KR20220108736A - 포지티브형 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법 - Google Patents

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Abstract

불소화된 페놀의 술포늄염 구조를 갖는 반복 단위를 포함하는 베이스 폴리머를 포함하는 포지티브형 레지스트 재료는 감도와 해상도가 높고, 에지 러프니스나 치수 불균일이 작고, 노광 및 현상 후 양호한 형상의 패턴을 형성한다.

Description

포지티브형 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법{POSITIVE RESIST COMPOSITION AND PATTERN FORMING PROCESS}
관련 출원의 교차-참조
본 정규 출원은 35 U.S.C. §119(a) 하에서 2021년 1월 27일에 일본에서 출원된 특허출원번호 제2021-010844호에 대해 우선권을 주장하며, 이의 전체 내용은 본원에 참조로 편입되어 있다.
기술 분야
본 발명은 포지티브형 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
LSI의 고집적화와 고속도화에 따라 패턴 룰의 미세화가 급속히 진행되고 있다. 5G의 고속 통신과 인공 지능(AI)의 보급이 진행되고, 이것을 처리하기 위한 고성능 디바이스가 필요하게 되고 있기 때문이다. 최첨단 미세화 기술로서 파장 13.5 nm의 EUV를 사용하는 리소그래피에 의한 5 nm 노드 마이크로일렉트로닉 디바이스의 양산이 이루어지고 있다. 차세대 3 nm 노드 디바이스, 차차세대 2 nm 노드 디바이스에 있어서도 EUV 리소그래피를 이용한 검토가 진행되고 있다.
미세화의 진행과 함께 산의 확산에 의한 상의 흐려짐이 문제가 되고 있다. 치수 사이즈 45 nm 이후의 미세 패턴에서의 해상성을 확보하기 위해서는, 비특허문헌 1에 보고된 바와 같이, 종래 제안되어 있는 용해 콘트라스트의 향상뿐만 아니라, 산 확산의 제어가 중요하다. 그러나, 화학 증폭 레지스트 재료는, 산의 확산에 의해서 감도와 콘트라스트를 올리고 있기 때문에, 포스트 익스포져 베이크(PEB)의 온도 및/또는 시간을 감소시키거나 하여 산 확산을 최대한 억제하고자 하면, 감도와 콘트라스트가 현저히 저하한다.
감도, 해상도 및 에지 러프니스(LWR)의 트라이앵글 트레이드오프 관계가 드러나 있다. 구체적으로, 해상도를 향상시키기 위해서는 산 확산을 억제할 필요가 있지만, 산 확산 거리가 짧아지면 감도가 저하한다.
벌키(bulky)한 산이 발생하는 산발생제를 첨가하여 산 확산을 억제하는 것은 유효하다. 그래서, 중합성 불포화 결합을 갖는 오늄염에 유래하는 반복 단위를 폴리머에 포함하게 하는 것이 제안되어 있다. 이때, 폴리머는 산발생제로서도 기능하며, 이는 폴리머 바운드형 산발생제로 지칭된다. 특허문헌 1에는, 특정 술폰산을 발생하는 중합성 불포화 결합을 갖는 술포늄염이나 요오도늄염이 제안되어 있다. 특허문헌 2에는, 술폰산이 주쇄에 직결된 술포늄염이 제안되어 있다.
특허문헌 3에는, 산 확산을 억제하기 위해서, 중합성의 기를 갖는 pKa -0.8 이상의 약산인 술포늄염 구조를 포함하는 베이스 폴리머를 이용하는 폴리머 바운드형 켄처의 레지스트 재료가 제안되어 있다. 여기서는 약산으로서 카르복실산, 술폰아미드, 페놀, 헥사플루오로알코올 등을 들 수 있다. 일반적으로 페놀이나 헥사플루오로알코올은, 산성도가 너무 약하고, 술포늄염으로서의 안정성이 낮고, 합성하기도 어렵다. 상기 약산의 술포늄염 구조를 포함하는 베이스 폴리머를 이용하는 레지스트 재료는, 알칼리 현상액 내에서의 팽윤이 현저하게 크다. 현상 중의 팽윤에 의해서 컨택트 홀 패턴의 치수 균일성(CDU)이 뒤떨어지거나 라인 앤드 스페이스 패턴 형성 후의 패턴 붕괴가 일어나기 쉽다고 하는 문제가 있었다.
특허문헌 1: JP-A 2006-045311 (USP 7482108) 특허문헌 2: JP-A 2006-178317 특허문헌 3: WO 2019/167737
비특허문헌 1: SPIE Vol. 6520 65203L-1(2007)
본 발명은, 상기 사정에 감안하여 이루어진 것으로, 종래의 포지티브형 레지스트 재료를 웃도는 감도 및 해상도를 가지고, 에지 러프니스나 치수 불균일이 작고, 노광 후의 패턴 형상이 양호한 포지티브형 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은, 최근 요망되는 고해상도이며 에지 러프니스나 치수 불균일이 작은 포지티브형 레지스트 재료를 얻기 위해 예의 검토를 거듭한 결과, 하기를 발견하였다. 이 요건을 충족시키기 위해서는, 산 확산 거리를 극한까지 짧게 할 필요가 있다는 것, 산 확산 거리를 분자 레벨로 균일하게 할 필요가 있다. 불소화된 페놀의 술포늄염 구조를 갖는 반복 단위를 포함하는 폴리머를 베이스 폴리머로 함으로써 산 확산이 매우 작은 것으로 되고, 불소 원자의 반발에 의해 켄처로 되는 술포늄염끼리의 응집을 억제한다. 산 확산 거리를 균일화시키는 효과가 이후 발휘된다. 또한, 술포늄염의 광분해 반응에 의해서 노광 부분의 켄처가 소멸함으로써 콘트라스트를 향상시키는 효과가 발휘된다. 이러한 효과에 의해서, 베이스 폴리머로서 상기 폴리머를 포함하는 화학 증폭 포지티브형 레지스트 재료는 만족스러운 에지 러프니스나 치수 균일성을 나타낸다.
더욱이, 용해 콘트라스트를 향상시키기 위해서, 카르복시기 또는 페놀성 히드록시기의 수소가 산불안정기로 치환된 반복 단위가 베이스 폴리머에 도입된다. 고감도이며, 노광 전후의 알칼리 용해 속도 콘트라스트가 대폭 높고, 산 확산을 억제하는 효과가 높고, 고해상성을 가지고, 노광 후의 패턴 형상과 에지 러프니스(LWR)가 작고 치수 불균일(CDU)이 양호한 포지티브형 레지스트 재료가 얻어진다. 상기 재료는 이에 따라 VLSI 제조용 및 포토마스크의 미세 패턴 형성 재료로서 적합하다.
일 양태에서, 본 발명은 불소화된 페놀 화합물의 술포늄염 구조를 갖는 반복 단위(a)를 포함하는 베이스 폴리머를 포함하는 포지티브형 레지스트 재료를 제공한다.
바람직하게는, 반복 단위(a)가 하기 식 (a)을 갖는다.
Figure pat00001
상기 식에서, RA는 수소 또는 메틸이고,
X1은 단일 결합, 에스테르 결합, 에테르 결합, 페닐렌기 또는 나프틸렌기이고,
X2는 단일 결합, 페닐렌기, 또는 에테르 결합, 에스테르 결합, 아미드 결합, 락톤환 또는 술톤환을 포함하고 있어도 좋은 C1-C12 포화 히드로카르빌렌기이고,
X3은 단일 결합, 에스테르 결합 또는 에테르 결합이고,
Rf는 불소 원자, 트리플루오로메틸, 트리플루오로메톡시 또는 트리플루오로메틸티오 기이고,
R1은 C1-C4 알킬기이고,
R2∼R4는 각각 독립적으로 할로겐, 또는 헤테로 원자를 포함하고 있어도 좋은 C1-C20 히드로카르빌기이고, R2 및 R3이 상호 결합하여 이들이 결합하는 황 원자와 함께 고리를 형성하고 있어도 좋고,
m은 1∼4의 정수이고, n은 0∼3의 정수이고, m+n은 1∼4이다.
바람직한 실시양태에서, 상기 베이스 폴리머가, 카르복시기의 수소 원자가 산불안정기로 치환된 반복 단위(b1) 및/또는 페놀성 히드록시기의 수소 원자가 산불안정기로 치환된 반복 단위(b2)를 더 포함한다.
보다 바람직하게는, 반복 단위(b1)이 하기 식 (b1)을 갖고, 반복 단위(b2)가 하기 식 (b2)를 갖는다.
Figure pat00002
상기 식에서, RA는 각각 독립적으로 수소 또는 메틸이고, Y1은 단일 결합, 페닐렌, 나프틸렌, 또는 에스테르 결합, 에테르 결합 혹은 락톤환을 포함하는 C1-C12 연결기이고, Y2는 단일 결합, 에스테르 결합 또는 아미드 결합이고, Y3은 단일 결합, 에테르 결합 또는 에스테르 결합이고, R11 및 R12는 각각 독립적으로 산불안정기이고, R13은 불소, 트리플루오로메틸, 시아노 또는 C1-C6 포화 히드로카르빌기이고, R14는 단일 결합 또는 에테르 결합 또는 에스테르 결합을 포함하고 있어도 좋은 C1-C6 알칸디일기이고, a는 1 또는 2이고, b는 0∼4의 정수이고, a+b는 1∼5이다.
바람직한 실시양태에서, 상기 베이스 폴리머가, 히드록시, 카르복시, 락톤환, 카보네이트 결합, 티오카보네이트 결합, 카르보닐, 환상 아세탈, 에테르 결합, 에스테르 결합, 술폰산에스테르 결합, 시아노, 아미드 결합, -O-C(=O)-S- 및 -O-C(=O)-NH-로 이루어진 군에서 선택되는 밀착성 기를 포함하는 반복 단위(c)를 더 포함한다.
바람직한 실시양태에서, 상기 베이스 폴리머가 하기 식 (d1)∼(d3)를 갖는 반복 단위로부터 선택되는 어느 하나의 유형의 반복 단위를 더 포함한다.
Figure pat00003
상기 식에서, RA는 각각 독립적으로 수소 또는 메틸이다. Z1은 단일 결합, C1-C6 지방족 히드로카르빌렌기, 페닐렌, 나프틸렌 혹은 이들을 조합하여 얻어지는 C7-C18 기, 또는 -O-Z11-, -C(=O)-O-Z11- 혹은 -C(=O)-NH-Z11-이고, Z11은 C1-C6 지방족 히드로카르빌렌기, 페닐렌, 나프틸렌 또는 이들을 조합하여 얻어지는 C7-C18 기이며, 카르보닐기, 에스테르 결합, 에테르 결합 또는 히드록시기를 포함하고 있어도 좋다. Z2는 단일 결합 또는 에스테르 결합이다. Z3은 단일 결합, -Z31-C(=O)-O-, -Z31-O- 또는 -Z31-O-C(=O)-이고, Z31은 C1-C12 지방족 히드로카르빌렌기, 페닐렌 또는 이들을 조합하여 얻어지는 C7-C18 기이며, 카르보닐기, 에스테르 결합, 에테르 결합, 브롬 또는 요오드를 포함하고 있어도 좋다. Z4는 메틸렌, 2,2,2-트리플루오로-1,1-에탄디일 또는 카르보닐이다. Z5는 단일 결합, 메틸렌, 에틸렌, 페닐렌, 불소화 페닐렌, 트리플루오로메틸로 치환된 페닐렌, -O-Z51-, -C(=O)-O-Z51- 또는 -C(=O)-NH-Z51-이고, Z51은 C1-C6 지방족 히드로카르빌렌기, 페닐렌, 불소화 페닐렌 또는 트리플루오로메틸로 치환된 페닐렌기이며, 카르보닐기, 에스테르 결합, 에테르 결합, 할로겐 또는 히드록시기를 포함하고 있어도 좋다. R21∼R28은 각각 독립적으로 할로겐, 또는 헤테로 원자를 포함하고 있어도 좋은 C1-C20 히드로카르빌기이고, R23 및 R24 또는 R26 및 R27의 쌍은 상호 결합하여 이들이 결합하는 황 원자와 함께 고리를 형성하고 있어도 좋다. M-는 비구핵성 반대 이온이다.
포지티브형 레지스트 재료는 산발생제, 유기 용제, 켄처 및/또는 계면활성제를 더 포함할 수 있다.
다른 양태에서, 본 발명은 상기 정의된 포지티브형 레지스트 재료를 기판 상에 도포하여 레지스트막을 형성하는 단계, 상기 레지스트막을 고에너지선으로 노광하는 단계, 및 상기 노광한 레지스트막을 현상액에서 현상하는 단계를 포함하는 패턴 형성 방법을 제공한다.
통상적으로, 고에너지선은 i선, KrF 엑시머 레이저, ArF 엑시머 레이저, EB 또는 파장 3∼15 nm의 EUV이다.
본 발명의 포지티브형 레지스트 재료는, 산발생제의 분해 효율을 높일 수 있기 때문에, 산의 확산을 억제하는 효과가 높고, 고감도이며, 고해상성을 가지고, 노광 후의 패턴 형상이나 에지 러프니스나 치수 불균일이 작아 양호하다. 이들의 우수한 특성에 의해, 레지스트 재료는, 실용성이 매우 높고, EB 리소그래피에 의한 포토마스크용, 또는 EB 혹은 EUV 리소그래피에 의한 VLSI용 미세 패턴 형성 재료로서 가장 적합하다. 레지스트 재료는, 예컨대 반도체 회로 형성에 있어서의 리소그래피뿐만 아니라, 마스크 회로 패턴의 형성, 마이크로머신, 박막 자기 헤드 회로 형성에도 사용될 수 있다.
본원에 사용되는 단수 형태는 맥락에서 명백하게 달리 나타내지 않는 한, 복수개의 지시대상을 포함한다. "임의의" 또는 "임의로"는 후속하여 기재되는 사건 또는 환경이 일어나거나 일어나지 않을 수 있고, 상세한 설명이 사건 또는 환경이 발생되는 경우와 발생되지 않는 경우를 포함하는 것을 의미한다. 표기 (Cn-Cm)은 기당 n 내지 m개의 탄소 원자를 함유하는 기를 의미한다. 화학식에서, 파선은 원자가 결합을 나타내고, Me는 메틸을, Ac는 아세틸을 의미한다. 본원에 사용되는 바와 같은 용어 "불소화"는 불소-치환된 또는 불소-함유 화합물 또는 기와 관련된다. 용어 "기" 및 "모이어티"는 상호 교환가능하다.
약어 및 두문자어는 하기 의미를 가진다.
EB: 전자선
EUV: 극단 자외선
Mw: 중량 평균 분자량
Mn: 수평균 분자량
Mw/Mn: 분자량 분포 또는 분포도
GPC: 겔 투과 크로마토그래피
PEB: 노광후 베이크
PAG: 광산 발생제
LWR: 라인 위드스 러프니스
CDU: 치수 균일성
포지티브형 레지스트 재료
베이스 폴리머
본 발명의 일 실시양태는 불소로 치환된 페놀 화합물의 술포늄염 구조를 갖는 반복 단위(a)를 포함하는 베이스 폴리머를 포함하는 포지티브형 레지스트 재료이다.
바람직하게는, 반복 단위(a)는 하기 식 (a)를 갖는다.
Figure pat00004
식 (a)에서, RA는 수소 또는 메틸이다.
식 (a)에서, X1은 단일 결합, 에스테르 결합, 에테르 결합, 페닐렌기 또는 나프틸렌기이다.
식 (a)에서, X2는 단일 결합, 페닐렌기 또는 에테르 결합, 에스테르 결합, 아미드 결합, 락톤환 또는 술톤환을 포함하고 있어도 좋은 C1-C12 포화 히드로카르빌렌기이다. 히드로카르빌렌기 X2는 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이라도 좋다. 그 구체예로서는 메탄디일기, 에탄-1,1-디일기, 에탄-1,2-디일기, 프로판-1,2-디일기, 프로판-1,3-디일기, 프로판-2,2-디일기, 부탄-1,2-디일기, 부탄-1,3-디일기, 부탄-1,4-디일기, 부탄-2,2-디일기, 부탄-2,3-디일기, 2-메틸프로판-1,3-디일기, 펜탄-1,5-디일기, 헥산-1,6-디일기, 헵탄-1,7-디일기, 옥탄-1,8-디일기, 노난-1,9-디일기, 데칸-1,10-디일기 등의 C1-C12 알칸디일기; 시클로펜탄디일기, 시클로헥산디일기, 노르보르난디일기, 아다만탄디일기 등의 C3-C12 환식 포화 히드로카르빌렌기; 이들을 조합하여 얻어지는 기 등을 들 수 있다.
식 (a)에서, X3은 단일 결합, 에스테르 결합 또는 에테르 결합이다.
식 (a)에서, Rf는 불소 원자, 트리플루오로메틸, 트리플루오로메톡시 또는 트리플루오로메틸티오 기이다.
식 (a)에서, R1은 C1-C4 알킬기이다.
식 (a)에서, R2∼R4는 각각 독립적으로 할로겐 또는 헤테로 원자를 포함하고 있어도 좋은 C1-C20 히드로카르빌기이다. R2 및 R3이 상호 결합하여 이들이 결합하는 황 원자와 함께 고리를 형성하고 있어도 좋다.
적합한 할로겐 원자로서는 불소, 염소, 브롬, 및 요오드 등을 들 수 있다.
R2∼R4로 표시되는 C1-C20 히드로카르빌기는 포화라도 불포화라도 좋고, 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이라도 좋다. 그 구체예로서는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-옥틸기, n-노닐기, n-데실기, 운데실기, 도데실기, 트리데실기, 테트라데실기, 펜타데실기, 헵타데실기, 옥타데실기, 노나데실기, 이코실기 등의 C1-C20 알킬기; 시클로프로필기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로프로필메틸기, 4-메틸시클로헥실기, 시클로헥실메틸기, 노르보르닐기, 아다만틸기 등의 C3-C20 환식 포화 히드로카르빌기; 비닐기, 프로페닐기, 부테닐기, 헥세닐기 등의 C2-C20 알케닐기; 에티닐기, 프로피닐기, 부티닐기 등의 C2-C20 알키닐기; 시클로헥세닐기, 노르보르네닐기 등의 C3-C20 환식 불포화 지방족 히드로카르빌기; 페닐기, 메틸페닐기, 에틸페닐기, n-프로필페닐기, 이소프로필페닐기, n-부틸페닐기, 이소부틸페닐기, sec-부틸페닐기, tert-부틸페닐기, 나프틸기, 메틸나프틸기, 에틸나프틸기, n-프로필나프틸기, 이소프로필나프틸기, n-부틸나프틸기, 이소부틸나프틸기, sec-부틸나프틸기, tert-부틸나프틸기 등의 C6-C20 아릴기; 벤질기, 페네틸기 등의 C7-C20 아랄킬기; 이들을 조합하여 얻어지는 기 등을 들 수 있다.
또한, 상기 히드로카르빌기에서, 수소 원자의 일부 또는 전부가 산소, 황, 질소, 또는 할로겐 등의 헤테로 원자를 포함하는 기로 치환되어 있어도 좋고, 일부 치환기 -CH2-가 산소, 황, 또는 질소 등의 헤테로 원자를 포함하는 기로 치환되어 있어도 좋으며, 그 결과, 상기 기는 히드록시, 불소, 염소, 브롬, 요오드, 시아노, 니트로, 카르보닐, 에테르 결합, 에스테르 결합, 술폰산에스테르 결합, 카보네이트 결합, 락톤환, 술톤환, 카르복실산무수물, 할로알킬기 등을 포함하고 있어도 좋다.
R2와 R3이 상호 결합하여 이들이 결합하는 황 원자와 함께 고리를 형성하고 있어도 좋다. 상기 고리의 예로서는 이하에 나타낸다.
Figure pat00005
상기 식에서, 파선은 R4에의 부착점이다.
식 (a)에서, m은 1∼4의 정수이고, n은 0∼3의 정수이고, m+n은 1∼4이다.
반복 단위(a)를 부여하는 모노머의 음이온으로서는 이하에 나타내는 것을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다. 상기 식에서, RA는 상기와 같다.
Figure pat00006
Figure pat00007
Figure pat00008
Figure pat00009
Figure pat00010
Figure pat00011
반복 단위(a)를 부여하는 모노머의 술포늄 양이온으로서는 이하에 나타내는 것을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.
Figure pat00012
Figure pat00013
Figure pat00014
Figure pat00015
Figure pat00016
Figure pat00017
Figure pat00018
Figure pat00019
Figure pat00020
Figure pat00021
Figure pat00022
Figure pat00023
Figure pat00024
Figure pat00025
Figure pat00026
Figure pat00027
Figure pat00028
Figure pat00029
방사선에 조사시, 광분해가 일어나고, 즉, 술포늄 양이온이 분해되어, 폴리머에 결합한 불소화된 페놀기로 된다. 불소화된 페놀기는, 카르복실산, 술폰아미드, 헥사플루오로알코올 등의 약산의 기에 비해서 알칼리 현상액 내에서의 팽윤이 작다고 하는 특징이 있다. 이러한 특징에 의해서, 컨택트 홀 패턴의 CDU가 개선되된다. 라인 앤드 스페이스 패턴의 순수 린스 후의 건조를 위한 스핀드라이 중에 패턴에 걸리는 응력이 저감하여, 패턴 형성 후의 패턴 붕괴를 저감시킬 수 있다.
상기 반복 단위(a)는, 불소화된 페놀 화합물의 술포늄염 구조를 가지고 있는 켄처이다. 이러한 의미에서, 베이스 폴리머는 켄처 바운드 폴리머로 지칭될 수 있다. 켄처 바운드 폴리머는, 산 확산을 억제하는 효과가 높고, 해상성이 우수한 장점을 갖는다. 또한, 반복 단위(a)는, 불소 원자를 가지고 있기 때문에 마이너스의 전하를 띤 불소 원자의 반발에 의해 켄처끼리 응집하는 일이 없으므로, 산 확산 거리가 균일화된다. 불소 원자의 흡수에 의해 노광 중에 이차전자가 발생하여 산발생제의 분해를 촉진함으로써 고감도화한다. 이에 따라, 고감도, 고해상, 저LWR 및 개선된 CDU를 동시에 달성할 수 있다.
상기 베이스 폴리머는, 용해 콘트라스트를 높이기 위해서, 카르복시기의 수소 원자가 산불안정기로 치환된 반복 단위(b1) 및/또는 페놀성 히드록시기의 수소 원자가 산불안정기로 치환된 반복 단위(b2)를 포함하여도 좋다.
반복 단위(b1) 및 (b2)는 각각 하기 식 (b1) 및 (b2)을 갖는다.
Figure pat00030
식 (b1) 및 (b2)에서, RA는 각각 독립적으로 수소 또는 메틸이다. Y1은 단일 결합, 페닐렌, 나프틸렌, 또는 에스테르 결합, 에테르 결합 혹은 락톤환을 포함하는 C1-C12 연결기이다. Y2는 단일 결합, 에스테르 결합 또는 아미드 결합이다. Y3은 단일 결합, 에테르 결합 또는 에스테르 결합이다. R11 및 R12는 각각 산불안정기이다. R13은 불소, 트리플루오로메틸, 시아노 또는 C1-C6 포화 히드로카르빌 기이다. R14는 단일 결합 또는 에테르 결합 또는 에스테르 결합을 포함하고 있어도 좋은 C1-C6 알칸디일기이다. 하첨자 "a"는 1 또는 2이고, b는 0∼4의 정수이고, 1≤a+b≤5이다.
반복 단위(b1)을 부여하는 모노머로서는 이하에 나타내는 것을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다. 상기 식에서, RA 및 R11은 상기와 같다.
Figure pat00031
반복 단위(b2)를 부여하는 모노머로서는 이하에 나타내는 것을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다. 상기 식에서, RA 및 R12는 상기와 같다.
Figure pat00032
R11 및 R12로 표시되는 산불안정기로서는 여러 가지가 선정되지만, 예컨대 하기 식 (AL-1)∼(AL-3)으로 표시되는 것을 들 수 있다.
Figure pat00033
식 (AL-1)에서, c는 0∼6의 정수이다. RL1은 C4-C20, 바람직하게는 C4-C15 제3급 히드로카르빌기, 각 히드로카르빌기가 각각 C1-C6 포화 히드로카르빌기인 트리히드로카르빌실릴기, 카르보닐기, 에테르 결합 혹은 에스테르 결합을 포함하는 C4-C20 포화 히드로카르빌기, 또는 식 (AL-3)의 기이다. 또한, 제3급 히드로카르빌기란, 제3급 탄화수소의 제3급 탄소로부터 수소가 탈리하여 얻어지는 기를 의미한다.
제3급 히드로카르빌기 RL1은 포화라도 불포화라도 좋고, 분기상이라도 환상이라도 좋다. 그 구체예로서는 tert-부틸, tert-펜틸, 1,1-디에틸프로필, 1-에틸시클로펜틸, 1-부틸시클로펜틸, 1-에틸시클로헥실, 1-부틸시클로헥실, 1-에틸-2-시클로펜테닐, 1-에틸-2-시클로헥세닐, 2-메틸-2-아다만틸 등을 들 수 있다. 상기 트리히드로카르빌실릴기로서는 트리메틸실릴, 트리에틸실릴, 디메틸-tert-부틸실릴 등을 들 수 있다. 상기 카르보닐기, 에테르 결합 또는 에스테르 결합을 포함하는 포화 히드로카르빌기로서는 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이라도 좋지만, 환상인 것이 바람직하고, 그 구체예로서는 3-옥소시클로헥실, 4-메틸-2-옥소옥산-4-일, 5-메틸-2-옥소옥솔란-5-일, 2-테트라히드로피라닐, 2-테트라히드로푸라닐 등을 들 수 있다.
식 (AL-1)을 갖는 산불안정기로서는 tert-부톡시카르보닐, tert-부톡시카르보닐메틸, tert-펜틸옥시카르보닐, tert-펜틸옥시카르보닐메틸, 1,1-디에틸프로필옥시카르보닐, 1,1-디에틸프로필옥시카르보닐메틸, 1-에틸시클로펜틸옥시카르보닐, 1-에틸시클로펜틸옥시카르보닐메틸, 1-에틸-2-시클로펜테닐옥시카르보닐, 1-에틸-2-시클로펜테닐옥시카르보닐메틸, 1-에톡시에톡시카르보닐메틸, 2-테트라히드로피라닐옥시카르보닐메틸, 2-테트라히드로푸라닐옥시카르보닐메틸 등을 들 수 있다.
식 (AL-1)을 갖는 산불안정기로서 하기 식 (AL-1)-1∼(AL-1)-10으로 표시되는 기도 들 수 있다.
Figure pat00034
식 (AL-1)-1∼(AL-1)-10에서, c는 상기와 같다. RL8은 각각 독립적으로 C1-C10 포화 히드로카르빌기 또는 C6-C20 아릴기이다. RL9는 수소 또는 C1-C10 포화 히드로카르빌기이다. RL10은 C2-C10 포화 히드로카르빌기 또는 C6-C20 아릴기이다. 상기 포화 히드로카르빌기는 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이라도 좋다.
식 (AL-2)에서, RL2 및 RL3은 각각 독립적으로 수소 또는 C1-C18, 바람직하게는 C1-C10 포화 히드로카르빌기이다. 상기 포화 히드로카르빌기는 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이라도 좋고, 그 구체예로서는 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, 이소부틸, sec-부틸, tert-부틸, 시클로펜틸, 시클로헥실, 2-에틸헥실, n-옥틸 등을 들 수 있다.
RL4는 헤테로 원자를 포함하고 있어도 좋은 C1-C18, 바람직하게는 C1-C10 히드로카르빌기이다. 상기 히드로카르빌기는 포화라도 불포화라도 좋고, 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이라도 좋다. 통상적으로 C1-C18 포화 히드로카르빌기 등을 들 수 있고, 이의 수소의 일부가 히드록시, 알콕시, 옥소, 아미노, 알킬아미노 등으로 치환되어 있어도 좋다. 이러한 치환된 포화 히드로카르빌기로서는 이하에 나타내는 것 등을 들 수 있다.
Figure pat00035
RL2와 RL3, RL2와 RL4 또는 RL3과 RL4의 쌍은 상호 결합하여 이들이 결합하는 탄소 원자와 함께, 또는 탄소와 산소 원자와 함께 고리를 형성하여도 좋다. 고리의 형성에 관여하는 RL2 및 RL3, RL2 및 RL4 또는 RL3 및 RL4는 각각 독립적으로 C1-C18, 바람직하게는 C1-C10 알칸디일기이다. 이와 같이 얻어지는 고리의 탄소수는 바람직하게는 3∼10, 보다 바람직하게는 4∼10이다.
식 (AL-2)를 갖는 산불안정기 중, 직쇄상 또는 분기상인 것으로서는, 하기 식 (AL-2)-1∼(AL-2)-69로 표시되는 것을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.
Figure pat00036
Figure pat00037
Figure pat00038
식 (AL-2)를 갖는 산불안정기 중, 적한한 환상 기로서는, 테트라히드로푸란-2-일, 2-메틸테트라히드로푸란-2-일, 테트라히드로피란-2-일, 2-메틸테트라히드로피란-2-일 등을 들 수 있다.
또한, 산불안정기로서 하기 식 (AL-2a) 및 (AL-2b)로 표시되는 기를 들 수 있다. 상기 산불안정기에 의해서 베이스 폴리머가 분자 사이 또는 분자 내 가교되어 있어도 좋다.
Figure pat00039
식 (AL-2a) 및 (AL-2b)에서, RL11 및 RL12는 각각 독립적으로 수소 또는 C1-C8 포화 히드로카르빌기이고, 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이라도 좋다. 또한, RL11과 RL12는 상호 결합하여 이들이 결합하는 탄소 원자와 함께 고리를 형성하여도 좋고, 이 경우, RL11 및 RL12는 각각 독립적으로 C1-C8 알칸디일기이다. RL13은 각각 독립적으로 C1-C10 포화 히드로카르빌렌기이고, 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이라도 좋다. 하첨자 d 및 e는 각각 독립적으로 0∼10의 정수, 바람직하게는 0∼5의 정수이고, f는 1∼7의 정수, 바람직하게는 1∼3의 정수이다.
식 (AL-2a) 및 (AL-2b)에서, LA는 (f+1)가의 C1-C50 지방족 포화 탄화수소기, (f+1)가의 C3-C50 지환식 포화 탄화수소기, (f+1)가의 C6-C50 방향족 탄화수소기 또는 (f+1)가의 C3-C50 헤테로환기이다. 이들 기에서, 일부 치환기 -CH2-가 헤테로 원자를 포함하는 기로 치환되어 있어도 좋고, 수소의 일부가 히드록시, 카르복시, 아실 기 또는 불소로 치환되어 있어도 좋다. LA로서는 C1-C20 포화 히드로카르빌렌기, 포화 탄화수소기(예를 들어 3가 또는 4가 포화 탄화수소기), C6-C30 아릴렌기 등이 바람직하다. 상기 포화 탄화수소기는 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이라도 좋다. LB는 -C(=O)-O-, -NH-C(=O)-O- 또는 -NH-C(=O)-NH-이다.
식 (AL-2a) 및 (AL-2b)를 갖는 가교형 아세탈기로서는 하기 식 (AL-2)-70∼(AL-2)-77를 갖는 기 등을 들 수 있다.
Figure pat00040
식 (AL-3)에서, RL5, RL6 및 RL7은 각각 독립적으로 C1-C20 히드로카르빌기이며, 산소, 황, 질소, 불소 등의 헤테로 원자를 포함하고 있어도 좋다. 상기 히드로카르빌기는 포화라도 불포화라도 좋고, 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이라도 좋다. 그 구체예로서는 C1-C20 알킬기, C3-C20 환식 포화 히드로카르빌기, C2-C20 알케닐기, C3-C20 환식 불포화 히드로카르빌기, C6-C10 아릴기 등을 들 수 있다. RL5와 RL6, RL5와 RL7 또는 RL6과 RL7의 쌍은 상호 결합하여 이들이 결합하는 탄소 원자와 함께 C3-C20 지환을 형성하여도 좋다.
식 (AL-3)을 갖는 기로서는 tert-부틸, 1,1-디에틸프로필, 1-에틸노르보르닐, 1-메틸시클로펜틸, 1-에틸시클로펜틸, 1-이소프로필시클로펜틸, 1-메틸시클로헥실, 2-(2-메틸)아다만틸, 2-(2-에틸)아다만틸, tert-펜틸 등을 들 수 있다.
또한, 식 (AL-3)을 갖는 기로서 하기 식 (AL-3)-1∼(AL-3)-19로 표시되는 기도 들 수 있다.
Figure pat00041
식 (AL-3)-1∼(AL-3)-19에서, RL14는 각각 독립적으로 C1-C8 포화 히드로카르빌기 또는 C6-C20 아릴기이다. RL15 및 RL17은 각각 독립적으로 수소 또는 C1-C20 포화 히드로카르빌기이다. RL16은 C6-C20 아릴기이다. 상기 포화 히드로카르빌기는 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이라도 좋다. 전형적인 아릴기는 페닐이다. RF는 불소 또는 트리플루오로메틸이고, g는 1∼5의 정수이다.
산불안정기로서 하기 식 (AL-3)-20 및 (AL-3)-21을 갖는 기를 들 수 있다. 상기 산불안정기에 의해서 폴리머가 분자 내 혹은 분자 사이 가교되어 있어도 좋다.
Figure pat00042
식 (AL-3)-20 및 (AL-3)-21에서, RL14는 상기와 같다. RL18은 (h+1)가의 C1-C20 포화 히드로카르빌렌기 또는 (h+1)가의 C6-C20 아릴렌기이며, 산소, 황, 질소 등의 헤테로 원자를 포함하고 있어도 좋다. 상기 포화 히드로카르빌렌기는 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이라도 좋다. 하첨자 h는 1∼3의 정수이다.
식 (AL-3)의 산불안정기를 포함하는 반복 단위를 부여하는 모노머로서는 하기 식 (AL-3)-22를 갖는 (메트)아크릴산에스테르(엑소체 구조 포함)를 들 수 있다.
Figure pat00043
식 (AL-3)-22에서, RA는 상기와 같다. RLc1은 C1-C8 포화 히드로카르빌기 또는 치환되어 있어도 좋은 C6-C20 아릴기이고; 상기 포화 히드로카르빌기는 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이라도 좋다. RLc2∼RLc11은 각각 독립적으로 수소 또는 헤테로 원자를 포함하고 있어도 좋은 C1-C15 히드로카르빌기이고; 상기 헤테로 원자로서는 산소 등을 들 수 있다. 적합한 히드로카르빌기로서는 C1-C15 알킬기, C6-C15 아릴기 등을 들 수 있다. 대안적으로, RLc2와 RLc3, RLc4와 RLc6, RLc4와 RLc7, RLc5와 RLc7, RLc5와 RLc11, RLc6와 RLc10, RLc8과 RLc9 또는 RLc9와 RLc10의 쌍은 상호 결합하여 이들이 결합하는 탄소 원자와 함께 고리를 형성하고 있어도 좋고, 이 경우, 고리 형성 기는 헤테로 원자를 포함하고 있어도 좋은 C1-C15 히드로카르빌렌기이다. 또한, RLc2와 RLc11, RLc8과 RLc11 또는 RLc4와 RLc6의 쌍은 인접하는 탄소 원자에 결합하는 것끼리 아무것도 통하지 않고서 결합하여, 이중 결합을 형성하여도 좋다. 또, 본식에 의해 거울상체도 나타낸다.
식 (AL-3)-22를 갖는 모노머로서는 USP 6,448,420 (JP-A 2000-327633)에 기재된 것 등을 들 수 있다. 구체적으로는 이하에 나타내는 것을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다. RA는 상기와 같다.
Figure pat00044
또한, 식 (AL-3)를 갖는 산불안정기를 포함하는 반복 단위는, 하기 식 (AL-3)-23으로 표시되는, 푸란디일, 테트라히드로푸란디일 또는 옥사노르보르난디일을 포함하는 (메트)아크릴산에스테르의 반복 단위를 포함한다.
Figure pat00045
식 (AL-3)-23에서, RA는 상기와 같다. RLc12 및 RLc13은 각각 독립적으로 C1-C10 히드로카르빌기이거나, RLc12와 RLc13은 상호 결합하여 이들이 결합하는 탄소 원자와 함께 지환을 형성하여도 좋다. RLc14는 푸란디일, 테트라히드로푸란디일 또는 옥사노르보르난디일이다. RLc15는 수소이거나 또는 헤테로 원자를 포함하고 있어도 좋은 C1-C10 히드로카르빌기이다. 상기 히드로카르빌기는 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이라도 좋고, 그 구체예로서는 C1-C10 포화 히드로카르빌기 등을 들 수 있다.
식 (AL-3)-23을 갖는 모노머로서는 이하에 나타내는 것을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다. 상기 식에서, RA는 상기와 같다.
Figure pat00046
상기 산불안정기에 더하여, JP 5565293, JP 5434983, JP 5407941, JP 5655756, 및 JP 5655755에 기재된 방향족기를 포함하는 산불안정기를 또한 이용할 수도 있다.
상기 베이스 폴리머는, 밀착성 기를 포함하는 반복 단위(c)를 더 포함할 수 있다. 상기 밀착성 기는 히드록시, 카르복시, 락톤환, 카보네이트 결합, 티오카보네이트 결합, 카르보닐, 환상 아세탈기, 에테르 결합, 에스테르 결합, 술폰산에스테르 결합, 시아노, 아미드 결합, -O-C(=O)-S- 및 -O-C(=O)-NH-에서 선택된다.
반복 단위(c)를 부여하는 모노머로서는 이하에 나타내는 것을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다. 상기 식에서, RA는 상기와 같다.
Figure pat00047
Figure pat00048
Figure pat00049
Figure pat00050
Figure pat00051
Figure pat00052
Figure pat00053
Figure pat00054
Figure pat00055
Figure pat00056
상기 베이스 폴리머는, 하기 식 (d1), (d2) 및 (d3)을 갖는 반복 단위로부터 선택된 적어도 하나의 유형의 반복 단위(d)를 더 포함할 수 있다. 이 단위는 또한 반복 단위 (d1), (d2) 및 (d3)로 지칭된다.
Figure pat00057
식 (d1)∼(d3)에서, RA는 각각 독립적으로 수소 또는 메틸이다. Z1은 단일 결합, C1-C6 지방족 히드로카르빌렌기, 페닐렌, 나프틸렌 혹은 이들을 조합하여 얻어지는 C7-C18 기, 또는 -O-Z11-, -C(=O)-O-Z11- 혹은 -C(=O)-NH-Z11-이고, Z11은 C1-C6 지방족 히드로카르빌렌기, 페닐렌, 나프틸렌 또는 이들을 조합하여 얻어지는 C7-C18 기이며, 카르보닐기, 에스테르 결합, 에테르 결합 또는 히드록시기를 포함하고 있어도 좋다. Z2는 단일 결합 또는 에스테르 결합이다. Z3은 단일 결합, -Z31-C(=O)-O-, -Z31-O- 또는 -Z31-O-C(=O)-이고, Z31은 C1-C12 지방족 히드로카르빌렌기, 페닐렌기 또는 이들을 조합하여 얻어지는 C7-C18 기이며, 카르보닐기, 에스테르 결합, 에테르 결합, 브롬 또는 요오드를 포함하고 있어도 좋다. Z4는 메틸렌, 2,2,2-트리플루오로-1,1-에탄디일 또는 카르보닐이다. Z5는 단일 결합, 메틸렌, 에틸렌, 페닐렌, 불소화 페닐렌, 트리플루오로메틸로 치환된 페닐렌, -O-Z51-, -C(=O)-O-Z51- 또는 -C(=O)-NH-Z51-이고, Z51은 C1-C6 지방족 히드로카르빌렌기, 페닐렌, 불소화 페닐렌 또는 트리플루오로메틸로 치환된 페닐렌 기이며, 카르보닐기, 에스테르 결합, 에테르 결합, 할로겐 또는 히드록시기를 포함하고 있어도 좋다. 또한, Z1, Z11, Z31 및 Z51로 표시되는 지방족 히드로카르빌렌기는 포화라도 불포화라도 좋고, 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이라도 좋다.
식 (d1)∼(d3)에서, R21∼R28은 각각 독립적으로 할로겐이거나 또는 헤테로 원자를 포함하고 있어도 좋은 C1-C20 히드로카르빌기이다. 상기 히드로카르빌기는 포화라도 불포화라도 좋고, 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이라도 좋다. 그 구체예로서는 식 (a) 중의 R2∼R4의 설명에 있어서 예시한 것과 같은 것을 들 수 있다. R23 및 R24 또는 R26 및 R27의 쌍은 상호 결합하여 이들이 결합하는 황 원자와 함께 고리를 형성하고 있어도 좋다. 상기 고리로서는 식 (1-1)의 설명에 있어서, R101과 R102가 결합하여 이들이 결합하는 황 원자와 함께 형성할 수 있는 고리로서 예시하는 것과 같은 것을 들 수 있다.
식 (d1)에서, M-는 비구핵성 반대 이온이다. 상기 비구핵성 반대 이온으로서는 염화물 이온, 브롬화물 이온 등의 할로겐화물 이온; 트리플레이트 이온, 1,1,1-트리플루오로에탄술포네이트 이온, 노나플루오로부탄술포네이트 이온 등의 플루오로알킬술포네이트 이온; 토실레이트 이온, 벤젠술포네이트 이온, 4-플루오로벤젠술포네이트 이온, 1,2,3,4,5-펜타플루오로벤젠술포네이트 이온 등의 아릴술포네이트 이온; 메실레이트 이온, 부탄술포네이트 이온 등의 알킬술포네이트 이온; 비스(트리플루오로메틸술포닐)이미드 이온, 비스(퍼플루오로에틸술포닐)이미드 이온, 비스(퍼플루오로부틸술포닐)이미드 이온 등의 이미드 이온; 트리스(트리플루오로메틸술포닐)메티드 이온, 트리스(퍼플루오로에틸술포닐)메티드 이온 등의 메티드 이온을 들 수 있다.
또한, 상기 비구핵성 반대 이온으로서는, 하기 식 (d1-1)로 표시되는 α 위치가 불소 원자로 치환된 술폰산 이온, 하기 식 (d1-2)로 표시되는 α 위치가 불소 원자로 치환되고 β 위치가 트리플루오로메틸로 치환된 술폰산 이온 등을 들 수 있다.
Figure pat00058
식 (d1-1)에서, R31은 수소 또는 C1-C20 히드로카르빌기이며, 에테르 결합, 에스테르 결합, 카르보닐기, 락톤환 또는 불소 원자를 포함하고 있어도 좋다. 상기 히드로카르빌기는 포화라도 불포화라도 좋고, 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이라도 좋다. 그 구체예로서는 식 (1A') 중의 R111로 표시되는 히드로카르빌기로서 예시하는 것과 같은 것을 들 수 있다.
식 (d1-2)에서, R32는 수소, 또는 C1-C30 히드로카르빌기 또는 C2-C30 히드로카르빌카르보닐기이며, 에테르 결합, 에스테르 결합, 카르보닐기 또는 락톤환을 포함하고 있어도 좋다. 상기 히드로카르빌기 및 히드로카르빌카르보닐기의 히드로카르빌기는 포화라도 불포화라도 좋고, 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이라도 좋다. 그 구체예로서는 식 (1A') 중의 R111로 표시되는 히드로카르빌기로서 예시하는 것과 같은 것을 들 수 있다.
반복 단위(d1)을 부여하는 모노머의 양이온으로서는 이하에 나타내는 것을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다. RA는 상기와 같다.
Figure pat00059
반복 단위(d2) 또는 (d3)을 부여하는 모노머의 양이온의 구체예로서는 반복 단위(a)를 부여하는 모노머의 술포늄 양이온으로서 예시한 것과 같은 것을 들 수 있다.
반복 단위(d2)를 부여하는 모노머의 음이온으로서는 이하에 나타내는 것을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다. RA는 상기와 같다.
Figure pat00060
Figure pat00061
Figure pat00062
Figure pat00063
Figure pat00064
Figure pat00065
Figure pat00066
Figure pat00067
반복 단위(d3)을 부여하는 모노머의 음이온으로서는 이하에 나타내는 것을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다. RA는 상기와 같다.
Figure pat00068
반복 단위(d1)∼(d3)은 산발생제로서 기능한다. 폴리머 주쇄에 산발생제를 결합시킴으로써 산 확산을 작게 하고, 산 확산의 흐려짐에 의한 해상도의 저하를 방지할 수 있다. 또한, 산발생제가 균일하게 분산함으로써 LWR이나 CDU가 개선된다. 폴리머 바운드형 산발생제에서와 같이, 반복 단위(d)를 포함하는 베이스 폴리머를 이용하는 경우, (후술하는) 첨가형 산발생제의 배합을 생략할 수 있다.
상기 베이스 폴리머는, 아미노기를 포함하지 않고 요오드를 포함하는 반복 단위(e)를 더 포함하여도 좋다. 반복 단위(e)를 부여하는 모노머로서는 이하에 나타내는 것을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다. 상기 식에서, RA는 상기와 같다.
Figure pat00069
상기 베이스 폴리머는 상술한 반복 단위 이외의 반복 단위(f)를 포함하여도 좋고, 반복 단위(f)로서는 스티렌, 비닐나프탈렌, 인덴, 아세나프틸렌, 쿠마린, 쿠마론 등에 유래하는 것을 들 수 있다.
상기 베이스 폴리머에 있어서, 반복 단위 (a), (b1), (b2), (c), (d1), (d2), (d3), (e) 및 (f) 함유 비율은 하기와 같다: 0<a<1.0, 0≤b1≤0.9, 0≤b2≤0.9, 0≤b1+b2≤0.9, 0≤c≤0.9,0≤d1≤0.5, 0≤d2≤0.5, 0≤d3≤0.5, 0≤d1+d2+d3≤0.5, 0≤e≤0.5 및 0≤f≤0.5가 바람직하고,
0.001≤a≤0.8, 0≤b1≤0.8, 0≤b2≤0.8, 0≤b1+b2≤0.8, 0≤c≤0.8, 0≤d1≤0.4, 0≤d2≤0.4, 0≤d3≤0.4, 0≤d1+d2+d3≤0.4, 0≤e≤0.4 및 0≤f≤0.4가 보다 바람직하고, 0.01≤a≤0.7, 0≤b1≤0.7, 0≤b2≤0.7, 0≤b1+b2≤0.7, 0≤c≤0.7, 0≤d1≤0.3, 0≤d2≤0.3, 0≤d3≤0.3, 0≤d1+d2+d3≤0.3, 0≤e≤0.3 및 0≤f≤0.3이 더욱 바람직하다. 단, a+b1+b2+c+d1+d2+d3+e+f=1.0이다.
상기 베이스 폴리머를 합성하기 위해서는, 예컨대 상술한 반복 단위를 부여하는 모노머를, 유기 용제 중, 라디칼 중합개시제를 가하고 가열하여 중합을 행하면 된다. 중합 시에 사용하는 유기 용제로서는 톨루엔, 벤젠, 테트라히드로푸란(THF), 디에틸에테르, 디옥산 등을 들 수 있다. 본원에 사용되는 중합개시제로서는 2,2'-아조비스이소부티로니트릴(AIBN), 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴), 디메틸2,2-아조비스(2-메틸프로피오네이트), 벤조일퍼옥사이드, 라우로일퍼옥사이드 등을 들 수 있다. 반응 온도는 바람직하게는 50∼80℃이고, 반응 시간은 바람직하게는 2∼100시간, 보다 바람직하게는 5∼20시간이다.
히드록시기를 포함하는 모노머를 공중합하는 경우, 중합 전에 히드록시기를 에톡시에톡시기 등의 산에 의해서 탈보호하기 쉬운 아세탈기로 치환해 두고서 중합 후에 약산과 물에 의해서 탈보호를 행하여도 좋다. 대안적으로, 히드록시기는 중합 전에 아세틸, 포르밀, 피발로일 또는 유사한 기 등으로 치환해 두고서 중합 후에 알칼리 가수분해를 행하여도 좋다.
히드록시스티렌이나 히드록시비닐나프탈렌을 공중합하는 경우는, 대안적인 방법이 가능하다. 구체적으로, 히드록시스티렌이나 히드록시비닐나프탈렌 대신에 아세톡시스티렌이나 아세톡시비닐나프탈렌을 이용하여, 중합 후에 상기 알칼리 가수분해에 의해서 아세톡시기를 탈보호하여 히드록시스티렌이나 히드록시비닐나프탈렌으로 하여도 좋다. 알칼리 가수분해 시의 염기로서는 암모니아수, 트리에틸아민 등을 사용할 수 있다. 바람직하게는, 반응 온도는 바람직하게는 -20∼100℃, 보다 바람직하게는 0∼60℃이고 반응 시간은 바람직하게는 0.2∼100시간, 보다 바람직하게는 0.5∼20시간이다.
상기 베이스 폴리머는, 용제로서 테트라하이드로푸란(THF)를 이용한 GPC에 의한 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량(Mw)이 바람직하게는 1,000∼500,000, 보다 바람직하게는 2,000∼30,000이다. Mw가 지나치게 작으면 레지스트 재료가 내열성이 뒤떨어지는 것으로 된다. Mw가 지나치게 크면 알칼리 용해성이 저하하여 패턴 형성 후에 풋팅 현상이 생기기 쉽게 된다.
상기 베이스 폴리머에 있어서 분자량 분포 또는 분포도(Mw/Mn)가 넓은 경우는, 저분자량이나 고분자량의 폴리머가 존재하기 때문에, 노광 후에 패턴 상에 이물이 보이거나 패턴의 형상이 악화하거나 할 우려가 있다. 패턴 룰이 미세화함에 따라서, Mw 및 Mw/Mn의 영향이 커지기 쉽다. 따라서, 미세한 패턴 치수에 적합하게 이용되는 레지스트 재료를 얻기 위해서는, 상기 베이스 폴리머는 1.0∼2.0, 특히 1.0∼1.5의 협분산(Mw/Mn)을 갖는 것이 바람직하다.
상기 베이스 폴리머는 조성 비율, Mw, 또는 Mw/Mn이 다른 2개 이상의 폴리머의 블렌드일 수 있다. 또한, 반복 단위(a)를 포함하는 폴리머와, 반복 단위(a)를 포함하지 않고 반복 단위(b1) 및/또는 (b2)를 포함하는 폴리머를, 블렌드하여도 좋다.
산발생제
본 발명의 포지티브형 레지스트 재료는 강산을 발생하는 산발생제를 포함하여도 좋고, 이는 또한 첨가형 산발생제라고도 한다. 여기서 말하는 "강산"이란, 베이스 폴리머의 산불안정기의 탈보호 반응을 일으키기에 충분한 산성도를 가지고 있는 화합물을 의미한다.
상기 산발생제로서는 예컨대 활성광선 또는 방사선에 감응하여 산을 발생할 수 있는 화합물(PAG)을 들 수 있다. PAG로서는, 고에너지선 조사에 의해 산을 발생하는 화합물이라면 어떠한 것라도 상관없지만, 술폰산, 이미딕산(이미드산) 또는 메티드산을 발생하는 것이 바람직하다. 적합한 PAG로서는 술포늄염, 요오도늄염, 술포닐디아조메탄, N-술포닐옥시이미드, 옥심-O-술포네이트형 산발생제 등이 있다. 적합한 PAG로서는 USP 7,537,880 (JP-A 2008-111103, 단락 [0122]-[0142])에 기재되어 있는 것을 들 수 있다.
또한, PAG로서 하기 식 (1-1)로 표시되는 술포늄염 및 하기 식 (1-2)로 표시되는 요오도늄염이 바람직하다.
Figure pat00070
식 (1-1) 및 (1-2)에서, R101∼R105는 각각 독립적으로 할로겐이거나 또는 헤테로 원자를 포함하고 있어도 좋은 C1-C20 히드로카르빌기이다. 상기 C1-C20 히드로카르빌기로서는 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이라도 좋고, 그 구체예로서는 식 (a) 중의 R2∼R4의 설명에 있어서 예시한 것과 같은 것을 들 수 있다. 상기 히드로카르빌기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 산소, 황, 질소, 할로겐 등의 헤테로 원자를 포함하는 기로 치환되어 있어도 좋고, 일부 치환기 -CH2-가 산소, 황, 질소 등의 헤테로 원자를 포함하는 기로 치환되어 있어도 좋으며, 그 결과, 상기 기는 히드록시, 불소, 염소, 브롬, 요오드, 시아노, 니트로, 카르보닐, 에테르 결합, 에스테르 결합, 술폰산에스테르 결합, 카보네이트 결합, 락톤환, 술톤환, 카르복실산무수물, 할로알킬기 등을 포함하고 있어도 좋다. R101과 R102가 상호 결합하여 이들이 결합하는 황 원자와 함께 고리를 형성하여도 좋다. 상기 고리로서는, 식 (a)의 설명에 있어서 R2와 R3이 상호 결합하여 이들이 결합하는 황 원자와 함께 형성할 수 있는 고리로서 예시한 것과 같은 것을 들 수 있다.
식 (1-1)을 갖는 술포늄염의 양이온으로서는 반복 단위(a)를 부여하는 모노머의 술포늄 양이온으로서 예시한 것과 같은 것을 들 수 있다.
식 (1-2)를 갖는 요오도늄염의 양이온으로서는 이하에 나타내는 것을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.
Figure pat00071
식 (1-1) 및 (1-2)에서, Xa-는 하기 식 (1A), (1B), (1C) 또는 (1D)에서 선택되는 음이온이다.
Figure pat00072
식 (1A)에서, Rfa는 불소이거나 또는 헤테로 원자를 포함하고 있어도 좋은 C1-C40 히드로카르빌기이다. 상기 히드로카르빌기는 포화라도 불포화라도 좋고, 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이라도 좋다. 그 구체예로서는 식 (1A') 중의 R111로 표시되는 히드로카르빌기로서 예시하는 것과 같은 것을 들 수 있다.
식 (1A)를 갖는 음이온으로서는 하기 식 (1A')을 갖는 것이 바람직하다.
Figure pat00073
식 (1A')에서, RHF는 수소 또는 트리플루오로메틸이며, 바람직하게는 트리플루오로메틸이다. R111은 헤테로 원자를 포함하고 있어도 좋은 C1-C38 히드로카르빌기이다. 상기 헤테로 원자로서는 산소, 질소, 황, 할로겐 원자 등이 바람직하고, 산소가 가장 바람직하다. R111로 표시되는 히드로카르빌기로서는, 미세 패턴 형성에 있어서 높은 해상도를 얻는다는 점에서, 특히 탄소수 6∼30인 것이 바람직하다. 상기 히드로카르빌기는 포화라도 불포화라도 좋고, 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이라도 좋다. 그 구체예로서는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 네오펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 2-에틸헥실기, 노닐기, 운데실기, 트리데실기, 펜타데실기, 헵타데실기, 이코사닐기 등의 C1-C38 알킬기; 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 1-아다만틸기, 2-아다만틸기, 1-아다만틸메틸기, 노르보르닐기, 노르보르닐메틸기, 트리시클로데카닐기, 테트라시클로도데카닐기, 테트라시클로도데카닐메틸기, 디시클로헥실메틸기 등의 C3-C38 환식 포화 히드로카르빌기; 알릴기, 3-시클로헥세닐기 등의 C2-C38 불포화 지방족 히드로카르빌기; 페닐기, 1-나프틸기, 2-나프틸기 등의 C6-C38 아릴기; 벤질기, 디페닐메틸기 등의 C7-C38 아랄킬기; 이들을 조합하여 얻어지는 기 등을 들 수 있다.
또한, 상기 히드로카르빌기에서, 이의 수소 원자의 일부 또는 전부가 산소, 황, 질소, 할로겐 등의 헤테로 원자를 포함하는 기로 치환되어 있어도 좋고, 일부 치환기 -CH2-가 산소, 황, 질소 등의 헤테로 원자를 포함하는 기로 치환되어 있어도 좋으며, 그 결과, 상기 기는 히드록시, 불소, 염소, 브롬, 요오드, 시아노, 니트로, 카르보닐, 에테르 결합, 에스테르 결합, 술폰산에스테르 결합, 카보네이트 결합, 락톤환, 술톤환, 카르복실산무수물, 할로알킬기 등을 포함하고 있어도 좋다. 헤테로 원자를 포함하는 히드로카르빌기로서는 테트라히드로푸릴, 메톡시메틸, 에톡시메틸, 메틸티오메틸, 아세트아미드메틸, 트리플루오로에틸, (2-메톡시에톡시)메틸, 아세톡시메틸, 2-카르복시-1-시클로헥실, 2-옥소프로필, 4-옥소-1-아다만틸, 3-옥소시클로헥실 등을 들 수 있다.
식 (1A')를 갖는 음이온을 포함하는 술포늄염의 합성에 관해서는 JP-A 2007-145797, JP-A 2008-106045, JP-A 2009-007327, 및 JP-A 2009-258695에 자세히 나와 있다. 또한, JP-A 2010-215608, JP-A 2012-041320, JP-A 2012-106986, 및 JP-A 2012-153644에 기재된 술포늄염도 적합하게 이용된다.
식 (1A)로 표시되는 음이온으로서는 JP-A 2018-197853의 식 (1A)를 갖는 음이온으로서 예시된 것과 같은 것을 들 수 있다.
식 (1B)에서, Rfb1 및 Rfb2는 각각 독립적으로 불소, 또는 헤테로 원자를 포함하고 있어도 좋은 C1-C40 히드로카르빌기이다. 상기 히드로카르빌기는 포화라도 불포화라도 좋고, 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이라도 좋고, 그 구체예로서는 식 (1A') 중의 R111로 표시되는 히드로카르빌기로서 예시한 것과 같은 것을 들 수 있다. Rfb1 및 Rfb2로서 바람직하게는 불소 또는 C1-C4 직쇄상 불소화알킬기이다. 또한, Rfb1과 Rfb2는 상호 결합하여 이들이 결합하는 기: -CF2-SO2-N--SO2-CF2-와 함께 고리를 형성하여도 좋다. Rfb1과 Rfb2가 상호 결합하여 얻어지는 기는 불소화 에틸렌 또는 불소화 프로필렌 기인 것이 바람직하다.
식 (1C)에서, Rfc1, Rfc2 및 Rfc3은 각각 독립적으로 불소, 또는 헤테로 원자를 포함하고 있어도 좋은 C1-C40 히드로카르빌기이다. 상기 히드로카르빌기는 포화라도 불포화라도 좋고, 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이라도 좋고, 그 구체예로서는 식 (1A') 중의 R111로 표시되는 히드로카르빌기로서 예시한 것과 같은 것을 들 수 있다. Rfc1, Rfc2 및 Rfc3으로서 바람직하게는 불소 또는 C1-C4 직쇄상 불소화 알킬기이다. 또한, Rfc1과 Rfc2는 상호 결합하여 이들이 결합하는 기: -CF2-SO2-C--SO2-CF2-와 함께 고리를 형성하여도 좋다. Rfc1과 Rfc2가 상호 결합하여 얻어지는 기는 불소화 에틸렌 또는 불소화 프로필렌 기인 것이 바람직하다.
식 (1D)에서, Rfd는 헤테로 원자를 포함하고 있어도 좋은 C1-C40 히드로카르빌기이다. 상기 히드로카르빌기는 포화라도 불포화라도 좋고, 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이라도 좋고, 그 구체예로서는 식 (1A') 중의 R111로 표시되는 히드로카르빌기로서 예시한 것과 같은 것을 들 수 있다.
식 (1D)를 갖는 음이온을 포함하는 술포늄염의 합성에 관해서는 JP-A 2010-215608 및 JP-A 2014-133723에 자세히 나와 있다.
식 (1D)를 갖는 음이온으로서는 USP 11,022,883 (JP-A 2018-197853)의 식 (1D)를 갖는 음이온으로서 예시된 것과 같은 것을 들 수 있다.
또한, 식 (1D)의 음이온을 갖는 화합물은, 술포기의 α 위치에 불소를 가지고 있지 않지만, β 위치에 2개의 트리플루오로메틸기를 가진다. 이러한 이유로, 베이스 폴리머 중의 산불안정기를 절단하기에 충분한 산성도를 가지고 있다. 그러므로 상기 화합물은 효과적인 PAG이다.
PAG로서 하기 식 (2)을 갖는 화합물이 바람직하다.
Figure pat00074
식 (2)에서, R201 및 R202는 각각 독립적으로 할로겐, 또는 헤테로 원자를 포함하고 있어도 좋은 C1-C30 히드로카르빌기이다. R203은 헤테로 원자를 포함하고 있어도 좋은 C1-C30 히드로카르빌렌기이다. 또한, R201, R202 및 R203 중의 어느 2개가 상호 결합하여 이들이 결합하는 황 원자와 함께 고리를 형성하여도 좋다. 상기 고리로서는, 식 (1-1)의 설명에 있어서 R101과 R102가 결합하여 이들이 결합하는 황 원자와 함께 형성할 수 있는 고리로서 예시한 것과 같은 것을 들 수 있다.
R201 및 R202로 표시되는 히드로카르빌기는 포화라도 불포화라도 좋고, 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이라도 좋다. 그 구체예로서는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, tert-펜틸기, n-헥실기, n-옥틸기, 2-에틸헥실기, n-노닐기, n-데실기 등의 C1-C30 알킬기; 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로펜틸메틸기, 시클로펜틸에틸기, 시클로펜틸부틸기, 시클로헥실메틸기, 시클로헥실에틸기, 시클로헥실부틸기, 노르보르닐기, 트리시클로[5.2.1.02,6]데카닐기, 아다만틸기 등의 C3-C30 환식 포화 히드로카르빌기; 페닐기, 메틸페닐기, 에틸페닐기, n-프로필페닐기, 이소프로필페닐기, n-부틸페닐기, 이소부틸페닐기, sec-부틸페닐기, tert-부틸페닐기, 나프틸기, 메틸나프틸기, 에틸나프틸기, n-프로필나프틸기, 이소프로필나프틸기, n-부틸나프틸기, 이소부틸나프틸기, sec-부틸나프틸기, tert-부틸나프틸기, 안트라세닐기 등의 C6-C30 아릴기; 이들을 조합하여 얻어지는 기 등을 들 수 있다. 상기 히드로카르빌기에서, 수소 원자의 일부 또는 전부가 산소, 황, 질소, 할로겐 등의 헤테로 원자를 포함하는 기로 치환되어 있어도 좋고, 일부 치환기 -CH2-가 산소, 황, 질소 등의 헤테로 원자를 포함하는 기로 치환되어 있어도 좋으며, 그 결과, 상기 기는 히드록시, 불소, 염소, 브롬, 요오드, 시아노, 니트로, 카르보닐, 에테르 결합, 에스테르 결합, 술폰산에스테르 결합, 카보네이트 결합, 락톤환, 술톤환, 카르복실산무수물, 할로알킬기 등을 포함하고 있어도 좋다.
히드로카르빌렌기 R203은 포화라도 불포화라도 좋고, 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이라도 좋다. 그 구체예로서는 메탄디일기, 에탄-1,1-디일기, 에탄-1,2-디일기, 프로판-1,3-디일기, 부탄-1,4-디일기, 펜탄-1,5-디일기, 헥산-1,6-디일기, 헵탄-1,7-디일기, 옥탄-1,8-디일기, 노난-1,9-디일기, 데칸-1,10-디일기, 운데칸-1,11-디일기, 도데칸-1,12-디일기, 트리데칸-1,13-디일기, 테트라데칸-1,14-디일기, 펜타데칸-1,15-디일기, 헥사데칸-1,16-디일기, 헵타데칸-1,17-디일기 등의 C1-C30 알칸디일기; 시클로펜탄디일기, 시클로헥산디일기, 노르보르난디일기, 아다만탄디일기 등의 C3-C30 환식 포화 히드로카르빌렌기; 페닐렌기, 메틸페닐렌기, 에틸페닐렌기, n-프로필페닐렌기, 이소프로필페닐렌기, n-부틸페닐렌기, 이소부틸페닐렌기, sec-부틸페닐렌기, tert-부틸페닐렌기, 나프틸렌기, 메틸나프틸렌기, 에틸나프틸렌기, n-프로필나프틸렌기, 이소프로필나프틸렌기, n-부틸나프틸렌기, 이소부틸나프틸렌기, sec-부틸나프틸렌기, tert-부틸나프틸렌기 등의 C6-C30 아릴렌기; 이들을 조합하여 얻어지는 기 등을 들 수 있다. 이러한 기에서, 수소 원자의 일부 또는 전부가 산소, 황, 질소, 할로겐 등의 헤테로 원자를 포함하는 기로 치환되어 있어도 좋거나, 일부 치환기 -CH2-가 산소, 황, 질소 등의 헤테로 원자를 포함하는 기로 치환되어 있어도 좋으며, 그 결과, 상기 기는 히드록시, 불소, 염소, 브롬, 요오드, 시아노, 니트로, 카르보닐, 에테르 결합, 에스테르 결합, 술폰산에스테르 결합, 카보네이트 결합, 락톤환, 술톤환, 카르복실산무수물, 할로알킬기 등을 포함하고 있어도 좋다. 상기 헤테로 원자로서는 산소가 바람직하다.
식 (2)에서, LC는 단일 결합, 에테르 결합, 또는 헤테로 원자를 포함하고 있어도 좋은 C1-C20 히드로카르빌렌기이다. 상기 히드로카르빌렌기는 포화라도 불포화라도 좋고, 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이라도 좋다. 그 구체예로서는 R203에 대해 상기 예시한 것과 같은 것을 들 수 있다.
식 (2)에서, XA, XB, XC 및 XD는 각각 독립적으로 수소, 불소 또는 트리플루오로메틸이고, 단, XA, XB, XC 및 XD 중 적어도 하나는 불소 또는 트리플루오로메틸이고, t는 0∼3의 정수이다.
식 (2)를 갖는 PAG로서는 하기 식 (2')를 갖는 것이 바람직하다.
Figure pat00075
식 (2')에서, LC는 상기와 같다. RHF는 수소 또는 트리플루오로메틸이며, 바람직하게는 트리플루오로메틸이다. R301, R302 및 R303은 각각 독립적으로 수소, 또는 헤테로 원자를 포함하고 있어도 좋은 C1-C20 히드로카르빌기이다. 상기 히드로카르빌기는 포화라도 불포화라도 좋고, 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이라도 좋다. 그 구체예로서는 식 (1A') 중의 R111에 대해 상기 예시한 것과 같은 것을 들 수 있다. 하첨자 x 및 y는 각각 독립적으로 0∼5의 정수이고, z는 0∼4의 정수이다.
식 (2)를 갖는 PAG로서는 USP 9,720,324 (JP-A 2017-026980)의 식 (2)를 갖는 PAG로서 예시된 것과 같은 것을 들 수 있다.
상기 PAG 중, 식 (1A') 또는 (1D)의 음이온을 포함하는 것은, 산 확산이 작으며 또한 용제에의 용해성도 우수하여 특히 바람직하다. 또한, 식 (2')로 표시되는 것은 산 확산이 매우 작아 특히 바람직하다.
상기 PAG로서 요오드 원자 또는 브롬 원자로 치환된 방향환을 갖는 음이온을 포함하는 술포늄염 또는 요오도늄염을 이용할 수도 있다. 하기 식 (3-1) 및 (3-2)을 갖는 술포늄염 및 요오도늄염이 적합하다.
Figure pat00076
식 (3-1) 및 (3-2)에서, p는 1∼3의 정수이고, q는 1∼5의 정수이고, r은 0∼3의 정수이고, 1≤q+r≤5이다. q는 1∼3의 정수가 바람직하고, 2 또는 3이 보다 바람직하고, r은 0∼2의 정수가 바람직하다.
XBI는 요오드 또는 브롬이며, p 및/또는 q가 2 이상일 때, 상호 동일하더라도 다르더라도 좋다.
L1은 단일 결합, 에테르 결합, 에스테르 결합, 또는 에테르 결합 혹은 에스테르 결합을 포함하고 있어도 좋은 C1-C6 포화 히드로카르빌렌기이다. 상기 포화 히드로카르빌렌기는 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이라도 좋다.
L2는 p=1일 때는 단일 결합 또는 C1-C20 2가의 연결기이거나, p=2 또는 3일 때는 C1-C20 (p+1)가의 연결기이며, 이 연결기는 임의로 산소, 황 또는 질소 원자를 포함하고 있어도 좋다.
R401은 히드록시기, 카르복시기, 불소, 염소, 브롬, 아미노기, 혹은 불소, 염소, 브롬, 히드록시, 아미노 혹은 에테르 결합을 포함하고 있어도 좋은, C1-C20 히드로카르빌, C1-C20 히드로카르빌옥시, C2-C20 히드로카르빌카르보닐, C2-C20 히드로카르빌옥시카르보닐, C2-C20 히드로카르빌카르보닐옥시 혹은 C1-C20 히드로카르빌술포닐옥시 기, 또는 -N(R401A)(R401B), -N(R401C)-C(=O)-R401D 혹은 -N(R401C)-C(=O)-O-R401D이다. R401A 및 R401B는 각각 독립적으로 수소 또는 C1-C6 포화 히드로카르빌기이다. R401C는 수소 또는 C1-C6 포화 히드로카르빌기이며, 이는 할로겐, 히드록시, C1-C6 포화 히드로카르빌옥시, C2-C6 포화 히드로카르빌카르보닐 또는 C2-C6 포화 히드로카르빌카르보닐옥시 기를 포함하고 있어도 좋다. R401D는 C1-C16 지방족 히드로카르빌, C6-C12 아릴기 또는 C7-C15 아랄킬기이며, 할로겐, 히드록시, C1-C6 포화 히드로카르빌옥시, C2-C6 포화 히드로카르빌카르보닐 또는 C2-C6 포화 히드로카르빌카르보닐옥시 기를 포함하고 있어도 좋다. 상기 지방족 히드로카르빌기는 포화라도 불포화라도 좋고, 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이라도 좋다. 상기 히드로카르빌, 히드로카르빌옥시, 히드로카르빌카르보닐, 히드로카르빌옥시카르보닐, 히드로카르빌카르보닐옥시 및 히드로카르빌술포닐옥시 기는 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이라도 좋다. p 및/또는 r이 2 이상일 때, 기 R401은 상호 동일하더라도 다르더라도 좋다. 이들 중, R401로서는 히드록시, -N(R401C)-C(=O)-R401D, -N(R401C)-C(=O)-O-R401D, 불소, 염소, 브롬, 메틸, 메톡시 등이 바람직하다.
식 (3-1) 및 (3-2)에서, Rf1∼Rf4는 각각 독립적으로 수소, 불소 또는 트리플루오로메틸이지만, Rf1∼Rf4 중 적어도 하나는 불소 또는 트리플루오로메틸이거나, Rf1과 Rf2가 합쳐져 카르보닐기를 형성하여도 좋다. Rf3 및 Rf4 둘 모두가 불소인 것이 바람직하다.
R402∼R406은 각각 독립적으로 할로겐, 또는 헤테로 원자를 포함하고 있어도 좋은 C1-C20 히드로카르빌기이다. 상기 히드로카르빌기는 포화라도 불포화라도 좋고, 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이라도 좋다. 그 구체예로서는 식 (1-1) 및 (1-2)의 설명에 있어서 R101∼R105로 표시되는 히드로카르빌기로서 예시한 것과 같은 것을 들 수 있다. 이 기들에서, 수소 원자의 일부 또는 전부가 히드록시, 카르복시, 할로겐, 시아노, 니트로, 메르캅토, 술톤, 술폰 또는 술포늄염 함유 기로 치환되어 있어도 좋고, 일부 치환기 -CH2-가 에테르 결합, 에스테르 결합, 카르보닐기, 아미드 결합, 카보네이트 결합 또는 술폰산에스테르 결합으로 치환되어 있어도 좋다. R402 및 R403이 상호 결합하여 이들이 결합하는 황 원자와 함께 고리를 형성하여도 좋다. 상기 고리로서는, 식 (1-1)의 설명에 있어서 R101과 R102가 결합하여 이들이 결합하는 황 원자와 함께 형성할 수 있는 고리로서 예시한 것과 같은 것을 들 수 있다.
식 (3-1)을 갖는 술포늄염의 양이온으로서는 식 (1-1)을 갖는 술포늄염의 양이온으로서 예시한 것과 같은 것을 들 수 있다. 식 (3-2)를 갖는 요오도늄염의 양이온으로서는 식 (1-2)를 갖는 요오도늄염의 양이온으로서 예시한 것과 같은 것을 들 수 있다.
식 (3-1) 및 (3-2)를 갖는 오늄염의 음이온으로서는 이하에 나타내는 것을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다. 상기 식에서, XBI는 상기와 같다.
Figure pat00077
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Figure pat00101
본 발명의 포지티브형 레지스트 재료가 첨가형 산발생제를 포함하는 경우, 그 함유량은 베이스 폴리머 100 질량부에 대하여 0.1∼50 질량부가 바람직하고, 1∼40 질량부가 보다 바람직하다. 상기 베이스 폴리머가 반복 단위(d)를 포함함으로써 및/또는 첨가형 산발생제를 포함하는 경우, 상기 레지스트 재료는 화학 증폭 포지티브형 레지스트 재료로서 기능할 수 있다.
유기 용제
레지스트 재료는 유기 용제를 포함하여도 좋다. 상기 유기 용제는 상술한 각 성분 및 후술하는 각 성분이 용해 가능한 것이라면 특별히 한정되지 않는다. 상기 유기 용제는, JP-A 2008-111103, 단락 [0144]-[0145] (USP 7,537,880)에 기재되어 있다. 그 예는 시클로헥사논, 시클로펜타논, 메틸-2-n-펜틸케톤, 2-헵타논 등의 케톤류; 3-메톡시부탄올, 3-메틸-3-메톡시부탄올, 1-메톡시-2-프로판올, 1-에톡시-2-프로판올, 디아세톤알코올(DAA) 등의 알코올류; 프로필렌글리콜모노메틸에테르(PGME), 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르 등의 에테르류; 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA), 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 젖산에틸(L, D 및 DL 아형), 피루브산에틸, 아세트산부틸, 3-메톡시프로피온산메틸, 3-에톡시프로피온산에틸, 아세트산tert-부틸, 프로피온산tert-부틸, 프로필렌글리콜모노tert-부틸에테르아세테이트 등의 에스테르류; γ-부티로락톤 등의 락톤류 등을 들 수 있으며, 이는 단독으로 또는 조합하여 사용될 수 있다.
상기 유기 용제의 함유량은, 베이스 폴리머 100 질량부에 대하여 100∼10,000 질량부가 바람직하고, 200∼8,000 질량부가 보다 바람직하다.
그 밖의 성분
상기 포지티브형 레지스트 재료는, 상술한 성분에 더하여, 계면활성제, 용해저지제, 켄처, 발수성 향상제, 아세틸렌알코올류 등을 포함하여도 좋다.
상기 계면활성제로서는 일본 특허공개 JP-A 2008-111103, 단락 [0165]-[0166]에 기재된 것을 들 수 있다. 계면활성제를 첨가함으로써, 레지스트 재료의 도포성을 한층 더 향상 혹은 제어할 수 있다. 계면활성제는 단독으로 또는 조합하여 사용될 수 있다. 상기 계면활성제의 함유량은 베이스 폴리머 100 질량부에 대하여 0.0001∼10 질량부가 바람직하다.
용해저지제를 첨가함으로써, 노광부와 미노광부의 용해 속도의 차를 한층 더 크게 할 수 있고, 해상도를 한층 더 향상시킬 수 있다. 상기 용해저지제로서는, 분자량이 바람직하게는 100∼1,000, 보다 바람직하게는 150∼800이면서 또한 분자 내에 페놀성 히드록시기를 2개 이상 포함하는 화합물의 상기 페놀성 히드록시기의 수소 원자를 산불안정기에 의해서 전체적으로 0∼100 몰%의 비율로 치환한 화합물, 또는 분자 내에 카르복시기를 포함하는 화합물의 상기 카르복시기의 수소 원자를 산불안정기에 의해서 전체적으로 평균 50∼100 몰%의 비율로 치환한 화합물을 들 수 있다. 구체적으로는 비스페놀A, 트리스페놀, 페놀프탈레인, 크레졸노볼락, 나프탈렌카르복실산, 아다만탄카르복실산, 콜산의 히드록시기, 카르복시기의 수소 원자를 산불안정기로 치환한 화합물 등을 들 수 있으며, USP 7,771,914 (JP-A 2008-122932, 단락 [0155]-[0178]에 기재되어 있다.
상기 용해저지제는 베이스 폴리머 100 질량부에 대하여 0∼50 질량부가 바람직하고, 5∼40 질량부로 첨가되는 것이 바람직하다.
상기 켄처로서는 종래 형태의 염기성 화합물을 들 수 있다. 종래 형태의 염기성 화합물로서는, 제1급, 제2급, 제3급의 지방족 아민류, 혼성 아민류, 방향족 아민류, 복소환 아민류, 카르복시기를 갖는 함질소 화합물, 술포닐기를 갖는 함질소 화합물, 히드록시기를 갖는 함질소 화합물, 히드록시페닐기를 갖는 함질소 화합물, 알코올성 함질소 화합물, 아미드류, 이미드류, 카바메이트류 등을 들 수 있다. 또한, JP-A 2008-111103, 단락 [0146]-[0164]에 기재된 제1급, 제2급, 제3급의 아민 화합물, 특히 히드록시기, 에테르 결합, 에스테르 결합, 락톤환, 시아노기, 술폰산에스테르 결합을 갖는 아민 화합물 혹은 JP 3790649에 기재된 카바메이트기를 갖는 화합물 등이 바람직하다. 이러한 염기성 화합물을 첨가함으로써, 예컨대 레지스트막 내에서의 산의 확산 속도를 더욱 억제하거나 형상을 보정하거나 할 수 있다.
적합한 켄처로서, JP-A 2008-158339에 기재되어 있는 α 위치가 불소화되어 있지 않은 술폰산 및 카르복실산의, 술포늄염, 요오도늄염, 암모늄염 등의 오늄염을 들 수 있다. α 위치가 불소화된 술폰산, 이미드산 또는 메티드산은, 카르복실산에스테르의 산불안정기를 탈보호시키기 위해서 필요하지만, α 위치가 불소화되어 있지 않은 오늄염과의 염 교환에 의해서 α 위치가 불소화되어 있지 않은 술폰산 또는 카르복실산이 방출된다. α 위치가 불소화되어 있지 않은 술폰산 및 카르복실산은 탈보호 반응을 일으키지 않기 때문에 켄처로서 기능한다.
또한, USP 7,598,016 (JP-A 2008-239918)에 기재된 폴리머형의 켄처가 유용하다. 폴리머형의 켄처는 레지스트막 표면에 배향함으로써 레지스트 패턴의 직사각형성을 높인다. 폴리머형 켄처는 액침 노광용의 보호막을 적용했을 때의 패턴의 막 감소나 패턴 톱의 라운딩을 방지하는 효과도 있다.
상기 레지스트 재료에서, 상기 켄처는 베이스 폴리머 100 질량부에 대하여 0∼5 질량부가 바람직하고, 0∼4 질량부로 첨가되는 것이 바람직하다. 상기 켄처는 단독으로 또는 조합하여 사용될 수 있다.
또한 발수성 향상제는 레지스트막 표면의 발수성을 향상시키기 위해 첨가될 수 있다. 발수성 향상제는 톱코트를 이용하지 않는 액침 리소그래피에 이용할 수 있다. 상기 발수성 향상제는, 불화알킬기를 포함하는 폴리머, 특정 구조의 1,1,1,3,3,3-헥사플루오로-2-프로판올 잔기를 포함하고, JP-A 2007-297590 및 JP-A 2008-111103에 예시되어 있다. 상기 발수성 향상제는 알칼리 현상액이나 유기 용제 현상액에 용해할 필요가 있다. 상술한 특정 1,1,1,3,3,3-헥사플루오로-2-프로판올 잔기를 갖는 발수성 향상제는 현상액에의 용해성이 양호하다. 발수성 향상제로서 아미노기나 아민염을 포함하는 반복 단위를 포함하는 폴리머는, PEB 중의 산의 증발을 막아 현상 후의 홀 패턴의 개구 불량을 방지하는 효과가 높다. 발수성 향상제의 적절한 함유량은 베이스 폴리머 100 질량부에 대하여 0∼20 질량부가 바람직하고, 0.5∼10 질량부가 보다 바람직하다.
또한, 아세틸렌알코올류가 레지스트 재료에 배합될 수 있다. 적합한 아세틸렌알코올류로서는 JP-A 2008-122932, 단락 [0179]-[0182]에 기재된 것을 들 수 있다. 아세틸렌알코올류의 적합한 함유량은 베이스 폴리머 100 질량부에 대하여 0∼5 질량부가 바람직하다. 상기 아세틸렌알코올류는, 단독으로 또는 조합하여 사용될 수 있다.
방법
상기 포지티브형 레지스트 재료를 다양한 집적 회로 제조에 이용된다. 상기 레지스트 재료를 사용하는 패턴 형성 방법은 공지된 리소그래피 기술을 적용할 수 있다. 상기 방법으로서는, 상술한 레지스트 재료를 기판 상에 도포하여 그 위에 레지스트막을 형성하는 단계, 상기 레지스트막을 고에너지선으로 노광하는 단계, 및 상기 노광한 레지스트막을 현상액에서 현상하는 단계를 포함하는 방법을 들 수 있다. 필요에 따라 추가의 단계가 추가될 수 있다.
구체적으로, 우선, 상기 포지티브형 레지스트 재료를, 집적 회로 제조용의 기판(예를 들어, Si, SiO2, SiN, SiON, TiN, WSi, BPSG, SOG, 또는 유기반사방지막) 혹은 마스크 회로 제조용의 기판(예를 들어, Cr, CrO, CrON, MoSi2, 또는 SiO2) 상에 스핀코트, 롤코트, 플로우코트, 딥코트, 스프레이코트, 닥터코트 등의 적당한 도포 방법에 의해 도포한다. 상기 도포막을 핫플레이트 상에서 바람직하게는 60∼150℃, 10초∼30분간, 보다 바람직하게는 80∼120℃, 30초∼20분간 프리베이크하여 레지스트막을 형성한다. 생성된 레지스트막은 두께가 0.01∼2 ㎛이다.
UV, 심-UV, EB, 파장 3∼15 nm의 EUV, X선, 연X선, 엑시머 레이저광, γ선, 싱크로트론 방사선 등의 고에너지선을 이용하여 상기 레지스트막을 노광한다. 상기 고에너지선으로서 UV, 심-UV, EB, 파장 3∼15 nm의 EUV, X선, 연X선, 엑시머 레이저광, γ선, 싱크로트론 방사선 등을 이용하는 경우는, 직접 또는 목적으로 하는 패턴을 형성하기 위한 마스크를 이용하여, 노광량이 바람직하게는 1∼200 mJ/㎠ 정도, 보다 바람직하게는 10∼100 mJ/㎠ 정도가 되도록 조사한다. 고에너지선으로서 EB를 이용하는 경우는, 노광량이 바람직하게는 0.1∼100 μC/㎠ 정도, 보다 바람직하게는 0.5∼50 μC/㎠ 정도로 직접 또는 목적으로 하는 패턴을 형성하기 위한 마스크를 이용하여 묘화한다. 본 발명의 레지스트 재료는, 특히 고에너지선 중에서도 KrF 엑시머 레이저, ArF 엑시머 레이저, EB, EUV, X선, 연X선, γ선, 싱크로트론 방사선에 의한 미세패터닝에 적합하며, 특히 EB 또는 EUV에 의한 미세 패터닝에 적합하다.
노광 후에 핫플레이트 상 또는 오븐 내에서, 바람직하게는 50∼150℃, 10초∼30분간, 보다 바람직하게는 60∼120℃, 30초∼20분간 레지스트막을 베이크(PEB)를 행하여도 좋다.
노광 또는 PEB 후, 3초∼3분간, 바람직하게는 5초∼2분간, 침지(dip)법, 퍼들(puddle)법, 스프레이(spray)법 등의 통상의 방법에 의해 종래의 염기 수용액의 형태의 현상액에서 레지스트막을 현상한다. 통상적인 현상액은 0.1∼10 질량%, 바람직하게는 2∼5 질량%의 테트라메틸암모늄히드록시드(TMAH), 테트라에틸암모늄히드록시드(TEAH), 테트라프로필암모늄히드록시드(TPAH), 테트라부틸암모늄히드록시드(TBAH) 등의 수용액이다. 노광된 부분의 레지스트막은 현상액에 용해되고, 노광되지 않은 부분의 레지스트막은 용해되지 않는다. 이러한 방식으로 목적으로 하는 포지티브형의 패턴이 기판 상에 형성된다.
대안적인 실시양태에서, 상기 포지티브형 레지스트 재료를 이용하여 유기 용제 현상에 의해서 네가티브 패턴을 얻는 네가티브 현상을 행할 수도 있다. 이때에 이용하는 현상액은 2-옥타논, 2-노나논, 2-헵타논, 3-헵타논, 4-헵타논, 2-헥사논, 3-헥사논, 디이소부틸케톤, 메틸시클로헥사논, 아세토페논, 메틸아세토페논, 아세트산프로필, 아세트산부틸, 아세트산이소부틸, 아세트산펜틸, 아세트산부테닐, 아세트산이소펜틸, 포름산프로필, 포름산부틸, 포름산이소부틸, 포름산펜틸, 포름산이소펜틸, 발레르산메틸, 펜텐산메틸, 크로톤산메틸, 크로톤산에틸, 프로피온산메틸, 프로피온산에틸, 3-에톡시프로피온산에틸, 젖산메틸, 젖산에틸, 젖산프로필, 젖산부틸, 젖산이소부틸, 젖산펜틸, 젖산이소펜틸, 2-히드록시이소부티르산메틸, 2-히드록시이소부티르산에틸, 안식향산메틸, 안식향산에틸, 아세트산페닐, 아세트산벤질, 페닐아세트산메틸, 포름산벤질, 포름산페닐에틸, 3-페닐프로피온산메틸, 프로피온산벤질, 페닐아세트산에틸, 아세트산2-페닐에틸 중에서 선택된다.
현상의 종료 시에는 레지스트막에 린스를 행한다. 린스액으로서는 현상액과 혼용(混溶)하여 레지스트막을 용해시키지 않는 용제가 바람직하다. 이러한 용제로서는 탄소수 3∼10의 알코올, 탄소수 8∼12의 에테르 화합물, 탄소수 6∼12의 알칸, 알켄, 알킨, 방향족계 용제가 바람직하게 이용된다. 구체적으로 탄소수 3∼10의 적합한 알코올로서는, n-프로필알코올, 이소프로필알코올, 1-부틸알코올, 2-부틸알코올, 이소부틸알코올, tert-부틸알코올, 1-펜탄올, 2-펜탄올, 3-펜탄올, tert-펜틸알코올, 네오펜틸알코올, 2-메틸-1-부탄올, 3-메틸-1-부탄올, 3-메틸-3-펜탄올, 시클로펜탄올, 1-헥산올, 2-헥산올, 3-헥산올, 2,3-디메틸-2-부탄올, 3,3-디메틸-1-부탄올, 3,3-디메틸-2-부탄올, 2-에틸-1-부탄올, 2-메틸-1-펜탄올, 2-메틸-2-펜탄올, 2-메틸-3-펜탄올, 3-메틸-1-펜탄올, 3-메틸-2-펜탄올, 3-메틸-3-펜탄올, 4-메틸-1-펜탄올, 4-메틸-2-펜탄올, 4-메틸-3-펜탄올, 시클로헥산올, 1-옥탄올 등을 들 수 있다. 탄소수 8∼12의 적합한 에테르 화합물로서는 디-n-부틸에테르, 디이소부틸에테르, 디-sec-부틸에테르, 디-n-펜틸에테르, 디이소펜틸에테르, 디-sec-펜틸에테르, 디-tert-펜틸에테르, 디-n-헥실에테르 등을 들 수 있다. 탄소수 6∼12의 적합한 알칸으로서는 헥산, 헵탄, 옥탄, 노난, 데칸, 운데칸, 도데칸, 메틸시클로펜탄, 디메틸시클로펜탄, 시클로헥산, 메틸시클로헥산, 디메틸시클로헥산, 시클로헵탄, 시클로옥탄, 시클로노난 등을 들 수 있다. 탄소수 6∼12의 적합한 알켄으로서는 헥센, 헵텐, 옥텐, 시클로헥센, 메틸시클로헥센, 디메틸시클로헥센, 시클로헵텐, 시클로옥텐 등을 들 수 있다. 탄소수 6∼12의 적합한 알킨으로서는 헥신, 헵틴, 옥틴 등을 들 수 있다. 적합한 방향족계 용제로서는 톨루엔, 크실렌, 에틸벤젠, 이소프로필벤젠, tert-부틸벤젠, 메시틸렌 등을 들 수 있다.
린스를 행함으로써 레지스트 패턴의 붕괴나 결함의 발생을 저감시킬 수 있다. 또한, 린스는 반드시 필수는 아니며, 린스를 행하지 않음으로써 용제의 사용량을 절감할 수 있다.
현상 후의 홀 패턴이나 트렌치 패턴을, 서멀플로우, RELACS® 또는 DSA 기술로 수축(shrink)할 수도 있다. 홀 패턴 상에 수축제를 도포하여, 베이크 중인 레지스트막으로부터의 산 촉매의 확산에 의해서 레지스트막의 표면에서 수축제의 가교가 일어나, 수축제가 홀 패턴의 측벽에 부착된다. 베이크 온도는 바람직하게는 70∼180℃, 보다 바람직하게는 80∼170℃이고, 베이크 시간은 바람직하게는 10∼300초이다. 불필요한 수축제를 제거하여 홀 패턴을 축소시킨다.
실시예
이하, 본 발명의 실시예는 예시적으로 하기에 주어지지만, 이에 한정되지 않는다. 모든 부는 중량 기준이다(pbw). THF는 테트라히드로푸란이다.
[1] 모노머의 합성
합성예 1
술포늄염클로리드와 중합성 이중 결합을 갖는 플루오로페놀 화합물 또는 카르복실산 화합물과의 이온 교환에 의해서 하기 모노머 M-1∼M-11 및 비교 모노머 cM-1을 합성하였다.
Figure pat00102
[2] 베이스 폴리머의 합성
베이스 폴리머의 합성에 이용한 모노머 AM-1∼AM-4 및 PM-1∼PM-3은 이하와 같다. 또한, Mw 및 Mw/Mn는 용제로서 THF를 이용한 GPC에 의한 폴리스티렌 환산 측정치이다.
Figure pat00103
합성예 2-1
폴리머 P-1의 합성
2 L의 플라스크에, 모노머 M-1을 2.3 g, 메타크릴산1-메틸-1-시클로펜틸을 8.4 g, 4-히드록시스티렌을 5.4 g 및 용제로서 THF를 40 g 첨가했다. 이 반응 용기를 질소 분위기 하 -70℃까지 냉각하여, 감압 탈기 및 질소 블로우를 3회 반복했다. 반응 용기를 실온까지 승온한 후, 중합개시제로서 아조비스이소부티로니트릴(AIBN)을 1.2 g 가하였다. 반응 용기를 60℃까지 승온하여, 15시간 반응시켰다. 이 반응 용액을 이소프로필알코올 1 L 중에 가하여 석출시켰다. 석출된 백색 고체를 여과 분별하고, 60℃에서 감압 건조하여, 폴리머 P-1을 얻었다. 폴리머 P-1의 조성은 13C- 및 1H-NMR에 의해, Mw 및 Mw/Mn은 GPC에 의해 분석하였다.
Figure pat00104
합성예 2-2
폴리머 P-2의 합성
2 L의 플라스크에, 모노머 M-2를 2.4 g, 메타크릴산1-메틸-1-시클로헥실을 7.3 g, 4-히드록시스티렌을 4.8 g, 모노머 PM-2를 11.0 g 및 용제로서 THF를 40 g 첨가했다. 이 반응 용기를 질소 분위기 하 -70℃까지 냉각하여, 감압 탈기 및 질소 블로우를 3회 반복했다. 반응 용기를 실온까지 승온한 후, 중합개시제로서 AIBN을 1.2 g 가하였다. 반응 용기를 60℃까지 승온하여, 15시간 반응시켰다. 이 반응 용액을 이소프로필알코올 1 L 중에 석출시켰다. 석출된 백색 고체를 여과 분별하고, 60℃에서 감압 건조하여, 폴리머 P-2를 얻었다. 폴리머 P-2의 조성은 13C- 및 1H-NMR에 의해, Mw 및 Mw/Mn은 GPC에 의해 분석하였다.
Figure pat00105
합성예 2-3
폴리머 P-3의 합성
2 L의 플라스크에, 모노머 M-3을 2.7 g, 메타크릴산1-메틸-1-시클로펜틸을 8.4 g, 3-히드록시스티렌을 3.6 g, 모노머 PM-1을 11.9 g 및 용제로서 THF를 40 g 첨가했다. 이 반응 용기를 질소 분위기 하 -70℃까지 냉각하여, 감압 탈기 및 질소 블로우를 3회 반복했다. 반응 용기를 실온까지 승온한 후, 중합개시제로서 AIBN을 1.2 g 가하였다. 반응 용기를 60℃까지 승온하여, 15시간 반응시켰다. 이 반응 용액을 이소프로필알코올 1 L 중에 석출시켰다. 석출된 백색 고체를 여과 분별하고, 60℃에서 감압 건조하여, 폴리머 P-3을 얻었다. 폴리머 P-3의 조성은 13C- 및 1H-NMR에 의해, Mw 및 Mw/Mn은 GPC에 의해 분석하였다.
Figure pat00106
합성예 2-4
폴리머 P-4의 합성
2 L의 플라스크에, 모노머 M-4를 3.0 g, 메타크릴산1-메틸-1-시클로펜틸을 8.4 g, 3-히드록시스티렌을 3.6 g, 모노머 PM-3을 10.6 g 및 용제로서 THF를 40 g 첨가했다. 이 반응 용기를 질소 분위기 하 -70℃까지 냉각하여, 감압 탈기 및 질소 블로우를 3회 반복했다. 반응 용기를 실온까지 승온한 후, 중합개시제로서 AIBN을 1.2 g 가하였다. 반응 용기를 60℃까지 승온하여, 15시간 반응시켰다. 이 반응 용액을 이소프로필알코올 1 L 중에 석출시켰다. 석출된 백색 고체를 여과 분별하고, 60℃에서 감압 건조하여, 폴리머 P-4를 얻었다. 폴리머 P-4의 조성은 13C- 및 1H-NMR에 의해, Mw 및 Mw/Mn은 GPC에 의해 분석하였다.
Figure pat00107
합성예 2-5
폴리머 P-5의 합성
2 L의 플라스크에, 모노머 M-5를 2.9 g, 메타크릴산1-메틸-1-시클로펜틸을 8.4 g, 3-히드록시스티렌을 3.6 g, 모노머 PM-2를 11.0 g 및 용제로서 THF를 40 g 첨가했다. 이 반응 용기를 질소 분위기 하 -70℃까지 냉각하여, 감압 탈기 및 질소 블로우를 3회 반복했다. 반응 용기를 실온까지 승온한 후, 중합개시제로서 AIBN을 1.2 g 가하였다. 반응 용기를 60℃까지 승온하여, 15시간 반응시켰다. 이 반응 용액을 이소프로필알코올 1 L 중에 석출시켰다. 석출된 백색 고체를 여과 분별하고, 60℃에서 감압 건조하여, 폴리머 P-5를 얻었다. 폴리머 P-5의 조성은 13C- 및 1H-NMR에 의해, Mw 및 Mw/Mn은 GPC에 의해 분석하였다.
Figure pat00108
합성예 2-6
폴리머 P-6의 합성
2 L의 플라스크에, 모노머 M-6을 2.9 g, 메타크릴산1-메틸-1-시클로펜틸을 8.4 g, 4-히드록시스티렌을 3.6 g, 모노머 PM-3을 10.6 g 및 용제로서 THF를 40 g 첨가했다. 이 반응 용기를 질소 분위기 하 -70℃까지 냉각하여, 감압 탈기 및 질소 블로우를 3회 반복했다. 반응 용기를 실온까지 승온한 후, 중합개시제로서 AIBN을 1.2 g 가하였다. 반응 용기를 60℃까지 승온하여, 15시간 반응시켰다. 이 반응 용액을 이소프로필알코올 1 L 중에 석출시켰다. 석출된 백색 고체를 여과 분별하고, 60℃에서 감압 건조하여, 폴리머 P-6을 얻었다. 폴리머 P-6의 조성은 13C- 및 1H-NMR에 의해, Mw 및 Mw/Mn은 GPC에 의해 분석하였다.
Figure pat00109
합성예 2-7
폴리머 P-7의 합성
2 L의 플라스크에, 모노머 M-7을 3.3 g, 메타크릴산1-메틸-1-시클로펜틸을 8.4 g, 3-히드록시스티렌을 3.6 g, 모노머 PM-2를 11.0 g 및 용제로서 THF를 40 g 첨가했다. 이 반응 용기를 질소 분위기 하 -70℃까지 냉각하여, 감압 탈기 및 질소 블로우를 3회 반복했다. 반응 용기를 실온까지 승온한 후, 중합개시제로서 AIBN을 1.2 g 가하였다. 반응 용기를 60℃까지 승온하여, 15시간 반응시켰다. 이 반응 용액을 이소프로필알코올 1 L 중에 석출시켰다. 석출된 백색 고체를 여과 분별하고, 60℃에서 감압 건조하여, 폴리머 P-7을 얻었다. 폴리머 P-7의 조성은 13C- 및 1H-NMR에 의해, Mw 및 Mw/Mn은 GPC에 의해 분석하였다.
Figure pat00110
합성예 2-8
폴리머 P-8의 합성
2 L의 플라스크에, 모노머 M-8을 2.3 g, 메타크릴산1-메틸-1-시클로펜틸을 8.4 g, 3-히드록시스티렌을 3.6 g, 모노머 PM-2를 11.0 g 및 용제로서 THF를 40 g 첨가했다. 이 반응 용기를 질소 분위기 하 -70℃까지 냉각하여, 감압 탈기 및 질소 블로우를 3회 반복했다. 반응 용기를 실온까지 승온한 후, 중합개시제로서 AIBN을 1.2 g 가하였다. 반응 용기를 60℃까지 승온하여, 15시간 반응시켰다. 이 반응 용액을 이소프로필알코올 1 L 중에 석출시켰다. 석출된 백색 고체를 여과 분별하고, 60℃에서 감압 건조하여, 폴리머 P-8을 얻었다. 폴리머 P-8의 조성은 13C- 및 1H-NMR에 의해, Mw 및 Mw/Mn은 GPC에 의해 분석하였다.
Figure pat00111
합성예 2-9
폴리머 P-9의 합성
2 L의 플라스크에, 모노머 M-5를 2.9 g, 모노머 AM-1을 8.9 g, 4-히드록시스티렌을 4.8 g, 모노머 PM-2를 11.0 g 및 용제로서 THF를 40 g 첨가했다. 이 반응 용기를 질소 분위기 하 -70℃까지 냉각하여, 감압 탈기 및 질소 블로우를 3회 반복했다. 반응 용기를 실온까지 승온한 후, 중합개시제로서 AIBN을 1.2 g 가하였다. 반응 용기를 60℃까지 승온하여, 15시간 반응시켰다. 이 반응 용액을 이소프로필알코올 1 L 중에 석출시켰다. 석출된 백색 고체를 여과 분별하고, 60℃에서 감압 건조하여, 폴리머 P-9를 얻었다. 폴리머 P-9의 조성은 13C- 및 1H-NMR에 의해, Mw 및 Mw/Mn은 GPC에 의해 분석하였다.
Figure pat00112
합성예 2-10
폴리머 P-10의 합성
2 L의 플라스크에, 모노머 M-7을 3.3 g, 메타크릴산1-메틸-1-시클로펜틸을 8.4 g, 3-히드록시스티렌을 4.8 g, 모노머 PM-2를 3.4 g 및 용제로서 THF를 40 g 첨가했다. 이 반응 용기를 질소 분위기 하 -70℃까지 냉각하여, 감압 탈기 및 질소 블로우를 3회 반복했다. 반응 용기를 실온까지 승온한 후, 중합개시제로서 AIBN을 1.2 g 가하였다. 반응 용기를 60℃까지 승온하여, 15시간 반응시켰다. 이 반응 용액을 이소프로필알코올 1 L 중에 석출시켰다. 석출된 백색 고체를 여과 분별하고, 60℃에서 감압 건조하여, 폴리머 P-10을 얻었다. 폴리머 P-10의 조성은 13C- 및 1H-NMR에 의해, Mw 및 Mw/Mn은 GPC에 의해 분석하였다.
Figure pat00113
합성예 2-11
폴리머 P-11의 합성
2 L의 플라스크에, 모노머 M-5를 1.2 g, 메타크릴산1-메틸-1-시클로펜틸을 8.4 g, 3-히드록시스티렌을 4.0 g, 모노머 PM-2를 11.0 g 및 용제로서 THF를 40 g 첨가했다. 이 반응 용기를 질소 분위기 하 -70℃까지 냉각하여, 감압 탈기 및 질소 블로우를 3회 반복했다. 반응 용기를 실온까지 승온한 후, 중합개시제로서 AIBN을 1.2 g 가하였다. 반응 용기를 60℃까지 승온하여, 15시간 반응시켰다. 이 반응 용액을 이소프로필알코올 1 L 중에 석출시켰다. 석출된 백색 고체를 여과 분별하고, 60℃에서 감압 건조하여, 폴리머 P-11을 얻었다. 폴리머 P-11의 조성은 13C- 및 1H-NMR에 의해, Mw 및 Mw/Mn은 GPC에 의해 분석하였다.
Figure pat00114
합성예 2-12
폴리머 P-12의 합성
2 L의 플라스크에, 모노머 M-9를 2.9 g, 모노머 AM-2를 11.1 g, 3-히드록시스티렌을 3.6 g, 모노머 PM-2를 11.0 g 및 용제로서 THF를 40 g 첨가했다. 이 반응 용기를 질소 분위기 하 -70℃까지 냉각하여, 감압 탈기 및 질소 블로우를 3회 반복했다. 반응 용기를 실온까지 승온한 후, 중합개시제로서 AIBN을 1.2 g 가하였다. 반응 용기를 60℃까지 승온하여, 15시간 반응시켰다. 이 반응 용액을 이소프로필알코올 1 L 중에 석출시켰다. 석출된 백색 고체를 여과 분별하고, 60℃에서 감압 건조하여, 폴리머 P-12를 얻었다. 폴리머 P-12의 조성은 13C- 및 1H-NMR에 의해, Mw 및 Mw/Mn은 GPC에 의해 분석하였다.
Figure pat00115
합성예 2-13
폴리머 P-13의 합성
2 L의 플라스크에, 모노머 M-10을 2.9 g, 모노머 AM-3을 11.7 g, 3-히드록시스티렌을 3.6 g, 모노머 PM-2를 11.0 g 및 용제로서 THF를 40 g 첨가했다. 이 반응 용기를 질소 분위기 하 -70℃까지 냉각하여, 감압 탈기 및 질소 블로우를 3회 반복했다. 반응 용기를 실온까지 승온한 후, 중합개시제로서 AIBN을 1.2 g 가하였다. 반응 용기를 60℃까지 승온하여, 15시간 반응시켰다. 이 반응 용액을 이소프로필알코올 1 L 중에 석출시켰다. 석출된 백색 고체를 여과 분별하고, 60℃에서 감압 건조하여, 폴리머 P-13을 얻었다. 폴리머 P-13의 조성은 13C- 및 1H-NMR에 의해, Mw 및 Mw/Mn은 GPC에 의해 분석하였다.
Figure pat00116
합성예 2-14
폴리머 P-14의 합성
2 L의 플라스크에, 모노머 M-11을 2.5 g, 모노머 AM-4를 10.8 g, 3-히드록시스티렌을 3.6 g, 모노머 PM-2를 11.0 g 및 용제로서 THF를 40 g 첨가했다. 이 반응 용기를 질소 분위기 하 -70℃까지 냉각하여, 감압 탈기 및 질소 블로우를 3회 반복했다. 반응 용기를 실온까지 승온한 후, 중합개시제로서 AIBN을 1.2 g 가하였다. 반응 용기를 60℃까지 승온하여, 15시간 반응시켰다. 이 반응 용액을 이소프로필알코올 1 L 중에 석출시켰다. 석출된 백색 고체를 여과 분별하고, 60℃에서 감압 건조하여, 폴리머 P-14를 얻었다. 폴리머 P-14의 조성은 13C- 및 1H-NMR에 의해, Mw 및 Mw/Mn은 GPC에 의해 분석하였다.
Figure pat00117
비교 합성예 1
비교 폴리머 cP-1의 합성
모노머 M-1 대신에 비교 모노머 cM-1을 이용한 것 이외에는 합성예 2-1과 같은 방법으로 비교 폴리머 cP-1을 얻었다. 비교 폴리머 cP-1의 조성은 13C-NMR 및 1H-NMR에 의해, Mw 및 Mw/Mn은 GPC에 의해 확인했다.
Figure pat00118
비교 합성예 2
비교 폴리머 cP-2의 합성
모노머 M-1을 이용하지 않은 것 이외에는 합성예 2-1과 같은 방법으로 비교 폴리머 cP-2를 얻었다. 비교 폴리머 cP-2의 조성은 13C- 및 1H-NMR에 의해, Mw 및 Mw/Mn은 GPC에 의해 분석하였다.
Figure pat00119
비교 합성예 3
비교 폴리머 cP-3의 합성
모노머 M-5를 이용하지 않은 것 이외에는 합성예 2-5와 같은 방법으로 비교폴리머 cP-3을 얻었다. 비교 폴리머 cP-3의 조성은 13C- 및 1H-NMR에 의해, Mw 및 Mw/Mn은 GPC에 의해 분석하였다.
Figure pat00120
[3] 포지티브형 레지스트 재료의 조제 및 그 평가
실시예 1∼17 및 비교예 1∼4
(1) 포지티브형 레지스트 재료의 조제
계면활성제로서 계면활성제 PolyFox PF-636(옴노바사 제조)을 50 ppm 용해시킨 용제에, 표 1에 나타내는 조성으로 각 성분을 용해시킨 용액을 0.2 ㎛ 사이즈의 필터로 여과하여, 포지티브형 레지스트 재료를 조제했다. 표 1에서, 각 성분은 이하와 같다.
유기 용제:
PGMEA(프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트)
DAA(디아세톤알코올)
EL(L체-젖산에틸)
·산발생제: 하기 구조식의 PAG-1
Figure pat00121
·켄처: 하기 구조식의 Q-1, Q-2, 및 cQ-1
Figure pat00122
EUV 리소그래피 평가
표 1에 나타내는 각 레지스트 재료를, 규소 함유 스핀온 하드마스크 SHB-A940(신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 제조, 규소의 함유량 43 질량%)을 막 두께 20 nm로 형성한 규소 기판 상에 스핀코트하고, 핫플레이트를 이용하여 105℃에서 60초간 프리베이크하여 막 두께 60 nm의 레지스트막을 제작했다. 이것에, EUV 스캐너 NXE3400(ASML사 제조, NA0.33, σ0.9/0.6, 쿼드러플 조명)을 이용하여, 피치 46 nm(웨이퍼 상 치수) 및 +20% 바이어스인 홀 패턴의 마스크를 통해 레지스트막을 EUV에 노광하였다. 핫플레이트 상에서 표 1에 기재한 온도에서 60초간 레지스트막에 베이크(PEB)를 행하고, 2.38 질량%의 TMAH 수용액으로 30초간 현상을 행하여 치수 23 nm의 홀 패턴을 얻었다.
레지스트 패턴을 CD-SEM (CG5000, (주)히타치하이테크 제조) 하에서 관측하였다. 홀 치수가 각각 23 nm로 형성될 때의 노광량을 측정하여 이것을 감도로 했다. 홀 50개의 치수를 측정하고, 그 결과로부터 산출한 표준편차(σ)의 3배치(3σ)를 계산하여 크기 변화, 즉 CDU로서 구했다.
레지스트 조성은 EUV 리소그래피의 감도 및 CDU와 함께 표 1에 나타낸다.
Figure pat00123
표 1에 나타낸 결과로부터, 본 발명의 불소화된 페놀의 술포늄염 구조를 갖는 반복 단위를 포함하는 폴리머를 포함하는 포지티브형 레지스트 재료는, 높은 감도와 개선된 CDU를 제공하는 것이 증명된다.
일본특허출원 제2021-010844호는 본원에 참조로 편입된다.
일부 바람직한 실시양태가 기재되었지만, 상기 교시에 관점에서 여러 수정 및 변형이 이루어질 수 있다. 따라서, 본 발명은 첨부된 청구범위로부터 벗어나지 않고 구체적으로 기재된 바와 달리 실시될 수 있는 것으로 이해된다.

Claims (12)

  1. 불소화된 페놀 화합물의 술포늄염 구조를 갖는 반복 단위(a)를 포함하는 베이스 폴리머를 포함하는 포지티브형 레지스트 재료.
  2. 제1항에 있어서, 반복 단위(a)가 하기 식 (a)를 갖는 포지티브형 레지스트 재료:
    Figure pat00124

    상기 식에서, RA는 수소 또는 메틸이고,
    X1은 단일 결합, 에스테르 결합, 에테르 결합, 페닐렌기 또는 나프틸렌기이고,
    X2는 단일 결합, 페닐렌기, 또는 에테르 결합, 에스테르 결합, 아미드 결합, 락톤환 또는 술톤환을 포함하고 있어도 좋은 C1-C12 포화 히드로카르빌렌기이고,
    X3은 단일 결합, 에스테르 결합 또는 에테르 결합이고,
    Rf는 불소 원자, 트리플루오로메틸, 트리플루오로메톡시, 또는 트리플루오로메틸티오 기이고,
    R1은 C1-C4 알킬기이고,
    R2∼R4는 각각 독립적으로 할로겐, 또는 헤테로 원자를 포함하고 있어도 좋은 C1-C20 히드로카르빌기이고, R2 및 R3이 상호 결합하여 이들이 결합하는 황 원자와 함께 고리를 형성하고 있어도 좋고,
    m은 1∼4의 정수이고, n은 0∼3의 정수이고, m+n은 1∼4이다.
  3. 제1항에 있어서, 베이스 폴리머가, 카르복시기의 수소가 산불안정기로 치환된 반복 단위(b1) 또는 페놀성 히드록시기의 수소가 산불안정기로 치환된 반복 단위(b2) 또는 둘 다를 더 포함하는 포지티브형 레지스트 재료.
  4. 제3항에 있어서, 반복 단위(b1)이 하기 식 (b1)을 가지며, 반복 단위(b2)가 하기 식 (b2)를 갖는 포지티브형 레지스트 재료:
    Figure pat00125

    상기 식에서, RA는 각각 독립적으로 수소 또는 메틸이고, Y1은 단일 결합, 페닐렌, 나프틸렌이거나, 또는 에스테르 결합, 에테르 결합 혹은 락톤환을 포함하는 C1-C12 연결기이고, Y2는 단일 결합, 에스테르 결합 또는 아미드 결합이고, Y3은 단일 결합, 에테르 결합 또는 에스테르 결합이고, R11 및 R12는 각각 독립적으로 산불안정기이고, R13은 불소, 트리플루오로메틸, 시아노 또는 C1-C6 포화 히드로카르빌기이고, R14는 단일 결합이거나 또는 에테르 결합 또는 에스테르 결합을 포함하고 있어도 좋은 C1-C6 알칸디일기이며, a는 1 또는 2이고, b는 0∼4의 정수이고, a+b는 1∼5이다.
  5. 제1항에 있어서, 베이스 폴리머가, 히드록시, 카르복시, 락톤환, 카보네이트 결합, 티오카보네이트 결합, 카르보닐, 환상 아세탈, 에테르 결합, 에스테르 결합, 술폰산에스테르 결합, 시아노, 아미드 결합, -O-C(=O)-S- 및 -O-C(=O)-NH-로 이루어진 군에서 선택되는 밀착성 기를 포함하는 반복 단위(c)를 더 포함하는 포지티브형 레지스트 재료.
  6. 제1항에 있어서, 베이스 폴리머가 하기 식 (d1)∼(d3)을 갖는 반복 단위에서 선택되는 적어도 하나의 유형의 반복 단위를 더 포함하는 포지티브형 레지스트 재료:
    Figure pat00126

    상기 식에서, RA는 각각 독립적으로 수소 또는 메틸이고,
    Z1은 단일 결합, C1-C6 지방족 히드로카르빌렌기, 페닐렌, 나프틸렌 혹은 이들을 조합하여 얻어지는 C7-C18 기, 또는 -O-Z11-, -C(=O)-O-Z11- 혹은 -C(=O)-NH-Z11-이고, Z11은 C1-C6 지방족 히드로카르빌렌기, 페닐렌, 나프틸렌 또는 이들을 조합하여 얻어지는 C7-C18 기이며, 카르보닐기, 에스테르 결합, 에테르 결합 또는 히드록시기를 포함하고 있어도 좋고,
    Z2는 단일 결합 또는 에스테르 결합이고,
    Z3은 단일 결합, -Z31-C(=O)-O-, -Z31-O- 또는 -Z31-O-C(=O)-이고, Z31은 C1-C12 지방족 히드로카르빌렌기, 페닐렌 또는 이들을 조합하여 얻어지는 C7-C18 기이며, 카르보닐기, 에스테르 결합, 에테르 결합, 브롬 또는 요오드를 포함하고 있어도 좋고,
    Z4는 메틸렌, 2,2,2-트리플루오로-1,1-에탄디일 또는 카르보닐이고,
    Z5는 단일 결합, 메틸렌, 에틸렌, 페닐렌, 불소화 페닐렌, 트리플루오로메틸로 치환된 페닐렌, -O-Z51-, -C(=O)-O-Z51- 또는 -C(=O)-NH-Z51-이고, Z51은 C1-C6 지방족 히드로카르빌렌기, 페닐렌, 불소화 페닐렌 또는 트리플루오로메틸로 치환된 페닐렌기이며, 카르보닐기, 에스테르 결합, 에테르 결합, 할로겐 또는 히드록시기를 포함하고 있어도 좋고,
    R21∼R28은 각각 독립적으로 할로겐, 또는 헤테로 원자를 포함하고 있어도 좋은 C1-C20 히드로카르빌기이고, R23 및 R24, 또는 R26 및 R27의 쌍은 상호 결합하여 이들이 결합하는 황 원자와 함께 고리를 형성하고 있어도 좋고,
    M-는 비구핵성 반대 이온이다.
  7. 제1항에 있어서, 산발생제를 더 포함하는 포지티브형 레지스트 재료.
  8. 제1항에 있어서, 유기 용제를 더 포함하는 포지티브형 레지스트 재료.
  9. 제1항에 있어서, 켄처를 더 포함하는 포지티브형 레지스트 재료.
  10. 제1항에 있어서, 계면활성제를 더 포함하는 포지티브형 레지스트 재료.
  11. 제1항의 포지티브형 레지스트 재료를 기판 상에 도포하여 그 위에 레지스트막을 형성하는 단계, 상기 레지스트막을 고에너지선으로 노광하는 단계, 및 상기 노광한 레지스트막을 현상액에서 현상하는 단계를 포함하는 패턴 형성 방법.
  12. 제11항에 있어서, 고에너지선이 i선, KrF 엑시머 레이저, ArF 엑시머 레이저, EB, 또는 파장 3∼15 nm의 EUV인 패턴 형성 방법.
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030031952A1 (en) * 2001-06-25 2003-02-13 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymers, resist compositions and patterning process
JP2006045311A (ja) 2004-08-03 2006-02-16 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 高分子化合物、酸発生剤、ポジ型レジスト組成物、およびレジストパターン形成方法
JP2006178317A (ja) 2004-12-24 2006-07-06 Shin Etsu Chem Co Ltd レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
US20130143163A1 (en) * 2011-12-06 2013-06-06 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist-protective film-forming composition and patterning process
WO2019167737A1 (ja) 2018-02-28 2019-09-06 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法
KR20210015676A (ko) * 2019-08-02 2021-02-10 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 포지티브형 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법
KR20220106700A (ko) * 2021-01-22 2022-07-29 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 포지티브형 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6579044B2 (ja) * 2015-06-30 2019-09-25 信越化学工業株式会社 レジスト組成物及びパターン形成方法
WO2022158326A1 (ja) * 2021-01-22 2022-07-28 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030031952A1 (en) * 2001-06-25 2003-02-13 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymers, resist compositions and patterning process
JP2006045311A (ja) 2004-08-03 2006-02-16 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 高分子化合物、酸発生剤、ポジ型レジスト組成物、およびレジストパターン形成方法
JP2006178317A (ja) 2004-12-24 2006-07-06 Shin Etsu Chem Co Ltd レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
US20130143163A1 (en) * 2011-12-06 2013-06-06 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist-protective film-forming composition and patterning process
WO2019167737A1 (ja) 2018-02-28 2019-09-06 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法
KR20210015676A (ko) * 2019-08-02 2021-02-10 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 포지티브형 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법
KR20220106700A (ko) * 2021-01-22 2022-07-29 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 포지티브형 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
비특허문헌 1: SPIE Vol. 6520 65203L-1(2007)

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