KR20230142181A

KR20230142181A - Apparatus for Treating substrate

Info

Publication number: KR20230142181A
Application number: KR1020220041094A
Authority: KR
Inventors: 이은탁
Original assignee: 세메스 주식회사
Priority date: 2022-04-01
Filing date: 2022-04-01
Publication date: 2023-10-11

Abstract

본 발명은 상부에서 급기하여 하부로 배기하는 구조를 갖으며, 관로를 자동으로 청소할 수 있는 세정부를 포함한 기판 처리 장치를 제공하는 것으로, 일실시예에서, 내부에 기판을 처리하는 처리공간을 가지되, 하부케이스 및 상부케이스를 포함하는 공정 챔버, 상기 처리공간 내에서 기판을 안착되는 가열플레이트가 구비된 기판지지부, 상기 상부케이스에 결합된 급기부 및 상기 하부케이스에 결합되되, 상기 하부케이스의 측벽면이 관통되게 형성된 배기홀을 포함하는 배기부를 포함하는 기판 처리 장치를 제공한다.The present invention provides a substrate processing device that has a structure that supplies air from the top and exhausts air from the bottom, and includes a cleaning unit that can automatically clean the pipe. In one embodiment, it has a processing space for processing substrates therein. A process chamber including a lower case and an upper case, a substrate supporter provided with a heating plate for seating the substrate within the processing space, an air supply unit coupled to the upper case, and a lower case coupled to the lower case. A substrate processing apparatus including an exhaust unit including an exhaust hole formed through a side wall is provided.

Description

Substrate processing device {Apparatus for Treating substrate}

본 발명은 기판을 가열하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing device for heating a substrate.

반도체 소자를 제조하기 위해서는 사진, 식각, 증착, 이온주입 그리고 세정 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 이 중 사진공정은 패턴을 형성하기 위해 반도체 소자 공정에서 아주 중요한 역할을 수행한다.To manufacture semiconductor devices, various processes such as photography, etching, deposition, ion implantation, and cleaning are performed. Among these, the photo process plays a very important role in the semiconductor device process to form patterns.

사진공정은 크게 도포공정, 노광공정, 그리고 현상공정으로 이루어지며, 노광공정이 진행되기 전후 단계에는 베이크 고정을 수행한다. 베이크 공정은 기판을 열처리 하는 과정으로, 가열플레이트에 기판이 놓이면, 가열 플레이트의 내부에 제공된 히터를 통해 그 기판을 열 처리한다.The photographic process largely consists of a coating process, an exposure process, and a development process, and bake fixation is performed before and after the exposure process. The bake process is a process of heat treating a substrate. When a substrate is placed on a heating plate, the substrate is heat treated through a heater provided inside the heating plate.

도 1 은 종래의 베이크 챔버(10)를 보여주는 단면도이다.Figure 1 is a cross-sectional view showing a conventional bake chamber 10.

도 1을 참조하면, 베이크 챔버(10)에는 베이크 공정시 기판(W) 상에 도포된 감광액(photoresist)을 가열하는 과정에서 흄(fume) 등의 부산물들을 포함하는 배기 가스가 발생되며, 이러한 배기 가스는 베이크 챔버(10) 상부에 설치된 배기관(2)을 통해 배기된다.Referring to FIG. 1, exhaust gas containing by-products such as fume is generated in the bake chamber 10 in the process of heating the photoresist applied on the substrate W during the bake process, and this exhaust Gas is exhausted through the exhaust pipe (2) installed at the top of the bake chamber (10).

그런데, 배기 가스가 배기관(20)을 통해 배기되는 과정에서 배기관(20) 내부에 흄이 증착되는 문제가 발생되며, 특히 베이크 챔버(10)에서 멀어질수록 배기관(20)의 온도가 낮아지는 부분에 퓸 증착이 쉽게 이루어지면서 배기 가스의 배기가 원활히 이루어지지 않아 기판 처리 공정의 효율이 저하된다.However, in the process of exhaust gas being discharged through the exhaust pipe 20, a problem occurs where fume is deposited inside the exhaust pipe 20, especially in the part where the temperature of the exhaust pipe 20 decreases as the distance from the bake chamber 10 increases. As efume deposition is easily accomplished, exhaust gas is not discharged smoothly, thereby reducing the efficiency of the substrate treatment process.

또한, 배기관(20)이 소모품이라 일정 기간 이후 교체가 필요하며, 증착 된 퓸을 세정하기 위해서 관련된 부품을 분리해야 한다는 문제점이 발생한다.In addition, since the exhaust pipe 20 is a consumable part, it needs to be replaced after a certain period of time, and a problem arises in that related parts must be separated to clean the deposited fume.

(특허문헌 1) KR10-2021-0006208 A(Patent Document 1) KR10-2021-0006208 A

본 발명은 위와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 상부에서 급기하여 하부로 배기하는 구조를 갖으며, 관로를 자동으로 청소할 수 있는 세정부를 포함한 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention is intended to solve the above problems, and its purpose is to provide a substrate processing device that has a structure that supplies air from the top and exhausts it from the bottom, and includes a cleaning unit that can automatically clean the pipe.

본 발명은 위와 같은 목적을 달성하기 위하여 다음과 같은 기판 처리 장치 및 방법을 제공한다.The present invention provides the following substrate processing apparatus and method to achieve the above object.

본 발명은 일실시예에서, 내부에 기판을 처리하는 처리공간을 가지되, 하부케이스 및 상부케이스를 포함하는 공정 챔버, 상기 처리공간 내에서 기판을 안착되는 가열플레이트가 구비된 기판지지부, 상기 상부케이스에 결합된 급기부 및 상기 하부케이스에 결합되되, 상기 하부케이스의 측벽면이 관통되게 형성된 배기홀을 포함하는 배기부를 포함하는 기판 처리 장치를 제공한다.In one embodiment, the present invention includes a process chamber having a processing space for processing a substrate therein and including a lower case and an upper case, a substrate supporter provided with a heating plate for seating a substrate within the processing space, and the upper A substrate processing apparatus is provided, including an air supply unit coupled to a case and an exhaust unit coupled to the lower case and including an exhaust hole formed to penetrate a side wall of the lower case.

일실시예에서, 상기 하부케이스의 측벽면에 세정홀이 형성되며, 상기 세정홀을 통해 세정액을 상기 처리공간의 내부로 공급하는 세정부를 더 포함할 수 있다.In one embodiment, a cleaning hole is formed on a side wall of the lower case, and may further include a cleaning unit supplying a cleaning liquid into the processing space through the cleaning hole.

일실시예에서, 상기 세정부는 상기 하부케이스의 내측면과 외측면의 사이에 공간에 형성된 세정유로 및 상기 하부케이스의 내측면의 둘레방향을 따라 형성된 복수의 유입구를 포함하고, 상기 세정홀로 투입된 세정액이 상기 세정유로를 통해 상기 복수의 유입구로 안내될 수 있다.In one embodiment, the cleaning unit includes a cleaning passage formed in a space between the inner surface and the outer surface of the lower case and a plurality of inlets formed along the circumferential direction of the inner surface of the lower case, and the cleaning unit is introduced into the cleaning hole. The cleaning liquid may be guided to the plurality of inlets through the cleaning flow path.

일실시예에서, 상기 세정부는 상기 세정홀에 연결설치되는 세정액 투입부 및 상기 처리공간 내부의 압력에 따라 상기 세정액 투입부를 구동하는 세정제어부를 포함할 수 있다.In one embodiment, the cleaning unit may include a cleaning liquid inlet connected to the cleaning hole and a cleaning control unit that drives the cleaning liquid injecting unit according to the pressure inside the processing space.

일실시예에서, 상기 세정제어부는 상기 처리공간 내부의 압력이 30Pa 내지 50Pa 일 때, 상기 세정액 투입부를 구동시킬 수 있다.In one embodiment, the cleaning control unit may drive the cleaning liquid input unit when the pressure inside the processing space is 30 Pa to 50 Pa.

일실시예에서, 상기 배기홀은 제 1 방향에서 보았을 때, 하면이 상기 하부케이스의 내측 하면과 같은 위치거나 낮은 위치일 수 있다.In one embodiment, when viewed from the first direction, the exhaust hole may have a lower surface at the same level as or at a lower position than the inner lower surface of the lower case.

일실시예에서, 상기 하부케이스는 상기 제 1 방향에서 보았을 때, 하면이 상기 배기홀 측으로 하향 경사지게 형성될 수 있다.In one embodiment, the bottom of the lower case may be inclined downward toward the exhaust hole when viewed from the first direction.

본 발명은 상부에서 급기하여 하부로 배기하는 구조를 갖으며, 관로를 자동으로 청소할 수 있는 세정부를 포함한 기판 처리 장치를 제공할 수 있다.The present invention can provide a substrate processing device that has a structure that supplies air from the top and exhausts it from the bottom, and includes a cleaning unit that can automatically clean the pipe.

도 1 은 종래의 베이크 챔버를 도시한 도면이다.
도 2 은 기판처리장치를 상부에서 바라본 도면이다.
도 3 는 도 1의 장치를 A-A 방향에서 바라본 도면이다.
도 4 은 도 1의 기판처리장치를 B-B 방향에서 바라본 도면이다.
도 5 는 본 발명의 일실시예에 따른 기판처리장치의 단면도이다.
도 6 은 본 발명의 일실시예에 따른 기판처리장치를 상부에서 바라본 평면도이다.1 is a diagram showing a conventional bake chamber.
Figure 2 is a view of the substrate processing apparatus viewed from above.
FIG. 3 is a view of the device of FIG. 1 viewed from the AA direction.
FIG. 4 is a view of the substrate processing apparatus of FIG. 1 viewed from the BB direction.
Figure 5 is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
Figure 6 is a top plan view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 다만, 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용한다. 또한, 본 명세서에서, '상', '상부', '상면', '하', '하부', '하면', '측면' 등의 용어는 도면을 기준으로 한 것이며, 실제로는 소자나 구성요소가 배치되는 방향에 따라 달라질 수 있을 것이다.Hereinafter, with reference to the attached drawings, preferred embodiments will be described in detail so that those skilled in the art can easily practice the present invention. However, when describing preferred embodiments of the present invention in detail, if it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description will be omitted. In addition, the same symbols are used throughout the drawings for parts that perform similar functions and actions. In addition, in this specification, terms such as 'upper', 'top', 'upper surface', 'lower', 'lower', 'lower surface', 'side', etc. are based on the drawings and are actually elements or components. It may vary depending on the direction in which it is placed.

덧붙여, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 '연결'되어 있다고 할 때, 이는 '직접적으로 연결'되어 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 '간접적으로 연결'되어 있는 경우도 포함한다. 또한, 어떤 구성요소를 '포함'한다는 것은, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다.In addition, throughout the specification, when a part is said to be 'connected' to another part, this does not only mean 'directly connected', but also 'indirectly connected' with another element in between. Includes. In addition, 'including' a certain component means that other components may be further included rather than excluding other components, unless specifically stated to the contrary.

도 1 내지 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치(1)를 개략적으로 보여주는 도면으로, 도 1은 기판처리장치(1)를 상부에서 바라본 도면이고, 도 2는 도 1의 장치(1)를 A-A 방향에서 바라본 도면이고, 도 3은 도 1의 기판처리장치(1)를 B-B 방향에서 바라본 도면이다.1 to 3 are diagrams schematically showing a substrate processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention. Figure 1 is a diagram of the substrate processing apparatus 1 viewed from the top, and Figure 2 is a diagram of the apparatus of Figure 1. (1) is a view viewed from the A-A direction, and FIG. 3 is a view of the substrate processing apparatus 1 of FIG. 1 viewed from the B-B direction.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 기판처리장치(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 그리고 퍼지 모듈(800)을 포함한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400) 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다.1 to 3, the substrate processing apparatus 1 includes a load port 100, an index module 200, a buffer module 300, a coating and development module 400, and a purge module 800. do. The load port 100, index module 200, buffer module 300, application and development module 400, and interface module 700 are sequentially arranged in a line in one direction.

이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제 1 방향(Y)이라 하며, 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(Y)과 수직한 방향을 제 2 방향(X)이라 하고, 제 1 방향(Y) 및 제 2 방향(X)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(Z)이라 한다. Hereinafter, the direction in which the load port 100, index module 200, buffer module 300, application and development module 400, and interface module 700 are arranged is referred to as the first direction (Y), and from the top When looking, the direction perpendicular to the first direction (Y) is called the second direction (X), and the direction perpendicular to the first direction (Y) and the second direction (X) is called the third direction (Z). .

기판(W)은 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 일 예로 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다.The substrate W is moved while stored in the cassette 20. The cassette 20 has a structure that can be sealed from the outside. For example, a Front Open Unified Pod (FOUP) having a door at the front may be used as the cassette 20.

이하에서는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 인터페이스 모듈(700)에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the load port 100, index module 200, buffer module 300, application and development module 400, and interface module 700 will be described in detail.

로드 포트(100)는 기판(W)이 수납된 카세트(20)가 놓여지는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(120)은 제 2 방향(X)을 따라 일렬로 배치된다. 도 2에서는 4개의 재치대(120)가 제공된 예가 도시되었으나, 그 수는 변경될 수 있다.The load port 100 has a table 120 on which the cassette 20 containing the substrate W is placed. A plurality of platforms 120 are provided, and the platforms 120 are arranged in a row along the second direction (X). Figure 2 shows an example in which four mounts 120 are provided, but the number may be changed.

인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 버퍼 모듈(300) 간에 기판(W)을 이송한다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 포함한다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(100)와 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 기판(W)을 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제 1 방향(Y), 제 2 방향(X), 제 3 방향(Z)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 제공된다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 포함한다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제 3 방향(Z)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(X)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.The index module 200 transfers the substrate W between the cassette 20 placed on the holder 120 of the load port 100 and the buffer module 300. The index module 200 includes a frame 210, an index robot 220, and a guide rail 230. The frame 210 is generally provided in the shape of a rectangular parallelepiped with an empty interior, and is disposed between the load port 100 and the buffer module 300. The frame 210 of the index module 200 may be provided at a lower height than the frame 310 of the buffer module 300. The index robot 220 and guide rail 230 are disposed within the frame 210. The index robot 220 is provided so that the hand 221, which directly handles the substrate W, can move and rotate in the first direction (Y), the second direction (X), and the third direction (Z). The index robot 220 includes a hand 221, an arm 222, a support 223, and a stand 224. The hand 221 is fixedly installed on the arm 222. The arm 222 is provided in a stretchable structure and a rotatable structure. The longitudinal direction of the support 223 is arranged along the third direction (Z). The arm 222 is coupled to the support 223 so as to be movable along the support 223. The support 223 is fixedly coupled to the pedestal 224. The guide rail 230 is provided so that its longitudinal direction is arranged along the second direction (X). The stand 224 is coupled to the guide rail 230 so that it can move linearly along the guide rail 230. In addition, although not shown, the frame 210 is further provided with a door opener for opening and closing the door of the cassette 20.

버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)을 포함한다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상 모듈(400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제 2 버퍼(330), 그리고 제 1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제 3 방향(Z)을 따라 배치된다. 제 1 버퍼(320)는 도포 및 현상 모듈(400)의 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 도포 및 현상 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 제공된다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼(320)와 제 2 방향(X)으로 일정 거리 이격되게 위치된다.The buffer module 300 includes a frame 310, a first buffer 320, a second buffer 330, a cooling chamber 350, and a first buffer robot 360. The frame 310 is provided in the shape of a rectangular parallelepiped with an empty interior, and is disposed between the index module 200 and the application and development module 400. The first buffer 320, second buffer 330, cooling chamber 350, and first buffer robot 360 are located within frame 310. The cooling chamber 350, the second buffer 330, and the first buffer 320 are sequentially arranged from below along the third direction (Z). The first buffer 320 is located at a height corresponding to the application module 401 of the application and development module 400, and the second buffer 330 and the cooling chamber 350 are located at a height corresponding to the application module 401 of the application and development module 400. It is provided at a height corresponding to the module 402. The first buffer robot 360 is positioned at a certain distance from the second buffer 330, the cooling chamber 350, and the first buffer 320 in the second direction (X).

제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330)는 각각 복수의 기판(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(Z)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220)과 제 1 버퍼 로봇(360)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향과 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(320)는 제 2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 도포 모듈(401)에 위치된 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다.The first buffer 320 and the second buffer 330 each temporarily store a plurality of substrates W. The second buffer 330 has a housing 331 and a plurality of supports 332. The supports 332 are disposed within the housing 331 and are spaced apart from each other along the third direction (Z). One substrate (W) is placed on each support 332. The housing 331 is provided in a direction and direction in which the index robot 220 is provided so that the index robot 220 and the first buffer robot 360 can load or unload the substrate W into or out of the support 332 within the housing 331. 1 Buffer robot 360 has an opening in a provided direction. The first buffer 320 has a generally similar structure to the second buffer 330. However, the housing 321 of the first buffer 320 has an opening in the direction in which the first buffer robot 360 is provided and in the direction in which the applicator robot 432 located in the applicator module 401 is provided. The number of supports 322 provided in the first buffer 320 and the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be the same or different. According to one example, the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be greater than the number of supports 322 provided in the first buffer 320.

제 1 버퍼 로봇(360)은 제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330) 간에 기판(W)을 이송시킨다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 포함한다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제 2 방향(X)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제 3 방향(Z)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제 2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 상부 또는 하부 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361)가 제 2 방향(X) 및 제 3 방향(Z)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다.The first buffer robot 360 transfers the substrate W between the first buffer 320 and the second buffer 330. The first buffer robot 360 includes a hand 361, an arm 362, and a support 363. The hand 361 is fixedly installed on the arm 362. The arm 362 is provided in a stretchable structure, allowing the hand 361 to move along the second direction (X). The arm 362 is coupled to the support 363 so as to be able to move linearly in the third direction (Z) along the support 363. The support 363 has a length extending from a position corresponding to the second buffer 330 to a position corresponding to the first buffer 320 . The support 363 may be provided longer in the upper or lower direction. The first buffer robot 360 may be provided such that the hand 361 is only driven in two axes along the second direction (X) and the third direction (Z).

냉각 챔버(350)는 각각 기판(W)을 냉각한다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 포함한다. 냉각 플레이트(352)는 기판(W)이 놓이는 상면 및 기판(W)을 냉각하는 냉각 수단(353)을 가진다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 기판(W)을 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇이 냉각 플레이트(352)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇이 제공된 방향에 개구를 가진다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들이 제공될 수 있다.The cooling chambers 350 cool the substrates W, respectively. Cooling chamber 350 includes a housing 351 and a cooling plate 352. The cooling plate 352 has an upper surface on which the substrate W is placed and a cooling means 353 for cooling the substrate W. As the cooling means 353, various methods may be used, such as cooling using coolant or cooling using thermoelectric elements. Additionally, the cooling chamber 350 may be provided with a lift pin assembly for positioning the substrate W on the cooling plate 352 . The housing 351 is provided in the direction and development unit provided by the index robot 220 so that the index robot 220 and the developing unit robot provided in the developing module 402 can load or unload the substrate (W) into or out of the cooling plate 352. The robot has an opening in the direction provided. Additionally, the cooling chamber 350 may be provided with doors that open and close the above-described openings.

도포 모듈(401)은 기판(W)에 대해 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 기판(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 도포 챔버(410), 베이크 챔버부(500), 그리고 반송 챔버(430)를 가진다. 도포 챔버(410), 반송 챔버(430), 베이크 챔버부(500)는 제 2 방향(X)을 따라 순차적으로 배치된다. 즉, 반송 챔버(430)를 기준으로, 반송 챔버(430)의 일측에는 도포 챔버(410)가 구비되고, 반송 챔버(430)의 타측에는 베이크 챔버부(500)가 구비된다.The application module 401 includes a process of applying a photosensitive liquid such as photoresist to the substrate W and a heat treatment process such as heating and cooling to the substrate W before and after the resist application process. The application module 401 has an application chamber 410, a bake chamber unit 500, and a transfer chamber 430. The application chamber 410, the transfer chamber 430, and the bake chamber unit 500 are sequentially arranged along the second direction (X). That is, based on the transfer chamber 430, the application chamber 410 is provided on one side of the transfer chamber 430, and the bake chamber unit 500 is provided on the other side of the transfer chamber 430.

도포 챔버(410)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(Y) 및 제 3 방향(Z)으로 각각 복수로 제공된다. 베이크 챔버부(500)는 복수개의 베이크 챔버(510)를 포함하고, 복수의 베이크 챔버(510)는 제 1 방향(Y) 및 제 3 방향(Z)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 반송 챔버(430)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(430) 내에는 도포부 로봇(432)과 가이드 레일(433)이 위치된다. 반송 챔버(430)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 도포부 로봇(432)은 베이크 챔버(510), 도포 챔버(410), 그리고 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)간에 기판(W)을 이송한다.A plurality of application chambers 410 are provided, and a plurality of application chambers 410 are provided in each of the first direction (Y) and the third direction (Z). The bake chamber unit 500 includes a plurality of bake chambers 510, and a plurality of bake chambers 510 are provided in each of the first direction (Y) and the third direction (Z). The transfer chamber 430 is positioned parallel to the first buffer 320 of the first buffer module 300 in the first direction 12. An applicator robot 432 and a guide rail 433 are located within the transfer chamber 430. The transfer chamber 430 has a generally rectangular shape. The applicator robot 432 transfers the substrate W between the bake chamber 510, the application chamber 410, and the first buffer 320 of the first buffer module 300.

가이드 레일(433)은 그 길이 방향이 제 1 방향(Y)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(433)은 도포부 로봇(432)이 제 1 방향(Y)으로 직선 이동되도록 안내한다. 도포부 로봇(432)은 핸드(434), 아암(435), 지지대(436), 그리고 받침대(437)를 가진다. 핸드(434)는 아암(435)에 고정 설치된다. 아암(435)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(434)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(436)는 그 길이 방향이 제 3 방향(Z)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(435)은 지지대(436)를 따라 제 3 방향(Z)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(436)에 결합된다. 지지대(436)는 받침대(437)에 고정 결합되고, 받침대(437)는 가이드 레일(433)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(433)에 결합된다.The guide rail 433 is arranged so that its longitudinal direction is parallel to the first direction (Y). The guide rail 433 guides the applicator robot 432 to move linearly in the first direction (Y). The applicator robot 432 has a hand 434, an arm 435, a support 436, and a stand 437. The hand 434 is fixedly installed on the arm 435. The arm 435 is provided in a stretchable structure so that the hand 434 can move in the horizontal direction. The support 436 is provided so that its longitudinal direction is arranged along the third direction (Z). The arm 435 is coupled to the support 436 so as to be able to move linearly in the third direction (Z) along the support 436. The support 436 is fixedly coupled to the pedestal 437, and the pedestal 437 is coupled to the guide rail 433 so as to be movable along the guide rail 433.

도포 챔버(410)는 모두 동일한 구조를 가질 수 있으나, 각각의 도포 챔버(410)에서 사용되는 약액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 약액으로는 포토 레지스트막이나 반사 방지막의 형성을 위한 약액이 사용될 수 있다. The application chambers 410 may all have the same structure, but the types of chemical solutions used in each application chamber 410 may be different. As the chemical solution, a chemical solution for forming a photoresist film or an anti-reflection film may be used.

도포 챔버(410)는 기판(W) 상에 약액을 도포한다. 도포 챔버(410)는 컵(411), 기판 지지부(412), 그리고 노즐(413)을 가진다. 컵(411)은 상부가 개방된 형상을 가진다. 기판 지지부(412)는 컵(411) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 기판 지지부(412)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(413)은 기판 지지부(412)에 놓인 기판(W) 상으로 약액을 공급한다. 약액은 스핀 코트 방식으로 기판(W)에 도포된다. 또한, 도포 챔버(410)에는 약액이 도포된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수(DIW)와 같은 세정액을 공급하는 노즐(414) 및 기판(W)의 하면을 세정하기 위한 백 린스 노즐(미도시)이 더 제공될 수 있다.The application chamber 410 applies a chemical solution on the substrate (W). The application chamber 410 has a cup 411, a substrate support 412, and a nozzle 413. The cup 411 has an open top. The substrate support portion 412 is located within the cup 411 and supports the substrate W. The substrate support 412 is provided to be rotatable. The nozzle 413 supplies a chemical solution onto the substrate W placed on the substrate support 412. The chemical solution is applied to the substrate W using a spin coat method. In addition, the application chamber 410 includes a nozzle 414 for supplying a cleaning liquid such as deionized water (DIW) to clean the surface of the substrate W on which the chemical solution is applied, and a bag rinse nozzle for cleaning the lower surface of the substrate W. (not shown) may be further provided.

베이크 챔버(510)는 기판 지지부(511)와 기판 지지부(511) 내부의 히터(512)를 포함하며, 도포부 로봇(432)은 기판 지지부(511)에 기판(W)이 안착되면 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버(510)는 포토 레지스트를 도포하기 전에 기판(W)을 소정의 온도로 가열하여 기판(W) 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정이나 포토레지스트를 기판(W) 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등을 수행하고, 각각의 가열 공정 이후에 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다.The bake chamber 510 includes a substrate supporter 511 and a heater 512 inside the substrate supporter 511, and the applicator robot 432 operates when the substrate W is placed on the substrate supporter 511. ) is heat treated. For example, the bake chamber 510 performs a prebake process of removing organic substances or moisture from the surface of the substrate W by heating the substrate W to a predetermined temperature before applying the photoresist, or a process of applying the photoresist to the substrate W. ) A soft bake process performed after coating on the substrate W is performed, and a cooling process for cooling the substrate W is performed after each heating process.

인터페이스 모듈(700)은 도포 및 현상 모듈(400)을 외부의 노광 장치(900)와 연결한다. 인터페이스 모듈(700)은 인터페이스 프레임(710), 제 1 인터페이스 버퍼(720), 제 2 인터페이스 버퍼(730) 및 반송 로봇(740)을 포함하며, 반송 로봇(740)은 도포 및 현상 모듈(400)이 종료되어 제 1 및 제 2 인터페이스 버퍼(720, 730)로 반송된 기판을 노광 장치(900)로 반송한다. 제 1 및 제 2 인터페이스 버퍼(720)는 하우징(721)과 지지대(722)를 포함하며, 반송 로봇(740), 도포부 로봇(432)이 지지대(722)에 기판(W)을 반입/반출한다.The interface module 700 connects the coating and development module 400 with the external exposure device 900. The interface module 700 includes an interface frame 710, a first interface buffer 720, a second interface buffer 730, and a transfer robot 740, and the transfer robot 740 is a coating and development module 400. After this is completed, the substrate transferred to the first and second interface buffers 720 and 730 is transferred to the exposure apparatus 900. The first and second interface buffers 720 include a housing 721 and a support 722, and a transfer robot 740 and an applicator robot 432 load/unload the substrate W into/out of the support 722. do.

한편, 베이크 챔버(510)에서는 내부로 유입되는 기체 및 기판으로부터 발생되는 유기에 의해 배기관에 흄이 증착되는 문제가 있었다. 본 발명에서는 상부에서 공기를 급기하여, 유기를 하부에 형성된 배기관으로 가이드함과 동시에, 세정관에서 유입되는 세정액에 의해 자동으로 세정한다.Meanwhile, in the bake chamber 510, there was a problem of fume being deposited in the exhaust pipe due to gas flowing into the interior and organic matter generated from the substrate. In the present invention, air is supplied from the top to guide the organic matter to the exhaust pipe formed at the bottom, and at the same time, it is automatically cleaned by the cleaning liquid flowing from the cleaning pipe.

도 5 는 위 베이크 공정에 제공되는 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 장치(1000)를 보여주는 단면도이다.Figure 5 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus 1000 according to an embodiment of the present invention provided in the above bake process.

도 5 를 참조하면, 기판 처리 장치(1000)는 공정 챔버(1100), 기판지지부(1200), 급기부(1300), 배기부(1400)를 포함할 수 있다. 상기 공정 챔버(1100)는 하부가 개방된 상부케이스(1110) 및 상기 상부케이스(1110)의 하부에 위치하되 상부가 개방된 하부케이스(1120)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 상부케이스(1110) 및 하부케이스(1120)의 사이에는 실링 부재(1130)가 구비될 수 있다. 더하여, 상기 상부케이스(1110) 및 하부케이스(1120)는 상하 방향에 대해 서로의 중심축이 일치되게 위치될 수 있고, 상기 상부케이스(1110) 및 하부케이스(1120)는 동일한 직경을 가질 수 있다. 상기 실링 부재(1130)는 상기 상부케이스(1110) 및 하부케이스(1120)가 접촉될 때 처리 공간이 외부로부터 밀폐되도록 한다. 상기 실링 부재(1130)는 환형의 링 형상으로 제공될 수 있다.Referring to FIG. 5 , the substrate processing apparatus 1000 may include a process chamber 1100, a substrate support unit 1200, an air supply unit 1300, and an exhaust unit 1400. The process chamber 1100 may include an upper case 1110 with an open bottom and a lower case 1120 located below the upper case 1110 but with an open top. Additionally, a sealing member 1130 may be provided between the upper case 1110 and the lower case 1120. In addition, the upper case 1110 and the lower case 1120 may be positioned so that their central axes coincide with each other in the vertical direction, and the upper case 1110 and the lower case 1120 may have the same diameter. . The sealing member 1130 seals the processing space from the outside when the upper case 1110 and the lower case 1120 come into contact. The sealing member 1130 may be provided in an annular ring shape.

이때, 상기 상부케이스(1110) 및 하부케이스(1120)는 결합함에 따라, 내부의 공간에 기판을 처리하는 처리 공간(1140)을 제공할 수 있다. 이때, 상기 처리 공간(1140)은 상기 상부케이스(1110), 하부케이스(1120) 및 실링 부재(1130)에 의해 외부와 차단된 공간으로 제공된다. 기판(W)은 상기 처리 공간(1140) 내에서 가열처리됨에 따라 베이크 공정이 수행된다.At this time, as the upper case 1110 and lower case 1120 are combined, a processing space 1140 for processing a substrate can be provided in the internal space. At this time, the processing space 1140 is provided as a space blocked from the outside by the upper case 1110, lower case 1120, and sealing member 1130. A bake process is performed on the substrate W as it is heat-treated within the processing space 1140.

상기 기판지지부(1200)는 상기 처리공간(1140) 내에서 기판(W)이 안착될 수 있는 가열플레이트(1210)를 포함한다. 상기 가열플레이트(1210)는 원형의 판 형상으로 제공될 수 있으며, 상기 가열플레이트(1210)의 상면은 기판(W)이 안착되어 가열된다. 상기 가열플레이트(1210)의 내부에는 복수의 리프트 핀들이 구비될 수 있으며, 기판(W)은 상기 복수의 리프트 핀들이 상하방향으로 이동함에 따라 상기 가열플레이트(1210)에 안착되거나 분리될 수 있다. 나아가, 상기 가열플레이트(1210)는 상기 하부케이스(1120)의 밑면으로부터 이격되어 위치될 수 있으며, 복수의 기판지지대(1220)에 의해 지지될 수 있다. 도 5 에 도시되어 있듯이, 상기 기판지지대(1220)는 세 개의 기둥 형상을 가진 부재에 의해 지지되고 있으나, 형상 및 개수는 이에 제한되지 않는다.The substrate support unit 1200 includes a heating plate 1210 on which the substrate W can be seated within the processing space 1140. The heating plate 1210 may be provided in a circular plate shape, and the upper surface of the heating plate 1210 is heated when the substrate W is placed on it. A plurality of lift pins may be provided inside the heating plate 1210, and the substrate W may be seated on or separated from the heating plate 1210 as the plurality of lift pins move in the vertical direction. Furthermore, the heating plate 1210 may be positioned spaced apart from the bottom of the lower case 1120 and may be supported by a plurality of substrate supports 1220. As shown in FIG. 5, the substrate support 1220 is supported by three pillar-shaped members, but the shape and number are not limited thereto.

상기 급기부(1300)는 상기 상부케이스(1110)에 결합되며, 공기가 유입된다. 도 5를 참조하면, 상기 급기부(1300)는 상기 상부케이스(1110)의 개방된 공간과 연통되게 형성된 급기홀(1310)을 포함할 수 있으며, 상기 급기홀(1310)에 결합된 급기관(1320)을 더 포함할 수 있다. 이때, 상기 급기관(1320)은 외부로부터 유입되는 공기를 상기 처리공간(1140) 내부로 안내할 수 있으며, 좌우 반전된 'ㄱ'자 형상을 갖고 있으나, 상기 처리공간(1140) 내부로 급기할 수 있다면, 이에 제한되지 않는다.The air supply unit 1300 is coupled to the upper case 1110, and air flows in. Referring to FIG. 5, the air supply unit 1300 may include an air supply hole 1310 formed in communication with the open space of the upper case 1110, and an air supply pipe (1310) coupled to the air supply hole 1310. 1320) may be further included. At this time, the air supply pipe 1320 can guide air flowing in from the outside into the treatment space 1140, and has an 'ㄱ' shape reversed left and right, but can supply air into the treatment space 1140. If possible, it is not limited to this.

상기 배기부(1400)는 상기 하부케이스(1120)의 측벽면에 형성된 배기홀(1410)을 포함한다. 따라서, 상기 배기홀(1410)을 통해 상기 처리공간(1140) 내부의 공기가 외부로 배기된다. 이때, 상기 배기부(1400)는 상기 배기홀(1410)과 연결된 배기관(1420)을 더 포함할 수 있으며, 상기 배기관(1420)은 상기 공정 챔버(1100)의 외부와 연결될 수 있다.The exhaust unit 1400 includes an exhaust hole 1410 formed on a side wall of the lower case 1120. Accordingly, the air inside the processing space 1140 is exhausted to the outside through the exhaust hole 1410. At this time, the exhaust unit 1400 may further include an exhaust pipe 1420 connected to the exhaust hole 1410, and the exhaust pipe 1420 may be connected to the outside of the process chamber 1100.

나아가, 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 장치(1000)는 세정부(1500)를 더 포함할 수 있다. 상기 세정부(1500)는 상기 하부케이스(1120)에 결합되며, 상기 하부케이스(1120)의 측벽면에 형성된 세정홀(1510)을 포함할 수 있다. 이에 따라, 상기 세정부(1500)는 상기 세정홀(1510)을 통해 상기 처리공간(1140)의 내부로 세정액을 공급할 수 있다.Furthermore, the substrate processing apparatus 1000 according to an embodiment of the present invention may further include a cleaning unit 1500. The cleaning unit 1500 is coupled to the lower case 1120 and may include a cleaning hole 1510 formed on a side wall of the lower case 1120. Accordingly, the cleaning unit 1500 can supply cleaning liquid into the processing space 1140 through the cleaning hole 1510.

본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 장치(1000)에 의하면, 베이크 공정 중에 발생하는 유기는 상기 급기부(1300)를 통해 유입된 공기와 함께 상기 배기부(1400) 측으로 안내될 수 있다. 베이크 공정이 끝난 후, PM(Preventive Maintenance) 단계에서, 상기 세정부(1500)는 상기 처리공간(1140) 내부로 세정액을 투입할 수 있다. 이에 따라, 상기 처리공간(1140) 내부로 투입된 세정액은 상기 처리공간(1140) 내에 흡착된 흄(fume)을 제거한 후 상기 배기부(1400) 측으로 안내될 수 있다.According to the substrate processing apparatus 1000 according to an embodiment of the present invention, organic matter generated during the baking process can be guided to the exhaust unit 1400 together with the air introduced through the air supply unit 1300. After the bake process is completed, in the PM (Preventive Maintenance) step, the cleaning unit 1500 may inject the cleaning liquid into the processing space 1140. Accordingly, the cleaning liquid introduced into the processing space 1140 can be guided to the exhaust unit 1400 after removing fume adsorbed in the processing space 1140.

나아가, 본 발명의 일실시예에 따른 배기홀(1410)은 상기 배기홀(1410)의 하면이 상기 공정 챔버(1110)의 하면과 같거나 낮게 위치할 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 배기홀(1410)의 하면이 상기 하부케이스(1120)의 내측 하면과 같거나 낮게 위치할 수 있으며, 이에 의하여, 상기 공정 챔버(1100)의 하면에 모인 세정액이 상기 배기홀(1410) 측으로 안내되어 외부로 배출될 수 있다. 더하여, 상기 공정 챔버(1100)는 하면이 상기 배기홀(1410) 측으로 하향 경사지게 형성될 수 있다. 보다 구체적으로 상기 하부케이스(1120)의 하면은 상기 배기홀(1410) 측으로 하향 경사지게 형성될 수 있으며, 이에 의하여, 상기 공정 챔버(1100) 내부의 세정액이 상기 배기홀(1410) 측으로 안내될 수 있다.Furthermore, in the exhaust hole 1410 according to an embodiment of the present invention, the lower surface of the exhaust hole 1410 may be located at the same level as or lower than the lower surface of the process chamber 1110. More specifically, the lower surface of the exhaust hole 1410 may be positioned equal to or lower than the inner lower surface of the lower case 1120, whereby the cleaning liquid collected on the lower surface of the process chamber 1100 is discharged into the exhaust hole ( 1410) and can be discharged to the outside. In addition, the process chamber 1100 may have a lower surface inclined downward toward the exhaust hole 1410. More specifically, the lower surface of the lower case 1120 may be formed to be inclined downward toward the exhaust hole 1410, whereby the cleaning liquid inside the process chamber 1100 can be guided toward the exhaust hole 1410. .

상술한 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 장치(1000)의 구조에 따르면, 상기 급기부(1300)를 통해 상기 처리공간(1140) 내부로 급기되므로, 베이크 공정에 따라 발생하는 유기를 상기 배기부(1400) 측으로 가이드할 수 있다. 나아가, 상기 세정부(1500)를 통해 세정액이 투입되므로, 상기 처리공간(1140) 내부에 증착된 흄(fume)을 세정할 수 있으며, 상기 복수의 유입구(1530)를 통해 세정효율을 더 높일 수 있다. According to the structure of the substrate processing apparatus 1000 according to the embodiment of the present invention described above, air is supplied into the processing space 1140 through the air supply unit 1300, so that organic matter generated during the bake process is discharged. You can guide to Donation (1400). Furthermore, since the cleaning liquid is injected through the cleaning unit 1500, fume deposited inside the processing space 1140 can be cleaned, and cleaning efficiency can be further increased through the plurality of inlets 1530. there is.

도 6 은 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 장치(1000, 도 5 참고)를 상부에서 바라본 평면도이며, 세정액이 투입되는 사용상태를 나타낸 도면이다. 이하에서는 도 5 및 도 6을 참조로 설명한다. 본 발명의 일실시예에 따른 세정부(1500)는 세정유로(1520) 및 복수의 유입구(1530)를 더 포함할 수 있다. 상기 세정유로(1520)는 상기 하부케이스(1120)의 내측면과 외측면 사이의 공간에 형성되며, 상기 세정홀(1510)을 통해 투입된 세정액이 상기 세정유로(1520)를 따라 유동될 수 있다. 이때, 상기 복수의 유입구(1530)는 상기 하부케이스(1120)의 내측면의 둘레방향을 따라 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 세정유로(1520)를 통해 유동하는 세정액은 상기 복수의 유입구(1530)를 통해 상기 공정챔버(1100) 내부의 처리공간(1140)으로 유입될 수 있다.Figure 6 is a plan view of the substrate processing apparatus 1000 (see Figure 5) according to an embodiment of the present invention as seen from the top, and is a diagram showing a use state in which a cleaning solution is introduced. Hereinafter, description will be made with reference to FIGS. 5 and 6. The cleaning unit 1500 according to an embodiment of the present invention may further include a cleaning passage 1520 and a plurality of inlets 1530. The cleaning passage 1520 is formed in the space between the inner and outer surfaces of the lower case 1120, and the cleaning liquid introduced through the cleaning hole 1510 can flow along the cleaning passage 1520. At this time, the plurality of inlets 1530 may be formed along the circumferential direction of the inner surface of the lower case 1120. Accordingly, the cleaning liquid flowing through the cleaning passage 1520 may flow into the processing space 1140 inside the process chamber 1100 through the plurality of inlets 1530.

나아가, 상기 세정부(1500)는 세정액 투입부(1520) 및 세정제어부(미도시)를 더 포함할 수 있다. 상기 세정액 투입부(1520)는 상기 세정홀(1510)에 연결설치되며, 액체 펌프 방식으로 상기 세정홀(1510) 측으로 세정액을 공급할 수 있다. 상기 세정액 투입부(1520)는 상기 처리공간(1140) 내부로 세정액을 공급할 수 있다면 제한되지 않는다. 더하여, 상기 세정제어부(미도시)는 상기 세정액 투입부(1520)에 연결되고, 상기 세정제어부(미도시)는 상기 처리공간(1140)의 내부 압력에 따라 세정액 투입부를 제어할 수 있다. 즉, 상기 처리공간(1140)의 내부 압력이 상승한다는 것은 상기 배기홀(1410)에 퓸(fume)이 증착됨에 따라 배기가 원활하게 이루어지지 못한다는 것을 의미하므로, 상기 처리공간(1140)의 내부압력에 따라 상기 세정액 펌프(미도시)에서 상기 세정홀(1510) 측으로 유동하는 세정액의 투입량 또는 시간을 조절할 수 있다. Furthermore, the cleaning unit 1500 may further include a cleaning liquid input unit 1520 and a cleaning control unit (not shown). The cleaning liquid input unit 1520 is connected to the cleaning hole 1510 and can supply cleaning liquid to the cleaning hole 1510 using a liquid pump. The cleaning liquid input unit 1520 is not limited as long as it can supply cleaning liquid into the processing space 1140. In addition, the cleaning control unit (not shown) is connected to the cleaning liquid input unit 1520, and the cleaning control unit (not shown) can control the cleaning liquid input unit according to the internal pressure of the processing space 1140. In other words, an increase in the internal pressure of the processing space 1140 means that exhaust is not smoothly performed as fume is deposited in the exhaust hole 1410, so the inside of the processing space 1140 Depending on the pressure, the input amount or time of the cleaning fluid flowing from the cleaning fluid pump (not shown) toward the cleaning hole 1510 can be adjusted.

보다 구체적으로, 상기 세정제어부(미도시)는 상기 처리공간(1140)의 내부 압력이 30Pa 내지 50Pa 일 때, 세정액 투입부를 구동할 수 있다. 즉, 베이크 챔버는 상기 처리공간(1140)의 내부 압력이 30Pa 이상일 때, 상기 처리공간(1140) 내부의 배기가 원활하지 못하고 와류가 발생하거나 가열효율이 떨어지는 문제가 발생한다. 따라서, 30Pa 내지 50Pa 일 때, 세정액의 투입에 의해 상기 처리공간(1140) 내부 및 배기홀(1410)을 세정할 수 있다.More specifically, the cleaning control unit (not shown) may drive the cleaning liquid input unit when the internal pressure of the processing space 1140 is 30 Pa to 50 Pa. That is, in the bake chamber, when the internal pressure of the processing space 1140 is 30 Pa or more, the exhaust inside the processing space 1140 is not smooth, eddy currents are generated, or heating efficiency is reduced. Therefore, when the pressure is 30 Pa to 50 Pa, the inside of the processing space 1140 and the exhaust hole 1410 can be cleaned by introducing the cleaning liquid.

본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 장치(1000)에 의하면, 상기 처리공간(1140)의 내부 압력에 따라 세정액을 자동 투입할 수 있으므로, 증착된 흄(fume)에 의해 배기효율이 떨어지거나 와류의 발생으로 가열 온도가 고르지 못하는 문제를 해결할 수 있다. 즉, 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 장치(1000)는 자동 세정 시스템을 갖춘 기판 처리 장치(1000)를 제공하는 것이 가능하며, 이에 의해, 처리공간(1140) 내부의 배기효과를 높일 수 있으며, 베이크 공정 시 기판 처리 공정의 효율을 높일 수 있다.According to the substrate processing apparatus 1000 according to an embodiment of the present invention, the cleaning liquid can be automatically injected according to the internal pressure of the processing space 1140, so that the exhaust efficiency is reduced or eddy currents are generated due to the deposited fume. The problem of uneven heating temperature due to the occurrence of can be solved. That is, the substrate processing apparatus 1000 according to an embodiment of the present invention is capable of providing a substrate processing apparatus 1000 equipped with an automatic cleaning system, thereby improving the exhaust effect inside the processing space 1140. In addition, the efficiency of the substrate processing process during the bake process can be increased.

이상에서는 본 발명을 실시예를 중심으로 설명하였지만, 본 발명은 상술한 실시예에 한정되지 않으며, 청구범위에서 청구되는 본 발명의 기술적 사상의 변화 없이 통상의 기술자에 의해서 변형되어 실시될 수 있음은 물론이다.In the above, the present invention has been described focusing on the embodiments, but the present invention is not limited to the above-described embodiments, and may be modified and implemented by those skilled in the art without changing the technical spirit of the present invention as claimed in the claims. Of course.

10: 베이크 챔버 20: 배기관
100: 로드 포트 200: 인덱스 모듈
300: 버퍼 모듈 400: 도포 및 현상 모듈
700: 인터페이스 모듈
1000: 기판 처리 장치 1100: 공정챔버
1110: 상부케이스 1120: 하부케이스
1130: 실링부재 1140: 처리공간
1200: 기판지지부 1210: 가열플레이트
1220: 기판지지대 1300: 급기부
1310: 급기홀 1320: 급기관
1400: 배기부 1410: 배기홀
1420: 배기관 1500: 세정부
1510: 세정홀 1520: 세정유로
1530: 유입구 1540: 세정액 투입부10: bake chamber 20: exhaust pipe
100: load port 200: index module
300: buffer module 400: application and development module
700: Interface module
1000: Substrate processing device 1100: Process chamber
1110: upper case 1120: lower case
1130: Sealing member 1140: Processing space
1200: substrate support 1210: heating plate
1220: substrate support 1300: air supply unit
1310: air supply hole 1320: air supply pipe
1400: exhaust unit 1410: exhaust hole
1420: exhaust pipe 1500: cleaning unit
1510: Cleaning hole 1520: Cleaning flow path
1530: Inlet 1540: Cleaning liquid input section

Claims

A process chamber having a processing space for processing a substrate therein and including a lower case and an upper case;
a substrate supporter provided with a heating plate for seating the substrate within the processing space;
An air supply unit coupled to the upper case; and
an exhaust unit coupled to the lower case and including an exhaust hole formed to penetrate a side wall of the lower case;
A substrate processing device comprising:

According to claim 1,
A cleaning hole is formed on a side wall of the lower case, and a cleaning unit supplies a cleaning solution into the processing space through the cleaning hole.
A substrate processing device further comprising:

According to claim 2,
The washing department,
a cleaning passage formed in a space between the inner and outer surfaces of the lower case; and
a plurality of inlets formed along the circumferential direction of the inner surface of the lower case;
Including,
A substrate processing device in which the cleaning solution introduced into the cleaning hole is guided to the plurality of inlets through the cleaning flow path.

According to claim 3,
The washing department,
A cleaning liquid inlet connected to the cleaning hole; and
a cleaning control unit that drives the cleaning liquid input unit according to the pressure inside the processing space;
A substrate processing device comprising:

According to claim 4,
The cleaning control unit,
A substrate processing device that drives the cleaning liquid input unit when the pressure inside the processing space is 30Pa to 50Pa.

According to claim 5,
A substrate processing device wherein the lower surface of the exhaust hole is located at the same level or lower than the inner lower surface of the lower case.

According to claim 6,
A substrate processing device wherein the lower surface of the lower case is inclined downward toward the exhaust hole.