KR20220166601A - 기판의 온도균일도 제어장치 및 제어방법 - Google Patents

기판의 온도균일도 제어장치 및 제어방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20220166601A
KR20220166601A KR1020210075550A KR20210075550A KR20220166601A KR 20220166601 A KR20220166601 A KR 20220166601A KR 1020210075550 A KR1020210075550 A KR 1020210075550A KR 20210075550 A KR20210075550 A KR 20210075550A KR 20220166601 A KR20220166601 A KR 20220166601A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
temperature
heat source
power
substrate
heater
Prior art date
Application number
KR1020210075550A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102572807B1 (ko
Inventor
김진균
안창욱
이지원
백인찬
권도형
Original Assignee
경희대학교 산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 경희대학교 산학협력단 filed Critical 경희대학교 산학협력단
Priority to KR1020210075550A priority Critical patent/KR102572807B1/ko
Priority to US17/670,060 priority patent/US20220399214A1/en
Publication of KR20220166601A publication Critical patent/KR20220166601A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102572807B1 publication Critical patent/KR102572807B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R22/00—Arrangements for measuring time integral of electric power or current, e.g. electricity meters
    • G01R22/06—Arrangements for measuring time integral of electric power or current, e.g. electricity meters by electronic methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B1/00—Details of electric heating devices
    • H05B1/02—Automatic switching arrangements specially adapted to apparatus ; Control of heating devices
    • H05B1/0227—Applications
    • H05B1/023—Industrial applications
    • H05B1/0233—Industrial applications for semiconductors manufacturing
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)

Abstract

본 발명에 따른 온도균일도 제어장치는, 기판에 열원을 제공하는 가열기, 기판의 온도 데이터를 생성하는 온도센서, 온도 데이터에 기초하여 열원분포를 제시하는 가열 제어기 및 열원분포에 기초하여 열원을 발생시키기 위한 전력량을 산출하고, 산출된 전력량을 상기 가열기에 공급하는 열원-전력 변환기를 포함한다. 본 발명에 따른 제어방법 및 제어장치는 선형 관계인 열원과 전력을 이용하기 때문에, 온도 정보로 가열기의 전력량을 제어하는 종래 방법이 지닌 고비용 문제와 장비 노화 문제를 극복할 수 있게 된다. 구체적으로, 본 발명은 선형 제어기를 구비함으로써, 비선형 제어기를 갖는 종래 방식과 비교해 상당한 비용 절감효과를 기대할 수 있다. 또한, 장비 노화에 따른 오차를 파라미터의 변경만으로 용이하게 교정할 수 있기 때문에 유지보수에 따른 비용을 절감할 수 있는 기술적 효과를 도모한다.

Description

기판의 온도균일도 제어장치 및 제어방법{APPARATUS AND METHOD FOR CONTROLLING TEMPERATURE UNIFORMITY OF SUBSTRATE}
본 발명은 급속 열처리가 수행되는 동안 웨이퍼(wafer)의 온도를 균일하게 제어하는 제어장치 및 제어방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 측정된 온도 정보를 열원 정보로 변환하여 가열기의 전력량을 제어함으로써 저비용으로 고정밀 제어가 가능한 온도균일도 제어방법 및 제어장치에 관한 것이다.
반도체 장치 제조에 있어 급속 열처리(Rapid Thermal Processing, 이하, 'RTP'라 칭함) 단계에서는 웨이퍼의 온도가 가파르게 상승한다. 이때 웨이퍼의 온도분포를 균일하게 유지하지 못하면, 뒤틀림(warpage), 균열(crack), 전위(dislocation)와 같은 문제들이 발생한다. 따라서, RTP 단계에서 온도분포를 균일하게 유지하는 것이 중요하며, 이를 위해 웨이퍼의 온도분포 측정과 가열장치 제어를 정밀하게 할 수 있는 기술적 수단이 요구된다.
온도와 전력은 비선형 관계를 갖기 때문에, 데이터 기반 모델링(Data-driven modeling)과 같은 학습 알고리즘(머신러닝, 딥러닝 등)으로 비선형 모델을 구축하고 이를 통해 온도와 전력을 변환하는 기술이 개발되고 있다. 하지만, 이러한 방식은 초기 모델 구축 비용이 매우 크다는 단점이 있다. 나아가, 데이터 기반 모델링의 경우 장비 노화로 인해 발생하는 모델 편차를 반영하는 것이 불가능하다는 문제점까지 갖는다.
한국 공개특허공보 제10-2009-0042874호(발명의 명칭: 공급전력 조정기 및 반도체 제조장치, 출원인: 가부시키가이샤 산코 외 1인)는 기판에 열처리를 수행하는 반도체 제조장치에 있어서 온도를 이용해 전력을 제어하는 방법을 개시하고 있다. 하지만, 한국 공개특허공보 제10-2009-0042874호도 서로 비선형 관계를 갖는 온도와 전력 간의 관계에 기초해서 전력제어를 수행하기 때문에 정밀도가 떨어진다는 문제점이 있다.
한국 공개특허공보 제10-2009-0042874호 (2009년 4월 30일 공개)
본 발명은 상술한 문제점을 감안하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 온도 정보를 열원 정보로 변환한 뒤 가열기의 전력량을 제어함으로써 정밀한 전력 제어를 수행할 수 있는 제어장치 및 제어방법을 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 온도균일도 제어장치는, 기판에 열원을 제공하는 가열기; 상기 기판의 온도 데이터를 생성하는 온도센서; 상기 온도 데이터에 기초하여 열원분포를 제시하는 가열 제어기; 및 상기 열원분포에 기초하여 열원을 발생시키기 위한 전력량을 산출하고, 산출된 전력량을 상기 가열기에 공급하는 열원-전력 변환기;를 포함한다.
상기 열원-전력 변환기는, 상기 가열기에서 상기 기판까지의 열전달 과정에서 발생하는 열에너지 손실 및 상기 가열 제어기로부터 전달된 상기 열원분포에 기초하여 상기 전력량을 산출할 수 있다.
상기 가열 제어기는 후술하는 (수식1)의 수치모델을 이용하여 상기 열원분포를 제시할 수 있다.
상기 열원-전력 변환기는 상기 가열 제어기로부터 입력된 열원분포의 데이터를 후술하는 (수식4)의 선형모델에 입력하여 상기 전력량을 산출할 수 있다.
상기 열원-전력 변환기는 상기 측정온도벡터 및 예상온도벡터의 데이터를 축적하고, 축적된 데이터로 계산한 최소제곱오차(Least Squares Error)가 기설정된 범위를 초과하는 시점에 상기 보상계수를 교정할 수 있다.
상기 가열 제어기는 상기 온도 데이터에 기초하여 전체 온도분포를 예측하고, 상기 전체 온도분포에 기초하여 상기 열원분포를 제시할 수 있다.
한편, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 온도균일도 제어방법은, 기판의 온도 데이터를 생성하는 단계; 상기 온도 데이터에 기초하여 열원분포를 제시하는 단계; 상기 열원분포에 기초하여 열원을 발생시키기 위한 전력량을 산출하는 단계; 및 상기 열원을 발생시키는 가열기에 상기 산출된 전력량을 공급하는 단계;를 포함한다.
상기 산출하는 단계는, 상기 가열기에서 상기 기판까지의 열전달 과정에서 발생하는 열에너지 손실 및 상기 가열 제어기로부터 전달된 상기 열원분포에 기초하여 상기 전력량을 산출할 수 있다.
상기 열원분포는 후술하는 (수식1)의 수치모델을 이용하여 생성될 수 있다.
상기 전력량은 후술하는 (수식4)의 선형모델에 상기 열원분포의 데이터를 입력하여 산출될 수 있다.
상기 측정온도벡터 및 예상온도벡터의 데이터를 축적하는 단계; 및 축적된 데이터로 계산한 최소제곱오차(Least Squares Error)가 기설정된 범위를 초과하는 시점에 상기 보상계수를 교정하는 단계;를 더 포함할 수 있다.
상기 온도 데이터에 기초하여 전체 온도분포를 예측하는 단계;를 더 포함하고, 상기 열원분포를 제시하는 단계는, 예측된 상기 전체 온도분포에 기초하여 상기 열원분포를 생성할 수 있다.
상기 예측하는 단계는, 상기 기판의 형상 및 열적 거동에 대한 수치모델을 구축하는 단계; 상기 기판의 측정온도의 노이즈를 조절하는 안정기 파라미터를 설정하는 단계; 복수의 가열기로부터 상기 기판이 받은 열원을 예측하는 민감도 계수 행렬을 생성하는 단계; 상기 가열기 각각에 입력되는 전력비에 기초하여 상기 민감도 계수 행렬을 응축하는 단계; 및 소정의 온도 데이터가 입력되면, 상기 수치모델, 안정기 파라미터 및 응축된 민감도 계수 행렬에 기초하여 상기 기판의 전체 온도분포를 예측하는 단계;를 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 제어장치 및 제어방법은 선형 관계인 열원과 전력을 이용하기 때문에, 온도 정보로 가열기의 전력량을 제어하는 종래 방법이 지닌 고비용 문제와 장비 노화 문제를 극복할 수 있게 된다. 구체적으로, 본 발명은 선형 제어기를 구비함으로써, 비선형 제어기를 갖는 종래 방식과 비교해 상당한 비용 절감효과를 기대할 수 있다. 또한, 장비 노화에 따른 오차를 파라미터의 변경만으로 용이하게 교정할 수 있기 때문에 유지보수에 따른 비용을 절감할 수 있는 기술적 효과를 도모한다.
도 1은 반도체 장비 제조용 급속 열처리 장치의 개략도이다.
도 2는 본 발명에 따른 온도균일도 제어장치의 구성을 나타내는 블록도이다.
도 3은 본 발명에 따른 온도균일도 제어방법의 흐름도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 개시된 실시예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 본 명세서에 개시된 실시예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서에 개시된 실시 예의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시 예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되지 않으며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
비선형 제어를 이용한 종래 기술의 문제점을 해소하기 위하여, 본 발명은 역 열전달 문제(Inverse Heat Transfer Problem)를 도입한다. 역문제(Inverse Problem)는 출력으로부터 입력을 찾는 문제로, 신호 처리(Signal Processing), 가상 센서(Virtual Sensor), 시스템 식별(System Identification), 기계 학습(Machine learning), 의학촬영(Medical Imaging) 등에 주로 사용된다. 본 발명에서는 온도 센서로 측정한 출력 데이터를 기반으로 가열 장치에 입력되는 전력량을 산출함으로써 기판의 온도균일도를 정밀하게 제어할 수 있다.
도 1은 반도체 장비 제조용 급속 열처리 장치의 개략도이다. 도 1에 도시된 바와 같이, RTP는 진공 챔버(C) 내에서 작업이 이루어진다. 히터 대신 할로겐이나 텅스텐 할로겐 램프 등을 이용하여 적외선 복사광선을 발생시켜 레이저빔을 집광 렌즈에 모아 웨이퍼에 순간적으로 주사하는 방식을 이용한다. 퍼니스(furnace) 장비를 이용한 열처리에 비하여, RTP는 매우 빠른 속도로 웨이퍼의 열처리가 가능하며, 공정 및 주변환경 제어가 용이하다는 장점이 있다.
퍼니스 장비를 이용한 열처리는 퍼니스 내부의 온도를 측정하는 방식으로 온도측정이 이루어지나, RTP에서는 웨이퍼 표면의 온도를 직접 측정하는 방식을 이용한다. 이때, 웨이퍼의 온도 계측에는 도 1에 도시된 바와 같이 접촉식 온도 센서인 열전대(Thermocouple)나 비접촉식 온도 센서인 고온계(Pyrometer) 등을 이용할 수 있다.
본 발명에 따른 온도균일도 제어장치는 시간 경과에 따라 웨이퍼의 온도가 균일하게 가열되도록 하는 열원을 실시간 제시하는 가열 제어기와, 제시된 열원대로 가열하기 위해 가열기로 입력되는 전력량을 산출하는 열원-전력 변환기를 주요 구성으로 한다.
이때, 열원-전력 변환기는 선형모델을 구축하여 전력량을 산출한다. 온도(℃)와 전력(W)의 관계는 비선형 관계인 반면, 열원(W/㎡)과 전력(W)의 관계는 선형 관계에 놓이며, 여기서 면적은 웨이퍼의 면적으로 고정된 상수이므로, 두 관계의 비는 무차원수에 해당한다. 본 발명은 이를 이용하여 용이하게 선형 모델을 구축할 수 있다.
열원 정보로 가열기에 인가되는 전력량을 제어하기 위하여 가열기에서 웨이퍼까지 열이 도달하는 동안 발생하는 열에너지 손실 및 열에너지 분산과 가열기의 자체 손실이 고려되어야 이를 보상하는 전력량을 인가하여 웨이퍼에 원하는 열량을 가할 수 있다.
본 발명에 따른 온도균일도 제어장치는 가열 제어기에서 가열기의 열에너지 분산량이 고려되고, 열원-전력 변환기에서 열에너지 손실량이 보상될 수 있다.
도 2는 본 발명에 따른 온도균일도 제어장치의 구성을 나타내는 블록도이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 온도균일도 제어장치는 가열기(110), 온도센서(120), 가열 제어기(130) 및 열원-전력 변환기(140)를 포함한다.
가열기(110)는 챔버(C) 내의 기판(W')에 열원을 제공하며, 온도센서(120)는 기판(W')의 온도 데이터를 생성한다. 가열기(110)는 열원을 제공할 수 있는 다양한 장치(예: 램프 등)로 구현될 수 있고, 온도센서(120)는 직접적 혹은 간접적으로 기판(W')의 온도를 측정하여 온도 데이터를 생성할 수 있다. 이때, 가열기(110)와 온도센서(120)의 개수는 필요에 따라 다양하게 설정될 수 있다.
가열 제어기(130)는 온도센서(120)에 의하여 생성된 온도 데이터에 기초하여 열원분포를 제시한다. 구체적으로, 측정된 온도 데이터를 (수식1)의 수치모델을 이용하여 가공함으로써 열원분포를 제시한다.
(수식1)
Figure pat00001
,
Figure pat00002
,
Figure pat00003
,
Figure pat00004
(
Figure pat00005
:현재시점시간,
Figure pat00006
:미래시점시간,
Figure pat00007
:측정시간간격,
Figure pat00008
: 제어를 위한 미래열원벡터,
Figure pat00009
: 목표온도벡터,
Figure pat00010
: 측정온도벡터,
Figure pat00011
: 미래시점 예상온도벡터,
Figure pat00012
:
Figure pat00013
를
Figure pat00014
로 일정하게 가열했을 때의 가상온도벡터,
Figure pat00015
: 측정온도 노이즈에 대한 안정성 조절용 파라미터,
Figure pat00016
: 민감도 계수행렬)
여기서, 민감도 계수행렬은 아래의 (수식2)에 의하여 정의된다.
(수식2)
Figure pat00017
위의 (수식1) 및 (수식2)를 계산하기 위헤서는 웨이퍼 유한요소(Finite Element) 모델을 이용할 수 있다. 유한요소 모델은 공간적으로 분해된 가열기의 모양과 동일하게 요소를 구현한다. 예를 들어, 100개의 가열기(110)가 기판(W')을 가열하는 경우, 100개의 격자 요소로 모델링할 수 있다. 이때, 노드(Node)의 수가 121개인 경우,
Figure pat00018
의 벡터 크기는 121이 되어야 하며, 벡터의 성분(component)은 각 노드 위치의 온도를 의미한다.
Figure pat00019
는 유한요소 모델과 열에너지 분산분포에 의하여 결정된다.
가열 제어기(130)의 목표는 웨이퍼의 균일한 가열에 있다. 예를 들어,
Figure pat00020
를 기점으로
Figure pat00021
의 간격으로 요구되는 웨이퍼 온도가 100℃, 300℃, 450℃라면 목표온도벡터는 아래의 (수식3)과 같이 입력된다.
(수식3)
Figure pat00022
Figure pat00023
Figure pat00024
최종적으로 가열 제어기(130)는
Figure pat00025
,
Figure pat00026
,
Figure pat00027
의 각 시점에
Figure pat00028
,
Figure pat00029
,
Figure pat00030
을 열원-전력 변환기(140)로 전달한다.
열원-전력 변환기(140)는 상기 열원분포에 기초하여 열원을 발생시키기 위한 전력량을 산출하고, 산출된 전력량을 가열기(110)에 공급한다. 즉, 가열 제어기(130)에서 계산한
Figure pat00031
만큼 기판(W')이 열원을 받기 위해서 가열기(110)에 인가되어야 하는 전력량을 산출한다.
Figure pat00032
(W/㎡)에 기판(W')의 면적(㎡)을 곱하면 전력량(W)이 계산되지만, 이 값이 그대로 가열기(110)에 입력되면 가열기(110) 자체의 손실(W), 가열기에서 기판(W')까지 열이 도달하는 동안 발생하는 열에너지 손실(W)로 인해 오차가 발생하게 된다.
이를 감안하여, 열원-전력 변환기(140)는 해당 오차를 보상한 전력량을 가열기(110)로 전달하며, 오차 보상을 위해서 아래의 (수식4)의 선형모델을 이용한다.
(수식4)
Figure pat00033
여기서, M은 가열기의 개수,
Figure pat00034
는 각 가열기의 가열면적,
Figure pat00035
는 가열기에 입력될 전력량,
Figure pat00036
는 보상계수를 의미한다. 보상계수는 가열조건(챔버의 성능, 가열 거리, 가열기의 종류 등)에 따라 변하는 값이며, 고정밀이 요구될 경우 유한요소 모델의 형상함수(Shape Function)도 보상계수와 함께 교정될 수 있다.
가열조건에 따라 보상계수인
Figure pat00037
가 변하기 때문에 장비의 노화에 따라 가열조건이 미세하게 변하게 되면 제대로 된 성능을 보장할 수 없게 된다. 이를 방지하기 위하여, 열원-전력 변환기(140)는 측정온도벡터인
Figure pat00038
와 예상온도벡터인
Figure pat00039
를 축적하고, 축적된 데이터로 최소제곱오차(Least Square Error)를 계산하여, 설정한 공차 이상의 오차가 발생하는 시점을 유지보수시점으로 하여, 보상계수인
Figure pat00040
를 스케일링(scaling)하여 교정한다.
한편, (수식1)과 관련한 위의 설명에 있어서, 측정 온도에 전체 온도분포를 반영할 필요가 있다. 그 경우, 본 발명은 측정온도에 기초하여 전체 온도분포를 예측하는 기법을 사용할 수 있는데, 이에 대해 간략히 설명한다.
측정온도에 기초하여 전체 온도분포를 예측하는 방법은 ①수치모델 구축단계, ②안정기 파라미터 설정 단계, ③열원 예측을 위한 민감도 계수 행렬(Sensitivity coefficient matrix) 생성단계, ④전력비에 기초한 민감도 계수 행렬 응축단계, ⑤온도 데이터 입력에 의한 전체 온도분포 예측단계를 포함할 수 있다.
먼저, 열원과 전체 온도분포는 아래의 (수식5)에 의하여 계산될 수 있다.
(수식5)
Figure pat00041
,
Figure pat00042
,
Figure pat00043
,
Figure pat00044
여기서,
Figure pat00045
는 과거 시점 시간,
Figure pat00046
은 현재 시점 시간,
Figure pat00047
는 측정 시간 간격,
Figure pat00048
은 예측된 열원 벡터,
Figure pat00049
은 측정 온도 벡터,
Figure pat00050
은 예측된 전체 온도 벡터(온도센서 구비 지점 외의 온도 포함)를 의미한다. 또한,
Figure pat00051
은
Figure pat00052
를
Figure pat00053
로 일정하게 가열했을 때 온도센서 구비 지점의 가상 온도 벡터이며, 온도센서가 1개인 경우에는 상수가 된다. 그리고,
Figure pat00054
은 센서 위치의 민감도 계수 행렬이며 아래의 (수식6)으로 정의된다.
(수식6)
Figure pat00055
여기서, N은 각각 사용된 센서의 개수에 대응되고, M은 공간적으로 분해된 가열기의 개수에 대응된다. 예를 들어, 3개의 센서와 100개의 가열기가 사용된다면,
Figure pat00056
은 3×100의 행렬이 된다.
Figure pat00057
도 같은 방식으로 정의되며, 열의 개수는 M으로 동일하지만, 행의 개수는 후술할 수치모델의 전체 자유도와 같다. 예를 들어, 수치모델 구축단계에서 구축된 웨이퍼의 수치모델의 자유도가 100이라면,
Figure pat00058
는 100×100행렬이 된다.
측정온도에 기초하여 전체 온도분포를 예측하는 방법의 각 단계에 대해 설명하면 아래와 같다.
①수치모델 구축단계
웨이퍼의 열적 거동을 표현할 열전달 모델이 구축되어야 하는데, 수치모델 구축단계에서는 기판의 형상 및 열적 거동에 대한 수치모델을 구축한다. RTP 공정을 거치는 웨이퍼는 일반적으로 박막이기 때문에 2D 수치모델 구축이 합리적이지만, 이에 한정되지 않는다.
수치모델의 구축은 유한요소법(Finite Element Method), 유한차분법(Finite Difference Method), 경계요소법(Boundary Element Method) 등의 다양한 기술이 사용될 수 있다.
수치해석 기법은 어떤 현상을 지배하는 법칙과 조건을 수학적으로 모델링하고, 근사해(approximate solution)를 구하기 위해 답을 보간함수(interpolation function)의 조합으로 표현한 뒤 각 기저함수의 크기를 계산한다. 이때, 기본적으로 수학적인 표현을 기저함수(basis function)의 계수를 계산하기 위한 행렬 방정식으로 전환하게 되며, 기저함수의 정의 방식에 따라 수치해석 기법의 종류가 결정된다.
예를 들어, 유한요소법은 기저함수의 체계적 정의를 위하여, 대상이 되는 물체, 즉, 웨이퍼의 공간상의 영역을 유한 요소(finite element)라 불리는 소영역으로 나누어 수치해석을 수행한다.
유한차분법은 미분방정식을 자연현상의 대상이 되는 기하학적 영역 내에서 수치적분(numerical intefration)을 취해 행렬방정식을 유도하는데, 기하학적 영역 내에 생성된 유한개의 점들을 격자(grid)라 부르고 격자의 조밀도에 따라 근사해의 정확도가 향상된다.
경계요소법은 미분방정식 형태의 수학적 표현식과 그린함수(green function)라 불리는 핵함수(kernel function)의 곱을 대상물체의 전체 영역에 걸쳐 적분을 취한다. 이후, 그린의 정리(green theorem)에 따라 영역 전체에 대한 적분을 물체의 경계에 따른 경계적분(boundary integral) 형식으로 변환하고, 경계 조건(boundary condition)을 적용하는 방식으로 수치해석을 수행한다.
수치모델 구축단계는 위에서 설명한 것 외의 다양한 방식의 수치해석 기법을 이용할 수 있으며, 본 발명의 권리범위는 어느 특정 수치모델 기법에 한정되지 않는다.
②안정기 파라미터 설정 단계
안정기 파라미터 설정 단계는 온도센서에 의해 측정된 상기 기판의 측정온도의 노이즈를 조절하는 안정기 파라미터를 설정한다. 위의 (수식5)에서
Figure pat00059
는 안정기의 성능을 결정하는 변수이다. 안정기 파라미터는 시스템에 사용되는 온도센서의 노이즈에 대한 안정성을 보장하기 위해 필요하다. 즉, 안정기 파라미터인
Figure pat00060
값은 센서의 개수, 위치, 웨이퍼의 열확산도(thermal diffusivity), 챔버의 성능에 의해서 결정되는 값인데, 패널티를 주어 측정 오차에 대한 불안정성을 억제하는 역할을 하기 때문에, 적절한 값을 입력하는 것이 중요하다.
Figure pat00061
값을 설정하는 방법은, ①초기 장비 생산시 한주기의 프로세싱을 거친 웨이퍼의 시간에 따른 온도정보를 수집하는 단계, ②수집한 온도를 후처리로 필터링(filtering)하여 노이즈가 제거된 필터링 데이터로 변환하는 단계, ③(수식5)에서
Figure pat00062
값을 변화시키면서 필터링 데이터와 최소제곱오차(Least Square Error)가 최소가 되는
Figure pat00063
값을 결정하는 단계로 이루어진다.
Figure pat00064
값은 센서와 챔버의 성능에 의하여 결정되므로, 장비의 노화에 따라 측정 노이즈가 증가하므로 장비 노화에 대한 대비가 필요하다. 즉, 장비가 작동되는 동안 연산장치의 메모리에 일정 주기의 온도 데이터(정보)를 수집하고, 노이즈의 증가량을 관측한다. 이때, 노이즈의 증가량은 교차검증(Generalized Cross Validation) 등의 기법을 활용하여 관측될 수 있고, 노이즈의 증가량에 따라 상기 방법으로
Figure pat00065
값의 교정을 수행할 수 있다. 안정기의 자동 교정으로 인하여 누구나 쉽게 장비를 사용하고, 유지/관리할 수 있게 된다. 정리하면, 안정기의 자동 교정 방법은 ⓐ최초 테스트 구동시의 온도 데이터에 기초하여 최초 안정기 파라미터를 설정하는 단계, ⓑ열처리가 수행되는 동안 메모리에 저장된 온도 데이터에 기초하여 소정 주기로 안정기 파라미터의 교정값을 연산하는 단계, ⓒ교정값을 안정기 파라미터로 설정하는 단계로 이루어질 수 있다.
③민감도 계수 행렬(Sensitivity coefficient matrix) 생성단계
민감도 계수 행렬 생성단계는 복수의 가열기로부터 상기 기판이 받은 열원을 예측한다. 민감도 계수 행렬 생성단계에서는 상기 (수식6)의
Figure pat00066
과
Figure pat00067
을 입력받는 단계이다.
Figure pat00068
는 가열기로부터 웨이퍼에 도달한 열원을 계산하기 위해 사용되며, 계산된 열원과
Figure pat00069
로 전체 온도분포를 예측한다.
예측된 전체 온도분포가 유일하게 존재하기 위해서는
Figure pat00070
의 열과 행의 수가 같거나, 열보다 행의 수가 많아야 하는데, 이는 가열기의 수보다 센서의 수가 많아야 함을 의미한다. 일반적으로는 센서의 수보다 공간적으로 분해된 가열기의 수가 더 많기 때문에 위의 조건을 보장할 수 있는 방법이 필요하며, 그렇지 못한 경우 수학적으로 ill-posed problem이 되어 유일하지 않은 여러 개의 해가 존재하는 결과를 야기하는데, 이는 아래의 민감도 계수 행렬 응축단계를 통해 해결될 수 있다.
④전력비에 기초한 민감도 계수 행렬 응축단계
민감도 계수 행렬 응축단계는 가열기 각각에 입력되는 전력 비율 정보에 기초하여 민감도 계수 행렬을 응축한다. 각각의 가열기로 입력되는 전력비를 이용하면 위의 (수식6)을 아래의 (수식7)로 다시 적을 수 있다.
(수식7)
Figure pat00071
,
Figure pat00072
여기서,
Figure pat00073
는 전력비를 이용하여 응축한 민감도 계수 백터를 의미한다. 예를 들어, 3개의 센서를 사용하는 경우에는 3×1벡터가 된다. 행의 수가 열의 수보다 크기 때문에 유일한 해가 보장될 수 있으며, 이에 의하여 위에서 언급한 문제점이 해소된다. (수식7)을 이용하여 1번 가열기의 열원만 계산하지만, 전력비를 이용하여 나머지 가열기의 열원도 복원이 가능해진다. 즉, 민감도 계수행렬의 응축 구성을 통하여 본 발명은 단 1개의 온도센서를 통해 획득된 극소수의 온도 데이터만으로도 다수의 열원을 복원시킬 수 있게 된다.
따라서, 민감도 계수 행렬 응축단계는 각 가열기의 전력비 정보를 산출하는 단계를 포함할 수 있다. 이에 의하여 산출된 전력비 정보에 기초하여, 위와 같이 응축된 민감도 계수 행렬을 도출할 수 있게 된다.
⑤전체 온도분포 예측단계
전체 온도분포 예측단계는 소정의 온도 데이터가 입력되면, 수치모델, 안정기 파라미터 및 응축된 민감도 계수 행렬에 기초하여 기판의 전체 온도분포를 예측한다. 구체적으로, 복수의 가열기 중 일부의 열원만 연산하고, 응축된 민감도 계수 행렬에 기초하여 나머지 열원을 복원함으로써 전체 온도분포를 획득할 수 있게 된다.
측정온도에 기초한 전체 온도분포 예측과 관련한 상기 방법은 일 실시예이며, 그와 다른 방법으로 전체 온도분포를 예측하는 것도 가능하다.
도 3은 본 발명에 따른 온도균일도 제어방법의 흐름도이다. 도 3에 도시된 바와 같이, 먼저, 기판의 온도 데이터를 생성하고(S100), 온도 데이터에 기초하여 열원분포를 제시한다(S110). 온도 데이터는 온도센서에 의하여 측정된 온도 데이터일 수 있다. 다만, 측정 온도에 전체 온도분포를 반영할 필요가 있는데, 그 경우에는 위에서 설명한 전체 온도분포 예측방법 등을 통하여 측정온도를 전체 온도분포로 변환하여 데이터로 이용할 수 있다. 열원분포 제시 단계는 가열 제어기(130)의 기능 및 동작에 대응하므로, 상세한 설명은 생략하기로 한다.
이후, 열원분포에 기초하여 열원을 발생시키기 위한 전력량을 산출한다(S120). 전력량 산출 단계(S120)는 가열기에서 기판까지의 열전달 과정에서 발생하는 열에너지 손실 및 상기 가열 제어기로부터 전달된 상기 열원분포에 기초하여 상기 전력량을 산출할 수 있다. 전력량 산출 단계(S120)는 열원-전력 변환기(140)의 기능 및 동작에 대응하므로, 상세한 설명은 생략하기로 한다.
마지막으로, 산출된 전력량을 가열기에 공급(S130)하며, 가열기는 기판의 온도균일도를 조절하기 위해 산출된 전력량으로 열원을 공급하기 때문에 기판의 온도균일도를 정밀하게 제어할 수 있게 된다.
한편, 본 발명에 따른 온도균일도 제어방법은 측정온도벡터 데이터 및 예상온도벡터 데이터를 축적하는 단계 및 축적된 데이터를 이용하여 보상계수를 교정하는 단계를 더 포함할 수 있다.
구체적으로, 축적된 측정온도벡터 데이터 및 예상온도벡터 데이터로 계산한 최소제곱오차(Least Squares Error)가 기설정된 범위를 초과하는 시점을 유지보수시점으로 판단하고, 해당 시점이 되면 보상계수를 교정함으로써 가열기(110)와 챔버(C)의 노화에 따른 오차를 미연에 방지할 수 있다.
또한, 열원분포를 제시하는 단계에서 이용하는 온도 데이터는 전체 온도분포일 필요가 있다. 많은 수의 온도센서를 이용하여 전체 온도분포를 획득할 수도 있으나, 소수의 온도센서를 이용하는 경우에는 전체 온도분포의 이용이 어려운 경우가 있다. 이를 위하여, 본 발명에 따른 온도균일도 제어방법은 온도 데이터에 기초하여 기판의 전체 온도분포를 예측하는 단계를 더 포함할 수 있다.
기판의 전체 온도분포를 예측하는 단계는, 상기 기판의 형상 및 열적 거동에 대한 수치모델을 구축하는 단계, 상기 기판의 측정온도의 노이즈를 조절하는 안정기 파라미터를 설정하는 단계, 복수의 가열기로부터 상기 기판이 받은 열원을 예측하는 민감도 계수 행렬을 생성하는 단계, 상기 가열기 각각에 입력되는 전력비에 기초하여 상기 민감도 계수 행렬을 응축하는 단계 및 소정의 온도 데이터가 입력되면, 상기 수치모델, 안정기 파라미터 및 응축된 민감도 계수 행렬에 기초하여 상기 기판의 전체 온도분포를 예측하는 단계를 포함할 수 있고, 이는 위에서 상세히 설명한 바 중복 설명은 피하기로 한다.
위의 전체 온도분포 예측 방법에 의하면, 많은 수의 센서 없이도 소수 센서의 온도 데이터만 입력되면, 수치모델, 안정기 파라미터 및 응축된 민감도 계수 행렬에 기초하여 기판의 전체 온도분포를 예측할 수 있다. 즉, 복수의 가열기 중 일부의 열원만 연산하고, 응축된 민감도 계수 행렬에 기초하여 나머지 열원을 복원함으로써 전체 온도분포를 획득할 수 있게 된다.
한편, 본 발명에 따른 온도균일도 제어방법은 컴퓨터 시스템 상에서 구현될 수 있고, 하나 이상의 컴퓨터로 구성된 시스템은 소프트웨어, 펌웨어, 하드웨어 또는 이들의 조합을 작동중 시스템이 작업들을 수행하도록 하는 시스템에 설치함으로써 위에서 설명한 방법의 각 단계를 수행하도록 구성될 수 있다. 하나 이상의 컴퓨터 프로그램은 데이터 처리 장치에 의해 실행될 때 장치로 하여금 동작들을 수행하게 하는 명령어들을 포함함으로써 특정 동작들 또는 작업들을 수행하도록 구성될 수 있다.
한편, 위에서 설명한 온도균일도 제어방법은 다양한 컴퓨터 수단을 통하여 수행될 수 있는 프로그램 명령 형태로 구현되어 컴퓨터 판독 가능 매체에 기록될 수 있다. 컴퓨터 판독 가능 기록 매체는 프로그램 명령, 데이터 파일, 데이터 구조 등을 단독으로 또는 조합하여 포함할 수 있다. 상기 매체에 기록되는 프로그램 명령은 본 발명을 위하여 특별히 설계되고 구성된 것들이거나 컴퓨터 소프트웨어 당업자에게 공지되어 사용 가능한 것일 수도 있다. 컴퓨터 판독 가능 기록 매체의 예에는 하드 디스크, 플로피 디스크 및 자기 테이프와 같은 자기 매체(magnetic media), CD-ROM, DVD와 같은 광기록 매체(optical media), 플롭티컬 디스크(floptical disk)와 같은 자기-광 매체(magneto-optical media), 및 롬(ROM), 램(RAM), 플래시 메모리 등과 같은 프로그램 명령을 저장하고 수행하도록 특별히 구성된 하드웨어 장치가 포함된다. 프로그램 명령의 예에는 컴파일러에 의해 만들어지는 것과 같은 기계어 코드뿐만 아니라 인터프리터 등을 사용해서 컴퓨터에 의해서 실행될 수 있는 고급 언어 코드를 포함한다. 상기된 하드웨어 장치는 본 발명의 동작을 수행하기 위해 하나 이상의 소프트웨어 모듈로서 작동하도록 구성될 수 있으며, 그 역도 마찬가지이다.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 하나 의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
C: 챔버
W': 기판(웨이퍼)
110: 가열기
120: 온도센서
130: 가열 제어기
140: 열원-전력 변환기

Claims (13)

  1. 기판에 열원을 제공하는 가열기;
    상기 기판의 온도 데이터를 생성하는 온도센서;
    상기 온도 데이터에 기초하여 열원분포를 제시하는 가열 제어기; 및
    상기 열원분포에 기초하여 열원을 발생시키기 위한 전력량을 산출하고, 산출된 전력량을 상기 가열기에 공급하는 열원-전력 변환기;를 포함하는 온도균일도 제어장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 열원-전력 변환기는, 상기 가열기에서 상기 기판까지의 열전달 과정에서 발생하는 열에너지 손실 및 상기 가열 제어기로부터 전달된 상기 열원분포에 기초하여 상기 전력량을 산출하는 온도균일도 제어장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 가열 제어기는 아래의 수치모델을 이용하여 상기 열원분포를 제시하는 온도균일도 제어장치.
    Figure pat00074
    ,
    Figure pat00075
    ,
    Figure pat00076
    ,
    Figure pat00077

    (
    Figure pat00078
    :현재시점시간,
    Figure pat00079
    :미래시점시간,
    Figure pat00080
    :측정시간간격,
    Figure pat00081
    : 제어를 위한 미래열원벡터,
    Figure pat00082
    : 목표온도벡터,
    Figure pat00083
    : 측정온도벡터,
    Figure pat00084
    : 미래시점 예상온도벡터,
    Figure pat00085
    :
    Figure pat00086
    를
    Figure pat00087
    로 일정하게 가열했을 때의 가상온도벡터,
    Figure pat00088
    : 측정온도 노이즈에 대한 안정성 조절용 파라미터,
    Figure pat00089
    : 민감도 계수행렬)
  4. 제3항에 있어서,
    상기 열원-전력 변환기는 상기 가열 제어기로부터 입력된 열원분포의 데이터를 아래의 선형모델에 입력하여 상기 전력량을 산출하는 온도균일도 제어장치.
    Figure pat00090

    (M: 가열기의 개수,
    Figure pat00091
    : 각 가열기의 가열면적,
    Figure pat00092
    : 가열기에 입력될 전력량,
    Figure pat00093
    : 보상계수)
  5. 제4항에 있어서,
    상기 열원-전력 변환기는 상기 측정온도벡터 및 예상온도벡터의 데이터를 축적하고, 축적된 데이터로 계산한 최소제곱오차(Least Squares Error)가 기설정된 범위를 초과하는 시점에 상기 보상계수를 교정하는 온도균일도 제어장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 가열 제어기는 상기 온도 데이터에 기초하여 전체 온도분포를 예측하고, 상기 전체 온도분포에 기초하여 상기 열원분포를 제시하는 온도균일도 제어장치.
  7. 기판의 온도 데이터를 생성하는 단계;
    상기 온도 데이터에 기초하여 열원분포를 제시하는 단계;
    상기 열원분포에 기초하여 열원을 발생시키기 위한 전력량을 산출하는 단계; 및
    상기 열원을 발생시키는 가열기에 상기 산출된 전력량을 공급하는 단계;를 포함하는 온도균일도 제어방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 산출하는 단계는, 상기 가열기에서 상기 기판까지의 열전달 과정에서 발생하는 열에너지 손실 및 상기 가열 제어기로부터 전달된 상기 열원분포에 기초하여 상기 전력량을 산출하는 온도균일도 제어방법.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 열원분포는 아래의 수치모델을 이용하여 생성되는 온도균일도 제어방법.
    Figure pat00094
    ,
    Figure pat00095
    ,
    Figure pat00096
    ,
    Figure pat00097

    (
    Figure pat00098
    :현재시점시간,
    Figure pat00099
    :미래시점시간,
    Figure pat00100
    :측정시간간격,
    Figure pat00101
    : 제어를 위한 미래열원벡터,
    Figure pat00102
    : 목표온도벡터,
    Figure pat00103
    : 측정온도벡터,
    Figure pat00104
    : 미래시점 예상온도벡터,
    Figure pat00105
    :
    Figure pat00106
    를
    Figure pat00107
    로 일정하게 가열했을 때의 가상온도벡터,
    Figure pat00108
    : 측정온도 노이즈에 대한 안정성 조절용 파라미터,
    Figure pat00109
    : 민감도 계수행렬)
  10. 제9항에 있어서,
    상기 전력량은 아래의 선형모델에 상기 열원분포의 데이터를 입력하여 산출되는 온도균일도 제어방법.
    Figure pat00110

    (M: 가열기의 개수,
    Figure pat00111
    : 각 가열기의 가열면적,
    Figure pat00112
    : 가열기에 입력될 전력량,
    Figure pat00113
    : 보상계수)
  11. 제10항에 있어서,
    상기 측정온도벡터 및 예상온도벡터의 데이터를 축적하는 단계; 및
    축적된 데이터로 계산한 최소제곱오차(Least Squares Error)가 기설정된 범위를 초과하는 시점에 상기 보상계수를 교정하는 단계;를 더 포함하는 온도균일도 제어방법.
  12. 제7항에 있어서,
    상기 온도 데이터에 기초하여 상기 기판의 전체 온도분포를 예측하는 단계;를 더 포함하고,
    상기 열원분포를 제시하는 단계는, 예측된 상기 전체 온도분포에 기초하여 상기 열원분포를 생성하는 온도균일도 제어방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 예측하는 단계는,
    상기 기판의 형상 및 열적 거동에 대한 수치모델을 구축하는 단계;
    상기 기판의 측정온도의 노이즈를 조절하는 안정기 파라미터를 설정하는 단계;
    복수의 가열기로부터 상기 기판이 받은 열원을 예측하는 민감도 계수 행렬을 생성하는 단계;
    상기 가열기 각각에 입력되는 전력비에 기초하여 상기 민감도 계수 행렬을 응축하는 단계; 및
    소정의 온도 데이터가 입력되면, 상기 수치모델, 안정기 파라미터 및 응축된 민감도 계수 행렬에 기초하여 상기 기판의 전체 온도분포를 예측하는 단계;를 포함하는 온도균일도 제어방법.
KR1020210075550A 2021-06-10 2021-06-10 기판의 온도균일도 제어장치 및 제어방법 KR102572807B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210075550A KR102572807B1 (ko) 2021-06-10 2021-06-10 기판의 온도균일도 제어장치 및 제어방법
US17/670,060 US20220399214A1 (en) 2021-06-10 2022-02-11 Apparatus and method for controlling temperature uniformity of substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210075550A KR102572807B1 (ko) 2021-06-10 2021-06-10 기판의 온도균일도 제어장치 및 제어방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20220166601A true KR20220166601A (ko) 2022-12-19
KR102572807B1 KR102572807B1 (ko) 2023-08-29

Family

ID=84390488

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210075550A KR102572807B1 (ko) 2021-06-10 2021-06-10 기판의 온도균일도 제어장치 및 제어방법

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20220399214A1 (ko)
KR (1) KR102572807B1 (ko)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11329993A (ja) * 1998-05-15 1999-11-30 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
KR20090042874A (ko) 2005-04-04 2009-04-30 가부시키가이샤 코쿠사이덴키 세미컨덕터 서비스 공급전력 조정기 및 반도체 제조장치
KR20100017948A (ko) * 2004-07-16 2010-02-16 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 마이크로프로세서 유닛의 열 상태의 실시간 추정 및 예측을 위한 방법 및 시스템
KR20170049212A (ko) * 2015-10-28 2017-05-10 세메스 주식회사 기판 온도 제어 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
JP2019192865A (ja) * 2018-04-27 2019-10-31 株式会社堀場エステック 基板処理装置及び基板処理装置用プログラム

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008027796A (ja) * 2006-07-24 2008-02-07 Canon Inc プラズマ処理装置
KR102373543B1 (ko) * 2015-04-08 2022-03-11 삼성전자주식회사 멀티칩 패키지에서 온도 편차를 이용하여 동작 제어하는 방법 및 장치
US20180148835A1 (en) * 2016-11-29 2018-05-31 Lam Research Corporation Substrate support with varying depths of areas between mesas and corresponding temperature dependent method of fabricating

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11329993A (ja) * 1998-05-15 1999-11-30 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
KR20100017948A (ko) * 2004-07-16 2010-02-16 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 마이크로프로세서 유닛의 열 상태의 실시간 추정 및 예측을 위한 방법 및 시스템
KR20090042874A (ko) 2005-04-04 2009-04-30 가부시키가이샤 코쿠사이덴키 세미컨덕터 서비스 공급전력 조정기 및 반도체 제조장치
KR20170049212A (ko) * 2015-10-28 2017-05-10 세메스 주식회사 기판 온도 제어 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
JP2019192865A (ja) * 2018-04-27 2019-10-31 株式会社堀場エステック 基板処理装置及び基板処理装置用プログラム

Also Published As

Publication number Publication date
KR102572807B1 (ko) 2023-08-29
US20220399214A1 (en) 2022-12-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI681442B (zh) 基板處理裝置及基板處理裝置之調整方法
TWI389166B (zh) 處理模組調諧
JP6197359B2 (ja) シミュレーション方法、シミュレーションプログラム、シミュレーション装置、および、システム
KR19990082210A (ko) 열처리의 모델베이스 예측제어
JP6930119B2 (ja) 加熱装置及び基板処理装置
US20080228308A1 (en) Critical dimension uniformity optimization
JP2006113724A (ja) 制御方法、温度制御方法、温度調節器、熱処理装置、プログラムおよび記録媒体
CN104731131A (zh) 航天器热真空试验温度控制方法
CN113495486B (zh) 一种结构热试验基于扩展状态观测器的模型预测控制方法
TW202235825A (zh) 使用基於感測器之機器學習補償質量測量中之誤差的方法
JP6985623B2 (ja) 制御系設計装置及び制御システム
KR102467933B1 (ko) 디지털 트윈 기반의 온도분포 예측방법 및 온도분포 예측장치
KR102572807B1 (ko) 기판의 온도균일도 제어장치 및 제어방법
Rsetam et al. Robust composite temperature control of electrical tube furnaces by using disturbance observer
JP6405133B2 (ja) 半導体ウェーハの温度制御装置、半導体ウェーハの温度制御方法
CN114930514A (zh) 用于热处理系统的自适应控制的控制系统
JP3220506U (ja) 真空コーティング装置
EP4040234A1 (en) A method and system for predicting aberrations in a projection system
Thomas et al. Thermal response simulation for tuning PID controllers in a 1016 mm guarded hot plate apparatus
JP5464326B2 (ja) 物理量制御装置、物理量制御方法及び物理量制御プログラム
JP5321165B2 (ja) フィードフォワード量推定装置および制御装置
Jeng et al. Control strategies for thermal budget and temperature uniformity in spike rapid thermal processing systems
JP2008299697A (ja) 制御方法、温度制御方法、補正装置、温度調節器、およびプログラム
JP6933286B1 (ja) 温度制御方法、温度制御装置およびプログラム
US20240077380A1 (en) A method and system for predicting aberrations in a projection system

Legal Events

Date Code Title Description
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant