KR20230085089A - 비트리파이드 본드 지석 - Google Patents

비트리파이드 본드 지석 Download PDF

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KR20230085089A
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grinding
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히로토시 호시카와
요시야스 나카가와
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가부시기가이샤 디스코
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Abstract

본 발명은, 낮은 소결 온도에서 제조 가능하고, 또한, 일정 수준 이상의 내수성이나 강도를 갖는 비트리파이드 본드 지석을 제공하는 것을 목적으로 한다.
지립과, 상기 지립을 고정하는 결합재를 갖는 비트리파이드 본드 지석으로서, 상기 결합재는, 이산화규소(SiO2)를 주성분으로 하는 모재와, 소결 조제 산화물과, 산화아연(ZnO)을 포함하여 구성되고, 상기 산화아연(ZnO)의 함유량은, 상기 결합재의 중량비로 11 wt% 이상 15 wt% 이하이다. 바람직하게는, 상기 소결 조제 산화물의 함유량은, 상기 결합재의 중량비로 20 wt% 이상 29 wt% 이하이다. 또한, 바람직하게는, 상기 소결 조제 산화물은, 산화나트륨(Na2O), 산화칼슘(CaO), 산화칼륨(K2O), 산화바륨(BaO) 중 1종류 이상을 포함한다. 더욱 바람직하게는, 상기 결합재의 중량비로 3 wt% 이상 5 wt% 이하의 함유량으로 이산화지르코늄(ZrO2)을 상기 결합재에 포함한다.

Description

비트리파이드 본드 지석{VITRIFIED BOND GRINDING STONE}
본 발명은, 피가공물을 연삭하는 연삭 장치가 구비하는 연삭휠 등에 장착되어 사용되는 비트리파이드 본드 지석에 관한 것이다.
휴대 전화나 퍼스널 컴퓨터 등의 전자 기기에 사용되는 디바이스 칩은, 실리콘 등의 반도체 재료로 형성된 웨이퍼로부터 제조된다. 표면에 복수의 디바이스를 형성하고, 웨이퍼의 이면을 연삭하여 웨이퍼를 소정의 두께로 박화하고, 그 후, 웨이퍼를 디바이스마다 분할하면, IC, LSI 등의 디바이스를 포함하는 개개의 디바이스 칩이 제조된다.
웨이퍼의 이면 연삭에는, 연삭 장치가 이용된다(예컨대, 특허문헌 1 참조). 연삭 장치는, 원환형의 연삭휠과, 상기 연삭휠을 회전 가능하게 지지하는 스핀들을 구비한다. 연삭휠은, 원환형의 휠베이스와, 휠베이스의 일면에 환형으로 설치된 지석을 구비한다.
연삭휠에 장착되는 지석으로서, 특히 비트리파이드 본드 지석이라고 불리는 지석이 널리 이용되고 있다. 비트리파이드 본드 지석은, 유리질을 주성분으로 하는 결합재(SiO2, Al2O3, B2O3의 혼합물)와, 지립을 혼합하여 소결하여 형성된다. 이때의 소결 온도는 1200℃∼1300℃로 고온이기 때문에, 지석에 포함되는 지립이 탄화되거나 하여 열화하기 쉽다. 지립이 열화한 지석을 이용하여 연삭 가공을 실시하여도, 상기 지석은 기대되는 성능을 발휘할 수 없다.
또한, 일반적으로 지석이 장착된 연삭휠에 의해 피가공물을 연삭하면, 결합재가 적절하게 소모되어 지석에 포함되는 미사용의 지립이 차례차례로 결합재로부터 표출되는 자생 발인(發刃)이 일어난다. 그 때문에, 지석의 연삭 능력은 일정한 수준으로 유지된다. 그러나, 유리질을 주성분으로 하는 결합재를 갖는 비트리파이드 본드 지석은 매우 단단하여 소모되기 어렵기 때문에, 자생 발인이 충분히 일어나기 어려워 연삭 능력을 일정하게 유지하기 어렵다.
그래서, 지석을 무르게 하여 자생 발인을 일으키기 쉽게 하기 위해, 또한, 지립의 열화를 막기 위해, 비트리파이드 본드 지석의 재료에 소결 조제산 화물을 더 첨가하여 소결 온도를 저하시키는 기술이 실시되고 있다. 비트리파이드 본드 지석의 소결 온도를 저하시키면, 적절히 결합재가 소모되어 지석의 자생 발인이 일어나기 쉬워진다. 또한, 소결 조제 산화물로는 Na2O, CaO, K2O, BaO, Li2O 등을 들 수 있다.
[특허문헌 1] 일본 특허 공개 제2000-288881호 공보
그러나, 이들 소결 조제 산화물은 물에 녹기 쉽고, 소결 조제 산화물이 첨가되어 소결되어 제조된 비트리파이드 본드 지석의 내수성 및 강도가 낮어지기 쉽다는 문제를 발생시킨다. 피가공물을 연삭할 때에는 연삭휠 및 피가공물에 연삭수가 공급되기 때문에, 또한, 지석에 큰 힘이 인가되기 때문에, 내수성 및 강도가 낮은 비트리파이드 본드 지석은 실용에 어려움이 있다.
본 발명은 이러한 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적으로 하는 바는, 낮은 소결 온도에서 제조 가능하고, 또한, 일정 수준 이상의 내수성이나 강도를 갖는 비트리파이드 본드 지석을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 양태에 따르면, 지립과, 상기 지립을 고정하는 결합재를 갖는 비트리파이드 본드 지석으로서, 상기 결합재는, 이산화규소(SiO2)를 주성분으로 하는 모재와, 소결 조제 산화물과, 산화아연(ZnO)을 포함하여 구성되고, 상기 산화아연(ZnO)의 함유량은, 상기 결합재의 중량비로 11 wt% 이상 15 wt% 이하인 것을 특징으로 하는 비트리파이드 본드 지석이 제공된다.
바람직하게는, 상기 결합 조제 산화물의 함유량은, 상기 결합재의 중량비로 20 wt% 이상 29 wt% 이하이다.
또한, 바람직하게는, 상기 소결 조제 산화물은, 산화나트륨(Na2O), 산화칼슘(CaO), 산화칼륨(K2O), 산화바륨(BaO) 중 1종류 이상을 포함한다.
더욱 바람직하게는, 상기 소결재의 중량비로 3 wt% 이상 5 wt% 이하의 함유량으로 이산화지르코늄(ZrO2)을 상기 결합재에 포함한다.
본 발명의 일 양태에 따른 비트리파이드 본드 지석은, 지립과, 결합재를 갖는다. 결합재는, 이산화규소(SiO2)를 주성분으로 하는 모재와, 소결 조제 산화물과, 산화아연(ZnO)을 포함하여 구성된다. 그리고, 산화아연(ZnO)의 함유량은, 결합재의 중량비로 11 wt% 이상 15 wt% 이하이다. 산화아연(ZnO)을 11 wt% 이상 15 wt% 이하의 중량비로 포함하는 결합재는, 충분한 내수성을 가지며, 소결 온도를 비교적 낮게 억제할 수 있고, 연삭에 견딜 수 있는 강도를 가지며, 자생 발인의 진행이 방해될 정도로는 단단하지 않다.
따라서, 본 발명의 일 양태에 따르면, 낮은 소결 온도에서 제조 가능하고, 또한, 일정 수준 이상의 내수성이나 강도를 갖는 비트리파이드 본드 지석이 제공된다.
도 1은 연삭휠의 구조를 모식적으로 나타낸 사시도이다.
도 2는 연삭 장치로 연삭되는 피가공물을 모식적으로 나타낸 측면도이다.
이하, 첨부 도면을 참조하면서, 본 발명의 실시형태에 대해서 상세히 설명한다. 도 1은 본 실시형태에 따른 비트리파이드 본드 지석(6)이 장착된 연삭휠(2)의 구조를 모식적으로 나타낸 사시도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 연삭휠(2)은, 스테인리스, 알루미늄 등으로 이루어진 원반형(원환형)의 휠베이스(4)를 구비하고 있다. 휠베이스(4)는, 서로 평행한 제1 면(4a)과 제2 면(4b)을 가지며, 그 중앙에는, 휠베이스(4)를 제1 면(4a)에서 제2 면(4b)까지 관통하는 원 형상의 개구부(4c)가 형성되어 있다. 휠베이스(4)의 제2 면(4b)에는, 본 실시형태에 따른 복수의 비트리파이드 본드 지석(6)이 환형으로 배열되어 있다.
연삭휠(2)은, 연삭 장치의 연삭 유닛에 내장되어 사용된다. 도 2는 연삭 장치(8)로 연삭되는 피가공물(1)을 모식적으로 나타낸 측면도이다. 피가공물(1)은, 대표적으로는, 반도체 웨이퍼나 수지 기판, 세라믹스 기판 등이지만, 피가공물(1)은 이것에 한정되지 않는다.
연삭 장치(8)는, 피가공물(1)을 흡인 유지할 수 있는 척 테이블(10)과, 척 테이블(10)에 유지된 피가공물(1)을 연삭하는 연삭 유닛(12)을 구비한다. 척 테이블(10)은 도시하지 않은 흡인원에 접속되어 있고, 상기 흡인원에서 생긴 부압을 상면에 놓여진 피가공물(1)에 작용시켜 피가공물(1)을 흡인 유지한다. 또한, 척 테이블(10)은, 도시하지 않은 회전 구동원에 의해 상면에 대략 수직인 회전축 주위로 회전할 수 있다.
연삭 유닛(12)은, 척 테이블(10)의 상면에 대략 수직인 방향을 따른 스핀들(14)과, 스핀들(14)의 상단에 접속되어 스핀들(14)을 회전시키는 모터 등의 회전 구동원(16)과, 스핀들(14)의 하단에 접속된 휠마운트(18)를 구비한다. 연삭휠(2)은, 휠마운트(18)의 하면에 휠베이스(4)의 제1 면(4a)이 접촉한 상태에서 휠마운트(18)에 고정된다. 그렇게 하면, 비트리파이드 본드 지석(6)이 장착된 휠베이스(4)의 제2 면(4b)이 척 테이블(10)의 상면을 향한다.
피가공물(1)을 흡인 유지하는 척 테이블(10)을 상면에 수직인 회전축 주위로 회전시키고, 회전 구동원(16)을 작동시켜 스핀들(14)을 회전시켜 비트리파이드 본드 지석(6)을 환형 궤도 상에서 이동시키며, 연삭 유닛(12)을 하강시킨다. 그렇게 하면, 비트리파이드 본드 지석(6)이 피가공물(1)에 접촉하여, 피가공물(1)이 연삭된다. 그리고, 피가공물(1)이 소정의 두께가 될 때까지 연삭 유닛(12)을 하강시켜, 피가공물(1)의 연삭을 종료한다.
피가공물(1)을 비트리파이드 본드 지석(6)으로 연삭하면, 피가공물(1)이나 비트리파이드 본드 지석(6)으로부터 연삭 부스러기나 열이 발생한다. 그래서, 피가공물(1)이 연삭되는 동안, 도시하지 않은 연삭수 공급 노즐로부터 피가공물(1)의 상면 및 연삭휠(2)에 순수 등의 연삭수가 공급되고, 연삭 부스러기나 열이 연삭수에 의해 제거된다. 이러한 사정으로 인해, 비트리파이드 본드 지석(6)에는, 일정 수준 이상의 내수성이 필요하게 된다.
본 실시형태에 따른 비트리파이드 본드 지석(6)은, 결합재와, 결합재 중에 분산 고정된 무수의 지립을 갖는다. 지립은, 예컨대, 다이아몬드, CBN(Cubic Boron Nitride) 등으로 형성된다. 또한, 지립은, 비트리파이드 본드 지석(6)의 사양 등에 맞춰 소재, 평균 입경, 결합재 중의 함유량 등을 적절하게 선택할 수 있다.
피가공물(1)에 비트리파이드 본드 지석(6)을 접촉시키면, 지립에 의해 피가공물(1)이 연삭되고, 지립이 서서히 소모된다. 이때, 결합재도 서서히 소모되기 때문에, 새로운 지립이 차례로 표출된다. 그 때문에, 비트리파이드 본드 지석(6)의 연삭 능력은 일정 수준으로 유지된다. 이 작용은 자생 발인이라고 불린다.
단, 결합재가 지나치게 단단하면 소모가 생기기 어렵게 되고, 자생 발인이 적절히 진행되지 않아, 비트리파이드 본드 지석(6)의 연삭 능력이 저하되어 버린다. 한편, 결합재의 강도가 지나치게 낮으면 피가공물(1)을 적절히 연삭할 수 없다. 따라서, 결합재에는 적절한 경도·강도가 필요하게 된다.
비트리파이드 본드 지석(6)을 제조할 때에는, 결합재의 원료가 되는 부재에 지립을 혼입시키고, 이것을 성형하여 고온에서 소결한다. 이때의 소결에 알맞은 온도는, 결합재의 원료가 되는 부재의 구성에 따라 변화된다. 결합재의 소결 온도가 지나치게 높아지면 소결 중에 지립이 탄화되어 열화하기 때문에, 결합재는 낮은 온도에서 소결되는 것이 바람직하다.
비트리파이드 본드 지석(6)의 결합재는, 이산화규소(SiO2)를 주성분으로 하는 모재를 포함한다. 결합재에는, B2O3나 Al2O3가 유리질을 형성하는 모재로서 더 포함되어 있어도 좋다. 단, SiO2, Al2O3, 및, B2O3를 주성분으로 하는 모재만으로 구성된 결합재의 소결 온도는 1200℃∼1300℃ 정도로 고온이다. 이 온도에서 비트리파이드 본드 지석(6)을 소결하면, 결합재 중에 분산된 지립이 열화한다.
그래서, 결합재의 원료가 되는 부재에는, 소결 온도를 저하시키기 위한 소결 조제 산화물이 혼합된다. 소결 조제 산화물은, 예컨대, 산화나트륨(Na2O), 산화칼슘(CaO), 산화칼륨(K2O), 산화바륨(BaO) 중 1종류 이상을 포함한다. 소결 조제 산화물의 함유량은, 결합재의 중량비로 20 wt% 이상 29 wt% 이하인 것이 바람직하다. 소결 조제 산화물이 결합재에 첨가되면, 소결 온도가 낮아지고, 소결 중에 지립이 열화하기 어려워진다.
그러나, 이러한 소결 조제 산화물을 첨가한 결합재로 구성된 비트리파이드 본드 지석(6)은, 기계적 강도가 낮아지고, 또한, 내수성이 낮아지는 경향이 있다. 피가공물(1)의 연삭시에는, 연삭휠(2)에 장착된 비트리파이드 본드 지석에는 큰 힘이 가해진다. 그리고, 연삭 가공시에는 피가공물(1) 등에 물을 포함하는 연삭액이 제공된다. 그 때문에, 기계적 강도 및 내수성이 낮은 비트리파이드 본드 지석(6)으로 연삭 가공을 하면, 비트리파이드 본드 지석(6)에 손상이 생기기 쉬워 문제가 된다.
그래서, 본 실시형태에 따른 비트리파이드 본드 지석(6)에서는, 물에 녹기 어려운 산화아연(ZnO)이 소정의 함유량으로 결합재에 혼입되면 좋다. 특히, 산화아연의 함유량이 결합재의 중량비로 11 wt% 이상 15 wt%이면, 소결 온도를 비교적 낮게 억제하면서, 비트리파이드 본드 지석(6)이 소정 수준 이상의 내수성 및 기계적 강도를 갖게 된다.
따라서, 본 실시형태에 따른 비트리파이드 본드 지석(6)은, 소결 온도가 낮아 연삭 가공시에 적절히 소모되는 한편, 충분한 기계적 강도나 내수성이 유지되기 때문에, 연삭 가공에 알맞은 성능이 된다.
또한, 결합재에는 산화아연(ZnO)과 함께 이산화지르코늄(ZrO2)이 소정의 함유량으로 결합재에 혼입되어 있어도 좋다. 특히, 이산화지르코늄(ZrO2)의 함유량이 결합재의 중량비로 3 wt% 이상 5 wt% 이하이면, 결합재의 내수성 및 기계적 강도가 보다 양호해진다.
실시예
본 실시예에서는, 이산화규소(SiO2)를 주성분으로 하는 모재와, 소결 조제 산화물과, 산화아연(ZnO)을 포함하여 구성된 결합재를 갖는 비트리파이드 본드 지석(6)을 제작하고, 그 내수성, 기계적 강도, 및 제조시의 소결 온도를 평가하였다. 그리고, 본 실시예에서는, 결합재의 성분의 배합비가 상이한 복수의 비트리파이드 본드 지석(6)을 제작하고, 그 각각에 대해서 이들의 값을 평가하였다.
여기서, 결합재에 포함되는 산화아연(ZnO)의 함유량을 상기 결합재의 중량비로 11 wt% 이상 15 wt% 이하로 하였다. 또한, 비교를 위해, 결합재에 포함되는 산화아연(ZnO)의 함유량이 이 범위를 만족하고 있지 않은 비트리파이드 본드 지석(6)을 제작하고, 마찬가지로 내수성 등을 평가하였다.
비트리파이드 본드 지석(6)의 재료로서, 이산화규소(SiO2)를 주성분으로 하는 모재와, 소결 조제 산화물과, 산화아연(ZnO)을 소정의 양으로 준비하였다. 그리고, 각 재료를 소정의 방법으로 혼합하여, 혼합 재료를 성형 몰드에 넣어 성형하고, 필요한 온도에서 소결하여 비트리파이드 본드 지석(6)을 제조하였다.
각 비트리파이드 본드 지석(6)의 명칭과, 결합재에 포함되는 각 재료의 중량비(wt%)를 하기 표 1에 나타낸다. 여기서, 결합재에 포함되는 산화아연(ZnO)의 함유량이 상기 결합재의 중량비로 11 wt% 이상 15 wt% 이하의 범위를 만족시키는 것의 명칭에는 “실시예”가 포함되며, 만족시키지 않는 것의 명칭에는 “비교예”가 포함된다. 또한, 표 1에서는, 비트리파이드 본드 지석(6)의 결합재의 구성 재료의 일부와 그 중량비가 생략되고 있다. 그 때문에, 표에 기재된 모재, 첨가 산화물, 및 소결 조제 산화물의 전체 중량비를 더하여도 100 wt%가 되는 것은 아니다.
Figure pat00001
다음에, 제작한 각 비트리파이드 본드 지석(6)의 기계적 강도의 평가 시험으로서, 항절 강도 시험을 실시하였다. 항절 강도 시험에는, 시마즈세이사쿠쇼 제조의 경질 강도 측정 장치 “AGI-1kN”을 이용하였다. 가압 속도를 1 ㎜/min로 하고, 부하 용량을 0 N∼1 kN으로 설정하여, 제작한 비트리파이드 본드 지석(6)을 압박하고, 파괴가 생겼을 때의 압력값을 항절 강도로서 기록하였다. 그리고, 비교예 1에 따른 비트리파이드 본드 지석의 항절 강도를 100으로 했을 때의, 각 비트리파이드 본드 지석(6)의 항절 강도의 상대값을 산출하였다. 하기 표 2에 각 비트리파이드 본드 지석(6)의 항절 강도의 상대값을 나타낸다.
또한, 제작한 각 비트리파이드 본드 지석(6)의 내수성 평가 시험을 실시하였다. 내수성 평가 시험에서는, 각 비트리파이드 본드 지석(6)을 5시간 열탕에 침지시키고, 침지 전후로 중량을 측정하였다. 또한, 본 시험에 있어서 열탕을 사용한 것은, 연삭 가공에 의해 발생하는 열에 의해 비트리파이드 본드 지석이 뜨거워지는 것을 고려하여, 시험 환경을 연삭시의 환경에 가깝게 하기 위함이다.
우선, 각 비트리파이드 본드 지석(6)에 대해서, 열탕에 침지시키기 전에 중량을 측정하였다. 다음에, 열탕에 5시간 침지시킨 후, 비트리파이드 본드 지석(6)을 건조시키고 나서 재차 중량을 측정하였다. 그리고, 각 비트리파이드 본드 지석(6)의 침지 전의 중량을 침지 후의 중량으로 나눈 수치를 용해성의 높이로서 산출하였다. 그리고, 비교예 1에 따른 비트리파이드 본드 지석(6)의 용해성의 값을 100으로 했을 때의, 실시예에 따른 각 비트리파이드 본드 지석의 용해성의 상대값을 산출하였다.
이 용해성의 상대값이 작아질수록 연삭수에 대한 용해성이 낮고, 내수성이 높은 것을 의미한다. 즉, 이 상대값은, 비트리파이드 본드 지석(6)의 중량 변화가 작고, 내수성이 높을수록 낮은 수치가 된다. 하기 표 2에 실시예에 따른 각 비트리파이드 본드 지석(6)의 용해성의 상대값을 나타낸다. 또한, 표 2에는, 각 비트리파이드 본드 지석(6)을 소결하는 데 필요한 온도를 소결 온도로서 기재하고 있다.
Figure pat00002
비트리파이드 본드 지석(6)의 소결 온도는, 780℃ 이하인 것이 요구된다. 소결 온도가 이 온도를 초과하면, 결합재의 재료 중에 분산된 다이아몬드, SiC 등의 지립이나, 필러 등이 변질되기 때문이다. 그리고, 비교예 3, 비교예 4, 비교예 5,비교예 6, 비교예 7에 따른 비트리파이드 본드 지석(6)은, 800℃ 이상의 소결 온도를 필요로 하기 때문에, 지립 등이 변질되어 기대된 연삭 능력을 발휘할 수 없다고 생각된다.
또한, 비트리파이드 본드 지석(6)이 피가공물(1)을 가공하는데 있어서 갖추고 있어야 할 기계적 강도는, 전술한 항절 강도의 상대값에 있어서 약 95를 상회하는 것이다. 항절 강도가 이것보다 낮은 비트리파이드 본드 지석(6)은, 연삭 가공을 반복하여 열화되어 가는 동안에 파괴가 일어나 버린다. 그리고, 비교예 2, 비교예 6에 따른 비트리파이드 본드 지석(6)의 항절 강도의 상대값은 이것을 하회하기 때문에, 필요한 기계적 강도를 갖고 있지 않다고 평가된다.
또한, 비트리파이드 본드 지석(6)이 피가공물(1)을 가공하는데 있어서 갖추고 있어야 할 내수성은, 전술한 내수성에 따른 상대값에 있어서 약 55를 하회하는 것이다. 내수성의 상대값이 이것보다 높은 경우, 공급된 연삭수에 결합재가 서서히 녹기 시작하고, 사용 기간으로서 상정되는 1개월이 경과하기 전에 비트리파이드 본드 지석(6)이 변질되어 적절한 연삭 가공을 할 수 없게 된다. 그리고, 비교예 1, 비교예 2, 비교예 7에 따른 비트리파이드 본드 지석(6)의 내수성의 상대값은 이것을 초과하기 때문에, 필요한 내수성을 갖고 있지 않다고 평가된다.
또한, 실시예 1 내지 실시예 8에 따른 비트리파이드 본드 지석(6)은, 모두가 소결 온도가 780℃를 하회하여 지립 등이 충분히 기능을 발휘할 수 있는 데다, 충분한 기계적 강도와 내수성을 갖고 있다고 평가된다. 따라서, 결합재에 포함되는 산화아연(ZnO)의 함유량이 상기 결합재의 중량비로 11 wt% 이상 15 wt% 이하이면, 낮은 소결 온도에서 제조 가능하고, 또한, 일정 수준 이상의 내수성이나 강도를 갖는 비트리파이드 본드 지석(6)이 되는 것을 확인할 수 있었다.
또한, 비교예 6에 따른 비트리파이드 본드 지석(6)의 항절 강도의 상대값으로부터 이해되는 바와 같이, ZnO의 함유량이 과잉이고 소결 조제 산화물의 함유량이 지나치게 적어지면, 비트리파이드 본드 지석(6)의 강도가 낮아진다. 한편 비교예 7에 따른 비트리파이드 본드 지석(6)의 성능 평가로부터 이해되는 바와 같이, 소결 조제 산화물의 함유량이 지나치게 많아지면, 비트리파이드 본드 지석(6)의 내수성은 비교적 낮아진다. 그래서, 소결 조제 산화물은, 결합재의 중량비로 20 wt% 이상 29 wt% 이하인 것이 바람직하다.
또한, 비교예 5에 따른 비트리파이드 본드 지석(6)의 소결 온도로부터 이해되는 바와 같이, 소결 조제 산화물의 함유량이 이 범위를 만족시키는 경우에 있어서도 ZnO의 함유량이 필요량에 미치지 못하는 경우, 오히려 소결 온도가 높아진다. 따라서, ZnO가 전술한 범위에서 결합재에 포함되는 것은 필수이다.
또한, 비교예 2에 따른 비트리파이드 본드 지석(6)의 성능 평가로부터 이해되는 바와 같이, Li2O가 결합재의 재료에 포함되는 비트리파이드 본드 지석(6)의 내수성은 비교적 낮아지는 것이 본 실시예에 의해 이해된다. 또한, 비교예 4에 따른 비트리파이드 본드 지석(6)의 성능으로부터 이해되는 바와 같이, MgO를 포함하는 결합재의 소결 온도는 낮아지기 어렵다. 그래서, 비트리파이드 본드 지석(6)의 결합재에는, Li2O 및 MgO가 포함되지 않는 것이 바람직하다.
또한, 본 실시예에 있어서의 각 비트리파이드 본드 지석(6)의 성능 평가의 결과로부터, ZnO 이외에 일정한 함유량으로 이산화지르코늄(ZrO2)이 결합재에 함유되어 있는 것이 바람직한 것임을 이해할 수 있다. 즉, 결합재의 중량비로 3 wt% 이상 5 wt% 이하의 함유량으로 이산화지르코늄(ZrO2)을 결합재에 포함하는 비트리파이드 본드 지석(6)인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명은 상기 실시형태의 기재에 한정되지 않고, 여러 가지 변경하여 실시 가능하다. 상기 실시형태에 따른 구조, 방법 등은, 본 발명의 목적의 범위를 일탈하지 않는 한 적절하게 변경하여 실시할 수 있다.
1 : 피가공물 2 : 연삭휠
4 : 휠베이스 4a : 제1 면
4b : 제2 면 4c : 개구부
6 : 비트리파이드 본드 지석 8 : 연삭 장치
10 : 척 테이블 12 : 연삭 유닛
14 : 스핀들 16 : 회전 구동원
18 : 휠마운트

Claims (4)

  1. 지립과, 상기 지립을 고정하는 결합재를 갖는 비트리파이드 본드 지석으로서,
    상기 결합재는, 이산화규소(SiO2)를 주성분으로 하는 모재와, 소결 조제 산화물과, 산화아연(ZnO)을 포함하여 구성되고,
    상기 산화아연(ZnO)의 함유량은, 상기 결합재의 중량비로 11 wt% 이상 15 wt% 이하인 것을 특징으로 하는 비트리파이드 본드 지석.
  2. 제1항에 있어서, 상기 소결 조제 산화물의 함유량은, 상기 결합재의 중량비로 20 wt% 이상 29 wt% 이하인 것을 특징으로 하는 비트리파이드 본드 지석.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 소결 조제 산화물은, 산화나트륨(Na2O), 산화칼슘(CaO), 산화칼륨(K2O), 산화바륨(BaO) 중 1종류 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 비트리파이드 본드 지석.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 결합재의 중량비로 3 wt% 이상 5 wt% 이하의 함유량으로 이산화지르코늄(ZrO2)을 상기 결합재에 포함하는 것을 특징으로 하는 비트리파이드 본드 지석.
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