KR20230075351A - 다이싱 다이 본드 필름 - Google Patents

Abstract

열 기재층 및 해당 기재층에 겹친 점착제층을 갖는 다이싱 테이프와, 해당 다이싱 테이프의 상기 점착제층에 겹친 다이 본드 시트를 구비하고, 상기 다이 본드 시트는, 도전성 금속 입자를 포함하고, 상기 다이 본드 시트 및 상기 점착제층은, 모두 극성기 함유 화합물을 각각 포함하고, 상기 극성기 함유 화합물은, 1 이상의 히드록시기 또는 복수의 에테르 결합 중 적어도 한쪽을 분자 중에 함유하는 화합물이며, 상기 다이 본드 시트와 상기 점착제층 사이의 박리력은, 0.05N/50㎜보다도 큰, 다이싱 다이 본드 필름을 제공한다.

Description

다이싱 다이 본드 필름{DICING DIE BONDING FILM}

본 발명은, 예를 들어 반도체 장치를 제조할 때 사용되는 다이싱 다이 본드 필름에 관한 것이다.

종래, 반도체 장치의 제조에 있어서 사용되는 다이싱 다이 본드 필름이 알려져 있다. 이러한 종류의 다이싱 다이 본드 필름은, 예를 들어 다이싱 테이프와, 해당 다이싱 테이프에 적층되고 또한 웨이퍼에 접착되는 다이 본드 시트를 구비한다. 다이싱 테이프는, 기재층과, 다이 본드 시트에 접하고 있는 점착제층을 갖는다. 이러한 종류의 다이싱 다이 본드 필름은, 반도체 장치의 제조에 있어서, 예를 들어 하기와 같이 사용된다.

반도체 장치를 제조하는 방법은, 일반적으로, 고집적의 전자 회로에 의해 웨이퍼의 편면측에 회로면을 형성하는 전공정과, 회로면이 형성된 웨이퍼로부터 칩을 잘라내어 조립을 행하는 후공정을 구비한다. 예를 들어, 비교적 큰 전력에서 사용되는 파워 반도체 소자를 포함하는 반도체 장치를 제조하는 경우, 후공정에서는, 이하와 같은 각 공정을 실시할 수 있다.

후공정은, 예를 들어 다이싱 테이프에 겹친 다이 본드 시트의 점착제층에, 회로면이 형성된 웨이퍼(반도체 웨이퍼)의 회로면과는 반대측의 면을 첩부하여 웨이퍼를 고정하는 마운트 공정과, 다이싱 소우 등에 의해 반도체 웨이퍼 및 다이 본드 시트를 함께 절단하여 소편화하는 다이싱 공정과, 반도체 웨이퍼가 소편화된 칩끼리의 간격을 확대하는 익스팬드 공정과, 다이싱 테이프의 점착제층에 첩부된 소편화 다이 본드 시트를 칩과 함께 점착제층으로부터 박리하는 픽업 공정과, 다이 본드 시트가 첩부된 상태의 칩(다이)을 다이 본드 시트를 개재하여 피착체에 접착시키는 다이 본드 공정과, 피착체에 접착한 다이 본드 시트를 열경화 처리하는 큐어링 공정을 갖는다. 파워 반도체 소자를 포함하는 반도체 장치는, 예를 들어 이들 공정을 거쳐 제조된다.

상기와 같은 반도체 장치의 제조 방법에서 사용되는 다이싱 다이 본드 필름에 대해서는, 예를 들어 열경화성 수지와, 휘발 성분과, 도전성 입자를 포함하는 다이 본드 시트를 구비한 다이싱 다이 본드 필름이 알려져 있다(예를 들어, 특허문헌 1).

상세하게는, 특허문헌 1에 기재된 다이싱 다이 본드 필름에 있어서, 다이 본드 시트에서는, 200mL/min의 질소 가스 기류 하에서, 10℃/min의 승온 조건에서, 실온으로부터 100℃까지 승온하고, 100℃에서 30min 유지시켰을 때의 중량 감소율 W1이 0.5질량％ 이하이고, 200mL/min의 질소 가스 기류 하에서, 10℃/min의 승온 조건에서, 100℃로부터 200℃까지 승온하고, 200℃에서 30min 유지시켰을 때의 중량 감소율 W2가 2질량％ 이상이다.

특허문헌 1에 기재된 다이싱 다이 본드 필름의 다이 본드 시트에 의하면, 열경화 처리 후에 비교적 높은 방열성을 가질 수 있다.

일본 특허 공개 제2021-077765호 공보

그런데, 예를 들어 상기 다이싱 공정에 있어서, 다이싱 블레이드 등에 의해 반도체 웨이퍼를 소편화하였을 때의 힘에 의해, 소편화된 다이 본드 시트가 의도치 않게 점착제층으로부터 박리되어 버리는 경우가 있다. 이와 같은 현상은, 칩 플라이 현상이라고도 칭해진다. 다이싱 다이 본드 필름이 미사용의 상태로 보관되는 시간이 길어질수록, 칩 플라이 현상이 발생하기 쉬워지는 경향이 있다. 이 원인은, 다이싱 테이프의 점착제층과 다이 본드 시트 사이의 박리력이, 시간의 경과에 수반하여 저하되기 때문이라고 생각된다.

이와 같은 칩 플라이 현상을 방지하기 위해, 다이싱 테이프의 점착제층과 다이 본드 시트 사이의 박리력이 경시적으로 저하되는 것이 억제되고, 또한 경시적으로 상기 박리력이 저하되었다고 해도 시간 경과 후의 상기 박리력이 비교적 높아지도록 다이싱 다이 본드 필름을 설계하는 것이 생각된다.

그러나, 다이싱 테이프의 점착제층과 다이 본드 시트 사이의 박리력이 경시적으로 저하되는 것이 억제되고, 또한 시간 경과 후의 상기 박리력이 비교적 높은 다이싱 다이 본드 필름에 대해서는, 아직 충분히 검토되어 있다고는 할 수 없다.

그래서, 본 발명은, 다이싱 테이프의 점착제층과 다이 본드 시트 사이의 박리력이 경시적으로 저하되는 것이 억제되고, 또한 시간 경과 후의 상기 박리력이 비교적 높은 다이싱 다이 본드 필름을 제공하는 것을 과제로 한다.

상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 관한 다이싱 다이 본드 필름은, 기재층 및 해당 기재층에 겹친 점착제층을 갖는 다이싱 테이프와, 해당 다이싱 테이프의 상기 점착제층에 겹친 다이 본드 시트를 구비하고,

상기 다이 본드 시트는, 도전성 금속 입자를 포함하고,

상기 다이 본드 시트 및 상기 점착제층은, 모두 극성기 함유 화합물을 각각 포함하고,

상기 극성기 함유 화합물은, 1 이상의 히드록시기 또는 복수의 에테르 결합 중 적어도 한쪽을 분자 중에 함유하는 화합물이며,

상기 다이 본드 시트와 상기 점착제층 사이의 박리력은, 0.05N/50㎜보다도 큰 것을 특징으로 한다.

도 1은 본 실시 형태의 다이싱 다이 본드 필름을 두께 방향으로 절단한 모식 단면도.
도 2는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서의 마운트 공정의 모습을 모식적으로 도시하는 단면도.
도 3은 반도체 장치의 제조 방법에 있어서의 다이싱 공정의 모습을 모식적으로 도시하는 단면도.
도 4는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서의 익스팬드 공정의 모습을 모식적으로 도시하는 단면도.
도 5는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서의 픽업 공정의 모습을 모식적으로 도시하는 단면도.
도 6은 반도체 장치의 제조 방법에 있어서의 다이 본드 공정의 모습을 모식적으로 도시하는 단면도.
도 7은 다이 본드 시트와 점착제층 사이의 경시적인 박리력의 변화를 나타내는 그래프.
도 8은 다이 본드 시트와 점착제층 사이의 경시적인 박리력의 변화를 상댓값으로 나타내는 그래프.

이하, 본 발명에 관한 다이싱 다이 본드 필름의 일 실시 형태에 대하여, 도면을 참조하면서 설명한다.

본 실시 형태의 다이싱 다이 본드 필름(1)은, 상기 다이 본드 시트(10)와, 해당 다이 본드 시트(10)에 접합된 다이싱 테이프(20)를 구비한다.

본 실시 형태의 다이싱 다이 본드 필름(1)은, 도 1에 도시한 바와 같이, 다이싱 테이프(20)와, 해당 다이싱 테이프(20)의 점착제층(22)에 적층되고 또한 반도체 웨이퍼에 접착되는 다이 본드 시트(10)를 구비한다. 다이 본드 시트(10)는, 반도체 장치의 제조에 있어서, 회로 기판 또는 반도체 칩 등의 피착체에 접착되게 된다.

또한, 도면에 있어서의 도면은 모식도이며, 실물에 있어서의 종횡의 길이비와 반드시 동일한 것은 아니다.

<다이싱 다이 본드 필름의 다이 본드 시트>

본 실시 형태에 있어서, 다이 본드 시트(10)는, 도전성 금속 입자와, 극성기 함유 화합물을 적어도 포함한다. 또한, 다이 본드 시트(10)는, 열경화성 수지를 포함한다. 다이 본드 시트(10)는, 에폭시 수지를 열경화성 수지로서 포함해도 된다. 또한, 다이 본드 시트(10)는, 아크릴 수지를 포함해도 된다.

다이 본드 시트(10)의 두께는, 1㎛ 이상이어도 되고, 10㎛ 이상이어도 되고, 20㎛ 이상이어도 된다. 또한, 다이 본드 시트(10)의 두께는, 150㎛ 이하여도 되고, 100㎛ 이하여도 되고, 80㎛ 이하여도 된다. 다이 본드 시트(10)의 두께가 보다 얇음으로써, 다이 본드 시트(10)의 열전도성을 보다 양호하게 할 수 있다. 또한, 다이 본드 시트(10)가 적층체인 경우, 상기 두께는, 적층체의 총 두께이다.

다이 본드 시트(10)는, 예를 들어 도 1에 도시한 바와 같이, 단층 구조를 가져도 된다. 본 명세서에 있어서, 단층이란, 동일한 조성물로 형성된 층만을 갖는 것이다. 동일한 조성물로 형성된 층이 복수 적층된 형태도 단층이다.

한편, 다이 본드 시트(10)는, 예를 들어 2종 이상의 다른 조성물로 각각 형성된 층이 적층된 다층 구조를 가져도 된다. 다이 본드 시트(10)가 다층 구조를 갖는 경우, 다이 본드 시트(10)를 구성하는 적어도 1층이, 도전성 금속 입자와, 극성기 함유 화합물을 적어도 포함하고 있으면 된다.

다이 본드 시트(10)는, 상기 도전성 금속 입자를 85질량％ 이상 97질량％ 이하 포함하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 다이 본드 시트(10)의 열전도성을 양호하게 할 수 있다.

상기 도전성 금속 입자는, 적어도 금속 원소를 포함한다. 도전성 금속 입자의 형상은, 특별히 한정되지는 않고, 예를 들어 구상, 판상, 침상 등이다. 상기 도전성 금속 입자의 형상은, 구상인 것이 바람직하다. 도전성 금속 입자의 형상이 구상임으로써, 다이 본드 시트(10) 중에 도전성 금속 입자가 보다 고밀도로 충전될 수 있다.

상기 도전성 금속 입자로서는, 예를 들어 금속 및 금속 산화물 중 적어도 한쪽만으로 형성된 입자, 또는, 금속과 금속 이외의 재료를 포함하는 복합 입자 등을 들 수 있다.

금속 및 금속 산화물 중 적어도 한쪽만으로 형성된 입자는, 금속 원소를 포함하고 있으면 되고, 예를 들어 금속 입자의 표면의 적어도 일부가 금속 산화물로 덮인 상태여도 된다. 금속만으로 형성된 입자는, 복수종의 금속으로 형성되어 있어도 되고, 단일종의 금속으로 형성되어 있어도 된다. 복수종의 금속으로 형성된 입자로서는, 예를 들어 니켈 입자, 구리 입자, 은 입자, 또는 알루미늄 입자 등으로 형성된 중핵부와, 중핵부의 표면의 적어도 일부를 덮는 표층부를 갖는 입자를 들 수 있다. 표층부의 재질로서는, 예를 들어 금 또는 은 등이 채용된다.

복합 입자로서는, 예를 들어 수지 입자 등으로 형성된 중핵부와, 중핵부의 표면의 적어도 일부를 덮고 니켈 혹은 금 등의 금속으로 형성된 표층부를 갖는 입자를 들 수 있다. 중핵부는, 카본 블랙, 카본 나노튜브 등의 탄소 재료로 형성되어도 된다. 또한, 복합 입자로서는, 금속 입자가 지방산에 의해 표면 처리된 것 등을 채용할 수 있다.

상기 도전성 금속 입자의 총 질량에 차지하는 상기 복합 입자의 비율은, 60질량％ 이상 98질량％ 이하인 것이 바람직하다.

또한, 상기 도전성 금속 입자로서, 1종만이 채용되어도 되고, 2종 이상이 조합되어 채용되어도 된다.

상기 도전성 금속 입자는, 은, 구리, 산화은 및 산화구리로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 상기 도전성 금속 입자는, 은 및 구리 중 적어도 한쪽만을 금속으로서 포함하는 입자여도 된다. 또는, 상기 도전성 금속 입자는, 은 및 구리 중 적어도 한쪽을 금속으로서 포함하는 입자의 표면의 적어도 일부가 산화은 혹은 산화구리 중 적어도 한쪽으로 덮인 상태여도 된다. 구체적으로는, 상기 도전성 금속 입자는, 은 입자의 표면의 적어도 일부가 산화은으로 덮인 상태여도 되고, 구리 입자의 표면의 적어도 일부가 산화구리로 덮인 상태여도 된다.

상기 도전성 금속 입자는, 소결 처리에 의해 소결되는 소결성 금속 입자인 것이 바람직하다. 소결성 금속 입자는, 각 입자의 표층부의 적어도 일부가 금속으로 형성되고 또한 그 금속의 융점 이하의 온도에서 가열하였을 때 서로 고착되는 입자이다. 상기 도전성 금속 입자가 소결성 금속 입자임으로써, 다이 본드 시트(10)에 대하여 열경화 처리를 실시함으로써, 소결성 금속 입자의 적어도 일부를 소결시킬 수 있다. 그 때문에, 다이 본드 시트(10)의 내부에 열전달 경로가 보다 형성되기 쉬워진다. 특히, 두께 방향의 열전달 경로가 형성되기 쉬워진다. 이에 의해, 다이 본드 시트(10)의 방열성을 비교적 높게 할 수 있다. 소결성 금속 입자로서는, 적어도 표층부가 금, 은, 또는 구리 중 적어도 어느 것의 금속으로 형성된 입자가 바람직하다.

상기 도전성 금속 입자의 평균 입경은, 1㎚ 이상 10㎛ 이하여도 된다. 이러한 평균 입경은, 10㎚ 이상이어도 된다. 상기 도전성 금속 입자의 평균 입경이 보다 큼으로써, 입자끼리의 응집이 보다 억제되기 때문에, 다이 본드 시트(10) 중에서 도전성 금속 입자를 보다 분산시키기 쉬워진다고 하는 이점이 있다. 또한, 도전성 금속 입자의 가격은, 일반적으로, 평균 입자경이 클수록 낮은 경향이 있다. 또한, 이러한 평균 입경은, 5㎛ 이하여도 된다. 상기 도전성 금속 입자의 평균 입경이 보다 작음으로써, 상술한 열전달 경로가 보다 많이 형성될 수 있다.

상기 도전성 금속 입자의 평균 입경은, 이하의 제1 및 제2 각 방법으로 각각 측정된 평균 입경 중 작은 쪽의 값이다. 또한, 제1 방법에 의한 측정이 곤란한 경우, 제2 방법에 의해 측정을 행한다.

제1 방법에 있어서, 상기 도전성 금속 입자의 평균 입경은, 예를 들어 레이저 회절·산란식 입도 분포 측정 장치(마이크로트랙·벨사제, 마이크로트랙 MT3000II 시리즈)를 사용하여 측정된다. 도전성 금속 입자의 분말의 전체 용적을 100％로 하였을 때(체적 분포)의 누적 커브로부터 구해지는 메디안 직경 D50을 평균 입경으로 한다.

한편, 제2 방법에 있어서, 상기 도전성 금속 입자의 평균 입경은, 소결성 금속 입자를 주사형 전자 현미경(SEM)에 의해 관찰한 관찰상으로부터 구할 수 있다. 예를 들어, 5,000배 내지 300,000배의 배율로 관찰한 관찰상에 있어서, 랜덤하게 선택한 적어도 100개의 각 입자의 직경을 평균함으로써, 상기 도전성 금속 입자의 평균 입경을 구한다.

본 실시 형태에 있어서, 다이 본드 시트(10)는, 상기 극성기 함유 화합물을 0.1질량％ 이상 포함해도 되고, 0.5질량％ 이상 포함해도 된다. 다이 본드 시트(10)는, 상기 극성기 함유 화합물을 10.0질량％ 이하 포함해도 되고, 5.0질량％ 이하 포함해도 되고, 3.0질량％ 이하 포함해도 된다.

다이 본드 시트(10)가 상기 극성기 함유 화합물을 포함하기 때문에, 다이 본드 시트(10)에 점착성이 부여된다. 따라서, 다이 본드 시트(10)가 반도체 웨이퍼에 대하여 양호한 밀착성을 갖는다. 그 때문에, 반도체 장치의 제조에 있어서, 다이 본드 시트(10)를 양호하게 취급할 수 있다.

또한, 상기 극성기 함유 화합물은, 다이싱 테이프(20)의 점착제층(22)에도 포함되고, 다이싱 테이프(20)에 포함되는 성분과 상용할 수 있다.

다이 본드 시트(10)에 있어서, 열경화성 수지 및 아크릴 수지 등의 수지 성분(후에 상세하게 설명)과 상기 극성기 함유 화합물의 총 질량(상기 도전성 금속 입자를 포함하지 않음)에 차지하는, 상기 극성기 함유 화합물의 질량 비율 B[질량％]는, 10질량％ 이상이어도 되고, 15질량％ 이상이어도 된다. 또한, 이러한 비율 B[질량％]는, 30질량％ 이하여도 되고, 25질량％ 이하여도 된다. 수지 성분이란, 다이 본드 시트(10)에 포함되어 있는 고분자 화합물 모두를 가리킨다. 수지 성분과 도전성 금속 입자를 결합시키기 위해 배합된 성분(예를 들어 실란 커플링제) 및 경화 반응을 진행시키기 위한 촉매 등은, 수지 성분에 포함되지 않는다.

상기 극성기 함유 화합물은, 1 이상의 히드록시기 또는 복수의 에테르 결합 중 적어도 한쪽을 분자 중에 함유하는 화합물이다. 상기 극성기 함유 화합물이, 서로 중첩되어 있는 다이 본드 시트(10) 및 점착제층(22)의 양쪽에 각각 포함되어 있기 때문에, 다이 본드 시트(10)로부터 점착제층(22)으로의 상기 극성기 함유 화합물의 이행이 억제된다. 환언하면, 점착제층(22)에 포함되는 상기 극성기 함유 화합물에 의해, 다이 본드 시트(10)에 포함되는 상기 극성기 함유 화합물이 점착제층(22)으로 이행하는 것이 억제된다.

상기 이행은, 시간 경과에 수반하여 일어나기 때문에, 다이 본드 시트(10)와 점착제층(22)의 계면에 머무르는 상기 극성기 함유 화합물의 양은, 시간 경과에 수반하여 증가된다. 따라서, 다이 본드 시트(10)와 점착제층(22) 사이의 박리력은, 상기 계면에 존재하는 상기 극성기 함유 화합물에 의해 경시적으로 저하될 수 있다. 이에 반해, 본 실시 형태에 따르면, 상기 극성기 함유 화합물의 이행을 억제함으로써, 상기 계면에 존재하는 상기 극성기 함유 화합물의 양을 저감시킬 수 있다. 따라서, 다이 본드 시트(10)와 점착제층(22) 사이의 박리력의 경시적인 저하를 억제할 수 있다.

한편, 점착제층(22)에 상기 극성기 함유 화합물이 포함되어 있지 않은 경우, 다이 본드 시트(10)로부터 점착제층(22)으로 상기 극성기 함유 화합물이 이행하기 쉽고, 따라서, 상기 계면에 존재하는 상기 극성기 함유 화합물의 양도 비교적 많아진다. 이에 의해, 다이 본드 시트(10)와 점착제층(22) 사이의 박리력이 경시적으로 저하된다고 생각된다.

이와 같은 현상에 대해서는, 후에 상세하게 설명하는 실시예에서 실증된다.

상기 극성기 함유 화합물의 비점은, 200℃ 이상인 것이 바람직하고, 250℃ 이상인 것이 보다 바람직하다. 또한, 이러한 비점은, 350℃ 이하여도 된다. 상기 극성기 함유 화합물의 비점이 250℃ 이상임으로써, 다이 본드 시트(10)로부터의 상기 극성기 함유 화합물의 휘발이 보다 억제된다. 그 때문에, 상기 극성기 함유 화합물의 물성이 다이 본드 시트(10)의 내부에서 발휘되기 쉬워진다. 또한, 상기 극성기 함유 화합물의 비점이 350℃ 이하임으로써, 다이 본드 시트(10)를 열경화 처리하였을 때 다이 본드 시트(10)로부터 상기 극성기 함유 화합물이 보다 휘발되기 쉬워진다. 따라서, 큐어링 공정에 있어서 다이 본드 시트(10)에 열경화 처리를 실시하였을 때, 상기 극성기 함유 화합물이 보다 휘발되기 쉬워진다. 이에 의해, 상술한 도전성 금속 입자가 보다 서로 접하게 되어, 상기 열전달 경로가 보다 형성되기 쉬워진다.

상기 극성기 함유 화합물의 25℃에서의 증기압이 1㎜Hg 이하이고, 또한 극성기 함유 화합물의 유리 전이점이 250℃ 이하인 것이 바람직하다.

상기 극성기 함유 화합물의 25℃에서의 상기 증기압이 1㎜Hg 이하임으로써, 실온에서 상기 극성기 함유 화합물이 다이 본드 시트(10)로부터 거의 휘발하지 않기 때문에, 열경화 처리를 받을 때까지 다이 본드 시트(10)의 내부에 극성기 함유 화합물이 머문다. 그 때문에, 극성기 함유 화합물이 갖는 원하는 물성(예를 들어 점성 등)이, 열경화 처리를 받기 전의 다이 본드 시트(10)에 있어서 발휘된다. 이러한 증기압은, 기체 유통법에 의해 측정된다.

상기 극성기 함유 화합물의 점도는, 25℃에서 0.1[Pa·s] 이상 10만[Pa·s] 이하인 것이 바람직하다.

상기 점도는, 패럴렐 플레이트를 사용한 레오미터(갭: 200㎛, 전단 속도: 1[1/s])에 의해 측정된 값이다.

상기 극성기 함유 화합물인 1 이상의 히드록시기를 분자 중에 함유하는 화합물은, 예를 들어 탄화수소 부분과, 탄화수소 부분에 결합한 적어도 하나의 히드록시기를 분자 중에 갖는다.

탄화수소 부분은, 포화 탄화수소여도 되고, 불포화 탄화수소여도 된다. 탄화수소 부분은, 직쇄상 또는 분지쇄상의 쇄상 탄화수소여도 되고, 환상 탄화수소여도 된다.

상기 극성기 함유 화합물은, 바람직하게는 환상 탄화수소를 분자 중에 갖고, 보다 바람직하게는, 포화 환상 탄화수소를 분자 중에 갖는다.

상기 극성기 함유 화합물은, 복수의 포화 환상 탄화수소와, 복수의 포화 환상 탄화수소 중 1개 포화 환상 탄화수소 중 어느 것의 탄소에 결합한 1개의 히드록시기를 분자 중에 갖는 것이 바람직하다. 상기 극성기 함유 화합물은, 탄소수 6의 포화 환상 탄화수소에 있어서의 1탄소와, 2개의 포화 환상 탄화수소가 2개의 탄소를 공유하고 있는 탄소수 7의 포화 환상 탄화수소에 있어서의 1탄소가 공유 결합한 분자 구조를 갖고, 또한 1개의 히드록시기를 분자 중에 갖는 것이 보다 바람직하다. 더욱 바람직하게는, 이러한 분자 구조에 있어서의 탄소수 6의 포화 환상 탄화수소에 있어서의 어느 것의 탄소에 히드록시기가 결합되어 있다.

또한, 상기 극성기 함유 화합물의 분자량은, 예를 들어 150 이상 300 이하여도 된다.

상기 극성기 함유 화합물은, 이소보르닐시클로헥산올인 것이 가장 바람직하다.

이소보르닐시클로헥산올은, 4-[1,7,7-트리메틸비시클로[2.2.1]헵탄-2-일]시클로헥산올이라고도 칭해진다. 이소보르닐시클로헥산올의 비점은, 308℃ 이상 318℃ 이하의 범위에 있다. 이소보르닐시클로헥산올의 증기압은, 25℃에서 0.00003㎜Hg이다. 이소보르닐시클로헥산올은, 이하와 같은 특징적인 물성을 갖는다. 상세하게는, 200mL/min의 질소 가스 기류 하에서, 10℃/min의 승온 조건에서, 실온(23±2℃)으로부터 600℃까지 승온하였을 때, 100℃ 이상으로부터 급격하게 휘발하기시작하여, 245℃에서 거의 모두 휘발한다. 나아가, 25℃에서 1,000,000mPa·s라고 하는 매우 높은 점도를 갖지만, 60℃에서 1000mPa·s 이하라고 하는 비교적 낮은 점도를 갖는다.

이와 같이, 이소보르닐시클로헥산올은, 25℃에서 매우 높은 점도를 갖기 때문에, 이소보르닐시클로헥산올을 포함하는 다이 본드 시트(10)는, 실온에서 시트 형상을 보다 충분히 유지할 수 있다. 한편, 이소보르닐시클로헥산올은, 60℃ 정도에 있어서 상기와 같이 비교적 낮은 점도를 갖기 때문에, 점착성을 갖게 된다. 즉, 이소보르닐시클로헥산올을 포함하는 다이 본드 시트(10)는, 실온에서 시트 형상을 유지할 수 있고, 60℃ 정도에 있어서 점착성을 갖게 될 수 있다.

예를 들어, 후에 상세하게 설명하는 마운트 공정에 있어서, 60℃ 이상 80℃ 이하의 온도로 가온하면서, 다이 본드 시트(10)를 개재하여 금속 리드 프레임 등의 피착체에 반도체 칩을 첩부한다(가접착한다). 이소보르닐시클로헥산올은 상기와 같이 60℃ 정도에 있어서 점착성을 갖기 때문에, 이소보르닐시클로헥산올을 포함하는 다이 본드 시트(10)는, 피착체에 양호하게 첩부될 수 있다. 환언하면, 가접착된 다이 본드 시트(10)가 피착체로부터 들뜨거나, 반도체 칩의 설치 위치가 어긋나거나 하는 것을 억제할 수 있다. 그 때문에, 다이 본드 시트(10)가 이소보르닐시클로헥산올을 포함함으로써, 반도체 칩을 피착체에 비교적 높은 신뢰성으로 가접착 시킬 수 있다.

상기 극성기 함유 화합물인 복수의 에테르 결합을 분자 중에 함유하는 화합물은, 예를 들어 탄화수소와 에테르 결합이 교호로 반복되는 분자 구조를 갖는다. 이와 같은 분자 구조를 갖는 화합물로서는, 예를 들어 글라임 화합물을 들 수 있다.

글라임 화합물은, 직쇄상 글리콜디에테르 화합물이다. 예를 들어, 글라임 화합물은, R-O(CH₂CH₂O)_n-R'라고 하는 분자 구조식으로 나타낼 수 있다. 이러한 분자 구조식에 있어서, R 및 R'는, 각각 독립적으로 알킬기이며, n은 1 이상의 정수이다. 알킬기로서는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기 등을 들 수 있다. R 및 R'의 알킬기로서는, 메틸기가 바람직하다. n은, 1 이상 4 이하의 정수인 것이 바람직하다.

글라임 화합물로서는, 예를 들어 모노글라임, 디글라임, 트리글라임, 테트라글라임, 펜타글라임, 폴리(에틸렌글리콜)디메틸에테르(PEGDME, 폴리글라임) 등을 들 수 있다. 글라임 화합물로서는, 총 탄소수 4 이상 14 이하의 글라임 화합물이 바람직하다.

본 실시 형태에 있어서, 다이 본드 시트(10)는, 열경화성 수지를 포함한다.

열경화성 수지로서는, 예를 들어 에폭시 수지, 페놀 수지, 아미노 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 실리콘 수지, 열경화성 폴리이미드 수지 등을 들 수 있다. 상기 열경화성 수지로서는, 1종만, 또는, 2종 이상이 채용된다.

상기 에폭시 수지로서는, 예를 들어 비스페놀 A형, 비스페놀 F형, 비스페놀 S형, 브롬화 비스페놀 A형, 수소 첨가 비스페놀 A형, 비스페놀 AF형, 비페닐형, 나프탈렌형, 플루오렌형, 페놀 노볼락형, 크레졸 노볼락형, 트리스히드록시페닐메탄형, 테트라페닐올에탄형, 히단토인형, 트리스글리시딜이소시아누레이트형, 또는, 글리시딜아민형의 각 에폭시 수지를 들 수 있다. 에폭시 수지로서는, 비스페놀 A형 또는 크레졸 노볼락형이 바람직하다.

에폭시 수지는, 실온에서 액상이어도 되고, 고형상이어도 된다.

페놀 수지는, 에폭시 수지의 경화제로서 작용할 수 있다. 페놀 수지로서는, 예를 들어 노볼락형 페놀 수지, 레졸형 페놀 수지, 폴리파라옥시스티렌 등의 폴리옥시스티렌 등을 들 수 있다.

노볼락형 페놀 수지로서는, 예를 들어 페놀 노볼락 수지, 페놀아르알킬 수지(비페닐아르알킬형 페놀 수지 등), 크레졸 노볼락 수지, tert-부틸페놀 노볼락 수지, 노닐페놀 노볼락 수지, 페놀크실릴렌 수지 등을 들 수 있다.

페놀 수지의 수산기 당량[g/eq]은, 예를 들어 90 이상 220 이하여도 된다.

다이 본드 시트(10)의 탄성률이 적절하게 낮아질 수 있다고 하는 점에서, 페놀 수지로서는, 수산기 당량이 비교적 큰 비페닐아르알킬형 페놀 수지가 바람직하다.

상기 페놀 수지로서는, 1종만, 또는, 2종 이상이 채용된다.

다이 본드 시트(10)는, 열경화성 수지로서, 적어도 에폭시 수지를 포함하는 것이 바람직하다. 다이 본드 시트(10)가 에폭시 수지를 포함함으로써, 경화 후의 다이 본드 시트(10)가 보다 양호한 접착 강도를 가질 수 있다.

다이 본드 시트(10)에 포함될 수 있는 아크릴 수지는, (메트)아크릴산에스테르 모노머가 적어도 중합된 고분자 화합물이다. 다이 본드 시트(10)가 아크릴 수지를 포함함으로써, 다이 본드 시트(10)가 적당한 유연성을 가질 수 있다. 또한, 아크릴 수지를 중합할 때의 모노머의 종류의 변경에 의해, 다이 본드 시트(10)의 탄성률을 비교적 용이하게 조정할 수 있다.

또한, 본 명세서에 있어서 「(메트)아크릴산」이라는 표기는, 메타크릴산 및 아크릴산 중 적어도 한쪽을 나타내고, 「(메트)아크릴레이트」라는 표기는, 메타크릴레이트(메타크릴산에스테르) 및 아크릴레이트(아크릴산에스테르) 중 적어도 한쪽을 나타낸다. 「(메트)아크릴」이라는 용어도 마찬가지이다.

상기 아크릴 수지는, 분자 중에 가교성기를 갖는 가교성 아크릴 수지여도 된다. 상기 가교성 아크릴 수지는, 측쇄에 가교성기를 갖는 것이 바람직하다. 상기 가교성 아크릴 수지는, 측쇄의 말단에 상기 가교성기를 가져도 된다. 또한, 상기 가교성 아크릴 수지는, 주쇄의 양단 중 적어도 한쪽에 상기 가교성기를 가져도 된다.

상기 가교성 아크릴 수지가 분자 중에 갖는 가교성기는, 열경화 처리에 의해 가교 반응을 일으키는 관능기이면, 특별히 한정되지는 않는다. 가교성기로서는, 예를 들어 활성 수소를 갖는 가교성기를 들 수 있다.

활성 수소를 갖는 가교성기로서는, 예를 들어 히드록시기 또는 카르복시기 등을 들 수 있다. 이들 가교성기는, 에폭시기 또는 이소시아네이트기와 가교 반응을 일으킬 수 있다. 예를 들어, 히드록시기 또는 카르복시기 중 적어도 한쪽을 분자 중에 갖는 상기 가교성 아크릴 수지는, 에폭시기 또는 이소시아네이트기를 분자 중에 갖는 화합물(예를 들어, 상술한 에폭시 수지 등)과의 사이에서 가교 반응을 일으킬 수 있다.

상기 가교성 아크릴 수지에 차지하는, 가교성기 함유 모노머의 구성 단위의 함유 비율은, 0.5질량％ 이상 50.0질량％ 이하여도 되고, 1질량％ 이상 40질량％ 이하여도 된다.

상기 비율이 0.5질량％ 이상임으로써, 다이 본드 시트(10)가 열경화 처리될 때의 가교 반응을 보다 충분히 진행시킬 수 있다. 한편, 상기 비율이 50.0질량％ 이하임으로써, 열경화 처리 후의 다이 본드 시트(10)의 탄성률을 보다 낮게 함으로써, 열경화 처리에 수반되는 다이 본드 시트(10)의 휨을 보다 억제할 수 있다.

또한, 구성 단위란, 가교성 아크릴 수지를 얻기 위한 모노머(예를 들어 2-에틸헥실아크릴레이트, 히드록시에틸아크릴레이트 등)가 중합된 후의 각 모노머 유래의 구조이다. 이하 마찬가지이다.

상기 가교성 아크릴 수지는, 예를 들어 라디칼 중합 개시제를 사용한 일반적인 중합 방법에 의해 합성할 수 있다. 또는, 상기 가교성 아크릴 수지로서, 시판품을 사용할 수 있다.

상기 가교성 아크릴 수지는, 분자 중의 구성 단위 중, 알킬(메트)아크릴레이트 모노머의 구성 단위를 질량 비율로 가장 많이 포함하는 것이 바람직하다. 당해 알킬(메트)아크릴레이트 모노머로서는, 예를 들어 알킬기(탄화수소기)의 탄소수가 2 이상 18 이하인 C2 내지 C18 알킬(메트)아크릴레이트 모노머를 들 수 있다.

알킬(메트)아크릴레이트 모노머로서는, 예를 들어 포화 직쇄상 알킬(메트)아크릴레이트 모노머, 포화 분지쇄상 알킬(메트)아크릴레이트 모노머, 포화 환상 알킬(메트)아크릴레이트 모노머 등을 들 수 있다.

포화 직쇄상 알킬(메트)아크릴레이트 모노머로서는, 에틸(메트)아크릴레이트, n-프로필(메트)아크릴레이트, n-부틸(메트)아크릴레이트, n-헵틸(메트)아크릴레이트, n-옥틸(메트)아크릴레이트, n-노닐(메트)아크릴레이트, n-데실(메트)아크릴레이트, 트리데실(메트)아크릴레이트, 라우릴(메트)아크릴레이트, 미리스틸(메트)아크릴레이트, 팔미틸(메트)아크릴레이트, 스테아릴(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 또한, 직쇄상 알킬기 부분의 탄소수는, 2 이상 8 이하인 것이 바람직하다.

포화 분지쇄상 알킬(메트)아크릴레이트 모노머로서는, 이소헵틸(메트)아크릴레이트, 이소옥틸(메트)아크릴레이트, 이소노닐(메트)아크릴레이트, 이소데실(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 또한, 알킬기 부분은, iso 구조, sec 구조, neo 구조, 또는, tert 구조 중 어느 것을 가져도 된다.

상기 가교성 아크릴 수지는, 알킬(메트)아크릴레이트 모노머와 공중합 가능한 가교성기 함유 모노머에서 유래되는 구성 단위를 포함한다.

본 실시 형태에 있어서, 상기 가교성 아크릴 수지는, 적어도 알킬(메트)아크릴레이트 모노머와 가교성기 함유 모노머가 공중합한 아크릴 수지이다. 환언하면, 상기 가교성 아크릴 수지는, 알킬(메트)아크릴레이트 모노머의 구성 단위와, 가교성기 함유 모노머의 구성 단위가 랜덤한 순서로 연결된 구성을 갖는다.

상기 가교성기 함유 모노머로서는, 예를 들어 카르복시기 함유 (메트)아크릴 모노머, 히드록시기(수산기) 함유 (메트)아크릴 모노머, 술폰산기 함유 (메트)아크릴 모노머, 인산기 함유 (메트)아크릴 모노머 등의 관능기 함유 모노머 등을 들 수 있다. 또한, 상기 가교성기 함유 모노머는, 분자 중에 에테르기 또는 에스테르기 등을 가져도 된다.

상기 가교성 아크릴 수지는, 바람직하게는 카르복시기 함유 (메트)아크릴 모노머 및 히드록시기 함유 (메트)아크릴 모노머로부터 선택된 적어도 1종의 가교성기 함유 모노머와, 알킬(메트)아크릴레이트(특히, 알킬 부분의 탄소수가 1 이상 4 이하인 알킬(메트)아크릴레이트)의 공중합체이다.

카르복시기 함유 (메트)아크릴 모노머로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산, 모노(2-(메트)아크릴로일옥시에틸)숙시네이트 모노머 등을 들 수 있다. 또한, 카르복시기는, 모노머 구조의 말단 부분에 배치되어 있어도 되고, 말단 부분 이외의 탄화수소에 결합되어 있어도 된다.

히드록시기 함유 (메트)아크릴 모노머로서는, 예를 들어 히드록시에틸(메트)아크릴레이트 모노머, 히드록시프로필(메트)아크릴레이트 모노머, 히드록시부틸(메트)아크릴레이트 모노머 등을 들 수 있다. 또한, 히드록시기는, 모노머 구조의 말단 부분에 배치되어 있어도 되고, 말단 부분 이외의 탄화수소에 결합되어 있어도 된다.

다이 본드 시트(10)가 에폭시 수지 또는 페놀 수지와 같은 열경화성 수지를 포함하는 경우, 다이 본드 시트(10) 중의 열경화 수지 및 상기 가교성 아크릴 수지 등의 아크릴 수지의 합계량(즉, 도전성 금속 입자, 실란 커플링제, 촉매를 제외한 수지 성분의 양)에 차지하는 열경화성 수지의 질량 비율은, 80질량％ 이하인 것이 바람직하고, 75질량％ 이하인 것이 보다 바람직하고, 45질량％ 이하인 것이 더욱 바람직하다. 이에 의해, 열경화 처리 후의 다이 본드 시트(10)가 보다 낮은 탄성률을 가질 수 있다. 그 때문에, 열경화 처리에 수반되는 다이 본드 시트(10)의 휨을 보다 억제할 수 있다. 또한, 상기 질량 비율은, 20질량％ 이상이어도 된다.

다이 본드 시트(10)는, 상기 열경화성 수지 및 상기 가교성 아크릴 수지 이외의 성분을 포함해도 된다. 예를 들어, 다이 본드 시트(10)는, 상기 가교성 아크릴 수지 이외의 열가소성 수지를 더 포함해도 된다.

다이 본드 시트(10)에 포함될 수 있는, 상기 가교성 아크릴 수지 이외의 열가소성 수지로서는, 예를 들어 천연 고무, 부틸 고무, 이소프렌 고무, 클로로프렌 고무, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산 공중합체, 에틸렌-아크릴산에스테르 공중합체, 폴리부타디엔 수지, 폴리카르보네이트 수지, 열가소성 폴리이미드 수지, 6-폴리아미드 수지 혹은 6,6-폴리아미드 수지 등의 폴리아미드 수지, 페녹시 수지, 가교성 관능기를 분자 중에 포함하지 않는 아크릴 수지, PET 혹은 PBT 등의 포화 폴리에스테르 수지, 폴리아미드이미드 수지, 또는 불소 수지 등을 들 수 있다.

상기 열가소성 수지로서는, 1종만, 또는, 2종 이상이 채용된다.

다이 본드 시트(10)에 포함되는 열경화 수지 및 상기 가교성 아크릴 수지 등의 아크릴 수지의 총량(즉, 도전성 금속 입자, 실란 커플링제, 촉매를 제외한 수지 성분의 양)에 차지하는 상기 가교성 아크릴 수지의 질량 비율은, 바람직하게는 20질량％ 이상 50질량％ 이하이다.

다이 본드 시트(10)에 있어서, 도전성 금속 입자 100질량부에 대한, 상기 수지 성분의 양(상기 가교성 아크릴 수지 및 열경화성 수지 등의 총량)은, 1질량부 이상 30질량부 이하여도 되고, 10질량부 이하여도 된다.

다이 본드 시트(10)는, 필요에 따라서, 예를 들어 경화 촉매, 난연제, 실란 커플링제, 이온 트랩제, 염료 등을 더 포함해도 된다.

다음에, 상술한 다이 본드 시트(10)에 접합된 다이싱 테이프(20)에 대하여 상세하게 설명한다.

본 실시 형태의 다이싱 다이 본드 필름(1)이 사용되기 전 또는 사용 중에, 활성 에너지선(예를 들어 자외선)이 조사됨으로써, 다이싱 테이프(20)의 점착제층(22)이 경화된다. 예를 들어, 다이 본드 시트(10)와 점착제층(22)을 적층시키기 전에, 자외선 등이 적어도 점착제층(22)에 조사된다. 자외선 등의 조사에 의해 점착제층(22)이 경화됨으로써, 점착제층(22)의 점착력을 적절하게 낮출 수 있다. 이에 의해, 후술하는 픽업 공정에 있어서, 점착제층(22)으로부터 다이 본드 시트(10)(반도체 웨이퍼가 접착된 상태)를 비교적 용이하게 박리시킬 수 있다.

<다이싱 다이 본드 필름의 다이싱 테이프>

상기 다이싱 테이프(20)는, 통상은 긴 시트이며, 사용될 때까지 권회된 상태에서 보관된다. 본 실시 형태의 다이싱 다이 본드 필름(1)은, 할단 처리되는 실리콘 웨이퍼보다도, 한층 더 큰 내경을 갖는 원환상의 프레임에 부착되어, 커트되어 사용된다.

상기 다이싱 테이프(20)는, 기재층(21)과, 해당 기재층(21)에 겹친 점착제층(22)을 구비한다.

[다이싱 테이프의 기재층]

기재층(21)은, 단층 구조여도 되고, 적층 구조(예를 들어 3층 구조)를 가져도 된다. 기재층(21)의 두께(총 두께)는, 80㎛ 이상 150㎛ 이하여도 된다.

기재층(21)의 각 층은, 예를 들어 금속박, 종이 혹은 천 등의 섬유 시트, 고무 시트, 또는, 수지 필름 등이다.

기재층(21)을 구성하는 섬유 시트로서는, 종이, 직포, 부직포 등을 들 수 있다.

수지 필름의 재질로서는, 예를 들어 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 에틸렌-프로필렌 공중합체 등의 폴리올레핀; 에틸렌-아세트산비닐 공중합체(EVA), 아이오노머 수지, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산에스테르 (랜덤, 교호) 공중합체 등의 에틸렌의 공중합체; 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT) 등의 폴리에스테르; 폴리아크릴레이트; 폴리염화비닐(PVC); 폴리우레탄; 폴리카르보네이트; 폴리페닐렌술피드(PPS); 지방족 폴리아미드, 전방향족 폴리아미드(아라미드) 등의 폴리아미드; 폴리에테르에테르케톤(PEEK); 폴리이미드; 폴리에테르이미드; 폴리염화비닐리덴; ABS(아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌 공중합체); 셀룰로오스 또는 셀룰로오스 유도체; 실리콘 함유 고분자; 불소 함유 고분자 등을 들 수 있다. 이들은, 1종이 단독으로 또는 2종 이상이 조합되어 사용될 수 있다.

기재층(21)은, 수지 필름 등의 고분자 재료로 구성되어 있는 것이 바람직하다.

기재층(21)이 수지 필름을 갖는 경우, 수지 필름이 연신 처리 등이 실시되고, 연신율 등의 변형성이 제어되어 있어도 된다.

기재층(21)의 표면에는, 점착제층(22)과의 밀착성을 높이기 위해, 표면 처리가 실시되어 있어도 된다. 표면 처리로서는, 예를 들어 크롬산 처리, 오존 폭로, 화염 폭로, 고압 전격 폭로, 이온화 방사선 처리 등의 화학적 방법, 또는, 물리적 방법에 의한 산화 처리 등이 채용될 수 있다. 또한, 앵커 코팅제, 프라이머, 접착제 등의 코팅제에 의한 코팅 처리가 실시되어 있어도 된다.

기재층(21)의 배면측(점착제층(22)이 겹쳐 있지 않은 측)에는, 박리성을 부여하기 위해, 예를 들어 실리콘계 수지 또는 불소계 수지 등의 이형제(박리제) 등에 의해 이형 처리가 실시되어 있어도 된다.

기재층(21)은, 배면측으로부터 자외선 등의 활성 에너지선을 점착제층(22)에 부여하는 것이 가능하게 되는 점에서, 광투과성(자외선 투과성)의 수지 필름 등인 것이 바람직하다.

[다이싱 테이프의 점착제층]

본 실시 형태에 있어서, 점착제층(22)은, 예를 들어 알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위를 분자 중에 적어도 함유하는 아크릴 폴리머와, 이소시아네이트 화합물과, 중합 개시제를 포함한다.

점착제층(22)은, 5㎛ 이상 40㎛ 이하의 두께를 가져도 된다. 점착제층(22)의 형상 및 크기는, 통상, 기재층(21)의 형상 및 크기와 동일하다.

본 실시 형태에 있어서, 다이 본드 시트(10)와, 다이싱 테이프(20)의 점착제층(22) 사이의 박리력은, 0.05[N/50㎜]보다도 크다. 이러한 박리력이 0.05[N/50㎜]보다도 크기 때문에, 상기 박리력이 경시적으로 저하되었다고 해도, 저하 후의 박리력을 비교적 높게 유지할 수 있다. 또한, 이러한 박리력은, 0.30[N/50㎜]보다 작아도 되고, 0.25[N/50㎜]보다 작아도 된다.

상기 박리력은, 점착제층(22)에 경화 처리가 실시되어 충분히 경화된 후이며 또한 다이 본드 시트(10)에 경화 처리가 실시되기 전에 측정된다. 상기 박리력은, 예를 들어 다이싱 다이 본드 필름(1)이 제조된 직후(제조 후 1일 이내)의 초기 박리력이어도 된다.

상기 박리력은, 이하의 측정법에 의해 측정된다. 다이 본드 시트(10)와 점착제층(22)이 중첩되어 있는 부분으로부터, 150㎜×50㎜의 크기의 직사각 형상 시험편을 잘라낸다. 핸드 롤러를 사용하여 실온에서 다이 본드 시트(10)에 배접 테이프(제품명 「BT315」 닛토덴코사제)를 첩부한다. 그 후, 텐실론형 인장 시험기(시마즈 세이사쿠쇼사제, AGSJ)에 의해, 점착제층(22)으로부터 다이 본드 시트(10)를 박리하였을 때의 박리 강도를 측정한다. 측정 장치로서, 예를 들어 제품명 「오토그래프 AGS-J」(SHIMADZU사제)를 사용할 수 있다. 박리 조건은, 23℃의 환경 하, 180°의 박리 각도, 박리 속도 300㎜/min이다.

상기 박리력은, 예를 들어 점착제층(22)에 포함되는 후술하는 아크릴 폴리머의 극성을 높임으로써 크게 할 수 있다. 한편, 예를 들어 상기 아크릴 폴리머(후술)의 극성을 저하시킴으로써, 상기 박리력을 작게 할 수 있다. 또한, 상기 아크릴 폴리머를 중합할 때, 중합 조성에 있어서의 극성 모노머(예를 들어 수산기 함유 (메트)아크릴레이트 모노머 등)의 비율을 바꿈으로써, 상기 아크릴 폴리머의 극성을 조정할 수 있다.

상기 박리력을 X라 하고, 해당 박리력 X의 측정으로부터 7일 경과 후의 경시 후 박리력을 Y라 하였을 때, Y/X가 0.5보다도 크고 또한 1.5 미만인 것이 바람직하다. Y/X가 0.5보다도 큼으로써, 시간 경과 후의 경시 후 박리력이 보다 높아진다. Y/X는, 1.0 미만이어도 된다.

또한, 상기 경시 후 박리력 Y는, 예를 들어 다이싱 테이프(20)의 점착제층(22)에 배합하는 상기 극성기 함유 화합물의 양을 줄임으로써 높일 수 있다. 한편, 예를 들어 점착제층(22)에 배합하는 상기 극성기 함유 화합물의 양을 늘림으로써, 상기 경시 후 박리력을 저하시킬 수 있다.

본 실시 형태에 있어서, 다이 본드 시트(10) 및 점착제층(22)의 양쪽이 상기 극성기 함유 화합물을 각각 포함한다. 그 때문에, 다이 본드 시트(10)만이 상기 극성기 함유 화합물을 포함하는 경우에 비해, 다이 본드 시트(10)로부터 점착제층(22)으로 상기 극성기 함유 화합물이 시간의 경과에 수반하여 이행하는 것을 억제할 수 있다. 이에 의해, 다이 본드 시트(10)와 점착제층(22)의 계면에 있어서, 상기 극성기 함유 화합물이 경시적으로 증가되는 것을 억제할 수 있다. 상기 계면에서 극성기 함유 화합물이 증가되지 않는 만큼, 상기 박리력이 경시적으로 저하되는 것을 억제할 수 있다고 생각된다. 또한, 다이 본드 시트(10) 및 점착제층(22)에 각각 포함되는 극성기 함유 화합물은, 동일한 1종의 화합물이어도 되고, 극성기 함유 화합물에 포함되는 것이면 서로 다른 2종 이상의 화합물이어도 된다.

본 실시 형태에 있어서, 점착제층(22)의 질량에 차지하는 극성기 함유 화합물의 비율을 A[질량％]라 하고, 다이 본드 시트(10)에 포함되는 수지 성분 및 극성기 함유 화합물의 총 질량에 차지하는, 극성기 함유 화합물의 비율을 B[질량％]라 하였을 때,

0.1≤A/B≤3.0의 관계식이 충족되어도 된다. A/B가 상기 수치 범위 내임으로써, 다이싱 테이프(20)의 점착제층(22)과 다이 본드 시트(10) 사이의 박리력이 경시적으로 저하되는 것을 보다 억제할 수 있고, 또한 시간 경과 후의 상기 박리력을 보다 높게 할 수 있다.

또한, 0.5≤A/B이어도 된다. 또한, A/B≤2.0이어도 된다.

점착제층(22)은, 상기 극성기 함유 화합물을 1.0질량％ 이상 포함해도 되고, 5.0질량％ 이상 포함해도 된다. 점착제층(22)은, 상기 극성기 함유 화합물을 40.0질량％ 이하 포함해도 되고, 30.0질량％ 이하 포함해도 되고, 20.0질량％ 이하 포함해도 된다.

본 실시 형태에 있어서, 점착제층(22)에 포함되는 상기 아크릴 폴리머는, 분자 중에, 알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위와, 수산기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위와, 중합성기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위를 적어도 갖는다. 구성 단위는, 아크릴 폴리머의 주쇄를 구성하는 단위이다. 상기 아크릴 폴리머에 있어서의 각 측쇄는, 주쇄를 구성하는 각 구성 단위에 포함된다.

점착제층(22)에 포함되는 아크릴 폴리머에 있어서, 상기 구성 단위는, ¹H-NMR, ¹³C-NMR 등의 NMR 분석, 열분해 GC/MS 분석 및 적외 분광법 등에 의해 확인할 수 있다. 또한, 아크릴 폴리머에 있어서의 상기 구성 단위의 몰 비율은, 통상, 아크릴 폴리머를 중합할 때의 배합량(투입량)으로부터 산출되어도 된다.

상기 알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위는, 알킬(메트)아크릴레이트 모노머에서 유래된다. 환언하면, 알킬(메트)아크릴레이트 모노머가 중합 반응한 후의 분자 구조가, 알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위이다. 「알킬」이라는 표기는, (메트)아크릴산에 대하여 에스테르 결합한 탄화수소 부분을 나타낸다.

알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위에 있어서의 알킬 부분의 탄화수소 부분은, 포화 탄화수소여도 되고, 불포화 탄화수소여도 된다. 탄화수소 부분의 탄소수는, 6 이상이어도 되고, 8 이상이어도 된다. 또한, 탄화수소 부분의 탄소수는, 10 이하여도 된다.

상기 아크릴 폴리머의 구성 단위 중, 알킬 부분의 탄소수가 8 이상인 알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위의 비율이 분자 중에 있어서 몰 환산으로 가장 높은 것이 바람직하고, 분지쇄상의 알킬 부분의 탄소수가 8 이상인 알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위의 비율이 분자 중에 있어서 몰 환산으로 가장 높은 것이 보다 바람직하다. 이에 의해, 후술하는 픽업 공정에서의 픽업 성능(점착제층(22)으로부터 다이 본드 시트(10) 및 반도체 칩을 비교적 용이하게 박리할 수 있는 성능)을 유지하면서, 다이싱 공정에서의, 소위 칩 플라이 현상(후에 상세하게 설명)을 보다 충분히 억제할 수 있다고 생각된다. 칩 플라이 현상은, 반도체 웨이퍼 및 다이 본드 시트(10)를 절단하여 소편화하였을 때, 소편화된 다이 본드 시트(10)와 반도체 칩이 점착제층(22)으로부터 의도치 않게 박리되어 버리는 현상이다. 환언하면, 점착제층(22)에 포함되는 아크릴 폴리머의 구성 단위 중, 알킬 부분의 탄소수가 8 이상인 알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위의 비율이 몰 환산으로 가장 높음으로써, 면 방향의 어느 것의 방향을 따라서 박리력이 가해졌을 때, 다이 본드 시트(10)가 점착제층(22)으로부터 박리되는 것이 보다 억제된다. 한편, 면 방향에 수직인 방향을 따라서 박리력이 가해졌을 때는, 다이 본드 시트(10)가 점착제층(22)으로부터 비교적 박리되기 쉬워질 수 있다.

알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위로서는, 예를 들어 헥실(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, n- 또는 iso-노닐(메트)아크릴레이트, 데실(메트)아크릴레이트 등의 각 구성 단위를 들 수 있다.

점착제층(22)에 포함되는 상기 아크릴 폴리머는, 복소환(헤테로환) 구조를 함유하는 (메트)아크릴레이트의 구성 단위를 분자 중에 더 갖는 것이 바람직하다. 질소(N) 또는 산소(O) 등의 분극 부위를 상기 아크릴 폴리머가 분자 중에 가짐으로써, 상기 아크릴 폴리머의 응집성이 보다 높아진다. 따라서, 상기 아크릴 폴리머를 포함하는 점착제층(22)과 다이 본드 시트(10) 사이의 박리력을 보다 높일 수 있다. 또한, 점착제층(22)을 다이 본드 시트(10)로부터 박리하였을 때, 점착제층(22)의 일부가 탈리되어 다이 본드 시트(10)의 박리면에 부착되어 버리는 현상(점착제 잔류)을 보다 억제할 수 있다. 상기 복소환(헤테로환) 구조로서는, 질소(N) 또는 산소(O) 중 적어도 한쪽을 함유하는 구조가 바람직하다. 복소환(헤테로환) 구조를 분자 중에 함유하는 (메트)아크릴레이트의 구성 단위로서는, 예를 들어 (메트)아크릴로일모르폴린 등을 들 수 있다.

본 실시 형태에 있어서, 상기 아크릴 폴리머는, 수산기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위를 갖고, 이러한 구성 단위의 수산기가, 이소시아네이트기와 용이하게 반응한다.

수산기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위를 갖는 아크릴 폴리머와, 이소시아네이트 화합물을 점착제층(22)에 공존시켜 둠으로써, 점착제층(22)을 적절하게 경화시킬 수 있다. 그 때문에, 아크릴 폴리머를 충분히 겔화할 수 있다. 따라서, 점착제층(22)은, 형상을 유지하면서 점착 성능을 발휘할 수 있다.

수산기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위는, 수산기 함유 C2 내지 C4 알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위인 것이 바람직하다. 「C2 내지 C4 알킬」이라고 하는 표기는, (메트)아크릴산에 대하여 에스테르 결합한 탄화수소 부분 및 해당 부분의 탄소수를 나타낸다. 환언하면, 수산기 함유 C2 내지 C4 알킬(메트)아크릴 모노머는, (메트)아크릴산과, 탄소수 2 이상 4 이하의 알코올(통상, 2가 알코올)이 에스테르 결합한 모노머를 나타낸다.

C2 내지 C4 알킬의 탄화수소 부분은, 통상, 포화 탄화수소이다. 예를 들어, C2 내지 C4 알킬의 탄화수소 부분은, 직쇄상 포화 탄화수소, 또는, 분지쇄상 포화 탄화수소이다. C2 내지 C4 알킬의 탄화수소 부분은, 산소(O) 또는 질소(N) 등을 함유하는 극성기를 포함하지 않는 것이 바람직하다.

수산기 함유 C2 내지 C4 알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위로서는, 예를 들어 히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 또는, 히드록시n-부틸(메트)아크릴레이트 혹은 히드록시iso-부틸(메트)아크릴레이트와 같은 히드록시부틸(메트)아크릴레이트의 각 구성 단위를 들 수 있다. 또한, 히드록시부틸(메트)아크릴레이트의 구성 단위에 있어서, 수산기(-OH기)는, 탄화수소 부분의 말단 탄소(C)에 결합되어 있어도 되고, 탄화수소 부분의 말단 이외의 탄소(C)에 결합되어 있어도 된다.

본 실시 형태에 있어서, 상기 아크릴 폴리머는, 측쇄에 중합성 불포화 이중 결합을 갖는 중합성기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위를 포함한다.

상기 아크릴 폴리머가, 중합성기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위를 포함함으로써, 픽업 공정 전에, 점착제층(22)을, 활성 에너지선(자외선 등)의 조사에 의해 경화시킬 수 있다. 상세하게는, 자외선 등의 활성 에너지선의 조사에 의해, 광중합 개시제로부터 라디칼을 발생시키고, 이 라디칼의 작용에 의해, 아크릴 폴리머끼리를 가교 반응시킬 수 있다. 이에 의해, 조사 전에 있어서의 점착제층(22)의 점착력을, 조사에 의해 저하시킬 수 있다. 그리고, 다이 본드 시트(10)를 점착제층(22)으로부터 양호하게 박리시킬 수 있다.

또한, 활성 에너지선으로서는, 자외선, 방사선, 또는 전자선 등이 채용된다.

중합성기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위는, 구체적으로는, 상술한 수산기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위에 있어서의 수산기에, 이소시아네이트기 함유 (메트)아크릴 모노머의 이소시아네이트기가 우레탄 결합한 분자 구조를 가져도 된다.

중합성기를 갖는 중합성기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위는, 중합 처리 후에, 조제될 수 있다. 예를 들어, 알킬(메트)아크릴레이트 모노머와, 수산기 함유 (메트)아크릴 모노머의 공중합 후에, 수산기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위 일부에 있어서의 수산기와, 이소시아네이트기 함유 중합성 모노머의 이소시아네이트기를, 우레탄화 반응시킴으로써, 상기 중합성기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위를 얻을 수 있다.

상기 이소시아네이트기 함유 (메트)아크릴 모노머는, 분자 중에 이소시아네이트기를 1개 갖고 또한 (메트)아크릴로일기를 1개 갖는 것이 바람직하다. 이러한 모노머로서는, 예를 들어 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트를 들 수 있다.

본 실시 형태에 있어서의 다이싱 테이프(20)의 점착제층(22)은, 또한 이소시아네이트 화합물을 포함한다. 이소시아네이트 화합물의 일부는, 우레탄화 반응 등에 의해 반응한 후의 상태여도 된다.

이소시아네이트 화합물은, 분자 중에 복수의 이소시아네이트기를 갖는다. 이소시아네이트 화합물이 분자 중에 복수의 이소시아네이트기를 가짐으로써, 점착제층(22)에 있어서의 아크릴 폴리머간의 가교 반응을 진행시킬 수 있다. 상세하게는, 이소시아네이트 화합물의 한쪽의 이소시아네이트기를 아크릴 폴리머의 수산기와 반응시키고, 다른 쪽의 이소시아네이트기를 다른 아크릴 폴리머의 수산기와 반응시킴으로써, 이소시아네이트 화합물을 통한 가교 반응을 진행시킬 수 있다.

이소시아네이트 화합물로서는, 예를 들어 지방족 디이소시아네이트, 지환족 디이소시아네이트, 또는, 방향 지방족 디이소시아네이트 등의 디이소시아네이트를 들 수 있다.

또한, 이소시아네이트 화합물로서는, 예를 들어 디이소시아네이트의 2량체 혹은 3량체 등의 중합 폴리이소시아네이트, 또는, 폴리메틸렌폴리페닐렌폴리이소시아네이트를 들 수 있다.

게다가, 이소시아네이트 화합물로서는, 예를 들어 상술한 이소시아네이트 화합물의 과잉량과, 활성 수소 함유 화합물을 반응시킨 폴리이소시아네이트를 들 수 있다. 활성 수소 함유 화합물로서는, 활성 수소 함유 저분자량 화합물, 활성 수소 함유 고분자량 화합물 등을 들 수 있다.

또한, 이소시아네이트 화합물로서는, 알로파네이트화 폴리이소시아네이트, 뷰렛화 폴리이소시아네이트 등도 사용할 수 있다.

상기 이소시아네이트 화합물은, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.

상기 이소시아네이트 화합물로서는, 방향족 디이소시아네이트와 활성 수소 함유 저분자량 화합물의 반응물이 바람직하다. 방향족 디이소시아네이트의 반응물은, 이소시아네이트기의 반응 속도가 비교적 느리기 때문에, 이러한 반응물을 포함하는 점착제층(22)은, 과도하게 경화되어 버리는 것이 억제된다. 상기 이소시아네이트 화합물로서는, 분자 중에 이소시아네이트기를 3개 이상 갖는 것이 바람직하다.

점착제층(22)에 포함되는 중합 개시제는, 가해진 열 혹은 광의 에너지에 의해 중합 반응을 개시할 수 있는 화합물이다. 점착제층(22)이 중합 개시제를 포함함으로써, 점착제층(22)에 열 에너지 혹은 광 에너지를 부여하였을 때, 아크릴 폴리머간에 있어서의 가교 반응을 진행시킬 수 있다. 상세하게는, 중합성기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위를 갖는 아크릴 폴리머간에 있어서, 중합성기끼리의 중합 반응을 개시시켜, 점착제층(22)을 경화시킬 수 있다. 이에 의해, 점착제층(22)의 점착력을 저하시켜, 픽업 공정에 있어서, 경화된 점착제층(22)으로부터 다이 본드 시트(10)를 용이하게 박리시킬 수 있다.

중합 개시제로서는, 예를 들어 광중합 개시제 또는 열중합 개시제 등이 채용된다. 중합 개시제로서는, 일반적인 시판 제품을 사용할 수 있다.

점착제층(22)은, 상술한 성분 이외의 그 밖의 성분을 더 포함할 수 있다. 그 밖의 성분으로서는, 예를 들어 점착 부여제, 가소제, 충전제, 노화 방지제, 산화 방지제, 자외선 흡수제, 광 안정제, 내열 안정제, 대전 방지제, 계면 활성제, 또는, 경박리화제 등을 들 수 있다. 그 밖의 성분의 종류 및 사용량은, 목적에 따라서, 적절하게 선택될 수 있다.

본 실시 형태에 있어서, 점착제층(22)은, 경화 처리에 의해 경화 반응을 일으키는 성분(상기 수산기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위를 포함하는 아크릴 폴리머, 이소시아네이트 화합물 등)을 포함하고, 경화 처리 후에 있어서의 점착제층(22)의 겔 분율은, 70％ 이상인 것이 바람직하다. 경화 처리 후에 있어서의 점착제층(22)의 겔 분율이 70％ 이상임으로써, 점착제층(22)의 내부에 있어서의 응집력이 보다 높아지기 때문에, 점착제층(22)으로부터 다이 본드 시트(10)를 박리하였을 때, 양자의 계면 부근에 있어서, 점착제층(22)의 일부가 탈리되어 다이 본드 시트(10)의 박리면에 부착되어 버리는 현상을 보다 충분히 억제할 수 있다. 상기 겔 분율은, 95％ 이하여도 된다.

상기 겔 분율은, 이하의 방법에 의해 측정된다. 점착제층(22)이 충분히 경화되는 에너지양으로, 점착제층(22)에 자외선(예를 들어 300mJ/㎠의 자외선)을 조사한다. 점착제층(22)으로부터 사방 5㎝×5㎝의 크기로 시험편을 잘라낸다. 이 시험편을, 기지 질량의 폴리테트라플루오로에틸렌제(PTFE제) 시트로 둘러싼다. 시트 포함 질량(이하, 총 질량이라 함)을 칭량한 후, 톨루엔 중에 23℃에서 7일간 방치하여, 시험편 중의 졸분을 추출하는 추출 처리를 실시한다. 그 후, 120℃에서 2시간의 건조 처리를 실시하고, 건조 후의 총 질량을 칭량한다. 겔 분율을 하기의 식에 의해 산출한다.

겔 분율[질량％]=100×(건조 처리 후의 총 질량-PTFE 시트 질량)/(추출 처리 전의 총 질량-PTFE 시트 질량)

상기 겔 분율은, 점착제층(22)에 포함되는 상기 극성기 함유 화합물의 함유율을 낮게 함으로써 크게 할 수 있고, 한편, 점착제층(22)에 포함되는 상기 극성기 함유 화합물의 함유율을 높게 함으로써, 상기 겔 분율을 작게 할 수 있다.

본 실시 형태의 다이싱 다이 본드 필름(1)은, 사용되기 전의 상태에 있어서, 다이 본드 시트(10)의 한쪽의 면(다이 본드 시트(10)가 점착제층(22)과 겹쳐 있지 않은 면)을 덮는 박리 라이너를 구비해도 된다. 박리 라이너는, 다이 본드 시트(10)를 보호하기 위해 사용되고, 다이 본드 시트(10)에 피착체(예를 들어 반도체 웨이퍼 W)를 첩부하기 직전에 박리된다.

박리 라이너로서는, 예를 들어 실리콘계 박리제, 장쇄 알킬계 박리제, 불소계 박리제, 황화몰리브덴 등의 박리제에 의해 표면 처리된, 플라스틱 필름 또는 종이 등을 사용할 수 있다.

이 박리 라이너는, 다이 본드 시트(10)를 지지하기 위한 지지재로서 이용할 수 있다. 박리 라이너는, 점착제층(22)에 다이 본드 시트(10)를 겹칠 때, 적합하게 사용된다. 상세하게는, 박리 라이너와 다이 본드 시트(10)가 적층된 상태에서 다이 본드 시트(10)를 점착제층(22)에 겹치고, 겹친 후에 박리 라이너를 박리함(전사함)으로써, 점착제층(22)에 다이 본드 시트(10)를 겹칠 수 있다.

본 실시 형태의 다이싱 다이 본드 필름에서는, 다이싱 테이프의 점착제층과 다이 본드 시트 사이의 박리력이 경시적으로 저하되는 것이 억제되고, 또한 시간 경과 후의 상기 박리력이 비교적 높다.

상세하게는, 본 실시 형태의 다이싱 다이 본드 필름(1)에 의하면, 다이 본드 시트(10) 및 점착제층(22)의 양쪽이 상기 극성기 함유 화합물을 각각 포함하기 때문에, 다이 본드 시트(10)만이 상기 극성기 함유 화합물을 포함하는 경우에 비해, 상기 극성기 함유 화합물이 다이 본드 시트(10)로부터 점착제층(22)으로 이행하는 것을 억제할 수 있다. 이것은, 다이 본드 시트(10)와 점착제층(22)에 있어서의 상기 극성기 함유 화합물의 농도차가 작기 때문이라고 생각된다. 상기와 같은 이행은, 시간의 경과에 수반하여 일어나는 바, 이러한 이행이 억제됨으로써, 다이 본드 시트(10)와 점착제층(22) 사이의 계면에 존재할 수 있는 상기 극성기 함유 화합물의 양이 경시적으로 증가되는 것을 억제할 수 있다. 상기 계면에 상기 극성기 함유 화합물이 존재하면, 다이 본드 시트(10)와 점착제층(22) 사이의 박리력이 저하될 수 있지만, 본 실시 형태의 다이싱 다이 본드 필름(1)에서는, 상기 극성기 함유 화합물이 시간의 경과에 수반하여 상기와 같이 이행하는 것이 억제되어 있기 때문에, 다이싱 테이프(20)의 점착제층(22)과 다이 본드 시트(10) 사이의 박리력이 경시적으로 저하되는 것을 억제할 수 있다. 또한, 다이 본드 시트(10)와 점착제층(22) 사이의 박리력이 0.05N/50㎜보다도 크기 때문에, 시간의 경과에 수반하여 상기 박리력이 저하되어도, 상기 박리력을 비교적 높게 유지할 수 있다.

계속해서, 본 실시 형태의 다이 본드 시트(10) 및 다이싱 다이 본드 필름(1)의 제조 방법에 대하여 설명한다.

<다이싱 다이 본드 필름의 제조 방법>

본 실시 형태의 다이싱 다이 본드 필름(1)의 제조 방법은,

다이 본드 시트(10)를 제작하는 공정과,

다이싱 테이프(20)를 제작하는 공정과,

제조된 다이 본드 시트(10)와 다이싱 테이프(20)를 중첩하는 공정을 구비한다.

[다이 본드 시트를 제작하는 공정]

다이 본드 시트(10)를 제작하는 공정은,

다이 본드 시트(10)를 형성하기 위한 수지 조성물을 조제하는 수지 조성물 조제 공정과,

수지 조성물로부터 다이 본드 시트(10)를 형성하는 다이 본드 시트 형성 공정을 갖는다.

수지 조성물 조제 공정에서는, 예를 들어 상기 가교성 아크릴 수지와, 용매와, 에폭시 수지, 에폭시 수지의 경화 촉매, 또는, 페놀 수지 중 어느 것을 혼합하여, 각 수지를 용매에 용해시킴으로써 수지 조성물을 조제한다. 용매의 양을 변화시킴으로써, 조성물의 점도를 조정할 수 있다. 또한, 이들 수지로서는, 시판되고 있는 제품을 사용할 수 있다.

다이 본드 시트 형성 공정에서는, 예를 들어 상기와 같이 조제한 수지 조성물을, 박리 라이너에 도포한다. 도포 방법으로서는, 특별히 한정되지는 않고, 예를 들어, 롤 도공, 스크린 도공, 그라비아 도공 등의 일반적인 도포 방법이 채용된다. 다음에, 필요에 따라서, 탈용매 처리 또는 경화 처리 등에 의해, 도포한 조성물을 고화시켜, 다이 본드 시트(10)를 형성한다.

[다이싱 테이프를 제작하는 공정]

다이싱 테이프를 제작하는 공정은,

아크릴 폴리머를 합성하는 합성 공정과,

상술한 아크릴 폴리머와, 이소시아네이트 화합물과, 중합 개시제와, 용매와, 목적에 따라서 적절히 추가하는 그 밖의 성분을 포함하는 점착제 조성물로부터 용매를 휘발시켜 점착제층(22)을 제작하는 점착제층 제작 공정과,

기재층(21)을 제작하는 기재층 제작 공정과,

점착제층(22)과 기재층(21)을 접합함으로써, 기재층(21)과 점착제층(22)을 적층시키는 적층 공정을 구비한다.

합성 공정에서는, 예를 들어 탄화수소 부분의 탄소수가 7 이상 9 이하인 C7 내지 C9 알킬(메트)아크릴레이트 모노머와, 수산기 함유 (메트)아크릴 모노머를 라디칼 중합시킴으로써, 아크릴 폴리머 중간체를 합성한다.

라디칼 중합은, 일반적인 방법에 의해 행할 수 있다. 예를 들어, 상기 각 모노머를 용매에 용해시켜 가열하면서 교반하고, 중합 개시제를 첨가함으로써, 아크릴 폴리머 중간체를 합성할 수 있다. 아크릴 폴리머의 분자량을 조정하기 위해, 연쇄 이동제의 존재 하에서 중합을 행해도 된다.

다음에, 아크릴 폴리머 중간체에 포함되는, 수산기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위의 일부의 수산기와, 이소시아네이트기 함유 중합성 모노머의 이소시아네이트기를, 우레탄화 반응에 의해 결합시킨다. 이에 의해, 수산기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위의 일부가, 중합성기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위가 된다.

우레탄화 반응은, 일반적인 방법에 의해 행할 수 있다. 예를 들어, 용매 및 우레탄화 촉매의 존재 하에서, 가열하면서 아크릴 폴리머 중간체와 이소시아네이트기 함유 중합성 모노머를 교반한다. 이에 의해, 아크릴 폴리머 중간체의 수산기의 일부에, 이소시아네이트기 함유 중합성 모노머의 이소시아네이트기를 우레탄 결합시킬 수 있다.

점착제층 제작 공정에서는, 예를 들어 아크릴 폴리머와, 이소시아네이트 화합물과, 중합 개시제를 용매에 용해시켜, 점착제 조성물을 조제한다. 용매의 양을 변화시킴으로써, 조성물의 점도를 조정할 수 있다. 다음에, 점착제 조성물을 박리 라이너에 도포한다. 도포 방법으로서는, 예를 들어, 롤 도공, 스크린 도공, 그라비아 도공 등의 일반적인 도포 방법이 채용된다. 도포한 조성물에, 탈용매 처리 또는 고화 처리 등을 실시함으로써, 도포한 점착제 조성물을 고화시켜, 점착제층(22)을 제작한다.

기재층 제작 공정에서는, 일반적인 방법에 의해 제막하여 기재층을 제작할 수 있다. 제막하는 방법으로서는, 예를 들어, 캘린더 제막법, 유기 용매 중에서의 캐스팅법, 밀폐계에서의 인플레이션 압출법, T다이 압출법, 드라이 라미네이트법 등을 들 수 있다. 공압출 성형법을 채용해도 된다. 또한, 기재층(21)으로서, 시판되고 있는 필름 등을 사용해도 된다.

적층 공정에서는, 박리 라이너에 겹친 상태의 점착제층(22)과 기재층(21)을 겹쳐 적층시킨다. 또한, 박리 라이너는, 사용 전까지 점착제층(22)에 겹친 상태여도 된다.

또한, 이소시아네이트 화합물(가교제)과 아크릴 폴리머의 반응을 촉진하기 위해, 또한 이소시아네이트 화합물(가교제)과 기재층(21)의 표면 부분의 반응을 촉진하기 위해, 적층 공정 후에, 50℃ 환경 하에서, 48시간의 에이징 처리 공정을 실시해도 된다.

이들 공정에 의해, 다이싱 테이프(20)를 제조할 수 있다.

[다이 본드 시트(10)와 다이싱 테이프(20)를 중첩하는 공정]

다이 본드 시트(10)와 다이싱 테이프(20)를 중첩하는 공정에서는, 상기와 같이 제조한 다이싱 테이프(20)의 점착제층(22)에 다이 본드 시트(10)를 첩부한다.

이러한 첩부에서는, 다이싱 테이프(20)의 점착제층(22) 및 다이 본드 시트(10)로부터 각각 박리 라이너를 박리하고, 다이 본드 시트(10)와 점착제층(22)이 직접 접촉하도록, 양자를 접합한다. 예를 들어, 압착함으로써 접합할 수 있다. 접합할 때의 온도는, 특별히 한정되지는 않고, 예를 들어, 30℃ 이상 50℃ 이하이다. 접합할 때의 선압은, 특별히 한정되지는 않지만, 바람직하게는 0.1kgf/㎝ 이상 20kgf/㎝ 이하이다.

또한, 상기 첩부 전 또는 후에, 다이싱 테이프(20)의 점착제층(22)에 자외선 등을 조사함으로써, 점착제층(22)을 경화시켜도 된다. 이에 의해, 점착제층(22)의 점착력을 적절하게 저하시켜, 점착제층(22)의 보존 안정성을 향상시킬 수 있고, 따라서, 반도체 칩을 픽업할 때의 픽업성을 보다 양호하게 할 수 있다. 또한, 상기 첩부 후에 있어서 자외선 등의 조사로 점착제층(22)을 경화시키는 경우, 다이싱 다이 본드 필름(1)을 사용하여 반도체 장치 등을 제조하는 과정에 있어서, 예를 들어 픽업 공정(후술) 전에, 자외선 등의 조사에 의해 점착제층(22)을 경화시킬 수 있다.

또한, 제조되는 반도체 장치는, 예를 들어 정류 다이오드, 파워 트랜지스터와 같은 전력 제어용의 용도로 사용된다. 이와 같은 용도로 사용되는 반도체 장치는, 예를 들어 10㎛ 이상 500㎛ 이하의 두께의 반도체 칩 및 예를 들어 1㎛ 이상 100㎛ 이하의 두께의 다이 본드 시트를 갖는다.

상술한 공정을 거쳐, 상기와 같이 제조된 다이싱 다이 본드 필름(1)은, 예를 들어 반도체 장치(반도체 집적 회로)를 제조하기 위한 보조 용구로서 사용된다. 이하, 다이싱 다이 본드 필름(1)의 사용의 구체예에 대하여 설명한다.

<반도체 장치를 제조할 때의 다이싱 다이 본드 필름의 사용 방법>

반도체 장치를 제조하는 방법은, 일반적으로, 회로면이 형성된 반도체 웨이퍼로부터 칩을 잘라내어 조립을 행하는 공정을 구비한다.

이 공정은, 예를 들어 반도체 웨이퍼의 일면(예를 들어, 회로면과는 반대측의 면)을 다이 본드 시트(10)에 첩부하여, 다이싱 테이프(20)에 반도체 웨이퍼를 고정하는 마운트 공정과, 반도체 웨이퍼 및 다이 본드 시트(10)를 분할하여 소편화하는 다이싱 공정과, 다이싱 테이프(20)를 잡아 늘림으로써, 반도체 웨이퍼가 소편화된 인접하는 칩의 간격을 확대하는 익스팬드 공정(필요에 따라서 실시)과, 다이 본드 시트(10)와 점착제층(22) 사이를 박리하여 다이 본드 시트(10)가 첩부된 상태에서 반도체 칩(다이)을 취출하는 픽업 공정과, 반도체 칩(다이)에 첩부된 다이 본드 시트(10)를 피착체에 접착시키는 다이 본드 공정과, 피착체에 접착된 다이 본드 시트(10)를 경화시키는 큐어링 공정과, 반도체 칩(다이)에 있어서의 전자 회로의 전극과 피착체를 와이어에 의해 전기적으로 접속하는 와이어 본딩 공정과, 피착체 상의 반도체 칩(다이) 및 와이어를 열경화성 수지로 밀봉하는 밀봉 공정을 갖는다. 이들 공정을 실시할 때, 본 실시 형태의 다이싱 테이프(다이싱 다이 본드 필름)가 제조 보조 용구로서 사용된다.

마운트 공정에서는, 도 2에 도시한 바와 같이, 반도체 웨이퍼 W를 다이싱 테이프(20)에 고정한다. 상세하게는, 다이싱 테이프(20)의 점착제층(22)에 다이싱 링 R을 설치하면서, 다이 본드 시트(10)가 노출된 면에 반도체 웨이퍼 W를 첩부한다.

다이싱 공정에서는, 예를 들어 도 3에 도시한 바와 같이, 다이싱 소우 S 등에 의해, 다이 본드 시트(10) 및 반도체 웨이퍼 W를 절단하여 소편화하여, 소편화된 다이 본드 시트(10)와 반도체 칩 X를 다이싱 테이프(20) 상에서 제작한다.

필요에 따라서 실시되는 익스팬드 공정에서는, 도 4에 도시한 바와 같이, 반도체 웨이퍼 W가 소편화되어 이루어지는 반도체 칩(다이) X끼리의 간격을 확대한다. 상세하게는, 익스팬드 장치가 구비하는 밀어올림 부재 U를, 다이싱 다이 본드 필름(1)의 하측으로부터 밀어올림으로써, 다이싱 다이 본드 필름(1)을 면 방향으로 확장시키도록 잡아늘린다. 이에 의해, 인접하는 반도체 칩 X를 필름면의 면 방향으로 분리하여, 커프(간격)를 확대한다.

픽업 공정에서는, 도 5에 도시한 바와 같이, 다이 본드 시트(10)가 첩부된 상태의 반도체 칩 X를 다이싱 테이프(20)의 점착제층(22)으로부터 박리한다. 상세하게는, 핀 부재 P를 상승시켜, 픽업 대상의 반도체 칩 X를, 다이싱 테이프(20)를 개재하여 밀어올린다. 밀어올려진 반도체 칩 X를 흡착 지그 J에 의해 보유 지지한다.

다이 본드 공정에서는, 도 6에 도시한 바와 같이, 소편화된 다이 본드 시트(10)가 첩부된 상태의 반도체 칩 X를 피착체 Z에 접착시킨다.

큐어링 공정에서는, 다이 본드 시트(10)에 포함되는 열경화성 수지에 있어서의 가교성기(예를 들어 에폭시기)의 반응 활성을 높여 다이 본드 시트(10)의 경화를 진행시키기 위해, 예를 들어 80℃ 이상 225℃ 이하의 온도에서 가열 처리를 행한다.

와이어 본딩 공정에서는, 반도체 칩 X(다이)와 피착체 Z를 가열하면서, 와이어로 접속한다.

밀봉 공정에서는, 에폭시 수지 등의 열경화성 수지에 의해 반도체 칩 X(다이)와 다이 본드 시트(10)를 밀봉한다. 밀봉 공정에서는, 열경화성 수지 M의 경화 반응을 진행시키기 위해, 예를 들어 150℃ 이상 200℃ 이하의 온도에서 가열 처리를 행한다.

본 실시 형태의 다이싱 다이 본드 필름은 상기 예시와 같지만, 본 발명은, 상기 예시의 다이싱 다이 본드 필름에 한정되는 것은 아니다.

즉, 일반적인 다이싱 다이 본드 필름에 있어서 사용되는 다양한 형태가, 본 발명 의 효과를 손상시키지 않는 범위에 있어서, 채용될 수 있다.

본 명세서에 의해 개시되는 사항은, 이하의 것을 포함한다.

(1)

기재층 및 해당 기재층에 겹친 점착제층을 갖는 다이싱 테이프와, 해당 다이싱 테이프의 상기 점착제층에 겹친 다이 본드 시트를 구비하고,

상기 다이 본드 시트는, 도전성 금속 입자를 포함하고,

상기 다이 본드 시트 및 상기 점착제층은, 모두 극성기 함유 화합물을 각각 포함하고,

상기 극성기 함유 화합물은, 1 이상의 히드록시기 또는 복수의 에테르 결합 중 적어도 한쪽을 분자 중에 함유하는 화합물이며,

상기 다이 본드 시트와 상기 점착제층 사이의 박리력은, 0.05N/50㎜보다도 큰, 다이싱 다이 본드 필름.

(2)

상기 점착제층은, 알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위를 분자 중에 적어도 함유하는 아크릴 폴리머를 포함하고,

상기 아크릴 폴리머의 구성 단위 중, 알킬 부분의 탄소수가 8 이상인 상기 알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위의 비율이 분자 중에서 가장 높은, 상기 (1)에 기재된 다이싱 다이 본드 필름.

(3)

상기 점착제층은, 경화 처리에 의해 경화 반응을 일으키는 성분을 포함하고,

상기 경화 처리 후에 있어서의 상기 점착제층의 겔 분율은, 70％ 이상인, 상기 (1) 또는 (2)에 기재된 다이싱 다이 본드 필름.

(4)

상기 박리력을 X라 하고, 해당 X의 박리력의 측정으로부터 7일 경과 후의 경시 후 박리력을 Y라 하였을 때, Y/X가 0.5보다도 크고 또한 1.5 미만인, 상기 (1) 내지 (3) 중 어느 것에 기재된 다이싱 다이 본드 필름.

(5)

상기 점착제층의 질량에 차지하는 상기 극성기 함유 화합물의 비율을 A[질량％]라 하고, 상기 다이 본드 시트에 포함되는 수지 성분 및 상기 극성기 함유 화합물의 총 질량에 차지하는, 상기 극성기 함유 화합물의 비율을 B[질량％]라 하였을 때,

0.1≤A/B≤3.0의 관계식이 충족되는, 상기 (1) 내지 (4) 중 어느 것에 기재된 다이싱 다이 본드 필름.

(6)

상기 관계식이, 0.5≤A/B≤2.0을 충족하는, 상기 (5)에 기재된 다이싱 다이 본드 필름.

(7)

상기 극성기 함유 화합물의 25℃에서의 증기압이 1㎜Hg 이하이고, 또한 상기 극성기 함유 화합물의 유리 전이점이 250℃ 이하인, 상기 (1) 내지 (6) 중 어느 것에 기재된 다이싱 다이 본드 필름.

(8)

상기 극성기 함유 화합물은, 탄소수 6의 포화 환상 탄화수소에 있어서의 1탄소와, 2개의 포화 환상 탄화수소가 2개의 탄소를 공유하고 있는 탄소수 7의 포화 환상 탄화수소에 있어서의 1탄소가 공유 결합한 분자 구조를 갖고, 또한 1개의 히드록시기를 분자 중에 갖는 화합물인, 상기 (1) 내지 (7) 중 어느 것에 기재된 다이싱 다이 본드 필름.

(9)

상기 다이 본드 시트는, 상기 도전성 금속 입자를 85질량％ 이상 97질량％ 이하 포함하는, 상기 (1) 내지 (8) 중 어느 것에 기재된 다이싱 다이 본드 필름.

(10)

상기 도전성 금속 입자는, 은, 구리, 산화은 및 산화구리로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는, 상기 (1) 내지 (9) 중 어느 것에 기재된 다이싱 다이 본드 필름.

(11)

상기 다이 본드 시트는, 상기 극성기 함유 화합물을 0.1질량％ 이상 10.0질량％ 이하 포함하는, 상기 (1) 내지 (10) 중 어느 것에 기재된 다이싱 다이 본드 필름.

(12)

상기 다이 본드 시트는, 열경화성 수지를 포함하는, 상기 (1) 내지 (11) 중 어느 것에 기재된 다이싱 다이 본드 필름.

(13)

상기 다이 본드 시트는, 에폭시 수지를 상기 열경화성 수지로서 포함하는, 청구항 12에 기재된 다이싱 다이 본드 필름.

(14)

상기 다이 본드 시트는, 아크릴 수지를 포함하는, 상기 (1) 내지 (13) 중 어느 것에 기재된 다이싱 다이 본드 필름.

(15)

상기 아크릴 수지는, 카르복시기 함유 (메트)아크릴 모노머 및 히드록시기 함유 (메트)아크릴 모노머로부터 선택된 적어도 1종의 가교성기 함유 모노머와, 알킬(메트)아크릴레이트의 공중합체인, 상기 (14)에 기재된 다이싱 다이 본드 필름.

(16)

상기 점착제층은, 알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위를 분자 중에 적어도 함유하는 아크릴 폴리머를 포함하고,

상기 아크릴 폴리머는, 분자 중에, 분지쇄상 알킬 부분의 탄소수가 8 이상인 알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위와, 수산기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위와, 중합성기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위와, 복소환(헤테로환) 구조를 함유하는 (메트)아크릴레이트의 구성 단위를 적어도 갖는, 상기 (1) 내지 (15) 중 어느 것에 기재된 다이싱 다이 본드 필름.

[실시예]

다음에, 실험예에 의해 본 발명을 더욱 상세하게 설명하지만, 이하의 실시예는 본 발명을 더욱 상세하게 설명하기 위한 것이고, 본 발명의 범위를 한정하는 것은 아니다.

이하와 같이 하여, 다이싱 테이프 및 다이 본드 시트를 제작하였다. 또한, 제작한 다이 본드 시트와 다이싱 테이프를 접합하여, 다이싱 다이 본드 필름을 제조하였다.

<각 다이싱 테이프의 제작>

[기재층]

이하에 나타내는 제품을 원료로서 사용하여, 3층이 적층된 기재층(총 두께 100㎛)을 제작하였다.

·내층을 구성하는 수지

원료명: 울트라센 751

에틸렌-아세트산비닐 공중합 수지(EVA 아세트산비닐 28질량％ 함유)

도소사제

·외층을 구성하는 수지

원료명: 윈텍(WINTEC) WFX4M

메탈로센폴리프로필렌

니혼 폴리프로사제

[기재층의 성형]

압출 T다이 성형기를 사용하여 기재층을 성형하였다. 압출 온도는, 190℃였다. 3층을 적층시킬 때, T다이로부터 공압출 성형하여 일체화시켰다. 일체화한 기재층(적층체)이 충분히 고화된 후, 기재층을 롤상으로 권취하여 보관하였다.

[점착제층]

냉각관, 질소 도입관, 온도계 및 교반 장치를 구비한 반응 용기에, 표 1에 나타내는 각 중합 조성이 되도록 각 원료(모노머, 중합 개시제 등)를 넣었다. 질소 기류 중에서 61℃에서 6시간 중합 처리를 실시하여, 복수종의 아크릴 폴리머 A를 얻었다. 또한, 표 1에 있어서 약칭으로 나타내어져 있는 각 원료의 상세는, 이하와 같다.

·LMA: 메타크릴산라우릴

·2-EHA: 아크릴산2-에틸헥실

·ACMO: 아크릴로일모르폴린

·HEA: 아크릴산-2히드록시에틸

·HEMA: 메타크릴산-2히드록시에틸

·BPO: 과산화 벤조일(중합 개시제)

·MOI: 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트(중합 처리 후에 첨가)

상기 중합 처리에 의해 얻은 아크릴 폴리머 A를 포함하는 액에, 표 1에 나타내는 양으로 상기 MOI를 첨가하였다. 그 후, 공기 기류 중에서 50℃에서 48시간, 부가 반응 처리를 실시하여, 각 아크릴 폴리머 A'를 얻었다. 얻어진 아크릴 폴리머 A'를 각각, A'-1, A'-2, A'-3, 또는, A'-4로 표기한다.

다음에, 아크릴 폴리머 A' 100질량부(고형분 환산)에 대해, 표 2 및 표 3에 각각 나타내는 양으로 하기의 성분을 첨가하여, 점착제 용액을 조제하였다.

·극성기 함유 화합물(이소보르닐시클로헥산올): 표 2 및 표 3과 같은 배합량

(제품명 「테루솔브 MTPH」, 닛본 테르펜 가가쿠사제), MTPH로 표기

·폴리이소시아네이트 화합물: 0.75질량부

(제품명 「타케네이트 D-101A」, 미쓰이 가가쿠사제),

·광중합 개시제: 2질량부

(제품명 「Omnirad651」, IGM Resins B. V. 사제)

상기와 같이 조제한 점착제 용액을, 실리콘 처리를 실시한 PET 박리 라이너의 처리면 상에 도포하고, 120℃에서 2분간 가열 가교하여, 두께 30㎛의 점착제층을 형성하였다.

계속해서, 형성한 점착제층의 편면과, 상기 적층 기재의 편면(내측을 향하는 면)을 접합하여, 50℃에서 24시간 보존하였다. 또한, 자외선 조사 장치(제품명 「UM810」 닛토 세이키사제)를 사용하여, 반도체 웨이퍼가 탑재되는 영역에만, 300mJ/㎠의 자외선을 적층 기재측으로부터 조사하여, 점착제층을 충분히 경화시켰다. 이상과 같이 하여, 다이싱 테이프를 제작하였다.

<다이 본드 시트의 제작>

각 실시예 및 각 비교예에 있어서는, 이하와 같이 하여 제작한 다이 본드 시트를 사용하였다.

하이브리드 믹서(제품명 「HM-500」 키엔스사제)를 사용하여, 이하의 양으로 각 재료를 포함하는 혼합물을 3분간 교반하여, 바니시를 조제하였다. 이 바니시를 이형 처리 필름(제품명 「MRA38」 미쓰비시 케미컬사제 두께 38㎛)의 편면에 도포하였다. 그 후, 온도 100℃에서 2분간 건조 처리를 실시하여, 두께 30㎛의 다이 본드 시트를 제작하였다. 제작한 다이 본드 시트의 열전도율은, 20[W/m·K]이었다.

사용한 각 재료의 상세 및 배합량은, 이하와 같다. 페놀 수지, 에폭시 수지, 아크릴 수지 및 극성기 함유 화합물의 총량(실란 커플링제, 촉매는 총량에 포함되지 않음)에 차지하는, 극성기 함유 화합물의 비율은, 20질량％였다.

·페놀 수지: 144.6질량부

(비페닐아르알킬형 페놀 수지 수산기 당량 209g/eq)

제품명 「MEHC-7851S」 메이와 가세이사제

·고체 에폭시 수지: 94.3질량부

(크레졸 노볼락형 다관능 에폭시 수지 에폭시 당량 200g/eq)

제품명 「EPICLON N-665-EXP-S」 DIC사제

·액상 에폭시 수지: 40.4질량부

(비스페놀 A형 에폭시 수지 에폭시 당량 180g/eq)

제품명 「jER YL980」 미쓰비시 케미컬사제

·도전성 금속 입자: 3160.6질량부

은(Ag)으로 피복된 구리(Cu) 입자

제품명 「AOP-TCY-2(EN)」 DOWA 일렉트로닉스사제

·도전성 금속 입자: 7374.8질량부

은(Ag) 입자

제품명 「AG-2-8F」 DOWA 일렉트로닉스사제

·극성기 함유 화합물: 139.3질량부

이소보르닐시클로헥산올

제품명 「테루솔브 MTPH」 닛본 테르펜 가가쿠사제

·아크릴 수지 용액: 2236.6질량부(고형분 279.6질량부)

제품명 「테이산 레진 SG-70L」 나가세켐텍스사제

(용제로서 MEK 및 톨루엔을 함유, 고형분: 12.5질량％, 유리 전이 온도: -13℃, 질량 평균 분자량 90만, 산가 5mg/KOH, 카르복시기 함유 아크릴 공중합체)

·실란 커플링제(알콕시실란 화합물): 21.3질량부

2-트리에톡시실릴프로필디술피드실란

제품명 「XIAMETER OFS-6920」 다우 케미컬사제

·촉매: 1.6질량부

Tetraphenylphosphonium tetra-p-tolylborate

제품명 「TPP-MK」 혹코 가가쿠 고교사제

·용제: 1644.2질량부 메틸에틸케톤(MEK)

<다이싱 다이 본드 필름의 제조>

(실시예 1 내지 5)

이하의 표 2 또는 표 3에 나타내는 배합 조성으로 각 배합 성분의 혼합물로부터 제작한 점착제층을 갖는 다이싱 테이프의 점착제층에, 상기와 같이 제작한 다이 본드 시트를, 핸드 롤러를 사용하여 접합함으로써 각 다이싱 다이 본드 필름을 제조하였다.

(비교예 1, 2)

이하의 표 2 또는 표 3에 나타내는 배합 조성으로 각 배합 성분의 혼합물로부터 제작한 점착제층을 갖는 다이싱 테이프의 점착제층에, 상기와 같이 제작한 다이 본드 시트를, 핸드 롤러를 사용하여 접합함으로써 각 다이싱 다이 본드 필름을 제조하였다.

각 실시예 및 각 비교예에 있어서의 점착제층의 조성 및 물성을 표 2 및 표 3에 나타낸다.

<다이싱 테이프의 점착제층의 겔 분율>

상술한 방법에 의해 점착제층의 겔 분율을 구하였다. 또한, 경화 처리는, 상술한 바와 같이 300mJ/㎠의 자외선을 조사함으로써 실시하였다.

상기와 같이 제조한 각 다이싱 다이 본드 필름의 성능을 이하와 같이 하여 각각 평가하였다.

<점착제층과 다이 본드 시트 사이의 박리력>

상술한 방법에 의해 점착제층과 다이 본드 시트 사이의 박리력을 측정하였다. 또한, 박리력으로서, 각 다이싱 다이 본드 필름을 제조한 직후의 박리력 X(초기 박리력)와, 초기 박리력의 측정 시로부터 실온에서 7일 또는 8일 경과한 후(필요에 따라서 2일 경과 후)의 경시 후 박리력 Y를 각각 측정하였다.

측정 결과를 표 2 및 표 3에 나타낸다. 또한, 박리력 측정의 결과를 그래프화한 것을 도 7 및 도 8에 나타낸다.

상기 평가 결과로부터 파악되는 바와 같이, 실시예의 다이싱 다이 본드 필름에서는, 다이 본드 시트 및 점착제층은, 모두 극성기 함유 화합물을 각각 포함하고, 극성기 함유 화합물은, 1 이상의 히드록시기 또는 복수의 에테르 결합 중 적어도 한쪽을 분자 중에 함유하는 화합물이며, 다이 본드 시트와 상기 점착제층 사이의 박리력은, 0.05N/50㎜보다도 크다. 이에 의해, 실시예의 다이싱 다이 본드 필름은, 비교예의 다이싱 다이 본드 필름에 비해, 다이싱 테이프의 점착제층과 다이 본드 시트 사이의 박리력이 경시적으로 저하되는 것이 억제되고, 또한 시간 경과 후의 상기 박리력이 비교적 높았다.

이와 같은 실시예의 다이싱 다이 본드 필름을, 반도체 장치의 제조에 있어서 사용함으로써, 예를 들어 상술한 다이싱 공정에 있어서 반도체 웨이퍼 및 다이 본드 시트를 절단하여 소편화하였을 때, 소편화된 다이 본드 시트와 반도체 칩이 점착제층으로부터 의도치 않게 박리되어 버리는 현상(소위 칩 플라이 현상)을 억제할 수 있다.

예를 들어 이와 같은 현상을 억제하기 위해, 실시예의 다이싱 다이 본드 필름에서는, 다이 본드 시트 및 점착제층이 모두 상기 특정 극성기 함유 화합물을 각각 포함하고, 다이 본드 시트와 상기 점착제층 사이의 박리력은, 0.05N/50㎜보다도 크게 되어 있다.

또한, 극성기 함유 화합물을 포함하는 다이 본드 시트와, 극성기 함유 화합물을 포함하지 않는 점착제층이 중첩된 다이싱 다이 본드 필름에 대하여, 시간의 경과에 수반되는 극성기 함유 화합물(구체적으로는 이소보르닐시클로헥산올)의 이행이 있는지 여부를 이하와 같이 하여 조사하였다. 상세하게는, 이 다이싱 다이 본드 필름이 제조 후 2.5개월 경과하였을 때, 점착제층의 내부에 이소보르닐시클로헥산올이 존재하는 것이 확인되고, 게다가, 다이 본드 시트에 포함되는 이소보르닐시클로헥산올의 양이, 제조 당초보다도 줄어든 것이 확인되었다(열중량 분석(TG) 등에 의한다). 이와 같이, 다이 본드 시트로부터 점착제층으로 극성기 함유 화합물이 이행하는 현상은, 시간의 경과에 수반하여 일어난다고 할 수 있다.

또한, 상기 열중량 분석은, 제조 직후 및 제조 후 2.5개월 경과 후의 각 다이 본드 시트에 대하여, 불활성 기체(질소 가스 등)의 분위기 하에서, 10℃/분의 승온 속도로 실시하였다. 그 결과, 후자의 다이 본드 시트에서는, 전자의 다이 본드 시트보다도, 100 내지 200℃ 부근에 있어서 열중량의 변화율이 보다 컸다. 이 온도 부근에서 발생한 가스의 성분 분석을 실시한바, 이러한 가스에 이소보르닐시클로헥산올이 포함되어 있음이 확인되었다.

본 발명의 다이싱 다이 본드 필름은, 예를 들어 반도체 장치를 제조할 때의 보조 용구로서, 적합하게 사용된다.

1: 다이싱 다이 본드 필름
10: 다이 본드 시트
20: 다이싱 테이프
21: 기재층
22: 점착제층

Claims (11)

1. 기재층 및 해당 기재층에 겹친 점착제층을 갖는 다이싱 테이프와, 해당 다이싱 테이프의 상기 점착제층에 겹친 다이 본드 시트를 구비하고,
   상기 다이 본드 시트는, 도전성 금속 입자를 포함하고,
   상기 다이 본드 시트 및 상기 점착제층은, 모두 극성기 함유 화합물을 각각 포함하고,
   상기 극성기 함유 화합물은, 1 이상의 히드록시기 또는 복수의 에테르 결합 중 적어도 한쪽을 분자 중에 함유하는 화합물이며,
   상기 다이 본드 시트와 상기 점착제층 사이의 박리력은, 0.05N/50㎜보다도 큰, 다이싱 다이 본드 필름.
2. 제1항에 있어서,
   상기 점착제층은, 알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위를 분자 중에 적어도 함유하는 아크릴 폴리머를 포함하고,
   상기 아크릴 폴리머의 구성 단위 중, 알킬 부분의 탄소수가 8 이상인 상기 알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위의 비율이 분자 중에서 가장 높은, 다이싱 다이 본드 필름.
3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
   상기 점착제층은, 경화 처리에 의해 경화 반응을 일으키는 성분을 포함하고,
   상기 경화 처리 후에 있어서의 상기 점착제층의 겔 분율은, 70％ 이상인, 다이싱 다이 본드 필름.
4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
   상기 박리력을 X라 하고, 해당 X의 박리력의 측정으로부터 7일 경과 후의 경시 후 박리력을 Y라 하였을 때, Y/X가 0.5보다도 크고 또한 1.5 미만인, 다이싱 다이 본드 필름.
5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
   상기 점착제층의 질량에 차지하는 상기 극성기 함유 화합물의 비율을 A[질량％]라 하고, 상기 다이 본드 시트에 포함되는 수지 성분 및 상기 극성기 함유 화합물의 총 질량에 차지하는, 상기 극성기 함유 화합물의 비율을 B[질량％]라 하였을 때,
   0.1≤A/B≤3.0의 관계식이 충족되는, 다이싱 다이 본드 필름.
6. 제1항 또는 제2항에 있어서,
   상기 극성기 함유 화합물의 25℃에서의 증기압이 1㎜Hg 이하이고, 또한 상기 극성기 함유 화합물의 비점이 200℃ 이상 350℃ 이하인, 다이싱 다이 본드 필름.
7. 제1항 또는 제2항에 있어서,
   상기 다이 본드 시트는, 상기 도전성 금속 입자를 85질량％ 이상 97질량％ 이하 포함하는, 다이싱 다이 본드 필름.
8. 제1항 또는 제2항에 있어서,
   상기 도전성 금속 입자는, 은, 구리, 산화은 및 산화구리로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는, 다이싱 다이 본드 필름.
9. 제1항 또는 제2항에 있어서,
   상기 다이 본드 시트는, 열경화성 수지를 포함하는, 다이싱 다이 본드 필름.
10. 제9항에 있어서,
    상기 다이 본드 시트는, 에폭시 수지를 상기 열경화성 수지로서 포함하는, 다이싱 다이 본드 필름.
11. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 다이 본드 시트는, 아크릴 수지를 포함하는, 다이싱 다이 본드 필름.

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