KR20230015445A

KR20230015445A - 배향된 소판형 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들을 포함하는 광학 효과 층들을 생성하기 위한 자기 어셈블리 및 방법

Info

Publication number: KR20230015445A
Application number: KR1020227045254A
Authority: KR
Inventors: 예브게니 로지노브; 크리스토프 바우드라즈; 클로드-알랭 디스플란드
Original assignee: 시크파 홀딩 에스에이
Priority date: 2020-05-26
Filing date: 2021-05-21
Publication date: 2023-01-31
Also published as: CN115942999B; CN115942999A; AU2021279119A1; EP4157552A1; BR112022023694A2; JP2023526950A; TW202249273A; MX2022014804A; WO2021239607A1; US20230201872A1; CA3185018A1

Abstract

본 발명은 위조 및 불법 복제에 대비하여 예를 들어 지폐들 및 신분 증명서들과 같은 보안 문서들을 보호하는 분야에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 기판 상에 광학 효과 층들(OEL)을 생성하기 위한 자기 어셈블리들 및 방법들을 제공하고, 상기 방법은 소판형 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들의 적어도 일부를 이축으로 배향시키기 위해 소판형 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들을 포함하는 코팅 조성물을 자기 어셈블리의 자기장에 노출시키는 단계를 포함한다.

Description

배향된 소판형 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들을 포함하는 광학 효과 층들을 생성하기 위한 자기 어셈블리 및 방법

본 발명은 자기적으로 배향된 소판형 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들을 포함하는 광학 효과 층들(OEL들)을 생성하기 위한 자기 어셈블리들 및 방법들의 분야에 관한 것이다. 특히, 본 발명은, OEL들을 생성하고 당해 OEL들을 보안 문서들 또는 보안 물품들에 대한 위조 방지 수단들 및 장식 목적물들로서 사용하기 위해 코팅 층들에서 소판형 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들을 자기적으로 배향시키기 위한 자기 어셈블리들 및 방법들을 제공한다.

보안 요소들의 생성을 위해, 예를 들어 보안 문서들의 분야에서 배향된 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들, 특히 또한 광학 가변 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들을 포함하는 잉크들, 조성물들, 코팅들 또는 층들을 사용하는 것은 당업계에 알려져 있다. 배향된 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들을 포함하는 코팅들 또는 층들은, 예를 들어 US 제2,570,856호; US 제3,676,273호; US 제3,791,864호; US 제5,630,877호 및 US 제5,364,689호에 개시된다. 보안 문서들의 보호를 위해 유용한, 특히 매력적인 광학 효과들을 가져오는 배향된 자성 색변환 안료 입자들을 포함하는 코팅들 또는 층들은 WO 제2002/090002 A2호 및 WO 제2005/002866 A1호에 개시되어 있다.

예를 들어 보안 문서들에 대한 보안 피처들은, 일반적으로 한편으로는 "은밀한" 보안 피처들과 다른 한편으로는 "명백한" 보안 피처들로 분류될 수 있다. 은밀한 보안 피처들에 의해 제공되는 보호는 이러한 피처들이 감지하기 어렵다는 원리에 의존하고, 전형적으로 감지를 위한 전문 장비와 지식을 요구하는 반면, "명백한" 보안 피처들은 도움없이 인간의 감각을 이용하여 쉽게 감지 가능한 개념에 의존하며, 예를 들어 이러한 피처들은 여전히 생성 및/또는 복사하기 어려운 반면 촉각을 통해 알아볼 수 있고/있거나 감지 가능하게 될 수 있다. 그러나, 명백한 보안 피처들의 효율성은 보안 피처로서 그들의 쉽게 인식되는 정도에 따라 크게 달라진다.

인쇄 잉크들 또는 코팅들에서의 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들은, 대응하는 구조화된 자기장 - 대응하는 구조화된 자기장은 아직 하드닝되지(hardened) 않은(즉, 습윤) 코팅에서 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들의 국부적 배향을 유도한 후 코팅을 하드닝시킴 - 을 가하는 것을 통해 자기 유도(magnetically induced) 이미지들, 디자인들 및/또는 패턴들의 생성을 허용한다. 결과는 고정되고 안정적인 자기 유도 이미지, 디자인 또는 패턴이다. 코팅 조성물들에서 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들의 배향을 위한 재료들 및 기술들은, 예를 들어 US 제2,418,479호; US 제2,570,856호; US 제3,791,864호, DE 제2006848-A호, US 제3,676,273호, US 제5,364,689호, US 제6,103,361호, EP 제0 406 667 B1호; US 제2002/0160194호; US 제2004/0009308호; EP 제0 710 508 A1호; WO 제2002/09002 A2호; WO 제2003/000801 A2호; WO 제2005/002866 A1호; WO 제2006/061301 A1호에 개시되어 있다. 이러한 방식으로, 위조에 매우 강한 자기 유도 패턴들이 생성될 수 있다. 문제의 보안 요소는, 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들 또는 대응하는 잉크들, 및 상기 잉크를 인쇄하고 인쇄된 잉크에서 상기 안료를 배향시키는 데 사용되는 특정 기술 둘 다에 접근함으로써 오로지 생성될 수 있다.

여기 위에 설명된 방법들 및 디바이스들은, 소판형 자성 안료 입자들을 일축으로(mono-axially) 배향시키기 위해 자기 어셈블리들을 사용한다. 자성 안료 입자들의 일축 배향은 자기장에 대해 그리고 서로에 대해 평행한 그들의 주축(main axis)을 갖는 이웃하는 입자들을 초래하는 반면, 안료 입자들의 평면에서의 그들의 부축(minor axis)은 가해진 자기장에 의해 속박되지 않거나 훨씬 덜 속박된다.

이축으로 배향된 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들을 포함하는 코팅들 또는 층들을 생성하기 위한 목적으로, 시간 의존적, 방향 가변적 자기장들을 발생시키기 위한 방법들이 개발되었으므로, 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들의 이축 배향을 허용한다.

WO 제2015/086257 A1호는 기판 상에 광학 효과 층(OEL)을 생성하기 위한 방법을 개시하고, 상기 프로세스는 두 개의 자기 배향 단계들를 포함하며, 상기 단계들은 소판형 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들의 적어도 일부를 이축으로 배향시키기 위해, 소판형 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들을 포함하는 코팅 조성물을 제1 자기장 발생 디바이스의 동적, 즉 방향 변경 자기장에 노출시키는 단계 i) 및 상기 제2 자기장 발생 디바이스에 의해 이송된 디자인에 따라 코팅 조성물을 제2 자기장 발생 디바이스의 정적 자기장에 노출시키고, 그렇게 함으로써 소판형 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들의 적어도 일부를 일축으로 재배향하는 단계 ii) 로 구성된다.

EP 제2 157 141 A1호는 엇갈린 방식으로 또는 지그재그 형태로 위치된 적어도 3개의 자석들의 선형 배열을 포함하는 자기장 발생 디바이스들을 개시하고, 상기 3개의 자석들 각각은 기판 표면에 실질적으로 직각인 그의 자기 축을 가지며, 피드경로(feedpath)의 동일한 측면에서 상기 적어도 3개의 자석들이 동일한 극성을 가지며, 이는 엇갈린 방식으로 피드 경로의 반대 측면 상의 자석(들)의 극성과 반대이다. 적어도 3개의 자석들의 배열은 코팅 조성물 내의 소판형 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들이 (화살표로서 도시된 이동 방향으로) 자석들을 지나 이동할 때 필드 방향의 미리 결정된 변경을 제공한다. 그러나, 당업자에 의해 알려진 바와 같이, 자기장들은 자석들과 샘플 사이의 거리에 따라 급격하게 감소하고, 따라서 EP 제2 157 141 A1호에서 자기장 발생 디바이스들의 피드경로는 폭이 제한되므로 큰 크기들의 광학 효과 층들의 생성을 제한한다. 더욱이, EP 제2 157 141 A1호에 설명된 프로세스는 엇갈린 방식으로 배치된 많은 수의 자석들을 갖는 결과에 따라 긴 피드경로들을 요구할 것이며, 상기 긴 피드경로들은 산업용 프레스들에서 제한된 이용 가능한 공간과 양립하지 않는다.

WO 제2015/086257 A1호, WO 제2018/019594 A1호 및 EP 제3 224 055 B1호는, 자기적으로 이축으로 배향된 소판형 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들을 포함하는 광학 효과 층들(OEL)을 생성하기 위한 디바이스들 및 프로세스들을 개시한다. 프로세는 할바흐(Halbach) 실린더 어셈블리를 포함하는 자기 어셈블리의 동적 자기장에 안료 입자들을 노출시키는 단계를 개시하고, 상기 할바흐 어셈블리는 각각 WO 제2015/086257 A1호 및 WO 제2018/019594 A1호에서의 배향 가능한 안료 입자들을 반송하는 기판의 한 측면 상에 배치된 선형 할바흐 어레이들 및 EP 제3 224 055 B1호에서의 할바흐 실린더 어셈블리이다. WO 제2015/086257 A1호 및 WO 제2018/019594 A1호는, EP 제2 157 141 A1호에 대해 설명된 것들과 동일한 결점들로부터 어려움을 겪을 수 있으며, EP 제3224055 B1호는 실린더 어셈블리 내에서 수행될 층의 경화를 요구하므로, 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들의 잠재적 재배향 단계를 불가능하게 한다.

US 제2007/0172261 A1호는 방사상으로 대칭적인 시변(time-variable) 자기장들을 발생시키는 스피닝하는(spinning) 자석들 또는 자기 어셈블리들을 개시하며, 상기 자석들 또는 자기 어셈블리들은 외부 모터에 연결된 샤프트(또는 축)에 의해 구동된다. CN 제102529326 B호는 이축으로 배향하는 소판형 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들에 적합할 수 있는 스피닝하는 자석들을 포함하는 디바이스들의 예들을 개시한다. WO 제2015/082344 A1호, WO 제2016/026896 A1호 및 WO 제2018/141547 A1호는, 비자성(nonmagnetic)으로 만들어진 하우징에 속박되고 하우징 주위에 감긴 하나 이상의 자석-와이어 코일들에 의해 구동되는 무축(shaft-free) 스피닝 자석들 또는 자기 어셈블리들을 개시한다. 그러나, 스피닝 자석들 또는 자기 어셈블리들은, 예를 들어 EP 제1 648 702 B1호 또는 EP 제1 961 559 A1호에 개시된 것들과 같은 산업용 인쇄 프레스들을 사용하는 것에 대한 장애들 또는 그들을 사용하는 것에 대한 불가능으로부터 어려움을 겪을 수 있다. 장애들에는, 기존 산업용 인쇄 프레스들의 중요한 재설계에 대한 필요성이 포함될 수 있으며, 이는 스피닝하는 자석들의 모터들을 구동하기 위한 전력 및 제어 신호들을 제공하는 것을 포함한다.

따라서, 광학 효과 층들(OEL들)을 형성하는 것에 관해 코팅 층들에 포함된 소판형 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들의 균질한 이축 자기 배향을 생성하기 위한 개선된 자기 어셈블리들 및 방법들에 대한 필요성이 남아 있으며, 상기 방법들은, 기계적으로 견고하고, 상기 장비의 번거롭고 지루하고 값비싼 변형품들에 의지하지 않고 산업용 고속 인쇄 장비, 특히 회전하는 자기 실린더들을 이용하여 구현하기 쉽다. 특히, 넓은 피드경로/사용 가능한 작업 영역을 이용하고 그리고 상기 자기 어셈블리들로부터 20mm까지의 거리에 배치된 인쇄 영역들뿐만 아니라 큰 인쇄 영역들 위에 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들을 배향시키는 데 적합한 방법들을 이용한 소형 자기 어셈블리들이 필요하다.

따라서, 본 발명의 목적은 선행 기술의 결함들을 극복하는 것이다. 이것은 기판(x20) 상에 광학 효과 층(OEL)을 생성하기 위한 자기 어셈블리(xOO)의 제공에 의해 달성되고, 상기 자기 어셈블리(x00)는 제1 평면에 실질적으로 평행한 배향 및 제1 평면 위로 기판(x20)을 수용하도록 구성되고, 상기 제1 평면은 두 개의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b)의 최상부 표면 위에 위치되고, 자기 어셈블리(x00)는

a) 적어도 제1 세트(S1), 제2 세트(S2) 및,

b) 제3 막대 쌍극자 자석들(x33_a 및 x33_b)의 제1 쌍(P1)을 더 포함하고,

각각의 제1 세트(S1) 및 제2 세트(S2)는:

i) 하나의 제1 막대 쌍극자 자석(x31) 및,

- 하나의 제1 막대 쌍극자 자석(x31)은 제1 두께(L1), 제1 길이(L4) 및 제1 폭(L5)을 갖고,

제1 평면에 실질적으로 평행하도록 배향된 그의 자기 축을 가짐 -

ii) 두 개의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b)을 포함하고,

두 개의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b)은 제2 두께(L2), 제2 길이(L6) 및 제2 폭(L7)을 갖고,

두 개의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a, x32_b)은 서로 같은 높이인 그들의 최상부 표면들을 가지며,

제1 평면에 실질적으로 직각이 되도록 배향된 그들의 자기 축들을 갖고,

제1 세트(S1)의 제1 막대 쌍극자 자석(x31)은 제2 세트(S2)의 제1 막대 쌍극자 자석(x31)의 자기 방향과 반대인 자기 방향을 가지며,

제1 세트(S1) 및 제2 세트(S2)의 제1 막대 쌍극자 자석들(x31)은 제1 거리(d1)만큼 이격되고,

제1 세트(S1)의 제1 막대 쌍극자 자석(x31)은 제2 세트(S2)의 제1 막대 쌍극자 자석(x31)과 실질적으로 동일한 제1 길이(L4) 및 제1 폭(L5)을 갖고,

제1 세트(S1)의 두 개의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b)은 제2 세트(S2)의 두 개의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b)과 실질적으로 동일한 제2 길이들(L6) 및 제2 폭들(L7)을 갖고,

각각의 제1 세트(S1) 및 제2 세트(S2)의 제1 막대 쌍극자 자석(x31) 및 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b)이 칼럼을 형성하도록 정렬되고, 제1 세트(S1) 및 제2 세트(S2)의 제1 막대 쌍극자 자석(x31)이 각각 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b) 사이에 배치되고 그들로부터 제2 거리(d2)만큼 이격되며,

제1 폭(L5) 및 제2 길이(L6)는 실질적으로 동일하고,

각각의 제1 세트(S1) 및 제2 세트(S2)의 하나의 제2 막대 쌍극자 자석(x32_a 및 x32_b)의 북극은, 제1 막대 쌍극자 자석(x31)의 북극이 상기 하나의 제2 막대 쌍극자 자석(x32_a 및 x32_b)의 북극을 가리킬 때, 제1 평면을 가리키고 각각의 제1 세트(S1) 및 제2 세트(S2)의 제2 막대 쌍극자 자석(x32_a 및 x32_b) 중 나머지 하나의 남극이 상기 제1 평면을 가리키고, 제1 막대 쌍극자 자석(x31)의 남극은 상기 나머지 하나의 남극을 가리키고,

제3 막대 쌍극자 자석들(x33_a 및 x33_b)은 제3 두께(L3), 제3 길이(L8) 및 제3 폭(L9)을 갖고,

제1 평면에 실질적으로 평행하도록 배향된 그들의 자기 축들을 갖고,

제1 세트(S1) 및 제2 세트(S2)의 두 개의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b)의 제2 폭(L7)은 제3 막대 쌍극자 자석들(x33_a 및 x33_b)의 제3 폭(L9)과 실질적으로 동일한 값을 갖고,

각각의 제3 막대 쌍극자 자석들(x33_a 및 x33_b)은, 두 개의 라인들을 형성하기 위해 제1 세트(S1)의 하나의 제2 막대 쌍극자 자석(x32_a 및 x32_b) 및 제2 세트(S2)의 하나의 제2 막대 쌍극자 자석(x32_a 및 x32_b)과 정렬되고, 제3 막대 쌍극자 자석들(x33_a 및 x33_b)은 개개의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a, x32_b) 사이에 배치되고 그들로부터 제3 거리(d3)만큼 이격되며,

제3 막대 쌍극자 자석들(x33_a 및 x33_b)의 북극들은 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b) 중 각각 하나를 가리키고, 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b) 중 상기 하나의 북극들은 제1 평면을 가리키며; 또는 제3 막대 쌍극자 자석들(x33_a 및 x33_b)의 남극들은 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b) 중 각각 하나를 가리키고, 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b) 중 상기 하나의 남극들은 제1 평면을 가리키고,

제1 세트(S1) 및 제2 세트(S2)의 제1 막대 쌍극자 자석들(x31), 제1 세트(S1) 및 제2 세트(S2)의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b) 및 제3 막대 쌍극자 자석들(x33_a 및 x33_b)은 비-자성 지지(supporting) 매트릭스에 적어도 부분적으로 내장된다.

또한 여기에 설명된 기판(x20) 상에 광학 효과 층(OEL)을 생성하기 위해 여기에 설명된 자기 어셈블리(xOO)의 용도가 여기에 설명된다.

또한, 바람직하게는 체인들(chains), 벨트들(belts), 실린더들(cylinders) 및 그들의 조합들로 구성된 그룹으로부터 선택되는 이송 디바이스(transferring device)의 부근에 장착되는, 여기에 설명된 자기 어셈블리(xOO)를 포함하는 인쇄 장치들이 여기에 설명된다.

또한, 여기에 설명된 기판(x20) 상에 여기에 설명된 광학 효과 층(OEL)을 생성하기 위한 방법들 및 그로부터 획득된 광학 효과 층들(OEL들)이 여기에 설명되고, 상기 방법들은,

i) 소판형 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들을 포함하는 방사선 경화성 코팅 조성물을 기판(x20) 표면 상에 도포하는 단계 - X축 및 Y축은 입자들의 주요(predominant) 연장의 평면을 규정하고, 상기 방사선 경화성 코팅 조성물은 코팅 층(x10)을 형성하기 위해 제1 액체 상태임 -;

ii) 소판형 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들의 적어도 일부를 이축으로(bi-axially) 배향시키기 위해 코팅 층(x10)을 여기에 설명된 자기 어셈블리(xOO)의 자기장에 노출시키는 단계; 및

iii) 소판형 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들을 그들의 채택된 위치들 및 배향들에 고정하기 위해 단계 ii)의 방사선 경화성 코팅 조성물을 제2 고체 상태로 적어도 부분적으로 경화시키는 단계를 포함한다.

또한, 여기에 설명된 방법들에 의해 및/또는 여기에 설명된 인쇄 장치들을 사용하여 획득된 광학 효과 층들(OEL들) 뿐만 아니라 문서들 및 물품들에 대한 위조 방지 수단들로서의 용도들(즉, 문서들 및 물품들을 보호하고 인증하기 위함임) 그리고 장식 목적들을 위해 여기에 설명된다.

본 발명에 의해 제공된 자기 어셈블리들 및 방법들은, 기계적으로 견고하고, 상기 장비의 번거롭고 지루하고 값비싼 변형품들에 의지하지 않고 산업용 고속 인쇄 장비를 이용하여 구현하기 쉽다. 또한, 본 발명의 자기 어셈블리들 및 방법들은 소판형 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들을 균질한 방식으로 이축으로 배향시키는 것을 허용하고 상기 자기 어셈블리들로부터 20mm 까지의 거리에 배치된 인쇄 영역들 뿐만 아니라 큰 인쇄 영역들 위에 광학 효과 층을 생성하기에도 적합하다.

이하, 여기에 설명된 기판(x20) 상에 광학 효과 층들(OEL)을 생성하기 위한 여기에 설명된 자기 어셈블리들(xOO) 및 방법들을 도면들 및 특정 실시예들을 참조하여 더 상세히 설명하며,
도 1은 소판형 안료 입자를 개략적으로 도시한 것이다.
도 2a는 본 발명에 따라 기판(220) 상에 광학 효과층(OEL)을 생성하기 위한 방법을 개략적으로 예시하고, 상기 자기 어셈블리(200)의 자기장에 노출되게 하고 그 후 경화 유닛(250)으로 적어도 부분적으로 경화되게 하기 위해 소판형 안료 입자들을 포함하는 코팅 층(도 2a에 미도시)이 자기 어셈블리(200)의 부근 및 그의 상부 상에서 이동한다(화살표 참조). 자기 어셈블리(200)는 제1 막대 쌍극자 자석들(231) 및 두 개의 제2 막대 쌍극자 자석들(232_a 및 232_b)을 포함하는 제1 세트(S1), 및 제1 막대 쌍극자 자석들(231) 및 두 개의 제2 막대 쌍극자 자석들(232_a 및 232_b)을 포함하는 제2 세트(S2) 및 제3 막대 쌍극자 자석들(233_a 및 233_b)의 제1 쌍(P1)을 포함한다.
도 2b1 내지 도 2b3은 제1 막대 쌍극자 자석들(231) 및 두 개의 제2 막대 쌍극자 자석들(232_a 및 232_b)을 포함하는 세트(Sx)의 단면들을 개략적으로 도시하고, 제1 막대 쌍극자 자석들(231)의 최상부 표면은 두 개의 제2 막대 쌍극자 자석들(232_a 및 232_b)의 최상부 표면과 같은 높이이고, 도 2b2는 기판(220)이 세트(Sx)를 향하는 방법을 도시하고, 도 2b3은 소판형 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들을 포함하는 코팅 층(210)이 세트(Sx)를 향하는 방법을 도시한다.
도 2c1 내지 도 2c3 및 도 2d1 내지 도 2d3은 제1 막대 쌍극자 자석들(231) 및 두 개의 제2 막대 쌍극자 자석들(232_a 및 232_b)을 포함하는 세트(Sx)의 단면들을 개략적으로 도시하고, 제1 막대 쌍극자 자석들(231)의 최상부 표면은 두 개의 제2 막대 쌍극자 자석들(232_a 및 232_b)의 최상부 표면과 같은 높이가 아니며, 제1 막대 쌍극자 자석들(231)의 최상부 표면과 두 개의 제2 막대 쌍극자 자석들(232_a 및 232_b)의 최상부 표면 사이에는 제4 거리(d4)가 존재한다. 도 2c2 및 도 2d2는 기판(220)이 세트(Sx)를 향하는 방법들을 도시하고, 도 2c3 및 도 2d3은 소판형 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들을 포함하는 코팅 층(210)이 자기 어셈블리의 세트(Sx)를 향하는 방법들을 도시한다.
도 3a는, 제1 막대 쌍극자 자석들(331) 및 두 개의 제2 막대 쌍극자 자석들(332_a 및 332_b)을 포함하는 제1 세트(S1), 제1 막대 쌍극자 자석들(331) 및 두 개의 제2 막대 쌍극자 자석들(332_a 및 332_b)을 포함하는 제2 세트(S2), 제1 막대 쌍극자 자석들(331) 및 두 개의 제2 막대 쌍극자 자석들(332_a 및 332_b)을 포함하는 제3 세트(S3), 제3 막대 쌍극자 자석들(333_a 및 333_b)의 제1 쌍(P1) 및 제3 막대 쌍극자 자석들(333_a 및 333_b)의 제2 쌍(P2)을 포함하는 자기 어셈블리(300)의 평면도를 개략적으로 도시한다.
도 3b는 실린더의 부근에 도 3a의 자기 어셈블리(300)의 단면을 개략적으로 도시하며, 자기 어셈블리(300)는 실린더의 곡률과 일치하기 위해 구부러져 있다.
도 3c는 실린더의 부근에 도 3a 및 도 3b의 자기 어셈블리(300)의 도면을 개략적으로 도시하며, 자기 어셈블리(300)는 실린더의 곡률과 일치하기 위해 구부러져 있다.
도 4는, 제1 막대 쌍극자 자석들(431) 및 두 개의 제2 막대 쌍극자 자석들(432_a 및 432_b)을 포함하는 제1 세트(S1), 제1 막대 쌍극자 자석들(431) 및 두 개의 제2 막대 쌍극자 자석들(432_a 및 432_b)을 포함하는 제2 세트(S2), 제1 막대 쌍극자 자석들(431) 및 두 개의 제2 막대 쌍극자 자석들(432_a 및 432_b)을 포함하는 제3 세트(S3), 제1 막대 쌍극자 자석들(431) 및 두 개의 제2 막대 쌍극자 자석들(432_a 및 432_b)을 포함하는 제4 세트(S4), 제3 막대 쌍극자 자석들(433_a 및 433_b)의 제1 쌍(P1), 제3 막대 쌍극자 자석들(433_a 및 433_b)의 제2 쌍(P2) 및 제3 막대 쌍극자 자석들(433_a 및 433_b)의 제3 쌍(P3)을 포함하는 자기 어셈블리(400)의 평면도를 개략적으로 도시한다.
도 5a 내지 도 5c는 본 발명에 따라 기판(520) 상에 광학 효과 층(OEL)을 생성하기 위한 방법들을 개략적으로 도시한다. 방법은 자기 어셈블리(500)의 자기장에 코팅 층을 노출시키는 단계 ii), 코팅 층을 하나 이상의 자석들(M1) - 상기 자석들은(M1)은 회전하는 자기 실린더(560) 상에 장착됨 - 을 포함하는 자기장 발생 디바이스의 자기장에 이후에 노출시키는 추가의 단계 및 방사선 경화성 코팅 조성물을 경화 유닛(550)으로 적어도 부분적으로 경화시키는 단계 iii)를 포함한다. 도 5a 내지 도 5c에 도시된 바와 같이, 코팅 층의 하나 이상의 제2 영역들이 조사에 노출되지 않은 채로 남아 있도록, 비구형 자성 또는 자화 가능한 입자들의 적어도 일부를 그들의 채택된 위치들 및 배향들에 고정하기 위해, 단계 ii)의 코팅 층의 하나 이상의 제1 영역들을 선택적으로 적어도 부분적으로 경화시키는 선택적인 단계(괄호 안의 선택적 경화 유닛(580)으로 도시됨)는, 하나 이상의 제2 영역들에서 소판형 자성 또는 자화 가능한 입자들의 적어도 일부를 재배향하기 위해 코팅 층을 하나 이상의 자석들(M1)의 자기장에 노출시키는 단계 이전에 수행될 수 있다.
도 5d는 본 발명에 따라 기판(520) 상에 광학 효과 층(OEL)을 생성하기 위한 방법을 개략적으로 도시한다. 방법은, 단일 단계에서 방사선 경화성 코팅 조성물을 여기에 설명된 자기 어셈블리(500)의 자기장들과 보이드들 및/또는 만입부들 및/또는 돌출부들의 형태로 하나 이상의 표시들을 반송하는 하나 이상의 연자성 플레이트들(M1)을 포함하거나 하나 이상의 경자성 자석들(M1) - 상기 하나 이상의 경자성 자석들 또는 연자성 플레이트들(M1)은 회전하는 자기 실린더(560) 상에 장착됨 - 을 포함하는 자기장 발생 디바이스의 상호 작용에 노출시키는 단계 ii) 및 방사선 경화성 코팅 조성물을 경화 유닛(550)으로 적어도 부분적으로 경화시키는 단계 iii)를 포함한다.
도 5e는 본 발명에 따라 기판(520) 상에 광학 효과 층(OEL)을 생성하기 위한 방법을 개략적으로 도시한다. 방법은, a) 여기에 설명된 제1 자기 어셈블리(500a)의 자기장에 방사선 경화성 코팅 조성물을 노출시키고; 그 후, b) 단일 단계에서 방사선 경화성 코팅 조성물을 여기에 설명된 자기 어셈블리(500b)의 자기장들과 보이드들 및/또는 만입부들 및/또는 돌출부들의 형태로 하나 이상의 표시들을 반송하는 하나 이상의 연자성 플레이트들(M1)을 포함하거나 하나 이상의 경자성 자석들(M1) - 상기 하나 이상의 경자성 자석들 또는 연자성 플레이트들(M1)은 회전하는 자기 실린더(560) 상에 장착됨 - 을 포함하는 자기장 발생 디바이스의 상호 작용에 노출시키는 단계 ii) 및 방사선 경화성 코팅 조성물을 경화 유닛(550)으로 적어도 부분적으로 경화시키는 단계 iii)를 포함한다. 도 5e에 도시된 바와 같이, 코팅 층의 하나 이상의 제2 영역들이 조사에 노출되지 않은 채로 남아 있도록, 비구형 자성 또는 자화 가능한 입자들의 적어도 일부를 그들의 채택된 위치들 및 배향들에 고정하기 위해, 단계 ii)의 코팅 층의 하나 이상의 제1 영역들을 선택적으로 적어도 부분적으로 경화시키는 선택적인 단계(괄호 안의 선택적 경화 유닛(580)으로 도시됨)는, 하나 이상의 제2 영역들에서 소판형 자성 또는 자화 가능한 입자들의 적어도 일부를 재배향하기 위해 방사선 경화성 코팅 조성물을 자기 어셈블리(500b)의 자기장들과 자기장 발생 디바이스의 상호 작용에 노출시키는 단일 단계 이전에 수행될 수 있다.
도 5f는 본 발명에 따라 기판(520) 상에 광학 효과 층(OEL)을 생성하기 위한 방법을 개략적으로 도시한다. 방법은, b) 단일 단계에서 방사선 경화성 코팅 조성물을 여기에 설명된 제1 자기 어셈블리(500a)의 자기장들과 보이드들 및/또는 만입부들 및/또는 돌출부들의 형태로 하나 이상의 표시들을 반송하는 하나 이상의 연자성 플레이트들(M1a)을 포함하거나 하나 이상의 경자성 자석들(M1a) - 상기 하나 이상의 경자성 자석들 또는 연자성 플레이트들(M1a)은 회전하는 자기 실린더(560a) 상에 장착됨 - 을 포함하는 제1 자기장 발생 디바이스의 상호 작용에 노출시키는 단계 ii); 코팅 층의 하나 이상의 제2 영역들이 조사에 노출되지 않은 채로 남아 있도록, 비구형 자성 또는 자화 가능한 입자들의 적어도 일부를 그들의 채택된 위치들 및 배향들에 고정하기 위해, 단계 ii)의 코팅 층의 하나 이상의 제1 영역들을 선택적으로 적어도 부분적으로 경화시키는 단계 iii)(선택적 경화 유닛(580)으로 도시됨); 코팅 층의 하나 이상의 제2 영역들(아직 경화되지 않음)에 포함된 비구형 자성 또는 자화 가능한 입자들을 이축으로 재배향하기 위해 코팅 층을 여기에 설명된 제2 자기 어셈블리(500b)의 자기장에 노출시키는 단계 iv); 방사선 경화성 코팅 조성물을 하나 이상의 경자성 자석들(M1b) - 상기 하나 이상의 경자성 자석들(M1b)은 회전하는 자기 실린더(560b) 상에 장착됨 - 을 포함하는 제2 자기장 발생 디바이스의 자기장에 노출시키는 단계 v); 및 방사선 경화성 코팅 조성물을 경화 유닛(550)으로 적어도 부분적으로 경화시키는 단계 vi)를 포함한다.
도 5g는 본 발명에 따라 기판(520) 상에 광학 효과 층(OEL)을 생성하기 위한 방법을 개략적으로 도시한다. 방법은, 단일 단계에서 방사선 경화성 코팅 조성물을 여기에 설명된 제1 자기 어셈블리(500a)의 자기장들과 보이드들 및/또는 만입부들 및/또는 돌출부들의 형태로 하나 이상의 표시들을 반송하는 하나 이상의 연자성 플레이트들(M1a)을 포함하거나 하나 이상의 경자성 자석들(M1a) - 상기 하나 이상의 경자성 자석들 또는 연자성 플레이트들(M1a)은 회전하는 자기 실린더(560a) 상에 장착됨 - 을 포함하는 제1 자기장 발생 디바이스의 상호 작용에 노출시키는 단계 ii); 코팅 층의 하나 이상의 제2 영역들이 조사에 노출되지 않은 채로 남아 있도록, 비구형 자성 또는 자화 가능한 입자들의 적어도 일부를 그들의 채택된 위치들 및 배향들에 고정하기 위해, 단계 ii)의 코팅 층의 하나 이상의 제1 영역들을 선택적으로 적어도 부분적으로 경화시키는 단계 iii)(선택적 경화 유닛(580)으로 도시됨); 코팅 층의 하나 이상의 제2 영역들(아직 경화되지 않음)에 포함된 비구형 자성 또는 자화 가능한 입자들을 이축으로 재배향하기 위해 코팅 층을 여기에 설명된 제2 자기 어셈블리(500b)의 자기장에 노출시키는 단계 iv); 단일 단계에서 방사선 경화성 코팅 조성물을 여기에 설명된 제3 자기 어셈블리(500c)의 자기장들과 보이드들 및/또는 만입부들 및/또는 돌출부들의 형태로 하나 이상의 표시들을 반송하는 하나 이상의 연자성 플레이트들(M1b)을 포함하거나 하나 이상의 경자성 자석들(M1b) - 상기 하나 이상의 경자성 자석들 또는 연자성 플레이트들(M1b)은 회전하는 자기 실린더(560a) 상에 장착됨 - 을 포함하는 제2 자기장 발생 디바이스의 상호 작용에 노출시키는 단계 v) 및 방사선 경화성 코팅 조성물을 경화 유닛(550)으로 적어도 부분적으로 경화시키는 단계 vi)를 포함한다.
도 5h는 본 발명에 따라 기판(520) 상에 광학 효과 층(OEL)을 생성하기 위한 방법을 개략적으로 도시한다. 방법은, a) 방사선 경화성 코팅 조성물을 여기에 설명된 제1 자기 어셈블리(500a)의 자기장들에 노출시키고; 그 후, b) 단일 단계에서 방사선 경화성 코팅 조성물을 여기에 설명된 제2 자기 어셈블리(500b)의 자기장들과 보이드들 및/또는 만입부들 및/또는 돌출부들의 형태로 하나 이상의 표시들을 반송하는 하나 이상의 연자성 플레이트들(M1a)을 포함하거나 하나 이상의 경자성 자석들(M1a) - 상기 하나 이상의 경자성 자석들 또는 연자성 플레이트들(M1a)은 회전하는 자기 실린더(560a) 상에 장착됨 - 을 포함하는 제1 자기장 발생 디바이스의 상호 작용에 노출시키는 단계 ii); 코팅 층의 하나 이상의 제2 영역들이 조사에 노출되지 않은 채로 남아 있도록, 비구형 자성 또는 자화 가능한 입자들의 적어도 일부를 그들의 채택된 위치들 및 배향들에 고정하기 위해, 단계 ii)의 코팅 층의 하나 이상의 제1 영역들을 선택적으로 적어도 부분적으로 경화시키는 단계 iii)(선택적 경화 유닛(580)으로 도시됨); 코팅 층의 하나 이상의 제2 영역들(아직 경화되지 않음)에 포함된 비구형 자성 또는 자화 가능한 입자들을 이축으로 재배향하기 위해 코팅 층을 여기에 설명된 제3 자기 어셈블리(500c)의 자기장에 노출시키는 단계 iv); 단일 단계에서 방사선 경화성 코팅 조성물을 여기에 설명된 제4 자기 어셈블리(500d)의 자기장들과 보이드들 및/또는 만입부들 및/또는 돌출부들의 형태로 하나 이상의 표시들을 반송하는 하나 이상의 연자성 플레이트들(M1b)을 포함하거나 하나 이상의 경자성 자석들(M1b) - 상기 하나 이상의 경자성 자석들 또는 연자성 플레이트들(M1b)은 회전하는 자기 실린더(560) 상에 장착됨 - 을 포함하는 제2 자기장 발생 디바이스의 상호 작용에 노출시키는 단계 v) 및 방사선 경화성 코팅 조성물을 경화 유닛(550)으로 적어도 부분적으로 경화시키는 단계 vi)를 포함한다.
도 6a 및 도 6b는 기판(620) 상에 광학 효과 층(OEL)을 생성하기 위한 비교 방법을 개략적으로 도시한다.
도 7a 내지 도 7c는 본 발명에 따른 방법으로 준비된 OEL들(E1, E2 및 E3, 좌측) 및 비교 방법에 따라 준비된 OEL들(C1, C2 및 C3, 우측)의 그림들을 도시한다.

정의

다음 정의들은 설명에서 논의되고 청구범위들에 인용된 용어들의 의미를 해석하는 데 사용될 것이다.

여기에 사용되는 바와 같이, "적어도"라는 용어는 하나 또는 하나 이상, 예를 들어 하나 또는 두 개 또는 세 개를 정의하는 것을 의미한다.

여기에 사용된 바와 같이, "약" 및 "실질적으로"라는 용어들은, 문제의 양 또는 값이 지정된 특정 값 또는 그 이웃에 있는 일부 다른 값일 수 있음을 의미한다. 일반적으로, 특정 값을 나타내는 "약" 및 "실질적으로"라는 용어들은, 그 값의 ± 5% 이내의 범위를 나타내는 것으로 의도된다. 일례로, "약 100"이라는 문구는 100 ± 5의 범위, 즉 95 내지 105까지의 범위를 나타낸다. 일반적으로, "약" 및 "실질적으로"라는 용어들이 사용될 때, 본 발명에 따른 유사한 결과들 또는 효과들이 표시된 값의 ±5% 범위 내에서 획득될 수 있음이 예상될 수 있다.

"실질적으로 평행한"이라는 용어들은 평행 정렬로부터 10° 이하로 벗어나는 것을 지칭하고, "실질적으로 직각인” 용어들은 직각 정렬로부터 10° 이하로 벗어나는 것을 지칭한다.

여기에 사용된 바와 같이, "및/또는"이라는 용어는 상기 그룹의 요소들 중 모두 또는 하나만이 존재할 수 있음을 의미한다. 예를 들어, "A 및/또는 B"는 "A만 또는 B만, 또는 A와 B 둘다"를 의미한다. "A만"의 경우, 이 용어는 B가 부재인, 즉 "A만 있지만 B는 아님"인 가능성도 포함한다.

여기에 사용된 용어 "포함하는"은 비배타적이고 개방적인 것으로 의도된다. 따라서, 예를 들어 화합물 A를 포함하는 코팅 조성물은 A 이외의 다른 화합물들을 포함할 수 있다. 그러나, "포함하는"이라는 용어는 또한 그의 특정 실시예로서 "기본적으로 구성되는" 및 "구성되는"의 보다 제한적인 의미들을 포함하므로, 예를 들어 "A, B 및 선택적으로 C를 포함하는 분수 용액"은 또한 (기본적으로) A와 B로 구성되거나, (기본적으로) A, B 및 C로 구성될 수 있다.

여기에 사용되는 바와 같이, "광학 효과 층(OEL)"이라는 용어는 배향된 소판형 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들 및 접합제를 포함하는 코팅 층을 나타내고, 상기 소판형 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들은 자기장에 의해 배향되고, 배향된 소판형 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들은 자기 유도 이미지를 형성하기 위해 그들의 배향 및 위치(즉, 하드닝/경화 후)에서 고정/동결된다.

"코팅 조성물"이라는 용어는, 고체 기판 상에 광학 효과 층(OEL)을 형성할 수 있고 인쇄 방법에 의해서만 적용되는 것은 아니지만 바람직하게 적용될 수 있는 임의의 조성물을 지칭한다. 코팅 조성물은 여기에 설명된 소판형 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들 및 여기에 설명된 접합제를 포함한다.

여기에 사용되는 바와 같이, "습윤"이라는 용어는 아직 경화되지 않은 코팅 층, 예를 들어 소판형 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들이 그들에 작용하는 외력들의 영향 하에서 여전히 그들의 위치들 및 배향들을 변경할 수 있는 코팅을 지칭한다.

여기에 사용되는 바와 같이, "표시들"이라는 용어는 기호들, 영숫자 기호들, 모티프들, 문자들, 단어들, 숫자들, 로고들 및 도면들을 포함하지만 이에 국한되지 않는 패턴들과 같은 불연속적인 층들을 의미한다.

"하드닝"이라는 용어는, 아직 하드닝되지 않은(즉, 습윤) 제1 물리적 상태에서 코팅 조성물의 점도가 증가되어 이를 제2 물리적 상태, 즉 하드닝되거나 고체 상태로 전환시키는 프로세스를 나타내는 데 사용되고, 소판형 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들은 그들의 현재 위치들 및 배향들에 고정/동결되어 더 이상 이동하거나 회전할 수 없다.

"보안 문서"라는 용어는 적어도 하나의 보안 피처에 의해 위조 또는 사기에 대비하여 보통 보호되는 문서를 지칭한다. 보안 문서들의 예들은 유가 문서들 및 유가 상품들을 포함하지만 이에 국한되지 않는다.

"보안 피처"라는 용어는 인증 목적들을 위해 사용될 수 있는 이미지, 패턴 또는 그래픽 요소를 나타내는 데 사용된다.

본 발명은 "바람직한" 실시예들/피처들을 지칭하는 경우, 이러한 "바람직한" 실시예들/피처들의 조합이 기술적으로 의미가 있는 한, 이러한 "바람직한" 실시예들/피처들의 조합들도 개시되는 것으로서 간주되어야 한다.

본 명세서의 맥락에서, "평면"이라는 용어는 평평한 평면들뿐만 아니라 실린더의 원주 표면과 같은 만곡된 평면들을 포함한다. 이와 관련하여 만곡된 평면에 "평행"하도록 배향된 "평면"은, 두 평면들에 대한 국부(local) 접선들이 서로 평행하도록 만곡된다. 유사하게, 만곡된 평면에 직각이 되도록 배향된 방향은, 이것이 평면과 교차하는 지점에서 평면에 대한 접선들에 직각이다.

다시 말해서, 기판이 만곡된 제1 평면에 실질적으로 평행한 배향 및 제1 평면 위에 있는 경우, 기판은 그의 제1 지점에서 기판에 대한 국부 접선들이 그의 제2 지점에서 만곡된 제1 평면에 대한 국부 접선들과 평행하도록 형성되고, 제1 지점 및 제2 지점은 제1 지점 및 제2 지점에서 국부 접선들에 직각인 방향을 따라 서로에 대해 상대적으로 위치된다.

본 발명은 기판들(x20) 상에 광학 효과 층들(OEL들)을 생성하기에 적합한 자기 어셈블리들(xOO)을 제공하고, 상기 OEL들은 자기적으로 배향된 소판형 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들을 기반으로 한다. 1차원 입자들로서 간주될 수 있는 침상(needle-shaped) 안료 입자들과 대조적으로, 소판형 안료 입자들은 입자들의 주요 연장에 대한 평면을 정의하는 X축 및 Y축을 갖는다. 다시 말해서, 소판형 안료 입자들은 도 1에서 볼 수 있는 바와 같이 그들의 치수들의 큰 종횡비로 인하여 2차원 입자들로 간주될 수 있다. 도 1에 도시된 바와 같이, 소판형 안료 입자는 차원들 X 및 Y가 차원 Z보다 실질적으로 큰 2차원 구조로서 간주될 수 있다. 소판형 안료 입자들은 편원형(oblate) 입자들 또는 플레이크들로서 당업계에서 또한 지칭된다. 이러한 안료 입자들은, 안료 입자를 가로지르는 가장 차원에 대응하는 주축 X와 또한 상기 안료 입자들 내에 있는 X에 직각인 제2 축 Y로 설명될 수 있다.

소판형 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들이 그들의 주축만 자기장에 의해 속박되는 방식으로 배향되는 일축 배향과 대조적으로, 이축 배향을 수행한다는 것은 소판형 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들이 그들의 2개의 주축들이 속박되는 방식으로 배향되도록 한다는 것을 의미한다. 즉, 각각의 소판형 자성 또는 자화 가능한 안료 입자는 안료 입자의 평면에 장축을 갖고 안료 입자의 평면에 직교 단축을 갖는 것으로 간주될 수 있다. 소판형 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들의 장축 및 단축은 각각 자기장에 따라 배향되게 된다. 효과적으로, 이는 공간에서 서로 가까이 있는 이웃하는 소판형 자성 안료 입자들이 기본적으로 서로 평행하게 되는 결과를 초래한다. 달리 말하면, 이축 배향은 소판형 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들의 평면들을 정렬하여, 상기 안료 입자들의 평면들이 (모든 방향으로) 이웃하는 소판형 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들의 평면들에 대해 기본적으로 평행하도록 배향된다. 여기에 설명된 자기 어셈블리들(xOO)은 여기에 설명된 소판형 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들을 이축으로 배향시키는 것을 허용한다. 소판형 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들을 여기에 설명된 자기 어셈블리들(xOO)에만 노출시킴으로써(즉, 추가의 자기장 발생 디바이스에 대한 동시 노출이 없고/없거나 재배향 단계가 없음), 소판형 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들은 기판(x20) 표면에 실질적으로 평행한 그들의 X축 및 Y축을 갖는 시트형 구조를 형성하고 상기 두 개의 차원들에서 평탄화된다.

여기에 설명된 자기 어셈블리들(x00)은 여기에 설명된 광학 효과 층들(OEL들)을 생성하기 위한 방법들 동안 제1 평면에 실질적으로 평행하고 기판(x20)에 실질적으로 평행한 배향으로 여기에 설명된 기판(x20)을 수용하도록 구성된다. 여기에 설명된 제1 평면은 (도면들에 도시된 바와 같이) 여기에 설명된 방법 동안 기판(x20)에 실질적으로 평행하고 두 개의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b)의 최상부 표면 위에 위치되는 제1 평면이다.

여기에 설명된 자기 어셈블리들(xOO)은 a) 적어도 제1 세트(S1) 및 제2 세트(S2) - 각각의 세트(S1, S2)는 여기에 설명된 제1 막대 쌍극자 자석들(x31) 및 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b)을 포함함 - 및 b) 여기에 설명된 제3 막대 쌍극자 자석들(x33_a 및 x33_b)의 제1 쌍(P1)을 포함하고, 제1 세트(S1) 및 제2 세트(S2)의 제1 막대 쌍극자 자석들(x31), 제1 세트(S1) 및 제2 세트(S2)의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b) 및 제3 막대 쌍극자 자석들(x33_a 및 x33_b)은 여기에 설명된 비-자성 지지 매트릭스에 적어도 부분적으로 내장된다.

예를 들어 도 2a에 도시된 바와 같이, 각각의 제1 세트(S1) 및 제2 세트(S2)는 i) 여기에 설명된 제1 막대 쌍극자 자석(x31) 및 여기에 설명된 두 개의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b)을 포함한다. 제1 세트(S1) 및 제2 세트(S2)의 막대 쌍극자 자석들(x31)은 제1 두께(L1), 제1 길이(L4) 및 제1 폭(L5)을 갖고, (여기에 설명된 방법 동안 기판(x20)에 실질적으로 평행하고) 길이(L4)에 실질적으로 평행하고 제1 평면에 실질적으로 평행하도록 배향된 그들의 자기 축들을 갖는다. 제1 세트(S1) 및 제2 세트(S2)의 제1 막대 쌍극자 자석들(x31)은 실질적으로 동일한 제1 길이(L4) 및 제1 폭(L5)을 갖는다. 제1 세트(S1) 및 제2 세트(S2)의 제1 막대 쌍극자 자석들(x31)은 바람직하게는 제2 세트(S2)의 제1 막대 쌍극자 자석(x31)과 실질적으로 동일한 제1 두께(L1)를 갖는다. 제1 세트(S1) 및 제2 세트(S2)의 제1 막대 쌍극자 자석들(x31)은 제1 거리(d1)만큼 이격된다. 제1 세트(S1) 및 제2 세트(S2)의 제1 막대 쌍극자 자석들(x31) 사이의 제1 거리(d1)는 바람직하게는 제1 길이(L4)의 15%보다 크거나 그와 동일하고 제1 길이(L4)의 150%보다 작거나 그와 동일하고(즉, 0.15*L4 ≤ d1 ≤ 15*L4), 보다 바람직하게는 제1 길이(L4)의 25%보다 크거나 그와 동일하고 제1 길이(L4)의 120%보다 작거나 그와 동일하고(즉, 0.25*L4 ≤ d1 ≤ 12*L4), 훨씬 보다 바람직하게는 제1 길이(L4)의 25%보다 크거나 그와 동일하고 제1 길이(L4)의 80%보다 작거나 그와 동일하다(즉, 0.25*L4 ≤ d1 ≤ 0.8*L4).

제1 세트(S1)의 제1 막대 쌍극자 자석(x31)은 제2 세트(S2)의 제1 막대 쌍극자 자석(x31)의 자기 방향과 반대인 자기 방향을 갖는다.

제1 세트(S1) 및 제2 세트(S2)의 제1 막대 쌍극자 자석들(x31)은 단일 조각들 일 수 있거나 제1 폭(L5), 제1 두께(L1)를 갖는 두 개 이상의 인접한 막대 쌍극자 자석들(x31_i)에 의해 형성될 수 있고, 여기에 설명된 제1 길이(L4)는 상기 두 개 이상의 인접한 막대 쌍극자 자석들(x31_i) 모두의 합이다.

제1 세트(S1) 및 제2 세트(S2)의 두 개의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b)은 제2 두께(L2), 제2 길이(L6) 및 제2 폭(L7)을 갖고 서로 같은 높이인 그들의 최상부 표면들을 갖는다. 제1 세트(S1) 및 제2 세트(S2)의 두 개의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b)은 (여기에 설명된 방법 동안 기판(x20)에 실질적으로 직각이고) 그들의 두께(L2)에 실질적으로 평행하고 제1 평면에 실질적으로 직각이 되도록 배향된 그들의 자기 축들을 갖는다. 제1 세트(S1) 및 제2 세트(S2)의 두 개의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b)은 실질적으로 동일한 제2 길이들(L6) 및 실질적으로 동일한 제2 폭들(L7)을 갖는다. 제1 세트(S1)의 두 개의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b)은 바람직하게는 제2 세트(S2)의 두 개의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b)과 실질적으로 동일한 제2 두께(L2)를 갖는다.

제1 세트(S1) 및 제2 세트(S2)의 각 세트에 대해, 제1 막대 쌍극자 자석(x31) 및 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a, x32_b)이 칼럼을 형성하도록 정렬되고, 각각의 제1 세트(S1) 및 제2 세트(S2)의 제1 막대 쌍극자 자석(x31)이 각각 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b) 사이에 배치되고 그들로부터 제2 거리(d2)만큼 이격되며, 상기 제2 거리(d2)는 제1 세트(S1) 및 제2 세트(S2)에 대해 실질적으로 동일하다.

각 세트(S1, S2)에 대해, 제1 막대 쌍극자 자석(x31)의 북극이 제2 막대 쌍극자 자석(x32_a, x32_b)을 가리킬 때, 해당 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a, x32_b) 중 하나의 북극은 (여기에 설명된 방법 동안 기판(x20)을 가리키고) 제1 평면을 가리키며, 제1 막대 쌍극자 자석(x31)의 남극이 제2 막대 쌍극자 자석(x32_a, x32_b)을 가리킬 때, 해당 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a, x32_b) 중 나머지 하나의 남극은 (여기에 설명된 방법 동안 기판(x20)을 가리키고) 제1 평면을 가리킨다.

예를 들어, 도 2a에 도시된 바와 같이, 여기에 설명된 제1 쌍(P1)은 여기에 설명된 제3 막대 쌍극자 자석들(x33_a 및 x33_b)을 포함하고, 상기 제3 막대 쌍극자 자석들(x33_a 및 x33_b)은 제3 두께(L3), 제3 길이(L8) 및 제3 폭(L9)을 갖고, (여기에 설명된 방법 동안 기판(x20)에 실질적으로 평행하고) 제1 평면에 실질적으로 평행하도록 배향된 그들의 자기 축들을 갖는다.

제1 세트(S1) 및 제2 세트(S2)의 두 개의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b)의 제2 폭들(L7)은 제3 막대 쌍극자 자석들(x33_a 및 x33_b)의 제3 폭(L9)과 실질적으로 동일한 값을 갖는다.

각각의 제3 막대 쌍극자 자석들(x33_a 및 x33_b)은, 두 개의 라인들을 형성하기 위해 제1 세트(S1)의 하나의 제2 막대 쌍극자 자석(x32_a 및 x32_b) 및 제2 세트(S2)의 하나의 제2 막대 쌍극자 자석(x32_a 및 x32_b)과 정렬되고, 제3 막대 쌍극자 자석들(x33_a 및 x33_b)은 개개의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b) 사이에 배치되고 그들로부터 제3 거리(d3)만큼 이격되며, 상기 제3 거리(d3)는 두 개의 라인들에 대해 실질적으로 동일하다.

제3 막대 쌍극자 자석들(x33_a 및 x33_b)의 북극들은 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b) 중 각각 하나을 가리키고, 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b) 중 상기 하나의 북극들은 (여기에 설명된 방법 동안 기판(x20)을 가리키고) 제1 평면을 가리키며; 또는 제3 막대 쌍극자 자석들(x33_a 및 x33_b)의 남극들은 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b) 중 각각 하나를 가리키고, 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b) 중 상기 하나의 남극들은 (여기에 설명된 방법 동안 기판(x20)을 가리키고) 제1 평면을 가리킨다.

예를 들어, 도 2a, 도 3 및 도 4에 도시된 바람직한 실시예에 따르면, 여기에 설명된 자기 어셈블리(x00)는 평면도로부터 관찰될 때 직사각형 형상, 특히 정사각형 형상이다. 따라서, 직사각형 형상, 특히 정사각형 형상인 자기 어셈블리(x00)는 도 2a의 제1 세트(S1) 및 제2 세트(S2)에 의해 형성된 두 개의 칼럼들 그리고 두 개의 라인들에 의해; 또는 도 3의 제1 세트 및 제3 세트(S1, S3)의 두 개의 칼럼들 그리고 두 개의 라인들에 의해; 또는 도 4의 제1 세트 및 제4 세트(S1, S4)의 두 개의 칼럼들 그리고 두 개의 라인들에 의해 구분된다.

제1 세트(S1) 및 제2 세트(S2)의 제1 막대 쌍극자 자석들(x31)의 제1 두께(L1)는 바람직하게는 제1 세트(S1) 및 제2 세트(S2)의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b)의 제2 두께(L2)와 동일하거나 그보다 작다. 보다 바람직하게는, 제1 세트(S1) 및 제2 세트(S2)의 제1 막대 쌍극자 자석들(x31)의 제1 두께(L1)에 대한 제1 세트(S1) 및 제2 세트(S2)의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b)의 제2 두께(L2)의 비율(L2/L1)은, 3과 동일하거나 그보다 작고 1보다 크거나 그와 동일하고(즉, 1 ≤ L2/L1 ≤ 3), 훨씬 보다 바람직하게는 2.5와 동일하거나 그보다 작고 1.5보다 크거나 그와 동일하다(즉, 1.5 ≤ L2/L1 ≤ 2.5).

제1 세트(S1) 및 제2 세트(S2)의 제1 막대 쌍극자 자석들(x31)의 제1 두께(L1)는 바람직하게는 제1 쌍(P1)의 제3 막대 쌍극자 자석들(x33_a 및 x33_b)의 제3 두께(L3)와 동일하거나 그보다 작다. 보다 바람직하게는, 제1 세트(S1) 및 제2 세트(S2)의 제1 막대 쌍극자 자석들(x31)의 제1 두께(L1)에 대한 제1 쌍(P1)의 제3 막대 쌍극자 자석들(x33_a 및 x33_b)의 제3 두께(L3)의 비율(L3/L1)은, 3과 동일하거나 그보다 작고 1보다 크거나 그와 동일하고(즉, 1 ≤ L3/L1 ≤ 3), 훨씬 보다 바람직하게는 2.5와 동일하거나 그보다 작고 1.5보다 크거나 그와 동일하다(즉, 1.5 ≤ L3/L1 ≤ 2.5).

제1 막대 쌍극자 자석(x31)과 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b) 사이의 제2 거리(d2)는 0보다 크거나 그와 동일하고 제1 막대 쌍극자 자석들(x31)의 제1 두께(L1)의 1/2보다 작거나 그와 동일하다(즉, 0 ≤ d2 ≤ ½L1).

제1 쌍(P1)의 제3 막대 쌍극자 자석들(x33_a 및 x33_b)과 제1 세트(S1) 및 제2 세트(S2)의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b) 사이의 제3 거리(d3)는, 0보다 크거나 그와 동일하고 제1 막대 쌍극자 자석들(x31)의 제1 두께(L1)의 1/2보다 작거나 그와 동일하다(즉, 0 ≤ d3 ≤ ½L1).

도 2a에 도시된 바와 같이, 제1 세트(S1) 및 제2 세트(S2)의 제1 막대 쌍극자 자석들(x31) 사이의 제1 거리(d1)는, 제3 막대 쌍극자 자석들(x33_a 및 x33_b) 중 하나의 제3 길이(L8)와, 제3 막대 쌍극자 자석들(x33_a 및 x33_b)과 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b)사이의 두 개의 제3 거리들(d3)의 합으로 구성된다.

예를 들어, 도 2a 및 도 2b1 내지 도 2b3에서 도시된 일 실시예에 따르면, 제1 세트(S1) 및 제2 세트(S2)의 제1 막대 쌍극자 자석들(x31)의 최상부 표면은, 제1 세트(S1) 및 제2 세트(S2)의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b)의 최상부 표면과 같은 높이이다. 제1 세트(S1) 및 제2 세트(S2)의 제1 막대 쌍극자 자석들(x31)의 최상부 표면은, 제1 세트(S1) 및 제2 세트(S2)의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b)의 최상부 표면과 같은 높이이고, 또한 제3 막대 쌍극자 자석들(x33_a 및 x33_b)의 최상부 표면과 같은 높이이다.

예를 들어, 도 2c1 내지 도 2d3에서 도시된 다른 실시예에 따르면, 제1 세트(S1) 및 제2 세트(S2)의 제1 막대 쌍극자 자석들(x31)의 최상부 표면은, 제1 세트(S1) 및 제2 세트(S2)의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b)의 최상부 표면과 같은 높이가 아니며, 제1 세트(S1) 및 제2 세트(S2)의 제1 막대 쌍극자 자석(x31)의 최상부 표면과, 제1 세트(S1) 및 제2 세트(S2)의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b) 사이에는 제4 거리(d4)가 존재한다. 이러한 실시예에 따르면, 제1 세트(S1) 및 제2 세트(S2)의 제1 막대 쌍극자 자석들(x31)의 최상부 표면과, 제1 세트(S1) 및 제2 세트(S2)의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b) 사이의 제4 거리(d4)의 절대값은, 0보다 크고 제1 막대 쌍극자 자석들(x31)의 제1 두께(L1)의 절반보다 작거나 그와 동일하다(즉, 0 < |d4| ≤ ½L1).

일 실시예에 따르면, 자기 어셈블리들(x00)은, i) 제1 세트(S1) 및 제2 세트(S2)에 대해 설명된 것과 같은 제(2+i) 세트(S_(2+i)) 및 그에 대응하는 ii) (여기에 설명된 것들과 같은) 추가의 제(1+i) 쌍(P_1+i)을 포함하는 하나 이상의 조합들을 더 포함할 수 있고, i = 1, 2, 등이다.

여기에 설명된 각각의 조합에 대해, 제(2+i) 세트 (S_(2+i))는, 제1 두께(L1), 제1 길이(L4) 및 제1 폭(L5)을 갖고, 제1 평면에 실질적으로 평행하도록 배향된 그의 자기 축을 갖는 하나의 추가의 제1 막대 쌍극자 자석(x31) 및 제2 두께(L2), 제2 길이(L6) 및 제2 폭(L7)을 갖는 두 개의 추가의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b)을 포함하고, 두 개의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a, x32_b)은 서로 같은 높이인 그들의 최상부 표면들을 가지며, 제1 평면에 실질적으로 직각이 되도록 배향된 그들의 자기 축들을 갖고, 제(2+i) 세트(S_(2+i))의 제1 막대 쌍극자 자석(x31)은 제(2+i-1) 세트(S_2+i-1)의 제1 막대 쌍극자 자석(x31)의 자기 방향과 반대인 자기 방향을 갖고; 제(2+i) 세트(S_(2+i)) 및 제(2+i-1) 세트(S_2+i-1)의 제1 막대 쌍극자 자석들(x31)은 제1 거리(d1)만큼 이격되고; 제(2+i) 세트(S_(2+i))의 제1 막대 쌍극자 자석(x31)은 제(2+i-1) 세트(S_2+i-1)의 제1 막대 쌍극자 자석(x31)과 실질적으로 동일한 길이(L5) 및 폭(L4)을 갖고; 제(2+i) 세트(S_(2+i))의 두 개의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a, x32_b)은 제(2+i-1) 세트(S_2+i-1)의 두 개의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a, x32_b)과 실질적으로 동일한 길이들(L6) 및 폭들(L7)을 갖고; 제1 막대 쌍극자 자석(x31) 및 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a, x32_b)이 칼럼을 형성하도록 정렬되고, 제(2+i) 세트(S_(2+i))의 제1 막대 쌍극자 자석(x31)이 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a, x32_b) 사이에 배치되고 그들로부터 제2 거리(d2)만큼 이격되며; 제1 길이(L4) 및 제2 길이(L6)는 실질적으로 동일하고; 제(2+i) 세트(S_(2+i))의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a, x32_b) 중 하나의 북극은 제1 평면을 가리키고 제1 막대 쌍극자 자석(x31)의 북극은 해당 제2 막대 쌍극자 자석을 가리키고, 제(2+i) 세트(S_(2+i))의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a, x32_b) 중 나머지 하나의 남극은 제1 평면을 가리키고, 제1 막대 쌍극자 자석(x31)의 남극은 해당 제2 막대 쌍극자 자석을 가리킨다.

여기에 설명된 각각의 조합에 대해, 제(1+i) 쌍(P_1+i)는, 제3 두께(L3), 제3 길이(L9) 및 제3 폭(L8)을 갖고 제(1+i-1) 쌍(P_1+i-1)의 제3 막대 쌍극자 자석들(x33_a 및 x33_b)의 자기 축들과 실질적으로 평행하도록 배향된 그들의 자기 축들을 갖는 제3 막대 쌍극자 자석들(x33_a 및 x33_b)을 포함한다.

도 3에 도시된 바와 같이, 자기 어셈블리들(xOO)은, c) 여기에 설명된 것들과 같은 제3 세트(S3)(즉, i = 1인 제(2+i) 세트) 및 d) 여기에 설명된 것들과 같은 추가의 제2 쌍(P2)(즉, i = 1인 제(1+i) 쌍)을 더 포함할 수 있다. 예를 들어 도 3에 도시된 바와 같이, 자기 어셈블리(xOO)는, c) 제3 세트(S3) - 상기 제3 세트(S3)는 i) 추가의 제1 막대 쌍극자 자석(x31) 및 ii) 두 개의 추가의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b)을 포함함 - 및 d) 제2 쌍(P2) - 상기 제2 쌍(P2)은 두 개의 추가의 제3 막대 쌍극자 자석들(x33_a 및 x33_b)을 포함함 - 을 더 포함 할 수 있고, 제3 세트(S3)의 제1 막대 쌍극자 자석들(x31), 제3 세트(S3)의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b) 및 제2 쌍(P2)의 제3 막대 쌍극자 자석들(x33_a 및 x33_b)은 여기에 설명된 비-자성 지지 매트릭스(도 3에는 도시되지 않음)에 적어도 부분적으로 내장된다.

제3 세트(S3)의 제1 막대 쌍극자 자석(x31)은 제1 두께(L1), 제1 길이(L4) 및 제1 폭(L5)을 갖는다. 제3 세트(S3)의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b)은 제2 두께(L2), 제2 길이(L6) 및 제2 폭(L7)을 갖고 서로 같은 높이인 그들의 최상부 표면들을 갖는다.

제3 세트(S3)의 제1 막대 쌍극자 자석(x31)은, (여기에 설명된 방법 동안 기판(x20)에 실질적으로 평행하고) 제1 평면에 실질적으로 평행하도록 배향된 그의 자기 축을 갖는다. 제3 세트(S3)의 제1 막대 쌍극자 자석(x31)은 제2 세트(S2)의 제1 막대 쌍극자 자석(x31)의 자기 방향과 반대인 자기 방향을 갖는다. 제3 세트(S3)의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b)은 (여기에 설명된 방법 동안 기판(x20)에 실질적으로 직각이고) 제1 평면에 직각이 되도록 배향된 그들의 자기 축들을 갖는다.

제3 세트 및 제2 세트(S3, S2)의 제1 막대 쌍극자 자석들(x31)은 제1 거리(d1)만큼 이격되고, 상기 제1 거리(d1)는 제1 세트(S1) 및 제2 세트(S2)에 대한 제1 거리(d1)와 실질적으로 동일하다.

제3 세트(S3)의 제1 막대 쌍극자 자석(x31)은 제2 세트(S2)의 제1 막대 쌍극자 자석(x31)과 실질적으로 동일한 제1 길이(L4) 및 제1 폭(L5)을 갖고, 제3 세트(S3)의 두 개의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b)은 제2 세트(S2)의 두 개의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a, x32_b)과 실질적으로 동일한 제2 길이들(L6) 및 제2 폭들(L7)을 갖는다. 제3 세트(S3)의 제1 막대 쌍극자 자석(x31)의 제1 폭(L5)과 제3 세트(S3)의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b)의 제2 길이들(L6)은 실질적으로 동일하다.

제 3 세트(S3)의 제1 막대 쌍극자 자석(x31) 및 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a, x32_b)은 칼럼을 형성하도록 정렬되고, 제3 세트(S3)의 제1 막대 쌍극자 자석(x31)이 제3 세트(S3)의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b) 사이에 배치되고 그들로부터 제2 거리(d2)만큼 이격되며, 상기 제2 거리(d2)는 제1 세트(S1) 및 제2 세트(S2)에 대한 제2 거리(d2)와 실질적으로 동일하다.

제3 세트(S3)의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a, x32_b) 중 하나의 북극은 (여기에 설명된 방법 동안 기판(x20)을 가리키고) 제1 평면을 가리키며 제1 막대 쌍극자 자석(x31)의 북극은 해당 제2 막대 쌍극자 자석(x32_a, x32_b)을 가리킨다. 제3 세트의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a, x32_b) 중 나머지 하나의 남극은 (여기에 설명된 방법 동안 기판(x20)을 가리키고) 제1 평면을 가리키며 제1 막대 쌍극자 자석(x31)의 남극은 해당 제2 막대 쌍극자 자석(x32_a, x32_b)을 가리킨다.

제2 쌍(P2)의 제3 막대 쌍극자 자석들(x33_a 및 x33_b)은 제3 두께(L3), 제3 길이(L8) 및 제3 폭(L9)을 갖고, (여기에 설명된 방법 동안 제1 평면에 실질적으로 평행하고 기판(x20)에 실질적으로 평행하며) 제1 쌍(P1)의 제3 막대 쌍극자 자석들(x33_a 및 x33_b)의 자기 축들과 평행하도록 배향된 그들의 자기 축들을 갖는다.

제2 쌍(P2)의 제3 막대 쌍극자 자석들(x33_a 및 x33_b) 각각은, 두 개의 라인들을 형성하기 위해 제3 세트(S3)의 하나의 제2 막대 쌍극자 자석(x32_a 및 x32_b) 및 제2 세트(S2)의 하나의 제2 막대 쌍극자 자석(x32_a 및 x32_b)과 정렬되고, 제3 막대 쌍극자 자석들(x33_a 및 x33_b)은 개개의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b) 사이에 배치되고 그들로부터 제3 거리(d3)만큼 이격되며, 제3 거리(d3)는 여기에 설명된 제3 거리(d3)와 실질적으로 동일하다.

제2 쌍(P2)의 제3 막대 쌍극자 자석들(x33_a 및 x33_b)의 북극들은 제3 세트 및 제2 세트(S3, S2)의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b) 중 각각 하나를 가리키고, 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b) 중 상기 하나의 북극들은 (여기에 설명된 방법 동안 기판(x20)을 가리키고) 제1 평면을 가리키고; 또는 제2 쌍(P2)의 제3 막대 쌍극자 자석들(x33_a 및 x33_b)의 남극들은 제3 세트 및 제2 세트(S3, S2)의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b) 중 각각 하나를 가리키고, 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b) 중 상기 하나의 남극들은 (여기에 설명된 방법 동안 기판(x20)을 가리키고) 제1 평면을 가리킨다.

도 4에 도시된 바와 같이, 자기 어셈블리들(xOO)은, i) 여기에 설명된 것들과 같은 제4 세트(S4)(즉, i = 2인 제(2+i) 세트) 및 여기에 설명된 것들과 같은 추가의 제3 쌍(P3)(즉, i = 2인 제(1+i) 쌍)을 포함하는 하나 이상의 조합들을 더 포함할 수 있다. 예를 들어 도 4에 도시된 바와 같이, 자기 어셈블리들(xOO)은, c) 전술한 제3 세트(S3) 및 제4 세트(S4) - 상기 제4 세트(S4)는 i) 추가의 제1 막대 쌍극자 자석(x31) 및 ii) 두 개의 추가의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b)을 포함함 - 및 d) 여기에 설명된 제2 쌍(P2) 및 제3 쌍(P3) - 상기 제3 쌍(P3)은 제3 막대 쌍극자 자석들(x33_a 및 x33_b)을 포함함 - 을 더 포함할 수 있고, 제4 세트(S4)의 제1 막대 쌍극자 자석들(x31), 제4 세트(S4)의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b) 및 제3 쌍(P3)의 제3 막대 쌍극자 자석들(x33_a 및 x33_b)은 여기에 설명된 비-자성 지지 매트릭스(도 4에는 도시되지 않음)에 적어도 부분적으로 내장된다.

제4 세트(S4)의 제1 막대 쌍극자 자석(x31)은 제1 두께(L1), 제1 길이(L4) 및 제1 폭(L5)을 갖는다. 제4 세트(S4)의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b)은 제2 두께(L2), 제2 길이(L6) 및 제2 폭(L7)을 갖고 서로 같은 높이인 그들의 최상부 표면들을 갖는다.

제4 세트(S4)의 제1 막대 쌍극자 자석(x31)은, (여기에 설명된 방법 동안 기판(x20)에 실질적으로 평행하고) 제1 평면에 실질적으로 평행하도록 배향된 그의 자기 축을 갖는다. 제4 세트(S4)의 제1 막대 쌍극자 자석(x31)은 제3 세트(S3)의 제1 막대 쌍극자 자석(x31)의 자기 방향과 반대인 자기 방향을 갖는다. 제4 세트(S4)의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b)은 (여기에 설명된 방법 동안 기판(x20)에 실질적으로 직각이고) 제1 평면에 직각이 되도록 배향된 그들의 자기 축들을 갖는다.

제4 세트 및 제3 세트(S4, S3)의 제1 막대 쌍극자 자석들(x31)은 제1 거리(d1)만큼 이격되고, 상기 제1 거리(d1)는 제1 세트(S1) 및 제2 세트(S2)에 대한 제1 거리(d1)와 실질적으로 동일하고, 제2 세트 및 제3 세트(S2, S3)에 대한 제1 거리(d1)와 실질적으로 동일하다.

제4 세트(S4)의 제1 막대 쌍극자 자석(x31)은, 제4 세트(S4)의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b)의 제2 길이(L6), 제3 세트(S3)의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b)의 제2 길이(L6), 제2 세트(S2)의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a, x32_b)의 제2 길이(L6), 및 제1 세트(S1)의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a, x32_b)의 제2 길이(L6)와 실질적으로 동일한 제1 길이(L4)를 갖는다.

제4 세트(S4)의 제1 막대 쌍극자 자석(x31)은, 제3 세트(S3)의 제1 막대 쌍극자 자석(x31), 제2 세트(S2)의 제1 막대 쌍극자 자석(x31) 및 제1 세트(S1)의 제1 막대 쌍극자 자석(x31)과 실질적으로 동일한 제1 길이(L4) 및 제1 폭(L5)을 갖는다.

제4 세트(S4)의 두 개의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a, x32_b)은, 제3 세트(S3)의 두 개의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a, x32_b), 제2 세트(S2)의 두 개의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a, x32_b) 및 제1 세트(S1)의 두 개의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a, x32_b)과 실질적으로 동일한 제2 길이들(L6) 및 제2 폭들(L7)을 갖는다.

제4 세트(S4)의 제1 막대 쌍극자 자석(x31)의 제1 폭(L5)과 제4 세트(S4)의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b)의 제2 길이들(L6)은 실질적으로 동일하다.

제4 세트(S4)의 제1 막대 쌍극자 자석(x31) 및 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a, x32_b)은 칼럼을 형성하도록 정렬되고, 제4 세트(S4)의 제1 막대 쌍극자 자석(x31)이 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b) 사이에 배치되고 그들로부터 제2 거리(d2)만큼 이격되며, 상기 제2 거리(d2)는 제1 세트(S1) 및 제2 세트(S2)에 대한 제2 거리(d2) 및 제2 세트 및 제3 세트(S2, S3)에 대한 제2 거리(d2)와 실질적으로 동일하다.

제4 세트(S4)의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a, x32_b) 중 하나의 북극은 (여기에 설명된 방법 동안 기판(x20)을 가리키고) 제1 평면을 가리키며 제1 막대 쌍극자 자석(x31)의 북극은 해당 제2 막대 쌍극자 자석을 가리킨다. 제4 세트(S4)의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a, x32_b) 중 나머지 하나의 남극은 (여기에 설명된 방법 동안 기판(x20)을 가리키고) 제1 평면을 가리키며 제1 막대 쌍극자 자석(x31)의 남극은 해당 제2 막대 쌍극자 자석(x32_a, x32_b)을 가리킨다.

제3 쌍(P3)의 제3 막대 쌍극자 자석들(x33_a 및 x33_b)은 제3 두께(L3), 제3 길이(L8) 및 제3 폭(L9)을 갖고, (여기에 설명된 방법 동안 제1 평면에 실질적으로 평행하고 기판(x20)에 실질적으로 평행하며) 제1 쌍(P1)의 제3 막대 쌍극자 자석들(x33_a 및 x33_b)의 자기 축들과 실질적으로 평행하고 제2 쌍(P2)의 제3 막대 쌍극자 자석들(x33_a 및 x33_b)의 자기 축들과 실질적으로 평행하도록 배향된 그들의 자기 축들을 갖는다.

제3 쌍(P3)의 제3 막대 쌍극자 자석들(x33_a 및 x33_b) 각각은, 두 개의 라인들을 형성하기 위해 제4 세트(S4)의 하나의 제2 막대 쌍극자 자석(x32_a 및 x32_b) 및 제3 세트(S3)의 하나의 제2 막대 쌍극자 자석(x32_a 및 x32_b)과 정렬되고, 제3 막대 쌍극자 자석들(x33_a 및 x33_b)은 개개의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b) 사이에 배치되고 그들로부터 제3 거리(d3)만큼 이격되며, 제3 거리(d3)는 여기에 설명된 제3 거리(d3)와 실질적으로 동일하다.

제3 쌍(P3)의 제3 막대 쌍극자 자석들(x33_a 및 x33_b)의 북극들은 제4 세트 및 제3 세트(S4, S3)의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b) 중 각각 하나를 가리키고, 제3 쌍(P3)의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b) 중 상기 하나의 북극들은 (여기에 설명된 방법 동안 기판(x20)을 가리키고) 제1 평면을 가리키고; 또는 제3 쌍(P3)의 제3 막대 쌍극자 자석들(x33_a 및 x33_b)의 남극들은 제4 세트 및 제3 세트(S4, S3)의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b) 중 각각 하나를 가리키고, 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b) 중 상기 하나의 남극들은 (여기에 설명된 방법 동안 기판(x20)을 가리키고) 제1 평면을 가리킨다.

여기에 설명된 제1 막대 쌍극자 자석들(x31), 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b) 및 제3 막대 쌍극자 자석들(x33_a 및 x33_b)을 포함하는, 여기에 설명된 자기 어셈블리들(xOO)의 상부 표면은 평평할 수 있고 만곡될 수 있다. 자기 어셈블리(xOO)가 실린더의 부근에서 사용되는 실시예들에 대해(예를 들어, 도 5b 내지 도 5g 참조), 상기 어셈블리들(xOO)의 상부 표면은 실린더의 곡률(예를 들어, 도 3b 및 도 3c 참조) 및 코팅 층(x10)을 반송하는 기판(x20)의 곡률과 일치하기 위해 만곡되고, 자기 어셈블리(xOO)의 곡률은 상기 어셈블리를 구부림으로써 획득된다. 어셈블리(xOO)의 상부 표면이 만곡된 실시예들에 대해, 여기에 설명된 제1 평면에 지향된 모든 참조들 및 여기에 설명된 (제1 평면에 실질적으로 평행/직각인) 자기 축의 배향은 평평해진(즉, 그의 구부러지기 전의 그의 구성) 자기 어셈블리에 대응한다. 어셈블리(xOO)의 상부 표면이 만곡된 실시예들에 대해, 자기 어셈블리(xOO)는, 막대 쌍극자 자석들(x31)의 제1 폭(L5), 두 개의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b)의 제2 길이(L6) 및 제3 막대 쌍극자 자석들(x33_a 및 x33_b)의 제3 길이(L8)가 기본적으로 실린더의 회전 축에 직각이고 (L5), (L6) 및 (L8)의 중심들이 기본적으로 실린더 표면에 접하도록, 제1 실린더 평면 주위에 배열된다. 이러한 실시예들에서, 자기 어셈블리(xOO)는 만곡된 제1 평면 주위 및 실린더 주위에 다면체(polyhedral) 표면을 형성한다. 이러한 실시예들에서, 거리(d3)는 두 개의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32a 또는 x32b)과 제3 막대 쌍극자 자석들(x33a 또는 x33b)의 개개의 측면들 사이의 최소 거리에 대응한다.

여기에 설명된 세트들(S1, S2 등)의 제1 막대 쌍극자 자석들(x31)의 재료들, 여기에 설명된 세트들(S1, S2 등)의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b)의 재료들, 여기에 설명된 쌍(들)(P1등)의 제3 막대 쌍극자 자석들(x33_a 및 x33_b)의 재료들 뿐만 아니라 제1 거리(d1), 제2 거리(d2), 제3 거리(d3), 제4 거리(d4) 및 거리(h)는, 여기에 설명된 자기 어셈블리(xOO)에 의해 생성된 자기장으로부터 생기는 자기장이 기판 표면에 실질적으로 평행한, 소판형(platelet-shaped) 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들의 X축들과 Y축들 둘 다를 갖기 위해 여기에 설명된 소판형 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들의 적어도 일부를 이축으로(bi-axially) 배향하기에 적합하도록, 선택된다.

여기에 설명된 세트들(S1, S2 등)의 제1 막대 쌍극자 자석들(x31), 여기에 설명된 세트들(S1, S2 등)의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b) 및 여기에 설명된 쌍(들)(P1 등)의 제3 막대 쌍극자 자석들(x33_a 및 x33_b)은 바람직하게는 독립적으로 높은 보자력(high-coercivity) 재료들(강자성 재료들로서도 지칭됨)로 만들어진다. 적합한 높은 보자력 재료들은, 적어도 20kJ/m³, 바람직하게는 적어도 50kJ/m³, 보다 바람직하게는 적어도 100kJ/m³, 훨씬 보다 바람직하게는 적어도 200kJ/m³의 에너지적(energy product)(BH)max의 최대값을 갖는 재료들이다. 그들은, 바람직하게는 예를 들어 알니코(Alnico) 5(R1-1-1), 알니코 5 DG(R1-1-2), 알니코 5-7(R1-1-3), 알니코 6(R1-1-4), 알니코 8(R1-1-5), 알니코 8 HC(R1-1-7) 및 알니코 9(R1-1-6)과 같은 알니코들로 구성된 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 소결(sintered) 또는 폴리머 결합(polymer bonded) 자성 재료들; 화학식 MFe₁₂O₁₉의 헥사페라이트들(hexaferrites)(예를 들어, 스트론튬(strontium) 헥사페라이트(SrO*6Fe₂O₃) 또는 바륨 헥사페라이트(BaO*6Fe₂O₃)), 화학식 MFe₂O₄의 경질(hard) 페라이트들(예를 들어, 코발트 페라이트(CoFe₂O₄) 또는 마그네타이트(magnetite)(Fe₃O₄)이고 M은 2가 금속 이온임), 세라믹 8(SI-1-5); RECo₅(RE = Sm 또는 Pr), RE₂TM₁₇(RE = Sm, TM = Fe, Cu, Co, Zr, Hf), RE₂TM₁₄B(RE = Nd, Pr, Dy, TM = Fe, Co)를 포함하는 그룹으로부터 선택된 희토류 자성 재료들; Fe Cr Co의 이방성 합금들; PtCo, MnAIC, RE 코발트 5/16, RE 코발트 14의 그룹으로부터 선택된 재료들로 만들어진다. 바람직하게는, 막대 쌍극자 자석들의 높은 보자력 재료들은 희토류 자성 재료들로 구성된 그룹으로부터 선택되고, 보다 바람직하게는 Nd2Fe14B 및 SmCo5로 구성된 그룹으로부터 선택된다. 플라스틱 또는 고무 유형의 매트릭스에 스트론튬-헥사페라이트(SrFe₁₂O₁₉) 또는 네오디뮴(neodymium)-철-붕소(Nd₂Fe₁₄B) 분말과 같은 영구 자성 충전제(filler)를 포함하는 쉽게 작업 가능한 영구 자성 복합 재료들이 특히 바람직하다. 제1 막대 쌍극자 자석들(x31), 제2 막대 쌍극자 자석(x32_a 및 x32_b) 및 제3 막대 쌍극자 자석들(x33_a 및 x33_b)은 하나 이상의 상이한 재료들로 만들어지거나 동일한 재료들로 만들어질 수 있다.

여기에 설명된 세트들(S1, S2 등)의 제1 막대 쌍극자 자석들(x31), 여기에 설명된 세트들(S1, S2 등)의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b) 및 여기에 설명된 쌍(들)(P1 등)의 제3 막대 쌍극자 자석들(x33_a 및 x33_b)은, 여기에 설명된 비-자성 지지 매트릭스에 적어도 부분적으로 내장되고, 상기 지지 매트릭스는 여기에 설명된 막대 쌍극자 자석들(x31, x32_a, x32_b, x33_a, x33_b)을 함께 유지하기 위해 사용된다. 여기에 설명된 비-자성 지지 매트릭스는 하나 이상의 비-자성 재료들로 만들어진다. 비-자성 재료들은 바람직하게는 비-자성 금속들 및 엔지니어링 플라스틱들 및 폴리머들로 구성된 그룹으로부터 선택된다. 비-자성 금속들은 알루미늄, 알루미늄 합금들, 황동들(구리 및 아연 합금들), 티타늄, 티타늄 합금들 및 오스테나이트(austenitic) 강들(즉, 비-자성 강들)을 포함하지만 이에 국한되지 않는다. 엔지니어링 플라스틱들 및 폴리머들은 폴리아릴에테르케톤들(PAEK) 및 그 유도체 폴리에테르에테르케톤들(PEEK), 폴리에테르케톤케톤들(PEKK), 폴리에테르에테르케톤케톤들(PEEKK) 및 폴리에테르케톤에테르케톤케톤(PEKEKK); 폴리아세탈들, 폴리아미드들, 폴리에스테르들, 폴리에테르들, 코폴리에테르에스테르를, 폴리이미드들, 폴리에테르이미드들, 고밀도 폴리에틸렌(HDPE), 초고분자량 폴리에틸렌(UHMWPE), 폴리부틸렌 테레프탈레이트(PBT), 폴리프로필렌, 아크릴로니트릴 부타디엔 스티렌(ABS) 코폴리머(copolymer), 불소화 및 과불화 폴리에틸렌들, 폴리스티렌들, 폴리카보네이트들, 폴리페닐렌설파이드(PPS) 및 액정 폴리머들을 포함하지만 이에 국한되지 않는다. 바람직한 재료들은, PEEK(폴리에테르에테르케톤), POM(폴리옥시메틸렌), PTFE(폴리테트라플루오로에틸렌), 나일론®(폴리아미드) 및 PPS이다.

또한, 여기에 설명된 자기 어셈블리(xOO) 및 이송 디바이스(x70)를 포함하는 인쇄 장치들이 여기에 설명되고, 상기 이송 디바이스는, 소판형 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들의 적어도 일부를 이축으로 배향하고 또한 기판(x20)과 자기 어셈블리(xOO) 사이에 일정한 거리를 제공하기 위해, 여기에 설명된 소판형 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들을 포함하는 방사선 경화성 코팅 조성물을 포함하는 기판(x20)이 여기에 설명된 자기 어셈블리(xOO)의 부근 및 그의 상부 상에서 이송 또는 운반되는 것을 허용한다.

여기에 설명된 이송 디바이스는 바람직하게는 체인들, 벨트들, 실린더들 및 그들의 조합들로 구성된 그룹으로부터 선택된 기판 가이딩 시스템으로 구성된다. 여기에 설명된 벨트들은 그 위에 장착된 자석들을 포함할 수 있다(당업계에서는 선형 자기 이송 디바이스들로서 지칭됨). 여기에 설명된 벨트들은 바람직하게는 그리퍼들(grippers)을 포함한다. 여기에 설명된 실린더들은, 그 위에 장착된 경자성 자석들(M1), 또는 보이드들 및/또는 만입부들 및/또는 돌출부들의 형태로 하나 이상의 표시들을 반송하는 연자성 플레이트들(M1)을 포함할 수 있는 회전하는 실린더들(x60, x70)(당업계에서는 회전하는 자기 배향 실린더로서 지칭됨)이다.

단일 자기 어셈블리(xOO)가 예를 들어 도 5a 내지 도 5d에 도시된 바와 같이 사용되는 방법들의 실시예들에 대해, 여기에서 상기 자기 어셈블리(xOO)는 여기에 설명된 이송 디바이스의 부근에 장착될 수 있고, 상기 이송 디바이스는 바람직하게는 그리퍼들을 포함하는 벨트(예를 들어, 도 5a 참조)이거나, 여기에 설명된 이송 디바이스의 부근에 장착되고, 상기 이송 디바이스는 바람직하게는 회전하는 실린더(x60, x70 및 x70-b)(도 5b 내지 도 5d 참조)이다.

여러 자기 어셈블리들(xOOa, xOOb 등), 즉 제1 자기 어셈블리(xOOa), 제2 자기 어셈블리(xOOb) 등이 예를 들어 도 5e 내지 도 5h에 도시된 바와 같이 독립적으로 사용되는 방법들의 실시예들에 대해, 여기에 설명된 제1 자기 어셈블리(x00a)는 여기에 설명된 이송 디바이스의 부근에 장착되고, 상기 이송 디바이스는 바람직하게는 그리퍼들을 포함하는 벨트(도 5e 및 도 5h 참조)이거나 회전하는 실린더(x60)의 부근에 장착된 벨트(도 5f 및 도 5g 참조)인 반면, 추가의 자기 어셈블리들(xOOb, xOOc 등)은 여기에 설명된 것들과 같은 이송 디바이스의 부근에 장착되고, 상기 이송 디바이스는 바람직하게는 회전하는 실린더(x70)(도 5f, 도 5g 및 도 5h 참조) 또는 회전하는 자기 실린더(x60)(도 5e, 도 5g 및 도 5h 참조)이다.

자기 어셈블리(xOO)가 회전하는 실린더의 부근에서 사용되는 실시예들에 대해(예를 들어, 도 5b 내지 도 5h 참조), 상기 어셈블리들(xOO)의 상부 표면은 바람직하게는 실린더의 곡률(예를 들어, 도 3b 및 도 3c 참조) 및 코팅 층(x10)을 반송하는 기판(x20)의 곡률과 일치하기 위해 만곡되고, 실린더의 직경과 제1 막대 쌍극자 자석들(x31)의 제1 폭(L4) 사이의 비율은 약 5보다 크거나 그와 동일한 것이 바람직하다.

예를 들어 도 2a 및 도 5a 내지 도 5h에 도시된 바와 같이, 여기에 설명된 인쇄 장치들은 경화 유닛(x50)을 더 포함할 수 있다. 적합한 경화 유닛들은, 중압(medium-pressure) 수은 아크(MPMA) 또는 금속 증기 아크 램프와 같은, 고출력 발광 다이오드(LED) 램프 또는 아크 방전 램프를 화학 방사선의 소스(source)로서 포함하는 UV-가시광선 경화 유닛들을 위한 장비들을 포함한다.

예를 들어, 도 5a 내지 도 5c 및 도 5e 내지 도 5h에 도시된 바와 같이, 여기에 설명된 인쇄 장치들은 하나 이상의 선택적 경화 유닛들(x80)을 더 포함할 수 있다. 선택적 경화는 적어도 두 개의 영역들로 만들어진 모티프(motif)를 나타내는 광학 효과 층들(OEL들)의 생성을 허용하며, 상기 두 개의 영역들은 두 개의 상이한 자기 배향 패턴들을 갖는다. 하나 이상의 선택적 경화 유닛들(x80)은 코팅 층의 일부로서 형성될 패턴에 대응하는 하나 이상의 보이드들을 포함하는 하나 이상의 고정된 또는 제거 가능한 포토마스크들(photomasks)을 포함할 수 있다. 하나 이상의 선택적 경화 유닛들(x80)은, EP 제2 468 423 A1호에 개시된 스캐닝 레이저 빔, WO 제2017/021504 A1호에 개시된 발광 다이오드들(LEDs)의 어레이 또는 화학 방사선 LED 소스(x41)와 같이 다루어지는 것이 가능할 수 있고, 화학 방사선 LED 소스(x41)는 동시 계류 중인 특허 출원 제PCT/EP2019/087072호에 개시된 개별적으로 다루어지는 것이 가능한 화학 방사선 방출기들의 어레이를 포함한다.

여기에 설명된 인쇄 장치들은, 여기에 설명된 기판 상에 여기에 설명된 비구형 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들을 포함하는 방사선 경화성 코팅 조성물을 도포하기 위한 코팅 또는 인쇄 유닛을 더 포함할 수 있다. 인쇄 유닛은, 스크린 인쇄 유닛, 윤전 그라비어(rotogravure) 인쇄 유닛, 플렉소(flexography) 인쇄 유닛, 잉크젯 인쇄 유닛, 요판(intaglio) 인쇄 유닛(당업계에서는 또한 각인된 구리 플레이트 인쇄 및 각인된 강 다이 인쇄로서 지칭됨) 또는 그들의 조합일 수 있다.

여기에 설명된 인쇄 장치들은, 기판(x20)이 시트들 또는 웹의 형태하에 상기 기판 공급 장치(feeder)에 의해 공급되도록, 기판 공급 장치를 더 포함할 수 있다.

본 발명은 기판들 상에 광학 효과 층들(OEL)을 생성하기 위한 방법들을 제공한다. 여기에 설명된 방법은, i) 여기에 설명된 코팅 층(x10)을 형성하기 위해, 여기에 설명된 소판형 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들을 포함하는 방사선 경화성 코팅 조성물을 여기에 설명된 기판(x20) 표면 상에 도포하는 단계를 포함하고, 상기 조성물이, 층으로서 그의 도포를 허용하고 아직 경화되지 않은(즉, 습윤) 상태인 제1 액체 상태에 있고, 소판형 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들은 조성물 내에서 이동 및 회전할 수 있다. 여기에 설명된 방사선 경화성 코팅 조성물이 기판(x20) 표면 상에 제공되기 때문에, 방사선 경화성 코팅 조성물은 적어도 여기에 설명된 것들과 같은 접합 재료 및 소판형 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들을 포함하고, 상기 조성물은 원하는 인쇄 또는 코팅 장비 상에서 그의 프로세싱을 허용하는 형태이다. 바람직하게는, 상기 단계는 i) 바람직하게는 스크린 인쇄, 윤전 그라비어 인쇄, 플렉소 인쇄, 잉크젯 인쇄 및 요판 인쇄(당업계에서는 또한 각인된 구리 플레이트 인쇄 및 각인된 강 다이 인쇄로서 지칭됨)로 구성된 그룹으로부터 선택되고, 보다 바람직하게는 요판 인쇄, 스크린 인쇄, 윤전 그라비어 인쇄 및 플렉소 인쇄로 구성된 그룹으로부터 선택되고, 그리고 훨씬 보다 바람직하게는 스크린 인쇄, 윤전 그라비어 인쇄 및 플렉소 인쇄로 구성된 그룹으로부터 선택된 인쇄 프로세스에 의해 수행된다.

여기에 설명된 방사선 경화성 코팅 조성물 뿐만 아니라 여기에 설명된 코팅 층(x10)은, 여기에 설명된 소판형 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들을 바람직하게는 약 5 중량% 내지 약 40 중량%, 보다 바람직하게는 약 10 중량% 내지 약 30 중량%의 양을 포함하고, 중량 백분율은 방사선 경화성 코팅 조성물 또는 코팅 조성물의 총 중량을 기반으로 한다.

여기에 설명된 소판형 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들은, 그들의 비구형 형상으로 인해, 하드닝된/경화된 접합 재료가 적어도 부분적으로 투명한 입사 전자기 방사선에 대해 비등방성(non-isotropic) 반사율을 갖는다. 여기에 사용되는 바와 같이, "비등방성 반사율"이라는 용어는, 입자에 의해 특정(보는) 방향(제2 각도)으로 반사되는 제1 각도로부터의 입사 방사선의 비율이 입자들의 배향의 함수임을 나타내고, 즉, 제1 각도에 대한 입자의 배향의 변경은 보는 방향에 대해 반사의 상이한 크기로 이어질 수 있다.

여기에 설명된 OEL은 그들의 형상으로 인해 비등방성 반사율을 갖는 소판형 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들을 포함한다. 여기에 설명된 OEL에서, 여기에 설명된 소판형 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들은 소판형 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들의 배향을 고정시키는 경화된 접합 재료를 포함하는 코팅 조성물에 분산된다. 접합 재료는 적어도 그의 경화된 또는 고체 상태(또한, 여기에 제2 상태로서 지칭됨)이고, 200nm와 2500nm 사이에 포함된 파장들의 범위, 즉 전형적으로 "광학 스펙트럼"으로서 지칭되고 전자기 스펙트럼의 적외선, 가시광선 및 UV 부분들을 포함하는 파장 범위 내의 전자기 방사선에 대해 적어도 부분적으로 투명하다. 따라서, 그의 경화된 또는 고체 상태의 접합 재료에 함유된 입자들 및 그들의 배향 의존 반사율은 이 범위 내의 일부 파장들에서 접합 재료를 통해 인지될 수 있다. 바람직하게는, 경화된 접합 재료는 200nm와 800nm 사이, 보다 바람직하게는 400nm와 700nm 사이에 포함되는 파장들의 범위의 전자기 방사선에 대해 적어도 부분적으로 투명하다. 여기에서, "투명한"이라는 용어는, OEL에 존재하는 하드닝된 접합 재료(소판형 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들을 포함하지 않지만, OEL의 모든 다른 선택적 구성요소들이 존재하는 경우, 그러한 구성요소들)의 20 μm의 층을 통한 전자기 방사선의 투과율이 관련된 파장(들)에서 적어도 50%, 보다 바람직하게는 적어도 60%, 훨씬 보다 바람직하게는 적어도 70%임을 나타낸다. 이것은, 예를 들어 DIN 5036-3(1979-11)과 같은 잘 정립된 테스트 방법들에 따라 예를 들어 하드닝된 접합 재료(소판형 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들을 포함하지 않음)의 테스트 조각의 투과율을 측정하여 결정될 수 있다. OEL이 은밀한(covert) 보안 피처의 역할을 한다면, 그 후 일반적으로 기술적 수단들이, 선택된 비가시광선 파장을 포함하는 개개의 조사(illuminating) 조건들하에서 OEL에 의해 발생된 (완전한) 광학 효과를 감지하기 위해 필요할 것이며; 상기 감지는 입사 방사선의 파장이 가시광선 범위 외부, 예를 들어 근 UV 범위에서 선택되는 것을 요구한다.

여기에 설명된 소판형 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들의 적합한 예들은, 코발트(Co), 철(Fe) 및 니켈(Ni)로 구성된 그룹으로부터 선택된 자성 금속; 철, 망간, 코발트, 니켈 또는 그들 중 두 개 이상의 혼합물의 자성 합금;크롬, 망간, 코발트, 철, 니켈 또는 그들 중 두 개 이상의 혼합물의 자성 산화물; 또는 이러한 것들 중 두 개 이상의 혼합물을 포함하는 안료 입자들을 포함하지만 이에 국한되지 않는다. 금속들, 합금들 및 산화물들에 관하여 "자성"이라는 용어는, 강자성 또는 페리자성(ferrimagnetic) 금속들, 합금들 및 산화물들을 의미한다. 크롬, 망간들, 코발트, 철, 니켈 또는 그들 중 두 개 이상의 혼합물의 자성 산화물들은 순수 또는 혼합 산화물들일 수 있다. 자성 산화물들의 예들은 적철광(Fe₂CO₃), 마그네타이트(Fe₃O₄), 이산화크롬(CrO₂), 자성 페라이트(MFe₂O₄), 자성 스피넬들(spinels)(MR₂O₄), 자성 헥사페라이트들(MFe₁₂O₁₉), 자성 오르토페라이트들(orthoferrites)(RFeO₃), 자성 가닛들(garnets)(M₃R₂(AO₄)₃)과 같은 산화철들을 포함하지만 이에 국한되지 않으며, M은 2가 금속, R은 3가 금속 그리고 A는 4가 금속을 나타낸다.

여기에 설명된 소판형 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들의 예들은, 코발트(Co), 철(Fe) 또는 니켈(Ni)과 같은 하나 이상의 자성 금속으로부터 만들어진 자성층(M); 및 철, 코발트 또는 니켈의 자성 합금을 포함하는 안료 입자들을 포함하지만 이에 국한되지 않으며, 상기 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들은 하나 이상의 추가의 층들을 포함하는 다층 구조들일 수 있다. 바람직하게는, 하나 이상의 추가의 층들은, 불화마그네슘(MgF₂), 산화규소(SiO), 이산화규소(SiO₂), 산화티타늄(TiO₂) 및 산화알루미늄(Al₂O₃), 보다 바람직하게는 이산화규소(SiO₂)와 같은 금속 불화물들로 구성된 그룹으로부터 선택된 하나 이상으로부터 독립적으로 만들어진 층들(A); 금속들 및 금속 합금들로 구성된 그룹으로부터 선택된, 바람직하게는 반사성 금속들 및 반사성 금속 합금들로 구성된 그룹으로부터 선택된, 그리고 보다 바람직하게는 알루미늄(Al), 크롬(Cr) 및 니켈(Ni), 그리고 훨씬 보다 바람직하게는 알루미늄(Al)으로 구성된 그룹으로부터 선택된 하나 이상으로부터 독립적으로 만들어진 층들(B); 또는 여기 위에서 설명된 것들과 같은 하나 이상의 층들(A) 및 여기 위에서 설명된 것들과 같은 하나 이상의 층들(B)의 조합이다. 여기 위에서 설명된 다층 구조들인 소판형 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들의 전형적인 예들은, A/M 다층 구조들, A/M/A 다층 구조들, A/M/B 다층 구조들, A/B/M/A 다층 구조들, A/B/M/B 다층 구조들, A/B/M/B/A/다층 구조들, B/M 다층 구조들, B/M/B 다층 구조들, B/A/M/A 다층 구조들, B/A/M/B 다층 구조들, B/A/M/B/A/다층 구조들을 포함하지만 이에 국한되지 않으며, 층들(A), 자성층들(M) 및 층들(B)은 여기 위에서 설명된 것들로부터 선택된다.

여기에 설명된 방사선 경화성 코팅 조성물은 소판형 광학 가변 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들, 및/또는 광학 가변 특성들을 갖지 않은 소판형 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들을 포함할 수 있다. 바람직하게는, 여기에 설명된 소판형 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들의 적어도 일부는 소판형 광학 가변 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들에 의해 구성된다. 광학 가변 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들의 색변환(colorshifting) 특성 - 광학 가변 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들의 색변환 특성은, 여기에 설명된 광학 가변 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들을 포함하는 잉크, 코팅 조성물 또는 코팅 층을 반송하는 물품 또는 보안 문서를 도움없이 인간의 감각들을 사용하여 그것들의 가능한 위조품들로부터 쉽게 감지, 인식 및/또는 구별하는 것을 허용함 - 에 의해 제공되는 명백한 보안에 더하여, 광학 가변 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들의 광학적 특성들은 OEL의 인식을 위한 기계 판독 도구로서도 사용될 수 있다. 따라서, 광학 가변 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들의 광학적 특성들은, 안료 입자들의 광학적(예를 들어, 스펙트럼의) 특성들이 분석되는 인증 프로세스에서 은밀한 또는 반은밀한 보안 피처로서 동시에 사용될 수 있다.

OEL을 생성하기 위한 코팅 층들에 소판형 광학 가변 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들을 사용하는 것은, 이러한 재료들이 보안 문서 인쇄 업계에 확보되어 있고 일반 대중에게 상업적으로 이용 가능하지 않기 때문에, 보안 문서 적용들에 있어서 보안 피처로서의 OEL의 중요성을 높인다.

위에서 언급된 바와 같이, 소판형 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들의 적어도 일부는 바람직하게는 소판형 광학 가변 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들에 의해 구성된다. 이것들은, 보다 바람직하게는 자성 박막 간섭 안료 입자들, 자성 콜레스테릭 액정 안료 입자들, 자성 재료를 포함하는 간섭 코팅된 안료 입자들 및 그들 중 두 개 이상의 혼합물들로 구성된 그룹으로부터 선택된다.

자성 박막 간섭 안료 입자들은 당업자에게 알려져 있고, 예를 들어 US 제4,838,648호; WO 제2002/073250 A2호; EP 제0 686 675 B1호; WO 제2003/000801 A2호; US 제6,838,166호; WO 제2007/131833 A1호; EP 제2 402 401 B1호; WO 제2019/103937 A1호; WO 제2020/006286 A1호 및 그 안에 인용된 문서들에 개시된다. 바람직하게는, 자성 박막 간섭 안료 입자들은 5층 패브리-페로(Fabry-Perot) 다층 구조를 갖는 안료 입자들 및/또는 6층 패브리-페로 다층 구조를 갖는 안료 입자들 및/또는 7층 패브리-페로 다층 구조를 갖는 안료 입자들 및/또는 하나 이상의 다층 패브리-페로 구조들을 조합한 다층 구조를 갖는 안료 입자들을 포함한다.

바람직한 5층 패브리-페로 다층 구조들은 흡수체/유전체/반사체/유전체/흡수체 다층 구조들로 구성되고, 반사체 및/또는 흡수체는 또한 자성층이고, 바람직하게는 반사체 및/또는 흡수체는, 니켈, 철 및/또는 코발트를 포함하는 자성층, 및/또는 니켈, 철 및/또는 코발트를 포함하는 자성 합금, 및/또는 니켈(Ni), 철(Fe) 및/또는 코발트(Co)를 포함하는 자성 산화물이다.

바람직한 6층 패브리-페로 다층 구조들은 흡수체/유전체/반사체/자성체/유전체/흡수체 다층 구조들로 구성된다.

바람직한 7층 패브리-페로 다층 구조들은 US 제4,838,648호에 개시된 것과 같은 흡수체/유전체/반사체/자성체/반사체/유전체/흡수체 다층 구조들로 구성된다.

하나 이상의 패브리-페로 구조들이 조합된 다층 구조를 갖는 바람직한 안료 입자들은 WO 제2019/103937 A1호에 설명된 것들이고 적어도 두 개의 패브리-페로 구조들의 조합들로 구성되고, 상기 두 개의 패브리-페로 구조들은 반사체층, 유전체층 및 흡수체층을 독립적으로 포함하고, 반사체 및/또는 흡수체층은 각각 독립적으로 하나 이상의 자성 재료들을 포함할 수 있고 및/또는 자성체 층이 두 개의 구조들 사이에 샌드위치(sandwich)된다. WO 제2020/006/286 A1호 및 EP 제3 587 500 A1호는 다층 구조를 갖는 추가의 바람직한 안료 입자들을 개시한다.

바람직하게는, 여기에 설명된 반사체층들은, 금속들 및 금속 합금들로 구성된 그룹으로부터 선택된, 바람직하게는 반사성 금속들 및 반사성 금속 합금들로 구성된 그룹으로부터 선택된, 보다 바람직하게는 알루미늄(Al), 은(Ag), 구리(Cu), 금(Au), 백금(Pt), 주석(Sn), 티타늄(Ti), 팔라듐(Pd), 로듐(Rh), 니오븀(Nb), 크롬(Cr), 니켈(Ni) 및 그들의 합금들로 구성된 그룹으로부터 선택된, 훨씬 보다 바람직하게는 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 니켈(Ni) 및 그들의 합금들, 그리고 훨씬 보다 바람직하게는 알루미늄(Al)으로 구성된 그룹으로부터 선택된, 하나 이상으로부터 독립적으로 만들어진다. 바람직하게는, 유전체층들은 불화 마그네슘(MgF₂), 불화알루미늄(AlF₃), 불화세륨(CeF₃), 불화란타늄(LaF₃), 불화알루미늄나트륨(예를 들어, Na₃AlF₆), 불화네오디뮴(NdF₃), 불화사마륨(SmF₃), 불화바륨(BaF₂), 불화칼슘(CaF₂), 불화리튬(LiF)과 같은 금속 불화물들 및 산화규소(SiO), 이산화규소(SiO₂), 산화티타늄(TiO₂), 산화알루미늄(Al₂O₃)와 같은 금속 산화물들로 구성된 그룹으로부터 선택된, 보다 바람직하게는 불화마그네슘(MgF₂) 및 이산화규소(SiO₂), 그리고 훨씬 보다 바람직하게는 불화마그네슘(MgF₂)으로 구성된 그룹으로부터 선택된, 하나 이상으로부터 독립적으로 만들어진다. 바람직하게는, 흡수체층들은, 알루미늄(Al), 은(Ag), 구리(Cu), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 철(Fe), 주석(Sn), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 로듐(Rh), 니오븀(Nb), 크롬 (Cr), 니켈(Ni), 그들의 산화물들, 그들의 금속 황화물들, 그들의 금속 카바이드들 및 그들의 금속 합금들로 구성된 그룹으로부터 선택된, 보다 바람직하게는 크롬(Cr), 니켈(Ni), 그들의 금속 산화물들 및 그들의 금속 합금들로 구성된 그룹으로부터 선택된, 그리고 훨씬 보다 바람직하게는 크롬(Cr), 니켈(Ni) 및 그들의 금속 합금들로 구성된 그룹으로부터 선택된, 하나 이상으로부터 독립적으로 만들어진다. 바람직하게는, 자성층은 니켈(Ni), 철(Fe) 및/또는 코발트(Co); 및/또는 니켈(Ni), 철(Fe) 및/또는 코발트(Co)를 포함하는 자성 합금; 및/또는 니켈(Ni), 철(Fe) 및/또는 코발트(Co)를 포함하는 자성 산화물을 포함한다. 7층 패브리-페로 구조를 포함하는 자성 박막 간섭 안료 입자들이 바람직할 때, 자성 박막 간섭 안료 입자들은 Cr/MgF₂/Al/Ni/Al/MgF₂/Cr 다층 구조로 구성된 7층 패브리-페로 흡수체/유전체/반사체/자성체/반사체/유전체/흡수체 다층 구조를 포함하는 것이 특히 바람직하다.

여기에 설명된 자성 박막 간섭 안료 입자들은, 인간의 건강 및 환경에 안전한 것으로 간주되고, 예를 들어 5층 패브리-페로 다층 구조들, 6층 패브리-페로 다층 구조들 및 7층 패브리-페로 다층 구조들을 기반으로 하는 다층 안료 입자들일 수 있고, 상기 안료 입자들은, 약 40 중량% 내지 약 90 중량%의 철, 약 10 중량% 내지 약 50 중량%의 크롬 및 약 0 중량% 내지 약 30 중량%의 알루미늄을 포함하는 실질적으로 니켈이 없는 조성물을 갖는 자성 합금을 포함하는 하나 이상의 자성층들을 포함한다. 인간의 건강 및 환경에 안전한 것으로 간주되는 다층 안료 입자들의 전형적인 예들은, EP 제2 402 401 B1호에서 발견될 수 있으며, 그의 내용은 이로써 전체가 참조로 포함된다.

여기에 설명된 자성 박막 간섭 안료 입자들은 전형적으로 웹 상에 상이한 요구된 층들의 종래의 증착 기술에 의해 제조된다. 예를 들어, 물리기상증착(PVD), 화학기상증착(CVD) 또는 전해증착에 의해 원하는 수의 층들의 증착 후에, 층들의 스택(stack)은 이형층(release layer)을 적합한 용매에 용해시키거나 웹으로부터 재료를 박리함(sripping)으로써 웹으로부터 제거된다. 이렇게 획득된 재료는, 그 후 요구된 크기의 안료 입자들을 획득하기 위해 그라인딩(grinding), (예를 들어, 제트 밀링 프로세스들과 같은) 밀링(milling) 또는 임의의 적합한 방법에 의해 추가로 프로세싱되어야 하는 플레이크들(flakes)로 분해된다. 결과로 생긴 제품은, 부서진 가장자리들, 불규칙한 형상들 및 상이한 종횡비들을 갖는 평평한 플레이크들로 구성된다. 적합한 자성 박막 간섭 안료 입자들의 준비에 대한 추가 정보는, 예를 들어 EP 제1 710 756 A1호 및 EP 제1 666 546 A1호에서 발견될 수 있으며, 그의 내용들은 이로써 참조로 포함된다.

광학 가변 특성들을 나타내는 적합한 자성 콜레스테릭 액정 안료 입자들은, 자성 단일층(monolayered) 콜레스테릭 액정 안료 입자들 및 자성 다층 콜레스테릭 액정 안료 입자들을 포함하지만 이에 국한되지 않는다. 이러한 안료 입자들은 예를 들어 WO 제2006/063926 A1호, US 제6,582,781호 및 US 제6,531,221호에 개시된다. WO 제2006/063926 A1호는 자화성과 같은 추가의 특정 특성들과 더불어 높은 휘도 및 색변환 특성들을 갖는 단일층들 및 그로부터 획득된 안료 입자들을 개시한다. 개시된 단일층들 및 상기 단일층들을 분쇄하여(comminuting) 그로부터 획득된 안료 입자들은 3차원적으로 상호결합된(crosslinked) 콜레스테릭 액정 혼합물 및 자성 나노입자들을 포함한다. US 제6,582,781호 및 US 제6,410,130호는 시퀀스(sequence) A¹/B/A²를 포함하는 소판형 콜레스테릭 다층 안료 입자들을 개시하고, A¹ 및 A²는 동일하거나 상이할 수 있고 각각은 적어도 하나의 콜레스테릭 층을 포함하고, B는 층들 A1 및 A2에 의해 투과된 광의 전부 또는 일부를 흡수하고 중간층에 자성 특성들을 부여하는 상기 중간층이다. US 제6,531,221호는 시퀀스 A/B 및 선택적으로 C를 포함하는 소판형 콜레스테릭 다층 안료 입자들을 개시하고, A 및 C는 자성 특성들을 부여하는 안료 입자들을 포함하는 흡수층들이고, B는 콜레스테릭층이다.

하나 이상의 자성 재료들을 포함하는 적합한 간섭 코팅된 안료들은, 하나 이상의 층들로 코팅된 코어(core)로 구성된 그룹으로부터 선택된 기판으로 구성된 구조들을 포함하지만 이에 국한되지 않으며, 코어 또는 하나 이상의 층들 중 적어도 하나는 자성 특성들을 갖는다. 예를 들어, 적합한 간섭 코팅된 안료들은 여기 위에 설명된 것들과 같은 자성 재료로 만들어진 코어를 포함하고, 상기 코어는 하나 이상의 금속 산화물들로 만들어진 하나 이상의 층들로 코팅되거나, 그들은, 합성 또는 천연 운모들, 층상 규산염들(예를 들어, 활석, 카올린(kaolin) 및 세리사이트(sericite)), 유리들(예를 들어, 붕규산염들), 이산화규소(SiO₂), 산화알루미늄(Al₂O₃), 산화티타늄(TiO₂), 흑연들 및 그들 중 두 개 이상의 혼합물들로 만들어진 코어로 구성된 구조를 갖는다. 또한, 착색층들과 같은 하나 이상의 추가의 층들이 존재할 수 있다.

여기에 설명된 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들은, 코팅 조성물 및 코팅 층에서 발생할 수 있는 임의의 열화(deterioration)에 대비하여 그들을 보호 및/또는 상기 코팅 조성물 및 코팅 층에 그들의 혼입을 용이하게 하기 위해 표면 처리될 수 있고; 전형적으로 부식 억제제 재료들 및/또는 습윤제들이 사용될 수 있다.

여기에 설명된 방법은 기판(x20) 표면에 실질적으로 평행한 소판형 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들의 X축 및 Y축 둘 다를 갖도록 소판형 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들의 적어도 일부를 이축으로 배향시키기 위해 코팅 층(x10)을 여기에 설명된 자기 어셈블리(xOO)의 자기장에 노출시키는 단계 ii); 및 소판형 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들을 그들의 채택된 위치들 및 배향들에 고정하기 위해 단계 ii)의 방사선 경화성 코팅 조성물을 제2 상태로 적어도 부분적으로 경화시키는 단계 iii)를 더 포함한다. 여기에 사용된 바와 같이, "방사선 경화성 코팅 조성물을 적어도 부분적으로 경화시키는 것"은 소판형 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들이 그들의 채택된 위치들 및 배향들에서 고정/동결되고 더 이상 이동 및 회전할 수 없음을 의미한다(또한 당업계에서 입자들의 "피닝(pinning)"으로서 지칭됨).

여기에 설명된 자기 어셈블리(xOO)의 세트들(S1, S2, S3 등)의 막대 쌍극자 자석들(x31)의 최상부 표면으로부터 상기 자기 어셈블리를 향하는 기판(x20)의 최하부 표면까지의 거리(h)(예를 들어, 도 2에 도시됨)는, 바람직하게는 약 20 mm보다 작고 약 2 mm보다 크거나 그와 동일하고, 보다 바람직하게는 약 10 mm 보다 작거나 그와 동일하고 약 4 mm보다 크거나 그와 동일하며, 훨씬 보다 바람직하게는 약 7 mm보다 작거나 그와 동일하고 약 2 mm보다 크거나 그와 동일하다.

일 실시예에 따르면, 여기에 설명된 방법은 코팅 층(x10)을 자기 어셈블리(xOO)의 자기장에 노출시키는 단계 ii)를 포함하며, 여기에 설명된 자기 어셈블리(xOO)를 사용하는 단일 단계로 구성된다. 여기에 설명된 방법은, 소판형 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들을 그들의 채택된 위치들 및 배향들에 고정되게끔 허용하기 위해 단계 ii)의 방사선 경화성 코팅 조성물을 적어도 부분적으로 경화시키는 단계 iii)를 포함하고, 상기 적어도 부분적인 경화 단계는 단계 ii)와 부분적으로 동시에 또는 이후에 수행될 수 있다. 여기에 설명된 방법 동안, 여기에 설명된 자기 어셈블리(xOO)는 바람직하게는 정적(static) 디바이스이다. 여기에 설명된 자기 어셈블리(xOO)는 여기에 설명된 이송 디바이스 부근에 장착되며, 상기 이송 디바이스는 바람직하게는 그리퍼들 또는 하나 이상의 회전하는 실린더들을 포함하는 벨트이다.

예를 들어, 도 5a 내지 도 5c에 도시된 일 실시예에 따르면, 여기에 설명된 방법은, 코팅 층(x10)을 자기 어셈블리(xOO)의 자기장에 노출시키는 단계 ii) 및 소판형 자성 또는 자화 가능한 입자들의 적어도 일부를 일축으로 재배향하기 위해, 코팅 층(x10)을 하나 이상의 경자성 자석들(M1)을 포함하는 자기장 발생 디바이스의 자기장에 이후에 노출시키는 추가의 단계를 포함하고, 상기 하나 이상의 경자성 자석들(M1)은 바람직하게는 회전하는 자기 실린더(x60) 상에 장착되고, 상기 추가의 단계는 단계 ii) 이후에 수행된다. 여기에 설명된 방법은, 단계 ii)의 방사선 경화성 코팅 조성물을 적어도 부분적으로 경화시키는 단계 iii)를 포함하고, 상기 단계는 소판형 자성 또는 자화 가능한 입자들을 일축으로 재배향하는 단계와 부분적으로 동시에 또는 이후에 수행될 수 있고, 바람직하게는 재배향 하는 상기 단계와 부분적으로 동시에 수행될 수 있다. WO 제2015/086257 A1호는 소판형 자성 또는 자화 가능한 입자들을 일축으로 재배향하는 이후의 단계가 또한 수행되는 프로세스들을 개시한다. 여기에 설명된 방법 동안, 여기에 설명된 자기 어셈블리(xOO)는 바람직하게는 정적(static) 디바이스이다. 도 5a 내지 도 5c는 상기 방법을 도시하고, 자기장 발생 디바이스의 하나 이상의 자석들(M1)이 여기에 설명된 회전하는 자기 실린더(560) 상에 장착되고, 코팅 층(510, 도 5a에 도시되지 않음)을 반송하는 기판(520)은 상기 회전하는 자기 실린더(560)에 수반되어(concomitantly) 이동한다. 도 5a에 도시된 일 실시예에 따르면, 여기에 설명된 자기 어셈블리(500)는 여기에 설명된 이송 디바이스 부근에 장착되며, 상기 이송 디바이스는 바람직하게는 그리퍼들을 포함하는 벨트이다. 도 5b 및 도 5c에 도시된 다른 실시예에 따르면, 여기에 설명된 자기 어셈블리(500)는 여기에 설명된 이송 디바이스 부근에 장착되며, 상기 이송 디바이스는 바람직하게는 하나 이상의 실린더들(570-a 및 570-b)로 구성된다.

도 5a에 설명된 방법은 자기 어셈블리(500)를 향하는 기판(520)을 사용하여 수행될 수 있지만; 동일한 방법이 자기 어셈블리(500)를 향하는 코팅 층(도 5a에 도시되지 않은 510)을 사용하여 수행될 수 있다.

예를 들어, 도 5d에 도시된 일 실시예에 따르면, 여기에 설명된 방법은, 단일 단계에서 코팅 층(x10)을 여기에 설명된 자기 어셈블리(xOO)의 자기장들과 하나 이상의 경자성 자석들(M1)을 포함하는 자기장 발생 디바이스의 상호 작용에 노출시키는 단계 ii)를 포함하고, 하나 이상의 경자성 자석들(M1)은 또한 바람직하게는 이송 디바이스로서의 역할을 하는 회전하는 자기 실린더(x60) 상에 장착된다. 여기에 설명된 방법은, 단계 ii)의 방사선 경화성 코팅 조성물을 적어도 부분적으로 경화시키는 단계 iii)를 포함하고, 상기 단계는 단계 ii)와 부분적으로 동시에 또는 이후에 수행될 수 있다. 여기에 설명된 방법 동안, 여기에 설명된 자기 어셈블리(xOO)는 바람직하게는 정적(static) 디바이스이고, 하나 이상의 경자성 자석들(M1)은 코팅 층(x10)을 반송하는 기판(x20)에 수반되어 이동한다. 도 5d는 상기 방법을 도시하고, 자기장 발생 디바이스의 자석들(M1)은 여기에 설명된 회전하는 자기 실린더(560) 상에 장착되고, 코팅 층(510)을 반송하는 기판(520)은, 여기에 설명된 정적 자기 어셈블리(500)의 부근에서 상기 회전하는 자기 실린더(560)에 수반되어 이동한다. 상기 실시예에 따르면, 여기에 설명된 자기 어셈블리(500)는 여기에 설명된 회전하는 자기 실린더(560)의 부근에서 장착된다. WO 제2019/141452 A1호 및 WO 제2019/141/453 A1호의 도 4는, 경자성 자석들(상기 PCT 출원들에서의 x30)이 자기장 발생 디바이스(상기 PCT 출원들에서의 x40)와 동시에 사용되는 프로세스들을 개시한다. 예를 들어, 도 5e에 도시된 일 실시예에 따르면, 여기에 설명된 방법은, 코팅 층(x10)을 여기에 설명된 제1 자기 어셈블리(xOOa)의 자기장에 노출시키는 단계 ii), 코팅 층(x10)의 하나 이상의 제2 영역들이 조사(irradiation)에 노출되지 않도록, 비구형 자성 또는 자화 가능한 입자들의 적어도 일부를 그들의 채택된 위치들 및 배향들에 고정하기 위해 단계 ii)의 방사선 경화성 코팅 조성물의 코팅 층(x10)의 하나 이상의 제1 영역들을 선택적으로 적어도 부분적으로 경화(선택적 경화 유닛(x80)으로 도시됨)시키는 선택적 추가의 단계; 및 이후 단일 단계에서 코팅 층(x10)을 여기에 설명된 제2 자기 어셈블리(xOOb)의 자기장들과 하나 이상의 경자성 자석들(M1)을 포함하는 자기장 발생 디바이스의 상호 작용에 노출시키는 추가의 단계를 포함하고, 하나 이상의 경자성 자석들(M1)은 또한 바람직하게는 이송 디바이스로서의 역할을 하는 회전하는 자기 실린더(x60) 상에 장착된다. 여기에 설명된 방법은, 단계 ii)의 방사선 경화성 코팅 조성물을 적어도 부분적으로 경화시키는 단계 iii)를 포함하고, 상기 단계는 단계 ii)와 부분적으로 동시에 또는 이후에 수행될 수 있다. 여기에 설명된 방법 동안, 여기에 설명된 자기 어셈블리들(xOOa 및 xOOb)는 바람직하게는 정적(static) 디바이스들이고, 하나 이상의 경자성 자석들(M1)은 코팅 층(x10)을 반송하는 기판(x20)에 수반되어 이동한다. 도 5e에 설명된 방법은 자기 어셈블리(500)를 향하는 기판(520)을 사용하여 수행될 수 있지만; 동일한 방법이 자기 어셈블리(500)를 향하는 코팅 층(도 5e에 도시되지 않은 510)을 사용하여 수행될 수 있다.

예를 들어, 도 5d에 도시된 일 실시예에 따르면, 여기에 설명된 방법은, 단일 단계에서 코팅 층(x10)을 여기에 설명된 자기 어셈블리(xOO)의 자기장들과 보이드들 및/또는 만입부들 및/또는 돌출부들의 형태로 하나 이상의 표시들을 반송하는 하나 이상의 연자성 플레이트들(M1)의 상호 작용에 노출시키는 단계 ii)를 포함하고, 상기 연자성 플레이트들은 바람직하게는 회전하는 자기 실린더 상에 장착되거나 기판(x20) 아래의 이동 가능한 디바이스 상에 배치된다. 여기에 설명된 방법은, 소판형 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들을 그들의 채택된 위치들 및 배향들에 고정되게끔 허용하기 위해 단계 ii)의 방사선 경화성 코팅 조성물을 적어도 부분적으로 경화시키는 단계 iii)를 포함하고, 상기 적어도 부분적인 경화 단계는 단계 ii)와 부분적으로 동시에 또는 이후에 수행될 수 있다. 여기에 설명된 방법 동안, 여기에 설명된 자기 어셈블리(xOO)는 바람직하게는 정적 디바이스이고, 하나 이상의 연자성 플레이트들(M1)은 코팅 층(x10)을 반송하는 기판(x20)에 수반되어 이동한다. 보이드들 및/또는 만입부들 및/또는 돌출부들의 형태로 하나 이상의 표시들을 반송하는 적합한 연자성 플레이트들은, 하나 이상의 금속들, 합금들 또는 높은 자기 투자율의 화합물들로 만들어지거나, 비자성 재료에 분산된 연자성 입자들의 약 25 중량% 내지 약 95 중량%를 포함하는 복합물로 만들어지고, 중량 백분율들은 연자성 플레이트의 총 중량을 기반으로 하고 WO 제2018/033512 A1호 및 WO 제2018/019594 A1호에 개시된다. WO 제2018/033512 A1호의 도 3은 자기장 발생 디바이스(상기 PCT 출원에서의 x40)에 더하여 연자성 플레이트(상기 PCT 출원에서의 x10)가 또한 사용되는 프로세스를 개시한다. WO 제2018/019594 A1호의 도 4는 자기장 발생 디바이스(상기 PCT 출원에서의 x60)에 더하여 연자성 플레이트(상기 PCT 출원에서의 x50)가 또한 사용되는 프로세스를 개시한다. 상기 실시예에서, 여기에 설명된 자기 어셈블리(xOO)는 여기에 설명된 이송 디바이스 부근에 장착되며, 상기 이송 디바이스는 바람직하게는 하나 이상의 회전하는 실린더들이다. 예를 들어, 도 5e에 도시된 일 실시예에 따르면, 여기에 설명된 방법은, 코팅 층(x10)을 여기에 설명된 제1 자기 어셈블리(xOOa)의 자기장에 노출시키는 단계 ii), 코팅 층(x10)의 하나 이상의 제2 영역들이 조사(irradiation)에 노출되지 않도록, 비구형 자성 또는 자화 가능한 입자들의 적어도 일부를 그들의 채택된 위치들 및 배향들에 고정하기 위해 단계 ii)의 방사선 경화성 코팅 조성물의 코팅 층(x10)의 하나 이상의 제1 영역들을 선택적으로 적어도 부분적으로 경화(선택적 경화 유닛(x80)으로 도시됨)시키는 선택적 추가의 단계; 및 이후 단일 단계에서 코팅 층(x10)을 여기에 설명된 제2 자기 어셈블리(xOOb)의 자기장들과 보이드들 및/또는 만입부들 및/또는 돌출부들의 형태로 하나 이상의 표시들을 반송하는 하나 이상의 연자성 플레이트들(M1)의 상호 작용에 노출시키는 추가의 단계를 포함하고, 상기 연자성 플레이트들은 바람직하게는 회전하는 자기 실린더 상에 장착되거나 기판(x20) 아래의 이동 가능한 디바이스 상에 배치된다. 여기에 설명된 방법은, 소판형 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들을 그들의 채택된 위치들 및 배향들에 고정되게끔 허용하기 위해 단계 ii)의 방사선 경화성 코팅 조성물을 적어도 부분적으로 경화시키는 단계 iii)를 포함하고, 상기 적어도 부분적인 경화 단계는 단계 ii)와 부분적으로 동시에 또는 이후에 수행될 수 있다. 여기에 설명된 방법 동안, 여기에 설명된 자기 어셈블리들(xOOa 및 xOOb)는 바람직하게는 정적 디바이스들이고, 하나 이상의 연자성 플레이트들(M1)은 코팅 층(x10)을 반송하는 기판(x20)에 수반되어 이동한다. 도 5e에 설명된 방법은 자기 어셈블리(500)를 향하는 기판(520)을 사용하여 수행될 수 있지만; 동일한 방법이 자기 어셈블리(500)를 향하는 코팅 층(도 5e에 도시되지 않은 510)을 사용하여 수행될 수 있다.

예를 들어, 도 5a 내지 도 5c에 도시된 일 실시예에 따르면, 여기에 설명된 방법은, 코팅 층(x10)을 자기 어셈블리(xOO)의 자기장에 노출시키는 단계 ii); 및 이러한 단계 ii) 이후에, 코팅 층(x10)의 하나 이상의 제2 영역들이 조사(irradiation)에 노출되지 않도록, 비구형 자성 또는 자화 가능한 입자들의 적어도 일부를 그들의 채택된 위치들 및 배향들에 고정하기 위해 단계 ii)의 방사선 경화성 코팅 조성물의 코팅 층(x10)의 하나 이상의 제1 영역들을 선택적으로 적어도 부분적으로 경화(선택적 경화 유닛(580)으로 도시됨)시키는 추가의 단계; 및 이후 하나 이상의 제2 영역들에서 소판형 자성 또는 자화 가능한 입자들의 적어도 일부를 일축으로 재배향하기 위해, 코팅 층(x10)을 하나 이상의 경자성 자석들(M1)을 포함하는 자기장 발생 디바이스의 자기장에 노출시키는 추가의 단계를 포함하고, 하나 이상의 경자성 자석들(M1)은 또한 바람직하게는 이송 디바이스로서의 역할을 하는 회전하는 자기 실린더(x60) 상에 장착된다. 여기에 설명된 방법은, 단계 ii)의 방사선 경화성 코팅 조성물을 적어도 부분적으로 경화시키는 단계 iii)를 포함하고, 상기 단계는 소판형 자성 또는 자화 가능한 입자들을 재배향하는 단계와 부분적으로 동시에 또는 이후에 수행될 수 있고, 바람직하게는 재배향 하는 상기 단계와 부분적으로 동시에 수행될 수 있다. 여기에 설명된 방법 동안, 여기에 설명된 자기 어셈블리(xOO)는 바람직하게는 정적 디바이스이고, 하나 이상의 경자성 자석들(M1)은 코팅 층(x10)을 반송하는 기판(x20)에 수반되어 이동한다. 도 5a 내지 도 5c는 상기 방법을 도시하고, 자기장 발생 디바이스의 하나 이상의 자석들(M1)은 여기에 설명된 회전하는 자기 실린더(560) 상에 장착되고, 코팅 층(510, 도 5a에 도시되지 않음)을 반송하는 기판(520)은, 여기에 설명된 정적 자기 어셈블리(500)의 부근에서 상기 회전하는 자기 실린더(560)에 수반되어 이동한다. 도 5a에 도시된 일 실시예에 따르면, 여기에 설명된 자기 어셈블리(500)는 여기에 설명된 이송 디바이스 부근에 장착되며, 상기 이송 디바이스는 바람직하게는 그리퍼들을 포함하는 벨트이다. 도 5b 및 도 5c에 도시된 다른 실시예에 따르면, 여기에 설명된 자기 어셈블리(500)는 여기에 설명된 이송 디바이스 부근에 장착되며, 상기 이송 디바이스는 바람직하게는 하나 이상의 실린더들(570-a 및 570-b)이다.

예를 들어, 일 실시예에 따르면, 여기에 설명된 방법은, 코팅 층(x10)을 자기 어셈블리(xOO)의 자기장에 노출시키는 단계 ii) 및 소판형 자성 또는 자화 가능한 입자들의 적어도 일부를 일축으로 재배향하기 위해, 코팅 층(x10)을 하나 이상의 경자성 자석들(M1a) - 상기 하나 이상의 경자성 자석들(M1a)은 또한 바람직하게는 이송 디바이스로서의 역할을 하는 회전하는 자기 실린더(x60a) 상에 장착됨 - 을 포함하는 제1 자기장 발생 디바이스의 자기장에 이후에 노출시키는 추가의 단계 - 상기 추가의 단계는 단계 ii) 이후에 수행됨 -; 코팅 층(x10)의 하나 이상의 제2 영역들이 조사에 노출되지 않도록, 비구형 자성 또는 자화 가능한 입자들의 적어도 일부를 그들의 채택된 위치들 및 배향들에 고정하기 위해 단계 ii)의 방사선 경화성 코팅 조성물의 코팅 층(x10)의 하나 이상의 제1 영역들을 선택적으로 적어도 부분적으로 경화(선택적 경화 유닛(x80)으로 도시됨)시키는 추가의 단계; 및 이후 코팅 층(x10)을 하나 이상의 경자성 자석들(M1b)을 포함하는 제2 자기장 발생 디바이스의 자기장에 노출시키는 추가의 단계를 포함하고, 상기 하나 이상의 경자성 자석들(M1b)은 또한 바람직하게는 이송 디바이스로서의 역할을 하는 회전하는 자기 실린더(x60b) 상에 장착된다. 하나 이상의 경자성 자석들(M1)을 포함하는 제2 자기장 발생 디바이스의 자기장에 대해 코팅 층(x10)을 배향시키는 단계와 부분적으로 동시에 또는 이후에 수행되며, 여기에 설명된 방법은 방사선 경화성 코팅 조성물을 적어도 부분적으로 경화시키는 단계를 포함한다.

일 실시예에 따르면, 여기에 설명된 방법은, 코팅 층(x10)을 제1 자기 어셈블리(xOOa)의 자기장에 노출시키는 단계 ii) 및 소판형 자성 또는 자화 가능한 입자들의 적어도 일부를 일축으로 재배향하기 위해, 코팅 층(x10)을 하나 이상의 경자성 자석들(M1a) - 상기 하나 이상의 경자성 자석들(M1a)은 또한 바람직하게는 이송 디바이스로서의 역할을 하는 회전하는 자기 실린더(x60a) 상에 장착됨 - 을 포함하는 제1 자기장 발생 디바이스의 자기장에 이후에 노출시키는 추가의 단계 - 상기 추가의 단계는 단계 ii) 이후에 수행됨 -; 코팅 층(x10)의 하나 이상의 제2 영역들이 조사에 노출되지 않도록, 비구형 자성 또는 자화 가능한 입자들의 적어도 일부를 그들의 채택된 위치들 및 배향들에 고정하기 위해 단계 ii)의 방사선 경화성 코팅 조성물의 코팅 층(x10)의 하나 이상의 제1 영역들을 선택적으로 적어도 부분적으로 경화(선택적 경화 유닛(x80)으로 도시됨)시키는 추가의 단계; 이후, 코팅 층(x10)을 제2 자기 어셈블리(xOOb)의 자기장에 노출시키는 추가의 단계; 및 이후 코팅 층(x10)을 하나 이상의 경자성 자석들(M1b)을 포함하는 제2 자기장 발생 디바이스의 자기장에 노출시키는 추가의 단계를 포함하고, 상기 하나 이상의 경자성 자석들(M1b)은 또한 바람직하게는 이송 디바이스로서의 역할을 하는 회전하는 자기 실린더(x60b) 상에 장착된다. 하나 이상의 경자성 자석들(M1b)을 포함하는 제2 자기장 발생 디바이스의 자기장에 대해 코팅 층(x10)을 배향시키는 단계와 부분적으로 동시에 또는 이후에 수행되며, 여기에 설명된 방법은 방사선 경화성 코팅 조성물을 적어도 부분적으로 경화시키는 단계를 포함한다.

일 실시예에 따르면, 여기에 설명된 방법은, 코팅 층(x10)을 여기에 설명된 것들과 같은 제1 자기 어셈블리(xOOa)의 자기장에 노출시키는 단계 ii); 및 이러한 단계 ii) 이후에, 코팅 층(x10)의 하나 이상의 제2 영역들이 조사에 노출되지 않도록, 비구형 자성 또는 자화 가능한 입자들의 적어도 일부를 그들의 채택된 위치들 및 배향들에 고정하기 위해 단계 ii)의 방사선 경화성 코팅 조성물의 코팅 층(x10)의 하나 이상의 제1 영역들을 선택적으로 적어도 부분적으로 경화시키는 추가의 단계; 및 이후 코팅 층(x10)을 여기에 설명된 것들과 같은 제2 자기 어셈블리(xOOb)의 자기장들과 하나 이상의 경자성 자석들(M1)을 포함하는 자기장 발생 디바이스의 상호 작용에 노출시키는 추가의 단일 단계를 포함하고, 하나 이상의 경자성 자석들(M1)은 바람직하게는 회전하는 자기 실린더(x60) 상에 장착된다. 제2 자기 어셈블리(xOOb)의 자기장들과 자기장 발생 디바이스의 상호 작용에 대해 코팅 층(x10)을 배향시키는 단계와 부분적으로 동시에 또는 이후에 수행되며, 여기에 설명된 방법은 방사선 경화성 코팅 조성물을 적어도 부분적으로 경화시키는 단계를 포함한다. 여기에 설명된 방법 동안, 여기에 설명된 자기 어셈블리들(xOO)은 바람직하게는 정적 디바이스들이고, 하나 이상의 경자성 자석들(M1)을 포함하는 자기장 발생 디바이스들은 코팅 층(x10)을 반송하는 기판(x20)에 수반되어 이동하고 코팅 층(x10)을 반송하는 기판(x20)은 여기에 설명된 정적 자기 어셈블리들(x00)의 부근에서 상기 회전하는 자기 실린더들에 수반되어 이동한다.

일 실시예에 따르면, 여기에 설명된 방법은, 코팅 층(x10)을 여기에 설명된 것들과 같은 제1 자기 어셈블리(xOOa)의 자기장에 노출시키는 단계 ii); 및 이러한 단계 ii) 이후에, 코팅 층(x10)의 하나 이상의 제2 영역들이 조사에 노출되지 않도록, 비구형 자성 또는 자화 가능한 입자들의 적어도 일부를 그들의 채택된 위치들 및 배향들에 고정하기 위해 단계 ii)의 방사선 경화성 코팅 조성물의 코팅 층(x10)의 하나 이상의 제1 영역들을 선택적으로 적어도 부분적으로 경화시키는 추가의 단계; 및 이후 코팅 층(x10)을 여기에 설명된 것들과 같은 제2 자기 어셈블리(xOOb)의 자기장들과 여기에 설명된 것들과 같은 하나 이상의 연자성 플레이트들의 상호 작용에 노출시키는 추가의 단일 단계를 포함한다. 자기 어셈블리(xOOb)의 자기장들과 연자성 플레이트의 상호 작용에 대해 코팅 층(x10)을 배향시키는 단계와 부분적으로 동시에 또는 이후에 수행되며, 여기에 설명된 방법은 방사선 경화성 코팅 조성물을 적어도 부분적으로 경화시키는 단계를 포함한다.

예를 들어, 도 5f에 도시된 일 실시예에 따르면, 여기에 설명된 방법은, 단일 단계에서 코팅 층(x10)을 여기에 설명된 것들과 같은 제1 자기 어셈블리(xOOa)의 자기장들과 하나 이상의 경자성 자석들(M1) - 하나 이상의 경자성 자석들(M1a)은 또한 바람직하게는 이송 디바이스로서의 역할을 하는 회전하는 자기 실린더(x60a) 상에 장착됨 - 을 포함하는 제1 자기장 발생 디바이스의 상호 작용에 노출시키는 단계 ii); 코팅 층(x10)의 하나 이상의 제2 영역들이 조사에 노출되지 않도록, 비구형 자성 또는 자화 가능한 입자들의 적어도 일부를 그들의 채택된 위치들 및 배향들에 고정하기 위해 단계 ii)의 방사선 경화성 코팅 조성물의 코팅 층(x10)의 하나 이상의 제1 영역들을 선택적으로 적어도 부분적으로 경화시키는 추가의 단계; 이후, 코팅 층(x10)을 제2 자기 어셈블리(xOOb)의 자기장에 노출시키는 추가의 단계를 포함하고, 코팅 층(x10)을 하나 이상의 경자성 자석들(M1b)을 포함하는 제2 자기장 발생 디바이스의 자기장에 추가로 이후에 노출시키고, 상기 하나 이상의 경자성 자석들(M1b)은 또한 바람직하게는 이송 디바이스로서의 역할을 하는 회전하는 자기 실린더(x60b) 상에 장착된다. 하나 이상의 경자성 자석들(M1b)을 포함하는 제2 자기장 발생 디바이스의 자기장에 대해 코팅 층(x10)을 배향시키는 단계와 부분적으로 동시에 또는 이후에 수행되며, 여기에 설명된 방법은 방사선 경화성 코팅 조성물을 적어도 부분적으로 경화시키는 단계를 포함한다.

예를 들어, 도 5f에 도시된 일 실시예에 따르면, 여기에 설명된 방법은, 단일 단계에서 코팅 층(x10)을 여기에 설명된 것들과 같은 제1 자기 어셈블리(xOOa)의 자기장들과 여기에 설명된 것들과 같은 하나 이상의 연자성 플레이트들(M1a)의 상호 작용에 노출시키는 단계 ii); 코팅 층(x10)의 하나 이상의 제2 영역들이 조사에 노출되지 않도록, 비구형 자성 또는 자화 가능한 입자들의 적어도 일부를 그들의 채택된 위치들 및 배향들에 고정하기 위해 단계 ii)의 방사선 경화성 코팅 조성물의 코팅 층(x10)의 하나 이상의 제1 영역들을 선택적으로 적어도 부분적으로 경화시키는 추가의 단계; 이후, 코팅 층(x10)을 제2 자기 어셈블리(xOOb)의 자기장에 노출시키는 추가의 단계; 및 이후 코팅 층(x10)을 하나 이상의 경자성 자석들(M1b)을 포함하는 자기장 발생 디바이스의 자기장에 노출시키는 추가의 단계를 포함하고, 상기 하나 이상의 경자성 자석들(M1b)은 또한 바람직하게는 이송 디바이스로서의 역할을 하는 회전하는 자기 실린더(x60) 상에 장착된다. 하나 이상의 경자성 자석들(M1b)을 포함하는 자기장 발생 디바이스의 자기장에 대해 코팅 층(x10)을 배향시키는 단계와 부분적으로 동시에 또는 이후에 수행되며, 여기에 설명된 방법은 방사선 경화성 코팅 조성물을 적어도 부분적으로 경화시키는 단계를 포함한다.

예를 들어, 도 5g에 도시된 일 실시예에 따르면, 여기에 설명된 방법은, 단일 단계에서 코팅 층(x10)을 여기에 설명된 것들과 같은 제1 자기 어셈블리(xOOa)의 자기장들과 하나 이상의 경자성 자석들(M1a) - 하나 이상의 경자성 자석들(M1a)은 또한 바람직하게는 이송 디바이스로서의 역할을 하는 회전하는 자기 실린더(x60a) 상에 장착됨 - 을 포함하는 제1 자기장 발생 디바이스의 상호 작용에 노출시키는 단계 ii); 코팅 층(x10)의 하나 이상의 제2 영역들이 조사에 노출되지 않도록, 비구형 자성 또는 자화 가능한 입자들의 적어도 일부를 그들의 채택된 위치들 및 배향들에 고정하기 위해 단계 ii)의 방사선 경화성 코팅 조성물의 코팅 층(x10)의 하나 이상의 제1 영역들을 선택적으로 적어도 부분적으로 경화시키는 추가의 단계; 이후, 코팅 층(x10)을 제2 자기 어셈블리(xOOb)의 자기장에 노출시키는 추가의 단계를 포함하고, 단일 단계에서 코팅 층(x10)을 여기에 설명된 것들과 같은 제3 자기 어셈블리(xOOc)의 자기장들과 하나 이상의 경자성 자석들(M1b)을 포함하는 제2 자기장 발생 디바이스의 상호 작용에 추가로 이후에 노출시키고, 하나 이상의 경자성 자석들(M1b)은 또한 바람직하게는 이송 디바이스로서의 역할을 하는 회전하는 자기 실린더(x60b) 상에 장착된다. 제2 자기 어셈블리(xOOb)의 자기장들과 제2 자기장 발생 디바이스의 상호 작용에 대해 코팅 층(x10)을 배향시키는 단계와 부분적으로 동시에 또는 이후에 수행되며, 여기에 설명된 방법은 방사선 경화성 코팅 조성물을 적어도 부분적으로 경화시키는 단계를 포함한다.

예를 들어, 도 5g에 도시된 일 실시예에 따르면, 여기에 설명된 방법은, 단일 단계에서 코팅 층(x10)을 여기에 설명된 것들과 같은 제1 자기 어셈블리(xOOa)의 자기장들과 하나 이상의 경자성 자석들(M1a) - 하나 이상의 경자성 자석들(M1a)은 또한 바람직하게는 이송 디바이스로서의 역할을 하는 회전하는 자기 실린더(x60a) 상에 장착됨 - 을 포함하는 제1 자기장 발생 디바이스의 상호 작용에 노출시키는 단계 ii); 코팅 층(x10)의 하나 이상의 제2 영역들이 조사에 노출되지 않도록, 비구형 자성 또는 자화 가능한 입자들의 적어도 일부를 그들의 채택된 위치들 및 배향들에 고정하기 위해 단계 ii)의 방사선 경화성 코팅 조성물의 코팅 층(x10)의 하나 이상의 제1 영역들을 선택적으로 적어도 부분적으로 경화시키는 추가의 단계; 이후, 코팅 층(x10)을 제2 자기 어셈블리(xOOb)의 자기장에 노출시키는 추가의 단계를 포함하고, 단일 단계에서 코팅 층(x10)을 여기에 설명된 것들과 같은 제3 자기 어셈블리(xOOc)의 자기장들과 여기에 설명된 것들과 같은 하나 이상의 연자성 플레이트들(M1b)의 상호 작용에 추가로 이후에 노출시킨다. 제3 자기 어셈블리(xOOb)의 자기장들과 하나 이상의 연자성 플레이트들의 상호 작용에 대해 코팅 층(x10)을 배향시키는 단계와 부분적으로 동시에 또는 이후에 수행되며, 여기에 설명된 방법은 방사선 경화성 코팅 조성물을 적어도 부분적으로 경화시키는 단계를 포함한다.

예를 들어, 도 5g에 도시된 일 실시예에 따르면, 여기에 설명된 방법은, 단일 단계에서 코팅 층(x10)을 여기에 설명된 것들과 같은 제1 자기 어셈블리(xOOa)의 자기장들과 여기에 설명된 것들과 같은 하나 이상의 연자성 플레이트들(M1a)의 상호 작용에 노출시키는 단계 ii); 코팅 층(x10)의 하나 이상의 제2 영역들이 조사에 노출되지 않도록, 비구형 자성 또는 자화 가능한 입자들의 적어도 일부를 그들의 채택된 위치들 및 배향들에 고정하기 위해 단계 ii)의 방사선 경화성 코팅 조성물의 코팅 층(x10)의 하나 이상의 제1 영역들을 선택적으로 적어도 부분적으로 경화시키는 추가의 단계; 이후, 코팅 층(x10)을 제2 자기 어셈블리(xOOb)의 자기장에 노출시키는 추가의 단계를 포함하고, 단일 단계에서 코팅 층(x10)을 여기에 설명된 것들과 같은 제3 자기 어셈블리(xOOc)의 자기장들과 하나 이상의 경자성 자석들(M1b)을 포함하는 자기장 발생 디바이스의 상호 작용에 추가로 이후에 노출시키고, 하나 이상의 경자성 자석들(M1b)은 또한 바람직하게는 이송 디바이스로서의 역할을 하는 회전하는 자기 실린더(x60) 상에 장착된다. 제3 자기 어셈블리(xOOc)의 자기장들과 제2 자기장 발생 디바이스의 상호 작용에 대해 코팅 층(x10)을 배향시키는 단계와 부분적으로 동시에 또는 이후에 수행되며, 여기에 설명된 방법은 방사선 경화성 코팅 조성물을 적어도 부분적으로 경화시키는 단계를 포함한다.

예를 들어, 도 5g에 도시된 일 실시예에 따르면, 여기에 설명된 방법은, 단일 단계에서 코팅 층(x10)을 여기에 설명된 것들과 같은 제1 자기 어셈블리(xOOa)의 자기장들과 여기에 설명된 것들과 같은 하나 이상의 제1 연자성 플레이트들(M1a)의 상호 작용에 노출시키는 단계 ii); 코팅 층(x10)의 하나 이상의 제2 영역들이 조사에 노출되지 않도록, 비구형 자성 또는 자화 가능한 입자들의 적어도 일부를 그들의 채택된 위치들 및 배향들에 고정하기 위해 단계 ii)의 방사선 경화성 코팅 조성물의 코팅 층(x10)의 하나 이상의 제1 영역들을 선택적으로 적어도 부분적으로 경화시키는 추가의 단계; 이후, 코팅 층(x10)을 제2 자기 어셈블리(xOOb)의 자기장에 노출시키는 추가의 단계를 포함하고, 단일 단계에서 코팅 층(x10)을 여기에 설명된 것들과 같은 제3 자기 어셈블리(xOOc)의 자기장들과 여기에 설명된 것들과 같은 하나 이상의 연자성 플레이트들(M1b)의 상호 작용에 추가로 이후에 노출시킨다. 제3 자기 어셈블리(xOOc)의 자기장들과 제2 연자성 플레이트의 상호 작용에 대해 코팅 층(x10)을 배향시키는 단계와 부분적으로 동시에 또는 이후에 수행되며, 여기에 설명된 방법은 방사선 경화성 코팅 조성물을 적어도 부분적으로 경화시키는 단계를 포함한다.

예를 들어, 도 5h에 도시된 일 실시예에 따르면, 여기에 설명된 방법은, a) 방사선 경화성 코팅 조성물을 여기에 설명된 제1 자기 어셈블리(xOOa)의 자기장들의 상호 작용에 노출시키고; 그 후, b) 단일 단계에서 코팅 층(x10)을 여기에 설명된 것들과 같은 제2 자기 어셈블리(xOOb)의 자기장들과 하나 이상의 경자성 자석들(M1a) - 하나 이상의 경자성 자석들(M1a)은 또한 바람직하게는 이송 디바이스로서의 역할을 하는 회전하는 자기 실린더(x60a) 상에 장착됨 - 을 포함하는 제1 자기장 발생 디바이스의 상호 작용에 노출시키는 단계 ii); 코팅 층(x10)의 하나 이상의 제2 영역들이 조사에 노출되지 않도록, 비구형 자성 또는 자화 가능한 입자들의 적어도 일부를 그들의 채택된 위치들 및 배향들에 고정하기 위해 단계 ii)의 방사선 경화성 코팅 조성물의 코팅 층(x10)의 하나 이상의 제1 영역들을 선택적으로 적어도 부분적으로 경화시키는 추가의 단계; 이후, 코팅 층(x10)을 제3 자기 어셈블리(xOOc)의 자기장에 노출시키는 추가의 단계를 포함하고, 단일 단계에서 코팅 층(x10)을 여기에 설명된 것들과 같은 제4 자기 어셈블리(xOOd)의 자기장들과 하나 이상의 경자성 자석들(M1b)을 포함하는 제2 자기장 발생 디바이스의 상호 작용에 추가로 이후에 노출시키고, 하나 이상의 경자성 자석들(M1b)은 또한 바람직하게는 이송 디바이스로서의 역할을 하는 회전하는 자기 실린더(x60b) 상에 장착된다. 제4 자기 어셈블리(xOOd)의 자기장들과 제2 자기장 발생 디바이스의 상호 작용에 대해 코팅 층(x10)을 배향시키는 단계와 부분적으로 동시에 또는 이후에 수행되며, 여기에 설명된 방법은 방사선 경화성 코팅 조성물을 적어도 부분적으로 경화시키는 단계를 포함한다. 도 5h에 설명된 방법은 자기 어셈블리(500)를 향하는 기판(520)을 사용하여 수행될 수 있지만; 동일한 방법이 자기 어셈블리(500)를 향하는 코팅 층(도 5h에 도시되지 않은 510)을 사용하여 수행될 수 있다.

예를 들어, 도 5h에 도시된 일 실시예에 따르면, 여기에 설명된 방법은, a) 방사선 경화성 코팅 조성물을 여기에 설명된 제1 자기 어셈블리(xOOa)의 자기장들의 상호 작용에 노출시키고; 그 후, b) 단일 단계에서 코팅 층(x10)을 여기에 설명된 것들과 같은 제2 자기 어셈블리(xOOb)의 자기장들과 하나 이상의 경자성 자석들(M1a) - 하나 이상의 경자성 자석들(M1a)은 또한 바람직하게는 이송 디바이스로서의 역할을 하는 회전하는 자기 실린더(x60) 상에 장착됨 - 을 포함하는 제1 자기장 발생 디바이스의 상호 작용에 노출시키는 단계 ii); 코팅 층(x10)의 하나 이상의 제2 영역들이 조사에 노출되지 않도록, 비구형 자성 또는 자화 가능한 입자들의 적어도 일부를 그들의 채택된 위치들 및 배향들에 고정하기 위해 단계 ii)의 방사선 경화성 코팅 조성물의 코팅 층(x10)의 하나 이상의 제1 영역들을 선택적으로 적어도 부분적으로 경화시키는 추가의 단계; 이후, 코팅 층(x10)을 제3 자기 어셈블리(xOOc)의 자기장에 노출시키는 추가의 단계를 포함하고, 단일 단계에서 코팅 층(x10)을 여기에 설명된 것들과 같은 제4 자기 어셈블리(xOOd)의 자기장들과 여기에 설명된 것들과 같은 하나 이상의 연자성 플레이트들(M1b)의 상호 작용에 추가로 이후에 노출시킨다. 제4 자기 어셈블리(xOOd)의 자기장들과 하나 이상의 연자성 플레이트들(M1b)의 상호 작용에 대해 코팅 층(x10)을 배향시키는 단계와 부분적으로 동시에 또는 이후에 수행되며, 여기에 설명된 방법은 방사선 경화성 코팅 조성물을 적어도 부분적으로 경화시키는 단계를 포함한다. 이 실시예는 도 5h에 도시되며, 제2 자기장 발생 디바이스의 자석들(M1b)은 연자성 플레이트들에 의해 대체된다. 도 5h에 설명된 방법은 자기 어셈블리(500)를 향하는 기판(520)을 사용하여 수행될 수 있지만; 동일한 방법이 자기 어셈블리(500)를 향하는 코팅 층(도 5h에 도시되지 않은 510)을 사용하여 수행될 수 있다.

예를 들어, 도 5h에 도시된 일 실시예에 따르면, 여기에 설명된 방법은, a) 방사선 경화성 코팅 조성물을 여기에 설명된 제1 자기 어셈블리(xOOa)의 자기장들의 상호 작용에 노출시키고; 그 후, b) 단일 단계에서 코팅 층(x10)을 여기에 설명된 것들과 같은 제2 자기 어셈블리(xOOb)의 자기장들과 여기에 설명된 것들과 같은 하나 이상의 연자성 플레이트들(M1a)의 상호 작용에 노출시키는 단계 ii); 코팅 층(x10)의 하나 이상의 제2 영역들이 조사에 노출되지 않도록, 비구형 자성 또는 자화 가능한 입자들의 적어도 일부를 그들의 채택된 위치들 및 배향들에 고정하기 위해 단계 ii)의 방사선 경화성 코팅 조성물의 코팅 층(x10)의 하나 이상의 제1 영역들을 선택적으로 적어도 부분적으로 경화시키는 추가의 단계; 이후, 코팅 층(x10)을 제3 자기 어셈블리(xOOc)의 자기장에 노출시키는 추가의 단계를 포함하고, 단일 단계에서 코팅 층(x10)을 여기에 설명된 것들과 같은 제4 자기 어셈블리(xOO)의 자기장들과 하나 이상의 경자성 자석들(M1)을 포함하는 자기장 발생 디바이스의 상호 작용에 추가로 이후에 노출시키고, 하나 이상의 경자성 자석들(M1)은 또한 바람직하게는 이송 디바이스로서의 역할을 하는 회전하는 자기 실린더(x60) 상에 장착된다. 제4 자기 어셈블리(xOOd)의 자기장들과 제2 자기장 발생 디바이스의 상호 작용에 대해 코팅 층(x10)을 배향시키는 단계와 부분적으로 동시에 또는 이후에 수행되며, 여기에 설명된 방법은 방사선 경화성 코팅 조성물을 적어도 부분적으로 경화시키는 단계를 포함한다. 도 5h에 설명된 방법은 자기 어셈블리(500)를 향하는 기판(520)을 사용하여 수행될 수 있지만; 동일한 방법이 자기 어셈블리(500)를 향하는 코팅 층(도 5h에 도시되지 않은 510)을 사용하여 수행될 수 있다.

예를 들어, 도 5h에 도시된 일 실시예에 따르면, 여기에 설명된 방법은, a) 방사선 경화성 코팅 조성물을 여기에 설명된 제1 자기 어셈블리(xOOa)의 자기장들의 상호 작용에 노출시키고; 그 후, b) 단일 단계에서 코팅 층(x10)을 여기에 설명된 것들과 같은 제2 자기 어셈블리(xOOb)의 자기장들과 여기에 설명된 것들과 같은 하나 이상의 제1 연자성 플레이트들(M1a)의 상호 작용에 노출시키는 단계 ii); 코팅 층(x10)의 하나 이상의 제2 영역들이 조사에 노출되지 않도록, 비구형 자성 또는 자화 가능한 입자들의 적어도 일부를 그들의 채택된 위치들 및 배향들에 고정하기 위해 단계 ii)의 방사선 경화성 코팅 조성물의 코팅 층(x10)의 하나 이상의 제1 영역들을 선택적으로 적어도 부분적으로 경화시키는 추가의 단계; 이후, 코팅 층(x10)을 제3 자기 어셈블리(xOOc)의 자기장에 노출시키는 추가의 단계를 포함하고, 단일 단계에서 코팅 층(x10)을 여기에 설명된 것들과 같은 제4 자기 어셈블리(xOOd)의 자기장들과 여기에 설명된 것들과 같은 하나 이상의 제2 연자성 플레이트들(M1b)의 상호 작용에 추가로 이후에 노출시킨다. 제4 자기 어셈블리(xOOd)의 자기장들과 하나 이상의 제2 연자성 플레이트들(M1b)의 상호 작용에 대해 코팅 층(x10)을 배향시키는 단계와 부분적으로 동시에 또는 이후에 수행되며, 여기에 설명된 방법은 방사선 경화성 코팅 조성물을 적어도 부분적으로 경화시키는 단계를 포함한다. 이 실시예는 도 5g에 도시되며, 제1 자기장 발생 디바이스의 자석들(M1a) 및 제2 자기장 발생 디바이스의 자석들(M1b)은 연자성 플레이트들에 의해 대체된다. 도 5h에 설명된 방법은 자기 어셈블리(500)를 향하는 기판(520)을 사용하여 수행될 수 있지만; 동일한 방법이 자기 어셈블리(500)를 향하는 코팅 층(도 5h에 도시되지 않은 510)을 사용하여 수행될 수 있다.

여기에 설명된 하나 이상의 경자성 자석들(M1, M1a, M1b)은 국한되지 않고 예를 들어 쌍극자 자석들, 사극자(quadrupolar) 자석들 및 그들의 조합들을 포함한다. 이하의 경자성 자석들은 예시적인 예들로서 여기에서 제공된다.

플립플롭(flip-flop) 효과들(또한 스위칭 효과로서 당업계에 지칭됨)로서 알려진 광학 효과들은 전이에 의해 분리된 제1 인쇄 부분 및 제2 인쇄 부분을 포함하고, 안료 입자들은 제1 부분에서 제1 평면에 평행하게 정렬되고 제2 부분에서의 안료 입자들은 제2 평면에 평행하게 정렬된다. 상기 효과들을 생성하기 위한 방법들 및 자석들은, 예를 들어 US 제2005/0106367호 및 EP 제1 819 525 B1호에 개시된다.

US 제2005/0106367호에 개시된 바와 같이 롤링 바(rolling-bar) 효과들로서 알려진 광학 효과들이 또한 생성될 수 있다. "롤링 바" 효과는 코팅을 가로지르는 만곡된 표면을 모방하는 안료 입자들 배향을 기반으로 한다. 관찰자는, 이미지가 기울어질 때, 관찰자 쪽으로 또는 그와 멀어지도록 이동하는 정반사 구역을 바라본다. 안료 입자들은 볼록한 곡률(또한 당업계에서 음의 만곡된 배향으로서 지칭됨) 또는 오목한 곡률(또한 당업계에서 양의 만곡된 배향으로서 지칭됨)을 따르는 만곡 방식으로 정렬된다. 상기 효과들을 생성하기 위한 방법들 및 자석들은, 예를 들어 EP 제2 263 806 A1호, EP 제1 674 282 B1호, EP 제2 263 807 A1호, WO 제2004/007095 A2호, WO 제2012/104098 A1호 및 WO 제2014/198905 A2호에 개시된다.

베네시안 블라인드(Venetian-blind) 효과들로서 알려진 광학 효과들로도 생성될 수 있다. 베네시안 블라인드 효과들은, 다른 관찰 방향을 따라 안료 입자들이 가시성을 방해하는 동안 특정 관찰 방향을 따라 안료 입자들이 기본 기판 표면에 대한 가시성을 제공하도록, 기판 표면 상에 또는 기판 표면 내에 존재하는 표시들 또는 다른 피처들이 관찰자에게 명백해지도록, 배향되는 안료 입자들을 포함하고, 상기 효과들을 생성하기 위한 방법들 및 자석들은 예를 들어 US 제8,025,952호 및 EP 제1 819 525 B1호에 개시된다.

이동 링(moving-ring) 효과들로서 알려진 광학 효과들로도 생성될 수 있다. 이동 링 효과들은 상기 광학 효과 층의 기울기의 각도에 따라 임의의 x-y 방향으로 이동하는 것처럼 보이는 깔대기들, 원뿔들, 그릇들, 원들, 타원들 및 반구들과 같은 객체들의 광학적으로 착시적인 이미지들로 구성된다. 상기 효과들을 생성하기 위한 방법들 및 자석들은 예를 들어 EP 제1 710 756 A1호, US 제8,343,615호, EP 제2 306 222 A1호, EP 제2 325 677 A2호, WO 제2011/092502 A2호, US 제2013/084411호, WO 제2014 108404 A2호 및 WO 제2014/108303 A1호에 개시된다.

상기 효과를 기울일 때 이동하는 밝은 영역 및 어두운 영역의 패턴의 광학적 인상을 제공하는 광학 효과들도 생성될 수 있다. 상기 효과들을 생성하기 위한 방법들 및 자석들은, 예를 들어 WO 제2013/167425 A1호에 개시된다.

상기 효과를 기울일 때 변하는 크기를 갖는 루프형 바디의 광학적 인상을 제공하는 광학 효과들 또한 생성될 수 있다. 이러한 효과들을 생성하기 위한 방법들 및 자석들은, 예를 들어 WO 제2017/064052 A1호, WO 제2017/080698 A1호 및 WO 제2017/148789 A1호에 개시된다.

광학 효과 층을 기울일 때 변하는 형상을 갖는 하나 이상의 루프형 바디들의 광학적 인상을 제공하는 광학 효과들 또한 생성될 수 있다. 상기 효과들을 생성하기 위한 방법들 및 자석들은, 예를 들어 WO 제2018/054819 A1호에 개시된다.

기울일 때 이동하고 회전하는 초승달의 광학적 인상을 제공하는 광학 효과들도 생성될 수 있다. 상기 효과들을 생성하기 위한 방법들 및 자석들은, 예를 들어 WO 제2019/215148 A1호에 개시된다.

기울일 때 변하는 크기 및 형상을 갖는 루프형 바디의 광학적 인상을 제공하는 광학 효과들이 생성될 수 있다. 상기 효과들을 생성하기 위한 방법들 및 자석들은 예를 들어 동시 계류 중인 PCT 특허 출원 WO 제2020/052862 A1호에 개시된다.

직교 시차 효과의 광학적 인상을 제공하는 광학 효과들은, 즉, 현재의 경우에서 기판이 수평/횡 축을 중심으로 기울어졌을 때 종 방향으로 이동하거나 기판이 종 축에 대해 기울어졌을 때 수평/횡 방향으로 이동하는 밝은 반사 수직 막대의 형태 하에서, 생성될 수 있다. 상기 효과들을 생성하기 위한 방법들 및 자석들은 예를 들어 동시 계류 중인 PCT 특허 출원 제PCT/EP2020/052265호에 개시된다.

하나 이상의 루프형 바디들 - 상기 하나 이상의 루프형 바디들은 기울일 때 변하는, 그들의 형상 및/또는 그들의 밝기를 갖음 - 에 의해 둘러싸인 하나의 루프형 바디의 광학적 인상을 제공하는 광학 효과들이 생성될 수 있다. 상기 효과들을 생성하기 위한 방법들 및 자석들은 예를 들어 동시 계류 중인 PCT 특허 출원 제PCT/EP2020/054042호에 개시된다.

기판이 수직/종 축을 중심으로 기울어졌을 때, 대각선 방향으로 이동하고/이동하거나 나타나고/나타나거나 사라지는 것뿐만 아니라, 기판이 기울어졌을 때, 대각선 방향으로 이동하고/이동하거나 나타나고/나타나거나 사라지는 복수의 어두운 스폿들 및 복수의 밝은 스폿들의 광학적 인상을 제공하는 광학 효과 층들이 생성될 수 있다. 상기 효과들을 생성하기 위한 방법들 및 자석들은 예를 들어 동시 계류 중인 EP 특허 출원들 EP 제19205715.6호 및 EP 제19205716.4호에 개시된다.

코팅 층(x10)을 여기에 설명된 자기 어셈블리(xOO)의 자기장들 및 여기에 설명된 하나 이상의 경자성 자석들(M1)을 포함하는 자기장 발생 디바이스의 자기장들의 상호 작용에 노출시키는 단일 단계인, 여기에 설명된 방법의 실시예들에 대해, 스피닝하지 않은 자기장 발생 디바이스들을 사용하는 것이 바람직하다. 코팅 층(x10)을 여기에 설명된 하나 이상의 경자성 자석들(M1)을 포함하는 자기장 발생 디바이스의 자기장에 노출시키는 독립적인 단계인, 여기에 설명된 방법의 실시예들에 대해, 스피닝하지 않은 자기장 발생 디바이스 및 스피닝하는 자기장 발생 디바이스들이 사용될 수 있다. 이동 링 효과들로서 알려져 있고 스피닝하는 자기장 발생 디바이스로 획득된 광학 효과들은 WO 제2014 108404 A2호 및 WO 제2014/108303 A1호에 개시된다. 적어도 하나의 원형 이동 스폿 또는 기울일 때 상기 회전 중심 주위를 회전하는 적어도 하나의 혜성형 스폿의 광학적 인상을 제공하며 스피닝하는 자기장 발생 디바이스로 획득된 광학 효과들은 예를 들어 WO 제2019/038371 A1호, WO 제2019/063778 A1호 및 WO 제2019/038369 A1호에 개시된다.

여기에 설명된 하나 이상의 경자성 자석들(M1)은 하나 이상의 릴리프들(reliefs), 각인들 또는 컷아웃들(cut-outs)을 반송하는 자기 플레이트를 포함할 수 있다. WO 제2005/002866 A1호 및 WO 제2008/046702 A1호는 이러한 각인된 자기 플레이트들의 예들이다.

여기에 설명된 방법은, 소판형 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들을 그들의 채택된 위치들 및 배향들로 고정/동결시키기 위해 제1 액체 상태의 방사선 경화성 코팅 층(x10)을 제2 상태로 적어도 부분적으로 경화시키는 단계 iii)를 포함한다. 여기에 설명된 적어도 부분적인 경화 단계 iii)는 여기에 설명된 경화 유닛(x50)을 사용하여 수행된다. 코팅 층(x10)의 하나 이상의 제2 영역들이 조사에 노출되지 않도록 코팅 층(x10)의 하나 이상의 제1 영역들을 선택적으로 적어도 부분적으로 경화시키는 단계인, 여기에 설명된 실시예들에 대해, 상기 단계는 여기에 설명된 선택적 경화 유닛(x80)을 사용하여 수행된다.

따라서 여기에 설명된 방사선 경화성 코팅 조성물은 주목할 만한 제1 상태, 즉 액체 또는 패스티(pasty) 상태를 가져야 하고, 조성물 및 코팅 층에 분산된 소판형 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들이 자기장에 노출될 때 자유롭게 이동 가능한, 회전 가능한 그리고 배향 가능하도록 코팅 조성물이 아직 경화되지 않고 충분히 습윤하거나 부드럽고, 제2 경화(예를 들어, 고체 또는 고체와 유사) 상태에서는, 소판형 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들은 그들 개개의 위치들 및 배향들로 고정되거나 동결된다.

이러한 제1 상태 및 제2 상태는 바람직하게는 특정 유형의 코팅 조성물을 사용하여 제공된다. 예를 들어, 소판형 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들 이외의 방사선 경화성 코팅 조성물의 구성요소들은, 보안 적용들 예를 들어 지폐 인쇄를 위해 사용되는 것들과 같은 잉크 또는 코팅 조성물의 형태를 취할 수 있다. 전술한 제1 상태 및 제2 상태는, 예를 들어 전자기 방사선에 대한 노출과 같은 자극들에 대한 반응으로 점도의 증가를 보여주는 재료를 사용함으로써 제공될 수 있다. 즉, 유체 접합 재료가 하드닝되거나 응고될 때, 상기 접합 재료는 제2 상태, 즉 하드닝된 또는 고체 상태로 전환되고, 소판형 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들은 그들의 현재 위치들 및 배향들에 고정되고 접합 재료 내에서 더 이상 이동하거나 회전할 수 없다. 당업자에게 알려진 바와 같이, 기판과 같은 표면 상에 도포될 잉크 또는 코팅 조성물에 포함된 성분들 및 상기 잉크 또는 코팅 조성물의 물리적 특성들은, 기판 표면에 잉크 또는 코팅 조성물을 이송하기 위해 사용되는 프로세스의 요구사항들을 충족해야 한다. 결과적으로, 여기에 설명된 코팅 조성물에 포함된 접합 재료는 전형적으로 당업계에 알려진 것들 중에서 선택되고, 잉크 또는 코팅 조성물을 도포하기 위해 사용되는 코팅 또는 인쇄 프로세스 및 선택된 하드닝 프로세스에 따라 달라진다.

적어도 부분적인 경화 단계 iii)는 방사선 경화성 코팅 조성물에 포함된 접합 및 선택적 개시제(initiator) 화합물들 및/또는 선택적 상호결합 화합물들의 화학 반응을 포함한다. 이러한 화학 반응은, 자외선-가시광선 방사선 경화(이하 UV-Vis 경화로서 지칭됨) 및 전자 빔 방사선 경화(E-빔 경화)를 포함하나 이에 국한되지 않는 방사선 메커니즘에 의한 화학 반응의 개시를 포함하고 열 또는 IR 조사에 의해 개시될 수 있다.

방사선 경화는 여기에 설명된 방법 동안 수행되며, UV-Vis 광 방사선 경화가 더욱 바람직한데, 그 이유는 이들 기술들이 매우 빠른 경화 프로세스들로 이어지고, 이런 이유로 여기에 설명된 OEL을 포함하는 임의의 물품의 준비 시간을 대폭 감소시키기 때문이다. 또한, 방사선 경화는, 경화 방사선에 노출된 후 코팅 조성물의 점도를 거의 순간적으로 증가시키므로 입자들의 임의의 추가 이동을 최소화하는 이점을 갖는다. 결과적으로, 자기 배향 단계 이후의 배향의 임의의 손실이 기본적으로 방지될 수 있다. 특히 전자기 스펙트럼의 UV 또는 청색 부분(전형적으로 200nm 내지 650nm; 더 바람직하게는 200nm 내지 420nm)에서 파장 구성요소을 갖는 화학 광(actinic light)의 영향 하에서 광중합(photo-polymerization)에 의한 방사선 경화가 바람직하다. UV-가시광선 경화를 위한 장비는 중압 수은 아크(MPMA) 또는 금속 증기 아크 램프와 같은, 고출력 발광 다이오드(LED) 램프 또는 아크 방전 램프를 화학 방사선의 소스로서 포함할 수 있다.

따라서, 본 발명을 위한 적합한 방사선 경화성 코팅 조성물은, UV-가시광선 방사선(이하 UV-Vis-경화성으로서 지칭됨) 또는 E-빔 방사선(이하 EB으로서 지칭됨)에 의해 경화될 수 있는 방사선 경화성 조성물들을 포함한다. 본 발명의 특히 바람직한 일 실시예에 따르면, 여기에 설명된 방사선 경화성 코팅 조성물은 UV-Vis-경화성 코팅 조성물이다.

바람직하게는, 여기에 설명된 UV-Vis-경화성 코팅 조성물은, 라디칼(radically) 경화성 화합물들 및 양이온 경화성 화합물들로 구성된 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 화합물들을 포함한다. 여기에 설명된 UV-Vis-경화성 코팅 조성물은 하이브리드 시스템일 수 있고 하나 이상의 양이온 경화성 화합물들과 하나 이상의 라디칼 경화성 화합물들의 혼합물을 포함한다. 양이온 경화성 화합물들은, 전형적으로 양이온 메커니즘들에 의해 경화되고, 양이온 메커니즘들은 경화를 차례로 개시하는 산들(acids)과 같은 양이온 종들(species)을 유리시키는(liberate) 하나 이상의 광개시제들의 방사선에 의한 활성화를 포함하여, 모노머들(monomers) 및/또는 올리고머들(oligomers)을 반응 및/또는 상호결합하고, 그렇게 함으로써 코팅 조성물을 하드닝시킨다. 라디칼 경화성 화합물들은 전형적으로 하나 이상의 광개시제들의 방사선에 의한 활성화를 포함하는 자유(free) 라디칼 메카니즘들에 의해 경화되며, 그렇게 함으로써 코팅 조성물을 하드닝시키기 위해 중합을 차례로 개시하는 라디칼들(radicals)을 발생시킨다. 여기에 설명된 UV-Vis-경화성 코팅 조성물들에 포함된 접합제를 준비하는 데 사용되는 모노머들, 올리고머들 또는 프리폴리머들(prepolymers)에 따라, 상이한 광개시제들이 사용될 수 있다. 자유 라디칼 광개시제들의 적합한 예들은 당업자에게 알려져 있고 아세토페논들(acetophenones), 벤조페논들(benzophenones), 벤질디메틸 케탈들(benzyldimethyl ketals), 알파-아미노케톤들(alpha-aminoketones), 알파-하이드록시케톤들(alpha-hydroxyketones), 포스핀 옥사이드들(phosphine oxides) 및 포스핀 옥사이드 유도체들뿐만 아니라 그들의 둘 이상의 혼합물들을 포함하지만, 이에 국한되지 않는다. 양이온 광개시제들의 적합한 예들은 당업자에게 알려져 있고, 유기 요오도늄 염들(예를 들어, 디아릴 요오도이늄 염들), 옥소늄(예를 들어, 트리아릴옥소늄 염들) 및 설포늄 염들(예를 들어, 트리아릴술포늄 염들)과 같은 오늄(onium) 염들뿐만 아니라 그들 중 둘 이상의 혼합물들을 포함하고, 이에 국한되지 않는다. 유용한 광개시제들의 다른 예들은 표준 텍스트북들에서 발견될 수 있다. 효율적인 경화를 달성하기 위해 하나 이상의 광개시제들와 함께 증감제(sensitizer)를 포함하는 것이 또한 유리할 수 있다. 적합한 감광제들의 전형적인 예들은 이소프로필-티오크산톤(ITX), 1-클로로-2-프로폭시-티오크산톤(CPTX), 2-클로로-티오크산톤(CTX) 및 2,4-디에틸-티오크산톤(DETX) 및 그들 중 둘 이상의 혼합물들을 포함하며, 이에 국한되지 않는다. UV-Vis-경화성 코팅 조성물들에 포함된 하나 이상의 광개시제들은 바람직하게는 약 0.1 중량% 내지 약 20 중량%, 보다 바람직하게는 약 1 중량% 내지 약 15 중량%의 총량으로 존재하고, 중량 백분율들은 UV-Vis-경화성 코팅 조성물들의 총 중량을 기반으로 한다.

여기에 설명된 방사선 경화성 코팅 조성물은, 유기 안료 입자들, 무기 안료 입자들 및 유기 염료들로 구성된 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 착색 구성요소들 및/또는 하나 이상의 첨가제들을 추가로 포함할 수 있다. 후자는, 점도(예를 들어, 용매들, 증점제들(thickeners) 및 계면활성제들), 농도(예를 들어, 침강 방지제들(anti-settling agents), 충전제들 및 가소제들), 거품 특성들(예를 들어, 소포제들), 윤활 특성들(왁스들, 오일들), UV 안정성(광안정제들), 접착 특성들, 대전방지성들, 저장 안정성(중합 금지제들) 등과 같이 코팅 조성물의 물리적, 유변학적(rheological) 및 화학적 매개변수들을 조정하기 위해 사용되는 화합물들 및 재료들을 포함하고 이에 국한되지 않는다. 여기에 설명된 첨가제들은, 첨가제의 치수들 중 적어도 하나가 1 내지 1000 nm 범위인 소위 나노재료들을 포함하여, 당업계에 알려진 양들 및 형태들로 코팅 조성물에 존재할 수 있다.

여기에 설명된 방사선 경화성 코팅 조성물은, 점도(예를 들어, 용매들 및 계면활성제들), 농도(예를 들어, 침강 방지제들, 충전제들 및 가소제들), 거품 특성들(예를 들어, 소포제들), 윤활 특성들(왁스들), UV 반응성 및 안정성(감광제들 및 광안정제들) 및 접착 특성들 등과 같이 조성물의 물리적, 유변학적 및 화학적 매개변수들을 조정하기 위해 사용되는 화합물들 및 재료들을 포함하지만 이에 국한되지 않는 하나 이상의 첨가제들을 추가로 포함할 수 있다. 여기에 설명된 첨가제들은, 입자들의의 치수들 중 적어도 하나가 1 내지 1000 nm 범위인 소위 나노재료들의 형태를 포함하여, 당업계에 알려진 양들 및 형태들로 여기에 설명된 코팅 조성물들에 존재할 수 있다.

여기에 설명된 방사선 경화성 코팅 조성물은, 하나 이상의 마커(marker) 물질들 또는 타간트들(taggants) 및/또는 자성 재료들(여기에 설명된 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들과 상이함), 발광 재료들, 전기 전도성 재료들 및 적외선 흡수 재료들로 구성된 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 기계 판독 가능한 재료들을 추가로 포함할 수 있다. 여기에 사용되는 바와 같이, "기계 판독 가능한 재료"라는 용어는, 디바이스 또는 기계에 의해 감지 가능한 적어도 하나의 독특한 특성을 나타내고, 그의 감지 및/또는 인증을 위한 특정 장비의 사용에 의해 상기 코팅 또는 상기 코팅을 포함하는 물품을 인증하는 방식을 부여하기 위해 코팅에 포함될 수 있는 재료를 지칭한다.

여기에 설명된 방사선 경화성 코팅 조성물들은, 여기에 설명된 접합 재료의 존재하에 존재할 때 하나 이상의 첨가제들 및 여기에 설명된 소판형 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들을 분산 또는 혼합하여 준비될 수 있으므로, 액체 조성물들을 형성한다. 존재할 때, 하나 이상의 광개시제들은 모든 다른 성분들의 분산 또는 혼합 단계 동안 조성물에 첨가될 수 있거나 추후 단계, 즉 액체 코팅 조성물의 형성 후에 첨가될 수 있다.

본 발명은, 여기에 설명된 기판들(x20) 상에 광학 효과 층들(OEL들)을 생성하기 위해 여기에 설명된 방법들 및 여기에 설명된 인쇄 장치들을 제공한다.

여기에 설명된 광학 효과 층들(OEL들)의 코팅 층(x10)의 형상은 연속적이거나 불연속적일 수 있다. 일 실시예에 따르면, 코팅 층(x10)의 형상은 하나 이상의 표시들, 점들 및/또는 라인들을 나타낼 수 있다. 코팅 층(x10)의 형상은 서로 자유 영역만큼 이격된 라인들, 점들 및/또는 표시들로 구성될 수 있다.

여기에 설명된 기판(x20)은, 셀룰로오스, 종이 함유 재료들, 유리들, 금속들, 세라믹들, 플라스틱들 및 폴리머들, 금속화된 플라스틱들 또는 폴리머들, 복합 재료들 및 그들의 둘 이상의 혼합물들 또는 조합들과 같이, 바람직하게는 종이들 또는 다른 섬유 재료들(직포 및 부직포 섬유 재료들을 포함함)로 구성된 그룹으로부터 선택된다. 전형적인 종이, 종이 유사 또는 다른 섬유 재료들은 아바카(abaca), 면, 리넨, 목재 펄프 및 그들의 혼방들을 포함하나 이에 국한되지 않는 다양한 섬유들로 만들어진다. 당업자에게 잘 알려진 바와 같이, 면 및 면/린넨 혼방들은 지폐들에 대해 바람직한 반면, 목재 펄프는 공통적으로 비지폐 보안 문서들에 사용된다. 플라스틱들 및 폴리머들의 전형적인 예들은, 폴리에틸렌(PE) 및 이축으로 배향된 폴리프로필렌(BOPP)을 포함하는 폴리프로필렌(PP)과 같은 폴리올레핀들, 폴리아미드들, 폴리(에틸렌 테레프탈레이트)(PET), 폴리(1,4-부틸렌 테레프탈레이트)(PBT), 폴리(에틸렌 2,6-나프토에이트)(PEN)와 같은 폴리에스테르들 및 폴리비닐클로라이드들(PVC)을 포함한다. Tyvek® 상표로 판매되는 것들과 같은 스펀본드(Spunbond) 올레핀 섬유들도 기판으로서 사용될 수 있다. 금속화된 플라스틱들 또는 폴리머들의 전형적인 예들은, 그들의 표면 상에 연속적으로 또는 불연속적으로 배치된 금속을 갖는 여기 위에 설명된 플라스틱 또는 폴리머 재료들을 포함한다. 금속들의 전형적인 예는, 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 구리(Cu), 금(Au), 은(Ag), 그들의 합금들 및 전술한 금속들 중 둘 이상의 조합들을 포함하지만 이에 국한되지 않는다. 여기 위에 설명된 플라스틱 또는 폴리머 재료들의 금속화는 전착(electrodeposition) 프로세스, 고진공 코팅 프로세스 또는 스퍼터링 프로세스에 의해 수행될 수 있다. 복합 재료들의 전형적인 예들은, 종이의 다층 구조들 또는 라미네이트들(laminates) 및 여기 위에 설명된 것들과 같은 적어도 하나의 플라스틱 또는 폴리머 재료뿐만 아니라 여기 위에 설명된 것들과 같은 종이 유사 또는 섬유 재료에 통합된 폴리머 섬유들 및/또는 플라스틱을 포함하지만, 이에 국한되지 않는다. 물론, 기판은 충전제들, 사이즈제들(sizing agents), 표백제들, 가공 보조제들, 강화제 또는 습윤 강화제들 등과 같은 당업자에게 알려진 첨가제들을 추가로 포함할 수 있다. 본 발명에 따라 생성된 OEL들이 예를 들어 손톱 래커들(fingernail lacquers)을 포함하는 장식 또는 미용 목적들을 위해 사용될 때, 상기 OEL은 손톱들, 인공 손톱들 또는 동물이나 인간의 다른 부분들을 포함하는 다른 유형의 기판들 상에서 생성될 수 있다.

본 발명에 따라 생성된 OEL이 보안 문서에 있어야 하고, 보안 수준 및 상기 보안 문서의 위조 및 불법 복제에 대비하여 저항성을 추가로 증가시키기 위한 목적으로, 기판은 인쇄되거나, 코팅되거나, 레이저 마킹되거나 레이저 천공된 표시들, 워터마크들, 보안 스레드들(security threads), 섬유들, 플랑셰트들(planchettes), 발광 화합물들, 윈도우들, 포일(foils), 데칼들(decals) 및 그들 중 둘 이상의 조합들을 포함할 수 있다. 보안 수준 및 보안 문서들의 위조 및 불법 복제에 대비하여 저항성을 추가로 증가시키는 동일한 목적으로, 기판은 하나 이상의 마커 물질들 또는 타간트들 및/또는 기계 판독 가능한 물질들(예를 들어, 발광 물질들, UV/가시적/IR 흡수 물질들, 자성 물질들 및 그들의 조합들)을 포함할 수 있다.

원하는 경우, 단계 a) 이전에 기판에 프라이머(primer) 층이 도포될 수 있다. 이것은 여기에 설명된 OEL의 품질을 향상시키거나 접착력을 촉진시킬 수 있다. 이러한 프라이머 층들의 예들은 WO 제2010/058026 A2호에서 발견될 수 있다.

오염 또는 화학적 저항성 및 청결성을 통해 내구성을 증가시키고 이에 따라 여기에 설명된 방법에 의해 획득된 OEL을 포함하는 물품, 보안 문서 또는 장식 요소 또는 객체의 순환 수명(circulation lifetime)을 증가시키는 목적으로 또는 그들의 미적 외관(예를 들어, 광학 광택)을 변형하려는 목적으로, 하나 이상의 보호 층들이 OEL 상부 상에 도포될 수 있다. 존재할 때, 하나 이상의 보호 층들은 전형적으로 보호 니스들(varnishes)로 만들어진다. 보호 니스들은 방사선 경화성 조성물들, 열 건조 조성물들 또는 그들의 임의의 조합일 수 있다. 바람직하게는, 하나 이상의 보호 층들은 방사선 경화성 조성물들, 보다 바람직하게는 UV-Vis 경화성 조성물들이다. 보호 층들은 전형적으로 OEL의 형성 후에 도포된다.

광학 효과 층(OEL) 또는 여기에 설명된 하나 이상의 광학 효과 층들(OEL들)을 포함하는 기판(x20)은, 예를 들어 압력을 가함으로써 추가로 엠보싱될(embossed) 수 있다.

여기에 설명된 광학 효과 층(OEL)은, 하나 이상의 인쇄 패턴들 또는 보안 피처들을 형성하기 위해 여기에 설명된 방사선 경화성 코팅 조성물을 적어도 부분적으로 경화시키는 단계 이후에 하나 이상의 잉크들 또는 코팅 조성물들로 적어도 부분적으로 겹쳐서 인쇄될(overprinted) 수 있다.

본 발명은, 여기에 설명된 방법들에 의해 및/또는 여기에 설명된 인쇄 장치들의 사용에 의해 생성된 광학 효과 층들(OEL들)을 추가로 제공한다. 또한 문서들 및 물품들에 대한 위조 방지 수단들로서(즉, 문서들 및 물품들을 보호하고 인증하기 위한 것)뿐만 아니라 장식 목적들을 위해, 여기에 설명된 OEL들의 용도들이 여기에 설명된다.

여기에 설명된 OEL은, (지폐의 적용들을 위한 것과 같이) 그것이 영구적으로 유지되어야 하는 기판 상에 직접 제공될 수 있다. 대안적으로, 광학 효과 층은 생성 목적들을 위해 임시 기판 상에 또한 제공될 수 있으며, 생성 목적들로부터 OEL이 이후에 제거된다. 이것은, 예를 들어 특히 접합 재료가 여전히 그의 유체 상태에 있는 동안, 광학 효과 층(OEL)의 생성을 용이하게 할 수 있다. 그 후, OEL의 생성을 위한 코팅 조성물을 하드닝시킨 후 임시 기판이 OEL로부터 제거될 수 있다.

대안적으로, 다른 실시예에서 접착 층은 OEL 상에 존재할 수 있거나 OEL을 포함하는 기판 상에 존재할 수 있고, 상기 접착 층은 OEL이 제공되는 측면과 반대인 기판의 측면 상에 있거나 OEL과 동일한 측면 상에 있고 OEL의 상부 상에 있다. 따라서, 접착 층이 OEL 또는 기판에 도포될 수 있고, 상기 접착 층은 경화 단계가 완료된 후에 도포된다. 이러한 물품은, 인쇄나 기계를 포함하는 다른 프로세스들 없이 많은 노력을 기울이지 않고 모든 종류의 문서들 또는 다른 물품들 또는 항목들에 부착될 수 있다. 대안적으로, 여기에 설명된 OEL을 포함하는 여기에 설명된 기판은, 별도의 이송 단계에서 문서 또는 물품에 적용될 수 있는 이송 포일의 형태일 수 있다. 이러한 목적을 위해, 기판에는 이형 코팅이 제공되며, 여기에 설명된 바와 같이 OEL들이 생성된다. 이렇게 생성된 광학 효과층 위에 하나 이상의 접착 층들이 도포될 수 있다.

또한, 여기에 설명된 방법에 의해 획득된 광학 효과층들(OEL들)을 1개 이상, 즉 2개, 3개, 4개 등을 포함하는 기판들이 여기에 설명된다.

또한, 본 발명에 따라 생성된 광학 효과 층(OEL)을 포함하는 물품들, 특히 보안 문서들, 장식 요소들 또는 객체들이 여기에 설명된다. 물품들, 특히 보안 문서들, 장식 요소들 또는 객체들은, 본 발명에 따라 생성된 하나 이상의(예를 들어, 2개, 3개 등) OEL들을 포함할 수 있다.

여기 위에 언급한 바와 같이, 본 발명에 따라 생성된 OEL은, 보안 문서를 보호 및 인증하기 위한 것 일 뿐만 아니라 장식 목적들을 위해 사용될 수 있다.

장식 요소들 또는 객체들의 전형적인 예들은 사치품들, 화장품 포장, 자동차 부품들, 전자/전기 기기들, 가구 및 손톱 물품들을 포함하지만 이에 국한되지 않는다.

보안 문서들은 유가 문서들 및 유가 상품들을 포함하지만 이에 국한되지 않는다. 유가 문서들의 전형적인 예는, 지폐들, 증서들, 티켓들, 수표들, 바우처들, 재정 인지들(fiscal stamps) 및 세금 라벨들, 계약서들 등, 여권들, 신분증들, 비자들, 운전 면허증들, 은행 카드들, 신용 카드들, 거래 카드들, 액세스 문서들 또는 카드들, 입장권들, 대중 교통 티켓들, 졸업장들 또는 타이틀들 등과 같은 신분 증명서들, 바람직하게는 지폐들, 신분 증명서들, 권리 부여 문서들, 운전 면허증들 및 신용카드들을 포함하지만, 이에 국한되지 않는다. "유가 상품들"이라는 용어는, 포장 재료들, 특히 화장품들, 기능성 식품들, 의약품들, 주류들, 담배 제품들, 음료들 또는 식료품들, 전기/전자 제품들, 직물 또는 보석류, 즉, 예를 들어 정품 의약품들처럼 포장의 내용물을 보증하기 위해 위조 및/또는 불법 복제에 대비하여 보호되어야 하는 물품들을 지칭한다. 이러한 포장 재료들의 예들은 인증 브랜드 라벨들, 변조(tamper) 증거 라벨들 및 밀봉들과 같은 라벨들을 포함하고 이에 국한되지 않는다. 개시된 기판들, 유가 문서들 및 유가 상품들은 본 발명의 범위를 제한하지 않고 예시 목적들로만 제공된 것임을 언급한다.

대안적으로, 여기에 설명된 광학 효과 층(OEL)은 예를 들어 보안 스레드, 보안 스트라이프(sripe), 포일, 데칼, 윈도우 또는 라벨과 같은 예비 기판 상에 생성될 수 있고 결과적으로 별도의 단계에서 보안 문서로 이송된다.

당업자는 본 발명의 사상을 벗어나지 않고 위에서 설명된 특정 실시예들에 대한 여러 변형들을 구상할 수 있다. 이러한 변형들은 본 발명에 의해 포함된다.

또한, 본 명세서 전반에 걸쳐 지칭된 모든 문서들은 여기에 완전히 명시된 바와 같이 전체적으로 참조로 포함된다.

예들

예들 및 비교예들은, 표 1에 주어진 제조법의 UV-Vis 경화성 스크린 인쇄 잉크 및 여기 아래에 설명된 제1 자기 어셈블리 및 제2 자기 어셈블리를 사용하여 수행되었다.

표 1

(*)은 JDS-유니페이스(Uniphase)(산타 로사, CA)로부터 획득된, 직경 d₅₀가 약 9.3 μm이고 두께가 약 1 μm인 플레이크 형상을 갖는 7층 금색-내지-녹색 소판형 광학 가변 자성 안료 입자들이다.

본 발명에 따른 자기 어셈블리(도 2a)

제1 평면에 실질적으로 평행한 배향으로 기판(220)을 수용하도록 구성된 자기 어셈블리(200)는, 본 발명에 따른 안료 입자들을 이축으로 배향하기 위해 사용되었다. 자기 어셈블리(200)는 a) 제1 막대 쌍극자 자석(231) 및 두 개의 제2 막대 쌍극자 자석들(232_a 및 232_b)을 포함하는 제1 세트(S1), 및 제1 막대 쌍극자 자석(231) 및 두 개의 제2 막대 쌍극자 자석들(232_a 및 232_b)을 포함하는 제2 세트(S2) 및 b) 제3 막대 쌍극자 자석들(233_a 및 233_b)의 제1 쌍(P1)을 포함한다.

제1 세트(S1) 및 제2 세트(S2)의 제1 막대 쌍극자 자석(231)의 최상부 표면, 제1 세트(S1) 및 제2 세트(S2)의 제2 막대 쌍극자 자석들(232_a 및 232_b)의 최상부 표면 그리고 제1 쌍(P1)의 제3 막대 쌍극자 자석들(233_a 및 233_b)의 최상부 표면은 서로 같은 높이였다.

제3 막대 쌍극자 자석(233_a)은, 라인을 형성하기 위해 제1 세트(S1)의 제2 막대 쌍극자 자석(232_a) 및 제2 세트(S2)의 제2 막대 쌍극자 자석(232_a)과 정렬되었다. 제3 막대 쌍극자 자석(233_b)은, 라인을 형성하기 위해 제1 세트(S1)의 제2 막대 쌍극자 자석(232_b) 및 제2 세트(S2)의 제2 막대 쌍극자 자석(232_b)과 정렬되었다. 여기에 설명된 각각의 라인에 대해, 제3 막대 쌍극자 자석들(233_a 및 233_b) 및 두 개의 제2 막대 쌍극자 자석들(232_a)은 2 mm의 제3 거리(d3)만큼 이격되었다.

제1 세트(S1) 및 제2 세트(S2)의 제1 막대 쌍극자 자석들(231)은, 다음의 치수들인 5 mm인 제1 두께(L1), 60 mm인 제1 길이(L4) 및 40 mm인 제1 폭(L5)을 갖는다. 제1 세트(S1) 및 제2 세트(S2)의 제2 막대 쌍극자 자석들(232_a 및 232_b) 각각은, 다음의 치수들인 10 mm인 제2 두께(L2), 40 mm인 제2 길이(L6) 및 10 mm인 제2 폭(L7)을 갖는다. 제1 쌍(P1)의 제3 막대 쌍극자 자석들(233_a 및 233_b) 각각은, 다음의 치수들인 10 mm인 제3 두께(L3), 20 mm인 제3 길이(L8) 및 10 mm인 제3 폭(L9)을 갖는다.

제1 세트(S1)의 제1 막대 쌍극자 자석(231)과 제1 세트(S1)의 제2 막대 쌍극자 자석들(232_a 및 232_b)은 칼럼을 형성하기 위해 정렬되었고, 제2 세트(S2)의 제1 막대 쌍극자 자석(231)과 제2 세트(S2)의 제2 막대 쌍극자 자석들(232_a 및 232_b)은 칼럼을 형성하기 위해 정렬되었다. 여기에 설명된 각각의 세트(S1, S2) 및 각각의 칼럼에 대해, 제1 막대 쌍극자 자석들(231) 및 두 개의 제2 막대 쌍극자 자석들(232_a 및 232_b)은 2 mm의 제2 거리(d2)만큼 이격되었다.

제1 세트(S1) 및 제2 세트(S2)의 제1 막대 쌍극자 자석들(231)은 제1 평면에 실질적으로 평행하고 기판(220)에 실질적으로 평행하도록 배향된 그들의 자기 축을 가졌고, 제1 세트(S1)의 제1 막대 쌍극자 자석(231)은 제2 세트(S2)의 제1 막대 쌍극자 자석(231)의 자기 방향과 반대인 그의 자기 방향을 가졌으며, (제3 길이(L8)와 두 개의 제3 거리들(d3)의 합에 대응하는) 24 mm의 제1 거리(d1)만큼 이격되었다.

제1 세트(S1) 및 제2 세트(S2)의 두 개의 제2 막대 쌍극자 자석들(232_a 및 232_b)은, 기판(220)에 실질적으로 직각이고 제1 평면에 실질적으로 직각이 되도록 배향된 그들의 자기 축을 가졌다. 제1 세트(S1)의 제2 막대 쌍극자 자석(232_a)의 남극은 제1 평면 및 기판(220)을 가리켰고, 제1 세트(S1)의 제2 막대 쌍극자 자석(232_b)의 북극은 제1 평면 및 기판(220)을 가리켰고, 제1 세트(S1)의 제1 막대 쌍극자 자석들(231)의 북극은 제1 세트(S1)의 제2 막대 쌍극자 자석(232_b)을 가리켰다. 제2 세트(S2)의 제2 막대 쌍극자 자석(232_a)의 북극은 제1 평면 및 기판(220)을 가리켰고, 제2 세트(S2)의 제2 막대 쌍극자 자석(232_b)의 남극은 제1 평면 및 기판(220)을 가리켰고, 제2 세트(S2)의 제1 막대 쌍극자 자석들(231)의 북극은 제2 세트(S2)의 제2 막대 쌍극자 자석(232_a)을 가리켰다.

제3 막대 쌍극자 자석(233_a)의 남극은 제1 세트(S1)의 제2 막대 쌍극자 자석(232_a)을 가리켰고, 상기 제2 막대 쌍극자 자석(232_a)은 기판(220)을 가리키는 그의 남극을 가졌으며; 제3 막대 쌍극자 자석(233_b)의 북극은 제1 세트(S1)의 제2 막대 쌍극자 자석(232_b)을 가리켰고, 상기 제2 막대 쌍극자 자석(232_b)은 기판(220)을 가리키는 그의 북극을 가졌다.

제1 세트(S1) 및 제2 세트(S2)의 제1 막대 쌍극자 자석들(231), 제1 세트(S1) 및 제2 세트(S2)의 제2 막대 쌍극자 자석들(232_a 및 232_b) 및 제1 쌍(P1)의 제3 막대 쌍극자 자석들(233_a 및 233_b)은 NdFeB N42로 만들어졌고, 다음 치수들인 115 mm x 115 mm x 12 mm을 갖는, 폴리옥시메틸렌(POM)으로 만들어진 비-자성 지지 매트릭스(미도시)에 내장되었다.

제1 세트(S1) 및 제2 세트(S2)의 제1 막대 쌍극자 자석들(231)은, 제1 평면에 실질적으로 평행하고 기판(220)에 실질적으로 평행하도록 배향된 그들의 자기 축을 가졌고, 제1 세트(S1)의 제1 막대 쌍극자 자석(231)은 제2 세트(S2)의 제1 막대 쌍극자 자석(231)의 자기 방향과 반대인 그의 자기 방향을 가졌으며, 24 mm의 제1 거리(d1)만큼 이격되었다.

선행 기술에 따른 자기 어셈블리(도 6a 및 도 6b)

제1 평면에 실질적으로 평행한 배향으로 기판(620)을 수용하도록 구성된 비교 자기 어셈블리(600)는, 안료 입자들을 이축으로 배향하기 위해 사용되었다. 상기 비교 자기 어셈블리(600)는 EP 제2 157 141 A호의 도 5에 따라 엇갈린 방식으로 배치된 4개의 막대 쌍극자 자석들(632a-d)을 포함했다. 4개의 막대 쌍극자 자석들(632a-d)은 여기 위에 설명된 제1 세트(S1) 및 제2 세트(S2)의 제2 막대 쌍극자 자석들(232_a 및 232_b)과 동일하였고, 엇갈린 방식으로 배치되었으며, 거리(e1)는 60 mm이고 거리(e2)는 약 40 mm였다.

샘플 E1 및 비교 샘플 C1(도 7a)

각 샘플에 대해, 표 1의 UV-Vis 경화성 스크린 인쇄 잉크는 코팅 층(40 mm x 40 mm)을 형성하기 위해, 한 장의 신용 지폐(100g/m², 60 mm x 60 mm인, 루이젠탈(Louisenthal)로부터의 BNP 지폐) 상에 도포되었고, 상기 도포 단계는 약 20 ㎛의 두께를 갖는 코팅 층을 형성하기 위해 T90 스크린을 사용하는 실험실용 스크린 인쇄 디바이스로 수행되었다.

코팅 층이 여전히 습윤상태이고 아직 경화되지 않은 상태인 동안에, 기판(220, 620)이 고밀도 폴리에틸렌(HDPE)으로 만들어진 지지 플레이트(100 mm x 100 mm)의 중심의 상부 상에 배치되었다. 기판(220, 620)과 코팅 층을 반송하는 지지 플레이트는,

i) 샘플 E1에 대해 도 2a에 도시된 자기 어셈블리(200) 및

ii) 비교 샘플 C1에 대해 도 6a에 도시된 자기 어셈블리(600) 위에서 대략 50 cm/sec의 속도로 독립적으로 이동시켰고, 기판(220, 620)은 자기 어셈블리(200, 600)를 향하였고 자기 어셈블리(200, 600)의 최상부 표면과 기판(220, 620) 사이의 거리(h)는 2mm였다.

기판(220, 620)과 코팅 층을 반송하는 지지 플레이트를 자기 어셈블리(200, 600)로부터 멀리 약 20 cm의 거리(d₅)만큼 이동시킨 후, 코팅 층은 포지온(Phoseon)(Type FireFlex 50 x 75 mm, 395 nm, 8 W/cm2)으로부터 UV-LED-램프(250, 650)에 약 0.5초 동안 노출 시 독립적으로 경화되었다.

본 발명에 따른 자기 어셈블리(200)로 획득된 결과로 생긴 광학 효과 층은 도 7a(왼쪽)에 도시되고 비교 자기 어셈블리(600)로 획득된 결과로 생긴 광학 효과 층은 도 7a(오른쪽)에 도시된다. 도 7a에 도시된 바와 같이, 본 발명의 프로세스에 따라 준비된 샘플은 균질한 층으로 구성되었고, 반면에 비교 샘플은 기판(620)의 움직임에 평행한 샘플의 가장자리를 따라 더 밝고 어두운 밴드(점선 사각형 내의 영역)의 존재로부터 어려움을 겪었다.

샘플 E2 및 비교 샘플 C2(도 7b)

샘플 E2 및 비교 샘플 C2는, 기판(220, 620)을 반송하는 지지 플레이트 및 코팅 층이 자기 어셈블리(200, 600) 위로 3회(경화 단계 전 앞/뒤/앞) 이동되었던 것을 제외하고는 여기 위에 설명된 E1 및 C1에 대한 방법에 따라 준비되었다.

본 발명에 따른 자기 어셈블리(200)로 획득된 결과로 생긴 광학 효과 층은 도 7b(왼쪽)에 도시되고 비교 자기 어셈블리(600)로 획득된 결과로 생긴 광학 효과 층은 도 7b(오른쪽)에 도시된다. 도 7b에 도시된 바와 같이, 본 발명의 프로세스에 따라 준비된 샘플은 균질한 층으로 구성되었고, 반면에 비교 샘플은 기판(620)의 움직임에 평행한 샘플의 가장자리를 따라 더 밝고 어두운 밴드(점선 사각형 내의 영역)의 존재로부터 어려움을 겪었다.

샘플 E3 및 비교 샘플 C3(도 7c)

샘플 E3 및 비교 샘플 C3는, 자기 어셈블리(200, 600)의 최상부 표면과 기판(220, 620) 사이의 거리(h)가 2 mm 대신 5 mm였던 것을 제외하고는 여기 위에 설명된 E2 및 C2에 대한 방법에 따라 준비되었다. 거리(h)의 증가는, 그리퍼들이 산업 프로세스 동안 제 위치에서 기판의 시트들 또는 웹을 유지하기 위해 통상적으로 사용되는 상기 산업 프로세스를 모방하기 위해 사용되었다.

본 발명에 따른 자기 어셈블리(200)로 획득된 결과로 생긴 광학 효과 층은 도 7c(왼쪽)에 도시되고 비교 자기 어셈블리(600)로 획득된 결과로 생긴 광학 효과 층은 도 7c(오른쪽)에 도시된다. 도 7c에 도시된 바와 같이, 본 발명의 프로세스에 따라 준비된 샘플은 균질한 층으로 구성되었고, 반면에 비교 샘플은 기판(620)의 움직임에 평행한 샘플의 가장자리를 따라 2개의 밝고 2개의 어두운 밴드들(점선 사각형 내의 영역들)의 존재로부터 어려움을 겪었다.

도 7a 내지 도 7c(좌측)에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 자기 어셈블리(200)를 갖는 본 발명의 방법에 따라 준비된 광학 효과 층들(OEL들)(E1-E3)은, 소판형 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들의 최적의 이축 배향으로 인해 균질한 양상을 나타냈다. 특히, 기판 표면에 실질적으로 평행한 소판형 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들의 X-축들 및 Y-축들 둘 다를 갖기 위해 소판형 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들의 개선된 이축 배향이 전체의 표면 위에 시트형 표면을 나타내는 광학 효과층을 생성하는 것을 허용했다. 도 7a 내지 도 7c(오른쪽)에 도시된 바와 같이, 비교 자기 어셈블리(600)를 이용한 선행 기술(C1-C3)의 비교 방법에 따라 준비된 광학 효과 층은 비균질한 양상을 나타냈다.

도 7a(왼쪽)에 도시된 바와 같이, 본 발명의 자기 어셈블리(200)에 대한 단일 패스(pass)는 균질한 광학 효과 층의 준비를 허용하였다. 도 7b(왼쪽)에 도시된 바와 같이, 본 발명의 자기 어셈블리(200)에 대한 패스들의 증가는 또한 균질한 광학 효과 층의 준비를 허용하였다. 도 7c(왼쪽)에 도시된 바와 같이, 자기 어셈블리(200) 및 기판(220) 사이의 거리(h)의 증가는 여전히 균질한 광학 효과 층의 준비를 허용하였고, 반면 거리(h)의 동일한 증가는 비교 자기 어셈블리를 사용하는 비교 방법으로 획득된 광학 효과 층의 광학적 외관에 추가로 부정적인 영향을 미쳤다.

Claims

기판(x20) 상에 광학 효과 층(OEL)을 생성하기 위한 자기 어셈블리(x00)로서, 상기 자기 어셈블리(x00)는 제1 평면에 실질적으로 평행한 배향 및 상기 제1 평면 위로 상기 기판(x20)을 수용하도록 구성되고,
a) 적어도 제1 세트(S1), 제2 세트(S2) 및,
b) 제3 막대 쌍극자 자석들(x33_a 및 x33_b)의 제1 쌍(P1)을 더 포함하고,
각각의 상기 제1 세트(S1) 및 상기 제2 세트(S2)는:
i. 하나의 제1 막대 쌍극자 자석(x31) 및,
- 상기 하나의 제1 막대 쌍극자 자석(x31)은 제1 두께(L1), 제1 길이(L4) 및 제1 폭(L5)을 갖고,
상기 제1 평면에 실질적으로 평행하도록 배향된 상기 하나의 제1 막대 쌍극자 자석(x31)의 자기 축(magnetic axis)을 가짐 -,
ii. 두 개의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b)을 포함하고,
상기 두 개의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b)은 제2 두께(L2), 제2 길이(L6) 및 제2 폭(L7)을 갖고,
상기 두 개의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a, x32_b)은 서로 같은 높이인, 상기 두 개의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a, x32_b)의 최상부 표면들을 가지며,
상기 제1 평면에 실질적으로 직각이 되도록 배향된 상기 두 개의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a, x32_b)의 자기 축들을 갖고,
상기 제1 평면은 상기 두 개의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b)의 최상부 표면 위에 위치되고,
상기 제1 세트(S1)의 제1 막대 쌍극자 자석(x31)은 상기 제2 세트(S2)의 제1 막대 쌍극자 자석(x31)의 자기 방향과 반대인 자기 방향을 가지며,
상기 제1 세트(S1) 및 상기 제2 세트(S2)의 제1 막대 쌍극자 자석들(x31)은 제1 거리(d1)만큼 이격되고,
상기 제1 세트(S1)의 제1 막대 쌍극자 자석(x31)은 상기 제2 세트(S2)의 제1 막대 쌍극자 자석(x31)과 실질적으로 동일한 제1 길이(L4) 및 제1 폭(L5)을 갖고,
상기 제1 세트(S1)의 두 개의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b)은 상기 제2 세트(S2)의 두 개의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b)과 실질적으로 동일한 제2 길이들(L6) 및 제2 폭들(L7)을 갖고,
각각의 상기 제1 세트(S1) 및 상기 제2 세트(S2)의 제1 막대 쌍극자 자석(x31) 및 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b)이 칼럼(column)을 형성하도록 정렬되고, 상기 제1 세트(S1) 및 상기 제2 세트(S2)의 제1 막대 쌍극자 자석(x31)이 각각 상기 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b) 사이에 배치되고 그들로부터 제2 거리(d2)만큼 이격되며,
상기 제1 폭(L5) 및 상기 제2 길이(L6)는 실질적으로 동일하고,
각각의 상기 제1 세트(S1) 및 상기 제2 세트(S2)의 하나의 제2 막대 쌍극자 자석(x32_a 및 x32_b)의 북극은, 상기 제1 막대 쌍극자 자석(x31)의 북극이 상기 하나의 제2 막대 쌍극자 자석(x32_a 및 x32_b)의 북극을 가리킬 때, 상기 제1 평면을 가리키고 각각의 상기 제1 세트 (S1) 및 상기 제2 세트(S2)의 제2 막대 쌍극자 자석(x32_a 및 x32_b) 중 나머지 하나의 남극이 상기 제1 평면을 가리키고, 상기 제1 막대 쌍극자 자석(x31)의 남극은 상기 나머지 하나의 남극을 가리키고,
상기 제3 막대 쌍극자 자석들(x33_a 및 x33_b)은 제3 두께(L3), 제3 길이(L8) 및 제3 폭(L9)을 갖고,
상기 제1 평면에 실질적으로 평행하도록 배향된, 상기 제3 막대 쌍극자 자석들(x33_a 및 x33_b)의 자기 축들을 갖고,
상기 제1 세트(S1) 및 상기 제2 세트(S2)의 두 개의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b)의 제2 폭(L7)은 상기 제3 막대 쌍극자 자석들(x33_a 및 x33_b)의 제3 폭(L9)과 실질적으로 동일한 값을 갖고,
각각의 상기 제3 막대 쌍극자 자석들(x33_a 및 x33_b)은, 두 개의 라인들을 형성하기 위해 상기 제1 세트(S1)의 하나의 제2 막대 쌍극자 자석(x32_a 및 x32_b) 및 상기 제2 세트(S2)의 하나의 제2 막대 쌍극자 자석(x32_a 및 x32_b)과 정렬되고, 상기 제3 막대 쌍극자 자석들(x33_a 및 x33_b)은 개개의 상기 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a, x32_b) 사이에 배치되고 그들로부터 제3 거리(d3)만큼 이격되며,
상기 제3 막대 쌍극자 자석들(x33_a 및 x33_b)의 북극들은 상기 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b) 중 각각 하나를 가리키고, 상기 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b) 중 상기 하나의 북극들은 상기 제1 평면을 가리키거나, 상기 제3 막대 쌍극자 자석들(x33_a 및 x33_b)의 남극들은 상기 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b) 중 각각 하나를 가리키고, 상기 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b) 중 상기 하나의 남극들은 상기 제1 평면을 가리키고,
상기 제1 세트(S1) 및 상기 제2 세트(S2)의 제1 막대 쌍극자 자석들(x31), 상기 제1 세트 (S1) 및 상기 제2 세트(S2)의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b) 및 상기 제3 막대 쌍극자 자석들(x33_a 및 x33_b)은 비-자성(non-magnetic) 지지 매트릭스에 적어도 부분적으로 내장되는, 자기 어셈블리.
제1항에 있어서,
상기 제1 세트 (S1) 및 상기 제2 세트(S2)의 제1 막대 쌍극자 자석들(x31)의 제1 두께(L1)는 바람직하게는 상기 제1 세트(S1) 및 상기 제2 세트(S2)의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b)의 제2 두께(L2)와 동일하거나 그보다 작고; 바람직하게는 상기 제1 세트 (S1) 및 상기 제2 세트(S2)의 제1 막대 쌍극자 자석들(x31)의 제1 두께(L1)에 대한 상기 제1 세트 (S1) 및 상기 제2 세트(S2)의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b)의 제2 두께(L2)의 비율(L2/L1)은 3과 동일하거나 그보다 작고 1보다 크거나 그와 동일하고(즉, 1 ≤ L2/L1 ≤ 3),
상기 제1 세트 (S1) 및 상기 제2 세트(S2)의 제1 막대 쌍극자 자석들(x31)의 제1 두께(L1)는 바람직하게는 상기 제1 쌍(P1)의 제3 막대 쌍극자 자석들(x33_a 및 x33_b)의 제3 두께(L3)와 동일하거나 그보다 작고; 바람직하게는 상기 제1 세트 (S1) 및 상기 제2 세트(S2)의 제1 막대 쌍극자 자석들(x31)의 제1 두께(L1)에 대한 상기 제1 쌍(P1)의 제3 막대 쌍극자 자석들(x33_a 및 x33_b)의 제3 두께(L3)의 비율(L3/L1)은 3과 동일하거나 그보다 작고 1보다 크거나 그와 동일하고(즉, 1 ≤ L3/L1 ≤ 3);
상기 제1 막대 쌍극자 자석(x31)과 상기 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b) 사이의 제2 거리(d2)는 0보다 크거나 그와 동일하고 상기 제1 막대 쌍극자 자석들(x31)의 제1 두께(L1)의 1/2보다 작거나 그와 동일하고(0 ≤ d2 ≤ ½L1); 및
상기 제1 쌍(P1)의 제3 막대 쌍극자 자석들(x33_a 및 x33_b)과 상기 제1 세트 (S1) 및 상기 제2 세트(S2)의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b) 사이의 제3 거리(d3)는 0보다 크거나 그와 동일하고 상기 제1 막대 쌍극자 자석들(x31)의 제1 두께(L1)의 1/2보다 작거나 그와 동일한(0 ≤ d3 ≤ ½L1), 자기 어셈블리.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b)의 최상부 표면은 상기 제3 막대 쌍극자 자석들(x33_a 및 x33_b)의 최상부 표면들과 같은 높이인, 자기 어셈블리.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 세트(S1) 및 상기 제2 세트(S2)의 제1 막대 쌍극자 자석들(x31) 사이의 제1 거리(d1)는 제1 길이(L4)의 15%보다 크거나 그와 동일하고 제1 길이(L4)의 150%보다 작거나 그와 동일하고(즉, 0.15*L4 ≤ d1 ≤ 1.5*L4), 바람직하게는 제1 길이(L4)의 25%보다 크거나 그와 동일하고 제1 길이(L4)의 120%보다 작거나 그와 동일하고(즉, 0.25*L4 ≤ d1 ≤ 12*L4), 훨씬 보다 바람직하게는 제1 길이(L4)의 25%보다 크거나 그와 동일하고 제1 길이(L4)의 80%보다 작거나 그와 동일한(즉, 0.25*L4 ≤ d1 ≤ 0.8*L4), 자기 어셈블리.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
i) 제(2+i) 세트(S_(2+i))(i = 1, 2 등) 및,
- 상기 제(2+i) 세트(S_(2+i))는 제1 두께(L1), 제1 길이(L4) 및 제1 폭(L5)을 갖고, 상기 제1 평면에 실질적으로 평행하도록 배향된 제1 막대 쌍극자 자석(x31)의 자기 축을 갖는 하나의 추가의 상기 제1 막대 쌍극자 자석(x31), 및
제2 두께(L2), 제2 길이(L6) 및 제2 폭(L7)을 갖는 두 개의 추가의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b)을 포함하고, 상기 두 개의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a, x32_b)은 서로 같은 높이인 상기 두 개의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a, x32_b)의 최상부 표면들을 가지며, 상기 제1 평면에 실질적으로 직각이 되도록 배향된 상기 두 개의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a, x32_b)의 자기 축들을 가지고,
상기 제(2+i) 세트(S_(2+i))의 제1 막대 쌍극자 자석(x31)은 제(2+i-1) 세트(S_2+i-1)의 제1 막대 쌍극자 자석(x31)의 자기 방향과 반대인 자기 방향을 가지며,
상기 제(2+i) 세트(S_(2+i)) 및 상기 제(2+i-1) 세트(S_2+i-1)의 제1 막대 쌍극자 자석들(x31)은 제1 거리(d1)만큼 이격되고,
상기 제(2+i) 세트(S_(2+i))의 제1 막대 쌍극자 자석(x31)은 상기 제(2+i-1) 세트(S_2+i-1)의 제1 막대 쌍극자 자석(x31)과 실질적으로 동일한 길이(L5) 및 폭(L4)을 갖고,
상기 제(2+i) 세트(S_(2+i))의 두 개의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a, x32_b)은 상기 제(2+i-1) 세트(S_2+i-1)의 두 개의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a, x32_b)과 실질적으로 동일한 길이들(L6) 및 폭들(L7)을 갖고,
상기 제1 막대 쌍극자 자석(x31) 및 상기 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a, x32_b)이 칼럼을 형성하도록 정렬되고, 상기 제(2+i) 세트(S_(2+i))의 제1 막대 쌍극자 자석(x31)이 상기 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b) 사이에 배치되고 그들로부터 제2 거리(d2)만큼 이격되며,
제1 길이(L4) 및 제2 길이(L6)는 실질적으로 동일하고,
상기 제(2+i) 세트(S_(2+i))의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a, x32_b) 중 하나의 북극은 상기 제1 평면을 가리키고 상기 제1 막대 쌍극자 자석(x31)의 북극은 상기 제2 막대 쌍극자 자석을 가리킴 -
ii) 제(1+i) 쌍(P_1+i)의 제3 막대 쌍극자 자석들(x33_a 및 x33_b)을 포함하는 하나 이상의 조합들을 더 포함하고, 상기 제(1+i) 쌍(P_1+i)의 제3 막대 쌍극자 자석들(x33_a 및 x33_b)은 제3 두께(L3), 제3 길이(L9) 및 제3 폭(L8)을 갖고 상기 제(1+i-1) 쌍(P_1+i-1)의 제3 막대 쌍극자 자석들(x33_a 및 x33_b)의 자기 축들과 실질적으로 평행하도록 배향된 상기 제(1+i) 쌍(P_1+i)의 제3 막대 쌍극자 자석들(x33_a 및 x33_b)의 자기 축들을 가지며,
각각의 상기 제3 막대 쌍극자 자석들(x33_a 및 x33_b)은, 두 개의 라인들을 형성하기 위해 상기 제(2+i) 세트(S_(2+i))의 하나의 제2 막대 쌍극자 자석(x32_a 및 x32_b) 및 상기 제(2+i-1) 세트(S_2+i-1)의 하나의 제2 막대 쌍극자 자석(x32_a 및 x32_b)과 정렬되고, 상기 제3 막대 쌍극자 자석들(x33_a 및 x33_b)은 개개의 상기 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a, x32_b) 사이에 배치되고 그들로부터 제3 거리(d3)만큼 이격되며,
상기 제3 막대 쌍극자 자석들(x33_a 및 x33_b)의 북극들은 상기 제(2+i) 세트(S_(2+i)) 및 상기 제(2+i-1) 세트(S_2+i-1)의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b) 중 각각 하나를 가리키고, 상기 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b) 중 상기 하나의 북극들은 상기 제1 평면을 가리키거나, 상기 제3 막대 쌍극자 자석들(x33_a 및 x33_b)의 남극들은 상기 제(2+i) 세트(S_(2+i)) 및 상기 제(2+i-1) 세트(S_2+i-1)의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b) 중 각각 하나를 가리키고, 상기 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b) 중 상기 하나의 남극들은 상기 제1 평면을 가리키고,
상기 제(2+i) 세트(S_(2+i))의 제1 막대 쌍극자 자석들(x31), 상기 제(2+i) 세트(S_(2+i))의 제2 막대 쌍극자 자석들(x32_a 및 x32_b) 및 상기 제(1+i) 쌍(P_1+i)의 제3 막대 쌍극자 자석들(x33_a 및 x33_b)은 상기 비-자성 지지 매트릭스에 적어도 부분적으로 내장되는, 자기 어셈블리.
바람직하게는 체인들(chains), 벨트들(belts), 실린더들(cylinders) 및 그들의 조합들로 구성된 그룹으로부터 선택되는 이송 디바이스(transferring device)의 부근에 장착되는 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 따른 자기 어셈블리(xOO)를 포함하는, 인쇄 장치.
기판(x20) 상에 광학 효과 층(OEL)을 생성하기 위한 방법으로서,
i) 소판형(platelet-shaped) 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들을 포함하는 방사선 경화성 코팅 조성물을 기판(x20) 표면 상에 도포하는 단계 - X축 및 Y축은 상기 입자들의 주요(predominant) 연장의 평면을 규정하고, 상기 방사선 경화성 코팅 조성물은 코팅 층(x10)을 형성하기 위해 제1 액체 상태임 -;
ii) 상기 소판형 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들의 적어도 일부를 이축으로(bi-axially) 배향시키기 위해 상기 코팅 층(x10)을 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 인용된 자기 어셈블리(xOO)의 자기장에 노출시키는 단계; 및
iii) 상기 소판형 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들을 상기 소판형 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들의 채택된 위치들 및 배향들에 고정하기 위해 단계 ii)의 상기 방사선 경화성 코팅 조성물을 제2 고체 상태로 적어도 부분적으로 경화시키는 단계를 포함하는, 방법.
제7항에 있어서,
상기 소판형 자성 또는 자화 가능한 입자들의 적어도 일부를 재배향하기 위해, 상기 코팅 층(x10)을 자기장 발생 디바이스의 자기장에 노출시키는 추가의 단계를 더 포함하고, 상기 추가의 단계는 단계 ii) 이후에 수행되는, 방법.
제8항에 있어서,
상기 코팅 층(x10)의 하나 이상의 제2 영역들이 조사(irradiation)에 노출되지 않은 채로 남아 있도록, 상기 소판형 자성 또는 자화 가능한 입자들의 적어도 일부를 상기 소판형 자성 또는 자화 가능한 입자들의 적어도 일부의 채택된 위치들 및 배향들에 고정하기 위해, 단계 ii)의 방사선 경화성 코팅 조성물의 코팅 층(x10)의 하나 이상의 제1 영역들을 선택적으로 적어도 부분적으로 경화시키는 단계가 수행되고, 상기 단계는 상기 자기장 발생 디바이스의 자기장에 상기 코팅 층(x10)을 더 노출시키는 제9항의 단계 이전에, 부분적으로 동시에 또는 그 이후에 수행되는, 방법.
제7항에 있어서,
상기 코팅 층(x10)은, 단일 단계에서 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 인용된 자기 어셈블리(xOO)의 자기장들과 하나 이상의 경자성(hard magnetic) 자석들을 포함하는 자기장 발생 디바이스의 상호 작용에 노출되고, 상기 자기장 발생 디바이스는 회전하는 자기 실린더(x60) 상에 장착되거나 이동 가능한 자기장 발생 디바이스인, 방법.
제7항에 있어서,
상기 코팅 층(x10)은, 단일 단계에서 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 인용된 자기 어셈블리(xOO)의 자기장들과, 보이드들(voids) 및/또는 만입부들(indentations) 및/또는 돌출부들의 형태로 하나 이상의 표시들을 반송하는 하나 이상의 연자성 플레이트들의 상호 작용에 노출되고, 상기 하나 이상의 연자성 플레이트들은 회전하는 자기 실린더(x60) 상에 배치되거나 상기 기판(x20) 아래의 이동 가능한 디바이스 상에 배치되는, 방법.
제7항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
제1 막대 쌍극자 자석들(x31)의 최상부 표면과 상기 기판 사이의 거리(h)는 0보다 크고 약 20 mm보다 작거나 그와 동일한, 바람직하게는 약 10 mm보다 작거나 그와 동일하고 약 2 mm보다 큰, 방법.
제7항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
단계 iii)은 UV-Vis 광 방사선 경화에 의해 수행되는, 방법.
제7항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 소판형 자성 또는 자화 가능한 입자들의 적어도 일부는 소판형 광학 가변 자성 또는 자화 가능한 안료 입자들에 의해 구성되고, 바람직하게는 자성 박막 간섭 안료들, 자성 콜레스테릭(cholesteric) 액정 안료들 및 그들의 혼합물들로 구성된 그룹으로부터 선택된, 방법.