KR20230046183A - 진공 분위기 유지 피식각체 이송 장치 및 진공 분위기 유지 피식각체 이송 방법 - Google Patents

진공 분위기 유지 피식각체 이송 장치 및 진공 분위기 유지 피식각체 이송 방법 Download PDF

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Abstract

식각 가스로부터 형성된 플라즈마에 의하여 피식각체가 식각되는, 반응 챔버, 상기 반응 챔버에서 식각된 피식각체가 이송되는, 이송 챔버, 상기 피식각체의 식각 중에, 상기 반응 챔버와 상기 이송 챔버를 연통시키되, 상기 반응 챔버에서 식각된 피식각체가 상기 이송 챔버로 이송되는 이송 경로를 제공하는, 게이트 밸브, 및 상기 이송 챔버, 상기 게이트 밸브, 및 상기 반응 챔버를 순차적으로 통과하여, 상기 반응 챔버에서 식각 중인 피식각체가 상기 게이트 밸브를 통해 상기 이송 챔버로 이송되도록 상기 식각 중인 피식각체의 일 측을 잡는 캡쳐 파트가 형성된, 이송부를 포함하되, 상기 반응 챔버와 상기 이송 챔버에는, 동일한 진공 분위기가 형성되는, 진공 분위기 유지 피식각체 이송 장치가 제공된다.

Description

진공 분위기 유지 피식각체 이송 장치 및 진공 분위기 유지 피식각체 이송 방법{Etching-object transfer device under vacuum atmosphere and Etching-object transfer method under vacuum atmosphere}
본 발명은 진공 분위기 유지 피식각체 이송 장치 및 진공 분위기 유지 피식각체 이송 방법에 관련된 것으로, 보다 구체적으로는, 피식각체의 식각 중에 이송 가능한, 진공 분위기 유지 피식각체 이송 장치 및 진공 분위기 유지 피식각체 이송 방법에 관련된 것이다.
플라즈마 공정은, 국내에서 세계적인 경쟁력을 가지고 있는 반도체 및 디스플레이와 관련된 IT 분야에서 전체 공정의 약 30 %를 차지하고 있다.
한편, 반도체 공정에서 증착 공정 및 식각 공정은 나노급 3차원 구조물로 이루어진 반도체 소자 제조 기술의 핵심 부분으로, 세계 각국에서는 이러한 증착 공정 및 식각 공정에 대한 원천기술 확보를 위해서 경쟁을 하고 있다.
특히 다중 컨택홀 식각 공정은, 반도체 플라즈마 공정 기술 중에서도 고난이도가 요구되는 기술로, 높은 수준의 공정 기술을 필요로 한다.
이에 따라, 플라즈마 및 표면 반응 등을 포함하는 플라즈마 공정에 대한 광범위한 이해가 요구되는 실정이다.
하지만, 실질적으로 식각 공정에서 사용되는 가스 예를 들어, C4F8, CH2F2, CHF3 등을 통해 형성되는 플라즈마는, 구성 물질의 복잡성으로 인하여 이론적 해석은 불가능한 영역인 것으로 인식되고 있다.
한편, 상기와 같은 고난이도가 요구되는 다중 컨택홀 식각 공정의 경우, 예를 들어, 이온 전류 밀도(ion current density), 전자 온도(electron temperature) 등의 플라즈마 변수 제어가 중요한 과제로 대두되고 있다.
이에, 상기와 같은 플라즈마 변수 제어를 제어함으로써, 컨택홀 식각 공정 프로파일 예측력을 향상시키기 위한 연구들이 진행되고 있다.
한편, 이에 따라, 컨택홀 식각 공정 프로파일 전산 모사와 실제 식각 공정 결과 간의 신뢰성을 검증하기 위한 방법도 요구되고 있다.
한편, 상기와 같은 고난이도가 요구되는 다중 컨택홀의 식각의 실질적인 공정에 있어서, 고정밀 플라즈마 식각 조건을 확보하기 위해서는, 고종횡비 식각 공정에 대한 샘플링 및/또는 플라즈마 특성 데이터 확보가 필수적일 수 있다.
하지만, 현재까지 이러한 고정밀 플라즈마 식각 조건을 확보하기 위한 식각 프로파일 샘플링 시스템은 부족한 실정이다.
따라서, 식각 시간에 따른 피식각체의 식각 프로파일을 확보함으로써, 패턴 웨이퍼와 같은 피식각체의 식각 공정을 평가할 수 있는 방법이 필요한 실정이다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는, 피식각체의 식각 중에 이송 가능한, 진공 분위기 유지 피식각체 이송 장치 및 진공 분위기 유지 피식각체 이송 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 기술적 과제는, 고정밀 플라즈마 식각 조건을 확보를 위해 식각 프로파일을 샘플링하기 위한, 진공 분위기 유지 피식각체 이송 장치 및 진공 분위기 유지 피식각체 이송 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는, 전체 웨이퍼(full wafer) 단위 보다 작은 쿠폰 웨이퍼(coupon wafer) 단위의 피식각체에 적용 가능한, 진공 분위기 유지 피식각체 이송 장치 및 진공 분위기 유지 피식각체 이송 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 상술된 것에 제한되지 않는다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 발명은 진공 분위기 유지 피식각체 이송 장치를 제공한다.
일 실시 예에 따르면, 상기 진공 분위기 유지 피식각체 이송 장치는, 식각 가스로부터 형성된 플라즈마에 의하여 피식각체가 식각되는, 반응 챔버, 상기 반응 챔버에서 식각된 피식각체가 이송되는, 이송 챔버, 상기 피식각체의 식각 중에, 상기 반응 챔버와 상기 이송 챔버를 연통시키되, 상기 반응 챔버에서 식각된 피식각체가 상기 이송 챔버로 이송되는 이송 경로를 제공하는, 게이트 밸브, 및 상기 이송 챔버, 상기 게이트 밸브, 및 상기 반응 챔버를 순차적으로 통과하여, 상기 반응 챔버에서 식각 중인 피식각체가 상기 게이트 밸브를 통해 상기 이송 챔버로 이송되도록 상기 식각 중인 피식각체의 일 측을 잡는 캡쳐 파트가 형성된, 이송부를 포함하되, 상기 반응 챔버와 상기 이송 챔버에는, 동일한 진공 분위기가 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 피식각체는, 쿠폰 웨이퍼(coupon wafer)일 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 반응 챔버 내부에는, 상기 피식각체가 배치되는 탑재부가 마련되되, 상기 이송부는, 일 단에는 상기 캡쳐 파트가 마련되되, 상기 캡쳐 파트를 상기 이송 챔버로부터 상기 반응 챔버를 향하는 횡방향 이동시키는, 무빙 파트, 및 상기 무빙 파트의 일 단과 상기 캡쳐 파트 사이에 마련되되, 상기 무빙 파트에 의하여, 상기 탑재부에 배치된 피식각체의 상측에 위치하도록 상기 횡방향 이동된 상기 캡쳐 파트를, 상기 탑재부를 향하거나 상기 탑재부로부터 멀어지도록 연직방향 이동시키는, 연직 이동부를 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 진공 분위기 유지 피식각체 이송 장치는, 제어부를 더 포함하되, 상기 제어부는, 상기 피식각체의 식각 중에, 상기 캡쳐 파트가 상기 피식각체의 상측에 위치하도록, 상기 무빙 파트의 횡방향 이동을 제어하고, 상기 피식각체의 상측에 위치한 캡쳐 파트가 상기 피식각체의 상측을 잡도록, 상기 연직 이동부의 연직방향 이동을 제어할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 캡쳐 파트는, 점착성을 가질 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 진공 분위기 유지 피식각체 이송 장치는, 상기 피식각체의 식각 깊이 및 식각 단면 프로파일 중에서 적어도 어느 하나를 제어하기 위한, 식각 시간에 따른 데이터 정립을 위해 마련될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 캡쳐 파트는, 상기 피식각체의 일 측을 잡되, 상기 피식각체 중 비-식각된 영역을 잡을 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 진공 분위기 유지 피식각체 이송 장치는, 제어부를 더 포함하되, 상기 제어부는, 상기 반응 챔버에서 식각 중인 적어도 하나 이상의 피식각체 중에서, 특정 피식각체가 상기 이송 챔버로 이송되도록 특정 이송 제어할 수 있다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 발명은 진공 분위기 유지 피식각체 이송 방법을 제공한다.
일 실시 예에 따르면, 상기 진공 분위기 유지 피식각체 이송 방법은, 식각 가스로부터 형성된 플라즈마에 의하여 피식각체를 식각하는 반응 챔버 내부에 피식각체를 배치하는 단계, 상기 반응 챔버에서 상기 피식각체를 식각하는 단계, 상기 반응 챔버에서 식각된 피식각체가 이송될 예정인 이송 챔버 및 상기 반응 챔버의 진공 분위기를 동일하게 형성하는 단계, 상기 피식각체의 식각 중에, 상기 반응 챔버와 상기 이송 챔버가 연통되도록, 상기 반응 챔버와 상기 이송 챔버 사이에 마련된 게이트 밸브를 열고, 이송부를 상기 이송 챔버, 상기 게이트 밸브, 및 상기 반응 챔버로 순차적 통과시켜, 상기 이송부에 형성된 캡쳐 파트를 통해 상기 식각 중인 피식각체의 일 측을 잡는 단계, 및 상기 잡은 피식각체를 상기 이송 챔버로 이송시키는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 피식각체를 배치하는 단계의 피식각체는, 쿠폰 웨이퍼(coupon wafer)일 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 피식각체를 배치하는 단계의 반응 챔버 내부에는, 상기 피식각체가 배치되는 탑재부가 마련되고, 상기 식각 중인 피식각체의 일 측을 잡는 단계의 이송부는, 일 단에는 상기 캡쳐 파트가 마련되되, 상기 캡쳐 파트를 상기 이송 챔버로부터 상기 반응 챔버를 향하는 횡방향 이동시키는, 무빙 파트, 및 상기 무빙 파트의 일 단과 상기 캡쳐 파트 사이에 마련되되, 상기 무빙 파트에 의하여, 상기 탑재부에 배치된 피식각체의 상측에 위치하도록 상기 횡방향 이동된 상기 캡쳐 파트를, 상기 탑재부를 향하거나 상기 탑재부로부터 멀어지도록 연직방향 이동시키는, 연직 이동부를 더 포함하되, 상기 식각 중인 피식각체의 일 측을 잡는 단계는, 상기 피식각체의 식각 중에, 상기 캡쳐 파트가 상기 피식각체의 상측에 위치하도록, 상기 무빙 파트가 상기 횡방향 이동하는 단계, 및 상기 피식각체의 상측에 위치한 상기 캡쳐 파트가 상기 피식각체의 상측을 잡도록, 상기 연직 이동부가 상기 연직방향 이동하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 식각 중인 피식각체의 일 측을 잡는 단계의 캡쳐 파트는, 점착성을 가지는 것을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 진공 분위기 유지 피식각체 이송 방법은, 상기 피식각체의 식각 깊이 및 식각 단면 프로파일 중에서 적어도 어느 하나를 제어하기 위한, 식각 시간에 따른 데이터를 정립하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 식각 가스로부터 형성된 플라즈마에 의하여 피식각체가 식각되는, 반응 챔버, 상기 반응 챔버에서 식각된 피식각체가 이송되는, 이송 챔버, 상기 피식각체의 식각 중에, 상기 반응 챔버와 상기 이송 챔버를 연통시키되, 상기 반응 챔버에서 식각된 피식각체가 상기 이송 챔버로 이송되는 이송 경로를 제공하는, 게이트 밸브, 및 상기 이송 챔버, 상기 게이트 밸브, 및 상기 반응 챔버를 순차적으로 통과하여, 상기 반응 챔버에서 식각 중인 피식각체가 상기 게이트 밸브를 통해 상기 이송 챔버로 이송되도록 상기 식각 중인 피식각체의 일 측을 잡는 캡쳐 파트가 형성된, 이송부를 포함하되, 상기 반응 챔버와 상기 이송 챔버에는, 동일한 진공 분위기가 형성되는, 진공 분위기 유지 피식각체 이송 장치가 제공될 수 있다.
이에 따라, 본 발명에 의하면, 적어도 하나 이상 즉, 복수의 피식각체에 대하여 식각을 위한 식각 환경을 각각 조성하지 않고도, 상기 반응 챔버 내부에서 동일한 식각 환경을 유지하며, 복수의 피식각체를 식각 시간 별로 식각하여 상기 이송 챔버로 이송할 수 있다.
이에 따라, 본 발명에 의하면, 상기와 같은 복수의 피식각체를 식각하기 위하여 종래와 같이 복수 회의 식각 환경을 조성하는 것이 불필요하기 때문에, 시간적, 비용적으로 효율적일 수 있다.
나아가, 동일 식각 환경에서, 피식각체의 식각 시간에 따른 데이터를 정립할 수 있는 기술적 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 진공 분위기 유지 피식각체 이송 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 2 내지 도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 진공 분위기 유지 피식각체 이송 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 9 내지 도 19는 본 발명의 실험 예를 설명하기 위한 도면이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명할 것이다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 여기서 설명되는 실시 예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화 될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시 예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소가 다른 구성요소 상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 구성요소가 게재될 수도 있다는 것을 의미한다. 또한, 도면들에 있어서, 형상 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다.
또한, 본 명세서의 다양한 실시 예 들에서 제1, 제2, 제3 등의 용어가 다양한 구성요소들을 기술하기 위해서 사용되었지만, 이들 구성요소들이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 이들 용어들은 단지 어느 구성요소를 다른 구성요소와 구별시키기 위해서 사용되었을 뿐이다. 따라서, 어느 한 실시 예에 제 1 구성요소로 언급된 것이 다른 실시 예에서는 제 2 구성요소로 언급될 수도 있다. 여기에 설명되고 예시되는 각 실시 예는 그것의 상보적인 실시 예도 포함한다. 또한, 본 명세서에서 '및/또는'은 전후에 나열한 구성요소들 중 적어도 하나를 포함하는 의미로 사용되었다.
명세서에서 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한 복수의 표현을 포함한다. 또한, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 배제하는 것으로 이해되어서는 안 된다. 또한, 본 명세서에서 "연결"은 복수의 구성 요소를 간접적으로 연결하는 것, 및 직접적으로 연결하는 것을 모두 포함하는 의미로 사용된다.
또한, 명세서에 기재된 "…부", "…기", "모듈" 등의 용어는 적어도 하나의 기능이나 동작을 처리하는 단위를 의미하며, 이는 하드웨어나 소프트웨어 또는 하드웨어 및 소프트웨어의 결합으로 구현될 수 있다.
또한, 하기에서 본 발명을 설명함에 있어 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 것이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 진공 분위기 유지 피식각체 이송 장치가 설명된다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 진공 분위기 유지 피식각체 이송 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 1을 참조하면, 상기 진공 분위기 유지 피식각체 이송 장치(1000)는, 반응 챔버(100), 이송 챔버(200), 게이트 밸브(300), 이송부(400), 및 제어부(500) 중에서 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
이하, 각 구성이 설명된다.
반응 챔버(100)
도 1을 참조하면, 상기 반응 챔버(100)에서는, 피식각체(cp)가 식각될 수 있다.
이를 위해, 상기 반응 챔버(100)에는 탑재부(110), 가스 소스 공급부(미도시), 상부 코일부(cl), 유전체 판(qz), 하부 전극부(el), 및 제1 압력 조절부(pm1) 중에서 적어도 어느 하나가 마련될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 탑재부(110)에는, 상기 피식각체(cp)가 배치될 수 있다.
이를 위해, 상기 탑재부(110)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 반응 챔버(100) 내부 공간 하측에 마련될 수 있다.
한편 여기에서 피식각체(cp: cp1, cp2, cp3, cp4)라 함은, 식각되는 대상이되, 본 발명에서 피식각체(cp)는 쿠폰 웨이퍼(coupon wafer)일 수 있다. 여기에서 쿠폰 웨이퍼라 함은, 일반적으로 반도체 공정에서 사용되는 전체 웨이퍼(full wafer) 보다 작은 사이즈의 웨이퍼를 의미할 수 있다. 예를 들어, 여기에서 쿠폰 웨이퍼는, 상기 전체 웨이퍼를 미소 단위로 자른 일 조각을 의미할 수 있다. 한편 여기에서 미소 단위는, 수 mm 이하를 의미할 수 있다.
한편 상기 피식각체는(cp)는, 예를 들어, 유전 박막 또는 SiO2, SiOC, SiO2로 이루어진 다공성 박막일 수 있다. 한편 상기 피식각체는(cp)가 SiO2인 경우에 마스킹 재료(masking material)는, 예를 들어, poly-Si 및 ACL mask(Amorphous carbon layer) 일 수 있다(도 18 참조).
일 실시 예에 따르면, 상기 가스 소스 공급부(미도시)는, 상기 탑재부(110)에 배치된 피식각체(cp)를 식각하기 위한 가스 소스를 공급할 수 있다.
이를 위해, 상기 반응 챔버(100)는, 상기 가스 소스 공급부(미도시)를 포함하되, 상기 가스 소스 공급부(미도시)는, 상기 가스 소스 공급부로 상기 가스 소스가 유입되도록, 상기 가스 소스를 공급하는 가스 소스 공급원(미도시)과 가스 소스 유입 라인(미도시)으로 연결될 수 있음은 물론이다.
한편 여기에서 가스 소스는, 예를 들어, 상온에서 액상 상태의 액상 소스(L-PFC(Liquid-Perfluorocarbon))로 존재하되, 가열됨으로써, 가스 소스로 전환되는 친환경 식각 소스 예를 들어, decafluoropentane(C5H2F10), tetrafluoropropene(C3H2F4), Hexafluorobenzene(C6F6) 및 perfluoro-2-methyl-3-pentanone(C6F12O) 일 수 있다. 또는 다른 예를 들어, 상기 가스 소스는, 상온에서 가스 상태인 가스 소스일 수 있다. 예를 들어, 상기 가스 소스는, 기존에 사용되어 온 PFC(Perfluorocarbon) 가스일 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 상부 코일부(cl)는, 상기 반응 챔버(100) 내부 공간 상측에 마련되되, 상기 가스 소스 공급부(미도시)로부터 공급된 가스 소스로부터 플라즈마가 형성되도록 상기 반응 챔버(100) 내부 공간에 전기장을 유도할 수 있다.
이를 위해, 상기 상부 코일부(cl)는 전력 공급원(pw1) 예를 들어, 고주파 전력 공급원과 전기적으로 연결되어, 고주파 전력을 인가받을 수 있다.
이에 따라, 상기 탑재부(110)에 배치된 피식각체(cp)는, 상기 가스 소스 공급부(미도시)에서 제공된 가스 소스로부터, 상기 상부 코일부(cl)에 의해 형성된 플라즈마를 통해 식각될 수 있는 것이다.
일 실시 예에 따르면, 상기 유전체 판(qz)은, 상기 반응 챔버(100) 내부 공간을 외부와 차단하고, 상기 상부 코일부(cl)에 의해 유도된 전기장을 상기 가스 소스에 전달하는, 전달 효율을 극대화시킬 수 있다.
이는, 상기 유전체 판(qz)을 이루는 유전체 재료의 유전율에 따라, 상기 상부 코일부(cl)에 의해 유도된 전기장이 상기 가스 소스로 전달되는 상태, 즉, 상기 가스 소스에 주파수 파워가 전달되는 상태가 달라짐을 고려한 것이다.
다시 말해, 상기 유전체 판(qz)은 상기 반응 챔버(100) 내부 공간에서, 상기 주파수 파워를 상기 가스 소스로 전달함으로써, 최적의 상태에서 플라즈마가 형성되도록 도와줄 수 있는 것이다.
한편, 여기에서 유전체 판(qz)은 예를 들어, 쿼츠(quartz)로 이루어질 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 하부 전극부(el)는, 상기 가스 소스로부터 형성된 플라즈마를 이루는 이온 및 중성 활성종 중에서 적어도 어느 하나를, 상기 탑재부(110)에 배치된 피식각체(cp) 방향으로 유도할 수 있다.
이때, 상기 이온 및 상기 중성 활성종은 상기 피식각체(cp)의 식각에 관여할 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 플라즈마 중 상기 이온, 구체적으로 양 이온은, 상기 피식각체(cp)의 식각에 관여할 수 있는데, 상기 양 이온은, 상기 하부 전극부(el)에 걸리는 바이어스(bias)에 의해, 상기 하부 전극부(el)의 상측 탑재부(110)에 배치된 피식각체(cp) 방향으로 가속되도록 유도될 수 있다.
이를 위해, 상기 하부 전극부(el)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 탑재부(110)의 하측에 마련될 수 있음은 물론이다.
이에 따라, 상기 피식각체(cp)가 상기 양이온에 의해 식각될 수 있다.
한편, 상기 플라즈마 중 상기 중성 활성종은, 상기 피식각체(cp) 방향으로 유도되어, 상기 피식각체(cp) 표면의 원자들과 결합하여 분자를 형성하고, 강한 휘발성을 띠면서, 상기 피식각체(cp)의 표면으로부터 분리될 수 있다.
이에 따라, 상기 피식각체(cp)가 상기 중성 활성종에 의해 식각될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 제1 압력 조절부(pm1)는, 상기 반응 챔버(100) 내부 공간의 압력을 조절할 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 제1 압력 조절부(pm1)는, 상기 반응 챔버(100) 내부 공간을 진공 상태로 조절할 수 있다.
이에 따라, 상기 반응 챔버(100) 내부 공간에서, 상기 가스 소스로부터 상기 플라즈마 형성이 용이할 수 있다.
한편 여기에서 제1 압력 조절부(pm1)는, 예를 들어 진공 펌프(터보 펌프 등)으로 마련될 수 있다.
한편, 본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 반응 챔버(100)와 후술되는 이송 챔버(200)에는, 동일한 진공 분위기가 형성될 수 있다.
이는 본 발명의 실시 예에 의하면, 상기 반응 챔버(100) 내부에서 식각 중인 피식각체(cp)가, 상기 이송 챔버(200)로 이송되도록 고려된 것이다.
한편, 여기에서 상기와 같은 동일한 진공 분위기를 형성함에 있어서, 상기 반응 챔버(100)에서의 진공 분위기가 기준이 될 수 있다. 이는, 상술된 바와 같이, 상기 반응 챔버(100)에서 상기 피식각체(cp)의 식각이 이루어져야 하기 때문임은 물론이다.
이에 따라, 본 발명의 실시 예에 의하면, 상기와 같이 식각 중인 피식각체(cp)의 식각 프로파일을 확보할 수 있다.
한편, 이러한 본 발명의 실시 예는, 동일 반응 챔버(100)에서 적어도 하나 이상의 피식각체(cp)를 식각하는 경우, 상기 식각 중인 적어도 하나 이상의 피식각체(cp) 중에서 특정 피식각체를 상기 이송 챔버(200)로 이송하는 데에 적용될 수 있다.
이에 따라, 본 발명의 실시 예에 의하면, 동일한 식각 환경에서 식각 시간에 따른 데이터 정립이 가능할 수 있다.
여기에서 동일한 식각 환경이라 함은, 앞서 설명된 바와 같이, 상기 반응 챔버(100) 내부의 탑재부(110)에 배치된 적어도 하나 이상의 피식각체(cp)의 식각을 위하여 형성되는 식각 분위기, 보다 구체적으로, 상술된 바와 같은 진공 분위기에서 플라즈마가 형성되는 환경을 의미할 수 있다.
보다 구체적으로, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 반응 챔버(100) 내부 탑재부(110)에 배치된 4 개의 피식각체 즉, 제1 내지 제4 피식각체(cp1 내지 cp4)가 식각되는 것을 상정해 보기로 한다.
도 1에 도시된 바와 같이, 상기 반응 챔버(100) 내부 탑재부(110)에, 상기 제1 내지 제4 피식각체(cp1 내지 cp4)가 배치되고, 상기 제1 내지 제4 피식각체(cp1 내지 cp4)의 식각을 위해 상술된 바와 같이 진공 분위기에서 플라즈마가 형성될 수 있다(이하, 식각 환경이라고 함).
이러한 식각 환경에서, 식각 시간(etching time)에 따른 데이터 예를 들어, 식각 시간(etching time)에 따른 피식각체의 식각 깊이(etching depth, 도 18 참조), 식각 시간(etching time)에 따른 피식각체의 식각 단면 프로파일(profile angle, 도 19 참조)에 대한 데이터를 정립할 수 있다.
한편, 이러한 식각 시간에 따른 데이터 정립에 있어서, 종래에는 하나의 샘플당 식각 환경을 조성하였다. 다시 말해 앞서 설명된 바와 같이 제1 내지 제4 피식각체(cp1 내지 cp4)를 상정하는 경우, 종래에는, 개개의 피식각체별로 각각 식각 환경을 조성 즉, 제1 피식각체(cp1)의 식각을 위한 제1 식각 환경, 제2 피식각체(cp2)의 식각을 위한 제2 식각 환경, 제3 피식각체(cp3)의 식각을 위한 제3 식각 환경, 제4 피식각체(cp4)의 식각을 위한 제4 식각 환경을 각각 조성하였던 것이다.
이러한 종래 방법의 경우, 상기와 같이 제1 내지 제4 피식각체(cp1 내지 cp4)를 식각하기 위해서는, 4 번의 식각 환경을 조성해야 하므로, 시간적, 비용적으로 비 효율적인 단점이 있었다.
또한, 이렇게 제1 내지 제4 피식각체(cp1 내지 cp4)에 대하여 동일한 식각 환경을 조성한다고 하여도, 실질적으로 이러한 식각 환경은 앞서 설명된 바와 같은 외부 조건 예를 들어, 가스 소스 주입량, 식각 시간 등을 미리 설정된 기준에 맞추어 4 번 반복하여 재 설정하는 수준이기 때문에, 실질적으로 제1 피식각체(cp1)의 식각 완료 후에 제2 피식각체(cp2)의 제2 식각 환경을 조성하고, 제2 피식각체(cp2)의 식각 완료 후에 제3 피식각체(cp3)의 제3 식각 환경을 조성하고, 제3 피식각체(cp3)의 식각 완료 후에 제4 피식각체(cp4)의 제4 식각 환경을 조성하는 경우, 제1 내지 제4 피식각체(cp1 내지 cp4)에 조성한 제1 내지 제4 식각 환경이 완전히 동일하다고 볼 수 없음은 자명하다.
이에, 본 발명에서는, 적어도 하나 이상 즉, 복수의 피식각체에 대하여 각각 식각 환경을 조성하지 않고도, 동일한 식각 환경을 유지하며, 복수의 피식각체를 식각 시간 별로 식각할 수 있는 방법을 제공한다.
한편 일 실시 예에 따르면, 상기 반응 챔버(100)에는, 종래의 플라즈마 식각을 위한 플라즈마 식각 챔버와 동일한 구성이 마련될 수 있음은 물론이다. 종래의 플라즈마 식각 챔버는 종래의 기술을 참고하기로 한다.
이송 챔버(200)
도 8을 참조하면, 상기 이송 챔버(200)로는, 상기 반응 챔버(100)에서 식각된 피식각체(cp)가 이송될 수 있다.
보다 구체적으로, 본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 반응 챔버(100)에서 식각 중인 적어도 하나 이상의 피식각체(cp) 예를 들어, 도 1에 도시된 제1 내지 제4 피식각체(cp1 내지 cp4) 중에서, 특정 피식각체 예를 들어, 도 8에 도시된 제4 피식각체(cp4)가 상기 이송 챔버(200)로 이송될 수 있는 것이다.
이를 위해, 본 발명의 실시 예에 따르면, 앞서 설명된 바와 같이, 상기 이송 챔버(200)와 상기 반응 챔버(100)에는, 동일한 진공 분위기가 형성될 수 있다.
이를 위해, 상기 이송 챔버(200)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 이송 챔버(200) 내부 공간의 압력을 조절하는 제2 압력 조절부(pm2)와 연결될 수 있다.
이에 따라, 본 발명의 실시 예에 의하면, 상기 반응 챔버(100)와 상기 이송 챔버(200)에 동일한 진공 분위기가 형성됨으로써, 상기 반응 챔버(100)에서 식각 중인 피식각체(cp)가 상기 이송 챔버(200)로 이송될 수 있는 것이다.
한편 여기에서 제2 압력 조절부(pm2)는, 앞서 설명된 제1 압력 조절부(pm1)와 마찬가지로, 예를 들어 진공 펌프(터보 펌프 등)으로 마련될 수 있음은 물론이다.
또한, 일 실시 예에 따르면, 상기 이송 챔버(200) 내부에는, 상기 반응 챔버(100)에서 이송된 피식각체(cp) 예를 들어, 제4 피식각체(cp4)가 안착될 수 있는 안착부(210)가 마련될 수 있다.
이에 따라, 상기 반응 챔버(100)에서 상기 이송 챔버(200)로 이송된 피식각체(cp)는 상기 안착부(210)에 안착될 수 있다.
게이트 밸브(300)
도 5를 참조하면, 상기 게이트 밸브(300)는, 상기 반응 챔버(100)에서 식각된 피식각체(cp)가 상기 이송 챔버(200)로 이송되는 이송 경로를 제공할 수 있다.
이를 위해, 상기 게이트 밸브(300)는, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 반응 챔버(100)와 상기 이송 챔버(200)를 연통시키도록, 상기 반응 챔버(100) 및 상기 이송 챔버(200) 사이에 마련되어 개폐될 수 있다.
보다 구체적으로, 앞서 설명된 바와 같이, 상기 반응 챔버(100)에서 상기 피식각체(cp)의 식각을 위한 식각 환경, 보다 구체적으로는, 상기 식각을 위한 진공 분위기가 형성되는 경우, 상기 게이트 밸브(300)는 닫힌 상태일 수 있다.
한편, 상기 반응 챔버(100)에서 상기 피식각체(cp)의 식각을 위한 진공 분위기가 형성되고, 상기 이송 챔버(200)에서 상기 반응 챔버(100)와 동일한 진공 분위기가 형성된 경우, 상기 게이트 밸브(300)는 열릴 수 있다.
이는, 상기 반응 챔버(100)와 상기 이송 챔버(200)에 동일한 진공 분위기가 형성된 후에 상기 게이트 밸브(300)가 열림으로써, 상기와 같은 동일 진공 분위기 하에서, 상기 반응 챔버(100)에서 식각 중인 피식각체(cp)를 상기 이송 챔버(200)로 이송시키기 위함이다.
또는 일 실시 예에 따르면, 상기 게이트 밸브(300)는, 상기와 같은 반응 챔버(100)로부터 상기 이송 챔버(200)로 상기 피식각체(cp)가 이송된 이후에 닫힐 수도 있다.
다시 말해, 상기와 같이 반응 챔버(100)와 이송 챔버(200)에 동일한 진공 분위기가 형성되는 경우, 상기 게이트 밸브(300)는 사용자의 편의에 의하여 개폐될 수 있는 것이다.
한편, 이러한 게이트 밸브(300)는, 후술되는 제어부(500)를 통해 열리고 닫히도록 개폐 제어될 수도 있고, 사용자에 의하여 수동으로 열리고 닫힐 수도 있으나, 이하에서는 제어부(500)를 통해 개폐 제어됨을 상정하기로 한다.
이송부(400)
도 5를 참조하면, 상기 이송부(400)는, 상기 반응 챔버(100)에서 식각 중인 피식각체(cp)의 일 측을 잡아, 상기 피식각체(cp)를 상기 게이트 밸브(300)를 통해, 상기 이송 챔버(200)로 이송할 수 있다.
이를 위해, 상기 이송부(400)는, 무빙 파트(410), 캡쳐 파트(430), 연직 이동부(450) 중에서 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 무빙 파트(410)는, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 캡쳐 파트(430)를, 상기 이송 챔버(200)부터 상기 반응 챔버(100)를 향하는 횡방향(f, 도 5 참조) 또는 상기 반응 챔버(100)로부터 상기 이송 챔버(200)를 향하는 횡방향(b, 도 5 참조)으로 이동시킬 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 캡쳐 파트(430)는, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 무빙 파트(410)의 일 단에 마련되되 점착성을 가질 수 있다. 여기에서 일 단이라 함은, 상기 무빙 파트(410)의 상기 반응 챔버(100)를 향하는 끝단을 의미할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 연직 이동부(450)는, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 무빙 파트(410)의 일 단과 상기 캡쳐 파트(430) 사이에 마련되되, 상기 캡쳐 파트(430)를 상기 탑재부(110)를 향하거나(d, 도 5 참조), 상기 탑재부(110)로부터 멀어지도록(u, 도 5 참조) 연직방향 이동시킬 수 있다.
이에 따라, 상기 이송부(400)는, 상기 무빙 파트(410)를 통해, 상기 캡쳐 파트(430)를, 도 5에 도시된 상기 이송 챔버(200), 상기 게이트 밸브(300), 및 상기 반응 챔버(100)를 순차적으로 통과하는 상기 횡방향(f, 도 5 참조)으로 이동시켜, 상기 캡쳐 파트(430)를 상기 반응 챔버(100)에서 식각 중인 피식각체(cp, 도 5에서는 제4 피식각체(cp4)를 상정)의 상측에 위치시킬 수 있다.
또한, 상기 이송부(400)는, 상기 연직 이동부(450)를 통해, 상기 캡쳐 파트(430)가 상기 탑재부(110)를 향하도록 연직방향(d, 도 5 참조) 이동시켜, 도 5에 도시되 바와 같이, 상기 캡쳐 파트(430)를 통해, 상기 탑재부(110) 상에 배치되어 식각 중인 피식각체(cp, 도 5에서는 제4 피식각체(cp4)를 상정)의 상측을 잡을 수 있다.
또한, 상기 이송부(400)는, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 연직 이동부(450)를 통해, 상기 피식각체(cp, 도 5에서는 제4 피식각체(cp4)를 상정)의 상측을 잡은 상기 캡쳐 파트(430)를, 상기 탑재부(110)로부터 멀어지도록 연직방향(u, 도 5 참조) 이동시킬 수 있다.
또한, 상기 이송부(400)는, 상기 무빙 파트(410)를 통해, 도 5에 도시된 바와 같이 상기 피식각체(cp, 도 5에서는 제4 피식각체(cp4)를 상정)의 상측을 잡은 상기 캡쳐 파트(430)를, 상기 반응 챔버(100), 상기 게이트 밸브(300), 및 상기 이송 챔버(200)를 순차적으로 통과하는 상기 횡방향(b, 도 5 참조)으로 이동시킬 수 있다.
이에 따라, 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 피식각체(cp, 도 5에서는 제4 피식각체(cp4)를 상정)가 상기 이송 챔버(200)로 이송될 수 있다.
한편, 일 실시 예에 따르면, 상기 캡쳐 파트(430)는, 상기 반응 챔버(100)의 탑재부(110)에 배치된 상기 피식각체(cp, 예를 들어, 도 3에 도시된 제1(cp1), 제2(cp2), 제3(cp3), 제4 피식각체(cp4)의 수에 대응되는 수(예를 들어, 도 3에 도시된 제1(430a), 제2(430b), 제3(430c), 제4 캡쳐 파트(430d)) 및/또는 위치로 마련될 수 있다(도 3 및 도 4에서, 상기 제1(430a), 제2 캡쳐 파트(430b)는 미도시 되었으나, 상기 제1 캡쳐 파트(430a)는, 상기 제3 캡쳐 파트(430c)의 우측에, 상기 제2 캡쳐 파트(430b)는, 상기 제4 캡쳐 파트(430d)의 우측에 배치된 것을 상정한 것임).
또는 이와는 반대 관점에서, 상기 피식각체(cp, 예를 들어, 제1 내지 제4 피식각체(cp1 내지 cp4))가, 상기 캡쳐 파트(430)에 대응 되는 수(예를 들어, 도 3에 도시된 제1(430a), 제2(430b), 제3(430c), 제4 캡쳐 파트(430d)) 및/또는 위치로 상기 반응 챔버(100)의 탑재부(110)에 배치될 수도 있다.
한편, 이에 따라 상기 캡쳐 파트(430)를 상기 연직방향 이동(d, u, 도 5 참조)시키는 상기 연직 이동부(450)도, 상기 캡쳐 파트(430, 예를 들어, 430a 내지 430d)에 대응되는 수(예를 들어, 도 3에 도시된 제1(450a), 제2(450b), 제3(450c), 제4 연직 이동부(450d)) 및/또는 위치에 마련될 수 있음은 물론이다(도 3 및 도 4에서, 상기 제1(450a), 제2 연직 이동부(450b)는 미도시 되었으나, 상기 제1 연직 이동부(450a)는, 상기 제3 연직 이동부(450c)의 우측에, 상기 제2 연직 이동부(450b)는, 상기 제4 연직 이동부(450d)의 우측에 배치된 것을 상정한 것임).
이에 따라, 본 발명의 실시 예에 의하면, 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 반응 챔버(100)에서 식각 중인 적어도 하나 이상의 피식각체(cp, 예를 들어, 상기 제1 내지 제4 피식각체(cp1 내지 cp4)) 중에서, 특정 피식각체(예를 들어, 도 7에서는 상기 제4 피식각체(cp4))가 상기 이송 챔버(200)로 특정 이송되도록, 후술되는 제어부(500)에서는, 상기 캡쳐 파트(430, 도 7에서는 제4 캡쳐 파트(430d)) 및 상기 연직 이동부(450, 도 7에서는 제4 연직 이동부(450d))가 상기 특정 피식각체(예를 들어, 도 7에서는 상기 제4 피식각체(cp4))를 잡도록 개별 제어할 수 있다. 이에 관해서는 보다 상세히 후술하기로 한다.
한편 이러한 개별 제어를 위해, 상기 연직 이동부(450)는 솔레노이드 타입(solenoid type)으로 마련될 수 있다.
한편, 본 발명의 변형 예에 의하면, 상기 캡쳐 파트(430)는, 상기 피식각체(cp)의 일 측을 잡되, 상기 피식각체(cp) 중 비-식각된 영역(미도시)을 잡도록 마련될 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 캡쳐 파트(430)는, 상기 피식각체(cp)의 중심부가 식각되어 상기 중심부에 식각 영역(미도시)이 형성된 경우, 상기 중심부를 제외한 비-식각된 영역인 주변 영역을 잡도록 마련될 수 있는 것이다.
이는 본 발명에 의하면, 상기와 같은 피식각체(cp)의 식각 영역에 대한 정확한 분석을 위하여, 상기 식각 영역이 비-접촉되도록 고려된 것이다.
상기 제어부(500)
상기 제어부(500, 도 11 참조)는, 상기 반응 챔버(100)에서 식각 중인 피식각체(cp)를 상기 이송 챔버(200)로 이송하기 위하여, 앞서 설명된 각 부 즉, 반응 챔버(100), 이송 챔버(200), 게이트 밸브(300), 및 이송부(400) 중에서 적어도 어느 하나를 제어할 수 있다.
이를 위해, 일 실시 예에 따르면, 상기 제어부(500)에는, 도 11에 도시된 바와 같이, 상술된 각 부를 제어하기 위한 버튼(bt)이 마련될 수도 있다.
이하, 본 발명의 실시 예에 따른 제어부(500)의 피식각체(cp) 이송 제어가 설명된다.
이하에서 설명되는 피식각체(cp)의 이송 제어는, 앞서 설명된 바와 같이, 상기 반응 챔버(100)와 상기 이송 챔버(200)의 진공 분위기가 동일한 것을 상정한 것이며, 상기 피식각체(cp)가 상기 반응 챔버(100) 내에서 식각 중임을 상정한 것이다.
도 5를 참조하면, 상기 제어부(500)는, 상기 피식각체(cp)의 식각 중에, 상기 캡쳐 파트(430)가 상기 피식각체(cp)의 상측에 위치하도록, 상기 무빙 파트(410)의 상기 횡방향 이동(f, 도 5 참조)을 제어할 수 있다.
이에 따라, 상기 무빙 파트(410)는, 도 5에 도시된 상기 이송 챔버(200), 상기 게이트 밸브(300), 및 상기 반응 챔버(100)를 순차적으로 통과하여, 상기 캡쳐 파트(430)를 상기 반응 챔버(100)에서 식각 중인 피식각체(cp, 도 5에서는 제4 피식각체(cp4)를 상정)의 상측에 위치시킬 수 있다.
한편 도 5를 참조하면, 상기 제어부(500)는, 상기 피식각체(cp, 도 5에서는 제4 피식각체(cp4)를 상정)의 상측에 위치한 상기 캡쳐 파트(430)가 상기 피식각체(cp, 도 5에서는 제4 피식각체(cp4)를 상정)의 상측을 잡도록, 상기 연직 이동부(450)의 상기 연직방향(d, 도 5 참조) 이동을 제어할 수 있다.
이에 따라, 상기 반응 챔버(100)에서 식각 중인 피식각체(cp, 도 5에서는 제4 피식각체(cp4)를 상정)의 상측에 위치한 상기 캡쳐 파트(430)가, 상기 탑재부(110) 상에 배치되어 식각 중인 피식각체(cp, 도 5에서는 제4 피식각체(cp4)를 상정)의 상측을 잡을 수 있다. 한편 이는 앞서 설명된 바와 같이, 상기 캡쳐 파트(430)가 점착성을 가짐을 상정한 것이다.
한편, 도 5를 참조하면, 상기 제어부(500)는, 상기 캡쳐 파트(430)가 상기 식각 중인 피식각체(cp, 도 5에서는 제4 피식각체(cp4)를 상정)의 상측을 잡은 경우, 상기 캡쳐 파트(430)가 상기 탑재부(110)로부터 멀어지도록 상기 연직방향(u, 도 5 참조) 이동을 제어할 수 있다.
이에 따라, 식각 중인 피식각체(cp, 도 5에서는 제4 피식각체(cp4)를 상정)의 상측을 잡은 상기 캡쳐 파트(430)가, 상기 탑재부(110)로부터 멀어질 수 있다.
한편, 도 8을 참조하면, 상기 제어부(500)는, 피식각체(cp, 도 8에서는 제4 피식각체(cp4)를 상정)의 상측을 잡은 상기 캡쳐 파트(430)가 상기 이송 챔버(200)로 이동되도록, 상기 무빙 파트(410)의 상기 횡방향 이동(b, 도 5 참조)을 제어할 수 있다.
이에 따라, 상기 무빙 파트(410)는, 도 8에 도시된 상기 반응 챔버(100), 상기 게이트 밸브(300), 및 상기 이송 챔버(200)를 순차적으로 통과하여, 상기 피식각체(cp, 도 8에서는 제4 피식각체(cp4)를 상정)를 상기 이송 챔버(200)로 이송시킬 수 있다.
한편, 이러한 피식각체(cp)의 식각 중 이송은, 앞서 설명된 바와 같이, 상기 반응 챔버(100)와 상기 이송 챔버(200)가 동일한 진공 분위기로 형성되었기에 가능한 것이다.
한편, 상기 반응 챔버(100)에서 식각 중인 피식각체(cp)가 복수인 경우를 상정해 보기로 한다. 예를 들어, 앞서 도 1을 참조하여 설명된 바와 같이, 상기 반응 챔버(100) 내부 탑재부(110)에 배치된 4 개의 피식각체 즉, 제1 내지 제4 피식각체(cp1 내지 cp4)가 식각되는 것을 상정해 보기로 한다.
이와 같이, 상기 반응 챔버(100)에서 식각 중인 피식각체(cp1 내지 cp4)가 복수인 경우, 상기 제어부(500)는, 상기 반응 챔버(100)에서 식각 중인 적어도 하나 이상의 피식각체(cp) 즉, 제1 내지 제4 피식각체(cp1 내지 cp4) 중에서, 특정 피식각체 예를 들어, 도 5 및 도 8에 도시된 제4 피식각체(cp4)가 상기 이송 챔버(200)로 이송되도록 특정 이송 제어할 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 캡쳐 파트(430a 내지 430d) 및 상기 연직 이동부(450a 내지 450d)가, 앞서 설명된 바와 같이, 상기 피식각체(cp1 내지 cp4)에 대응되는 수 및/또는 위치로 마련된 경우, 상기 제어부(500)는, 상기 특정 이송 제어를 위해, 도 6에 도시된 바와 같이 상기 무빙 파트(410)를 상기 횡방향(f, 도 5 참조) 이동시켜, 각각 상기 제1 내지 제4 캡쳐 파트(430a 내지 430d)가 각각 상기 제1 내지 제4 피식각체(cp1 내지 cp4)의 대응되는 상측에 위치하도록 제어할 수 있다.
이후, 상기 제어부(500)는, 상기 특정 이송 제어를 위해, 상기 제1 내지 제4 연직 이동부(450a 내지 450d) 중, 특정 연직 이동부 예를 들어, 도 7에 도시된 제4 연직 이동부(450d)의 상기 탑재부(110)를 향한 연직방향(d, 도 5 참조) 이동을 제어할 수 있다.
이에 따라, 상술된 바와 같이 상기 제1 내지 제4 캡쳐 파트(430a 내지 430d)가, 각각 상기 제1 내지 제4 피식각체(cp1 내지 cp4)의 상측에 위치하였지만, 그 중에서, 상기 제어부(500)가 특정 연직 이동부(450) 예를 들어, 상기 제4 연직 이동부(450d)의 연직방향(d, 도 5 참조) 이동을 제어함으로써, 상기 제4 피식각체(cp4)만 상기 제4 캡쳐 파트(430d)에 의해 잡힐 수 있다.
따라서, 상기 제어부(500)는, 도 8을 참조하여 앞서 설명된 바와 같이, 상기 무빙 파트(410)가, 상기 반응 챔버(100), 상기 게이트 밸브(300), 및 상기 이송 챔버(200)를 순차적으로 통과하는 상기 횡방향(b, 도 5 참조) 이동하도록 제어하여, 상기 제4 캡쳐 파트(430d)에 의해 잡힌 상기 제4 피식각체(cp4)만 상기 반응 챔버(100)에서 상기 이송 챔버(200)로 특정 이송되도록 상기 특정 이송 제어할 수 있는 것이다.
한편, 이는, 앞서 설명된 바와 같이, 상기 연직 이동부(450)가 상기와 같이 개별 제어되도록 솔레노이드 타입으로 마련됨으로써 구현 가능한 것이다.
한편, 본 발명의 실시 예에 의하면, 상기 피식각체(cp)의 식각 시간(etching time)에 따른 데이터, 예를 들어, 식각 시간(etching time)에 따른 피식각체의 식각 깊이(etching depth, 도 18 참조), 식각 시간(etching time)에 따른 피식각체의 식각 단면 프로파일(profile angle, 도 19 참조)에 대한 데이터를 정립하기 위하여, 고려된 것이다.
보다 구체적으로 상기 피식각체(cp)의 식각을 위해, 하나의 상기 반응 챔버(100) 내부에 식각 환경이 조성되고, 상기 식각 환경과 동일한 진공 분위기로 상기 이송 챔버(200)의 진공 분위기가 형성되고, 상기 제1 내지 제4 피식각체(cp1 내지 cp4)가 상기 하나의 반응 챔버(100) 내부 식각 환경에 의하여 식각 중인 것을 상정해 보기로 한다.
이때, 본 발명의 실시 예에 의하면, 상기 반응 챔버(100) 내부에서 상기 복수의 피식각체(cp)에 각기 다른 식각 시간(etching time)을 적용, 예를 들어, 상기 제1 피식각체(cp1), 상기 제2 피식각체(cp2), 상기 제3 피식각체(cp3), 상기 제4 피식각체(cp4) 순으로 짧은 식각 시간(etching time)을 적용하고, 상기 이송 챔버(200)로 이송시켜, 상기 피식각체(cp)의 식각 시간(etching time)에 따른 데이터를 정립할 수 있다.
이는 본 발명의 실시 예에 의하면, 상기와 같이 하나의 반응 챔버(100) 내부에서 식각 중인 제1 내지 제4 피식각체(cp1 내지 cp4)에 대하여, 식각 시간이 완료된(예를 들어, 3 분 후) 제1 피식각체(cp1)를 상기 하나의 반응 챔버(100)에서 상기 이송 챔버(200)로 이송 시키고, 이후 동일한 방법으로, 식각 시간이 완료된 제2 내지 제4 피식각체(cp2 내지 cp4)를 순차적으로(예를 들어, 순차적으로 6 분 후, 9 분 후, 12 분 후에) 상기 하나의 반응 챔버(100)에서 상기 이송 챔버(200)로 이송시킴으로써 가능하다.
이에 따라, 본 발명의 실시 예에 의하면, 동일한 식각 환경하에서, 상기 피식각체(cp)의 식각 시간에 따른 데이터를 정립할 수 있는 것이다.
한편 이는, 본 발명의 실시 예에 의하면, 앞서 설명된 바와 같이, 상기 반응 챔버(100)와 상기 이송 챔버(200)가 동일한 진공 분위기로 형성되었기에 가능한 것이다.
이에 따라, 본 발명에 의하면, 고정밀 플라즈마 식각 조건을 확보하기 위하여, 복수의 피식각체(cp)를 식각하는 경우에도, 상기 복수의 피식각체(cp)에 대하여 각각 식각 환경을 조성하지 않고도 즉, 동일한 식각 환경을 유지하며 상기 복수의 피식각체(cp)를 식각할 수 있다.
따라서, 본 발명에 의하면, 고종횡비 식각 공정에 대한 샘플링 및/또는 플라즈마 특성 데이터를 확보하기 위하여, 종래와 같이 제1 내지 제4 피식각체(cp1 내지 cp4)를 식각하기 위한, 4 번의 식각 환경 조성하는 것이 불필요하므로, 시간적, 비용적으로 효율적일 수 있다.
이상, 본 발명의 실시 예에 따른 진공 분위기 유지 피식각체 이송 장치가 설명되었다.
이하, 본 발명의 실시 예에 따른 진공 분위기 유지 피식각체 이송 방법이 설명된다.
도 2 내지 도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 진공 분위기 유지 피식각체 이송 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 2를 참조하면, 상기 진공 분위기 유지 피식각체 이송 방법은, 식각 가스로부터 형성된 플라즈마에 의하여 피식각체를 식각하는 반응 챔버 내부에 피식각체를 배치하는 단계(S110), 상기 반응 챔버에서 상기 피식각체를 식각하는 단계(S120), 상기 반응 챔버에서 식각된 피식각체가 이송될 예정인 이송 챔버 및 상기 반응 챔버의 진공 분위기를 동일하게 형성하는 단계(S130), 상기 피식각체의 식각 중에, 상기 반응 챔버와 상기 이송 챔버가 연통되도록, 상기 반응 챔버와 상기 이송 챔버 사이에 마련된 게이트 밸브를 열고, 이송부를 상기 이송 챔버, 상기 게이트 밸브, 및 상기 반응 챔버로 순차적 통과시켜, 상기 이송부에 형성된 캡쳐 파트를 통해 상기 식각 중인 피식각체의 일 측을 잡는 단계(S140), 상기 잡은 피식각체를 상기 이송 챔버로 이송시키는 단계(S150), 및 상기 피식각체의 식각 깊이 및 식각 단면 프로파일 중에서 적어도 어느 하나를 제어하기 위한, 식각 시간에 따른 데이터를 정립하는 단계(S160) 중에서 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
이하, 각 단계가 설명된다.
이하 설명되는 각 단계에 있어서, 앞서 설명된 실시 예에 따른 진공 분위기 유지 피식각체 이송 장치(1000)의 각 구성 즉, 상기 반응 챔버(100), 상기 이송 챔버(200), 상기 게이트 밸브(300), 상기 이송부(400), 및 상기 제어부(500)와 중복되는 설명은 생략될 수도 있다. 하지만, 이하에서 중복되는 설명이 생략된다고 해서, 이를 배제하는 것은 아님은 물론이다.
단계 S110
도 3을 참조하면, 단계 S110에서, 상기 반응 챔버(100) 내부에 피식각체(cp: cp1 내지 cp4)가 배치될 수 있다. 이하에서는, 앞서 설명된 바와 같이, 상기 반응 챔버(100) 내부에 제1 내지 제4 피식각체(cp1 내지 cp4)가 배치된 것을 상정하기로 한다.
보다 구체적으로, 본 단계에서, 상기 탑재부(110)에, 상기 피식각체(cp)가 배치될 수 있다.
상기 반응 챔버(100)에 관해서는 앞선 실시 예의 설명과 중복되는 바, 앞선 실시 예의 설명을 참고하기로 한다.
한편 여기에서 피식각체(cp)라 함은, 식각되는 대상이되, 본 발명에서 피식각체(cp)는 쿠폰 웨이퍼(coupon wafer)일 수 있다.
상기 피식각체(cp)에 관해서는 앞선 실시 예의 설명과 중복되는 바, 앞선 실시 예의 설명을 참고하기로 한다.
단계 S120
도 3을 참조하면, 단계 S120에서, 상기 반응 챔버(100)에서 상기 피식각체(cp)가 식각될 수 있다.
이를 위해, 상기 반응 챔버(100)에는 앞서 설명된 바와 같은 식각 환경이 조성 즉, 진공 분위기에서 플라즈마가 형성될 수 있다.
이에 관해서도 앞선 실시 예의 설명과 중복되는 바, 앞선 실시 예의 설명을 참고하기로 한다.
한편, 본 단계에서, 상기 피식각체(cp)의 식각이 완료된 후에는, 상기와 같은 식각 환경은 해제(즉, 플라즈마 off)될 수 있음은 물론이다.
한편, 본 단계에서 상기 게이트 밸브(300)는 여전히 닫힌 상태일 수 있다.
단계 S130
도 3을 참조하면, 단계 S130에서, 상기 반응 챔버(100)에서 식각된 피식각체(cp)가 이송될 예정인 이송 챔버(200) 및 상기 반응 챔버(100)의 진공 분위기가 동일하게 형성될 수 있다.
이를 위해, 상기 반응 챔버(100)에 마련된 제1 압력 조절부(pm1) 및 상기 이송 챔버(200)에 연결된 제2 압력 조절부(pm2)를 통해, 상기 반응 챔버(100) 및 상기 이송 챔버(200)의 진공 분위기가 동일하게 형성될 수 있다.
한편, 본 단계에서 상기와 같은 동일한 진공 분위기를 형성함에 있어서, 상기 반응 챔버(100)에서의 진공 분위기가 기준이 될 수 있음은 물론이다.
또한, 본 단계에서 상기 게이트 밸브(300)는 닫힌 상태일 수 있다.
이에 관해서는 앞선 실시 예의 설명과 중복되는 바, 앞선 실시 예의 설명을 참고하기로 한다.
단계 S140
도 4 및 도 5를 참조하면, 단계 S140에서, 상기 피식각체(cp)의 식각 중에, 상기 반응 챔버(100)와 상기 이송 챔버(200)가 연통되도록, 상기 반응 챔버(100)와 상기 이송 챔버(200) 사이에 마련된 상기 게이트 밸브(300)가 열릴 수 있다.
한편, 상기 게이트 밸브(300)는, 앞서 설명된 바와 같이 상기 제어부(500)를 통해 열리고 닫히도록 개폐 제어될 수도 있고, 사용자에 의하여 수동으로 열리고 닫힐 수도 있으나, 이하에서는 제어부(500)를 통해 개폐 제어됨을 상정하기로 한다.
한편 도 5를 참조하면, 본 단계에서, 상기 제어부(500)는, 상기 피식각체(cp)의 식각 중에, 상기 캡쳐 파트(430)가 상기 피식각체(cp)의 상측에 위치하도록, 상기 무빙 파트(410)의 상기 횡방향 이동(f, 도 5 참조)을 제어할 수 있다.
이에 따라, 상기 이송부(400) 보다 구체적으로는, 상기 무빙 파트(410)가, 도 5에 도시된 상기 이송 챔버(200), 상기 게이트 밸브(300), 및 상기 반응 챔버(100)를 순차적으로 통과함으로써, 상기 캡쳐 파트(430)가, 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 반응 챔버(100)에서 식각 중인 피식각체(cp, 도 5에서는 제4 피식각체(cp4)를 상정)의 상측에 위치될 수 있다.
또한, 상기 제어부(500)는, 상기 연직 이동부(450)를 상기 연직방향(d, 도 5 참조) 이동하도록 제어하여, 도 5에 도시되 바와 같이, 상기 캡쳐 파트(430)를 통해, 상기 탑재부(110) 상에 배치되어 식각 중인 피식각체(cp, 도 5에서는 제4 피식각체(cp4)를 상정)의 상측을 잡을 수 있다.
또한, 상기 제어부(500)는, 상기 연직 이동부(450)를 상기 연직방향(u, 도 5 참조) 이동하도록 제어하여, 도 5에 도시되 바와 같이, 상기 피식각체(cp, 도 5에서는 제4 피식각체(cp4)를 상정)의 상측을 잡은 상기 캡쳐 파트(430)가, 상기 탑재부(110)로부터 멀어질 수 있다.
한편, 본 단계에서 상기 제어부(500)는 앞서 설명된 바와 같이 특정 이송 제어를 위해, 특정 피식각제 예를 들어¸ 제4 피식각체(cp4)를 잡도록 상기 제4 연직 이동부(450d)의 상기 연직방향(d, 도 5 참조) 이동을 제어할 수도 있다.
이는 앞서 설명된 바와 같이, 제1 내지 제4 캡쳐 파트(430a 내지 430d) 및 제1 내지 제4 연직 이동부(450a 내지 450d)를 상정한 것이다.
상기 특정 이송 제어에 관해서는 앞선 실시 예의 설명과 중복되는 바, 앞선 실시 예의 설명을 참고하기로 한다.
단계 S150
도 8을 참조하면, 단계 S150에서, 상기 제어부(500)는 상기 잡은 피식각체(cp, 도 8에서는 제4 피식각체(cp4)를 상정)가 상기 이송 챔버(200)로 이송되도록 제어할 수 있다.
이를 위해, 상기 제어부(500)는, 상기 이송부(400)의 무빙 파트(410)가 상기 반응 챔버(100), 상기 게이트 밸브(300), 및 상기 이송 챔버(200)를 순차적으로 통과하도록, 상기 무빙 파트(410)의 상기 횡방향(b, 도 5 참조) 이동을 제어할 수 있다.
이에 관해서는 앞선 실시 예의 설명과 중복되는 바, 앞선 실시 예의 설명을 참고하기로 한다.
한편, 본 단계에서 상기 잡은 피식각체(cp, 도 8에서는 제4 피식각체(cp4)를 상정)가 상기 이송 챔버(200)로 이송된 이후에, 상기 게이트 밸브(300)는 닫힐 수 있다.
단계 S160
단계 S160에서, 상기 피식각체(cp)의 식각 시간에 따른 데이터가 정립될 수 있다.
보다 구체적으로, 본 단계에서 상기 피식각체(cp)의 식각 깊이 및 식각 단면 프로파일 중에서 적어도 어느 하나를 제어하기 위한, 식각 시간에 따른 데이터가 정립될 수 있다.
이는, 복수의 피식각체(cp) 예를 들어, 상기 제1 내지 제4 피식각체(cp 1 내지 cp4)에 대해서 앞서 설명된 단계 S140 및 단계 S150을 반복 수행함(예를 들어, 상기 제1 내지 제4 피식각체(cp1 내지 cp4)에 대한 식각 시간을, 순차적으로 각각 3 분, 6 분, 9 분, 12 분으로 진행하고, 상기 반응 챔버(100)로부터 상기 이송 챔버(200)로 각각 이송함)으로써, 식각 시간에 따른 데이터를 획득하여 정립될 수 있음은 물론이다.
이상, 본 발명의 실시 예에 따른 진공 분위기 유지 피식각체 이송 방법이 설명되었다.
이하, 본 발명의 실험 예가 설명된다.
도 9 내지 도 19는 본 발명의 실험 예를 설명하기 위한 도면이다.
도 9 내지 도 16은 본 발명의 실험 예에 따라 제조된 진공 분위기 유지 피식각체 이송 장치(1000)를 도시한다.
도 9를 참조하면 본 발명의 실험 예에 따라 제조된 진공 분위기 유지 피식각체 이송 장치(1000)는, 앞서 설명된 실시 예에 따른 상기 반응 챔버(100), 상기 이송 챔버(200), 및 상기 게이트 밸브(300)를 포함하는 것을 관측할 수 있다.
한편, 본 발명의 실험 예에 따르면, 상기 제1 내지 제4 피식각체(cp1 내지 cp4)로 SiO2를 준비하고, 상기 반응 챔버(100) 내부의 탑재부(110)에 상기 제1 내지 제4 피식각체(cp1 내지 cp4)를 배치하고 각기 다른 시간으로 식각하였다. 보다 구체적으로, 도 17 (a)를 참조하면, 상기 제1 피식각체(cp1)는 3 분, 도 17 (b)를 참조하면, 상기 제2 피식각체(cp2)는 6 분, 도 17 (c)를 참조하면, 상기 제3 피식각체(cp3)는 9 분, 도 17 (d)를 참조하면, 상기 제4 피식각체(cp4)는 12 분으로 식각하였다.
한편, 도 9 및 도 10을 참조하면, 상기 이송 챔버(200) 내부에는, 상기 무빙 파트(410)가 배치된 것을 관측할 수 있다.
한편, 도 10을 참조하면, 상기 무빙 파트(410)의 일단에 형성된 상기 제3 및 제4 연직 이동부(450c, 450d)를 관측할 수 있다. 한편, 도 10에는 미도시 되었으나, 상기 제1 연직 이동부(450a)는, 상기 제3 연직 이동부(450c)의 우측에, 상기 제2 연직 이동부(450b)는, 상기 제4 연직 이동부(450d)의 우측에 형성되어 있다.
본 발명의 실험 예에서 상기 제1 내지 제4 연직 이동부(450a 내지 450d)는, 솔레노이드 타입(solenoid type)으로 마련하였다.
한편, 도 11을 참조하면, 앞서 설명된 각 부를 제어하기 위한 제어부(500)를 형성하였다.
본 발명의 실험 예에서 상기 제어부(500)에는, 상기 제1 내지 제4 연직 이동부(450a 내지 450d)의 상기 연직방향 이동(d, u, 도 5 참조) 제어를 위해, 상기 제1 내지 제4 연직 이동부(450a 내지 450d)를 각각 상기 연직방향 이동(d, u, 도 5 참조)시키는 제1 내지 제4 버튼(bt: bt1, bt2, bt3, bt4)을 형성하였다.
한편, 도 11에 도시된 바와 같이, 일례로 상기 반응 챔버(100)에서 상기 제4 피식각체(cp4)의 식각 시간인 12 분 완료 후에, 상기 제4 버튼(bt4)을 조작하여, 도 12에 도시된 상기 무빙 파트(410)를 상기 반응 챔버(100) 내부로 상기 횡방향 이동(f, 도 5 참조)시켜, 도 13에 도시된 바와 같이, 상기 캡쳐 파트(430)를 상기 반응 챔버(100)에서 식각 중인 제4 피식각체(cp4)의 상측으로 이동시키고, 도 14에 도시된 바와 같이, 상기 제4 연직 이동부(450d)를 상기 연직방향 이동(d, 도 5 참조)시켜, 도 15에 도시된 바와 같이, 상기 제4 캡쳐 파트(430d)를 통해 상기 제4 피식각체(cp4)만을 잡아. 도 16에 도시된 바와 같이, 상기 이송 챔버(200)로 이송시켰다.
이와 동일한 방식으로, 도 11에 도시된 상기 제1 내지 제3 버튼(bt1 내지 bt3)을 조작하여, 각각 상기 제1 내지 제3 피식각체(cp1 내지 cp3)의 식각 시간 완료 후(각각, 3 분, 6 분, 9 분)에, 상기 반응 챔버(100)에서 상기 이송 챔버(200)로 이송시켰다.
한편, 도 17 (a) 내지 도 17 (d)를 참조하면 상기 실험 예에 따른 진공 분위기 유지 피식각체 이송 장치(1000)를 통해 식각된 제1 내지 제4 피식각체(cp1 내지 cp4)의 사진을 관측할 수 있다.
한편, 도 18 및 도 19는, 도 17에 도시된 제1 내지 제4 피식각체(cp1 내지 cp4)의 사진으로부터, 정립된 식각 시간에 따른 데이터를 도시한다.
도 18을 참조하면, 본 발명의 실험 예에 따라, 식각 시간이 제1 피식각체(cp1)에서 제4 피식각체(cp4)로 길어질수록, 상기 제1 내지 제4 피식각체(cp1 내지 cp4)가 식각된 식각(et1 내지 et4) 깊이가 깊어지는 것을 알 수 있다.
또한, 도 19를 참조하면, 본 발명의 실험 예에 따라, 식각 시간이 제1 피식각체(cp1)에서 제4 피식각체(cp4)로 길어질수록, 단면 프로파일이 90 °에 가까운 것을 알 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 실시 예에 의하면, 하나의 반응 챔버(100)에서 식각 중인 복수의 피식각체(cp)에 대하여, 식각 시간을 달리하여, 상기 이송부(400)를 통해 꺼내어, 상기 이송 챔버(200)로 이송 시킴으로써, 동일한 식각 환경 하에서, 상기 복수의 피식각체(cp)의 식각 시간에 따른 데이터를 정립할 수 있는 것이다.
한편 이는, 앞서 설명된 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따라 상기 반응 챔버(100)와 상기 이송 챔버(200)가 동일한 진공 분위기로 형성되었기에 가능한 것이다.
따라서, 본 발명에 의하면, 상기와 같은 식각 시간에 따른 데이터 정립을 위하여, 복수의 피식각체(cp)를 식각하는 경우에도, 상기 복수의 피식각체(cp)에 대하여 각각 식각 환경을 조성하지 않고도 즉, 동일한 식각 환경을 유지하며 상기 복수의 피식각체(cp)를 식각할 수 있어, 복수의 피식각체(cp)에 대하여 각각 식각 환경 조성하는 것이 불필요하므로, 시간적, 비용적으로 효율적일 수 있다.
이상, 본 발명을 바람직한 실시 예를 사용하여 상세히 설명하였으나, 본 발명의 범위는 특정 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 첨부된 특허청구범위에 의하여 해석되어야 할 것이다. 또한, 이 기술분야에서 통상의 지식을 습득한 자라면, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않으면서도 많은 수정과 변형이 가능함을 이해하여야 할 것이다.
100: 반응 챔버
110: 탑재부
200: 이송 챔버
210: 안착부
300: 게이트 밸브
400: 이송부
410: 무빙 파트
430: 캡쳐 파트
450: 연직 이동부
500: 제어부
1000: 진공 분위기 유지 피식각체 이송 장치

Claims (13)

  1. 식각 가스로부터 형성된 플라즈마에 의하여 피식각체가 식각되는, 반응 챔버;
    상기 반응 챔버에서 식각된 피식각체가 이송되는, 이송 챔버;
    상기 피식각체의 식각 중에, 상기 반응 챔버와 상기 이송 챔버를 연통시키되, 상기 반응 챔버에서 식각된 피식각체가 상기 이송 챔버로 이송되는 이송 경로를 제공하는, 게이트 밸브; 및
    상기 이송 챔버, 상기 게이트 밸브, 및 상기 반응 챔버를 순차적으로 통과하여, 상기 반응 챔버에서 식각 중인 피식각체가 상기 게이트 밸브를 통해 상기 이송 챔버로 이송되도록 상기 식각 중인 피식각체의 일 측을 잡는 캡쳐 파트가 형성된, 이송부;를 포함하되,
    상기 반응 챔버와 상기 이송 챔버에는, 동일한 진공 분위기가 형성된, 진공 분위기 유지 피식각체 이송 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 피식각체는, 쿠폰 웨이퍼(coupon wafer)인, 진공 분위기 유지 피식각체 이송 장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 반응 챔버 내부에는, 상기 피식각체가 배치되는 탑재부가 마련되되,
    상기 이송부는,
    일 단에는 상기 캡쳐 파트가 마련되되, 상기 캡쳐 파트를 상기 이송 챔버로부터 상기 반응 챔버를 향하는 횡방향 이동시키는, 무빙 파트; 및
    상기 무빙 파트의 일 단과 상기 캡쳐 파트 사이에 마련되되, 상기 무빙 파트에 의하여, 상기 탑재부에 배치된 피식각체의 상측에 위치하도록 상기 횡방향 이동된 상기 캡쳐 파트를, 상기 탑재부를 향하거나 상기 탑재부로부터 멀어지도록 연직방향 이동시키는, 연직 이동부;를 더 포함하는, 진공 분위기 유지 피식각체 이송 장치.
  4. 제3 항에 있어서,
    제어부를 더 포함하되,
    상기 제어부는,
    상기 피식각체의 식각 중에,
    상기 캡쳐 파트가 상기 피식각체의 상측에 위치하도록, 상기 무빙 파트의 횡방향 이동을 제어하고,
    상기 피식각체의 상측에 위치한 상기 캡쳐 파트가 상기 피식각체의 상측을 잡도록, 상기 연직 이동부의 연직방향 이동을 제어하는, 진공 분위기 유지 피식각체 이송 장치.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 캡쳐 파트는, 점착성을 가지는, 진공 분위기 유지 피식각체 이송 장치.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 피식각체의 식각 깊이 및 식각 단면 프로파일 중에서 적어도 어느 하나를 제어하기 위한, 식각 시간에 따른 데이터 정립을 위해 마련된, 진공 분위기 유지 피식각체 이송 장치.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 캡쳐 파트는, 상기 피식각체의 일 측을 잡되, 상기 피식각체 중 비-식각된 영역을 잡는, 진공 분위기 유지 피식각체 이송 장치.
  8. 제1 항에 있어서,
    제어부를 더 포함하되,
    상기 제어부는,
    상기 반응 챔버에서 식각 중인 적어도 하나 이상의 피식각체 중에서, 특정 피식각체가 상기 이송 챔버로 이송되도록 특정 이송 제어하는, 진공 분위기 유지 피식각체 이송 장치.
  9. 식각 가스로부터 형성된 플라즈마에 의하여 피식각체를 식각하는 반응 챔버 내부에 피식각체를 배치하는 단계;
    상기 반응 챔버에서 상기 피식각체를 식각하는 단계;
    상기 반응 챔버에서 식각된 피식각체가 이송될 예정인 이송 챔버 및 상기 반응 챔버의 진공 분위기를 동일하게 형성하는 단계;
    상기 피식각체의 식각 중에, 상기 반응 챔버와 상기 이송 챔버가 연통되도록, 상기 반응 챔버와 상기 이송 챔버 사이에 마련된 게이트 밸브를 열고, 이송부를 상기 이송 챔버, 상기 게이트 밸브, 및 상기 반응 챔버로 순차적 통과시켜, 상기 이송부에 형성된 캡쳐 파트를 통해 상기 식각 중인 피식각체의 일 측을 잡는 단계; 및
    상기 잡은 피식각체를 상기 이송 챔버로 이송시키는 단계;를 포함하는, 진공 분위기 유지 피식각체 이송 방법.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 피식각체를 배치하는 단계의 피식각체는, 쿠폰 웨이퍼(coupon wafer)인 것을 포함하는, 진공 분위기 유지 피식각체 이송 방법.
  11. 제9 항에 있어서,
    상기 피식각체를 배치하는 단계의 반응 챔버 내부에는, 상기 피식각체가 배치되는 탑재부가 마련되고,
    상기 식각 중인 피식각체의 일 측을 잡는 단계의 이송부는, 일 단에는 상기 캡쳐 파트가 마련되되, 상기 캡쳐 파트를 상기 이송 챔버로부터 상기 반응 챔버를 향하는 횡방향 이동시키는, 무빙 파트, 및 상기 무빙 파트의 일 단과 상기 캡쳐 파트 사이에 마련되되, 상기 무빙 파트에 의하여, 상기 탑재부에 배치된 피식각체의 상측에 위치하도록 상기 횡방향 이동된 상기 캡쳐 파트를, 상기 탑재부를 향하거나 상기 탑재부로부터 멀어지도록 연직방향 이동시키는, 연직 이동부를 더 포함하되,
    상기 식각 중인 피식각체의 일 측을 잡는 단계는,
    상기 피식각체의 식각 중에, 상기 캡쳐 파트가 상기 피식각체의 상측에 위치하도록, 상기 무빙 파트가 상기 횡방향 이동하는 단계; 및
    상기 피식각체의 상측에 위치한 상기 캡쳐 파트가 상기 피식각체의 상측을 잡도록, 상기 연직 이동부가 상기 연직방향 이동하는 단계;를 포함하는, 진공 분위기 유지 피식각체 이송 방법.
  12. 제9 항에 있어서,
    상기 식각 중인 피식각체의 일 측을 잡는 단계의 캡쳐 파트는, 점착성을 가지는 것을 포함하는, 진공 분위기 유지 피식각체 이송 방법.
  13. 제9 항에 있어서,
    상기 피식각체의 식각 깊이 및 식각 단면 프로파일 중에서 적어도 어느 하나를 제어하기 위한, 식각 시간에 따른 데이터를 정립하는 단계;를 더 포함하는, 진공 분위기 유지 피식각체 이송 방법.
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