KR20230061314A - 기판 프로세싱 장치 및 방법 - Google Patents

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KR20230061314A
KR20230061314A KR1020230053873A KR20230053873A KR20230061314A KR 20230061314 A KR20230061314 A KR 20230061314A KR 1020230053873 A KR1020230053873 A KR 1020230053873A KR 20230053873 A KR20230053873 A KR 20230053873A KR 20230061314 A KR20230061314 A KR 20230061314A
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KR
South Korea
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reaction chamber
support
substrate processing
support table
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KR1020230053873A
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Inventor
바이노 킬피
톰 블룸베르그
Original Assignee
피코순 오와이
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Publication date
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Abstract

기판 프로세싱을 위해 반응 챔버(20)의 내부 체적을 밀봉하는 상부 부분(20a) 및 하부 부분(20b)을 갖는 반응 챔버(20)로서, 상기 하부 부분(20b)은 사이에 기판 로딩 갭을 형성하도록 상기 상부 부분(20a)으로부터 이격하여 이동 가능한 반응 챔버(20), 지지 테이블(31), 및 상기 반응 챔버(20) 내에 기판을 수용하도록 상기 지지 테이블(31)에 대해 수직으로 이동 가능하고 상기 지지 테이블(31)을 통해 연장되는 적어도 하나의 지지 요소(70)를 포함하는 기판 지지 시스템, 및 기판 로딩 레벨에서 상기 적어도 하나의 지지 요소(70)의 하향 이동을 정지하는 스토퍼(90)를 포함하는 기판 프로세싱 장치(100).

Description

기판 프로세싱 장치 및 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND METHOD}
본 발명은 일반적으로 기판 프로세싱 장치 및 방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 그러나 배타적이지 않은, 본 발명은 화학 증착 또는 에칭 반응기에 관한 것이다.
이 섹션은 최신 기술을 대표하는 여기에 설명된 기술의 승인 없이 유용한 배경 정보를 설명한다.
화학 증착 또는 에칭 반응기에서 반응 챔버로의 기판 로딩은 로딩 로봇에 의해 게이트 밸브를 통해 측면으로부터 수행될 수 있다. 그러나, 이 로딩 방법 및 현장에서 사용되는 모든 관련된 기판 취급 방법은 도구 설계에 특정 공간 제한을 둔다. 특히, 이러한 제한은 반응기의 가능한 설계에서 관찰된다. 제한은 충분한 반응이 일어나도록 반응기 내에 적절한 레벨에 기판 수용 표면을 위치하는 동시에 로딩 로봇이 작동하기에 충분한 공간을 가능하게 하는 도전에서 자주 나타난다.
본 발명의 특정 실시예의 목적은 실제로 경험되는 공간 제한을 해결하거나 적어도 기존 기술에 대한 대안적인 솔루션을 제공하도록 최적화된 개선된 기판 프로세싱 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 제1 예시적 측면에 따르면:
기판 프로세싱을 위해 반응 챔버의 내부 체적을 밀봉하는 상부 부분 및 하부 부분을 갖는 반응 챔버로서, 상기 하부 부분은 사이에 기판 로딩 갭을 형성하도록 상기 상부 부분으로부터 이격하여 이동 가능한 반응 챔버;
지지 테이블, 및 상기 반응 챔버 내에 기판을 수용하도록 상기 지지 테이블에 대해 수직으로 이동 가능하고 상기 지지 테이블을 통해 연장되는 적어도 하나의 지지 요소를 포함하는 기판 지지 시스템을 포함하는 기판 프로세싱 장치가 제공되고, 상기 기판 프로세싱 장치는,
기판 로딩 레벨에서 상기 적어도 하나의 지지 요소의 하향 이동을 정지하는 스토퍼를 더 포함한다.
특정 실시예에서, 상기 기판 프로세싱 장치는, 상기 지지 테이블과 함께 상기 하부 부분을 이동하도록 구성된다.
특정 실시예에서, 상기 기판 프로세싱 장치는, 상기 적어도 하나의 지지 요소가 상기 스토퍼(또는 정지 요소)에 의해 정지될 때까지, 상기 지지 테이블과 함께 상기 적어도 하나의 지지 요소를 하향으로 이동하도록 구성된다.
특정 실시예에서, 상기 기판 프로세싱 장치는, 상기 적어도 하나의 지지 요소가 상기 스토퍼에 의해 정지된 후, 상기 지지 테이블을 더 하향으로 이동하도록 구성된다.
특정 실시예에서, 상기 기판 프로세싱 장치는 상기 스토퍼를 지지하는 고정 부착부를 포함한다.
특정 실시예에서, 상기 고정 부착부는 반응 챔버 배기 라인으로부터 연장된다.
특정 실시예에서, 상기 기판 프로세싱 장치는, 상기 지지 테이블과 함께 상기 적어도 하나의 지지 요소를 기판 프로세싱 위치까지 상향으로 들어 올리도록 구성된다.
특정 실시예에서, 상기 지지 테이블은 상기 기판을 상기 반응 챔버의 상기 상부 부분의 바닥 표면 위로 승강하도록 구성된다.
특정 실시예에서, 이러한 들어 올림은 상기 기판이 상기 적어도 하나의 지지 요소에 수용된 후 발생한다.
특정 실시예에서, 상기 지지 테이블은 상기 반응 챔버에 부착되고, 상기 지지 테이블 및 상기 반응 챔버의 상기 하부 부분(예를 들어, 반응 챔버 보울)은 하나의 패키지로 상하 이동하도록 구성되고, 상기 적어도 하나의 지지 요소 및 상기 지지 테이블은 기판 로딩 레벨 위로 함께 상승하도록 구성되고, 상기 적어도 하나의 지지 요소는, 상기 스토퍼에 의해 정지되어 상기 로딩 레벨 상에 머물도록 구성되는 반면, 상기 지지 테이블은 상기 하부 부분과 함께, 상기 로딩 레벨 아래로 하강된다.
특정 실시예에서, 상기 기판 프로세싱 장치는 상기 반응 챔버를 적어도 부분적으로 둘러싸는 외부 챔버를 포함한다. 특정 실시예에서, 상기 외부 챔버는 진공 챔버이다.
특정 실시예에서, 상기 적어도 하나의 지지 요소의 상부 표면은, 기판을 로딩하기 위해 기판 로딩 디바이스에 의해 사용되는 게이트 밸브의 로딩 개구의 가장 높은 지점보다 높은, 기판 프로세싱 위치에 위치한다.
특정 실시예에서, 게이트 밸브가 상기 외부 챔버의 벽에 부착된다.
특정 실시예에서, 상기 적어도 하나의 지지 요소는 확대된 상부를 갖는 핀의 형상이다.
특정 실시예에서, 기판 프로세싱 장치는 순차적인 자체 제한 표면 반응에 의해 상기 반응 챔버 내에서 적어도 하나의 기판을 처리하도록 구성된다.
본 발명의 제2 예시적 측면에 따르면:
기판 프로세싱을 위해 반응 챔버의 내부 체적을 밀봉하는 상부 부분 및 하부 부분을 갖는 반응 챔버로서, 상기 하부 부분은 사이에 기판 로딩 갭을 형성하도록 상기 상부 부분으로부터 이격하여 이동 가능한 반응 챔버; 및
상기 반응 챔버의 상기 상부 부분의 바닥 표면 위로 기판을 승강하도록 구성된 지지 테이블을 포함하는 기판 지지 시스템을 포함하는 기판 프로세싱 장치가 제공된다.
본 발명의 제3 예시적 측면에 따르면:
사이에 기판 로딩 갭을 형성하도록 반응 챔버의 하부 부분을 상기 반응 챔버의 상부 부분으로부터 이격하여 이동하는 단계;
지지 테이블 및 적어도 하나의 지지 요소를 포함하는 기판 지지 시스템을 하강하는 단계로서, 상기 적어도 하나의 지지 요소는 상기 지지 테이블에 대해 수직으로 이동 가능하고 상기 지지 테이블을 통해 연장되는 단계; 및
기판 로딩 레벨에서 스토퍼에 의해 적어도 하나의 지지 요소의 하향 이동을 정지하는 단계를 포함하는, 반응 챔버에 기판을 로딩하는 방법이 제공된다.
특정 실시예에서, 상기 방법은:
상기 적어도 하나의 지지 요소가 상기 스토퍼에 의해 정지된 후 상기 지지 테이블을 더 하향으로 이동하는 단계(상기 적어도 하나의 지지 요소는 상기 기판 로딩 레벨에 남아 있음)를 포함한다.
본 발명의 제4 예시적 측면에 따르면:
사이에 기판 로딩 갭을 형성하도록 반응 챔버의 하부 부분을 상기 반응 챔버의 상부 부분으로부터 이격하여 이동하는 단계;
상기 반응 챔버의 상기 상부 부분의 바닥 표면 위로 지지 테이블 상의 기판을 승강하고, 기판 프로세싱을 위해 상기 상부 부분 및 상기 하부 부분에 의해 반응 챔버의 내부 체적을 밀봉하는 단계를 포함하는, 반응 챔버에 기판을 로딩하는 방법이 제공된다.
상이한 구속력이 없는 예시적 측면 및 실시예가 앞서 설명되었다. 상기 실시예는 단지 본 발명의 구현에서 활용될 수 있는 선택된 측면 또는 단계를 설명하도록 사용된다. 일부 실시예는 특정 예시적 측면을 참조하여야 제시될 수 있다. 대응하는 실시예는 다른 예시적 측면에도 적용된다는 것이 이해되어야 한다. 특히, 제1 측면의 맥락에서 기술된 실시예는 각각의 추가 측면에 적용 가능하다. 실시예의 임의의 적절한 조합이 형성될 수 있다.
이제 본 발명은 첨부 도면을 참조하여 단지 예시의 방식으로 기술될 것이다:
도 1은 특정 실시예에 따른 기판 프로세싱 단계에서 기판 프로세싱 장치의 개략적인 단면도를 도시하고;
도 2는 특정 실시예에 따라 반응 챔버의 하부 부분이 중간 위치에 있는 기판 로딩 단계 동안의 도 1의 기판 프로세싱 장치를 도시하고;
도 3은 특정 실시예에 따라 반응 챔버의 하부 부분이 최저 위치에 있는 기판 로딩 단계 동안의 도 1의 기판 프로세싱 장치를 도시하고;
도 4는 특정 실시예에 따른 도 1의 장치를 위한 승강기 배치의 개략적인 단면도를 도시하고; 및
도 5는 특정 실시예에 따른 핀 및 승강기 부착 지점 위치를 보여주는 평면도를 도시한다.
이하의 설명에서는, 원자층 증착(Atomic Layer Deposition: ALD) 기술 및 원자층 에칭(Atomic Layer Etching, ALE) 기술이 예로서 사용된다.
ALD 성장 메커니즘의 기초는 통상의 기술자에게 알려져 있다. ALD는 적어도 하나의 기판에 적어도 두개의 반응성 전구물 종을 순차적으로 도입하는 것을 기초로 하는 특수 화학 증착 방법이다. 기본 ALD 증착 사이클은: 펄스 A, 퍼지(purge) A, 펄스 B 및 퍼지 B의 4가지 순차적 단계로 구성된다. 펄스 A는 제1 전구물 증기와 다른 전구물 증기의 펄스 B로 구성된다. 불활성 가스 및 진공 펌프는 일반적으로 퍼지 A 및 퍼지 B 동안 반응 공간으로부터 가스 반응 부산물 및 잔류 반응물 분자를 퍼징하는 데 사용된다. 증착 시퀀스는 적어도 하나의 증착 사이클을 포함한다. 증착 사이클은, 증착 시퀀스가 원하는 두께의 박막 또는 코팅을 생성할 때까지 반복된다. 증착 사이클은 더 단순하거나 더 복잡할 수도 있다. 예를 들어, 사이클은 퍼지 단계에 의해 분리된 3개 이상의 반응물 증기 펄스를 포함할 수 있거나, 또는 특정 퍼지 단계가 생략될 수 있다. 또는 플라즈마 강화 원자층 증착(plasma-enhanced atomic layer deposition, PEALD)와 같은 플라즈마 보조 ALD, 또는 광자 보조 ALD에서와 같이, 하나 이상의 증착 단계가 각각 플라즈마 또는 광자 인-피드(in-feed)를 통해 표면 반응을 위해 요구되는 추가 에너지를 제공함으로써 보조될 수 있다. 또는 반응성 전구물 중 하나가 에너지로 대체되어, 단일 전구물 ALD 프로세스로 이어질 수 있다. 따라서, 펄스 및 퍼지 시퀀스는 각각의 특정 경우에 따라 상이할 수 있다. 증착 사이클은 로직 유닛 또는 마이크로프로세서에 의해 제어되는 시간이 지정된 증착 시퀀스를 형성한다. ALD에 의해 성장된 박막은, 밀도가 높고, 핀홀이 없으며, 두께가 균일하다.
기판 프로세싱 단계와 관련하여, 적어도 하나의 기판은 일반적으로 순차적인 자체 포화(또는 자체 제한) 표면 반응에 의해 기판 표면 상에 재료를 증착하기 위해 반응 용기(또는 챔버)에서 일시적으로 분리된 전구물 펄스에 노출된다. 본 출원의 맥락에서, ALD라는 용어는 모든 적용 가능한 ALD 기초 기술과, 임의의 동등하거나 밀접하게 관련된 기술을 포함하고, 예를 들어, 다음 ALD 하위 유형: 분자층 증착(MLD), 플라즈마 보조 ALD, 예를 들어 플라즈마 강화 원자층 증착(PEALD) 및 광자 보조 또는 광자 강화 원자층 증착(플래시 강화 ALD 또는 포토 ALD로도 알려짐)을 포함한다.
그러나, 본 발명은 ALD 기술에 제한되지 않으며, 예를 들어 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition(CVD)) 반응기, 또는 원자층 에칭(Atomic Layer Etching(ALE)) 반응기와 같은 에칭 반응기 같은 광범위한 기판 프로세싱 장치에서 활용될 수 있다.
ALE 에칭 메커니즘의 기초는 통상의 기술자에게 알려져 있다. ALE는 자체 제한인 순차적 반응 단계를 사용하여 표면으로부터 재료 층이 제거되는 기술이다. 일반적인 ALE 에칭 사이클은 반응 층을 형성하기 위한 수정 단계와, 반응 층만을 벗기는 제거 단계를 포함한다. 제거 단계는 층 제거를 위해, 플라즈마 종, 특히 이온을 사용하는 것을 포함할 수 있다.
ALD 및 ALE 기술의 맥락에서, 자체 제한 표면 반응은, 표면 반응 부위가 완전히 고갈되면 표면의 반응 층 상의 표면 반응이 정지되고 자체 포화되는 것을 의미한다.
도 1은 특정 실시예에 따른 기판 프로세싱 단계에서 기판 프로세싱 장치(100)의 개략적인 단면도를 도시한다. 기판 프로세싱 장치(100)는, 예를 들어, ALD 반응기 또는 ALE 반응기일 수 있다. 장치(100)는 반응 챔버(20) 및 반응 챔버(20)를 적어도 부분적으로 둘러싸는 외부 챔버(또는 진공 챔버)(10)를 포함한다. 중간 체적(또는 중간 공간)(15)이 반응 챔버(20) 및 외부 챔버(10) 사이에 형성된다. 특정 실시예에서, 중간 체적(15)은 외부 챔버(10)의 내에서 반응 챔버(20)의 외측에 형성되어 중간 체적(15)이 외부 챔버 벽 및 반응 챔버 벽 모두에 의해 형성되고, 따라서 그 사이에 형성된다.
장치(100)는 반응 챔버(20) 내에 기판 지지부(또는 기판 지지 시스템)(30)를 더 포함한다. 특정 실시예에서, 기판 지지부(30)는 지지 테이블(또는 기판 지지 테이블)(31)로서 형성된다. 특정 실시예에서, 기판 지지부(30)는 지지 테이블(31) 및 바닥 커버(32)를 포함한다. 특정 실시예에서, 기판 지지부(30)는 중공 내부 체적(35)을 포함한다. 체적(35)은 지지 테이블(31) 및 바닥 커버(32)에 의해 또는 사이에 형성될 수 있다.
특정 실시예에서의 반응 챔버(20)는, 기판 프로세싱을 위해 반응 챔버(20)의 내부 체적을 밀봉하는 상부 부분(20a) 및 하부 부분(20b)을 포함한다. 또한, 상부 부분(20a)은 바닥 표면(20c)을 포함한다.
기판(11)은 기판 지지부(30) 또는 그 지지 테이블(31)에 의해 지지되고, 반응 챔버(20) 내에서 예를 들어 ALD 또는 ALE에 의해 진공에서 처리된다. 따라서, 기판은 순차적인 자체 제한 표면 반응에 노출된다. 반응 챔버 내의 흐름 기하학은 화살표(12)로 도시된다. 전구물 증기(특정 실시예에서 플라즈마 종을 포함함)는, 상부로부터 기판(11) 표면에 접근하고 반응 챔버(20)의 바닥으로부터 배기 라인(13)으로 반응 챔버(20)를 나간다.
기판 지지부(30)(또는 그 바닥부 또는 커버(32))는 연결(지지부) 부품(25)에 의해 아래로부터(또는 측면으로부터(미도시)) 지지되고 하부 부분(20b)에 부착된다. 특정 실시예에서, 부품(25)은 중공 내부 체적(35)으로부터 중간 체적(15)으로 이어지는 채널을 형성한다. 이는 예를 들어 지지 테이블(31)로부터의 배선이, 예를 들어, 반응물, 플라즈마 또는 전구물 증기에 노출되지 않고 체적(35)으로부터 체적(15)으로(그리고 체적(15)으로부터 적절한 외부 챔버 피드스루를 통해 진공의 외측으로) 공급될 수 있게 한다.
특정 실시예에서, 기판 지지부(30)는, 기판 지지부(30)를 통해 또는 지지 테이블(31)을 통해 연장되는 적어도 하나의 수직으로 이동 가능한 지지 요소(또는 수직으로 이동 가능한 지지 요소의 세트)(70)를 더 포함하나, 특정 다른 실시예에서, 요소(70)는 기판 지지부(30)의 측면에서 작동하도록 구성된다. 요소(70)는, 기판 지지부(30)에 배열된 인클로저(80)에서 수직으로 이동할 수 있다. 특정 실시예에서, 기판 지지부(30)는 하나 이상의 스토퍼(90)를 포함한다. 특정 실시예에서, 하나 이상의 스토퍼는 부착부(60)에 부착된다. 특정 실시예에서, 부착부(60)는 배기 라인(13)으로부터 연장되는 고정부이다. 스토퍼(들)(90)는, 다음 도 2 및 도 3의 도움으로 증명되는 바와 같이 기판 로딩 레벨에서 요소(70)의 하향 이동을 정지한다.
특정 실시예에서, 기판 프로세싱 장치(100)는 게이트 밸브(50) 또는 로딩 로봇과 같은 로딩 디바이스에 의해 진공에서 적어도 하나의 기판을 측면 로딩하게 하는 다른 디바이스를 포함한다. 특정 실시예에서, 게이트 밸브(50)는 외부 챔버(10)의 벽에 부착된다. 기판 로딩 레벨은 화살표(55)에 의해 묘사된다.
특정 실시예에서, 장치(100)는 배기 라인(13)에(반응 챔버(20)의 외측 및/또는 중간 체적(15)의 내부에) 수직 이동에 의해 배기 라인(13)의 연장 및 단축을 가능하게 하는 부품(65)을 포함한다. 특정 실시예에서, 상기 부품(65)은 진공 벨로우즈(bellows)다. 특정 실시예에서, 부품(65)은 (외부 챔버(10)에서) 중간 체적(15)을 향하는 배기 라인(13)의 부분에 위치된다.
반응 챔버(20)에 기판 또는 웨이퍼를 로딩하기 위해, 반응 챔버(20)의 하부 부분(20b)(이하: 반응 챔버 보울(20b))은 사이에 기판 로딩 갭을 형성하도록 하강하는 이동에 의해 상부 부분(20a)에 이격하여 이동된다. 하향으로 이동할 때 요소(70)(특정 실시예에서 확대된 핀 상부를 갖춘 지지 핀)는 지지 테이블/반응 챔버 보울(31/20b) 조합과 함께 짧은 거리를 이동하나, 각각의 핀(70)의 하단은, 스트로크의 대략 중간에, 핀 이동을 정지하는 스토퍼(90)의 단단한 표면과 부딪치고, 핀 상부가 로딩 로봇의 로딩 높이에 남아 있게 된다. 특정 실시예에서, 스토퍼(90)의 단단한 표면은 부착부(60)에 부착된다. 특정 실시예에서, 부착부(60)는 배기 라인(13b)의 고정된 부품에 부착된다(도 3에 도시된 바와 같음). 특정 실시예에서, 배기 라인의 고정된 부품은 외부 챔버(10)에 부착된다.
지지 테이블/반응 챔버 보울 조합의 하향 이동은 상기 조합에 부착된 승강기의 하강 이동에 의해 발생된다. 특정 실시예에서, 하강 이동은, 도 4에 도시되고, 외부 챔버 피드스루(52)를 통해 연장되고 부착 지점(22)에서 부분(20b) 또는 그 에지에 부착하는 힘 전달 요소(또는 막대)(51)를 포함하는 승강기(53)에 의해 발생된다. 특정 실시예에서, 장치는 승강기(53) 및 부착 지점(22)으로 구성된 복수의 힘 전달 요소(51)를 포함한다. 부착 지점(22)은 보울(20b)의 둘레에 고르게 배열될 수 있다. 따라서, 도 5에 도시된 바와 같이 대칭적으로 위치된 부착(또는 들어 올림) 지점(예를 들어 세 지점)을 갖는 승강기 배열이 구현될 수 있다. 유사하게, 요소(70)는 지지 테이블(31) 상에 고르게 분포될 수 있다. 도 5는, 어느 정도 등거리에 배열되고, 거리는 대략 120도 간격인, 특정 실시예에서 핀 상부인, 세 요소를 도시한다.
요소(70)의 하강 이동은 단지 중력에 의한 지지 테이블/반응 챔버 보울 조합의 이동을 따른다. 대안적인 실시예에서, 하강 이동의 작동은 액츄에이터 또는 스프링(미도시)에 의해 유도되거나 보조된다. 요소(70)의 이동이 정지된 후, 지지 테이블/반응 챔버 보울 조합은, 도 3에 묘사된 바와 같이 더 낮은(또는 가장 낮은) 위치에 도달될 때까지 더 하향으로 이동된다. 이러한 방식으로, 로딩 로봇(41)(도 3)을 위한 더 많은 공간이 얻어질 수 있지만, 기판(11)의 로딩은, 예시로서, 게이트 밸브(50)를 통해 상기 기판 로딩 레벨(55)을 따라 로딩 로봇(41)의 수평 이동에 의해서만(또는 선택적으로 수평 및 하강 이동에 의해) 수행될 수 있다.
기판(11)이 요소(70) 상에 배치되고, 게이트 밸브(50)를 통해 로딩 로봇 암이 후퇴되면, 핀 상부는 지지 테이블(또는 서셉터 플레이트)(31)이, 올라가는 동안, 기판(11)에 도달할 때까지 로딩 높이(또는 레벨)에 남아 있다. 기판(11)은 지지 테이블/반응 챔버 보울 조합과 함께 상향으로 이동하기 시작한다. 특정 실시예에서, 상향 이동의 끝에서, 기판은 로딩 로봇(41)에 의해 사용되는 게이트 밸브(50)의 개구의 상부 표면보다 높은 위치에 있다(도 1에 도시된 바와 같음). 특정 실시예에서, 상향 이동의 끝에서, 기판은 반응 챔버(20)의 상부 부분(20a)의 바닥 표면(20c)보다 높은 위치에 있다. 특정 실시예에서, 웨이퍼의 표면 위에 이동 부품 또는 접촉 표면이 없다. 기판(11)에 영향을 줄 수 있는 입자의 가능한 공급원이 따라서 감소되고 결과로서 더 적은 수의 추가 입자가 얻어질 수 있다. 요소(70)는 상승함에 따라 지지 테이블/반응 챔버 보울 조합과 함께 상승한다.
특허 청구항의 범위 및 해석을 제한하지 않고, 여기에 개시된 하나 이상의 예시적인 실시예의 특정 기술적 효과가 다음에 열거된다. 기술적 효과는 웨이퍼 지지 핀을 위한 별도의 액츄에이터 없이 웨이퍼 로딩을 가능하게 하는 것이다. 추가 기술적 효과는 로딩을 위한 적절한 공간을 제공하는 것이다.
전술한 설명은 본 발명의 특정의 구현 및 실시예들에 대한 비제한적인 예로써 본 발명을 수행하기 위하여 본 발명자가 현재 고려하는 최상의 태양에 대한 완전하고 유용한 정보의 설명을 제공하였다. 그러나, 본 발명이 위에 제시된 실시예들의 세부 사항에 제한되지 않고, 본 발명의 특징으로부터 벗어나지 않으면서 동등한 수단을 이용하여 다른 실시예로 구현될 수 있다는 점은 통상의 기술자에게 명백하다.
또한, 본 발명의 전술된 실시예들의 특징 중 일부는 다른 특징들의 대응하는 이용 없이도 유리하게 사용될 수 있다. 따라서, 전술한 설명은 본 발명의 원리에 대한 단지 예시적인 것으로 간주되어야 하며, 이에 제한되어서는 아니된다. 따라서, 본 발명의 범위는 첨부된 청구항에 의해서만 제한된다.

Claims (1)

  1. 기판 프로세싱 장치로서,
    기판 프로세싱을 위해 반응 챔버의 내부 체적을 밀봉하는 상부 부분 및 하부 부분을 갖는 반응 챔버로서, 상기 하부 부분은 사이에 기판 로딩 갭을 형성하도록 상기 상부 부분으로부터 이격하여 이동 가능한 반응 챔버; 및
    지지 테이블, 및 상기 반응 챔버 내에 기판을 수용하도록 상기 지지 테이블에 대해 수직으로 이동 가능하고 상기 지지 테이블을 통해 연장되는 적어도 하나의 지지 요소를 포함하는 기판 지지 시스템을 포함하고,
    상기 기판 프로세싱 장치는,
    기판 로딩 레벨에서 상기 적어도 하나의 지지 요소의 하향 이동을 정지하는 스토퍼를 더 포함하고,
    전구물 증기가 상기 반응 챔버의 바닥으로부터 배기 라인으로 상기 반응 챔버를 나가도록 하는 기판 프로세싱 장치.
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Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5730801A (en) * 1994-08-23 1998-03-24 Applied Materials, Inc. Compartnetalized substrate processing chamber
US5772770A (en) * 1995-01-27 1998-06-30 Kokusai Electric Co, Ltd. Substrate processing apparatus
JP3398936B2 (ja) * 1999-04-09 2003-04-21 日本エー・エス・エム株式会社 半導体処理装置
US6767176B2 (en) 2001-06-29 2004-07-27 Applied Materials, Inc. Lift pin actuating mechanism for semiconductor processing chamber
US20040177813A1 (en) 2003-03-12 2004-09-16 Applied Materials, Inc. Substrate support lift mechanism
US7070661B2 (en) 2003-08-22 2006-07-04 Axcelis Technologies, Inc. Uniform gas cushion wafer support
KR100550803B1 (ko) * 2004-06-17 2006-02-09 주식회사 에이디피엔지니어링 플라즈마 식각장비
US20100136773A1 (en) * 2005-08-10 2010-06-03 Naonori Akae Semiconductor Device Manufacturing Method and Substrate Processing Apparatus
US8435379B2 (en) * 2007-05-08 2013-05-07 Applied Materials, Inc. Substrate cleaning chamber and cleaning and conditioning methods
JP5412759B2 (ja) 2008-07-31 2014-02-12 株式会社Ｓｕｍｃｏ エピタキシャルウェーハの保持具及びそのウェーハの製造方法
US20100101491A1 (en) * 2008-10-29 2010-04-29 Asm Japan K.K. Wafer lift pins suspended and supported at underside of susceptor
US8404048B2 (en) * 2011-03-11 2013-03-26 Applied Materials, Inc. Off-angled heating of the underside of a substrate using a lamp assembly
WO2013005481A1 (ja) * 2011-07-05 2013-01-10 エピクルー株式会社 サセプタ装置及びこれを備えた成膜装置
US20130287529A1 (en) * 2012-04-27 2013-10-31 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for independent wafer handling
EP2922980B1 (en) * 2012-11-23 2018-11-21 Picosun Oy Substrate loading in an ald reactor
JP6112474B2 (ja) * 2013-05-09 2017-04-12 信越半導体株式会社 ウェーハ昇降装置、エピタキシャルウェーハの製造方法
SG11201610311SA (en) 2014-07-11 2017-01-27 Applied Materials Inc Apparatus and methods for alignment of a susceptor
CN107112265B (zh) * 2015-01-09 2020-12-04 应用材料公司 基板传送机构
JP6596362B2 (ja) * 2015-12-02 2019-10-23 東京エレクトロン株式会社 減圧された空間において被加工物を処理する処理装置
DE17895903T1 (de) * 2017-02-08 2020-01-16 Picosun Oy Abscheidungs- oder Reinigungsvorrichtung mit beweglicher Struktur und Verfahren zum Betrieb
KR102585074B1 (ko) * 2017-11-11 2023-10-04 마이크로머티어리얼즈 엘엘씨 고압 프로세싱 챔버를 위한 가스 전달 시스템
US20190341233A1 (en) * 2018-05-02 2019-11-07 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate processing apparatus and method
JP7135841B2 (ja) 2018-12-25 2022-09-13 株式会社Sumco ウェーハ移載装置、気相成長装置、ウェーハ移載方法およびエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法
JP7403234B2 (ja) * 2019-04-25 2023-12-22 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、及び基板処理方法
JP2021012944A (ja) * 2019-07-05 2021-02-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板の受け渡し方法

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