KR20230057269A - 열전도성 실리콘 조성물 - Google Patents
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Abstract
[과제] 높은 열전도율과 내어긋남성을 양립하는, 열전도성 실리콘 조성물을 제공한다.
[해결수단] 열전도성 실리콘 조성물로서, (C)평균입자경 4μm 이상 50μm 미만의 부정형, 둥근 형상, 및 다면체상으로부터 선택되는 1종 이상의 질화알루미늄입자, (D)평균입자경 50μm 이상 150μm 이하의 부정형, 둥근 형상, 및 다면체상으로부터 선택되는 1종 이상의 질화알루미늄입자, 및, (E)평균입자경 0.1μm 이상 4.0μm 미만의 무기입자를 함유하고, 상기 (C)성분과 상기 (D)성분의 합계량이, 상기 조성물 전체의 20질량% 이상 80질량% 미만이고, 상기 (E)성분의 배합량이, 상기 조성물 전체의 20질량% 이상 50질량% 미만이고, 상기 (C)성분과 상기 (D)성분의 합계량에 대한 상기 (D)성분의 비율이, 5질량% 이상 50질량% 미만인 것을 특징으로 하는 열전도성 실리콘 조성물이다.
[해결수단] 열전도성 실리콘 조성물로서, (C)평균입자경 4μm 이상 50μm 미만의 부정형, 둥근 형상, 및 다면체상으로부터 선택되는 1종 이상의 질화알루미늄입자, (D)평균입자경 50μm 이상 150μm 이하의 부정형, 둥근 형상, 및 다면체상으로부터 선택되는 1종 이상의 질화알루미늄입자, 및, (E)평균입자경 0.1μm 이상 4.0μm 미만의 무기입자를 함유하고, 상기 (C)성분과 상기 (D)성분의 합계량이, 상기 조성물 전체의 20질량% 이상 80질량% 미만이고, 상기 (E)성분의 배합량이, 상기 조성물 전체의 20질량% 이상 50질량% 미만이고, 상기 (C)성분과 상기 (D)성분의 합계량에 대한 상기 (D)성분의 비율이, 5질량% 이상 50질량% 미만인 것을 특징으로 하는 열전도성 실리콘 조성물이다.
Description
본 발명은, 열전도성 실리콘 조성물에 관한 것이다.
반도체소자는, 사용 중의 발열 및 그로 인한 성능의 저하가 널리 알려져 있으며, 이것을 해결하기 위한 수단으로서, 다양한 방열기술이 이용되고 있다. 일반적으로, 발열부의 부근에 냉각부재(히트싱크 등)를 배치하고, 양자를 밀접시킨 후에 냉각부재로부터 효율적으로 제열함으로써 방열을 행하고 있다. 그때, 발열부재와 냉각부재와의 사이에 극간이 있으면, 열전도성이 낮은 공기가 개재됨으로써 열전도율이 저하되어, 발열부재의 온도가 충분히 내려가지 않게 된다. 이러한 현상을 방지하기 위해, 열전도율이 좋고, 부재의 표면에 추수성(追隨性)이 있는 방열재료, 예를 들어 방열그리스나 방열시트가 이용되고 있다.
최근 서버용의 CPU나 차량구동용의 IGBT 등 고품위 기종의 반도체에 관하여, 점점 동작시의 발열량이 증대되고 있다. 발열량의 증대에 수반하여 방열그리스나 방열시트에 요구되는 방열성능도 향상되고 있다. 방열그리스는 접촉열저항이 낮기 때문에 이러한 반도체소자의 방열재료로서 유용한 한편, 양호한 도포성능을 얻기 위해 방열그리스의 점도를 낮춘 경우에, 소자의 냉열충격이나 외부로부터의 진동에 의해 방열그리스가 어긋나 떨어져, 충분한 방열을 못하게 되는 결과, 소자의 파손으로 이어지는 경우가 있었다.
특허문헌 1에는, 금속산화물과 금속질화물을 병용하여 내(耐)어긋남성과 도포성능을 양립한 고열전도성 그리스가 제안되어 있는데, 7.5W/m·K 이상의 열전도율을 갖는 것은 개시되어 있지 않으며, 방열성능은 충분하지 않다. 한편, 특허문헌 2, 3에서는, 방열그리스의 토출성능을 향상시키기 위해 절연성 무기필러를 특정한 비율로 배합하고, 저점도이면서 7.5W/m·K 이상의 고열전도율을 달성하고는 있으나, 유동성이 높기 때문에 내어긋남 성능이 불충분하였다.
본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 높은 열전도율과 내어긋남성을 양립하는, 열전도성 실리콘 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명에서는, 열전도성 실리콘 조성물로서,
(C)평균입자경 4μm 이상 50μm 미만의 부정형, 둥근 형상, 및 다면체상으로부터 선택되는 1종 이상의 질화알루미늄입자,
(D)평균입자경 50μm 이상 150μm 이하의 부정형, 둥근 형상, 및 다면체상으로부터 선택되는 1종 이상의 질화알루미늄입자,
및,
(E)평균입자경 0.1μm 이상 4.0μm 미만의 무기입자
를 함유하고,
상기 (C)성분과 상기 (D)성분의 합계량이, 상기 조성물 전체의 20질량% 이상 80질량% 미만이고,
상기 (E)성분의 배합량이, 상기 조성물 전체의 20질량% 이상 50질량% 미만이고, 상기 (C)성분과 상기 (D)성분의 합계량에 대한 상기 (D)성분의 비율이, 5질량% 이상 50질량% 미만인 열전도성 실리콘 조성물을 제공한다.
이 열전도성 실리콘 조성물은, 높은 열전도율과 내어긋남성을 양립하는 것이다.
또한, 본 발명에서는, 상기 (C)성분이, 둥근 형상의 질화알루미늄입자인 것이 바람직하다.
이러한 (C)성분이면, 열전도성 실리콘 조성물에 보다 높은 열전도율을 부여할 수 있다.
또한, 본 발명에서는, 상기 (C)성분이, 이 (C)성분 150질량부와 25℃에서의 동점도 1,000mm2/s의 디메틸폴리실록산 100질량부를 혼합하여 이루어지는 페이스트를 두께 300μm로부터 25℃, 0.1MPa로 60분간 가압했을 때의 두께가, 10μm 이상 100μm 이하가 되는 것이 바람직하다.
이러한 범위이면 열전도성 실리콘 조성물의 점도를 낮출 수 있어, 보다 작업성이 우수한 것으로 할 수 있다.
또한, 본 발명에서는, 상기 (E)성분이, 금속산화물입자 및 금속질화물입자로부터 선택되는 1종 이상인 것이 바람직하다.
이러한 무기입자이면, 열전도성 실리콘 조성물의 열전도율과 내어긋남성이 보다 양호해진다.
이 때, 상기 (E)성분이, 알루미나입자, 질화알루미늄입자, 및 산화아연입자로부터 선택되는 1종 이상인 것이 바람직하다.
이러한 무기입자이면, 열전도성 실리콘 조성물의 열전도율과 내어긋남성이 더욱 양호해진다.
이 때, 상기 (E)성분이, 부정형 산화아연입자인 것이 바람직하다.
이러한 무기입자이면, 열전도성 실리콘 조성물의 열전도율과 내어긋남성이 보다 한층 양호해진다.
또한, 본 발명에서는, 추가로, (A)25℃에서의 동점도가 10~100,000mm2/s인 오가노폴리실록산을 함유하는 것이 바람직하다.
(A)성분의 점도가 소정의 범위 내이면, 열전도성 실리콘 조성물로부터의 오가노폴리실록산의 블리드 아웃을 억제하고, 또한, 열전도성 실리콘 조성물이 보다 신전성이 우수한 것이 된다.
이 때, 상기 (A)성분이, 1분자 중에 규소원자에 결합한 지방족 불포화탄화수소기를 1개 이상 갖는 오가노폴리실록산인 것이 바람직하다.
본 발명에 이용하는 (A)성분으로는, 상기와 같은 것이 바람직하다.
또한, 이 때, 추가로,
(F)1분자 중에 규소원자에 결합한 수소원자를 2개 이상 갖는 오가노하이드로젠폴리실록산,
(G)백금족 금속촉매,
및,
(H)반응제어제
를 함유하는 것이 바람직하다.
이러한 성분을 포함함으로써, 부가반응형의 열전도성 실리콘 조성물로 할 수 있어, 내어긋남성을 높일 수 있다.
또한, 이 때, 상기 (A)성분과 상기 (F)성분의 하이드로실릴화 반응물을 함유하는 것이 바람직하다.
이러한 성분을 함유함으로써, 내어긋남성을 보다 높일 수 있다.
또한, 본 발명에서는, 상기 (A)성분 중의 1분자 중에 규소원자와 결합한 지방족 불포화탄화수소기 1개에 대하여, 상기 (F)성분 중의 1분자 중에 규소원자에 결합한 수소원자가 4.0개~20.0개인 것이 바람직하다.
이러한 범위이면, 열전도성 실리콘 조성물의 내어긋남성을 보다 높일 수 있다.
또한, 본 발명에서는, 추가로, (I)유기과산화물을 함유하는 것이 바람직하다.
이러한 (I)성분을 함유함으로써, (A)성분끼리의 라디칼반응에 의해 열전도성 실리콘 조성물의 내어긋남성을 보다 높일 수 있다.
또한, 본 발명에서는, 추가로, (B)알콕시실릴기를 함유하는 가수분해성 오가노폴리실록산을 함유하는 것이 바람직하다.
본 성분에 의해, 상기 (C)성분, (D)성분, 및 (E)성분을 충전할 때의 유동성을 높일 수 있다.
이 때, 추가로, (J)축합촉매를 함유하는 것이 바람직하다.
이러한 (J)성분을 함유함으로써, (B)성분의 축합반응에 의해 열전도성 실리콘 조성물의 내어긋남성을 보다 높일 수 있다.
본 발명에 따르면, 높은 열전도율을 갖고, 또한 내어긋남성이 우수한 열전도성 실리콘 조성물을 얻을 수 있다.
상술한 바와 같이, 높은 열전도율과 내어긋남성을 양립하는 열전도성 실리콘 조성물의 개발이 요구되고 있었다.
본 발명자는, 상기 목적을 달성하기 위해 예의 검토를 행한 결과, 특정한 입자경과 형상을 갖는 질화알루미늄입자 및 무기입자를 포함하는 열전도성 실리콘 조성물이, 높은 열전도율을 갖고, 또한 내어긋남성이 우수한 것을 발견하여, 본 발명을 완성시켰다.
즉, 본 발명은, 열전도성 실리콘 조성물로서,
(C)평균입자경 4μm 이상 50μm 미만의 부정형, 둥근 형상, 및 다면체상으로부터 선택되는 1종 이상의 질화알루미늄입자,
(D)평균입자경 50μm 이상 150μm 이하의 부정형, 둥근 형상, 및 다면체상으로부터 선택되는 1종 이상의 질화알루미늄입자,
및,
(E)평균입자경 0.1μm 이상 4.0μm 미만의 무기입자
를 함유하고,
상기 (C)성분과 상기 (D)성분의 합계량이, 상기 조성물 전체의 20질량% 이상 80질량% 미만이고,
상기 (E)성분의 배합량이, 상기 조성물 전체의 20질량% 이상 50질량% 미만이고, 상기 (C)성분과 상기 (D)성분의 합계량에 대한 상기 (D)성분의 비율이, 5질량% 이상 50질량% 미만인 열전도성 실리콘 조성물이다.
이하, 본 발명에 대해 상세히 설명하는데, 본 발명은 이들로 한정되는 것은 아니다.
[열전도성 실리콘 조성물]
본 발명의 열전도성 실리콘 조성물은, (C)평균입자경 4μm 이상 50μm 미만의 부정형, 둥근 형상, 및 다면체상으로부터 선택되는 1종 이상의 질화알루미늄입자, (D)평균입자경 50μm 이상 150μm 이하의 부정형, 둥근 형상, 및 다면체상으로부터 선택되는 1종 이상의 질화알루미늄입자, 및, (E)평균입자경 0.1μm 이상 4.0μm 미만의 무기입자를 함유하고, 상기 (C)성분과 상기 (D)성분의 합계량이, 상기 조성물 전체의 20질량% 이상 80질량% 미만이고, 상기 (E)성분의 배합량이, 상기 조성물 전체의 20질량% 이상 50질량% 미만이고, 상기 (C)성분과 상기 (D)성분의 합계량에 대한 상기 (D)성분의 비율이, 5질량% 이상 50질량% 미만이다. 또한, 본 발명의 열전도성 실리콘 조성물은, 후술하는 (A), (B), (F)~(J)성분이나 기타 성분을 포함할 수 있다. 이하 각 성분에 대해 설명한다.
[(C)성분]
(C)성분은, 평균입자경 4μm 이상 50μm 미만, 바람직하게는 4μm 이상 30μm 이하의 부정형, 둥근 형상, 및 다면체상으로부터 선택되는 1종 이상의 질화알루미늄입자이다. (C)성분의 형상은 둥근 형상인 것이 바람직하고, 한편, 여기서 말하는 둥근 형상이란 입자의 각이 적고, 입자가 둥그스름한 매끄러운 상태이며, 또한, 구상은 포함되지 않는다. 둥근 형상은 각을 갖는 점에서 구상과는 명확하게 상이한 것이다. 구상의 질화알루미늄은, 열전도성이 뒤떨어지므로 바람직하지 않다.
(C)성분의 평균입자경이 4μm보다도 작으면 열전도성 실리콘의 열전도율이 저하되고, 50μm 이상이면 얻어지는 실리콘 조성물이 균일해지지 않을 우려가 있다. 한편, 본 발명에 있어서, 평균입자경은 레이저회절산란법에 의한 체적기준의 입도분포에 있어서의 누적평균경D50(메디안 직경)이며, 예를 들어, 닛키소(주)제 마이크로트랙 MT330OEX에 의해 측정할 수 있다.
(C)성분 및 후술하는 (D)성분의 질화알루미늄입자는, 공지의 직접질화법, 환원질화법 등에 의해 합성할 수 있고, 분쇄 등에 의해 임의의 입자경 범위로 할 수 있다. 또한, 부정형 또는 다면체상의 질화알루미늄을 1,600℃~2,000℃의 비산화성 분위기하에서 열처리함으로써 둥근 형상의 질화알루미늄입자를 얻을 수 있다.
(C)성분은, (C)성분 150질량부와 25℃에서의 동점도 1,000mm2/s의 디메틸폴리실록산 100질량부를 혼합하여 이루어지는 페이스트를 두께 300μm로부터 25℃, 0.1MPa로 60분간 가압했을 때의 두께가, 10μm 이상 100μm 이하가 되는 것이 바람직하고, 10μm 이상 50μm 이하인 것이 보다 바람직하다. (C)성분이 이 범위의 것이면, 열전도성 실리콘 조성물의 점도를 저감하여, 보다 작업성을 향상할 수 있다.
(C)성분은, 1종 단독이거나 또는 2종 이상을 조합할 수도 있다.
[(D)성분]
(D)성분은, 평균입자경 50μm 이상 150μm 이하, 바람직하게는 60μm 이상 120μm 이하, 보다 바람직하게는 70μm 이상 120μm 이하의 부정형, 둥근 형상, 및 다면체상으로부터 선택되는 1종 이상의 질화알루미늄입자이다. 구상의 질화알루미늄은, 열전도성이 뒤떨어지므로 바람직하지 않다.
(D)성분의 평균입자경이 50μm 미만이면 얻어지는 열전도성 실리콘 조성물의 열전도율이 저하되고, 150μm를 초과하면 얻어지는 열전도성 실리콘 조성물이 불균일해지기 쉽다.
(D)성분은, 1종 단독이거나 또는 2종 이상을 조합할 수도 있다.
(C)성분과 (D)성분의 합계량은, 조성물 전체에 대하여 20질량% 이상 80질량% 미만이고, 50~80질량% 미만이 바람직하다. (C)성분과 (D)성분의 합계량이 20질량% 미만이면, 얻어지는 열전도성 실리콘 조성물의 열전도율이 저하된다. (C)성분과 (D)성분의 합계량이 80질량% 이상이면, 열전도성 실리콘 조성물이 균일해지지 않는다.
또한, (C)성분과 (D)성분의 합계량에 대한 (D)성분의 비율이, 5질량% 이상 50질량% 미만이다. 5질량% 미만이면, 열전도성 실리콘 조성물의 열전도율이 뒤떨어지는 것이 되고, 50질량% 이상이면, 열전도성 실리콘 조성물의 내어긋남성이 뒤떨어지는 것이 된다.
[(E)성분]
(E)성분은, 평균입자경 0.1μm 이상 4.0μm 미만, 바람직하게는 0.4μm 이상2.0μm 이하의 무기입자이다. 0.1μm 미만이면 열전도성 실리콘 조성물의 점도가 상승하여 취급성이 뒤떨어지고, 4.0μm 이상이면 열전도성 실리콘 조성물이 균일해지지 않는다.
무기입자로는, 금속산화물입자 또는 금속질화물입자인 것이 바람직하고, 구체적으로는 산화알루미늄입자, 질화알루미늄입자, 산화아연입자 등을 사용할 수 있으며, 산화알루미늄입자, 질화알루미늄입자, 및 산화아연입자로부터 선택되는 1종 이상인 것이 바람직하다. 특히 바람직하게는 부정형 산화아연입자이다.
(E)성분의 배합량이, 열전도성 실리콘 조성물 전체의 20질량% 이상 50질량% 미만이고, 25~40질량%가 바람직하다. (E)성분이 20질량% 미만이면 열전도성 실리콘 조성물이 균일해지지 않고, 50질량% 이상이면 열전도성 실리콘 조성물의 점도가 상승하여 취급성이 뒤떨어진다.
(E)성분은, 1종 단독이거나 또는 2종 이상을 조합할 수도 있다.
[(A)성분]
본 발명의 열전도성 실리콘 조성물은, 추가로, (A)25℃에서의 동점도가 10~100,000mm2/s, 바람직하게는 30~10,000mm2/s, 더욱 바람직하게는 100~8,000mm2/s인 오가노폴리실록산을 포함하는 것이 바람직하다. 점도가 소정의 범위 내이면, 열전도성 실리콘 조성물로부터의 오가노폴리실록산의 블리드 아웃을 억제하고, 또한, 열전도성 실리콘 조성물이 보다 신전성이 우수한 것이 된다. 한편, 본 발명에 있어서, 동점도는 오스트발트 점도계로 측정한 25℃의 값이다.
(A)성분의 오가노폴리실록산의 분자구조는 특별히 한정되지 않고, 직쇄상, 분지쇄상, 환상 등 중 어느 것일 수도 있다. 특히, 주쇄가 디오가노실록산 단위의 반복으로 이루어지며, 분자쇄 양말단이 트리오가노실록시기로 봉쇄된 직쇄상 구조를 갖는 것이 좋다. 이 오가노폴리실록산은, 1종 단독일 수도, 2종 이상의 조합일 수도 있다.
이 오가노폴리실록산은, 하기 평균조성식(1)로 표시할 수 있다.
R1 aSiO(4-a)/2 (1)
상기 평균조성식(1)에 있어서, R1은, 서로 독립적으로, 탄소원자수 1~18, 바람직하게는 1~14의, 포화 또는 불포화의, 비치환 또는 치환된 1가 탄화수소기이다. 이 1가 탄화수소기로는, 예를 들어, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 헥실기, 옥틸기, 데실기, 도데실기, 테트라데실기, 헥사데실기, 및 옥타데실기 등의 알킬기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기 등의 시클로알킬기, 비닐기, 및 알릴기 등의 알케닐기, 페닐기, 및 톨릴기 등의 아릴기, 2-페닐에틸기, 및 2-메틸-2-페닐에틸기 등의 아랄킬기, 또는, 이들 기의 수소원자의 일부 또는 전부를 불소, 브롬, 염소 등의 할로겐원자, 시아노기 등으로 치환한 것, 예를 들어, 3,3,3-트리플루오로프로필기, 2-(퍼플루오로부틸)에틸기, 2-(퍼플루오로옥틸)에틸기, p-클로로페닐기 등을 들 수 있고, 메틸기, 페닐기, 비닐기가 바람직하다.
상기 평균조성식(1)에 있어서, a는 1.8~2.2의 범위, 특히 1.9~2.1의 범위에 있는 수이다. a가 상기 범위 내에 있음으로써, 얻어지는 열전도성 실리콘 조성물은 양호한 점도를 가질 수 있다.
상기 평균조성식(1)로 표시되는 오가노폴리실록산으로는, 하기 식(2)로 표시되는 직쇄상 오가노폴리실록산이 바람직하다.
상기 식에 있어서 R2는 서로 독립적인 탄소원자수 1~18, 바람직하게는 1~14의, 포화 또는 불포화의, 비치환 또는 치환된 1가 탄화수소기이다. 이 1가 탄화수소기로는, 상술한 기를 들 수 있다. 나아가, 적어도 하나의 R2가 비닐기인 것이 바람직하다. m은, 이 오가노폴리실록산의 25℃에서의 동점도가 10~100,000mm2/s, 바람직하게는 30~10,000mm2/s, 더욱 바람직하게는 100~8,000mm2/s가 되는 수이다.
(A)성분의 배합량은, 조성물 전체의 0.1~60질량%가 바람직하고, 0.1~10질량%가 보다 바람직하다. 또한, (A)성분은, 1종 단독이거나 또는 2종 이상을 조합하여 배합할 수 있다.
또한, 상기 (A)성분이, 1분자 중에 규소원자에 결합한 지방족 불포화탄화수소기를 1개 이상 갖는 오가노폴리실록산인 것이 바람직하다.
[(B)성분]
(B)성분은, 알콕시실릴기를 함유하는 가수분해성 오가노폴리실록산이다. (B)성분은, 상기 (C)~(E)성분의 표면처리제로서 작용한다. 그 때문에, (B)성분을 첨가함으로써, (C)~(E)성분을 조성물에 다량으로 충전해도, 열전도성 실리콘 조성물이 유동성을 유지할 수 있다. 동시에, 경시(經時)에서의 오일분리나 펌프아웃에 기인하는 방열성능의 저하도 억제할 수 있다. (B)성분으로는, 예를 들어 하기 일반식(3)으로 표시되는 오가노폴리실록산을 들 수 있다. 그 중에서도, 3관능의 가수분해성 오가노폴리실록산을 함유하는 것이 바람직하다.
(식 중, R3은 독립적으로 비치환 또는 치환된 1가 탄화수소기이다. X1, X2, X3은 R3 또는 -(R4)n-SiR5 d(OR6)3-d로 표시되는 기이며, 각각 상이할 수도 있으나, 적어도 1개는 -(R4)n-SiR5 d(OR6)3-d이다. R4는 산소원자 또는 탄소수 1~4의 알킬렌기, R5는 독립적으로 지방족 불포화결합을 함유하지 않는 비치환 또는 치환된 1가 탄화수소기이고, R6은 독립적으로 탄소수 1~4의 알킬기, 알콕시알킬기, 알케닐기 또는 아실기이고, n은 0 또는 1, d는 0~2의 정수이다. b 및 c는 각각 1≤b≤1,000, 0≤c≤1,000이다.)
상기 일반식(3) 중, R3은 독립적으로 비치환 또는 치환된, 바람직하게는 탄소수 1~10, 보다 바람직하게는 1~6, 더욱 바람직하게는 1~3의 1가 탄화수소기이고, 그의 예로는, 직쇄상 알킬기, 분지쇄상 알킬기, 환상알킬기, 알케닐기, 아릴기, 아랄킬기, 할로겐화알킬기 등을 들 수 있다. 직쇄상 알킬기로는, 예를 들어, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 헥실기, 옥틸기를 들 수 있다. 분지쇄상 알킬기로는, 예를 들어, 이소프로필기, 이소부틸기, tert-부틸기, 2-에틸헥실기를 들 수 있다. 환상알킬기로는, 예를 들어, 시클로펜틸기, 시클로헥실기를 들 수 있다. 알케닐기로는, 예를 들어, 비닐기, 알릴기를 들 수 있다. 아릴기로는, 예를 들어, 페닐기, 톨릴기를 들 수 있다. 아랄킬기로는, 예를 들어, 2-페닐에틸기, 2-메틸-2-페닐에틸기를 들 수 있다. 할로겐화알킬기로는, 예를 들어, 3,3,3-트리플루오로프로필기, 2-(노나플루오로부틸)에틸기, 2-(헵타데카플루오로옥틸)에틸기를 들 수 있다. R3으로서, 메틸기, 페닐기, 비닐기가 바람직하다.
X1, X2, X3은 R3 또는 -(R4)n-SiR5 d(OR6)3-d로 표시되는 기이며, 각각 상이할 수도 있으나, 적어도 1개는 -(R4)n-SiR5 d(OR6)3-d이다.
R4는 산소원자 또는 탄소수 1~4의 알킬렌기이고, R4의 탄소수 1~4의 알킬렌기로는, 예를 들어 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 부틸렌기 등을 들 수 있다. R5는 독립적으로 지방족 불포화결합을 함유하지 않는, 바람직하게는 탄소수 1~10, 보다 바람직하게는 1~6, 더욱 바람직하게는 1~3의 비치환 또는 치환된 1가 탄화수소기이다. 예를 들어, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 네오펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데실기, 도데실기 등의 알킬기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기 등의 시클로알킬기, 페닐기, 톨릴기, 자일릴기, 나프틸기, 비페닐릴기 등의 아릴기, 벤질기, 페닐에틸기, 페닐프로필기, 메틸벤질기 등의 아랄킬기, 그리고 이들 기의 탄소원자가 결합해 있는 수소원자의 일부 또는 전부가, 불소, 염소, 브롬 등의 할로겐원자, 시아노기 등으로 치환된 기 등을 들 수 있다.
상기 R6은 독립적으로 탄소수 1~4의 알킬기, 알콕시알킬기, 알케닐기, 또는 아실기이다. 상기 R6의 알킬기로는, 예를 들어, R3에 대해 예시한 것과 동일한, 탄소수 1~4의 알킬기 등을 들 수 있다. 알콕시알킬기로는, 예를 들어, 메톡시에틸기, 메톡시프로필기 등을 들 수 있다. 알케닐기로는, 예를 들어, 비닐기, 알릴기를 들 수 있다. 상기 R6의 아실기로는, 예를 들어, 탄소수 2~8인 것이 바람직하고, 아세틸기, 옥타노일기 등을 들 수 있다. R6은 알킬기인 것이 바람직하고, 특히 메틸기, 에틸기인 것이 바람직하다.
b 및 c는 각각 1≤b≤1,000, 0≤c≤1,000인데, 바람직하게는 b+c가 10~1,000이고, 보다 바람직하게는 10~300이다. n은 0 또는 1이고, d는 0~2의 정수이고, 바람직하게는 0이다. 한편, 분자 중에 OR6기는 1~6개, 특히 3 또는 6개 갖는 것이 바람직하다. 한편, 괄호 내에 나타난 각 실록산 단위의 결합순서는, 하기로 제한되는 것은 아니다.
(B)성분의 호적한 구체예로는, 하기의 것을 들 수 있다.
(B)성분의 배합량은, 조성물 전체의 0.1~60질량%가 바람직하고, 1~10질량%가 보다 바람직하다. 또한, (B)성분은, 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 배합할 수 있다.
본 발명의 열전도성 실리콘 조성물에 있어서, 상기 (A)성분이, 1분자 중에 규소원자에 결합한 지방족 불포화탄화수소기를 1개 이상 갖는 오가노폴리실록산인 경우, 추가로, 하기 (F)~(H)성분을 첨가함으로써, 부가반응형의 열전도성 실리콘 조성물로 할 수 있다.
[(F)성분]
(F)성분은, 1분자 중에 2개 이상, 바람직하게는 3개 이상 40개 미만의 규소원자에 결합한 수소원자(SiH기)를 갖는 오가노하이드로젠폴리실록산, 즉 1분자 중에 규소원자에 결합한 수소원자를 2개 이상 갖는 오가노하이드로젠폴리실록산이며, 분자 중의 규소원자에 결합한 수소원자가, 조성물 중의 지방족 불포화탄화수소기와 후술하는 백금족 금속촉매의 존재하에 있어서 부가반응하여, 가교구조를 형성한다.
(F)성분의 분자구조는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 직쇄상, 분지상, 환상 중 어느 것일 수도 있고, 하기 평균조성식(4)로 표시되는 것을 이용할 수 있다.
R7 eHfSiO(4-e-f)/2 (4)
평균조성식(4) 중, R7은, 독립적으로, 지방족 탄화수소기를 제외한, 탄소원자수 1~18, 바람직하게는 1~14의, 포화 또는 불포화의, 비치환 또는 치환된 1가 탄화수소기이다. 이 1가 탄화수소기로는, 예를 들어, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 헥실기, 옥틸기, 데실기, 도데실기, 테트라데실기, 헥사데실기, 및 옥타데실기 등의 알킬기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기 등의 시클로알킬기, 비닐기, 및 알릴기 등의 알케닐기, 페닐기, 및 톨릴기 등의 아릴기, 2-페닐에틸기, 및 2-메틸-2-페닐에틸기 등의 아랄킬기, 또는, 이들 기의 수소원자의 일부 또는 전부를 불소, 브롬, 염소 등의 할로겐원자, 시아노기 등으로 치환한 것, 예를 들어, 3,3,3-트리플루오로프로필기, 2-(퍼플루오로부틸)에틸기, 2-(퍼플루오로옥틸)에틸기, p-클로로페닐기 등을 들 수 있다. R7로서, 특히 메틸기, 페닐기가 바람직하다.
e는 1.0~3.0, 바람직하게는 0.5~2.5, f는 0.005~2.0, 바람직하게는 0.01~1.0이고, 또한 e+f는 0.5~3.0, 바람직하게는 0.8~2.5를 만족하는 양수이다.
(F)성분의 배합량은, (A)성분 중의 1분자 중에 규소원자와 결합한 지방족 불포화탄화수소기 1개에 대하여, (F)성분 중의 1분자 중에 규소원자에 결합한 수소원자가 4.0개~20.0개인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 8.0~20.0개가 되는 양이다. 이러한 범위이면, 내어긋남성이 보다 양호한 것이 된다. 또한, (F)성분은, 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 배합할 수 있다.
또한, 본 발명에서는, 상기 (A)성분과 상기 (F)성분의 하이드로실릴화 반응물을 함유하는 것이 바람직하다. 이러한 성분을 함유함으로써, 내어긋남성을 보다 높일 수 있다.
[(G)성분]
(G)성분은, 백금족 금속촉매이고, (A)성분 중의 규소원자와 결합한 지방족 불포화탄화수소기와 (F)성분 중의 SiH기와의 하이드로실릴화 반응을 촉진하기 위한 촉매이다. 백금족 금속촉매는, 부가반응에 이용되는 종래 공지의 것을 사용할 수 있다. 예를 들어 백금계, 팔라듐계, 로듐계의 촉매를 들 수 있는데, 그 중에서도 비교적 입수하기 쉬운 백금 또는 백금 화합물이 바람직하다. 예를 들어, 백금의 단체(單體), 백금흑, 염화백금산, 백금-올레핀착체, 백금-알코올착체, 백금배위 화합물 등을 들 수 있다.
(G)성분의 배합량은, (A)성분의 오가노폴리실록산에 대하여 백금족 금속원자의 질량환산으로 1~2,000ppm, 바람직하게는 2~1,000ppm의 범위로 하는 것이 바람직하다. 이 범위이면, 부가반응의 반응속도가 적절한 것이 된다.
(G)성분은, 1종 단독일 수도 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다.
[(H)성분]
(H)성분은, 실온에서의 하이드로실릴화 반응의 진행을 억제하는 반응제어제이며, 쉘프 라이프(shelf life), 포트 라이프를 연장시키기 위해 기능한다. 이 반응제어제는, 부가경화형 실리콘 조성물에 사용되는 종래 공지의 반응제어제를 사용할 수 있다. 예를 들어, 아세틸렌알코올류(예를 들어, 에티닐메틸데실카르비놀, 1-에티닐-1-시클로헥산올, 3,5-디메틸-1-헥신-3-올) 등의 아세틸렌 화합물, 트리부틸아민, 테트라메틸에틸렌디아민, 벤조트리아졸 등의 각종 질소 화합물, 트리페닐포스핀 등의 유기인 화합물, 옥심 화합물, 유기클로로 화합물 등을 들 수 있다.
[(I)성분]
본 발명의 열전도성 실리콘 조성물에 있어서, 상기 (A)성분이, 1분자 중에 규소원자에 결합한 지방족 불포화탄화수소기를 1개 이상 갖는 오가노폴리실록산인 경우, (I)유기과산화물을 함유함으로써, (A)성분끼리의 라디칼반응에 의해 조성물의 내어긋남성을 보다 높일 수 있다.
유기과산화물로는, 라디칼반응에 이용되는 공지의 것을 사용할 수 있다. 예를 들어, 벤조일퍼옥사이드, 비스(p-메틸벤조일)퍼옥사이드와 같은 아실계 유기과산화물, 디-tert-부틸퍼옥사이드, 2,5-디메틸-2,5-디(tert-부틸퍼옥시)헥산, tert-부틸쿠밀퍼옥사이드, 디쿠밀퍼옥사이드와 같은 알킬계 유기과산화물, tert-부틸퍼벤조에이트와 같은 에스테르계 유기과산화물을 들 수 있다.
[(J)성분]
본 발명의 열전도성 실리콘 조성물에 있어서, 상기 (B)성분을 포함하는 경우, 추가로, (J)축합촉매를 함유함으로써, 축합반응형의 열전도성 실리콘 조성물로 할 수 있고, (B)성분의 축합반응에 의해 열전도성 실리콘 조성물의 내어긋남성을 보다 높일 수 있다.
축합촉매로는, 축합반응에 이용되는 공지의 것을 사용할 수 있다. 예를 들어, 테트라부틸티타네이트, 테트라프로필티타네이트 등의 티탄계 에스테르류; 디부틸주석디라우레이트, 디부틸주석말레에이트, 디부틸주석디아세테이트 등의 유기주석 화합물류; 옥틸산주석, 나프텐산주석, 라우르산주석, 버사트산(versatic acid)주석(フェルザチック酸スズ) 등의 카르본산주석염류; 디부틸주석옥사이드와 프탈산에스테르와의 반응물; 디부틸주석디아세틸아세토네이트; 알루미늄트리아세틸아세토네이트, 알루미늄트리스에틸아세토아세테이트, 디이소프로폭시알루미늄에틸아세토아세테이트 등의 유기알루미늄 화합물류; 디이소프로폭시-비스(아세토아세트산에틸)티탄, 지르코늄테트라아세틸아세토네이트, 티탄테트라아세틸아세토네이트 등의 킬레이트 화합물류; 옥틸산납; 나프텐산철; 비스무트-트리스(네오데카노에이트), 비스무트-트리스(2-에틸헥소에이트) 등의 비스무트 화합물과 같은 금속계 촉매를 예시할 수 있다. 나아가, 라우릴아민 등의 공지의 아민계 촉매를 사용할 수도 있다. 이들 중에서도, 디부틸주석디라우레이트, 디부틸주석말레에이트, 디부틸주석디아세테이트, 옥틸산주석, 나프텐산주석, 라우르산주석, 페루자틱산주석 등의 카르본산주석염 또는 유기주석 화합물류; 디부틸주석옥사이드와 프탈산에스테르와의 반응물; 디부틸주석디아세틸아세토네이트 등의 주석계 촉매; 디이소프로폭시-비스(아세토아세트산에틸)티탄 등의 킬레이트 화합물류가 특히 바람직하다.
[기타 성분]
본 발명의 열전도성 실리콘 조성물은, 탄성률이나 점도를 조정할 목적으로 메틸폴리실록산 등의 반응성을 갖지 않는 오가노(폴리)실록산을 함유할 수도 있다. 또한, 열전도성 실리콘 조성물의 열화를 방지하기 위해, 2,6-디-t-부틸-4-메틸페놀 등의 공지의 산화방지제를 필요에 따라 함유할 수도 있다. 나아가, 염료, 안료, 난연제, 침강방지제, 또는 틱소성 향상제 등을, 필요에 따라 배합할 수 있다.
[열전도율]
본 발명의 열전도성 실리콘 조성물의 ISO 22007-2에 준거한 핫디스크법에 의한 열전도율은 7.5W/m·K 이상인 것이 바람직하다. 열전도율의 상한은 한정되지 않으나, 13.0W/m·K 이하인 것이 바람직하다. 한편, 열전도율의 측정방법은 후술하는 실시예의 방법이다.
본 발명의 열전도성 실리콘 조성물은 내어긋남성을 가지므로, 열전도성 실리콘 조성물로서 최적이다. 한편, 내어긋남성의 측정방법은 후술하는 실시예와 같다.
[열전도성 실리콘 조성물의 제조방법]
본 발명의 열전도성 실리콘 조성물의 제조방법에 대해 설명하는데, 이들로 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 열전도성 실리콘 조성물을 제조하는 방법은, 종래의 열전도성 실리콘 조성물의 제조방법에 따르면 되고, 특별히 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 (A)~(J)성분, 및 필요에 따라 기타 임의성분을 혼합함으로써 얻을 수 있다. 혼합장치로는 특별히 한정되지 않고, 트리믹스, 트윈믹스, 플래니터리믹서(모두 이노우에제작소(주)제 혼합기의 등록상표), 울트라믹서(미즈호공업(주)제 혼합기의 등록상표), 하이비스 디스퍼믹스(특수기화공업(주)제 혼합기의 등록상표) 등의 혼합기를 이용할 수 있다. 또한, 열전도성 충전제인 (C)성분 (D)성분 및 (E)성분의 응집을 해쇄하기 위해 3본롤 마무리처리 등을 실시할 수도 있다.
본 발명의 열전도성 실리콘 조성물이, 상기 (A)성분이, 1분자 중에 규소원자에 결합한 지방족 불포화탄화수소기를 1개 이상 갖는 오가노폴리실록산이며, 또한, (F)성분 및 (G)성분을 포함하는 경우, 100℃ 이상의 온도에서 30분 이상 교반하는 것이 바람직하고, 이에 따라, (A)성분과 (F)성분이 충분히 하이드로실릴화 반응에 의해 가교되어, 열전도성 실리콘 조성물을 보다 적절한 점도로 할 수 있다.
실시예
이하, 실시예 및 비교예를 나타내어, 본 발명을 보다 상세히 설명하는데, 본 발명은 하기의 실시예로 제한되는 것은 아니다. 하기에 있어서 동점도는 오스트발트 점도계(시바타과학사제)에 의해 25℃에서 측정한 값이다. (C)성분의 가압 후의 두께는, (C)성분 150질량부와 25℃에서의 동점도 1,000mm2/s의 디메틸폴리실록산 100질량부를 혼합하여 이루어지는 페이스트(두께 300μm)를 직경 12.6mm, 두께 1mm의 원형 알루미늄판 2매로 사이에 끼우고, 25℃, 0.1MPa로 60분간 가압한 후의 두께를 마이크로미터(주식회사미츠토요제)로 측정하고, 알루미늄판의 두께를 빼서 측정한 값이다.
사용한 성분은 이하와 같다.
[(A)성분]
A-1: 양말단이 트리메틸실릴기로 봉쇄되고, 25℃에 있어서의 동점도가 5,000mm2/s인 디메틸폴리실록산
A-2: 양말단이 디메틸비닐실릴기로 봉쇄되고, 25℃에 있어서의 동점도가 600mm2/s인 디메틸폴리실록산(비닐기량 0.015mol/g)
A-3: 말단이 디메틸비닐실릴기와 트리메틸실릴기로 각각 봉쇄되고, 25℃에 있어서의 동점도가 700mm2/s인 디메틸폴리실록산(비닐기량 0.005mol/g)
[(B)성분]
B-1: 하기 식으로 표시되는 가수분해성 오가노폴리실록산
[(C)성분]
C-1: D50이 20.0μm인 둥근 형상의 질화알루미늄입자
(가압 후의 두께 54μm)
C-2: D50이 11.0μm인 둥근 형상의 질화알루미늄입자
(가압 후의 두께 32μm)
C-3: D50이 5.0μm인 둥근 형상의 질화알루미늄입자
(가압 후의 두께 14μm)
C-4: D50이 10.0μm인 구상의 알루미나입자
(가압 후의 두께 25μm)(비교성분)
[(D)성분]
D-1: D50이 70.0μm인 둥근 형상의 질화알루미늄입자
D-2: D50이 100.0μm인 둥근 형상의 질화알루미늄입자
D-3: D50이 120.0μm인 둥근 형상의 질화알루미늄입자
D-4: D50이 60.0μm인 구상의 질화알루미늄입자(비교성분)
D-5: D50이 100.0μm인 구상의 알루미나입자(비교성분)
[(E)성분]
E-1: D50이 1.2μm인 부정형의 산화아연입자
E-2: D50이 0.4μm인 부정형의 산화아연입자
E-3: D50이 0.7μm인 둥근 형상의 질화알루미늄입자
E-4: D50이 1.3μm인 부정형의 알루미나입자
[(F)성분]
F-1: 양말단이 트리메틸실릴기로 봉쇄되고, 25℃에서의 동점도가 100mm2/s이고 SiH 함유량이 0.0055mol/g인 오가노하이드로젠폴리실록산
[(G)성분]
G-1: 백금-디비닐테트라메틸디실록산착체를 상기 A-2와 동일한 디메틸폴리실록산에 용해한 용액(백금원자 함유량: 1질량%)
[(H)성분]
H-1: 에티닐시클로헥산올
[실시예 1~14, 비교예 1~5]
<열전도성 실리콘 조성물의 조제>
상기 (A)~(H)성분을, 하기 표 1~3에 나타내는 배합량에 따라, 하기에 나타내는 방법으로 배합하여 열전도성 실리콘 조성물을 조제하였다.
5리터의 플래니터리믹서(이노우에제작소(주)제)에 (A)~(H)성분을 첨가하고, 150℃에서 4시간 혼합하였다. 그 후 25℃가 될 때까지 냉각하여 열전도성 실리콘 조성물을 조제하였다. 상기 방법으로 얻어진 각 조성물에 대해, 하기의 방법에 따라, 점도, 열전도율 및 내어긋남성을 평가하였다. 결과를 표 1~3에 나타낸다.
[점도]
열전도성 실리콘 조성물의 점도는 (주)말콤제 스파이럴 점도계(타입 PC-1T)에 의해 측정한 25℃의 값이다(로터 A로 10rpm, 전단속도 6[1/s]).
[열전도율]
각 조성물을 키친랩으로 감싸 주머니 형상(염낭, 복주머니 형태)으로 한 것의 열전도율을 교토전자공업(주)제 TPA-501로 측정하였다.
[내어긋남성]
1.0g의 조성물을 60mm×60mm의 알루미늄판과 유리판과의 사이에 두께 0.5mm가 되도록 스페이서를 이용하여 끼우고, 시험편을 작성하였다. 그 시험편을 25℃에서 수직으로 12시간 정치한 후, 조성물이 이동되어 있는 것을 ×로 하고, 이동하지 않은 것을 ○로 하였다. 추가로, -40℃ 30분간, 120℃ 30분간을 1사이클로 하는 냉열시험기에 시험편을 수직으로 놓고, 1,000사이클 후에 조성물이 이동하지 않은 것을 ◎로 하였다.
[표 1]
[표 2]
[표 3]
표 1~3의 결과로부터, 본 발명의 요건을 만족하는 실시예 1~14의 열전도성 실리콘 조성물에서는, 높은 열전도성 및 냉열충격에 대한 내어긋남성의 양립이 가능하였다.
한편, (C)성분과 (D)성분의 합계량에 대한 (D)성분의 비율이, 50질량% 이상인 비교예 1은, 내어긋남성이 뒤떨어지는 것이 되었다. 또한, 본 발명의 (C)성분을 대신하여 구상의 입자를 이용한 비교예 2, 그리고, 본 발명의 (D)성분을 대신하여 구상의 입자를 이용한 비교예 3 및 4에서는, 열전도성이 뒤떨어지고, 본 발명의 (E)성분을 포함하지 않는 비교예 5에서는 조성물이 균일해지지 않아 취급성이 현저히 뒤떨어지는 것이었다.
한편, 본 발명은, 상기 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 상기 실시형태는 예시이며, 본 발명의 특허청구의 범위에 기재된 기술적 사상과 실질적으로 동일한 구성을 가지며, 동일한 작용효과를 나타내는 것은, 어느 것이어도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.
Claims (16)
- 열전도성 실리콘 조성물로서,
(C)평균입자경 4μm 이상 50μm 미만의 부정형, 둥근 형상, 및 다면체상으로부터 선택되는 1종 이상의 질화알루미늄입자,
(D)평균입자경 50μm 이상 150μm 이하의 부정형, 둥근 형상, 및 다면체상으로부터 선택되는 1종 이상의 질화알루미늄입자,
및,
(E)평균입자경 0.1μm 이상 4.0μm 미만의 무기입자
를 함유하고,
상기 (C)성분과 상기 (D)성분의 합계량이, 상기 조성물 전체의 20질량% 이상 80질량% 미만이고,
상기 (E)성분의 배합량이, 상기 조성물 전체의 20질량% 이상 50질량% 미만이고, 상기 (C)성분과 상기 (D)성분의 합계량에 대한 상기 (D)성분의 비율이, 5질량% 이상 50질량% 미만인 것을 특징으로 하는 열전도성 실리콘 조성물. - 제1항에 있어서,
상기 (C)성분이, 둥근 형상의 질화알루미늄입자인 것을 특징으로 하는 열전도성 실리콘 조성물. - 제1항에 있어서,
상기 (C)성분이, 이 (C)성분 150질량부와 25℃에서의 동점도 1,000mm2/s의 디메틸폴리실록산 100질량부를 혼합하여 이루어지는 페이스트를 두께 300μm로부터 25℃, 0.1MPa로 60분간 가압했을 때의 두께가, 10μm 이상 100μm 이하가 되는 것을 특징으로 하는 열전도성 실리콘 조성물. - 제2항에 있어서,
상기 (C)성분이, 이 (C)성분 150질량부와 25℃에서의 동점도 1,000mm2/s의 디메틸폴리실록산 100질량부를 혼합하여 이루어지는 페이스트를 두께 300μm로부터 25℃, 0.1MPa로 60분간 가압했을 때의 두께가, 10μm 이상 100μm 이하가 되는 것을 특징으로 하는 열전도성 실리콘 조성물. - 제1항에 있어서,
상기 (E)성분이, 금속산화물입자 및 금속질화물입자로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 열전도성 실리콘 조성물. - 제5항에 있어서,
상기 (E)성분이, 알루미나입자, 질화알루미늄입자, 및 산화아연입자로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 열전도성 실리콘 조성물. - 제6항에 있어서,
상기 (E)성분이, 부정형 산화아연입자인 것을 특징으로 하는 열전도성 실리콘 조성물. - 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
(A)25℃에서의 동점도가 10~100,000mm2/s인 오가노폴리실록산을 추가로 함유하는 것을 특징으로 하는 열전도성 실리콘 조성물. - 제8항에 있어서,
상기 (A)성분이, 1분자 중에 규소원자에 결합한 지방족 불포화탄화수소기를 1개 이상 갖는 오가노폴리실록산인 것을 특징으로 하는 열전도성 실리콘 조성물. - 제9항에 있어서,
(F)1분자 중에 규소원자에 결합한 수소원자를 2개 이상 갖는 오가노하이드로젠폴리실록산,
(G)백금족 금속촉매,
및,
(H)반응제어제
를 추가로 함유하는 것을 특징으로 하는 열전도성 실리콘 조성물. - 제10항에 있어서,
상기 (A)성분과 상기 (F)성분의 하이드로실릴화 반응물을 함유하는 것을 특징으로 하는 열전도성 실리콘 조성물. - 제10항에 있어서,
상기 (A)성분 중의 1분자 중에 규소원자와 결합한 지방족 불포화탄화수소기 1개에 대하여, 상기 (F)성분 중의 1분자 중에 규소원자에 결합한 수소원자가 4.0개~20.0개인 것을 특징으로 하는 열전도성 실리콘 조성물. - 제11항에 있어서,
상기 (A)성분 중의 1분자 중에 규소원자와 결합한 지방족 불포화탄화수소기 1개에 대하여, 상기 (F)성분 중의 1분자 중에 규소원자에 결합한 수소원자가 4.0개~20.0개인 것을 특징으로 하는 열전도성 실리콘 조성물. - 제9항에 있어서,
(I)유기과산화물을 추가로 함유하는 것을 특징으로 하는 열전도성 실리콘 조성물. - 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
(B)알콕시실릴기를 함유하는 가수분해성 오가노폴리실록산을 추가로 함유하는 것을 특징으로 하는 열전도성 실리콘 조성물. - 제15항에 있어서,
(J)축합촉매를 추가로 함유하는 것을 특징으로 하는 열전도성 실리콘 조성물.
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