KR20230036535A - 전구체 컨테이너 - Google Patents

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Abstract

전구체 컨테이너는, 전구체 물질을 수용하도록 제1 챔버에 의해 형성된 제1 체적, 제2 챔버에 의해 형성되고 격벽에 의해 제1 체적으로부터 분리된 제2 체적, 및 격벽을 통과하고 제1 체적으로부터 제2 체적으로 연장되어 제1 체적 내에 수용된 전구체 물질에 제1 체적에서의 압력 증가에 따른 제2 체적으로의 경로를 제공하는 도관을 포함한다. 격벽은, 제1 체적으로부터 제2 체적으로 가스가 투과되도록 하는 가스-투과성 벽이다.

Description

전구체 컨테이너{PRECURSOR CONTAINER}
본 발명은 일반적으로 전구체 컨테이너에 관한 것이다.
이 섹션은 최신 기술을 대표하는 여기에 설명된 어떠한 기술의 승인 없이 유용한 배경 정보를 설명한다.
CVD(Chemical Vapor Deposition, 화학 기상 증착) 및 ALD(Atomic Layer Deposition, 원자층 증착) 프로세스에서는 적어도 하나의 원자층으로 기판 표면을 채우기 위해서는, 특정 최소 양의 반응성 가스인, 전구체를 필요로 한다. 최적의 온도에서 수행되는 이상적인 ALD 프로세스의 경우, 전구체의 과도한 양은 증착된 박막의 성장 속도에 부정적인 영향을 미치지 않는다. 그러나 증착될 물질 및 우세하거나 요청된 증착 조건에 따라, 전구체 화학 물질의 과도한 양은 필름 성장 속도에 영향을 미칠 수 있다. 또한 일부 화학 물질은 상당히 고가일 수 있으며, 과도한 양의 사용은 단순히 불필요한 폐기물을 생성할 수 있다. CVD의 경우, 또는 ALD와 CVD의 조합인 프로세스, 예를 들어 퍼지 단계 없이 처리되는 ALD의 경우 전구체의 양은 훨씬 더 적절할 수 있다. 화학 물질이 기화하는 체적이 증가되거나 감소되는 결과를 낼 수 있는, 화학 물질 레벨이 전구체 병에서 변화하는 경우, 가스 펄스 당 투여량이 변경될 것이고 따라서 필름 성장에 영향을 미친다. 또한, 불활성 가스(N2 또는 Ar과 같은, 캐리어 가스)의 추가는 증착 품질에 영향을 미칠 정도로 유체의 압력, 농도 및/또는 유동 속도를 변경하기에 충분히 중요할 수 있다. 따라서, 전구체 컨테이너 내부의 변화하는 가스 체적에 의해 야기되는 문제를 완화할 필요가 있으며, 추가적으로 ALD/CVD 반응기의 가스 공급 장치에 대한 개선을 제공할 필요가 있다.
개선된 전구체 컨테이너를 제공하거나 적어도 기존 기술에 대한 대안적인 솔루션을 제공하는 것이 본 발명의 특정 실시예의 목적이다.
본 발명의 제1 예시적인 측면에 따르면,
전구체 물질을 수용하도록 제1 챔버에 의해 형성된 제1 체적;
제2 챔버에 의해 형성되고 격벽에 의해 상기 제1 체적으로부터 분리된 제2 체적; 및
상기 격벽을 통과하고, 상기 제1 체적으로부터 상기 제2 체적으로 연장되어, 상기 제1 체적 내에 수용된 상기 전구체 물질에 상기 제1 체적에서의 압력 증가에 따른 상기 제2 체적으로의 경로를 제공하는 도관을 포함하고, 상기 격벽은, 상기 제1 체적으로부터 상기 제2 체적으로 가스가 투과되도록 하는 가스-투과성 벽인 전구체 컨테이너가 제공된다.
특정 실시예에서, 전구체 물질은 액체 전구체 물질이다. 특정 실시예에서, 액체 전구체 물질은 열에 민감하다. 열에 민감한 전구체 물질은 장기간 동안 상승된 온도에서 저장되는 경우 분해될 수 있다. 특정 실시예에서, 전구체 물질은: 금속-유기 화합물, 유기금속 화합물, 유기 화합물, 실란(silane), 폴리실란, 치환된 실란, 및 고리형 실란을 포함하나 이에 제한되지 않는 군으로부터 선택될 수 있다.
특정 실시예에서, 가스-투과성 격벽은 다공성이며, 다공성 소결 알루미늄 디스크와 같이 소결된다.
특정 실시예에서, 전구체 물질은 전체 제1 체적을 차지한다. 특정 실시예에서, 전구체 물질은 액체 전구체 물질이 제1 체적 내에서 액체 표면 레벨을 형성하도록 전체 제1 부피를 차지하지 않는다.
특정 실시예에서, 도관은 제1 체적에 수용된 전구체 물질의 액체 표면 레벨 아래로 연장된다. 특정 실시예에서, 도관은 딥 튜브와 같은, 튜브이다. 특정 실시예에서, 도관은 스테인리스강이다.
특정 실시예에서, 전구체 컨테이너는 제1 체적에 배열되거나 부착된 입구를 포함한다. 특정 실시예에서, 입구는 밸브를 포함한다. 특정 실시예에서, 불활성 가스는 입구를 통해 제1 체적으로 제공된다. 특정 실시예에서, 불활성 가스는 캐리어 가스이다.
특정 실시예에서, 액체 전구체 물질은, 전구체 물질의 표면 레벨 또는 메니스커스가 챔버 벽(들)과 직접 접촉하도록 전체 제1 챔버를 차지한다. 다른 실시예에서, 액체 전구체는, 전구체 물질의 액체 표면 레벨 또는 메니스커스와 챔버 벽(들) 사이에 헤드스페이스가 있도록 전체 제1 챔버를 차지하지 않는다. 특정 실시예에서, 헤드스페이스는 전구체 물질의 액체 표면 레벨 또는 메니스커스와 격벽 또는 격벽의 도관 사이에 형성된다.
특정 실시예에서, 불활성 가스는 제1 체적에 수용된 전구체 물질의 액체 표면 레벨 아래에 제공된다. 불활성 가스가 전구체 물질의 표면 레벨 아래에 제공되면, 전구체 물질이 거품을 일으키고 기화한다.
특정 실시예에서, 불활성 가스는 제1 체적에 수용된 전구체 물질의 액체 표면 레벨 위에 제공된다. 제1 체적에 제공되는 불활성 가스로 인해, 제1 체적의 압력이 증가한다. 압력은 도관을 통해 제1 체적에 수용된 전구체 물질의 적어도 일부를 제2 체적으로 밀어낸다. 제2 체적으로 밀어내어지는 전구체 물질의 양은 도입되는 압력의 양을 통해 제어될 수 있다. 특정 실시예에서, 압력은 도입된 불활성(또는 삽입) 가스의 체적 및/또는 유동 속도를 통해 조절된다.
특정 실시예에서, 제1 체적은 제1 온도에서 유지되고 제2 체적은 제2 온도에서 유지된다.
특정 실시예에서, 전구체 컨테이너는 제1 및/또는 제2 체적을 제1 및/또는 제2 온도로 가열하도록 배열된 적어도 하나의 가열 수단을 포함한다. 특정 실시예에서, 가열 수단은 제2 체적을 제2 온도로 가열하여, 제2 온도가 제1 온도보다 더 따뜻하거나 더 높도록 배열된다. 불활성 가스가 가스-투과성 격벽을 통해 유동하는 것과 동시에, 제2 체적을 제2 온도로 가열하는 것은, 제1 체적에서의 압력의 증가를 따르고, 액체 전구체 물질을 제2 체적으로 운반하여, 전구체 물질의 기화를 증가시킨다. 제2 체적에서 더 높은 제2 온도의 결합된 작용, 및 불활성 가스와 액체 전구체의 양호한 접촉 및 혼합은 액체 전구체를 액체 상으로부터 가스 상으로 기화시킨다.
특정 실시예에서, 전구체 물질의 기화를 증가시키기 위한 수단이 제2 체적에 배열되거나 부착된다. 특정 실시예에서, 이 수단은: 초음파 소스, 적외선(IR) 소스 및 마이크로웨이브 소스 중 적어도 하나를 포함한다.
특정 실시예에서, 전구체 컨테이너는 제2 체적에 배열되거나 부착된 출구를 포함한다. 특정 실시예에서, 출구는 밸브를 포함한다. 특정 실시예에서, 불활성 가스 및 전구체 물질의 혼합물은 제2 체적으로부터 출구를 통해 배출된다.
특정 실시예에서, 배출된 불활성 가스 및 전구체 물질의 혼합물은 ALD, MLD(Molecular Layer Deposition, 분자층 증착), ALE(Atomic Layer Etching, 원자층 에칭) 또는 CVD 프로세스와 같은, 추가 사용을 위해 안내된다.
특정 실시예에서, 펄싱 전(또는 전구체 물질 펄싱 단계의 전), 제1 체적의 압력은 제2 체적의 압력과 동일하거나 실질적으로 유사하다. 또한, 특정 실시예에서, 펄싱 전, 제1 온도 및 제2 온도는 동일하거나 실질적으로 유사하다.
특정 실시예에서, 펄스 동안(또는 전구체 물질 펄싱 단계 동안), 불활성 가스는 제1 체적에 제공되어 제1 체적의 압력 증가를 초래하고, 이 압력 증가는 전구체 물질을 도관을 통해 제2 체적으로 밀어낸다. 제2 체적은 적어도 펄스 동안 제1 체적의 제1 온도보다 더 높은 제2 온도로 가열된다. 제2 체적으로의 열의 제공은, 추가로 사용될 전구체 물질을 기화시키는 제2 온도로 온도를 상승시킨다. 펄스가 종료될 때, 전구체 물질은 중력에 의해 제2 체적으로부터 제1 온도를 갖는 제1 체적으로 역류한다.
특정 실시예에서, 펄싱 동안(전구체 물질 펄스 또는 펄싱 단계 동안), 제1 체적의 압력은 제2 체적의 압력보다 높고, 제2 체적의 제2 온도는 제1 체적의 제1 온도보다 높다.
특정 실시예에서, 입구 및 출구 밸브는 질량 유동 제어기를 포함한다.
특정 실시예에서, 제1 체적을 제공하는 제1 챔버는 스테인리스강 또는 다른 낮은 열전도성 재료로 이루어진다. 특정 실시예에서, 제2 체적을 제공하는 제2 챔버는 알루미늄 또는 다른 높은 열전도성 재료로 이루어진다. 따라서, 특정 실시예에서 제1 및 제2 챔버는 상이한 재료로 이루어진다.
특정 실시예에서, 전구체 컨테이너는 원자층 증착, ALD, 장치에 사용된다. 이러한 맥락에서, ALD 용어는, MLD(Molecular Layer Deposition, 분자층 증착), 플라즈마-보조 ALD, 예를 들어 PEALD(Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition, 플라즈마 강화 원자층 증착), 및 광자-강화 원자층 증착(플래시 강화 ALD라고도 알려짐)과 같은 ALD 하위-유형을 포함한다. 대안적인 실시예에서, 전구체 컨테이너는 화학 기상 증착(CVD) 장치 또는 원자층 에칭(ALE) 장치에서 사용된다.
본 발명의 제2 예시적 측면에 따르면, 제1 챔버에 의해 형성된 제1 체적, 제2 챔버에 의해 생성된 제2 체적으로서, 가스-투과성 격벽에 의해 상기 제1 체적으로부터 분리된 제2 체적을 포함하는 전구체 컨테이너에서 전구체 물질을 취급하는 방법으로서:
상기 제1 체적 내에 수용된 전구체 물질이 상기 격벽을 통과하는 도관을 따라 상기 제1 체적으로부터 상기 제2 체적으로 연장되도록 상기 제1 체적의 압력을 증가시키는 단계; 및
상기 가스-투과성 격벽을 통해 상기 제1 체적으로부터 상기 제2 체적으로 가스 유동을 제공하는 단계를 포함하는 방법이 제공된다.
특정 실시예에서, 방법은:
불활성 가스의 유동을 입구를 통해 상기 제1 체적으로 통과시킴으로써 압력을 증가시키는 단계를 포함한다.
특정 실시예에서, 방법은:
펄싱 단계 동안 불활성 가스를 제1 체적에 제공하는 단계를 포함한다.
특정 실시예에서, 방법은:
불활성 가스 및 전구체 물질을 출구를 통해 상기 제2 체적으로부터 배출하는 단계를 포함한다.
특정 실시예에서, 방법은:
펄싱 단계 동안 상기 제2 체적을 상기 제1 체적의 온도보다 더 높은 온도로 가열하는 단계를 포함한다.
특정 실시예에서, 방법은:
초음파 소스, 적외선(IR) 소스 또는 마이크로웨이브 소스와 같은 에너지 소스로, 상기 제2 체적 내의 상기 전구체 물질의 기화를 증가시키는 단계를 포함한다.
상이한 구속력이 없는 예시적 측면 및 실시예가 앞서 설명되었다. 상기 실시예는 단지 본 발명의 구현에서 활용될 수 있는 선택된 측면 또는 단계를 설명하도록 사용된다. 일부 실시예는 특정 예시적 측면을 참조하여야 제시될 수 있다. 대응하는 실시예는 다른 예시적 측면에도 적용된다는 것이 이해되어야 한다. 실시예의 임의의 적절한 조합이 형성될 수 있다.
이제 본 발명은 첨부 도면을 참조하여 단지 예시의 방식으로 기술될 것이다:
도 1은 일 실시예에 따른 전구체 컨테이너의 개략적인 측면도를 도시하고;
도 2는 일 실시예에 따른 펄싱 단계에서 도 1에 개시된 전구체 컨테이너의 개략적인 측면도를 도시하고; 및
도 3은 특정 대안적인 실시예에 따른 전구체 컨테이너의 개략적인 측면도를 도시한다.
이하의 설명에서는, 원자층 증착(ALD) 기술 및 원자층 에칭(ALE) 기술이 예로서 사용된다.
ALD 성장 메커니즘의 기초는 통상의 기술자에게 알려져 있다. ALD는 적어도 하나의 기판에 적어도 2개의 반응성 전구체 종을 순차적으로 도입하는 것을 기초로 하는 특수 화학 증착 방법이다. 기본 ALD 증착 사이클은: 펄스 A, 퍼지 A, 펄스 B 및 퍼지 B의 4가지 순차적 단계로 구성된다. 펄스 A는 제1 전구체 증기와 다른 전구체 증기의 펄스 B로 구성된다. 불활성 가스 및 진공 펌프는 일반적으로 퍼지 A 및 퍼지 B 동안 반응 공간으로부터 가스 반응 부산물 및 잔류 반응물 분자를 퍼징하는 데 사용된다. 증착 시퀀스는 적어도 하나의 증착 사이클을 포함한다. 증착 사이클은, 증착 시퀀스가 원하는 두께의 박막 또는 코팅을 생성할 때까지 반복된다. 증착 사이클은 더 단순하거나 더 복잡할 수도 있다. 예를 들어, 사이클은 퍼지 단계에 의해 분리된 3개 이상의 반응물 증기 펄스를 포함할 수 있거나, 또는 특정 퍼지 단계가 생략될 수 있다. 또는 PEALD(플라즈마 강화 원자층 증착)와 같은 플라즈마 보조 ALD, 또는 광자-보조 ALD에서와 같이, 하나 이상의 증착 단계가 각각 플라즈마 또는 광자 인-피드(in-feed)를 통해 표면 반응을 위해 요구되는 추가 에너지를 제공함으로써 보조될 수 있다. 또는 반응성 전구체 중 하나가 에너지로 대체되어, 단일 전구체 ALD 프로세스로 이어질 수 있다. 따라서, 펄스 및 퍼지 시퀀스는 각각의 특정 경우에 따라 상이할 수 있다. 증착 사이클은 로직 유닛 또는 마이크로프로세서에 의해 제어되는 시간이 지정된 증착 시퀀스를 형성한다. ALD에 의해 성장된 박막은, 밀도가 높고, 핀홀이 없으며, 두께가 균일하다.
기판 프로세싱 단계와 관련하여, 일반적으로 적어도 하나의 기판은 순차적인 자체 포화 표면 반응에 의해 기판 표면 상에 재료를 증착하기 위해 반응 용기(또는 챔버)에서 일시적으로 분리된 전구체 펄스에 노출된다. 본 출원의 맥락에서, ALD라는 용어는 모든 적용 가능한 ALD 기초 기술과, 임의의 동등하거나 밀접하게 관련된 기술을 포함하고, 예를 들어, 다음의 ALD 하위-유형: MLD(분자층 증착), 플라즈마-보조 ALD, 예를 들어 PEALD(플라즈마 강화 원자층 증착) 및 광자-보조 또는 광자-강화 원자층 증착(플래시 강화 ALD 또는 포토-ALD로도 알려짐)을 포함한다.
그러나, 본 발명은 ALD 기술에 제한되지 않으며, 예를 들어 화학 기상 증착(CVD) 반응기, 또는 원자층 에칭(ALE) 반응기와 같은 에칭 반응기 같이 광범위한 기판 프로세싱 장치에서 활용될 수 있다.
ALE 에칭 메커니즘의 기초는 통상의 기술자에게 알려져 있다. ALE는 자체-제한적인 순차적 반응 단계를 사용하여 표면으로부터 재료 층이 제거되는 기술이다. 일반적인 ALE 에칭 사이클은 반응 층을 형성하기 위한 수정 단계와, 반응 층만을 벗기는 제거 단계를 포함한다. 제거 단계는 층 제거를 위해, 플라즈마 종, 특히 이온을 사용하는 것을 포함할 수 있다.
도 1은 예시적인 실시예에 따른 전구체 컨테이너의 개략적인 측면도를 도시한다. 전구체 컨테이너(100)는, 제1 체적을 제공하는 제1 챔버(104), 격벽(107)에 의해 제1 체적으로부터 분리된 제2 체적을 제공하는 제2 챔버(102) 및 격벽(107)을 통과하는 도관(103)을 포함한다. 도관(103)은 제1 체적으로부터 제2 체적으로 연장되어 제1 체적 내에 수용된 액체 전구체 물질에 압력 증가에 따른 제2 체적으로의 경로를 제공하고, 이에 의해 제어된 조건 하에서, 두 체적 사이의 액체 전구체 물질에 대한 유체 연통을 가능하게 한다. 격벽(107)은 불활성 가스를 포함하는 가스가 제1 체적으로부터 격벽(107)에 의해 제1 체적으로부터 분리된 제2 체적으로 통과하도록 하는 가스-투과성 벽이다. 일 실시예에서, 격벽(107)은 다공성 디스크, 바람직하게는 다공성 소결 Al 디스크이다. 불활성 가스는 캐리어 가스로 작용할 수 있다.
일 실시예에서, 전구체 컨테이너(100)는 제2 체적을 가열하기 위한 히터(108)를 더 포함한다. 다른 실시예에서, 전구체 컨테이너(100)는 제1 체적에 캐리어 가스를 제공하도록 배열된 밸브(106)를 포함하는 입구를 포함한다. 일 실시예에서, 전구체 컨테이너는 제2 체적으로부터 나오는 캐리어 가스 및 전구체를 제공하도록 배열된 밸브(101)를 포함하는 출구를 포함한다. 밸브(101, 106)는 질량 유동 제어기를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 제1 챔버(104)는 스테인리스강으로 이루어지고 제2 챔버는 알루미늄으로 이루어진다. 다른 실시예에서, 도관(103)은 딥 튜브(dip tube)이고, 바람직하게는 스테인리스강이다.
도 2는, 일 예에 따른 전구체 물질 펄싱 단계 동안 사용 중인 도 1의 전구체 컨테이너의 개략적인 측면도를 도시한다. 전구체 물질(105)은 제1 체적의 제1 온도에서 저장되지만 전구체 물질의 사용(펄싱) 동안 제2 체적의 제2 온도로 가열된다. 불활성 캐리어 가스(110)는 전구체 물질(105), 바람직하게는 액체 전구체 물질의 액체 표면 레벨 또는 메니스커스와, 격벽(107) 사이의 헤드스페이스에서 압력을 증가시키기 위한 밸브(106)를 포함하는 입구를 통해 제1 체적으로 주입된다. 압력은 전구체 물질(105")이 히터(108)에 의해 제2의 더 높은 온도로 가열되도록, 전구체 물질(105)을 도관(103)을 통해 제2 체적으로 밀어낸다. 동시에, 블활성 캐리어 가스(110')는 격벽(107)을 통해 유동하고 전구체(105')를 통해 유동하고 이를 기화시킨다. 더 높은 온도와 불활성(또는 삽입) 캐리어 가스와 전구체의 접촉 및 혼합의 결합된 작용으로 전구체는 효과적으로 기화된다. 삽입 캐리어 가스와 기화된 전구체의 혼합물(109)은 밸브(101)를 포함하는 출구를 통해 유동한다.
펄스가 종료되면, 전구체 물질은 중력에 의해 제1 체적으로 역류한다(미도시).
펄스가 적용되기 전, 제1 체적의 압력은 제2 체적의 압력과 동일하거나 유사하고, 제1 온도 및 제2 온도는 동일하거나 유사하다.
펄스가 적용되는 경우, 제1 체적의 압력은 제2 체적보다 높고, 제2 체적의 제2 온도는 제1 체적의 제1 온도보다 높다.
도 3은, 추가 예시적인 실시예에 따른 전구체 컨테이너의 개략적인 측면도를 도시한다. 전구체 컨테이너(300)는 제1 체적을 제공하는 제1 챔버(304), 격벽(307)에 의해 제1 체적으로부터 분리된 제2 체적을 제공하는 제2 챔버(302) 및 격벽(307)을 통과하는 도관(303)을 포함한다. 도관(303)은 제1 체적으로부터 제2 체적으로 연장되어 제1 체적 내에 수용된 액체 전구체 물질(305)에 압력 증가에 따른 제2 체적으로의 경로를 제공한다. 격벽(307)은 가스가 제1 체적으로부터 격벽(307)에 의해 제1 체적으로부터 분리된 제2 체적으로 통과하도록 하는 가스-투과성 벽이다. 일 실시예에서, 격벽(307)은 다공성 디스크, 바람직하게는 다공성 소결 Al 디스크이다. 전구체 컨테이너는, 제2 체적에서의 전구체의 기화 속도를 증가시키기 위해 초음파 소스, 적외선(IR) 소스 및/또는 마이크로웨이브 소스와 같은 수단(315)을 더 포함한다. 특정 실시예에서, 수단(315)은 제2 챔버(302)에 부착된다(또는 배열된다).
특정 실시예에서, 전구체 컨테이너(300)는 제2 체적을 가열하기 위한 히터(308)를 더 포함한다. 다른 실시예에서, 전구체 컨테이너(300)는 제1 체적에 캐리어 가스를 제공하도록 배열된 밸브(306)를 포함하는 입구 및 제2 체적으로부터 캐리어 가스 및 전구체를 제공하도록 배열된 밸브(301)를 포함하는 출구를 포함한다. 밸브(301, 306)는 질량 유동 제어기를 포함할 수 있다.
특정 실시예에서, 제1 챔버(304)는 스테인리스강이고 제2 챔버(302)는 알루미늄이다. 특정 실시예에서, 도관(303)은 딥 튜브이고, 바람직하게는 스테인리스강이다.
특허 청구항의 범위 및 해석을 제한하지 않고, 여기에 개시된 하나 이상의 예시적인 실시예의 특정 기술적 효과가 다음에 열거된다. 기술적 효과는 더 높은 온도와 캐리어 가스와 전구체의 양호한 접촉 및 혼합의 결합 작용으로 인해 전구체가 효과적으로 기화된다는 것이다. 추가적인 기술적 효과는 전구체가 기화될 때보다 더 낮은 온도에서 저장될 수 있고 따라서 전구체의 열분해를 감소시킬 수 있다는 것이다. 전구체 컨테이너는 컴팩트하고, 간단하며 안전하다. 또 다른 기술적 효과는 장-기간 저장 시 전구체 컨테이너가 열분해에 민감한 화학 물질의 보관에 사용될 수 있다는 것이다. 또 다른 기술적 효과는 이 컴팩트한 솔루션이 민감한 화학 물질을 안정적이고 안전하게 만든다는 것이다.
전술한 설명은 본 발명의 특정의 구현 및 실시예들에 대한 비제한적인 예로써 본 발명을 수행하기 위하여 본 발명자가 현재 고려하는 최상의 태양에 대한 완전하고 유용한 정보의 설명을 제공하였다. 그러나, 본 발명이 위에 제시된 실시예의 세부 사항에 제한되지 않고, 본 발명의 특징으로부터 벗어나지 않으면서 동등한 수단을 이용하여 다른 실시예로 구현될 수 있다는 점은 통상의 기술자에게 명백하다.
또한, 본 발명의 전술된 실시예들의 특징 중 일부는 다른 특징들의 대응하는 이용 없이도 유리하게 사용될 수 있다. 이와 같이, 전술한 설명은 본 발명의 원리에 대한 단지 예시적인 것으로 간주되어야 하며, 이에 제한되어서는 아니된다. 따라서, 본 발명의 범위는 첨부된 청구항에 의해서만 제한된다.

Claims (16)

  1. 전구체 컨테이너로서,
    전구체 물질을 수용하도록 제1 챔버에 의해 형성된 제1 체적;
    제2 챔버에 의해 형성되고 격벽에 의해 상기 제1 체적으로부터 분리된 제2 체적; 및
    상기 격벽을 통과하고, 상기 제1 체적으로부터 상기 제2 체적으로 연장되어, 상기 제1 체적 내에 수용된 상기 전구체 물질에 상기 제1 체적에서의 압력 증가에 따른 상기 제2 체적으로의 경로를 제공하는 도관을 포함하고,
    상기 격벽은, 상기 제1 체적으로부터 상기 제2 체적으로 가스가 투과되도록 하는 가스-투과성 벽인 전구체 컨테이너.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 전구체 컨테이너는 상기 제1 체적에 배열된 입구를 포함하는 전구체 컨테이너.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 전구체 컨테이너는 상기 제2 체적에 배열된 출구를 포함하는 전구체 컨테이너.
  4. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전구체 컨테이너는, 펄싱 단계 동안 상기 제1 체적에 불활성 가스를 제공하기 위해 상기 제1 체적에 배열된 입구를 포함하는 전구체 컨테이너.
  5. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전구체 컨테이너는, 상기 제2 체적으로부터 불활성 가스 및 전구체 물질의 혼합물을 배출하기 위해 상기 제2 체적에 배열된 출구를 포함하는 전구체 컨테이너.
  6. 청구항 2 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 입구 또는 출구는 밸브를 포함하는 전구체 컨테이너.
  7. 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2 체적을 가열하도록 배열된 부착된 가열 수단을 포함하는 전구체 컨테이너.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 가열 수단은 펄싱 단계 동안 상기 제1 체적의 온도보다 더 높은 온도로 상기 제2 체적을 가열하도록 배열되는 전구체 컨테이너.
  9. 청구항 1 내지 청구항 8 중 어느 한 항에 있어서,
    제1 챔버는 낮은 열 전도성의 물질이고 상기 제2 챔버는 상기 제1 챔버의 상기 물질과 비교하여 높은 열 전도성의 재료인 전구체 컨테이너.
  10. 청구항 1 내지 청구항 9 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2 체적에 배열되거나 부착된 기화를 증가시키기 위한 수단을 포함하고, 상기 수단은 바람직하게는 초음파 소스, 적외선 소스, 또는 마이크로웨이브 소스를 포함하는 전구체 컨테이너.
  11. 제1 챔버에 의해 형성된 제1 체적, 제2 챔버에 의해 생성된 제2 체적으로서, 가스-투과성 격벽에 의해 상기 제1 체적으로부터 분리된 제2 체적을 포함하는 전구체 컨테이너에서 전구체 물질을 취급하는 방법으로서,
    상기 제1 체적 내에 수용된 전구체 물질이 상기 격벽을 통과하는 도관을 따라 상기 제1 체적으로부터 상기 제2 체적으로 연장되도록 상기 제1 체적의 압력을 증가시키는 단계; 및
    상기 가스-투과성 격벽을 통해 상기 제1 체적으로부터 상기 제2 체적으로 가스 유동을 제공하는 단계를 포함하는 방법.
  12. 청구항 11에 있어서,
    불활성 가스의 유동을 입구를 통해 상기 제1 체적으로 통과시킴으로써 압력을 증가시키는 단계를 포함하는 방법.
  13. 청구항 11 또는 청구항 12에 있어서,
    펄싱 단계 동안 불활성 가스를 제1 체적으로 통과하는 단계를 포함하는 방법.
  14. 청구항 11 내지 청구항 13 중 어느 한 항에 있어서,
    불활성 가스 및 전구체 물질을 출구를 통해 상기 제2 체적으로부터 배출하는 단계를 포함하는 방법.
  15. 청구항 11 내지 청구항 14 중 어느 한 항에 있어서,
    펄싱 단계 동안 상기 제2 체적을 상기 제1 체적의 온도보다 더 높은 온도로 가열하는 단계를 포함하는 방법.
  16. 청구항 11 내지 청구항 15 중 어느 한 항에 있어서,
    초음파 소스, 적외선(IR) 소스 또는 마이크로웨이브 소스와 같은 에너지 소스로, 상기 제2 체적 내의 상기 전구체 물질의 기화를 증가시키는 단계를 포함하는 방법.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120094004A (ko) * 2009-11-02 2012-08-23 시그마-알드리치 컴퍼니., 엘엘씨 고형 전구체 전달 어셈블리 및 관련 방법
KR20180063242A (ko) * 2015-10-06 2018-06-11 엔테그리스, 아이엔씨. 고체 전구체의 저온 소결

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2569207B1 (fr) 1984-08-14 1986-11-14 Mellet Robert Procede et dispositif d'obtention d'un courant gazeux contenant un compose a l'etat de vapeur, utilisable notamment pour introduire ce compose dans un reacteur d'epitaxie
JPH0269389A (ja) 1988-08-31 1990-03-08 Toyo Stauffer Chem Co 有機金属気相成長法における固体有機金属化合物の飽和蒸気生成方法
JPH0598445A (ja) 1991-07-05 1993-04-20 Chodendo Hatsuden Kanren Kiki Zairyo Gijutsu Kenkyu Kumiai 有機金属化学気相蒸着用原料容器
JPH05214537A (ja) 1992-01-30 1993-08-24 Nec Corp 固体昇華用の気化器
US20040198416A1 (en) * 2003-04-02 2004-10-07 Gardner Michael R. Adjustable detachable keyboard and electronic assembly using same
JP4585182B2 (ja) * 2003-07-11 2010-11-24 東ソー・ファインケム株式会社 トリメチルインジウムの充填方法および充填容器
US7722720B2 (en) 2004-12-08 2010-05-25 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Delivery device
US7967911B2 (en) 2006-04-11 2011-06-28 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for chemical vapor deposition
US7833353B2 (en) 2007-01-24 2010-11-16 Asm Japan K.K. Liquid material vaporization apparatus for semiconductor processing apparatus
JP5440260B2 (ja) * 2010-03-02 2014-03-12 住友電気工業株式会社 炭化珪素結晶の製造方法およびその製造装置
US20130105483A1 (en) * 2011-10-28 2013-05-02 Applied Materials, Inc. Apparatus for sublimating solid state precursors
KR20150142158A (ko) * 2014-06-10 2015-12-22 (주)지승컨설턴트 회전거동이 억제되는 거더 및 이를 이용한 교량의 시공 방법
US10443128B2 (en) 2015-04-18 2019-10-15 Versum Materials Us, Llc Vessel and method for delivery of precursor materials
KR102344996B1 (ko) 2017-08-18 2021-12-30 삼성전자주식회사 전구체 공급 유닛, 기판 처리 장치 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조방법
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11168394B2 (en) 2018-03-14 2021-11-09 CeeVeeTech, LLC Method and apparatus for making a vapor of precise concentration by sublimation
JP2020076116A (ja) * 2018-11-06 2020-05-21 株式会社フジキン 原料ガス供給装置
US20220403512A1 (en) * 2021-06-22 2022-12-22 Applied Materials, Inc. Bottom Fed Sublimation Bed for High Saturation Efficiency in Semiconductor Applications

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120094004A (ko) * 2009-11-02 2012-08-23 시그마-알드리치 컴퍼니., 엘엘씨 고형 전구체 전달 어셈블리 및 관련 방법
KR20180063242A (ko) * 2015-10-06 2018-06-11 엔테그리스, 아이엔씨. 고체 전구체의 저온 소결

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