JP2019192865A - 基板処理装置及び基板処理装置用プログラム - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 41
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 93
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 74
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 46
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims abstract description 39
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 37
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 61
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 44
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 33
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 66
- 101100023111 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) mfc1 gene Proteins 0.000 description 16
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 8
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 8
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 8
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 7
- 230000006870 function Effects 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 4
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 2
- 238000004422 calculation algorithm Methods 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
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- H01J37/32917—Plasma diagnostics
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
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- H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
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- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
- H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32458—Vessel
- H01J37/32522—Temperature
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
- H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
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- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/332—Coating
- H01J2237/3322—Problems associated with coating
- H01J2237/3323—Problems associated with coating uniformity
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- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
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Abstract
Description
このような構成であれば、チャンバ内の二次元濃度分布を供給領域毎に制御することができ、制御を煩雑化させることなく、二次元濃度分布の均一化を図れる。
このような構成であれば、1つの供給ポートから供給される材料ガスが主として1つの供給領域に供給されるように、複数の供給ポートを仕切ることで、複数の供給領域を独立して制御することができ、チャンバ内の二次元濃度分布をより速く均一化させることが可能となる。
これならば、二次元濃度分布をより均一にしやすくなる。
このような構成であれば、チャンバ内の二次元温度分布を加熱領域毎に制御することができ、制御を煩雑化させることなく、二次元温度分布の均一化を図れる。
このような構成であれば、1つのヒータが主として1つの加熱領域を加熱するように、複数のヒータを仕切ることで、複数の加熱領域を独立して制御することができ、チャンバ内の二次元温度分布をより速く均一化させることが可能となる。
かかる構成により、1つの供給ポートP1から供給された材料ガスは上部空間S1の1つの部屋aにのみ供給され、各供給ポートP1から供給された材料ガスは、上部空間S1では混ざり合うことなく下部空間S2に導かれる。
一方、領域代表濃度Ciが平均濃度Caveよりも小さい場合は、その領域代表濃度Ciを高くすべく、その供給領域αに対応する第1流体制御機器MFC1の目標流量を増大させる。なお、この場合に、その供給領域αに対応する第2流体制御機器MFC2の目標流量を減少させても良い。
一方、領域代表温度Tiが平均温度Taveよりも小さい場合は、その領域代表温度Tiを高くすべく、その加熱領域βに対応するヒータHの供給電力を増大させる。
また、温度制御についても同様に、領域代表温度Tiと所定の目標温度との差に基づいて、ヒータへの供給電力をフィードバック制御しても良い。
上述した構成であれば、内部空間Sの中心部と外周部とで二次元濃度分布の差が生じがちであるところ、中心部に位置する円形状の供給領域αと、その供給領域αを取り囲む複数の環状の供給領域αとが設定されているので、内部空間Sの中心部と外周部との濃度をそれぞれ制御することができ、二次元濃度分布をより均一にしやすくなる。
10 ・・・チャンバ
L1 ・・・材料ガス供給路
L2 ・・・材料ガス排出路
S ・・・内部空間
H ・・・ヒータ
P1 ・・・供給ポート
MFC1・・・第1流体制御機器
MFC2・・・第2流体制御機器
15 ・・・仕切部材
16 ・・・断熱性仕切部材
α ・・・供給領域
β ・・・加熱領域
20 ・・・レーザ射出機構
30 ・・・レーザ検出機構
40 ・・・制御装置
Claims (9)
- 基板が収容されるとともに、材料ガスが供給されるチャンバと、
前記チャンバに形成された複数の供給ポートそれぞれに接続された材料ガス供給路と、
前記各材料ガス供給路に設けられた流体制御機器と、
前記チャンバの周壁に形成された入射窓に向かって前記チャンバの周囲の複数箇所からレーザ光を射出するレーザ射出機構と、
前記複数箇所から射出されて前記チャンバ内を通過し、前記チャンバの周壁に形成された射出窓から射出する各レーザ光を検出するレーザ検出機構と、
前記レーザ検出機構により検出された前記各レーザ光の光強度信号を取得するとともに、その光強度信号に基づいて、前記チャンバ内における前記材料ガスの二次元濃度分布を算出し、当該二次元濃度分布に基づいて前記流体制御機器を制御する制御装置とを具備する基板処理装置。 - 前記複数の供給ポートに対応する複数の供給領域が前記チャンバ内に設定されており、前記各供給領域に供給される前記材料ガスが、前記各供給領域に対応する前記供給ポートに接続された前記材料ガス供給路上の前記流体制御機器により制御される構成において、
前記制御装置が、前記二次元濃度分布に基づいて前記各供給領域の濃度を代表する領域代表濃度を算出し、これらの領域代表濃度を用いて前記各供給領域に対応する前記流体制御機器の目標流量をフィードバック制御する、請求項1記載の基板処理装置。 - 前記チャンバが、
前記材料ガスが供給される内部空間を有したチャンバ本体と、
前記内部空間を覆うとともに、前記複数の供給ポートが形成された蓋体と、
前記蓋体の前記内部空間側に設けられ、前記複数の供給ポートを仕切る仕切部材とを有する、請求項2記載の基板処理装置。 - 前記複数の供給領域が、前記チャンバの中心部に設定された領域と、その領域を取り囲む少なくも1つの環状の領域として設定されている、請求項2又は3記載の基板処理装置。
- 基板が収容されるとともに、材料ガスが供給されるチャンバと、
前記チャンバ内を加熱する複数のヒータと、
前記チャンバの周壁に形成された入射窓に向かって前記チャンバの周囲の複数箇所からレーザ光を射出するレーザ射出機構と、
前記複数箇所から射出されて前記チャンバ内を通過し、前記チャンバの周壁に形成された射出窓から射出する各レーザ光を検出するレーザ検出機構と、
前記レーザ検出機構により検出された前記各レーザ光の光強度信号を取得するとともに、その光強度信号に基づいて、前記チャンバ内における二次元温度分布を算出し、当該二次元温度分布に基づいて前記各ヒータを制御する制御装置とを具備する基板処理装置。 - 前記複数のヒータに対応する複数の加熱領域が前記チャンバ内に設定されており、
前記制御装置が、前記二次元温度分布に基づいて前記各加熱領域の温度を代表する領域代表温度を算出し、これらの領域代表温度を用いて前記各ヒータへの供給電力をフィードバック制御する、請求項5記載の基板処理装置。 - 前記複数のヒータを仕切る断熱性仕切部材とを有する、請求項6記載の基板処理装置。
- 基板が収容されるとともに、材料ガスが供給されるチャンバと、前記チャンバに形成された複数の供給ポートそれぞれに接続された材料ガス供給路と、前記各材料ガス供給路に設けられた流体制御機器と、前記チャンバの周壁に形成された入射窓に向かって前記チャンバの周囲の複数箇所からレーザ光を射出するレーザ射出機構と、前記複数箇所から射出されて前記チャンバ内を通過し、前記チャンバの周壁に形成された射出窓から射出する各レーザ光を検出するレーザ検出機構とを具備する基板処理装置に用いられるプログラムであって、
前記レーザ検出機構により検出された前記各レーザ光の光強度信号を取得するとともに、その光強度信号に基づいて、前記チャンバ内における前記材料ガスの二次元濃度分布を算出し、当該二次元濃度分布に基づいて前記流体制御機器を制御する機能をコンピュータに発揮させる基板処理装置用プログラム。 - 基板が収容されるとともに、材料ガスが供給されるチャンバと、前記チャンバ内を加熱する複数のヒータと、前記チャンバの周壁に形成された入射窓に向かって前記チャンバの周囲の複数箇所からレーザ光を射出するレーザ射出機構と、前記複数箇所から射出されて前記チャンバ内を通過し、前記チャンバの周壁に形成された射出窓から射出する各レーザ光を検出するレーザ検出機構とを具備する基板処理装置に用いられるプログラムであって、
前記レーザ検出機構により検出された前記各レーザ光の光強度信号を取得するとともに、その光強度信号に基づいて、前記チャンバ内における二次元温度分布を算出し、当該二次元温度分布に基づいて前記ヒータを制御する機能をコンピュータに発揮させる基板処理装置用プログラム。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018086889A JP7088732B2 (ja) | 2018-04-27 | 2018-04-27 | 基板処理装置及び基板処理装置用プログラム |
KR1020190042328A KR20190125175A (ko) | 2018-04-27 | 2019-04-11 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치용 프로그램 |
CN201910308983.8A CN110416113A (zh) | 2018-04-27 | 2019-04-17 | 基板处理装置及程序介质 |
EP19170077.2A EP3561861A1 (en) | 2018-04-27 | 2019-04-18 | Substrate processing apparatus and program for substrate processing apparatus |
US16/394,655 US20190333737A1 (en) | 2018-04-27 | 2019-04-25 | Substrate processing apparatus and program for substrate processing apparatus |
TW108114831A TW201946194A (zh) | 2018-04-27 | 2019-04-26 | 基板處理裝置及程序介質 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018086889A JP7088732B2 (ja) | 2018-04-27 | 2018-04-27 | 基板処理装置及び基板処理装置用プログラム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019192865A true JP2019192865A (ja) | 2019-10-31 |
JP7088732B2 JP7088732B2 (ja) | 2022-06-21 |
Family
ID=66239808
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018086889A Active JP7088732B2 (ja) | 2018-04-27 | 2018-04-27 | 基板処理装置及び基板処理装置用プログラム |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20190333737A1 (ja) |
EP (1) | EP3561861A1 (ja) |
JP (1) | JP7088732B2 (ja) |
KR (1) | KR20190125175A (ja) |
CN (1) | CN110416113A (ja) |
TW (1) | TW201946194A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021157445A1 (ja) * | 2020-02-05 | 2021-08-12 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びガス流量調整方法 |
DE112020005113T5 (de) | 2019-10-23 | 2022-07-21 | Med-Tech Inc. | Medizinische Fluidabgabevorrichtung |
KR20220166601A (ko) * | 2021-06-10 | 2022-12-19 | 경희대학교 산학협력단 | 기판의 온도균일도 제어장치 및 제어방법 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004085704A1 (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-07 | Tokyo Electron Limited | 処理装置 |
WO2008026531A1 (fr) * | 2006-08-28 | 2008-03-06 | National University Corporation Nagoya University | Procédé de traitement d'oxydation par plasma |
JP2010538498A (ja) * | 2007-09-05 | 2010-12-09 | インターモレキュラー,インク. | 蒸気に基づく組合せ処理 |
JP2017041628A (ja) * | 2015-08-17 | 2017-02-23 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | サセプタ、基板処理装置 |
US20170278761A1 (en) * | 2016-03-22 | 2017-09-28 | Tokyo Electron Limited | System and Method for Temperature Control in Plasma Processing System |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012204692A (ja) | 2011-03-25 | 2012-10-22 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法 |
JP5973731B2 (ja) * | 2012-01-13 | 2016-08-23 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びヒータの温度制御方法 |
JP2017017277A (ja) * | 2015-07-06 | 2017-01-19 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理装置および熱処理方法 |
-
2018
- 2018-04-27 JP JP2018086889A patent/JP7088732B2/ja active Active
-
2019
- 2019-04-11 KR KR1020190042328A patent/KR20190125175A/ko unknown
- 2019-04-17 CN CN201910308983.8A patent/CN110416113A/zh active Pending
- 2019-04-18 EP EP19170077.2A patent/EP3561861A1/en not_active Withdrawn
- 2019-04-25 US US16/394,655 patent/US20190333737A1/en not_active Abandoned
- 2019-04-26 TW TW108114831A patent/TW201946194A/zh unknown
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004085704A1 (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-07 | Tokyo Electron Limited | 処理装置 |
WO2008026531A1 (fr) * | 2006-08-28 | 2008-03-06 | National University Corporation Nagoya University | Procédé de traitement d'oxydation par plasma |
JP2010538498A (ja) * | 2007-09-05 | 2010-12-09 | インターモレキュラー,インク. | 蒸気に基づく組合せ処理 |
JP2017041628A (ja) * | 2015-08-17 | 2017-02-23 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | サセプタ、基板処理装置 |
US20170278761A1 (en) * | 2016-03-22 | 2017-09-28 | Tokyo Electron Limited | System and Method for Temperature Control in Plasma Processing System |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE112020005113T5 (de) | 2019-10-23 | 2022-07-21 | Med-Tech Inc. | Medizinische Fluidabgabevorrichtung |
WO2021157445A1 (ja) * | 2020-02-05 | 2021-08-12 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びガス流量調整方法 |
JP2021125566A (ja) * | 2020-02-05 | 2021-08-30 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びガス流量調整方法 |
JP7333762B2 (ja) | 2020-02-05 | 2023-08-25 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
KR20220166601A (ko) * | 2021-06-10 | 2022-12-19 | 경희대학교 산학협력단 | 기판의 온도균일도 제어장치 및 제어방법 |
KR102572807B1 (ko) * | 2021-06-10 | 2023-08-29 | 경희대학교 산학협력단 | 기판의 온도균일도 제어장치 및 제어방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20190125175A (ko) | 2019-11-06 |
TW201946194A (zh) | 2019-12-01 |
EP3561861A1 (en) | 2019-10-30 |
CN110416113A (zh) | 2019-11-05 |
JP7088732B2 (ja) | 2022-06-21 |
US20190333737A1 (en) | 2019-10-31 |
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