KR102000025B1 - Substrate treating apparatus - Google Patents
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Abstract
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 하우징; 상기 하우징의 내부 공간에 위치되는 기판 처리 모듈; 상기 기판 처리 모듈의 유지 보수를 위해 상기 하우징의 일면에 형성되는 관리구를 개폐하도록 상기 하우징에 결합되는 보수 도어를 포함하되, 상기 보수 도어에는 상기 기판 처리 모듈의 측면에 대향되는 면에 형성된 메인 홀과 상기 메인 홀과 연통되는 배기 유로가 제공된다.The present invention relates to a substrate processing apparatus. A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a housing; A substrate processing module located in an inner space of the housing; And a maintenance door coupled to the housing to open and close a maintenance port formed on one side of the housing for maintenance of the substrate processing module, wherein the maintenance door is provided with a main hole And an exhaust passage communicating with the main hole.
Description
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus.
반도체 소자 또는 액정 디스플레이를 제조하기 위해서, 포토리소그라피, 식각, 이온주입, 증착 그리고 세정의 다양한 공정들이 수행된다. 이러한 공정들 중 포토리소그라피 공정은 기판 상에 원하는 패턴을 형성시킨다.Various processes of photolithography, etching, ion implantation, deposition, and cleaning are performed to fabricate semiconductor devices or liquid crystal displays. Among these processes, the photolithography process forms the desired pattern on the substrate.
포토리소그라피 공정은 기판 상에 포토 레지스트과 같은 약액을 도포하는 도포공정, 도포된 감광막 위에 특정 패턴을 형성하는 노광공정, 그리고 노광된 감광막에 불필요한 영역을 제거하는 현상공정이 순차적으로 이루어진다.In the photolithography process, a coating process for applying a chemical solution such as a photoresist on a substrate, an exposure process for forming a specific pattern on the coated photoresist film, and a developing process for removing an unnecessary region in the exposed photoresist film are sequentially performed.
그 중 도포공정에서는 기판 상에 약액이 도포되면, 도포된 약액을 건조시킨다. 약액은 건조는 베이크 공정을 수행하는 기판 처리 장치에서 수행된다. 기판 처리 장치는 전장 유닛 및 도어를 포함한다. 전장 유닛은 기판 처리 장치의 각 구성을 제어한다. 도어는 전장 유닛에 인접한 일면에 제공된다. 작업자는 도어를 개방하여 기판 처리 장치의 유지, 보수를 수행할 수 있다.In the coating step, when the chemical liquid is applied onto the substrate, the applied chemical liquid is dried. The drying of the chemical liquid is performed in a substrate processing apparatus that performs a baking process. The substrate processing apparatus includes an electrical unit and a door. The electric field unit controls each configuration of the substrate processing apparatus. The door is provided on one side adjacent to the electrical unit. The operator can perform the maintenance and repair of the substrate processing apparatus by opening the door.
전장 유닛에는 냉각을 위한 팬이 부착된다. 팬에서 발생한 기류는 도어에 부딪힌 후 기판 처리 장치 내부로 향할 수 있다. 기판 처리 장치로 향하는 기류는 기판 처리 장치의 외측에 있는 파티클을 내측으로 이동 시킨다. 또한, 도어의 틈 사이로 외부의 기체가 유입될 수 있다. 외부에서 유입되는 기체는 파티클을 포함할 수 있다. A fan for cooling is attached to the electrical unit. The airflow generated by the fan can be directed into the substrate processing apparatus after hitting the door. The airflow directed to the substrate processing apparatus moves the particles on the outside of the substrate processing apparatus inward. Further, an external gas can be introduced into the gap between the doors. Externally introduced gas may contain particles.
본 발명은 하우징 내부공간의 파티클이 효과적으로 배출되는 기판 처리 장치 및 파티클 배출 방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention provides a substrate processing apparatus and a particle discharging method in which particles in a space inside a housing are effectively discharged.
또한, 본 발명은 파티클 배출을 위한 구성이 간단한 기판 처리 장치 및 파티클 배출 방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention also provides a substrate processing apparatus and a particle discharging method that are simple in configuration for discharging a particle.
또한, 본 발명은 하우징의 내부공간에서 배출된 파티클이 하우징의 내부 공간으로 다시 유입되는 것이 방지되는 기판 처리 장치 및 파티클 배출 방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention also provides a substrate processing apparatus and a particle discharging method in which particles discharged from the inner space of the housing are prevented from flowing back into the inner space of the housing.
본 발명의 일 측면에 따르면, 하우징; 상기 하우징의 내부 공간에 위치되는 기판 처리 모듈; 상기 기판 처리 모듈의 유지 보수를 위해 상기 하우징의 일면에 형성되는 관리구를 개폐하도록 상기 하우징에 결합되는 보수 도어를 포함하되, 상기 보수 도어에는 상기 기판 처리 모듈의 측면에 대향되는 면에 형성된 메인 홀과 상기 메인 홀과 연통되는 배기 유로가 제공되는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.According to an aspect of the present invention, A substrate processing module located in an inner space of the housing; And a maintenance door coupled to the housing to open and close a maintenance port formed on one side of the housing for maintenance of the substrate processing module, wherein the maintenance door is provided with a main hole And an exhaust passage communicating with the main hole may be provided.
또한, 상기 기판 처리 모듈은 상기 관리구에 대향되는 면에 위치되는 제어부재를 포함할 수 있다.
또한, 상기 제어부재는 상기 메인 홀에 대향되는 면에 위치되어 상기 제어부재의 구성들을 냉각하는 팬을 포함할 수 있다.
또한, 상기 제어부재의 측면과 상기 메인 홀 사이에 제공되어, 상기 팬과 상기 메인 홀이 연통되도록 하는 연결튜브를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 연결튜브의 일단은 상기 제어부재의 측면 또는 상기 보수 도어의 내면에 부착될 수 있다.
또한, 상기 연결튜브는 길이가 가변 될 수 있다.
또한, 상기 연결튜브는 벨로즈로 제공될 수 있다.
또한, 상기 기판 처리 모듈은 상하로 적층된 제 1 기판 처리 모듈 및 제 2 기판 처리 모듈을 포함하고, 상기 메인 홀은 상기 제 1 기판 처리 모듈 및 상기 제 2 기판 처리 모듈 각각에 대응되도록 복수로 제공될 수 있다.
또한, 상기 보수 도어에는 상기 메인 홀들의 위쪽에 위치되고 상기 배기 유로와 연통 되는 보조 홀이 형성될 수 있다.
또한, 상기 하우징의 일면에 형성되어, 상기 하우징의 내부공간의 기체를 배출하는 배기구를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 기판 처리 모듈은 상기 보수 도어를 개방한 상태로 상기 관리구를 통해 착탈 가능하게 제공될 수 있다.In addition, the substrate processing module may include a control member positioned on a surface facing the management port.
In addition, the control member may include a fan positioned on a surface facing the main hole to cool the components of the control member.
The control unit may further include a connection tube provided between a side surface of the control member and the main hole to allow the fan and the main hole to communicate with each other.
Further, one end of the connection tube may be attached to the side surface of the control member or the inner surface of the maintenance door.
In addition, the connecting tube may have a variable length.
In addition, the connection tube may be provided as a bellows.
The substrate processing module may include a first substrate processing module and a second substrate processing module stacked vertically, and the main hole may be provided in a plurality of units corresponding to the first substrate processing module and the second substrate processing module, respectively .
Further, the maintenance door may be provided with auxiliary holes located above the main holes and communicating with the exhaust passage.
The apparatus may further include an exhaust port formed on one surface of the housing and discharging gas in the inner space of the housing.
In addition, the substrate processing module may be detachably provided through the management port in a state in which the maintenance door is opened.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 하우징 내부공간의 파티클이 효과적으로 배출될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, particles in the space inside the housing can be effectively discharged.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 제어부재를 냉각하는 팬을 이용하여 파티클을 배출할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, particles can be discharged using a fan for cooling the control member.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 하우징의 내부공간에서 배출된 파티클이 내부공간으로 다시 유입되는 것이 방지된다.According to an embodiment of the present invention, particles discharged from the inner space of the housing are prevented from entering the inner space again.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1의 처리부의 일 예를 보여주는 사시도이다.
도 3은 제 1 처리실의 평면도이다.
도 4는 제 2 처리실의 평면도이다.
도 5는 베이크 유닛들의 후면 사시도이다.
도 6은 베이크 유닛의 평 단면도이다.
도 7은 베이크 유닛들이 적층된 모습을 나타내는 측 단면도이다.
도 8은 보수 도어의 종단면도이다.1 is a schematic view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a perspective view showing an example of the processing unit of FIG.
3 is a plan view of the first treatment chamber.
4 is a plan view of the second treatment chamber.
5 is a rear perspective view of the bake units;
6 is a plan sectional view of the bake unit.
7 is a side sectional view showing a state in which the bake units are stacked.
8 is a longitudinal sectional view of the maintenance door.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Thus, the shape of the elements in the figures has been exaggerated to emphasize a clearer description.
본 실시 예에서는 기판 처리 장치가 처리하는 기판으로 반도체 기판을 일례로 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 디스플레이 패널에 사용되는 기판과 같은 다양한 종류의 기판에도 적용될 수 있다. In this embodiment, the substrate processed by the substrate processing apparatus is exemplified as a semiconductor substrate. However, the present invention is not limited to this and can be applied to various types of substrates such as a substrate used for a display panel.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 도면이다.1 is a schematic view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스부(10), 처리부(20) 및 인터페이스부(30)를 포함한다. 기판 처리 장치(1)는 웨이퍼 상에 포토리소그래피 공정을 수행한다. 인덱스부(10), 처리부(20) 및 인터페이스부(30)는 순차적으로 일방향(이하, 제 1 방향(62))으로 나란히 배치될 수 있다. 인덱스부(10)는 카세트 거치대(12)와 로봇 이동로(14)를 가진다.Referring to Fig. 1, the
기판들이 수용된 카세트들(12a)은 카세트 거치대(12)에 놓여진다. 로봇 이동로(14)에는 카세트 거치대(12)에 놓여진 카세트(12a)와 처리부(20)간 기판을 이송하는 로봇(14a)이 설치된다. 로봇(14a)은 위쪽에서 볼때 제 1 방향(62)과 수직한 제 2 방향(64) 및 상하 방향으로 이동될 수 있는 구조를 가진다. 수평 방향 및 상하 방향으로 로봇(14a)을 이송하는 구조는 당업자라면 용이하게 구성할 수 있으므로 상세한 설명은 생략한다.The
처리부(20)는 기판에 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 도포공정과 노광 공정이 수행된 기판에 현상 공정을 수행한다. 처리부(20)에는 도포 유닛(120a), 현상 유닛(120b), 그리고 베이크 유닛(200)들이 제공된다.The
처리부(20)의 일측에는 노광부(40)와 연결되는 인터페이스부(30)가 제공된다. 인터페이스부(30)에는 노광부(40)와 처리부(20) 간에 기판을 이송하는 로봇(32)이 배치된다. 로봇(32)은 제 2 방향(64) 및 상하 방향으로 이동될 수 있는 구조를 가진다.An
도 2는 도 1의 처리부의 일 예를 보여주는 사시도이다. 2 is a perspective view showing an example of the processing unit of FIG.
도 2를 참조하면, 처리부(20)는 제 1 처리실(100a) 및 제 2 처리실(100b)을 포함한다. 제 1 처리실(100a)과 제 2 처리실(100b)은 서로 적층된 구조를 가진다. 제 1 처리실(100a)에는 도포 공정을 수행하는 유닛들이 제공되고, 제 2 처리실(100b)에는 현상 공정을 수행하는 유닛들이 제공된다. 즉, 제 1 처리실(100a)에는 도포 유닛(120a)들과 베이크 유닛(200)들이 제공되며, 제 2 처리실(100b)에는 현상 유닛(120b)들과 베이크 유닛(200)들이 제공된다. 일 예에 의하면, 제 1 처리실(100a)은 제 2 처리실(100b)의 위쪽에 위치될 수 있다. 이와 달리 제 1 처리실(100a)은 제 2처리실(100b)의 아래 쪽에 배치될 수 있다.Referring to Fig. 2, the
상술한 구조로 인해 기판은 인덱스부(10), 제 1 처리실(100a), 인터페이스부(30), 노광부(40), 인터페이스부(30), 제 2 처리실(100b) 및 인덱스부(10)의 순서로 이동된다. 즉, 포토리소그래피 공정 수행시 기판은 상하방향으로 루프식으로 이동된다.The substrate has an
도 3은 제 1 처리실의 평면도이다. 3 is a plan view of the first treatment chamber.
도 2 및 도 3을 참조하면, 제 1 처리실(100a)에는 중앙에 제 1 이동로(160a)가 제 1 방향(62)을 따라 제공된다. 제 1 이동로(160a)의 일단은 인덱스부(10)와 연결되고, 제 1 이동로(160a)의 타단은 인터페이스부(30)와 연결된다. 제 1 이동로(160a)의 일측에는 베이크 유닛(200)들이 제 1 이동로(160a)를 따라 일렬로 배치되고, 제 1 이동로(160a)의 타측에는 도포 유닛(120a)들이 제 1 이동로(160a)를 따라 일렬로 배치된다. 또한, 베이크 유닛(200)들 또는 도포 유닛(120a)들은 상하로 복수개가 적층되도록 배치될 수 있다. 제 1 이동로(160a)에는 인덱스부(10), 도포 유닛(120a), 베이크 유닛(200), 및 인터페이스부(30)들 간에 기판을 이송하는 제 1 로봇(162a)이 제공된다. 제 1 이동로(160a)에는 제 1 로봇(162a)이 제 1 방향(62)으로 이동 되도록 위치되는 가이드(236) 레일(164a)이 제공된다.Referring to FIGS. 2 and 3, a first moving
도 4는 제 2 처리실의 평면도이다.4 is a plan view of the second treatment chamber.
도 2 및 도4를 참조하면, 제 2 처리실(100b)에는 중앙에는 제 2 이동로(160b)가 제 1 방향(62)을 따라 길게 제공된다. 제 2 이동로(160b)의 일단은 인덱스부(10)와 연결되고, 제 2 이동로(160b)의 타단은 인터페이스부(30)와 연결된다. 제 2 이동로(160b)의 일측에는 베이크 유닛(200)들이 제 2 이동로(160b)를 따라 일렬로 배치되고, 제 2 이동로(160b)의 타측에는 현상 유닛(120b)들이 제 2 이동로(160b)를 따라 일렬로 배치될 수 있다. 또한, 베이크 유닛(200)들 및 현상 유닛(120b)들은 상하로 복수개가 적층되도록 배치될 수 있다. 제 2 이동로(160b)에는 인덱스부(10), 현상 유닛(120b), 베이크 유닛(200) 및 인터페이스부(30)들 간에 기판을 이송하는 제 2 로봇(162b)이 제공된다.Referring to FIGS. 2 and 4, the
제 2 이동로(160b)에는 제 1 방향(62)을 따라 가이드(236) 레일(164b)이 제공된다. 제 2 로봇(162b)은 가이드(236) 레일(162b)에 위치되어, 제 1 방향(62)으로 이동될 수 있다. 상술한 바와 달리, 제 1 처리실의 일측에는 제 1 이동로가 배치되고, 제 1 처리실의 타측에는 도포 유닛들과 베이크 유닛(200)들이 배치될 수 있다. 또한, 제 2 처리실의 일측에는 제 2 이동로가 배치되고, 제 2 처리실의 타측에는 현상 유닛들과 베이크 유닛(200)들이 배치될 수 있다.The
도 5는 베이크 유닛(200)들의 후면 사시도이고, 도 6은 베이크 유닛(200)의 평 단면도이다.5 is a rear perspective view of the
도 5 및 도 6을 참조하면, 베이크 유닛(200)은 하우징(210), 기판 처리모듈(220), 보수 도어(230)를 포함한다.Referring to FIGS. 5 and 6, the
하우징(210)은 기판이 처리되는 내부공간을 제공한다. 하우징(210)의 일면에는 개구(211)가 형성된다. 예를 들어, 개구(211)는 이동로(160a, 160b)를 향하는 하우징(210)의 측면에 형성될 수 있다. 기판은 로봇(162a, 162b)에 의해 개구(211)로 유입된다. 하우징(210)의 다른 일면에는 관리구(212)가 형성된다. 관리구(212)는 하우징(210)의 일 측면 전부가 개방되도록 형성될 수 있다. 예를 들어 관리구(212)는 개구(211)와 대향되는 하우징(210)의 측면에 형성될 수 있다. 이하, 하우징(210)에서 개구(211)가 형성된 방향을 전단이라 하고, 전단에 대향되는 방향을 후단이라 한다. 하우징(210)의 일면에는 배기구(213)가 형성될 수 있다. 배기구(213)는 개구(211) 및 관리구(212)가 형성되지 않은 하우징(210)의 측면에 형성될 수 있다. 배기구(213)의 단부는 기판 처리 장치(1)의 외부와 연통된다. 배기구(213)는 상하 방향으로 길게 형성될 수 있다. 따라서, 상하 방향으로 적층된 베이크 유닛(200)들의 배기구(213)는 서로 연통되도록 형성될 수 있다. 배기구(213)는 펌프(214)와 연결될 수 있다. 펌프(214)는 흡입 압력을 제공하여 내부공간의 기체, 파티클 또는 흄을 흡입하여 기판 처리 장치(1)의 외부로 배기한다. 배기구(213)는 복수로 제공될 수 있다. 예를 들어, 배기구(213)는 서로 마주보는 하우징(210)의 측면에 형성될 수 있다.The
기판 처리모듈(220)은 하우징(210)의 내부공간에 위치된다. 기판 처리모듈(220)은 냉각부재(221), 가열부재(222) 및 제어부재(223)를 포함한다. 기판 처리모듈(220)은 기판에 열처리 공정을 수행한다. 냉각부재(221)는 개구(211)에 인접하게 위치되고, 가열부재(222)는 개구(211)와 먼 쪽에 위치될 수 있다. 이와 반대로, 가열부재(222)가 개구(211)에 인접하게 위치되고, 냉각부재(221)가 개구(211)와 면 쪽에 위치될 수 도 있다. 냉각부재(221)는 반입된 기판에 냉각공정을 수행한다. 가열부재(222)는 반입된 기판에 가열공정을 수행한다. 하우징(210)의 내부에는 이송부재(미도시)가 제공될 수 있다. 예를 들어, 이송부재는 하우징(210)의 내부 측벽에 제공될 수 있다. 이송부재는 냉각부재(221) 및 가열부재(222) 사이를 이동하도록 제공된다. 기판은 이송부재에 의해서 냉각부재(221)와 가열부재(222) 사이에서 이동된다. 냉각부재(221) 및 가열부재(222)는 지지플레이트(225)의 위쪽에 위치된다. 지지플레이트(225)는 하우징(210)의 하면에 위치된다. 지지플레이트(225)의 일측에는 제어부재(223)가 위치된다. 제어부재(223)는 관리구(212)와 인접한 쪽에 위치된다. 따라서, 관리구(212)가 하우징(210)의 후단에 위치된 경우, 제어부재(223)는 지지플레이트(225)의 후단에 위치된다. 제어부재(223)는 베이크 유닛(200)의 동작을 제어한다. 따라서, 제어부재(223)는 가열부재(222) 및 냉각부재(221)의 동작을 제어한다. 또한, 제어부재(223)는 이송부재 또는 펌프(214)를 제어할 수 있다. 제어부재(223)는 팬(224)을 포함한다. 팬(224)은 관리구(212)와 인접한 제어부재(223)의 측면에 위치된다. 관리구(212)가 하우징(210)의 후단에 위치되는 경우, 팬(224)은 제어부재(223)의 후단에 위치된다. 팬(224)은 제어부재(223) 주위에 기체의 흐름을 발생시켜 제어부재(223)를 냉각한다.The
기판 처리모듈(220)은 탈착 가능하게 제공될 수 있다. 따라서, 기판 처리모듈(220)은 관리구(212)를 통해 하우징(210) 외부로 반출될 수 있다. 사용자는 기판 처리모듈(220)을 하우징(210) 외부로 반출한 상태에서 유지 보수작업을 하거나, 베이크 유닛(200)의 기판 처리모듈(220)을 교체할 수 있다.The
또 다른 실시 예로, 지지플레이트는 생략될 수 있다. 이때, 가열부재 및 냉각부재의 측면은 서로 접하도록 제공된다. 그리고, 제어부재는 가열부재(222) 또는 냉각부재의 측면에 접하도록 제공된다.In yet another embodiment, the support plate may be omitted. At this time, the side surfaces of the heating member and the cooling member are provided to be in contact with each other. Then, the control member is provided so as to abut the side surface of the
베이크 유닛(200)들의 측면에는 보수 도어(230)가 제공된다. 보수 도어(230)는 베이크 유닛(200)의 관리구(212)를 개폐한다. 보수 도어(230)는 하우징(210)에 대해 회전 가능하게 제공될 수 있다. 예를 들어, 보수 도어(230)는 하우징(210)에 힌지 결합될 수 있다. 보수 도어(230)는 상하로 적층 된 복수의 베이크 유닛(200)들에 하나가 제공될 수 있다. 따라서, 보수 도어(230)는 상하로 적층된 베이크 유닛(200)의 후면을 동시에 개폐할 수 있다.A
보수 도어(230)에는 메인 홀(231)이 형성된다. 메인 홀(231)은 기판 처리 모듈(220)의 측면에 대응하는 곳에 형성된다. 메인 홀(231)은 팬(224)과 대향되게 형성된다. 따라서, 팬(224)에서 관리구(212) 쪽으로 이동되는 기체는 메인 홀(231)로 유입된다. 팬(224)과 메인 홀(231) 사이에는 연결튜브(226)가 제공될 수 있다. 연결튜브(226)는 팬(224)과 메인 홀(231) 사이를 연결하여, 팬(224)에서 형성된 기체의 흐름을 메인 홀(231) 쪽으로 가이드(236) 한다. 연결튜브(226)의 일단은 보수 도어(230) 또는 제어부재(223)에 연결된다. 따라서, 보수 도어(230)를 개방한 때어도, 연결튜브(226)는 일정 위치에 고정될 수 있다. 연결튜브(226)는 길이가 가변 되도록 제공될 수 있다. 이 때, 연결튜브(226)는 보수 도어(230) 또는 제어부재(223)에 밀착되도록 탄성을 가지도록 제공될 수 있다. 예를 들어, 연결튜브(226)는 그 길이 방향에 수직한 방향으로 수개의 주름이 형성되어 길이가 가변되는 벨로즈로 제공될 수 있다. 따라서, 보수 도어(230)가 닫힌 때, 연결튜브(226)의 양단은 제어부재(223) 및 보수 도어(230)에 밀착될 수 있다.A
보수 도어(230)와 하우징 사이에는 실링(235)이 제공될 수 있다. 예를 들어, 실링(235)은 보수도어가 하우징과 인접하는 양측면에 제공될 수 있다. 또한, 실링(235)은 보수 도어(230)의 상단 및 하단도 제공될 수 있다. 실링(235)은 보수 도어(230) 또는 하우징에 부착되어 제공될 수 있다. 보수 도어(230)는 내부 공간을 기판 처리 장치(1)의 외부 공간과 차단되도록 한다. 따라서, 외부 공간의 기체가 보수 도어(230)와 하우징 사이를 통해 유입되는 것이 차단된다.A sealing
도 7은 베이크 유닛(200)들이 적층된 모습을 나타내는 측 단면도이다.7 is a side sectional view showing a state in which the
도 5 내지 도 7을 참조하면, 보수 도어(230)에는 적층되게 위치된 베이크 유닛(200) 각각에 대응되게 메인 홀(231)이 형성될 수 있다. 제 1 베이크 유닛(200)(220a)은 제 2 베이크 유닛(200)(200b)의 위쪽에 위치된다. 제 1 기판 처리 모듈(220a) 및 제 2 기판 처리 모듈(220b)에는 각각 제 1 제어 부재(223a) 및 제 2 제어 부재(223b)가 제공된다. 보수 도어(230)에는 제 1 제어 부재(223a)의 제 1 팬(224a) 및 제 2 제어 부재(223b)의 제 2 팬(224b)에 대응하는 부분에 각각 메인 홀(231)이 형성된다.5 to 7, a
도 8은 보수 도어의 종단면도이다.8 is a longitudinal sectional view of the maintenance door.
도 5 내지 도 8을 참조하면, 보수 도어(230)에는 배기 유로(232)가 형성된다. 배기 유로(232)는 각각의 메인 홀(231)로 유입된 유체가 기판 처리 장치(1)의 외부로 배출되도록 가이드(236) 한다. 배기 유로(232)는 각각의 메인 홀(231)과 연통되도록 보수 도어(230)에 형성된다. 예를 들어 배기 유로(232)는 보수 도어(230)의 상하 방향으로 형성될 수 있다. 배기 유로(232)의 일단은 외부 공간과 연통된다. 예를 들어, 배기 유로(232)는 보수 도어(230)의 하단에서 외부 공간과 연통되도록 형성될 수 있다. 배기 유로(232)의 단부는 선택적으로 개폐되도록 제공될 수 있다.5 to 8, the
보수 도어(230)에는 보조 홀(233)이 형성될 수 있다. 보조 홀(233)은 메인 홀(231)의 위쪽에 형성된다. 따라서, 보조 홀(233)은 메인 홀(231)과 메인 홀(231) 사이에 위치될 수 있다. 보조 홀(233)은 기판 처리 모듈의 위쪽의 내부 공간과 연통 되도록 위치될 수 있다. 보조 홀(233)은 배기 유로(232)와 연통된다. 보조 홀(233)은 도어에 의해 개폐될 수 있다.An
배기 유로(232)에는 보조 홀(233)과 대응하는 곳에 가이드(236)가 제공된다. 가이드(236)는 보조 홀(233)로 유입된 기체, 파티클 또는 흄이 일 방향으로 유동되도록 한다. 예를 들어, 가이드(236)는 보조 홀(233)의 위쪽 및 측면은 감싸고, 보조 홀(233)의 아래쪽은 개방 되도록 제공될 수 있다. 따라서, 보조 홀(233)로 유입된 기체, 파티클 또는 흄은 아래쪽으로 유동되도록 가이드(236) 된다.A
이하, 베이크 유닛(200)에서 기체, 파티클 또는 흄이 배기되는 과정을 설명한다.Hereinafter, a process of exhausting gases, particles or fumes from the
기판 처리모듈(220)에서 기판이 처리되는 동안, 하우징(210)의 내부 공간에는 흄이 발생한다. 또한, 내부공간에 남아있던 종전의 흄 또는 베이크 유닛(200)의 구성 요소들의 동작으로 인한 마모 등으로 인해, 내부공간에 파티클이 발생할 수 있다. 내부공간의 파티클은 기판의 불량을 야기하므로 기판 처리 장치(1)의 외부로 배출되어야 한다.During substrate processing in the
베이크 유닛(200)이 동작되면, 제어부재(223)는 베이크 유닛(200)의 구성요소들을 제어한다. 팬(224)은 회전하면서 제어부재(223)의 구성들을 냉각하여 제어부재(223)의 오작동 또는 파손을 방지한다. 내부공간의 기체는 팬(224)에 의해서 연결튜브(226) 및 배기 유로(232)를 통해 기판 처리 장치(1) 밖으로 배출된다. 베이크 유닛(200)들이 적층된 경우, 위쪽에 형성된 내부 공간과 아래 쪽에 형성된 내부 공간은 압력이 상이하게 형성될 수 있다. 예를 들어, 위쪽에 형성된 내부 공간의 압력이 아래쪽에 형성된 내부 공간의 압력보다 높게 형성될 수 있다. 따라서, 각각의 메인 홀(231)로 유입된 기체, 파티클 또는 흄은 배기유로의 상부에서 하부로 유동될 수 있다. 배기 유로(232)를 유동하는 기체는 일정 유속을 가지므로, 배기 유로(232)의 단부를 통해 기판 처리 장치(1)의 외부로 배출된다. 내부공간의 흄 또는 파티클은 기체와 함께 유동하면서 기판 처리 장치(1)의 외부로 배출된다. 배기 유로(232)의 단부는 베이크 유닛(200)이 동작하지 않는 동안 차폐될 수 있다. 따라서, 외부 공간의 기체가 배기 유로(232)로 유입되는 것이 차단될 수 있다. 팬(224)은 제어부재(223)의 냉각과 내부공간의 파티클 배출을 동시에 수행하여, 파티클 배출을 위한 구성이 단순해 진다.When the
각각의 보조 홀(233)은 선택적으로 개폐된다. 예를 들어, 제 1 내부 공간에 위치된 보조 홀(233)은 개방되고, 제 2 내부 공간에 위치된 보조 홀(233)은 폐쇄 될 수 있다. 또는, 이와 반대로 제 1 내부 공간에 위치된 보조 홀(233)은 폐쇄되고 제 2 내부 공간에 위치된 보조 홀(233)은 개방될 수 있다. 배기 유로(232)를 유동하는 기체는 일정한 유속을 갖는다. 반면, 기판 처리모듈(220)의 상부의 기체는 유동이 없거나, 배기 유로(232) 보다 느린 유속을 갖는다. 따라서, 기판 처리모듈(220)의 상부의 압력은 배기 유로(232)보다 높게 형성된다. 보조 홀(233)이 개방되면, 하우징(210)의 내부공간에 있는 기체는 압력차에 의해 보조 홀(233)을 통해 배기 유로(232)로 유입된다. 이 때, 내부 공간의 흄 또는 파티클은 기체와 함께 보조 홀(233) 쪽으로 유동된다. 가이드(236)는 배기 유로(232)를 유동하는 기체가 내부 공간쪽을 향하는 것을 방지한다. 따라서, 기체에 포함된 흄 또는 파티클이 내부공간으로 다시 유입되는 것이 방지된다. 또한, 각각의 보조 홀(233)은 선택적으로 개폐되어 배기 유로(232)의 압력을 조절할 수 있다. 따라서, 각각의 베이크 유닛(200)에서 배기 유로(232)로 유입되는 기체의 유량 또는 속도를 조절할 수 있다. 또한, 배기 유로(232)를 유동하는 기체의 유속 또는 유량을 조절할 수 있다.Each
기판이 처리되는 동안 펌프(214)가 동작될 수 있다. 따라서, 배기구(213)에 흡입압력이 형성되어, 내부공간의 기체, 흄 또는 파티클이 배기구(213)를 통해 기판 처리 장치(1)의 외부로 배출될 수 있다. 즉, 하우징(210)의 내부공간에 있는 파티클 또는 흄은 배기 유로(232) 및 배기구(213)를 통해 동시에 배출되어, 내부공간이 청결하게 유지될 수 있다. 따라서, 파티클 및 흄에 의한 기판의 불량 발생이 방지될 수 있다.The
이상에서는 위쪽에 형성된 내부 공간의 압력이 아래쪽에 형성된 내부 공간의 압력보다 높게 형성된 경우를 예로 들어 설명했으나, 압력분포는 이와 반대로 형성될 수 있다. 이때, 가이드(236)는 보조 홀(233)의 아래 쪽 및 측면은 감싸고, 보조 홀(233)의 위쪽은 개방 되도록 제공될 수 있다. 따라서, 보조 홀(233)로 유입된 기체, 파티클 또는 흄은 위쪽으로 유동되도록 가이드(236) 된다. 그리고, 배기 유로(232)의 상단은 외부 공간과 연통되도록 형성된다.In the above description, the pressure of the inner space formed on the upper side is higher than the pressure of the inner space formed on the lower side. However, the pressure distribution may be formed in the opposite manner. At this time, the
이상에서는 베이크 유닛(200)에 팬 및 배기 유로(232)가 제공되는 보수 도어(230)가 포함되는 것으로 설명하였으나, 이는 예시적인 것이다. 따라서, 배기 유로(232)가 제공되는 보수 도어(230)는 도포 유닛 또는 현상 유닛에 제공될 수 있다. 또한, 베이크 유닛(200)에는 냉각부재 및 가열부재가 제공되는 경우를 설명하였으나, 냉각부재와 가열부재는 각각의 유닛으로 제공될 수 있다. 이때, 각각의 유닛에 배기 유로(232)가 제공되는 보수 도어(230)가 포함될 수 있다. In the above description, the
또한, 기판 처리 장치(1)는 기판에 포토리소그라피를 수행하는 장치인 것으로 설명하였으나, 기판 처리 장치(1)는 기판에 식각, 이온주입 또는 세정을 수행하는 장치일 수 있다. 또한, 기판 처리장치는 통상의 기술자의 입장에서 기판의 처리 과정에서 하우징 내부의 물질을 외부로 배출하는 장치일 수 있다.Further, although the
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the foregoing is intended to illustrate and explain the preferred embodiments of the present invention, and the present invention may be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, it is possible to make changes or modifications within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, within the scope of the disclosure, and / or within the skill and knowledge of the art. The embodiments described herein are intended to illustrate the best mode for implementing the technical idea of the present invention and various modifications required for specific applications and uses of the present invention are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. It is also to be understood that the appended claims are intended to cover such other embodiments.
200: 베이크 유닛 210: 하우징
211: 개구 220: 기판 처리모듈
221: 냉각부재 222: 가열부재
230: 보수 도어 231: 메인 홀
232: 보조 홀200: bake unit 210: housing
211: aperture 220: substrate processing module
221: cooling member 222: heating member
230: maintenance door 231: main hole
232: auxiliary hole
Claims (12)
상기 하우징의 내부 공간에 위치되는 기판 처리 모듈;
상기 기판 처리 모듈의 유지 보수 작업을 위해 상기 관리구를 개폐하도록 상기 하우징의 일측면에 회전 가능하게 결합되는 보수 도어를 포함하며,
상기 보수 도어에는 상기 기판 처리 모듈의 측면에 대향되는 면에 형성된 메인 홀과 상기 메인 홀과 연통되는 배기 유로가 제공되는 기판 처리 장치.A housing having an opening for entering and exiting the substrate on one surface and a management port formed on one side facing the opening;
A substrate processing module located in an inner space of the housing;
And a maintenance door rotatably coupled to one side of the housing to open and close the maintenance port for maintenance work of the substrate processing module,
Wherein the maintenance door is provided with a main hole formed on a side opposite to a side surface of the substrate processing module and an exhaust passage communicating with the main hole.
상기 기판 처리 모듈은 상기 관리구에 대향되는 면에 위치되는 제어부재를 포함하는 기판 처리 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the substrate processing module includes a control member that is located on a surface facing the management port.
상기 제어부재는 상기 메인 홀에 대향되는 면에 위치되어 상기 제어부재의 구성들을 냉각하는 팬을 포함하는 기판 처리 장치.3. The method of claim 2,
Wherein the control member comprises a fan located on a side facing the main hole to cool the components of the control member.
상기 제어부재의 측면과 상기 메인 홀 사이에 제공되어, 상기 팬과 상기 메인 홀이 연통되도록 하는 연결튜브를 더 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 3,
Further comprising a connection tube provided between a side surface of the control member and the main hole to allow the fan and the main hole to communicate with each other.
상기 연결튜브의 일단은 상기 제어부재의 측면 또는 상기 보수 도어의 내면에 부착되는 기판 처리 장치.5. The method of claim 4,
And one end of the connection tube is attached to a side surface of the control member or an inner surface of the maintenance door.
상기 연결튜브는 길이가 가변 되는 기판 처리 장치.5. The method of claim 4,
Wherein the connecting tube is variable in length.
상기 연결튜브는 벨로즈로 제공되는 기판 처리 장치.5. The method of claim 4,
Wherein the connecting tube is provided as a bellows.
상기 기판 처리 모듈은 상하로 적층된 제 1 기판 처리 모듈 및 제 2 기판 처리 모듈을 포함하고,
상기 메인 홀은 상기 제 1 기판 처리 모듈 및 상기 제 2 기판 처리 모듈 각각에 대응되도록 복수로 제공되는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the substrate processing module includes a first substrate processing module and a second substrate processing module stacked one above the other,
Wherein the plurality of main holes are provided so as to correspond to the first substrate processing module and the second substrate processing module, respectively.
상기 보수 도어에는 상기 메인 홀들의 위쪽에 위치되고 상기 배기 유로와 연통 되는 보조 홀이 형성되며,
상기 보조홀은 상기 배기 유로의 압력을 조절하도록 도어에 의해 선택적으로 개폐되는 기판 처리 장치.9. The method of claim 8,
The maintenance door is formed with auxiliary holes located above the main holes and communicating with the exhaust passage,
Wherein the auxiliary hole is selectively opened and closed by a door to adjust a pressure of the exhaust passage.
상기 하우징의 일면에 형성되어, 상기 하우징의 내부공간의 기체를 배출하는 배기구를 더 포함하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Further comprising an exhaust port formed on one surface of the housing for exhausting gas in an inner space of the housing.
상기 기판 처리 모듈은 상기 보수 도어가 개방된 상태에서 상기 관리구를 통해 착탈 가능하게 제공되는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the substrate processing module is detachably provided through the management port in a state that the maintenance door is open.
상기 보조 홀로 유입된 기체, 파티클 또는 흄이 상기 배기 유로 상에서의 배기 흐름 방향으로 유동되도록 안내하는 가이드를 더 포함하되;
상기 가이드는
상기 보조홀의 위쪽 및 측면은 감싸고 아래쪽은 개방되도록 제공되는 기판 처리 장치.
10. The method of claim 9,
Further comprising a guide for guiding the gas, particles, or fume introduced into the auxiliary hole to flow in the exhaust flow direction on the exhaust passage;
The guide
Wherein upper and side surfaces of the auxiliary hole are enclosed and the lower side is opened.
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Citations (1)
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Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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