KR20230111298A - Exhaust apparatus for air flow stabilization in equipment front end module and semiconductor process device comprising the same - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to an airflow stabilizing exhaust apparatus of an EFEM, which is installed in a transfer room and exhausts an airflow of the EFEM to stabilize the airflow, and a semiconductor process device having the same, wherein the airflow stabilizing exhaust apparatus comprises: an inlet unit installed to be inclined to be convex upwardly in a lower part of a transfer room, and receiving airflow; a first outlet unit installed on one side of a lower part of the inlet unit, and discharging the airflow; and a second outlet unit installed on the other side of the lower part of the inlet unit, and discharging the airflow. Therefore, the present invention provides the inlet unit which is installed to be inclined to be convex upwardly in the lower part of the transfer room and receives the airflow from an outer periphery to a lower center part, thereby reducing a vortex generated at an outer periphery of the transfer chamber and stabilizing the airflow in the transfer chamber to improve the exhaust performance.

Description

EFEM의 기류 안정화 배기장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치{EXHAUST APPARATUS FOR AIR FLOW STABILIZATION IN EQUIPMENT FRONT END MODULE AND SEMICONDUCTOR PROCESS DEVICE COMPRISING THE SAME}EFEM's airflow stabilization exhaust device and semiconductor processing device having the same

본 발명은 EFEM의 기류 안정화 배기장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 EFEM의 반송실에 설치되어 반송실의 기류를 안정화시키도록 배기하는 EFEM의 기류 안정화 배기장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치에 관한 것이다.The present invention relates to an airflow stabilization exhaust device of an EFEM and a semiconductor processing apparatus having the same, and more particularly, to an airflow stabilization exhaust device of an EFEM that is installed in a transfer room of the EFEM and exhausts to stabilize an airflow in the transfer room, and to a semiconductor processing apparatus having the same.

반도체 제조 공정에 있어서 웨이퍼 및 이에 형성되는 반도체 소자는 고정밀도의 물품으로, 보관 및 운반 시 외부의 오염 물질과 충격으로부터 손상되지 않도록 주의해야 한다. 특히, 웨이퍼의 보관 및 운반의 과정에서 그 표면이 먼지, 수분, 각종 유기물 등과 같은 불순물에 의해 오염되지 않도록 관리가 필요하다.In the semiconductor manufacturing process, wafers and semiconductor devices formed thereon are high-precision items, and care must be taken not to damage them from external contaminants and shocks during storage and transportation. In particular, in the process of storing and transporting wafers, management is required so that the surface is not contaminated by impurities such as dust, moisture, and various organic substances.

종래에는 반도체의 제조 수율 및 품질의 향상을 위하여, 클린룸(clean room) 내에서의 웨이퍼의 처리가 이루어지곤 하였다. 그러나 소자의 고집적화, 미세화, 웨이퍼의 대형화가 진행됨에 따라, 비교적 큰 공간인 클린룸을 관리하는 것이 비용적으로도 기술적으로도 곤란해져 왔다. Conventionally, in order to improve the manufacturing yield and quality of semiconductors, wafer processing has been performed in a clean room. However, as devices are highly integrated, miniaturized, and wafers are enlarged in size, managing a clean room, which is a relatively large space, has become difficult both in terms of cost and in terms of technology.

이에 최근에는 클린룸 내 전체의 청정도를 향상시키는 대신, 웨이퍼 주위의 국소적인 공간에 대하여 집중적으로 청정도를 향상시키는 국소환경(mini-environment)의 청정 방식이 적용된다.In recent years, instead of improving the cleanliness of the entire clean room, a mini-environment cleaning method that intensively improves the cleanliness of a local space around the wafer is applied.

한편, 반도체 제조 공정은 식각, 증착, 에칭과 같은 다양한 단위 공정들이 순차적으로 반복된다. 각 공정 처리 과정에서 웨이퍼 상에 이물질 또는 오염 물질이 잔존하게 되어 불량이 발생하거나 반도체 공정 수율이 낮아지는 문제가 있었다.Meanwhile, in the semiconductor manufacturing process, various unit processes such as etching, deposition, and etching are sequentially repeated. Foreign substances or contaminants remain on the wafer during each process, causing defects or lowering the semiconductor process yield.

따라서 반도체 공정에 있어서, 웨이퍼는 여러 프로세스 챔버 또는 반도체처리 공간으로 이송되는데 이때, 웨이퍼를 하나의 처리 공간에서 다른 처리 공간으로 이송시키는 동안 웨이퍼에 이물질이나 오염 물질이 부착되는 것을 최소화하기 위한 다양한 수단이 구비되어 있다.Therefore, in the semiconductor process, wafers are transferred to several process chambers or semiconductor processing spaces. At this time, various means are provided to minimize the attachment of foreign substances or contaminants to the wafers while transferring the wafers from one processing space to another.

EFEM(Equipment Front End Module)을 포함하는 반도체 공정장치는, 도 1 내지 도 3에 나타낸 바와 같이 로드포트모듈(110; LPM(Load Port Module)), 웨이퍼 용기(120; FOUP(Front Opening Unified Pod)), 팬필터유닛(130; FFU(Fan Filter Unit)) 및 웨이퍼 반송실(140)을 포함하여 이루어져 있다.As shown in FIGS. 1 to 3 , a semiconductor processing apparatus including an Equipment Front End Module (EFEM) includes a load port module (110; Load Port Module (LPM)), a wafer container (120; Front Opening Unified Pod (FOUP)), a fan filter unit (130; Fan Filter Unit (FFU)), and a wafer transfer room 140.

웨이퍼를 고청정한 환경에서 보관하기 위하여 개구 통합형 포드(Front-Opening Unified Pod ; FOUP)라는 웨이퍼 용기(120)가 사용되며, 웨이퍼 용기(120) 에서 반도체 처리공간으로 웨이퍼가 이동하는 경로에 웨이퍼 반송실(140)이 형성되고, 웨이퍼 반송실(140)은 팬필터유닛(130)에 의하여 청정한 공간으로 유지된다.In order to store wafers in a high-clean environment, a wafer container 120 called a front-opening unified pod (FOUP) is used, and a wafer transfer room 140 is formed on the path in which wafers move from the wafer container 120 to the semiconductor processing space, and the wafer transfer room 140 is maintained as a clean space by a fan filter unit 130.

웨이퍼 반송실(140) 내에 설치된 아암 로봇 등의 웨이퍼 반송로봇(150)에 의해, 웨이퍼 용기(120) 내의 웨이퍼가 로드포트모듈(110)을 통하여 웨이퍼 반송실(140) 내로 반출되거나 또는 웨이퍼 반송실(140)로부터 웨이퍼 용기(120) 내에 수납할 수 있도록 구성된다. Wafers in the wafer container 120 are transported into the wafer transport chamber 140 through the load port module 110 by the wafer transport robot 150, such as an arm robot installed in the wafer transport chamber 140, or stored in the wafer container 120 from the wafer transport chamber 140.

로드포트모듈(110)의 도어(111)와 웨이퍼 용기(120)의 전방면에 설치된 도어가 밀착된 상태에서 동시에 개방되고, 개방된 영역을 통하여 웨이퍼가 반출되거나 또는 수납된다.The door 111 of the load port module 110 and the door installed on the front surface of the wafer container 120 are simultaneously opened in a state of close contact, and wafers are taken out or received through the open area.

일반적으로, 반도체 처리 공정을 거친 웨이퍼 표면에는 공정 후 발생하는 퓸 (Fume)이 잔류하고 이에 의해 화학반응 발생되어 반도체 웨이퍼의 생산성을 저하시키는 원인으로 작용한다.In general, fumes generated after a semiconductor processing process remain on the surface of a wafer that has undergone a semiconductor processing process, thereby causing a chemical reaction to occur, which acts as a cause of lowering the productivity of a semiconductor wafer.

나아가 웨이퍼의 반출 또는 수납을 위하여 웨이퍼 용기(120)의 도어(111)가 오픈된 경우, 웨이퍼 용기(120)의 내부의 퍼지 가스 농도는 일정 수준 유지되도록 제어되고 웨이퍼 용기 내로 유입된 외기는 필터링되도록 동작한다.Furthermore, when the door 111 of the wafer container 120 is opened to transport or store wafers, the purge gas concentration inside the wafer container 120 is controlled to be maintained at a certain level, and the outside air introduced into the wafer container is filtered.

하지만, 웨이퍼 용기(120) 내부로 유입된 외기에 의해 웨이퍼 용기(120)의 내부에 일부 필터링되지 않은 공기가 존재하게 되고, 웨이퍼 반송실(140)의 대기 환경은 미립자가 제어된 청정 공기이기는 하지만 산소, 수분 등이 포함되어 있고, 이러한 공기가 웨이퍼 용기(120)의 내부로 유입되어 내부 습도가 상승하게 되면 웨이퍼의 표면이 외기에 함유된 수분 또는 산소에 의해 산화될 가능성이 있다. However, some unfiltered air exists inside the wafer container 120 due to outside air introduced into the inside of the wafer container 120, and the atmospheric environment of the wafer transfer room 140 is clean air with controlled particulates, but contains oxygen and moisture.

따라서, 웨이퍼 반송실(140)로부터 웨이퍼 용기(120)로 외기가 유입되는 것을 효과적으로 차단할 수 있는 수단으로서, 종래에는 로드포트모듈(110)과 웨이퍼 용기(120)의 덮개의 개폐에 의해 이중의 도어 개폐 수단을 구비함으로써 외기를 차단할 수는 있으나, 상하 방향으로 슬라이딩 이동하는 도어 부재(111)를 구비함으로써 로드 포트의 구성이 상당히 복잡해지는 문제가 있었다. Therefore, as a means capable of effectively blocking the inflow of outside air from the wafer transfer room 140 into the wafer container 120, conventionally, the external air can be blocked by providing double door opening and closing means by opening and closing the load port module 110 and the cover of the wafer container 120. However, there is a problem in that the configuration of the load port becomes considerably complicated by providing the door member 111 sliding in the vertical direction.

그 뿐만 아니라, 도어 부재를 상하로 이동시켜 외기를 차단함에 따라, 웨이퍼의 반출 및 수납에 소요되는 시간이 상당히 증가하게 되고, 이로 인해 웨이퍼 용기의 내부 습도가 변화되어 반도체의 제조 수율의 감소로 이어지게 되는 문제점이 있었다.In addition, as the door member is moved up and down to block the outside air, the time required for taking out and storing the wafer increases significantly, and as a result, the internal humidity of the wafer container changes, leading to a decrease in semiconductor manufacturing yield. There was a problem.

특히, 웨이퍼 용기(120)에서 웨이퍼가 출입하는 출입구에서 외기가 웨이퍼 용기(120)의 내부로 유입되어 출입구에서 내부 습도가 상승하게 되면 웨이퍼의 표면이 외기에 함유된 수분 또는 산소에 의해 손상되어 수율이 저하되는 문제도 있었다.In particular, when outside air flows into the inside of the wafer container 120 at the entrance through which wafers enter and leave the wafer container 120, and the internal humidity rises at the entrance, the surface of the wafer is damaged by moisture or oxygen contained in the outside air. There was also a problem in that the yield was lowered.

따라서, 반도체의 고 집적화와 수율 향상을 위해 EFEM의 내부 청정도 관리가 중요시 되고 있고, 특히 에칭(Etching) 공정 장비의 EFEM의 내부는 공정 진행 후 흄이 발생하고, 도 3에 나타낸 바와 같이 EFEM의 내부 전체로 퍼지며, 공정을 마치고 다시 풉(FOUP)에 적재되는 웨이퍼에서도 흄이 발생한다는 문제점이 있었다.Therefore, in order to improve the high integration and yield of semiconductors, the management of the internal cleanliness of the EFEM is important. In particular, fumes are generated inside the EFEM of the etching process equipment after the process is performed, and as shown in FIG.

이러한 흄을 제거 하기 위해 EFEM 상단에 FFU로 기류를 형성하여 EFEM의 하부로 배출하게 되나, 이러하 경우에 발생되는 문제는 발생한 흄의 자연 배기가 아닌 FFU의 압력에 의한 배기시 밀폐 구조가 아닌 도 3에 나타낸 바와 같이 EFEM으로 인해 원하지 않는 측면 배출이 발생한다는 문제가 있었다. In order to remove these fumes, an airflow is formed with the FFU at the top of the EFEM and discharged to the lower part of the EFEM. However, the problem that occurs in this case is that the generated fumes are not naturally exhausted when exhausted by the pressure of the FFU. As shown in FIG. 3, there was a problem that unwanted side discharge occurs due to the EFEM.

또한, EFEM의 외부로 자연배기가 되어 인체에 유해하게 되므로 이를 해결하기 위해 다양한 방식이 제시 되었다. 종래의 배기장치는 반송 로봇 근처에서 강제 배기 형태의 배출구가 마련된 기술이 제안되었다 In addition, since natural exhaust to the outside of the EFEM is harmful to the human body, various methods have been proposed to solve this problem. As for the conventional exhaust system, a technique in which an exhaust port in the form of forced exhaust is provided near the transfer robot has been proposed.

종래의 반송 로봇 부근에 수평한 배기 덕트(171)를 구비한 배기 라인(170)으로 배출하는 배기장치는, 풉(FOUP)과 공정장비 투입구 대비 약간 낮은 위치에서 EFEM 내부를 채우는 수평한 구조 해당 위치에 배기량을 조절하는 구조로서, 공정 웨이퍼의 반송경로에 갑자기 좁은 배기 구조가 형성되어 EFEM의 내부에 와류가 발생하며, 따라서 흄의 효과적인 배출이 어려워 진다는 문제가 있었다.The exhaust device discharged to the exhaust line 170 having a horizontal exhaust duct 171 near the conventional transfer robot is a horizontal structure that fills the inside of the EFEM at a position slightly lower than the FOUP and the process equipment inlet. As a structure that adjusts the amount of exhaust at that position, a narrow exhaust structure is suddenly formed in the transfer path of the process wafer, resulting in vortexes inside the EFEM, which makes it difficult to effectively discharge fume.

특히, 이러한 와류는 EFEM의 외곽둘레 부위에 집중되어 가장 많은 흄이 발생하는 영역에서 흄의 와류가 형성되고, EFEM의 중심보다 외부의 기류 속도가 느리기 때문에 와류의 발생이 더 심각해 진다는 문제도 있었다.In particular, these vortices are concentrated around the outer circumference of the EFEM, and the vortex of fumes is formed in the area where the most fumes are generated, and since the air current speed outside is slower than the center of the EFEM, the generation of vortices becomes more serious.

대한민국 등록특허 제10-1758214호 (2017년07월14일)Republic of Korea Patent No. 10-1758214 (July 14, 2017) 대한민국 등록특허 제10-2100775호 (2020년04월14일)Republic of Korea Patent Registration No. 10-2100775 (April 14, 2020) 대한민국 등록특허 제10-2124372호 (2020년06월18일)Republic of Korea Patent No. 10-2124372 (June 18, 2020)

본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해소하기 위해 안출한 것으로서, 반송실의 하부에 상방으로 볼록하도록 경사지게 설치되어 기류가 외곽둘레에서 중앙 하방으로 유입되는 유입부를 구비함으로써, 반송실의 외곽둘레에서 발생되는 와류를 최소화시키는 동시에 반송실의 기류를 안정화시켜 배기성능을 향상시킬 수 있는 EFEM의 기류 안정화 배기장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다. An object of the present invention is to provide an airflow stabilization exhaust device of EFEM capable of improving exhaust performance by stabilizing the airflow in the transport room while minimizing the vortex generated around the outer circumference of the transport room by having an inlet that is installed at the bottom of the transport room so as to be convex upward so that air flow flows from the outer circumference to the lower center of the transport room.

또한, 본 발명은 유입부의 하부 중앙에 유출부를 추가로 설치함으로써, 반송실의 외곽둘레에서 발생되는 와류를 중앙 하방에 집중시켜 배기성능을 향상시키고 배기속도를 증가시킬 수 있는 EFEM의 기류 안정화 배기장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다. In addition, another object of the present invention is to provide an airflow stabilization exhaust device of an EFEM capable of improving exhaust performance and increasing an exhaust speed by concentrating the vortex generated at the outer circumference of the transfer chamber to the lower center by additionally installing an outlet at the lower center of the inlet and a semiconductor processing device having the same.

또한, 본 발명은 유입부로서 상층과 중간층과 하층에 각 유입단을 다단으로 설치함으로써, 상하층의 부위 별로 기류의 안정화를 유지하는 동시에 가류의 안정화 성능을 향상시킬 수 있는 EFEM의 기류 안정화 배기장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다. In addition, another object of the present invention is to provide an airflow stabilization exhaust system of EFEM capable of improving the stabilization performance of curing while maintaining the stabilization of airflow for each part of the upper and lower layers by installing each inlet end in multiple stages in the upper, middle, and lower layers as inlets, and a semiconductor processing device having the same.

또한, 본 발명은 유입부로서 상층과 중간층과 하층에 각 유입구의 사이즈를 다르게 형성함으로써, 흄이 다발하는 외곽부위인 공정장비의 투입구와 배출구와 풉의 부근에서 빠른 흄의 배기가 가능하여 반송실 내부의 기류의 청결화를 유지할 수 있는 EFEM의 기류 안정화 배기장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다. In addition, another object of the present invention is to provide an airflow stabilization exhaust device of an EFEM capable of maintaining the cleanliness of the airflow inside the transfer chamber and a semiconductor processing device having the same, by forming the inlets of different sizes in the upper layer, the middle layer, and the lower layer as inlets, thereby enabling rapid exhaust of fume in the vicinity of the inlet and outlet of the process equipment, which are the outer portions where fumes occur frequently, and the puup.

또한, 본 발명은 유입부로서 상층과 중간층과 하층에 각 유입구의 사이즈를 조절하도록 설치함으로써, 흄이 다발하는 외곽부위에 대각선 방향의 넓은 면적에서 개별적으로 또는 구역별로 배기구를 조절하여 흄의 배기량과 배기속도를 넓은 범위에서 정밀하게 조절할 수 있는 EFEM의 기류 안정화 배기장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다. In addition, another object of the present invention is to provide an airflow stabilization exhaust device of EFEM that can precisely control the exhaust volume and exhaust speed of fume in a wide range by installing the inlets to adjust the size of each inlet in the upper, middle, and lower layers as inlets, and adjusting the exhaust ports individually or by zone in a large area in a diagonal direction in the outer part where fumes occur.

또한, 본 발명은 유입부로서 상층과 중간층과 하층에 기류의 유입을 개폐하도록 유입개폐편을 각각 설치함으로써, 유입부의 상하층에서 개별적으로 또는 구역별로 배기구를 개폐하여 배기를 조정할 수 있는 EFEM의 기류 안정화 배기장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다. In addition, another object of the present invention is to provide an airflow stabilization exhaust device of EFEM and a semiconductor processing device having the same, which can adjust the exhaust by opening and closing the exhaust ports individually or by zone in the upper and lower layers of the inlet, respectively, by installing inlet openings and closing pieces to open and close the inflow of airflow in the upper, middle, and lower layers as inlets.

또한, 본 발명은 유입부가 EFEM의 내부 기류가 와류 없이 원활히 배출되도록 대각선 형태의 배기부재로 구성되므로, EFEM의 중심 대비 외부가 더 넓은 공간을 제공하여 상대적으로 느린 EFEM의 외부의 배기 속도를 증가시킬 수 있고, 각 대각선의 배기부재가 개별의 복수개의 단으로 다단으로 구성되어 효과적으로 기류 안정화를 조정할 수 있고, FOUP의 도어(Door)와 공정 장비 투입구의 도어(Door)와 간섭 없이 적용이 가능하고 배기 시스템이 없는 EFEM에도 간단히 설치할 수 있는 EFEM의 기류 안정화 배기장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다. In addition, since the inlet portion of the present invention is composed of a diagonal exhaust member so that the internal airflow of the EFEM is smoothly discharged without vortex, it is possible to increase the relatively slow external exhaust speed of the EFEM by providing a wider space outside the center of the EFEM, and since each diagonal exhaust member is composed of a plurality of individual stages in multiple stages, the airflow stabilization can be effectively adjusted, and the door of the FOUP and the door of the process equipment inlet can be applied without interference and there is no exhaust system. Another object of the present invention is to provide an air flow stabilization exhaust device of EFEM that can be easily installed in EFEM and a semiconductor process equipment having the same.

또한, 본 발명은 유입부는 대각선 넓은 면적의 배기구를 형성하여 흄이 다량 발생하는 EFEM 외곽부위에 집중적인 배기가 가능하여 와류의 발생을 최소화할 수 있는 EFEM의 기류 안정화 배기장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다. In addition, another object of the present invention is to provide an airflow stabilization exhaust device of an EFEM capable of minimizing the generation of eddy currents by enabling intensive exhaust to the outer portion of the EFEM where a large amount of fume is generated by forming an exhaust port with a large diagonal area in the inlet portion, and a semiconductor processing device having the same.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은, EFEM의 반송실에 설치되어 반송실의 기류를 안정화시키도록 배기하는 EFEM의 기류 안정화 배기장치로서, 반송실의 하부에 상방으로 볼록하도록 경사지게 설치되어 기류가 유입되는 유입부(10); 상기 유입부(10)의 하부 일방에 설치되어 기류가 유출되는 제1 유출부(20); 및 상기 유입부(10)의 하부 타방에 설치되어 기류가 유출되는 제2 유출부(30);를 포함하는 것을 특징으로 한다.The present invention for achieving the above object is an air flow stabilization exhaust device of the EFEM that is installed in the transport room of the EFEM to stabilize the air flow of the transport room, and is installed at a lower part of the transport room so as to be convex upward, Inlet 10 into which air flow flows; A first outlet 20 installed on one side of the lower portion of the inlet 10 and through which air flows out; And a second outlet 30 installed on the lower side of the inlet 10 and through which the air flow flows out; characterized in that it comprises a.

또한, 본 발명은 상기 유입부(10)의 하부 중앙에 설치되어, 기류가 유출되는 제3 유출부(40);를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the present invention is characterized in that it further includes a third outlet 40 installed at the lower center of the inlet 10, through which air flows out.

본 발명의 상기 유입부(10)는, 상측부위에서 기류가 유입되도록 구획된 제1 유입단; 상기 제1 유입단의 하방에 설치되어, 중간부위에서 기류가 유입되도록 구획된 제2 유입단; 및 상기 제2 유입단의 하방에 설치되어, 하측부위에서 기류가 유입되도록 구획된 제3 유입단;을 포함하는 것을 특징으로 한다.The inlet part 10 of the present invention includes a first inlet end partitioned so that air current flows in from the upper part; a second inlet end installed below the first inlet end and partitioned so that air current flows in at the middle part; and a third inlet end installed below the second inlet end and partitioned so that air current flows in from the lower portion.

본 발명의 상기 유입부(10)는, 상측부위에서 기류의 유입량을 조절하도록 설치된 제1 유입구; 상기 제1 유입구의 하방에 설치되어, 중간부위에서 기류의 유입량을 조절하도록 설치된 제2 유입구; 및 상기 제2 유입구의 하방에 설치되어, 하측부위에서 기류의 유입량을 조절하도록 설치된 제3 유입구;를 포함하는 것을 특징으로 한다.The inlet 10 of the present invention, a first inlet installed to adjust the inflow of air flow in the upper portion; a second inlet installed below the first inlet to control an inflow amount of air flow at an intermediate portion; and a third inlet installed below the second inlet to adjust the inflow amount of the air flow at the lower portion.

본 발명의 상기 제1 유입구의 사이즈는 상기 제2 유입구 보다 작게 형성되어 있고, 상기 제2 유입구의 사이즈는 상기 제3 유입구 보다 작게 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.The size of the first inlet of the present invention is smaller than that of the second inlet, and the size of the second inlet is smaller than that of the third inlet.

본 발명의 상기 유입부(10)는, 상측부위에서 기류의 유입을 개폐하도록 설치된 제1 유입편; 상기 제1 유입편의 하방에 설치되어, 중간부위에서 기류의 유입을 개폐하도록 설치된 제2 유입편; 및 상기 제2 유입편의 하방에 설치되어, 하측부위에서 기류의 유입을 개폐하도록 설치된 제3 유입편;을 포함하는 것을 특징으로 한다.The inlet 10 of the present invention includes a first inlet piece installed to open and close the inlet of the air flow in the upper part; a second inlet piece installed below the first inlet piece to open and close the inflow of air flow at an intermediate portion; and a third inlet piece installed below the second inlet piece to open and close the inflow of air flow at the lower portion.

또한, 본 발명은 기재된 EFEM의 기류 안정화 배기장치를 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 공정장치이다.In addition, the present invention is a semiconductor processing apparatus characterized by having the airflow stabilization exhaust device of the EFEM described above.

이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명은 반송실의 하부에 상방으로 볼록하도록 경사지게 설치되어 기류가 외곽둘레에서 중앙 하방으로 유입되는 유입부를 구비함으로써, 반송실의 외곽둘레에서 발생되는 와류를 최소화시키는 동시에 반송실의 기류를 안정화시켜 배기성능을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.As described above, the present invention provides an effect of improving the exhaust performance by stabilizing the air flow in the transfer room while minimizing the vortex generated at the outer circumference of the transfer room by including an inlet that is installed at the lower part of the transfer room so as to be convex upward so that the air flow flows from the outer circumference to the lower center.

또한, 유입부의 하부 중앙에 유출부를 추가로 설치함으로써, 반송실의 외곽둘레에서 발생되는 와류를 중앙 하방에 집중시켜 배기성능을 향상시키고 배기속도를 증가시킬 수 있는 효과를 제공한다.In addition, by additionally installing the outlet at the lower center of the inlet, it is possible to improve the exhaust performance and increase the exhaust speed by concentrating the vortex generated at the outer circumference of the transfer room to the lower center.

또한, 유입부로서 상층과 중간층과 하층에 각 유입단을 다단으로 설치함으로써, 상하층의 부위 별로 기류의 안정화를 유지하는 동시에 가류의 안정화 성능을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.In addition, by installing each inlet end in multiple stages in the upper, middle, and lower layers as inlets, the effect of improving the stabilization performance of curing while maintaining the stabilization of airflow for each part of the upper and lower layers is provided.

또한, 유입부로서 상층과 중간층과 하층에 각 유입구의 사이즈를 다르게 형성함으로써, 흄이 다발하는 외곽부위인 공정장비의 투입구와 배출구와 풉의 부근에서 빠른 흄의 배기가 가능하여 반송실 내부의 기류의 청결화를 유지할 수 있는 효과를 제공한다.In addition, by forming different sizes of each inlet in the upper, middle, and lower layers as inlets, fast fume exhaust is possible in the vicinity of the inlet and outlet of process equipment, which are the outer parts where fumes occur frequently, and the pu. It provides the effect of maintaining the cleanliness of the airflow inside the transfer room.

또한, 유입부로서 상층과 중간층과 하층에 각 유입구의 사이즈를 조절하도록 설치함으로써, 흄이 다발하는 외곽부위에 대각선 방향의 넓은 면적에서 개별적으로 또는 구역별로 배기구를 조절하여 흄의 배기량과 배기속도를 넓은 범위에서 정밀하게 조절할 수 있는 효과를 제공한다.In addition, by installing the inlet to adjust the size of each inlet in the upper, middle, and lower layers as inlets, the exhaust volume and exhaust rate of the fume are adjusted individually or by zone in a large area in the diagonal direction in the outer part where fumes occur. It provides an effect that can be precisely controlled in a wide range.

또한, 유입부로서 상층과 중간층과 하층에 기류의 유입을 개폐하도록 유입개폐편을 각각 설치함으로써, 유입부의 상하층에서 개별적으로 또는 구역별로 배기구를 개폐하여 배기를 조정할 수 있는 효과를 제공한다.In addition, by installing inlet openings and closing pieces to open and close the inflow of air flow in the upper, middle, and lower layers as inlets, it is possible to adjust the exhaust by opening and closing the exhaust ports individually or by zone in the upper and lower layers of the inlet.

또한, 유입부가 EFEM의 내부 기류가 와류 없이 원활히 배출되도록 대각선 형태의 배기부재로 구성되므로, EFEM의 중심 대비 외부가 더 넓은 공간을 제공하여 상대적으로 느린 EFEM의 외부의 배기 속도를 증가시킬 수 있고, 각 대각선의 배기부재가 개별의 복수개의 단으로 다단으로 구성되어 효과적으로 기류 안정화를 조정할 수 있고, FOUP의 도어(Door)와 공정 장비 투입구의 도어(Door)와 간섭 없이 적용이 가능하고 배기 시스템이 없는 EFEM에도 간단히 설치할 수 있는 효과를 제공한다.In addition, since the inlet is composed of diagonal exhaust members so that the internal airflow of the EFEM is smoothly discharged without vortex, it provides a wider space outside the center of the EFEM, thereby increasing the relatively slow external exhaust speed of the EFEM, and since each diagonal exhaust member is composed of multiple individual stages, the airflow stabilization can be effectively adjusted, and the EFEM without an exhaust system can be applied without interfering with the FOUP door and the process equipment inlet door. It also provides an effect that can be easily installed.

또한, 유입부는 대각선 넓은 면적의 배기구를 형성하여 흄이 다량 발생하는 EFEM 외곽부위에 집중적인 배기가 가능하여 와류의 발생을 최소화할 수 있는 효과를 제공한다.In addition, the inlet part forms an exhaust port with a wide diagonal area, so that intensive exhaust is possible in the outer part of the EFEM where a large amount of fume is generated, thereby providing an effect of minimizing the occurrence of vortex.

도 1은 종래의 EFEM을 나타내는 구성도.
도 2는 종래의 EFEM의 배기상태를 나타내는 상태도.
도 3은 종래의 EFEM의 배기장치를 구비한 반도체 공정장치를 나타내는 구성도.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 기류 안정화 배기장치를 구비한 반도체 공정장치를 나타내는 구성도.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 기류 안정화 배기장치의 배기상태를 나타내는 상태도.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 기류 안정화 배기장치의 일예를 나타내는 구성도.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 기류 안정화 배기장치의 다른예를 나타내는 구성도.1 is a configuration diagram showing a conventional EFEM.
2 is a state diagram showing an exhaust state of a conventional EFEM.
3 is a configuration diagram showing a semiconductor processing apparatus equipped with an exhaust system of a conventional EFEM.
Figure 4 is a configuration diagram showing a semiconductor processing equipment having an air flow stabilization exhaust device of EFEM according to an embodiment of the present invention.
5 is a state diagram showing an exhaust state of an airflow stabilization exhaust device of an EFEM according to an embodiment of the present invention.
6 is a configuration diagram showing an example of an airflow stabilization exhaust device of an EFEM according to an embodiment of the present invention.
7 is a configuration diagram showing another example of an airflow stabilization exhaust system of an EFEM according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 일 실시예를 더욱 상세히 설명한다. Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 기류 안정화 배기장치를 구비한 반도체 공정장치를 나타내는 구성도이고, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 기류 안정화 배기장치의 배기상태를 나타내는 상태도이고, 도 6은 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 기류 안정화 배기장치의 일예를 나타내는 구성도이고, 도 7은 본 발명의 일 실시예에 의한 EFEM의 기류 안정화 배기장치의 다른예를 나타내는 구성도이다.4 is a configuration diagram showing a semiconductor process apparatus having an air flow stabilization exhaust device of an EFEM according to an embodiment of the present invention, FIG. 5 is a state diagram showing an exhaust state of the air flow stabilization exhaust device of an EFEM according to an embodiment of the present invention, FIG. .

본 발명의 반도체 공정장치는, 본 실시예의 EFEM의 기류 안정화 배기장치를 구비한 반도체 공정장치로서, 도 4에 나타낸 바와 같이, 로드포트모듈(110; LPM(Load Port Module)), 웨이퍼 용기(120; FOUP(Front Opening Unified Pod)), 팬필터유닛(130; FFU(Fan Filter Unit)) 및 웨이퍼 반송실(140)을 포함하여 이루어져, EFEM의 기류 안정화 배기장치가 장착된 EFEM(Equipment Front End Module)으로 이루어질 수 있다.As shown in FIG. 4, the semiconductor processing apparatus of the present invention includes a load port module (110; LPM (Load Port Module)), a wafer container (120; FOUP (Front Opening Unified Pod)), a fan filter unit (130; FFU (Fan Filter Unit)), and a wafer transfer room 140, as shown in FIG. It may consist of an Equipment Front End Module (EM).

로드포트모듈(110; LPM)은, 반도체 제조용 웨이퍼를 담아두는 웨이퍼 용기(120; FOUP(Front Opening Universal Pod))의 도어(111)를 열거나 닫으면서 웨이퍼가 반송될 수 있도록 해주는 장치이다.The load port module 110 (LPM) is a device that allows wafers to be transported while opening or closing the door 111 of a wafer container 120 (Front Opening Universal Pod (FOUP)) containing wafers for semiconductor manufacturing.

이러한 로드포트모듈(110; LPM)은, 스테이지 유닛에 웨이퍼 용기(120; FOUP(Front Opening Unified Pod))가 장착되면 웨이퍼 용기(120)의 내부로 질소가스를 주입하고, 웨이퍼 용기(120)의 내부의 오염물질을 웨이퍼 용기(120)의 외부로 배출하여 웨이퍼 용기(120)의에 저장되어 이송되는 웨이퍼가 오염물질로 인하여 훼손되는 것을 방지하는 구성이다.When the wafer container 120 (FOUP (Front Opening Unified Pod)) is mounted on the stage unit, the load port module 110 (LPM) injects nitrogen gas into the wafer container 120, and discharges contaminants inside the wafer container 120 to the outside of the wafer container 120 to prevent wafers stored and transferred in the wafer container 120 from being damaged due to contaminants.

웨이퍼 용기(120)는 내부에 복수의 웨이퍼가 적재되는 적재공간이 형성되고, 도어가 개방되며 웨이퍼가 반출되도록 하거나 또는 수납되도록 한다. 이러한 웨이퍼 용기(120)는 개구 통합형 포드(Front-Opening Unified Pod ; FOUP)로 이루어질 수 있다.The wafer container 120 has a loading space in which a plurality of wafers are loaded, and a door is opened to allow wafers to be taken out or received. The wafer container 120 may be formed of a front-opening unified pod (FOUP).

팬필터유닛(130)은, 웨이퍼 반송실(140)의 상부에 설치되며, 퓸과 같은 분자성 오염 물질, 먼지와 같은 미립자가 제거함으로써 웨이퍼 반송실(140) 내의 공기를 청정하게 유지한다. 통상 웨이퍼 반송실(140) 내의 공기의 흐름은 팬필터유닛(130)이 설치된 상부에서 하부로 형성된다.The fan filter unit 130 is installed above the wafer transfer chamber 140 and keeps the air in the wafer transfer chamber 140 clean by removing molecular contaminants such as fume and particulates such as dust. In general, the flow of air in the wafer transfer room 140 is formed from the top where the fan filter unit 130 is installed to the bottom.

웨이퍼 반송실(140)은, 복수의 웨이퍼가 적재되는 웨이퍼 용기(120)와, 반도체 공정에 의해 웨이퍼가 처리되며 도어수단(161)이 구비된 처리공간(160)의 사이에 형성되는 공간부재이다.The wafer transfer room 140 is a space member formed between the wafer container 120 in which a plurality of wafers are loaded and the processing space 160 in which the wafers are processed by a semiconductor process and the door means 161 is provided.

이러한 웨이퍼 반송실(140)은 웨이퍼를 하나의 처리 공간에서 다른 처리 공간으로 반송로봇 등의 이송수단(150)에 의해 이송되는 동안 웨이퍼에 이물질이나 오염 물질이 부착되는 것을 최소화하기 위하여 청정한 공간으로 유지하도록 하부에 배기장치를 구비하게 된다.The wafer transport chamber 140 maintains a clean space in order to minimize attachment of foreign substances or contaminants to wafers while wafers are transferred from one processing space to another processing space by a transport means 150 such as a transport robot. It is provided with an exhaust device at the bottom.

도 4 내지 도 6에 나타낸 바와 같이, 본 실시예에 의한 EFEM의 기류 안정화 배기장치는, 유입부(10), 제1 유출부(20) 및 제2 유출부(30)를 포함하여 이루어져, EFEM의 반송실에 설치되어 반송실의 기류를 안정화시키도록 배기하는 EFEM의 기류 안정화 배기장치이다.As shown in FIGS. 4 to 6, the air flow stabilization exhaust device of the EFEM according to the present embodiment includes an inlet 10, a first outlet 20, and a second outlet 30, and is installed in the transfer chamber of the EFEM to stabilize the air flow in the transfer chamber.

유입부(10)는, 반송실(140)의 하부에 중앙부위가 상방으로 볼록하도록 경사지게 다단으로 설치되어 기류가 외곽둘레에서 중앙 하방으로 경사지게 유입되는 유입수단으로서, 제1 유입단(11), 제2 유입단(12), 제3 유입단(13), 제1 유입구(14), 제2 유입구(15), 제3 유입구(16), 제1 유입편(17), 제2 유입편(18) 및 제3 유입편(19)으로 이루어져 있다.The inlet 10 is installed in multiple stages at the lower part of the transfer chamber 140 at an angle so that the central part is convex upward, and the air flow is introduced obliquely downward from the outer circumference. 8) and a third inlet piece (19).

이러한 유입부(10)에 의하면, 반송실(140)의 하부에 사각뿔 형상으로 형성되되 측면부위가 대각선방향의 중앙 상방으로 경사지게 형성되어 기류가 외곽둘레에서 중앙 하방으로 경사지게 유입하게 된다.According to this inlet 10, it is formed in the shape of a quadrangular pyramid at the lower part of the conveyance room 140, and the side portion is formed obliquely upward from the center in the diagonal direction, so that the airflow is introduced obliquely from the outer circumference to the lower center.

제1 유입단(11)은, 유입부(10)의 상측부위에서 기류가 경사지게 유입되도록 경사지게 구획된 유입수단으로서, 중앙부위가 상방으로 볼록하도록 경사지게 형성된 배기부재로 이루어져 유입부(10)의 상측부위의 외곽둘레에서 중앙 하방으로 경사지게 기류를 유입시키게 된다.The first inlet end 11 is an inlet means that is inclinedly divided so that the air flow is inclined at the upper part of the inlet 10, and is composed of an exhaust member formed to be inclined so that the central part is upwardly convex.

제2 유입단(12)은, 제1 유입단의 하방에 설치되어 유입부(10)의 중간부위에서 기류가 경사지게 유입되도록 경사지게 구획된 유입수단으로서, 중앙부위가 상방으로 볼록하도록 경사지게 형성된 배기부재로 이루어져 유입부(10)의 중간부위의 외곽둘레에서 중앙 하방으로 경사지게 기류를 유입시키게 된다.The second inlet end 12 is an inlet means installed below the first inlet end and divided at an angle so that the air flow is inclined in the middle of the inlet 10. It is composed of an exhaust member formed to be inclined so that the central part is convex upward, and the air flow is introduced in an oblique downward direction from the outer circumference of the middle part of the inlet part 10.

제3 유입단(13)은, 제2 유입단의 하방에 설치되어 유입부(10)의 하측부위에서 기류가 경사지게 유입되도록 경사지게 구획된 유입수단으로서, 중앙부위가 상방으로 볼록하도록 경사지게 형성된 배기부재로 이루어져 유입부(10)의 하측부위의 외곽둘레에서 중앙 하방으로 경사지게 기류를 유입시키게 된다.The third inlet end 13 is an inlet means installed below the second inlet end and divided at an angle so that the air flow is inclined at the lower part of the inlet part 10, and is composed of an exhaust member formed to be inclined so that the central part is convex upward, so that the air flow is introduced in an oblique downward direction from the outer circumference of the lower part of the inlet part 10.

제1 유입구(14)는, 유입부(10)의 상측부위에서 기류의 유입량을 조절하도록 설치된 유입구로서, 제1 유입단(11)의 경사진 측면에 복수개가 이격 형성되어 기류가 유입된다.The first inlet 14 is an inlet installed to adjust the inflow amount of air flow at the upper portion of the inlet 10, and a plurality of the first inlet port 14 are spaced apart from each other on the inclined side surface of the first inlet end 11 to allow air flow.

이러한 복수개의 제1 유입구(14)에는 슬라이딩식 커버나 회전식 커버가 각각 설치되어, 제1 유입구(14)에서 개별적으로 또는 구역별로 개폐량을 조절하여 기류의 유입량을 변화시켜 기류를 안정화시키는 것도 가능하게 된다.A sliding cover or a rotational cover is installed on each of the plurality of first inlets 14, and the inflow amount of the airflow is changed by adjusting the amount of opening and closing of the first inlets 14 individually or by zone to stabilize the airflow.

제2 유입구(15)는, 제1 유입구(14)의 하방에 설치되어 유입부(10)의 중간부위에서 기류의 유입량을 조절하도록 설치된 유입구로서, 제2 유입단(12)의 경사진 측면에 복수개가 이격 형성되어 기류가 유입된다.The second inlet 15 is an inlet installed below the first inlet 14 to adjust the inflow amount of the air flow in the middle of the inlet 10, and a plurality of them are formed spaced apart on the inclined side surface of the second inlet end 12 to allow air flow to flow in.

이러한 복수개의 제2 유입구(15)에는 슬라이딩식 커버나 회전식 커버가 각각 설치되어, 제2 유입구(15)에서 개별적으로 또는 구역별로 개폐량을 조절하여 기류의 유입량을 변화시켜 기류를 안정화시키는 것도 가능하게 된다.A sliding cover or a rotational cover is installed on each of the plurality of second inlets 15, and the inflow of the airflow is changed by adjusting the amount of opening and closing of the second inlets 15 individually or by zone to stabilize the airflow.

제3 유입구(16)는, 제2 유입구의 하방에 설치되어 유입부(10)의 하측부위에서 기류의 유입량을 조절하도록 설치된 유입구로서, 제3 유입단(13)의 경사진 측면에 복수개가 이격 형성되어 기류가 유입된다.The third inlet 16 is an inlet installed below the second inlet to adjust the inflow amount of air flow at the lower portion of the inlet 10, and a plurality of inlets are spaced apart from each other on the inclined side surface of the third inlet end 13 to allow air flow.

이러한 복수개의 제3 유입구(16)에는 슬라이딩식 커버나 회전식 커버가 각각 설치되어, 제3 유입구(16)에서 개별적으로 또는 구역별로 개폐량을 조절하여 기류의 유입량을 변화시켜 기류를 안정화시키는 것도 가능하게 된다.A sliding cover or a rotational cover is installed on each of the plurality of third inlets 16, and it is also possible to stabilize the airflow by changing the inflow amount of the airflow by adjusting the amount of opening and closing of the third inlets 16 individually or by zone.

또한, 제1 유입구(14)의 사이즈는 제2 유입구(15) 보다 작게 형성되어 있고, 제2 유입구(15)의 사이즈는 제3 유입구(16) 보다 작게 형성되어, 유입부(10)의 하방으로 갈수록 유입구의 사이즈가 크게 형성되어 기류의 유동을 원활하게 하는 것이 바람직하다.In addition, the size of the first inlet 14 is smaller than that of the second inlet 15, and the size of the second inlet 15 is smaller than that of the third inlet 16, so that the size of the inlet becomes larger toward the bottom of the inlet 10 to facilitate the flow of air flow.

제1 유입편(17)은, 유입부(10)의 상측부위에서 기류의 유입을 개폐하도록 설치된 개폐수단으로서, 제1 유입단(11)의 하류에 설치되는 밸브 등과 같은 개폐부재로 이루어져 제1 유입단(11)의 하류에서 배기를 조절하게 된다.The first inlet piece 17 is an opening and closing means installed to open and close the inflow of air flow at the upper portion of the inlet 10, and is composed of an opening and closing member such as a valve installed downstream of the first inlet end 11 to control the exhaust at the downstream of the first inlet end 11.

제2 유입편(18)은, 제1 유입편(17)의 하방에 설치되어 유입부(10)의 중간부위에서 기류의 유입을 개폐하도록 설치된 개폐수단으로서, 제2 유입단(12)의 하류에 설치되는 밸브 등과 같은 개폐부재로 이루어져 제2 유입단(12)의 하류에서 배기를 조절하게 된다.The second inlet piece 18 is an opening and closing means installed below the first inlet piece 17 to open and close the inflow of air in the middle of the inlet portion 10, and is composed of an opening and closing member such as a valve installed downstream of the second inlet end 12 to control exhaust gas downstream of the second inlet end 12.

제3 유입편(19)은, 제2 유입편(18)의 하방에 설치되어 유입부(10)의 하측부위에서 기류의 유입을 개폐하도록 설치된 개폐수단으로서, 제3 유입단(13)의 하류에 설치되는 밸브 등과 같은 개폐부재로 이루어져 제3 유입단(13)의 하류에서 배기를 조절하게 된다.The third inlet piece 19 is an opening and closing means installed below the second inlet piece 18 to open and close the inflow of air flow at the lower part of the inlet portion 10, and is composed of an opening and closing member such as a valve installed downstream of the third inlet end 13 to control exhaust gas downstream of the third inlet end 13.

이러한 제1 내지 제3 유입편은 각각의 유입단에 매니폴더로 구성된 각 매니폴더에 별도 설치된 배기 개폐 밸브로 이루어져, 배기의 조정이 가능한 매니폴더를 구성하게 된다.These first to third inlet pieces consist of exhaust opening/closing valves separately installed in each manifold composed of manifolds at their respective inlet ends, constituting a manifold capable of adjusting exhaust.

제1 유출부(20)는, 유입부(10)의 하부 일방에 설치되어 기류가 유출되는 배기수단으로서, 유입부(10)에서 유입된 기류를 하방 일단으로 용이하게 배기시키도록 하류에 배기팬이나 배기펌프 등과 같은 배기부재가 설치되어 있는 것도 가능함은 물론이다.The first outlet 20 is installed on one lower side of the inlet 10 and is an exhaust means through which air flows out, and it is also possible that an exhaust member such as an exhaust fan or an exhaust pump is installed downstream to easily exhaust the air flow introduced from the inlet 10 to one lower end.

제2 유출부(30)는, 유입부(10)의 하부 타방에 설치되어 기류가 유출되는 배기수단으로서, 유입부(10)에서 유입된 기류를 하방 타단으로 용이하게 배기시키도록 하류에 배기팬이나 배기펌프 등과 같은 배기부재가 설치되어 있는 것도 가능함은 물론이다.The second outlet 30 is an exhaust means installed on the other side of the lower portion of the inlet 10 and through which air flows out. It is also possible that an exhaust member such as an exhaust fan or an exhaust pump is installed downstream to easily exhaust the air flow introduced from the inlet 10 to the other lower end.

또한, 본 발명의 기류 안정화 배기장치는, 도 7에 나타낸 바와 같이 유입부(10)의 하부 중앙에 설치되어 기류가 유출되는 제3 유출부(40)를 더 포함하여 이루어지는 것도 가능함은 물론이다.In addition, as shown in FIG. 7 , the airflow stabilization exhaust device of the present invention may further include a third outlet 40 installed at the lower center of the inlet 10 and through which the airflow flows out.

제3 유출부(40)는, 유입부(10)의 하부 중앙에 설치되어 기류가 유출되는 배기수단으로서, 유입부(10)에서 유입된 기류를 하방 중앙으로 용이하게 배기시키도록 하류에 배기팬이나 배기펌프 등과 같은 배기부재가 설치되어 있는 것도 가능함은 물론이다.The third outlet 40 is an exhaust means installed at the lower center of the inlet 10 and through which air flows out, and it is also possible that an exhaust member such as an exhaust fan or an exhaust pump is installed downstream to easily exhaust the air flow introduced from the inlet 10 to the lower center.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면 반송실의 하부에 상방으로 볼록하도록 경사지게 설치되어 기류가 외곽둘레에서 중앙 하방으로 유입되는 유입부를 구비함으로써, 반송실의 외곽둘레에서 발생되는 와류를 최소화시키는 동시에 반송실의 기류를 안정화시켜 배기성능을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.As described above, according to the present invention, an inlet is provided at the lower part of the transfer room so as to be convex upward so that the air flow flows from the outer circumference to the lower center, thereby minimizing the vortex generated at the outer circumference of the transfer room and at the same time stabilizing the air flow in the transfer room to provide an effect of improving exhaust performance.

또한, 유입부의 하부 중앙에 유출부를 추가로 설치함으로써, 반송실의 외곽둘레에서 발생되는 와류를 중앙 하방에 집중시켜 배기성능을 향상시키고 배기속도를 증가시킬 수 있는 효과를 제공한다.In addition, by additionally installing the outlet at the lower center of the inlet, it is possible to improve the exhaust performance and increase the exhaust speed by concentrating the vortex generated at the outer circumference of the transfer room to the lower center.

또한, 유입부로서 상층과 중간층과 하층에 각 유입단을 다단으로 설치함으로써, 상하층의 부위 별로 기류의 안정화를 유지하는 동시에 가류의 안정화 성능을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.In addition, by installing each inlet end in multiple stages in the upper, middle, and lower layers as inlets, the effect of improving the stabilization performance of curing while maintaining the stabilization of airflow for each part of the upper and lower layers is provided.

또한, 유입부로서 상층과 중간층과 하층에 각 유입구의 사이즈를 다르게 형성함으로써, 흄이 다발하는 외곽부위인 공정장비의 투입구와 배출구와 풉의 부근에서 빠른 흄의 배기가 가능하여 반송실 내부의 기류의 청결화를 유지할 수 있는 효과를 제공한다.In addition, by forming different sizes of each inlet in the upper, middle, and lower layers as inlets, fast fume exhaust is possible in the vicinity of the inlet and outlet of process equipment, which are the outer parts where fumes occur frequently, and the pu. It provides the effect of maintaining the cleanliness of the airflow inside the transfer room.

또한, 유입부로서 상층과 중간층과 하층에 각 유입구의 사이즈를 조절하도록 설치함으로써, 흄이 다발하는 외곽부위에 대각선 방향의 넓은 면적에서 개별적으로 또는 구역별로 배기구를 조절하여 흄의 배기량과 배기속도를 넓은 범위에서 정밀하게 조절할 수 있는 효과를 제공한다.In addition, by installing the inlet to adjust the size of each inlet in the upper, middle, and lower layers as inlets, the exhaust volume and exhaust rate of the fume are adjusted individually or by zone in a large area in the diagonal direction in the outer part where fumes occur. It provides an effect that can be precisely controlled in a wide range.

또한, 유입부로서 상층과 중간층과 하층에 기류의 유입을 개폐하도록 유입개폐편을 각각 설치함으로써, 유입부의 상하층에서 개별적으로 또는 구역별로 배기구를 개폐하여 배기를 조정할 수 있는 효과를 제공한다.In addition, by installing inlet openings and closing pieces to open and close the inflow of air flow in the upper, middle, and lower layers as inlets, it is possible to adjust the exhaust by opening and closing the exhaust ports individually or by zone in the upper and lower layers of the inlet.

또한, 유입부가 EFEM의 내부 기류가 와류 없이 원활히 배출되도록 대각선 형태의 배기부재로 구성되므로, EFEM의 중심 대비 외부가 더 넓은 공간을 제공하여 상대적으로 느린 EFEM의 외부의 배기 속도를 증가시킬 수 있고, 각 대각선의 배기부재가 개별의 복수개의 단으로 다단으로 구성되어 효과적으로 기류 안정화를 조정할 수 있고, FOUP의 도어(Door)와 공정 장비 투입구의 도어(Door)와 간섭 없이 적용이 가능하고 배기 시스템이 없는 EFEM에도 간단히 설치할 수 있는 효과를 제공한다.In addition, since the inlet is composed of diagonal exhaust members so that the internal airflow of the EFEM is smoothly discharged without vortex, it provides a wider space outside the center of the EFEM, thereby increasing the relatively slow external exhaust speed of the EFEM, and since each diagonal exhaust member is composed of multiple individual stages, the airflow stabilization can be effectively adjusted, and the EFEM without an exhaust system can be applied without interfering with the FOUP door and the process equipment inlet door. It also provides an effect that can be easily installed.

또한, 유입부는 대각선 넓은 면적의 배기구를 형성하여 흄이 다량 발생하는 EFEM 외곽부위에 집중적인 배기가 가능하여 와류의 발생을 최소화할 수 있는 효과를 제공한다.In addition, the inlet part forms an exhaust port with a wide diagonal area, so that intensive exhaust is possible in the outer part of the EFEM where a large amount of fume is generated, thereby providing an effect of minimizing the occurrence of vortex.

이상 설명한 본 발명은 그 기술적 사상 또는 주요한 특징으로부터 벗어남이 없이 다른 여러 가지 형태로 실시될 수 있다. 따라서 상기 실시예는 모든 점에서 단순한 예시에 지나지 않으며 한정적으로 해석되어서는 안 된다. The present invention described above can be implemented in various other forms without departing from its technical spirit or main characteristics. Therefore, the above embodiments are mere examples in all respects and should not be construed in a limited manner.

10: 유입부
20: 제1 유출부
30: 제2 유출부
40: 제3 유출부10: inlet
20: first outlet
30: second outlet
40: third outlet

Claims (7)

EFEM의 반송실에 설치되어 반송실의 기류를 안정화시키도록 배기하는 EFEM의 기류 안정화 배기장치로서,
반송실의 하부에 상방으로 볼록하도록 경사지게 설치되어 기류가 유입되는 유입부(10);
상기 유입부(10)의 하부 일방에 설치되어 기류가 유출되는 제1 유출부(20); 및
상기 유입부(10)의 하부 타방에 설치되어 기류가 유출되는 제2 유출부(30);를 포함하는 것을 특징으로 하는 EFEM의 기류 안정화 배기장치.As an airflow stabilization exhaust device of EFEM installed in the transfer room of the EFEM and exhausting to stabilize the airflow of the transfer room,
An inlet 10 installed at a lower part of the transfer chamber and inclined upward to allow air current to flow therein;
A first outlet 20 installed on one side of the lower portion of the inlet 10 and through which air flows out; and
An airflow stabilization exhaust device of EFEM, characterized in that it includes a; second outlet 30 installed on the lower side of the inlet 10 and through which airflow flows out. 제 1 항에 있어서,
상기 유입부(10)의 하부 중앙에 설치되어, 기류가 유출되는 제3 유출부(40);를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 EFEM의 기류 안정화 배기장치.According to claim 1,
The airflow stabilization exhaust device of EFEM, characterized in that it further includes; a third outlet 40 installed at the lower center of the inlet 10, through which airflow flows out. 제 1 항에 있어서,
상기 유입부(10)는,
상측부위에서 기류가 유입되도록 구획된 제1 유입단;
상기 제1 유입단의 하방에 설치되어, 중간부위에서 기류가 유입되도록 구획된 제2 유입단; 및
상기 제2 유입단의 하방에 설치되어, 하측부위에서 기류가 유입되도록 구획된 제3 유입단;을 포함하는 것을 특징으로 하는 EFEM의 기류 안정화 배기장치.According to claim 1,
The inlet 10,
A first inlet end partitioned so that air current flows in from the upper part;
a second inlet end installed below the first inlet end and partitioned so that air current flows in at the middle part; and
An airflow stabilization exhaust system of EFEM, characterized in that it includes a third inlet end installed below the second inlet end and partitioned so that air flow flows in from the lower portion. 제 1 항에 있어서,
상기 유입부(10)는,
상측부위에서 기류의 유입량을 조절하도록 설치된 제1 유입구;
상기 제1 유입구의 하방에 설치되어, 중간부위에서 기류의 유입량을 조절하도록 설치된 제2 유입구; 및
상기 제2 유입구의 하방에 설치되어, 하측부위에서 기류의 유입량을 조절하도록 설치된 제3 유입구;를 포함하는 것을 특징으로 하는 EFEM의 기류 안정화 배기장치.According to claim 1,
The inlet 10,
A first inlet installed to control the inflow of air flow in the upper part;
a second inlet installed below the first inlet to control an inflow amount of air flow at an intermediate portion; and
An airflow stabilization exhaust device of EFEM, characterized in that it includes a third inlet installed below the second inlet and installed to control the inflow of airflow at the lower portion. 제 4 항에 있어서,
상기 제1 유입구의 사이즈는 상기 제2 유입구 보다 작게 형성되어 있고, 상기 제2 유입구의 사이즈는 상기 제3 유입구 보다 작게 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 EFEM의 기류 안정화 배기장치.According to claim 4,
The airflow stabilization exhaust device of the EFEM, characterized in that the size of the first inlet is smaller than that of the second inlet, and the size of the second inlet is smaller than that of the third inlet. 제 1 항에 있어서,
상기 유입부(10)는,
상측부위에서 기류의 유입을 개폐하도록 설치된 제1 유입편;
상기 제1 유입편의 하방에 설치되어, 중간부위에서 기류의 유입을 개폐하도록 설치된 제2 유입편; 및
상기 제2 유입편의 하방에 설치되어, 하측부위에서 기류의 유입을 개폐하도록 설치된 제3 유입편;을 포함하는 것을 특징으로 하는 EFEM의 기류 안정화 배기장치.According to claim 1,
The inlet 10,
A first inlet piece installed to open and close the inflow of air flow at the upper part;
a second inlet piece installed below the first inlet piece to open and close the inflow of air flow at an intermediate portion; and
An airflow stabilization exhaust device of EFEM, characterized in that it includes a third inlet piece installed below the second inlet piece and installed to open and close the inflow of air flow at the lower side. 제 1 항에 기재된 EFEM의 기류 안정화 배기장치를 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 공정장치.A semiconductor processing equipment comprising the airflow stabilization exhaust device of the EFEM according to claim 1.
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