KR20230018461A - 수지 조성물 및 상기 수지 조성물로 이루어지는 수지 성형품 - Google Patents

수지 조성물 및 상기 수지 조성물로 이루어지는 수지 성형품 Download PDF

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Abstract

[과제] 저유전 정접이고, 또한, 인성 등의 기계 강도성이 뛰어난 수지 성형품을 얻을 수 있는 수지 조성물을 제공.
[해결 수단] 본 발명에 의한 수지 조성물은, 액정 폴리에스테르 수지(A)와, 필러(B)를 포함하는 것으로서, 상기 액정 폴리에스테르 수지(A)가, 6-히드록시-2-나프토산에 유래하는 구성 단위(I), 방향족 디올 화합물에 유래하는 구성 단위(II), 방향족 디카르복시산 화합물에 유래하는 구성 단위(III)를 포함하고, 상기 구성 단위(III)가, 테레프탈산에 유래하는 구성 단위(IIIA) 및/또는 2,6-나프탈렌디카르복시산에 유래하는 구성 단위(IIIB)를 포함하고, 상기 구성 단위의 조성비(몰%)가, 하기의 조건:
40 몰% ≤ 구성 단위(I) ≤ 75 몰%
12 몰% ≤ 구성 단위(II) ≤ 30 몰%
12 몰% ≤ 구성 단위(III) ≤ 30 몰%
를 만족시키고,
상기 필러(B)가, 실리카, 마이카, 및 탈크로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종이며, 상기 수지 조성물은, 측정 주파수 10 GHz에 있어서의 공동 공진기 섭동법으로 측정한 유전 정접이 1.0Х10-3 이하인 것을 특징으로 한다.

Description

수지 조성물 및 상기 수지 조성물로 이루어지는 수지 성형품
본 발명은, 저유전 정접이고, 또한, 인성 등의 기계 강도성이 뛰어난 수지 성형품을 얻을 수 있는 수지 조성물에 관한 것이다. 추가로, 본 발명은 상기 수지 조성물로 이루어지는 수지 성형품 및 상기 수지 성형품을 구비하는 전기 전자 부품에 관한 것이다.
근래, 정보 통신량은 급속히 계속 증가하고, 사용되는 신호의 주파수는 더욱 높아지고 있으며, 주파수가 109 Hz 이상인 기가 헤르쯔(GHz) 대의 주파수에 있어서 더욱 낮은 유전 정접을 가지는 수지가 요구되고 있다. 이러한 과제에 대하여, 특허문헌 1에서는, 고주파수대에 있어서 저유전 정접을 나타내는 액정성 방향족 폴리에스테르로서, p- 또는 m-히드록시 벤조산에 유래하는 구성 단위 및 히드록시나프토산에 유래하는 구성 단위의 2종 이상을 포함하는 액정성 방향족 폴리에스테르가 제안되고 있다. 또한, 특허문헌 2에서는, 전(全)방향족 폴리에스테르로서, p-히드록시벤조산에 유래하는 구성 단위를 1~6%, 6-히드록시-2-나프토산에 유래하는 구성 단위를 40~60%, 방향족 디올 화합물에 유래하는 구성 단위를 17.5~30%, 및 방향족 디카르복시산에 유래하는 구성 단위를 17.5~30% 포함하는 폴리에스테르 수지가 제안되고 있다. 그러나, 본 출원인은, 특허문헌 1에 있어서 제안되는 폴리에스테르 수지를 이용했다고 해도, 고주파수대에 있어서 요구되는 충분한 저유전 정접을 나타내지 않는 것을 알아냈다. 또한, 마찬가지로, 특허문헌 2에 있어서 제안되는 폴리에스테르 수지를 이용했다고 해도, 고주파수대에 있어서 요구되는 충분한 저유전 정접을 나타내지 않는 것을 알아냈다.
또한, 액정 폴리에스테르 수지는, 내열성이나 박육(薄肉) 성형성 등에 우수한 것으로부터, 사출 성형하여 얻어지는 표면 실장의 전자 부품에 폭넓게 이용되고 있다. 추가로, 유전손실이 작고 전기 특성에도 뛰어난 재료이기도 한 것으로부터, 최근에는, 방향족 액정 폴리에스테르를 T다이 압출법이나 인플레이션법, 용액 캐스트법 등으로 필름상으로 성형하는 방법이 검토되고 있다.
추가로 액정 폴리에스테르 수지를 사용하여 디바이스 등을 설계할 때는, 땜납에 의한 가공과 같은 고온의 열프로세스를 거치는 것이 일반적이기 때문에, 충분한 내열성이 필요하다. 본 출원인은, 특허문헌 1에 있어서 제안되는 폴리에스테르 수지는, 측정 주파수 10 GHz라고 하는 고주파대에 있어서 요구되는 충분한 저유전 정접과, 충분한 내열성을 양립시킬 수 없는 것을 알아냈다. 지금까지, 본 출원인은, 전방향족 액정 폴리에스테르 수지에 있어서, 특정의 구성 단위 및 그들을 특정의 조성비로 조절하는 것에 의해, 특히 낮은 유전 정접을 가지면서, 내열성 및 가공성의 밸런스가 뛰어난 하기의 전방향족 액정 폴리에스테르 수지를 얻어지는 것을 제안했다(특허문헌 3 참조).
또한, 모노머 설계 이외의 재료 설계법으로서는, 액정 폴리에스테르 수지에 필러나 다른 수지를 혼련하지 않고 블렌드함으로써 뛰어난 특성을 가지는 재료를 개발하는 수법도 알려져 있다. 예를 들면, 공기층을 가지는 중공 유리 벌룬 필러를 액정 폴리에스테르 수지에 혼련하는 것이 제안되어 있다(특허문헌 4 참조). 공기는 유전율 1로 매우 낮은 유전율을 가지기 때문에, 수지에 블렌드함으로써 유전율을 저하시킬 수 있다. 그렇지만, 중공 유리 벌룬은 액정 폴리에스테르 수지의 액정성을 크게 저해하기 때문에, 소량의 혼련이어도 현저하게 점도를 상승시킨다. 그 때문에, 수지 조성물의 가공성을 현저하게 저하시켜 버리기 때문에, 현실적으로는 수지 조성물 전체의 10 질량% 이하 정도의 극히 소량밖에 혼련할 수 없다. 또한, 중공이기 때문에, 혼련 후의 재료는 무르고, 기계 강도나 내열성이 저하해 버린다고 하는 과제도 존재한다.
추가로, 유전 정접을 저하시키는 수법으로서는, 액정 폴리에스테르 수지에 산화 마그네슘이나 질화 붕소 등의 세라믹스를 혼련하지 않고 블렌드하는 것도 알려져 있다. 그러나, 세라믹 재료는, 유전 정접은 10-4~10-5 대로 낮지만, 유전율은 8 이상이며, 경우에 따라서는 80 정도로 매우 높아, 혼련한 재료의 유전율은 반대로 상승해 버린다.
또한, 종래, 유전 정접 및 유전율이 함께 매우 낮은 재료로서는, 불소계의 재료가 알려져 있다. 특히 폴리테트라플루오로에틸렌 수지(PTFE)는 유전율이 2 정도이며, 유전 정접도 10-4 대로서 뛰어난 전기 특성을 가지는 것으로 알려져 있다. 한편으로, PTFE는 용융 상태에서의 점도가 매우 높은 것이 알려져 있고, 사출 성형이나 용융 압출하여 제막 등의 용융 가공할 수 없다. 유일한 가공법은 압축한 블록체를 절삭하는 절삭 가공이지만, 이러한 방법으로는 사출 성형과 같이 높은 생산성이나 미세 가공은 불가능했다. PTFE의 가공성을 개량하는 방법으로서, PTFE의 구조를 바꾼 테트라플루오로에틸렌-퍼플루오로알킬비닐에테르 공중합체 수지(PFA) 등의 불소 재료가 개발되고 있다. 이러한 재료는 PTFE보다 점도가 저하하여, 필름 등으로의 가공이 가능하게 되어 있는 한편으로, PTFE 정도의 저유전 정접을 유지할 수 없다. 그 때문에, 전기 물성을 희생으로 하여 가공성을 향상시키는 것이 되고 있어, 가공에 적절한 용융 점도, 제품으로서 납땜 내열 등을 담보하는 내열성을 유지한 상태로, 유전 정접을 저하시킬 수 있는 재료가 요구되고 있다.
특허문헌 1: 일본 특개 2004-250620호 공보 특허문헌 2: 일본 특개 2002-179776호 공보 특허문헌 3: 일본 특허 제6434195호 공보 특허문헌 4: 일본 특개 2004-27021호 공보
여기서, 본 발명자들은, 저유전 정접을 가지는 액정 폴리에스테르 수지를 포함하는 수지 성형품을 제공하기 위해서, 특정의 액정 폴리에스테르 수지와, 불소 수지를 포함하는 수지 조성물을 개발했다. 그러나, 본 발명자들은, 불소 수지를 배합한 수지 조성물은 저유전 정접이라고 하는 효과를 가지지만, 인성 등의 기계 강도에 뒤떨어지는 경우가 있는 것을 알아냈다.
본 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위해서 열심히 검토한 결과, 특정의 액정 폴리에스테르 수지에 필러로서 실리카, 마이카, 및 탈크의 적어도 1종을 배합함으로써, 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 다시 알아냈다. 본 발명은, 이러한 지견에 근거하여 완성된 것이다.
즉, 본 발명의 일태양에 의하면,
액정 폴리에스테르 수지(A)와, 필러(B)를 포함하는 수지 조성물로서,
상기 액정 폴리에스테르 수지(A)가, 6-히드록시-2-나프토산에 유래하는 구성 단위(I), 방향족 디올 화합물에 유래하는 구성 단위(II), 방향족 디카르복시산 화합물에 유래하는 구성 단위(III)를 포함하고, 상기 구성 단위(III)가, 테레프탈산에 유래하는 구성 단위(IIIA) 및/또는 2,6-나프탈렌디카르복시산에 유래하는 구성 단위(IIIB)를 포함하고,
상기 구성 단위의 조성비(몰%)가, 하기의 조건:
40 몰% ≤ 구성 단위(I) ≤ 75 몰%
12 몰% ≤ 구성 단위(II) ≤ 30 몰%
12 몰% ≤ 구성 단위(III) ≤ 30 몰%
를 만족시키고,
상기 필러(B)가, 실리카, 마이카, 및 탈크로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종이며,
상기 수지 조성물은, 측정 주파수 10 GHz에 있어서의 공동 공진기 섭동법으로 측정한 유전 정접이 1.0Х10-3 이하인, 수지 조성물이 제공된다.
본 발명의 태양에 있어서는, 상기 액정 폴리에스테르 수지(A) 및 상기 필러(B)의 합계 100 질량부에 대하여, 상기 액정 폴리에스테르 수지(A)의 배합량이 50 질량부 이상 99 질량부 이하이며, 상기 필러(B)의 배합량이 1 질량부 이상 50 질량부 이하인 것이 바람직하다.
본 발명의 태양에 있어서는, 상기 액정 폴리에스테르 수지(A)의 융점이 300℃ 이상인 것이 바람직하다.
본 발명의 태양에 있어서는, 상기 액정 폴리에스테르 수지(A)는 융점+20℃, 전단 속도 1000 s-1에 있어서의 용융 점도가, 5 Pa·s 이상 120 Pa·s 이하인 것이 바람직하다.
본 발명의 태양에 있어서는, 상기 구성 단위(II)가, 하기 식으로 나타내는 것이 바람직하다.
Figure pct00001
(식 중, Ar1은, 소망에 따라 치환기를 가지는 페닐, 비페닐, 나프틸, 안트릴 및 페난트릴로 이루어지는 군으로부터 선택된다.)
것이 바람직하다.
본 발명의 태양에 있어서는, 상기 구성 단위(III)가, 테레프탈산에 유래하는 구성 단위(IIIA)를 포함하고, 또한, 2,6-나프탈렌디카르복시산에 유래하는 구성 단위(IIIB)를 포함하고, 상기 구성 단위(IIIA) 및 구성 단위(IIIB)의 조성비가, 하기의 조건:
3 몰% ≤ 구성 단위(IIIA) ≤ 28 몰%
2 몰% ≤ 구성 단위(IIIB) ≤ 9 몰%
를 만족시키는 것이 바람직하다.
본 발명의 다른 태양에 의하면, 상기 수지 조성물로 이루어지는, 수지 성형품이 제공된다.
본 발명의 다른 태양에 있어서는, 수지 성형품이 필름상인 것이 바람직하다.
본 발명의 다른 태양에 있어서는, 수지 성형품이 섬유상인 것이 바람직하다.
본 발명의 다른 태양에 있어서는, 수지 성형품이 사출 성형품인 것이 바람직하다.
본 발명의 추가로 다른 태양에 의하면, 상기 수지 성형품을 구비하는 전기 전자 부품이 제공된다.
본 발명에 의하면, 저유전 정접이고, 또한, 인성 등의 기계 강도가 뛰어난 수지 성형품을 얻을 수 있는 수지 조성물을 제공할 수 있다. 또한, 이러한 수지 조성물로 이루어지는 수지 성형품 및 상기 수지 성형품을 구비하는 전기 전자 부품을 제공할 수 있다.
[수지 조성물]
본 발명에 의한 수지 조성물은, 하기의 액정 폴리에스테르 수지(A)와, 필러(B)를 포함하는 것이다. 이러한 수지 조성물을 이용함으로써, 저유전 정접이고, 또한, 인성 등의 기계 강도가 뛰어난 수지 성형품을 얻을 수 있다. 추가로, 본 발명에 의한 수지 조성물은, 액정 폴리에스테르 수지와 비교해서 손색없는 내열성을 겸비할 수도 있다.
수지 조성물의 10 GHz의 공동 공진기 섭동법으로 측정한 유전 정접은, 1.0Х10-3 이하이며, 바람직하게는 0.95Х10-3 이하이며, 보다 바람직하게는 0.9Х10-3 이하이다.
또한, 수지 조성물의 10 GHz의 공동 공진기 섭동법으로 측정한 비유전률은, 바람직하게는 3.8 이하이며, 보다 바람직하게는 3.7 이하이며, 더욱 바람직하게는 3.6 이하이며, 보다 더욱 바람직하게는 3.5 이하이다.
유전 정접 및 비유전률의 값은, 수지 조성물의 사출 성형품의 MD 방향 및 TD 방향의 평균치이다. 덧붙여, 당해 사출 성형품은, 60 mmХ60mmХ0.8 mm(두께)의 평판으로부터 60 mmХ3 mm(폭)으로 절삭한 시험편이다.
덧붙여, 본 명세서에 있어서, 수지 조성물의 10 GHz에 있어서의 유전 정접은, 안리츠사의 네트워크 애널라이저와 에이티사의 공진기를 이용하여, 공동 공진기 섭동법에 의해 측정할 수 있다. 또한, 특별히 지정이 없는 경우, 유전 정접의 값은, 23℃, 대기 분위기 하에서의 측정값이다.
이하, 수지 조성물에 포함되는 각 성분에 대하여 설명한다.
(액정 폴리에스테르 수지(A))
본 발명의 수지 조성물에 이용하는 액정 폴리에스테르 수지(A)는, 6-히드록시-2-나프토산에 유래하는 구성 단위(I), 디올 화합물에 유래하는 구성 단위(II), 및 디카르복시산에 유래하는 구성 단위(III)를 포함하는 것이다. 이하, 액정 폴리에스테르 수지(A)에 포함되는 각 구성 단위에 대해 설명한다.
(6-히드록시-2-나프토산에 유래하는 구성 단위(I))
액정 폴리에스테르 수지(A)는, 하기 식(I)로 나타내는 6-히드록시-2-나프토산에 유래하는 구성 단위(I)를 포함한다.
Figure pct00002
구성 단위(I)를 부여하는 모노머로서는, 6-히드록시-2-나프토산(HNA, 하기 식(1)), 그의 아세틸화물, 에스테르 유도체, 산 할로겐화물 등을 들 수 있다.
Figure pct00003
액정 폴리에스테르 수지(A)의 유전 정접의 저하 및 융점의 향상이라고 하는 관점에서는, 액정 폴리에스테르 수지(A) 중에 있어서의 구성 단위(I)의 조성비(몰%)는, 하한치로서는, 40 몰% 이상이며, 바람직하게는 45 몰% 이상이며, 보다 바람직하게는 50 몰% 이상이며, 상한치로서는, 75 몰% 이하이며, 바람직하게는 70 몰% 이하이며, 보다 바람직하게는 65 몰% 이하이다.
(디올 화합물에 유래하는 구성 단위(II))
액정 폴리에스테르 수지(A)를 구성하는 단위(II)는, 디올 화합물에 유래하는 구성 단위이며, 하기 식(II)로 나타내는 방향족 디올 화합물에 유래하는 구성 단위인 것이 바람직하다. 덧붙여, 구성 단위(II)는, 1종만이 포함되어도 되고, 2종 이상 포함되어 있어도 된다.
Figure pct00004
상기 식 중 Ar1은, 소망에 의해 치환기를 가지는 페닐기, 비페닐기, 4,4＇-이소프로필리덴 디페닐기, 나프틸기, 안트릴기 및 페난트릴기로 이루어지는 군으로부터 선택된다. 이들 중에서도 페닐기 및 비페닐기가 보다 바람직하다. 치환기로서는, 수소, 알킬기, 알콕시기, 및 불소 등을 들 수 있다. 알킬기가 가지는 탄소수는, 1~10인 것이 바람직하고, 1~5인 것이 보다 바람직하다. 또한, 직쇄상의 알킬기이어도, 분기쇄상의 알킬기이어도 된다. 알콕시기가 가지는 탄소수는, 1~10인 것이 바람직하고, 1~5인 것이 보다 바람직하다.
구성 단위(II)를 부여하는 모노머로서는, 예를 들면, 4,4＇-디히드록시비페닐(BP, 하기 식(2)), 하이드로퀴논(HQ, 하기 식(3)), 메틸 하이드로퀴논(MeHQ, 하기 식(4)), 4,4＇-이소프로필리덴 디페놀(BisPA, 하기 식(5)), 및 이들의 아실화물, 에스테르 유도체, 산 할로겐화물 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 4,4＇-디히드록시비페닐(BP) 및 이들의 아실화물, 에스테르 유도체, 산 할로겐화물을 이용하는 것이 바람직하다.
Figure pct00005
Figure pct00006
Figure pct00007
Figure pct00008
폴리에스테르 수지 전체의 구성 단위에 대한 구성 단위(II)의 조성비(몰%)는, 하한치로서는, 12 몰% 이상이며, 바람직하게는 12.5 몰% 이상이며, 보다 바람직하게는 15 몰% 이상이며, 더욱 바람직하게는 17.5 몰% 이상이며, 상한치로서는, 30 몰% 이하이며, 바람직하게는 27 몰% 이하이며, 보다 바람직하게는 25 몰% 이하이며, 더욱 바람직하게는 23 몰% 이하이다. 구성 단위(II)가 2종 이상 포함되는 경우, 그들의 합계 몰비가 상기 조성비의 범위 내이면 된다.
(방향족 디카르복시산에 유래하는 구성 단위(III))
액정 폴리에스테르 수지(A)를 구성하는 단위(III)는, 하기 식(IIIA)로 나타내는 테레프탈산에 유래하는 구성 단위(IIIA) 및/또는 하기 식(IIIB)로 나타내는 2,6-나프탈렌디카르복시산에 유래하는 구성 단위(IIIB)를 포함하는 것이고, 구성 단위(IIIA) 및 구성 단위(IIIB)의 양쪽을 포함하는 것이 바람직하다.
Figure pct00009
Figure pct00010
구성 단위(IIIA)를 부여하는 모노머로서는, 테레프탈산(TPA, 하기 식(6)), 및 이들의 에스테르 유도체, 산 할로겐화물 등을 들 수 있다. TPA나 그 유도체는 폴리에틸렌테레프탈레이트 등 범용 플라스틱의 원료 등으로서 폭넓게 사용되고, 방향족 디카르복시산 화합물 중에서 가장 원가가 낮은 부류이기 때문에, 구성 단위(III) 중의 구성 단위(IIIA)의 조성비를 높임으로써 수지 제품으로서의 코스트 우위성이 향상한다.
Figure pct00011
구성 단위(IIIB)를 부여하는 모노머로서는, 2,6-나프탈렌디카르복시산(NADA, 하기 식(7)), 및 이들의 에스테르 유도체, 산 할로겐화물 등을 들 수 있다. NADA는 TPA 등에 비하여 원가가 비싸기 때문에, 구성 단위(III) 중의 구성 단위(IIIB)의 조성비를 낮춤으로써 수지 제품으로서의 코스트 우위성이 향상한다.
Figure pct00012
폴리에스테르 수지(A) 전체의 구성 단위에 대한 구성 단위(III)의 조성비(몰%)는, 하한치로서는 12 몰% 이상이며, 바람직하게는 12.5 몰% 이상이며, 보다 바람직하게는 15 몰% 이상이며, 더욱 바람직하게는 17.5 몰% 이상이며, 상한치로서는, 30 몰% 이하이며, 바람직하게는 27 몰% 이하이며, 보다 바람직하게는 25 몰% 이하이며, 더욱 바람직하게는 23 몰% 이하이다.
폴리에스테르 수지(A) 전체의 구성 단위에 대한 구성 단위(IIIA)의 조성비(몰%)는, 하한치로서는, 바람직하게는 3 몰% 이며, 보다 바람직하게는 6 몰% 이상이며, 더욱 바람직하게는 8 몰% 이상이며, 보다 더욱 바람직하게는 11 몰% 이상이며, 상한치로서는, 바람직하게는 28 몰% 이하이며, 보다 바람직하게는 25 몰% 이하이며, 더욱 바람직하게는 23 몰% 이하이며, 보다 더욱 바람직하게는 21 몰% 이하이다.
폴리에스테르 수지(A) 전체의 구성 단위에 대한 구성 단위(IIIB)의 조성비(몰%)는, 하한치로서는, 바람직하게는 2 몰% 이상이며, 보다 바람직하게는 3 몰% 이상이며, 더욱 바람직하게는 4 몰% 이상이며, 상한치로서는, 바람직하게는 9 몰% 이하이며, 보다 바람직하게는 8 몰% 이하이다. 덧붙여, 구성 단위(II)의 조성비와, 구성 단위(III)의 조성비(구성 단위(IIIA) 및 구성 단위(IIIB)의 합계 조성비)는 실질적으로 당량((구성 단위(II)≒구성 단위(III))가 된다.
본 발명의 폴리에스테르 수지(A)의 특히 바람직한 배합으로서는, 이하를 들 수 있다.
45 몰% ≤ 6-히드록시-2-나프토산에 유래하는 구성 단위(I) ≤ 75 몰%
12 몰% ≤ 방향족 디올 화합물에 유래하는 구성 단위(II) ≤ 27.5 몰%
3 몰% ≤ 테레프탈산에 유래하는 구성 단위(IIIA) ≤ 25 몰%
2 몰% ≤ 2,6-나프탈렌디카르복시산에 유래하는 구성 단위(IIIB) ≤ 9 몰%
이다.
폴리에스테르 수지(A) 전체의 구성 단위에 대하여, 각 구성 단위가 상기 범위 내이면, 유전 정접의 낮은 폴리에스테르 수지를 얻을 수 있다.
액정 폴리에스테르 수지(A)의 액정성은, 메트라제의 현미경용 핫 스테이지(상품명: FP82HT)를 구비한 올림푸스(주) 제의 편광 현미경(상품명: BH-2) 등을 이용하여, 액정 폴리에스테르 수지(A)를 현미경 가열 스테이지 상에서 가열 용융 시킨 후, 광학 이방성의 유무를 관찰함으로써 확인할 수 있다.
액정 폴리에스테르 수지(A)의 융점은, 하한치로서, 바람직하게는 300℃ 이상이며, 보다 바람직하게는 305℃ 이상이며, 더욱 바람직하게는 310℃ 이상이다. 상한치로서, 바람직하게는 360℃ 이하이며, 바람직하게는 350℃ 이하이며, 더욱 바람직하게는 340℃ 이하이다. 액정 폴리에스테르 수지(A)의 융점을 상기 수치 범위로 함으로써, 본 발명에서 나타내는 범위의 액정 폴리에스테르 수지(A)를 포함하는 수지 조성물의 가공 안정성, 구체적으로는 전단을 걸친 용융 성형 가공성의 안정성, 전단을 걸지 않는 상태에서의 용융 가공 안정성을 향상시킬 수 있으면서, 이것을 이용하여 제작한 성형품의 재료로서의 내열성을 땜납 내열의 관점에서 양호한 범위로 유지시킬 수 있다.
액정 폴리에스테르 수지(A)의 10 GHz의 공동 공진기 섭동법으로 측정한 유전 정접은, 바람직하게는 1.0Х10-3 이하이며, 바람직하게는 0.9Х10-3 이하이며, 보다 바람직하게는 0.8Х10-3 이하이며, 더욱 바람직하게는 0.7Х10-3 이하이다. 유전 정접의 값은, 액정 폴리에스테르 수지(A)의 사출 성형품의 면내 방향의 TD 방향 및 MD 방향의 평균값이다. 당해 사출 성형품은, 60 mmХ60mmХ0.8 mm(두께)의 평판으로부터 60 mmХ3 mm폭으로 절삭한 시험편이다.
액정 폴리에스테르 수지(A)의 용융 점도는, 용융 성형 가공성이라고 하는 관점에서는, 액정 폴리에스테르 수지(A)의 융점+20℃ 이상, 전단 속도 1000 s-1의 조건에 있어서, 하한치로서, 바람직하게는 5 Pa·s 이상이며, 보다 바람직하게는 10 Pa·s 이상이며, 더욱 바람직하게는 20 Pa·s 이상이며, 상한치로서, 바람직하게는 120 Pa·s 이하이며, 보다 바람직하게는 110 Pa·s 이하이며, 더욱 바람직하게는 100 Pa·s 이하이다.
(액정 폴리에스테르 수지(A)의 제조 방법)
액정 폴리에스테르 수지(A)는, 소망에 의해 구성 단위(I)~(III)를 부여하는 모노머를, 종래 공지의 방법으로 중합함으로써 제조할 수 있다. 일실시 양태에 있어서, 본 발명에 따른 액정 방향족 액정 폴리에스테르 수지(A)는, 용융 중합에 의해 프리폴리머를 제작하고, 이것을 추가로 고상 중합하는 2 단계 중합에 의해도 제조할 수 있다.
용융 중합은, 본 발명에 따른 폴리에스테르 화합물을 효율적으로 얻을 수 있는 관점으로부터, 소망에 의해 상기 구성 단위(I)~(III)를 부여하는 모노머를, 소정의 배합으로 합하여 100 몰%로 하고, 모노머가 가지는 전체 수산기에 대하여, 1.05~1.15 몰 당량의 무수 아세트산을 존재시키고 아세트산 환류 하에 있어서 수행하는 것이 바람직하다.
용융 중합과 이것에 이어지는 고상 중합의 2단계에 의해 중합 반응을 수행하는 경우는, 용융 중합에 의해 얻어진 프리폴리머를 냉각 고화 후에 분쇄하여 파우더상 혹은 플레이크상으로 한 후, 공지의 고상 중합 방법, 예를 들면, 질소 등의 불활성 분위기 하, 또는 진공 하에 있어서 200~350℃의 온도 범위에서 1~30시간 프리폴리머 수지를 열처리하는 등의 방법이 바람직하게는 선택된다. 고상 중합은, 교반하면서 수행해도 되고, 또한 교반하지 않고 정치한 상태로 수행해도 된다.
중합 반응에 있어서 촉매는 사용해도 되고, 또한 사용하지 않아도 된다. 사용하는 촉매로서는, 폴리에스테르의 중합용 촉매로서 종래 공지의 것을 사용할 수 있고, 아세트산 마그네슘, 아세트산 제1주석, 테트라부틸 티타네이트, 아세트산 납, 아세트산 나트륨, 아세트산 칼륨, 3산화 안티몬 등의 금속염 촉매, N-메틸 이미다졸 등의 질소 함유 복소환 화합물 등, 유기 화합물 촉매 등을 들 수 있다. 촉매의 사용량은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 모노머의 총량 100 중량부에 대해서, 0.0001~0.1 중량부인 것이 바람직하다.
용융 중합에 있어서의 중합 반응 장치는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 일반의 고점도 유체의 반응에 이용될 수 있는 반응 장치가 바람직하게 사용된다. 이들 반응 장치의 예로서는, 예를 들면, 앵커형, 다단형, 나선대형(螺旋帶型), 나선축형 등, 혹은 이들을 변형한 각종 형상의 교반 날개를 가지는 교반 장치를 가지는 교반조형 중합 반응 장치, 또는, 니더, 롤밀, 밴버리 믹서 등의, 일반적으로 수지의 혼련에 사용되는 혼합 장치 등을 들 수 있다.
(필러(B))
본 발명의 수지 조성물에 이용하는 필러(B)로서는, 실리카, 마이카, 및 탈크를 들 수 있다. 필러(B)는 1종을 단독으로 이용해도 되고, 또는 2종 이상을 병용해도 된다. 액정 폴리에스테르 수지(A)에 필러(B)를 배합함으로써, 액정 폴리에스테르 수지(A)의 유전 특성을 해치지 않고, 인성 등의 기계 강도가 뛰어난 수지 성형품을 얻을 수 있다.
실리카로서는, 종래 공지의 실리카를 이용할 수 있다. 실리카의 형상은 특별히 한정되지 않고, 구상, 판상, 및 박편상의 어느 하나이어도 된다. 실리카로서는, 비정질 실리카 및 결정질 실리카의 어느 하나이어도 되고, 이들의 혼합물이라도 된다. 실리카로서는, 시판품을 이용할 수도 있고, 예를 들면, (주) 아드마텍스 제의 상품명 SC2500-SPJ(구상 실리카), 킨세이마텍(주) 제의 상품명 KSE625(구상 실리카), 상품명 KSE2045(구상 실리카), 상품명 FHD05(용융 실리카), 상품명 FCS12(용융 실리카) 등을 들 수 있다.
마이카로서는, 종래 공지의 마이카를 이용할 수 있다. 마이카로서는, 습식 분쇄한 마이카 분말 및 건식 분쇄한 마이카 분말의 어느 하나이어도 되고, 이들의 혼합물이라도 된다. 또한, 마이카는, 천연물이어도 되고, 합성품이어도 된다. 마이카로서는, 시판품을 이용할 수도 있고, 예를 들면, (주) 야마구치마이카 제의 상품명 AB-25S(백(白) 마이카(습식)), 상품명 A-21S(백(白) 마이카(습식)), 상품명 Y-1800(백(白) 마이카(습식)), 상품명 S-30(백(白) 마이카(건식)), (주) 레프코마이카제의 상품명 S-325(금 마이카(건식)), 카타쿠라 코오프아그리(주) 제의 상품명 MK-300(합성 마이카) 등을 들 수 있다.
탈크로서는, 종래 공지의 탈크를 이용할 수 있다. 탈크로서는, 시판품을 이용할 수도 있고, 예를 들면, 니혼 탈크(주) 제 MS-KY 등을 들 수 있다.
필러(B)로서, 상기 이외에도, 섬유 충전재가 추가로 포함되어 있어도 된다. 섬유 충전재는, 무기 섬유상 재료 및 유기 섬유상 재료로부터 선택될 수 있다. 무기 섬유상 재료로서는, 탄소 섬유(카본 필터), 탄화 규소 섬유, 세라믹 섬유, 유리 섬유, 아스베스토스 섬유, 알루미나 섬유, 지르코니아 섬유, 질화 붕소 섬유, 질화 규소 섬유, 붕소 섬유, 월라스토나이트, 위스카, 티탄산 칼륨 섬유 및 금속 섬유 등을 들 수 있고, 탄소 섬유, 탄화 규소 섬유, 세라믹 섬유, 유리 섬유, 월라스토나이트, 위스카, 및 금속 섬유가 바람직하고, 탄소 섬유 및 유리 섬유가 보다 바람직하다. 또한, 유기 섬유상 재료로서는, 아라미드 섬유 등의 고융점 유기 섬유상 재료를 들 수 있다. 섬유 충전재는, 나노 필터의 형태이어도 된다.
본 발명에 의한 수지 조성물에 있어서는, 액정 폴리에스테르 수지(A)와 필러(B)의 합계 100 질량부에 대하여, 액정 폴리에스테르 수지(A)의 배합량은, 하한치로서, 바람직하게는 50 질량부 이상이며, 보다 바람직하게는 55 질량부 이상이며, 더욱 바람직하게는 60 질량부 이상이며, 보다 더욱 바람직하게는 65 질량부 이상이며, 상한치로서, 바람직하게는 99 질량부 이하이며, 보다 바람직하게는 95 질량부 이하이며, 더욱 바람직하게는 90 질량부 이하이다. 또한, 액정 폴리에스테르 수지(A)와 필러(B)의 합계 100 질량부에 대하여, 필러(B)의 배합량은, 하한치로서, 바람직하게는 1 질량부 이상이며, 보다 바람직하게는 5 질량부 이상이며, 더욱 바람직하게는 10 질량부 이상이며, 상한치로서, 바람직하게는 50 질량부 이하이며, 보다 바람직하게는 45 질량부 이하이며, 더욱 바람직하게는 40 질량부 이하이며, 보다 더욱 바람직하게는 35 질량부 이하이다. 액정 폴리에스테르 수지(A)와 필러(B)의 배합비가 상기 수치 범위 정도이면, 저유전 정접이고, 또한, 인성 등의 기계 강도가 뛰어난 수지 성형품을 얻을 수 있다. 추가로는 용융 성형 가공성 및 내열성에 의해 뛰어난 수지 조성물을 얻을 수 있다.
(다른 첨가제)
본 발명에 의한 수지 조성물은, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위에서, 그 외의 첨가제, 예를 들면, 착색제, 분산제, 가소제, 산화 방지제, 경화제, 난연제, 열안정제, 자외선 흡수제, 대전 방지제, 계면활성제를 포함하고 있어도 된다.
(수지 성형품)
본 발명에 의한 수지 성형품은 상기의 수지 조성물로 이루어지는 것이다. 본 발명에 의한 수지 성형품은, 저유전 정접이고, 또한, 인성 등의 기계 강도가 뛰어난 것이다. 추가로, 수지 성형품은 내열성이 뛰어난 것인 것이 바람직하다. 본 발명에 의한 수지 성형품의 형상은 특별히 한정되지 않고, 판상, 필름상, 및 섬유상 등이어도 된다.
(수지 성형품의 제조 방법)
본 발명에 있어서는, 상기의 액정 폴리에스테르 수지(A) 및 필러(B)나 소망에 따라 다른 첨가제 등을 포함하는 수지 조성물을, 종래 공지의 방법으로 성형하여 얻을 수 있다. 덧붙여, 수지 조성물은, 전(全)액정 폴리에스테르 수지(A) 및 필러(B) 등을 밴버리 믹서, 니더, 1축 또는 2축 압출기 등을 이용하여, 용융 혼련하는 것에 의해 얻을 수 있다.
수지 성형품의 성형 방법으로서는, 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 프레스 성형, 발포 성형, 사출 성형, 압출 성형, 타발(打拔) 성형 등을 들 수 있다. 상기와 같이 하여 제조되는 성형품은, 용도에 따라서, 여러가지 형상으로 가공할 수 있다.
상세하게는, 필름상의 수지 성형품은, 종래의 공지의 방법, 예를 들면, 인플레이션 성형, 용융 압출 성형 등의 압출 성형, 및 용액 캐스트법에 의해 얻을 수 있다. 이와 같이 하여 얻어지는 필름은, 본 발명의 수지 조성물만으로 이루어지는 단층 필름이어도 되고, 이종 재료와의 다층 필름이어도 된다.
덧붙여, 압출 성형 또는 용액 캐스트 성형한 필름을 치수 안정성, 기계 특성을 개량하는 목적으로, 단축, 또는 2 축으로 연신 처리를 해도 된다. 또한, 이들 필름의 이방성을 제거하는, 또는 내열성 향상 목적으로 열처리를 수행해도 된다.
또한, 섬유상의 수지 성형품은, 종래 공지의 방법, 예를 들면, 용융 방사법, 용액 방사법 등에 의해 얻을 수 있다. 섬유는, 본 발명의 수지 조성물만으로 이루어지는 것이어도 되고, 다른 수지와 혼합해도 된다.
(전기 전자 부품)
본 발명에 의한 전기 전자 부품은, 상기의 수지 조성물을 구비하여 이루어진다. 전기 전자 부품으로서는, 예를 들면, ETC, GPS, 무선 LAN 및 휴대 전화 등의 전자기기나 통신 기기에 사용되는 안테나, 고속 전송용 커넥터, CPU 소켓, 회로 기판, 플렉서블 프린트 기판(FPC), 적층용 회로 기판, 충돌 방지용 레이더 등의 밀리파 및 준-밀리파 레이더, RFID 태그, 콘덴서, 인버터 부품, 절연 필름, 케이블의 피복재, 리튬 이온 전지 등의 2차 전지의 절연재, 스피커 진동판 등을 들 수 있다.
실시예
이하, 실시예에 의해 본 발명을 보다 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 실시예로 한정되는 것은 아니다.
<액정 폴리에스테르 수지(A)의 제조>
(합성예 1)
교반 날개를 가지는 중합 용기에, 6-히드록시-2-나프토산(HNA) 50 몰%, 4,4＇-디히드록시비페닐(BP) 25 몰%, 테레프탈산(TPA) 17 몰%, 2,6-나프탈렌디카르복시산(NADA) 8 몰%를 가하고, 촉매로서 아세트산 칼륨 및 아세트산 마그네슘을 넣고, 중합 용기의 감압-질소 주입을 3회 수행하여 질소 치환을 수행한 후, 무수 아세트산(수산기에 대해서 1.08 몰 당량)을 추가로 첨가하고, 150℃까지 승온하고, 환류 상태로 2시간 아세틸화 반응을 수행했다.
아세틸화 종료 후, 아세트산 유출 상태로 한 중합 용기를 0.5℃/분으로 승온하고, 조 내의 용융체 온도가 310℃가 되었던 때에 중합물을 추출하고, 냉각 고화했다. 얻어진 중합물을 분쇄하여 눈 크기 2.0 mm의 체를 통과하는 크기로 분쇄하여 프리폴리머를 얻었다.
다음에, 상기에서 얻어진 프리폴리머를, 야마토 과학(주) 제의 오븐으로 히터에 의해, 온도를 실온으로부터 14시간 걸려서 300℃까지 승온한 후, 300℃에서 온도를 2시간 유지하여 고상 중합을 수행했다. 그 후 실온에서 자연 방열하여, 액정 폴리에스테르 수지 A1을 얻었다. 메트라 제의 현미경용 핫 스테이지(상품명: FP82HT)를 구비한 올림푸스(주) 제의 편광 현미경(상품명: BH-2)을 이용하여, 액정 폴리에스테르 수지 시료를 현미경 가열 스테이지 상에서 가열 용융시켜, 광학 이방성의 유무로부터 액정성을 나타내는 것을 확인했다.
(합성예 2)
모노머 주입을, HNA 55 몰%, BP 22.5 몰%, TPA 16.5 몰%, 및 NADA 6 몰%로 변경한 이외에는 합성예 1과 같게 하여, 액정 폴리에스테르 수지 A2를 얻었다. 이어서, 상기와 같게 하여, 얻어진 액정 폴리에스테르 수지 A2가 액정성을 나타내는 것을 확인했다.
(합성예 3)
모노머 주입을, HNA 60 몰%, BP 20 몰%, TPA 15.5 몰%, 및 NADA 4.5 몰% 로 변경한 이외에는 합성예 1과 같게 하여, 액정 폴리에스테르 수지 A3를 얻었다. 이어서, 상기와 같게 하여, 얻어진 액정 폴리에스테르 수지 A3가 액정성을 나타내는 것을 확인했다.
(합성예 4)
모노머 주입을, HNA 65 몰%, BP 17.5 몰%, TPA 15.5 몰%, 및 NADA 2 몰% 로 변경한 이외에는 합성예 1과 같게 하여, 액정 폴리에스테르 수지 A4를 얻었다. 이어서, 상기와 같게 하여, 얻어진 액정 폴리에스테르 수지 A4가 액정성을 나타내는 것을 확인했다.
(합성예 5)
모노머 주입을, HNA 70 몰%, BP 15 몰%, TPA 6 몰%, 및 NADA 9 몰% 로 변경한 이외에는 합성예 1과 같게 하여, 액정 폴리에스테르 수지 A5를 얻었다. 이어서, 상기와 같게 하여, 얻어진 액정 폴리에스테르 수지 A5가 액정성을 나타내는 것을 확인했다.
<성능 평가>
상기에서 얻어진 액정 폴리에스테르 수지 A1~A5의 구성 단위(모노머 조성)를 표 1에 나타냈다. 이하, 상기에서 얻어진 액정 폴리에스테르 수지 A1~A5에 대하여 성능 평가를 수행했다.
(융점의 측정)
상기에서 얻어진 액정 폴리에스테르 수지 A1~A5의 융점을, ISO 11357, ASTM　D3418의 시험 방법에 준거하여, 히타치 하이테크 사이언스(주) 제의 시차 주사 열량계(DSC)에 의해 측정했다. 이때, 승온 속도 10℃/분으로 실온으로부터 360~380℃까지 승온하여 폴리머를 완전하게 융해시킨 후, 속도 10℃/분으로 30℃까지 강온하고, 추가로 10℃/분의 속도로 380℃까지 승온할 때에 얻어지는 흡열 피크의 정점을 융점(Tm2)으로 했다. 측정 결과를 표 1에 나타냈다.
(유전 정접의 측정(10 GHz))
상기에서 얻어진 액정 폴리에스테르 수지 A1~A5를 이용하고, 각각의 융점~융점+30℃ 조건으로 가열 용융하고, 60 mmХ60mmХ0.8 mm(두께)의 금형을 이용하여 사출 성형하여, 평판상 시험편을 제작했다. 이어서, 제작한 평판상 시험편을 60 mmХ3 mm(폭)으로 절삭하고, 안리츠사 제의 네트워크 애널라이저 MS46122B와 에이티사 제의 공진기를 이용하여, 공동 공진기 섭동법에 의해, 주파수 10 GHz의 유동 방향의 비유전률과 유전 정접을 측정했다. 덧붙여, 각 시험편의 TD 방향과 MD 방향의 유전 정접을 측정하고, 그의 평균치를 표 1에 나타냈다.
(용융 점도의 측정)
상기에서 얻어진 액정 폴리에스테르 수지 A1~A5에 대해서, 전단 속도 1000 S-1에 있어서의 융점+20℃에서의 용융 점도(Pa·s)를, 캐필러리 레오미터 점도계((주) 토요세이키 세사쿠쇼 캐필로그라피 1D)와 내경 1 mm 캐필러리를 이용하여 JIS　K7199에 준거하여 측정했다. 측정 결과를 표 1에 나타냈다. 덧붙여, 측정전에 수지 조성물을 150℃, 4시간 감압 하에서 건조했다.
Figure pct00013
<필러(B)의 준비>
필러(B)로서, 이하의 수지를 준비했다.
·실리카 1: 구상 실리카, (주) 아드마텍스 제, 상품명 SC2500-SPJ
·실리카 2: 구상 실리카, 킨세이마텍(주) 제, 상품명 KSE625
·실리카 3: 구상 실리카, 킨세이마텍(주) 제, 상품명 KSE2045
·실리카 4: 용융 실리카, 킨세이마텍(주) 제, 상품명 FHD05
·실리카 5: 용융 실리카, 킨세이마텍(주) 제, 상품명 FCS12
·마이카 1: 백(白) 마이카(습식), (주) 야마구치마이카 제, 상품명 AB-25S
·마이카 2: 백(白) 마이카(습식), (주) 야마구치마이카 제, 상품명 A-21S
·마이카 3: 백(白) 마이카(습식), (주) 야마구치마이카 제, 상품명 Y-1800
·마이카 4: 백(白) 마이카(건식), (주) 야마구치마이카 제, 상품명 S-30
·마이카 5: 백(白) 마이카(건식), (주) 레프코마이카 제, 상품명 M-325
·마이카 6: 금 마이카(건식), (주) 레프코마이카 제, 상품명 S-325
·마이카 7: 합성 마이카, 카타쿠라 코오프아그리(주) 제, 상품명 MK-300
·탈크 1: 니혼 탈크(주) 제, 상품명 MS-KY
<다른 첨가제의 준비>
다른 첨가제로서, 이하의 첨가제를 준비했다.
·폴리 테트라플루오로에틸렌 수지(PTFE): (주) 키타무라 제, 상품명 KT-400M
·중공 유리(GB): 3M사 제, 상품명 S-60HS
·유리 파이버(CGF): 니혼 덴키 글라스(주) 제, 상품명 T-786H
[시험예 1]
액정 폴리에스테르 수지에 실리카, 마이카, 또는 탈크를 배합한 수지 조성물은, 액정 폴리에스테르 수지에 다른 첨가제를 배합한 수지 조성물에 비하여, 저유전 정접이고, 또한, 인성 등의 기계 강도성이 뛰어난 수지 성형품을 얻어지는 것을 확인하기 위해서 이하의 시험을 수행했다.
<수지 조성물의 제조>
(실시예 1)
상기에서 얻어진 액정 폴리에스테르 수지 A3을 90 질량부와, 상기의 실리카 1을 10 질량부를, 드라이 블렌드하고, 그 후 2축 혼련기(가부시키가이샤 이케가이 제, PCM 30)로 액정 폴리에스테르 수지 A3의 Tm2+20~50℃의 온도로 혼련하고, 스트랜드 컷하고 펠릿타이즈함으로써, 펠릿상의 수지 조성물을 얻었다.
(실시예 2)
상기에서 얻어진 액정 폴리에스테르 수지 A3을 75 질량부와, 상기의 마이카 1을 25 질량부를 드라이 블렌드한 이외는 실시예 1과 같게 하여, 펠릿상의 수지 조성물을 얻었다.
(실시예 3)
상기에서 얻어진 액정 폴리에스테르 수지 A3을 80 질량부와, 상기의 탈크 1을 20 질량부를 드라이 블렌드한 이외는 실시예 1과 같게 하여, 펠릿상의 수지 조성물을 얻었다.
(비교예 1)
상기에서 얻어진 액정 폴리에스테르 수지 A3을 90 질량부와, 상기의 PTFE를 10 질량부를 드라이 블렌드한 이외는 실시예 1과 같게 하여, 펠릿상의 수지 조성물을 얻었다.
(비교예 2)
상기에서 얻어진 액정 폴리에스테르 수지 A3을 95 질량부와, 상기의 GB를 5 질량부를 드라이 블렌드한 이외는 실시예 1과 같게 하여, 펠릿상의 수지 조성물을 얻었다.
(비교예 3)
상기에서 얻어진 액정 폴리에스테르 수지 A3을 85 질량부와, 상기의 GB를 15 질량부를 드라이 블렌드한 이외는 실시예 1과 같게 하여, 펠릿상의 수지 조성물을 얻었다.
(비교예 4)
상기에서 얻어진 액정 폴리에스테르 수지 A3을 90 질량부와, 상기의 CGF를 10 질량부를 드라이 블렌드한 이외는 실시예 1과 같게 하여, 펠릿상의 수지 조성물을 얻었다.
<성능 평가>
상기에서 얻어진 수지 조성물의 조성을 표 2에 나타냈다. 이하, 상기에서 얻어진 수지 조성물에 대하여 성능 평가를 수행했다.
(유전 정접·비유전률 측정(10 GHz))
상기에서 얻어진 수지 조성물을 소형의 사출 성형기를 이용하여, 액정 폴리에스테르 A3의 융점+20~융점+30℃조건으로 가열 용융하고, 60 mmХ60mmХ0.8 mm(두께)의 금형을 이용하여 사출 성형하여, 평판상 시험편을 제작했다. 이어서, 제작한 평판상 시험편을 60 mmХ3 mm(폭)로 절삭하고, 안리츠사 제의 네트워크 애널라이저 MS46122B와 에이티사 제의 공진기를 이용하여, 공동 공진기 섭동법에 의해, 주파수 10 GHz의 유동 방향의 유전 정접 및 비유전률을 측정했다. 덧붙여, 각 시험편의 TD 방향과 MD 방향의 유전 정접 및 비유전률을 측정하고, 그의 평균치를 표 2에 나타냈다.
(아이조드 충격 강도의 측정)
상기에서 얻어진 수지 조성물을, 사출 성형기(스미토모 주키카이 코교(주) 제, SE30DUZ)을 이용하여, 실린더 최고 온도 340℃, 금형 온도 80℃에서 사출 성형하고, ASTM　D790에 준한 굽힘 시험편을 제작했다. 이어서, 제작한 굽힘 시험의 시험편을 이용하고, ASTM　D256에 준거하여, 아이조드 충격 강도(kJ/m2)의 측정을 수행했다. 아이조드 충격 강도의 수치가 높을수록, 수지 성형품은 인성이 뛰어난 것을 나타낸다.
(인장 강도 및 인장 탄성률의 측정)
상기에서 얻어진 펠릿상의 수지 조성물을, 사출 성형기(스미토모 주키카이 코교(주) 제, SE30DUZ)을 이용하여, 실린더 최고 온도 340℃, 금형 온도 80℃에서 사출 성형하여, ASTM　D638에 준한 인장 시험편을 제작했다. 이어서, 제작한 인장 시험편을 이용하고, ASTM　D638에 준거하여, 인장 강도(MPa) 및 인장 탄성률(MPa)의 측정을 수행했다.
Figure pct00014
[시험예 2]
액정 폴리에스테르 수지에 배합하는 실리카 및 마이카의 종류를 변경해도, 저유전 정접이고, 또한, 인성 등의 기계 강도성이 뛰어난 수지 성형품을 얻어지는 것을 확인하기 위해서 이하의 시험을 수행했다.
<수지 조성물의 제조>
(실시예 4)
상기에서 얻어진 액정 폴리에스테르 수지 A3을 90 질량부와, 상기의 실리카 2를 10 질량부를 드라이 블렌드한 이외는 실시예 1과 같게 하여, 펠릿상의 수지 조성물을 얻었다.
(실시예 5)
상기에서 얻어진 액정 폴리에스테르 수지 A3을 90 질량부와, 상기의 실리카 3을 10 질량부를 드라이 블렌드한 이외는 실시예 1과 같게 하여, 펠릿상의 수지 조성물을 얻었다.
(실시예 6)
상기에서 얻어진 액정 폴리에스테르 수지 A3을 90 질량부와, 상기의 실리카 4를 10 질량부를 드라이 블렌드한 이외는 실시예 1과 같게 하여, 펠릿상의 수지 조성물을 얻었다.
(실시예 7)
상기에서 얻어진 액정 폴리에스테르 수지 A3을 90 질량부와, 상기의 실리카 5를 10 질량부를 드라이 블렌드한 이외는 실시예 1과 같게 하여, 펠릿상의 수지 조성물을 얻었다.
(실시예 8)
상기에서 얻어진 액정 폴리에스테르 수지 A3을 90 질량부와, 상기의 마이카 2를 10 질량부를 드라이 블렌드한 이외는 실시예 1과 같게 하여, 펠릿상의 수지 조성물을 얻었다.
(실시예 9)
상기에서 얻어진 액정 폴리에스테르 수지 A3을 90 질량부와, 상기의 마이카 3을 10 질량부를 드라이 블렌드한 이외는 실시예 1과 같게 하여, 펠릿상의 수지 조성물을 얻었다.
(실시예 10)
상기에서 얻어진 액정 폴리에스테르 수지 A3을 90 질량부와, 상기의 마이카 4를 10 질량부를 드라이 블렌드한 이외는 실시예 1과 같게 하여, 펠릿상의 수지 조성물을 얻었다.
(실시예 11)
상기에서 얻어진 액정 폴리에스테르 수지 A3을 90 질량부와, 상기의 마이카 5를 10 질량부를 드라이 블렌드한 이외는 실시예 1과 같게 하여, 펠릿상의 수지 조성물을 얻었다.
(실시예 12)
상기에서 얻어진 액정 폴리에스테르 수지 A3을 90 질량부와, 상기의 마이카 6을 10 질량부를 드라이 블렌드한 이외는 실시예 1과 같게 하여, 펠릿상의 수지 조성물을 얻었다.
(실시예 13)
상기에서 얻어진 액정 폴리에스테르 수지 A3을 90 질량부와, 상기의 마이카 7을 10 질량부를 드라이 블렌드한 이외는 실시예 1과 같게 하여, 펠릿상의 수지 조성물을 얻었다.
<성능 평가>
상기에서 얻어진 수지 조성물의 조성을 표 3에 나타냈다. 이하, 상기에서 얻어진 수지 조성물에 대하여, [시험예 1]과 같게 하여 성능 평가를 수행했다.
Figure pct00015
[시험예 3]
액정 폴리에스테르 수지에 배합하는 실리카 및 마이카의 농도를 변경해도, 저유전 정접이고, 또한, 인성 등의 기계 강도성이 뛰어난 수지 성형품을 얻어지는 것을 확인하기 위해서 이하의 시험을 수행했다.
<수지 조성물의 제조>
(실시예 14)
상기에서 얻어진 액정 폴리에스테르 수지 A3을 70 질량부와, 상기의 마이카 1을 30 질량부를 드라이 블렌드한 이외는 실시예 1과 같게 하여, 펠릿상의 수지 조성물을 얻었다.
(실시예 15)
상기에서 얻어진 액정 폴리에스테르 수지 A3을 75 질량부와, 상기의 마이카 1을 25 질량부를 드라이 블렌드한 이외는 실시예 1과 같게 하여, 펠릿상의 수지 조성물을 얻었다.
(실시예 16)
상기에서 얻어진 액정 폴리에스테르 수지 A3을 80 질량부와, 상기의 마이카 1을 20 질량부를 드라이 블렌드한 이외는 실시예 1과 같게 하여, 펠릿상의 수지 조성물을 얻었다.
(실시예 17)
상기에서 얻어진 액정 폴리에스테르 수지 A3을 80 질량부와, 상기의 실리카 4를 20 질량부를 드라이 블렌드한 이외는 실시예 1과 같게 하여, 펠릿상의 수지 조성물을 얻었다.
<성능 평가>
상기에서 얻어진 수지 조성물의 조성을 표 4에 나타냈다. 이하, 상기에서 얻어진 수지 조성물에 대하여, [시험예 1]과 같게 하여 성능 평가를 수행했다.
Figure pct00016

Claims (11)

  1. 액정 폴리에스테르 수지(A)와, 필러(B)를 포함하는 수지 조성물로서,
    상기 액정 폴리에스테르 수지(A)가, 6-히드록시-2-나프토산에 유래하는 구성 단위(I), 방향족 디올 화합물에 유래하는 구성 단위(II), 및 방향족 디카르복시산 화합물에 유래하는 구성 단위(III)를 포함하고, 상기 구성 단위(III)가, 테레프탈산에 유래하는 구성 단위(IIIA) 및/또는 2,6-나프탈렌디카르복시산에 유래하는 구성 단위(IIIB)를 포함하고,
    상기 구성 단위의 조성비(몰%)가, 하기의 조건:
    40 몰% ≤ 구성 단위(I) ≤ 75 몰%
    12 몰% ≤ 구성 단위(II) ≤ 30 몰%
    12 몰% ≤ 구성 단위(III) ≤ 30 몰%
    를 만족시키고,
    상기 필러(B)가, 실리카, 마이카, 및 탈크로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종이며,
    상기 수지 조성물은, 측정 주파수 10 GHz에 있어서의 공동 공진기 섭동법으로 측정한 유전 정접이, 1.0Х10-3 이하인 것을 특징으로 하는 수지 조성물.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 액정 폴리에스테르 수지(A) 및 상기 필러(B)의 합계 100 질량부에 대하여, 상기 액정 폴리에스테르 수지(A)의 배합량이 50 질량부 이상 99 질량부 이하이며, 상기 필러(B)의 배합량이 1 질량부 이상 50 질량부 이하인, 수지 조성물.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 액정 폴리에스테르 수지(A)의 융점이 300℃ 이상인, 수지 조성물.
  4. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 액정 폴리에스테르 수지(A)는 융점+20℃, 전단 속도 1000 s-1에 있어서의 용융 점도가, 5 Pa·s 이상 120 Pa·s 이하인, 수지 조성물.
  5. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 구성 단위(II)가, 하기 식으로 나타내는, 수지 조성물.
    [화 1]
    Figure pct00017

    (식 중, Ar1은, 소망에 따라 치환기를 가지는 페닐, 비페닐, 나프틸, 안트릴 및 페난트릴로 이루어지는 군으로부터 선택된다.)
  6. 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 구성 단위(III)가, 테레프탈산에 유래하는 구성 단위(IIIA)를 포함하고, 또한, 2,6-나프탈렌디카르복시산에 유래하는 구성 단위(IIIB)를 포함하고, 상기 구성 단위(IIIA) 및 구성 단위(IIIB)의 조성비가, 하기의 조건:
    3 몰% ≤ 구성 단위(IIIA) ≤ 28 몰%
    2 몰% ≤ 구성 단위(IIIB) ≤ 9 몰%
    를 만족시키는, 수지 조성물.
  7. 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항의 수지 조성물로 이루어지는, 수지 성형품.
  8. 청구항 7에 있어서,
    필름상인, 수지 성형품.
  9. 청구항 7에 있어서,
    섬유상인, 수지 성형품.
  10. 청구항 7에 있어서,
    사출 성형품인, 수지 성형품.
  11. 청구항 1 내지 청구항 10 중 어느 한 항의 수지 성형품을 구비하여 이루어지는, 전기 전자 부품.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115700014A (zh) 2020-02-26 2023-02-03 提克纳有限责任公司 电路结构
US11904297B1 (en) 2023-01-11 2024-02-20 Iliad Ip Company, Llc Process for manufacturing lithium selective adsorption/separation media

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002179776A (ja) 2000-09-22 2002-06-26 Polyplastics Co 全芳香族ポリエステル及びポリエステル樹脂組成物
JP2004027021A (ja) 2002-06-25 2004-01-29 Nippon Petrochemicals Co Ltd 全芳香族液晶ポリエステル樹脂成形体
JP2004250620A (ja) 2003-02-21 2004-09-09 Sumitomo Chem Co Ltd 絶縁材料用液晶性芳香族ポリエステルおよびその樹脂組成物
JP6434195B2 (ja) 2016-07-04 2018-12-05 Ｊｘｔｇエネルギー株式会社 全芳香族液晶ポリエステル樹脂、成形品、および電気電子部品

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61157477A (ja) 1984-12-29 1986-07-17 本田技研工業株式会社 車両用タンク装置
US6994896B2 (en) * 2002-09-16 2006-02-07 World Properties, Inc. Liquid crystalline polymer composites, method of manufacture thereof, and articles formed therefrom
EP2821438B1 (en) * 2012-02-29 2016-10-19 Toray Industries, Inc. Liquid crystal polyester resin composition
KR20140066514A (ko) * 2012-11-23 2014-06-02 삼성전기주식회사 인쇄회로기판용 수지 조성물, 절연필름, 프리프레그 및 인쇄회로기판
WO2017179474A1 (ja) * 2016-04-15 2017-10-19 ポリプラスチックス株式会社 液晶性樹脂組成物
EP3543284B1 (en) * 2016-11-18 2023-03-15 Sumitomo Chemical Company, Limited Foam-molding resin composition, method for producing foam-molded body, and foam-molded body
JP6951268B2 (ja) * 2018-01-26 2021-10-20 上野製薬株式会社 液晶ポリエステル樹脂組成物
US11753540B2 (en) * 2018-01-31 2023-09-12 Sumitomo Chemical Company, Limited Resin composition
JP7156814B2 (ja) * 2018-04-24 2022-10-19 上野製薬株式会社 機械特性と誘電特性に優れた液晶ポリエステル樹脂

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002179776A (ja) 2000-09-22 2002-06-26 Polyplastics Co 全芳香族ポリエステル及びポリエステル樹脂組成物
JP2004027021A (ja) 2002-06-25 2004-01-29 Nippon Petrochemicals Co Ltd 全芳香族液晶ポリエステル樹脂成形体
JP2004250620A (ja) 2003-02-21 2004-09-09 Sumitomo Chem Co Ltd 絶縁材料用液晶性芳香族ポリエステルおよびその樹脂組成物
JP6434195B2 (ja) 2016-07-04 2018-12-05 Ｊｘｔｇエネルギー株式会社 全芳香族液晶ポリエステル樹脂、成形品、および電気電子部品

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