KR20220170369A - 기판 처리 장치 및 정전 척 - Google Patents

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KR20220170369A
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고헤이 오츠키
신 야마구치
다이스케 사타케
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

[과제] 기판의 온도를 적절히 제어하여, 기판 면내에 있어서의 플라즈마 처리의 균일성을 향상시킨다.
[해결 수단] 기판 처리 장치는 챔버와, 상기 챔버 내에 배치되며, 적어도 1개의 제 1 가스 공급로를 갖는 기판 지지부로서, 기대와, 상기 기대 상에 배치되며, 상면을 갖는 정전 척으로서, 상기 상면은 복수의 돌기와, 제 1 환상 홈 그룹을 가지며, 상기 제 1 환상 홈 그룹은 제 1 내측 환상 홈, 제 1 중간 환상 홈 및 제 1 외측 환상을 포함하며, 상기 제 1 내측 환상 홈, 상기 제 1 중간 환상 홈 및 상기 제 1 외측 환상 홈 중 어느 하나가 상기 적어도 1개의 제 1 가스 공급로에 연통하고 있는 상기 정전 척을 갖는, 상기 기판 지지부와, 상기 적어도 1개의 제 1 가스 공급로를 거쳐서 공급되는 가스의 유량 또는 압력을 제어하도록 구성되는 적어도 1개의 제어 밸브를 구비한다.

Description

기판 처리 장치 및 정전 척{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND ELECTROSTATIC CHUCK}
본 개시는 기판 처리 장치 및 정전 척에 관한 것이다.
특허문헌 1에는, 정전 척이 척 표면 상에 위치하는 복수의 밀폐 밴드를 구비하는 것이 개시되어 있다. 복수의 밀폐 밴드는 기판과 접촉하여 인접하는 냉각대 사이에서 밀폐를 형성한다.
특허문헌 2에는 정전 척의 기판 보지면에 있어서, 최외주를 환상으로 둘러싸는 외주 링이 마련되는 것이 개시되어 있다. 외주 링은 기판 보지면에 기판을 탑재했을 때에 기판에 접촉한다.
일본 특허 공표 제 2020-512692 호 공보 일본 특허 공개 제 2006-257495 호 공보
본 개시에 따른 기술은 기판의 온도를 적절히 제어하여, 기판 면내에 있어서의 플라즈마 처리의 균일성을 향상시킨다.
본 개시의 일 태양은 챔버와, 상기 챔버 내에 배치되며, 적어도 1개의 제 1 가스 공급로를 갖는 기판 지지부로서, 기대와, 상기 기대 상에 배치되며, 상면을 갖는 정전 척으로서, 상기 상면은 복수의 돌기와, 제 1 환상 홈 그룹을 가지며, 상기 제 1 환상 홈 그룹은, 제 1 내측 환상 홈, 제 1 중간 환상 홈 및 제 1 외측 환상을 포함하며, 상기 제 1 내측 환상 홈, 상기 제 1 중간 환상 홈 및 상기 제 1 외측 환상 홈 중 어느 하나가 상기 적어도 1개의 제 1 가스 공급로에 연통하고 있는 상기 정전 척을 갖는, 상기 기판 지지부와, 상기 적어도 1개의 제 1 가스 공급로를 거쳐서 공급되는 가스의 유량 또는 압력을 제어하도록 구성되는 적어도 1개의 제어 밸브를 구비한다.
본 개시에 의하면, 기판의 온도를 적절히 제어하여, 기판 면내에 있어서의 플라즈마 처리의 균일성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 플라즈마 처리 시스템의 구성을 모식적으로 도시하는 설명도이다.
도 2는 플라즈마 처리 장치의 구성의 개략을 도시하는 종단면도이다.
도 3은 정전 척의 구성의 개략을 도시하는 평면도이다.
도 4는 정전 척의 일부 구성의 개략을 도시하는 평면도이다.
도 5는 정전 척의 구성의 개략을 도시하는 종단면도이다.
도 6은 환상 홈 주변의 구성의 개략을 도시하는 종단면도이다.
도 7은 제 1 환상 홈 그룹의 구성의 개략을 도시하는 평면도이다.
도 8은 제 2 환상 홈 그룹의 구성의 개략을 도시하는 평면도이다.
도 9는 제 3 환상 홈 그룹의 구성의 개략을 도시하는 평면도이다.
도 10은 환상 홈의 기능을 도시하는 설명도이다.
도 11은 비교예에 있어서의 실험 결과(전열 공간의 압력)를 나타내는 그래프이다.
도 12는 본 실시형태에 있어서의 실험 결과(전열 공간의 압력)를 나타내는 그래프이다.
도 13은 비교예에 있어서의 실험 결과(기판의 온도)를 나타내는 그래프이다.
도 14는 본 실시형태에 있어서의 실험 결과(기판의 온도)를 나타내는 그래프이다.
도 15는 다른 실시형태에 따른 환상 홈 주변의 구성의 개략을 도시하는 종단면도이다.
도 16은 다른 실시형태에 따른 환상 홈 주변의 구성의 개략을 도시하는 종단면도이다.
도 17은 다른 실시형태에 따른 환상 홈의 구성의 개략을 도시하는 평면도이다.
도 18은 다른 실시형태에 따른 환상 홈의 구성의 개략을 도시하는 평면도이다.
도 19는 다른 실시형태에 따른 환상 홈의 구성의 개략을 도시하는 평면도이다.
도 20은 다른 실시형태에 따른 환상 홈의 구성의 개략을 도시하는 평면도이다.
도 21은 다른 실시형태에 따른 환상 홈 주변의 구성의 개략을 도시하는 종단면도이다.
도 22는 다른 실시형태에 따른 환상 홈 주변의 구성의 개략을 도시하는 평면도이다.
도 23은 다른 실시형태에 따른 환상 홈 주변의 구성의 개략을 도시하는 종단면도이다.
도 24는 다른 실시형태에 따른 환상 홈 주변의 구성의 개략을 도시하는 평면도이다.
도 25는 다른 실시형태에 따른 환상 홈 주변의 구성의 개략을 도시하는 평면도이다.
도 26은 다른 실시형태에 따른 환상 홈 주변의 구성의 개략을 도시하는 종단면도이다.
도 27은 다른 실시형태에 따른 정전 척의 일부 구성의 개략을 도시하는 평면도이다.
반도체 디바이스의 제조 공정에서는, 예를 들면 플라즈마 처리 장치에서 반도체 기판(이하, "기판"이라 함)에 플라즈마 처리가 실행된다. 플라즈마 처리 장치에서는, 챔버의 내부에서 처리 가스를 여기시키는 것에 의해 플라즈마를 생성하고, 상기 플라즈마에 의해, 정전 척에 지지된 기판을 처리한다.
플라즈마 처리에서는, 기판에 대한 플라즈마 처리의 면내 균일성을 향상시키기 위해, 처리 대상의 기판의 온도를 적절히 제어하는 것이 요구된다. 거기서, 예를 들면 기판의 이면과 정전 척의 표면의 공간에 헬륨 가스 등의 전열 가스를 공급하여, 상기 전열 가스의 압력을 제어하는 것에 의해, 기판의 온도를 제어하고 있다.
또한, 최근, 기판의 온도 제어의 새로운 고정밀화에 대응하기 위해, 상기 기판의 이면과 정전 척의 표면의 공간을 복수의 영역으로 구획하고, 영역 사이에 전열 가스의 압력차를 마련하는 것에 의해, 영역마다 기판의 온도를 제어하는 것이 실행되고 있다. 종래, 영역마다 전열 가스의 압력을 제어하기 위해, 예를 들면 정전 척의 표면에는, 이른바 시일 밴드라 하는, 기판의 이면에 직접 접촉하는 칸막이가 마련된다. 예를 들면 상술한 특허문헌 1에는, 정전 척의 표면에 시일 밴드로서 복수의 밀폐 밴드를 마련한 구성이 개시되어 있다. 또한, 상술한 특허문헌 2에는, 정전 척의 표면에, 최외주의 외주 링의 내측에 내주 링을 마련하여도 좋은 것이 기재되어 있다.
그렇지만, 시일 밴드는 기판의 이면에 직접 접촉하기 때문에, 접촉 부분이 국소적인 온도 특이점이 된다. 구체적으로는, 접촉 부분에서 기판에 전열하고, 상기 접촉 부분에 있어서의 기판의 온도가 저하한다. 기판의 온도 특이점은 플라즈마 처리의 레이트 영향을 미치며, 그 결과, 플라즈마 처리가 기판 면내에서 균일하게 실행되지 않는 경우가 있다. 따라서, 종래의 플라즈마 처리에는 개선의 여지가 있다.
본 개시에 따른 기술은, 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로서, 기판의 온도를 적절히 제어하여, 기판 면내에서의 플라즈마 처리의 균일성을 향상시킨다. 이하, 본 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치 및 정전 척에 대해, 도면을 참조하면서 설명한다. 또한, 본 명세서 및 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 기능 구성을 갖는 요소에 있어서는, 동일한 부호를 부여하는 것에 의해 중복 설명을 생략한다.
<플라즈마 처리 시스템>
먼저, 일 실시형태에 따른 플라즈마 처리 시스템에 대해, 도 1을 이용하여 설명한다. 도 1은 플라즈마 처리 시스템의 구성을 모식적으로 도시하는 설명도이다.
일 실시형태에 있어서, 플라즈마 처리 시스템은, 기판 처리 장치로서의 플라즈마 처리 장치(1) 및 제어부(2)를 포함한다. 플라즈마 처리 장치(1)는 챔버로서의 플라즈마 처리 챔버(10), 기판 지지부(11) 및 플라즈마 생성부(12)를 포함한다. 플라즈마 처리 챔버(10)는 플라즈마 처리 공간을 갖는다. 또한, 플라즈마 처리 챔버(10)는 적어도 1개의 처리 가스를 플라즈마 처리 공간에 공급하기 위한 적어도 1개의 가스 공급구와, 플라즈마 처리 공간으로부터 가스를 배출하기 위한 적어도 1개의 가스 배출구를 갖는다. 가스 공급구는 후술하는 가스 공급부(20)에 접속되며, 가스 배출구는 후술하는 배기 시스템(40)에 접속된다. 기판 지지부(11)는 플라즈마 처리 공간 내에 배치되며, 기판을 지지하기 위한 기판 지지면을 갖는다.
플라즈마 생성부(12)는, 플라즈마 처리 공간 내에 공급된 적어도 1개의 처리 가스로부터 플라즈마를 생성하도록 구성된다. 플라즈마 처리 공간에서 형성되는 플라즈마는, 용량 결합 플라즈마(CCP: Capacitively Coupled Plasma), 유도 결합 플라즈마(ICP: Inductively Coupled Plasma), ECR 플라즈마(Electron-Cyclotron-resonance plasma), 헬리콘파 여기 플라즈마(HWP: Helicon Wave Plasma), 또는, 표면파 플라즈마(SWP: Surface Wave Plasma) 등이어도 좋다. 또한, AC(Alternating Current) 플라즈마 생성부 및 DC(Direct Current) 플라즈마 생성부를 포함하는, 여러가지 타입의 플라즈마 생성부가 이용되어도 좋다. 일 실시형태에 있어서, AC 플라즈마 생성부에서 이용되는 AC 신호(AC 전력)는 100㎑ 내지 10㎓의 범위 내의 주파수를 갖는다. 따라서, AC 신호는 RF(Radio Frequency) 신호 및 마이크로파 신호를 포함한다. 일 실시형태에 있어서, RF 신호는 200㎑ 내지 150㎒의 범위 내의 주파수를 갖는다.
제어부(2)는 본 개시에서 설명하는 여러가지의 공정을 플라즈마 처리 장치(1)에 실행시키는 컴퓨터 실행 가능한 명령을 처리한다. 제어부(2)는 여기에서 설명하는 여러가지의 공정을 실행하도록 플라즈마 처리 장치(1)의 각 요소를 제어하도록 구성될 수 있다. 일 실시형태에 있어서, 제어부(2)의 일부 또는 전체가 플라즈마 처리 장치(1)에 포함되어도 좋다. 제어부(2)는 예를 들면 컴퓨터(2a)를 포함하여도 좋다. 컴퓨터(2a)는 예를 들면, 처리부(CPU: Central Processing Unit) (2a1), 기억부(2a2), 및 통신 인터페이스(2a3)를 포함하여도 좋다. 처리부(2a1)는 기억부(2a2)에 격납된 프로그램에 근거하여, 여러가지의 제어 동작을 실행하도록 구성될 수 있다. 기억부(2a2)는 RAM(Random Access Memory), ROM(Read Only Memory), HDD(Hard Disk Drive), SSD(Solid State Drive), 또는 이들 조합을 포함하여도 좋다. 통신 인터페이스(2a3)는 LAN(Local Area Network) 등의 통신 회선을 거쳐서 플라즈마 처리 장치(1)와의 사이에서 통신하여도 좋다.
<플라즈마 처리 장치>
이하에, 플라즈마 처리 장치(1)의 일 예로서의 용량 결합 플라즈마 처리 장치의 구성예에 대해, 도 2를 이용하여 설명한다. 도 2는 플라즈마 처리 장치(1)의 구성의 개략을 도시하는 종단면도이다. 본 실시형태의 플라즈마 처리 장치(1)에서는 기판(웨이퍼)(W)에 플라즈마 처리를 실행하지만, 플라즈마 처리 대상의 기판(W)은 웨이퍼로 한정되는 것은 아니다.
용량 결합 플라즈마 처리 장치(1)는 플라즈마 처리 챔버(10), 가스 공급부(20), 전원(30) 및 배기 시스템(40)을 포함한다. 또한, 플라즈마 처리 장치(1)는 기판 지지부(11) 및 가스 도입부를 포함한다. 가스 도입부는 적어도 1개의 처리 가스를 플라즈마 처리 챔버(10) 내에 도입하도록 구성된다. 가스 도입부는 샤워헤드(13)를 포함한다. 기판 지지부(11)는 플라즈마 처리 챔버(10) 내에 배치된다. 샤워헤드(13)는 기판 지지부(11)의 상방에 배치된다. 일 실시형태에 있어서, 샤워헤드(13)는 플라즈마 처리 챔버(10)의 천장부(ceiling)의 적어도 일부를 구성한다. 플라즈마 처리 챔버(10)는 샤워헤드(13), 플라즈마 처리 챔버(10)의 측벽(10a) 및 기판 지지부(11)에 의해 규정된 플라즈마 처리 공간(10s)을 갖는다. 측벽(10a)은 접지된다. 샤워헤드(13) 및 기판 지지부(11)는 플라즈마 처리 챔버(10)의 하우징과는 전기적으로 절연된다.
기판 지지부(11)는 지지 본체부(111) 및 링 어셈블리(112)를 포함한다. 지지 본체부(111)의 상면은, 기판(W)을 지지하기 위한 중앙 영역인 기판 지지면(111a)과, 링 어셈블리(112)를 지지하기 위한 환상 영역인 링 지지면(111b)을 갖는다. 지지 본체부(111)의 링 지지면(111b)은 평면에서 보아 지지 본체부(111)의 기판 지지면(111a)을 둘러싸고 있다. 기판(W)은 지지 본체부(111)의 기판 지지면(111a) 상에 배치되며, 링 어셈블리(112)는, 지지 본체부(111)의 기판 지지면(111a) 상의 기판(W)을 둘러싸도록 지지 본체부(111)의 링 지지면(111b) 상에 배치된다.
일 실시형태에 있어서, 지지 본체부(111)는 기대(113) 및 정전 척(114)을 포함한다. 기대(113)는 도전성 부재를 포함한다. 기대(113)의 도전성 부재는 하부 전극으로서 기능한다. 정전 척(114)은 기대(113)의 상면에 배치된다. 정전 척(114)의 상면은 기판 지지면(111a)을 갖는다. 또한, 일 실시형태에 있어서, 정전 척(114)의 상면은, 링 지지면(111b)을 갖고 있어도 좋다. 이 정전 척(114)의 구성은 후술한다. 링 어셈블리(112)는 하나 또는 복수의 환상 부재를 포함한다. 하나 또는 복수의 환상 부재 중 적어도 1개는 에지 링이다.
또한, 도시는 생략하지만, 기판 지지부(11)는 정전 척(114), 링 어셈블리(112) 및 기판(W) 중 적어도 1개를 타겟 온도로 제어하도록 구성되는 온조(溫調) 모듈을 포함하여도 좋다. 온조 모듈은 히터, 전열 매체, 유로, 또는 이들 조합을 포함하여도 좋다. 예를 들면, 기대(113)에는 유로가 형성되며, 정전 척(114)에는 히터가 마련되어 있어도 좋다. 유로에는, 브라인이나 가스와 같은 전열 유체가 흐른다.
샤워헤드(13)는 가스 공급부(20)로부터 적어도 1개의 처리 가스를 플라즈마 처리 공간(10s) 내에 도입하도록 구성된다. 샤워헤드(13)는 적어도 1개의 가스 공급구(13a), 적어도 1개의 가스 확산실(13b), 및 복수의 가스 도입구(13c)를 갖는다. 가스 공급구(13a)에 공급된 처리 가스는, 가스 확산실(13b)을 통과하여 복수의 가스 도입구(13c)로부터 플라즈마 처리 공간(10s) 내에 도입된다. 또한, 샤워헤드(13)는 도전성 부재를 포함한다. 샤워헤드(13)의 도전성 부재는 상부 전극으로서 기능한다. 또한, 가스 도입부는 샤워헤드(13)에 부가하여, 측벽(10a)에 형성된 하나 또는 복수의 개구부에 장착되는 하나 또는 복수의 사이드 가스 주입부(SGI: Side Gas Injector)를 포함하여도 좋다.
가스 공급부(20)는 적어도 1개의 가스 소스(21) 및 적어도 1개의 유량 제어기(22)를 포함하여도 좋다. 일 실시형태에 있어서, 가스 공급부(20)는 적어도 1개의 처리 가스를, 각각에 대응의 가스 소스(21)로부터 각각에 대응의 유량 제어기(22)를 거쳐서 샤워헤드(13)에 공급하도록 구성된다. 각각의 유량 제어기(22)는, 예를 들면 매스 플로우 컨트롤러 또는 압력 제어식의 유량 제어기를 포함하여도 좋다. 또한, 가스 공급부(20)는 적어도 1개의 처리 가스의 유량을 변조 또는 펄스화하는 적어도 1개의 유량 변조 디바이스를 포함하여도 좋다.
전원(30)은 적어도 1개의 임피던스 정합 회로를 거쳐서 플라즈마 처리 챔버(10)에 결합되는 RF 전원(31)을 포함한다. RF 전원(31)은 소스 RF 신호 및 바이어스 RF 신호와 같은 적어도 1개의 RF 신호(RF 전력)를, 기판 지지부(11)의 도전성 부재 및/또는 샤워헤드(13)의 도전성 부재에 공급하도록 구성된다. 이에 의해, 플라즈마 처리 공간(10s) 내에 공급된 적어도 1개의 처리 가스로부터 플라즈마가 형성된다. 따라서, RF 전원(31)은 플라즈마 생성부(12)의 적어도 일부로서 기능 할 수 있다. 또한, 바이어스 RF 신호를 기판 지지부(11)의 도전성 부재에 공급하는 것에 의해, 기판(W)에 바이어스 전위가 발생하고, 형성된 플라즈마 중의 이온 성분을 기판(W)에 인입할 수 있다.
일 실시형태에 있어서, RF 전원(31)은 제 1 RF 생성부(31a) 및 제 2 RF 생성부(31b)를 포함한다. 제 1 RF 생성부(31a)는, 적어도 1개의 임피던스 정합 회로를 거쳐서 기판 지지부(11)의 도전성 부재 및/또는 샤워헤드(13)의 도전성 부재에 결합되며, 플라즈마 생성용의 소스 RF 신호(소스 RF 전력)를 생성하도록 구성된다. 일 실시형태에 있어서, 소스 RF 신호는 13㎒ 내지 150㎒의 범위 내의 주파수를 갖는다. 일 실시형태에 있어서, 제 1 RF 생성부(31a)는, 상이한 주파수를 갖는 복수의 소스 RF 신호를 생성하도록 구성되어도 좋다. 생성된 하나 또는 복수의 소스 RF 신호는, 기판 지지부(11)의 도전성 부재 및/또는 샤워헤드(13)의 도전성 부재에 공급된다. 제 2 RF 생성부(31b)는 적어도 1개의 임피던스 정합 회로를 거쳐서기판 지지부(11)의 도전성 부재에 결합되며, 바이어스 RF 신호(바이어스 RF 전력)를 생성하도록 구성된다. 일 실시형태에 있어서, 바이어스 RF 신호는 소스 RF 신호보다 낮은 주파수를 갖는다. 일 실시형태에 있어서, 바이어스 RF 신호는 400㎑ 내지 13.56㎒의 범위 내의 주파수를 갖는다. 일 실시형태에 있어서, 제 2 RF 생성부(31b)는 상이한 주파수를 갖는 복수의 바이어스 RF 신호를 생성하도록 구성되어도 좋다. 생성된 하나 또는 복수의 바이어스 RF 신호는, 기판 지지부(11)의 도전성 부재에 공급된다. 또한, 여러가지의 실시형태에 있어서, 소스 RF 신호 및 바이어스 RF 신호 중 적어도 1개가 펄스화되어도 좋다.
또한, 전원(30)은 플라즈마 처리 챔버(10)에 결합되는 DC 전원(32)을 포함하여도 좋다. DC 전원(32)은 제 1 DC 생성부(32a) 및 제 2 DC 생성부(32b)를 포함한다. 일 실시형태에 있어서, 제 1 DC 생성부(32a)는 기판 지지부(11)의 도전성 부재에 접속되며, 제 1 DC 신호를 생성하도록 구성된다. 생성된 제 1 DC 신호는 기판 지지부(11)의 도전성 부재에 인가된다. 일 실시형태에 있어서, 제 1 DC 신호가, 정전 척(114) 내에 마련된, 후술하는 흡착 전극(201)과 같은 다른 전극에 인가되어도 좋다. 일 실시형태에 있어서, 제 2 DC 생성부(32b)는 샤워헤드(13)의 도전성 부재에 접속되며, 제 2 DC 신호를 생성하도록 구성된다. 생성된 제 2 DC 신호는, 샤워헤드(13)의 도전성 부재에 인가된다. 여러가지의 실시형태에 있어서, 제 1 및 제 2 DC 신호가 펄스화되어도 좋다. 또한, 제 1 및 제 2 DC 생성부(32a, 32b)는 RF 전원(31)에 부가하여 마련되어도 좋으며, 제 1 DC 생성부(32a)가 제 2 RF 생성부(31b)를 대신하여 마련되어도 좋다.
배기 시스템(40)은 예를 들면 플라즈마 처리 챔버(10)의 바닥부에 마련된 가스 배출구(10e)에 접속될 수 있다. 배기 시스템(40)은 압력 조정 밸브 및 진공 펌프를 포함하여도 좋다. 압력 조정 밸브에 의해, 플라즈마 처리 공간(10s) 내의 압력이 조정된다. 진공 펌프는 터보 분자 펌프, 드라이 펌프 또는 이들 조합을 포함하여도 좋다.
<플라즈마 처리 방법>
다음에, 이상과 같이 구성된 플라즈마 처리 시스템을 이용하여 실행되는 플라즈마 처리에 대해 설명한다. 플라즈마 처리로서는, 예를 들면 에칭 처리나 성막 처리가 실행된다.
우선, 플라즈마 처리 챔버(10)의 내부에 기판(W)을 반입하고, 정전 척(114) 상에 기판(W)을 탑재한다. 그 후, 정전 척(114)의 후술하는 흡착 전극(201)에 DC 전압을 인가하는 것에 의해, 기판(W)은 쿨롱력에 의해 정전 척(114)에 정전 흡착되고, 보지된다. 이 때, 기판(W)은 소망하는 온도로 조정된다. 또한, 기판(W)의 반입 후, 배기 시스템(40)에 의해 플라즈마 처리 챔버(10) 내를 소망하는 진공도까지 감압한다.
다음에, 가스 공급부(20)로부터 샤워헤드(13)를 거쳐서 플라즈마 처리 공간(10s)에 처리 가스를 공급한다. 또한, RF 전원(31)의 제 1 RF 생성부(31a)에 의해 플라즈마 생성용의 소스 RF 전력을 기판 지지부(11)의 도전성 부재 및/또는 샤워헤드(13)의 도전성 부재에 공급한다. 그리고, 처리 가스를 여기시켜, 플라즈마를 생성한다. 이 때, 제 2 RF 생성부(31b)에 의해 이온 인입용의 바이어스 RF 신호를 공급하여도 좋다. 그리고, 생성된 플라즈마의 작용에 의해, 기판(W)에 플라즈마 처리가 실시된다.
<정전 척>
다음에, 상술한 정전 척(114)의 구성에 대해 설명한다. 도 3은 정전 척(114)의 구성의 개략을 도시하는 평면도이다. 도 4는 정전 척(114)의 일부 구성의 개략을 도시하는 평면도이다. 도 5는 정전 척(114)의 구성의 개략을 도시하는 종단면도이다. 또한, 도 4 및 도 5에 있어서, C는 정전 척(114)의 중심선을 나타내고 있다.
도 3 내지 도 5에 도시하는 바와 같이, 정전 척(114)은 척 본체부(200)를 갖는다. 척 본체부(200)는 유전체로 이루어지며, 예를 들면 알루미나(Al2O3) 등의 세라믹으로 형성되어 있다. 정전 척(114)은 대략 원반형상을 갖고 있다. 척 본체부(200)의 내부에는, 예를 들면 제 1 DC 생성부(32a)에 접속되는 흡착 전극(201)이 마련되어 있다. 제 1 DC 생성부(32a)로부터 흡착 전극(201)에 직류 전압을 인가하여 쿨롱력을 발생시키는 것에 의해, 정전 척(114)은 기판(W)을 흡착할 수 있다. 또한, 척 본체부(200)의 내부에는, 히터(도시하지 않음)가 마련되어 있어도 좋다.
척 본체부(200)의 상면은 기판(W)을 지지하기 위한 기판 지지면(111a)을 갖는다. 기판 지지면(111a)은 예를 들면 지지되는 기판(W)보다 작은 직경을 갖는 원형으로 형성되어 있다. 이에 의해, 기판 지지면(111a)에 기판(W)이 지지되면, 기판(W)의 외주부가 기판 지지면(111a)의 단부로부터 외측으로 돌출된다.
척 본체부(200)의 기판 지지면(111a)은, 복수의 돌기로서의 기판 접촉부(210)와, 외주 접촉부(211)를 갖고 있다. 기판 접촉부(210)는 원기둥형상을 갖는 도트이며, 기판 지지면(111a)으로부터 돌출되어 마련되어 있다. 복수의 기판 접촉부(210)는 외주 접촉부(211)의 내측에 마련되어 있다. 외주 접촉부(211)는 기판 지지면(111a)의 최외주부에 있어서, 상기 기판 지지면(111a)으로부터 돌출되어 환상으로 마련되어 있다. 복수의 기판 접촉부(210)와 외주 접촉부(211)는 상면이 동일한 높이로, 또한 평탄하게 형성되어 있으며, 기판 지지면(111a)으로 기판(W)을 지지할 때에 기판(W)에 접촉한다. 따라서, 기판(W)은 복수의 기판 접촉부(210)와 외주 접촉부(211)에 의해 지지된다.
또한, 척 본체부(200)의 기판 지지면(111a)은, 복수의 환상 홈(220)을 갖고 있다. 환상 홈(220)은 기판 지지면(111a)으로부터 오목하며 환상, 본 실시형태에서는 원환상으로 마련되어 있다. 또한, 환상 홈(220)은 단면에서 보아 직사각형상을 갖고 있다.
도 6에 도시하는 바와 같이, 환상 홈(220)의 깊이(D1)(기판 지지면(111a)으로부터 환상 홈(220)의 바닥부까지의 깊이)는, 기판 접촉부(210)의 높이(H1)(기판 지지면(111a)으로부터 기판 접촉부(210)의 상면까지의 높이) 이상이다. 또한, 환상 홈(220)의 깊이(D2)(기판 접촉부(210)의 상면으로부터 환상 홈(220)의 바닥부까지의 깊이)는, 기판 접촉부(210)의 높이(H1)의 2배 이상이다. 예를 들면, 기판 접촉부(210)의 높이(H1)가 5㎛ 내지 20㎛에 대해, 환상 홈(220)의 깊이(D2)는 10㎛ 내지 40㎛이다.
환상 홈(220)의 깊이(D1, D2)의 상한값은, 특별히 한정되는 것은 아니다. 예를 들면 환상 홈(220)은 그 바닥부가 흡착 전극(201)까지 도달하지 않으며, 또한, 흡착 전극(201)의 상면의 약간 상방에 위치할 때까지 연직 하방으로 연장되어 있어도 좋다. 또한 예를 들면, 환상 홈(220)의 깊이(D1)는 기판 접촉부(210)의 상면으로부터 흡착 전극(201)의 상면까지의 거리(H2)의 반분 이하여도 좋다.
또한, 환상 홈(220)의 폭(E)도 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면 0.3㎜ 내지 10㎜이다.
도 3 내지 도 5에 도시하는 바와 같이, 일 실시형태에 있어서, 기판 지지면(111a)에는, 예를 들면 8개의 환상 홈(220a 내지 220h)이 직경방향으로 내측으로부터 외측을 향하여 이 순서로 나란하게 배치되어 있다. 이들 8개의 환상 홈(220a 내지 220h)의 평면에서 본 중심 위치는 각각, 기판 지지면(111a)에 있어서의 중심 위치와 동일하며, 즉, 8개의 환상 홈(220a 내지 220h)은 동심원 상에 마련되어 있다.
일 실시형태에 있어서, 8개의 환상 홈(220a 내지 220h)은 예를 들면, 3개의 환상 홈 그룹(G1 내지 G3)을 구성하고 있다. 3개의 환상 홈 그룹(G1 내지 G3)은 직경방향에 내측으로부터 외측을 향하여, 이 순서로 나란하게 배치되어 있다.
도 7에 도시하는 바와 같이, 제 1 환상 홈 그룹(G1)은 3개의 환상 홈(220a 내지 220c)으로 구성된다. 이웃하는 제 1 내측 환상 홈(220a)과 제 1 중간 환상 홈(220b)은 근접하며, 또한, 이웃하는 제 1 중간 환상 홈(220b)과 제 1 외측 환상 홈(220c)도 근접하다. 제 1 내측 환상 홈(220a)과 제 1 중간 환상 홈(220b)의 홈간 거리(L1)(제 1 중간 환상 홈(220b)과 제 1 외측 환상 홈(220c)의 홈간 거리(L1))는 예를 들면 1㎜ 내지 10㎜이다.
도 8에 도시하는 바와 같이, 제 2 환상 홈 그룹(G2)은 3개의 환상 홈(220d 내지 220f)으로 구성된다. 이웃하는 제 2 내측 환상 홈(220d)과 제 2 중간 환상 홈(220e)은 근접하며, 또한, 이웃하는 제 2 중간 환상 홈(220e)과 제 2 외측 환상 홈(220f)도 근접하다. 제 2 내측 환상 홈(220d)과 제 2 중간 환상 홈(220e)의 홈간 거리(L2)(제 2 중간 환상 홈(220e)과 제 2 외측 환상 홈(220f)의 홈간 거리(L2))는 예를 들면 1㎜ 내지 10㎜이다.
도 9에 도시하는 바와 같이, 제 3 환상 홈 그룹(G3)은 2개의 환상 홈(220g, 220h)으로 구성된다. 이웃하는 제 3 내측 환상 홈(220g)과 제 3 외측 환상 홈(220h)은 근접하다. 제 3 내측 환상 홈(220g)과 제 3 외측 환상 홈(220h)의 홈간 거리(L3)는 예를 들면 1㎜ 내지 10㎜이다.
또한, 도 3 내지 도 5에 도시하는 바와 같이, 3개의 환상 홈 그룹(G1 내지 G3)에 의해, 기판 지지면(111a)이 4개의 영역(R1 내지 R4)으로 구획된다. 제 1 영역(R1)은 제 1 환상 홈 그룹(G1)의 직경방향 내측의 원형의 영역이다. 제 2 영역(R2)은 제 1 환상 홈 그룹(G1)과 제 2 환상 홈 그룹(G2) 사이의 환상의 영역이다. 제 3 영역(R3)은 제 2 환상 홈 그룹(G2)과 제 3 환상 홈 그룹(G3) 사이의 환상의 영역이다. 제 4 영역(R4)은 제 3 환상 홈 그룹(G3)과 외주 접촉부(211) 사이의 환상의 영역이다. 각 영역(R1 내지 R3)에는, 상술한 복수의 기판 접촉부(210)가 배치되어 있다. 또한, 도시의 예에 있어서, 제 4 영역(R4)의 직경방향 폭은 작지만, 상기 직경방향 폭은 이것으로 한정되는 것은 아니며, 상황에 따라서 큰 경우도 있을 수 있다.
척 본체부(200)에는 복수의 전열 가스 공급 구멍(230)이 마련되어 있다. 도 6에 도시하는 바와 같이, 전열 가스 공급 구멍(230)은, 환상 홈(220)의 바닥부로부터 척 본체부(200)를 관통하여 마련되어 있다. 도 3 내지 도 5에 도시하는 바와 같이, 일 실시형태에 있어서, 척 본체부(200)에는, 3개의 환상 홈 그룹(G1 내지 G3)의 각각에 전열 가스 공급 구멍(230a, 230b, 230c)이 마련되어 있다. 또한, 전열 가스(백 사이드 가스)에는, 예를 들면 헬륨 가스가 이용된다.
제 1 환상 홈 그룹(G1)에는, 제 1 중간 환상 홈(220b)의 바닥부에 복수의 제 1 전열 가스 공급 구멍(230a)이 마련되어 있다. 제 1 전열 가스 공급 구멍(230a)에는 제 1 전열 가스 공급로(231a)가 접속되며, 또한, 제 1 전열 가스 공급로(231a)는 전열 가스 공급원(232)에 연통하고 있다. 제 1 전열 가스 공급로(231a)에는, 전열 가스 공급원(232)측으로부터 제 1 제어 밸브(233a)와 제 1 압력계(234a)가 마련되어 있다. 제 1 제어 밸브(233a)의 개방도는, 제 1 압력계(234a)에 의해 검출되는 압력이 소망하는 압력이 되도록 제어된다. 이에 의해, 제 1 제어 밸브(233a)는, 전열 가스 공급원(232)으로부터 제 1 전열 가스 공급로(231a)를 거쳐서 공급되는 전열 가스의 유량 또는 압력을 제어하도록 구성된다. 또한, 제 1 제어 밸브(233a)와 제 1 압력계(234a)는 일체로 하여 마련되어 있어도 좋다. 그리고, 전열 가스 공급원으로부터 공급된 전열 가스는, 제 1 전열 가스 공급로(231a) 및 제 1 전열 가스 공급 구멍(230a)을 거쳐서 제 1 중간 환상 홈(220b)에 공급되며, 상기 제 1 중간 환상 홈(220b)을 따라서 둘레방향으로 확산된다. 또한, 전열 가스는 제 1 중간 환상 홈(220b)에 근접하는 환상 홈(220a, 220c)에 유입되고, 상기 환상 홈(220a, 220c)을 따라서 둘레방향으로 확산된다. 또한, 전열 가스는 기판(W)의 이면과 기판 지지면(111a)의 공간(이하, "전열 공간"이라 함)에도 공급된다. 또한, 제 1 전열 가스 공급 구멍(230a), 제 1 전열 가스 공급로(231a) 및 제 1 제어 밸브(233a)는, 환상 홈(220a 내지 220c) 중 어느 하나에 마련되어 있으면 좋다.
제 2 환상 홈 그룹(G2)에는 제 2 중간 환상 홈(220e)의 바닥부에 복수의 제 2 전열 가스 공급 구멍(230b)이 마련되어 있다. 제 2 전열 가스 공급 구멍(230b)에는 제 2 가스 공급로로서의 제 2 전열 가스 공급로(231b)가 접속되며, 또한 제 2 전열 가스 공급로(231b)는 전열 가스 공급원(232)에 연통하고 있다. 제 2 전열 가스 공급로(231b)에는, 전열 가스 공급원(232)측으로부터 제 2 제어 밸브(233b)와 제 2 압력계(234b)가 마련되어 있다. 제 2 제어 밸브(233b)와 제 2 압력계(234b)는 각각, 제 1 제어 밸브(233a)와 제 1 압력계(234a)와 마찬가지의 구성을 가지며, 제 2 제어 밸브(233b)는 전열 가스의 유량 또는 압력을 제어하도록 구성된다. 그리고 제 1 환상 홈 그룹(G1)과 마찬가지로, 전열 가스 공급원으로부터 제 2 전열 가스 공급로(231b) 및 제 2 전열 가스 공급 구멍(230b)을 거쳐서 공급된 전열 가스는, 환상 홈(220d, 220e, 220f)을 따라서 둘레방향으로 확산되는 동시에, 전열 공간에도 공급된다. 또한, 제 2 전열 가스 공급 구멍(230b), 제 2 전열 가스 공급로(231b) 및 제 2 제어 밸브(233b)는, 환상 홈(220d 내지 220f) 중 어느 하나에 마련되어 있으면 좋다.
제 3 환상 홈 그룹(G3)에는, 제 3 외측 환상 홈(220h)의 바닥부에 복수의 제 3 전열 가스 공급 구멍(230c)이 마련되어 있다. 제 3 전열 가스 공급 구멍(230c)에는 제 3 가스 공급로로서의 제 3 전열 가스 공급로(231c)가 접속되며, 또한, 제 3 전열 가스 공급로(231c)는 전열 가스 공급원(232)에 연통하고 있다. 제 3 전열 가스 공급로(231c)에는, 전열 가스 공급원(232)측으로부터 제 3 제어 밸브(233c)와 제 3 압력계(234c)가 마련되어 있다. 제 3 제어 밸브(233c)와 제 3 압력계(234c)는 각각, 제 1 제어 밸브(233a)와 제 1 압력계(234a)와 마찬가지의 구성을 가지며, 제 3 제어 밸브(233c)는 전열 가스의 유량 또는 압력을 제어하도록 구성된다. 그리고 제 1 환상 홈 그룹(G1)과 마찬가지로, 전열 가스 공급원으로부터 제 3 전열 가스 공급로(231c) 및 제 3 전열 가스 공급 구멍(230c)을 거쳐서 공급된 전열 가스는 환상 홈(220g, 220h)을 따라서 둘레방향으로 확산되는 동시에, 전열 공간에도 공급된다. 또한, 제 3 전열 가스 공급 구멍(230c), 제 3 전열 가스 공급로(231c) 및 제 3 제어 밸브(233c)는, 환상 홈(220g, 220h) 중 어느 하나에 마련되어 있으면 좋다
또한, 본 실시형태에서는 전열 가스 공급로(231a 내지 231c)는, 합류되어 공통의 전열 가스 공급원(232)에 연통하고 있지만, 각각 개별의 전열 가스 공급원에 연통하고 있어도 좋다. 또한, 본 실시형태에서는 제어 밸브(233a 내지 233c)를 이용하여 전열 가스 공급 구멍(230a 내지 230c)으로부터 공급되는 전열 가스의 유량 또는 압력을 제어했지만, 이에 부가하여, 또한, 전열 가스 공급 구멍(230a 내지 230c)의 직경을 변경하는 것에 의해, 전열 가스의 유량 또는 압력을 제어하여도 좋다. 그리고 예를 들면, 전열 가스 공급 구멍(230a 내지 230c)으로부터 공급되는 전열 가스의 압력이 상이한 경우, 3개의 영역(R1 내지 R3)마다 전열 공간의 압력이 상이하다.
도 10은 제 2 전열 가스 공급 구멍(230b)으로부터의 전열 가스의 압력이 제 1 전열 가스 공급 구멍(230a)으로부터의 압력보다 높은 경우에, 영역(R1, R2) 사이의 전열 공간에서 차압이 발생하는 형태를 도시하는 설명도이다. 또한, 도 10에 있어서는, 설명을 간략화하기 위해, 전열 가스 공급 구멍(230a, 230b)이 마련된 환상 홈(220b, 220e)만을 도시하고 있다. 상술한 바와 같이, 제 1 환상 홈 그룹(G1)에서는 환상 홈(220b(220a, 220c))을 따라서 둘레방향으로 전열 가스가 확산되고, 제 2 환상 홈 그룹(G2)에서는 환상 홈(220e(220d, 220f))을 따라서 둘레방향으로 전열 가스가 확산된다. 이러한 경우, 영역(R1, R2) 사이(직경방향)에서는 전열 공간에 있어서의 가스 컨덕턴스가 낮아져, 영역(R1, R2) 사이의 전열 공간에 차압이 발생한다. 즉, 제 2 영역(R2)의 전열 공간의 압력이 제 1 영역(R1)의 전열 공간의 압력보다 높아진다.
상기 이론에 의해, 예를 들면 전열 가스 공급 구멍(230a 내지 230c)으로부터 공급되는 전열 가스의 압력이 이 순서로 커지는 경우, 각 영역(R1 내지 R3)의 전열 공간의 압력도 이 순서로 커진다. 본 발명자들은 전열 가스 공급 구멍(230a, 230b, 230c)으로부터 공급되는 전열 가스의 압력을 각각 P1, P2, P3(P1<P2<P3)으로 한 경우에, 각 영역(R1 내지 R3)의 전열 공간의 압력을 조사했다. 도 11은 비교예로서, 기판 지지면(111a)에 환상 홈(220)을 마련하지 않는 경우이며, 즉 전열 가스 공급 구멍(230a, 230b, 230c)이 각각 기판 지지면(111a)에 마련된 경우의 실험 결과를 나타낸다. 도 12는 본 실시형태와 같이 기판 지지면(111a)에 환상 홈(220a 내지 220h)을 마련한 경우의 실험 결과를 나타낸다. 도 11 및 도 12에 있어서, 종축은 전열 공간에 있어서의 압력을 나타내며, 횡축은 기판(W)의 특정방향에 있어서의 직경방향 위치를 나타낸다. 또한, 도 11 및 도 12에 있어서는, 설명을 용이하게 하기 위해, 제 4 영역(R4)의 도시를 생략하고 있다.
도 11에 나타내는 바와 같이, 비교예에 있어서는, 전열 공간의 압력이 기판(W)의 직경방향으로 대략 일정하게 되고, 영역(R1 내지 R3)의 전열 공간의 차압이 작아졌다. 이것은, 기판 지지면(111a)에 있어서, 환상 홈(220)이 형성되어 있지 않기 때문에, 각 전열 가스 공급 구멍(230a 내지 230c)의 직경방향 내측과 외측에서 전열 공간의 가스 컨덕턴스가 높아져, 전열 가스가 직경방향으로 확산되었기 때문이다.
이에 대해, 도 12에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에 있어서는, 영역(R1 내지 R3)의 전열 공간에서 차압을 발생시킬 수 있다. 제 1 환상 홈 그룹(G1) 및 제 1 영역(R1)의 전열 공간에는, 제 1 전열 가스 공급 구멍(230a)으로부터 전열 가스가 확산한다. 그리고, 이들 제 1 환상 홈 그룹(G1) 및 제 1 영역(R1)에 있어서의 전열 공간의 압력은, 제 1 전열 가스 공급 구멍(230a)으로부터의 전열 가스의 압력(P1)과 대략 동일하게 된다.
제 2 환상 홈 그룹(G2)의 전열 공간에는, 제 2 전열 가스 공급 구멍(230b)으로부터의 전열 가스가 확산되고, 상기 전열 공간의 압력은 제 2 전열 가스 공급 구멍(230b)으로부터의 전열 가스의 압력(P2)과 대략 동일하게 된다. 또한, 제 2 영역(R2)의 전열 공간의 압력은, 직경방향 내측으로부터 외측을 향하여, P1에서 P2로 변화한다. 여기에서, 제 2 영역(R2)의 전열 공간에는, 제 1 전열 가스 공급 구멍(230a)으로부터 압력(P1)으로 공급된 전열 가스와, 제 2 전열 가스 공급 구멍(230b)으로부터 압력(P2)으로 공급된 전열 가스가 확산된다. 그렇게 하면, 상기 제 2 영역(R2)에 있어서는, 직경방향 내측으로부터 외측을 향하여, 압력이 P1로부터 P2로 완만하게 변화한다.
제 3 환상 홈 그룹(G3)의 전열 공간에는, 제 3 전열 가스 공급 구멍(230c)으로부터의 전열 가스가 확산되고, 상기 전열 공간의 압력은 제 3 전열 가스 공급 구멍(230c)으로부터의 전열 가스의 압력(P3)과 대략 동일하게 된다. 또한, 제 3 영역(R3)의 전열 공간의 압력은, 직경방향 내측으로부터 외측을 향하여, P2에서 P3으로 완만하게 변화한다.
이상과 같이 본 실시형태에 의하면, 영역(R1 내지 R3)의 전열 공간에서 차압을 발생시킬 수 있으며, 상기 영역(R1 내지 R3)의 전열 공간의 압력을 제어하고, 영역(R1 내지 R3)마다 기판(W)의 온도를 제어할 수 있다. 이 때, 환상 홈(220a 내지 220h)을 마련하는 것에 의해, 기판(W)에 접촉하는 일이 없이 영역(R1 내지 R3)의 전열 공간에서 차압을 발생시킬 수 있으므로, 종래와 같이 시일 밴드가 기판에 접촉하는 경우에 생기는 국소적인 온도 특이점이 생길 수 없다. 따라서, 본 실시형태에 의하면, 기판(W)의 온도 제어성을 향상시킬 수 있어서, 플라즈마 처리를 적절히 실행할 수 있다.
또한, 이와 같이 본 실시형태에 의하면, 기판 지지면(111a)을 영역(R1 내지 R3)으로 구획할 때, 기판(W)에 접촉하지 않으므로, 종래의 시일 밴드와 같이 소모되어 형상이 변화하는 일이 없다. 이 때문에, 경시 변화가 생기기 어려워, 영역(R1 내지 R3)의 전열 공간에서의 압력을 적절히 제어할 수 있다.
여기에서, 종래와 같이 시일 밴드로 전열 공간을 복수의 영역으로 구획하고, 영역마다 압력을 제어하여 기판의 온도를 제어하는 경우, 기판의 온도가 영역의 경계에서 급격하게 변화한다. 이 점, 본 실시형태에서는, 전열 공간에 있어서의 직경방향의 압력 변화가 완만하기 때문에, 기판(W)의 온도도 직경방향으로 완만하게 변화시킬 수 있다. 따라서, 본 실시형태에 의하면, 기판(W)의 온도 제어성을 더욱 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명자들이 예의 검토한 결과, 본 실시형태와 같이 환상 홈(220)의 깊이(D2)가 기판 접촉부(210)의 높이(H1)의 2배 이상인 경우, 상술한 환상 홈(220)의 효과, 즉 영역(R1 내지 R3)의 전열 공간의 압력을 제어하는 효과를 발휘할 수 있는 것을 알았다. 환상 홈(220)의 깊이(D1, D2)의 상한값은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 환상 홈(220)의 깊이(D1, D2)가 클 수록, 상술한 효과를 현저하게 누릴 수 있다. 단, 장치 구성상의 제약은 있으며, 예를 들면 환상 홈(220)은, 그 바닥부가 흡착 전극(201)까지 도달하지 않으며, 또한, 흡착 전극(201)의 상면의 약간 상방에 위치할 때까지 연직 하방으로 연장되어 있어도 좋다. 또한, 예를 들면, 환상 홈(220)의 깊이(D1)는, 기판 접촉부(210)의 상면으로부터 흡착 전극(201)의 상면까지의 거리(H2)의 반분 이하여도 좋다.
또한, 환상 홈(220)의 폭(E) 또는 환상 홈(220)의 수도 본 실시형태로 한정되지 않는다. 예를 들면, 환상 홈(220)의 폭(E)이 작고, 또한, 환상 홈(220)이 1개여도, 상술한 영역(R1 내지 R3)의 전열 공간의 압력을 제어하는 효과를 누릴 수 있다. 단, 환상 홈(220)의 폭(E)이 크고, 또한, 환상 홈(220)의 개수도 많은 쪽이, 이 효과를 보다 현저하게 발휘할 수 있다.
환언하면, 기판 지지면(111a)에 있어서의 환상 홈(220)의 형상이나 설치 범위는 본 실시형태로 한정되지 않는다. 환상 홈(220)의 형상이나 설치 범위를 임의로 설정하는 것에 의해, 기판 지지면(111a)을 임의의 영역으로 구획할 수 있으며, 각 영역의 전열 공간의 압력을 임의로 제어할 수 있다.
또한, 본 실시형태에 의하면, 각 환상 홈 그룹(G1 내지 G3)에 있어서, 전열 가스가 둘레방향을 따라서 확산되기 때문에, 기판(W)에 있어서의 둘레방향의 온도 균일성도 향상시킬 수 있다.
다음에, 본 발명자들이 본 실시형태의 효과를 검증한 결과에 대해 설명한다. 본 검증에서는, 전열 가스의 공급 압력을 변동시킨 경우의 기판(W)의 온도 분포에 대해 실험을 실행했다. 또한, 상기 실시형태에서는 전열 가스 공급 구멍(230a 내지 230c)이 직경방향으로 3개소에 마련되었지만, 본 실험에서는, 제 1 전열 가스 공급 구멍(230a)을 생략하고, 전열 가스 공급 구멍(230b, 230c)으로부터 전열 가스를 공급했다. 즉, 본 실험에 있어서 기판 지지면(111a)은 중앙 영역(제 1 영역(R1)과 제 2 영역(R2))과 외주 영역(제 3 영역(R3))의 2개의 영역으로 구획되어 있다.
도 13은 비교예로서, 기판 지지면(111a)에 환상 홈(220)을 마련하지 않는 경우로서, 즉 전열 가스 공급 구멍(230b, 230c)이 각각 기판 지지면(111a)에 마련된 경우의 실험 결과이다. 도 14는 본 실시형태에 있어서, 기판 지지면(111a)에 제 2 환상 홈 그룹(G2)(환상 홈(220d 내지 220f))과 제 3 환상 홈 그룹(G3)(환상 홈(220g, 220h))을 마련한 경우의 실험 결과를 나타낸다. 도 13 및 도 14에 있어서, 종축은 기판(W)의 온도를 나타내며, 횡축은 기판(W)의 특정방향에 있어서의 직경방향 위치를 나타낸다. 또한, 도 13 및 도 14에 있어서, "Back Pressure"는 전열 가스의 압력을 나타내고, "Center"는 제 2 전열 가스 공급 구멍(230b)으로부터의 전열 가스를 나타내고, "Edge"는 제 3 전열 가스 공급 구멍(230c)으로부터의 전열 가스를 나타낸다. 또한, "Center Zone"은 중앙 영역(제 1 영역(R1)과 제 2 영역(R2))을 나타내며, "Edge Zone"은 외주 영역(제 3 영역(R3))을 나타낸다.
도 13에 나타내는 바와 같이, 비교예에 있어서는, 전열 가스 공급 구멍(230b, 230c)으로부터의 전열 가스의 압력을 변동시켜도, 중앙 영역에 있어서의 기판(W)의 온도와 외주 영역에 있어서의 기판(W)의 온도의 차이는 작다. 즉, 기판(W)을 영역마다 제어하는 것은 곤란했다.
이에 대해, 도 14에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에 있어서는, 전열 가스 공급 구멍(230b, 230c)으로부터의 전열 가스의 압력을 변동시킨다. 이러한 경우, 외주 영역에 있어서의 기판(W)과의 열 전달률이 중앙 영역에 있어서의 기판(W)과의 열 전달률보다 높아지고, 그 결과, 중앙 영역에 있어서의 기판(W)의 온도에 대해, 외주 영역에 있어서의 기판(W)의 온도를 낮게 할 수 있다. 즉, 중앙 영역과 외주 영역의 기판(W)의 온도차를 크게 할 수 있어서, 기판(W)을 영역마다 제어할 수 있다. 따라서, 본 실시형태와 같이 기판 지지면(111a)에 환상 홈(220)을 마련하는 것에 의해, 기판 지지면(111a)을 복수의 영역으로 구획하여, 상기 영역마다 기판(W)의 온도를 제어할 수 있는 것을 알았다.
<다른 실시형태>
이상의 실시형태에서는, 기판 지지면(111a)에 8개의 환상 홈(220a 내지 220h)을 마련하고, 또한, 3개의 환상 홈 그룹(G1 내지 G3)을 구성하고 기판 지지면(111a)을 3개의 영역(R1 내지 R3)으로 구획했지만, 환상 홈(220)의 수와 환상 홈 그룹(G)의 수는 이것으로 한정되지 않는다.
또한, 이상의 실시형태에서는, 환상 홈 그룹(G1, G2)은 3개의 환상 홈(220)으로 구성되며, 홈 그룹(G3)은 2개의 환상 홈(220)으로 구성되었지만, 환상 홈 그룹(G)을 구성하는 환상 홈(220)의 수도 이것으로 한정되지 않는다. 예를 들면, 이웃하는 환상 홈(220)이 직경방향으로 이격되어 배치되며, 상기 환상 홈(220)에 의해 기판 지지면(111a)을 복수의 영역으로 구획하여도 좋다.
어느 쪽이든, 기판 지지면(111a)에 있어서의 환상 홈(220)이나 환상 홈 그룹(G)의 배치를 임의로 설정하는 것에 의해, 기판 지지면(111a)을 임의의 영역으로 구획할 수 있어서, 각 영역의 전열 공간의 압력을 임의로 제어할 수 있다.
이상의 실시형태에서는, 환상 홈(220)은 단면에서 보아 직사각형상을 갖고 있었지만, 환상 홈(220)의 단면형상은 이것으로 한정되지 않는다. 예를 들면 도 15에 도시하는 바와 같이, 환상 홈(220)은 단면에서 보아 5각형상을 가지며, 상기 환상 홈(220)의 바닥부는 연직방향으로 돌출되어 있어도 좋다. 또한, 예를 들면 도 16에 도시하는 바와 같이, 환상 홈(220)의 바닥면은 연직방향으로 돌출되어 만곡하고 있어도 좋다. 어느 쪽이든, 상술한 환상 홈(220)의 효과, 즉 영역(R1 내지 R3)의 전열 공간의 압력을 제어하는 효과를 발휘할 수 있다.
또한, 본 실시형태에 있어서도 환상 홈(220)의 깊이(D2)는 기판 접촉부(210)의 높이(H1)의 2배 이상이어도 좋다. 이 경우, 환상 홈(220)의 깊이(D2)는 기판 지지면(111a)으로부터 환상 홈(220)의 바닥부의 최상부까지를 나타낸다.
이상의 실시형태에서는, 환상 홈(220)은 원환상으로 마련되어 있었지만, 환상 홈(220)의 평면형상은 이것으로 한정되지 않으며, 환상이면 좋다. 도 17 내지 도 20은 각각, 다른 실시형태에 따른 환상 홈(220)의 평면형상을 도시한다. 또한, 도 17 내지 도 20에 있어서, 도면을 간략화하기 위해, 각 환상 홈 그룹(G1 내지 G3)은 한겹의 환상으로 도시하고 있다.
도 17에 도시하는 바와 같이, 환상 홈(220)은 다각형상이어도 좋다. 도시의 예에 있어서는, 제 1 환상 홈 그룹(G1)의 환상 홈(220a 내지 220c)과 제 2 환상 홈 그룹(G2)의 환상 홈(220d 내지 220f)이 다각형상이지만, 환상 홈(220a 내지 220h) 중 어느 하나 또는 전체가 다각형상이어도 좋다.
도 18에 도시하는 바와 같이, 환상 홈(220)은 원환상이 아닌, 다른 평면형상이어도 좋다. 또한, 복수의 환상 홈(220)은 평면에서 보아 중심 위치가 상이하여도 좋다. 예를 들면, 플라즈마 처리 장치(1)의 플라즈마 처리 챔버(10)의 평면형상이 중심 비대칭인 경우, 복수의 환상 홈(220)의 평면에서 본 중심 위치를 상이하도록 하여도 좋다. 도시의 예에 있어서는, 제 1 환상 홈 그룹(G1)의 환상 홈(220a 내지 220c)과 제 2 환상 홈 그룹(G2)의 환상 홈(220d 내지 220f)이 다른 평면형상을 가지며, 또한, 평면에서 본 중심 위치가 상이하지만, 환상 홈(220a 내지 220h) 중 어느 하나 또는 전체가 다른 평면형상이어도 좋다.
도 19 및 도 20에 도시하는 바와 같이, 환상 홈(220)은 일부가 불연속으로 되어 있어도 좋다. 이 때, 도 19에 도시하는 바와 같이, 1개소가 불연속으로 되어 있어도 좋으며, 도 20에 도시하는 바와 같이, 복수 개소, 예를 들면, 4개소가 불연속으로 되어 있어도 좋다. 환상 홈(220)이 전체적으로 환상으로 형성되어 있으면, 상술한 환상 홈(220)의 효과를 누릴 수 있다. 도시의 예에 있어서는, 제 1 환상 홈 그룹(G1)의 환상 홈(220a 내지 220c)과 제 2 환상 홈 그룹(G2)의 환상 홈(220d 내지 220f)이 불연속이었지만, 환상 홈(220a 내지 220h) 중 어느 하나 또는 전체가 불연속이어도 좋다.
또한, 도 20에 도시하는 바와 같이, 제 1 환상 홈 그룹(G1)의 환상 홈(220a 내지 220c)과 제 2 환상 홈 그룹(G2)의 환상 홈(220d 내지 220f)은 각각, 둘레방향으로 복수의 홈 세그먼트로 분할되어 있어도 좋다. 제 1 내측 환상 홈(220a)은 둘레방향으로 분할된 복수의 제 1 내측 홈 세그먼트를 가지며, 제 1 중간 환상 홈(220b)은 둘레방향으로 분할된 복수의 제 1 중간 홈 세그먼트를 가지며, 제 1 외측 환상 홈(220c)은 둘레방향으로 분할된 복수의 제 1 외측 홈 세그먼트를 갖고 있다. 제 1 전열 가스 공급로(231a)는, 복수의 제 1 중간 홈 세그먼트에 각각 연통하고 있다. 제 2 내측 환상 홈(220d)은 둘레방향으로 분할된 복수의 제 2 내측 홈 세그먼트를 가지며, 제 2 중간 환상 홈(220e)은, 둘레방향으로 분할된 복수의 제 2 중간 홈 세그먼트를 가지며, 제 2 외측 환상 홈(220f)은 둘레방향으로 분할된 복수의 제 2 외측 홈 세그먼트를 갖고 있다. 제 2 전열 가스 공급 구멍(230b)은, 복수의 제 2 중간 홈 세그먼트에 각각 연통하고 있다. 또한, 도시의 예에 있어서는, 환상 홈(220a 내지 220f)을 각각 4분할했지만, 분할 수는 이것으로 한정되지 않는다.
이상과 같이 본 개시에 있어서의 환상 홈(220)의 환상은, 원환상에 부가하여 다른 환상을 포함한다. 또한, 본 개시에 있어서의 환상 홈(220)의 환상은, 연속하고 있을 필요는 없으며, 전체적으로 환상형상을 갖고 있으면 좋다. 그리고, 어느 쪽이어도, 상술한 환상 홈(220)의 효과, 즉 영역(R1 내지 R3)의 전열 공간의 압력을 제어하는 효과를 발휘할 수 있다.
이상의 실시형태에서는, 전열 가스 공급 구멍(230)은 환상 홈(220)의 바닥부로부터 척 본체부(200)를 관통하여 마련되어 있었지만, 도 21 및 도 22에 도시하는 바와 같이, 전열 가스 공급 구멍(300)은 환상 홈(220)의 외측 근방에 마련되어 있어도 좋다. 또한, 여기에서 말하는 근방이란, 예를 들면 전열 가스 공급 구멍(300)의 측면과 환상 홈(220)의 측면의 거리(F)가 10㎜ 이하이다.
전열 가스 공급 구멍(300)은, 기판 지지면(111a)으로부터 척 본체부(200)를 관통하여 마련되어 있다. 전열 가스 공급 구멍(300)에는 전열 가스 공급로(도시하지 않음)가 접속되며, 또한, 전열 가스 공급로는 전열 가스 공급원(도시하지 않음)에 연통하고 있다. 그리고, 전열 가스 공급원으로부터 공급된 전열 가스는, 전열 가스 공급로 및 전열 가스 공급 구멍(300)을 거쳐서 전열 공간에 공급되며, 더욱 근접하는 환상 홈(220)에 유입되고, 상기 환상 홈(220)을 따라서 둘레방향으로 확산된다. 이와 같이, 본 실시형태의 전열 가스 공급 구멍(300)도, 상기 실시형태의 전열 가스 공급 구멍(230)과 마찬가지의 기능을 발휘하여, 상기 실시형태와 같은 효과를 누릴 수 있다.
이상의 실시형태에서는, 기판 접촉부(210)는 환상 홈(220)의 외측에 마련되어 있었지만, 도 23 및 도 24에 도시하는 바와 같이, 기판 접촉부(310)는 환상 홈(220)의 바닥부로부터 돌출되어 마련되어 있어도 좋다. 기판 접촉부(310)는 원기둥형상을 갖는 도트이며, 기판 지지면(111a)으로 기판(W)을 지지할 때에 기판(W)에 접촉한다. 또한, 기판 접촉부(310)는 상기 기판 접촉부(310)가 환상 홈(220)의 내부에 마련되었다고 하여도, 전열 가스가 환상 홈(220)을 따라서 흐르도록 형성된다. 이러한 경우, 상기 실시형태와 같은 효과를 누릴 수 있다.
이상의 실시형태에 있어서, 플라즈마 처리 장치(1)는 기판 지지부(11)에 대해 기판(W)을 승강시키기 위한 리프터 핀(도시하지 않음)을 갖고 있어도 좋다. 리프터 핀은, 기판 지지부(11)를 삽통하여 마련된다.
이러한 경우, 도 25 및 도 26에 도시하는 바와 같이 척 본체부(200)에는, 리프터 핀을 삽통시키는 관통 구멍(320)이 마련된다. 또한, 관통 구멍(320)은 환상 홈(220)과 동심원 상에 마련되는 경우가 있으며, 도 25 및 도 26에 도시하는 예에 있어서, 관통 구멍(320)은 예를 들면 제 2 환상 홈 그룹(G2)의 제 2 중간 환상 홈(220e)의 내측에 있어서, 척 본체부(200)를 관통하여 마련되어 있다.
관통 구멍(320)의 내부는, 이상 방전 대책으로서 진공 흡인되는 경우가 있다. 이러한 경우, 관통 구멍(320)의 주위에는, 시일 밴드(321)가 마련된다. 시일 밴드(321)는 기판 지지면(111a)으로 기판(W)을 지지할 때에 기판(W)에 접촉한다. 이와 같이 시일 밴드(321)가 기판(W)에 접촉하는 것에 의해, 관통 구멍(320)의 내부가 감압된다.
제 2 중간 환상 홈(220e)은 관통 구멍(320) 및 시일 밴드(321)를 둘러싸도록 마련된다. 상세하게는, 제 2 중간 환상 홈(220e)은 관통 구멍(320) 및 시일 밴드(321)의 외측에서 분기되어 마련된다. 이려한 경우여도, 전열 가스는 제 2 중간 환상 홈(220e)을 따라서 흘러, 둘레방향으로 확산된다. 따라서, 상기 실시형태와 같은 효과를 누릴 수 있다.
이상의 실시형태에서는, 3개의 환상 홈 그룹(G1 내지 G3)에 의해 기판 지지면(111a)이 4개의 영역(R1 내지 R4)으로 구획되었지만, 홈 구조(환상 홈(220a 내지 220h))의 일부를 시일 밴드 구조로 하여도 좋다. 즉, 홈 구조와 시일 밴드 구조에 의해, 기판 지지면(111a)을 복수의 영역으로 구획하여도 좋다.
예를 들면 도 27에 도시하는 바와 같이, 기판 지지면(111a)에는, 상기 실시형태의 제 3 환상 홈 그룹(G3)을 대신하여, 돌출부(330)가 마련된다. 돌출부(330)는 기판 지지면(111a)으로부터 돌출되어 환상으로 마련되어 있다. 돌출부(330)의 상면은, 복수의 기판 접촉부(210)의 상면과 동일한 높이이며, 또한, 평탄하게 형성되어 있으며, 기판 지지면(111a)으로 기판(W)을 지지할 때에 기판(W)에 접촉한다.
이러한 경우, 2개의 환상 홈 그룹(G1, G2)과, 돌출부(330)에 의해, 기판 지지면(111a)이 4개의 영역(R1 내지 R4)으로 구획된다. 즉, 제 3 영역(R3)은 제 2 환상 홈 그룹(G2)과 돌출부(330)의 사이의 환상의 영역이며, 제 4 영역(R4)은 돌출부(330)와 외주 접촉부(211) 사이의 환상의 영역이다.
상술한 바와 같이, 2개의 환상 홈 그룹(G1, G2)에 의해 구획되는 영역(R1 내지 R3)의 전열 공간의 압력은 완만하게 변화하며, 기판(W)의 온도도 직경방향으로 완만하게 변화한다. 한편, 돌출부(330)에 의해 구획되는 영역(R3 내지 R4)의 전열 공간의 압력은, 그 경계(돌출부(330))에 있어서 급격하게 변화하여, 기판(W)의 온도도 급격하게 변화한다. 이와 같이, 기판(W)의 온도 변화를 영역마다 제어하고 싶은 경우는, 홈 구조와 시일 밴드 구조를 병용하는 것은 유용하다.
또한, 본 실시형태에서는, 제 3 환상 홈 그룹(G3)을 대신하여 돌출부(330)가 마련되었지만, 돌출부(330)의 설치 장소는 이것으로 한정되지 않는다. 기판(W)의 온도 제어에 따라서, 돌출부(330)의 위치를 임의로 설정할 수 있다.
이상의 실시형태에 있어서, 기판 접촉부(210)의 단위 면적 당의 개수를, 영역(R1 내지 R3)마다 변경하여도 좋다. 기판 접촉부(210)의 단위 면적 당의 개수를 조정하는 것에 의해, 기판 접촉부(210)와 기판(W)의 접촉률(="접촉하고 있는 면적"/"영역 내의 전면적")을 조정할 수 있으며, 그 결과, 기판(W)과의 열 전달률을 조정할 수 있다. 예를 들면, 제 1 영역(R1)과 제 2 영역(R2)에 비해, 제 3 영역(R3)에 있어서의 기판 접촉부(210)의 단위 면적 당의 개수를 많이 하면, 상기 제 3 영역(R3)에 있어서의 기판(W)과의 열 전달률이 커져, 기판(W)의 온도를 낮출 수 있다. 이와 같이, 기판 접촉부(210)의 단위 면적 당의 개수를 영역(R1 내지 R3)마다 조정하는 것에 의해, 기판(W)의 온도 제어성을 더욱 향상시킬 수 있다.
금회 개시된 실시형태는 모든 점에서 예시이며, 제한적인 것은 아니라고 고려되어야 한다. 상기의 실시형태는, 첨부의 청구범위 및 그 주지를 일탈하는 일이 없이, 여러가지 형태로 생략, 치환, 변경되어도 좋다.
1: 플라즈마 처리 장치
10: 플라즈마 처리 챔버
11: 기판 지지부
113: 기대
114: 정전 척
200: 척 본체부
210: 기판 접촉부
220a: 제 1 내측 환상 홈
220b: 제 1 중간 환상 홈
220c: 제 1 외측 환상 홈
231a: 제 1 전열 가스 공급로
233a: 제 1 제어 밸브
G1: 제 1 환상 홈 그룹

Claims (18)

  1. 기판 처리 장치에 있어서,
    챔버와,
    상기 챔버 내에 배치되며, 적어도 1개의 제 1 가스 공급로를 갖는 기판 지지부로서,
    기대와,
    상기 기대 상에 배치되며, 상면을 갖는 정전 척으로서,
    상기 상면은 복수의 돌기와, 제 1 환상 홈 그룹을 가지며,
    상기 제 1 환상 홈 그룹은 제 1 내측 환상 홈, 제 1 중간 환상 홈 및 제 1 외측 환상 홈을 포함하며,
    상기 제 1 내측 환상 홈, 상기 제 1 중간 환상 홈 및 상기 제 1 외측 환상 홈 중 어느 하나가 상기 적어도 1개의 제 1 가스 공급로에 연통하고 있는,
    상기 정전 척을 갖는,
    상기 기판 지지부와,
    상기 적어도 1개의 제 1 가스 공급로를 거쳐서 공급되는 가스의 유량 또는 압력을 제어하도록 구성되는 적어도 1개의 제어 밸브를 구비하는
    기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 지지부는 적어도 1개의 제 2 가스 공급로를 더 가지며,
    상기 정전 척의 상기 상면은 상기 제 1 환상 홈 그룹을 둘러싸는 제 2 환상 홈 그룹을 더 가지며,
    상기 제 2 환상 홈 그룹은 제 2 내측 환상 홈, 제 2 중간 환상 홈 및 제 2 외측 환상 홈을 포함하며,
    상기 제 2 내측 환상 홈, 상기 제 2 중간 환상 홈 및 상기 제 2 외측 환상 홈 중 어느 하나가 상기 적어도 1개의 제 2 가스 공급로에 연통하고 있으며,
    상기 적어도 1개의 제어 밸브는, 상기 적어도 1개의 제 1 가스 공급로 및 상기 적어도 1개의 제 2 가스 공급로를 거쳐서 공급되는 가스의 유량 또는 압력을 제어하도록 구성되는
    기판 처리 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 적어도 1개의 제어 밸브는,
    상기 적어도 1개의 제 1 가스 공급로를 거쳐서 공급되는 가스의 유량 또는 압력을 독립하여 제어하도록 구성되는 제 1 제어 밸브와,
    상기 적어도 1개의 제 2 가스 공급로를 거쳐서 공급되는 가스의 유량 또는 압력을 독립하여 제어하도록 구성되는 제 2 제어 밸브를 포함하는
    기판 처리 장치.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 기판 지지부는 적어도 1개의 제 3 가스 공급로를 더 가지며,
    상기 정전 척의 상기 상면은 상기 제 2 환상 홈 그룹을 둘러싸는 제 3 환상 홈 그룹을 더 가지며,
    상기 제 3 환상 홈 그룹은 제 3 내측 환상 홈 및 제 3 외측 환상 홈을 포함하며,
    상기 제 3 내측 환상 홈 및 상기 제 3 외측 환상 홈 중 어느 하나가 상기 적어도 1개의 제 3 가스 공급로에 연통하고 있으며,
    상기 적어도 1개의 제어 밸브는, 상기 적어도 1개의 제 1 가스 공급로, 상기 적어도 1개의 제 2 가스 공급로 및 상기 적어도 1개의 제 3 가스 공급로를 거쳐서 공급되는 가스의 유량 또는 압력을 제어하도록 구성되는
    기판 처리 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 적어도 1개의 제어 밸브는,
    상기 적어도 1개의 제 1 가스 공급로를 거쳐서 공급되는 가스의 유량 또는 압력을 독립하여 제어하도록 구성되는 제 1 제어 밸브와,
    상기 적어도 1개의 제 2 가스 공급로를 거쳐서 공급되는 가스의 유량 또는 압력을 독립하여 제어하도록 구성되는 제 2 제어 밸브와,
    상기 적어도 1개의 제 3 가스 공급로를 거쳐서 공급되는 가스의 유량 또는 압력을 독립하여 제어하도록 구성되는 제 3 제어 밸브를 포함하는
    기판 처리 장치.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1 환상 홈 그룹, 상기 제 2 환상 홈 그룹 및 상기 제 3 환상 홈 그룹은 원형상을 갖는
    기판 처리 장치
  7. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1 환상 홈 그룹 및 상기 제 2 환상 홈 그룹은 다각형상을 갖는
    기판 처리 장치.
  8. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1 환상 홈 그룹 및 상기 제 2 환상 홈 그룹은 중심 비대칭의 형상을 갖는
    기판 처리 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 내측 환상 홈은 둘레방향으로 분할된 복수의 제 1 내측 홈 세그먼트를 가지며,
    상기 제 1 중간 환상 홈은 둘레방향으로 분할된 복수의 제 1 중간 홈 세그먼트를 가지며,
    상기 제 1 외측 환상 홈은 둘레방향으로 분할된 복수의 제 1 외측 홈 세그먼트를 가지며,
    상기 적어도 1개의 제 1 가스 공급로는 상기 복수의 제 1 중간 홈 세그먼트에 각각 연통하는 복수의 제 1 가스 공급로를 포함하는
    기판 처리 장치.
  10. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 2 내측 환상 홈은 둘레방향으로 분할된 복수의 제 2 내측 홈 세그먼트를 가지며,
    상기 제 2 중간 환상 홈은 둘레방향으로 분할된 복수의 제 2 중간 홈 세그먼트를 가지며,
    상기 제 2 외측 환상 홈은 둘레방향으로 분할된 복수의 제 2 외측 홈 세그먼트를 가지며,
    상기 적어도 1개의 제 2 가스 공급로는 상기 복수의 제 2 중간 홈 세그먼트에 각각 연통하는 복수의 제 2 가스 공급로를 포함하는
    기판 처리 장치.
  11. 정전 척에 있어서,
    상면 및 적어도 1개의 제 1 가스 공급로를 갖는 척 본체부를 구비하고,
    상기 상면은,
    복수의 돌기와,
    제 1 내측 환상 홈, 제 1 중간 환상 홈 및 제 1 외측 환상 홈을 포함하는 제 1 환상 홈 그룹으로서, 상기 제 1 내측 환상 홈, 상기 제 1 중간 환상 홈 및 상기 제 1 외측 환상 홈 중 어느 하나가 상기 적어도 1개의 제 1 가스 공급로에 연통하고 있는, 상기 제 1 환상 홈 그룹을 갖는
    정전 척.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 척 본체부는 적어도 1개의 제 2 가스 공급로를 더 가지며,
    상기 척 본체부의 상기 상면은 상기 제 1 환상 홈 그룹을 둘러싸는 제 2 환상 홈 그룹을 더 가지며,
    상기 제 2 환상 홈 그룹은 제 2 내측 환상 홈, 제 2 중간 환상 홈 및 제 2 외측 환상 홈을 포함하며,
    상기 제 2 내측 환상 홈, 상기 제 2 중간 환상 홈 및 상기 제 2 외측 환상 홈 중 어느 하나가 상기 적어도 1개의 제 2 가스 공급로에 연통하고 있는,
    정전 척.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 척 본체부는 적어도 1개의 제 3 가스 공급로를 더 가지며,
    상기 척 본체부의 상기 상면은 상기 제 2 환상 홈 그룹을 둘러싸는 제 3 환상 홈 그룹을 더 가지며,
    상기 제 3 환상 홈 그룹은 제 3 내측 환상 홈 및 제 3 외측 환상 홈을 포함하며,
    상기 제 3 내측 환상 홈 및 상기 제 3 외측 환상 홈 중 어느 하나가 상기 적어도 1개의 제 3 가스 공급로에 연통하고 있는
    정전 척.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 제 1 환상 홈 그룹, 상기 제 2 환상 홈 그룹 및 상기 제 3 환상 홈 그룹은 원형상을 갖는
    정전 척.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 제 1 환상 홈 그룹 및 상기 제 2 환상 홈 그룹은 다각형상을 갖는
    정전 척.
  16. 제 13 항에 있어서,
    상기 제 1 환상 홈 그룹 및 상기 제 2 환상 홈 그룹은 중심 비대칭의 형상을 갖는
    정전 척.
  17. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 1 내측 환상 홈은 둘레방향으로 분할된 복수의 제 1 내측 홈 세그먼트를 가지며,
    상기 제 1 중간 환상 홈은 둘레방향으로 분할된 복수의 제 1 중간 홈 세그먼트를 가지며,
    상기 제 1 외측 환상 홈은 둘레방향으로 분할된 복수의 제 1 외측 홈 세그먼트를 가지며,
    상기 적어도 1개의 제 1 가스 공급로는 상기 복수의 제 1 중간 홈 세그먼트에 각각 연통하는 복수의 제 1 가스 공급로를 포함하는
    정전 척.
  18. 제 12 항에 있어서,
    상기 제 2 내측 환상 홈은 둘레방향으로 분할된 복수의 제 2 내측 홈 세그먼트를 가지며,
    상기 제 2 중간 환상 홈은 둘레방향으로 분할된 복수의 제 2 중간 홈 세그먼트를 가지며,
    상기 제 2 외측 환상 홈은 둘레방향으로 분할된 복수의 제 2 외측 홈 세그먼트를 가지며,
    상기 적어도 1개의 제 2 가스 공급로는 상기 복수의 제 2 중간 홈 세그먼트에 각각 연통하는 복수의 제 2 가스 공급로를 포함하는
    정전 척.
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