KR102124372B1 - EFEM SYSTEM, Equipment Front End Module SYSTEM - Google Patents

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Abstract

본 발명은 웨이퍼 수납용기와 공정장비 사이에서 웨이퍼의 반송을 행하는 이에프이엠 시스템(EFEM SYSTEM)에 관한 것으로서, 특히, 웨이퍼 수납용기의 내부 환경에 따라 웨이퍼 반송실 내의 하강기류의 방향을 제어함으로써, 웨이퍼의 상태에 따라 웨이퍼의 습기 제거 및 웨이퍼의 퓸 제거를 선택적으로 달성할 수 있는 이에프이엠 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to an EFEM system for transferring wafers between a wafer storage container and process equipment, and in particular, by controlling the direction of the descending air flow in the wafer transport chamber according to the internal environment of the wafer storage container, the wafer It relates to an FM system that can selectively achieve moisture removal of the wafer and fume removal of the wafer according to the state of.

Description

이에프이엠 시스템{EFEM SYSTEM, Equipment Front End Module SYSTEM}EFEM SYSTEM, Equipment Front End Module SYSTEM

본 발명은 웨이퍼 수납용기와 공정장비 사이에서 웨이퍼의 반송을 행하는 이에프이엠 시스템(EFEM SYSTEM)에 관한 것이다.The present invention relates to an EFEM system that transfers a wafer between a wafer storage container and processing equipment.

반도체의 제조 공정에 있어서 수율이나 품질의 향상을 위해 청정한 클린룸 내에서의 웨이퍼의 처리가 이루어지고 있다. 그러나 소자의 고집적화나 회로의 미세화, 웨이퍼의 대형화가 진행됨에 따라 클린룸 내의 전체를 청정한 상태로 유지하는 것은 기술적 비용적으로 곤란하게 되었다.In the semiconductor manufacturing process, wafers are processed in a clean clean room to improve yield and quality. However, as the integration of devices, the miniaturization of circuits, and the enlargement of wafers progress, it is difficult to keep the entire interior of the clean room clean and technically difficult.

따라서, 최근에는 웨이퍼 주위의 공간에 대해서만 청정도를 관리를 하게 되었으며, 이를 위해 풉(FOUP, Front-Opening Unified Pod) 등과 같은 웨이퍼 수납용기의 내부에 웨이퍼를 저장하고, 웨이퍼의 가공을 행하는 공정장비와 풉 사이에서 웨이퍼의 전달을 행하기 위해, 이에프이엠(EFEM, Equipment Front End Module)이라 불리는 모듈을 이용하게 되었다.Accordingly, recently, cleanliness has been managed only for the space around the wafer, and for this purpose, the wafer is stored inside a wafer storage container such as a FOUP (Front-Opening Unified Pod), and processing equipment for processing the wafer is performed. In order to transfer wafers between pits, a module called Equipment Front End Module (EFEM) has been used.

이에프이엠은 웨이퍼 반송 장치가 구비된 웨이퍼 반송실을 구성하여, 웨이퍼 반송실의 일측면에 웨이퍼 수납용기 등이 결합되는 로드 포트(Load Port)가 접속하고, 웨이퍼 반송실의 타측면에 공정장비가 접속된다. FM constitutes a wafer transfer chamber equipped with a wafer transfer device, and a load port to which a wafer storage container or the like is coupled is connected to one side of the wafer transfer chamber, and processing equipment is connected to the other side of the wafer transfer chamber. Connected.

따라서, 웨이퍼 이송장치가 웨이퍼 수납용기 내부에 저장된 웨이퍼를 공정장비로 반송하거나 공정장비에서 가공 처리를 마친 웨이퍼를 웨이퍼 수납용기 내부로 반송한다.Therefore, the wafer transfer device transports the wafer stored in the wafer storage container to the process equipment, or transfers the wafer that has been processed in the process equipment to the wafer storage container.

위와 같이, 이에프이엠과 이에프이엠에 접속되는 웨이퍼 수납용기는 이에프이엠 시스템을 이루게 되었으며, 대형화된 웨이퍼의 불량율을 낮추기 위해 웨이퍼 수납용기에 수납된 웨이퍼의 청정도 뿐만 아니라 웨이퍼 반송실에서 반송되는 웨이퍼의 청정도의 관리의 필요성이 대두되었다.As described above, the wafer storage container connected to the FEM and the FEM constituted an FEM system, and not only the cleanliness of the wafers stored in the wafer storage container but also the wafers conveyed in the wafer transport chamber to reduce the defect rate of the large-sized wafer. The need for cleanliness management has emerged.

따라서, 위와 같이 웨이퍼 수납용기 내부와 웨이퍼 반송실 내부에 질소 등과 같은 불활성 가스를 주입/송출하여 웨이퍼의 습기 제거 또는 퓸 제거를 달성하고자 하는 이에프이엠 시스템의 개발이 이루어졌으며, 이러한 이에프이엠 시스템으로는 이러한 이에프이엠으로는 일본공개특허 제2015-204344호(이하, '특허문헌 1' 이라 한다)과 한국공개특허 제10-2015-009421호(이하, '특허문헌 2' 이라 한다)에 기재된 것이 공지되어 있다.Therefore, as described above, the development of an FME system to achieve moisture removal or fume removal of a wafer was achieved by injecting/transmitting an inert gas such as nitrogen into the wafer storage container and inside the wafer transfer chamber. As such FM, it is known that it is described in Japanese Patent Publication No. 2015-204344 (hereinafter referred to as'patent document 1') and Korean Patent Publication No. 10-2015-009421 (hereinafter referred to as'patent document 2'). It is.

특허문헌 1의 이에프이엠 시스템은 포드의 본체에 웨이퍼가 수용되고, 포드측 노즐을 통해 본체의 수용공간에 불활성 가스가 주입되어 흐름이 생성되며, 포드는 그 개구가 사이드 플레이트의 개구부에 접속되어 포드와 미소공간은 연통되고, 미소공간은 하강기류 발생 기구에서 발생된 불활성 가스의 하강기류가 발생하게 된다. In the FPM system of Patent Document 1, a wafer is accommodated in the body of the pod, an inert gas is injected into the accommodation space of the body through a pod-side nozzle, and a flow is generated. And the micro space communicate with each other, and the micro space generates a descending air stream of an inert gas generated by a descending air flow generating mechanism.

또한, 사이드 플레이트에는 하강기류의 경로를 부분적으로 방해하는 상부차양이 배치되며, 이로 인해, 포드에서 주입되는 불활성 가스의 흐름과 하강기류가 만나는 것을 방지함으로써, 포드에 수납된 웨이퍼의 습기제거를 달성하게 된다.In addition, an upper awning is disposed on the side plate to partially obstruct the path of the descending air, thereby preventing the flow of the inert gas injected from the pod and the descending air to meet, thereby achieving moisture removal of the wafer stored in the pod. Is done.

그러나, 특허문헌 1의 경우, 상부 차양으로 인해 하강기류가 포드 내부로 유입되지 않음으로써, 웨이퍼의 습기 제거를 달성할 수는 있으나, 웨이퍼의 퓸 제거를 제대로 달성할 수 없다는 문제점이 있다.However, in the case of Patent Document 1, due to the upper awning, the descending air stream does not flow into the pod, whereby moisture removal of the wafer can be achieved, but there is a problem that fume removal of the wafer cannot be properly achieved.

상세하게 설명하면, 불활성 가스를 주입하여 웨이퍼의 퓸과 함께 배기함으로써, 웨이퍼의 퓸을 제거해야 하는데, 특허문헌 1의 경우, 포드에서 불활성 가스가 주입되고 배기가 제대로 이루어지지 않게 됨으로써, 포드 내의 웨이퍼의 퓸이 불활성 가스와 함께 계속 잔존하게 되는 것이다.In detail, it is necessary to remove the fume of the wafer by injecting an inert gas and evacuating it together with the fume of the wafer. The fume of the oil continues to remain with the inert gas.

따라서, 웨이퍼가 퓸이 많이 발생하는 공정을 거친 경우, 웨이퍼의 습기가 제거되더라도, 퓸에 의해 웨이퍼의 불량이 발생할 수 있다는 문제점이 있다.Therefore, when the wafer has undergone a process in which a large amount of fume is generated, there is a problem in that defects in the wafer may be caused by fume even if the moisture of the wafer is removed.

특허문헌 2의 이에프이엠은 로드 포트의 보텀 퍼지 장치에 의해 퍼지 대상 용기의 내부 공간에 질소가 주입 및 배기되고, 웨이퍼 반송실에는 FFU에 의해 청정공기가 하방으로 흐르게 된다.In the patent document 2, FPM is injected and exhausted into the interior space of the purge target container by the bottom purge device of the load port, and clean air flows downward by FFU in the wafer transfer chamber.

또한, 퍼지 대상 용기의 개구부의 상부 테두리보다 높은 위치에 실드 커튼 장치를 구비하고 있으며, 실드 커튼 장치는 실드 커튼 가스를 아래로 분출함으로써, 개구부를 차폐하는 가스 커튼을 형성하게 된다.In addition, a shield curtain device is provided at a position higher than the upper edge of the opening of the purge target container, and the shield curtain device blows down the shield curtain gas to form a gas curtain that shields the opening.

따라서, 퍼지대상 용기에 수납된 웨이퍼는 보텀 퍼지 장치에 의해 주입된 질소에 의해 청정도가 관리되고, 웨이퍼 반송로봇에 의해 웨이퍼 반송실로 이송되는 웨이퍼는 FFU에 의해 흐르는 청정공기에 의해 청정도가 관리 된다.Therefore, the wafers stored in the purge target container are managed by cleanliness by nitrogen injected by the bottom purge device, and the wafers transferred by the wafer transport robot to the wafer transport chamber are managed by clean air flowing through the FFU.

그러나, 특허문헌 2의 경우, 퍼지대상 용기의 내부와 웨이퍼 반송실의 내부가 개별적으로 청정도가 관리되게 됨으로써, 질소 또는 청정공기의 낭비가 발생할 수 있다는 문제점이 있다.However, in the case of Patent Document 2, since the cleanliness of the purge target container and the inside of the wafer transfer chamber are individually managed, there is a problem that waste of nitrogen or clean air may occur.

또한, 종래에는 이에프이엠의 웨이퍼 반송실의 내부 환경을 고려하지 않고, 일률적으로 하강기류를 송출함으로써, 웨이퍼 반송실의 내부에 불균일한 기류 흐름이 발생하는 문제점이 있다.In addition, conventionally, there is a problem in that uneven air flow is generated inside the wafer transfer chamber by uniformly sending the descending air stream without considering the internal environment of the wafer transfer chamber of the FM.

일본공개특허 제2015-204344호Japanese Patent Publication No. 2015-204344 한국공개특허 제10-2015-009421호Korean Patent Publication No. 10-2015-009421

본 발명은 전술한 문제를 해결하기 위해 안출된 것으로서, 웨이퍼 수납용기의 내부 환경에 따라 웨이퍼 반송실 내의 하강기류의 방향을 제어함으로써, 웨이퍼의 상태에 따라 웨이퍼의 습기 제거 및 웨이퍼의 퓸 제거를 선택적으로 달성할 수 있는 이에프이엠 시스템을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been devised to solve the above-mentioned problems, and by controlling the direction of the descending air flow in the wafer transfer chamber according to the internal environment of the wafer storage container, it is possible to selectively remove moisture from the wafer and remove fume from the wafer according to the state of the wafer. An object of the present invention is to provide an FMS system that can be achieved.

또한, 본 발명은 전술한 문제를 해결하기 위해 안출된 것으로서, 이에프이엠의 웨이퍼 반송실의 내부 환경에 따라 웨이퍼 반송실의 하강기류를 제어함으로써, 균일한 하강기류의 흐름을 달성할 수 있는 이에프이엠 시스템을 제공하는 것을 목적으로 한다.In addition, the present invention has been devised to solve the above-described problems, and by controlling the descending air flow of the wafer conveying chamber according to the internal environment of the wafer conveying chamber of the FA, FEM capable of achieving a uniform descending air flow It aims to provide a system.

본 발명의 일 특징에 따른 이에프이엠 시스템은, 웨이퍼 수납용기와 접속되는 웨이퍼 반송실과, 상기 웨이퍼 반송실의 상부에 구비되며, 상기 웨이퍼 반송실에 가스를 송출하여 하강기류를 형성하는 송출부를 구비한 이에프이엠을 갖는 이에프이엠 시스템에 있어서, 상기 웨이퍼 반송실의 내부의 유해가스의 농도를 측정하는 농도센서; 및 상기 농도센서에서 측정된 농도값이 기설정된 농도제한값을 초과하는 경우, 상기 웨이퍼 반송실의 내부에서 상기 하강기류의 유동방향을 제어하는 제어부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.The FM system according to an aspect of the present invention includes a wafer transfer chamber connected to a wafer storage container, an upper portion of the wafer transfer chamber, and a delivery unit for transmitting gas to the wafer transfer chamber to form a descending air stream. An FM system having a FPM, comprising: a concentration sensor for measuring a concentration of a noxious gas inside the wafer transfer chamber; And a control unit controlling a flow direction of the descending air flow inside the wafer transfer chamber when the concentration value measured by the concentration sensor exceeds a predetermined concentration limit value.

본 발명의 다른 특징에 따른 이에프이엠 시스템은, 웨이퍼 수납용기와 접속되는 웨이퍼 반송실과, 상기 웨이퍼 반송실의 상부에 구비되며, 상기 웨이퍼 반송실에 가스를 송출하여 하강기류를 형성하는 송출부를 구비한 이에프이엠을 갖는 이에프이엠 시스템에 있어서, 상기 웨이퍼 반송실의 내부의 습도를 측정하는 습도센서; 및 상기 습도센서에서 측정된 습도값이 기설정된 습도제한값을 초과하는 경우, 상기 웨이퍼 반송실의 내부에서 상기 하강기류의 유동방향을 제어하는 제어부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.The FM system according to another aspect of the present invention includes a wafer transfer chamber connected to a wafer storage container, an upper portion of the wafer transfer chamber, and a delivery unit for transmitting gas to the wafer transfer chamber to form a descending air stream. An FM system having an FPM, comprising: a humidity sensor for measuring humidity inside the wafer transfer chamber; And a control unit controlling a flow direction of the descending air flow inside the wafer transfer chamber when the humidity value measured by the humidity sensor exceeds a preset humidity limit value.

또한, 상기 웨이퍼 반송실의 내부를 가열하는 히터;를 더 포함하고, 상기 제어부는, 상기 습도센서에서 측정된 습도값이 기설정된 습도제한값을 초과하는 경우, 상기 히터를 작동시키는 것을 특징으로 한다.In addition, a heater for heating the inside of the wafer transfer chamber; and further comprising, the control unit is characterized in that when the humidity value measured by the humidity sensor exceeds a preset humidity limit value, the heater is operated.

본 발명의 다른 특징에 따른 이에프이엠 시스템은, 웨이퍼 수납용기와 접속되는 웨이퍼 반송실과, 상기 웨이퍼 반송실의 상부에 구비되며, 상기 웨이퍼 반송실에 가스를 송출하여 하강기류를 형성하는 송출부를 구비한 이에프이엠을 갖는 이에프이엠 시스템에 있어서, 상기 웨이퍼 반송실의 내부로 유동되는 상기 하강기류의 유량을 측정하는 유량센서; 및 상기 유량센서에서 측정된 유량값이 기설정된 유량제한값 미만인 경우, 상기 웨이퍼 반송실의 내부에서 상기 하강기류의 유동방향을 제어하는 제어부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.The FM system according to another aspect of the present invention includes a wafer transfer chamber connected to a wafer storage container, an upper portion of the wafer transfer chamber, and a delivery unit for transmitting gas to the wafer transfer chamber to form a descending air stream. An FM system having an FPM, comprising: a flow sensor that measures a flow rate of the descending flow flowing into the wafer transfer chamber; And a control unit controlling a flow direction of the descending air flow inside the wafer transfer chamber when the flow value measured by the flow sensor is less than a preset flow limit value.

또한, 상기 웨이퍼 반송실에 구비되어 각도의 변화에 따라 하강기류의 방향을 제어하는 기류제어장치;를 더 포함하고, 상기 제어부는, 상기 기류제어장치의 각도를 조절하여 상기 하강기류의 유동방향을 제어하는 것을 특징으로 한다.In addition, it is provided in the wafer transfer chamber, the air flow control device for controlling the direction of the descending air flow according to the change of angle; further comprising, the control unit, by adjusting the angle of the air flow control device to control the flow direction of the descending air flow It is characterized by controlling.

또한, 상기 웨이퍼 반송실 내부의 가스를 배기하는 제2-1 내지 제2-4배기부;를 더 포함하고, 상기 제어부는, 상기 제2-1 내지 제2-4배기부 중 어느 하나의 배기부를 작동시켜 상기 하강기류의 유동방향을 제어하는 것을 특징으로 한다.In addition, the 2-1 to 2-4 exhaust portion for exhausting the gas inside the wafer transfer chamber; further comprising, the control unit, the exhaust of any one of the 2-1 to 2-4 exhaust portion It characterized in that to control the flow direction of the descending air flow by operating the unit.

이상에서 설명한 바와 같은 본 발명의 이에프이엠 시스템에 따르면 다음과 같은 효과가 있다.According to the FM system of the present invention as described above has the following effects.

웨이퍼 반송실의 내부의 환경에 따라 웨이퍼 반송실의 하강기류를 제어함으로써, 웨이퍼 반송실 내의 균일한 하강기류의 흐름을 달성할 수 있다.By controlling the descending airflow of the wafer transport chamber according to the environment inside the wafer transport chamber, it is possible to achieve a uniform downdraft flow in the wafer transport chamber.

웨이퍼 수납용기의 내부의 환경에 따라 웨이퍼 수납용기의 내부 방향 또는 웨이퍼 수납용기의 반대 방향으로 이에프이엠의 하강기류를 유동시킴으로써, 필요에 따라 웨이퍼 수납용기에 수납된 웨이퍼의 퓸 제거 또는 습기 제거를 달성할 수 있다.According to the environment inside the wafer storage container, by flowing the descending air flow of the FM in the inner direction of the wafer storage container or the opposite direction of the wafer storage container, fume removal or moisture removal of the wafers stored in the wafer storage container is achieved as necessary. can do.

웨이퍼의 퓸 제거 동작 시, 웨이퍼 수납용기의 주입기류와 이에프이엠의 하강기류를 모두 이용하여 웨이퍼의 퓸을 제거함으로써, 퓸 제거의 시간이 절약될 뿐만 아니라, 가스의 낭비를 방지할 수 있다.In the fume removal operation of the wafer, the fume of the wafer is removed by using both the injecting air flow of the wafer storage container and the descending air flow of the FPM, thereby saving time in fume removal and preventing waste of gas.

기류제어장치를 통해 하강기류의 방향을 제어하여 웨이퍼의 퓸 제거 동작을 할 경우, 하강기류는 층류로 변환되어 웨이퍼 수납용기의 내부로 유동하므로, 더욱 효과적인 웨이퍼의 퓸 제거를 달성 할 수 있다.When the fume removal operation of the wafer is performed by controlling the direction of the downdraft through the airflow control device, the downdraft is converted into laminar flow and flows into the inside of the wafer storage container, whereby more effective fume removal of the wafer can be achieved.

기류제어장치의 기류제어장치히터 또는 가스분사부를 통해 웨이퍼 수납용기의 내부로 유동되는 하강기류의 유량을 높일 수 있으며, 이를 통해, 웨이퍼의 퓸 제거를 더욱 빠르게 달성할 수 있다.It is possible to increase the flow rate of the downdraft flowing into the inside of the wafer storage container through the airflow control device heater or gas injection part of the airflow control device, and through this, it is possible to achieve fume removal of the wafer more quickly.

웨이퍼의 습기 제거 동작 시, 웨이퍼 수납용기의 주입기류와 이에프이엠의 하강기류가 웨이퍼 수납용기의 전방개구부 부근(또는 개구 부근)에서 만나지 않게 함으로써, 웨이퍼에 가스가 주입되지 못하는 사영역이 발생하는 것을 막을 수 있으며, 이를 통해, 효과적인 웨이퍼의 습기 제거를 달성할 수 있다.During the moisture removal operation of the wafer, by preventing the injection airflow of the wafer storage container and the descending airflow of the F.M. from meeting near the front opening (or near the opening) of the wafer storage container, a dead area where gas cannot be injected into the wafer is generated. Can be prevented, thereby achieving effective moisture removal of the wafer.

기류제어장치를 통해 하강기류의 방향을 제어하여 웨이퍼의 습기 제거 동작을 할 경우, 하강기류는 층류로 변환되어 웨이퍼 수납용기의 내부로 유동하므로, 더욱 효과적인 웨이퍼의 습기 제거를 달성 할 수 있다.In the case of controlling the direction of the downdraft through the airflow control device to perform the moisture removal operation of the wafer, the downdraft is converted into laminar flow and flows into the inside of the wafer storage container, whereby more effective moisture removal of the wafer can be achieved.

도 1은 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 이에프이엠 시스템을 도시한 도.
도 2는 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 이에프이엠 시스템의 제어부와, 측정요소 및 제어요소의 연결을 도시한 도.
도 3은 도 1의 웨이퍼 반송실의 하강기류가 웨이퍼 수납용기의 내부로 유동하여 제1배기부로 배기되는 것을 도시한 도.
도 4는 도 3의 상태에서 웨이퍼 수납용기의 분사기류와 웨이퍼 반송실의 하강기류가 웨이퍼로 유동되는 것을 도시한 도.
도 5는 도 1의 웨이퍼 반송실의 하강기류가 웨이퍼 수납용기의 반대 방향으로 유동되어 제2배기부로 배기되는 것을 도시한 도.
도 6은 본 발명의 바람직한 제2실시 예에 따른 이에프이엠 시스템을 도시한 도.
도 7은 도 6의 기류제어장치를 도시한 도.
도 8은 본 발명의 바람직한 제2실시 예에 따른 이에프이엠 시스템의 제어부와, 측정요소 및 제어요소의 연결을 도시한 도.
도 9는 도 6의 웨이퍼 반송실의 하강기류가 기류제어장치에 의해 웨이퍼 수납용기의 내부로 유동하여 제1배기부로 배기되는 것을 도시한 도.
도 10은 도 9의 상태에서 기류제어장치로 인한 하강기류의 흐름 변화를 도시한 도.
도 11은 도 6의 웨이퍼 반송실의 하강기류가 기류제어장치에 의해 웨이퍼 수납용기의 반대 방향으로 유동되어 제2배기부로 배기되는 것을 도시한 도.
도 12는 도 11의 상태에서 기류제어장치로 인한 하강기류의 흐름 변화를 도시한 도.1 is a diagram illustrating an FM system according to a first preferred embodiment of the present invention.
Figure 2 is a view showing the connection of the control unit, the measuring element and the control element of the FM system according to the first preferred embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a view showing that the descending air stream of the wafer transfer chamber of FIG. 1 flows into the wafer storage container and is exhausted to the first exhaust unit.
FIG. 4 is a view showing that the jet stream of the wafer storage container and the downward stream of the wafer transfer chamber flow to the wafer in the state of FIG. 3.
5 is a view showing that the descending air flow of the wafer transfer chamber of FIG. 1 flows in the opposite direction of the wafer storage container and is exhausted to the second exhaust portion.
FIG. 6 is a diagram showing an FM system according to a second preferred embodiment of the present invention.
7 is a view showing the air flow control device of FIG. 6;
8 is a view showing the connection of the control unit, the measurement element and the control element of the FM system according to the second preferred embodiment of the present invention.
9 is a view showing that the descending air flow of the wafer transfer chamber of FIG. 6 flows into the inside of the wafer storage container by the air flow control device and is exhausted to the first exhaust unit.
10 is a view showing a flow change of the descending air flow due to the air flow control device in the state of FIG. 9;
FIG. 11 is a view showing that the descending air flow of the wafer transfer chamber of FIG. 6 is flowed in the opposite direction of the wafer storage container by the air flow control device to be exhausted to the second exhaust unit.
12 is a view showing a flow change of the descending air flow due to the air flow control device in the state of FIG. 11;

이하에서 언급되는 '가스'는 웨이퍼의 퓸 또는 습기를 제거하기 위한 불활성 가스를 통칭하는 말이며, 특히, 불활성 가스 중 하나인 질소(N2) 가스일 수 있다.The term “gas” referred to hereinafter is a general term for an inert gas for removing fume or moisture from a wafer, and may be nitrogen (N 2 ) gas, which is one of inert gases.

웨이퍼 반송실(210)의 하강기류(D, Down Flow)와 웨이퍼 수납용기(100)의 주입기류(I, Injection Flow)는 전술한 가스에 의해 형성되는 기류를 말한다.The downflow (D, Down Flow) of the wafer transfer chamber 210 and the injection flow (I, Injection Flow) of the wafer storage container 100 refer to an airflow formed by the above-described gas.

또한, 기류제어장치(400)에 의해 제어되는 하강기류(D)는 제1볼록부기류(D1)와, 제2볼록부기류(D2) 및 층류(L)를 모두 포함한다.In addition, the descending air stream D controlled by the air flow control device 400 includes both the first convex air stream D1, the second convex air stream D2, and the laminar flow L.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예들에 따른 이에프이엠 시스템에 대해 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in the FM system according to preferred embodiments of the present invention.

본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 According to a first preferred embodiment of the present invention 이에프이엠Fm 시스템(10) System(10)

먼저, 도 1 내지 도 5를 참조하여 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 이에프이엠 시스템(10)에 대해 설명한다.First, with reference to Figures 1 to 5 will be described with respect to the FM system 10 according to a first preferred embodiment of the present invention.

도 1은 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 이에프이엠 시스템을 도시한 도이고, 도 2는 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 이에프이엠 시스템의 제어부와, 측정요소 및 제어요소의 연결을 도시한 도이고, 도 3은 도 1의 웨이퍼 반송실의 하강기류가 웨이퍼 수납용기의 내부로 유동하여 제1배기부로 배기되는 것을 도시한 도이고, 도 4는 도 3의 상태에서 웨이퍼 수납용기의 분사기류와 웨이퍼 반송실의 하강기류가 웨이퍼로 유동되는 것을 도시한 도이고, 도 5는 도 1의 웨이퍼 반송실의 하강기류가 웨이퍼 수납용기의 반대 방향으로 유동되어 제2배기부로 배기되는 것을 도시한 도이다.FIG. 1 is a diagram showing a FPM system according to a first preferred embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a diagram showing a connection between a control unit, a measuring element and a control element of the FPM system according to a first preferred embodiment of the present invention. 3 is a diagram showing that the descending air flow of the wafer transfer chamber of FIG. 1 flows into the wafer storage container and is exhausted to the first exhaust unit, and FIG. 4 is a view of the wafer storage container in the state of FIG. 3. FIG. 5 is a view showing that the jet stream and the down stream of the wafer transport chamber flow to the wafer, and FIG. 5 shows that the down stream of the wafer transport chamber of FIG. 1 flows in the opposite direction of the wafer storage container and is exhausted to the second exhaust section. It is one degree.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 이에프이엠 시스템(10)은, 웨이퍼(W)가 수납되는 웨이퍼 수납용기(100)와, 웨이퍼 수납용기(100)가 적재되는 적재장치(190)와, 웨이퍼 수납용기(100)가 접속되는 웨이퍼 반송실(210)을 구비한 이에프이엠(200, EFEM system, Equipment Front End Module)과, 웨이퍼 수납용기(100)의 내부의 환경에 따라 웨이퍼 반송실(210)의 하강기류(D)를 웨이퍼 수납용기(100)의 내부 방향으로 유동시키거나, 웨이퍼 수납용기(100)의 반대 방향으로 유동시키는 제어부(300)를 포함하여 구성된다.As shown in FIG. 1, the FM system 10 according to the first preferred embodiment of the present invention includes a wafer storage container 100 in which a wafer W is accommodated, and a wafer storage container 100 in which it is loaded. EPM 200 (EFEM system, Equipment Front End Module) having a loading device 190, a wafer transfer chamber 210 to which the wafer storage container 100 is connected, and an environment inside the wafer storage container 100 It comprises a control unit 300 for flowing the descending air flow (D) of the wafer transfer chamber 210 in the inner direction of the wafer storage container 100, or in the opposite direction of the wafer storage container 100 according to .

이하, 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 이에프이엠 시스템(10)의 웨이퍼 수납용기(100)에 대해 설명한다.Hereinafter, the wafer storage container 100 of the FM system 10 according to the first preferred embodiment of the present invention will be described.

웨이퍼 수납용기(100)는 내부에 웨이퍼(W)가 수납되며, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 전방에 웨이퍼(W)가 출입하는 전방개구부(미도시)와, 가스를 주입하는 주입부(110)와, 주입된 가스와 웨이퍼(W)의 퓸을 배기하는 제1배기부(120)와, 웨이퍼 수납용기(100)의 내부의 유해가스의 농도를 측정하는 농도센서(130)와, 웨이퍼 수납용기의 내부의 습도를 측정하는 습도센서(140)와, 웨이퍼 수납용기(100)의 내부 방향으로 유동되는 하강기류(D)의 유량을 측정하는 유량센서(150)와, 웨이퍼 수납용기(100)의 내부의 온도를 측정하는 온도센서(160)와, 웨이퍼 수납용기(100)에 구비되어 작동시 웨이퍼 수납용기의 내부의 온도를 상승시키는 히터(170)를 포함하여 구성된다.In the wafer storage container 100, a wafer W is accommodated therein, and as shown in FIGS. 1 and 2, a front opening (not shown) through which the wafer W enters and exits, and an injection for injecting gas. The unit 110, the first exhaust unit 120 for exhausting the injected gas and the fume of the wafer W, and a concentration sensor 130 for measuring the concentration of the harmful gas inside the wafer storage container 100 and , A humidity sensor 140 for measuring the humidity inside the wafer storage container, a flow sensor 150 for measuring the flow rate of the downdraft D flowing in the inner direction of the wafer storage container 100, and the wafer storage container It comprises a temperature sensor 160 for measuring the temperature inside the (100), and a heater 170 provided in the wafer storage container 100 to increase the temperature inside the wafer storage container during operation.

전방개구부는 전방개구부를 통해 웨이퍼(W)가 출입하도록 웨이퍼 수납용기(100)의 전방에 형성된다.The front opening is formed in front of the wafer storage container 100 so that the wafer W enters and exits through the front opening.

따라서, 웨이퍼 수납용기(100)가 적재장치(190)의 상부에 놓여지게 되면, 전방개구부가 이에프이엠(200)의 웨이퍼 반송실(210)에 형성된 개구(213)와 연통됨으로써, 웨이퍼 수납용기(100)와 웨이퍼 반송실(210)이 접속된다.Therefore, when the wafer storage container 100 is placed on the upper portion of the loading device 190, the front opening portion communicates with the opening 213 formed in the wafer transfer chamber 210 of the FM 200, thereby allowing the wafer storage container ( 100) and the wafer transfer chamber 210 are connected.

주입부(110)는 적재장치(190)의 적재장치주입부(미도시)와 연통되어 외부 가스공급부(미도시)에서 공급된 가스를 웨이퍼 수납용기(100)의 내부에 수납된 웨이퍼(W)에 주입하는 기능을 한다. 이 경우, 주입부(110)는 도 4에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 수납용기(100)의 내부의 후면 및 양측면에 구비될 수 있다.The injection unit 110 is in communication with the loading device injection unit (not shown) of the loading device 190, the gas supplied from the external gas supply unit (not shown), the wafer (W) accommodated inside the wafer storage container 100 Function to inject. In this case, the injection unit 110, as shown in Figure 4, may be provided on the back and both sides of the inside of the wafer storage container 100.

위와 같이, 주입부(110)에 의해 주입된 가스는 주입기류(I)를 형성하게 된다.As described above, the gas injected by the injection unit 110 forms an injection stream I.

제1배기부(120)는 적재장치(190)의 적재장치배기부(미도시)와 연통되어 외부 가스 배기부(미도시)로 웨이퍼 수납용기(100)의 내부에 주입된 가스 및 웨이퍼(W)의 퓸을 배기하는 기능을 한다. 이 경우, 제1배기부(120)는 도 1에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 수납용기(100)의 하부에 구비될 수 있다.The first exhaust unit 120 communicates with the stacking unit exhaust unit (not shown) of the stacker 190, and gas and wafer W injected into the wafer storage container 100 into an external gas exhaust unit (not shown) ) To exhaust fume. In this case, as illustrated in FIG. 1, the first exhaust unit 120 may be provided under the wafer storage container 100.

농도센서(130)는 웨이퍼 수납용기(100)의 내부에 구비되며, 웨이퍼 수납용기(100)의 내부의 유해가스의 농도를 측정하는 기능을 한다.The concentration sensor 130 is provided inside the wafer storage container 100 and functions to measure the concentration of harmful gas inside the wafer storage container 100.

이 경우, 유해가스는 웨이퍼(W)의 퓸에 포함된 가스를 말하며, 이러한 유해가스의 종류에는 암모니아(NH3), 염소(Cl2), 브롬(Br2) 등이 있다.In this case, the noxious gas refers to a gas contained in the fume of the wafer W, and the types of the noxious gas include ammonia (NH 3 ), chlorine (Cl 2 ), and bromine (Br 2 ).

따라서, 농도센서(130)는 이러한 유해가스 중 적어도 어느 하나의 농도를 측정함으로써, 퓸의 농도를 간접적으로 측정할 수 있다.Therefore, the concentration sensor 130 can measure the concentration of at least one of these harmful gases, thereby indirectly measuring the concentration of fume.

예컨데, 웨이퍼 수납용기(100)에 수납된 웨이퍼(W)가 암모니아(NH3)가 많이 잔존하게 되는 공정을 거치고 온 경우, 농도센서(130)는 암모니아(NH3)의 농도를 측정함으로써, 퓸의 농도를 간접적으로 측정할 수 있는 것이다.For example, when the wafer W stored in the wafer storage container 100 has undergone a process in which ammonia (NH 3 ) remains a lot, the concentration sensor 130 measures the concentration of ammonia (NH 3 ), thereby The concentration of can be measured indirectly.

습도센서(140)는 웨이퍼 수납용기(100)의 내부에 구비되며, 웨이퍼 수납용기(100)의 내부의 습도를 측정하는 기능을 한다.The humidity sensor 140 is provided inside the wafer storage container 100 and functions to measure the humidity inside the wafer storage container 100.

유량센서(150)는 웨이퍼 수납용기(100)의 내부 방향으로 유동되는 하강기류(D)의 유량을 측정하는 기능을 한다.The flow sensor 150 functions to measure the flow rate of the downdraft D flowing in the inner direction of the wafer storage container 100.

온도센서(160)는 웨이퍼 수납용기(100)의 내부에 구비되며, 웨이퍼 수납용기(100)의 내부의 온도를 측정하는 기능을 한다.The temperature sensor 160 is provided inside the wafer storage container 100 and functions to measure the temperature inside the wafer storage container 100.

히터(170)는 웨이퍼 수납용기(100)의 내부에 구비되며, 웨이퍼 수납용기(100)의 내부의 온도를 상승시키는 기능을 한다.The heater 170 is provided inside the wafer storage container 100 and functions to increase the temperature inside the wafer storage container 100.

따라서, 히터(170)가 작동함에 따라, 웨이퍼 수납용기(100)의 내부의 온도는 상승되며, 웨이퍼 수납용기(100)의 내부의 습도는 하강하게 된다.Therefore, as the heater 170 operates, the temperature inside the wafer storage container 100 is increased, and the humidity inside the wafer storage container 100 is lowered.

이하, 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 이에프이엠 시스템(10)의 적재장치(190)에 대해 설명한다.Hereinafter, a loading device 190 of the FM system 10 according to the first preferred embodiment of the present invention will be described.

적재장치(190)는 웨이퍼 수납용기(100)를 적재함과 동시에, 적재장치(190)에 구비된 적재장치주입부를 통해 외부 가스공급부에서 공급된 가스를 웨이퍼 수납용기(100)의 주입부로 공급하는 기능과, 웨이퍼 수납용기(100)의 제1배기부(120)에서 배기된 가스 및 웨이퍼(W)의 퓸을 적재장치(190)에 구비된 적재장치배기부를 통해 외부 가스배기부로 배기시키는 기능을 한다.The loading device 190 loads the wafer storage container 100 and simultaneously supplies gas supplied from an external gas supply unit to the injection unit of the wafer storage container 100 through the loading device injection unit provided in the loading device 190. And, the function of evacuating the gas exhausted from the first exhaust portion 120 of the wafer storage container 100 and the fume of the wafer W to the external gas exhaust portion through the loading device exhaust portion provided in the loading device 190. .

이러한 적재장치(190)는 로드포트(load port) 등과 같이 웨이퍼 수납용기(100)를 적재하는 장치를 통칭하는 것이다.The loading device 190 is a device for loading the wafer storage container 100, such as a load port.

또한, 전술한 웨이퍼 수납용기(100)는 웨이퍼 수납용기 자체가 자동화 시스템 또는 사용자에 의해 이동되어 적재장치(190)의 상부에 놓여져 적재되는 이동형일 수 있으며, 이동되지 않고 적재장치(190)의 상부에 결합된 채 적재장치(190)에 적재되는 고정형일 수 있다.In addition, the above-described wafer storage container 100 may be a movable type in which the wafer storage container itself is moved by an automated system or a user and placed on the upper portion of the loading device 190 to be loaded, and is not moved, but is not moved. It may be of a fixed type loaded on the loading device 190 while coupled to.

이하, 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 이에프이엠 시스템(10)의 이에프이엠(200)에 대해 설명한다.Hereinafter, the FM 200 of the FM system 10 according to the first preferred embodiment of the present invention will be described.

이에프이엠(200)은 웨이퍼 수납용기(100)와 접속되는 웨이퍼 반송실(210)과, 웨이퍼 반송실(210)의 상부에 구비되어 가스를 송출하는 송출부(211)와, 웨이퍼 반송실(210)의 하부에 구비되어 가스를 배기하는 제2배기부(212)를 포함하여 구성된다.The FPM 200 includes a wafer transfer chamber 210 connected to the wafer storage container 100, a transmission unit 211 provided on an upper portion of the wafer transfer chamber 210 to transmit gas, and a wafer transfer chamber 210 It is provided in the lower portion of the second exhaust unit 212 to exhaust the gas.

웨이퍼 반송실(210)은 이에프이엠(200)의 내부에서 로봇암 등과 같은 웨이퍼 이송장치(미도시)에 의해 웨이퍼(W)의 반송이 행해지는 공간을 말한다.The wafer transfer chamber 210 refers to a space in which the transfer of the wafer W is performed by a wafer transfer device (not shown), such as a robot arm, from inside the FM 200.

웨이퍼 반송실(210)의 일측에는 개구(213)가 형성된다.An opening 213 is formed at one side of the wafer transfer chamber 210.

개구(213)에는 웨이퍼 수납용기(100)의 전방개구부가 연통됨으로써, 웨이퍼 반송실(210)의 일측에 웨이퍼 수납용기(100)가 접속된다.The front opening portion of the wafer storage container 100 communicates with the opening 213, so that the wafer storage container 100 is connected to one side of the wafer transfer chamber 210.

또한, 웨이퍼 반송실(210)의 다른 측에는 웨이퍼(W)의 에칭 등의 공정을 행하는 공정장비(미도시)가 접속된다.Further, process equipment (not shown) for performing processes such as etching of the wafer W is connected to the other side of the wafer transfer chamber 210.

따라서, 웨이퍼 이송장치는 웨이퍼 수납용기(100)에 수납된 웨이퍼(W)를 공정장비에 이송하여 공정을 행하거나, 공정장비에서 공정을 마친 웨이퍼(W)를 웨이퍼 수납용기(100)로 이송할 수 있으며, 이러한 웨이퍼(W)의 이송(또는 반송)은 웨이퍼 반송실(210) 내에서 이루어지게 된다.Accordingly, the wafer transfer device performs a process by transferring the wafer W stored in the wafer storage container 100 to the process equipment, or transfers the wafer W finished in the process equipment to the wafer storage container 100. It may be, and the transfer (or transfer) of the wafer W is performed in the wafer transfer chamber 210.

송출부(211)는 웨이퍼 반송실(210)의 상부에 구비되며, 웨이퍼 반송실(210)에 가스를 송출하는 기능을 한다.The delivery unit 211 is provided on the upper portion of the wafer transfer chamber 210 and functions to transmit gas to the wafer transfer chamber 210.

이 경우, 송출부(211)는 가스를 송출시키는 송출팬과 가스를 필터링하여 청정하게 만드는 필터를 포함한 FFU(Fan Filter Unit)일 수 있다.In this case, the transmission unit 211 may be a FFU (Fan Filter Unit) including a transmission fan that transmits gas and a filter that filters and cleans the gas.

이러한 송출부(211)에 의해 송출된 가스는 웨이퍼 반송실(210)의 하부로 유동하게 됨으로써, 하강기류(D)를 형성하게 된다.The gas sent by the delivery unit 211 flows to the lower portion of the wafer transfer chamber 210, thereby forming a descending air stream D.

제2배기부(212)는 웨이퍼 반송실(210)의 하부에 구비되며, 웨이퍼 반송실(210) 내의 가스를 배기하는 기능을 한다.The second exhaust unit 212 is provided below the wafer transfer chamber 210 and functions to exhaust gas in the wafer transfer chamber 210.

제2배기부(212)는 복수 개의 제2배기부(212)로 이루어질 수 있다. 이 경우, 복수 개의 제2배기부(212)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 제2-1배기부(212a), 제2-2배기부(212b), 제2-3배기부(212c) 및 제2-4배기부(212d)로 이루어질 수 있다.The second exhaust unit 212 may include a plurality of second exhaust units 212. In this case, as shown in FIG. 1, the plurality of second exhaust units 212 may include a 2-1 exhaust unit 212a, a 2-2 exhaust unit 212b, and a 2-3 exhaust unit 212c. ) And 2-4th exhaust portion 212d.

제2-1 내지 제2-4배기부(212a ~ 212d)는 흡인력을 발생시키는 흡인팬 등이 각각 구비될 수 있다.The 2-1 to 2-4 exhaust portions 212a to 212d may be provided with suction fans or the like that generate suction force, respectively.

따라서, 제어부(300)가 제2-1 내지 제2-4배기부(212a ~ 212d)에 각각 구비된 흡인팬 등을 개별적으로 작동시킴으로써, 제2-1 내지 제2-4배기부(212a ~ 212d)는 각각 개별적으로 하강기류(D), 가스 등의 배기를 달성할 수 있다.Accordingly, the control unit 300 separately operates the suction fans or the like provided in the 2-1 to 2-4 exhaust units 212a to 212d, respectively, so that the 2-1 to 2-4 exhaust units 212a to Each of 212d) can individually achieve exhaust of the descending air stream D and gas.

전술한 바와 같이, 제2배기부(212)가 제2-1 내지 제2-4배기부(212a ~ 212d)로 구성되는 것은 설명의 용이함을 위해 하나의 예시를 든 것이며, 제2배기부(212)의 갯수는 필요에 따라 달라 질 수 있다. 또한, 이하의 설명에서 제어부(300)가 제2-1 내지 제2-4배기부(212a ~ 212d) 중 어느 하나를 제어 또는 작동하는 것은 제2배기부(212)의 제어 또는 작동으로 이해될 수 있다.As described above, the second exhaust section 212 is composed of 2-1 to 2-4 exhaust sections 212a to 212d, which is an example for ease of explanation, and the second exhaust section ( The number of 212) can be changed as needed. In addition, in the following description, it will be understood that the control unit 300 controls or operates any one of the 2-1 to 2-4 exhaust units 212a to 212d as the control or operation of the second exhaust unit 212. Can be.

이하, 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 이에프이엠 시스템(10)의 제어부(300)에 대해 설명한다.Hereinafter, the control unit 300 of the FM system 10 according to the first preferred embodiment of the present invention will be described.

제어부(300)는 도 2에 도시된 바와 같이, 농도센서(130), 습도센서(140), 유량센서(150), 온도센서(160), 주입부(110), 제1배기부(120), 히터(170), 송출부(211), 제2-1배기부(212a), 제2-2배기부(212b), 제2-3배기부(212c) 및 제2-4배기부(212d)와 연결되어 있다.2, the concentration sensor 130, the humidity sensor 140, the flow sensor 150, the temperature sensor 160, the injection unit 110, the first exhaust unit 120, as shown in FIG. , Heater 170, delivery unit 211, 2-1 exhaust unit 212a, 2-2 exhaust unit 212b, 2-3 exhaust unit 212c, and 2-4 exhaust unit 212d ).

농도센서(130), 습도센서(140), 유량센서(150), 온도센서(160)는 웨이퍼 수납용기(100)의 내부 환경을 측정하는 센서들이다. The concentration sensor 130, the humidity sensor 140, the flow sensor 150, and the temperature sensor 160 are sensors that measure the internal environment of the wafer storage container 100.

이하, 농도센서(130), 습도센서(140), 유량센서(150) 및 온도센서(160)를 '측정요소'라 한다.Hereinafter, the concentration sensor 130, the humidity sensor 140, the flow sensor 150 and the temperature sensor 160 are referred to as'measurement elements'.

주입부(110), 제1배기부(120)는 웨이퍼 수납용기(100)의 내부로의 가스의 주입 및 배기를 각각 제어하는 요소들이고, 히터(170)는 웨이퍼 수납용기(100)의 내부의 온도를 제어하는 요소이다. The injection unit 110 and the first exhaust unit 120 are elements that control the injection and exhaust of gas into the wafer storage container 100, respectively, and the heater 170 is inside the wafer storage container 100. It is a factor that controls temperature.

또한, 송출부(211), 제2배기부(212)는 이에프이엠(200)의 웨이퍼 반송실(210)의 내부로의 가스의 송출 및 배기를 각각 제어하는 요소들이다. In addition, the delivery unit 211 and the second exhaust unit 212 are elements that control the delivery and exhaust of gas to the inside of the wafer transfer chamber 210 of the FM 200, respectively.

이하, 주입부(110), 제1배기부(120), 히터(170), 송출부(211) 및 제2배기부(212)를 '제어요소' 라 한다.Hereinafter, the injection unit 110, the first exhaust unit 120, the heater 170, the delivery unit 211 and the second exhaust unit 212 are referred to as'control elements'.

제어부(300)는 측정요소 중 적어도 어느 하나를 통해 측정된 웨이퍼 수납용기(100)의 내부의 환경에 따라 제어요소의 작동을 선택적으로 제어함으로써, 웨이퍼 반송실(210)의 하강기류(D)를 웨이퍼 수납용기(100)의 내부 방향으로 유동시키거나, 웨이퍼 수납용기(100)의 반대 방향으로 유동시키는 기능을 한다.The control unit 300 selectively controls the operation of the control element according to the internal environment of the wafer storage container 100 measured through at least one of the measurement elements, thereby controlling the descending air flow D of the wafer transfer chamber 210. It functions to flow in the inner direction of the wafer storage container 100, or to flow in the opposite direction of the wafer storage container 100.

이 경우, 제어부(300)는 측정요소를 통해 측정된 값들이 제어부(300)에 기설정된 농도제한값, 습도제한값, 유량제한값, 온도제한값을 초과하는지 또는 미만인지 여부에 따라 제어요소의 작동을 제어하게 된다.In this case, the control unit 300 controls the operation of the control element according to whether the values measured through the measurement element exceed or are less than the concentration limit value, the humidity limit value, the flow limit value, and the temperature limit value set in the control unit 300. do.

이하, 전술한 구성요소를 갖는 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 이에프이엠 시스템(10)의 제어부(300)를 통해 이루어지는 웨이퍼(W)의 퓸 제거 동작과 웨이퍼(W)의 습기 제거 동작에 대해 설명한다.Hereinafter, in the fume removal operation of the wafer W and the moisture removal operation of the wafer W made through the control unit 300 of the FM system 10 according to the first preferred embodiment of the present invention having the aforementioned components. Explain.

먼저, 도 3 및 도 4를 참조하여, 이에프이엠 시스템(10)의 웨이퍼 수납용기(100)에 수납된 웨이퍼(W)의 퓸 제거 동작에 대해 설명한다.First, referring to FIGS. 3 and 4, the fume removal operation of the wafer W accommodated in the wafer storage container 100 of the FM system 10 will be described.

웨이퍼(W)의 퓸 제거 동작은 웨이퍼(W)에 퓸이 많이 잔존한 경우에 이루어지게 된다.The fume removal operation of the wafer W is performed when a large amount of fume remains on the wafer W.

전술한 구성요소 중 웨이퍼(W)의 퓸과 관련된 측정요소는 농도센서(130)이므로, 제어부(300)는 농도센서(130)에서 측정된 값, 즉, 측정된 유해가스의 농도값이 기설정된 농도제한값을 초과하는 경우, 웨이퍼(W)의 퓸이 많이 잔존해 있다고 판단하게 된다.Since the measurement element related to the fume of the wafer W among the above-described components is the concentration sensor 130, the control unit 300 has a value measured by the concentration sensor 130, that is, the concentration value of the measured harmful gas is preset. When the concentration limit value is exceeded, it is judged that a large amount of fume of the wafer W remains.

위와 같이, 제어부(300)가 웨이퍼(W)의 퓸이 많이 잔존해 있다고 판단하게 되면, 제어부(300)는 웨이퍼 수납용기(100)의 주입부(110)와 제1배기부(120) 및 이에프이엠(200)의 송출부(211)를 작동시킴과 동시에 이에프이엠(200)의 제2-1 내지 제2-4배기부(212a ~ 212d)의 작동을 중단시키게 된다.As described above, when it is determined that the control unit 300 has a large amount of fume remaining in the wafer W, the control unit 300 includes the injection unit 110 and the first exhaust unit 120 and the F of the wafer storage container 100. At the same time that the delivery unit 211 of the M 200 is operated, the operation of the 2-1 to 2-4 exhaust units 212a to 212d of the FM 200 is stopped.

주입부(110)와 송출부(211)가 작동됨에 따라, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 수납용기(100)의 내부에는 주입기류(I)가 생성되고, 이에프이엠(200)의 웨이퍼 반송실(210) 내부에는 하강기류(D)가 생성되게 된다.As the injection unit 110 and the delivery unit 211 are operated, as shown in FIGS. 3 and 4, an injection stream I is generated inside the wafer storage container 100, and FPM 200 A descending air stream D is generated inside the wafer transfer chamber 210.

또한, 제1배기부(120)는 작동되고, 제2-1 내지 제2-4배기부(212a ~ 212d)가 작동되지 않음에 따라, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 주입기류(I) 및 하강기류(D)는 모두 제1배기부(120)로 배기됨으로써, 웨이퍼 반송실(210)의 하강기류(D)가 웨이퍼 수납용기(100)의 내부 방향으로 유동되게 된다.In addition, as the first exhaust unit 120 is operated, and the 2-1 to 2-4 exhaust units 212a to 212d are not operated, as shown in FIGS. 3 and 4, the injector flow ( I) and the descending air stream D are both exhausted to the first exhaust unit 120, so that the descending air stream D of the wafer transfer chamber 210 flows in the inner direction of the wafer storage container 100.

따라서, 주입기류(I)의 가스 및 하강기류(D)의 가스는 웨이퍼(W)에 잔존하는 퓸과 함께 제1배기부(120)로 배기되며, 이로 인해, 웨이퍼(W)의 퓸이 제거되게 된다.Accordingly, the gas of the injecting stream I and the gas of the descending stream D are exhausted to the first exhaust unit 120 together with the fume remaining on the wafer W, thereby removing the fume of the wafer W. Will be.

위와 같이, 주입기류(I) 및 하강기류(D)를 모두 이용하여 웨이퍼(W)의 퓸 제거를 하게 되므로, 퓸 제거에 필요한 가스의 유량이 충분히 공급되며, 이를 통해, 종래기술보다 빠르게 웨이퍼(W)의 퓸 제거를 달성할 수 있다.As described above, since the fume is removed from the wafer W using both the injector I and the descender D, the flow rate of the gas necessary for fume removal is sufficiently supplied, and through this, the wafer is faster than the prior art ( W) fume removal can be achieved.

또한, 하강기류(D)의 가스도 같이 이용하여 퓸 제거를 하기 때문에 가스의 낭비를 최소화하여 웨이퍼(W)의 퓸 제거를 달성할 수 있다.In addition, since the fume is removed by using the gas of the downdraft D, fume removal of the wafer W can be achieved by minimizing the waste of gas.

또한, 전술한 이에프이엠 시스템(10)의 퓸 제거 동작을 더욱 효과적으로 하기 위해, 제어부(300)는 송출부(211)의 송출 유량을 높일 수 있다.In addition, in order to more effectively perform the fume removal operation of the above-mentioned FM system 10, the control unit 300 may increase the delivery flow rate of the delivery unit 211.

상세하게 설명하면, 하강기류(D)가 웨이퍼 수납용기(100)의 내부 방향으로 유동되어 퓸 제거 동작이 이루어지는 상태에서 유량센서(150)에서 측정된 값, 즉, 웨이퍼 수납용기(100)의 내부 방향으로 유동되는 하강기류(D)의 유량이 기설정된 유량제한값 미만인 경우, 제어부(300)는 송출부(211)의 송출 유량을 높임으로써, 웨이퍼 수납용기(100)의 내부 방향으로의 유동되는 하강기류(D)의 유량을 높일 수 있다. In detail, the descending air flow D is flowed in the inner direction of the wafer storage container 100, and the value measured by the flow sensor 150 in the state where the fume removal operation is performed, that is, the inside of the wafer storage container 100 When the flow rate of the downdraft D flowing in the direction is less than a preset flow rate limit value, the control unit 300 increases the outgoing flow rate of the outgoing portion 211, and the downflow flows in the inner direction of the wafer storage container 100. The flow rate of the air stream D can be increased.

이처럼, 웨이퍼 수납용기(100) 내부로 유동되는 하강기류(D)의 유량이 높아짐에 따라 웨이퍼(W)의 퓸이 제거되는 시간은 더욱 빨라지게 되므로, 웨이퍼(W)의 퓸 제거 효율은 더욱 높아지게 된다.As such, as the flow rate of the downdraft D flowing into the wafer storage container 100 increases, the time for removing the fume of the wafer W becomes faster, so the efficiency of removing the fume of the wafer W becomes higher. do.

이하, 도 5를 참조하여, 이에프이엠 시스템(10)의 웨이퍼 수납용기(100)에 수납된 웨이퍼(W)의 습기 제거 동작에 대해 설명한다.Hereinafter, with reference to FIG. 5, a description will be given of a moisture removal operation of the wafer W accommodated in the wafer storage container 100 of the FM system 10.

웨이퍼(W)의 습기 제거 동작은 웨이퍼(W)에 습기가 많을 경우, 즉, 웨이퍼 수납용기(100)의 내부의 습도가 높을 경우 이루어지게 된다.The moisture removal operation of the wafer W is performed when the wafer W has a large amount of moisture, that is, when the humidity inside the wafer storage container 100 is high.

전술한 구성요소 중 웨이퍼(W)의 습기와 관련된 측정요소는 습도센서(140)이므로, 제어부(300)는 습도센서(140)에서 측정된 값, 즉, 측정된 웨이퍼 수납용기(100)의 내부의 습도값이 기설정된 습도제한값을 초과하는 경우, 웨이퍼(W)의 습기가 많다고 판단하게 된다.Of the above-described components, since the measuring element related to moisture of the wafer W is the humidity sensor 140, the controller 300 is a value measured by the humidity sensor 140, that is, the inside of the measured wafer storage container 100 When the humidity value of exceeds the preset humidity limit value, it is determined that there is much moisture in the wafer W.

위와 같이, 제어부(300)가 웨이퍼(W)의 습기가 많다고 판단하게 되면, 제어부(300)는 웨이퍼 수납용기(100)의 주입부(110)와 이에프이엠(200)의 송출부(211), 제2-3배기부(212c) 및 제2-4배기부(212d)를 작동시킴과 동시에 웨이퍼 수납용기(100)의 제1배기부(120)와 이에프이엠(200)의 제2-1배기부(212a) 및 제2-2배기부(212b)의 작동을 중단시키게 된다.As described above, when the control unit 300 determines that the wafer W has a large amount of moisture, the control unit 300 may include an injection unit 110 of the wafer storage container 100 and a delivery unit 211 of the FM 200, While operating the second-third exhaust part 212c and the second-fourth exhaust part 212d, the first exhaust part 120 of the wafer storage container 100 and the second-1 times of the FPM 200 are operated. The operation of the base 212a and the 2-2 exhaust portion 212b is stopped.

주입부(110)와 송출부(211)가 작동됨에 따라, 도 5에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 수납용기(100)의 내부에는 주입기류(I)가 생성되고, 이에프이엠(200)의 웨이퍼 반송실(210) 내부에는 하강기류(D)가 생성되게 된다.As the injection unit 110 and the delivery unit 211 are operated, as shown in FIG. 5, an injection stream I is generated inside the wafer storage container 100, and the wafer transport of the FA 200 is transferred. The descending air stream D is generated inside the seal 210.

또한, 제2-3배기부(212c) 및 제2-4배기부(212d)는 작동되고, 제1배기부(120), 제2-1배기부(212a) 및 제2-2배기부(212b)가 작동되지 않음에 따라, 도 5에 도시된 바와 같이, 하강기류(D)는 웨이퍼 수납용기(100)의 반대 방향으로 유동되게 된다.In addition, the 2-3 exhaust unit 212c and the 2-4 exhaust unit 212d are operated, and the first exhaust unit 120, the 2-1 exhaust unit 212a, and the 2-2 exhaust unit ( As 212b) is not operated, as shown in FIG. 5, the descending air stream D flows in the opposite direction of the wafer storage container 100.

또한, 도 5에 도시되지 않았으나, 주입부(110)에서 생성된 주입기류(I)도 반대 방향측 제2배기부(212)를 통해 웨이퍼 수납용기(100)의 반대 방향으로 유동된다.In addition, although not shown in FIG. 5, the injection air flow I generated in the injection unit 110 also flows in the opposite direction of the wafer storage container 100 through the second exhaust unit 212 on the opposite direction.

위와 같이, 하강기류(D)가 웨이퍼 수납용기(100)의 반대 방향으로 유동됨에 따라, 웨이퍼 수납용기(100)의 전방개구부 부근(또는 개구(213) 부근)에서 하강기류(D)와 주입기류(I)가 서로 다른 기류 흐름 방향으로 만나게 되는 영역이 형성되지 않게 됨으로써, 주입기류(I)는 웨이퍼(W)의 전방 영역까지 원활하게 유동될 수 있으며, 이를 통해, 웨이퍼(W)에 가스가 주입되지 못하는 사영역이 발생하지 않게 된다.As described above, as the descending airflow D flows in the opposite direction of the wafer storage container 100, the descending airflow D and the injection airflow near the front opening (or near the opening 213) of the wafer storage container 100 Since regions where (I) meet in different airflow flow directions are not formed, the injection airflow I can be smoothly flowed to the front region of the wafer W, thereby allowing gas to flow into the wafer W. Dead areas that cannot be injected will not occur.

따라서, 웨이퍼(W)에는 충분한 양의 가스가 항상 유동되게 되며, 이로 인해, 웨이퍼(W)의 습기가 효과적으로 제거될 수 있다.Therefore, a sufficient amount of gas is always flowed to the wafer W, and thereby, the moisture of the wafer W can be effectively removed.

다시 말해, 하강기류와 주입기류가 서로 다른 기류 흐름 방향으로 만나게 됨에 따라, 웨이퍼의 습기 제거가 제대로 이루어지지 않는 종래기술과 달리, 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 이에프이엠 시스템(10)은 하강기류(D)와 주입기류(I)를 같은 기류 흐름 방향으로 만나게 함으로써, 웨이퍼(W)의 사영역 발생을 방지할 수 있으며, 이를 통해, 웨이퍼(W)의 습기 제거를 효율적으로 달성할 수 있는 것이다.In other words, as the descending air stream and the injecting air stream meet in different air flow directions, unlike the conventional technology in which moisture removal of the wafer is not properly performed, the FM system 10 according to the first preferred embodiment of the present invention By making the downdraft (D) and the injecting stream (I) meet in the same airflow flow direction, it is possible to prevent the generation of dead areas of the wafer (W), and through this, it is possible to efficiently remove moisture from the wafer (W). It is.

또한, 전술한 이에프이엠 시스템(10)의 습기 제거 동작을 더욱 효과적으로 하기 위해, 제어부(300)는 히터(170)를 작동시킬 수 있다.In addition, in order to more effectively perform the moisture removal operation of the above-mentioned FM system 10, the controller 300 may operate the heater 170.

상세하게 설명하면, 하강기류(D)가 웨이퍼 수납용기(100)의 반대 방향으로 유동되어 습기 제거 동작이 이루어지는 상태에서 온도센서(160)에서 측정된 값, 즉, 웨이퍼 수납용기(100)의 내부의 온도가 기설정된 온도제한값 미만인 경우, 제어부(300)는 히터(170)를 작동시켜 웨이퍼 수납용기(100)의 내부의 온도를 상승시킬 수 있다.In detail, the descending air stream D flows in the opposite direction of the wafer storage container 100, and the value measured by the temperature sensor 160 in a state in which the moisture removal operation is performed, that is, the inside of the wafer storage container 100 When the temperature of is less than a preset temperature limit value, the controller 300 may operate the heater 170 to increase the temperature inside the wafer storage container 100.

이처럼, 웨이퍼 수납용기(100)의 내부 온도가 상승하게 됨에 따라, 웨이퍼 수납용기(100)의 내부의 습도는 낮아지게 되며, 이로 인해, 웨이퍼(W)의 습기 제거가 더욱 효과적으로 달성될 수 있다.As such, as the internal temperature of the wafer storage container 100 rises, the humidity inside the wafer storage container 100 is lowered, and thereby, moisture removal of the wafer W can be more effectively achieved.

본 발명의 바람직한 제2실시 예에 따른 According to a second preferred embodiment of the present invention 이에프이엠Fm 시스템(10') System(10')

이하, 도 6 내지 도 12를 참조하여, 본 발명의 바람직한 제2실시 예에 따른 이에프이엠 시스템(10')에 대해 설명한다.Hereinafter, with reference to FIGS. 6 to 12, the FM system 10' according to a second preferred embodiment of the present invention will be described.

도 6은 본 발명의 바람직한 제2실시 예에 따른 이에프이엠 시스템을 도시한 도이고, 도 7은 도 6의 기류제어장치를 도시한 도이고, 도 8은 본 발명의 바람직한 제2실시 예에 따른 이에프이엠 시스템의 제어부와, 측정요소 및 제어요소의 연결을 도시한 도이고, 도 9는 도 6의 웨이퍼 반송실의 하강기류가 기류제어장치에 의해 웨이퍼 수납용기의 내부로 유동하여 제1배기부로 배기되는 것을 도시한 도이고, 도 10은 도 9의 상태에서 기류제어장치로 인한 하강기류의 흐름 변화를 도시한 도이고, 도 11은 도 6의 웨이퍼 반송실의 하강기류가 기류제어장치에 의해 웨이퍼 수납용기의 반대 방향으로 유동되어 제2배기부로 배기되는 것을 도시한 도이고, 도 12는 도 11의 상태에서 기류제어장치로 인한 하강기류의 흐름 변화를 도시한 도이다.FIG. 6 is a diagram illustrating an FM system according to a second preferred embodiment of the present invention, FIG. 7 is a diagram showing an air flow control device of FIG. 6, and FIG. 8 is a view according to a second preferred embodiment of the present invention FIG. 9 is a view showing the connection between the control unit of the FM system and the measurement element and the control element, and FIG. 9 is a descending air flow of the wafer transfer chamber of FIG. 6 flowing into the wafer storage container by the air flow control device to the first exhaust portion. FIG. 10 is a view showing a change in the flow of the descending air flow due to the air flow control device in the state of FIG. 9, and FIG. 11 is a descending air flow of the wafer transfer chamber of FIG. 6 by the air flow control device. FIG. 12 is a view showing flow in the opposite direction of the wafer storage container and being exhausted to the second exhaust unit. FIG. 12 is a view showing a change in flow of the descending air stream due to the air flow control device in the state of FIG. 11.

도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 바람직한 제2실시 예에 따른 이에프이엠 시스템(10')은, 웨이퍼(W)가 수납되는 웨이퍼 수납용기(100)와, 웨이퍼 수납용기(100)가 적재되는 적재장치(190)와, 웨이퍼 수납용기(100)가 접속되는 웨이퍼 반송실(210)을 구비한 이에프이엠(200)과, 웨이퍼 반송실(210)에 구비되어 각도의 변화에 따라 하강기류(D)의 방향을 제어하는 기류제어장치(400)와, 웨이퍼 수납용기(100)의 내부의 환경에 따라 웨이퍼 반송실(210)의 하강기류(D)를 웨이퍼 수납용기(100)의 내부 방향으로 유동시키거나, 웨이퍼 수납용기(100)의 반대 방향으로 유동시키는 제어부(300')를 포함하여 구성된다.As shown in FIG. 6, the FM system 10 ′ according to the second preferred embodiment of the present invention includes a wafer storage container 100 in which a wafer W is accommodated, and a wafer storage container 100 loaded therein. The loading device 190 and the wafer transfer chamber 210 to which the wafer storage container 100 is connected to the FM 200 and the wafer transfer chamber 210 are provided in the descending airflow according to the change in angle ( D) the air flow control device 400 for controlling the direction and the downward air flow D of the wafer transfer chamber 210 according to the environment inside the wafer storage container 100 to the internal direction of the wafer storage container 100 It comprises a control unit (300') to flow, or to flow in the opposite direction of the wafer storage container (100).

위와 같이, 본 발명의 바람직한 제2실시 예에 따른 이에프이엠 시스템(10')은 전술한 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 이에프이엠 시스템(10)과 비교하여, 웨이퍼 반송실(210)에 기류제어장치(400)가 구비되어 있고, 제어부(300')가 기류제어장치(400)를 제어하여 하강기류(D)를 웨이퍼 수납용기(100)의 내부 방향 또는 웨이퍼 수납용기(100)의 반대 방향으로 유동시킨다는 점에서 차이가 있을 뿐, 나머지 구성요소는 동일하므로, 중복되는 설명은 생략한다.As described above, the FM system 10' according to the second preferred embodiment of the present invention is compared to the FM system 10 according to the first preferred embodiment of the present invention described above, to the wafer transfer chamber 210. The airflow control device 400 is provided, and the control unit 300 ′ controls the airflow control device 400 to control the descending airflow D to the inner direction of the wafer storage container 100 or the opposite of the wafer storage container 100. There is only a difference in that it flows in the direction, and the rest of the components are the same, so duplicate description is omitted.

이하, 본 발명의 바람직한 제2실시 예에 따른 이에프이엠 시스템(10')의 기류제어장치(400)에 대해 설명한다.Hereinafter, the airflow control device 400 of the FM system 10' according to the second preferred embodiment of the present invention will be described.

도 7(a)는 도 6의 기류제어장치(400)의 사시도이고, 도 7(b)는 도 6의 기류제어장치(400)의 단면도이다.7(a) is a perspective view of the air flow control device 400 of FIG. 6, and FIG. 7(b) is a cross-sectional view of the air flow control device 400 of FIG.

단, 설명의 용이함을 위해, 이하의 설명에서는 기류제어장치(400)의 도 7(a) 및 도 7(b)의 'x' 방향(앞전(410)에서 뒷전(420) 방향)을 익현 방향(chord wise)이라 하고, 도 7(a)의 'y' 방향을 익폭 방향(span wise)이라 지칭한다.However, for ease of explanation, in the following description, the'x' direction (direction 410 to rearward 420) of FIGS. 7(a) and 7(b) of the airflow control device 400 is in the wing direction. It is called (chord wise), and the'y' direction of FIG. 7(a) is referred to as a span wise.

도 6에 도시된 바와 같이, 기류제어장치(400)는 벽면(214)으로부터 이격되게 설치되며, 각도의 변화에 따라 하강기류(D)의 방향을 제어하는 기능을 한다.As illustrated in FIG. 6, the airflow control device 400 is installed to be spaced apart from the wall surface 214 and functions to control the direction of the descending airflow D according to the change in angle.

또한, 도 7(a) 및 도 7(b)에 도시된 바와 같이, 기류제어장치(400)는 에어포일(airfoil)을 갖는 날개 형상을 갖을 수 있으며, 하강기류(D)와 부딪히는 앞전(410)(leading edge)과, 웨이퍼 수납용기(100)의 방향(또는 벽면(214)의 방향)으로 볼록한 곡률을 갖도록 앞전(410)으로부터 연장되게 형성되는 제1볼록부(430)와, 웨이퍼 수납용기(100)의 반대 방향(또는 벽면(214)의 반대 방향)으로 볼록한 곡률을 갖도록 앞전(410)으로부터 연장되게 형성되는 제2볼록부(440)와, 제1볼록부(430) 및 제2볼록부(440)에서 연장되며 앞전(410)의 반대편에 위치하는 뒷전(420)(trailing edge)을 포함하여 구성된다.In addition, as shown in Figure 7 (a) and 7 (b), the air flow control device 400 may have a wing shape having an airfoil (airfoil), the front edge (410) colliding with the descending air flow (D) ) (leading edge), the first convex portion 430 formed to extend from the leading edge 410 to have a convex curvature in the direction of the wafer storage container 100 (or the direction of the wall surface 214), and the wafer storage container The second convex portion 440 and the first convex portion 430 and the second convex formed to extend from the leading edge 410 so as to have a convex curvature in the opposite direction (or the opposite direction of the wall surface 214) of the (100) It is configured to include a trailing edge 420 extending from the portion 440 and located on the opposite side of the leading edge 410.

앞전(410)은 기류제어장치(400)의 전방에 형성되며, 송출부(211)에서 가스가 송출되어 하강기류(D)가 생성되면 하강기류(D)가 직접 부딪히는 부분이다. The leading edge 410 is formed in front of the air flow control device 400, and when the gas is discharged from the sending unit 211 to generate the descending stream D, the descending stream D directly collides.

뒷전(420)은 기류제어장치(400)의 후방에 형성되며, 앞전(410)의 반대편에 위치하므로, 하강기류(D)가 직접 부딪히지 않는 부분이다.The trailing edge 420 is formed at the rear of the airflow control device 400, and is located on the opposite side of the trailing edge 410, so that the descending flow D does not directly collide.

제1볼록부(430)는 웨이퍼 수납용기(100)의 방향(또는 벽면(214)의 방향)으로 볼록한 곡률을 갖도록 기류제어장치(400)의 일측면에 형성되고, 제2볼록부(440)는 웨이퍼 수납용기(100)의 반대 방향(또는 벽면(214)의 반대 방향)으로 볼록한 곡률을 갖도록 기류제어장치(400)의 타측면에 형성된다.The first convex portion 430 is formed on one side of the airflow control device 400 to have a convex curvature in the direction of the wafer storage container 100 (or the direction of the wall surface 214), and the second convex portion 440 Is formed on the other side of the airflow control device 400 to have a convex curvature in the opposite direction of the wafer storage container 100 (or the opposite direction of the wall surface 214).

이 경우, 일측면의 반대측 면은 타측면이다. 따라서, 제1볼록부(430)의 반대편에 제2볼록부(440)가 형성되어 있다.In this case, the opposite side of one side is the other side. Therefore, the second convex portion 440 is formed on the opposite side of the first convex portion 430.

이러한 제1볼록부(430)와 제2볼록부(440)는 앞전(410)에서 연장되게 형성되어 뒷전(420)에서 만나게 된다. 다시 말해, 앞전(410), 제1, 2볼록부(430, 440) 및 뒷전(420)은 연속적인 면을 형성하게 되며, 이로 인해, 도 7(b)에 도시된 바와 같이, 기류제어장치(400)의 단면, 즉, 에어포일을 형성하게 된다.The first convex portion 430 and the second convex portion 440 are formed to extend from the front anterior portion 410 and meet at the rear anterior portion 420. In other words, the front anterior 410, the first and second convex portions 430, 440 and the rear anterior 420 form a continuous surface, and as a result, as shown in FIG. 7(b), the airflow control device A cross section of 400 is formed, that is, an airfoil.

기류제어장치(400)에는 기류제어장치히터(도 8의 460)가 구비될 수 있으며, 기류제어장치히터(460)는 기류제어장치(400)를 가열시켜, 기류제어장치(400)에 접하는 하강기류(D) 등을 가열시킴으로써, 웨이퍼 반송실(210) 내부의 온도를 상승시키는 기능을 한다.The airflow control device 400 may be provided with an airflow control device heater (460 in FIG. 8), and the airflow control device heater 460 heats the airflow control device 400 to descend in contact with the airflow control device 400. By heating the air stream D or the like, it functions to increase the temperature inside the wafer transfer chamber 210.

기류제어장치히터(460)에 의해 하강기류(D)가 가열될 경우, 하강기류(D)는 더욱 활성화되며, 이를 통해, 하강기류(D)의 유속이 상승하는 효과를 누릴 수 있다(기체는 가열되면 활성화되어 그 속도가 빨라지므로).When the descending stream D is heated by the airflow control device heater 460, the descending stream D is further activated, and through this, the flow velocity of the descending stream D can be increased (gas is used. When heated, it is activated, which speeds it up).

이러한, 기류제어장치히터(460)는 기류제어장치(400)의 내부에 구비되는 것이 바람직하다.The airflow control device heater 460 is preferably provided inside the airflow control device 400.

기류제어장치(400)에는 가스분사부(도 8의 470)가 구비될 수 있으며, 가스분사부(470)는 기류제어장치(400)의 표면에 구비되어 가스를 분사시킴으로써, 추가적인 가스의 유량 공급과 동시에 기류제어장치의 표면을 유동하는 가스, 즉, 하강기류(D)를 더욱 빠른 속도로 유동시키는 기능을 한다.A gas injection unit (470 in FIG. 8) may be provided in the air flow control device 400, and the gas injection unit 470 is provided on the surface of the air flow control device 400 to inject gas, thereby supplying an additional gas flow rate. At the same time, it functions to flow the gas flowing over the surface of the air flow control device, that is, the descending air stream D at a higher speed.

이러한, 가스분사부(470)는 기류제어장치(400)의 표면, 다시 말해, 제1볼록부(430) 또는 제2볼록부(440) 중 적어도 어느 하나에 구비되는 것이 바람직하며, 분사구와 같은 형태로 제1볼록부(430) 또는 제2볼록부(440) 중 적어도 어느 하나에 구비될 수 있다.The gas injection part 470 is preferably provided on at least one of the surface of the airflow control device 400, that is, the first convex part 430 or the second convex part 440, such as an injection hole. In the form, it may be provided on at least one of the first convex portion 430 or the second convex portion 440.

위와 같은 구성을 갖는 기류제어장치(400)는 웨이퍼 반송실(210)의 벽면(214)에 이격되도록 설치된다.The air flow control device 400 having the above configuration is installed to be spaced apart from the wall surface 214 of the wafer transfer chamber 210.

이 경우, 기류제어장치(400)는 기류제어장치(400)의 최하부(도 6에서는 뒷전(420))의 위치가 웨이퍼 수납용기(100)의 전방개구부 및 벽면(214)에 형성된 개구(213)보다 상부에 위치하는 것이 바람직하다. In this case, the air flow control device 400 is located at the bottom of the air flow control device 400 (rear front 420 in FIG. 6 ), the opening 213 formed in the front opening of the wafer storage container 100 and the wall surface 214. It is preferred to be located on the upper side.

이는, 웨이퍼 이송장치가 웨이퍼(W)를 이송할 때, 기류제어장치(400)가 웨이퍼 이송장치의 이송을 방해하는 것을 방지하기 위함이다.This is to prevent the air flow control device 400 from interfering with the transfer of the wafer transfer device when the wafer transfer device transfers the wafer W.

기류제어장치(400)는 기류제어장치(400)의 익폭 방향의 길이(도 7(a)의 y 방향의 길이)가 벽면(214)의 개구(213)의 수평방향 길이 이상인 것이 바람직하다.The airflow control device 400 preferably has a length in the airfoil control device 400 in the width direction (length in the y direction of FIG. 7(a)) equal to or greater than the horizontal direction of the opening 213 of the wall surface 214.

이는, 기류제어장치(400)의 익폭 방향 길이가 벽면(214)의 개구(213)의 수평방향 길이 미만일 경우, 즉, 기류제어장치(400)의 익폭 방향 길이가 벽면(214)의 개구(213)의 수평방향 길이보다 작을 경우, 하강기류(D)가 기류제어장치(400)의 좌, 우측에서 휘어져 유동됨으로써, 웨이퍼 수납용기(100) 내부 방향으로 유동되거나, 웨이퍼 수납용기(100)의 반대 방향으로 유동되는 등, 하강기류(D)의 방향의 제어가 용이하지 않기 때문이다.This means that when the airfoil control device 400 has an airfoil length of less than the horizontal direction of the opening 213 of the wall surface 214, that is, the airflow control device 400 has an airfoil length of the airflow control device 400 in the airfoil direction 214 ) Is smaller than the horizontal length, the descending air stream D is flowed by bending at the left and right sides of the air flow control device 400, thereby flowing in the wafer storage container 100 inward, or opposite to the wafer storage container 100. This is because it is not easy to control the direction of the downdraft D, such as flowing in the direction.

기류제어장치(400)는 틸팅 가능하게 설치될 수 있으며, 이를 통해 기류제어장치(400)의 각도 변화가 용이하게 이루어질 수 있다.The airflow control device 400 may be installed to be tiltable, so that the angle change of the airflow control device 400 can be easily performed.

이러한 기류제어장치(400)의 틸팅, 즉, 각도변화는 구동부(450)에 의해 이루어지며, 구동부(450)는 제어부(300)에 의해 제어된다. The tilting of the airflow control device 400, that is, the angle change is made by the driving unit 450, and the driving unit 450 is controlled by the control unit 300.

따라서, 제어부(300)를 통한 구동부(450)의 구동에 따라 기류제어장치(400)는 도 9 및 도 10과 같이, 뒷전(420)이 웨이퍼 수납용기(100)의 반대 방향(또는 벽면(214)의 반대 방향)을 향하도록 각도가 제어되거나, 도 11 및 도 12와 같이, 뒷전(420)이 웨이퍼 수납용기(100)의 방향(또는 벽면(214)의 방향)을 향하도록 각도가 제어될 수 있다.Therefore, according to the driving of the driving unit 450 through the control unit 300, the air flow control device 400, as shown in FIGS. 9 and 10, the rear edge 420 is the opposite direction (or wall surface 214) of the wafer storage container 100 ), or the angle is controlled so that the trailing edge 420 faces the direction of the wafer storage container 100 (or the direction of the wall surface 214) as shown in FIGS. 11 and 12. Can be.

이하의 설명에서, 도 9 및 도 10과 같이, 뒷전(420)이 웨이퍼 수납용기(100)의 반대 방향(또는 벽면(214)의 반대 방향)을 향하도록 기류제어장치(400)의 각도가 조절된 경우를 '제1방향각도' 라 하고, 도 11 및 도 12와 같이, 뒷전(420)이 웨이퍼 수납용기(100)의 방향(또는 벽면(214)의 방향)을 향하도록 기류제어장치(400)의 각도가 조절된 경우를 '제2방향각도' 라 한다.In the following description, as shown in FIGS. 9 and 10, the angle of the airflow control device 400 is adjusted such that the trailing edge 420 faces the opposite direction of the wafer storage container 100 (or the opposite direction of the wall surface 214 ). When the case is referred to as a'first direction angle', and as shown in FIGS. 11 and 12, the air flow control device 400 so that the trailing edge 420 faces the direction of the wafer storage container 100 (or the direction of the wall surface 214) The case where the angle of) is adjusted is referred to as the'second direction angle'.

이 경우, 제1방향각도는 뒷전(420)이 웨이퍼 수납용기(100)의 반대 방향을 향하는 각도에서, 웨이퍼 반송실(210)의 상, 하를 이어주는 수직축과 기류제어장치(400)의 중심축과의 사잇각이 25˚인 것이 가장 바람직하다.In this case, the first direction angle is a vertical axis connecting the upper and lower sides of the wafer transfer chamber 210 and the central axis of the air flow control device 400 at an angle in which the trailing edge 420 faces the opposite direction of the wafer storage container 100. It is most preferable that the angle of the fruit is 25°.

또한, 제2방향각도는 뒷전(420)이 웨이퍼 수납용기(100)의 내부 방향을 향하는 각도에서, 웨이퍼 반송실(210)의 상, 하를 이어주는 수직축과 기류제어장치(400)의 중심축과의 사잇각이 25˚인 것이 가장 바람직하다.In addition, the second direction angle is at an angle in which the trailing edge 420 faces the inner direction of the wafer storage container 100, and the vertical axis connecting the upper and lower sides of the wafer transfer chamber 210 and the central axis of the air flow control device 400. It is most preferable that the angle of inclination is 25˚.

기류제어장치(400)는 복수 개로 구비될 수 있으며, 복수 개의 기류제어장치(400)는 높이 차를 갖도록 설치될 수 있다.A plurality of air flow control devices 400 may be provided, and the plurality of air flow control devices 400 may be installed to have a height difference.

복수 개의 기류제어장치(400)의 높이 차란 복수 개의 기류제어장치(400)의 뒷전(420)의 위치의 높이가 서로 다르게 위치하여 설치되는 것을 말한다.The height difference of the plurality of air flow control devices 400 means that the heights of the positions of the trailing edge 420 of the plurality of air flow control devices 400 are differently installed.

이 경우, 복수 개의 기류제어장치(400)의 설치 위치는 벽면(214) 방향으로 갈수록 복수 개의 기류제어장치(400)의 뒷전(420)의 위치의 높이가 낮아지게 설치될 수 있으며, 반대로, 복수 개의 기류제어장치(400)의 설치 위치는 벽면(214)의 반대 방향으로 갈수록 복수 개의 기류제어장치(400)의 뒷전(420)의 위치의 높이가 낮아지게 설치될 수 있다.In this case, the installation positions of the plurality of air flow control devices 400 may be installed such that the heights of the positions of the trailing edge 420 of the plurality of air flow control devices 400 are lower toward the wall surface 214. The installation position of the dog air flow control device 400 may be installed such that the heights of the positions of the trailing edge 420 of the air flow control device 400 are lowered toward the opposite direction of the wall surface 214.

이처럼 복수 개의 기류제어장치(400)가 서로 높이 차를 갖도록 설치됨으로써, 원하는 방향으로의 하강기류(D)의 제어를 더욱 용이하게 할 수 있다.As described above, the plurality of air flow control devices 400 are installed to have a height difference from each other, thereby making it easier to control the downdraft D in a desired direction.

이하, 본 발명의 바람직한 제2실시 예에 따른 이에프이엠 시스템(10')의 제어부(300')에 대해 설명한다.Hereinafter, the control unit 300' of the FM system 10' according to the second preferred embodiment of the present invention will be described.

제어부(300')는 도 8에 도시된 바와 같이, 농도센서(130), 습도센서(140), 유량센서(150), 온도센서(160), 주입부(110), 제1배기부(120), 히터(170), 송출부(211), 제2-1배기부(212a), 제2-2배기부(212b), 제2-3배기부(212c), 제2-4배기부(212d), 구동부(450), 기류제어장치히터(460) 및 가스분사부(470)와 연결되어 있다.8, the concentration sensor 130, the humidity sensor 140, the flow sensor 150, the temperature sensor 160, the injection unit 110, and the first exhaust unit 120 as shown in FIG. ), heater 170, delivery unit 211, 2-1 exhaust unit 212a, 2-2 exhaust unit 212b, 2-3 exhaust unit 212c, and 2-4 exhaust unit ( 212d), a driving unit 450, an airflow control device heater 460, and a gas injection unit 470.

농도센서(130), 습도센서(140), 유량센서(150), 온도센서(160)는 웨이퍼 수납용기(100)의 내부 환경을 측정하는 센서들이다. The concentration sensor 130, the humidity sensor 140, the flow sensor 150, and the temperature sensor 160 are sensors that measure the internal environment of the wafer storage container 100.

이하, 농도센서(130), 습도센서(140), 유량센서(150) 및 온도센서(160)를 '측정요소'라 한다.Hereinafter, the concentration sensor 130, the humidity sensor 140, the flow sensor 150 and the temperature sensor 160 are referred to as'measurement elements'.

주입부(110), 제1배기부(120)는 웨이퍼 수납용기(100)의 내부로의 가스의 주입 및 배기를 각각 제어하는 요소들이고, 히터(170)는 웨이퍼 수납용기(100)의 내부의 온도를 제어하는 요소이다. The injection unit 110 and the first exhaust unit 120 are elements that control the injection and exhaust of gas into the wafer storage container 100, respectively, and the heater 170 is inside the wafer storage container 100. It is a factor that controls temperature.

또한, 송출부(211), 제2-1 내지 제2-4배기부(212a ~ 212d)는 이에프이엠(200)의 웨이퍼 반송실(210)의 내부로의 가스의 송출 및 배기를 각각 제어하는 요소들이다. In addition, the delivery unit 211 and the 2-1 to 2-4 exhaust units 212a to 212d control gas delivery and exhaust to the inside of the wafer transfer chamber 210 of the FM 200, respectively. Elements.

이하, 주입부(110), 제1배기부(120), 히터(170), 송출부(211), 제2-1 내지 제2-4배기부(212a ~ 212d), 구동부(450), 기류제어장치히터(460) 및 가스분사부(470)를 '제어요소' 라 한다.Hereinafter, the injection unit 110, the first exhaust unit 120, the heater 170, the delivery unit 211, 2-1 to 2-4 exhaust unit (212a ~ 212d), the driving unit 450, air flow The control device heater 460 and the gas injection unit 470 are referred to as'control elements'.

제어부(300')는 측정요소 중 적어도 어느 하나를 통해 측정된 웨이퍼 수납용기(100)의 내부의 환경에 따라 제어요소의 작동을 선택적으로 제어함으로써, 웨이퍼 반송실(210)의 하강기류(D)를 웨이퍼 수납용기(100)의 내부 방향으로 유동시키거나, 웨이퍼 수납용기(100)의 반대 방향으로 유동시키는 기능을 한다.The control unit 300 ′ selectively controls the operation of the control element according to the internal environment of the wafer storage container 100 measured through at least one of the measurement elements, thereby descending air flow D of the wafer transfer chamber 210 It functions to flow in the inner direction of the wafer storage container 100, or to flow in the opposite direction of the wafer storage container 100.

이 경우, 제어부(300')는 측정요소를 통해 측정된 값들이 제어부(300')에 기설정된 농도제한값, 습도제한값, 유량제한값, 온도제한값을 초과하는지 또는 미만인지 여부에 따라 제어요소의 작동을 제어하게 된다.In this case, the control unit 300' controls the operation of the control element according to whether the values measured through the measurement element exceed or are less than the concentration limit value, the humidity limit value, the flow limit value, and the temperature limit value set in the control unit 300'. Control.

이하, 전술한 구성요소를 갖는 본 발명의 바람직한 제2실시 예에 따른 이에프이엠 시스템(10')의 제어부(300')를 통해 이루어지는 웨이퍼(W)의 퓸 제거 동작과 웨이퍼(W)의 습기 제거 동작에 대해 설명한다.Hereinafter, the fume removal operation of the wafer W and the moisture removal of the wafer W made through the control unit 300' of the FM system 10' according to the second preferred embodiment of the present invention having the above-described components The operation will be described.

먼저, 도 9 및 도 10을 참조하여, 이에프이엠 시스템(10')의 웨이퍼 수납용기(100)에 수납된 웨이퍼(W)의 퓸 제거 동작에 대해 설명한다.First, with reference to FIGS. 9 and 10, the fume removal operation of the wafer W accommodated in the wafer storage container 100 of the FM system 10 ′ will be described.

웨이퍼(W)의 퓸 제거 동작은 웨이퍼(W)에 퓸이 많이 잔존한 경우에 이루어지게 된다.The fume removal operation of the wafer W is performed when a large amount of fume remains on the wafer W.

전술한 구성요소 중 웨이퍼(W)의 퓸과 관련된 측정요소는 농도센서(130)이므로, 제어부(300')는 농도센서(130)에서 측정된 값, 즉, 측정된 유해가스의 농도값이 기설정된 농도제한값을 초과하는 경우, 웨이퍼(W)의 퓸이 많이 잔존해 있다고 판단하게 된다.Since the measurement element related to the fume of the wafer W among the above-described components is the concentration sensor 130, the control unit 300' is the value measured by the concentration sensor 130, that is, the concentration value of the measured harmful gas. When the set concentration limit value is exceeded, it is determined that a large amount of fume of the wafer W remains.

위와 같이, 제어부(300')가 웨이퍼(W)의 퓸이 많이 잔존해 있다고 판단하게 되면, 제어부(300')는 웨이퍼 수납용기(100)의 주입부(110)와 제1배기부(120) 및 이에프이엠(200)의 송출부(211), 제2-3배기부(212c) 및 제2-4배기부(212d)를 작동시킴과 동시에 이에프이엠(200)의 제2-1배기부(212a) 및 제2-2배기부(212b)의 작동을 중단시키게 된다.As described above, when the control unit 300' determines that a large amount of fume of the wafer W remains, the control unit 300' controls the injection unit 110 and the first exhaust unit 120 of the wafer storage container 100. And the 2-1 exhaust portion of the FPM 200 while simultaneously operating the delivery portion 211, the 2-3 exhaust portion 212c, and the 2-4 exhaust portion 212d of the FPM 200 212a) and the 2-2 exhaust unit 212b are stopped.

또한, 제어부(300')는 구동부(450)를 작동시켜 기류제어장치(400)의 각도가 도 9 및 도 10에 도시된 바와 같이, 제1방향각도가 되도록 제어한다.In addition, the control unit 300 ′ operates the driving unit 450 to control the angle of the airflow control device 400 to be the first direction angle, as illustrated in FIGS. 9 and 10.

주입부(110)와 송출부(211)가 작동됨에 따라, 도 9에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 수납용기(100)의 내부에는 주입기류(I)가 생성되고, 이에프이엠(200)의 웨이퍼 반송실(210) 내부에는 하강기류(D)가 생성되게 된다.As the injection unit 110 and the delivery unit 211 are operated, as shown in FIG. 9, an injection stream I is generated inside the wafer storage container 100, and the wafer transport of the FA 200 is transported. The descending air stream D is generated inside the seal 210.

또한, 기류제어장치(400)의 각도가 제1방향각도가 됨에 따라, 기류제어장치(400)의 뒷전(420)은 웨이퍼 수납용기(100)의 반대 방향(또는 벽면(214)의 반대 방향)을 향하게 된다.In addition, as the angle of the airflow control device 400 becomes the first direction angle, the trailing edge 420 of the airflow control device 400 is the opposite direction of the wafer storage container 100 (or the opposite direction of the wall surface 214) Will be facing.

이 경우, 하강기류(D)는 도 10에 도시된 바와 같이, 기류제어장치(400)의 앞전(410)에 부딪힌 후, 제1볼록부(430)와 제2볼록부(440)의 표면으로 갈라져 유동하게 된다.In this case, as shown in FIG. 10, the descending air stream D hits the leading edge 410 of the air flow control device 400, and then moves to the surfaces of the first convex parts 430 and the second convex parts 440. It will split and flow.

제2볼록부(440)의 표면으로 유동되는 기류(이하, '제2볼록부기류(D2)' 라 한다)는 기류제어장치(400)의 각도가 제1방향각도로 형성되어 있으므로, 제2볼록부(440)의 표면을 타고 흐르게 되며, 제2볼록부(440)가 볼록한 곡률을 갖고 있으므로, 코안다 효과(Coanda Effect)가 발생하게 된다.Since the air flow flowing to the surface of the second convex portion 440 (hereinafter referred to as “second convex air flow D2”), the angle of the air flow control device 400 is formed at the first direction angle, so the second air flow. It flows on the surface of the convex portion 440, and since the second convex portion 440 has a convex curvature, a Coanda Effect occurs.

이처럼 코안다 효과가 발생하게 되면 제2볼록부기류(D2)는 그 방향이 제2볼록부(440)의 곡률을 따라 웨이퍼 수납용기(100)의 방향(또는 벽면(214)의 방향)으로 유동하게 되며, 그 유속은 더욱 빨라지게 된다.When the Coanda effect occurs as described above, the second convex ridges D2 flow in the direction of the wafer storage container 100 (or the direction of the wall surface 214) along the curvature of the second convex portion 440. And the flow rate becomes faster.

따라서, 제2볼록부기류(D2)가 기류제어장치(400)의 뒷전(420)을 벗어나더라도 높은 유속을 유지할 수 있으며, 이로 인해, 높은 유속의 층류(L, laminar flow)가 형성되게 된다.Therefore, even if the second convex airflow D2 leaves the trailing edge 420 of the airflow control device 400, a high flow rate can be maintained, thereby forming a laminar flow (L) with a high flow rate.

반면, 제1볼록부(430)의 표면으로 유동되는 기류(이하, '제1볼록부기류(D1)' 라 한다)는 기류제어장치(400)의 각도가 제1방향각도로 형성되어 있으므로, 유동박리(separation flow)가 발생하게 된다. 따라서, 제1볼록부기류(D1)는 제1볼록부(430)의 하부에서 난류를 형성하게 되며, 이로 인해, 유속이 낮아지게 된다.On the other hand, since the air flow (hereinafter referred to as'first convex air stream D1') flowing to the surface of the first convex part 430 is formed at an angle in the first direction, Separation flow occurs. Therefore, the first convex air stream D1 forms a turbulent flow at the lower portion of the first convex air stream 430, thereby reducing the flow rate.

다시 말해, 유동박리에 의해 제1볼록부기류(D1)는 기류제어장치(400)로부터 박리되며, 제2볼록부기류(D2)와 달리 층류를 형성하지 못하고 난류를 형성하게 된다.In other words, the first convex airflow D1 is peeled from the airflow control device 400 by flow separation, and unlike the second convex airflow D2, the laminar flow cannot be formed and turbulence is formed.

이는, 유동박리 원리에 의해 제1볼록부(430)를 타고 흐르는 제1볼록부기류(D1)는 천이점(또는 박리점)을 기점으로 층류에서 항력(drag force)로 변환되기 때문이다. 이 경우, 천이점(또는 박리점)의 유속은 '0' 에 수렴하게 된다.This is because the first convex air stream D1 flowing through the first convex part 430 is converted from the laminar flow to a drag force from the transition point (or peeling point) by the flow separation principle. In this case, the flow velocity of the transition point (or peeling point) converges to '0'.

따라서, '제2볼록부기류(D2)의 유속 > 하강기류(D)의 유속 > 제1볼록부기류(D1)의 유속' 관계를 만족하게 된다.Accordingly, the relationship of'the flow velocity of the second convex airflow D2> the flow velocity of the descending airflow D> the flow velocity of the first convex airflow D1' is satisfied.

전술한 바와 같이, 기류제어장치(400)의 각도가 제1방향각도로 조절됨에 따라, 하강기류(D) 중 일부가 기류제어장치(400)를 거쳐 제1볼록부기류(D1)와 제2볼록부기류(D2)로 나뉘어지고, 결과적으로 도 9에 도시된 바와 같이, 층류(L)를 형성하여 웨이퍼 수납용기(100)의 방향(또는 벽면(214)의 방향)으로 유동하게 된다.As described above, as the angle of the airflow control device 400 is adjusted to the first directional angle, a part of the descending airflow D passes through the airflow control device 400 to the first convex airflow D1 and the second It is divided into convex ridges D2, and as a result, as shown in FIG. 9, a laminar flow L is formed to flow in the direction of the wafer storage container 100 (or the direction of the wall surface 214).

또한, 제1배기부(120)는 작동되고, 제2-1배기부(212a) 및 제2-2배기부(212b)가 작동되지 않으므로, 웨이퍼 수납용기(100)의 방향으로 유동된 하강기류(D)는 주입기류(I)와 함께 제1배기부(120)로 배기되게 된다. 따라서, 하강기류(D)는 웨이퍼 수납용기(100)의 내부 방향으로 유동하게 되는 것이다.In addition, since the first exhaust unit 120 is operated, and the 2-1 exhaust unit 212a and the 2-2 exhaust unit 212b are not operated, descending air flows in the direction of the wafer storage container 100 (D) is discharged to the first exhaust unit 120 together with the injection air stream (I). Therefore, the descending air stream D flows in the inner direction of the wafer storage container 100.

위와 같이, 하강기류(D)가 웨이퍼 수납용기(100)의 내부 방향으로 유동함에 따라, 주입기류(I)의 가스 및 하강기류(D)의 가스는 웨이퍼(W)에 잔존하는 퓸과 함께 제1배기부(120)로 배기되며, 이로 인해, 웨이퍼(W)의 퓸이 제거되게 된다.As described above, as the descending stream D flows in the inner direction of the wafer storage container 100, the gas of the injecting stream I and the gas of the descending stream D are made together with the fume remaining on the wafer W. It is exhausted to the first exhaust portion 120, and thereby, the fume of the wafer W is removed.

이처럼, 주입기류(I) 및 하강기류(D)를 모두 이용하여 웨이퍼(W)의 퓸 제거를 하게 되므로, 퓸 제거에 필요한 가스의 유량이 충분히 공급되며, 이를 통해, 종래기술보다 빠르게 웨이퍼(W)의 퓸 제거를 달성할 수 있다.As described above, since the fume is removed from the wafer W by using both the injector I and the descender D, the flow rate of the gas necessary to remove the fume is sufficiently supplied, and through this, the wafer W is faster than the prior art. ) Can be achieved.

또한, 하강기류(D)의 가스도 같이 이용하여 퓸 제거를 하기 때문에 가스의 낭비를 최소화하여 웨이퍼(W)의 퓸 제거를 달성할 수 있다.In addition, since the fume is removed by using the gas of the downdraft D, fume removal of the wafer W can be achieved by minimizing the waste of gas.

또한, 기류제어장치(400)에 의해 웨이퍼 수납용기(100)의 내부 방향으로 유동되는 하강기류(D)는 층류(L)를 형성하며 유동되므로, 그 유속이 빨라 동일시간에 많은 유량이 유동될 수 있다. 따라서, 본 발명의 바람직한 제2실시 예에 따른 이에프이엠 시스템(10')은 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 이에프엠 시스템(10') 보다 더욱 빠른 시간에 웨이퍼(W)의 퓸을 제거할 수 있다.In addition, the descending air stream D flowing in the inner direction of the wafer storage container 100 by the air flow control device 400 forms and flows in a laminar flow L, so that the flow rate is fast and a large amount of flow rate can flow at the same time. Can be. Accordingly, the FM system 10' according to the second preferred embodiment of the present invention removes the fume of the wafer W at a faster time than the FM system 10' according to the first preferred embodiment of the present invention. can do.

또한, 전술한 이에프이엠 시스템(10')의 퓸 제거 동작을 더욱 효과적으로 하기 위해, 제어부(300')는 기류제어장치히터(460) 또는 가스분사부(470) 중 적어도 어느 하나를 작동시킴으로써, 웨이퍼 수납용기(100)의 내부 방향으로 유동되는 하강기류(D)의 유량을 높일 수 있다.In addition, in order to more effectively perform the fume removal operation of the above-mentioned FM system 10 ′, the control unit 300 ′ operates by operating at least one of the air flow control device heater 460 or the gas injection unit 470, the wafer. The flow rate of the downdraft D flowing in the inner direction of the storage container 100 may be increased.

상세하게 설명하면, 하강기류(D)가 웨이퍼 수납용기(100)의 내부 방향으로 유동되어 퓸 제거 동작이 이루어지는 상태에서 유량센서(150)에서 측정된 값, 즉, 웨이퍼 수납용기(100)의 내부 방향으로 유동되는 하강기류(D)의 유량이 기설정된 유량제한값 미만인 경우, 제어부(300')는 기류제어장치히터(460) 또는 가스분사부(470) 중 적어도 어느 하나를 작동시키게 된다.In detail, the descending air flow D is flowed in the inner direction of the wafer storage container 100, and the value measured by the flow sensor 150 in the state where the fume removal operation is performed, that is, the inside of the wafer storage container 100 When the flow rate of the downdraft D flowing in the direction is less than a preset flow limit value, the control unit 300 ′ operates at least one of the air flow control device heater 460 or the gas injection unit 470.

기류제어장치히터(460)가 작동되면, 웨이퍼 반송실(210) 내부의 온도가 상승되므로, 하강기류(D)는 가열되어 활성화되게 된다. 따라서, 웨이퍼 수납용기(100)의 내부로 유동되는 하강기류(D)의 유속은 빨라지게 되므로, 동일시간에 많은 유량이 웨이퍼 수납용기(100)의 내부로 유동될 수 있다.When the airflow control device heater 460 is operated, since the temperature inside the wafer transfer chamber 210 is raised, the downdraft D is heated and activated. Therefore, since the flow velocity of the descending air stream D flowing into the wafer storage container 100 is increased, a large amount of flow can be flowed into the wafer storage container 100 at the same time.

가스분사부(470)가 작동되면, 가스분사부(470)를 통해 추가적은 가스 유량이 공급될 뿐만 아니라, 제2볼록부(440)의 표면에서 발생하는 코안다 효과가 더욱 극대화 되므로, 제2볼록부기류(D2)의 층류(L) 변환이 효과적으로 이루어지게 된다. 따라서, 웨이퍼 수납용기(100)의 내부로 유동되는 하강기류(D)는 그 유속이 빨라지게 되며, 동일시간에 많은 유량이 웨이퍼 수납용기(100)의 내부로 유동될 수 있다.When the gas injection unit 470 is operated, not only the additional gas flow rate is supplied through the gas injection unit 470, but also the Coanda effect occurring on the surface of the second convex portion 440 is further maximized, so that the second The laminar flow (L) conversion of the convex airflow (D2) is effectively achieved. Therefore, the flow rate of the descending air stream D flowing into the wafer storage container 100 is increased, and a large flow rate can be flowed into the wafer storage container 100 at the same time.

이처럼, 웨이퍼 수납용기(100) 내부로 유동되는 하강기류(D)의 유량이 높아짐에 따라 웨이퍼(W)의 퓸이 제거되는 시간은 더욱 빨라지게 되므로, 웨이퍼(W)의 퓸 제거 효율은 더욱 높아지게 된다.As such, as the flow rate of the downdraft D flowing into the wafer storage container 100 increases, the time for removing the fume of the wafer W becomes faster, so the efficiency of removing the fume of the wafer W becomes higher. do.

이하, 도 11 및 도 12를 참조하여, 이에프이엠 시스템(10')의 웨이퍼 수납용기(100)에 수납된 웨이퍼(W)의 습기 제거 동작에 대해 설명한다.Hereinafter, with reference to FIGS. 11 and 12, the moisture removal operation of the wafer W accommodated in the wafer storage container 100 of the FM system 10 ′ will be described.

웨이퍼(W)의 습기 제거 동작은 웨이퍼(W)에 습기가 많을 경우, 즉, 웨이퍼 수납용기(100)의 내부의 습도가 높을 경우 이루어지게 된다.The moisture removal operation of the wafer W is performed when the wafer W has a large amount of moisture, that is, when the humidity inside the wafer storage container 100 is high.

전술한 구성요소 중 웨이퍼(W)의 습기와 관련된 측정요소는 습도센서(140)이므로, 제어부(300')는 습도센서(140)에서 측정된 값, 즉, 측정된 웨이퍼 수납용기(100)의 내부의 습도값이 기설정된 습도제한값을 초과하는 경우, 웨이퍼(W)의 습기가 많다고 판단하게 된다.Of the above-mentioned components, since the measuring element related to moisture of the wafer W is the humidity sensor 140, the controller 300' is a value measured by the humidity sensor 140, that is, the measured wafer storage container 100. When the internal humidity value exceeds a preset humidity limit value, it is determined that there is much moisture in the wafer W.

위와 같이, 제어부(300')가 웨이퍼(W)의 습기가 많다고 판단하게 되면, 제어부(300')는 웨이퍼 수납용기(100)의 주입부(110)와 이에프이엠(200)의 송출부(211) 및 제2-1 내지 제2-4배기부(212a ~ 212d)를 작동시킴과 동시에 웨이퍼 수납용기(100)의 제1배기부(120)의 작동을 중단시키게 된다.As described above, when it is determined that the control unit 300' has a large amount of moisture in the wafer W, the control unit 300' may include the injection unit 110 of the wafer storage container 100 and the delivery unit 211 of the FM 200. ) And the 2-1 to 2-4 exhaust units 212a to 212d are operated, and the operation of the first exhaust unit 120 of the wafer storage container 100 is stopped.

또한, 제어부(300')는 구동부(450)를 작동시켜 기류제어장치(400)의 각도가 도 11 및 도 12에 도시된 바와 같이, 제2방향각도가 되도록 제어한다.In addition, the control unit 300' operates the driving unit 450 to control the angle of the airflow control device 400 to be the second direction angle, as shown in FIGS. 11 and 12.

주입부(110)와 송출부(211)가 작동됨에 따라, 도 11에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 수납용기(100)의 내부에는 주입기류(I)가 생성되고, 이에프이엠(200)의 웨이퍼 반송실(210) 내부에는 하강기류(D)가 생성되게 된다.As the injection unit 110 and the delivery unit 211 are operated, as shown in FIG. 11, an injection stream I is generated inside the wafer storage container 100, and the wafer transport of the FA 200 is transported. The descending air stream D is generated inside the seal 210.

또한, 기류제어장치(400)의 각도가 제2방향각도가 됨에 따라, 기류제어장치(400)의 뒷전(420)은 웨이퍼 수납용기(100)의 방향(또는 벽면(214)의 방향)을 향하게 된다.In addition, as the angle of the air flow control device 400 becomes the second direction angle, the trailing edge 420 of the air flow control device 400 faces the direction of the wafer storage container 100 (or the direction of the wall surface 214). do.

이 경우, 하강기류(D)는 도 12에 도시된 바와 같이, 기류제어장치(400)의 앞전(410)에 부딪힌 후, 제1볼록부(430)와 제2볼록부(440)의 표면으로 갈라져 유동하게 된다.In this case, as shown in FIG. 12, the descending air stream D hits the leading edge 410 of the air flow control device 400, and then moves to the surfaces of the first convex parts 430 and the second convex parts 440. It will split and flow.

제1볼록부(430)의 표면으로 유동되는 제1볼록부기류(D1)는 기류제어장치(400)의 각도가 제2방향각도로 형성되어 있으므로, 제1볼록부(430)의 표면을 타고 흐르게 되며, 제1볼록부(430)가 볼록한 곡률을 갖고 있으므로, 코안다 효과가 발생하게 된다.Since the angle of the airflow control device 400 is formed at a second direction angle in the first convex air stream D1 flowing to the surface of the first convex part 430, ride on the surface of the first convex part 430 It flows, and since the first convex portion 430 has a convex curvature, a Coanda effect occurs.

이처럼 코안다 효과가 발생하게 되면 제1볼록부기류(D1)는 그 방향이 제1볼록부(430)의 곡률을 따라 웨이퍼 수납용기(100)의 반대 방향(또는 벽면(214)의 반대 방향)으로 유동하게 되며, 그 유속은 더욱 빨라지게 된다.When the Coanda effect occurs as described above, the first convex ridges D1 have a direction in the opposite direction of the wafer storage container 100 (or the opposite direction of the wall surface 214) along the curvature of the first convex portion 430. And the flow rate becomes faster.

따라서, 제1볼록부기류(D1)가 기류제어장치(400)의 뒷전(420)을 벗어나더라도 높은 유속을 유지할 수 있으며, 이로 인해, 높은 유속의 층류(L)가 형성되게 된다.Therefore, even if the first convex air stream D1 leaves the trailing edge 420 of the airflow control device 400, it is possible to maintain a high flow rate, thereby forming a laminar flow L having a high flow rate.

반면, 제2볼록부(440)의 표면으로 유동되는 제2볼록부기류는 기류제어장치(400)의 각도가 제2방향각도로 형성되어 있으므로, 유동박리가 발생하게 된다. 따라서, 제2볼록부기류(D2)는 제2볼록부(440)의 하부에서 난류를 형성하게 되며, 이로 인해, 유속이 낮아지게 된다.On the other hand, in the second convex air stream flowing to the surface of the second convex part 440, since the angle of the air flow control device 400 is formed at the second direction angle, flow separation occurs. Therefore, the second convex ridge D2 forms turbulence at the lower portion of the second convex 440, thereby reducing the flow rate.

다시 말해, 유동박리에 의해 제2볼록부기류(D2)는 기류제어장치(400)로부터 박리되며, 제1볼록부기류(D1)와 달리 층류를 형성하지 못하고 난류를 형성하게 된다.In other words, the second convex airflow D2 is peeled from the airflow control device 400 by flow separation, and unlike the first convex airflow D1, the laminar flow cannot be formed and turbulence is formed.

이는, 유동박리 원리에 의해 제2볼록부(440)를 타고 흐르는 제2볼록부기류(D2)는 천이점(또는 박리점)을 기점으로 층류에서 항력(drag force)로 변환되기 때문이다. 이 경우, 천이점(또는 박리점)의 유속은 '0' 에 수렴하게 된다.This is because the second convex air stream D2 flowing through the second convex part 440 is converted from the laminar flow to drag force from the transition point (or peeling point) by the flow separation principle. In this case, the flow velocity of the transition point (or peeling point) converges to '0'.

따라서, '제1볼록부기류(D1)의 유속 > 하강기류(D)의 유속 > 제2볼록부기류(D2)의 유속' 관계를 만족하게 된다.Therefore, the relationship of'the flow velocity of the first convex airflow D1> the flow velocity of the descending airflow D> the flow velocity of the second convex airflow D2' is satisfied.

전술한 바와 같이, 기류제어장치(400)의 각도가 제2방향각도로 조절됨에 따라, 하강기류(D) 중 일부가 기류제어장치(400)를 거쳐 제1볼록부기류(D1)와 제2볼록부기류(D2)로 나뉘어지고, 결과적으로 도 11에 도시된 바와 같이, 층류(L)를 형성하여 웨이퍼 수납용기(100)의 반대 방향(또는 벽면(214)의 반대 방향)으로 유동하게 된다.As described above, as the angle of the air flow control device 400 is adjusted to the second direction angle, a part of the descending air flow D passes through the air flow control device 400 and the first convex air flow D1 and the second It is divided into convex ridges D2, and consequently, as shown in FIG. 11, a laminar flow L is formed to flow in the opposite direction of the wafer storage container 100 (or the opposite direction of the wall surface 214). .

또한, 제2-1 내지 제2-4배기부(212a ~ 212d)는 작동되고, 제1배기부(120)가 작동되지 않음에 따라, 도 11에 도시된 바와 같이, 하강기류(D)는 웨이퍼 수납용기(100)의 반대 방향으로 유동되게 된다.In addition, as the 2-1 to 2-4 exhaust units 212a to 212d are operated and the first exhaust unit 120 is not operated, as illustrated in FIG. 11, the descending air stream D is It will flow in the opposite direction of the wafer storage container 100.

또한, 도 11에 도시되지 않았으나, 주입부(110)에서 생성된 주입기류(I)도 제2-1 내지 제2-4배기부(212a ~ 212d) 중 가장 가까운 제2-1배기부(212a)를 통해 웨이퍼 수납용기(100)의 반대 방향으로 유동된다.In addition, although not shown in FIG. 11, the injection air stream I generated in the injection unit 110 is also the closest 2-1 exhaust unit 212a among the 2-1 to 2-4 exhaust units 212a to 212d. ) To flow in the opposite direction of the wafer storage container 100.

위와 같이, 하강기류(D)가 웨이퍼 수납용기(100)의 반대 방향으로 유동됨에 따라, 웨이퍼 수납용기(100)의 전방개구부 부근(또는 개구(213) 부근)에서 하강기류(D)와 주입기류(I)가 서로 다른 기류 흐름 방향으로 만나게 되는 영역이 형성되지 않게 됨으로써, 주입기류(I)는 웨이퍼(W)의 전방 영역까지 원활하게 유동될 수 있으며, 이를 통해, 웨이퍼(W)에 가스가 주입되지 못하는 사영역이 발생하지 않게 된다.As described above, as the descending airflow D flows in the opposite direction of the wafer storage container 100, the descending airflow D and the injection airflow near the front opening (or near the opening 213) of the wafer storage container 100 Since regions where (I) meet in different airflow flow directions are not formed, the injection airflow I can be smoothly flowed to the front region of the wafer W, thereby allowing gas to flow into the wafer W. Dead areas that cannot be injected will not occur.

따라서, 웨이퍼(W)에는 충분한 양의 가스가 항상 유동되게 되며, 이로 인해, 웨이퍼(W)의 습기가 효과적으로 제거될 수 있다.Therefore, a sufficient amount of gas is always flowed to the wafer W, and thereby, the moisture of the wafer W can be effectively removed.

다시 말해, 하강기류와 주입기류가 서로 다른 기류 흐름 방향으로 만나게 됨에 따라, 웨이퍼의 습기 제거가 제대로 이루어지지 않는 종래기술과 달리, 본 발명의 바람직한 제2실시 예에 따른 이에프이엠 시스템(10')은 하강기류(D)와 주입기류(I)를 같은 기류 흐름 방향으로 만나게 함으로써, 웨이퍼(W)의 사영역 발생을 방지할 수 있으며, 이를 통해, 웨이퍼(W)의 습기 제거를 효율적으로 달성할 수 있는 것이다.In other words, as the descending air stream and the injecting air stream meet in different air flow directions, unlike the prior art, in which moisture removal of the wafer is not properly performed, the FPM system 10' according to the second preferred embodiment of the present invention By making the silver descending stream D and the injecting stream I meet in the same air flow direction, it is possible to prevent the generation of the dead area of the wafer W, thereby effectively achieving the removal of moisture from the wafer W. It is possible.

또한, 기류제어장치(400)에 의해 웨이퍼 수납용기(100)의 반대 방향으로 유동되는 하강기류(D)는 층류(L)를 형성하여 유동되므로, 그 유속이 빨라 제2-1배기부(212a) 및 제2-2배기부(212b)에 의해 배기되더라도 웨이퍼 수납용기(100)의 내부 방향으로는 유동되지 않게 된다. 또한, 제2볼록부기류(D2)는 그 유속이 느리므로, 제2-3배기부(212c) 및 제2-4배기부(212d)에 의해 쉽게 배기된다.In addition, the descending air stream D flowing in the opposite direction of the wafer storage container 100 by the air flow control device 400 forms and flows in a laminar flow L, so that the flow rate is fast and thus the 2-1 exhaust part 212a ) And the 2-2 exhaust unit 212b are not flowed in the inner direction of the wafer storage container 100 even when exhausted. In addition, since the second convex air stream D2 has a slow flow rate, it is easily exhausted by the 2-3 exhaust part 212c and the 2-4 exhaust part 212d.

다시 말해, 기류제어장치(400)에 의해 하강기류(D)가 제1볼록부기류(D1) 및 제2볼록부기류(D2)로 나눠지게 되고, 제1볼록부기류(D1)와 제2볼록부기류(D2)의 특성에 의해 제2-1 내지 제2-4배기부(212a ~ 212d)를 통한 웨이퍼 수납용기(100) 반대 방향으로의 하강기류(D)의 배기가 매우 용이하게 이루어질 수 있는 것이다.In other words, the descending airflow D is divided into the first convex airflow D1 and the second convex airflow D2 by the airflow control device 400, and the first convex airflow D1 and the second Exhaust of the descending air stream D in the opposite direction to the wafer storage container 100 through the 2-1 to 2-4 exhaust parts 212a to 212d is made very easily by the characteristics of the convex air stream D2. It is possible.

따라서, 본 발명의 바람직한 제2실시 예에 따른 이에프이엠 시스템(10')은 본 발명의 바람직한 제2실시 예에 따른 이에프이엠 시스템(10') 보다 하강기류(D)와 주입기류(I)가 웨이퍼 수납용기(100)의 전방개구부 부근(또는 개구(213) 부근)에서 만나는 것을 더욱 용이하게 방지할 수 있으며, 이를 통해, 웨이퍼(W)의 습기 제거를 더욱 효과적으로 달성할 수 있다. Accordingly, the FM system 10' according to the second preferred embodiment of the present invention has a downdraft (D) and an injection airflow (I) than the FPM system 10' according to the second preferred embodiment of the present invention. It can be more easily prevented from meeting in the vicinity of the front opening (or near the opening 213) of the wafer storage container 100, and through this, moisture removal of the wafer W can be more effectively achieved.

또한, 전술한 이에프이엠 시스템(10')의 습기 제거 동작을 더욱 효과적으로 하기 위해, 제어부(300')는 히터(170)를 작동시킬 수 있다.In addition, in order to more effectively perform the moisture removal operation of the above-mentioned FM system 10', the controller 300' may operate the heater 170.

상세하게 설명하면, 하강기류(D)가 웨이퍼 수납용기(100)의 반대 방향으로 유동되어 습기 제거 동작이 이루어지는 상태에서 온도센서(160)에서 측정된 값, 즉, 웨이퍼 수납용기(100)의 내부의 온도가 기설정된 온도제한값 미만인 경우, 제어부(300')는 히터(170)를 작동시켜 웨이퍼 수납용기(100)의 내부의 온도를 상승시킬 수 있다.In detail, the descending air stream D flows in the opposite direction of the wafer storage container 100, and the value measured by the temperature sensor 160 in a state in which the moisture removal operation is performed, that is, the inside of the wafer storage container 100 When the temperature of is less than a preset temperature limit value, the controller 300 ′ may operate the heater 170 to increase the temperature inside the wafer storage container 100.

이처럼, 웨이퍼 수납용기(100)의 내부 온도가 상승하게 됨에 따라, 웨이퍼 수납용기(100)의 내부의 습도는 낮아지게 되며, 이로 인해, 웨이퍼(W)의 습기 제거가 더욱 효과적으로 달성될 수 있다.As such, as the internal temperature of the wafer storage container 100 rises, the humidity inside the wafer storage container 100 is lowered, and thereby, moisture removal of the wafer W can be more effectively achieved.

본 발명의 바람직한 제3실시 예에 따른 According to a third preferred embodiment of the present invention 이에프이엠Fm 시스템 system

이하, 본 발명의 바람직한 제3실시 예에 따른 이에프이엠 시스템에 대해 설명한다.Hereinafter, an FM system according to a third preferred embodiment of the present invention will be described.

본 발명의 바람직한 제3실시 예에 따른 이에프이엠 시스템은, 웨이퍼가 수납되는 웨이퍼 수납용기와, 웨이퍼 수납용기가 적재되는 적재장치와, 웨이퍼 수납용기가 접속되는 웨이퍼 반송실을 구비한 이에프이엠과, 웨이퍼 반송실에 구비되어 각도의 변화에 따라 하강기류의 방향을 제어하는 기류제어장치와, 웨이퍼 반송실의 내부의 환경에 따라 웨이퍼 반송실의 하강기류를 제어하는 제어부를 포함하여 구성된다.The FM system according to a third exemplary embodiment of the present invention includes a wafer storage container in which a wafer is accommodated, a loading device in which the wafer storage container is loaded, and an FPM having a wafer transfer chamber to which the wafer storage container is connected, It is provided in the wafer transfer chamber, and comprises an air flow control device for controlling the direction of the descending air flow according to the change in angle, and a control unit for controlling the descending air flow in the wafer transfer chamber according to the environment inside the wafer transfer chamber.

위와 같이, 본 발명의 바람직한 제3실시 예에 따른 이에프이엠 시스템은 전술한 본 발명의 바람직한 제2실시 예에 따른 이에프이엠 시스템(10')과 비교하여, 제어부가 웨이퍼 반송실의 내부의 환경에 따라 웨이퍼 반송실의 하강기류를 제어한다는 점에서 차이가 있을 뿐, 나머지 구성요소는 동일하므로, 중복되는 설명은 생략한다.As described above, the FM system according to the third preferred embodiment of the present invention is compared with the FM system 10' according to the second preferred embodiment of the present invention described above, so that the controller controls the environment inside the wafer transfer chamber. Accordingly, there is only a difference in that the downdraft of the wafer transfer chamber is controlled, and the rest of the components are the same, so duplicate description is omitted.

또한, 본 발명의 바람직한 제3실시 예에 따른 이에프이엠 시스템의 기류제어장치의 경우, 전술한 본 발명의 바람직한 제2실시 예에 따른 이에프이엠 시스템(10')의 기류제어장치(400)와 그 구성요소 및 형상 등은 동일하나, 기능 측면에서 다소 차이가 있다.In addition, in the case of the air flow control device of the FM system according to the third preferred embodiment of the present invention, the air flow control device 400 of the FM system 10' according to the second preferred embodiment of the present invention described above and the same The components and shapes are the same, but there are some differences in function.

상세하게 설명하면, 본 발명의 바람직한 제2실시 예에 따른 이에프이엠 시스템(10')의 기류제어장치(400)는 그 각도의 변화에 따라 하강기류(D)의 방향을 제어함으로써, 하강기류(D)를 웨이퍼 수납용기(100)의 내부 방향으로 유동시키거나, 웨이퍼 수납용기(100)의 반대 방향으로 유동시키는 기능을 하게 된다.In detail, the air flow control device 400 of the FM system 10' according to the second preferred embodiment of the present invention controls the direction of the descending air flow D according to the change in its angle, thereby reducing the descending air flow ( D) is to flow in the inner direction of the wafer storage container 100, or to function to flow in the opposite direction of the wafer storage container 100.

반면, 본 발명의 바람직한 제3실시 예에 따른 이에프이엠 시스템의 기류제어장치의 경우, 그 각도의 변화에 따라 하강기류의 방향을 제어한다는 측면에서는 기능적으로 동일하나, 하강기류를 웨이퍼 반송실의 내부에서 웨이퍼 반송실의 외측 방향으로 유동시키거나, 웨이퍼 반송실의 내측 방향으로 유동시킨다는 점에서 기능 측면에서 다소 차이가 있는 것이다.On the other hand, in the case of the air flow control device of the FM system according to the third preferred embodiment of the present invention, it is functionally the same in terms of controlling the direction of the descending air flow according to the change in the angle, but the descending air flow is inside the wafer transfer chamber. It is somewhat different in terms of function in that it flows in the outer direction of the wafer transfer chamber or in the inner direction of the wafer transfer chamber.

위와 같이, 본 발명의 바람직한 제3실시 예에 따른 이에프이엠 시스템의 기류제어장치는 웨이퍼 반송실의 내부 환경에 따라, 하강기류를 웨이퍼 반송실의 내부에서 웨이퍼 반송실의 외측 방향으로 유동시키거나, 웨이퍼 반송실의 내측 방향으로 유동시킴으로써, 웨이퍼 반송실의 내부에 하강기류가 유동되지 못하는 사영역의 발생을 최소화하고, 균일한 하강기류의 흐름을 보장할 수 있는 효과가 있다.As described above, the air flow control apparatus of the FM system according to the third preferred embodiment of the present invention flows the descending air flow from the inside of the wafer transfer chamber to the outside of the wafer transfer chamber according to the internal environment of the wafer transfer chamber, By flowing in the inner direction of the wafer transfer chamber, there is an effect of minimizing the generation of a dead region in which the descending air flow does not flow in the wafer transfer chamber and ensuring uniform flow of the descending air.

또한, 위와 같은 기류제어장치의 기능 및 효과와 더불어 본 발명의 바람직한 제3실시 예에 따른 이에프이엠 시스템의 웨이퍼 수납용기는 전술한 본 발명의 바람직한 제1, 2실시 예에 따른 이에프이엠 시스템(10, 10')의 웨이퍼 수납용기(100)와 달리, 웨이퍼 수납용기의 내부에 가스가 분사/배기 되지 않는 형태로 구비될 수도 있다.In addition, in addition to the functions and effects of the airflow control device as described above, the wafer storage container of the FPM system according to the third preferred embodiment of the present invention, the FFM system 10 according to the preferred first and second embodiments of the present invention described above , 10'), the gas may be provided in a form in which gas is not injected/exhausted inside the wafer storage container 100.

이는, 본 발명의 바람직한 제3실시 예에 따른 이에프이엠 시스템은, 웨이퍼 반송실의 내부 환경에 따라 웨이퍼 반송실의 하강기류의 유동 방향을 제어함으로써, 이에프이엠의 내부 환경, 즉, 웨이퍼 반송실의 내부 환경에 변화를 주는 것이므로, 웨이퍼 수납용기의 내부 환경을 고려하지 않더라도 그 목적을 달성할 수 있기 때문이다.This, the FMF system according to a third preferred embodiment of the present invention, by controlling the flow direction of the descending air flow of the wafer transfer chamber according to the internal environment of the wafer transfer chamber, the internal environment of the FPM, that is, the wafer transfer chamber This is because it is possible to achieve the purpose without considering the internal environment of the wafer storage container because it changes the internal environment.

이하, 본 발명의 바람직한 제3실시 예에 따른 이에프이엠 시스템의 제어부에 대해 설명한다.Hereinafter, a control unit of the FM system according to a third preferred embodiment of the present invention will be described.

제어부는 농도센서, 습도센서, 유량센서, 온도센서, 히터, 송출부, 제2-1배기부, 제2-2배기부, 제2-3배기부, 제2-4배기부, 구동부, 기류제어장치히터 및 가스분사부와 연결되어 있다.The control unit includes a concentration sensor, a humidity sensor, a flow sensor, a temperature sensor, a heater, a delivery unit, a 2-1 exhaust unit, a 2-2 exhaust unit, a 2-3 exhaust unit, a 2-4 exhaust unit, a driving unit, air flow It is connected to the control unit heater and gas injection unit.

농도센서, 습도센서, 유량센서, 온도센서는 이에프이엠의 웨이퍼 반송실의 내부 환경을 측정하는 센서들이다.Concentration sensors, humidity sensors, flow sensors, and temperature sensors are sensors that measure the internal environment of the wafer transfer room of FMS.

또한, 히터, 농도센서, 습도센서, 유량센서, 온도센서는 웨이퍼 반송실의 내부에 복수개가 구비될 수 있다.In addition, a plurality of heaters, concentration sensors, humidity sensors, flow sensors, and temperature sensors may be provided inside the wafer transfer chamber.

이하, 농도센서, 습도센서, 유량센서 및 온도센서를 '측정요소'라 한다.Hereinafter, a concentration sensor, a humidity sensor, a flow sensor, and a temperature sensor are referred to as'measurement elements'.

히터는 이에프이엠의 내부, 즉, 웨이퍼 반송실의 내부의 온도를 제어하는 요소이며, 송출부 및 제2-1 내지 제2-4배기부는 이에프이엠의 내부, 즉, 웨이퍼 반송실의 내부로의 가스의 송출 및 배기를 각각 제어하는 요소들이다.The heater is an element that controls the temperature inside the FM, that is, the inside of the wafer transfer chamber, and the delivery unit and the 2-1 to 2-4 exhaust units are internal to the IFM, that is, into the wafer transfer chamber. These are the elements that control the delivery and exhaust of gas respectively.

이하, 히터, 송출부, 제2-1 내지 제2-4배기부, 구동부, 기류제어장치히터 및 가스분사부를 '제어요소' 라 한다.Hereinafter, the heater, the delivery unit, the 2-1 to 2-4 exhaust units, the driving unit, the airflow control device heater and the gas injection unit are referred to as'control elements'.

제어부는 측정요소 중 적어도 어느 하나를 통해 측정된 이에프이엠의 웨이퍼 반송실의 내부의 환경에 따라 제어요소의 작동을 선택적으로 제어함으로써, 웨이퍼 반송실의 하강기류를 웨이퍼 반송실의 외측 방향으로 유동시키거나, 웨이퍼 반송실의 내측 방향으로 유동시킴으로써, 웨이퍼 반송실의 내부에 하강기류가 유동되지 못하는 사영역의 발생을 최소화하고, 균일한 하강기류의 흐름을 달성하는 기능을 한다.The control unit selectively controls the operation of the control element according to the environment inside the wafer transfer chamber of the FA measured through at least one of the measurement elements, thereby allowing the descending air flow of the wafer transfer chamber to flow outward of the wafer transfer chamber. Or, by flowing in the inner direction of the wafer transfer chamber, the function of minimizing the generation of a dead zone in which the downdraft cannot flow in the wafer transfer chamber and achieving a uniform downdraft flow.

이 경우, 제어부는 측정요소를 통해 측정된 값들이 제어부에 기설정된 농도제한값, 습도제한값, 유량제한값, 온도제한값을 초과하는지 또는 미만인지 여부에 따라 제어요소의 작동을 제어하게 된다.In this case, the control unit controls the operation of the control element according to whether the values measured through the measurement element exceed or are less than the concentration limit value, humidity limit value, flow rate limit value, and temperature limit value set in the control unit.

물론, 제어부에 기설정된 농도제한값, 습도제한값, 유량제한값, 온도제한값은 웨이퍼 반송실 내부의 농도제한값, 습도제한값, 유량제한값, 온도제한값을 의미한다.Of course, the concentration limit values, humidity limit values, flow rate limit values, and temperature limit values set in the control unit mean concentration limit values, humidity limit values, flow rate limit values, and temperature limit values inside the wafer transfer chamber.

이하, 전술한 구성요소를 갖는 본 발명의 바람직한 제3실시 예에 따른 이에프이엠 시스템의 웨이퍼 반송실 내부의 환경을 제어하는 동작에 대해 설명한다.Hereinafter, an operation of controlling the environment inside the wafer transfer chamber of the FM system according to the third preferred embodiment of the present invention having the above-described components will be described.

이에프이엠 시스템의 웨이퍼 반송실 내부의 환경을 제어하는 동작은 제어부를 통해 이루어지게 된다.The operation of controlling the environment inside the wafer transfer chamber of the FM system is performed through a control unit.

먼저, 측정요소 중 농도센서에 의해 웨이퍼 반송실 내부의 환경을 제어하는 것에 대해 설명한다.First, the control of the environment inside the wafer transfer chamber by the concentration sensor among the measurement elements will be described.

복수개의 농도센서 중 어느 하나의 농도센서에서 측정된 농도값이 기설정된 농도제한값을 초과하는 경우, 제어부는 웨이퍼 반송실의 내부에서 상기 어느 하나의 농도센서가 위치한 영역(이하, '유동필요영역' 이라 한다)에 하강기류의 유동이 제대로 이루어지지 않고 있다고 판단하게 된다.When the concentration value measured by any one of the plurality of concentration sensors exceeds a preset concentration limit value, the control unit is an area where the one concentration sensor is located (hereinafter referred to as a'flow required area') in the wafer transfer chamber. It is judged that the flow of the downdraft is not properly performed.

따라서, 제어부는 구동부를 작동시켜 기류제어장치의 각도를 조절함으로써, 기류제어장치를 통해 하강기류를 유동필요영역에 유동시키고, 제2-1 내지 제2-4배기부 중 유동필요영역과 가까운 위치의 배기부를 작동시켜, 하강기류, 즉, 가스의 배기가 원할히 이루어지게 한다.Accordingly, the control unit operates the driving unit to adjust the angle of the air flow control device, thereby flowing the descending air flow to the flow required area through the air flow control device, and the position closer to the flow required area of the 2-1 to 2-4 exhaust parts. By operating the exhaust portion of the down stream, that is, the exhaust of the gas is made smoothly.

다시 말해, 제어부는 농도제한값을 초과하는 농도값이 측정된 유동필요영역에 하강기류를 집중적으로 유동시킴과 동시에 유동된 하강기류의 배기를 집중적으로 함으로써, 유동필요영역의 농도값, 즉, 오염도를 낮추는 것이다.In other words, the control unit intensively flows the downdraft to the flow-required region where the concentration value exceeding the concentration limit value is measured, and at the same time concentrates the exhaust of the flowed downdraft, thereby determining the concentration value of the flow-required region, that is, the pollution Is to lower it.

위와 같이, 제어부를 통해 하강기류의 기류제어가 이루어지게 됨으로써, 웨이퍼 반송실 내의 사영역의 발생이 억제될 뿐만 아니라, 웨이퍼 반송실 내의 균일한 하강기류의 유동을 통한 오염물질(즉, 퓸)의 제거가 원할히 이루어질 수 있다는 효과가 있다.As described above, by controlling the air flow of the descending air stream through the control unit, not only the generation of dead areas in the wafer transport chamber is suppressed, but also the contamination (ie, fume) through the flow of the uniform descending air stream in the wafer transport chamber. The effect is that the removal can be done smoothly.

이하, 측정요소 중 습도센서에 의해 웨이퍼 반송실 내부의 환경을 제어하는 것에 대해 설명한다.Hereinafter, controlling the environment inside the wafer transfer chamber by the humidity sensor among the measurement elements will be described.

복수개의 습도센서 중 어느 하나의 습도센서에서 측정된 농도값이 기설정된 습도제한값을 초과하는 경우, 제어부는 웨이퍼 반송실의 내부에서 상기 어느 하나의 습도센서가 위치한 영역(이하, '히팅필요영역' 이라 한다)의 습도가 높다고 판단하게 된다.When the concentration value measured by any one of the plurality of humidity sensors exceeds a preset humidity limit value, the control unit is an area (hereinafter referred to as'heating required area') in which the humidity sensor is located inside the wafer transfer chamber. It is judged that the humidity is high).

따라서, 제어부는 구동부를 작동시켜 기류제어장치의 각도를 조절함으로써, 기류제어장치를 통해 하강기류를 히팅필요영역에 유동시키고, 복수개의 히터 중 히팅필요영역과 가까운 위치의 히터를 작동시켜, 히팅필요영역의 온도를 높이게 된다.Therefore, the control unit controls the angle of the air flow control device by operating the driving unit, thereby flowing the descending air flow through the air flow control device to the heating required area, and operating the heater near the heating required area among the plurality of heaters, thereby requiring heating. This will increase the temperature of the zone.

다시 말해, 제어부는 습도제한값을 초과하는 습도값이 측정된 히팅필요영역에 하강기류를 집중적으로 유동시킴과 동시에 온도를 올려줌으로써, 히팅필요영역의 습도값, 즉, 습기를 제거하는 것이다.In other words, the control unit intensively flows the downdraft to the heating required area where the humidity value exceeding the humidity limit is measured, and simultaneously increases the temperature, thereby removing the humidity value of the heating required area, that is, moisture.

위와 같이, 제어부를 통해 웨이퍼 반송실 내부의 하강기류 및 온도 가열이 이루어지게 됨으로써, 웨이퍼 반송실 내의 습도를 낮추거나, 습기를 제거할 수 있으며, 이를 통해, 웨이퍼 반송실의 내부에서 이송되는 웨이퍼에 습기로 인한 산화가 발생하는 것을 미연에 차단할 수 있다는 효과가 있다.As described above, by descending air flow and temperature heating in the wafer transfer chamber through the control unit, the humidity in the wafer transfer chamber can be lowered or moisture can be removed. Through this, the wafer transferred from the wafer transfer chamber is transferred to the wafer. There is an effect that it can block the occurrence of oxidation due to moisture.

또한, 제어부는 히터뿐만 아니라 히팅필요영역과 가까운 기류제어장치히터를 작동시킴으로써, 웨이퍼 반송실의 내부를 가열함과 동시에, 하강기류를 가열함으로써, 웨이퍼 반송실 내의 습기를 제거할 수도 있다.In addition, the control unit may remove the moisture in the wafer transfer chamber by operating the heater, as well as the airflow control device heater close to the heating required area, heating the inside of the wafer transfer chamber, and heating the downdraft.

또한, 위와 같이, 히터 또는 기류제어장치히터를 통해 웨이퍼 반송실의 내부를 가열시켜 습기를 제거할 때, 복수개의 온도센서 중 온도제한값을 초과하는 온도센서가 있는 경우, 제어부는 그 영역의 히터 또는 기류제어장치히터의 작동을 멈춤으로써, 웨이퍼 반송실 내의 온도를 적절한 온도로 유지시킬 수 있다.In addition, as described above, when removing the moisture by heating the inside of the wafer transfer chamber through the heater or airflow control device heater, if there is a temperature sensor exceeding the temperature limit value among the plurality of temperature sensors, the control unit controls the heater of the area or By stopping the operation of the air flow control device heater, the temperature in the wafer transfer chamber can be maintained at an appropriate temperature.

이하, 측정요소 중 유량센서에 의해 웨이퍼 반송실 내부의 환경을 제어하는 것에 대해 설명한다.Hereinafter, controlling the environment inside the wafer transfer chamber by the flow sensor among the measurement elements will be described.

복수개의 유량센서 중 어느 하나의 유량센서에서 측정된 유량값이 기설정된 유량제한값 미만인 경우, 제어부는 웨이퍼 반송실의 내부에서 상기 어느 하나의 유량센서가 위치한 영역(이하, '유량공급필요영역' 이라 한다)에 하강기류의 유동이 제대로 이루어지지 않고 있다고 판단하게 된다.When the flow rate value measured by any one of the plurality of flow rate sensors is less than a predetermined flow rate limit value, the control unit is an area (hereinafter referred to as a'flow rate supply area') in which the flow rate sensor is located inside the wafer transfer chamber. It is judged that the flow of the downdraft is not properly performed.

따라서, 제어부는 구동부를 작동시켜 기류제어장치의 각도를 조절함으로써, 기류제어장치를 통해 하강기류를 유량공급필요영역에 유동시켜, 하강기류, 즉, 가스의 유동 유량이 충분히 공급될 수 있게 한다.Accordingly, the control unit operates the driving unit to adjust the angle of the air flow control device, thereby allowing the descending air stream to flow through the air flow control device to the flow supply required area, so that the down stream, that is, the flow rate of the gas can be sufficiently supplied.

다시 말해, 제어부는 농도제한값을 초과하는 농도값이 측정된 유량공급필요영역에 하강기류를 집중적으로 유동시킴으써, 유량공급필요영역의 공급 유량을 늘려주는 것이다.In other words, the control unit increases the supply flow rate of the flow rate supply area by intensively flowing the descending air flow to the flow rate supply area where the concentration value exceeding the concentration limit value is measured.

위와 같이, 제어부를 통해 하강기류의 기류제어가 이루어지게 됨으로써, 웨이퍼 반송실 내의 사영역의 발생이 억제될 뿐만 아니라, 웨이퍼 반송실 내의 균일한 하강기류의 유동을 달성할 수 있다.As described above, by controlling the airflow of the descending air stream through the control unit, not only the generation of dead areas in the wafer transport chamber is suppressed, but also the uniform downdraft flow in the wafer transport chamber can be achieved.

또한, 송출부 또는 가스분사부에서 송출 또는 분사되는 가스의 양을 늘려줌으로써, 유량공급필요영역에 공급(또는 유동)되는 하강기류(또는 가스)의 양을 용이하게 늘려줄 수 있다.In addition, by increasing the amount of gas that is delivered or injected from the delivery unit or the gas injection unit, it is possible to easily increase the amount of the descending air stream (or gas) supplied (or flowed) to the flow rate supply required area.

전술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 제1 내지 제3실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 통상의 기술자는 하기의 특허 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 또는 변형하여 실시할 수 있다.As described above, although it has been described with reference to preferred first to third embodiments of the present invention, those skilled in the art may view the present invention without departing from the spirit and scope of the present invention as set forth in the claims below. The invention can be carried out in various modifications or variations.

10, 10': 이에프이엠 시스템
100: 웨이퍼 수납용기 110: 주입부
120: 제1배기부 130: 농도센서
140: 습도센서 150: 유량센서
160: 온도센서 170: 히터
190: 적재장치
200: 이에프이엠 210: 웨이퍼 반송실
211: 송출부 212: 제2배기부
212a: 제2-1배기부 212b: 제2-2배기부
212c: 제2-3배기부 212d: 제2-4배기부
213: 개구 214: 벽면
300, 300': 제어부
400: 기류제어장치 410: 앞전
420: 뒷전 430: 제1볼록부
440: 제2볼록부 450: 구동부
460: 기류제어장치히터 470: 가스분사부
D: 하강기류 D1: 제1볼록부기류
D2: 제2볼록부기류 I: 주입기류
L: 층류 W: 웨이퍼10, 10': FM System
100: wafer storage container 110: injection section
120: first exhaust unit 130: concentration sensor
140: humidity sensor 150: flow sensor
160: temperature sensor 170: heater
190: loading device
200: FM 210: wafer transfer room
211: sending unit 212: second exhaust unit
212a: 2-1 exhaust section 212b: 2-2 exhaust section
212c: 2-3 exhaust 212d: 2-4 exhaust
213: opening 214: wall surface
300, 300': Control
400: air flow control device 410: front war
420: trailing edge 430: first convexity
440: second convex portion 450: driving portion
460: air flow control device heater 470: gas injection unit
D: descending air stream D1: first convex air stream
D2: Second convex erection I: Injector
L: laminar flow W: wafer

Claims (6)

웨이퍼 수납용기와 접속되는 웨이퍼 반송실과, 상기 웨이퍼 반송실의 상부에 구비되며, 상기 웨이퍼 반송실에 가스를 송출하여 하강기류를 형성하는 송출부를 구비한 이에프이엠을 갖는 이에프이엠 시스템에 있어서,
상기 하강기류의 방향을 제어하는 기류제어장치;
상기 웨이퍼 반송실의 하부에 구비되어 상기 웨이퍼 반송실 내부의 가스를 배기하는 제2-1 내지 제2-4배기부;
상기 웨이퍼 반송실의 내부의 유해가스의 농도를 측정하도록 상기 웨이퍼 반송실의 내부에 구비되는 복수개의 농도센서; 및
상기 기류제어장치, 상기 제2-1 내지 제2-4배기부 및 상기 복수개의 농도센서와 연결되는 제어부;를 포함하고,
상기 제2-1 내지 제2-4배기부 각각에는 흡인력을 발생시키며, 상기 제어부에 의해 개별적으로 작동되는 흡인팬이 구비되고,
상기 복수개의 농도센서 중 어느 하나의 농도센서에서 측정된 농도값이 기설정된 농도제한값을 초과하는 경우, 상기 제어부는, 상기 기류제어장치를 제어하여 상기 웨이퍼 반송실의 내부에서 상기 어느 하나의 농도센서가 위치한 영역인 유동필요영역에 상기 하강기류를 유동시키고, 상기 제2-1 내지 제2-4배기부 중 상기 유동필요영역과 가까운 위치의 배기부의 흡인팬을 작동시키는 것을 특징으로 하는 이에프이엠 시스템.In the FPM system having a wafer transfer chamber that is connected to the wafer storage container, and provided in the upper portion of the wafer transfer chamber, the FPM having a sending section for sending gas to the wafer transfer chamber to form a descending air stream,
Air flow control device for controlling the direction of the descending air flow;
2-1 to 2-4 exhaust units provided below the wafer transfer chamber to exhaust gas inside the wafer transfer chamber;
A plurality of concentration sensors provided inside the wafer transfer chamber to measure the concentration of harmful gas inside the wafer transfer chamber; And
Includes; the air flow control device, the 2-1 to 2-4 exhaust unit and a control unit connected to the plurality of concentration sensors;
Each of the 2-1 to 2-4 exhaust parts generates a suction force, and is provided with a suction fan that is individually operated by the controller,
When the concentration value measured by any one of the plurality of concentration sensors exceeds a predetermined concentration limit value, the control unit controls the airflow control device to control any one of the concentration sensors in the wafer transfer chamber. The FM system, characterized in that the descending air flows in a flow-required area, where is located, and operates a suction fan of an exhaust part located near the flow-required area among the 2-1 to 2-4 exhaust parts. . 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102227652B1 (en) 2020-05-20 2021-03-12 이건희 Efem having a fume flow controlling means
CN113611641A (en) * 2021-07-29 2021-11-05 上海华力微电子有限公司 Wafer transfer box

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004200669A (en) * 2002-12-02 2004-07-15 Rorze Corp Minienvironment equipment, sheet-like object manufacturing system, and method of replacing atmosphere in sanitized vessel
JP2007220773A (en) * 2006-02-15 2007-08-30 Hitachi High-Tech Control Systems Corp Mini environment device, and clean room equipment using same

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0682070A (en) * 1992-09-02 1994-03-22 Ricoh Co Ltd System for maintaining cleanness in clean room
JP6268425B2 (en) 2013-07-16 2018-01-31 シンフォニアテクノロジー株式会社 EFEM, load port, wafer transfer method
JP6287515B2 (en) 2014-04-14 2018-03-07 Tdk株式会社 EFEM system and lid opening / closing method
KR101744953B1 (en) * 2015-05-12 2017-06-09 주식회사 스피드터치 An Equipment Front End Module having low dew point and low temperature

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004200669A (en) * 2002-12-02 2004-07-15 Rorze Corp Minienvironment equipment, sheet-like object manufacturing system, and method of replacing atmosphere in sanitized vessel
JP2007220773A (en) * 2006-02-15 2007-08-30 Hitachi High-Tech Control Systems Corp Mini environment device, and clean room equipment using same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230111298A (en) 2022-01-18 2023-07-25 주식회사 저스템 Exhaust apparatus for air flow stabilization in equipment front end module and semiconductor process device comprising the same

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