KR20230062381A - 배선 회로 기판 및 그의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
[과제] 금속 지지 기판과, 당해 기판 상의 절연층 상에 형성되는 배선층 사이에 있어서, 저저항의 전기적 접속을 실현하는 데 적합한 배선 회로 기판, 및 그의 제조 방법을 제공한다.
[해결 수단] 본 발명의 배선 회로 기판(X)은, 금속 지지 기판(10)과, 금속 박막(20)과, 절연층(30)과, 금속 박막(40)과, 도체층(50)을, 두께 방향(D)으로 순서대로 구비한다. 절연층(30)은, 두께 방향(D)으로 관통하는 관통 구멍(30A)을 갖는다. 관통 구멍(30A)은, 금속 박막(20) 측의 개구단(31)과, 개구단(31)과는 반대 측의 개구단(32)과, 개구단(31, 32) 사이의 내벽면(33)을 갖는다. 금속 박막(20)은 개구부(20A)를 갖는다. 개구부(20A)는, 두께 방향(D)의 투영시에 있어서 개구단(31)과 중첩한다. 금속 박막(40)은 개구부(40A)를 갖는다. 개구부(40A)는, 두께 방향(D)의 투영시에 있어서 개구부(20A) 및 개구단(32)과 중첩한다. 도체층(50)은, 관통 구멍(30A)에 배치되고 또한 금속 지지 기판(10)과 접속되어 있는 비아부(52)를 갖는다.
[해결 수단] 본 발명의 배선 회로 기판(X)은, 금속 지지 기판(10)과, 금속 박막(20)과, 절연층(30)과, 금속 박막(40)과, 도체층(50)을, 두께 방향(D)으로 순서대로 구비한다. 절연층(30)은, 두께 방향(D)으로 관통하는 관통 구멍(30A)을 갖는다. 관통 구멍(30A)은, 금속 박막(20) 측의 개구단(31)과, 개구단(31)과는 반대 측의 개구단(32)과, 개구단(31, 32) 사이의 내벽면(33)을 갖는다. 금속 박막(20)은 개구부(20A)를 갖는다. 개구부(20A)는, 두께 방향(D)의 투영시에 있어서 개구단(31)과 중첩한다. 금속 박막(40)은 개구부(40A)를 갖는다. 개구부(40A)는, 두께 방향(D)의 투영시에 있어서 개구부(20A) 및 개구단(32)과 중첩한다. 도체층(50)은, 관통 구멍(30A)에 배치되고 또한 금속 지지 기판(10)과 접속되어 있는 비아부(52)를 갖는다.
Description
본 발명은, 배선 회로 기판 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
금속 지지 기판과, 금속 지지 기판 상의 절연층과, 절연층 상의 배선 패턴(배선층)을 구비하는 배선 회로 기판이 알려져 있다. 당해 배선 회로 기판에서는, 예를 들면, 금속 지지 기판에 대한 절연층의 밀착성을 확보하기 위한 금속 박막이, 금속 지지 기판과 절연층 사이에 마련된다. 이와 같은 배선 회로 기판에 관한 기술에 대해서는, 예를 들면 하기의 특허문헌 1에 기재되어 있다.
배선 회로 기판은, 예를 들면, 절연층을 두께 방향으로 관통하여 금속 지지 기판과 배선 패턴을 전기적으로 접속하는 비아를 갖는다. 이와 같은 배선 회로 기판은, 종래, 예를 들면 다음과 같이 하여 제조된다.
우선, 금속 지지 기판 상에 금속 박막(제 1 금속 박막)이 형성된다. 다음으로, 제 1 금속 박막 상에, 비아 홀을 갖는 절연층이 형성된다(절연층 형성 공정). 이 절연층 형성 공정에는, 가열 프로세스가 포함된다. 다음으로, 절연층 상에, 시드층이 형성된다. 시드층은, 비아 홀에도 형성된다. 비아 홀에서, 시드층은, 노출되는 제 1 금속 박막 표면과 비아 홀 내벽면을 덮도록 형성된다. 시드층은, 금속 박막(제 2 금속 박막)이다. 다음으로, 시드층 상에 도체층이 형성된다. 도체층은, 절연층 상에서 소정 패턴을 갖는 제 1 도체부와, 비아 홀 내의 제 2 도체부를 포함한다. 다음으로, 시드층에 있어서 도체층으로 덮여 있지 않은 부분이, 제거된다. 이에 의해, 시드층과 그 위의 제 1 도체부로 이루어지는 배선 패턴이 절연층 상에 형성되고, 시드층과 그 위의 제 2 도체부로 이루어지는 비아가, 비아 홀 내의 제 1 금속 박막 상에 형성된다.
이와 같은 종래의 제조 방법에서는, 절연층 형성 공정(가열 프로세스가 포함된다)에 있어서, 비아 홀에서 노출되어 있는 제 1 금속 박막 표면이 산화된다. 그 때문에, 비아 홀에서는, 표면에 산화막을 갖는 제 1 금속 박막 상에 비아가 형성된다. 따라서, 제조되는 배선 회로 기판에 있어서, 비아는, 산화막을 갖는 제 1 금속 박막을 개재시켜 금속 지지 기판과 전기적으로 접속된다. 또한, 시드층이 비교적 고저항의 재료로 이루어지는 경우, 비아는, 그와 같은 시드층을 개재시켜 금속 지지 기판과 전기적으로 접속된다. 이들 구성은, 금속 지지 기판과 배선층 사이의 전기적 접속의 저저항화의 관점에서, 바람직하지 않다.
본 발명은, 금속 지지 기판과, 당해 기판 상의 절연층 상에 형성되는 배선층 사이에 있어서, 저저항의 전기적 접속을 실현하는 데 적합한 배선 회로 기판, 및 그의 제조 방법을 제공한다.
본 발명 [1]은, 금속 지지 기판과, 제 1 금속 박막과, 절연층과, 제 2 금속 박막과, 도체층을, 두께 방향으로 순서대로 구비하는 배선 회로 기판으로서, 상기 절연층이, 상기 두께 방향으로 관통하는 관통 구멍을 갖고, 당해 관통 구멍은, 상기 제 1 금속 박막 측의 제 1 개구단과, 당해 제 1 개구단과는 반대 측의 제 2 개구단과, 당해 제 1 및 제 2 개구단 사이의 내벽면을 갖고, 상기 제 1 금속 박막이 제 1 개구부를 갖고, 당해 제 1 개구부는, 상기 두께 방향의 투영시(投影視)에 있어서 상기 제 1 개구단과 중첩하고, 상기 제 2 금속 박막이 제 2 개구부를 갖고, 당해 제 2 개구부는, 상기 두께 방향의 투영시에 있어서 상기 제 1 개구부 및 상기 제 2 개구단과 중첩하고, 상기 도체층이, 상기 관통 구멍에 배치되고 또한 상기 금속 지지 기판과 접속되어 있는 비아부를 갖는, 배선 회로 기판을 포함한다.
본 발명 [2]는, 상기 금속 지지 기판이, 금속 지지층과, 당해 금속 지지층의 상기 절연층 측에 배치되고 또한 상기 금속 지지층보다 도전율이 높은 표면 금속층을 구비하고, 상기 비아부가 상기 표면 금속층과 접속되어 있는, 상기 [1]에 기재된 배선 회로 기판을 포함한다.
본 발명 [3]은, 상기 제 1 개구부가, 상기 제 1 개구단을 따라 개구되어 있는, 상기 [1] 또는 [2]에 기재된 배선 회로 기판을 포함한다.
본 발명 [4]는, 상기 제 2 금속 박막이, 상기 내벽면 상의 제 1 피복부를 갖는, 상기 [1] 내지 [3] 중 어느 하나에 기재된 배선 회로 기판을 포함한다.
본 발명 [5]는, 상기 제 2 개구부가, 상기 금속 지지 기판 상에 있어서 상기 제 1 개구부를 따라 개구되어 있는, 상기 [4]에 기재된 배선 회로 기판을 포함한다.
본 발명 [6]은, 상기 제 2 금속 박막이, 상기 금속 지지 기판 상의 제 2 피복부를 갖고, 상기 제 2 개구부가, 상기 금속 지지 기판 상에 있어서 상기 제 1 개구부의 내측에 배치되어 있는, 상기 [4]에 기재된 배선 회로 기판을 포함한다.
본 발명 [7]은, 상기 제 2 개구부가, 상기 절연층 상에 있어서 상기 제 2 개구단을 따라 개구되어 있는, 상기 [1] 내지 [3] 중 어느 하나에 기재된 배선 회로 기판을 포함한다.
본 발명 [8]은, 상기 제 2 개구부가 상기 절연층 상에서 개구되고, 상기 두께 방향의 투영시에 있어서 상기 제 2 개구단이 상기 제 2 개구부 내에 배치되어 있는, 상기 [1] 내지 [3] 중 어느 하나에 기재된 배선 회로 기판을 포함한다.
본 발명 [9]는, 상기 제 1 금속 박막이, 상기 두께 방향의 투영시에 있어서 상기 제 1 개구단 내로 연장되어 상기 제 1 개구부를 규정하는 연장부를 갖고, 상기 제 2 금속 박막이, 상기 내벽면 상의 제 1 피복부와 상기 연장부 상의 제 2 피복부를 갖고, 상기 제 2 개구부가 상기 제 1 개구부를 따라 개구되어 있는, 상기 [1] 또는 [2]에 기재된 배선 회로 기판을 포함한다.
본 발명 [10]은, 금속 지지 기판의 두께 방향 한쪽면 상에 제 1 금속 박막을 형성하는 제 1 금속 박막 형성 공정과, 상기 제 1 금속 박막의 두께 방향 한쪽면 상에, 상기 제 1 금속 박막 측의 제 1 개구단과, 당해 제 1 개구단과는 반대 측의 제 2 개구단과, 당해 제 1 및 제 2 개구단 사이의 내벽면을 갖는 관통 구멍을 갖는 절연층을 형성하는, 절연층 형성 공정과, 상기 절연층의 두께 방향 한쪽면 상과, 상기 관통 구멍에 있어서의 상기 제 1 금속 박막 상에 걸쳐, 제 2 금속 박막을 형성하는, 제 2 금속 박막 형성 공정과, 상기 제 1 금속 박막 및 상기 제 2 금속 박막에, 상기 두께 방향의 투영시에 있어서 상기 제 1 개구단 및 상기 제 2 개구단과 중첩하는 개구부를 형성하여, 상기 관통 구멍에서 상기 금속 지지 기판을 노출시키는, 개구부 형성 공정과, 상기 제 2 금속 박막의 두께 방향 한쪽면 상과, 상기 관통 구멍에 있어서의 상기 금속 지지 기판 상에 걸쳐, 도체층을 형성하는, 도체층 형성 공정을 포함하는 배선 회로 기판의 제조 방법을 포함한다.
본 발명 [11]은, 금속 지지 기판의 두께 방향 한쪽면 상에 제 1 금속 박막을 형성하는 제 1 금속 박막 형성 공정과, 상기 제 1 금속 박막의 두께 방향 한쪽면 상에, 상기 제 1 금속 박막 측의 제 1 개구단과, 당해 제 1 개구단과는 반대 측의 제 2 개구단과, 당해 제 1 및 제 2 개구단 사이의 내벽면을 갖는 관통 구멍을 갖는 절연층을 형성하는, 절연층 형성 공정과, 상기 제 1 금속 박막에, 상기 제 1 개구단을 따라 개구되는 제 1 개구부를 형성하여, 상기 관통 구멍에서 상기 금속 지지 기판을 노출시키는, 제 1 개구부 형성 공정과, 상기 절연층의 두께 방향 한쪽면 상과, 상기 관통 구멍에 있어서의 상기 금속 지지 기판 상에 걸쳐, 제 2 금속 박막을 형성하는, 제 2 금속 박막 형성 공정과, 상기 제 2 금속 박막에, 상기 두께 방향의 투영시에 있어서 상기 제 1 개구부 및 상기 제 2 개구단과 중첩하는 제 2 개구부를 형성하여, 상기 관통 구멍에서 상기 금속 지지 기판을 노출시키는, 제 2 개구부 형성 공정과, 상기 제 2 금속 박막의 두께 방향 한쪽면 상과, 상기 관통 구멍에 있어서의 상기 금속 지지 기판 상에 걸쳐, 도체층을 형성하는, 도체층 형성 공정을 포함하는 배선 회로 기판의 제조 방법을 포함한다.
본 발명의 배선 회로 기판에서는, 두께 방향의 투영시에 있어서, 제 1 금속 박막의 제 1 개구부가, 절연층의 관통 구멍의 제 1 개구단과 중첩하고, 제 2 금속 박막의 제 2 개구부가, 제 1 개구부 및 관통 구멍의 제 2 개구단과 중첩한다. 당해 배선 회로 기판은, 제조 과정에 있어서, 제 1 개구부, 관통 구멍 및 제 2 개구부에 걸쳐서 두께 방향으로 연통되는 공극을, 비아부 형성용의 공극으로서 확보하는 데 적합하다. 그리고, 배선 회로 기판에 있어서는, 상기한 바와 같이, 도체층의 비아부가, 제 1 금속 박막을 개재시키지 않고 또한 제 2 금속 박막도 개재시키지 않고서, 금속 지지 기판과 직접적으로 접속하고 있다. 이와 같은 배선 회로 기판은, 금속 지지 기판과, 당해 기판 상의 절연층 상에 형성되는 배선층 사이에 있어서, 저저항의 전기적 접속을 실현하는 데 적합하다.
본 발명의 배선 회로 기판의 제조 방법은, 이와 같은 배선 회로 기판을 제조하는 데 적합하다.
도 1은 본 발명의 배선 회로 기판의 일 실시형태의 부분 단면도이다.
도 2는 도 1에 나타내는 배선 회로 기판의 일부 확대 단면도이다.
도 3은 본 발명의 배선 회로 기판의 제조 방법의 일 실시형태에 있어서의 일부의 공정을 나타낸다. 도 3A는 준비 공정을 나타내고, 도 3B는 제 1 금속 박막 형성 공정을 나타내고, 도 3C는 베이스 절연층 형성 공정을 나타내며, 도 3D는 제 2 금속 박막 형성 공정을 나타낸다.
도 4는 도 3D에 나타내는 공정 후에 계속되는 공정을 나타낸다. 도 4A는 개구부 형성 공정을 나타내고, 도 4B는 도체층 형성 공정을 나타내고, 도 4C는 에칭 공정을 나타내며, 도 4D는 커버 절연층 형성 공정을 나타낸다.
도 5는 도체층 형성 공정 및 에칭 공정의 변형예를 나타낸다.
도 6은 도 1에 나타내는 배선 회로 기판의 제 1 변형예의 일부 확대 단면도이다.
도 7은 도 1에 나타내는 배선 회로 기판의 제 2 변형예의 일부 확대 단면도이다.
도 8은 도 1에 나타내는 배선 회로 기판의 제 3 변형예의 일부 확대 단면도이다.
도 9는 도 1에 나타내는 배선 회로 기판의 제 4 변형예의 일부 확대 단면도이다.
도 10은 도 1에 나타내는 배선 회로 기판의 제 5 변형예의 일부 확대 단면도이다.
도 11은 도 1에 나타내는 배선 회로 기판의 제 6 변형예의 일부 확대 단면도이다.
도 12는 도 1에 나타내는 배선 회로 기판의 제 7 변형예의 일부 확대 단면도이다.
도 13은 도 1에 나타내는 배선 회로 기판의 제 8 변형예의 일부 확대 단면도이다.
도 14는 도 1에 나타내는 배선 회로 기판의 제 9 변형예의 일부 확대 단면도이다.
도 15는 도 1에 나타내는 배선 회로 기판의 제 10 변형예의 일부 확대 단면도이다.
도 16은 도 1에 나타내는 배선 회로 기판의 제 11 변형예의 일부 확대 단면도이다.
도 17은 도 1에 나타내는 배선 회로 기판의 제 12 변형예의 일부 확대 단면도이다.
도 18은 본 발명의 배선 회로 기판의 제조 방법의 다른 실시형태에 있어서의 일부의 공정을 나타낸다. 도 18A는 준비 공정을 나타내고, 도 18B는 제 1 금속 박막 형성 공정을 나타내며, 도 18C는 베이스 절연층 형성 공정을 나타낸다.
도 19는 도 18C에 나타내는 공정 후에 계속되는 공정을 나타낸다. 도 19A는 제 1 개구부 형성 공정을 나타내고, 도 19B는 제 2 금속 박막 형성 공정을 나타내며, 도 19C는 제 2 개구부 공정을 나타낸다.
도 20은 도 19C에 나타내는 공정 후에 계속되는 공정을 나타낸다. 도 20A는 도체층 형성 공정을 나타내고, 도 20B는 에칭 공정을 나타내며, 도 20C는 커버 절연층 형성 공정을 나타낸다.
도 21은 도 1에 나타내는 배선 회로 기판의 제 13 변형예의 일부 확대 단면도이다.
도 22는 도 1에 나타내는 배선 회로 기판의 제 14 변형예의 일부 확대 단면도이다.
도 23은 도 1에 나타내는 배선 회로 기판의 제 15 변형예의 일부 확대 단면도이다.
도 2는 도 1에 나타내는 배선 회로 기판의 일부 확대 단면도이다.
도 3은 본 발명의 배선 회로 기판의 제조 방법의 일 실시형태에 있어서의 일부의 공정을 나타낸다. 도 3A는 준비 공정을 나타내고, 도 3B는 제 1 금속 박막 형성 공정을 나타내고, 도 3C는 베이스 절연층 형성 공정을 나타내며, 도 3D는 제 2 금속 박막 형성 공정을 나타낸다.
도 4는 도 3D에 나타내는 공정 후에 계속되는 공정을 나타낸다. 도 4A는 개구부 형성 공정을 나타내고, 도 4B는 도체층 형성 공정을 나타내고, 도 4C는 에칭 공정을 나타내며, 도 4D는 커버 절연층 형성 공정을 나타낸다.
도 5는 도체층 형성 공정 및 에칭 공정의 변형예를 나타낸다.
도 6은 도 1에 나타내는 배선 회로 기판의 제 1 변형예의 일부 확대 단면도이다.
도 7은 도 1에 나타내는 배선 회로 기판의 제 2 변형예의 일부 확대 단면도이다.
도 8은 도 1에 나타내는 배선 회로 기판의 제 3 변형예의 일부 확대 단면도이다.
도 9는 도 1에 나타내는 배선 회로 기판의 제 4 변형예의 일부 확대 단면도이다.
도 10은 도 1에 나타내는 배선 회로 기판의 제 5 변형예의 일부 확대 단면도이다.
도 11은 도 1에 나타내는 배선 회로 기판의 제 6 변형예의 일부 확대 단면도이다.
도 12는 도 1에 나타내는 배선 회로 기판의 제 7 변형예의 일부 확대 단면도이다.
도 13은 도 1에 나타내는 배선 회로 기판의 제 8 변형예의 일부 확대 단면도이다.
도 14는 도 1에 나타내는 배선 회로 기판의 제 9 변형예의 일부 확대 단면도이다.
도 15는 도 1에 나타내는 배선 회로 기판의 제 10 변형예의 일부 확대 단면도이다.
도 16은 도 1에 나타내는 배선 회로 기판의 제 11 변형예의 일부 확대 단면도이다.
도 17은 도 1에 나타내는 배선 회로 기판의 제 12 변형예의 일부 확대 단면도이다.
도 18은 본 발명의 배선 회로 기판의 제조 방법의 다른 실시형태에 있어서의 일부의 공정을 나타낸다. 도 18A는 준비 공정을 나타내고, 도 18B는 제 1 금속 박막 형성 공정을 나타내며, 도 18C는 베이스 절연층 형성 공정을 나타낸다.
도 19는 도 18C에 나타내는 공정 후에 계속되는 공정을 나타낸다. 도 19A는 제 1 개구부 형성 공정을 나타내고, 도 19B는 제 2 금속 박막 형성 공정을 나타내며, 도 19C는 제 2 개구부 공정을 나타낸다.
도 20은 도 19C에 나타내는 공정 후에 계속되는 공정을 나타낸다. 도 20A는 도체층 형성 공정을 나타내고, 도 20B는 에칭 공정을 나타내며, 도 20C는 커버 절연층 형성 공정을 나타낸다.
도 21은 도 1에 나타내는 배선 회로 기판의 제 13 변형예의 일부 확대 단면도이다.
도 22는 도 1에 나타내는 배선 회로 기판의 제 14 변형예의 일부 확대 단면도이다.
도 23은 도 1에 나타내는 배선 회로 기판의 제 15 변형예의 일부 확대 단면도이다.
본 발명의 배선 회로 기판의 일 실시형태로서의 배선 회로 기판(X)은, 도 1 및 도 2에 나타내는 바와 같이, 금속 지지 기판(10)과, 금속 박막(20)(제 1 금속 박막)과, 베이스 절연층으로서의 절연층(30)과, 금속 박막(40)(제 2 금속 박막)과, 도체층(50)과, 커버 절연층으로서의 절연층(60)을, 두께 방향(D)의 한쪽측을 향해 순서대로 구비한다. 배선 회로 기판(X)은, 두께 방향(D)과 직교하는 방향(면 방향)으로 퍼져, 소정의 평면시 형상을 갖는다.
금속 지지 기판(10)은, 배선 회로 기판(X)의 강도를 확보하기 위한 기재이다. 금속 지지 기판(10)의 재료로서는, 예를 들면, 스테인리스강, 구리, 구리 합금, 알루미늄, 니켈, 타이타늄, 및 42알로이를 들 수 있다. 스테인리스강으로서는, 예를 들면, AISI(미국 철강 협회)의 규격에 기초하는 SUS 304를 들 수 있다. 금속 지지 기판(10)의 강도의 관점에서, 금속 지지 기판(10)은, 바람직하게는, 스테인리스강, 구리 합금, 알루미늄, 니켈, 및 타이타늄으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하고, 보다 바람직하게는, 스테인리스강, 구리 합금, 알루미늄, 니켈, 및 타이타늄으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종으로 이루어진다. 금속 지지 기판(10)의 강도와 도전성의 양립의 관점에서, 금속 지지 기판(10)은, 바람직하게는 구리 합금으로 이루어진다. 금속 지지 기판(10)의 두께는, 예를 들면 15μm 이상이다. 금속 지지 기판(10)의 두께는, 예를 들면 500μm 이하, 바람직하게는 250μm 이하이다.
금속 박막(20)은, 금속 지지 기판(10)의 두께 방향(D) 한쪽면 상에 배치되어 있다. 금속 박막(20)은, 금속 지지 기판(10)에 접한다. 금속 박막(20)은, 금속 지지 기판(10)에 대한 절연층(30)의 밀착성을 확보하기 위한 막이다. 금속 박막(20)으로서는, 예를 들면, 스퍼터링법에 의해 성막된 막(스퍼터막), 도금법에 의해 성막된 막(도금막), 및 진공 증착법에 의해 성막된 막(진공 증착막)을 들 수 있다.
금속 박막(20)의 재료로서는, 예를 들면, 크로뮴, 니켈, 및 타이타늄을 들 수 있다. 금속 박막(20)의 재료는, 크로뮴, 니켈, 및 타이타늄으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 2 이상의 금속을 포함하는 합금이어도 된다. 금속 박막(20)의 재료로서는, 바람직하게는 크로뮴이 이용된다.
금속 박막(20)의 두께는, 예를 들면 1nm 이상, 바람직하게는 10nm 이상, 보다 바람직하게는 20nm 이상이다. 금속 박막(20)의 두께는, 예를 들면 1000nm 이하, 바람직하게는 1000nm 이하, 보다 바람직하게는 500nm 이하이다.
금속 박막(20)은, 당해 금속 박막(20)을 두께 방향(D)으로 관통하는 개구부(20A)(제 1 개구부)를 갖는다. 개구부(20A)는, 평면시에 있어서 예를 들면 대략 원 형상을 갖는다. 개구부(20A)의 평면시에 있어서의 최대 길이(개구부(20A)가 평면시에서 원 형상을 갖는 경우에는 직경)는, 절연층(30)의 후술하는 관통 구멍(30A)의 크기에 따라서, 예를 들면 1μm 이상이고, 또한, 예를 들면 1000μm 이하이다. 금속 지지 기판(10)은, 개구부(20A)에 임하는 부분(10a)을 갖는다. 부분(10a)은, 금속 박막(20, 40)에 덮여 있지 않다.
절연층(30)은, 금속 박막(20)의 두께 방향(D) 한쪽면 상에 배치되어 있다. 절연층(30)은, 금속 박막(20)에 접한다. 절연층(30)의 재료로서는, 예를 들면, 폴리이미드, 폴리에터나이트릴, 폴리에터설폰, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 및 폴리염화 바이닐 등의 수지 재료를 들 수 있다(후술하는 절연층(60)의 재료로서도, 마찬가지의 수지 재료를 들 수 있다). 절연층(30)의 두께는, 예를 들면 1μm 이상, 바람직하게는 3μm 이상이다. 절연층(30)의 두께는, 예를 들면 35μm 이하이다.
절연층(30)은, 당해 절연층(30)을 두께 방향(D)으로 관통하는 관통 구멍(30A)을 갖는다. 관통 구멍(30A)은, 금속 박막(20) 측의 개구단(31)(제 1 개구단)과, 당해 개구단(31)과는 반대 측의 개구단(32)(제 2 개구단)과, 개구단(31, 32) 사이의 내벽면(33)을 갖는다.
개구단(31)은, 평면시에 있어서 예를 들면 대략 원 형상을 갖는다. 개구단(31)의 최대 길이(개구단(31)이 원 형상을 갖는 경우에는 직경)는, 예를 들면 1μm 이상이고, 또한, 예를 들면 1000μm 이하이다. 두께 방향(D)의 투영시에 있어서, 개구단(31)과, 금속 박막(20)의 개구부(20A)는, 중첩한다(두께 방향(D)의 투영시에 있어서의 개구단(31)과 개구부(20A)의 위치 관계는, 도 2 내의 단면도의 하방에 모식적으로 나타난다). 즉, 개구부(20A)는, 두께 방향(D)의 투영시에 있어서 개구단(31)과 중첩한다. 본 실시형태에서는, 개구단(31)은, 개구부(20A)를 따라 개구되어 있다. 즉, 개구부(20A)는, 개구단(31)을 따라 개구되어 있다. 또한, 두께 방향(D)의 투영시에 있어서, 개구단(31)은 개구부(20A)를 포함한다.
개구단(32)의 최대 길이(개구단(32)이 원 형상을 갖는 경우에는 직경)는, 예를 들면 1μm 이상이고, 또한, 예를 들면 1000μm 이하이다. 개구단(32)은, 본 실시형태에서는, 개구단(31)보다 큰 면적을 갖는다. 두께 방향(D)의 투영시에 있어서, 개구단(32)은 개구단(31)을 포함한다.
내벽면(33)은, 본 실시형태에서는, 경사져 있다. 내벽면(33)은, 금속 지지 기판(10)에 가까운 부분일수록 내측에 배치되도록 경사져 있다. 즉, 내벽면(33)은, 금속 지지 기판(10)에 가까운 부분일수록 관통 구멍(30A)의 개구 단면적이 작아지도록, 경사져 있다.
이와 같은 관통 구멍(30A)과, 금속 박막(20)의 개구부(20A)는, 관통 구멍(H)을 형성한다.
금속 박막(40)은, 본 실시형태에서는, 절연층(30)의 두께 방향(D) 한쪽면 상과, 관통 구멍(30A)의 내벽면(33) 상에, 직접 배치되어 있다. 금속 박막(40)은, 도체층(50)을 형성하기 위한 시드층이다. 금속 박막(40)으로서는, 예를 들면, 스퍼터막, 도금막, 및 진공 증착막을 들 수 있다.
금속 박막(40)은, 관통 구멍(H) 밖에 배치되어 있는 금속 박막(41)과, 관통 구멍(H) 내에 배치되어 있는 금속 박막(42)을 포함한다. 금속 박막(41)과 금속 박막(42)은, 이어져 있다. 금속 박막(41)은, 절연층(30) 상에 있어서 소정의 패턴 형상을 갖는다. 금속 박막(42)은, 내벽면(33)의 전체를 피복한다. 즉, 금속 박막(42)은, 본 실시형태에서는, 내벽면(33) 상의 피복부(42a)(제 1 피복부)이다. 금속 박막(42)이 피복부(42a)를 갖는 것은, 후술하는 도체층 형성 공정(도 4B에 나타낸다)에 있어서, 피복부(42a) 상에 금속을 성장시켜 적절히 비아부(52)를 형성하는 데 도움이 된다. 또한, 금속 박막(42)은, 관통 구멍(H) 내에서 금속 박막(20)과 접속되어 있다.
금속 박막(40)은, 당해 금속 박막(40)을 두께 방향(D)으로 관통하는 개구부(40A)(제 2 개구부)를 갖는다. 개구부(40A)는, 본 실시형태에서는 관통 구멍(H) 내에 있다. 개구부(40A)는, 평면시에 있어서 예를 들면 대략 원 형상을 갖는다. 개구부(40A)의 평면시에 있어서의 최대 길이(개구부(40A)가 평면시에서 원 형상을 갖는 경우에는 직경)는, 관통 구멍(30A)의 크기에 따라서, 예를 들면 1μm 이상이고, 또한, 예를 들면 1000μm 이하이다.
개구부(40A)는, 두께 방향(D)의 투영시에 있어서, 금속 박막(20)의 개구부(20A) 및 관통 구멍(30A)의 개구단(32)과 중첩한다(두께 방향(D)의 투영시에 있어서의 개구부(20A, 40A) 및 개구단(32)의 위치 관계는, 도 2 내의 단면도의 하방에 모식적으로 나타난다). 본 실시형태에서는, 개구부(40A)는, 금속 지지 기판(10) 상에 있어서 개구부(20A)를 따라 개구되어 있다.
금속 박막(40)의 재료로서는, 예를 들면, 크로뮴, 구리, 니켈, 및 타이타늄을 들 수 있다. 금속 박막(40)의 재료는, 크로뮴, 구리, 니켈, 및 타이타늄으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 2 이상의 금속을 포함하는 합금이어도 된다. 금속 박막(40)의 재료로서는, 바람직하게는 크로뮴이 이용된다. 금속 박막(40)은, 단층 구조를 가져도 되고, 2층 이상의 다층 구조를 가져도 된다. 금속 박막(40)이 단층 구조를 갖는 경우, 당해 금속 박막(40)은, 바람직하게는 크로뮴층이다. 금속 박막(40)이 다층 구조를 갖는 경우, 당해 금속 박막(40)은, 바람직하게는, 하층으로서의 크로뮴층과, 당해 크로뮴층 상의 구리층으로 이루어진다.
금속 박막(40)의 두께는, 예를 들면 1nm 이상, 바람직하게는 10nm 이상이다. 금속 박막(40)의 두께는, 예를 들면 500nm 이하, 바람직하게는 200nm 이하이다.
도체층(50)은, 금속 박막(40)의 두께 방향(D) 한쪽면 상과, 관통 구멍(H) 내의 부분(10a)(금속 지지 기판(10)의 일부) 상에 직접 배치되어 있다. 도체층(50)은, 관통 구멍(H) 밖에 배치되어 있는 배선부(51)와, 관통 구멍(H) 내에 배치되어 있는 비아부(52)를 포함한다. 배선부(51)는, 소정의 패턴 형상을 갖는다. 배선부(51)의 일부와 비아부(52)는, 이어져 있다. 비아부(52)는, 도 2에 나타내는 종단면에 있어서, 오목 형상을 갖는다. 비아부(52)는, 경사진 둘레측면(52a)을 갖는다. 둘레측면(52a)은, 금속 지지 기판(10)에 가까운 부분일수록 내측에 배치되도록 경사져 있다. 즉, 둘레측면(52a)은, 금속 지지 기판(10)에 가까운 부분일수록 비아부(52)의 횡단면적이 작아지도록, 경사져 있다. 또한, 비아부(52)는, 금속 지지 기판(10)과 접속하고 있다. 구체적으로는, 비아부(52)는, 금속 박막(20, 40)을 개재시키지 않고서, 금속 지지 기판(10)과 직접 접속하고 있다.
도체층(50)의 재료로서는, 예를 들면, 구리, 니켈, 및 금을 들 수 있다. 도체층(50)의 재료는, 구리, 니켈, 및 금으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 2 이상의 금속을 포함하는 합금이어도 된다. 도체층(50)의 재료로서는, 바람직하게는 구리가 이용된다.
절연층(30) 상에 있어서, 금속 박막(41)과, 금속 박막(41) 상의 배선부(51)가, 소정의 패턴 형상을 갖는 배선층(71)을 형성한다. 관통 구멍(H)에 있어서, 금속 박막(42)과 비아부(52)가 비아(72)를 형성한다. 금속 지지 기판(10)과 배선층(71)의 일부는, 비아(72)를 개재시켜 전기적으로 접속되어 있다. 배선층(71)은, 비아(72) 및 금속 지지 기판(10)을 개재시켜 그라운드 접속 가능하다.
배선층(71)의 두께는, 예를 들면 3μm 이상, 바람직하게는 5μm 이상이다. 배선층(71)의 두께는, 예를 들면 50μm 이하, 바람직하게는 30μm 이하이다. 배선층(71)의 폭(배선층(71)의 연장 방향과 직교하는 방향의 치수)은, 예를 들면 5μm 이상, 바람직하게는 8μm 이상이다. 배선층(71)의 폭은, 예를 들면 100μm 이하, 바람직하게는 50μm 이하이다.
절연층(60)은, 절연층(30)의 두께 방향(D)의 한쪽면에 있어서 배선층(71) 및 비아(72)를 덮도록 직접 배치되어 있다. 절연층(60)의 두께는, 예를 들면 4μm 이상, 바람직하게는 6μm 이상이다. 절연층(60)의 두께(절연층(30)으로부터의 높이)는, 예를 들면 60μm 이하, 바람직하게는 40μm 이하이다. 절연층(60)은, 배선층(71) 및/또는 비아(72)를 부분적으로 노출시키는 개구부를 가져도 된다. 즉, 절연층(60)이 개구부를 갖고, 당해 개구부에서 배선층(71) 및/또는 비아(72)가 노출되어 있어도 된다. 배선층(71) 및/또는 비아(72)에 있어서 당해 개구부에서 노출되는 부분은, 예를 들면, 배선 회로 기판(X)의 단자부로서 기능할 수 있다.
배선 회로 기판(X)에서는, 전술한 바와 같이, 두께 방향(D)의 투영시에 있어서, 금속 박막(20)의 개구부(20A)가, 절연층(30)의 관통 구멍(30A)의 개구단(31)과 중첩하고, 금속 박막(40)의 개구부(40A)가, 개구부(20A) 및 관통 구멍(30A)의 개구단(32)과 중첩한다. 본 실시형태에서는, 두께 방향(D)의 투영시에 있어서, 개구부(20A)와 개구부(40A)는 실질적으로 일치한다. 도 2 중의 투영 모식도에서는, 개구부(20A, 40A) 및 개구단(31, 32)의 전부가 중복되는 영역(R)에 크로스 해칭을 넣었다.
이와 같은 배선 회로 기판(X)은, 제조 과정에 있어서, 개구부(20A), 관통 구멍(30A) 및 개구부(40A)에 걸쳐서 두께 방향(D)으로 연통되는 공극을, 비아부 형성용의 공극으로서 확보하는 데 적합하다(영역(R)은, 개구부(20A), 관통 구멍(30A) 및 개구부(40A)에 걸쳐서 두께 방향(D)으로 연속하고 있다). 그리고, 배선 회로 기판(X)에 있어서는, 전술한 바와 같이, 도체층(50)의 비아부(52)가, 금속 박막(20, 40)을 개재시키지 않고서, 금속 지지 기판(10)과 직접 접속하고 있다. 이와 같은 배선 회로 기판(X)은, 금속 지지 기판(10)과 절연층(30) 상의 배선층(71) 사이에 있어서, 저저항의 전기적 접속을 실현하는 데 적합하다.
배선 회로 기판(X)에 있어서는, 전술한 바와 같이, 금속 박막(40)은, 절연층(30)의 관통 구멍(30A) 내의 금속 박막(42)을 포함하고, 금속 박막(42)은, 금속 지지 기판(10) 상의 금속 박막(20)과 접속되고, 개구부(40A)는, 금속 박막(20)의 개구부(20A)를 따라 개구되어 있다. 이와 같은 구성은, 후술하는 도체층 형성 공정(도 4B에 나타낸다)에 있어서, 피복부(42a) 상에 금속을 성장시켜 적절히 비아부(52)를 형성하는 데 도움이 된다.
도 3A 내지 도 3D, 및 도 4A 내지 도 4D는, 본 발명의 배선 회로 기판의 제조 방법의 일 실시형태로서, 배선 회로 기판(X)의 제조 방법을 나타낸다. 도 3A 내지 도 3D, 및 도 4A 내지 도 4D는, 본 제조 방법을, 도 1에 상당하는 단면의 변화로서 나타낸다.
본 제조 방법에서는, 우선, 도 3A에 나타내는 바와 같이, 금속 지지 기판(10)을 준비한다(준비 공정).
다음으로, 도 3B에 나타내는 바와 같이, 금속 지지 기판(10)의 두께 방향(D)의 한쪽면 상에 금속 박막(20)을 형성한다(제 1 금속 박막 형성 공정). 금속 박막(20)의 형성 방법으로서는, 예를 들면, 스퍼터링법, 진공 증착법, 및 도금법을 들 수 있다. 도금법으로서는, 전해 도금법 및 무전해 도금법을 들 수 있다. 금속 박막(20)은, 바람직하게는 스퍼터링법에 의해 형성된다.
다음으로, 도 3C에 나타내는 바와 같이, 금속 박막(20)의 두께 방향(D) 한쪽면 상에 절연층(30)을 형성한다(베이스 절연층 형성 공정). 본 공정에서는, 예를 들면 다음과 같이 하여, 절연층(30)을 형성한다. 우선, 금속 박막(20) 상에, 감광성 수지의 용액(바니시)을 도포하여 도막을 형성한다. 다음으로, 이 도막을 가열에 의해 건조시킨다. 다음으로, 도막에 대해서, 소정의 마스크를 개재시킨 노광 처리와, 그 후의 현상 처리와, 그 후에 필요에 따라서 베이크 처리를 실시한다. 예를 들면 이상과 같이 하여, 관통 구멍(30A)을 갖는 절연층(30)을 금속 박막(20) 상에 형성할 수 있다. 관통 구멍(30A)은, 전술한 바와 같이, 금속 박막(20) 측의 개구단(31)(제 1 개구단)과, 당해 개구단(31)과는 반대 측의 개구단(32)(제 2 개구단)과, 개구단(31, 32) 사이의 내벽면(33)을 갖는다. 이와 같은 관통 구멍(30A)에는, 금속 박막(20)의 부분(20a)이 노출되어 있다. 부분(20a)의 노출면(도면 중 상면)은, 본 공정에 포함되는 가열 프로세스를 거쳐 산화된다.
다음으로, 도 3D에 나타내는 바와 같이, 시드층으로서 금속 박막(40)을 형성한다(제 2 금속 박막 형성 공정). 본 공정에 있어서, 금속 박막(40)은, 절연층(30)의 두께 방향(D) 한쪽면 상과, 관통 구멍(30A)의 내벽면(33) 상과, 관통 구멍(30A)에서 노출되어 있는 금속 박막(20)의 부분(20a) 상에, 연속해서 형성된다(금속 박막(40)은, 관통 구멍(30A) 밖의 금속 박막(41)과, 관통 구멍(30A) 내의 금속 박막(42)을 포함한다). 금속 박막(40)의 형성 방법으로서는, 예를 들면, 스퍼터링법, 진공 증착법, 및 도금법을 들 수 있다. 도금법으로서는, 전해 도금법 및 무전해 도금법을 들 수 있다. 금속 박막(40)은, 바람직하게는 스퍼터링법에 의해 형성된다.
다음으로, 도 4A에 나타내는 바와 같이, 금속 박막(20, 40)에 개구부(20A, 40A)를 형성한다(개구부 형성 공정). 구체적으로는, 예를 들면 다음과 같다.
우선, 금속 박막(40) 상에 에칭 마스크(M)를 형성한다. 에칭 마스크(M)는, 에칭 개구부(Ma)를 갖는다. 에칭 개구부(Ma)는, 개구부(40A)의 평면시 형상에 상당하는 평면시 형상을 갖는다. 에칭 마스크(M)의 형성에 있어서는, 우선, 감광성의 레지스트 필름을 금속 박막(40) 상에 첩합(貼合)하여 레지스트막을 형성한다. 다음으로, 레지스트막에 대해, 소정 마스크를 개재시킨 노광 처리와, 그 후의 현상 처리와, 그 후에 필요에 따라서 베이크 처리를 실시한다. 이와 같이 하여, 금속 박막(20, 40)에 형성 예정의 개구부(20A, 40A)에 대응하는 에칭 개구부(Ma)를 형성한다.
본 공정에서는, 다음으로, 금속 박막(40) 상의 에칭 마스크(M)를 개재시켜 금속 박막(20, 40)에 대해서 에칭 처리한다. 이에 의해, 금속 박막(40)에 있어서 에칭 개구부(Ma)에 임하는 부분을 제거하고, 계속해서, 금속 박막(20)에 있어서 에칭 개구부(Ma)에 임하는 부분을 제거한다. 이에 의해, 개구부(20A, 40A)가 형성된다. 이 후, 금속 박막(40) 상으로부터 에칭 마스크(M)를 제거한다. 에칭 처리로서는, 웨트 에칭 및 드라이 에칭을 들 수 있고, 웨트 에칭이 바람직하다. 당해 웨트 에칭에서 사용되는 에칭액으로서는, 예를 들면, 질산 제2세륨 암모늄 용액, 가성 소다 수용액, 과망가니즈산 칼륨 용액, 및 메타규산 나트륨 용액을 들 수 있고, 바람직하게는, 질산 제2세륨 암모늄 용액이 이용된다. 당해 웨트 에칭에 있어서의 에칭액의 온도는, 예를 들면 20℃ 이상이고, 바람직하게는 30℃ 이상이다. 동일 에칭액 온도는, 예를 들면 80℃ 이하이고, 바람직하게는 65℃ 이하이다. 당해 웨트 에칭에 있어서의 에칭 시간은, 예를 들면 1분 이상이다. 동일 에칭 시간은, 예를 들면 15분 이하이고, 바람직하게는 10분 이하이다.
본 공정에서는 이상과 같이 하여 금속 박막(20, 40)에 개구부(20A, 40A)를 형성할 수 있다. 개구부(20A, 40A)는, 두께 방향(D)의 투영시에 있어서 관통 구멍(30A)의 개구단(31, 32)과 중첩한다. 그 때문에, 본 공정에 의해, 관통 구멍(30A)에서 금속 지지 기판(10)이 노출된다.
다음으로, 도 4B에 나타내는 바와 같이, 금속 박막(40)의 두께 방향(D) 한쪽면 상과, 관통 구멍(30A)에 있어서의 금속 지지 기판(10) 상에 걸쳐, 도체층(50)을 형성한다(도체층 형성 공정). 구체적으로는, 예를 들면 다음과 같다.
우선, 금속 박막(40) 상에 레지스트 패턴을 형성한다. 레지스트 패턴은, 도체층(50)의 패턴 형상에 상당하는 평면시 형상의 개구부를 갖는다. 레지스트 패턴의 형성에 있어서는, 우선, 감광성의 레지스트 필름을 금속 박막(40) 상에 첩합하여 레지스트막을 형성한다. 다음으로, 레지스트막에 대해, 소정 마스크를 개재시킨 노광 처리와, 그 후의 현상 처리와, 그 후에 필요에 따라서 베이크 처리를 실시한다. 도체층(50)의 형성에 있어서는, 다음으로, 전해 도금법에 의해, 레지스트 패턴의 개구부 내의 금속 박막(40) 상에 상기한 금속을 성장시킨다. 전해 도금법에서는, 전해 도금용의 급전 부재로서, 금속 박막(20)과 금속 지지 기판(10)을 병용한다. 다음으로, 레지스트 패턴을 제거한다. 예를 들면 이상과 같이 하여, 금속 박막(40)의 두께 방향(D) 한쪽면 상에, 소정 패턴의 도체층(50)(배선부(51)와 비아부(52)를 포함한다)을 형성할 수 있다.
본 제조 방법에서는, 다음으로, 도 4C에 나타내는 바와 같이, 금속 박막(40)에 있어서, 도체층(50)으로 덮여 있지 않은 부분을, 에칭에 의해 제거한다(에칭 공정). 이에 의해, 배선층(71)(배선부(51), 금속 박막(41)) 및 비아(72)(비아부(52), 금속 박막(42))가 형성된다. 본 공정 후, 예를 들면 무전해 도금법 또는 전해 도금법에 의해, 배선층(71)의 표면에 니켈 피막을 형성해도 된다.
다음으로, 도 4D에 나타내는 바와 같이, 절연층(30) 상에, 배선층(71) 및 비아(72)를 덮도록 절연층(60)을 형성한다(커버 절연층 형성 공정). 본 공정에서는, 예를 들면 다음과 같이 하여, 절연층(60)을 형성한다. 우선, 절연층(30) 상, 배선층(71) 및 비아(72) 상에, 감광성 수지의 용액(바니시)을 도포하여 도막을 형성한다. 다음으로, 이 도막을 건조시킨다. 다음으로, 도막에 대해서, 소정의 마스크를 개재시킨 노광 처리와, 그 후의 현상 처리와, 그 후에 필요에 따라서 베이크 처리를 실시한다. 예를 들면 이상과 같이 하여, 커버 절연층으로서의 절연층(60)을 형성할 수 있다.
이상과 같이 하여, 배선 회로 기판(X)을 제조할 수 있다.
본 제조 방법의 베이스 절연층 형성 공정(도 3C에 나타낸다)에서는, 관통 구멍(30A)에 임하는 금속 박막(20)의 부분(20a)의 표면이 산화된다. 또한, 제 2 금속 박막 형성 공정(도 3D에 나타낸다)에서는, 금속 박막(40)은, 시드층으로서, 절연층(30) 상과, 관통 구멍(30A) 내의 부분(20a) 상에, 연속해서 형성된다. 금속 박막(40)의 재료로서는, 전술한 바와 같이 바람직하게는 크로뮴이 이용되지만, 크로뮴은, 예를 들면 구리보다 저항이 높아, 비교적 고저항의 도체이다. 그러나, 개구부 형성 공정(도 4A에 나타낸다)에 있어서, 금속 박막(20, 40)에 있어서의 부분(20a, 40a)이 제거된다. 이에 의해, 금속 지지 기판(10)의 일부(부분(10a))가 노출된다. 따라서, 도체층 형성 공정(도 4B에 나타낸다)에서는, 금속 지지 기판(10)의 부분(10a)과 직접 접속하는 비아부(52)가 형성된다.
이와 같이, 본 제조 방법에 의하면, 배선 회로 기판(X)에 있어서의 비아부(52)를, 금속 지지 기판(10)과 직접적으로 접속되도록 형성할 수 있다(비아부(52)는, 금속 박막(20, 40)을 개재시켜 금속 지지 기판(10)과 전기적으로 접속되는 것은 아니다). 따라서, 본 제조 방법은, 배선 회로 기판(X)에 있어서의 금속 지지 기판(10)과 배선층(71) 사이에서 저저항의 전기적 접속을 실현하는 데 적합하다.
본 제조 방법에 있어서는, 전술한 개구부 형성 공정(도 4A에 나타낸다) 후, 도체층 형성 공정(도 4B에 나타낸다) 및 에칭 공정(도 4C에 나타낸다) 대신에 도 5A 및 도 5B에 나타내는 도체층 형성 공정과, 그 후에, 도 5C에 나타내는 에칭 공정을 실시해도 된다.
도체층 형성 공정에서는, 우선, 도 5A에 나타내는 바와 같이, 도체 박막(50a)을 형성한다. 도체 박막(50a)의 재료로서는, 예를 들면, 도체층(50)의 재료로서 상기한 재료를 들 수 있고, 바람직하게는 구리가 이용된다. 도체 박막(50a)의 형성 방법으로서는, 예를 들면, 스퍼터링법 및 진공 증착법을 들 수 있다. 도체 박막(50a)은, 바람직하게는 스퍼터링법에 의해 형성된다. 도체 박막(50a)의 두께는, 예를 들면 1nm 이상, 바람직하게는 10nm 이상이고, 또한, 예를 들면 500nm 이하, 바람직하게는 200nm 이하이다.
다음으로, 도 5B에 나타내는 바와 같이, 도체 박막(50a)의 두께 방향(D) 한쪽면 상에 도체층(50b)을 형성한다. 구체적으로는, 도체층(50)의 형성 방법으로서 도 4B를 참조하여 전술한 것과 마찬가지로, 전해 도금법에 의해 도체층(50b)을 형성할 수 있다. 이 전해 도금법에서는, 전해 도금용의 급전 부재로서, 금속 박막(20) 및 도체 박막(50a)을 이용하고, 바람직하게는, 금속 박막(20), 도체 박막(50a) 및 금속 지지 기판(10)을 병용한다. 당해 병용은, 적절히 비아부(52)를 형성하는 데 도움이 된다.
그 후의 에칭 공정에서는, 도 5C에 나타내는 바와 같이, 금속 박막(40) 및 도체 박막(50a)에 있어서, 도체층(50b)이 형성되어 있지 않은 영역을, 에칭에 의해 제거한다. 이에 의해, 배선층(71)(배선부(51), 금속 박막(41)) 및 비아(72)(비아부(52), 금속 박막(42))가 형성된다. 배선부(51) 및 비아부(52)는, 각각, 도체 박막(50a)과 그 위의 도체층(50b)으로 이루어진다. 도 2에서는, 도체층(50)이 이상과 같이 하여 형성된 경우의 도체 박막(50a)과 도체층(50b)의 경계를, 파선으로 나타낸다(후기의 변형예에 있어서도 마찬가지이다).
배선 회로 기판(X)에 있어서는, 도 6에 나타내는 바와 같이, 금속 박막(20)이 연장부(22)를 갖고, 금속 박막(40)이 관통 구멍(H) 내에서 피복부(42a)에 더하여 피복부(42b)를 가져도 된다. 연장부(22)는, 두께 방향(D)의 투영시에 있어서, 관통 구멍(30A)의 개구단(31) 내로 연장되어 개구부(20A)를 규정한다. 피복부(42b)는, 그와 같은 연장부(22)를 피복한다. 그리고, 금속 박막(40)의 개구부(40A)는, 개구부(20A)를 따라 개구되어 있다.
배선 회로 기판(X)의 이와 같은 변형예(제 1 변형예)의 두께 방향(D)의 투영시에 있어서의, 금속 박막(20)의 개구부(20A), 관통 구멍(30A)의 개구단(31, 32), 및 금속 박막(40)의 개구부(40A)의 위치 관계를, 도 6 내의 단면도의 하방에 모식적으로 나타낸다. 두께 방향(D)의 투영시에 있어서, 개구부(20A)는 개구단(31)과 중첩하고, 개구부(40A)는, 개구부(20A) 및 개구단(32)과 중첩한다. 본 변형예에서는, 두께 방향(D)의 투영시에 있어서, 개구부(20A)와 개구부(40A)는 실질적으로 일치한다. 도 6 중의 투영 모식도에서는, 개구부(20A, 40A) 및 개구단(31, 32)의 전부가 중복되는 영역에 크로스 해칭을 넣는다(후기의 변형예의 도면에 있어서도 마찬가지이다).
제 1 변형예는, 다음의 것 이외에는 전술한 제조 방법과 마찬가지의 방법으로 제조할 수 있다. 개구부 형성 공정(도 4A에 나타낸다)에서, 두께 방향(D)의 투영시에 있어서 관통 구멍(30A)의 개구단(31)보다 소경의 에칭 개구부(Ma)를 개구단(31) 내에 갖는, 에칭 마스크(M)를 이용한다.
이와 같은 제 1 변형예도, 제조 과정에 있어서, 개구부(20A), 관통 구멍(30A) 및 개구부(40A)에 걸쳐서 두께 방향(D)으로 연통되는 공극을, 비아부 형성용의 공극으로서 확보하는 데 적합하다(영역(R)은, 개구부(20A), 관통 구멍(30A) 및 개구부(40A)에 걸쳐서 두께 방향(D)으로 연속하고 있다). 그리고, 도체층(50)의 비아부(52)가, 금속 박막(20, 40)을 개재시키지 않고서, 금속 지지 기판(10)과 직접 접속하고 있다. 따라서, 배선 회로 기판(X)의 제 1 변형예도, 금속 지지 기판(10)과 절연층(30) 상의 배선층(71) 사이에 있어서, 저저항의 전기적 접속을 실현하는 데 적합하다. 두께 방향(D)의 투영시에 있어서 개구부(20A, 40A) 및 개구단(31, 32)의 전부가 중복되는 영역이 있는 것, 그 때문에, 제조 과정에 있어서, 개구부(20A), 관통 구멍(30A) 및 개구부(40A)에 걸쳐서 두께 방향(D)으로 연통되는 공극을, 비아부 형성용의 공극으로서 확보하는 데 적합한 것, 따라서, 금속 지지 기판(10)과 절연층(30) 상의 배선층(71) 사이에 있어서 저저항의 전기적 접속을 실현하는 데 적합한 것은, 모두, 후기의 변형예에 있어서도 마찬가지이다.
배선 회로 기판(X)에 있어서는, 도 7에 나타내는 바와 같이, 금속 박막(40)의 개구부(40A)가, 절연층(30) 상에 있어서 관통 구멍(30A)의 개구단(32)을 따라 개구되고, 금속 박막(20)의 개구부(20A)가, 금속 지지 기판(10) 상에 있어서 관통 구멍(30A)의 개구단(31)을 따라 개구되어 있어도 된다(이 경우, 금속 박막(40)은 관통 구멍(30A) 내에 금속 박막(42)을 갖지 않는다).
배선 회로 기판(X)의 이와 같은 변형예(제 2 변형예)의 두께 방향(D)의 투영시에 있어서의, 금속 박막(20)의 개구부(20A), 관통 구멍(30A)의 개구단(31, 32), 및 금속 박막(40)의 개구부(40A)의 위치 관계를, 도 7 내의 단면도의 하방에 모식적으로 나타낸다. 두께 방향(D)의 투영시에 있어서, 개구부(20A)는 개구단(31)과 중첩하고, 개구부(40A)는, 개구부(20A) 및 개구단(32)과 중첩한다. 본 변형예에서는, 두께 방향(D)의 투영시에 있어서, 개구부(20A)와 개구단(31)은 실질적으로 일치하고, 개구부(40A)와 개구단(32)은 실질적으로 일치한다.
제 2 변형예는, 다음의 것 이외에는 전술한 제조 방법과 마찬가지의 방법으로 제조할 수 있다. 개구부 형성 공정(도 4A에 나타낸다)에서, 두께 방향(D)의 투영시에 있어서 관통 구멍(30A)의 개구단(32)과 실질적으로 일치하는 에칭 개구부(Ma)를 갖는, 에칭 마스크(M)를 이용한다.
배선 회로 기판(X)에 있어서는, 도 8에 나타내는 바와 같이, 금속 박막(40)의 개구부(40A)가 절연층(30) 상에서 개구되고, 두께 방향(D)의 투영시에 있어서 개구단(32)이 개구부(40A) 내에 배치되고, 금속 박막(20)의 개구부(20A)가, 금속 지지 기판(10)에 있어서 관통 구멍(30A)의 개구단(31)을 따라 개구되어 있어도 된다(이 경우, 금속 박막(40)은 관통 구멍(30A) 내에 금속 박막(42)을 갖지 않는다).
배선 회로 기판(X)의 이와 같은 변형예(제 3 변형예)의 두께 방향(D)의 투영시에 있어서의, 금속 박막(20)의 개구부(20A), 관통 구멍(30A)의 개구단(31, 32), 및 금속 박막(40)의 개구부(40A)의 위치 관계를, 도 8 내의 단면도의 하방에 모식적으로 나타낸다. 두께 방향(D)의 투영시에 있어서, 개구부(20A)는 개구단(31)과 중첩하고, 개구부(40A)는, 개구부(20A) 및 개구단(32)과 중첩한다. 본 변형예에서는, 두께 방향(D)의 투영시에 있어서, 개구부(20A)와 개구단(31)은 실질적으로 일치한다.
제 3 변형예는, 다음의 것 이외에는 전술한 제조 방법과 마찬가지의 방법으로 제조할 수 있다. 개구부 형성 공정(도 4A에 나타낸다)에서, 두께 방향(D)의 투영시에 있어서 관통 구멍(30A)의 개구단(32)보다 대경이고 개구단(32)을 포함하는 에칭 개구부(Ma)를 갖는, 에칭 마스크(M)를 이용한다.
배선 회로 기판(X)에 있어서는, 도 9에 나타내는 바와 같이, 두께 방향(D)의 투영시에 있어서 금속 박막(40)의 개구부(40A)와 절연층(30)의 관통 구멍(30A)의 개구단(31, 32)이 부분적으로 겹치도록, 개구부(40A)가 형성되어 있어도 된다. 이 경우, 관통 구멍(30A)의 내벽면(33)은, 금속 박막(40)에 의해 피복되는 부분(33a)과, 금속 박막(40)에 의해서는 피복되어 있지 않은 부분(33b)을 갖는다.
배선 회로 기판(X)의 이와 같은 변형예(제 4 변형예)의 두께 방향(D)의 투영시에 있어서의, 금속 박막(20)의 개구부(20A), 관통 구멍(30A)의 개구단(31, 32), 및 금속 박막(40)의 개구부(40A)의 위치 관계를, 도 9 내의 단면도의 하방에 모식적으로 나타낸다. 두께 방향(D)의 투영시에 있어서, 개구부(20A)는 개구단(31)과 중첩하고, 개구부(40A)는, 개구부(20A) 및 개구단(32)과 중첩한다.
제 4 변형예는, 다음의 것 이외에는 전술한 제조 방법과 마찬가지의 방법으로 제조할 수 있다. 개구부 형성 공정(도 4A에 나타낸다)에서, 두께 방향(D)의 투영시에 있어서 관통 구멍(30A)의 개구단(31, 32)과 부분적으로 겹치는 에칭 개구부(Ma)를 갖는, 에칭 마스크(M)를 이용한다.
배선 회로 기판(X)에 있어서는, 도 10에 나타내는 바와 같이, 두께 방향(D)의 투영시에 있어서 금속 박막(20)의 개구부(20A)와 절연층(30)의 관통 구멍(30A)의 개구단(31)이 부분적으로 겹치도록, 개구부(20A)가 형성되어 있어도 된다.
배선 회로 기판(X)의 이와 같은 변형예(제 5 변형예)의 두께 방향(D)의 투영시에 있어서의, 금속 박막(20)의 개구부(20A), 관통 구멍(30A)의 개구단(31, 32), 및 금속 박막(40)의 개구부(40A)의 위치 관계를, 도 10 내의 단면도의 하방에 모식적으로 나타낸다. 두께 방향(D)의 투영시에 있어서, 개구부(20A)는 개구단(31)과 중첩하고, 개구부(40A)는, 개구부(20A) 및 개구단(32)과 중첩한다.
제 5 변형예는, 다음의 것 이외에는 전술한 제조 방법과 마찬가지의 방법으로 제조할 수 있다. 제 1 금속 박막 형성 공정(도 3B에 나타낸다) 후, 금속 박막(20)의 개구부(20A)를 형성한다. 개구부(20A)가 형성되는 위치는, 베이스 절연층 형성 공정(도 3C에 나타낸다)에서 형성되는 절연층(30)의 관통 구멍(30A)과는 부분적으로 겹치는 위치이다. 개구부(20A)의 형성 방법은, 예를 들면, 개구부 형성 공정(도 4A에 나타낸다)에 관해서 전술한 방법과 마찬가지이다. 또한, 개구부 형성 공정(도 4A에 나타낸다)에서는, 두께 방향(D)의 투영시에 있어서 관통 구멍(30A)의 개구단(31)보다 소경의 에칭 개구부(Ma)를 개구단(31) 내에 갖는, 에칭 마스크(M)를 이용한다.
배선 회로 기판(X)은, 도 11에 나타내는 바와 같이, 금속 지지 기판(10) 대신에 금속 지지 기판(10')을 구비해도 된다. 금속 지지 기판(10')은, 금속 지지층(11)과, 당해 금속 지지층(11)의 절연층(30) 측에 배치되는 표면 금속층(12)을 구비한다.
금속 지지층(11)은, 배선 회로 기판(X)의 강도를 확보하기 위한 기재이다. 금속 지지층(11)의 재료로서는, 예를 들면, 금속 지지 기판(10)의 재료로서 상기한 재료를 들 수 있다. 금속 지지층(11)의 강도의 관점에서, 금속 지지층(11)은, 바람직하게는, 스테인리스강, 구리 합금, 알루미늄, 니켈, 및 타이타늄으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하고, 보다 바람직하게는, 스테인리스강, 구리 합금, 알루미늄, 니켈, 및 타이타늄으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종으로 이루어진다. 금속 지지층(11)의 강도와 도전성의 양립의 관점에서, 금속 지지층(11)은, 바람직하게는 구리 합금으로 이루어진다. 금속 지지층(11)의 두께는, 예를 들면 15μm 이상이다. 금속 지지층(11)의 두께는, 예를 들면 500μm 이하, 바람직하게는 250μm 이하이다.
표면 금속층(12)은, 금속 지지층(11)의 두께 방향(D) 한쪽면 상에 배치되어 있다. 표면 금속층(12)은, 금속 지지층(11)에 접한다. 본 실시형태에서는, 표면 금속층(12)은, 금속 지지층(11)의 두께 방향(D)의 한쪽측의 전체면에 배치되어 있다. 표면 금속층(12)으로서는, 예를 들면, 스퍼터막, 도금막, 및 진공 증착막을 들 수 있다. 표면 금속층(12)은, 금속 지지층(11)보다 도전율이 높다. 표면 금속층(12)의 도전성의 관점에서, 표면 금속층(12)은, 바람직하게는, 금, 은, 및 구리로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하고, 보다 바람직하게는, 금, 은, 및 구리로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종으로 이루어진다. 금속 지지층(11)이 구리 합금제인 경우에 있어서의 표면 금속층(12)의 성막성의 관점에서, 표면 금속층(12)은, 바람직하게는 구리로 이루어진다. 표면 금속층(12)의 두께는, 바람직하게는 0.5μm 이상, 보다 바람직하게는 3μm 이상이다.
본 변형예(제 6 변형예)에서는, 도체층(50)의 비아부(52)는, 금속 지지 기판(10')의 표면 금속층(12)과 접속되어 있다.
제 6 변형예는, 준비 공정에서 금속 지지 기판(10) 대신에 금속 지지 기판(10')을 준비하는 것 이외에는 전술한 제조 방법과 마찬가지의 방법으로 제조할 수 있다.
제 6 변형예에 있어서는, 전술한 바와 같이, 비아부(52)는, 금속 지지 기판(10')에 있어서 금속 지지층(11)보다 고도전율의 표면 금속층(12)과 접속되어 있다. 이와 같은 구성은, 금속 지지 기판(10')과 배선층(71) 사이에 있어서, 저저항의 전기적 접속을 실현하는 데 바람직하다.
제 1 변형예에 있어서의 금속 지지 기판(10)을 금속 지지 기판(10')으로 변경한 제 7 변형예를, 도 12에 나타낸다. 제 2 변형예에 있어서의 금속 지지 기판(10)을 금속 지지 기판(10')으로 변경한 제 8 변형예를, 도 13에 나타낸다. 제 3 변형예에 있어서의 금속 지지 기판(10)을 금속 지지 기판(10')으로 변경한 제 9 변형예를, 도 14에 나타낸다. 제 4 변형예에 있어서의 금속 지지 기판(10)을 금속 지지 기판(10')으로 변경한 제 10 변형예를, 도 15에 나타낸다. 제 5 변형예에 있어서의 금속 지지 기판(10)을 금속 지지 기판(10')으로 변경한 제 11 변형예를, 도 16에 나타낸다.
배선 회로 기판(X)에 있어서는, 도 17에 나타내는 바와 같이, 금속 박막(40)이 관통 구멍(H)에서 금속 지지 기판(10)과 접촉하고, 당해 금속 박막(40)의 개구부(40A)가, 금속 지지 기판(10) 상에 있어서 금속 박막(20)의 개구부(20A)를 따라 개구되어 있어도 된다. 이와 같은 배선 회로 기판(X)에서도, 두께 방향(D)의 투영시에 있어서, 금속 박막(20)의 개구부(20A)가, 절연층(30)의 관통 구멍(30A)의 개구단(31)과 중첩하고, 금속 박막(40)의 개구부(40A)가, 개구부(20A) 및 관통 구멍(30A)의 개구단(32)과 중첩한다. 본 변형예(제 12 변형예)에서는, 두께 방향(D)의 투영시에 있어서, 개구부(20A)와 개구단(31)은 실질적으로 일치한다.
도 18A 내지 도 18C, 도 19A 내지 도 19C, 및 도 20A 내지 도 20C는, 본 발명의 배선 회로 기판의 제조 방법의 다른 실시형태로서, 배선 회로 기판(X)의 제 12 변형예(도 17에 나타낸다)의 제조 방법을 나타낸다.
본 제조 방법에서는, 우선, 도 18A에 나타내는 바와 같이, 금속 지지 기판(10)을 준비한다(준비 공정).
다음으로, 도 18B에 나타내는 바와 같이, 금속 지지 기판(10)의 두께 방향(D)의 한쪽면 상에 금속 박막(20)을 형성한다(제 1 금속 박막 형성 공정). 구체적으로는, 도 3B를 참조하여 전술한 것과 마찬가지이다.
다음으로, 도 18C에 나타내는 바와 같이, 금속 박막(20)의 두께 방향(D) 한쪽면 상에 절연층(30)을 형성한다(베이스 절연층 형성 공정). 구체적으로는, 도 3C를 참조하여 전술한 것과 마찬가지이다.
다음으로, 도 19A에 나타내는 바와 같이, 금속 박막(20)에 개구부(20A)를 형성한다(제 1 개구부 형성 공정). 구체적으로는, 예를 들면 다음과 같다.
우선, 절연층(30) 상에 에칭 마스크(M')를 형성한다. 에칭 마스크(M')는, 에칭 개구부(Mb)를 갖는다. 에칭 개구부(Mb)는, 절연층(30)의 관통 구멍(30A)의 개구단(31)의 평면시 형상에 상당하는 평면시 형상을 갖는다. 에칭 마스크(M')의 형성에 있어서는, 우선, 감광성의 레지스트 필름을 절연층(30) 상에 첩합하여 레지스트막을 형성한다. 다음으로, 레지스트막에 대해, 소정 마스크를 개재시킨 노광 처리와, 그 후의 현상 처리와, 그 후에 필요에 따라서 베이크 처리를 실시한다. 이와 같이 하여, 금속 박막(20)에 형성 예정의 개구부(20A)에 대응하는 에칭 개구부(Mb)를 형성한다.
본 공정에서는, 다음으로, 절연층(30) 상의 에칭 마스크(M')를 개재시켜 금속 박막(20)에 대해서 에칭 처리한다. 이에 의해, 금속 박막(20)에 있어서 에칭 개구부(Mb)에 임하는 부분을 제거한다. 이에 의해, 개구부(20A)가 형성된다. 이 후, 절연층(30) 상으로부터 에칭 마스크(M')를 제거한다. 에칭 처리로서는, 웨트 에칭 및 드라이 에칭을 들 수 있고, 웨트 에칭이 바람직하다. 에칭액 및 에칭 조건에 대해서는, 도 4A를 참조하여 전술한 에칭 처리에 있어서의 에칭액 및 에칭 조건과 마찬가지이다.
본 공정에서는 이상과 같이 하여 금속 박막(20)에 개구부(20A)를 형성할 수 있다. 개구부(20A)는, 두께 방향(D)의 투영시에 있어서, 관통 구멍(30A)의 개구단(31)과 중첩하고, 실질적으로 일치한다. 본 공정에 의해, 관통 구멍(30A)에서 금속 지지 기판(10)이 노출된다.
다음으로, 도 19B에 나타내는 바와 같이, 시드층으로서 금속 박막(40)을 형성한다(제 2 금속 박막 형성 공정). 본 공정에 있어서, 금속 박막(40)은, 절연층(30)의 두께 방향(D) 한쪽면 상과, 관통 구멍(30A)의 내벽면(33) 상과, 관통 구멍(30A)에서 노출되어 있는 금속 지지 기판(10)의 부분(10a) 상에, 연속해서 형성된다(금속 박막(40)은, 관통 구멍(30A) 밖의 금속 박막(41)과, 관통 구멍(30A) 내의 금속 박막(42)을 포함한다). 금속 박막(40)의 형성 방법은, 도 3D를 참조하여 전술한 것과 마찬가지이다.
다음으로, 도 19C에 나타내는 바와 같이, 금속 박막(40)에 개구부(40A)를 형성한다(제 2 개구부 형성 공정). 구체적으로는, 도 4A를 참조하여 전술한 것과 마찬가지이다. 본 공정에 의해, 금속 지지 기판(10) 상에 있어서 개구부(20A)를 따라 개구되는 개구부(40A)가 형성되고, 관통 구멍(30A)에서 금속 지지 기판(10)이 노출된다. 개구부(20A, 40A)는, 두께 방향(D)의 투영시에 있어서 관통 구멍(30A)의 개구단(31, 32)과 중첩한다.
다음으로, 도 20A에 나타내는 바와 같이, 금속 박막(40)의 두께 방향(D) 한쪽면 상과, 관통 구멍(30A)에 있어서의 금속 지지 기판(10) 상에 걸쳐, 도체층(50)(배선부(51)와 비아부(52)를 포함한다)을 형성한다(도체층 형성 공정). 구체적으로는, 도 4B를 참조하여 전술한 것과 마찬가지이다.
다음으로, 도 20B에 나타내는 바와 같이, 금속 박막(40)에 있어서, 도체층(50)으로 덮여 있지 않은 부분을, 에칭에 의해 제거한다(에칭 공정). 구체적으로는, 도 4C를 참조하여 전술한 것과 마찬가지이다. 본 공정에 의해, 배선층(71)(배선부(51), 금속 박막(41)) 및 비아(72)(비아부(52), 금속 박막(42))이 형성된다.
다음으로, 도 20C에 나타내는 바와 같이, 절연층(30) 상에, 배선층(71) 및 비아(72)를 덮도록 절연층(60)을 형성한다(커버 절연층 형성 공정). 구체적으로는, 도 4D를 참조하여 전술한 것과 마찬가지이다.
이상과 같이 하여, 배선 회로 기판(X)의 제 12 변형예를 제조할 수 있다.
본 제조 방법의 베이스 절연층 형성 공정(도 18C에 나타낸다)에서는, 관통 구멍(30A)에 임하는 금속 박막(20)의 부분(20a)의 표면이 산화된다. 그러나, 그 후의 제 1 개구부 형성 공정(도 19A에 나타낸다)에 있어서, 금속 박막(20)에 있어서의 부분(20a)이 제거된다. 또한, 제 2 금속 박막 형성 공정(도 19B에 나타낸다)에서는, 금속 박막(40)은, 시드층으로서, 절연층(30) 상과, 금속 지지 기판(10)의 부분(10a) 상에, 연속해서 형성된다. 금속 박막(40)의 재료로서는, 전술한 바와 같이 바람직하게는 크로뮴이 이용되지만, 크로뮴은, 예를 들면 구리보다 저항이 높아, 비교적 고저항의 도체이다. 그러나, 그 후의 제 2 개구부 형성 공정(도 19C에 나타낸다)에 있어서, 금속 박막(40)에 있어서의 부분(40a)이 제거된다. 이에 의해, 금속 지지 기판(10)의 일부(부분(10a))가 노출된다. 따라서, 도체층 형성 공정(도 20A에 나타낸다)에서는, 금속 지지 기판(10)의 부분(10a)과 직접 접속하는 비아부(52)가 형성된다.
이와 같이, 본 제조 방법에 의하면, 배선 회로 기판(X)에 있어서의 비아부(52)를, 금속 지지 기판(10)과 직접적으로 접속되도록 형성할 수 있다(비아부(52)는, 금속 박막(20, 40)을 개재시켜 금속 지지 기판(10)과 전기적으로 접속되는 것은 아니다). 따라서, 본 제조 방법은, 배선 회로 기판(X)에 있어서의 금속 지지 기판(10)과 배선층(71) 사이에서 저저항의 전기적 접속을 실현하는 데 적합하다.
본 제조 방법에 있어서는, 전술한 제 2 개구부 형성 공정(도 19C에 나타낸다) 후, 도체층 형성 공정(도 20A에 나타낸다) 및 에칭 공정(도 20B에 나타낸다) 대신에 도 5A 및 도 5B를 참조하여 전술한 도체층 형성 공정과, 그 후에, 도 5C를 참조하여 전술한 에칭 공정을 실시해도 된다. 이와 같은 방법에 의하면, 도 5A 내지 도 5C를 참조하여 전술한 것과 마찬가지로, 도체 박막(50a)과 도체층(50b)의 적층 구조를 갖는 도체층(50)을 형성할 수 있다.
배선 회로 기판(X)에 있어서는, 도 21에 나타내는 바와 같이, 금속 박막(40)이, 관통 구멍(H) 내에, 금속 지지 기판(10)에 접하여 피복되는 피복부(42b)를 가져도 된다. 피복부(42b)는, 두께 방향(D)의 투영시에 있어서, 관통 구멍(30A)의 개구단(31) 내로 연장되어 개구부(40A)를 규정한다. 이 개구부(40A)는, 금속 박막(20)의 개구부(20A)의 내측에 배치되어 있다.
배선 회로 기판(X)의 이와 같은 변형예(제 13 변형예)의 두께 방향(D)의 투영시에 있어서의, 금속 박막(20)의 개구부(20A), 관통 구멍(30A)의 개구단(31, 32), 및 금속 박막(40)의 개구부(40A)의 위치 관계를, 도 21 내의 단면도의 하방에 모식적으로 나타낸다. 두께 방향(D)의 투영시에 있어서, 개구부(20A)는 개구단(31)과 중첩하고, 개구부(40A)는, 개구부(20A) 및 개구단(32)과 중첩한다. 본 변형예에서는, 두께 방향(D)의 투영시에 있어서, 개구부(20A)와 개구단(31)은 실질적으로 일치하고, 개구부(40A)는 개구단(31) 내에 배치되어 있다.
제 13 변형예는, 다음의 것 이외에는, 제 12 변형예의 제조 방법(도 18A∼도 20C에 나타낸다)과 마찬가지의 방법으로 제조할 수 있다. 제 2 개구부 형성 공정(도 19C에 나타낸다)에서, 두께 방향(D)의 투영시에 있어서 관통 구멍(30A)의 개구단(31)보다 소경의 에칭 개구부(Ma)를 개구단(31) 내에 갖는, 에칭 마스크(M)를 이용한다.
제 12 변형예에 있어서의 금속 지지 기판(10)을 금속 지지 기판(10')으로 변경한 제 14 변형예를, 도 22에 나타낸다. 제 14 변형예는, 준비 공정에서 금속 지지 기판(10) 대신에 금속 지지 기판(10')을 준비하는 것 이외에는, 제 12 변형예와 마찬가지로 제조할 수 있다.
제 13 변형예에 있어서의 금속 지지 기판(10)을 금속 지지 기판(10')으로 변경한 제 15 변형예를, 도 23에 나타낸다. 제 15 변형예는, 준비 공정에서 금속 지지 기판(10) 대신에 금속 지지 기판(10')을 준비하는 것 이외에는, 제 13 변형예와 마찬가지로 제조할 수 있다.
X: 배선 회로 기판
D: 두께 방향
10: 금속 지지 기판
10a: 부분
11: 금속 지지층
12: 표면 금속층
20: 금속 박막(제 1 금속 박막)
20A: 개구부(제 1 개구부)
20a: 부분
30: 절연층
30A, H: 관통 구멍
31: 개구단(제 1 개구단)
32: 개구단(제 2 개구단)
33: 내벽면
40: 금속 박막(제 2 금속 박막)
40A: 개구부(제 2 개구부)
40a: 부분
50: 도체층
51: 배선부
52: 비아부
60: 절연층
71: 배선층
72: 비아
D: 두께 방향
10: 금속 지지 기판
10a: 부분
11: 금속 지지층
12: 표면 금속층
20: 금속 박막(제 1 금속 박막)
20A: 개구부(제 1 개구부)
20a: 부분
30: 절연층
30A, H: 관통 구멍
31: 개구단(제 1 개구단)
32: 개구단(제 2 개구단)
33: 내벽면
40: 금속 박막(제 2 금속 박막)
40A: 개구부(제 2 개구부)
40a: 부분
50: 도체층
51: 배선부
52: 비아부
60: 절연층
71: 배선층
72: 비아
Claims (11)
- 금속 지지 기판과, 제 1 금속 박막과, 절연층과, 제 2 금속 박막과, 도체층을, 두께 방향으로 순서대로 구비하는 배선 회로 기판으로서,
상기 절연층이, 상기 두께 방향으로 관통하는 관통 구멍을 갖고, 당해 관통 구멍은, 상기 제 1 금속 박막 측의 제 1 개구단과, 당해 제 1 개구단과는 반대 측의 제 2 개구단과, 당해 제 1 및 제 2 개구단 사이의 내벽면을 갖고,
상기 제 1 금속 박막이 제 1 개구부를 갖고, 당해 제 1 개구부는, 상기 두께 방향의 투영시(投影視)에 있어서 상기 제 1 개구단과 중첩하고,
상기 제 2 금속 박막이 제 2 개구부를 갖고, 당해 제 2 개구부는, 상기 두께 방향의 투영시에 있어서 상기 제 1 개구부 및 상기 제 2 개구단과 중첩하고,
상기 도체층이, 상기 관통 구멍에 배치되고 또한 상기 금속 지지 기판과 접속되어 있는 비아부를 갖는, 배선 회로 기판. - 제 1 항에 있어서,
상기 금속 지지 기판이, 금속 지지층과, 당해 금속 지지층의 상기 절연층 측에 배치되고 또한 상기 금속 지지층보다 도전율이 높은 표면 금속층을 구비하고,
상기 비아부가 상기 표면 금속층과 접속되어 있는, 배선 회로 기판. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 개구부가, 상기 제 1 개구단을 따라 개구되어 있는, 배선 회로 기판. - 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 2 금속 박막이, 상기 내벽면 상의 제 1 피복부를 갖는, 배선 회로 기판. - 제 4 항에 있어서,
상기 제 2 개구부가, 상기 금속 지지 기판 상에 있어서 상기 제 1 개구부를 따라 개구되어 있는, 배선 회로 기판. - 제 4 항에 있어서,
상기 제 2 금속 박막이, 상기 금속 지지 기판 상의 제 2 피복부를 갖고, 상기 제 2 개구부가, 상기 금속 지지 기판 상에 있어서 상기 제 1 개구부의 내측에 배치되어 있는, 배선 회로 기판. - 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 2 개구부가, 상기 절연층 상에 있어서 상기 제 2 개구단을 따라 개구되어 있는, 배선 회로 기판. - 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 2 개구부가 상기 절연층 상에서 개구되고, 상기 두께 방향의 투영시에 있어서 상기 제 2 개구단이 상기 제 2 개구부 내에 배치되어 있는, 배선 회로 기판. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 제 1 금속 박막이, 상기 두께 방향의 투영시에 있어서 상기 제 1 개구단 내로 연장되어 상기 제 1 개구부를 규정하는 연장부를 갖고,
상기 제 2 금속 박막이, 상기 내벽면 상의 제 1 피복부와 상기 연장부 상의 제 2 피복부를 갖고, 상기 제 2 개구부가 상기 제 1 개구부를 따라 개구되어 있는, 배선 회로 기판. - 금속 지지 기판의 두께 방향 한쪽면 상에 제 1 금속 박막을 형성하는 제 1 금속 박막 형성 공정과,
상기 제 1 금속 박막의 두께 방향 한쪽면 상에, 상기 제 1 금속 박막 측의 제 1 개구단과, 당해 제 1 개구단과는 반대 측의 제 2 개구단과, 당해 제 1 및 제 2 개구단 사이의 내벽면을 갖는 관통 구멍을 갖는 절연층을 형성하는, 절연층 형성 공정과,
상기 절연층의 두께 방향 한쪽면 상과, 상기 관통 구멍에 있어서의 상기 제 1 금속 박막 상에 걸쳐, 제 2 금속 박막을 형성하는, 제 2 금속 박막 형성 공정과,
상기 제 1 금속 박막 및 상기 제 2 금속 박막에, 상기 두께 방향의 투영시에 있어서 상기 제 1 개구단 및 상기 제 2 개구단과 중첩하는 개구부를 형성하여, 상기 관통 구멍에서 상기 금속 지지 기판을 노출시키는, 개구부 형성 공정과,
상기 제 2 금속 박막의 두께 방향 한쪽면 상과, 상기 관통 구멍에 있어서의 상기 금속 지지 기판 상에 걸쳐, 도체층을 형성하는, 도체층 형성 공정을 포함하는 배선 회로 기판의 제조 방법. - 금속 지지 기판의 두께 방향 한쪽면 상에 제 1 금속 박막을 형성하는 제 1 금속 박막 형성 공정과,
상기 제 1 금속 박막의 두께 방향 한쪽면 상에, 상기 제 1 금속 박막 측의 제 1 개구단과, 당해 제 1 개구단과는 반대 측의 제 2 개구단과, 당해 제 1 및 제 2 개구단 사이의 내벽면을 갖는 관통 구멍을 갖는 절연층을 형성하는, 절연층 형성 공정과,
상기 제 1 금속 박막에, 상기 제 1 개구단을 따라 개구되는 제 1 개구부를 형성하여, 상기 관통 구멍에서 상기 금속 지지 기판을 노출시키는, 제 1 개구부 형성 공정과,
상기 절연층의 두께 방향 한쪽면 상과, 상기 관통 구멍에 있어서의 상기 금속 지지 기판 상에 걸쳐, 제 2 금속 박막을 형성하는, 제 2 금속 박막 형성 공정과,
상기 제 2 금속 박막에, 상기 두께 방향의 투영시에 있어서 상기 제 1 개구부 및 상기 제 2 개구단과 중첩하는 제 2 개구부를 형성하여, 상기 관통 구멍에서 상기 금속 지지 기판을 노출시키는, 제 2 개구부 형성 공정과,
상기 제 2 금속 박막의 두께 방향 한쪽면 상과, 상기 관통 구멍에 있어서의 상기 금속 지지 기판 상에 걸쳐, 도체층을 형성하는, 도체층 형성 공정을 포함하는 배선 회로 기판의 제조 방법.
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