KR20220119880A - The Electro-conductive Contact Pin, Manufacturing Method thereof - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 전기 전도성 접촉핀 및 이의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an electrically conductive contact pin and a method for manufacturing the same.
반도체 패키지 또는 집적 회로를 위한 웨이퍼의 시험 장치에는 테스트를 위한 반도체 패키지나 웨이퍼의 접속 단자와 테스트 회로 기판 측의 접속 단자 사이에 복수의 전기 전도성 접촉핀을 구비한 시험용 장치 및 검사용 소켓이 사용되고 있다. 반도체 소자의 전기적 특성 시험은 다수의 전기 전도성 접촉핀을 구비한 검사장치에 검사 대상물(반도체 웨이퍼 또는 반도체 패키지)을 접근시켜 전기 전도성 접촉핀을 검사 대상물상의 대응하는 전극 패드(또는 솔더볼 또는 범프)에 접촉시킴으로써 수행된다. 전기 전도성 접촉핀과 검사 대상물 상의 전극 패드를 접촉시킬 때, 양자가 접촉하기 시작하는 상태에 도달한 이후, 검사 대상물을 추가로 접근하는 처리가 이루어진다.A test apparatus and test socket having a plurality of electrically conductive contact pins between a connection terminal of a semiconductor package or wafer for testing and a connection terminal on the side of the test circuit board are used in a test apparatus for a semiconductor package or a wafer for an integrated circuit. . In the electrical property test of a semiconductor device, an inspection object (semiconductor wafer or semiconductor package) is approached to an inspection device having a plurality of electrically conductive contact pins, and the electrically conductive contact pins are applied to corresponding electrode pads (or solder balls or bumps) on the inspection object. This is done by making contact. When the electrically conductive contact pin and the electrode pad on the inspection object are brought into contact, after reaching a state in which both start to contact, a process for further approaching the inspection object is performed.
종래에 반도체 패키지와 접촉하는 전기 전도성 접촉핀으로서 포고핀을 사용한 소켓이 알려져 있다. 종래의 포고핀은 상부 접촉팁부와 하부 접촉 팁부 사이에 스프링을 접촉시키고 배럴로 둘러싼 탄성핀반다. 그러나 이러한 구조의 포고핀은 300㎛ 이하의 미세 피치에 대응하는데 한계가 있다. Conventionally, a socket using a pogo pin as an electrically conductive contact pin contacting a semiconductor package is known. A conventional pogo pin is an elastic pin that contacts a spring between an upper contact tip and a lower contact tip and is surrounded by a barrel. However, the pogo pin of this structure has a limit in responding to a fine pitch of 300 μm or less.
이러한 문제점을 해결하기 위하여 MEMS 공정을 이용하여 전기 전도성 접촉핀을 제작하는 기술이 개발되고 있다. MEMS 공정을 이용하여 접촉핀을 제작하는 과정을 살펴보면, 먼저, 도전성 기재 표면에 포토 레지스트막을 도포한 후 포토 레지스트막을 패터닝한다. 이후 포토 레지스트막을 몰드로 이용하여 전기 도금법에 의해 개구 내에서 도전성 기재 표면의 노출면에 금속재료를 석출시키고, 포토 레지시트막과 도전성 기재를 제거하여 접촉핀을 얻는다. 이와 같이 MEMS 공정을 이용하여 제작된 접촉핀을 MEMS 접촉핀이라 한다. 이러한 MEMS 접촉핀의 형상은 포토 레지스트막의 몰드에 형성되는 개구의 형상과 동일한 형상을 가지게 된다. In order to solve this problem, a technology for manufacturing an electrically conductive contact pin using a MEMS process is being developed. Looking at the process of manufacturing the contact pins using the MEMS process, first, a photoresist layer is applied to the surface of a conductive substrate, and then the photoresist layer is patterned. Thereafter, using the photoresist film as a mold, a metal material is deposited on the exposed surface of the conductive substrate surface in the opening by an electroplating method, and the photoresist film and the conductive substrate are removed to obtain contact pins. The contact pins manufactured using the MEMS process in this way are referred to as MEMS contact pins. The shape of the MEMS contact pin is the same as the shape of the opening formed in the mold of the photoresist film.
그러나 종래의 MEMS 공정을 이용하여 제작된 전기 전도성 접촉핀은, 그 측면에 별도의 기능층이 구비되어 있지 않아 전기 전도성 접촉핀의 효율이 저하된다는 문제점이 있다. However, since the electrically conductive contact pin manufactured using the conventional MEMS process does not have a separate functional layer on the side thereof, there is a problem in that the efficiency of the electrically conductive contact pin is reduced.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명은 전기 전도성 접촉핀의 바디 측면에 별도의 기능층이 구비되어 전기 전도성 접촉핀의 특성을 향상시키는 것을 그 목적으로 한다. The present invention has been devised to solve the above problems, and an object of the present invention is to improve the characteristics of the electrically conductive contact pin by providing a separate functional layer on the side of the body of the electrically conductive contact pin.
이러한 본 발명의 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 전기 전도성 접촉핀의 제조방법은, 제1개구 패턴이 형성된 몰드의 상기 제1개구 패턴 내부에 제1금속을 충진하여 제1, 2접촉팁과 상기 제1,2접촉팁 사이에 구비되는 탄성부를 포함하는 예비적 전기 전도성 접촉핀을 제조하는 단계; 상면에 마스킹제를 형성하고 상기 마스킹제를 패터닝하여 상기 제1,2접촉팁 중 적어도 어느 하나의 단부가 노출되도록 상기 마스킹제에 제2개구 패턴을 형성하는 단계; 상기 제2개구 패턴 내부에 제2금속을 충진하여 기능층을 형성하는 단계; 및 상기 마스킹제와 상기 몰드를 제거하는 단계;를 포함한다.In order to achieve the object of the present invention, in the method for manufacturing an electrically conductive contact pin according to the present invention, a first metal is filled in the first opening pattern of a mold on which the first opening pattern is formed, and the first and second contact tips and manufacturing a preliminary electrically conductive contact pin including an elastic part provided between the first and second contact tips; forming a second opening pattern in the masking agent such that at least one end of the first and second contact tips is exposed by forming a masking agent on an upper surface and patterning the masking agent; forming a functional layer by filling a second metal inside the second opening pattern; and removing the masking agent and the mold.
또한, 상기 제2개구 패턴은 상기 제1,2접촉팁의 단부의 표면 형상을 따라 형성되어 상기 단부 측면이 노출되도록 한다.In addition, the second opening pattern is formed along the surface shape of the ends of the first and second contact tips so that the end side surface is exposed.
또한, 상기 몰드는 양극산화막 재질이다.In addition, the mold is an anodized film material.
또한, 상기 제1개구 패턴 내부에 충진되는 제1금속은 전기 도금에 의해 형성된다.In addition, the first metal filled in the first opening pattern is formed by electroplating.
또한, 상기 제2개구 패턴 내부에 충진되는 제2금속은 전기 도금에 의해 형성된다.In addition, the second metal filled in the second opening pattern is formed by electroplating.
한편, 본 발명에 따른 전기 전도성 접촉핀의 제조방법은, 제1개구 패턴이 형성된 제1몰드의 상기 제1개구 패턴 내부에 제1금속을 충진하여 예비적 전기 전도성 접촉핀을 제조하는 단계; 및 상기 예비적 전도성 접촉핀의 상부에 구비되며 제2개구 패턴이 형성된 제2몰드의 상기 제2개구 패턴 내부에 제2금속을 충진하여 상기 예비적 전기 전도성 접촉핀의 적어도 일부에 기능층을 형성하는 단계;를 포함한다.Meanwhile, the method for manufacturing an electrically conductive contact pin according to the present invention includes the steps of: preparing a preliminary electrically conductive contact pin by filling a first metal in the first opening pattern of a first mold on which the first opening pattern is formed; and a second metal is filled in the second opening pattern of a second mold provided on the preliminary conductive contact pin and having the second opening pattern formed thereon to form a functional layer on at least a portion of the preliminary electrically conductive contact pin. including;
또한, 상기 제1몰드는 양극산화막 재질이다.In addition, the first mold is made of an anodized film material.
또한, 상기 제2몰드는 포토 레지지스트 재질이다.In addition, the second mold is made of a photoresist material.
또한, 상기 제2금속은 그 경도가 상기 제1금속의 평균 경도보다 높은 재질로 형성된다.In addition, the second metal is formed of a material having a hardness higher than the average hardness of the first metal.
또한, 상기 제2금속은 그 전기 전도도가 상기 제1금속의 평균 전기 전도도보다 높은 재질로 형성된다.In addition, the second metal is formed of a material whose electrical conductivity is higher than the average electrical conductivity of the first metal.
한편, 본 발명에 따른 전기 전도성 접촉핀은, 제1, 2접촉팁; 및 상기 제1,2접촉팁 사이에 구비되는 탄성부;를 포함하고, 상기 제1,2접촉팁 중 적어도 어느 하나의 단부에 구비되는 기능층을 포함한다.On the other hand, the electrically conductive contact pin according to the present invention, the first and second contact tips; and an elastic part provided between the first and second contact tips, and a functional layer provided on at least one end of the first and second contact tips.
또한, 상기 기능층은 상기 단부의 표면 형상을 따라 상기 단부 측면에 형성된다.Further, the functional layer is formed on the side surface of the end along the surface shape of the end.
또한, 상기 제1접촉팁에 구비되는 상기 기능층은 그 경도가 상기 제1접촉팁을 구성하는 금속의 평균 경도보다 높은 재질로 형성된다.In addition, the functional layer provided in the first contact tip is formed of a material having a hardness higher than the average hardness of the metal constituting the first contact tip.
또한, 상기 제1접촉팁에 구비되는 상기 기능층은 그 전기 전도도가 상기 탄성부를 구성하는 금속의 평균 전기전도도보다 높은 재질로 형성된다. In addition, the functional layer provided on the first contact tip is formed of a material whose electrical conductivity is higher than the average electrical conductivity of the metal constituting the elastic part.
본 발명은 전기 전도성 접촉핀의 바디 측면에 별도의 기능층이 구비되어 전기 전도성 접촉핀의 특성을 향상시킨다.In the present invention, a separate functional layer is provided on the side of the body of the electrically conductive contact pin to improve the properties of the electrically conductive contact pin.
도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀을 도시한 도면.
도 2 및 도 3은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀의 제조방법을 도시한 도면.1 is a view showing an electrically conductive contact pin according to a preferred embodiment of the present invention.
2 and 3 are views showing a method of manufacturing an electrically conductive contact pin according to a preferred embodiment of the present invention.
이하의 내용은 단지 발명의 원리를 예시한다. 그러므로 당업자는 비록 본 명세서에 명확히 설명되거나 도시되지 않았지만 발명의 원리를 구현하고 발명의 개념과 범위에 포함된 다양한 장치를 발명할 수 있는 것이다. 또한, 본 명세서에 열거된 모든 조건부 용어 및 실시 예들은 원칙적으로, 발명의 개념이 이해되도록 하기 위한 목적으로만 명백히 의도되고, 이와 같이 특별히 열거된 실시 예들 및 상태들에 제한적이지 않는 것으로 이해되어야 한다.The following is merely illustrative of the principles of the invention. Therefore, those skilled in the art will be able to devise various devices that, although not explicitly described or shown herein, embody the principles of the invention and are included in the spirit and scope of the invention. In addition, it should be understood that all conditional terms and examples listed herein are, in principle, expressly intended only for the purpose of understanding the inventive concept and are not limited to the specifically enumerated embodiments and states as such. .
상술한 목적, 특징 및 장점은 첨부된 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통하여 보다 분명해질 것이며, 그에 따라 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다.The above-described objects, features, and advantages will become more apparent through the following detailed description in relation to the accompanying drawings, and accordingly, those of ordinary skill in the art to which the invention pertains will be able to easily practice the technical idea of the invention. .
본 명세서에서 기술하는 실시 예들은 본 발명의 이상적인 예시 도인 단면도 및/또는 사시도들을 참고하여 설명될 것이다. 이러한 도면들에 도시된 막 및 영역들의 두께 등은 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 또한 도면에 도시된 전기 전도성 접촉핀의 개수는 예시적으로 일부만을 도면에 도시한 것이다. 따라서, 본 발명의 실시 예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. Embodiments described herein will be described with reference to cross-sectional and/or perspective views, which are ideal illustrative drawings of the present invention. The thicknesses of films and regions shown in these drawings are exaggerated for effective description of technical content. The shape of the illustrative drawing may be modified due to manufacturing technology and/or tolerance. In addition, the number of electrically conductive contact pins shown in the drawings is only partially shown in the drawings by way of example. Accordingly, embodiments of the present invention are not limited to the specific form shown, but also include changes in the form generated according to the manufacturing process.
다양한 실시예들을 설명함에 있어서, 동일한 기능을 수행하는 구성요소에 대해서는 실시예가 다르더라도 편의상 동일한 명칭 및 동일한 참조번호를 부여하기로 한다. 또한, 이미 다른 실시예에서 설명된 구성 및 작동에 대해서는 편의상 생략하기로 한다.In describing various embodiments, components performing the same function will be given the same names and the same reference numbers for convenience even if the embodiments are different. In addition, configurations and operations already described in other embodiments will be omitted for convenience.
본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀은, 검사장치에 구비되어 검사 대상물과 전기적, 물리적으로 접촉하여 전기적 신호를 전달하는데 사용된다. 검사장치는 반도체 제조공정에 사용되는 검사장치일 수 있으며, 그 일례로 검사 대상물에 따라 프로브 카드일 수 있고, 테스트 소켓일 수 있다. 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 검사장치는 이에 한정되는 것은 아니며, 전기를 인가하여 검사 대상물의 불량 여부를 확인하기 위한 장치라면 모두 포함된다. 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀은 MEMS 기술에 의해 제작될 수 있다. The electrically conductive contact pin according to a preferred embodiment of the present invention is provided in the inspection device and is used to electrically and physically contact the inspection object to transmit an electrical signal. The inspection apparatus may be an inspection apparatus used in a semiconductor manufacturing process, and for example, may be a probe card or a test socket depending on an object to be inspected. The inspection apparatus according to the preferred embodiment of the present invention is not limited thereto, and any apparatus for checking whether an object to be inspected is defective by applying electricity is included. The electrically conductive contact pin according to a preferred embodiment of the present invention may be manufactured by MEMS technology.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)을 도시한 도면이다. 1 is a view showing an electrically
전기 전도성 접촉핀(100)은 상면, 하면 및 상면과 하면을 연결하는 측면을 포함한다. 여기서 상면은 도 1을 기준으로 전기 전도성 접촉핀(100)의 전면을 의미하고, 하면은 도 1을 기준으로 전기 전도성 접촉핀(100)의 후면을 의미하며, 측면은 전면 및 후면을 제외한 면을 의미한다. The electrically
전기 전도성 접촉핀(100)은, 전도성 재료로 형성될 수 있다. 여기서 전도성 재료는 백금(Pt), 로듐(Ph), 팔라듐(Pd), 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au), 이리듐(Ir)이나 이들의 합금, 또는 니켈-코발트(NiCo)합금, 팔라듐-코발트(PdCo)합금, 팔라듐-니켈(PdNi)합금 또는 니켈-인(NiP)합금 중에서 적어도 하나 선택될 수 있다. The electrically
본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)은 제1접촉팁(110), 제2접촉팁(120) 및 제1,2접촉팁(110,120) 사이에 구비되는 탄성부(130)를 포함한다. 제1접촉팁(110)과 제2접촉팁(120) 중 적어도 하는 검사 대상물과 접촉하는 부재이고 다른 하나는 검사 장치의 패드에 접촉 또는 접합되는 부재이다. 예를 들어 제1접촉팁(110)은 검사 대상물과 접촉하는 위치에 구비되고 제2접촉팁(120)은 검사장치의 패드와 접촉 또는 접합되는 위치에 구비된다. The electrically
제1접촉팁(110)은 상부 바디(111)와 상부 돌출부(113)를 포함한다. 상부 바디(111)는 평면상 대략 타원형으로 형성된다. 상부 바디(111)의 형상은 타원형으로 한정되는 것은 아니며 삼각형, 사각형 등의 형상도 포함한다. 상부 돌출부(113)는 상부 바디(111)의 단부 측에서 돌출되어 형성되며 뾰족한 삼각 기둥 형상을 가진다. 상부 돌출부(113)는 복수개 형성될 수 있다.The
제2접촉팁(120)은 평면상 대략 타원형으로 형성된다. 제2접촉팁(120)의 형상은 타원형으로 한정되는 것은 아니며 삼각형, 사각형 등의 형상도 포함한다. The
탄성부(130)는 그 일단이 제1접촉팁(110)에 연결되고 그 타단이 제2접촉핀(120)에 연결된다. 탄성부(130)는 제1접촉팁(110)과 제2접촉팁(120)이 서로 근접하게 이동하거나 멀어지게 이동할 때 탄성 변형된다. The
탄성부(130)는 가압력에 의해 탄성 변형하는 변형부(131)를 포함한다. 변형부(131)는 타원 형상의 링 형태로 복수개 구성된다. 변형부(131)는 가압력에 수직한 방향으로 대향되는 2개의 수평 리브(131a)가 구비되고 양 측부에는 2개의 리브를 연결하는 측면 리브(131b)가 구비된다. 측면 리브(131b)는 수평 리브(131a)와 연결되는 부위에서 라운드 진 형상을 가진다. The
제1접촉팁(110)과 변형부(131) 사이에는 상부 연결부(133)가 구비되어 상부 연결부(133)가 제1접촉팁(110)과 변형부(131)를 서로 연결한다. 상부 연결부(133)는 변형부(131)의 폭보다 작은 폭을 가지며 상부 연결부(133)의 중심축은 변형부(131)의 중심축과 동축을 이룬다. An
제2접촉팁(120)과 변형부(131) 사이에는 하부 연결부(134)가 구비되어 하부 연결부(134)가 제2접촉팁(120)과 변형부(131)를 서로 연결한다. 하부 연결부(134)는 변형부(131)의 폭보다 작은 폭을 가지며 하부 연결부(134)의 중심축은 변형부(131)의 중심축과 동축을 이룬다. A
변형부(131)와 변형부(131) 사이에는 중간 연결부(135)가 구비되어 중간 연결부(135)가 변형부(131)와 변형부(131)를 서로 연결한다. 중간 연결부(135)는 변형부(131)의 폭보다 작은 폭을 가지며 중간 연결부(134)의 중심축은 변형부(131)의 중심축과 동축을 이룬다. An
제1,2접촉팁(110,120) 중 적어도 어느 하나의 단부에는 기능층(150)이 구비된다. 기능층(150)은 제1접촉팁(110)의 단부에 구비될 수 있고, 및/또는 기능층(150)은 제2접촉팁(120)의 단부에 구비될 수 있다. A
기능층(150)은 단부의 표면 형상을 따라 단부 측면에 형성된다. The
제1접촉팁(110)에 구비되는 기능층(150)은 제1접촉팁(110)의 단부 측면을 커버한다. 제1접촉팁(110)의 단부 측면은 기능층(150)에 의해 커버되어 노출되지 않는다. 상부 돌출부(113)는 삼각 기둥 형상으로 상부 바디(111)에서 단부측으로 연장되어 형성되는데, 삼각 기둥의 노출 측면을 기능층(150)이 커버한다. 한편, 기능층의(150)의 적어도 일부는 상부 돌출부(113)의 상면 일부를 커버할 수 있다. 기능층(150)이 상부 돌출부(113)의 단부 측면 및 상면 일부를 감싸도록 형성함으로써 기능층(150)의 박리를 효과적으로 방지할 수 있다.The
제2접촉팁(120)에 구비되는 기능층(150)은 제2접촉팁(120)의 단부 측면을 커버한다. 제2접촉팁(120)의 단부 측면은 기능층(150)에 의해 커버되어 노출되지 않는다. 한편, 기능층의(150)의 적어도 일부는 제2접촉팁(120)의 상면 일부를 커버할 수 있다. 기능층(150)이 제2접촉팁(120)의 단부 측면 및 상면 일부를 감싸도록 형성함으로써 기능층(150)의 박리를 효과적으로 방지할 수 있다.The
기능층(150)의 구성은 전기 전도성 접촉핀(100)의 적어도 일단부에 구비되어 일단부의 기능을 보강하거나 일단부에 기능을 추가할 목적으로 형성된다. 예를 들어 기능층(150)은 단부측의 산화 방지 및/또는 아킹 방지를 위한 목적으로 채용될 수 있고, 검사 대상물의 스크래치를 방지할 목적으로 채용될 수 있으며 전류 특성을 개선할 목적으로 채용될 수 있다. 이 경우 각각의 목적에 부합되는 물질이 선택될 수 있다. The
제1접촉팁(110)에 구비되는 기능층(150)은 그 경도가 제1접촉팁(110)을 구성하는 금속의 평균 경도보다 높은 재질로 형성될 수 있다. 제1접촉팁(110)은 제2접촉팁(120) 및 탄성부(130)와 함께 제작될 수 있다. 제1접촉팁(110), 제2접촉팁(120) 및 탄성부(130)는 백금(Pt), 로듐(Ph), 팔라듐(Pd), 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au), 이리듐(Ir)이나 이들의 합금, 또는 니켈-코발트(NiCo)합금, 팔라듐-코발트(PdCo)합금, 팔라듐-니켈(PdNi)합금 또는 니켈-인(NiP)합금 중에서 적어도 하나 선택될 수 있으며, 이들의 전도성 재료가 복수층으로 적층된 다층 구조를 가질 수 있다. 기능층(150)은 제1접촉팁(110), 제2접촉팁(120) 및 탄성부(130)를 구성하는 금속의 평균 경도값(예를 들어 비커스 경도)보다 높은 경도값을 가지는 재료에서 선택될 수 있다. 예를 들어 기능층(150)은 팔라듐(Pd), 로듐(Rh) 등과 같은 고 경도의 도전성 물질일 수 있다. 상대적으로 높은 경도값을 가지는 기능층(150)의 구성을 통해, 제1접촉팁(110)의 마모를 효과적으로 방지함으로써 수명 연장의 효과를 기대할 수 있다.The
제1접촉팁(110)에 구비되는 기능층(150)은 그 전기 전도도가 제1접촉팁(110)을 구성하는 금속의 평균 전기 전도도보다 높은 재질로 형성될 수 있다. 제1접촉팁(110)은 제2접촉팁(120) 및 탄성부(130)와 함께 제작될 수 있다. 그런데 탄성 변형 정도와 전기 전도도는 트레이드 오프(상충)관계일 수 있으므로, 탄성부(130)는 접촉핀(100)이 장 시간 동안 탄력적으로 변형될 수 있도록 탄성 변형 정도를 고려하여 그 재료가 선택되므로 선택된 재료는 전기 전도도가 낮을 수 있다. 따라서 접촉 대상물과 실질적으로 접촉이 이루어지는 지는 제1접촉팁(110)에 전기 전도도가 높은 기능층(150)이 구비될 경우에는 접촉시 아킹이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 이 경우 기능층(150)은 프로브 카드의 공간변환기의 접속패드와 전기 전도성 접촉핀(100)의 접촉시 아킹이 발생하는 것을 방지할 목적으로 채용된 구성이다. 기능층(150)은 제1접촉팁(110), 제2접촉팁(120) 및 탄성부(130)를 구성하는 금속의 평균적인 전기 전도도보다 전기 전도도가 높은 재질로 구성될 수 있으며, 예를 들어 금(Au) 재질로 구성될 수 있다. The
이하 도 2 및 도 3을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀의 제조방법에 대해 설명한다. Hereinafter, a method of manufacturing an electrically conductive contact pin according to a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 2 and 3 .
본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀의 제조방법은, 제1개구 패턴(210)이 형성된 제1몰드(200)의 제1개구 패턴(210) 내부에 제1금속(220)을 충진하여 예비적 전기 전도성 접촉핀(101)을 제조하는 단계와, 예비적 전도성 접촉핀(101)의 상부에 구비되며 제2개구 패턴(310)이 형성된 제2몰드(300)의 제2개구 패턴(310) 내부에 제2금속(320)을 충진하여 예비적 전기 전도성 접촉핀(101)의 적어도 일부에 기능층(150)을 형성하는 단계를 포함한다.In the method of manufacturing an electrically conductive contact pin according to a preferred embodiment of the present invention, the
제1개구 패턴(210)이 형성된 제1몰드(200)의 제1개구 패턴(210) 내부에 제1금속(220)을 충진하여 예비적 전기 전도성 접촉핀(101)을 제조하는 단계는, 제1몰드(200)에 제1개구 패턴(210)을 형성하는 단계와, 제1개구 패턴(210) 내부에 제1금속(220)을 충진하여 예비적 전기 전도성 접촉핀(101)을 제조하는 단계를 포함한다.The manufacturing of the preliminary electrically conductive contact pins 101 by filling the
도 2a를 참조하면, 도 2a는 제1몰드(200)에 제1개구 패턴(210)을 형성하는 단계를 설명하기 위한 도면이다. Referring to FIG. 2A , FIG. 2A is a view for explaining the step of forming the
먼저 제1몰드(200)를 준비한다. 제1몰드(200)는 양극산화막 재질 또는 포토 레지스트 재질로 구성될 수 있다. First, the
여기서 양극산화막은 모재인 금속을 양극산화하여 형성된 막을 의미하고, 포어는 금속을 양극산화하여 양극산화막을 형성하는 과정에서 형성되는 구멍을 의미한다. 예컨대, 모재인 금속이 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금인 경우, 모재를 양극산화하면 모재의 표면에 알루미늄 산화물(Al203) 재질의 양극산화막이 형성된다. 위와 같이 형성된 양극산화막은 수직적으로 내부에 포어가 형성되지 않은 배리어층과, 내부에 포어가 형성된 다공층으로 구분된다. 배리어층과 다공층을 갖는 양극산화막이 표면에 형성된 모재에서, 모재를 제거하게 되면, 알루미늄 산화물(Al203) 재질의 양극산화막만이 남게 된다.Here, the anodization film refers to a film formed by anodizing a metal as a base material, and the pores refer to a hole formed in the process of forming an anodization film by anodizing the metal. For example, when the base metal is aluminum (Al) or an aluminum alloy, when the base material is anodized, an anodization film made of aluminum oxide (Al 2 0 3 ) material is formed on the surface of the base material. The anodic oxide film formed as described above is vertically divided into a barrier layer in which pores are not formed and a porous layer in which pores are formed. When the base material is removed from the base material on which the anodized film having a barrier layer and a porous layer is formed on the surface, only the anodized film made of aluminum oxide (Al 2 0 3 ) material remains.
양극산화막은 양극산화시 형성된 배리어층이 제거되어 포어의 상, 하로 관통되는 구조로 형성되거나 양극산화시 형성된 배리어층이 그대로 남아 포어의 상, 하 중 일단부를 밀폐하는 구조로 형성될 수 있다. The anodized film may be formed in a structure in which the barrier layer formed during anodization is removed to penetrate the top and bottom of the pores, or the barrier layer formed during anodization remains as it is and seals one end of the top and bottom of the pores.
양극산화막은 2~3ppm/℃의 열팽창 계수를 갖는다. 이로 인해 고온의 환경에 노출될 경우, 온도에 의한 열변형이 적다. 따라서 전기 전도성 접촉핀(100)의 제작 환경에 비록 고온 환경이라 하더라도 열 변형없이 정밀한 전기 전도성 접촉핀(100)을 제작할 수 있다. The anodized film has a coefficient of thermal expansion of 2-3 ppm/°C. For this reason, when exposed to a high temperature environment, thermal deformation due to temperature is small. Therefore, even in a high-temperature environment in the manufacturing environment of the electrically
제1몰드(200)의 일면에는 시드층(230)이 구비된다. 시드층(230)은 구리(Cu)재질로 형성될 수 있고, 증착 방법에 의해 형성될 수 있다. 시드층(230)은 제1금속(220)을 전해 도금법을 이용하여 형성할 때 제1금속(220)의 도금 품질을 향상시키기 위해 사용된다. A
다음으로, 양극산화막 재질의 제1몰드(200)의 적어도 일부 영역을 에칭하여 제1개구 패턴(210)을 형성하는 단계를 수행한다. 제1개구 패턴(210)의 전체적인 형상은 전기 전도성 접촉핀(100)의 형상과 대응되는 형상을 가진다. Next, a step of forming the
제1개구 패턴(210)의 내부에는 양극산화막 재질로 구성되는 아일랜드(240)가 구비된다. 아일랜드(240)는 제1몰드(200)의 일부를 에칭하여 제1개구 패턴(210)을 형성할 때 양극산화막이 제거되지 않고 남아 있는 영역으로서, 주위가 제1개구 패턴(210)으로 둘러싸인 양극산화막 영역이다. An
제1개구 패턴(210)은 양극산화막 재질의 제1몰드(200)를 에칭하여 형성될 수 있다. 이를 위해 제1몰드(200)의 상면에 포토 레지스트(미도시)를 구비하고 이를 패터닝한 다음, 패터닝되어 오픈된 영역의 양극산화막이 에칭 용액과 반응하여 제1개구 패턴(210)이 형성될 수 있다. 구체적으로 설명하면, 제1개구 패턴(210)을 형성하기 전의 제1몰드(200)의 상면에 감광성 재료를 구비한 다음 노광 및 현상 공정이 수행될 수 있다. 감광성 재료는 노광 및 현상 공정에 의해 오픈영역을 형성하면서 적어도 일부가 패터닝되어 제거될 수 있다. 이때 추후 아일랜드(240)가 되는 부분의 상면에는 포토 레지스트가 제거되지 않고 남아 있는다. 제1몰드(200)은 패터닝 과정에 의해 감광성 재료가 제거된 오픈영역을 통해 에칭 공정이 수행되며, 에칭 용액에 의해 추후 아일랜드(240)가 될 영역을 제외하고 그 주변의 양극산화막이 제거되어 제1개구 패턴(210)을 형성하게 된다. 양극산화막 재질의 제1몰드(200)를 에칭 용액으로 습식 에칭하면 수직한 내벽을 가지는 제1개구 패턴(210)이 형성된다. The
이처럼 양극산화막을 몰드로 이용하여 제1금속(220)을 형성하게 되면, 예비적 전기 전도성 접촉핀(101)의 형상 정밀도가 향상되어 정밀한 미세 구조를 가지는 전기 전도성 접촉핀(100)의 제작이 가능하게 된다. As such, when the
다음으로 도 2b를 참조하면, 도 2b는 제1개구 패턴(210) 내부에 제1금속(220)을 충진하여 예비적 전기 전도성 접촉핀(101)을 제조하는 단계를 설명하기 위한 도면이다. Next, referring to FIG. 2B , FIG. 2B is a view for explaining a step of manufacturing the preliminary electrically
제1개구 패턴(210)에 도금하여 예비적 전기 전도성 접촉핀(101)을 형성하는 단계를 수행한다. 제1개구 패턴(210) 내부에 충진되는 제1금속(220)은 전기 도금에 의해 형성된다. 전기 도금시 시드층(230)를 이용하여 제1금속(220)을 형성할 수 있다. 도금 공정이 완료되면 평탄화 공정이 수행될 수 있다. 화학적 기계적 연마(CMP) 공정을 통해 제1몰드(200)의 상면으로 돌출된 제1금속(220)을 제거하면서 평탄화시킨다. 이상과 같은 단계들을 수행함으로써, 제1금속(220)으로 예비적 전기 전도성 접촉핀(101)을 제조하게 된다.A step of forming the preliminary electrically conductive contact pins 101 by plating the
여기서 제1금속(220)은 백금(Pt), 로듐(Ph), 팔라듐(Pd), 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au), 이리듐(Ir)이나 이들의 합금, 또는 팔라듐-코발트(PdCo)합금, 팔라듐-니켈(PdNi)합금 또는 니켈-인(NiP)합금 중에서 선택될 수 있다. 제1금속(220)은 하나의 금속으로 형성될 수 있거나 복수 개의 전도성 재료가 적층된 다층 구조를 가질 수 있다. Here, the
이상과 같이, 제1개구 패턴(210)이 형성된 몰드(200)의 제1개구 패턴(210) 내부에 제1금속(220)을 충진하여 제1, 2접촉팁(110,120)과 탄성부(130)를 포함하는 예비적 전기 전도성 접촉핀을 제조하는 단계를 완료한다.As described above, the
다음으로, 예비적 전도성 접촉핀(101)의 상부에 구비되며 제2개구 패턴(310)이 형성된 제2몰드(300)의 제2개구 패턴(310) 내부에 제2금속(320)을 충진하여 예비적 전기 전도성 접촉핀(101)의 적어도 일부에 기능층(150)을 형성하는 단계를 수행한다.Next, the
예비적 전도성 접촉핀(101)의 상부에 구비되며 제2개구 패턴(310)이 형성된 제2몰드(300)의 제2개구 패턴(310) 내부에 제2금속(320)을 충진하여 예비적 전기 전도성 접촉핀(101)의 적어도 일부에 기능층(150)을 형성하는 단계는, 예비적 전도성 접촉핀(101)의 상부에 구비되며 제2개구 패턴(310)이 형성된 제2몰드(300)를 형성하는 단계와, 제2개구 패턴(310) 내부에 제2금속(320)을 충진하여 예비적 전기 전도성 접촉핀(101)의 적어도 일부에 기능층(150)을 형성하는 단계를 포함한다.The
도 2c를 참조하면, 도 2c는 예비적 전도성 접촉핀(101)의 상부에 구비되며 제2개구 패턴(310)이 형성된 제2몰드(300)를 형성하는 단계를 설명하기 위한 도면이다.Referring to FIG. 2C , FIG. 2C is a view for explaining the step of forming the
도 2b 단계에서 완료된 구조의 상면에 마스킹제(330)를 형성하고 마스킹제(330)를 패터닝하여 제1,2접촉팁(110,120) 중 적어도 어느 하나의 단부가 노출되도록 마스킹제(330)에 제2개구 패턴(310)을 형성하는 단계를 수행한다. 제2개구 패턴(310)이 구비된 마스킹제(330)는 제2금속(320)을 충진하기 위한 제2몰드(300)가 된다. Forming a
구체적으로 살펴보면, 예비적 전도성 접촉핀(101)의 상부에 먼저 마스킹제(330)를 형성한다. 마스킹제(330)는 감광성 재료일 수 있으며, 절연 물질일 수 있다. 예를 들어 마스킹제(330)는 포토 레지스트일 수 있다. 마스킹제(330)는 제1몰드(200) 및 예비적 전도성 접촉핀(101)의 상면에 전체적으로 도포되어 제1몰드(200) 및 예비적 전도성 접촉핀(101)의 상면이 외부로 노출되지 않도록 한다. 다음으로, 마스킹제(330)에 대해 노광 및 현상 공정을 수행하여 제2개구 패턴(310)을 형성한다. 제2개구 패턴(310)은 제1,2접촉팁(110, 120)의 단부의 표면 형상을 따라 형성되어 단부 측면이 노출되도록 한다.Specifically, a
다음으로 도 3a를 참조하면, 도 3a는 제2개구 패턴(310) 내부에 제2금속(320)을 충진하여 예비적 전기 전도성 접촉핀(101)의 적어도 일부에 기능층(150)을 형성하는 단계를 설명하는 도면이다.Next, referring to FIG. 3A , FIG. 3A shows that the
제2개구 패턴(310)을 통해 시드층(230)과 제1,2접촉팁(110, 120)의 단부 측면 사이에 공간이 형성된다. 제2개구 패턴(310) 내부에 충진되는 제2금속(320)은 전기 도금에 의해 형성된다. 시드층(230)을 이용하여 전기 도금함으로써 제2개구 패턴(310)의 내부에 제2금속(320)이 충전되어 기능층(150)을 형성하게 된다. A space is formed between the
제2금속(320)은 제1금속(220)과는 다른 재질의 금속일 수 있다. The
제2금속(320)은 제1금속(220)에 비해 전기 전도도, 경도 중 적어도 어느 하나의 특성에서 차이를 가질 수 있다. 제2금속(320)은 제1금속(220)에 비해 경도값이 높은 금속 재질일 수 있거나 제2금속(320)은 제1금속(220)에 비해 전기 전도도 값이 높은 금속 재질일 수 있다. 한편, 제1금속(220) 및/또는 제2금속(320)은 복수개의 금속층으로 적층되어 구성될 수 있는데, 이 경우에는, 제2금속(320)은 제1금속(220)에 비해 평균적인 경도값이 높은 금속 재질일 수 있거나 제2금속(320)은 제1금속(220)에 비해 평균적인 전기 전도도 값이 높은 금속 재질일 수 있다. The
전기 도금의 시간과 전류 밀도를 조절하여 기능층(150)이 단부로 갈수록 높이가 낮아지도록 형성할 수 있다. 제2개구 패턴(310)의 내부는 양극산화막 재질의 제1몰드(200), 예비적 전기 전도성 접촉핀(101) 및 포토 레지스트 재질의 제2몰드(300)에 의해 둘러싸인 형태의 홈의 구성을 가진다. 이러한 제2개구 패턴(310)의 내부에 전기 도금을 이용하여 제2금속(320)을 형성하게 되면, 시드층(230)뿐만 아니라 전기 전도성 접촉핀(101)에 의해 제2금속(320)이 성장하게 되므로 미리 형성된 예비적 전기 전도성 접촉핀(101) 측에서 상대적으로 제2금속(320)이 많이 성장하게 된다. 그 결과 기능층(150)은 예비적 전기 전도성 접촉핀(101)에서 단부 측으로 갈수록 높이가 낮아지는 형태가 되어 단부 측에서 보다 날까로운 형상을 가지게 된다. By controlling the time and current density of the electroplating, the
다음으로 마스킹제(330)와 몰드(200)를 제거하는 단계를 수행한다. Next, a step of removing the
도 3b를 참조하면, 마스킹제(330)를 제거한 후의 상태를 도시한 도면이다. 마스킹제(330) 재질의 제2몰드(300)에만 선택적으로 반응하는 용액을 이용하여 마스킹제(330) 재질의 제2몰드(300)를 제거한다. 다음으로 양극산화막 재질의 제1몰드(200)에만 선택적으로 반응하는 용액을 이용하여 양극산화막 재질의 제1몰드(200)를 제거한다. 이를 통해 도 3c와 같은 전기 전도성 접촉핀(100)을 제작하게 된다. Referring to FIG. 3B , it is a view illustrating a state after removing the
이상 설명한 바와 같이, 기능층(150)은 제1,2접촉팁(110,120) 중 적어도 어느 하나의 단부에 구비될 수 있으나 이와는 다르게 기능층(150)은 전기 전도성 접촉핀(100)의 적어도 일부에 구비될 수 있다. 기능층(150)은 전기 전도성 접촉핀(100)의 측면 중 적어도 일부에 구비될 수 있으며, 예를 들어 전기 전도성 접촉핀(100)의 상,하 단부 측면 이외에 좌,우 단부 측면에도 구비될 수 있다. As described above, the
종래의 MEMS 공정을 이용하여 제작된 전기 전도성 접촉핀은, 그 측면에 별도의 기능층이 구비되어 있지 않아 전기 전도성 접촉핀의 효율이 저하된다는 문제점이 있다. 반면에 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)은 그 측면에 기능층(150)이 별도로 구비됨으로써 전기 전도성 접촉핀(100)의 효율을 향상시킬 수 있게 된다. 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)은 양극산화막 재질의 제1몰드(200)를 이용하여 예비적 전기 전도성 접촉핀(100)을 제작하여 전기 전도성 접촉핀(100)으로서의 전체적인 형상과 구조를 완성하고, 포토 레지스트 재질의 제2몰드(300)를 이용하여 예비적 전기 전도성 접촉핀(101)의 측면에 기능층(150)을 추가함으로써 전기 전도성 접촉핀(100)의 측면에 기능성(경도, 전기 전도도 등)을 부가하여 전기 전도성 접촉핀(100)의 효율을 향상시킬 수 있게 된다.The electrically conductive contact pin manufactured using the conventional MEMS process has a problem in that the efficiency of the electrically conductive contact pin is reduced because a separate functional layer is not provided on the side thereof. On the other hand, in the electrically
전술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 통상의 기술자는 하기의 특허 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 또는 변형하여 실시할 수 있다.As described above, although described with reference to preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art can variously modify the present invention within the scope without departing from the spirit and scope of the present invention described in the claims below. Or it can be carried out by modification.
100: 전기 전도성 접촉핀
110: 제1접촉팁
120: 제2접촉팁
130: 탄성부
150: 기능층
200: 제1몰드
300: 제2몰드100: electrically conductive contact pin 110: first contact tip
120: second contact tip 130: elastic part
150: functional layer 200: first mold
300: second mold
Claims (14)
상면에 마스킹제를 형성하고 상기 마스킹제를 패터닝하여 상기 제1,2접촉팁 중 적어도 어느 하나의 단부가 노출되도록 상기 마스킹제에 제2개구 패턴을 형성하는 단계;
상기 제2개구 패턴 내부에 제2금속을 충진하여 기능층을 형성하는 단계; 및
상기 마스킹제와 상기 몰드를 제거하는 단계;를 포함하는 전기 전도성 접촉핀의 제조방법.
A preliminary electrically conductive contact pin comprising an elastic part provided between first and second contact tips and the first and second contact tips by filling the first metal inside the first opening pattern of the mold on which the first opening pattern is formed. manufacturing;
forming a second opening pattern in the masking agent such that at least one end of the first and second contact tips is exposed by forming a masking agent on an upper surface and patterning the masking agent;
forming a functional layer by filling a second metal inside the second opening pattern; and
and removing the masking agent and the mold.
상기 제2개구 패턴은 상기 제1,2접촉팁의 단부의 표면 형상을 따라 형성되어 상기 단부 측면이 노출되도록 하는, 전기 전도성 접촉핀의 제조방법.
According to claim 1,
The second opening pattern is formed along the surface shape of the ends of the first and second contact tips so that the end side is exposed, the method of manufacturing an electrically conductive contact pin.
상기 몰드는 양극산화막 재질인, 전기 전도성 접촉핀의 제조방법.
According to claim 1,
The mold is an anodized film material, the method of manufacturing an electrically conductive contact pin.
상기 제1개구 패턴 내부에 충진되는 제1금속은 전기 도금에 의해 형성되는, 전기 전도성 접촉핀의 제조방법.
According to claim 1,
A method of manufacturing an electrically conductive contact pin, wherein the first metal filled in the first opening pattern is formed by electroplating.
상기 제2개구 패턴 내부에 충진되는 제2금속은 전기 도금에 의해 형성되는, 전기 전도성 접촉핀의 제조방법.
According to claim 1,
A method of manufacturing an electrically conductive contact pin, wherein the second metal filled in the second opening pattern is formed by electroplating.
상기 예비적 전도성 접촉핀의 상부에 구비되며 제2개구 패턴이 형성된 제2몰드의 상기 제2개구 패턴 내부에 제2금속을 충진하여 상기 예비적 전기 전도성 접촉핀의 적어도 일부에 기능층을 형성하는 단계;를 포함하는 전기 전도성 접촉핀의 제조방법.
manufacturing a preliminary electrically conductive contact pin by filling a first metal into the first opening pattern of a first mold on which the first opening pattern is formed; and
Forming a functional layer on at least a portion of the preliminary electrically conductive contact pin by filling a second metal inside the second opening pattern of a second mold provided on the preliminary conductive contact pin and having the second opening pattern formed therein A method of manufacturing an electrically conductive contact pin comprising;
상기 제1몰드는 양극산화막 재질인, 전기 전도성 접촉핀의 제조방법.
7. The method of claim 6,
The first mold is an anodized film material, the method of manufacturing an electrically conductive contact pin.
상기 제2몰드는 포토 레지지스트 재질인, 전기 전도성 접촉핀의 제조방법.
7. The method of claim 6,
The second mold is a photoresist material, the method of manufacturing an electrically conductive contact pin.
상기 제2금속은 그 경도가 상기 제1금속의 평균 경도보다 높은 재질로 형성되는, 전기 전도성 접촉핀의 제조방법.
7. The method of claim 6,
The method of manufacturing an electrically conductive contact pin, wherein the second metal is formed of a material having a hardness higher than the average hardness of the first metal.
상기 제2금속은 그 전기 전도도가 상기 제1금속의 평균 전기 전도도보다 높은 재질로 형성되는, 전기 전도성 접촉핀의 제조방법.
7. The method of claim 6,
The method of manufacturing an electrically conductive contact pin, wherein the second metal is formed of a material whose electrical conductivity is higher than the average electrical conductivity of the first metal.
상기 제1,2접촉팁 사이에 구비되는 탄성부;를 포함하고,
상기 제1,2접촉팁 중 적어도 어느 하나의 단부에 구비되는 기능층을 포함하는, 전기 전도성 접촉핀.
first and second contact tips; and
Including; an elastic part provided between the first and second contact tips;
An electrically conductive contact pin comprising a functional layer provided on at least one end of the first and second contact tips.
상기 기능층은 상기 단부의 표면 형상을 따라 상기 단부 측면에 형성되는, 전기 전도성 접촉핀.
12. The method of claim 11,
and the functional layer is formed on a side surface of the end along a surface shape of the end.
상기 제1접촉팁에 구비되는 상기 기능층은 그 경도가 상기 제1접촉팁을 구성하는 금속의 평균 경도보다 높은 재질로 형성되는, 전기 전도성 접촉핀.
12. The method of claim 11,
The functional layer provided on the first contact tip is formed of a material having a hardness higher than the average hardness of the metal constituting the first contact tip, an electrically conductive contact pin.
상기 제1접촉팁에 구비되는 상기 기능층은 그 전기 전도도가 상기 탄성부를 구성하는 금속의 평균 전기전도도보다 높은 재질로 형성되는, 전기 전도성 접촉핀.
12. The method of claim 11,
The functional layer provided on the first contact tip is formed of a material whose electrical conductivity is higher than the average electrical conductivity of the metal constituting the elastic part, an electrically conductive contact pin.
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Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100449308B1 (en) | 1998-11-30 | 2004-09-18 | 가부시키가이샤 어드밴티스트 | Method for producing contact structures |
KR20080110037A (en) * | 2007-06-14 | 2008-12-18 | 서수정 | Vertical probe assembly for probe card and method for fabricating the same |
KR20100027740A (en) * | 2008-09-03 | 2010-03-11 | 윌테크놀러지(주) | Method for bonding probe |
KR100977207B1 (en) * | 2008-09-03 | 2010-08-20 | 윌테크놀러지(주) | Method for manufacturing probe and probe card |
JP2013101043A (en) * | 2011-11-08 | 2013-05-23 | Renesas Electronics Corp | Method for manufacturing semiconductor device |
KR101496706B1 (en) * | 2008-10-31 | 2015-02-27 | 솔브레인이엔지 주식회사 | Probe structure and method of manufacturing a probe structure |
WO2016185994A1 (en) * | 2015-05-15 | 2016-11-24 | 住友ベークライト株式会社 | Method for manufacturing electronic device |
JP6029764B2 (en) * | 2013-08-30 | 2016-11-24 | 富士フイルム株式会社 | Method for producing metal-filled microstructure |
KR20170061314A (en) * | 2015-11-26 | 2017-06-05 | 한국기계연구원 | A Probe Pin and a Manufacturing Method of the same |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3773396B2 (en) * | 2000-06-01 | 2006-05-10 | 住友電気工業株式会社 | Contact probe and manufacturing method thereof |
TWI221191B (en) * | 2001-04-23 | 2004-09-21 | Chipmos Technologies Inc | Method of making the resilient probe needles |
WO2017069136A1 (en) * | 2015-10-20 | 2017-04-27 | 日本電子材料株式会社 | Three-dimensional structural body manufacturing method, mold used in same, and electric contact |
-
2021
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-
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Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100449308B1 (en) | 1998-11-30 | 2004-09-18 | 가부시키가이샤 어드밴티스트 | Method for producing contact structures |
KR20080110037A (en) * | 2007-06-14 | 2008-12-18 | 서수정 | Vertical probe assembly for probe card and method for fabricating the same |
KR20100027740A (en) * | 2008-09-03 | 2010-03-11 | 윌테크놀러지(주) | Method for bonding probe |
KR100977207B1 (en) * | 2008-09-03 | 2010-08-20 | 윌테크놀러지(주) | Method for manufacturing probe and probe card |
KR101496706B1 (en) * | 2008-10-31 | 2015-02-27 | 솔브레인이엔지 주식회사 | Probe structure and method of manufacturing a probe structure |
JP2013101043A (en) * | 2011-11-08 | 2013-05-23 | Renesas Electronics Corp | Method for manufacturing semiconductor device |
JP6029764B2 (en) * | 2013-08-30 | 2016-11-24 | 富士フイルム株式会社 | Method for producing metal-filled microstructure |
WO2016185994A1 (en) * | 2015-05-15 | 2016-11-24 | 住友ベークライト株式会社 | Method for manufacturing electronic device |
KR20170061314A (en) * | 2015-11-26 | 2017-06-05 | 한국기계연구원 | A Probe Pin and a Manufacturing Method of the same |
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