KR20230088523A - 정보 처리 장치, 표시 장치, 및 전자 기기 - Google Patents
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Abstract
큰 표시 영역을 가지고, 가반성을 향상시킨 전자 기기를 제공한다. 또한, 신뢰성을 향상시킨 전자 기기를 제공한다.
제 1 필름과, 패널 기판과, 적어도 제 1 하우징을 가지는 정보 처리 장치이다. 패널 기판은 가요성 및 표시 영역을 구비하고, 제 1 필름은 가시광에 대한 투과성 및 가요성을 구비한다. 제 1 하우징은 제 1 슬릿을 가지고, 패널 기판은 제 1 필름과 제 2 필름 사이에 끼워지는 영역을 구비하고, 제 1 슬릿은 이 영역을 수납하는 기능을 구비하고, 패널 기판, 제 1 필름 중 어느 한쪽 또는 양쪽은, 제 1 슬릿을 따라 습동할 수 있다.
제 1 필름과, 패널 기판과, 적어도 제 1 하우징을 가지는 정보 처리 장치이다. 패널 기판은 가요성 및 표시 영역을 구비하고, 제 1 필름은 가시광에 대한 투과성 및 가요성을 구비한다. 제 1 하우징은 제 1 슬릿을 가지고, 패널 기판은 제 1 필름과 제 2 필름 사이에 끼워지는 영역을 구비하고, 제 1 슬릿은 이 영역을 수납하는 기능을 구비하고, 패널 기판, 제 1 필름 중 어느 한쪽 또는 양쪽은, 제 1 슬릿을 따라 습동할 수 있다.
Description
본 발명의 일 형태는 정보 처리 장치, 표시 장치, 및 전자 기기에 관한 것이다.
또한, 본 발명의 일 형태는, 상기 기술분야에 한정되지 않는다. 본 명세서 등에서 개시(開示)하는 발명의 일 형태의 기술분야는, 물건, 방법, 또는 제조 방법에 관한 것이다. 또는, 본 발명의 일 형태는 공정(process), 기계(machine), 제품(manufacture), 또는 조성물(composition of matter)에 관한 것이다. 그러므로, 더 구체적으로 본 명세서에서 개시하는 본 발명의 일 형태의 기술분야로서는, 반도체 장치, 표시 장치, 발광 장치, 축전 장치, 기억 장치, 이들의 구동 방법, 또는 이들의 제조 방법을 일례로서 들 수 있다.
근년, 표시 장치를 구비하는 전자 기기의 다양화가 진행되고 있다. 그 중 하나에 휴대 전화나 스마트폰, 태블릿 단말, 웨어러블 단말 등의 정보 처리 장치가 있다.
표시 장치로서는, 대표적으로 유기 EL(Electro Luminescence) 소자나 발광 다이오드(LED: Light Emitting Diode) 등의 발광 소자를 구비하는 발광 장치, 액정 표시 장치, 및 전기 영동 방식 등에 의하여 표시를 수행하는 전자 페이퍼 등을 들 수 있다. 특허문헌 1, 특허문헌 2에는, 유기 EL 소자가 적용된 플렉시블 발광 장치가 개시되어 있다.
근년에는 특히, 큰 표시 영역을 가지는 정보 처리 장치, 표시 장치, 및 전자 기기가 요구되고 있다. 표시 영역을 크게 함으로써, 일람성이 향상되고, 표시 가능한 정보량이 증가하는 등의 이점이 있다. 한편, 휴대형 전자 기기에서는 표시 영역을 크게 하면 가반성(portability)이 저하된다. 그러므로, 표시의 일람성의 향상과 가반성의 향상을 양립하기가 어려웠다.
본 발명의 일 형태는 큰 표시 영역을 가지는 전자 기기를 제공하는 것을 과제의 하나로 한다. 또는, 전자 기기의 가반성을 향상시키는 것을 과제의 하나로 한다. 또는, 표시의 일람성의 향상과 가반성의 향상을 양립하는 것을 과제의 하나로 한다. 또는, 신규 전자 기기를 제공하는 것을 과제의 하나로 한다. 또는, 전자 기기의 신뢰성을 향상시키는 것을 과제의 하나로 한다.
또한, 이들 과제의 기재는 다른 과제의 존재를 방해하는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 일 형태는 이들 과제의 모두를 해결할 필요는 없는 것으로 한다. 또한, 이들 이외의 과제는 명세서, 도면, 청구항 등의 기재로부터 저절로 명백해지는 것이며, 명세서, 도면, 청구항 등의 기재로부터 이들 이외의 과제를 추출할 수 있다.
본 발명의 일 형태의 정보 처리 장치는, 힌지와, 제 1 하우징과, 제 2 하우징과, 패널 기판과, 제 1 필름을 가진다. 힌지는 회전축을 구비하고, 제 1 하우징은 힌지를 이용하여 회전축을 중심으로 회전 가능하게 제 2 하우징과 연결되고, 제 1 하우징은 제 1 슬릿을 구비하고, 제 2 하우징은 제 2 슬릿을 구비한다. 패널 기판은 제 1 필름과 중첩되는 영역을 구비하고, 상기 영역은 제 1 슬릿 및 제 2 슬릿 중 어느 한쪽 또는 양쪽에 수납되고, 패널 기판 및 제 1 필름 중 어느 하나 또는 양쪽은 제 2 슬릿을 따라 습동할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 형태의 정보 처리 장치는 제 2 필름을 가지는 상기 정보 처리 장치이다. 패널 기판은 제 1 필름과 제 2 필름 사이에 끼워지는 영역을 구비한다.
또한, 본 발명의 일 형태의 정보 처리 장치는 제 1 필름이 가요성 및 가시광에 대한 투과성을 구비하는 상기 정보 처리 장치이다. 패널 기판은 가요성 및 표시 영역을 구비한다. 제 1 하우징은 제 1 부분과 제 2 부분을 구비하고, 제 1 부분은 표시 영역과 중첩되고, 제 2 부분은 제 1 부분의 주변부와 중첩된다. 또한, 제 2 필름은 표시 영역과 제 1 부분 사이에 끼워지고, 제 2 필름은 가요성을 구비한다.
또한, 본 발명의 일 형태의 정보 처리 장치는 제 1 필름이 제 1 하우징의 일부에 고정된다. 제 1 필름, 제 2 필름, 및 패널 기판은 제 2 하우징을, 회전축을 중심으로 제 1 하우징에 대하여 회전시킴으로써, 제 2 슬릿을 따라 습동할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 형태의 정보 처리 장치는 제 1 필름이 제 1 하우징에 고정되고, 제 1 필름이 제 2 하우징을 제 2 하우징을, 상기 회전축을 중심으로 제 1 하우징에 대하여 회전시킴으로써, 제 2 슬릿을 따라 습동할 수 있고, 제 2 필름은 제 1 하우징 및 제 2 하우징에 고정된다.
또한, 본 발명의 일 형태의 정보 처리 장치는 제 2 하우징이 회전축과 평행한 단부를 구비하고, 제 1 필름 및 패널 기판이 제 2 슬릿 내에서 습동되고, 제 1 필름은 단부로부터 떨어져 있고, 패널 기판은 단부로부터 떨어져 있다.
또한, 본 발명의 일 형태의 정보 처리 장치는 제 2 하우징을, 회전축을 중심으로 제 1 하우징에 대하여 회전시킴으로써, 제 1 필름은 패널 기판에 대하여 평면 형상 또는 볼록 형상이 된다.
또한, 본 발명의 일 형태의 정보 처리 장치는 회로 기판을 가진다. 회로 기판은 패널 기판에 전기적으로 접속되고, 회로 기판은 제 1 하우징에 수납된다.
또한, 본 발명의 일 형태의 정보 처리 장치는 적어도 1개의 구동 회로를 가진다. 구동 회로는 패널 기판 위에 제공되고, 패널 기판은 구동 회로와 표시 영역 사이에 만곡부를 구비한다.
또한, 본 발명의 일 형태의 정보 처리 장치는 패널 기판이 화상 신호선 구동 회로와 표시 영역 사이에 만곡부를 구비한다.
또한, 본 발명의 일 형태의 정보 처리 장치는 입력부를 가진다. 입력부는 터치 센서를 구비하고, 터치 센서는 표시 영역과 중첩되는 영역을 구비한다.
또한, 본 발명의 일 형태의 정보 처리 장치는 제 1 플렉시블 프린트 기판과 제 2 플렉시블 프린트 기판을 가진다. 제 1 하우징은 제 1 플렉시블 프린트 기판 및 제 2 플렉시블 프린트 기판을 수납한다. 제 1 플렉시블 프린트 기판은 표시 영역에 제어 신호를 공급하고, 제 2 플렉시블 프린트 기판은 터치 센서에 제어 신호를 공급하는 정보 처리 장치.
또한, 본 발명의 일 형태의 정보 처리 장치는 키보드, 하드웨어 버튼, 포인팅 디바이스, 조도 센서, 촬상 장치, 음성 입력 장치, 시선 입력 장치, 자세 검출 장치 중 하나 이상을 포함한다.
본 발명의 일 형태에 따르면, 가반성 및 신뢰성이 우수한 신규 정보 처리 장치를 제공할 수 있다. 또는, 조작성이 우수한 신규 정보 처리 장치를 제공할 수 있다. 또는, 신규 정보 처리 장치나 신규 표시 장치 등을 제공할 수 있다. 또한, 이들 효과의 기재는 다른 효과의 존재를 방해하는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 일 형태는 반드시 이들 효과의 모두를 가질 필요는 없다. 또한, 이들 이외의 효과는 명세서, 도면, 청구항 등의 기재로부터 저절로 명백해지는 것이며, 명세서, 도면, 청구항 등의 기재로부터 이들 이외의 효과를 추출할 수 있다.
도 1은 실시형태에 따른 정보 처리 장치의 단면을 설명하는 도면.
도 2는 실시형태에 따른 정보 처리 장치의 단면을 설명하는 도면.
도 3은 실시형태에 따른 정보 처리 장치에 사용할 수 있는 터치 패널의 구성을 설명하는 도면.
도 4는 실시형태에 따른 정보 처리 장치의 하우징을 설명하는 도면.
도 5는 실시형태에 따른 정보 처리 장치에 사용할 수 있는 터치 패널의 구성을 설명하는 도면.
도 6은 실시형태에 따른 정보 처리 장치에 사용할 수 있는 터치 패널의 구성을 설명하는 도면.
도 7은 실시형태에 따른 정보 처리 장치에 사용할 수 있는 터치 패널의 구성을 설명하는 도면.
도 8은 실시형태에 따른 정보 처리 장치에 사용할 수 있는 터치 패널의 구성을 설명하는 도면.
도 9는 실시형태에 따른 굴곡시킬 수 있는 장치를 제작하는 방법을 설명하는 도면.
도 10은 실시형태에 따른 굴곡시킬 수 있는 장치를 제작하는 방법을 설명하는 도면.
도 11은 실시형태에 따른 굴곡시킬 수 있는 장치를 제작하는 방법을 설명하는 도면.
도 12는 실시형태에 따른 터치 패널의 굴곡을 설명하는 도면.
도 13은 실시형태에 따른 입출력 장치를 가지는 전자 기기를 설명하는 도면.
도 2는 실시형태에 따른 정보 처리 장치의 단면을 설명하는 도면.
도 3은 실시형태에 따른 정보 처리 장치에 사용할 수 있는 터치 패널의 구성을 설명하는 도면.
도 4는 실시형태에 따른 정보 처리 장치의 하우징을 설명하는 도면.
도 5는 실시형태에 따른 정보 처리 장치에 사용할 수 있는 터치 패널의 구성을 설명하는 도면.
도 6은 실시형태에 따른 정보 처리 장치에 사용할 수 있는 터치 패널의 구성을 설명하는 도면.
도 7은 실시형태에 따른 정보 처리 장치에 사용할 수 있는 터치 패널의 구성을 설명하는 도면.
도 8은 실시형태에 따른 정보 처리 장치에 사용할 수 있는 터치 패널의 구성을 설명하는 도면.
도 9는 실시형태에 따른 굴곡시킬 수 있는 장치를 제작하는 방법을 설명하는 도면.
도 10은 실시형태에 따른 굴곡시킬 수 있는 장치를 제작하는 방법을 설명하는 도면.
도 11은 실시형태에 따른 굴곡시킬 수 있는 장치를 제작하는 방법을 설명하는 도면.
도 12는 실시형태에 따른 터치 패널의 굴곡을 설명하는 도면.
도 13은 실시형태에 따른 입출력 장치를 가지는 전자 기기를 설명하는 도면.
실시형태에 대하여 도면을 사용하여 자세히 설명한다. 단, 본 발명은 이하의 설명에 한정되지 않고, 본 발명의 취지 및 그 범위에서 벗어남이 없이 그 형태 및 자세한 사항을 다양하게 변경할 수 있는 것은 통상의 기술자라면 용이하게 이해할 수 있다. 따라서, 본 발명은 이하에 나타내는 실시형태의 기재 내용에 한정하여 해석되는 것은 아니다. 또한 이하에 설명되는 발명의 구성에서, 동일한 부분 또는 같은 기능을 가지는 부분에는 동일한 부호를 상이한 도면 사이에서 공통적으로 사용하고, 이의 반복적인 설명은 생략한다.
(실시형태 1)
본 실시형태에서는, 본 발명의 일 형태의 정보 처리 장치인, 굴곡시킬 수 있는 터치 패널에 대하여, 도 1 내지 도 4를 참조하면서 설명한다. 터치 패널은 표시부와 터치 센서를 가진다.
<단면도의 설명>
도 1의 (A)에 본 발명의 일 형태의 굴곡시킬 수 있는 터치 패널의 일 상태의 단면도를 도시하였다. 또한, 도 1의 (B)는 본 발명의 일 형태의 굴곡시킬 수 있는 터치 패널의 다른 일 상태를 도시한 도면이다.
본 발명의 일 형태에서는 굴곡시킬 수 있는 터치 패널은 패널 기판(101), 제 1 필름(102), 제 2 필름(103), 제 1 하우징(104-1), 제 2 하우징(104-2), 힌지(105-1), 회로 기판(106), 플렉시블 기판 FPC(107)를 가진다. 패널 기판(101), 제 1 필름(102), 제 2 필름(103)은 모두 가요성을 가진다. 힌지(105-1)의 회전축을 중심으로, 제 1 하우징(104-1)을 제 2 하우징(104-2)에 대하여 회전할 수 있다. 도 1의 (A)에 도시된 상태는 힌지(105-1)의 회전축을 중심으로, 정보 처리 장치를 굴곡시킨 상태라고 할 수 있다.
도 1의 (A)에서, 제 1 하우징(104-1)은 제 1 부분(104-1A)과, 제 2 부분(104-1B)과, 단부(111)를 포함한다. 제 2 하우징(104-2)은 제 1 부분(104-2A)과, 제 2 부분(104-2B)과, 단부(110)를 포함한다. 제 1 부분(104-1A) 및 제 1 부분(104-2A)은 힌지(105-1)에 접속되어 있고, 제 1 부분(104-1A)에는 회로 기판(106)과 FPC(107)가 수납된다. 제 1 하우징(104-1)에 포함되는 제 2 부분(104-1B)은, 제 1 부분(104-1A)의 주변부와 중첩된다. 또한, 제 2 부분(104-1B) 및 제 1 부분(104-1A)의 주변부 사이에는 공극이 형성된다. 제 2 하우징(104-2)에 포함되는 제 2 부분(104-2B)은 제 1 부분(104-2A)의 주변부와 중첩된다. 또한, 제 2 부분(104-2B) 및 제 1 부분(104-2A)의 주변부 사이에는 다른 공극이 형성된다. 단부(111)는 제 1 부분(104-1A)과 제 2 부분(104-1B) 사이에 위치한다. 또한, 단부(110)는 제 1 부분(104-2A)과 제 2 부분(104-2B) 사이에 위치한다. 예를 들어, 제 1 하우징(104-1)에서, 제 1 부분(104-1A), 제 2 부분(104-1B), 및 단부(111)로 둘러싸이는 영역에, 공극(슬릿(108-1))이 형성된다. 또한, 제 2 하우징(104-2)에서, 제 1 부분(104-2A), 제 2 부분(104-2B), 및 단부(110)로 둘러싸이는 영역에 공극(슬릿(108-2))이 형성된다. 즉, 슬릿(108-1)이 제 1 하우징(104-1)에 제공되고, 슬릿(108-2)이 제 2 하우징(104-2)에 제공된다.
제 1 필름(102), 패널 기판(101), 및 제 2 필름(103)은 중첩되고 슬릿(108-1) 및 슬릿(108-2)에 수납된다.
패널 기판에 구동 회로를 제공하는 경우, 인셀형으로 제공하여도, COG(Chip On Glass)법 또는 COF(Chip On Film)법을 사용하여 제공하여도 좋다. 도 1의 (A) 및 (B)에는 COG법을 사용하여 제공되는 경우의 소켓(109)을 도시하였다.
본 발명의 일 형태의 정보 처리 장치는 굴곡시킬 수 있는 패널 기판(101)과, 투명이며 두께 50μm 이상 500μm 이하, 바람직하게는 80μm 이상 150μm 이하인 제 1 필름(102)을 가진다. 제 1 필름(102)을 가짐으로써 패널 기판(101)의 표면의 기계적 파손을 방지하고, 또한 패널 기판(101)이 제 1 하우징(104-1), 제 2 하우징(104-2)으로부터 들뜬 상태가 되는 것을 방지한다. 또한 패널 기판(101)과, 제 1 하우징(104-1) 또는 제 2 하우징(104-2) 사이에, 제 2 필름(103)을 수납할 수 있다. 제 1 필름(102) 및 제 2 필름(103) 사이에, 패널 기판(101)을 습동할 수 있게 끼운다. 이로써, 패널 기판(101)을, 제 1 하우징(104-1) 및 제 2 하우징(104-2)을 사용하여 지지할 수 있다. 또한, 터치 패널의 조작에 따른 가압으로 인한 패널 기판(101)의 변형량을, 제 2 필름(103)은 작게 할 수 있다. 단, 본 발명의 일 형태의 정보 처리 장치는 제 2 필름(103)이 없는 구성에서도 표면의 기계적 파손을 방지하는 구성으로 할 수 있다.
본 발명의 일 형태에서는, 제 1 필름(102), 제 2 필름(103)은 각각 제 1 하우징(104-1)과 접하는 부분에 고정되어 지지된다. 도 1의 (A)에 도시된 바와 같이, 제 1 필름(102)은 지지부(116)에 의하여 제 1 하우징(104-1)에 고정된다. 제 2 필름(103)은 지지부(117)에 의하여 제 1 하우징(104-1)에 고정된다.
본 발명의 일 형태에서는, FPC(107)가 패널 기판(101)을 회로 기판(106)에 접속한다. 회로 기판(106)은 제 1 하우징(104-1)에 고정된다. 패널 기판(101)의 접힌 부분 및 단부(111) 근방의 제 1 하우징(104-1) 사이에 생기는 마찰력과 FPC(107) 및 회로 기판(106)의 접속을 사용하여, 패널 기판(101)을 제 1 하우징(104-1)에 지지시킨다.
제 1 하우징(104-1)이 가지는 슬릿(108-1)에서, 제 1 필름(102)과 패널 기판(101)은 서로 고정되어 있어도 좋고, 패널 기판(101)과 제 2 필름(103)은 서로 고정되어 있어도 좋다. 이로써, 패널 기판(101), 제 1 필름(102), 제 2 필름(103)이, 제 2 하우징(104-2)이 가지는 슬릿(108-2) 내에서 서로 습동할 수 있다. 또는, 정보 처리 장치의 굴곡의 동작에 따라 패널 기판에 가해지는 응력을 완화할 수 있다. 또는, 응력으로 인한 패널 기판의 파손을 방지할 수 있다.
제 1 필름(102)은 패널 기판(101)에 대하여 고정되어 있지 않은 영역을 가진다. 제 1 필름(102)과 패널 기판(101)이 고정된 상태에서 정보 처리 장치의 굴곡을 수행하면, 패널 기판(101)이 응력으로 인하여 파손되기 쉬워진다. 본 발명의 일 형태에서는, 상기 정보 처리 장치의 굴곡 동작을 수행하였을 때, 제 1 필름(102)과 패널 기판(101)이 습동함으로써, 응력으로 인한 패널 기판(101)의 파손을 저감한다.
본 발명의 일 형태의 정보 처리 장치는 제 1 필름(102)을 통하여 표시부를 시인할 수 있다. 즉 제 1 필름(102)은 가시광 영역의 파장의 광에 대하여 투과성을 가진다. 도 2의 (A)는 표시되는 면이 오목이 되도록 정보 처리 장치를 굴곡시킨 상태이다. 이 상태에서, 제 1 필름(102)이 제 2 필름(103)보다 단부(110)에 가깝다. 또한 도 2의 (B)는 표시되는 면이 볼록이 되도록 정보 처리 장치를 굴곡시킨 상태이다. 이 상태에서, 제 2 필름(103)이 제 1 필름(102)보다 단부(110)에 가깝다. 이와 같이 제 1 필름(102), 제 2 필름(103), 및 패널 기판(101)이 서로 습동함으로써, 패널 기판(101)에 가해지는 굽힘 응력, 압축 응력, 및 인장 응력을 저감할 수 있다.
<패널 기판의 상면도의 설명>
본 실시형태에서 패널 기판(101)으로서, 예를 들어 터치 패널(300)을 사용할 수 있다(도 3의 (A) 참조). 또는, 터치 패널(400)을 사용할 수 있다(도 3의 (B) 참조). 터치 패널(300), 터치 패널(400)은 각각 표시부(301)를 가진다.
터치 패널(300) 또는 터치 패널(400)은 터치 센서를 가지고, 터치 센서는 표시부(301)와 중첩되는 영역을 구비한다. 예를 들어, 표시 패널에 중첩되는 시트상의 정전 용량 방식의 터치 센서를 사용할 수 있다. 또는, 소위 인셀형 터치 패널을 사용할 수 있다. 인셀형 터치 패널은 터치 센서의 기능을 구비한다. 예를 들어, 정전 용량 방식의 터치 센서를 적용하여도 좋고, 광전 변환 소자를 사용한 광학식의 터치 센서를 적용하여도 좋다. 구체적으로는, 광전 변환 소자를 광학식의 터치 센서에 사용할 수 있다(도 3의 (A) 또는 (B) 참조). 예를 들어, 광학식 터치 센서는 표시부(301)를 구비하고, 표시부(301)는 복수의 화소(302)와 복수의 촬상 화소(308)를 구비한다. 촬상 화소(308)는 표시부(301)에 접촉되는 손가락 또는 표시부(301)를 덮어 가리는 손가락 등을 검지할 수 있다.
화소(302)는 복수의 부화소(예를 들어 부화소(302R))를 구비하고, 부화소는 발광 소자 및 화소 회로를 구비한다.
화소 회로는 선택 신호를 공급할 수 있는 배선 및 화상 신호를 공급할 수 있는 배선에 전기적으로 접속되고, 화소 회로는 발광 소자를 구동하는 전력을 공급한다.
도 3의 (A)에 도시된 터치 패널(300)은 주사선 구동 회로(303g(1)) 및 화상 신호선 구동 회로(303s(1))를 가진다. 주사선 구동 회로(303g(1))는 선택 신호를 화소(302)에 공급할 수 있다. 화상 신호선 구동 회로(303s(1))는 화상 신호를 화소(302)에 공급할 수 있고, 또한, 도 3의 (B)에 도시된 터치 패널(400)은 주사선 구동 회로 및 화상 신호선 구동 회로를 가진다. 주사선 구동 회로는 선택 신호를 화소(302)에 공급할 수 있다. 화상 신호선 구동 회로는 화상 신호를 화소(302)에 공급할 수 있다. 제공하는 경우에서, 터치 패널(400)은 소켓(109)이 배치되는 영역(401(1))과 영역(401(2))을 가지고, COG법을 사용하여 각각에 구동 회로가 제공된다.
촬상 화소(308)는 광전 변환 소자 및 촬상 화소 회로를 구비하고, 촬상 화소 회로는 광전 변환 소자를 구동한다.
촬상 화소 회로는 제어 신호를 공급할 수 있는 배선 및 전원 전위를 공급할 수 있는 배선에 전기적으로 접속된다.
예를 들어, 소정의 촬상 화소 회로를 선택하고, 기록된 촬상 신호를 판독하는 신호, 촬상 화소 회로를 초기화하는 신호 및 촬상 화소 회로가 광을 검지하는 시간을 결정하는 신호 등을 제어 신호에 사용할 수 있다.
터치 패널(300) 또는 터치 패널(400)은 촬상 화소 구동 회로(303g(2)) 및 촬상 신호선 구동 회로(303s(2))를 구비한다. 촬상 화소 구동 회로(303g(2))는 제어 신호를 촬상 화소(308)에 공급할 수 있다. 촬상 신호선 구동 회로(303s(2))는 촬상 신호를 판독할 수 있다.
터치 패널(300) 또는 터치 패널(400)은 선분(406) 또는 선분(407)으로 도시된 영역에서 굴곡시킬 수 있다. 예를 들어, 단부(111) 부근에 선분(406)으로 도시된 영역을 배치하고, 힌지(105-1) 부근에 선분(407)으로 도시된 영역을 배치하여, 터치 패널(300) 또는 터치 패널(400)을 굴곡시킬 수 있다.
터치 패널(300)은 선분(406)으로 도시된 영역에서 접을 수 있다. 예를 들어, 주사선 구동 회로(303g(1)) 및 화상 신호선 구동 회로(303s(1))가 배치되는 영역과 표시부가 배치되는 영역 사이에서, 터치 패널(300)을 접을 수 있다. 영역(401(1)) 및 영역(401(2))이 배치되는 영역과 표시부가 배치되는 영역 사이에서, 터치 패널(400)을 접을 수 있다. 이로써, 제 2 부분(104-1B)의 면적을 작게 할 수 있다. 또는, 터치 패널(300)의 주사선 구동 회로(303g(1)) 및 화상 신호선 구동 회로(303s(1))가 배치되는 영역의 면적을 제 2 부분(104-1B)의 면적보다 크게 할 수 있다. 또는, 터치 패널(400)의 영역(401(1)) 및 영역(401(2))이 배치되는 영역의 면적을 제 2 부분(104-1B)의 면적보다 크게 할 수 있다.
<하우징의 상면도의 설명>
제 1 하우징(104-1), 제 2 하우징(104-2), 힌지(105-1), 슬릿(108-1), 슬릿(108-2), 및 단부(110)를 도 4에 도시하였다.
제 2 하우징(104-2)의 1변에 힌지(105-1)가 접속되고, 제 2 하우징(104-2)의 다른 3변에 슬릿(108-2)이 제공된다. 단부(110)는 힌지(105-1)의 회전축과 평행하게 제공된다. 제 1 하우징(104-1)의 1변에 힌지(105-1)가 접속되고, 제 1 하우징(104-1)의 다른 3변에 슬릿(108-1)이 제공된다. 단부(111)는 힌지(105-1)의 회전축과 평행하게 제공된다.
패널 기판(101), 제 1 필름(102), 및 제 2 필름(103)은 제 1 하우징(104-1)에 고정되어 있다. 이로써, 힌지(105-1)에서 정보 처리 장치가 굴곡되어도, 단부(111)와 패널 기판(101) 사이의 거리, 단부(111)와 제 1 필름(102) 사이의 거리, 단부(111)와 제 2 필름(103) 사이의 거리는 변화되지 않는다. 한편, 패널 기판(101), 제 1 필름(102), 및 제 2 필름(103)은 제 2 하우징(104-2)에 고정되어 있지 않다. 이로써, 힌지(105-1)에서 정보 처리 장치가 굴곡되면, 단부(110)와 패널 기판(101) 사이의 거리, 단부(110)와 제 1 필름(102) 사이의 거리, 단부(110)와 제 2 필름(103) 사이의 거리는 변화된다. 예를 들어, 단부(110)와 패널 기판(101) 사이의 거리는 힌지(105-1)의 회전축과 패널 기판(101) 사이의 거리가 길수록, 크게 변화된다.
또한, 힌지(105-1)에서 정보 처리 장치를 굴곡시켜도, 제 2 필름(103)에 강한 굽힘 응력, 압축 응력, 및 인장 응력이 가해지지 않는 경우에는 제 2 필름(103)을 제 1 하우징(104-1)과 제 2 하우징(104-2)에 고정하여도 좋다.
도 1의 (A), 도 1의 (B), 및 도 4에 힌지(105-1)를 간략화하여 도시하였다. 도 1의 (B)에 도시된 상태에서, 힌지(105-1)의 회전축은 패널 기판(101)과 중첩된다. 이 배치에 의하여, 정보 처리 장치의 굴곡 동작에 따라, 패널 기판(101)이 습동되는 거리, 제 1 필름(102)이 습동되는 거리, 및 제 2 필름(103)이 습동되는 거리를 작게 할 수 있다.
패널 기판(101)은 단부(110)로부터 떨어져 있고, 제 1 필름(102)은 단부(110)로부터 떨어져 있고, 제 2 필름(103)은 단부(110)로부터 떨어져 있다. 이로써, 정보 처리 장치의 굴곡 동작에 따라, 패널 기판(101), 제 1 필름(102), 제 2 필름(103)은 습동되어도, 패널 기판(101), 제 1 필름(102), 또는 제 2 필름(103)은 모두 단부(110)에 접촉되지 않는다. 또한, 제 1 필름(102)의 단부는 항상 제 2 부분(104-2B)에 중첩된다. 이로써, 패널 기판(101), 제 1 필름(102), 제 2 필름(103)의 단부가 슬릿(108-2)으로부터 탈락되거나, 또는 제 2 부분(104-2B)의 단부와 충돌되는 것을 방지할 수 있다. 또는, 패널 기판(101), 제 1 필름(102), 또는 제 2 필름(103)은 단부(110)와 접촉되지 않는다. 또는, 단부(110)와의 접촉으로 인한 변형, 열화, 파손으로부터 패널 기판(101), 제 1 필름(102), 또는 제 2 필름(103)을 보호할 수 있다.
예를 들어, 패널 기판(101)에 표시부를 제공하고, 제 1 필름(102)에 터치 패널을 제공할 수 있다. 또한, 제 1 필름(102) 및 패널 기판(101)은 습동되고, 습동에 따라 표시부에 대한 터치 패널의 위치가 어긋나는 경우가 있다. 또한, 위치가 어긋난 상태에서 터치 패널에 위치 정보를 입력한 경우, 의도하지 않은 정보가 입력되는 경우가 있다. 예를 들어, 패널 기판(101)에 터치 패널 및 표시부를 제공할 수 있다. 이로써, 표시부에 대한 터치 패널의 위치가 어긋나지 않도록 할 수 있는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 형태의 정보 처리 장치는 제 1 필름(102)과 패널 기판(101)만의 구성으로 하여도 좋다. 이때 패널 기판(101)은, 제 1 필름(102)과 습동할 수 있게 접촉되고, 제 1 하우징(104-1), 제 2 하우징(104-2)으로 지지된다.
본 발명의 일 형태의 정보 처리 장치는 3개 이상의 필름과 패널 기판(101)만의 구성으로 하여도 좋다. 이때 패널 기판(101)은, 1면에 접촉하는 필름과, 반대 측의 1면에 접촉하는 필름에 습동할 수 있게 접촉되고, 제 1 하우징(104-1), 제 2 하우징(104-2)으로 지지된다.
본 발명의 일 형태의 정보 처리 장치는 복수의 힌지를 제공하고, 하우징을 3개 이상 가지는 구성으로 하여도 좋다. 정보 처리 장치를 구성하는, 접속된 하우징의 1개를 제 1 하우징으로 하였을 때, 제 1 하우징 이외의 슬릿 내에서, 제 1 필름(102)과 패널 기판(101)이 습동할 수 있는 구성으로 하여도 좋다.
(실시형태 2)
본 실시형태에서는, 본 발명의 일 형태의 정보 처리 장치가 가지는, 굴곡시킬 수 있는 터치 패널의 구성에 대하여, 도 5를 참조하면서 설명한다.
도 5의 (A)는 본 발명의 일 형태의 정보 처리 장치에 적용할 수 있는 터치 패널의 구조를 설명하는 상면도이다. 도 5의 (A)에서 각 부분은 도 3의 (A)에 대응된다.
도 5의 (B)는 도 5의 (A)의 절단선 A-B 및 절단선 C-D에서의 단면도이다.
도 5의 (C)는 도 5의 (A)의 절단선 E-F에서의 단면도이다.
<단면도의 설명>
터치 패널(300)은 기판(310) 및 기판(310)에 대향되는 대향 기판(370)을 가진다(도 5의 (B) 참조).
기판(310) 및 대향 기판(370)에 가요성을 가지는 재료를 적용함으로써, 가요성을 터치 패널(300)에 부여할 수 있다.
또한, 가요성을 가지는 터치 패널(300)을 변형시키면, 터치 패널(300)에 제공된 기능 소자는 응력을 받는다. 기능 소자를 기판(310)과 대향 기판(370)의 대략 중앙에 배치하면 기능 소자의 변형을 억제할 수 있어 바람직하다.
또한, 선팽창률의 차이가 대략 동등한 재료를 기판(310) 및 대향 기판(370)에 사용하면 바람직하다. 재료의 선팽창률은 1×10-3/K 이하, 바람직하게는 5×10-5/K 이하, 더 바람직하게는 1×10-5/K 이하이면 좋다.
예를 들어, 폴리에스터, 폴리올레핀, 폴리아마이드(나일론, 아라미드 등), 폴리이미드, 폴리카보네이트, 폴리우레탄, 아크릴 수지, 에폭시 수지, 또는 실리콘(silicone) 등의 실록산 결합을 가지는 수지를 포함하는 재료를 기판(310) 및 대향 기판(370)에 사용할 수 있다.
기판(310)은, 가요성을 가지는 기판(310b), 불순물의 발광 소자로의 확산을 방지하는 배리어막(310a), 및 기판(310b)과 배리어막(310a)을 접합시키는 수지층(310c)이 적층된 적층체이다.
대향 기판(370)은, 가요성을 가지는 기재(370b), 불순물의 발광 소자로의 확산을 방지하는 배리어막(370a), 및 기재(370b)와 배리어막(370a)을 접합시키는 수지층(370c)의 적층체이다(도 5의 (B) 참조).
밀봉재(360)는 대향 기판(370)과 기판(310)을 접합시킨다. 또한, 밀봉재(360)는 공기보다 큰 굴절률을 구비하고, 광학적으로 접합시키는 기능을 가지는 층을 겸한다. 화소 회로 및 발광 소자(예를 들어 제 1 발광 소자(350R))는 기판(310)과 대향 기판(370) 사이에 있다.
<화소의 구성>
화소(302)는 부화소(302R), 부화소(302G), 및 부화소(302B)를 가진다(도 5의 (C) 참조). 또한, 부화소(302R)는 발광 모듈(380R)을 구비하고, 부화소(302G)는 발광 모듈(380G)을 구비하고, 부화소(302B)는 발광 모듈(380B)을 구비한다.
예를 들어 부화소(302R)는, 제 1 발광 소자(350R) 및 제 1 발광 소자(350R)에 전력을 공급할 수 있는 트랜지스터(302t)를 포함하는 화소 회로를 구비한다(도 5의 (B) 참조). 또한, 발광 모듈(380R)은 제 1 발광 소자(350R) 및 광학 소자(예를 들어 제 1 착색층(367R))를 구비한다.
제 1 발광 소자(350R)는, 제 1 하부 전극(351R), 상부 전극(352), 제 1 하부 전극(351R)과 상부 전극(352) 사이에 발광성 유기 화합물을 포함하는 층(353)을 가진다(도 5의 (C) 참조).
발광성 유기 화합물을 포함하는 층(353)은, 발광 유닛(353a), 발광 유닛(353b), 및 발광 유닛(353a)과 발광 유닛(353b) 사이에 중간층(354)을 구비한다.
발광 모듈(380R)은, 제 1 착색층(367R)을 대향 기판(370)에 가진다. 착색층은 특정의 파장을 가지는 광을 투과시키는 것이면 좋고, 예를 들어 적색, 녹색, 또는 청색 등을 나타내는 광을 선택적으로 투과시키는 것을 사용할 수 있다. 또는, 발광 소자가 발하는 광을 그대로 투과시키는 영역을 제공하여도 좋다.
예를 들어, 발광 모듈(380R)은 제 1 발광 소자(350R)와 제 1 착색층(367R)에 접하는 밀봉재(360)를 가진다.
제 1 착색층(367R)은 제 1 발광 소자(350R)와 중첩되는 위치에 있다. 이로써, 제 1 발광 소자(350R)가 발하는 광의 일부는 광학적으로 접합시키는 기능을 가지는 층을 겸하는 밀봉재(360) 및 제 1 착색층(367R)을 투과하여, 도면 중의 화살표로 도시된 바와 같이 발광 모듈(380R)의 외부로 사출된다. 본 발명의 일 형태의 정보 처리 장치는 이 화살표 방향에 제 1 필름(102)을 가진다.
<표시 패널의 구성>
터치 패널(300)은 차광층(367BM)을 대향 기판(370)에 가진다. 차광층(367BM)은 착색층(예를 들어 제 1 착색층(367R))을 둘러싸도록 제공되어 있다.
터치 패널(300)은 반사 방지층(367p)을 표시부(301)에 중첩되는 위치에 구비한다. 반사 방지층(367p)으로서 예를 들어 원 편광판을 사용할 수 있다.
터치 패널(300)은 절연막(321)을 구비한다. 도 5의 (B)에서 절연막(321)은 트랜지스터(302t)를 덮는다. 또한, 절연막(321)은 화소 회로에 기인하는 요철을 평탄화하기 위한 층으로서 사용할 수 있다. 또한, 불순물의 트랜지스터(302t) 등으로의 확산을 억제할 수 있는 층이 적층된 절연막을 절연막(321)에 적용할 수 있다.
터치 패널(300)은 발광 소자(예를 들어 제 1 발광 소자(350R))를 절연막(321) 위에 가진다.
터치 패널(300)은 제 1 하부 전극(351R)의 단부에 중첩되는 격벽(328)을 절연막(321) 위에 가진다(도 5의 (C) 참조). 또한, 기판(310)과 대향 기판(370)의 간격을 제어하는 스페이서(329)를 격벽(328) 위에 가진다.
<화상 신호선 구동 회로의 구성>
화상 신호선 구동 회로(303s(1))는, 트랜지스터(303t) 및 용량(303c)을 포함한다. 또한, 구동 회로는 화소 회로와 동일한 공정으로 동일 기판 위에 형성할 수 있다.
<촬상 화소의 구성>
촬상 화소(308)는 광전 변환 소자(308p) 및 광전 변환 소자(308p)에 조사된 광을 검지하기 위한 촬상 화소 회로를 구비한다. 또한, 촬상 화소 회로는 트랜지스터(308t)를 포함한다.
예를 들어 pin형 포토다이오드를 광전 변환 소자(308p)에 사용할 수 있다.
<기타 구성>
터치 패널(300)은 신호를 공급할 수 있는 배선(311)을 구비하고, 단자(319)가 배선(311)에 제공되어 있다. 또한, 화상 신호 및 동기 신호 등의 신호를 공급할 수 있는 FPC(309(1))가 단자(319)에 전기적으로 접속되어 있다. 단자(319)에, FPC(309(1))와 FPC(309(2))로 분할하여 접속하는 구성으로 하여도 좋고 FPC(309)와 1개로 접속하는 구성으로 하여도 좋다.
또한, FPC(309(1))에는 프린트 배선 기판(PWB)이 장착되어 있어도 좋다.
동일한 공정으로 형성된 트랜지스터를 트랜지스터(302t), 트랜지스터(303t), 트랜지스터(308t) 등의 트랜지스터에 적용할 수 있다.
보텀 게이트형, 톱 게이트형 등의 구조를 가지는 트랜지스터를 적용할 수 있다.
다양한 반도체를 트랜지스터에 적용할 수 있다. 예를 들어, 산화물 반도체, 단결정 실리콘, 폴리실리콘, 또는 비정질 실리콘 등을 적용할 수 있다.
또한, 본 실시형태는 본 명세서에서 나타내는 다른 실시형태와 적절히 조합할 수 있다.
(실시형태 3)
본 실시형태에서는, 본 발명의 일 형태의 정보 처리 장치가 가지는 패널 기판에 적용할 수 있는, 굴곡시킬 수 있는 터치 패널의 구성에 대하여, 도 6 및 도 7을 참조하면서 설명한다.
도 6의 (A)는, 본 실시형태에서 예시하는 터치 패널(500)의 사시도이다. 또한 명료화를 위하여, 대표적인 구성 요소를 도 6에 도시하였다. 도 6의 (B)는 터치 패널(500)의 사시도이다.
도 7의 (A)는, 도 6의 (A)에 도시된 터치 패널(500)의 X1-X2에서의 단면도이다.
터치 패널(500)은 표시부(501)와 터치 센서(595)를 구비한다(도 6의 (B) 참조). 또한, 터치 패널(500)은 기판(510), 기판(570), 및 기판(590)을 가진다. 또한, 기판(510), 기판(570), 및 기판(590)은 모두 가요성을 가진다.
표시부(501)는 기판(510), 기판(510) 위에 복수의 화소 및 상기 화소에 신호를 공급할 수 있는 복수의 배선(511), 및 화상 신호선 구동 회로(503s(1))를 구비한다. 복수의 배선(511)은, 기판(510)의 외주부까지 리드되고, 그 일부가 단자(519)를 구성한다. 단자(519)는 FPC(509(1))에 전기적으로 접속된다.
<터치 센서>
기판(590)에는, 터치 센서(595)와, 터치 센서(595)에 전기적으로 접속되는 복수의 배선(598)을 구비한다. 복수의 배선(598)은 기판(590)의 외주부에 리드되고, 그 일부는 단자를 구성한다. 그리고, 상기 단자는 FPC(509(2))에 전기적으로 접속된다. 또한, 도 6의 (B)에서는 명료화를 위하여, 기판(590)의 이면 측(기판(510)과 대향되는 면 측)에 제공되는 터치 센서(595)의 전극이나 배선 등을 실선으로 도시하였다.
터치 센서(595)로서, 예를 들어 정전 용량 방식의 터치 센서를 적용할 수 있다. 정전 용량 방식으로서는, 표면형 정전 용량 방식, 투영형 정전 용량 방식 등이 있다.
투영형 정전 용량 방식으로서는, 주로 구동 방식의 차이로 자기 용량 방식, 상호 용량 방식 등이 있다. 상호 용량 방식을 사용하면 동시에 여러 지점에서 검출이 가능하게 되어 바람직하다.
이하에서는, 투영형 정전 용량 방식의 터치 센서를 적용하는 경우에 대하여, 도 6의 (B)를 사용하여 설명한다.
또한, 손가락 등의 검지 대상의 근접 또는 접촉을 검지할 수 있는 다양한 센서를 적용할 수 있다.
투영형 정전 용량 방식의 터치 센서(595)는 전극(591)과 전극(592)을 가진다. 전극(591)은 복수의 배선(598) 중 어느 것에 전기적으로 접속되고, 전극(592)은 복수의 배선(598) 중 다른 어느 것에 전기적으로 접속된다.
전극(592)은 도 6의 (A), (B)에 도시된 바와 같이 한 방향으로 반복적으로 배치된 복수의 사변형이 모서리부에서 접속된 형상을 가진다.
전극(591)은 사변형이고, 전극(592)이 연장되는 방향과 교차되는 방향으로 반복적으로 배치되어 있다.
배선(594)은 전극(592)을 끼우는 2개의 전극(591)을 전기적으로 접속한다. 이때 전극(592)과 배선(594)의 교차부의 면적이 가능한 한 작아지는 형상이 바람직하다. 이로써, 전극이 제공되지 않은 영역의 면적을 저감할 수 있고, 투과율의 불균일을 저감할 수 있다. 그 결과, 터치 센서(595)를 투과하는 광의 휘도 불균일을 저감할 수 있다.
또한, 전극(591), 전극(592)의 형상은 이에 한정되지 않고, 다양한 형상을 취할 수 있다. 예를 들어, 복수의 전극(591)을 가능한 한 틈이 생기지 않도록 배치하고, 절연층을 개재(介在)하고 전극(592)을 전극(591)과 중첩되지 않는 영역이 생길 수 있도록 이격하여 복수 제공하는 구성으로 하여도 좋다. 이때, 인접한 2개의 전극(592) 사이에 이들과 전기적으로 절연된 더미 전극을 제공하면, 투과율이 상이한 영역의 면적을 저감할 수 있기 때문에 바람직하다.
터치 센서(595)의 구성을 도 7을 사용하여 설명한다.
터치 센서(595)는 기판(590), 기판(590) 위에 스태거 패턴(staggered pattern)으로 배치된 전극(591) 및 전극(592), 전극(591) 및 전극(592)을 덮는 절연층(593), 그리고 인접한 전극(591)을 전기적으로 접속하는 배선(594)을 구비한다.
수지층(597)은, 터치 센서(595)가 표시부(501)에 중첩되도록 기판(590)을 기판(570)에 접합시킨다.
전극(591) 및 전극(592)은 투광성을 가지는 도전 재료를 사용하여 형성한다. 투광성을 가지는 도전성 재료로서는, 산화 인듐, 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, 산화 아연, 갈륨을 첨가한 산화 아연 등의 도전성 산화물을 사용할 수 있다. 또한, 그래핀을 포함하는 막을 사용할 수도 있다. 그래핀을 포함하는 막은 예를 들어막 형상으로 형성된 산화 그래핀을 포함하는 막을 환원하여 형성할 수 있다. 환원하는 방법으로서는, 열을 가하는 방법 등을 들 수 있다.
투광성을 가지는 도전성 재료를 기판(590) 위에 스퍼터링법으로 성막한 후, 포토리소그래피법 등의 다양한 패터닝 기술에 의하여, 불필요한 부분을 제거하여 전극(591) 및 전극(592)을 형성할 수 있다.
또한, 절연층(593)에 사용하는 재료로서는 예를 들어, 아크릴 수지, 에폭시 수지 등의 수지, 실리콘(silicone) 등의 실록산 결합을 가지는 수지 외에, 산화 실리콘, 산화질화 실리콘, 산화 알루미늄 등의 무기 절연 재료를 사용할 수도 있다.
또한, 전극(591)에 도달하는 개구가 절연층(593)에 제공되고, 배선(594)이 인접한 전극(591)을 전기적으로 접속한다. 투광성의 도전성 재료는 터치 패널의 개구율을 높일 수 있기 때문에, 배선(594)에 적합하게 사용할 수 있다. 또한, 전극(591) 및 전극(592)보다 도전성이 높은 재료는 전기 저항을 저감할 수 있기 때문에 배선(594)에 적합하게 사용할 수 있다.
하나의 전극(592)은 한 방향으로 연장되고, 복수의 전극(592)이 스트라이프 형상으로 제공되어 있다.
배선(594)은 전극(592)과 교차되어 제공되어 있다.
한 쌍의 전극(591)이 하나의 전극(592)을 끼워 제공되고, 배선(594)은 한 쌍의 전극(591)을 전기적으로 접속한다.
또한, 복수의 전극(591)은 하나의 전극(592)과 반드시 직교되는 방향으로 배치될 필요는 없고, 90° 미만의 각도를 이루도록 배치되어도 좋다.
하나의 배선(598)은 전극(591) 또는 전극(592)에 전기적으로 접속된다. 배선(598)의 일부는 단자로서 기능한다. 배선(598)으로서는, 예를 들어, 알루미늄, 금, 백금, 은, 니켈, 타이타늄, 텅스텐, 크로뮴, 몰리브데넘, 철, 코발트, 구리, 또는 팔라듐 등의 금속 재료나, 상기 금속 재료를 포함하는 합금 재료를 사용할 수 있다.
또한, 절연층(593) 및 배선(594)을 덮는 절연층을 제공하여 터치 센서(595)를 보호할 수 있다.
또한, 도 7에는 도시하지 않았지만, 접속층(599)은 배선(598)과 FPC(509(2))를 전기적으로 접속한다.
접속층(599)으로서는, 다양한 이방성 도전 필름(ACF: Anisotropic Conductive Film)이나, 이방성 도전 페이스트(ACP: Anisotropic Conductive Paste) 등을 사용할 수 있다.
수지층(597)은 투광성을 가진다. 예를 들어, 열경화성 수지나 자외선 경화 수지를 사용할 수 있고, 구체적으로는 아크릴 수지, 폴리우레탄, 에폭시 수지, 또는 실리콘(silicone) 등의 실록산 결합을 가지는 수지 등을 사용할 수 있다.
<표시부>
표시부(501)는 매트릭스상으로 배치된 복수의 화소를 구비한다. 화소는 표시 소자와 표시 소자를 구동하는 화소 회로를 구비한다.
본 실시형태에서는, 백색의 광을 사출하는 유기 일렉트로루미네선스 소자를 표시 소자에 적용하는 경우에 대하여 설명하지만, 표시 소자는 이에 한정되지 않는다.
예를 들어, 부화소마다 사출하는 광의 색이 상이하게 되도록, 발광색이 상이한 유기 일렉트로루미네선스 소자를 부화소마다 적용하여도 좋다.
또한, 유기 일렉트로루미네선스 소자 외에, 전기 영동 방식이나 일렉트로웨팅 방식 등으로 표시를 수행하는 표시 소자(전자 잉크라고도 함), 셔터 방식의 MEMS 표시 소자, 광간섭 방식의 MEMS 표시 소자, 액정 소자 등, 다양한 표시 소자를 표시 소자에 사용할 수 있다. 또한, 투과형 액정 디스플레이, 반투과형 액정 디스플레이, 반사형 액정 디스플레이, 직시형 액정 디스플레이 등으로도 적용할 수 있다. 또한, 반투과형 액정 디스플레이나 반사형 액정 디스플레이를 실현하는 경우에는, 화소 전극의 일부 또는 전부가 반사 전극으로서의 기능을 가지도록 하면 좋다. 예를 들어, 화소 전극의 일부 또는 전부가 알루미늄, 은 등을 가지도록 하면 좋다. 또한 그 경우, 반사 전극 아래에 SRAM 등의 기억 회로를 제공할 수도 있다. 이로써, 소비전력을 더욱 저감할 수 있다. 또한, 적용하는 표시 소자에 적합한 구성을 다양한 화소 회로로부터 선택하여 사용할 수 있다.
또한, 표시부에 있어서, 화소에 능동 소자를 가지는 액티브 매트릭스 방식, 또는, 화소에 능동 소자를 가지지 않는 패시브 매트릭스 방식을 사용할 수 있다.
액티브 매트릭스 방식에서는, 능동 소자(액티브 소자, 비선형 소자)로서, 트랜지스터뿐만 아니라, 다양한 능동 소자(액티브 소자, 비선형 소자)를 사용할 수 있다. 예를 들어, MIM(Metal Insulator Metal) 또는 TFD(Thin Film Diode) 등을 사용할 수도 있다. 이들 소자는 제조 공정이 적기 때문에, 제조 비용의 저감 또는 수율의 향상을 도모할 수 있다. 또는, 이들 소자는 소자의 크기가 작기 때문에, 개구율을 향상시킬 수 있어, 저소비전력화나 고휘도화를 도모할 수 있다.
액티브 매트릭스 방식 이외의 것으로서, 능동 소자(액티브 소자, 비선형 소자)를 사용하지 않는 패시브 매트릭스형을 사용할 수도 있다. 능동 소자(액티브 소자, 비선형 소자)를 사용하지 않아 제조 공정이 적기 때문에, 제조 비용의 저감 또는 수율의 향상을 도모할 수 있다. 또는, 능동 소자(액티브 소자, 비선형 소자)를 사용하지 않기 때문에 개구율을 향상시킬 수 있어, 저소비전력화 또는 고휘도화 등을 도모할 수 있다.
가요성을 가지는 재료를 기판(510) 및 기판(570)에 적합하게 사용할 수 있다.
불순물의 투과가 억제된 재료를 기판(510) 및 기판(570)에 적합하게 사용할 수 있다. 예를 들어, 수증기의 투과율이 10-5g/(m2·day) 이하, 바람직하게는 10-6g/(m2·day) 이하인 재료를 적합하게 사용할 수 있다.
선팽창률이 대략 동등한 재료를 기판(510) 및 기판(570)에 적합하게 사용할 수 있다. 예를 들어, 선팽창률이 1×10-3/K 이하, 바람직하게는 5×10-5/K 이하, 더 바람직하게는 1×10-5/K 이하인 재료를 적합하게 사용할 수 있다.
기판(510)은, 가요성을 가지는 기판(510b), 불순물의 발광 소자로의 확산을 방지하는 배리어막(510a), 및 기판(510b)과 배리어막(510a)을 접합시키는 수지층(510c)이 적층된 적층체이다.
예를 들어, 폴리에스터, 폴리올레핀, 폴리아마이드(나일론, 아라미드 등), 폴리이미드, 폴리카보네이트 또는 아크릴 수지, 폴리우레탄, 에폭시 수지, 또는 실리콘(silicone) 등의 실록산 결합을 가지는 수지 등을 수지층(510c)에 사용할 수 있다.
기판(570)은, 가요성을 가지는 기판(570b), 불순물의 발광 소자로의 확산을 방지하는 배리어막(570a), 및 기판(570b)과 배리어막(570a)을 접합시키는 수지층(570c)의 적층체이다.
밀봉재(560)는 기판(570)과 기판(510)을 접합시킨다. 밀봉재(560)는 공기보다 큰 굴절률을 구비한다. 또한, 밀봉재(560) 측으로 광을 추출하는 경우에는 밀봉재(560)는 광학적으로 접합시키는 기능을 가지는 층을 겸한다. 화소 회로 및 발광 소자(예를 들어 제 1 발광 소자(550R))는 기판(510)과 기판(570) 사이에 있다.
<화소의 구성>
화소는 부화소(502R)를 포함하고 부화소(502R)는 발광 모듈(580R)을 구비한다.
부화소(502R)는, 제 1 발광 소자(550R) 및 제 1 발광 소자(550R)에 전력을 공급할 수 있는 트랜지스터(502t)를 포함하는 화소 회로를 구비한다. 또한, 발광 모듈(580R)은 제 1 발광 소자(550R) 및 광학 소자(예를 들어 제 1 착색층(567R))를 구비한다.
제 1 발광 소자(550R)는 하부 전극, 상부 전극, 하부 전극과 상부 전극 사이에 발광성 유기 화합물을 포함하는 층을 가진다.
발광 모듈(580R)은 광을 추출하는 방향에 제 1 착색층(567R)을 가진다. 착색층은 특정의 파장을 가지는 광을 투과하는 것이면 좋고, 예를 들어 적색, 녹색, 또는 청색 등을 나타내는 광을 선택적으로 투과하는 것을 사용할 수 있다. 또한, 다른 부화소에서, 발광 소자가 발하는 광을 그대로 투과하는 영역을 제공하여도 좋다.
또한, 밀봉재(560)가 광을 추출하는 측에 제공되어 있는 경우, 밀봉재(560)는 제 1 발광 소자(550R)와 제 1 착색층(567R)에 접한다.
제 1 착색층(567R)은 제 1 발광 소자(550R)와 중첩되는 위치에 있다. 이로써, 제 1 발광 소자(550R)가 발하는 광의 일부는 제 1 착색층(567R)을 투과하고, 도면 중에 도시된 화살표 방향의 발광 모듈(580R)의 외부로 사출된다. 본 발명의 일 형태의 정보 처리 장치는 이 화살표 방향에 제 1 필름(102)을 가진다.
<표시부의 구성>
표시부(501)는 광을 사출하는 방향에 차광층(567BM)을 가진다. 차광층(567BM)은 착색층(예를 들어 제 1 착색층(567R))을 둘러싸도록 제공되어 있다.
표시부(501)는 반사 방지층(567p)을 화소에 중첩되는 위치에 구비한다. 반사 방지층(567p)으로서, 예를 들어 원 편광판을 사용할 수 있다.
표시부(501)는 절연막(521)을 구비한다. 절연막(521)은 트랜지스터(502t)를 덮는다. 또한, 절연막(521)은 화소 회로에 기인하는 요철을 평탄화하기 위한 층으로서 사용할 수 있다. 또한, 불순물의 확산을 억제할 수 있는 층을 포함하는 적층막을 절연막(521)에 적용할 수 있다. 이로써, 불순물의 확산으로 인한 트랜지스터(502t) 등의 신뢰성의 저하를 억제할 수 있다.
표시부(501)는 발광 소자(예를 들어 제 1 발광 소자(550R))를 절연막(521) 위에 가진다.
표시부(501)는 하부 전극의 단부에 중첩되는 격벽(528)을 절연막(521) 위에 가진다. 또한, 기판(510)과 기판(570)의 간격을 제어하는 스페이서를 격벽(528) 위에 가진다.
<주사선 구동 회로의 구성>
주사선 구동 회로(503g(1))는 트랜지스터(503t) 및 용량(503c)을 포함한다. 또한, 구동 회로를 화소 회로와 동일한 공정으로 동일 기판 위에 형성할 수 있다.
<기타 구성>
표시부(501)는 신호를 공급할 수 있는 배선(511)을 구비하고, 단자(519)가 배선(511)에 제공되어 있다. 또한, 화상 신호 및 동기 신호 등의 신호를 공급할 수 있는 FPC(509(1))가 단자(519)에 전기적으로 접속되어 있다.
또한, FPC(509(1))에는 프린트 배선 기판(PWB)이 장착되어 있어도 좋다.
표시부(501)는 주사선, 신호선, 및 전원선 등의 배선을 가진다. 다양한 도전막을 배선에 사용할 수 있다.
구체적으로는, 알루미늄, 크로뮴, 구리, 탄탈럼, 타이타늄, 몰리브데넘, 텅스텐, 니켈, 이트륨, 지르코늄, 은, 또는 망가니즈로부터 선택된 금속 원소, 상술한 금속 원소를 성분으로 하는 합금, 또는 상술한 금속 원소를 조합한 합금 등을 사용할 수 있다. 특히, 알루미늄, 크로뮴, 구리, 탄탈럼, 타이타늄, 몰리브데넘, 텅스텐 중에서 선택되는 하나 이상의 원소를 포함하면 바람직하다. 특히, 구리와 망가니즈의 합금이 웨트 에칭법을 사용한 미세 가공에 적합하다.
구체적으로는, 알루미늄막 위에 타이타늄막을 적층하는 2층 구조, 질화 타이타늄막 위에 타이타늄막을 적층하는 2층 구조, 질화 타이타늄막 위에 텅스텐막을 적층하는 2층 구조, 질화 탄탈럼막 또는 질화 텅스텐막 위에 텅스텐막을 적층하는 2층 구조, 타이타늄막과 그 타이타늄막 위에 알루미늄막을 적층하고 그 위에 타이타늄막을 더 형성하는 3층 구조 등을 사용할 수 있다.
구체적으로는, 알루미늄막 위에 타이타늄, 탄탈럼, 텅스텐, 몰리브데넘, 크로뮴, 네오디뮴, 스칸듐으로부터 선택된 하나 또는 복수를 조합한 합금막, 또는 질화막을 적층하는 적층 구조를 사용할 수 있다.
또한, 산화 인듐, 산화 주석, 또는 산화 아연을 포함하는 투광성을 가지는 도전 재료를 사용하여도 좋다.
<표시부의 변형예 1>
다양한 트랜지스터를 표시부(501)에 적용할 수 있다.
보텀 게이트형 트랜지스터를 표시부(501)에 적용하는 경우의 구성을 도 7의 (A) 및 (B)에 도시하였다.
예를 들어, 산화물 반도체, 비정질 실리콘 등을 포함하는 반도체층을 도 7의 (A)에 도시된 트랜지스터(502t) 및 트랜지스터(503t)에 적용할 수 있다.
예를 들어, 적어도 인듐(In), 아연(Zn), 및 M(Al, Ga, Ge, Y, Zr, Sn, La, Ce, 또는 Hf 등의 금속)을 포함하는 In-M-Zn 산화물로 표기되는 막을 포함하는 것이 바람직하다. 또는, In과 Zn의 양쪽을 포함하는 것이 바람직하다.
스태빌라이저로서는, 갈륨(Ga), 주석(Sn), 하프늄(Hf), 알루미늄(Al), 또는 지르코늄(Zr) 등이 있다. 또한, 다른 스태빌라이저로서는, 란타노이드인 란타넘(La), 세륨(Ce), 프라세오디뮴(Pr), 네오디뮴(Nd), 사마륨(Sm), 유로퓸(Eu), 가돌리늄(Gd), 터븀(Tb), 디스프로슘(Dy), 홀뮴(Ho), 어븀(Er), 툴륨(Tm), 이터븀(Yb), 및 루테튬(Lu) 등이 있다.
산화물 반도체막을 구성하는 산화물 반도체로서, 예를 들어, In-Ga-Zn계 산화물, In-Al-Zn계 산화물, In-Sn-Zn계 산화물, In-Hf-Zn계 산화물, In-La-Zn계 산화물, In-Ce-Zn계 산화물, In-Pr-Zn계 산화물, In-Nd-Zn계 산화물, In-Sm-Zn계 산화물, In-Eu-Zn계 산화물, In-Gd-Zn계 산화물, In-Tb-Zn계 산화물, In-Dy-Zn계 산화물, In-Ho-Zn계 산화물, In-Er-Zn계 산화물, In-Tm-Zn계 산화물, In-Yb-Zn계 산화물, In-Lu-Zn계 산화물, In-Sn-Ga-Zn계 산화물, In-Hf-Ga-Zn계 산화물, In-Al-Ga-Zn계 산화물, In-Sn-Al-Zn계 산화물, In-Sn-Hf-Zn계 산화물, In-Hf-Al-Zn계 산화물, In-Ga계 산화물을 사용할 수 있다.
또한, 여기서, In-Ga-Zn계 산화물이란, In과 Ga와 Zn을 주성분으로서 가지는 산화물이라는 의미이며, In과 Ga와 Zn의 비율은 불문한다. 또한, In과 Ga와 Zn 이외의 금속 원소가 들어가도 좋다.
예를 들어, 레이저 어닐링 등의 처리에 의하여 결정화시킨 다결정 실리콘을 포함하는 반도체층을 도 7의 (B)에 도시된 트랜지스터(502t) 및 트랜지스터(503t)에 적용할 수 있다.
톱 게이트형 트랜지스터를 표시부(501)에 적용하는 경우의 구성을 도 7의 (C)에 도시하였다.
예를 들어, 다결정 실리콘 또는 단결정 실리콘 기판 등으로부터 전치(轉置)된 단결정 실리콘막 등을 포함하는 반도체층을 도 7의 (C)에 도시된 트랜지스터(502t) 및 트랜지스터(503t)에 적용할 수 있다.
또한, 본 실시형태는 본 명세서에서 나타내는 다른 실시형태와 적절히 조합할 수 있다.
(실시형태 4)
본 실시형태에서는, 본 발명의 일 형태의 정보 처리 장치에 적용할 수 있는,굴곡시킬 수 있는 터치 패널의 구성에 대하여, 도 8을 참조하면서 설명한다.
도 8은 터치 패널(500B)의 단면도이다.
본 실시형태에서 설명하는 터치 패널(500B)은, 공급된 화상 정보를 트랜지스터가 제공되어 있는 측에 표시하는 표시부(501)를 구비하는 점 및 터치 센서가 표시부의 기판(510) 측에 제공되어 있는 점이 실시형태 3에서 설명하는 터치 패널(500)과 상이하다. 여기서는 상이한 구성에 대하여 자세히 설명하고, 같은 구성을 사용할 수 있는 부분은 상기 설명을 원용한다.
<표시부>
표시부(501)는 매트릭스상으로 배치된 복수의 화소를 구비한다. 화소는 표시 소자와 표시 소자를 구동하는 화소 회로를 구비한다.
<화소의 구성>
화소는 부화소(502R)를 포함하고, 부화소(502R)는 발광 모듈(580R)을 구비한다.
부화소(502R)는 제 1 발광 소자(550R) 및 제 1 발광 소자(550R)에 전력을 공급할 수 있는 트랜지스터(502t)를 포함하는 화소 회로를 구비한다.
발광 모듈(580R)은 제 1 발광 소자(550R) 및 광학 소자(예를 들어 제 1 착색층(567R))를 구비한다.
제 1 발광 소자(550R)는 하부 전극, 상부 전극, 하부 전극과 상부 전극 사이에 발광성 유기 화합물을 포함하는 층을 가진다.
발광 모듈(580R)은 광을 추출하는 방향에 제 1 착색층(567R)을 가진다. 착색층은 특정의 파장을 가지는 광을 투과하는 것이면 좋고, 예를 들어 적색, 녹색, 또는 청색 등을 나타내는 광을 선택적으로 투과하는 것을 사용할 수 있다. 또한, 다른 부화소에서, 발광 소자가 발하는 광을 그대로 투과하는 영역을 제공하여도 좋다.
제 1 착색층(567R)은 제 1 발광 소자(550R)와 중첩되는 위치에 있다. 또한, 도 8의 (A)에 도시된 제 1 발광 소자(550R)는 트랜지스터(502t)가 제공되어 있는 측에 광을 사출한다. 이로써, 제 1 발광 소자(550R)가 발하는 광의 일부는 제 1 착색층(567R)을 투과하고, 도면 중에 도시된 화살표 방향의 발광 모듈(580R)의 외부로 사출된다. 본 발명의 일 형태의 정보 처리 장치는 이 화살표 방향에 제 1 필름(102)을 가진다.
<표시부의 구성>
표시부(501)는 광을 사출하는 방향에 차광층(567BM)을 가진다. 차광층(567BM)은 착색층(예를 들어 제 1 착색층(567R))을 둘러싸도록 제공되어 있다.
표시부(501)는 절연막(521)을 구비한다. 절연막(521)은 트랜지스터(502t)를 덮는다. 또한, 절연막(521)은 화소 회로에 기인하는 요철을 평탄화하기 위한 층으로서 사용할 수 있다. 또한, 불순물의 확산을 억제할 수 있는 층을 포함하는 적층막을 절연막(521)에 적용할 수 있다. 이로써, 예를 들어 제 1 착색층(567R)으로부터 확산되는 불순물로 인한 트랜지스터(502t) 등의 신뢰성의 저하를 억제할 수 있다.
<터치 센서>
터치 센서(595)는 표시부(501)의 기판(510) 측에 제공되어 있다(도 8의 (A) 참조).
수지층(597)은, 기판(510)과 기판(590) 사이에 있고, 표시부(501)와 터치 센서(595)를 접합시킨다.
<표시부의 변형예 1>
다양한 트랜지스터를 표시부(501)에 적용할 수 있다.
보텀 게이트형 트랜지스터를 표시부(501)에 적용하는 경우의 구성을 도 8의 (A) 및 (B)에 도시하였다.
예를 들어, 산화물 반도체, 비정질 실리콘 등을 포함하는 반도체층을 도 8의 (A)에 도시된 트랜지스터(502t) 및 트랜지스터(503t)에 적용할 수 있다. 또한, 한 쌍의 게이트 전극을 트랜지스터의 채널이 형성되는 영역을 위아래로 끼우도록 제공하여도 좋다. 이로써, 트랜지스터의 특성의 변동을 억제하고, 신뢰성을 높일 수 있다.
예를 들어, 다결정 실리콘 등을 포함하는 반도체층을 도 8의 (B)에 도시된 트랜지스터(502t) 및 트랜지스터(503t)에 적용할 수 있다.
톱 게이트형 트랜지스터를 표시부(501)에 적용하는 경우의 구성을 도 8의 (C)에 도시하였다.
예를 들어, 다결정 실리콘 또는 전사된 단결정 실리콘막 등을 포함하는 반도체층을 도 8의 (C)에 도시된 트랜지스터(502t) 및 트랜지스터(503t)에 적용할 수 있다.
또한, 본 실시형태는 본 명세서에서 나타내는 다른 실시형태와 적절히 조합할 수 있다.
(실시형태 5)
본 실시형태에서는, 다른 실시형태에서 설명되는 하우징의 회전 방향에 대하여 설명한다.
본 발명의 일 형태의 패널 기판은 터치 패널이면 바람직하다. 터치 패널의 표시부는 터치 센서를 구비하고, 펜이나 연필 등의 선단이 가느다란 부재 또는 손가락 등으로 제 1 필름(102)에 접촉함으로써, 터치 위치가 검출된다. 즉, 패널 기판(101)은 제 1 필름(102)에 의하여 보호되어 있다.
제 1 필름(102)에 선단이 가느다란 부재가 접촉하였을 때, 제 1 필름(102)이 파괴되지 않기 위해서는 제 1 필름(102)의 경도가 높은 것이 요구된다. 제 1 필름(102)의 경도는 연필 경도 시험으로 평가할 수 있다. 제 1 필름(102)의 경도를 높이기 위해서는, 제 1 필름(102)이 충분한 두께를 가지는 것, 또한 충분한 경도를 가진 재료로 형성되는 것이 바람직하다.
패널 기판(101)에는, 선단이 가느다란 부재가 접촉하는 것으로 인한 크랙, 배선 및 절연막의 계면 등의 취약부(600A)가 복수 존재한다. 또한, 제 1 필름(102)에도 선단이 가느다란 부재가 접촉하는 것 등에 의하여 생기는 취약부(600B)가 복수 존재한다.
패널 기판(101)은, 가요성 기판(601)과, 가요성 기판(602)과, 그 사이의 소자 형성 영역(603)을 가진다. 소자 형성 영역(603)에는 금속층으로 이루어지는 배선이나 무기 절연막 등이 형성되고, 이들의 계면이 존재한다. 이들 계면, 단차, 결정립계 등은 취약부(600A)가 되기 쉽다. 그러므로, 취약부(600A)는 소자 형성 영역(603)에 많이 존재한다. 소자 형성 영역(603)의 취약부(600A)가 파단되면, 소자 형성 영역(603)에 포함되는 소자(예를 들어, 트랜지스터, 용량 소자, 배선 등)는 파괴되는 경우가 있다.
예를 들어, 하우징의 가동역 범위에서, 기판(602)을 내측으로 하고 굽힘 모멘트(604)가 패널 기판(101)에 생기도록 구부린다(도 12의 (A) 참조).
패널 기판(101)이 굽힘 모멘트(604)를 받아 굽혀지면, 굽힘 모멘트(604)에 대항하고, 패널 기판(101)이 볼록상으로 굽혀진 측에 있는 기판(601)에 인장 응력이 생긴다. 또한, 오목상으로 굽혀진 측에 있는 기판(602)에 압축 응력이 생긴다. 또한, 패널 기판(101)의 중심 부근에, 인장 응력도 압축 응력도 생기지 않는 면이 있고, 이를 중립면(605)이라고 한다.
응력의 크기는 패널 기판(101)의 중립면(605)에서 0이고, 인장 응력은 패널 기판(101)의 기판(601) 측의 표면을 향하여 직선적으로 증가하고, 압축 응력은 패널 기판(101)의 기판(602) 측의 표면을 향하여 직선적으로 증가한다. 또한, 각각은 패널 기판(101)의 표면에서 최대가 되고, 이 패널 기판(101)의 표면에서의 응력을 패널 기판(101)의 굽힘 응력이라고 한다.
취약부(600A)에 인장 응력이 작용되었을 때, 취약부(600A)에서 균열이 시작되고, 취약부(600A)는 파단의 시작점이 된다. 한편, 취약부(600A)에 압축 응력이 작용되었을 때, 취약부(600A)는 찌부러지기 때문에 파단의 시작점이 되기 어렵다.
소자 형성 영역(603)은 두께를 가지기 때문에, 중립면(605)에만 소자 형성 영역(603)을 형성할 수는 없지만, 중립면(605)의 근방에 형성하면 소자 형성 영역(603)에 생기는 굽힘 응력을 작게 할 수 있다. 또한, 소자 형성 영역(603)에 가해지는 응력은 0 또는 압축 방향인 것이 바람직하다. 즉, 패널 기판이 소자 형성 영역(603)을 중립면(605)에 의하여 내측에 구비하는 구성이 바람직하다. 이로써, 패널 기판(101)을 내측에 구부려도, 소자 형성 영역(603)이 구비하는 막에 균열이 생기기 어렵다.
본 발명의 정보 처리 장치는 제 1 필름(102)을 구비한다(도 12의 (B) 참조). 제 1 필름(102)은 패널 기판(101)에 대하여 고정되어 있지 않다. 또한, 제 1 필름(102)이 오목 측이 되도록 패널 기판(101)은 굽혀진다. 이로써, 터치 패널의 표시부를 보호할 수 있다. 또는, 예를 들어, 제 1 필름(102) 측으로부터 패널 기판(101)에 외력(606)이 가해지는 경우, 패널 기판(101)에서의 중립면(605)은 제 1 필름(102) 측으로 이동하지만, 외력(606)을 작게 함으로써 소자 형성 영역(603)에 가해지는 인장 응력을 억제할 수 있다. 또는, 소자 형성 영역(603)으로 인한 파단이나 균열을 피할 수 있다.
또는, 제 1 필름(102)은 가요성을 가지고, 패널 기판(101)과 접하는 면과 다른 면에 하드 코트층을 구비한다. 이로써, 펜이나 연필 등의 선단이 가느다란 부재로부터, 패널 기판(101)을 보호할 수 있다. 또는, 하드 코트층이 내측이 되도록 패널 기판(101)을 구부려도, 하드 코트층에 가해지는 응력을 항상 0 또는 압축 방향으로 할 수 있다.
본 발명의 정보 처리 장치는 제 1 하우징과, 제 2 하우징과, 패널 기판(101)과, 제 1 필름(102)을 가진다. 제 1 하우징은 회전 가능하게 제 2 하우징과 연결되고, 제 1 필름(102)은 패널 기판(101)과 접하는 면을 구비하고, 상기 면이 볼록이 되도록 굽혀진 상태에 있어서, 패널 기판(101)은 소자 형성 영역(603)을 중립면보다 제 1 필름(102) 측에 구비한다. 또한, 제 1 필름(102)은 하드 코트층을 패널 기판(101) 측에 구비한다.
또한, 본 발명의 일 형태의 정보 처리 장치는 제 1 하우징이 회전축을 중심으로 소정의 가동역에서 회전 가능하게 제 2 하우징과 연결되고, 소정의 가동역은 제 1 필름(102)의 패널 기판(101) 측의 면이 평면 또는 볼록 형상이 되도록 회전을 제한한다. 이로써, 제 1 하우징을 회전축을 중심으로 회전한 경우에, 소자 형성 영역(603) 또는 하드 코트층에서의 인장 응력의 발생을 방지할 수 있다. 또는, 소자 형성 영역(603)의 파괴를 방지할 수 있다. 또는, 하드 코트층의 파괴를 방지할 수 있다.
제 1 필름(102)은 가요성을 가지고, 가시광에 대한 투과성을 가지는 재료를 사용할 수 있다. 예를 들어, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN) 등의 폴리에스터 수지, 폴리아크릴로나이트릴 수지, 폴리이미드 수지, 폴리메틸메타크릴레이트 수지, 폴리카보네이트(PC) 수지, 폴리에터설폰(PES) 수지, 폴리아마이드 수지, 사이클로올레핀 수지, 폴리스타이렌 수지, 폴리아마이드이미드 수지, 폴리염화바이닐 수지, 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE) 수지 등을 들 수 있다. 특히, 열팽창 계수가 낮은 재료를 사용하는 것이 바람직하고, 예를 들어, 열팽창 계수가 30×10-6/K 이하인 폴리아마이드이미드 수지, 폴리이미드 수지, PET 등을 적합하게 사용할 수 있다. 또한, 유리 섬유에 유기 수지를 함침(含浸)시킨 기판이나, 무기 필러(filler)를 유기 수지에 혼합하여 열팽창 계수를 낮춘 기판을 사용할 수도 있다. 이와 같은 재료를 사용한 기판은 중량이 가볍기 때문에, 상기 기판을 사용한 표시 패널도 경량으로 할 수 있다.
제 1 필름(102)의 하드 코트층의 재료로서는, 열경화성 수지 등을 사용할 수 있다. 예를 들어, 에폭시 수지, 페놀 수지, 불포화 폴리에스터 수지, 유레아 수지, 멜라민 수지, 다이알릴프탈레이트 수지, 실리콘 수지, 바이닐 에스터 수지, 폴리이미드, 폴리우레탄 등을 사용할 수 있다. 이들 재료는 단단하고 열이나 용제에 강하고, 표면 보호의 관점에서도 유효하다. 제 1 필름(102)의 하드 코트층의 재료로서, 예를 들어, 우레탄아크릴레이트를 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 제 1 필름(102)의 하드 코트층에는, 실리카 입자, 알루미나 입자를 예로 하는 금속 산화물 입자가 포함되는 것이 바람직하다. 또한, 제 1 필름(102)은 알루미나로 코팅되어 있으면 바람직하다. 제 1 필름(102)은 복수의 상이한 재료가 적층된 구조이어도 좋다. 예를 들어, 두께 27μm의 하드 코트층 위에 두께 75μm의 PET 필름을 중첩시킨 구조의 필름을 사용할 수 있다.
또한, 제 1 필름(102) 표면은 접촉한 손가락 등에 대하여, 적절한 크기의 마찰력을 일으키는 가공이 실시되어 있으면 바람직하다. 예를 들어, 제 1 필름(102) 위에 적절한 요철(텍스처)을 제공하여도 좋다.
제 1 필름(102)에 접촉시킨 손가락을 이동시키는 경우, 손가락과 제 1 필름(102)의 마찰이 지나치게 크면 손가락 끝이 변형된다. 이로써, 손가락 끝의 섬세한 움직임을 사용하는 입력이 어려워진다. 지나치게 큰 마찰이 생기는 재질로서는, 표면이 충분히 연마되고 표면이 평탄한 유리를 들 수 있다. 한편, 손가락과 제 1 필름(102)의 마찰이 지나치게 작으면, 손가락의 표면에 대한 촉각이 상실된다.
제 1 필름(102)의 표면에 적당한 마찰을 일으키는 수단으로서, 실리카 입자 등이 표면에 배치된 필름을 제 1 필름(102)에 사용할 수 있다. 이로써, 손가락과 제 1 필름(102)의 마찰을 적절한 크기로 할 수 있다.
또한, 본 실시형태는 본 명세서에서 나타내는 다른 실시형태와 적절히 조합할 수 있다.
(실시형태 6)
본 실시형태에서는, 본 발명의 일 형태의 정보 처리 장치나 전자 기기 등에 적용할 수 있는, 굴곡시킬 수 있는 장치의 제작 방법에 대하여, 도 9 내지 도 11을 참조하면서 설명한다. 또한, 굴곡시킬 수 있는 장치의 예로서는, 표시 장치, 발광 장치, 입력 장치 등을 들 수 있다. 입력 장치의 예로서는, 터치 센서, 터치 패널 등을 들 수 있다. 발광 장치의 예로서는, 유기 EL 패널, 조명 장치 등을 들 수 있다. 표시 장치의 예로서는, 유기 EL 패널, 액정 표시 장치 등을 들 수 있다. 또한, 표시 장치나 발광 장치의 내부에, 터치 센서 등의 입력 장치의 기능이 제공되어 있는 경우도 있다. 예를 들어, 표시 장치나 발광 장치가 가지는 대향 기판(예를 들어, 트랜지스터가 제공되어 있지 않은 기판)에, 터치 센서가 제공되어 있는 경우가 있다. 또는, 표시 장치나 발광 장치가 가지는 소자 기판(예를 들어, 트랜지스터가 제공되어 있는 기판)에, 터치 센서가 제공되어 있는 경우가 있다. 또는, 표시 장치나 발광 장치가 가지는 대향 기판과, 표시 장치나 발광 장치가 가지는 소자 기판에 터치 센서가 제공되어 있는 경우가 있다.
우선, 제작 기판(701) 위에 박리층(703)을 형성하고, 박리층(703) 위에 피박리층(705)을 형성한다(도 9의 (A)). 또한, 제작 기판(721) 위에 박리층(723)을 형성하고, 박리층(723) 위에 피박리층(725)을 형성한다(도 9의 (B)).
예를 들어, 박리층으로서 텅스텐막을 사용하였을 때, 텅스텐막 위에 N2O 등의 산소를 포함하는 가스로 플라스마 처리를 수행하거나, 산소를 포함하는 가스 분위기 중에서 어닐링하거나, 산소를 포함하는 가스 분위기 중에서 스퍼터링 등의 방법으로 산화 텅스텐막을 형성하는 등의 산화 방법을 사용하여, 텅스텐막과 피박리층 사이에 산화 텅스텐막을 형성할 수 있다.
산화 텅스텐막은 박리 전치 공정을 수행하는 시점에서, 산화 텅스텐의 조성에서, 텅스텐에 대한 산소의 비율이 3보다 작은 조성을 많이 포함하는 것이 바람직하다. 산화 텅스텐에는 n을 1 이상의 자연수로 하였을 때, WnO(3n-1), WnO(3n-2)라는 동족 계열인 경우 결정 광학적 전단(剪斷)면이 존재하고, 과열함으로써 전단이 일어나기 쉬워진다. N2O 플라스마 처리를 수행하고, 산화 텅스텐막을 형성함으로써, 작은 힘으로 피박리층을 기판으로부터 박리할 수 있다.
또는, 텅스텐막을 형성하지 않고, 산화 텅스텐막을 직접 형성할 수 있다. 예를 들어, 충분히 얇은 텅스텐막에 대하여, 산소를 포함하는 가스로 플라스마 처리를 수행하거나, 산소를 포함하는 가스 분위기 중에서 어닐링 처리를 수행하거나, 산소를 포함하는 가스 분위기 중에서 스퍼터링 등의 방법으로 산화 텅스텐막을 형성함으로써, 산화 텅스텐막만을 박리층으로서 형성하여도 좋다.
이때, 텅스텐막과 산화 텅스텐막의 계면 또는 산화 텅스텐막의 내부에서 분리함으로써, 피박리층 측에 산화 텅스텐막이 잔존하는 경우가 있다. 그리고, 산화 텅스텐막이 잔존함으로써, 트랜지스터의 특성에 악영향을 미치는 경우가 있다. 따라서, 박리층과 피박리층의 분리 공정 후에, 산화 텅스텐막을 제거하는 공정을 가지는 것이 바람직하다. 또한, 상술한 기판으로부터의 박리 방법으로는, 반드시 N2O 플라스마 처리를 수행하지 않아도 되기 때문에, 산화 텅스텐막을 제거하는 공정도 삭감할 수 있다. 이 경우, 더 간편하게 장치의 제작을 수행할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 형태는 기판 위에 두께 0.1nm 이상 200nm 미만의 텅스텐막을 사용한다.
박리층에는, 텅스텐막 이외로는, 몰리브데넘, 타이타늄, 바나듐, 탄탈럼, 실리콘, 알루미늄이나, 이들의 합금을 포함하는 막을 사용하여도 좋다. 또한, 이들의 막과, 그 산화막의 적층 구조를 사용하여도 좋다. 박리층은 무기막에 한정되지 않고, 폴리이미드 등의 유기막을 사용하여도 좋다.
박리층에 유기 수지를 사용한 경우에, 저온 폴리실리콘을 반도체층으로서 사용하려고 하면, 350℃ 이하에서 프로세스를 처리할 필요가 있다. 그러므로, 실리콘 결정화를 위한 탈수소 베이킹, 실리콘 중 결함 종단을 위한 수소화, 도핑된 영역의 활성화 등을 충분히 할 수 없어, 성능이 제한된다. 한편, 무기막을 사용한 경우에는, 성막 온도는 350℃에 제한되지 않고, 우수한 특성을 발휘할 수 있게 된다.
박리층에 유기 수지를 사용한 경우에는 결정화 시의 레이저 조사에 의하여 유기 수지나 기능 소자에 대미지가 가해지는 경우가 있지만, 박리층에 무기막을 사용한 경우에는 이와 같은 문제가 발생하지 않기 때문에 바람직하다.
또한, 박리층에 유기 수지를 사용한 경우에는 수지의 박리를 위한 레이저 조사에 의하여 유기 수지가 수축되고, FPC 등의 단자의 접촉부에 접촉 불량을 발생시키는 경우가 있기 때문에, 고정세(高精細)한 디스플레이 등, 단자 개수가 많은 기능 소자를 높은 수율로 박리 전치하기가 어려운 경우가 있다. 박리층에 무기막을 사용한 경우에는 이와 같은 제한은 없고, 고정세한 디스플레이 등, 단자 개수가 많은 기능 소자에 관해서도, 높은 수율로 박리 전치할 수 있다.
본 발명의 일 형태의 기판으로부터의 기능 소자의 박리 방법에서는, 제작 기판 위에 절연층이나 트랜지스터를 600℃ 이하에서 형성할 수 있다. 이 경우, 고온폴리실리콘을 반도체층에 사용할 수 있다. 이 경우, 종래의 고온 폴리실리콘의 라인을 사용하여, 디바이스 동작 속도가 빠르고, 가스 배리어성이 높고, 신뢰성도 높은 반도체 장치를 양산할 수 있다. 이 경우, 600℃ 이하의 프로세스에서 형성된 절연층 및 트랜지스터를 사용함으로써, 유기 EL 소자의 위아래로 600℃ 이하의 성막 조건으로 형성된 가스 배리어성이 높은 절연층을 배치할 수 있다. 이로써, 유기 EL 소자나 반도체층에 수분 등의 불순물이 혼입되는 것을 억제하고, 박리층에 유기 수지 등을 사용한 경우와 비교하여, 월등히 신뢰성이 높은 발광 장치를 실현할 수 있다.
또는 제작 기판 위에 절연층이나 트랜지스터를 500℃ 이하에서 형성할 수 있다. 이 경우, 저온 폴리실리콘이나 산화물 반도체를 반도체층에 사용할 수 있고, 종래의 저온 폴리실리콘 생산 라인을 사용하여 양산이 가능하다. 이 경우에도, 500℃ 이하의 프로세스에서 형성된 절연층 및 트랜지스터를 사용함으로써, 유기 EL 소자의 위아래로 500℃ 이하의 성막 조건에서 형성된 가스 배리어성이 높은 절연층을 배치할 수 있다. 이로써, 유기 EL 소자나 반도체층에 수분 등의 불순물이 혼입되는 것을 억제하고, 박리층에 유기 수지 등을 사용한 경우와 비교하여, 매우 신뢰성이 높은 발광 장치를 실현할 수 있다.
또는 제작 기판 위에 절연층이나 트랜지스터를 400℃ 이하에서 형성할 수 있다. 이 경우, 비정질 실리콘이나 산화 입자 반도체를 반도체층에 사용할 수 있고, 종래의 비정질 실리콘의 생산 라인을 사용하여 양산이 가능하다. 이 경우에도, 400℃ 이하의 프로세스로 형성된 절연층 및 트랜지스터를 사용함으로써, 유기 EL 소자의 위아래로 400℃ 이하의 성막 조건으로 형성된 가스 배리어성이 높은 절연층을 배치할 수 있다. 이로써, 유기 EL 소자나 반도체층에 수분 등의 불순물이 혼입하는 것을 억제하고, 박리층에 유기 수지 등을 사용한 경우에 비하여 신뢰성이 높은 발광 장치를 실현할 수 있다.
다음으로, 제작 기판(701)과 제작 기판(721)을 각각의 피박리층이 형성된 면이 대향되도록, 접합층(707) 및 프레임 형상의 접합층(711)을 사용하여 접합시키고, 접합층(707) 및 프레임 형상의 접합층(711)을 경화시킨다(도 9의 (C)). 여기에서는, 피박리층(725) 위에 프레임 형상의 접합층(711)과, 프레임 형상의 접합층(711) 내측의 접합층(707)을 제공한 후, 제작 기판(701)과 제작 기판(721)을 대향시켜 접합시킨다.
또한, 제작 기판(701)과 제작 기판(721)의 접합은 감압 분위기하에서 수행하는 것이 바람직하다.
또한, 도 9의 (C)에서는 박리층(703)과의 박리층(723)의 크기가 상이한 경우를 도시하였지만, 도 9의 (D)에 도시된 바와 같이, 같은 크기의 박리층을 사용하여도 좋다.
접합층(707)은, 박리층(703), 피박리층(705), 피박리층(725), 및 박리층(723)과 중첩되도록 배치한다. 그리고, 접합층(707)의 단부는 박리층(703) 또는 박리층(723)의 적어도 한쪽(기판으로부터 먼저 박리하려고 하는 쪽)의 단부보다 내측에 위치하는 것이 바람직하다. 이로써, 제작 기판(701)이 제작 기판(721)이 강하게 밀착되는 것을 억제할 수 있고, 이후의 박리 공정의 수율이 저하하는 것을 억제할 수 있다.
다음으로, 레이저광의 조사에 의하여, 기판으로부터의 제 1 박리의 시작점(741)을 형성한다(도 10의 (A), (B)).
제작 기판(701) 및 제작 기판(721)은 어느 쪽으로부터 박리하여도 좋다. 박리층의 크기가 상이한 경우, 큰 박리층을 형성한 기판으로부터 박리하여도 좋고, 작은 박리층을 형성한 기판으로부터 박리하여도 좋다. 한쪽의 기판 위에만 반도체 소자, 발광 소자, 표시 소자 등의 소자를 제작한 경우, 소자를 형성한 측의 기판으로부터 박리하여도 좋고, 다른 쪽의 기판으로부터 박리하여도 좋다. 여기서는 제작 기판(701)을 먼저 박리하는 예를 나타낸다.
레이저광은 경화 상태인 접합층(707) 또는 경화 상태인 프레임 형상의 접합층(711)과, 피박리층(705)과, 박리층(703)이 중첩되는 영역에 대하여 조사한다. 여기서는 접합층(707)이 경화 상태이고, 프레임 형상의 접합층(711)이 경화 상태가 아닌 경우를 예로 나타내고, 경화 상태인 접합층(707)에 레이저광을 조사한다(도 10의 (A)의 화살표 P3 참조).
피박리층(705)의 일부를 제거함으로써, 기판으로부터의 제 1 박리의 시작점(741)을 형성할 수 있다(도 10의 (B)의 점선으로 둘러싸인 영역 참조). 이때, 피박리층(705)뿐만 아니라, 피박리층(705)의 다른 층이나, 박리층(703), 접합층(707)의 일부를 제거하여도 좋다.
레이저광은 박리하려고 하는 박리층이 제공된 기판 측으로부터 조사하는 것이 바람직하다. 박리층(703)과 박리층(723)이 중첩되는 영역에 레이저광의 조사를 하는 경우에는, 피박리층(705) 및 피박리층(725) 중 피박리층(705)만에 크랙이 들어감으로써, 선택적으로 제작 기판(701) 및 박리층(703)을 박리할 수 있다(도 10의 (B)의 점선으로 둘러싸인 영역 참조).
박리층(703)과 박리층(723)이 중첩되는 영역에 레이저광을 조사하는 경우, 박리층(703) 측의 피박리층(705)과 박리층(723) 측의 피박리층(725)의 양쪽에 기판으로부터의 박리의 시작점을 형성하면, 한쪽의 제작 기판을 선택적으로 박리하기가 어려워질 우려가 있다. 따라서, 한쪽의 피박리층만에 크랙이 들어가도록, 레이저광의 조사 조건이 제한되는 경우가 있다. 기판으로부터의 제 1 박리의 시작점(741)의 형성 방법은 레이저광의 조사에 한정되지 않고, 커터 등의 예리한 칼에 의하여 형성되어도 좋다.
그리고, 형성된 기판으로부터의 제 1 박리 시작점(741)으로부터, 피박리층(705)과 제작 기판(701)을 분리한다(도 10의 (C), (D)). 이로써, 피박리층(705)을 제작 기판(701)으로부터 제작 기판(721)으로 전치할 수 있다.
도 10의 (D)에 도시된 공정에서, 제작 기판(701)으로부터 분리된 피박리층(705)과 기판(731)을 접합층(733)을 사용하여 접합시켜, 접합층(733)을 경화시킨다(도 11의 (A)).
다음으로, 커터 등의 예리한 칼에 의하여, 기판으로부터의 제 2 박리 시작점(743)을 형성한다(도 11의 (B), (C)). 기판으로부터의 제 2 박리 시작점(743)의 형성 방법은 커터 등의 예리한 칼에 한정되지 않고, 레이저광 조사 등에 의하여 형성되어도 좋다.
박리층(723)이 제공되어 있지 않은 측의 기판(731)을 칼 등으로 절단할 수 있는 경우, 기판(731), 접합층(733), 및 피박리층(725)에 칼금을 내어도 좋다(도 11의 (B)의 화살표 P5 참조). 이로써, 피박리층(725)의 일부를 제거하고, 기판으로부터의 제 2 박리 시작점(743)을 형성할 수 있다(도 11의 (C)의 점선으로 둘러싸인 영역 참조).
도 11의 (B), (C)에 도시된 바와 같이, 제작 기판(721) 및 기판(731)이 박리층(723)과 중첩되지 않는 영역에서 접합층(733)에 의하여 접합되어 있는 경우, 제작 기판(721) 측과 기판(731) 측의 밀착성의 정도에 따라서는, 이후의 기판으로부터의 박리 공정의 수율이 저하하는 경우가 있다. 따라서, 경화 상태인 접합층(733)과 박리층(723)이 중첩되는 영역에 프레임 형상으로 칼금을 대고, 실선 형상으로 기판으로부터의 제 2 박리 시작점(743)을 형성하는 것이 바람직하다. 이로써, 기판으로부터의 박리 공정의 수율을 높일 수 있다.
그리고, 형성된 기판으로부터의 제 2 박리 시작점(743)으로부터, 피박리층(725)과 제작 기판(721)을 분리한다(도 11의 (D)). 이로써, 피박리층(725)을 제작 기판(721)으로부터 기판(731)으로 전치할 수 있다.
예를 들어 텅스텐막 등의 무기막 위에 N2O 플라스마 등으로 단단히 앵커링된 산화 텅스텐막을 형성하는 경우, 성막 시에는 밀착성을 비교적 높일 수 있다. 그 후 박리 시작점을 형성하면, 거기서부터 벽개(劈開)가 발생되고, 용이하게 피박리층을 박리하고 제작 기판으로부터 기판으로 전치할 수 있게 된다.
또한, 박리층(723)과 피박리층(725)의 계면에 물 등의 액체를 침투시켜 제작 기판(721)과 피박리층(725)을 분리하여도 좋다. 모세관 현상에 의하여 액체가 박리층(723)과 피박리층(725) 사이에 침투됨으로써, 기판으로부터의 박리 시에 생기는 정전기가 피박리층(725)에 포함되는 FET 등의 기능 소자에 악영향을 미치는 것(반도체 소자가 정전기에 의하여 파괴되는 등)을 억제할 수 있다.
또한, M-O-W라는 결합(M은 임의의 원소)에 물리적 힘을 가하여 결합을 분단하는 경우, 그 틈에 액체가 침투됨으로써, M-OH 및 HO-W라는 결합이 되는 것이 결합 거리가 멀어지기 때문에, 분리를 촉진할 수 있다.
또한, 액체를 안개 상태 또는 증기로 하여 분사하여도 된다. 액체로서는, 순수나 유기 용제 등을 사용할 수 있고, 중성, 알칼리성, 또는 산성의 수용액이나, 염이 녹은 수용액 등을 사용하여도 좋다.
또한, 역학적으로 박리할 때의 액체 및 기판의 온도는 실온에서부터 120℃ 사이, 바람직하게는 60℃ 이상 90℃ 이하로 하는 것이 좋다.
이상에 나타낸 본 발명의 일 형태의 기판으로부터의 박리 방법에서는, 예리한 칼 등에 의하여 기판으로부터의 제 2 박리 시작점(743)을 형성하고, 박리층과 피박리층을 박리하기 쉬운 상태로 하고 나서, 제작 기판의 박리를 수행한다. 이로써, 기판으로부터의 박리 공정 수율을 향상시킬 수 있다.
또한, 각각 피박리층이 형성된 한 쌍의 제작 기판을 미리 접합시킨 후에, 각각의 제작 기판을 박리하고, 제작하고자 하는 장치를 구성하는 기판을 접합시킬 수 있다. 따라서, 피박리층의 접합 시에, 가요성이 낮은 제작 기판끼리를 접합시킬 수 있어, 가요성 기판끼리를 접합시킨 경우보다 접합의 얼라인먼트 정밀도를 향상시킬 수 있다.
본 발명의 일 형태의 기판으로부터의 박리 방법은 산화물층의 위 층에 제공되는 피박리층에, 가열에 의하여 수소를 방출하는 제 1 층 및 제 2 층을 제공한다. 또한, 가열 처리에 의하여 상기 피박리층으로부터 방출된 수소에 의하여, 산화물층 내의 WO3을 환원하고, WO2를 많이 함유하는 산화물층을 형성할 수 있다. 그 결과, 기판으로부터의 박리성을 향상시킬 수 있다.
본 실시형태는 본 명세서 중에서 기재되는 다른 실시형태 및 실시예와 적절히 조합하여 실시할 수 있다.
(실시형태 7)
본 실시형태에서는, 본 발명의 일 형태의 전자 기기의 구성에 대하여, 도 13을 참조하면서 설명한다.
<전자 기기>
도 13은, 접을 수 있는 전자 기기(920)를 도시한 것이다. 도 13에 도시된 전자 기기(920)는 하우징(921a), 하우징(921b), 표시부(922), 힌지(923) 등을 가진다. 표시부(922)는 하우징(921a), 하우징(921b)에 내장되어 있다.
하우징(921a), 하우징(921b)은, 힌지(923)로 회전 가능하게 연결되어 있다. 전자 기기(920)는 하우징(921a)과 하우징(921b)이 닫힌 상태와, 도 13에 도시된 바와 같이 펼쳐진 상태로 변형할 수 있다. 이로써, 들고 다닐 때는 가반성이 우수하고, 사용할 때는 큰 표시 영역에 의하여 시인성이 우수하다.
또한, 힌지(923)는 하우징(921a)과 하우징(921b)이 펼쳐졌을 때, 이들의 각도가 소정의 각도보다 큰 각도가 되지 않도록, 잠금 기구를 가지는 것이 바람직하다. 예를 들어, 잠겨지는(그 이상으로 펼쳐지지 않는) 각도는 90° 이상 180° 미만인 것이 바람직하고, 대표적으로는, 90°, 120°, 135°, 150°, 175° 등으로 할 수 있다. 이로써, 편의성, 안전성, 및 신뢰성을 높일 수 있다.
또한 전자 기기(920)는 힌지(923)에 의하여 연결된 하우징(921a)과 하우징(921b)에 걸쳐, 플렉시블한 표시부(922)가 제공되어 있다.
또한 전자 기기(920)는 하우징(921a)과 하우징(921b)을 펼쳤을 때, 표시부(922)가 크게 만곡된 형태로 유지되어 있다. 예를 들어, 곡률 반경을 1mm 이상 50mm 이하, 바람직하게는 5mm 이상 30mm 이하인 상태로, 표시부(922)가 유지된 상태로 할 수 있다. 표시부(922)의 일부는 하우징(921a)으로부터 하우징(921b)까지 연속적으로 화소가 배치되고, 곡면 형상의 표시를 수행할 수 있다.
힌지(923)는 상술한 잠금 기구를 가지기 때문에, 표시부(922)에 무리한 힘이 가해지지 않고, 표시부(922)가 파손되는 것을 방지할 수 있다. 그러므로, 신뢰성이 높은 전자 기기를 실현할 수 있다.
표시부(922)는 터치 패널로서 기능하고, 손가락이나 스타일러스 등에 의하여 조작할 수 있다.
하우징(921a), 하우징(921b) 중 어느 한쪽에는, 무선 통신 모듈이 제공되고, 인터넷이나 LAN(Local Area Network), Wi-Fi(Wireless Fidelity: 들록 상표) 등의 컴퓨터 네트워크를 통하여, 데이터를 송수신할 수 있다. 또한 하우징(921a), 하우징(921b) 중 어느 한쪽에는, 키보드, 하드웨어 버튼, 포인팅 디바이스, 조도 센서, 촬상 장치, 음성 입력 장치, 시선 입력 장치, 자세 검출 장치가 제공되어 있어도 좋다.
본 발명의 일 형태의 전자 기기는 표시부(922)의 크기를 적절히 변경하고, 다양한 것으로 적용할 수 있다. 전자 기기의 예로서, 들고 다니기 쉬운 휴대 정보 단말을 들 수 있다.
예를 들어, 표시부(922)에 텍스트 정보를 표시할 수 있고, 전자 서적 단말로서도 사용할 수 있다. 예를 들어 표시부를 A4 크기를 2개로 접은 구성으로 하는, 교과서로서 사용할 수 있다. 또한, 표시부(922)에 정지 화상이나 동영상을 표시할 수도 있다.
본 실시형태는 적어도 그 일부를 본 명세서 중에 기재되는 다른 실시형태와 적절히 조합하여 실시할 수 있다.
101: 패널 기판
102: 필름
103: 필름
104-1: 하우징
104-1A: 제 1 부분
104-1B: 제 2 부분
104-2: 하우징
104-2A: 제 1 부분
104-2B: 제 2 부분
105-1: 힌지
106: 회로 기판
107: FPC
108-1: 슬릿
108-2: 슬릿
109: 소켓
110: 단부
111: 단부
116: 지지부
117: 지지부
300: 터치 패널
301: 표시부
302: 화소
302B: 부화소
302G: 부화소
302R: 부화소
302t: 트랜지스터
303c: 용량
303g(1): 주사선 구동 회로
303g(2): 촬상 화소 구동 회로
303s(1): 화상 신호선 구동 회로
303s(2): 촬상 신호선 구동 회로
303t: 트랜지스터
308: 촬상 화소
308p: 광전 변환 소자
308t: 트랜지스터
309: FPC
310: 기판
310a: 배리어막
310b: 기판
310c: 수지층
311: 배선
319: 단자
321: 절연막
328: 격벽
329: 스페이서
350R: 발광 소자
351R: 하부 전극
352: 상부 전극
353: 층
353a: 발광 유닛
353b: 발광 유닛
354: 중간층
360: 밀봉재
367BM: 차광층
367p: 반사 방지층
367R: 착색층
370: 대향 기판
370a: 배리어막
370b: 기재
370c: 수지층
380B: 발광 모듈
380G: 발광 모듈
380R: 발광 모듈
400: 터치 패널
401(1): 영역
401(2): 영역
406: 선분
407: 선분
500: 터치 패널
500B: 터치 패널
501: 표시부
502R: 부화소
502t: 트랜지스터
503c: 용량
503g: 주사선 구동 회로
503t: 트랜지스터
509: FPC
510: 기판
510a: 배리어막
510b: 기판
510c: 수지층
511: 배선
519: 단자
521: 절연막
528: 격벽
550R: 발광 소자
560: 밀봉재
567BM: 차광층
567p: 반사 방지층
567R: 착색층
570: 기판
570a: 배리어막
570b: 기판
570c: 수지층
580R: 발광 모듈
590: 기판
591: 전극
592: 전극
593: 절연층
594: 배선
595: 터치 센서
597: 수지층
598: 배선
599: 접속층
600A: 취약부
600B: 취약부
601: 기판
602: 기판
603: 소자 형성 영역
604: 굽힘 모멘트
605: 중립면
701: 제작 기판
703: 박리층
705: 피박리층
707: 접합층
711: 프레임 형상의 접합층
721: 제작 기판
723: 박리층
725: 피박리층
731: 기판
733: 접합층
741: 제 1 박리 시작점
743: 제 2 박리 시작점
920: 전자 기기
921a: 하우징
921b: 하우징
922: 표시부
923: 힌지
102: 필름
103: 필름
104-1: 하우징
104-1A: 제 1 부분
104-1B: 제 2 부분
104-2: 하우징
104-2A: 제 1 부분
104-2B: 제 2 부분
105-1: 힌지
106: 회로 기판
107: FPC
108-1: 슬릿
108-2: 슬릿
109: 소켓
110: 단부
111: 단부
116: 지지부
117: 지지부
300: 터치 패널
301: 표시부
302: 화소
302B: 부화소
302G: 부화소
302R: 부화소
302t: 트랜지스터
303c: 용량
303g(1): 주사선 구동 회로
303g(2): 촬상 화소 구동 회로
303s(1): 화상 신호선 구동 회로
303s(2): 촬상 신호선 구동 회로
303t: 트랜지스터
308: 촬상 화소
308p: 광전 변환 소자
308t: 트랜지스터
309: FPC
310: 기판
310a: 배리어막
310b: 기판
310c: 수지층
311: 배선
319: 단자
321: 절연막
328: 격벽
329: 스페이서
350R: 발광 소자
351R: 하부 전극
352: 상부 전극
353: 층
353a: 발광 유닛
353b: 발광 유닛
354: 중간층
360: 밀봉재
367BM: 차광층
367p: 반사 방지층
367R: 착색층
370: 대향 기판
370a: 배리어막
370b: 기재
370c: 수지층
380B: 발광 모듈
380G: 발광 모듈
380R: 발광 모듈
400: 터치 패널
401(1): 영역
401(2): 영역
406: 선분
407: 선분
500: 터치 패널
500B: 터치 패널
501: 표시부
502R: 부화소
502t: 트랜지스터
503c: 용량
503g: 주사선 구동 회로
503t: 트랜지스터
509: FPC
510: 기판
510a: 배리어막
510b: 기판
510c: 수지층
511: 배선
519: 단자
521: 절연막
528: 격벽
550R: 발광 소자
560: 밀봉재
567BM: 차광층
567p: 반사 방지층
567R: 착색층
570: 기판
570a: 배리어막
570b: 기판
570c: 수지층
580R: 발광 모듈
590: 기판
591: 전극
592: 전극
593: 절연층
594: 배선
595: 터치 센서
597: 수지층
598: 배선
599: 접속층
600A: 취약부
600B: 취약부
601: 기판
602: 기판
603: 소자 형성 영역
604: 굽힘 모멘트
605: 중립면
701: 제작 기판
703: 박리층
705: 피박리층
707: 접합층
711: 프레임 형상의 접합층
721: 제작 기판
723: 박리층
725: 피박리층
731: 기판
733: 접합층
741: 제 1 박리 시작점
743: 제 2 박리 시작점
920: 전자 기기
921a: 하우징
921b: 하우징
922: 표시부
923: 힌지
Claims (4)
- 정보 처리 장치로서,
힌지와,
제 1 하우징과,
제 2 하우징과,
패널 기판과,
필름과,
FPC를 가지고,
상기 힌지는 회전축을 포함하고,
상기 제 1 하우징은 상기 힌지를 이용하여 상기 회전축을 중심으로 회전 가능하게 상기 제 2 하우징과 연결되고,
상기 패널 기판과 상기 제 1 하우징 또는 상기 제 2 하우징 사이에 상기 필름이 제공되고,
상기 패널 기판 및 상기 필름 중 어느 한쪽 또는 양쪽은 습동할 수 있고,
상기 패널 기판은 표시 영역과 외주부를 가지고,
상기 외주부에 있어서, 상기 패널 기판은 상기 패널 기판의 이면측으로 굴곡되어 있고, 상기 이면측으로 굴곡된 영역에 있어서, 상기 패널 기판은 상기 FPC와 전기적으로 접속되고,
상기 제 1 하우징과 상기 제 2 하우징이 펼쳐진 상태에 있어서, 상기 제 1 하우징의 하면과 상기 제 2 하우징의 하면이 동일 평면에 있는, 정보 처리 장치.
- 정보 처리 장치로서,
힌지와,
제 1 하우징과,
제 2 하우징과,
패널 기판과,
FPC를 가지고,
상기 힌지는 회전축을 포함하고,
상기 제 1 하우징은 상기 힌지를 이용하여 상기 회전축을 중심으로 회전 가능하게 상기 제 2 하우징과 연결되고,
상기 패널 기판은 습동할 수 있고,
상기 패널 기판은 표시 영역과 외주부를 가지고,
상기 외주부에 있어서, 상기 패널 기판은 상기 패널 기판의 이면측으로 굴곡되어 있고, 상기 이면측으로 굴곡된 영역에 있어서, 상기 패널 기판은 상기 FPC와 전기적으로 접속되고,
상기 제 1 하우징과 상기 제 2 하우징이 펼쳐진 상태에 있어서, 상기 제 1 하우징의 하면과 상기 제 2 하우징의 하면이 동일 평면에 있는, 정보 처리 장치.
- 제 1 항에 있어서,
상기 필름은 가요성을 가지는, 정보 처리 장치.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
터치 센서를 포함하고,
상기 터치 센서는 상기 표시 영역과 중첩되는 영역을 포함하는, 정보 처리 장치.
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