KR20230120307A - Buffer chamber apparatus of equipment front end module and semiconductor process device comprising the same - Google Patents

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KR20230120307A
KR20230120307A KR1020220016733A KR20220016733A KR20230120307A KR 20230120307 A KR20230120307 A KR 20230120307A KR 1020220016733 A KR1020220016733 A KR 1020220016733A KR 20220016733 A KR20220016733 A KR 20220016733A KR 20230120307 A KR20230120307 A KR 20230120307A
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이호민
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Abstract

본 발명은 EFEM의 반송실에 설치되어 이송되는 웨이퍼를 버퍼링하는 EFEM의 버퍼 챔버 장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치에 관한 것으로서, 전면에 웨이퍼가 출입하는 출입구가 형성되고 내부에 복수의 웨이퍼가 적재되는 적재공간이 형성된 챔버부와, 복수의 웨이퍼가 상하로 각각 적재되어 수납되도록 복수층의 슬롯이 형성된 적재부와, 챔버부의 출입구에 퍼지가스를 분사하여 가스커튼을 형성하는 커튼노즐부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 본 발명은 챔버부의 출입구에 커튼노즐부를 설치하여 입출구에 가스커튼을 형성함으로써, 반도체의 공정처리 후에 퓸이나 이물질을 제거하고 오염을 방지하여 반도체의 수율을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.The present invention relates to an EFEM buffer chamber device installed in an EFEM transfer room and buffering wafers to be transferred, and a semiconductor processing device having the same, wherein an entrance for wafers is formed on the front side and a plurality of wafers are loaded therein A chamber unit having a loading space, a loading unit having a plurality of slots so that a plurality of wafers are vertically loaded and stored, and a curtain nozzle unit configured to form a gas curtain by injecting purge gas into an entrance and exit of the chamber unit. to be Therefore, the present invention provides an effect of improving the yield of semiconductors by removing fumes or foreign substances and preventing contamination after semiconductor processing by installing a curtain nozzle unit at the entrance and exit of the chamber unit to form a gas curtain at the entrance and exit of the chamber unit.

Description

EFEM의 버퍼 챔버 장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치{BUFFER CHAMBER APPARATUS OF EQUIPMENT FRONT END MODULE AND SEMICONDUCTOR PROCESS DEVICE COMPRISING THE SAME}EFEM's buffer chamber device and semiconductor processing device having the same

본 발명은 EFEM의 버퍼 챔버 장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 EFEM의 반송실에 설치되어 이송되는 웨이퍼를 버퍼링하는 EFEM의 버퍼 챔버 장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치에 관한 것이다.The present invention relates to an EFEM buffer chamber device and a semiconductor processing device having the same, and more particularly, to an EFEM buffer chamber device installed in a transfer room of the EFEM and buffering wafers to be transferred, and to a semiconductor processing device having the same will be.

반도체 제조 공정에 있어서 웨이퍼 및 이에 형성되는 반도체 소자는 고정밀도의 물품으로, 보관 및 운반 시 외부의 오염 물질과 충격으로부터 손상되지 않도록 주의해야 한다. 특히, 웨이퍼의 보관 및 운반의 과정에서 그 표면이 먼지, 수분, 각종 유기물 등과 같은 불순물에 의해 오염되지 않도록 관리가 필요하다.In the semiconductor manufacturing process, wafers and semiconductor devices formed thereon are high-precision items, and care must be taken not to damage them from external contaminants and shocks during storage and transportation. In particular, in the process of storing and transporting wafers, management is required so that the surface is not contaminated by impurities such as dust, moisture, and various organic substances.

종래에는 반도체의 제조 수율 및 품질의 향상을 위하여, 클린룸(clean room) 내에서의 웨이퍼의 처리가 이루어지곤 하였다. 그러나 소자의 고집적화, 미세화, 웨이퍼의 대형화가 진행됨에 따라, 비교적 큰 공간인 클린룸을 관리하는 것이 비용적으로도 기술적으로도 곤란해져 왔다. Conventionally, in order to improve the manufacturing yield and quality of semiconductors, wafer processing has been performed in a clean room. However, as devices are highly integrated, miniaturized, and wafers are enlarged in size, managing a clean room, which is a relatively large space, has become difficult both in terms of cost and in terms of technology.

이에 최근에는 클린룸 내 전체의 청정도를 향상시키는 대신, 웨이퍼 주위의 국소적인 공간에 대하여 집중적으로 청정도를 향상시키는 국소환경(mini-environment)의 청정 방식이 적용된다.In recent years, instead of improving the cleanliness of the entire clean room, a mini-environment cleaning method that intensively improves the cleanliness of a local space around the wafer is applied.

한편, 반도체 제조 공정은 식각, 증착, 에칭과 같은 다양한 단위 공정들이 순차적으로 반복된다. 각 공정 처리 과정에서 웨이퍼 상에 이물질 또는 오염 물질이 잔존하게 되어 불량이 발생하거나 반도체 공정 수율이 낮아지는 문제가 있었다.Meanwhile, in the semiconductor manufacturing process, various unit processes such as etching, deposition, and etching are sequentially repeated. Foreign substances or contaminants remain on the wafer during each process, causing defects or lowering the semiconductor process yield.

따라서 반도체 공정에 있어서, 웨이퍼는 여러 프로세스 챔버 또는 반도체처리 공간으로 이송되는데 이때, 웨이퍼를 하나의 처리 공간에서 다른 처리 공간으로 이송시키는 동안 웨이퍼에 이물질이나 오염 물질이 부착되는 것을 최소화하기 위한 다양한 수단이 구비되어 있다.Therefore, in the semiconductor process, wafers are transferred to several process chambers or semiconductor processing spaces. At this time, various means for minimizing the attachment of foreign substances or contaminants to the wafers while transferring the wafers from one processing space to another processing space are used. It is available.

EFEM(Equipment Front End Module)을 포함하는 반도체 공정장치는, 도 1 및 도 2에 나타낸 바와 같이 로드포트모듈(110; LPM(Load Port Module)), 웨이퍼 용기(120; FOUP(Front Opening Unified Pod)), 팬필터유닛(130; FFU(Fan Filter Unit)) 및 웨이퍼 반송실(140)을 포함하여 이루어져 있다.As shown in FIGS. 1 and 2 , the semiconductor processing apparatus including an Equipment Front End Module (EFEM) includes a load port module 110 (Load Port Module (LPM)) and a wafer container 120 (Front Opening Unified Pod (FOUP)). ), a fan filter unit (130; FFU (Fan Filter Unit)) and a wafer transfer room 140.

웨이퍼를 고청정한 환경에서 보관하기 위하여 개구 통합형 포드(Front-Opening Unified Pod ; FOUP)라는 웨이퍼 용기(120)가 사용되며, 웨이퍼 용기(120) 에서 반도체 처리공간으로 웨이퍼가 이동하는 경로에 웨이퍼 반송실(140)이 형성되고, 웨이퍼 반송실(140)은 팬필터유닛(130)에 의하여 청정한 공간으로 유지된다.A wafer container 120 called a front-opening unified pod (FOUP) is used to store wafers in a clean environment, and a wafer transport room 140 is formed, and the wafer transfer room 140 is maintained as a clean space by the fan filter unit 130.

웨이퍼 반송실(140) 내에 설치된 아암 로봇 등의 웨이퍼 이송수단(150)에 의해, 웨이퍼 용기(120) 내의 웨이퍼가 로드포트모듈(110) 를 통하여 웨이퍼 반송실(140) 내로 반출되거나 또는 웨이퍼 반송실(140)로부터 웨이퍼 용기(120) 내에 수납할 수 있도록 구성된다. Wafers in the wafer container 120 are carried out into the wafer transfer room 140 through the load port module 110 by the wafer transfer unit 150 such as an arm robot installed in the wafer transfer room 140 or It is configured so that it can be accommodated in the wafer container 120 from 140.

로드포트모듈(110)의 도어와 웨이퍼 용기(120)의 전방면에 설치된 도어가 밀착된 상태에서 동시에 개방되고, 개방된 영역을 통하여 웨이퍼가 반출되거나 또는 수납된다.The door of the load port module 110 and the door installed on the front surface of the wafer container 120 are simultaneously opened in a state of close contact, and wafers are taken out or received through the open area.

일반적으로, 반도체 처리 공정을 거친 웨이퍼 표면에는 공정 후 발생하는 퓸 (Fume)이 잔류하고 이에 의해 화학반응 발생되어 반도체 웨이퍼의 생산성을 저하시키는 원인으로 작용한다.In general, fumes generated after a semiconductor processing process remain on the surface of a wafer that has undergone a semiconductor processing process, thereby causing a chemical reaction to occur, which acts as a cause of lowering the productivity of a semiconductor wafer.

나아가 웨이퍼의 반출 또는 수납을 위하여 웨이퍼 용기(120)의 도어가 오픈된 경우, 웨이퍼 용기(120)의 내부의 퍼지 가스 농도는 일정 수준 유지되도록 제어되고 웨이퍼 용기 내로 유입된 외기는 필터링되도록 동작한다.Furthermore, when the door of the wafer container 120 is opened to transport or store wafers, the purge gas concentration inside the wafer container 120 is controlled to be maintained at a certain level, and the outside air introduced into the wafer container is filtered.

하지만, 웨이퍼 용기(120) 내부로 유입된 외기에 의해 웨이퍼 용기(120)의 내부에 일부 필터링되지 않은 공기가 존재하게 되고, 웨이퍼 반송실(140)의 대기 환경은 미립자가 제어된 청정 공기이기는 하지만 산소, 수분 등이 포함되어 있고, 이러한 공기가 웨이퍼 용기(120)의 내부로 유입되어 내부 습도가 상승하게 되면 웨이퍼의 표면이 외기에 함유된 수분 또는 산소에 의해 산화될 가능성이 있다. However, some unfiltered air exists inside the wafer container 120 due to outside air introduced into the inside of the wafer container 120, and the atmospheric environment of the wafer transfer room 140 is clean air with controlled particulates. Oxygen, moisture, etc. are included, and when such air flows into the inside of the wafer container 120 and the internal humidity rises, the surface of the wafer may be oxidized by moisture or oxygen contained in the outside air.

따라서, 웨이퍼 반송실(140)로부터 웨이퍼 용기(120)로 외기가 유입되는 것을 효과적으로 차단할 수 있는 수단으로서, 종래에는 로드포트모듈(110)과 웨이퍼 용기(120)의 덮개의 개폐에 의해 이중의 도어 개폐 수단을 구비함으로써 외기를 차단할 수는 있으나, 상하 방향으로 슬라이딩 이동하는 도어 부재를 구비함으로써 로드 포트의 구성이 상당히 복잡해지는 문제가 있었다. Therefore, as a means capable of effectively blocking the inflow of outside air from the wafer transfer room 140 into the wafer container 120, conventionally, double doors are performed by opening and closing the lid of the load port module 110 and the wafer container 120. Although it is possible to block external air by providing an opening and closing means, there is a problem in that the configuration of the load port becomes considerably complicated by providing a door member that slides in the vertical direction.

그 뿐만 아니라, 도어 부재를 상하로 이동시켜 외기를 차단함에 따라, 웨이퍼의 반출 및 수납에 소요되는 시간이 상당히 증가하게 되고, 이로 인해 웨이퍼 용기의 내부 습도가 변화되어 반도체의 제조 수율의 감소로 이어지게 되는 문제점이 있었다.In addition, as the door member is moved up and down to block outside air, the time required for taking out and storing wafers increases significantly, which changes the internal humidity of the wafer container, leading to a decrease in semiconductor manufacturing yield. there was a problem with

특히, 웨이퍼 용기(120)에서 웨이퍼가 출입하는 출입구에서 외기가 웨이퍼 용기(120)의 내부로 유입되어 출입구에서 내부 습도가 상승하게 되면 웨이퍼의 표면이 외기에 함유된 수분 또는 산소에 의해 손상되어 수율이 저하되는 문제도 있었다.In particular, when outside air flows into the inside of the wafer container 120 at the entrance through which wafers enter and exit the wafer container 120 and the internal humidity rises at the entrance, the surface of the wafer is damaged by moisture or oxygen contained in the outside air, thereby increasing yield. There was also a problem with this degradation.

이러한 문제를 해소하기 위해 웨이퍼 반송실(140)의 양쪽 측면에 버퍼 챔버(180)를 설치하여 웨이퍼를 임시로 수납하여 퓸이나 오염물을 퍼지가스로 제거하는 방안이 제안되고 있다.In order to solve this problem, a method of removing fume or contaminants with a purge gas by temporarily storing wafers by installing buffer chambers 180 on both sides of the wafer transfer room 140 has been proposed.

그러나, 이러한 종래의 버퍼 챔버는 외기 차단 노즐은 유체 특성을 반영하지 못하여 유체의 형태를 유지하지 못하고 기류가 난류화 되는 단점을 해결하지 못하였다. However, such a conventional buffer chamber does not solve the disadvantages that the outside air blocking nozzle does not reflect the characteristics of the fluid, so that the shape of the fluid cannot be maintained and the air flow becomes turbulent.

또한, 난류화된 기체는 사방으로 분사되어 버퍼 챔버 내부의 기류를 불규칙하게 함으로써 외기 차단 효과가 없었을 뿐만 아니라 이 난류화된 기체는 오히려 외부의 기류를 내부로 유입 시키기도 하여 본래의 차단 효과에 역효과를 발생하게 되는 문제도 있었다.In addition, the turbulent gas is sprayed in all directions to make the air flow inside the buffer chamber irregular, so there is no external air blocking effect, and the turbulent gas rather introduces external air flow into the inside, adversely affecting the original blocking effect. There were issues that could arise.

따라서, 종래의 버퍼 챔버는 유체의 형태를 일정하여 유지하지 못하여 난류가 형성되는 특성이 있으며, 실제 적용 시 외부 기류에 영향을 받으며, 노즐이 유체의 충돌로 인한 난기류 형성과 이에 따른 외부 유체 유입 가능성을 완전히 해결하지 못한다는 문제가 있었다.Therefore, the conventional buffer chamber has a characteristic that turbulence is formed because the shape of the fluid cannot be maintained constant, and in actual application, it is affected by the external air current, and the nozzle forms turbulence due to the collision of the fluid and thus the possibility of external fluid inflow. There was a problem that could not be completely solved.

또한, 버퍼 챔버는 노즐이 버퍼 챔버의 높이에 따른 특성을 반영하지 못하여 상부는 습도 특성이 좋으나, 하부는 습도 특성이 높은 경향을 보고, 단층 노즐 형태로 불활성 기체가 전체 노즐에 고르게 분사되지 못하는 단점이 있어, 동일한 버퍼 챔버의 공간안에 존재하는 웨이퍼의 수율이 다르게 나타나는 등의 문자점이 발생되었다.In addition, in the buffer chamber, the nozzle does not reflect the characteristics according to the height of the buffer chamber, so the upper part has good humidity characteristics, but the lower part tends to have high humidity characteristics. Due to this, character points such as different yields of wafers existing in the space of the same buffer chamber were generated.

대한민국 등록특허 제10-1254721호 (2013년04월15일)Republic of Korea Patent No. 10-1254721 (April 15, 2013) 대한민국 등록특허 제10-1909483호 (2018년12월19일)Republic of Korea Patent No. 10-1909483 (December 19, 2018) 대한민국 등록특허 제10-1756743호 (2017년07월12일)Republic of Korea Patent No. 10-1756743 (July 12, 2017)

본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해소하기 위해 안출한 것으로서, 챔버부의 출입구에 커튼노즐부를 설치하여 입출구에 가스커튼을 형성함으로써, 반도체의 공정처리 후에 퓸이나 이물질을 제거하고 오염을 방지하여 반도체의 수율을 향상시킬 수 있는 EFEM의 버퍼 챔버 장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다. The present invention has been made to solve the above conventional problems, and by installing a curtain nozzle unit at the entrance and exit of the chamber unit to form a gas curtain at the entrance and exit of the chamber unit, fume or foreign substances are removed after processing of the semiconductor and contamination is prevented to prevent contamination of the semiconductor An object of the present invention is to provide an EFEM buffer chamber device capable of improving the yield and a semiconductor processing device having the same.

또한, 본 발명은 챔버부의 측면과 후면과 출일부에 노즐부를 함께 설치하여 균일한 질소가스의 분사를 통해 5% 이하의 습도로 관리할 수 있는 EFEM의 버퍼 챔버 장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다. In addition, the present invention is a buffer chamber device of EFEM that can be managed at a humidity of 5% or less through uniform injection of nitrogen gas by installing a nozzle unit together on the side, rear, and extraction part of the chamber unit, and a semiconductor processing apparatus equipped with the same It serves another purpose.

또한, 본 발명은 챔버부에 노즐부를 설치하여 외기를 차단하고, 챔버부의 내부에 ㅍ파파티클의 유입을 방지하고 웨이퍼의 내부 습도를 하강시켜 반도체 생산 수율을 향상시킬 수 있는 EFEM의 버퍼 챔버 장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다. In addition, the present invention is an EFEM buffer chamber device capable of improving semiconductor production yield by installing a nozzle unit in the chamber unit to block outside air, prevent the inflow of PA particles into the chamber unit, and lower the internal humidity of the wafer, and the same It is another object to provide a semiconductor processing apparatus provided.

또한, 본 발명은 노즐부에 분산블럭과 연결블럭의 다단으로 결합하여 퍼지가스를 균일하게 분산시커 분사함으로써, 외기 상태요소에 따라 직진화 구간을 조정하여 최적의 외기 차단을 가지는 유체의 선형 유지 구간을 결정할 수 있는 EFEM의 버퍼 챔버 장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다. In addition, the present invention combines the dispersion block and the connection block in the nozzle unit in multiple stages to uniformly disperse and inject the purge gas, adjusting the straightening section according to the external air condition element to maintain the fluid linearity with optimal external air blocking. Another object is to provide an EFEM buffer chamber device capable of determining and a semiconductor processing device having the same.

또한, 본 발명은 유체의 유량 분산 구간에서 유체 유입구에서 일시적으로 유입되는 유체를 골고루 분산시켜 선형유동노즐(Laminar Flow Nozzle)에 일정한 유량을 분사 할 수 있는 EFEM의 버퍼 챔버 장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다. In addition, the present invention is an EFEM buffer chamber device capable of spraying a constant flow rate to a laminar flow nozzle by evenly distributing the fluid temporarily introduced from the fluid inlet in the flow rate distribution section of the fluid, and a semiconductor process having the same It is another object to provide a device.

또한, 본 발명은 챔버부의 좌,우측과 상부에 선현유동을 형성하는 커튼노즐부를 통하여 불활성 유체를 퍼지함으로써, 선형유동노즐을 통해 퍼지된 유체가 압력과 유량 조절에 따라 형상이 유지된 상태로 분사되므로, 외기의 차단효과을 향상시킬 뿐만 아니라 챔버부 내부에서 분사된 불활성 기체의 외부 유출을 최소화시켜 효과적으로 습도를 제어할 수 있는 EFEM의 버퍼 챔버 장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다. In addition, the present invention purges the inert fluid through the curtain nozzle part that forms linear flow on the left, right and upper parts of the chamber part, so that the fluid purged through the linear flow nozzle is sprayed in a state in which the shape is maintained according to the pressure and flow rate control. Therefore, it is another object to provide an EFEM buffer chamber device that can effectively control humidity by improving the blocking effect of outside air and minimizing the outflow of the inert gas injected from the inside of the chamber and a semiconductor processing device equipped with the same to be

또한, 본 발명은 커튼노즐부의 분사각도를 조절하도록 함으로써, 양측에서 분사되는 불활성 유체가 서로 충돌하여 챔버부의 내부로 인입되는 현상을 방지할 수 있는 EFEM의 버퍼 챔버 장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다.In addition, the present invention adjusts the spray angle of the curtain nozzle unit, thereby preventing inert fluids sprayed from both sides from colliding with each other and entering the inside of the chamber unit. EFEM buffer chamber device and semiconductor processing device having the same It serves another purpose.

또한, 본 발명은 챔버부의 둘레에 노즐부를 설치하여 적재부의 각각의 슬롯홈에 퍼지가스를 고르게 분사함으로써, 챔버부의 습도를 일정하게 저하시켜 유지하여 반도체의 생산 수율을 향상시킬 수 있는 EFEM의 버퍼 챔버 장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다. In addition, the present invention is a buffer chamber of EFEM capable of improving the production yield of semiconductors by installing a nozzle unit around the chamber unit and evenly spraying a purge gas into each slot groove of the loading unit to maintain a constant level of humidity in the chamber unit. Another object is to provide an apparatus and a semiconductor processing apparatus having the same.

또한, 본 발명은 노즐부의 인입구에 히터부를 추가로 설치함으로써, 인입구에 설치된 히터를 통하여 불활성 기체의 온도를 높여서 저점의 습도 관리 기능을 향상시킬 수 있는 EFEM의 버퍼 챔버 장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다. In addition, the present invention provides an EFEM buffer chamber device capable of improving the low-point humidity management function by increasing the temperature of the inert gas through the heater installed at the inlet by additionally installing a heater at the inlet of the nozzle, and a semiconductor processing device having the same It has another purpose to provide.

또한, 본 발명은 노즐부를 다단으로 구성하고 적재부 하부의 집중 분사노즐을 3면에 배치하고 불활성 기체를 분사함으로써, 다단 노즐에 유입된 불활성 기체를 전체 면적에 분산하는 분산노즐이 구비되어 전체 면적에 고르게 불활성 기체의 분사가 가능하며, 습도에 취약한 적재부 하부의 집중 분산 구간을 통하여 전체 적재부에 수납되어 있는 각각의 웨이퍼의 습도를 균일하게 관리할 수 있는 EFEM의 버퍼 챔버 장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다. In addition, the present invention is provided with a dispersion nozzle for dispersing the inert gas flowing into the multi-stage nozzle over the entire area by configuring the nozzle unit in multiple stages, arranging the concentrated injection nozzles at the lower part of the loading unit on three sides and spraying the inert gas, EFEM's buffer chamber device capable of evenly spraying inert gas and uniformly managing the humidity of each wafer stored in the entire loading section through the intensive dispersion section at the bottom of the loading section, which is vulnerable to humidity, and equipped with the same Another object is to provide semiconductor processing equipment.

또한, 본 발명은 노즐부의 블럭 사이의 구간에 실링재나 기밀재를 설치함으로써, 각 구간에서 외부 기류의 유입을 방지하는 동시에 불활성 기체의 리크(Leak)를 방지할 수 있는 EFEM의 버퍼 챔버 장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다. In addition, the present invention provides a buffer chamber device of EFEM capable of preventing the inflow of external airflow in each section and at the same time preventing leakage of inert gas by installing a sealing material or an airtight material in the section between the blocks of the nozzle unit, and the same It is another object to provide a semiconductor processing apparatus provided.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은, EFEM의 반송실에 설치되어 이송되는 웨이퍼를 버퍼링하는 EFEM의 버퍼 챔버 장치로서, 전면에 웨이퍼가 출입하는 출입구가 형성되고, 내부에 복수의 웨이퍼가 적재되는 적재공간이 형성된 챔버부(10); 상기 챔버부(10)의 적재공간에 설치되며, 복수의 웨이퍼가 상하로 각각 적재되어 수납되도록 복수층의 슬롯이 형성된 적재부(20); 및 상기 챔버부(10)의 출입구에 설치되며, 출입구에 퍼지가스를 분사하여 가스커튼을 형성하는 커튼노즐부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.The present invention for achieving the above object is an EFEM buffer chamber device that is installed in the transfer room of the EFEM and buffers the wafers to be transferred. A chamber unit 10 having a loading space formed therein; a loading unit 20 installed in the loading space of the chamber unit 10 and formed with a plurality of slots so that a plurality of wafers are loaded and received vertically; and a curtain nozzle unit installed at the entrance and exit of the chamber unit 10 and forming a gas curtain by injecting a purge gas into the entrance and exit.

본 발명의 상기 커튼노즐부는, 상기 챔버부(10)의 출입구의 양쪽 측부에 설치되며, 출입구에 퍼지가스를 분사하여 가스커튼을 형성하는 제2 노즐부(50);를 포함하는 것을 특징으로 한다.The curtain nozzle unit of the present invention is installed on both sides of the entrance of the chamber unit 10 and sprays purge gas to the entrance to form a gas curtain; characterized in that it includes a second nozzle unit 50 .

본 발명의 상기 제2 노즐부(50)는, 상기 챔버부(10)의 출입구의 측면에 설치되는 제2 노즐블럭; 상기 제2 노즐블럭의 외부에 결합되며, 상기 챔버부(10)의 출입구의 측면에 연결되는 제2 연결블럭; 상기 제2 연결블럭의 외부에 결합되며, 상기 챔버부(10)의 출입구의 측면에 고정되는 제2 고정블럭; 및 상기 제2 노즐블럭의 전후면에 복수개가 선형으로 배치된 제2 노즐;을 포함하는 것을 특징으로 한다.The second nozzle unit 50 of the present invention includes a second nozzle block installed on the side of the entrance of the chamber unit 10; a second connection block coupled to the outside of the second nozzle block and connected to the side of the entrance of the chamber unit 10; a second fixing block coupled to the outside of the second connection block and fixed to a side surface of the entrance of the chamber unit 10; and a plurality of second nozzles linearly disposed on the front and rear surfaces of the second nozzle block.

본 발명의 상기 제2 노즐부(50)는, 상기 제2 노즐블럭과 상기 제2 연결블럭 사이에 회전하도록 설치되어, 퍼지가스의 분사각도를 조절하는 제2 분사각 조절편;을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.The second nozzle unit 50 of the present invention is installed to rotate between the second nozzle block and the second connection block, and a second injection angle adjustment piece for adjusting the injection angle of the purge gas; further comprising characterized by

본 발명의 상기 커튼노즐부는, 상기 챔버부(10)의 출입구의 상부에 설치되며, 출입구에 퍼지가스를 분사하여 가스커튼을 형성하는 제3 노즐부(60);를 포함하는 것을 특징으로 한다.The curtain nozzle unit of the present invention is characterized in that it includes a third nozzle unit 60 installed above the entrance of the chamber unit 10 and spraying a purge gas to the entrance to form a gas curtain.

본 발명의 상기 제3 노즐부(60)는, 상기 챔버부(10)의 출입구의 상면에 설치되는 제3 노즐블럭; 상기 제3 노즐블럭의 외부에 결합되며, 상기 챔버부(10)의 출입구의 상면에 연결되는 제3 연결블럭; 상기 제3 연결블럭의 외부에 결합되며, 상기 챔버부(10)의 출입구의 상면에 고정되는 제3 고정블럭; 및 상기 제3 노즐블럭의 전후면에 복수개가 선형으로 배치된 제3 노즐;을 포함하는 것을 특징으로 한다.The third nozzle unit 60 of the present invention includes a third nozzle block installed on the upper surface of the entrance of the chamber unit 10; a third connection block coupled to the outside of the third nozzle block and connected to an upper surface of the entrance of the chamber unit 10; a third fixing block coupled to the outside of the third connection block and fixed to an upper surface of the entrance of the chamber unit 10; and a plurality of third nozzles linearly arranged on the front and rear surfaces of the third nozzle block.

본 발명의 상기 제3 노즐부(60)는, 상기 제3 노즐블럭과 상기 제3 연결블럭 사이에 회전하도록 설치되어, 퍼지가스의 분사각도를 조절하는 제3 분사각 조절편;을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.The third nozzle unit 60 of the present invention further includes a third injection angle adjusting piece installed to rotate between the third nozzle block and the third connection block to adjust the injection angle of the purge gas. characterized by

또한, 본 발명은 상기 챔버부(10)의 외부에 설치되며, 상기 챔버부(10)의 외부에서 상기 적재부(20)의 복수층의 슬롯으로 퍼지가스를 분사하도록 연통 형성된 제1 노즐부(30);를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the present invention is installed on the outside of the chamber part 10, the first nozzle part communicated to spray the purge gas from the outside of the chamber part 10 to the slots of the plurality of layers of the loading part 20 ( 30); characterized in that it further comprises.

또한, 본 발명은 상기 제1 노즐부(30)의 양단에 각각 설치되어, 외부에서 투입되는 퍼지가스를 히팅하는 히터부(40);를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the present invention is characterized in that it further includes; heater units 40 installed at both ends of the first nozzle unit 30 to heat the purge gas injected from the outside.

본 발명의 상기 제1 노즐부(30)는, 상기 챔버부(10)의 일방 측면에 설치되어, 퍼지가스를 분사하는 제11 노즐플레이트; 상기 챔버부(10)의 타방 측면에 설치되어, 퍼지가스를 분사하는 제12 노즐플레이트; 및 상기 챔버부(10)의 후면에 설치되어, 퍼지가스를 분사하는 제13 노즐플레이트;를 포함하는 것을 특징으로 한다.The first nozzle unit 30 of the present invention includes an eleventh nozzle plate installed on one side of the chamber unit 10 and spraying a purge gas; a twelfth nozzle plate installed on the other side of the chamber unit 10 to inject purge gas; and a thirteenth nozzle plate installed on the rear surface of the chamber unit 10 to inject purge gas.

본 발명의 상기 제1 노즐부(30)는, 상기 챔버부(10)의 측면이나 후면에 설치되는 제1 노즐블럭; 상기 제1 노즐블럭의 외부에 결합되며, 상기 챔버부(10)의 측면이나 후면에 고정되는 제1 고정블럭; 상기 제1 노즐블럭의 전후면 상부에 복수개가 관통 형성된 제1 상부노즐; 및 상기 제1 노즐블럭의 전후면 하부에 복수개가 관통 형성된 제1 하부노즐;을 포함하는 것을 특징으로 한다.The first nozzle unit 30 of the present invention includes a first nozzle block installed on the side or rear surface of the chamber unit 10; a first fixing block coupled to the outside of the first nozzle block and fixed to the side or rear surface of the chamber unit 10; a plurality of first upper nozzles formed through upper portions of the front and rear surfaces of the first nozzle block; and a plurality of first lower nozzles penetrating the lower front and rear surfaces of the first nozzle block.

또한, 본 발명의 상기 제1 하부노즐은, 상기 제1 상부노즐 보다 분사홀의 사이즈가 확장되거나 분사홀의 수량이 증가되도록 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.In addition, the first lower nozzle of the present invention is characterized in that the size of the spray hole is larger than that of the first upper nozzle or the number of spray holes is increased.

또한, 본 발명은 상기 기재된 EFEM의 버퍼 챔버 장치를 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 공정장치이다.In addition, the present invention is a semiconductor processing apparatus characterized by having the buffer chamber apparatus of the above-described EFEM.

이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명은 챔버부의 출입구에 커튼노즐부를 설치하여 입출구에 가스커튼을 형성함으로써, 반도체의 공정처리 후에 퓸이나 이물질을 제거하고 오염을 방지하여 반도체의 수율을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.As described above, the present invention provides a gas curtain at the entrance and exit of the chamber by installing a curtain nozzle at the entrance and exit of the chamber, thereby removing fume or foreign matter after processing the semiconductor and preventing contamination, thereby improving the yield of the semiconductor. provides

또한, 챔버부의 측면과 후면과 출일부에 노즐부를 함께 설치하여 균일한 질소가스의 분사를 통해 5% 이하의 습도로 관리할 수 있는 효과를 제공한다.In addition, the nozzle part is installed together on the side and back of the chamber part and the extraction part to provide an effect that can be managed at a humidity of 5% or less through uniform injection of nitrogen gas.

또한, 챔버부에 노즐부를 설치하여 외기를 차단하고, 챔버부의 내부에 ㅍ파파티클의 유입을 방지하고 웨이퍼의 내부 습도를 하강시켜 반도체 생산 수율을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.In addition, a nozzle unit is installed in the chamber unit to block outside air, prevent inflow of PA particles into the chamber unit, and lower the internal humidity of the wafer, thereby providing an effect of improving semiconductor production yield.

또한, 노즐부에 분산블럭과 연결블럭의 다단으로 결합하여 퍼지가스를 균일하게 분산시커 분사함으로써, 외기 상태요소에 따라 직진화 구간을 조정하여 최적의 외기 차단을 가지는 유체의 선형 유지 구간을 결정할 수 있는 효과를 제공한다.In addition, by combining the dispersion block and the connection block in the nozzle unit in multiple stages to uniformly disperse and inject the purge gas, it is possible to determine the linear maintenance section of the fluid having the optimal external air blocking by adjusting the straightening section according to the outside air state factor. provides an effect.

또한, 유체의 유량 분산 구간에서 유체 유입구에서 일시적으로 유입되는 유체를 골고루 분산시켜 선형유동노즐(Laminar Flow Nozzle)에 일정한 유량을 분사 할 수 있는 효과를 제공한다.In addition, it provides an effect of spraying a constant flow rate to the laminar flow nozzle by evenly distributing the fluid temporarily introduced from the fluid inlet in the flow rate distribution section of the fluid.

또한, 챔버부의 좌,우측과 상부에 선현유동을 형성하는 커튼노즐부를 통하여 불활성 유체를 퍼지함으로써, 선형유동노즐을 통해 퍼지된 유체가 압력과 유량 조절에 따라 형상이 유지된 상태로 분사되므로, 외기의 차단효과을 향상시킬 뿐만 아니라 챔버부 내부에서 분사된 불활성 기체의 외부 유출을 최소화시켜 효과적으로 습도를 제어할 수 있는 효과를 제공한다.In addition, by purging the inert fluid through the curtain nozzle part forming linear flow on the left, right and upper parts of the chamber part, the fluid purged through the linear flow nozzle is sprayed in a state in which the shape is maintained according to the pressure and flow rate control, so that the outside air It not only improves the blocking effect of the chamber, but also provides an effect of effectively controlling the humidity by minimizing the outflow of the inert gas injected from the inside of the chamber.

또한, 커튼노즐부의 분사각도를 조절하도록 함으로써, 양측에서 분사되는 불활성 유체가 서로 충돌하여 챔버부의 내부로 인입되는 현상을 방지할 수 있는 효과를 제공한다.In addition, by adjusting the spray angle of the curtain nozzle unit, an effect of preventing inert fluids sprayed from both sides from colliding with each other and being drawn into the chamber unit can be prevented.

또한, 챔버부의 둘레에 노즐부를 설치하여 적재부의 각각의 슬롯홈에 퍼지가스를 고르게 분사함으로써, 챔버부의 습도를 일정하게 저하시켜 유지하여 반도체의 생산 수율을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.In addition, by installing a nozzle unit around the chamber unit and evenly spraying a purge gas into each slot groove of the loading unit, the humidity of the chamber unit is constantly lowered and maintained, thereby providing an effect of improving semiconductor production yield.

또한, 노즐부의 인입구에 히터부를 추가로 설치함으로써, 인입구에 설치된 히터를 통하여 불활성 기체의 온도를 높여서 저점의 습도 관리 기능을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.In addition, by additionally installing a heater unit at the inlet of the nozzle unit, the temperature of the inert gas is increased through the heater installed at the inlet to provide an effect of improving the low-point humidity management function.

또한, 노즐부를 다단으로 구성하고 적재부 하부의 집중 분사노즐을 3면에 배치하고 불활성 기체를 분사함으로써, 다단 노즐에 유입된 불활성 기체를 전체 면적에 분산하는 분산노즐이 구비되어 전체 면적에 고르게 불활성 기체의 분사가 가능하며, 습도에 취약한 적재부 하부의 집중 분산 구간을 통하여 전체 적재부에 수납되어 있는 각각의 웨이퍼의 습도를 균일하게 관리할 수 있는 효과를 제공한다.In addition, by configuring the nozzle unit in multiple stages, arranging the concentrated injection nozzles at the bottom of the loading unit on three sides, and injecting inert gas, a dispersing nozzle is provided to disperse the inert gas flowing into the multi-stage nozzle over the entire area, so that the inert gas is evenly distributed over the entire area. It is possible to spray gas, and provides an effect of uniformly managing the humidity of each wafer stored in the entire loading unit through the intensive dispersion section at the lower part of the loading unit, which is vulnerable to humidity.

또한, 노즐부의 블럭 사이의 구간에 실링재나 기밀재를 설치함으로써, 각 구간에서 외부 기류의 유입을 방지하는 동시에 불활성 기체의 리크(Leak)를 방지할 수 있는 효과를 제공한다.In addition, by installing a sealing material or an airtight material in the section between the blocks of the nozzle unit, an effect of preventing the inflow of external air current in each section and at the same time preventing leakage of inert gas is provided.

도 1 및 도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치를 구비한 반도체 공정장치를 나타내는 구성도.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치를 구비한 반도체 공정장치를 나타내는 평면도.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치를 나타내는 구성도.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치를 나타내는 분해도.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치의 제1 노즐부를 나타내는 구성도.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치의 제1 노즐부를 나타내는 분해도.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치의 제2 노즐부를 나타내는 구성도.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치의 제2 노즐부를 나타내는 분해도.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치의 충진상태를 나타내는 평면상태도.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치의 배기상태를 나타내는 평면상태도.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치의 충진상태를 나타내는 상태도.
도 13는 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치의 배기상태를 나타내는 상태도.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치의 변형예를 나타내는 분해도.
도 15는 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치의 제1 노즐부의 변형예를 나타내는 구성도.
도 16은 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치의 제1 노즐부의 변형예를 나타내는 정면도.
도 17은 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치의 제1 노즐부의 변형예를 나타내는 분해도.
도 18은 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치의 다른예를 나타내는 분해도.
도 19는 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치의 제2 노즐부의 다른예를 나타내는 구성도.
도 20은 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치의 제2 노즐부의 다른예를 나타내는 분해도.
도 21은 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치의 제3 노즐부를 나타내는 분해도.1 and 2 are configuration diagrams showing a semiconductor processing apparatus having an EFEM buffer chamber apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a plan view showing a semiconductor processing apparatus having an EFEM buffer chamber apparatus according to an embodiment of the present invention.
Figure 4 is a block diagram showing the buffer chamber device of the EFEM according to an embodiment of the present invention.
5 is an exploded view showing a buffer chamber device of an EFEM according to an embodiment of the present invention.
6 is a configuration diagram showing a first nozzle unit of a buffer chamber device of an EFEM according to an embodiment of the present invention.
7 is an exploded view showing a first nozzle part of a buffer chamber device of an EFEM according to an embodiment of the present invention.
8 is a configuration diagram showing a second nozzle unit of a buffer chamber device of an EFEM according to an embodiment of the present invention.
9 is an exploded view showing a second nozzle part of the buffer chamber device of the EFEM according to an embodiment of the present invention.
10 is a planar state diagram showing a filling state of the buffer chamber device of the EFEM according to an embodiment of the present invention.
11 is a plan state diagram showing an exhaust state of the buffer chamber device of the EFEM according to an embodiment of the present invention.
12 is a state diagram showing a filling state of a buffer chamber device of an EFEM according to an embodiment of the present invention.
13 is a state diagram showing an exhaust state of the buffer chamber device of the EFEM according to an embodiment of the present invention.
14 is an exploded view showing a modified example of an EFEM buffer chamber device according to an embodiment of the present invention.
15 is a configuration diagram showing a modified example of a first nozzle unit of a buffer chamber device of an EFEM according to an embodiment of the present invention.
16 is a front view showing a modified example of a first nozzle unit of the buffer chamber device of the EFEM according to an embodiment of the present invention.
17 is an exploded view showing a modified example of a first nozzle unit of a buffer chamber device of an EFEM according to an embodiment of the present invention.
18 is an exploded view showing another example of an EFEM buffer chamber device according to an embodiment of the present invention.
19 is a configuration diagram showing another example of a second nozzle unit of a buffer chamber device of an EFEM according to an embodiment of the present invention.
20 is an exploded view showing another example of a second nozzle unit of the buffer chamber device of the EFEM according to an embodiment of the present invention.
21 is an exploded view showing a third nozzle part of a buffer chamber device of an EFEM according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 일 실시예를 더욱 상세히 설명한다. Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

도 1 및 도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치를 구비한 반도체 공정장치를 나타내는 구성도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치를 구비한 반도체 공정장치를 나타내는 평면도이고, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치를 나타내는 구성도이고, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치를 나타내는 분해도이고, 도 6은 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치의 제1 노즐부를 나타내는 구성도이고, 도 7은 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치의 제1 노즐부를 나타내는 분해도이고, 도 8은 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치의 제2 노즐부를 나타내는 구성도이고, 도 9는 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치의 제2 노즐부를 나타내는 분해도이고, 도 10은 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치의 충진상태를 나타내는 평면상태도이고, 도 11은 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치의 배기상태를 나타내는 평면상태도이고, 도 12는 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치의 충진상태를 나타내는 상태도이고, 도 13은 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치의 배기상태를 나타내는 상태도이다.1 and 2 are configuration diagrams showing a semiconductor processing apparatus having an EFEM buffer chamber apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a block diagram showing an EFEM buffer chamber apparatus according to an embodiment of the present invention. It is a plan view showing a semiconductor processing apparatus, Figure 4 is a configuration diagram showing a buffer chamber apparatus of EFEM according to an embodiment of the present invention, Figure 5 is an exploded view showing a buffer chamber apparatus of EFEM according to an embodiment of the present invention 6 is a configuration diagram showing a first nozzle part of the buffer chamber device of the EFEM according to an embodiment of the present invention, and FIG. 7 is an exploded view showing the first nozzle part of the buffer chamber device of the EFEM according to an embodiment of the present invention. 8 is a configuration diagram showing the second nozzle unit of the buffer chamber device of the EFEM according to an embodiment of the present invention, and FIG. 9 shows the second nozzle unit of the buffer chamber device of the EFEM according to an embodiment of the present invention. 10 is a plane state diagram showing a filling state of the buffer chamber device of the EFEM according to an embodiment of the present invention, and FIG. 11 is a plane state showing an exhaust state of the buffer chamber device of the EFEM according to an embodiment of the present invention. 12 is a state diagram showing a filling state of the buffer chamber device of the EFEM according to an embodiment of the present invention, and FIG. 13 is a state diagram showing an exhaust state of the buffer chamber device of the EFEM according to an embodiment of the present invention. .

도 14는 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치의 변형예를 나타내는 분해도이고, 도 15는 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치의 제1 노즐부의 변형예를 나타내는 구성도이고, 도 16은 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치의 제1 노즐부의 변형예를 나타내는 정면도이고, 도 17은 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치의 제1 노즐부의 변형예를 나타내는 분해도이고, 도 18은 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치의 다른예를 나타내는 분해도이고, 도 19는 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치의 제2 노즐부의 다른예를 나타내는 구성도이고, 도 20은 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치의 제2 노즐부의 다른예를 나타내는 분해도이고, 도 21은 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 버퍼 챔버 장치의 제3 노즐부를 나타내는 분해도이다.14 is an exploded view showing a modified example of a buffer chamber device of an EFEM according to an embodiment of the present invention, and FIG. 15 is a configuration showing a modified example of a first nozzle unit of the buffer chamber device of an EFEM according to an embodiment of the present invention. 16 is a front view showing a modified example of a first nozzle unit of the buffer chamber device of the EFEM according to an embodiment of the present invention, and FIG. 17 is a front view of the first nozzle of the buffer chamber device of the EFEM according to an embodiment of the present invention An exploded view showing a modification of the nozzle unit, FIG. 18 is an exploded view showing another example of an EFEM buffer chamber device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 19 is an exploded view of an EFEM buffer chamber device according to an embodiment of the present invention. A configuration diagram showing another example of the second nozzle unit, and FIG. 20 is an exploded view showing another example of the second nozzle unit of the buffer chamber device of the EFEM according to an embodiment of the present invention. It is an exploded view showing the third nozzle part of the buffer chamber device of the EFEM.

본 발명의 반도체 공정장치는, 본 실시예의 EFEM의 버퍼 챔버 장치를 구비한 반도체 공정장치로서, 도 1 내지 도 3에 나타낸 바와 같이, 로드포트모듈(110; LPM(Load Port Module)), 웨이퍼 용기(120; FOUP(Front Opening Unified Pod)), 팬필터유닛(130; FFU(Fan Filter Unit)) 및 웨이퍼 반송실(140)을 포함하여 이루어져, EFEM의 버퍼 챔버 장치가 장착된 EFEM(Equipment Front End Module)으로 이루어질 수 있다.The semiconductor processing apparatus of the present invention is a semiconductor processing apparatus having a buffer chamber apparatus of the EFEM of the present embodiment, and as shown in FIGS. 1 to 3, a load port module (110; LPM (Load Port Module)), a wafer container (120; FOUP (Front Opening Unified Pod)), fan filter unit (130; FFU (Fan Filter Unit)) and wafer transfer room 140, equipped with EFEM's buffer chamber device EFEM (Equipment Front End) module).

로드포트모듈(110; LPM)은, 반도체 제조용 웨이퍼를 담아두는 웨이퍼 용기(120; FOUP(Front Opening Universal Pod))의 도어를 열거나 닫으면서 웨이퍼가 반송될 수 있도록 해주는 장치이다.The load port module 110 (LPM) is a device that allows wafers to be transported while opening or closing the door of a wafer container 120 (Front Opening Universal Pod (FOUP)) containing wafers for semiconductor manufacturing.

이러한 로드포트모듈(110; LPM)은, 스테이지 유닛에 웨이퍼 용기(120; FOUP(Front Opening Unified Pod))가 장착되면 웨이퍼 용기(120)의 내부로 질소가스를 주입하고, 웨이퍼 용기(120)의 내부의 오염물질을 웨이퍼 용기(120)의 외부로 배출하여 웨이퍼 용기(120)에 저장되어 이송되는 웨이퍼가 오염물질로 인하여 훼손되는 것을 방지하는 구성이다.When the wafer container 120 (Front Opening Unified Pod (FOUP)) is mounted on the stage unit, the load port module 110 (LPM) injects nitrogen gas into the wafer container 120 and It is a configuration that discharges contaminants inside the wafer container 120 to the outside and prevents wafers stored in the wafer container 120 and transferred from being damaged due to contaminants.

웨이퍼 용기(120)는 내부에 복수의 웨이퍼가 적재되는 적재공간이 형성되고, 도어가 개방되며 웨이퍼가 반출되도록 하거나 또는 수납되도록 한다. 이러한 웨이퍼 용기(120)는 개구 통합형 포드(Front-Opening Unified Pod ; FOUP)로 이루어질 수 있다.The wafer container 120 has a loading space in which a plurality of wafers are loaded, and a door is opened to allow wafers to be taken out or received. The wafer container 120 may be formed of a front-opening unified pod (FOUP).

팬필터유닛(130)은, 웨이퍼 반송실(140)의 상부에 설치되며, 퓸과 같은 분자성 오염 물질, 먼지와 같은 미립자가 제거함으로써 웨이퍼 반송실(140) 내의 공기를 청정하게 유지한다. 통상 웨이퍼 반송실(140) 내의 공기의 흐름은 팬필터유닛(130)이 설치된 상부에서 하부로 형성된다.The fan filter unit 130 is installed above the wafer transfer chamber 140 and keeps the air in the wafer transfer chamber 140 clean by removing molecular contaminants such as fume and particulates such as dust. In general, the flow of air in the wafer transfer room 140 is formed from the top where the fan filter unit 130 is installed to the bottom.

웨이퍼 반송실(140)은, 복수의 웨이퍼가 적재되는 웨이퍼 용기(120)와, 반도체 공정에 의해 웨이퍼가 처리되도록 반송하는 반송유닛(160) 및 반도체가 처리되는 처리공간(170)의 사이에 형성되는 공간부재이다.The wafer transfer room 140 is formed between the wafer container 120 in which a plurality of wafers are loaded, the transfer unit 160 that transfers wafers to be processed by a semiconductor process, and the processing space 170 where semiconductors are processed. It is an absence of space.

이러한 웨이퍼 반송실(140)은 웨이퍼를 하나의 처리 공간에서 다른 처리 공간으로 반송로봇 등의 이송수단(150)에 의해 이송되는 동안 웨이퍼에 이물질이나 오염 물질이 부착되는 것을 최소화하기 위하여 청정한 공간으로 유지하도록 측부에 버퍼 챔버(180)를 구비하게 된다.The wafer transfer room 140 is maintained as a clean space in order to minimize the attachment of foreign substances or contaminants to the wafers while the wafers are transferred from one processing space to another processing space by a transfer means 150 such as a transfer robot. A buffer chamber 180 is provided on the side so as to do so.

도 4 및 도 5에 나타낸 바와 같이, 본 실시예의 EFEM의 버퍼 챔버 장치는, 챔버부(10), 적재부(20), 제1 노즐부(30), 히터부(40) 및 커튼노즐부를 포함하여 이루어져, EFEM의 반송실(140)에 설치되어 이송되는 웨이퍼를 버퍼링하는 EFEM의 버퍼 챔버 장치이다.4 and 5, the buffer chamber device of the EFEM of this embodiment includes a chamber unit 10, a loading unit 20, a first nozzle unit 30, a heater unit 40, and a curtain nozzle unit It is an EFEM buffer chamber device that is installed in the transfer room 140 of the EFEM and buffers the transferred wafer.

챔버부(10)는, 전면에 웨이퍼가 출입하는 출입구가 형성되고 내부에 복수의 웨이퍼가 적재되는 적재공간이 형성된 챔버부재로서, 이러한 적재공간의 양쪽 측면과 후면에서 제1 노즐부(30)에 의해 퍼지가스가 분사되어 충진되며 양쪽 측면과 후면 사이의 모서리부위에 각각 설치된 배출부에 의해 퍼지가스가 배기된다.The chamber unit 10 is a chamber member in which an entrance through which wafers enter and exit is formed on the front side and a loading space in which a plurality of wafers are loaded therein is formed. The purge gas is sprayed and filled by the purge gas, and the purge gas is exhausted by the discharge part installed at the corner between the both sides and the rear.

이러한 챔버부(10)는, 도 1 내지 도 3에 나타낸 바와 같이 EFEM의 웨이퍼 반송실(140)의 양쪽 측방에 각각 설치되어 이송수단(150)에 의해 이송되는 웨이퍼를 임시로 일정시간 동안 적재하여 질소가스나 불활성 기체 등과 같은 퍼지가스에 의해 웨이퍼에 부착된 퓸이나 오염물질 등을 제거하게 된다.As shown in FIGS. 1 to 3, the chamber unit 10 is installed on both sides of the wafer transfer room 140 of the EFEM, and temporarily loads the wafers transferred by the transfer means 150 for a certain period of time. Fume or contaminants attached to the wafer are removed by a purge gas such as nitrogen gas or inert gas.

적재부(20)는, 챔버부(10)의 적재공간에 설치되며 복수의 웨이퍼가 상하로 각각 적재되어 수납되도록 복수층의 슬롯이 형성된 적재부재로서, 복수층의 슬롯이 상하로 배치되어 복수의 웨이퍼가 각각 개별적으로 삽입되어 적재되어 임시로 일정시간 동안 저장하게 된다.The loading unit 20 is installed in the loading space of the chamber unit 10 and is a loading member formed with a plurality of slots so that a plurality of wafers are loaded and received vertically, and the plurality of slots are arranged vertically to accommodate a plurality of wafers. Wafers are individually inserted and loaded, and temporarily stored for a certain period of time.

제1 노즐부(30)는, 챔버부(10)의 외부에 설치되며 챔버부(10)의 외부에서 적재부(20)의 복수층의 슬롯으로 퍼지가스를 분사하도록 연통 형성된 노즐부재로서, 제11 노즐플레이트(30a), 제12 노즐플레이트(30b) 및 제13 노즐플레이트(30c)로 이루어져 있다.The first nozzle unit 30 is a nozzle member installed outside the chamber unit 10 and communicating with each other to inject a purge gas from the outside of the chamber unit 10 into the slots of the plurality of layers of the loading unit 20. It consists of an 11th nozzle plate 30a, a 12th nozzle plate 30b and a 13th nozzle plate 30c.

제11 노즐플레이트(30a)는, 챔버부(10)의 일방 측면에 설치되어 퍼지가스를 분사하는 노즐플레이트로서, 챔버부(10)의 일방 측면에서 내부의 적재공간에 질소가스나 불활성 기체 등과 같은 퍼지가스를 고르게 분사하여 챔버부(10)의 습도를 일정하게 저점 관리할 수 있게 된다.The eleventh nozzle plate 30a is a nozzle plate installed on one side of the chamber unit 10 to inject a purge gas, such as nitrogen gas or an inert gas, etc. By spraying the purge gas evenly, the humidity of the chamber unit 10 can be managed at a constant low point.

제12 노즐플레이트(30b)는, 챔버부(10)의 타방 측면에 설치되어 퍼지가스를 분사하는 노즐플레이트로서, 챔버부(10)의 타방 측면에서 내부의 적재공간에 질소가스나 불활성 기체 등과 같은 퍼지가스를 고르게 분사하여 챔버부(10)의 습도를 일정하게 저점 관리할 수 있게 된다.The twelfth nozzle plate 30b is a nozzle plate installed on the other side of the chamber 10 to inject a purge gas, such as nitrogen gas or an inert gas, into the loading space inside the other side of the chamber 10. By spraying the purge gas evenly, the humidity of the chamber unit 10 can be managed at a constant low point.

제13 노즐플레이트(30c)는, 챔버부(10)의 후면에 설치되어 퍼지가스를 분사하는 노즐플레이트로서, 챔버부(10)의 후면에서 내부의 적재공간에 질소가스나 불활성 기체 등과 같은 퍼지가스를 고르게 분사하여 챔버부(10)의 습도를 일정하게 저점 관리할 수 있게 된다.The thirteenth nozzle plate 30c is a nozzle plate installed on the rear surface of the chamber unit 10 to inject a purge gas, such as nitrogen gas or inert gas, into the loading space inside the rear surface of the chamber unit 10. By evenly spraying, the humidity of the chamber unit 10 can be managed at a constant low point.

또한, 이러한 제1 노즐부(30)는, 도 6 내지 도 7에 나타낸 바와 같이 제1 노즐블럭(31), 제1 고정블럭(32), 제1 상부노즐(33), 제1 하부노즐(34), 제1 결합블럭(35), 제1 소켓(36), 제1 연결편(37) 및 제1 실링편(38)으로 이루어져 있다.In addition, as shown in FIGS. 6 and 7, the first nozzle unit 30 includes a first nozzle block 31, a first fixing block 32, a first upper nozzle 33, and a first lower nozzle ( 34), a first coupling block 35, a first socket 36, a first connecting piece 37 and a first sealing piece 38.

제1 노즐블럭(31)은, 챔버부(10)의 측면이나 후면에 설치되는 노즐블럭으로서, 챔버부(10)의 측면이나 후면에 결합이 용이하도록 대략 직사각형상의 블럭이나 플레이트로 이루어져 있고, 전후면에는 퍼지가스가 분사되도록 분사노즐이 관통 형성되어 있다.The first nozzle block 31 is a nozzle block installed on the side or rear surface of the chamber unit 10, and is composed of a substantially rectangular block or plate so as to be easily coupled to the side or rear surface of the chamber unit 10. A spray nozzle is formed through the surface so that the purge gas is sprayed.

제1 고정블럭(32)은, 제1 노즐블럭(31)의 외부에 결합되며 챔버부(10)의 측면이나 후면에 고정되는 고정블럭으로서, 챔버부(10)의 측면이나 후면에 결합이 용이하도록 대략 직사각형상의 블럭이나 플레이트로 이루어져 있다.The first fixing block 32 is coupled to the outside of the first nozzle block 31 and is fixed to the side or rear surface of the chamber unit 10, and is easily coupled to the side or rear surface of the chamber unit 10. It consists of approximately rectangular blocks or plates to

제1 상부노즐(33)은, 제1 노즐블럭(31)의 전후면 상방부위에 복수개가 관통형성된 노즐부재로서, 적재부(20)의 상층부위에 배치된 슬롯에 퍼지가스를 집중적으로 분사시키는 분사노즐로 이루어져 있다.The first upper nozzle 33 is a nozzle member through which a plurality of nozzle members are formed in the upper part of the front and rear surfaces of the first nozzle block 31, and sprays the purge gas intensively to the slot disposed in the upper part of the loading part 20. It consists of a nozzle.

제1 하부노즐(34)은, 제1 노즐블럭(31)의 전후면 하방부위에 복수개가 관통 형성된 노즐부재로서, 적재부(20)의 하층부위에 배치된 슬롯에 퍼지가스를 집중적으로 분사시키는 분사노즐로 이루어져 있다.The first lower nozzle 34 is a nozzle member through which a plurality of nozzle members are formed in the lower part of the front and rear surfaces of the first nozzle block 31, and sprays the purge gas intensively to the slot disposed in the lower part of the loading part 20. It consists of a nozzle.

이러한 제1 하부노즐(34)은, 적재부(20)의 하층부위에 배치된 슬롯에 퍼지가스를 더 집중적으로 분사시키도록 제1 상부노즐(33) 보다 분사홀의 사이즈가 크게 확장되어 있거나 분사홀의 수량이 증가되도록 형성되어 있는 것이 바람직하다. 또한, 이러한 제1 하부노즐(34)은, 제1 상부노즐(33) 보다 증가된 분사량과 분사압으로 퍼지가스를 분사시키는 것이 더욱 바람직하다.The first lower nozzle 34 has a larger spray hole size than the first upper nozzle 33 or the number of spray holes so as to more intensively spray the purge gas into the slot disposed in the lower part of the loading part 20. It is preferable that it is formed so that it increases. In addition, it is more preferable that the first lower nozzle 34 injects the purge gas with an increased injection amount and injection pressure than the first upper nozzle 33 .

제1 결합블럭(35)은, 제1 노즐블럭(31)과 제1 고정블럭(32)의 하부에 결합되는 결합블럭으로서, 제1 노즐블럭(31)과 제1 고정블럭(32) 사이의 내부공간에 퍼지가스를 유입시키도록 복수개의 제1 유입홀이 상하방향으로 관통 형성되어 있다.The first coupling block 35 is a coupling block coupled to the lower portion of the first nozzle block 31 and the first fixing block 32, and is located between the first nozzle block 31 and the first fixing block 32. A plurality of first inlet holes are formed to penetrate in the vertical direction so as to introduce purge gas into the inner space.

제1 소켓(36)은, 제1 결합블럭(35)의 하부에 연결되는 연결부재로서, 퍼지가스 공급배관에 연결되어 퍼지가스를 제1 노즐부(30)의 내부로 유입시켜 챔버부(10)의 적재공간에 균일하게 분사시키게 된다.The first socket 36 is a connecting member connected to the lower portion of the first coupling block 35, and is connected to a purge gas supply pipe to allow purge gas to flow into the first nozzle unit 30 so that the chamber unit 10 ) is sprayed uniformly in the loading space.

제1 연결편(37)은, 제1 노즐블럭(31)과 제1 고정블럭(32) 사이에 설치되어 이들 사이의 내부공간을 기밀하도록 밀착되는 기밀부재로서, 제1 노즐블럭(31)과 제1 고정블럭(32) 사이에 유입되는 퍼지가스의 기밀을 유지하도록 내부공간의 둘레에 밀착되어 있다.The first connection piece 37 is an airtight member installed between the first nozzle block 31 and the first fixing block 32 and tightly adhered to the inner space between them, 1 It adheres closely to the circumference of the inner space to maintain airtightness of the purge gas introduced between the fixing blocks 32.

제1 실링편(38)은, 제1 노즐블럭(31)과 제1 고정블럭(32) 사이에 설치되어 이들 사이의 내부공간을 실링하는 실링부재로서, 제1 노즐블럭(31)과 제1 고정블럭(32) 사이에 유입되는 퍼지가스의 실링을 유지하도록 내부공간의 둘레에 부착되어 있다.The first sealing piece 38 is a sealing member installed between the first nozzle block 31 and the first fixing block 32 to seal the inner space between them, and It is attached to the circumference of the inner space to maintain sealing of the purge gas flowing between the fixing blocks 32.

또한, 이러한 제1 노즐부(30)는, 도 14 내지 도 17에 나타낸 바와 같이 제1 노즐블럭(31)과 제1 고정블럭(32) 사이에 설치되는 제1 중간블럭(31a)을 더 포함하여 이루어지는 것도 가능함은 물론이다.In addition, the first nozzle unit 30 further includes a first intermediate block 31a installed between the first nozzle block 31 and the first fixing block 32 as shown in FIGS. 14 to 17 Of course, it is also possible to do so.

제1 중간블럭(31a)은, 제1 노즐블럭(31)과 제1 고정블럭(32) 사이에 설치되어 제1 노즐블럭(31)으로 유동되는 퍼지가스가 확산되도록 퍼지가스를 분산시키는 분산수단으로서, 이러한 제1 중간블럭(31a)의 전후면에는 복수개의 제1 분산홀이 관통 형성되어 있다.The first intermediate block 31a is installed between the first nozzle block 31 and the first fixing block 32 and disperses the purge gas flowing to the first nozzle block 31 so that the purge gas is diffused. As such, a plurality of first dispersion holes are formed through the front and rear surfaces of the first intermediate block 31a.

히터부(40)는, 제1 노즐부(30)의 양단에 각각 설치되어 외부에서 투입되는 퍼지가스를 히팅하는 히터부재로서, 제1 노즐부(30)의 제1 노즐블럭(31)과 제1 고정블럭(32) 사이에 삽입 설치되어 이들을 통과하는 퍼지가스를 히팅하여 고온의 퍼지가스를 분사시켜 퍼지가스의 성능을 향상시키게 된다.The heater unit 40 is a heater member installed at both ends of the first nozzle unit 30 to heat the purge gas introduced from the outside, and is connected to the first nozzle block 31 of the first nozzle unit 30 and 1 It is inserted between the fixing blocks 32 and heats the purge gas passing through them to inject the high-temperature purge gas to improve the performance of the purge gas.

커튼노즐부는, 챔버부(10)의 출입구에 설치되어 출입구에 퍼지가스를 분사하여 가스커튼을 형성하는 노즐수단으로서, 출입구의 양쪽 측부에 설치되는 제2 노즐부(50)와, 출입구의 상부에 설치되는 제3 노즐부(60) 중 적어도 하나로 이루어져 있다.The curtain nozzle unit is a nozzle means installed at the entrance of the chamber unit 10 to inject purge gas into the entrance to form a gas curtain. It consists of at least one of the third nozzle parts 60 installed.

제2 노즐부(50)는, 도 10 내지 도 13에 나타낸 바와 같이 챔버부(10)의 출입구의 양쪽 측부에 설치되며 출입구에 퍼지가스를 분사하여 가스커튼을 형성하는 노즐부재로서, 출입구의 일방 측부에 설치되는 제21 노즐플레이트(50a)와 출입구의 타방 측부에 설치되는 제22 노즐플레이트(50b)로 이루어져 있다.As shown in FIGS. 10 to 13 , the second nozzle unit 50 is installed on both sides of the entrance of the chamber 10 and sprays a purge gas to the entrance to form a gas curtain. It consists of a 21st nozzle plate 50a installed on the side and a 22nd nozzle plate 50b installed on the other side of the entrance.

제21 노즐플레이트(50a)는, 챔버부(10)의 출입구의 일방 측부에 설치되는 노즐플레이트로서, 챔버부(10)의 출입구의 일방 측면에서 출입구의 타방의 측면으로 질소가스 등과 같은 퍼지가스를 고르게 분사하여 가스커튼을 형성하므로, 챔버부(10)의 출입구에서 외기의 유입을 차단하고 내부의 불활성 기체의 유출을 차단하여 습도제어를 용이하게 할 수 있게 된다.The twenty-first nozzle plate 50a is a nozzle plate installed on one side of the entrance and exit of the chamber unit 10, and supplies a purge gas such as nitrogen gas from one side of the entrance and exit of the chamber unit 10 to the other side of the entrance and exit. Since the gas curtain is formed by evenly spraying, it is possible to easily control the humidity by blocking the inflow of outside air from the entrance of the chamber unit 10 and the outflow of the inert gas therein.

제22 노즐플레이트(50b)는, 챔버부(10)의 출입구의 타방 측부에 설치되는 노즐플레이트로서, 챔버부(10)의 출입구의 타방 측면에서 출입구의 일방 측면으로 질소가스 등과 같은 퍼지가스를 고르게 분사하여 가스커튼을 형성하므로, 챔버부(10)의 출입구에서 외기의 유입을 차단하고 내부의 불활성 기체의 유출을 차단하여 습도제어를 용이하게 할 수 있게 된다.The 22nd nozzle plate 50b is a nozzle plate installed on the other side of the entrance of the chamber 10, and evenly distributes a purge gas such as nitrogen gas from the other side of the entrance to the one side of the entrance of the chamber 10. Since the gas curtain is formed by spraying, it is possible to easily control the humidity by blocking the inflow of outside air from the entrance and exit of the chamber unit 10 and the outflow of the inert gas inside.

또한, 이러한 제2 노즐부(50)는, 도 8 내지 도 9에 나타낸 바와 같이 제2 노즐블럭(51), 제2 연결블럭(52), 제2 고정블럭(53), 제2 노즐(54), 제2 결합편(55), 제2 연결편(56), 제2 고정편(57), 제2 결합블럭(58) 및 제2 소켓(59)으로 이루어져 있다.In addition, such a second nozzle unit 50, as shown in Figs. 8 to 9, the second nozzle block 51, the second connection block 52, the second fixing block 53, the second nozzle 54 ), the second coupling piece 55, the second connection piece 56, the second fixing piece 57, the second coupling block 58, and the second socket 59.

제2 노즐블럭(51)은, 챔버부(10)의 출입구의 양쪽 측면에 각각 설치되는 노즐블럭으로서, 챔버부(10)의 출입구의 양단 측면에 결합이 용이하도록 대략 직사각형상의 블럭이나 플레이트로 이루어져 있고, 전후면에는 퍼지가스가 분사되어 가스커튼을 형성하도록 분사노즐이 관통 형성되며 상하 길이방향으로 배치되어 있다.The second nozzle block 51 is a nozzle block installed on both sides of the entrance and exit of the chamber unit 10, and is composed of approximately rectangular blocks or plates so as to be easily coupled to both ends of the entrance and exit of the chamber unit 10. The front and rear surfaces are provided with spray nozzles penetrating the purge gas to form a gas curtain, and are disposed in the vertical direction.

제2 연결블럭(52)은, 제2 노즐블럭(51)의 외부에 결합되며 챔버부(10)의 출입구의 측면에 연결되는 연결블럭으로서, 제2 노즐블럭(51)과 제2 고정블럭(53) 사이에 설치되어 제2 노즐블럭(51)으로 유동되는 퍼지가스가 확산되도록 퍼지가스를 분산시키는 분산수단으로서, 이러한 제2 연결블럭(52)의 전후면에는 복수개의 제2 분산홀이 관통 형성되어 있다.The second connection block 52 is a connection block coupled to the outside of the second nozzle block 51 and connected to the side of the entrance of the chamber unit 10, the second nozzle block 51 and the second fixing block ( 53) as a dispersing means for distributing the purge gas so that the purge gas flowing into the second nozzle block 51 is diffused, installed between the second nozzle block 51, and a plurality of second dispersing holes penetrate through the front and rear surfaces of the second connection block 52 is formed

제2 고정블럭(53)은, 제2 연결블럭(52)의 외부에 결합되며 챔버부(10)의 출입구의 측면에 고정되는 고정블럭으로서, 챔버부(10)의 출입구의 측면에 결합이 용이하도록 대략 직사각형상의 블럭이나 플레이트로 이루어져 있다.The second fixing block 53 is coupled to the outside of the second connection block 52 and is fixed to the side of the entrance and exit of the chamber unit 10, and is easily coupled to the side of the entrance and exit of the chamber unit 10. It consists of approximately rectangular blocks or plates to

제2 노즐(54)은, 제2 노즐블럭(51)의 전후면에 복수개가 관통 형성되되 상하방향의 선형으로 배치된 노즐부재로서, 출입구의 측면부위에 퍼지가스를 집중적으로 분사시켜 가스커튼을 형성하는 분사노즐로 이루어져 있다.The second nozzle 54 is a nozzle member formed in plurality through the front and rear surfaces of the second nozzle block 51 and disposed linearly in the vertical direction, and sprays purge gas intensively to the side of the entrance to form a gas curtain It consists of a spray nozzle that forms

제2 결합편(55)은, 제2 노즐블럭(51)의 양쪽 측면에 돌출 형성된 결합부재로서, 챔버부(10)의 출입구의 양쪽 측면에 볼트 등과 같은 체결고정부재에 의해 결합되어 고정된다.The second coupling piece 55 is a coupling member protruding from both side surfaces of the second nozzle block 51, and is coupled and fixed to both side surfaces of the entrance and exit of the chamber unit 10 by fastening fixing members such as bolts.

제2 연결편(56)은, 제2 노즐블럭(51)과 제2 연결블럭(52) 사이에 설치되는 연결부재로서, 이들 사이의 내부공간을 기밀하도록 밀착되는 기밀부재로 이루어져 제2 노즐블럭(51)과 제2 연결블럭(52) 사이에 유입되는 퍼지가스의 기밀을 유지하도록 내부공간의 둘레에 밀착되어 있다.The second connection piece 56 is a connection member installed between the second nozzle block 51 and the second connection block 52, and is composed of an airtight member that closely adheres to the inner space between them to seal the second nozzle block ( 51) and the second connection block 52 are in close contact with the circumference of the inner space to maintain airtightness of the purge gas introduced therein.

제2 고정편(57)은, 제2 연결블럭(52)과 제2 고정블럭(53) 사이에 설치되는 결합부재로서, 이들 사이의 내부공간을 실링하도록 결합되는 실링부재로 이루어져 제2 연결블럭(52)과 제2 고정블럭(53) 사이에 유입되는 퍼지가스의 실링을 유지하도록 내부공간의 둘레에 설치되어 있다.The second fixing piece 57 is a coupling member installed between the second connecting block 52 and the second fixing block 53, and consists of a sealing member coupled to seal the inner space between them. It is installed around the inner space to maintain sealing of the purge gas flowing between the 52 and the second fixing block 53.

제2 결합블럭(58)은, 제2 노즐블럭(51)과 제2 연결블럭(52)과 제2 고정블럭(53)의 하부에 결합되는 결합블럭으로서, 제2 노즐블럭(51)과 제2 연결블럭(52) 사이의 내부공간 및 제2 연결블럭(52)과 제2 고정블럭(53) 사이의 내부공간에 퍼지가스를 유입시키도록 복수개의 제2 유입홀이 상하방향으로 관통 형성되어 있다.The second coupling block 58 is a coupling block coupled to the lower portions of the second nozzle block 51, the second connection block 52, and the second fixing block 53, and the second nozzle block 51 and A plurality of second inlet holes are formed to pass through in the vertical direction so as to introduce purge gas into the inner space between the two connecting blocks 52 and the inner space between the second connecting block 52 and the second fixing block 53. there is.

제2 소켓(59)은, 제2 결합블럭(58)의 하부에 연결되는 연결부재로서, 퍼지가스 공급배관에 연결되어 퍼지가스를 제2 노즐부(50)의 내부로 유입시켜 챔버부(10)의 출입구에 균일하게 분사시켜 가스커튼을 형성하게 된다.The second socket 59 is a connecting member connected to the lower part of the second coupling block 58, and is connected to a purge gas supply pipe to allow purge gas to flow into the second nozzle unit 50 so that the chamber unit 10 ) to form a gas curtain.

또한, 이러한 제2 노즐부(50)는, 도 18 내지 도 19에 나타낸 바와 같이 제21 연결블럭(52a), 제22 연결블럭(52b), 제2 분사각 조절편(58a) 및 제2 분사각 회전축(59a)을 더 포함하여 이루어지는 것도 가능함은 물론이다.In addition, the second nozzle unit 50, as shown in FIGS. 18 to 19, includes a 21st connection block 52a, a 22nd connection block 52b, a second spray angle control piece 58a and a second spraying angle control piece 58a. Of course, it is also possible to further include a rectangular rotational shaft 59a.

제21 연결블럭(52a)은, 제2 노즐블럭(51)과 제2 연결블럭(52) 사이에 설치되는 연결블럭으로서, 제2 노즐블럭(51)과 제2 연결블럭(52) 사이에 설치되어 제2 노즐블럭(51)으로 유동되는 퍼지가스가 확산되도록 퍼지가스를 분산시키는 분산수단으로서, 이러한 제21 연결블럭(52a)의 전후면에는 복수개의 제21 분산홀이 관통 형성되어 있다.The twenty-first connection block 52a is a connection block installed between the second nozzle block 51 and the second connection block 52, and is installed between the second nozzle block 51 and the second connection block 52. As a dispersion means for dispersing the purge gas so that the purge gas flowing into the second nozzle block 51 is diffused, a plurality of 21st distribution holes are formed through the front and rear surfaces of the 21st connection block 52a.

제22 연결블럭(52b)은, 제2 연결블럭(52)과 제2 고정블럭(53) 사이에 설치되는 연결블럭으로서, 제2 연결블럭(52)과 제2 고정블럭(53) 사이에 설치되어 제2 연결블럭(52)으로 유동되는 퍼지가스가 확산되도록 퍼지가스를 분산시키는 분산수단으로 이루어져, 이러한 제22 연결블럭(52b)의 전후면에는 복수개의 제22 분산홀이 관통 형성되어 있다.The 22nd connection block 52b is a connection block installed between the second connection block 52 and the second fixing block 53, and is installed between the second connection block 52 and the second fixing block 53. It is composed of a dispersion means for dispersing the purge gas so that the purge gas flowing into the second connection block 52 is diffused, and a plurality of 22 distribution holes are formed through the front and rear surfaces of the 22nd connection block 52b.

제2 분사각 조절편(58a)은, 제2 노즐블럭(51)과 제2 연결블럭(52) 사이에 회전하도록 설치된 제2 분사각 회전축(59a)을 개재해서 퍼지가스의 분사각도를 조절하는 분사각 조절부재로서, 퍼지가스의 분사각도를 조절하여 출입구에서 외기의 유입을 차단하고 내부의 불활성 기체의 유출을 차단하게 된다.The second spray angle adjusting piece 58a controls the spray angle of the purge gas via the second spray angle rotating shaft 59a installed to rotate between the second nozzle block 51 and the second connection block 52. As an injection angle control member, the injection angle of the purge gas is adjusted to block the inflow of outside air from the entrance and exit of the inert gas inside.

제3 노즐부(60)는, 챔버부(10)의 출입구의 상부에 설치되며 출입구에 퍼지가스를 분사하여 가스커튼을 형성하는 노즐부재로서, 도 21에 나타낸 바와 같이 제3 노즐블럭(61), 제3 연결블럭(62), 제3 고정블럭(63), 제3 노즐(64), 제3 연결편(66), 제3 고정편(67), 제3 결합블럭 및 제3 소켓으로 이루어져 있다.The third nozzle unit 60 is a nozzle member installed above the entrance of the chamber unit 10 and forming a gas curtain by injecting a purge gas into the entrance, and as shown in FIG. 21, the third nozzle block 61 It consists of a third connection block 62, a third fixing block 63, a third nozzle 64, a third connection piece 66, a third fixing piece 67, a third coupling block, and a third socket. .

제3 노즐블럭(61)은, 챔버부(10)의 출입구의 상면에 설치되는 노즐블럭으로서, 챔버부(10)의 출입구의 상면에 결합이 용이하도록 대략 직사각형상의 블럭이나 플레이트로 이루어져 있고, 전후면에는 퍼지가스가 분사되어 가스커튼을 형성하도록 분사노즐이 관통 형성되며 상하 길이방향으로 배치되어 있다.The third nozzle block 61 is a nozzle block installed on the upper surface of the entrance and exit of the chamber unit 10, and is composed of a substantially rectangular block or plate so as to be easily coupled to the upper surface of the entrance and exit of the chamber unit 10, Spray nozzles are formed penetrating the surface to form a gas curtain by spraying the purge gas, and are disposed in the vertical direction.

제3 연결블럭(62)은, 제3 노즐블럭(61)의 외부에 결합되며 챔버부(10)의 출입구의 상면에 연결되는 연결블럭으로서, 제3 노즐블럭(61)과 제3 고정블럭(63) 사이에 설치되어 제3 노즐블럭(61)으로 유동되는 퍼지가스가 확산되도록 퍼지가스를 분산시키는 분산수단으로서, 이러한 제3 연결블럭(62)의 전후면에는 복수개의 제3 분산홀이 관통 형성되어 있다.The third connection block 62 is a connection block coupled to the outside of the third nozzle block 61 and connected to the upper surface of the entrance of the chamber unit 10, the third nozzle block 61 and the third fixing block ( 63) is installed between the third nozzle block 61 and disperses the purge gas so that the purge gas flowing into the third nozzle block 61 is diffused, and a plurality of third distribution holes penetrate the front and rear surfaces of the third connection block 62 is formed

제3 고정블럭(63)은, 제3 연결블럭(62)의 외부에 결합되며 챔버부(10)의 출입구의 상면에 고정되는 고정블럭으로서, 챔버부(10)의 출입구의 상면에 결합이 용이하도록 대략 직사각형상의 블럭이나 플레이트로 이루어져 있다.The third fixing block 63 is coupled to the outside of the third connection block 62 and is fixed to the upper surface of the entrance and exit of the chamber unit 10, and is easily coupled to the upper surface of the entrance and exit of the chamber unit 10. It consists of approximately rectangular blocks or plates to

제3 노즐(64)은, 제3 노즐블럭(61)의 전후면에 복수개가 관통 형성되되 좌우방향의 선형으로 배치된 노즐부재로서, 출입구의 상면부위에 퍼지가스를 집중적으로 분사시켜 가스커튼을 형성하는 분사노즐로 이루어져 있다.The third nozzle 64 is a nozzle member formed in plurality through the front and rear surfaces of the third nozzle block 61 and disposed linearly in the left and right directions, and intensively sprays purge gas to the upper surface of the entrance to form a gas curtain. It consists of a spray nozzle that forms

제3 연결편(66)은, 제3 노즐블럭(61)과 제3 연결블럭(62) 사이에 설치되는 연결부재로서, 이들 사이의 내부공간을 기밀하도록 밀착되는 기밀부재로 이루어져 제3 노즐블럭(61)과 제3 연결블럭(62) 사이에 유입되는 퍼지가스의 기밀을 유지하도록 내부공간의 둘레에 밀착되어 있다.The third connection piece 66 is a connection member installed between the third nozzle block 61 and the third connection block 62, and is composed of an airtight member that closely adheres to the internal space between them to seal the third nozzle block ( 61) and the third connection block 62 are in close contact with the circumference of the inner space to maintain airtightness of the purge gas introduced therein.

제3 고정편(67)은, 제3 연결블럭(62)과 제3 고정블럭(63) 사이에 설치되는 결합부재로서, 이들 사이의 내부공간을 실링하도록 결합되는 실링부재로 이루어져 제3 연결블럭(62)과 제3 고정블럭(63) 사이에 유입되는 퍼지가스의 실링을 유지하도록 내부공간의 둘레에 설치되어 있다.The third fixing piece 67 is a coupling member installed between the third connecting block 62 and the third fixing block 63, and is composed of a sealing member coupled to seal the inner space between them. It is installed around the inner space to maintain the sealing of the purge gas flowing between the 62 and the third fixing block 63.

제3 결합블럭은, 제3 노즐블럭(61)과 제3 연결블럭(62)과 제3 고정블럭(63)의 측부에 결합되는 결합블럭으로서, 제3 노즐블럭(61)과 제3 연결블럭(62) 사이의 내부공간 및 제3 연결블럭(62)과 제3 고정블럭(63) 사이의 내부공간에 퍼지가스를 유입시키도록 복수개의 제3 유입홀이 좌우방향으로 관통 형성되어 있다.The third coupling block is a coupling block coupled to the side of the third nozzle block 61, the third connection block 62, and the third fixing block 63, and the third nozzle block 61 and the third connection block A plurality of third inlet holes are formed through the left and right directions to allow the purge gas to flow into the inner space between the 62 and the inner space between the third connecting block 62 and the third fixing block 63.

제3 소켓은, 제3 결합블럭(68)의 측부에 연결되는 연결부재로서, 퍼지가스 공급배관에 연결되어 퍼지가스를 제3 노즐부(60)의 내부로 유입시켜 챔버부(10)의 출입구의 상면에 균일하게 분사시켜 가스커튼을 형성하게 된다.The third socket, as a connecting member connected to the side of the third coupling block 68, is connected to the purge gas supply pipe to allow the purge gas to flow into the third nozzle unit 60 and to the entrance of the chamber unit 10. is uniformly sprayed on the upper surface of the gas curtain.

또한, 이러한 제3 노즐부(60)는, 제31 연결블럭(62a), 제32 연결블럭(62b), 제3 분사각 조절편(68a) 및 제3 분사각 회전축(69a)을 더 포함하여 이루어지는 것도 가능함은 물론이다.In addition, the third nozzle unit 60 further includes a 31st connection block 62a, a 32nd connection block 62b, a third spray angle adjusting piece 68a, and a third spray angle rotation shaft 69a. Of course, it is also possible.

제31 연결블럭(62a)은, 제3 노즐블럭(61)과 제3 연결블럭(62) 사이에 설치되는 연결블럭으로서, 제3 노즐블럭(61)과 제3 연결블럭(62) 사이에 설치되어 제3 노즐블럭(61)으로 유동되는 퍼지가스가 확산되도록 퍼지가스를 분산시키는 분산수단으로서, 이러한 제31 연결블럭(62a)의 전후면에는 복수개의 제31 분산홀이 관통 형성되어 있다.The 31st connection block 62a is a connection block installed between the third nozzle block 61 and the third connection block 62, and is installed between the third nozzle block 61 and the third connection block 62. As a dispersion means for dispersing the purge gas so that the purge gas flowing into the third nozzle block 61 is diffused, a plurality of 31st distribution holes are formed through the front and rear surfaces of the 31st connection block 62a.

제32 연결블럭(62b)은, 제3 연결블럭(62)과 제3 고정블럭(63) 사이에 설치되는 연결블럭으로서, 제3 연결블럭(62)과 제3 고정블럭(63) 사이에 설치되어 제3 연결블럭(62)으로 유동되는 퍼지가스가 확산되도록 퍼지가스를 분산시키는 분산수단으로 이루어져, 이러한 제32 연결블럭(62b)의 전후면에는 복수개의 제32 분산홀이 관통 형성되어 있다.The 32nd connection block 62b is a connection block installed between the third connection block 62 and the third fixing block 63, and is installed between the third connection block 62 and the third fixing block 63. It is composed of a dispersion means for dispersing the purge gas so that the purge gas flowing into the third connection block 62 is diffused, and a plurality of 32 distribution holes are formed through the front and rear surfaces of the 32nd connection block 62b.

제3 분사각 조절편(68a)은, 제3 노즐블럭(61)과 제3 연결블럭(62) 사이에 회전하도록 설치된 제3 분사각 회전축(69a)을 개재해서 퍼지가스의 분사각도를 조절하는 분사각 조절부재로서, 퍼지가스의 분사각도를 조절하여 출입구에서 외기의 유입을 차단하고 내부의 불활성 기체의 유출을 차단하게 된다.The third injection angle adjusting piece 68a controls the injection angle of the purge gas via the third injection angle rotating shaft 69a installed to rotate between the third nozzle block 61 and the third connection block 62. As an injection angle control member, the injection angle of the purge gas is adjusted to block the inflow of outside air from the entrance and exit of the inert gas inside.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면 챔버부의 둘레에 노즐부를 설치하여 적재부의 각각의 슬롯홈에 퍼지가스를 고르게 분사함으로써, 챔버부의 습도를 일정하게 저하시켜 유지하여 반도체의 생산 수율을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.As described above, according to the present invention, the nozzle unit is installed around the chamber unit and the purge gas is uniformly sprayed into each slot groove of the loading unit, thereby reducing and maintaining the humidity of the chamber unit at a constant level, thereby improving the semiconductor production yield. provide effect.

또한, 노즐부의 인입구에 히터부를 추가로 설치함으로써, 인입구에 설치된 히터를 통하여 불활성 기체의 온도를 높여서 저점의 습도 관리 기능을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.In addition, by additionally installing a heater unit at the inlet of the nozzle unit, the temperature of the inert gas is increased through the heater installed at the inlet to provide an effect of improving the low-point humidity management function.

또한, 노즐부를 다단으로 구성하고 적재부 하부의 집중 분사노즐을 3면에 배치하고 불활성 기체를 분사함으로써, 다단 노즐에 유입된 불활성 기체를 전체 면적에 분산하는 분산노즐이 구비되어 전체 면적에 고르게 불활성 기체의 분사가 가능하며, 습도에 취약한 적재부 하부의 집중 분산 구간을 통하여 전체 적재부에 수납되어 있는 각각의 웨이퍼의 습도를 균일하게 관리할 수 있는 효과를 제공한다.In addition, by configuring the nozzle unit in multiple stages, arranging the concentrated injection nozzles at the bottom of the loading unit on three sides, and injecting inert gas, a dispersing nozzle is provided to disperse the inert gas flowing into the multi-stage nozzle over the entire area, so that the inert gas is evenly distributed over the entire area. It is possible to spray gas, and provides an effect of uniformly managing the humidity of each wafer stored in the entire loading unit through the intensive dispersion section at the lower part of the loading unit, which is vulnerable to humidity.

또한, 노즐부의 블럭 사이의 구간에 실링재나 기밀재를 설치함으로써, 각 구간에서 외부 기류의 유입을 방지하는 동시에 불활성 기체의 리크(Leak)를 방지할 수 있는 효과를 제공한다.In addition, by installing a sealing material or an airtight material in the section between the blocks of the nozzle unit, an effect of preventing the inflow of external air current in each section and at the same time preventing leakage of inert gas is provided.

또한, 챔버부의 출입구에 커튼노즐부를 설치하여 입출구에 가스커튼을 형성함으로써, 반도체의 공정처리 후에 퓸이나 이물질을 제거하고 오염을 방지하여 반도체의 수율을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.In addition, by installing a curtain nozzle unit at the entrance and exit of the chamber unit to form a gas curtain at the entrance and exit of the chamber, fume or foreign substances are removed and contamination is prevented after semiconductor processing, thereby providing an effect of improving semiconductor yield.

또한, 챔버부의 측면과 후면과 출일부에 노즐부를 함께 설치하여 균일한 질소가스의 분사를 통해 5% 이하의 습도로 관리할 수 있는 효과를 제공한다.In addition, by installing the nozzle part together on the side and back of the chamber part and the extraction part, it provides an effect that can be managed at a humidity of 5% or less through uniform injection of nitrogen gas.

또한, 챔버부에 노즐부를 설치하여 외기를 차단하고, 챔버부의 내부에 ㅍ파파티클의 유입을 방지하고 웨이퍼의 내부 습도를 하강시켜 반도체 생산 수율을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.In addition, the nozzle unit is installed in the chamber unit to block outside air, prevent the inflow of PA particles into the chamber unit, and lower the internal humidity of the wafer, thereby providing an effect of improving semiconductor production yield.

또한, 노즐부에 분산블럭과 연결블럭의 다단으로 결합하여 퍼지가스를 균일하게 분산시커 분사함으로써, 외기 상태요소에 따라 직진화 구간을 조정하여 최적의 외기 차단을 가지는 유체의 선형 유지 구간을 결정할 수 있는 효과를 제공한다.In addition, by combining the dispersion block and the connection block in multiple stages in the nozzle unit to uniformly disperse and inject the purge gas, it is possible to determine the linear maintenance section of the fluid having the optimal external air blocking by adjusting the straightening section according to the outside air state factor. provides an effect.

또한, 유체의 유량 분산 구간에서 유체 유입구에서 일시적으로 유입되는 유체를 골고루 분산시켜 선형유동노즐(Laminar Flow Nozzle)에 일정한 유량을 분사 할 수 있는 효과를 제공한다.In addition, it provides an effect of spraying a constant flow rate to the laminar flow nozzle by evenly distributing the fluid temporarily introduced from the fluid inlet in the flow rate distribution section of the fluid.

또한, 챔버부의 좌,우측과 상부에 선현유동을 형성하는 커튼노즐부를 통하여 불활성 유체를 퍼지함으로써, 선형유동노즐을 통해 퍼지된 유체가 압력과 유량 조절에 따라 형상이 유지된 상태로 분사되므로, 외기의 차단효과을 향상시킬 뿐만 아니라 챔버부 내부에서 분사된 불활성 기체의 외부 유출을 최소화시켜 효과적으로 습도를 제어할 수 있는 효과를 제공한다.In addition, by purging the inert fluid through the curtain nozzle part forming linear flow on the left, right and upper parts of the chamber part, the fluid purged through the linear flow nozzle is sprayed in a state in which the shape is maintained according to the pressure and flow rate control, so that the outside air In addition to improving the blocking effect of the chamber, it provides an effect of effectively controlling the humidity by minimizing the outflow of the inert gas injected from the inside of the chamber.

또한, 커튼노즐부의 분사각도를 조절하도록 함으로써, 양측에서 분사되는 불활성 유체가 서로 충돌하여 챔버부의 내부로 인입되는 현상을 방지할 수 있는 효과를 제공한다.In addition, by adjusting the spray angle of the curtain nozzle unit, an effect of preventing inert fluids sprayed from both sides from colliding with each other and being drawn into the chamber unit can be prevented.

이상 설명한 본 발명은 그 기술적 사상 또는 주요한 특징으로부터 벗어남이 없이 다른 여러 가지 형태로 실시될 수 있다. 따라서 상기 실시예는 모든 점에서 단순한 예시에 지나지 않으며 한정적으로 해석되어서는 안 된다. The present invention described above can be implemented in various other forms without departing from its technical spirit or main characteristics. Therefore, the above embodiments are mere examples in all respects and should not be construed in a limited manner.

10: 챔버부
20: 수납부
30: 제1 노즐부
40: 히터부
50: 제2 노즐부
60: 제3 노즐부10: chamber part
20: storage unit
30: first nozzle part
40: heater unit
50: second nozzle part
60: third nozzle part

Claims (13)

EFEM의 반송실에 설치되어 이송되는 웨이퍼를 버퍼링하는 EFEM의 버퍼 챔버 장치로서,
전면에 웨이퍼가 출입하는 출입구가 형성되고, 내부에 복수의 웨이퍼가 적재되는 적재공간이 형성된 챔버부(10);
상기 챔버부(10)의 적재공간에 설치되며, 복수의 웨이퍼가 상하로 각각 적재되어 수납되도록 복수층의 슬롯이 형성된 적재부(20); 및
상기 챔버부(10)의 출입구에 설치되며, 출입구에 퍼지가스를 분사하여 가스커튼을 형성하는 커튼노즐부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 EFEM의 버퍼 챔버 장치.An EFEM buffer chamber device installed in the transfer room of the EFEM to buffer a wafer to be transferred,
a chamber unit 10 having an entrance through which wafers enter and exit the front side and a loading space in which a plurality of wafers are loaded;
a loading unit 20 installed in the loading space of the chamber unit 10 and formed with a plurality of slots so that a plurality of wafers are loaded and received vertically; and
The buffer chamber device of EFEM, characterized in that it includes a; curtain nozzle unit installed at the entrance of the chamber unit 10 and forming a gas curtain by injecting purge gas into the entrance. 제 1 항에 있어서,
상기 커튼노즐부는,
상기 챔버부(10)의 출입구의 양쪽 측부에 설치되며, 출입구에 퍼지가스를 분사하여 가스커튼을 형성하는 제2 노즐부(50);를 포함하는 것을 특징으로 하는 EFEM의 버퍼 챔버 장치.According to claim 1,
The curtain nozzle part,
The buffer chamber device of the EFEM, characterized in that it includes; a second nozzle unit (50) installed on both sides of the entrance and exit of the chamber unit (10) and injecting a purge gas into the entrance and exit to form a gas curtain. 제 2 항에 있어서,
상기 제2 노즐부(50)는,
상기 챔버부(10)의 출입구의 측면에 설치되는 제2 노즐블럭;
상기 제2 노즐블럭의 외부에 결합되며, 상기 챔버부(10)의 출입구의 측면에 연결되는 제2 연결블럭;
상기 제2 연결블럭의 외부에 결합되며, 상기 챔버부(10)의 출입구의 측면에 고정되는 제2 고정블럭; 및
상기 제2 노즐블럭의 전후면에 복수개가 선형으로 배치된 제2 노즐;을 포함하는 것을 특징으로 하는 EFEM의 버퍼 챔버 장치.According to claim 2,
The second nozzle unit 50,
A second nozzle block installed on the side of the entrance of the chamber unit 10;
a second connection block coupled to the outside of the second nozzle block and connected to the side of the entrance of the chamber unit 10;
a second fixing block coupled to the outside of the second connection block and fixed to a side surface of the entrance of the chamber unit 10; and
Buffer chamber device of EFEM, characterized in that it comprises a; a plurality of second nozzles linearly disposed on the front and rear surfaces of the second nozzle block. 제 3 항에 있어서,
상기 제2 노즐부(50)는,
상기 제2 노즐블럭과 상기 제2 연결블럭 사이에 회전하도록 설치되어, 퍼지가스의 분사각도를 조절하는 제2 분사각 조절편;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 EFEM의 버퍼 챔버 장치.According to claim 3,
The second nozzle unit 50,
EFEM's buffer chamber device, characterized in that it further comprises; a second injection angle adjusting piece installed to rotate between the second nozzle block and the second connection block to adjust the injection angle of the purge gas. 제 1 항에 있어서,
상기 커튼노즐부는,
상기 챔버부(10)의 출입구의 상부에 설치되며, 출입구에 퍼지가스를 분사하여 가스커튼을 형성하는 제3 노즐부(60);를 포함하는 것을 특징으로 하는 EFEM의 버퍼 챔버 장치.According to claim 1,
The curtain nozzle part,
A buffer chamber device of EFEM, characterized in that it comprises a; third nozzle unit 60 installed above the entrance of the chamber unit 10 and injecting purge gas into the entrance to form a gas curtain. 제 5 항에 있어서,
상기 제3 노즐부(60)는,
상기 챔버부(10)의 출입구의 상면에 설치되는 제3 노즐블럭;
상기 제3 노즐블럭의 외부에 결합되며, 상기 챔버부(10)의 출입구의 상면에 연결되는 제3 연결블럭;
상기 제3 연결블럭의 외부에 결합되며, 상기 챔버부(10)의 출입구의 상면에 고정되는 제3 고정블럭; 및
상기 제3 노즐블럭의 전후면에 복수개가 선형으로 배치된 제3 노즐;을 포함하는 것을 특징으로 하는 EFEM의 버퍼 챔버 장치.According to claim 5,
The third nozzle unit 60,
a third nozzle block installed on the upper surface of the entrance of the chamber unit 10;
a third connection block coupled to the outside of the third nozzle block and connected to an upper surface of the entrance of the chamber unit 10;
a third fixing block coupled to the outside of the third connection block and fixed to an upper surface of the entrance of the chamber unit 10; and
Buffer chamber device of EFEM, characterized in that it comprises a; a plurality of third nozzles linearly disposed on the front and rear surfaces of the third nozzle block. 제 6 항에 있어서,
상기 제3 노즐부(60)는,
상기 제3 노즐블럭과 상기 제3 연결블럭 사이에 회전하도록 설치되어, 퍼지가스의 분사각도를 조절하는 제3 분사각 조절편;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 EFEM의 버퍼 챔버 장치.According to claim 6,
The third nozzle unit 60,
EFEM's buffer chamber device further comprising: a third injection angle control piece installed to rotate between the third nozzle block and the third connection block and adjusting the injection angle of the purge gas. 제 1 항에 있어서,
상기 챔버부(10)의 외부에 설치되며, 상기 챔버부(10)의 외부에서 상기 적재부(20)의 복수층의 슬롯으로 퍼지가스를 분사하도록 연통 형성된 제1 노즐부(30);를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 EFEM의 버퍼 챔버 장치.According to claim 1,
A first nozzle part 30 installed outside the chamber part 10 and formed in communication to inject purge gas from the outside of the chamber part 10 into the slots of the plurality of layers of the loading part 20; Buffer chamber device of EFEM, characterized in that it comprises. 제 8 항에 있어서,
상기 제1 노즐부(30)의 양단에 각각 설치되어, 외부에서 투입되는 퍼지가스를 히팅하는 히터부(40);를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 EFEM의 버퍼 챔버 장치.According to claim 8,
The buffer chamber device of EFEM, characterized in that it further comprises; heater units 40 installed at both ends of the first nozzle unit 30 to heat the purge gas introduced from the outside. 제 8 항에 있어서,
상기 제1 노즐부(30)는,
상기 챔버부(10)의 일방 측면에 설치되어, 퍼지가스를 분사하는 제11 노즐플레이트;
상기 챔버부(10)의 타방 측면에 설치되어, 퍼지가스를 분사하는 제12 노즐플레이트; 및
상기 챔버부(10)의 후면에 설치되어, 퍼지가스를 분사하는 제13 노즐플레이트;를 포함하는 것을 특징으로 하는 EFEM의 버퍼 챔버 장치.According to claim 8,
The first nozzle unit 30,
an eleventh nozzle plate installed on one side of the chamber unit 10 to inject purge gas;
a twelfth nozzle plate installed on the other side of the chamber unit 10 to inject purge gas; and
A 13th nozzle plate installed on the rear surface of the chamber unit 10 to inject purge gas; EFEM buffer chamber device comprising a. 제 8 항에 있어서,
상기 제1 노즐부(30)는,
상기 챔버부(10)의 측면이나 후면에 설치되는 제1 노즐블럭;
상기 제1 노즐블럭의 외부에 결합되며, 상기 챔버부(10)의 측면이나 후면에 고정되는 제1 고정블럭;
상기 제1 노즐블럭의 전후면 상부에 복수개가 관통 형성된 제1 상부노즐; 및
상기 제1 노즐블럭의 전후면 하부에 복수개가 관통 형성되되 상기 제1 상부노즐 보다 증가된 분사량과 분사압으로 분사시키는 제1 하부노즐;을 포함하는 것을 특징으로 하는 EFEM의 버퍼 챔버 장치.According to claim 8,
The first nozzle unit 30,
A first nozzle block installed on the side or rear surface of the chamber unit 10;
a first fixing block coupled to the outside of the first nozzle block and fixed to the side or rear surface of the chamber unit 10;
a plurality of first upper nozzles formed through upper portions of the front and rear surfaces of the first nozzle block; and
Buffer chamber device of EFEM, characterized in that it includes; a plurality of first lower nozzles formed through the lower part of the front and rear surfaces of the first nozzle block and spraying with an increased spray amount and spray pressure than the first upper nozzle. 제 11 항에 있어서,
상기 제1 하부노즐은, 상기 제1 상부노즐 보다 분사홀의 사이즈가 확장되거나 분사홀의 수량이 증가되도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 EFEM의 버퍼 챔버 장치.According to claim 11,
EFEM buffer chamber device, characterized in that the first lower nozzle is formed such that the size of the injection hole is expanded or the number of injection holes is increased compared to the first upper nozzle. 제 1 항에 기재된 EFEM의 버퍼 챔버 장치를 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 공정장치.A semiconductor processing apparatus comprising the buffer chamber apparatus of the EFEM according to claim 1.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101254721B1 (en) 2011-03-30 2013-04-15 삼성전자주식회사 EFEM Buffer Module
KR101756743B1 (en) 2016-12-30 2017-07-12 김태훈 Buffer chamber unit for wafer fabricating equipment
KR101909483B1 (en) 2016-09-01 2018-12-19 세메스 주식회사 Buffer unit and Apparatus for treating substrate with the unit

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016065200A1 (en) * 2014-10-24 2016-04-28 Applied Materials, Inc Systems, apparatus, and methods for purging a substrate carrier at a factory interface
WO2016205191A1 (en) * 2015-06-17 2016-12-22 Entegris, Inc. Flow modification fixture for an equipment front end module
US10160059B2 (en) * 2016-03-03 2018-12-25 General Electric Company Decoupled liquid-jet guided laser nozzle cap
US10453726B2 (en) * 2016-11-10 2019-10-22 Applied Materials, Inc. Electronic device manufacturing load port apparatus, systems, and methods
KR102534076B1 (en) * 2018-01-04 2023-05-19 삼성디스플레이 주식회사 Deposition apparatus and method using the same
US11373891B2 (en) * 2018-10-26 2022-06-28 Applied Materials, Inc. Front-ducted equipment front end modules, side storage pods, and methods of operating the same

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101254721B1 (en) 2011-03-30 2013-04-15 삼성전자주식회사 EFEM Buffer Module
KR101909483B1 (en) 2016-09-01 2018-12-19 세메스 주식회사 Buffer unit and Apparatus for treating substrate with the unit
KR101756743B1 (en) 2016-12-30 2017-07-12 김태훈 Buffer chamber unit for wafer fabricating equipment

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