KR101100272B1 - 기판에 세정액을 공급하는 장치 및 이를 사용하여 기판을세정하는 방법 - Google Patents

기판에 세정액을 공급하는 장치 및 이를 사용하여 기판을세정하는 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101100272B1
KR101100272B1 KR1020040066783A KR20040066783A KR101100272B1 KR 101100272 B1 KR101100272 B1 KR 101100272B1 KR 1020040066783 A KR1020040066783 A KR 1020040066783A KR 20040066783 A KR20040066783 A KR 20040066783A KR 101100272 B1 KR101100272 B1 KR 101100272B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas
contactor
supplying
liquid
functional water
Prior art date
Application number
KR1020040066783A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20060018424A (ko
Inventor
최용남
배정용
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020040066783A priority Critical patent/KR101100272B1/ko
Publication of KR20060018424A publication Critical patent/KR20060018424A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101100272B1 publication Critical patent/KR101100272B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 기판을 세정하는 방법에 관한 것으로, 상기 방법은 수소수, 오존수, 그리고 산소수를 순차적으로 공급하면서 기판을 세정하는 단계, 기판을 세척하는 단계, 그리고 기판을 건조하는 단계를 포함한다. 수소수, 오존수, 그리고 산소수는 접촉기에 수소, 오존, 그리고 산소를 순차적으로 공급함으로써 이루어진다.
세정, 수소수, 오존수, 산소수, 접촉기

Description

기판에 세정액을 공급하는 장치 및 이를 사용하여 기판을 세정하는 방법{APPARATUS FOR SUPPLYING CLEANING LIQUID TO SUBSTRATE AND METHOD FOR CLEANING SUBSTRATE USING THE APPARATUS}
도 1은 본 발명의 바람직한 일 예에 따른 세정액 공급장치를 포함하는 세정 설비를 개략적으로 보여주는 도면;
도 2는 분사기의 일예를 보여주는 도면;
도 3은 분사기의 다른 예를 보여주는 도면;
도 4는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 세정 방법을 순차적으로 보여주는 플로우차트; 그리고
도 5a 내지 도 5d는 각각의 세정단계에서 밸브들의 개폐상태를 보여주는 도면들이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
20 : 세정액 공급장치 200 : 분사기
240 : 초음파 발생기 260 : 플라즈마 발생기
300 : 접촉기 400 : 액 공급부
440 : 액 공급관 500 : 가스 공급부
542 : 제 1가스공급관 544 : 제 2가스공급관
546 : 제 3가스공급관 600 : 첨가제 공급부
본 발명은 기판을 제조하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 더 상세하게는 기판을 세정하는 설비에 세정액을 공급하는 장치 및 이를 사용하여 기판을 세정하는 방법에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼(W)를 집적 회로로 제조할 때 다양한 제조공정 중에 발생하는 잔류 물질(residual chemicals), 작은 파티클(small particles), 오염물(contaminants) 등을 제거하기 위하여 반도체 웨이퍼(W)를 세정하는 공정이 필요하다. 특히, 고집적화된 집적회로를 제조할 때는 반도체 웨이퍼(W)의 표면에 부착된 미세한 오염물을 제거하는 세정 공정은 매우 중요하다.
최근에 웨이퍼(W) 세정을 위해 세정액으로서 다양한 기능수가 사용되고 있다. 일반적인 세정 설비는 기능수의 종류에 따라 복수의 장치들이 제공되고, 웨이퍼(W)는 순차적으로 각각의 장치로 이송되면서 공정이 수행된다. 상술한 구조로 인해 공정에 소요되는 시간이 길고, 설비가 대형화된다.
또한, 상술한 장치에서 기능수로부터 세정에 영향을 주는 입자들을 발생시키기 위해 노즐에 초음파 발생기가 설치된다. 그러나 초음파 발생기가 장착된 노즐 사용시 입자들의 크기가 크고 불균일하며, 이들 입자들이 충돌시 웨이퍼(W)가 손상된다.
본 발명은 하나의 장치에서 다양한 기능수를 생산하며, 이들 기능수를 사용하여 순차적으로 웨이퍼(W) 세정을 수행할 수 있는 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 공정 수행시 이온과의 충격으로 인해 웨이퍼(W)에 형성된 패턴에 국부적인 손상을 가하는 것을 방지할 수 있는 세정 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명인 세정액 공급 장치는 액체에 가스를 용해시키는 접촉기를 가지며, 상기 접촉기에는 액체를 공급하는 액 공급부와 복수의 가스들을 공급하는 가스 공급부가 연결된다. 상기 접촉기에서 가스가 용해된 기능수는 분사기로 공급되고, 상기 분사기는 이를 웨이퍼 상으로 분사한다. 상기 가스 공급부에는 상기 가스 저장기에 저장된 가스들 중 세정 단계에 따라 선택된 적어도 하나의 가스가 상기 접촉기로 공급되도록 조절하는 조절기가 제공된다.
일 예에 의하면, 상기 가스 공급부는 수소를 공급하는 제 1가스공급관, 오존을 공급하는 제 2가스공급관, 그리고 산소를 공급하는 제 3가스공급관을 포함하고, 상기 액 공급관은 탈이온수를 공급하는 액 공급관을 포함한다.
상기 분사기는 몸체와 상기 몸체의 둘레를 감싸며 라디오주파수(radio frequency) 또는 마이크로파(microwave)가 인가되는 코일형상의 전극을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 세정 방법은 접촉기에서 제 1기능수를 생산하는 단계, 상기 제 1기능수를 분사기로 공급하여 기판을 세정하는 단계, 상기 접촉기에서 제 2기능수를 생산하는 단계, 그리고 상기 제 2기능수를 상기 분사기로 공급하여 상기 기판을 세정하는 단계를 포함한다. 상기 접촉기에서 제 1기능수를 생산하는 단계는 상기 접촉기로 액체와 제 1가스를 공급하여 상기 액체 내에 상기 제 1가스를 용해시키는 단계를 포함하고, 상기 접촉기에서 제 2기능수를 생산하는 단계는 상기 접촉기로 상기 제 1가스의 공급을 중단하고 제 2가스를 상기 접촉기로 공급하여 상기 액체 내에 상기 제 2가스를 용해시키는 단계를 포함한다.
상기 액체는 탈이온수이고, 상기 제 1가스와 상기 제 2가스 중 어느 하나는 수소이며, 다른 하나는 산소 또는 오존일 수 있다.
또한, 상기 접촉기에서 제 1기능수를 생산하는 단계와 상기 접촉기에서 제 2기능수를 생산하는 단계는 각각 상기 접촉기로 첨가제를 공급하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 접촉기에서 제 1기능수를 생산하는 단계에서, 상기 제 1가스는 수소이고, 상기 첨가제는 수산화 암모늄을 포함하며, 상기 접촉기에서 제 2기능수를 생산하는 단계에서 상기 제 2가스는 산소 또는 오존이고, 상기 첨가제는 염화수소을 포함한다.
또한, 상기 기판 세정 방법은 상기 접촉기에서 제 3기능수를 생산하는 단계와 상기 제 3기능수를 상기 분사기로 공급하여 상기 기판을 세정하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 접촉기에서 제 3기능수를 생산하는 단계는 상기 접촉기로 상기 제 2가스의 공급을 중단하고 제 3가스를 상기 접촉기로 공급하여 상기 액체 내에 상기 제 2가스를 용해시키는 단계를 포함한다. 이 경우, 상기 액체는 탈이온수이고, 상기 제 1가스, 상기 제 2가스, 상기 제 3가스 중 어느 하나는 수소이고, 다른 하나는 오존이며, 또 다른 하나는 산소일 수 있다. 바람직하게는 상기 제 1가스는 수소이고, 상기 제 2가스는 오존이고, 상기 제 3가스는 산소이며, 상기 접촉기에서 제 1기능수를 생산하는 단계는 상기 접촉기로 상기 접촉기로 수산화 암모늄을 공급하는 단계를 더 포함하고, 상기 접촉기에서 제 2기능수를 생산하는 단계는 상기 접촉기로 염화수소를 공급하는 단계를 더 포함하고, 상기 접촉기에서 제 3기능수를 생산하는 단계는 상기 접촉기로 염화수소를 공급하는 단계를 더 포함한다.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면 도 1 내지 도 5를 참조하면서 보다 상세히 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되어 지는 것으로 해석되어져서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다.
도 1은 본 발명의 바람직한 일 예에 따른 세정액 공급장치(20)를 포함하는 세정 설비를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 1을 참조하면, 세정 설비는 대상물이 놓여지는 지지판(120)을 가진다. 대상물은 실리콘 웨이퍼(W) 또는 유리기판과 같은 반도체 소자 제조에 사용되는 기판일 수 있다. 지지판(120)의 아래에는 지지판(120)을 지지하는 지지축(140)이 결합되며, 지지축(140)은 모터(160)에 의해 회 전될 수 있다. 지지판(120) 상에는 웨이퍼(W)로 세정을 위한 유체를 공급하는 세정액 공급장치(20)가 배치된다.
세정액 공급장치(20)는 접촉기(300), 액 공급부(400), 가스 공급부(500), 그리고 분사기(200)를 포함한다. 액 공급부(400)는 접촉기(300) 내부로 액체를 공급하고, 가스 공급부(500)는 접촉기(300) 내부로 가스를 공급한다. 접촉기(300)는 내부가 약 1 내지 3kfg/cm2의 압력으로 유지되도록 제조된다. 접촉기(300) 내에 탈이온수와 가스가 공급되면 접촉기 내부의 압력을 가스의 부분압보다 높게 유지하여 가스를 탈이온수에 용해시킨다. 액 공급부(400)는 액 공급원(420)으로부터 접촉기(300)로 액체를 공급하는 액 공급관(440)을 가진다. 액 공급관(440)에는 그 내부를 개폐하거나 그 내부를 흐르는 액체의 유량을 조절하는 밸브(442)가 설치된다. 액 공급관(440)에는 액체 내에 함유된 질소나 산소와 같은 불순물을 제거하는 탈기장치(460)가 설치될 수 있다. 액체 내에 질소나 산소가 함유되어 있으면 실질적으로 액체 내에 용해시키고자 하는 가스의 용존율이 낮아진다. 탈기장치(460)는 이를 방지하기 위한 것이다.
접촉기(300) 내에서는 공급되는 가스의 종류에 따라 복수의 기능수들이 생산되며, 이들을 각각 제 1기능수, 제 2기능수, …, 제 n기능수라 칭한다. 가스 공급부(500)는 제 1가스공급원(522)으로부터 제 1가스가 공급되는 제 1가스공급관(542), 제 2가스공급원(524)으로부터 제 2가스가 공급되는 제 2가스공급관(544), …, 제 n가스공급원으로부터 제 n가스가 공급되는 제 n가스공급관을 가진다. 제 1가스공급관(542), 제 2가스공급관(544), … 제 n가스공급관 각각에는 내부 통로를 개폐하거나 그 내부를 흐르는 유량을 조절하기 위한 밸브(562, 564, 566)가 설치된다. 각각의 밸브(562, 564, 566)는 작업자에 의해 수동으로 조작되는 수동밸브이거나 전기적으로 제어 가능한 솔레노이드 밸브일 수 있다. 가스 공급부(500)는 제 1가스, 제 2가스, …, 제 n가스 중 선택된 가스들만이 접촉기(300)로 공급되도록 하는 조절기(700)를 가진다. 조절기(700)는 밸브들(562, 564, 566)이 수동으로 조작되는 경우 각각의 공급관(542, 544, 546)에 설치된 상술한 밸브일 수 있다. 또는 도 1에 도시된 바와 같이 밸브들(562, 564, 566)이 전기적으로 조작되는 경우 조절기(700)는 밸브들(562, 564, 566)의 개폐를 제어하는 장치(700)일 수 있다.
세정액 공급장치(20)는 접촉기(300) 내로 첨가제를 공급하는 첨가제 공급부(600)를 가질 수 있다. 첨가제 공급부(600)는 접촉기(300)로 공급되는 가스의 종류에 따라 상이한 종류의 첨가제를 공급하는 첨가제 공급관들(642, 644)을 가진다. 첨가제 공급관은 접촉기(300)에 직접 연결되거나 액 공급관(440)으로부터 분기될 수 있다.
본 실시예에서는 공정에 3개의 기능수가 사용되는 경우를 예로 들어 설명한다. 제 1기능수, 제 2기능수, 그리고 제 3기능수는 각각 수소수, 오존수, 그리고 산소수이다. 수소수는 웨이퍼(W)에 부착된 환원성 유기물 제거에 효과적이며, 산소수 및 오존수는 웨이퍼(W)에 부착된 산화성 유기물이나 파티클 제거에 효과적이다. 이 경우, 액체는 탈이온수이고, 제 1가스, 제 2가스, 제 3가스는 각각 수소, 오존, 산소이다. 위의 경우 첨가제는 수산화 암모늄(NH4OH) 또는 염화수소(HCL)일 수 있으 며, 첨가제 공급부(600)는 수산화암모늄 공급원(622)과 연결되는 제 1첨가제 공급관(642)과 염화수소 공급원(624)과 연결되는 제 2첨가제 공급관(644)을 가진다. 접촉기(300)에서 수소수가 생산되는 경우 첨가제는 수산화 암모늄이 사용되고, 산소수 또는 오존수가 생산되는 경우 첨가제는 염화수소가 사용된다. 가스 공급부(500)는 접촉기(300)와 연결되는 주공급관을 포함하고, 제 1가스공급관(542), 제 2가스공급관(544), 제 3가스공급관(546), 그리고 주공급관(590)은 사방밸브(four-way valve)(580)에 결합될 수 있다. 선택적으로, 제 1가스공급관(542), 제 2가스공급관(544), 그리고 제 3가스공급관(546)은 직접 접촉기(300)에 연결될 수 있다.
상술한 실시예에서는 기능수로 수소수, 오존수, 그리고 산소수를 예로 들었다. 그러나 본 실시예에서 기능수의 수 및 종류는 일 예에 불과하며 다양하게 변화될 수 있다. 예컨대, 제 1기능수와 제 2기능수가 사용되며, 제 1기능수는 수소수이고 제 2기능수는 산소수 또는 오존수일 수 있다.
접촉기(300)로부터 생산된 기능수는 공급관(320)을 통해 분사기(200)로 공급된다. 공급관(320)에는 통로를 개폐하거나 유량을 조절하는 밸브(322)가 설치된다. 분사기(200)는 접촉기(300)로부터 공급되는 기능수를 웨이퍼(W) 상으로 분사한다. 분사기(200)는 내부에 기능수가 흐르는 통로가 형성된 몸체(220)를 가진다. 분사기(200)에는 기능수로부터 세정에 영향을 주는 복수의 인자들을 발생시키는 에너지가 인가될 수 있다. 일 예에 의하면 도 2에 도시된 바와 같이 몸체(220)의 둘레에는 초음파를 발생하여 분사기(200) 내를 흐르는 기능수를 진동시키는 초음파 발생기(240)가 설치될 수 있다. 다른 예에 의하면 도 3에 도시된 바와 같이 분사기(200) 에는 몸체(220) 내를 흐르는 기능수를 플라즈마로 변환시키기 위한 플라즈마 발생기(260)가 설치될 수 있다. 플라즈마 발생기(260)는 몸체(220)의 둘레를 감싸는 코일 형상의 전극(262) 및 전극(262)에 라디오주파수(radio frequency) 또는 마이크로파(microwave)를 인가하는 전력공급원(264)이 설치될 수 있다. 전극(262)의 재질은 구리일 수 있다.
분사기(200)로 수소수가 공급될 때, 초음파 발생기(240)가 장착된 분사기(200)를 사용하는 경우 양의 수소이온(H+), 음의 수소이온(H-), 그리고 산소(O2 )가 발생되나, 플라즈마 발생기(260)가 장착된 분사기(200)를 사용하는 경우, 다량의 양의 수소이온(H+), 음의 수소이온(H-), 산소(O2), 오존(O3), 그리고 수산화 이온(OH-)가 발생된다. 양의 수소이온, 수산화 이온, 그리고 오존 등은 웨이퍼 표면에서 H2O, CO2 형태로 웨이퍼 상의 불순물과 반응하게 되거나 웨이퍼 표면 상태의 결합 상태를 변화시켜 유기물이나 파티클 등의 재결합을 방지한다. 즉, 플라즈마 발생기(260)가 장착된 분사기(200)를 사용시 세정에 영향을 미치는 입자들이 더 다양하고 더 많은 량이 생산되어 세정 효율이 증가된다. 또한, 초음파 발생기(240)가 장착된 분사기(200)를 사용하는 경우, 분사되는 입자들의 크기가 수십 마이크로미터에 이르며 입자들간 균일도가 상이하다. 따라서 분사기(200)로부터 분사될 때 작은 크기의 입자들이 비교적 큰 입자와 뭉쳐지며, 이들 입자가 웨이퍼(W)와 충돌하여 웨이퍼(W)를 손상시킨다. 그러나 플라즈마 발생기(260)가 장착된 분사기(200)를 사용하 는 경우 입자들의 크기는 수 마이크로미터 또는 이보다 작으며 입자들의 크기가 균일하여 상술한 문제가 발생되지 않는다. 따라서 분사기(200)에는 플라즈마 발생기(260)가 장착된 것이 바람직하다.
도 4는 본 발명의 설비를 사용하여 기판을 세정하는 방법을 순차적으로 보여주는 플로우차트이고, 도 5a 내지 도 5d는 각각의 단계에서 각각의 관들(440, 542, 544, 546, 642, 644, 320)에 설치된 밸브들(442, 562, 564, 566, 642, 644, 322)의 개폐상태를 보여주는 도면들이다. 도 5a 내지 도 5d에 도시된 밸브들 중 내부가 채워진 밸브는 유체가 흐르지 않도록 닫혀진 상태를 나타내고, 내부가 빈 밸브는 유체가 흐르도록 개방된 상태를 나타낸다. 도 4, 도 5a 내지 도 5d를 참조하면, 처음에 웨이퍼(W)가 이송로봇(도시되지 않음) 등에 의해 지지판(120)에 로딩된다(스텝 S10).. 세정액을 사용하여 웨이퍼(W)를 세정하는 공정이 수행된다(스텝 S20). 처음에 수소수를 이용한 세정이 수행된다(스텝 S22). 액 공급관(440), 제 1가스공급관(542), 제 1첨가제 공급관(642)에 설치된 밸브들(442, 562, 642)이 개방되고, 제 2가스공급관(544), 제 3가스공급관(546), 제 2첨가제 공급관(644)에 설치된 밸브들(564, 566, 644)이 닫혀진다. 접촉기(300) 내에서 수소가 탈이온수에 용해되며, 접촉기(300)는 수소수를 분사기(200)로 공급한다(도 5a). 분사기(200)를 감싸는 전극(262)에 RF 전력 또는 마이크로파가 인가되며, 분사기(200)로부터 분사되는 유체에 의해 웨이퍼(W)상의 이물질(특히, 환원성 유기물)이 제거된다. 다음에 오존수를 이용한 세정이 수행된다(스텝 S24). 액 공급관(440), 제 2가스공급관(544), 제 2첨가제 공급관(644)에 설치된 밸브(442, 564, 666)가 개방되고, 제 1가스공급관(542), 제 3가스공급관(546), 그리고 제 1첨가제 공급관(642)에 설치된 밸브(562, 566, 642)가 닫혀진다. 접촉기(300) 내에서 오존이 탈이온수에 용해되며, 접촉기(300)는 오존수를 분사기(200)로 공급한다(도 5b). 분사기(200)를 감싸는 전극(262)에 RF 전력이 인가되며, 분사기(200)로부터 분사되는 유체에 의해 웨이퍼(W)상의 이물질(특히, 산화성 유기물 또는 파티클)이 제거된다. 다음에 산소수를 이용한 세정이 수행된다(스텝 S26). 액 공급관(440), 제 3가스공급관(546), 제 2첨가제 공급관(644)에 설치된 밸브(442, 566, 666)가 개방되고, 제 1가스공급관(542), 제 2가스공급관(544), 그리고 제 1첨가제 공급관(642)에 설치된 밸브(562, 564, 646)가 닫혀진다. 접촉기(300) 내에서 산소가 탈이온수에 용해되며, 접촉기(300)는 산소수를 분사기(200)로 공급한다(도 5c). 분사기(200)를 감싸는 전극(262)에 RF 전력이 인가되며, 분사기(200)로부터 분사되는 유체에 의해 웨이퍼(W) 상에 잔류하는 이물질(특히, 산화성 유기물, 또는 파티클)이 완전히 제거된다.
이후에 탈이온수를 사용하여 웨이퍼(W)를 린스하는 공정이 수행된다(스텝 S30). 액 공급관(440)에 설치된 밸브(442)가 개방되고, 제 1가스공급관(542), 제 2가스공급관(544), 제 3가스공급관(546), 제 1첨가제 공급관(642), 제 2첨가제 공급관(644)에 설치된 밸브(562, 564, 566, 646, 666)가 닫혀진다(도 5d). 린스공정이 완료되면 웨이퍼(W)를 건조하는 공정이 수행된다. 일 예에 의하면 웨이퍼(W)의 건조는 원심력에 의한 스핀건조 방식이 사용될 수 있다(스텝 S40). 건조가 완료되면 웨이퍼(W)는 이송로봇에 의해 지지판(120)으로부터 언로딩된다.(스텝 S50)
본 실시예에서는 기능수가 순차적으로 수소수, 오존수, 그리고 산소수인 것 으로 설명하였다. 그러나 공정 진행시 생산되는 기능수의 순서는 바꾸어질 수 있다. 또한, 사용되는 기능수의 종류 및 수는 일 예에 불과하며, 다른 종류의 기능수 및 2개 또는 4개 이상의 기능수가 순차적으로 공정에 사용될 수 있다.
본 발명에 의하면, 하나의 장치에서 복수의 기능수들이 순차적으로 공급되어 웨이퍼(W)를 세정하므로 일반적인 경우에 비해 공정에 소요되는 시간을 단축할 수 있고, 설비가 차지하는 면적을 줄일 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 분사기에 RF 전력 또는 마이크로파가 인가되는 코일 형상의 전극을 설치함으로써, 세정에 영향을 미치는 입자들이 다양한 종류로 많은 량이 생산되어 세정효과를 증대할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 분사기로부터 분사되는 입자들의 크기가 작고 균일하여 웨이퍼에 손상을 가하지 않고 세정공정을 수행할 수 있다.

Claims (10)

  1. 접촉기에서 제1기능수를 생산하는 단계와;
    상기 제1기능수를 분사기로 공급하여 기판을 세정하는 단계와;
    상기 접촉기에 제2기능수를 생산하는 단계와;
    상기 제2기능수를 상기 분사기로 공급하여 상기 기판을 세정하는 단계를 포함하되,
    상기 접촉기에서 제1기능수를 생산하는 단계는 상기 접촉기로 액체, 제1가스와 제1첨가제를 공급하여 상기 액체 내에 상기 제1가스와 상기 제1첨가제를 용해시키는 단계를 포함하고,
    상기 접촉기에서 제2기능수를 생산하는 단계는 상기 접촉기로 상기 제1가스와 상기 제1첨가제의 공급을 중단하고 제2가스와 제2첨가제를 상기 접촉기로 공급하여 상기 액체 내에 상기 제2가스와 상기 제2첨가제를 용해시키는 단계를 포함하되,
    상기 제1가스는 수소이고, 상기 제1첨가제는 수산화 암모늄을 포함하고,
    상기 제2가스는 산소 또는 오존이고, 상기 제2첨가제는 염화수소를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 방법.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 기판 세정 방법은 ,
    상기 접촉기에서 제3기능수를 생산하는 단계와;
    상기 제3기능수를 상기 분사기로 공급하여 상기 기판을 세정하는 단계를 더 포함하되,
    상기 접촉기에서 상기 제3기능수를 생산하는 단계는 상기 접촉기로 상기 제2가스와 제2첨가제의 공급을 중단하고 제3가스를 상기 접촉기로 공급하여 상기 액체 내에 상기 제3가스를 용해시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 방법.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 액체는 탈이온수이고, 상기 제2가스는 오존이고 상기 제3가스는 산소인 것을 특징으로 하는 기판 세정 방법.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 접촉기에서 제3기능수를 생산하는 단계는 상기 접촉기로 제3첨가제를 공급하는 단계를 더 포함하되,
    상기 제3첨가제는 염화수소인 것을 특징으로 하는 기판 세정 방법.
  8. 반도체 제조 설비에서 기판에 세정액을 공급하는 장치에 있어서,
    액체에 가스를 용해시키는 접촉기와;
    상기 접촉기로 액체를 공급하는 액 공급부와;
    상기 접촉기로 복수의 가스들을 공급하는 가스 공급부와; 그리고
    상기 접촉기로부터 가스가 용해된 액을 공급받아 이를 분사하는 분사기를 포함하되,
    상기 가스 공급부는 상기 가스 저장기에 저장된 가스들 중 세정 단계를 따라 선택된 적어도 하나의 가스가 상기 접촉기로 공급되도록 조절하는 조절기를 포함하고,
    상기 분사기는,
    몸체와;
    상기 몸체의 둘레를 감싸는 라디오 주파주(radio frequency) 또는 마이크로파(microwave)가 인가되는 코일 형상의 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 세정액 공급 장치.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 가스 공급부는 수소를 공급하는 제 1가스공급관, 오존을 공급하는 제 2가스공급관, 그리고 산소를 공급하는 제 3가스공급관을 포함하고,
    상기 액 공급관은 탈이온수를 공급하는 액 공급관을 포함하는 것을 특징으로 하는 세정액 공급 장치.
  10. 삭제
KR1020040066783A 2004-08-24 2004-08-24 기판에 세정액을 공급하는 장치 및 이를 사용하여 기판을세정하는 방법 KR101100272B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040066783A KR101100272B1 (ko) 2004-08-24 2004-08-24 기판에 세정액을 공급하는 장치 및 이를 사용하여 기판을세정하는 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040066783A KR101100272B1 (ko) 2004-08-24 2004-08-24 기판에 세정액을 공급하는 장치 및 이를 사용하여 기판을세정하는 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060018424A KR20060018424A (ko) 2006-03-02
KR101100272B1 true KR101100272B1 (ko) 2011-12-30

Family

ID=37126057

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040066783A KR101100272B1 (ko) 2004-08-24 2004-08-24 기판에 세정액을 공급하는 장치 및 이를 사용하여 기판을세정하는 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101100272B1 (ko)

Also Published As

Publication number Publication date
KR20060018424A (ko) 2006-03-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100445259B1 (ko) 세정방법 및 이를 수행하기 위한 세정 장치
TWI709169B (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
US20080308131A1 (en) Method and apparatus for cleaning and driving wafers
KR20070055515A (ko) 기판 처리 장치
KR20100100961A (ko) 반도체 웨이퍼 세척 방법 및 장치
CN107437516B (zh) 基板处理装置及基板处理方法
KR100682538B1 (ko) 반도체 웨이퍼 세정설비 및 세정방법
KR101100272B1 (ko) 기판에 세정액을 공급하는 장치 및 이를 사용하여 기판을세정하는 방법
KR20110077705A (ko) 매엽식 웨이퍼 세정 장치 및 방법
KR101021544B1 (ko) 기판 처리 장치 및 그의 기판 처리 방법
KR100625315B1 (ko) 세정액 공급 장치 및 방법
KR20080030203A (ko) 기판 세정 장치 및 이를 이용한 기판의 세정 방법
KR100625316B1 (ko) 기판에 세정액을 공급하는 장치
JP4286615B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
KR20090016231A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR100625317B1 (ko) 기판에 세정액을 공급하는 장치 및 방법
KR100809591B1 (ko) 매엽식 기판 세정 방법
KR101100277B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR100757329B1 (ko) 매엽식 기판 처리 장치
CN109396102B (zh) 晶片清洗设备和使用该设备的清洗方法
KR100895965B1 (ko) 습식세정장치
KR20000021143A (ko) 웨이퍼 표면 처리 방법
JP2000005710A (ja) 基板洗浄装置
KR20090068643A (ko) 반도체 소자를 제조하기 위한 세정 장치
KR20080026976A (ko) 기판 세정 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141223

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151223

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161214

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171213

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181220

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191211

Year of fee payment: 9