KR20230131116A - 금속장 적층판 - Google Patents
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 128
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 128
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 206
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 128
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 128
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 51
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 344
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 115
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 111
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 13
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 10
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 10
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 4
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 74
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 28
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 19
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 19
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 19
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 8
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 229920005575 poly(amic acid) Polymers 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N ac1mqpva Chemical compound CC12C(=O)OC(=O)C1(C)C1(C)C2(C)C(=O)OC1=O GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 2
- 229920002577 polybenzoxazole Polymers 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 2
- VSXXEQVTFWPFAX-UHFFFAOYSA-N 1-(2-nitrophenyl)-4h-pyridine Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC=CC=C1N1C=CCC=C1 VSXXEQVTFWPFAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPXCORHXFPYJEH-UHFFFAOYSA-N 3-[[3-aminopropyl(dimethyl)silyl]oxy-dimethylsilyl]propan-1-amine Chemical compound NCCC[Si](C)(C)O[Si](C)(C)CCCN GPXCORHXFPYJEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- PEEHTFAAVSWFBL-UHFFFAOYSA-N Maleimide Chemical compound O=C1NC(=O)C=C1 PEEHTFAAVSWFBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000792 Monel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- LTYMSROWYAPPGB-UHFFFAOYSA-N diphenyl sulfide Chemical compound C=1C=CC=CC=1SC1=CC=CC=C1 LTYMSROWYAPPGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- -1 hexafluoroantimonate Chemical compound 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000010329 laser etching Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
- H05K3/285—Permanent coating compositions
- H05K3/287—Photosensitive compositions
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
- B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
- B32B15/08—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
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- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
- B32B15/20—Layered products comprising a layer of metal comprising aluminium or copper
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
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- H05K1/05—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
- H05K1/056—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate the metal substrate being covered by an organic insulating layer
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
- H05K3/061—Etching masks
- H05K3/064—Photoresists
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/01—Dielectrics
- H05K2201/0137—Materials
- H05K2201/0154—Polyimide
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
Abstract
서브트랙티브법에 의한 배선 회로 기판(11)의 제조에 이용되는 금속장 적층판(1)에, 배선 회로 기판(11)의 금속 지지 기판(12)을 형성하기 위한 금속층(2)과, 배선 회로 기판(11)의 제 1 절연층(13)의 전구체이며, 금속층(2) 위에 배치되는 감광성 수지층(3)을 마련한다.
Description
본 발명은, 금속장 적층판에 관한 것이다.
종래, 금속 기판, 절연층, 시드층 및 금속 도금층이 차례로 적층된 적층체를 이용하여, 서브트랙티브법에 의해 서스펜션용 기판을 제조하는 방법이 알려져 있다(예를 들면, 하기 특허문헌 1 참조.).
상기한 특허문헌 1에 기재되는 바와 같은 배선 회로 기판의 제조 방법에서는, 절연층 위에 에칭용 레지스트를 제판한 후, 에칭액을 이용하여 절연층을 에칭하는 것에 의해, 절연층을 가공하고, 그 후, 에칭용 레지스트를 박리하고 있다.
그 때문에, 에칭용 레지스트의 제판 작업, 절연층의 에칭 처리, 및 에칭용 레지스트의 박리 작업에 걸리는 시간을 단축하는 것이 곤란하여, 제조 효율을 향상시키는 것이 곤란하다.
본 발명은, 배선 회로 기판을 효율 좋게 제조할 수 있는 금속장 적층판을 제공한다.
본 발명 [1]은, 서브트랙티브법에 의한 배선 회로 기판의 제조에 이용되는 금속장 적층판으로서, 비감광성의 수지층을 구비하지 않고, 금속층과, 상기 배선 회로 기판의 절연층의 전구체이며, 상기 금속층 위에 배치되는 감광성 수지층을 구비하는, 금속장 적층판을 포함한다.
본 발명 [2]는, 상기 감광성 수지층이, 감광성 접착제층을 개재시켜 상기 금속층 위에 배치되는, 상기 [1]의 금속장 적층판을 포함한다.
본 발명 [3]은, 상기 감광성 수지층 위에 배치되는 감광성 접착제층을 더 갖는, 상기 [1] 또는 [2]의 금속장 적층판을 포함한다.
본 발명 [4]는, 상기 감광성 수지층 위에 배치되는 도체층을, 더 구비하는, 상기 [1] 또는 [2]의 금속장 적층판을 포함한다.
본 발명 [5]는, 상기 도체층이, 감광성 접착제층을 개재시켜 상기 감광성 수지층 위에 배치되는, 상기 [4]의 금속장 적층판을 포함한다.
본 발명 [6]은, 상기 도체층이, 구리로 형성되는, 상기 [4] 또는 [5]의 금속장 적층판을 포함한다.
본 발명 [7]은, 상기 금속층이, 구리 합금 또는 스테인리스로 형성되는, 상기 [1]∼[6] 중 어느 하나의 금속장 적층판을 포함한다.
본 발명 [8]은, 서브트랙티브법에 의한 배선 회로 기판의 제조에 이용되는 금속장 적층판으로서, 비감광성의 수지층을 구비하지 않고, 도체층과, 상기 배선 회로 기판의 절연층의 전구체이며, 상기 도체층 위에 배치되는 감광성 수지층을 구비하는, 금속장 적층판을 포함한다.
본 발명 [9]는, 상기 감광성 수지층이, 감광성 접착제층을 개재시켜 상기 도체층 위에 배치되는, 상기 [8]의 금속장 적층판을 포함한다.
본 발명 [10]은, 상기 감광성 수지층 위에 배치되는 감광성 접착제층을 더 갖는, 상기 [8] 또는 [9]의 금속장 적층판을 포함한다.
본 발명 [11]은, 상기 감광성 수지층 위에 배치되는 제 2 도체층을, 더 구비하는, 상기 [8] 또는 [9]의 금속장 적층판을 포함한다.
본 발명 [12]는, 상기 제 2 도체층이, 감광성 접착제층을 개재시켜 상기 감광성 수지층 위에 배치되는, 상기 [11]의 금속장 적층판을 포함한다.
본 발명 [13]은, 상기 제 2 도체층이, 구리로 형성되는, 상기 [11] 또는 [12]의 금속장 적층판을 포함한다.
본 발명 [14]는, 상기 도체층이, 구리로 형성되는, 상기 [8]∼[13] 중 어느 하나의 금속장 적층판을 포함한다.
본 발명 [15]는, 상기 감광성 수지층이, 감광성 폴리이미드로 형성되는, 상기 [1]∼[14] 중 어느 하나의 금속장 적층판을 포함한다.
본 발명의 금속장 적층판에 의하면, 감광성 수지층을 노광 및 현상한다는 간단한 공정에서, 감광성 수지층을 소정 형상으로 가공하고, 그 후, 감광성 수지층을 경화시키는 것에 의해, 소정 형상의 절연층을 얻을 수 있다.
그 때문에, 경화된 절연층을 가공하는 경우와 비교해서, 효율 좋게 절연층을 얻을 수 있다.
그 결과, 배선 회로 기판을 효율 좋게 제조할 수 있다.
도 1은, 제 1 실시형태의 금속장 적층판의 단면도이다.
도 2는, 도 1에 나타내는 금속장 적층판을 이용하여 제조되는 배선 회로 기판의 단면도이다.
도 3의 도 3A 내지 도 3D는, 제 1 실시형태에 있어서의 배선 회로 기판의 제조 방법의 공정도로서, 도 3A는, 준비 공정을 나타내고, 도 3B는, 현상 공정을 나타내고, 도 3C는, 배치 공정을 나타내며, 도 3D는, 에칭 공정을 나타낸다.
도 4의 도 4A 및 도 4B는, 도 3D에 이어서, 제 1 실시형태에 있어서의 배선 회로 기판의 제조 방법의 공정도로서, 도 4A는, 비아 형성 공정을 나타내고, 도 4B는, 제 2 절연층 형성 공정을 나타낸다.
도 5의 도 5A 내지 도 5C는, 제 1 실시형태의 금속장 적층판의 변형예를 나타내는 단면도로서, 도 5A는, 제 1 변형예를 나타내고, 도 5B는, 제 2 변형예를 나타내며, 도 5C는, 제 3 변형예를 나타낸다.
도 6의 도 6A 내지 도 6D는, 제 2 실시형태에 있어서의 배선 회로 기판의 제조 방법의 공정도로서, 도 6A는, 준비 공정을 나타내고, 도 6B는, 현상 공정을 나타내고, 도 6C는, 배치 공정을 나타내며, 도 6D는, 에칭 공정 및 제 2 에칭 공정을 나타낸다.
도 7의 도 7A 및 도 7B는, 도 6D에 이어서, 제 2 실시형태에 있어서의 배선 회로 기판의 제조 방법의 공정도로서, 도 7A는, 비아 형성 공정을 나타내고, 도 7B는, 제 2 절연층 형성 공정을 나타낸다.
도 8의 도 8A 내지 도 8D는, 제 3 실시형태에 있어서의 배선 회로 기판의 제조 방법의 공정도로서, 도 8A는, 준비 공정을 나타내고, 도 8B는, 배치 공정을 나타내고, 도 8C는, 에칭 공정을 나타내며, 도 8D는, 현상 공정을 나타낸다.
도 9의 도 9A 내지 도 9D는, 제 4 실시형태에 있어서의 배선 회로 기판의 제조 방법의 공정도로서, 도 9A는, 준비 공정을 나타내고, 도 9B는, 배치 공정을 나타내고, 도 9C는, 에칭 공정 및 제 2 에칭 공정을 나타내며, 도 9D는, 현상 공정을 나타낸다.
도 10의 도 10A 및 도 10B는, 제 5 실시형태에 있어서의 배선 회로 기판의 제조 방법의 공정도로서, 도 10A는, 비아 형성 공정을 나타내고, 도 10B는, 제 2 절연층 형성 공정을 나타낸다.
도 11의 도 11A 내지 도 11F는, 제 6 실시형태에 있어서의 배선 회로 기판의 제조 방법의 공정도로서, 도 11A는, 준비 공정을 나타내고, 도 11B는, 제 2 에칭 공정을 나타내고, 도 11C는, 도체층을 준비하는 공정을 나타내고, 도 11D는, 에칭 공정을 나타내고, 도 11E는, 배치 공정을 나타내며, 도 11F는, 현상 공정을 나타낸다.
도 12는, 제 7 실시형태의 금속장 적층판의 단면도이다.
도 13의 도 13A 내지 도 13C는, 제 7 실시형태의 금속장 적층판의 변형예를 나타내는 단면도로서, 도 13A는, 제 1 변형예를 나타내고, 도 13B는, 제 2 변형예를 나타내며, 도 13C는, 제 3 변형예를 나타낸다.
도 14는, 제 8 실시형태의 금속장 적층판의 단면도이다.
도 15의 도 15A 내지 도 15D는, 제 8 실시형태에 있어서의 배선 회로 기판의 제조 방법의 공정도로서, 도 15A는, 준비 공정을 나타내고, 도 15B는, 현상 공정을 나타내고, 도 15C는, 에칭 공정을 나타내며, 도 15D는, 금속층 접착 공정을 나타낸다.
도 16의 도 16A 내지 도 16C는, 도 15D에 이어서, 제 8 실시형태에 있어서의 배선 회로 기판의 제조 방법의 공정도로서, 도 16A는, 비아 형성 공정을 나타내고, 도 16B는, 제 2 절연층 형성 공정을 나타내며, 도 16C는, 제 2 에칭 공정을 나타낸다.
도 17의 도 17A 내지 도 17C는, 제 8 실시형태의 금속장 적층판의 변형예를 나타내는 단면도로서, 도 17A는, 제 1 변형예를 나타내고, 도 17B는, 제 2 변형예를 나타내며, 도 17C는, 제 3 변형예를 나타낸다.
도 18은, 제 9 실시형태의 금속장 적층판의 단면도이다.
도 19의 도 19A 내지 도 19D는, 제 9 실시형태에 있어서의 배선 회로 기판의 제조 방법의 공정도로서, 도 19A는, 준비 공정을 나타내고, 도 19B는, 에칭 공정을 나타내고, 도 19C는, 현상 공정을 나타내며, 도 19D는, 금속층 접착 공정을 나타낸다.
도 20의 도 20A 내지 도 20C는, 도 19D에 이어서, 제 9 실시형태에 있어서의 배선 회로 기판의 제조 방법의 공정도로서, 도 20A는, 비아 형성 공정을 나타내고, 도 20B는, 제 2 절연층 형성 공정을 나타내며, 도 20C는, 제 2 에칭 공정을 나타낸다.
도 21의 도 21A 내지 도 21C는, 제 9 실시형태의 금속장 적층판의 변형예를 나타내는 단면도로서, 도 21A는, 제 1 변형예를 나타내고, 도 21B는, 제 2 변형예를 나타내며, 도 21C는, 제 3 변형예를 나타낸다.
도 2는, 도 1에 나타내는 금속장 적층판을 이용하여 제조되는 배선 회로 기판의 단면도이다.
도 3의 도 3A 내지 도 3D는, 제 1 실시형태에 있어서의 배선 회로 기판의 제조 방법의 공정도로서, 도 3A는, 준비 공정을 나타내고, 도 3B는, 현상 공정을 나타내고, 도 3C는, 배치 공정을 나타내며, 도 3D는, 에칭 공정을 나타낸다.
도 4의 도 4A 및 도 4B는, 도 3D에 이어서, 제 1 실시형태에 있어서의 배선 회로 기판의 제조 방법의 공정도로서, 도 4A는, 비아 형성 공정을 나타내고, 도 4B는, 제 2 절연층 형성 공정을 나타낸다.
도 5의 도 5A 내지 도 5C는, 제 1 실시형태의 금속장 적층판의 변형예를 나타내는 단면도로서, 도 5A는, 제 1 변형예를 나타내고, 도 5B는, 제 2 변형예를 나타내며, 도 5C는, 제 3 변형예를 나타낸다.
도 6의 도 6A 내지 도 6D는, 제 2 실시형태에 있어서의 배선 회로 기판의 제조 방법의 공정도로서, 도 6A는, 준비 공정을 나타내고, 도 6B는, 현상 공정을 나타내고, 도 6C는, 배치 공정을 나타내며, 도 6D는, 에칭 공정 및 제 2 에칭 공정을 나타낸다.
도 7의 도 7A 및 도 7B는, 도 6D에 이어서, 제 2 실시형태에 있어서의 배선 회로 기판의 제조 방법의 공정도로서, 도 7A는, 비아 형성 공정을 나타내고, 도 7B는, 제 2 절연층 형성 공정을 나타낸다.
도 8의 도 8A 내지 도 8D는, 제 3 실시형태에 있어서의 배선 회로 기판의 제조 방법의 공정도로서, 도 8A는, 준비 공정을 나타내고, 도 8B는, 배치 공정을 나타내고, 도 8C는, 에칭 공정을 나타내며, 도 8D는, 현상 공정을 나타낸다.
도 9의 도 9A 내지 도 9D는, 제 4 실시형태에 있어서의 배선 회로 기판의 제조 방법의 공정도로서, 도 9A는, 준비 공정을 나타내고, 도 9B는, 배치 공정을 나타내고, 도 9C는, 에칭 공정 및 제 2 에칭 공정을 나타내며, 도 9D는, 현상 공정을 나타낸다.
도 10의 도 10A 및 도 10B는, 제 5 실시형태에 있어서의 배선 회로 기판의 제조 방법의 공정도로서, 도 10A는, 비아 형성 공정을 나타내고, 도 10B는, 제 2 절연층 형성 공정을 나타낸다.
도 11의 도 11A 내지 도 11F는, 제 6 실시형태에 있어서의 배선 회로 기판의 제조 방법의 공정도로서, 도 11A는, 준비 공정을 나타내고, 도 11B는, 제 2 에칭 공정을 나타내고, 도 11C는, 도체층을 준비하는 공정을 나타내고, 도 11D는, 에칭 공정을 나타내고, 도 11E는, 배치 공정을 나타내며, 도 11F는, 현상 공정을 나타낸다.
도 12는, 제 7 실시형태의 금속장 적층판의 단면도이다.
도 13의 도 13A 내지 도 13C는, 제 7 실시형태의 금속장 적층판의 변형예를 나타내는 단면도로서, 도 13A는, 제 1 변형예를 나타내고, 도 13B는, 제 2 변형예를 나타내며, 도 13C는, 제 3 변형예를 나타낸다.
도 14는, 제 8 실시형태의 금속장 적층판의 단면도이다.
도 15의 도 15A 내지 도 15D는, 제 8 실시형태에 있어서의 배선 회로 기판의 제조 방법의 공정도로서, 도 15A는, 준비 공정을 나타내고, 도 15B는, 현상 공정을 나타내고, 도 15C는, 에칭 공정을 나타내며, 도 15D는, 금속층 접착 공정을 나타낸다.
도 16의 도 16A 내지 도 16C는, 도 15D에 이어서, 제 8 실시형태에 있어서의 배선 회로 기판의 제조 방법의 공정도로서, 도 16A는, 비아 형성 공정을 나타내고, 도 16B는, 제 2 절연층 형성 공정을 나타내며, 도 16C는, 제 2 에칭 공정을 나타낸다.
도 17의 도 17A 내지 도 17C는, 제 8 실시형태의 금속장 적층판의 변형예를 나타내는 단면도로서, 도 17A는, 제 1 변형예를 나타내고, 도 17B는, 제 2 변형예를 나타내며, 도 17C는, 제 3 변형예를 나타낸다.
도 18은, 제 9 실시형태의 금속장 적층판의 단면도이다.
도 19의 도 19A 내지 도 19D는, 제 9 실시형태에 있어서의 배선 회로 기판의 제조 방법의 공정도로서, 도 19A는, 준비 공정을 나타내고, 도 19B는, 에칭 공정을 나타내고, 도 19C는, 현상 공정을 나타내며, 도 19D는, 금속층 접착 공정을 나타낸다.
도 20의 도 20A 내지 도 20C는, 도 19D에 이어서, 제 9 실시형태에 있어서의 배선 회로 기판의 제조 방법의 공정도로서, 도 20A는, 비아 형성 공정을 나타내고, 도 20B는, 제 2 절연층 형성 공정을 나타내며, 도 20C는, 제 2 에칭 공정을 나타낸다.
도 21의 도 21A 내지 도 21C는, 제 9 실시형태의 금속장 적층판의 변형예를 나타내는 단면도로서, 도 21A는, 제 1 변형예를 나타내고, 도 21B는, 제 2 변형예를 나타내며, 도 21C는, 제 3 변형예를 나타낸다.
1. 금속장 적층판
도 1 및 도 2를 참조하여, 제 1 실시형태의 금속장 적층판(1)에 대하여 설명한다.
도 1에 나타내는 금속장 적층판(1)은, 서브트랙티브법에 의한 배선 회로 기판(11)(도 2 참조)의 제조에 이용된다. 금속장 적층판(1)은, 서브트랙티브법에 의한 배선 회로 기판(11)의 제조에 이용되는 소재로서, 독립적으로 거래된다. 금속장 적층판(1)은, 배선 회로 기판(11)의 제조의 도중에 형성되는 적층체를 포함하지 않는다. 배선 회로 기판(11), 및 배선 회로 기판(11)의 제조 방법에 대해서는, 후에 설명한다.
본 실시형태의 금속장 적층판(1)은, 두께 방향에 있어서의 한쪽 표면에 금속층(2)을 갖는 편면 금속장 적층판이다. 금속장 적층판(1)은, 금속층(2)과, 감광성 수지층(3)과, 감광성 접착제층(4)과, 보호 필름(5)을 구비한다.
한편, 금속장 적층판(1)은, 비감광성의 수지층을 갖지 않는다. 비감광성의 수지층이란, 후술하는 배선 회로 기판(11)의 제조 방법의 현상 공정 시에 존재하고, 또한, 노광 및 현상에 의해 패턴화할 수 없는 수지층이다. 비감광성의 수지층으로서, 예를 들면, 구리장 적층판의 절연층, 및 배선 회로 기판의 절연층을 들 수 있다. 한편, 보호 필름(5)은, 후술하는 배선 회로 기판(11)의 제조 방법의 준비 공정에서 박리되기 때문에, 현상 공정 시에 존재하지 않는다. 그 때문에, 보호 필름(5)은, 비감광성의 수지층에 포함되지 않는다.
(1) 금속층
금속층(2)은, 배선 회로 기판(11)의 금속 지지 기판(12)(도 2 참조)을 형성하기 위한 층이다.
금속층(2)의 재료는, 금속 지지 기판(12)에 요구되는 강성을 얻을 수 있으면, 한정되지 않는다. 금속층(2)의 재료로서, 예를 들면, 구리 합금, 스테인리스, 구리, 42 알로이, 모넬을 들 수 있다. 바람직하게는, 금속층(2)은, 구리 합금 또는 스테인리스로 형성된다.
금속층(2)의 두께도, 금속 지지 기판(12)에 요구되는 강성을 얻을 수 있으면, 한정되지 않는다. 금속층(2)의 두께는, 예를 들면, 1μm 이상이고, 예를 들면, 250μm 이하이다.
(2) 감광성 수지층
감광성 수지층(3)은, 배선 회로 기판(11)의 절연층의 일례로서의 제 1 절연층(13)(도 2 참조)의 전구체이다. 감광성 수지층(3)은, 금속장 적층판(1)의 두께 방향에 있어서, 금속층(2) 위에 배치된다.
감광성 수지층(3)은, 노광 및 현상에 의해 패턴화 가능하다. 감광성 수지층(3)의 재료로서, 예를 들면, 감광성 폴리이미드, 감광성 에폭시 수지, 감광성 폴리벤즈옥사졸 등을 들 수 있다.
감광성 수지층(3)은, 바람직하게는, 감광성 폴리이미드로 형성된다. 감광성 폴리이미드는, 예를 들면, 광반응성의 작용기를 갖는 폴리아믹산(미경화된 폴리이미드)을 함유한다. 감광성 폴리이미드는, 폴리아믹산과 감광제를 함유해도 된다.
감광성 수지층(3)은, 노광 및 현상에 의해 패턴화된 후, 필요에 따라 가열되는 것에 의해, 경화된다. 한편, 감광성 수지층(3)은, 노광된 부분이 현상액에 불용화되는 네거티브형이어도 되고, 노광된 부분이 현상액에 용해되는 포지티브형이어도 된다. 감광성 수지층(3)은, 바람직하게는, 네거티브형이다.
감광성 수지층(3)의 두께는, 예를 들면, 1μm 이상이고, 예를 들면, 50μm 이하이다.
(3) 감광성 접착제층
감광성 접착제층(4)은, 금속장 적층판(1)의 두께 방향에 있어서, 감광성 수지층(3) 위에 배치된다. 감광성 접착제층(4)은, 노광 및 현상에 의해, 감광성 수지층(3)과 함께 패턴화 가능하다. 즉, 감광성 수지층(3)이 네거티브형인 경우, 감광성 접착제층(4)도 네거티브형이며, 감광성 수지층(3)이 포지티브형인 경우, 감광성 접착제층(4)도 포지티브형이다.
감광성 접착제층(4)이 노광 및 현상된 후, 감광성 접착제층(4)의 경화가 완료되기 전에 있어서, 감광성 접착제층(4)은, 감광성 수지층(3)보다도 강한 접착력을 갖는다. 감광성 접착제층(4)은, 노광 및 현상되기 전, 및 노광 및 현상된 후의 양쪽에 있어서, 접착력을 가져도 된다. 감광성 접착제층(4)은, 후술하는 배선 회로 기판(11)의 제조 방법의 배치 공정(도 3C 참조)에 있어서, 감광성 수지층(3)과 도체층(140)을 접착한다.
감광성 접착제층(4)은, 예를 들면, 광반응성의 작용기를 갖는 미경화된 열경화성 수지를 함유한다. 감광성 접착제층(4)은, 미경화된 열경화성 수지와 감광제를 함유해도 된다. 감광성 접착제층(4)은, 광반응성의 작용기를 갖는 열가소성 수지를 함유해도 된다. 감광성 접착제층(4)은, 열가소성 수지와 감광제를 함유해도 된다.
감광성 접착제층(4)의 재료로서, 예를 들면, 감광성 열경화성 수지, 및 감광성 열가소성 수지를 들 수 있다. 감광성 열경화성 수지로서, 예를 들면, 감광성 에폭시 수지, 감광성 폴리이미드, 감광성 유레테인 수지를 들 수 있다. 감광성 열가소성 수지로서, 예를 들면, 감광성 아크릴 수지를 들 수 있다.
감광성 접착제층(4)으로서 이용되는 네거티브형의 감광성 에폭시 수지로서, 예를 들면, 바이페닐형 에폭시 수지(미경화된 열경화성 수지), 및 비스페놀 F형 에폭시 수지(미경화된 열경화성 수지)와, 4,4-비스[다이(β-하이드록시에톡시)페닐설피니오]페닐설파이드 비스(헥사플루오로안티모네이트)(감광제)의 혼합물을 들 수 있다.
감광성 접착제층(4)으로서 이용되는 네거티브형의 감광성 폴리이미드로서, 예를 들면, 에틸렌 글라이콜 비스트라이멜리트산 이무수물(산 이무수물 성분), 1,12-다이아미노데케인(다이아민 성분), 및 1,3-비스-(3-아미노프로필)테트라메틸다이실록세인(다이아민 성분)의 반응 생성물(폴리아믹산)과, 1-에틸-3,5-다이메톡시카보닐-4-(2-나이트로페닐)-1,4-다이하이드로피리딘(감광제)의 혼합물을 들 수 있다.
감광성 접착제층(4)은, 감광성 수지층(3)보다도 얇다. 감광성 접착제층(4)은, 감광성 수지층(3)과 동일한 두께를 가져도 된다. 감광성 접착제층(4)의 두께는, 예를 들면, 감광성 수지층(3)의 두께의 1배 이하, 바람직하게는, 1/2 이하이며, 예를 들면, 1/3 이상이다. 감광성 접착제층(4)의 두께는, 예를 들면, 1μm 이상이고, 예를 들면, 25μm 이하이다.
(4) 보호 필름
보호 필름(5)은, 감광성 수지층(3) 및 감광성 접착제층(4)을 보호한다. 보호 필름(5)은, 금속장 적층판(1)의 두께 방향에 있어서, 감광성 접착제층(4) 위에 배치된다. 보호 필름(5)은, 감광성 수지층(3) 및 감광성 접착제층(4)을 덮는다. 보호 필름(5)은, 감광성 접착제층(4)으로부터 박리 가능하다.
2. 금속장 적층판의 제조 방법
금속장 적층판(1)을 제조하기 위해서는, 우선, 금속층(2) 위에 감광성 수지층(3)을 형성한다.
감광성 수지층(3)을 형성하는 경우, 예를 들면, 감광성 수지의 용액(바니시)을 금속층(2) 위에 도포하고, 건조한다. 이에 의해, 감광성 수지층(3)이, 금속층(2) 위에 형성된다.
다음으로, 감광성 수지층(3) 위에 감광성 접착제층(4)을 형성한다.
감광성 접착제층(4)을 형성하는 경우, 예를 들면, 감광성 접착제의 용액(바니시)을 감광성 수지층(3) 위에 도포하고, 건조한다. 이에 의해, 감광성 접착제층(4)이, 감광성 수지층(3) 위에 형성된다.
다음으로, 감광성 접착제층(4) 위에, 보호 필름(5)을 첩합(貼合)한다. 이상에 의해, 금속장 적층판(1)이 얻어진다.
한편, 금속장 적층판(1)을 제조하기 위해서는, 보호 필름(5) 위에 감광성 접착제층(4) 및 감광성 수지층(3)을 차례로 형성한 후, 감광성 수지층(3)에 금속층(2)을 첩합해도 된다.
3. 배선 회로 기판
다음으로, 도 2를 참조하여, 금속장 적층판(1)을 이용하여 제조되는 배선 회로 기판(11)에 대하여 설명한다.
배선 회로 기판(11)은, 금속 지지 기판(12)과, 절연층의 일례로서의 제 1 절연층(13)과, 도체 패턴(14)과, 비아(15)와, 제 2 절연층(16)을 구비한다. 배선 회로 기판(11)은, 비아(15)를 구비하지 않아도 된다.
(1) 금속 지지 기판
금속 지지 기판(12)은, 제 1 절연층(13), 도체 패턴(14), 비아(15) 및 제 2 절연층(16)을 지지한다. 본 실시형태에서는, 금속 지지 기판(12)은, 금속장 적층판(1)의 금속층(2)(도 1 참조)으로 형성된다.
(2) 제 1 절연층
제 1 절연층(13)은, 배선 회로 기판(11)의 두께 방향에 있어서, 금속 지지 기판(12) 위에 배치된다. 제 1 절연층(13)은, 금속 지지 기판(12)과 도체 패턴(14) 사이에 배치된다. 제 1 절연층(13)은, 금속 지지 기판(12)과 도체 패턴(14)을 절연한다. 제 1 절연층(13)은, 도체 패턴(14)이 형성되는 부분에 마련된다. 제 1 절연층(13)은, 금속장 적층판(1)의 감광성 수지층(3)(도 1 참조)의 경화물이다.
(3) 도체 패턴
도체 패턴(14)은, 배선 회로 기판(11)의 두께 방향에 있어서, 제 1 절연층(13) 위에 배치된다. 도체 패턴(14)은, 배선 회로 기판(11)의 두께 방향에 있어서, 감광성 접착제층(4)의 경화물인 접합층(17)을 개재시켜 제 1 절연층(13) 위에 배치된다. 접합층(17)은, 제 1 절연층(13)과 도체 패턴(14)을 접합한다.
도체 패턴(14)은, 금속으로 형성된다. 금속으로서, 예를 들면, 구리, 은, 금, 철, 알루미늄, 크로뮴, 및 그들의 합금을 들 수 있다. 양호한 전기 특성을 얻는 관점에서, 바람직하게는, 구리를 들 수 있다.
도체 패턴(14)의 형상은, 한정되지 않는다. 본 실시형태에서는, 도체 패턴(14)은, 서로 독립된 복수의 배선 패턴(14A, 14B, 14C, 14D)을 갖는다.
(4) 비아
비아(15)는, 배선 회로 기판(11)의 두께 방향에 있어서, 배선 패턴(14D), 접합층(17), 및 제 1 절연층(13)을 관통한다. 비아(15)는, 배선 패턴(14D)과 금속 지지 기판(12)을 전기적으로 접속한다.
(5) 제 2 절연층
제 2 절연층(16)은, 도체 패턴(14) 및 비아(15)를 덮는다. 제 2 절연층(16)은, 배선 회로 기판(11)의 두께 방향에 있어서, 접합층(17) 위에 배치된다. 제 2 절연층(16)은, 열경화성 수지로 형성된다. 열경화성 수지로서는, 예를 들면, 폴리이미드, 말레이미드, 에폭시 수지, 폴리벤즈옥사졸, 및 폴리에스터를 들 수 있다.
4. 배선 회로 기판의 제조 방법
다음으로, 도 2 내지 도 4B를 참조하여, 배선 회로 기판(11)의 제조 방법에 대하여 설명한다.
배선 회로 기판의 제조 방법은, 준비 공정(도 3A 참조)과, 현상 공정(도 3B 참조)과, 배치 공정(도 3C 참조)과, 에칭 공정(도 3D 참조)과, 비아 형성 공정(도 4A 참조)과, 제 2 절연층 형성 공정(도 4B 참조)과, 제 2 에칭 공정(도 4B 및 도 2 참조)을 포함한다. 본 실시형태에서는, 준비 공정, 현상 공정, 배치 공정, 에칭 공정, 제 2 절연층 형성 공정, 제 2 에칭 공정의 차례로 실행한다. 즉, 현상 공정 후에 배치 공정을 실행하고, 배치 공정 후에 에칭 공정을 실행한다.
(1) 준비 공정
도 3A에 나타내는 바와 같이, 준비 공정에서는, 상기한 금속장 적층판(1)을 준비하고, 보호 필름(5)(도 1 참조)을 박리한다. 한편, 본 실시형태에서는, 감광성 수지층(3) 및 감광성 접착제층(4)은, 네거티브형이다.
(2) 현상 공정
다음으로, 도 3B에 나타내는 바와 같이, 현상 공정에서는, 감광성 수지층(3) 및 감광성 접착제층(4)을 노광 및 현상한다. 이에 의해, 감광성 수지층(3) 및 감광성 접착제층(4)을, 원하는 형상으로 패턴화한다.
상세하게는, 현상 공정에서는, 우선, 포토레지스트를 개재시켜, 감광성 수지층(3) 및 감광성 접착제층(4)의 일부를 노광한다. 그러면, 감광성 수지층(3) 및 감광성 접착제층(4) 중, 노광된 부분이, 현상액에 대해서 불용화된다.
다음으로, 노광된 감광성 수지층(3) 및 감광성 접착제층(4)을, 현상액에 담근다. 그러면, 감광성 수지층(3) 및 감광성 접착제층(4) 중, 노광되어 있지 않은 부분이, 현상액에 용해되어 제거된다. 감광성 수지층(3) 및 감광성 접착제층(4) 중, 노광된 부분은, 현상액에 용해되지 않고 잔존한다. 이에 의해, 감광성 수지층(3) 및 감광성 접착제층(4)이, 원하는 패턴으로 현상된다.
한편, 현상 공정 후의 감광성 수지층(3) 및 감광성 접착제층(4)은, 미경화된 상태이다.
(3) 배치 공정
다음으로, 도 3C에 나타내는 바와 같이, 배치 공정에서는, 감광성 수지층(3) 위에 도체층(140)을 배치한다.
상세하게는, 배치 공정에서는, 감광성 접착제층(4) 위에, 금속박으로 형성되는 도체층(140)을 첩합한다.
도체층(140)은, 도체 패턴(14)을 형성하기 위한 층이다. 도체층(140)은, 금속으로 형성된다. 금속으로서, 예를 들면, 구리, 은, 금, 철, 알루미늄, 크로뮴, 및 그들의 합금을 들 수 있다. 양호한 전기 특성을 얻는 관점에서, 바람직하게는, 도체층(140)은, 구리로 형성된다.
도체층(140)은, 금속층(2)보다도 얇다. 도체층(140)의 두께는, 예를 들면, 1μm 이상이고, 예를 들면, 50μm 이하이다.
도체층(140)은, 감광성 접착제층(4)을 개재시켜, 감광성 수지층(3) 위에 배치된다. 도체층(140)은, 감광성 접착제층(4)을 개재시켜, 감광성 수지층(3)과 접착된다.
그 후, 감광성 수지층(3) 및 감광성 접착제층(4)을, 필요에 따라 가열하여, 경화시킨다. 이에 의해, 감광성 수지층(3)이 경화된 제 1 절연층(13), 및 감광성 접착제층(4)이 경화된 접합층(17)이 형성된다.
(4) 에칭 공정
다음으로, 도 3D에 나타내는 바와 같이, 에칭 공정에서는, 도체층(140)의 일부를 에칭하여, 도체 패턴(14)을 형성한다.
상세하게는, 에칭 공정에서는, 우선, 도체층(140) 위에 드라이 필름 레지스트를 첩부한다.
다음으로, 드라이 필름 레지스트를 노광 및 현상하여, 에칭 레지스트를 형성한다. 에칭 레지스트는, 도체층(140) 중, 도체 패턴(14)이 되는 부분을 덮는다.
다음으로, 도체층(140) 중, 에칭 레지스트로부터 노출된 부분을 에칭액으로 에칭한다.
이에 의해, 도체층(140) 중, 에칭 레지스트로부터 노출된 부분이 제거되어, 도체 패턴(14)이 형성된다.
(5) 비아 형성 공정
다음으로, 도 4A에 나타내는 바와 같이, 비아 형성 공정에서는, 비아(15)를 형성한다.
비아(15)를 형성하기 위해서는, 예를 들면, 레이저 에칭에 의해, 배선 패턴(14D), 접합층(17) 및 제 1 절연층(13)을 관통하는 비아 홀(15A)을 형성한다.
다음으로, 전해 도금 또는 무전해 도금에 의해, 비아 홀(15A) 내에 비아(15)를 형성한다.
(6) 제 2 절연층 형성 공정
다음으로, 도 4B에 나타내는 바와 같이, 제 2 절연층 형성 공정에서는, 제 2 절연층(16)을 형성한다.
제 2 절연층(16)을 형성하기 위해서는, 우선, 도체 패턴(14)을 덮도록, 접합층(17) 위에, 상기한 제 2 절연층의 재료의 드라이 필름을 첩부한다.
다음으로, 드라이 필름을 노광 및 현상하고, 필요에 따라 가열하여 경화시켜, 제 2 절연층(16)을 형성한다.
(7) 제 2 에칭 공정
다음으로, 도 4B 및 도 2에 나타내는 바와 같이, 제 2 에칭 공정에서는, 금속층(2)의 일부를 에칭하여, 금속 지지 기판(12)을 형성한다.
상세하게는, 제 2 에칭 공정에서는, 우선, 금속층(2) 위에 드라이 필름 레지스트를 첩부한다.
다음으로, 드라이 필름 레지스트를 노광 및 현상하여, 에칭 레지스트를 형성한다. 에칭 레지스트는, 금속층(2) 중, 금속 지지 기판(12)이 되는 부분을 덮는다.
다음으로, 금속층(2) 중, 에칭 레지스트로부터 노출된 부분을 에칭액으로 에칭한다.
이에 의해, 금속층(2) 중, 에칭 레지스트로부터 노출된 부분이 제거되어, 금속 지지 기판(12)이 형성된다.
이상에 의해, 배선 회로 기판(11)의 제조가 완료되어, 도 2에 나타내는 바와 같이, 배선 회로 기판(11)이 얻어진다.
5. 작용 효과
금속장 적층판(1)에 의하면, 도 3A 및 도 3B에 나타내는 바와 같이, 감광성 수지층(3) 및 감광성 접착제층(4)을 노광 및 현상한다는 간단한 공정에서, 감광성 수지층(3) 및 감광성 접착제층(4)을 소정 형상으로 가공하고, 그 후, 도 3C 및 도 3D에 나타내는 바와 같이, 감광성 수지층(3) 및 감광성 접착제층(4)을 경화시키는 것에 의해, 소정 형상의 제 1 절연층(13) 및 접합층(17)을 얻을 수 있다.
그 때문에, 경화된 절연층을 가공하는 경우와 비교해서, 효율 좋게 제 1 절연층(13)을 얻을 수 있다.
그 결과, 배선 회로 기판(11)을 효율 좋게 제조할 수 있다.
6. 금속장 적층판의 변형예
도 5A 내지 도 5C를 참조하여, 금속장 적층판(1)의 변형예에 대하여 설명한다. 금속장 적층판(1)의 변형예에 있어서, 제 1 실시형태와 마찬가지의 구성에는 동일한 부호를 붙이고, 설명을 생략한다.
(1) 도 5A에 나타내는 바와 같이, 금속장 적층판(1)은, 감광성 접착제층(4)을 갖지 않아도 된다. 이 경우, 금속장 적층판(1)은, 두께 방향에 있어서, 금속층(2)과, 감광성 수지층(3)과, 보호 필름(5)을 차례로 구비한다. 감광성 수지층(3)은, 노광 및 현상된 후, 경화가 완료되기 전에 있어서, 접착력을 갖는다. 보호 필름(5)은, 감광성 수지층(3) 위에 배치된다. 또한, 배선 회로 기판(11)의 제조 방법의 배치 공정(도 3C 참조)에 있어서, 도체층(140)은, 감광성 수지층(3)과 직접 접착된다.
(2) 도 5B에 나타내는 바와 같이, 금속장 적층판(1)은, 감광성 접착제층(4)을 갖지 않고, 금속층(2)과 감광성 수지층(3) 사이에 감광성 접착제층(6)을 가져도 된다. 바꾸어 말하면, 감광성 수지층(3)은, 감광성 접착제층(6)을 개재시켜 금속층(2) 위에 배치되어도 된다. 이 경우, 금속장 적층판(1)은, 두께 방향에 있어서, 금속층(2)과, 감광성 접착제층(6)과, 감광성 수지층(3)과, 보호 필름(5)을 차례로 구비한다. 배선 회로 기판(11)의 제조 방법의 현상 공정(도 3B 참조)에 있어서, 감광성 접착제층(6)은, 감광성 수지층(3)과 함께 노광 및 현상되어, 원하는 형상으로 패턴화된다. 그 후, 감광성 접착제층(6)은, 경화되는 것에 의해, 금속 지지 기판(12)(도 2 참조)과 제 1 절연층(13)(도 2 참조)을 접합하는 접합층을 형성한다.
(3) 도 5C에 나타내는 바와 같이, 금속장 적층판(1)은, 두께 방향에 있어서, 금속층(2)과, 감광성 접착제층(6)과, 감광성 수지층(3)과, 감광성 접착제층(4)과, 보호 필름(5)을 차례로 구비해도 된다.
(4) 변형예 (1) 내지 (3)의 금속장 적층판(1)에서도, 제 1 실시형태와 마찬가지의 작용 효과를 얻을 수 있다.
7. 제 2 실시형태
다음으로, 도 6A 내지 도 7B를 참조하여, 제 2 실시형태에 대하여 설명한다. 제 2 실시형태에 있어서, 제 1 실시형태와 마찬가지의 공정에 대해서는, 설명을 생략한다.
제 2 실시형태에서는, 준비 공정(도 6A 참조), 현상 공정(도 6B 참조), 배치 공정(도 6C 참조), 에칭 공정 및 제 2 에칭 공정(도 6D 참조), 비아 형성 공정(도 7A 참조), 제 2 절연층 형성 공정(도 7B 참조)의 차례로 실행한다. 제 2 실시형태에서는, 도 6D에 나타내는 바와 같이, 에칭 공정과 제 2 에칭 공정을 동시에 실행하여, 금속 지지 기판(12)과 도체 패턴(14)을 동시에 형성한다. 이에 의해, 금속 지지 기판(12)과 도체 패턴(14)을 별도 공정에서 형성하는 경우와 비교해서, 배선 회로 기판(11)의 제조 공정의 단축을 도모할 수 있다.
제 2 실시형태에서도, 제 1 실시형태와 마찬가지의 작용 효과를 얻을 수 있다.
8. 제 3 실시형태
다음으로, 도 8A 내지 도 8D, 도 4A, 도 4B 및 도 2를 참조하여, 제 3 실시형태에 대하여 설명한다. 제 3 실시형태에 있어서, 제 1 실시형태와 마찬가지의 공정에 대해서는, 설명을 생략한다.
제 3 실시형태에서는, 준비 공정(도 8A 참조), 배치 공정(도 8B 참조), 에칭 공정(도 8C 참조), 현상 공정(도 8D 참조), 비아 형성 공정(도 4A 참조), 제 2 절연층 형성 공정(도 4B 참조), 제 2 에칭 공정(도 4B 및 도 2 참조)의 차례로 실행한다. 즉, 제 3 실시형태에서는, 배치 공정 후에 에칭 공정을 실행하고, 에칭 공정 후에 현상 공정을 실행한다.
제 3 실시형태에서는, 도 8D에 나타내는 바와 같이, 현상 공정에 있어서, 감광성 수지층(3) 및 감광성 접착제층(4)을 노광 및 현상한 후, 필요에 따라 가열하여, 경화시킨다.
제 3 실시형태에서도, 제 1 실시형태와 마찬가지의 작용 효과를 얻을 수 있다.
9. 제 4 실시형태
다음으로, 도 9A 내지 도 9D, 도 4A 및 도 4B를 참조하여, 제 4 실시형태에 대하여 설명한다. 제 4 실시형태에 있어서, 제 1 실시형태와 마찬가지의 공정에 대해서는, 설명을 생략한다.
제 4 실시형태에서는, 준비 공정(도 9A 참조), 배치 공정(도 9B 참조), 에칭 공정 및 제 2 에칭 공정(도 9C 참조), 현상 공정(도 9D 참조), 비아 형성 공정(도 4A 참조), 제 2 절연층 형성 공정(도 4B 참조)의 차례로 실행한다.
제 4 실시형태에서는, 도 9C에 나타내는 바와 같이, 에칭 공정과 제 2 에칭 공정을 동시에 실행하여, 금속 지지 기판(12)과 도체 패턴(14)을 동시에 형성한다. 이에 의해, 금속 지지 기판(12)과 도체 패턴(14)을 별도 공정에서 형성하는 경우와 비교해서, 배선 회로 기판(11)의 제조 공정의 단축을 도모할 수 있다.
제 4 실시형태에서도, 제 1 실시형태와 마찬가지의 작용 효과를 얻을 수 있다.
10. 제 5 실시형태
다음으로, 도 9A 내지 도 9C, 도 10A, 도 10B 및 도 2를 참조하여, 제 5 실시형태에 대하여 설명한다. 제 5 실시형태에 있어서, 제 4 실시형태와 마찬가지의 공정에 대해서는, 설명을 생략한다.
제 5 실시형태에서는, 준비 공정(도 9A 참조), 배치 공정(도 9B 참조), 에칭 공정 및 제 2 에칭 공정(도 9C 참조), 비아 형성 공정(도 10A 참조), 제 2 절연층 형성 공정(도 10B 참조), 현상 공정(도 10B 및 도 2 참조)의 차례로 실행한다.
제 5 실시형태에서는, 도 10A에 나타내는 바와 같이, 비아 형성 공정에 있어서, 배선 패턴(14D), 노광 전의 감광성 접착제층(4), 및 노광 전의 감광성 수지층(3)을 관통하는 비아 홀(15A)을 형성하고, 비아 홀(15A) 내에 비아(15)를 형성한다.
또한, 제 5 실시형태에서는, 도 10B에 나타내는 바와 같이, 제 2 절연층 형성 공정에 있어서, 노광 전의 감광성 접착제층(4) 위에 제 2 절연층(16)을 형성한다.
또한, 제 5 실시형태에서는, 도 10B 및 도 2에 나타내는 바와 같이, 현상 공정에 있어서, 감광성 수지층(3) 및 감광성 접착제층(4)을 노광 및 현상한 후, 필요에 따라 가열하여, 경화시킨다.
제 5 실시형태에서도, 제 4 실시형태와 마찬가지의 작용 효과를 얻을 수 있다.
11. 제 6 실시형태
다음으로, 도 11A 내지 도 11F, 도 7A 및 도 7B를 참조하여, 제 6 실시형태에 대하여 설명한다. 제 6 실시형태에 있어서, 제 1 실시형태와 마찬가지의 공정에 대해서는, 설명을 생략한다.
제 6 실시형태에서는, 우선, 준비 공정(도 11A 참조), 제 2 에칭 공정(도 11B 참조)을 실행한다.
또한, 준비 공정 및 제 2 에칭 공정과는 별도로, 도 11C 및 도 11D에 나타내는 바와 같이, 도체층(140)을 감광성 접착제층(4) 위에 배치하기 전에, 도체층(140)의 일부를 에칭하여, 도체 패턴(14)을 형성한다(에칭 공정).
다음으로, 도 11E에 나타내는 바와 같이, 도체 패턴(14)을 감광성 접착제층(4) 위에 배치한다(배치 공정). 즉, 제 6 실시형태에서는, 에칭 공정 후에 배치 공정을 실행한다.
다음으로, 도 11F에 나타내는 바와 같이, 현상 공정을 실행한다. 즉, 제 6 실시형태에서는, 배치 공정 후에 현상 공정을 실행한다.
그 후, 비아 형성 공정(도 7A 참조) 및 제 2 절연층 형성 공정(도 7B 참조)을 실행한다.
제 6 실시형태에서도, 제 1 실시형태와 마찬가지의 작용 효과를 얻을 수 있다.
한편, 제 6 실시형태에서는, 배치 공정에 있어서, 도체 패턴(14) 대신에, 도체 패턴(14)을 갖는 배선 회로 기판을 감광성 접착제층(4) 위에 배치할 수도 있다.
12. 제 7 실시형태
다음으로, 도 12, 도 8B 내지 도 8D, 도 4A, 도 4B, 도 2, 도 9B 내지 도 9D, 도 10A, 도 10B, 도 13A 내지 도 13C를 참조하여, 제 7 실시형태에 대하여 설명한다. 제 7 실시형태에 있어서, 제 1 실시형태와 마찬가지의 부재에는 동일한 부호를 붙이고, 설명을 생략한다.
도 12에 나타내는 바와 같이, 제 7 실시형태의 금속장 적층판(100)은, 두께 방향에 있어서의 한쪽 표면에 금속층(2)을 갖고, 두께 방향에 있어서의 다른 쪽 표면에 도체층(140)을 갖는 양면 금속장 적층판이다. 제 7 실시형태에서는, 금속장 적층판(100)은, 두께 방향에 있어서, 금속층(2)과, 감광성 수지층(3)과, 감광성 접착제층(4)과, 도체층(140)을 차례로 구비한다. 도체층(140)은, 감광성 접착제층(4)을 개재시켜, 감광성 수지층(3) 위에 배치된다.
제 7 실시형태에서는, 배선 회로 기판(11)의 제조 방법에 있어서, 배치 공정이 불필요하다. 즉, 제 7 실시형태에서는, 배선 회로 기판(11)의 제조 방법에 있어서, 예를 들면, 준비 공정(도 8B 참조), 에칭 공정(도 8C 참조), 현상 공정(도 8D 참조), 비아 형성 공정(도 4A 참조), 제 2 절연층 형성 공정(도 4B 참조), 제 2 에칭 공정(도 4B 및 도 2 참조)의 차례로 실행한다.
한편, 제 7 실시형태에서는, 배선 회로 기판(11)의 제조 방법에 있어서, 준비 공정(도 9B 참조), 에칭 공정 및 제 2 에칭 공정(도 9C 참조), 현상 공정(도 9D 참조), 비아 형성 공정(도 4A 참조), 제 2 절연층 형성 공정(도 4B 참조)의 차례로 실행해도 된다.
또한, 제 7 실시형태에서는, 배선 회로 기판(11)의 제조 방법에 있어서, 준비 공정(도 9B 참조), 에칭 공정 및 제 2 에칭 공정(도 9C 참조), 비아 형성 공정(도 10A 참조), 제 2 절연층 형성 공정(도 10B 참조), 현상 공정(도 10B 및 도 2 참조)의 차례로 실행해도 된다.
또한, 도 13A에 나타내는 바와 같이, 제 7 실시형태의 금속장 적층판(100)은, 감광성 접착제층(4)을 갖지 않아도 된다.
또한, 도 13B에 나타내는 바와 같이, 제 7 실시형태의 금속장 적층판(100)은, 감광성 접착제층(4)을 갖지 않고, 금속층(2)과 감광성 수지층(3) 사이에 감광성 접착제층(6)을 가져도 된다.
또한, 도 13C에 나타내는 바와 같이, 제 7 실시형태의 금속장 적층판(100)은, 두께 방향에 있어서, 금속층(2)과, 감광성 접착제층(6)과, 감광성 수지층(3)과, 감광성 접착제층(4)과, 도체층(140)을 차례로 구비해도 된다.
제 7 실시형태에서도, 제 1 실시형태와 마찬가지의 작용 효과를 얻을 수 있다.
13. 제 8 실시형태
다음으로, 도 14 내지 도 17C를 참조하여, 제 8 실시형태에 대하여 설명한다. 제 8 실시형태에 있어서, 제 1 실시형태와 마찬가지의 부재에는 동일한 부호를 붙이고, 설명을 생략한다.
도 14에 나타내는 바와 같이, 제 8 실시형태의 금속장 적층판(200)은, 두께 방향에 있어서의 한쪽 표면에 도체층(140)을 갖는 편면 금속장 적층판이다. 제 8 실시형태에서는, 금속장 적층판(200)은, 두께 방향에 있어서, 도체층(140)과, 감광성 접착제층(4)과, 감광성 수지층(3)과, 보호 필름(5)을 차례로 구비한다. 제 8 실시형태에서는, 감광성 수지층(3)은, 감광성 접착제층(4)을 개재시켜 도체층(140) 위에 배치된다.
제 8 실시형태에서는, 배선 회로 기판(11)의 제조 방법에 있어서, 예를 들면, 준비 공정(도 15A 참조), 현상 공정(도 15B 참조), 에칭 공정(도 15C 참조), 금속층 접착 공정(도 15D 참조), 비아 형성 공정(도 16A 참조), 제 2 절연층 형성 공정(도 16B 참조), 제 2 에칭 공정(도 16B 및 도 16C 참조)의 차례로 실행한다.
도 15A에 나타내는 바와 같이, 준비 공정에서는, 상기한 금속장 적층판(200)(도 14 참조)을 준비한다.
도 15B에 나타내는 바와 같이, 현상 공정에서는, 감광성 수지층(3) 및 감광성 접착제층(4)을 노광 및 현상하고, 경화시킨다.
도 15C에 나타내는 바와 같이, 에칭 공정에서는, 도체층(140)의 일부를 에칭하여, 도체 패턴(14)을 형성한다.
도 15D에 나타내는 바와 같이, 금속층 접착 공정에서는, 두께 방향에 있어서의 제 1 절연층(13)의 타방면에, 접착제층(201)을 개재시켜, 금속층(2)을 접착한다.
도 16A에 나타내는 바와 같이, 비아 형성 공정에서는, 배선 패턴(14D), 접합층(17), 제 1 절연층(13) 및 접착제층(201)을 관통하는 비아 홀(15A)을 형성하고, 비아 홀(15A) 내에 비아(15)를 형성한다.
도 16B에 나타내는 바와 같이, 제 2 절연층 형성 공정에서는, 도체 패턴(14)을 덮도록, 접합층(17) 위에, 제 2 절연층(16)을 형성한다.
도 16B 및 도 16C에 나타내는 바와 같이, 제 2 에칭 공정에서는, 금속층(2)의 일부를 에칭하여, 금속 지지 기판(12)을 형성한다.
한편, 제 8 실시형태에서는, 배선 회로 기판(11)의 제조 방법에 있어서, 예를 들면, 준비 공정(도 15A 참조), 에칭 공정(도 15C 참조), 현상 공정(도 15B 참조), 금속층 접착 공정(도 15D 참조), 비아 형성 공정(도 16A 참조), 제 2 절연층 형성 공정(도 16B 참조), 제 2 에칭 공정(도 16B 및 도 16C 참조)의 차례로 실행해도 된다.
또한, 제 8 실시형태에서는, 배선 회로 기판(11)의 제조 방법에 있어서, 예를 들면, 우선, 준비 공정(도 15A 참조), 현상 공정(도 15B 참조), 에칭 공정(도 15C 참조)을 실행하고, 별도로, 금속층(2)의 일부를 에칭하여 금속 지지 기판(12)을 형성하고(제 2 에칭 공정), 그 후, 제 1 절연층(13)에, 접착제층(201)을 개재시켜, 금속 지지 기판(12)을 접착해도 된다(금속층 접착 공정).
또한, 도 17A에 나타내는 바와 같이, 금속장 적층판(200)은, 감광성 접착제층(4)을 갖지 않아도 된다. 이 경우, 금속장 적층판(200)은, 두께 방향에 있어서, 도체층(140)과, 감광성 수지층(3)과, 보호 필름(5)을 차례로 구비한다. 감광성 수지층(3)은, 노광 및 현상된 후, 경화가 완료되기 전에 있어서, 접착력을 갖는다. 배선 회로 기판(11)의 제조 방법의 금속층 접착 공정(도 15D 참조)에 있어서, 금속층(2)은, 감광성 수지층(3)과 직접 접착된다.
또한, 도 17B에 나타내는 바와 같이, 금속장 적층판(200)은, 감광성 접착제층(4)을 갖지 않고, 감광성 접착제층(6)을 가져도 된다. 감광성 접착제층(6)은, 감광성 수지층(3) 위에 배치된다. 이 경우, 금속장 적층판(200)은, 두께 방향에 있어서, 도체층(140)과, 감광성 수지층(3)과, 감광성 접착제층(6)과, 보호 필름(5)을 차례로 구비한다. 배선 회로 기판(11)의 제조 방법의 금속층 접착 공정(도 15D 참조)에 있어서, 금속층(2)은, 감광성 접착제층(6)에 의해, 감광성 수지층(3)과 접착된다. 즉, 배선 회로 기판(11)의 제조 방법의 금속층 접착 공정(도 15D 참조)에 있어서, 접착제층(201)은, 불필요하다.
또한, 도 17C에 나타내는 바와 같이, 금속장 적층판(200)은, 두께 방향에 있어서, 도체층(140)과, 감광성 접착제층(4)과, 감광성 수지층(3)과, 감광성 접착제층(6)과, 보호 필름(5)을 차례로 구비해도 된다.
제 8 실시형태에서도, 제 1 실시형태와 마찬가지의 작용 효과를 얻을 수 있다.
14. 제 9 실시형태
다음으로, 도 18 내지 도 21C를 참조하여, 제 9 실시형태에 대하여 설명한다. 제 9 실시형태에 있어서, 제 1 실시형태와 마찬가지의 부재에는 동일한 부호를 붙이고, 설명을 생략한다.
도 18에 나타내는 바와 같이, 제 9 실시형태의 금속장 적층판(300)은, 두께 방향에 있어서의 한쪽 표면에 도체층(140)을 갖고, 두께 방향에 있어서의 다른 쪽 표면에 제 2 도체층(301)을 갖는 양면 금속장 적층판이다. 제 9 실시형태에서는, 금속장 적층판(300)은, 두께 방향에 있어서, 도체층(140)과, 감광성 접착제층(4)과, 감광성 수지층(3)과, 제 2 도체층(301)을 차례로 구비한다.
제 2 도체층(301)은, 감광성 수지층(3) 위에 배치된다. 제 2 도체층(301)은, 제 2 도체 패턴(302)을 형성하기 위한 층이다. 제 2 도체 패턴(302)은, 예를 들면, 배선 패턴(14A, 14B, 14C, 14D)(도 20C 참조)의 전송 손실의 저감을 도모하기 위해서, 제 1 절연층(13)(도 20C 참조)에 대해서 배선 패턴(14A, 14B, 14C, 14D)의 반대 측에 배치된다.
제 2 도체층(301)은, 금속으로 형성된다. 금속으로서, 예를 들면, 구리, 은, 금, 철, 알루미늄, 크로뮴, 및 그들의 합금을 들 수 있다. 양호한 전기 특성을 얻는 관점에서, 바람직하게는, 제 2 도체층(301)은, 구리로 형성된다.
제 2 도체층(301)의 두께는, 예를 들면, 1μm 이상이고, 예를 들면, 50μm 이하이다.
제 9 실시형태에서는, 배선 회로 기판(11)의 제조 방법에 있어서, 예를 들면, 준비 공정(도 19A 참조), 에칭 공정(도 19B 참조), 현상 공정(도 19C 참조), 금속층 접착 공정(도 19D 참조), 비아 형성 공정(도 20A 참조), 제 2 절연층 형성 공정(도 20B 참조), 제 2 에칭 공정(도 20B 및 도 20C 참조)의 차례로 실행한다.
도 19A에 나타내는 바와 같이, 준비 공정에서는, 상기한 금속장 적층판(300)(도 18 참조)을 준비한다.
도 19B에 나타내는 바와 같이, 에칭 공정에서는, 도체층(140)의 일부를 에칭하여, 도체 패턴(14)을 형성함과 함께, 제 2 도체층(301)의 일부를 에칭하여, 제 2 도체 패턴(302)을 형성한다.
도 19C에 나타내는 바와 같이, 현상 공정에서는, 감광성 수지층(3) 및 감광성 접착제층(4)을 노광 및 현상하고, 경화시킨다.
도 19D에 나타내는 바와 같이, 금속층 접착 공정에서는, 제 2 도체 패턴(302)에, 접착제층(201)을 개재시켜, 금속층(2)을 접착한다.
도 20A에 나타내는 바와 같이, 비아 형성 공정에서는, 배선 패턴(14D), 접합층(17), 제 1 절연층(13), 제 2 도체 패턴(302) 및 접착제층(201)을 관통하는 비아 홀(15A)을 형성하고, 비아 홀(15A) 내에 비아(15)를 형성한다.
도 20B에 나타내는 바와 같이, 제 2 절연층 형성 공정에서는, 도체 패턴(14)을 덮도록, 접합층(17) 위에, 제 2 절연층(16)을 형성한다.
도 20B 및 도 20C에 나타내는 바와 같이, 제 2 에칭 공정에서는, 금속층(2)의 일부를 에칭하여, 금속 지지 기판(12)을 형성한다.
한편, 도 21A에 나타내는 바와 같이, 금속장 적층판(300)은, 감광성 접착제층(4)을 갖지 않아도 된다. 이 경우, 금속장 적층판(300)은, 두께 방향에 있어서, 도체층(140)과, 감광성 수지층(3)과, 제 2 도체층(301)을 차례로 구비한다.
또한, 도 21B에 나타내는 바와 같이, 금속장 적층판(300)은, 감광성 접착제층(4)을 갖지 않고, 감광성 접착제층(303)을 가져도 된다. 감광성 접착제층(303)은, 감광성 수지층(3)과 제 2 도체층(301) 사이에 배치된다. 바꾸어 말하면, 제 2 도체층(301)은, 감광성 접착제층(303)을 개재시켜 감광성 수지층(3) 위에 배치된다. 이 경우, 금속장 적층판(300)은, 두께 방향에 있어서, 도체층(140)과, 감광성 수지층(3)과, 감광성 접착제층(303)과, 제 2 도체층(301)을 차례로 구비한다.
또한, 도 21C에 나타내는 바와 같이, 금속장 적층판(300)은, 두께 방향에 있어서, 도체층(140)과, 감광성 접착제층(4)과, 감광성 수지층(3)과, 감광성 접착제층(303)과, 제 2 도체층(301)을 차례로 구비해도 된다.
제 9 실시형태에서도, 제 1 실시형태와 마찬가지의 작용 효과를 얻을 수 있다.
한편, 상기 발명은, 본 발명의 예시의 실시형태로서 제공했지만, 이것은 단순한 예시에 지나지 않고, 한정적으로 해석해서는 안 된다. 당해 기술 분야의 당업자에 의해 분명한 본 발명의 변형예는, 후기 청구범위에 포함된다.
본 발명의 금속장 적층판은, 서브트랙티브법에 의한 배선 회로 기판의 제조에 이용된다.
1 금속장 적층판
2 금속층
3 감광성 수지층
4 감광성 접착제층
6 감광성 접착제층
11 배선 회로 기판
12 금속 지지 기판
13 제 1 절연층(절연층의 일례)
14 도체 패턴
140 도체층
100 금속장 적층판
200 금속장 적층판
300 금속장 적층판
301 제 2 도체층
302 제 2 도체 패턴
303 감광성 접착제층
2 금속층
3 감광성 수지층
4 감광성 접착제층
6 감광성 접착제층
11 배선 회로 기판
12 금속 지지 기판
13 제 1 절연층(절연층의 일례)
14 도체 패턴
140 도체층
100 금속장 적층판
200 금속장 적층판
300 금속장 적층판
301 제 2 도체층
302 제 2 도체 패턴
303 감광성 접착제층
Claims (15)
- 서브트랙티브법에 의한 배선 회로 기판의 제조에 이용되는 금속장 적층판으로서,
비감광성의 수지층을 구비하지 않고,
상기 배선 회로 기판의 금속 지지 기판을 형성하기 위한 금속층과,
상기 배선 회로 기판의 절연층의 전구체이며, 상기 금속층 위에 배치되는 감광성 수지층
을 구비하는, 금속장 적층판. - 제 1 항에 있어서,
상기 감광성 수지층은, 감광성 접착제층을 개재시켜 상기 금속층 위에 배치되는, 금속장 적층판. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 감광성 수지층 위에 배치되는 감광성 접착제층을 더 갖는, 금속장 적층판. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 감광성 수지층 위에 배치되고, 상기 배선 회로 기판의 도체 패턴을 형성하기 위한 도체층을, 더 구비하는, 금속장 적층판. - 제 4 항에 있어서,
상기 도체층은, 감광성 접착제층을 개재시켜 상기 감광성 수지층 위에 배치되는, 금속장 적층판. - 제 4 항에 있어서,
상기 도체층은, 구리로 형성되는, 금속장 적층판. - 제 1 항에 있어서,
상기 금속층은, 구리 합금 또는 스테인리스로 형성되는, 금속장 적층판. - 서브트랙티브법에 의한 배선 회로 기판의 제조에 이용되는 금속장 적층판으로서,
비감광성의 수지층을 구비하지 않고,
상기 배선 회로 기판의 도체 패턴을 형성하기 위한 도체층과,
상기 배선 회로 기판의 절연층의 전구체이며, 상기 도체층 위에 배치되는 감광성 수지층
을 구비하는, 금속장 적층판. - 제 8 항에 있어서,
상기 감광성 수지층은, 감광성 접착제층을 개재시켜 상기 도체층 위에 배치되는, 금속장 적층판. - 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,
상기 감광성 수지층 위에 배치되는 감광성 접착제층을 더 갖는, 금속장 적층판. - 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,
상기 감광성 수지층 위에 배치되고, 상기 배선 회로 기판의 제 2 도체 패턴을 형성하기 위한 제 2 도체층을, 더 구비하는, 금속장 적층판. - 제 11 항에 있어서,
상기 제 2 도체층은, 감광성 접착제층을 개재시켜 상기 감광성 수지층 위에 배치되는, 금속장 적층판. - 제 11 항에 있어서,
상기 제 2 도체층은, 구리로 형성되는, 금속장 적층판. - 제 8 항에 있어서,
상기 도체층은, 구리로 형성되는, 금속장 적층판. - 제 1 항 또는 제 8 항에 있어서,
상기 감광성 수지층은, 감광성 폴리이미드로 형성되는, 금속장 적층판.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022033910A JP2023129113A (ja) | 2022-03-04 | 2022-03-04 | 金属張積層板 |
| JPJP-P-2022-033910 | 2022-03-04 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20230131116A true KR20230131116A (ko) | 2023-09-12 |
Family
ID=87832819
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020230023978A KR20230131116A (ko) | 2022-03-04 | 2023-02-23 | 금속장 적층판 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2023129113A (ko) |
| KR (1) | KR20230131116A (ko) |
| CN (1) | CN116709660A (ko) |
| TW (1) | TW202342606A (ko) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013145628A (ja) | 2007-04-18 | 2013-07-25 | Dainippon Printing Co Ltd | サスペンション用基板の製造方法 |
-
2022
- 2022-03-04 JP JP2022033910A patent/JP2023129113A/ja active Pending
-
2023
- 2023-02-23 KR KR1020230023978A patent/KR20230131116A/ko unknown
- 2023-03-02 CN CN202310192551.1A patent/CN116709660A/zh active Pending
- 2023-03-02 TW TW112107523A patent/TW202342606A/zh unknown
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013145628A (ja) | 2007-04-18 | 2013-07-25 | Dainippon Printing Co Ltd | サスペンション用基板の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN116709660A (zh) | 2023-09-05 |
| TW202342606A (zh) | 2023-11-01 |
| JP2023129113A (ja) | 2023-09-14 |
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