KR20220156833A - 기화 시스템 - Google Patents

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vaporization
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KR1020227031526A
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아키히로 다구치
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가부시키가이샤 호리바 에스텍
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Abstract

액체 재료를 기화하는 것으로서, 상기 액체 재료가 도입되는 도입 포트와, 상기 액체 재료가 기화한 기화 가스를 도출하는 도출 포트를 가지는 기화 장치와, 상기 도입 포트 및 상기 도출 포트 중 적어도 일방을 베이스에 나사 고정하여 고정하는 제1 고정 나사와, 상기 고정된 포트에 연통하고, 상기 기화 가스 또는 상기 액체 재료가 흐르는 배관 부재와, 상기 배관 부재를, 상기 고정된 포트에 씰 부재를 사이에 두고 나사 고정하여 고정하는 제2 고정 나사를 구비하는 기화 시스템.

Description

기화 시스템
본 발명은, 액체 재료를 기화하는 기화 시스템에 관한 것이다.
종래, 예를 들면 성막 프로세스 등의 반도체 제조 프로세스에 이용되는 가스를 생성하는 것으로서, 액체 재료를 기화하는 기화 시스템이 이용되고 있다(예를 들면 특허 문헌 1). 일반적으로 이 기화 시스템은, 액체 원료를 기화하는 기화부나, 기화된 가스의 유량을 제어하는 매스플로우 컨트롤러 등의 복수의 기기를 케이스 내에 구비하고 있다. 이 케이스에는, 액체 재료가 도입되는 도입 포트와, 액체 재료가 기화한 기화 가스를 도출하는 도출 포트가 마련되어 있고, 이 도입 포트 및 도출 포트를 반도체 제조 라인의 배관에 연통하여, 반도체 제조 프로세스를 행하는 프로세스 챔버에 소정 유량의 가스를 공급할 수 있다.
그런데, 이 기화 시스템은 프로세스실 내의 베이스 부재 등에 고정하여 사용되는 경우가 많다. 종래의 기화 시스템의 고정 방법으로서는, 도 10에 나타내는 것과 같이, 베이스 부재에 형성되어 있는 내부 유로에 기화 장치의 도입 포트 및 도출 포트를 각각 연통시키고, 이들을 씰 부재를 사이에 두고 나사 고정하여 고정함으로써, 기화 장치를 베이스 부재에 고정하도록 하고 있다.
특허 문헌 1 : 일본 공개특허 제2016-122841호 공보
그렇지만, 앞서 설명한 종래의 기화 장치의 고정 방법에서는, 베이스 부재로의 기화 장치의 고정과 씰 부재의 조임을 공통의 고정 나사에 의해 행하고 있기 때문에, 기화 장치의 중량이 씰 부재에 걸려 버린다. 이것에 의해, 씰 부재의 조임 면압에 편향이 생겨 씰성을 저하시켜 버릴 우려가 있다.
그래서 본 발명은, 상기 문제점을 해결하기 위해서 이루어진 것으로, 씰 부재를 조이는 나사에 걸리는 기화 장치의 중량을 저감시키고, 씰 부재의 조임 면압의 편향을 저감시켜 씰성을 향상시키는 것을 그 주된 과제로 하는 것이다.
즉, 본 발명에 따른 기화 시스템은, 액체 재료를 기화하는 것으로서, 상기 액체 재료가 도입되는 도입 포트와, 상기 액체 재료가 기화한 기화 가스를 도출하는 도출 포트를 가지는 기화 장치와, 상기 도입 포트 및 상기 도출 포트 중 적어도 일방을 베이스에 나사 고정하여 고정하는 제1 고정 나사와, 상기 고정된 포트에 연통하고, 상기 기화 가스 또는 상기 액체 재료가 흐르는 배관 부재와, 상기 배관 부재를, 상기 고정된 포트에 씰 부재를 사이에 두고 나사 고정하여 고정하는 제2 고정 나사를 구비하는 것을 특징으로 한다.
이러한 것이면, 포트와 베이스와의 사이를 체결하여 기화 장치를 베이스에 고정하는 나사(제1 고정 나사)와, 포트와 배관 부재와의 사이를 체결하여 씰하기 위한 나사(제2 고정 나사)를 따로 따로 마련하고 있으므로, 기화 장치의 중량을 주로 하여 제1 고정 나사에 의해서 지지시키고, 씰을 형성하기 위한 제2 고정 나사에 걸리는 기화 장치의 중량을 저감할 수 있다. 이것에 의해, 제2 고정 나사에 의해서 씰 부재에 걸리는 조임 면압의 편향을 저감시켜, 씰성을 향상할 수 있다.
상기 기화 시스템의 구체적인 구성으로서는, 상기 고정된 포트는, 상기 베이스에 장착되는 피장착면과, 상기 배관 부재가 연통하도록 장착되는 배관 부재 장착면을 가지고, 상기 고정된 포트에 있어서, 상기 피장착면과 상기 배관 부재 장착면이 서로 다른 면에 형성되어 있는 것을 들 수 있다.
상기 기화 시스템은, 상기 고정된 포트에 있어서, 상기 배관 부재 장착면이, 상기 피장착면과는 반대측의 면에 형성되어 있는 것이 바람직하다.
이와 같이 하면, 유저는 베이스의 장착면에 마주보는 자세로 배관 부재를 포트에 나사 고정할 수 있으므로, 기화 장치로의 배관 부재의 장착의 작업성을 향상시킬 수 있다. 이러한 효과는, 예를 들면 기화 시스템이 복수 늘어 놓여져 있는 등, 협소에서의 장착 작업시에 있어서, 보다 현저하게 발휘된다.
상기 기화 시스템은, 상기 도입 포트 및 상기 도출 포트가, 상기 제1 고정 나사에 의해 상기 베이스에 각각 나사 고정되어 있고, 상기 배관 부재로서, 상기 도입 포트에 연통하고, 상기 액체 재료가 흐르는 도입측 배관 부재와, 상기 도출 포트에 연통하고, 상기 기화 가스가 흐르는 도출측 배관 부재를 가지며, 상기 도입측 배관 부재 및 상기 도출측 배관 부재가, 상기 제2 고정 나사에 의해, 각각의 대응하는 상기 포트에 씰 부재를 사이에 두고 나사 고정되어 있는 것이 바람직하다.
이러한 것이면, 제1 고정 나사에 의해 도입 포트와 도출 포트 양쪽 모두를 베이스에 나사 고정하므로, 도입 포트와 도출 포트 모두에 있어서, 씰을 형성하기 위한 제2 고정 나사에 걸리는 기화 장치의 중량을 저감할 수 있다. 이것에 의해, 제2 고정 나사에 의해서 씰 부재에 걸리는 조임 면압의 편향을 한층 저감시켜, 씰성을 향상할 수 있다.
본 발명의 효과는, 기화 장치의 중량 중 제1 고정 나사에 걸리는 성분이 클수록 현저하게 된다.
이러한 본 발명의 효과를 보다 현저하게 발휘하는 태양으로서는, 예를 들면, 상기 도입 포트가 상기 기화 장치의 일단측에 마련되고, 상기 도출 포트가 상기 기화 장치의 타단측에 마련되어 있으며, 상기 기화 장치가, 상기 도입 포트 및 상기 도출 포트가 연직 방향에 대해서 상하에 위치하도록 상기 베이스에 고정되는 것을 들 수 있다.
또 본 발명의 효과를 보다 한층 더 현저하게 발휘하는 태양으로서는, 도입 포트 및 도출 포트의 피장착면이, 연직 방향에 대해서 평행이 되도록 형성되어 있는 것을 들 수 있다.
상기 기화 시스템은, 상기 배관 부재가, 외측 배관과, 상기 외측 배관과 상기 고정된 포트를 연통시키는 연통 부재를 구비하고, 상기 연통 부재는, 일단이 상기 고정된 포트에 나사 고정되고, 타단이 상기 외측 배관에 나사 고정되어 있는 것이 바람직하다.
이와 같이 하면, 배관 부재가 복수의 부재로 구성되어 있으므로, 배관 부재의 설계의 자유도를 증가시킬 수 있다.
앞서 설명한 본 발명의 효과는, 기화 장치의 중량이 클수록 현저하게 된다.
이러한 본 발명의 효과를 보다 현저하게 발휘하는 태양으로서는, 예를 들면, 상기 기화 장치가, 상기 액체 재료를 기화하는 기화기와, 상기 기화기로의 상기 액체 재료의 공급량을 제어하는 공급량 제어 기기를 구비하는 것을 들 수 있다.
또, 본 발명의 효과를 보다 현저하게 발휘하는 다른 태양으로서는, 예를 들면, 상기 기화 장치가 상기 기화기에 의해 기화된 기화 가스의 유량을 제어하는 매스플로우 컨트롤러를 더 구비하는 것을 들 수 있다.
또 본 발명의 기화 장치의 고정 방법은, 액체 재료를 기화하는 것으로서, 상기 액체 재료가 도입되는 도입 포트와, 상기 액체 재료가 기화한 기화 가스를 도출하는 도출 포트를 가지는 기화 장치를 베이스에 고정하는 방법으로서, 상기 도입 포트 및 상기 도출 포트 중 적어도 일방을 베이스에 나사 고정하여 고정하고, 상기 고정된 포트에 연통하고, 상기 기화 가스 또는 상기 액체 재료가 흐르는 배관 부재를, 상기 고정된 포트에 씰 부재를 사이에 두고 나사 고정하여 고정하는 것을 특징으로 한다.
이러한 기화 장치의 고정 방법이면, 앞서 설명한 본 발명의 기화 시스템과 마찬가지의 작용 효과를 발휘할 수 있다.
이와 같이 구성한 본 발명에 의하면, 씰 부재를 조이는 나사에 걸리는 기화 장치의 중량을 저감시키고, 씰 부재의 조임 면압의 편향을 저감시켜 씰성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 실시 형태의 기화 시스템의 구성을 나타내는 모식도.
도 2는 본 실시 형태의 기화 시스템의 구성을 장치 장착면을 향해서 본 평면도.
도 3은 본 실시 형태의 기화 시스템의 분해도.
도 4는 다른 실시 형태의 기화 시스템의 구성을 나타내는 모식도.
도 5는 다른 실시 형태의 기화 시스템의 구성을 나타내는 모식도.
도 6은 다른 실시 형태의 기화 시스템의 구성을 장치 장착면을 향해서 본 평면도.
도 7은 다른 실시 형태의 기화 시스템의 구성을 나타내는 모식도.
도 8은 다른 실시 형태의 기화 시스템의 구성을 장치 장착면을 향해서 본 평면도.
도 9는 다른 실시 형태의 기화 시스템의 구성을 나타내는 모식도.
도 10은 종래의 기화 시스템의 구성을 나타내는 모식도.
이하에 본 발명에 따른 기화 시스템의 일 실시 형태에 대해 도면을 참조하여 설명한다.
본 실시 형태의 기화 시스템(100)은, 예를 들면 반도체 제조 라인 등에 조립되어 반도체 제조 프로세스를 행하는 프로세스 챔버에 소정 유량의 가스를 공급하기 위한의 것이다. 구체적으로 이 기화 시스템(100)은, 액체 재료를 기화하는 기화 장치(1)와, 이 기화 장치(1)를 베이스 부재(F)에 고정함과 아울러, 이것을 반도체 제조 라인에 접속하는 접속 기구(4)를 구비하고 있다.
기화 장치(1)는, 도 1에 나타내는 것과 같이, 액체 원료를 기화하는 기화부(2)와, 이 기화부(2)에 의해 기화된 가스의 유량을 제어하는 매스플로우 컨트롤러(3)를 구비하고 있다. 이 기화 장치(1)는, 길이 방향을 가지는 대략 기둥 형상(구체적으로는 대략 직육면체 형상)을 이루는 케이스(C)를 구비하고 있고, 이 케이스(C) 내에 기화부(2) 및 매스플로우 컨트롤러(3)가 수용되어 있다. 케이스(C)의 길이 방향의 일단측에는 액체 재료를 도입하는 도입 포트(Pi)가 마련되고, 길이 방향 타단측에는, 기화 가스를 도출하는 도출 포트(Po)가 마련되어 있다. 도 2에 나타내는 것과 같이, 본 실시 형태의 기화 시스템(100)은 복수의 기화 장치(1)를 구비하고 있고, 이 복수의 기화 장치(1)가, 베이스 부재(F)가 가지는 장치 장착면(Fx) 상에 기립(起立)하도록 하여 나란히 고정되어 있다.
상기 기화부(2)는, 액체 재료를 베이킹 방식에 의해 기화하는 기화기(21)와, 이 기화기(21)로의 액체 재료의 공급량을 제어하는 공급 유량 제어 기기(22)와, 상기 기화기(21)에 공급되는 액체 재료를 소정의 온도에 예열하는 예열기(23)를 구비하고 있다.
이들 기화기(21), 공급 유량 제어 기기(22) 및 예열기(23)는, 내부에 유로가 형성된 매니폴드 블록인 본체 블록(B)의 일면에 설정된 기기 장착면(Bx)에 장착되어 있다. 여기서 본체 블록(B)은, 예를 들면 스테인리스강 등의 금속제이고, 길이 방향을 가지는 대략 기둥 형상(구체적으로는 대략 직육면체 형상)을 이루는 것으로, 상기 기기 장착면(Bx)은, 길이 방향을 가지는 직사각 형상을 이루는 면이다. 또한 본체 블록(B)은, 그 길이 방향이 케이스(C)의 길이 방향을 향하도록 케이스(C)에 장착되어 있다.
구체적으로 상기 예열기(23), 상기 공급 유량 제어 기기(22) 및 상기 기화기(21)는, 상기 기기 장착면(Bx)에 길이 방향을 따라서 일렬로 장착되어 있다. 또, 상기 예열기(23), 상기 공급 유량 제어 기기(22) 및 상기 기화기(21)는, 상류측으로부터 이 순서로, 본체 블록(B)에 형성된 내부 유로에 의해 직렬적으로 접속된다.본체 블록(B)의 내부 유로의 상류측 개구는, 본체 블록(B)의 길이 방향 일단면에 마련된 액체 재료 도입 포트(Pi)에 연결되어 있다.
상기 기화기(21)는, 내부에 액체 재료를 저장하는 공간을 가지는 기화 탱크인 저장 용기와, 이 저장 용기에 마련되고, 액체 재료를 기화시키기 위한 기화 히터(도시하지 않음)를 가진다.
공급 유량 제어 기기(22)는, 상기 기화기(21)로의 액체 재료의 공급 유량을 제어하는 제어 밸브이고, 구체적으로는 전자 개폐 밸브이다. 그리고, 도시하지 않는 제어 기기가, 기화기(21)의 저장 용기에 마련된 액면 센서로부터의 검지 신호에 근거하여, 저장 용기에 저장되는 액체 재료가 상시 소정량이 되도록 전자 개폐 밸브(22)를 제어(예를 들면 ON/OFF 제어)한다. 이것에 의해, 액체 재료가 간헐적으로 기화기(21)에 공급되게 된다.
예열기(23)는, 예열 히터(도시하지 않음)에 의해, 액체 재료를 기화 직전의 온도(비점 미만)까지 가열하도록 구성되어 있다.
이상과 같이 구성한 기화부(2)에 의해, 액체 재료 도입 포트(Pi)로부터 도입된 액체 재료는, 예열기(23) 내의 유로를 흐르는 것에 의해, 소정 온도까지 예열된다. 이 예열기(23)에 의해 예열된 액체 재료는, 공급량 제어 기기인 전자 개폐 밸브(22)의 제어에 의해, 기화기(21)에 간헐적으로 도입된다. 그리고, 기화기(21)에서는 액체 재료가 상시 저장된 상태가 되고, 전자 개폐 밸브(22)의 제어에 영향을 받지 않고, 그 액체 재료가 기화한 기화 가스가 연속적으로 생성되어, 매스플로우 컨트롤러(3)에 연속적으로 도출된다.
다음으로, 매스플로우 컨트롤러(3)에 대해 설명한다.
매스플로우 컨트롤러(3)는, 유로를 흐르는 기화 가스를 검지하는 유체 검지 기기(31)와, 유로를 흐르는 기화 가스의 유량을 제어하는 유량 제어 밸브(32)를 구비하고 있다. 유체 검지 기기(31)는, 유로에 마련된 유체 저항의 상류측 및 하류측의 압력을 각각 검출하는 예를 들면 정전 용량형의 압력 센서이다. 또 유량 제어 밸브(32)는, 기화기(21)에 의해 생성된 기화 가스의 유량을 제어하는 제어 밸브이며, 본 실시 형태에서는, 피에조 밸브이다.
이들 유체 검지 기기(31) 및 유량 제어 밸브(32)는, 앞서 설명한 기기 장착면(Bx)에 장착되어 있다. 구체적으로 상기 유량 제어 밸브(32) 및 상기 유체 검지 기기(31)는, 기기 장착면(Bx)에 그 길이 방향을 따라서 일렬로 장착되어 있다. 또, 상기 유량 제어 밸브(32) 및 상기 유체 검지 기기(31)는, 상류측으로부터 이 순서로, 상기 본체 블록(B)에 형성된 내부 유로에 의해 직렬적으로 접속된다.
또한, 본 실시 형태에서는, 매스플로우 컨트롤러(3)의 상류측에, 상류측 압력 센서(5) 및 개폐 밸브(6)가 마련되어 있다. 또한, 본체 블록(B)의 내부 유로의 하류측 개구는, 본체 블록(B)의 길이 방향 타단면에 마련된 기화 가스 도출 포트(Po)에 연결되어 있다.
접속 기구(4)는, 기화 장치(1)를, 그 길이 방향이 상하 방향(연직 방향)을 향하게 하여, 도입 포트(Pi)와 도출 포트(Po)가 상하에 위치하도록(여기에서는, 도입 포트(Pi)가 아래에, 도출 포트(Po)가 위에 위치하도록) 베이스 부재(F)의 장치 장착면(Fx)에 고정한다. 여기에서는, 장치 장착면(Fx)은, 연직 방향에 대해서 평행이 되도록 베이스 부재(F)에 형성되어 있다.
구체적으로 이 접속 기구(4)는, 도 3에 나타내는 것과 같이, 도입 포트(Pi) 및 도출 포트(Po)를 베이스 부재(F)에 나사 고정하여 고정하는 제1 고정 나사(41)와, 도입 포트(Pi)에 연통하고, 액체 재료가 흐르는 내부 유로가 형성된 도입측 배관 부재(42i)와, 도출 포트(Po)에 연통하고, 기화 가스가 흐르는 내부 유로가 형성된 도출측 배관 부재(42o)와, 도입측 배관 부재(42i) 및 도출측 배관 부재(42o)를 각각의 대응하는 포트에 씰 부재(S)를 사이에 두고 나사 고정하여 고정하는 제2 고정 나사(43)를 구비한다.
상기 도입 포트(Pi) 및 도출 포트(Po)는, 내부 유로가 형성된 블록 모양의 것으로, 베이스 부재(F)의 장치 장착면(Fx)에 장착되는 피장착면(Pix, Pox)을 각각 구비하고 있다. 도입 포트(Pi) 및 도출 포트(Po)에는, 피장착면(Pix, Pox)으로부터 반대측의 면을 향하여 관통하는 관통공(Pih, Poh)이 형성되어 있다. 제1 고정 나사(41)는, 각 포트(Pi, Po)의 피장착면(Pix, Pox)과는 반대측의 면으로부터 관통공(Pih, Poh)에 삽통(揷通)되고, 그 선단이 베이스 부재(F)의 장치 장착면(Fx)에 형성된 나사 구멍과 나사 결합하는 것에 의해, 각 포트(Pi, Po)의 피장착면(Pix, Pox)와 베이스 부재(F)의 장치 장착면(Fx)과의 사이를 조인다. 또한 여기에서는, 제1 고정 나사(41)가 베이스 부재(F)의 장착면(Fx)과 직교하도록, 관통공(Pih, Poh) 및 나사 구멍이 형성되어 있다.
도입 포트(Pi) 및 도출 포트(Po)에 있어서, 피장착면(Pix, Pox)과는 다른 면에는, 대응하는 배관 부재가 연통하도록 마련되는 배관 부재 장착면(Piy, Poy)이 형성되어 있다. 여기에서는, 각 포트(Pi, Po)의 배관 부재 장착면(Piy, Poy)은, 피장착면(Pix, Pox)과는 반대측의 면에 형성되어 있다. 도입 포트(Pi)의 배관 부재 장착면(Piy)에는 액체 재료가 도입되는 도입구가 형성되어 있고, 도출 포트(Po)의 배관 부재 장착면(Poy)에는 기화 가스가 도출되는 도출구가 형성되어 있다.
도입측 배관 부재(42i) 및 도출측 배관 부재(42o)는, 그 내부 유로가 베이스 부재(F)의 장치 장착면(Fx)을 따라서 상하 방향으로 연장하도록 구성되어 있다. 각 배관 부재(42i, 42o)는, 대응하는 포트의 배관 부재 장착면(Piy, Poy)에 마련되는 제1 피장착면(42ix, 42ox)을 가지고 있다. 제1 피장착면(42ix, 42ox)에는 내부 유로의 일단이 개구되어 있고, 각 배관 부재(42i, 42o)가 가지는 제1 피장착면(42ix, 42ox)을, 대응하는 포트의 배관 부재 장착면(Piy, Poy)에 장착하는 것에 의해, 내부 유로가 도입구 및 도출구에 각각 연통하도록 구성되어 있다.
도입측 배관 부재(42i) 및 도출측 배관 부재(42o)에는, 제1 피장착면(42ix, 42ox)으로부터 반대측의 면을 향하여 관통하는 관통공(42ih, 42oh)이 형성되어 있다. 제2 고정 나사(43)는, 각 배관 부재(42i, 42o)의 제1 피장착면(42ix, 42ox)과는 반대측의 면으로부터 관통공(42ih, 42oh)으로 삽통되고, 그 선단이, 대응하는 각 포트(Pi, Po)의 배관 부재 장착면(Piy, Poy)에 형성된 나사 구멍과 나사 결합한다. 이것에 의해, 각 배관 부재(42i, 42o)의 제1 피장착면(42ix, 42ox)과 대응하는 각 포트(Pi, Po)의 배관 부재 장착면(Piy, Poy)과의 사이를, 씰 부재(S)를 사이에 두고 조여 씰한다. 또한 여기에서는, 제2 고정 나사(43)가 베이스 부재(F)의 장치 장착면(Fx)과 직교하도록, 관통공(42ih, 42oh) 및 나사 구멍이 형성되어 있다.
본 실시 형태에서는, 도입측 배관 부재(42i) 및 도출측 배관 부재(42o)는, 모두 복수의 부재로 구성되어 있다. 구체적으로는, 도 3에 나타내는 것과 같이, 도입측 배관 부재(42i)는, 액체 재료가 흐르는 액체 공급 라인에 연통하는 도입측 외측 배관(421i)과, 이 도입측 외측 배관(421i)과 도입 포트(Pi)를 연통시키는 도입측 연통 부재(422i)를 구비하고 있다. 그리고 도출측 배관 부재(42o)는, 프로세스 챔버에 연통하는 도출측 외측 배관(421o)과, 그 도출측 외측 배관(421o)과 도출 포트(Po)를 연통시키는 도출측 연통 부재(422o)를 구비하고 있다.
각 외측 배관(421i, 421o)은, 내부 유로가 형성된 기둥 모양의 것으로, 그 내부 유로가 연직 방향을 향하도록 베이스 부재(F)의 장치 장착면(Fx)에 장착되어 있다. 각 외측 배관(421i, 421o)에 있어서, 베이스 부재(F)에 마련되는 피장착면(421ix, 421ox)의 반대측의 면에는, 대응하는 연통 부재가 마련되는 연통 부재 장착면(421iy, 421oy)이 형성되어 있고, 이 연통 부재 장착면(421iy, 421oy)에 내부 유로의 일단이 개구되어 있다.
각 연통 부재(422i, 422o)는, 내부 유로가 형성된 블록 모양의 것으로, 앞서 설명한 제1 피장착면(42ix, 42ox)과, 대응하는 외측 배관의 연통 부재 장착면(421iy, 421oy)에 장착되는 제2 피장착면(422ix, 422ox)을 가지고 있다. 여기에서는, 제1 피장착면(42ix, 42ox)과 제2 피장착면(422ix, 422ox)은, 각 연통 부재(422i, 422o)에 있어서 동일면 내의 다른 위치에 형성되어 있고, 제1 피장착면(42ix, 42ox)에는 내부 유로의 일단이 개구되고, 제2 피장착면(422ix, 422ox)에는 내부 유로의 타단이 개구되어 있다. 그리고 각 연통 부재(422i, 422o)의 제1 피장착면(42ix, 42ox)을, 대응하는 포트(Pi, Po)의 배관 부재 장착면(Piy, Poy)에 장착하는 것에 의해, 연통 부재의 내부 유로와 각 포트(Pi, Po)의 도입구 및 도출구가 연통하고, 제2 피장착면(422ix, 422ox)을, 대응하는 외측 배관(421i, 421o)의 연통 부재 장착면(421iy, 421oy)에 장착하는 것에 의해, 각 연통 부재(422i, 422o)에 형성된 내부 유로와, 대응하는 외측 배관(421i, 421o)에 형성된 내부 유로가 연통하도록 구성되어 있다.
여기서, 접속 기구(4)는, 도입측 연통 부재(422i) 및 도출측 연통 부재(422o)를, 각각의 대응하는 외측 배관(421i, 421o)에 씰 부재(S)를 사이에 두고 나사 고정하여 고정하는 제3 고정 나사(44)를 더 가지고 있다.
도입측 연통 부재(422i) 및 도출측 연통 부재(422o)에는, 제2 피장착면(422ix, 422ox)으로부터 반대측의 면을 향하여 관통하는 관통공(422ih, 422oh)가 형성되어 있다. 제3 고정 나사(44)는, 각 연통 부재(422i, 422o)의 제2 피장착면(422ix, 422ox)과는 반대측의 면으로부터 관통공(422ih, 422oh)에 삽통되고, 그 선단이, 대응하는 각 외측 배관(421i, 421o)의 연통 부재 장착면(421iy, 421oy)에 형성된 나사 구멍과 나사 결합한다. 이것에 의해, 각 연통 부재(422i, 422o)의 제2 피장착면(422ix, 422ox)과, 대응하는 각 외측 배관(421i, 421o)의 연통 부재 장착면(421iy, 421oy)과의 사이를, 씰 부재(S)를 사이에 두고 조여 씰한다. 또한, 제3 고정 나사(44)가 베이스 부재(F)의 장치 장착면(Fx)과 직교하도록, 관통공(422ih, 422oh) 및 나사 구멍이 형성되어 있다.
이와 같이 구성한 본 실시 형태의 기화 시스템(100)에 의하면, 각 포트(Pi, Po)와 베이스 부재(F)와의 사이를 체결하여 기화 장치(1)를 베이스에 고정하는 제1 고정 나사(41)와, 각 포트(Pi, Po)와 대응하는 배관 부재(42i, 42o)와의 사이를 체결하여 씰하기 위한 제2 고정 나사(43)를 따로 따로 마련하고 있으므로, 기화 장치(1)의 중량을 주로 하여 제1 고정 나사(41)에 의해서 지지시키고, 씰을 형성하기 위한 제2 고정 나사(43)에 걸리는 기화 장치(1)의 중량을 저감할 수 있다. 이것에 의해, 제2 고정 나사(43)에 의해서 씰 부재(S)에 걸리는 조임 면압의 편향을 저감시켜, 씰성을 향상할 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 실시 형태에 한정되는 것은 아니다.
예를 들면 상기 실시 형태의 기화 시스템(100)은, 도입측 배관 부재(42i) 및 도출측 배관 부재(42o)는, 모두 복수의 부재로 구성되어 있었지만, 이것에 한정되지 않는다. 다른 실시 형태의 기화 시스템(100)은, 도 4에 나타내는 것과 같이, 도입측 배관 부재(42i) 및 도출측 배관 부재(42o)는 모두 단일의 부재로 구성되어 있어도 괜찮다.
또, 상기 실시 형태의 기화 시스템(100)은, 도입 포트(Pi) 및 도출 포트(Po)에 있어서, 피장착면(Pix, Pox)과 반대측의 면에 배관 부재 장착면(Piy, Poy)이 형성되어 있었지만, 이것에 한정되지 않는다. 배관 부재 장착면(Piy, Poy)은, 피장착면(Pix, Pox)과 다른 위치에 형성되어 있으면, 어느 위치라도 괜찮다.
예를 들면 다른 실시 형태의 기화 시스템(100)은, 도입 포트(Pi) 및 도출 포트(Po)에 있어서, 피장착면(Pix, Pox)에 대해서 배관 부재 장착면(Piy, Poy)이 교차(직교 등)하도록 형성되어도 괜찮다. 구체적으로는, 도 5 및 도 6에 나타내는 것과 같이, 배관 부재 장착면(Piy, Poy)은, 피장착면(Pix, Pox)에 대해서 교차하고, 또한 기화 장치(1)의 길이 방향에 대해서 교차하도록 형성되어 있어도 괜찮다. 또 도 7 및 도 8에 나타내는 것과 같이, 배관 부재 장착면(Piy, Poy)은, 피장착면(Pix, Pox)에 대해서 교차하고, 또한 기화 장치(1)의 길이 방향에 대해서 평행이 되도록 형성되어 있어도 괜찮다.
또 상기 실시 형태의 기화 시스템(100)은, 도입 포트(Pi) 및 도출 포트(Po) 모두가, 배관 부재(42)를 매개로 하여 반도체 제조 라인에 접속되어 있었지만, 이것에 한정되지 않는다. 다른 실시 형태의 기화 시스템(100)은, 도입 포트(Pi) 및 도출 포트(Po) 중 일방만이, 배관 부재(42)를 매개로 하여 반도체 제조 라인에 접속되어 있어도 괜찮다. 예를 들면, 도 9에 나타내는 것과 같이, 도입 포트(Pi)(또는 도출 포트(Po))는, 고정 나사(7)에 의해 씰 부재를 사이에 두고 베이스 부재(F)에 나사 고정하여 고정되고, 베이스 부재(F) 내에 형성된 내부 유로에 연통시키도록 해도 괜찮다.
또, 상기 실시 형태의 기화 시스템(100)은, 매스플로우 컨트롤러(3)를 가지지 않고, 적어도 기화기(21) 및 공급 유량 제어 기기(22)를 가지는 것이라도 괜찮다.
또 상기 실시 형태에서는, 기화 장치(1)는, 그 길이 방향이 상하 방향(연직 방향)을 향하도록 마련된 것이었지만, 상기 길이 방향이 좌우 방향(수평 방향)을 향하도록 베이스 부재(F)에 마련된 것이라도 괜찮다. 또 기화 장치(1)는, 도입 포트(Pi)가 도출 포트(Po)보다도 상방에 위치하도록 베이스 부재(F)에 고정되어도 괜찮다.
또, 상기 실시 형태의 매스플로우 컨트롤러(3)는 소위 압력식인 것이었지만, 이것에 한정하지 않고 소위 열식(熱式)인 것이라도 괜찮다.
그 외, 본 발명은 상기 실시 형태에 한정되지 않고, 그 취지를 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지의 변형이 가능한 것은 말할 필요도 없다.
본 발명에 의하면, 씰 부재를 조이는 나사에 걸리는 기화 장치의 중량을 저감시키고, 씰 부재의 조임 면압의 편향을 저감시켜 씰성을 향상시킬 수 있다.
100 : 기화 시스템 1 : 기화 장치
41i, 41o : 제1 고정 나사 42i : 도입측 배관 부재
42o : 도출측 배관 부재 43i, 43o : 제2 고정 나사
F : 베이스 부재 S : 씰 부재
Pi : 도입 포트 Po : 도출 포트
B : 본체 블록

Claims (9)

  1. 액체 재료를 기화하는 것으로서, 상기 액체 재료가 도입되는 도입 포트와, 상기 액체 재료가 기화한 기화 가스를 도출하는 도출 포트를 가지는 기화 장치와,
    상기 도입 포트 및 상기 도출 포트 중 적어도 일방을 베이스에 나사 고정하여 고정하는 제1 고정 나사와,
    상기 고정된 포트에 연통하고, 상기 기화 가스 또는 상기 액체 재료가 흐르는 배관 부재와,
    상기 배관 부재를, 상기 고정된 포트에 씰 부재를 사이에 두고 나사 고정하여 고정하는 제2 고정 나사를 구비하는 기화 시스템.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 고정된 포트는,
    상기 베이스에 장착되는 피장착면과,
    상기 배관 부재가 연통하도록 장착되는 배관 부재 장착면을 가지고,
    상기 고정된 포트에 있어서, 상기 피장착면과 상기 배관 부재 장착면이 서로 다른 면에 형성되어 있는 기화 시스템.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 고정된 포트에 있어서, 상기 배관 부재 장착면이, 상기 피장착면과는 반대측의 면에 형성되어 있는 기화 시스템.
  4. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 도입 포트 및 상기 도출 포트가, 상기 제1 고정 나사에 의해 상기 베이스에 각각 나사 고정되어 있고,
    상기 배관 부재로서,
    상기 도입 포트에 연통하고, 상기 액체 재료가 흐르는 도입측 배관 부재와,
    상기 도출 포트에 연통하고, 상기 기화 가스가 흐르는 도출측 배관 부재를 가지며,
    상기 도입측 배관 부재 및 상기 도출측 배관 부재가, 상기 제2 고정 나사에 의해, 각각의 대응하는 상기 포트에 씰 부재를 사이에 두고 나사 고정되어 있는 기화 시스템.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 도입 포트는 상기 기화 장치의 일단측에 마련되고, 상기 도출 포트는 상기 기화 장치의 타단측에 마련되어 있고,
    상기 기화 장치가, 상기 도입 포트 및 상기 도출 포트가 연직 방향에 대해서 상하에 위치하도록 상기 베이스에 고정되어 있는 기화 시스템.
  6. 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 배관 부재가, 외측 배관과, 상기 외측 배관과 상기 고정된 포트를 연통시키는 연통 부재를 구비하고,
    상기 연통 부재는, 일단이 상기 고정된 포트에 나사 고정되고, 타단이 상기 외측 배관에 나사 고정되어 있는 기화 시스템.
  7. 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 기화 장치가,
    상기 액체 재료를 기화하는 기화기와,
    상기 기화기로의 상기 액체 재료의 공급량을 제어하는 공급량 제어 기기를 구비하는 기화 시스템.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 기화 장치가, 상기 기화기에 의해 기화된 기화 가스의 유량을 제어하는 매스플로우 컨트롤러를 더 구비하는 기화 시스템.
  9. 액체 재료를 기화하는 것으로서, 상기 액체 재료가 도입되는 도입 포트와, 상기 액체 재료가 기화한 기화 가스를 도출하는 도출 포트를 가지는 기화 장치를 베이스에 고정하는 방법으로서,
    상기 도입 포트 및 상기 도출 포트 중 적어도 일방을 베이스에 나사 고정하여 고정하고,
    상기 고정된 포트에 연통하고, 상기 기화 가스 또는 상기 액체 재료가 흐르는 배관 부재를, 상기 고정된 포트에 씰 부재를 사이에 두고 나사 고정하여 고정하는, 기화 장치의 고정 방법.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115279941A (zh) * 2020-03-23 2022-11-01 株式会社堀场Stec 气化系统

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4238453B2 (ja) * 2000-03-10 2009-03-18 株式会社東芝 流体制御装置
JP2003322127A (ja) * 2002-04-26 2003-11-14 Fujikin Inc 流体継手
JP2006009969A (ja) * 2004-06-25 2006-01-12 Kitz Sct:Kk 集積化ガス制御装置用流路ブロックとその製造方法並びに集積化ガス制御装置
JP4780555B2 (ja) * 2005-09-12 2011-09-28 株式会社フジキン 流体制御装置
JP4780558B2 (ja) * 2005-12-09 2011-09-28 株式会社フジキン 流体制御装置用継手およびそれを用いた流体制御装置
JP3123099U (ja) * 2006-04-18 2006-07-06 日立金属株式会社 ガス供給機器用流路ブロック、及び半導体製造用ガス供給ユニット
JP5087555B2 (ja) * 2006-11-22 2012-12-05 株式会社フジキン 流体継手
JP5141141B2 (ja) * 2007-08-23 2013-02-13 東京エレクトロン株式会社 気化器、気化器を用いた原料ガス供給システム及びこれを用いた成膜装置
US20140020779A1 (en) * 2009-06-10 2014-01-23 Vistadeltek, Llc Extreme flow rate and/or high temperature fluid delivery substrates
CN102470282B (zh) * 2009-09-30 2013-02-13 Ckd株式会社 液体汽化系统
CN107413171A (zh) * 2017-06-27 2017-12-01 阜宁县特种油品有限公司 一种用于润滑油生产的尾气处理装置
JP7137921B2 (ja) * 2017-11-07 2022-09-15 株式会社堀場エステック 気化システム及び気化システム用プログラム
CN115279941A (zh) * 2020-03-23 2022-11-01 株式会社堀场Stec 气化系统

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016122841A (ja) 2014-12-22 2016-07-07 株式会社堀場エステック 気化システム

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