
200 : 노즐 220 : 몸체부
240 : 분사부 300 : 플라즈마 발생기
400 : 유체 공급부 540 : 수소 공급부
560 : 산소 공급부 580 : 운반가스 공급부
본 발명은 기판을 제조하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 더 상세하게는 기 판을 세정하는 설비에 세정액을 공급하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼(W)를 집적 회로로 제조할 때 다양한 제조공정 중에 발생하는 잔류 물질(residual chemicals), 작은 파티클(small particles), 오염물(contaminants) 등을 제거하기 위하여 반도체 웨이퍼(W)를 세정하는 공정이 필요하다. 특히, 고집적화된 집적회로를 제조할 때는 반도체 웨이퍼(W)의 표면에 부착된 미세한 오염물을 제거하는 세정 공정은 매우 중요하다.
최근에 웨이퍼(W) 세정을 위해 세정액으로서 다양한 기능수가 사용되고 있다. 일반적으로 사용되고 있는 세정액 공급 장치(900)는 접촉기(920)와 노즐(960)을 가진다. 접촉기(920)에는 탈이온수를 공급하는 액 공급관(942)과 수소 가스 등을 공급하는 가스 공급관(944)이 연결된다. 접촉기(920) 내에서 수소가스가 탈이온수에 용해되어 기능수가 생성되며, 생성된 기능수는 노즐(960)을 통해 웨이퍼로 공급된다. 노즐(960)에는 기능수로부터 세정에 영향을 주는 입자들을 생성하기 위해 초음파 발생기(980)가 설치된다.
상술한 일반적인 설비에는 기능수의 종류에 따라 복수의 장치들이 제공되고, 웨이퍼는 순차적으로 각각의 장치로 이송되면서 공정이 수행된다. 따라서 공정에 소요되는 시간이 길고, 설비가 대형화된다. 또한, 기능수를 생성하기 위해 별도의 접촉기(920)가 필요하므로 장치구성이 복잡해지고, 설비 면적이 증대된다. 또한, 노즐(960)에 초음파 발생기(980) 장착시, 노즐 내에서 생성된 입자들의 크기가 수십 마이크로미터에 해당되고, 크기가 불균일하며, 입자들간에 응집되어 웨이퍼와 충돌시 웨이퍼(W)에 형성된 패턴이 손상된다. 또한, 오존수를 생성하기 위해 접촉 기(920)로 공급되는 오존을 발생시키는 장치가 별도로 요구된다.
본 발명은 공정 수행시 크고 불균일한 입자들로 인해 웨이퍼에 형성된 패턴에 국부적인 손상이 발생되는 것을 방지할 수 있는 세정액 공급 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 소형화되고 간단한 구성으로 세정에 영향을 미치는 입자들을 다량 제공할 수 있는 세정액 공급 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명인 세정액 공급 장치는 노즐과 플라즈마 발생기를 가진다. 상기 노즐은 몸체부와 이로부터 연장되는 분사부를 가지며, 상기 몸체부에는 유체를 공급하는 유체공급부와 가스를 공급하는 가스공급부가 연결되고, 상기 유체는 상기 가스에 의해 상기 분사부 내에서 분무화된다. 상기 몸체부에는 상기 유체가 공급되는 통로인 제 1통로와 상기 가스가 공급되는 통로인 제 2통로가 형성된다. 상기 플라즈마 발생기는 상기 분사부 내의 유체를 플라즈마 상태로 여기시키는 에너지를 인가한다. 상기 유체는 액체 또는 증기 상태의 물이고, 상기 가스는 수소와 산소 중 선택된 어느 하나인 첨가 가스를 포함할 수 있다. 또한, 상기 가스는 질소 가스 또는 비활성 가스를 더 포함할 수 있다.
일 예에 의하면 상기 제 1통로는 상기 몸체부의 중앙에 배치되고, 상기 제 2통로는 상기 제 1통로를 감싸도록 배치될 수 있다. 또한, 상기 제 2통로의 끝단은 제 1통로를 향하는 방향으로 하향 경사지고, 상기 제 2통로의 끝단부는 상기 분사부로 가까워질수록 통로가 좁아질 수 있다. 일 예에 의하면, 상기 플라즈마 발생기는 상기 분사부의 둘레를 감싸며, 고주파 에너지가 인가되는 코일 형상의 전극을 포함한다.
또한, 상기 가스 공급부는 수소가스를 공급하는 수소 공급관과 산소가스를 공급하는 산소 공급관, 그리고 상기 수소 공급관과 상기 산소 공급관 중 어느 하나가 상기 노즐의 몸체부와 연결되도록 상기 수소 공급관과 상기 산소 공급관에 설치된 밸브의 개폐를 제어하는 제어기를 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 반도체 장치에서 기판 상으로 세정액을 공급하는 방법은 노즐의 몸체부로부터 물을 포함하는 유체와 첨가 가스를 포함하는 가스가 상기 몸체부로부터 연장되도록 설치된 분사부로 공급되고, 상기 분사부 내에서 상기 물이 상기 첨가 가스에 의해 분무화되는 단계, 상기 분사부 내의 유체가 상기 분사부 둘레를 감싸는 코일 형상의 전극에 의해 플라즈마 상태로 여기되는 단계, 그리고 상기 분사부 내의 입자들이 기판 상으로 분사되는 단계를 포함한다. 상기 가스는 질소 가스 또는 비활성 가스를 더 포함할 수 있다.
상기 노즐의 몸체부로부터 물을 포함하는 유체와 첨가 가스를 포함하는 가스가 상기 몸체부로부터 연장되도록 설치된 분사부로 공급되고 상기 분사부 내에서 상기 물이 상기 첨가 가스에 의해 분무화되는 단계는 상기 몸체부의 중앙에 형성된 제 1통로를 통해 상기 유체를 분사하는 단계와 상기 제 1통로의 둘레를 감싸도록 형성되고 끝단부가 상기 제 1통로를 향해 하향경사진 제 2통로를 통해 상기 가스를 분사하는 단계를 포함할 수 있다.
또한, 상기 노즐의 몸체부로부터 물을 포함하는 유체와 첨가 가스를 포함하는 가스가 상기 몸체부로부터 연장되도록 설치된 분사부로 공급되고 상기 분사부 내에서 상기 물이 상기 첨가 가스에 의해 분무화되는 단계는 상기 몸체부의 중앙에 형성된 제 1통로를 통해 상기 유체를 분사하는 단계와 상기 제 1통로의 둘레를 감싸도록 형성되고, 끝단부에서 통로가 점진적으로 줄어드는 제 2통로를 통해 상기 가스를 분사하는 단계를 포함할 수 있다.
또한, 상기 방법은 상기 노즐의 몸체부로부터 물을 포함하는 유체와 첨가 가스를 포함하는 가스가 상기 몸체부로부터 연장되도록 설치된 분사부로 공급되고 상기 분사부 내에서 상기 물이 상기 첨가 가스에 의해 분무화되는 단계 이전에, 복수의 첨가 가스들 중 공정에 사용될 어느 하나의 첨가 가스를 선택하는 단계를 더 포함할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면 도 2 내지 도 5를 참조하면서 보다 상세히 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되어 지는 것으로 해석되어져서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 일 예에 따른 세정액 공급 장치(20)를 개략적으 로 보여주는 도면이다. 도 2를 참조하면, 세정 설비는 대상물이 놓여지는 지지판(120)을 가진다. 대상물은 실리콘 웨이퍼(W) 또는 유리기판과 같은 반도체 소자 제조에 사용되는 기판일 수 있다. 지지판(120)의 아래에는 지지판(120)을 지지하는 지지축(140)이 결합되며, 지지축(140)은 모터(160)에 의해 회전될 수 있다. 지지판(120) 상에는 웨이퍼로 세정을 위한 유체를 공급하는 세정액 공급 장치(20)가 배치된다.
세정액 공급 장치(20)는 노즐(200)과 플라즈마 발생기(300)를 가진다. 노즐(200)에는 유체를 공급하는 유체 공급부(400)와 가스를 공급하는 가스 공급부(500)가 결합된다. 유체 공급부(400)는 액 공급원(420)로부터 탈이온수 또는 초순수와 같은 물을 공급하는 액 공급관(440)을 가진다. 가스 공급부(500)는 첨가 가스를 공급하는 첨가가스 공급부(540, 560)와 질소나 비활성 가스와 같은 운반가스를 공급하는 운반가스 공급부(580)를 가진다. 첨가가스 공급부(540, 560)는 수소 공급원(542)과 연결되는 수소 공급관(544)과 산소 공급원(562)과 연결되는 산소 공급관(564)을 가지며, 수소 공급관(544)과 산소 공급관(564)은 노즐(200)과 연결되는 주 공급관(520)과 연결된다. 액 공급관(440), 수소 공급관(544), 그리고 산소 공급관(564) 각각에는 내부 통로를 개폐하거나 내부 통로를 흐르는 유체의 유량을 조절하는 밸브(460, 546, 566, 586)가 설치된다. 조절기(570)는 수소 공급관(544)과 산소 공급관(564) 중 선택된 어느 하나가 주 공급관(520)과 연결되도록 밸브들(546, 566)을 제어한다.
상술한 예에서는 노즐(200)로 액체 상태의 탈이온수가 공급되는 것으로 설명 하였다. 그러나 이는 일 예에 불과하며 노즐(200)로 공급시 증기 상태의 탈이온수가 공급될 수 있다. 또한, 상술한 예에서는 첨가가스 공급부(540, 560)가 수소 공급원(542)과 산소 공급원(562)을 가지는 것으로 설명하였다. 그러나 이와 달리, 첨가가스 공급부(540, 560)는 수소 공급원(542)과 산소 공급원(562) 중 어느 하나만을 포함하거나, 오존 등과 같은 다른 종류의 첨가 가스를 공급하는 공급원들을 더 포함할 수 있다.
도 3은 세정액 공급 장치(20)의 단면도이다. 도 2와 도 3을 참조하면, 노즐(200)은 몸체부(220)와 분사부(240), 그리고 상부판(260)을 가진다. 몸체부(220)는 대체로 원형의 관 형상을 가지며, 선단부(220a)에서 점진적으로 폭이 좁아진다. 몸체부(220)의 내부에는 탈이온수가 흐르는 제 1통로(222)와 첨가가스가 흐르는 제 2통로(224)가 형성된다. 제 1통로(222)는 몸체부(220) 내의 중앙에 위치되며, 제 2통로(224)는 제 1통로(222)를 감싸도록 링 형상으로 형성된다. 제 2통로(224)로부터 유출될 때 첨가 가스와 운반 가스는 유체를 향하도록 제 2통로(224)는 경사지도록 형성된다. 예컨대, 제 1통로(222)는 대체로 직선으로 형상지어지고, 제 2통로(224)는 대체로 직선으로 이루어지다가 몸체부(220)의 선단부(220a)에서 제 1통로(222)를 향하는 방향으로 경사진다. 또한, 제 1통로(222)와 제 2통로(224)는 몸체부(220)로부터 탈이온수 및 첨가 가스나 운반 가스가 분출될 때 높은 분사압력으로 분사되도록 선단부(222a, 224a)에서 점진적으로 통로가 줄어든다. 상부판(260)은 몸체부(220)의 상단에 결합되며, 상부판(260)에는 액 공급관(440)과 연결되며 제 1통로(222) 상에 위치되는 제 1홀(262)과 주 공급관(520)과 연결되며 제 2통로(224) 상에 위치되는 제 2홀(264)이 형성된다.
상술한 예에서는 제 1통로(222)가 몸체부(220)의 중앙에 형성되고, 제 2통로(224)가 제 1통로(224)를 감싸도록 형성되는 것으로 설명하였다. 그러나 이와 달리 제 2통로(224)가 몸체부(220)의 중앙에 형성되고, 제 1통로(222)가 제 2통로(224)를 감싸도록 형성되고, 제 2통로(224)의 끝단부가 제 1통로(222)를 향하도록 하향 경사지는 형상을 가질 수 있다.
몸체부(220)로부터 분사되는 유체와 가스는 분사부(240) 내로 유입된다. 분사부(240)는 몸체부(220)로부터 연장되어지도록 몸체부(220)에 결합된다. 분사부(240)는 대체로 동일한 횡단면을 가진다. 분사부(240)에는 플라즈마 발생기(300)가 결합된다. 플라즈마 발생기(300)는 분사부(240) 내로 유입된 유체로부터 세정에 영향을 주는 입자들을 생성한다. 플라즈마 발생기(300)는 분사부(240)의 외벽을 감싸는 코일 형상의 전극(320)과 이에 에너지를 인가하는 전원부(340)를 가진다. 예컨대, 전원부(340)는 전극(320)에 라디오 주파수(radio frequency) 또는 마이크로파(microwave)를 인가할 수 있다. 탈이온수는 분사부(240)로 유입될 때 이를 향해 분출되는 첨가 가스와 운반 가스와 부딪혀 분무화되어 분사부(240) 내에 퍼진다. 분사부(240) 내에서 분무화된 탈이온수와 첨가 가스는 플라즈마 발생기(300)로부터 제공되는 에너지에 의해 플라즈마 상태로 여기된다. 분사부(240) 내에는 수소 양이온(H+), 수소 음이온(H-), 수소 라디칼(H*), 산소 양이온(O+), 산소 음이온(O-), 산소 라디칼(O*), 산소가스(O2), 오존가스(O3), 그리고 수산화 이온(OH- ) 등 세정에 영 향을 주는 다양한 입자들이 생성된다. 첨가 가스가 수소인 경우, 수소 양이온, 수소 음이온, 수소 라디칼이 상대적으로 다량 생성되고, 첨가 가스가 산소인 경우, 산소 양이온, 산소 음이온, 산소 라디칼, 산소가스, 오존가스가 상대적으로 다량 생성된다. 이들 이온들은 분사부(240)로부터 웨이퍼 상으로 분사된다.
상술한 본 발명은 노즐(200)에 초음파 발생기(도 1의 980)가 설치된 도 1과 같은 장치에 비해 다음과 같은 잇점들이 있다. 도 1의 장치 사용시, 노즐(960)로 수소수가 공급되는 경우 노즐(200) 내에서 양의 수소이온, 음의 수소이온, 그리고 산소가 발생된다. 그러나 본 발명의 노즐(200))를 사용하는 경우, 다량의 양의 수소이온, 음의 수소이온, 수산화 이온과 소량의 양의 산소이온, 음의 산소이온, 오존(O3)이 발생된다. 양의 수소이온, 수산화 이온, 그리고 오존 등은 웨이퍼 표면에서 H2O, CO2 형태로 웨이퍼 상의 불순물과 반응하거나 웨이퍼 표면 상태의 결합 상태를 변화시켜 유기물이나 파티클 등이 웨이퍼와 재결합되는 것을 방지한다. 본 발명의 장치 사용시 세정에 영향을 미치는 입자들이 다양하고 더 많은 량이 생산되어 세정 효율이 크게 증가된다. 또한, 초음파 발생기(980)가 장착된 노즐(960)를 사용하는 경우, 분사되는 입자들의 크기가 수십 마이크로미터에 이르며 입자들간 균일도가 상이하다. 따라서 노즐(960)로부터 분사될 때 작은 크기의 입자들이 비교적 큰 입자와 뭉쳐지며, 이들 입자가 웨이퍼와 충돌하여 웨이퍼 상에 형성된 패턴을 손상시킨다. 그러나 본 발명의 노즐(200)을 사용하는 경우 입자들이 수 나노미터의 크기를 가지며 입자들의 크기가 균일하여 상술한 문제가 발생되지 않는다.
또한, 본 발명은 노즐(200) 내로 직접 탈이온수와 첨가 가스가 공급되므로 도 1의 장치처럼 기능수를 생성하기 위해 접촉기(도 1의 920)가 필요없다. 또한, 노즐(200)로 수소와 산소를 선택하여 공급할 수 있으므로 웨이퍼 상에서 제거하고자 하는 오염물질의 종류에 따라 공정의 전환이 용이하다.
도 5는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 세정액 공급 방법을 순차적으로 보여주는 플로우차트이다. 도 5를 참조하면, 처음에 노즐(200)로 공급되는 첨가 가스의 종류가 선택된다(스텝 S10). 조절기(570)는 수소 공급관(544)과 산소 공급관(564)에 설치된 밸브들(546, 566)을 제어하고, 수소와 산소 중 선택된 어느 하나와 탈이온수, 질소가스가 노즐(200)의 몸체부(220) 내로 공급된다(스텝 S20). 몸체부(220)로부터 분사부(240)로 탈이온수, 질소가스, 첨가가스가 공급되며, 분사부(240) 내에서 탈이온수는 질소가스와 첨가 가스에 의해 분무 상태의 입자로 퍼진다(스텝 S30). 탈이온수와 첨가가스는 분사부(240) 내에서 플라즈마 상태로 여기된다(스텝 S40). 분사부(240) 내에서 생성된 다양한 이온들이 분사부(240)로부터 분사되어 웨이퍼 상으로 공급된다(스텝 S50).
본 발명에 의하면, 일반적인 장치와 달리 접촉기를 필요로 하지 않으므로 장치의 구성이 간단하고 장치의 설치 면적을 줄일 수 있다.
또한, 노즐에 RF 전력 또는 마이크로파가 인가되는 코일 형상의 전극을 설치함으로써, 세정에 영향을 미치는 입자들이 다양한 종류로 많은 량이 생산되어 세정효과를 증대할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 노즐로부터 분사되는 입자들의 크기가 작고 균일하여 웨이퍼에 손상을 가하지 않고 세정공정을 수행할 수 있다.

Claims (13)

  1. 반도체 제조 장치에서 기판 상으로 세정액을 공급하는 장치에 있어서,
    유체를 공급하는 유체공급부와 가스를 공급하는 가스공급부가 연결된 몸체부 및 상기 몸체부로부터 연장되며 상기 유체와 상기 가스가 흐르는 공간을 제공하는 분사부를 가지는 노즐과;
    상기 분사부 내의 유체를 플라즈마 상태로 여기하는 에너지를 인가하는 플라즈마 발생기를 포함하되,
    상기 몸체부에는 상기 유체가 공급되는 통로인 제 1통로와 상기 가스가 공급되는 통로인 제 2통로가 형성된 것을 특징으로 하는 세정액 공급 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 유체는 액체 또는 증기 상태의 물이고, 상기 가스는 수소와 산소 중 선택된 어느 하나인 첨가 가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 세정액 공급 장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 가스는 질소 가스 또는 비활성 가스를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 세정액 공급 장치.
  4. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1통로는 상기 몸체부의 중앙에 배치되고, 상기 제 2통로는 상기 제 1통로를 감싸도록 배치되는 것을 특징으로 하는 세정액 공급 장치.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 제 2통로의 끝단은 제 1통로를 향하는 방향으로 하향 경사진 것을 특징으로 하는 세정액 공급 장치.
  6. 제 4항에 있어서,
    상기 제 2통로의 끝단부는 상기 분사부로 가까워질수록 통로가 좁아지는 것을 특징으로 하는 세정액 공급 장치.
  7. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 플라즈마 발생기는 상기 분사부의 둘레를 감싸며, 고주파 에너지가 인가되는 코일 형상의 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 세정액 공급 장치.
  8. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가스 공급부는,
    수소가스를 공급하는 수소 공급관과;
    산소가스를 공급하는 산소 공급관과;
    상기 수소 공급관과 상기 산소 공급관 중 어느 하나가 상기 노즐의 몸체부와 연결되도록 상기 수소 공급관과 상기 산소 공급관에 설치된 밸브 개폐 동작을 제어하는 제어기를 포함하는 것을 특징으로 하는 세정액 공급 장치.
  9. 반도체 장치에서 기판 상으로 세정액을 공급하는 방법에 있어서,
    노즐의 몸체부로부터 물을 포함하는 유체와 첨가 가스를 포함하는 가스가 상기 몸체부로부터 연장되도록 설치된 분사부로 공급되고, 상기 분사부 내에서 상기 물은 상기 첨가 가스에 의해 분무화되는 단계와;
    상기 분사부 내의 유체가 상기 분사부 둘레를 감싸는 코일 형상의 전극에 의해 플라즈마 상태로 여기되는 단계와; 그리고
    상기 분사부 내의 입자들이 기판 상으로 분사되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 세정액 공급 방법.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 가스는 질소 가스 또는 비활성 가스를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 세정액 공급 방법.
  11. 제 9항 또는 제 10항에 있어서,
    상기 노즐의 몸체부로부터 물을 포함하는 유체와 첨가 가스를 포함하는 가스가 상기 몸체부로부터 연장되도록 설치된 분사부로 공급되고 상기 분사부 내에서 상기 물은 상기 첨가 가스에 의해 분무화되는 단계는,
    상기 몸체부의 중앙에 형성된 제 1통로를 통해 상기 유체를 분사하는 단계와;
    상기 제 1통로의 둘레를 감싸도록 형성되고, 끝단부가 상기 제 1통로를 향해 하향경사진 제 2통로를 통해 상기 가스를 분사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 세정액 공급 방법.
  12. 제 9항 또는 제 10항에 있어서,
    상기 노즐의 몸체부로부터 물을 포함하는 유체와 첨가 가스를 포함하는 가스가 상기 몸체부로부터 연장되도록 설치된 분사부로 공급되고 상기 분사부 내에서 상기 물이 상기 첨가 가스에 의해 분무화되는 단계는,
    상기 몸체부의 중앙에 형성된 제 1통로를 통해 상기 유체를 분사하는 단계와;
    상기 제 1통로의 둘레를 감싸도록 형성되고, 끝단부에서 통로가 점진적으로 줄어드는 제 2통로를 통해 상기 가스를 분사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 세정액 공급 방법.
  13. 제 9항 또는 제 10항에 있어서,
    상기 방법은 상기 노즐의 몸체부로부터 물을 포함하는 유체와 첨가 가스를 포함하는 가스가 상기 몸체부로부터 연장되도록 설치된 분사부로 공급되고 상기 분사부 내에서 상기 물이 상기 첨가 가스에 의해 분무화되는 단계 이전에,
    복수의 첨가 가스들 중 공정에 사용될 어느 하나의 첨가 가스를 선택하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 세정액 공급 방법.
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