KR20220169901A - Ic소켓 검사용 다중채널 측정 시스템 및 그 다중채널 측정방법 - Google Patents

Ic소켓 검사용 다중채널 측정 시스템 및 그 다중채널 측정방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20220169901A
KR20220169901A KR1020220070519A KR20220070519A KR20220169901A KR 20220169901 A KR20220169901 A KR 20220169901A KR 1020220070519 A KR1020220070519 A KR 1020220070519A KR 20220070519 A KR20220070519 A KR 20220070519A KR 20220169901 A KR20220169901 A KR 20220169901A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
smu
current
boards
socket
range
Prior art date
Application number
KR1020220070519A
Other languages
English (en)
Inventor
윤달환
Original Assignee
세명대학교 산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세명대학교 산학협력단 filed Critical 세명대학교 산학협력단
Publication of KR20220169901A publication Critical patent/KR20220169901A/ko

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R15/00Details of measuring arrangements of the types provided for in groups G01R17/00 - G01R29/00, G01R33/00 - G01R33/26 or G01R35/00
    • G01R15/12Circuits for multi-testers, i.e. multimeters, e.g. for measuring voltage, current, or impedance at will
    • G01R15/125Circuits for multi-testers, i.e. multimeters, e.g. for measuring voltage, current, or impedance at will for digital multimeters
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2801Testing of printed circuits, backplanes, motherboards, hybrid circuits or carriers for multichip packages [MCP]
    • G01R31/2806Apparatus therefor, e.g. test stations, drivers, analysers, conveyors
    • G01R31/2808Holding, conveying or contacting devices, e.g. test adapters, edge connectors, extender boards
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2832Specific tests of electronic circuits not provided for elsewhere
    • G01R31/2836Fault-finding or characterising
    • G01R31/2846Fault-finding or characterising using hard- or software simulation or using knowledge-based systems, e.g. expert systems, artificial intelligence or interactive algorithms
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/286External aspects, e.g. related to chambers, contacting devices or handlers
    • G01R31/2863Contacting devices, e.g. sockets, burn-in boards or mounting fixtures
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/286External aspects, e.g. related to chambers, contacting devices or handlers
    • G01R31/2868Complete testing stations; systems; procedures; software aspects
    • G01R31/287Procedures; Software aspects

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Medical Informatics (AREA)
  • Evolutionary Computation (AREA)
  • Artificial Intelligence (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)

Abstract

IC소켓 검사용 다중채널 측정 시스템 및 그 다중채널 측정방법이 개시된다. 본 발명에 따른 IC소켓 검사용 다중채널 측정 시스템은, 복수의 SMU(Source Measure Unit) 보드를 탑재하며, 탑재되는 복수의 SMU 보드를 직렬 또는 병렬로 연결하여 채널을 확장하는 채널확장 보드; 탑재되는 각각의 SMU 보드에 개별적으로 전원을 공급 제어하는 전원공급 제어장치; 및 전원공급 제어장치에 의해 개별적으로 공급 제어되는 전원에 의해 각각의 상기 SMU 보드를 통해 측정되는 IC(Integrated Circuit) 소켓의 전압 및 전류를 분석하는 IC소켓 분석장치;를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

IC소켓 검사용 다중채널 측정 시스템 및 그 다중채널 측정방법{MULTI CHANNEL MEASUREMENT SYSTEM AND METHOD FOR IC SOCKET TEST}
본 발명은 IC소켓 검사용 다중채널 측정 시스템 및 그 다중채널 측정방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 부품 측정 시에 미세전류(㎂)와 고전류(A) 범위를 병행 측정할 수 있으며, 채널 측정에 소요되는 시간을 절감시킬 수 있는, IC소켓 검사용 다중채널 측정 시스템 및 그 다중채널 측정방법에 관한 것이다.
4차 산업혁명을 주도하는 정보통신 시스템들은 다양성, 복잡성 및 전문성이 수반되며, 이에 따라 전기 및 자율주행 자동차, 통신기기, 컴퓨터 등의 전자부품의 전용화로 제품구조가 복잡해지고 있다.
이에, 전자부품의 정상여부와 전기적 특성을 분석 및 검사하는 IC 소켓 검사장치는 전자부품의 다중채널에 대한 동시 측정은 물론 배선의 미세화와 고집적화로 더욱 높은 수준의 측정 정밀도가 요구된다.
그런데, 일반적인 IC 검사장치는 전자부품의 측정 시 미세전류(㎂)와 고전류(A) 범위를 병행하여 측정할 수 없다는 문제점이 있다.
공개특허공보 제10-2003-0085182호 (공개일자: 2003. 11. 05)
본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위하여 창안된 것으로서, 부품 측정 시에 미세전류(㎂)와 고전류(A) 범위를 병행 측정할 수 있으며, 채널 측정에 소요되는 시간을 절감시킬 수 있는, IC소켓 검사용 다중채널 측정 시스템 및 그 다중채널 측정방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 IC소켓 검사용 다중채널 측정 시스템은, 복수의 슬롯 및 상기 복수의 슬롯에 장착되는 SMU(Source Measure Unit) 보드를 탑재하며, 탑재되는 복수의 상기 SMU 보드를 직렬 또는 병렬로 접속시켜 복수 개의 채널로 확장하는 채널확장 보드; 탑재되는 각각의 상기 SMU 보드에 개별적으로 전원을 공급 제어하는 전원공급 제어장치; 및 상기 전원공급 제어장치에 의해 개별적으로 공급 제어되는 전원에 의해 각각의 상기 SMU 보드를 통해 측정되는 IC(Integrated Circuit) 소켓의 전압 및 전류를 분석하는 IC소켓 분석장치;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 각각의 상기 SMU 보드는, 제1범위의 전류를 인가하기 위한 제1전류 인가부; 상기 제1범위 이상의 범위로 설정된 제2범위의 전류를 인가하기 위한 제2전류 인가부; 및 상기 제1전류 인가부 또는 상기 제2전류 인가부에 의해 인가되는 전류를 안정화시키는 인가전류 안정화부;를 포함할 수 있다.
또한, 각각의 상기 SMU 보드는 규격화된 채널 수를 가지며, 실리콘 러버형 IC소켓 측정기술에 기반하여 전류를 측정할 수 있다.
전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 다중채널 측정방법은, IC소켓 검사용 다중채널 측정 시스템에 의해 수행되는 다중채널 측정방법에 있어서, 복수의 SMU 보드를 직렬 또는 병렬로 연결하여 채널을 확장하는 단계; 각각의 상기 SMU 보드에 전원을 공급하는 단계; 및 각각의 상기 SMU 보드를 통해 측정되는 IC 소켓의 전압 및 전류를 분석하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
전술한 다중채널 측정방법은, 각각의 상기 SMU 보드에 제1범위의 전류 또는 상기 제1범위 이상의 범위로 설정된 제2범위의 전류를 인가하는 단계; 및 상기 인가되는 전류를 안정화시키는 단계;를 더 포함할 수 있다.
여기서, 각각의 상기 SMU 보드는 규격화된 채널 수를 가지며, 실리콘 러버형 IC소켓 측정기술에 기반하여 전류를 측정한다.
본 발명에 따르면, 복수의 SMU 보드를 직렬 또는 병렬로 연결하여 채널을 확장하고, 복수의 SMU 보드를 통해 IC소켓을 측정함으로써 부품 측정 시에 미세전류(㎂)와 고전류(A) 범위를 병행 측정할 수 있게 된다.
또한, 본 발명에 따르면, 복수의 SMU 보드를 통해 다수의 IC소켓을 동시에 검사함으로써 채널 측정에 소요되는 시간을 절감시킬 수 있게 된다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 IC소켓 검사용 다중채널 측정 시스템을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2는 도 1에 나타낸 채널확장 보드를 설명하기 위해 도시한 도면이다.
도 3은 실리콘 러버형 IC소켓 측정기술을 설명하기 위해 도시한 도면이다.
도 4는 채널확장 보드의 구성을 개략적으로 도 시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 다중채널 측정방법을 나타낸 흐름도이다.
이하, 본 발명의 일부 실시 예들을 예시적인 도면을 통해 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 기재함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호로 표시한다. 또한, 본 발명의 실시 예를 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 실시 예에 대한 이해를 방해한다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
또한, 본 발명의 실시 예의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결, 결합 또는 접속될 수 있지만, 그 구성 요소와 그 다른 구성요소 사이에 또 다른 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 IC소켓 검사용 다중채널 측정 시스템을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 IC소켓 검사용 다중채널 측정 시스템(100)은 채널확장 보드(10), 전원공급 제어장치(20) 및 IC소켓 분석장치(30)를 포함할 수 있다.
채널확장 보드(10)는 복수의 슬롯 및 복수의 슬롯에 장착되는 SMU(Source Measure Unit) 보드를 탑재하며, 탑재되는 복수의 SMU 보드를 직렬 또는 병렬로 연결하여 채널을 확장한다. 즉, 채널확장 보드(10)는 도 2에 도시한 바와 같이, 복수의 슬롯(11)을 구비하며, 각각의 슬롯(11)에 SMU 보드(13)를 장착한다. 여기서, SMU 보드(13)는 측정하고자 하는 소스(source) 즉, 전자부품의 전압 또는 전류를 측정하거나 전압 및 전류를 동시에 측정할 수 있는 장치로서 DMM(Digital Multi Meter), 파워 서플라이, 전류원, 펄스 발생기 등이 통합되어 설치될 수 있다.
일반적으로 SMU 보드는 특정의 전자부품을 측정하는데 특화되어 사용된다. 그런데, 전자부품이 고도화 및 정밀화됨에 따라 다른 종류의 전자부품을 측정하기 위해서는 그 때마다 SMU 보드를 교체하거나 복수의 동일한 종류의 SMU 보드를 병합하여야 하며, 이로 인해 측정에 많은 시간이 소요되는 문제점이 있다. 또한, 일반적으로 SMU 보드는 미세전류(㎂) 범위 또는 고전류(A) 범위의 측정에 특화되기 때문에 미세전류(㎂) 범위와 고전류(A) 범위를 병행하여 측정하기가 어렵다는 문제점이 있다.
본 발명의 실시예에 따른 IC소켓 검사용 다중채널 측정 시스템(100)의 다중채널 보드(10)는 규격화된 동일한 종류의 SMU 보드(13)를 복수로 탑재한다. 예를 들어, 도 2에서 채널확장 보드(10)는 16개의 슬롯(11)을 구비하며, 각각의 슬롯(11)에 128 채널을 갖는 SMU 보드(13)를 탑재할 수 있다. 이 경우, 채널확장 보드(10)는 각각의 SMU 보드(13)를 직렬 또는 병렬로 접속시켜 최대 2048 채널(128 x 16 = 2048)까지 채널을 확장할 수 있다.
이때, 채널확장 보드(10)는 데이지 체인 테스트(daisy chain test) 방법을 이용하여 각각의 SMU 보드를 연결할 수 있다. 여기서, 데이지 체인 테스트는 패키지된 반도체 소자의 핀들이 보드 상의 전기적 연결과 칩 내부에서의 전기적 연결이 하나의 연속된 체인을 구성하도록 연결하여 테스트하는 방법이다. 이와 같은 데이지 체인을 구성하기 위해서는 측정되는 반도체 소자의 스팩에 맞추어야 한다.
또한, 각각의 SMU 보드(13)는 도 3에 도시한 바와 같이, 실리콘 러버형(silicone rubber type) IC소켓 측정기술에 기반하여 전류를 측정할 수 있다. 실리콘 러버형 IC소켓 측정기술은 상층 디바이스(device)(2)와 하층 시험보드(test board)(4) 사이에 실리콘 러버(silicon rubber)(6)가 있고, 중앙에 전도입자(conductive particle)(8)가 있으며, 디바이스에서 전기신호를 시험보드에 가함으로써 전도입자를 통하여 시험보드에 흐르는 전기적인 신호로 시험보드를 분석하는 방법으로서, 이와 같은 실리콘 러버형 IC소켓 측정기술은 공지된 기술을 이용할 수 있으며, 여기서는 그 상세한 설명을 생략한다.
한편, 각각의 SMU 보드(13)는 도 4에 도시한 바와 같이, 제1전류 인가부(12), 제2전류 인가부(14) 및 인가전류 안정화부(16)를 구비할 수 있다.
제1전류 인가부(12)는 설정된 제1범위의 전류를 인가한다. 이때, 제1전류 인가부(12)는 수 mΩ급의 저 저항에서 5㎂ 내지 250 ㎃의 저 전류를 인가하기 위한 것으로서, AD5560(ANALOG DEVICES 제조)로 구현될 수 있다.
제2전류 인가부(14)는 제1범위 이상의 범위로 설정된 제2범위의 전류를 인가한다. 이때, 제2전류 인가부(14)는 250 ㎃ 내지 5A의 고 전류를 인가하기 위한 것으로서, DPS(Device Power Supply)로 구현될 수 있다.
일반적인 IC 검사장치는 미세전류(㎂)와 고전류(A) 범위를 병행하여 측정할 수 없으며, 측정하고자 하는 전자부품의 종류에 따라 미세전류 또는 고전류에 한정된다. 그러나, 본 발명의 실시예에 따른 IC소켓 검사용 다중채널 측정 시스템은 미세전류 또는 고전류의 측정에 한정되지 않으며, 미세전류와 고전류를 병행하여 측정할 수 있다. 즉, 본 발명의 실시예)에 따른 IC소켓 검사용 다중채널 측정 시스템은 다양한 종류의 전자부품에 대한 측정이 가능하다. 여기서는, 수 mΩ급의 저 저항에서 5㎂ 내지 250 ㎃의 저 전류의 범위와 250 ㎃ 내지 5A의 고 전류의 범위의 두 종류의 범위단계로 분할하여 인가하는 것으로 도시하고 설명하였지만, 인가되는 전류의 범위는 셋 이상의 범위 단계로 분할하여 인가될 수 있음은 물론이다.
인가전류 안정화부(16)는 제1전류 인가부(12) 또는 제2전류 인가부(14)에 의해 인가되는 전류를 안정화시킨다. 즉, AD5560(12)와 DPS(14)에 SMU 보드(13)에 전류를 인가하는 경우에 발진이 발생할 수 있는데, 이와 같은 문제를 해결하기 위하여 인가전류 안정화부(16)는 OP 앰프와 트랜지스터를 포함하는 부스터(booster) 회로를 구비하며, 부스터 회로의 RC 값을 조정함으로써 발진을 제거할 수 있다. 여기서, 부스터 회로는 공지된 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 그 상세한 설명은 생략한다.
전원공급 제어장치(20)는 채널확장 보드(10)에 탑재되는 각각의 SMU 보드(13)에 개별적으로 전원을 공급 제어한다. 이를 위해, 전원공급 제어장치(20)는 검사되는 반도체 소자의 스팩(spec)을 기 저장하며, 그에 따라 각각의 SMU 보드(13)에 인가되어야 할 전원을 결정한다. 또한, 전원공급 제어장치(20)는 각각의 SMU 보드(13)에 대해 결정되는 전원에 따라, 제1전류 인가부(12) 또는 제2전류 인가부(14)를 제어하여 해당 SMU 보드(13)로 전류가 인가되도록 한다.
IC소켓 분석장치(30)는 전원공급 제어장치(20)에 의해 개별적으로 공급되는 전원에 의해 각각의 SMU 보드(13)를 통해 측정되는 IC소켓의 전압 및 전류를 분석한다. 이때, IC소켓 분석장치(30)는 IC 소켓 측정 채널 M의 2M 데이터에 대하여 SFFT(Sparse FFT) 신호를 이용하여 IC 소켓의 전압 및 전류를 분석할 수 있다. 또한, IC소켓 분석장치(30)는 전체 전류범위(5㎂ ~ 5A)에서 채널 측정간 신호 간섭 및 상호관계(correlation)를 분석함으로써 다중채널 신호의 ISI(Inter-symbol Interference) 시뮬레이션을 수행할 수 있다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 다중채널 측정방법을 나타낸 흐름도이다. 본 발명의 실시예에 따른 다중채널 측정방법은 도 1의 IC소켓 검사용 다중채널 측정 시스템(100)에 의해 수행될 수 있다.
도 1 내지 도 5를 참조하면, 채널확장 보드(10)는 복수의 슬롯 및 복수의 슬롯에 장착되는 SMU(Source Measure Unit) 보드를 탑재하며, 탑재되는 복수의 SMU 보드를 직렬 또는 병렬로 연결하여 채널을 확장한다(S101). 즉, 채널확장 보드(10)는 복수의 슬롯(11)을 구비하며, 각각의 슬롯(11)에 SMU 보드(13)를 장착한다. 여기서, SMU 보드(13)는 측정하고자 하는 소스(source) 즉, 전자부품의 전압 또는 전류를 측정하거나 전압 및 전류를 동시에 측정할 수 있는 장치로서 DMM(Digital Multi Meter), 파워 서플라이, 전류원, 펄스 발생기 등이 통합되어 설치될 수 있다.
일반적으로 SMU 보드는 특정의 전자부품을 측정하는데 특화되어 사용된다. 그런데, 전자부품이 고도화 및 정밀화됨에 따라 다른 종류의 전자부품을 측정하기 위해서는 그 때마다 SMU 보드를 교체하거나 복수의 동일한 종류의 SMU 보드를 병합하여야 하며, 이로 인해 측정에 많은 시간이 소요되는 문제점이 있다. 또한, 일반적으로 SMU 보드는 미세전류(㎂) 범위 또는 고전류(A) 범위의 측정에 특화되기 때문에 미세전류(㎂) 범위와 고전류(A) 범위를 병행하여 측정하기가 어렵다는 문제점이 있다.
본 발명의 실시예에 따른 IC소켓 검사용 다중채널 측정 시스템(100)의 다중채널 보드(10)는 규격화된 동일한 종류의 SMU 보드(13)를 복수로 탑재한다. 예를 들어, 채널확장 보드(10)는 도 2에서 16개의 슬롯(11)을 구비하며, 각각의 슬롯(11)에 128 채널을 갖는 SMU 보드(13)를 탑재할 수 있다. 이 경우, 채널확장 보드(10)는 각각의 SMU 보드(13)를 직렬 또는 병렬로 접속시켜 최대 2048 채널(128 x 16 = 2048)까지 채널을 확장할 수 있다.
이때, 채널확장 보드(10)는 데이지 체인 테스트(daisy chain test) 방법을 이용하여 각각의 SMU 보드를 연결할 수 있다. 여기서, 데이지 체인 테스트는 패키지된 반도체 소자의 핀들이 보드 상의 전기적 연결과 칩 내부에서의 전기적 연결이 하나의 연속된 체인을 구성하도록 연결하여 테스트하는 방법이다. 이와 같은 데이지 체인을 구성하기 위해서는 측정되는 반도체 소자의 스팩에 맞추어야 한다.
전원공급 제어장치(20)는 채널확장 보드(10)에 탑재되는 각각의 SMU 보드(13)에 개별적으로 전원을 공급한다(S103). 이를 위해, 전원공급 제어장치(20)는 검사되는 반도체 소자의 스팩(spec)을 기 저장하며, 그에 따라 각각의 SMU 보드(13)에 인가되어야 할 전원을 결정한다. 이때, 전원공급 제어장치(20)는 각각의 SMU 보드(13)에 대해 결정되는 전원에 따라, 각각의 SMU 보드(13)를 제어하여 해당 SMU 보드(13)로 전류가 인가되도록 한다.
각각의 SMU 보드(13)는 전원공급 제어장치(20)에 의해 공급되는 전원에 따라 장착된 반도체에 대한 전압 및/또는 전류를 측정한다. 이때, 각각의 SMU 보드(13)는 실리콘 러버형(silicone rubber type) IC소켓 측정기술에 기반하여 전류를 측정할 수 있다. 실리콘 러버형 IC소켓 측정기술은 상층 디바이스(device)와 하층 시험보드(test board) 사이에 실리콘 러버(silicon rubber)가 있고, 중앙에 전도입자(conductive particle)가 있으며, 디바이스에서 전기신호를 시험보드에 가함으로써 전도입자를 통하여 시험보드에 흐르는 전기적인 신호로 시험보드를 분석하는 방법으로서, 이와 같은 실리콘 러버형 IC소켓 측정기술은 공지된 기술을 이용할 수 있으며, 여기서는 그 상세한 설명을 생략한다.
이때, 각각의 SMU 보드(13)는 전원공급 제어장치(20)의 제어에 따라 수 mΩ급의 저 저항에서 5㎂ 내지 250 ㎃의 저 전류를 인가하거나, 250 ㎃ 내지 5A의 고 전류를 인가할 수 있다(S105).
일반적인 IC 검사장치는 미세전류(㎂)와 고전류(A) 범위를 병행하여 측정할 수 없으며, 측정하고자 하는 전자부품의 종류에 따라 미세전류 또는 고전류에 한정된다. 그러나, 본 발명의 실시예에 따른 IC소켓 검사용 다중채널 측정 시스템은 미세전류 또는 고전류의 측정에 한정되지 않으며, 미세전류와 고전류를 병행하여 측정할 수 있다. 즉, 본 발명의 실시예)에 따른 IC소켓 검사용 다중채널 측정 시스템은 다양한 종류의 전자부품에 대한 측정이 가능하다. 여기서는, 수 mΩ급의 저 저항에서 5㎂ 내지 250 ㎃의 저 전류의 범위와 250 ㎃ 내지 5A의 고 전류의 범위의 두 종류의 범위단계로 분할하여 인가하는 것으로 도시하고 설명하였지만, 인가되는 전류의 범위는 셋 이상의 범위 단계로 분할하여 인가될 수 있음은 물론이다.
또한, 각각의 SMU 보드(13)는 전원공급 제어장치(20)의 제어에 의해 인가되는 전류를 안정화시킨다(S107). 즉, AD5560(12)와 DPS(14)에 SMU 보드(13)에 전류를 인가하는 경우에 발진이 발생할 수 있는데, 이와 같은 문제를 해결하기 위하여 각각의 SMU 보드(13)는 OP 앰프와 트랜지스터를 포함하는 부스터(booster) 회로를 구비하며, 부스터 회로의 RC 값을 조정함으로써 발진을 제거할 수 있다. 여기서, 부스터 회로는 공지된 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 그 상세한 설명은 생략한다.
IC소켓 분석장치(30)는 전원공급 제어장치(20)에 의해 개별적으로 공급되는 전원에 의해 각각의 SMU 보드(13)를 통해 측정되는 IC소켓의 전압 및 전류를 분석한다(S109). 이때, IC소켓 분석장치(30)는 IC 소켓 측정 채널 M의 2M 데이터에 대하여 SFFT(Sparse FFT) 신호를 이용하여 IC 소켓의 전압 및 전류를 분석할 수 있다. 또한, IC소켓 분석장치(30)는 전체 전류범위(5㎂ ~ 5A)에서 채널 측정간 신호 간섭 및 상호관계(correlation)를 분석함으로써 다중채널 신호의 ISI(Inter-symbol Interference) 시뮬레이션을 수행할 수 있다.
이상에서 본 발명에 따른 실시예들이 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 범위의 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 보호 범위는 다음의 특허청구범위뿐만 아니라 이와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.

Claims (6)

  1. 복수의 슬롯 및 상기 복수의 슬롯에 장착되는 SMU(Source Measure Unit) 보드를 탑재하며, 탑재되는 복수의 상기 SMU 보드를 직렬 또는 병렬로 접속시켜 복수 개의 채널로 확장하는 채널확장 보드;
    탑재되는 각각의 상기 SMU 보드에 개별적으로 전원을 공급 제어하는 전원공급 제어장치; 및
    상기 전원공급 제어장치에 의해 개별적으로 공급 제어되는 전원에 의해 각각의 상기 SMU 보드를 통해 측정되는 IC(Integrated Circuit) 소켓의 전압 및 전류를 분석하는 IC소켓 분석장치;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는, IC소켓 검사용 다중채널 측정 시스템.
  2. 제1항에 있어서,
    각각의 상기 SMU 보드는,
    제1범위의 전류를 인가하기 위한 제1전류 인가부;
    상기 제1범위 이상의 범위로 설정된 제2범위의 전류를 인가하기 위한 제2전류 인가부; 및
    상기 제1전류 인가부 또는 상기 제2전류 인가부에 의해 인가되는 전류를 안정화시키는 인가전류 안정화부;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는, IC소켓 검사용 다중채널 측정 시스템.
  3. 제1항에 있어서,
    각각의 상기 SMU 보드는 규격화된 채널 수를 가지며, 실리콘 러버형 IC소켓 측정기술에 기반하여 전류를 측정하는 것을 특징으로 하는, IC소켓 검사용 다중채널 측정 시스템.
  4. IC소켓 검사용 다중채널 측정 시스템에 의해 수행되는 다중채널 측정방법에 있어서,
    복수의 SMU 보드를 직렬 또는 병렬로 연결하여 채널을 확장하는 단계;
    각각의 상기 SMU 보드에 전원을 공급하는 단계; 및
    각각의 상기 SMU 보드를 통해 측정되는 IC 소켓의 전압 및 전류를 분석하는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는, 다중채널 측정방법.
  5. 제4항에 있어서,
    각각의 상기 SMU 보드에 제1범위의 전류 또는 상기 제1범위 이상의 범위로 설정된 제2범위의 전류를 인가하는 단계; 및
    상기 인가되는 전류를 안정화시키는 단계;
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 다중채널 측정방법.
  6. 제4항에 있어서,
    각각의 상기 SMU 보드는 규격화된 채널 수를 가지며, 실리콘 러버형 IC소켓 측정기술에 기반하여 전류를 측정하는 것을 특징으로 하는, 다중채널 측정방법.
KR1020220070519A 2021-06-21 2022-06-10 Ic소켓 검사용 다중채널 측정 시스템 및 그 다중채널 측정방법 KR20220169901A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210080183 2021-06-21
KR20210080183 2021-06-21

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20220169901A true KR20220169901A (ko) 2022-12-28

Family

ID=84538139

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020220070519A KR20220169901A (ko) 2021-06-21 2022-06-10 Ic소켓 검사용 다중채널 측정 시스템 및 그 다중채널 측정방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20220169901A (ko)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030085182A (ko) 2002-04-29 2003-11-05 주식회사 하이닉스반도체 멀티 프로빙 패드를 구비한 반도체 테스트 장치

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030085182A (ko) 2002-04-29 2003-11-05 주식회사 하이닉스반도체 멀티 프로빙 패드를 구비한 반도체 테스트 장치

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5519331A (en) Removable biasing board for automated testing of integrated circuits
US6275962B1 (en) Remote test module for automatic test equipment
US7472321B2 (en) Test apparatus for mixed-signal semiconductor device
US9164158B2 (en) Calibration device
US8154315B2 (en) Self-referencing voltage regulator
US6873167B2 (en) Connection box, system, and method for evaluating a DUT board
US8446164B2 (en) Semiconductor device test system having high fidelity tester access fixture (HIFIX) board
EP1440328B1 (en) Method and apparatus for calibration and validation of high performance dut power supplies
CN101484819B (zh) 自动测试装置及与其配套使用的校准设备和校准方法
US7106081B2 (en) Parallel calibration system for a test device
KR101348425B1 (ko) 자동 테스트 장비의 타이밍 보정 장치
US8892381B2 (en) Test apparatus and manufacturing method
KR20220169901A (ko) Ic소켓 검사용 다중채널 측정 시스템 및 그 다중채널 측정방법
KR101281823B1 (ko) 고정형 파워 보드와 교체형 코어 보드를 포함하는 자동 테스트 장치
KR101781895B1 (ko) 멀티칩 패키지 테스트 시스템
KR20030017053A (ko) 피씨 마더보드를 이용한 반도체 테스트 장치
KR102292231B1 (ko) 전원 모듈
JP5135611B2 (ja) テスト装置
KR100921222B1 (ko) 반도체 테스트 헤드 장치
KR20240013658A (ko) 자동 시험 장치 및 그 인터페이스 장치
KR100916763B1 (ko) 반도체 디바이스 테스트 시스템
JP2004340899A (ja) 半導体集積回路の試験方法と、半導体集積回路の試験装置と、半導体集積回路の試験方法の実施に用いる標準回路基板と、半導体集積回路の試験方法の実施に用いるdc系中継手段
KR20090055179A (ko) 번인 테스트를 위한 개별 전류 설정 장치 및 방법
JP2018040762A (ja) 検査装置、検査システム、検査方法、及び検査プログラム
KR20020064116A (ko) 아이씨 테스트 시스템