KR20230043655A - 웨이퍼 디척킹 방법 - Google Patents

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KR20230043655A KR1020220010655A KR20220010655A KR20230043655A KR 20230043655 A KR20230043655 A KR 20230043655A KR 1020220010655 A KR1020220010655 A KR 1020220010655A KR 20220010655 A KR20220010655 A KR 20220010655A KR 20230043655 A KR20230043655 A KR 20230043655A
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Abstract

웨이퍼 처리 시스템 및 웨이퍼 처리 방법을 개시한다.
웨이퍼 디척킹 방법은, 척에 인가된 전압의 극성을 역전시키는 극성역전단계와, 척에 수용된 리프트핀을 제1 이송속도로 척으로부터 상승시켜 척에 지지된 웨이퍼를 제1 설정위치까지 이송시키는 제1 이송단계와, 리프트핀을 제1 이송속도와 다른 제2 이송속도로 상승시켜 제1 설정위치에 배치된 웨이퍼를 제1 설정 위치보다 높은 제2 설정위치까지 이송시키는 제2 이송단계를 포함하고,
상기 웨이퍼의 이송속도가 변경될 경우, 상기 웨이퍼의 상부에서 공급된 유체의 용량 및 압력 중 적어도 어느 하나는 크기가 변경된다.

Description

웨이퍼 디척킹 방법{Wafer dechucking method}
본 발명은 웨이퍼 디척킹 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체의 제조 공정 시스템에서 웨이퍼를 제품을 고정시키기 위한 정전 척으로부터 웨이퍼를 디척킹하는 웨이퍼 디척킹 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 제조 공정 시스템에서 사용되는 척(chuck)은 전압을 인가하면 정전현상을 발생시키고, 이를 통해 상면에 지지된 웨이퍼를 고정시킨다.
그러나, 상기와 같은 정전 방식의 척은 웨이퍼를 정전력에 의해 고정하고 있음에 따라, 리프트핀을 이용하여 웨이퍼를 척으로부터 분리하려고 할 때, 척과 웨이퍼 사이에 작용하는 정전력에 인하여 웨이퍼의 분리가 용이하지 못한 문제점이 있었다.
즉, 리프트핀으로 웨이퍼를 지지하여 척으로부터 웨이퍼를 분리할 경우, 척과 웨이퍼 사이의 정전력으로 인하여 큰 저항력이 발생되고, 이로 인해 웨이퍼가 리프트핀으로부터 이탈되는 문제점이 있었다.
따라서, 종래에는 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 척에 인가된 전압의 극성을 역전하여 잔류 전하를 방전하고, 이를 통해 척과 웨이퍼 사이의 정전력을 제거하여 웨이퍼를 척으로부터 분리시키는 방법이 개발되었다.
그러나, 척에 인가된 전압의 극성을 역전하여 전하를 방전하더라도, 완벽한 방전이 이루어지지 못하여, 척과 웨이퍼 사이에는 여전히 일부 정전력이 잔존하게 되고, 이로 인해 웨이퍼의 분리 시 리프트핀에 지지되는 웨이퍼가 리프트핀으로부터 이탈되거나, 기울어지는 현상 및 웨이퍼가 손상되는 문제점이 있었다.
본 발명은 척과 웨이퍼 사이의 잔류 전하를 완벽히 방전시켜, 웨이퍼의 분리 시 잔류 전하의 영향으로 인하여 웨이퍼가 리프트핀으로부터 이탈되거나, 기울어지는 현상 및 웨이퍼의 손상을 방지하고, 불량률을 최소화할 수 있는 웨이퍼 디척킹 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 디척킹 방법은, 척에 인가된 전압의 극성을 역전시키는 극성역전단계; 상기 척에 수용된 리프트핀을 제1 이송속도로 상기 척으로부터 상승시켜 상기 척에 지지된 웨이퍼를 제1 설정위치까지 이송시키는 제1 이송단계; 및 상기 리프트핀을 상기 제1 이송속도와 다른 제2 이송속도로 상승시켜 상기 제1 설정위치에 배치된 상기 웨이퍼를 상기 제1 설정 위치보다 높은 제2 설정위치까지 이송시키는 제2 이송단계; 를 포함한다.
상기 제2 설정위치는 상기 웨이퍼가 반송되는 위치일 수 있다.
상기 제1 이송속도는 상기 제2 이송속도보다 더 느린 속도일 수 있다.
상기 제1 이송속도와, 상기 제2 이송속도의 상대비는, 1:2 내지 1:5 일 수 있다.
상기 척에서 상기 제1 설정위치 까지의 거리는, 상기 척에서 상기 제2 설정위치 까지의 거리보다 짧을 수 있다.
상기 척에서 상기 제1 설정위치 까지의 제1 거리와, 상기 척에서 상기 제2 설정위치 까지의 제2 거리의 상대비는 1:4 내지 1:6 일 수 있다.
상기 웨이퍼는 상기 제1 설정위치에서 상기 제2 설정위치로 연속적으로 이송될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 웨이퍼 디척킹 방법은, 척에 인가된 전압의 극성을 역전시키는 극성역전단계; 상기 척에 수용된 리프트핀을 제1 이송속도로 상기 척으로부터 상승시켜 상기 척에 지지된 웨이퍼를 제1 설정위치까지 이송시키는 제1 이송단계; 상기 리프트핀을 제3 이송속도로 하강시켜 상기 제1 설정위치에 배치된 상기 웨이퍼를 상기 제1 설정위치보다 낮은 제3 설정위치까지 이송시키는 제3 이송단계; 및 상기 리프트핀을 상기 제1 이송속도 및 상기 제3 이송속도와 다른 제2 이송속도로 상승시켜 상기 제3 설정위치에 배치된 상기 웨이퍼를 상기 제1 설정 위치보다 높은 제2 설정위치까지 이송시키는 제2 이송단계; 를 포함한다.
상기 제3 이송속도는 상기 제1 이송속도와 동일한 속도이거나 더 빠른 속도일 수 있다.
상기 제1 이송속도와 상기 제2 이송속도의 상대비는, 1:2 내지 1:5 이고, 상기 제3 이송속도와 상기 제2 이송속도의 상대비는, 1:2 내지 1:5 일 수 있다.
상기 제3 설정위치는 상기 웨이퍼가 상기 척 상에 지지되는 위치일 수 있다.
상기 척에 지지된 상기 웨이퍼가 상기 제1 설정위치까지 이송되는 과정 중 상기 척과 상기 웨이퍼 사이에 유로가 형성되고, 상기 제1 설정위치에 배치된 상기 웨이퍼가 상기 제3 설정위치까지 이송되는 과정 중 상기 웨이퍼의 상부에서 공급되어 상기 웨이퍼보다 아래에서 배출되는 유체가 상기 유로를 통과하면서 상기 척의 상면 및 상기 웨이퍼의 하면에 접촉될 수 있다.
상기 제1 이송단계 및 상기 제2 이송단계 중 적어도 어느 하나는, 점진적 또는 구간적으로 속도가 더 빠르게 가변되는 복수 개의 구간; 을 포함할 수 있다.
적어도 상기 웨이퍼가 상기 제1 설정위치보다 위로 이송되기 전까지 상기 웨이퍼의 상부에서 공급된 유체가 상기 웨이퍼를 거쳐 상기 웨이퍼보다 아래에서 배출될 수 있다.
상기 웨이퍼의 이송속도가 변경될 경우, 상기 유체의 용량 및 압력 중 적어도 어느 하나는 크기가 변경될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 웨이퍼가 척으로부터 분리될 때 서서히 안정적으로 이송하여 웨이퍼와 척 사이에 잔존하는 잔류 전하가 웨이퍼에 미치는 영향이 최소화되므로, 잔류 전하의 영향으로 인하여 웨이퍼가 리프트핀으로부터 이탈되거나, 기울어지는 현상 및 웨이퍼의 손상을 방지하고, 불량률을 최소화할 수 있다.
또한, 웨이퍼가 척으로부터 서서히 분리될 때, 척과 웨이퍼 사이에 유로를 형성하여, 척과 웨이퍼 사이로 챔버 내에 공급된 유체가 흐르도록 함으로써, 잔류 전하를 완전히 방전시킬 수 있다.
아울러, 웨이퍼가 정전력의 영향력이 미치지 않는 제1 설정위치로 이송되면, 웨이퍼를 제2 설정위치까지 더 빠른 속도로 이송하여 공정시간을 단축하고, 이를 통해 스루풋(throughput) 손실을 최소화할 수 있다.
본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 발명 내에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼의 디척킹 과정을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 디척킹 방법을 나타낸 순서도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼의 디척킹 과정 중 속도가 가변되는 과정을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 웨이퍼의 디척킹 과정을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 웨이퍼 디척킹 방법을 나타낸 순서도이다.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다.
본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 디척킹 과정은 반도체 제조 시스템의 웨이퍼 처리 장치(100)에 의해 수행된다.
웨이퍼 처리 장치(100)는 로봇암(미도시)에 의해 웨이퍼(W)의 출입이 가능하도록 구성되고, 웨이퍼를 처리하기 위한 공간인 챔버(10)와, 챔버(10) 내에 배치되고 인가되는 DC 전압의 극성에 따라 웨이퍼(W)를 고정 또는 해제하도록 구성되는 척(20)과, 척(20)의 내부에 수용되어 웨이퍼(W)를 승강시키도록 구성되는 리프트핀(30)을 포함한다. 그러나, 웨이퍼 처리 장치(100)는 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 다양한 구성들을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 디척킹 방법에 대하여 보다 상세히 설명한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 디척킹 방법은 극성역전단계(S110), 제1 이송단계(S120) 및 제2 이송단계(S130)를 포함할 수 있다.
도 1의 (a) 및 도 2를 참조하면, 웨이퍼(W) 처리 공정이 완료되면, 웨이퍼 처리 장치(100)는 척(20)에 인가된 전압의 극성을 역전시키는 극성역전단계(S110)를 수행할 수 있다.
즉, 웨이퍼 처리 장치(100)는 웨이퍼(W) 처리 공정이 완료된 후, 척(20)에 고정된 웨이퍼(W)가 척(20)으로부터 분리될 수 있도록 척(20)에 인가된 전압의 극성을 역전시킨다. 예를 들어, 웨이퍼(W) 처리 공정이 수행되기 전 척(20)에 인가되는 DC 전압의 극성은 +이고, 웨이퍼(W) 처리 공정이 수행된 후 척(20)에 인가되는 DC 전압의 극성은 -일 수 있다. 그러나, 웨이퍼(W) 처리 공정이 수행되기 전 척(20)에 인가되는 DC 전압의 극성 및 웨이퍼(W) 처리 공정이 수행된 후 척(20)에 인가되는 DC 전압의 극성은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 서로 반대의 극성으로 적용될 수도 있다.
도 1의 (b) 및 도 2를 참조하면, 척(20)에 인가된 전압의 극성이 역전되면, 웨이퍼 처리 장치(100)는 척(20)에 수용된 리프트핀(30)을 제1 이송속도로 척(20)으로부터 상승시켜, 척(20)에 지지된 웨이퍼(W)를 제1 설정위치(P1)까지 이송시키는 제1 이송단계(S120)를 수행할 수 있다. 도면에는 도시되지 않았으나, 리프트핀(30)에 결합되고, 리프트핀(30)을 승강시키도록 구성되는 구동장치(미도시)가 더 배치될 수 있다. 예를 들어, 구동장치는 모터나, 실린더 등과 같은 액추에이터로 구현될 수 있다.
도 1의 (c) 및 도 2를 참조하면, 웨이퍼(W)가 제1 설정위치(P1)까지 이송되면, 웨이퍼 처리 장치(100)는 리프트핀(30)을 제1 이송속도와 다른 제2 이송속도로 상승시켜 제1 설정위치(P1)에 배치된 웨이퍼(W)를 제1 설정위치(P1)보다 높은 제2 설정위치(P2)까지 이송시키는 제2 이송단계(S130)를 수행할 수 있다.
즉, 도 1에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)가 제1 설정위치(P1)까지 이송되면, 웨이퍼 처리 장치(100)는 리프트핀(30)을 제1 이송속도와 다른 제2 이송속도로 상승시켜 제1 설정위치(P1)에 배치된 웨이퍼(W)를, 로봇암(미도시)에 의해 웨이퍼(W)가 반송되는 위치(P2)까지 이송시킨다.
따라서, 본 실시예는 웨이퍼(W)가 척(20)으로부터 분리될 때에는 서서히 안정적으로 이송하여 웨이퍼(W)와 척(20) 사이에 잔존하는 일부 정전력이 웨이퍼(W)에 미치는 영향을 최소화하므로, 정전력의 영향으로 의하여 웨이퍼(W)가 리프트핀(30)으로부터 이탈되거나, 기울어지는 현상 및 웨이퍼의 손상을 방지하고, 불량률을 최소화할 수 있다.
이때, 리프트핀(30)의 제1 이송속도는, 리프트핀(30)의 제2 이송속도보다 더 느린 속도일 수 있다.
즉, 웨이퍼 처리 장치(100)는 웨이퍼(W)와 척(20) 사이에 잔존하는 잔류 전하의 영향력이 웨이퍼(W)에 미치지 않도록, 척(20)에 지지된 웨이퍼(W)를 제1 설정위치(P1)까지 제2 이송속도보다 상대적으로 느린 제1 이송속도로 이송시킨 후, 웨이퍼(W)가 제1 설정위치(P1)에 도달하면, 보다 빠른 공정을 위하여 웨이퍼(W)를 제2 설정위치(P2)까지 제2 이송속도로 이송시킨다.
더 자세하게는, 제1 이송속도와, 제2 이송속도의 상대비는, 1:2 내지 1:5일 수 있다. 예를 들어, 리프트핀(30)을 제1 이송속도로 승강시키는 구동장치(미도시)의 구동펄스는 8000 내지 15000으로 설정될 수 있다. 그리고 리프트핀(30)을 제2 이송속도로 승강시키는 구동장치(미도시)의 구동펄스는 16000 내지 75000으로 설정될 수 있다.
또한, 척(20)에서 제1 설정위치(P1) 까지의 제1 거리(d1)는, 척(20)에서 제2 설정위치(P2) 까지의 제2 거리(d2)보다 짧게 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 설정위치(P1)는 리프트핀(30)에 지지된 웨이퍼(W)가 척(20)으로부터 제1 이송속도로 5 내지 20초간 상승된 위치일 수 있다.
더 자세하게는, 척(20)에서 제1 설정위치(P1) 까지의 제1 거리(d1)와, 척(20)에서 제2 설정위치(P2) 까지의 제2 거리(d2)의 상대비는 1:4 내지 1:6일 수 있다.
이때, 웨이퍼(W)는 제1 설정위치(P1)에서 제2 설정위치(P2)로 연속적으로 이송될 수 있다. 즉, 제1 설정위치(P1)에서 제2 설정위치(P2)로 이송 시 정지하지 않고 이송속도만 변경되어 이송될 수 있다.
도 1 및 도 3을 참조하면, 웨이퍼(W)가 척(20)에서 제1 설정위치(P1)로 이송되는 과정 및 웨이퍼(W)가 제1 설정위치(P1)에서 제2 설정위치(P2)로 이송되는 과정 중 적어도 어느 하나는, 점진적 또는 구간적으로 웨이퍼(W)의 이송속도가 더 빠르게 가변되는 복수 개의 구간을 포함할 수 있다.
즉, 웨이퍼(W)가 척(20)에서 제1 설정위치(P1)로 이송되는 과정 및 웨이퍼(W)가 제1 설정위치(P1)에서 제2 설정위치(P2)로 이송되는 과정 중 적어도 어느 하나에서, 리프트핀(30)은 웨이퍼(W)의 이송속도를 점진적으로 증가시키거나, 리프트핀(30)은 복수 개로 나누어진 구간별로 웨이퍼(W)의 이송속도를 다르게하여 이송속도를 구간적으로 증가시킬 수 있다.
일예로, 제1 설정위치(P1)에서 제2 설정위치(P2)로 이송되는 과정을 나타낸 도 3을 참조하면, 리프트핀(30)은 상승되는 속도를 점진적으로 증가시켜, 제1 설정위치(P1)에 배치된 웨이퍼(W)를 제2 설정위치(P2)까지 보다 빠르게 이송시킬 수 있다. 참고로, 도 3에서, 웨이퍼(W)의 양 측부에 도시된 화살표는 웨이퍼(W)의 이송속도를 나타내며, 이때, 화살표의 굵기는 이송속도의 빠른 정도를 나타낸다. 즉, 도 3의 (b)에 도시된 웨이퍼(W)의 이송속도는 도 3의 (a)에 도시된 웨이퍼(W)의 이송속도 보다 빠르고, 도 3의 (c)에 도시된 웨이퍼(W)의 이송속도는 도 3의 (b)에 도시된 웨이퍼(W)의 이송속도 보다 빠른 것을 의미할 수 있다.
따라서, 본 실시예는 웨이퍼(W)가 정전력의 영향력이 미치지 않는 제1 설정위치(P1)로 이송되면, 웨이퍼(W)를 연속적으로 제2 설정위치(P2)까지 보다 더 빠른 속도로 이송하여 공정시간을 단축하고, 이를 통해 스루풋(throughput) 손실을 최소화할 수 있다.
또한, 이송속도를 점진적 또는 구간적으로 웨이퍼(W)의 이송속도가 더 빠르게 가변되는 복수 개의 구간을 포함하여, 웨이퍼(W)가 안정적으로 이송될 수 있다.
한편, 웨이퍼(W)의 상부에서 공급된 유체가 웨이퍼(W)를 거쳐 웨이퍼(W)보다 아래에서 배출될 수 있다. 이때, 유체는 적어도 웨이퍼(W)가 제1 설정위치보다 위로 이송되기 전까지 공급될 수 있고, 필요에 따라 웨이퍼(W)가 제2 설정위치로 이송하는 과정 중에도 공급될 수 있다.
이때, 유체는 웨이퍼(W)와 척(20) 사이에 잔존하는 잔류 전하와 결합하여 배출되므로, 잔류 전하를 완전히 방전시킬 수 있다.
예를 들어, 유체는 불활성 기체 또는 불활성 기체에 가까운 기체일 수 있다. 구체적으로 유체는 아르곤 계열(Ar) 또는 이질소(N2) 계열로 형성될 수 있다.
한편, 웨이퍼(W)의 이송속도가 변경될 경우, 챔버(10)의 내부에 공급된 유체의 용량 및 압력 중 적어도 어느 하나는 그 크기가 변경될 수 있다. 예를 들어, 유체의 용량은 50 내지 500 sccm 내에서 변경될 수 있다. 그리고, 유체의 압력은 5 내지 1000 mT 내에서 변경될 수 있다.
구체적으로, 웨이퍼(W)의 이송속도가 증가하는 경우, 유체의 용량 및 압력 중 적어도 어느 하나는 그 크기가 감소될 수 있다. 예를 들어, 웨이퍼(W)가 척(20)으로부터 이격되어 제1 설정위치(P1)로 이송되는 과정에서의 유체의 용량 및 압력 중 적어도 어느 하나의 크기보다, 웨이퍼(W)가 제1 설정위치(P1)에서 제2 설정위치(P2)로 이송되는 과정에서의 유체의 용량 및 압력 중 적어도 어느 하나의 크기가 더 작을 수 있다.
이에, 웨이퍼(W)의 이송속도의 증가에 따라서, 유체의 용량 및 압력 중 적어도 하나의 크기를 작게하여, 웨이퍼(W)가 안정적으로 이송될 수 있다.
이하에서는, 본 발명의 다른 실시예에 따른 웨이퍼 디척킹 방법에 대하여 설명한다.
참고로, 본 발명의 다른 실시예에 따른 웨이퍼 디척킹 방법을 설명하기 위한 각 구성에 대해서는 설명의 편의상 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 디척킹 방법을 설명하면서 사용한 도면부호를 동일하게 사용하고, 동일하거나 중복된 설명은 생략하기로 한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 웨이퍼 디척킹 방법은 극성역전단계(S210), 제1 이송단계(S220), 제3 이송단계(S230) 및 제2 이송단계(S240)를 포함할 수 있다.
도 4의 (a) 및 도 5를 참조하면, 웨이퍼(W) 처리 공정이 완료되면, 웨이퍼 처리 장치(100)는 척(20)에 인가된 전압의 극성을 역전시키는 극성역전단계(S210)를 수행할 수 있다.
도 4의 (b) 및 도 5를 참조하면, 척(20)에 인가된 전압의 극성이 역전되면, 웨이퍼 처리 장치(100)는 척(20)에 수용된 리프트핀(30)을 제1 이송속도로 척(20)으로부터 상승시켜, 척(20)에 지지된 웨이퍼(W)를 제1 설정위치(P1)까지 이송시키는 제1 이송단계(S220)를 수행할 수 있다.
도 4의 (c) 및 도 5를 참조하면, 웨이퍼(W)가 제1 설정위치(P1)까지 이송되면, 웨이퍼 처리 장치(100)는 리프트핀(30)을 제3 이송속도로 하강시켜 제1 설정위치(P1)에 배치된 웨이퍼(W)를 제1 설정위치(P1)보다 낮은 제3 설정위치(P3)까지 이송시키는 제3 이송단계(S230)를 수행할 수 있다.
도 4의 (d) 및 도 5를 참조하면, 웨이퍼(W)가 제3 설정위치(P3)까지 이송되면, 웨이퍼 처리 장치(100)는 리프트핀(30)을 제1 이송속도 및 제3 이송속도와 다른 제2 이송속도로 상승시켜 제3 설정위치(P3)에 배치된 웨이퍼(W)를 제1 설정위치(P1)보다 높은 제2 설정위치(P2)까지 이송시키는 제2 이송단계(S240)를 수행할 수 있다.
이때, 리프트핀(30)의 제3 이송속도는 리프트핀(30)의 제1 이송속도와 동일한 속도이거나 더 빠른 속도일 수 있다. 그리고, 리프트핀(30)의 제1 이송속도와 리프트핀(30)의 제3 이송속도는 리프트핀(30)의 제2 이송속도보다 더 느린 속도일 수 있다.
더 자세하게는, 제1 이송속도와, 제2 이송속도의 상대비는, 1:2 내지 1:5이고, 제3 이송속도와, 제2 이송속도의 상대비는, 1:2 내지 1:5일 수 있다.
또한, 제1 설정위치(P1)는 웨이퍼(W)와 척(20) 사이에 잔존하는 잔류 전하의 영향력이 웨이퍼(W)에 미치지 않는 위치이고, 제2 설정위치(P2)는 로봇암(미도시)에 의해 웨이퍼(W)가 반송되는 위치이며, 제3 설정위치(P3)는 웨이퍼(W)가 척(20) 상에 지지되는 위치일 수 있다.
즉, 도 4에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W) 처리 공정이 완료되면, 웨이퍼 처리 장치(100)는 웨이퍼(W)와 척(20) 사이에 잔존하는 잔류 전하의 영향력이 웨이퍼(W)에 미치지 않도록, 척(20)에 지지된 웨이퍼(W)를 제1 설정위치(P1)까지 제2 이송속도보다 상대적으로 느린 제1 이송속도로 이송시킨다. 그리고, 웨이퍼(W)가 제1 설정위치(P1)에 도달하면, 웨이퍼 처리 장치(100)는 웨이퍼(W)가 척(20) 상에 지지되도록, 제1 설정위치(P1)에 배치된 웨이퍼(W)를 제3 설정위치(P3)까지 제1 이송속도와 동일하거나 더 빠른 제3 이송속도로 이송시킨다. 그리고, 웨이퍼(W)가 제3 설정위치(P3)에 도달하면, 웨이퍼 처리 장치(100)는 보다 빠른 공정을 위하여 제3 설정위치(P3)에 배치된 웨이퍼(W)를 웨이퍼(W)가 반송되는 제2 설정위치(P2)까지 제1 이송속도 및 제3 이송속도 보다 빠른 제2 이송속도로 이송시킨다.
따라서, 본 실시예는, 웨이퍼(W)가 제1 설정위치(P1) 또는 제3 설정위치(P3)로 이송될 때 서서히 이송되도록 하여, 웨이퍼(W)가 리프트핀(30)에 더 안정적으로 지지되도록 조정하고, 이를 통해 웨이퍼(W)를 제2 설정위치(P2)까지 안정적으로 상승시킬 수 있다.
또한, 본 실시예는, 척(20)에 지지된 웨이퍼(W)를 제2 설정위치(P2)로 이송하기 전, 제1 설정위치(P1)로 상승시킨 후, 제3 설정위치(P3)로 하강시킴으로써, 웨이퍼(W)와 척(20) 사이에 잔존하는 잔류 전하를 완벽히 방전시킬 수 있다.
또한, 본 실시예는 척(20)에 지지된 웨이퍼(W)를 제1 설정위치(P1)까지 이송되는 과정 중 척(20)과 웨이퍼(W) 사이에 유로(FP)가 형성되고, 제1 설정위치(P1)에 배치된 웨이퍼(W)를 제3 설정위치(P3)까지 이송되는 과정 중 웨이퍼(W)의 상부에서 공급되어 웨이퍼(W)보다 아래에서 배출되는 유체가 유로(FP)를 통과하면서 척(20)의 상면 및 웨이퍼(W)의 하면에 접촉되고, 제3 설정위치(P3)로 이송하는 웨이퍼(W)에 의해 유로(FP)의 높이가 점차적으로 낮아져 유체의 유동이 빨라지므로 웨이퍼(W)와 척(20) 사이에 잔류 전하를 보다 빠르게 방전시킬 수 있다.
또한, 본 실시예는, 웨이퍼(W)를 제2 설정위치(P2)로 이송할 때 웨이퍼(W)를 제1 설정위치(P1) 및 제3 설정위치(P3)로 이송할 때보다, 상대적으로 빠른 속도로 이송하여 공정시간을 단축시킬 수 있다.
도면에는 도시되지 않았으나, 척(20)에서 제1 설정위치(P1) 까지의 거리는, 척(20)에서 제2 설정위치(P2) 까지의 거리보다 짧게 형성될 수 있다.
또한, 웨이퍼(W)가 척(20)에서 제1 설정위치(P1)로 이송되는 과정, 웨이퍼(W)가 제1 설정위치(P1)에서 제3 설정위치(P3)로 이송되는 과정 및 웨이퍼(W)가 제3 설정위치(P3)에서 제2 설정위치(P2)로 이송되는 과정 중 적어도 어느 하나는, 점진적 또는 구간적으로 웨이퍼(W)의 이송속도가 더 빠르게 가변되는 복수 개의 구간을 포함할 수 있다.
한편, 웨이퍼(W)의 상부에서 공급된 유체가 웨이퍼(W)를 거쳐 웨이퍼(W)보다 아래에서 배출될 수 있다. 이때, 유체는 적어도 웨이퍼(W)가 제1 설정위치보다 위로 이송되기 전까지 공급될 수 있고, 필요에 따라 웨이퍼(W)가 제2 설정위치로 이송하는 과정 중에도 공급될 수 있다.
이때, 유체는 웨이퍼(W)와 척(20) 사이에 잔존하는 잔류 전하와 결합하여 배출되므로, 잔류 전하를 완전히 방전시킬 수 있다.
예를 들어, 유체는 불활성 기체 또는 불활성 기체에 가까운 기체일 수 있다. 구체적으로 유체는 아르곤 계열(Ar) 또는 이질소(N2) 계열로 형성될 수 있다.
한편, 웨이퍼(W)의 이송속도가 변경될 경우, 챔버(10)의 내부에 공급된 유체의 용량 및 압력 중 적어도 어느 하나는 그 크기가 변경될 수 있다. 예를 들어, 유체의 용량은 50 내지 500 sccm 내에서 변경될 수 있다. 그리고, 유체의 압력은 5 내지 1000 mT 내에서 변경될 수 있다.
구체적으로, 웨이퍼(W)의 이송속도가 증가하는 경우, 유체의 용량 및 압력 중 적어도 어느 하나는 그 크기가 감소될 수 있다. 예를 들어, 웨이퍼(W)가 척(20)으로부터 이격되어 제1 설정위치(P1)로 이송되는 과정 또는 웨이퍼(W)가 제1 설정위치(P1)에서 제3 설정위치(P3)로 이송되는 과정에서의 유체의 용량 및 압력 중 적어도 어느 하나의 크기보다, 웨이퍼(W)가 제3 설정위치(P3)에서 제2 설정위치(P2)로 이송되는 과정에서의 유체의 용량 및 압력 중 적어도 어느 하나의 크기가 더 작을 수 있다.
이에, 웨이퍼(W)의 이송속도의 증가에 따라서, 유체의 용량 및 압력 중 적어도 하나의 크기를 작게하여, 웨이퍼(W)가 안정적으로 이송될 수 있다.
이상, 바람직한 실시예를 통하여 본 발명에 관하여 상세히 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 청구범위 내에서 다양하게 실시될 수 있다.
100. 웨이퍼 처리 장치
10. 챔버
20. 척
30. 리프트핀
W. 웨이퍼

Claims (9)

  1. 척에 인가된 전압의 극성을 역전시키는 극성역전단계;
    상기 척에 수용된 리프트핀을 제1 이송속도로 상기 척으로부터 상승시켜 상기 척에 지지된 웨이퍼를 제1 설정위치까지 이송시키는 제1 이송단계; 및
    상기 리프트핀을 상기 제1 이송속도와 다른 제2 이송속도로 상승시켜 상기 제1 설정위치에 배치된 상기 웨이퍼를 상기 제1 설정 위치보다 높은 제2 설정위치까지 이송시키는 제2 이송단계; 를 포함하고,
    상기 웨이퍼의 이송속도가 변경될 경우, 상기 웨이퍼의 상부에서 공급된 유체의 용량 및 압력 중 적어도 어느 하나는 크기가 변경되는 것을 특징으로 하는, 웨이퍼 디척킹 방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 제2 설정위치는 상기 웨이퍼가 반송되는 위치인 것을 특징으로 하는,
    웨이퍼 디척킹 방법.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 이송속도는 상기 제2 이송속도보다 더 느린 속도인 것을 특징으로 하는, 웨이퍼 디척킹 방법.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 제1 이송속도와, 상기 제2 이송속도의 상대비는, 1:2 내지 1:5 인 것을 특징으로 하는, 웨이퍼 디척킹 방법.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 척에서 상기 제1 설정위치 까지의 거리는, 상기 척에서 상기 제2 설정위치 까지의 거리보다 짧은 것을 특징으로 하는, 웨이퍼 디척킹 방법.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 척에서 상기 제1 설정위치 까지의 제1 거리와, 상기 척에서 상기 제2 설정위치 까지의 제2 거리의 상대비는 1:4 내지 1:6 인 것을 특징으로 하는, 웨이퍼 디척킹 방법.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 웨이퍼는 상기 제1 설정위치에서 상기 제2 설정위치로 연속적으로 이송되는 것을 특징으로 하는, 웨이퍼 디척킹 방법.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 이송단계 및 상기 제2 이송단계 중 적어도 어느 하나는,
    점진적 또는 구간적으로 속도가 더 빠르게 가변되는 복수 개의 구간; 을 포함하는, 웨이퍼 디척킹 방법.
  9. 청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 있어서,
    적어도 상기 웨이퍼가 상기 제1 설정위치보다 위로 이송되기 전까지 상기 웨이퍼의 상부에서 공급된 상기 유체가 상기 웨이퍼를 거쳐 상기 웨이퍼보다 아래에서 배출되는 것을 특징으로 하는, 웨이퍼 디척킹 방법.
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