KR20230035296A - 미소 소자, 미소 소자의 정렬 장치 및 방법 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 48
- 239000010407 anodic oxide Substances 0.000 claims description 22
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 5
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims description 4
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 25
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 description 18
- 230000008569 process Effects 0.000 description 13
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 13
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 12
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 6
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 5
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000005660 hydrophilic surface Effects 0.000 description 1
- 230000005661 hydrophobic surface Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H01L24/89—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using at least one connector not provided for in any of the groups H01L24/81 - H01L24/86
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- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68318—Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
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Abstract
본 발명은, 기판에 실장 시 미소 소자가 앞면과 뒷면 중 적어도 어느 한 면으로 면 정렬이 되어야 함과 동시에 기판에 실장 시 상기 미소 소자가 어느 한 방향으로 방향 정렬이 되어야 하는 미소 소자에 있어서 앞면과 뒷면 중 적어도 어느 한 면으로 면 정렬되지 않음과 동시에 어느 한 방향으로 방향 정렬되지 않은 복수개의 미소 소자를 면 정렬 및 방향 정렬을 동시에 달성하기 위한 미소 소자, 미소 소자의 정렬 장치 및 정렬 방법을 제공한다.
Description
본 발명은 미소 소자, 미소 소자의 정렬 장치 및 정렬 방법에 관한 것이다.
현재 디스플레이시장은 LCD가 주류를 이루고 있는 가운데 OLED가 LCD를 빠르게 대체하며 주류로 부상하고 있는 상황이다. 디스플레이 업체들의 OLED 시장 참여가 러시를 이루고 있는 상황에서 최근 Micro LED(이하, '마이크로 LED'라 함) 디스플레이가 또 하나의 차세대 디스플레이로 부상하고 있다. LCD와 OLED의 핵심소재가 각각 액정(Liquid Crystal), 유기 재료인데 반해 마이크로 LED 디스플레이는 1~100마이크로 미터(㎛) 단위의 LED 칩 자체를 발광재료로 사용하는 디스플레이다.
이러한 마이크로 LED와 같은 미소 소자는 성장 기판에서 제조되어 기판(예를 들어, 캐리어 기판, 임시 기판 또는 회로 기판)으로 전사되기 위해 전사 공정이 수행될 수 있다.
종래에는 성장 기판에서 제조된 미소 소자를 전사하는 전사 방법으로서, 전사 헤드로 미소 소자를 흡착하여 기판(예를 들어, 캐리어 기판, 임시 기판 또는 회로 기판)으로 전사하는 전사 헤드 전사 방법이 고려되었다. 하지만 헤드 전사 방법은 1~100마이크로 미터(㎛) 단위의 미소 소자를 신뢰성 있게 전사하는 것이 어렵고 전사 에러를 리페어하기 위한 시간이 소요되어 생산 속도를 향상시키는데 어려움이 있다.
이에 따라 생산속도를 향상시키기 위해 유체를 이용하여 미소 소자를 기판(예를 들어, 캐리어 기판, 임시 기판 또는 회로 기판)으로 전사하는 유체 전사 방법이 고려되었다. 유체 전사 방법은 수 많은 미소 소자를 일거에 기판에 전사할 수 있다는 측면에서 생산속도를 향상시킬 수 있는 장점이 있으나, 미소 소자의 상, 하면이 뒤집힌 채로 기판에 전사되는 확률이 높기 때문에 유체 전사 이후에 상, 하면이 뒤집힌 미소 소자를 일일이 올바르게 정렬해야 하는 작업에 많은 시간이 소요된다. 또한 미소 소자의 상, 하면이 올바르게 정렬되었다고 하더라도, 플립칩 형태의 미소 소자는 일면에 2개의 단자를 가지기 때문에 2개 단자의 방향성이 제대로 정렬되지 않을 확률이 높다.
이처럼 종래의 전사 방법은 미소 소자를 전사하기 위해 일정한 홈 안에 일거에 수용시킬 수 있는 장점이 있으나 미소 소자의 정렬 에러가 높다는 문제점을 가진다.
본 발명은 상술한 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명은, 기판에 실장 시 미소 소자가 앞면과 뒷면 중 적어도 어느 한 면으로 면 정렬이 되어야 함과 동시에 기판에 실장 시 미소 소자가 어느 한 방향으로 방향 정렬이 되어야 하는 미소 소자에 있어서 앞면과 뒷면 중 적어도 어느 한 면으로 면 정렬되지 않음과 동시에 어느 한 방향으로 방향 정렬되지 않은 복수개의 미소 소자를 면 정렬 및 방향 정렬을 동시에 달성하기 위한 미소 소자, 미소 소자의 정렬 장치 및 정렬 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
이러한 본 발명의 목적을 달성하기 위해, 미소 소자는, 기판에 실장 시 미소 소자가 앞면과 뒷면 중 적어도 어느 한 면으로 면 정렬이 되어야 함과 동시에 상기 기판에 실장 시 상기 미소 소자가 어느 한 방향으로 방향 정렬이 되어야 하는 미소 소자에 있어서, 앞면과 뒷면의 반전 전, 후의 각각의 평면도 외형이 서로 동일 모양이 되지 않음과 동시에 상기 미소 소자의 중심점을 기준으로 180도 회전 시 회전 전,후의 평면도 외형이 서로 동일 모양이 되지 않는다.
한편, 미소 소자는, 기판에 실장 시 미소 소자가 앞면과 뒷면 중 적어도 어느 한 면으로 면 정렬이 되어야 함과 동시에 상기 기판에 실장 시 상기 미소 소자가 어느 한 방향으로 방향 정렬이 되어야 하는 미소 소자에 있어서, 상기 미소 소자의 평면도 외형이 대칭축을 따라 접었을 때 겹쳐지는 외형이 아님과 동시에 상기 미소 소자의 평면도 외형이 중심점을 기준으로 180도 회전하였을 때 겹쳐지는 외형이 아니다.
한편, 미소 소자는, 기판에 실장 시 미소 소자가 앞면과 뒷면 중 적어도 어느 한 면으로 면 정렬이 되어야 함과 동시에 상기 기판에 실장 시 상기 미소 소자가 어느 한 방향으로 방향 정렬이 되어야 하는 미소 소자에 있어서, 상기 미소 소자의 평면도 외형은 선대칭 외형이 아님과 동시에 상기 미소 소자의 평면도 외형은 점대칭 외형이 아니다.
또한, 상기 미소 소자는 2개의 단자가 상기 미소 소자의 앞면 및 뒷면 중 어느 한 면에 모두 구비되는 발광소자이다.
한편, 본 발명의 목적을 달성하기 위해, 미소 소자 정렬 장치는, 복수 개의 미소 소자가 각각 수용되는 수용부가 복수 개 구비된 정렬부를 포함하는 미소 소자 정렬장치에 있어서, 상기 수용부는 상기 미소 소자의 평면도 외형과 동일한 형상으로 형성되되, 상기 수용부는 그 평면도 외형이 대칭축을 따라 접었을 때 겹쳐지는 외형이 아님과 동시에 상기 수용부는 그 평면도 외형이 중심점을 기준으로 180도 회전하였을 때 겹쳐지는 외형이 아니다.
또한, 상기 정렬부는 금속을 양극 산화하여 형성된 양극산화막으로 구성된다.
또한, 상기 정렬부는 상승 및 하강이 가능한 픽커 헤드에 구비된다.
또한, 상기 정렬부는 임시 기판에 상대이동 가능하게 구비된다.
또한, 상기 미소 소자는 2개의 단자가 상기 미소 소자의 앞면 및 뒷면 중 어느 한 면에도 모두 구비되는 발광소자이다.
한편, 본 발명의 목적을 달성하기 위해, 미소 소자 정렬 장치는, 복수 개의 미소 소자가 각각 수용되는 수용부가 복수 개 구비된 정렬부를 포함하는 미소 소자 정렬장치에 있어서, 상기 수용부는 상기 미소 소자의 평면도 외형과 동일한 형상으로 형성되되, 상기 미소 소자는 앞면과 뒷면의 반전 전, 후의 각각의 평면도 외형이 서로 동일 모양이 되지 않음과 동시에 상기 미소 소자의 중심점을 기준으로 180도 회전 시 회전 전,후의 평면도 외형이 서로 동일 모양이 되지 않는다.
한편, 본 발명의 목적을 달성하기 위해, 앞면과 뒷면 중 적어도 어느 한 면으로 면 정렬되지 않음과 동시에 어느 한 방향으로 방향 정렬되지 않은 복수개의 미소 소자를 면 정렬 및 방향 정렬하기 위한 미소 소자 정렬 장치에 있어서, 복수 개의 미소 소자가 각각 수용되는 수용부가 복수 개 구비된 정렬부를 포함하고, 상기 수용부에 수용되는 미소 소자는 앞면과 뒷면 중 적어도 어느 한 면으로 면 정렬이 됨과 동시에 상기 미소 소자의 단자의 방향은 어느 한 방향으로 방향 정렬이 된다.
또한, 상기 미소 소자는, 앞면과 뒷면의 반전 전, 후의 각각의 평면도 외형이 서로 동일 모양이 되지 않음과 동시에 상기 미소 소자의 중심점을 기준으로 180도 회전 시 회전 전,후의 평면도 외형이 서로 동일 모양이 되지 않는다.
또한, 상기 미소 소자의 앞면과 뒷면은 상기 미소 소자의 단자가 구비되는 면 또는 그 반대면이다.
한편, 본 발명의 목적을 달성하기 위해, 미소 소자 정렬 방법은, 앞면과 뒷면 중 적어도 어느 한 면으로 면 정렬되지 않음과 동시에 어느 한 방향으로 방향 정렬되지 않은 비 정렬 상태의 복수 개의 미소 소자를 마련하는 단계; 및 복수 개의 미소 소자가 각각 수용가능한 수용부가 복수 개 구비된 정렬부를 이용하여 상기 수용부에 상기 미소 소자가 수용되도록 하되, 상기 수용부에 수용되는 미소 소자 각각은 앞면과 뒷면 중 적어도 어느 한 면으로 면 정렬이 됨과 동시에 상기 미소 소자의 방향은 어느 한 방향으로 방향 정렬이 되는 정렬 단계를 포함한다.
또한, 비 정렬 상태의 복수 개의 미소 소자를 마련하는 단계는 양품의 미소 소자만으로 구성되는 단계이다.
본 발명에 따른 미소 소자, 미소 소자의 정렬 장치 및 방법은, 앞면과 뒷면 중 적어도 어느 한 면으로 면 정렬되지 않음과 동시에 어느 한 방향으로 방향 정렬되지 않은 복수개의 미소 소자를 면 정렬 및 방향 정렬할 수 있도록 한다.
도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 미소 소자 정렬장치를 도시한 도면.
도 2는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 정렬부를 도시한 도면.
도 3은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 미소 소자를 도시한 도면.
도 4는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 정렬부의 적어도 일부의 수용부에 미소 소자가 수용되거나 나머지 일부의 수용부에 미소 소자가 수용되지 않은 것을 도시한 도면
도 5, 6은 미소 소자의 다양한 평면도 외형을 도시한 도면
도 7 내지 도 11은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 미소 소자 정렬장치를 도시한 도면.
도 12는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 미소 소자 정렬장치를 이용한 전사방법을 차례로 도시한 도면.
도 2는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 정렬부를 도시한 도면.
도 3은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 미소 소자를 도시한 도면.
도 4는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 정렬부의 적어도 일부의 수용부에 미소 소자가 수용되거나 나머지 일부의 수용부에 미소 소자가 수용되지 않은 것을 도시한 도면
도 5, 6은 미소 소자의 다양한 평면도 외형을 도시한 도면
도 7 내지 도 11은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 미소 소자 정렬장치를 도시한 도면.
도 12는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 미소 소자 정렬장치를 이용한 전사방법을 차례로 도시한 도면.
이하의 내용은 단지 발명의 원리를 예시한다. 그러므로 당업자는 비록 본 명세서에 명확히 설명되거나 도시되지 않았지만 발명의 원리를 구현하고 발명의 개념과 범위에 포함된 다양한 장치를 발명할 수 있는 것이다. 또한, 본 명세서에 열거된 모든 조건부 용어 및 실시 예들은 원칙적으로, 발명의 개념이 이해되도록 하기 위한 목적으로만 명백히 의도되고, 이와 같이 특별히 열거된 실시 예들 및 상태들에 제한적이지 않는 것으로 이해되어야 한다.
상술한 목적, 특징 및 장점은 첨부된 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통하여 보다 분명해질 것이며, 그에 따라 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다.
본 명세서에서 기술하는 실시 예들은 본 발명의 이상적인 예시 도인 단면도 및/또는 사시도들을 참고하여 설명될 것이다. 이러한 도면들에 도시된 막 및 영역들의 두께 등은 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 또한 도면에 도시된 성형물의 개수는 예시적으로 일부만을 도면에 도시한 것이다. 따라서, 본 발명의 실시 예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다.
다양한 실시예들을 설명함에 있어서, 동일한 기능을 수행하는 구성요소에 대해서는 실시예가 다르더라도 편의상 동일한 명칭 및 동일한 참조번호를 부여하기로 한다. 또한, 이미 다른 실시예에서 설명된 구성 및 작동에 대해서는 편의상 생략하기로 한다.
미소 소자(10)는 미니 LED 또는 마이크로 LED를 포함할 수 있다. 마이크로 LED는 성형한 수지 등으로 패키징되지 않으면서 결정 성장에 이용한 웨이퍼에서 잘라낸 상태의 것이다. 미소 소자(10)는 1개 변의 길이가 1~100㎛ 단위의 크기일 수 있으나, 1개의 변 길이가 1~100㎛ 단위인 것으로 한정되는 것은 아니며 100㎛ 이상의 크기를 갖거나 1㎛ 미만의 크기를 갖는 것도 포함한다.
이하에서 설명하는 본 발명의 바람직한 실시예의 구성들은 각 실시예들의 기술적 사상의 변경없이 적용될 수 있는 미소 소자들의 전사에 적용될 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따른 미소 소자(10)는 기판에 실장 시 미소 소자(10)가 앞면과 뒷면 중 적어도 어느 한 면으로 면 정렬이 되어야 함과 동시에 기판에 실장 시 미소 소자(10)가 어느 한 방향으로 방향 정렬이 되어야 하는 미소 소자(10)를 대상으로 한다. 여기서의 기판은 임시 기판, 캐리이 기판, 배선 기판, 목표 기판 등과 같은 임의의 기판을 포함한다.
미소 소자(10)는 배선 기판(45)에 실장되어 미소 소자(10)를 이용한 디스플레이 장치가 제작될 수 있다. 이 경우 배선기판(45)은 미소 소자의 제1단자(11a)에 접속되는 제1전극 패드(45a)와 제2단자(11b)에 접속되는 제2전극 패드(45b)가 사전에 형성되어 구비될 수 있다. 따라서 배선기판(45)에 미소 소자(10) 실장 시, 미소 소자(10)가 앞면(10a)과 뒷면(10b) 중 적어도 어느 한 면으로 면 정렬이 되어야 함과 동시에 배선기판(45)에 미소 소자(10) 실장 시 미소 소자(10)가 어느 한 방향으로 방향 정렬이 되어야만 만 리페어 공정이 필요없는 미소 소자(10)의 전사가 가능하다.
이를 위해 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 미소 소자(10)는, 앞면과 뒷면의 반전 전, 후의 각각의 평면도 외형이 서로 동일 모양이 되지 않음과 동시에 미소 소자(10)의 중심점을 기준으로 180도 회전 시 회전 전,후의 평면도 외형이 서로 동일 모양이 되지 않는다. 또는, 미소 소자(10)의 평면도 외형이 대칭축을 따라 접었을 때 겹쳐지는 외형이 아님과 동시에 미소 소자(10)의 평면도 외형이 중심점을 기준으로 180도 회전하였을 때 겹쳐지는 외형이 아니다. 또는 미소 소자(10)의 평면도 외형은 선대칭 외형이 아님과 동시에 미소 소자(10)의 평면도 외형은 점대칭 외형이 아니다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따른 미소 소자 정렬 장치(100)는, 복수개의 미소 소자(10)가 각각 수용되는 수용부(21)가 복수 개 구비된 정렬부(21)를 포함하며, 수용부(21)는 미소 소자(10)의 평면도 외형과 동일한 형상으로 형성된다. 수용부(21)는 그 평면도 외형이 앞면과 뒷면의 반전 전, 후의 각각의 평면도 외형이 서로 동일 모양이 되지 않음과 동시에 그 평면도의 중심점을 기준으로 180도 회전 시 회전 전,후의 평면도 외형이 서로 동일 모양이 되지 않는 형상으로 형성될 수 있다. 또는 수용부(21)는 그 평면도 외형이 선대칭 외형이 아님과 동시에 그 평면도 외형이 점대칭 외형이 아닌 형상으로 형성될 수 있다. 또는 수용부(21)는 그 평면도 외형이 대칭축을 따라 접었을 때 겹쳐지는 외형이 아님과 동시에 그 평면도 외형이 중심점을 기준으로 180도 회전하였을 때 겹쳐지는 외형이 아닌 형상으로 형성될 수 있다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 정렬부(20)를 구비한 미소 소자 정렬장치(100)가 픽커 헤드(30)로 구성되는 것을 도시한 도면이다. 정렬부(20)를 구비한 미소 소자 정렬장치(100)는 상승 및 하강이 가능한 픽커 헤드(30)에 구비될 수 있다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 바람직한 미소 소자 정렬장치(100)는, 각각의 미소 소자(10)에 대응되는 수용부(21)를 구비하는 정렬부(20), 정렬부(20)의 상부에 구비되고 관통홀(34)을 구비하는 진공흡착부(33) 및 공동챔버(32)가 구비된 공동챔버부(31)를 포함하여 구성된다.
정렬부(20), 진공흡착부(33) 및 공동챔버부(31) 중 적어도 하나는 양극산화막(10) 재질로 구성될 수 있다. 양극산화막은 모재인 금속을 양극산화하여 형성된 막을 의미하고, 기공홀은 금속을 양극산화하여 양극산화막을 형성하는 과정에서 형성되는 구멍을 의미한다. 예컨대, 모재인 금속이 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금인 경우, 모재를 양극산화하면 모재의 표면에 알루미늄 산화물(Al203) 재질의 양극산화막이 형성된다. 위와 같이 형성된 양극산화막은 수직적으로 내부에 기공홀이 형성되지 않은 배리어층과, 내부에 기공홀이 형성된 다공층으로 구분된다. 배리어층은 모재의 상부에 위치하고, 다공층은 배리어층의 상부에 위치한다. 이처럼, 배리어층과 다공층을 갖는 양극산화막이 표면에 형성된 모재에서, 모재를 제거하게 되면, 알루미늄 산화물(Al203) 재질의 양극산화막만이 남게 된다.
양극산화막은 양극산화시 형성된 배리어층이 제거되어 기공홀의 상, 하로 관통되는 구조로 형성될 수 있다. 또는 양극산화시 형성된 배리어층이 그대로 남아 기공홀의 상, 하 중 일단부를 밀폐하는 구조로 형성될 수 있다.
양극산화막은 2~3ppm/℃의 열팽창 계수를 갖는다. 이로 인해 고온의 환경에 노출될 경우, 온도에 의한 열변형이 적을 수 있다. 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 미소 소자 정렬장치(100)는 1㎛ 이상 100㎛ 이하의 매우 작은 크기의 미소 소자를 정렬해야 하므로, 주변 환경의 온도에 민감하게 변형되지 않아야 한다. 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 미소 소자 정렬장치(100)를 구성하는 정렬부(20), 진공흡착부(33) 및 공동챔버부(31) 중 적어도 하나를 양극산화막 재질로 구성함으로써, 정렬 장치(100)의 열변형을 최소화할 수 있다. 그 결과 미소 소자 정렬장치(100)가 이송을 위해 미소 소자(10)를 픽업할 때, 수용부(21)가 열 변형되는 것을 최소화할 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따른 정렬부(20)의 수용부(21)는 미소 소자(10)의 면 정렬 및 방향 정렬을 하기 위해 각진 모서리를 가진 홈 패턴으로 구성될 수 있다. 정렬부(20)는 1㎛ 이상 100㎛ 이하의 매우 작은 크기의 미소 소자(10)를 정렬해야 하고, 수만 내지 수 백만개의 미소 소자(10)를 한꺼번에 정렬해야 하므로, 수용부(21)의 형상을 각진 모서리를 가진 홈 패턴으로 정밀하면서 일거에 제작할 수 있는 방법으로 수용부(21)를 형성시켜야 한다. 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 정렬부(20)를 양극산화막으로 형성하는 구성에 따르면, 양극산화막을 에칭하는 공정을 이용함으로써 1㎛ 이상 100㎛ 이하의 매우 작은 크기의 미소 소자(10)를 수용할 수 있는 정밀한 홈 패턴을 제작할 수 있고, 수만 내지 수 백만개의 홈 패턴을 한번의 에칭공정을 제작할 수 있게 된다. 따라서 미소 소자(10)를 면 정렬 및 방향 정렬을 위해 한꺼번에 각진 모서리를 가진 홈 패턴을 정밀하게 구비해야 하는 정렬부(20)의 입장에서는 정렬부(20)를 양극산화막으로 제작하는 것이 바람직하다. 또한 양극산화막을 에칭하는 구성에 따르면, 홈 패턴의 내벽이 수직한 내벽을 특성을 가지게 되므로 미소 소자(10)의 수용 측면에서 바람직하다.
또한 진공흡착부(33)도 양극산화막 재질로 제작되는 것이 바람직하다. 진공흡착부(33)는 각각의 미소 소자(10)를 진공 흡착하기 위한 관통홀(34)을 구비하는데, 한번에 진공 흡착해야 하는 미소 소자(10)의 개수가 수만 내지 수백만개에 이므로 관통홀(34)도 수만 내지 수백개가 형성되어야 한다. 따라서 진공흡착부(33)를 양극산화막 재질로 형성할 경우에는 한 번의 에칭공정으로 관통홀(34)을 수만 내지 수백개를 형성할 수 있으므로 바람직하다. 또한 양극산화막을 에칭하는 구성에 따르면, 관통홀(34)의 내벽이 수직한 내벽의 특성을 가지게 되므로 진공 흡착 측면에서 바람직하다.
공동 챔버부(31)는 공동 챔버(32)를 구비한다. 공동 챔버부(31)의 재질은 양극산화막 이외의 재질로 형성될 수 있으나, 양극산화막 재질로 구성될 경우에는 에칭 공정을 이용하여 공동 챔버(32)를 형성할 수 있다. 공동 챔버(32)는 적어도 2개 이상의 관통홀(34)과 서로 연통됨으로써 서로 연통되는 복수개의 관통홀(34)간의 압력 차이를 최소화할 수 있게 된다.
공동 챔버부(31)의 상부에는 다공성부(35)가 구비될 수 있다. 다공성부(35)를 구성하는 다공성 세라믹 재질은 기공이 무질서한 임의적 배열을 갖는 다공성 세라믹 재질의 소결체로 구성될 수 있다.
다공성부(35)는 공동챔버부(31)의 상부에서 공동챔버부(31), 진공흡착부(33) 및 정렬부(20)를 지지하는 기능을 수행할 수 있다. 다공성부(35)는 임의적 기공을 갖는 다공성 지지체로 구성될 수 있고, 그 하부에 위치하는 구성들을 지지하는 기능을 달성할 수있는 구성이라면 그 재료에는 한정이 없다.
다공성부(35)는 중앙 처짐 현상 방지에 효과를 갖는 경질의 다공성 지지체로 구성될 수 있다. 일 예로서, 다공성부(35)를 구성하는 다공성 세라믹 재질의 소결체는 경질의 다공성 지지체를 구성하는 하나의 소재일 수 있다. 공동챔버부(31), 진공흡착부(33) 및 정렬부(20) 중 적어도 하나는 양극산화막 재질로 구성될 수 있다. 양극산화막 재질의 경우 박막의 형태로 제공될 수 있다. 따라서, 다공성부(35)는 공기압에 의해 양극산화막 재질로 구성되는 플레이트가 변형되는 것을 방지하는 기능을 수행할 수 있다.
다공성부(35)는 다공성 완충제로 구성될 수 있다. 다공성부(35)는 정렬부(20)를 완충하는 기능을 달성할 수 있는 구성이라면 그 재료에 한정이 없다. 예컨대, 다공성 플레이트(AP)는 스펀지 등과 같은 다공성 탄성 재질일 수 있다.
다공성부(35)의 주변(상부 및/또는 측부)에는 지지부(39)가 구비될 수 있다. 지지부(39)는 다공성부(35), 공동챔버부(31), 진공흡착부(33) 및/또는 정렬부(20)를 지지할 수 있으며 바람직하게는 지지부(39)는 다공성부(35)를 지지한다.
지지부(39)와 다공성부(35) 사이에는 여유 공간부(37)가 구비될 수 있다. 여유 공간부(37)는 공기압을 공급하거나, 해제하는 진공 포트에 연결될 수 있다. 여유 공간부(37)와 공동챔버(32) 사이에는 다공성부(35)가 위치한다. 다공성부(35)는 진공 포트의 작동에 따라 배관부(38)을 통해 공급된 공기압이 공동 챔버(32) 내에서 확산하여 분포되도록 할 수 있다.
여유 공간부(37)로 공급된 공기압은 다공성부(35)의 상부로 전달될 수 있다. 다공성부(35)의 상부면에 걸쳐 여유 공간부(37)가 연통될 수 있다. 다공성부(35)는 지지부(39)로부터 일정거리 이격되어 구비될 수 있다. 이격된 거리에 의해 여유공간부(37)가 형성될 수 있다. 이로 인해 여유공간부(37)로 공급된 공기압이 다공성부(35)의 상부면에 고르게 전달될 수 있다. 다공성부(35)에 전달된 공기압은 다공성부(35) 내부에 형성된 불규칙적인 기공들에 의해 균일화되면서 하측으로 전달될 수 있다. 균일화된 공기압은 다공성부(35)의 하부에 구비되는 공동챔버부(31)의 공동 챔버(32)로 전달될 수 있다
공동 챔버(32)로 전달된 공기압은 공동 챔버(32)와 연통되는 관통홀(34)로 전달될 수 있다. 이로 인해 관통홀(34)에 미소 소자(10)를 흡착할 수있는 진공 흡입력이 형성되어 미소 소자(10)를 흡착하게 된다. 공동 챔버(32)로 전달된 공기압은 관통홀(34) 주변에 존재하는 기공홀로도 전달될 수 있다. 기공홀은 미세한 크기로 형성되므로 기공홀에 전달된 공기압을 통해 미세한 진공 흡입력이 형성될 수 있다. 기공홀을 통해 형성된 진공흡입력은, 관통홀(34)에 형성된 진공 흡입력에 의해 미소 소자(10)의 흡착이 이루어진 다음, 관통홀(34)을 통한 미소 소자(10)의 안정적인 흡착을 보조할 수있다. 그 결과 정렬부(20)를 구비한 미소 소자 정렬장치(100)는 미소 소자(10)의 이송 과정 중, 미소 소자(10)가 탈착되는 문제없이 안정적으로 미소 소자(10)를 이송할 수 있다.
도 2를 참조하면, 정렬부(20)에 구비되는 수용부(21)는 미소 소자(10)가 그 내부로 수용될 수 있는 구조로 형성된다. 수용부(21)는 그 평면도 외형이 앞면과 뒷면의 반전 전, 후의 각각의 평면도 외형이 서로 동일 모양이 되지 않음과 동시에 그 평면도의 중심점을 기준으로 180도 회전 시 회전 전,후의 평면도 외형이 서로 동일 모양이 되지 않는 형상으로 형성될 수 있다. 또는 수용부(21)는 그 평면도 외형이 선대칭 외형이 아님과 동시에 그 평면도 외형이 점대칭 외형이 아닌 형상으로 형성될 수 있다. 또는 수용부(21)는 그 평면도 외형이 대칭축을 따라 접었을 때 겹쳐지는 외형이 아님과 동시에 그 평면도 외형이 중심점을 기준으로 180도 회전하였을 때 겹쳐지는 외형이 아닌 형상으로 형성될 수 있다.
도 3을 참조하면, 미소 소자(10)는 수용부(21)의 형상과 대응되는 형상으로 형성되되, 수용부(21)에 수용될 수 있도록 수용부(21)의 크기보다 작은 크기로 형성된다. 미소 소자(10)는 앞면(10a), 뒷면(10b) 및 측면(10c)을 구비하여 구성될 수 있다.
미소 소자(10)의 앞면(10a) 및 뒷면(10b) 중 어느 한 면에 2개의 단자(11a, 11b)가 모두 구비될 수 있다. 미소 소자(10)는 플립 칩 타입의 발광소자일 수 있다. 미소 소자(10)는 p형 반도체층, 활성층, n형 반도체층을 포함하며, 제1단자(11a)와 제2단자(11b)는 미소 소자(10)의 전극으로서 기능하며, 미소 소자(10)의 동일면에 형성되어 플립 칩 타입으로 구성될 수 있다. 예를 들어 미소 소자(10a)의 뒷면(10b)에는 제1단자(11a)와 제2단자(11b)가 서로 이격된 채로 구비될 수 있으며, 미소 소자(10)는 제1,2단자(11a, 11b)에 전기가 인가되어 발광할 수 있다.
미소 소자(10)는 배선 기판(45)으로 이송되고 배선 기판(45)에 실장되어 미소 소자(10)를 이용한 디스플레이 장치가 제작될 수 있다. 이 경우 배선 기판(45)은 제1단자(11a)와 접속되는 제1전극패드(45a)와 제2단자(11b)에 접속되는 제2전극패드(45b)가 사전에 형성되어 구비될 수 있다. 따라서 이송장치(90)를 이용하여 미소 소자(10)를 배선 기판(45)에 전사할 경우에는 미소 소자(10)는 앞면(10a) 및 뒷면(10b) 중 어느 한 면으로 면 정렬되어야 하고, 제1단자(11a)과 제2단자(11b)는 어느 한 방향으로 방향 정렬되어 있어야만 리페어 공정이 필요없는 미소 소자(10)의 실장이 가능하다.
미소 소자(10)가 정렬부(20)의 수용부(21)에 수용될 때에, 미소 소자(10)의 제1,2단자(11a, 11b) 방향을 고려하여 미소 소자(10) 각각이 앞면(11a)과 뒷면(11b) 중 적어도 어느 한 면으로 면 정렬이 됨과 동시에 방향이 어느 한 방향으로 방향 정렬이 될 수 있도록, 미소 소자(10)는 평면도 외형을 가지며, 수용부(21) 역시 미소 소자(10)의 평면도 외형과 동일한 형상의 홈으로 형성된다. 미소 소자(10)는 성장 기판 상에서 제조된 후 식각 공정을 통해 특정한 평면도 외형을 가지도록 형성될 수 있다.
바람직하게는 미소 소자(10)는 그 평면도 외형이 앞면(10a)과 뒷면(10b)의 반전 전, 후의 각각의 평면도 외형이 서로 동일 모양이 되지 않음과 동시에 그 평면도의 중심점을 기준으로 180도 회전 시 회전 전,후의 평면도 외형이 서로 동일 모양이 되지 않는 형상으로 형성될 수 있다. 여기서 평면도 외형이 서로 동일 모양이 된다는 것은, 평면도 외형이 동일 면적의 크기가 되는 것을 포함한다.
또는 미소 소자(10)는 그 평면도 외형이 선대칭 외형이 아님과 동시에 그 평면도 외형이 점대칭 외형이 아닌 형상으로 형성될 수 있다.
또는 미소 소자(10)는 그 평면도 외형이 대칭축을 따라 접었을 때 겹쳐지는 외형이 아님과 동시에 그 평면도 외형이 중심점을 기준으로 180도 회전하였을 때 겹쳐지는 외형이 아닌 형상으로 형성될 수 있다.
여기서 서로 동일 모양이 되지 않는다거나, 대칭 형상이 되지 않는다거나 겹쳐지는 형상이 되지 않는다는 것은, 면 정렬 및/또는 방향 정렬될 수 있는 범위 내에서 치수의 차이를 포함한다.
*도 4를 참조하면, 정렬부(20)의 수용부(21)에 수용된 미소 소자(10)는 면 정렬과 방향 정렬이 된 미소 소자(10)이고, 정렬부(20)의 수용부(21)에 수용되지 않는 미소 소자(10)는 면 정렬과 방향 정렬 중 어느 하나의 정렬이 제대로 되지 않은 미소 소자(10)이다. 도 4에서는 제1,2단자(11a, 11b)의 표현을 생략하였다. 도 4에서, 1열에 위치하는 미소 소자(10)들은 방향 정렬이 제대로 되지 않아 수용부(21)에 수용되지 못한 미소 소자(10)들이다. 도 4에서 4열에 위치하는 미소 소자(10)들은 면 정렬이 제대로 되지 않아 수용부(21)에 수용되지 못한 미소 소자(10)들이다. 도 4에서 2,3,5,6열에 위치하는 미소 소자(10)들은 수용부(21)에 수용된 미소 소자(10)들로서, 면 정렬 및 방향 정렬이 된 미소 소자(10)들로서 면 정렬 및 방향 정렬이 된 미소 소자(10)들만이 정렬부(20)의 수용부(21)에 수용된다. 이처럼 정렬부(20)의 수용부(21)에 수용된 미소 소자(10)는 면 정렬과 방향 정렬이 된 미소 소자(10)들이며, 정렬부(20)에서 면 정렬과 방향 정렬이 된 미소 소자(10)들을 다음 단계로 이송할 수 있게 된다.
도 5를 참조하면, 도 5에 도시된 미소 소자(10)들은 면 정렬 및 방향 정렬 중 어느 하나의 정렬이 될 수 없는 미소 소자(10)들이다. 우선적으로 미소 소자(10)의 평면도 외형이 정다각형이거나 원형인 경우에는 미소 소자(10)들이 수용부(21)에 수용되더라도 일괄적으로 면 정렬 및 방향 정렬이 될 수 없기 때문에 제외되어야 한다.
도 5(a), (b), (e), (f)에 도시된 미소 소자(10)는 면 정렬 및 방향 정렬이 될 수 없는 미소 소자(10)들이다. 도 5(a), (b), (e), (f)에 도시된 미소 소자(10)는 그 평면도 외형이 앞면(10a)과 뒷면(10b)의 반전 전, 후의 각각의 평면도 외형이 서로 동일 모양이 되고, 그 평면도의 중심점을 기준으로 180도 회전 시 회전 전,후의 평면도 외형이 서로 동일 모양이 되는 형상이다. 또는 미소 소자(10)는 그 평면도 외형이 대칭축을 따라 접었을 때 겹쳐지는 외형이고, 그 평면도 외형이 중심점을 기준으로 180도 회전하였을 때 겹쳐지는 외형이다. 또는 미소 소자(10)는 그 평면도 외형이 선대칭 외형이고, 그 평면도 외형이 점대칭 외형이다. 이러한 형상을 가진 미소 소자(10)들은 수용부(21)에 수용되더라도 면 정렬 및 방향 정렬이 될 수 없기 때문에 제외되어야 한다.
도 5(c), (h)에 도시된 미소 소자(10)들은 방향 정렬이 될 수 없는 미소 소자(10)들이다. 도 5(c), (h)에 도시된 미소 소자(10)들은 그 평면도의 중심점을 기준으로 180도 회전 시 회전 전,후의 평면도 외형이 서로 동일 모양이 되는 형상이다. 또는 미소 소자(10)는 그 평면도 외형이 중심점을 기준으로 180도 회전하였을 때 겹쳐지는 외형이다. 또는 미소 소자(10)는 그 평면도 외형이 점대칭 외형이다. 이러한 형상을 가진 미소 소자(10)들은 수용부(21)에 수용되더라도, 미소 소자(10)들의 제1,2단자(11a, 11b)단자 방향이 통일되지 않아 방향 정렬이 될 수 없기 때문에 제외되어야 한다.
도 5(d), (g)에 도시된 미소 소자(10)들은 면 정렬이 될 수 없는 미소 소자(10)들이다. 도 5(d), (g)에 도시된 미소 소자(10)들은 그 평면도 외형이 앞면(10a)과 뒷면(10b)의 반전 전, 후의 각각의 평면도 외형이 서로 동일 모양이 되는 형상이다. 또는 미소 소자(10)는 그 평면도 외형이 대칭축을 따라 접었을 때 겹쳐지는 외형이다. 또는 미소 소자(10)는 그 평면도 외형이 선대칭 외형이다. 이러한 형상을 가진 미소 소자(10)들은 수용부(21)에 수용되더라도, 미소 소자(10)의 제1,2단자(11a, 11b)가 구비된 면이 통일되지 않아 면 정렬이 될 수 없기 때문에 제외되어야 한다.
도 6을 참조하면, 도 6(a) 내지 도 6(f)에 도시된 미소 소자(10)들은, 미소 소자(10)가 정렬부(20)의 수용부(21)에 수용되면, 면 정렬 및 방향 정렬될 수 있는 미소 소자(10)들이다. 도 6(a) 내지 도 6(f)에 도시된 미소 소자(10)들은, 그 평면도 외형이 앞면(10a)과 뒷면(10b)의 반전 전, 후의 각각의 평면도 외형이 서로 동일 모양이 되지 않음과 동시에 그 평면도의 중심점을 기준으로 180도 회전 시 회전 전,후의 평면도 외형이 서로 동일 모양이 되지 않는 형상이다. 또는 미소 소자(10)는 그 평면도 외형이 선대칭 외형이 아님과 동시에 그 평면도 외형이 점대칭 외형이 아닌 형상이다. 또는 미소 소자(10)는 그 평면도 외형이 대칭축을 따라 접었을 때 겹쳐지는 외형이 아님과 동시에 그 평면도 외형이 중심점을 기준으로 180도 회전하였을 때 겹쳐지는 외형이 아닌 형상이다. 이러한 형상을 가진 미소 소자(10)들은 수용부(21)에 수용되면, 미소 소자(10)의 제1,2단자(11a, 11b)가 구비된 면과 방향이 통일적으로 정렬될 수 있다. 다시 말해 수용부(21)에 수용된 미소 소자(10)는, 제1,2단자(11a, 11b)가 구비된 면 또는 그 반대면 중 어느 하나의 면으로 면 방향이 통일되고, 제1,2단자(11a, 11b)의 방향이 모두 동일 방향이 되도록 방향이 통일된다.
본 발명의 바람직한 실시예 따른 미소 소자(10)의 정렬 방법은, (i)앞면(10a)과 뒷면(10b) 중 적어도 어느 한 면으로 면 정렬되지 않음과 동시에 어느 한 방향으로 방향 정렬되지 않은 비 정렬 상태의 복수 개의 미소 소자(10)를 마련하는 단계 및 (ii)복수 개의 미소 소자(10)가 각각 수용가능한 수용부(21)가 복수 개 구비된 정렬부(20)를 이용하여 수용부(21)에 미소 소자(10)가 수용되도록 하되, 수용부(21)에 수용되는 미소 소자(10) 각각은 앞면(10a)과 뒷면(10b) 중 적어도 어느 한 면으로 면 정렬이 됨과 동시에 미소 소자(10)의 방향은 어느 한 방향으로 방향 정렬이 되는 정렬 단계를 포함한다.
비 정렬 상태의 복수 개의 미소 소자(10)를 마련하는 단계는 양품의 미소 소자(10)만을 대상으로 수행될 수 있다. 비 정렬 상태의 복수 개의 미소 소자(10)를 마련하는 단계는 지지 기판(50) 상에 복수 개의 미소 소자(10)가 비 정렬 상태로 구비되거나 유체의 표면 또는 그 내부에 복수 개의 미소 소자(10)가 비 정렬 상태로 구비될 수 있다.
비 정렬 상태의 복수 개의 미소 소자(10)를 마련하는 단계는, 미소 소자(10)들의 발광 특성의 비균일화를 해소할 수 있고, 양품의 미소 소자(10)만을 이용할 수 있다는 점에서 균일화를 위한 별도의 공정이 필요없고 리페어를 위한 공정을 필요치 않게 한다는 점에서 장점을 가진다.
구체적으로, 성장 기판에서 제작되는 미소 소자(10)들은 휘도 등과 같은 발광 특성이 균일하지 않다. 성장 기판에서 제작된 미소 소자(10)들의 배열을 그대로 유지한 채 배선 기판(45)까지 전달할 경우에는 디스플레이 장치의 휘도 역시 성장기판에서의 휘도 분포가 반영되므로 전체적인 휘도 분포가 균일하지 못하게 되는 문제가 발생하게 된다. 따라서 비 정렬 상태의 복수 개의 미소 소자(10)를 마련하는 단계는 성장 기판에서의 배열을 그대로 따르지 않고, 흐트러지 상태인 것이 바람직하다.
또한 성정 기판에서 제작된 미소 소자(10)들은 제작 과정에서 불량품을 포함할 수 있다. 이러한 불량품을 제거하지 않으면 배선 기판(45)까지 전달되는 공정 중 또는 배선 기판(45)에 전달 이후 공정에서 불량품을 리페어 하기 위한 공정이 필요하게 된다. 따라서 비 정렬 상태의 복수 개의 미소 소자(10)를 마련하는 단계는 성장 기판에서 제작된 이후에 검사 단계를 통해 양품인 것으로 판정된 미소 소자(10)만을 대상으로 하는 것이 바람직하다.
방향 정렬이 되는 정렬 단계는 비 정렬 상태의 복수개의 미소 소자(10)들을 면 정렬 및 방향 정렬 하는 단계로서, 수용부(21)가 구비된 정렬부(20)를 포함하는 미소 소자 정렬장치(100)를 이용하여 수행될 수 있다.
도 7을 참조하면, 미소 소자 정렬 장치(100)는 픽커헤드(30)를 포함한다. 정렬부(20)는 상승 및 하강이 가능한 픽커헤드(30)에 구비될 수 있다. 여기서의 정렬부(20)와 미소 소자(10)는 미소 소자(10)가 정렬부(20)의 수용부(21)에 수용되면 미소 소자(10)의 면 정렬 및 방향 정렬이 되는 구성을 가진다.
픽커헤드(30)는 상승 및 하강이 가능하고, 또한 회전 가능하며 수평 이동이 가능한 구조로 구비될 수 있다. 미소 소자(10)들은 지지 기판(50)상에 위치할 수 있다. 여기서 지지 기판(50)은 미소 소자(10)들을 지지하는 기능을 수행하는 부재라면 그 형상 및 재질에는 한정이 없다. 지지 기판(50) 상에 위치하는 미소 소자(10)들은 비 정렬 상태의 양품의 미소 소자(10)들일 수 있다.
픽커헤드(30)는 상승,하강, 회전, 수평 이동 중 적어도 어느 하나의 이동을 일회적, 반복적 또는 순차적으로 수행하면서 진공 흡입력으로 정렬부(20)의 수용부(21)에 미소 소자(10)가 수용되도록 한다. 이를 통해 면 정렬 및 방향 정렬이 되는 미소 소자(10)들만이 정렬부(20)의 수용부(21)에 수용되고 면 정렬 및 방향 정렬이 되지 않는 미소 소자(10)들은 정렬부(20)의 수용부(21)에 수용되지 않는다.
이처럼 픽커헤드(30)에 흡착된 미소 소자(10)들은 면 정렬 및 방향 정렬이 완료된 미소 소자(10)들이기 때문에, 배선 기판(45) 실장시 리페어 공정이 필요없는 미소 소자(10)의 실장이 가능하다.
도 8을 참조하면, 미소 소자 정렬 장치(100)는 수용 챔버(60)를 포함한다. 수용 챔버(60)에는 양품인 다수의 미소 소자(10)들이 수용된다. 픽커헤드(30)는 수용 챔버(60)의 바닥으로부터 이격된 거리에서 미소 소자(10)들을 흡착한다. 여기서의 이격된 거리는 픽커헤드(30)의 진공 흡입력에 의해 미소 소자(10)들이 수용 챔버(60)의 바닥으로부터 소정의 높이로 부양된 상태가 된 이후에 픽커헤드(30)에 흡착될 수 있는 거리이다. 이 경우에도 픽커헤드(30)는 상승,하강, 회전, 수평 이동 중 적어도 어느 하나의 이동을 일회적, 반복적 또는 순차적으로 수행하면서 진공 흡입력으로 정렬부(20)의 수용부(21)에 미소 소자(10)가 수용되도록 할 수 있다.
도 9를 참조하면, 미소 소자 정렬 장치(100)는 유체가 수용된 수용 챔버(60)를 포함한다. 유체는 물을 포함하나 이에 한정되는 것은 아니다. 유체의 비중은 그 조절이 가능하며, 미소 소자(10)들은 친수성 또는 소수성 표면 처리가 가능하다. 수용 챔버(60)의 내부에는 양품의 미소 소자(10)들이 투입된다. 미소 소자(10)들은 유체로 인해 비 정렬 상태가 된다. 미소 소자(10)들은 유체와의 비중 차이로 적어도 일부가 유체에 의해 유체 표면으로 부유될 수 있다. 이 상태에서 픽커헤드(30)는 상승,하강, 회전, 수평 이동 중 적어도 어느 하나의 이동을 일회적, 반복적 또는 순차적으로 수행하면서 진공 흡입력으로 정렬부(20)의 수용부(21)에 미소 소자(10)가 수용되도록 할 수 있다.
도 10을 참조하면, 픽커헤드(30)는 수용 챔버(60)의 유체 표면으로부터 이격된 거리에서 미소 소자(10)들을 흡착한다. 여기서의 이격된 거리는 픽커헤드(30)의 진공 흡입력에 의해 미소 소자(10)들이 유체 표면으로부터 소정의 높이로 부양된 상태가 된 이후에 픽커헤드(30)에 흡착될 수 있는 거리이다. 이 경우에도 픽커헤드(30)는 상승,하강, 회전, 수평 이동 중 적어도 어느 하나의 이동을 일회적, 반복적 또는 순차적으로 수행하면서 진공 흡입력으로 정렬부(20)의 수용부(21)에 미소 소자(10)가 수용되도록 할 수 있다.
도 11을 참조하면 픽커헤드(30)는 수용 챔버(60)의 유체 내부에 위치할 수 있다. 이 경우에도 픽커헤드(30)는 상승,하강, 회전, 수평 이동 중 적어도 어느 하나의 이동을 일회적, 반복적 또는 순차적으로 수행하면서 정렬부(20)의 수용부(21)에 미소 소자(10)가 수용되도록 할 수 있다.
유체가 수용된 수용 챔버(60)에는 진동 발생부(70)가 구비될 수 있다. 진동 발생부(70)는 유체에 진동을 가할 수 있다. 진동 발생부(70)는 초음파 진동자를 포함하여 유체에 진동을 가할 수 있는 수단이라면 이에 대한 한정은 없다.
이를 통해 수용 챔버(60)내에서 서로 뭉쳐있는 미소 소자(10)들간의 뭉침을 해체하거나 미소 소자(10)들의 면 및/또는 방향이 변경될 수 있도록 한다. 또한 진동 발생부(70)를 통해 유체에 진동을 인가함으로써 미소 소자(10)들이 정렬부(20)의 수용부(21)에 보다 쉽게 수용될 수 있도록 한다.
유체가 수용된 수용 챔버(60)에는 흐름 발생부(80)가 구비될 수 있다. 흐름 발생부(80)는 유체 분사기 또는 유체 흡입기 등을 포함하여 수용 챔버(60) 내의 유체에 흐름을 발생할 수 있도록 하는 구성된다. 흐름 발생부(80)를 통해 미소 소자(10)들이 어느 한 방향에 위치하지 않고 유체 내에서 이동하거나 방향 전환 또는 면 전환할 수 있도록 한다. 또한 미소 소자(10)가 수용부(21)에 제대로 수용되지 않고 걸쳐진 상태에 있는 경우 흐름 발생부(80)를 통해 완벽한 수용을 유도하거나 수용부(21) 주변에서 제거되도록 할 수 있다.
도 12를 참조하면, 미소 소자 정렬 장치(100)는 임시 기판(40) 상에 구비되는 정렬부(20)를 포함하여 구성된다. 도 12(a)를 참조하면, 임시 기판(40) 상에 정렬부(20)가 구비된다. 정렬부(20)는 임시 기판(40)에 안착된다. 임시 기판(40)은 미소 소자(10)에 대한 흡착력을 가진다. 흡착력은 정전기력, 진공흡입력, 반데르발스력 등을 포함하며, 미소 소자(10)에 자성체가 구비된 경우에는 자기력을 포함한다. 정렬부(20)는 임시 기판(40)에 상대 이동 가능하게 구비될 수 있다. 정렬부(20)를 임시 기판(40)과는 상대적인 수직 또는 수평 이동시킴으로써 정렬부(20)의 수용부(21)에 제대로 수용되지 않고 수용부(21)에 걸쳐진 미소 소자(10)들은 수용부(21)내로 수용될 수 있도록 한다.
도 12(a)를 참조하면, 정렬부(20)는 임시 기판(40)상에 안착된다. 이후 도 12(b)에 도시된 바와 같이, 정렬부(20) 위쪽으로 미소 소자(10)를 투입한다. 미소 소자(10)들은 양품의 미소 소자(10)만으로 구성될 수 있다. 수용부(21)에 수용된 미소 소자(10)들은 면 정렬 및 방향 정렬된 미소 소자(10)들이다. 미소 소자(10)가 수용부(21)에 보다 쉽게 수용될 수 있도록 임시기판(40) 및/또는 정렬부(20)에는 진동발생부(70)를 이용하여 진동을 인가할 수 있다. 또는 흐름 발생부(80)를 통해 공기를 주입하거나 배기하여 미소 소자(10)가 수용부(21)에 보다 쉽게 수용될 수 있도록 한다.
도 12(c)를 참조하면, 정렬부(20)와 이송장치(90)간의 간섭을 방지하기 위하여 정렬부(20)는 임시 기판(40)으로부터 분리되어 제거될 수 있다. 다만, 정렬부(20)가 이송장치(90)와 간섭되지 않는 경우라면 정렬부(20)는 임시 기판(40) 상에 그대로 위치하여도 무방하다.
*도 12(d)를 참조하면, 이송장치(90)를 흡착력을 이용하여 미소 소자(10)를 흡착한다. 여기서 흡착력은 정전기력, 진공흡입력, 반데르발스력 등을 포함하며, 미소 소자(10)에 자성체가 구비된 경우에는 자기력을 포함한다.
도 12(e)를 참조하면, 이송장치(90)는 제1전극패드(45a)와 제2전극패드(45b)가 구비된 배선기판(45)측으로 미소 소자(10)를 전사한다. 배선기판(45)에는 미소 소자(10)의 제1단자(11a)와 접속되는 제1전극패드(45a)가 구비되고, 미소 소자의 제2단자(11b)와 접속되는 제2전극패드(45b)가 구비된다.
도 12(f)를 참조하면, 이송장치(90)에 흡착된 미소 소자(10)들은 이미 면 정렬 및 방향 정렬이 완료된 상태이기 때문에, 이송장치(90)에 흡착된 미소 소자(10)들을 배선기판(45)에 실장하면 추가적인 정렬이 필요없게 된다.
이상과 같이 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 배선 기판 또는 캐리어 기판 등과 같은 기판에 실장 시 미소 소자가 앞면과 뒷면 중 적어도 어느 한 면으로 면 정렬이 됨과 동시에 미소 소자가 어느 한 방향으로 방향 정렬이 되도록 하는 것이 가능하게 된다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 통상의 기술자는 하기의 특허 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 또는 변형하여 실시할 수 있다.
10: 미소 소자
20: 정렬장치
30: 픽커헤드 40: 임시기판
30: 픽커헤드 40: 임시기판
Claims (15)
- 기판에 실장 시 미소 소자가 앞면과 뒷면 중 적어도 어느 한 면으로 면 정렬이 되어야 함과 동시에 상기 기판에 실장 시 상기 미소 소자가 어느 한 방향으로 방향 정렬이 되어야 하는 미소 소자에 있어서,
앞면과 뒷면의 반전 전, 후의 각각의 평면도 외형이 서로 동일 모양이 되지 않음과 동시에 상기 미소 소자의 중심점을 기준으로 180도 회전 시 회전 전,후의 평면도 외형이 서로 동일 모양이 되지 않는, 미소 소자.
- 기판에 실장 시 미소 소자가 앞면과 뒷면 중 적어도 어느 한 면으로 면 정렬이 되어야 함과 동시에 상기 기판에 실장 시 상기 미소 소자가 어느 한 방향으로 방향 정렬이 되어야 하는 미소 소자에 있어서,
상기 미소 소자의 평면도 외형이 대칭축을 따라 접었을 때 겹쳐지는 외형이 아님과 동시에 상기 미소 소자의 평면도 외형이 중심적을 기준으로 180도 회전하였을 때 겹쳐지는 외형이 아닌, 미소 소자.
- 기판에 실장 시 미소 소자가 앞면과 뒷면 중 적어도 어느 한 면으로 면 정렬이 되어야 함과 동시에 상기 기판에 실장 시 상기 미소 소자가 어느 한 방향으로 방향 정렬이 되어야 하는 미소 소자에 있어서,
상기 미소 소자의 평면도 외형은 선대칭 외형이 아님과 동시에 상기 미소 소자의 평면도 외형은 점대칭 외형이 아닌, 미소 소자.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 미소 소자는 2개의 단자가 상기 미소 소자의 앞면 및 뒷면 중 어느 한 면에 모두 구비되는 발광소자인, 미소 소자.
- 복수 개의 미소 소자가 각각 수용되는 수용부가 복수 개 구비된 정렬부를 포함하는 미소 소자 정렬장치에 있어서,
상기 수용부는 상기 미소 소자의 평면도 외형과 동일한 형상으로 형성되되,
상기 수용부는 그 평면도 외형이 대칭축을 따라 접었을 때 겹쳐지는 외형이 아님과 동시에 상기 수용부는 그 평면도 외형이 중심점을 기준으로 180도 회전하였을 때 겹쳐지는 외형이 아닌, 미소 소자 정렬 장치.
- 제5항에 있어서,
상기 정렬부는 금속을 양극 산화하여 형성된 양극산화막으로 구성되는, 미소 소자 정렬장치.
- 제5항에 있어서,
상기 정렬부는 상승 및 하강이 가능한 픽커 헤드에 구비되는, 미소 소자 정렬장치.
- 제5항에 있어서,
상기 정렬부는 임시 기판에 상대이동 가능하게 구비되는, 미소 소자 정렬장치.
- 제5항에 있어서,
상기 미소 소자는 2개의 단자가 상기 미소 소자의 앞면 및 뒷면 중 어느 한 면에도 모두 구비되는 발광소자인, 미소 소자 정렬장치
- 복수 개의 미소 소자가 각각 수용되는 수용부가 복수 개 구비된 정렬부를 포함하는 미소 소자 정렬장치에 있어서,
상기 수용부는 상기 미소 소자의 평면도 외형과 동일한 형상으로 형성되되,
상기 미소 소자는 앞면과 뒷면의 반전 전, 후의 각각의 평면도 외형이 서로 동일 모양이 되지 않음과 동시에 상기 미소 소자의 중심점을 기준으로 180도 회전 시 회전 전,후의 평면도 외형이 서로 동일 모양이 되지 않는, 미소 소자 정렬장치.
- 앞면과 뒷면 중 적어도 어느 한 면으로 면 정렬되지 않음과 동시에 어느 한 방향으로 방향 정렬되지 않은 복수개의 미소 소자를 면 정렬 및 방향 정렬하기 위한 미소 소자 정렬 장치에 있어서,
복수 개의 미소 소자가 각각 수용되는 수용부가 복수 개 구비된 정렬부;를 포함하고,
상기 수용부에 수용되는 미소 소자는 앞면과 뒷면 중 적어도 어느 한 면으로 면 정렬이 됨과 동시에 상기 미소 소자의 단자의 방향은 어느 한 방향으로 방향 정렬이 되는, 미소 소자 정렬장치.
- 제11항에 있어서,
상기 미소 소자는, 앞면과 뒷면의 반전 전, 후의 각각의 평면도 외형이 서로 동일 모양이 되지 않음과 동시에 상기 미소 소자의 중심점을 기준으로 180도 회전 시 회전 전,후의 평면도 외형이 서로 동일 모양이 되지 않는, 미소 소자 정렬장치.
- 제11항에 있어서,
상기 미소 소자의 앞면과 뒷면은 상기 미소 소자의 단자가 구비되는 면 또는 그 반대면인, 미소 소자 정렬장치.
- 앞면과 뒷면 중 적어도 어느 한 면으로 면 정렬되지 않음과 동시에 어느 한 방향으로 방향 정렬되지 않은 비 정렬 상태의 복수 개의 미소 소자를 마련하는 단계; 및
복수 개의 미소 소자가 각각 수용가능한 수용부가 복수 개 구비된 정렬부를 이용하여 상기 수용부에 상기 미소 소자가 수용되도록 하되, 상기 수용부에 수용되는 미소 소자 각각은 앞면과 뒷면 중 적어도 어느 한 면으로 면 정렬이 됨과 동시에 상기 미소 소자의 방향은 어느 한 방향으로 방향 정렬이 되는 정렬 단계를 포함하는, 미소 소자 정렬 방법.
- 제14항에 있어서,
비 정렬 상태의 복수 개의 미소 소자를 마련하는 단계는 양품의 미소 소자만으로 구성되는 단계인, 미소 소자 정렬 방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020230026490A KR20230035296A (ko) | 2020-12-09 | 2023-02-28 | 미소 소자, 미소 소자의 정렬 장치 및 방법 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020200171490A KR102511685B1 (ko) | 2020-12-09 | 2020-12-09 | 미소 소자, 미소 소자의 정렬 장치 및 방법 |
KR1020230026490A KR20230035296A (ko) | 2020-12-09 | 2023-02-28 | 미소 소자, 미소 소자의 정렬 장치 및 방법 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20230035296A true KR20230035296A (ko) | 2023-03-13 |
Family
ID=81973426
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020200171490A KR102511685B1 (ko) | 2020-12-09 | 2020-12-09 | 미소 소자, 미소 소자의 정렬 장치 및 방법 |
KR1020230026490A KR20230035296A (ko) | 2020-12-09 | 2023-02-28 | 미소 소자, 미소 소자의 정렬 장치 및 방법 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20240038569A1 (ko) |
KR (2) | KR102511685B1 (ko) |
WO (1) | WO2022124785A1 (ko) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9722145B2 (en) | 2015-06-24 | 2017-08-01 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Light emitting device and fluidic manufacture thereof |
US9892944B2 (en) | 2016-06-23 | 2018-02-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Diodes offering asymmetric stability during fluidic assembly |
US9917226B1 (en) | 2016-09-15 | 2018-03-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Substrate features for enhanced fluidic assembly of electronic devices |
KR20180033915A (ko) | 2016-09-27 | 2018-04-04 | 한온시스템 주식회사 | 차량용 공조장치 |
KR20180076068A (ko) | 2016-12-27 | 2018-07-05 | 주식회사 럭키산업 | 천연물을 삽입하여 개선된 항균활성 특성을 갖는 아미노클레이와 이의 제조방법 |
KR20180076168A (ko) | 2016-12-27 | 2018-07-05 | 주식회사 니프코코리아 | 자동차의 슬라이딩 암 레스트용 레일 유니트 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5545291A (en) * | 1993-12-17 | 1996-08-13 | The Regents Of The University Of California | Method for fabricating self-assembling microstructures |
KR101894789B1 (ko) * | 2016-10-06 | 2018-10-04 | 황석민 | Led 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
KR102102818B1 (ko) * | 2017-08-10 | 2020-05-29 | 고려대학교산학협력단 | 발광소자와 기판 및 그 정렬방법과 정렬장치 |
KR102517784B1 (ko) * | 2018-05-16 | 2023-04-04 | (주)포인트엔지니어링 | 마이크로 led 흡착체 |
JP2020025064A (ja) * | 2018-07-31 | 2020-02-13 | アルディーテック株式会社 | 発光素子集積装置の製造方法および発光素子配列装置 |
-
2020
- 2020-12-09 KR KR1020200171490A patent/KR102511685B1/ko active IP Right Grant
-
2021
- 2021-12-08 WO PCT/KR2021/018518 patent/WO2022124785A1/en active Application Filing
- 2021-12-08 US US18/037,081 patent/US20240038569A1/en active Pending
-
2023
- 2023-02-28 KR KR1020230026490A patent/KR20230035296A/ko active Application Filing
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9722145B2 (en) | 2015-06-24 | 2017-08-01 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Light emitting device and fluidic manufacture thereof |
US9892944B2 (en) | 2016-06-23 | 2018-02-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Diodes offering asymmetric stability during fluidic assembly |
US9917226B1 (en) | 2016-09-15 | 2018-03-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Substrate features for enhanced fluidic assembly of electronic devices |
KR20180033915A (ko) | 2016-09-27 | 2018-04-04 | 한온시스템 주식회사 | 차량용 공조장치 |
KR20180076068A (ko) | 2016-12-27 | 2018-07-05 | 주식회사 럭키산업 | 천연물을 삽입하여 개선된 항균활성 특성을 갖는 아미노클레이와 이의 제조방법 |
KR20180076168A (ko) | 2016-12-27 | 2018-07-05 | 주식회사 니프코코리아 | 자동차의 슬라이딩 암 레스트용 레일 유니트 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2022124785A1 (en) | 2022-06-16 |
KR102511685B1 (ko) | 2023-03-21 |
US20240038569A1 (en) | 2024-02-01 |
KR20220081700A (ko) | 2022-06-16 |
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