KR20220115116A - 거셋 백 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 거셋 백 제조 방법에 관한 것이다. 상기 거셋 백 제조 방법은 길이가 동일한 두 변을 가지는 삼각판을 따라 중간지의 폭이 반절이 되도록 상기 중간지를 접는 단계, 상기 접힌 중간지에 제1 홀을 형성하는 1차 펀칭 단계, 상기 제1 홀과 이격되도록 상기 접힌 중간지에 제2 홀을 형성하는 2차 펀칭 단계, 상기 중간지 상에 겉지를 오버랩하여 합지를 형성하는 단계, 상기 합지의 엣지 영역에 사이드 실링을 형성하는 단계, 상기 합지의 제1 영역, 상기 제1 홀의 일부 및 상기 사이드 실링의 일부와 중첩하는 패턴 실링을 형성하는 단계및 상기 합지를 절단하는 컷팅 단계를 포함한다.

Description

거셋 백 제조 방법{A method of manufacturing of Gusset bag}
본 발명은 거셋 백 제조 방법에 관한 것이다. 구체적으로, 본 발명은 압력에 취약한 부분을 반복적으로 실링(ceiling)하여, 진공 패킹 공정 시, 거셋 백의 접착력이 감소되는 것을 방지할 수 있는 거셋 백 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 전자 부품 또는 반도체 부품 등을 포장하기 위해 거셋 백이 사용된다. 구체적으로, 부품 포장 시, 거셋 백을 확장시켜 포장하고자 하는 제품을 삽입한 후, 거셋 백 내부를 진공 처리한 후, 실링할 수 있다. 이에, 거셋 백은 내부에 포장된 제품을 먼지, 이물질 등의 오염물질로부터 보호할 수 있다.
그러나, 거셋 백 제조 시, 겉지와 속지 사이에 정전기가 발생할 수 있다. 이러한 경우, 겉지와 속지를 합지하는 과정에서 겉지와 속지가 정전기로 인해 서로 이격되어 합지됨에 따라, 후속 공정에서 오차를 야기하고, 결과적으로 거셋 백의 불량률이 증가하는 문제점이 있었다.
또한, 거셋 백은 제품 포장 시 거셋 백에 진공을 부여하는 공정이 수행된다. 이때, 겉지와 속지가 정전기로 인해 확장되기 어렵거나, 거셋 백 내부에 발생되는 진공 압력이 고르게 분산되지 못하는 경우, 실링 부위가 벌어질 수 있고, 거셋 백이 고정되지 않아 제품을 삽입하기 용이하지 않다는 문제점이 있었다.
따라서, 거셋 백의 불량률을 저감하면서도, 거셋 백 내부에 발생하는 압력이 고르게 분산될 수 있는 거셋 백 제조 방법의 개발이 요구되고 있다.
본 발명의 목적은 진공 패킹 공정 시, 거셋 백 내부에 발생되는 압력을 효과적으로 분산하고, 거셋 백의 접착력이 약화되는 것을 방지할 수 있는 거셋 백 제조 방법을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 목적은 진공 패킹 공정 시, 거셋 백이 뒤틀리는 것을 저감할 수 있는 거셋 백 제조 방법을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 목적은 겉지와 중간지 사이의 정전기를 저감할 수 있는 거셋 백 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 거셋 백 제조 방법은 길이가 동일한 두 변을 가지는 삼각판을 따라 중간지의 폭이 반절이 되도록 상기 중간지를 접는 단계, 상기 접힌 중간지에 제1 홀을 형성하는 1차 펀칭 단계, 상기 제1 홀과 이격되도록 상기 접힌 중간지에 제2 홀을 형성하는 2차 펀칭 단계, 상기 중간지 상에 겉지를 오버랩하여 합지를 형성하는 단계, 상기 합지의 엣지 영역에 사이드 실링을 형성하는 단계, 상기 합지의 제1 영역, 상기 제1 홀의 일부 및 상기 사이드 실링의 일부와 중첩하는 패턴 실링을 형성하는 단계 및 상기 합지를 절단하는 컷팅 단계를 포함한다.
또한, 상기 패턴 실링은, 상기 제1 영역에 형성되는 중심 패턴 실링 및 상기 중심 패턴 실링으로부터 상기 사이드 실링과 중첩하도록 사선 방향으로 형성되는 사선 패턴 실링을 포함할 수 있다.
또한, 상기 합지의 중심부에 포인트 실링을 형성하는 단계와, 상기 제1 영역 및 상기 제1 홀의 일부와 중첩하는 하단 실링을 형성하는 단계와, 상기 합지의 제2 영역에 노치를 형성하는 노치 형성 단계를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 중간지 및 상기 겉지는, 열에 의해 변형되지 않은 제1 면과 열에 의해 용융되어 접착성을 가지는 제2 면을 포함하고, 상기 합지를 형성하는 단계는, 상기 중간지의 제2 면과 상기 겉지의 제2 면이 대응하도록 배치될 수 있다.
또한, 상기 겉지는 제1 겉지 및 제2 겉지를 포함하고, 상기 제1 겉지의 제2 면과 및 상기 제2 겉지의 제2 면은 상기 제1 홀에서 서로 마주보도록 배치되고, 상기 패턴 실링을 형성하는 단계는, 상기 제1 홀에서 상기 제1 겉지의 상기 제2 면과 및 상기 제2 겉지의 상기 제2 면을 접착시킬 수 있다.
또한, 상기 중간지는 제1 중간지 및 제2 중간지를 포함하고, 상기 제1 중간지와 상기 제2 중간지는 상기 제1 겉지와 상기 제2 겉지 사이에서 미리 설정된 거리만큼 이격되어 배치되고, 상기 포인트 실링의 너비는 상기 미리 설정된 거리보다 클 수 있다.
또한, 상기 중간지 또는 상기 합지에 이온을 공급하여 정전기를 제거하는 단계를 더 포함하고, 상기 정전기 제거 단계는, 상기 중간지를 접는 단계 또는 상기 하단 실링 형성 단계 이후에 수행될 수 있다.
또한, 상기 노치 형성 단계는 상기 정전기 제거 단계 이전에 수행될 수 있다.
또한, 상기 패턴 실링을 형성하는 단계는 적어도 한 번 이상 수행되고, 상기 패턴 실링을 형성하는 단계가 복수 회 수행되는 경우, 상기 패턴 실링을 형성하는 단계는 매 회 상이한 온도로 수행될 수 있다.
또한, 상기 합지의 실링 영역 상에 냉각 시트를 배치하여 상기 합지를 냉각시키는 냉각 단계를 더 포함하되, 상기 실링 영역은 상기 사이드 실링, 상기 포인트 실링, 상기 패턴 실링 또는 상기 하단 실링이 수행되는 영역 중 적어도 하나일 수 있다.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명은 거셋 백에 패턴 실링을 형성하여 진공 패킹 공정 시 거셋 백 내부에 발생되는 압력을 분산함으로써, 압력이 집중되는 부분에서 거셋 백이 벌어지거나 접착력이 약화되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명은 진공 패킹 공정에서 거셋 백 내부에 압력이 집중되는 부분을 반복적으로 실링하여, 진공 패킹 공정 시, 압력으로 인해 거셋 백이 벌어지거나 접착력이 약화되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명은 거셋 백에 홀을 형성하여, 홀이 형성된 부분에서 겉지가 서로 접착되도록 함으로써, 진공 패킹 공정 시, 거셋 백 내부에 발생되는 압력을 분산하고, 거셋 백이 뒤틀리는 것을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명은 겉지와 중간지 사이에 발생될 수 있는 정전기를 미리 제거함으로써, 오버랩 공정 시, 겉지가 중간지와 이격되는 것을 저감하고, 겉지와 중간지 사이의 정전기로 인해 거셋 백이 확장되지 않는 것을 저감할 수 있다.
본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 발명 내에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 거셋 백 제조 방법에 따라 제조된 거셋 백의 사시도 및 평면도이다.
도 2는 도 1의 거셋 백을 이루는 겉지와 중간지의 레이어를 설명하기 위한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 거셋 백 제조 방법을 설명하기 위한 공정 순서도이다.
도 4는 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 거셋 백 제조 방법을 설명하기 위한 세부 공정 순서도이다.
도 5는 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 거셋 백 제조 방법을 설명하기 위한 개략적인 공정 개념도이다.
도 6은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 거셋 백 제조 방법 중 중간지 접음 단계를 설명하기 위한 사시도이다.
도 7은 도 6의 삼각판을 설명하기 위한 평면도이다.
도 8은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 거셋 백 제조 방법 중 1차 펀칭 단계를 설명하기 위한 사시도이다.
도 9는 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 거셋 백 제조 방법 중 2차 펀칭 단계를 설명하기 위한 사시도이다.
도 10은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 거셋 백 제조 방법 중 중간지에 겉지를 오버랩하는 단계를 설명하기 위한 사시도이다.
도 11은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 거셋 백 제조 방법 중 사이드 실링 단계를 설명하기 위한 사시도이다.
도 12는 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 거셋 백 제조 방법 중 포인트 실링 단계를 설명하기 위한 사시도이다.
도 13은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 거셋 백 제조 방법 중 패턴 실링 단계를 설명하기 위한 사시도이다.
도 14는 도 13의 XIV-XIV'에 따른 단면도이다.
도 15는 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 거셋 백 제조 방법 중 하단 실링 단계를 설명하기 위한 사시도이다.
도 16은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 거셋 백 제조 방법 중 노치 형성 단계를 설명하기 위한 사시도이다.
도 17은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 거셋 백 제조 방법 중 컷팅 단계를 설명하기 위한 사시도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 제한되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형상으로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 면적, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 제한되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 발명 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.
소자 또는 층이 다른 소자 또는 층 "위 (on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다.
또한 제 1, 제 2 등이 다양한 구성 요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성 요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제 1 구성 요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제 2 구성 요소일 수도 있다.
명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
도면에서 나타난 각 구성의 면적 및 두께는 설명의 편의를 위해 도시된 것이며, 본 발명이 도시된 구성의 면적 및 두께에 반드시 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.
이하, 도 1 내지 도 17을 참조하여, 거셋 백 제조 방법에 대해 설명한다.
도 1은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 거셋 백 제조 방법에 따라 제조된 거셋 백의 사시도 및 평면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 거셋 백(100) 제조 방법에 따라 제조된 거셋 백(100)은 겉지(110)와 중간지(120)로 이루어진다.
겉지(110)는 제1 겉지(111)와 제2 겉지(112)를 포함하여, 각각 거셋 백(100)의 일면과 타면을 이룬다. 그리고, 중간지(120)는 제1 겉지(111)와 제2 겉지(112) 사이에 배치되어, 거셋 백(100)의 측면을 이룰 수 있다.
구체적으로, 중간지(120)는 제1 중간지(121)와 제2 중간지(122)를 포함하여, 각각 거셋 백(100)의 일측면과 타측면을 이룬다. 이때, 제1 중간지(121)와 제2 중간지(122)는 겉지(110) 사이에서 미리 설정된 거리(d1)만큼 이격되어 배치될 수 있다.
도 2는 도 1의 거셋 백을 이루는 겉지와 중간지의 레이어를 설명하기 위한 단면도이다. 겉지(110)와 중간지(120)는 서로 동일한 레이어를 가질 수 있으나, 이하에서는 설명의 편의를 위하여 겉지(110)로 설명한다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 겉지(110)는 각각 제1 필름(101), 제1 접착층(102), 제2 필름(103), 제2 접착층(104) 및 제3 필름(105)을 포함한다.
제1 필름(101)은 겉지(110)의 외면, 즉, 제1 면(F1)을 이룰 수 있다. 제1 필름(101)은 열에 의해 용융되지 않는 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제1 필름(101)은 폴리에틸렌테레프탈레이트(Polyethyleneterephthalate; PET) 또는 나이론(Nylon)으로 이루어질 수 있으나, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
제1 필름(101)의 하면에는 제1 접착층(102)이 형성된다. 제1 접착층(102)은 열 또는 자외선에 의해 경화됨으로써, 제1 필름(101)과 제2 필름(103) 사이의 접착성을 향상시킬 수 있다. 제1 접착층(102)은 폴리우레탄(polyurethane) 계열의 물질로 이루어질 수 있으나, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
제1 접착층(102)의 하면에는 제2 필름(103)이 형성된다. 제2 필름(103)은 제1 접착층(102)을 통해 제1 필름(101)과 접착될 수 있다. 제2 필름(103)은 알루미늄 포일(Al foil)로 이루어질 수 있으나, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
제2 필름(103)의 하면에는 제2 접착층(104)이 형성된다. 제2 접착층(104)은 열 또는 자외선에 의해 경화됨으로써, 제2 필름(103)과 제3 필름(105) 사이의 접착성을 향상시킬 수 있다. 제2 접착층(104)은 제1 접착층(102)과 동일한 물질로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
제2 접착층(104)의 하면에는 제3 필름(105)이 형성된다. 제3 필름(105)은 겉지(110)의 내면, 즉, 제2 면(F2)을 이룰 수 있다. 제3 필름(105)은 열에 의해 용융되어 접착성이 생기는 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제3 필름(105)은 폴리에틸렌(Polyethylene; PE)으로 이루어질 수 있으나, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
겉지(110)는 제3 필름(105)이 열에 의해 용융되어 접착성이 생기는 물질로 이루어짐에 따라, 두 장의 겉지(110)의 제3 필름(105)이 서로 마주보도록 배치한 후, 열을 가하면, 각각의 겉지(110)의 제3 필름(105)이 용융되어 두 장의 겉지(110)가 접착될 수 있다.
한편, 도 2에서는 겉지(110)가 5개의 레이어로 구성되는 것으로 도시하였으나, 겉지(110)는 3개의 레이어로 구성될 수 있다. 이러한 경우, 겉지(110)는 제1 접착층(102) 및 제2 필름(103)이 생략될 수 있다. 즉, 겉지(110)가 3개의 레이어로 구성되는 경우, 제1 필름(101), 제2 접착층(104), 제3 필름(105)의 순서로 형성될 수 있다.
이와 같이, 겉지(110)와 중간지(120) 제1 필름(101) 및 제3 필름(105)을 포함함에 따라, 거셋 백(100)의 겉면을 이루는 제1 면(F1) 및 열에 의해 용융되어 접착성을 갖는 제2 면(F2)으로 이루어질 수 있다. 이에 따라, 겉지(110)의 제2 면(F2)과 중간지(120)의 제2 면(F2)이 서로 마주보도록 배치된 후, 양 측부 및 하단부를 가열함에 따라, 겉지(110)와 중간지(120)는 양 측부 및 하단부에서 실링되어 거셋 백(100)을 이룰 수 있다.
한편, 도 1 및 도 2를 참조하면, 거셋 백(100)은 후술할 S124 단계를 통해, 하단부의 일부가 서로 접착될 수 있다. 구체적으로, 거셋 백(100)은 제1 겉지(111)의 제2 면(F2)과 제2 겉지(112)의 제2 면(F2)이 제1 홀(120H1)에서 각각 접착됨에 따라, 하단부에서 일부가 접착된 상태가 유지될 수 있다. 즉, 거셋 백(100)은 하단부에서 일부가 서로 접착된 상태이고, 상단부에서는 오픈(open)된 상태일 수 있다.
이하에서는, 도 3 내지 도 17을 참조하여, 본 발명의 거셋 백 제조 방법을 설명한다.
도 3은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 거셋 백 제조 방법을 설명하기 위한 공정 순서도이다. 도 4는 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 거셋 백 제조 방법을 설명하기 위한 세부 공정 순서도이다. 도 5는 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 거셋 백 제조 방법을 설명하기 위한 개략적인 공정 개념도이다.
도 3 내지 도 5를 참조하면, 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 거셋 백 제조 방법은 합지 형성 단계(S110) 및 실링 형성 단계(S120)를 포함한다.
구체적으로, 합지 형성 단계(S110)는 중간지 접는 단계(S111), 1차 정전기 제거 단계(S112), 1차 펀칭 단계(S113), 2차 펀칭 단계(S114) 및 겉지 및 중간지를 오버랩 하는 단계(S115)를 포함한다. 또한, 실링 형성 단계(S120)는 사이드 실링 형성 단계(S121), 1차 냉각 단계(S122), 포인트 실링 형성 단계(S123), 패턴 실링 형성 단계(S124), 하단 실링 형성 단계(S125), 2차 냉각 단계(S126), 노치 형성 단계(S127), 2차 정전기 제거 단계(S128) 및 컷팅 단계(S129)를 포함한다.
이하에서는, 도 6 내지 도 10을 참조하여, 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 거셋 백 제조 방법 중 합지 형성 단계(S110)를 설명한다. 설명의 편의를 위해 도 1 내지 도 5가 함께 참조될 수 있다.
도 6은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 거셋 백 제조 방법 중 중간지 접음 단계를 설명하기 위한 사시도이다. 도 7은 도 6의 삼각판을 설명하기 위한 평면도이다. 도 8은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 거셋 백 제조 방법 중 1차 펀칭 단계를 설명하기 위한 사시도이다. 도 9는 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 거셋 백 제조 방법 중 2차 펀칭 단계를 설명하기 위한 사시도이다. 도 10은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 거셋 백 제조 방법 중 중간지에 겉지를 오버랩하는 단계를 설명하기 위한 사시도이다.
먼저, 도 1, 도 4 및 도 6을 참조하면, 중간지(120)를 접는다(S111). 중간지(120)는 필름롤(Film roll)(FR)에서 언와인딩되어, 제1 롤러(R1)를 통해 슬라이딩된 후, 삼각판(130)으로 이동될 수 있다. 중간지(120)는 삼각판(130)을 통해 접히는 형상이 가이드될 수 있다.
이때, 중간지(120)는 제1 중간지(121)와 제2 중간지(122)가 미리 설정된 거리(d1)만큼 이격된 상태에서, 각각 공정이 수행될 수 있다. 이에 따라, 추후에 중간지(120)에 겉지(110)를 오버랩 하는 경우, 제1 중간지(121)와 제2 중간지(122)는 겉지(110) 사이에서 미리 설정된 거리(d1)만큼 이격되어 배치될 수 있다.
도 7을 참조하면, 삼각판(130)은 두 변의 길이가 동일한 삼각형 형상으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 삼각판(130)은 제1 변(131) 및 제2 변(132)의 길이가 동일할 수 있다. 이에, 중간지(120)는 삼각판(130)의 제1 변(131) 및 제2 변(132)을 따라 접히도록 가이드될 수 있다. 이때, 삼각판(130)의 제1 변(131)은 중간지(120)의 일측을 가이드하고, 제2 변(132)은 중간지(120)의 타측을 가이드할 수 있다.
다시, 도 1, 도 6 및 도 7을 참조하면, 중간지(120)는 가이드면(120a) 및 접힘면(120b)을 포함할 수 있다. 가이드면(120a)은 삼각판(130)에 의해 가이드되는 면이고, 접힘면(120b)은 삼각판(130)에 의해 가이드되어 접힌 면일 수 있다. 즉, 중간지(120)는 공정의 진행에 따라 가이드면(120a) 상태에서 접힘면(120b) 상태로 변할 수 있다.
접힘면(120b)은 삼각판(130)의 제1 변(131)을 따라 접힌 제1 접힘면(120ba) 및 제2 변(132)을 따라 접힌 제2 접힘면(120bb)을 포함할 수 있다. 이때, 제1 접힘면(120ba)과 가이드면(120a)이 이루는 제1 공통변(120c)은 제1 변(131)과 평행할 수 있고, 제2 접힘면(120bb)과 가이드면(120a)이 이루는 제2 공통변(120d)은 제2 변(132)과 평행할 수 있다.
또한, 중간지(120)가 삼각판(130)을 따라 가이드되는 경우, 삼각판(130)의 제1 변(131)과 제2 변(132)이 이루는 제1 꼭지점(133)은 중간지(120)의 제1 폭(W1)의 중심과 인접하게 배치될 수 있다. 이에, 중간지(120)가 제1 꼭지점(133)을 기준으로 제2 폭(W2)을 가지도록 가이드 될 수 있다.
구체적으로, 중간지(120)는 제1 꼭지점(133)을 기준으로 제1 접힘면(120ba)과 제2 접힘면(120bb)이 오버랩되어 제2 폭(W2)을 가지도록 가이드 될 수 있다. 여기서, 제1 폭(W1)은 제2 폭(W2)의 2배일 수 있다. 즉, 중간지(120)는 제1 꼭지점(133)을 기준으로 가이드되는 경우 제1 폭(W1)의 반절인 제2 폭(W2)을 가지도록 가이드 될 수 있다. 단, 본 실시예가 이에 제한되는 것은 아니다.
삼각판(130)에 의해 접힘 형상이 가이드 된 중간지(120)는 제2 롤러(R2)에 의해 제2 폭(W2)을 가지도록 접힐 수 있다. 구체적으로, 중간지(120)는 한 쌍의 제2 롤러(R2) 사이에 배치되어, 제2 롤러(R2)에 의해 가압되어 이송될 수 있다.
한편, 도 2 및 도 6을 참조하면, 중간지(120)는 제1 면(F1)이 서로 마주보도록 접힐 수 있다. 즉, 중간지(120)는 제2 면(F2)이 외측을 향하도록 배치되어, 추후에 겉지(110)와 접착될 수 있다.
다시, 도 4 및 도 5를 참조하면, 중간지(120)에 1차 정전기 제거를 수행한다(S112). 1차 정전기 제거(S112)는 중간지(120)에 대전된 정전기를 제거하는 것일 수 있다. 구체적으로, 1차 정전기 제거(S112)는 중간지(120)에 양이온 및 음이온을 공급하여, 중간지(120)에 대전된 전하를 중성화 시켜는 것일 수 있다. 이에, 중간지(120)는 후술할 S115 단계에서 겉지(110)가 오버랩 되는 경우, 중간지(120)와 겉지(110)가 서로 붙거나 어긋나서 합지되는 것을 방지할 수 있다.
예를 들어, 중간지(120)에 겉지(110)가 합지되는 경우, 중간지(120)에 발생된 정전기로 인해 겉지(110)가 중간지(120)의 양 측으로부터 이격될 수 있다. 이에, 1차 정전기 제거(S112)를 통해 중간지(120)의 정전기를 제거함으로써, 중간지(120)에 겉지(110)를 오버랩하는 경우, 겉지(110)가 중간지(120)로부터 이격되는 것을 방지할 수 있다.
한편, 1차 정전기 제거(S112)는 공기 이온화기(Ionizer)를 통해 수행될 수 있으나, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
이어서, 도 4, 도 5 및 도 8을 참조하면, 중간지(120)를 1차 펀칭한다(S113). 1차 펀칭(S113)은 1차 펀칭기(PC1)를 통해 중간지(120)의 일단에 원형 형상의 제1 홀(120H1)을 형성할 수 있다. 여기서, 중간지(120)의 일단은 거셋 백(100)의 하단부를 이루는 부분일 수 있다.
1차 펀칭(S113)을 하는 경우, 중간지(120)는 제1 접힘면(120ba)과 제2 접힘면(120bb)이 오버랩되도록 접혀있으므로, 제1 홀(120H1) 또한 제1 접힘면(120ba) 및 제2 접힘면(120bb)에 모두 형성될 수 있다. 도 8에서는 1차 펀칭(S113)에서 형성되는 제1 홀(120H1)이 두 개인 것으로 도시하였으나, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
본 발명의 몇몇 실시예에 따른 거셋 백 제조 방법에서는 거셋 백(100)의 하단부에 대응하는 부분에 제1 홀(120H1)을 형성함으로써, 진공 패킹(Vacuum packing) 공정 시, 거셋 백(100)이 뒤틀리는 것을 방지할 수 있다.
예를 들어, 진공 패킹 공정 시, 거셋 백(100)은 거셋 백(100) 내부에 발생하는 압력으로 인해 제1 홀(120H1)이 형성되는 영역에서 거셋 백(100)이 뒤틀릴 수 있다.
그러나, 거셋 백(100)에 제1 홀(120H1)이 형성되는 경우, 후술할 S124 단계에서 제1 겉지(111)와 제2 겉지(112)가 제1 홀(120H1)에서 접착되어 거셋 백(100)의 하단부가 고정됨에 따라, 진공 패킹 공정 시 압력으로 인해 거셋 백(100)이 뒤틀리는 것을 고정할 수 있다.
또한, 진공 패킹 공정 시, 거셋 백(100)은 거셋 백(100) 내부에 발생하는 압력으로 인해 하단부에서 진공 풀림 현상(Vacuum leak)이 발생할 수 있다. 이때, S124단계에서 제1 겉지(111)와 제2 겉지(112)를 제1 홀(120H1)에서 접착시켜 거셋 백(100)의 하단부를 고정할 수 있고, 이에, 거셋 백(100) 내부에 발생하는 압력이 제1 홀(120H1) 방향으로 분산되도록 함에 따라, 진공 패킹 공정 시 거셋 백(100)에 진공 풀림 현상이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
이어서, 도 4, 도 5 및 도 9를 참조하면, 중간지(120)를 2차 펀칭한다(S114). 2차 펀칭(S114)은 2차 펀칭기(PC2)를 통해 중간지(120)의 타단에 원형 형상의 제2 홀(120H2)을 형성할 수 있다. 여기서, 중간지(120)의 타단은 추후 커팅 공정 이후에 거셋 백(100)의 상단부를 이루는 부분일 수 있다.
2차 펀칭(S114)을 하는 경우, 중간지(120)는 제1 접힘면(120ba)과 제2 접힘면(120bb)이 오버랩되도록 접혀있으므로, 제2 홀(120H2) 또한 제1 접힘면(120ba) 및 제2 접힘면(120bb)에 모두 형성될 수 있다. 도 9에서는 2차 펀칭에서 형성되는 제2 홀(120H2)이 하나인 것으로 도시하였으나, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
본 발명의 몇몇 실시예에 따른 거셋 백 제조 방법에서는 거셋 백(100)의 상단부에 대응하는 부분에 제2 홀(120H2)을 형성함으로써, 진공 패킹 공정 시, 거셋 백(100)이 뒤틀리는 것을 방지할 수 있다.
예를 들어, 진공 패킹 공정 시, 거셋 백(100)은 거셋 백(100) 내부에 발생하는 압력으로 인해 거셋 백(100)의 상단부가 뒤틀릴 수 있다. 이때, 제1 겉지(111)와 제2 겉지(112)에 열을 가하여 제1 겉지(111)와 제2 겉지(112)가 제2 홀(120H2)을 통해 일시적으로 접착되도록 할 수 있다. 이에, 거셋 백(100)의 상단부를 고정함으로써, 진공 패킹 공정 시, 거셋 백(100) 내부에 발생하는 압력으로 인해 거셋 백(100)이 뒤틀리는 것을 저감할 수 있다.
한편, 제2 홀(120H2)은 제1 홀(120H1)보다 반지름이 클 수 있으나, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
이어서, 도 2, 도 4, 도 5 및 도 10을 참조하면, 중간지(120)에 겉지(110)를 오버랩하여 합지(200)를 형성한다(S115). 겉지(110)는 중간지(120)의 상부 및 하부 각각에서 중간지(120)를 향하여 언롤링(unrolling)되어, 중간지(120)의 상면 및 하면을 덮도록 배치될 수 있다.
구체적으로, 제1 겉지(111)는 중간지(120)의 상면을 덮도록 배치되고, 제2 겉지(112)는 중간지(120)의 하면을 덮도록 배치될 수 있다. 이때, 겉지(110)는 제1 면(F1)이 외측을 향하고, 제2 면(F2)이 중간지(120)를 향하도록 배치될 수 있다. 제1 겉지(111)의 제2 면(F2)과 중간지(120)의 제1 접힘면(120ba)인 제2 면(F2)이 접하도록 배치되고, 제2 겉지(112)의 제2 면(F2)과 중간지(120)의 제2 접힘면(120bb)인 제2 면(F2)이 접하도록 배치될 수 있다. 즉, 제1 겉지(111)와 중간지(120) 및 제2 겉지(112)와 중간지(120)는 각각 제2 면(F2)이 접하도록 배치될 수 있다.
또한, 겉지(110)는 제1 홀(120H1)과 제2 홀(120H2)에서 서로 마주보도록 배치될 수 있다. 구체적으로, 겉지(110)는 제1 홀(120H1)과 제2 홀(120H2)에서 제1 겉지(111)의 제2 면(F2)과 제2 겉지(112)의 제2 면(F2)이 서로 마주보도록 배치될 수 있다.
이에, 겉지(110)는 후술할 S124 단계가 수행되는 경우, 제1 홀(120H1)을 통해 제1 겉지(111)의 제2 면(F2)과 제2 겉지(112)의 제2 면(F2)이 접착될 수 있다. 또한, 추후 진공 패킹 공정을 수행하는 경우, 거셋 백(100) 상단부에 열을 가하여 제2 홀(120H2)을 통해 제1 겉지(111)의 제2 면(F2)과 제2 겉지(112)의 제2 면(F2)이 일시적으로 접착되도록 함으로써, 거셋 백(100)의 상단부를 고정할 수 있다.
겉지(110)는 제3 폭(W3)을 가질 수 있다. 제3 폭(W3)은 제1 중간지(121)의 일측부터 제2 중간지(122)의 일측까지의 폭일 수 있다. 구체적으로, 겉지(110)는 제1 중간지(121)의 일측부터 제2 중간지(122)의 일측까지 덮도록 배치될 수 있고, 제3 폭(W3)은 제1 중간지(121)의 제2 폭(W2), 제2 중간지(122)의 제2 폭(W2) 및 제1 중간지(121)와 제2 중간지(122) 사이의 거리(d1)를 모두 포함하는 폭일 수 있다. 이에, 겉지(110)의 일측은 제1 중간지(121)의 일측과 대응하고, 겉지(110)의 타측은 제2 중간지(122)의 일측과 대응할 수 있다.
겉지(110)는 중간지(120)의 상면과 하면을 덮도록 배치된 후, 제3 롤러(R3)에 의해 가압됨으로써 합지(200)가 형성될 수 있다.
이하에서는, 도 11 내지 도 17을 참조하여, 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 거셋 백 제조 방법 중 실링 형성 단계(S120)를 설명한다. 설명의 편의를 위하여 도 1 내지 도 10이 함께 참조될 수 있다.
도 11은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 거셋 백 제조 방법 중 사이드 실링 단계를 설명하기 위한 사시도이다. 도 12는 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 거셋 백 제조 방법 중 포인트 실링 단계를 설명하기 위한 사시도이다. 도 13은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 거셋 백 제조 방법 중 패턴 실링 단계를 설명하기 위한 사시도이다. 도 14는 도 13의 XIV-XIV'에 따른 단면도이다. 도 15는 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 거셋 백 제조 방법 중 하단 실링 단계를 설명하기 위한 사시도이다. 도 16은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 거셋 백 제조 방법 중 노치 형성 단계를 설명하기 위한 사시도이다. 도 17은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 거셋 백 제조 방법 중 컷팅 단계를 설명하기 위한 사시도이다.
먼저, 도 2, 도 4, 도 5 및 도 11을 참조하면, 합지(200)에 사이드 실링(SC)을 형성한다(S121).
합지(200)는 중앙 영역(CA) 및 중앙 영역(CA) 양 측의 엣지 영역(EA)을 포함한다. 구체적으로, 엣지 영역(EA)은 중앙 영역(CA) 일측의 제1 엣지 영역(EA1) 및 중앙 영역(CA) 타측의 제2 엣지 영역(EA2)을 포함한다. 사이드 실링(SC)은 사이드 실링바(SCB)를 통해 합지(200)의 엣지 영역(EA)이 열압착하여 형성할 수 있다.
구체적으로, 합지(200)는 제1 엣지 영역(EA1)에서 제1 겉지(111)의 제2 면(F2)과 제1 중간지(121)의 제2 면(F2) 및 제2 겉지(112)의 제2 면(F2)과 제1 중간지(121)의 제2 면(F2)이 각각 접착될 수 있다. 이와 마찬가지로, 합지(200)는 제2 엣지 영역(EA2)에서 제1 겉지(111)의 제2 면(F2)과 제2 중간지(122)의 제2 면(F2) 및 제2 겉지(112)의 제2 면(F2)과 제2 중간지(122)의 제2 면(F2)이 각각 접착될 수 있다. 이에, 합지(200)는 엣지 영역(EA)에서 밀봉될 수 있다.
한편, 사이드 실링(SC)은 합지(200)의 엣지 영역(EA)에서 연속적으로 형성될 수 있으나, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
이어서, 제1 냉각 단계를 수행한다(S122). 제1 냉각(S122)은 제1 냉각 시트를 통해 수행될 수 있다. 구체적으로, 합지(200)의 엣지 영역(EA)의 사이드 실링(SC) 상에 제1 냉각 시트를 배치하여, 합지(200)의 엣지 영역(EA)을 냉각시킬 수 있다. 이때, 제1 냉각 시트는 사이드 실링(SC)을 커버(cover)할 수 있는 크기로 형성될 수 있다. 또한, 합지(200)가 제1 냉각 시트를 통해 냉각됨에 따라, 합지(200)의 엣지 영역(EA)에는 제1 냉각 시트의 패턴에 대응하는 패턴이 형성될 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에 따른 거셋 백 제조 방법은 합지(200)에 S121 단계가 수행되는 경우, 합지(200)가 열압착됨에 따라 엣지 영역(EA)에 주름이 발생할 수 있다. 이에, 사이드 실링(SC)이 형성된 합지(200)의 엣지 영역(EA)을 1차 냉각하여, 합지(200)의 엣지 영역(EA)에 생긴 주름을 제거하고 제1 냉각 시트의 패턴을 남겨 거셋 백(100)의 외관을 깔끔하게 할 수 있다.
또한, 합지(200)는 S121 단계가 수행되는 경우, 엣지 영역(EA)에서 겉지(110)의 제2 면(F2)과 중간지(120)의 제2 면(F2)이 열에 의해 용융됨에 따라, 엣지 영역(EA)의 경도가 일시적으로 약해질 수 있다. 따라서, 제1 냉각(S122)을 통해, 합지(200)의 엣지 영역(EA)에서 용융 및 접착된 겉지(110)의 제2 면(F2)과 중간지(120)의 제2 면(F2)을 경화시킴에 따라, 엣지 영역(EA)에서 겉지(110)와 중간지(120)가 견고하게 접착되고 추후 공정에서 영향을 받지 않도록 할 수 있다.
이어서, 도 4, 도 5 및 도 12를 참조하면, 합지(200)에 포인트 실링(PC)을 형성한다(S123). 포인트 실링(PC)은 포인트 실링바(PCB)를 통해 합지(200)의 제1 영역(A1)의 일부를 열압착하여 형성할 수 있다. 여기서 제1 영역(A1)은 거셋 백(100)의 하단부에 대응하는 위치일 수 있다.
도 1을 함께 참조하면, 포인트 실링(PC)은 미리 설정된 거리(d1)보다 큰 너비(PCW)를 가질 수 있다. 구체적으로, 합지(200)는 미리 설정된 거리(d1)가 형성되는 부분에서 제1 겉지(111)와 제2 겉지(112)만이 중첩하도록 배치되므로, 포인트 실링(PC)이 미리 설정된 거리(d1)만큼 형성되는 경우, 겉지(110)와 중간지(120)가 고정되지 않을 수 있다. 이에, 포인트 실링(PC)의 너비(PCW)가 미리 설정된 거리(d1)보다 크도록 형성하여, 중간지(120)의 일부와 겉지(110)가 접착되어 고정되도록 할 수 있다.
이어서, 도 4, 도 5 및 도 13을 참조하면, 합지(200)에 패턴 실링(KC)을 형성한다(S124). 패턴 실링(KC)은 패턴 실링바(KCB)를 통해 합지(200)에 패턴 형상의 실링을 형성할 수 있다. 여기서, 패턴 실링바(KCB)는 K형상을 가짐에 따라, 합지(200)에도 K형상의 패턴이 형성될 수 있다.
구체적으로, 패턴 실링바(KCB)는 중심바(KCBa) 및 사선바(KCBb)를 포함한다. 사선바(KCBb)는 제1 사선바(KCBb1) 및 제2 사선바(KCBb2)를 포함할 수 있다. 사선바(KCBb)는 중심바(KCBa)의 중심으로부터 외측을 향하여 사선 형상으로 형성될 수 있다. 즉, 제1 사선바(KCBb1)는 중심바(KCBa)의 중심으로부터 일측으로 연장되고, 제2 사선바(KCBb2)는 중심바(KCBa)의 중심으로부터 타측으로 연장될 수 있다. 제1 사선바(KCBb1) 및 제2 사선바(KCBb2)는 중심바(KCBa)의 중심을 기준으로 좌우 대칭을 이루도록 형성될 수 있다.
중심바(KCBa)는 합지(200)의 제3 폭(W3)에 대응하는 폭을 가지도록 형성될 수 있다. 그리고, 제1 사선바(KCBb1)와 제2 사선바(KCBb2)는 포인트 실링(PC)에 대응하는 너비만큼 이격되어 형성될 수 있다. 다만 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
패턴 실링(KC)은 패턴 실링바(KCB)의 형상에 따라 K형상의 패턴으로 형성될 수 있다.
구체적으로, 패턴 실링(KC)은 중심 패턴 실링(KCa) 및 사선 패턴 실링(KCb)을 포함한다.
중심 패턴 실링(KCa)은 중심바(KCBa)가 합지(200)의 제3 폭(W3)에 대응하는 폭을 가지도록 형성됨에 따라, 제1 영역(A1)에 형성될 수 있다. 이때, 중심 패턴 실링(KCa)은 제1 영역(A1)에서 포인트 실링(PC)과 중첩되고, 엣지 영역(EA)에서 사이드 실링(SC)과 중첩되도록 형성될 수 있다. 즉, 합지(200)는 포인트 실링(PC) 영역과 엣지 영역(EA)에서 실링 공정이 반복적으로 수행됨에 따라, 해당 부분에서 더욱 강하게 실링될 수 있다.
또한, 사선 패턴 실링(KCb)은 포인트 실링(PC)을 중심으로 제1 영역(A1)으로부터 엣지 영역(EA)을 향하여 사선 형상으로 형성될 수 있다.
예를 들어, 사선 패턴 실링(KCb)의 제1 사선 패턴 실링(KCb1)은 포인트 실링(PC)의 일측으로부터 합지(200)의 제1 엣지 영역(EA1)을 향하여 사선 형상으로 형성되고, 제2 사선 패턴 실링(KCb2)은 포인트 실링(PC)의 타측으로부터 합지(200)의 제2 엣지 영역(EA2)을 향하여 사선 형상으로 형성될 수 있다. 이때, 사선 패턴 실링(KCb)은 엣지 영역(EA)에서 사이드 실링(SC)과 중첩되도록 형성될 수 있다. 즉, 합지(200)는 사선 패턴 실링(KCb)과 사이드 실링(SC)이 중첩되는 영역에서 실링 공정이 반복적으로 수행됨에 따라, 해당 부분에서 더욱 강하게 실링될 수 있다.
한편, 사선 패턴 실링(KCb)과 중심 패턴 실링(KCa)이 이루는 각도는 예를 들어, 30° 내지 60°일 수 있다. 구체적으로, 사선 패턴 실링(KCb)은 진공 패킹 공정이 수행되는 경우, 거셋 백(100) 내부의 압력이 고르게 분산되도록 유도할 수 있다. 이때, 사선 패턴 실링(KCb)과 중심 패턴 실링(KCa)이 이루는 각도가 30°도 이하이거나 60° 이상인 경우, 포인트 실링(PC)부위에 집중되는 압력을 효과적으로 분산시키기 어려울 수 있다. 이에, 사선 패턴 실링(KCb)과 중심 패턴 실링(KCa)이 이루는 각도가 30° 내지 60° 를 이루도록 하여, 진공 패킹 공정 시, 거셋 백(100) 내부의 압력이 고르게 분산되도록 하고, 이에, 거셋 백(100)의 접착력이 약화되는 것을 방지할 수 있다.
도 14를 참조하면, 패턴 실링(KC)이 형성되는 경우, 제1 겉지(111)와 제2 겉지(112)는 제1 홀(120H1)에서 서로 접착될 수 있다. 구체적으로, 중간지(120)에 제1 홀(120H1)이 형성됨에 따라, 중간지(120)를 덮도록 배치된 제1 겉지(111)와 제2 겉지(112)는 제1 홀(120H1)에서 각각 제2 면(F2)이 마주보도록 배치될 수 있다. 즉, 제1 겉지(111)의 제2 면(F2)과 제2 겉지(112)의 제2 면(F2)은 제1 홀(120H1)에서 서로 마주보도록 배치될 수 있다. 이때, 패턴 실링(KC)은 제1 홀(120H1)과 일부가 중첩하게 형성되므로, 패턴 실링(KC) 형성 시 발생되는 열에 의해, 제1 겉지(111)와 제2 겉지(112)가 제1 홀(120H1)에서 서로 접착될 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에 따른 거셋 백 제조 방법은 패턴 실링(KC)이 형성됨에 따라, 거셋 백(100)에 진공을 발생시켜 거셋 백(100)을 확장 시키는 경우, 거셋 백(100)이 포인트 실링(PC)이 형성된 부분에서 벌어지는 것을 저감할 수 있다.
예를 들어, 거셋 백(100)을 통해 제품을 진공 패킹하는 경우, 거셋 백(100) 내부를 진공으로 만드는 과정이 필수적이다. 이때, 거셋 백(100)은 포인트 실링(PC)이 형성되는 부분에 고압이 발생하게 되어, 포인트 실링(PC)이 형성된 부분이 벌어지거나 접착력이 약화될 수 있다. 본 실시예는, 포인트 실링(PC) 공정을 먼저 진행하고(도 12), 이어서 패턴 실링(KC)을 추가로 진행하여 상대적으로 고압이 발생하는 포인트 실링(PC) 부분의 접착력을 강하게 할 수 있다.
나아가, 거셋 백(100)에 K형상의 패턴 실링(KC)을 형성하는 경우, 거셋 백(100) 내부에 발생된 압력이 사선 패턴 실링(KCb) 방향으로 분산될 수 있다. 따라서, 거셋 백(100)에 패턴 실링(KC)을 형성하여, 포인트 실링(PC) 부근에 발생하는 압력을 사선 패턴 실링(KCb) 방향으로 분산시킴에 따라, 진공 패킹 시, 거셋 백(100)의 접착력이 약화되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 패턴 실링(KC)은 적어도 한 번 이상 수행될 수 있다. 예를 들어, 패턴 실링(KC)이 두 번 수행되는 경우, 1차 패턴 실링(KC)과 2차 패턴 실링(KC)은 동일한 위치에 수행될 수 있다. 여기서, 1차 패턴 실링(KC)과 2차 패턴 실링(KC)의 수행 온도는 상이할 수 있다. 이와 같이, 패턴 실링(KC)이 다수 회 수행되는 경우, 패턴 실링(KC)이 형성되는 부분에서 합지(200)가 더욱 견고하게 접착될 수 있다.
이어서, 도 4, 도 5 및 도 15를 참조하면, 합지(200)에 하단 실링(BC)을 형성한다(S125). 하단 실링(BC)은 하단 실링바(BCB)를 통해 합지(200)의 제1 영역(A1)을 열압착하여 형성할 수 있다. 이에, 합지(200)의 제1 영역(A1)이 반복적으로 실링됨으로써, 제1 영역(A1)에서 더욱 강하게 실링될 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에 따른 거셋 백 제조 방법은 포인트 실링(PC)이 형성된 부분에 실링 공정이 반복적으로 수행됨에 따라, 거셋 백(100)을 확장 시, 거셋 백(100)이 포인트 실링(PC)이 형성된 부분에서 벌어지는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 앞서 설명한 바와 같이, 거셋 백(100)은 진공 패킹 공정 시, 포인트 실링(PC)이 형성된 부분에 고압이 발생함에 따라, 포인트 실링(PC)이 형성된 부분이 벌어지거나 접착력이 약화될 수 있다. 이에, 본 발명의 거셋 백 제조 방법에서는 포인트 실링(PC)이 형성된 부분과 중첩하도록 패턴 실링(KC) 및 하단 실링(BC)을 형성하여, 진공 패킹 공정 시, 포인트 실링(PC)이 형성된 부분에서 접착력이 약화되는 것을 방지할 수 있다.
이어서, 제2 냉각 단계를 수행한다(S126). 제2 냉각(S126)은 제2 냉각 시트를 통해 수행될 수 있다. 구체적으로, 합지(200)의 제1 영역(A1)의 하단 실링(BC) 상에 제2 냉각 시트를 배치하여, 합지(200)의 제1 영역(A1)을 냉각시킬 수 있다. 이때, 제2 냉각 시트는 제1 냉각 시트와 동일한 물질로 이루어져, 하단 실링(BC)을 커버할 수 있는 크기로 형성될 수 있다.
나아가, 제2 냉각 시트는 패턴 실링(KC)의 위치도 커버할 수 있다. 즉, 제2 냉각 시트는 하단 실링(BC) 및 패턴 실링(KC)이 모두 포함할 수 있도록 넓은 폭을 가질 수 있다. 이에 따라, 제2 냉각 시트는 제1 냉각 시트보다 큰 크기를 가지도록 형성될 수 있고, 제1 냉각 시트와 다른 방향으로 배치될 수 있다. 다만 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
또한, 합지(200)는 제2 냉각 시트를 통해 냉각됨에 따라, 합지(200)의 제1 영역(A1) 및 패턴 실링(KC) 영역에 제2 냉각 시트의 패턴에 대응하는 패턴이 형성될 수 있다. 제2 냉각 시트는 실링이 된 영역과 실링이 되지 않는 영역에 모두 접할 수 있지만, 실링이 되지 않는 영역은 표면 온도가 낮아서 냉각 단계에 의해서 패턴이 형성되지 않을 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에 따른 거셋 백 제조 방법에서는 합지(200)에 S123, S124 및 S125 단계가 수행된다. 즉, 합지(200)의 제1 영역(A1) 및 패턴 실링(KC)이 형성된 영역에 반복적으로 열압착이 수행됨에 따라, 제1 영역(A1) 및 패턴 실링(KC)이 형성되는 영역에 주름이 발생할 수 있다. 이에, 합지(200)의 제1 영역(A1) 및 패턴 실링(KC)이 형성된 영역을 2차 냉각하여, 합지(200)의 제1 영역(A1) 및 패턴 실링(KC)이 형성된 영역에 생긴 주름을 제거하고, 제2 냉각 시트의 패턴을 남겨 거셋 백(100)의 외관을 깔끔하게 할 수 있다.
또한, 합지(200)는 S123, S124 및 S125 단계가 수행되는 동안, 제1 영역(A1)에서 겉지(110)의 제2 면(F2)과 중간지(120)의 제2 면(F2)이 열에 의해 용융됨에 따라, 제1 영역(A1)의 경도가 일시적으로 약해질 수 있다. 따라서, 제2 냉각(S126)을 통해, 합지(200)의 제1 영역(A1)에서 용융 및 접착된 겉지(110)의 제2 면(F2)과 중간지(120)의 제2 면(F2)을 경화시킴에 따라, 제1 영역(A1)에서 겉지(110)와 중간지(120)가 견고하게 접착되고, 추후 공정에서 영향을 받지 않도록 할 수 있다.
이어서, 도 1, 도 4, 도 5 및 도 16을 참조하면, 합지(200)에 노치(NC)를 형성한다(S127). 노치(NC)는 합지(200)의 제1 영역(A1)의 반대 영역인 제2 영역(A2)의 일부를 펀칭하여 형성할 수 있다. 노치(NC)는 U자 형상으로 형성되어, 노치(NC)를 기준으로 합지(200)를 컷팅(cutting)할 수 있다. 이에, 노치(NC)는 거셋 백(100)의 끝단에 위치하도록 배치되어, 거셋 백(100)을 밀봉 후 개봉하는 경우, 노치(NC)를 통해 거셋 백(100)을 절개할 수 있다. 도 1에서는 노치(NC)가 겉지(110)에만 형성된 것으로 도시되었지만, 본 실시예가 이에 제한되는 것은 아니다. 즉, 노치(NC)는 겉지(110)뿐만 아니라, 중간지(120)에도 형성될 수 있다.
이어서, 2차 정전기 제거를 수행한다(S128). 2차 정전기 제거(S128)는 합지(200)의 정전기를 제거하는 것일 수 있다. 구체적으로, 2차 정전기 제거(S128)는 합지(200)에 양이온 및 음이온을 공급하여, 합지(200)에 발생된 정전기를 제거할 수 있다.
도 1을 참조하면, 추후 진공 포장 과정에서 물건을 거셋 백에 넣기 위해서 일정한 진공압을 서로 다른 방향으로 제1 겉지(111)와 제2 겉지(112)에 인가할 수 있다. 이때, 합지(200)가 정전기로 인해 서로 부착되어 개방되지 않는 것을 저감할 수 있다. 2차 정전기 제거(S128)는 1차 정전기 제거(S112)와 같이 공기 이온화기(Ionizer)를 통해 수행될 수 있으나, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
이어서, 도 4, 도 5 및 도 17을 참조하면 합지(200)를 컷팅한다(S129). 컷팅(S129)은 컷팅 나이프(N)를 통해, 합지(200)를 하나의 거셋 백(100a, 100b)으로 절단할 수 있다. 이때, 합지(200)는 각 거셋 백(100a, 100b)이 하나의 제1 영역(A1)과 하나의 제2 영역(A2)을 포함하도록 절단될 수 있다. 즉, 거셋 백(100) 각각의 일단에는 제1 영역(A1)이 배치되고, 타단에는 제2 영역(A2)이 배치될 수 있다.
상술한 설명에서 2차 정전기 제거(S128)는 노치 형성(S127)와 컷팅(S129) 사이에서 수행되는 것으로 설명하였으나, 본 실시예가 이에 제한되는 것은 아니다. 2차 정전기 제거(S128)는 노치 형성(S127) 전이나 컷팅(S129) 이후에 수행될 수도 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 제한하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 제한되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 제한적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 거셋 백
110: 겉지
120: 중간지

Claims (10)

  1. 길이가 동일한 두 변을 가지는 삼각판을 따라 중간지의 폭이 반절이 되도록 상기 중간지를 접는 단계;
    상기 접힌 중간지에 제1 홀을 형성하는 1차 펀칭 단계;
    상기 제1 홀과 이격되도록 상기 접힌 중간지에 제2 홀을 형성하는 2차 펀칭 단계;
    상기 중간지 상에 겉지를 오버랩하여 합지를 형성하는 단계;
    상기 합지의 엣지 영역에 사이드 실링을 형성하는 단계;
    상기 합지의 제1 영역, 상기 제1 홀의 일부 및 상기 사이드 실링의 일부와 중첩하는 패턴 실링을 형성하는 단계; 및
    상기 합지를 절단하는 컷팅 단계를 포함하는,
    거셋 백 제조 방법.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 패턴 실링은,
    상기 제1 영역에 형성되는 중심 패턴 실링 및 상기 중심 패턴 실링으로부터 상기 사이드 실링과 중첩하도록 사선 방향으로 형성되는 사선 패턴 실링을 포함하는
    거셋 백 제조 방법.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 합지의 중심부에 포인트 실링을 형성하는 단계와,
    상기 제1 영역 및 상기 제1 홀의 일부와 중첩하는 하단 실링을 형성하는 단계와,
    상기 합지의 제2 영역에 노치를 형성하는 노치 형성 단계를 더 포함하는,
    거셋 백 제조 방법.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 중간지 및 상기 겉지는,
    열에 의해 변형되지 않은 제1 면과
    열에 의해 용융되어 접착성을 가지는 제2 면을 포함하고,
    상기 합지를 형성하는 단계는,
    상기 중간지의 제2 면과 상기 겉지의 제2 면이 대응하도록 배치되는,
    거셋 백 제조 방법.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 겉지는 제1 겉지 및 제2 겉지를 포함하고,
    상기 제1 겉지의 제2 면과 및 상기 제2 겉지의 제2 면은 상기 제1 홀에서 서로 마주보도록 배치되고,
    상기 패턴 실링을 형성하는 단계는,
    상기 제1 홀에서 상기 제1 겉지의 상기 제2 면과 및 상기 제2 겉지의 상기 제2 면을 접착시키는,
    거셋 백 제조 방법.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 중간지는 제1 중간지 및 제2 중간지를 포함하고,
    상기 제1 중간지와 상기 제2 중간지는 상기 제1 겉지와 상기 제2 겉지 사이에서 미리 설정된 거리만큼 이격되어 배치되고,
    상기 포인트 실링의 너비는 상기 미리 설정된 거리보다 큰,
    거셋 백 제조 방법.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 중간지 또는 상기 합지에 이온을 공급하여 정전기를 제거하는 단계를 더 포함하고,
    상기 정전기 제거 단계는,
    상기 중간지를 접는 단계 또는 상기 하단 실링 형성 단계 이후에 수행되는,
    거셋 백 제조 방법.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 노치 형성 단계는 상기 정전기 제거 단계 이전에 수행되는,
    거셋 백 제조 방법.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 패턴 실링을 형성하는 단계는 적어도 한 번 이상 수행되고,
    상기 패턴 실링을 형성하는 단계가 복수 회 수행되는 경우,
    상기 패턴 실링을 형성하는 단계는 매 회 상이한 온도로 수행되는,
    거셋 백 제조 방법.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 합지의 실링 영역 상에 냉각 시트를 배치하여 상기 합지를 냉각시키는 냉각 단계를 더 포함하되,
    상기 실링 영역은 상기 사이드 실링, 상기 포인트 실링, 상기 패턴 실링 또는 상기 하단 실링이 수행되는 영역 중 적어도 하나인,
    거셋 백 제조 방법.
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