CN116895568A - 基板处理装置及包括该基板处理装置的系统 - Google Patents

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CN116895568A CN202310355426.8A CN202310355426A CN116895568A CN 116895568 A CN116895568 A CN 116895568A CN 202310355426 A CN202310355426 A CN 202310355426A CN 116895568 A CN116895568 A CN 116895568A
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Abstract

公开了一种基板处理装置。在一个实施例中，基板处理装置可包括：腔室，其内部形成有进行基板处理的处理空间；一条以上的排气线，其连接到腔室，并且用于从处理空间向腔室的外部排出处理流体；支撑卡盘，其配置于处理空间内，并且以使得基板配置于上部的形式从下侧支撑基板，并且形成有可收容第一处理流体的内部空间；以及一条以上的第一供给线，其用于从腔室的外部获得第一处理流体的供给，并向内部空间传递第一处理流体。此外，还可进行多种实施例。

Description

基板处理装置及包括该基板处理装置的系统
技术领域
下面的实施例涉及一种基板处理装置及包括该基板处理装置的系统。
背景技术
通常，半导体是反复进行光刻、蒸镀及蚀刻等一系列工艺而制造出来的。由于反复的工艺，在构成这种半导体的基板的表面残存有各种颗粒、金属杂质或有机物等污染物。基板上残存的污染物会使得制造出来的半导体的可靠性降低，因此为了改善这一现象，在半导体制造工艺中要求一种清洗基板的工艺。
最近采用了一种利用处理流体对基板进行处理的工艺。利用这种处理流体的基板处理工艺，为了满足超临界条件而必须在处理空间内部形成有高压。对此，需要向腔室内部供给处理流体的线和阀门等，并且需要从腔室向外部排出处理流体的线和阀门等。
在处理流体的特性上，在将处理流体供给至腔室的过程中，可能会因流速及流量而产生颗粒。另外，在工艺结束后，生产线内可能会残留污染物。因此，需要一种处理系统，以缓解颗粒产生，并且去除残留的污染物。
例如，公开专利公报第10-2008-0056855号公开了一种“基板处理装置及方法”。
以上背景技术是发明者在导出本申请的公开内容的过程中拥有或掌握的，并不一定是在本申请前向一般公众公开的公知技术。
发明内容
根据一个实施例的目的在于提供一种基板处理装置，其通过可收容处理流体的支撑卡盘将处理流体均匀地喷射到腔室内部。
根据一个实施例的目的在于提供一种基板处理装置，其通过构成各种处理流体的供给和喷射方法来提高工艺的效率。
根据一个实施例的目的在于提供一种基板处理方法，其可通过构成各种处理流体的供给步骤来提高工艺的效率。
在一个实施例中，基板处理装置可包括：腔室，其内部形成有进行基板处理的处理空间；一条以上的排气线，其连接到腔室，并且用于从处理空间向腔室的外部排出处理流体；支撑卡盘，其配置于处理空间内，并且以使得基板配置于上部的形式从下侧支撑基板，并且形成有可收容第一处理流体的内部空间；以及一条以上的第一供给线，其用于从腔室的外部获得第一处理流体的供给，并向内部空间传递第一处理流体。
在一个实施例中，支撑卡盘可包括一个以上的排出孔，其用于将收容于内部空间的第一处理流体喷射到处理空间。
在一个实施例中，形成于支撑卡盘的排出孔可沿与支撑的基板相反的方向开放形成。
在一个实施例中，基板处理装置还可包括一条以上的第二供给线，其用于从腔室的外部向处理空间直接喷射第二处理流体。
在一个实施例中，以形成处理空间的腔室的内壁为基准，第一供给线从腔室的第一点延长，并且第二供给线可从与第一点不同的腔室的第二点延长。
在一个实施例中，第二供给线可从处理空间的上部面及下部面中任意一面延长。
在一个实施例中，第一供给线设置有多条，并且多条第一供给线可分别连接到支撑卡盘的不同点，以向内部空间供给第一处理流体。
在一个实施例中，在支撑卡盘分别连接有一对第一供给线，并且支撑卡盘的一对第一供给线可分别连接到相互对向的连接点。
在一个实施例中，在支撑卡盘的下部面形成有多个排出孔，并且多个排出孔可配置为以支撑卡盘的下部面中心为基准形成圆形。
在一个实施例中，在支撑卡盘的下部面形成有多个排出孔，并且多个排出孔可以以形成格子图案的形式配置。
在一个实施例中，在支撑卡盘的下部面形成有多个排出孔，并且多个排出孔可以以形成多边形形状的形式配置。
在一个实施例中，在支撑卡盘的下部面形成有多个排出孔，并且多个排出孔可以以形成直线形态的形式配置。
在一个实施例中，以与第一处理流体的喷射方向平行的截面为基准，位于支撑卡盘的外面部位的排出孔的直径可比位于内部空间的排出孔的直径大。
在一个实施例中，基板处理装置还包括一条以上的第二供给线，其与腔室相连接，并且用于从处理空间的上部面向着基板直接喷射第二处理流体，基板的处理工艺是通过以下工艺中任意一项工艺进行的：第一工艺，其通过第一供给线将传递至内部空间的第一处理流体通过排出孔供给至处理空间以后，通过第二供给线将第二处理流体供给至处理空间；第二工艺，其通过第二供给线将第二处理流体供给至处理空间以后，通过第一供给线将传递至内部空间的第一处理流体通过排出孔供给至处理空间；以及第三工艺，其同时进行通过第一供给线将传递至内部空间的第一处理流体通过排出孔供给至处理空间的操作和通过第二供给线将第二处理流体供给至处理空间的操作。
在一个实施例中，基板处理系统包括：基板处理装置，其进行基板的处理工艺；以及移送部，其用于为了进行处理工艺而将基板搬入基板处理装置内部，并且当完成处理工艺后，将基板从基板处理装置搬出，基板处理装置可包括：腔室，其在内部形成有进行基板处理的处理空间；一条以上的排气线，其连接到腔室，并且用于从处理空间向腔室的外部排出处理流体；支撑卡盘，其配置于处理空间内，并且以使得基板配置于上部的形式从下侧支撑基板，并且形成有可收容第一处理流体的内部空间；以及一条以上的第一供给线，其从腔室的外部获得第一处理流体的供给，并向内部空间传递第一处理流体。
根据一个实施例的基板处理装置，包括：腔室，其内部形成有进行基板处理的处理空间；一条以上的排气线，其连接到腔室，并且用于从处理空间向腔室的外部排出处理流体；支撑卡盘，其配置于处理空间内，并且以使得基板配置于上部的形式从下侧支撑基板，并且形成有可收容第一处理流体的内部空间；以及一条以上的第一供给线，其用于从腔室的外部获得第一处理流体的供给，并向内部空间传递第一处理流体；一条以上的第二供给线，其从处理空间的上部面延长，并且用于从腔室的外部向处理空间直接喷射第二处理流体；以及一条以上的第三供给线，其从处理空间的下部面延长，并且用于从腔室的外部向处理空间直接喷射第三处理流体，支撑卡盘包括一个以上的排出孔，其沿与支撑的基板相反的方向开放形成，并且用于将收容在内部空间的第一处理流体喷射至处理空间。
根据一个实施例的基板处理装置可通过能够均匀地喷射处理流体的基板处理装置来防止出现基板表面上的图案崩坏的现象。
根据一个实施例的基板处理装置可防止在供给处理流体的过程中对基板造成损坏。
根据一个实施例的基板处理装置可通过能够收容处理流体的支撑卡盘将处理流体均匀地喷射到腔室内部。
根据一个实施例的基板处理方法可通过使得处理流体的供给和喷射方法多样化来提高工艺的效率。
根据一个实施例的基板处理装置和基板处理方法的效果不限于以上提到的效果，一般的技术人员可以从以下的记载中明确理解未提及的其他效果。
附图说明
图1是根据一个实施例的基板处理系统的概略图。
图2a是根据一个实施例的基板处理装置的截面图。
图2b是根据一个实施例的基板处理装置的截面图。
图2c是根据一个实施例的基板处理装置的截面图。
图2d是根据一个实施例的基板处理装置的截面图。
图2e是根据一个实施例的基板处理装置的截面图。
图3a是概略示出根据一个实施例的支撑卡盘的下部面的图。
图3b是概略示出根据一个实施例的支撑卡盘的下部面的图。
图3c是概略示出根据一个实施例的支撑卡盘的下部面的图。
图3d是概略示出根据一个实施例的支撑卡盘的下部面的图。
图3e是概略示出根据一个实施例的支撑卡盘的下部面的图。
图3f是概略示出根据一个实施例的支撑卡盘的下部面的图。
图3g是概略示出根据一个实施例的支撑卡盘的下部面的图。
图4是根据一个实施例的基板处理装置的截面图。
图5是根据一个实施例的基板处理装置的截面图。
图6是根据一个实施例的基板处理方法的顺序图。
标号说明
1：基板处理系统
11：基板处理装置
12：移送部
110：腔室
120：支撑卡盘
130：第一供给线
140：第二供给线
150：排气线
1100：处理空间
1200：内部空间
1201：排出孔
F1：第一处理流体
F2：第二处理流体
60：基板处理方法
具体实施方式
本专利申请是以2022年04月08日申请的专利申请第2022-0043954号为基础而主张优先权的，并且该申请的全部内容作为参照包含在本专利申请内。
以下，参照附图对实施例进行详细的说明。但是，由于实施例可进行多种变更，因此专利申请的权利范围并不受这些实施例的限制或限定。而是应当理解为对实施例进行的所有变更、均等物乃至替代物包含于权利范围内。
实施例中使用的术语仅用于说明目的，不应被解释为想要限定的意图。单数的表达包括多数的表达，除非文脉上有明显不同的意思。在本说明书中，“包括”或“具有”等术语应理解为要指定说明书中所记载的特征、数字、步骤、操作、构成要素、元件或它们组合的存在，不是事先排除一个或一个以上的其他特征或数字、步骤、操作、构成要素、元件或它们组合的存在或者附加可能性。
除非另有定义，否则包括技术的或科学的术语在内，在这里使用的所有术语都与在实施例所属的技术领域中具有一般知识的人通常所理解的含义具有相同的意义。通常使用的词典中定义的那些术语，应解释为具有与在相关技术的上下文中所具有的含义一致的意义，除非在本申请中明确定义，否则不能解释为理想的或过于形式上的意思。
另外，在参照附图进行说明时，不管附图标号如何，同一构成要素赋予相同的参照标号，并省略其重复的说明。在说明实施例时，当判断对相关的公知技术的具体的说明可能会不必要地模糊实施例的要旨时，将省略其详细的说明。
另外，在说明实施例的构成要素时，可以使用第一、第二、A、B、(a)、(b)等术语。这些术语只是为了将该构成要素与其他构成要素区别开来，并不因该术语而限制相关构成要素的本质或顺序或步骤等。当某个构成要素被记载为“连接”、“结合”或“接入”于其他构成要素时，应理解为虽然该构成要素可以直接连接或接入于其他构成要素，但在各构成要素之间也可以“连接”、“结合”或“接入”有另外的构成要素。
在某一个实施例中包含的构成要素和包含共同功能的构成要素，在其他实施例中使用相同的名称来进行说明。如果没有相反的记载,任何一个实施例中记载的说明都可适用于其他实施例，并在重复的范围内省略具体说明。
图1是根据一个实施例的基板处理系统的概略图。
参照图1，根据一个实施例的基板处理系统1可以是进行基板W处理工艺的系统。根据一个实施例的基板处理系统1可以是通过在腔室110内部空间形成高压来对基板W进行处理的系统。例如，基板处理系统1可以是一种用处理流体处理基板的系统。基板处理工艺可包括清洗基板W的工艺和/或干燥基板W的工艺。例如，处理流体可包括超临界以前状态的流体(例如：气体或液体)和/或超临界状态的流体。
根据一个实施例，基板处理系统1可包括：基板处理装置11，其进行基板W处理工艺；移送部12，其用于为了进行基板处理工艺而将基板W搬入基板处理装置11内部，并且当完成处理工艺后，将基板W从基板处理装置11搬出。
根据一个实施例的基板处理系统1可将基板W移送至进行基板处理工艺的基板处理装置11。例如，移送部12可通过形成于腔室110上的开口部111将基板W移送至基板处理装置11。根据一个实施例的基板处理系统1可获得处理流体的供给后喷射处理流体至收容有基板W的地方，从而可去除在基板W的表面残留的污染物。
图2a至图2e是根据多种实施例的基板处理装置的截面图。
在说明根据图2a至图2e的基板处理装置时，同一构成要素赋予相同的参照标号，并且省略其重复的说明。
参照图2a，根据一个实施例的基板处理装置11a可在基板处理装置11a内部喷射第一处理流体F1。在一个实施例中，第一处理流体F1可通过使得基板W干燥来去除污染物。根据一个实施例的基板处理装置11a从移送部(例如：图1的移送部12)接收移送的基板W，并在形成于腔室110内部的处理空间1100收容基板W。根据一个实施例的基板处理装置11a可包括腔室110、支撑卡盘120、第一供给线130、排气线150和排出孔1201。
根据一个实施例的腔室110可提供进行基板W处理的处理空间1100。根据一个实施例的处理空间1100可形成于腔室110内部，并且可在腔室110上形成有用于基板W出入的开口部111。例如，腔室110可包括形成有开口部111的外壳、用于封闭开口的门(未示出)以及密封开口部周边的密封部件(未示出)。
根据一个实施例的支撑卡盘120对基板W进行支撑，并且可收容第一处理流体F1。例如，支撑卡盘120可以使得基板W配置于上部的形式从下侧支撑基板W。根据一个实施例的支撑卡盘120可配置在腔室110的处理空间1100内。根据一个实施例的支撑卡盘120可包括内部空间1200、排出孔1201和支撑部件1204。
根据一个实施例的支撑卡盘120的内部空间1200可形成于支撑卡盘120的内部。根据一个实施例的内部空间1200可收容第一处理流体F1。例如，第一处理流体F1可通过后述的第一供给线130从基板处理装置11a的腔室110外部传递至支撑卡盘120的内部空间1200。
根据一个实施例的排出孔1201可将收容在支撑卡盘120的内部空间1200的第一处理流体F1喷射至处理空间1100。根据一个实施例的排出孔1201可沿与支撑在支撑卡盘120上的基板W相反的方向开放形成。
根据一个实施例的支撑部件1204可通过与基板W的下部面相接触来支撑基板W。根据一个实施例的支撑部件1204的数量可以是一个以上。
根据一个实施例，第一供给线130可连接基板处理装置11a的腔室110和支撑卡盘120。根据一个实施例的第一供给线130可将第一处理流体F1从腔室110的外部传递至支撑卡盘120的内部空间1200。
根据一个实施例的第一供给线130可以以腔室110的内壁为基准，连接到腔室110的第一点P1。例如，第一供给线130可连接到形成于腔室110内部的处理空间1100的侧面1102。例如，第一供给线130可延长得贯通处理空间1100内的第一点P1并连接到支撑卡盘120的连接点C1。根据一个实施例，第一点P1和连接点C1可相对于地面位于实质上相同的高度。
根据一个实施例的排气线可连接到腔室110。根据一个实施例的排气线150可将处理流体从腔室110内的处理空间1100排出至腔室110的外部(参照图2a的F0)。
根据与一个实施例相同的结构，可均匀地喷射第一处理流体F1。由于排出孔1201形成于支撑卡盘120的下面1203，因此第一处理流体F1不会直接喷射到基板W，从而可防止在供给第一处理流体F1的过程中对基板W造成损坏。
参照图2b，根据一个实施例的基板处理装置11b可包括腔室110(例如：图2a的腔室110)、支撑卡盘120(例如：图2a的支撑卡盘120)、多条第一供给线130、130'(例如：图2a的第一供给线130)和排气线150(例如：图2a的排气线150)。在根据一个实施例的基板处理装置11b中，可通过调节供给线的数量来调节第一处理流体F1的供给量，从而提高基板处理工艺的效率。
根据一个实施例的多条第一供给线130、130'从腔室110的处理空间1100内的不同点P1、P1'分别连接到支撑卡盘120的不同点C1、C1'，并可向内部空间1200供给第一处理流体F1。例如，支撑卡盘120的不同点C1、C1'可相对于支撑卡盘120相互对向。第一处理流体F1可同时供给至多条第一供给线130、130'，或者单独供给。在一个实施例中，第一处理流体F1可通过连接到腔室110的排气线150排出至腔室110的外部(参照图2b的F0)。
参照图2c，根据一个实施例的基板处理装置11c可包括腔室110(例如：图2a的腔室110)、支撑卡盘120(例如：图2a的支撑卡盘120)、第一供给线130(例如：图2a的第一供给线130)、第二供给线140和排气线(例如：图2a的排气线150)。
根据一个实施例的第二供给线140可连接到腔室110。例如，第二供给线140以形成处理空间1100的腔室110的内壁为基准，可连接到与第一供给线130连接的第一点P1不同的第二点P2。例如，第二供给线140可连接到处理空间1100的上部面(例如：图2a的上部面1104)和下部面(例如：图2a的下部面1105)中的任意一面。根据一个实施例，第二供给线140的数量可以是一个以上。第一处理流体F1和第二处理流体F2可分别同时供给至第一供给线130和第二供给线140，或者单独供给。
根据一个实施例，第二供给线140可直接从腔室110的外部向处理空间1100喷射第二处理流体F2。例如，第二供给线140可直接从处理空间1100的上部向着与支撑卡盘120相反的基板W的上部面喷射第二处理流体F2。例如，第二供给线140可向着基板W的中心喷射第二处理流体F2。第二处理流体F2可与第一处理流体F1相同或不同。
根据一个实施例，排气线150可将通过第一供给线130供给的第一处理流体F1和通过第二供给线140供给的第二处理流体F2排出至腔室110的外部(参照图2c的F0)。
参照图2d，根据一个实施例的基板处理装置11d可包括腔室110(例如：图2a的腔室110)、支撑卡盘120(例如：图2a的支撑卡盘120)、第一供给线130(例如：图2a的第一供给线130)、第二供给线140(例如：图2c的第二供给线140)和排气线150(例如：图2a的排气线150)。根据一个实施例的第二供给线140可连接到腔室110的下部面(例如：图2a的下部面1105)。
参照图2c和图2d，根据一个实施例的基板处理工艺可以是将通过第一供给线130传递至支撑卡盘120的内部空间1200的第一处理流体F1通过排出孔1201供给至腔室110内的处理空间1100之后，通过第二供给线140将第二处理流体F2供给至腔室110内的处理空间1100的第一工艺。
根据一个实施例的基板处理工艺可以是通过第二供给线140将第二处理流体F2供给至腔室110内的处理空间1100之后，将通过第一供给线130传递至支撑卡盘120的内部空间1200的第一处理流体F1通过排出孔1201供给至腔室110内的处理空间1100的第二工艺。
根据一个实施例的基板处理工艺可以是同时进行将通过第一供给线130传递至支撑卡盘120的内部空间1200的第一处理流体F1通过排出孔1201供给至腔室110内的处理空间1100的操作和通过第二供给线140将第二处理流体F2供给至腔室110内的处理空间1100的操作的第三工艺。
根据一个实施例的基板处理装置(例如：图1的基板处理装置11)可通过进行第一工艺、第二工艺和第三工艺中的任意一项的基板处理工艺来调节基板处理效率。
参照图2e，根据一个实施例的基板处理装置11e可包括腔室110(例如：图2a的腔室110)、支撑卡盘120(例如：图2a的支撑卡盘120)、第一供给线130(例如：图2a的第一供给线130)、第二供给线140(例如：图2c的第二供给线140)、第三供给线150和排气线160(例如：图2a的排气线150)。根据一个实施例的第二供给线140可连接到腔室110的上部面(例如：图2a的上部面1104)。根据一个实施例的第三供给线150可连接到腔室110的下部面(例如：图2a的下部面1105)。
根据一个实施例的基板处理装置11e可通过第一供给线130将第一处理流体F1供给至支撑卡盘120的内部空间1200。在一个实施例中，供给至支撑卡盘120的内部空间1200的第一处理流体F1可通过支撑卡盘120的排出孔1201供给至腔室110内的处理空间1100。
根据一个实施例的基板处理装置11e可通过第二供给线140直接将第二处理流体F2喷射到腔室110内的处理空间1100。根据一个实施例的第二供给线140从腔室110的上部面延长，因此第二处理流体F2可直接向着基板的上部面喷射。
根据一个实施例的基板处理装置11e可通过第三供给线150直接将第三处理流体F3喷射到腔室110内的处理空间1100。根据一个实施例的第三供给线150从腔室110的下部面延长，因此第三处理流体F3可直接向着支撑卡盘120的下部面喷射。
在一个实施例中，通过第一供给线130、第二供给线140和第三供给线150供给的第一处理流体F1、第二处理流体F2、第三处理流体F3可通过连接到腔室110的排放线160排出至腔室110的外部(例如：参照图2e的F0)。根据一个实施例的第一处理流体F1、第二处理流体F2和第三处理流体F3可以是不同的流体或者至少任意一个以上是相同的流体。
参照图2e，根据一个实施例的基板处理工艺可以是将通过第一供给线130传递至支撑卡盘120的内部空间1200的第一处理流体F1通过排出孔1201供给至腔室110内的处理空间1100之后，通过第二供给线140向腔室110内的处理空间1100供给第二处理流体F2，通过第三供给线150向腔室110内的处理空间1100供给第三处理流体F3的第一工艺。
根据一个实施例的基板处理工艺可以是通过第一供给线130供给第一处理流体F1后，通过第三供给线150供给第三处理流体F3，通过第二供给线140供给第二处理流体F2的第二工艺。
根据一个实施例的基板处理工艺可以是通过第二供给线140供给第二处理流体F2之后，通过第一供给线130供给第一处理流体F1，通过第三供给线150供给第三处理流体F3的第三工艺。
根据一个实施例的基板处理工艺可以是通过第二供给线140供给第二处理流体F2之后，通过第三供给线150供给第三处理流体F3，通过第一供给线130供给第一处理流体F1的第四工艺。
根据一个实施例的基板处理工艺可以是通过第三供给线150供给第三处理流体F3之后，通过第一供给线130供给第一处理流体F1，通过第二供给线140供给第二处理流体F2的第五工艺。
根据一个实施例的基板处理工艺可以是通过第三供给线150供给第三处理流体F3之后，通过第二供给线140供给第二处理流体F2，通过第一供给线130供给第一处理流体F1的第六工艺。
图3a至图3g是概略示出根据多种实施例的支撑卡盘的下部面的图。
参照图3a，例如，排出孔1201a可形成于支撑卡盘(例如：图2a的支撑卡盘120)的下部面(例如：图2a的下部面1203)的中心Cc。参照图3b，根据一个实施例的排出孔1201b可以以垂直于支撑的基板W的面的方向为基准，与基板W的中心Cw位于实质上相同的线上。
参照图3c至图3g，根据一个实施例的排出孔可形成有多个。例如，如图3c所示，多个排出孔1201c可配置为以支撑卡盘120的下部面中心Cc为基准形成圆形。例如，如图3d所示，多个排出孔1201d可配置为以贯通基板W的中心Cw的轴为中心形成圆形。例如，如图3e所示，多个排出孔1201e可配置为在支撑卡盘120的下部面1203上形成格子图案。例如，如图3f所示，多个排出孔1201f可配置为在支撑卡盘120的下部面1203上形成多边形形状。例如，如图3g所示,多个排出孔1201g可配置为在支撑卡盘120的下部面1203上形成实质性的直线形状。
图4是根据一个实施例的基板处理装置的截面图。
参照图4，根据一个实施例的基板处理装置41可包括腔室110(例如：图2a的腔室110)、支撑卡盘120(例如：图2a的支撑卡盘120)、第一供给线130(例如：图2a的第一供给线130)和排气线150(例如：图2a的排气线150)。根据一个实施例的支撑卡盘120可包括排出孔1201，以便将从第一供给线130获得供给的第一处理流体F1排出至腔室110内的处理空间1100。
在根据一个实施例的排出孔1201可连接有喷嘴12010。在一个实施例中，喷嘴12010可在将支撑卡盘120的内部空间(例如：图2a的内部空间1200)的处理流体喷射到处理空间(例如：图2a的处理空间1100)的过程中分散处理流体并排出。例如，通过喷嘴12010喷射的处理流体可喷射比喷嘴12010的直径更宽的范围。
图5是根据一个实施例的基板处理装置的截面图。
参照图5，根据一个实施例的基板处理装置51可包括腔室110(例如：图2a的腔室110)、支撑卡盘120(例如：图2a的支撑卡盘120)、第一供给线130(例如：图2a的第一供给线130)和排气线150(例如：图2a的排气线150)。根据一个实施例的支撑卡盘120可包括排出孔1201，以便将从第一供给线130供给的第一处理流体F1排出至腔室110内的处理空间1100。
在一个实施例中，以与第一处理流体F1的喷射方向平行的截面为基准，位于支撑卡盘120的外面部位的排出孔1201的直径D2可大于位于内部空间1200的排出孔1201的直径D1。据此，由于从排出孔1201到处理空间1100的第一处理流体F1的流动通道沿着流动路径变宽，因此可均匀地喷射到腔室110内的处理空间1100。但是，其作为一个示例，位于支撑卡盘120的外面部位的排出孔1201的直径D2也可小于位于内部空间1200的排出孔1201的直径D1。
以下，将对根据一个实施例的基板处理方法进行说明。在说明基板处理方法时，省略了与前述提到的记载重复的记载。另外，除非特别提到，否则可理解为与前面所提到的术语相同的术语意味着同一构成。
图6是根据一个实施例的基板处理方法的顺序图。
参照图6，在一个实施例中，基板处理方法60可利用处理流体来清洗和/或干燥基板(例如：图2a的基板W)。在一个实施例中，基板处理方法60可通过基板处理装置(例如：图2a的基板处理装置11a)来进行。
根据一个实施例的基板处理方法60，可包括：将处理对象基板搬入处理空间，并将基板安放在支撑卡盘的上部的步骤601；通过第一供给线将第一处理流体供给至形成于支撑卡盘内部的内部空间的步骤602；通过形成于支撑卡盘的下部面的排出孔将供给至内部空间的第一处理流体排出到处理空间的步骤603；通过第二供给线将第二处理流体供给至处理空间的步骤604；以及通过排气线从处理空间排出第一处理流体及第二处理流体的步骤605。
在步骤601中，可借助于移送部通过形成于腔室的开口部将基板搬入基板处理装置内的处理空间。搬入处理空间的处理对象基板可安放于支撑卡盘的上部。处理对象基板可通过形成于支撑卡盘的支撑部件与支撑卡盘相接触。
在步骤602中，通过贯通腔室的外部和形成于支撑卡盘内的内部空间的第一供给线可供给第一处理流体至支撑卡盘内的内部空间。根据一个实施例，第一供给线与腔室相连接的点和第一供给线与支撑卡盘内的内部空间相连接的点可相对于地面位于实质上相同的高度。在一个实施例中，第一供给线可以是一条以上，并且多条第一供给线可分别连接到与支撑卡盘相对向的连接点。
在步骤603中，通过第一供给线从腔室外部供给至支撑卡盘内的内部空间的第一处理流体可通过形成于支撑卡盘的下部面的排出孔排出至腔室内的处理空间。在一个实施例中，排出孔可形成于与支撑卡盘下部面的中心或支撑的基板的中心相同的线上。在一个实施例中，排出孔可配置为以贯通支撑卡盘下部面的中心或基板的中心的轴为中心形成圆形。在一个实施例中，排出孔可以以形成格子图案、多边形形状或实质性的直线形状的形式配置。在一个实施例中，通过在排出孔连接喷嘴而可均匀地喷射第一处理流体。
在步骤604中，可通过贯通腔室的外部和形成于腔室内的处理空间的第二供给线将第二处理流体供给至腔室内的处理空间。根据一个实施例，第二供给线可以是一条以上，并且可与处理空间的上部面和下部面中的任意一面相连接。
在步骤605中，供给至腔室内的处理空间的第一处理流体和第二处理流体可通过排气线排出至腔室的外部。
在一个实施例中，步骤604可在步骤602之后进行或在步骤602之前进行。在一个实施例中，步骤604可与步骤602同时进行。
如上所述，虽然通过有限的图对实施例进行了说明，但如果是在相关技术领域具有一般知识的人，可以以上述内容为基础适用多种技术性修改和变形。例如，即使按照与说明的方法不同的顺序执行说明的技术，以及/或者以与说明的方法不同的形态结合或组合说明的系统、结构、装置、电路等构成要素，或者用其他构成要素或均等物替换或置换，都可以取得适当的结果。
因此，其他体现、其他实施例及和专利权利要求书均等的内容也都属于权利要求书的范围。

Claims (16)

1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：
腔室，其内部形成有进行基板处理的处理空间；
一条以上的排气线，其连接到腔室，并且用于从处理空间向腔室的外部排出处理流体；
支撑卡盘，其配置于处理空间内，并且以使得基板配置于上部的形式从下侧支撑基板，并且形成有可收容第一处理流体的内部空间；以及
一条以上的第一供给线，其用于从腔室的外部获得第一处理流体的供给，并向内部空间传递第一处理流体。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
支撑卡盘包括一个以上的排出孔，其用于将收容于内部空间的第一处理流体喷射到处理空间。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
形成于支撑卡盘的排出孔沿与支撑的基板相反的方向开放形成。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，还包括：
一条以上的第二供给线，其用于从腔室的外部向处理空间直接喷射第二处理流体。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，
以形成处理空间的腔室的内壁为基准，
第一供给线从腔室的第一点延长，
第二供给线从与第一点不同的腔室的第二点延长。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，
第二供给线从处理空间的上部面及下部面中任意一面延长。
7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
第一供给线设置有多条，
多条第一供给线分别连接到支撑卡盘的不同点，以向内部空间供给第一处理流体。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，
在支撑卡盘分别连接有一对第一供给线，
支撑卡盘的一对第一供给线分别连接到相互对向的连接点。
9.根据权利要求2或3所述的基板处理装置，其特征在于，
在支撑卡盘的下部面形成有多个排出孔，
多个排出孔配置为以支撑卡盘的下部面中心为基准形成圆形。
10.根据权利要求2或3所述的基板处理装置，其特征在于，
在支撑卡盘的下部面形成有多个排出孔，
多个排出孔以形成格子图案的形式配置。
11.根据权利要求2或3所述的基板处理装置，其特征在于，
在支撑卡盘的下部面形成有多个排出孔，
多个排出孔以形成多边形形状的形式配置。
12.根据权利要求2或3所述的基板处理装置，其特征在于，
在支撑卡盘的下部面形成有多个排出孔，
多个排出孔以形成直线形态的形式配置。
13.根据权利要求2或3所述的基板处理装置，其特征在于，
以与第一处理流体的喷射方向平行的截面为基准，
位于支撑卡盘的外面部位的排出孔的直径比位于内部空间的排出孔的直径大。
14.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
还包括一条以上的第二供给线，其与腔室相连接，并且用于从处理空间的上部面向着基板直接喷射第二处理流体，
基板的处理工艺是通过以下工艺中任意一项工艺进行的：
第一工艺，其通过第一供给线将传递至内部空间的第一处理流体通过排出孔供给至处理空间以后，通过第二供给线将第二处理流体供给至处理空间；
第二工艺，其通过第二供给线将第二处理流体供给至处理空间以后，通过第一供给线将传递至内部空间的第一处理流体通过排出孔供给至处理空间；以及
第三工艺，其同时进行通过第一供给线将传递至内部空间的第一处理流体通过排出孔供给至处理空间的操作和通过第二供给线将第二处理流体供给至处理空间的操作。
15.一种基板处理系统，其特征在于，包括：
基板处理装置，其进行基板处理工艺；以及
移送部，其用于为了进行处理工艺而将基板搬入基板处理装置内部，并且当完成处理工艺后，将基板从基板处理装置搬出，
基板处理装置包括：
腔室，其内部形成有进行基板处理的处理空间；
一条以上的排气线，其连接到腔室，并且用于从处理空间向腔室的外部排出处理流体；
支撑卡盘，其配置于处理空间内，并且以使得基板配置于上部的形式从下侧支撑基板，并且形成有可收容第一处理流体的内部空间；以及
一条以上的第一供给线，其从腔室的外部获得第一处理流体的供给，并向内部空间传递第一处理流体。
16.一种基板处理装置，其特征在于，包括：
腔室，其内部形成有进行基板处理的处理空间；
一条以上的排气线，其连接到腔室，并且用于从处理空间向腔室的外部排出处理流体；
支撑卡盘，其配置于处理空间内，并且以使得基板配置于上部的形式从下侧支撑基板，并且形成有可收容第一处理流体的内部空间；
一条以上的第一供给线，其用于从腔室的外部获得第一处理流体的供给，并向内部空间传递第一处理流体；
一条以上的第二供给线，其从处理空间的上部面延长，并且用于从腔室的外部向处理空间直接喷射第二处理流体；以及
一条以上的第三供给线，其从处理空间的下部面延长，并且用于从腔室的外部向处理空间直接喷射第三处理流体，
支撑卡盘包括一个以上的排出孔，其沿与支撑的基板相反的方向开放形成，并且用于将收容在内部空间的第一处理流体喷射至处理空间。
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