KR20230028670A - 표시 장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

일 실시예에 따른 표시 영역 및 비표시 영역을 포함하는 표시 기판; 상기 표시 기판의 비표시 영역과 적어도 일부 중첩하도록 위치하고, 구동 칩이 배치되는 필름 기판; 상기 표시 기판의 일측면에 위치하는 필름층; 상기 필름층 및 상기 필름 기판의 일면 사이에 위치하는 접착층; 및 상기 필름 기판의 타면과 및 상기 표시 기판의 상면 일부를 덮는 레진층을 포함하고, 상기 레진층의 일부 및 상기 필름 기판의 일부는 상기 표시 기판의 측면으로 벤딩된다.

Description

표시 장치 및 이의 제조 방법{DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME}
본 발명은 표시 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
정보 디스플레이에 관한 관심이 고조되고 휴대가 가능한 정보 매체를 이용하려는 요구가 높아지면서, 표시 장치에 대한 요구 및 상업화가 중점적으로 이루어지고 있다.
본 발명은 단순한 방법으로 프레임리스(Frameless) 표시 장치 및 이의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 영역 및 비표시 영역을 포함하는 표시 기판; 상기 표시 기판의 비표시 영역과 적어도 일부 중첩하도록 위치하고, 구동 칩이 배치되는 필름 기판; 상기 표시 기판의 일측면에 위치하는 필름층; 상기 필름층 및 상기 필름 기판의 일면 사이에 위치하는 접착층; 및 상기 필름 기판의 타면과 및 상기 표시 기판의 상면 일부를 덮는 레진층을 포함하고, 상기 레진층의 일부 및 상기 필름 기판의 일부는 상기 표시 기판의 측면으로 벤딩된다.
상기 표시 기판의 상면에 위치하고, 상기 표시 기판과 적어도 일부 중첩하는 오버 코트층; 및 상기 오버 코트층의 상면에 위치하고, 상기 오버 코트층과 적어도 일부 중첩하는 보호 필름을 더 포함할 수 있다.
상기 레진층은 상기 필름 기판의 타면 및 상기 오버 코트층의 일부를 덮고, 상기 보호 필름의 일측면과 맞닿도록 위치할 수 있다.
상기 레진층은 상기 오버 코트층 및 상기 필름 기판 사이의 공간을 채우도록 위치할 수 있다.
상기 레진층의 상부면과 상기 보호 필름의 상부면은 동일한 평면상에 위치할 수 있다.
상기 필름층은 폴리에틸렌테레프탈레이트일 수 있다.
상기 접착층은 광학 투명 접착층일 수 있다.
일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 표시 기판 및 상기 표시 기판의 상면과 적어도 일부 중첩하는 필름 기판을 준비하고, 상기 필름 기판의 하면에 가이드 필름이 부착되는 단계; 상기 필름 기판의 상면 및 상기 표시 기판의 상면 일부 위에 레진층이 도포되는 단계; 상기 필름 기판의 하면에서 상기 가이드 필름의 일부가 제거되는 단계; 및 상기 레진층의 일부, 상기 가이드 필름의 일부, 및 상기 필름 기판의 일부가 상기 표시 기판의 측면으로 벤딩되는 단계를 포함한다.
상기 가이드 필름은 순차적으로 적층된 지지층, 필름층, 및 접착층을 포함하고, 상기 필름 기판의 하면에 상기 접착층의 상면이 위치하도록 상기 가이드 필름이 부착될 수 있다.
상기 필름 기판의 하면에서 상기 가이드 필름 중 상기 지지층이 제거될 수 있다.
상기 레진층은 슬릿 노즐 방법에 의하여 도포될 수 있다.
상기 가이드 필름의 일부가 제거되고, 상기 레진층의 상면에 자외선이 조사되는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 가이드 필름의 일부 및 상기 필름 기판의 일부가 상기 표시 기판의 측면으로 벤딩되고, 상기 레진층의 상면에 자외선이 조사되는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 가이드 필름은 순차적으로 적층된 지지층, 필름층, 잉크층, 및 접착층을 포함하고, 상기 필름 기판의 하면에 상기 접착층의 상면이 위치하도록 상기 가이드 필름이 부착될 수 있다.
상기 필름 기판의 하면에서 상기 가이드 필름 중 상기 지지층이 제거될 수 있다.
일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 영역 및 비표시 영역을 포함하는 표시 기판; 상기 표시 기판의 비표시 영역과 적어도 일부 중첩하도록 위치하고, 구동 칩이 배치되는 필름 기판; 상기 표시 기판의 일측면에 위치하는 필름층; 상기 필름층 및 상기 필름 기판의 일면 사이에 위치하는 접착층; 상기 필름층과 상기 접착층 사이에 위치하는 잉크층; 및 상기 필름 기판의 타면과 및 상기 표시 기판의 상면 일부를 덮는 레진층을 포함하고, 상기 레진층의 일부 및 상기 필름 기판의 일부는 상기 표시 기판의 측면으로 벤딩된다.
상기 표시 기판의 상면에 위치하고, 상기 표시 기판과 적어도 일부 중첩하는 오버 코트층; 및 상기 오버 코트층의 상면에 위치하고, 상기 오버 코트층과 적어도 일부 중첩하는 보호 필름을 더 포함할 수 있다.
상기 레진층은 상기 필름 기판의 타면 및 상기 오버 코트층의 일부를 덮고, 상기 보호 필름의 일측면과 맞닿도록 위치할 수 있다.
상기 레진층은 상기 오버 코트층 및 상기 필름 기판 사이의 공간을 채우도록 위치할 수 있다.
상기 레진층의 상부면과 상기 보호 필름의 상부면은 동일한 평면상에 위치할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 레진층을 필름 기판의 상면 및 표시 기판의 일부 상면에 1회 도포하고, 레진층 및 필름 기판을 표시 기판의 일측면에 벤딩함에 따라, 단순한 방법으로 프레임리스(Frameless) 표시 장치 및 이의 제조 방법을 구현할 수 있다.
일 실시예에서, 슬릿 노즐 방법에 의해 레진층을 도포함에 따라, 도포 공정 시간(tact time)을 줄일 수 있고, 표시 장치의 평탄화를 쉽게 구현할 수 있다.
일 실시예에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 표시 장치를 도시한 단면도이다.
도 3 내지 도 10은 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명한 도면들이다.
도 11 및 도 12는 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 도시한 사시도들이다.
도 13은 다른 실시예에 따른 표시 장치를 도시한 단면도이다.
도 14 내지 도 17은 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명한 도면들이다.
도 18은 일 실시예에 따른 표시 장치의 화소를 도시한 단면도이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "상에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 또한, 본 명세서에 있어서, 어느 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 상(on)에 형성되었다고 할 경우, 형성된 방향은 상부 방향만 한정되지 않으며 측면이나 하부 방향으로 형성된 것을 포함한다. 반대로 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "아래에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 아래에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
이하, 제1 방향(DR1)은 구성 요소의 가로 방향을 지칭할 수 있고, 제2 방향(DR2)은 제1 방향(DR1)과 수직인 방향으로 구성 요소의 세로 방향을 지칭할 수 있으며, 제3 방향(DR3)은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)과 수직인 방향으로, 구성 요소의 두께 방향을 지칭할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예들과 관련된 도면들을 참고하여, 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치에 대해 설명하도록 한다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 1을 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 기판(100), 필름 기판(210), 구동 칩(220), 및 인쇄 회로 기판(300)을 포함할 수 있다.
표시 기판(100)은 투명 절연 물질을 포함하는 베이스층, 베이스층에 위치하는 구동 회로, 표시 소자 등을 포함할 수 있다. 베이스층은 경성(rigid) 물질을 포함하거나, 가요성(flexible) 물질을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 베이스층은 경성 물질을 포함하는 유리 표시 기판으로 구현될 수 있다.
표시 기판(100)은 영상을 표시하는 표시 영역(DA) 및 영상을 표시하지 않는 비표시 영역(NDA)을 포함할 수 있다.
표시 영역(DA)은 영상을 표시하기 위한 화소(PX)들을 포함할 수 있다. 화소(PX)들은 각각 복수의 트랜지스터, 발광 소자, 커패시터를 포함할 수 있다.
비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)의 적어도 일측에 제공될 수 있다. 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)의 둘레를 둘러쌀 수 있다. 비표시 영역(NDA)에는 화소(PX)들과 전기적으로 연결된 배선들, 배선들과 연결되는 복수의 패드들이 위치할 수 있다. 배선들은 필름 기판(210)과 화소(PX)들을 전기적으로 연결할 수 있다.
표시 기판(100)은 직사각형의 판상으로 제공될 수 있다. 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니고, 표시 기판(100)은 정사각형, 원형 등의 판상으로 제공될 수 있고, 모서리부가 라운드 형상을 가진 사각형 형상으로 제공될 수 있다.
일 실시예에 따른 표시 기판(100)은 스마트폰, 텔레비전, 태블릿 PC, 이동 전화기, 영상 전화기, 전자책 리더기, 데스크탑 PC, 랩탑 PC, 넷북 컴퓨터, 워크스테이션, 서버, PDA, PMP(portable multimedia player), MP3 플레이어, 의료기기, 카메라, 또는 웨어러블 등과 같이 적어도 일면에 표시면이 적용된 전자 장치의 표시 기판에 적용될 수 있다.
필름 기판(210)은 표시 기판(100)과 적어도 일부분 중첩할 수 있고, 인쇄 회로 기판(300)과 적어도 일부분 중첩할 수 있다. 필름 기판(210)은 표시 기판(100)의 비표시 영역(NDA)과 적어도 일부분 중첩할 수 있다. 필름 기판(210)은 표시 기판(100)의 일단과 인쇄 회로 기판(300)의 일단에 전기적으로 연결될 수 있다. 일 실시예에서, 필름 기판(210)은 표시 기판(100)과 인쇄 회로 기판(300)을 연결하여, 표시 기판(100)의 일측면으로 구부려질(또는, 벤딩(bending) 될) 수 있다.
필름 기판(210)에는 구동 칩(220)이 배치될 수 있다. 필름 기판(210)에 실장된 구동 칩(220)을 통해 표시 기판(100)의 화소(PX)들에 신호 및 구동 전압이 공급될 수 있다. 도 1에는 두 개의 필름 기판(210) 상에 각각 실장된 두 개의 구동 칩(220)이 도시되었으나, 필름 기판(210) 및 구동 칩(220)의 개수는 표시 기판(100)의 크기에 따라 적절하게 변경될 수 있다.
일 실시예에서, 필름 기판(210) 상에 실장된 구동 칩(220)을 함께 지칭하여 칩 온 필름(200)(Chip On Film; COF)이라 할 수 있다.
인쇄 회로 기판(300)은 화소(PX)들을 구동하기 위한 데이터 구동부, 타이밍 제어부 등을 포함할 수 있다. 인쇄 회로 기판(300)은 필름 기판(210)을 통해 제어 신호 등을 표시 기판(100)에 전달할 수 있다.
인쇄 회로 기판(300)은 플렉서블 인쇄 회로 기판(Flexible Printed Circuit Board; FPCB)으로 구현될 수 있다. 이때, 필름 기판(210)이 벤딩되어, 인쇄 회로 기판(300)은 표시 기판(100)의 하부면에 배치될 수도 있다.
이하에서는, 도 2를 참조하여 표시 장치의 측면 구조를 중심으로 살펴본다.
도 2는 일 실시예에 따른 표시 장치를 도시한 단면도이다.
도 2를 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 기판(100) 상에 위치하는 오버 코트층(20), 보호 필름(30), 및 레진층(230)을 더 포함하고, 표시 기판(100)의 일측면에 위치하는 필름층(50) 및 접착층(60)을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서 표시 기판(100)의 두께는 약 500 ㎛ 일 수 있다. 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니고, 실시예에 따라 표시 기판(100)의 두께는 다양하게 변형될 수 있다.
오버 코트층(20)은 표시 기판(100)의 상면에 위치하고, 표시 기판(100)과 적어도 일부 중첩할 수 있다. 오버 코트층(20)은 표시 기판(100)의 표시 영역(DA)에 위치할 수 있다. 오버 코트층(20)은 표시 기판(100)의 상면을 편평하게 만들어줄 수 있다. 오버 코트층(20)은 투명한 물질을 포함할 수 있다.
보호 필름(30)은 오버 코트층(20)의 상면에 위치하고, 오버 코트층(20)과 적어도 일부 중첩할 수 있다. 보호 필름(30)은 표시 기판(100)의 표시 영역(DA)에 위치할 수 있다. 보호 필름(30)은 표시 기판(100)의 영상을 그대로 투과시키면서, 외부 충격과 스크래치 등으로부터 표시 기판(100)을 보호할 수 있다. 또한, 보호 필름(30)은 반사 방지 코팅층을 포함하여, 외부로부터 입사되는 광의 반사율을 줄일 수 있다.
일 예로, 오버 코트층(20) 및 보호 필름(30)의 두께는 140 ㎛ 내지 145 ㎛ 일 수 있다. 그러나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니고, 실시예에 따라 오버 코트층(20) 및 보호 필름(30)의 두께는 다양하게 변형될 수 있다.
레진층(230)은 필름 기판(210)을 전체적으로 덮도록 위치하고, 오버 코트층(20)의 적어도 일부, 및 표시 기판(100)의 적어도 일부를 덮도록 위치한다. 레진층(230)은 비표시 영역(NDA) 및 표시 영역(DA)의 일부 영역에 위치할 수 있다.
레진층(230)은 보호 필름(30)의 일측면과 맞닿도록 위치할 수 있다. 레진층(230)의 상부면과 보호 필름(30)의 상부면은 동일한 평면상에 위치할 수 있다. 레진층(230)은 오버 코트층(20) 및 필름 기판(210) 사이의 공간을 채우도록 위치할 수 있다. 즉, 레진층(230)은 표시 기판(100)의 상면의 일부 및 측면을 덮도록 위치할 수 있다. 이에 따라, 레진층(230)은 외부로부터 표시 기판(100)의 상면에 침입될 수 있는 공기, 습기 등에 의한 투습을 방지할 수 있다. 레진층(230)은 슬릿 노즐(Slit nozzle) 방법으로 표시 기판(100) 및 필름 기판(210) 상에 제공될 수 있다.
필름 기판(210)은 레진층(230)과 함께 제3 방향(DR3)으로 표시 기판(100)의 측면을 따라 구부려질 수 있다.
일 실시예에 따른 표시 장치는 필름 기판(210)의 일부분만 표시 기판(100)의 상면에 배치시키고, 나머지 부분은 표시 기판(100)의 측면에 벤딩함에 따라, 비표시 영역(NDA)의 면적(또는, 베젤(Bezel))이 좁은 표시 장치를 구현할 수 있다.
필름층(50)은 후술하는 가이드 필름의 구성 요소로서, 제2 방향(DR2)을 따라 표시 기판(100)의 측면과 접착층(60) 사이에 위치할 수 있다. 필름층(50)은 레진층(230) 및 필름 기판(210)의 일부분이 제3 방향(DR3)을 따라 구부려짐에 따라, 표시 기판(100)의 일측면에 배치될 수 있다. 필름층(50)은 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethylene terephthalate; PET)을 포함할 수 있다. 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니고, 필름층(50)은 플라스틱을 구성하는 다양한 물질을 포함할 수 있다.
접착층(60)은 후술하는 가이드 필름의 구성 요소로서, 제2 방향(DR2)을 따라 필름층(50)과 필름 기판(210)의 일면 사이에 위치할 수 있다. 일 실시예에서, 접착층(60)은 광학 투명 접착층일 수 있다. 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니고, 실시예에 따라 접착층(60)은 다양한 다른 접착 소재로 대체될 수 있다.
도 2에 도시되지 않았지만, 접착층(60)과 필름 기판(210) 사이 또는 필름층(50)과 필름 기판(210) 사이에 구동 칩(220, 도 1 참조)이 위치할 수 있다.
일 실시예에서는, 레진층(230)을 필름 기판(210)의 상면 및 표시 기판(100)의 일부 상면에 1회 도포하고, 레진층(230) 및 필름 기판(210)을 표시 기판(100)의 일측면에 벤딩함에 따라, 단순한 방법으로 프레임리스(Frameless) 표시 장치를 구현할 수 있다.
또한, 일 실시예에서는, 종래의 표시 기판보다 두께가 얇은 표시 기판(100)을 이용하여, 레진층(230)을 도포하고, 레진층(230) 및 필름 기판(210)을 표시 기판(100)의 일측면에 벤딩할 수 있으므로, 표시 기판(100)의 두께에 구애받지 않고, 다양한 표시 장치에 레진층(230) 도포 방법을 적용시킬 수 있다.
이하에서는, 도 3 내지 도 10을 참조하여, 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명한다.
도 3 내지 도 10은 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명한 도면들이다.
도 3, 도 6, 및 도 8은 표시 장치의 제조 방법을 단면도로 도시한 것이고, 도 4, 도 7, 도 9, 및 도 10은 표시 장치의 제조 방법을 사시도로 도시한 것이다. 도 5는 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법에 사용되는 가이드 필름의 구조를 도시한 단면도이다. 이하에서는, 각 제조 방법에 대응하도록 단면도 및 사시도를 함께 참조하여 설명한다.
도 3, 도 4, 및 도 5를 참조하면, 표시 기판(100) 및 표시 기판(100)의 상면과 적어도 일부 중첩하는 필름 기판(210)을 준비하고, 필름 기판(210)의 하면에 가이드 필름(GF)이 부착될 수 있다.
표시 기판(100)의 상면에는 오버 코트층(20)이 위치하고, 오버 코트층(20) 위에는 보호 필름(30)이 위치할 수 있다. 표시 기판(100)의 상면에서 오버 코트층(20)은 필름 기판(210)과 이격하여 위치할 수 있다.
가이드 필름(GF)은 필름층(50), 접착층(60), 및 지지층(70)을 포함할 수 있다.
필름층(50)은 지지층(70)의 상면에 위치할 수 있다. 즉, 필름층(50)은 제3 방향(DR3)을 따라 지지층(70) 위에 위치할 수 있다. 예를 들면, 필름층(50)의 두께는 약 23 ㎛에 해당할 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
접착층(60)은 가이드 필름(GF)의 최상단에 위치할 수 있다. 접착층(60)은 필름 기판(210)과 가이드 필름(GF)을 접착시킬 수 있다. 가이드 필름(GF)의 상부면에서 필름 기판(210)에 대응되는 부분에 접착층(60)이 배치될 수 있다. 예를 들면, 접착층(60)의 두께는 17 ㎛일 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
지지층(70)은 필름층(50)의 하면에 위치할 수 있다. 즉, 지지층(70)은 제3 방향(DR3)을 따라 필름층(50)의 하면에 위치할 수 있다. 예를 들면, 지지층(70)의 두께는 약 449㎛일 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 지지층(70)의 두께는 다양하게 변형될 수 있다.
일 실시예에서, 지지층(70)은 필름 기판(210)의 상면을 편평하게 유지하기 위한 라이너(Liner)로서, 가이드 필름(GF)의 두께는 표시 기판(100)의 두께와 유사한 두께로 구현될 수 있다. 예를 들면, 표시 기판(100)의 두께가 500 ㎛ 일 때, 필름층(50) 및 접착층(60)의 두께는 40 ㎛ 일 수 있고, 지지층(70)의 두께는 약 450 ㎛ 일 수 있다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 필름 기판(210)의 상면 및 표시 기판(100)의 일부 상면 위에 레진층(230)이 도포될 수 있다.
레진층(230)은 필름 기판(210)의 상부면을 전체적으로 덮고, 오버 코트층(20)의 적어도 일부, 및 표시 기판(100)의 적어도 일부를 덮도록 도포될 수 있다. 레진층(230)은 보호 필름(30)의 일측면과 맞닿도록 도포될 수 있다. 레진층(230)의 상부면이 보호 필름(30)의 상부면과 동일한 평면에 위치하도록, 레진층(230)은 적정한 두께로 도포될 수 있다. 예를 들면, 오버 코트층(20) 및 보호 필름(30)의 두께가 140 ㎛일 때, 레진층(230)의 두께를 100 ㎛ 내지 170 ㎛ 에서 적절하게 조절하여, 표시 장치의 상면을 평탄하게 구현할 수 있다.
일 실시예에서, 레진층(230)은 점도 2600 cps를 갖도록, 도포될 수 있다. 이때, 레진층(230)을 도포한 후, 약 0.5s 동안 자외선을 조사하면, 레진층(230)은 표시 장치의 상면이 평탄해지도록 경화될 수 있다. 예를 들면, 레진층(230)이 점도 1000 cps 미만을 갖거나 900 cps를 갖는 경우, 자외선을 조사하면, 표시 장치의 상면이 울퉁불퉁하거나 레진층(230)이 도포된 영역이 끊기는 등 불량이 발생할 수 있다.
일 실시예에서, 레진층(230)은 슬릿 노즐(Slit nozzle) 방법에 의해 도포될 수 있다. 슬릿 노즐부(SN)는 제1 방향(DR1)을 따라 이동하며, 표시 기판(100) 및 필름 기판(210) 상에 레진층(230)을 도포할 수 있다. 슬릿 노즐부(SN)의 크기는 도포 면적, 표시 기판(100)의 크기, 필름 기판(210)의 크기 등에 따라 다양하게 변경될 수 있다. 일 실시예에서, 슬릿 노즐 방법에 의해 레진층(230)을 도포함에 따라, 도포 공정 시간(tact time)을 줄일 수 있고, 표시 장치의 평탄화를 쉽게 구현할 수 있다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 필름 기판(100)의 하면에서 가이드 필름(GF)의 일부가 제거될 수 있다. 즉, 필름 기판(100)의 하면에서, 지지층(70)이 제거될 수 있다. 이에 따라, 필름 기판(100)의 하부면에는 필름층(50), 접착층(60)이 남아있을 수 있다.
도 2 및 도 10을 참조하면, 레진층(230), 가이드 필름(GF)의 일부, 및 필름 기판(210)의 일부가 표시 기판(100)의 측면으로 벤딩될 수 있다. 즉, 필름 기판(210)은 레진층(230)과 함께 표시 기판(100)의 측면을 따라 구부려질 수 있고, 필름층(50) 및 접착층(60)은 표시 기판(100)의 측면에 위치할 수 있다.
이하에서는, 도 11 및 도 12을 참조하여 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법 중 추가 공정을 살펴본다.
도 11 및 도 12는 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 도시한 사시도들이다.
도 11 및 도 12을 참조하면, 자외선 경화기(UV-LF)를 이용하여 레진층(230)의 상면에 자외선을 조사하고, 레진층(230)을 경화시킬 수 있다. 자외선 경화기(UV-LF)는 제1 방향(DR1)으로 이동하며, 레진층(230)의 상면을 경화시킬 수 있다.
도 11에는 도 10을 참조하여 설명한, 레진층(230)의 일부, 필름 기판(210)의 일부를 표시 기판(100)의 측면으로 벤딩하기 전, 자외선 경화기(UV-LF)를 이용하여, 레진층(230)을 경화시키는 공정이 도시되었다.
일 실시예에서는, 도 8 및 도 9을 참조하여 설명한, 필름 기판(210)의 하부에서 가이드 필름(GF)의 일부를 제거하고, 자외선 경화 공정을 통해 레진층(230)을 경화한 후, 레진층(230)의 일부, 필름 기판(210)의 일부를 표시 기판(100)의 측면으로 벤딩할 수 있다.
도 12에는 도 10을 참조하여 설명한, 레진층(230)의 일부, 필름 기판(210)의 일부를 표시 기판(100)의 측면으로 벤딩한 후, 자외선 경화기(UV-LF)를 이용하여, 레진층(230)을 경화시키는 공정이 도시되었다.
일 실시예에서는, 도 10을 참조하여 설명한, 벤딩 공정 이후, "ㄱ"자 형상의 자외선 경화기(UV-LF)를 이용하여, 레진층(230)을 경화시킬 수 있다.
이하에서는, 도 13 내지 도 17을 참조하여, 다른 실시예에 따른 가이드 필름(GF')을 이용하는 표시 장치의 제조 방법 및 표시 장치를 살펴본다. 도 13 내지 도 17에 도시된 제조 방법 및 표시 장치는 도 2 내지 도 10에 도시된 제조 방법과 유사한바, 이하에서는 차이점을 중심으로 설명한다.
도 13은 다른 실시예에 따른 표시 장치를 도시한 단면도이고, 도 14 내지 도 17은 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명한 도면들이다. 도 15는 다른 실시예에 따른 가이드 필름의 구조를 도시한 단면도이고, 도 16은 도 15의 가이드 필름을 제3 방향에서 바라본 평면도이다.
도 13을 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 기판(100)의 일측면에 위치하는 필름층(50), 접착층(60), 및 잉크층(80)을 더 포함할 수 있다.
잉크층(80)은 가이드 필름(GF')의 구성 요소로서, 제2 방향(DR2)을 따라 필름층(50)과 접착층(60) 사이에 위치할 수 있다. 잉크층(80)은 레진층(230) 및 필름 기판(210)의 일부분이 제3 방향(DR3)을 따라 구부려짐에 따라, 표시 기판(100)의 일측면에 배치될 수 있다. 잉크층(80)은 빛이 투과되지 않는 검은색 물질을 포함할 수 있다.
도 14, 도 15, 및 도 16을 참조하면, 표시 기판(100) 및 표시 기판(100)의 상면과 적어도 일부 중첩하는 필름 기판(210)을 준비하고, 필름 기판(210)의 하면에 가이드 필름(GF')을 부착할 수 있다
가이드 필름(GF')은 필름층(50), 접착층(60), 지지층(70), 및 잉크층(80)(ink)을 포함할 수 있다.
잉크층(80)은 필름층(50)의 상면에 위치할 수 있다. 즉, 잉크층(80)은 제3 방향(DR3)을 따라 필름층(50) 위에 위치할 수 있다. 예를 들면, 잉크층(80)의 두께는 약 1 ㎛에 해당할 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
잉크층(80) 위에 위치하는 접착층(60)은 필름 기판(210)과 중첩하도록 잉크층(80)의 일부분 위에 위치할 수 있다. 이에 따라, 도 16에 도시된 바와 같이, 가이드 필름(GF')을 제3 방향(DR3)에서 바라볼 때, 제2 방향(DR2)을 따라 잉크층(80) 및 접착층(60)이 교차하여 위치하는 것으로 파악될 수 있다. 실시예에 따라, 접착층(60)은 잉크층(80)의 전면에 걸쳐 위치할 수 있다.
도 17을 참조하면, 필름 기판(100)의 하면에서 가이드 필름(GF')의 일부를 제거할 수 있다. 즉, 필름 기판(100)의 하면에서, 지지층(70)을 제거할 수 있다. 이에 따라, 필름 기판(100)의 하부면에는 필름층(50), 접착층(60), 및 잉크층(80)이 남아있을 수 있다.
이후, 레진층(230), 가이드 필름(GF')의 일부, 및 필름 기판(210)의 일부를 표시 기판(100)의 측면으로 벤딩하여 도 13에 도시된 표시 장치를 제조할 수 있다. 또한, 도 11 및 도 12에서 살펴본 바와 같이, 벤딩 공정 전 또는 벤딩 공정 후에 자외선을 레진층(230)에 조사하여, 레진층(230)을 경화시킬 수 있다.
이하에서는, 도 18을 참조하여 일 실시예에 따른 표시 장치의 화소 구조를 살펴본다.
도 18은 일 실시예에 따른 표시 장치의 화소를 도시한 단면도이다.
일 실시예에 따른 표시 장치의 화소(PX)는 베이스층(BSL), 베이스층(BSL)의 일면 상에 위치하는 화소 회로층(PCL) 및 표시 소자층(DPL)을 포함할 수 있다. 또한, 전술한 도 1의 표시 영역(DA)은 베이스층(BSL)의 일면 상에 배치된 화소 회로층(PCL)과 화소 회로층(PCL) 상에 배치된 표시 소자층(DPL)을 포함할 수 있다. 다만, 실시예에 따라 베이스층(BSL) 상에서의 화소 회로층(PCL)과 표시 소자층(DPL)의 상호 위치는 달라질 수 있다.
화소 회로층(PCL)은 적어도 하나의 트랜지스터, 스토리지 커패시터 및 이에 연결되는 복수의 배선들을 포함한다. 또한, 화소 회로층(PCL)은 베이스층(BSL)의 일면 상에 순차적으로 적층된 버퍼층(BFL), 게이트 절연층(GI), 제1 층간 절연층(ILD1), 제2 층간 절연층(ILD2), 및/또는 패시베이션층(PSV)을 포함한다.
베이스층(BSL)의 전면에 위치하는 버퍼층(BFL)은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 버퍼층(BFL)은 트랜지스터, 커패시터 등에 불순물이 확산되는 것을 방지할 수 있다.
버퍼층(BFL) 위에는 반도체층이 위치한다. 반도체층은 트랜지스터(M)의 반도체 패턴(SCP)을 포함한다. 반도체 패턴(SCP)은 후술하는 제1 게이트 전극(GE)과 중첩되는 채널 영역과, 채널 영역의 양측에 배치된 소스 영역 및 드레인 영역을 포함할 수 있다. 반도체 패턴(SCP)은 다결정 실리콘, 비정질 실리콘, 또는 산화물 반도체 등으로 이루어질 수 있다.
반도체층 위에는 게이트 절연층(GI)이 위치한다. 게이트 절연층(GI)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiOxNy) 등을 포함하는 무기 물질을 포함할 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 실시예에 따라 게이트 절연층(GI)은 유기 물질을 포함한 유기 절연층일 수도 있다.
게이트 절연층(GI) 위에는 게이트 도전체가 위치한다. 게이트 도전체는 제1 게이트 전극(GE)을 포함한다. 제1 게이트 전극(GE)은 제1 반도체 패턴(SCP)의 채널 영역과 중첩하도록 위치할 수 있다. 게이트 도전체는 화소 회로층(PCL)에 포함된 복수의 트랜지스터 중 각 트랜지스터의 게이트 전극, 스토리지 커패시터의 일 전극, 게이트선 등을 포함할 수 있다.
게이트 도전체 위에는 제1 층간 절연층(ILD1)이 위치한다. 제1 층간 절연층(ILD1)은 게이트 절연층(GI)과 동일한 물질을 포함하거나 게이트 절연층(GI)에서 예시된 물질들 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다. 일 예로, 제1 층간 절연층(ILD1)은 무기 재료를 포함한 무기 절연층일 수 있다.
제1 층간 절연층(ILD1) 위에는 제1 데이터 도전체가 위치한다. 제1 데이터 도전체는 트랜지스터(M)의 제1 전극(TE1) 및 제2 전극(TE2)을 포함한다. 제1 전극(TE1)은 제1 반도체 패턴(SCP)의 드레인 영역과 연결되는 드레인 전극일 수 있고, 제2 전극(TE2)은 제1 반도체 패턴(SCP)의 소스 영역과 연결되는 소스 전극일 수 있다. 또한, 제1 전극(TE1)이 트랜지스터(M)의 소스 전극일 수 있고, 제2 전극(TE2)이 드레인 전극일 수 있다. 제1 데이터 도전체는 복수의 트랜지스터 중 각 트랜지스터(M)의 제1 전극(TE1) 및 제2 전극(TE2)을 포함할 수 있고, 스토리지 커패시터의 타 전극, 데이터선 등을 포함할 수 있다.
제1 데이터 도전체 위에는 제2 층간 절연층(ILD2)이 위치한다. 제2 층간 절연층(ILD2)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiOxNy) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다. 실시예에 따라, 제2 층간 절연층(ILD2)은 유기 물질을 포함하는 유기 절연막일 수 있다.
제2 층간 절연층(ILD2) 위에는 제2 데이터 도전체가 위치한다. 제2 데이터 도전체는 화소 회로층(PCL)과 표시 소자층(DPL)을 연결하는 브릿지 패턴(BRP)을 포함한다. 제2 데이터 도전체는 구동 전압선(미도시), 구동 저전압선(미도시) 등을 더 포함할 수 있다. 브릿지 패턴(BRP)은 컨택홀(CH)을 통해 각 화소(PX)의 발광 소자(LD)의 제1 전극(ELT1)에 연결될 수 있다. 일 예로, 발광 소자(LD)는 유기 발광 다이오드 또는 적어도 하나의 초소형 무기 발광 다이오드일 수 있다. 편의를 위하여, 하기의 실시예에서는 발광 소자(LD)를 초소형 무기 발광 다이오드인 경우로 설명하였다.
제2 데이터 도전체 위에는 패시베이션층(PSV)이 위치한다. 패시베이션층(PSV)은 적어도 하나의 유기 절연층을 포함하며 화소 회로층(PCL)의 표면을 실질적으로 평탄화할 수 있다. 패시베이션층(PSV)은 단일막 또는 다중막으로 구성될 수 있으며, 무기 절연 물질, 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 패시베이션층(PSV)은 아크릴계 수지(polyacrylates resin), 에폭시계 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides rein) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
패시베이션층(PSV)을 포함한 화소 회로층(PCL) 위에는 표시 소자층(DPL)이 위치한다. 패시베이션층(PSV)의 컨택홀(CH)은 화소 회로층(PCL)의 브릿지 패턴(BRP)과 표시 소자층(DPL)의 제1 전극(ELT1)을 연결할 수 있다.
표시 소자층(DPL)은 화소(PX)들의 발광 소자(LD) 및 발광 소자(LD)에 연결되는 전극들을 포함한다. 발광 소자(LD)는 질화물계 반도체를 성장시킨 구조로 이루어진 나노 스케일 내지 마이크로 스케일 정도로 작은 초소형의 무기 발광 다이오드일 수 있다.
표시 소자층(DPL)은 제1 뱅크(BNK1), 제2 뱅크(BNK2), 제1 전극(ELT1), 제2 전극(ELT2), 제1 절연층(INS1), 제2 절연층(INS2), 제1 컨택 전극(CNE1), 제2 컨택 전극(CNE2), 및 제3 절연층(INS3)을 포함한다.
제1 뱅크(BNK1)는 패시베이션층(PSV) 위에 위치한다. 제1 뱅크(BNK1)는 각각의 화소(PX)에서 광이 방출되는 영역(예를 들면, 발광 영역(EA))에 위치할 수 있다. 제1 뱅크(BNK1)는 발광 소자(LD)에서 방출되는 광을 표시 패널의 화상 표시 방향(예를 들면, 각 화소(PX)의 상부 방향, 제3 방향(DR3))으로 유도하도록 제1 전극(ELT1) 및 제2 전극(ELT2)의 일 부분 하부에 배치되어, 제1 전극(ELT1) 및 제2 전극(ELT2)의 일 부분을 상부 방향, 즉 제3 방향(DR3)으로 돌출시킬 수 있다. 제1 뱅크(BNK1)는 무기 재료로 이루어진 무기 절연막 또는 유기 재료로 이루어진 유기 절연막을 포함할 수 있다. 실시예에 따라, 제1 뱅크(BNK1)는 단일막의 유기 절연막 또는 단일막의 무기 절연막을 포함할 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
제2 뱅크(BNK2)는 패시베이션층(PSV) 위에 위치한다. 제2 뱅크(BNK2)는 화소(PX)들 각각의 발광 영역(EA)을 구분하는 구조로써, 각 화소(PX)의 발광 영역(EA)을 둘러싸도록 각 화소(PX)의 비발광 영역(NEA), 화소(PX)들 사이의 비발광 영역(NEA)에 위치할 수 있다. 예를 들면, 제2 뱅크(BNK2)는 화소 정의막, 댐 구조물일 수 있다. 제2 뱅크(BNK2)는 적어도 하나의 차광 물질, 반사 물질을 포함하도록 구성될 수 있다.
제1 전극(ELT1) 및 제2 전극(ELT2)은 각각 제1 뱅크(BNK1) 위에 위치하고, 제1 뱅크(BNK1)의 형상에 대응하는 표면을 가진다. 제1 전극(ELT1) 및 제2 전극(ELT2)은 균일한 반사율을 갖는 재료를 포함할 수 있다. 이에 따라, 제1 전극(ELT1) 및 제2 전극(ELT2)에 의해 발광 소자(LD)에서 방출되는 광은 표시 패널의 화상 표시 방향(제3 방향(DR3))으로 진행될 수 있다.
제1 전극(ELT1)은 패시베이션층(PSV)을 관통하는 컨택홀(CH)을 통해 트랜지스터(M)의 제1 전극(TE1)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 전극(ELT2)은 도시되지 않은 영역에서 패시베이션층(PSV)을 관통하는 적어도 하나의 컨택홀(미도시)을 통해 구동 전원에 연결될 수 있다.
일 실시예에서, 제1 전극(ELT1)은 애노드(anode) 일 수 있고, 제2 전극(ELT2)은 캐소드(cathode)일 수 있다.
제1 절연층(INS1)은 제1 전극(ELT1) 및 제2 전극(ELT2) 각각과 패시베이션층(PSV) 사이에 위치한다. 제1 절연층(INS1)은 발광 소자(LD)와 패시베이션층(PSV) 사이의 공간을 메워 발광 소자(LD)를 안정적으로 지지할 수 있다. 제1 절연층(INS1)은 무기 절연막, 유기 절연막 중 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있고, 단일막 또는 다중막으로 구성될 수 있다.
발광 소자(LD)는 제1 절연층(INS1) 위에 위치한다. 제1 전극(ELT1) 및 제2 전극(ELT2) 사이에는 적어도 하나의 발광 소자(LD)가 배치될 수 있다. 실시예에 따라, 제1 전극(ELT1) 및 제2 전극(ELT2) 사이에는 복수의 발광 소자(LD)들이 배치되고, 복수의 발광 소자(LD)들은 서로 병렬로 연결될 수 있다.
발광 소자(LD)의 일 부분 위에는 제2 절연층(INS2)이 위치한다. 제2 절연층(INS2)은 발광 소자(LD)들 각각의 상면 일부를 커버하며, 발광 소자(LD)의 제1 단부(EP1) 및 제2 단부(EP2)를 노출할 수 있다. 제2 절연층(INS2)은 발광 소자(LD)를 안정적으로 고정시킬 수 있다. 제2 절연층(INS2) 형성 이전에 제1 절연층(INS1)과 발광 소자(LD)의 사이에 빈 공간이 존재할 경우, 빈 공간은 제2 절연층(INS2)에 의해 적어도 부분적으로 채워질 수 있다.
제1 전극(ELT1) 위에는 제1 전극(ELT1)과 발광 소자(LD)의 양 단부 중 하나의 단부(일 예로, 제1 단부(EP1))를 전기적, 물리적으로 연결하는 제1 컨택 전극(CNE1)이 위치한다. 제1 컨택 전극(CNE1)은 제1 절연층(INS1), 제2 절연층(INS2) 및 발광 소자(LD)의 일 부분과 중첩하도록 위치할 수 있다. 제1 전극(ELT1)과 제1 컨택 전극(CNE1)이 연결되는 부분, 즉 제1 전극(ELT1)과 제1 컨택 전극(CNE1)이 직접 접촉하는 부분에는 제1 절연층(INS1)이 제거될 수 있다.
제2 전극(ELT2) 위에는 제2 전극(ELT2)과 발광 소자(LD)의 양 단부 중 하나의 단부(일 예로, 제2 단부(EP2))를 전기적, 물리적으로 연결하는 제2 컨택 전극(CNE2)이 위치한다. 제2 컨택 전극(CNE2)은 제1 절연층(INS1), 제2 절연층(INS2) 및 발광 소자(LD)의 일 부분과 중첩하도록 위치할 수 있다. 제2 전극(ELT2)과 제2 컨택 전극(CNE2)이 연결되는 부분, 즉 제2 전극(ELT2)과 제2 컨택 전극(CNE2)이 직접 접촉하는 부분에는 제1 절연층(INS1)이 제거될 수 있다.
제1 컨택 전극(CNE1) 및 제2 컨택 전극(CNE2)은 투명 도전성 물질로 구성될 수 있다. 예를 들면, 제1 컨택 전극(CNE1) 및 제2 컨택 전극(CNE2)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ITZO(Indium Tin Zinc Oxide) 등의 물질을 포함할 수 있다. 이에 따라, 발광 소자(LD)로부터 방출되어 제1 전극(ELT1) 및 제2 전극(ELT2)에 의해 반사된 광은 표시 패널의 화상 표시 방향(제3 방향(DR3))으로 진행될 수 있다.
제1 컨택 전극(CNE1), 제2 컨택 전극(CNE2), 제2 뱅크(BNK2) 위에는 제3 절연층(INS3)이 위치한다. 제3 절연층(INS3)은 적어도 하나의 유기막, 무기막을 포함하며, 표시 소자층(DPL)의 표면을 덮도록 전면적으로 위치할 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정해져야만 할 것이다.
100: 표시 기판 20: 오버 코트층
30: 보호 필름 210: 필름 기판
220: 구동 칩 300: 인쇄 회로 기판
50: 필름층 60: 접착층
70: 지지층 80: 잉크층
GF: 가이드 필름 230: 레진층

Claims (20)

  1. 표시 영역 및 비표시 영역을 포함하는 표시 기판;
    상기 표시 기판의 비표시 영역과 적어도 일부 중첩하도록 위치하고, 구동 칩이 배치되는 필름 기판;
    상기 표시 기판의 일측면에 위치하는 필름층;
    상기 필름층 및 상기 필름 기판의 일면 사이에 위치하는 접착층; 및
    상기 필름 기판의 타면과 및 상기 표시 기판의 상면 일부를 덮는 레진층을 포함하고,
    상기 레진층의 일부 및 상기 필름 기판의 일부는 상기 표시 기판의 측면으로 벤딩된 표시 장치.
  2. 제1항에서,
    상기 표시 기판의 상면에 위치하고, 상기 표시 기판과 적어도 일부 중첩하는 오버 코트층; 및
    상기 오버 코트층의 상면에 위치하고, 상기 오버 코트층과 적어도 일부 중첩하는 보호 필름을 더 포함하는 표시 장치.
  3. 제2항에서,
    상기 레진층은 상기 필름 기판의 타면 및 상기 오버 코트층의 일부를 덮고, 상기 보호 필름의 일측면과 맞닿도록 위치하는 표시 장치.
  4. 제3항에서,
    상기 레진층은 상기 오버 코트층 및 상기 필름 기판 사이의 공간을 채우도록 위치하는 표시 장치.
  5. 제4항에서,
    상기 레진층의 상부면과 상기 보호 필름의 상부면은 동일한 평면상에 위치하는 표시 장치.
  6. 제1항에서,
    상기 필름층은 폴리에틸렌테레프탈레이트인 표시 장치.
  7. 제1항에서,
    상기 접착층은 광학 투명 접착층인 표시 장치.
  8. 표시 기판 및 상기 표시 기판의 상면과 적어도 일부 중첩하는 필름 기판을 준비하고, 상기 필름 기판의 하면에 가이드 필름이 부착되는 단계;
    상기 필름 기판의 상면 및 상기 표시 기판의 상면 일부 위에 레진층이 도포되는 단계;
    상기 필름 기판의 하면에서 상기 가이드 필름의 일부가 제거되는 단계; 및
    상기 레진층의 일부, 상기 가이드 필름의 일부, 및 상기 필름 기판의 일부가 상기 표시 기판의 측면으로 벤딩되는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  9. 제8항에서,
    상기 가이드 필름은 순차적으로 적층된 지지층, 필름층, 및 접착층을 포함하고,
    상기 필름 기판의 하면에 상기 접착층의 상면이 위치하도록 상기 가이드 필름이 부착되는 표시 장치의 제조 방법.
  10. 제9항에서,
    상기 필름 기판의 하면에서 상기 가이드 필름 중 상기 지지층이 제거되는 표시 장치의 제조 방법.
  11. 제10항에서,
    상기 레진층은 슬릿 노즐 방법에 의하여 도포되는 표시 장치의 제조 방법.
  12. 제11항에서,
    상기 가이드 필름의 일부가 제거되고, 상기 레진층의 상면에 자외선이 조사되는 단계를 더 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  13. 제11항에서,
    상기 가이드 필름의 일부 및 상기 필름 기판의 일부가 상기 표시 기판의 측면으로 벤딩되고, 상기 레진층의 상면에 자외선이 조사되는 단계를 더 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  14. 제8항에서,
    상기 가이드 필름은 순차적으로 적층된 지지층, 필름층, 잉크층, 및 접착층을 포함하고,
    상기 필름 기판의 하면에 상기 접착층의 상면이 위치하도록 상기 가이드 필름이 부착되는 표시 장치의 제조 방법.
  15. 제14항에서,
    상기 필름 기판의 하면에서 상기 가이드 필름 중 상기 지지층이 제거되는 표시 장치의 제조 방법.
  16. 표시 영역 및 비표시 영역을 포함하는 표시 기판;
    상기 표시 기판의 비표시 영역과 적어도 일부 중첩하도록 위치하고, 구동 칩이 배치되는 필름 기판;
    상기 표시 기판의 일측면에 위치하는 필름층;
    상기 필름층 및 상기 필름 기판의 일면 사이에 위치하는 접착층;
    상기 필름층과 상기 접착층 사이에 위치하는 잉크층; 및
    상기 필름 기판의 타면과 및 상기 표시 기판의 상면 일부를 덮는 레진층을 포함하고,
    상기 레진층의 일부 및 상기 필름 기판의 일부는 상기 표시 기판의 측면으로 벤딩된 표시 장치.
  17. 제16항에서,
    상기 표시 기판의 상면에 위치하고, 상기 표시 기판과 적어도 일부 중첩하는 오버 코트층; 및
    상기 오버 코트층의 상면에 위치하고, 상기 오버 코트층과 적어도 일부 중첩하는 보호 필름을 더 포함하는 표시 장치.
  18. 제17항에서,
    상기 레진층은 상기 필름 기판의 타면 및 상기 오버 코트층의 일부를 덮고, 상기 보호 필름의 일측면과 맞닿도록 위치하는 표시 장치.
  19. 제18항에서,
    상기 레진층은 상기 오버 코트층 및 상기 필름 기판 사이의 공간을 채우도록 위치하는 표시 장치.
  20. 제19항에서,
    상기 레진층의 상부면과 상기 보호 필름의 상부면은 동일한 평면상에 위치하는 표시 장치.
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KR101843913B1 (ko) * 2011-02-28 2018-05-14 엘지전자 주식회사 디스플레이 장치
KR102060652B1 (ko) * 2013-05-20 2019-12-30 엘지전자 주식회사 디스플레이 패널 및 그를 포함하는 디스플레이 장치
US9425418B2 (en) * 2014-09-30 2016-08-23 Lg Display Co., Ltd. Flexible display device with bend stress reduction member and manufacturing method for the same
JP2018091913A (ja) * 2016-11-30 2018-06-14 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR20190072877A (ko) * 2017-12-18 2019-06-26 엘지디스플레이 주식회사 디스플레이 장치

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