KR20230019856A - 색 변환 솔리드 스테이트 디바이스 - Google Patents

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Abstract

본 개시내용은 기능 조정 재료를 통합함으로써 다양한 기능성 마이크로 디바이스를 생성하는 것과, 이러한 재료를 보호하기 위한 봉지 캡슐을 생성하는 것과 관련된다. 본 개시내용은 또한 솔리드 스테이트 디바이스와, 발광 소자의 색상을 다른 색상으로 변환하는 방법에 관한 것이다.

Description

색 변환 솔리드 스테이트 디바이스
본 발명은 디스플레이 기판에 색 변환층을 통합시키는 것에 관한 것이다. 더 구체적으로, 본 발명은 색 변환층을 환경적 요인으로부터 보호하기 위해 봉지 캡슐(encapsulation capsule)을 제공하는 것에 관한 것이다.
다양한 마이크로 디바이스들을 시스템 기판에 통합시킴으로써 시스템 성능을 향상시킬 수 있다. 다양한 마이크로 디바이스들이 상이한 성능을 가질 수 있고 상이한 재료 시스템을 사용할 수도 있다는 것은 도전 과제이다. 이러한 재료 시스템은 일반적으로 환경적 요인(예를 들어, 산소 또는 물)에 민감하다. 따라서, 시스템 성능을 향상시키기 위해 이러한 재료에 대한 보호를 제공하는 것이 바람직하다.
일 실시예에 따르면, 본 발명은 발광 소자의 색상을 다른 색상으로 변환시킬 수 있게 하는 솔리드 스테이트 디바이스에 관한 것으로, 이 솔리드 스테이트 디바이스는 백플레인, 백플레인의 상단의 발광 소자, 발광 소자의 상단의 배광층, 및 배광층의 상단의 색 변환층을 포함한다.
다른 실시예에 따르면, 발광 소자의 색상을 다른 색상으로 변환하는 방법이 제공되는 바, 이 방법은 백플레인을 형성하는 단계, 백플레인의 상단에 발광 소자를 형성하는 단계, 발광 소자의 상단에 배광층을 형성하는 단계, 배광층의 상단에 색 변환층을 형성하는 단계, 및 발광 소자의 색상을 발광 소자의 원래 색상과는 상이한 다른 색상으로 변환하는 단계를 포함한다.
본 개시내용의 전술한 이점 및 다른 이점은 다음의 상세한 설명을 숙독하고 도면을 참조할 때에 명백해질 것이다.
도 1은 일 실시예에 따른 방법의 흐름도를 예시한다.
도 2는 일 실시예에 따른 대안적인 방법의 흐름도를 예시한다.
도 3은 일 실시예에 따른 대안적인 방법의 흐름도를 예시한다.
도 4는 일 실시예에 따른 대안적인 방법의 흐름도를 예시한다.
도 5는 일 실시예에 따른 대안적인 방법의 흐름도를 예시한다.
도 6은 본 발명의 다양한 실시예들을 예시한다.
도 7a 내지 도 7c는 일 실시예에 따른, 색 변환층과 마이크로 디바이스의 통합을 나타낸 단면도를 예시한다.
도 8a는 일 실시예에 따른, 색 변환층 및 접촉부와 마이크로 디바이스의 통합을 나타낸 단면도를 예시한다.
도 8b는 일 실시예에 따른, 색 변환층 및 봉지 벽과 마이크로 디바이스의 통합을 나타낸 단면도를 예시한다.
도 8c는 일 실시예에 따른, 색 변환층과 마이크로 디바이스의 통합을 나타낸 단면도를 예시한다.
도 8d는 일 실시예에 따른, 색 변환층과 마이크로 디바이스의 통합을 나타낸 단면도를 예시한다.
도 9a는 일 실시예에 따른, 색 변환층과 마이크로 디바이스의 통합을 나타낸 단면도를 예시한다.
도 9b는 일 실시예에 따른, 색 변환층과 마이크로 디바이스의 통합을 나타낸 단면도를 예시한다.
도 10a 및 도 10b는 발광 소자와 색 변환층의 조합에 배광층을 통합시킨 것을 도시한다.
도 10c는 배광층의 표면에서부터 가장자리까지의 반사 입자의 유효 농도비를 도시한다.
본 개시내용은 다양한 수정 및 대안적 형태들을 허용하지만, 특정 실시예 또는 구현예가 도면에 예로서 도시되었고 여기서 상세히 설명될 것이다. 그러나, 본 개시내용은 본원에 개시된 특정 형태에 한정되도록 의도된 것이 아님을 이해해야 한다. 오히려, 본 개시내용은 첨부된 청구범위에 의해 정의되는 바와 같은 본 발명의 사상 및 범위 내에 있는 모든 수정물, 균등물, 및 대안물을 포괄하려는 것이다.
시스템 성능을 향상시키는 한 가지 방법은 다양한 마이크로 디바이스들을 시스템 기판에 통합시키는 것이다. 다양한 마이크로 디바이스들이 상이한 성능을 가질 수 있고 상이한 재료 시스템을 사용할 수도 있다는 것은 도전 과제이다. 본 발명은 기능 조정 재료들(예를 들어, 색 변환층)을 통합시킴으로써 다양한 기능성 마이크로 디바이스들(예를 들어, 적색, 녹색, 청색 LED, 또는 단일 청색 LED로부터의 센서)을 생성하는 것과 관련된다. 기능 조정 재료는 일반적으로 환경적 요인(예를 들어, 산소 또는 물)에 민감하다.
본 발명의 다른 양태는 이러한 재료를 보호하기 위해 봉지 캡슐을 생성하는 것이다.
본 개시내용에서, 구조는 마이크로 LED 및 색 변환층을 사용하여 설명된다. 그러나, 유사한 구조가 다른 마이크로 디바이스 및 다른 기능 조정 재료에 사용될 수 있다.
실시예들에서 사용되는 광원의 형상은 예시를 위한 것이고, 디바이스들은 다양한 형상을 가질 수 있다. 광원 디바이스는 리시버 기판과 접촉할 측면에 하나 이상의 패드를 가질 수 있다. 패드는 기계적, 전기적, 또는 이 둘의 조합일 수 있다. 하나 이상의 패드가 공통 전극에, 또는 전극의 행/열에 연결될 수 있다. 전극은 투명하거나, 또는 불투명할 수 있다. 광원은 다양한 층을 가질 수 있다. 광원은 유기, 무기, 또는 이들의 조합과 같은 다양한 재료로 만들어질 수 있다.
도 1을 참조하면, 픽셀 회로를 제조하는 방법은 단계 102, 예를 들어 시스템 기판 패턴에 따라 도너 기판에 적어도 하나의 그룹의 마이크로 디바이스들을 만드는 단계; 단계 104, 예를 들어 마이크로 디바이스들의 광 출력(입력) 표면을 색 변환층 및/또는 색 필터로 덮는 단계; 및 단계 106, 예를 들어 한 그룹 내의 마이크로 디바이스들 중 적어도 하나를 시스템 기판으로 전사하는 단계를 포함한다.
도 2를 참조하면, 픽셀 회로를 제조하는 방법은 단계 202, 예를 들어 시스템 기판 패턴에 따라 도너 기판에 적어도 하나의 그룹의 마이크로 디바이스들을 만드는 단계; 단계 204, 예를 들어 마이크로 디바이스들로부터의 바람직하지 않은 광 경로를 불투명 또는 반사 재료, 예를 들어 광 감쇠기로 덮거나 차단하는 단계; 단계 206, 예를 들어 마이크로 디바이스들의 광 출력(입력) 표면을 색 변환층 및/또는 색 필터로 덮는 단계; 및 단계 208, 예를 들어 한 그룹 내의 마이크로 디바이스들 중 적어도 하나를 시스템 기판으로 전사하는 단계를 포함한다.
도 3을 참조하면, 픽셀 회로를 제조하는 방법은 단계 302, 예를 들어 시스템 기판 패턴에 따라 도너 기판에 적어도 하나의 그룹의 마이크로 디바이스들을 만드는 단계; 단계 304, 예를 들어 마이크로 디바이스들로부터의 바람직하지 않은 광 경로를 불투명 또는 반사 재료, 예를 들어 광 감쇠기로 덮거나 차단하는 단계; 단계 306, 예를 들어 마이크로 디바이스들의 광 출력(입력) 표면을 색 변환층 및/또는 색 필터로 덮는 단계; 단계 308, 즉 봉지 및/또는 방열을 위해 색 변환층 이전 및/또는 이후에 층들을 증착하는 단계; 및 단계 310, 예를 들어 한 그룹 내의 마이크로 디바이스들 중 적어도 하나를 시스템 기판으로 전사하는 단계를 포함한다.
도 4를 참조하면, 픽셀 회로를 제조하는 방법은 단계 402, 예를 들어 시스템 기판 패턴에 따라 도너 기판에 적어도 하나의 그룹의 마이크로 디바이스들을 만드는 단계; 단계 404, 예를 들어 마이크로 디바이스들로부터의 바람직하지 않은 광 경로를 불투명 또는 반사 재료, 예를 들어 광 감쇠기로 덮거나 차단하는 단계; 단계 406, 예를 들어 마이크로 디바이스들의 광 출력(입력) 표면을 색 변환층 및/또는 색 필터로 덮는 단계 - 색 변환층은 패시베이션을 위한 유전체층을 포함할 수 있음 -; 단계 408, 즉 봉지 및/또는 방열을 위해 색 변환층 이전 및/또는 이후에 층들을 증착하는 단계; 및 단계 410, 예를 들어 한 그룹 내의 마이크로 디바이스들 중 적어도 하나를 시스템 기판으로 전사하는 단계를 포함한다.
도 5를 참조하면, 픽셀 회로를 제조하는 방법은 단계 502, 예를 들어 시스템 기판 패턴에 따라 도너 기판에 적어도 하나의 그룹의 마이크로 디바이스들을 만드는 단계; 단계 504, 예를 들어 마이크로 디바이스들로부터의 바람직하지 않은 광 경로를 불투명 또는 반사 재료, 예를 들어 광 감쇠기로 덮거나 차단하는 단계; 단계 506, 예를 들어 마이크로 디바이스들의 광 출력(입력) 표면을 색 변환층 및/또는 색 필터로 덮는 단계 - 색 변환층 또는 광 감쇠기 중 하나는 마이크로 디바이스를 위한 전극으로 작용하는 전도층을 포함할 수 있음 -; 단계 508, 즉 봉지 및/또는 방열을 위해 색 변환층 이전 및/또는 이후에 층들을 증착하는 단계; 및 단계 510, 예를 들어 한 그룹 내의 마이크로 디바이스들 중 적어도 하나를 시스템 기판으로 전사하는 단계를 포함한다.
도 6a 내지 도 6c를 참조하면, 도너 기판(602)이 초기에 3개의 마이크로 디바이스(604)를 포함하는 전사 공정이 예시되어 있다. 각 마이크로 디바이스(604)는, 투명할 수 있지만 이상적으로는 광 감쇠기 기능을 제공하는 불투명 또는 반사 재료를 포함하는 전극(606)을 포함한다. 중간 마이크로 디바이스(604)는 그 마이크로 디바이스(604)로부터의 방출 광을 다른 색상으로 변환시키기 위한 제1 색 변환층 또는 필터층(608)을 포함한다(예를 들면, 제1 색 변환층 또는 필터층으로 코팅된다). 좌측 마이크로 디바이스(604)는 그 마이크로 디바이스(604)로부터 방출되는 광을 제3 색상으로 변환시키기 위한 제2 색 변환층 또는 필터층(610)을 포함한다(예를 들면, 제2 색 변환층 또는 필터층으로 코팅된다). 3개의 마이크로 디바이스(604)는 함께, 디스플레이 디바이스용 픽셀을 형성하는 데 필요한 3개의 상이한 색상, 예를 들어, 적색, 녹색, 및 청색을 포함할 수 있다. 시스템 기판의 픽셀과 관련된 각 디바이스 세트에 여분의 마이크로 디바이스를 추가할 수 있다. 도너(카트리지) 기판에서 마이크로 디바이스를 테스트한 후, 시스템 기판의 상이한 픽셀에 대해 허용 가능한 수의 마이크로 디바이스가 있도록 각 마이크로 디바이스에 대한 기능 조정 재료를 다시 매핑할 수 있다. 예를 들어, 녹색 색 변환이 할당된 디바이스가 기능하지 않는 경우, 원래 디바이스들과 예비 디바이스 중 두 디바이스에 여분의 적색 및 녹색 색 변환이 할당될 수 있다.
제1 실시예에서, 3개의 마이크로 디바이스(604)는 카트리지 기판으로 전사되고, 전극(606)으로서의 마이크로 디바이스(604)의 반대 단부에 장착된 제2 전극(616)을 구비한다. 제2 전극(616)은 마이크로 디바이스(604)로부터의 임의의 광을 다시 임의의 배광 재료를 통해, 임의의 광 감쇠기 구조 주위로, 임의의 색 변환층(608 또는 610)을 통해 재지향시키기 위해 불투명 또는 반사 재료로 구성될 수 있다. 그런 다음, 마이크로 디바이스(604) 각각은 제2 전극(616)이 패드(614)와 전기적으로 접촉한 상태에서 리시버 기판(612)(도 6b) 상의 패드(614)에 장착된다.
대안적으로, 도 6c에 예시된 바와 같이, 3개의 마이크로 디바이스(604)는 전극(606)이 패드(614)와 접촉한 상태에서 리시버 기판(612)으로 직접 전사될 수 있다. 본 실시예에서, 리시버 기판(612) 및 패드(614)는 마이크로 디바이스(604) 및 임의의 후속 변환으로부터 방출된 광에 대해 투명할 수 있다.
도 7a는 나머지 설명에서 한 예로서 색 변환층이라고 지칭하는 기능 조정/변경/수정 재료(710)에 내장된 마이크로 디바이스(700)를 도시한다. 여기서, 복수의 반도체층은 상면(700-1) 및 하면(700-2)을 형성하는 기판에 형성/전사된다. 복수의 반도체층은 적어도 하나의 측면(700-3)(또는 700-4)을 갖는 마이크로 디바이스(마이크로 디바이스(700)가 일 예로서 도시됨)를 형성하는 상이한 영역에서 격리된다. 여기서, 마이크로 디바이스(700)는 해당 디바이스의 적어도 한 측면에(또는 단지 일 측면에) 적어도 하나의 접촉부(비아)(702, 704)를 가질 수 있다. 접촉부(702, 704)는 디바이스(700)를 패드(706 및 708)에 연결한다. 마이크로 디바이스(700)는 전하 차단층과 도핑층 사이에 개재된 활성층과 같은 상이한 층들의 스택을 가질 수 있다. 적어도 하나의 측면(700-3)(또는 700-4)에 광학적으로 결합되는 적어도 하나의 커버층에 의해 생성된 마이크로 디바이스(700) 주위에 공간이 형성된다. 하나 이상의 커버 벽(712, 714, 716, 718)으로 구성된 디바이스 주위에 공간/하우징 구조체가 형성된다. 상단 및 하단 커버 벽(층)(712, 714)은 마이크로 디바이스(700)의 적어도 한 측면(700-3, 700-4)을 넘어 연장된다. 기능 조정 재료(예를 들어, 색 변환 재료)(710)는 하우징 구조체 내부에 있다. 커버 벽(712, 714, 716, 718)은 색 변환 재료를 산소 및 수분으로부터 보호하기 위한 봉지층일 수 있다. 색 변환 재료는 형광체 또는 양자점일 수 있다. 또한, 커버 벽은 색 변환 재료로의 광 결합을 향상시키기 위한 일부 광학 특성을 갖는 광학 강화층을 포함할 수 있다. 한 경우에서, 커버 벽(712 또는 716)은 광을 색 변환 재료로 반사시키는 반사층일 수 있다. 다른 경우에서, 커버 벽(712 또는 716)은 더 긴 파장은 통과하게 하면서 짧은 파장(예를 들어, 450 nm보다 작음)은 반사시키기만 하도록 설계된다. 이는 변환된 광이 벽을 통과할 수 있게 한다. 다른 경우에서, 벽(714)은 마이크로 디바이스(700)로부터 색 변환 재료(710)로의 광 추출을 향상시킨다. 일 예에서, 벽(718)은 광을 다시 반사시키도록 반사성이다. 다른 경우에서, 벽(718)은 적어도 일부 파장이 통과할 수 있게 투명하다.
도 7b를 참조하면, 커버 벽(712 또는 716)은 2개의 부분, 즉 반사부(720) 및 투명부를 가질 수 있다. 반사층(720)은 디바이스(700)의 상측에서 연장된다(또는 하측으로 연장될 수 있다). 한 경우에서, 투명부는 변환 없이 바로 방출되는 마이크로 디바이스 광을 차단하기 위해 파장의 일부에 대해서만 투명할 수도 있다.
도 7c에 도시된 다른 경우에서, 색 필터층(722)은 파장의 일부가 구조/디바이스(700)에서 나가거나 외부로부터 색 변환 재료(710)로 들어가는 것을 추가로 방지하기 위해 벽들 중 적어도 하나에 증착될 수 있다.
도 8a는 상측 또는 하측에 접촉부(802, 804)를 갖는 마이크로 디바이스(800)를 도시한다. 패드(806)가 접촉부들 중 적어도 하나, 예를 들어 상측의 접촉부(802)를 통해 디바이스(800)에 결합될 수 있다. 한 경우에서, 유전체일 수 있는 층(812)이 접촉부(802)로 덮이지 않는 디바이스 표면의 부분을 덮는다. 패시베이션층, 광학 강화층, 또는 봉지층과 같은 다양한 기능을 가질 수 있는 측면(814)이 있을 수 있다. 여기서, 마이크로 디바이스(800)와 기판(830) 사이에 버퍼층 또는 희생층(832)이 있다.
도 8b는 봉지 벽(812A, 812B)이 형성되는 곳을 도시하고 있다. 봉지층(812A)은 측면(814)과 동일할 수 있다. 이러한 측면(814)은 인쇄, 증발, 인쇄, 스퍼터링, 또는 등등과 같은 다양한 수단에 의해 증착될 수 있다. 측벽층은 전통적인 포토리소그래피, 리프트오프, 또는 인쇄에 의해 패터닝될 수 있다.
도 8c는 도면 부호 812B인 봉지벽의 상단에 색 변환 재료가 형성되는 것을 도시하고 있다. 색 변환층(810)은 기판(830)과 대면하지 않는 디바이스(800)의 측면을 덮을 수 있다.
도 8d는 색 변환 재료를 벽들(818, 812, 816) 사이에 둘러싸도록 커버 벽(816, 818)이 형성된 구조를 도시하고 있다.
다른 실시예에서, 도 8e에 도시된 바와 같이, 벽들은 다양한 기능을 가진 다양한 층들의 스택을 가질 수 있다. 한 경우에서, 벽들에는 반사(예를 들어, 전체적 또는 선택적 반사)층(812C) 및 봉지층(812B)이 포함될 수 있다.
다른 실시예에서, 색 변환층은 마이크로 디바이스(800)의 상면 또는 하면에 있을 수 있다. 도 8f에 도시된 바와 같은 일 예에서, 동일한 표면에 접촉부가 있으면, 접촉부(804) 높이는 해당 표면 상의 색 변환층을 넘어 연장되도록 증가될 것이다. 접촉부(804)의 측면 및 마이크로 디바이스(800)의 상기 표면을 덮도록 벽들(820)을 추가할 수 있다.
도 9a에 도시된 다른 실시예에서, 표면들 중 한 표면 상의 접촉부(904A)가 트레이스(904B)를 통해 디바이스(800)의 반대측 상의 접촉부(802) 영역에 연결될 수 있다. 트레이스는 유전체층에 의해 디바이스로부터 분리될 수 있다. 일부 영역에서는 트레이스를 투명하게 해서 광이 그 트레이스를 통과해서 색 변환층과 결합하도록 하는 것이 필요하다. 다른 경우에서, 트레이스는 마이크로 디바이스의 측면의 일부만을 덮고, 그에 따라 광이 다른 영역을 통과할 수 있다. 더 양호한 봉지를 위해, 봉지에 사용되는 벽층(812A, 812B)은 트레이스(904B) 후에 형성된다.
다른 실시예에서, 색 변환층은 마이크로 디바이스(800)의 상면 또는 하면에 있을 수 있다. 도 9b에 도시된 바와 같은 일 예에서, 동일한 표면에 접촉부가 있으면, 접촉부(904A)는 트레이스(904B)가 있는 다른 영역 상의 다른 접촉부(904C)로 전사된다. 여기서, 벽은 광학 또는 봉지 기능을 위해 접촉부(904A)와, 트레이스(904B)와, 마이크로 디바이스의 표면을 덮을 수 있다.
위의 실시예에서, 상면 및 하면 상의 커버 벽 및 측면 상의 커버 벽은 더 양호한 보호를 제공하기 위해 서로 연장될 수 있다. 다른 경우에서, 측면에 사용된 커버 벽(층)은 하단 또는 상단 커버 벽(층)에 걸쳐 연장될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 광전자 디바이스가 제공된다. 광전자 디바이스는, 상면 및 하면을 형성하는 기판에 형성되는 복수의 반도체층 - 복수의 반도체 층은 적어도 하나의 측면을 형성하는 격리 영역을 가짐 -; 적어도 하나의 측면에 광학적으로 결합된 격리 영역 주위에 공간을 형성하는 하나 이상의 커버층; 및 하나 이상의 커버층에 의해 형성된 공간에 배치되는 기능 조정 재료를 포함한다.
다른 실시예에 따르면, 하나 이상의 커버층은 패시베이션층, 유전체층, 광학 강화층, 봉지층, 반사층, 및 색 필터층 중 하나 이상을 포함하고, 기능 조정 재료는 색 변환 재료를 포함한다.
일부 실시예에 따르면, 기능 조정 재료는 광전자 디바이스의 상면 및 하면 중 하나에 더 배치된다.
추가 실시예에 따르면, 적어도 하나의 접촉부가 광전자 디바이스의 상면 및 하면 중 적어도 하나 상에 배치되고, 패드가 적어도 하나의 접촉부를 통해 광전자 디바이스에 결합된다.
다른 실시예에 따르면, 적어도 하나의 접촉부의 높이는 적어도 하나의 접촉부의 동일한 측면에 배치된 기능 조정 재료를 넘어 연장될 수 있으며, 광전자 디바이스의 상면 및 하면 중 하나 상의 적어도 하나의 접촉부는 트레이스를 통해 광전자 디바이스의 다른 표면 상의 적어도 다른 접촉부에 연결된다. 트레이스는 유전체층에 의해 광전자 디바이스에서 분리된다.
일부 실시예에 따르면, 봉지층은 색 변환 재료를 산소 및 습기로부터 보호하고, 광학 강화 층은 광을 색 변환 재료로 반사시키고, 반사층은 색 변환 재료로의 광 결합을 향상시키고, 반사층은 광전자 디바이스의 상면 및 하면 중 하나 상에서 연장된다. 반사층은 반사부 및 투명부를 포함한다.
다른 실시예에 따르면, 복수의 커버층은 인쇄, 증발, 인쇄, 및 스퍼터링 중 하나에 의해 증착되고, 포토리소그래피, 리프트오프, 또는 인쇄 중 하나에 의해 패터닝된다.
추가 실시예에 따르면, 하나 이상의 커버층은 기능 조정 재료를 적어도 하나의 측면과 하나 이상의 커버층 사이에 둘러싼다.
도 10a 및 도 10b는 발광 소자와 색 변환층의 조합에 배광층을 통합시킨 것을 도시하고 있다. 색 변환층은 발광 소자의 색상을 발광 소자의 원래 색상과는 상이한 다른 색상으로 변환시킨다. 여기서, 발광 소자(1000)는 백플레인 또는 기판(1030)으로 형성되거나 전사된 마이크로 LED일 수 있다. 백플레인 또는 기판(1030)은 평탄화 층(1032) 및 접촉층(1034)과 같은 다른 층과 발광 소자(1000)를 제어하는 회로를 가질 수 있다. 발광 소자(1030)의 상단에는 배광층(1014)이 형성된다. 여기서, 배광층(1014)의 형상은 발광 소자(1030)에 가까울수록 두꺼울 수 있다. 배광층은 고분자 용액에 분산되어 있는, 은 나노입자, 은 나노와이어 등과 같은 반사성 나노입자의 조합일 수 있다. 배광층의 효율성을 더 증대시키기 위해, 발광 소자(1030)는 반사층 상에 직접적으로 또는 간접적으로 존재할 수 있다. 또한, 반사 입자의 분포를 조정하여 광 균일도를 높일 수 있다. 이는 다양한 건조 방법과 다양한 용액에 의해 달성될 수 있다. 건조의 한 예는 증기압이 제어되는 제어 환경에서 반사층을 건조하는 것일 수 있다. 이는 층에서 증발하는 용액의 속도를 제어할 수 있다. 증발 속도로 인해 가장자리가 먼저 건조될 수 있으므로 재료가 중앙에 집중되어 중앙이 더 두꺼워지게 되는 돔 모양을 형성한다. 다른 경우에서는, 재료가 스탬핑되어 돔 모양을 형성할 수 있다. 그런 다음, 배광층(1014) 상에 색 변환층(1040, 1042)이 형성된다. 색 변환층(1040, 1042)은 배광층(1014) 위로 연장될 수 있다. 한 경우에서, 색 변환층(1040, 1042)은 양자점(QD)이다. 다른 경우에서, 색 변환층(1040, 1042)의 상단에 색 필터가 형성된다. 또 다른 경우에서, 광을 다시 색 변환층으로 통과시킴으로써 변환 효율을 더 높이기 위해 색 변환층의 상단에 또 다른 배광층(1044)이 형성된다. 여기서, 원래의 광이 더 많이 반사되도록 내부 반사가 설정될 수 있다. 층의 신뢰도를 향상시키기 위해 봉지층(1046)이 색 변환층 이후에 또는 색 필터층 이후에 사용될 수 있다. 색 변환층들 중 일부는 산소 및 습기와 같은 일부 물질에 노출되면 열화되기 쉬울 수 있다. 봉지층(1046)은 이러한 층을 산소 및 습기로부터 보호할 수 있다. 또한, 봉지는 마이크로 디바이스(1000)에 대한 추가적인 기계적 지지를 제공할 수 있다.
다른 경우에서, 디바이스의 상단의 광 반사율을 증가시키기 위해 배광층의 두께가 수정된다. 도 10b는 이러한 구조에 대한 예시적인 실시예를 도시하고 있다. 여기서, 배광층(1014)은 발광 소자(1000)의 상단에 돔 모양처럼(발광 소자 구조(1000)를 따르는 다른 모양일 수 있음) 보인다. 디바이스(1000)에 의해 생성된 광(1002)은 반사 입자(1016)에 의해 반사되고, 따라서 필름(1014)에 분포된다. 광(1002)은 필름(1014)을 빠져나간 후에는 색 변환층(1040)에 의해 다른 색으로 변환되어 다른 광(1004)으로 방출된다.
도 10c는 배광층(1030)의 표면에서부터 가장자리까지의 반사 입자의 유효 농도비를 도시하고 있다. 알 수 있는 바와 같이, 더 많은 반사 입자가 구조의 중앙에 있거나 구조의 실질적으로 중앙에 배치되어 있다. 반사 입자의 농도는 광을 배광층의 가장자리 쪽으로 확장시키기 위해 조절될 수 있다.
방법 양태들
본 발명은 발광 소자의 색상을 다른 색상으로 변환하는 방법을 개시한다. 본 방법은 다음 형성 단계를 포함한다: 백플레인을 형성하는 단계; 백플레인의 상단에 발광 소자를 형성하는 단계; 발광 소자의 상단에 배광층을 형성하는 단계; 배광층의 상단에 색 변환층을 형성하는 단계; 및 발광 소자의 색상을 발광 소자의 원래 색상과는 상이한 다른 색상으로 변환하는 단계. 여기서, 백플레인은 상기 발광 소자를 제어하기 위한 회로를 포함한다. 또한, 백플레인은 상단에 평탄화층을 가지며, 발광 소자는 반사층의 상단에 있다. 게다가, 배광층 반사 입자는 중합체 내부에 있으며, 반사 입자는 배광층의 실질적으로 중앙에 배치된다. 또한, 광을 배광층의 가장자리 쪽으로 확장시키기 위해 반사 입자의 농도가 조절된다. 광 균일도를 높이기 위해 반사 입자의 분포가 다양한 건조 방법과 다양한 용액에 의해 조정될 수 있다. 또한, 배광층의 모양은 발광 소자에 가까울수록 두껍고, 색 변환층은 양자점이고 배광층 위로 연장된다. 다음으로, 광을 상단에 색 필터가 있는 색 변환층으로 다시 통과시킴으로써 변환 효율을 높이기 위해 색 변환층의 상단에 또 다른 배광층이 있다. 마지막으로, 층의 신뢰도를 향상시키기 위해 색 변환층 다음에 봉지층이 사용되고, 발광 소자는 백플레인 또는 기판에 형성되거나 전사되는 마이크로 LED이다.
본 발명의 하나 이상의 실시예에 대한 전술한 설명은 예시 및 설명 목적으로 제시되었다. 이는 본 발명을 개시된 정밀한 형태로 총망라하거나 제한하려는 것이 아니다. 전술한 교시를 고려하여 많은 수정 및 변형이 가능하다. 본 발명의 범위는 이러한 상세한 설명이 아니라 첨부된 청구범위에 의해 제한되는 것으로 의도된다.

Claims (28)

  1. 솔리드 스테이트 디바이스로서,
    백플레인;
    상기 백플레인의 상단의 발광 소자;
    상기 발광 소자의 상단의 배광층; 및
    상기 배광층의 상단의 색 변환층을 포함하는, 솔리드 스테이트 디바이스.
  2. 제1항에 있어서, 상기 백플레인은 상기 발광 소자를 제어하기 위한 회로를 포함하는, 솔리드 스테이트 디바이스.
  3. 제1항에 있어서, 상기 백플레인은 상단에 평탄화층을 갖는, 솔리드 스테이트 디바이스.
  4. 제1항에 있어서, 상기 발광 소자는 반사층의 상단에 있는, 솔리드 스테이트 디바이스.
  5. 제1항에 있어서, 상기 발광 소자는 백플레인 또는 기판으로 형성되거나 전사된 마이크로 LED인, 솔리드 스테이트 디바이스.
  6. 제1항에 있어서, 상기 배광층의 반사 입자가 중합체 내부에 있는, 솔리드 스테이트 디바이스.
  7. 제5항에 있어서, 상기 반사 입자는 상기 배광층의 실질적으로 중앙에 배치되는, 솔리드 스테이트 디바이스.
  8. 제1항에 있어서, 상기 색 변환층이 상기 배광층 위로 연장되는, 솔리드 스테이트 디바이스.
  9. 제1항에 있어서, 상기 색 변환층은 양자점인, 솔리드 스테이트 디바이스.
  10. 제1항에 있어서, 상기 배광층의 형상은 상기 발광 소자에 가까울수록 두꺼운, 솔리드 스테이트 디바이스.
  11. 제1항에 있어서, 상기 색 변환층의 상단에 또 다른 배광층이 있는, 솔리드 스테이트 디바이스.
  12. 제1항에 있어서, 상기 색 변환층의 상단에 색 필터가 있는, 솔리드 스테이트 디바이스.
  13. 제1항에 있어서, 상기 발광 소자는 백플레인 또는 기판으로 형성되거나 전사된 마이크로 LED인, 솔리드 스테이트 디바이스.
  14. 발광 소자의 색상을 다른 색상으로 변환하는 방법으로서,
    백플레인을 형성하는 단계;
    상기 백플레인의 상단에 발광 소자를 형성하는 단계;
    상기 발광 소자의 상단에 배광층을 형성하는 단계;
    상기 배광층의 상단에 색 변환층을 형성하는 단계; 및
    상기 발광 소자의 색상을 상기 발광 소자의 원래 색상과는 상이한 다른 색상으로 변환하는 단계를 포함하는, 방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 백플레인은 상기 발광 소자를 제어하기 위한 회로를 포함하는, 방법.
  16. 제14항에 있어서, 상기 백플레인은 상단에 평탄화층을 갖는, 방법.
  17. 제14항에 있어서, 상기 발광 소자는 반사층의 상단에 있는, 방법.
  18. 제14항에 있어서, 상기 배광층의 반사 입자가 중합체 내부에 있는, 방법.
  19. 제18항에 있어서, 상기 반사 입자는 상기 배광층의 실질적으로 중앙에 배치되는, 방법.
  20. 제18항에 있어서, 상기 반사 입자의 농도는 광이 상기 배광층의 가장자리 쪽으로 확장되도록 조절되는, 방법.
  21. 제18항에 있어서, 광 균일도를 높이기 위해 상기 반사 입자의 분포가 상이한 건조 방법 및 상이한 용액에 의해 조정될 수 있는, 방법.
  22. 제14항에 있어서, 상기 배광층의 형상은 상기 발광 소자에 가까울수록 두꺼운, 방법.
  23. 제14항에 있어서, 상기 색 변환층이 상기 배광층 위로 연장되는, 방법.
  24. 제14항에 있어서, 상기 색 변환층은 양자점인, 방법.
  25. 제14항에 있어서, 광을 다시 상기 색 변환층으로 통과시킴으로써 변환 효율을 증가시키기 위해 상기 색 변환층의 상단에 또 다른 배광층이 있는, 방법.
  26. 제14항에 있어서, 상기 색 변환층의 상단에 색 필터가 있는, 방법.
  27. 제14항에 있어서, 층의 신뢰성을 향상시키기 위해 상기 색 변환층 이후에 봉지층을 사용하는, 방법.
  28. 제14항에 있어서, 상기 발광 소자는 백플레인 또는 기판으로 형성되거나 전사되는 마이크로 LED인, 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114447190A (zh) * 2022-01-24 2022-05-06 厦门大学 一种高亮度、高外量子效率的红色mini-LED及其制备方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9287469B2 (en) * 2008-05-02 2016-03-15 Cree, Inc. Encapsulation for phosphor-converted white light emitting diode
US8125127B2 (en) * 2009-02-11 2012-02-28 Anthony Mo Reflective device for area lighting using narrow beam light emitting diodes
US8415692B2 (en) * 2009-07-06 2013-04-09 Cree, Inc. LED packages with scattering particle regions
JP5050045B2 (ja) * 2009-12-22 2012-10-17 株式会社東芝 発光装置
US8552454B2 (en) * 2010-11-29 2013-10-08 Epistar Corporation Light-emitting device and light mixing device
JP2014140015A (ja) * 2012-12-19 2014-07-31 Panasonic Corp 発光モジュールおよびこれを用いた照明用光源
US9484504B2 (en) * 2013-05-14 2016-11-01 Apple Inc. Micro LED with wavelength conversion layer
US9111464B2 (en) * 2013-06-18 2015-08-18 LuxVue Technology Corporation LED display with wavelength conversion layer
WO2018065901A1 (en) * 2016-10-04 2018-04-12 Vuereal Inc. Color conversion layer integration into display substrate with high intensity light sources
CN106782128A (zh) * 2017-01-24 2017-05-31 深圳市华星光电技术有限公司 微发光二极管显示面板及其制造方法
US20200013761A1 (en) * 2017-02-09 2020-01-09 Vuereal Inc. Circuit and system integration onto a microdevice substrate

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