KR20230096870A - 빔 위치 결정 방법 및 시스템 - Google Patents

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라도반 바시나
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Abstract

다수의 빔 위치들을 결정하기 위한 방법들 및 시스템들은 제1 샘플 영역에 걸쳐 빔렛을 스캔함으로써 제1 스캔을 수행하고 다수의 셀 이미지들을 획득하는 단계; 및 제2 샘플 영역에 걸쳐 빔렛을 스캔함으로써 제2 스캔을 수행하고 다수의 셀 이미지들을 획득하는 단계를 포함한다. 각 셀 이미지는 빔렛에 대응하고, 제1 샘플 영역과 제2 샘플 영역 간의 중첩된 영역의 적어도 일부가 제1 스캔 및 제2 스캔 둘 모두 동안 다수의 빔렛에 의해 스캔된다. 이어서 제1 스캔 및 제2 스캔 동안 획득된 대응하는 셀 이미지들에 기초하여 각 빔렛 위치가 결정될 수 있다.

Description

빔 위치 결정 방법 및 시스템{METHOD AND SYSTEM FOR DETERMINING BEAM POSITION}
본 설명은 일반적으로 빔 위치 결정 방법 및 시스템에 관한 것이고, 보다 구체적으로는, 다중 빔 스캔 전자 현미경으로 빔렛 위치들을 결정하는 것에 관한 것이다.
다중 빔 주사 전자 현미경(multi-beam scanning electron microscope, MBSEM)은 다중 빔렛을 사용하여 샘플을 동시에 스캔하여 이미징 처리량을 증가시킨다. MBSEM에서의 이미지는 다수의 셀 이미지들을 포함할 수 있으며, 각 셀 이미지는 단일 빔렛의 조사에 응답하여 수신된 신호들로부터 형성된다. 다수의 셀 이미지들은 MBSEM 이미지를 형성하기 위해 빔렛 위치들에 기초하여 함께 스티칭될 수 있다. 그러나 예상되는 빔렛 위치들로부터의 변위는 스티칭된 MBSEM 이미지에 에러를 일으킬 수 있다. 따라서, 빔렛 위치들을 결정하기 위한 빠르고 강력하며 신뢰할 수 있는 방법이 요구된다.
일 실시예에서, 다중 빔 시스템에서 빔렛 위치들을 결정하기 위한 방법은: 제1 샘플 영역에 걸쳐 다수의 빔렛을 스캔함으로써 제1 스캔을 수행하는 단계; 제1 영역의 다수의 셀 이미지들 - 각 셀 이미지는 다수의 빔렛 중 대응하는 빔렛으로부터의 조사에 응답하여 수신된 신호들에 기초하여 형성됨 - 을 획득하는 단계; 제2 샘플 영역에 걸쳐 다수의 빔렛을 스캔함으로써 제2 스캔을 수행하는 단계; 제2 영역의 다수의 셀 이미지들을 획득하는 단계 - 제1 샘플 영역과 제2 샘플 영역 간의 중첩된 영역의 적어도 일부가 제1 스캔 및 제2 스캔 둘 모두 동안 다수의 빔렛 중 적어도 하나의 빔렛에 의해 스캔됨 -; 및 제1 스캔 및 제2 스캔 동안 획득된 대응하는 셀 이미지들에 기초하여 다수의 빔렛 중 적어도 두 빔렛 간의 상대적인 위치를 결정하는 단계를 포함한다. 이러한 방식으로, 빔렛 위치들이 정확하게 결정될 수 있다. 또한, 결정된 빔렛 위치들은 MBSEM 시스템으로부터 후속해서 수집되는 신호들에 적용될 수 있다.
상기한 발명의 내용은 상세한 설명에서 추가로 설명되는 개념들의 선택을 단순화된 형태로 소개하기 위해 제공된다는 것을 이해해야 한다. 이는 상세한 설명을 따르는 청구범위에 의해 그 범위가 고유하게 정의되는 청구된 주제의 주요 또는 본질적인 특징을 식별하기 위한 것이 아니다. 또한, 청구된 주제는 또는 본 개시의 임의의 부분에서 언급된 임의의 단점을 해결하는 구현으로 제한되지 않는다.
도 1은 다중 빔 주사 전자 현미경(MBSEM)의 예를 도시한다.
도 2는 MBSEM을 사용하여 샘플 이미지들을 생성하기 위한 절차를 예시한다.
도 3은 MBSEM을 사용하여 샘플을 이미징하기 위한 예시적인 방법을 도시한다.
도 4는 빔렛 위치들을 결정하는 방법을 도시한다.
도 5는 중첩된 셀 이미지들로부터 빔렛 위치들을 계산하는 방법을 도시한다.
도 6은 중첩된 셀 이미지들에 의해 커버되는 샘플 영역들을 예시한다.
도 7은 큰 샘플 영역을 스캔하면서 빔렛 위치들을 결정하는 것을 예시한다.
동일한 참조 번호는 도면들의 여러 도면들에 걸쳐 대응하는 부분들을 나타낸다.
다음 설명은 다중 빔 주사 전자 현미경(MBSEM)에서 빔렛의 변위를 결정하기 위한 시스템들 및 방법들에 관한 것이다. MBSEM은 다수의 빔렛으로 샘플을 동시에 스캔함으로써 고처리량 샘플 이미지들을 제공한다. MBSEM은 투과 또는 반사 모드 중 어느 하나에서 샘플 이미지들을 획득할 수 있다. MBSEM은 또한, 이차 전자 신호들로부터 샘플 이미지를 획득할 수 있다. 빔렛은 유사한 입사각으로 샘플을 동시에 조사할 수 있다. 즉, 빔렛은 샘플 평면에서 서로 실질적으로 평행하다. 각 빔렛은 샘플 평면에서 상이한 빔렛 위치에 대응한다. 빔렛은 하나 이상의 편향기를 작동시킴으로써 샘플 영역을 스캔한다. 각 빔렛은 샘플 영역의 상이한 부분을 스캔하고, 빔렛에 대응하는 셀 이미지가 획득된다. 각 빔렛의 스캔 범위는 샘플 평면에서의 빔렛 위치들에 기초하여 결정될 수 있다. 예를 들어, 스캔 범위는 샘플 평면에서 인접한 빔렛 간의 거리 이상이므로, 전체 샘플 영역이 빔렛에 의해 스캔된다. 셀 이미지들은 샘플 영역의 필드 이미지를 형성하기 위해, 예를 들어 함께 스티칭함으로써, 조합될 수 있다. 큰 관심 영역(region of interest, ROI)을 커버하기 위해 필드 이미지에 대한 데이터를 획득한 후, 샘플이 빔렛에 대해 병진될 수 있고, 다른 샘플 영역이 이미징된다. 큰 ROI를 커버하기 위해 필드 이미지들이 조합할 수 있다.
도 2는 MBSEM에 의해 이미징된 샘플(200)을 예시한다. 샘플(200)에서의 각 그리드는 필드 이미지에서 이미징된 샘플 영역에 해당한다. 필드 이미지들은 샘플을 다수의 빔렛에 대해 병진함으로써 순차적으로 획득된다. 예를 들어, 제1 필드 이미지에 대해 샘플 영역(201)을 스캔한 후, 샘플 스테이지를 작동시킴으로써 샘플이 병진되고, 제2 필드 이미지에 대해 샘플 영역(202)이 스캔된다. 이 예에서 각 필드 이미지는 4x4 셀 이미지들을 포함한다. 각 셀 이미지는 스캔 패턴(이를테면 지그재그)에 따라 4x4 빔렛을 스캔함으로써 획득된다. 확대된 샘플 영역(207)에서, 셀 이미지들을 생성하기 위한 스캔 동안 빔 위치들(이를테면 빔 위치들(211-214))이 보여진다. 필드 이미지에서의 각 셀 이미지는 빔렛에 대응한다. 예를 들어, 샘플 부분(220)으로부터 획득된 셀 이미지는 제1 빔렛에 대응하고, 샘플 부분(221)으로부터 획득된 셀 이미지는 제1 빔렛에 인접한 제2 빔렛에 대응한다. 샘플(200)을 커버하는 샘플 이미지는 샘플 병진량에 기초하여 필드 이미지들을 스티칭함으로써 생성될 수 있다. 각 필드 이미지는 서로에 대한 빔렛 위치들에 기초하여 셀 이미지를 스티칭함으로써 생성될 수 있다.
셀 이미지들은 이를테면 필드 이미지를 형성하기 위해, 예를 들어 함께 스티칭함으로써, 조합될 수 있다. 셀 이미지들은 샘플 평면에서의 빔렛 위치들에 기초하여 스티칭될 수 있다. 빔렛 위치들은 서로 상대적인 위치들로서 기록될 수 있다. 예를 들어, 빔렛 중 하나는 참조 빔렛으로 선택되고, 다른 빔렛 위치는 참조 빔렛에 대한 위치로서 기록된다. 두 빔렛 간의 상대적인 위치는 벡터의 형태로 기록될 수 있다. 벡터는 하나의 빔렛에서 다른 빔렛까지의 거리와 상대적인 방향 둘 모두를 획득한다. 빔렛은 시스템 설계 및 무작위 오정렬로 인해 예상 위치들로부터 변위할 수 있다. 시스템마다 변위가 상이할 수 있고, 이는 필드 이미지에서 스티칭 에러를 일으킬 수 있다.
필드 이미지에서 스티칭 에러를 제거하기 위한 하나의 방법은 빔렛의 스캔 범위를 증가시킴으로써 셀 이미지의 시야(field of view, FOV)를 증가시켜, 인접한 셀 이미지들이 중첩되도록 하는 것이다. 이어서 중첩된 영역에서의 특징들을 정합시킴으로써 셀 이미지들이 함께 스티칭될 수 있다. 그러나, 본 출원인은 셀 이미지들의 FOV를 높이면 데이터 수집 시간과 획득 데이터의 양이 증가할 수 있음을 인식했다. 또한, 특징들이 희박한 샘플로부터의 셀 이미지들을 성공적으로 정합하기 위해서는, 인접한 셀 이미지들에서의 중첩된 영역을 늘려야 하므로, 데이터의 양이 더 증가하고 시스템 처리량은 감소할 수 있다.
상기한 문제들을 해결하기 위해, 샘플의 특정 부분들을 두 번 스캔하여 빔렛에 대응하는 두 개의 중첩된 셀 이미지들이 획득되고, 빔렛 위치들이 중첩된 셀 이미지들에 기초하여 결정될 수 있다. 예를 들어, 제1 스캔 동안 다수의 빔렛을 사용하여 제1 샘플 영역이 스캔되고, 다수의 셀 이미지들이 획득된다. 제2 스캔 동안 다수의 빔렛을 사용하여 제2 샘플 영역이 스캔되고, 다수의 셀 이미지들이 획득된다. 제1 샘플 영역과 제2 샘플 영역은 서로 중첩된다. 중첩된 영역의 적어도 일부가 다수의 빔렛 중 동일한 빔렛에 의해 스캔된다. 즉, 제1 스캔 동안 획득된 제1 셀 이미지는 제2 스캔 동안 획득된 제2 셀 이미지와 중첩되며, 여기서 제1 및 제2 셀 이미지들이 동일한 빔렛의 스캔에 응답하여 획득된다. 예상 빔렛 위치에 대한 빔렛의 변위는 제1 셀 이미지 및 제2 셀 이미지에 기초하여 결정될 수 있다. 적어도 두 빔 간의 실제 상대적인 위치는 예상 빔렛 위치 및 빔렛 변위에 기초하여 결정될 수 있다. 빔렛 변위는 시간에서 안정적이기 때문에, 실제 빔 위치는 저장되고 추가 필드 이미지 획득에 적용될 수 있다.
일례에서, 모든 빔렛 위치들은 제1 및 제2 스캔 동안 획득된 셀 이미지들에 기초하여 결정된다. 다른 예에서, 다수의 빔렛의 서브세트의 위치들은 제1 및 제2 스캔 동안 획득된 대응하는 셀 이미지들에 기초하여 결정된다. 다수의 빔렛의 나머지의 위치들은 서브세트 빔렛 위치들에 기초하여 적절한 계수들을 맞춘 수차 다항식으로부터 계산될 수 있다. 예를 들어, 다수의 빔렛 중 적어도 두 빔렛 간의 상대적인 위치는 셀 이미지들에 기초하여 결정된다. 각 빔렛 및 모든 빔렛 위치들은 적어도 두 빔렛 간의 상대적인 위치에 기초하여 계산된다.
일례에서, 빔렛 변위들은 다수의 필드 이미지들이 획득되는 샘플 이미징 세션 동안 결정되고 보상될 수 있다. 제1 샘플 영역의 필드 이미지를 획득한 후, 빔렛의 빔 축은 제1 샘플 영역과 중첩되는 제2 샘플 이미지 영역의 필드 이미지를 획득하도록 조정될 수 있다. 제2 샘플 영역은 이미징 세션 동안 제2 샘플 영역이 이미 이미징되었도록 선택된다. 이러한 방식으로, 이미징되지 않았던 샘플 영역에 방사 샘플 손상을 도입하지 않고 제1 및 제2 필드 이미지들에 기초하여 빔렛 위치들이 업데이트될 수 있다. 추가적으로, 수차를 정정하기 위해 MBSEM의 광학 구성요소들을 조정하기 위해 빔렛 위치들이 정기적으로 체크될 수 있다.
다른 예에서, 빔렛 위치들은 참조 샘플을 사용하여 결정될 수 있다. 이어서, 결정된 빔렛 위치들이 저장되고 향후 샘플 스캔/이미지에 사용될 수 있다.
도 1을 참조하면, MBSEM(100)의 예가 도시되어 있다. 현미경은 주축(110)을 따라 다수의 하전 입자 빔렛을 생성하기 위한 하전 입자 소스(4) 및 진공 인클로저(미도시)를 포함한다. 하전 입자 소스(4)는 전자 소스(3), 추출기(5) 및 개구 렌즈 어레이(aperture lens array, ALA)(6)를 포함할 수 있다. 다수의 빔렛은 전자-광학 조명기(50)를 통과한 후 빔 축(111)을 따라 샘플(13)로 지향된다. 빔 축은 도면에 도시된 바와 같이, 주 빔 축(110)과 중첩할 수 있다. 전자-광학 조명기(50)는 (렌즈(7, 8, 10 및 12)와 같은) 다수의 렌즈, 개구(9) 및 편향기들(11)을 포함할 수 있다. 다수의 빔렛은 편향기들(11)에 신호들을 보냄으로써 빔 축(111)에 대해 스캔될 수 있다. 또한, 빔 축(111)은 편향기들(11)을 작동함으로써 주 축(110)에 대해 시프팅 및/또는 틸팅함으로써 조정될 수 있다. 이어서, 빔렛은 조정된 빔 축에 대해 스캔될 수 있다.
샘플(13)은 샘플 스테이지(17)에 의해 다수의 자유도로 위치될 수 있는 샘플 홀더(14)와 함께 샘플 평면에 홀드된다. 일례에서, 샘플 홀더(14)는 샘플(13) 아래의 신틸레이터이다. 샘플(13)이 얇은 시편인 경우, MBSEM(100)은 투과 모드에서 작동될 수 있으며, 여기서 샘플을 통해 투과되는 하전 입자는 신틸레이터에 도달하고 광(44)으로 변환될 수 있다. 광은 검출기 광 광학계(15)를 통과한 후 카메라(25)에 의해 검출될 수 있다. 카메라(25)는 실리콘 광전자 증배관(Silicon photomultiplier, SiPM)을 포함할 수 있다. 샘플 이미지들은 카메라(25)에 의해 검출된 신호들로부터 형성될 수 있다. 일부 실시예들에서, 광(44)의 일부가 빔 스플리터(28)에 의해 편향되고, 검출 평면에서 진단 카메라(26)에 의해 검출될 수 있다. 다른 예에서, MBSEM(100)은 반사 모드에서 작동하며, 여기서 샘플(13)로부터 방출된 하전 입자는 검출 평면에서 카메라(27)에 의해 수집된다.
일부 실시예들에서, 샘플 홀더(14)는 신틸레이터를 포함하지 않고, 샘플(13)을 통해 투과된 하전 입자는 샘플 홀더(14)의 하류에 위치한 하전 입자에 대한 픽셀화된 검출기에 의해 검출된다.
제어기(30)는 프로세서(24) 및 비일시적인 메모리(32)를 포함한다. 실행될 때, 제어기(30)로 하여금 본원에서 개시된 방법들을 수행하게 하는 컴퓨터 판독가능 명령어들이 비일시적인 메모리(32)에 저장될 수 있다. 제어기는 동작 동기화, 설정값 제공, 신호 처리, 계산 수행, 사용자 입력 디바이스(33)로부터의 작업자 입력 수신 및 디스플레이 디바이스(31)에 메시지/정보 디스플레이와 같은 다양한 기능들을 제공할 수 있다. 제어기(30)는 제어 라인들(42)을 통해 다양한 도시된 구성요소들과 통신한다. 예를 들어, 제어기(30)는 하전 입자 소스(4)와 통신함으로써 빔 전류를 포함하는 빔 파라미터들을 조정하도록 구성될 수 있다. 제어기(30)는 편향기들(11)을 조정함으로써 스캔 패턴, 체류 시간, 및 각 빔렛의 스캔 범위 중 하나 이상을 포함하는 스캔 파라미터들을 조정하도록 구성될 수 있다. 제어기(30)는 샘플 스테이지(17)를 작동시킴으로써 샘플을 위치시키고 샘플을 주 축(110)에 대해 병진시키도록 구성될 수 있다. 제어기는 전자-광학 조명기의 하나 이상의 광학 구성요소를 작동시킴으로써 샘플(13) 상의 빔렛 위치들을 조정할 수 있다. 또한, 제어기(30)는 데이터 버스(43)를 통해 하나 이상의 카메라(25, 26 및 27)에 의해 검출된 신호들을 수신하고, 신호들을 처리하며, 예를 들어, 디스플레이(31) 상에서 처리된 신호에 기초하여 이미지들을 생성한다.
도 3은 도 1의 MBSEM 시스템(100)과 같은 MBSEM 시스템을 사용하여 샘플을 이미징하기 위한 예시적인 방법(300)을 도시한다. 샘플이 주 축에 대해 고정되어 있는 동안 빔렛을 스캔함으로써 다수의 셀 이미지가 획득된다. 이어서, 샘플은 다른 샘플 위치로 병진/이동되어, 인접한 샘플 영역이 빔렛에 의해 스캔된다. 각 샘플 위치에서 획득된 셀 이미지들이 조합되어 필드 이미지를 형성하고, 다수의 필드 이미지들이 조합되어 샘플 이미지를 형성하여 큰 ROI를 커버한다.
302에서, 샘플이 MBSEM의 진공 챔버로 로딩된다. 이미징 세션에 대한 스캔 파라미터들이 설정된다. 스캔 파라미터들은 하전 입자 빔 파라미터, 스캔 패턴, 각 빔렛의 스캔 범위, 및 체류 시간 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 각 빔렛의 스캔 범위는 샘플 평면에서의 예상 빔렛 위치들에 기초하여 결정될 수 있다. 스캔 패턴들은 전체 시야를 커버하는 데 필요한 필드 이미지들의 수와, 시야를 커버하는 샘플 병진 단계들을 포함할 수 있다.
304에서, 방법(300)은 빔렛 위치들이 업데이트될 필요가 있는지를 체크한다. 일례에서, 빔렛 위치들은 스캔 세션의 시작 시 업데이트될 수 있다. 다른 예에서, 빔렛 위치들은 미리 결정된 시구간 동안 빔렛 위치들이 교정되지 않은 경우 업데이트될 수 있다. 또 다른 예에서, 빔렛 위치들은 주기적으로 업데이트될 수 있다. 빔렛 위치들이 업데이트될 필요가 없다면, 방법(300)은 306에서 저장된 빔렛 위치들을 로딩할 수 있다. 그렇지 않으면, 방법(300)은 308에서 빔렛 위치들을 결정한다. 빔렛 위치들은 예상 빔렛 위치들로부터의 변위에 기초하여 결정될 수 있다. 빔렛 위치들은 획득된 이미지의 좌표들에 따라, 예를 들어, 셀 이미지 또는 필드 이미지의 픽셀 수로 기록될 수 있다. 빔렛 위치들은 대안적으로, 샘플 평면에서의 좌표들에 따라 기록될 수 있다. 빔렛 위치들은 MBSEM의 각 빔렛 및 모든 빔렛 위치들을 포함할 수 있다. 빔렛 위치들은 카메라와 관련된 검출 평면 또는 샘플 평면에서의 각 빔렛 및 모든 빔렛 위치들일 수 있다.
308에서, 빔렛 위치들은 다수의 빔렛으로 두 개의 중첩된 샘플 영역들을 스캔함으로써 결정될 수 있으며, 여기서 중첩된 샘플 영역의 일부가 빔렛 중 적어도 하나에 의해 스캔된다. 일례에서, 동일한 빔렛에 대응하는 셀 이미지들은 중첩된다. 빔렛의 변위는 해당 셀 이미지들의 중첩된 영역에서의 특징들의 픽셀 시프트에 의해 결정될 수 있다. 도 4는 빔렛 위치들을 결정하기 위한 세부 사항들을 도시한다.
310에서, 다수의 빔렛이 샘플 영역에 걸쳐 스캔되고, 필드 이미지에 대응하는 셀 이미지들이 획득된다. 예로서, 도 2에 도시된 바와 같이, 필드 영역(201)의 4x4 셀 이미지들이 획득된다.
312에서, 필드 이미지가 310에서 획득된 셀 이미지들에 기초하여 형성된다. 필드 이미지는 빔 위치들에 기초하여 셀 이미지들을 스티칭함으로써 형성될 수 있다.
314에서, 샘플의 필드 이미지들이 디스플레이된다. 변위된 필드 이미지들은 318에서의 샘플 병진량에 기초하여 함께 스티칭될 수 있다. 이러한 방식으로, 이미징 세션 동안 더 많은 샘플 표면들이 스캔됨에 따라, 디스플레이된 필드 이미지들이 새로 형성된 필드 이미지로 업데이트되므로, 작업자는 세션 진행 상황을 알게 된다. 대안적으로, 필드 이미지들은 스캔이 완료될 때 함께 스티칭되고 샘플 이미지로서 변위될 수 있다.
316에서, 방법(300)은 전체 이미징 세션이 완료되었는지 여부를 체크한다. 세션이 완료되면, 방법(300)이 종료된다. 그렇지 않으면, 샘플은 예를 들어, 샘플 스테이지를 작동시킴으로써 318에서 주 축에 대해 샘플 평면에서 병진된다. 샘플 병진량은 필드 이미지의 시야와 관련이 있다. 인접한 필드 이미지들이 중첩되도록 샘플 병진량이 선택될 수 있다. 샘플이 병진된 후, 다른 샘플 영역에 걸쳐 다수의 빔렛을 스캔함으로써 다른 필드 이미지가 획득될 수 있다.
이러한 방식으로, 빔렛 위치들은 샘플 스캔 전이나 도중에 교정될 수 있다. 빔 위치 교정 프로세스에 추가적인 참조 샘플이 필요하지 않다.
도 4는 빔렛 위치들을 결정하기 위한 방법(400)을 도시한다. 방법(400)은 도 3에 도시된 바와 같이, 샘플을 스캔하면서 수행될 수 있다. 대안적으로, 방법(400)은 빔렛 변위들을 결정하기 위해 기준 샘플에 대해 수행될 수 있다.
402에서, 빔렛은 제1 샘플 영역을 스캔하고, 제1 다수의 셀 이미지들이 획득된다. 빔렛은 스캔 패턴에 따라 전자-광학 조명기의 편향기들을 작동시킴으로써 스캔될 수 있다. 제1 다수의 셀 이미지들은 함께 스티칭되어 제1 필드 이미지를 형성할 수 있다.
404에서, 빔렛은 제2 샘플 영역으로 지향된다. 일례에서, 빔렛은 샘플 평면에서 샘플을 병진시킴으로써 제2 샘플 영역으로 지향된다. 다른 예에서, 빔렛은 편향기들을 조정함으로써 제2 샘플 영역으로 지향된다. 샘플 병진과 비교할 때, 편향기들을 조정하는 것이 더 빠르고 정확할 수 있다. 샘플 평면에서 제1 샘플 영역으로부터 제2 샘플 영역의 시프트는 각 빔렛의 스캔 범위보다 작다. 일례에서, 제1 샘플 영역과 제2 샘플 영역 간의 시프트량은 샘플 평면에서 X 방향 또는 Y 방향 중 어느 하나로 빔렛 스캔 범위의 절반보다 크지 않다. 다른 예에서, 시프트량은 샘플 평면에서 X 방향 또는 Y 방향 중 어느 하나로 빔렛 스캔 범위의 1/3보다 크지 않다.
406에서, 빔렛은 제2 샘플 영역을 스캔하고, 제2 다수의 셀 이미지들이 획득된다. 제2 다수의 셀 이미지들은 조합되어 제2 필드 이미지를 형성할 수 있다. 도 6은 제1 필드 이미지(601) 및 제2 필드 이미지(602)를 예시한다. 각 필드 이미지는 4x4 셀 이미지들을 포함한다. 제2 필드 이미지는 X 방향의 제1 필드 이미지 거리(603) 및 Y 방향의 거리(604)로부터 시프트된다. 예를 들어, 제2 필드 이미지는 X 및 Y 방향 둘 모두에서 셀 이미지 크기의 절반만큼 제1 필드 이미지로부터 이동된다. 제1 빔렛은 필드 이미지(601)의 제1 셀 이미지(605)뿐만 아니라 필드 이미지(602)의 제1 셀 이미지(606)를 획득하는 데 사용된다. 제1 셀 이미지(605, 606) 각각은 네 개의 섹션들(A1, B1, C1, 및 D1)을 포함하며, 여기서 제1 셀 이미지(605)의 섹션 D1 및 제1 셀 이미지(606)의 섹션 A1은 동일한 제1 빔렛에 의해 스캔되는 중첩된 샘플 영역에 대응한다. 유사하게, 제1 셀 이미지(601)의 섹션 D2 및 제2 셀 이미지(602)의 섹션 A2는 동일한 제2 빔렛에 의해 스캔되는 중첩된 동일한 샘플 영역에 대응한다. 빔렛 변위가 없는 경우(또는 빔렛 변위가 제로인 경우), 제1 필드 이미지(601)의 섹션 D1은 제2 필드 이미지(602)의 섹션 A1과 동일해야 한다. 빔렛 변위가 존재하는 경우(또는 빔렛 변위가 제로가 아닌 경우), 특정 빔렛의 변위량은 빔렛에 대응하는 셀 이미지들의 중첩된 영역에서 공유된 특징들의 시프트에 기초하여 결정될 수 있다.
408에서, 긱 빔렛 위치는 제1 및 제2 셀 이미지들로부터 결정된다. 빔렛 위치는 대응하는 셀 이미지들의 중첩된 영역에서 특징들의 시프트에 기초하여 결정될 수 있다. 대응하는 셀 이미지들의 중첩 영역에 충분한 특징이 없는 경우, 결정된 다른 빔렛의 빔렛 위치들에 기초하여 빔렛의 변위가 계산될 수 있다. 각 빔렛에 대한 위치 결정에 대한 세부 사항은 도 5에 도시되어 있다.
410에서, 빔렛 위치들이 저장된다. 저장된 빔렛 위치들은 필드 이미지를 형성하기 위해 셀 이미지들을 스티칭하는 데 사용될 수 있다.
412에서, 408에서 결정된 빔렛 위치들을 사용하여 제1 다수의 셀 이미지들을 스티칭함으로써 제1 필드 이비지가 선택 사항으로서 업데이트될 수 있다. 예를 들어, 업데이트된 제1 필드 이미지가 도 3의 314에 디스플레이될 수 있다.
일부 실시예들에서, 방법(400)이 (이를테면 도 3에서의) 샘플 이미징 세션 동안 실행되는 경우, 제2 샘플 영역이 빔렛에 의해 이미 스캔된 영역이 되도록 선택될 수 있다. 예를 들어, 도 7은 MBSEM으로 이미징되는 샘플(800)을 도시한다. 샘플(800)의 각 그리드는 필드 이미지에서 이미징된 샘플 영역을 나타낸다. 샘플은 샘플 영역이 화살표 821, 822, 및 823으로 표시된 시퀀스(지그재그 경로를 따라)로 이미징되도록 X축 및 Y축을 따라 병진된다. 흰색 그리드들은 이미징된 샘플 영역들에 대응하고, 회색 그리드들은 이미징되지 않은 샘플 영역들에 대응한다. 빔렛은 먼저 제1 필드 이미지를 획득하기 위해 제1 샘플 영역(801)으로 지향하고, 이어서 제2 필드 이미지를 획득하기 위해 제2 샘플 영역(802)으로 지향할 수 있다. 제2 샘플 영역(802)은 제1 샘플 영역(801)과 중첩된다. 제2 샘플 영역은 제1 샘플 영역으로부터 샘플 평면에서 X 방향 또는 Y 방향 중 어느 하나로 셀 이미지의 스캔 범위 미만의 거리만큼 시프트된다. 제2 샘플 영역은 다중 빔렛으로 이미 스캔된 샘플의 일부를 커버한다. 제1 필드 이미지는 도 3의 단계 314에서와 같이, 다른 샘플 영역들의 필드 이미지들과 함께 디스플레이될 것이다. 제2 필드 이미지는 빔렛 변위들 또는 위치들을 결정하는 데 사용될 수 있다. 이러한 방식으로, 하전 입자 조사로 인한 추가 샘플 손상을 도입하지 않고 빔렛 위치들이 결정될 수 있다.
도 5는 두 개의 중첩된 샘플 영역들에서 획득된 셀 이미지들에 기초하여 빔렛 위치들을 결정하기 위한 방법(500)을 도시한다. 예를 들어, 제1 다수의 셀 이미지들이 제1 샘플 영역으로부터 획득되고, 제2 다수의 셀 이미지들이 제2 샘플 영역으로부터 획득된다.
502에서, 방법(500)은 셀 이미지들이 참조 샘플로부터 획득되는지 여부를 체크한다. 참조 샘플은 규칙적인 간격의 특징들을 포함할 수 있다. 셀 이미지들이 참조 샘플로부터 획득되는 경우, 방법(500)은 504로 진행한다. 그렇지 않으면, 조사 중인 샘플로부터 셀 이미지들이 획득되는 경우, 방법(500)은 506으로 진행한다.
504에서, 각 빔렛 위치들이 참조 샘플의 알려진 특징들에 대한 대응하는 셀 이미지들에 기초하여 결정된다. 예를 들어, 참조 샘플은 리소그래피로 에칭된 점 또는 십자 표시들이 있는 편평한 샘플일 수 있다.
506에서, 다수의 빔렛 중 빔렛이 선택된다.
508에서, 방법(500)은 선택된 빔렛에 대응하는 셀 이미지들의 중첩된 영역에 충분한 공유 특징들이 있는지 여부를 체크한다. 예를 들어, 셀 이미지들의 중첩 영역에서 공유되는 특징들이 먼저 식별될 수 있다. 공유되는 특징들에 대응하는 픽셀 수가 계산된다. 중첩된 영역에서의 공유된 특징들은 픽셀 수가 임계 수보다 높으면 충분하다. 셀 이미지들의 중첩된 영역이 충분한 공유 특징들을 포함하지 않는 경우(즉, 중첩된 영역이 셀 이미지들 중 하나 또는 둘 모두에서 특징이 없는 경우), 선택된 빔렛 위치는 업데이트할 수 없다. 선택된 빔렛의 빔렛 위치는 업데이트되지 않은 것으로 마킹될 수 있다. 이어서, 방법(500)은 다른 빔렛을 선택하기 위해 506으로 이동한다. 그렇지 않으면, 셀 이미지의 중첩된 영역에 공유된 특징들이 충분한 경우, 방법(500)은 선택된 빔렛 위치를 결정하기 위해 510으로 이동한다.
510에서, 선택된 빔렛 위치가 대응하는 셀 이미지들에 기초하여 결정된다. 빔렛의 변위가 빔렛에 대응하는 셀 이미지들의 중첩된 영역에서 하나 이상의 공유 특징의 시프트로부터 결정될 수 있다. 예를 들어, 도 6에서, 제1 셀 이미지(605)와 제2 셀 이미지(606) 간의 중첩된 영역(섹션 D1 또는 A2)에서의 특징들의 픽셀 시프트로부터 제1 빔의 변위가 결정된다. 특징들의 시프트는 두 개의 셀 이미지들의 중첩된 영역에서의 특징들을 정합함으로써 결정될 수 있다. 특징 정합은 예를 들어, 상호 상관에 기초하여 달성될 수 있다. 실제 빔렛 위치는 예상 빔렛 위치에 빔렛 변위를 적용함으로써 결정된다.
512에서, 방법(500)은 모든 빔렛이 선택되었는지 여부를 체크한다. 그렇지 않다면, 506에서 다른 빔렛이 선택된다. 그렇지 않으면, 514에서, 방법(500)은 임의의 빔렛 위치가 업데이트되지 않았는지를 체크한다. 대응하는 두 개의 셀 이미지들 중 하나 또는 둘 모두에서 중첩된 영역에 특징이 없는 경우 빔렛 위치는 업데이트되지 않을 수 있다. 즉, 셀 이미지들 간의 시프트가 결정될 수 없다.
516에서, 업데이트되지 않은 임의의 빔렛 위치가 업데이트된 빔렛 위치들에 기초하여 결정된다. 모든 빔렛은 샘플 평면에 도달하기 전에 전자-광학 조명기에서 동일한 광학 구성요소들을 통해 이동하기 때문에 빔렛 위치의 분포는 다항식 모델로 특성화될 수 있다. 이에 따라, 업데이트되지 않은 임의의 빔렛 위치들은 업데이트된 빔렛 위치들에 다항식 모델을 피팅함으로써 결정될 수 있다. 다항식 모델의 특정 형태는 시스템에 따른다. 예를 들어, 다항식 모델은 3 내지 5차 항들을 포함할 수 있다. 시스템에 회전 대칭 광학 구성요소들이 포함된 경우 일부 항들은 제로로 설정될 수 있다. 이어서, 업데이트되지 않은 빔렛의 빔렛 위치는 피팅된 다항식 모델과 빔렛의 배열을 기초하여 결정될 수 있다.
이러한 방식으로, 빔렛 위치들은 참조 샘플로 또는 샘플 이미징 세션 중에 업데이트될 수 있다. 빔렛 위치들은 투과 모드 또는 반사 모드 중 어느 하나에서 작동되는 MBSEM과 같은 임의의 MBSEM 시스템에서뿐만 아니라, MBSEM이 이차 전자 신호들을 획득하는 것에서 결정될 수 있다. 결정 중에 샘플에 방사 손상이 도입되지 않는다. 빔렛 위치들은 빠르고 안정적이며 정확하게 업데이트될 수 있다.
동일한 빔렛으로 중첩된 샘플 영역을 스캔하는 것의 기술적 효과는 빔렛에 대응하는 셀 이미지들이 중첩되고, 중첩된 영역에서 특징들의 시프트가 계산될 수 있다는 것이다. 특징들의 시프트는 빔 변위에 비례한다. 빔렛 위치들을 업데이트하는 것의 기술적 효과는 필드 이미지에서 스티칭 아티팩트를 정정하는 것이다. 빔렛 위치들을 정확하게 추정하는 것의 기술적 효과는 빔렛의 스캔 범위가 줄어들 수 있고, 시스템 처리량이 증가될 수 있다는 것이다.
일 실시예에서, 다중 빔 시스템에서 빔렛 위치들을 결정하기 위한 방법은: 제1 샘플 영역에 걸쳐 다수의 빔렛을 스캔함으로써 제1 스캔을 수행하는 단계; 제1 영역의 다수의 셀 이미지들 - 각 셀 이미지는 다수의 빔렛 중 대응하는 빔렛으로부터의 조사에 응답하여 수신된 신호들에 기초하여 형성됨 - 을 획득하는 단계; 제2 샘플 영역에 걸쳐 다수의 빔렛을 스캔함으로써 제2 스캔을 수행하는 단계; 제2 영역의 다수의 셀 이미지들을 획득하는 단계 - 제1 샘플 영역과 제2 샘플 영역 간의 중첩된 영역의 적어도 일부가 제1 스캔 및 제2 스캔 둘 모두 동안 다수의 빔렛 중 적어도 두 빔렛에 의해 스캔됨 -; 및 제1 스캔 및 제2 스캔 동안 획득된 대응하는 셀 이미지들에 기초하여 다수의 빔렛 중 적어도 두 빔렛 간의 상대적인 위치를 결정하는 단계를 포함한다. 본 방법의 제1 예에서, 본 방법은 제1 스캔 동안 다수의 빔렛 중 특정 빔렛에 대응하는 제1 셀 이미지가 획득되고, 제2 스캔 동안 빔렛에 대응하는 제2 셀 이미지가 획득되며, 제1 셀 이미지는 제2 셀 이미지와 중첩하는 것을 더 포함한다. 본 방법의 제2 예는 선택 사항으로서 제1 예를 포함하고, 제1 스캔 및 제2 스캔 동안 획득된 대응하는 셀 이미지들에 기초하여 다수의 빔렛 중 적어도 두 빔렛 간의 상대적인 위치를 결정하는 단계가 대응하는 셀 이미지들에서의 중첩된 영역의 적어도 하나의 특징의 시프트에 기초하여 예상 빔렛 위치로부터의 빔렛의 변위를 결정하는 단계를 포함하는 것을 더 포함한다. 본 방법의 제3 예는 선택 사항으로서 제1 내지 제2 예들 중 하나 이상을 포함하고, 제1 셀 이미지 또는 제2 셀 이미지 중 어느 하나에서의 중첩된 영역에서 식별 가능한 특징이 없는 것에 응답하여, 하나 이상의 다른 빔렛 위치에 기초하여 적어도 두 빔렛 간의 상대적인 위치를 결정하는 단계를 더 포함한다. 본 방법의 제4 예는 선택 사항으로서 제1 내지 제3 예들 중 하나 이상을 포함하고, 하나 이상의 다른 빔렛 위치에 기초하여 적어도 두 빔렛 간의 상대적인 위치를 결정하는 단계가 하나 이상의 다른 빔렛 위치에 다항식 모델을 피팅함으로써 적어도 두 빔렛 간의 상대적인 위치를 결정하는 단계를 포함하는 것을 더 포함한다. 본 방법의 제5 예는 선택 사항으로서 제1 내지 제4 예들 중 하나 이상을 포함하고, 제1 샘플 영역에 걸쳐 다수의 빔렛을 스캔하는 단계가 제1 샘플 영역의 상이한 부분에 걸쳐 각 빔렛을 스캔하는 단계를 포함하고, 각 빔렛의 스캔 범위는 샘플 평면에서의 인접한 빔렛들 간의 예상 거리 이상인 것을 더 포함한다. 본 방법의 제6 예는 선택 사항으로서 제1 내지 제5 예들 중 하나 이상을 포함하고, 샘플 스테이지를 작동시킴으로써 샘플을 병진시키는 단계; 제3 샘플 영역의 다수의 셀 이미지들을 획득하는 단계; 및 다수의 빔렛 중 적어도 두 빔렛 간의 결정된 상대적인 위치들에 기초하여 제3 샘플 영역의 다수의 셀 이미지들로부터 제3 샘플 영역의 샘플 이미지를 생성하는 단계를 더 포함한다. 본 방법의 제7 예는 선택 사항으로서 제1 내지 제6 예들 중 하나 이상을 포함하고, 제1 스캔 및 제2 스캔 동안 획득된 대응하는 셀 이미지들에 기초하여 다수의 빔렛 중 적어도 두 빔렛 간의 상대적인 위치를 결정하는 단계가: 제1 스캔 및 제2 스캔 동안 획득된 셀 이미지들에 기초하여 샘플 평면에서의 다수의 빔렛의 각 빔렛 및 모든 빔렛의 위치를 결정하는 단계를 포함하는 것을 더 포함한다. 본 방법의 제8 예는 선택 사항으로서 제1 내지 제7 예들 중 하나 이상을 포함하고, 제1 샘플 영역 및 제2 샘플 영역은 참조 샘플에 속하는 것을 더 포함하며, 방법은: 각 빔렛 위치를 저장하는 단계; 제2 샘플에 걸쳐 다수의 빔렛을 스캔하는 단계; 저장된 각 빔렛 위치에 기초하여 제2 샘플의 샘플 이미지를 생성하는 단계를 더 포함한다. 본 방법의 제9 예는 선택 사항으로서 제1 내지 제8 예들 중 하나 이상을 포함하고, 저장된 각 빔렛 위치에 기초하여 제2 샘플의 샘플 이미지를 생성하는 단계가: 제2 샘플의 다수의 셀 이미지들을 획득하는 단계, 및 저장된 각 빔렛 위치에 기초하여 제2 샘플의 획득된 다수의 셀 이미지들을 스티칭함으로써 제2 샘플의 샘플 이미지를 생성하는 단계를 포함하는 것을 더 포함한다. 본 방법의 제10 예는 선택 사항으로서 제1 내지 제9 예들 중 하나 이상을 포함하고, 제1 스캔과 제2 스캔 간에서 샘플 스테이지를 작동시킴으로써 샘플을 병진시키는 단계를 더 포함한다. 본 방법의 제11 예는 선택 사항으로서 제1 내지 제10 예들 중 하나 이상을 포함하고, 제1 스캔과 제2 스캔 간에서 하나 이상의 편향기를 조정함으로써 다수의 빔렛을제2 샘플 영역으로 지향시키는 단계를 더 포함한다.
다른 실시예에서, 다중 빔 시스템을 사용하여 샘플을 이미징하기 위한 방법은 제1 샘플 영역에 걸쳐 다수의 빔렛을 스캔하고, 제1 필드 이미지를 생성하는 단계; 제2 샘플 영역에 걸쳐 다수의 빔렛을 스캔하고, 제2 필드 이미지를 생성하는 단계 - 다수의 빔렛의 각 빔렛은 제1 샘플 영역과 제2 샘플 영역 간의 중첩된 영역의 적어도 일부를 스캔함 -; 제1 이미지 및 제2 이미지에 기초하여 빔렛 위치들을 업데이트하는 단계; 샘플을 홀딩하는 샘플 스테이지를 작동시킴으로써 샘플을 병진시키는 단계; 및 제3 샘플 영역에 걸쳐 다수의 빔렛을 스캔하고 업데이트된 빔렛 위치들에 기초하여 제3 필드 이미지를 생성하는 단계를 포함한다. 본 방법의 제1 예에서, 업데이트된 빔렛 위치들에 기초하여 제3 필드 이미지를 생성하는 단계는: 다수의 셀 이미지들 - 각 셀 이미지는 제3 샘플 영역에 걸쳐 대응하는 빔렛으로부터의 조사에 응답하여 수집된 신호들에 의해 형성됨 - 을 획득하는 단계; 및 업데이트된 빔렛 위치들에 기초하여 다수의 셀 이미지들을 스티칭함으로써 제3 필드 이미지를 생성하는 단계를 포함한다. 본 방법의 제2 예는 선택 사항으로서 제1 예를 포함하고, 샘플 병진량에 기초하여 제1 필드 이미지 및 제3 필드 이미지를 스티칭함으로써 샘플 이미지를 생성하는 단계를 더 포함한다. 본 방법의 제3 예는 선택 사항으로서 제1 내지 제2 예들 중 하나 이상을 포함하고, 제2 샘플 영역에 걸쳐 다수의 빔렛을 스캔하기 전에 다수의 빔렛의 빔 축을 조정하는 단계를 더 포함한다. 본 방법의 제4 예는 선택 사항으로서 제1 내지 제3 예들 중 하나 이상을 포함하고, 제2 샘플 영역이 제3 샘플 영역과 중첩하지 않는 것을 더 포함한다.
또 다른 실시예에서, 다중 빔 시스템은 다수의 빔렛을 생성하기 위한 빔 소스; 샘플에 걸쳐 다수의 빔렛을 빔 축에 대해 스캔하기 위한 편향기들; 샘플을 병진하기 위한 샘플 홀더; 및 비일시적인 메모리 내에 저장된 컴퓨터 판독가능 명령어들을 포함하는 제어기를 포함하며, 컴퓨터 판독가능 명령어들이 프로세서에 의해 실행될 때, 제어기는: 제1 샘플 영역에 걸쳐 다수의 빔렛을 스캔함으로써 제1 스캔을 수행하도록; 제1 영역의 다수의 셀 이미지들 - 각 셀 이미지는 다수의 빔렛 중 대응하는 빔렛으로부터의 조사에 응답하여 수신된 신호들에 기초하여 형성됨 - 을 획득하도록; 제2 샘플 영역에 걸쳐 다수의 빔렛을 스캔함으로써 제2 스캔을 수행하도록; 제2 영역의 다수의 셀 이미지들을 획득하도록 - 제1 샘플 영역과 제2 샘플 영역 간의 중첩된 영역의 적어도 일부가 제1 스캔 및 제2 스캔 둘 모두 동안 다수의 빔렛 중 적어도 하나의 빔렛에 의해 스캔됨 -; 그리고 제1 스캔 및 제2 스캔 동안 획득된 대응하는 셀 이미지들에 기초하여 다수의 빔렛 중 적어도 두 빔렛 간의 상대적인 위치를 결정하도록 구성된다. 본 시스템의 제1 예에서, 본 시스템은 제어기가 또한: 제1 스캔과 제2 스캔 간에서 편향기들을 다수의 빔렛을 작동시킴으로써 제1 샘플 영역으로부터 제2 샘플 영역으로 지향시키도록 구성되는 것을 더 포함한다. 본 방법의 제2 예는 선택 사항으로서 제1 예를 포함하고, 제어기가 또한: 제3 샘플 영역에 걸쳐 다수의 빔렛을 스캔함으로써 제3 스캔을 수행하도록; 제3 샘플 영역의 다수의 셀 이미지들을 획득하도록; 다수의 빔렛 중 적어도 두 빔렛 간의 상대적인 위치들에 기초하여 제3 샘플 영역의 다수의 셀 이미지들을 스티칭함으로써 샘플 영역을 생성하도록 구성되는 것을 더 포함한다.

Claims (15)

  1. 다중 빔 시스템에서 빔렛 위치들을 결정하기 위한 방법으로서,
    제1 샘플 영역에 걸쳐 다수의 빔렛을 스캔함으로써 제1 스캔을 수행하는 단계;
    상기 제1 영역의 다수의 셀 이미지들을 획득하는 단계 - 각 셀 이미지는 상기 다수의 빔렛 중 대응하는 빔렛으로부터의 조사에 응답하여 수신된 신호들에 기초하여 형성됨 -;
    제2 샘플 영역에 걸쳐 다수의 빔렛을 스캔함으로써 제2 스캔을 수행하는 단계;
    상기 제2 영역의 다수의 셀 이미지들을 획득하는 단계 - 상기 제1 샘플 영역과 상기 제2 샘플 영역 간의 중첩된 영역의 적어도 일부가 상기 제1 스캔 및 상기 제2 스캔 둘 모두 동안 상기 다수의 빔렛 중 적어도 두 빔렛에 의해 스캔됨 -; 및
    상기 제1 스캔 및 상기 제2 스캔 동안 획득된 대응하는 상기 셀 이미지들에 기초하여 상기 다수의 빔렛 중 적어도 두 빔렛 간의 상대적인 위치를 결정하는 단계;를 포함하는, 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 스캔 동안 상기 다수의 빔렛 중 특정 빔렛에 대응하는 제1 셀 이미지가 획득되고, 상기 제2 스캔 동안 상기 빔렛에 대응하는 제2 셀 이미지가 획득되며, 상기 제1 셀 이미지는 상기 제2 셀 이미지와 중첩하는 것인, 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 스캔 및 상기 제2 스캔 동안 획득된 대응하는 상기 셀 이미지들에 기초하여 상기 다수의 빔렛 중 적어도 두 빔렛 간의 상대적인 위치를 결정하는 단계는 상기 대응하는 셀 이미지들에서의 상기 중첩된 영역의 적어도 하나의 특징의 시프트에 기초하여 예상 빔렛 위치로부터의 상기 빔렛의 변위를 결정하는 단계를 포함하는 것인, 방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제1 셀 이미지 또는 상기 제2 셀 이미지 중 어느 하나에서의 상기 중첩된 영역에서 식별 가능한 특징이 없는 것에 응답하여, 하나 이상의 다른 빔렛 위치에 기초하여 상기 적어도 두 빔렛 간의 상대적인 위치를 결정하는 단계를 더 포함하는, 방법.
  5. 제4항에 있어서, 하나 이상의 다른 빔렛 위치에 기초하여 상기 적어도 두 빔렛 간의 상대적인 위치를 결정하는 단계는 상기 하나 이상의 다른 빔렛 위치에 다항식 모델을 피팅함으로써 상기 적어도 두 빔렛 간의 상대적인 위치를 결정하는 단계를 포함하는 것인, 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제1 샘플 영역에 걸쳐 다수의 빔렛을 스캔하는 단계는 상기 제1 샘플 영역의 상이한 부분에 걸쳐 각 빔렛을 스캔하는 단계를 포함하고, 각 빔렛의 스캔 범위는 샘플 평면에서의 인접한 빔렛들 간의 예상 거리 이상인 것인 방법.
  7. 제1항에 있어서, 샘플 스테이지를 작동시킴으로써 상기 샘플을 병진시키는 단계; 제3 샘플 영역의 다수의 셀 이미지들을 획득하는 단계; 및 상기 다수의 빔렛 중 상기 적어도 두 빔렛 간의 결정된 상대적인 위치들에 기초하여 상기 제3 샘플 영역의 상기 다수의 셀 이미지들로부터 상기 제3 샘플 영역의 샘플 이미지를 생성하는 단계를 더 포함하는, 방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 제1 스캔 및 상기 제2 스캔 동안 획득된 대응하는 셀 이미지들에 기초하여 상기 다수의 빔렛 중 적어도 두 빔렛 간의 상대적인 위치를 결정하는 단계는: 상기 제1 스캔 및 상기 제2 스캔 동안 획득된 셀 이미지들에 기초하여 샘플 평면에서의 상기 다수의 빔렛의 각 빔렛 및 모든 빔렛의 위치를 결정하는 단계를 포함하는 것인, 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 제1 샘플 영역 및 상기 제2 샘플 영역은 참조 샘플에 속하고, 상기 방법은: 각 빔렛 위치를 저장하는 단계; 제2 샘플에 걸쳐 상기 다수의 빔렛을 스캔하는 단계; 저장된 상기 각 빔렛 위치에 기초하여 상기 제2 샘플의 샘플 이미지를 생성하는 단계를 더 포함하는, 방법.
  10. 제9항에 있어서, 저장된 상기 각 빔렛 위치에 기초하여 상기 제2 샘플의 샘플 이미지를 생성하는 단계는: 상기 제2 샘플의 다수의 셀 이미지들을 획득하는 단계, 및 저장된 상기 각 빔렛 위치에 기초하여 상기 제2 샘플의 획득된 다수의 셀 이미지들을 스티칭함으로써 상기 제2 샘플의 샘플 이미지를 생성하는 단계를 포함하는 것인, 방법.
  11. 다중 빔 시스템을 사용하여 샘플을 이미징하기 위한 방법으로서,
    제1 샘플 영역에 걸쳐 다수의 빔렛을 스캔하고, 제1 필드 이미지를 생성하는 단계;
    제2 샘플 영역에 걸쳐 상기 다수의 빔렛을 스캔하고, 제2 필드 이미지를 생성하는 단계 - 상기 다수의 빔렛의 각 빔렛은 상기 제1 샘플 영역과 상기 제2 샘플 영역 간의 중첩된 영역의 적어도 일부를 스캔함 -;
    상기 제1 이미지 및 상기 제2 이미지에 기초하여 빔렛 위치들을 업데이트하는 단계;
    상기 샘플을 홀딩하는 샘플 스테이지를 작동시킴으로써 상기 샘플을 병진시키는 단계; 및
    제3 샘플 영역에 걸쳐 상기 다수의 빔렛을 스캔하고 상기 업데이트된 빔렛 위치들에 기초하여 제3 필드 이미지를 생성하는 단계를 포함하는, 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 업데이트된 빔렛 위치들에 기초하여 상기 제3 필드 이미지를 생성하는 단계는:
    다수의 셀 이미지들을 획득하는 단계 - 각 셀 이미지는 상기 제3 샘플 영역에 걸쳐 대응하는 빔렛으로부터의 조사에 응답하여 수집된 신호들에 의해 형성됨 -; 및
    상기 업데이트된 빔렛 위치들에 기초하여 상기 다수의 셀 이미지들을 스티칭함으로써 상기 제3 필드 이미지를 생성하는 단계;를 포함하는 것인, 방법.
  13. 다중 빔 시스템으로서,
    다수의 빔렛을 생성하기 위한 빔 소스;
    샘플에 걸쳐 상기 다수의 빔렛을 빔 축에 대해 스캔하기 위한 편향기들;
    상기 샘플을 병진하기 위한 샘플 홀더; 및
    비일시적인 메모리 내에 저장된 컴퓨터 판독가능 명령어들을 포함하는 제어기;를 포함하며, 상기 컴퓨터 판독가능 명령어들이 프로세서에 의해 실행될 때, 상기 제어기는:
    제1 샘플 영역에 걸쳐 다수의 빔렛을 스캔함으로써 제1 스캔을 수행하도록;
    상기 제1 영역의 다수의 셀 이미지들을 획득하도록 - 각 셀 이미지는 상기 다수의 빔렛 중 대응하는 빔렛으로부터의 조사에 응답하여 수신된 신호들에 기초하여 형성됨 -;
    제2 샘플 영역에 걸쳐 다수의 빔렛을 스캔함으로써 제2 스캔을 수행하도록;
    상기 제2 영역의 다수의 셀 이미지들을 획득하도록 - 상기 제1 샘플 영역과 상기 제2 샘플 영역 간의 중첩된 영역의 적어도 일부가 상기 제1 스캔 및 상기 제2 스캔 둘 모두 동안 상기 다수의 빔렛 중 적어도 하나의 빔렛에 의해 스캔됨 -; 그리고
    상기 제1 스캔 및 상기 제2 스캔 동안 획득된 대응하는 상기 셀 이미지들에 기초하여 상기 다수의 빔렛 중 적어도 두 빔렛 간의 상대적인 위치를 결정하도록 구성되는 것인, 다중 빔 시스템.
  14. 제13항에 있어서, 상기 제어기는 또한: 상기 제1 스캔과 상기 제2 스캔 간에서 상기 편향기들을 상기 다수의 빔렛을 작동시킴으로써 상기 제1 샘플 영역으로부터 상기 제2 샘플 영역으로 지향시키도록 구성되는 것인, 다중 빔 시스템.
  15. 제13항 또는 제14항에 있어서, 상기 제어기는 또한: 제3 샘플 영역에 걸쳐 상기 다수의 빔렛을 스캔함으로써 제3 스캔을 수행하도록; 상기 제3 샘플 영역의 다수의 셀 이미지들을 획득하도록; 상기 다수의 빔렛 중 상기 적어도 두 빔렛 간의 상기 상대적인 위치들에 기초하여 상기 제3 샘플 영역의 상기 다수의 셀 이미지들을 스티칭함으로써 샘플 영역을 생성하도록 구성되는 것인, 다중 빔 시스템.
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