KR20220132436A - 플라즈마 처리 장치의 검사 방법 - Google Patents

플라즈마 처리 장치의 검사 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20220132436A
KR20220132436A KR1020220034008A KR20220034008A KR20220132436A KR 20220132436 A KR20220132436 A KR 20220132436A KR 1020220034008 A KR1020220034008 A KR 1020220034008A KR 20220034008 A KR20220034008 A KR 20220034008A KR 20220132436 A KR20220132436 A KR 20220132436A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chamber
unit
pressure
inspection
gas
Prior art date
Application number
KR1020220034008A
Other languages
English (en)
Inventor
도모아키 요시모리
요시히사 가세
가즈키 나카자와
Original Assignee
시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 filed Critical 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤
Publication of KR20220132436A publication Critical patent/KR20220132436A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32917—Plasma diagnostics
    • H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32816—Pressure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32816—Pressure
    • H01J37/32834—Exhausting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32899—Multiple chambers, e.g. cluster tools
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
  • Treatment Of Fiber Materials (AREA)

Abstract

본 발명의 과제는, 검사용 웨이퍼 상의 파티클의 측정을 정확하게 행할 수 있는 플라즈마 처리 장치의 검사 방법을 제공하는 것이다.
실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치의 검사 방법은, 제2 챔버로부터 제1 챔버에 반송부에 의해 검사용 웨이퍼가 반송되는 공정과, 상기 반송부에 의한 상기 제1 챔버에의 상기 검사용 웨이퍼의 반송이 종료 후, 상기 제2 챔버의 내부에 가스를 공급하는 공정과, 상기 제1 챔버 내에서 상기 검사용 웨이퍼가 플라즈마 처리되는 공정과, 상기 제1 챔버로부터 상기 제2 챔버에 상기 반송부에 의해 검사용 웨이퍼가 반송되는 공정과, 상기 반송부에 의한 상기 제2 챔버에의 상기 검사용 웨이퍼의 반송이 종료 후, 상기 제2 챔버의 내부에 상기 가스를 공급하는 공정과, 상기 제2 챔버로부터 반출된 상기 검사용 웨이퍼에 부착된 파티클을 측정하는 공정을 갖는다.

Description

플라즈마 처리 장치의 검사 방법{INSPECTION METHOD OF PLASMA PROCESSING APPARATUS}
본 발명의 실시형태는 플라즈마 처리 장치의 검사 방법에 관한 것이다.
플라즈마를 이용한 드라이 프로세스는, 예컨대 미세 구조체를 제조할 때에 활용되고 있다. 예컨대, 반도체 장치, 플랫 패널 디스플레이, 포토마스크 등의 제조에 있어서는, 에칭 처리, 애싱 처리, 손상의 제거 등의 각종 플라즈마 처리가 행해지고 있다.
이러한 플라즈마 처리를 행하는 플라즈마 처리 장치에는, 예컨대 처리물에 플라즈마 처리를 실시하는 프로세스 챔버, 게이트 밸브를 통해, 프로세스 챔버와 접속된 트랜스퍼 챔버, 트랜스퍼 챔버의 내부에 마련되며, 프로세스 챔버와의 사이에서, 처리물을 반송하는 반송 로봇 등이 마련되어 있다. 또한, 트랜스퍼 챔버 내를 감압 분위기로 유지하기 위해, 게이트 밸브를 통해 트랜스퍼 챔버와 접속된 로드록 챔버가 마련되는 경우도 있다.
전술한 플라즈마 처리 장치에서는, 프로세스 챔버 내에 있어서 플라즈마 처리를 행한다. 플라즈마 처리를 반복해서 행하고 있으면, 플라즈마 처리에 의해 생성된 반응 생성물에 유래하는 파티클이 발생할 우려가 있다. 발생한 파티클이 처리물의 표면에 낙하하여 처리물의 표면에 부착되면, 수율의 저하를 초래한다.
또한, 파티클은, 프로세스 챔버 내에서만 발생하는 것은 아니다. 예컨대, 트랜스퍼 챔버 내의 반송 로봇의 동작에 의해 발생하거나, 외부 공간으로부터 처리물을 로드록 챔버 내에 반입할 때에 혼입되거나, 챔버끼리를 접속하는 게이트 밸브의 개폐 동작에 의해 발생하기도 한다.
따라서, 처리물을 처리하기 전에 파티클이 발생하지 않았는지를 확인하고 나서 처리를 개시해야 한다. 또는, 파티클에 기인하는 불량의 발생이 판명된 경우, 파티클이 어떤 챔버 내에서 발생하고 있는지를 밝혀낼 필요가 있다.
그래서, 처리실 내의 상태의 검사를, 제품용 웨이퍼와는 다른 검사용 웨이퍼를 검사 대상의 처리실에 반송하여 처리를 실시하고, 이 검사용 웨이퍼 상의 파티클을 측정함으로써, 처리실 내의 상태를 검사하는 방법이 알려져 있다(예컨대, 특허문헌 1을 참조).
그런데, 챔버 내의 상태를 검사할 때에, 검사용 웨이퍼 상의 파티클의 측정을 정확하게 행할 수 없는 경우가 있었다.
그래서, 챔버 내의 상태를 검사할 때에, 검사용 웨이퍼 상의 파티클의 측정을 정확하게 행할 수 있는 기술의 개발이 요구되고 있었다.
특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2006-179528호 공보
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 챔버 내의 상태를 검사할 때에, 검사용 웨이퍼 상의 파티클의 측정을 정확하게 행할 수 있는 플라즈마 처리 장치의 검사 방법을 제공하는 것이다.
실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치의 검사 방법은, 대기압보다 감압된 분위기를 유지하며, 처리물을 내부에 배치 가능한 제1 챔버와, 상기 제1 챔버의 내부를 소정의 압력까지 감압 가능한 제1 배기부와, 상기 플라즈마를 발생 가능한 플라즈마 발생부와, 상기 제1 챔버의 내부로서, 상기 플라즈마를 발생시키는 영역에, 프로세스 가스를 공급 가능한 제1 가스 공급부와, 게이트 밸브를 통해, 상기 제1 챔버와 접속되며, 대기압보다 감압된 분위기를 유지 가능한 제2 챔버와, 상기 제2 챔버의 내부에 마련되며, 상기 제1 챔버와의 사이에서, 상기 처리물을 반송 가능한 반송부와, 상기 제2 챔버의 내부를 소정의 압력까지 감압 가능한 제2 배기부와, 상기 제2 챔버의 내부에, 가스를 공급 가능한 제2 가스 공급부와, 상기 반송부, 상기 제2 배기부 및 상기 제2 가스 공급부를 제어 가능한 컨트롤러를 구비한 플라즈마 처리 장치의 검사 방법이다. 상기 제2 챔버로부터 상기 제1 챔버에 상기 반송부에 의해 검사용 웨이퍼의 반송을 행할 때에는, 상기 제2 배기부를 제어하여, 상기 제2 챔버의 내부의 압력이, 상기 제1 챔버의 내부의 압력과 대략 동등해지도록 하는 공정과, 상기 반송부에 의한 상기 제1 챔버에의 상기 검사용 웨이퍼의 반송이 종료하였을 때에는, 상기 제2 가스 공급부를 제어하여, 상기 제2 챔버의 내부에 상기 가스를 공급하는 공정과, 상기 검사용 웨이퍼가 반입된 상기 제1 챔버 내에서 플라즈마 처리를 행하는 공정과, 상기 제1 챔버로부터 상기 제2 챔버에 상기 반송부에 의해 검사용 웨이퍼의 반송을 행할 때에는, 상기 제2 배기부를 제어하여, 상기 제2 챔버의 내부의 압력이, 상기 제1 챔버의 내부의 압력과 대략 동등해지도록 하는 공정과, 상기 반송부에 의한 상기 제2 챔버에의 상기 검사용 웨이퍼의 반송이 종료하였을 때에는, 상기 제2 가스 공급부를 제어하여, 상기 제2 챔버의 내부에 상기 가스를 공급하는 공정과, 상기 제2 챔버로부터 반출된 상기 검사용 웨이퍼에 부착된 파티클을 측정하는 공정을 포함하는 제1 파티클 측정 공정을 갖는다.
본 발명의 실시형태에 따르면, 챔버 내의 상태를 검사할 때에, 검사용 웨이퍼 상의 파티클의 측정을 정확하게 행할 수 있는 플라즈마 처리 장치의 검사 방법이 제공된다.
도 1은 본 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치를 예시하기 위한 레이아웃도이다.
도 2는 C16H30O4의 증기압 곡선이다.
도 3은 처리부의 일례를 예시하기 위한 모식 단면도이다.
도 4는 전달부를 예시하기 위한 모식 단면도이다.
도 5는 제1 파티클 측정 공정을 갖는 플라즈마 처리 장치의 검사 시에 있어서의 가스의 공급을 예시하기 위한 타이밍 차트이다.
도 6은 제2 파티클 측정 공정을 갖는 플라즈마 처리 장치의 검사 시에 있어서의 가스의 공급을 예시하기 위한 타이밍 차트이다.
도 1은 본 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치(1)를 예시하기 위한 레이아웃도이다.
플라즈마 처리 장치(1)의 각 부의 상세에 대해서는 후술한다.
먼저, 본 발명자들은, 플라즈마 처리 장치(1)를 이용한 실험에 의해, 이하의 것을 밝혀내었다.
즉, 본 발명자들은, 전술한 플라즈마 처리 장치(1)의 내부에 있어서의 파티클의 유무를 확인하였다. 보다 구체적으로는, 본 발명자들은, 로드록부(5), 처리부(6) 및 전달부(7)의 각 내부의 파티클을 검사용 웨이퍼(100a)를 이용하여 측정하였다.
그러자, 전달부(7)의 내부에서 검사용 웨이퍼(100a)에 부착된 파티클의 수가 처리부(6)의 내부에서 검사용 웨이퍼(100a)에 부착된 파티클의 수보다 많은 경우가 있었다. 통상, 처리부(6)에서 부착되는 파티클의 수가 많아진다. 처리부(6)의 내부의 파티클을 측정하는 경우, 검사용 웨이퍼(100a)는 전달부(7)의 내부를 통과해야 한다. 즉, 전달부(7)의 내부에 있어서 파티클이 발생하고 있었던 경우, 처리부(6)의 내부의 파티클을 측정하는 데 이용한 검사용 웨이퍼(100a)에도 파티클이 부착될 것이다.
그래서, 본 발명자들은, 전달부(7)의 내부의 파티클의 측정을 복수회 더 행하였다. 그러자, 검사용 웨이퍼(100a)에 부착되는 파티클의 수가 처리부(6)보다 증가하는 경우와, 증가하지 않는 경우가 있어, 파티클의 측정을 정확하게 행할 수 없는 경우가 있는 것을 밝혀내었다.
본 발명자는, 부착된 파티클의 수가 증가한 검사용 웨이퍼(100a)에 대해서 예의 조사하였다. 그러자, 검사용 웨이퍼(100a)의 표면에 워터마크가 형성되어 있는 것을 밝혀내었다. 즉, 워터마크가 파티클로서 인식되어, 카운트되어 버리고 있었다. 파티클이 어디에서 발생하고 있는지를 밝혀낼 때에, 워터마크가 파티클로 오인되면, 파티클이 발생하고 있는 개소를 정확하게 특정할 수 없다. 또는, 메인터넌스 불필요인 개소의 메인터넌스를 실행하여, 장치의 생산성을 저하시켜 버릴 우려가 있다.
그래서, 본 발명자들은, 워터마크의 성분에 대해서 조사를 행하였다. 그러자, 워터마크의 성분은, 주로 C16H30O4인 것을 밝혀내었다. 이 C16H30O4에 대해서, 예의 조사를 행한 바, 로드록부(5), 처리부(6) 및 전달부(7)의 각 내부에 가스가 유입하는 것을 막기 위해 이용되는 시일 부재의 성분인 것이 판명되었다.
도 2는 C16H30O4의 증기압 곡선이다.
C16H30O4는, O링 등의 시일 부재에 많이 포함되는 성분이다.
또한, 도 2 중의 점(B1, B2)은 측정값이고, 도 2 중의 점선은 점(B1, B2)에 기초한 근사 곡선이다.
증기압 곡선의 하측의 영역에서는, C16H30O4의 성분이 증발하기 쉬워지고, 증기압 곡선의 상측의 영역에서는, C16H30O4의 성분이 증발하기 어려워진다. 예컨대, 전달부(7)의 내부의 온도가 50℃라고 하면, 전달부(7)의 내부에 있어서의 압력의 값이 도 2의 증기압 곡선과 50℃의 눈금선이 교차하는 압력의 값보다 낮은 값인 경우, C16H30O4의 성분이 증발하기 쉬워진다. 반대로, 전달부(7)의 내부에 있어서의 압력의 값이 도 2의 증기압 곡선와 전달부(7)의 내부의 온도의 눈금선이 교차하는 압력의 값보다 높은 값인 경우, C16H30O4의 성분이 증발하기 어려워진다.
즉, 전달부(7)의 파티클 측정을 행하는 경우, 전달부(7)의 내부의 압력을, 증기압 곡선의 상측의 영역이 되도록 하면, 시일 부재의 성분의 방출을 억제할 수 있다.
그런데, 처리부(6)의 내부는 플라즈마에 노출되기 때문에, 처리부(6)는 80℃ 내지 100℃ 정도까지 가열되는 경우가 있다. 상기와 같은 경우, 전달부(7)는 처리부(6)와 접속되어 있기 때문에, 전달부(7)의 온도도 50℃~70℃ 정도까지 상승한다.
도 2의 증기압 곡선에 따르면, 처리부(6)의 내부에 처리물(100)이 반송된 후에, 전달부(7)의 내부의 압력을, 5×10-3 ㎩ 이상으로 하면, 전달부(7)의 온도가 50℃ 정도가 되었다고 해도, C16H30O4의 성분이 증발하는 것을 억제할 수 있다.
단, 플라즈마 처리의 종류나 처리 조건 등에 따라서는, 전달부(7)의 온도가 더 높아지는 일이 생길 수 있다.
본 발명자들은 검토의 결과, 전달부(7)의 내부의 압력을, 1×10-1 ㎩ 이상으로 하면, 플라즈마 처리의 종류나 처리 조건 등이 변하였다고 해도, C16H30O4의 성분의 증발을 거의 없앨 수 있다는 제1 지견을 얻었다.
그런데, 처리부(6)에서 사용되는 시일 부재는, 전달부(7)에서 사용되는 시일 부재와 같다. 또한, 처리부(6)의 내부의 압력은, 플라즈마 처리를 실시하는 것 이외의 기간에, 시일 부재의 성분이 증발을 발생시킬 수 있는 압력으로 유지된다. 따라서, 시일 부재의 성분이 증발하여, 처리부(6)의 내부에 방출되어, 처리물(100)에 부착될 우려가 있다. 그러나, 발명자가 예의 조사한 바, 처리부(6)의 내부에서 오염물(증발한 시일 부재의 성분)이 부착될 확률보다, 전달부(7)의 내부에서 오염물이 부착될 확률 쪽이 높았다.
본 발명자들은 검토의 결과, 처리부(6)의 내부에는 플라즈마 처리를 실시하기 위해 프로세스 가스가 도입되므로, 오염물(증발한 시일 부재의 성분)이 프로세스 가스와 함께 처리부(6)의 내부로부터 배출되고 있기 때문이라고 고찰하였다. 즉, 전달부(7)의 내부의 압력을 시일 부재의 성분이 증발할 수 있는 압력 이하로 하여도, 전달부(7)의 내부에 가스를 도입함으로써, 오염물(증발한 시일 부재의 성분)이 처리물(100)에 부착되는 것을 억제할 수 있다고 하는 제2 지견을 얻었다.
본래라면, 전술한 바와 같이, 반송 중도 전달부(7)의 내부의 압력이 증기압 곡선의 상측의 영역에 포함되는 압력으로 되어 있는 쪽이 시일 부재의 성분의 방출을 억제하기 위해서는 바람직하다. 그러나, 처리부(6)에서 처리물(100)에 플라즈마 처리를 행하는 경우, 잔류 가스의 영향을 없애기 위해, 처리부(6) 내부의 압력이 1×10-3 ㎩~5×10-3 ㎩ 사이의 압력이 되고 나서 프로세스 가스를 도입하고 있다. 처리물(100)을 처리부(6)에 반송할 때에, 전달부(7)의 내부의 압력이 증기압 곡선의 상측의 영역에 포함되는 압력(예컨대, 1×10-1 ㎩)으로 되어 있었던 경우, 전달부(7)로부터 처리부(6)에 가스가 유입하여, 처리부(6)의 압력이 전달부(7)의 내부의 압력과 같은 정도까지 상승하여 버린다.
처리부(6)의 압력이 증기압 곡선의 상측의 영역에 포함되는 압력과 같은 정도까지 상승하여 버리면, 압력이 규정된 값까지 내려가는 것을 대기하는 시간이 길어져, 처리부(6)의 처리 시간이 길어진다. 또한, 전달부(7)의 내부의 압력과 처리부(6)의 내부의 압력의 차압으로, 처리부(6)의 내부에서 파티클이 날아오를 우려도 있다. 그 때문에, 전달부(7)와 처리부(6) 사이에서 처리물(100)의 전달을 행할 때에는, 전달부(7)의 압력을 일시적으로 증기압 곡선의 하측의 영역에 포함되는 압력으로 한다.
본 발명자들은, 전술한 제1 지견 및 제2 지견으로부터, 처리물(100)의 반송의 전후에, 전달부(7)의 내부의 압력을, 증기압 곡선의 상측의 영역이 되도록 하면, 시일 부재의 성분의 방출을 억제하면서, 오염물(증발한 시일 부재의 성분)이 처리물(100)에 부착되는 것을 억제할 수 있는 것을 발견하였다.
플라즈마 처리 장치(1)의 검사를 행하는 경우, 처리물(100)을 플라즈마 처리 장치(1)로 실제로 처리하는 것과 동일한 조건에서 검사를 행하는 쪽이 바람직하다. 본 발명자들은, 제1 지견 및 제2 지견으로부터 파티클의 측정을 정확하게 행하는 검사 방법을 발견하여, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
이하, 도면을 참조하면서, 본 발명의 실시형태에 대해서 예시를 한다. 또한, 각 도면 중, 동일한 구성 요소에는 동일한 부호를 붙이고 상세한 설명은 적절하게 생략한다.
도 1은 본 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치(1)를 예시하기 위한 레이아웃도이다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 플라즈마 처리 장치(1)는, 예컨대 컨트롤러(2), 수납부(3), 반송부(4), 로드록부(5), 처리부(6) 및 전달부(7)를 갖는다.
컨트롤러(2)는, 예컨대 CPU(Central Processing Unit) 등의 연산부와, 메모리 등의 기억부를 갖는다. 컨트롤러(2)는, 예컨대 컴퓨터 등이다. 컨트롤러(2)는, 예컨대 기억부에 저장되어 있는 제어 프로그램에 기초하여, 플라즈마 처리 장치(1)에 마련된 각 요소의 동작을 제어한다.
수납부(3)는, 예컨대 처리물(100)을 적층형(다단형)으로 수납한다. 수납부(3)는, 예컨대 소위 포드나, 정면 개구식 캐리어인 FOUP(Front-Opening Unified Pod) 등이다. 단, 수납부(3)는, 예시를 한 것에 한정되는 것은 아니며, 처리물(100)을 수납할 수 있는 것이면 좋다. 수납부(3)는 적어도 1개 마련할 수 있다.
반송부(4)는 수납부(3)와, 로드록부(5) 사이에 마련되어 있다. 반송부(4)는, 수납부(3)와 로드록부(5) 사이에 있어서의 처리물(100)의 반송과 전달을 행한다. 이 경우, 반송부(4)는, 플라즈마 처리를 실시할 때의 압력보다 높은 압력(예컨대, 대기압)의 환경에 있어서, 처리물(100)의 반송과 전달을 행한다. 반송부(4)는, 예컨대 처리물(100)을 유지하는 아암을 갖는 반송 로봇이다.
로드록부(5)는 반송부(4)와 전달부(7) 사이에 마련되어 있다. 로드록부(5)는, 분위기의 압력이 다른, 반송부(4)와 전달부(7) 사이에서, 처리물(100)의 전달을 행한다. 그 때문에, 로드록부(5)는 챔버(51), 배기부(52) 및 가스 공급부(53)를 갖는다.
챔버(51)는, 대기압보다 감압된 분위기를 유지 가능한 기밀 구조를 갖고 있다. 챔버(51)의 측벽에는, 처리물(100)의 반입과 반출을 행하기 위한 개구가 마련되어 있다. 또한, 개구를 개폐하는 게이트 밸브(51a)가 마련되어 있다. 챔버(51)는, 게이트 밸브(51a)를 통해, 전달부(7)의 챔버(71)(제2 챔버의 일례에 상당함)에 접속되어 있다.
배기부(52)는, 챔버(51)의 내부를 배기하여, 챔버(51)의 내부의 압력이, 전달부(7)의 챔버(71)의 내부의 압력과 도달 진공도가 대략 동등해지도록 한다. 배기부(52)는, 예컨대 터보 분자 펌프(TMP)와, 압력 제어부(APC: Auto Pressure Controller) 등을 가질 수 있다. 또한, 도달 진공도가 대략 동등이란, 챔버(51)의 내부와 챔버(71)의 내부의 압력의 도달 진공도의 차가 5×10-2 ㎩ 이내이다.
가스 공급부(53)는, 챔버(51)의 내부에 가스를 공급하여, 챔버(51)의 내부의 압력이 반송부(4)의 압력과 대략 동등해지도록 한다. 공급되는 가스는, 예컨대 공기나 질소 가스 등으로 할 수 있다.
처리부(6)는, 대기압보다 감압된 분위기에 있어서, 처리물(100)에 플라즈마 처리를 실시한다.
처리부(6)는, 예컨대 플라즈마 에칭 장치, 플라즈마 애싱 장치, 스퍼터링 장치, 플라즈마 CVD 장치 등의 플라즈마 처리 장치로 할 수 있다.
이 경우, 플라즈마의 발생 방법에는 특별히 한정은 없고, 예컨대 고주파나 마이크로파 등을 이용하여 플라즈마를 발생시키는 것으로 할 수 있다.
단, 플라즈마 처리 장치의 종류나 플라즈마 발생 방법은 예시를 한 것에 한정되는 것은 아니다. 즉, 처리부(6)는, 대기압보다 감압된 분위기에 있어서, 처리물(100)에 플라즈마 처리를 실시하는 것이면 좋다.
또한, 처리부(6)의 수에도 특별히 한정은 없다. 처리부(6)는 적어도 1개 마련되어 있으면 좋다. 처리부(6)를 복수 마련하는 경우에는, 같은 종류의 플라즈마 처리 장치를 마련할 수도 있고, 다른 종류의 플라즈마 처리 장치를 마련할 수도 있다. 또한, 같은 종류의 플라즈마 처리 장치를 복수 마련하는 경우에는, 처리 조건이 각각 달라지도록 할 수도 있고, 처리 조건이 각각 동일해지도록 할 수도 있다.
도 3은 처리부(6)의 일례를 예시하기 위한 모식 단면도이다.
도 3에 예시를 하는 처리부(6)는 유도 결합 플라즈마 처리 장치이다. 즉, 고주파 에너지에 의해 여기, 발생시킨 플라즈마(P)를 이용하여 프로세스 가스(G)로부터 플라즈마 생성물을 생성하여, 처리물(100)의 처리를 행하는 플라즈마 처리 장치의 일례이다.
도 3에 나타내는 바와 같이, 처리부(6)는, 예컨대 챔버(61)(제1 챔버의 일례에 상당함), 배치부(62), 안테나(63), 고주파 전원(64a, 64b), 가스 공급부(65)(제1 가스 공급부의 일례에 상당함), 배기부(66)(제1 배기부의 일례에 상당함) 등을 구비하고 있다.
챔버(61)는, 예컨대 바닥을 갖는 대략 원통 형상을 나타내고, 대기압보다 감압된 분위기를 유지 가능한 기밀 구조를 갖고 있다. 챔버(61)의 상부에는, 투과창(61a)이 기밀해지도록 마련되어 있다. 투과창(61a)은, 판형을 나타내며, 고주파 에너지에 대한 투과율이 높아, 플라즈마 처리를 행하였을 때에 에칭되기 어려운 재료로 형성할 수 있다. 투과창(61a)은, 예컨대 석영 등의 유전체 재료로 형성할 수 있다.
챔버(61)의 측벽에는 처리물(100)의 반입과 반출을 행하기 위한 개구(61b)가 마련되어 있다. 또한, 개구(61b)를 개폐하는 게이트 밸브(61c)가 마련되어 있다. 챔버(61)는, 게이트 밸브(61c)를 통해, 전달부(7)의 챔버(71)에 접속되어 있다.
배치부(62)는 챔버(61)의 내부에 마련되어 있다. 배치부(62)의 상면에는 처리물(100)이 배치된다. 이 경우, 처리물(100)은, 배치부(62)의 상면에 직접 배치되도록 하여도 좋고, 도시하지 않는 지지 부재 등을 통해 배치부(62)에 배치되도록 하여도 좋다. 또한, 배치부(62)에는, 정전 척 등의 유지 장치를 마련할 수 있다.
안테나(63)는, 챔버(61)의 내부의 플라즈마(P)를 발생시키는 영역에 고주파 에너지(전자 에너지)를 공급한다. 챔버(61)의 내부에 공급된 고주파 에너지에 의해 플라즈마(P)가 발생한다. 예컨대, 안테나(63)는, 투과창(61a)을 통해, 챔버(61)의 내부에 고주파 에너지를 공급한다.
고주파 전원(64a)은, 정합기(64a1)를 통해, 안테나(63)에 전기적으로 접속되어 있다. 정합기(64a1)에는, 고주파 전원(64a)측의 임피던스와, 플라즈마(P)측의 임피던스 사이에서 정합을 취하기 위한 정합 회로 등이 마련되어 있다. 고주파 전원(64a)은, 플라즈마(P)를 발생시키기 위한 전원이다. 즉, 고주파 전원(64a)은, 챔버(61)의 내부에 있어서 고주파 방전을 생기게 하여 플라즈마(P)를 발생시키기 위해 마련되어 있다. 고주파 전원(64a)는, 100 ㎑~100 ㎒ 정도의 주파수를 갖는 고주파 전력을 안테나(63)에 인가한다.
본 실시형태에 있어서는, 안테나(63) 및 고주파 전원(64a)이, 플라즈마(P)를 발생시키는 플라즈마 발생부가 된다.
고주파 전원(64b)은, 정합기(64b1)를 통해, 배치부(62)에 전기적으로 접속되어 있다. 정합기(64b1)에는, 고주파 전원(64b)측의 임피던스와, 플라즈마(P)측의 임피던스 사이에서 정합을 취하기 위한 정합 회로 등이 마련되어 있다. 고주파 전원(64b)은, 배치부(62)에 배치된 처리물(100)에 인입하는 이온의 에너지를 제어한다. 고주파 전원(64b)은, 이온을 인입하기 위해 알맞은 비교적 낮은 주파수(예컨대, 13.56 ㎒ 이하)를 갖는 고주파 전력을 배치부(62)에 인가한다.
가스 공급부(65)는, 유량 제어부(65a)를 통해, 챔버(61)의 내부의 플라즈마(P)를 발생시키는 영역에 프로세스 가스(G)를 공급한다. 유량 제어부(65a)는, 예컨대 매스 플로우 컨트롤러(MFC: Mass Flow Controller) 등으로 할 수 있다. 가스 공급부(65)는, 예컨대 챔버(61)의 측벽으로서, 투과창(61a)의 근방에 접속할 수 있다.
프로세스 가스(G)는, 처리의 종류나, 처리물(100)의 처리면의 재료 등에 따라 적절하게 선택된다. 예컨대, 에칭 처리의 경우에는, 반응성이 높은 라디칼이 생성되도록, CF4나 CF3 등의 불소 원자를 포함하는 프로세스 가스(G)로 할 수 있다. 이 경우, 프로세스 가스(G)는, 예컨대 불소 원자를 포함하는 가스만으로 할 수도 있고, 불소 원자를 포함하는 가스와 희가스의 혼합 가스로 할 수도 있다.
배기부(66)는 챔버(61)의 내부를 소정의 압력까지 감압한다. 배기부(66)는, 예컨대 터보 분자 펌프(TMP)로 할 수 있다. 배기부(66)는, 압력 제어부(66a)를 통해, 챔버(61)의 바닥면에 접속할 수 있다. 압력 제어부(66a)는, 챔버(61)의 내부의 압력을 검출하는 도시하지 않는 압력계의 출력에 기초하여, 챔버(61)의 내부가 소정의 압력이 되도록 제어한다. 압력 제어부(66a)는, 예컨대 오토 프레셔 컨트롤러(APC: Auto Pressure Controller) 등으로 할 수 있다.
처리물(100)에 플라즈마 처리를 실시할 때에는, 배기부(66)에 의해 챔버(61)의 내부가 소정의 압력까지 감압되고, 가스 공급부(65)로부터 소정의 양의 프로세스 가스(G)(예컨대, CF4 등)가 챔버(61)의 내부의 플라즈마(P)를 발생시키는 영역에 공급된다. 한편, 고주파 전원(64a)으로부터 소정의 파워의 고주파 전력이 안테나(63)에 인가되어, 전자 에너지가 투과창(61a)을 통해 챔버(61)의 내부에 방사된다. 또한, 처리물(100)을 배치하는 배치부(62)에는 고주파 전원(64b)으로부터 소정의 파워의 고주파 전력이 인가되어, 플라즈마(P)로부터 처리물(100)을 향하는 이온을 가속시키는 전계가 형성된다.
챔버(61)의 내부에 방사된 전자 에너지에 의해 플라즈마(P)가 발생하고, 발생한 플라즈마(P)에 의해, 프로세스 가스(G)가 여기, 활성화되어 중성 활성종, 이온 등의 플라즈마 생성물이 생성된다. 그리고, 이 생성된 플라즈마 생성물이 처리물(100)에 공급됨으로써, 처리물(100)에 플라즈마 처리가 실시된다.
또한, 이상에 있어서는, 처리부의 일례로서, 유도 결합 플라즈마(ICP: Inductively Coupled Plasma) 처리 장치를 설명하였지만, 처리부는 이들 플라즈마 처리 장치에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 처리부는 용량 결합형 플라즈마(CCP: Capacitively Coupled Plasma) 처리 장치(예컨대, 평행 평판형 RIE(Reactive Ion Etching) 장치) 등이어도 좋다. 또는, 마이크로파 여기형의 플라즈마 처리 장치(예컨대, 리모트 플라즈마 장치(CDE 장치), SWP(Surface Wave Plasma: 표면파 플라즈마) 장치) 등이어도 좋다. 또한, 다른 플라즈마 처리 장치의 기본적인 구성에는, 기지의 기술을 적용할 수 있기 때문에, 상세한 설명은 생략한다.
다음에, 전달부(7)에 대해서 설명한다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 전달부(7)는 처리부(6)와 로드록부(5) 사이에 마련되어 있다. 전달부(7)는, 처리부(6)와 로드록부(5) 사이에 있어서의 처리물(100)의 전달을 행한다.
도 4는 전달부(7)를 예시하기 위한 모식 단면도이다.
또한, 도 4는 도 1에 있어서의 전달부(7)의 A-A선 단면도이다.
도 4에 나타내는 바와 같이, 전달부(7)는 챔버(71), 반송부(72), 배기부(73)(제2 배기부의 일례에 상당함) 및 가스 공급부(74)(제2 가스 공급부의 일례에 상당함)를 갖는다.
챔버(71)는, 대기압보다 감압된 분위기를 유지 가능한 기밀 구조를 갖고 있다. 챔버(71)는, 게이트 밸브(61c)를 통해, 챔버(61)와 접속되어 있다.
반송부(72)는 챔버(71)의 내부에 마련되어 있다. 반송부(72)는, 처리부(6)와 로드록부(5) 사이에 있어서, 처리물(100)의 전달을 행한다. 예컨대, 반송부(72)는, 처리부(6)의 챔버(61)와의 사이에서, 처리물(100)을 반송(반입, 반출)한다. 반송부(72)는, 예컨대 처리물(100)을 유지하는 아암을 갖는 반송 로봇(예컨대, 다관절 로봇)로 할 수 있다.
배기부(73)는 챔버(71)의 내부를 소정의 압력까지 감압한다. 배기부(73)는, 예컨대 압력 제어부(66a)를 통해, 챔버(71)의 바닥면에 접속할 수 있다.
배기부(73)는, 예컨대 전술한 배기부(66)와 동일하다고 할 수 있다.
압력 제어부(66a)는 챔버(71)의 내부의 압력을 검출하는 도시하지 않는 압력계의 출력에 기초하여, 챔버(71)의 내부의 압력이 소정의 압력이 되도록 제어한다.
여기서, 전술한 바와 같이, 플라즈마 처리에 있어서 이용되는 프로세스 가스(G)에는, 예컨대 불소 원자를 포함하는 가스와 같이 반응성이 높은 것이 있다. 반응성이 높은 가스가, 처리부(6)의 챔버(61)의 내부로부터, 전달부(7)의 챔버(71)의 내부에 흐르면, 반응성이 높은 가스가, 챔버(71)의 내부에 노출되어 있는 요소와 반응하여 오염물이 발생할 우려가 있다.
또한, 플라즈마 처리 시에 생긴 부생성물이 처리부(6)의 챔버(61)의 내벽이나, 챔버(61)의 내부에 노출되어 있는 요소에 부착되어 있는 경우가 있다. 그 때문에, 처리부(6)의 챔버(61)의 내부로부터, 전달부(7)의 챔버(71)의 내부를 향하여 흐르는 기류가 형성되면, 처리부(6)의 챔버(61)의 내벽 등으로부터 박리된 부생성물이 기류에 실려 전달부(7)의 챔버(71)의 내부에 침입할 우려가 있다. 전달부(7)의 챔버(71)의 내부에 침입한 부생성물은, 처리물(100)에 대한 오염물이 된다.
그 때문에, 처리부(6)의 챔버(61)에 처리물(100)을 반입하거나, 처리부(6)의 챔버(61)로부터 처리물(100)을 반출하거나 할 때에는, 배기부(73)와 챔버(71)에 부착된 압력 제어부(66a)가 협동하여, 챔버(71)의 내부의 압력이, 처리부(6)의 챔버(61)의 내부의 압력(예컨대, 플라즈마 처리를 실시할 때의 압력)과 대략 동등해지도록 한다. 예컨대, 처리부(6)의 챔버(61)의 내부의 압력은 1×10-3 ㎩~1×10-2 ㎩ 정도로 할 수 있다.
이 경우, 전달부(7)의 챔버(71)의 내부의 압력이 처리부(6)의 챔버(61)의 내부의 압력과 대략 동등이란, 챔버(71)의 내부의 압력이 챔버(61)의 내부의 압력과 같은 압력으로부터 챔버(61)의 내부의 압력과 같은 압력보다 5×10-2 ㎩만큼 높은 압력의 범위인 것을 의미한다. 이와 같이 하면, 반응성이 높은 가스나 부생성물이 전달부(7)의 챔버(71)의 내부에 침입하는 것을 효과적으로 억제할 수 있다.
또한, 챔버(71)의 내부의 압력을 지나치게 높게 하면, 챔버(71)로부터 처리부(6)의 챔버(61)를 향하는 기류에 의해, 챔버(61)의 내벽에 부착되어 있는 부생성물이 박리되거나, 부생성물이 챔버(61)의 내부에 부유하거나 할 우려가 있다. 그 때문에, 처리부(6)로부터 처리물(100)의 반입 및 반출을 행할 때에는, 챔버(71)의 내부의 압력은, 8×10-3 ㎩~5×10-2 ㎩ 정도로 하는 것이 바람직하다. 또한, 전달부(7)의 챔버(71)의 내부의 압력은, 상기 압력 범위에 있어서, 처리부(6)의 챔버(61)의 내부의 압력보다 약간 높아지도록 결정된다.
챔버(71)의 압력 제어는, 배기부(73)와 압력 제어부(66a)에 의해 행할 수 있지만, 낮아진 압력을 신속하게 증가시키는 것은 곤란하다.
그래서, 도 4에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에 따른 전달부(7)에는, 가스 공급부(74)가 마련되어 있다.
가스 공급부(74)는, 유량 제어부(74a)를 통해, 챔버(71)의 내부에 가스(G1)를 공급한다. 유량 제어부(74a)는, 예컨대 매스 플로우 컨트롤러(MFC) 등으로 할 수 있다.
가스(G1)는, 예컨대 처리물(100)이나, 챔버(71)의 내부에 노출되는 요소와 반응하기 어려운 가스로 할 수 있다. 예컨대, 가스(G1)는, 질소 가스, 아르곤 가스 등의 희가스, 또는 이들의 혼합 가스 등으로 할 수 있다.
또한, 가스(G1)는, 챔버(71)의 내부의 압력의 제어를 위해 공급되는 것이며, 압력의 제어량도 작기 때문에, 챔버(71)의 내부에 공급하는 가스(G1)의 양은 조금이다. 예컨대, 가스(G1)의 유량은 10 sccm 이상, 1000 sccm 이하이다.
처리물(100)은 수납부(3)로부터 로드록부(5) 및 전달부(7)를 지나 처리부(6)의 내부에 반송된다. 처리부(6)의 내부에 반송된 처리물(100)은, 플라즈마 처리된다. 플라즈마 처리된 처리물(100)은 로드록부(5) 및 전달부(7)를 지나 수납부(3)에 복귀된다. 그리고, 다음 처리물(100)이 마찬가지로 플라즈마 처리된다. 플라즈마 처리 장치(1)가 전술한 동작을 행함으로써, 처리물(100)의 처리는 진행된다.
그런데, 플라즈마 처리를 반복해서 행하고 있으면, 플라즈마 처리에 의해 생성된 반응 생성물에 유래하는 파티클이 발생할 우려가 있다. 발생한 파티클이 처리물의 표면에 낙하하여 처리물의 표면에 부착되면, 수율의 저하를 초래한다.
또한, 파티클은 프로세스 챔버 내에서만 발생하는 것은 아니다. 예컨대, 트랜스퍼 챔버 내의 반송 로봇의 동작에 의해 발생하거나, 외부 공간으로부터 처리물을 로드록 챔버 내에 반입할 때에 혼입되거나, 챔버끼리를 접속하는 게이트 밸브의 개폐 동작에 의해 발생하기도 한다.
따라서, 플라즈마 처리 장치(1) 내에 파티클이 발생하지 않았는지를 정기적으로 검사해야 한다.
다음에, 플라즈마 처리 장치(1)의 검사 방법에 대해서 설명한다.
도 5는 제1 파티클 측정 공정을 갖는 플라즈마 처리 장치의 검사 시에 있어서의 가스(G1)의 공급을 예시하기 위한 타이밍 차트이다. 또한, 파티클 측정 공정을 실행할 때에는, 오퍼레이터는, 컨트롤러(2)의 조작 패널 등의 입력 장치를 조작하여, 플라즈마 처리 장치(1)의 제어 모드를 검사 모드(파티클 측정 모드)로 전환한다. 이 검사 모드에 있어서는, 검사 대상에 따른 동작의 선택도 가능하다. 예컨대, 처리부(6)의 파티클 측정을 행하는 동작, 전달부(7)의 파티클 측정을 행하는 동작 등을 선택할 수 있다. 도 5의 예는, 처리부(6)의 파티클 측정을 행하는 동작이 선택된 예이다.
도 5 중의 T1은 전달부(7)의 챔버(71)로부터 처리부(6)의 챔버(61)에의 처리물(100)의 반입 개시의 타이밍이다.
도 5 중의 T2는 처리부(6)의 챔버(61)로부터 전달부(7)의 챔버(71)에의 처리물(100)의 반출 개시의 타이밍이다.
처리하는 처리물(100)이 없는 경우, 플라즈마 처리 장치(1)는 대기 상태에 있다. 플라즈마 처리 장치(1)가 대기 상태인 경우, 로드록부(5)의 챔버(51)의 내부는, 배기부(52)에 의해 배기되어, 1×10-2 ㎩~1×10-1 ㎩ 정도의 압력으로 유지된다. 본 실시형태에서는, 예컨대 5×10-2 ㎩이다.
전달부(7)의 챔버(71)의 내부의 압력은, C16H30O4의 성분이 증발하는 것을 억제할 수 있는 5×10-3 ㎩ 이상의 압력으로 유지되어 있다. 구체적으로는, 컨트롤러(2)는, 챔버(71)의 내부의 압력을 검출하는 도시하지 않는 압력계의 출력에 기초하여, 챔버(71)에 부착되어 있는 압력 제어부(66a)를 제어하여, 챔버(71)의 내부의 압력을 5×10-3 ㎩ 이상의 압력이 되도록 하고 있다.
처리부(6)의 챔버(61)의 내부는, 배기부(66)에 의해 배기되어 1×10-3 ㎩~1×10-2 ㎩의 압력으로 유지되어 있다. 본 실시형태에서는, 예컨대 1×10-3 ㎩이다.
플라즈마 처리 장치(1)를 검사하는 경우, 로드록부(5)의 챔버(51)의 내부를 벤트함으로써 챔버(51)의 내부의 압력을 대기 압력과 동일한 압력으로 한다. 반송부(4)는, 수납부(3)의 내부에 있는 검사용 웨이퍼(100a)를 꺼내어, 로드록부(5)의 챔버(51)의 내부에 반입한다(도 5의 (1)). 즉, 컨트롤러(2)는, 검사 모드로 전환됨으로써, 수납부(3) 내에 있어서 미리 기억되어 있는 검사용 웨이퍼의 수납 위치로부터 검사용 웨이퍼(100a)를 꺼내도록 반송부(4)를 제어한다.
챔버(51)의 내부에 검사용 웨이퍼(100a)가 반입되었다면, 챔버(51)의 내부를 감압한다. 챔버(51)의 내부가 소정의 압력까지 감압되었다면, 가스 공급부(74)로부터 가스(G1)를 챔버(71)의 내부에 공급하여, 챔버(71)의 내부의 압력을 1×10-1 ㎩ 이상으로 한다. 또한, 소정의 압력이란, 1×10-2 ㎩ 이상, 1×10-1 ㎩보다 작은 압력이다. 본 실시형태에서는, 예컨대 5×10-2 ㎩이다.
챔버(51)의 내부의 압력 및 챔버(71) 내부의 압력이 상기한 압력이 되면, 게이트 밸브(51a)가 개방된다. 그리고, 검사용 웨이퍼(100a)는, 반송부(72)에 의해 챔버(71)의 내부에 반입된다(도 5의 (2)).
챔버(51)는, 플라즈마 처리 장치(1)의 외부의 공간과 연통한다. 이 때문에, 검사용 웨이퍼(100a)의 반송 시에, 외부의 공간의 공기가 챔버(51) 내에 인입된다. 외부의 공간의 공기에는, 수증기나 파티클이 포함되어 있을 우려가 있다. 챔버(71)의 내부의 압력을 챔버(51)의 내부의 압력보다 높은 압력으로 함으로써, 챔버(51)로부터 챔버(71)에 수증기나 파티클이 유입하는 것을 억제할 수 있다.
챔버(71)의 내부에 검사용 웨이퍼(100a)가 반송되었다면, 게이트 밸브(51a)가 폐쇄된다. 게이트 밸브(51a)가 폐쇄되었다면, 챔버(71)의 내부에의 가스(G1)의 공급은 정지된다. 또한, 챔버(51)의 내부의 감압은 유지된다.
챔버(71)의 내부의 압력이, 예컨대 5×10-2 ㎩가 되면, 게이트 밸브(61c)를 개방한다. 그리고, 검사용 웨이퍼(100a)는, 반송부(72)에 의해 챔버(61)의 내부에 반입된다(도 5의 T1).
처리부(6)의 챔버(61)의 내부에서는, 플라즈마를 이용하여 반응성이 높은 가스로부터 플라즈마 생성물을 생성하여, 처리물(100)의 처리가 행해진다. 이 때문에, 반응성이 높은 가스가 챔버(61)의 내부에 잔류하고 있는 경우나, 플라즈마 처리 시에 생긴 부생성물이 처리부(6)의 챔버(61)의 내벽 등에 부착되어 있는 경우가 있다. 챔버(71)의 내부의 압력이, 처리부(6)의 챔버(61)의 내부의 압력과 대략 동등해지도록 하면, 반응성이 높은 가스나 부생성물이, 전달부(7)의 챔버(71)의 내부에 침입하는 것을 억제할 수 있다.
챔버(61)의 내부에 검사용 웨이퍼(100a)가 반입되었다면, 게이트 밸브(61c)를 폐쇄한다. 게이트 밸브(61c)를 개방하고 나서 폐쇄하기까지의 기간을 검사용 웨이퍼(100a)의 반입 기간(T1a)으로 한다. 게이트 밸브(61c)가 폐쇄되었다면, 가스 공급부(74)로부터 챔버(71)의 내부에 가스(G1)가 공급된다. 이에 의해, 챔버(71)의 내부의 압력은 1×10-1 ㎩ 이상으로 유지된다.
챔버(61)의 내부의 압력이 소정의 압력까지 감압되었다면, 가스 공급부(65)를 제어하여 챔버(61)의 내부의 압력이 플라즈마 처리를 실시하는 압력이 될 때까지 프로세스 가스(G)를 공급한다. 플라즈마 처리를 실시하는 압력은 1×10-1 ㎩~10 ㎩ 정도이다. 본 실시형태에서는, 예컨대 1 ㎩이다. 또한, 소정의 압력이란 1×10-3 ㎩~1×10-2 ㎩이다.
챔버(61)의 내부의 압력이 플라즈마 처리를 실시하는 압력이 되면, 고주파 전원(64a)으로부터 고주파 전압을 안테나(63)에 인가하여 플라즈마(P)를 발생시킨다. 그리고, 처리물(100)을 처리하는 시간과 같은 시간만큼 플라즈마(P)를 유지시킨다.
플라즈마 처리가 완료하였다면, 고주파 전원(64a)으로부터의 고주파 전압의 인가와, 프로세스 가스(G)의 공급을 정지한다. 챔버(61)의 내부는, 1×10-3 ㎩~1×10-2 ㎩의 압력이 될 때까지 감압된다. 본 실시형태에서는, 챔버(61)의 내부의 압력은, 예컨대 1×10-3 ㎩가 될 때까지 감압된다.
챔버(61)의 내부의 압력이 1×10-3 ㎩가 되면, 가스 공급부(74)로부터의 가스(G1)의 공급을 정지한다. 그리고, 챔버(71)의 내부의 압력이, 예컨대 5×10-2 ㎩가 되면, 게이트 밸브(61c)를 개방한다. 검사용 웨이퍼(100a)는, 반송부(72)에 의해 챔버(61)의 내부로부터 반출된다(도 5의 T2).
반송부(72)에 의해 챔버(71)의 내부에 검사용 웨이퍼(100a)가 반송되었다면, 게이트 밸브(61c)를 폐쇄한다. 게이트 밸브(61c)를 개방하고 나서 게이트 밸브(61c)를 폐쇄하기까지의 기간을 검사용 웨이퍼(100a)의 반출 기간(T2a)으로 한다. 반출 기간(T2a) 후, 가스 공급부(74)로부터 가스(G1)가 챔버(71)의 내부에 공급된다.
챔버(71)의 내부의 압력이 1×10-1 ㎩ 이상이 되면, 게이트 밸브(51a)를 개방하여, 검사용 웨이퍼(100a)가 반송부(72)에 의해 챔버(51)에 반송된다(도 5의 (4)).
챔버(51)의 내부에 검사용 웨이퍼(100a)가 반송되었다면 게이트 밸브(51a)를 폐쇄한다. 전달부(7)에서는, 챔버(71)의 내부에의 가스(G1)의 공급을 정지한다. 챔버(71)의 내부의 압력은, 챔버(71)에 부착된 압력 제어부(66a)에 의해, 배기부(73)의 배기량을 작게 함으로써 1×10-2 ㎩ 이상으로 유지된다. 또는, 챔버(71)의 내부의 압력은, 가스(G1)의 유량을 조정함으로써 1×10-2 ㎩ 이상으로 유지된다. 로드록부(5)에서는, 챔버(51)의 내부를 벤트하여 챔버(51)의 내부의 압력을 대기 압력으로 한다. 챔버(51)의 내부의 압력이 대기 압력과 같은 정도가 되면, 반송부(4)에 의해 챔버(51)의 내부로부터 검사용 웨이퍼(100a)가 꺼내어져, 수납부(3)의 원래의 수납 위치에 수납된다(도 5의 (5)). 그리고, 검사용 웨이퍼(100a)에 부착된 파티클의 수량을 측정한다. 예컨대, 검사용 웨이퍼(100a)를 수납부(3)에 넣은 상태에서 도시하지 않는 파티클의 측정 장치까지 반송하여, 파티클의 측정 장치로 검사용 웨이퍼(100a)에 부착된 파티클의 수량을 측정한다.
T1 후의 검사용 웨이퍼(100a)의 반입 기간(T1a) 및 T2 후의 검사용 웨이퍼(100a)의 반출 기간(T2a)은, 전술한 바와 같이, 전달부(7)의 압력을 일시적으로 도 2의 증기압 곡선의 하측의 영역에 포함되는 압력으로 한다. 구체적으로는, 게이트 밸브(61c)가 개방되면, 챔버(71)의 내부의 가스가 처리부(6)에 유입한다. 이 때문에, 챔버(71)의 내부의 압력이, 처리부(6)의 챔버(61)의 내부의 압력(예컨대, 플라즈마 처리를 실시하기 직전의 소정의 압력인 1×10-3 ㎩)과 대략 동등해지도록 감압된다. 그 때문에. 반입 기간(T1a) 및 반출 기간(T2a)에 있어서는, 시일 부재의 성분이 증발하여, 챔버(71)의 내부에 방출되게 된다. 또한, 이때의 「대략 동등」이란, 챔버(71)의 내부의 압력이 챔버(61)의 내부의 압력과 동일한 압력으로부터 챔버(61)의 내부의 압력과 동일한 압력보다 5×10-2 ㎩만큼 높은 압력의 범위를 의미한다.
그러나, 반입 기간(T1a) 및 반출 기간(T2a)의 경과 후는, 전달부(7)의 챔버(71)와 처리부(6)의 챔버(61) 사이가, 게이트 밸브(61c)에 의해 폐쇄된다. 그리고, 가스 공급부(74)가 가스(G1)를 전달부(7)의 챔버(71)의 내부에 공급함으로써, 챔버(71)의 내부의 압력이, 5×10-3 ㎩ 이상, 바람직하게는 1×10-1 ㎩ 이상이 된다. 그 때문에, 시일 부재의 성분이 증발하는 것을 억제할 수 있다.
또한, 전달부(7)의 챔버(71) 및 처리부(6)의 챔버(61)의 내부의 압력을 시일 부재의 성분이 증발할 수 있는 압력 이하로 하여도, 전달부(7)의 내부에 가스를 도입함으로써, 오염물(증발한 시일 부재의 성분)이 검사용 웨이퍼(100a)에 부착되는 것을 억제할 수 있다. 챔버(71) 및 챔버(61)의 내부는, 소정의 감압 분위기를 유지하도록 배기가 행해지고 있다. 배기부(73) 및 배기부(66)의 배기 속도(L/min)는 결정되어 있다. 그리고, 챔버(71) 및 챔버(61)의 내부에 가스(G1)가 공급되면 챔버(71) 내의 압력이 상승하여, 단위 체적당의 배출되는 가스(G1)의 양이 증가한다. 결과적으로, 가스(G1)가 공급된 만큼, 챔버 내부의 배기가 행해진 것처럼 보인다. 즉, 이 배기에 의해, 오염물을 가스(G1)와 함께 배출할 수 있는 것이다.
전술한 바와 같이, 워터마크의 원인이 되는 오염물이 검사용 웨이퍼(100a)에 부착되는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 워터마크가 파티클로서 오인되는 것을 방지할 수 있기 때문에, 파티클의 측정을 정확하게 행할 수 있다.
또한, 도 5로부터 알 수 있듯이, 챔버(71)의 내부의 압력이, 시일 부재의 성분이 증발할 수 있는 압력 이하가 되는 압력, 즉 처리부(6)의 챔버(61)의 내부의 압력과 대략 동등해지도록 감압되는 기간을 짧게 할 수 있다. 그 때문에, 시일 부재의 성분이 증발하는 것을 억제할 수 있다.
검사용 웨이퍼(100a)에 부착된 파티클의 수량을 측정하기 위해, 전달부(7)의 챔버(71)의 내부에 처리물(100)이 없는 상태가 장시간 계속되는 경우, 챔버(71)에 부착된 압력 제어부(66a)를 제어하여, 배기부(73)의 배기량을 작게 하여도 좋다. 배기부(73)의 배기량을 작게 함으로써, 챔버(71)의 내부의 압력을 1×10-2 ㎩ 이상으로 하는 데 필요로 되는 가스(G1)의 양을 삭감할 수 있다. 또한, 챔버(71)의 내부에 처리물(100)이 없는 상태가 계속되는 시간은, 예컨대 가스(G1)의 공급을 정지하고 나서, 챔버(71)의 내부의 압력이 1×10-2 ㎩가 되기까지의 시간이다.
도 5에 나타내는 가스(G1)의 공급 방법을 이용하여 파티클을 측정하는 제1 파티클 측정 공정을 갖는 플라즈마 처리 장치(1)의 검사 방법을 행하여, 파티클이 없으면, 처리물(100)의 처리를 개시한다. 파티클이 검출된 경우, 도 6에 나타내는 가스(G1)의 공급 방법을 이용하여, 플라즈마 처리 장치(1)의 검사를 행한다.
도 6은 제2 파티클 측정 공정을 갖는 플라즈마 처리 장치의 검사 시에 있어서의 가스(G1)의 공급을 예시하기 위한 타이밍 차트이다. 도 6은 검사용 웨이퍼(100a)를 전달부(7)까지 반송 후, 처리부(6)의 내부에 반송하는 일없이, 로드록부(5)에 복귀할 때의 가스(G1)의 공급을 예시한다. 즉, 도 6의 예는, 검사 모드에 있어서 전달부(7)의 파티클 측정을 행하는 동작이 선택된 예이다.
도 6의 (1)은 도 5의 (1)과, 도 6의 (2)는 도 5의 (2)와 동일하기 때문에, 설명은 생략한다.
챔버(71)의 내부에 검사용 웨이퍼(100a)가 반송되었다면, 게이트 밸브(51a)가 폐쇄된다. 검사용 웨이퍼(100a)는, 예컨대 챔버(71)의 내부에 수십 초간 머무른다. 검사용 웨이퍼(100a)가 챔버(71)의 내부에 머무르는 시간은, 처리물(100)을 실제로 처리하는 조건에 가깝게 하기 위해, 처리부(6)에서 플라즈마 처리를 하는 시간과 같게 하는 것이 바람직하다. 검사용 웨이퍼(100a)가 챔버(71)의 내부에 머무르고 있는 동안, 가스 공급부(74)로부터 가스(G1)의 공급이 유지된다.
수십 초간, 검사용 웨이퍼(100a)가 챔버(71)의 내부에 머무르면, 게이트 밸브(51a)를 개방하여, 검사용 웨이퍼(100a)가 반송부(72)에 의해 챔버(51)에 반송된다(도 6의 (4)).
챔버(51)의 내부에 검사용 웨이퍼(100a)가 반송되었다면 게이트 밸브(51a)를 폐쇄한다. 전달부(7)에서는 챔버(71)의 내부에의 가스(G1)의 공급을 정지한다. 챔버(71)의 내부의 압력은, 챔버(71)에 부착된 압력 제어부(66a)에 의해, 배기부(73)의 배기량을 작게 함으로써 1×10-2 ㎩ 이상으로 유지된다. 로드록부(5)에서는, 챔버(51)의 내부를 벤트하여 챔버(51)의 내부의 압력을 대기 압력으로 한다. 챔버(51)의 내부의 압력이 대기 압력과 같은 정도가 되면, 반송부(4)에 의해 챔버(51)의 내부로부터 검사용 웨이퍼(100a)가 꺼내어져, 수납부(3)에 수납된다(도 6의 (5)). 그리고, 도시하지 않는 파티클 측정 장치로 검사용 웨이퍼(100a)에 부착된 파티클의 수량을 측정한다.
가스 공급부(74)가 가스(G1)를 전달부(7)의 챔버(71)의 내부에 공급함으로써, 챔버(71)의 내부의 압력이, 5×10-3 ㎩ 이상, 바람직하게는 1×10-1 ㎩ 이상이 된다. 그 때문에, 시일 부재의 성분이 증발하는 것을 억제할 수 있다. 그 때문에, 워터마크의 원인이 되는 오염물이 검사용 웨이퍼(100a)에 부착되는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 워터마크가 파티클로서 오인되는 것을 방지할 수 있기 때문에, 파티클의 측정을 정확하게 행할 수 있다.
도 6에 나타내는 가스(G1)의 공급 방법을 이용하여 파티클을 측정하는 제2 파티클 측정 공정을 갖는 플라즈마 처리 장치(1)의 검사 방법을 행하여, 파티클이 없으면, 처리부(6)의 내부의 클리닝을 개시한다. 파티클이 검출된 경우, 로드록부(5)의 내부의 클리닝을 개시한다.
로드록부(5)의 내부의 클리닝을 행한 후, 도 6에 나타내는 가스(G1)의 공급 방법을 이용한 플라즈마 처리 장치(1)의 검사 방법을 실시한다. 이 검사에서도 파티클이 재차 검출된 경우, 전달부(7)의 내부의 클리닝을 개시한다.
이상의 순서는, 예컨대 컨트롤러(2)가 반송부(72), 배기부(73) 및 가스 공급부(74)를 제어함으로써 행할 수 있다.
예컨대, 컨트롤러(2)는, 반송부(72)에 의한 검사용 웨이퍼(100a)의 반송(반입, 반출)을 행할 때에는, 배기부(73)를 제어하여, 챔버(71)의 내부의 압력이, 챔버(61)의 내부의 압력과 대략 동등해지도록 한다. 예컨대, 컨트롤러(2)는, 반송부(72)에 의한 검사용 웨이퍼(100a)의 반송이 종료하였을 때에는, 가스 공급부(74)를 제어하여, 챔버(71)의 내부에 가스(G1)를 공급한다.
예컨대, 컨트롤러(2)는, 가스(G1)를 공급함으로써, 챔버(71)의 내부의 압력을, 챔버(61)의 내부의 압력보다 높게 한다.
예컨대, 컨트롤러(2)는, 가스(G1)를 공급함으로써, 챔버(71)의 내부의 압력을, 5×10-3 ㎩ 이상, 바람직하게는 1×10-1 ㎩ 이상으로 한다.
또한, 이상에 설명한 바와 같이, 본 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치의 검사 방법은, 이하의 공정을 포함할 수 있다.
대기압보다 감압된 분위기를 유지하며, 처리물을 내부에 배치 가능한 제1 챔버와, 상기 제1 챔버의 내부를 소정의 압력까지 감압 가능한 제1 배기부와, 상기 플라즈마를 발생 가능한 플라즈마 발생부와, 상기 제1 챔버의 내부로서, 상기 플라즈마를 발생시키는 영역에, 프로세스 가스를 공급 가능한 제1 가스 공급부와, 게이트 밸브를 통해, 상기 제1 챔버와 접속되며, 대기압보다 감압된 분위기를 유지 가능한 제2 챔버와, 상기 제2 챔버의 내부에 마련되며, 상기 제1 챔버와의 사이에서, 상기 처리물을 반송 가능한 반송부와, 상기 제2 챔버의 내부를 소정의 압력까지 감압 가능한 제2 배기부와, 상기 제2 챔버의 내부에, 가스를 공급 가능한 제2 가스 공급부와, 상기 반송부, 상기 제2 배기부 및 상기 제2 가스 공급부를 제어 가능한 컨트롤러를 구비한 플라즈마 처리 장치의 검사 방법이다. 상기 제2 챔버로부터 상기 제1 챔버에 상기 반송부에 의해 검사용 웨이퍼의 반송을 행할 때에는, 상기 제2 배기부를 제어하여, 상기 제2 챔버의 내부의 압력이, 상기 제1 챔버의 내부의 압력과 대략 동등해지도록 하는 공정과, 상기 반송부에 의한 상기 제1 챔버에의 상기 검사용 웨이퍼의 반송이 종료하였을 때에는, 상기 제2 가스 공급부를 제어하여, 상기 제2 챔버의 내부에 상기 가스를 공급하는 공정과, 상기 검사용 웨이퍼가 반입된 상기 제1 챔버 내에서 플라즈마 처리를 행하는 공정과, 상기 제1 챔버로부터 상기 제2 챔버에 상기 반송부에 의해 검사용 웨이퍼의 반송을 행할 때에는, 상기 제2 배기부를 제어하여, 상기 제2 챔버의 내부의 압력이, 상기 제1 챔버의 내부의 압력과 대략 동등해지도록 하는 공정과, 상기 반송부에 의한 상기 제2 챔버에의 상기 검사용 웨이퍼의 반송이 종료하였을 때에는, 상기 제2 가스 공급부를 제어하여, 상기 제2 챔버의 내부에 상기 가스를 공급하는 공정과, 상기 제2 챔버로부터 반출된 상기 검사용 웨이퍼에 부착된 파티클을 측정하는 공정을 포함하는 제1 파티클 측정 공정을 갖는다.
예컨대, 외부로부터 상기 제2 챔버에, 로드록부를 통해 상기 검사용 웨이퍼를 반송할 때에, 상기 제2 챔버에 상기 가스를 공급하여 소정의 감압 상태로 한 후, 상기 로드록부로부터 상기 제2 챔버에 상기 검사용 웨이퍼를 반송하는 공정을 더 갖는다.
예컨대, 외부로부터 상기 제2 챔버에, 로드록부를 통해 상기 검사용 웨이퍼를 반송할 때에, 상기 제2 챔버에 상기 가스를 공급하여 소정의 감압 상태로 한 후, 상기 로드록부로부터 상기 제2 챔버에 상기 검사용 웨이퍼를 반송하는 공정과, 상기 로드록부로부터 상기 제2 챔버에 상기 검사용 웨이퍼를 반송한 후, 상기 검사용 웨이퍼를 상기 제2 챔버에 머무르게 하는 공정과, 상기 검사용 웨이퍼를 상기 제1 챔버에 반송하는 일없이, 제2 챔버로부터 상기 로드록부에 반송하는 공정과 상기 검사용 웨이퍼에 부착된 파티클을 측정하는 공정을 포함하는 제2 파티클 측정 공정을 더 갖는다.
예컨대, 상기 제1 파티클 측정 공정을 실시하여, 파티클이 검출되었다면, 상기 제2 파티클 측정 공정을 실시한다.
예컨대, 상기 제2 파티클 측정 공정을 실시하여, 파티클이 검출되지 않았다면, 상기 제1 파티클 측정 공정을 실시한다.
예컨대, 상기 가스를 공급함으로써, 상기 제2 챔버의 내부의 압력을, 5×10-3 ㎩ 이상으로 한다.
또한, 각 공정에 있어서의 내용은, 전술한 것과 동일하다고 할 수 있기 때문에 상세한 설명은 생략한다.
이상, 본 실시형태에 대해서 예시를 하였다. 그러나, 본 발명은 이들 기술에 한정되는 것이 아니다.
전술한 실시형태에 관해서, 당업자가 적절하게 설계 변경을 가한 것도, 본 발명의 특징을 구비하고 있는 한, 본 발명의 범위에 포함된다.
예컨대, 플라즈마 처리 장치(1)가 구비하는 각 요소의 형상, 치수, 재질, 배치, 수 등은, 예시를 한 것에 한정되는 것은 아니며 적절하게 변경할 수 있다.
또한, 전술한 각 실시형태가 구비하는 각 요소는, 가능한 한에 있어서 조합할 수 있고, 이들을 조합한 것도 본 발명의 특징을 포함하는 한 본 발명의 범위에 포함된다.
플라즈마 처리 장치(1)의 검사 방법은, 상기에 한정되지 않는다. 예컨대, 후공정에서 파티클 유래의 문제점이 발생한 경우, 플라즈마 처리 장치(1)의 검사는, 도 6에 나타내는 가스(G1)의 공급 방법을 이용한 플라즈마 처리 장치(1)의 검사 방법을 최초에 행하여도 좋다.
상기 검사에서 파티클이 검출된 경우, 로드록부(5)의 내부의 클리닝을 행한다. 그리고, 로드록부(5)의 내부의 클리닝을 행한 후, 도 6에 나타내는 가스(G1)의 공급 방법을 이용한 플라즈마 처리 장치(1)의 검사 방법을 실시한다. 이 검사에서도 파티클이 재차 검출된 경우, 전달부(7)의 내부의 클리닝을 개시한다.
또한, 최초의 도 6의 검사에서 파티클이 검출되지 않은 경우, 파티클은, 전달부(7)로부터 처리부(6)까지의 사이의 어딘가에서 발생하고 있게 된다. 이 경우, 도 5에 나타내는 가스(G1)의 공급 방법을 이용한 플라즈마 처리 장치(1)의 검사를 행하기 전에, 이하의 검사를 행하여도 좋다.
예컨대, 가스 공급부(65)를 제어하여 챔버(61)의 내부에 플라즈마 처리를 실시하는 압력이 될 때까지 프로세스 가스(G)를 공급하는 것을 실시한 후, 검사용 웨이퍼(100a)를 전달부(7)에 복귀시키도록 하여도 좋다. 예컨대, 챔버(61)의 내부에 검사용 웨이퍼(100a)를 반입한 후, 검사용 웨이퍼(100a)를 전달부(7)에 복귀시키도록 하여도 좋다. 이와 같이 함으로써, 파티클이 발생하고 있는 개소를 특정할 수 있다.
본 실시형태에서는, 챔버(71)에 부착된 압력 제어부(66a)에 의해, 챔버(71)의 내부의 압력이 5×10-3 ㎩ 이상으로 유지되도록 제어하였다. 그러나, 이에 한정되지 않는다. 예컨대, 배기부(73)를 터보 분자 펌프와 드라이 펌프를 조합한 것으로 하고, 챔버(71)의 바닥부에 드라이 펌프와 접속시키는 배기구를 마련하여도 좋다. 처리물(100)이, 챔버(71)의 내부에 장시간 없는 경우, 드라이 펌프에 의해 챔버(71)의 내부를 배기하도록 하여도 좋다. 또는, 5×10-3 ㎩에 달하였다면, 배기부(73)를 정지시켜도 좋다.
1 : 플라즈마 처리 장치 2 : 컨트롤러
3 : 수납부 4 : 반송부
5 : 로드록부 6 : 처리부
7 : 전달부 71 : 챔버
72 : 반송부 73 : 배기부
74 : 가스 공급부 100 : 처리물
G : 프로세스 가스 G1 : 가스
P : 플라즈마

Claims (6)

  1. 대기압보다 감압된 분위기를 유지하며, 처리물을 내부에 배치 가능한 제1 챔버와,
    상기 제1 챔버의 내부를 미리 정해놓은 압력까지 감압 가능한 제1 배기부와,
    상기 플라즈마를 발생 가능한 플라즈마 발생부와,
    상기 제1 챔버의 내부로서, 상기 플라즈마를 발생시키는 영역에, 프로세스 가스를 공급 가능한 제1 가스 공급부와,
    게이트 밸브를 통해, 상기 제1 챔버와 접속되며, 대기압보다 감압된 분위기를 유지 가능한 제2 챔버와,
    상기 제2 챔버의 내부에 마련되며, 상기 제1 챔버와의 사이에서, 상기 처리물을 반송 가능한 반송부와,
    상기 제2 챔버의 내부를 미리 정해놓은 압력까지 감압 가능한 제2 배기부와,
    상기 제2 챔버의 내부에, 가스를 공급 가능한 제2 가스 공급부와,
    상기 반송부, 상기 제2 배기부 및 상기 제2 가스 공급부를 제어 가능한 컨트롤러
    를 포함하는 플라즈마 처리 장치의 검사 방법으로서,
    상기 제2 챔버로부터 상기 제1 챔버에 상기 반송부에 의해 검사용 웨이퍼의 반송을 행할 때에는, 상기 제2 배기부를 제어하여, 상기 제2 챔버의 내부의 압력이, 상기 제1 챔버의 내부의 압력과 대략 동등해지도록 하는 공정과,
    상기 반송부에 의한 상기 제1 챔버에의 상기 검사용 웨이퍼의 반송이 종료하였을 때에는, 상기 제2 가스 공급부를 제어하여, 상기 제2 챔버의 내부에 상기 가스를 공급하는 공정과,
    상기 검사용 웨이퍼가 반입된 상기 제1 챔버 내에서 플라즈마 처리를 행하는 공정과,
    상기 제1 챔버로부터 상기 제2 챔버에 상기 반송부에 의해 검사용 웨이퍼의 반송을 행할 때에는, 상기 제2 배기부를 제어하여, 상기 제2 챔버의 내부의 압력이, 상기 제1 챔버의 내부의 압력과 대략 동등해지도록 하는 공정과,
    상기 반송부에 의한 상기 제2 챔버에의 상기 검사용 웨이퍼의 반송이 종료하였을 때에는, 상기 제2 가스 공급부를 제어하여, 상기 제2 챔버의 내부에 상기 가스를 공급하는 공정과,
    상기 제2 챔버로부터 반출된 상기 검사용 웨이퍼에 부착된 파티클을 측정하는 공정
    을 포함하는 제1 파티클 측정 공정을 갖는 플라즈마 처리 장치의 검사 방법.
  2. 제1항에 있어서, 외부로부터 상기 제2 챔버에, 로드록부를 통해 상기 검사용 웨이퍼를 반송할 때에, 상기 제2 챔버에 상기 가스를 공급하여 미리 정해놓은 감압 상태로 한 후, 상기 로드록부로부터 상기 제2 챔버에 상기 검사용 웨이퍼를 반송하는 공정을 더 포함하는 플라즈마 처리 장치의 검사 방법.
  3. 제1항에 있어서, 외부로부터 상기 제2 챔버에, 로드록부를 통해 상기 검사용 웨이퍼를 반송할 때에, 상기 제2 챔버에 상기 가스를 공급하여 미리 정해놓은 감압 상태로 한 후, 상기 로드록부로부터 상기 제2 챔버에 상기 검사용 웨이퍼를 반송하는 공정과,
    상기 로드록부로부터 상기 제2 챔버에 상기 검사용 웨이퍼를 반송한 후, 상기 검사용 웨이퍼를 상기 제2 챔버에 머무르게 하는 공정과,
    상기 검사용 웨이퍼를 상기 제1 챔버에 반송하는 일없이, 제2 챔버로부터 상기 로드록부에 반송하는 공정과,
    상기 검사용 웨이퍼에 부착된 파티클을 측정하는 공정
    을 포함하는 제2 파티클 측정 공정을 더 갖는 플라즈마 처리 장치의 검사 방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제1 파티클 측정 공정을 실시하여, 파티클이 검출되었다면, 상기 제2 파티클 측정 공정을 실시하는 것인 플라즈마 처리 장치의 검사 방법.
  5. 제3항에 있어서, 상기 제2 파티클 측정 공정을 실시하여, 파티클이 검출되지 않았다면, 상기 제1 파티클 측정 공정을 실시하는 것인 플라즈마 처리 장치의 검사 방법.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 가스를 공급함으로써, 상기 제2 챔버의 내부의 압력을, 5×10-3 ㎩ 이상으로 하는 것인 플라즈마 처리 장치의 검사 방법.
KR1020220034008A 2021-03-23 2022-03-18 플라즈마 처리 장치의 검사 방법 KR20220132436A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021048143A JP7366952B2 (ja) 2021-03-23 2021-03-23 プラズマ処理装置の検査方法
JPJP-P-2021-048143 2021-03-23

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20220132436A true KR20220132436A (ko) 2022-09-30

Family

ID=83324551

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020220034008A KR20220132436A (ko) 2021-03-23 2022-03-18 플라즈마 처리 장치의 검사 방법

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7366952B2 (ko)
KR (1) KR20220132436A (ko)
CN (1) CN115116874A (ko)
TW (1) TWI785987B (ko)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006179528A (ja) 2004-12-20 2006-07-06 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置の検査方法及び検査プログラム

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5855681A (en) 1996-11-18 1999-01-05 Applied Materials, Inc. Ultra high throughput wafer vacuum processing system
JP3676983B2 (ja) 2000-03-29 2005-07-27 株式会社日立国際電気 半導体製造方法、基板処理方法、及び半導体製造装置
JP2003017478A (ja) 2001-07-05 2003-01-17 Tokyo Electron Ltd 真空処理装置および真空処理方法
JP3947100B2 (ja) 2002-12-20 2007-07-18 株式会社フィズケミックス 多層膜処理装置及び多層膜処理方法
JP4450664B2 (ja) * 2003-06-02 2010-04-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板搬送方法
US7871532B2 (en) * 2005-02-28 2011-01-18 Tokyo Electron Limited Plasma processing method and post-processing method
JP5224567B2 (ja) 2005-11-21 2013-07-03 株式会社日立国際電気 基板処理装置、基板処理方法および半導体装置の製造方法
JP2007186757A (ja) 2006-01-13 2007-07-26 Tokyo Electron Ltd 真空処理装置及び真空処理方法
US8113757B2 (en) * 2006-08-01 2012-02-14 Tokyo Electron Limited Intermediate transfer chamber, substrate processing system, and exhaust method for the intermediate transfer chamber
JP4789821B2 (ja) 2007-02-05 2011-10-12 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置の検査方法
WO2019182913A1 (en) * 2018-03-20 2019-09-26 Tokyo Electron Limited Self-aware and correcting heterogenous platform incorporating integrated semiconductor processing modules and method for using same

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006179528A (ja) 2004-12-20 2006-07-06 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置の検査方法及び検査プログラム

Also Published As

Publication number Publication date
TW202238770A (zh) 2022-10-01
CN115116874A (zh) 2022-09-27
JP7366952B2 (ja) 2023-10-23
TWI785987B (zh) 2022-12-01
JP2022147049A (ja) 2022-10-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100789007B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체
TWI704595B (zh) 電漿處理裝置及大氣開放方法
JP2010161350A (ja) 基板処理方法
CN112530800A (zh) 蚀刻方法和基板处理系统
JP4541931B2 (ja) 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
KR102538188B1 (ko) 플라즈마 처리 장치의 세정 방법
KR102606417B1 (ko) 에칭 방법, 대미지층의 제거 방법, 및 기억 매체
TWI785987B (zh) 電漿處理裝置的檢查方法
KR20220132438A (ko) 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
JP2889191B2 (ja) ドライエッチング方法
TWI612580B (zh) 電漿處理方法
TWI767236B (zh) 束線架構及操作其的方法
KR100489638B1 (ko) 반도체장치제조설비의건식식각설비
JP2023008412A (ja) 基板集積装置、プラズマ処理装置、および基板の集積方法
JP2022057019A (ja) プラズマ処理装置、およびプラズマ処理方法
JP6366307B2 (ja) 洗浄システム、および洗浄方法
JP2018157233A (ja) 洗浄システム、および洗浄方法
KR20220085722A (ko) 에칭 방법 및 에칭 장치
CN116344414A (zh) 基板处理装置、基板处理方法、半导体制造方法及记录介质
JPH04268728A (ja) エッチング方法および装置
KR20030061515A (ko) 반도체 건식식각장치 및 이를 이용한 건식식각방법
US20060237137A1 (en) Semiconductor apparatus capable of reducing outgassing pollution and method of achieving the same

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right