KR20230053082A - Chamber apparatus for buffering wafer - Google Patents

Chamber apparatus for buffering wafer Download PDF

Info

Publication number
KR20230053082A
KR20230053082A KR1020210136229A KR20210136229A KR20230053082A KR 20230053082 A KR20230053082 A KR 20230053082A KR 1020210136229 A KR1020210136229 A KR 1020210136229A KR 20210136229 A KR20210136229 A KR 20210136229A KR 20230053082 A KR20230053082 A KR 20230053082A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas
chamber
heating
inert gas
wafer
Prior art date
Application number
KR1020210136229A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102606707B1 (en
Inventor
이호민
허진우
Original Assignee
주식회사 저스템
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 저스템 filed Critical 주식회사 저스템
Priority to KR1020210136229A priority Critical patent/KR102606707B1/en
Publication of KR20230053082A publication Critical patent/KR20230053082A/en
Priority to KR1020230163205A priority patent/KR20230162916A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102606707B1 publication Critical patent/KR102606707B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D46/00—Filters or filtering processes specially modified for separating dispersed particles from gases or vapours
    • B01D46/42—Auxiliary equipment or operation thereof
    • B01D46/44—Auxiliary equipment or operation thereof controlling filtration
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67769—Storage means

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Drying Of Solid Materials (AREA)

Abstract

The present invention relates to a chamber apparatus for a wafer buffer which buffers a wafer. The chamber apparatus for a wafer buffer comprises: a buffer chamber part stacking a plurality of wafers to buffer the wafers; a wafer heating part inserted between the stacking spaces of the wafers to perform heating underneath the wafers; a gas introduction part introducing inert gas; a gas injection part injecting the inert gas between the stacking spaces of the wafers; and a gas discharge part discharging the inert gas. Therefore, the present invention provides the effect of improving the yield of substrates by facilitating humidity adjustment and temperature increases of substrates and improving the heating efficiency of the substrates by installing the wafer heating part between the stacking spaces of wafer substrates of the buffer chamber part to heat the substrates underneath the substrates by a hotplate heater installed between the stacked wafer substrates.

Description

웨이퍼 버퍼용 챔버장치{CHAMBER APPARATUS FOR BUFFERING WAFER}Chamber device for wafer buffer {CHAMBER APPARATUS FOR BUFFERING WAFER}

본 발명은 웨이퍼 버퍼용 챔버장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체용 웨이퍼의 처리공정 중에서 웨이퍼를 버퍼링하는 웨이퍼 버퍼용 챔버장치에 관한 것이다.The present invention relates to a chamber device for a wafer buffer, and more particularly, to a chamber device for a wafer buffer that buffers a wafer during a process of processing a semiconductor wafer.

일반적으로 반도체 제조 공정은 식각, 증착, 에칭과 같은 다양한 단위 공정들이 순차적으로 반복된다. 각 공정 처리 과정에서 기판 상에 이물질 또는 오염물질 잔존하게 되어 기판에 불량 발생하거나 손상되어 기판 수율이 낮아지는 문제가 있었다.In general, in a semiconductor manufacturing process, various unit processes such as etching, deposition, and etching are sequentially repeated. Foreign substances or contaminants remain on the substrate during each process, resulting in defects or damage to the substrate, resulting in low substrate yield.

따라서, 반도체 제조 공정 후, 기판에 잔존하는 부산물 및 오염 물질을 제거하기 위하여, 기판 이송 경로 상에 버퍼 챔버를 구성하였다. 버퍼 챔버는 내부에 기판 퍼지 기능을 수행하여 부산물 및 오염 물질의 제거, 교차 오염 방지, 습도와 산소 농도 제어하는 효과를 얻을 수 있다. 일반적인 버퍼 챔버는 기판을 수납하는 FOUP(Front Opening Unified Pod) 이송 모듈인 EFEM(Equipment Front End Module) 장치의 측부에 위치하며, 25매 이상의 기판을 수납한다.Therefore, in order to remove by-products and contaminants remaining on the substrate after the semiconductor manufacturing process, a buffer chamber was constructed on the substrate transfer path. By performing a substrate purging function inside the buffer chamber, effects of removing by-products and contaminants, preventing cross-contamination, and controlling humidity and oxygen concentration can be obtained. A typical buffer chamber is located on the side of an Equipment Front End Module (EFEM) device, which is a FOUP (Front Opening Unified Pod) transport module for accommodating substrates, and accommodates 25 or more substrates.

종래에는 웨이퍼가 적재되는 웨이퍼 카세트, 및 웨이퍼 카세트에 적재된 웨이퍼의 퓸을 배기하는 배기부를 포함하며, 웨이퍼 카세트는 양측면에 구비되어 웨이퍼가 적재되는 적재대, 및 전방에 구비되어 적재대에 적재되는 웨이퍼가 출입하는 전방 개구부를 포함하며, 적재대는 적재대에 적재된 웨이퍼에 퍼지가스를 공급하는 퍼지 가스 배출구가 구비되는 퓸 제거 장치에 대하여 기재되어 있다.Conventionally, it includes a wafer cassette on which wafers are loaded, and an exhaust unit for exhausting fumes of the wafers loaded on the wafer cassette, and the wafer cassette is provided on both sides of the wafer cassette, a loading table on which wafers are loaded, and a loading table provided on the front and loaded on the loading table A fume removal device includes a front opening through which wafers enter and exit, and the loading table is provided with a purge gas outlet for supplying a purge gas to the wafers loaded on the loading table.

또한, 다른 종래에는 사이드 스트리지 내부에 기판을 수용하는 수용공간을 갖고, 기판을 세정하는 퍼지 가스를 공급하는 가스 공급부 및 외부와 연통되어 기판으로부터 분리된 오염물과 퍼지 가스를 배출하는 다수의 배기용 개구를 구비하는 챔버, 챔버의 내측벽을 따라 일정한 간격으로 배치되어 기판을 개별적으로 적재하는 다수의 기판 지지부재 및 각 기판 지지부재에 배치되어 가스 공급부와 개별적으로 연결되고 기판의 상면으로 퍼지 가스를 분사하는 적어도 하나의 가스 분사구를 구비하는 기판 지지부재 및 배기용 개구와 연결되어 오염물을 외부로 방출하는 배기유닛을 포함하는 사이드 스토리지 및 이를 구비하는 반도체 소자 제조 설비에 대하여 기재되어 있다.In addition, another prior art has a receiving space for accommodating the substrate inside the side storage, a gas supply unit for supplying a purge gas for cleaning the substrate, and a plurality of exhausts for discharging contaminants and purge gas separated from the substrate in communication with the outside A chamber having an opening, a plurality of substrate support members disposed at regular intervals along the inner wall of the chamber to individually load substrates, and disposed on each substrate support member to be individually connected to a gas supply unit and to supply a purge gas to the upper surface of the substrate. A side storage including a substrate support member having at least one gas injection hole for spraying and an exhaust unit connected to an exhaust opening to discharge contaminants to the outside and a semiconductor device manufacturing facility including the same are described.

또한, 다른 종래에는 버퍼챔버에서 질소가스를 버퍼챔버에 공급하기 위한 퍼지홀, 퍼지홀에 연결되는 질소가스 공급관, 공급관에 설치되어 질소가스의 유량을 제어하는 유량제어기를 포함하여 이루어진 버퍼챔버의 퍼지시스템으로 퍼지홀이 바닥면에 다수개 형성되고 버퍼챔버의 상부에 설치되어 버퍼챔버 내부에 질소가스를 골고루 분사시켜 주는 질소공급튜브를 포함하여 이루어진 버퍼챔버의 퍼지시스템에 대하여 기재되어 있다.In addition, in another prior art, the buffer chamber is purged including a purge hole for supplying nitrogen gas to the buffer chamber, a nitrogen gas supply pipe connected to the purge hole, and a flow controller installed in the supply pipe to control the flow rate of nitrogen gas. As a system, a purge system of a buffer chamber including a nitrogen supply tube having a plurality of purge holes formed on the bottom surface and installed on the top of the buffer chamber to evenly inject nitrogen gas into the buffer chamber is described.

상술한 종래 기술은, 버퍼 챔버 내에 퍼지 가스를 공급하나, 가스가 공급되어 배기되는 경로가 버퍼 챔버 내 일측에 배치되었다. 이는 버퍼 챔버 내에 적재된 모든 기판의 상부 및 하부를 각각 통과하기 어려울 뿐만 아니라 퍼지 가스의 습도 제어가 어려우므로, 기판에 잔류하는 파티클 및 오염물질이 충분히 제거될 수 없어, 불량 발생률이 높고, 수율이 낮은 문제점이 있었다.In the prior art described above, a purge gas is supplied into the buffer chamber, but a path through which the gas is supplied and exhausted is disposed on one side of the buffer chamber. It is difficult to pass through the upper and lower portions of all the substrates loaded in the buffer chamber, respectively, and it is difficult to control the humidity of the purge gas, so particles and contaminants remaining on the substrate cannot be sufficiently removed, resulting in a high defect rate and low yield. There were low problems.

대한민국 등록특허 제10-1353033호 (2014년01월23일)Republic of Korea Patent Registration No. 10-1353033 (January 23, 2014) 대한민국 공개특허 제10-2016-0047994호 (2016년05월03일)Republic of Korea Patent Publication No. 10-2016-0047994 (May 03, 2016) 대한민국 등록특허 제10-1099371호 (2011년12월29일)Republic of Korea Patent No. 10-1099371 (December 29, 2011)

본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해소하기 위해 안출한 것으로서, 버퍼 챔버부의 웨이퍼 기판의 적층공간의 사이에 기판을 가열하는 웨이퍼 히터부를 설치함으로써, 적층된 웨이퍼 기판의 사이에 설치된 열판 히터에 의해 기판의 하부에서 가열하여 기판의 가열효율을 향상시키는 동시에 기판의 온도 상승 및 습도 조절을 용이하게 하여 기판의 수율을 향상시킬 수 있는 웨이퍼 버퍼용 챔버장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다. The present invention has been made to solve the above conventional problems, by installing a wafer heater unit for heating substrates between stacking spaces of wafer substrates in a buffer chamber unit, by using a hot plate heater installed between stacked wafer substrates. It is an object of the present invention to provide a chamber device for a wafer buffer capable of improving substrate yield by heating from a lower portion of the substrate to improve substrate heating efficiency and at the same time facilitating temperature rise and humidity control of the substrate.

또한, 본 발명은 가스 분사부의 내부에 가스 히팅부를 설치하여 가스를 히팅함으로써, 웨이퍼의 버퍼링시 내부 분위기의 습도 상승에 의한 불량을 감소시키고 고온건조한 가스를 분사하여 기판의 버퍼링을 향상시킬 수 있는 웨이퍼 버퍼용 챔버장치를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다. In addition, the present invention is to install a gas heating unit inside the gas dispensing unit to heat the gas, thereby reducing defects due to the increase in humidity of the internal atmosphere during buffering of the wafer and injecting high-temperature dry gas to improve the buffering of the substrate. Another object is to provide a chamber device for a buffer.

또한, 본 발명은 가스 히팅부가 불활성 기체의 가스 저장조의 내부에 삽입된 스테인리스 히터로 이루어져 있음으로써, 히터의 둘레에 가스를 유동시켜 가스의 히팅 성능을 향상시킬 수 있는 웨이퍼 버퍼용 챔버장치를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다. In addition, the present invention provides a wafer buffer chamber device capable of improving the heating performance of the gas by flowing the gas around the heater by making the gas heating unit inserted into the inside of the gas storage tank of the inert gas, that serves another purpose.

또한, 본 발명은 버퍼 챔버부의 하부에 불활성 기체를 히팅하여 유출시키는 히팅 챔버부를 구비함으로써, 별도의 히팅 챔버에서 불활성 기체를 히팅하여 버퍼 챔버부에 분사함으로써, 가스의 히팅효율 및 분사효율을 향상시킬 수 있는 웨이퍼 버퍼용 챔버장치를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다. In addition, the present invention is to improve the heating efficiency and injection efficiency of the gas by providing a heating chamber unit for heating and discharging inert gas at the lower part of the buffer chamber unit, heating the inert gas in a separate heating chamber and spraying it to the buffer chamber unit. Another object is to provide a chamber device for a wafer buffer that can be used.

또한, 본 발명은 히팅 챔버부로서 히팅 챔버와 제1 필터와 히팅바와 제2 필터와 온도센서와 체크밸브를 구비함으로써, 복수의 히팅바에 의해 불활성 기체와의 접촉 면적을 증가시켜 히팅성능을 향상시키는 동시에 필터와 센서에 의해 불활성 기체의 청결도와 온도제어성을 향상시킬 수 있는 웨이퍼 버퍼용 챔버장치를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다. In addition, the present invention provides a heating chamber, a first filter, a heating bar, a second filter, a temperature sensor, and a check valve as a heating chamber unit, thereby increasing a contact area with an inert gas by a plurality of heating bars to improve heating performance. At the same time, another object is to provide a chamber device for a wafer buffer capable of improving the cleanliness and temperature controllability of an inert gas by means of a filter and a sensor.

또한, 가스 유출부의 내부에 설치되어 불활성 기체의 유출 기류를 제어하도록 복수의 블레이드로 각도를 조절하는 유출 조절부를 구비함으로써, 불활성 기체의 유출 기류를 제어하여 불활성 기체의 배출성능을 향상시킬 수 있는 웨이퍼 버퍼용 챔버장치를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다. In addition, a wafer capable of improving the discharge performance of the inert gas by controlling the outflow airflow of the inert gas by having an outflow controller installed inside the gas outlet and adjusting the angle with a plurality of blades to control the outflow airflow of the inert gas. Another object is to provide a chamber device for a buffer.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 웨이퍼를 버퍼링하는 웨이퍼 버퍼용 챔버장치로서, 복수매의 웨이퍼를 적층하여 버퍼링하는 버퍼 챔버부(10); 상기 웨이퍼의 적층 공간의 사이에 삽입되어 상기 웨이퍼의 하부에서 히팅하는 웨이퍼 히팅부(20); 상기 버퍼 챔버부(10)의 하부에 설치되어, 불활성 기체를 유입시키는 가스 유입부(30); 상기 버퍼 챔버부(10)의 측부에 설치되어, 상기 웨이퍼의 적층 공간의 사이에 불활성 기체를 분사하는 가스 분사부(40); 및 상기 버퍼 챔버부(10)의 상부에 설치되어, 불활성 기체를 유출시키는 가스 유출부(50);를 포함하는 것을 특징으로 한다.The present invention for achieving the above object is a wafer buffer chamber device for buffering a wafer, comprising: a buffer chamber unit 10 for stacking and buffering a plurality of wafers; a wafer heating unit 20 that is inserted between the stacking spaces of the wafers and heats the lower portion of the wafers; a gas inlet 30 installed below the buffer chamber 10 to introduce an inert gas; a gas spraying unit 40 installed on a side of the buffer chamber unit 10 and spraying an inert gas between the stacking spaces of the wafers; and a gas outlet 50 installed above the buffer chamber 10 to discharge an inert gas.

또한, 본 발명은 상기 가스 분사부(40)의 불활성 기체의 가스 저장조에 설치되어, 불활성 기체를 히팅하는 가스 히팅부(60);를 더 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 상기 가스 히팅부(60)는, 불활성 기체의 가스 저장조의 내부에 삽입된 스테인리스 히터로 이루어져 있는 것을 특징으로 한다.In addition, the present invention is characterized in that it further comprises; a gas heating unit 60 installed in the gas storage tank of the inert gas of the gas injection unit 40 to heat the inert gas. The gas heating unit 60 of the present invention is characterized in that it consists of a stainless steel heater inserted into the gas storage tank of inert gas.

또한, 본 발명은 상기 버퍼 챔버부(10)의 하부에 설치되어, 불활성 기체를 히팅하여 유출시키는 히팅 챔버부(70);를 더 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 상기 히팅 챔버부(70)는, 불활성 기체가 유입되도록 내부공간이 형성된 히팅 챔버; 상기 히팅 챔버의 상류에 설치되어, 유입되는 불활성 기체를 필터링하는 제1 필터; 상기 히팅 챔버의 내부공간에 복수개가 입설되어, 유입된 불활성 기체를 히팅하는 히팅바; 상기 히팅 챔버의 하류에 설치되어, 유출되는 불활성 기체를 필터링하는 제2 필터; 상기 히팅 챔버의 내부공간에 설치되어, 상기 히팅 바의 히팅을 제어하도록 불활성 기체의 온도를 감지하는 온도센서; 및 상기 히팅 챔버의 내부공간의 하부에 설치되어, 불활성 기체를 배출시키는 체크밸브;를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the present invention is characterized in that it further includes a heating chamber unit 70 installed below the buffer chamber unit 10 to heat and discharge the inert gas. The heating chamber unit 70 of the present invention includes a heating chamber having an inner space so that an inert gas is introduced; a first filter installed upstream of the heating chamber to filter incoming inert gas; a plurality of heating bars installed in the inner space of the heating chamber to heat the introduced inert gas; a second filter installed downstream of the heating chamber to filter the outflowing inert gas; It is installed in the inner space of the heating chamber, and the heating a temperature sensor for sensing the temperature of the inert gas to control heating of the bar; and a check valve installed in the lower part of the inner space of the heating chamber to discharge inert gas.

또한, 본 발명은 상기 가스 유출부(50)의 내부에 설치되어, 불활성 기체의 유출 기류를 제어하는 유출 조절부(80);를 더 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 상기 유출 조절부(80)는, 불활성 기체의 유출 기류를 제어하도록 복수매의 블레이드가 유출 기류의 각도를 조절하게 설치되어 있는 것을 특징으로 한다.In addition, the present invention is characterized in that it further comprises; installed inside the gas outlet 50, the outflow control unit 80 for controlling the outflow of the inert gas. The outflow control unit 80 of the present invention is characterized in that a plurality of blades are installed to adjust the angle of the outflow airflow so as to control the outflow airflow of the inert gas.

이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명은 버퍼 챔버부의 웨이퍼 기판의 적층공간의 사이에 기판을 가열하는 웨이퍼 히터부를 설치함으로써, 적층된 웨이퍼 기판의 사이에 설치된 열판 히터에 의해 기판의 하부에서 가열하여 기판의 가열효율을 향상시키는 동시에 기판의 온도 상승 및 습도 조절을 용이하게 하여 기판의 수율을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.As described above, the present invention provides a wafer heater unit for heating the substrates between the stacking spaces of the wafer substrates in the buffer chamber unit, thereby heating the substrates from the lower portion of the substrates by the hot plate heater installed between the stacked wafer substrates. It provides an effect of improving the yield of the substrate by improving the heating efficiency and at the same time facilitating the temperature rise and humidity control of the substrate.

또한, 가스 분사부의 내부에 가스 히팅부를 설치하여 가스를 히팅함으로써, 웨이퍼의 버퍼링시 내부 분위기의 습도 상승에 의한 불량을 감소시키고 고온건조한 가스를 분사하여 기판의 버퍼링을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.In addition, by installing a gas heating unit inside the gas dispensing unit to heat the gas, defects caused by the increase in humidity of the internal atmosphere during buffering of the wafer are reduced, and the buffering of the substrate is improved by injecting high-temperature dry gas. Provides an effect. .

또한, 가스 히팅부가 불활성 기체의 가스 저장조의 내부에 삽입된 스테인리스 히터로 이루어져 있음으로써, 히터의 둘레에 가스를 유동시켜 가스의 히팅 성능을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.In addition, since the gas heating unit is composed of a stainless steel heater inserted into the gas storage tank of inert gas, gas flows around the heater to provide an effect of improving the heating performance of the gas.

또한, 버퍼 챔버부의 하부에 불활성 기체를 히팅하여 유출시키는 히팅 챔버부를 구비함으로써, 별도의 히팅 챔버에서 불활성 기체를 히팅하여 버퍼 챔버부에 분사함으로써, 가스의 히팅효율 및 분사효율을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.In addition, by providing a heating chamber unit for heating and discharging an inert gas to the lower portion of the buffer chamber unit, by heating the inert gas in a separate heating chamber and spraying it to the buffer chamber unit, the effect of improving the heating efficiency and spraying efficiency of the gas provides

또한, 히팅 챔버부로서 히팅 챔버와 제1 필터와 히팅바와 제2 필터와 온도센서와 체크밸브를 구비함으로써, 복수의 히팅바에 의해 불활성 기체와의 접촉 면적을 증가시켜 히팅성능을 향상시키는 동시에 필터와 센서에 의해 불활성 기체의 청결도와 온도제어성을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.In addition, by providing a heating chamber, a first filter, a heating bar, a second filter, a temperature sensor, and a check valve as a heating chamber unit, the contact area with the inert gas is increased by a plurality of heating bars to improve heating performance, and at the same time, the filter and It provides the effect of improving the cleanliness and temperature controllability of the inert gas by the sensor.

또한, 가스 유출부의 내부에 설치되어 불활성 기체의 유출 기류를 제어하도록 복수의 블레이드로 각도를 조절하는 유출 조절부를 구비함으로써, 불활성 기체의 유출 기류를 제어하여 불활성 기체의 배출성능을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.In addition, by providing an outflow controller installed inside the gas outlet and adjusting an angle with a plurality of blades to control the outflow airflow of the inert gas, the effect of improving the discharge performance of the inert gas by controlling the outflow airflow of the inert gas provides

도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 웨이퍼 버퍼용 챔버장치를 나타내는 구성도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 웨이퍼 버퍼용 챔버장치의 웨이퍼 히팅부를 나타내는 구성도.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 웨이퍼 버퍼용 챔버장치의 웨이퍼 히팅부의 히팅상태를 나타내는 상태도.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 의한 웨이퍼 버퍼용 챔버장치의 가스 히팅부를 나타내는 구성도.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 의한 웨이퍼 버퍼용 챔버장치의 히팅 챔버부를 나타내는 구성도.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 의한 웨이퍼 버퍼용 챔버장치의 유출 조절부를 나타내는 구성도.1 is a configuration diagram showing a chamber device for a wafer buffer according to an embodiment of the present invention.
2 is a configuration diagram showing a wafer heating unit of a chamber device for a wafer buffer according to an embodiment of the present invention.
3 is a state diagram showing a heating state of a wafer heating unit of a chamber device for a wafer buffer according to an embodiment of the present invention.
4 is a configuration diagram showing a gas heating unit of a chamber device for a wafer buffer according to an embodiment of the present invention.
5 is a configuration diagram showing a heating chamber part of a chamber device for a wafer buffer according to an embodiment of the present invention.
6 is a configuration diagram showing an outflow control unit of a chamber device for a wafer buffer according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 일 실시예를 더욱 상세히 설명한다. Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 웨이퍼 버퍼용 챔버장치를 나타내는 구성도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 웨이퍼 버퍼용 챔버장치의 웨이퍼 히팅부를 나타내는 구성도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 웨이퍼 버퍼용 챔버장치의 웨이퍼 히팅부의 히팅상태를 나타내는 상태도이고, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 의한 웨이퍼 버퍼용 챔버장치의 가스 히팅부를 나타내는 구성도이고, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 의한 웨이퍼 버퍼용 챔버장치의 히팅 챔버부를 나타내는 구성도이고, 도 6은 본 발명의 일 실시예에 의한 웨이퍼 버퍼용 챔버장치의 유출 조절부를 나타내는 구성도이다.1 is a configuration diagram showing a chamber device for a wafer buffer according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a configuration diagram showing a wafer heating unit of the chamber device for a wafer buffer according to an embodiment of the present invention, and FIG. A state diagram showing a heating state of a wafer heating unit of a chamber apparatus for a wafer buffer according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a configuration diagram showing a gas heating unit of a chamber apparatus for a wafer buffer according to an embodiment of the present invention. 5 is a configuration diagram showing a heating chamber unit of a chamber device for a wafer buffer according to an embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a configuration diagram showing an outflow control unit of a chamber device for a wafer buffer according to an embodiment of the present invention.

도 1에 나타낸 바와 같이, 본 실시예에 의한 웨이퍼 버퍼용 챔버장치는, 버퍼 챔버부(10), 웨이퍼 히팅부(20), 가스 유입부(30), 가스 분사부(40), 가스 유출부(50), 가스 히팅부(60), 히팅 챔버부(70) 및 유출 조절부(80)를 포함하여 이루어져, 웨이퍼를 버퍼링하는 웨이퍼 버퍼용 챔버장치이다.As shown in FIG. 1, the wafer buffer chamber device according to the present embodiment includes a buffer chamber unit 10, a wafer heating unit 20, a gas inlet 30, a gas ejection unit 40, and a gas outlet unit. (50), a gas heating unit 60, a heating chamber unit 70, and an outflow control unit 80, and a wafer buffer chamber device for buffering a wafer.

버퍼 챔버부(10)는, 복수매의 웨이퍼 기판을 적층하여 버퍼링하는 버퍼용 챔버부재로서, 반도체용 웨이퍼의 처리공정 중에서 웨이퍼를 버퍼링하는 공간을 제공하는 챔버로 이루어져 있다.The buffer chamber unit 10 is a buffer chamber member for stacking and buffering a plurality of wafer substrates, and is composed of a chamber providing a space for buffering a wafer during a semiconductor wafer processing process.

이러한 버퍼 챔버부(10)의 전면에 기판이 출입하는 출입구가 형성되어 있고, 내부에 복수의 기판(W)이 적재되는 적재공간이 형성되어 있다. 또한 버퍼 챔버부(10)의 내측에는 기판을 지지하는 기판 지지대가 형성되는 것이 바람직하다. An entrance through which substrates enter and exit is formed on the front side of the buffer chamber unit 10, and a loading space in which a plurality of substrates W is loaded is formed therein. In addition, it is preferable that a substrate support for supporting a substrate is formed inside the buffer chamber unit 10 .

기판 지지대는 적재공간에 적재된 기판(W) 둘레에 복수개 배치되어 기판(W)을 지지하게 되고, 복수의 기판 지지대 중 출입구와 인접한 두 기판 지지대 사이 간격은 기판(W)의 직경 보다 크게 형성되어 기판(W)의 출입을 가능하게 하며, 기판 지지대의 길이 방향으로 복수의 돌출부 또는 홈부가 형성되어 복수의 기판(W) 하부면을 지지하게 된다.A plurality of substrate supports are disposed around the substrate W loaded in the loading space to support the substrate W, and the gap between the two substrate supports adjacent to the entrance of the plurality of substrate supports is larger than the diameter of the substrate W, It enables entry and exit of the substrate (W), and a plurality of protrusions or grooves are formed in the longitudinal direction of the substrate support to support the lower surface of the plurality of substrates (W).

웨이퍼 히팅부(20)는, 도 2 및 도 3에 나타낸 바와 같이 웨이퍼 기판(W)의 적층 공간의 사이에 삽입되어 웨이퍼 기판(W)의 하부에서 히팅하는 판 형상의 히팅부재로서, 이러한 열판 히터는 웨이퍼 기판(W)의 적층 공간의 사이에 삽입 설치되어, 기판(W)을 열대류에 의해 가열을 목적으로 설치되며, 불순물 입자(Particle)의 상승 제거 효과 및 습도 하강 효과를 제공하며, 전체 온도의 균일도(Uniformity)가 0.05℃ 이내로 관리되는 열판 히터이며, 상온에서 200℃까지 온도 제어가 가능하게 되어 있다. As shown in FIGS. 2 and 3, the wafer heating unit 20 is a plate-shaped heating member that is inserted between the stacking spaces of the wafer substrates W and heats the lower portion of the wafer substrates W, such as a hot plate heater. is inserted and installed between the stacking spaces of the wafer substrates (W), installed for the purpose of heating the substrates (W) by heat flow, and provides an effect of raising and removing impurity particles and a lowering of humidity, It is a hotplate heater whose temperature uniformity is managed within 0.05℃, and it is possible to control the temperature from room temperature to 200℃.

가스 유입부(30)는, 버퍼 챔버부(10)의 하부 양단에 설치되어 불활성 기체를 유입시키는 가스 유입부재로서, 질소가스 등과 같은 불활성 기체를 저장조에서 버퍼 챔버부(10)의 내부공간의 하부 양단에서 상방으로 투입시키게 된다.The gas inlet 30 is a gas inlet member installed at both ends of the lower portion of the buffer chamber 10 to introduce an inert gas, such as nitrogen gas, from a storage tank to the lower portion of the inner space of the buffer chamber 10. It is injected from both ends upwards.

이러한 가스 유입부(30)는, 버퍼 챔버부(10)의 내부에 열대류 효과로 상승된 불순물 입자(Particle)를 외부로 방출시키고 웨이퍼 기판의 표면 습도 관리를 위해 버퍼 챔버부(10)의 퍼지시 사용하게 된다.The gas inlet 30 discharges the impurity particles raised by the heat convex effect inside the buffer chamber 10 to the outside and purges the buffer chamber 10 to manage the surface humidity of the wafer substrate. will be used at

가스 분사부(40)는, 버퍼 챔버부(10)의 측부에 각각 설치되어 웨이퍼의 적층 공간의 사이에 불활성 기체를 분사하는 가스 분사부재로서, 버퍼 챔버부(10)의 양쪽 측부에 설치되어 버퍼 챔버부(10)의 내부공간에 적층된 웨이퍼의 적층공간의 사이에 불활성 기체를 측방으로 분사하여 웨이퍼를 버퍼링시키게 된다.The gas dispensing unit 40 is a gas dispensing member that is installed on each side of the buffer chamber unit 10 and injects an inert gas between the wafer stacking spaces, and is installed on both sides of the buffer chamber unit 10 to buffer the buffer. Wafers are buffered by spraying an inert gas sideways between stacking spaces of wafers stacked in the inner space of the chamber unit 10 .

가스 분사부(40)의 가스 분사구(42)는, 도 4에 나타낸 바와 같이 2Mpa 미만, 10L의 가스 저장조(41)로부터 분기되어 적재 방향을 따라 복수개가 배치되며 적재공간에 적재된 기판(W) 사이에 퍼지 가스를 분사하게 되며, 이때, 가스 분사구(42)는 각 기판(W)의 상부 및 하부에 배치되어 전체 기판(W)의 상부면 및 하부면에 퍼지 가스가 고르게 분사된다.As shown in FIG. 4, the gas injection ports 42 of the gas injection unit 40 are branched from the gas storage tank 41 of less than 2Mpa and 10L, and a plurality of them are disposed along the loading direction, and the substrates W loaded in the loading space At this time, the gas injection holes 42 are disposed above and below each substrate (W) so that the purge gas is evenly sprayed on the upper and lower surfaces of the entire substrate (W).

또한, 복수개의 가스 분사구(42) 중 적어도 2개는 동일한 높이에 배치되며, 서로 다른 방향으로 퍼지 가스를 분사함으로써, 퍼지 가스가 기판(W)의 전체면에 고르게 분사될 수 있게 된다.In addition, at least two of the plurality of gas injection holes 42 are disposed at the same height, and the purge gas is sprayed in different directions, so that the purge gas can be evenly sprayed over the entire surface of the substrate W.

특히, 이러한 가스 분사구(42)의 노즐(Nozzle)은 PCM(Particle Cleaner Mode)의 완료 후에 버퍼 챔버부(10)의 내부에 지속적인 N2 환경을 유지하기 위하여 사용되며, 여기서 사용하는 N2는 가열 및 가압된 N2를 사용하는 것이 가능함은 물론이며, 고온 분위기를 유지하기 위한 가열된 불활성 기체를 분사하기 위해 사용되는 것도 가능함은 물론이다.In particular, the nozzle of the gas injection port 42 is used to maintain a continuous N 2 environment inside the buffer chamber 10 after PCM (Particle Cleaner Mode) is completed, and the N 2 used here is heated. And it is of course possible to use pressurized N 2 , and it is also possible to use it to inject a heated inert gas for maintaining a high-temperature atmosphere.

가스 유출부(50)는, 버퍼 챔버부(10)의 상부에 설치되어 불활성 기체를 유출시키는 가스 유출부재로서, 버퍼 챔버의 상부의 상단 및 측단에 각각 형성되어 있는 배출구로 이루어져 불활성 기체를 웨이퍼의 적층공간의 사이로 유동시켜서 상방으로 유출시키게 된다.The gas outlet 50 is a gas outlet member installed on the upper part of the buffer chamber 10 to discharge inert gas, and consists of outlets formed at the top and side ends of the upper portion of the buffer chamber, respectively, to discharge the inert gas to the wafer. It flows between the stacking spaces and flows upward.

가스 유출부(50)는, 열대류로 상승된 불순물 입자(Particle)를 제거하기 위하여 분사된 N2를 외부로 배출하기 위한 목적으로 설치되며, 버퍼 챔버부(10)의 내부에 기류를 제어하고, 고압 분사시에는 불순물 입자(Particle)의 배출 용도로 사용되며 수동으로 궤도를 조절하는 타입으로 사용되는 것도 가능함은 물론이다.The gas outlet 50 is installed for the purpose of discharging the injected N 2 to the outside in order to remove impurity particles raised by heat flow, and controls the air flow inside the buffer chamber 10. , It is used for the purpose of discharging impurity particles during high-pressure injection, and it is also possible to use it as a type that manually adjusts the trajectory.

가스 히팅부(60)는, 가스 분사부(40)의 불활성 기체의 가스 저장조(41)에 설치되어 불활성 기체를 히팅하는 가스 히팅부재로서, 이러한 가스 히팅부(60)는 불활성 기체의 가스 저장조(41)의 내부에 삽입된 스테인리스 히터로 이루어져 있는 것이 가능함은 물론이다.The gas heating unit 60 is a gas heating member installed in the gas storage tank 41 of the inert gas of the gas ejection unit 40 to heat the inert gas, such a gas heating unit 60 is a gas storage tank of the inert gas ( 41), of course, it is possible to consist of a stainless heater inserted into the inside.

따라서, 본 발명의 웨이퍼 버퍼용 챔버장치는, 가스 분사부(40)의 N2 노즐(Nozzle)로 불순물 입자(Particle)를 제거하고 퍼지(Purge)의 중단 후 버퍼 챔버부(10)의 내부 환경을 건조한 N2 분위기로 유지시켜 주는 역할을 하게 되며, 가스 히팅부(20)에 의한 열팽창 대류 효과로 기류의 형성에 의해 일정한 온도로 유지할 수 있게 된다.Therefore, in the wafer buffer chamber device of the present invention, the internal environment of the buffer chamber unit 10 after removing impurity particles with the N 2 nozzle of the gas dispensing unit 40 and stopping the purge. It serves to maintain a dry N 2 atmosphere, and can be maintained at a constant temperature by the formation of air current due to the thermal expansion convection effect by the gas heating unit 20.

히팅 챔버부(70)는, 버퍼 챔버부(10)의 하부에 설치되어 불활성 기체를 히팅하여 유출시키는 히팅 챔버부재로서, 도 5에 나타낸 바와 같이 히팅 챔버(71), 제1 필터(72), 히팅바(73), 제2 필터(74), 온도센서(75) 및 체크밸브(76)로 이루어져 있다.The heating chamber unit 70 is a heating chamber member installed below the buffer chamber unit 10 to heat and discharge inert gas, and as shown in FIG. 5, the heating chamber 71, the first filter 72, It consists of a heating bar 73, a second filter 74, a temperature sensor 75 and a check valve 76.

히팅 챔버(71)는, 불활성 기체가 유입되도록 내부공간이 형성된 챔버부재로서, 이러한 히팅 챔버(71)는 내부공간이 밀폐 구조로 이루어지며, 히팅(Heating)된 기체는 정체시 대략 80℃ 정도로 제어할 수 있게 된다. The heating chamber 71 is a chamber member in which an inner space is formed so that inert gas flows in. The inner space of the heating chamber 71 has a closed structure, and the heated gas is controlled at about 80° C. when stagnant. You can do it.

제1 필터(72)는, 히팅 챔버(71)의 상류에 설치되어 저장조에서 유입되는 불활성 기체를 필터링하는 필터부재로서, 불활성 기체의 불순물을 1차 제거하며, 이러한 제1 필터(72)로는 PTFE((Polytetrafluoroethylene) 필터로 이루어져 있는 것이 가능함은 물론이다.The first filter 72 is a filter member installed upstream of the heating chamber 71 to filter the inert gas flowing in from the storage tank, and primarily removes impurities from the inert gas, and the first filter 72 includes PTFE. (It is of course possible that it consists of a (Polytetrafluoroethylene) filter.

히팅바(73)는, 히팅 챔버(71)의 내부공간에 복수개가 등간격으로 입설되어 히팅 챔버(71)의 내부로 유입된 불활성 기체를 히팅하는 히팅부재로서, 불활성 기체의 열원 접촉 면적을 크게하여 온도를 0℃에서 300℃로 빠르게 상승시키게 되므로 대략 250℃로 설정하여 히터의 온도제어를 ±3℃의 범위로 유지하는 것이 바람직하다.The heating bar 73 is a heating member installed at equal intervals in the inner space of the heating chamber 71 to heat the inert gas introduced into the heating chamber 71, and the contact area of the inert gas with the heat source is large. Since the temperature rises rapidly from 0 ° C to 300 ° C, it is preferable to set the temperature at approximately 250 ° C and maintain the temperature control of the heater in the range of ± 3 ° C.

제2 필터(74)는, 히팅 챔버(71)의 하류에 설치되어 버퍼 챔버부(10)로 유출되는 불활성 기체를 필터링하는 필터부재로서, 가열된 불활성 기체의 불순물을 2차 제거하며, 이러한 제2 필터(74)로는 PTFE((Polytetrafluoroethylene) 필터로 이루어져 있는 것이 가능함은 물론이다.The second filter 74 is a filter member installed downstream of the heating chamber 71 to filter the inert gas flowing into the buffer chamber unit 10, and secondarily removes impurities from the heated inert gas. Of course, it is possible that the 2 filter 74 is made of a PTFE ((Polytetrafluoroethylene) filter.

온도센서(75)는, 히팅 챔버(71)의 내부공간에 설치되어 히팅바(73)의 히팅을 제어하도록 불활성 기체의 온도를 감지하는 센서부재로서, 불활성 기체의 온도를 기준으로 히팅바(73)의 온도를 제어하게 된다.The temperature sensor 75 is a sensor member installed in the inner space of the heating chamber 71 to sense the temperature of the inert gas to control the heating of the heating bar 73, and the heating bar 73 is based on the temperature of the inert gas. ) to control the temperature.

체크밸브(76)는, 히팅 챔버(71)의 내부공간의 하부에 설치되어 불활성 기체를 배출시키는 밸브부재로서, 불활성 기체의 히팅시 기체를 배출하여 압력을 낮추어 열팽창에 의한 히팅 챔버(71)의 압력부하를 일정하게 유지시키게 된다.The check valve 76 is a valve member installed at the bottom of the inner space of the heating chamber 71 to discharge an inert gas, and lowers the pressure by discharging the gas when the inert gas is heated, thereby reducing the temperature of the heating chamber 71 by thermal expansion. This will keep the pressure load constant.

유출 조절부(80)는, 가스 유출부(50)의 내부에 설치되어, 불활성 기체의 유출 기류를 제어하는 유출 조절부재로서, 도 6에 나타낸 바와 같이 이러한 유출 조절부(80)로는 불활성 기체의 유출 기류를 제어하도록 복수매의 블레이드가 유출 기류의 각도를 조절하게 설치되어 있는 것이 가능함은 물론이다.The outflow control unit 80 is installed inside the gas outlet 50 and is an outflow control member for controlling the outflow of the inert gas. As shown in FIG. Of course, it is possible that a plurality of blades are installed to adjust the angle of the outflow airflow so as to control the outflow airflow.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면 버퍼 챔버부의 웨이퍼 기판의 적층공간의 사이에 기판을 가열하는 웨이퍼 히터부를 설치함으로써, 적층된 웨이퍼 기판의 사이에 설치된 열판 히터에 의해 기판의 하부에서 가열하여 기판의 가열효율을 향상시키는 동시에 기판의 온도 상승 및 습도 조절을 용이하게 하여 기판의 수율을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.As described above, according to the present invention, by installing a wafer heater unit for heating the substrate between the stacking spaces of the wafer substrates in the buffer chamber unit, the substrate is heated from the lower portion of the substrate by the hot plate heater installed between the stacked wafer substrates. It provides an effect of improving the yield of the substrate by improving the heating efficiency and at the same time facilitating the temperature rise and humidity control of the substrate.

또한, 가스 분사부의 내부에 가스 히팅부를 설치하여 가스를 히팅함으로써, 웨이퍼의 버퍼링시 내부 분위기의 습도 상승에 의한 불량을 감소시키고 고온건조한 가스를 분사하여 기판의 버퍼링을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.In addition, by installing a gas heating unit inside the gas dispensing unit to heat the gas, defects caused by the increase in humidity of the internal atmosphere during buffering of the wafer are reduced, and the buffering of the substrate is improved by injecting high-temperature dry gas. Provides an effect. .

또한, 가스 히팅부가 불활성 기체의 가스 저장조의 내부에 삽입된 스테인리스 히터로 이루어져 있음으로써, 히터의 둘레에 가스를 유동시켜 가스의 히팅 성능을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.In addition, since the gas heating unit is composed of a stainless steel heater inserted into the gas storage tank of inert gas, gas flows around the heater to provide an effect of improving the heating performance of the gas.

또한, 버퍼 챔버부의 하부에 불활성 기체를 히팅하여 유출시키는 히팅 챔버부를 구비함으로써, 별도의 히팅 챔버에서 불활성 기체를 히팅하여 버퍼 챔버부에 분사함으로써, 가스의 히팅효율 및 분사효율을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.In addition, by providing a heating chamber unit for heating and discharging an inert gas to the lower portion of the buffer chamber unit, by heating the inert gas in a separate heating chamber and spraying it to the buffer chamber unit, the effect of improving the heating efficiency and spraying efficiency of the gas provides

또한, 히팅 챔버부로서 히팅 챔버와 제1 필터와 히팅바와 제2 필터와 온도센서와 체크밸브를 구비함으로써, 복수의 히팅바에 의해 불활성 기체와의 접촉 면적을 증가시켜 히팅성능을 향상시키는 동시에 필터와 센서에 의해 불활성 기체의 청결도와 온도제어성을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.In addition, by providing a heating chamber, a first filter, a heating bar, a second filter, a temperature sensor, and a check valve as a heating chamber unit, the contact area with the inert gas is increased by a plurality of heating bars to improve heating performance, and at the same time, the filter and It provides the effect of improving the cleanliness and temperature controllability of the inert gas by the sensor.

또한, 가스 유출부의 내부에 설치되어 불활성 기체의 유출 기류를 제어하도록 복수의 블레이드로 각도를 조절하는 유출 조절부를 구비함으로써, 불활성 기체의 유출 기류를 제어하여 불활성 기체의 배출성능을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.In addition, by providing an outflow controller installed inside the gas outlet and adjusting an angle with a plurality of blades to control the outflow airflow of the inert gas, the effect of improving the discharge performance of the inert gas by controlling the outflow airflow of the inert gas provides

이상 설명한 본 발명은 그 기술적 사상 또는 주요한 특징으로부터 벗어남이 없이 다른 여러 가지 형태로 실시될 수 있다. 따라서 상기 실시예는 모든 점에서 단순한 예시에 지나지 않으며 한정적으로 해석되어서는 안 된다. The present invention described above can be implemented in various other forms without departing from its technical spirit or main characteristics. Therefore, the above embodiments are mere examples in all respects and should not be construed in a limited manner.

10: 버퍼 챔버부 20: 웨이퍼 히팅부
30: 가스 유입부 40: 가스 분사부
50: 가스 유출부 60: 가스 히팅부
70: 히팅 챔버부 80: 유출 조절부10: buffer chamber unit 20: wafer heating unit
30: gas inlet 40: gas injection unit
50: gas outlet 60: gas heating unit
70: heating chamber unit 80: outflow control unit

Claims (7)

웨이퍼를 버퍼링하는 웨이퍼 버퍼용 챔버장치로서,
복수매의 웨이퍼를 적층하여 버퍼링하는 버퍼 챔버부(10);
상기 웨이퍼의 적층 공간의 사이에 삽입되어 상기 웨이퍼의 하부에서 히팅하는 웨이퍼 히팅부(20);
상기 버퍼 챔버부(10)의 하부에 설치되어, 불활성 기체를 유입시키는 가스 유입부(30);
상기 버퍼 챔버부(10)의 측부에 설치되어, 상기 웨이퍼의 적층 공간의 사이에 불활성 기체를 분사하는 가스 분사부(40); 및
상기 버퍼 챔버부(10)의 상부에 설치되어, 불활성 기체를 유출시키는 가스 유출부(50);를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 버퍼용 챔버장치.As a chamber device for a wafer buffer for buffering a wafer,
a buffer chamber unit 10 for buffering by stacking a plurality of wafers;
a wafer heating unit 20 that is inserted between the stacking spaces of the wafers and heats the lower portion of the wafers;
a gas inlet 30 installed below the buffer chamber 10 to introduce an inert gas;
a gas spraying unit 40 installed on a side of the buffer chamber unit 10 and spraying an inert gas between the stacking spaces of the wafers; and
A chamber device for a wafer buffer, comprising: a gas outlet 50 installed above the buffer chamber 10 to discharge an inert gas. 제 1 항에 있어서,
상기 가스 분사부(40)의 불활성 기체의 가스 저장조에 설치되어, 불활성 기체를 히팅하는 가스 히팅부(60);를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 버퍼용 챔버장치.According to claim 1,
A chamber device for a wafer buffer, further comprising a gas heating unit 60 installed in the gas storage tank of the inert gas of the gas dispensing unit 40 to heat the inert gas. 제 2 항에 있어서,
상기 가스 히팅부(60)는, 불활성 기체의 가스 저장조의 내부에 삽입된 스테인리스 히터로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 버퍼용 챔버장치.According to claim 2,
The gas heating unit 60 is a chamber device for a wafer buffer, characterized in that consisting of a stainless steel heater inserted into the gas storage tank of inert gas. 제 1 항에 있어서,
상기 버퍼 챔버부(10)의 하부에 설치되어, 불활성 기체를 히팅하여 유출시키는 히팅 챔버부(70);를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 버퍼용 챔버장치.According to claim 1,
A chamber device for a wafer buffer, further comprising a heating chamber part 70 installed below the buffer chamber part 10 to heat and discharge the inert gas. 제 4 항에 있어서,
상기 히팅 챔버부(70)는,
불활성 기체가 유입되도록 내부공간이 형성된 히팅 챔버;
상기 히팅 챔버의 상류에 설치되어, 유입되는 불활성 기체를 필터링하는 제1 필터;
상기 히팅 챔버의 내부공간에 복수개가 입설되어, 유입된 불활성 기체를 히팅하는 히팅바;
상기 히팅 챔버의 하류에 설치되어, 유출되는 불활성 기체를 필터링하는 제2 필터;
상기 히팅 챔버의 내부공간에 설치되어, 상기 히팅 바의 히팅을 제어하도록 불활성 기체의 온도를 감지하는 온도센서; 및
상기 히팅 챔버의 내부공간의 하부에 설치되어, 불활성 기체를 배출시키는 체크밸브;를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 버퍼용 챔버장치.According to claim 4,
The heating chamber part 70,
A heating chamber formed with an inner space to allow inert gas to flow into the chamber;
a first filter installed upstream of the heating chamber to filter incoming inert gas;
a plurality of heating bars installed in the inner space of the heating chamber to heat the introduced inert gas;
a second filter installed downstream of the heating chamber to filter the outflowing inert gas;
a temperature sensor installed in the inner space of the heating chamber to sense the temperature of the inert gas to control heating of the heating bar; and
A chamber device for a wafer buffer, comprising: a check valve installed at a lower portion of the inner space of the heating chamber to discharge an inert gas. 제 1 항에 있어서,
상기 가스 유출부(50)의 내부에 설치되어, 불활성 기체의 유출 기류를 제어하는 유출 조절부(80);를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 버퍼용 챔버장치.According to claim 1,
A chamber device for a wafer buffer, characterized in that it further comprises; an outflow control unit 80 installed inside the gas outlet 50 to control an outflow of inert gas. 제 6 항에 있어서,
상기 유출 조절부(80)는, 불활성 기체의 유출 기류를 제어하도록 복수매의 블레이드가 유출 기류의 각도를 조절하게 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 버퍼용 챔버장치.According to claim 6,
The outflow controller 80 is a chamber device for a wafer buffer, characterized in that a plurality of blades are installed to adjust the angle of the outflow airflow so as to control the outflow airflow of the inert gas.
KR1020210136229A 2021-10-14 2021-10-14 Chamber apparatus for buffering wafer KR102606707B1 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210136229A KR102606707B1 (en) 2021-10-14 2021-10-14 Chamber apparatus for buffering wafer
KR1020230163205A KR20230162916A (en) 2021-10-14 2023-11-22 Chamber apparatus for buffering wafer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210136229A KR102606707B1 (en) 2021-10-14 2021-10-14 Chamber apparatus for buffering wafer

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020230163205A Division KR20230162916A (en) 2021-10-14 2023-11-22 Chamber apparatus for buffering wafer

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20230053082A true KR20230053082A (en) 2023-04-21
KR102606707B1 KR102606707B1 (en) 2023-11-29

Family

ID=86098829

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210136229A KR102606707B1 (en) 2021-10-14 2021-10-14 Chamber apparatus for buffering wafer
KR1020230163205A KR20230162916A (en) 2021-10-14 2023-11-22 Chamber apparatus for buffering wafer

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020230163205A KR20230162916A (en) 2021-10-14 2023-11-22 Chamber apparatus for buffering wafer

Country Status (1)

Country Link
KR (2) KR102606707B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116791056A (en) * 2023-06-30 2023-09-22 安徽其芒光电科技有限公司 Exhaust heating method of vacuum coating equipment

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040054983A (en) * 2002-12-20 2004-06-26 장동복 A Fume Collector
KR101099371B1 (en) 2009-10-14 2011-12-29 엘아이지에이디피 주식회사 Metal Organic Chemical Vapor Deposition apparatus having buffer chamber
JP2012054408A (en) * 2010-09-01 2012-03-15 Hitachi Kokusai Electric Inc Substrate treatment apparatus and method for manufacturing substrate to be treated
KR101353033B1 (en) 2012-06-21 2014-01-23 주성엔지니어링(주) Apparatus for febrication of thin film type solar cell and buffer chamber used for the same
KR20160047994A (en) 2014-10-23 2016-05-03 램 리써치 코포레이션 Buffer station for thermal control of semiconductor substrates transferred therethrough and method of transferring semiconductor substrates
KR20160123564A (en) * 2015-04-16 2016-10-26 주식회사 유진테크 Substrate Buffering Apparatus, System and Method For Treating Substrate
KR20190006395A (en) * 2017-07-10 2019-01-18 우범제 EFEM, Equipment Front End Module

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040054983A (en) * 2002-12-20 2004-06-26 장동복 A Fume Collector
KR101099371B1 (en) 2009-10-14 2011-12-29 엘아이지에이디피 주식회사 Metal Organic Chemical Vapor Deposition apparatus having buffer chamber
JP2012054408A (en) * 2010-09-01 2012-03-15 Hitachi Kokusai Electric Inc Substrate treatment apparatus and method for manufacturing substrate to be treated
KR101353033B1 (en) 2012-06-21 2014-01-23 주성엔지니어링(주) Apparatus for febrication of thin film type solar cell and buffer chamber used for the same
KR20160047994A (en) 2014-10-23 2016-05-03 램 리써치 코포레이션 Buffer station for thermal control of semiconductor substrates transferred therethrough and method of transferring semiconductor substrates
KR20160123564A (en) * 2015-04-16 2016-10-26 주식회사 유진테크 Substrate Buffering Apparatus, System and Method For Treating Substrate
KR20190006395A (en) * 2017-07-10 2019-01-18 우범제 EFEM, Equipment Front End Module

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116791056A (en) * 2023-06-30 2023-09-22 安徽其芒光电科技有限公司 Exhaust heating method of vacuum coating equipment

Also Published As

Publication number Publication date
KR102606707B1 (en) 2023-11-29
KR20230162916A (en) 2023-11-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11710651B2 (en) Container for storing wafer
US6578589B1 (en) Apparatus for manufacturing semiconductor wafer
KR101524177B1 (en) Thermal treatment apparatus and thermal treatment method
US7731797B2 (en) Substrate treating apparatus and semiconductor device manufacturing method
KR101957751B1 (en) Substrate processing apparatus
JP2010153467A (en) Substrate processing apparatus, and method of manufacturing semiconductor device
KR101037961B1 (en) Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device
KR20230162916A (en) Chamber apparatus for buffering wafer
JP2011066106A (en) Method of manufacturing semiconductor device, and substrate processing device
TW202135133A (en) Substrate cleaning apparatus and substrate cleaning method
KR100905262B1 (en) Substrate Processing Apparatus and Manufacturing Method for a Semiconductor Device
KR20110112074A (en) Apparatus and method for treating substates
KR20190122040A (en) Wafer purge apparatus for buffer chamber
KR20000002834A (en) Diffusion equipment and control method for semiconductor manufacture forming air curtain
JP4259942B2 (en) Substrate processing equipment
JP2012138540A (en) Vacuum processing apparatus
JP3330169B2 (en) Vertical heat treatment equipment with gas shower nozzle
US8136538B2 (en) Processing system, processing method, and storage medium
JP6823575B2 (en) Manufacturing method for substrate processing equipment, reaction tubes and semiconductor equipment
JP5137462B2 (en) Substrate processing apparatus, gas supply unit, and thin film forming method
KR20210023653A (en) Apparatus for reducing moisture of front opening unified pod in load port module and semiconductor process device comprising the same
JP5224679B2 (en) Substrate processing apparatus, semiconductor device manufacturing method, and substrate processing method
KR102606767B1 (en) Substrate transferring apparatus
US20230260807A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR102551501B1 (en) Apparatus for reducing moisture of front opening unified pod in load port module and semiconductor process device comprising the same

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
A107 Divisional application of patent
GRNT Written decision to grant